You are on page 1of 287

MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE

CAPITOLUL 1
MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE
1.1 Introducere. Tratarea unitară a proprietăţilor de material
Proprietăţile de material sunt rezultatul acţiunii câmpurilor electrice şi
magnetice asupra substanţei.
Cele două moduri de manifestare ale materiei, substanţa şi câmpul, se
află într-o permanentă interacţiune. În principal, interesează proprietăţile
substanţei, deci se va considera numai acţiunea:
câmp → substanţă,
câmpurile fiind cele specifice: electric E şi magnetic H, în regim static (f = 0)
sau dinamic (f ≠ 0).
Principalele proprietăţi de material importante pentru domeniul
electric „E” extins (energetic-electrotehnic, electromecanic-electronic) din
punct de vedere electric şi magnetic sunt: σ - conductivitatea, ε permitivitatea, μ - permeabilitatea şi σN, σP - coeficienţii de conductibilitate
extrinsecă (prin dopare).
Tratarea unitară a „proprietăţii p” (la modul general) are drept scop
obţinerea unei imagini globale în ceea ce priveşte comportarea în domeniul
pulsaţie (frecvenţă) – timp:
p(f) → p(f,To)
p(t) → p(t,To)
(1.1)
Obs. Proprietate pură nu există, ci numai combinaţii de tipul:
a)

σ – semiconductoare σ/2 ;
ε

b)

σ – magneţi metalici;
μ

c)

ε – ferite;
μ

d)

σ – semiconductoare cu proprietăţi magnetice (cristale HALL).
ε
μ

Acţiunea câmp → substanţă în regim static pune în evidenţă
proprietăţile de regim staţionar sau proprietăţi de c.c.:
(E,H)(f = 0) → σc.c., εc.c., μc.c., σNc.c., σPc.c. ,
(1.2)
iar în regim dinamic pe cele de c.a.:
(E,H)(f ) → σc.a., εc.a., μc.a., σNc.a., σPc.a. .
(1.3)
7

MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE

În c.c. existenţa câmpurilor Ec.c. şi Hc.c. (electrostatic şi magnetostatic)
pun în evidenţă coeficienţii pc.c.. Simetria atomilor şi energiile electronilor fiind
perturbate pe durata acţiunii acestor câmpuri, pentru proprietăţile de material
amintite se definesc următoarele constante de timp:
pc.c.

τσ – constanta de timp de alunecare (din BV în BC);
τε – constanta de timp de polarizare dielectrică;
(1.4)
τμ – constanta de timp de polarizare magnetică;
τN şi τP – constanta de timp de existenţă, de viaţă a FPS ce crează
curenţii de conducţie de tip N sau P.

În c.a., f ≠ 0 şi funcţie de durata perioadei T a cîmpurilor Ec.a. sau Hc.a.
comparată cu constanta de timp τp a proprietăţii de material p, proprietatea pc.a.
se afirmă sau se infirmă:
a) T >> τp → p = pc.a . ≈ pc.c. ;
b) T ≥ τp → p = pc.a. < pc.c. ;
(1.5)
c) T << τp → p ≈ 0 → pc.a. .
În cazurile a) şi b) proprietatea p se afirmă, iar în cazul c) se infirmă,
se vorbeşte de nonproprietatea p (electronii acţionaţi în mişcarea lor specifică
au sau nu au timp să o execute după cum T > τp sau T < τp).
În cazurile T << τp trebuie subliniat că, deşi d.p.d.v. al c.c. există toate
condiţiile ca proprietăţile „E” să existe, totuşi necorelarea perioadei T cu
constanta de timp specifică τp conduce la anularea lor, altfel spus, pulsaţia
excitaţiei exterioare apare ca un factor restrictiv asupra proprietăţilor „E”.
Concluzia, asociată mişcării electronice, este că proprietatea generică
de material „p” se va caracteriza printr-o mărime de curent continuu pc.c. şi
una de curent alternativ pc.a., respectiv o constantă de timp acoperitoare τp.
Ţinând seama de comportamentul substanţei la influenţa câmpurilor
alternative, cel mai simplu model analitic pentru pc.a. este:
pc.c.
pc.a. 
 p( j )
(1.6)
1  j p
cu formele:
p(jω) = |p(jω)|ejφp
(1.7)
p(jω) = Re p(jω) - jIm p(jω)
şi unde:
pc.c.
p
1
p( j ) 
; sau pN  c.a. 
(1.8)
2 2
2
p
1   p
1   p
c .c .
φp = - arctg ωτp (faza lui p).
Mărimile sunt prezentate grafic în fig.1.1.

8

MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE

Fig.1.1 Variaţía cu frecvenţa a proprietăţii generice de material p

O valoare importantă în evoluţia celor două mărimi din relaţiile (1.8) în
funcţie de pulsaţie este cea care se atinge pentru:
ωτp = 1 → |pN(ω)| = 0,707
(1.9)
o
φp = - 45
Obs. Din punct de vedere practic, pierderea a 30% din modulul
proprietăţii pN echivalează cu ieşirea din uz a materialului caracterizat de
acea proprietate.
Pulsaţia la care au loc evenimentele menţionate anterior este definită ca
pulsaţia limită la înaltă frecvenţă pentru proprietatea p:
ω = 1/τp = ωp = 2πfp
(1.10)
fp = 1/2πτp
Deci, cu cea mai simplă formă de variaţie p = f(ω), se obţine pentru
materialul de proprietate „p” o comportare de filtru trece jos (FTJ), care
decade din proprietatea p la ωp; sau are banda de frecvenţe între 0 – fp.
În afara benzii este domeniul de existenţă a nonproprietăţii p:
p

p0

şi  p 
p

(1.11)

Concluzii. Orice proprietate de material importantă pentru domenul
„E” este rezultatul acţiunii câmp – substanţă.
În cadrul acestei acţiuni există un factor comun şi anume mişcarea
electronului, deci mişcarea unei mase încărcate electric.
9

MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE

Electronul antrenat de un câmp specific, ce reprezintă o excitaţie
electrică sau magnetică, efectuează o mişcare specifică într-un timp specific –
sau constantă de timp specifică. Tocmai prin această mişcare se evidenţiază
una sau alta din proprietăţile electrice de material.
Generalizând mişcarea sa efectuată în spaţiu şi timp specific, se poate
formula unitar o proprietate generică p asociabilă unei constante generice de
timp τp.
Aplicând asupra materialului o excitaţie variabilă în timp, de perioadă
T, electronii acţionaţi în mişcarea specifică au sau nu au timp să o execute
după cum T > τp sau T < τp. În primul caz, proprietatea p se afirmă; în al
doilea caz se infirmă, apărând contrariul ei non-p sau p .
Comportarea materialului la o excitaşie variabilă implică deci
proprietăţi p variabile în raport cu timpul după legi de integrare a excitaţiei
pe durata stabilirii p, respectiv variabile în raport cu pulsaţia după legea
filtrului trece jos – FTJ.
Se defineşte astfel domeniul de timp şi de frecvenţă al proprietăţii
generice p şi al celei opuse, non-p. La reprezentarea cu frecvenţa, p are
banda între 0 – fp, fp fiind frecvenţa înaltă limită a proprietăţii respective. Ea
este corelată cu τp (fp = 1/2πτp).
Orice factor care energetizează materialul împinge banda FTJ spre
joasă frecvenţă.
1.2 Explicarea fizică a conductivităţii electrice
Scurt istoric
Pentru a putea înţelege proprietăţile materiei şi materialelor este
necesară cunoaşterea structurii materiei.
Înainte de a considera structura materialelor propriuzise, adică a
elementelor şi combinaţiilor chimice, vom reaminti pe scurt dezvoltarea
cunoştiinţelor asupra structurii atomului.
În 1900, după descoperirea electronului de către J. J. THOMSON,
DRUDE propune un model pentru structura metalelor în care electronii de
valenţă sunt consideraţi liberi şi asimilaţi moleculelor unui gaz.
Conceptul gazului electronic, deşi depăşit în ziua de azi, rămâne totuşi
util pentru a explica numeroasele proprietăţi ale materialelor.
În cadrul teoriei clasice a electronilor, aplicând gazului electronic legile
cunoscute de la teoria cinetică a gazelor, au fost regăsite legile de bază ale
electrodinamicii clasice, ca legea lui OHM şi legea lui JOULE-LENZ.
În 1906, RUTHERFORD propune modelul planetar (nuclear) al
atomului. Modelul planetar al atomului contravenea legilor electrodinamicii
clasice deoarece, conform teoriei lui MAXWELL, electronul în mişcarea sa pe
orbită trebuie să radieze energie electromagnetică şi deci, descriind o spirală
în jurul nucleului, trebuie să se alăture după un timp acestuia.
10

MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE

În 1913, BOHR propune modelul său atomic, pentru ca în 1915-1916
acesta să fie modificat de SOMMERFELD, rezultând teoria BOHRSOMMERFELD, care are ca punct de plecare principiile mecanicii clasice
completate cu unele concepte cuantice.
Conceptul de cuantă a fost elaborat de PLANK, în legătură cu
dezvoltarea teoriei radiaţiei (1900). După cum se ştie, aspectul ondulatoriu
explică fenomenele de interferenţă şi de difracţie, iar aspectul de particulă
este folosit pentru explicarea distribuţiei spectrale a radiaţiei corpului negru
şi efectul fotoelectric.
Legătura între aceste două teorii este realizată prin relaţia:
W = hυ,
(1.12)
adică energia W radiată (sau absorbită) de un corp este proporţională cu
frecvenţa radiaţiilor electromagnetice υ pe care le emite (sau le primeşte), iar
h este constanta lui PLANK, una din cele mai importante constante universale:
h = 6,62.10-34 Js.
(1.13)
1.2.1 Configuraţia electronică a atomului izolat (tratarea clasică)
Se ştie că la toate elementele din natură atomul este format dintr-un
nucleu în jurul căruia gravitează pe diferite orbite un număr de electroni;
nucleul conţine un număr de protoni – pozitivi – egal cu numărul de electroni –
negativi – de pe orbite şi de aceea atomul în ansamblu este neutru (fig.1.2).

Fig.1.2 Atomul de hidrogen

De asemenea, în nucleu se găseşte un număr de neutroni, neutri din punct
de vedere electric şi având diametrul şi masa egale cu ale protonilor.
Electronii, protonii şi neutronii sunt particulele fundamentale care stau
la baza structurii tuturor elementelor cunoscute; atomii diferitelor elemente se
deosebesc prin numărul de particule şi prin aranjamentul lor.
Electronul este o microparticulă fundamentală a structurii substanţei,
purtătorul masei şi sarcinii elementare, având spin semiîntreg. Masa de repaos
a electronului este: m0 = 9,1.10-31 Kg şi raza de aproximativ: r0 = 10-13 cm.
Sarcina electronului este de: e- = 1,602.10-19 Coulombi.
Energiile particulelor elementare se măsoară în electroni-volţi.
1 eV = 1,6.10-12 Ergi = 1,6.10-19 Jouli.
11

17) m 2 v 1   c unde c este viteza luminii şi deoarece v/c << 1. iar p reprezintă impulsul electronului. viteză.18) unde a este acceleraţia particulei. F = – eE – ev×B (1. Relaţia (1. Procedeul mecanicii clasice se poate schiţa ca în fig. acceleraţie şi care respectă în mişcarea sa legea lui NEWTON: F = dp/dt. ca de exemplu într-un tub electronic. Astfel. Relaţia (1. Fig.16) Al doilea termen ţine cont de variaţia relativistă a masei dată de expresia: m0 (1. E este intensitatea câmpului electric. v este viteza electronului. ascultând de legile mişcării corpurilor şi fiind caracterizată prin parametrii clasici: masă.15) Legea capătă forma: F = m dv/dt + v dm/dt (1.16) devine: F = m dv/dt = ma (1. atunci i se pot aplica legile de mişcare ale mecanicii clasice.18) reprezintă un sistem de trei ecuaţii diferenţiale: Fx = m d2x/dt2 Fy = m d2y/dt2 (1. se poate considera electronul ca o particulă mobilă obişnuită cu o anumită sarcină electrică.14) şi unde: F este forţa care acţionează asupra electronului în câmpul electromagnetic (forţa LORENTZ).1.3 Procedeul mecanicii clasice de determinare a stării electronului 12 .1.3. B este intensitatea câmpului de inducţie magnetică.19) 2 2 Fz = m d z/dt care pot determina simultan şi cu precizie traiectoria unei particule şi impulsurile particulei.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Dacă electronul s-ar găsi în vid. Expresia impulsului unei particule este: p = mv (1. se poate considera m ≈ m0.

Astfel. trebuie să se recurgă la legile mecanicii cuantice.23) Eliminând λ din relaţiile (1. Considerând separat fiecare electron din atom ca o particulă elementară.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Legile clasice nu pot fi însă aplicate pentru a studia mişcarea şi comportarea electronilor în atomi sau reţelele de atomi ale corpurilor solide.3. Punctul de plecare al mecanicii cuantice (sau ondulatorii) l-a constituit ideea lui LOUIS DE BROGLIE (1924) de a atribui proprietăţi ondulatorii tuturor particulelor materiale (dualitatea undă – particulă.2. Pentru început se consideră orbita circulară. În mişcarea sa pe orbită electronul este supus la două forţe egale. considerându-le constituite din cuante de lumină. adică.21) şi (1. caracteristică a materiei).. ajungând la zero. poate lua orice valoare întreagă. Datorită lucrărilor lui PLANK şi EINSTEIN (1900 – 1906) s-a atribuit undelor electromagnetice un aspect corpuscular. forţa centrifugă şi forţa centripetă: 2 2 mv e  (1. astfel încât energia electronului s-ar micşora fără întrerupere până când. În realitate electronul rămâne în permanenţă în mişcare pe orbita sa.20) 2 r 4 0 r Mişcându-se pe o orbită închisă electronul ar trebui să radieze energie electromagnetică. ceea ce corespunde la a spune că lungimea orbitei trebuie să fie un multiplu întreg al lungimii de undă: 2 rn  n (1.24) 2 rn m Valoarea obţinută se introduce în relaţia (1..21) şi unde n = 1. electronul ar pătrunde în nucleu. de rază r). Aceasta se poate întâmpla numai dacă nu se produce energie.20) unde se explicitează r cu rn şi astfel se obţine relaţia finală a razei electronului: 13 . numite fotoni. iar rn reprezintă raza orbitei ce se obţine pentru o anumită valoare n.23) se obţine v: nh v 2 rn  nh / mv . dacă prin mişcarea electronului se formează unde staţionare pe orbită. Expresia lungimii de undă λ se poate obţine cunoscând din mecanica ondulatorie relaţia dintre cantitatea de mişcare (impulsul p) şi λ: p = mv = h/ λ (1.22) de unde: λ = h/mv (1.. pentru studiul comportării electronilor în sisteme microscopice. se determină raza orbitei şi nivelul de energie corespunzător electronului. ca atomi sau reţele de atomi. ce se mişcă în jurul nucleului pe o anumită orbită (închisă. fiind reţinut de acesta. (1.

MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE

2 2
2
n h
e

(1.25)
rn  2 2 r 2 m 2 4 0 rn2
n
 0 h2 2
2
rn 
n  k1n
(1.26)
 me 2
Energia totală a electronului pe orbită Wn este formată din energia sa
cinetică Wc [Wc = mv2/2, în care mv2 are valoarea din relaţia (1.20)] şi energia
potenţială Wp corespunzătoare interacţiunii coulombiene dintre nucleul cu
sarcina (+e) şi electronul cu sarcina (-e):
m


e2 
e2
Wn  Wc  W p 


8 0 rn  4 0 rn 
8 0 rn
e2

(1.27)

În relaţia (1.27) se introduce şi valoarea razei orbitei din relaţia (1.26) şi
se obţine astfel expresia finală a energiei electronului:
4
k
me
Wn   2 2 2   22
(1.28)
8 0 h n
n
Din relaţiile (1.26) şi (1.28) se pot deduce o serie de concluzii importante
asupra electronului din atomul izolat.
Astfel, din relaţia (1.26) rezultă că razele orbitelor stabile cresc
proporţional cu pătratul numărului n, numit număr cuantic principal.
În relaţia (1.28) toate mărimile sunt constante cu excepţia lui „n”, care
poate lua numai valori întregi; de aceea se spune că energiile electronilor din
atom pot căpăta numai anumite valori discrete în funcţie de mărimea
numărului n – deci energia electronilor este cuantificată pe nivele de
energie.
De asemenea, prezenţa semnului minus „–” în relaţia (1.28) arată că cu
cât electronii sunt mai depărtaţi de nucleu (au valoarea n mai mare) cu atât
energia lor este mai mare şi invers; energia cea mai mică o vor poseda
electronii cei mai apropiaţi de nucleu (n = 1).

Fig.1.4 Spectrul valorilor discrete ele energiilor electronilor
14

MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE

În fig.1.4 se prezintă spectrul valorilor discrete ele energiilor
electronilor de pe diferitele orbite stabile (adică pentru diferite valori n) din
atom.
Consideraţiile prezentate până aici despre electronii din atomul izolat nu
reflectă complet situaţia reală, deoarece s-a presupus că fiecare orbită este
circulară şi determinată de un singur parametru: raza sa.
Situaţia reală este următoarea:
- orbitele nu sunt cercuri ci elipse şi de aceea pentru determinarea în
plan a fiecărei orbite sunt necesari doi parametri,
- orbitele au diferite orientări în spaţiu, necesitând pentru fiecare orbită
încă un parametru de definire a orientării;
- pe lângă deplasarea de-a lungul orbitei fiecare electron efectuează şi o
mişcare de rotaţie în jurul unui ax perpendicular pe planul orbitei –
spinul.
Din consideraţiile de mai sus se deduce că pentru a caracteriza starea
fiecărui electron din atom (nivelul de energie, orbita, orientarea orbitei în
spaţiu, spinul) sunt necesari patru parametri; în statistica cuantică aceşti
parametri poartă numele de numere cuantice şi sunt astfel definiţi:
- numărul cuantic principal „n”: determină mărimea axei mari a
orbitei electronului şi în principal nivelul de energie al acestuia; n = 1,
2, 3, ...;
- numărul cuantic orbital sau azimutal „l”:determină axa mică a
orbitei electronului; pentru fiecare valoare n dată ia n valori diferite:
l =0, 1, 2, 3, ..., (n – 1);
- numărul cuantic magnetic orbital „ml”: determină orientarea în
spaţiu a planului orbitei electronului; pentru fiecare valoare l ia (2l+1)
valori diferite: ml = 0, ±1, ±2, ..., ±l;
- numărul cuantic magnetic de spin „ms”: determină orientarea
vectorului de spin al electronului ia două valori ms = ±1/2.
Pentru a determina cu exactitate structura electronică a atomului izolat
cu ajutorul numerelor cuantice trebuie ţinut seama de următoarele consideraţii:
- principiul lui PAULI (primul principiu al mecanicii cuantice) se
enunţă astfel: într-un sistem complex electronic, în aceeaşi stare
cuantică caracterizată prin anumite valori ale numerelor cuantice nu se
pot găsi doi electroni; altfel spus: fiecare electron este caracterizat
de un singur cuplu de valori ale numerelor cuantice, care nu se mai
întâlnesc la nici un alt electron din sistemul respectiv – în atom;
- de asemenea, se poate spune că pentru fiecare n, l, ml în atom
corespunde o orbită (cu un anumit nivel de energie); însă, pentru
fiecare valoare n dată se obţin n valori diferite pentru l, iar pentru
fiecare valoare l corespund (2l +1) valori pentru ml;
- numărul total de grupe n, l, ml ce se obţin pentru o valoare n dată este:
(2l + 1) = n2 ,
(1.29)
15

MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE

deci se poate spune că pentru fiecare valoare n dată se găsesc în atom n2
orbite diferite – care formează un strat sau o pătură de orbite.
Întrucât pentru toate aceste orbite numărul n şi energia Wn sunt aceleaşi,
înseamnă că în atom există mai multe stări cuantice ale electronului care
corespund aceleiaşi energii Wn : acest fenomen este cunoscut sub denumirea
de degenerare a nivelului energetic Wn. Degenerarea totală a nivelului Wn
(numărul de orbite) este dată de relaţia (1.29).
Straturile de orbite de la nucleu spre exteriorul atomului se notează de
obicei cu literele K, L, M, N, ... De aceea se poate spune că în stratul K (n = 1)
există numai o orbită; în stratul L (n = 2) există 4 orbite etc.
Pentru că numărul cuantic de spin ms nu modifică prin valoarea sa nici
orbitele şi nici nivelul de energie al electronilor rezultă că pe aceeaşi orbită pot
exista simultan maximum doi electroni cu aceeaşi energie, dar cu spin opus
(ms = ±1/2).
Ţinând seama de relaţia (1.29) care dă numărul de orbite dintr-un strat se
deduce uşor că numărul total de electroni Ne ce se pot găsi în fiecare strat
este:
Ne = 2n2
(1.30)
Din motive istorice, pentru stările electronice caracterizate de un anumit
număr cuantic orbital l se utilizează notaţii spectroscopice literare prezentate în
tabelul 1.1.
Tabelul 1.1
Valoarea lui „l”
0
1
2
3
4
5
Notaţia literară
s
p
d
f
g
h
Nr. orbite (2l +1)
1
3
5
7
9
11
Nr. de electr. 2(2l +1)
2
6
10
14
18
22
Astfel, rezultatele obţinute permit stabilirea configuraţiei electronice a
atomilor, adică distribuţia electronilor pe nivelele energetice în starea de
energie minimă sau cu alte cuvinte în starea fundamentală, schematic
prezentată în fig.1.5 şi unde: liniile întrerupte reprezintă nivelele de energie,
pătratele reprezintă orbitele electronilor, iar săgeţile cu sensuri opuse din
interiorul pătratelor reprezintă cei doi electroni cu spin opus de pe fiecare orbită.
Obs. Se deduce că atomul izolat este caracterizat printr-un spectru
discret al energiilor ocupate de electroni; nivelele de energie ale electronilor
sunt bine determinate, iar distanţele dintre ele scad pe măsură ce creşte
energia (cu cât ne depărtăm de nucleu, respectiv cu cât ne deplasăm de la pătura
K la M).
De asemenea, există nivele de energie (situate între cele ocupate de
electroni) care nu vor putea fi ocupate niciodată de electroni; acestea se numesc
nivele de energie interzise.
În fig.1.5 este prezentat numărul maxim de electroni ce se pot găsi în
atom (toate orbitele ocupate cu câte doi electroni). Dacă un atom conţine mai
16

MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE

puţini electroni decât numărul maxim posibil, atunci electronii ocupă complet
orbitele cu nivelele de energie minimă, de la nucleu spre exterior.

Fig.1.5 Distribuţia electronilor pe nivelele energetice

Exemplu: Na are 11 electroni, deci are ocupate complet straturile K şi L
iar M se găseşte un singur electron pe nivelul 3s (1s – 2 electron, 2s – 2, 2p – 6,
3s – 1).
Întrucât nivelele inferioare de energie sunt complet ocupate, rezultă că în
aceste zone energetice nu mai există alte nivele de energie disponibile, care să
fie ocupate de electroni.
Situaţia este opusă în cazul electronilor de pe ultima pătură a atomului
Aceştia se numesc electroni de valenţă, ei stabilesc valenţa atomului (spre
exemplu Na, care are 1 electron pe nivelul 3s al stratului M este monovalent).
Electronii de valenţă, primind pe o cale oarecare energie din exterior, pot
trece de la nivelul lor de energie pe un nivel de energie superior (la Na, în stratul
M nivelele 3p şi 3d sunt libere), ducând astfel la apariţia fenomenului de
coductibilitate electrică.
1.2.2 Configuraţia electronică a corpului solid.
Zonele (benzile) de energie
În paragraful precedent s-a arătat că fiecare atom izolat este caracterizat
printr-un spectru de energie discret. Pentru un anumit corp sau element,
spectrul tuturor atomilor este identic.
În continuare, se consideră în locul atomului izolat un mediu format din
mulţi atomi identici dar situaţi la distanţe foarte mari unul de altul (spre exemplu
17

MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE

un mediu gazos); datorită acestor distanţe mari între atomi nu se exercită nici o
interacţiune. În acest caz, spectrul energetic al mediului este acelaşi cu spectrul
atomului izolat, cu diferenţa că pe fiecare nivel de energetic se găsesc electroni
mai mulţi, de atâtea ori câţi atomi se găsesc în mediul respectiv.
La corpul solid însă atomii se găsesc la distanţe foarte mici unul de altul,
astfel că între atomi apar fenomene de interacţiune.
De aceea, corpului solid trebuie să i se aplice principiul lui Pauli, nu
fiecărui electron în parte, ci întregului corp solid privit ca un tot, ca o
moleculă gigantică care, similar atomului, are un spectru energetic unitar.
Aceasta însemnă că în întregul corp solid fiecare electron este caracterizat
energetic de un singur cuplu de valori ale numerelor cuantice, care nu se mai
întâlnesc la nici un alt electron din corp.
Astfel, dacă în corpul solid există Na atomi, este evident că numărul
nivelelor de energie ale corpului este de Na ori mai mare decât numărul nivelelor
dintr-un atom izolat, deoarece numărul total de electroni din corp este de Na ori
mai mare decât la un atom.
Concluzia importantă ce se desprinde de aici este că la corpul solid
numărul de nivele energetice devine foarte mare în raport cu un atom; practic
fiecare nivel din atomul izolat se despică în Na nivele şi de aceea, pentru
fiecare nivel din atomul izolat se formează la corpul solid o bandă (zonă) de
Na nivele discrete.
Trebuie menţiont că interacţiunea dintre atomi se datoreşte în primul
rând electronilor periferici (de valenţă) ai atomilor şi de aceea pentru aceşti
electroni despicarea nivelelor este apreciabilă (de altfel, interacţiunea dintre
electronii de valenţă asigură unirea atomilor în molecule şi mai departe formarea
corpurilor solide).
Ceilalţi electroni din atomi, cu cât sunt mai apropiaţi de nucleu cu atât au
energia de legătură cu nucleul mai mare – ajungând la sute şi mii de eV – şi de
aceea produc o interacţiune mai redusă cu atomii vecini iar benzile energetice
corespunzătoare sunt mai înguste ajungând ca pentru electronii cei mai interiori
zonele să se reducă la nivelele elementare din atomul izolat.
Se reţine că:
- datorită distanţelor mici dintre atomi, electronii de valenţă ai fiecărui
atom interacţionează cu electronii de valenţă ai atomilor vecini cu
energii de interacţiune de acelaşi ordin de mărime sau chiar mai mari
decât energia de interacţiune cu nucleul atomului propriu;
- astfel, totalitatea electronilor de valenţă formează un tot unitar (asociat
întregului corp solid) în care legăturile energetice ale fiecărui electron
cu un anumit nucleu atomic lipsesc;
- fenomenele de conductibilitate electrică ale metalelor şi
semiconductoarelor se datoresc acestor electroni de valenţă şi nu
electronilor din interiorul atomului care se găsesc mai strâns legaţi de
nucleul respectiv.
18

în interiorul unei benzi energetice electronii pot trece foarte uşor de pe un nivel pe altul. ştiind că 1 cm3 are aproximativ 1022 atomi. în timp ce benzile superioare sunt numai parţial ocupate. .dimensiunea benzilor interzise scade odată cu depărtarea de nucleu.6 Spectrul energetic al corpului solid De reţinut că: .pentru ca electronii să poată trece dintr-o bandă energetică în alta superioară este necesar ca ei să primească energii mari de ordinul eV – de valoarea energetică a benzilor interzise.1. într-o singură dimensiune.1. .lăţimea benzilor admise şi interzise este specifică fiecărui corp în parte şi nu depinde de numărul de atomi din corpul solid.cu cât o bandă permisă este mai depărtată de nucleu cu atât are dimensiuni mai mari. . . atunci fiecare bandă conţine 1022 electroni).3 Calea cuantică. benzile energetice inferioare sunt complet ocupate cu electroni.2. 1. Fiecare bandă (zonă) energetică admisă este formată în realitate din foarte multe nivele discrete de energie (egale ca număr cu numărul de aromi din corp) – foarte – apropiate şi de aceea practic poate fi considerată ca o bandă continuă (de exemplu. neocupate (de exemplu.în conformitate cu situaţia de la nivelele energetice de la care provin. cu condiţia să fie nivele libere. . Teoria electronilor slab legaţi Metoda constă în a considera de la început electronii ca aparţinând întregului corp.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Spectrul energetic al corpului solid este format din benzi (zone) de energie admise (nivele de energie ce pot fi ocupate de electroni) separate prin benzi (zone) de energie interzise (nivele ce nu pot fi ocupate) aşa cum se prezintă simplificat în fig. Fig. în banda electronilor de valenţă cu energii de ordinul 10-22 eV).6. Electronii puternic legaţi vor fi consideraţi ca facând parte din 19 .

Numai electronii mai slab legaţi.32) 4 0 r Energia potenţială a electronului în câmpul unui ion va fi: U i  Vi (1. electronii de valenţă.7 Variaţia energiei potenţiale a electronului În continuare se consideră.constanta reţelei). Fig.1. situat în acest câmp.33) Variaţia energiei potenţiale a electronului în câmpul unui ion. este reprezentată în fig. cu perioada a. pentru simplificare. reţeaua cristalină a ionilor pozitivi (atomi din care lipsesc electronii de valenţă) oferă un potenţial periodic. constituit din atomi situaţi la distanţe egale a (a .7. Din punctul de vedere al electronilor slab legaţi. este o funcţie periodică de x.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE atomi şi deci reţeaua cristalină va apare acum ca fiind constituită din ioni pozitivi. Ea se obţine prin suprapunerea energiilor potenţiale ale atomilor individuali şi este reprezentată în fig.8. Energia potenţială U(x) a electronului.31) 4 0 r 2 Potenţialul electronului va fi: V e2 (1. vor fi consideraţi ca aparţinând întregului cristal. Fig. Forţa exercitată de un ion asupra unui electron care se găseşte în câmpul său este: F  e2 (1. un cristal unidimensional.8 Variaţia energiei potenţiale U(x) a electronului cvasiliber într-un cristal unidimensional 20 . în funcţie de distanţa acestuia până la nucleu.1.1.1.

37) Determinarea funcţiei de undă spaţiale ψ se poate face recurgându-se la ecuaţia lui SCHRODINGER. Aproximaţia electronilor liberi Din expresia (1. z  e i W t h (1.aproximaţia electronilor liberi. unde se introduce energia potenţială U(x) dată de relaţia (1.34). z .34) unde U0 se consideră o medie a curbei energiei potenţiale a electronilor în reţeaua cristalină iar ki = 2πi/a reprezintă numărul de undă al funcţiei de undă asociate electronului şi care exprimă indirect caracterul cu totul aparte al mişcării electronului în condiţii microscopice (puctul de plecare al mecanicii cuantice de a atribui proprietăţi ondulatorii tuturor particulelor materiale):    e it (1.38) Energia totală a unui astfel de electron este: W  W potentiala  Wcinetica W  U 0  mv 2 / 2  U 0  p 2 / 2m . t     x. deci:   x. Această ecuaţie joacă în mecanica cuantică rolul pe care în mecanica clasică îl joacă ecuaţia de mişcare a lui NEWTON. fie în atom fie în corp solid. . y . ceea ce revine la a spune că electronul este liber. (1. Problema determinării funcţiei de undă în reţeaua cristalină periodică se rezolvă admiţând forme simple ale funcţiei potenţialului U(x).34) a energiei potenţiale U(x) a electronului dintr-un cristal unidimensional infinit extins se reţine numai termenul constant U0.35) şi unde ω este pulsaţia undei şi ψ amplitudinea complexă a undei. Aceasta înseamnă a admite ipoteza: dU 0 / dx   F  0 (1.39) unde v este viteza electronului sub acţiunea unei excitaţii exterioare şi p = mv este impulsul corespunzător.aproximaţia electronilor cvasiliberi. y . Indiferent unde se află electronul.36) Funcţia de undă Ψ depinde atât de coordonatele spaţiale cât şi de coordonata temporală. deci şi în cazul de faţă rămâne valabilă relaţia: W = hυ = hω/2π (1. Ea poate fi determinată dacă se cunoşte funcţia de undă spaţială ψ şi energia particulei W. adesea în cadrul următoarelor trei aproximaţii: . a   i 1 i 1  (1. 21 . . în sensul că mişcarea sa nu este perturbată de particulele din noduri.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Variaţia acestei energii se poate dezvolta în serie Fourier sub forma:   2 i  U  x   U 0  U i cos    U 0  U i cos  ki x  .aproximaţia electronilor puternic legaţi.

tridimensional. W2. energia electronului poate lua orice valoare atât în interiorul cât şi în exteriorul cristalului. nu orice energie este permisă. admite soluţii numai pentru anumite valori ale energiei particulei (W1..1. Dintre acestea cea mai importantă este aceea că.1.9a iar spectrul energiei electronului liber în fig. Deci pentru electronul dintr-un sistem fizic dat. trebuie să se considere toate armonicile energiei potenţiale U(x) din seria Fourier şi ecuaţia lui SCHRODINGER. ci numai anumite valori bine determinate. (1. unidimensională. y şi z. Variaţia enrgiei electronului funcţie de impulsul p este reprezentată în flg... Bineînţeles că.. groapa de potenţial va fi o „cutie" de adâncime U0 şi cu laturile egale cu dimensiunile cristalului pe direcţia x. z) reprezintă energia potenţială din care derivă forţa care se exercită asupra electronului. în general.. în cazul unui cristal real.9 a – Variaţia enrgiei electronului funcţie de impuls b – Spectrul energiei electronului liber Aproximaţia electronilor cvasiliberi Pentru a ţine seama de interacţiunea electronilor cu reţeaua cristalină periodică.. În ipoteza menţionată.1. În interiorul cristalului electronul se poate mişca în groapa de potenţial (dreptunghiulară) a cărei adâncime este U0 şi a cărei lăţime este dimensiunea cristalului.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Curba W = f(p) este o parabolă.Wn.9b. Ecuaţia are proprietăţi remarcabile. 22 .40) 2m  2  2  2 2   unde:    este laplasianul funcţiei de undă iar V = x 2 y 2 z 2 V(x.40).). Spectrul discret al energiilor permise se poate deci determina prin rezolvarea ecuaţiei (1. Fig..y. Pentru stări staţionare (în care electronul are o energie constantă) ecuaţia lui SCHRODINGER are următoarea formă: h2 2    W  V   0 .

dacă între lungimea de undă λ a funcţiei ψ şi parametrul reţelei a există relaţia: (1. care constituie o formă particulară a relaţiei lui Bragg pentru o undă care se propagă de-a lungul cristalului unidimensional. Astfel.44) 2a  n .41) poate fi ocolită dacă se aleg soluţiile ecuaţiei pe cale aproximativă.45) Deoarece reflexiilor undei ψ le corespund ciocniri (în sens clasic) ale electronilor. într-un punct din cristal. n  1.. 2a (1. rescrisă pentru cristalul unidimensional: h 2 d 2  W  U  x    0 . Aproximaţia este făcută pe baza reflexiei Bragg a electronilor. 2a (1. rezultă că pentru k  n / 2a mişcarea electronilor este puternic perturbată în reţea.42) h2 2 1 Wn  k  U0  Un .. pe baza unor considerente fizice.43) k  n pentru care mişcarea electronului în reţea este perturbată conduc la următorul rezultat: în care Un reprezintă amplitudinea armonicei de ordinul n din dezvoltarea în serie Fourier a expresiei energiei potenţiale...1. format din zone de energie permise şi interzise. este reprezentată tot printr-o parabolă. a numărului de undă şi de expresia (1.1. dar care pentru k   n / 2a prezintă salturi egale în valoare absolută cu U n .MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Dificultatea integrării ecuaţiei lui SCHRODINGER. ca şi în cazul undelor electromagnetice. ca în fig. valorile permise ale energiei W corespunzătoare valorilor numărului de undă: 1 .10a este prezentată variaţia reală a energiei electronului..  n  1. Astfel. Dacă se ţine cont de expresia k = 1/λ. în fig. Obs.44) a relaţiei lui Bragg se obţine: k 1  n 1 . unda suferă reflexii pe planele reticulare ale unui cristal..3.1. parabola deformându-se din motive de continuitate în jurul acestor valori. 2. 2. ceea ce înseamnă că în cristal nu pot exista electroni care să aibă energii corespunzătoare acestor regiuni. 2m dx 2  (1. Rezultă că funcţia Wn  f  k  . 3.10b este reprezentat spectrul energetic al electronului în cristal. Se ţine seama că mişcarea electronilor în sens clasic este descrisă de propagarea funcţiei de undă în cristal. 23 . iar în fig. fară a se rezolva ecuaţia. 2m 2 (1.10. .

W2. Fig. W3....11 Calea cuantică de determinare a stării electronului 24 . adică mai multe stări ale particulei.. Fig..10 Variaţia reală a energiei electronului în funcţie de numărul de undă k La fiecare energie W1. b. ψ3..1.1.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE a.. Valoarea energiei la care corespunde mai multe funcţii de undă poartă numele de nivel de energie degenerat.a particulei corespunde însă o anumită funcţie de undă: ψ1. ψ2. c. Este însă posibil ca la o anumită energie să corespundă mai multe funcţii de undă.

De aceea. deoarece în atomul izolat ultimile nivele nu sunt complet ocupate cu electroni. De aceea.1. Aceste benzi energetice împreună cu banda interzisă dintre ele stabilesc proprietăţile de conducţie electrică şi judecate la temperatura de 0oK. conductibilitatea corpului solid apare numai dacă există nivele energetice imediat superioare neocupate. alcătuind o bandă sau o zonă de nivele energetice permise. Este natural că cu cât „N" creşte. recapitulând metodele cuantice de determinare a stării electronului. banda cu cele mai mari energii (neocupate. explicând astfel acest fenomen denumit: despicare sau degenerare a nivelelor energetice din atom în funcţie de distanţa interatomică. deoarece primeşte de la câmp o energie suplimentară. ceea ce înseamnă trecerea lui pe nivele superioare de energie stării iniţiale. disponibile) este denumită BANDĂ DE CONDUCŢIE. adică cu cât electronii se găsesc mai depărtaţi de nucleu. deoarece banda energetică de 25 . fiecărui nivel energetic din atom îi va corespunde un număr de Na nivele energetice în cristal. foarte apropiate unul de altul. În concluzie se poate spune că un corp solid în stare pură prezintă conductibilitate electrică dacă electronii din banda de valenţă (BV) pot trece în banda de conducţie (BC) cu ajutorul unei energii primite din exterior. zonele permise se lărgesc. în timp ce banda precedentă (ocupată) este denumită BANDĂ DE VALENŢĂ. 1. pentru că ei se găsesc într-o bandă care are deasupra sa nivele disponibile. Electronii din banda de conducţie sunt denumiţi electroni liberi. sub acţiunea unui câmp electric aplicat din exterior. stau la baza clasificării corpurilor din punct de vedere al conductibilităţii electrice. fără a putea însă ca ei să părăsească corpul solid. acestea pot fi schiţate ca în tabloul prezentat în fig. Singurii care pot produce conductibilitate electrică sunt electronii de valenţă. pe nivele energetice tot mai mari (pe baza energiei suplimentare primite de la câmp). În concluzie.11. care alcătuiesc cristalul. nivelele disponibile neocupate se vor găsi totdeauna în partea superioară benzii de valenţă (ocupată). separate prin zone interzise.3 Clasificarea corpurilor solide din punct de vedere al conductibilităţii electrice cu ajutorul teoriei zonale Pentru a înţelege fenomenul de conductibilitate electrică se reaminteşte că un electron izolat plasat într-un câmp electric este supus la o mişcare uniform accelerată. care se apropie pentru a forma un cristal. electronii de pe nivelele corespunzătoare din atomi fiind mai slab legaţi de nucleu şi deci mai sensibili acţiunii celorlalţi atomi.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE În cazul unui număr Na mare de atomi. Posibilitatea conducţiei curentului electric în corpul solid presupune posibilitatea de deplasare a electronilor acestuia.

13). izolator. straturile electronice exterioare ale atomilor se întrepătrund în reţeaua cristalină a metalului. lucrurile se petrec analog mişcării termice a moleculelor unui gaz şi de aceea totalitatea electronilor liberi din metal este uneori privită ca un gaz electronic.1.12 şi fig.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE conducţie este practic continuă – energia electronului poate varia continuu din nivel în nivel.1.1. metal Fig. atomii îşi pot schimba uşor între ei electronii de valenţă. semiconductor. ei efectuează în spaţiul interatomic mişcări termice haotice cu viteze şi direcţii diferite. Banda interzisă lipseşte şi de aceea electronii de valenţă se găsesc în acelaşi timp în zona de conducţie sau pot trece uşor în aceasta (fig.13 Diagrama nivelelor energetice 26 . Din punct de vedere energetic.12 Diagrama nivelelor energetice a.1. b. c. aceste proprietăţi ale metalelor se explică prin faptul că la ele benzile de valenţă şi conducţie se intersectează. La metale. Fig. Metale Metalele sunt constituite dintr-o reţea regulată de ioni în jurul cărora se mişcă electronii liberi. A.

1. probabilitatea ca o stare energetică (cuantică) caracterizată de energia W la echilibru termodinamic.DIRAC Funcţia φD(w). ia valorile: φD(w) = l pentru w < wF 0 pentru w > wF 1/2 pentru w = wF 27 . să fie ocupată de un electron este dată de funcţia de distribuţie FERMI DIRAC.14 Funcţia de distribuţie şi densitatea de repartiţie FERMI . Reprezentarea grafică a funcţiei este prezentată în fig. corespunzător energiei minime posibile.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Distribuţía FERMI – DIRAC a electronilor într-un cristal metalic. Ţinând seama de principiul de excluziune al lui PAULI. electronii de valenţă ai unui metal nu pot ocupa toţi acelaşi nivel energetic.3 8. ca definiţie. statistică ce se aplică particulelor cu spin 1/2 şi satisfac principiul lui PAULI: D  1 1 e (1. pentru că el caracterizează energia liberă (media energiilor purtătorilor liberi) la echilibrul termic. pentru T = 0°K. În cazul concentraţiilor mari de purtători de sarcini electrice în metale (unde există cel puţin 1022 electroni liberi pe cm3) sau în semiconductoare puternic dopate.46) w wF K BT şi unde: wF este nivelul Fermi (cel mai înalt nivel energetic la care se pot situa electronii liberi din cristal la 0°K) iar KBT este energia termică (KB = constanta lui BOLTZMANN = 1. are sens numai în cazul echilibrului termic (fară polarizări exterioare).1.14. Fig.10-23 J/°K). la temperatura T. Nivelul FERMI. este evident că la zero absolut. el poate fi definit ca fiind energia maximă pe care o au electronii liberi la T = 0°K. OBS.

1. Astfel. BV este complet ocupată. pentru x >> 1). Însă. Semiconductoare cristaline La semiconductoare straturile electronilor de valenţă nu se intersectează ca la metale. nivelul limită Fermi este practic constant în funcţie de temperatură (portă şi numele de potenţial chimic). la metale nivelul FERMI wF trece prin mijlocul unei benzi permise (metale monovalente) sau prin mijlocul unei benzi de enrgie rezultată din suprapunerea BC cu BV. la semiconductoarele pure (intrinseci).1. curba de variaţie se abate de la cea valabilă pentru T = 0°K într-un domeniu egal cu 4KBT notat cu δF. Se poate aprecia că. de aceea electronii de valenţă sunt reţinuţi puternic de către atomi şi nu pot circula liber din atom în atom. materialul este izolant. o stare având energia wF are o probabilitate de ocupare de 1/2. Astfel că la T = 0°K. Rezultă că wF este ultimul nivel energetic ocupat cu electroni. în limitele temperaturilor uzuale pînă aproape de punctul de topire pentru metale pure. În general wF este o funcţie de temperatură. Din contra. pentru temperaturi T > 0°K. pentru orice temperatură T.2 . funcţia de distribuţie Fermi-Dirac se x x confundă cu funcţia de distribuţie Boltzmann (o exponenţială: 1/ 1  e   e . pentru w > wF nici o stare disponibilă nu va fi ocupată de electroni. adică este o certitudine. Fig.15b.15 Poziţionarea benzii interzise Fermi B. Deci.2 eV (fig.1. OBS. dacă nivelul wF trece prin interiorul unei benzi permise materialul respectiv va fi conductor.5c).MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Deci la 0°K probabilitatea ca o stare electronică de energie w < wF să fie ocupată de electroni este egală cu 1.1. Diagrama energetică pentru semiconductoare prezintă între BV şi BC o bandă interzisă BI cu lărgimea ΔwS = 0. BC nu are electroni liberi iar conductibilitatea este nulă. iar dacă trece prin interiorul unei benzi interzise materialul va fi izolator din punct de vedere electric. La valori mari ale lui w. De asemenea. 28 .15a şi fig. fig.

Forţei electrice care are tendinţa de a accelera electronul i se opune o forţă de frecare care frânează electronul. din punct de vedere al conductivităţii electrice. cu deosebirea că banda interzisă este mult mai largă (mare) ΔwD = 2 . În cadrul modelului electronilor liberi. la echilibru termic rezultă: mdv / dt  0 şi deci v  const. C. În absenţa câmpului electric (E = 0) rezultă că şi forţa de frecare este nulă (Ffrecare = 0) deoarece ciocnirile electronilor nu se opun nici unei perturbaţii care să acţioneze asupra cristalului. aceste corpuri rămân izolante chiar şi la temperaturi ridicate. crescându-le energia cinetică.10 eV (fig. aceştia se pot deplasa în interiorul cristalului întocmai ca în vid. când E = 0.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE La semiconductoarele dopate. ţinându-se seama de forţa electrică şi de forţa de frecare. numită bandă interzisă Fermi.48) În concluzie. fiecare electron se găseşte într-o anumită stare. (1. aceste forţe compensându-se.dielectricii . Sub acţiunea unui câmp electric Ecc electronii se accelerează. acest proces de accelerare este întrerupt de ciocnirile electronilor cu ionii reţelei cristaline. În concluzie. cu ajutorul modelului zonelor sau benzilor de energie. viteza unui electron nu va creşte continuu sub acţiunea câmpului electric. (1. în materiale conductoare. având o anumită 29 . face ca electronul să se deplaseze cu o viteză medie constantă. Dielectrici Corpurile solide izolante .1. care în ultimă instanţă reprezintă reţeaua cristalină a metalului.4 Conductibilitatea electrică a metalelor tratată în cadrul modelului electronilor liberi Stabilirea expresiei conductivităţii prin intermediul vitezei de alunecare a electronilor din benzi.15d). Prin dopare Bl Fermi se micşorează prin apariţia unor nivele permise adiţionale de tip donor (d) sau acceptor (a) situate în interiorul acesteia (în funcţie de valenţa metalului de dopare). 1. La un corp izolator nivelul limită Fermi trece prin interiorul unei benzi interzise de lărgime mare. materialele se pot clasifica. Procesul „frecării" nu poate fi înţeles decât prin succesiunea de ciocniri la care este supus electronul. aceasta va avea o valoare medie constantă. semiconductoare şi izolatoare sau dielectrice. Se poate arăta că la dielectrici nivelul FERMI este situat la mijlocul benzii interzise. De aceea. se poate spune că în absenţa câmpului electric aplicat din exterior. Electronului liber i se poate aplica legea clasică a lui NEWTON (F = ma): mdv / dt  eE  Ffrecare .au la T = 0°K aceeaşi structură a benzilor energetice ca şi semiconductoarele intrinseci. cu impurităţi (extrinseci) proprietăţile de conducţie se modifică foarte mult. Astfel. Din această cauză.47) relaţie în care Ffrecare are direcţia vitezei electronului v.

τ . se consideră un cristal asupra cărua un timp a acţionat un câmp electric E care a fost apoi anulat. mdv A / dt  0 şi deci v A  0 (1.52) în ecuaţia (1. În procesul tranzitoriu ce urmează. printr-un raţionament fizic. în care distribuţia continuă să fie perturbată.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE energie şi o anumită viteză constantă. după o relaţie exponenţială de forma: v A  v A0 e  t / (1. Dacă vA ≠ 0. Ţinând cont de expresia (1. caracteristică procesului şi materialului considerat şi care va fi numită timp de relaxare (deoarece procesul de trecere de la o distribuţie excitată la o distribuţie de echilibru poartă numele de relaxare). la valoarea constantă a vitezei dezordonate corespunzătoare echilibrului termic s-a adăugat termenul vA – denumit viteză de alunecare (medie) în câmp electric. unde acum E = 0 şi se obţine expresia pentru Ffrecare: mv A0 /   Ffrecare (1.constanta de timp de relaxare constituie o mărime ce caracterizează printr-un parametru unic procesele de ciocnire a electronilor în reţeaua cristalină. De asemenea. acest lucru nu prezintă importanţă deoarece întodeauna ansamblul se găseşte în situaţii identice. Se poate stabili. sub acţiunea câmpului electric E.47) devine: mdv A / dt  eE  Ffrecare (1. Această viteză trebuie înţeleasă ca o viteză medie a tuturor electronilor de conducţie. distribuţia electronilor este perturbată şi apare curent electric. se presupune că această trecere vA → 0 se face de la o viteză de alunecare iniţială vA0. asupra electronilor va acţiona numai forţa de frecare Ffrecare. nu există curent electric deoarece distribuţia electronilor este neperturbată. În schimb.). viteza electronilor v se modifică astfel: v  vd  v A (1. până când vA → 0. când vA = 0.53) pentru Ffrecare şi considerând-o valabilă şi în prezenţa câmpului. Ca în multe alte procese fizice. Chiar dacă electronii îşi schimbă stările între ei.51) Astfel. Ffrecare.52) unde τ este o constantă de timp. având aceeaşi direcţie dar de sens opus.53) Se constată că forţa de frecare este proporţională cu viteza de alunecare.47).49) unde. ecuaţia (1. În aceste condiţii ecuaţia (1. devine: 30 . Spre exemplu.50) Şi în această situaţie. o expresie convenabilă pentru forţa de frecare. când E = 0. rezultă că legea de mişcare a electronului.50). Se introduce relaţia (1. Forţa de frecare este cu atât mai mare cu cât τ este mai mic. viteză care poate fi denumită şi viteză dezordonată (vd = const.

se deduce imediat densitatea curentului electric J: J  env  en E   E (1. se defineşte matematic conductivitatea electrică:  J/E (1. Conducţia curentului electric se explică prin perturbarea pe care câmpul electric E o produce asupra distribuţiei electronilor (deplasarea orientată a particulelor purtătoare de sarcină electrică în câmp electric).55) unde C este o constantă ce depinde de condiţiile iniţiale.58) Concentraţia electronilor liberi este dată de relaţia n = N/V. cunoscând viteza electronilor v şi concentraţia electronilor liberi din unitatea de volum n.59) Se constată că. Cunoscându-se concentraţia electronilor.56) se vede că.16).56) Din relaţia (1.l.54) Soluţia ecuaţiei este de forma: t  e  v A   E  Ce m (1.58) a fost demonstrată utilizând legea de mişcare clasică a electronului. Din relaţia (1. m unde:  e m (1. care este foarte mică. unde N reprezintă numărul total de particule purtătoare de sarcină din volumul V.60) În urma aplicării câmpului electric E. sau a 31 . sub acţiunea câmpului electric E. În concluzie.denumit mobilitate. Interesează numai termenul permanent şi deci viteza de alunecare în câmp electric va fi: vA   e E sau v A    E . timpul de relaxare mediu echivalent al electronilor  (dintr-o bandă sferică) este egal cu timpul de relaxare al electronilor din jurul nivelului FERMI:    WF  e2 n e2 n şi deci:      WF  m m (1. timpul de relaxare τ are semnificaţia unui timp de alunecare τF (Fermi) din BV în BC (fig. la aceeaşi expresie s-ar fi ajuns şi dacă s-ar fi utilizat legi cuantice. m   f   (1. τ ≤ 10-12s. în cazul unei statistici puternic degenerate. electronul are o viteză de alunecare proporţională cu câmpul aplicat şi cu factorul de proporţionalitate μ .MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE mdv A / dt  eE  mv A0 /  dv A / dt  v A0 /   eE / m sau (1. se poate deduce şi valoarea constantei de timp de relaxare.57) de unde rezultă expresia conductivităţii unui metal: e2 n   en  .57). Conductivitatea electrică a unui corp solid constituie un efect cuantic. Expresia conductivităţii (1.

proprietăţile specifice de material. În concluzie. Fig. unde ω este pulsaţia cu care variază câmpul şi căreia îi corespunde perioada T.substanţă.16 Semnificaţia timpului de alunecare Aplicarea unui câmp electric periodic în timp Se presupune că unui cristal omogen. Expresia generală a densităţii curentului electric datorat purtătorilor dintro bandă energetică ar trebui să fie: J = J1ejωt. Conductivitatea va fi o funcţie de frecvenţă: σ = f(ω). Cu alte cuvinte. electrice şi magnetice. Datorită inerţiei purtătorilor de sarcină antrenaţi în mişcări specifice în cadrul interacţiei câmp (E/H) .).60) va fi funcţie de frecvenţă: 32 . datotită existenţei timpului de relaxare echivalent     wF  conductivitatea va apare la valoarea ei normală numai dacă perioada câmpului aplicat T este mai mare decât 3τF. izoterm (T = const.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE unei constante termice de interacţiune a electronilor cu reţeaua τT (deoarece wF este funcţie de temperatură) şi de aceea: τ = τF = τT. în cazul aplicării câmpului electric periodic în timp unui ansamblu degenerat de electroni (cazul metalelor). cu procese de relaxare descrise prin constanta de relaxare τ(WF) i se aplică un câmp electric periodic în timp de forma: E = E1ejωt. Datorită masei şi inerţiei electronului. timpul de relaxare echivalent τ(WF) din relaţia scalară a conductivităţii (1.1. ce se pun în evidenţă cu acest prilej ating cu întîrzieri specifice valorile J corespunzătoare intensităţii excitaţiei E = E1ejωt. el nu poate aluneca instantaneu din BV în BC şi deci timpul total de stabilire a valorii lui σ este de aproximativ 3τF.

62) se numeşte relaţie cu un pol (numitorul are numai o rădăcină).MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE ca  F 1  j F (1. Fig. se manifestă un efect de inerţie al electronilor.17 Variaţia cu pulsaţia a modulului conductivităţii σN 33 .61) Se poate defini astfel un σca de curent alternativ:  cc e2 n e2 n  F  ca  ca   m m 1  j F 1  j F (1. din care cauză se manifestă efectul de inerţie. Dar în cazul în care perioada câmpului alternativ T devine comparabilă cu timpul de relaxare al electronilor din jurul nivelului Fermi sau este mai mică. În domeniul uzual de lucru al conductorilor metalici ωτF << 1 (τF ≤ 10-12s). este un sistem care integrează semnalul şi indică o scădere cu pulsaţia a mărimii astfel modelate. Câmpul electric variază mult prea rapede pentru ca relaxarea electronilor să poată urmări această variaţie.l.62) O expresie analitică de forma relaţiei (1.

faza I: T >> τσ . σ nu se mai manifestă.17. rezultă un model structural integrator. materialul devine din conductiv rezistiv. când schimbarea de semn a polarităţii excitaţiei îi dezenergizează. Excitaţia de c. este prezentată în fig.17. Obs.electronii abia ajung la nivelul inferior al benzii BC sau pătrund puţin în aceasta. iar cea negativă îi împinge înapoi în BV. este vizibilă decăderea de la σcc.electronii au timpul necesar de a ajunge din BV în BC şi de a se manifesta ca electroni liberi.faza II: T ≈ τσ .64). trimiţându-i înapoi în BV.63) (1. ca în fig.. .1. relaţia (1.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE  ca  N   cc 1   2 F2 e  jarctg F  ca 1   cc 1   2 F2 (1.18). este suprapusă unei excitaţii de c. proprietatea σ se pune bine în evidenţă şi se admite ca fiind echivalentă cu σc c.electronii nu mai au timpul necesar să ajungă în BC la alternanţa pozitivă.64) Variaţia cu pulsaţia a modulului conductivităţii normate σN.1. cu cele trei valori posibile în fig. Deoarece substanţa răspunde la excitaţii salt specifice prin proprietăţi specifice retardate (prin funcţii indiciale cu timp de comutaţie tc  3 F . iar substanţa se comportă ca un filtru trece jos (FTJ) în raport cu spectrul conţinut în excitaţie. .a. iar perioadele excitaţiei aplicate T.c. au următoarele semnificaţii: .1.1. de conducţie. rezultă că ele sunt integrale ale excitaţiei.18 Excitaţie salt şi timpul de comutaţie 34 .faza III: T << τσ . Fig.

1.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Relaţia (1. cu cât materialul este mai pur cu atât frecvenţele la care se poate folosi sunt mai înalte.5 Proprietăţile materialelor conductoare În cadrul acestui paragraf se vor urmări aspectele tehnice.19 Cele mai uzuale elemente chimice folosite în realizarea componentelor electronice 35 .depinde de structura materialului. Fig. tehnologice şi de utilizare ale conductivităţii.62) reprezintă astfel cel mai simplu model analitic al factorilor de transfer pentru FTJ.17. Pulsaţia la care are loc acest fenomen este definită ca o pulsaţie limită la înaltă frecvenţă pentru proprietatea σ şi a fost notată cu ωF în fig.1. materialele electronice se împart în trei mari categorii şi anume: 1 – Conductoare. proprietate de material specifică metalelor şi aliajelor lor.  N    1/ 2 → F F  1 şi F  1/  F (1. Aceste materiale au o structură cristalină în care atomii sunt legaţi între ei prin intermediul unor legături covalente la care participă electronii de valenţă ai atomilor din care este realizat materialul respectiv. Pierderea a 30% din modulul proprietăţii σN echivalează cu ieşirea din uz a materialului caracterizat de această proprietate. 2 – Semiconductoare şi 3 – Izolatoare (dielectrice).frecvenţa . care pentru funcţia indicială intră în definirea timpului de comutaţie: tc  3 F   î (1. Materialele electronice sunt utilizate pentru realizarea componentelor şi dispozitivelor electronice. Banda de lucru .65) Pentru reţelele integratoare τF este o constantă de timp limitativă la înaltă frecfenţă τî. Din punct de vedere electric.66) 1.

67) şi în care R reprezintă rezistenţa electrică a materialului având aria secţiunii S şi lungimea l. Conductibilitatea electrică a materialelor este determinată de apariţia purtătorilor de sarcină electrică. în anumite condiţii energetice şi de deplasarea acestora în structura internă a materialului respectiv. Metalele şi aliajele lor sunt conductoare de ordinul I.1023 Ωmm2/m).19 sunt prezentate cele mai uzuale elemente chimice utilizate pentru obţinerea materialelor din care sunt realizate componentele şi dispozitivele electronice.68) Materialele conductoare au rezistivitatea cea mai mică. ce reprezintă inversul conductivităţii. cuprinsă între 10 -8 şi 10 Ωmm2/m (semiconductoare:  = 10.20 Ordonarea unor materiale după valoarea rezistivităţii 36 . unitatea de rezistivitate este ohmmetrul [Ωm]: 1 Ωm = 102 Ωcm = 106 Ωmm2/m (1.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE În fig. Ele au conductivitate electronică.1. Fig.. Proprietatea care diferenţiază cele trei tipuri de materiale electronice este conductibilitatea electrică (proprietatea unui material de a permite trecerea curentului electric).1012 Ωmm2/m.. electroizolante:  = 1012.. îşi micşorează rezistivitatea cu creşterea temperaturii şi suferă modificări chimice când sunt străbătuţi de curent electric. În sistemul internaţional (SI) de unităţi. temperatură. îşi măresc rezistivitatea cu creşterea temperaturii şi nu suferă modificări chimice când sunt străbătute de curent electric. Rezistivitatea electrică  a unui material reprezintă rezistenţa electrică pe care o opune un conductor din acel material la trecerea curentului electric. astfel încât. solicitări mecanice. Conductivitatea de tip electronic – corespunzătoare deplasării electronilor − ia valori mai mari decât conducţia de tip ionic – corespunzătoare deplasării ionilor în electroliţi – şi este caracteristică materialelor metalice în stare solidă sau lichidă. având lungimea egală cu unitatea de lungime şi aria secţiunii egală cu unitatea de suprafaţă. Ei au conductivitate ionică. Este larg răspândit studiul rezistivităţii electrice   1/  ..1. deci:   1/   RS / l (1. Electroliţii sunt conductoare de ordinul II. în continuare se vor expune legile de variaţie ale acesteia cu diferiţi factori de mediu şi de proces tehnologic care o influenţează: defecte cristaline.

Aşa cum se observă din aceeastă ordonare. în care ordonarea s-a făcut după valoarea rezistivităţii.20 se prezintă o ordonare după valoarea rezistivităţii în [Ωm] a unor materiale sau tipuri de materiale mai cunoscute. molecule. temperaturi ridicate etc. se constată existenţa aceloraşi proprietăţi în orice direcţie ar fi acestea măsurate. în reprezentarea structurilor cristaline se exagerează distanţele dintre particule învecinate ca în fig.21.). în practică se utilizează nu numai metale în stare pură ci şi aliaje ale acestora. materiale conductoare sunt metalele şi evident aliajele acestora. Particulele ce formează o reţea cristalină sunt împachetate compact. adică este prezentă izotropia. Starea amorfa a materialelor corespunde distribuţiei dezordonate a particulelor în spaţiu. După distribuţia mutuală (vecină) a particulelor (atomi. Caracteristica esenţială a unui cristal o constituie faptul că particulele din care este format (ioni. dar pentru simplificare. coroziune.1.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE În fig. specific unei reţele geometrice.2. Valorile unor caracteristici ale metalelor utilizate mai frecvent sunt prezentate în tabelul 1. starea cristalină si cea mezomorfă. Tabelul 1. Deoarece nu se păstrează o ordine specifică în aranjamentul spaţial al particulelor.1. atomi.2 Caracteristici ale unor metale Datorită condiţiilor de exploatare extrem de diverse ale componentelor conductoare (solicitări mecanice. molecule) sunt distribuite ordonat într-un ansamblu periodic. ioni) se deosebesc trei stări structurale: starea amorfă. Defectele cristaline. 37 .

caracterizate de colectivizarea electronilor din banda de valenţă şi care se mişcă liber sub formă de „nor electronic” printre ionii pozitivi din care este alcătuit miezul. luciu metalic etc. sau prezenţa unui atom plasat între noduri atom interstiţial. intersecţiile lor se numesc nodurile reţelei cristaline. pot conduce la defecte punctuale cum sunt impurităţile interstiţiale şi impurităţile de substituţie). ordonări care pot varia de la un corp la altul şi cărora le corespund diverse sisteme de cristalizare (determinată experimental cu razele X).69) şi unde τd reprezintă timpul de relaxare corespunzător interacţiei dintre electroni şi defectele cristaline.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Fig. fisuri. au proprietăţi metalice. incluziuni de corpuri străine în cristal). defecte liniare (dislocaţiile de margine sau dislocaţiile elicoidale). Într-un cristal real există: defecte punctuale (lipsa unui atom. Se deosebesc 7 (şapte) sisteme de cristalizare: hexagonal.21 Reprezentarea simbolică a unui cristal Deci.vacanţă. atomi de altă natură. cubic. valoarea rezistivităţii este suplimentată de un al doilea termen similar celui dedus teoretic în paragraful anterior:  m 1 m 1  2 2 e n F e n d (1.1. tetragonal. Liniile se numesc linii reticulare. prezenţa impurităţilor. În prezenţa defectelor cristaline. Materialele conductoare metalice (metale si aliaje metalice) sunt caracterizate de starea cristalină sau metalică. romboedric (trigonal). cum sunt conductivitatea termică şi electrică ridicate. iar planele formate de diferite linii reticulare se numesc plane reticulare. defecte bidimensionale ( de suprafaţă şi pot fi de reorientare prin înclinaţie sau de reorientare prin rotaţie) şi defecte de volum (prezenţa unor goluri. monoclinic şi triclinic. 38 . ductibilitate. Reţeaua cristalină se reprezintă prin linii drepte în ale căror puncte de intersecţie se găsesc centrele particulelor constitutive. Aceste materiale au legături specifice metalice. rombic. din care derivă 14 tipuri de reţele cristaline posibile. ion sau moleculă dintr-un nod . starea cristalină (solidă) corespunde unei aşezări ordonate şi repetabile a particulelor componente ale corpului.

Scopul acestora este de a obţine materiale de mare rezistivitate.70) 0 T  T0  T  0 1    T  T0   39 (1. şi deci rezistivitatea electrică va creşte. creşterea numărului de ciocniri şi deci creşterea rezistivităţii. Materialele conductoare utilizate în tehnică au întodeauna impurităţi şi defecte de structură cristalină. Pentru a caracteriza creşterea rezistivităţii cu temperatura la materialele conductoare.3. astfel că orice aliaj are rezistivitatea electrică mai mare decât a metalului de bază. s-a adoptat coeficientul de temperatură al rezistivităţii   :   de unde: T  0 (1. deci τF scade cu creşterea temperaturii. Rezultă că cea mai bună conductivitate o au metalele lipsite de impurităţi şi cu structură cât mai apropiată de echilibru. Temperatura. numită temperatura Debye . Constanta de timp de relaxare τF variază cu temperatura astfel: când temperatura T creşte. De aceea şi rezistivitatea devine funcţie de temperatură. în domenii mici de variaţie a temperaturii. ducând astfel la creşterea rezistivităţii datorită creşterii numărului de ciocniri ale electronilor cu reţeaua metalului. Rezistivitatea electrică a unui conductor este proporţională cu temperatura acestuia. Dacă impurităţile se introduc voit într-un metal se obţin aliajele. Tabelul 1. la temperaturi ce depăşesc o anumită valoare caracteristică fiecărui material.71) . nodurile reţelelor se depărtează şi tranziţia între stări se face la energii potenţiale mai mici. Temperatura Debye a câtorva metale este dată în tabelul 1. Existenţa acestor impurităţi şi defecte de structură generează o întârziere suplimentară a electronilor prin reducerea duratei de relaxare (durata dintre două ciocniri succesive ale electronilor în mişcarea lor dirijată).MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Prezenţa impurităţilor (presupuse tot de natură metalică) deformează reţeaua cristalină a metalului de bază. ce se transformă în căldură. Creşterea temperaturii unui conductor metalic are ca rezultat mărirea agitaţiei termice. cu cât distorsiunile reţelei cristaline vor fi mai puterince cu atât ciocnirile vor fi mai numeroase. Astfel se explică încălzirea materialelor conductoare străbătute de curent electric.TD. aceştia cedează o parte din energia lor cinetică.3 Temperaturile Debye ale unor metale Prin ciocnirea electronilor cu atomii metalului. variind liniar cu T.

000008 .00393 0.22. Fig. Între conductivtatea termică  în W/mK şi rezistivitatea electrică  în Ωm. Valoarea acestui coeficient este totdeauna mai mare decât zero pentru metalele conductoare.72) La scăderea temperaturii agitaţia termică scade. Coeficientul   în SI are ca unitate de măsură [1/°C] şi are aproximativ valoarea 0.4.0005 Obs. este prezentat în tabelul 1. T0 fiind temperatura de referinţă (de obicei 293 K).0038 0.23 108 T (1.22 Dependenţa rezistivităţii de temperatură 40 . corpul atingând starea de supraconductibilitate. există relaţia experimentală:   2.0045 0. fig.1. coeficientul de temperatură al rezistivităţii reprezintă variaţia unităţii de rezistivitate pentru o variaţie a temperaturii cu un grad. astfel că sub o anumită valoare TSC interacţiunea electronilor cu reţeaua cristalină se reduce atât de mult încât rezistivitatea electrică este practic nulă. la 20oC. Coeficientul de variaţie cu temperatura pentru câteva materialele conductoare.0.1. Conductibilitatea electrică este corelată cu conductibilitatea termică deoarece electronii servesc şi pentru transmiterea căldurii în material. Tabelul 1. Deci. chiar temperatura favorizează apariţia electronilor liberi). La materialele semiconductoare rezistivitatea scade cu creşterea temperaturii.00391 0. Coeficientul are valori negative (deoarece aceste materiale în condiţii normale nu au electroni liberi.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE în care ρT – ρ0 reprezintă creşterea rezistivităţii pentru intervalul de temperatură T – T0.4 Materialul Coeficientul   [1/°C] Tungsten Cupru Aluminiu Argint Constantan Carbon 0.004 pentru toate metalele pure.

243 .5. se demonstrează că fluxul magnetic total.5 Materialul Tungsten Cupru Aluminiu Argint Constantan Temperatura T0 la care rezistenţa tinde la zero [oC] .125000 Atingerea stării de supraconductibilitate este influenţată şi de prezenţa câmpului magnetic prin reducerea valorii temperaturii de tranziţie atunci când intensitatea câmpului creşte.23b). dacă intensitatea câmpului atinge o anumită valoare critică Hcr dependentă de temperatură. după descoperirea în 1986 a unor compuşi ai metalelor de tranziţie de tipul oxizilor la care starea de supraconductibilitate se atinge la temperaturi mai ridicate.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Fenomenul este foarte complex şi este în prezent explicat de teoria perechilor de electroni cu momente cinetice şi momente magnetice de spin egale şi de semn contrar.234. Deşi descoperit în anul 1911 (după lichefierea heliului). ce se pot deplasa liber în material. Cooper.5. Fragilitatea ridicată a 41 . Aplicaţiile mai importante ale materialelor supraconductoare se datorează posibilităţii creşterii densităţii de curent la valori ridicate. Temperatura TSC la care teoretic rezistenţa materialului tinde la zero este prezentată pentru câteva materile în tabelul 1. ce trece printr-un inel supraconductor.5 -236 . Acest rezultat este verificat experimental şi confirmă existenţa perechilor de electroni în structura stării supraconductoare. unde „e” este sarcina electronului. fără să interacţioneze cu reţeaua cristalină (teoria BCS – Bardeen.23a).1. poate lua numai valori cuantificate. electromagneţi cu câmpuri magnetice intense. În baza teoriei BCS. mijloace de transport pe pernă magnetică. starea de supraconductibilitate dispare (vezi fig. Temperatura TSC numită şi temperatură de tranziţie sau de supraconductibilitate este foarte scăzută în cazul metalelor pure aşa cum se constată din tabelul 1. iar „h” este constanta lui Planck. ce pot fi atinse în condiţii economice prin răcirea cu azot a cărui temperatură de lichefiere este 77 K. trecerea poate fi bruscă – cazul supraconductorilor de speţa I – sau poate avea loc într-un domeniu al intensităţii câmpului magnetic Hc1… Hc2 – cazul supraconductorilor de speţa a II-a (vezi fig.1. aceste aplicaţii sunt: cabluri pentru transportul energiei electrice la distanţe mari. aplicaţiile practice extinse ale fenomenului supraconductibilităţii sunt de dată relativ recentă. Tabelul 1. microprocesoare de mare viteză etc. Schrieffer – fizicieni care au primit premiul Nobel pentru aceeastă teorie). traductoare.202 . cuanta fiind denumită fluxon: h/2e.

