Instituto Tecnolgico de Costa Rica Laboratorio de Circuitos Discretos

Experimento 2 Polarizacin fija y por divisin

de tensin de un transistor BJT
Rosales, Luis

ObjetivoDeterminar las condiciones de operacin de las

configuraciones de polarizacin fija y por divisin de tensin de
un transistor BJT.

I. EQUIPO REQUERIDO
Instrumentos:
Multmetro Digital (DMM)
Fuente de tensin CD
Componentes:
Resistencias:
o 680 (1)
o 2.7k (1)
o 1.8 k(1)
o 6.8 k(1)
o 33 k(1)
o 1 M(1)
Transistores:
o 2N3904 ( equivalente)
o 2N4401 ( equivalente)
II. RESUMEN TERICO
Los transistores de unin bipolar (BJT) funcionan en 3
diferentes modos de operacin:
Corte
Saturacin
Lineal
El transistor se ubica en cada uno de estos modos
dependiendo de las caractersticas fsicas (y nicas) de cada
transistor y del circuito externo al que est conectado.
En modo corte circula una corriente de reversa muy
pequea desde el emisor hacia el colector, haciendo que el
transistor se comporte como un interruptor en posicin abierta
(no conduccin). En el modo de saturacin el flujo de
corriente del colector hacia el emisor se maximiza, haciendo
que el transistor se comporte como un interruptor en posicin
cerrada (conduccin) y el valor de dicha corriente queda
limitado por el circuito externo al que se conecta el transistor.
Estos dos modos de operacin son los que se utilizan en
circuitos digitales.
En circuitos analgicos, como los amplificadores, se utiliza
el transistor en modo de operacin lineal (procurando la menor
distorsin de la seal). Para lograr llevar el transistor a estas

condiciones, se aplica un voltaje de CD para polarizar

directamente la unin Base-Emisor (por ende, la unin basecolector se polariza en inversa). Esto se conoce como
establecer un punto de operacin Q para el transistor,
tpicamente ubicado hacia el centro de la regin lineal de
operacin.
En este experimento se van a investigar 2 tipos de circuitos
externos que permiten llevar al transistor a su regin lineal de
operacin:
Polarizacin directa (fija)
Polarizacin por divisin de tensin
Aunque el primero es relativamente simple tiene el
inconveniente de que la ubicacin del punto de operacin Q es
altamente sensible a la ganancia del transistor () adem
s de
ser sensible a la temperatura, combinados hacen que sea difcil
predecir la ubicacin del punto de operacin Q del transistor
cuando se polariza con el mtodo directo o fijo.
El mtodo por divisor de tensin utiliza retroalimentacin,
haciendo que los voltajes Base-Emisor y Colector-Emisor
dependan principalmente de los elementos externos y no tanto
del del transistor. Entonces, n
a cuando el puede variar
mucho de un transistor a otro (inclusive siendo del mismo
modelo) la ubicacin del punto de operacin (Q) sobre la recta
de carga permanece prcticamente siempre en la misma
ubicacin (independiente de ).
III. PROCEDIMIENTO
Parte A Determinar el valor de
A-1 Construya el circuito de la figura E2-1 usando el
transistor 2N3904. Anote los valores de resistencia
medidos.
A-2 Mida los voltajes VBE y VRC:
a. VBE: __________________
b. VRC: __________________
A-3 Calcule la corriente de base, utilice los valores de
resistencia medidos en el paso A-1 y la ecuacin (1). Anote
los resultados en la tabla 1.
(1)
V (*) V V

IB =

RB

RB

CC

BE

RB

(*) El voltaje VRB no se mide directamente para evitar que la

impedancia del instrumento de medicin cargue la base del
transistor

Instituto Tecnolgico de Costa Rica Laboratorio de Circuitos Discretos

B-4 Conecte el circuito de la figura E2-1 y mida los mismos

voltajes calculados en el paso B-3. Anote el voltaje medido de
VCE en la tabla 1.
a. VB (EXP): __________________
b. VC (EXP): __________________
c. VE (EXP): __________________
d. VCE (EXP):__________________
B-5 Compare los resultados del paso B-3 con las
mediciones del paso B-5. Determine el porcentaje de error.
B-6 Repita los pasos B-1 hasta el B-5 para el transistor
2N4401.
Recuerde que el 2N4401 tiene un valor de diferente al del
transistor 2N3904 y que esto puede afectar sus clculos.
Mantenga los mismos voltajes y resistencias en el circuito.
Cuando realice la medicin del voltaje VCE antelo en la
tabla 1.

