You are on page 1of 250

Nenad Kartalović, Koviljka Stanković

,
Nevena Zdjelarević, Ivan Knežević

RADIJACIONA
KOMPATIBILNOST
ELEKTROTEHNIČKIH
KOMPONENTI I
UREĐAJA

Beograd, januar 2016

Radijaciona kompatibilnost elektrotehničkih komponenti i uređaja

2

SADRŽAJ
SADRŽAJ.................................................................................................1
1

UVOD.................................................................................................1

2

JONIZUJUĆE ZRAČENJE............................................................3

2.1 ELEKTROMAGNETNO ZRAČENJE..............................................4
2.2 GAMA ZRAČENJE...........................................................................4
2.2.1 X zračenje..............................................................................5
2.3 KORPUSKULARNO ZRAČENJE....................................................7
2.3.1 Alfa čestice.............................................................................7
2.3.2 Beta čestice............................................................................9
3

INTERAKCIJA ZRAČENJA SA MATERIJALOM...................11

3.1 INTERAKCIJA ČESTICA SA MATERIJALOM............................15
3.1.1 Neelastična rasejanja na elektronskom omotaču atoma –
teške naelektrisane čestice........................................................16
3.1.2 NEELASTIČNA RASEJANJA na elektronskom omotaču
atoma – LAKE NAELEKTRISANE ČESTICE (elektroni i
pozitroni)...................................................................................20
3.1.3 INTERAKCIONI PROCESI NEUTRONA.........................21
3.1.4 neelastična rasejanja na jezgru.............................................22
3.1.5 ELASTIČNA RASEJANJA NA JEZGRU..........................23
3.2 INTERAKCIJA ELEKTROMAGNETSKOG ZRAČENJA SA
MATERIJALOM..............................................................................26
3.2.1 Fotoelektrični efekat............................................................28
3.2.2 Compton-ovo (nekoherentno) rasejanje...............................30
3.2.3 Proizvodnja para elektron-pozitron......................................32
3.2.4 ThOMSON-OVO RASEJANJE..........................................34
3.2.5 RAYLEIGH-JEVO RASEJANJE........................................34
3.3 NUKLEARNE REAKCIJE..............................................................35
4

OSNOVNI TIPOVI RADIJACIONIH EFEKATA U
ELEKTRONSKIM KOMPONENTAMA....................................37

4.1 DEGRADIRAJUĆE DEJSTVO ELEKTROMAGNETNOG
ZRAČENJA NA POLUPROVODNIKE..........................................44
4.1.1 Jonizujući efekti kod površinskih stanja..............................46

RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA

4.2 DEGRADIRAJUĆE DEJSTVO NEUTRONSKOG ZRAČENJA
POLUPROVODNIKA......................................................................49
4.2.1 OŠTEĆENJA IZAZVANA IZMEŠTANJEM NEUTORNA
49
4.2.2 NEUTRONSKI INDUKOVANA JONIZACIJA.................50
4.2.3 Neutronsko ekraniranje........................................................52
4.2.4 vreme života manjinskih nosilaca – konstanta neutronskog
oštećenja....................................................................................53
4.2.5 efekti koji se odnose na specifičnu otpornost......................56
5

RADIJACIONI EFEKTI U OSNOVNIM STRUKTURAMA
POLUPROVODNIČKIH ELEKTRONSKIH KOMPONENTI 58

5.1 RADIJACIONI EFEKTI U PN SPOJU............................................58
5.1.1 PRINCIPI FUNKCIONISANJA I OSNOVNE OSOBINE
PN SPOJА.................................................................................58
5.1.2 PROMENA PARAMETARA I OSOBINA PN SPOJA.......65
5.2 RADIJACIONI EFEKTI U MOS KONDENZATORU...................73
5.2.1 C-V karakteristiKa idealnog MOS kondenzatora................75
5.2.2 Osobine realnog MOS kondenzatora...................................77
5.3 RADIJACIONI EFEKTI U MOS TRANZISTORU........................83
5.3.1 Principi funkcionisanjA i osnovne osobine MOS tranzistora
……………………………………………………………..83
5.3.2 CMOS..................................................................................85
5.3.3 Napon praga MOS tranzistora..............................................87
5.3.4 Potpražna karakteristika MOS tranzistora...........................88
5.4 RADIJACIONI EFEKTI U BIPOLARNIM TRANZISTORIMA...90
5.4.1 Efekti jačine doze jonizujućeg zračenja u bipolarnim
tranzistorima.............................................................................90
5.4.2 Oporavak bipolarnih tranzistora od uticaja radioaktivnog
zračenja.....................................................................................97
5.4.3 Parazitni MOSFET tranzistor u bipolarnim integrisanim
kolima.......................................................................................99
6

POLUPROVODNIČKE MEMORIJE I RADIJACIONA
OŠTEĆENJA................................................................................102

6.1 POLUPROVODNIČKE MEMORIJE............................................102
6.1.1 ROM...................................................................................104
6.1.2 EPROM..............................................................................107
6.2 RADIJACIONA OŠTEĆENJA U POLUPROVODNIČKIM
MEMORIJAMA.............................................................................109
2

................129 7.....2................1 Radijaciona otpornost komercijalnih gasnih odvodnika u polju gama i X zračenja...........2....................3..........164 8 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA...............................2...................................................4.1 REDNA OTPORNOST...................2 EKSPERIMENTALNI RAD I REZULTATI..........................2 PRINCIP FUNKCIONISANJA GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA...........................................................158 7............170 8.........1....................2 Zavisnost efikasnosti od fundamentalnih parametara solarnih ćelija....3.....117 6...........................115 6.......109 6......................182 8.............170 8................................3.........................................2 Prolazna radijaciona ošrećenja zavisna od jačine doze.173 8......3......................................................................3 Struja kratkog spoja......1 PRINCIP RADA I OSNOVNE IZLAZNE KARAKTERISTIKE FOTONAPONSKE SOLARNE ĆELIJE.....................1...................................................................3 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA U JEDNOSMERNOM REŽIMU............................................SADRŽAJ 6...........4 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA U IMPULSNOM REŽIMU........4 Efikasnost....3 Zavisnost faktora ispune od fundamentalnih fizičkih parametara........................177 8...................1 Radijaciona oštećenja koja zavise od ukupne apsorbovane doze...........1 Zavisnost struje kratkog spoja i napona otvorenog kola solarne ćelije od osnovnih fizičkih parametara.......................................189 3 ..117 6.....................1...128 7.177 8.3 EKSPERIMENTALAN RAD I REZULTATI.........................................................1 Ispitivanje radijacione otpornosti komercijalnih poluprovodničkih memorija...........124 7 RADIJACIONA OTPORNOST SOLARNIH ĆELIJA...............2.........................128 7..................2 Radijaciona otpornost modela gasnog odvodnika prenapona u polju gama i X zračenja.......................141 7....................................................1 Radijaciona otpornost komercijalnih gasnih odvodnika u polju gama i X zračenja.............................144 7...............................1 OSNOVNE KARAKTERISTIKE GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA.....................2.................2 Napon otvorenog kola.....137 7..............151 7...189 8..............2......145 7.......2 Monte Carlo simulacija dejstva direktno jonizujućeg zračenja na karakteristike poluprovodničkih memorija.....................................................

..232 4 .............................4 MEMRISTOR NA BAZI TITANIJUM DIOKSIDA...................4.........................3 9...................2 9.........6 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA IZLOŽENIH DEJSTVU ALFA I BETA ZRAČENJA .....210 9 MEMRISTORI..........................................1 9.............214 REZULTATI SIMULACIJE TRANSPORTA ZRAČENJA................................................................................213 9.....219 DISKUSIJA............................................................2 Radijaciona otpornost modela gasnog odvodnika prenapona u polju gama i ………………………………….....................231 10 LITERATURA..........................................226 ZAKLJUČAK..RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA 8..............................5 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA U POLJU NEUTRONSKOG ZRAČENJA.....................................X zračenja 195 8.....205 8...................................

Modelovanje efekata jonizujućeg zračenja na tranzistorima različitih geometrija. 9. definisanje geometrija i tehnoloških postupaka sinteze komponenata integrisanih kola neophodno je za sintezu radijaciono otpornih komponenata. Od mnoštva tehnologija koje se mogu primeniti za izradu memorijskih uređaja. sterilizacija proizvoda zračenjem. 4. a magnetne i optičke tehnologije su uzele primat u proizvodnji spoljnih memorija velikog kapaciteta. radioterapija. upravljanje radioaktivnim otpadom. pod stalnim uticajem čitavog spektra elektromagnetnog zračenja. ali i za . tehnologija poluprovodničkih integrisanih kola izdvojila se kao dominantna u izradi sistemskih unutrašnjih memorija. korišćenje akceleratora u fizici visokih energija). 7. Upotreba analognih integrisanih kola zasnovanih na bipolarnim tranzistorima i dalje je veoma zastupljena u projektovanju elektronskih uređaja. 2. stabilizatora napona. satelitski i vazduhoplovni sistemi) zbog veće otpornosti bipolarnih tranzistora na uticaj jonizujućeg zračenja u odnosu na MOS tranzistore. pasivizacionim slojevima. koje potiče i od prirodnih izvora. Tehnološki procesi izrade kola visokog stepena integracije često uključuju bombardovanje visokoenergetskim jonima ili fotonima. Trend minijaturizacije i sve većeg stepena integracije elektronskih komponenti za posledicu ima povećanu osetljivost ovih komponenti na dejstvo jonizujućeg zračenja. komparatora. 8. nuklearna medicina. naponskih referenci) još više je zastupljeno u projektovanju elektronskih uređaja namenjenih za rad u radijacionom okruženju (vojni. 5]. U ovim slučajevima pouzdanost i ispravan rad memorijskih komponenti u velikoj meri zavise.1 UVOD U današnje vreme. Korišćenje bipolarnih analognih integrisanih kola (operacionih pojačavača. dozimetrija jonizujućeg zračenja. čovek je usled velikog tehničko-tehnološkog razvoja. kako od karakteristika zračenja. Mnoge primene poluprovodničkih memorija podrazumevaju njihovu izloženost jonizujućem zračenju (korišćenje nuklearne energije. 10]. određivanje zavisnosti uticaja jačine doze i ukupne doze jonizujućeg zračenja na zahvat naelektrisanja u oksidu i smanjenje koeficijenta strujnog pojačanja. tako i od tehničkih specifičnosti raznih tipova poluprovodničkih memorija [6. bez obzira na napredak tehnologije integrisanih kola sa MOSFET tranzistorima. 3. što može dovesti do značajnih radijacionih oštećenja [1. a i od uređaja koje je čovek sam kreirao. nuklearni.

ekonomski i sveukupni napredak civilizacije povezan je i sa velikom potrošnjom energije. solarne ćelije kao efikasan i pouzdan izvor energije se koriste u uslovima u kojima ne postoji mogučnost redovnog servisiranja i zamene delova. 16.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA definisanje parametara komercijalnih procesa za formiranje bipolarnih integrisanih kola namenjenih za rad u vojnom. Međutim. 17. Među različitim vrstama obnovljivih izvora energije značajnu ulogu igra solarna energija. 12. 20 . 25]. 13. vazduhoplovna i svemirska tehnologija. 21. problem njihove radijacione otpornosti je veoma aktuelan [15. Minijaturizacijom je otpornost na pojavu prenapona smanjena. Problem je posebno interesantan u slučajevima kada brzi elektromagnetni impulsi i radioaktivno zračenje istovremeno deluju na gasne odvodnike [18. Iz tog razloga. 23.]. Zbog toga je pitanje njihove radijacione otpornosti i pouzdanosti od prvorazrednog značaja. i tako dalje. 2 . Razvoj elektronike i računarske tehnike. u koje svakako spada rad pod dejstvom radioaktivnog zračenja. Gasni odvodnici prenapona su jedni od najbolje i najčešće primenjivanih elemenata za zaštitu od prenapona na niskonaponskom nivou. 24. aktuelizuju problem zaštite ovih komponenata od prenapona. Tehnološki. 22. 19. i prateća minijaturizacija. Stabilnost njihovih karakteristika je posebno važna u specifičnim uslovima rada. stabilnost i dugovečnost karakteristika solarnih ćelija prestavlja osnovni zahtev njihovih korisnika. Budući da se eksploatacija solarnih ćelija neretko vrši u uslovima povećane radioaktivnosti (visoki nepristupačni planinski predeli. 14]. reaktorskom ili svemirskom radijacionom okruženju [11.