.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE materialelor supraconductoare constituie principalul neajuns care îngreunează extinderea utilizării lor. semnul „–". Constantele de timp de relaxare τF şi τd variază cu solicitările mecanice pe care le pot suferi reţelele metalice ca: laminarea. forjarea trefilarea etc.6 Funcţiile materialelor conductoare Funcţia de conducţie a curentului electric Pentru îndeplinirea funcţiei de conducţie. rezistenţă la coroziune şi să existe 42 . rezistenţă mecanică. σm . este necesar ca materialul să posede rezistivitate scăzută. Deci solicitările mecanice produc deformarea corpurilor ce se realizează prin deplasări ale atomilor din poziţiile de echilibru. Dacă solicitările generează tensiuni mecanice care produc numai deformaţii elastice.coeficientul mecanic al rezistivităţii. b − supraconductori de speţa a II-a Solicitările mecanice.23 Influenţa câmpului magnetic asupra temperaturii TSC: a – supraconductori de speţa I. variaţia rezistivităţii electrice este proporţională cu tensiunea mecanică iar modificările sunt reversibile. Aceste deplasări influenţează rezistivitatea electrică a materialului prin modificarea constantei de relaxare a purtătorilor de sarcină electrică. 1.73). semnul „+". în relaţia (1. care deformează reţeaua cristalină. metalul trecând din starea „moale" în starea „dură". Legea de variaţie experimentală a materialului deformat elastic este:   0 1   m  (1. Fig.73) unde: ρ0 este reziştivitatea materialului în absenţa solicitării mecanice.1. dacă tensiunile sunt de compresiune rezistivitatea electrică scade.tensiunea mecanică normală care a produs deformarea şi φ . dacă tensiunile sunt de întindere rezistivitatea creşte. Această proprietate a materialelor metalice este utilizată pentru realizarea traductorilor tenso-rezistivi utilizaţi la măsurarea tensiunilor mecanice şi în construcţia aparatelor şi dispozitivelor ce se bazează pe deformarea elastică a unui element.

Funcţia de contactare-comutare Materialele utilizate pentru realizarea contactoarelor şi comutatoarelor sunt aliaje cu argint.7 Materiale conductoare folosite în construcţia de echipamente. întrucat sunt alcatuite din cel puţin doua feluri (specii) de atomi. Al. trefilare. ca de exemplu: cuprul. Metalele (elementele) care alcătuiesc aliajul poartă numele de componenţi. prin solidificare. invarianţă a proprietăţilor şi dimensiunilor într-un domeniu larg de temperaturi şi potenţial electrochimic cât mai apropiat de cel al cuprului din care sunt confecţionate terminalele rezistoarelor. formând o topitură omogenă care. formează un sistem de aliaje. toate aliajele sunt eterogene. Se utilizează aliajele argintului cu wolfram. maleabilitate şi ductilitate. astfel încât să poată fi obţinute prin trefilare diametre reduse. Materialele utilizate frecvent sunt Cu. Au şi aliaje Cu-Zn (alama) sau Cu-Be. molibdenul şi wolframul pentru stabilitatea la temperaturi înalte. Dacă se consideră sistemele fizico-chimice (corp sau ansamblu de corpuri) în interacţiune. staniul. iar totalitatea aliajelor formate de către aceiaşi componenţi. cum sunt conductibilitatea termică şi electrică. Cu-Ni-Mn (manganina). astfel încât tensiunea termoelectromotoare de zgomot să fie redusă. molibden sau cupru. Pentru ca un aliaj să posede proprietăţi metalice. componente şi dispozitive electronice a. În practică cele mai multe metale sunt folositoare sub forma de aliaje. oxidul de argint având conductibilitatea electrică apropiată de cea a argintului. Funcţia de limitare a curentului electric Pentru îndeplinirea acestei funcţii. este necesar să predomine legătura metalică. Ag. izolate imaginar de mediul înconjurător. sau Ni-Cr-Al-Co (Kantal).MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE posibilitatea de prelucrare prin laminare. este necesar ca materialul (utilizat la fabricarea rezistoarelor bobinate de putere) să prezinte rezistivitate ridicată. Cu-Ni-Zn (nichelina). Noţiuni generale Metalele tehnic pure sunt utilizate în practică datorită unor proprietăţi speciale. adică materiale metalice rezultate din topirea împreuna a unor metale cu metale sau metale cu nemetale (metaloide). lipire sau sudare. aluminiul şi argintul pentru conductibilitatea lor termică şi electrică mari. pentru a nu fi deteriorate de arcul electric format la întreruperea contactului. Pentru ca prin topire să rezulte un aliaj. se impune ca aliajele să posede duritate mecanică şi temperaturi de topire ridicate. elementele trebuie să se dizolve complet în stare lichidă. care prezintă elasticitate şi rigiditate mecanică. La scara atomică. stabilitatea la temperaturi înalte. 1. ele pot fi: 43 . rezistenţa bună la coroziune. să dea naştere unui material metalic omogen din punct de vedere macroscopic. Sunt utilizate aliaje Cu-Ni (constantan). Pentru a rezista la un număr mare de acţionări.

Astfel. Rezistenţa mecanică a metalelor creşte prin aliere: de exemplu. proprietăţile metalelor şi aliajelor acestora sunt prezentate mai jos.sisteme de aliaje în care componenţii sunt total insolubili unul în altul în stare lichidă. alama. Temperatura de topire este mai mică în cazul aliajelor. Rezistenţa la coroziune se mareşte dacă metalele se aliază. parţial solubili sau total insolubili. în stare solidă pot fi: total solubili. În cazul când componenţii sunt total solubili în stare lichidă. şi anume: . Parţile omogene ale unui sistem eterogen diferă între ele prin proprietăţile lor fizico-chimice. b. Duritatea aliajelor este mai mare decât a metalelor pure care la compun. în stare solidă pot fi: parţial solubili sau total insolubili.sisteme de aliaje în care componenţii sunt parţial solubili unul în altul în stare lichidă. în stare solidă nu pot fi decât total insolubili. Când componenţii sunt total insolubili în stare lichidă. proprietatea se foloseste în procesele de prelucrare la cald.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE omogene – cu aceleaşi caracteristici în toată masa şi eterogene – formate din parţi omogene separabile prin procedee mecanice. Un adaos de carbon şi wolfram dublează duritatea fierului. Dacă componenţii sunt parţial solubili în stare lichidă. După solubilitatea în stare lichidă se disting trei grupe mari. Conductibilitatea electrică a aliajului este mai mică decât conductibilitatea componentelor. Clasificarea sistemelor de aliaje se face în funcţie de solubilitatea reciprocă a componenţilor în stare lichidă şi în stare solidă. Marirea duritaţii prin aliere este unul din motivele pentru care se elaborează aliajele. aliaj de cupru şi zinc este de aproape doua ori mai rezistentă decât cuprul pur şi de patru ori mai rezistentă decât zincul. .sisteme de aliaje în care componenţii sunt total solubili unul în altul în stare lichidă. folosite în electrotehnică. aliajele sunt rezistente la acţiunea agenţilor fizici şi chimici din atmosferă. pe această proprietate se bazează obţinerea unor aliaje (nichel. Proprietaţi fizice ale aliajelor Densitatea aliajelor este de cele mai multe ori intermediară între densităţile metalelor constituente. decât temperaturile de topire ale metalelor respective. constantan) cu rezistenţa electrică mare. . Sintetic. oţelurile (aliaje ale fierului cu carbonul) au duritatea mult mai mare decât a fierului pur. 44 .

depăşită doar de a argintului care este foarte scump.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE c. cu duritate şi rezistenţă mică.conductivitate electrică foarte mare.rezistenţă mecanică suficient de mare. 45 . dar cu conductivitate mai înaltă. duritate şi elasticitate la îndoire. Se utilizează pentru fabricarea conductoarelor acolo unde este necesară o rezistenţă mecanică mare. până la diametre de sutimi de milimetru. . Pentru utilizare ca material conductor se foloseşte numai cupru electrolitic pur (peste 99. În urma unui tratament termic până la câteva sute de grade se obţine cuprul moale. Prin trefilare la rece se obţine cuprul dur care are o rezistenţă la întindere ridicată. În unele cazuri se utilizează ca materiale conductoare aliaje ale cuprului care. au proprietăţi mecanice superioare.stabilitate satisfăcătoare la coroziune. Materiale (metale şi aliaje) de mare conductibilitate Cuprul şi aliajele lui Proprietăţile cuprului: . la temperaturi normale. .prelucrare uşoară prin laminare şi trefilare. chiar dacă au conductivitate mai mică.9% Cu) deoarece chiar mici adaosuri scad sensibil conductivitatea materialului. relativ plastic. . utilizat pentru cazurile în care este importantă flexibilitatea. duritate şi rezistenţă la frecare. lipire şi sudare comodă.

inclusiv staniu. Alte articole fabricate în prezent din alamă de cartuşe sunt valvele şi garniturile pentru ţevărie. adesea cu cantitaţi mici de metale. bronzul roşu este utilizat la componente pentru construcţii de maşini. Alama specială. inclusiv rulmenţi. Acesta se obtine prin includerea a 3. precum nichel. Este foarte ductilă. fier sau mangan. Alama de cartuşe conţine circa 70% cupru şi 30% zinc. este mai potrivit bronzul fosforos de plumb. sau EPNS. El este mai bine cunoscut pentru utilizarea sa pentru tacâmuri. sunt folosite pentru folosirea garniturilor pentru conducte de aburi şi de apă şi pentru lucrări ornamentale. se obţine prin alierea cuprului şi zincului cu mangan. alama (zinc 20…30%). Multe alte tipuri de alamă sunt realizate pentru o gamă largă de aplicaţii. Din ele se confecţionează lagăre. Se folosesc la confecţionarea de ventile. prize şi dulii electrice. Bronzurile roşii cu nichel conţin pâna la 5% nichel. Argentanul. statui etc. Plumbul este folsit şi pentru obţinerea bronzurilor de plumb cu staniu. Bronzul cu aluminiu este un aliaj de cupru şi aluminiu. Deşi se numeste bronz. mai dură şi mai rezistentă decât alama de cartuşe. Bronzuri de plumb se folosesc pentru fabricarea lagărelor care trebuie să reziste la viteze şi presiuni mari. table.5% plumb în bronzul fosforos. plumb şi aluminiu. Tipurile cu conţinut redus de plumb. sunt dure şi rezistente.7…2%). bronzul cu aluminiu (aluminiu 5…10%). Bronzul roşu este o forma de bronz care conţine zinc.5% plumb. sârme. inclusiv pentru componente în construcţiile de maşini. dar nu pot fi turnate. doar 0. adesea 46 . dar are aspect de argint. ornamente. combinanate într-o varietate largă de proporţii cu alte metale. plumb şi aluminiu.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Astfel pentru lamelele releelor electromagnetice care trebuie să asigure o presiune de contact suficientă şi constantă în timp se folosesc: bronzul cu staniu (staniu 6…8%). Alama specială este uşor de prelucrat şi potrivită pentru scopuri de turnătorie (elicele unor nave). Bronzurile roşii tradiţionale conţin aproximativ 88% cupru. bronzul cu beriliu (1. de fapt nu conţine deloc argint. De obicei este placat cu argint şi este cunoscut sub numele de argentan galvanizat. Bronzurile sunt constituite din cupru şi staniu. cu conţinut ridicat. se folosesc pentru lagăre de înaltă performanţă. 8-10% staniu şi 2-4% zinc. Alpacaua este strâns înrudită cu alama. piuliţe. pâna la 20% plumb. o varietate de alpaca. Alamele sunt aliaje ale cuprului cu zincul. Acest aliaj a fost iniţial dezvoltat pentru fabricarea tuburilor de cartuşe şi este folosit şi în prezent în acest scop. dar are rezistenţa mică la întindere. se pot turna foarte bine. Iniţial folosit la fabricarea ţevilor de puşti. roţi dinţate. armături speciale. inele. precum şi soclurile becurilor electrice. alpaca (nichel 9…18%). Bronzurile cu staniu. bucşe etc. fier şi staniu. ele se prelucrează la strung. Ea este alcatuită din cupru aliat cu zinc şi nichel.

inclusiv încălzirea la aproximativ 500ºC şi aruncarea ulterioară în apă pentru a se răci repede. Alfred Wilm. a unor piese pentru utilaje hidraulice grele şi a utlajelor de tehnologie chimică. Aliajele foarte puternice de acest tip. Acesta a fost observat de metalurgul dr.63 mai mare decât a cuprului.5% magneziu. Duraluminiul.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE nu conţine deloc staniu. inclusiv la acţiunea acizilor diluaţi. Aluminiul şi aliajele lui Aluminiul are proprietăţi electrice şi mecanice inferioare cuprului (astfel rezistivitatea sa este de 1. câte 0. se obţin cu circa 5% zinc şi cantităţi mai mici de cupru. nichelul şi zincul. Prelucrabilitatea aluminiului se apropie de cea a cuprului. conţin pâna la 7% magneziu şi circa 1% mangan. majoritatea materialelor fiind introduse în anii 1900. în prezenţa umidităţii atmosferice.4%-0. O atenţie deosebită trebuie acordată însă conexiunilor între cupru şi aluminiu unde. laminarea şi trefilarea.5% adaosuri. deşi nu fusese supus unui tratament ulterior. Aliajele de aluminiu care sunt potrivite pentru turnătorie conţin pâna la 15% siliciu. dar în mod obişnuit aliajele constau dintr-o bază de aluminiu cu 3. Aliajele de aluminiu potrivite pentru alte procese de modelare.5%4.5% cupru şi 0. Compoziţia lor variază. oxidul având proprietăţi izolatoare bune.7% siliciu. El a încercat să facă aliajul să devină mai dur prin forme variate de tratare termică. În prezent aceste aliaje sunt folosite şi pentru navele spaţiale. Printre articolele turnate din asemenea aliaje uşoare se numară blocurile de cilindri de motor şi componentele pentru motoare şi fuzelaje de aeronave. Este folosit la fabricarea elicelor navelor. magneziu şi mangan. plus cantitaţi mai mici de metale precum cuprul. În 1909. Producerea aliajelor de aluminiu este relativ recentă. precum rezervoare şi pompe rezistente la acizi. în bobinajele inductanţelor. Efectul imediat al acestui tratament a fost redus. Motivele nu au fost imediat întelese. Bronzul de aluminiu este la fel de rezistent ca şi oţelul moale şi are o bună rezistenţă la coroziune. cu o utilizare largă în aviaţie. Wilm experimenta cu un aliaj de aluminiu ce conţinea 3. are loc o corodare puternică a aluminiului. motiv pentru care acesta se utilizează ca material conductor numai cu un conţinut sub 0.7% magneziu şi mangan şi până la 0. Se oxidează destul de repede. Una dintre cele mai importante descoperiri în evoluţia aliajelor de aluminiu a fost un efect cunoscut sub numele de duritate prin îmbătrânire. Adaosurile (în special titanul şi manganul şi chir cuprul şi argintul) cresc rezistivitatea aluminiului. fierul. dar după câteva zile Wilm a descoperit că metalul devenise mult mai dur. iar proprietăţile mecanice se aproprie de cele ale cuprului numai pentru aliaje ca duraluminiu).5% cupru. Se utilizează la fabricarea condensatoarelor. dar aliajul care a devenit cunoscut sub numele de duraluminiu a fost curând folosit la dirijabile şi avioane. Materiale pentru contacte electrice de rupere Proprietăţi necesare: 47 . precum forjarea.

.are o excepţională rezistenţă la acţiunea agenţilor chimici şi temperatură ridicată de topire. dacă tensiunea între 2 spire nu depăşeşte 1V.să fie uşor prelucrabile.este foarte dur. Aurul: . . este mai moale. ceea ce permite bobinarea spiră lângă spiră fără măsuri suplimentare.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE .nu e un material dur.temperatura de topire înaltă. . însă are duritate scăzută. pentru a rezista la un număr mare de acţionări.o bună conductivitate electrică şi termică. Manganinul este principalul aliaj folosit pentru rezistoare de precizie de putere mică. Platina: . Wolframul: . Argintul: . se topeşte foarte greu şi este foarte greu atacat de agenţii chimici. aliaj al nichelului cu cromul. este maleabil. este atacat de sulf formând o peliculă rău conductoare.are cea mai mare conductibilitate. Pentru obţinerea unui coeficient mic de variaţie cu temperatura. Încălzit rapid la 900oC şi răcit lent formează o peliculă de oxid cu proprietăţi electroizolante bune. Constantanul se prelucrează uşor. Astfel. iar în cazul în care formează pelicule de oxizi superficiali aceştia să aibă conductibilitate electrică şi termică apropiate de cele ale materialului de bază. nikrothalul. Materiale (aliaje metalice) de mare rezistivitate Pentru fabricarea rezistoarelor bobinate sunt necesare conductoare realizate din materiale cu rezistivitate cât mai mare şi coeficientul de temperatură al rezistivităţii cât mai mic. au duritate mai mare şi temperatura de topire ridicată (nu se lipesc contactele). . fiind folosit la contacte electrice cu durată foarte mare de funcţionare. la folosirea în curent continuu este uşor transportat prin scântei în sensul curentului (contactele se sudează realtiv uşor).aliajele cu cuprul. Aliajele crom-nichel lucrează la temperaturi foarte ridicate. manganinul este supus unui tratament termic prin încălzire la 350…550oC urmată de răcire lentă şi păstrare îndelungată la temperatura camerei. sunt mai rezistente la acţiunea sulfului. platina şi oxidul de cadmiu. 48 . până la o 1000 C.duritate mare. rupe curenţi mari. un punct de topire relativ ridicat. pentru a nu forma arc la întreruperea contactului. are o mai bună stabilitate a rezistivităţii cu temperatura.rezistenţă la acţiunea agenţilor atmosferici. Se prelucrează bine în fire. d. o bună rezistenţă la coroziunea prin arc electric. dar la temperaturi relativ joase (230oC). se foloseşte la contactoare de curenţi mici.este mult mai stabil la acţiunea agenţilor atmosferici. . se prelucrează uşor .

Amalgamele sunt aliaje ale mercurului cu diferite metale. are în compoziţie siliciu. vanadiu. are duritatea mai mare şi constituie materia primă pentru prepararea oţelurilor. . Aliajele de lipit sunt aliajele ale plumbului cu staniul. f. sulf şi fosfor sunt în procente foarte reduse (urme). Oţelurile conţin fier şi un procent mai mic de carbon decât fontele (0. Este folosită pentru confecţionarea de radiatoare. care mai pot conţine mangan. . e. siliciu sunt folosite la fabricarea cuţitelor pentru maşini aşchietoare şi a burghielor rezistente la viteze mari de tăiere. se folosesc în tehnica dentară şi în procese electrolitice. plite. Aliajele sunt combinaţii chimice. de crom (ferocrom). elemente ca: wolfram. mangan. sulf şi fosfor. Oţelurile speciale conţin şi alte metale care le imbunataţesc calităţile: nichel.11. sunt întrebuinţate în construcţii mecanice şi pentru unele piese metalice. Aceste proprietăţi provin de la materialele de baza (de regulă metale) dar şi din proprietăţile aliajelor (fiind în 49 . roţi dinţate. stibiu şi staniu. siliciu. Oţelurile-carbon. crom. coponente şi dispozitive electrice şi electronice au un mare grad de utilizare datorită propietăţilor pe care le posedă acestea. wolfram etc. cobalt.Fonta de afinare. crom.Oţelurile cu crom au o duritate mare şi se folosesc la fabricarea de unelte. . vanadiu. pe lânga fier şi carbon. de asemenea. Aliajele tipografice conţin plumb.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE este foarte prelucrabil comparativ cu celelalte aliaje cu rezistivitate ridicată. de vanadiu (ferovanadiu).Oţelurile rapide care conţin. Aliaje cu importanţă industrială Fonta este un aliaj al fierului cu carbonul în procent de 1. de molibden (feromolibden).Fonta de turnătorie. calorifere etc.32%C). Componenţa aliajelor de mare rezistivitate este prezentată în tabelul 1. .Feroaliajele conţin procente mai mari de mangan (feromangan). bile. Există trei categorii de fonte: . Aliajele folosite în domeniul construcţiei de echipamente. elementele siliciu.Oţelurile cu nichel sunt rezistente la solicitări mecanice şi de aceea se utilizează în construcţiile de maşini. aliaje ale fierului cu carbonul. Concluzii Metalele care se folosesc în industria tehnică se numesc metale tehnice. amestecuri. în care carbonul este conţinut sub forma de grafit. mangan şi procente mici de fosfor şi sulf.7-5% C. mangan. Prin standard fiecare calitate de metal sau aliaj primeşte un simbol convenţional format din litere şi cifre. piese inoxidabile etc. obţinute de regulă prin topirea a doua sau a mai multor materiale din care cel puţin unul este metal. care conţine carbonul sub formă de cementită (Fe3C). . Ele servesc la fabricarea oţelurilor speciale.

în unele cazuri mai uşoare decât materialul de bază.8.1 Generalităţi Prin componentă electronică se înţelege unitatea funcţională şi/sau constructivă cea mai mică aparţinând unui aparat electronic. Aliajele sunt preferate în construcţia de echipamente. tranzistoare. impedanţa Z se defineşte prin raportul dintre tensiunea U aplicată acesteia şi curentul I ce o străbate: Z U  R  jX  Ze j . componenta este considerată ca fiind din categoria circuitelor integrate – CI: ASIC. etc. cu proprietăţi ridicate şi nu în ultimul rând pentru că sunt mai uşor de realizat din punct de vedere chimic decât metalele pure. Pentru o componentă. inductoare. RAM. La baza realizării componentelor electronice stau legi ale fizicii. ROM. În conformitate cu cele prezentate. Componenta pasivă este o componentă de tip dipol. iar în capitolele următoare bobinele şi condensatoarele. Dacă însă structura constructivă de sine stătătoare include mai multe funcţii electronice. microprocesoare. condensatoare.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE numar mai restrâns). realizată în scopul obţinerii unei anumite impedanţe cu o comportare cât mai apropiată de cea ideală într-o bandă de frecvenţă cât mai mare şi concentrată într-un volum cât mai mic. rezistoare. în acest capitol rezistoarele.8 Rezistoare 1. simbolizarea şi cunoaşterea cât mai bună a materialelor conductoare şi a aliajelor acestora are un rol important în alegerea materialului cel mai economic şi cel mai eficient pentru tipul de aparat. în realizarea celor mai bune performanţe.74) . care materializate prin intermediul proceselor tehnologice conduc la realizarea de componente cu diverse complexităţi funcţionale şi constructive. etc. I 50 (1. astfel: MATERIALE → PROCESE TEHNOLOGIGE → COMPONENTE (Satisfac cerinţele tehnologice) La fabricarea componentelor sunt necesare anumite procedee tehnologice. Lucrarea tratează pe larg componentele pasive. 1. procedee ce alcătuiesc tehnologia de realizare a unui produs. echipament sau chiar sisteme complexe de aparate. componente şi dispozitive electrice şi electronice datorită faptului că sunt mai uşor de folosit. se vorbeşte despre o componentă discretă: diode. În cazul în care unitatea constructivă minimă coincide cu unitatea funcţională minimă.

24c Simboluri grafice pentru rezistoare neliniare 51 .24c. ☻Dacă Z  1 / jC .24a. ☻Dacă Z  j L .1. impedanţa este inductivă. Inductorul este caracterizat de parametrul fundamental inductanţă electrică. X – reactanţa. principala clasificare a componentelor pasive: rezistoare. a) b) c) Fig. tg  X / R (1.24a Simboluri grafice uzuale pentru rezistoare liniare fixe a – simbol grafic recomandat. ce defineşte componenta. Simbolizarea rezistoarelor liniare fixe.75) În funcţie de tipul impedanţei care se doreşte să se obţină.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE unde: R este rezistenţa. impedanţa este capacitivă. Rezultă deci în funcţie de tipul impedanţei. Condensatorul ideal are impedanţa pur capacitivă şi defazajul dintre tensiune şi curent este – π/2. ☻Dacă Z  R . Rezistorul ideal are impedanţa pur rezistivă şi defazajul dintre tensiune şi curent zero. iar componenta pasivă caracterizată de o asemenea impedanţă se numeşte inductor. rezultă şi tipul componentei pasive. Condensatorul este caracterizat de parametrul fundamental capacitate electrică. Inductorul ideal are impedanţa pur inductivă şi defazajul dintre tensiune şi curent este π/2. iar componenta pasivă caracterizată de o asemenea impedanţă se numeşte rezistor. Rezistorul este caracterizat de parametrul fundamental rezistenţă.1.1. b şi c simboluri tolerate Fig. 1.24b şi 1. Z este modulul impedanţei şi φ este defazajul dintre tensiune şi curent: Z  R2  X 2 . inductoare şi condensatoare. iar componenta pasivă caracterizată de o asemenea impedanţă se numeşte condensator. ce defineşte componenta.24b Simboluri grafice pentru rezistoare variabile Fig. rezistoarelor variabile şi rezistoarelor neliniare este prezentată în fig. ce defineşte componenta. adică curentul este defazat înaintea tensiunii.1. impedanţa este rezistivă.

25.8. reprezentânt aproximativ 30-40% din numărul pieselor unui aparat electronic. se poate defini rezistorul ca fiind componenta pasivă realizată în scopul obţinerii unei rezistenţe electrice. Rezistoarele sunt componente pasive de bază în aparatura electronică.1. realizată în scopul obţinerii unei impedanţe rezistive cu o comportare cât mai apropiată de cea ideală într-o bandă de frecvenţă cât mai mare şi concentrată într-un volum cât mai mic. care reprezintă rezistenţa electrică a unui element conductor ce are o cădere de 52 . reprezintă o componentă electrică pasivă de tip dipol. Parametrul fundamental al rezistorului îl reprezintă rezistenţa electrică. Unitatea de măsură pentru rezistenţa electrică este Ohmul [Ω].1.25 Clasificarea generală a rezistoarelor 1.2 Rezistoare (liniare) fixe Rezistorul. Fig.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Clasificarea generală a rezistoarelor este prezentată în fig. În acest sens.

Toleranţa de fabricaţie. RN [Ω].rezistoare neliniare. reprezintă un rezistor liniar cu rezistenţa R fixă. Caracteristicile rezistoarelor. valori ce sunt standardizate internaţional. pe care-l vom numi ”rezistor”. În practică se utilizează multiplii şi submultiplii uzuali. Rezistorul liniar fix. T şi m.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE tensiune la borne de 1V şi este parcurs de un curent electric de intensitatea de 1A. Rezistenţa nominală. . Definiţie. Rezistenţele nominale pot lua numai valori discrete. b. Valorile toleranţelor sunt simetrice şi standardizate. ce au o dependenţă liniară între tensiune şi curent. toleranţa pozitivă RN R  RN t  min . În funcţie de caracteristica electrică. rezistoarele se clasifică în două categorii: .rezistoare peliculare. M. reprezintă valoarea rezistenţei ce se doreşte a se obţine în procesul de fabricaţie şi este marcată pe corpul rezistorului.reprezintă abaterea relativă maximă a valorii reale a rezistenţei rezistorului faţă de rezistenţa nominala R N. Clasificare. n. Se măsoară în curent continuu. (K. la temperatura de referinţă de 200C sau 250C.rezistoare liniare. a. G.rezistoare bobinate.76) (1. t [%] . Principala clasificare o constituie modul tehnologic de realizare a elementului rezistiv. obţinută prin amestecul unei pulberi metalice de înaltă rezistivitate cu un liant de legătură. fiind în mod frecvent de la ±0. toleranţa negativă RN t  53 (1. ce au o caracteristică tensiune – curent neliniară. . al căror element rezistiv este o peliculă rezistivă depusă printr-un procedeu tehnologic specific pe un suport dielectric. al căror element rezistiv este realizat prin bobinarea unui conductor de înaltă rezistivitate pe un suport dielectric. μ. . Se poate determina cu relaţiile următoare: Rmax  RN .rezistoare de volum.1% la ±20%.77) . ce nu poate fi modificată de utilizator. când elementul rezistiv al rezistorului este de forma unei mase compacte sub o anumită formă. . p). adică dependenţa între tensiunea de la bornele rezistorului şi curentul electric ce îl parcurge. marcată pe corpul rezistorului. astfel: .rezistoare cu folie metalică. Rezistoarele pot fi clasificate şi în funcţie de caracteristicile lor. al căror element rezistiv este o folie metalică depusă pe un suport dielectric.

Intervalul maxim de temperatură [Tm. unde N1 este Tm.6% Toleranţa globală. îmbătrânire etc. depozitare.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE t   /  maxim  t . ce exprimă condiţiile climatice la care trebuie verificat un rezistor de către producător și care este de forma: N1N2N3.6.constituie domeniul maxim al valorilor temperaturii în care producătorul garantează buna funcţionare a rezistorului.78) unde R este valoarea reală a rezistenţei rezistorului. N2 este TM. solicitări mecanice. este toleranţa de fabricaţie la care se adaugă toleranţa de temperatură şi toleranţa celorlalţi factori legaţi de umiditate. Se defineşte cu relaţia: R  1 dR R dT (1.reprezintă temperatura maximă a mediului ambiant în care poate funcţiona un rezistor timp îndelungat. fiind solicitat la puterea nominala PN. Coeficientul de variaţie cu temperatura αR [ppm/oC] .6 şi în anexe. Tabelul 1. rezultând în acest caz: R  R o / C R0 (1. Temperatura minimă Tm şi temperatura maximă TM sunt prezentate de producător în cataloage prin intermediul categoriei climatice.6 Seria şi clasele de toleranţă corespunzătoare E6 E12 E24 E48 E96 Seria Toleranţa ±20% ±10% ±5% ±2.exprimă variaţia relativă a rezistenţei rezistorului la modificarea temperaturii corpului său cu 1oC. Toleranţa t reprezintă toleranţa rezultată în procesul de fabricaţie. 54 . iar clasele de toleranţă corespund seriei de valori din tabelul 1. Temperatura nominală TN [oC] . Seriile valorilor nominale ale rezistenţei rezistoarelor alcătuiesc progresii geometrice. Această gamă de temperatură este recomandată atât pentru utilizare cât şi pentru stocare şi depozitare. iar N3 este numărul de zile pentru care producătorul realizează verificările climatice ale componentei în anumite condiţii specificate în norme internaţionale.25% E192 ±0.79) Rezistenţa rezistoarelor are de regulă o variaţie liniară cu temperatura.5% ±1. Atât RN cât şi t se măsoară la temperatura camerei (20°C sau 25°C). t    /  maxim R  RN RN (1. Valorile toleranţelor sunt standardizate şi sunt prezentate în tabelul 1. TM] .80) unde: ΔR este variaţia valorii rezistenţei R0 la variaţia temperaturii corpului său cu 1°C.

81) unde: D [W/°C] este coeficientul de disipaţie termică. Tensiunea termoelectrică Uk . TM].reprezintă tensiunea continuă maximă ce poate fi aplicată la bornele unui rezistor de valoare nominală RN şi care este solicitat la puterea nominală PN. Este dată de relaţia: PN  D TM  TN   TM  TN Rth (1. Rc  U N2 / PN (1. la o funcţionare îndelungată. Inductanţa parazită Lp. reprezintă raportul dintre tensiunea de zgomot a rezistorului şi tensiunea continuă de 1V ce este aplicată la bornele sale. este un parametru de lucru şi reprezintă puterea maximă la care poate fi solicitat un rezistor la o funcţionare îndelungată într-un mediu ambiant cu temperatura Ta  [Tm. Rezistenţa termică Rth [oC/W]. pentru Ta  TN . Tensiunea maxim admisibilă VA [V] . dar fară să depaşească tensiunea maximă UM.83) PA  PN TM  Ta . U A  PN RN  U N (1. 55 .reprezintă tensiunea continuă ce apare la bornele rezistorului datorită diferenţei de temperatură dintre terminale. la o funcţionare îndelungată. Factorul de zgomot. caracterizează transmisia căldurii de la elementul rezistiv la mediul ambiant. Relaţia de determinare rezultă din (1.este acea valoare a rezistenţei unui rezistor căruia i se aplică la borne tensiunea nominală VN şi este solicitat la puterea nominală PN. TM  TM  TN (1. ce depinde în mod deosebit de structura constructivă.este puterea maximă la care poate fi supus un rezistor. pentru Ta  TN (1.reprezintă tensiunea maximă ce poate fi aplicată la bornele unui rezistor la o funcţionare îndelungată.85) Dacă temperatura mediului depăşeşte TN în locul puterii PN se alege PAθ.este rezistenţa dintre terminalele rezistorului şi corpul acestuia.84) Tensiunea nominala UN [V] . F [μV/V sau dB]. fiind limitată din considerente de străpungere a dielectricului. Rezistenţa critică Rc [Ω]. Se determină cu relaţiile: PA  PN .82) Puterea termică maxim admisibilă PAθ [W]. constituie inductanţa nedorită a rezistorului.86) Rezistenţa de izolaţie Riz ..81): D PN 1  TM  TN Rth (1.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Puterea nominală PN [W] . într-un mediu ambiant unde temperatura este cea nominală TN.

R2 . şocurile termice şi electrice.tT . etc. .(To .1. vibraţiile.. Tmax. ce depinde de soluţia constructivă şi de tipul materialelor izolatoare utilizate.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Capacitatea parazită Cp. Tamax] şi disipând puterea P: Tmax = Tamax + P/D Tmin = Tamin (1.26 Simbolul şi caracteristica rezistorului Influenţa toleranţei globale a rezistoarelor asupra parametrilor circuitelor electronice Valoarea unui rezistor utilizat într-un circuit electronic poate avea o abatere mai mare sau mai mică faţă de valoarea nominală. este capacitatea nedorită a rezistorului.toleranţa datorată influenţei factorului i.toleranţa datorată variaţiei temperaturii ce se determină cu relaţia: tT = ±│αR│ΔTmax (1.ti .toleranţa de fabricaţie. .87) i 1 unde: .88) Δ Tmax = max {(Tmax .. dată de relaţia: n t g  t f  tT   ti (1.26. . dependentă de toleranţa rezistorului. variaţia temperaturii şi a coeficientului de variaţie cu temperatura precum şi alte abateri datorate diverşilor factori cum sunt: umiditatea. Toate aceste influenţe pot fi puse în evidenţă prin toleranţa globală.Tmin)} unde: To = 25°C.To). Rn  (1.. temperatura la care se măsoară valoarea nominală RN.89) Se consideră un circuit electronic caracterizat de un parametru f. Caracteristica statică. respectiv minimă la care poate ajunge temperatura unui rezistor funcţionând într-un mediu ambiant cu Ta [Tamin.este toleranţa globală.. expresia ce le descrie funcţionarea şi legea lui Ohm sunt prezentate în fig.tf . Fig.1. Tmin reprezintă temperatura maximă.tg .90) 56 . dependent de valorile rezistenţelor utilizate în circuit prin relaţia: f  f  R1 .

2 62 1200 1000 10 1. ci se cunoaşte după dimensiunile rezistorului. în cod literal sau codul culorilor. puncte) sau prin simboluri alfanumerice codificate internaţional. etc.8. Tabelul 1. Rezistorul este marcat în clar sau codificat (prin inele. Pentru unele tipuri de rezistoare se înscriu în mod obligatoriu următoarele mărimi: . coeficientul de variaţie cu temperatura al parametrului f se determină cu relaţia: n f   i 1 c. . prezentat în tabelul 1. Cele de producţie românească au un cod alfanumeric.92) unde tf este toleranţa parametrului f datorată toleranţelor ti ale rezistoarelor Ri. Codurile alfanumerice au mai multe variante. uneori fiind marcat numai acest parametru.91) Ri f i f Ri (1. RBA3004. iar partea numerică de obicei are legătură cu puterea nominală.7. indiferent de modalitatea adoptată. Marcarea rezistoarelor Codurile de marcare sunt în general standardizate internaţional.7 2.puterea disipată nominală în clar. în cod literal sau de culori. dimensiuni. în mod obligatoriu se înscrie pe orice tip de rezistor: . Cunoscându-se coeficienţii de variaţie cu temperatura αi ale rezistoarelor Ri. Cod alfanumeric – varianta 1. dar pot fi şi coduri specifice de firmă.tensiunea nominală limită la rezistoarele pentru înaltă tensiune. Rezistenţa nominală RN este marcată pe corpul oricărui rezistor. de exemplu RCG1050. pentru rezistoarele peliculare puterea nu se marchează. Partea literală a codului sugerează familia din care face parte rezistorul.coeficientul de temperatură (numai la rezistoarele cu peliculă metalică sau din oxizi metalici). Se utilizează coduri alfa numerice şi codul culorilor. benzi. în cazul rezistoarelor de putere. în cod literar sau codul culorilor.106 57 . .MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Cunoscându-se toleranţele rezistoarelor se poate determina toleranţa parametrului f cu relaţia: n tf   i 1 f Ri  ti Ri f (1. în clar sau cod literal. .rezistenţa nominală cu unitatea ei de măsură în clar. sau alte detalii constructive.2 62 1K2 1K 1M 1M8 Marcare 6 RN [Ω] 2.toleranţa valorii nominale în clar (în %).

. pentru RN = 10…9. ±5%.Rxy. Marcarea rezistoarelor SMD chip se prezintă în tabelul 1.5%.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Cod alfanumeric – varianta 2. Cod alfanumeric – varianta 3. pentru RN ≥ 100Ω.27 Cotele rezistorului SMD paralelipipedic tip chip 58 . în locul virgulei se pune litera R.8 Marcare 1R2 51R RN [Ω] 1. fiind necesare două cifre semnificative codul folosit este de forma: . Codul este format din cifrele semnificative ale rezistenţei nominale. pentru RN = 10…99Ω. cu diferenţa că pentru RN < 999Ω.103 Codificarea dimensiunilor rezistoarelor SMD paralelipipedice (chip). Pentru toleranţe de ±20%. ±1%. etc. 1 mil = 1/1000 inch. ±2%. pentru RN ≥ 1000Ω.8.2 51 681 680 913 1R62 91. fig.1Ω.xym.1.27. litera R pusă în locul virgulei pentru valori mici ale rezistenţei şi ordinul de multiplicare – puterea lui zece pentru valori mari ale rezistenţei. Fig.Rxyz.99Ω.103 1. . fiind necesare trei cifre semnificative codul folosit este de forma: .62 26R7 26. pentru RN = 1…9.xyzR.xyRz.2Ω va fi marcată 2R2.7 1781 1780 4873 487.xyzm. Tabelul 1. la fel ca la condensatoarele SMD.xyR.xRyz. ±10%. unde m este ordinul de multiplicare. este larg întâlnită convenţia de notare ce utilizează miimea de inch. .1. pentru RN = 1…9. iar RN = 62Ω va fi marcată 62R.99Ω.xRy. Pentru toleranţe de ±2. unitate numită mil. deci RN = 2. y fiind prima şi a doua cifră semnificativă. pentru RN < 1Ω. pentru RN = 100…999Ω. la care se marchează doar valoarea nominală a rezistenţei. . utilizată pentru rezistoare SMD sub formă de chip. Este asemănător cu cel prezentat anterior. . x. Pentru codificarea acestora. . . pentru RN < 1Ω.

9. 5 culori – 123mt. ±1%.: 3 culori – 12m.01 ±0.5 t(%) 59 J K ±5 ±10 .10. Tabelul 1.05% ±5% ±10% ±20% αρ (ppm/oC) ±250 ±100 ±50 ±15 ±25 ±20 ±10 ±5 ±1 ±200 - Obs.4 mm.5 ±1 ±2 ±2. Codul culorilor pentru marcarea rezistoarelor este prezentat în tabelul 1. culoare mai groasă şi λ – fiabilitatea. unde se foloseşte un cod numeric pentru cifrele semnificative şi un cod literal pentru multiplicare (Cod E1A-96. poate fi marcată şi în cod literar conform cu tabelul 1. etc.9 Codul culorilor Culoare Cifra semnificativă Negru 0 Maro 1 Roşu 2 Portocaliu 3 Galben 4 Verde 5 Albastru 6 Violet 7 Gri 8 Alb 9 Auriu Argintiu Fără culoare - Multiplicator -m1 10 102 103 104 105 106 107 108 109 10-1 10-2 - Toleranţa t(%) ±1% ±2% ±0.1%. ceea ce înseamnă că se transformă milimetrii în mils prin înmulţire cu 40.1 ±0.5 mm = 20 mils. conform convenţiei de notare. 5 culori – 12mtαρ.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Un inch este egal cu 25. ±0.5% ±0. 6 culori – λ12mtαρ. unde: αρ – coeficientul de variaţie cu temperatura.25% ±0. Celelalte cote (H şi T) sunt definite în foile de catalog. De exemplu. aproximativ latura mare L de 120 mils=3mm şi latura mică W de 60 mils=1. rezistorul cu codul 1206 are.02 ±0. prezentat în anexe). 0.5mm.25 ±0. Tabelul 1.1% ±0. Se obişnuieşte să se aproximeze 40 mils = 1mm. utilizată pentru rezistoare SMD de dimensiune foarte mică cu toleranţe foarte mici de ±0. Toleranţa t..05 ±0. De exemplu 3 mm = 120 mils. 4 culori – 12mt.5%.10 Codul literar pentru marcarea toleranţei rezistoarelor L P W B C D F G H Cod literal ±0. 6 culori – 123mtαρ. Cod alfanumeric – varianta 4.

5 W. etc. care poate fi: 60 . obţinut prin bobinarea unui conductor de înaltă rezistivitate pe un suport dielectric cilindric. 0. În acest sens se disting: . de obicei la rezistoarele de dimensiune mare. SnO2. Fig.5·PN.05.1. Uzual. 16.8.10. pentru rezistoarele cu straturi groase. temperatură ridicată de topire. oxizi metalici – CrSiO.28. 12. În general. pentru a asigura rezistorului o funcţionare cât mai îndelungată. 0. cobalt.28 Structura constructivă generală a unui rezistor fix Elementul rezistiv reprezintă componenta constituentă esenţială a rezistorului. RBC 1003 – rezistor bobinat cimentat cu PN de 1 W. Acestor cerinţe le corespund într-o măsură mai mare sau mai mică materiale ca: aliaje pe bază de cupru.Element rezistiv pelicular. Puterea nominală. nichel. structura constructivă a unui rezistor fix se prezintă ca în fig. 100 W 1. 40. 4. Materialele utilizate la realizarea elementului rezistiv trebuie să fie caracterizate prin: rezistivitate ridicată. fier. tensiune electromotoare în raport cu cuprul cât mai scăzută. În funcţie de modul tehnologic şi de tipul materialelor utilizate la realizarea elementului rezistiv rezultă şi tipurile de rezistoare.5. de exemplu: RCG 1050 – rezistor cu peliculă de carbon cu PN de 0. se poate marca şi în cod literal: a – pentru ±50 ppm/oC. o bună aderenţă la suportul dielectric. c – pentru ±250 ppm/oC.125. specific firmei producătoare. 6. 1.Element rezistiv bobinat.1. Uneori pe corpul rezistorului poate fi marcat şi codul acestuia. puterile standardizate ale rezistoarelor sunt: 0. se marchează în clar la rezistoarele bobinate. puterea disipată de rezistor în circuit este bine să fie mai mică decât 0. 0. coeficientul de temperatură şi tensiune al rezistivităţii cât mai mic. conform cu tabelul 1. de care depinde aproape toţi parametrii rezistorului. mangan. 25.11.3 Structura constructivă generală a rezistoarelor Conform tehnologiilor de fabricaţie. b – pentru ±100 ppm/oC. PN.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Coeficientul de variaţie cu temperatura αρ. crom. cu terminale axiale. 50. 0. carbonul.25. . 2.

sub forma unei mase compacte. fibră de sticlă (rezistoare bobinate).5 % Cromnichel Ni – 80 % Cr – 20 % 0. . obţinute prin presarea sau extrudarea unui amestec format dintr-un material conductor şi liant de legătură. permitivitate dielectrică cât mai mică. numit şi izolant are practic rolul de susţinere mecanică a elementului rezistiv.Element rezistiv de volum. rezistent mecanic. Trebuie să fie bun conductor termic. Caracteristică Rezistivitate (Ωmm2/m) Coef. Se utilizează predominant materiale ceramice (rezistoare peliculare şi bobinate). Capacitatea parazită este de asemenea proporţională cu permitivitatea dielectrică a suportului dielectric. Trebuie să prezinte o rezistenţă electrică şi o tensiune termoelectromotoare cât mai mică. .35 1. .MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE . Se realizează din materiale izolatoare care trebuie să prezinte o rezistivitate cât mai ridicată. cu o grosime de 15…30 μm.5 1.42 0. Tabelul 1.Element rezistiv sub formă de folie metalică. Zona de contactare realizează contactarea terminalelor la elementul rezistiv. creşterea puterii nominale se face prin creşterea dimensiunilor suportului dielectric (creşterea suprafeţei de convecţie). depinzând de dimensiuni.33 1.01…0. de temp. . conectarea se face prin strângerea 61 . pierderi cât mai reduse.peliculă din oxizi metalici.5 % Mn. La rezistoarele bobinate. alumină.peliculă de carbon obţinută prin piroliză cu o grosime de 0. nitrură de aluminiu. trebuie să permită o cât mai bună aderenţă a peliculei rezistive la substrat. depusă prin hidroliză.5…1.5…1. nehigroscopic. rigiditate dielectrică cât mai ridicată. Se utilizează materiale conductoare specifice contactării în electronică. . cu o grosime de 0. Pentru rezistoarele peliculare. berilia.11 Caracteristici ale unor materiale rezistive. Pentru acelaşi tip de element rezistiv.15 ±15 ±20 ±20 ±20 130 100 535 150 230 1000 2 43 3. (ppm/0C) Tmax de utilizare (0C) Utermoelectrică faţă de Cu (μV/0C) Manganin Ni – 4 % Cu – 84 % Mn – 12 % Aliaj (compoziţie) Constantan Kanthal Nikrothal Ni – 45 % Fe – 75 % Ni – 75 % Cu – 55 % Cr – 20 % Cr – 17 % Al – 4. cu o grosime de 0.5 2 - Suportul dielectric.5 μm. Si – 8 % Co – 0.peliculă metalică.1 μm.5 μm.peliculă groasă (numită şi glazură metalică sau peliculă compozită) depusă prin serigrafie.

1 mm. Pb). apare predominant prin recepţie electrică. Elementul de protecţie are rolul de a proteja electric (înlăturarea eventualelor scurtcircuite la atingerea componentelor) mecanic (înţepături. care trebuie să aibă aceleaşi caracteristici generale ca cele utilizate la realizarea suportului dielectric. specifice tehnologiei pentru montare directă pe suprafaţă. 62 . La o temperatură mai mare de 0K electronii se mişcă datorită energiei termice.5. Acest tip de terminal influenţează capacitatea parazită a rezistorului. Zgomotul termic. cu diametrul de: 0. orice componentă electronică prezintă un asemenea zgomot intern.6. Mai rar se utilizează capsule de plastic. care sunt sub forma unor regiuni metalice. La rezistoarele peliculare se depune o peliculă conductivă care realizează contactarea la elementul rezistiv şi pregăteşte contactarea terminalului la această peliculă cu aliaj de lipit (Sn. Terminalul este necesar pentru conectarea componentelor la structura de interconectare. 0. capsule specifice circuitelor integrate sau chiar capsule metalice.8.zgomot intern. Cele bobinate sunt acoperite cu un ciment siliconic sau introduse în corp ceramic. care poate fi termic şi de curent şi care va fi studiat în continuare. Terminale pentru plantare (inserţie). Terminale de tip SMD. reprezintă zgomotul ce apare la bornele componentei în timpul funcţionării acesteia. la elementul rezistiv. reprezintă zgomotul ce poate să apară la bornele componentei în timpul funcţionării acesteia. 0. magnetică şi electromagnetică a câmpului din vecinătate cât şi prin cuplaje – va fi studiat la compatibilitate electromagnetică. Se disting două tipuri importante de terminale. zgârieturi) şi climatic (în special împotriva prafului şi umidităţii). Zgomotul unei componente electronice se împarte în două mari categorii: .8. dependent de tipul componentei. pe care le putem numi si “clasice”.4 Zgomotul intern al rezistoarelor Prin zgomot electric se înţelege orice semnal electric parazit (nedorit) ce se poate suprapune peste semnalul electric util purtător de informaţie. Zona de contactare produce o tensiune termoelectrică nedorită la bornele rezistorului şi poate duce la creşterea capacităţii parazite. formate din conductoare de Cu dublu stanate.4.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE (sertizarea) unui căpăcel de nichel stanat sau aurit (pentru rezistoare de înaltă fiabilitate). Principalii parametri ai rezistoarelor sunt puţin influenţaţi de elementul de protecţie. 0. Rezistoarele peliculare sunt în general protejate cu lacuri electroizolante sau răşini termorigide. datorită unor surse externe de zgomot.zgomotul extern. zgomotul rezultat poartă denumirea de zgomot termic. structura şi tipul materialelor utilizate. Acestea influenţează în mod deosebit inductanţa parazită a rezistorului. formate din mai multe straturi metalice (exemplu : un strat de Ag-Pd şi un strat de aliaj de lipit Sn-Pb). 1. . Se utilizează materiale izolante. sursele de zgomot fiind în interiorul componentei.

94) unde: KB – este constanta lui Boltzmann 1.10-23J/K.29 Schema echivalentă cu sursă de tensiune Fig.27μV. Δf = 10kHz. R = 1okΏ. Acest zgomot datorat trecerii curentului prin rezistor 63 . Δf – este intervalul de frecvenţă (banda) în care se face măsurătoarea. Introducând notaţia G pentru conductanţă G = 1/R. se poate scrie expresia curentului de zgomot ce străbate rezistorul: I zg2  4 K BT fG (1. rezultă Uzg = 1.30 Schema echivalentă cu sursă de curent Zgomotul de curent (1/f). R – fiind valoarea rezistorului. 110kHz]. Fig.29 şi fig.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Puterea de zgomot termic este dată de relaţia lui Nyquist: Pzg  4 K BT f .1. pe baza relaţiilor de mai sus se poate da următoarea schemă echivalentă a unui rezistor din punct de vedere al zgomotului. Se observă că aceeaşi valoare ar fi fost obţinută indiferent de valoarea absolută a benzii de frecvenţă. 20kHz] sau [100kHz. La anumite tipuri de rezistoare se constată că la aplicarea unei tensiuni la borne.1. ca în fig. (1.1.38.93) iar tensiunea pătratică medie de zgomot ( valoarea medie ar putea fi nulă) va fi: U zg2  4 K BTRf .1. T – este temperatura absolută a rezistorului.95) Astfel. Exemplu: T = 290K. (1. deci dacă intervalul de frecvenţă ar fi fost [10kHz. la trecerea unei componente de curent continuu prin rezistor zgomotul acestora este cu un ordin de mărime mai mare decât zgomotul termic.30.

u 2 zgS n 2   u zgi (1.1. însumându-se: a) Schema echivalentă din punct de vedere al zgomotului la conectarea în serie. La conectarea în serie sau în paralel a rezistoarelor.31 Schema echivalentă a zgomotului rezistorului la conectarea în serie Tensiunile de zgomot fiind independente. Δf este banda de frecvenţe de măsurare. Este de aşteptat ca la rezistoarele cu structură compozită să apară un zgomot de curent mai mare decât la cele cu peliculă de metal. rezistivitatea scade cu creşterea cantităţii de metal. rezultă: RS  R1  R2 . Din categoria compozitelor fac parte şi rezistoarele cu glazură metalică.1.1.32 Schema echivalentă a zgomotului rezistorului la conectarea în paralel 64 .1. de raportul dintre particulele conductoare şi neconductoare. Fig. b) Schema echivalentă din punct de vedere al zgomotului la conectarea în paralel se prezintă în fig. f este frecvenţa centrală a benzii Δf. zgomotul rezistorului echivalent creşte. Pentru valoarea pătratică medie a tensiunii de zgomot de curent este valabilă relaţia: I 02 U  k K fR 2 f 2 zg (1. R este valoarea rezistenţei şi k este o constantă ce se determină experimental şi care depinde puternic de compoziţia peliculei rezistive. Fig. tensiunea pătratică medie de zgomot a rezistorului echivalent va fi însumarea zgomotelor acestora. U 2 zgS U 2 zg 1 U 2 zg 2 .32.97) i 1 şi deci pentru n rezistoare conectate în serie.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE poartă numele de zgomot de curent şi este datorat conductibilităţii fluctuante a contactului intern imperfect dintre zonele elementare conductoare ale materialului rezistiv neomogen. se prezintă în fig.31. În funcţie de cantitatea de metal din pastă variază şi rezistivitatea pastei.96) unde: I0 este curentul prin rezistor.

98) i 1 şi deci pentru n rezistoare conectate în paralel. dar şi soluţia constructivă. deci va fi regăsit la orice frecvenţă la care lucrează rezistorul. În funcţie de frecvenţa la care se face analiza. OBS.33. Zgomotul termic are un spectru continuu de frecvenţă.u zg – tensiunea de zgomot intern. curentul pătratic mediu de zgomot al rezistorului echivalent va fi însumarea zgomotelor acestora. funcţionarea ei. Zgomotul. în cataloage.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Curenţii de zgomot sunt mărimi independente şi deci rezistorul echivalent va fi: RR RP  1 2 .99) Se utilizează ca tensiune de referinţă 1μV.1. i 2 zgP n 2   izgi (1. reprezentând raportul dintre tensiunea de zgomot ce apare la bornele rezistorului şi tensiunea continuă aplicată. la înaltă frecvenţă. este prezentat pe baza factorului de zgomot.8. Zgomotul de curent este important numai în domeniul de audiofrecvenţă (amplitudinea lui este invers proporţională cu frecvenţa).33 Schema echivalentă completă a rezistorului Unde: . R1  R2 i 2 zgP i 2 zg 1 i 2 zg 2 . anumite elemente parazite pot fi sau nu neglijate.1.5 Schema echivalentă completă a rezistorului Schemele echivalente au în vedere: tipul componentei. notat cu F. devine mult mai mic decât cel termic. Fig. 1. tipul materialelor utilizate.UK – tensiunea termoelectrică. Se exprimă în μV/V sau în dB: u zg  dB   20lg u zg V / V 1V / V (1. Schema echivalentă completă a rezistorului este prezentată în fig. 2 . Se ştie din fizică că la conectarea a două materiale ce se află la o temperatură diferită apare o tensiune 65 .

curentul circulă uniform prin secţiunea S şi rezistenţa este: Rc.34.c.101)  unde: σ este conductibilitatea electrică a elementului rezistiv.4mΩ/cm). unităţi μV. apare efectul pelicular şi curentul va circula numai prin secţiunea S'. şi la joasă frecvenţă JF. dacă r este raza conductorului elementului rezistiv. caracterizată de mărimea δ. μ este permeabilitatea magnetică a mediului parcurs de câmpul magnetic (pentru materiale nemagnetice μr = 1.c. atunci frecvenţa maximă fM până la care se poate neglija influenţa efectului pelicular se determină din condiţia r  : 66 . . datorită curenţilor turbionari distribuţia curentului nu mai este uniformă. deci μ = μ0μr = μ0 = 4π10-7 H/m. în c. permeabilitatea vidului). ω = 2πf). ω este pulsaţia semnalului la care funcţionează rezistorul (adică frecvenţa.Rezistenţa R – reprezintă valoarea nominală a rezistorului. La înaltă frecvenţă ÎF.34 Secţiunea prin care circulă curentul în funcţie de frecvenţă Este evident că Rc. . cu secţiunea S. iar Rδ va avea valoarea:  1 1 R  Rca  Rcc   L     S S  (1.1.a. .Rezistenţa Rδ – reprezintă diferenţa dintre rezistenţa elementului rezistiv în curent alternativ şi cea de curent continuu. (datorită structurii constructive simetrice).MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE termoelectrică.a. Secţiunea prin care circulă curentul în funcţie de frecvenţă se prezintă în fig. numită adâncime de pătrundere a curenţilor turbionari.c.1. Pentru conductorul circular de lungime l. = ρl/S.Rezistenţa RS – reprezintă rezistenţa terminalelor. Fig. la rezistoarele cu terminale pentru plantare şi de valoare foarte mică ( o valoare uzuală este de 0. ce este relativ mică. Astfel. = ρl/ S'..a >Rc. Dacă se cunosc dimensiunile materialului elementului rezistiv se poate determina frecvenţa de la care începe influenţa efectului pelicular. Rezultă că în c. rezistenţa va fi: Rc.100) Adâncimea de pătrundere a curenţilor turbionari este dată de relaţia:  2 (1.

La majoritatea rezistoarelor această capacitate va fi direct proporţională cu permitivitatea relativă a suportului dielectric şi suprafaţa zonei de contactare şi invers proporţională cu lungimea suportului dielectric.35. Fig. ÎF.35 Schema echivalentă a rezistorului real la ÎF 67 . schema echivalentă la înaltă frecvenţă.10-7 H/m). Cele bobinate şi cele peliculare spiralate vor prezenta o inductanţă Ler ridicată.Capacitatea Cp – reprezintă capacitatea parazită a rezistorului. în general de ordinul zecilor sau sutelor de GΩ. de 0. capacitatea nu depinde de mărimile electrice (tensiune. R iz ia valori ridicate. Terminalele SMD prezintă o inductanţă Lt foarte mică. teoretic. Capacitatea unui rezistor este predominant determinată de ansamblul zonei de contactare – suport dielectric.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE r 1  f M 0 . Fiind în paralel. cum este cazul rezistorului. 1 nH.1.1. Lp depinde numai de natura mediului parcurs de câmpul magnetic şi de geometria rezistorului.102) .8. Pentru terminale de inserţie. Pentru forma plană (rezistoare cu peliculă groasă) Ler este mică. fiind proporţională cu lungimea terminalelor şi distanţa dintre ele. Lt =10 nH/cm.Inductanţa Lp – reprezintă inductanţa nedorită (parazită) a rezistorului. curent). . Inductanţa terminalelor depinde de tipul acestora. de unde: f M  1 0 r 2 (1. de soluţia constructivă.6 Impedanţa rezistorului la ÎF Pentru calculul impedanţei rezistorului se va utiliza schema echivalentă din fig. de cca.1…0. Ca şi inductanţa.Rezistenţa Riz – reprezintă rezistenţa de izolaţie a suportului dielectric în paralel cu rezistenţa de izolaţie a elementului de protecţie. 1. Se poate aprecia că Cp este aproximativ zecimi de pF. crescând cu numărul de spire. ci de natura mediului parcurs de câmpul electric şi de geometrie. Dacă materialele sunt nemagnetice (μ = μ0 = 4. în practica uzuală Riz poate fi neglijată. Un aport mic este adus de capacitatea dintre terminalele pentru plantare şi capacitatea parazită ce apare între oricare două spire la rezistoarele bobinate şi peliculare spiralate. . conform cu relaţia ce determină valoarea condensatorului plan: C = εS/d.2 nH. Inductanţa elementului rezistiv depinde de forma şi geometria acestuia. Se poate aprecia că Lp este datorată terminalelor şi elementului rezistiv: Lp = Lt + Ler.

103) 8 unde c = 3. deci C p R  L p .1.10 m/s.03 m. Cu aproximaţie trebuie îndeplinită condiţia ca cea mai mare dimensiune a rezistorului (lungimea. l) să fie mai mică decât λ/10: l < λ/10. deci C p R  L p . care după cum s-a explicat au o influenţă numai în anumite situaţii. (1. este viteza de propagare a undelor electromagnetice în vid.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Faţă de schema echivalentă completă s-au neglijat elementele parazite rezistive.ÎF.5 mm a rezistoarelor realizate în etapa actuală.la 1 GHz → λ = 0. O dată cu creşterea frecvenţei dimensiunea rezistoarelor utilizate trebuie să fie cât mai mică: . Pentru circuitele pasive RLC.dacă: C p R  L p  0 .la 10 GHz → λ = 0. La frecvenţe joase . La frecvenţe înalte . cu structură paralelă. λ = c. Această schemă este valabilă până la o anumită frecvenţă.03 m. având în vedere lungimea minimă de 0. deci l < 0. R 2   2 L2p R 2 R  R2  de unde discuţia pentru numărător: 2 2 . rezultă o comportare capacitivă a rezistorului. deci l < 0. În concluzie.3 m. ω → 0: Lp Lp Lp  C p R 2  Lp   şi analizând paranteza rezultă:  C p  2   . 003 m.la 300 MHz → λ = 1 m.1 m. deci Y  jC p .T = c/f. λ. rezultă o comportare inductivă a rezistorului.104) Discuţie. . este mai comod să se calculeze admitanţa: R  j L p 1 Y  jC p  2  jC p  R  j L p R   2 L2p  Lp R  2  j  C   p R   2 L2p R 2   2 L2p     (1. ω → ∞: Lp R R 2   2 L2p şi R 2   2 L2p → 0.JF. 2 2 . deci l < 0. precum şi tensiunile. în funcţie de dimensiunile rezistorului şi lungimea de undă a semnalului. . conform schemei din fig. rezultă că acestea pot fi utilizate până la o frecvenţă de 5-6 GHz. 68 .dacă: C p R  L p  0 . rezultă o comportare capacitivă a rezistorului.35.

au susceptanţă neglijabilă şi caracter pur rezistiv într-un domeniu larg de frecvenţe.a. 2 când circuitul se comportă aproximativ ca o rezistenţă pură. Uzual se poate considera că la frecvenţe ω < 0. unde r este pulsaţia de rezonanţă a circuitului serie RL p C p . ce rezultă din condiţia ca la rezonanţă susceptanţa circuitului să fie nulă: r  Cp 2 1 1 R  Lp Lp C p Cp R 1 1  Lp / R LpC p  1 1 C .107) i  t   I sin t .  L  Lp R (1. De asemenea.1. L LpC p r  1 / L p C p şi unde:  C  RC p . respectiv numai din rezistenţă şi inductivitate şi C p R2 Lp  1.3ωr valoarea rezistorului este dată de componenta activă.36.) este: (1. pentru care  L   C . Fig. care pentru RN  1K  este neglijabil.1. se poate concluziona că rezistoarele cu valori reduse ale rezistenţei nominale RN au caracter inductiv. au caracter capacitiv. Rezistoarele cu valori intermediare: RN  200  500 . Legea lui Ohm în curent alternativ (c. aşa cum se prezintă în fig.105) sunt constantele de timp ale circuitului format numai din rezistenţă şi capacitate. iar cele cu valori RN ridicate.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE O valoare minimă a componentei reactive se obţine pentru: C p R  L p . tensiunea şi curentul fiind în fază. unde: (1.36 Tensiunea şi curentul prin rezistor 69 .106) uR  t   Ri  t  .

peliculă metalică (obţinută prin tehnologia straturilor subţiri). I este amplitudinea. 2  U R / 2 şi I ef  I / 2 sunt valorile efective. o tensiune sinusoidală în fază cu intensitatea curentului şi unde U R  t   RI este amplitudinea tensiunii sinusoidale.113) 1.8. bobinate şi de volum.7 Tehnologii de realizare a rezistoarelor liniare fixe Principala clasificare a rezistoarelor fixe liniare o constituie tehnologia de realizare a elementului rezistiv.37. Puterea absorbită instantanee este o funcţie de timp: p  t   u R  t   i  t   U R sin t  I sin t  U R I sin 2 t (1. al căror element rezistiv este o peliculă rezistivă cu grosimi de la 0. Cele mai utilizate sunt rezistoarele peliculare.112) sau scrisă cu fază iniţială: i  t   I ef 2 sin t    (1. glazură metalică (peliculă obţinută prin tehnologia straturilor groase). P (1.1.1. peliculă din oxizi metalici. (1. diferenţiindu-se din acest punct de vedere rezistoarele peliculare. Rezistoarele cu peliculă de carbon cu terminale axiale.111) unde: U Ref În funcţie de acestea. fig.1 µm la zeci de µm.109) uR  t   RI sin t  U R sin t .37 Structura rezistoarelor cu peliculă de carbon cu terminale axiale 70 . Se disting mai multe tipuri şi anume: peliculă de carbon.110) Valoarea medie a puterii va fi: URI  U Ref I ef . expresia instantanee a curentului devine: i  t   I sin t  I ef 2 sin t (1. Expresia tensiunii la bornele rezistorului devine: (1.108) unde f este frecvenţa semnalului sinusoidal şi T este perioada de repetiţie. valoarea maximă a curentului.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE În relaţiile de mai sus uR(t) şi i(t) sunt valorile instantanee ale tensiunii şi curentului. cu folie metalică. Fig. iar ω este pulsaţia semnalului egală cu:   2 f  2 / T .

Avantajul acestor rezistoare este posibilitatea încărcării rezistenţei până la o temperatură de 300oC. Ca materiale rezistive pentru realizarea peliculei metalice se pot utiliza aliaje (Cr-Ni.1. diferind doar prin zona de contactare şi anume terminalul se sudează la un căpăcel de Ni (7).37b corespunde rezistoarelor cu peliculă de carbon cu PN  [0. Rezistoare cu peliculă metalică Structura constructivă a acestor rezistoare este asemănătoare cu cea prezentată în fig.zona de lipire.1.. se realizează din materiale ceramice.adică componente pentru montarea pe suprafaţă) a) MELF (Metal-Electrode Leadless Face sau Metal-Electrode Face-Bonded) şi paralelipipedică (chip).o peliculă de nichel depusă electrochimic la capetele suportului izolant.suportul izolant. iniţial sub formă cilindrică.25. 4 . sub formă cilindrică de diverse diametre. Specific acestor rezistoare este pelicula metalică (elementul rezistiv) care este realizată prin metode specifice tehnologiei straturilor subţiri (TSS). Alte variante sunt cele cu structura constructivă din fig.37 structura constructivă a rezistorul cu peliculă de carbon are următoarele părţi constituente: 1 . Rezistoare cu peliculă din oxizi metalici Aceste rezistoare au o construcţie asemănătoare rezistoarelor cu peliculă de carbon şi peliculă metalică.1. Structura constructivă prezentată în fig.elementul rezistiv. 5 . Se pot realiza şi în două variante de tip SMD (Surface Mounted Devices . 3 .5…1. Ni-Cu. Cr-Co.. realizându-se astfel rezistoare peliculare de putere relativ ridicată şi dimensiune mică. ce realizează conexiunea terminalului la pelicula de Ni. Ni-Cr-Fe. cermeturi pe bază de oxizi metalici. de unde şi numele de rezistor cu peliculă subţire (Thin-Film). pentru creşterea valorii rezistenţei. o peliculă de carbon depusă prin piroliză pe suportul izolant. nitrura de tantal.37.2] W cu terminale lipite. Cu-Mn-Ni).1. etc. Pelicula are o grosime de la 50 nm la 1 µm. sub formă cilindrică de diverse dimensiuni în funcţie de puterea nominală a viitorului rezistor.element rezistiv. din Cu cositorit.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Conform fig. singura diferenţă fiind doar elementul rezistiv. 71 . se filetează cu discuri abrazive. 6 . 2 .5 µm. se realizează prin lipire cu aliaj de tipul Sn-Pb. Fiind un echivalent pentru rezistoarele bobinate nu sunt utilizate în circuitele electronice unde precizia este importantă. pelicula rezistivă. iar acesta este presat pe corpul rezistorului realizând contactul cu pelicula de Ni (3).elementul de protecţie realizat dintr-un lac termorezistent. Pelicula rezistivă în majoritatea cazurilor este oxidul de staniu care se depune prin hidroliza clorurii de staniu şi are o grosime de 0.terminal. rezultând în final un element rezistiv spiralat cu efecte asupra creşterii inductanţei şi capacităţii parazite a viitorului rezistor. în scopul realizării conexiunii terminal . fiind mult mai subţire faţă de pelicula groasă.37a.

Rezistoarele pentru montarea pe suprafaţă tip SMD CHIP. 3 . au o structură constructivă conform fig. nu toate rezistoarele sunt prevăzute cu ambază.1. rezistorul cu glazură metalică este alcătuit din următoarele elemente: 1 .39. 5 . o plăcuţă de pertinax. ceea ce permite obţinerea lui sub o formă aproape plană. 2 .38.1. grosimea fiind relativ mică.38 Structura constructivă a rezistorului cu glazură metalică Conform fig. Fig. O structură similară prezintă rezistoarele SMD de tip CHIP.38.ambaza. depusă serigrafic în scopul conectării terminalului la elementul rezistiv: 4 .terminal din cupru cositorit.suportul izolant este realizat din alumină. 72 . pelicula rezistivă se ajustează la valoarea dorită cu ajutorul unui praf abraziv.39 Structura constructivă a unui rezistor de tip SMD cu peliculă groasă. Fig.pelicula de Ag-Pd. adică se înlătură o anumită porţiune din peliculă până când se obţine valoarea nominală cu toleranţa dorită. iar celelalte dimensiuni sunt proporţionale cu puterea nominală a viitorului rezistor. 6 . utilizată în scopul creşterii rezistenţei mecanice a rezistorului.elementul rezistiv. Terminalele se conectează la pelicula de Ag-Pd prin lipire cu aliaje Sn-Pb. tratament termic şi alte operaţii tehnologice. rezistoarele de înaltă tensiune şi reţelele rezistive (la acestea sunt evidente deosebirile ce rezultă conform numărului de rezistenţe conţinute de reţea). După depunerea serigrafică.1. un material cu o mare rezistenţă mecanică.1.1. format dintr-o peliculă obţinută prin depunerea serigrafică a unei paste rezistive.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Rezistoarele cu glazură metalică au structura constructivă prezentată în fig.element de protecţie din răşină termodură. Este de formă dreptunghiulară sau pălărie.