Figura E2-1 Circuito de polarizacin directa

A-4 Calcule la corriente de colector usando los valores de
resistencia medidos en el paso A-1 y la ecuacin (2). Anote
los resultados en la tabla 1.

IC =

VRC
RC

Transistor
2N3904
2N4401

Tabla 1 Mediciones transistores BJT

VCE (V) IC (mA)
IB(mA)

(2)

A-5 Con los valores calculados de corrientes, calcule el

valor de en la tabla 1.
A-6 Repita los pasos A-1 hasta el A-5 para el transistor
2N4401
Parte B Polarizacin fija.
B-1 Con el valor calculado de en la parte A, calcule los
valores tericos de las corrientes IC e IB para el circuito de la
figura E2-1. Para los clculos, utilice los valores medidos de
resistencia y el valor medido para VBE.
a. IB (TERICO): __________________
b. IC (TERICO): __________________
B-2 Compare los valores tericos calculados en el paso B-1
con los experimentales obtenidos en los pasos A-3 y A-4.
Cunto es el porcentaje de error?

B-3 Usando los resultados de B-1, calcule los valores de:

a. VB (TERICO): __________________
b. VC (TERICO): __________________
c. VE (TERICO): __________________
d. VCE (TERICO):__________________

B-7 Usando las siguientes ecuaciones, calcule la magnitud

(ignorar el signo) del porcentaje de cambio en cada magnitud
debido al cambio de transistor.
Idealmente, los niveles de voltaje y corriente importantes no
deberan variar con un cambio de transistor, pero sabemos que
el circuito de polarizacin fija es altamente sensible a cambios
de temperatura y de .
Con los resultados, llenar la tabla 2.

(%) =

VCE (%) =
I C (%) =
I B (%) =

2 N 4401 2 N 3904
100%
2 N 3904

VCE 2 N 4401 VCE 2 N 39041

VCE 2 N 39041
I C 2 N 4401 I C 2 N 3904
I C 2 N 3904
I B 2 N 4401 I B 2 N 3904
I B 2 N 3904

100%

(3)

(4)

100%

(5)

100%

(6)

Tabla 2 Porcentajes de variacin causados por

%
%VCE %IC
%IB

Instituto Tecnolgico de Costa Rica Laboratorio de Circuitos Discretos

Parte C Polarizacin por divisin de tensin.
C-1 Construya el circuito de la figura E2-2 usando el
transistor 2N3904. Anote el valor medido de cada uno de las
resistencias.

porcentaje de error.
Tabla 3 Voltajes y Corrientes del circuito E2-2
Magnitud
Terico
Experimental
% Error

VB (V)
VC (V)
VE (V)
VCE (V)
IB (mA)
IC (mA)
IE (mA)
C-4 Anote el valor medido de VCE y los valores tericos
(calculados) de , IC y de IB en la tabla 4.
C-5 Cambie el transistor al 2N4401. Obtenga las
mediciones de: VCE, VRC, VR1 y VR2. Utilice los valores
medidos para calcular IC, I1, I2 & IB. Con los valores
obtenidos complete la tabla 4.
Tabla 4 Voltajes y Corrientes para diferentes transistores
Transistor
2N3904
2N4401
VCE (V)

IC (mA)
IB (A)

Figura E2-2 Circuito de polarizacin por divisin de

tensin
C-2 Usando los valores de obtenidos en la parte A y el
circuito de la figura E2-2 para el transistor 2N3904, calcule los
valores tericos de:
VB
VC
VE
VCE
IB
IC
IE
Anote los valores en la tabla 3.
C-3 En el circuito E2-2, realice las mediciones
experimentales de VR1, VR2, VB, VC, VE y VCE. Antelos
en la tabla 3.
Calcule el valor experimental de IR1= VR1/R1 y de IR2=

