You are on page 1of 28

7.

INTREBĂRI, TESTE, APLICAŢII

1.

Fie o sursă ideală de tensiune care furnizează la borne o tensiune u(t), perfect
sinusoidală, având frecvenţa de 1 kHz, amplitudinea 1 V şi faza iniţială nulă.
a. Scrieţi dependenţa în raport cu timpul (formula) acestei tensiuni;
b. Determinaţi perioada;
c. Determinaţi pulsaţia;
d. Determinaţi faza;
e. Determinaţi valoarea efectivă;
f. Ce semnificaţie are valoarea efectivă a acestei tensiuni sinusoidale;
g. Faceţi graficul tensiunii u(t) in raport cu timpul;
h. Faceţi graficul tensiunii u(t) in raport cu faza;

2.

Să se scrie expresia tensiunii u(t) a cărei imagine pe osciloscop este cea din
figura următoare
u(t)
1V

t

2 ms

Figura 1.
3.

Ce este faza unei tensiuni sinusoidale?

4.

Ce este defazajul?

5.

Desenaţi graficul unei tensiuni sinusoidale cu frecvenţa de 1 KHz, valoarea
efectivă de 2V si fază iniţială egală cu π/2 rad.

6.

Care este valoarea rezistenţei interne a unui voltmetru ideal.?

182

Teste

7.

Care este valoarea rezistenţei interne a unui ampermetru ideal.?

8.

Definiţi (descrieţi) într-o singură propoziţie (frază) ce este:
• generatorul de tensiune sinusoidală ideal;
• generatorul de tensiune sinusoidală real;
• generatorul de tensiune continuă ideal;
• generatorul de tensiune continuă real;
• generatorul de curent continuu constant;
• generatorul de curent sinusoidal constant.

9.

Precizaţi semnificaţia fiecărui element din figura următoare

Figura 2

8.

Cât este impedanţa de ieşire a unei surse de tensiune ideale?

9.

Cât este impedanţa de ieşire a unei surse de curent ideale?

10. Ce



se întâmplă dacă:
ieşirea unei surse
ieşirea unei surse
ieşirea unei surse
ieşirea unei surse

de
de
de
de

tensiune reale este scurtcircuitată?
tensiune ideale este scurtcircuitată?
curent reale este scurtcircuitată?
curent ideale este scurtcircuitată?

11. Ce înţelegeţi prin “sursa de tensiune continuă stabilizată protejată” (de exemplu:
12V/10A)?
12. In figurile următoare, instrumentele de măsură magnetoelectrice sunt
considerate ideale.
a. Ce vor indica ele dacă au selectat domeniul de curenţi/tensiuni alternative ?
b. Ce vor indica ele dacă au selectat domeniul de curenţi/tensiuni continue ?
c. Pentru ambele cazuri desenaţi ce se vede pe ecranul unui osciloscop corect
setat, conectat în paralel cu voltmetrul.

Ioan P. MIHU - Dispozitive şi Circuite Electronice - Vol. I

183

A

E = 10 V

1 kΩ
V

2 kΩ

Uef = 10 V
ν = 50 Hz

A

I = 10 mA

1 kΩ
V

2 kΩ

Uef = 10 V
ν = 50 Hz

Figura 3

13. Ştiind că tensiunea furnizată de generatorul din figură este: e(t) = 10 sin(100πt)
[V], să se precizeze cât indică voltmetrul din schema următoare cazuri:
a. dacă este un instrument ideal magnetoelectric
b. dacă este un instrument real magnetoelectric, având rezistenţa
internă de 50 kΩ
c. dacă este un instrument ideal digital cu trei digiţi
R1
1K
e(t)

R2

2K

V

Figura 4

14. In figurile următoare, instrumentele
considerate ideale. Ce vor indica ele?

de

măsură

magnetoelectrice

sunt

184

Teste

A

Uef = 10 V
ν = 50 Hz

V

C = 1 µF

R = 2 kΩ

A

1 kΩ

I = 10 mA

V

C = 1 µF

Uef = 10 V
ν = 50 Hz

R = 2 kΩ

Figura 5
15. Enunţaţi teoremele Kirchhoff.
16. Să se calculeze tensiunea u x pentru fiecare din cele patru circuite din figura
următoare. Se cunoaşte u(t) = 10 sin(100πt) [V].
R1=1k

C=1µF
E=10V

E=10V
R2=2k

R=2k

Ux

R1=1k

~

C=1µF

u(t)

~
R2=2k

Ux

u(t)
R=2k

Ux

Figura 6.

Ux

Ioan P. MIHU - Dispozitive şi Circuite Electronice - Vol. I

185

17. Pentru circuitul următor se mai cunosc: E=10 V; C= ∞; u 1 (t) = 2 sin (100πt). Să
se taseze pe acelaşi sistem de axe, graficele tensiunilor E, u 1 , şi u s .