41 Rezistor bobinat în corp ceramic. Fig. rezistorul bobinat cimentat este constituit din: 1 .suport izolant din alumină.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Unde: 1 .terminal realizat din Cu cositorit.pelicula de Ag-Pd. 73 . 6 .strat de aliaj de lipit (Nichel sau Pb 60%. 2 .1. terminalul este sudat de căpăcel. iar conexiunea căpăcelelement rezistiv se realizează prin strângere.1. realizat din fibră de sticlă. 3 . Fig.elementul de protecţie realizat din ciment siliconic.1. obţinut prin bobinarea unui conductor de Cr-Ni pe suportul izolant. 4 – sudură terminal-căpăcel. de diverse dimensiuni în funcţie de puterea nominală a viitorului rezistor. Rezistoarele bobinate se obţin prin bobinarea unui conductor de înaltă rezistivitate (aliaje Cr-Ni. sub formă cilindrică.40. 4 . Rezistoarele bobinate cimentate prezintă structura constructivă din fig.1. Constructiv prezintă o mare diversitate.căpăcelul de Ni.40.elementul rezistiv. Sn 40%. 2 .). 5 . în corp ceramic şi glazurate. 6 .căpăcel de Ni.suportul izolant. 3 .40 Structura constructivă a rezistorului bobinat cimentat Conform fig. prin intermediul căruia se conectează terminalul la elementul rezistiv. 5 . putându-se clasifica astfel: cimentate.pelicula rezistivă groasă.pelicula de lac electroizolant. Cu-Ni) pe un suport izolant sub formă cilindrică.

MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE În fig.terminale. Ele nu au toleranţe mici (nu pot fi ajustate) nici nu sunt foarte stabile cu temperatura (coeficient de temperatură mare) şi cu tensiunea (coeficient de variaţie cu tensiunea mare). pătrată. 8 . 2 .ciment pentru etanşarea la capete a rezistorului. în funcţie de puterea nominală a rezistorului. Elementul rezistiv este în cazul rezistoarelor de volum şi suportul mecanic al rezistorului.42: Fig.căpăcel de Ni. Rezistoare de volum Rezistoarele de volum (Carbon composition în engleză) sunt rezistoare la care. 7 . conducţia curentului electric are loc în întreg corpul rezistorului. 3 element de protecţie presat (poate lipsi la unele variante). mai demult au fost utilizate pentru inductanţa parazită foarte redusă a lor. Principalul avantaj al acestora este capacitatea de a suporta suprasarcini mari fără a se deteriora. având acelaşi rol ca şi la rezistorul bobinat cimentat.42 Rezistor de volum Unde: 1 . De asemenea. pentru protecţia rezistorului împotriva factorilor externi şi scăderea rezistenţei termice de convecţie. Poate avea secţiunea circulară.1. Datorită structurii compozite ele prezintă un zgomot de curent foarte mare.elementul rezistiv obţinut prin bobinarea unui conductor de înaltă rezistivitate.1. sau profilată.nisip cuarţos. de diverse dimensiuni.corp ceramic având dublu rol. spre deosebire de cele peliculare. Acesta este realizat din granule de carbon şi un liant de tipul unei răşini formaldehidice. 3 .suport izolant din fibră de sticlă. ca în fig. datorită distribuirii energiei în întreg volumul rezistorului şi nu numai în pelicula rezistivă ca în cazul rezistoarelor peliculare.ciment siliconic pentru rigidizarea elementului rezistiv (protecţie împotriva vibraţiilor).1. 4 . cu ajutorul căruia se umple spaţiul din interiorul corpului ceramic după introducerea tronsonului rezistiv. 2 .41 este prezentată structura constructivă a unui rezistor bobinat în corp ceramic. Au fost şi sunt utilizate pe scară largă în 74 . Rezistoarele de volum pe bază de carbon nu sunt rezistoare foarte performante. 6 .elementul rezistiv pe bază de carbon. 5 – terminal. în care: 1 . pentru îmbunătăţirea conducţiei termice.

43.44 Potenţiometre de ajustare 75 . peliculă metalică. . fig. .potenţiometre peliculare (peliculă de carbon aglomerat. După legea de variaţie a rezistenţei electrice la deplasarea cursorului exista urmatoarele tipuri: . cermet.8 Parametrii şi tehnologia rezistoarelor cu rezistenţă variabilă Rezistoarele cu rezistenţa variabilă sau potenţiometrele sunt rezistoare a caror rezistenţă electrică poate fi variată continu sau în trepte prin deplasarea rectilinie. pe suprafaţa unui element rezistiv delimitat de doua contacte terminale. fig.1.1. Fig. circulară sau elicoidală a unui contact mobil.cu lege de variaţie sinusoidală/cosinusoidală. care pot fi: .MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE aparatura industrială din SUA. După scopul utilizării în circuit : . B.44. .cu lege de variaţie liniară.potenţiometre simple (cu un singur element rezistiv).43 Potenţiometru de control Fig.8. . După criterii constructive există urmatoarele variante: . 1.1.potenţiometre multiax (fiecare potenţiometru are ax separat de comandă). C. D.potenţiometre bobinate.potenţiometre multiple (cu mai multe elemente rezistive).de ajustare. . .1. mai puţin în Europa şi au dovedit în ultimii ani de utilizare o fiabilitate foarte bună.cu lege de variaţie logaritmică/invers logaritmică.potenţiometre tandem (elementele rezistive sunt parcurse de cursor simultan). .potenţiometre cu folie metalică.cu lege de variaţie de tip S. .cu lege de variaţie exponenţială/invers exponenţială. denumit cursor. Potenţiometrele se pot clasifica după mai multe criterii: A. Dupa tipul elementului rezistiv se deosebesc: . .de control. peliculă conductivă de plastic).

Fig. .rezistenţa de contact Rk care reprezintă rezistenţa dintre contactul mobil şi elementul rezistiv .este rezistenţa variabilă. Uneori legile de variaţie se notează cu litere pe corpul potenţiometrului şi anume: legea logaritmică se notează cu A.legea de variaţie a rezistenţei la deplasarea cursorului definită de expresia: (1. practic orice potenţiometru prezintă o anumită rezistenţă iniţială).MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Se remarcă faptul că. x  unde: R . R0 . legea liniară se noteaza cu B şi legea invers logaritmică se noteaza cu C. valoarea maximă a rezistenţei potenţiometrului .45.114) R  f  RN . Reprezentarea grafică a legilor uzuale de variaţie a rezistenţei funcţie de deplasarea relativă a cursorului pentru un potentiometru de 10 KΩ se prezintă în fig. . Există posibilitatea implementării unei anumite legi de variaţie a rezistenţei la comanda beneficiarului.rezistenţa saltului initial Rs care reprezintă variaţia minimă a rezistenţei la deplasarea contactului mobil (specificată în special pentru potenţiometrii bobinaţi) .1.rezistenţa iniţială R0 care este rezistenţa în poziţia iniţială a cursorului (deşi teoretic această rezistenţă ar trebui să fie zero. .1. 76 .45 Legi uzuale de variaţie a rezistenţei potenţiometrelor Rezistoarele cu rezistenţa variabilă au aceiaşi parametri ca rezistoarele de valori fixe şi în plus noi parametri care pun în evidenţă comportamentul variabil al rezistenţei : . se pot realiza diferite legi de variaţie a rezistenţei prin modificarea adecvată a valorii rezistenţei o data cu deplasare cursorului.rezistenţa nominală RN. .

datorită contactului mobil. iar la dimensiuni comparabile cu rezistoarele de valori fixe. Zgomotul potenţiometrelor este mai mare decât al rezistoarelor fixe. rezistoarele variabile se realizează rectilinii sau circulare. aparând în plus un zgomot datorita deplasarii contactului mobil. depinde de tipul elementului rezistiv.este rezistenţa iniţială. Factorul de zgomot este cuprins între 0. ceramică sau aluminiu izolat cu mică şi au elementul rezistiv din manganin sau alt material de mare rezistivitate. 77 . prin pulverizare sau depunere în vid. R0 . Potenţiometrele bobinate sunt construite pe suporţi de pertinax. Forma constructivă a suportului dielectric determină legea de variaţie a rezistenţei.1…0. aparând defecţiuni mecanice sau electrice. Constructiv. x . raportată la deplasarea maximă. un colector ce preia contactul electric al cursorului către terminalul acestuia şi un sistem de acţionare (deplasare) mecanică a cursorului. potenţiometrele sunt înlocuite cu metode electronice de variaţie a curentului sau tensiunii – potenţiometrele digitale. potenţiometrul prezintă în plus un element mobil ce se deplasează pe elementul rezistiv numit cursor. la rezistoarele variabile regimul termic este mai complicat datorită diferitelor legi de variaţie. Fiabilitatea potenţiometrelor este scazută. În majoritatea echipamentelor electronice moderne. Aceasta tendinţă este justificată de slaba fiabilitate a potenţiometrelor şi factorul mare de zgomot. În general. care se reglează numai la punerea în funcţiune a echipamentului şi la verificările periodice. Tehnologia de fabricaţie a rezistoarelor variabile. Legea de variaţie a valorii rezistenţei se implementează de obicei prin variaţia laţimi peliculei. Potenţiometrele clasice mai sunt folosite numai în echipamentele electronice neprofesionale unde preţul unui circuit electronic de reglare a curentului sau tensiunii este prea mare în comparaţie cu preţul total al echipamentului. Potenţiometrele cu pelicule rezistive sunt realizate prin depunerea unei pelicule de carbon aglomerat pe pertinax.este poziţia relativă a cursorului faţă de terminalul de referinţă. puterea disipată este mai mică decât la rezistoarele de valori fixe. Valorile nominale ale rezistenţei. Faţă de rezistorul fix. poziţia relativă a cursorului este deplasarea curentă.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE RN .3 mV/V. La potenţiomtrele liniare. Mai sunt înca utilizate potenţiometrele semireglabile sau ajustabile.este rezistenţa nominală (valoarea maximă). se face de obicei din bronz fosforos iar fixarea terminalelor se face cu coliere de alamă sau oţel. Valorile nominale uzuale ale potenţiometrilor bobinaţi sunt cuprinse între 100 Ω … 50 KΩ. pentru aceste tipuri de potenţiometre sunt cuprinse în domeniul 50 Ω – 10 MΩ. Poziţia relativă a cursorului reprezintă raportul dintre deplasarea unghiulară a cursorului la valoarea maximă a unghiului de deplasare pentru potenţiometrele rotative. Cursorul.

a. Fig.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Ca element de protecţie a potenţiometrelor de control se utilizează o carcasă metalică sau din material plastic. uzual 3-6 %.1.rezistoare dependente de fluxul luminos .46.1. Carcasa metalică prezintă avantajul ecranării electromagnetice a potenţiometrului şi în acesst sens este prevăzut cu un terminal pentru a fi conectate la potenţialul de referinţă. . care trece printr-un dispozitiv.47.rezistoare dependente de tensiuni mecanice – tensometre sau tensorezistoare. Fig.folosesc proprietăţile materialelor semiconductoare pentru a realiza o dependenţă neliniară între tensiune şi curent.8.termistoare. fig.dependente . Potenţiometrele sunt utilizate pentru modificarea valorii unei tensiuni.1.fotorezistoare. respectiv pentru limitarea valorii curentului.1. Astfel întâlnim: . .magnetorezitoare. maxim 40 %). .9 Rezistoare neliniare Rezistoarele neliniare .varistoare. .47 Conectarea reostatică a potenţiometrlor 1. În funcţie de modul de variaţie al rezistivităţii se obţin: 78 . fig. Termistoare Sunt rezistoare a căror rezistenţă depinde puternic de temperatură (la variaţia temperaturii cu un grad valoarea rezistenţei termistoarelor se modifică cu zeci de procente.montajul reostatic care permite reglarea curentului printru-un consumator.46 Conectare potenţiometrică .rezistoare dependente de fluxul magnetic .rezistoare dependente de tensiune . două montaje de baza şi anume: .montajul potenţiometric care permite obţinerea unei tensiuni mai mici de la o sursa care debitează o tensiune mai mare. Celor două categorii de aplicaţii le corespund.rezistoare dependente de temperatură .

1. c) prin sudură se lipesc terminalele şi urmează protejarea termistorului astfel obţinut cu un strat de lac şi marcarea.P. (1.sau pentavalenţi se obţin materiale semiconductoare de tip n. unde ioni de Fe3+ sînt înlocuiţi parţial cu ioni de Ti4+ realizându-se o conducţie de tip n. sau la oxidul de nichel unde prin înlocuirea parţială a ionului de Ni2+ cu ionul de Li1+ se realizează o conducţie de tip p).E.termistoare cu coeficient de temperatură pozitiv . 79 . tetra.NTC (rezistenţa scade cu creşterea temperaturii) sau .48). iar A.termistoare cu coeficient de temperatură negativ . Mn. Materialele folosite pentru obţinerea termistoarelor PTC sunt pe bază de titanat de bariu – BaTiO3 sau soluţie solidă de titanat de bariu şi titanat de stronţiu.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE . parametrul B reprezintă sensibilitatea termică a materialului: oferă informaţii despre „viteza de variaţie" cu temperatura a rezistenţei termistorului. Ni. la oxidul de fier. Materialele semiconductoare astfel obţinute sunt amestecate cu un liant şi li se aplică o tehnologie asemănătoare materialelor ceramice. B este exprimată în grade K şi în funcţie de material are valori între 2200 K 5500 K. impurificate cu ioni tri-. Termistoarele se pot obţine sub formă de: plachete.E. B şi C sunt constante de material. (A determină valoarea efectivă a rezistenţei şi are semnificaţia rezistenţei termistorului când temperatura tinde spre infinit. cilindri. în general oxizi şi elemente din grupa fierului: Fe. Pentru obţinerea termistoarelor NTC se folosesc pulberi anorganice în amestec.PTC (rezistenţa creşte cu creşterea temperaturii. mărindu-se în acest fel conductivitatea şi variaţia cu temperatura a rezistivităţii. fig. astfel pentru termistoarele de tip NTC există relaţia: R(T) = A exp(B/T). Cr. Legile de variaţie ale rezistenţei cu temperatura sunt exponenţiale. de aceea se mai notează şi cu R. prin impurificare cu ioni străini aceste materiale se transformă în semiconductoare (ex. Principalele faze tehnologice de obţinere a termistoarelor NTC (I.): a) obţinerea discului prin presarea materialului (sub formă de pulbere amestecată cu liant) urmată de tratament termic.116) unde T este temperatura în grade K.115) iar pentru termistoarele de tip PTC relaţia: R(T) = A + C exp(B/T). (1. b) metalizarea discului prin depunerea peliculei de argint pentru a permite lipirea terminalelor. discuri (încapsulate sau protejate cu lac) sau filamente (protejate în tuburi de sticlă). Marcarea valorii rezistenţei nominale RN se face în clar sau în codul culorilor specificat în catalog (prin benzi colorate sau prin colorarea stratului de protecţie).

Curtea de Argeş se fabrică termistoare din seria TG de uz general.E.ZnO.Voltage Dependent Resistors). Materialele cele mai utilizate pentru obţinerea varistoarelor sunt carbura de siliciu . Fazele tehnologice ale fabricării varistoarelor sunt: .1. b. 80 .115) se obţine pentru el relaţia: R dT T   B / T 2 (1.117) Deci. de tipul disc neprotejat.SiC. sintetizării şi unui proces de îmbătrânire care constă în supunerea baghetei sau discurilor formate unui regim electric în impulsuri ce depăşeşte tensiunea nominală de lucru. materialul de bază sub formă de pulbere. Varistoare Sunt rezistoare a căror rezistenţă este determinată de tensiunea aplicată la bornele lor (VDR . este supus presării.48 (a)-Dependenţa tensiune-curent pentru un t ermistor NTC (b)-Dependenţa rezistenţei de temperatură pentru un termistor PTC Termistoarele NTC sunt utilizate ca elemente neliniare pentru stabilizarea tensiunii sau curentului. pentru compensarea variaţiei cu temperatura a altor elemente şi ca traductor de temperatură. cunoscând valoarea constantei B se poate determina coeficientul de temperatură.1. Caracteristica curent-tensiune pentru varistoare este ilustrată în fig.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Coeficientul de variaţie cu temperatura se defineşte la fel ca la rezistoarele fixe: T  1 dR şi având în vedere ecuaţia (1. La I. disc protejat şi încapsulate. Termistoarele PTC se folosesc ca traductoare de temperatură. în aplicaţii ce realizează protecţia la scurtcircuit sau supratensiuni.49. stabilizatoare şi limitatoare de curent. remarcându-se variaţia mai puternică a rezistenţei la temperaturi mici. acest proces este esenţial în formarea proprietăţilor conductoare specifice varistoarelor. amestecat cu un liant.P. Fig.E.SiC şi oxidul de zinc .

Varistoarele fabricate la I. dimensiunile varistorului şi de tehnologia de fabricaţie. 81 . schema echivalentă (c). în circuite analogice şi de impulsuri. Dacă tensiunii aplicate i se inversează polaritatea. sunt: . unde K este o constantă ce fixează tensiunea de lucru a varistorului şi depinde de forma.49 Caracteristicile statice ale microvaristorului (a) şi varistorului (b. urmează lipirea terminalelor. pentru stabilizarea tensiunii şi curentului. seria VP.de înaltă tensiune.E.de joasă tensiune. seria VT. α ≈ 25 pentru ZnO). Curtea de Argeş. în circuite care lucrează în modulaţie de amplitudine şi frecvenţă etc. Relaţia de mai sus se poate aproxima cu relaţiile: (1. (1.119) I  KU  sau U  CI  . d). .P. de uz general.E. împotriva supratensiunilor pentru protecţia diferitelor componente sau circuite electronice.1.bagheta de SiC astfel obţinută este metalizată la capete pentru a permite lipirea terminalelor şi tratată termic. disc sau cilindrice. curentul îşi schimbă sensul. n > 1. seria VG. Relaţia curent-tensiune a unui varistor este de forma: I  K1U  K 2U n . α şi β sunt coeficienţi de neliniaritate (α = 5 pentru SiC. Varistoarele sunt utilizate pentru protecţia contactelor de rupere.118) unde K1 şi K2 sunt constante. Fig. .MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE . se defineşte A . vopsirea (protejarea prin lăcuire) şi marcarea varistoarelor.de joasă tensiune pentru protecţia contactelor.asimetria curenţilor .ca fiind mărimea ce caracterizează diferenţa dinre curenţii care străbat varistorul la schimbarea polarităţii tensiunii aplicate.

senzori de prezenţă şi de poziţie. aliaj Ni-Fe). dar cel mai des sunt utilizate magnetorezistoarele bazate pe metale feromagnetice anizotrope (ex.rezistenţa la întuneric. În general. Fig.Light Dependent Resistors) sunt rezistenţe dependente de fluxul luminos incident pe suprafaţa elementului rezistiv şi au la bază efectul fotoelectric intern în semiconductoare. cititoare de cartele. controlul iluminării. prezentând astfel o rezistenţă ridicată. Magnetorezistoare Sunt rezistoare a căror rezistenţă se modifică în prezenţa câmpului magnetic (datorită curbării traiectoriilor electronilor de conducţie). controlul expunerii la camere de filmare şi video. structurile bazate pe permalloy. Fotorezistoarele au fost realizate iniţial pe bază de seleniu cristalin. Contactele metalice sunt depuse prin evaporare în vid pe suprafaţa materialului fotoconductor iar terminalele sunt conectate la aceste suprafeţe metalice. instalaţii de alarmă şi de securitate. .sensibilitatea la fluxul luminos S. Din punct de vedere constructiv (fig. la ora actuală.50 Structura simplificată (a) şi interdigitală (b) a unui fotorezistor d. Odată cu absorbţia fluxului luminos tot mai mulţi electroni sunt eliberaţi. fotorezistoarele sunt realizate prin depunerea unui strat subţire fotoconductiv pe un material ceramic. Aplicaţiile fotorezistoarelor: controlul iluminatului nocturn. Principalele caracteristici ale fotorezistoarelor sunt: .50). rezistenţa materialului scăzând corespunzător.1. detectoare de fum. Există magnetorezistoare realizate pe bază de materiale semiconductoare (InSb).1. o largă răspândire o au fotorezistoarele din PbS şi CdS. la realizarea fotorezistoarelor se utilizează materiale semiconductoare cunoscute sub numele generic de materiale fotoconductoare. Structura de fotorezistor este astfel realizată încât la întuneric total să conţină foarte puţini electroni liberi. 82 .MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE c. RD care reprezintă valoarea rezistenţei la iluminarea nulă. Fotorezistoare Fotorezistoarele (LDR . controlul tonerului la maşini de fotocopiat etc.

senzori de cîmp magnetic. fiind numite. dar au coeficienţi de variaţie cu temperatura mai mari şi un domeniu de măsură al deformaţiilor ceva mai mic. Tensorezistoare Rezistoarele a căror rezistenţă depinde de tensiunile mecanice sunt utilizate în general la măsurarea respectivelor tensiuni (eforturi). este apoi lipită (aplicată) pe corpul a cărui deformaţie se doreşte a fi măsurată. cipuri sau straturi subţiri. În prezent se utilizează două tipuri principale de traductoare tensometrice: .traductoare metalice realizate din aliaje metalice cu rezistivitate mare şi coeficient de temperatură redus. pe scurt. de obicei din constantan. capete magnetice etc. Folia metalică de 2-5 μm obţinută prin laminare este fixată cu un adeziv pe un suport izolator polimeric. Printre aplicaţiile care utilizează magnetorezistoare amintim: senzori de curent. Varianta realizată din folii metalice. proporţionale cu eforturile mecanice. . tensometrele măsoară deformaţiile mecanice. Ele prezintă o sensibilitate superioară celor metalice. Pentru mărirea sensibilităţii se utilizează o structură cu meandre. după funcţia pe care o realizează. e. traductoare tensometrice rezistive sau. Această construcţie. cunoscută sub numele de marcă tensometrică. folii sau straturi subţiri. De fapt. tensometre.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Tehnologic. s-a impus. Traductoarele rezistive tensometrice semiconductoare se realizează de obicei din Ge sau Si. sub formă de fire. sunt realizate prin procedee complexe specifice straturilor subţiri şi sunt încapsulate în capsule specifice circuitelor integrate SMD.traductoare realizate pe bază de materiale semiconductoare mono sau policristaline sub formă de filamente. 83 .

1 94.4 47.9 38.0 59.0 34.6 Seria de valori E-192 toleranţa (± 0.8 20.1 12.5 75.6 56. 7 11.7 42.9 Anexe 1.7 13.7 24.4 48.7 29.8 77.2 35.2 40.2 61.7 78.5 97.0 21.2 18.9 15. 0 11.9 51.5 21.3 45.2 42.1 30.5 37.0 14.6 22.7 40.3 24.0 21.4 15.2 56.0 10.4 27. 5 11.5 11. 3 11.1 71.4 28.5 11.9 11.5 22.6 10.7 27.8 71.5 37.2 74.2 42.7 80.6 12.4 18.3 13.A1 Valorile nominale ale rezistenţelor din diferite serii CEI Valorile sunt între 10 şi 100.4 12.4 16.9 66.4 38.9 55.6 34.4 61.0 53.4 15.6 82.7 43.2 41.7 51.3 49.0 47.7 14.5 84.3 97.6 98.6 54.3 96.7 19.1 10.7 13.1 75.0 61.8 90.2 41.3 14. Seria de valori E-6 toleranţa (± 20%) 10 15 22 33 47 68 Seria de valori E-12 toleranţa (± 10%) 10 12 15 18 22 27 33 39 47 56 68 82 Seria de valori E-24 toleranţa (± 5 %) 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 68 75 82 91 Seria de valori E-48 toleranţa (± 2%) 10.4 32.3 53.9 46.5 30. 8 12.5 26.8 30.0 10.7 19.1 26.3 12.5 16.5 21.5 16.9 17.2 34.5 51.7 14.2 15.4 16.1 53.0 78.7 24.0 10.7 15.5 22.0 20.4 28.9 56.0 11.9 63.9 93.9 25.7 89.5 48.2 23.2 59.2 44.1 27.7 41.1 26.4 26.4 64.8 36.8 22.7 90.1 69.9 95.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE 1.7 30.6 32.6 24.4 30.7 10.2 10.3 22.2 34.1 27.7 24.2 57.1 48.5 14.0 14.2 16.5 67.4 64.2 95.0 13.2 17.3 13.1 29.3 19.0 15.5 83.2 14.7 27.8 21.4 10.6 19.6 82.9 13.8 39.9 62.4 28.8 26.2 46.0 16.6 90.5 13.1 30.2 25.6 17.3 38.2 10.9 31.0 15.2 42.5 12.2 44.0 76.0 14. 4 11.7 16.8 18.9 31.1 22.8 78.8 35.6 54.9 23.1 52.8 18.5 85.4 29.9 26.8 35.6 23.2 16.2 31.3 20.5 73.5 84.6 58. Orice valoare particulară se obtine prin împarţire sau înmulţire cu 10.0 69.4 17.3 73.5 10.3 53.2 45.7 44.9 17. 1 11.8 16.6 15.3 39.1 12.5 68.7 18.5%) 10.5 25.5 86.8 84 .1 36.5 72.2 18.6 63.4 34.3 21.3 46.7 28.4 33.0 12.3 59.0 13.0 28.6 88.1 19.6 32.0 28.7 13.6 80.8 18.6 86.0 18.5 48.1 22.3 14.0 24.6 23.7 15.7 49.2 23.9 57.6 87.2 64.0 20.8 45.3 24.6 56.2 40.2 13.9 64.7 49.8 16.2 44.1 95.1 12.9 50.1 19.2 16.9 17.4 12.3 14.9 92.5 10.2 54.7 36.2 75.7 36.6 88.0 34.2 33.8 70.0 37.7 66.5 21.7 11.7 79.6 20.1 51.6 81.3 Seria de valori E-96 toleranţa (± 1%) 10.3 68.0 32.7 29.6 33.4 47.3 11.7 82.5 86.5 38.9 76.9 68.2 43.8 33.4 61.8 14.0 75.7 12.6 20.8 12.5 20.2 39.6 71.9 19.9 65.4 23.0 11.4 37.7 52.9 25.6 59.0 93.1 31.0 60.7 60.3 40.2 43.4 17.1 69.

A3 Codul culorilor conform IEC 62 Utilizând codul culorilor se poate marca rezistenţa nominală. ±0. în funcţie de toleranţă sunt necesare două sau trei cifre semnificative. De exemplu.A2 Codul EIA-96 Cod numeric pentru cifrele semnificative ale marcării rezistoarelor SMD Cod literar pentru multiplicator Codul se utilizează pentru toleranţe de ±0. ±1 %. faţă de varianta cod alfanumeric (varianta 3) reduce marcarea cu un digit. coeficientul de variaţie cu temperatura şi uneori fiabilitatea (rata de defectare). 85 . atât cu terminale pentru inserţie. rezultă RN =12.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE 1. 1. toleranţa.1 %. Această marcare.4 kΩ. cât şi pentru montarea pe suprafaţă. Pentru marcarea rezistenţei nominale. dacă este marcat pe un rezistor 10C. Marcare este utilizată pentru rezistoarele de formă cilindrică.5 %.

toleranţa fiind mai mică decât ±. 86 .A3 b este utilizată pentru rezistoare cu toleranţă de ±10 % şi ±5 % (fără să se marcheze coeficientul de variaţie cu temperatura. Marcarea din fig.A3 c. C2. În acest caz apare ca necesară a treia cifra semnificativă C3. m – multiplicator. În acest caz se marchează rezistenţa nominală (culorile C1. atunci când este marcat. e. Ordinea de citire a culorilor este de la capătul cel mai apropiat (ca în fig.A3 f. Marcarea din fig. λ – fiabilitate (rata de defectări).5 %. t – toleranţa. m) şi toleranţa. Coeficientul de variaţie cu temperatura. α – coeficient de temperatură.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Codul culorilor conform IEC 62 Fig. 3 – a treia cifră semnificativă.A3 c este utilizată pentru marcarea rezistenţei nominale şi a toleranţei. d. când se marchează numai rezistenţa nominală cu trei inele colorate.A3 Marcarea rezistoarelor în codul culorilor: 1 – prima cifră semnificativă.A3 d şi e) sau un punct colorat în conformitate cu fig. este ultima culoare (vezi fig. Marcarea din fig. cum sunt de exemplu rezistoarele cu peliculă de carbon). 2 – a doua cifră semnificativă. A3 a şi b) sau ultima culoare este de aproximativ două ori mai lată decât celelalte (vezi fig.A3 a este utilizată pentru rezistoare cu toleranţe de ±20 %. f).

3 Reţele şi arii de rezistoar 87 .2 Rezistoare de putere mare Fig.A4.A4.A4 Tehnologii de realizare a rezistoarelor fixe Fig.1 Rezistoare de putere mică Fig.A4.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE 1.

6 Tehnologie rezistor tip peliculă superficială Rezistoarele tip peliculă superficială – „film resistor” – sunt fabricate prin depunerea. Această tehnică de fabricaţie permite combinarea în vederea obţinerii de circuite integrate. cu rezistenţa nominală şi toleranţa marcate în clar Fig.5 Tehnologie rezistor de putere bobinat Fig. Rezistivitatea stratului conductor este menţinută constantă. în vreme ce grosimea. în mediu vidat.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Fig.4 Rezistor de putere. lăţimea sau lungimea sunt variate în scopul controlării rezistenţei.A4. 88 .A4.A4. a unui strat subţire de metal pe un substrat izolator.

Elementul este protejat cu vopsea sau cu plastic.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Fig. unite printr-un liant (răşină formaldehidică).9 Dimensiunile rezistoarelor 89 . Elementul rezistiv este format dintr-un amestec din praf fin de carbon (grafit) şi material izolant (bioxid de titan. în general ceramic). Rezistenţa este dată de raportul dintre cantitatea de carbon şi cantitatea de material izolant folosite.A4.A4. zirconiu.7 Tehnologie rezistor de volum Rezistoarele de volum din amestec de carbon sunt alcătuite dintr-un element rezistiv cilindric în care este inclus un fir ale cărui capete sunt accesibile sau care are borne terminale metalice de care sunt ataşate firele de legătură. caolin. Astfel o cantitate ridicată de carbon înseamnă o rezistenţă scăzută.A4. Fig.8 Tehnologia rezistoarelor embedded Fig.

c – potenţiometre de control. g – potenţiometru cu priză mediană. două potenţiometre pe acelaşi ax şi potenţiometru semireglabil Fig. Ambele au la baza un element rezistiv alcatuit dintr-o peliculă de carbon (sau metalică) circulară pe care se mişcă rotativ un cursor.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE 1.A5 Rezistoare variabile – simboluri grafice şi tehnologii de realizare Fig.A5.A5. Fig. e – potenţiometre de ajustare.A5. f – potenţiometru tandem. d. rezistoare semireglabile.4 Potenţiometru circular şi semireglabil 90 .1 Simboluri pentru potenţiometru cu ax. Capetele peliculei sunt notate cu „a” şi „c” şi cursorul cu „b” Fig.2 Simboluri grafice pentru potenţiometre a. b.3 Rezistoare variabile: potenţiometre peliculare rotative.A5.

91 .A5. 2 – peliculă rezistivă.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Fig.A5. h) potenţiometru rotativ bobinat de putere 1 – suport izolant. b) potenţiometru rotativ multitură. 3 – peliculă conductivă. d) potenţiometru rotativ cu priză.6 Ansamblu suport dielectric – element rezistiv – terminale pentru un potenţiometru rectiliniu pelicular 1 – suport dielectric. 2 – peliculă rezistivă. 6 terminalul cursorului c.7 Ansamblul element rezidtiv – suport dielectric pentru câteva tipuri de potenţiometre a) potenţiometru rotativ pelicular. 4 – terminal iniţial a. 4 – orificii pentru fixarea mecanică şi contactarea terminalelor. f) potenţiometru rotativ bobinat g) potenţiometru rectiliniu bobinat.A5. 5 – terminal final b. e) potenţiometru rectiliniu cu prize. 3 – peliculă de argint. Fig.5 Potenţiometre rectilinii Fig. c) potenţiometru rectiliniu pelicular. 6 – element rezistiv bobinat. 5 – prize. 7 – terminale.

01" (0.3 mm). două terminale. iar procesul tehnologic de realizare a plăcilor de circuit imprimat a subansamblelor echipate cu astfel de componente este cunoscut sub denumirea de ”Surface Mounting Assembley” – SMA sau ”Surface Mounted Technology” – SMT.02" × 0. ● 0805 . două terminale.0.08" × 0. care au drept rezultat fixarea componentelor electronice pe suprafaţa unui circuit imprimat sau pe un substrat de circuit hibrid.5 mm).2 mm × 1.0.02" (1.6 mm × 1. ● 0402 .9 mm ● dimensiunea C (EIA 6032-28): 6.condensatoare cu tantal: ● dimensiunea A (EIA 3216-18): 3.2 mm ● dimensiunea D (EIA 7343-31): 7.componente pasive rectangulare (majoritatea sunt rezistoare şi condensatoare): ● 0201 .5 mm).0.06" × 0.0 mm × 1.8 Potenţiometre cu ax şi semireglabile 1. două terminale.03" (1.6 mm ● dimensiunea B (EIA 3528-21): 3.5 mm × 0.2 mm × 2.4 mm ● dimensiunea E (EIA 7343-43): 7. Industria electronica a definit o serie de standarde pentru forma şi dimensiunile capsulelor componentelor (Capsula de baza a standardului SMD este codificată JEDEC) şi include urmatoarele tipuri de componente: . .0.8 mm × 1.04" × 0.3 mm × 4.05" (2. ● 1206 .3 mm × 4. două terminale.3 mm).3 mm × 4. Componentele electronice destinate montajului pe suprafaţă au dimensiuni mult mai mici decât componentele cu montare normală prin gaurirea placii de cablaj.0 mm × 1.0 mm × 0.5 mm × 2.12" × 0.A6 Componentele SMD Tehnologia de montare a componentele pe suprafaţă cuprinde un ansamblu de operaţii efectuate automat. două terminale. sunt proiectate pentru a fi plasate pe circuit cu ajutorul unor maşini automate de montare şi sunt denumite în mod generic în literatura de specialitate ”Surface Mounted Devices” – SMD.A5.6 mm × 0.0 mm × 3.06" (3. ● 0603 .8 mm).0.3 mm × 2.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE Fig.1 mm Capsule pentru circuite integrate de dimensiune redusă (small-outline) codificate cu denumirea SOIC (Small-Outline Integrated Circuit) – cu pinii 92 .

6256 * 10 . Fig.MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE situaţi în linie pe părţi opuse (dual-in-line). Fig.998*10 8 [m/s] – viteza luminii U – tensiunea continuă [V] u – tensiunea variabilă (cu sau fără componenta continuă) I – cutrent continuu [A] i – curent variabil (cu sau fără componenta continuă) J – densitate de curent [A/ m 2 ] p a – putere activă specifică (pe unitate de volum) [W/m 3 ] P a – puterea activă [W] P r – putere reactivă [VAr] S – putere aparentă [VA] R – rezistenţă [ohm] [] 93 .A6. cu 8 sau mai mulţi pini.2 Capsula de tip PLCC 1.A6.1 Capsula SOIC cu 8 pini Capsule de tip PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier) – făcute din material plastic dreptunghiulare cu distanţa dintre pini de 1. cu terminale în forma de aripă de pescaruş şi cu distanţa între pini de 1.A7 Notaţii utilizate şi unităţi de măsură Q – sarcina electrică [C] e = 1.6021*10 .27 mm.27 mm.3 4 [Js] – constanta lui Planck c = 2.1 9 [C] – sarcina electronului E – intensitatea câmpului electric [V/m] D – inducţia electrică [C/m 2 ] ε 0  1 / (4*9*10 9 ) [F/m] – permitivitatea absolută h = 6.

3804*10 .1 6 [J/K] – constanta lui Boltzmann H – intensitatea câmpului magnetic [A/m] B – inducţia magnetică [T]  0 = 4*10 .rezistivitate [m]  .7 [H/m] – permeabilitatea absolută L – inductivitatea [H] C – capacitatea [F] Q – factorul de calitate U H – tensiunea magnetică [A]  .flux magnetic [Wb] W – energie [J] X – reactanţă [] G – conductanţă [S] Y – admitanţă [S] 94 .MATERIALE CONDUCTOARE – REZISTOARE  .conductivitate [S/m] T – temperatura absolută [K]  .temperatura [C] k = 1.

La aplicarea unui câmp magnetic de intensitate H asupra unui material electronic.1) m  SI în care S reprezintă suprafaţa buclei prin care circulă curentul electric I aşa cum este prezentat în fig.2)  În cazul atomilor sau a moleculelor.1 şi pentru care este valabilă următoarea lege: . aceştia sunt caracterizaţi de către un  moment magnetic elementar notat m A . Fig.1 Dipol magnetic Orice dipol magnetic este caracterizat prin intermediul unui moment magnetic elementar.câmpul magnetic modifică proprietăţile magnetice ale materialului.2.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE CAPITOLUL 2 MATERIALE MAGNETICE – BOBINE 2. în principal de: deplasarea electronului în jurul nucleului unui atom. în care există diverse bucle microscopice de curent determinate. Influenţa câmpului magnetic asupra materialelor electronice se materializează prin apariţia unor dipoli magnetici în structura materialului respectiv. . rotirea electronului în jurul axei sale. momentele magnetice elementare tind să se orienteze după direcţia câmpului magnetic.1 Explicarea fizică a magnetismului Prin introducerea unui material electronic într-un câmp magnetic se constată că acestea se influenţează reciproc: .legea fluxului magnetic pentru o inducţie B pe un element de suprafaţă S:  BdS  0 (2. Dipolul magnetic reprezintă un traseu închis – o buclă . determinat ca suma vectorială a momentelor magnetice elementare a dipolilor remarcaţi la nivelul atomilor. definit prin intermediul relaţiei:  (2.2.prin care circulă un curent electric. Acest fenomen poartă denumirea de magnetizarea 95 . Originea dipolilor magnetici în materialele electronice este localizată la nivelul atomilor/moleculelor din structura acestora.materialul electronic modifică geometria liniilor de câmp ale câmpului magnetic.

definit ca densitatea volumetrică de momente magnetice elementare: M  N dipoli m .5) În cazul în care câmpul magnetic este aplicat în vid.  M SI  A m (2. a vidului. vectorul magnetizaţie fiind notat în acesr caz Mt. iar m reprezintă momentul magnetic elementar.7) 0 este pemeabilitatea magnetică a vidului. mărime care se mai numeşte şi densitate de flux magnetic şi care reprezintă intensitatea câmpului magnetic în interiorul materialului pentru că momentele magnetice ale atomilor tind să se alinieze cu câmpul exterior. H şi starea de magnetizare M (cu cele două componente magnetizare temporară şi permanentă) şi este exprimată analitic prin relaţia: B  0 H  0 M  0 H  0  M t  M p  unde (2. m  B SI  T  Wb m2 (2. Starea de magnetizare a unui material electronic poate fi: .6) Interacţiunea dintre substanţă şi câmpul magnetic este dată de legea inducţiei magnetice sau a legăturii dintre B.4) Efectul materialului magnetic asupra câmpului magnetic de intensitate H. caz în care starea de magnetizare este observată numai în prezenţa sursei externe care a cauzat-o. .permanentă. caz în care starea de magnetizare se menţine şi în absenţa sursei externe care a cauzat-o.temporară.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE materialului şi caracterizează influenţa câmpului magnetic asupra materialului electronic. vectorul de magnetizaţie se scrie ca: M  Mt  M p (2.3)  unde Ndipoli reprezintă densitatea volumetrică de dipoli din material. de a permite trecerea câmpului magnetic prin el. în care este plasat materialul respectiv. legătura dintre inducţia magnetică B şi intensitatea câmpului magnetic H este dată de relaţia: B  0 H (2. Unităţile de măsură ale celor două mărimi electrice menţionate sunt:  H SI  A . Ţinând cont de cele două componente amintite mai sus. 96 . vectorul magnetizaţie fiind notat în acest caz Mp. o mărime constantă egală cu: 0 = 4π10-7 H/m (aproximativ egală cu a aerului) şi care furnizează o măsură asupra abilităţii mediului. se poate pune în evidenţă urmărind ceea ce se întâmplă cu valoarea inducţiei magnetic B a câmpului magnetic. Starea de magnetizare a materialului electronic este caracterizată prin intermediul vectorului de magnetizaţie M.

11) unde γ este constanta lui Weiss (γ ≈ 0 pentru materialele dia şi paramagnetice şi γ = 103 – 104 pentru materialele feromagnetice). ce exercită acţiuni ponderomotoare asupra moleculelor corpului este dat de relaţia: H0  H   M (2. posedă în primul rând un moment magnetic propriu de spin şi în al doilea rînd. Această interacţiune se datoreşte faptului că electronul. ca orice sarcină în mişcare în jurul nucleului. fiind dată de expresia (2. Magnetizaţia M a corpului este diferenţa dintre intensitatea câmpului magnetic în vid şi intensitatea câmpului în materialul considerat. posedă un moment magnetic orbital. În concluzie. Câmpul magnetic activ sau efectiv. Mediile care au susceptivitatea magnetică independentă de intensitatea câmpului magnetic se numesc medii magnetice liniare.9) De unde: r  1   .8).7).MATERIALE MAGNETICE – BOBINE Legea magnetizaţiei temporare este definită astfel: Mt   H (2. răspunsul materialului la aplicarea asupra sa a unui câmp magnetic. Momentul magnetic propriu de spin al electronului este egal cu:  s  2ms  B (2.   0 r  0 1    şi B   H (2.12) 97 . rezultă: B  0 H  0 M t  0 H  0  H   0 1    H  0 r H   H (2. sau altfel spus. iar cele unde există o interdependenţă între  şi H se numesc medii neliniare. unde  poartă numele de susceptivitate magnetică şi reprezintă o măsură a materialului magnetic de a se magnetiza. relaţia dintre magnetizarea M şi câmpul H. Din relaţia (2. Susceptivitatea este o caracteristică de material ce depinde numai de natura lui fizico-chimică. Se măsoară în SI [Wb/Am] sau [H/m].10) unde  r se numeste permeabilitate magnetică relativă şi este o constantă adimensională. pentru Mp = 0. este o mărime scalară la corpurile izotrope şi tensorială la cele anizotrope. o substanţă introdusă în câmp magnetic se magnetizează. Efectele magnetice apar în urma interacţiunii câmpului exterior cu electronii substanţei respective. raportul dintre inducţa magnetică B şi intensitatea câmpului magnetic H se numeşte permeabilitate magnetică absolută şi se notează cu  .8) Deci. având spin. starea de magnetizaţie a unui material este de natură atomică. Mişcările pe orbite ale electronilor şi spinul lor dau naştere momentelor magnetice orbitale şi de spin care se cuplează astfel încât un strat electronic complet să aibă moment magnetic total nul. într-un mediu omgen.

microparticulele care posedă un spin ±1/2 (electroni. Spinul se interpretează ca momentul cinetic propriu al unei microparticule. Deoarece fenomenul de magnetizare constă în orientarea momentelor magnetice ale atomilor în direcţia câmpului magnetizant. foarte aproape de 1).. momentul magnetic de spin al nucleului este mai mic decât al electronului de câte ori este mai mică masa electronului în raport cu masa nucleului. ±1). Momentul magnetic spontan (sau permanent mp) al unui atom este egal cu suma dintre momentele magnetice de spin şi orbitale ale atomului.14) Atomii caracterizaţi prin momente magnetice spontane. ±1. ±2. 98 . momentele orbitale ale electronilor se compensează pentru atomii care au straturile electronice complet ocupate. mesonii K. de orientare a momentelor magnetice ale atomilor materialului. unii învârtindu-se într-un sens alţii în altul.. adică nenule mp ≠ 0. μr > 1 (ex.13) în care ml este numărul cuantic magnetic orbital (ml = 0. adică magnetizaţia este slabă şi de acelaşi sens cu câmpul exterior. cei care nu au momente magnetice spontane se numesc atomi (molecule. hiperoni.. mesonii μ. ioni) magnetic nepolari.) sunt denumite bosoni. Astfel. adică magnetizaţia este slabă şi de sens contrar câmpului exterior. De asemenea. în general. Al are μr = 1.. din punctul de vedere al magnetizării.paramagnetice.. mesonii π. se măsoară în unităţi h barat = h/2π şi poate avea diferite orientări în spaţiu. Cu are μr = 0. Obs. după care substanţele se împart în: . se numesc atomi magnetic polari. prin creşterea ei. μr < 1 (ex... este uşor de înţeles că temperatura. Se poate afirma că numai momentele magnetice de spin ale electronilor prezintă importanţă pentru stabilirea momentului magnetic spontan al atomului. când χ > 0 ≈ 10-4…10-3.Bohr şi ms este numărul m 4 cuantic magnetic de spin (ms = ±1/2) iar h este constanta lui Plank. .microparticulele care au spinul zero sau un număr întreg (fotoni. al interacţiunii cu câmpul magnetic se poate face clasificarea materialelor. foarte aproape de 1).diamagnetice. sunt cunoscute trei tipuri de comportări în câmp magnetic.. când χ < 0 ≈ –10-5.99999.) sunt denumite fermioni. influenţează procesul de magnetizare. . iar . care intensifică mişcarea de oscilaţie a atomilor. protoni. m p   s  l (2..000022. Momentul magnetic datorat mişcării orbitale a electronului este egal cu: l  ml  B (2..MATERIALE MAGNETICE – BOBINE în care: B  e h este magnetonul lui Procopiu . neutroni. Obs.

care se opune cauzei sale. toate corpurile prezintă acest tip de magnetism orbital. adică materialele se magnetizează puternic. care modifică viteza unghiulară a electronului şi deci momentul orbital. Variaţia momentului orbital provoacă o magnetizare diamagnetică. Momentul magnetic suplimentar Midia este egal cu curentul produs de electron în mişcarea orbitală (momentul diamagnetic) înmulţit cu aria proiecţiei orbitei A pe un plan perpendicular pe câmpul magnetic H. datorată deformării orbitelor sub acţiunea câmpului magnetic exterior. fig. relaţia (2.2. care poartă numele de diamagnetism. deci caracterizată printr-o susceptivitate negativă. 2. permeabilitatea magnetică  a materialului este mai mică decât permeabilitatea magnetică 0 a vidului. adăugându-se magnetizării substanţelor de tip paramagnetic sau feromagnetic.feromagnetice.2 Diamagnetismul Corpurile diamagnetice au atomi (molecule. numită de precesie (precesia Larmor). Diamagnetismul este o proprietate generală a materiei.2.15) devine: 99 . a electronilor legaţi de atomi în jurul direcţiei locale a câmpului magnetic exterior.2 Momentul diamagnetic Obs. Magnetizarea corpurilor diamagnetice se datoreşte rotaţiei. Fig. la egalarea forţei centrifuge cu forţa de atracţie columbiană: (2.15) mv 2 / r  e2 / r 2 unde: v  0 r . ce are ca efect reducerea uşoară a câmpului magnetic aplicat. Viteza unghiulară cuantică ω0 se obţine în raport cu raza cuantică a orbitei electronului. Aceasta se pune în evidenţă în prezenţa unui câmp exterior H.2. Întrucât toate corpurile au electroni plasaţi pe orbite. ioni) nepolari (mp = 0).MATERIALE MAGNETICE – BOBINE . Din acest motiv. când χ >> 0 = 102…105 (însă M nu este proporţională cu H decât pentru valori foarte mici ale câmpului magnetic).

20) şi dacă se neglijează termenii de ordinul al doilea se obţine valoarea pulsaţiei sau frecvenţei Larmor: L   eH 2m (2. variaţia frecvenţei unghiulare a electronului (precesia electronului) introduce un moment magnetic indus suplimentar.21) Aşadar.23)  D reprezintă susceptivitatea diamagnetică a corpului respectiv.19) m r  e / r  ev  H unde înlocuim ω cu 0  L . Câmpul magnetic activ H0 stabilit din exterior exercită asupra unui   electron forţa Lorentz: F  ev  H .18) unde ωL este variaţia vitezei unghiulare orbitale în prezenţa unui câmp exterior.22) Dacă Na este numărul de atomi din unitatea de volum. astfel încât:   0  L (2. care are orientarea opusă câmpului magnetic H. 100 . deci precesia sau pulsaţia Larmor. care micşorează atracţia nucleului:   2 2 2 (2. Relaţia (19) devine: sau: m 0  L  2   r  e / r  ev  H 2 2 m02 r  2m0L r  mL2 r  e 2 / r 2  e0 rH (2.16) de unde rezultă: 0  e2 / mr 3 (2. sarcina electronului fiind negativă. deci:   e  M idia  k LL  k L H   i H 2m (2.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE m02 r  e 2 / r 2 (2.17) Presupunând că în prezenţa câmpului magnetic are loc o variaţie a frecvenţei unghiulare cu   L . se poate afirma că magnetizarea diamagnetică a corpului este dată de suma momentelor magnetice induse a tuturor electronilor celor Na atomi (fiecare atom având Ze electroni): M D  N a Z e M idia   N a Z e i H    N a Ze kL unde e H   D H 2m (2. Magnetizarea substanţelor diamagnetice nu depinde de temperatură. mergând pe această cale semiclasică de determinare a susceptivităţii diamagnetice.

permite trasarea caracteristicii de funcţionare M = f(H) a materialului. Din grupa substanţelor diamagnetice fac parte: Ag. C şi altele. orientarea nu este perfectă. Fig.23). de ordinul 10-5. Această caracteristică este o dreaptă. Bi. Ge. Cu. 0. deci acest tip de material este liniar.  r  1 (Ex. motiv pentru care materialele diamagnetice nu au utilizări tehnice în magnetism. atomii materialelor paramagnetice au momente magnetice proprii mp ≠ 0. permeabilitatea magnetică  a materialului este mai mare decât permeabilitatea magnetică 0 a vidului. 101 .3 Magnetizarea diamagnetică Magnetizarea diamagnetică.3 Paramagnetismul În absenţa câmpului magnetic exterior. momentele magnetice ale acestor substanţe se pot orienta într-un câmp magnetic H.   0 . Din acest motiv. B. în sensul câmpului magnetic.: Cu are μr = Susceptivitatea este negativă. iar susceptibilitatea magnetică  este pozitivă Din cauza agitaţiei termice. Se. Fenomenele de magnetizare prezente la acest tip de material sunt foarte slabe astfel încât starea de magnetizare a acestui tip de material este slabă.99999). astfel încât magnetizarea rezultantă este nulă. Au. care sunt orientate haotic. Pb. ca în fig. Be. S. 2.3. Din această cauză materialele diamagnetice se mai numesc şi materiale nemagnetice. Din punct de vedere tehnologic materialele diamagnetice nu prezintă interes. As. Panta dreptei respective este egală cu susceptibilitatea magnetică a materialului. ceea ce are ca efect creşterea uşoară a câmpului magnetic aplicat. cu excepţia supraconductoarelor care se utilizează ca ecrane magnetice. Zn. Hg. iar permeabilitatea magnetică relativă este subunitară. În funcţie de agitaţia termică.2. caracterizată de relaţia (2. Si.2. Sn. de aceea se consideră  m ca fiind momentul magnetic propriu al unui atom de material ce conţine N atomi pe unitatea de volum şi care formează cu direcţia câmpului magnetic exterior un unghi  diferit de zero.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE  D  0 .

rezultă că şi acest tip de material este liniar. KT (2.27) şi astfel relaţia (2. magnetizarea paramagnetică este egală cu: M  N m   cos  m cos e e  EM KT  EM KT d d  N m e e m H cos KT m H cos KT d (2. Fig.26) Dacă câmpurile magnetice nu sunt prea mari.4. la temperaturi normale a  1. expresia se poate scrie sub forma: 1  M  N m  ctgha    N m L  a  a   H unde a  m şi L  a  este funcţia lui Laugevin.26) devine: a N m2 M  N m  H  P H 3 3KT (2. Panta dreptei respective este egală cu susceptibilitatea magnetică a materialului.2. În primă aproximaţie: La  a / 3 (2.28) Deci.25) d şi care după câteva calcule.2. După statistica clasică. astfel încât funcţia L  a  se poate dezvolta în serie. 102 .4 Magnetizarea paramagnetică Caracteristica de funcţionare M = f(H) a materialului fiind o dreaptă.24) Deoarece la magnetizarea totală contribuie numai proiecţiile momentelor magnetice pe direcţia câmpului magnetic exterior (  m cos ) se va calcula valoarea medie a proiecţiilor momentelor magnetice pe direcţia câmpului exterior pentru toate valorile posibile ale unghiului  . magnetizaţia materialelor paramagnetice variază liniar cu intensitatea câmpului magnetic ca în fig.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE Energia acestui moment magnetic în câmpul magnetic H este dată de relaţia: EM    m H (2.

2.  P  0 . fig. Conform relaţiei (2.2.29) Relaţia (2. cunoscut încă din antichitate.000022). a  1 şi magnetizarea nu mai depinde liniar de câmpul magnetic. Mg. (Ex. Nb. caracterizat prin valori ale susceptivităţii şi permeabilităţii foarte mari (sute de mii). iar câmpul exterior să rămână ineficace în orientarea ordonată a spinilor. iar N m2 C 3K (2. conform legii Curie şi magnetizarea scade cu creşterea temperaturii la câmp constant. V. În concluzie. Din grupa substanţelor paramagnetice fac parte: Al.26). Na. de ordinul 10-3.4 Feromagnetismul Feromagnetismul.5 Variaţia magnetizării paramagnetice cu temperatura De asemenea.Cr etc. fenomenele de magnetizare prezente la acest tip de material sunt foarte slabe.10-5.30) este constanta Curie. 103 . este un caz particular al paramagnetismului. Zr. Fig.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE De aici rezultă susceptivitatea paramagnetică şi dependenţa ei de temperatură: P  N m 1 C  3K T T (2. Pt. De asemenea. rezultă că susceptivitatea paramagnetică scade cu creşterea temperaturii.: Al are  r  1   P = 1. motiv pentru care materialele paramagnetice nu au utilizări tehnice în magnetism. La temperaturi foarte joase şi în câmpuri foarte puternice. Agitaţia termică poate diversifica într-o măsură aşa de mare mişcarea de rotaţie a electronilor şi orientarea momentelor magnetice de spin.29) este denumită şi legea lui Curie. Ca. Obs.5. Ti. Li. este mai mare ca zero.31) 2. încât magnetizarea materialului datorită câmpului interior să fie nulă. magnetizarea tinde către o valoare de saturaţie egală cu: M  N m (2.

Teoria domeniilor feromagnetice sau teoria curbei tehnice de magnetizare explică fenomenele de magnetizare ireversibile care au loc în procesul de histerezis feromagnetic (Akulov. datorită forţelor interatomice care sunt mari. Tmat < TC. materialul este feromagnetic. atât momentele orbitale cât şi cele de spin se compensează. Dorfinan. în 1907. la temperaturi mai mici decât temperatura Curie. corpul se magnetizează. Landau). ea datorându-se spinului electronilor. Din grupa substanţelor feromagnetice fac parte Fe. cu indicarea numărului de spini pozitivi. Teoria magnetizării spontane explică însăşi natura feromagnetismului. astfel încât atunci când temperatura corpului este mai mică decât temperatura Curie. 1. care nu depinde de câmpul magnetic exterior. Fierul. Ipotezele Iui Weiss au fost următoarele: – fiecare corp fieromagnetic este magnetizat spontan.6. în interiorul cărora magnetizarea spontană are o direcţie bine determinată. Electronii în mişcarea lor orbitală. de asemenea. precum şi în mişcarea de spin. respectiv negativi ai celor 26 de electroni ai săi este prezentată în fig.2. – în al doilea rând Weiss a presupus că orice corp feromagnetic. Cele două ipoteze ale lui Weiss au făcut ca teoria feromagnetismului să se dezvolte pe două direcţii. l = 2) se găsesc 6 electroni. Momentele magnetice de spin pot lua valori  e h  1 magnetoni m 4 Procopiu-Bohr. Bloch. Pentru atomii care au straturile electronice complet ocupate. Apariţia feromagnetismului este condiţionată de numărul de electroni necompensaţi. denumită temperatură Curie. orice material feromagnetic posedă o temperatură caracteristică. Originea momentelor magnetice proprii (permanente) ale atomilor. interacţiunii de schimb (Frenkel şi Heisenberg). Co. este împărţit în mai multe regiuni denumite domenii. formându-se astfel domeniile lui Weiss. momentele magnetice ale acestor electroni necompensaţi fiind aproape exclusiv la originea momentului magnetic al atomului respectiv şi prin urmare la originea proprietăţilor magnetice ale materialului. a fost primul care a formulat în mod clar problema fundamentală a feromagnetismului. Co are 3 electroni şi Ni are 2 electroni. Configuraţia electronică a atomului de fier. Când materialul este introdus într-un câmp magnetic exterior are loc alinierea momentelor domeniilor. Pe stratul 3d (n = 3 .MATERIALE MAGNETICE – BOBINE Weiss. momentele magnetice ale atomilor se orientează spontan pe direcţii paralele. posedă momente magnetice orbitale şi de spin. 5 104 . iar când Tmat > TC materialul îşi pierde proprietăţile feromagnetice şi devine paramagnetic. 2. cel mai puternic material feromagnetic are 4 electroni necompensaţi pe stratul trei. adică se caracterizează prin existenţa unei magnetizări spontane. Ni şi o serie de aliaje ale acestor elemente.

energia potenţială minimă impune momentelor magnetice ale atomilor să se orienteze spontan pe direcţii paralele.6 Configuraţia electronică a atomului de fier De asemenea. Fig. Substanţele feromagnetice sunt situate în partea pozitivă a integralei de schimb (după Bethe .MATERIALE MAGNETICE – BOBINE electroni cu spin „+" şi 1 cu s p i n „-".2.7 Dependenţa energiei de magnetizare la materialele feromagnetice de raportul dintre doi atomi vecini . Prezentarea schematică a apariţiei feromagnetismului rezultă din variaţia energiei de magnetizare în funcţie de raportul dintre distanţa interatomică între doi atomi vecini – D şi raza stratului necompensat – r. Manganul are 5 electroni necompensaţi dar nu este intens feromagnetic.r La materialele feromagnetice forţele interatomice sunt mari.Slator) sau enrgiei de magnetizare. E x i s t ă deci 4 spini necompensaţi şi prin urmare un atom de fier va avea un moment magnetic egal cu 4 magnetoni Bohr. ca în fig. formându-se astfel domeniile Weiss.2.D şi raza stratului necompensat .2. la apariţia feromagnetismului contribuie şi distanţa interatomică limitată.7. 105 . Fig.

MATERIALE MAGNETICE – BOBINE

Un monocristal (sau într-un material policristalin fiecare grăunte cristalin)
poate conţine mai multe domenii Weiss separate de pereţi Bloch (v. fig.2.8a).

a.

b.

c.

Fig.2.8 Feromagnetismul materialelor:
a – domenii Weiss şi pereţi Bloch; b – schimbarea orientării momenteolr magnetice
în zona pereţilor Bloch; c – orientarea momentelor magnetice
106

MATERIALE MAGNETICE – BOBINE

Domeniile Weiss (d1 şi d2) sunt despărţite între ele prin pereţi, denumiţi
pereţi Bloch (δ), astfel încât trecerea de la orientarea spontană a momentelor
atomilor unui domeniu la cea a unui domeniu vecin, orientat de-a lungul lui H
exterior, să se facă treptat, de-a lungul acestei zone despărţitoare, acestui perete
foarte subţire δ, fig.2.8b.
Orientarea momentelor magnetice de spin la materialele
feromagnetice este omoparalelă şi egală (vectori de mărime egală) ca în
fig.2.8c.
La o anumită temperatură, numită temperatură Curie de
paramagnetism TC, energia termică a reţelei depăşeşte energia interacţiunii de
schimb şi astfel domeniile de magnetizare dispar iar materialul devine
paramagnetic, prezentând în continuare o variaţie a susceptivităţii magnetice cu
temperatura tipică materialelor paramagnetice (fig.2.9b), conform cu legea
Curie-Weiss:



C
T  TC

(2.32)

a.

b.

Fig.2.9 Dependenţa de temperatură a magnetizaţiei de saturaţie (a) şi a
susceptivităţii (b) pentru materialele feromagnetice.

2.4.1 Antiferomagnetismul
O substanţă este antiferomagnetică când momentele magnetice sunt
antiparalel orientate şi egale ca în fig.2.10a.

a.

b.

Fig.2.10 Material antiferomagnetic (a); temperatura critică Néel (b)
107

MATERIALE MAGNETICE – BOBINE

Momentul magnetic al electronilor din cristal este orientat, dar spinii unui
strat sunt egali şi orientaţi în sens opus cu cei din stratul următor, astfel
încât la T=0oK, magnetismul spontan este anulat, iar câmpul magnetic interior
este nul, acestea fiind materiale nemagnetizate.
Susceptivitatea substanţelor antiferomagnetice este  m > 0, de ordinul
10-3. Susceptivitatea  m variază cu temperatura astfel: deoarece agitaţia termică
favorizează rotirea atomilor, în sensul câmpului, până la o temperatură critică,
numită temperatură critică Néel,  m creşte cu temperatura; după care agitaţia
termică intensă determină orientări întâmplătoare ale atomilor şi magnetizaţia
corpului scade cu temperatura, materialul devine paramagnetic, fig.2.10b.
În general, TN < 300oK, astfel încât la temperatura ambiantă ele se
comportă ca cele paramagnetice. Din acest motiv, materialele antiferomagnetice
nu au utilizări tehnice în magnetism.
Din grupa substanţelor antiferomagnetice fac parte: Mn, MnO, NiO, CoO,
CaO, NiCl2, CuCl2 etc.
2.4.2 Ferimagnetismul
Apare atunci când momentele magnetice paralele şi de sens opus au
valori diferite:
mx  m y .

Ferimagnetismul poate fi privit ca un antiferomagnetism necompensat
(fig.2.11a).

a.

b.

Fig.2.11 Material ferimagnetic (a); variaţia

 m cu temperatura (b)

Variaţia cu temperatura a susceptivităţii materialelor ferimagnetice este
asemănătoare cu a materialelor feromagnetice (fig.2.11b).
Corpurile ferimagnetice sau feritele au în majoritatea cazurilor formula
chimică generală :
(MeO)6Fe2O3 ,
(2.33)
108

MATERIALE MAGNETICE – BOBINE

în care Me reprezintă ionul unui metal bivalent ca : Ni, Mn, Co, Cd, Zn, Cu, Mg,
Ba, sau chiar Fe.
Feritele sunt materiale cu proprietăţi semiconductoare. Sub acţiunea
unui câmp magnetic exterior feritele au proprietăţi asemănătoare materialelor
feromagnetice. Fiind compuşi ionici au rezistivităţi mult mai mari decât
corpurile feromagnetice, care sunt metale, ceea ce împiedică apariţia curenţilor
turbionari (curenţi Focault) şi încălzirea prin efect Joule a materialului magnetic;
deci prezintă pierderi prin curenţi turbionari mult mai mici decît acestea din
urmă, calitate deosebită pentru aplicaţiile practice.
Ca şi materialele feromagnetice, feritele se caracterizează printr-o
susceptivitate şi permeabilitate magnetică foarte mari,  m >>1 (zeci, sute de
mii).
2.5 Teoria lui Weiss a feromagnetismului
În prima sa ipoteză, Weiss, pentru a explica proprietăţile feromagnetice
ale substanţelor trebuie să se presupună că: câmpul din interiorul materialului
feromagnetic Hint se datoreşte atât câmpului magnetic exterior H, cât şi
unui câmp local Hloc care este proporţional cu magnetizarea:
H int  H   M
(2.34)
unde λ este constanta lui Weiss.
Dacă pentru materialul feromagnetic se repetă raţionamentul efectuat de
Laugevin în cazul unei substanţe paramagnetice se obţine pentru intensitatea
de magnetizare M, produsă de cei N atomi ai materialului, următoarea
expresie:
 
H  M 
M  NL 
(2.35)
 KT

unde s-a înlocuit H cu H + λM.
Prin această ipoteză se poate explica comportarea materialului
feromagnetic. Se consideră cele două cazuri, în funcţie de temperatura Curie, TC.
a) Cazul domeniului feromagnetic (T < TC)
Se presupune că intensitatea câmpului magnetic exterior este nulă: H = 0
şi se notează cu x argumentul funcţiei lui Laugevin:
x



M
(2.36)
KT
Valoarea magnetizării se poate deduce din expresiile (2.35) şi (2.36)
utilizând o metodă grafică: se studiază intersecţia celor două curbe
reprezentate prin funcţiile:

109

MATERIALE MAGNETICE – BOBINE

M 1  x   NL x 
M 2 x  

KT



(2.37)

x

Variaţia funcţiei M1(x) este dată până la un factor multiplicativ de
variaţia funcţiei lui Laugevin:
1 x
L x   cot ghx  
(2.38)
x 3
- La valori x foarte mici x << 1, adică la temperaturi normale, L(x) are
valoarea din relaţia (2.38), iar M1(x) are derivata în origine egală cu Nμ/3.
- La valori x foarte mari, adică la temperaturi foarte scăzute, această funcţie
tinde asimtotic spre valoarea Nμ, corespunzătoare magnetizării de saturaţie.
În ceea ce priveşte funcţia M2(x), ea reprezintă o dreaptă care trece prin
KT
origine şi a cărei pantă este egală cu
. Valoarea magnetizării pentru un x



dat (sau temperatură dată) se obţine grafic prin intersecţia celor două curbe,
graficele din fig.2.12 a şi b.

Fig.2.12 Dependenţa magnetizării spontane de argumentul
funcţiei lui Laugevin (a) şi de temperatură (b)

Din figură se deduce că la temperaturi mici, sau la valori x mari,
intersecţia celor două curbe se face într-un punct cât mai îndepărtat, astfel încât
pentru două valori x1 şi x2, corespunzătoare temperaturilor T1 < T2, rezultă:
M(T1) > M(T2).
Când T = 0oK, M = μN, adică magnetizarea este egală cu magnetizarea
de saturaţie; această valoare corespunde orientării paralele a tuturor
momentelor magnetice.
La temperaturi mari, corespunzătoare unor valori mici ale lui x, cele
două curbe devin tangente în origine. Această condiţie se realizează pentru o
anumită temperatură critică, TC:
110

41) Ţinând seama de relaţia (2. cunoscând temperatura Curie şi calculând C.  . la o temperatură mai mare decât temperatura Curie materialul devine paramagnetic şi susceptivitatea sa depinde de temperatură conform relaţiei: C  (2. o valoare foarte mare. Frenkel şi Heisenberg au arătat că esenţa magnetismului constă în existenţa unei interacţiuni de schimb. magnetizarea spontană are valoarea maximă la T= 0oK şi descreşte cu creşterea temperaturii. λ. denumită temperatură Curie sau temperatură critică pentru care magnetizarea spontană se anulează.42) C M T  TC   CH  M  H T  TC Aşadar.000.40) KT Dezvoltând în serie funcţia lui Laugevin şi reţinând numai primul termen se obţine: x M  N L x  N  M N 2 3KT x 3  H  M  (2. relaţia (2. 111 . Constanta lui Weiss – λ se poate determina din relaţia (2.44) C Deci pentru un material feromagnetic oarecare.41) se poate prelucra astfel: N 2 N 2  MT  H M  CH  TC M 3K 3K (2. de unde rezultă: TC  b) Cazul domeniului paramagnetic La temperaturi mai mari decât temperatura Curie (T > TC) se poate presupune că argumentul funcţiei lui Laugevin este mic şi anume:  H  M  << 1 (2.40). care are loc între electronii cu spini paraleli. Aşadar. rezultă constanta lui Weiss.39) 3 3K Există deci o temperatură TC.39): T TC  C    C (2.43) T  TC Această lege poartă denumirea de legea lui Curie – Weiss. Pentru fier λ = 5.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE KTC  N 2N   C (2.