ČESTICE akceleratorima i radioizotopima) .1.1. JONIZUJUĆA ZRAČENJA X-zračenje  zakočno zračenje ELEKTROMAGNETNO  karakteristično X ZRAČENJE zračenje Gama zračenje Beta zračenje (elektroni.2 JONIZUJUĆE ZRAČENJE Jonizujuća zračenja su elektromagnetska ili korpuskularna (čestična) zračenja koja imaju dovoljno visoku energiju da mogu da jonizuju materiju kroz koju prolaze. Po poreklu mogu biti iz jezgara radioaktivnih elemenata koja se nalaze u prirodi ili iz jezgra veštački dobijenih radioaktivnih elementa. Njihova energija je veća od 12.). Glavne vrste jonizujućeg zračenja. emitovani iz jezgra) Alfa zračenje (jezgra helijuma.4 eV. Jonizujuća zračenja se mogu dobiti u akceleratorima naelektrisanih čestica. kao i u nuklearnim reaktorima (Tabela 2. Tabela 2. emitovana iz jezgra) NAELEKTRISANE Protoni (proizvedeni ČESTICE u akceleratorima) Elektronski zraci (proizvedeni u akceleratorima) Različiti teški joni (proizvedeni u akceleratorima) Neutroni (proizvedeni u NENAELEKTRISANE reaktorima.

tj foton. poput olova.1 ELEKTROMAGNETNO ZRAČENJE Elektromagnetna zračenja imaju istu prirodu i karakteristike. Iako gama zraci mogu prodreti kroz mnoge materijale. Mogu proći kroz mnogo vrsta materijala uključujući i ljudsko tkivo. Gama fotoni nemaju masu niti naelektrisanje. 2. razlikuju se samo po energiji. Gama fotoni su fotoni sa najviše energije u elektromagnetskom spektru. ali imaju vrlo visoku energiju.000 puta veću od energije fotona u vidljivom delu elektromagnestkog spektra. Tako X i gama zračenje mogu imati istu energiju i razlikovati se samo po načinu nastanka: gama zračenje nastaje u metastabilnim jezgrima nastalim raspadom radioaktivnih atoma. Neutron iz jezgra se transformiše u proton i beta česticu. Jezgro izbacuje beta česticu. ali još uvek ima višak energije pa emituje gama foton da bi stabilizovalo Radioaktivni elementi koji emituju gama zrake najrašireniji su izvori zračenja.2 GAMA ZRAČENJE Gama zrak je kvant elektromagnetske energije.6 х 10-19 J. otprilike 10. Moć prodiranja gama zraka ima dosta upotreba. se obično koristi za zaštitu od zračenja. gama čestice putuju brzinom svetlosti i u vazduhu mogu preći stotine hiljada metara pre nego što potroše energiju. a obično sledi emisiju beta čestica. Zbog visoke energije. Dodatni proton menja atom u barijum-137.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA 2. oni te materijale ne 4 . Do emisije gama zraka dolazi kada jezgro radioaktivnog atoma ima previše energije. Emituju ih jezgra nekih radioaktivnih atoma. a X zračenje se proizvodi bombardovanjem mete elektronima velikih brzina. Cezijum-137 pruža dobar primer radioaktivnog rasapada uz emisiju gama zraka. Vrlo gusti materijal. Posebni nazivi se koriste da bi se označio energetski opseg ili način nastanka. Uobičajno je da se za energiju zračenja u nuklearnoj fizici koristi jedinica elektronvolt (eV): 1 eV=1.

1 X ZRAČENJE X zračenje je elektromagnetsko zračenje slično svetlosti. Uređaji za genersianje X zraka imaju vakuumiranu staklenu cev na čijem kraju su postavljene elektrode. nakupljene na katodi.2 JONIZUJUĆE ZRAČENJE čine radioaktivnim. doći će do emisije karakterističnog i zakočnog zračenja. X zraci koji nastaju kao rezultat sudara elektrona sa metalnom pločom imaju širok raspon energija. koji imaju veliku moć prodiranja. istraživanja podzemnih izvora nafte) i tehnecijum-99m (dijagnostička radiologija u medicini). Najkorišćeniji emiteri gama zraka su kobalt-60 (za sterilisanje medicinske opreme. kao i za ispitivanje kvaliteta metalnih konstrukcija u industriji. 2. negativna katoda i pozitivna anoda. cezijum-137 (lečenje karcinoma. do emisije X zraka. ali sa većom energijom. ubrzava prema anodi te oni udaraju u metalnu ploču sa velikom energijom. Razlika potencijala na elektrodama elektrone. merenje i kontrola tečnosti u industrijskim procesima.2. pasterizovanje hrane lečenje karcinoma).1. Pri sudaru sa metalnom pločom. Gama zraci se koriste i za poboljšanje fizičkih svojstava drva i plastike. Primer emisije gama zračenja. Slika 2. Na elektrode je doveden visoki napon koji može biti u rasponu od nekoliko hiljada volti do nekoliko stotina hiljada volti. međutim maksimalna energija koju 5 . tj.

rezultujuće X zračenje imaće maksimalnu energiju od 50 keV.2. pa se stoga cela cev za generisanje visokoenergetskih X zraka često hladi vodom.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA mogu imati je određena razlikom potencijala između elektroda koje ubrzavaju elektrone. Veliki deo energije elektronskog snopa na anodi se pretvara u toplotu. 6 . Moć prodiranja X zraka čini ih idealnim za korišćenje u medicinskoj dijagnostici. Uređaj za generisanje X zraka. ali i u razne industrijske svrhe. Na primer. Slika 2. ako je razlika potencijala između elektroda 50 kV.

2 JONIZUJUĆE ZRAČENJE 2. Tabela 2. što predstavlja 7 . Zračenje koje emituju radioaktivne supstance može se sastojati delimično ili u potpunosti od čestica. Na primer. To je zračenje koje se sastoji od čestica (naelektrisanih ili ne) koje imaju svoju masu mirovanja i veliku kinetičku energiju. polonijum-210 ima 126 neutrona i 84 protona. kao što su beta (β) čestice ili beta zračenje (pozitivno ili negativno). reda keV.3 KORPUSKULARNO ZRAČENJE Jonizujuće zračenje može biti korpuskularne (čestične) prirode. Čestice emitovane iz radioaktivnih izvora imaju određenu energiju koju troše u interakciji sa atomima ili molekulima materijala kroz koji prolaze. Interakcija jonizujućeg zračenja čestične priprode bitno se razlikuje od interakcije zračenja elektromagnetne prirode. MeV.1 ALFA ČESTICE Alfa čestice identične su jezgru helijuma.2. Alfa Beta Gama i X Vrsta zračenja Neutroni zračenje zračenje zračenje Priroda Masa Naelektrisanje Prodornost Sposobnost jonizacije Jezgro helijuma Elektron EM talas Neutron velika vrlo mala nema velika pozitivno 2 negativno 1 nema nema mala srednja velika velika velika srednja mala mala 2. Tu spadaju nuklearne čestice. neutroni (n) i protoni (p). Osnovne karakteristike čestičnog i elektromagnetnog jonizujućeg zračenja. Brzina alfa čestice u vazduhu je otprilike 1/20 brzine svetlosti. jezgra emituju alfa česticu kako bi uspostavili ravnotežu. alfa (α) čestice ili alfa zračenje. Kada je odnos broja neutrona i protona u jezgru određenim atoma prenizak. Ovo je relativno teška i visokoenergetska subatomska čestica sa pozitivnim naelektrisanjem od +2 zbog svoja dva protona. i sastoje se od dva protona i dva neutrona.3.

radon-222 (86). Atomi koji emituju alfa čestice uglavnom su vrlo veliki atomi.5 prema 1. Alfa emiteri su prisutni u različitim količinama u gotovo svim stenama. Prirodni izvori alfa čestica imaju atomski broj najmanje 82. uranijum-238 (92). koje je stabilan element. uz neke izuzetke. alfa čestice se zbog velike mase i električnog naelektrisanja kreću relativno sporo (otprilike 1/20 brzine svetlosti) i u vazduhu potroše svu svoju energiju nakon nekoliko centimetara. plutonijum-236 (atomski broj 94). polonijum-210 nakon emisije alfa čestice postaje olovo-206. Budući da broj protona u elementu određuje element. Nakon emisije. 8 . Nakon radioaktivnog raspada. Slika 2. Na primer. Pozitivno nalektrisanje alfa čestica može biti korisno u nekim industrijskim procesima. Šematski prikaz alfa raspada. odnos postaje 124 neutrona prema 82 protona ili 1.51 prema 1. Najvažniji alfa emteri su: americijum-241 (atomski broj 95). polonijum-210 služi za neutralisanje statičkog elektricititea u mnogim oblastima industrije .alfa čestice zbog svog pozitivnog naboja privlače slobodne elektrone i tako smanjuju statičko naelektrisanje. atomi koji imaju visoke atomske brojeve. tlu i vodi. radijum-226 (88). radijum-226 se koristi za lečenje karcinoma. pri čemu se emituje alfa čestica. torijum-232 (90).3. tj.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA odnos 1. vežu slobodne elektrone i postaju helijum.

Iako beta čestice emituju radioaktivni atomi. Beta čestica zbog svoje velike energije.2 JONIZUJUĆE ZRAČENJE 2. Beta čestica je često praćena i emisijm gama zraka. Ostali značajni beta emiteri 9 . a ekektroni se nalaze u omotaču atoma. Beta čestice imaju električno naelektrisanje -1. Ovaj proces smanjuje broj neutrona za jedan. Brzina pojedinačne beta čestice zavisi od toga kolika joj je energija i varira u širokom opsegu. Šematski prikaz beta raspada. Masa čestice je otprilike 1/2000 mase protona ili neutrona. Nakon izbacivanja beta čestice jezgra jos uvek imaju višak energije koji ispuštaju u vidu gama fotona. Razlika je u tome što beta čestice potiču iz jezgra. Naučnici smatraju da se neutron transformiše u proton i elektron.2 BETA ČESTICE Beta čestice su ekvivalentne elektronima.3. i tako nastaje novi element. Emisija beta čestice se događa kada je odnos neutrona i protona u jezgru prevelik. a povećava broj protona za jedan. a elektron biva izbačen.4. one same po sebi nisu radioaktivne. koji ima previše neutrona da bi bio stabilan. Radioaktivni raspad tehnecijuma-99. s tim da proton ostaje u jezgru. Slika 2. nanosi štetu živoj materiji tako što rastura hemijske veze i stvara jone. je jedan primer beta raspada.

cezijum-137. ali i u raznim industrijskim instrumentima koji služe za merenje debljine vrlo tankih materijala. ponaša se kao bilo koji drugi slobodni elektron. Beta emiteri imaju mnoge upotrebe. Kada beta čestica ostane bez energije. kobalt-60. 10 . naročito u medicinskoj dijagnostici i lečenju karcinoma (fosfor-32 i jod-131). tricijum. jod-129. jod-131. Beta čestice u vazduhu putuju nekoliko desetina centimetara i lako se zaustavljaju čvrstim materijalom. stroncijum-90. ugljenik-14.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA su: fosfor-32.

on se sam vraća nazad i pri tome emituje razliku energije u vidu niskoenergetskog fotona. Kako se elektron u atomu sa energetskog stanovišta nalazi u potencijalnoj jami. vibraciona. odnosno u kristalnoj rešetki poluprovodnika. Za atome se usvaja uprošćen planetarni model koji se sastoji od jezgra (izgrađenog od protona i neutrona) i elektronskog omotača (u kome su elektroni raspoređeni po energetskim nivoima). dok je u čvrstom stanju eksitacija još složenija. Kako su u pitanju defekti čije su dimenzije reda veličine atoma. Ovakvi elektroni se nazivaju Auger-ovi elektroni. odnose se na oštećenja u strukturi tela. nezavisno od agregatnog stanja i tipa hemijskih veza među atomima. merenje karakterističnih veličina koje su najosetljivije na date uticaje predstavlja jedini metod proučavanja uticaja zračenja na poluprovodničke uređaje. pa samim tim i u poluprovodnicima. postoje još dva načina deeksitacije atoma. Eksitacija elektrona je kvantni proces u kome elektron prelazi u neko od stanja slabije vezanih za jezgro. Upražnjeno mesto u unutrašnjosti omotača može da se popuni elektronom iz susedne ili neke bliske ljuske. bilo da se radi o . Procesi pobuđivanja zavise od struktura u kojima se atomi nalaze. Jedan je direktan prenos energije na susedan sistem. eksitacija predstavlja njegov prelaz na viši energetski nivo na kom ima slobodnih mesta. što predstavlja proces deeksitacije (relaksacije). Interakcija zračenja sa materijalom se razmatra na nivou izolovanog atoma tog materijala. Pobuđeni atom se spontano vraća ka energetski najstabilnijem stanju. X zrak može da preda svoju energiju nekom od elektrona sa viših nivoa koji biva izbačen iz atoma sa kinetičkom energijom jednakoj razlici energije X zraka i energije veze nivoa. Molekuli imaju dodatne vidove eksitacije u odnosu na atome (elektronska.3 INTERAKCIJA ZRAČENJA SA MATERIJALOM Radijaciona oštećenja u svim čvrstim telima. Pobuđivanje perifernih elektrona ima veću verovatnoću od pobuđivanja elektrona unutrašnjih ljuski. Neelastični sudari sa elektronskim omotačem dovode do eksitacije (pobuđivanja elektrona u omotaču u više energetsko stanje) ili jonizacije (odvajanja elektrona od atoma). Pored emisije fotona ili Auger elektrona. odnosno na orbitu udaljeniju od jezgra. rotaciona eksitacija). a upražnjeno mesto seli ka periferiji. pri čemu se emituje karakteristični X zrak. Ako je eksitiran periferni elektron.

U slučaju naelektrisanih čestica. dok atomski elektroni uzmiču. Ova pojava se naziva sekundarna jonizacija. Brzi elektroni i pozitroni takođe gube energiju pre svega u interakciji sa elektronima medijuma. Uglovi rasejanja. Drugi vid relaksacije karakterističan je za molekule. Relativna zastupljenost gubitka 12 . Atomi i molekuli koji jonizacijom izgube elektrone predstavljaju jone. oni gube deo svoje energije. u slučaju masivnijih jona ili fisionih fragmenata većeg naelektrisanja i/ili manje brzine.10-27 kg) dolazi do vrlo male promene njihove trajektorije. postaje značajna i njihova interakcija sa atomskim jezgrima medijuma. nuklearne reakcije naelektrisanih čestica postaju primetne. U njima energija deeksitacije može biti utrošena na rastavljanje (disocijaciju). Pored interakcije sa elekronima. stvaraju trag u ekspanzionoj komori oko traga osnovnog snopa upadnih naelektrisanih čestica. dolazi do rasejavanja pod uglovima većim od 90o usled znatno manje mase elektrona od mase jezgra. mogu uzeti vrednosti do 90o. U slučajevima interakcija sa jezgrima. one ne zrače u značajnoj meri na ovaj način. koje su vrlo retke.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA sudaru u gasu ili da su atomi blisko raspoređeni u čvrstom stanju. Elektroni izbačeni jonizacijom mogu da imaju dovoljno visoku kinetičku energiju (>100 eV) tako da i sami mogu jonizovati atome. koja se tada izračuje u formi takozvanog zakočnog zračenja (bremsstrahlung). iz istog razloga. ali se verovatnoća ove interakcije smanjuje sa povećanjem njihove energije. masa protona mp = 1. Ovo je vrlo retka pojava u slučaju lakih i brzih jona.10-31 kg. zbog iste mase čestica koje interaguju. naročito ako se sastoje od većeg broja atoma. pored već opisanih interakcija. U slučaju neutrona bilo koje energije. osnovni proces kojim one gube energiju je interakcija sa elektronima u okviru atoma. Pošto teže čestice pri interakcijama ne usporavaju mnogo. U slučajevima kada energija incidentnog zračenja prevazilazi 100 MeV. Verovatnoća jonizacije najveća je za slabo vezane periferne elektrone i opada prema unutrašnjim slojevima elektronskog omotača.67. Tada dolazi do kulonovske interakcije usled koje se javlja rasejanje pod velikim uglovima. ali je transfer energije mnogo veći. Oni uzmaknuti elektroni kojima su saopštene nešto veće energije. Pored ovoga. Ovo zračenje uzmaknutih elektrona nosi naziv δ zraci. usled činjenice da dolazi do usporavanja (kočenja) elektrona pri interakcijama. Obzirom da su mase ovih čestica mnogo veće od mase elektrona (masa elektrona me = 9. ukoliko je njihova kinetička energija najviše nekoliko MeV. postoji interakcija isključivo sa jezgrima.11.

