You are on page 1of 7

Capitolul 2

CONVERSIA ENERGIEI SOLARE N ENERGIE ELECTRIC


2.1. EFECTUL FOTOVOLTAIC
Efectul de apariie a unei tensiuni electromotoare, sub aciunea energiei solare, denumit
efect fotovoltaic, a fost descoperit de fizicianul francez Alexandre-Edmond Becquerel, n anul
1839. Denumirea acestui efect provine din grecescul phos, care nseamn lumin i din numele
fizicianului Allesandro Volta, realizatorul primei baterii electrice din lume. Efectul fotovoltaic
este datorat eliberrii de sarcini electrice negative (electroni) i pozitive (goluri), ntr-un material
solid, atunci cnd suprafaa acestuia interacioneaz cu lumina. Datorit polarizrii electrice a
materialului respectiv, care se produce sub aciunea luminii, apare o tensiune electromotoare,
care poate genera curent electric ntr-un circuit nchis.
Dispozitivele care funcioneaz pe baza acestui fenomen, sunt denumite celule
fotovoltaice, sau celule electrice solare. Pentru a permite furnizarea unei puteri elctrice
rezonabile, celulele fotovoltaice nu funcioneaz individual ci legate n serie ntr-un mumr mai
mare, alctuind panouri fotovoltaice, sau panouri electrice solare (a nu se confunda cu panourile
solare pentru producerea energiei termice, denumite i colectori solari sau panouri solare
termice). Celulele fotovoltaice pot fi realizate din mai multe materiale semiconductoare, dar
peste 95% din celulele solare sunt realizate din siliciu (Si), care este al doilea element chimic cel
mai rspndit n scoara terestr, reprezentnd cca. 25% din aceasta, deci este disponibil n
cantiti suficiente, fiind astfel i ieftin. n plus, procesele de prelucrare a acestui material nu sunt
agresive pentru mediul ambiant. n figura 2.1 este prezentat structura energetic a materialelor
semiconductoare, deci i a siliciului.

Analizarea acestei scheme energetice este util n vederea nelegerii condiiilor n care
semiconductorii pot deveni materiale conductoare de curent electric. n situaii normale,
electronii ocup n jurul nucleelor atomilor materialului respectiv, diferite nivelele energetice
denumite i straturi sau benzi energetice. Aceste nivele energetice accesibile pentru electroni,
sunt separate de benzi energetice interzise, reprezentnd adevrate bariere energetice pentru
electroni. Nivelul energetic cel mai ridicat dintre cele ocupate de electroni, este denumit i band
energetic de valen, sau mai simplu band de valen. Urmtorul nivel energetic accesibil
electronilor, dar neocupat de acetia, este denumit band energetic de conduie, sau mai simplu
band de conducie. Este evident c pentru materiale diferite, nivelele energetice ale benzii de
valen i ale benzii de conducie sunt diferite. Diferena de potenial energetic E, dintre banda
de conducie i banda de valen, reprezentnd i valoarea barierei energetice dintre cele dou
straturi, este diferena dintre nivelurile energetice Ec al benzii de conducie i Ev al benzii de
valen E=Ec-Ev. n cazul siliciului monocristalin, valoarea acestei bariere energetice este
E1eV, iar n cazul siliciului amorf poate s ajung la E1,7eV. Aceste valori ale barierei
energetice, reprezint cuante de energie care trebuie s fie transmise electronilor de pe stratul de
valen pentru ca acetia s devin liberi, adic pentru a putea trece pe banda de conducie. Prin
supunerea materialelor semiconductoare de tipul siliciului la radiaia solar, fotonii, sau cuantele
de lumin cum mai sunt numii acetia, sunt capabili s transmit electronilor de pe banda de

valen, energia necesar pentru a depi bariera energetic i a trece pe banda de conducie.
Acest fenomen se produce n celulele fotovoltaice. n vederea fabricrii celulelor fotovoltaice, Si
este impurificat (dopat) cu diferite elemente chimice, pentru obinerea unui surplus de sarcini
electrice negative (electroni) sau pozitive (goluri). Se obin astfel straturi de siliciu
semiconductoare de tip n, respectiv de tip p, n funcie de tipul sarcinilor electrice care
predomin. Prin alturarea a dou asemenea straturi de material semiconductor, caracterizate prin
predominana diferit a sarcinilor electrice, n zona de contact, se obine o aa numit jonciune
de tip p-n de tipul celei reprezentate schematic n figura 2.2.

Sub aciunea diferenei de potenial electric, manifestat n zona de contact, electronii


excedentari din stratul n, prezint tendina de migraie n stratul p, deficitar n electroni. Analog,
golurile excedentare din stratul p, prezint tendina de a migra n stratul n, deficitar n sarcin
electric pozitiv. Aceast tendin de deplasare a sarcinilor electrice este reprezentat n figura
2.3.

Amploarea migraiei sarcinilor electrice ntre cele dou straturi ale jonciunii p-n este
limitat de nivelul energetic al purttorilor celor dou tipuri de sarcini electrice. Astfel, cu toate
c nu se va realiza o reechilibrare la nivelul sarcinilor electrice n toat profunzimea celor dou

straturi, o zon superficial din stratul p va fi ocupat de sarcini electrice negative (electroni), iar
o zon superficial din stratul n, va fi ocupat de sarcini electrice pozitive (goluri). Ca efect, se
va produce o redistribuire a sarcinilor electrice n zona jonciunii p-n, de tipul celei reprezentate
n figura 2.4.