Magnetizarea creşte până la o anumită proporţie cu intensitatea câmpului magnetic aplicat şi susceptivitatea magnetică a corpului supus magnetizării. suferă modificări prin deplasarea pereţilor Bloch şi mărirea volumului domeniilor Weiss orientate în direcţia câmpului. Astfel.45) Un material feromagnetic. a. de sensul câmpului magnetic exterior.13 a şi b. în defavoarea celor orientate mai puţin fevorabil.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE 2. supus acţiunii unui câmp magnetic de intensitate continuu crescândă. M  m H (2. Fig. până la dispariţia lor. Variaţia 112 . Acest fenomen este numit magnetostricţiune şi este strâns legat de rotirea domeniilor. b. Magnetostricţiunea poate fi longitudinală. din punct de vedere al sensului. în care se observă că. Acest fenomen este sugerat în fig. din cele 4 domenii Weiss iniţiale rămâne în final unul singur – cel al cărui vector de magnetizaţie a avut orientarea cea mai apropiată. transversală sau de volum.2.6 Procesele de magnetizare Magnetizarea este procesul de aliniere parţială sau totală a momentelor magnetice ale domeniilor elementare în direcţia câmpului magnetic pe unitatea de volum a corpului supus magnetizării.13 Deformarea domeniilor Weiss într-un câmp magnetic exterior Forma curbei de magnetizare Principala caracteristică a materialelor feromagnetice o constituie variaţia neliniară a inducţiei magnetice cu intensitatea câmpului magnetic. fenomenul de magnetizare este însoţit şi de o modificare extrem de mică a dimensiunilor probei.2. pe măsură ce se creşte intensitatea câmpului magnetic H.

curba de magnetizare şi . b Fig.14 Explicarea formei curbei de primă magnetizare (a) şi ciclul de histerezis (b) al materialelor feromagnetice prin deplasarea pereţilor Bloch 113 .2.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE neunivocă a inducţiei magnetice într-un material feromagnetic asociată variaţiei ciclice a intensităţii câmpului magnetic se numeşte ciclu (buclă) de histerezis. a. Modificarea energiei magnetice se poate urmări pe: .ciclul de histerezis al materialului feromagnetic supus magnetizării.

câmpul exterior a modificat total dispunera pereţilor Bloch. modul de elaborare. în sensul că: la dispariţia câmpului. se parcurge porţiunea ABC cu pantă mare. tratamentele termice. prelucrările mecanice şi care pot varia: magnetizarea spontană. în această porţiune procesul de magnetizare are un caracter rotaţional şi este 114 .15 Efectul Barkhausen . fig.14b): . la micşorarea câmpului. textura. fenomenul de magnetizare este reversibil – magnetizare elastică. variază de la material la material. se parcurge porţiunea CD cu pantă mai mică decât aceea din porţiunea OA. aceste deplasări ireversibile sunt cauza histerezisului magnetic – magnetizare vâscoasă (acum. materialul parcurge stări diferite faţă de cele pe care le parcurge la creşterea câmpului).14b. această porţiune poartă numele de domeniul Rayleigh. influenţate prin: compoziţia chimică a aliajului. în funcţie de caracteristicile magnetice.2. deci curba de „revenire” în punctul iniţial este aceeaşi. apar şi deplasări ireversibile. orientând toată magnetizarea spontană în lungul său. pereţii Bloch (care se deplasează elastic în aşa fel încât domeniile care au magnetizarea în sensul câmpului să crească pe seama domeniilor care au magnetizarea în sens contrar) revin.2.14a şi fig.prima porţiune OA practic liniară. când H = 0 domeniile magnetice sunt orientate haotic şi magnetizarea rezultată este nulă. care duc la dispariţia unor pereţi şi lărgirea domeniilor care sunt deja orientate pe direcţia câmpului. au loc procese de orientare reversibile de-a lungul lui H exterior. energia cristalină. . se refac. forma şi mărimea particulelor. domeniile tind să se orienteze în direcţia câmpului magnetic şi anume (fig. corespunde magnetizării prin câmpuri slabe şi are o pantă mică. denumite salturi Barkhausen. astfel încât. fig.continuând mărirea câmpului magnetic. mişcările pereţilor Bloch sunt acum pronunţate.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE Forma curbei de magnetizare şi ciclul de histerezis. Când H ≠ 0. Fig.la mărirea câmpului magnetic.15. prin salturi.14a şi fig. Astfel. Forma curbei tehnice de magnetizare în cazul general reprezintă variaţia magnetizării sau inducţiei magnetice cu câmpul magnetic exterior şi poate fi explicată dacă se ia în considerare structura de domenii. magnetostricţiunea. pe lângă deplasări reversibile de pereţi.

câmpul care anulează magnetizarea se numeşte câmp coercitiv şi se notează cu Hc.materiale magnetice dure la care câmpul magnetic coercitiv este mare. oricât de mare ar fi intensitatea câmpului magnetic. . În funcţie de raportul k. care determină existenţa a două tipuri de curbe de magnetizare. Altfel spus. compoziţie chimică.pentru anularea acestei magnetizări remanente. se clasifică în: 115 . După ce materialul a fost magnetizat. inducţie remanentă / inducţie maximă (Br/Bm). . incluziuni. care corespunde cu inducţia remanentă. tratamente termice. curba taie ordonata într-un punct. Inversând sensul curentului după atingerea saturaţiei se parcurge o curbă descendentă.la atingerea valorii zero pentru câmp H = 0. materialele magnetic moi. la aplicarea unui câmp de magnetizare de intensitate mică şi după inversarea acestuia. materialele la care se menţine starea de magnetizare după anularea câmpului exterior (suprafaţa ciclului histerezis mare) ) sunt materiale magnetic dure iar cele la care magnetizaţia dispare (suprafaţa ciclului histerezis mică) sunt materiale magnetic moi.magnetice moi. inducţia de saturaţie Bs este valoarea limită pe care o poate atinge inducţia magnetică. se aplică un câmp de sens invers (negativ) care corespunde pentru B = 0. Obs. Se pun astfel în evidenţă două comportări diferite ale materialelor feromagnetice la aportul energetic al câmpului exterior. inducţia remanentă Br este valoarea inducţiei magnetice care se manifestă în material atunci când intensitatea câmpului se reduce la zero. .2. fig. care însă nu se suprapune cu curba iniţială de magnetizare. apar în interiorul ciclului normal de histerezis alte cicluri mai mici.magnetice dure. . în functie de suprafaţa ciclului de histerezis materialele magnetice se pot clasifica stfel: . deci în funcţie de înclinarea circului de histerezis. care au un ciclu histerezis îngust (sau alungit).mărimea câmpului coercitiv depinde de o serie de factori ca: anizotropie. care au un ciclu histerezis rectangular (sau drept). notată în figură cu Br. solicitări mecanice. HC > 80 A/m iar pierderile datorate ciclului de histerezis sunt mari. Deci. ce caracterizează cele două categorii importante de materiale magnetice: . numite cicluri minore de histerezis. şi diferă de la material la material.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE reversibil iar materialul atinge practic punctul de saturaţie. HC < 80 A/m iar pierderile datorate ciclului de histerezis sunt mici. câmpul coercitiv Hc este valoarea câmpului magnetic de sens opus care anulează inducţia remanentă a materialului. sau curba OABCD de primă magnetizare: . mărimea particulelor etc. structură.materiale magnetice moi la care câmpul magnetic coercitiv este mic.16.

8 – sunt denumite materiale cu ciclu histerezis dreptunghiular (CHD).5 – permeabilitate relativ mică în funcţie de intensitatea câmpului.8 – permeabilitate mare.2.4 – materiale pentru magneţi permanenţi. se preferă cele cu inducţia remanentă cât mai mare deci cele care se apropie de forma dreptunghiulară a ciclului de histerezis. materialele magnetic dure se clasifică după raportul Br/Bm. sunt utilizate la fabricarea miezurilor pentru memorie şi comutaţie. b) 0. Fig.16 Cicluri de histerezis ale materialelor magnetice moi De asemenea.2. c) Br/Bm > 0. fig. b) Br/Bm > 0. dar puternic dependentă de câmp.4 – se utilizează pentru înregistrarea magnetică a informaţiei. 116 . astfel: Fig.17 Cicluri de histerezis ale materialelor magnetice dure a) Br/Bm < 0.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE a) Br/Bm < 0.17. utilizate pentru fabricarea inductanţelor cu valori constante la variaţia câmpului magnetic exterior.5 < Br/Bm < 0.2. se utilizează pentru miezuri obişnuite de bobine şi pentru transformatoare.

2. De asemenea. .2. se definesc: .permeabilitatea absolută ca fiind raportul: B Vs / cm 2   abs   0  r   (2.permeabilitatea relativă statică: 1 B r  (2.7 Permeabilitatea magnetică Permeabilitatea magnetică reprezintă aptitudinea de magnetizare a materialelor şi depinde de: compoziţia materialului. Fig. reprezintă energia magnetică specifică maximă şi este denumit cifră de calitate a materialului. produsul: (BH)max = (BL∙HL). importantă pentru proiectarea şi dimensionarea magneţilor permanenţi cât şi pentru stabilirea punctului optim de funcţionare P0(BL. se prezintă în fig.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE Curba de demagnetizare.permeabilitatea relativă diferenţială: 117 . pentru care produsul (BL∙HL) este maxim.46) .47) 0 H . Pe graficele din fig. Din cauza neliniarităţii.H). tratamentele termice. intensitatea câmpului magnetic. care prezintă variaţia permeabilităţii unui material în funcţie de inducţia magnetică sau intensitatea câmpului magnetic. care satisface şi condiţia: HL/Hc = BL/Br. μ=f(B. solicitările mecanice. H  A / cm  7 unde  0  4 10 H/m este permeabilitatea absolută a vidului.2. pentru caracterizarea materialului se folosesc mai multe moduri de definire a permeabilităţii.18 Curba de demagnetizare 2.18.19 a şi b.HL).

b. reversibilă (II) şi de amplitudine (III). Fig.  rdif  (2.19 Variaţia µ(H) şi B(H) pentru un aliaj moale din punct de vedere magnetic (a).MATERIALE MAGNETICE – BOBINE 1  B   lim H 0 . permeabilităţile uzuale pentru materialele feromagnetice (b): iniţială (I). 0  H  cu ΔH > 0 (variaţie în sens direct de magnetizare).48) a.2. 118 .

perm      H  0  ciclu reversibil  HC  H  0 (2. conform relaţiei: (2.51) 0  H  definită în regimurile nestaţionare. 119 . Pentru magneţi permanenţi se defineşte permeabilitatea relativă permanentă corespunzătoare punctelor situate pe curba de demagnetizare:  B  r .permeabilitatea relativă reversibilă: 1  B '   rrev  lim H 0 . a cărui intensitate se modifică în timp. mai ales în cazurile câmpurilor alternative şi care este proporţională cu panta medie a ciclului de histerezis descris în jurul punctului caracteristic stării materialului.52) H  t   H 0 sin t . Pentru un câmp magnetic. de asemenea. valoarea permitivităţii dinamice este inferioară valorii permitivităţii statice şi scade cu creşterea frecvenţei. datorită “vâscozit ăţii magnetice”. sau inducţia din interiorul materialului. Câmpul magnetic nu mai este coliniar cu magnetizaţia. Pentru frecvenţe crescătoare.7) nu mai este valabilă cu exactitate atunci când un material fero sau ferimagnetic este introdus într-un câmp magnetic variabil.54) care este afectată în acelaşi mod de creşterea frecvenţei câmpului magnetic exterior. .permeabilitatea relativă iniţială (punctul de definire coincide cu originea): 1  B   rin   lim H 0  (2. Defazajul  ( ) între câmpul magnetic şi magnetizaţie se măreşte cu creşterea frecvenţei.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE . legea de material (2. înclinaţia axelor ciclurilor minore faţă de axa absciselor. se micşorează şi.50)  0  H '  cu ΔH < 0 (în sens de revenire). (2. magnetizaţia materialului are expresia: M  t    m   H 0 sin t      (2. . H 0 . Datorită postefectului. valorile permitivităţilor se micşorează.53) Datorită postefctului.permeabilitatea relativă dinamică: 1  B   rdin   lim H o .49) 0  H  B 0. (2. Variaţiile rapide ale câmpului magnetic exterior sunt urmărite cu întârziere de magnetizaţie (şi inducţie).

Totodată. Variaţia permeabilităţii magnetice normate  N cu frecvenţa. pe măsură ce frecvenţa câmpului magnetic creşte. atunci susceptibilitatea magnetică scade pe măsură ce valoarea frecvenţei este crescută. În schimb. magnetizaţia nu urmăreşte instantaneu variaţiile rapide ale câmpului magnetic. Înclinaţia ciclurilor de histerezis în raport cu axa absciselor scade cu creşterea frecvenţei. materialele feromagentice să-şi piardă proprietăţile magnetice. Astfel. prezentate schematic în fig. dacă frecvenţa câmpului magnetic depăşeşte valoarea critică ωm. Fig. susceptibilitatea magnetică rămâne constantă. pe care se definesc permeabilităţile uzuale.2.2. peste un câmp continuu H  .regimul de “semnal mic” cu amplitudine redusă a câmpului alternativ H aplicat. Suprafaţa ciclului de histerezis ridicat la diferite frecvenţe b. atât timp cât frecvenţa câmpului magnetic este inferioară unei frecvenţe de magnetizare limită (pulsaţie de magnetizare limită ωm). . aşa cum este arătat în fig. pe care se poate defini un μcc. a. b. ceea ce detemină ca.2. iar permeabilităţile relative scad de asemenea.20a. Datorită vâscozităţii magnetice sau postefectului.20 a şi b.2. susceptibilitatea magnetică depinde de valoarea frecvenţei câmpului magnetic. pe măsură ce creşte frecvenţa se produc îngroşări de cicluri. se remarcă faptul că în cazul în care câmpul magnetic este variabil în timp.19 b: .MATERIALE MAGNETICE – BOBINE În cazul câmpurilor alternative se disting în general două regimuri tipice de funcţionare. astfel încât la un moment dat permeabilitatea μca→0. fig. iar materialul feromagnetic îşi păstrează proprietăţile magnetice.regimul de “semnal mare” în care valoarea câmpului este suficientă pentru ca materialul să descrie un ciclu de histerezis. ce se obţine din modelul analitic prezentat 120 . dacă în curent continuu ciclul de histerezis prezintă o formă alungită. suprapus sau nu. Astfel.20 a.

H este intensitatea câmpului magnetic şi 0  4 107 H/m este permeabilitatea vidului. 0 H (2.57) unde τm este costanta de timp de magnetizare (de orientare a momentelor magnetice). cu cât permeabilitatea magnetică relativă a materialelor magnetice este mai mare. 1   c. Pentru frecvenţe superioare: f  f m permeabiliatea relativă este în raport direct cu 1 .20b.56) m 4  . ωm = 2πfm = 1/τm este pulsaţia de magnetizare limită.55)  c.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE Pe aceste curbe se defineşte permeabilitatea de curent alternativ μca care analitic se poate exprima prin relaţia:  ca   cc .c. f În concluzie. 1   2 m2 (2. care se obţine din modelul analitic prezentat mai sus şi care este prezentată grafic în fig.7. 121 .2.58) unde: B este inducţia magnetică. 1  j m (2. După cum se observă. în utilizarea unui material feromagnetic trebuie să se ţină cont de frecvenţele de lucru ale câmpului magnetic.707 (deci pentru o atenuare de 3 dB): N  Frecvenţa limită superioară depinde de proprietăţile materialului şi de geometria acestuia şi se poate determina experimental cu relaţia: fm  unde d reprezintă grosimea materialului în câmpul magnetic. 2 0 r d 2 (2. ωm). De asemenea.a. un material magnetic se caracterizează şi printr-o bandă de frecvenţă (0. iar  reprezintă conductivitatea materialului. 2.1 Permeabilitatea magnetică relativă complexă şi tangenta unghiului de pierderi Interacţiunea substanţei cu câmpul magnetic ce caracterizează materialul magnetic din punct de vedere al capacităţii sale de a se magnetiza cât şi din punct de vedere al pierderilor de putere activă este caracterizată de permeabilitatea magnetică relativă complexă: r  B  r  j r . cu atât este mai mică frecvenţa lor limită de utilizare. obţinută pentru o micşorare a modulului normat al permeabilităţii la 1/ 2  0.

21a.59) unde rm   r L0 reprezintă pierderile în materialul magnetic la frecvenţa de lucru. (2. aşa cum se prezintă în fig. care pentru flux de scăpări nul. conectată în serie cu o rezistenţă de pierderi de valoare: rm   r L0 . are expresia: Q  Lm 1  . schema echivalentă şi diagrama de fazori Z  j L  j L0 r  r L0  jr L0  rm  j L . este prezentată diagrama puterilor respectiv a tensiunilor. în care se introduce un miez magnetic de permeabilitate relativă complexă r . În aceste condiţii. Fig. tg m rm (2.2. Astfel. prezintă la borne impedanţa: a. capacitatea sa de a se magnetiza. iar L   r L0 este inductivitatea echivalentă a unei bobine fără pierderi. Factorul de calitate. b.2. având inductivitatea de  r ori mai mare: L   r L0 .  r – partea reală a permeabilităţii complexe – caracterizează starea de magnetizaţie a materialului magnetic.61) 122 . iar  r – partea imaginară – caracterizează pierderile de putere activă din material care se transformă în căldură.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE Se consideră o bobină ideală ca în fig.21b. de unde tangenta unghiului de pierderi se defineşte prin relaţia: tg m  Pa U R r I   L     m  r 0  r Pr U L  LI r L0 r (2. schema echivalentă a unei bobine cu miez va fi o inductanţă fără miez şi fără pierderi de putere activă în miez.21 Bobina ideală cu miez magnetic. c.21a.2. În diagrama vectorială din fig.2.60) Tangenta unghiului de pierderi – care este o mărime reală – este utilizată ca mărime ce caracterizează materialul magnetic din punct de vedere al pierderilor de putere activă şi nu partea imaginară a permeabilităţii relative complexe . ce are în vid inductivitatea L0 (deci reactanţa X L   L0 ).

8 Evaluarea pierderilor magnetice Pierderile procesului de magnetizare al materialelor feromagnetice sau pierderile totale în fier sunt datorate mai multor cauze şi sunt astfel definite. asociată schemei echivalente. ce reprezintă energia consumată pe unitatea de volum de material.2. relaţie care arată că pierderile prin histerezis magnetic sunt proporţionale cu frecvenţa. Deci. permeabilitatea relativă complexă devine :  r  r  j r  r 1  j  r    r 1  jtg m  r  (2. se obţine şi diagrama permeabilităţii relative complexe fig. . Sh este suprafaţa ciclului de histerzis în [m2] iar f este frecvenţa în [H].64) unde Ph este puterea în [W]. care confirmă valabilitatea expresiei (2. caracteristica de tip histerezis determină apariţia unor pierderi în miezul magnetic.21c.şi ferimagnetice cu suprafaţa ciclului de histeresis redusă. conform relaţiei de mai jos: Ph  Sh  f (2.2. variaţia inducţiei nu este sinusoidală. iar permeabilitatea relativă complexă.62) 2.Pierderile prin histerezis magnetic: reprezintă pierderile sau căldura dezvoltată în unitatea de timp şi pe unitatea de volum a materialului: n Ph  f  Bmax.58). în timpul unui ciclu complet de variaţie a câmpului magnetic exterior şi cu frecvenţa. este o funcţie de intensitatea şi frecvenţa câmpulu i magnetic aplicat. Această energie este disipată sub formă de căldură. Astfel. Pe de altă parte. pentru o variaţie sinusoidală a câmpului magnetic. Cu relaţia (2. Determinarea analitică a pierderilor prin histe resis. atunci când pierderile în miezul magnetic nu se măresc semnificativ.Lentz (de dezvoltare de căldură) care însoţeşte inducerea de curenţi electrici în corpurile feromagnetice de către fluxurile magnetice variabile în timp: 123 . . Pierderile prin histerersis se reduc prin utilizarea unor materiale fero. care sunt proporţionale cu suprafaţa buclei de histerezis (reprezentată de produsul H c  Bm ). este dificilă datorită neliniarităţii curbei de histeresis. pentru reorientarea momentelor magnetice a domeniilor şi pentru deplasarea pereţilor Bloch. (2.60).Pierderile prin curenţi turbionari (Foucault): sunt datorate efectului Joule . din diagrama vectorială prezentată în fig.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE crescând cu frecvenţa. .21b.63) relaţie dedusă experimental de Steinmetz şi unde η este o constantă iar n este exponentul lui Steinmetz.

se observă că partea imaginară a permeabilităţii relative.66) Pe baza relaţiilor de mai sus se pot trage următoarele concluzii despre peirderile prin curenţi turbionari: .22 Dependenţele de frecvenţă ale p ermeabilităţii magnetice pentru materiale cu pierderi prin curenţi turbionari (a) şi prin magnetizare (c). au valori acceptabile pentru frecvenţe inferioare frecvenţei limită: f l i m = 50÷100 Hz.66).2.2. de grosime d şi cu rezistivitatea ρ. expresia tangentei unghiului de pierderi prin curenţi turbonari a miezurilor feromagnetice alcătuite din tole este: d 20 r " tg m  '  rrev f r 6 (2. miezul feromagnetic este format din tole izolate elect ric între ele. .MATERIALE MAGNETICE – BOBINE Pt  2 2 2 2 d f Bmax . De asemenea. .22a şi relaţia (2. . 6 (2. . unde grosimea este considerată dimensiunea materialului perpendiculară pe liniile de câmp magnetic (sau lungimea materialului parcursă de câmpul magnetic).cresc cu grosimea d a materialului. Din fig. ca şi tangenta unghiului de pierderi.cresc cu valoarea inducţiei câmpului magnetic Bm la care apare saturaţia tehnică.cresc cu frecvenţa f a câmpului magnetic. Pentru micşorarea pierderilor prin curenţi turbionari.65) pierderi evaluate într-o tolă feromagnetică cu arie mare. variaţia inducţiei şi permeabilităţii relative la aplicarea bruscă a câmpul ui magnetic (b) 124 .cresc cu conductivitatea   1 /  a materialului. Fig.

a cărui intensitate poate fi relativ scăzută.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE Micşorarea grosimii tolelor şi a conductivităţii materialului feromagnetic (prin aliere cu siliciu) determină micşorarea acestor pierderi. care imprimă electronilor o mişcare de precesie în jurul direcţiei câmpului (fig. Prin aplicarea bruscă a unui câmp magnetic continuu H 0 . la frecvenţe înalte. inducţia urmăreşte cu întârziere variaţiile rapide ale campului magnetic. la frecvenţe joase inducţia poate urmări câmpul magnetic.23a şi b) Mişcarea de precesie Larmor.2. după care se modifică în timp după o lege exponenţială. iar  r se micşorează.23d. 125 . pierderile maxime de putere având loc la frecvenţe Larmor. cu constanta de timp τ m . Experimental se constată ca procesul tranzitoriu este de natura unei "vâscozităţi" termice. Aplicând un câmp magnetic H1  H1max sin L t . Cu creşterea frecvenţei. rezultând un maxim al pierderilor pri n magnetizare şi al părţii imaginare a permeabilităţii relative ( fig. creşte cu creşterea frecvenţei. apare o acceleraţie centripetă suplimentară.Pierderi prin rezonanţă magnetică . pentru că înclinaţia ciclurilor de histeresis se micşorează.66) nu mai este valabilă pentru aceste miezuri. puteri mult mai mari decât miezurile feromagnetice. unde  este coeficientul giromagnetic. în relaţia (2. Miezurile ferimagnetice au conductibilităţi electrice şi pierderi prin curenţi turbionari mult mai mici.2. . Dependenţele componentelor permeabilităţii relative de frecvenţă a câmpului mag netic H 1 sunt reprezentate în fig.22b). la aplicarea bruscă a unui câmp magnetic. este o mişcare amortizată datorită interacţiunilor cu reţeaua cristalină. inducţia magnetică obţine instantaneu valoarea B i (fig. datorită forţei Lorentz de interacţiune între câmpul magnetic şi mişcarea orbitală a electronilor. Astfel. rezult ând rezonanţa magnetică. .2. În mod asemănător se modifică şi permeabilitatea relativă a materialului. însă cu creşterea acesteia. dispărând la tempetura absolută. care pot transfera la frecvenţe ridicate.22c). defazajul φ(ω) între câmpul magnetic sinusoidal şi magnetizaţia materialului. De asemenea. cu pulsaţia L   H 0 . mişcarea de precesie nu mai este amorizată.2.53). cu orientare perpendiculară în raport cu directia câmpului H 0 .Pierderile prin magnetizare sau vâscozitate magnetică (Pμ): care sunt datorate întârzierii în variaţia inducţiei în funcţie de variaţia câmpului. inducţia nu mai poate urmări variaţia câmpului. iar relaţia (2.

Anizotropiile determină mişcările domeniilor. forţele care se opun acestor mişcări se numesc forţe de anizotropie şi sunt de diferite forme.2.9 Factorii care influenţează caracteristicile (proprietăţile) magnetice A. o magnetiuare care diferă de zero şi a cărei valoare este funcţie de temperatură. Influenţa structurii Anizotropii magnetice După teoria lui Weiss rezultă că orice substanţă feromagnetică are. iar al doilea la frecvenţa Larmor ( fig. deoarece momentele magnetice se 126 .23c).Pierderile reziduale (Pr): care apar în urma deformării reţelei cristaline datorită incluziunilor (în special conţinutul de carbon este dăunător).MATERIALE MAGNETICE – BOBINE Fig. 2.2. Rezultă că pierderile în fier sau pierderile totale sunt date de relaţia: (2. Aceasta este denumită magnetizare spontană sau magnetizare de saturaţie la temperatura respectivă (notată cu Ms). .67) PFe  Ph  Pt  P  Pr . Anizotropia cristalină Energia liberă a unui cristal nedeformat depinde de direcţia de magnetizare spontană faţă de axa cristalografică : anizotropia cristalină. Prin anizotropie magnetică se înţelege dependenţa energiei interne de direcţia magnetizării spontane. chiar şi în lipsa unui câmp exterior.23 Mişcarea de precesie amort izată (a) şi neamortizată (b) a momentului magntic m şi dependenţele de frecvenţă ale permeabilităţilor magnetice a materialelor cu pierderi pr in rezonanţă magnetică (d) şi a feritelor (d) Pentru ferite se constată experimental ca există două maxime ale componentei  r : primul maxim apare la rezonanţa deplasării pereţilor Bloch. Aceste pierderi sunt foarte mici. Principala caracteristică a proprietăţilor feromagnetice ale monocristalelor este anizotropia magnetocristalină.

.2.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE orientează preferenţial pe anumite direcţii cristaline.u.m. la monocristalul de fier. pentru cristalul de fier (cristalizat cubic) direcţiile de magnetizare sunt : . direcţiile de m.g. unde s-au folosit şi indicii cristalografici ai lui Miller. a. b.24 Anizotropia magnetică a structurilor cristaline Anizotropia de formă O particulă de formă alungită şi lipsită de alte forme de anizotropii.direcţii de magnetizare uşoară (m. – 100) . se orientează cu vectorul de magnetizare de-a lungul axei majore. [111] sunt paralele cu diagonalele principale ale cubului fig. . direcţiile de m.direcţii de magnetizare grea (m.2.g.direcţii de magnetizare medie (m. iar direcţiile de m. Energia de anizotropie magneto-cristalină este energia pe unitatea de volum pentru aducerea vectorului de magnetizare din poziţia de magnetizare uşoară în poziţia de magnetizare grea. Fig. În funcţie de energia consumată pentru magnetizarea pe o anumită direcţie cristalografică. din această cauză. dacă intensitatea câmpului magnetic este orientată după una din aceste direcţii numită.24a şi b. Astfel. – 110) . pentru care în condiţiile echilibrului termodinamic energia înmagazinată este minimă. [110] sunt paralele cu diagonalele feţelor cubului . Momentele magnetice mp ale atomilor ocupă direcţii preferenţiale şi astfel magnetizarea cristalului (mono) se face relativ uşor.u. direcţie de magnetizare uşoară. – 111). [100] sunt paralele cu muchiile cubului elementar.m. 127 .

cum sunt carburile metalice sau materialele neferomagne tice. Ea a fost observată la particulele fine de Co. miezul fiind feromagnetic.68) Ms şi unde : λ este magnetostricţiunea de saturaţie. Deoarece sticlele metalice conţin şi elemente nemetalice. De asemenea. Elemente cum sunt Ni. Aceste elemente sunt utilizate la fabricarea materialelor magnetice liniare. Absenţa limitelor de grăunţi şi a particulelor de faze secundare din structura acestor materiale face ca deplasarea pereţilor Bloch sub acţiunea câmpului magnetic să fie aproape liberă şi perfect reversibilă (se comportă ca materiale magnetic moi). 128 . de exemplu fero şi antiferomagnetice. Aşa cum au arătat Stoner şi Wohlfahrt. Anizotropia de tensiune mecanică Poziţia vectorului magnetizaţie poate fi influenţată prin solicitări mecanice. prin laminare la rece etc. rezistivitatea lor este ridicată şi deci pierderile prin curenţi turbionari sunt mici. Influenţa impurităţilor în structură. sub această temperatură are loc un schimb alternativ de energie între miez şi suprafaţă. anizotropia de formă este pronunţată. particulele se comportă ca şi particulele de Co. În cazul materialelor metalice amorfe (“sticlele metalice”) distribuţia aleatoare a atomilor conduce la absenţa anizotropiei magnetocristaline. Cr sau Mb determină creşterea permitivităţii relative şi a magnetizaţiei de saturaţie şi scăderea câmpului coercitiv. cu un Φ ≈ 200Ä. La o particulă sferică nu poate să existe anizotropie de formă. care fixează pereţii de domenii împiedicând deplasarea acestora. de exemplu. sub formă de elipsoid. având efectul global de creştere a magnetizaţiei (şi inducţiei) remanente şi mai ales a câmpului coercitiv. se asimilează cu defecte ale reţelei cristaline. Materialul tolelor pentru transformator conţine Si. iar suprafaţa acoperită cu un strat de oxid de cobalt fiind antiferomagnetic. Co. Peste temperatura Nèel (273oK). cu axele a >> b. pentru miezuri magnetice. câmpul coercitiv creşte cu intensitatea solicitărilor şi este invers proporţional cu magnetizaţia de saturaţie : C Hc  (2. micşorarea pierderilor de putere prin curenţi turbionari.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE Astfel. Impurităţile sunt utilizate la fabricarea magneţilor permanenţi. Anizotropia de schimb Apare între două substanţe cu sisteme magnetice diferite. care determină creşterea rezistivităţii materialului şi în consecinţă. elemente din seria pământurilor rare (lantanide) sunt utilizate în acest scop. pentru o particulă alungită. σ este tensiunea mecanică iar C este o constantă.

MATERIALE MAGNETICE – BOBINE B.26.27 Influenţa solicitărilor mecanice asupra proprietăţilor magnetice: a – influenţa tensiunilor mecanice.2.25. odată cu creşterea temperaturii.25 Influenţa temperaturii asupra materialelor feromagnetice Fig. a nichelului TC = 358o C iar a cobaltului TC = 1130o C.2. Fig. prezentate în fig. creşte agitaţia termică şi orientarea devine mai dificilă. Fig.2. Reducerea inducţiei remanente se datorează pe de o parte reducerii reversibile a magnetizaţiei domeniilor Weiss cât şi rotaţiei ireversibile a acestora.26 Variaţia inducţiei magnetice cu temperatura în cazul metalelor feromagnetice C. Influenţa solicitărilor mecanice Tensiunile mecanice locale şi deformaţiile frânează deplasarea pereţilor Bloch prin rearanjarea momentelor magnetice ale corpului (modificarea echilibrului energetic). până când la o anumită temperatură TC numită temperatură Curie devine o dreaptă. b – influenţa deformării plastice la rece (ecruisarea) 129 .2. Temperatura Curie a fierului pur este TC = 770o C. Influenţa temperaturii Deoarece feromagnetismul şi ferimagnetismul se bazează pe orientarea momentelor magnetice atomice. ciclul histerezis se îngustează treptat şi se înclină (scade inducţia remanentă). iar materialul feromagnetic sau ferimagnetic devine paramagnetic. din această cauză refacerea inducţiei remanente după o încălzire deasupra temperaturii TC implică o nouă remagnetizare.2. fig.

130 . este necesar să se aplice materialelor magnetice un câmp magnetic exterior.28 Dependenţa inducţiei magnetice de câmpul magnetic aplicat şi de solicitarea m ecnică (a) şi variaţia alungirii relative piezomegnetice funcţie de magnetizaţie la un monocristal de fier netensionat (b) Pentru a prezenta piezomagnetism.27a) şi de prezenţa ecruisării prin deformare plastică la rece (fig. care produce modificări ale stării de magnetizaţie (fig. În cazul materialelor magnetic dure. Proprietatea materialelor magnetice de modificare a stării de magnetizare sub influenţa tensiunilor mecanice este cun oscută sub denumirea de piezomagnetism (fig.10 Tipuri de materiale magnetice Materialele feromagnetice cu câmp coercitiv redus se numesc moi şi sunt utilizate la fabricarea miezurilor magnetice. materialele ferimagnetice sau feritele ridică performanţele tehnice ale materialelor magnetice. iar cele dure.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE Se produc scăderi ale inducţiei magnetice ce depind atât de mărimea şi direcţia solicitărilor cât şi de tipul şi structura materialului (fig. sunt utilizate la fabricarea magneţilor permanenţi şi pentru înregistrarea magnetică a informaţiei. Fig. Cu utilizări asemănătoare. Aşadar. care determină apariţia stării de magnetizare temporară. ce constă în deformarea reţelei cristaline a materialului sub influenţa câmpului magnetic exterior. Efectul magnetostrictiv se datorează ineracţiunii spin-orbită care conduce la o reordonare a atomilor în reţeaua cristalină atunci când momentele magnetice se orientează pe direcţia câmpului aplicat. ce constă în modificarea dimensiunilor unui corp la introducerea într-un câmp magnetic.28a).27b).2. cu câmp coercitiv ridicat. 2.2. solicitările dinamice. şocurile şi vibraţiile produc scăderea inducţiei remanente şi deci a energiei înmagazinate prin magnetizare.28b). Influenţa tensiunilor mecanice se observă în special la materialele care prezintă fenomenul de magnetostricţiune. magnetostricţiunea este efectul piezomagnetic invers.2.

la realizarea miezurilor de tra nsformator. De asemenea. Aliajele Fe-Co. a căror permeabilitate nu se modifică sernnifica tiv până la intensităţi ridicate ale câmpului magnetic aplicat. valoare care depinde de pr odusul (BH). b) Materiale pentru magneţi permanenţi Eficacitatea unui magnet permanent se apreciază prin valoarea energiei în întrefier. sunt utilizate pentru generarea unor câmpuri magnetice extrem de intense. în compoziţia cărora sunt elemente din seria pămanturilor rare.5T. pentru evitarea ştergerii accidentale a informaţiei în prezenţa unor câmpuri magnetice perturbatoare. sub formă de granule. Dimensiunile granulelor din oxizi de fier (Fe 2 O 3 ) sau crom (CrO 2 ) si uniformitatea stratului depus influenteaza 131 . Materialul magnetic.5μm şi lμm. se amestecă cu un liant dielectric şi se depune pe un substrat.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE a) Materiale pentru miezuri magnetice Aliajele feroase cu conţinut de siliciu sunt utilizate sub formă de tole. sunt de asemenea utilizate pentru realizarea magnenţilor permanenţi. c) Materiale pentru înregistrarea magnetică a informaţiei Aceste materiale presupun o dependenţă univocă între inducţia remanentă şi câmpul magnetic exterior precum şi valori ridica te ale câmpului magnetic coercitiv. Se impune ca materialele utilizate la fabricarea magneţilor permanenţi să posede un indice de calitate (BH) de valoare ridicată. sub formă de tole cu grosimi de ordinul zecilor de μm. aluminiu sau cupru. de tip permendur. sub forma unui strat cu grosimea de aproximativ 20μm. Feritele cu conţinut de cobalt sau bariu. având B s at = 2. Anizotropia magnetic ă este indusă prin tratament termic în câmp magnetic. Astfel de materiale sunt: oţelurile aliate cu conţinut de cobalt. Materialele ferimagnetice. se utilizează la realizarea miezurilor liniare pentru bobine. de tip perminvar. cu conţinut de nichel în proporţie de 40÷50 %. sunt folosite pentru fabricarea electromagneţilor.5T. datorită dependenţei liniare a inducţiei (magnetizaţiei) de câmp. Aliajele Fe-Ni. cu dimensiuni cuprinse între 0. iar aliajele Fe -Co-Ni. de tip permalloy avand  r > 100000 şi B s at = 1. nichel. feritele sinterizate sunt des utilizate pentru realizarea miezurilor magnetice ale bobinelor şi transformatoarelor care funcţioneaza la frecvenţe ridicate. sunt utilizate pentru realizarea transformatoarelor care funcţionează la frecvenţe ridicate (zeci de kHz).

puterea transferată pe unitatea de suprafaţă este mult mai ridicată. efect utilizat la realizarea generatoarelor sonice şi ultrasonice. Perform anţe deosebite sunt obţinute cu pelicule metalice din aliaje Fe -Co-Ni. este în raport direct cu pătratul secţiunii miezului. dimensiunile transformatorului cu miez de ferită. în feritele cu structură spinelică şi bariu. Pentru o putere dată a transformatorului. iar elementul B este fier. Cu sau Cr şi se caracterizează prin temperaturi Curie: T C < 100°C. Prin încălzire în casete. care funcţionează la frecvenţe superioare frecvenţei de 50Hz. sunt utilizate pentru realizarea miezurilor magnetice ale bobinelor şi transformatoarelor. magnetizaţia şi inducţia de saturaţie şi remanenţă au valori mai scăzute decât la materialele feromagnetice. iar puterea este transferată pe parcursul unei perioade. Puterea transferată din înfăşurarea primară în infăşurarea secundară a unui transformator. stronţiu sau plumb. în feritele cu structura hexagonală. dar permitivităţile relative. Pentru un miez ferimagnetic care funcţionează la frecvenţe de ordinul zecilor sau sutelor de kHz. fluxul magnetic produs de un magnet permanent. Cationul Me poate fi mangan. e) Materiale ferimagnetice Feritele monocristaline au structură spinelică sau hexagonală: MeOAl 2 O 3 precum şi structură de tip granat: A 3 B 5 O 1 2 . scad considerabil în comparaţie cu dimensiunile transformatorului cu miez feroma gnetic. pentru că numărul de perioade dintr -o secundă este mult mai mare. Astfel de materiale sunt aliajele Ni -Fe. Ni-Co sau feritele cu conţinut de cobalt. această proprietate fiind utilizată pentru a menţine constant într-un interval larg de temperatură. cobalt. Pentru un miez feromagnetic comun. Pentru compensarea variaţiei fluxului se introduce în circuitul magnetic un material termocompensator. galiu sau aluminiu. Elementul A din structura de tip granat. deci de dimensiunile miezului. amestecul se solidifică obţinând forma casetei. puterea transferată pe unitatea de suprafaţă a miezului. Feritele sinterizate. Permeabilitatea acestor materiale creşte pronunţat cu scăderea temperaturii.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE raportul semnal/zgomot şi calitatea înregistrării. aparţine seriei pământurilor rare. Rezistivitatea feritelor este ridicată cu valori până la:   108 cm . 132 . Feritele sinterizate. depinde de secţiunea miezului magnetic. la frecvenţa de 50Hz. Materialele piezomagnetice se caracterizează prin efect piezomagnetic pronunţat. fier. nichel sau zinc. sunt realizate din pulb eri şi un liant. d) Materiale termocompensatoare şi piezomagnetice Materialele temocompensatoare sunt aliaje de Ni cu Fe.

este prin definiţie. transferul de energie din primar în secundar. rezistivitatea feritelor sinterizate este foarte ridicată. deşi sunt alcătuite din tole pentru micşorarea pierderilor prin curenţi turbionari. câmpul magnetic pentru care magnetizaţia se 133 .11 Funcţiile materialelor magnetice Proprietăţile materialelor fero şi ferimagnetice le conferă acestora o largă aplicabilitate practică în îndeplinirea unor funcţii specifice. ale bobinelor şi transformatoarelor. se efectuează prin intermediul fluxului magnetic: Φ = BS. Puterea transferată. creşterea puterii transferate datorită creşterii frecvenţei. la frecvenţe r idicate se încălzesc excesiv datorită acestor curenţi. De asemenea. Pentru evitarea distorsiunilor de neliniaritate datorate neliniarităţii dependenţei magnetizaţiei de câmpul magnetic aplicat din exterior prin apariţia procesului de saturaţie. Se utilizează în special la circuitele magnetice ale maşinilor şi aparatelor electrice. numărul de transferuri de energie din primar în secundar. etc. unde S este secţiunea miezului sau mai exact. Pe de altă parte. decât scăderea puterii transferate datorită unor valori reduse ale permeabilitaţii relative. Miezurile feromagnetice.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE Întrucât transformatorul funcţionează pe baza legii inducţiei electromagnetice. este proporţional cu frecvenţa tensiunii aplicate înfăşurării primarului. Astfel. Dar nu valoarea fluxului magnetic este importantă în transferul de energie. este mult mai pronunţată la miezurile din ferită sinterizată in comparaţie cu miezurile feromagnetice din tole. care este prin definiţie. Pentru frecvenţe ridicate. Valoarea maximă a fluxului este limitată de procesul de saturaţie al miezului. se impune ca intensitatea câmpului coercitiv. se impune ca magnetizaţia de saturaţie a materialului să fie ridicată. prin intermediul v ariaţiei în timp a fluxului magnetic: dΦ/dt. ci viteza cu care se modifică fluxul magnetic în timp. ca suport material al utilizării tehnice a fenomenelor electromagnetice. 2. Principalele funcţii sunt: • Funcţia de miez magnetic O bobină cu miez magnetic este echivalentă unei bobine cu vid cu inductivitate de μ ori mai mare: L   r L0 . iar pierderile prin curenţi turbionari sunt reduse. transferul de energie se efectuează pe parcursul unei perioade. sau de valoarea maximă a inducţiei în miez: B ma x = B s at . energia tran sferată într-o secundă. ale inducţiei magnetice şi implicit ale fluxului magnetic. Aplicând înfăşurării primare o tensiune cu formă de variaţie sinusoidală în timp.

al cărui miez magnetic a fost în prealabil magnetizat până la saturaţie. Caracterul neliniar al caracteristicii de magnetizare a materialelor magnetice în special al celor cu ciclu histerezis dreptunghiular. Materialele fero şi ferimagnetice suferă modificări ale dimensiunilor exterioare sub influenţa variaţiei stării de magnetizare. Materialele utilizate în acest scop trebuie să aibă un câmp coercitiv mare care să împiedice efectul de ştergere a informaţiei sub influenţa unor câmpuri magnetice perturbatoare. pentru a împiedica p rocesul de demagnetizare şi de asemenea. permite realizarea unor funcţii de circuit neliniare şi parametrice. fenomen denumit piezomagnetism. să fie cât mai îngust. este:   1 /  f  r (2. a câmpului electromagnetic. care variază sinusoidal în timp cu frecvenţa f. peste care materialele devin paramagnetice. asemănător cu cel al materialelor feroelectrice. 134 . • Funcţii neliniare şi parametrice. • Funcţia de ecran magnetic. Această funcţie se bazează pe proprietatea că magnetizarea remanentă să depindă univoc de câmpul magnetic de excitaţie. Adâncimea de pătrundere  . • Funcţia de generare a câmpului magnetostatic Un circuit magnetic cu întrefier. pent ru ca ciclul histerezis. În vederea înlăturării acţiunii perturbatoare a unor câmpuri electromagnetice exterioare unele dispozitive şi elemente electronice se ecranează. transformând energia electromagnetică în energie mecanică – variaţii dimensionale sau vibraţii (generatoare sonore şi ultrasonore). • Funcţia de traductor de temperatură.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE anulează. magnetizaţia remanentă. • Funcţia de traductor piezomagnetic. într-un material magnetic cu permeabilitatea  r şi conductivitatea  . reprezintă un magnet permanent între polii căruia există un câmp magnetostatic. se impune ca intensitatea câmpului coercitiv să fie ridicată. • Funcţia de înregistrare magnetică a informaţiei. De regulă materialele piezomagnetice îndeplinesc funcţia de traductor piezomagnetic invers sau magnetostrictiv. Proprietăţile fero şi ferimagnetice dispar la temperaturi superioare temperaturii Curie – TC . Pentru ca intensitatea câmpului magnetic generat de un magnet permanent. definită ca fiind magnetizaţia în absenţa câmpului exterior. sau nemagnetice. să fie cât mai ridicată. să fie cât mai ridicată. să fie scăzută.69) Pentru a reduce adâncimea de pătrundere la frecvenţe joase se impun valori ridicate ale permeabilităţii relative.

29 Simbolul grafic şi mărimile electrice la borne şi unde L este inductivitatea/inductanţa bobinei [măsurată în H sau submultiplii: nH. de autoinducţie având tendinţa de a se opune oricăror variaţii ale curentului/fluxului din circuit. reprezintă raportul dintre fluxul magnetic de 1 [Wb] (Weber) şi curentul electric de 1 A. aceasta produce o t. modificarea fluxului magnetic implică apariţia unei t. unitatea de măsură a inductanţei.70) relaţie ce descrie funcţionarea bobinei ca element de circuit. Întrucât fluxul magnetic şi curentul electric variază direct proporţional. 2. pe de o parte.29. orice variaţie a curentului electric implică o variaţie corespunzătoare a fluxului. U(t) şi curentul ce o parcurge I(t). inductanţa reprezintă coeficientul de proporţionalitate respectiv. μH.e.2. iar pe de altă parte. variaţiile curentului i(t) şi ale fluxului magnetic Φ(t) sunt interdependente întrucât. henry-ul [H]. permit utilizarea acestora ca traductoare de temperatură sau elemente termoregulatoare.12 Bobine/Inductoare 2. Se ştie că într-un circuit electric. la câmp constant. (2.2.71)   t  Wb   L  H   i  t   A În consecinţă. la permeabilităţi relative cu preponderenţă în apropierea temperaturii Curie. în mod ideal. ca în fig. aplicând o tensiune continuă la bornele unei bobine.12.1 Inductivitatea/inductanţa unei bobine Bobina sau inductorul este o componentă pasivă de circuit pentru care.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE Variaţia cu temperatura.e. Fig.m. b) ca proprietate a bobinei de a acumula energie în câmp magnetic. există relaţia: U  t   V1  t   V2  t   L dI  t  dt . conform relaţiei: (2. Există două interpretări posibile ale noţiunii de inductanţă: a) ca proprietate a unui circuit de a se opune oricărei variaţii a curentului electric ce-l parcurge. mH] şi care reprezintă principalul parametru caracteristic al acesteia. Se ştie că.m. între tensiunea la bornele sale. de autoinducţie având tendinţa de a se opune creşterii 135 .

în regim permanent: i  t   I sin t  (2.72) s-a înmagazinat în câmpul magnetic al bobinei. Defazajul este opus faţă de condensator. Fig. Este evident că acestă energie: Wm  LI 2 / 2 (2.30 Defazajul dintre curent şi tensiune la o bobină ideală Modulul impedanţei. ca raport între amplitudinile tensiunii şi curentului: Z  LI   L . Dacă i(t) este semnal sinusoidal. întrucât această variaţie are totuşi loc (de la zero la Imax) rezultă că sursa de tensiune a cheltuit o energie suplimentară pentru a învinge opoziţia bobinei. unde tensiunea este în urma curentului.73) şi se presupune că bobina se comportă liniar şi este caracterizată numai prin inductanţa L.76) Ca şi rezistenţa rezistoarelor. bobina se comportă ca un generator de energie (permiţând – prin descărcarea energiei acumulate – scăderea curentului de la I la 0).MATERIALE MAGNETICE – BOBINE curentului.2. atunci tensiunea la bornele ei va fi : u t   L di  t     LI  cos t   LI  sin  t   (2.75) reprezintă reactanţa bobinei ideale: X L  L (2. iar la deconectarea sursei de tensiune continuă.30. dar tensiunea este defazată înaintea curentului cu un sfert de perioadă (sau curentul este în urma tensiunii).74) dt 2  Curentul şi tensiunea sunt de aceeaşi formă.2. Inductanţa în regim sinusoidal permanent. I (2. inductanţa unei bobine depinde de temperatură conform unei relaţii de forma: 136 . În consecinţă. aşa cum este prezentat şi în fig.

inductanţa unei bobine depinde de: structura. de lungime l [cm]. astfel încât bobinele se construiesc numai de către utilizatori (în serii mici sau chiar ca unicat) – în funcţie de necesităţi. denumit factor de inductanţă. ca la rezistoare şi condensatoare. 2.  L – coeficientul termic al inductanţei. există diferite variante de bobine şoc de radiofrecvenţă. Calculul inductanţei se efectuiază anterior realizării bobinei – în general cu ajutorul unor formule/relaţii empirice. Standardul IEC 60062 stabileşte 137 . Datorită diversităţii foarte mari a bobinelor utilizate în radioelectronică.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE L  L0 1   L T  T0   (2. pentru linii de transmisie a semnalului. În general. inductanţa L a unei bobine fără miez. fiecare circuit care include bobine se calculează pornind de la valorile normalizate ale celorlalte componente pasive. este specificat în catalogul de ferite şi reprezintă inductanţa unei bobine toroidale cu o singură spiră. de permeabilitate magnetică μ. nu există o producţie de serie mare (standardizată) a acestora. se utilizează relaţia: (2.79) S-a notat cu a un coeficient a cărui valoare (în funcţie de raportul l/D). se află tabelată în lucrări de specialitate. tabele sau diagrame.2 Structura şi clasificarea bobinelor La momentul actual există o mare variatate de bobine fabricate de diverse companii.78) L   H   4 N 2 S / l – dacă l  D şi L   H   aN 2 D / 103 – dacă l  D (2.77) unde: L0 – inductanţa bobinei la temperatura T0 .12. În cazul unei bobine cu miez magnetic. Variante mai moderne de bobine se fabrică pentru tehnologia de montare pe suprafaţă (SMD) pentru convertoare AC/DC şi DC/DC şi pentru sistemele de telecomunicaţii. deoarece expresia inductantei este: (2.81) L   H   AL N 2 . determinarea inductanţei bobinei se reduce la aflarea numărului de spire. unde AL. de videofrecvenţă. geometria şi dimensiunile acesteia. Astfel. În general. Cu toate acestea. în ultimii ani au apărut numeroase companii care fabrică bobine la fel ca şi rezistenţe şi condensatoare. diametru D [cm] sau secţiune S [cm2] şi având N spire se poate calcula cu relaţiile: (2. pentru linii de putere.80) L H    N 2S / l În cazul bobinelor a căror miez magnetic este sub forma unei oale toroidale de ferită. Spre exemplu.

teflon) materiale ceramice – cu proprietăţi superioare ce pot fi utilizate la frecvenţe înalte. materialele termorigide (bachelită) – utilizate în domeniul frecvenţelor joase. polietilenă. textolitul.) pentru fixare pe şasiu sau pe placa de circuit imprimat. elementele componente ale unei bobine sunt: carcasa. Bobinajele se realizează fie monostrat (cilindrice – cu sau fără carcasă. carcasele tubulare pot avea secţiunea circulară (cel mai frecvent). tipul miezului. numărul de spire al înfăşurării. înfăşurarea. În cazul general. dispunerea relativă a straturilor. 138 . dar cu proprietăţi izolatoare deosebite şi rezistenţă mecanică satisfăcătoare. piramidal. se utilizează conductoare cu secţiune dreptunghiulară sau pătrată (uneori chiar tubulară – pentru a permite răcirea cu apă) – inclusiv din aluminiu. toroidale sau „în dublu D”). utilizarea sau neutilizarea carcasei. numărul de straturi ale înfăsurării. În cazul unor curenţi foarte mari. număr de secţiuni. unitatea de măsură de baza este μH. iar în cazul bobinelor de ÎF se utilizează conductoarele liţate („liţa de RF”) constituite din 7 – 15 conductoare de diametru foarte redus şi izolate individual (ansamblul lor fiind izolat – cu bumbac sau mătase). pertinaxul. Ea are. fie multistrat (tip „spiră după spiră”. În cazul bobinelor de JF. a) Carcasa – constituie suportul pe care se înfăşoară conductorul bobinei. cu email şi fibre textile sau cu fibre anorganice (sticlă). în general. număr de straturi. existenţa sau neexistenţa miezului magnetic. numărul de spire. b) Înfăşurarea (bobinajul) – constituie elementul principal şi indispensabil al oricărei bobine.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE un cod al culorilor pentru marcarea inductanţelor ce este asemănător cu cel adoptat la codificarea rezistenţelor. posibilitatea de variaţie a inductanţei etc. Cel mai frecvent se utilizează conductoare din cupru având secţiune circulară şi diametre normalizate. tipul de carcasă. ştifturi etc. cele mai utilizate materiale pentru carcase sunt: cartonul electroizolant. capse. În domeniul frecvenţelor foarte înalte (FIF/UIF) se utilizează conductoare din cupru argintat. conductoarele sunt izolate cu email. izolate cu email-mătase sau chiar neizolate (în cazul spirelor puţine şi rare). ele pot fi prevăzute cu flanşe – la extremităţi (pentru delimitarea/fixarea înfăşurărilor) sau intermediar (tipul „cu galeţi” – pentru reducerea capacităţilor parazite). Cu excepţia înfăşurării. Flanşele pot fi prevăzute cu orificii prin care se scot terminalele înfăşurărilor şi cu piese (cose. o formă tubulară şi este realizată din materiale uşor de prelucrat. materialele termoplastice (polistiren. celelalte elemente nu intră în mod obligatoriu în structura unei bobine. pas. În ordinea crescătoare a performanţelor. miezul şi ecranul. Bobinele pentru diferitele domenii de utilizare se deosebesc constructiv prin forma geometrică a bobinelor şi a spirelor. policlorvinil. „fagure” – propriu-zis sau universal). pătrată sau dreptunghiulară. Din punct de vedere constructiv. Se caracterizează prin: diametrul/secţiunea conductorului.

cu pierderi. criteriile de clasificare a bobinelor pot fi: . d) Ecranul – este facultativ şi se utilizează pentru a înlătura eventualele cuplaje parazite – electrice sau magnetice – cu generatoare/receptoare exterioare bobinei. c) Miezul – intră în componenţa majorităţii bobinelor.3 Caracteristicile principale ale bobinelor Parametrii caracteristici ai unei bobine reale. electronică de putere etc. factorul de calitate şi gama frecvenţelor de lucru).31 Simboluri grafice recomandate a – bobină.inductivitatea (inductanţa).31.domeniul aplicaţiilor preconizate (radio.). care are calitatea de a concentra aproape integral liniile câmpului magnetic. e Fig.2. În consecinţă.12. d – bobină cu miez magnrtic şi întrefier. tipul bobinajului.2. . prezenţa/absenţa miezului sau ecranului etc. Se utilizează miezuri magnetice (din materiale magnetodielectrice sau din ferite) şi miezuri nemagnetice (din alamă sau cupru).considerente constructive (forma/tipul carcasei.parametrii caracteristici obtenabili (în special inductivitatea. întrucât permite obţinerea unor inductivităţi de valori mai mari şi reglabile (în limite relativ restrânse).82) 139 .MATERIALE MAGNETICE – BOBINE Procesul tehnologic de bobinare se încheie cu impregnarea bobinei – în scopul protejării ei împotriva umidităţii dar şi pentru a-i conferi o robusteţe mecanică suficientă (prin rigidizarea înfăşurărilor). Impregnarea constă în umplerea interstiţiilor bobinajului cu lac de impregnare electroizolant. TV. 2. bobinajele se execută cu maşini (semi)automate de bobinat – special construite pentru anumite tipuri de bobine şi bobinaje.). numărul de spire/straturi. L [H] – definită ca un raport între fluxul magnetic propriu Φ şi curentul I care parcurge bobina: L/I (2. Tehnologic. sunt: . c – bobină cu miez magnetic. e – simbol tolerat Simbolurile grafice recomandate ale bobinei (inductorului) sunt prezentate în fig. . Operaţiile de impregnare se realizează manual. Miezul magnetic împreună cu eventualele întreferuri (întreruperi longitudinale ale mizului) formează un circuit magnetic. b – bobină variabilă.

. Acest parametru depinde în mod esenţial de frecvenţa de lucru (fiind mai mare la frecvenţe înalte). din cauza incertitudinilor constructive. care depinde de frecvenţă. Q – definit la o anumită frecvenţă de lucru ca raportul dintre energia maximă existentă în câmpul magnetic al bobinei şi energia disipată de aceasta sub formă de căldură într-o perioadă: Wmax LI 2 Lf 1 L 1  2    QL . - QL  L r – factorul de calitate al bobinei. dimensiunile.rezistenţa totală de pierderi.. 140 . care ţine cont de pierderile din izolaţie (între spire). deci va fi precizată o valoare maximă a curentului continuu şi o valoare maximă a curentului pentru o frecvenţă de referinţă./c. .. cu excepţia componentelor SMD.. având valori de ordinul pF.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE Acest parametru depinde de: forma. . dispersia parametrică este mare (peste 10%).H. WdT rI T r 2 r 2 unde: (2.c.capacitatea parazită proprie.curentul maxim este valoarea maximă admisibilă a curentului efectiv.tensiunea instantanee maximă este limitată de posibilitatea de descărcare între spire sau între capetele bobinei. De remarcat că inductivitatea L caracterizează comportamentul util al bobinei ca element reactiv. şi efect pelicular – în c. El caracterizează o bobină ideală şi are valori uzuale (în radioelectronică) de ordinul nH.sute de pF. Efectul total al acestor capacităţi se înglobează într-o capacitate echivalentă parazită Cp în paralel pe bobină.. la temperatura de referinţă. . L este reactanţa bobinei de inductanţă L la frecvenţa corespunzătoare pulsaţiei   2 f . în raport cu valoarea nominală. .) rCu (Rc) – în serie cu bobina cât şi de pierderile în materialul magnetic al miezului (prin curenţi turbionari şi prin histerezis) rm (Rm) – în serie cu bobina şi de rezistenţa de izolaţie rp (Riz) – în paralel pe grupul serie. Acest parametru depinde în mod esenţial de dimensiunile şi numărul de spire al bobinei. . Cp [pF] – determinată de suma capacităţilor distribuite între spirele bobinei precum şi dintre aceasta şi masă. . R [Ω] sau r [Ω] – determinată atât de pierderile în conductor (prin efect Joule – în c.r – rezistenţa echivalentă pierderilor în bobină.a. în timp ce rezistenţa totală de pierderi R caracterizează pierderile de putere activă în bobină.a.83) .factorul de calitate.toleranţa este abaterea maximă admisibilă a inductanţei. această valoare este impusă de fenomenul de disipaţie. la bobine. I – valoarea eficace a curentului prin bobină. numărul de spire al bobinei precum şi de permeabilitatea relativă a mediului (miezului) şi de temperatura de lucru.

de obicei. încercări mecanice.gama temperaturilor ambiante de funcţionare şi de depozitare . Alţi parametri privesc gabaritul. pentru a nu se produce transformări ireversibile în bobină. vibraţiilor etc. parametrii de fiabilitate ai lotului etc.2. regimul climatic.2. Fig.33.stabilitatea (parametrilor bobinei) – definită prin variaţia parametrilor de mai sus în funcţie de timp („îmbătrînirea”) sau sub influenţa temperaturii. 2. a cărui admitanţă echivalentă este: Y12  1 Rc  Rm  j L  1  jC Riz (2. b.2.83) Fig.4 Schema echivalentă a bobinei reale Parametrii bobinei consideraţi în paragraful anterior conduc la circuitul echivalent prezentat în fig. printr-o schemă echivalentă paralelă sau serie. din punctul de vedere al limitării temperaturii interne de funcţionare. b.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE .33 Schema ecivalentă a bobinei reale a. . . a. – circuit echivalent derivaţie. circuitul echivalent al bobinei reale se reprezintă.12. umidităţii.32 Circuitul echivalent pentru o bobină reală În continuare.2.32. – circuit echivalent serie 141 .puterea disipată maximă este importantă. prezentate în fig.

86) 1  j  tg Cu  tg m  1    jC  2 j L 1   tg Cu  tg m   Riz   L  tg m   j e Riz 1   2 LeC 1 1   jC  tg  j Le j Le  Le j Le Y12   j  tg Cu 142 .tg m  .84) Pa IU R U R IR R 1      Pr IU L U L I  L  L Qs (2. Din triunghiul fazorilor din fig. în materialul magnetic al miezului.32b.2.85) De asemenea.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE Unghiul de pierderi.83) rezultă: 1 1   jC  R  R  R iz j L 1  j  c  m     L  L   (2. tangenta unghiului de pierderi în materialul  L Qm - tg Cu  magnetic.32.33a. Trebuie observat că tangenta unghiului de pierderi exprimă efectul tuturor pierderilor (în conductori. se deduce: tg s  Aceaste expresii arată că tangenta unghiului de pierderi este inversul factorului de calitate. fig. în izolaţie) iar pentru fiecare contribuţie activă din schema echivalentă completă a bobinei. pentru schema derivaţie.  L QCu Rm 1  . tangenta unghiului de pierderi în rezistenţa de izolaţie în paralel şi unde: 2 Le  L 1   tg Cu  tg m   este inductivitatea echivalentă iar   . se poate defini unghiul de pierderi serie sau paralel respectiv. astfel: Rc 1  . fig. pentru schema serie. tangenta unghiului de pierderi în conductor. caracterizează calitatea bobinei reale faţă de inductanţa pură.tg  tg Cu  tg m  tg p este tangenta unghiului de pierderi totală - a bobinei. - tg p   Le Riz . se deduce: tg p  Pa UI R I R U / R  L 1      Pr UI L I L U /  L R Qp (2. Introducând notaţiile de mai sus în expresia admitanţei (2.2.2.

2.2.87) Identificând această expresie cu admitanţa schemei echivalente paralel (fig.2.34 după care bobina îşi pierde caracterul de Fig. inductivitatea echivalentă Lp devine: Lp  Le  1   r Se observă că: Lp frecvenţa de rezonanţă inductivitate.33a): Y12  Yp  1 1  R p j Lp (2.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE Sau expresia finală: Y12  tg   Le j 1 Le 1   2 LeC (2.88) se deduc parametrii schemei echivalente derivaţie.88) cu impedanţa la bornele schemei echivalente serie fig. fig.90)    Le  L .91) . respectiv: Lp  Le 1   2 LeC Dacă se notează cu r  şi Rp   Le  Q Le tg (2. 2  (2.89) 1 – pulsaţia de rezonanţă a bobinei reale LeC (luând în consideraţie şi capacităţile parazite). Lp creşte odată cu frecvenţa până la r .34 Variaţia cu frecvenţa a inductanţei bobinei Identificând inversul expresiei admitanţei (2.33b: Z12  Rs  j Ls  1 1   Zs Y12 Yp 143 (2.2.

MATERIALE MAGNETICE – BOBINE se deduce: Zs  1 1 1  R p j Lp  j  jR p Lp R p  j Lp R p2 Lp R p2   2 L2p   j R p Lp  R p  j L p  R p2   2 L2p Rp 1  Q2  j  Lp 1  1/ Q 2 R p 2 L2p R p2   2 L2p  (2. fig. unde  este unghiul total de pierderi.93) Comportarea bobinei reale în funcţie de frecvenţă este descrisă de comportarea cu frecvenţa a parametrilor schemei sale echivalente. Pe o adâncime de pătrundere  . Rm1  k1 f ) care se induc în miezul magnetic. aproximativ proporţional cu radicalul frecvenţei. Se reaminteşte că elementele componente ale schemelor echivalente se modifică cu frecvenţa. spre mijlocul materialului efectul fiind minim. Tangenta unghiului de pierderi se modifică cu frecvenţa astfel: 1. În acest mod scade secţiunea efectivă a materialului.92) de unde: parametrii schemei echivalente serie vor fi: Ls  Lp Rp  Lp cos 2  R   R p sin 2  1 şi s 2 1 2 1 Q Q (2. însă variaţia parametrilor echivalenţi este determinată de variaţia pierderilor în funcţie de frecvenţă. Pierderile în materialul magnetic (Rm) se datoresc în primul rând curenţilor 2 turbionari (curenţi Foucault. comportarea cu frecvenţa a bobinei reale poate fi estimată în funcţie de variaţia cu frecvenţa a factorului: tg  tg Cu  tg m  tg p . ca în orice mediu de rezistivitate finită străbătut de câmp magnetic variabil. Se observă că inductivităţile Lp sau Ls sunt mai mari decât Le care. La frecvenţe înalte. Câmpul curenţilor turbionari se opune câmpului inductor. 2.2. La suprafaţa materialului efectul curenţilor turbionari este maxim. intensitatea câmpului scade de „e” ori faţă de valoarea sa la suprafaţă. cu temperatura şi în timp. La frecvenţe joase predomină pierderile prin efect pelicular (Rc) în conductoarele de bobinaj. O altă cauză a pierderilor de energie în materialul magnetic este dependenţa B = f(H) de tip histerezis ( Rm 2  k2 f ). 144 . tangenta unghiului de pierderi crescând proporţinal cu frecvenţa.35. Expresia tangentei unghiului de pierderi intervenind atât în expresia părţii rezistive cât şi a părţii reactive a impedanţei echivalente. 3. devin importante pierderile în rezistenţa de izolaţie (Riz). la rândul ei este mai mare decît L . Aceste pierderi scad o dată cu creşterea frecvenţei.

Se ştie că zgomotul de agitaţie termică al unei rezistenţe pure are o putere medie dată de formula lui Nyquist. independent de regimul electric în care este utilizată aceasta.35 Variaţia cu frecvenţa a tangentei unghiului de pierderi a bobinei reale Fiecare bobină are un domeniu de frecvenţe pentru care pierderile sunt minime. 2. la rândul său determinată de temperatura absolută a impedanţei. Bobina reală.2. pierderile în materialele magnetice ( Rm  Rm1  Rm 2 ) sunt aproape independente de frecvenţă.12. O inductanţă pură nu va produce zgomot. Zgomotul unei impedanţe se datoreşte aşadar numai acelor elemente ale sale care consumă energie.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE Cu toate acestea. de conducţie. Fig. Rezistenţa proprie a unei bobine. ci şi de pierderile în conductor – cauzate de efectul pelicular – şi în miezul magnetic. deci factorul de calitate este maxim. având şi o rezistenţă proprie. contribuie totuşi la zgomotul produs de circuitul în care este conectată. În aceste condiţii RL va fi funcţie de frecvenţă. La proiectarea unei bobine trebuie să se aleagă materialele. în funcţie de frecvenţa de lucru. forma şi dimensiunile bobinei astfel încât să se obţină pierderi minime în domeniul de frecvenţe în care funcţionează aceasta. 145 . Curentul care străbate o bobină şi respectiv tensiunea la bornele sale depind de reactanţa bobinei. este determinată însă nu numai de pierderile ohmice. iar distribuţia puterii de zgomot este neuniformă în banda de lucru. deci vor depinde de frecvenţă. în cazul pierderilor prin histerezis şi au o creştere liniară cu frecvenţa în cazul pierderilor prin curenţi turbionari şi datorită magnetizării miezului. energia sa depinzând de energia cinetică a electronilor liberi. Acest zgomot este un zgomot de fluctuaţie. RL. în interiorul impedanţei respective.5 Zgomotul bobinei Zgomotul unei impedanţe se datoreşte agitaţiei termice a electronilor liberi. curentul şi tensiunea la borne nu trebuie să depăşească anumite limite. Pentru a evita deteriorarea bobinei. deci numai părţii reale.

contribuţia zgomotului bobinelor nu este importantă. 2. Pentru reducerea sau chiar anularea acestor cuplaje nedorite. De menţionat că orice ecran magnetic complet închis şi realizat din material electroconductiv este şi un ecran electrostatic (obţinându-se cuşca Faraday). din tole nestrânse suficient. se demonstrează (cu condiţia ca: l >0. conectată galvanic la potenţialul nul.8 r). trebuie remarcat că ecranul influenţează parametrii bobinei (prin poziţionarea şi natura lui).94) unde 1 şi 2 sunt pulsaţiile limită ale benzii de frecvenţă. . .pentru ecranarea electrostatică la JF. orice bobină se poate cupla inductiv (prin câmp magnetic) sau capacitiv (prin câmp electric) cu diferite generatoare/receptoare exterioare de semnal parazit. că inductivitatea L a bobinei este dată.7 Tipuri constructive de bobine Cel mai simplu tip de bobină conţine un singur strat de sârmă – de exemplu din cupru emailat (CuEm) – bobinată spiră lîngă spiră. l [cm] = lăţimea bobinajului pe carcasă.95) 146 . Bobinele cu pierderi mici se comportă bine şi din punctul de vedere a zgomotului. În general însă. de relaţia: 0.pentru ecranare magnetică la FM şi FÎ (RF) se folosesc materiale conductoare cu conductibilitate ridicată (Al.3937r 2 n 2 L H   9r  10l (2.12. Notând cu: 2r [cm] = diametrul exterior al carcasei. de exemplu în cazul transformatoarelor. bobinele sunt protejate cu ajutorul unor ecrane magnetice. De asemenea. „permalloy”). 2.12. pe o carcasă tubulară. special construite şi de regulă conectate la masa electronică a echipamentului.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE Puterea de zgomot se calculeză în acest caz cu formula: 2 U Zg  4 KT 1 2 2  1 RL   d  . aproximativ. se poate reduce efectul capacităţilor parazite dintre primar şi secundar introducând între aceste înfăşurări o folie conductivă separatoare. ecranul astfel obţinut nu trebuie să se închidă pentru a nu forma o spiră în scurtcircuit. (2. O sursă de zgomot propru-zisă o constituie şi vibraţiile mecanice ale miezurilor. n = numărul de spire bobinate.pentru ecranare magnetică la JF se utilizează materiale feromagnetice cu permeabilitate magnetică mare (de ex. Cu). Astfel: . respectiv electrice.6 Ecranarea bobinelor Prin structura şi funcţionarea sa. fără miez magnetic.