Slika 3. a u 13 . podela na X zrake i gama zrake prema poreklu (X zraci potiču iz atomskog omotača a gama zraci iz jezgra). Ovo je donekle opravdano imajući u vidu da energije fotona emitovanih iz jezgra moraju biti znatno veće od energija fotona emitovanih iz atomskog omotača. mogu se javiti Tomsonovo elastično nekoherentno rasejanje. prikazana je na slici 3.3 INTERAKCIJA ZRAČENJA SA MATERIJALOM energije u sudaru i gubitka energije radijativnim putem. pošto su energetski prelazi između kvantnih stanja ova dva kvantna sistema takvi. u slučaju elektrona i protona u olovu. U interakciji sa atomskim elektronima. Iako interakcija elektromagnetnog zračenja sa materijalom zavisi samo od energije kvanta ovog zračenja. Gubitak energije protona i elektrona u olovu u funkciji kinetičke energije upadnog snopa ovih čestica [1]. javlja se nuklearni fotoefekat. još uvek se koristi. U interakciji sa jezgrom.1 [1]. Postoji veći broj mehanizama interakcije elektromagnetnog zračenja sa materijalom. Rejlejevo elastično koherentno rasejanje. Komptonovo neelastično rasejanje i fotoelektrični efekat. koja je istorijskog karaktera.1.

što je energetski prag za ovu vrstu interakcije.2 prikazana je relativna zastupljenost ovih tipova interakcije u zavisnosti od energija upadnog fotona i atomskog broja apsorbujućeg materijala [1]. 14 .2. ukoliko je energija upadnog fotona veća od 1. Slika 3. I pored postojanja svih navedenih mehanizama. dok su ostali znatno manje zastupljeni. samo tri od njih su značajna. To su fotoelektrični efekat.02 MeV. Relativna zastupljenost tri najvažnija tipa interakcije elektromagnetnog zračenja sa materijalom u zavisnosti od energije upadnog fotona i atomskog broja apsorbujućeg materijala [1]. Komptonovo rasejanje i proizvodnja para.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA interakciji sa elektromagnetnim poljem jezgra dolazi do proizvodnje para elektron-pozitron. Na slici 3.

koje su sporije. Kod alfa čestica. Tako alfa i beta čestice energije 4 MeV imaju približno isto W. Zbog velikog broja rasejanja duž putanje naelektrisane čestice. Ova veličina se naziva zaustavna moć (ili linearni gubitak energije) i označava sa dE/dx [MeV/cm]. Teška jezgra i joni. Ako naelektrisane čestice prolaze kroz materijal sastavljen od više vrsta atoma u vidu smeše ili jedinjenja. Prenos energije i skretanje naelektrisanih čestica usled eksitacije i jonizacije razlikuju se za lake i teške čestice. Pokazuje se da masena zaustavna moć za jednu vrstu čestica gotovo ne zavisi od materijala kroz koji zračenje prolazi. fluktuacije ukupnog gubitka energije su male. Procenjuje se da zbog vezivanja atoma u molekule greška ovakvog određivanja zaustavne moći može da iznosi najviše 2%. U lake naelektrisane čestice ubrajaju se elektroni i pozitroni. W ne zavisi od energije upadne čestice ukoliko je njena brzina veća od brzine perifernog elektrona u atomskom omotaču. gde je ρ gustina materijala. specifična jonizacija je srazmerna linearnom gubitku energije.1 INTERAKCIJA ČESTICA SA MATERIJALOM Neelastična rasejanja naelektrisanih čestica na elektronima u omotaču su statističke prirode i odvijaju se sa određenom kvantnomehaničkom verovatnoćom. iako 15 . Na dovoljno visokim energijama zračenja energija jonizacije ima približno istu vrednost za sve vrste zračenja. pa se prenos energije sa zračenja na materijal opisuje srednjim gubitkom energije po jedinici pređenog puta čestice. Energija jonizacije je veća od energije veze elektrona. konstantnost W pojavljuje se tek na energijama iznad nekoliko MeV-a. koja se označava sa 1/ρ(dE/dx) [MeVcm2/g]. Ukupni broj jona koje stvori jonizujuća čestica po jedinici pređenog puta naziva se specifična jonizacija i iznosi (dE/dx)/W. Na nižim energijama beta i alfa čestica W raste. protonialfa čestice i druga laka jezgra. gde je W energija jonizacije. koje su brze. nađeno je da za energije iznad nekoliko keV-a energija jonizacije ostaje konstantna. dok su teške naelektrisane čestice mioni. Energija jonizacije se definiše kao srednja energija potrebna za nastanak para jon-elektron u određenom materijalu.3 INTERAKCIJA ZRAČENJA SA MATERIJALOM 3. pioni. zausravna moć se prema Bragg-ovom pravilu izračunava za svaku vrstu atoma posebno i sabira. S obzirom da je energija jonizacije konstantna u širokom intervalu energija upadnog zračenja. Za beta čestice. jer relativna verovatnoća jonizacije opada u odnosu na ostale procese. Često se za određeni tip zračenja daje vrednost masene zaustavne moći. izraženom mikroskopskim presekom. Ova srazmernost narušena je samo pri veoma niskim energijama zračenja.

β=v/c odnos brzine naelektrisane čestice i brzine svetlosti u vakuumu. ρ gustina materijala.10-13cm klasični radijus elektrona. NA Avogadrov broj. U praksi se ovoj formuli dodaju dva korekciona faktora i ona ima oblik:  dE Z Z 2   2me 2v 2 Emax C 2  2 N Are 2mec 2  2 12  ln   2     2  . γ=(1-β)-1/2. ima vrednost 2πNAre2mec2=0. Maksimalan prenos energije odgovara čeonom sudaru sa elektronom i za naelektrisanu česticu mase M iznosi: 2 me c 2  2  2 E max  1 2 me  m  1   2 2   e  M  M 2 . u izrazu (3. me masa mirovanja elektrona. C korekcioni faktor za uticaj rasporeda elektrona po ljuskama. u čvrstom materijalu prosečne gustine. Emax maksimalna energija koja se može preneti u jednom sudaru.1. Deo energije koji se prenese pri svakom pojedinačnom rasejanju je mali u odnosu na ukupnu kinetičku energiju čestice.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA formalno spadaju u drugu navedenu grupu.1 NEELASTIČNA RASEJANJA NA ELEKTRONSKOM OMOTAČU ATOMA – TEŠKE NAELEKTRISANE ČESTICE Neelastični sudari teških naelektrisanih čestica sa elektronima u atomu imaju veliki mikroskopski presek (σ=10-17-10-16cm2). I srednja energija eksitacije. broj sudara koje čestica doživi po jedinici pređenog puta je toliko veliki da je zbirni gubitak energije značajan čak i u relativno tankim slojevima materijala. Međutim. 3.1) koja ne zavisi od naelektrisanja čestice i vrste materijala.2) 16 . Multiplikativna konstanta. δ korekcioni faktor koji uzima u obzir efekat gustine. zbog pojave dodatnih efekata pri interakciji sa materijalom [2-4].1)  2  dx A    Z 2 I  gde je re=e2/(4πε0mec2)=2.817. razmatraju se zasebno. (3.1535 MeVcm2/g. A atomska masa materijala. Izraz za zaustavnu moć teške naelektrisane čestice naelektrisanja Z1qe u materijalu čiji je atomski broj Z2 poznat je kao Bethe-Bloch-ova formula. (3.

Najvažniji 17 . Z 2  13. ali njihov zbirni uticaj na vrednost zaustavne moći je manji od 1%. Krive na ovoj slici. β i γ. Vrednost faktora δ određuje se empirijski za različite opsege vrednosti proizvoda βγ.2) svodi se na: Emax  2me c 2  2 2 .3.4) Efekat gustine javlja se usled polarizacije atoma sredine koju izaziva električno polje naelektrisane čestice. Efekat gustine izraženiji je za naelektrisane čestice većih energija. Pored toga.3 INTERAKCIJA ZRAČENJA SA MATERIJALOM Kako za teške naelektrisane čestice važi M>>me. koje čine Bethe-Bloch-ovu formulu neprimenljivom.3) Egzaktan teorijski izraz za srednju energiju eksitacije I je veoma složen. što znači da će u manjoj meri doprinositi gubitku energije u odnosu na predviđanje originalne Bethe-Bloch-ove formule. dobijene na osnovu formule (3. Z2 (3.1) javlja se niz veoma složenih pojava.1) ne zalaze u oblast najnižih energija.8Z 2 1. u Bethe-Bloch-ovu formulu moguće je uvesti još niz korekcionih faktora. izraz (3. elektroni na većem rastojanju od putanje čestice biće zaklonjeni od punog dejstva električnog polja. ovaj efekat zavisi i od gustine materijala. U tom slučaju značajni su efekti koji zavise od rasporeda elektrona po ljuskama u atomu. odakle i potiče njegov naziv. nego u razređenim sredinama kao što su gasovi. zbog čega se u praksi koriste empirijski izrazi: I 7  12  [eV ]. Z2 Z2 I  9. Bethe-Bloch-ova formula u osnovnom obliku izvedena je pod pretpostavkom da elektron miruje u odnosu na upadnu naelektrisanu česticu. (3. Pri veoma niskim brzinama čestice (β < 0. Izraz za faktor C određuje se empirijski i zavisi od I. Z 2  13. Ova pretpostavka nije održiva kada je brzina upadne čestice istog reda veličine ili manja od orbitalne brzine elektrona vezanih za atom. jer je indukovana polarizacija veća u čvrstim materijalima.19[eV ]. Zbog ove polarizacije. Energetska zavisnost masene zaustavne moći za nekoliko vrsta teških naelektrisanih čestica prikazana je na slici 3.76  58. Pored korekcija za efekat gustine i raspored elektrona po ljuskama.

Uzimanje ove pojave u obzir složen je problem. 18 .3.4. Energetska zavisnost masene zaustavne moći za nekoliko vrsta teških naelektrisanih čestica. što smanjuje njeno efektivno naelektrisajne.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA među ovim efektima je težnja naelektrisane čestice da za sebe vezuje elektrone. a time i zaustavnu moć. Slika 3. naročito u slučaju teških jona. Bragg-ova kriva zavisnosti srednje specifične jonizacije monoenergetskog snopa teških naelektrisanih čestica od dubine prodiranja. Slika 3.

3 INTERAKCIJA ZRAČENJA SA MATERIJALOM Na slici 3. Transmisiona kriva. Na transmisionoj krivoj. kao dubina na kojoj polovina upadnih čestica biva zaustavljena.5.5. Srednji domet (Rsr) određuje se sa transmisione krive. usled čega zaustavna moć i specifična jonizacija naglo opadaju. Srednji i ekstrapolirani domet nekad se određuje i sa 19 .4 prikazana je Bragg-ova kriva zavisnosti srednje specifične jonizacije monoenergetskog snopa teških naelektrisanih čestica od dubine prodiranja. Pred samo zaustavljanje. Slika 3. one počinju da zahvataju elektrone. koja izražava procenat upadnih naelektrisanih čestica dospelih do određene dubine materijala. moguće je predstaviti još i ekstrapolirani domet (Rext) – dubina do koje su sve čestice zaustavljene. predstavljene na slici 3. Dubina prodiranja predstavlja normalnu projekciju traga (putanje) jedne čestice na pravac upadnog snopa. Dubinu u materijalu do koje dospevaju naelektrisane čestice moguće je opisati na više načina. kada su već izgubile najveći deo svoje energije. Pravi domet se definiše kao srednja dužina traga za čitav snop čestica. jer je specifična jonizacija srazmerna zaustavnoj moći u širokom intervalu energija upadnog zračenja. Bragg-ova kriva često se daje i kao zavisnost zaustavne moći od dubine prodiranja. Gubitak energije teških naelektrisanih čestica po jedinici pređenog puta raste pri kraju njihove putanje.

koja 20 . Zbog skretanja pri elastičnim rasejanjima na jezgrima.1). u preseku produžetka završnog dela krive. koje su izraženije za lake naelektrisane čestice (elektrone i protone) [2-4]. Izraz za sudarnu (kolizionu) zaustavnu moć lake naelektrisane čestice. Pretpostavka da naelektrisana čestica duž putanje postupno gubi energiju putem velikog broja rasejanja poznata je kao aproksimacija kontinualnog usporavanja (CSDA .2 NEELASTIČNA RASEJANJA NA ELEKTRONSKOM OMOTAČU ATOMA – LAKE NAELEKTRISANE ČESTICE (ELEKTRONI I POZITRONI) Mehanizam neelastičnog rasejanja elektrona i pozitrona na elektronskom omotaču u osnovi je isti kao i za teške čestice. statistički karakter gubitaka energije pri svakom sudaru proizvodi fluktuacije u dužini traga čestica monoenergetskog snopa. na kom specifična jonizacija naglo opada.5) dx gde je E0 početna energija čestica u monoenergetskom upadnom snopu. (3. dve naelektrisane čestice istog tipa i iste dužine traga neće imati istu dubinu prodiranja. i ose dubine prodiranja. Pretpostavka da upadna čestica ne skreće pri rasejavanju. Ova dva efekta dovode do fluktuacija dubine prodiranja. koja je usvojena pri izvođenju formule (3.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA Bragg-ove krive. potrebno je uzeti u obzir da se sudar odvija između dve identične čestice. kada je upadna čestica elektron. zbog čega nakon sudara nije moguće razlikovati elektron koji je prvobitno bio upadni od elektrona iz omotača. Izraz za linearni gubitak energije se ipak modifikuje iz dva razloga. Pored toga. a dE/dx zaustavna moć. Elektron i pozitron u sudaru sa elektronom iz omotača mogu da izgube veći deo energije nego teška naelektrisana čestica. koje je u osnovi stohastičke prirode. poznate kao rasturanje (straggling). nije održiva zbog male mase elektrona i pozitrona. U ovoj aproksimaciji domet se izračunava kao: 0 RCSDA  dE  dE E0 .1.Continuous Slowing Down Approximation). što dovodi do veće razlike u dužini traga (većeg rasturanja dužine traga) lakih naelektrisanih čestica iste početne energije. Pored toga. 3.