Figura 7
18. Care rezistenţă din circuitele următoare se încălzeşte mai mult? De ce?

C=1µF

C=1µF
R2=100Ω

E=10V

U=10V
ν=100Hz

R1=10Ω

R3=100Ω
R4=10Ω

Figura 8
19. Explicaţi rolul comutatorului AC / DC de la intrarea fiecărui canal al unui
osciloscop.
20. Se dă tensiunea u(t) = 10 + 2sin (100πt). Desenaţi ce se vede pe osciloscop în
regim AC şi DC.
21. Să se calculeze Rin şi Reş pentru circuitul următor:

Reş

Rin

Figura 9

186

Teste

22. Determinaţi rezistenţa de intrare şi de ieşire a cuadripolului:
R1

Rin
U1

R2

Rout
U2

Figura 10
23. Să se determine, cu ajutorul teoremei Thevenin, circuite echivalente pentru
următoarele porţiuni de circuit:

R1 = 1 kΩ

R1 = 1 kΩ

E=1 V

I=1 mA
R2 = 2 kΩ

R2 = 2 kΩ

Figura 11
24. Un generator de tensiune cu rezistenţă internă nulă, generează: u= 20 sin (120 *
π* t) şi poate debita un curent maxim de valoare efectivă 1A,






Puteţi conecta la bornele generatorului un rezistor pe care scrie: 10k
5%; 3W. Justificaţi răspunsul
Puteţi conecta la bornele generatorului un condensator polarizat pe
care scrie: 10µF 5%; 60V. Justificaţi răspunsul
Puteţi conecta la bornele generatorului un condensator nepolarizat
pe care scrie: 10µF 5%; 60V. Justificaţi răspunsul
Un generator de tensiune cu rezistenţă internă având valoarea Ri=
75 ohmi , are tensiunea electromotoare: u= 200 sin (120 * π* t), şi
poate debita un curent maxim de valoare efectivă 1A.
Puteţi conecta la bornele generatorului un rezistor pe care scrie: 10k
5%; 3W. Justificaţi răspunsul.
Puteţi conecta la bornele generatorului un condensator polarizat pe
care scrie: 10µF 5%; 60V. Justificaţi răspunsul
Puteţi conecta la bornele generatorului un condensator nepolarizat
pe care scrie: 10µF 5%; 60V. Justificaţi răspunsul

25. Definiţi ce este un “semnal analogic”?

Ioan P. MIHU - Dispozitive şi Circuite Electronice - Vol. I

187

26. Definiţi ce este un “semnal discret în timp discret”?
27. Toate becurile din figura următoare sunt identice, având înscrise pe ele datele
24 V / 10 W. Care din ele luminează mai tare în ipoteza că:
a. Diodele sunt ideale (U D0 =0; r D =0) şi pot suporta curenţii din circuit
b. Diodele Zener sunt ideale şi pot suporta curenţii din circuit: U D0 =0; r D =0;
U Z =12V; r Z =0. (La polarizare inversă au rezistenţă dinamică nulă şi
“stabilizează” o tensiune de 12 V).
c. Rezistenţa becurilor nu depinde de curentul ce trece prin ele, ea fiind din
regimul nominal: “24 V / 10 W”

EC = 24 V

10 Ω
100 Ω

100 Ω

Figura 12
28. Să se determine punctul static de funcţionare al diodei din circuitul următor
ştiind că dioda are o caracteristică liniarizată în care U D0 = 0,6 V şi r D = 10 Ω.
Este indicată utilizarea teoremei Thevenin.

R1
1k

R3
3k
D

EC = 24 V

R2
2k

R4
1k

Figura 13
29. Pentru circuitul din figura următoare sa se determine punctul static de
funcţionare al diodei D, identică cu cea din problema precedentă. Să se
determine de asemenea potenţialul anodului diodei D.

188

Teste
+E1 =+12V

R1
1k
D

R3
3k

R2
2k
-E2 = -10V

Figura 14
30. In circuitul din figura 15. dioda D funcționează în regim de semnal mare.
Ea are o caracteristică liniarizată pe porţiuni cu U DO =0,6V si r D =10. Ştiind că
u g=2,5 sin(100πt) să se determine:
a).Curentul si tensiunea pe rezistenta R şi să se reprezinte grafic.
b).Tensiunea pe diodă.
c).Intervalul de timp cât dioda se află în conducție.
Indicaţii:

Figura 15
În regimul de semnal mare, dioda se află pe porţiuni diferite ale caracteristicii
liniarizate în anumite intervale de timp. Astfel atâta timp cât U D ≤ U DO =0,6V,
dioda este blocată, ea se află pe prima porţiune a caracteristicii. Acest interval de
timp se poate determina din condiţia (1):

Rezultă:
cu soluţii în primul cadran:

u g= U DO

(1)