VR2/R2.
Calcule el valor de la corriente de base (IB) usando la ley de
corrientes de Kirchoff.
Anote todos los valores en la tabla 3. Compare y obtenga el

C-6 Usando las ecuaciones del paso B-7, calcule los

porcentajes de variacin de , IB, IC y VCE comparando de un
transistor al otro. Anote los valores en la tabla 5.
Tabla 5 Porcentajes de variacin en polarizacin por
divisor de tensin.
%
%VCE %IC
%IB

Parte D Ejercicio de simulacin.

D-1 Usando Spice, PSpice, LTSpice, MicroCap II o
algn otro software libre para simulacin de circuitos,
realice el anlisis de CD del circuito de la figura E2-1. En la
simulacin se debe observar la variacin de VB, IC, IB y
VCE. Utilice el valor calculado de para el transistor
2N3904.
D-2 Repita la simulacin del paso D-1 con el circuito de
la figura E2-2.
D-3 Qu tanto difieren las simulaciones de las
mediciones realizadas en el laboratorio?

Instituto Tecnolgico de Costa Rica Laboratorio de Circuitos Discretos

IV. PROBLEMAS Y EJERCICIOS

Calcule la corriente de saturacin (IC-SAT) en el

circuito de la figura E2-1.
Calcule la corriente de saturacin (IC-SAT) en el
circuito de la figura E2-2.
Determine si las 2 corrientes de saturacin
calculadas en los puntos anteriores son
dependientes del valor de o la temperatura.
Para ambos circuitos, determine: Cmo cambia el
punto de operacin Q (definido por IC y VCE en las
curvas caractersticas del transistor) cuando se
cambia el transistor 2N3904 por el 2N4401?
o Se mueve la ubicacin del punto de
operacin Q en la recta de carga al
cambiar el transistor?
o Se aleja o se acerca el punto Q a la
regin de saturacin o la regin de corte?
Determine la razn de cambio de IB, IC y VCE
como funcin de la variacin de
para los 2
circuitos utilizados. Use la tabla 6 como referencia.

Tabla 6 Razones de variacin de voltaje y corriente en

funcin de
Polarizacin
Polarizacin
Fija
Divisor Tensin

I C (%)
(%)
I B (%)
(%)

VCE (%)
(%)

La figura de mrito (S) se define en la ecuacin

(7) y representa el grado de variacin de la
corriente de colector de un transistor conforme a la
variacin de .

S ( ) =

I C (%)
(%)

(7)

Entonces, a menor S() se dice que el circuito tiene

mejor estabilidad con respecto a la variacin de
.
(lo cual es deseable en un buen diseo)
Considerando los 2 circuitos utilizados en este
experimento, determine:
o Cul de los 2 circuitos tiene una mejor
figura de mrito?

Utilizando los valores de la tabla 6. Considera que

uno de los 2 circuitos tiene mejor estabilidad [S()]
que el otro?

Para el circuito de polarizacin fija (E2-1),

determine la ecuacin que describe la corriente de
base IB en funcin de otros elementos del circuito
como las resistencias y voltaje de alimentacin.
Repita el procedimiento para obtener la corriente
del colector IC
Para el circuito de polarizacin por divisin de
tensin (E2-2), asuma que I1>>IB y que I2>>IB
por lo tanto: I1I2. Considerando esto, determine
la ecuacin que describe la corriente de colector
(IC) en funcin de los dems elementos del
circuito.
Considerando las ecuaciones de corriente de
colector (IC) en los 2 circuitos: Existe alguna
evidencia matemtica que explique por qu uno de
los circuitos de polarizacin es ms sensible a las
variaciones de que el otro?

BIBLIOGRAFA
[1]

Boylestad, R. & Naschelsky, L. "Electrnica: Teora de Circuitos".