3H) koje se kreću velikom brzinom.  2  N r m c  ln A e e  dx KOL A  2   2 I mec 2  Z 2       (3. srednji i brzi neutroni su prisutni u okolini jezgra nuklearnog reaktora.7) (3. ima oblik:       2   dE 2 2 Z 1       2    F       2 C . ukupni linearni gubitak energije elektrona i pozitrona uključuje i radijacionu zaustavnu moć.   2 12    2   2    2 3  (3.1. Spori. Faktor F(τ) razlikujen se za elektrone i pozitrone: 2   2r  1 ln 2 Fe     1   2  8 .8) Ostale veličine u izrazu (3. Pored sudarne zaustavne moći. Iz radionuklida 252Cf. Neutroni se oslobađaju kao rezultat ovog bombardovanja. emituju se neutroni različitih kinetičkih energija.3 INTERAKCIONI PROCESI NEUTRONA Neutroni mogu biti proizvedeni na različite načine. Raspodela enegija koje su dostupne zavisi od metoda pomoću kojeg je dobijen slobodni neutron.    1 2 Fe    2 ln 2  2  14 10 4   23   . 3. 1H. 2H. neutronske reakcije se dešavaju gotovo isključivo na atomskim jezgrima. Zbog nedostatka naelektrisanja.3 INTERAKCIJA ZRAČENJA SA MATERIJALOM predstavlja srednji linearni gubitak energije putem jonizacije i eksitacije. Interakcije mogu biti elastične ili neelastične. u materijalu čiji je atomski broj Z. 3H ili 9Be) bombarduje pozitivno naelektrisanim česticama (npr. Neutronski zraci se dobijaju i iz ciklotrona i akceleratora u kojima se element sa niskim Z (npr. Sudar je neelastičan ako se deo energije iskoristi za eksitaciju 21 . 6].1). Energetska raspodela neutrona iz ovih uređaja zavisi od materijala mete i vrste i energije čestice kojom se vrši bombardovanje.6) gde je τ=mev2/2mec2=v2/2c2 kinetička energija upadne lake čestice izražena kao umnožak energije mirovanja elektrona (pozitrona) mec2. koja opisuje gubitak energije elektrona na zakočno zračenje [5.6) imaju isto značenje kao u izrazu (3.

da bi na visokim energijama bio dominantni način gubitka energije elektrona. na primer. Ovo zračenje naziva se zakočnim X zračenjem. energija se uglavnom gubi na jonizaciju i eksitaciju. dok zakočno zračenje odnosi znatno manji deo. Ukupna zaustavna moć elektrona i pozitrona sastoji se od dve komponente. radijacioni gubici energije elektrona dostižu sudarne gubitke pri energiji od oko 9 MeV. prema kojoj je u kontinualnom spektru X zraka verovatnija emisija zraka manje nego veće energije. Tokom elastičnog sudara. zaklanjanje jezgra atomskim elektronima ima veliki uticaj na radijacionu zaustavnu moć.1. Verovatnoća emisije takođe raste sa porastom energije čestice.4 NEELASTIČNA RASEJANJA NA JEZGRU Pod uticajem električne sile kojom jezgro deluje na prolazeću naelektrisanu česticu ona skreće. ZE (3.10) RAD 22 . Pošto emisija zakočnog zračenja zavisi od jačine električnog polja koje deluje na elektron ili pozitron. To znači da je ova vrsta interakcije značajna samo za lake naelektrisane čestice (elektrone i pozitrone) u teškim materijalima (velikog Z).9) RAD za koje važi približna relacija:  dE   dx    dE     dx     KOL  700 . Ispravnu teorijsku interpretaciju zakočnog zračenja daje kvantna elektrodinamika. Na manjim energijama elektrona. kolizione (sudarne) i radijacione:  dE  dE     dx  dx  KOL  dE     dx   . U olovu. a obrnuto srazmerna kvadratu mase naelektrisane čestice. 3. Iznad tih energija gubitak na zračenje sve više preovladava.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA jezgra. najveći prenos energije sa neutrona na jezgro dešava se kada su mase jezgra i neutrona jednake. Verovatnoća emisije zakočnog zračenja srazmerna je kvadratu atomskog broja materijala. emitujući elektromagnetno zračenje. (3.

proučavajući rasejavanje snopa alfa čestica pri prolasku kroz tanku zlatnu foliju. Njegova analiza odnosi se na slučaj kada je jezgro znatno teže od projektila. Posledica ove pretpostavke je da se energija upadne naelektrisane čestice ne menja pri sudaru. U slučaju da jezgro pri elastičnom rasejanju uzmiče. Pri relativističkim brzinama naelektrisane čestice. Do izraza (3. Pretpostavlja se da se projektil unutar folije rasejava samo jednom.11) gde je n zapreminska koncentracija jezgara.6.d. Prostorni ugao dΩ određen je sa dva koaksijalna konusa sa temenima u jezgru. Z1qe naelektrisanje čestice. uz zanemarivanje efekta spina i tretiranjem jezgra kao nepokretnog tačkastog centra rasejanja. čiji su otvori 2θ i 2(θ+d θ). tako i kvantnomehaničkim razmatranjem.11) i dalje važi. a E energija elektrona ili pozitrona izražena u MeV. U tom slučaju diferencijalni presek σd(θ) za rasejanje naelektrisane čestice pod uglom θ. definisan kao broj čestica dN’ rasejanih u prostorni ugao dΩ po ukupnom broju upadnih čestica N i po površinskoj koncentraciji jezgara n. dobija se u obliku: d    dN ' 1  Z1 Z 2 qe  d      d Nnd  d  4 0  2  4E 2  2   1  sin 4  2 . d debljina folije. da nema višestrukih rasejanja. već da samo dolazi do njenog skretanja. Takođe se pretpostavlja da je sila između naelektrisane čestice i jezgra isključivo kulonovska (centralna sila koja opada sa kvadratom rastojanja). 3. E kinetička energija čestice. kao na slici 3. koji su izveli Rutherford-ovi saradnici Geiger i Marsden.11) za diferencijalni presek se dolazi kako klasičnim.5 ELASTIČNA RASEJANJA NA JEZGRU Problem skretanja naelektrisane čestice pri elastičnom sudaru sa jezgrom analizirao je Rutherford još početkom XX veka. kao i da se uticaj elektrona u omotaču može zanemariti. Rutherford-ov presek se 23 . (3.10-19C elementarno naelektrisanje.6. naveli su Rutherford-a da predloži planetarni model atoma. Z2qe naelektrisanje jezgra.1. tj. Rezultati tog eksperimenta. zbog čega se smatra da ostaje nepokretno. izraz (3.3 INTERAKCIJA ZRAČENJA SA MATERIJALOM gde je Z atomski broj materijala. qe=1. ali samo u sistemu centra mase.

Razlog ovome je prostorna raspodela naelektrisanja u jezgru. što dovodi do Mott-ovog diferencijalnog preseka:  d     d   d    d   Mott Rutherford     1   2 sin 2  .13).14) Mott gde se form faktor definiše kao Fourier-ova transformacija zapreminske gustine naelektrisanja jezgra ρ: 24 . 2 (3.6. izraz (3. 2  (3. Uz izraz za Rutherford-ov diferencijalni presek.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA modifikuje uzimanjem efekta spina u obzir.12) gde je β=v/c. a (dσ/dΩ)Rutherford diferencijalni presek dat uzrazom (3. koju je moguće opisati pomoću faktora F(q2). Uzimajući u obzor odstupanje raspodele naelektrisanja atomskog jezgra od tačkaste. Kada β teži 1.11) Slika 3.12) svodi se na:  d     d   d    d   Mott  cos 2 Rutherford  .12) i (3. diferencijalni presek za elastično rasejanje naelektrisane čestice na jezgru dobija se u obliku: d  d    d  d     F q2 2 . (3.13) Eksperimentalno dobijene vrednosti preseka za rasejanje elektrona na jezgrima su niže od teorijskih koje predviđaju izrazi (3.

odnosno vrednost odnosa β=v/c veće od 0. Aproksimativni relativistički izraz za energiju koju elektron predaje jezgru pri elastičnom rasejanju.17) gde je M masa jezgra. odnosno sin2(Ψ/2)=1.16) gde je Ψ ugao pod kojim se projektil raseje u odnosu na upadni pravac u laboratorijskom sistemu. Za nerelativističko razmatranje elastičnog sudara sa jezgrom.15)  pri čemu se integracija vrši po ukupnoj zapremini jezgra V. Eke kinetička energija upadnog elektrona.3 INTERAKCIJA ZRAČENJA SA MATERIJALOM   F q2    1   i q r/  r  e d r. koje je primenjivo na teške naelektrisane čestice i neutrone. a q predstavlja promenu impulsa projektila. I ovde je. cos2φ=1) [2-7]. dobija se u obliku:   2 Eke Eke  2me c 2 E  cos 2  . kao za teške čestice. 25 . me njegova masa mirovanja.9. Za elektrone su relativistički efekti izraženiji. uz pretpostavku da važi M>>me. 2 (3. 2 Mc (3. φ ugao pod kojim jezgro uzmakne u odnosu na upadni pravac elektrona u laboratorijskom sistemu. dobija se da je energija ΔE koju projektil mase mp i kinetičke energije Ekp predaje jezgru mase M: E  4m p M m p M 2 sin 2   Ekp . kada je Ψ=π. prenos energije najveći pri čeonom sudaru (φ=0.   Ze V   (3. jer su zbog male mase moguće velike brzine. Maksimalan prenos energije dešava se pri čeonom sudaru.

19) Jedinica za μ je 1/cm. a I0 predstavlja broj fotona u snopu pre ulaska u materijal. Totalni linearni koeficijent atenuacije se može napisati i kao: 26 .RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA 3. da ne sadrži rasejane fotone). Ako je foton apsorbovan ili rasejan. rasejan u jednoj ili više interakcija. Koeficijent atenuacije koji je izražen u 1/cm se naziva linearni koeficijent atenuacije. Srednja dužina puta je jednaka 1/μ. (3. ili 3. snop je monoenergetski) i ako snop možemo smatrati uzanim (tj. ako je debljina materijala x izražena u cm. za njega se kaže da je oslabljen. Atenuacija (slabljenje) X i gama snopa Ako fotoni poseduju iste energije (tj. gde je μ totalni linearni koeficijent atenuacije. Koeficijent atenuacije predstavlja verovatnoću po jedinici puta da se dogodi bilo koja interakcija. pri kojoj samo deo početne energije fotona biva apsorbovan u materijalu. može proći kroz materijal bez interakcija. Proces slabljenja može biti dosta komplikovan. Srednja dužina puta je srednja daljina koju pređe X ili gama zrak pre interakcije u određenom materijalu. Verovatnoća da foton koji proleti kroz određeni materijal ne doživu ni jednu interakciju do debljine x je e-μx.18) gde je  koeficijent atenuacije materijala kroz koji foton prolazi. tada je broj forona I koji prolazi kroz materijal debljine x : I  I 0e   x . Foton može biti: 1. Može se dogoditi delimična apsorpcija fotona. apsorbovan (cela energija fotona je preneta na atome materijala) 2. moguća su 3 ishoda. Broj fotona I koji je atenuirao u materijalu (bilo apsorpcijom ili rasejanjem) je:  I  I 0 1  e  x  (3.2 INTERAKCIJA ELEKTROMAGNETSKOG ZRAČENJA SA MATERIJALOM Kada X ili gama zraci prolaze kroz materijal.