U m sin (100 πt 1 )=U DO

(2)

t1=

1 ⋅arcsin ( U D0 )
100 ⋅ π
Um

t 2 =T/2-t 1

(3)
(4)

Deci dioda se afla în stare de conduc ţ ie în intervalul
t ∈ [t 1 ÷ t 2 ]

(5)

Ioan P. MIHU - Dispozitive şi Circuite Electronice - Vol. I

189

Pentru intervalul de conducţie, circuitul echivalent devine cel din figura 15.1. d,
curentul prin diodă fiind:

iD =

u g − U D0
rD + R

=

U
Um
sin(100πt ) − D 0
rD + R
rD + R

(6)

Se constată că forma curentului este în acest interval armonică, făcând parte dintr-o
sinusoidă "deplasată" în jos cu o componentă continuă egală cu termenul constant al
relaţiei 5. Căderea de tensiune pe diodă în acest interval va fi:

u D = U D 0 + i D ⋅ rD = Um

rD
R
sin(100πt ) + U D 0
rD + R
rD + R

(7)

Se observă că pentru diode cu rezistenţă dinamică neglijabilă, căderea de tensiune
pe diodă este constantă, egală cu U D0 . Pe durata cât dioda este blocată, avem:
I D = 0,

u D =U m sin(100 πt)

(8)

Deci când dioda este blocată ea suportă întreaga tensiune de alimentare. Diagramele
cerute sunt cele prezentate în figura 16
ug

T/ 2

T/2

2,5V

0,6 V
10
t1

t

20

t2

[ms]

iD

t

uD
0,6 V

t

Figura 16

190

Teste

31. Se dă circuitul din figura 17, în care diodele D1÷D4 sunt ideale (U D0 =0; r D =0).
R
D2

D1

220 V
50 Hz

u2

uz

D3

Dz

D4

Figura 17
Se cunosc:
u 1 =100⋅sin(100πt); U Z0 =10V; r Z =10Ω; P Z =1W
Se cer:
a) valoarea rezistenţei R pentru a proteja diodele
b) Să se traseze diagramele tensiunilor u 2 , u Z şi a curentului i Z
32. Se dă circuitul:

Figura 18
Se cunosc:
• transformatorul are înfăşurări cu rezistenţe nule;
• n 1 = 4000 spire; n 2 = 400 spire;
• primarul transformatorului se alimentează de la reţea 220V, 50 Hz;
• caracteristicile diodelor sunt:

iD
Ud

UZ0=10V

Uz
u D01 = 0.6V

UD0 = -0,6V

iZ
Figura 19

Ioan P. MIHU - Dispozitive şi Circuite Electronice - Vol. I

191

Să se determine:
a) graficul la scară al tensiunilor u 1(t) , u 2(t) , u 3(t) , u 4(t) şi al curentului i(t);
b) care este puterea instantanee maximă disipată în fiecare diodă.

33. Să se determine punctul static de funcţionare (PSF) pentru tranzistoarele din
schema următoare, ştiind că ele sunt identice şi au β = 100; U BEd = 0,56 V; U BEc
= 0,6 V; şi I CB0 = 0.
+EC = +24 V
RB
1,1M

RB
0,1M

RC
10k

T1

RB1
100k

RC
10k

T2

RB1
10k

RC
10k

T4

T3
RB2
100k

RC
2k

RB2
10k

RE
10k

Figura 20.
Indicaţii:
Problema de faţă este reprezentativă pentru determinarea punctului static de
funcţionare, atunci când nu se cunoaşte apriori nimic despre funcţionarea
tranzistorului ci doar schema de polarizare. Esenţa rezolvării problemei constă în
stabilirea zonei în care se află tranzistorul: zona activă (regiunea activă normalăRAN), zona de saturaţie sau zona de blocare. Pentru acesta este util de urmat
algoritmul din figura 21. Deşi pare laborios, algoritmul este uşor de urmat şi
presupune:
a). calculul curentului I CMAX , curentul maxim ce trece prin tranzistor, în ipoteza
că U CE =0. Atunci când trece acest curent, tranzistorul se află fie la limita
zonei de trecere dintre zona de saturaţie şi zona activă normală.
b). determinarea PSF considerând tranzistorul în zona activă.
c). dacă I B ≤ 0, atunci tranzistorul este blocat.
d). dacă I B > 0, atunci tranzistorul conduce, el putând fi saturat sau în zona
activă. În ipoteza că această condiţie este îndeplinită, se verifică:
d.1). dacă I C ≥ I CMAX atunci tranzistorul este saturat.
d.2). dacă I C < I CMAX atunci tranzistorul este în zona activă normală.