. 3oo μH.„fagure” („propriu-zis” – cu spire distanţate sau „universal” – cu spire nedistanţate). aproape integral. inductivităţi şi capacităţi parazite reduse. . . lucrînd la tensiuni ridicate – de ex. dar în celelalte cazuri câmpul magnetic de dispersie este mult mai redus. uneori şi cu mătase). Un alt tip constructiv de bobină fără miez magnetic – permiţând obţinerea unor inductivităţi mari în volum mic – conţine mai multe straturi de sârmă.cilindric secţionat (cu miez din ferită). conductorul utilizat trebuie – în mod obligatoriu – izolat (cu email.piramidal (recomandabil pentru obţinerea inductanţelor mari. . între straturi. dar şi pentru reducerea capacităţilor proprii parazite constau în realizarea bobinajelor de tip: . în cazul transformatoarelor de impulsuri). Pentru a obţine inductivităţi de valori mari. hîrtie de condensator etc. valoarea inductivităţii este dată de relaţia: 147 . Toate aceste bobinaje se realizează pe carcase cilindrice. liniile câmpului magnetic. În acest caz. . Carcasa – în general tubulară – este prevăzută la extremităţi cu flanşe pentru evitarea alunecării spirelor bobinate. dar se pot executa şi bobinaje toroidale multistrat – alunecarea straturilor evitându-se prin introducerea unor folii izolatoare între straturi.) – deşi. având rolul de a concentra. În primul caz. se introduce un miez magnetic în interiorul carcasei bobinei. 400) şi sunt deosebit de stabile. Pentru reducerea pericolului de străpungere se pot introduce. acolo unde diferenţele de potenţial pot fi relativ mari). pentru valori mai mari fiind necesare bobinele multistrat. Bobinajele multistrat se pot realiza şi fără carcasă.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE Valorile L maxime ce se pot obţine cu astfel de bobine nu depăşesc 300 μH. Bobinajele monostrat prezintă rezistenţe de curent continuu. se obţine şi o creştere a volumului bobinajului. Bobinele monostrat asigură inductanţe de până la 200 . cât şi toroidale sau „în dublu D”. În cazul unui miez reglabil în raport cu bobinajul. Alte soluţii pentru evitarea străpungerilor. atunci când bobina trebuie să aibă un anumit profil (de ex. . Bobinele multistrat spiră lîngă spiră se caracterizează prin capacitate distribuită mare şi pericol de străpungere a izolaţiei (în cazul spirelor de la extremitatea straturilor. în cazul bobinelor de deflexie ale tubului cinescop) sau atunci când pierderile în carcasă devin importante. folii izolatoare (din material plastic. cuplajele magnetice parazite sunt importante (perturbând funcţionarea altor componente şi modificând inductivitatea proprie). Ele pot fi atât cilindrice. suprapuse şi având – fiecare – spirele bobinate una lângă alta. astfel. cu sau fără secţiuni. Bobinele monostrat realizate cu spire distanţate (conductorul putând fi neizolat în acest caz) au un factor de calitate Q ridicat (150 .

construcţia miezurilor permite modificarea inductanţei prin deplasarea miezului în raport cu înfăşurarea (bobinajul). pentru robusteţe mecanică şi în special pentru protecţie împotriva umidităţii.rigidizează înfăşurările. Miezurile se realizează din materiale feromagnetice moi – fie sub formă de laminate (ca tole sau benzi din aliaje Fe-Si. fără miez. fie ca pulbere (intrând în structura materialelor magnetodielectrice sau magnetoceramice – „feritele”).96) unde s-a notat: L0 – inductivitatea bobinei monostrat. Se pot obţine astfel inductivităţi relativ mici (0.prin modificarea cuplajului (inductanţei mutuale M) între secţiunile bobinei.bobinaj cilindric pe carcasă fără flanşe (galeţi)...). . 200 (depinzând de calitatea suportului electroizolant şi de rezistivitatea conductorului plan). . variometrele. Procesul tehnologic se încheie cu impregnarea bobinei. În domeniul frecvenţelor foarte înalte (FIF/UIF) se utilizează bobine fără carcasă. De asemenea. se pot realiza şi alte tipuri (cu sau fără miez magnetic). Majoritatea bobinelor utilizate în echipamentele electronice au în componenţa lor un miez magnetic care. din punct de vedere constructiv. în general neizolat) şi având una sau mai multe spire. Avantajele impregnării sunt următoarele: . se pot realiza şi bobine plate cu ajutorul tehnologiei cablajelor imprimate sub forma unei spirale (circulare sau dreptunghiulare).10 μH) şi factori de calitate între 50 . Pe lângă tipurile de bobine şi bobinaje prezentate mai sus.prin varierea numărului de spire. Există şi miezuri nemagnetice realizate din alamă sau cupru. realizate din conductor relativ gros (d ≥1 mm. se realizează după unul din următoarele principii: . 148 . ca de exemplu: .  r – permeabilitatea magnetică relativă a miezului. În general.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE L   H   k r L0   H  (2. .bobinaj cilindric secţionat cu flanşe intermediare (scade capacitatea parazită şi se evită străpungerile electrice.prin modificarea poziţiei unui miez magnetic (ferovariometru).1. poate fi: secţionat (deschis sau neînchis) – de obicei de formă cilindrică ori tubulară – sau închis – în general de formă toroidală. de regimul magnetic de lucru al acestuia şi de forma circuitului magnetic. Impregnarea constă în umplerea interstiţiilor bobinajului cu lac de impregnare electroizolant. k – constantă (depinzând de dimensiunile bobinei şi ale miezului precum şi de poziţia relativă a acestora). . Proprietăţile bobinelor care sunt realizate cu miezuri magnetice sunt puternic dependente de tipul materialului folosit. Bobinele cu inductivitate variabilă continuu în limite largi. Fe-Ni etc. .

utilizate la transformatoarele de joasă frecvenţă (alimentare.îmbunătăţeşte proprietăţile electrice ale izolaţiei. în principal rigiditatea dielectrică. care au avantajul de a reduce pierderile în miez. se execută din pachete de tole sau benzi (aliaje Fe-Si.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE . Se realizează astfel un circuit magnetic prin care fluxul magnetic corespunde secţiunii circuitului compact. AF). Miezuri din pachete de tole Tolele sunt plăci suţiri. distrusă parţial din cauza eforturilor mecanice de la stanţare şi vălţuire. lacul având conductibilitate termică mai bună decât aerul sau izolaţiile de hârtie. rezistenţa mecanică la comprresie sau şocuri mecanice) impun şi formele corespunzătoare pentru miezuri. Fe-Si-Al – alsifer. curenţii turbionari ce se închid prin plăcuţa subţire având valori mici. .îmbunătăţeşte disiparea căldurii.2. . Fe-Ni-Cu – izoperm.8 Tipuri constructive pentru miezuri Proprietăţile fizice ale materialelor magnetice (maleabilitatea. la amplificatoare magnetice sau chiar la unele transformatoare de impulsuri. dar pe ansamblu are rezistivitate electrică foarte mare datorită micşorării curenţilor turbionari.36 Tipuri de tole Tolele se confecţionează prin ştanţare. Fe-Co – permendur. Izolarea tolelor se poate face prin trei metode: 149 . care se închid prin fiecare tolă subţire.evită pătrunderea umezelii din atmosferă în golurile izolaţiei. Fe-Co-Ni – perminvar). 2. Miezurile din materiale feromagnetice moi. anulează efectul microfisurilor din email. la şocuri AF. izolate între ele. croiala lor făcându-se astfel pentru a economisi cât mai mult materialul. Tolele sunt debavurate şi supuse unui tratament termic prin care se reface structura cristalină a materialului. Fig.12. Fe-Ni – permalloy.

I şi U. Feritele sunt soluţii solide din oxizi de metale bivalente cu oxidul fierului trivalent de tipul (MeO)(Fe2O3). obţinându-se miezurile în manta din tole E şi I sau în coloane. miezul putând fi utilizat la ÎF. iar costul este de 4 ori mai mic decât la acoperirea cu lac.. 150 . 100oC. Fe-Co-Ni) sunt izolate prin electroforeză.. liantul folosit fiind parafina (care după presarea miezului se îndepărtează prin încălzire). iar tehnologia de fabricaţie a feritelor este similară cu cea de obţinere a magnetodielectricilor.2. Materialele magnetodielectrice sunt materiale obţinute din pulbere feromagnetică amestecată într-un liant polimerizat. După natura liantului şi tratamentul termic aplicat. tolele pot fi de tip E. obţinându-se miezurile în coloane din tole U şi I sau numai din tole I.100 şi se utilizează pentru miezuri de bobine şi transformatoare de ÎF) şi feroelastici (prezintă elasticitate mecanică. . Se obţin astfel miezuri având rezistivitatea de volum foarte mare deci.. în manta (prin asamblarea a două miezuri cu coloane) sau toroidale. După tipul de material magnetic. Constructiv. deoarece lacul se poate distruge la anumite eforturi de comprimare. Miezuri pentru înaltă frecvenţă – ÎF Pentru ÎF.36.10 şi se utilizează la ecrane magnetice. pierderile prin curenţi turbionari sunt mult micşorate. fig. din cauza creşterii cu frecvenţa a pierderilor prin curenţi Foucault. Miezurile din benzi Miezurile din benzi se realizează din bandă de material feromagnetic moale. absorbanţi în microunde etc.).. substanţa izolantă sub formă de suspensie fiind transportată pe suprafaţa benzii sub acţiunea câmpului electric. ceea ce conduce la micşorarea coeficientului de umplere al volumului şi la pierderi datorită fluxului de scăpări. După formă.fosfatarea tolelor prin acoperire cu o pastă de fosfat şi azotat de zinc şi coacerea la cca. utilizându-se la ÎF mizurile presate. în câmp electrostatic la 3 – 4 KV/cm. miezurile de ÎF pot fi magnetodielectrice (când pulberea este obţinută din material feromagnetic) sau magnetoceramice (ferite).izolare cu foiţă izolantă între tole. Izolarea benzilor din oţel electrotehnic texturat se face prin depunerea unei pelicule din praf izolant. nu se mai pot realiza miezuri din tole sau benzi. foarte adeziv. se disting magnetodielectrici feroplastici (care au permeabilitatea efectivă de ordinul 10. Cele din aliaje speciale (Fe-Ni. amestecul fiind presat sub forma dorită. timp de 10-12 ore. dar au permeabilităţi reduse 2. tăiat în lungul direcţiei cu cea mai uşoară magnetizare. Pelicula obţinută are proprietăţi mecanice şi dielectrice foarte bune. . aşa încât proprietăţile anizotropice ale materialului să poată fi utilizate integral. iar împachetarea lor făcându-se în manta.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE . Fe-Co. metodă neeficientă. miezurile din benzi pot fi cu coloane.acoperirea cu lacuri izolante.

2.37 Bobine conectate în serie Deci.98) În cazul existenţei unui cuplaj magnetic între două bobine. având inductivităţile L1 şi L2 ca în fig.12. din punctul de vedere al conducţiei curentului feritele fiind semiconductoare.2. 2. Fig. a.. (2. fig. Legarea în serie a bobinelor Prin conectarea în serie a două înfăşurări. inductanţa echivalentă este: L  L1  L2  2M . numite juguri de ferită. Rezistivitatea foarte mare (102 – 109 Ωcm) conduce la pierderi prin curenţi turbionari foarte mici.2. inductanţa echivalentă a unei conexiuni serie de bobine este egală cu suma inductanţelor bobinelor componente: Ls  L1  L2  L3  .9 Aplicaţii ale bobinelor a. Fig. b..2.97) dacă cele două înfăşurări nu sunt cuplate prin câmp magnetic. rezistenţa de pierderi echivalentă este r1  r2 . limitarea frecvenţei de lucru fiind impusă numai de rezonanţa magnetică. se obţine o bobină cu inductanţa echivalentă: L  L1  L2 .37.38 Circuitul echivalent al unei bobine cu două înfăşurări conectate în serie şi cuplate magnetic 151 . miezuri oală şi toruri (în FFÎ.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE Miezurile din ferite au proprietăţi magnetice bune şi rezistivitate electrică foarte mare. Formele constructive cele mai utilizate pentru miezurile presate (ferite şi materiale magnetodielectrice) sunt în manta sau cu coloane (pentru transformatoarele de impulsuri de adaptare în ÎF) sau miezuri cilindrice. (2. Caracteristicile magnetice ale feritelor sunt foarte stabile la solicitările mecanice. (2.38a. Miezurile cilindrice pot fi pline sau tubulare (cu perete gros sau subţire). conectate în serie. în circuite de comutaţie). Pentru circuite de deflexie magnetică se utilizeză şi forme speciale.99) dacă curentul ce parcurge bobinele are acelaşi sens (polarizarea bornelor indică sensul de intrare al curentului prin înfăşurările bobinelor).

Considerând. (2. ca în fig. se indică pe schemele cu inductanţe cuplate magnetic.101) inductanţa mutuală (sau de cuplaj) a înfăşurărilor L1 şi L2 şi cu k = 0. punctul de începere a înfăşurărilor (prin care intră curentul electric). că P1 = P2 (în realitate P2  P1 datorită pierderilor în miezul magnetic şi în înfăşurări). Aplicând la bornele de intrare ale înfăşurării primare L1 o putere electrică P1 – sub tensiunea U1 şi curentul I1 .104) Cunoscând inductanţa mutuală M se poate determina schema echivalentă a unui transformator. care depinde de geometria şi poziţia relativă a celor două înfăşurători. În ambele situaţii rezistenţa de pierderi echivalentă este r1  r2 .100) Sensul unei bobine se referă la curentul electric ce o parcurge. S-a notat cu: M  k L1 L2 .2. respectiv I. se obţine o inductanţă echivalentă: L  L1  L2  2M (2. fig. fig. astfel încât. inductanţa mutuală M este. Legarea bobinelor în paralel este mai rar întâlnită.103) Obs.2. sunt amplitudinile semnalelor u(t) şi i(t). transformatorul conţine două bobine L1 şi L2 – independente şi cuplate exclusiv prin câmp magnetic. rezultă la bornele de ieşire ale înfăşurării secundare L2 puterea electrică P2 – sub tensiunea U 2 şi curentul I 2 . dacă: U 2  U1  I 2  I1 sau dacă: U 2  U1  I1  I 2 (2.39a.1 coeficientul de cuplaj al bobinelor..102) b.38b. Pentru două bobine cuplate magnetic. pozitivă – dacă bobinele implicate au acelaşi sens şi negativă – în caz contrar.39 b şi c. 152 . De regulă.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE Dacă bobinele sunt parcurse de curent în sensuri opuse. rezultă: n U 2 I1   raportul de transformare.. inductanţa mutuală M. pentru două bobine legate în paralel inductanţa echivalentă se poate determina cu relaţia: Lp  1 1 1  L1 L2  L1 L2 L1  L2 (2.2. Transformatorul Două sau mai multe bobine cuplate – amplasate pe acelaşi miez magnetic – formează un transformator. În varianta sa cea mai simplă. prin convenţie. U1 I 2 (2. Totuşi. U. printr-un asterix (*). în mod ideal. deci la fluxul magnetic obţinut.

153 . În practică se utilizează transformatoare având structură şi performanţe standardizate/normalizate – dar şi unele tipuri special proiectate. . reprezentând adesea până la 20% din volumul şi până la 40% din masa unui astfel de echipament. transformatoarele se pot clasifica în: .transformatoare de alimentare – în general la frecvenţa reţelei de 50 Hz. b.2. Fig.MATERIALE MAGNETICE – BOBINE a.sau radio-frecvenţă cu sau fără miez magnetic. c.39 Transformatorul (a) schema electrică (b) şi circuitul echivalent în T al acestuia (c) În funcţie de destinaţia lor.transformatoare de semnal – de audio. Transformatoarele şi bobinele de şoc sunt cele mai voluminoase şi cele mai grele componente din structura echipamentelor electronice.

curent mic.13 Anexe 2.bobine fără miez. reglabile. miezul se execută din tole.2. Fig. curenţi foarte mici.43 sunt prezentate câteva din bobinele amintite mai sus. pentru convertoare 154 .A1 Tipuri de bobine. oscilatoare (curent mic şi factor de calitate cât mai bun). cu dimensiunile principale în sensul liniilor de câmp. . pentru circuite de putere. . în convertoare de putere mică sau mijlocie. . tolele sunt subţiri. curent alternativ). la frecvenţe mari (componente reactive de gabarit mai mic).bobine realizate pe cablajul imprimat (inductanţe mici).2. pentru a micşora disipaţia prin curenţi turbionari.2. după destinaţie: . . fig. se bobinează pe carcase de plastic sau fără carcasă (“în aer”). .bobine cu miez de ferită (inclusiv transformatoare).bobine pentru relee (curent continuu.41 Bobine cu miez de ferită.40. . dimensiunile miezului scad odată cu creşterea frecvenţei. pentru circuite de acord.41 şi fig. toroidale.40 Bobine cu miez de ferită.bobine cu miez de ferită. pentru separarea componentei continue de cea de radiofrecvenţă (“şoc de radiofrecvenţă”). atât în tehnica radio cât şi în convertoare. ceea ce favorizează lucrul la frecvenţe mai mari decât cea a reţelei (zeci de kHz).MATERIALE MAGNETICE – BOBINE 2.2. În fig. filtre de radiofrecvenţă. filtrarea armonicelor superioare este mai simplă. funcţionare la frecvenţe mari. se doreşte un raport inductanţă/gabarit cât mai bun. tehnica radio Fig.2. pentru circuite de acord sau oscilatoare la frecvenţe foarte mari.bobine cu miez de ferită pentru acumulare de energie sau transformator.bobine în tehnologia SMD.bobine şi transformatoare cu miez din tole de oţel. ajustabil sau fix. .

MATERIALE MAGNETICE – BOBINE

Fig.2.42 Bobine cu miez de ferită, fixe (convertoare, şoc de radiofrecvenţă)
sau ajustabile (tehnica radio)

2.A2 Formule pentru calculul inductanţei
a) Bobină cilindrică (solenoid), fără miez, de lungime l şi diametru d
(S=πd /4 – aria secţiunii), având N spire dispuse pe un singur strat, spiră lângă
spiră:
- dacă l > 4d (solenoidul lung):
2

sau

N 2S
L  0
4 107
l

N

2

d2

2 2
4  106 N d  H 
l
l

(2.105)

N 2d 2
L  0,001
  H  , l şi d în mm
l

(2.106)

N 2d
L  0,001
  H  , l şi d în mm
0,44  l / d

(2.107)

- dacă l < 4d:

Observaţie: s-a aproximat: π2 = 10.

b) Bobină cilindrică fără miez, având un număr de N spire dispuse pe un
număr de m straturi, spiră lângă spiră şi strat peste strat. Lungimea bobinei este
l, diametrul mediu este d iar h este înălţimea bobinajului (fig.2.43):

0,008 N 2 d 2
L
  H  , l, d şi h în mm
3d  9l  10h

Fig.2.43 Bobină cilindrică cu mai multe strat
155

(2.108)

MATERIALE MAGNETICE – BOBINE

Înălţimea bobinajului se poate calcula cu formula:

h  md cond

l
m 2l
m

N /m N

(2.109)

unde dcond este diametrul conductorului din care este realizată bobina.
c) Bobină cilindrică (solenoid) cu miez de permitivitate magnetică
efectivă μef:

L  ef L0

(2.110)

unde L0 reprezintă inductanţa bobinei fără miez.
d) Inductor plan, realizat în tehnologie hibridă, sau a circuitelor imprimate
având forma din fig.2.44a. Se cunosc: "diametrul exterior", da şi "diametrul
interior", di:

d d
d d
3,2 102  a 2  n 2
L
  H  ; a  a 4 i   m ; c  a 2 i   m (2.111)
6a  10c

a. Inductor plan
spiral „circular”

b. Inductor plan
spiral „pătrat”

Fig.2.44 Inductoare realizate în tehnologie hibridă

e) Inductor plan realizat în tehnologie hibridă sau a circuitelor imprimate
având forma din fig.2.44b.
Inductanţa se determină cu relaţia:

unde:

l2N 2
L  0,0122
 H 
4l  11c

(2.112)

- l este latura pătratului în [mm];
- c este lăţimea traseului în [mm];
- N este numărul de spire.
Obs. Pentru a se obţine inductoare cu factor de calitate bun (Q > 20) se
recomandă a se limita numărul spirelor la maximum 10.

156

MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE

CAPITOLUL 3
MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE
3.1 Polarizarea dielectricilor
Materialele dielectrice numite şi electroizolante sunt caracterizate de o
rezistivitate electrică deosebit de mare cuprinsă între 1012 şi 1023 Ωmm2/m.
Ele servesc pe de o parte la izolarea electrică între elementele
conductoare de curent electric, care se găsesc la potenţiale electrice diferite, cât
şi a elementelor conductoare faţă de masa de referinţă şi împământare, iar pe de
altă parte, ca dielectric în condensatoarele electrice.
Materialele electroizolante sunt cele mai numeroase materiale
electrotehnice, numărul lor fiind în continuă creştere, pentru a corespunde cât
mai bine din punct de vedere electric, mecanic, chimic, termic şi totodată să aibă
cost de producţie redus şi fiabilitate ridicată.
Materialele electroizolante fiind cele care îşi pierd mai repede
proprietăţile (îmbătrânesc) în comparaţie cu materialele conductoare şi
magnetice, determină de fapt durate de serviciu (de viaţă) a echipamentelor
şi instalaţiilor în care sunt utilizate (maşini şi aparate electrice,
transformatoare electrice, linii electrice de transport, distribuţie şi utilizare a
energiei electrice etc.).

Fig.3.1 Diagrama benzilor energetice

Dielectricii se deosebesc de materialele conductoare prin existenşa unui
număr extrem de mic de electroni liberi – care pot să se orienteze într-un câmp
electric; banda interzisă este atât de mare (ΔWD = 2 – 10 eV) încât în
condiţii normale nu se observă conductivitate electrică, fig.3.1.
Deoarece rezistivitatea electrică a materialelor electrizolante este foarte
mare dar nu infinită (dacă ρ→ ∞, σ = 0 şi dielectricul ar fi un izolant ideal),

157

MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE

materialul aflat în câmp electric este străbătut de un curent de conducţie
extrem de mic, numit şi curent de scurgere.
Prin introducerea unui material dielectric într-un câmp electric se constată
că acestea se influenţează reciproc:
- câmpul electric modifică proprietăţile electrice ale materialului.
- materialul dielectric modifică geometria liniilor de câmp ale câmpului
electric.
Astfel, în materialele electroizolante situate în câmp electric, pe lângă
fenomenul de conducţie (apariţia curentului de scurgere), apare şi un al doilea
fenomen numit de polarizare. De altfel, aceste materiale se numesc dielectrici
pentru că au capacitatea de a se polariza sub acţiunea câmpului electric E.
Starea de polarizaţie electrică – P – caracterizează starea materiei prin
existenţa momentului electric al unităţii de volum diferit de zero.
Efectul materialului dielectric asupra câmpului electric de intensitate E, în
care este plasat materialul respectiv, se poate pune în evidenţă urmărind ceea ce
se întâmplă cu valoarea inducţiei electrice D a câmpului electric, mărime care
se mai numeşte şi densitate de flux electric. Unităţile de măsură ale celor două
mărimi electrice menţionate sunt prezentate mai jos,

 DSI 

C
,
m2

 E SI 

V
m

unde C = Coulomb, V = volt, m = metru.
În cazul în care câmpul electric este aplicat în vid, legătura dintre inducţia
electrică D şi intensitatea câmpului electric E este dată de relaţia:
(3.1)
D0   0  E
unde 0 este permitivitatea electrică a vidului şi reprezintă o mărime fizică
care furnizează o măsură asupra abilităţii mediului (în acest caz vidul) de a
permite trecerea câmpului electric prin el şi se măsoară în farad/metru:

 0 SI 

F
m

şi are valoarea: ε0 = (1/36π)10-9 sau 8,85410-12 F/m.
În cazul în care, în câmpul electric se introduce un material dielectric se
constată că valoarea inducţiei electrice D creşte, iar această creştere este datorată
chiar polarizării materialului dielectric respectiv. Legea care leagă aceste mărimi
scrisă în complex simplificat este:
D   0  E  P sau D   0  E  P
(3.2)
Polarizaţia electrică P a materialului dielectric este direct proporţională cu
intensitatea câmpului electric E şi depinde de tipul materialului dielectric:
P   0  e  E
(3.3)

unde mărimea  e se numeşte susceptivitate dielectrică şi reprezintă o măsură a
dielectricului de a se polariza, sau, altfel spus, ”răspunsul dielectricului la

158

MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE

aplicarea asupra sa a unui câmp electric”. Din relaţiile de mai sus, se constată că
inducţia electrică D a câmpului electric aplicat asupra unui material dielectric se
poate determina cu relaţia:
(3.4)
D   0  E   0  e  E   0  1  e   E

unde suma 1   e  reprezintă prin definiţie permitivitatea electrică relativă a
materialului dielectric,
(3.5)
 r  1  e
Permitivitatea electrică relativă furnizează informaţii despre creşterea
inducţiei electrice a câmpului aplicat asupra unui material dielectric, raportat la
cazul în care acesta se aplica vidului, cu alte cuvinte dă o măsură a influenţei
materialului dielectric asupra câmpului electric:
(3.6)
D   r  D0
Un fenomen caracteristic materialelor dielectrice constă în apariţia, în
structura lor, a dipolilor electici. Dipolul electric este prezentat în fig.3.2 şi este
compus dintr-o pereche de sarcini electrice de valoare Q inseparabile, de valori
egale, dar de semn opus, aflate la o anumită distanţă d . Dipolii electrici pot fi
de două tipuri: dipoli electrici induşi, respectiv dipoli electrici permanenţi.
Oricare dipol electric este caracterizat printr-un moment electric elementar p ,
care se mai numeşte şi momentul dipolului.

Fig.3.2 Dipol electric

Momentul dipolului este un vector orientat de la sarcina negativă către cea
pozitivă, iar relaţia de definire a acestuia este următoarea:

p  Qd

(3.7)

unde Q reprezintă sarcina electrică a dipolului electric.
Astfel, se deosebesc două tipuri de dielectrici: nepolari şi polari,
fenomenul de polarizare manifestându-se în funcţie de tipul dielectricului.
Dielectricii nepolari – în lipsa câmpului electric – sunt neutri din punct
de vedere electric. În prezenţa unui câmp electric exterior E nucleul şi
electronii suferă mici deplasări, astfel încât atomul se comportă ca fiind
format din două sarcini egale şi de semn contrar +q şi –q; acest ansamblu
formează un dipol, un dipol indus, fig.3.3.
De asemenea, fenomenul este caracteristic şi materialelor cu structură
ionică. Astfel, în fig.3.4a se prezintă trei ioni succesivi de pe o linie reticulară

159

3.4 Polarizare de deplasare ionică În cazul în care materialul dielectric este introdus într-un câmp electric. cei trei ioni sunt plasaţi la distanţe egale. forţele de natură electrostatică vor deplasa ionii cu o distanţă d1 faţă de poziţiile iniţiale. ca în fig. Fig. Fiecare pereche de ioni formează câte un dipol carecterizat de către un moment electric elementar p1 . în cazul în care nu se aplică un câmp electric. astfel încât distanţele dintre cele două perechi de ioni se 160 . polarizare de deplasare electronică Datorită distanţei egale la care se află ionii respectivi. respectiv p 2 .3.3. momentul electric elementar rezultant va fi nul: p  p1  p 2  0 (3. vectorii p1 şi p 2 sunt egali şi de sens opus şi din acest motiv.3 Polarizarea dielectricilor nepolari a – atom în absenţa şi b – în prezenţa câmpului electric.4b.8) Fig.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE NaCl. În absenţa câmpului electric.

Sub influenţa câmpului electric E dipolii tind să se rotească.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE vor modifica. după îndepărtarea acestuia cei 3 ioni revenind în poziţiile iniţiale. iar momentele electrice elementare ale dipolilor formaţi nu vor mai fi egale în modul şi în consecinţă. dipoli permanenţi. astfel încît axele lor să coincidă cu direcţia câmpului exterior. care sunt dispuşi dezordonat în material. Fig. Dielectricii polari sunt dielectrici ai căror atomi formează dipoli şi în absenţa câmpului electric E. dar de intensitate de cel puţin de două ori mai mică.5 Dielectric polarizat Pentru materialul dielectric. ce reprezintă densitatea volumetrică a momentelor electrice elementare p . La încetarea câmpului electric E încetează şi polarizarea. ca în fig.3.3. fenomenul se instalează rapid şi durează atât timp cât se menţine câmpul electric. Orientarea dipolilor la aplicarea câmpului electric este rapidă (dar mai lentă decât în cazul polarizării electronice). Fenomenul de formare a dipolilor se numeşte polarizarea dielectricului.10) 161 . având sens contrar câmpului aplicat E. (3.9) După aplicarea câmpului electric. se spune că materialul este polarizat. sub influenţa câmpului electric E exterior. se exprimă cantitativ prin relaţia: P  N dipoli  p . starea de polarizare electrică P . Dipolul produce un câmp electric propriu Ep.5. astfel încât câmpul electric rezultant al dielectricului este nul. fenomenul fiind prezent până la frecvenţe de ordinul miilor de megahertzi. Când dipolii sunt aliniati după direcţia lui E. fenomenul de polarizare constă în formarea de dipoli în cazul materialelor nepolare sau în rotirea dipolilor la materialele polare. În concluzie. Toate materialele polarizate ionic prezintă şi fenomenul de polarizare electronică. momentul electric elementar rezultant va fi nenul: p  p1  p 2  0 (3.

3. 1c. 1. momente 162 . iar p reprezintă momentul electric elementar. Polarizarea de orientare dipolară reprezintă orientarea pe direcţia câmpului electric aplicat a momentelor electrice existente în material.polarizare de deplasare (electronică sau ionică). sub acţiunea câmpului electric. În general. numit curent de polarizare. Polarizarea temporară poate fi: .temporară. starea de polarizare a materialului dielectric se menţine indiferent dacă materialul se află sau nu în câmp electric. La aplicarea unui câmp electric continuu. timp în care se formează şi respectiv se orientează dipolii).permanentă. Ca urmare a fenomenului de polarizare apare şi un curent electric. fig. a ionilor dielectricului. dar o dată instalată. în dielectric apar curenţi de conducţie şi de polarizare. fiind uneori denumit şi polarizare optică datorită faptului că intervine în propagarea prin dielectric a câmpurilor electromagnetice de frecvenţe foarte ridicate situate în domeniul infraroşu. materialele care prezintă numai polarizare de deplasare electronică sunt denumite materiale nepolare. a învelişurilor electronice ale atomilor dielectricului.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE unde Ndipoli reprezintă densitatea volumetrică a dipolilor formaţi în structura materialului. Se spune că un material este polarizat electric dacă produce câmp electric sau dacă introdus într-un câmp electric interacţionează cu acesta. 1b. curenţii de polarizare dispar într-un interval de timp foarte scurt ( τε = 10-13 – 10-15 s. La aplicarea unui câmp electric alternativ curenţii de conducţie şi de polarizare se menţin pe toată durata aplicării câmpului.polarizare de orientare dipolară. vizibil sau ultraviolet. 1a. Starea de polarizare electrică poate fi de două feluri: 1 .2 Tipuri de polarizări Prin stare de polarizare electrică se înţelege starea materiei caracterizată prin momentul electric al unităţii de volum diferit de zero.3. Polarizarea de deplasare electronică reprezintă deplasarea limitată şi elastică. Curenţii de conducţie şi de polarizare produc pierderi de energie care încălzesc materialul şi determină îmbătrânirea materialul. fig.3. sub acţiunea câmpului electric. 2 . dacă nu depinde de intensitatea locală a câmpului electric.4. . Polarizarea de deplasare ionică (atomică) reprezintă deplasarea limitată şi elastică. Acest mecanism de polarizare este o proprietate universală a materiei. Acest mecanism de polarizare este specific dielectricilor cu legături preponderent ionice. 3. ce depinde de intensitatea locală a câmpului electric în care este situat dielectricul şi se menţine numai pe durata aplicării sursei de polarizare (câmpul electric).

piezoelectrică. Astfel de mecanisme de polarizare. Polarizarea spontană reprezintă ordonarea dielectrică care apare pe domenii de temperatură în structuri necentrosimetrice cu axă polară în absenţa câmpului electric exterior. Polarizarea de orientare dipolară este tipică materialelor ale căror molecule prezintă moment electric propriu (molecule polare). starea de polarizaţie spontană depinde de asemenea de temperatură. moleculele de apă se orientează – fig. a. sunt în general nedorite deoarece măresc dependenţa performanţelor dielectrice de frecvenţa câmpului şi de temperatura ambiantă.3. deplasări limitate dar neelastice ale ionilor sau/şi polaronilor. Polarizarea temporară specifică materialelor cu momente spontane se numeşte polarizare de orientare. În prezenţa câmpului electric. datorită orientării momentelor electrice elementare pe direcţia câmpului.. pe pereţi intergranulari etc. materialele fiind denumite materiale polare. interfaciale polaronice etc. Un exemplu tipic îl constituie orientarea haotică a moleculelor de apă H2O în absenţa câmpului electric – fig. Orientarea dipolilor la aplicarea unui câmp electric este lentă. cu localizarea acestora pe defecte ale structurii. din condiţii de minimizare a energiei libere a structurii. Deoarece energia liberă este dependentă puternic de temperatură. polarizări structurale. astfel încât.6b. 2a. motiv pentru care vectorul polarizaţie este nul. b. în absenţa câmpului. denumite uneori. sub acţiunea câmpului electric aplicat. 163 . Polarizarea permanentă poate fi: . iar materialul este nepolarizat.6 Polarizare de orientare Pentru dielectricii a căror structură conţine defecte pot apărea. sunt distribuite aleatoriu sub influenţa energiei termice.6a şi în consecinţă şi cea a momentelor electrice elementare. 2.spontană (piroelectrică). motiv pentru care acest mecanism de polarizare este denumit polarizare piroelectrică.3. fenomenul fiind prezent până la frecvenţe de ordinul sutelor de kilohertzi şi este totodată influenţat de temperatură. Fig.3. vectorul polarizaţie devine nenul şi în consecinţă materialul dielectric devine polarizat. .MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE care.

astfel încât.3.3. Fenomenul piezoelectric direct este specific materialelor dielectrice care în structura lor nu au centru de simetrie – fig. se comportă în câmp electric ca şi fierul în câmp magnetic. aşa cum este prezentat şi în fig. P   Pk  0 (3. Din categoria dielectricilor cu polarizare spontană utilizări practice au cristalele feroelectrice (cristale dielectrice cu polarizare spontană a cărei direcţie sau sens poate fi schimbată prin acţiunea unui câmp electric exterior).8.11) k Prin introducerea materialului feroelectric într-un câmp electric. centrul sarcinii pozitive coincide cu centrul sarcinii negative şi în consecinţă.3. P   Pk  0 (3. momentul electric 164 . Polarizarea piezoelectrică reprezintă polarizarea care apare în structurile necentrosimetrice sub acţiunea tensiunilor mecanice aplicate structurii. duce la încălzirea materialului şi rămâne şi după eliminarea câmpului electric. Cristalele care prezintă polarizare sub acţiunea tensiunilor mecanice (efect piezoelectric direct) posedă de asemenea şi proprietatea de deformare a structurii cristaline sub acţiunea câmpului electric exterior (efect piezoelectric invers). la care acest fenomen este prezent.7a.3.7b. Pentru acest tip de materiale. vectorii polarizaţie Pk ai domeniilor se vor orienta pe direcţia câmpului electric aplicat. iar vectorul polarizaţie rezultant va fi în acest caz nenul – fig.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Deoarece materialele. Orientarea momentelor electrice ale unităţilor polarizabile este aceeaşi în diferite volume macroscopice (domenii) ale materialului. în absenţa unei forţe externe. orientat independent faţă de cei specifici celorlalte domenii polarizate.7 Polarizare spontană Fenomenul de polarizare piroelectrică permanent este lent. 2b. fiecare domeniu este caracterizat de către un vector de polarizaţie nenul Pk .12) k a – câmp electric nul b – câmp electric nenul Fig. Datorită orientării haotice a acestor vectori. aceste materiale se mai numesc şi materiale feroelectrice. vectorul polarizaţie rezultant pentru întregul material este nul.

acesta se polarizează (vectorul polarizaţie devine nenul) şi în consecinţă. în care se consideră un material dielectric izolat. centrul sarcinii electrice pozitive devine diferit de centrul sarcinii electrice negative şi astfel.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE elementar al dipolului astfel format este zero. aplicate pe direcţia j. fig.7). prin aplicarea unei forţe mecanice Fj. a. indus pe direcţia i. nu mai este nulă.3.3. în materialul dielectric nu există feneomene de polarizare. este următoarea: P i dijF j. distanţa d dintre sarcina pozitivă şi cea negativă. (3.9 Efectul piezoelectric direct Relaţia dintre vectorul polarizaţie Pi. specific materialului dielectric. Fig. care formează dipolul. a. care realizează conversia dintr-o mărime mecanică în una electrică. numite traductoarelor piezoelectrice.3.9a. Prin aplicarea unei forţe externe. 165 . Prin aplicarea unei forţe mecanice asupra materialului. momentul electric elementar al acestuia devine nenul şi deoarece vectorii momentelor electrice elementare sunt proiectaţi după direcţia forţei externe aplicate. care formează dipolul. fiind 0 – relația (3. Fig.3. se remarcă apariţia sarcinilor electrice la suprafaţa materialului respectiv. În acest caz. De exemplu. în material se instalează starea de polarizare. asupra căruia nu se aplică nici un câmp electric sau forţă mecanică. b.13) unde dij este coeficientul piezoelectric. Materialele dielectrice la care este prezent efectul piezoelectric direct sunt utilizate pentru realizarea unor dispozitive. b. deoarece distanţa d dintre sarcina pozitivă şi cea negativă.9b.8 Fenomenul piezolelectric direct Efectul piezoelectric direct este prezentat în fig.

fig. este următoarea: (3. prin aplicarea unui câmp electric Ej. acesta poate să comprime materialul. Sarcina Q este proporţională cu tensiunea U aplicată conform relaţiei: 166 . unde dij este coeficientul piezoelectric. b. de exemplu. fig. Stări de polarizaţie cvasipermanente (denumite polarizări de tip electret) pot fi create în anumite tipuri de dielectrici prin tratament termic în câmp electric (termoelectret). aplicat pe direcţia j.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE pe baza acestor materiale dielectrice se pot realiza dispozitive care detectează vibraţiile mecanice şi le transformă în mărimi electrice. se aplică o tensiune sinusoidală.3. specific materialului dielectric. 3. De exemplu. iluminare în prezenţa câmpului electric (fotoelectret). astfel de dispozitive fiind utile. Prin aplicarea unui câmp electric asupra unui material dielectric. funcţie de frecvenţă. a. ci mai multe dintre mecanismele de polarizare. în realizarea microfoanelor. Efectul piezoelectric invers este prezentat în fig. i se aplică o tensiune continuă U. prevăzut cu electrozi. Relaţia dintre forţa mecanică Fi de deformare a materialului dielectric. semnul sarcinilor pe armături se inversează în permanenţă. armăturile condensatorului se încarcă cu sarcini egale şi de sens contrar +Q şi –Q. iar dacă condensatorului i se aplică o tensiune alternativă. De menţionat că într-un dielectric îşi manifestă prezenţa în majoritatea cazurilor nu numai unul.10.3. dacă asupra unui cristal de quartz.10b.14) Fi  dij E j .3.10 Efectul piezoelectric invers Materialele dielectrice la care este prezent efectul piezoelectric invers sunt utilizate pentru realizarea unor dispozitive care realizează conversia dintr-o mărime electrică în una nelectrică. Obs. indusă pe direcţia i.11.1 Funcţia de dielectric pentru condensatoare Dacă unui condensator cu dielectric aer (vid).3.3.3.3 Funcţiile dielectricilor 3. acesta va genera vibraţii mecanice. iradiere cu radiaţii β (pseudoelectret).10a sau să-l extindă. Fig. fig.

3.3.12. Mărimea care caracterizează dielectricul din acest punct de vedere se numeşte constantă dielectrică sau permitivitate absolută  . iar expresia capacităţii va fi: C   S / d   0 r S / d   r C0 (3. capacitatea depinde şi de natura dielectricului care există între cele două armături fig. conform relaţiei: (3. Fig.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Q  C0U .15) unde C0 este factor de proporţionalitate şi poartă numele de capacitate electrică a condensatorului în vid şi se măsoară în farazi [F].16) C0   0 S / d şi unde:  0 este permitivitatea electrică a vidului. cu cât suprafaţa S a armăturilor este mai mare şi cu cât distanţa d dintre armături este mai mică. Capacitatea condensatorului este cu atât mai mare.18) De unde rezultă permitivitatea relativă a dielectricului  r ce reprezintă raportul dintre capacitatea condensatorului C având între armături dielectricul considerat şi capacitatea aceluiaşi condensator având ca dielectric vidul C0:  r  C / C0 (3.3.12 Condensator cu material dielectric între armături Permitivitatea absolută este dată de relaţia:    0 r .11 Condensator cu dielectric vid Se înţelege că.19) 167 . Fig.17) (3. (3.

Un material dielectric cu permitivitatea complexă relativă  se introduce între armăturile unui condensator ce are capacitatea C0 în vid. În aproximaţia că liniile câmpului electric se închid în întregime prin material (efectele de margine sunt neglijabile).000 pentru compuşi ai bariului. se consideră 1 pentru r  toţi dielectricii gazoşi şi poate ajunge la valori până la 10.20)  1 2 2 / 1 22  F 4 0 r 4 r 0 Permitivitatea relativă  r are valoarea 1 pentru vid.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE De asemenea.22) Fig.13 Schema echivalentă şi diagrama vectorială pentru un condensator cu material dielectric între armături Deci condensatorul cu material dielectric între armături este echivalent unui condensator fără pierderi având capacitatea de   ori mai mare: Cech   C0 (3. dacă are o astfel de structură încât valorile locale ale mărimilor care caracterizează acele proprietăţi nu variază cu direcţia la care se referă) cu câmpul electric este caracterizată în domeniul liniar de permitivitatea complexă relativă: (3.21)  r     j   D /  0 E . Interacţiunea unui dielectric izotrop (din punct de vedere al unor proprietăţi. permitivitatea relativă a unui mediu arată de câte ori forţa de interacţiune dintre două corpuri încărcate electric este mai mare în vid decât în mediul respectiv: F0 qq qq  (3. fig. unde D şi E sunt reprezentarea în complex simplificat a inducţiei câmpului electric şi a intensităţii câmpui electric. admitanţa la bornele condensatorului are expresia: Y  G  jC Y  jC0  jC0    j     C0  j C0 (3.13.23) 168 .3.3.

Principala funcţie pe care dielectricul o îndeplineşte prin introducerea sa între armăturile condensatorului constă deci. caracterizează dielectricul din punct de vedere al pierderilor de energie în material.  . constituie pierderile în dielectric. Prin introducerea dielectricului în câmp electric. dacă se consideră o variaţie bruscă a câmpului electric. cât şi în cea a circuitelor integrate hibride. îmbătrânesc materialul sau în cazul cel mai rău îl distrug. valoarea polarizaţiei temporare corespunzătoare câmpului electric aplicat va fi atinsa după un interval de timp Δt. pierderile de energie în dielectric se datoresc numai curentului de conducţie. indiferent de mecanismul său de polarizare (se numesc dielectrici pentru că au capacitatea de a se polariza sub acţiunea câmpului electric). partea reală a permitivităţii complexe relative. care fiind foarte mic şi pierderile corespunzătoare sunt mici (materialele dielectrice conţin o concentraţie redusă de purtători de sarcină electrică mobili şi deci au o conductivitate electrică nenulă).MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE şi unei rezistenţe de pierderi în paralel de valoare: Rech  1 1  G  C0 (3.24) Din relaţíile de echivalare şi schema condensatorului echivalent se observă că: .25) E  t   E0 sin t  . Energia disipată în unitatea de timp sub influenţa şi pe seama câmpului electric. În cazul tensiunii alternative. aceste pierderi (determinate de curentul de conducţie şi de polarizare) sunt mult mai mari şi. Astfel. La o variaţie sinusoidală a câmpului electric : (3.  . o parte din energia câmpului se disipă în material transformându-se în majoritatea cazurilor în căldură. Procesul de urmărire întârziată a polarizaţiei la variaţii rapide ale câmpului electric exterior poartă numele de postefect. În cazul în care dielectricul este supus unei tensiuni continue. polarizaţia temporară se modifică de asemenea sinusoidal. cu un defazaj ”în urmă”. în creşterea de   ori a capacităţii condensatorului la aceleaşi dimensiuni geometrice. Proprietatea este larg utilizată atât în tehnica condensatoarelor discrete. reprezintă permitivitatea electrică elastică şi arată efectul de creştere a capacităţii electrice iar . partea imaginară. caracterizează dielectricul din punctul de vedere al capacităţii sale de a polariza. datorită postefectului: 169 . transformându-se în căldură. reprezintă permitivitatea electrică vâscoasă şi arată efectul de încălzire a dielectricului datorită fenomenelor de polarizare lente.

 r (0).2).26) este o mărime complexă.15 Permitivitatea relativă normată Astfel.14. Variaţia componentelor permitivităţii relative complexe cu pulsaţia câmpului electric este prezentată în fig. în funcţie de  r de curent continuu. Fig. permitivitatea electrică elastică scade pe măsură ce pulsaţia şi în consecinţă frecvenţa câmpului electric aplicat asupra dielectricului creşte.3.3.3. aplicând asupra materialului o excitaţie variabilă în timp.14 Variaţia componentelor permitivităţii relative complexe cu pulsaţia După cum se observă.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE P  t    0 e   E0 sin t      Întrucât e (3. la frecvenţe înalte. Fig. având forma unei elipse cu vârfuri ascuţite. vectorii D şi E nu mai sunt coliniari. în conformitate cu relaţia (3. iar dependenţa polarizaţiei de intensitatea câmpului electric nu mai este liniară. va avea următoarea expresie analitică: 170 . în material se defineşte un  r de curent alternativ care. Deci şi în cazul materialelor dielectrice se poate determina o frecvenţă limită superioră până la care proprietatea de material  r există şi se manifestă în dielectric.

Scăderea valorii modulului permitivităţii relative la valoarea:  r.27) unde   este constanta de timp de polarizare dielectrică.cc 1   2 2 (3.ca   r. Pentru dielectricul real curentul I este defazat faţă de tensiunea U cu un unghi φ < π/2. raportul: Pa UI R UU / Rech 1 1        . (3.15. pierderile în dielectric reprezintă putere activă: (3.707 se obţine pentru  1.3. prin sursă.3. De asemenea.ca  1  j   r. permitivitatea relativă complexă .31) . Complementul unghiului de defazaj se notează cu δ (δ = π/2 – φ) şi se numeşte unghi de pierderi (fig. se poate scrie şi sub forma:      r    1  j     1  jtg      171 (3. Astfel. Se defineşte ca tangentă a unghiului de pierderi al materialului. N  r . ar fi defazat înaintea tensiunii cu un unghi φ = π/2. El este cu atât mai mare cu cât curentul care trece prin dielectric este mai mare. (3. N  0.14. Variaţia permitivităţii electrice vâscoase  r .21). Un bun izolant trebuie să aibă tgδ cât mai mică.13). la dielectricul ideal. Reprezentarea grafică a modulului prmitivităţii relative este prezentată în fig.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE  r.cc  1 sau  r. prezentând pierderile cele mai mari.29) Pa  UI R  UI cos Dacă dielectricul condensatorului ar fi ideal (nestrăbătut de curenţi). ar rezulta cosφ = 0 şi Pa = 0. curentul care se stabileşte în circuit între cele două armături. relaţia (3. din fig.30) 1 Pr UI C UU Cech Cech Rech  C  0  C0 unde Pa şi Pr sunt puterea activă şi reactivă la bornele condensatorului. tg   Pentru diverşi dielectrici tgδ variază între 10-1 şi 10-4. S-a stabilit că pierderile în dielectricii supuşi la tensiuni alternative sunt proporţionale cu tangenta acestui unghi. ceea ce indică faptul că. de unde:  1    . materialul dielectric se încălzeşte cel mai puternic.3. la această pulsaţie. are un maxim pentru o anumită pulsaţie denumită pulsaţie critică.28) ce reprezintă pulsaţia limită la înaltă frecvenţă pentru pemitivitatea dielectrică relativă.

3. după cum urmează: . solicitările mecanice.pierderi prin conducţie electrică – ce se evidenţiază atunci când conductibilitatea materialului este şi ea ridicată. la fel ca la materialele magnetice.3. E (3.32) Ca şi la studiul proprietăţilor materialelor magnetice şi la materialele dielectrice se pun în evidenţă domenii de polarizare electrică spontană. .16 Cicluri de histerezis dielectric Astfel. pierderile în dielectrici se clasifică în: .pierderi prin ionizare – ce se evidenţiază la dielectricii gazoşi sau care au incluziuni gazoase ce trebuie ionizate. prezentate în fig. reprezentând pierderile în dielectrici (  r ). La aplicarea unui câmp electric.permitivitatea absolută ca fiind raportul:    0 r  D .3. .33) 172 .pierderi de neomogenitate structurală. Va exista deci şi un histerezis dielectric cu diferite forme de variaţii D=f(E).). . o parte din energia câmpului E este cheltuită cu orientarea tuturor vectorilor de polarizare în sensul câmpului aplicat. din cauza neliniarităţii.16. Pe ciclurile de histerezis din fig. intensitatea câmpului magnetic etc.pierderi prin polarizare – proporţionale cu suprafaţa ciclului de histerezis. pentru caracterizarea materialului dielectric se folosesc mai multe moduri de definire a permitivităţii dielectrice (care depinde de compoziţia materialului. în care dipolii electrici sunt orientaţi paralel.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Inversul tangentei unghiului de pierderi se numeşte factor de calitate al materialului dielectric: Q  1   Cech Rech  tg    (3. tratamentele termice. Polarizare de deplasare electronică Polarizare de orientare (de relaxare) Polarizare spontană Fig.16.

adică capacitatea condensatorului neliniar va varia. 3.st  1 D 0 E (3. .85410-12 F/m) este permitivitatea absolută a vidului. în special pentru domeniul frecvenţelor înalte. o pemitivitate redusă.permitivitatea relativă diferenţială:  r .MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE unde  0 = (1/36π)10-9 F/m (sau 8. modificând astfel curentul prin circuitul de sarcină. stabilizatoare dielectrice de curent şi de tensiune.3 Funcţii neliniare şi parametrice Pentru clasa cristalelor feroelectrice.34) .13 este mare. În funcţie de valoarea tensiunii de comandă. Pe acest principiu.3. În câmpuri electrice intense. adică o valoare mică a capacităţii echivalente Cech din fig. cu modificări corespunzătoare ale schemelor se realizează: amplificatoare dielectrice.35) În funcţie de natura pierderilor se poate studia dependenţa permitivităţii  r de frecvenţă şi temperatură:  r = f(ω. materialul trebuie să prezinte simultan cu valoarea ridicată a rezistenţei de izolaţie. valoarea rezistenţei echivalente Rech din fig.T) pentru fiecare tip de polarizare. 3.permitivitatea relativă statică:  r . modulatoare dielectrice pentru modulaţie de amplitudine sau de modulaţie de fază.3. Valoarea intensităţii câmpului la care acest fenomen se produce poartă numele de rigiditate dielectrică.3.2 Funcţia de izolaţie electrică Pierderile în dielectrici fiind în general reduse. permitivitatea reală relativă  r este dependentă de valoarea efectivă a câmpului electric alternativ şi de intensitatea câmpului electric continuu aplicate dispozitivului. pentru a evita cuplajul capacitiv între piesele izolate.4 Funcţia de traductor piroelectric Variaţia cu temperatura a polarizaţiei spontane a cristalelor feroelectrice permite acestora îndeplinirea funcţiei de transformare a fluxului incident de 173 .3.3.13.dif  1 D   limE 0  0  E  (3. 3. dielectricul pierde proprietatea sa de izolaţie prin străpungere dielectrică. În acest scop. permitivitatea reală a feroelectricului. adică dielectricii îndeplinesc în foarte bune condiţii funcţia de izolaţie între piese conductoare de cele mai diverse tipuri.

filtre pentru gaze. Pe baza acestei funcţii se realizează dispozitive de afişaj alfanumerice sau analogice şi memoriile optodielectrice de mare capacitate. cât şi funcţia de traductor piezoelectric invers. 3. Interacţiunea undelor luminoase şi a undelor elastice în interiorul sau la suprafaţa unui mediu dielectric permite realizarea funcţiei de deflexie comandată electric. câmp util în aparate ca: electrometre.4 Polarizarea de deplasare a dielectricilor (electronică şi ionică) 3. transformînd energia mecanică în energie electrică (micrefoane cu cristal. linii de întârziere). traductoare pentru sudură cu ultrasunete.6 Funcţia de traductor electrooptic Proprietăţile electrooptice ale cristalelor cu polarizare spontană (cristalele feroelectrice.35 μm). 3. transformând energia electrică în energie mecanică (traductoare pentru curăţire cu ultrasunete. dozimetre. Variaţia câmpului electrostatic prin varierea interstiţiului permite realizarea traductoarelor de vibraţii şi a microfoanelor cu electret.3. Pe acest principiu se realizează traductoarele piroelectrice în infraroşu (banda 2. care se propagă prin dielectric.). precum şi detectoarele în unde milimetrice şi submilimetrice.4.5 Funcţia de traductor piezoelectric Cristalele cu polarizare piezoelectrică îndeplinesc în dispozitive atât funcţia de traductor piezoelectric direct. filtre) sau cu undă elastică de suprafaţă (filtre trece-bandă nedisipative. transformatoare ceramice. Efectul piezoelectric se află de asemenea la baza familiei de dispozitive funcţionale cu undă elastică de volum (rezonatoare. filtre optimale. 3.1 Modelul teoretic al dielectricului cu polarizare de deplasare. fără pierderi prin conducţie Pentru calculul polarizabilităţii şi determinarea dependenţei temporare a acesteia în funcţie de forma câmpului exterior aplicat. doze pick-up.3..3. generatoare de tensiune înaltă pentru aprindere etc. a unui fascicul luminos. antene emiţătoare de ultrasunete etc.7 Funcţia de electret Polarizaţia remanentă de lungă durată a electreţilor permite crearea unui câmp electrostatic în interstiţiul dielectric-armătură.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE energie în energie electrică.. codoare şi decodoare pentru semnale modulate în fază. în cazul dielectricilor cu 174 . cristalele lichide) permit acestora îndeplinirea funcţiei de modulare comandată electric a intensităţii unui fascicul luminos transmis sau reflectat de către dielectric.). 3.

(3. ecuaţia de mişcare la anularea câmpului este de forma: d 2z dz 2  2    z  0.39)     st         0 (3.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE polarizare de deplasare se consideră următorul model de bază: sarcinile electrice sunt legate elastic în poziţiile de echilibru (electronii legaţi „elastic” de nucleu.36) este: unde:    z  z0e 1   t   cos(0t  0 ) .36) unde: 2β este factorul de amortizare.34): (3. polarizabilitatea va varia în timp după o lege analogă relaţiei (3. la anularea câmpului ele revin în aceste poziţii prin mişcări oscilatorii amortizate. (3. 2 Pentru cazul practic al amortizărilor foarte mici (β2 <<  0 ) soluţia ecuaţiei (3. 0 – faza iniţială (constantă de integrare).39) rezultă: 175 .40) 0 unde   este valoarea permitivităţii pentru o frecvenţă a câmpului ce tinde către infinit. La aplicarea câmpului electric sarcinile se deplasează din poziţiile lor de echilibru. z0 – amplitudinea oscilaţiei (constantă de integrare). Dacă deplasările sarcinilor au loc pe direcţia axei Oz. ω0 – pulsaţia proprie de rezonanţă a particulei care se deplasează. Cunoscând dependenţa în timp a polarizabilităţii se poate determina dependenţa de frecvenţă a permitivităţii complexe (particularizând pentru cazul dielectricilor relaţiile fundamentale de răspuns ale unui sistem liniar la o excitaţie exterioară. 0 dt 2 dt (3. Pentru pulsaţii ale câmpului mai mici decât pulsaţia de rezonanţă a particulei care se deplasează (   0 ) din relaţia (3. Momentul electric elementar fiind proporţional cu deplasarea din poziţia de echilibru rezultă că la anularea câmpului. ionii din nodurile reţelei cristaline legaţi „elastic” de ionii vecini).38)  (t )   (0)et / cos(0t  0 ) . cu respectarea principiului suprapunerii efectelor şi a principiului cauzalităţii şi unde α(0) – este polarizabilitatea la momentul iniţial):         (t )e jt dt .37) este constanta de timp de relaxare (timpul în care amplitudinea oscilaţiei scade la 1/e din valoarea maximă). generând polarizarea de deplasare.

41) Fig. rezultă că la pulsaţii ale câmpului mai mici decât cele de rezonanţă proprie ale electronilor. Din relaţiile (3. fără pierderi prin conducţie Pentru acest domeniu de frecvenţă (care atinge pentru dielectricii cu polarizare de deplasare electronică aproximativ 10.40).17 Dependenţa de frecvenţă a permitivităţii relative pentru dielectricii cu polarizare de deplasare.17. conform relaţiei: Y  jC0  j    j   C0  j C0  j st C0  jC (3.3. fig. iar ale ionilor în spectrul infraroşu ( 0 ≈ 2π1013 rad/s). Fig.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE unde s-a notat cu  st valoarea permitivităţii reale la frecvenţe foarte joase. fără pierderi prin conducţie Pulsaţiile proprii de rezonanţă ale electronilor atomilor se află în spectrul vizibil ( 0 ≈ 2π1015 rad/s).3.18 Schema echivalentă a condensatorului cu dielectric cu polarizare de deplasare. reprezentate grafic în fig. dielectricii cu polarizare de deplasare au permitivităţi reale constante (     st ) şi pierderi prin polarizare nule (    0 ). iar pentru cei cu polarizare de deplasare ionică aproximativ 100 GHz) schema echivalentă a unui condensator cu dielectric ideal (fără pierderi prin conducţie) se reduce la o capacitate cu valoarea  st C0 .3.18.3.000 GHz. Pentru pulsaţii de acelaşi ordin de mărime ale câmpurilor electrice 176 .

Natura ionilor care produc conducţia electrică depinde de de tipul legăturii în dielectric. încălzirea puternică a dielectricului) sau prin ionizare prin ciocnirea de moleculele gazului a particulelor încărcate. Dependenţa curent-tensiune în cazul dielectricilor gazoşi este prezentată în fig. conducţia electrică se datoreşte ionilor şi electronilor liberi care apar prin ionizare datorită factorilor externi (radiaţii ultraviolete. radioactive. dând naştere curentului de conducţie. goluri. 3. (3. fig. purificarea dielectricului conduce la o creştere însemnată a rezistivităţii volumetrice. cât mai ales prin creşterea mobilităţii purtătorilor de sarcină. conducţia electrică este strâns legată de structura moleculelor lichidelor. În dielectricii lichizi. ioni) care se pot deplasa sub acţiunea câmpului electric aplicat.   0 ) permitivitatea reală redevine constantă (      ) iar pierderile prin polarizare tind repede către zero (    0 ).3. În lichidele cu polarizare de deplasare conducţia electrică depinde esenţial de existenţa impurităţilor disociate în lichid.17. accelerate de câmp. dependenţa de frecvenţă a permitivităţii reale şi a pierderilor prin polarizare fiind tipice fenomenelor de rezonanţă. de tipul: B Tb  e . conducţia este legată în primul rând de prezenţa ionilor impuritate. conducţia electrică este preponderent ionică şi se datoreşte în special defectelor de tip Frenkel sau Schottky (defecte punctuale) din structura dielectricului. T (3. pentru câmpuri inferioare valorilor 105 – 106 V/m. Pentru pulsaţii foarte mari ale câmpurilor electrice aplicate (mai mari decât pulsaţiile proprii de rezonanţă. Pentru dielectricii cu legături preponderent covalente. În acest caz. Dependenţa conductivităţii volumetrice de temperatura absolută este de tip exponenţial:   Ae  a T . În dielectricii solizi. Roentgen. Conductivitatea ionică depinde de temperatură tot după o lege exponenţială. Creşterea temperaturii conduce la creşterea conductivităţii volumetrice atât prin creşterea gradului de disociere. cosmice.3. În acest caz.2 Pierderi prin conducţie în dielectrici (dielectrici reali) Dielectricii reali posedă o concentraţie de sarcini electrice “libere” foarte mică (electroni.42).19. În dielectricii gazoşi.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE aplicate (   0 ) intervin fenomene de rezonanţă.43) unde B şi b sunt de asemenea constante de material foarte slab dependente de temperatură ca şi constantele A şi a din relaţia (3. poate fi 177 .4.42) unde a şi A sunt constante ce caracterizează dielectricul lichid.

dielectrici insolubili în apă.Rs este scăzută şi depinde în mare măsură de umiditate (sticlă alcalină). pentru care rezistivitatea superficială .44) J  E. fig. pentru care rezistivitatea superficială . forma liniilor de câmp electric şi de curent de conducţie vor coincide. Fig. zona Poole din fig. 178 . .dielectrici cu structură poroasă care. Pentru toate tipurile de dielectrici solizi. ceea ce generează o cantitate mică de purtători de sarcină liberi. producând ionizări prin ciocnire ale atomilor sau ionilor dielectricului (conducţia electrică devine neliniară.20 Dependenţa curent-câmp electric în cazul dielectricilor solizi La suprafaţa dielectricilor solizi. conducţia electrică este condiţionată îndeosebi de prezenţa umidităţii. La câmpuri peste 108 V/m aceste ionizări conduc la străpungerea dielectricului.3. Pentru dielectricii solizi cu structură ionică.dielectrici parţial solubili în apă. îndepărtarea impurităţilor de pe suprafaţa dielectricului conduce la creşterea rezistivităţii superficiale Rs. cât şi ionilor principali ai reţelei aflaţi în defecte ale acesteia.3. conducţia se datoreşte atât deplasării ionilor de impuritate (în special la temperaturi joase). dielectricii solizi pot fi împărţiţi în trei grupe: . . Pentru o sarcină Q înmagazinată pe armături sub diferenţa de potenţial U.19 Dependenţa curent-tensiune în cazul dielectricilor gazoşi Fig.20). dependenţa între permitivitatea complexă relativă şi conductivitate se obţine considerând un dielectric cu pierderi prin conducţie între armăturile de formă oarecare ale unui condensator. Conducţia electronică (electroni şi goluri) în dielectricii solizi la câmpuri sub 106 V/m este în general neglijabilă datorită lărgimii mari a zonei interzise (ΔWD>5eV). În cazul real al existenţei pierderilor prin conducţie electrică. datorită structurii lor au o mică rezistivitate în mediul umed (celuloid). conducţia electronică devine importantă.Rs are valori mari şi depinde foarte puţin de umiditatea mediului ambiant (micalex).3.3.21: (3. Din acest punct de vedere.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE obţinută o purificare electrică prin trecerea îndelungată a curentului prin dielectric. Pentru câmpuri electrice mai mari de 106 V/m.

Notând cu I intensitatea curentului de conducţie şi definind o suprafaţă închisă Σ care intersectează totalitatea liniilor de câmp şi care conţine în interior sarcina înmagazinată pe armătura superioară.21 Forma liniilor de câmp şi de curent Fig.3.46)   Crp . raportul Q/I se poate exprima prin: Q CU (3. atunci raportul Q/I are expresia: Q  I  DdA     EdA     JdA   EdA    0 st  0 st . (3.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE unde J este vectorul densitate a curentului de conducţie. ţinând seama de pierderile prin conducţie.22. I U / rp unde C   st C0 reprezintă capacitatea condensatorului cu dielectric între armături iar rp – rezistenţa de pierderi prin conducţie. Deci. constanta de timp a grupului condensator-rezistenţă rezultă din egalitatea relaţiilor (3.3.45) şi (3.3. condensatorul cu dielectric între armături are schema echivalentă din fig.22 Schema echivalentă a condensatorului cu dielectric cu polarizare de deplasare şi pierderi prin conducţie 179 (3.47) .45)  În alt mod.46):  p  Crp  p p  0 st de unde rezultă: rp   C  st C0  Fig.

conform relaţiei (3. iar dacă temperatura se modifică.23 Dependenţa de frecvenţă la temperatură constantă a permitivităţii reale (a. pentru dielectricii cu polarizare de deplasare şi pierderi prin conducţie 180 .3.3.3.48) (3.22 este valabilă pentru dielectricii cu polarizare de deplasare la frecvenţe ale câmpului electric inferioare frecvenţei proprii de rezonanţă a particulelor care se deplasează.3.23. Fig.50) sunt reprezentate grafic în fig. 3.43).49) se obţin expresiile părţii reale şi imaginare a permitivităţii complexe relarive şi.22 are expresia:  1 1   j st C0  j   st  j  C0  rp r  C p 0   Y  jC0  j    j   C0 Y (3. conform relaţiilor (3.).4. tangenta unghiului de pierderi se va modifica la fel ca şi conductivitatea după o lege exponenţială. este tot o mărime constantă. cu ajutorul acestora.) şi a tangentei unghiului de pierderi (b. la temperatură constantă.43) şi (3.3 Dependenţa de frecvenţă şi temperatură a permitivităţii complexe relative pentru dielectrici cu polarizare de deplasare Admitanţa de intrare a schemei din fig. a tangentei unghiului de pierderi:    st    1 1 1      0 st rpC0  0 st C C0  0 0 C  st C0 tg   (3.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Schema echivalentă din fig. Dacă temperatura este constantă ş i conductivitatea  .49) Prin identificarea relaţiei (3.50).48) cu relaţia (3.50)   0 st Relaţiile (3.

conducând la micşorarea permitivităţii reale prin creşterea temperaturii).) pentru dielectricii cu polarizare de deplasare şi pierderi prin conducţie La frecvenţă constantă dependenţa de temperatură a tangentei unghiului de pierderi este condiţionată de dependenţa exponenţială de temperatură a conductivităţii electrice.) şi a tangentei unghiului de pierderi (b. 181 .3. relaţiile (3.24. în cazul dielectricilor cu polarizare de deplasare electronică permitivitatea reală scade uşor prin creşterea temperaturii deoarece. printre care bioxidul de titan. În ceea ce priveşte variaţia cu temperatura. (ce posedă evident şi polarizare de deplasare electronică. scade numărul momentelor electrice elementare pe unitatea de volum.51) este deci negativ (    < 0) şi foarte mic în valoare absolută. Coeficientul de temperatură al permitivităţii definit ca:    1 d    dT (5. adică o valoare mai mare a permitivităţii reale.o micşorare a forţelor elastice care acţionează asupra ionilor prin creşterea distanţei dintre ei. . prin dilatare termică.43).42) şi (3. pentru care cel de-al doilea efect predomină.o micşorare a numărului momentelor electrice elementare pe unitatea de volum. adică o micşorare a permitivităţii reale.3. deci coeficientul de temperatură al permitivităţii este pozitiv (    > 0) şi relativ mic (există şi unele excepţii notabile. deci o polarizabilitate mai mare a celulei elementare. fig.24 Dependenţa de temperatură la frecvenţă constantă a permitivităţii reale (a. Fig. proprietate universală a materiei) dilatarea termică conduce la apariţia a două efecte de sens contrar: . În cazul dielectricilor cu polarizare de deplasare ionică. Pentru marea majoritate a dielectricilor cu polarizare de deplasare ionică primul efect este preponderent.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Dielectricii cu polarizare de deplasare au deci permitivitate reală constantă cu frecvenţa până la frecvenţele de rezonanţă proprie a electronilor sau ionilor reţelei şi pierderi dielectrice mici (pierderi prin conducţie) invers proporţionale cu frecvenţa câmpului electric.

polarizaţia este nulă.25 sunt reprezentate diagramele electrice corespunzătoare diferitelor stări. În absenţa acestuia.52) N A  0  NB  0  N / 2 . sau: (3. bariera de potenţial se micşoreaza cu We. în care momentele electrice au aceeaşi direcţie cu a câmpului electric aplicat. sau: (3.53) NB t   N A t  inegalitatea fiind cu atât mai pronunţată. astfel încât. Aplicând sistemului de momente electrice elementare statistica Boltzmann. favorizând tranziţiile momentelor electrice din starea A în starea B. cu excepţia temperaturilor foarte ridicate. cu cât intensitatea câmpului electric este mai ridicată. Astfel. cele două stări sunt egal probabile. unde N reprezintă numărul total de stări A şi B. în momentul iniţial. când se aplică câmpul exterior. la dielectricii cu polarizare de orientare. iar polarizaţia temporară este diferită de zero. la care pierderile prin conducţie cresc puternic datorită dependenţei exponenţiale.54) 182 . În prezenţa unui câmp electric exterior momentele electrice tind să se orienteze în direcţia câmpului.3. Polarizabilitatea sistemului de momente electrice variază în timp proporţional cu această diferenţă.1 Modelul teoretic al dielectricilor cu polarizare de orientare şi pierderi prin conducţie În absenţa câmpului electric exterior. cu orientare identică cu cea a momentelor din starea B. Numărul de momente electrice din starea A este egal cu cel corespunzător stării B. momentele electrice elementare sunt distribuite aleatoriu datorită agitaţiei termice. Aceasta ipoteza nu exclude posibilitatea existenţei unor stări diferite de stările A şi B. în absenţa sau în prezenţa câmpului electric exterior. (3. În prezenţa câmpului electric exterior.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Pentru dielectricii cu polarizare de deplasare rezultă o comportare suficient de constantă cu temperatura ambiantă.5. conform unei relaţii de forma:  t     0 e  t  . În fig. ele fiind separate printr-o barieră de potenţial Wo. 3. Modelul teoretic simplificat presupune două stări stabile ale dipolilor: A şi B. din punct de vedere macroscopic. rezultă că diferenţa N B  t   N A  t  variază exponenţial cu timpul.5 Polarizarea de orientare a dielectricilor 3. numărul momentelor din starea B va fi superior celui corespunzător stării A. doar că aceste stări sunt presupuse mai puţin probabile. Energia We reprezintă lucru mecanic efectuat de câmp pentru a modifica orientarea momentului electric din starea A în starea B. dar sensuri opuse.

27 şi porneşte de la o valoare   (care apare instantaneu) la  st . Fig. (3. 3.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE unde:   t  este polarizabilitatea la momentul iniţial.39). expresia (3.26.3. se obţine:   0   .26 Variaţia polarizării Variaţia în timp a inducţiei electrice şi permitivităţii la acţiunea unui câmp salt E. aplicat la bornele unui condensator cu dielectric cu polarizare de orientare.55) 0 1  j  Folosind notaţiile:    st . (b) în prezenţa câmpului electrice exterior Introducând relaţia (3.54) în relaţia (3. ce cumulează efectele polarizării.55) devine:      j       1  j       2 1  j  1     (3. 183 .3. iar   este constanta de timp de relaxare.25 Relieful de potenţial pentru un dielectric cu două stări stabile: (a) fără câmp electric exterior. fig.56) Fig. care au         0  e  t   jt dt     semnificaţia din fig. este exponenţială. pentru  = 0 şi    st    .3. ce apare după un timp   = constanta de timp de polarizare sau relaxare. care se aplică şi dielectricilor cu polarizare de orientare.