Koeficijent atenuacije zavisi od energije X i gama fotona kao i od atomskog broja materijala. en tr  1 g  . je proizvod masenog koeficijenta za prenos energije μtr/ρ i (1-g). Compton-ovo rasejanje (  C ). Linearni koeficijent prenosa energije μtr se izražava u 1/m ili 1/cm. nekog materijala za nenaelektrisane jonizujuće čestice određene vrste i energije.  pp . tj. ali se ponekad koristi i cm2/g.20) gde koeficijenti  koh . dobijen deljenjem linearnog koeficijenta atenuacije sa gustinom  materijala. Maseni koeficijent atenuacije. Koeficijenti prenosa energije Maseni koeficijent prenosa energije.   (3. SI jedinica za maseni koeficijent prenosa je m2/kg. fotoelektrična apsorpcija (  fa ). μtr/ρ. proizvodnja para (  pp ) i fotodezintegracija (  fd ).  C .3 INTERAKCIJA ZRAČENJA SA MATERIJALOM   koh   fa  C   pp   fd . μen/ρ. definiše se kao: tr 1 dRtr  . Koeficijenti apsorpcije energije Maseni koeficijent za apsorpciju energije. ne zavisi od gustine materijala.  fd predstavljaju atenuaciju koja se odnosi na procese: koherentno rasejanje (  koh ). nekog materijala. gde je g deo energije sekundarno naelektrisanih čestica koji je potrošen na zakočno zračenje u materijalu. Linerani koeficijent atenuacije.22) Osnovna jedinica za maseni koeficijent za apsorpciju energije je m2/kg. (3.  fa .   R dl (3.21) gde je dRtr/R deo ukupne energije zračenja koja je na putu dužine dl pretvorena u kinetičku energiju naelektrisanih čestica u materijalu gustine ρ. Maseni koeficijent atenuacije najčešće ima jedinicu m2/kg. 27 . takođe zavisi i od gustine materijala kroz koji fotoni prolaze. za nenaelektrisane jonizujuće čestice određenog tipa i energije.

energija veze Eν se odnosi na energiju veze K-elektrona. Fotoelektrični efekat ne može se desiti sa slobodnim elektronom jer je u tom slučaju nemoguće zadovoljiti zakon održanja energije i zakon održanja linearnog momenta. 3.7). pa se član Eν u izrazu (3.23) U ovoj relaciji hν je energija upadnog fotona. a oslobađa se elektron. dakle relativno malih brzina. Energija fotona se delom troši na oslobađanje elektrona iz vezanog stanja u atomu. on i dalje ne prelazi 5%. te se zato oko 80 % fotoelektrona dobija iz K-ljuske atoma (pod uslovom da je energija fotona veća od energije potrebne za izdvajanje Kelektrona iz njegovog atoma).RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA Ukoliko su kinetičke energije sekundarno naelektrisanih čestica veće. ukoliko je elektron čvršće vezan u atomu. vrednost parametra g takođe raste. uključujući tu i biološke materijale. u materijalima sa malim atomskim brojem. Često se dešava da je energija upadnog fotona znatno veća od energije veze elektrona (reda veličine eV). a ostatak prelazi u energiju oslobođenog elektrona. ili bar reda veličine sa njihovim energijama mirovanja. Međutim.2. koeficijenti μtr/ρ i μen/ρ mogu značajno da se razlikuju posebno za interakcije fotona sa materijalima sa velikim atomskim brojem. Verovatnoća apsorpcije fotona je utoliko veća.23) zanemaruje. razlika između μtr/ρ i μen/ρ je manja od pola procenta za sekundarne elektrone proizvedene fotonima energije od 1 MeV.1 FOTOELEKTRIČNI EFEKAT Proces. Sa povećanjem energije elektrona. a Eν je energija veze elektrona u atomu. 28 . (3. ali čak i za energije od oko 10 MeV. Međutim. naziva se fotoelektrični efekat (Slika 3. jednostavno tretiranje fotoelektričnog efekta moguće je samo ukoliko su fotoelektroni (drugi naziv za elektrone koji se emituju prilikom fotoelektričnog efekta) nerelativističkih energija. u kome foton interaguje sa čitavim atomom nekon čega nestaje. Ovakva preraspodela energije opisana je Einstein-ovom relacijom za energiju oslobođenog elektrona: Ee  h  Ev . U tom slučaju.

Ukoliko je u pitanju K-ljuska. pri čemu se emituje više od jednog fotona.7. U tom slučaju atom gubi. atom se može deeksitovati i emisijom drugog elektrona prilikom prelaza elektrona iz više ljuske u nižu. Tada je reč o tzv. a višak energije se oslobađa emisijom fotona. odnosno jedna od ljuski mu ostaje upražnjena. glasi: 29 . te je u pitanju diskretan spektar elektromagnetnog zračenja. Takođe. ili se može desiti da upražnjeno mesto u K-ljusci zauzme neki od slobodnih elektrona iz okoline. u interakcijama sa drugim atomima. ali sa izbijanjem elektrona koji su slabije vezani (na višim ljuskama). pri čemu prelaze u stanje niže energije. Fotoelektrični efekat. Ovako dobijeno zračenje se često apsorbuje blizu mesta nastanka. a ovako dobijeni elektron se naziva Auger-ov elektron. čime postaje dvostruko pozitivan jon. čije energije karakterišu atom u kome nastaju. atom ostaje u jonizovanom stanju. elektroni sa viših atomskih ljuski će težiti da siđu na K-ljusku. umesto jednog – dva elektrona. Pored emisije fotona.3 INTERAKCIJA ZRAČENJA SA MATERIJALOM Slika 3. može doći do višestrukih prelaza elektrona. Nakon oslobađanja fotoelektrona iz atoma. gde se takođe može javiti fotoefekat. Aproksimativni izraz koji se može koristiti u svim oblastima energija. Auger-ovom efektu. Zato se ovo zračenje naziva karakteristično X zračenje. Enrgije ovako dobijenih fotona odgovaraju razlici energija atomskih ljuski.

24) gde je n veličina između 4 i 5.2. a veličina m je između 1 i 3. Efikasni preseci za Ktu ljusku moraju se pomnožiti koeficijentom 1.5.8. Različite oznake za elektronske ljuske (levo) i dozvoljeni radijacioni prelazi (desno) na te ljuske. mora biti zadovoljen uslov da se na njega prenese dovoljno veliki moment. Ef (3. Oba parametra variraju u zavisnosti od energije fotona. Slika 3. Da bi se interakcija sa pojedinačnim elektronom desila.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA  p  const  Zn m . a ne sa atomom kao celinom. kao što je to slučaj kod fotoelektričnog efekta ili Rayleigh-jevog elastičnog rasejanja. 3. njegova talasna dužina je dovoljno mala da može stupiti u interakciju sa atomskim elektronima. Pri ovako velikim energijama moraju se uzeti u 30 .25 kako bi se uračunali i efekti izbijanja elektrona na L i M ljuskama.2 COMPTON-OVO (NEKOHERENTNO) RASEJANJE Pri većim energijama fotona.

Ovakav proces interakcije fotona sa slobodnim elektronom nazima ce Compton-ovo rasejanje ili Compton-ov efekat. što znači da se elektron pre sudara tretira kao slobodan. odnosno pod uglom od θ=180o: E ke . ono se ipak naziva neelastičnim. (3. 31 . pri čemu njihov odnos zavisi od atomskog broja materijala na kome se rasejava.max  h 2 . Rasejano zračenje ima veću talasnu dužinu od upadnog i nekoherentno je sa njim.27) Diferencijalni presek za Compton-ovo rasejanje dobija se u okviru kvantne elektrodinamike i poznat je kao Klein-Nishin-a formula:  d re 1  2 1  cos   2   1  cos   . Maksimalna kinetička energija koju elektron može da stekne odgovara čeonom rasejanju. Mikroskopski presek za Compton-ov efekat je srazmeran sa Z. a θ ugao pod kojim se foton raseje u odnosu na upadni pravac. 1  2 (3. Pri svakom uglu merenja. u mirovanju. Compton-ovo izmenjeno zračenje praćeno je neizmenjenim Rayleigh-jevim. kada se γ foton rasejava unatrag. koji sa rasejanim γ zrakom deli njegovu prvobitnu energiju: h  h '  Eke .3 INTERAKCIJA ZRAČENJA SA MATERIJALOM obzir i relativistički efekti.28) gde je re=e2/(4πε0mec2) klasični radijus elektrona. Izraz za kinetičku energiju elektrona nakon rasejanja je: E ke  h  h '  h  1  cos  . 1   1  cos  (3. d 2 1   1  cos   2  1   1  cos   2 2 (3. Atomski broj sredine Z ima bitan uticaj na relativne verovatnoće odvijanja ovih interakcija. Rezultat Compton-ovog rasejanja je pojava uzmaklog elektrona. iako prilikom Compton-ovog rasejanja ne dolazi do gubitka kinetičke energije.26) gde je γ=hν/(mec2).25) Pri tome se energija veze elektrona zanemaruje u odnosu na energiju upadnog fotona. U tom smislu.

29) gde je Ef energija upadnog fotona. Prema Dirac-ovoj teoriji elektrona i šupljina. on prelazi u stanje pozitivne energije mec2 ostavivši za sobom 32 .02 MeV. a Ee+ pozitrona. (3.je kinetička energija elektrona. dok ostatak prelazi u njihovu kinetičku energiju.3 PROIZVODNJA PARA ELEKTRON-POZITRON Proizvodnja para elektron-pozitron moguća je u polju naelektrisane čestice.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA Slika 3. U ovom procesu dolazi do potpune apsorpcije energije elektromagnetnog zračenja koja se delom troši na formiranje elektrona i pozitrona.2.9. Compton-ovo rasejanje. verovatnije jezgra. proizvodnja para elektron-pozitron tumači se na sledeći način. Ee. kako je to opisano sledećim izrazom: E f  2me c 2  Ee  Ee . Stanja negativnih energija su normalno sva popunjena. međutim ukoliko se elektronu koji se nalazi u stanju negativne energije -mec2 saopšti energija 2mec2 putem upadnog fotona. a manje verovatno elektrona u slučaju energije fotona veće od praga koji iznosi 2mec2=1. 3. 2mec2 je zbirna energija mirovanja pozitrona i elektrona.

dobija se izraz za totalni presek za proizvodnju para. doći će do rekombinacije elektrona i šupljine. 33 .30) Kada se proizvodnja para dešava u polju elektrona. proizvodi tri vidljiva traga.10. Ukoliko se elektron i pozitron sretnu.3 INTERAKCIJA ZRAČENJA SA MATERIJALOM šupljinu u stanju negativne energije -mec2. Ako je elektron mete u miru. ovaj proces se naziva „produkcija tripleta“ jer kad se posmatra. dok se elektron u energetskom stanju pozitivne energije mec2 ponaša kao normalan elektron. Ta šupljina u stanju negativne energije se ponaša kao antičestica elektronu . 2h me c 2 (3. uz oslobađanje odgovarajuće količine energije u formi elektromagnetnog zračenja. elektron koji je bio meta uzmiče posle događaja sa značajnom kinetičkom energijom. Interakcija proizvodnje para elektron-pozitron.odnosno pozitron. Slika 3. Za relativističke energije. produkcija tripleta je moguća samo ako upadni foton ima energiju veću od 4mec2 . na osnovu kvantnomehaničke teorije. koji glasi:  pp  E f   r0 Z 2 2  0 ce 2 2 E f ln .

32) 3. rp (3. javlja se uzmak čitavog atoma. Diferencijalni efikasni presek po jednom elektronu dat je izrazom: 2   e 2  1  cos 2  d T   0  d .5 RAYLEIGH-JEVO RASEJANJE Rayleigh-jevo elastično rasejanje je rasejanje fotona na elektronima vezanim u atomu. koje se može opisati zakonima klasične mehanike i klasične elektromagnetike.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA 3.34) Ovde je ρ(r) sferna raspodela naelektrisanja. 3 2 (3. Kao rezultat.31) Totalni efikasni presek dobija se uvođenjem dΩ=2πsinθdθ i izraza za poluprečnik elektrona r0=μ0e2/(4πme). pri čemu elektroni ne dobijaju dovoljno energije za napuštanje atoma ili prelaz na viši energetski nivo. Diferencijalni presek za Rayleigh-jevo rasejanje dat je izrazom: r 1  cos 2  2 d R  0 F    d .33) gde je F(θ) atomski form faktor za rasejanje:  F  4  0   r  sin  rp  r 2 dr . energija fotona se ne menja. a rasejanje se javlja pod malim uglovima. 2  4me  (3. 2 2 (3.2. i integraljenjem izraza (3.2.31) za vrednosti θ od 0 do π: 8r  T  0 . a p je linearni moment dat izrazom: 34 .4 THOMSON-OVO RASEJANJE Thomson-ovo elastično rasejanje je rasejanje fotona malih energija na slobodnom elektronu.

2n) i (α. Mikroskopski preseci za ove reakcije ispoljavaju rezonantne pikove koji odgovaraju pobuđenim nivoima rezidualnog jezgra nastalog u reakciji.. kako bi izazvala nuklearnu reakciju.) nose pozitivno naelektrisanje i jezgro (takođe pozitivno) ih odbija. Zbog toga su nuklearne reakcije izazvane ovim česticama veoma retke – mikroskopski preseci za njihovo odvijanje su oko tri reda veličine manji od preseka za neutronske nuklearne reakcije. deuteroni.2n).p) izazvanih deuteronima (jezgrima deuterijuma 2H) su znatno veći od preseka za slične reakcije izazvane drugima naelektrisanim česticama i samerljivi su sa presecima neutronskih reakcija. sprečavajući ih da dospeju unutar dometa nuklearnih sila. ona predstavlja najverovatniji ishod nuklearnih reakcija izazvanih protonima i alfa česticama. energija upadne čestice mora biti veća od oko 0.n) i (d. Pri energijama protona ili alfa čestica većim od 10 MeV. Za jezgra sa rednim brojem većim od 12 i masenim brojem većim od 25. što se objašnjava postojanjem kulonovske barijere koja sprečava emisiju naelektrisanih čestica iz složenog jezgra.3 NUKLEARNE REAKCIJE Naelektrisane čestice podložne dejstvu nuklearnih sila (alfa čestice. Broj rezonanci se povećava sa porastom masenog broja jezgra koje je meta reakcije. Pri dovoljno visokim energijama. koji se sastoji od jednog 35 . Primeri ovakvih reakcija su (p. Mikroskopski preseci reakcija (d. Sa porastom energije. raste sa povećanjem rednog broja jezgra. hc E f sin  (3. složeno jezgro može da emituje više od jedne čestice. protoni i alfa čestice mogu dovesti do nuklearnih reakcija. dobija se da efikasni presek za Rayleigh-jevo rasejanje zavisi od Z2. 3. Energija veze deuterona. U slučaju da je emisija neutrona energetski moguća. Kao proizvod ovih nuklearnih reakcija mogu se javiti neutroni i/ili gama fotoni. Visina kulonovske barijere koju naelektrisana čestica mora da savlada prilazeći jezgru.35) Pošto funkcija ρ(r) zavisi od Z.. čiji se tok uspešno opisuje modelom složenog jezgra.5 MeV da bi nuklearna reakcija bila moguća.3 INTERAKCIJA ZRAČENJA SA MATERIJALOM p     2 . opada zastupljenost ovog tipa rasejanja. protoni.

nakon čega samo jedna od ove dve čestice stupa u reakciju sa jezgrom.γ). izazvane gama fotonima su (γ. i fisija. radijativna apsorpcija (n.23 MeV. Neutroni.p) i (γ.n). koja može biti u opsegu od nekoliko eV do više desetina MeV. Emitovani nukleoni mogu biti razdvojeni ili grupisani u lakša jezgra [5-7]. ne osećaju odbojnu silu jezgra i u stanju su da izazovu nuklearne reakcije i pri veoma niskim energijama. (γ. Najčešće fotonuklearne reakcije. Najvažniji tipovi neutronskih reakcija su neelastično rasejanje (n. Pri ekstremno visokim energijama upadnih čestica ili fotona (>50 MeV). Dominantan tip neutronske nuklearne reakcije zavisi od energije upadnih neutorna.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA neutrona i jednog protona.α) i (n. Mikroskopski preseci za većinu ovih reakcija imaju rezonantne pikove koji odgovaraju pobuđenim nivoima novonastalog jezgra.np). moguće su reakcije spalacije. Model složenog jezgra primenjiv je na teža jezgra i energije projektila u opsegu 10-20 MeV. Ogoljavanje spada u direktne nuklearne reakcije. je samo 2. energija veze alfa čestice je 28 MeV.2n) i (n.n’). Ovaj proces naziva se reakcija ogoljavanja. jer deuteron ostaje bez jednog od svoja dva konstituenta. reakcije sa proizvodnjom neutrona (n. Poređenja radi. One su sve endoergične (imaju negativnu Q-vrednost) i moguće su kada je energija fotona veća od energije separacije odgovarajuće izlazne čestice. koje nisu obuhvaćene modelom složenog jezgra.α). transmutacioni procesi sa emisijom naelektrisane čestice (n. Deuteron stoga može prilikom nailaženja na jezgro da doživi razlaganje na proton i neutron. zahvaljujući odsustvu naelektrisanja.p). pri kojima se emituje veći broj nukleona i alfa čestica. 36 .