192

Teste
Se determină ICMAX din circuitul de
colector-emitor, punând condiţia :
UCE = 0
Se scrie sistemul de ecuaţii,
presupunând
că tranzistorul este în zona activă .
( UBE = 0,6 V; IC = β IB )
Se rezolvă sistemul determinându-se
iniţial valorile:
IB şi IC

IB ≤ 0

Da

Tranzistor
blocat !

Se reia
rezolvarea

Da

Tranzistor
saturat !

Se reia
rezolvarea

Nu

IC ≥ICMAX
Nu

Tranzistor în
zona activă !
Se determină
PSF

Figura 21

Rezolvare.
1). Pentru tranzistorul T 1 , din schema din figura 20.a,
I CMAX =

E C 24 V
=
= 2,4 mA
R C 10 k

 IC = β ⋅ IB

 E C = I B R B + U BEc

 E C = I C R C + U CE

(9)
(10)

Rezultă după rezolvare:
I B = 21 µA.
Deci tranzistorul T 1 este în conducţie, deoarece I B > 0.
De asemenea:
I C = 2,1 mA,
Tranzistorul T 1 este deci în zona activă (RAN), deoarece I C < I CMAX. şi acest fapt,
permite determinarea tensiunii U CE = 3 V.
2). Pentru tranzistorul T 2 , rezolvarea este similară. Rezultă însă I B = 234 µA; I C =
23,4 mA.
Concluzia este că T 2 este puternic saturat, deoarece I C > I CMAX. În acest caz, pentru
determinarea PSF, se reia rezolvarea problemei, rezultând sistemul:

Ioan P. MIHU - Dispozitive şi Circuite Electronice - Vol. I

193

 U CE = 0,2 V ≅ 0

 E C = I B R B + U BEc

 E C = I CMAX R C

(11)

care permite determinarea curentului de bază: I B = 234 µA; I C = 24 mA; U CE = 0 V.
3). Pentru determinarea PSF la tranzistorul T 3 , este recomandabilă folosirea
teoremei Tevenin:
+EC = +24 V

RC
10k

RB1
100k

a

RC
10k

a

T3


RB2
100k

E’

T3

R’

Uab

b

b

Figura 22
Generatorul de tensiune echivalent are parametri:

E' = U ab = E C
R ' = R ab

R B2
= 12 V
R B1 + R B 2

= R B 2 || R B 2
EC = 0
 I C = βI B

Cu acestea sistemul rezultat va fi  E' = I R + U
B B
BEc

E
=
I
R
+
U
 C
C C
CE
Rezultă

(12)

R B1 R B 2
=
= 50 kΩ
R B1 + R B 2
(13)

I B = 228 µA; I C = 22,8 mA;

Deci tranzistorul T 3 este saturat, deoarece I CMAX =2,4 mA.
4). La acest montaj, curentul maxim de colector se poate aproxima (I C ≅ I E ), ca
fiind:
EC
24 V
(14)
I CMAX =
=
= 2 mA
R C + R E 12 k
Aplicând teorema Tevenin, iar apoi teoremele Kirchhoff rezult ă :

 I C = βI B

 IE = IB + IC

 E' = I B R' + U BEc + I E R E
 E C = I C R C + U CE + I E R E

(15)

194

Teste

Cu soluţiile:
I B = 11,23 µA; I C = 1,12 mA < 2 mA;
Deci T 3 fiind în zona activă, rezultă U CE = 10,56 V.
34. În circuitul din figura 2.2.a, tranzistorul are β = 100; U BE = 0,6 V; şi I CB0 = 0.
+EC = +20 V
R1
10k

RX

I1

IC
IB

I2
R2
10k

UCE

RE
10k

Figura 23
Să se determine:
a. Valoarea curentului I C .
b. Să se evidenţieze funcţionarea circuitului ca şi generator de curent
constant (GCC).
c. Ce valori poate avea R X , pentru ca circuitul să funcţioneze ca GCC.
Indicaţie.

 IC = β ⋅ IB

 IE = IB + IC
 I1 = I B + I 2
a.

 E C = I1 R 1 + U BE + I E R E
 0 = I 2 R 2 - U BE - I E R E

 E C = I C R X + U CE + I E R E
Din primele 5 ecuaţii ale sistemului rezultă:
R + R2
E C - U BE 1
R2
IB =
≅ 11 µA
R + R2
R 1 + (1+ β ) ⋅ R E 1
R2
I C = β⋅I B = 1,1 mA.