3.46) cu rezistenţa de perderi prin conducţie: rp   (3.3.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Prin identificare se obţin expresiile părţii reale şi imaginare a remitivităţii complexe relative ş i. Fig. tangenta unghiului de pierderi pentru un dielectric fără pierderi prin conducţie:          tg    1     2   2 1          st       (3.27b a cărei admitanţă de intrare are expresia: 184 .3.27 Schema echivalentă a condensatorului cu dielectric cu polarizare de orientare: (a) fără pierderi prin conducţie şi (b) cu pierderi prin conducţie Deoarece în cazurile reale dielectricii cu polarizare de orientare prezintă şi pierderi prin conducţie. cu ajutorul acestora. schema echivalentă din fig.57) 2 În fig. sintetizată astfel încât permitivitatea complexă a dielectricului să varieze cu frecvenţa conform relaţiilor (3.27a trebuie să fie completată conform relaţiei (3.57).3.27a este prezentată schema echivalentă a condensatorului cu dielectric cu polarizare de orientare şi pierderi prin polarizare.58)  st C0 şi se obţine schema echivalentă din fig.

limitând numărul stărilor stabile ale momentelor electrice elementare la numai două.60).MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Y  j C0  1  1  C0  jC0    st C0  (3.60) 2  st 1           2   2    st          Rezultatele obţinute teoretic prin relaţiile (3. stabilite pe baza relaţiilor (3.60).al doilea pentru 2  1   st .49) se obţin expresiile părţilor reală şi imaginară ale permitivităţii complexe relative şi. Tangenta unghiului de pierderi are în general valori mari şi puternic dependente de frecvenţă. cu ajutorul acestora. datorat pierderilor prin polarizare. datorită inerţiei orientării momentelor elementare atunci când frecvenţa creşte.28b. La frecvenţe ridicate (    ).primul pentru 1  0 . se observă că la temperatură constantă. care simplifică mecanismele de polarizare din dielectric.2 Dependenţa de frecvenţă şi temperatură a permitivităţii relative complexe pentru dielectricii cu polarizare de orientare şi pierderi prin conducţie Din diagramele reprezentate în fig.61) rezultă două maxime în funcţie de frecvenţă: . 3. permitivitatea reală descreşte monoton cu frecvenţa.59) Prin identificare cu relaţia (3. datorat pierderilor prin conducţie şi .3.28a. expresia tangentei unghiului de pierderi:           tg   1     2    st  2 1       (3. fig.3. dielectricul are o permitivitate reală   datorată exclusiv polarizării de deplasare electronică.5. Din derivata acesteia:   tg    0 (3.  185 . sunt foarte bine verificate experimental pentru dielectricii cu polarizare de orientare.

186 .de joasă frecvenţă – materiale pentru condensatoare de j. respectiv scăderea temperaturii.62) unde TC este o mărime pozitivă. . la frecvenţă constantă.în jurul celui de-al doilea maxim – materialele cu cele mai mari pierderi dielectrice. la care pierderile scad cu frecvenţa şi pentru izolatori.24a). la un moment dat. devine preponderentă contribuţia polarizării de deplasare electronică. la care pierderile cresc cu frecvenţa.3.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Fig.de înaltă frecvenţă – materiale pentru condensatoare de î. La frecvenţe mici şi medii. Valoarea lui  st scade mai puternic cu creşterea temperaturii.28b se pot delimita şi utilizările tehnologice ale diferitelor materiale dielectrice: . T  TC (3. . În fig. mărimile depind de evoluţia anterioară.3.f. care se modifică nesemnificativ cu temperatura..29 şi fig.30 sunt reprezentate diagramele de variaţie ale permitivităţii reale şi tangentei unghiului de pierderi cu frecvenţa şi temperatura.3.28 Dependenţa de frecvenţă la temperatură constantă a permitivităţii reale (a) şi a tangentei unghiului de pierderi (b) pentru dielectricii cu polarizare de orient are şi pierderi prin conducţie Pe graficul din fig. Astfel. comportarea dielectricului fiind diferită la creşterea. Intersecţiile caracteristicilor pentru diferite temperaturi presupun o dependenţă neunivocă.  st şi   .f. denumită temperatura Curie. folosite ca absorbanţi şi atenuatori.3. pentru dielectricii cu polarizare de orientare poate fi dedusă din variaţiile cu temperatura ale mărimilor   . Variaţia cu temperatura a permitivităţii complexe. Mărimea   fiind partea reală a permitivităţii coplexe pentru polarizarea de deplasare electronică prezintă o foarte uşoară scădere cu creşterea temperaturii (fig.. iar la frecvenţe ridicate. după legea Curie:  st  3TC .3. permitivitatea reală prezintă o puternică dependenţă de temperatură.

MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Fig.3. 3. Astfel. datorită pierderilor prin conducţie. un ion nu poate fi polarizat dacă se află întrun centru de simetrie al reţelei – acţiunile celorlalţi ioni anulându-se reciproc. Celula elementară a unui astfel de dielectric poate avea polarizare spontană – moment electric diferit de zero în absenţa câmpului electric aplicat din exterior – prin unul din următoarele mecanisme de polarizare: . Celula elementară a unui cristal poate avea moment electric diferit de zero în absenţa câmpului electric aplicat din exterior şi datorită polarizării de deplasare ionice – când nu coincid centrele sarcinilor pozitive şi negative ale 187 .polarizare de deplasare ionică.3.29 Dependenţa de frecventă la două temperaturi diferite a permitivităţii reale şi a tangentei unghiului de pierderi. pentru dielectricii cu polarizare de or ientare şi pierderi prin conducţ ie Fig. În consecinţă. ionii reţelei pot obţine polarizare de deplasare electronică sub acţiunea câmpului electric datorat celorlalţi ioni ai reţelei (câmp electric cristalin). Astfel. acest mecanism este foarte dependent de structura (ordinea) cristalină a reţelei.polarizare de deplasare electronică a ionilor reţelei cristaline. .30 Dependenţa de temperatură la frecvenţă constantă a permitivi tăţii reale şi a tangentei unghiului de pierderi pentru dielectricii cu polarizare de orientare şi pierderi prin conducţie Tangenta unghiului de pierderi prezintă un maxim datorat pierderilor prin polarizare şi creşte exponenţial la temperaturi ridicate.6 Polarizarea permanentă spontană (sau piroelectrică) Modelul dielectricilor cu polarizare spontană Această stare de polarizare este specifică dielectricilor solizi cu legături ionice sau parţial ionice.

63) j 1 Vectorul polarizaţie spontană este momentul electric al unităţii de volum. adică: Ps  Npc . 188 . (3.3. astfel încât la o anumită temperatură. temperatura influenţează puternic starea de polarizaţie. denumită temperatura Curie. Proprietatea permite şi justificarea teoretică a dependenţei de tip histerezis care există între inducţia şi intensitatea câmpului electric la cristalele feroelectrice.64) unde N este numărul de celule elementare pe unitatea de volum. Aceste situaţii sunt din nou dependente de ordinea cristalină şi s-a constatat că numai cristalele care aparţin unui grup restrîns de clase de simetrie pot avea moment electric al celulei elementare de natura polarizării de deplasare ionice. De regulă polarizaţia scade cu creşterea temperaturii. În concluzie. în care vectorul polarizaţie P a cristalului se obţine ca o sumă sau diferenţă dintre vectorul Ps al polarizării spontane şi vectorul polarizaţie temporară Pt .31 Dependenţa modulului polarizaţiei spontane de temperatură pentru feroelectrici cu tranziţii de fază de ordinul 1 (a) şi de ordinul 2 (b) În cazul dielectricilor cu polarizare spontană. Din diversitatea acestor materiale. Proprietatea se exprimă cantitativ prin relaţia: (3. Dependenţa de temperatură a polarizării spontane Fig.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE celulei elementare. momentul electric al celulei elementare este suma vectorială a momentelor electrice ale ionilor celulei (polarizare de deplasare electronică) şi a momentului electric obţinut prin polarizare de deplasare ionică: n pc   p j  pionic (3. datorat câmpului extern şi care în cazul diferenţei poate conduce la schimbarea sensului şi direcţiei lui P . cristalele dielectrice cu polarizare spontană a cărei direcţie sau sens poate fi schimbată sub acţiunea unui câmp electric exterior se numesc cristale feroelectrice.65) P  Ps  Pt .

aceştia se clasifică în: .3.3. Structura de domenii apare din raţiuni pur energetice (micşorarea valorii de echilibru a potenţialului termodinamic al cristalului) în lipsa oricăror neomogenităţi ale reţelei cristaline. în care vectorul are mai multe direcţii posibile în cristal.31. cristalul prezentând în continuare numai polarizaţie temporară. orientarea domeniilor de BaTiO3 (c) În interiorul peretelui.3. în care vectorul polarizaţie spontană are o singură direcţie. de cel mult 10 nm). Fig. De menţionat că grosimea pereţilor în feroelectrici este relativ mică (de exemplu.33 Variaţia vectorului polarizaţie spontană în interiorul unui perete de 180o 189 .feroelectrici uniaxă.32 Pereţi de 180  (a) şi de 90  (b) în cristale feroelectrice . fig.32. iar a celor de 90o. fig.4 nm – grosimea pereţilor de 180o este de cel mult 2 nm.33.3.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE TC .feroelectrici multiaxă. direcţia şi mărimea polarizaţiei variază astfel încât să asigure trecerea de la un domeniu la celălalt în condiţiile minimizării energiei suplimentare înmagazinate în perete.3. Fig. domenii separate prin pereţi. fig. Structura de domenii a feroelectricilor În funcţie de numărul direcţiilor posibile ale vectorului polarizaţie spontană în reţeaua cristalină a feroelectricilor. Experimental se constată că în absenţa câmpului exterior monocristalele feroelectrice nu au o distribuţie uniformă a polarizaţiei spontane în tot volumul. polarizaţia spontană se anulează. pentru BaTiO3 – la care constanta de reţea este de aproximativ 0. ci se formează domenii cu polarizare spontană uniformă. .

În faza feroelectrică.3. Fig.zeci de mii) dependente puternic de temperatură.3. frecvenţă şi temperatură a permitivităţii complexe relative a feroelectricilor Partea reală a permitivităţii complexe relative are valori foarte mari (sute..34. T  TC (3.35. (b) şi dependenţa permitivităţii diferenţiale de câmpul electric aplicat.35 Ciclul histeresis (a). în special în apropierea temperaturii Curie. în faza neferoelectrică (c) În cazul cristalelor feroelectrice. Fig. permitivitatea   depinde puternic nu numai de temperatură.3.34 Dependenţa părţii reale a permitivităţii complexe de temperatură: feroelectrici cu tranziţii de fază de ordin 2 (a). scăzând cu creşterea acestuia.. în faza feroelectric ă (c) 190 .3. feroelectrici cu tranziţii de fază de ordin 1 (b). fig. Pentru faza neferoelectrică ( T  TC )   scade cu temperatura după legea Curie-Weiss:   A . fig. dependenţa părţii reale a permitivităţii de câmp.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Dependenţa de câmp.66) unde A este o constantă de material. dependenţa de tip histerezis inducţie-intensitate a câmpului electric condiţionează o dependenţă de tip histerezis a permitivităţii diferenţiale de câmp. ci şi de câmpul electric.

fig.ciclureversibil  in  limE 0  (3. . se definesc mărimile: . valoarea permitivităţii este constantă cu frecvenţa într-o bandă destul de largă. . se defineşte în originea axelor de coordonate:  1 D     0 E  E 0. intervenind un fenomen de relaxare la o frecvenţă fr suficient de ridicată (de ordinul 2·109 Hz pentru BaTiO3).69) De asemenea.permitivitatea relativă iniţială.D0.polarizaţia remanentă  Pr . valoarea părţii reale a permitivităţii depinde de frecvenţa câmpului electric aplicat.permitivitatea relativă reversibilă. orientată în sensul câmpului electric aplicat.permitivitatea relativă diferenţială. cuplare mai puternică la frecvenţe mai mari. este panta ciclului de histeresis în punctul considerat:    dif 1  D   0  E T ct (3.3. .DD .ciclureversibil   limE 0   rev 0 (3. pentru că axa ciclului minor este mai puţin înclinată decât tangenta în punctul respectiv al ciclului de histeresis .67) .3. este polarizaţia materialului corespunzătoare absenţei câmpului electric exterior.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Pentru ciclul de histeresis. pentru toţi feroelectricii.câmpul coercitiv Ec .68) 0 şi are valoare inferioară permitivităţii relative diferenţiale.36a. În general.polarizaţia de saturaţie  Psat este polarizaţia maximă a materialului. este câmpul electric exterior minim necesar pentru a produce anularea polarizaţiei. este panta ciclului minor definită în punctul de funcţionare pe un ciclu reversibil:  1 D     E  0  E E .36 Dependenţa de frecvenţă a permitivităţii reversibile real e (a) şi a părţii imaginare a permitivităţii feroelectrilor (b) 191 . Scăderea valorii permitivităţii prin creşterea frecvenţei se poate atribui unei cuplări piezoelectrice a domeniilor vecine. Fig.

Pierderile ridicate impun utilizarea unei scheme echivalente serie pentru un condensator feroelectric. Fig. denumiţi şi oxidici.37 Schema echivalentă ser ie şi diagrama vectorială pentru un condensator cu feroelectric (cu pierderi semnificative) Tangenta unghiului de pierderi are expresia: tg      Cs Rs   (3. .34.3.70) Experimental se constată că valoarea capacităţii serie şi rezistenţei serie echivalente sunt aproape independente de temperatură. dihidro-fosfatul de potasiu – KDP. Cristalele lichide sunt materiale organice care posedă simultan proprietăţi ale lichidului izotrop (fluiditate. sulfatul de triglicină – TGS). KNbO3. în special în apropierea temperaturii de tranziţie. Pentru frecvenţe inferioare celei de relaxare. în fig.3. ilmenit etc.2.1 . 0.feroelectrici cu cationi metalici în interstiţii octaedrice formate din anioni de oxigen.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE În privinţa pierderilor de energie în feroelectrici. piroclor (Cd2Nb2O7). curgere. CaTiO3). acestea sunt mari în valoare absolută şi depind puternic de temperatură. unirea picăturilor prin contact) şi proprietăţi ale solidelor cristaline (existenţa unei ordini la distanţa care condiţionează anizotropia principalelor proprietăţi fizice. Cristalele feroelectrice se împart în: . frecvenţă şi valorile câmpului electric.37. câmpul aplicat şi frecvenţă.feroelectrici cu legătură de hidrogen (sarea Seignette – KNaC4H4O6 2H2O. partea imaginară a permitivităţii feroelectricilor creşte aproape liniar cu frecvenţa.3.36b. fig.3. tangenta unghiului de pierderi putând atinge valori până la 0. aceşti oxizi cristalizează în structuri de tip perovskit (BaTiO3. fig. care sînt oxizi dubli ai unor elemente în special din grupa de tranziţie. precum 192 . care este reprezentată împreună cu diagrama vectorială asociată... caracterizate prin partea imaginară a permitivităţii complexe. Rezultă că dependenţele de temperatură şi câmp electric ale părţii imaginare a permitivităţii sunt analoage ca formă aceloraşi dependenţe ale părţii reale.

cristal lichid smectic (b). zeci de μm. cu efecte optice importante în straturi subţiri de ordinul μm . datorită simetriei lor. proprietăţile elastice). Starea de cristal lichid se manifestă într-un domeniu de temperaturi delimitat de două temperaturi de tranziţie.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE polarizarea şi magnetizarea. direcţia de orientare a moleculelor. iar pentru temperaturi mai mari decât T2 – temperatura de limpezire – cristalul devine lichid izotrop.38.. În funcţie de tipul ordinii la distanţă cristalele lichide se împart în trei grupe: cristale lichide smectice. în care moleculele sunt paralele între ele. În cristalele lichide colesterice. cristal lichid nematic (c). Pentru temperaturi mai mici decât T1 – temperatura de topire – cristalul devine solid. Tensiunea de prag necesară modificării structurii cristalului lichid nematic depinde de proprietăţile dielectrice şi elastice ale acestuia. se modifică de la un strat la altul. moleculele formează straturi cu grosime de aproximativ 20Å. refracţia luminii.. fig. Între aceste molecule se stabileşte ordine spontană la distanţă asemănătoare cristalelor solidelor cristaline. cristalele lichide nematice se comportă precum cristalele uniax. Faţă de planul stratului. cristale lichide nematice şi cristale lichide colesterice. În acest mod apare o birefringenţă indusă de câmp care condiţionează efecte electrooptice specifice. Din punct de vedere optic.3.38 Modelul ordonării moleculare: lichid izotrop (a). Fig.3. moleculele sunt perpendiculare sau înclinate. cu moment electric permanent destul de puternic şi cu grupuri uşor polarizabile. Câmpul electric de o anumită valoare aplicat unei structuri de cristal lichid nematic modifică aranjamentul iniţial al acestuia. se pot deplasa în plan. conductibilitatea electrică şi termică. dar nu se pot deplasa dintr-un plan în altul. într-o manieră elicoidală. cristal lichid colesteric (d) În cristale lichide smectice. 193 . Moleculele se pot deplasa în planul stratului şi dintr-un strat în altul. adică modifică poziţia elipsoidului indicelui de refracţie faţă de direcţia de propagare a fluxului luminos. Moleculele cristalelor lichide sunt lungi şi de formă rotundă în secţiune.

indiferent de sensul câmpului. fig.3.39 Stratul electric dublu ca model al unei reţele fără centru de simetrie: a) efect piezoelectric direct. a) b) Fig. prezent şi la polarizarea spontană. 3. de unde şi condiţia ca această proprietate o pot avea numai structurile cristaline necentrosimetrice. Prin aplicarea unui câmp electric exterior. b) efect piezoelectric invers În cazul unei reţele cu centru de simetrie.40a. stratul electric dublu. azo-benzeni.39b). prezintă atât efect piezoelectric direct (fig. la care se adaugă în plus proprietatea de piezoelectricitate. Cel mai simplu model de reţea fără centru de simetrie. conţinând baze Sghiff.3. cristalele cu centru de simetrie al sarcinilor electrice punctuale poartă numele de cristale electrostrictive.39a). fig. cât şi efect pizoelectric invers (fig.7 Polarizarea permanentă piezoelectrică Modelul polarizării piezoelectrice Polarizarea piezoelectrică este un tip de polarizare permanentă (ca şi polarizarea spontană). stilbeni şi clorostilbeni etc.3. tensiunile mecanice nu modifică starea de polarizaţie a cristalului indiferent de sensul lor.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Familia cristalelor lichide nematice este foarte numeroasă. Polarizarea permanentă se realizează prin mecanismul polarizării de deplasare ionică. Din acest motiv. deci efectul pizoelectric direct este imposibil. de exemplu un strat electric triplu. rezultă modificarea într-un singur sens a dimensiunilor reţelei.3.3.40b. 194 . Piezoelectricitatea este proprietatea de modificare a stării de polarizare sub acţiunea unor tensiuni mecanice – efect piezoelectric direct şi de deformare a reţelei cristaline sub acţiunea câmpului electric exterior – efect piezoelectric invers.

T şi E. nu au centru de simetrie 20. ca variabile independente.3. care sunt deci piezoelectrice.mărimi de natură mecanică. dintre acestea. intensitatea câmpului electric E şi inducţia electrică D. b) efect electrostrictiv Din totalul de 32 clase cristaline. Relaţiile de legătură între proprietăţile electrice şi elastice ale cristalelor Starea unui cristal este caracterizată la un moment dat şi la temperatură constantă de următoarele mărimi de stare: . 195 . 3). iar pentru celelalte două pot fi scrise diferenţialele totale:  S   S  dSi   i  dTk   i  dEk  Tk  E ct  Ek T ct  D   D  dDi   i  dTk   i  dEk  Tk  E ct  Ek T ct (3.mărimi de natură electrică. 10 sunt clasele polare (cristalele polare feroelectrice). Relaţiile de legătură între mărimile de stare electrice şi mecanice pot fi scrise la temperatură constantă. alegând două dintre aceste mărimi. care sunt mărimi vectoriale. .MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE a) b) Fig.71) Derivatele parţiale care intervin în relaţiile (3. care sunt tensori de ordinul 2 în spaţiul tridimensional (matrici de ord. tensiunea mecanică T şi deformaţia mecanică S. aparţinând grupului simetriilor punctuale.71) sunt evident proprietăţi de material.40 Reţea cu centru de simetrie: stratul electric triplu : a) imposibilitatea efectului piezoelectric direct .

variaţia stării de polarizaţie sub acţiunea unei tensiuni mecanice).MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Coeficientul de elasticitate (complianţa).  Tk  E deformaţii şi tensiunile mecanice aplicate:  Permitivitatea dielectrică definită la tensiune mecanică constantă este un  Di  T    ik . pentru bara din fig.41 Bară piezoelectrică cu tensiuni mecanice paralele cu axa Ox şi câmp electric paralel cu axa Oz 196 . cât şi efectul piezoelectric invers (partea dreaptă. deformarea cristalului sub acţiunea câmpului electric exterior).72) WeWd Densităţile de energie amintite sunt funcţii de densitatea de energie internă a cristalului W.3. ce se defineşte ca raportul dintre densitatea de energie mutuală elastică-dielectrică şi rădăcina pătrată a produsului dintre densitatea de energie elastică şi densitatea de energie dielectrică în cristalul piezoelectric: k Wm (3.3.  Ek T tensor de ordinul 2 în spaţiul tridimensional:  Coeficientul piezoelectric de sarcină caracterizează atât efectul piezoelectric direct (partea stângă.  T  E  k  E  k T La dispozitivele piezoelectrice interesează coeficientul de cuplaj piezoelectric.41. definit la câmp constant. coeficientul de cuplaj pizoelectric rezultă: k31  d31 (3. în spaţiul tridimensional este un tensor de ordinul 3:  Di   Si        dik . caracterizează în limitele de elasticitate ale cristalului proporţionalitatea între  Si  E   sik .73)  s T E 33 11 Fig. astfel încât. care la rândul ei este funcţie de sistemul de ecuaţii piezoelectrice.

. unde cuarţul (cu sistemul tehnic de coordonate: stâng sau drept) se taie sub formă de bare sau plachete cu anumite orientări faţă de axele de coordonate. informaţii mult mai directe decât setul de valori al coeficienţilor de material. faţă de axele de simetrie influenţează puternic parametrii dispozitivelor. Cristale feroelectrice (ceramici piezoelectrice) În funcţie de comportarea cu temperatura acestea se împart în două categorii: cristale care sunt piezoelectrice (sunt necentrosimetrice) la temperaturi inferioare dar şi la temperaturi superioare temperaturii Curie.095 (3. rezultă că valorile coeficienţilor de cuplaj sunt subunitare pentru toate cristalele piezoelectrice.existenţa în natură în stare cristalină. Coeficienţii de cuplaj piezoelectric au în cazul cuarţului valori reduse (compatativ cu alte materiale). Obs. dielectrici şi piezoelectrici. titanatul-zirconatul de plumb şi niobatul de sodiu şi potasiu. coeficienţii de cuplaj piezoelectrici oferă informaţii globale asupra piezoelectricităţii unui cristal. Deşi sarea Seignette are coeficientul de cuplaj 197 . respectiv nule pentru toate cristalele nepiezoelectrice. Cristale piezoelectrice pentru dispozitive cu undă elastică de volum Deşi foarte multe cristale posedă piezoelectricitate.elasticitate ridicată. Exemple de cristale feroelectrice din prima categorie: sarea Seignette (tartrat dublu de Na şi K) şi KDP (dihidrofosfatul de K) care au TC egale cu +24oC şi respectiv 151oC. cunoaşterea şi executarea cu precizie a secţiunilor.Wm  Wd . utilizări practice pentru dispozitivele cu undă elastică de volum prezintă cuarţul (dintre neferoelectrici). Cuarţul la temperatură normală cristalizează în sistemul trigonal – trapezoiedric (clasa de simetrie 32) şi are următoarele proprietăţi fizice care îl recomandă pentru aplicaţii în dispozitivele piezoelectrice (rezonatoare): . .pierderi interne (prin vâscozitate) mici. de exemplu în lungul axei Ox: k11  d11  s T E 11 11  0.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Deşi sunt determinaţi cu ajutorul coeficienţilor elastici. ceea ce conduce la un factor de calitate mare al dispozitivului. iar dintre cristalele feroelectrice: titanatul de bariu. TC şi cristale care sunt piezoelectrice numai la temperaturi inferioare lui TC (peste TC capătă centru de simetrie). Deoarece întodeauna Wm  We .74) Utilizările principale ale cuarţului sunt la realizarea de rezonatoare. simultan cu posibilitatea fabricării de cuarţ sintetic. În tehnologia acestor dispozitive. .stabilitate termică bună.

fiind deci sensibile la îmbătrânire. ce se propagă numai la suprafaţa materialelor (Anexa 3. . deoarece acestea au atenuări mari. etc.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE piezoelectric mare (circa 0. Cristalele din grupa a II-a sunt reprezentate de titanatul de Ba (BaTiO3). În variantele integrate ale dispozitivelor se preferă utilizarea unor materiale ca ZnO sau sau nitrat de aluminiu (AlN). dar inferiori sării Seignette.atenuarea undei de suprafaţă la frecvenţa de 1 GHz. Titanatul de Ba (frecvent utilizat) are coeficienţii de cuplaj piezoelectric superiori cuarţului.). Aceste ceramici prezintă dezavantajul unei dependenţe a coeficienţilor de polarizaţia remanentă şi de temperatură.viteza de propagare. niobat de Na şi K. utilizarea sa este redusă din cauza hidroscopicităţii pe care o are. codere-decodere. PZT au TC de ordinul 200-400oC având deci o stabilitate termică superioară la temperaturi obişnuite. Cristale piezoelectrice pentru dispozitive cu undă elastică de suprafaţă Acestea utilizează aproape în exclusivitate unde elastice de tip Rayleigh. 3.coeficientul de temperatură al vitezei de propagare. Însă. Pentru simplitate în tehnologia de prelucrare ulterioară a dispozitivelor se preferă soluţia divizării acestor cristale şi aglomerării lor printr-o tehnologie tip „ceramică”. sulfatul de triglicerină – TGS. crescute epitaxial pe acelaşi substrat de safir pe care se creşte şi siliciul necesar realizării integratului monolitic.coeficientul de cuplaj piezoelectric. Dintre aceste materiale se remarcă cuarţul (pentru stabilitatea cu temperatura) şi niobatul de litiu. . a) Termoelectreţii se obţin prin încălzirea în câmp electric a dielectricului până la o temperatură apropiată de temperatura de topire.9). Ceramicile piezoelectrice nu se pot utiliza decât până la frecvenţe de zeci de MHz. ) Cristalele piezoelectrice utilizate în aceste dipozitive sunt caracterizate de următorii parametri: . necesitând termostatarea dispozitivelor).8 Stări de polarizaţie cvasipermanente (de tip electret) Electreţii sunt materiale dielectrice care prezintă polarizaţie remanentă de lungă durată. obţinându-se astfel o simplificare şi o flexibilitate tehnologică utile în dispozitive complexe (linii de întârziere programabile. titanat-zirconat de Pb – PZT. . pentru coeficientul de cuplaj piezoelectric mare şi atenuarea mică (mai puţin stabil însă cu temperatura. . 198 . pentru dispozitive de preferinţă se utilizează ceramici de tipul soluţiilor solide de PZT şi niobat de Na şi K.

3. termoelectreţi formaţi în câmpuri medii (c) b) Fotoelectreţii sunt realizaţi din materiale fotoconductoare (cum este sulfura de zinc). Fig. Electreţii formaţi în câmp electric scăzut (E < 0. care scade printr-un proces de conducţie. omosarcini (b) Omosarcina este sarcina distribuită superficial transferată de la electrozi prin străpungeri locale ale interstiţiului electrod electret.3.3. care scade în timp printr-un proces de relaxare a dipolilor. Cei formaţi în câmp electric intens (E > 100MV/m). Dacă energia cuantelor de lumină este suficientă pentru a transfera electroni din banda de valenţă în banda de conducţie. având pondere mai mare decât eterosarcina.42b. stabileşte semnul sarcinii elecetrice superficiale. Dipolii se vor orienta după direcţia liniilor de câmp electric şi vor "îngheţa" în poziţiile lor.42a.44. care se compensează la un moment dat. fig. Fig.43b. create prin defecte în reţeaua cristalină. fig.3.3. plasate în câmp electric şi puternic iluminate. nu prezintă omosarcină. aceşti electroni sunt captaţi pe nivele locale. prin scăderea temperaturii. fig. posedă omosarcină.3.5 MV/m). Electreţii formaţi în câmpuri electrice medii. sau deplasarea sarcinilor. posedă atât eterosarcină cât şi omosarcină.43a. apare în câmpuri electrice intense şi.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Mobilitatea sarcinilor electrice se măreşte. 199 . producându-se acumulări de sarcini pe suprafeţele dielectricului. termoelectreţi formaţi în câmpuri puternice (b). Eterosarcina se formează prin orientarea dipolilor.3.42 Formarea sarcinilor termoelectreţilor: eterosarcini (a).43 Variaţia în timp a densităţii de sarcină a electreţilor: termoelectreţi formaţi în câmpuri slabe (a). fig. fig.

3. Câmpul electric al sarcinii astfel fixate va acţiona asupra sarcinii din electrodul metalic. 3. determinând trecerea tuturor electronilor de pe nivelele locale în banda de conducţie. fiecare dielectric prezintă o conductivitate nenulă (permite trecerea curentului electric) datorită fie a sarcinilor electrice libere (electronilor şi golurilor generaţi temic). electronii captaţi pe nivele locale produc polarizaţie remanentă.44 Diagrama nivelelor energetice într-un fotelectret c) Pseudoelectreţii se obţin prin captarea electronilor radiaţiei β (formată din electroni) şi pe nivelele locale generate prin defecte ale reţelei cristaline ale suprafeţei iradiate. dar revin în poziţiile iniţiale prin încălzirea materialului.45. Dacă un material dielectric se plasează între 2 armături (plăci conductoare) şi se introduce într-un câmp electric a cărei intensitate este 200 .45 Structura pseudoelectreţilor.3. Fig. Fig. sau a defectelor cristaline. Iluminarea distruge instantaneu polarizaţia remanentă. fig. atrăgând sarcina electrică pozitivă pe suprafaţa inferioară a materialului dielectric.9 Rigiditatea dielectricilor În plaja temperaturilor normale.3.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE După anularea fluxului luminos şi a câmpului electric.

în câmpuri electrice intense. În concluzie. la care fenomenul de străpungere are loc poartă numele de rigiditate dielectrică (sau câmp de străpungere) şi este definită de relaţia: ESTR  U STR [KV/m].USTR. La valori mici ale lui E.3. densitatea curentului de conducţie în materialul dielectricului nu mai depinde liniar de intensitatea câmpului şi materialul se străpunge. Fenomenul de străpungere poate fi pus în evidenţă utilizând un montaj experimental. ca cel din fig. valoarea curentului prin dielectric este foarte redusă.46a.46 Schema electrică pentru studiul străpungerii dielectricilor Fenomenul de străpungere se explică prin creşterea în avalanşă a conductivităţii electrice  la valori foarte mari. fenomenul fiind denumit străpungerea dielectricului. tensiunea la care are loc străpungerea se numeşte tensiune de străpungere . corespunzătoare acestei tensiuni. Fig.3. obţinute pentru diferite valori ale tensiunii de alimentare. graficul valorilor acestor mărimi electrice.46b. puterea disipată pe acesta devine foarte mare. Valoarea intensităţii câmpului electric. iar materialul dielectric se poate distruge. se constată o creştere bruscă a curentului prin dielectric. pierzându-şi proprietăţile izolante. iar mA este un miliampermetru care măsoară curentul prin dielectric. Astfel. V este un voltmetru care măsoară tensiunea pe dielectric. în care E este o sursă reglabilă de tensiune.3. temperatura la nivelul acestuia creşte puternic. fiind prezentat în fig. d (3. b. În momentul în care valoarea lui E este crescută astfel încât tensiunea pe dielectric atinge o valoare de prag VSTR. 201 . Prin creşterea puternică a curentului care trece prin material. care demonstrează apariţia fenomenului de străpungere.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE crescută gradat.75) unde d este grosimea dielectricului. pentru o anumită valoare a intensităţii câmpului electric. prin dielectric ia naştere un curent electric care creşte brusc şi necontrolat. a.

Creşterea presiunii gazului. De asemenea. În fig. (3.76) unde: . Fig.p este presiunea gazului. aceştia din urmă acumulează energii mari sub acţiunea câmpului între două ciocniri.U STR  ESTR d este tensiunea aplicată electrozilor la străpungere. 350 V).3.d este distanţa dintre electrozii care crează câmpul uniform şi . Această tensiune este. acceleraţi de câmpul electric. În fig. prin micşorarea drumului liber mijlociu.47 sunt prezentate curbele Pachen pentru aer: U STR  f  pd  .3. Din curbele Pachen se observă că există o tensiune minimă aplicată electrozilor sub care străpungerea în câmp omogen nu mai este posibilă.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Rigiditatea dielectricilor gazoşi În dielectricii gazoşi străpungerea se datoreşte în majoritatea cazurilor ionizărilor prin ciocnire. . indiferent de presiunea gazului şi distanţa dintre electrozi. pentru majoritatea gazelor. Prin acest mecanism străpungerea se produce atunci cînd energia cinetică a purtătorilor de sarcină liberi (electroni şi ioni).3. micşorarea presiunii conduce la creşterea rigidităţii datorită micşorării probabilităţii de ciocnire a purtătorilor acceleraţi cu moleculele gazului. cuprinsă între 280 V şi 420 V (pentru aer este aprox. astfel încât rigiditatea dielectrică a gazelor la presiunea normală nu este prea ridicată (pentru aer la presiunea normală ESTR = 3 MV/m). este suficient pentru a produce ionizarea prin ciocnire a moleculelor gazului.47 Curbele Pachen pentru aer Rigiditatea gazelor în câmp omogen variază cu frecvenţa. Datorită drumului liber mijlociu mare al purtătorilor de sarcină în gaze. Pentru frecvenţe joase se constată o scădere a rigidităţii 202 . conduce la creşterea rigidităţii.48 este reprezentată această dependenţă pentru aer (ESTR0 este rigiditatea pentru câmp electric continuu).

În aceste condiţii. particule mecanice în suspensie. Pentru câmpuri de frecvenţă ridicată.25 MV/m. 203 . rigiditatea creşte deoarece durata procesului de ionizare prin ciocnire (de ordinul 10 -7 – 10-8 s) devine comparabilă cu semiperioada câmpului electric alternativ. Întrucât drumul liber mijlociu al purtătorilor de sarcină este în acest caz mult mai mic decât în cazul MDG. au un   diferit de cel al lichidului care le cuprinde. Fig. Deoarece incluziunile de apă. Rigiditatea dielectrică a MDL scade deci cu creşterea frecvenţei. Rigiditatea dielectricilor lichizi În cazul MDL în stare de purificare înaintată. în special pentru MDL cu polarizare de orientare. Restabilirea rigidităţii dielectrice după ce a avut loc străpungerea este mai puţin perfectă în cazul MDL decât în cazul MDG deoarece lichidul se impurifică cu produsele care s-au format în momentul străpungerii. rigiditatea dielectrică este mult mai ridicată. acestea se distribuie sub forma unor lanţuri de-a lungul liniilor de câmp electric. adică de aproape 10 ori mai mare decât rigiditatea MDG la presiune normală. bule de gaze. rigiditatea la MDL este de ordinul 20. Un tip de străpungere în câmp neomogen este descărcarea parţială sub formă de efect corona în zonele în care intensitatea câmpului atinge valorile de străpungere.48 Dependenţa de frecvenţă a rigidităţii aerului Străpungerea gazelor în câmp neomogen se deosebeşte mult de străpungerea în câmp omogen. poate atinge 100 MV/m. Prin creşterea frecvenţei..MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE datorită acumulării de sarcini de volum în gaz din cauza vitezelor diferite ale ionilor pozitivi şi electronilor.3. constituind elemente care micşorează rigiditatea dielectrică în raport cu a lichidului pur. ceea ce favorizează străpungerea prin creşterea numărului de purtători liberi. pierderile dielectrice conduc la o încălzire a lichidului.. străpungerea se datoreşte de asemenea unui mecanism de ionizare prin ciocnire.

prin convecţie termică: Q2   S  d   a  . în comparaţie cu MDL sau MDG. ceea ce poate conduce la străpungerea termică sau la apariţia unor forţe mecanice care să producă fisurarea materialului dielectric.acţiunea chimică asupra dielectricului a produselor rezultate prin ionizarea gazului. în special ozonul şi oxizii de azot. Străpungerea electrică este o străpungere distructivă de scurtă durată. cantitatea de căldură dezvoltată datorită pierderilor în dielectric şi Q2 . rigidităţile dielectrice ale MDS sunt de ordinul sutelor de MV/m. în timp ce ultimul este un proces de durată. străpungerea dielectricilor solizi neomogeni macroscopic se datoreşte străpungerilor prin ionizarea incluziunilor gazoase din dielectric sau a dielectricului lichid de impregnare (străpungere prin ionizare). adică la creşterea curentului de conducţie electrică. depinzând de temperatura mediului ambiant. Corespunzător valorii drumului liber mijlociu. Primele două fenomene şi în special primul. de dimensiunile şi posibilităţile de răcire ale dielectricului. Această avalanşă termică continuă practic până la distrugerea dielectricului (cei anorganici se topesc. pericolul creşterii locale a temperaturii. care se caracterizează printr-o stabilitate chimică mai ridicată comparativ cu cei organici. numai în cazul materialelor perfect omogene. de durata câmpului aplicat (fig. cantitatea de căldură cedată de dielectric mediului ambiant. Mult mai des. Câmpul de străpungere termică scade atunci când temperatura mediului ambiant creşte. Străpungerea termică se datoreşte diferenţei între Q1 . În cazul dielectricilor anorganici.3. care produc oxidări puternice. ceea ce măreşte şi mai mult Q1 . Diferenţa Q contribuie la creşterea temperaturii dielectricului. în funcţie de preponderenţa proceselor citate. acţionează în timp scurt. .MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Rigiditatea dielectricilor solizi Cu toate că drumul liber mijlociu al purtătorilor de sarcină este foarte mic în MDS. Câmpul limită la care are loc străpungerea. -acţiunea temperaturilor ridicate generate local prin străpungerea incluziunii gazoase. numit câmp de străpungere termică. cei organici ard). Un exemplu pentru rolul incluziunilor poate fi dat în cazul dielectricilor solizi organici unde studiul fenomenelor care favorizează apariţia străpungerilor în solid pot fi grupate în trei categorii: . străpungerea prin ionizare a dielectricilor solizi organici se produce într-un timp variind de la zecimi de secundă la zeci de ore.acţiunea nemijlocită asupra dielectricului prin bombardament cu ioni şi electroni proveniţi prin ionizarea gazului. totuşi şi în acest caz pot avea loc ionizări prin ciocnire care conduc la străpungere electrică. în primul rând. Ca urmare. 204 . care se întîlneşte destul de rar. nu este o proprietate intrinsecă a materialului dielectric. străpungerile prin ionizarea incluziunilor gazoase prezintă.49).

rigiditatea scade în timp.3.3. Tabelul 1 Duratele de străpungere ale mecanismelor de străpungere în dielectric Întrucât în timpul funcţionării unor piese sau dispozitive condiţiile termice şi chimice de mediu nu se menţin în general constante. predomină unul sau altul dintre cele patru mecanisme de străpungere citate pentru dielectricii solizi. denumit străpungere electrochimică este condiţionat de existenţa unui curent de conducţie de natură ionică în dielectric. fig. în caz general. Acest tip de străpungere. pentru un acelaşi tip de material.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE La o acţiune îndelungată a câmpului continuu în dielectric pot apărea procese electrochimice care conduc la distrugerea dielectricului şi. accelerează străpungerea electrochimică a dielectricului care. Tabelul 1 conţine. 205 . în funcţie de natura sa şi de condiţiile specifice de utilizare. mecanismul de străpungere se poate modifica sau se obţine trecerea de la un mecanism de străpungere la celălalt. iar piesa în sine „îmbătrâneşte”.49 Variaţia temperaturii dielectricului în timp Fig.50. de ordinul a sute şi mii de ore. tinde spre câmpul de lucru Elucru. este un proces de lungă durată. Fig. Pentru un anumit tip de material dielectric. Adesea.3. favorizând atât conducţia cât şi reacţiile chimice. la străpungere. duratele de acţiune ale celor patru mecanisme de străpungere a dielectricilor solizi.50 Variaţia rigidităţii dielectrice în timp Temperaturile ridicate. comparativ. în ultimă instanţă.

electrice. Proprietăţile fizico-chimice Higroscopicitatea este proprietatea dielectricului de a absorbi umiditatea din mediul ambiant. În funcţie de temperatura maximă admisibilă de utilizare. Punctul de aprindere şi punctul de inflamabilitate reprezintă temperatura cea mai joasă la care un material emite o cantitate suficientă de vapori. F. săruri solubile etc. 180 şi peste 180 oC. mecanice şi clasificarea materialelor dielectrice a. gaze. care creşte mult o dată cu creşterea umidităţii din material cît şi rezistivitatea de volum care scade cu creşterea umidităţii. caz în care se determină punctul de inflamabilitate sau se poate aprinde singur. Stabilitatea la temperaturi scăzute este proprietatea materialelor electroizolante de a-şi menţine principalele caracteristici electrice şi mecanice în condiţiile temperaturilor scăzute. Ea depinde de compoziţia chimică şi structurală. 120. de ordinul –60 la –70 oC. materialele electroizolante se încadrează în următoarele şapte clase de izolaţie: Y. H. Porozitatea p este raportul dintre volumul porilor Vp şi volumul total Vt. E. caz în care se determină punctul de aprindere. 105. care poate da cu aerul înconjurător un amestec combustibil. se exprimă în kg/dm3. al unei mostre de material: p %  Vp Vt 100 (3. cărora le corespund următoarele temperaturi maxime admisibile de utilizare: 90. C. A. 130. Amestecul combustibil se poate aprinde cu ajutorul unei flăcări.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE 3. baze. Stabilitatea termică este proprietatea materialelor electroizolante de a rezista timp îndelungat la o anumită temperatură maximă admisibilă cu condiţia să-şi păstreze caracteristicile de bază garantate. Conductibilitatea termică reprezintă proprietatea materialului de a conduce căldura şi se apreciază prin conductivitatea termică. Stabilitatea chimică reprezintă rezistenţa materialelor faţă de acizi. numeric egală cu căldura care trece în unitatea de timp prin unitatea de suprafaţă considerată. apă. adică după concentraţia soluţiei saturate (%). 155.10 Proprietăţile fizico-chimice. pentru diferenţa de temperatură de un grad (W/m oC).77) La materialele electroizolante pe bază de celuloză porozitatea poate atinge valori pînă la 50%. B. Solubilitatea este proprietatea materialelor electroizolante de a se putea dizolva într-o substanţă lichidă numită solvent. Ea influenţează tangenta unghiului de pierderi. precum şi de porozitatea materialului. Densitatea d = masa/volum. Solubilitatea se apreciază după cantitatea maximă de substanţă care poate fi dizolvată în solventul dat. 206 .

fig. sau rezistenţa de izolaţie Riz .3. va avea deci două componente: (3. sau de fugă. Fig.81) 207 .51 Schema echivalentă a dielectricului supus tensiunii continue Rezistenţa unităţii de volum este rezistenţa specifică de volum şi se numeşte rezistivitate de volum. curentul întâmpină o rezistenţă de volum Rv şi o rezistenţă de suprafaţă Rs . tangenta unghiului de pierderi tg  şi rigiditatea dielectrică.80) unde U este tensiunea continuă aplicată între armăturile metalice ale condensatorului.51. Curentul de scurgere. va avea valoarea: Riz  Rv Rs Rv  Rs (3. Curentul total de scurgere I. Rezistivitatea de volum şi de suprafaţă Rezistivitatea de volum şi rezistivitatea de suprafaţă şi respactiv rezistenţa de volum şi rezistenţa de suprafaţă sunt proprietăţi ale materialului dielectric legate de fenomenul de conducţie electrică.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE b. a unui cub din dielectric cu latura egală cu unitatea: v  Rv S / h (3. măsurată în curent continuu. Deoarece cele două rezistenţe sunt legate în paralel. rezistenţa totală. Orice dielectric real nu este un izolator electric perfect.78) I  Iv  I s Trecând prin cele două căi. Rezistivitatea de volum  v este definită ca rezistenţa electrică. alături de celelalte proprietăţi electrice tratate pe larg: constanta dielectrică  (permitivitatea dielectrică).79) şi se determină astfel: Riz  U / I (3. legat de fenomenul de conducţie electrică. este extrem de mic şi are două căi de trecere prin dielectric: prin masa (volumul) dielectricului şi pe suprafaţa acestuia.3.

B. b. gazele electronegative. măsurată în curent continuu. GAZOASE: aerul. de tung.de polimerizare: polistirenul. Rezistenţa unităţii de suprafaţă este rezistenţa specifică de suprafaţă şi se numeşte rezistivitate de suprafaţă. a2 – sintetice: . Unitatea de măsură fiind [Ω]. siliconice. Clasificarea materialelor dielectrice (electroizolante) Sunt trei mari grupe de materiale dielectrice: gazoase. duritatea ( proprietatea de a se opune pătrunderii în masa lor). de ricin. răşini: a1 – naturale: şelacul. B2 – ULEIURI: a. A. toluenul etc. de compoziţia lui. polietilena. rezilienţa (proprietatea de a rezista la şocuri – solicitări aplicate brusc). azotul.82) s  Rs Lc / D unde Lc este lungimea electrozilor-cuţit iar D este distanţa dintre electrozi. Caracteristicile şi proprietăţile mecanice: - rezistenţa la tracţiune. fluorurate. de cablu. LICHIDE: B1 – HIDROCARBURI AROMATICE: benzenul. C. 208 . sintetice: clorurate. lichide şi solide. Unitatea de măsură fiind [Ωm]. policlorura de vinil – PVC. a unei suprafeţe de dielectric delimitată de doi electrozi în formă de cuţit: (3. d. naturale: a1 – minerale: de transformator. Rezistivitatea de suprafaţă ρs este definită ca rezistenţa electrică. copalurile – chihlimbarul. politetrafluoretilena. rezistenţa la oboseală (proprietatea de a rezista la solicitări alternative). c. rezistenţa la compresiune. de condensator.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE unde S este aria unei feţe a cubului iar h este înălţimea cubului. precum şi de umiditatea şi temperatura mediului ambiant. colofoniul (sacâzul). hidrogenul. Rezistivitatea dielectricului depinde de starea de agregare. rezistenţa la înconvoiere. a2 – vegetale: de in. SOLIDE: C1 – ORGANICE: a.

produse pe bază de mică: .termomicanita . textolitul.de poliadiţie: epoxidice.banda de azbest .pentru fibre .de emailare e. sticlotextolitul. de tole.de lipire . materiale plastice: b1 – presate b2 – stratificate: pertinaxul (izoplacul).de impregnare .MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE . poliuretanice.porţelanul 209 .flogopitul c. aminoplastele. c. de colector.micabanda .de acoperire .azbocimentul . poliesterii. pentru impregnare şi rulare. .de umplutură . lacuri: . c2 – cartonul electrotehnic (preşpanul) c3 – lemnul c4 – firele de ţesături textile d.pentru emailare .pentru lămpi electrice şi tuburi electronice .mica sintetică d. de telefonie. b. bitumuri: . poliamidele. ceramica: . suport pentru produse de mică.naturale (asfalturi) . flexibilă.muscovitul .hârtia de mică . compunduri: .de policondensare: fenoplastele. acetilată. pe bază de celuloză: c1 – hârtie: pentru cabluri.artificiale C2 – ANORGANICE: a. de garnituri) .pentru condensatoare .de umplere f. mica: .hârtia de sticlă b.hârtia de azbest e.micanita (de formare.de impregnare .semitortul (roving) .ţesăturile de azbest .micalexul . faneritul.pentru izolatoare .micafoliul . azbestul (serpentinul): . sticla: .

solicitări. . precisă şi fiabilă a acestora. fibre textile. impregnate cu diferite răşini sintetice termoreactive.steatita . introducând modificări importante în construcţia şi tehnologia echipamentelor electronice profesionale cât şi de larg consum. . permiţând reducerea volumului şi greutăţii – miniaturizarea. Un CIM este deci un stratificat placat alcătuit din suportul electroizolant (stratificat) pe care se fixează placatul metalic. permiţând interconectarea simplă. . .asigură o rezistenţă superioară a echipamentelor electronice la solicitările mecanice. 210 . fibre de sticlă sau teflon. fixat de regulă cu adeziv.ceramica cu compuşi de titan 3. Suportul electroizolant al CIM este realizat din materiale având proprietăţi fizico-chimice.realizează o mare densitate de montare a componentelor. rezistenţă la temperaturile de lipire. îmbunătăţind mentenabilitatea acestora.ceramica cu oxid de aluminiu . Principalele avantaje ale cablajelor imprimate – CIM: .simplifică şi reduc durata operaţiilor de montaj. Structura CIM Un CIM este un sistem de conductoare plate (imprimate) amplasate pe unul. .11 Cablaje imprimate Tehnologia a fost utilizată pentru prima dată în aparatura militară în 1945 şi a înlocuit treptat şi pretutindeni vechile modalităţi de conectare spaţiale cu conductori. .asigură poziţionarea precisă şi fixă a componentelor şi a interconexiunilor acestora în circuite – permiţând creşterea fiabilităţii în funcţionare şi reducerea/compensarea cuplajelor parazite dintre componente şi/sau circuite.rezistenţă mecanică pentru susţinerea circuitelor electronice.capacitatea de a absorbi cât mai puţină apă.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE . rapidă.ultraporţelanul . conductibilitate termică ridicată. mecanice şi termice adecvate: .o comportare termică foarte bună: coeficient de dilatare termică mic. termice şi climatice. Denumirea de stratificat vine de la faptul că aceste plăci se realizează din materiale stratificate cu umplutură de hîrtie. facilitând automatizarea acestora – se asigură un înalt grad de reproductibilitate.fac posibilă unificarea şi standardizarea constructivă a subansamblelor funcţionale din structura aparatelor. două sau mai multe plane paralele şi fixate (cu adezivi) pe suprafaţa unui suport electroizolant (dielectric) care asigură şi susţinerea mecanică a componentelor. electrice.

sunt casante. Pentru realizarea CIM profesionale sunt utilizate şi suporturi ceramice.stratificate melaminice şi siliconice realizate similar cu cele anterioare. temperatura maximă de lucru 105oC. de Au sau Ag. rezistenţă de izolaţie mare. Cei mai uzuali: amestecuri de butinol polivinilici şi răşini fenolice sau cauciucuri nitrilice şi răşini fenolice cu diverse materiale de umplutură.coeficent de alungire la întindere cât mai mic şi rezistenţă la rupere foarte bună. În aplicaţii profesionale se pot utiliza şi Au. utilizînd ca material de impregnare răşini melaminice sau silicoorganice. cu performanţe superioare.stratificate cu teflon – materialul de bază se impregnează cu răşini fluorocarbonice care sunt ignifuge cu proprietăţi foarte bune pentru microunde. . . KAPTON (max.neinflamabilitatea (unele standarde impun şi autostingerea). Clasificarea CIM După numărul planelor în care sunt amplasate traseele conductoare şi după caracteristicile mecanice ale suportului izolant.cost redus. Folia de Cu se acoperă cu o peliculă de cositor. Pentru CIM rigide. 200oC).flexibilitate foarte bună . Traseele conductoare se realizează din cupru electrolitic de înaltă puritate. . materialele cele mai utilizate sunt cele: .găurile se execută înainte de coacere. 274oC). - CIM flexibile utilizează drept suport materiale termoplaste ca ACLAR (max. materiale cu foarte bună rezistenţă la solicitări termice şi conductibilitate termică ridicată.pe bază de textură din fibre de sticlă impregnată cu răşini epoxidice – stratificate epoxidice. .MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE din punct de vedere electric trebuie să asigure: pierderi dielectrice mici în banda de lucru. 400oC). temperatura maximă de lucru 150oC – STECLOTEXTOLIT. . . dar cu o rezistenţă mecanică mai mică: .se folosesc pentru cablaje multistrat realizate prin procedee de sinteză. de grosimi normalizate uzuale: 35 sau 70 m (105 m).rezistenţă la temperaturile de lucru şi lipire.pe bază de textură de hârtie impregnată cu răşini fenolice – stratificate fenolice – PERTINAXUL. există: 211 . permitivitatea dielectrică să corespundă cerinţelor de utilizare. . care se fabrică pe bază de oxizi de aluminiu şi beriliu. Materialele de tip STECLOTEXTOLIT nu necesită adezivi. rigid sau flexibil. Adezivii utilizaţi pentru fixarea foliei de Cu pe suportul dielectric – răşini speciale – trebuie să reziste la temperatura de lipire şi să fie suficient de elastici. . La cablajele flexibile se impune: . . TEFLON (max. Ag sau Ni.

b) metode aditive – de depunere: ce implică metalizarea unui semifabricat din material electroizolant neplacat: metoda electrochimică. . atât CIM rigide cât şi “formele de cablu” (compuse din diferite tipuri de conductoare) care interconectează diferitele subansamble. maşini speciale). deplasate. electronice profesionale. cablajele cu suport flexibil – au tendinţa de-a înlocui. elemente pentru microunde.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE a) b) c) d) cablaje simplu strat sau monostrat. După modalitatea de realizare sunt: . pentru conectarea diverselor componente fixe sau mobile.sunt uşoare şi mai puţin voluminoase decît cele rigide. în care şi conductorul şi izolatorul se realizează în aceeaşi etapă. metode serigrafice şi metode offset sau pe cale mecanică (Anexa 3.cablaje cu găuri nemetalizate. .cablaje cu contacte obţinute prin creşterea straturilor metalice. linii cu constante distribuite. . răsucite. condensatoare. cu comutări complicate. pot avea orice geometrie.cablaje cu găuri metalizate.componente imprimate de circuit ca rezistoare.formează un sistem de interconectare tridimensional. Realizarea CIM monostrat prin metode de corodare Este metodologia de bază în realizarea CIM.subansamble pentru comutatoare mecanice. metoda pulverizării catodice şi termice etc. cablajele multistrat – exclusiv pentru echip.permit realizarea unor densităţi mari de montaj şi obţinerea unei fiabilităţi superioare în exploatare. electronice profesionale. transpunerea desenului pe folia de Cu realizându-se prin fotografiere sau prin serigrafie. . prin tehnologia cablajelor imprimate se pot realiza: . pe cale chimică (prin corodare – larg utilizate): metode fotografice.A1). Metode şi tehnologii de realizare a CIM Acestea pot fi grupate în trei mari categorii: a) metodele substractive – de corodare: ce implică înlăturarea unor porţiuni din folia de Cu. Din punct de vedere funcţional. avantaje: . . metoda arderii în cuptor. metoda transferului.conductoare imprimate. . . Etapele principale de realizare a CIM: 212 . bobine.părţi componente pentru maşini electice (servomotoare. pot fi îndoite. în ultimul timp. c) tehnologii de sinteză. cablaje dublu strat – pentru echip.

productivitate şi cost mic) – etape: .procedeele chimice – de galvanizare (peste 80% din realizări). .acoperirea de protecţie. urmate de realizarea unei acoperiri de protecţie – lăcuire. . special concepute) manual sau automatizat (prin programe specializate).reralizarea filmului fotografic – fotoşablonul sau masca – prin fotografierea fotooriginalului pe film de mare contrast şi cu reducerea corespunzătoare a formatului – la scara desenului – astfel încât negetivul foto obţinut să rezulte în mărime naturală.pregătirea suportului placat. Realizarea CIM multistrat – practic.acoperirea suportului placat cu fotorezist. Constructiv.corodarea. .realizarea desenului de cablaj (la o scară mărită 2:1 – pentru CIM normale şi 4:1 – pentru CIM de mare fineţe) pe hîrtie specială. nituire.3. .MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE . obţinându-se astfel originalul desenului CIM – fotooriginalul. 213 . 3. .realizarea sitei serigrafice (sau şablon – o pînză cu ochiuri foarte fine). .developarea – fixarea. Traseele conductoarelor imprimate se desenează cu tuş negru (sau se realizează din elemente adezive.transpunerea – imprimarea – imaginii cablajului de pe filmul fotografic pe suportul placat cu Cu prin metoda fotografică sau prin metoda serigrafică.corodarea (imersia CIM într-o cuvă cu clorură ferică).îndepărtarea fotorezistorului neimpresionat. este utilizată frecvent în circuitele electronice. decupare. se utilizează două grupe de procedee de interconectare (numărul straturilor conductive între 4 şi 20): .acoperirea suportului placat cu cerneală serigrafică. . . . . Metoda fotografică (pentru producţie de serie mică şi unicate) – etape: . lipire. conform principiilor de proiectare a CIM. .acoperirea de protecţie.12 Condensatoare 3. un condensator este alcătuit dintr-un mediu dielectric de permitivitate ε (constanta dielectrică de material) plasat între două armături metalice (conductoare) ca în fig. Metoda serigrafică (larg utilizată. debavurare etc.12.52.efectuarea unor prelucrări mecanice adecvate – după realizarea corodării: găurire şi metalizare. .1 Capacitatea unui condensator şi clasificarea acestora Condensatorul este o componentă pasivă care.procedee mecanice – sudură.pregătirea suportului placat. alături de rezistor. .

52 Condensator plan Dacă unui condensator i se aplică o tensiune continuă U. Atunci curentul este: i t   C du  t  dt  C  U    cos t   C  U    sin t   / 2  214 (3. acest raport defineşte capacitatea condensatorului: (3. perioada şi pulsaţia sunt legate prin relaţiile: f = 1/T şi ω = 2πf = 2π/T.3.3.53. în regim permanent va avea expresia: (3. fig. acesta se va încărca cu o sarcină Q. raportul dintre sarcina Q şi tensiunea U fiind o mărime constantă şi caracteristică pentru condensatorul considerat. deci caracterizat numai prin capacitatea C. dacă i se aplică o tensiune variabilă în timp u(t). există relaţia: Fig.85) dt Se presupune un condensator ideal (fără pierderi.53 Simbolul condensatorului şi mărimile măsurate la borne u  t   v1  t   v2  t   sau: i t   C 1 i  t  dt C du  t  (3.83) C  Q /U În regim armonic. Dacă u(t) este semnal sinusoidal.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Fig.84) (3. între tensiunea aplicată şi curentul i(t) care străbate condensatorul. adică fără disipare de energie activă). condensatorul este componenta pentru care.86) u  t   U sin t  unde frecvenţa.87) .3.

valoarea capacităţii se determină cu relaţia: C 2 0 r l . cu simbolul F. Condensatorul de capacitate C introduce în circuit o reactanţă capacitivă măsurată în Ω: XC  1 1  C 2 fC (3. 1 pF  1012 F Pentru un condensator plan.854∙10-12 F/m.54). reprezintă permitivitatea absolută a dielectricului condensatorului.d este distanţa dintre armături. 0 reprezintă permitivitatea absolută a vidului. . .91) 215 . ln  b / a  (3.88) Unitatea de măsură pentru capacitate este faradul. ca în fig. Fig.54 Relaţia tensiune-curent pentru un condensator de capacitate C Impedanţa condensatorului are un caracter preponderent capacitiv. capacitatea C este dată de relaţia: C S d   0 r S (3. dar defazate cu un sfert de perioadă (curentul defazat înaintea tensiunii. se folosesc frecvent submultiplii săi: (3.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Se observă că cele două mărimi sunt de aceeaşi formă.3. r   /  0 este permitivitatea relativă a dielectricului. 1nF  109 F . Se mai spune că tensiunea este defazată în urma curentului cu un sfert de perioadă sau cu π/2.3.90) d unde: . .89) 1 F  106 F . . Pentru un condensator cilindric.S = L×l suprafaţa armăturilor.  0 = 8.

b . condensatoarele pot fi : . Ti02).care sunt mai rar fabricate şi folosite la ora actuală. politetrafluoretilena. Ta205. deci cu armăturile plane plasate în vid. răşină poliamidică).raza cilindrului interior. În funcţie de natura dielectricului.cu dielectric lichid (ulei mineral sau ulei de transformator) . .cu dielectric gazos (aer.care au dielectricul format dintr-o peliculă de oxid (A1203.2 Parametrii condensatoarelor fixe. care îşi menţin constantă valoarea capacităţii nominale în tot timpul funcţionării. după natura dielectricului. teflonul.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE unde: 1.polistirenul.condensatoare variabile a căror capacitate poate şi trebuie să fie modificată frecvent între anumite limite relativ largi impuse de funcţionarea circuitelor electronice (de exemplu.raza cilindrului exterior. un condensator cu capacitatea C0   0 S / d . cei mai utilizaţi fiind oxizii de aluminiu şi tantal. pelicule sintetice nepolare . 3. . Din punct de vedere constructiv există: . la punerea în funcţiune sau la verificări periodice). polipropilena şi pelicule sintetice polare polietilentereftalat. a .în această categorie intră condensatoarele reglabile şi variabile cu aer. cele de acord pentru radioreceptoare). va avea o capacitate de  r mai mare decât C0 dacă între armături se va plasa un dielectric caracterizat prin permitivitatea absolută C  0 r S d    0 r :   r C0 ( 3 . marcare Principalii parametri electrici ai condensatoarelor sunt: 216 . se folosesc ca dielectrici gaze electronegative sau incinte vidate.condensatoare fixe.lungimea cilindrului.condensatoarele electrolitice . . . mica şi materialele ceramice) şi organic (hîrtia.condensatoare reglabile (denumite şi „semivariabile". când acestea sunt destinate funcţionării în regim de tensiuni ridicate (de ordinul KV).cu dielectric solid anorganic (sticla.cu dielectric peliculă de oxizi metalici . . gaze electronegative) . Astfel.9 2 ) Clasificarea condensatoarelor se poate face după mai multe criterii: din punct de vedere constructiv. vid. Din relaţiile date se observă importanţa permitivităţii dielectricului în obţinerea unor condensatori de capacitatea dorită. al domeniului de frecvenţă. „ajustabile" sau „trimere") ce se caracterizează prin faptul că valoarea capacităţii lor poate fi reglată în limite reduse (de regulă.12. după domeniul de utilizare. policarbonat.

la 1 minut după aplicarea tensiunii. care reprezintă curentul ce trece prin condensator când acestuia i se aplică o tensiune continuă la terminale. tgδ. fară pierderi). Valorile tensiunilor de lucru sunt normalizate. În funcţie de tipul condensatorului (deci de natura dielectricului). 125. Tangenta unghiului de pierderi se defineşte ca raportul dintre puterea activă Pa. măsurată la frecventa la care se măsoară şi capacitatea nominală: tg  Pa / Pr (3. 12. temperatură.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Capacitatea nominală. 63. umiditate) sunt specificate în catalog. curent măsurat după un timp t (1 . Pentru condensatoarele cu CN ≤ 1 μF capacitatea nominală respectă valorile nominalizate din seriile E6. 500. 100. t [%]. este definită ca raportul dintre tensiunea continuă aplicată unui condensator şi curentul care-1 străbate. reprezintă valoarea capacităţii condensatorului care trebuie realizată în procesul tehnologic şi care este înscrisă sau marcată pe corpul acestuia. a acestuia. 250. constanta de timp    Riz CN (ce depinde de proprietăţile electrice ale dielectricului). care se disipă pe condensator şi puterea reactivă Pr. 1000 V. 650. 217 . Rezistenţa de izolaţie. +30%). +50%). reprezintă abaterea maximă a valorii reale a capacităţii faţă de valoarea ei nominală.5 minute) de la aplicarea tensiunii continue. 350. (-20%. în gama temperaturilor de lucru.55. E48 cu toleranţele corespunzătoare acestor serii.1 μF se indică în locul rezistenţei de izolaţie. uzuale sunt următoarele valori: 0. Într-un condensator. Pentru CN > 1 μF. 450. rezistenţa de izolaţie poate varia între 100 MΩ şi 100 GΩ. Pentru condensatoarele cu C N > 0. Tangenta unghiului de pierderi. din cauza pierderilor în dielectric şi în rezistenţa nenulă a armăturilor şi terminalelor se disipă putere activă. 25. CN [F]. Pentru condensatoarele electrolitice parametrul care interesează este curentul de fugă.93) Un condensator este cu atât mai bun cu cât puterea activă disipată în el este mai mică. El2. Tensiunea nominală U [V]. 70. Pentru condensatoarele electrolitice se dau de obicei toleranţe nesimetrice: (0%. +80%). este tensiunea continuă maximă sau tensiunea alternativă eficace maximă care poate fi aplicată continuu la terminalele condensatorului. If. fig. 16. valorile nominale şi toleranţele depind de firma producătoare. construind diagrama tensiune-curent se observă că unghiul de defazaj φ dintre tensiunea aplicată şi curentul care parcurge condensatorul este mai mic decât 90° (φ = 90° în cazul condensatorului ideal. Toleranţa. (-10%. Riz[Ω]. Condiţiile în care se efectuează măsurătorile (tensiune.3. E24. Dacă se consideră schema echivalentă serie sau paralel în care pierderile în condensatorul real sunt reprezentate prin rezistenţa r .

care este de forma: N1N2N3 şi unde N1 este Tmin. Intervalul temperaturilor de lucru (Tmin .Tmax) reprezintă limitele de temperatură între care condensatorul funcţionează timp îndelungat.95) Complementul unghiului de defazaj este unghiul δ . +85°C) pentru cele cu mylar. diagrama fazorială şi definirea tangentei unghiului de pierderi Tangenta unghiului de pierderi pentru schema echivalentă serie este: tg S  Ur I r   rC UC I  1 C (3.55 Schema echivalentă a condensatorului: a. 218 . Mărimea tangentei unghiului de pierderi depinde de natura dielectricului şi de procesul tehnologic al condensatorului considerat şi este de dorit să fie cât mai mică.unghiul de pierderi. (40°C. (-40°C. +125°C) pentru cele electrolitice şi cele cu tantal. N2 este Tmax. iar N3 este numărul de zile pentru care producătorul realizează verificările climatice ale componentei în anumite condiţii specificate în norme internaţionale.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Fig.paral. (-25°C.. Rigiditatea dielectrică reprezintă tensiunea maximă continuă pe care trebuie să o suporte condensatorul un timp minim (de obicei 1 minut) fară să apară străpungeri sau conturnări.94) Tangenta unghiului de pierderi pentru schema echivalentă paralel este: tg P  Ir U /r 1   I C U / 1/ C  rC (3. cu hârtie uleiată. +70°C) pentru cele electrolitice.3.serie şi b. Temperatura minimă Tmin şi temperatura maximă Tmax sunt prezentate de producător în cataloage prin intermediul categoriei climatice. In funcţie de natura dielectricului acest interval poate fi: (-10°C. +70°C) pentru condensatoarele cu polistiren şi cu hârtie cerată. ceramice..

Coeficientul de temperatură este exprimat tot mai frecvent în .3. f.3. c – semireglabile. durata de păstrare etc. Coeficientul de variaţie al capacităţii sub acţiunea altor factori (cum ar fi: umiditatea. 219 .56. este definit de relaţia: C  1 C  C0 1 dC 1/ oC  (3. prin simboluri alfanumerice. Fig. e – de trecere Marcarea condensatoarelor se face în clar sau codificat. d.părţi pe milion pe grad Celsius. sau cod literal.97) unde C1 reprezintă valoarea condensatorului în condiţii normale de funcţionare iar C2 este valoarea la care ajunge capacitatea condensatorului sub acţiunea factorului p. Kp.56 Reprezentarea convenţională a condensatoarelor a – fixe. în conformitate cu standardul român (SR) sau simboluri tolerate. în timpul funcţionării. să fie cuprinsă în intervalul de temperatură (TminTmax). prin culori (inele. Coeficientul de variaţie a capacităţii cu temperatura. g – electrolitice. definit astfel: 106 [ppm/°C]. b – variabile. reprezentarea convenţională a condensatoarelor. este prezentată în fig. este dat de relaţia: Kp  C2  C1 100 % C1 (3.). tensiunea aplicată. benzi sau puncte). proiectantul va trebui să aleagă componentele astfel încât.96) 1 / oC  sau  C  C0 T  T0 C dT în cazul unei variaţii liniare şi unde C0 este valoarea capacităţii la temperatura T0 iar C este valoarea capacităţii la temperatura T. temperatura corpului componentei TComp.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Având în vedere condiţiile în care funcţionează circuitul. Simbolizarea.