Pritom. oksida nuklearno Fotostruja (pri velikim jačinama Uključenje uređaja doza) Stvaranje Pvršinska stanja površinskih stanja Stvaranje parova SEU efekti Smanjenje Izmeštanje atoma vremena života Uzmak atoma SEU efekti Uzmak atoma SEU efekti Nuklearna SEU efekti intearkcija Naelektrisanje jona Stvaranje parova oksida Smanjenje Izmeštanje atoma vremena života Naelektrisanje jona Stvaranje parova oksida Smanjenje Izmeštanje atoma vremena života Nuklearna eksplozija Svemirsko. Pregled tipova poluprovodničke uređaje. Naime. nuklearno Svemirsko Nuklearno Avioni Svemirsko Svemirsko Svemirsko Svemirsko Svemirsko Svemirsko Uticaj radijacionih efekata na elektronske komponente i sisteme predstavlja relativno novu disciplinu u elektrotehnici. sva proučavanja možemo podeliti u dve osnovne oblasti [8.4 OSNOVNI TIPOVI RADIJACIONIH EFEKATA U ELEKTRONSKIM KOMPONENTAMA Tabela 4. ovi problemi se tretiraju poslednjih četrdeset godina. 9]:  Tranzijentalni radijacioni efekti (TREE)  Elektromagnetni impulsi (EMP) .1. Čestice Fizički efekat Stvaranje parova X ili fotoni Teški joni Neutroni Protoni Elektroni γ zračenja i njihovog uticaja na Rezultat Okruženje Naelektrisanje jona Svemirsko.

dok neka SOI (Silicon on insulator – tehnologija Si preko izolatora) kola mogu da izdrže i doze reda 5 x 106 Gy [14]. a pri izlaganju dozama reda 102 Gy on trenutno pada u komu.  Stvaranje slobodnih elektrona. on predstavlja efekat kumulativnog oštećenja izazvan formiranjem pozitivnih i negativnih naelektrisanja. Odnos između ukupne doze D i broja generisanih parova dat je relacijom [12]: m dN  v . koja je apsorbovana u jedinici zapremine materijala dv. 10 -2 Gy generiše 4 x 1013 parova/cm3 u Si. 11]. odnosno 7 x 1013 parova/cm3 u SiO2. Dakle.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA U zavisnosti od energije i mase čestica različiti tipovi radioaktivnog zračenja dovode do različitih efekata u uređajima. Radi poređenja o kolikim dozama je reč. Jedinica za dozu 1 Gy se definiše kao energija od 1 J apsorbovana iz zračenja po jedinici mase materijala. dat je sledećom relacijom: dN 1 dW  . 38 . Kratak pregled tipova zračenja i njihovog uticaja na poluprovodničke uređaje dat je u tabeli 4. tj. posmatrano usrednjeno 1 rad (Si). parova elektron-šupljina i površinskih stanja (putem fotoefekta na niskim energijama do 1 MeV. Stara jedinica je rad.2) Pri tom. treba reći da se u medicini ili stomatologiji čovek obično izlaže dozama od oko 10-3 Gy. pri čemu je 1 Gy = 100 rad. dv w  D (4. dv w dv (4. Compton-ovog efekta na višim energijama od 1 MeV do 5 MeV i proizvodnje parova pri vrlo visokim energijama fotona većim od 5 MeV). U osnovi ovih defekata je :  Izmeštanje atoma. Osnovni tipovi radijacionih efekata su:  Efekat ukupne (totalne) doze – uzrokovan kumulativnim izlaganjem jonizujućem X i γ zračenju.1) gde je w efektivna energija potrebna za proizvodnju para u Si (w=3.1 [10. Međuplanetarne letelice i neki elektronski delovi u nuklearnom reaktoru mogu da prime doze veće od 105 Gy [13].6 eV). U svemirskoj tehnologiji sateliti koji se obrću oko Zemlje primaju ukupne doze između 10 2 Gy i 104 Gy u zavisnosti od parametara orbite. Broj elektronsko-jonskih parova koji se generišu je povezan sa energijom dW.

teške čestice. koji se uvek javljaju u kolima visokog stepena integracije. promptna struja koja se generiše prilikom eksplozije može da uzrokuje privremeni prekid rada uređaja. Ako se u Si apsorbuje značajna energija u kratkom vremenskom intervalu značajna fotostruja će biti sakupljena u osiromašenim zonama uređaja. fluks solarnog vetra (koga čine uglavnom protoni često uključeni u kosmičke zrake). 39 .2 x 10 13 parova/cm3 [8]. (4. Godine 1975. Dakle. Ove greške su uslovljene brojnim prirodnim izvorima zračenja. SEU je u osnovi uzrokovan prodiranjem pojedinačnih energetskih čestica u uređaje. kao što su LSI ili VLSI uređaji. godine u razmatranjima koja su bila vezana za povećanje gustine integracije kola i njihove osetljivosti na kosmičke zrake. Generisana fotostruja se može izraziti na sledeći način: I ph  qVdepl gD '  t  . Jedinica za jačinu doze je Gy/s. odnosno tzv. u događajuma kao što su nuklearne eksplozije. koje dovodi do privremenih ili trajnih oštećenja tih uređaja ili njihovih delova. Vdepl zapremina isiromašene oblasti. Višak fotostruje. pri čemu je g = 4. javlja se plazmeni trag na putu prolaska čestice i dolazi do generisajna para elektron-šupljina. brzi neutroni energija većih od 1 MeV i protoni (koji se proizvode u gornjim slojevima atmosfere preko kosmičkih zraka). Kada čestica prodre u inverzno polarisan spoj.1). Ta distorzija osiromašene oblasti naziva se “levak” (slika 4. g konstanta generisanja nosilaca u Si.  SEU (single event unit) ili pojedinačni kratkotrajni poremećaji. pa čak i njegovo pregorevanje.4 OSNOVNI TIPOVI RADIJACIONIH EFEKATA U ELEKTRONSKIM KOMPONENTAMA  Efekat jačine doze (D’) je značajan u slučajevima kada se velike doze elektromagnetne energije apsorbuju u veoma kratkom intervalu vremena. postojanje SEU je verifikovano putem telemetrijskih merenja u vasionskim letelicama.3) gde je q naelektrisanje elektrona. odnosno u njegovu osiromašenu oblast i Si zapreminu ispod nje. kao što su: galaktički kosmički zraci. Prisustvo traga dovodi do privremenog izobličenja oblasti osiromašenja i distorzije u okolini traga. Postojanje SEU je pretpostavljeno još 1962.

1.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA Slika 4. Sakupljanje elektrona je trajanja reda delova nanosekunde. Sakupljeni elektroni dovode do porasta tranzijentne struje. “Levak” se prostire kroz osiromašenu oblast duž traga čestice tako da elektroni u njemu driftuju prema spoju. LET se obično izražava u MeVcm2/mg. mv zapreminska masa Si. mv dx (4. Slobodni elektroni generisani duž traga čestice ispod levka mogu da difunduju ka osiromašenoj oblasti. Broj elektrona ili jona stvorenih putem SEU dat je kao: dN mv  . koja može da obrne logičko stanje čvora. gde stvaraju sekundarnu (difuzionu) struju koja se naziva zakasnela struja [15. On se definiše sledećom relacijom: LET  1 dW . Struja drifta. 16].4) gde je x linearno rastojanje duž traga čestice. Prodiranje jona kroz zapreminu uređaja.5) 40 . dx wxLET (4. dW gubitak energije uzrokovan apsorpcijom u Si. Dužina traga u Si je reda deset mikrometara. Deponovana energija čestica duž traga se izražava preko linearnog prenosa energije (LET). koja se stvara u ovom procesu naziva se promptna struja. Šupljine se kreću nadole i stvaraju struju supstrata.

jer oni predstavljaju uređaje sa manjinskim nosiocima. Takve čestice. Neutronsko ozračivanje se obično izražava u jedinicama neutronskog fluksa izraženog u broju neutrona po cm2 [17]. Ovi efekti se uglavnom javljaju kod bipolarnih uređaja. uslovljen dejstvom neutrona. kao i protoni i elektroni imaju suviše mali LET da bi jonizovali Si. Ove perturbacije kristalne rešetke smanjuju vreme života manjinskih nosilaca. čija deponovana energija u osetljivoj zapremini uređaja može da bude dovoljna da generiše SEU [17]. za razliku od prethodno pomenutih efekata. već preko nuklearnih reakcija. (4.6) (4. proizvodeći novi element. Spori neutroni mogu da interaguju sa Si ili atomima dopanata.4 OSNOVNI TIPOVI RADIJACIONIH EFEKATA U ELEKTRONSKIM KOMPONENTAMA  Neutronski efekti dovode do oštećenja uređaja. koje zavisi od energije neutrona. uzrokuju SEU ne kroz direktnu jonizaciju. performanse uređaja sa manjinskim nosiocima umnogome zavise od neutronskog ozračivanja i mogu se dejstvom neutrona značajno degradirati. Uzmaknuti atomi ili fragmenti jezgra mogu da se ponašaju kao teški joni i da uzrokuju SEU. što dovodi do formiranja Frenelovih parova. neutroni uzrokuju izmeštanje atoma poluprovodnika. 41 . Dakle.7) U kasnijim reakcijama litijumovi i helijumovi joni mogu da izazovu oštećenja izmeštanjem u kristalnoj strukturi. ali zato oni uzrokuju uzmak Si atoma mehanizmom direktnog udara ili izazivaju nuklearnu reakciju. 5 B10  v 3 Li 7     . Ovaj efekat je prvi put ozbiljno razmatran u testovima sa koaksijalnim kablovima i njihov efekat se osećao nekoliko kilometara daleko. kao što je na primer bor. kao i protoni. kao što su jonizaciona oštećenja u poluprovodničkim materijalima. Naime. koje kao rezultat imaju uzmak. koja uzrokuje fenomen uzmaka. Najčešće prisutan problem. Fenomenologija EMP pripada oblasti elektromagnetike. Transmutacija Si u fosfor i bora u litijum izvodi se po sledećim nuklearnim reakcijama: 14 Si 30  v  14 Si 31    15 P 31   . Neutroni. javljaju se u elektromagnetnom spektru od vrlo niskih frekvencija manjih od 1 Hz do vrlo visokih frekvencija.  Elektromagnetni impulsi (EMP). U većini slučajeva čak dolazi i do stvaranja dislokacija. je smanjenje vremena života manjinskih nosilaca.

nema elektromagnetnog polja. Gustina struje Compton-ovog elektrona je: e e  R  t   . pri čemu je doza gama zračenja data sa: t D~    R C t ' R  dt ' . poznato je da ako je razdvajanje naelektrisanja potpuno simetrično u odnosu na tačku detonacije.   C J CM  (4. Ti elektroni su mnogo pokretljiviji od jona. 42 . Gama zraci se prostiru brzinom svetlosti i dostižu maksimalan fluks za nekoliko nanosekundi i on se održava veoma dugo usled dodatnih zakasnelih gama zraka iz zakasnelih fisionih fragmenata. Interakcija elektrona sa magnetnim poljem Zemlje naziva se sinhotrono zračenje. Za detonacije na ili blizu površine dovoljna je mala asimetrija. a Г(t-R/C) je fluks gama zraka. C (4.8) gde su χe i χγ srednje dužine slobodnog puta elektrona. Rezultujući brzi elektron se naziva Compton-ov elektron. koja se koristi za stvaranje elektromagnetnog impulsa. koje u ovom slučaju dovodi do jonizacije jeste Compton-ovo rasejanje.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA Kada dođe do nuklearne eksplozije blizu vrha osetljive atmosfere intenzitet fluensa promptnih X i γ zraka slabi zbog sudara sa molekulima vazduha. Čak i nekoliko hiljada kilometara od mesta detonacije spektar radio talasa je kontinualan sa srednjom vrednošću frekvencije od oko 15 Hz. Blizu površine eksplozije situacija je potpuno drugačija. koji bivaju jonizovani njihovim spoljnim elektronima. usled kompleksne interakcije elektromagnetnog polja sa atmosferom.9) gde je t’-R/C vreme kašnjenja za slučaj Compton-ovog sudara. 18]. odnosno gama zraka u vazduhu. Tako se polje elektromagnetnog impulsa može meriti u stotinama kV/m [18]. na rastojanju R od eksplozije. Sudar ili rasejanje elektrona u atomu sa γ ili X fotonima. Blizu detonacije prisutan je čitav frekventni spektar i to dovodi do ozbiljnih oštećenja električnih i elektronskih sistema. jer je slično sinhotronom akceleratoru. Naime. Elektromagnetno zračenje ima frekvencije reda GHz i više. To dovodi do brzog širenja razdvojenih naelektrisanja od tačke detonacije i slabljenja jakog tranzijentnog elektromagnetnog polja [8.