(16)

(17)

(18)

b). În rezolvare nu s-a folosit ultima ecuaţie a sistemului, deci I C nu depinde de R X .
Rezultă că circuitul se comportă faţă de R X ca un generator de curent constant. În
acest sens circuitul poate fi privit în felul următor:

Ioan P. MIHU - Dispozitive şi Circuite Electronice - Vol. I

195
+EC = +24 V

RX

IC

Figura 24.
c). Pentru ca funcţionarea circuitului să fie cea descrisă trebuie ca TB să fie în zona
activă. Aceasta implică U CE > 0,2 V ≅ 0 V; (Atunci când tranzistorul ajunge la
saturaţie, la limită, U CE devine zero).
0 ≤ RX <

EC − IE R E
IC

0 ≤ R X < 12 kΩ

(19)

35. Într-un lanţ de amplificare se găseşte un tranzistor bipolar polarizat în zona
activă.
• Descrieţi o modalitate simplă de a aduce tranzistorul respectiv în
saturaţie (prin modificarea unei singure rezistenţe)
• Descrieţi o modalitate simplă de a aduce tranzistorul respectiv în zona
de blocare (prin modificarea unei singure rezistenţe)
36. Curentul invers de saturaţie al tranzistorului cu Ge din circuitul reprezentat în
figura următoare, este 2µA la temperatura camerei (25 0 C) si se dublează la
fiecare 10 0 C de creştere a temperaturii.
a) Să se determine valoarea maximă a lui R B pentru ca tranzistorul să rămână
blocat şi la 75 0 C dacă E BB = 5 V.
b) Dacă E BB = 1 V şi RB = 50 kΩ, până la ce temperatură la limită rămâne
tranzistorul blocat.
+Ec = +12V
R3
ICB0
R3

EBB

Figura 25

196

Teste

37. De ce inversorul CMOS nu este realizat cu tranzistoare TECMOS cu canal
iniţial?
38. Există posibilitatea ca la inversorul CMOS ambele tranzistoare să fie simultan
în conducţie? Ce condiţie trebuie impusă tranzistoarelor pentru a se întâmpla
aceasta?
39. Există posibilitatea ca la inversorul CMOS ambele tranzistoare să fie simultan
blocate? Ce condiţie trebuie impusă tranzistoarelor pentru a se întâmpla
aceasta? Poate fi exploatată o astfel de situaţie pentru a realiza circuite tristate?
40. Pentru circuitul din figura 27 se dau următoarele date:
LED-urile au caracteristica din figură: U D1 = U D2 = U D3 = 1.5 V
r d1 = r d2 = r d3 = 0

iD

uD
1.5 V
Figura 26
T1= T2=T3 :

ICB0 =0
β=300
UBE =0.6 V
R2
1k

+EC = +12 V

R4
1k

D1

D2
R3
10k

R1
10k
T1

R5
10k

T3

T2

D3
R6
1k

Figura 27

Pentru fiecare din cele 2 poziții ale comutatorului K (A respectiv B) se cer:
• care LED luminează mai tare.
• să se precizeze starea tranzistoarelor T 1 ,T 2 , T 3 , (blocat, saturat sau in zona
activa).

Ioan P. MIHU - Dispozitive şi Circuite Electronice - Vol. I

197

41. Justificaţi prin calcule care LED din figura următoare luminează cel mai intens?
Toate tranzistoarele sunt identice având β=100, U BE =0,6 V, I CB0 =0.
+EC = +24 V

R1
50k

Rc
2k

Rc
2k
R1
50k

Rc
2k

Rc
3k

R1
50k

D4

D2
D1

D3
R2
50k

R2
50k

Figura 28
42. Pentru circuitul din figura următoare să se precizeze are din cele două LED-uri
luminează mai tare şi de ce.

R1
100k

R4
1k

R3
1k

+EC = +24 V

D1
D2

R5
10k

R2
100k

R2
100k

-EE = -10 V

Figura 29.

43. Cunoscând forma de variaţie a tensiunii intrare pentru circuitul din figura
următoare, şi considerând regimul cvasistatic, să se traseze la scară diagramele
i C şi u CE în funcţie de timp, pentru acest circuit. Pentru tranzistorul T se cunosc
următoarele: β=100; I CB0 =0, U BEd =0,56 V; U BEc =0,6 V;

198

Teste

+E C =+24 V
RC
0,5k
iC
RB

iB
u CE

10k
ui

D

u BE

Figura 30. Exemplu de regim cvasistatic de semnal mare, cu limitare.

Indicaţii. Pentru început vom analiza regimul de semnal mare al tranzistorului.
iC

iB

+E C

RC

i CMAX
iC

i B MIN SAT
iB

u CE
0,56 V

blocat

u BE

activ

u BE

u CE

saturat

EC

activ
(

)