3. lună).capacitatea nominală CN.3 Comportarea în curent alternativ a condensatoarelor Condensatorul . codul condensatorului (specific firmei). au o conductibilitate finită. Marcarea în codul culorilor este aplicată mai ales condensatoarelor ceramice. cu hîrtie.componentă ideală prezintă în curent alternativ o reactanţă capacitivă: X C  1/ C . în cod de culori sau literal. cu film plastic. . care străbate condensatorul şi tensiunea alternativă aplicată U. Comportarea reală a condensatoarelor prezintă o schemă echivalentă ce va lua în considerare elementele parazite de tip inductiv şi rezistiv. în clar. pe orice tip de condensator: . specifice unui anumit producător. deci vor prezenta o rezistenţă serie rS la trecerea curentului. fenomenul este echivalat prin apariţia în schema echivalentă a unei inductanţe L. . . cu unitatea de măsură (în clar. Astfel trebuie să se ţină seama de o serie de considerente. este de 90°. frecvenţa de lucru etc.toleranţa valorii nominale: în clar (în % sau în pF dacă CN ≤ 10 pF). c) în mod facultativ. cod de culori sau literal). în funcţie de producător se poate marca: firma. pentru condensatoarele ceramice tip „tubular" citirea se face de la inelul sau banda mai groasă sau mai apropiată de extremitatea corpului condensatorului.tensiunea nominală UN – la condensatoarele electrolitice.12. 220 .polaritatea bornelor – la condensatoarele electrolitice. caracteristicile ce se înscriu pe corpul condensatorului sunt: a) în mod obligatoriu.coeficientul de temperatură al capacităţii – la condensatoarele ceramice. cum ar fi: .trecerea curentului prin terminale. materialele folosite şi tehnologia de fabricaţie adoptată. în clar. Ag sau aliaje.terminalele şi armăturile. cod literal sau culori. Citirea indicaţiilor colorate pentru condensatoarele ceramice tip „disc" sau „plachetă" se face începând de la terminale. tensiunea fiind în urma curentului. în clar.terminalul conectat la armătura exterioară – la condensatoarele electrolitice sau cu hîrtie. Indiferent de sistemul de marcare adoptat. iar defazajul dintre curentul I. uneori. armături şi prin dielectric crează un câmp magnetic. care sunt din Cu. în cod de culori sau literal.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE normalizate internaţional sau. . elemente ce depind de structura constructivă. Al. . apare deci un efect de inductivitate care creşte odată cu frecvenţa. data fabricaţiei (an. b) în mod obligatoriu pe unele tipuri de condensatoare: .

57a .materialele dielectrice (hârtia. În concluzie se poate da următoarea schemă echivalentă. CRp 221 . reprezentat prin circuitul echivalent prezentat în fig. prin dielectric trecând un curent rezidual (care oricât ar fi de mic. se poate scrie astfel: Z  rS  j L   rS  j L  1 1 1  jC  Rp Riz  (3. atunci: Rp  1 Ctg  (3. conducţia dieletricului). se adaugă în paralel cu condensatorul C o rezistenţă Rp care exprimă pierderile în dielectric. dacă tgδε este tangenta unghiului de pierderi datorate dielectricului. – schema echivalentă serie Semnificaţia celorlalte elemente din fig. echivalentă acestui fenomen.99) 1  jC 1    1 1 j   CR CR p iz       În relaţia (3. valabilă pentru o clasă mare de condensatoare.99) se fac următoarele notaţii: 1  tg  . condensatorului ideal de capacitate C i se va adăuga în paralel o rezistenţă R iz. . materialele plastice) nu sunt izolatoare perfecte. .MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE .3. în regim armonic.Riz rezistenţa de izolaţie. produce în timp descărcarea unui condensator. Fig. a.3. .3. prezentată în fig.98) . b.tangenta unghiului de pierderi în dielectric.rs rezistenţa armăturilor şi terminalelor.57 a. Impedanţa condensatorului.3. astfel.57a este următoarea: .Rp rezistenţa de pierderi în dielectric. – Schema echivalentă completă a condensatorului C.în general.L inductanţa armăturilor şi terminalelor. b.57a.

CRiz Rezultă: Z  rS  j L   rS  j L  1  jC 1  j  tg   tg iz   1  j  tg   tg iz  (3.   rSCe  tg S .tangenta unghiului de pierderi totală în condensator.capacitatea echivalentă.101) tgC tg 1 1   C Ce j Ce Ce j Ce 2 12LCe  1   r  sau: Z  RES  1 jCES (3.pulsaţia de rezonanţă a condensatorului relaţia (3.100) devine: Z  rS  jL   1 j tg tgiz  jCe  1 1  rSCe tg tgiz   jL  Ce jCe 12LCe 1   tgS tg tgiz   Ce jCe  (3. r  1 LCe .102) 222 .tangenta unghiului de pierderi în rezistenţa de izolaţie.100) 2 jC 1   tg   tg iz     Cu notaţiile: 2 Ce  C 1   tg  tg iz   .tangenta unghiului de pierderi în rezistenţa serie. tg C  tg S  tg  tg iz .MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE 1  tg iz .

se observă că schema din fig. De asemenea.59. Se observă că CES  Ce  C . creşte şi capacitatea echivalentă sarie a condensatorului. pierderile de putere activă în condensator au ponderi diferite pentru fiecare tip de pierderi funcţie de frecvenţă. după care condensatorul real pierzându-şi caracteristica de condensator.57b.FJ. fig. Astfel.103) Această modelare ne dă o imagine asupra comportării condensatorului în gama de frecvenţă. condensatorul prezintă capacitatea echivalentă Ce .103) care dau elementele echivalente ale unui condensator real. Este posibil ca.3. depăşind pulsaţia de rezonanţă caracterul capacitiv să se transforme în caracter inductiv (capacitate negativă).58. pe măsură ce creşte frecvenţa. astfel: la frecvenţe joase predomină pierderile în rezistenţa R iz.3. Din analiza relaţiilor (3. comportarea cu frecvenţa a condensatorului real poate fi estimată în funcţie de variaţia cu frecvenţa a factorului: tg C  tg S  tg   tg iz .102) a impedanţei Z.57a poate fi echivalată cu structura unei scheme echivalente serie.3. depărtate de pulsaţia de rezonanţă. se observă că atât capacitatea echivalentă cât şi rezistenţa echivalentă depind de frecvenţă.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Analizând expresia (3.3. la 223 .3. fig. unde δ este unghiul total de pierderi. Expresia tangentei unghiului de pierderi intervenind atât în expresia părţii rezistive cât şi a părţii reactive a impedanţei echivalente. Fig. ca în fig. se poate spune că doar la frecvenţe joase . cu următorii parametri: RES  tg C şi Ce CES  Ce  1    r  2 (3.58 Variaţia cu pulsaţia a capacităţii echivalente serie Variaţia parametrilor echivalenţi este determinată însă de variaţia pierderilor în funcţie de frecvenţă. valoarea condensatorului CES fiind crescătoare până în apropierea frecvenţei de rezonanţă r .

MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE frecvenţe medii predomină pierderile în în materialul dielectric.3. Fig. Se reaminteşte că elementele componente ale schemelor echivalente se modifică cu frecvenţa. care survin în interstiţiile ocupate de aer din materialul dielectric sau între armături şi dielectric.3. iar schema echivalentă se complică datorită electrolitului. condensatoarele ceramice multistrat tind să înlocuiască condensatoarele ceramice simple. cu temperatura şi în timp. Zgomotul condensatoarelor În anumite condiţii. . condensatoarele pot fi sursă de zgomot. pe cele cu hîrtie sau cu folie de plastic.variaţiile aleatoare de sarcină pe armături. în funcţie de domeniul de frecventă al circuitului considerat se va alege tipul constructiv de condensator care oferă elementele parazite neglijabile în domeniul respectiv. comportarea circuitelor analogice. iar condensatoarele electrolitice cu tantal înlocuiesc condensatoarele electrolitice cu aluminiu. 224 . care se datoresc adeziunii incomplete a armăturii pe dielectric (în special în cazul condensatoarelor cu mică sau ceramică argintate). el nu influenţează. La condensatoarele electrolitice pierderile sunt mai mari.59. condensatoarele supuse unor cicluri de temperatură joasă-înaltă prezintă o pronunţată tendinţă spre o adeziune incompletă a armăturii pe dielectric. la ora actuală. la câmpuri electrice intense (la o funcţionare în regim alternativ survin două asemenea descărcări pe perioadă). rezistenţa R p iar la frecvenţe înalte în RS.descărcările interne incipiente.59 Variaţia cu frecvenţa a tangentei unghiului de pierderi Prin urmare. Principalele surse de zgomot în condensatoare sunt: . practic. descărcările sunt favorizate şi de existenţa pe armături a unor proeminenţe ascuţite. Acest zgomot produce erori în special în circuitele numerice. aşa cum se prezintă în fig. în dreptul cărora câmpul este puternic neomogen. în prezenţa unor dilatări termice sau şocuri mecanice.

3. produc ionizări care sunt surse de zgomot în dielectrici ca: mica. deoarece armăturile se contactează de regulă într-un singur loc. . radiaţiile Roentgen.variaţia capacităţii sau rezistenţei de contact datorită unor şocuri mecanice sau dilatării termice. . în condensatoarele variabile intervin toate tipurile de surse de zgomot amintite. 3. fig.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE .radiaţiile radioactive. sursa unui zgomot de impulsuri. de asemenea. funcţie de tipul condensatorului variabil. lumina etc. În general.3. Condensatoarele cu hârtie Acestea se relizează prin bobinarea a două folii de aluminiu care alcătuiesc armăturile. acest fapt duce la circulaţia curentului 225 . Specific condensatoarelor variabile este zgomotul generat de angrenajul mecanic.relaxarea dielectricului.12.60. aceste zgomote sunt mai importante în cazul condensatoarelor cu capacităţi mici. care survine la dielectricii cu polarizare de orientare sau polarizare spontană. În continuare se prezintă structura constructivă a principalelor tipuri de condensatoare. separate de două sau mai multe folii de hârtie impregnate care constituie dielectricul. aceasta este.60 Structura constructivă generală a unui condensator Referitor la modul de aranjare a terminalelor există două mari clase de componente: cu terminale axiale.polimerizarea incompletă a dielectricilor organici. ceramicile cu polarizaţie neliniară. adică sunt plasate în lungul axei componentei şi radiale.61 (efectul inductiv parazit la acest tip de bobinare este supărător la frecvenţe mai mari.4 Tehnologii de realizare a condensatoarelor fixe Structura unui condensator Structura constructivă generală a unui condensator este prezentată în fig.3. materiale sintetice organice. Fig. . sursa unui zgomot de impulsuri. practic de aceeaşi parte a capsulei componentei. în special. care poate continua în timp şi care este.Armăturile cu dimensiuni cuprinse între 5 şi 15 μm se pot plasa suprapuse – bobinarea inductivă.

3. prin această operaţie se determină creşterea rigidităţii dielectrice (eventualele incluziuni de gaze sunt înlocite cu impregnant).) sau solizi (parafină răşini epoxidice).61 Condensatoare cu folii de aluminiu După bobinare. Condensatoarele sunt protejate prin mulare în compund epoxidic sau sunt introduse într-un tub de aluminiu etanşat cu răşină epoxidică sau cu rondele din pertinax cauciucat. generând astfel fluxuri magnetice şi astfel inductanţă parazită foarte mare) sau decalate – bobinare neinductivă. care are formă de spirală.3. fig. Condensatoarele cu hârtie metalizată sunt caracterizate printr-o capacitate specifică mai mare. Fig. se realizează în acest mod o zonă care va fi metalizată şi care permite plasarea terminalelor).62 Condensator cu folii metalizate (neinductiv) 226 . datorită faptului că armăturile sunt pelicule metalice (de obicei aluminiu) foarte subţiri (zecimi de micron) depuse în vid pe hârtia lăcuită în prealabil.3. triclordifenil etc. condensatoarele se impregneză cu dielectrici lichizi (ulei de condensator.62 (bobina astfel realizată se scurtcicuitează şi în acest fel efectul inductiv dispare.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE din punctul de contact cu armătura în lungul acesteia. Fig.

Cele două au denumirile generice MKT. Folosind o tehnologie similară se obţin şi condensatoare cu dielectric polietilenă (dielectric nepolar) metalizată cât şi cu policarbonat (dielectric polar) metalizat. Înainte de metalizare bobina se poate presa.3.63 Condensatoare cu polistiren (stiroflex) Fig. 227 . spre deosebire de condensatoarele cu folii. de asemenea.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Condensatoare cu peliculă din material plastic Cele mai întâlnite tipuri sunt cu polistiren (dielectric nepolar.63) şi cele cu polietilentereftalat (dielectric polar. titanaţi şi zirconaţi ai diferitelor metale. caolin. silicaţi. caracterzat de o tangentă a unghiului de pierderi mică 10 -4) cunoscuţi sub numele de stiroflex (fig.3. la realizarea bobinei se utilizează numai două folii metalizate cu un strat subţire de aluminiu. depus prin procedee de evaporare în vid. În funcţie de compoziţie ceramica dielectrică poate fi: .64 Condensator cu polietilentereftalat (mylar) Folia din material plastic nu prezintă puncte conductoare sau găuri microscopice şi de aceea se poate folosi un singur strat de dielectric. talc etc. caracterizat prin pierderi în dielectric mari) cu denumirea comercială mylar (fig.64) sau pe scurt PET. rezistenţa de izolaţie obţinută este foarte mare. La această variantă de condensator. care are la bază titanaţii de magneziu şi calciu cu permitivitatea dielectrică εr = 5 – 200. Condensatoarele ceramice Condensatoarele ceramice folosesc ca dielectric o ceramică formată dintr-un amestec de oxizi. Fig.3. condensatoarele realizate cu acest tip de dielectric au o variaţie finită a capacităţii cu temperatura şi au tgδ mic. aceasta duce la creşterea capacităţii specifice a condensatorului şi la reducerea gabaritului său. Datorită variantei de contactare cu metalizări la capete se obţin inductanţe parazite mici.ceramică de tip I.3. respectiv MKP. rezultând o formă ce se poate introduce într-o carcasă paralelipipedică sau se poate mula în aceeaşi formă.

armăturile de Ag sau Al sunt depuse pe cele două părţi ale discului sau plachetei prin serigrafie. manual sau automat prin tratament termic. pulberea se amestecă cu lianţi. se obţine o permitivitate foarte mare peste 100 000 (se foloseşte mai rar). care prin laminare pe suport. ajungând până la 15000.ceramică de tip II.67) sunt caracterizate de capacitatea specifică (capacitatea pe unitatea de volum) foarte mare.3. se obţin astfel formele dorite pentru aceste condensatore: disc. .3.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE . plachetă sau tubulare. .65 Condensatoare ceramice monostrat (a) – disc. . după care urmează marcarea în clar sau în codul culorilor.urmează lipirea terminalelor printr-un proces tehnologic automat.ceramică de tip III. datorită calităţilor. Procesul tehnologic cuprinde următoarele etape: . dar coeficientul de variaţie al capacităţii cu temperatura este nedefinit şi tgδ mai mare (cu cel puţin un ordin de mărime faţă de ceramica de tip I). permite obţinerea unor folii ceramice foarte subţiri de dimensiuni relativ mari faţă de dimensiunile unui condensator multistrat finit şi care va contribui la formarea a n componente identice. au dimensiuni mici şi valori nominale în limite largi (de la 3.3.3 pF la 1μF). Condensatoarele ceramice multistrat Aceste condensatoare (fig.66 şi fig. are permitivitatea foarte mare.ceramica dielectrică se obţine printr-un proces tehnologic propriu materialelor ceramice: substanţele sunt dozate. acestea tind să înlocuiască celelalte tipuri de condensatoare folosite în circuitele electronice. are la bază compoziţii ale titanatului de bariu care pot fi transformate în semiconductor prin tratare termică.65. Materialul dielectric este o pastă de tip I sau II. se presează şi se supune unui tratament termic. ca în fig. Pe această folie se depune prin serigrafie o configuraţie de n pelicule de Ag-Pd care constituie o armătură a condensatoarelor.3. unde: Fig. pe bază de zirconaţi şi titanaţi de bariu sau stronţiu.protejarea condensatoarelor se face prin acoperire cu un strat de răşină termodură. Pe o altă folie se depune o configuraţie similară ce va 228 . amestecate şi măcinate. (b) – condensator plat .

fig. c) condensator protejat Zona metalizată care scurtcircuitează armăturile „stânga” şi din „dreapta” serveşte pentru sudarea sau lipirea terminalelor din sârmă de Cu dublu cositorită. presarea foliilor. condensatorul este folosit în tehnologia straturilor groase (TSG) de realizăre a circuitelor hibride sau cel din fig. Prin metalizarea la extremităţile cip-ului se realizează o structură de condensatoare legate în paralel – structură pieptene.3.3. b) condensator "cip" neprotejat. Fig.3. fig.67 Condensator ceramic multistrat a) – pentru tehnologia SMD.66 Condensatoare ceramice multistrat a) secţiune. decuparea „cip”.67a.urilor viitoarelor condensatoare şi fixarea proprietăţilor prin tratament termic. în tehnologia SMD. Urmează suprapunerea foliilor în număr diferit de straturi.3. funcţie de valoarea capacităţii nominale de realizat. b) – cu terminale pentru inserţie 229 .MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE constitui cealaltă armătură etc.66a. Sub această formă de „cip” neprotejat.3.66b. Fig. Condensatorul este protejat prin acoperire cu un strat de răşină epoxidică.

armăturile din folii de staniu.3.) . numită stator. Condensatoarele cu mică sunt plane. Condensatoarele variabile cu aer au structura prezentată în fig.68 Condensatoare variabile cu aer 230 . scurtcircuitarea la extremităţi a armăturilor impare şi respectiv pare asigură creşterea capacităţii totale şi contactarea terminalelor. Condensatoare variabile de control.condensatoare variabile de ajustare. au intervalul de capacitate [Cm. se întâlnesc şi sub denumirea de semivariabile sau trimere.5 Tehnologia şi parametrii condensatoarelor variabile Condensatoarul variabil reprezintă un condensator la care utilizatorul poate modifica capacitatea în mod continuu într-un anumit interval [Cm. Foliile de sticlă au aproximativ 25 μm iar armăturile sunt din aluminiu sau aur. Condensatoare cu sticlă Aceste condensatoare au ca dielectric sticla silicat cu conţinut mare de oxizi de bariu sau plumb. numită rotor şi alta fixă. (modificarea frecvenţei unui radioreceptor pentru acordul cu staţia de emisie.68.condensatoare variabile de control. în funcţie de tipul dielectricului. CM] mult mai mic decât al celor de control.12. modificarea capacităţii unui Q-metru pentru obţinerea rezonanţei cu inductanţa. utilizate pentru reglarea la valoarea nominală a parametrilor unor circuite electronice. utilizate pentru modificarea parametrilor unor circuite electronice în timpul utilizării aparaturii. alcătuind o structură pieptene . modificarea frecvenţei unui generator sinusoidal. etc. cu structură similară condensatorelor ceramice multistrat. Şi aceste condensatoare se realizează sub formă plană sau multistrat. aluminiu sau peliculă de argint sunt dispuse alternativ între straturile de mică. teflon). Orice condensator variabil are două părţi componente esenţiale: una mobilă. cupru de mare puritate. Fig.3. sunt cu aer sau cu dielectric solid (folii plastice polipropilenă. 3.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Condensatoare cu mică Mica este un material cu bune proprietăţi dielectrice folosit în prezent mai rar. sunt utilizate pentru compensarea abaterii celorlalte componente de care depinde parametrul circuitului. După rolul pe care-l au în circuitele electronice se clasifică în: . CM] stabilit de producător.

Secţiunile pot avea acelaşi stator sau stator independent..60 ppm/°C pentru o secţiune. depinzând în special de modificările armăturilor cu temperatura. Atât rotorul.. poate fi de 180° sau 360°. suprapuse în plane paralele. .. Pentru CM poate ajunge la 40. trei sau patru secţiuni.Direcţia de rotaţie în sensul creşterii capacităţii este conform acelor de ceas. . fiind invers proporţională cu aceasta. VN este 350. de asemenea. conectate între ele cu ajutorul unor bare.. . două.Capacitatea nominală. C m nu este zero. cât şi statorul sunt izolate electric de şasiu cu ajutorul unor plăcuţe ceramice siliconice (eventual rotorul poate fi conectat la şasiu). Capacitatea maximă CM. Capacitatea minimă Cm reprezintă capacitatea condensatorului corespunzătoare deplasării minime a rotorului faţă de stator. În acest fel deşi permitivitatea relativă a aerului este mică (εr ≅ 1) rezultă totuşi o capacitate relativă mare. 231 . Prin conectarea în paralel a n secţiuni (n ≤ 4). CM va creşte de n ori.. datorită distanţei mici între rotor şi stator.Toleranţa capacităţii poate fi determinată cu relaţia: (3.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Armătura rotorului este formată din lamele de aluminiu sau alamă. rezultă capacitatea condensatorului: C  2nC0 . cele variabile prezintă şi anumiţi parametrii specifici: . CM pentru o secţiune poate lua valori de 250pF.104) unde C0 este capacitatea între două lamele succesive (rotor . (maxim 40 – 100pF).stator). Conectând în paralel n secţiuni (n ≤ 4). Armătura statorului este realizată la fel ca cea a rotorului. Şasiul este format din plăci de nichel. La CM. Condensatoarele variabile prezintă o capacitate nominală minimă Cm şi una maximă CM. În funcţie de dimensiuni.7  0. Chiar dacă armăturile rotorului şi statorului nu se mai suprapun. Cm este în general de 10 25pF pentru o secţiune. Dacă rotorul are n lamele şi statorul n+1. Condensatoarele cu aer pot avea una.400 V. .Unghiul de rotaţie maxim ϕM. În afara parametrilor specificaţi condensatoarelor fixe. Pentru o delpasare mai fină a rotorului se utilizează un angrenaj de demultiplicare acţionat de un ax de comandă.105) t  0.Coeficientul de variaţie cu temperatura al capacităţii este dependent de capacitate. Secţiunile pot fi conectate în paralel sau pot fi utilizate în circuite diferite.Tensiunea nominală este. Se poate considera că aceste condensatoare cu aer au o structură de tip multistrat. contactate la un ax.640pF. (3.. Cm va creşte de n ori. Axul cu ajutorul căruia se roteşte rotorul este fixat la şasiu pe bile sau lamele elastice. lamelele fiind însă rigidizate şi contactate între ele prin plăci de legătură.11Cm  CM  / 100  %  . reprezintă capacitatea condensatorului corespunzătoare deplasării maxime a rotorului faţă de stator. dependentă de capacitate.

Se utilizează în general în radioreceptoare de calitate mai slabă. .rotor. Condensaroarele variabile cu aer sunt condensatoare de înaltă precizie. . . . policarbonat.02 pF şi între două secţiuni de rotor C pr < 0.Rezistenţa de contact între elementele metalice contactate este Rk < 5. Au o structură multistrat plană.stator.) este aleasă în concordanţă cu circuitul în care este utilizat. teflon (PTFE). tensiunea. şasiu – rotor este în general. .Toleranţa capacităţii unei secţiuni a condensatorului faţă de o altă secţiune este mai mică decât ± 0. Condensatoarele variabile de control cu dielectric solid prezintă o capacitate specifică mai mare.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE . temperatura. Riz > 10GΩ.69.Legea de variaţie a capacităţii condensatorului este o funcţie de forma: (3. Parametrii condensatorului depind de tipul de dielectric utilizat..69 Condensator variabil de control cu dielectric solid 232 . logaritmică etc. fiind de dimensiuni mai mici. având o bună stabilitate a capacităţii cu frecvenţa.106) C  f  Cm . crescând cu aceasta. de asemenea. Atât tgδ cât şi αTC sunt influenţate de umiditate.Tangenta ungiului de pierderi tgδ este. o bună rezoluţie de reglaj.7%. au pierderi mici. Legea de variaţie a unui condensator variabil (liniară.3. CM .Capacitatea parazită între două secţiuni de stator C ps < 0. .Categoria climatică 40 / 85 / 21.Rezistenţa de izolaţie între stator . dependentă de capacitate. Au capacitatea maximă CM mai mică şi parametrii mai slabi decât cele cu aer. Se utilizează ca dielectric folii de materiale termoplaste: polipropilenă. între şasiu .10mΩ. structura constructivă fiind prezentată în fig.  ce exprimă modul de variaţie al capacităţii condensatorului în funcţie de poziţia relativă ϕ a rotorului faţă de stator.05 pF. putând ajunge la 10-3.3. Fig.. Sunt utilizate până la frecvenţe de sute MHz.

pot fi de tip disc sau tubular. De asemenea.3. Rotorul este un şurub metalic ce se deplasează elicoidal în interiorul tubului ceramic. depusă prin pulverizare pe o faţă a rotorului.rotor.3.71. 3 . Condensatoare variabile de ajustare ceramice de tip disc au soluţia constructivă prezentată în fig. cu coeficient de variaţie cu temperatură definit.pivot. de la 3 / 10 pF la 10/ 60 pF. Condensatoarele ceramice disc pentru ajustare au Cm / CM. mai sunt utilizate pentru conectarea în paralel cu condensatoarele variabile de control. 10 . Din punct de vedere al dielectricului utilizat se împart în două categorii: . Dielectricul se realizează din ceramică de tip I sub formă de tub. Scopul este de fapt de a compensa abaterea inductanţei inductorului conectat în serie sau în paralel cu condensaroarele. Statorul se realizează din ceramică de tip steatit.condensatoare variabile de ajustare cu ceramică. cu ajutorul unei şurubelniţe. N1500. în scopul obţinerii unei rezoluţii de reglaj mai bună. în special pentru reglarea la valoarea nominală a frecvenţei de rezonanţă a circuitelor oscilante LC. foarte importantă fiind stabilitatea termică dimensională.cosa dublă. sub formă de sector de cerc. prin intermediul unui ax. 9 .MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Condensatoare variabile de ajustare (semivariabile sau trimere) Sunt utilizate pentru reglarea la valoarea nominală a unor parametrii ai circuitelor electronice. tensiunea nominală 160V. 8 . este realizat din ceramică de tip I.arc Rotorul. Armătura rotorului este din pastă de Ag.3.sudura pivot-rotor. sub formă de disc.70 Secţiune printr-un trimer ceramic de tip disc 1. momentul de rotaţie 100 600 gf/cm.70. 5 . Se utilizeză dielectric de tip: N150. 350V. N750.contact stator (cosa simplă). Rotorul se deplasează circular.armatura rotor. 4 . 2 . Armătura statorului este din Ag depusă prin serigrafie sub formă de sector de cerc. 233 . sub formă tubulară.condensatoare variabile de ajustare cu folii din materiale termoplaste. Fig. utilizate în diverse tipuri de circuite. fiind dielectricul condensatorului. 7 .rondela de cauciuc siliconic. 6 – stator. Condensatoare variabile de ajustare ceramice de tip tubular au forma constructivă prezentată în fig. având în vedere forma constructivă. 250V. În exteriorul tubului ceramic se depune armătura stator din Ag.armatura stator. ce utilizează ca dielectric ceramica de tip I. Tangenta unghiului de pierderi tgδ < 2·10-3 rezistenţa de izolaţie Riz > 3GΩ. .

pentru condensatoarele de valori mari (peste 1 nF) utilizarea unor tipuri caracterizate 234 . 40/125/21.3.6 Tehnologia condensatoarelor electrolitice Tendinţa continuă de miniaturizare a aparaturii electronice impune.3. 40/85/21. Condensatoarele variabile de ajustare sunt caracterizate de aceeaşi parametrii ca şi condensatoarele variabile de control. Categoria climatică: 40/70/21. polipropilenă. tangenta unghiului de pierderi tgδ ≤ 2·10-3. Armătura rotor este formată din 2 .3 lamele metalice semicirculare contactate la un ax. Fig. Dielectricul este sub formă de folii. policarbonat. 3.72 Condensator variabil de ajustare cu dielectric termoplast Parametrii condensatorului depind de tipul de dielectric utilizat. 500 V.5pF la 1 / 12 pF.72. Au capacitatea Cm / CM de la 0. N300.12.3 / 1.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Se utilizează dielectric de tip N200. Se obţin capacităţi Cm / CM de la 1. utilizându-se: polietilenă. 250V. susţinute mecanic de un corp din material plastic. rezistenţa de izolalaţie Riz > 10GΩ. Categoria climatică este 50/100/21.71 Condensator variabil de ajustare ceramic de tip tubular Condensatoarele variabile de ajustare cu dielectric sub formă de folii din materiale termoplaste au structura constructivă din fig.5 /5 pF la 11 /120 pF. teflon (PTFE). Armătura stator este formată din 3 .4 lamele metalice semicirculare suprapuse. Fig. tensiunea nominală 400V.3. tensiunea nominală de 150V. Legea de variaţie a capacităţii cu poziţia relativă a rotorului faţă de stator este liniară.

3. a unor tensiuni de lucru nominale Un=(3-500)V.+85)oC. având ca dielectric o peliculă foarte subţire de oxid de aluminiu (Al2O3). deoarece funcţionarea lor se bazează parţial pe procese electrochimice. superioară ca mărime componentei alternative. borna pozitivă se va numi anod. asigură obţinerea unei capacitaţi specifice mari (1000 μF/cm3). sau în circuite în care există o componentă de curent continuu.73) are conductibilitate ionică. deoarece contactul metal-oxid (Al-Al2O3) are proprietaţi semiconductoare şi o polarizare inversă a condensatorului (polarizare directă a joncţiunii metal-oxid) ar putea duce la o creştere excesivă a curentului prin condensator. Condensatoarele electrolitice cu aluminiu Condensatoarele electrolitice cu aluminiu sunt condensatoare de mare capacitate (1-3300μF).3. ceea ce face să fie „polarizat”. Cele mai întâlnite tipuri sunt cele cu oxid de aluminiu şi pentaoxid de tantal şi mai recent pentaoxid de niobiu. Condensatoarele electrolitice reprezintă o categorie specială în cadrul condensatoarelor. aceste condensatoare sunt realizate cu valori ale capacităţii cuprinse între 50 nF şi 250000 µF. ceea ce impune cunoaşterea modului de realizare al acestora. Rigiditatea dielectrică ridicată (1000 KV/mm) a oxidului de aluminiu. Aceste condensatoare îndeplinesc de obicei funcţia de filtrare a tensiunilor (rezervor de energie) sau cuplare decuplare a semnalelor de frecvenţe joase. într-un domeniu de temperaturi cuprins între (-40. iar cea negativă catod. Fig. adică poate lucra numai in circuite de curent continuu. În prezent. a. cu dimensiuni proporţionale cu produsul capacitate  tensiune pentru aceiaşi tehnologie: condensatoarele subminiatură pentru circuite hibride au dimensiuni comparabile cu cipurile de circuite integrate. Fiind polarizate. respectându-se strict polaritatea marcată sau recunoscută (de obicei catodul este conectat la carcasă).MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE printr-o valoare ridicată a raportului dintre capacitate şi volumul condensatorului (raport numit capacitate specifică). O polarizare incorectă poate duce la deteriorarea peliculei de Al2O3 şi deci a condensatorului. Acestea prezintă o borna (+) şi una (-) şi trebuie conectate în mod corespunzător în schema de utilizare. Condensatorul electrolitic cu aluminiu (fig. într-o gamă de tensiuni nominale extinsă până la 500 Vcc.73 Condensator electrolitic cu aluminiu 235 .

folia anodică (electrod +). datorită valorilor mari ale capacităţii care se pot obţine condensatoarele electrolitice sunt astăzi indispensabile în aparatura electronică.carcasa (capsula). b . încălzirea 236 . care permite contactul cu stratul foarte subţire de oxid.3. .varianta de încapsulare Armătura catodică a acestor condensatoare este reprezentată de un electrolit.75 Structura condensatorul electrolitic cu aluminiu a . fiabilitatea condensatoarelor electrolitice este mai redusă decât a altor componente electronice pasive. ceea ce înseamnă că acestea se defecteză mai rapid. . pentru conectarea componentei în circuit.1 . având rolul celei de a doua armături.principiu de realizare.3.stratul de Al2O3 (cu grosimea de 0. care acoperă folia anodică. De aici rezultă şi parametrii condensatoarelor electrolitice care sunt net inferiori celorlalte categorii de condensatoare.74 Obţinerea unui condensator nepolarizat Structura de detaliu a unui condensator electrolitic cu aluminiu (ELCO) este prezentată în fig. „spate în spate” prin catozi.. formând una din armături.. Totuşi. Cauzele defectelor sunt: depăşirea tensiunii nominale. Fig.75 şi cuprinde: . având rolul de a asigura contactul electric dintre soluţia de electrolit şi borna catodică (electrod -). cum ar fi ideal.3. se poate obţine un condensator nepolarizat care poate fi utilizat şi în curent alternativ. dacă este din aluminiu).soluţia de electrolit.150) Hz.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Prin cuplarea a două condensatoare în serie.structura constructiva. . dar care nu are o rezistenţă foarte mică. având rol dielectric. având rol protector (şi totodată contact catod.74). c . Fig. de joasă frecvenţă. adică rol de dielectric cu proprietăţi semiconductoare. .9 μm). Astfel. .folia catodică. fără componenta continuă (fig.0.terminale.3. (50.

3.7 V amplitudine). Sunt produse trei categorii de condensatoare electrolitice: simple. Condensatoarele de capacitate mare încărcate nu se descarcă prin scurtcircuitare din cauza valorii mari a curentului ce ia naştere şi care poate distruge armăturile.76 sunt prezentate tipuri constructive de condensatoare cu tantal. capacitatea nominală. În mod curent se produc condensatoare electrolitice în gama de valori nominale de la 0. Obs. 20. precum şi incapacitatea de a lucra în curent alternativ mare (peste 0. tensiunea nominală. Primele două cifre reprezintă codificarea familiei tehnologice iar următoarele două codifică tipul capsulei. 16. EM – condensator electrolitic nepolarizat pentru pornire motoare. codul de catalog. 40. EF. data de fabricaţie. 25. CTS-T cu terminale axiale şi capsulă metalică cilindrică etanşată cu sticlă (pentru aplicaţii militare şi industriale).1 µF la 680 µF şi tensiuni nominale de 3. Codul de catalog este format din două litere şi un grup de patru cifre. Literele au următoarea semnificaţie: EG – condensator de capacitate specifică ridicată. Pe lângă acestea. ceea ce face ca. Se produc în trei variante: CTS-P cu terminale de implantare. Au avatajul că oferă capacităţi mai mari la un volum mai mic. b. dar sunt însă mai scumpe. EN – condensator electrolitic nepolarizat.3 V şi 450 V. alte informaţii referitoare la polaritatea terminalelor. Marcarea condensatoarelor se face în clar. mai prezintă şi un efect inductiv datorat modului tehnologic de realizare. pierderea electrolitului datorită etanşării imperfecte. explozie (spargerea carcasei). lucrul la temperatură.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE excesivă datorită pierderilor (tgδ este mare). EP – condensatoare electrolitice destinate pentru sursele de putere din echipamentele de tehnică de calcul şi pentru stocarea energiei în sistemele cu funcţionare în comutaţie. 35. Curentul de descărcare trebuie limitat cu rezistoare. multiple şi nepolarizate. Modul de manifestare al defectelor este diferit: străpungere. CTS-T cu terminale axiale şi capsulă cilindrică etanşată cu răşină epoxidică (pentru aplicaţii de uz general). 10. Fig.76 Tipuri constructive de condensatoare cu tantal 237 . umiditate sau tensiune mai ridicată. condensatorul să nu-şi mai îndeplinească corect rolul în circuit.3. numite şi condensatoare tip picătură. În fig. punctele de conectare a terminalelor etc. având tensiuni nominale cuprinse între 6. 6. depozitare îndelungată.22 µF la 47000 µF. pe corpul lor fiind specificate: firma producătoare.3. 50 şi 63 V. sau pur şi simplu creşterea curentului de fugă şi scăderea capacităţii (uscare = devalorizare). Condensatoare electrolitice cu tantal Condensatoarele cu tantal solid sunt produse în gama de valori nominale de la 0.

strat de grafit. Contactarea electrolitului solid (MnO2) se realizează prin intermediul unui strat de grafit argintat. .un corp cilindric.strat MnO2. condensatoarele.01 . sinterizat din pulbere de tantal. având proprietăţi semiconductoare (condensator polarizat).A4 sunt prezentate tipuri constructive de condensatoare. 3 . sunt de uz general sau profesional şi fac parte din categoria condensatoarelor electrolitice cu anod sinterizat şi electrolit solid. 238 . 6 . 4 .77.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Condensatoarele ELTA.dielectric .05 μm.armătura catodică . 8 .77 Condensatorul electrolitic cu tantal 1 .strat de Ag.13 Anexe 3.răşina La condensatoarele electrolitice se marchează în clar valoarea nominală în μF şi tensiunea nominală în volţi. Fig. termistoarele (NTC) şi (PTC).anod sinterizat. feritele. ce acoperă granulele blocului anodic pe întreaga suprafaţă. 3. fiind uşor de deosebit de cele cu tantal. 2 – port-anod.3. Marea familie a electroceramicelor include o lungă listă de subfamilii: materialele izolatoare. depuse peste întreaga suprafaţă a dielectricului.0. Condensatoarele electrolitice cu niobiu au performanţe similare celor cu tantal şi au fost dezvoltate în special în scopul evitării arderii condensatoarelor în caz de scurtcircuit.lipitură. 5 .terminal catodic.3. este următoarea: . De exemplu. 9 . Capacitatea specifică la ELTA este de câteva ori mai mare decat la ELCO. . Structura unui condensator tip ELTA. MnO2. cu grosimea de 0.o pelicula de pentaoxid de tantal.armătura anodică . la care se conectează prin lipire terminalele argintate.A1 Aplicaţii ale ceramicei piezoelectrice Materialele electroceramice joacă un rol important în ingineria electrică şi constituie o largă familie cu îndelungate tradiţii şi cu mari perspective. În Anexa 3.terminal anodic.o succesiune de straturi de dioxid de mangan. Ta2O5.Iaşi. fig. 10 . 7 .sudură. cele de la firma AVX au culoarea portocalie. fabricate de "Tehnoton" .

. ceramicele pentru microunde.A1.dispersia frecvenţei pentru un lot de cristale. Principalii parametri ai dipolului rezonant sunt: .1. motiv pentru care marcarea pe capsulă a 239 . Fig.frecvenţa de rezonanţă serie. în microcalculatoarele cu scop industrial. mulţi practicieni numesc „cuarţ” orice rezonator piezoelectric. carcasele şi capsulele ceramice. se fabrică rezonatoare şi din ceramice piezoelectrice. .1 Circuit echivalent şi variaţia reactanţei unui cristal piezoelectric Pentru multe produse de acest tip.A1. Circuitul electronic echivalent al cristalului şi variaţia reactanţei sale sunt prezentate în fig. cu proprietăţi similare cu ale cuarţului. cu factor de calitate foarte mare (de ordinul miilor). varistoarele. În prezent. ceramicele piroelectrice. ele sunt doar un model al comportării rezonante. pe feţele căreia au fost depuse contacte metalice. Mai are proprietatea unei stabilităţi foarte bune a frecvenţelor de rezonanţă. Prezintă o rezonanţă serie şi una paralel. Este folosit ca dipol rezonant în oscilatoare care au nevoie de stabilitate bună a frecvenţei (în circuitele de telecomunicaţii.distanţa între frecvenţele de rezonanţă . superconductoarele. abaterea relativă a frecvenţei pe termen scurt sau lung nu depăşeşte 1/100. Având în vedere aplicaţiile practice. substraturi şi căptuşelile ceramice. capacităţii parazite a electrozilor metalici depuşi pe suprafaţă. . echivalentă cu un un circuit rezonant electronic. Din acest motiv. Rezonatorul piezoelectric Este o componentă cu rezonanţă mecanică. Capacitatea paralel corespunde.000.stabilitatea frecvenţei de rezonanţă (dată în ppm/oră sau ppm/an).MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE ceramicele piezoelectrice. ceramica optică. conductoarele optice. Prima variantă tehnologică a fost o lamă tăiată dintr-un cristal de cuarţ. în calculatoare. în continuare se vor prezenta pe scurt ceramicele piezoelectrice utilizate în realizarea dispozitivelor cu undă elastică de volum şi de suprafaţă. Celelalte elemente ale circuitului echivalent nu au un corespondent electric în rezonatorul fizic. Frecvenţele de rezonanţă sunt foarte apropiate între ele (sute de Hz). în toate ceasurile digitale). în mare măsură.

Principalii parametri sunt: frecvenţa centrală şi lăţimea benzii de trecere. în care circuitele rezonante sunt acordate pe frecvenţa centrală a benzii de trecere. iar viteza de propagare este mai redusă decât a undelor de volum. a b Fig.A1.9995 MHz – 10.0005 MHz). prin reţele de adaptare. Traductoarele sunt conectate la sursa de semnal. În fig.3d). Un circuit echivalent aproximativ al rezonatorului este cel din fig. Domeniul de utilizare este cuprins între sute de MHz şi GHz.) Aceste dispozitive sunt pasive. se subînţelege că frecvenţa nu va ieşi din intervalul 9. care produce deplasarea punctelor materiale (fig. (În realitate. nedispersivă.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE frecvenţei de 10 MHz poate apărea astfel: 10. Undele de suprafaţă produse de secţiunile vecine ale traductorului interdigital se vor impune în fază numai dacă perioada structurii interdigitale este egală cu lungimea de unda λ0.5MHz). având caracteristica amplificare-frecvenţă din fig. Punctele materiale ale stratului superficial suferă deplasări longitudinale. respectiv la consumator. strcutura echivalentă este puţin mai complicată. dispozitivele piezoelectrice se mai folosesc ca filtre “trece bandă”. volum foarte mic şi o bună stabilitatea a proprietăţilor de filtrare.5 sau 6. Un semnal electric sinusoidal aplicat traductorului interdigital emitor. Astfel conversia mărimii electrice în marimea elastică şi invers este o conversie selectivă iar filtrul trece bandă are caracteristica atenuare – frecvenţă cu fronturi abrupte.2b.A1. În acelaşi 240 . realizat prin depuneri metalice pe un substrat de niobat de litiu (fig. au trei terminale.3a este reprezentată reţeaua cristalină distorsionată de unda Rayleigh.A1.3c).A1. întrucât trebuie să asigure şi lăţimea de bandă de trecere.A1.7 MHz).A1. Filtru trece bandă cu unda de suprafaţă În afară de utilizarea ca dipol rezonant. Sunt utilizate în circuitele de frcvenţă intermediară din radioreceptoare MF (10. Zerourile nesemnificative au drept scop indicarea erorii maxime admise (în acest exemplu. determină apariţia în substrat a unui câmp electric în planul xOy. paralele cu suprafaţa monocristalului şi transversale.000 MHz (a fost folosit punctul zecimal). care este o undă polarizată eliptic şi puternic atenuată în adâncime. din canalul de sunet al televizoarelor (5.A1.2a. Traductorul receptor efectuează conversia în sens invers (fig.2 Caracteristica amplificare-frecvenţă – a şi un circuit echivalent al filtrului “trece-bandă” – b Dispozitivul electric utilizează unda elastică de suprafaţă de tip Rayleigh. Propagarea este direcţională.3b).

folia de cupru. Urmează înlăturarea cernelii protectoare prin spălare cu un diluant potrivit. când nu se prevede acoperirea cu metale de protecţie a conductoarelor sau când această metalizare urmează să se facă după executarea cablajului. tăieri. se trece la corodarea în băi cu soluţii acide care atacă cuprul neprotejat. viitoarele conductoare sunt acum acoperite cu cerneală (lac) rezistentă la acizi. Principalele etape ale procesului sunt: suportul. cu suprafaţa pregătită (bine curăţată) se imprimă desenul cablajului în pozitiv. placa se curăţă bine (decontaminare) pentru înlăturarea agentului corodant şi a produşilor de corodare.A1.pe placa cu forma dorită se imprimă desenul cablajului. Deseori. a. găuriri etc). Tehnologii substractive de fabricaţie a cablajelor imprimate cu găuri nemetalizate. mască selectivă. după care se execută diverse prelucrări mecanice (decupări. cerneală de protecţie la coroziune.înlăturarea cuprului din regiunile ce vor fi izolatoare se face prin corodare chimică cu substanţe acide. Plecând de la un semifabricat placat. cablajul se acoperă cu lacuri de protecţie care servesc şi ca fondanţi pentru lipire. cu imprimare a desenului în imagine pozitivă Aceste tehnologii se folosesc pentru cablaje mono sau dublustrat.A2 Tehnologii substractive de realizare a cablajelor imprimate Tehnologiile din această categorie sunt cele mai răspândite pentru fabricarea cablajelor pe suport rigid: . traductor interdigital (b).MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE mod se pot realiza filtre adaptate pentru recunoaşterea unui semnal modulat în frecvenţă. Fig. Pentru evitarera oxidării suprafeţei conductoarelor. înainte de 241 . apoi. După uscare. lac de protecţie la oxidare.3 Reprezentare pentru unda Rayleigh pe suprafaţa unui monocristal (a).(c) şi filtru cu undă de suprafaţă (d) 3. .

După îndepărtarea cernelii protectoare se corodează. cerneala protectoare acoperind porţiunile ce vor fi izolatoare (între conductoare). stratul de cupru depus chimic asigură conductibilitatea necesară 242 . Tehnologia descrisă. Procedeul este printre cele mai ieftine şi cele mai productive. La acestea din urmă este necesară metalizarea găurilor pentru a asigura un contact bun între traseele de pe o faţă şi alta. b. folia de cupru. lăsând libere numai porţiunile în care urmează a se face lipituri. aparate de măsură şi control. şlefuirea interiorului etc. în principal datorită metalizării conductoarelor. şi 2. cu proprietăţi electrice şi mecanice. Se foloseşte în electronica profesională pentru aparate care urmează să lucreze în condiţii dificile. asigură o calitate superioară a cablajelor. o fixare mecanică mai bună a terminalelor şi. Acest strat este aderent. folia de cupru. În acest caz se recurge la procedeul: suport. În continuare se depun chimic. Desenul cablajului se imprimă în negativ. masa selectivă. celălalt pol fiind conectat la folia de cupru.sute de μm) care acoperă şi pereţii găurilor. se obţine o mască selectivă de lipire. metalizarea rezistentă la acizi. Aplicarea galvanică a metalului protector se face în băi de electroliză sau prin ştergerea cu un burete (tampon) îmbibat cu soluţia potrivită şi conectat la un pol al sursei de curent. Tehnologii substractive de fabricaţie a cablajelor imprimate cu găuri Procedeele descrise la puctele 1. o siguranţă sporită în exploatare. capabile să asigure o bună lipire şi rezistenţă la factori de mediu agresive. alte acoperiri nu mai sunt necesare. a unui strat de cupru gros (zeci .). c. Circuitul se poare acoperi cu o masă selectivă de lipire. capabilă să asigure o bună aderenţă a cuprului depus chimic. prin reducerea unor săruri. în final. Pentru a obţine cablaje cu găuri metalizate se utilizează procedeul: suport. masă selectivă. lac protector. întreaga suprafaţă şi mai ales interiorul găurilor se acoperă cu o pastă. După găurire şi curăţirea găurilor (înlăturarea şpanului. o calitate superioară a lipiturilor. lac protector. metalizare. asigură o calitate satisfăcătoare a cablajelor necesare în numeroase aplicaţii în electronica de larg consum. apoi se decontaminează. mai îndelungată şi mai scumpă. se pot folosi cu bune rezultate şi la cablajele dublu strat. pastă aderentă. imprimare în negativ a desenului şi metalizarea conductoarelor În multe aplicaţii este necesară protejarea conductoarelor cu acoperiri metalice. cupru depus galvanic. Tehnologii substractive de fabricaţie a cablajelor imprimate cu găuri nemetalizate. telecomunicaţii etc.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE aceasta se execută o acoperire cu lac termorezistent. Se acoperă cu cerneală rezistentă la acizi porţiunile izolante şi se trece la formarea pe cale electrolitică. un strat foarte subţire (1-5 μm) de cupru. cupru depus chimic.

aparatură pentru aviaţie şi cercetarea spaţiului cosmic. Dintre metodele de realizare a contactului electric între conductoare din diferite straturi. Se depune masca selectivă de lipire. folosind maşini de găurit în coordonate.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE pentru electroliză. Pentru poziţionare corectă a plăcilor se folosesc tije. Tehnologii substractive de fabricaţie a cablajelor multistrat Cablajele multistrat sunt formate din conductoare plasate în mai multe plane. Cablajele astfel realizate se utilizează numai. nu se pot realiza prin metode artizanale. 3. impuse de procesul tehnologic în sine. Se folosesc şi folii termoplaste care permit îngroparea conductoarelor imprimate. cea mai folosită este metoda metalizării găurilor. comandate de calculator. d. Foliile izolante pot fi foarte subţiri deoarece proprietăţile mecanice sunt determinate de grosimea ansamblului şi calităţile adezivului. electronică militară.000 SMD/oră (1994).tehnologia automată SMA ajunge în prezent la un nivel al erorilor de poziționare de 10-20 ppm faţă de 1000-2000 ppm la plantarea automată a componentelor cu terminale sau 2500-6000 ppm în cazul plantării manuale. . Tehnologia realizării cablajelor multistrat necesită utilaje foarte scumpe. separate prin straturi de folii izolatoare. costurile de obţinere a PCI echipate scad la jumătate.A3 Consideraţíi privind montarea pe suprafaţă a componentelor SMD Tehnologia de montare a componentelor pe suprafaţă (SMA sau SMT) este o tehnologie în plină ascensiune şi câteva date statistice şi de prognoză estimează că: . accesibilă numai marii industrii. cel mai utilizat material este semifabricatul placat pe una sau ambele feţe. cu support din fibră de sticlă impregnată cu răşină epoxidică. în aparatura profesională cu performanţe ridicate: tehnică de calcul. După corodarea pe o adâncime foarte mică a izolatorilor din interiorul găurilor se trece la metalizarea acestora.productivitatea utilajelor comercializate pentru SMA ajunge la 250. După înlăturarea lacului protector se corodează folia de cupru. . iar cheltuielele de fabricaţie se reduc cu până la 35%. dar şi apariţia unor reguli specifice acestei tehnologii.000500. 243 .componentele specifice acestei tehnologii (SMD) depăşesc în prezent peste 50% din totalul componentelor. un control riguros în toate fazele. Realizarea cablajelor imprimate pentru SMA implică respectarea considerentelor generale de proiectare a PCI. . Găurile se fac după terminarea acestor procese. se decontaminează şi se execută şi decupajele care nu necesită metalizare. ritmurile de fabricaţie fiind fără precedent în industria electronică de până acum. La cablajele multistrat. ştifturi sau prezoane de ghidare.în realizarea plăcilor de cablaj imprimat (PCI) se pot obţine reduceri de suprafaţă de peste 70%.

. iar lăţimea traseelor şi distanţa dintre ele poate fi micşorată până la 100 µm. rezistenţă mai mare la solicitări mecanice.realizarea PCI astfel proiectată. fluxul tehnologic de obţinere a unei plăci PCI echipate prin această metodă implică: . prevăzându-se însă prin proiectare modalităţi de verificare. .lipirea componentelor cu terminale în instalaţia de lipire în val. ele determină la rândul lor reguli proprii de proiectare a traseelor de cablaj imprimat.proiectarea corespunzătoare a cablajului imprimat.componentele trebuie să reziste la şocuri termice. 244 .plantarea componentelor cu terminale. Procedeele de realizare a lipirii componentelor pe suport utilizate frecvent sunt lipirea prin retopire şi lipirea în val. . .parametrii electrici trebuie să fie similari componentelor electronice cu terminale. impunând mărimea suprafeţei de conectare şi dispunerea componentelor.costul unui circuit electronic realizat prin această tehnologie se reduce cu până la 50% datorită vitezei mari de asamblare. comparativ cu plantarea automată a componentelor cu terminale. reparare şi întreţinere a subansamblului considerat.miniaturizarea componentelor şi proiectarea corespunzătoare a traseelor de cablaj imprimat determină reducerea drastică a dimensiunilor PCI.depunerea adezivului pentru fixarea componentelor SMD. . cu componentele SMD trecând prin valul de aliaj de lipit. În concluzie. . .dimensiunile componentelor trebuie să fie mult reduse. tehnologia montării pe suprafaţă a componentelor oferă câteva certe avantaje: . deci o fiabilitate ridicată. folosirii cablajelor fără găuri sau cu număr mic de găuri. reducerii consumului de materiale. poziţionarea componentelor şi uscarea adezivului cu radiaţii ultraviolete sau infraroşii (pentru a asigura fixarea componentei pe zona de contactare respectivă). . Lipirea în val este folosită atunci când se utilizează componente SMD alături de componente cu terminale.27 mm. o comportare mai bună a circuitelor la înaltă frecvenţă (elementele parazite practic dispar). iar componentele SMD (fiind concepute să suporte şocul termic la trecerea prin baia de aliaj de lipit) se vor plasa pe partea placată. .datorită procesului de producţie complet automatizat. ţinând cont de faptul că pentru componentele cu terminale trebuie prevăzute găuri. numărul defectelor rezultate în timpul procesului de producţie este foarte mic (numărul de defecte poate scădea cu până la 99%).această tehnologie asigură o calitate superioară produselor finite. Datorită miniaturizării dimensiunilor componentelor se foloseşte o reţea modulară de 1.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Componentele electronice specifice tehnologiei de montare pe suprafaţă SMD li se impun următoarele cerinţe: . dar să ofere posibilitatea manevrărilor de către utilajele automate.

Utilizare tipică: decuplarea frecvenţelor mari în tehnica radio. Utilizare tipică: decuplarea frecvenţelor mari în circuite digitale. Terminalele lipite de electrozi. Inductanţă proprie mult mai mică. Dielectric ceramic sau plastic. Electrozi din aluminiu. fig.11 tipuri constructive. construite în formă de disc.A4.A4.1. nepolarizate. inductanţă proprie mare (electrozi înfăşuraţi). fig. nepolarizate.A4. nepolarizate. Electrozii metalici depuşi sub formă de film subţire pe dielectric. Condensatoare cu poliester metalizat. dacă sunt folosite timp îndelungat la tensiuni prea mici (sau nu sunt folosite de loc).A4. stabilitate bună cu temperatura.3.7 principiul de realizare şi structura.A4. fig. fig. rezistenţa de izolaţie > 30 GΩ. Condensatoare multistrat. Capacitate mare (0. Tensiune nominală 100-500 V. polarizate. Valori mici ale capacităţii (maxim 100 nF). fig. oscilatoare. Sunt mai scumpe. inductanţă proprie neglijabilă. realizare înfăşurată (nu au efect la frecvenţe mari).A4 Tehnologii de realizare şi de montare a condensatoarelor Condensatoare cu dielectric ceramic. din cauză că este înfăşurat. Condensatoare cu polipropilenă metalizată. tensiune de străpungere mare.A4. dependenţă slabă de temperatură. Ieftini. Condensatoare electrolitice cu aluminiu. Dielectricul din mică.A4. filtre.A4. valori mici ale capacităţii (sub 10nF). circuite în care se cere precizie foarte bună. Nu este folosit la frecvenţe înalte.A4. sunt mai scumpe. Volum mai mic decât cele cu aluminiu. nepolarizate. Special concepute pentru inductanţă proprie neglijabilă şi raportul capacitate/volum mai mare decât precedentele.47 μF .5. Dielectric din polistiren.A4.10 principiul şi structura de realizare.A4. Utilizare tipică: filtrarea tensiunii redresate. inductanţă proprie neglijabilă.4700 μF). Prezintă fenomenul de erodare a dielectricului. Condensatoare cu dielectric din mică. zgomot mai mic.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE 3. stabilitate foarte bună a capacităţii (la frecvenţe sub 100 kHz). lucrează la frecvenţe mari. calitate foarte bună la frecvenţe joase. Ieftini.01. deci are inductanţă proprie mare. circuite de temporizare. creat pe suprafaţa aluminiului. circuite digitale. Semnul „–„ în dreptul electrodului negativ. fig. Condensatoare electrolitice cu electrozi din tantal. toleranţă 5-10 %. fig. polarizate. Inductanţă proprie mare (electrozi înfăşuraţi).9 tipuri constructive.4. fig. tgδ < 0. fig. la frecvenţa de 1 kHz. terminale fixate mecanic. Utilizare tipică: filtre la frecvenţe joase. la aceeaşi capacitate.6.8 şi fig. la înfăşurare. fig. Condensatoare cu polistiren (stiroflex).2. stabilitate mai bună a capacităţii. nepolarizate. Dielectricul este un strat de oxid. cuplare între etaje (la frecvenţe audio). Marcat 245 . Utilizare tipică: circuite rezonante la frecvenţe mari. Toleranţă mare. toleranţa începe de la 1%. nepolarizate. Foarte bună stabilitate cu temperatura. Depăşirea tensiunii maxime sau inversarea polarităţii pot duce la explozia condensatorului. mai scumpe.

2 Condensatoare cu mică Fig. trebuie prevăzută limitarea curentului. cu tensiune aproape zero pe condensator.5 Condensatoare cu poliester 246 .1 Condensatoare ceramice Fig. Capacităţi 10 pF – 500 pF. Gabarit mai mare la condensatorul cu aer.3 Condensatoare stiroflex Fig.A4. Utilizare tipică: reglarea fină a benzii în tehnica radio.14.A4.A4. Utilizare tipică: rezervă de energie pentru salvare de date sau alimentarea circuitelor de protecţie. deoarece regimul tranzitoriu durează mult. nepolarizate. când s-a întrerupt accidental sursa de alimentare. fig.A4. fig. nepolarizate. La încărcarea din surse de tensiune. Capacităţi 3 pF – 40 pF. Utilizare tipică: decuplare la frecvenţe mai mari.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE electrodul pozitiv.13. dielectric ceramic. Inductanţă proprie mare. Capacitate foarte mare (până la 1F). cu rezistenţă internă mică. Utilizare tipică: acord pe post în tehnica radio (în circuite rezonante). Fig. în volum mic. Tehnologia de montare a condensatoarelor pe cablajul imprimat este similară cu cea a rezistoarelor.A4.A4. dielectric aer sau dielectric poliester. ajustarea frecvenţei în oscilatoare. Condensatoare variabile semireglabile („trimer”). Condensatoare variabile cu ax.A4. Condensatoare polarizate „double layer” („supercondensatoare”). fig.12. intrare în circuite audio.4 Condensatoare cu polipropilenă metalizată Fig. decuplare circuite digitale.A4.

A4.9 Condesatoare electrolitice cu aluminiu 247 . c) detaliu Fig.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Fig. b) structura constructivă.A4.A4.6 Condensatoare multistrat Fig.8 Tipuri constructive de condensatoare electrolitice cu aluminiu Fig.A4.7 Condensatorul electrolitic cu aluminiu a) principiul de realizare.

semireglabile 248 .A4.12 Condensator “double layer” Fig.10 Structura constructivă a condensatoarelor electrolitice cu tantal.14 Condensatoare var.A4.A4.11 Condensatoare electrolitice cu tantal Fig.MATERIALE DIELECTRICE – CONDENSATOARE Fig.A4.A4.13 Condensatoare var. tip picătură Fig. cu ax Fig. cu electrolit solid.

compuşi binari de tipul III-V. asemănându-se din acest punct de vedere izolatorilor. CuPbAsS3.. IV-IV-VI etc.MATERIALE SEMICONDUCTOARE CAPITOLUL 4 MATERIALE SEMICONDUCTOARE 4. În general. II-IV-V. Si.. din grupa a patra a tabelului Mendeleev: C.1 Clasificarea materialelor semiconductoare. I-V.1. din grupa a cincea: P. compuşi ternari de tipul I-III-V. Clasificarea MS poate fi făcută după diferite criterii: chimic. II-VI. I-VI. există MS elementare (în număr de 12. Coeficientul de temperatură al rezistivităţii semiconductoarelor este negativ în domeniul de temperaturi ce interesează în tehnică.). temperatura etc. din grupa a şasea: S. II-IV. din grupa a treia: B. aşa cum se prezintă în fig. Se. Sn. III-VI etc. În funcţie de numărul elementelor chimice care intră în structura chimică.). din grupa a şaptea: I) şi MS compuse (în număr de câteva sute.4. în timp ce la conductori acestea n-au practic nici o influenţă. As şi Sb. compuşi cuaternari de tipul I-IV-V-VI. Ge. şi Te. InAs-InSb. semiconductori şi conductori. IV-IV. soluţii solide Ge-Si. PbSe-PbTe etc. Materialele semiconductoare (MS) sunt materiale a căror conductivitate electrică se situează între conductoare şi izolatoare. Fig. I-II-VI. fizic şi funcţional. I-IV-VI. Legătura covalentă Pentru a stabili proprietăţile pe care le implică tehnologia dispozitivelor semiconductoare trebuie mai întâi studiate proprietăţile şi structura internă a materialelor cu proprietăţi semiconductoare.1 Conductivitatea tipică pentru izolatori.4. II-V. MS sunt rezistenţe neliniare şi rezistivitatea lor este puternic influenţată de defectele existente în structura cristalină a materialelor şi de factorii externi (tensiunea aplicată. iluminarea la care sunt supuse. 249 .

precum şi la realizarea circuitelor integrate. cazul Si. . CdSb.funcţia de conversie electrooptică. . . GaAs. etc.curenţilor reziduali mult mai mici.funcţia de conducţie comandată în tensiune electrică (câmp electric). .funcţia de conversie mecanoelectrică (efectul piezosemiconductor). GaP.funcţia de conversie optoelectronică. GaP. MS se clasifica astfel: . ce caracterizează şi modul de cristalizare pentru Ge şi Si (cristalizează în sistemul cubic tip diamant). SnS. Particulele constituente tind să-şi formeze o configuraţie electronică stabilă.semiconductoare cu legătură hibridă covalent-ionică.S cu structură cristalină trigonală – Bi2Se. Din punctul de vedere al ordinii cristaline. Ag2Te. SiC. MS sunt utilizate la obţinerea dispozitivelor semiconductoare: tranzistoare. au apărut materiale semiconductoare compuse. GaAs.S cu structură cristalină ortorombică – CdAs2. . InSb. Te. Ge. CdS etc. Se. .considerente economice (costul siliciului monocristalin destinat dispozitivelor semiconductoare şi a circuitelor integrate este cel mai scăzut). După apariţia tranzistorului (1950). .MATERIALE SEMICONDUCTOARE În funcţie de natura legăturii interatomice care stă la baza structurii lor MS se clasifică în următoarele categorii: . . . MS se clasifică în: . acest lucru realizându-se de această dată prin punerea în comun a unor 250 . ZnSb.proprietăţilor remarcabile ale oxidului de de siliciu. dar prezenta dezavantajul curentului rezidual ridicat la temperaturi mari pecum şi proprietăţi modeste ale oxidului de germaniu. siliciul devine înlocuitorul practic al germaniului.funcţia de conversie termoelectrică. Sb2Te3.S cu structură cristalină hexagonală – GaSe. InSb. GaAs – 32%). SnSe. reprezintă una din cele mai puternice forţe de legătură chimică. Legătura covalentă. CdS – 69%. compuşii intermetalici: SiC. Ge.funcţia de conversie magnetoelectrică (efectul Hall şi efectul magnetorezistiv).funcţia de detecţie a radiaţiilor nucleare. .S cu structură cristalină cubică – Si. Si devine şi el de multe ori inutilizabil datorită limitelor de performanţă la frecvenţe ridicate sau în domeniu optic.semiconductoare cu legătură covalentă direcţională. Tipurile reprezentative de reţele cristaline sunt determinate de caracterul şi intensitatea forţelor de legătură din cristal. diode.S cu structură cristalină monoclinică – LiAs. După 1960. caracterizate de gradul de ionicitate (SiC – 18%. . caracterizate prin rigiditate şi duritate deosebite. Din punctul de vedere al funcţiilor de utilizare. . În ultimii ani. Astfel. datorită: . germaniul era principalul material semiconductor. . .S cu structură cristalină policristalină – As2Se3AsS3.

Siliciul. Fig. la temperatura de 00K. în structura materialului semiconductor nu se generează curent electric. rezistivitatea conductoarelor pure (sau intrinseci) este prea mare pentru necesităţi practice.2. wi ≈ 1eV. chiar la temperatura camerei. Revenind la diagrama benzilor energetice. din grupa a IV-a a tabelului periodic al elementelor. 251 . cu cei patru electroni de valenţă. Fig. Banda interzisă Fermi pentru siliciu.4. ca şi celelalte materiale semiconductoare pure. are structura sa. la care atomii din reţeaua cristalină sunt de un singur tip. Obs.MATERIALE SEMICONDUCTOARE perechi de electroni de valenţă. aşa cum se prezintă în fig. electronii sunt plasaţi numai în banda de valenţă.4.2 Atomul de Si La temperatura de 00K.3. atomii de siliciu sunt legaţi prin legături covalente. sub acţiunea unui câmp E. a unui număr suficient de mare de electroni din banda de valenţă BV în banda de conducţie BC.3 Legătura covalentă În general.4. electronii fiind „colectivizaţi” doar parţial între doi atomi. în prezent cel mai utilizat element pentru obţinerea materialelor semiconductoare. prezentată în fig. este prea mare pentru a permite trecerea.4. Deoarece nu există electroni de conducţie (electroni liberi). la care fiecare dintre aceştia participă cu câte patru electroni de valenţă.

motiv pentru care şi golul este un purtător de sarcină mobil (purtător fictiv). Acest al 2-lea electron de valenţă. Prin plecarea acestor electroni din banda de valenţă. Din acest motiv. La nivelul reţelei cristaline. o parte a energiei termice este preluată de către electronii de valenţă. golul respectiv poate fi echivalat.4. devenind liberi să se deplaseze prin structura materialului. Fig. fără un aport energetic substanţial. electronii de valenţă pot căpăta suficientă energie astfel încât să rupă legăturile covalente în care au fost fixaţi. prin ocuparea nivelului energetic lăsat liber de primul electron. care.4.2 Conducţia intrinsecă Conducţia unui semiconductor intrinsec se poate totuşi realiza prin promovarea unor electroni din BV în BC.4 Apariţia unui electron şi a unui gol de conducţie în benzile energetice Acelaşi fenomen poate fi explicat pe baza structurii reţelei cristaline a atomului de siliciu. pot trece de nivelele energetice din banda interzisă şi ajunge pe nivelele energetice din banda de conducţie. altfel spus – gol. atomii de siliciu sunt legaţi prin legături covalente la care fiecare dintre aceştia participă cu câte 4 electroni de valenţă. locul ocupat iniţial de către aceştia pe nivelul energetic din banda de valenţă devine liber. Acest gol poate fi ocupat de un alt electron de valenţă. caracterizat printr-un un exces de sarcină pozitivă la nivelul atomului respectiv. cu o sarcină electrică pozitivă fictivă.4. În continuare. La temperaturi mai mari de 00K. Acest fenomen este prezentat în fig. La temperatura de 00K. pe nivelul energetic ocupat în banda de valenţă. un nou gol. dacă un alt electron de 252 . beneficiind de acest aport energetic. lasă la rândul lui un nou loc liber. la nivelul atomului de unde au plecat un gol. Se constată astfel.MATERIALE SEMICONDUCTOARE 4. din punct de vedere electric. o deplasare a golurilor în banda de valenţă. Prin ruperea legăturii covalente. electronii de valenţă devin liberi (devin electroni de conducţie) şi lasă în urmă.

4. se constată că prin creşterea temperaturii. Acest fenomen este sugerat în fig. apariţia unui electron liber şi a unui gol Purtătorii mobili de sarcină electrică în semiconductoare sunt electronii de conducţie şi golurile.4. În cazul în care deplasarea purtătorilor de sarcină este orientată (nu este haotică). fenomen care se poate observa. Fig.MATERIALE SEMICONDUCTOARE valenţă rupe o legătură covalentă. În consecinţă. Fig.6. devenind liber. ca în fig. purtătorii mobili de sarcină (electroni de conducţie şi goluri) sunt generaţi prin ruperea legăturilor covalente. creşte. conducţia astfel realizată se numeşte conducţie intrinsecă. prin structura semiconductorului se observă apariţia unor fenomene de conducţie electrică (fenomene legate de generarea curentului electric). se pot deplasa prin structura semiconductorului.5 Reţeaua cristalină.5.6 Conducţia în semiconductorii intrinseci Generarea purtătorilor mobili de sarcină. Deoarece aceştia sunt mobili. poate ocupa golul lăsat de primul electron de valenţă. numărul de electroni de valenţă care capătă suficientă energie pentru a rupe legăturile covalente. 253 . în cazul în care se aplică asupra semiconductorului un câmp electric.4. se poate apune că într-un semiconductor intrinsec procesul de conducţie se realizează prin electronii din banda de conducţie şi prin golurile din banda devalenţă. într-un material semiconductor.4. Din cele prezentate mai sus se constată că. de exemplu. În plus.

tot mai multe legături covalente se rup şi astfel sunt generaţi tot mai mulţi purtători mobili de sarcină. La temperatura camerei. Concentraţiile de purtători mobili de sarcină electrică într-un semiconductor se notează astfel: n = concentraţia de electroni de conducţie. ni are valoarea 1.7 se prezintă modul în care variază cu temperatura T concentraţia intrinsecă a unui material semiconductor din siliciu sau germaniu. electronii de conducţie şi golurile sunt generaţi în perechi. Din fenomenele descrise mai sus s-a constatat că. concentraţiile de purtători mobili de sarcină electrică într-un semiconductor intrinsec sunt egale. respectiv 21013 cm-3. prin ruperea legăturilor covalente. pentru un semiconductor intrinsec este valabilă relaţia: (4.1) n  p  ni Fig.MATERIALE SEMICONDUCTOARE În concluzie.451010cm-3 pentru siliciu. Valoarea comună a acestor concentraţii se numeşte concentraţie intrinsecă şi se notează cu ni. 254 . Deoarece electronii de conducţie şi golurile sunt generaţi în perechi. prin creşterea temperaturii. considerată 300 K. În fig. Mecanismul de generare a purtătorilor mobili de sarcină în semiconductoare pe baza creşterii temperaturii se numeşte generare termică de purtători de sarcină. În concluzie.7 Variaţia cu temperatura a concentraţiei intrinseci la Si şi Ge Concentraţia intrinsecă creşte cu creşterea temperaturii 0 semiconductorului. la germaniu.4.4. p = concentraţia de goluri.