Se observ c efectul acestei redistribuiri este reprezentat de apariia unei diferene de


potenial locale, la nivelul jonciunii. Aceast diferen intern de potenial reprezint o barier
care mpiedic o eventual deplasare ulterioar a sarcinilor electrice negative din stratul n spre
stratul p i a celor pozitive din stratul p spre stratul n. Sarcinile electrice libere din cele dou
straturi sunt respinse din zona jonciunii spre suprafeele acestor straturi, opuse jonciunii p-n.
Este cunoscut faptul c lumina prezint un caracter dual, avnd att caracteristici de und,
conform teoriei ondulatorii a luminii, ct i caracteristici corpusculare, conform teoriei
corpusculare, sau fotonice a luminii.
Din punctul de vedere al efectului fotovoltaic este mai util ca lumina s fie considerat ca
avnd caracter corpuscular. Dac jonciunea p-n este supus radiaiei solare, fotonii avnd un
nivel energetic suficient de ridicat (cu att mai ridicat cu ct radiaia solar prezint o intensitate
mai mare), sunt capabili s transfere suficient energie electronilor aflai pe straturile de valen
ale atomilor, pentru a treace pe straturile de conducie i s devin electroni liberi. Sub aciunea
diferenei interne de potenial, care se manifest local la nivelul jonciunii p-n, electronii liberi
care se formeaz n stratul n, sunt respini spre suprafaa stratului n al jonciunii, iar electronii
liberi care se formeaz n stratul p, sunt atrai spre zona de jonciune, pe care o vor traversa i
odat ajuni n stratul n, sunt respini spre suprafaa acestui strat. Fiecare electron liber, n
momentul trecerii sale pe stratul de conducie, las n urm un gol (sarcin electric pozitiv) n
structura atomului pe care l-a prsit, astfel c sub aciunea radiaiei solare nu apar doar electroni

liberi ci perechi de sarcini electrice negative (electroni) i pozitive (goluri). Sub aciunea
diferenei interne de potenial, care se manifest local la nivelul jonciunii p-n, golurile care se
formeaz n stratul p sunt respinse spre periferia stratului p al jonciunii, iar golurile care se
formeaz n stratul n, sunt atrase spre zona de jonciune, pe care o vor traversa i odat ajuni n
stratul p, sunt respini spre suprafaa acestui strat.
n urma deplasrii sarcinilor electrice n cele dou straturi i n zona jonciunii p-n,
conform mecanismului prezentat, se produce o polarizare electric la nivelul suprafeelor
exterioare ale jonciunii p-n, aa cum se observ n figura 2.5.

Dac suprafeele exterioare ale jonciunii p-n sunt acoperite cu cte un strat metalic,
reprezentnd fiecare cte un electrod, ntre acetia se va manifesta o diferen de potenial, care
ntr-un circuit nchis va produce manifestarea unui curent electric.
Diferena de potenial i curentul electric se pot menine la un nivel constant atta tip ct
se manifest radiaia solar. Este evident c variaia intensitii radiaiei solare va produce i
variaii ale diferenei de potenial, dar mai ales ale intensitii curentului electric aa cumse va
arta ulterior. Jonciunea p-n, mpreun cu cei doi electrozi, alctuiete o celul fotovoltaic sau
o celul elctric solar avnd construcia de tipul celei reprezentate n figura 2.6.

Grosimea total a unei celule fotovoltaice este ce cca. 0,3mm, iar grosimea stratului n,
este de cca. 0,002mm. Uzual, deasupra electrodului negativ al celulei fotovoltaice, se amplaseaza
un strat antireflexie, cu rolul de a mpiedica reflexia radiaiei solare incidente pe suprafaa celulei
electrice solare, astfel nct o cantitate ct mai mare de energie s fie transferat electronilor de
valen din cele dou straturi semiconductoare. Celulele fotovoltaice au dimensiuni uzulale de
10x10cm i mai recent de 15x15cm.
Primele celule fotovoltaice, au fost utilizate n 1958, pe satelitul Vanguard I, prezentat n
figura 2.7. Eficiena de conversie a energiei radiaiei solare n electricitate era de 10%, iar
puterea total a acelor celule fotovoltaice a fost de cca. 0,1W. Pn n 2005, puterea total
instalat pe planet a panourilor fotovoltaice, depea 1.000.000.000W=1GW.

Eficiena celulelor fotovoltaice depinde de doi factori: Intensitatea radiaiei solare


incidente pe suprafaa celulei; Eficiena procesului de conversie a energiei radiaiei solare n
energie electric. n prezent, construciile de celule fotovoltaice au eficiene n jurul valorii de
15%, ceea ce reprezint o valoare destul de sczut. Din acest motiv, panourile fotovoltaice sunt
amplasate preponderent n zone caracterizate prin radiaie solar intens. Cu toate acestea, ri ca
Germania sau Austria reprezint exemple de utilizare pe scar larg a acestei tehnologii, cu toate
c nu sunt favorizate din punct de vedere al intensitii radiaiei solare.