Figura 31. Tranzistorul bipolar în regim de semnal mare.
Trecerea prin cele trei stări poate fi uşor urmărită pe caracteristicile de intrare şi de
ieşire ale tranzistorului, din figura 31.
• Pentru
u BE ≤ U BEd = 0,56 V, (U BEd se numeşte tensiune de deschidere),
tranzistorul este blocat, practic nu există curent de colector deci nici putere
disipată pe sarcina R S . De menţionat că starea de blocare poate fi diferită, aşa
după cum se observă pe delimitările caracteristicii de intrare. Pentru tensiuni
u BE mai mici decât 0,56 V dar foarte apropiate de aceasta, tranzistorul este
"blocat la limită". Pentru tensiuni U BE negative, tranzistorul este "puternic
blocat". u BE
• Din momentul în care tensiunea u BE depăşeşte valoarea 0,56 V, tranzistorul se
deschide, i B devine pozitiv şi consecinţă a relaţiei fundamentale, i C începe să
crească. Tranzistorul intră în zona activă. Crescând u BE în continuare, va creşte
i B acesta implică creşterea lui i C . Acum există putere disipată pe sarcină,
putere ce poate fi controlată prin gradul de deschidere al tranzistorului. Prin
creşterea lui i C tensiunea u CE scade, "forţată" de relaţia 1:
E C = i C ⋅R C + u CE = const.

(20)

Ioan P. MIHU - Dispozitive şi Circuite Electronice - Vol. I

199

Creşterea lui i C face ca la un moment dat tensiunea u CE să tindă spre zero. Din
acel moment curentul de colector nu mai creşte, oricât de mult ar creşte i B , se
ajunge deci la saturaţie. Momentul atingerii saturaţiei este caracterizat de faptul
că i C atinge valoarea sa maximă iar u CE ajunge practic nul. Valoarea curentului
de bază pentru care se atinge saturaţia, este notată în schemă cu I B MIN SAT .
Această valoare împarte zona de conducţie a tranzistorului în două părţi: zona
activă şi zona de saturaţie. Gradul de saturaţie al tranzistorului se apreciază în
funcţie de valoarea curentului de bază astfel: dacă I B depăşeşte valoarea I B MIN
SAT dar este foarte apropiată de aceasta, tranzistorul este "saturat la limită"
(saturaţie incipientă). Dacă însă i B depăşeşte cu mult valoarea I B MIN SAT atunci
tranzistorul este "puternic saturat".

Viteza de variaţie a tensiunii de comandă fiind mică (2 V/ms), putem considera
regimul dinamic ca unul cvasistatic şi în consecinţă se vor putea utiliza pentru
rezolvare parametrii de curent continuu cum ar fi de exemplu factorul de amplificare
β pentru zona activă.
Trebuie observat din figura 32 că tensiunea de intrare depinde liniar de timp iar
pentru prima sa porţiune ea se poate exprima u i (t) = 2 t ; Primul pas îl constituie
determinarea momentului t 1 , al treceri de la blocare la saturaţie. Ţinând cont că la
limita blocării curentul de bază este nul condiţia ce se pune este:
u i = 2t 1 = I B R B + U BEd = U BEd = 0,56 V

(21)

200

Teste

ui

T= 20 ms

10V

u i MIN SAT

0,56 V
t1

t
[ms]

t2

-10 V

u BE
0,6 V

t

iC
saturat

blocat

I C MAX
t

u CE

EC
t
Figura 32. Diagrame la regimul cvasistatic de semnal mare
Al doilea pas îl constituie determinarea momentului t 2 al intrării tranzistorului în
saturaţie. Fiind la limita zonei active se va utiliza relaţia fundamentală a
tranzistorului. Rezultă:

 E C = I C MAX ⋅ R B + u CE = I C MAX ⋅ R B

 u i MIN SAT = I B MIN SAT ⋅ R B + U BEc = 2 ⋅ t 2

 I C MAX = β ⋅ I B MIN SAT + I CB0 = β ⋅ I B MIN SAT
Din relaţiile 2 şi 3:

 t 1 = 0,28 ms

⇒ 

 t 2 = 2 ,7 ms

Referitor la tensiunea u BE constatăm următoarele:

(22)

(23)

Ioan P. MIHU - Dispozitive şi Circuite Electronice - Vol. I


201

Ea ajunge (cu datele problemei) la valori inverse mari care pot distruge
joncţiunea bază-emitor. Pentru a evita acest risc se montează o diodă între bază
şi emitor, cu catodul la bază pentru limitarea tensiunii inverse.
Pe durata saturaţiei, tensiunea bază-emitor variază foarte puţin este limitată la
aproximativ 0,6÷0,7V.
În zona activă diagrama prezentată nu redă cu fidelitate evoluţia evenimentelor
datorită neliniarităţii caracteristicii de intrare. Pentru simplificarea analizei în
zona activă, vom considera că tensiunea bază-emitor variază, de la valoarea de
deschidere U BEd =0,56 V, până la valoarea medie în conducţie U BEc =0,6 V,
foarte repede, în prima parte a zonei active. În acest fel pentru cea mai mare
parte a zonei active putem considera U BEc =0,6 V.