Deci.MATERIALE SEMICONDUCTOARE Recombinarea purtătorilor de sarcină. 255 .4. Revenirea în banda de valenţă a unui electron de conducţie duce atât la dispariţia unui electron de conducţie cât şi a unui gol. pe lângă mecanismul de generare a purtătorilor de sarcină este prezent şi mecanismul invers.2) Nimpuritati  ni Materialele semiconductoare extrinseci sunt utilizate pentru realizarea dispozitivelor semiconductoare: circuite integrate. din care cei mai frecvent utilizaţi sunt cei prezentaţi în fig.8 Atomii de impuritate cu care se dopează materialele semiconductoare În funcţie de atomii de impuritate cu care sunt dopate materialele semiconductoare intrinseci. denumiţi şi atomi de impuritate.4. a unor atomi diferiţi faţă de cei din Si sau Ge.3 Conducţia extrinsecă Fenomenul de dopare constă în introducerea în materialul semiconductor intrinsec. Un material semiconductor dopat cu atomi de impuritate se numeşte material semiconductor extrinsec. 4. în banda de valenţă. care duce la dispariţia purtătorilor de sarcină. Condiţia necesară ca un material semiconductor să fie extrinsec este ca concentraţia de atomi de impuritate cu care este dopat materialul semiconductor intrinsec. în scopul modificării proprietăţilor electrice ale materialului semiconductor. Atomii de impuritate cu care se dopează materialele semiconductoare intrinseci sunt atomi din grupele V. respectiv III. notată Nimpurităţi să fie mult mai mare decât concentraţia intrinsecă ni: (4. Mecanismul respectiv se numeşte recombinare de purtători de sarcină şi este caracterizat prin revenirea electronilor de pe un nivel energetic superior.materiale semiconductoare de tip p. . tranzistoare sau diode.materiale semiconductoare de tip n.8. prin diverse procedee controlate. În cadrul semiconductoarelor. mecanismul de recombinare a purtătorilor de sarcină duce la dispariţia în perechi a acestora. pe un nivel energetic inferior. din banda de conducţie. Fig. materialele semiconductoare extrinseci se împart în două categorii: .

în tehnică se utilizează numai semiconductori extrinseci. astfel încât conducţia electrică este posibilă numai prin crearea unor niveluri permise adiţionale ce rezultă prin doparea cu atomi străini de tip donor Ed.10 Crearea unui electron de conducţie 256 .4. semiconductor de tip n. semiconductor de tip p.9a sau acceptor Ea. sau electron de conducţie.9 Niveluri permise adiţionale de tip donor Ed (a) sau acceptor Ea (b) în banda interzisă Fermi Materiale semiconductoare de tip n. astfel că la temperatura camerei primeşte suficientă energie pentru a se desprinde de atomul de impuritate. Patru din cei cinci electroni de valenţă ai atomului de impuritate formează 4 legături covalente cu electronii de valenţă ai atomilor de siliciu sau germaniu învecinaţi. capabil să participe la fenomenele de conducţie. aşa cum este prezentat şi în fig. semiconductorul intrinsec este dopat cu atomi de impuritate pentavalenţi. ca în fig. ca în fig. în prezent.4. din grupa a V-a a tabelului periodic al elementelor chimice.4. Fig.MATERIALE SEMICONDUCTOARE În concluzie.4.4.10. Pentru obţinerea acestui material electronic. semiconductorii extrinseci au banda interzisă Fermi prin care trece nivelul wF = Ei relativ largă. devenind astfel electron liber. în timp ce al 5-lea electron de valenţă al atomului de impuritate este slab legat. Fig. care în structura cristalină a materialului substituie atomii de siliciu sau germaniu.9b.

Din cele prezentate mai sus. Iar în siliciu wd este de: 0. nivelul adiţional donor Wd Se constată că formarea electronului de conducţie nu este însoţită de generarea unui gol. conducţia electrică se realizează în acest caz prin intermediul electronilor ajunşi în banda de conducţie. Pentru obţinerea acestui material electronic. În urma cedării celui de al 5-lea electron. iar prin primirea unui electron. Pe lângă acest procedeu de obţinere a electronilor de conducţie.4. generarea unui electron de conducţie este însoţită de generarea unui gol.11 Dopare cu elemente donoare. iar semiconductorii respectivi sunt numiţi semiconductori de tip “n”. Materiale semiconductoare de tip p. în germaniu wd este de: 0.4. Fig. în acest caz.012 eV pentru P. Din acest motiv. arseniu sau stibiu. electronii de conducţie se numesc purtători de sarcină majoritari.039 eV pentru St. se constată că. atomul respectiv devine ion negativ). dar.11. concentraţia de electroni de conducţie este mult mai mare decât cea de goluri. semiconductorul intrinsec este impurificat cu atomi trivalenţi. prin cedarea unui electron. Electronii de conducţie obţinuţi în acest mod sunt generaţi prin doparea materialului cu atomii de impuritate.MATERIALE SEMICONDUCTOARE Elementele pentavalente formează niveluri donoare apropiate de banda de conducţie ca în fig. pentru ca tranziţia să se efectueze şi la temperatura ambiantă. aceştia mai pot fi generaţi şi prin mecanismul de generare termică (prin creşterea temperaturii). Pentru aceste elemente se prezintă în continuare poziţiile nivelelor donoare în banda interzisă Fermi: wd  wc  wd . iar golurile se numesc purtători de sarcină minoritari. atomul donor devine ion pozitiv (se reaminteşte că un atom este neutru din punct de vedere electric.0096 eV pentru St. Astfel. el se numeşte atom donor. 0. (din 257 . impurificarea germaniului şi siliciului pentru obţinerea semiconductorilor de tip n se face cu fosfor. Deoarece atomul de impuritate cedează acest al 5-lea electron de valenţă.0127 eV pentru As şi 0. în cazul materialului semiconductor de tip n.044 eV pentru P. atomul respectiv devine ion pozitiv. 0.049 eV pentru As şi 0.

4. în urma sa un gol.13 Dopare cu elemente acceptoare. lăsând electronul de valenţă al celui de-al 4-lea atom de siliciu învecinat fără legătură covalentă. Electronul de valenţă al celui de-al 4-lea atom de siliciu învecinat. fig. la formarea numai a trei legături covalente cu electronii de valenţă ai atomilor de siliciu sau germaniu învecinaţi. Fig. semiconductorii dopaţi cu elemente acceptoare sunt numiţi semiconductori de tip “p”.4. poate forma o legătură covalentă cu un alt electron de valenţă al unui alt atom de siliciu învecinat. astfel că tranziţiile se efectuează şi la temperatura ambiantă.13.4. purtător fictiv de sarcină electrică pozitivă Elementele trivalente utilizate ca impurităţi formează niveluri acceptoare situate imediat deasupra benzii de valenţă ca în fig.MATERIALE SEMICONDUCTOARE grupa a III-a a tabelului periodic al elementelor chimice). indiu. astfel se crează un gol la nivelul atomului de impuritate respectiv. Fig. galiul. indiul. care. Atomul de impuritate poate participa.12 Crearea unui gol. aluminiu. lasă la rândul său. cum ar fi borul. care. în structura cristalină a materialului substituie atomii de siliciu sau germaniu. prin completarea acestei legături covalente.4. nivelul adiţional acceptor Wa 258 . impurificarea germaniului şi siliciului pentru obţinerea semiconductorilor de tip p se face cu cu bor. deoarece conducţia se realizează prin golurile din banda de valenţă. prin cei trei electroni de valenţă ai săi.12 (atomul de siliciu din dreapta). galiu.

se constată că. Pe lângă acest procedeu de obţinere a golurilor. Din acest motiv.concentraţia de electroni de conducţie la echilibru termic:  E  Ei  n0  ni  exp  F   k T  (4. 0. La echilibru termic. în cazul materialului semiconductor de tip p.4 Concentraţia purtătorilor mobili de sarcină în materialele semiconductoare extrinseci În cazul în care un material semiconductor nu este supus nici unei surse de energie externă şi nu există variaţii în timp ale mărimilor care îl caracterizează (de exemplu concentraţiile de purtători de sarcină) se spune că acesta lucrează în regim de echilibru termic. Prin doparea unei zone dintr-un cristal semiconductor cu impurităţi acceptoare şi o altă zonă separată de prima printr-o suprafaţă plană dopată cu impurităţi donoare.045 eV pentru B.065 eV pentru Ga şi 0. acestea mai pot fi generate şi mecanismul prin generare termică (prin creşterea temperaturii).057 eV pentru Al. Astfel. 4.MATERIALE SEMICONDUCTOARE Pentru aceste elemente se prezintă în continuare poziţiile nivelelor acceptoare în banda interzisă Fermi: wa  wa  wv . se obţine joncţiunea “p-n”. în acest caz.0102 eV pentru Al. concentraţia de goluri este mult mai mare decât cea a electronilor de conducţie.0104 eV pentru B. 0. Se constată că formarea unui gol nu este însoţită de generarea unui electron de conducţie. în germaniu wa este de: 0. Concentraţiile de purtători de sarcină electrică la echilibru termic într-un semiconductor se notează astfel: n0 = concentraţia de electroni de conducţie. dar.0112 eV pentru In.16 eV pentru In. atomul acceptor devine ion negativ. Deoarece atomul de impuritate primeşte un electron de valenţă de la un atom de siliciu învecinat. el se numeşte atom acceptor. p0 = concentraţia de goluri. iar electronii de conducţie se numesc purtători de sarcină minoritari. care stă la baza construcţiei dispozitivelor electronice. golurile se numesc purtători de sarcină majoritari. legătura dintre concentraţiile de purtători mobili de sarcină dintr-un semiconductor şi diagramele energetice se poate exprima prin relaţiile: . 0. 0. Iar în siliciu wa este de: 0. Golurile obţinute în acest mod sunt generate prin impurificarea materialului cu atomii de impuritate. generarea unui gol nu este însoţită de generarea unui electron de conducţie.0108 eV pentru Ga şi 0. Din cele prezentate mai sus.3) 259 . În urma primirii acestui electron.

semnul depinzând de tipul sarcinii electrice: negativă pentru electroni.T este temperatura. fiind situat la mijlocul benzii interzise.6) q  0 unde prin q s-a notat densitatea de sarcină electrică din volumul materialului semiconductor. În cazul materialelor semiconductoare omogene. dopate uniform cu impurităţi. densitatea de sarcină electrică din volumul semiconductorului este nulă: (4. Într-un material semiconductor dopat cu atomi de impuritate.MATERIALE SEMICONDUCTOARE . există tipurile de purtători de sarcină. care reprezintă nivelul Fermi pentru un semiconductor intrinsec. cu condiţia ca acesta să fie la echilibru termic. . aceasta fiind exprimată în [C/cm3]. într-un material extrinsec. respectiv –q. pozitivă. . care se numeşte nivelul Fermi la echilibrul termic şi care are o valoare constantă în tot volumul materialului. pozitivă pentru goluri.4) unde: . rezultă că. într-un material semiconductor aflat la echilibru termic.EF este nivelul energetic din diagrama benzilor energetice. legătura dintre concentraţiile de purtători mobili de sarcină electrică şi concentraţiile de atomi de impuritate se determină din condiţia de neutralitate electrică a unui material semiconductor. densitatea de sarcină electrică într-un material este egală cu produsul dintre sarcina electrică elementară.concentraţia de goluri la echilibru termic:  E  Ei  p0  ni  exp   F  k T   (4. notată generic cu Cq: (4. Prin definiţie.Ei este nivelul energetic din diagrama benzilor energetice.1: 260 . legătura dintre concentraţiile celor două tipuri de purtători mobili de sarcină electrică este: (4.7) q  q  Cq Sarcina electrică q se măsoară în Coulombi [C] şi este egală cu 1. . în concentraţiile specificate în Tabelul 4. respectiv negativă şi concentraţia purtătorilor de sarcină electrică în volumul materialului considerat. Din relaţiile de mai sus.6x10-19 [C].5) p0  n0  ni2 Această relaţie este adevărată pentru orice tip de semiconductor. care indică faptul că. notată cu +q. în funcţie de semnul sarcinii.k este constanta lui Boltzmann. Cunoaşterea valorii densităţii de sarcină electrică într-un material electronic este deosebit de utilă în analizarea fenomenelor de conducţie sau pentru determinarea concentraţiei de purtători de sarcină electrică din acesta.

10). este necesară cunoaşterea valorilor concentraţiilor de ioni din materialul semiconductor dopat.1 semnul purtătorilor de sarcină negativi pozitivi purtători mobili purtători imobili Electroni de conducţie: n0 Goluri: p0 Ioni acceptori: NA* Ioni donori: ND* Se reaminteşte că numai purtătorii mobili de sarcină electrică sunt responsabili pentru fenomenele de conducţie din semiconductor. specifică materialului semiconductor şi valoarea densităţii de sarcină electrică (4. respectiv primesc electroni de valenţă.ND = concentraţia de atomi de impuritate donori (pentavalenţi). prin cedarea. Se poate considera că la temperatura camerei toţi atomii de impuritate cedează.8) q  q  p0  q  N D*  q  n0  q  N A* Pentru ca relaţia (4. densitatea de purtători de sarcină din volumul unui semiconductor se determină cu relaţia de mai jos: q  q  p0  q  N D  q  n0  q  N A (4. fiind generaţi prin dopare şi generare termică. ionii provin din atomii de impuritate. concentraţiile de atomi de impuritate se cunosc.10) Ţinând cont de condiţia de neutralitate electrică (4. se poate obţine relaţia de calcul a concentraţiilor de purtători mobili de sarcină şi concentraţiile de atomi de impuritate: p0  n0  N A  N D (4. . Din acest motiv. Pe baza relaţiei (4. respectiv acceptarea electronilor de valenţă.MATERIALE SEMICONDUCTOARE Tabelul 4. pe baza relaţiilor (4.6).8) şi (4.9) N A*  N A Astfel.9).11) 261 . Deoarece procesul de dopare al semiconductorului intrinsec este controlat. devenind ioni. rezultă că densitatea de sarcină electrică din volumul unui semiconductor dopat cu impurităţi donoare şi acceptoare este: (4.NA = concentraţia de atomi de impuritate acceptori (trivalenţi). concentraţiile de ioni din materialul semiconductor dopat se pot aproxima ca mai jos: N D*  N D (4. acestea fiind notate ca mai jos: .7) şi a Tabelului 1.8) să fie utilă în calcule. Ambele concentraţii se expimă în [particule/cm3].

sensul mişcării fiind imprevizibil şi dictat de ciocnirile frecvente ale purtătorului mobil de sarcină cu atomii din structura semiconductorului. Echilibrul se poate perturba în două moduri: .prin aplicarea asupra semiconductorului a unui câmp electric.MATERIALE SEMICONDUCTOARE Astfel. în cazul unui semiconductor dopat cu impurităţi.11). purtătorii de sarcină mobili se află într-o continuă mişcare aleatorie (mişcare browniană) datorită energiei termice. ţinând cont de concentraţiile de atomi de impuritate şi de faptul că într-un astfel de material p0>>n0.5 Fenomenele de conducţie electrică din materialele semiconductoare Chiar şi în condiţii de echilibru termic. Concentraţia purtătorilor mobili de sarcină în materialele semiconductoare de tip N.5) şi (4. relaţiile de legătură dintre concentraţiile de purtători mobili de sarcină şi concentraţiile de atomi de impuritate sunt: n0  N D si ni2 p0  ND (4.4. această mişcare termică aleatorie nu dă naştere la fenomene de conducţie.5) şi (4.13) Concentraţia purtătorilor mobili de sarcină în materialele semiconductoare de tip P. Pentru un semiconductor extrinsec de tip P. concentraţia de atomi de impuritate respectă relaţiile: N A  ni si N D  0 (4. relaţiile (4. În condiţii de echilibru. ţinând cont de concentraţiile de atomi de impuritate şi de faptul că într-un astfel de material n0>>p0.11). 262 . concentraţia de atomi de impuritate respectă relaţiile: (4. Un material semiconductor devine extrinsec dacă concentraţia de atomi de impuritate este mult mai mare decât cea intrinsecă.11) formează un sistem cu necunoscutele care reprezintă concentraţiile de purtători mobili de sarcină din care se pot calcula valorile acestor necunoscute. aşa cum este sugerat şi în exemplul din fig. Pentru un semiconductor extrinsec de tip N. relaţiile de legătură dintre concentraţiile de purtători mobili de sarcină şi concentraţiile de atomi de impuritate sunt: p0  N A ni2 si n0  NA (4. în care se prezintă traiectoria aleatorie a unui purtător de sarcină în structura unui semiconductor.12) N D  ni si N A  0 Utilizând sistemul compus din relaţiile (4.14.15) 4.5) şi (4.14) Utilizând sistemul compus din relaţiile (4.

Fiecare mecanism care duce la perturbarea echilibrului unui semiconductor permite generarea unui curent electric. În ambele cazuri.prin aplicarea asupra semiconductorului a unui câmp electric.16) . face ca purtătorii mobili de sarcină electrică să se deplaseze orientat. în funcţie de sensul câmpului electric aplicat asupra semiconductorului. Ca urmare a aplicării câmpului electric asupra semiconductorului. această mişcare termică aleatorie nu dă naştere la fenomene de conducţie. purtătorii mobili de sarcină electrică capătă o viteză medie pe direcţia câmpului electric.4. aşa cum se sugerează în fig. purtătorii mobili de sarcină electrică vor suferi o deplasare (mişcare) orientată.prin neuniformizarea distribuţiei concentraţiei de purtători mobili de sarcină electrică în volumul semiconductorului. care permite apariţia fenomenelor de conducţie electrică în structura semiconductorului. echilibrul se poate perturba în două moduri: .MATERIALE SEMICONDUCTOARE . .prin neuniformizarea distribuţiei concentraţiei de purtători mobili de sarcină electrică în volumul semiconductorului. acest fenomen purtând denumirea de drift. orientată în sens invers sensului câmpului electric aplicat asupra semiconductorului.14 Traiectoria aleatorie a unui purtător de sarcină În condiţii de echilibru. iar curenţii electrici generaţi prin neuniformizarea distribuţiei concentraţiei de purtători mobili de sarcină electrică în volumul semiconductorului se numesc curenţi de difuzie. Electronii se vor deplasa în sens opus direcţiei câmpului electric iar golurile pe direcţia câmpului electric. Curenţii electrici generaţi prin aplicarea asupra semiconductorului a unui câmp electric se numeşsc curenţi de câmp (sau curenţi de drift). Curenţii de câmp. Viteza medie a purtătorilor mobili de sarcină electrică este direct proporţională cu intensitatea câmpului electric: electroni : vn   n  E goluri : v p   p  E 263 (4. Fig. Aplicarea unui câmp electric de intensitate E asupra unui semiconductor.4.15 în care se prezintă traiectoria unui electron liber.

în funcţie de sensul câmpului electric aplicat.16. Fig. vn şi vp sunt vitezele de câmp sau de alunecare în benzi. în care s-a 264 . iar n şi p se numesc mobilitatea electronului. ale purtătorilor de sarcină şi se măsoară în  v   cm / s .15 Deplasare orientată a purtătorilor la aplicarea unui câmp electric unde: E este intensitatea câmpului electric şi se măsoară în  E   V / cm .4.16 Mobilitatea purtătorilor mobili de sarcină electrică Mobilităţile purtătorilor mobili de sarcină electrică reprezintă o măsură a “lejerităţii” cu care purtătorii mobili de sarcină electrică se pot deplasa orientat.4. Mobilitatea purtătorilor mobili de sarcină electrică depinde invers proporţional de temperatură şi de concentraţia totală de atomi de impurităţi din semiconductor.MATERIALE SEMICONDUCTOARE Fig. V = volt V s unitatea de măsură a tensiunii electrice.4. s = secundă). situaţie prezentată în fig. cm2 respectiv a golului şi se măsoară în     (cm = centimetru. reprezentând un rezultat al ciocnirilor purtătorilor mobili de sarcină electrică cu atomii din reţeaua cristalină a semiconductorului.

ţinând cont de (4. Deplasarea purtătorilor mobili de sarcină electrică la aplicarea unui câmp electric asupra unui semiconductor generează un curent electric compus dintr-o componentă datorată deplasării electronilor de conducţie şi o componentă datorată deplasării golurilor. reprezintă suma densităţilor de curent electric a celor două componente: (4.MATERIALE SEMICONDUCTOARE considerat un material semiconductor la T=300K.22) Se defineşte conductivitatea materialului semiconductor ca inversul rezistivităţii:  1  .16). unde A = amper (unitatea de măsură a curentului electric). densităţile curenţilor de câmp se pot defini astfel: 2 electroni : J Cn  q  n  vn goluri : sau.       cm  265 1 (4. Ţinând cont de (4. pe baza relaţiei (4.21).7) şi de concentraţiile purtătorilor mobili de sarcină electrică.21) şi care. care se notează cu :  E . din care se remarcă faptul că golurile au o mobilitate inferioară electronilor de conducţie.18) J Cp  q  p  v p electroni : J Cn  q  n  n  E goluri : J Cp  q  p   p  E (4.19) Densitatea totată de curent electric. (4. datorat aplicării câmpului electric asupra unui semiconductor. JC      cm (4. se poate calcula cu relaţia:  1 q   n  n  p   p  (4.20) J C  q  n  n  E  q  p   p  E Pe baza legii lui Ohm se poate defini rezistivitatea semiconductorului.23) . Densităţi de curent (intensitatea de curent pe suprafaţa de arie) ale acestor curenţi electrici sunt egale cu produsul dintre densitatea de sarcină electrică a purtătorilor mobili de sarcină şi viteza medie de deplasare a acestoa sub acţiunea câmpului elctric aplicat: (4.17) J  q  v Densitatea de curent se exprimă în  J   A / cm .

4.MATERIALE SEMICONDUCTOARE Pe baza relaţiei (4. În fig. aceştia au tendinţa de a se deplasa din regiunea în care sunt în concentraţie mare spre regiunea în care sunt în concentraţie mică. se sugerează difuzia electronilor de conducţie din regiunea în care sunt în concentraţie mare spre regiunea în care sunt în concentraţie mică. În cazul în care există concentraţii neuniforme de purtători mobili de sarcină electrică în volumul unui semiconductor.17 se exemplifică această observaţie. rezistivitatea materialelor semiconductoare extrinseci se poate calcula cu formulele: 1 q  N D  n material _ semiconductor _ N .18.4.4. Acest fenomen se numeşte difuzia purtătorilor mobili de sarcină electrică. Fig. 1 p  q  NA  p (4.18 Difuzia electronilor de conducţie în funcţie de concentraţie 266 . iar în fig.22) şi a relaţiilor de calcul pentru concentraţiile purtătorilor mobili de sarcină electrică.4.17 Variaţia rezistivitaţii semiconductorului în funcţie de dopare Curenţii de difuzie. pentru uniformizare.24) Din relaţiile (4. n  material _ semiconductor _ P. Fig.24) se observă că rezistivitatea unui material semiconductor depinde invers proporţional cu nivelul de dopare cu impurităţi al semiconductorului.

Între coeficienţii de difuzie D şi mobilitaţile purtătorilor mobili de sarcină electrică există următoarea relaţie de legătură: Dn n  Dp p  k T q (4. T. se defineşte ca densitate totală de curent J suma dintre densitatea curenţilor de câmp şi densitatea curenţilor de difuzie.MATERIALE SEMICONDUCTOARE Ca urmare a deplasării purtătorilor mobili de sarcină electrică în volumul unui semiconductor.28) şi 4. Între parametrii L. reprezentând o măsură a lejerităţii difuziei purtătorilor mobili de sarcină electrică. timp în care respectivii purtători parcurg prin difuzie în semiconductor o distanţă L numită lungime de difuzie. De asemenea.6 Ecuaţiile curenţilor în semiconductoare Pentru un semiconductor. de natura materialului în care difuzeză. pentru concentraţii care variază după o singură direcţie x. Curenţii electrici generaţi prin difuzia purtătorilor de sarcină se numesc curenţi de difuzie şi au două componente. una de electroni şi una de goluri. pentru electroni (4. q au semnificaţiile deja introduse. Coeficienţii de difuzie D ai impurităţilor în corpul (mediul) considerat depind de tipul atomilor ce difuzează. pentru fiecare fiind definită câte o densitate de curent conform relaţiilor de mai jos electroni : J Dn  q  Dn  n (4. (4.26) unde k. precum şi de temperatura la care are loc procesul de difuzie. 2 respectiv pentru goluri şi se exprimă în  D   cm / s . fluxul J de particule de impuritate care trece în unitatea de timp prin unitatea de suprafaţă este proporţional cu gradientul de concentraţie (prima lege a lui Fick dedusă pentru difuzia gazelor în medii izotrope) şi unde coeficienţii notaţi cu D se numesc coeficienţi de difuzie pentru electroni. iar  reprezintă gradientul acestora. Coeficientul de difuzie a purtătorilor depinde de drumul liber mediu sau mijlociu al acestora. se precizează că purtătorii participă la procesele de transport pe durata  numită timp de viaţă mediu.25) goluri : J Dp  q  Dp  p Ca atare. iau naştere curenţi electrici. pentru goluri.27) Lp   p Dp .  şi D există relaţiile: Ln   n Dn . se poate considera că:   d / dx . ca şi mobilitatea. generaţi de deplasarea electronilor şi densitatea curenţilor de câmp şi densitatea curenţilor de difuzie generaţi de deplasarea golurilor: 267 .

Schema echivalentă a unui condensator cu material semiconductor între armături este identică cu cea a condenstorului cu polarizare de deplasare şi pierderi prin conducţie. conform schemei echivalente. întrucât limita inferioară a conductivităţii materialului semiconductor este egală cu limita superioară a conductivităţii unui material dielectric: =10-8[S/m].30) 4.19 Schemele echivalente ale unui condensator cu semiconductor (a) şi cea corespunzătoare unităţii de volum a materialului semiconductor (b). a armăturilor şi distanţa d între ele.29) Densitatea de curent totală are o componentă de câmp şi o componentă de difuzie. prezentată în paragraful §. rp (4. Dependenţele de frecvenţă a componentelor conductivităţii complexe (c. având suprafaţa S. Fig.4. 3.19a.4.MATERIALE SEMICONDUCTOARE J  J Cn  J Dn  J Cp  J Dp  J n  J p (4. ambele componente incluzând câte o componentă de electroni şi una de goluri: componeta _ de _ electroni : J n  q  n  n  E  q  Dn  n componenta _ de _ goluri : J p  q  p   p  E  q  Dp  p (4. deoarece pierderile prin conducţie sunt preponderente. are expresia: Y 1  j rC0 .31) 268 .4. d) Admitanţa condensatorului cu material semiconductor.7 Dependenţa de frecvenţă a conductivităţii electrice a materialelor semiconductoare Un material semiconductor se comportă în câmp electric ca un material dielectric cu pierderi prin conducţie relativ ridicate.2 şi reprodusă în fig. cele prin polarizare se pot neglija. În materialul semiconductor.

aplicată armăturilor. pentru o tensiune U  U exp  jt  . Cu relaţia (4. este densitatea de curent. liniile densităţii de curent J    E şi ale curentului I  J  S sunt diferite de liniile câmpului electric E . Relaţia (4.33) J    j 0 r  E Densitatea de curent J  I / S este curentul electric care străbate unitatea de suprafaţă a semiconductorului.  m m  1  j p   n (4. iar intensitatea câmpului electric: E  U / d . corespunzătoare unităţii de volum a materialului semiconductor.31) obţine forma: Y  I / U   JS  /  Ed    S S  j r 0 .33) obţine forma: 269 . iar C0  0 este S d capacitatea condensatorului cu aceleaşi dimensiuni. 1  j 0 (4. Considerând mărimile cu variaţie sinusoidală în timp.MATERIALE SEMICONDUCTOARE unde: rp   S d este rezistenţa de pierderi prin conducţie. d d (4. întrucât în regim nestaţionar. este tensiunea electrică distribuită pe unitatea distanţei dintre armături sau a grosimii semiconductorului. relaţia (4. Termenul al doilea al relaţiei (4. Expresia conductivităţii complexe este similară expresiei (4.34):  unde:  0 este conductivitatea în regim staţionar. reprezentate în complex simplificat.33). constanta de timp de relaxare fiind însă o mărime complexă:  0 .32) unde: J . se stabileşte un curent: I  Y  U şi un câmp E  U / d între armături.35). iar primul termen este asociat proprietăţii de conducţie a materialului semiconductor. s-a introdus pentru a caracteriza comportarea dielectrică a materialului semiconductor. are expresia în complex simplificat: (4. Relaţia (4.32). datorită anizotropiei materialului sau a frecvenţelor ridicate. dar având aer între armături. Comportarea semiconductorului în regim nestaţionar poate fi descrisă prin aceleaşi expresii ca şi în regim staţionar. iar conductivitatea  s-a considerat mărime complexă.34)  n 0 p    n   p  e2   .35) unde:  0 reprezintă constanta de timp de relaxare pentru regimul staţionar.

19c. în fig.4.33) şi (4. capacitatea unitară Cu   0 r şi inductivitatea unitară: Lu   /  0 . Creşterea gradului de impurificare prin dopare sau accidental (impurităţi necontrolate) determină creşterea conductivităţii semiconductorilor. Impurificarea necontrolată afectează negativ caracteristicile funcţionale ale semiconductorului respectiv şi de aceea trebuie evitată în procesul de fabricare. conform relaţiei (4. din relaţia:    '  j '' (4.38).41) Dependenţele de frecvenţă. Relaţia (4.36) 1  1  j         j   0  0  Schema echivalentă corespunzătoare unităţii de volum a materialului semiconductor este reprezentată. 4. Schema echivalentă pune în evidenţă apariţia rezonaţei la frecvenţa: fr  1  2 Lu Cu 1  2  0 r 0  1 2 0 .d.MATERIALE SEMICONDUCTOARE      0  1 J   j 0 r  E    j 0 r  E (4.8 Factorii care influenţează proprietăţile semiconductoare Influenţa impurităţilor. la temperatura mediului ambiant.  0 r (4.38) Utilizând relaţiile (4.40)  0  2 1     (4.37) care are valori în domeniul microundelor. ale componentelor conductivităţii   (partea reală) şi   (partea imaginară) normate sunt reprezentate în fig. Interacţiunile purtătorilor de sarcină cu impurităţile ionizate şi cu fononii sunt predominante.39) rezultă prin identificare expresiile componentelor conductivităţii complexe a materialului semiconductor în funcţie de frecvenţa câmpului electric aplicat: ' 0 .35) poate fi scrisă sub forma:   1  j  0 0  0  0   j  1  j 1  ( )2 1  ( ) 2 1  ( ) 2 (4. 2 1      ''    0 r   (4.36). 270 .4.19b şi este compusă din rezistenţa unitară ru  1/  0 .

Tensiunea UH are valoarea: UH  RH BI . Probabilitatea de tranziţie a electronilor de pe nivelurile donoare (sau din banda de valenţă) creşte odată cu creşterea intensităţii câmpului electric. În cazul câmpurilor electrice foarte intense. şi deci creşte conductivitatea totală a semiconductorului. Influenţa câmpului magnetic. Odată cu creşterea agitaţiei termice a particulelor. generatoarele Hall construite pe baza acestui efect au aplicaţii în măsurarea câmpului magnetic.20 Infleunţa temperaturii asupra conducţiei semiconductorilor şi metalelor Fig. fig. în domeniul temperaturilor uzuale rezistivitatea semiconductorilor scade pe măsură ce temperatura creşte.42) unde RH este constanta Hall a semiconductorului respectiv. Acţiunea câmpurilor magnetice exterioare se manifestă prin efectul Hall şi efectul magnetostrictiv.4. 271 . fig.21. ceea ce conduce la creşterea conductivităţii electrice. Efectul magnetostrictiv în general constă în modificarea dimensiunilor unui corp sub acţiunea unui câmp magnetic. a intensităţii curentului electric etc.4. Fig. poate avea loc trecerea în avalanşă a electronilor în banda de conducţie.MATERIALE SEMICONDUCTOARE Influenţa temperaturii.20.4. Efectul Hall constă în apariţia unei tensiuni electrice UH între feţele laterale ale unei plăci semiconductoare de grosime d parcursă de curentul I şi situată într-un câmp magnetic de inducţie B. efectul magnetostrictiv la semiconductoare este mai redus decât în cazul unor metale. adică străpungerea semiconductorului care devine inutilizabil datorită efectului distructiv al străpungerii.21 Efectul Hall în semiconductori Influenţa câmpului electric. d (4.4. Anumiţi semiconductori prezintă fenomenul de luminiscenţă sub acţiunea câmpului electric datorită unor tranziţii cu efect radiativ în domeniul spectrului vizibil. creşte numărul electronilor din banda de conducţie şi al golurilor din banda de valenţă. perpendicular pe placă. spre deosebire de metale.

.funcţia de conversie opto-electronică.22 se prezintă cazul unei reţele cristaline în care în absenţa solicitărilor mecanice ionii formează triplete ABC simetrice.efect fotoelectric manifestat prin smulgerea unor electroni din suprafaţa materialului (fotocatozi).funcţia de conversie magneto-electrică. Fig. efect numit piezoelectricitate.funcţia de detecţie a radiaţiilor nucleare. adică se produce polarizarea electrică.22 Fenomenul piezoelectric în cristale În cazul unor cristale semiconductoare prin deformarea reţelei cristaline corpul se polarizează electric şi produce o tensiune electromotoare. . .funcţia de conversie termo-electrică.efect fotoconductiv manifestat prin creşterea conductivităţii electrice. Efectul piezoelectric este utilizat la construirea traductoarelor mecano-electrice şi a generatoarelor de ultrasunete. . se modifică ungiurile legăturilor şi suma momentelor electrice nu mai este nulă. reţeaua se deformează. cu moment electric nul. Influenţa solicitărilor mecanice. . .funcţia de conversie electro-optică.MATERIALE SEMICONDUCTOARE Influenţa radiaţiilor.4. ceea ce poate avea următoarele efecte: . Din analiza factorilor care influenţează proprietăţile semiconductoare se deduc cu uşurinţă şi funcţiile materialelor semiconductoare: .luminiscenţă ce se manifestă îndeosebi la acţiunea radiaţiilor cu energii mai mari (ultraviolete sau Röentgen).funcţia de conversie mecano-electrică. Lumina sau a alte radiaţii acţionează asupra semiconductorilor prin creşterea energiei purtătorilor de sarcină. . 272 . . ceea ce are ca efect modificarea rezistivităţii corpurilor. Pentru exemplificare în fig.funcţia de conducţie comandată în tensiune.efect fotovoltaic manifestat prin apariţia unei tensiuni electromotoare la joncţiunea p-n dintre două semiconductoare. Solicitările mecanice produc modificarea distanţelor interatomice în reţeaua cristalină.4. prin solicitarea cu forţe F. .

obţinerea unui material semiconductor policristalin cu puritatea necesară pornind de la compuşi chimici ai acestuia. implică: . . .purificarea chimică prin care se obţine materialul de puritate tehnică. doparea).încapsularea structurilor şi marcarea acestora.MATERIALE SEMICONDUCTOARE 4. MGS – metalurgical grade silicon) din compuşi naturali. .purificarea fizică prin care se ajunge la puritatea necesară (EGS – electronic grade silicon. . având puritate înaltă.23 sunt exemplificate simplificat etapele principale în tehnologia siliciului pornind de la lingoul monocristalin.4.prelucrarea plachetelor prin metode litografice combinate cu procedee de impurificare selectivă şi controlată (pentru a obţine joncţiuni în diferite zone ale plachetei) pentru a obţine simultan mai multe dispozitive (sau circuite integrate) pe o aceeaşi plachetă. . consumul mondial de EGS este în prezent de cca 5000 tone/an). Fig.23 Etape tehnologice parcurse pentru obţinerea circuitelor integrate Obţinerea unui material semiconductor plecând de la compuşi ai acestuia.obţinerea materialului sub formă de monocristal cu o densitate redusă a defectelor de structură.9 Tehnologia materialelor semiconductoare Realizarea dispozitivelor semiconductoare şi a circuitelor integrate comportă mai multe etape tehnologice: . .tăierea lingourilor în plachete (wafer) cu grosimi de ordinul a 300 μm. 273 . În fig. . şi marcarea acestora ( pentru a putea distinge tipul de conductivitate.obţinerea pe cale chimică a materialului semiconductor de puritate metalurgică (de exemplu pentru Si.tăierea plachetelor în "structuri" componente după ce acestea au fost testate funcţional şi marcate cele defecte.realizarea unor lingouri monocristaline (de formă cilindrică cu diametre de ordinul a 100-200 mm) dopate uniform. realizarea structurilor şi încapsularea acestora.4. .

un mecanism de rotaţie.25. Se presupune că: • difuzia impurităţilor din lichid în solid este neglijabilă.procesul este controlat în întregime de un sistem electronic cu microprocesor care menţine parametrii de lucru (cum ar fi temperatura.24 Determinarea concentraţiei de impurităţi în lingoul semiconductor în urma cristalizării directe 4.24 este prezentat un lingou orizontal "străbătut" de la stânga la dreapta de un front de solidificare.4.4. .cuptorul care include un creuzet aşezat pe un susceptor din grafit.1 Metoda cristalizării directe (procesul de solidificare „normală”) În această metoda tot materialul este topit iniţial şi apoi răcit gradat.9. o sursă de gaz (cum ar fi de exemplu argonul). diametrul lingoului tras. Procesul de tragere CZ este arătat schematic în fig. în fig. • modificările de densitate în cursul solidificării sunt nesemnificative.mecanismul de tragere care include o mandrină pentru germene (sămânţă). unidirecţional. Fig. FS. în principal din trei componente principale: .4. .2 Metoda tragerii din topitură (Czochralsky-CZ) Metoda CZ este practic una din cele mai utilizate metode de obţinere a monocristalelor. • coeficientul de segregaţie este constant. Procedeul a fost folosit prima dată în 1918 şi a fost permanent perfecţionat.MATERIALE SEMICONDUCTOARE 4. un element de încăzire şi o sursă de alimentare. Instalaţia de tragere este formată.9. 274 .

policristalul este topit în creuzet (4) cu ajutorul bobinelor de radiofrecvenţă (5). mandrina se roteşte simultan cu creuzetul dar în sensuri şi cu turaţii diferite în scopul uniformizării temperaturii la interfaţa solid lichid (3). Metoda Czochralsky Iniţial.25 Instalaţie de tragere din topitură. Instalaţia este plasată într-o "cameră de creştere" (nefigurată) în care presiunea este scăzută (pint ~ 10-5Torr) sau este umplută cu gaz inert (argon) sau hidrogen. În mandrină portgermene (1) se fixează un monocristal (germene) cu o anumită orientare. reglând dinamic cu precizie parametrii procesului. Un termocuplu (6) ataşat la creuzet permite micşorarea puterii de încălzire pe măsura tragerii (deoarece scade cantitatea de material topit şi temperatura la interfaţă trebuie să rămână constantă). Acesta este coborât (odată cu mandrina) până când germenele atinge topitura.4. Cristalul cilindric obţinut prin tragere "copiază" modul de aranjare al atomilor germenului. 275 . existând posibilitatea de a se contamina prin reacţie cu creuzetul (din silice). diametrul acestuia depinzând de parametrii procesului. Din acest moment mandrina este trasă cu viteză constantă.MATERIALE SEMICONDUCTOARE vitezele de rotaţie ale mandrinei şi creuzetului etc. Fig. Pentru Si (unul dintre cele mai utilizate materiale semiconductoare) apar probleme datorită reactivităţii ridicate a acestui material în stare topită. Pe timpul tragerii. Metodele recente utilizează un control automat riguros al diametrului.) în limite optime pentru calitatea cristalului.

nepăstrându-se proporţia între atomii din topitură cristalul va avea defecte de structură.MATERIALE SEMICONDUCTOARE Astfel pot apare concentraţii relativ importante de oxigen (în principal) care produc microdefecte de structură pe durata creşterii şi a tratamentelor ulterioare.3 Metoda tragerii Czochralsky pentru materiale semiconductoare compuse În principiu. Dimpotrivă. tragere magnetică CZ.punct de topire convenabil.presiune de vapori scăzută.liquid encapsulated CZ.9. În fig.26 Variante ale metodei de tragere pentru compuşi semiconductori binari 276 . pentru ca metoda CZ să aibă rezultate bune. 4. . în plus există pericolul contaminării cu carbon (de la susceptorul de grafit al creuzetului şi de la elementele de încălzire).vâscozitate scăzută. Materialele semiconductoare elementare la temperatura de topire prezintă presiuni scăzute de vapori. Toate aceste metode impun o creştere într-un sistem închis. materialele compuse conţin constituienţi care se pot evapora cu uşurinţă din topitură dacă nu sunt luate precauţii speciale.26 sunt prezentate trei variante ale metodei CZ. . .4. materialul trebuie să îndeplinească următoarele condiţii: . lipsa tranziţiilor de fază între temperatura de topire şi temperatura ambiantă. Cu ajutorul unui magnet exterior reactorului şi a unei piese polare interioare este trasă mandrina portgermene. Prima metodă foloseşte un tub închis (folosit iniţial pentru GaAs şi InAs şi dezvoltat ulterior şi pentru alţi compuşi). Pentru a evita aceste neajunsuri se folosesc variante modificate ale procesului de tragere. În cazul compuşilor intermetalici unul din componenţi poate fi mai volatil şi astfel. Fig. reactor Bridgman orizontal etc).conductivitate termică ridicată. Din acest motiv s-au dezvoltat tehnici speciale de creştere (LEC .4.

stoechiometric. carbon. disociabile şi chiar refractare) şi conduce la cristale de calitate. În această variantă componenta volatilă este împiedicată să se evapore (păstrând astfel proporţia celor două componente) printr-un lichid "încapsulat" în prezenţa unei presiuni importante (30) de gaz neutru în reactor.MATERIALE SEMICONDUCTOARE În cazul GaAs. inerte) în locul vidului pentru a evita condensarea siliciului evaporat din topitură pe pereţii reactorului.9. organice. Instalaţia este prezentată schematic în fig. În general puritatea materialului semiconductor (nedopat) obţinută prin FZ este superioară celei obţinute prin metode de tragere CZ (în urma căreia sunt posibile impurificări necontrolate semnificative ca de exemplu oxigen. bor sau alte materiale metalice în cazul siliciului). Atmosfera "protectoare" în care se desfăşoară procesul este importantă deoarece aceasta este o cale de impurificare necontrolată. În cazul în care presiunea de vapori este prea mare (de exemplu pentru GaP presiunea necesară a P este în jur de 35 atm) primele două metode sunt înlocuite de o a treia: LEC. Complicaţiile legate de tubul închis sunt rezolvate de varianta tubului semiînchis în care semireactorul superior este etanşat prin topitură materialului ce reprezintă componenta volatilă. Metoda zonei flotante este o alternativă a tragerii Czochralski. Cele două zone solide ale lingoului se rotesc în sensuri diferite uniformizând topitura. Este necesar a adăuga în topitură o cantitate suplimentară bine determinată de As care evaporându-se creează la temperatura de lucru o presiune parţială a As în reactor la nivelul presiunii maxime care opreşte (din momentul stabilirii) evaporarea As. Principiul este asemănător. după care bobinele de încălzire încep să urce cu viteză constantă. menţinându-se echilibrul între cei doi componenţi ai materialului. Procesul este iniţiat prin topirea zonei inferioare a barei monocristaline cu ajutorul bobinelor de radiofrecvenţă. Se preferă folosirea unor gaze (H2.4 Metoda zonei flotante Cu toate că metoda CZ este versatilă (materiale semiconductoare.4. Zona topită (menţinută prin tensiuni superficiale) este adusă în contact cu gemenele monocristalin (orientat într-un anumit fel). conductoare. Procesul este monitorizat cu un sistem de televiziune iar cristalul care creşte este controlat cu raze X (inclusiv diametrul lingoului). Metoda FZ poate fi folosită şi pentru purificarea fizică prin topire zonară sau pentru doparea uniformă a lingoului monocristalin (dacă procesul se desfăşoară în atmosfera unui gaz purtător cu impurităţi introduse controlat). Din acest motiv pentru 277 . pentru a evita contaminarea topiturii datorită creuzetului au fost dezvoltate (în particular pentru siliciu) tehnici „fără creuzet”. As reprezintă componenta volatilă.27. Metoda este larg folosită pentru materiale A III-B V. 4.

cm. putând fi obţinute pentru siliciu rezistivităţi în domeniul 10-200 .realizarea unor straturi epitaxiale la temperaturi (θce) inferioare temperaturii de topire (θt). Ea permite: . Prin această metodă. . Acestea pot fi în general eliminate prin "NTD" (neution transmutation doping).200 mm) ca în cazul CZ. Pentru materialele semiconductoare cu rezistivitate redusă metoda este neatractivă datorită costului şi performanţelor mai modeste. De asemenea de-a lungul lingoului FZ pot apare variaţii de rezistivitate mai mari decât în cristalele CZ. 4.000 Ω. 30. 278 .. Fig..controlul relativ simplu al grosimii stratului epitaxial şi a dopării (uniforme) a acestuia.4. cristalele FZ de mare rezistivitate sunt plasate într-un reactor nuclear şi expuse unui flux de neutroni termici.27 Instalaţie de tragere verticală folosită în metoda zonei flotante Metoda FZ este în general mai scumpă decât CZ şi nu poate realiza cu aceeaşi uşurinţă lingouri de diametre mari (150 . Materialul FZ NTD este apoi tratat termic pentru restabilirea reţelei cristaline alterată prin bombardamentul neutronic.9.5 Metoda de creştere prin depunere chimică din faza de vapori (CVD) CVD este o metodă puternică în tehnologia actuală. Prin controlul fluxului apare în lingou o dopare uniformă cu P la nivelul necesar.MATERIALE SEMICONDUCTOARE aplicaţii care implică rezistivităţi mari FZ devine preferabilă.

279 . orizontale. arsină (AsH3) pentru dopanţi de tip n cum ar fi fosfor respectiv arseniu.complexitatea fazei de vapori.echipamentul CVD se poate realiza în diferite variante de reactoare: verticale. pentru B în siliciu sau fosfină (PH3). interdifuzii strat .reacţii chimice nedorite.creşterea unor straturi compuse (mulţi component). 4. fierb la temperaturi joase şi au presiuni de vapori extrem de scăzute. etc.MATERIALE SEMICONDUCTOARE .29.1-3 atm) evitând dificultăţile tehnologice pentru producerea unui vid înaintat.4.folosirea unor presiuni "rezonabile" în reactor (0. în funcţie de tipul epitaxiei şi productivitatea necesară.6 Metoda MOVPE pentru InGaAsP Această metodă foloseşte compuşi metal organici pentru epitaxie din faza de vapori. Aceşti compuşi. autodopare. trebuie asigurate: . Fig. În general. .28) cum ar fi diboran B2H6 (gaz). Barrel.4.răcirea pereţilor reactorului cu aer sau apă de răcire. Compuşii MO utilizaţi sunt TMIn şi TMGa.4. Pentru Ga şi In sunt folosiţi doi compuşi metalorganici (MO) prin care trece gazul purtător (H2 sau He).28 Reactor pentru creştere epitaxială a straturilor dopate de siliciu Doparea poate fi realizată înglobând în gazul purtător specii dopante (fig. Există sigur şi unele dezavantaje legate de: . . . .substrat.încălzirea uniformă a plachetelor. Pancake. Pe un suport de grafit la o temperatură în domeniul 550-7000oC sunt dispuse plachetele din InP în reactorul de epitaxie.perfecţiune cristalină ridicată a stratului (mai ales în varianta homoepitaxială). Schiţa instalaţiei este prezentată în fig.9. «urme ale gazului purtător în stratul depus. .

280 . se deplasează pentru a realiza o distribuţie uniformă în acel spaţiu.29 MOVPE pentru realizarea uniu compus semiconductor ternar InGaAsP 4. Procesul de difuziune are două etape importante: . .MATERIALE SEMICONDUCTOARE Viteza de creştere poate fi cuprinsă între 1 şi 10 micrometru/oră. Oxidul ce se formează împiedică alte impurităţi să intre în plachetă şi le păstrează pe cele deja introduse. Difuzia propriu-zisă se desfăşoară în atmosferă oxidantă şi lipsită de impurităţi într-un reactor de difuziune.7 Metoda de dopare selectivă şi controlată a materialelor semiconductoare Cea mai folosită metodă este difuzia. Fig. în placheta semiconductoare o cantitate bine determinată de atomi de impuritate. Difuzia este un proces prin care o specie atomică neuniformă distribuită într-un anumit spaţiu. lichidă sau prin reacţie chimică de suprafaţă)atomi de impuritate a căror presiune parţială (în gaz) depăşeşte o valoare ce ar corespunde solubilităţii maxime a impurităţii în materialul semiconductor la temperatura de lucru. depinzând de viteza gazului. Difuzia propriu-zisă urmează predifuziei (sau unei operaţii de implantare ionică prin care. superficial. prin care se introduce superficial. Metoda MOVPE a fost folosită cu succes pentru realizarea structurii cristaline a LED-urilor cu emisie în albastru. Predifuzia se desfăşoară într-un reactor în care. presiunea din reactor şi presiunea de vapori a compusului MO. într-un gaz purtător se introduc (din sursă solidă.difuzia propriu-zisă (difuzia în sursă constantă) care realizează o redistribuire „convenabilă” a impurităţilor predifuzate.predifuzia (difuzia din sursa finită de impurităţi).9. a fost introdusă o anumită cantitate de dopant). Această valoare redusă permite controlul riguros al grosimii straturilor. mult mai mică decât vitezele obişnuite.4.

30 Reprezentare schematică a unui echipament de implantare ionică Ele conţin mai multe sisteme: .8 Echipamentul de implantare ionică Implantarea ionică este un proces prin care ionii dopanţi sunt introduşi direct într-un substrat (prin bombardament ionic) după ce în prealabil au fost acceleraţi.4. cei mai comuni ioni folosiţi pentru implantare în siliciu sunt B. astfel încât se folosesc compuşi ai acestor dopanţi.activarea electronică a ionilor implantaţi. Echipamentul de implantare (implantoarele).9. Fig.speciei dopante să ajungă în locurile şi la adâncimea necesară în substrat.4.MATERIALE SEMICONDUCTOARE 4. căpătând energii între 10-200 KeV10.extractor de ioni şi dispozitiv de analiză – prin care sunt selectaţi anumiţi ioni în funcţie de masa lor.introducerea unei cantităţi exacte (specifice de impurităţi). .modificarea minimă a structurii cristaline a substratului în timpul procesului de implementare. o valvă reglabilă permite alimentarea cu un astfel de gaz a sursei de ioni. . sursele preferate sunt gazoase. . P şi As. . 281 .30). sunt practic cele mai complexe sisteme folosite în fabricarea circuitelor integrate pe scară largă. .sursa de alimentare cu dopant – care conţine speciile ce vor fi implantate. Tehnologia de implantare trebuie să permită: .sursa de ioni – cu sursa proprie de alimentare şi pompă de vid ce permite ionizarea gazului furnizor de ioni dopanţi producând plasmă cu presiune redusă 10-3 Torr. în sursă ionii sunt formaţi fie prin ciocnire cu electronii produşi printr-o descărcare în arc fie produsă prin emisia termică a unui catod fierbinte (de tip Freeman – în implantoare de curent mediu). VLSI (fig.

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

4.10 Tehnologii de realizare a componentelor active
4.10.1 Tehnologia realizării joncţiunilor semiconductoare
a. Realizarea joncţiunilor prin metoda alierii
Alierea constă în acoperirea unei părţi din suprafaţa elementului sau
aliajului semiconductor cu elementul sau aliajul de impurificare şi încălzirea
sistemului peste temperatura de topire a elementului impuritate, cu condiţia ca
această temperatură să fie mult mai mică decât temperatura de topire a
semiconductorului. La răcire se vor separa cristalele de material semiconductor
saturate cu elemente de impuritate.
Avantaje: a fost cea mai răspândită metodă de realizare a joncţiunilor:
- uşurinţa ataşării contactelor ohmice;
- obţinerea unor joncţiuni abrupte;
- posibilitatea organizării unor producţii automatizate.
Dezavantaje (inconvenienţe):
- se realizează greu joncţiuni uniforme pe suprafeţe mari;
- procesul de impurificare nu poate fi perfect controlat.
Obs. Dispozitivele realizate prin aliere acoperă puterile de disipaţie mari
şi pot fi utilizate la frecvenţe de până la 30 MHz.
b. Realizarea joncţiunilor prin metoda difuziei
În tehnologia dispozitivelor semiconductoare discrete şi a circuitelor
integrate, procesul difuziei termice reprezintă unul dintre cele mai importante
procese folosite în scopul realizării joncţiunilor p-n, rezistorilor, regiunilor şi
peliculelor izolatoare în circuitele integrate.
Prin difuzia atomilor străini (impurităţilor) într-un corp solid oarecare se
înţelege transportul acestor impurităţi din regiunea corpului în care concentraţia
impurităţilor este mai mare, spre regiunile în care această concentraţie este mică.
Acest transport este deci condiţionat de existenţa unui gradient de
concentraţie (prezentat mai sus) şi se face sub acţiunea căldurii.
Metoda difuziei, unde dintr-o atmosferă de vapori impurităţile trivalente
sau pentavalente difuzează în semiconductorul aflat în stare solidă, se realizează
în practică cel mai adesea prin două procedee:
- difuzia dintr-o sursă constantă (cu rezervă constantă) de impurităţi;
- difuzia atomilor provenind din sursă finită.
În metoda difuziei profilul şi concentraţia impurităţilor pot fi mai bine
controlate în raport cu metoda alierii prin topire; adâncimea de pătrundere este
proporţională cu timpul de expunere iar concentraţia scade aproximativ
exponenţial cu acâncimea de pătrundere.
Dispozitivele obţinute prin difuzie atomică sunt cele mai reproductibile,
caracteristicile de produs variind pe lot până la 3-5%; aceste dispozitive pot fi
utilizate până la 300 MHz.
282

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

c. Realizarea joncţiunilor prin epitaxie
Prin epitaxie, în sensul larg al cuvântului, se înţelege creşterea orientată a
straturilor subţiri sau monocristalelor pe suporturi cristaline sau necristaline.
Impurificarea semiconductorului prin epitaxie constă în crearea pe
semiconductor, prin depunere din fază gazoasă sau prin evaporare în vid, a unui
strat de semiconductor monocristalin, strat care păstreză orientarea cristalină a
semiconductorului iniţial.
Avantajele metodelor epitaxiale constă în posibilitatea realizării cu
precizie a unor atraturi impurificate de grosimi mici şi eliminarea operaţiilor de
şlefuire, decapare şi spălare a plăcilor semiconductoare, operaţii necesare la
impurificarea prin alte metode.
Dispozitivele obţinute prin creştere epitaxială se caracterizează prin
secţiuni mari, respectiv curenţi I şi puteri de disipaţie Pd mari (0,5-30 W); se
utilizează în deosebi la joasă frecvenţă până la 0,3 MHz.
Dezavantaj, dificulatea realizării unor straturi uniforme pe suprafeţe mari,
de unde şi o slabă reproductibilitate; deviaţia caracteristicilor de produs în cadrul
unui lot poate fi mai mare de 50%.
d. Realizarea joncţiunilor prin implantare ionică
Impurificarea controlată a corpurilor solide prin implantare ionică
utilizează fascicule electronice şi ionice.
Prin implantare ionică, impurităţile necesare sunt introduse liniar, direct în
monocristalul semiconductor prin reglarea precisă a parametrilor fasciculului,
precum şi timpul de iradiere; se poate regla adâncimea de dopare, gradul de
impurificare, se pot efectua dopări succesive etc.
În acelaşi timp se poate stabili riguros traiectul şi configuraţia regiunilor
active din circuitul integrat fără a apela la măşti, iar datorită faptului că
fasciculul pătrunde liniar în material, apariţia impurificărilor laterale este practic
exclusă, fapt care duce la mărirea frecvenţei de lucru a dispozitivelor obţinute.
4.10.2 Diode redresoare
Varianta cea mai uzuală este dioda p+pn+.
Etapele de realizare ale acestei diode sunt:
- realizarea structurii;
- protecţia suprafeţei joncţiunii;
- realizarea contactelor termice şi electrice;
- protecţia climatică;
- sortarea;
- controlul de calitate şi de recepţie.
Structura redresoare se realizează pe siliciu monocristalin ai cărui
parametrii (rezistivitate, densitate de dislocaţii, timp de viaţă al purtătorilor
minoritari, dopare iniţială) sunt aleşi în concordanţă cu parametrii diodei ce
urmează a fi realizate.
283

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Monocristalul este apoi tăiat în plachete, după anumite direcţii şi este
rodat pentru a se obţine planeitatea, paralelismul şi grosimea necesară. Etapele
de obţinere ale structurii pentru o diodă dublu difuzată sunt prezentate în
fig.4.31.

Fig.4.31 Etape de realizare ale unei diode redresoare dublu difuzate de putere

Pentru diodele de mică putere se folosesc pentru contactare aliaje pe bază
de plumb, după ce în prealabil pe feţele dezoxidate ale plachetei s-au depus
succesiv un strat de nichel şi unul de aur.
Pentru diodele de putere contactul dintre structură şi contraelectrozii de
molibden pe zonele n+ şi p+ se realizează prin alierea superficială a siliciului cu
aluminiu. Încapsularea structurii trebuie să permită contactarea electrică şi nu în
ultimul rând transferul de căldură de la joncţiune în mediul ambiant. În plus,
trebuie evitată contaminarea suprafeţei joncţiunii, trebuie protejată structura de
eforturi mecanice exterioare sau de şocuri termice.
Sortarea diodelor se face fie, pe caracteristica directă(tensiunea directă
pentru curentul direct respectiv maxim, testarea curentului de suprasarcină
garantat) fie pe cea inversă (măsurarea tensiunii de străpungere prin avalanşă şi
a curentului invers).

284

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

4.10.3 Tranzistorul MOS cu dublă difuzie (DMOS)
Performanţele de înaltă tensiune ale tranzistoarelor MOS pot fi
îmbunătăţite mărind lungimea canalului şi introducând o rezistenţă serie pe
canal care să preia tensiunea mare drenă-sursă. Acest deziderat se poate realiza
folosind proprietăţile difuziei (viteza de difuziune a impurităţilor de tip p este
mai mare decât cea a impurităţilor de tip n).
Dispozitivul obţinut poartă numele de DMOS (Double Diffused MOS).
Fig.4.32a şi fig.4.32b prezintă cele două variante constructive ale unui
astfel de dispozitiv. Difuzia de n- şi p se face simultan prin aceeaşi fereastră,
dar, datorită vitezei mai mari de difuziune a impurităţilor de tip p decât a celor
de tip n, se va crea în substrat o zonă în care vor exista impurităţi de tip p.

a.

b.

Fig.4.32 Variante constructive ale DMOS

Lungimea canalului este definită de distanţa de difuziune a impurităţilor
de tip opus substratului. Substratul este de acelaşi tip cu drena şi sursa, făcând
parte din drenă (fig.4.32b).
Tranzistoarele DMOS sunt folosite mai ales în aplicaţii de putere.
4.10.4 Tranzistorul cu efect de câmp hexagonal (HEXFET)

Fig.4.33 Structura unui HEXFET

285

MATERIALE SEMICONDUCTOARE

Structura unui HEXFET este prezentată în fig.4.33. Forma hexagonală
maximizează gradul de ocupare a suprafeţei plachetei de siliciu. HEXFET-ul
este varianta discretă a DMOS-ului, fiind alcătuit din mai multe DMOS-uri
legate în paralel. Este folosit ca şi componentă de putere (suportă tensiuni mari
între sursă şi drenă precum şi curenţi mari de drenă).
4.10.5 Tranzistorul cu peliculă subţire (TFT)
Tranzistorul cu peliculă subţire (Thin Film Transistor-TFT) este un
exemplu foarte bun de compromis tehnic, el fiind realizat ca dispozitiv orientat
pe aplicaţie.
Fig.4.34 prezintă secţiunea printr-un astfel de tranzistor. Stratul activ al
tranzistorului TFT (drena, sursa şi zona în care va apare canalul) este depus pe o
peliculă de izolator. Acest lucru reduce drastic performanţele electrice: viteză
mică de comutare şi curenţi de drenă mici.

Fig.4.34 Variante constructive ale TFT

Au avantajul unei tehnologii de realizare simple şi puţin costisitoare,
poate fi plasată atât deasupra cât şi dedesubtul zonei active (fig.4a şi 4b).
Aceste tranzistoare sunt extrem de atractive pentru realizarea celulelor de
afişaj cu cristale lichide, unde fiecare tranzistor TFT va comanda câte un pixel.
Acestea se pot realiza şi pe suportul de sticlă al polarizorului, aşadar
realizarea este mai simplă şi mai ieftină.
O altă aplicaţie a TFT o constituie celulele de stocare pentru memorii
SRAM.
4.10.6 Circuite integrate
Circuitele integrate conţin un număr variabil de componente pe „cip”
pornind de la câteva, până la milioane sau mai mult.
286

Componentele sunt izolate între ele prin joncţiuni blocate.4.10. Fig. .4.Etapa a II-a – constă în creşterea epitaxială la temperatură joasă a unui strat de tip n. izolate cât mai bine între ele pentru a nu interacţiona electric şi interconectate în aşa fel încât să realizeze un anumit circuit. Procesul standard cu strat îngropat În cazul circuitelor integrate este necesar ca pe acelaşi „cip” să fie realizate mai multe componente electronice pasive şi active.se porneşte de la o plachetă din siliciu (111 sau 100) de tip p cu o rezistivitate tipică de ordinul a 6-12 ohmi. .35 Etapele tehnologiei standard Procesul standard cu strat îngropat preia ideile fundamentale ale tehnologiei planar epitaxiale folosite la realizarea tranzistorului discret.MATERIALE SEMICONDUCTOARE 4.35): .1 Tehnologia bipolară. În procesul standard.cm.6. (fig. 287 .Etapa I-a – predifuzia unui strat îngropat după ce în prealabil a fost realizată printr-un proces fotolitografic o mască (masca 1) potrivită din bioxid de siliciu.

.4. printr-un nou proces fotolitografic. dioda Zenner îngropată. . Fig. aceste zone se numesc „paduri” sau „ploturi”. dioda emitor bază peste zid. dioda bază strat epitaxial obţinutădin tranzistorul pnp. dioda Zenner îngropată. .Etapa a VII-a – constă în depunerea neselectivă a aluminiului.MATERIALE SEMICONDUCTOARE .10.6.Etapa a III-a – este formarea zidurilor de izolare dintre chesoane. . aluminiul este apoi îndepărtat selectiv folosind un nou proces fotolitografic (masca 6) astfel încât pe structură rămân traseele conductoare care leagă diverse terminale ale componentelor.Etapa a IV-a – (masca 3).2 Diode Practic toate joncţiunile pn care apar în tranzistoare pot fi utilizate ca diode. Această etapă implică un nou proces fotolitografic (masca 2) în urma căruia se realizează o mască în oxidul crescut termic peste care s-a depus un strat de nitrură de siliciu. dioda emitor bază. .Etapa a V-a – constă în realizarea emitorului. conduce la formarea bazei. Există câteva variante mai des folosite cum ar fi: dioda zid de izolare-strat epitaxial.Etapa a VI-a – implică realizarea ferestrelor de contact printr-un nou proces fotolitografic. dioda colector de bază. (masca 5).4.36 Diode realizate în tehnologie standard: dioda emitor bază peste zid de izolare.Etapa a VIII-a – constă în depunerea neselectivă a unui strat protector care va fi ulterior îndepărtat din zonele în care se realizează contacte în exteriorul circuitului (masca 7). dioda multiplicată etc. dioda multiplicată (schema de principiu şi schema tehnologică) 288 .36. se realizează o mască de oxid care defineşte fereastra emitorului (masca 4). 4. având o grosime tipică de ordinul unui micrometru. Câteva exemple de astfel de structuri sunt prezentate în fig.

unităţi ceea ce înseamnă cel puţin dublarea densităţii de integrare. Sursa şi drena sunt formate prin difuzii de tip „bază”.37 Tranzistor MOS în tehnologie bipolară 4.38 Izolare LOCOS. Fig.10.4. fig. pot fi realizate în procesul bipolar.10.6. Structura tranzistorului npn în această variantă tehnologică 289 .4. Fig. prin adăugarea unei etape tehnologice suplimentare care să definească zona de depunere a oxidului de poartă.7 Procesul cu izolare cu oxid (LOCOS) Procedeul abandonează ideea de a izola componentele prin joncţiuni blocate. înlocuind-o cu izolarea cu oxid. Raportul de arie între cea necesară şi procesul SBC şi cea necesară în procesul în care izolarea se face cu oxid pentru realizarea unui tranzistor npn este de ordinul 2-3.37. Dependenţa parametrilor electrici ai tranzistorului MOS de condiţiile de suprafaţă reclamă un control mai strict din acest punct de vedere în comparaţie cu controlul necesar în procesul bipolar care nu ar avea incluse astfel de realizări. Prin aceasta creşte densitatea de integrare deoarece distanţele destul de mari necesare până acum pentru a evita „atingerea” zonelor de sarcină spaţială pot fi micşorate.3 Tranzistoare cu efect de câmp Tranzistoarele MOS cu grilă de aluminiu şi canal p.MATERIALE SEMICONDUCTOARE 4.4.

Fig. după care printr-un proces fotolitografic se deschid ferestre prin care se va coroda siliciul până la o adâncime aproximativ egală cu jumătatea grosimii stratului epitaxial. Insula izolată şi structura care se obţine este prezentată în fig. se difuzează stratul îngropat.4.39.4.38.4. Urmează oxidarea profundă până când bioxidul de siliciu crescut termic ajunge la suprafaţa plachetei. se creşte stratul epitaxial de tip n. 290 .8 Procesul cu izoplanar Etapele tehnologice necesare pentru realizarea componentei fundamentale care şi aici este tot tranzistorul npn.MATERIALE SEMICONDUCTOARE O variantă a acestui proces a primit numele de LOCOS (Locally Oxidised Silicon). etape tehnologice Această variantă tehnologică are câteva avantaje importante: .reducerea ariei consumate pentru izolare şi deci creşterea numărului de componente pe cip.39 Procesul izoplanar.10. Se acoperă placheta cu bioxid de siliciu şi nitrură. sunt prezentate simplificat în fig. 4. Se porneşte de la o plachetă de tip p.

.izolare cu difuzia de colector). . cum ar fi: .MATERIALE SEMICONDUCTOARE . . . Pentru îmbunătăţirea performanţelor şi/sau simplificarea tehnologiei au fost elaborate proiecte ale unor procese alternative faţă de procesul standard.TRIM – proces cu trei măşti (three masks). . Obs. . 291 .procese derivate care folosesc o logică integrată de injecţie (I2L – integrated injection logic). dezalinierea fiind „compensată” de grosimea zidurilor de bioxid.imunitate la erori de gravură.izolare prin difuzia de bază).procesul CDI ( collector diffusion isolation .denivelări neînsemnate ale plachetei (în final) care îmbunătăţesc posibilităţile de interconectare. .reducerea capacităţilor parazite asociate joncţiunilor prin micşorarea ariei şi în consecinţă creşterea vitezei de lucru.procesul în care se utilizează corodarea anizotropă a siliciului.procesul BDI (base diffusion isolation .procesul izoplanar.

MATERIALE SEMICONDUCTOARE 4.11 Anexă Pe scurt. componentele MOSFET. Siliciu-germaniu. Si: Avantaje: cel mai important semiconductor la ora actuală. realizarea izolărilor: doar siliciul prezintă posibilitatea de obţinere simplă. nu poate să emită lumină. GaAs/AlGaAs: Avantaje: componente de viteză mare pentru aplicaţii digitale şi în domeniul microundelor. InP. Complexitatea proceselor de dopare. a unui izolator (SiO2). Si-Ge: Avantaje: poate fi crescut pe substrat de siliciu. circuitelor și dispozitivelor active integrate. Dezavantaje: costuri mult mai mari decât cele necesare pentru tehnologiile bazate pe siliciu. Costuri: Disponibilitate substrat: doar siliciul. cu costuri mici. GaAs. Dezavantaje: nu este aşa de „rapid” ca şi alte materiale semiconductoare. fosfura de indiu şi germaniul oferă posibilitatea obţinerii de substrat semiconductor pe scara largă. tehnologiile şi principalele aplicaţii ale acestora în realizarea componentelor. următoarelor tabele prezintă materialele semiconductoare tehnice importante. peste costurile tehnologiilor GaAs. InGaAs/InP: Avantaje: componente de viteză foarte mare cu performanţe superioare tehnologiilor GaAs. Dezavantaje: tehnologii cu preț ridicat. folosind tehnologiile deja existente pentru prelucrarea siliciului. componentele bipolare au performanţe comparabile cu cele bazate pe tehnologii GaAs. poate fi utilizat pentru comunicaţii optice. arseniura de galiu. costuri mari. nu este potrivit pentru aplicaţii de putere mare şi la temperaturi mari. 292 . bipolare bazate pe Si acoperă 90% din piaţa de componente electronice. Siliciu. GaN/AlGaN SiC: Avantaje: pentru aplicaţii de putere mare şi la temperaturi de lucru mari. Dezavantaje: necesită condiţii speciale pentru creşterea cristalului. formare a contactelor electrice. este dificil de dopat materiale semiconductoare cu lăţimea benzii interzise de valoare mare. performanţe superioare faţă de tehnologiile bazate pe siliciu. Dezavantaje: fiabilitate mai redusă.

funcţionare la putere mare disipată. Componente optoelectronice: lungime de undă 1300 nm sau 1550 nm pentru comunicaţii. emisia luminii în roşu. funcţionare la frecvenţe mari. verde. optice. modulatoare optice. funcţionare la temperaturi mari.MATERIALE SEMICONDUCTOARE Disponibilitate tehnologică: tehnologii fiabile pentru fabricarea componentelor şi circuitelor electronice. diode laser de viteză mare. Aplicaţii ale materialelor semiconductoare 293 . lungime de undă mare pentru imagini în infraroşu. comutatoare optice de viteză mare. posibilitate de integrare VLSI (ULSI). Caracteristici: Componente electronice: viteză mare de comutare. albastru pentru afişaje electronice. lungime de undă mică pentru memorii optice. Inerţia tehnologiilor existente: sunt investite sume mari în tehnologiile bazate pe siliciu.