43 . To se posebno odnosi na slučajeve kada elektromagnetni impulsi i zračenje istovremeno deluju na elektronske komponente. kao i sa aktuelnim povećanjem kontaminacije sredine.4 OSNOVNI TIPOVI RADIJACIONIH EFEKATA U ELEKTRONSKIM KOMPONENTAMA Elektromagnetni impulsi mogu dovesti do trajnih ili privremenih oštećenja elektronskih uređaja. Ovaj efekat je sve više izražen u poslednje vreme sa povećanjem minijaturizacije i stepena integracije elektronskih komponenti. Jaki elektromagnetni impulsi mogu opasno ugroziti rad poluprovodničkih komponenti i uređaja.

Specifična gustina jonizacije. Do toga dolazi jednostavno kroz sudare između atoma i elektrona koji prenose količinu energije koja je dovoljna da izbije elektron iz atoma.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA 4.2). Eksperimenti su pokazali da je kod silicijuma potrebna energija od oko 3. Elektron. Gy je već pomenuto.1eV. 1015 parova elektron-šupljina po cm3 . Osnovne promene nastale kao posledica jonizacije u materijalu su povećanje provodnosti usled prozvodnje viška nosilaca naelektrisanja (elektrona i šupljina). čime se stvara novi par elektron-šupljina.6 eV da bi nastao par elektronšupljina.1 DEGRADIRAJUĆE DEJSTVO ELEKTROMAGNETNOG ZRAČENJA NA POLUPROVODNIKE Procesi: fotoelektrični efekat. Ovo povećanje nastaje kao posledica stvaranja viška nosilaca. kod kojih nastaju slobodni elektroni i parovi elektron-šupljina. ili se saopštava rešetki u vidu termičke energije.10) 44 . Kod poluprovodnika i izolatora energija stvaranja parova elektron-šupljina veća je za 2-3 puta od energije procepa (slika 4.05 . slobodni elektroni sa dovoljno energije postaju eksitovani. odnosno broj proizvedenih parova elektron-šupljina po jedinici apsorbovanog upadnog zračenja u materijalu je konstantna i ne zavisi od temperature. Elektroni koji potiču iz para elektron-šupljina takođe mogu imati jonizujuće dejstvo. sada ima dovoljno energije da zauzme energetsko stanje koje se nalazi odmah iznad donje ivice provodne zone. čime nastaju parovi elektron-šupljina. iz valentne zone prelaze energetski procep i dosežu stanja u provodnoj zoni. što je više od tri puta veće energije energetskog procepa silicijuma koja iznosi 1. stvaranje električnih i magnetskih polja i hemijski efekti. zarobljavanje nosilaca naelektrisanja (uglavnom kod izolatora). Nakon izbacivanja iz jonizovanog atoma. kao što je već pomenuto. Compton-ovo rasejanje i proizvodnja para su jonizujući procesi. značajan efekat jonizujućeg zračenja je povećanje provodnosti u materijalu. Kod silicijuma specifična gustina jonizacije iznosi oko 4. Energetska razlika između novog stanja elektrona i energije koja je bila potrebna za prelazak procepa konvertuje se u sekundarne parove elektron-šupljina. (4. i iznosi:   e  nn   pp  . nakon što disipira ovu energiju.

Pokretljivosti se 45 .4 OSNOVNI TIPOVI RADIJACIONIH EFEKATA U ELEKTRONSKIM KOMPONENTAMA Slika 4. δn i δp su koncentracije viška nosilaca. gde je δσ razlika između vrednosti provodljivosti σ pre i posle ozračivanja. Srednja količina energije potrebna za nastanak para elektron-šupljina u odnosu na energiju procepa kod nekih poluprovodnika [8].2.

Razmotrimo situaciju u kojoj postoji povećana koncentracija rekombinacionih centara u tankom sloju neposredno ispod površine materijala. Ovo polje uzrokuje potencijalnu razliku između dva materijala. u skladu sa Omovim zakonom. i brzina površinske rekombinacije i gustina površinskih stanja se povećavaju. Međutim. njihov broj naglo opada na približno 10 11 po cm2 površine. Eksperimentalno je dokazano da je brzina površinske rekombinacije proporcionalna gustini površinskih stanja. Zato nije teško uočiti pojavu takvih energetskih stanja usled diskontinuiteta u rešetki koji su posledica postojanja granične površine. dislokacije u rešetki. Kada se materijal nalazi u vazduhu. što dovodi do pojave električne struje kroz graničnu površ. odnosno kraja rešetke. kompleksi defekata nastali pod uticajem jonizujućeg zračenja. Kada se silicijum ozrači fotonima. usled separacije nosilaca. Takve gustine su primećene u laboratorijskim uslovima u vakuumu. Do toga dolazi usled sloja oksida koji se formira na površini koja je izložena uticajima okoline. Neki od elektrona iz novonastalih parova elektron-šupljina napuštaju materijal. pa će se uspostaviti električno polje na dodirnoj površini između tih materijala. Brzine površinske rekombinacije iznose svega 1-10 cm/s kod termalno oksidovanog silicijuma. čime materijal postaje pozitivno naelekrtisan usled viška pozitivnih jona. odnosno približno je jednaka kao površinska gustina atoma u rešetki. ovaj će imati višak negativnih nosilaca.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA mogu smatrati konstantnim. Ako takvi elektroni završe u susednom materijalu. Pretpostavlja se da će stopa rekombinacije U biti povećana blizu površine usled povećanja broja površinskih stanja nastalog kao posledica zračenja. Ukoliko odgovaraju dubokim energetskim nivoima u energetskom procepu materijala. čiji je intenzitet funkcija potencijalne razlike i provodnosti materijala. ili bilo koji strani element koji se unese u rešetku poluprovodnika rezultuje pojavom energetskih stanja u energetskom procepu. u stvarnosti se one često neznatno smanjuju usled kulonskog rasejanja elektrona i šupljina sa jonizovanim atomima. Teorijska procena broja površinskih stanja je reda 1015 po cm2 površine. mogu da deluju kao efikasni rekombinacioni centri. Takva energetska stanja nazivaju se površinskim energetskim stanjima. 4.1. tako da će se gustina viška nosilaca naelektrisanja 46 .1 JONIZUJUĆI EFEKTI KOD POVRŠINSKIH STANJA Defekti u rešetki.

nosioci iz osnove materijala počinju da difunduju prema površini usled gradijenta koncentracije. ali sa velikom gustinom rekombinacionih centara u veoma tankom sloju ispod površine.13) gde je Ns=Ncls površinski broj rekombinacionih centara ispod pvršine. poluprovodnika ntipa. Nc je koncentracija podpovršinskih rekombinacionih centara. Elektroni će biti odbijeni sa unutrašnje strane materijala.14) . Brzina kojom se nosioci rekombinuju na jedinici površine iznosi [8]: Us  47   p  n v t N s n s p s  ni 2   n  ns  ni e Et  Ei / kT    p  p s  ni e  Et  Ei  / kT  . neutralnost prostornog tovara više neće postojati u tankom sloju ispod površine. Međutim. (4. σp je verovatnoća rekombinacije (poprečni presek) po nosiocu.4 OSNOVNI TIPOVI RADIJACIONIH EFEKATA U ELEKTRONSKIM KOMPONENTAMA smanjiti u blizini površi.12) Odatle se dobija da je brzina površinske rekombinacije: S p   p vt N s . Da bi se povratila koncentracija viška nosilaca naelektrisanja blizu površine. u skladu sa Fikovim zakonom.11) gde je pn prosečna koncentracija manjinskih nosilaca ispod površine. (4. Kao posledica. Kad je izložen fotonskom zračenju u ovom regionu nastaju parovi elektron-šupljina. Stopa rekombinacije nosilaca p-tipa ispod površine iznosi: U s   p vt N c l s  p n  p n 0  . ls je debljina podpovršinskog sloja. (4. i nosioci difunduju prema površini gde se rekombinuju na opisan način. a vt je termalna brzina nosilaca. tako da je: D p  p n / x  x 0   p vt N c l s  p n  p n 0  . ukoliko su prisutni negativni joni na slobodnoj površini. Dotok manjinskih nosilaca u podpovršinski sloj mora biti jednak Us. oni će narušiti lokalnu raspodelu nosilaca. Nosioci koji difunduju u podpovršinski region sa povećanom stopom rekombinacije su ekvivalentan izvor svih onih nosilaca koji se tu rekombinuju. dok će šupljine biti privučene. (4. kod npr. Primećuje se da se površinska rekombinacija može protumačiti kao rekombinacija u osnovi.

(4. Odatle sledi: D p  p n / x  x l s  S p 0 N D  pn  l s   pn 0  ns  p s  2ni  S p  pn  l s   pn 0  . Dotok manjinskih nosilaca koji stižu do površine dat je sa Us. a pn0ND=ni2. (4.17) gde je ND koncentracija donora. (4. Kod umerenih vrednosti stope rekombinacije dotok nosilaca može se aproksimirati kao dotok nosilaca koji stižu do površinskog prostornog tovara. iz prethodne jednačine sledi: Us  S p0  S p 0 ns ps  ni 2 ns  ps  2ni   vi N s . i da su preseci za rekombinacije šupljina i elektrona jednaki. .18) gde je brzina površinske rekombinacije: Sp  S p0 N D n s  p s  2ni . (4. Ukoliko se pretpostavi da većina rekombinacionih centara ima energije takve da je Et ≈ Ei.15) gde je Sp0 brzina površinske rekombinacije u odsustvu površinskog sloja prostornog tovara. Tada je: ns p s  p n  l s  ns  l s   p n  l s  N D .20) 48 . tako da je: D p  p n / x  x l s   S p 0 n s p s  ni 2 ns  p s  2ni .RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA gde su ns i ps koncentracije elektrona i šupljina na površini. čak iako unutar ove oblasti ne postoji ekvilibrijum.16) Pretpostavimo da je nsps konstantno u oblasti površinskog prostornog tovara. (4.19) Budući da je min(ns+ps+2ni)=4ni. maksimalna vrednost brzine rekombinacije data je sa: S pmax  S p0 N D 4ni . odnosno σn=σp=σ. (4.

4 OSNOVNI TIPOVI RADIJACIONIH EFEKATA U ELEKTRONSKIM KOMPONENTAMA što odgovara situaciji u kojoj se površinski potencijali približno poništavaju. 49 .

Izmešteni atom se naziva intersticijski. Frenkelov defekt.2 DEGRADIRAJUĆE DEJSTVO NEUTRONSKOG ZRAČENJA POLUPROVODNIKA 4. 50 . a par intersticijskog atoma i vakancije naziva se Frenkelov defekt.3.1 OŠTEĆENJA IZAZVANA IZMEŠTANJEM NEUTORNA Neutroni kao relativno teške (njihova masa je 1840 puta veća od mase elektrona) i nenaelektrisane čestice prilikom sudara sa atomima kristalne rešetke dovode do izmeštanja celog atoma iz rešetke. Pređašnji položaj izmeštenog atoma u rešetki naziva se vakancija.2. kao što je prikazano na slici 4. jer zauzima mesto u prostoru između čvorova.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA 4. Slika 4.3. To naravno uzrokuje raskidanje i destrukciju lokalne strukture rešetke.

α) i (n. koji ne sadrže rekombinacione ili trap centre.p) reakcijama. koji može izmestiti druge atome u rešetki. pokretne vakancije se povezuju sa atomima nečistoća. To su reakcije sledećeg tipa: n  Si  14 Mg 25   .4 OSNOVNI TIPOVI RADIJACIONIH EFEKATA U ELEKTRONSKIM KOMPONENTAMA Ako je energija upadnog neutrona dovoljno velika on može predati dovoljnu energiju izmeštenom atomu. kao što su:  neutronski sudari u kojim se stvaraju uzmaknuti atomi ili joni. Određen broj ovih atoma se udružuju sa dopantima ili atomima nečistoća i formiraju stabilne električno neaktivne defekte. već to čine na indirektan način putem sekundarnih procesa. koje služi kao meta i koje emituje naelektrisane čestice kao u (n. Neki od atoma se vraćaju u vakancije i rekonstruišu lokalnu strukturu rešetke. S druge strane.2. Na kraju svi izmešteni atomi izgube višak energije i uspostavlja se termička ravnoteža u rešetki.  (4.4 prikazani su efikasni preseci tih reakcija u funkciji energije upadnog neutrona [8]. Za to su potrebni brzi neutroni energija od 10 keV do 10 MeV. koji se deeksituje emisijom gama zraka.  neutronski sudari. koji ako imaju dovoljnu energiju mogu da izazovu jonizaciju.21) neutronski indukovana fisija uranijuma i torijuma. U slučaju visokoenergetskih upadnih neutrona. Na slici 4.  neutronski sudari u kojima neutroni bivaju apsorbovani od strane atomskog jezgra. prilikom koje se proizvode energetski teški fragmenti jona. koji eksituju atomsko jezgro. 51 . n  Si  13 Al 28  p. koji izazivaju SEU. 4.2 NEUTRONSKI INDUKOVANA JONIZACIJA Neutroni kao nenaelektrisane čestice ne mogu da izazovu direktnu jonizaciju. Najveći efekat neutronskih oštećenja postiže se izmeštanjem [19]. donorima i drugim vakancijama obrazujući temperaturno stabilne defekte (kompleks defekte) koji predstavljaju rekombinacione centre i trap centre. ovaj proces ima kaskadni (lavinski) karakter.

inkrementalni gubitak energije dE po inkrementalnom putu neutrona dx je: dE Emax  dE     dx j  dx  j     N  E j  E  1  f j  E  dE . Neutronski preseci u silicijumu kod (n. koja će izazvati određene posledice. 1-f(E) – udeo rezultujuće energije čestica utrošenih u jonizaciji j-te vrste procesa. Na ovaj način dobijene naelektrisane čestice imaju kratak domet i interaguju strogo deponujući svoju energiju u materijalu. σj(E) – efikasni presek po neutronu. tj.22) 0 gde je N .p) reakcija [8].4. j (4. Samo u vodoničnim materijalima neutronski sudari mogu izmestiti protone iz atomskog jezgra. Zaustavna snaga neutronske jonizacije. Kod velike većine drugih materijala samo neutroni vrlo visokih energija mogu da izazovu dovoljnu sekundarnu jonizaciju.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA Slika 4.α) i (n. Eksperimentalno nađena zavisnost neutronski 52 .koncentracija atoma Si po cm3.