44. În circuitul din figura următoare, toate diodele sunt identice (U D0 =0,6 V; r D =0)
iar tranzistorul T are I CB0 =0; U BEd = U BEc =0,6 V; β=100. Considerând
secundarul transformatorului ca sursă de t.e.m. cu rezistenţă internă nulă, iar
amplitudinea ei fiind de 2V, se cere:
a. să se traseze la scară, diagramele u 1 , u 2 , u BE , u CE , i B , i C
b. să se precizeze intervalele de timp în care tranzistorul T este: blocat,
saturat, respectiv în zona activă;
+EC =+12 V
RC
2k
RB
10k
220 V
50 Hz

u1

iC
iB

T

D2

uCE

D1
u2
D4

uBE

D3

Figura 33
Indicaţie.
Pentru trasarea la scară a diagramelor din figura 34, trebuie determinate valorile
momentelor de timp la care tranzistorul trece dintr-o zonă în alta. Determinarea
momentului t 1 , al intrării în zona activă de conducţie (RAN), corespunzător
deschiderii tranzistorului:
u 1d = u 1 + I B ⋅R B =2sin(100π⋅t 1 )=0,56 V
(24)

t1 =

1
arcsin (0,28) = 0,903 ms
100π

202

Teste

Ui
U2

U1

2V

0,6 V
t

u2

uBE
1,8 V
uBE
0,6 V

t
t1
uCE

t2

t3

t4

iC
uCE

EC

iC

iCmax
t

SATURAT

BLOCAT

Figura 34. Diagramele de timp pentru problema 62
Determinarea momentului t 2 , al intrării în saturaţie:
 E C = I C MAX ⋅ R B + u CE = I C MAX ⋅ R B

 u 1 MIN SAT = I B MIN SAT ⋅ R B + U BEc = 2 ⋅ sin(100π ⋅ t 2 )

 I C MAX = β ⋅ I B MIN SAT + I CB0 = β ⋅ I B MIN SAT

t2 =

1
arcsin (0,9) = 3,56 ms
100π

(25)

(26)

Observa ţ ie. Pe durata conduc ţ iei tranzistorului s-a considerat liniar ă dependen ţ a
dintre curentul de baz ă ş i cel de colector. În realitate, factorul β nu este constant în
acest interval, el sc ă zând mult în apropierea limitei de satura ţ ie ş i blocare a
tranzistorului.

Ioan P. MIHU - Dispozitive şi Circuite Electronice - Vol. I

203

45. Pentru schema din figura următoare, în care se consideră că regimul regim
cvasistaţionar se cer :
1. Diagramele: u 1 (t), u 1 (t), u CE (t),
2. Intervalele de timp în care T este blocat , saturat sau în zona activă.
3. Componenta continuă a lui u CE (t)

Figura 35.

46. Se dă amplificatorul a cărui schemă este cea din figura 36. Condensatoarele au
valori foarte, iar T1 şi T2 identice au următorii parametri:

 U BEd = 0,56 V

U BEC = 0,6 V

β = 100

 h = 1,5k; h = 0
11
12

 h 21 = 110; h 22 = 0

204

Teste
+Ec
20k

5k
C3

Rg

C1
T1

+

Rs

Us

10k

Eg

C2

T2

14,4k
-Ee

Figura 36
Se cer :
a) PSF
b) Amplificarea globală a circuitului.
c) Care este amplitudinea tensiunii sinusoidale de intrare pentru care se
atinge limitarea semnalului la ieşire.

47. Pentru amplificatorul dat în figura următoare, cunoscându-se parametrii
tehnologici ai tranzistorului Q (V BE =0,6V, I CB0 ≈0, β=100), curentul I C =1mA,
corespunzător punctului static de funcţionare,
precum şi parametrii "h"
(h 12 =2,5⋅10 -4 , h 21 =100, h 22 =20µA/V), se cere să se calculeze:
a. valoarea rezistenţei R e , ţinându-se seama de polarizarea în c.c. a
tranzistorului Q;
i
v
v
v
b. Ai = L ;
c. R i = 1 ;
d. A v = 2 ;
e. A vs = 2 ;
i1
i1
v1
vs
f. valoarea rezistenţei din emitor (R e '), pentru ca |Av| =5, indicându-se şi
modalitatea de implementare a acesteia. Pentru analiza în c.a., reactanţele
condensatoarelor C b şi C c se vor neglija la frecvenţa de lucru.
+VCC =20 V

RS=10k

R1 =
100k
Cb i1

iL

RC=10k
Cc i2
iL

Q
V2

Vs

V1

R2 =
10k

Figura 37

Re

RL'=
10k

Ioan P. MIHU - Dispozitive şi Circuite Electronice - Vol. I

205

Indicaţii:
a. Valoarea rezistenţei R e rezultă pe baza ecuaţiilor de circuit scrise pentru schema
din figura 2.14.2. care este echivalentă în c.c. schemei date în figura 2.14.1., în care:

Rb =

R 1R 2
100 ⋅ 10
=
= 9,09 kΩ
R 1 + R 2 100 + 10

VB = VCC

(27)

R2
10
= 20
= 1,81 V
R1 + R 2
100 + 10

Astfel, pentru I E ≈I C =1mA,

Re =

VB − VBE R b 1,81 − 0,6 9,09

=

= 1,12 kΩ
IC
β
1
100
B

Rb

IB

IC

VBE=
0,6V

βIB

C
R C=
10k

E

Re
VB

(28)

IE=(β+1)IB

VCC=
20V

Figura 38
b. Pe baza schemei echivalente în c.a. (fig. 39) a circuitului de amplificare
dat, se scriu următoarele ecuaţii de circuit:

v1 − v b = v 2 − v c = (i 2 + i b )R e
v = R (i − i )
b 1
b
 1
v b = h 11i b + h 12 v c

i 2 = h 21i b + h 22 v c
v 2 = R L ' i L

i 2 = −2i L
cu ajutorul cărora se calculează mărimea A i

=

iL iL ib
= ⋅ , în care:
i1 i b i1

iL − i2
h i + h 22 v e
h
h
v
h
h
R ' i + 2i L R e − i b R e
=
= − 21 b
= − 21 − 22 ⋅ c = − 21 − 22 ⋅ L L
ib
2i b
2i b
2
2 ib
2
2
ib
prin a cărui explicitare se obţine:

iL
h21 − h22 Re
100 − 20 ⋅ 10 −3 ⋅ 1,12
=−
=−
= −44,63
ib
2 + h22 (RL '+2 Re )
2 + 2 ⋅ 10 −3 (10 + 2 ⋅ 1,12)
şi

(29)

(30)

206

Teste

ib
v
1 v1
= 1−
⋅ , unde 1 = R i = R b || R i ' .
i1
R b i1
i1
Cum

Ri ' =

(31)

v − (i 2 + ib )Re (i2 + ib )Re
v1 vb + (i2 + ib )Re
=
= h11 + h12 2
+
=
ib
ib
ib
ib

(32)

i
= h11 + Re (1 − h12 ) + L [h12 (R L '+2 Re ) − 2 Re ]
ib
h 11 ≅

iar

h 21
h
100
= 21 =
= 2,5 kΩ
g m 40I C 40 ⋅ 1

rezultă:

(

[

)

]

R i ' = 2,5 + 1,12 1 − 2,5 ⋅ 10 −4 − 44,63 2,5 ⋅ 10 −4 (10 + 2 ⋅ 1,12 ) − 2 ⋅ 1,12 = 103,59 kΩ
Ri =

şi

R bRi'
9,09 ⋅ 103,59
=
= 8,35 kΩ
R b + R i ' 9,09 + 103,59

Astfel,

ib
R
8,35
= 1− i = 1−
= 0,08
i1
Rb
9,09

deci,

A i = −44,63 ⋅ 0,08 = −3,57 .
RS=10k i1

h11
Vb

Ri

VC

Rb=
9,09k

V1

VS

i2

ib
h21
Ib

h12

h22

Re =
1,12k
i2+ib

iL

VC
V2

RC=
10k

RL'=
10k

Ri'

Figura 39
c. R = v i = 8,35 kΩ
i
i1

v2 i L RL '
R '
10
=
= Ai L = −3,57
= −4,27.
v1
i1 Ri
Ri
8,35
v
v v
Ri
8,35
= 2 = 2 ⋅ 1 = Av
= −4,27
= −1,94 .
v s v1 v s
Ri + Rs
8,35 + 10

d. Av =
e. A vs

f. Neglijându-se parametrii h 12 ş i h 22 , se ob ţ ine:

Av ≅ −

h 21R L '
= −5
2[h 11 + R e (1 + h 21 )]

(34)

Ioan P. MIHU - Dispozitive şi Circuite Electronice - Vol. I

207

de unde rezultă:

Re = Re'= −

h 21R L '+2A v h 11
100 ⋅ 10 − 2 ⋅ 5 ⋅ 2,5
=−
= 0,96 kΩ .
2A v (1 + h 21 )
− 2 ⋅ 5(1 + 100)

(35)

Deci, în scopul creşterii amplificării în tensiune de la valoarea de 4,27 la 5, se
constată necesitatea micşorării rezistenţei R e la o valoare R e '=0,96 kΩ, ceea ce
conduce la decuplarea parţială a rezistenţei R e printr-un condensator C e , de valoare
suficient de mare la frecvenţa de lucru, care să scurtcircuiteze rezistenţa R e "=R e R e '=0,16 kΩ (fig. 40).
+VCC =20 V
R1 =
100k

RC=10k
Cc

RS=10k
Cb
Vs

V1

R2 =
10k

Re'=
0,96k

Re"=
0,16k

Figura 40

V2

Ce

RL'=
10k

208

Teste