Neutronski indukovana jonizacija u funkciji apsorbovane doze zračenja [20].2.5. Slika 4.4 OSNOVNI TIPOVI RADIJACIONIH EFEKATA U ELEKTRONSKIM KOMPONENTAMA indukovane jonizacije u svim navedenim procesima u Si u funkciji apsorbovane doze prikazana je na slici 4.3 NEUTRONSKO EKRANIRANJE Prilikom razmatranja problema neutronskog ekraniranja treba imati u vidu činjenicu da je apsorpcioni efikasni presek neutrona u većini 53 .5 [20]. 4.

kao i jonizaciona oštećenja komponenata. oštećenja izazvana 54 . Bor i kadmijum imaju vrlo veliki termički apsorpcioni presek i predstavljaju veoma dobre termičke neutronske apsorbere. termalizuje na sobnoj temperaturi. koji će predstavljati ravnotežu sledeća tri faktora:  adekvatnog usporenja neutrona. Prilikom dejstva upadnog neutronskog zračenja dolazi do smanjenja vremena života manjinskih nosilaca. Na ovaj način stvaraju se eksitovani litijum i alfa čestica visokih energija. Ovo je posebno izraženo kod bipolarnih uređaja i neutronsko zračenje dovodi do značajnih degradacija njihovih karakteristika.2. Kada se jednom neutron uspori. Usporavanje brzih visokoenergetskih neutrona ostvaruje se u sudarima sa materijalima u kojima je gubitak energije neutrona po sudaru maksimalan. to zahteva da se neutron sudara sa česticom. kao što su voda. tj. Dalje.  zahvat ili apsorpcija tako usporenih neutrona.4 VREME ŽIVOTA MANJINSKIH NOSILACA – KONSTANTA NEUTRONSKOG OŠTEĆENJA Vreme života manjinskih nosilaca predstavlja najvažniju karakteristiku poluprovodničkih materijala koji se koriste za izradu poluprovodničkih komponenti.478 MeV litijum prelazi u stabilno stanje. Najbolji materijali. parafin ili bilo koji CxHy materijal. njegov apsorpcioni efikasni presek postaje dovoljno veliki za većinu supstancija. Problem neutronskog ekraniranja se može razmatrati u sledeća tri koraka [19]:  usporavanje brzih prodornih visokoenergetsih neutrona. Nadalje. Kod MOS uređaja. koji obezbeđuju maksimalni prenos energije po sudaru su čvrsti ili tečni hidrogeni materijali. Na taj način neutroni gube veći deo svoje energije u minimalnom broju sudara. pri čemu pri emisiji gama zraka energije 0.  spontanog stvaranja minimalnog broja gama zraka iz neutronske aktivacije ekraniranog materijala (n.  atenuacija gama zračenja uslovljenog neutronskom aktivacijom zaklonjenog materijala. koji predstavljaju uređaje sa većinskim nosiocima.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA materijala obrnuto srazmeran njihovoj brzini. 4. To rezultira maksimalnim prenosom energije neutrona na materijal.γ) reakcijama. Prilikom ekraniranja mora se izabrati materijal. čija je masa što bliža masi neutrona. pored gama zraka i litijum i alfa čestica u eksitovanom stanju mogu izazvati izmeštanja.  adekvatne apsorpcije neutrona.

6. odnosno vreme života rekombinacionih nosilaca. Vreme života manjinskih nosilaca predstavlja sinonim za stabilno vreme rekombinacije. provodnosti i brzine površinske rekombinacije. nuklearno zračenje dovodi do promena vremena života i većinskih i manjinskih nosilaca. Generalno gledano. Sve upadne čestice dovode do defekata. 22]. Konstanta oštećenja u funkciji otpornosti za niske i visoke nivoe injekcije n i p tipova poluprovodnika [21. Slika 4. Ona su indirektna i odvijaju se kroz sekindarne neutronske jonizacione procese i odvođenje nosilaca. koji se u slučaju neutrona svode na formiranje para intersticijski atom – 55 .4 OSNOVNI TIPOVI RADIJACIONIH EFEKATA U ELEKTRONSKIM KOMPONENTAMA dejstvom neutrona su minimalna.

10) x 10-5 - (1 -5) x 10-5 ~ 5 x 10-5 (1 .4) x 10-9 ~ 6 x 10-10 56 .5 x 10-6 5 x 10-7 1.6 .5 x 10-6 2 x 10-6 1. Ovi fenomeni uvode energetska stanja. elektrone i protone [23].2) x 10-8 ~ 3 x 10-9 (2 .4) x 10-8 (0. koja odgovaraju fizičkim rekombinacionim centrima formiranim u rešetkama.3) x 10-5 - ~ 1 x 10-5 ~ 5 x 10-6 Kτ(cm2/s) – Elektroni – 3 MeV Nivo injekcije Nizak ( ≤ 10-2) Visok ( ≥ 1) (0.5 x 10-6 2 – 10-6 2 x 10-6 1.2. Otpornost podloge [Ωcm] n-tip 1 10 100 p-tip 1 10 100 Otpornost podloge [Ωcm] n-tip 1 10 p-tip 1 10 Otpornost podloge [Ωcm] n-tip 1 10 p-tip 1 10 100 Kτ(cm2/s) – Neutroni – 1 MeV Nivo injekcije 10-5 10-3 10-1 100 1 x 10-5 6 x 10-6 1 x 10-5 5 x 10-6 3 x 10-6 2.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA vakancija. Tabela 4.10) x 10-8 ~ 5 x 10-8 ~ 1 x 10-8 (1 .3) x 10-7 (2 .5 . Konstante oštećenja vremena života manjinskih nosilaca za neutrone.10) x 10-9 (1 .5 x 10-6 1 x 10-6 3 x 10-7 8 x 10-6 8 x 10-6 2.5 x 10-6 5 x 10-7 5 x 10-7 5 x 10-7 3 x 10-7 3 x 10-7 - Kτ(cm2/s) – Protoni – 20 MeV Nivo injekcije 10-3 10-1 (2 .

ovaj par će formirati defekt koji se naziva kompleks zamke donor-vakancija. s tim što se umesto o donorima u ovom slučaju radi o akceptorima. neutrona ili elektrona.ili p. Mehanizmi kojima nastaju zamke su sledeći [8]:  Ukoliko se vakancija iz para vakancija-šupljina nađe u okviru kristalne rešetke neposredno pored donorskog atoma.4 OSNOVNI TIPOVI RADIJACIONIH EFEKATA U ELEKTRONSKIM KOMPONENTAMA Različiti tipovi defekata odgovaraju različitim vrstama donorskih i akceptorskih centara. EDV. 22].  1 K (4. Treba naglasiti da se neutronski indukovana pomeranja donorskih atoma u rešetki smatraju zanemarljivim usled male relativne koncentracije atoma nečistoća. Kod silicijuma n. radijaciona konstanta vremena života manjinskih nosilaca. i to za slučaj n-tipa materijala. Jednačina 4.23 je opšta relacija jer Ф(t) može biti fluks protona. τ1 vreme života manjinskih nosilaca pre ozračivanja. a za slučaj elektrona energije 1 MeV.5 EFEKTI KOJI SE ODNOSE NA SPECIFIČNU OTPORNOST Da bi se objasnili efekti upadnih neutrona na specifičnu otpornost poluprovodnika pri normalno niskim odnosima injekcije.2 [23]. ovi rekombinacioni centri su primese.105. Naravno.23) gde je τ vreme života manjinskih nosilaca nakon ozračivanja. unutar 57 .109. U opštem slučaju to se može izraziti relacijom: 1 1  t    . neophodno je opisati tipove mehanizama hvatanja i način nakoji oni utiču na otpornost. 4. proizvode u poluprovodniku izvestan broj kompleksa defekata koji se ponašaju kao “zamke”. Vrednosti K u zavisnosti od energije date su u tabeli 4.tipa u slučaju protona energije 10 MeV vrednosti za K iznose 2 . Oštećenja u vidu pomeranja koja uzrokuju neutroni.6 [21. Sledi objašnjenje onih defekata koji su značajni sa stanovišta otpornosti materijala. Ovakav kompleks deluje kao diskretni energetski nivo “zamka”. Ф(t) neutronski fluens i K [s/cm2] konstanta oštećenja. 108 odnosno 5. tj. koje premeštaju manjinske nosioce i uzrokuju smanjenje njihovog vremena života.2.105 ili 5. Isti opis važi i za ptip materijala. Zavisnost vrednosti konstante oštećenja od otpornosti za niske i visoke nivoe injekcije za n i p tipove poluprovodnika prikazana je na slici 4.

Kao i kod donor-vakancija kompleksa. Ef. rezultujući naboj je inicijalno pozitivan. S druge strane.  Kada se poluprovodnik formira. odnosno do povećanja njegove otpornosti. Početno stanje divakancijskog kompleksa je neutralno. do smanjenja broja elektrona (većinskih nosilaca) u provodnoj zoni. rezultujući defektni kompleks naziva se divakancijski kompleks. Međutim. plus i dvostruki plus. 58 . tokom proizvodnog procesa. odnosno privremeno fizički imobiliše elektron iz provodne zone. Pored toga što hvata elektrone. što kao rezultat daje pozitivno naelektrisanje kompleksa. naprezanje homopolarne veze i njeno raskidanje može dovesti do oslobađanja jednog ili dva elektrona iz defektnog kompleksa u provodnu zonu. čime njegovo naelektrisanje postaje negativno. Povećanje otpornosti do koga dolazi kod n-tipa poluprovodnika može se u najvećoj meri objasniti uvođenjem divakancijskih i donorvakancija defektnih kompleksa. što opet zavisi od intenziteta upadnog fluksa. Ovi defektni kompleksi dovode do osiromašenja. čime je poništava. Ovakav kompleks može da zarobi. slično kao u slučaju donor-vakancija defektnog kompleksa. kompleks može da zarobi jedan ili dva elektrona iz provodne zone.  Kada se dve vakancije nastane jedna pored druge unutar rešetke. minus. ukoliko je Fermijev nivo veći od EKV. Zahvaljujući atomu donora. Ukoliko se atom kiseonika situira neposredno pored druge vakancije. Doprinos kiseonik-vakancija defektnih kompleksa se najčešće zanemaruje zbog relativno malih koncentracija kiseonika unutar kristalne rešetke. tj. što može dovesti do raskidanja veze. čime kompleks postaje električno neutralan. Atom kiseonika može da naseli lokaciju unutar kristalne rešetke na kojoj se nalazi vakancija. nastaje defektni kompleks kiseonikvakancija. odnosno energetskog stanja defektnog kompleksa kiseonikvakancija. Ukoliko je Fermijev energetski nivo. atomski kiseonik može biti uveden kao nenamerna nečistoća. i ova vrsta defekta može da zahvata elektrone iz provodne zone i da na taj način postane negativno naelektrisan. Da li je EDV veće od Ef zavisi od koncentracije nejonizovanih donora. ovakav kompleks može da zarobi i još jedan elektron. neutralna. koji nastaju kao posledica dejstva upadnih neutrona. usled njihovog zarobljivanja. Ova pojava se naziva uklanjanje nosilaca i dovodi do smanjenja provodnosti poluprovodnika.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA zabranjene zone. ovakav kompleks može da dovede do naprezanja homopolarne veze. što odgovara negativnim stanjima. veći od EDV. Kod divakancijskog kompleksa postoji pet različitih polarnih manifestacija (naelektrisanih stanja): dvostruki minus.

blizu donje ivice provodne zone. koje nakon dužeg vremena mogu biti i reverzibilne. Na osnovu vremena koje je potrebno uređaju da se oporavi od dejstva zračenja i delimično ili potpuno povrati svoju funkcionalnost. Trajni radijacioni efekti odnose se na promenu karakteristika komponente u čijem se sastavu nalazi ozračena poluprovodnička struktura. U trajne efekte ubraja se i destrukcija. Ako se primese povećavaju koncentraciju elektrona u poluprovodniku. U ovu grupu efekata spadaju: poremećaji usled velike jačine doze pri impulsnom ozračavanju. tipa materijala od kojih je poluprovodnička sruktura napravljena i njene uloge u uređaju. a poluprovodnik je n-tipa. brzine depozicije energije u poluprovodničkoj srukturi. 5. bipolarnog ili MOS tranzistora) i dalja degradacija karakteristika uređaja u čijem sastavu se ta struktura nalazi mogu se odvijati na više različitih načina. radijacioni efekti se mogu podeliti na prolazne i trajne.1 PRINCIPI FUNKCIONISANJA I OSNOVNE OSOBINE PN SPOJА Procesom dopiranja. Konačan ishod ozračavanja zavisi od vrste zračenja. Trajni efekti najčešće su izazvani zapreminskim oštećenjima poluprovodničkog materijala u pn spoju ili oštećenjima vezanim za oksid MOS-a. prolazne fotostruje izazvane jonizacijom i pojedinačni kratkotrajni poremećaji (eng.5 RADIJACIONI EFEKTI U OSNOVNIM STRUKTURAMA POLUPROVODNIČKIH ELEKTRONSKIH KOMPONENTI Efekti ozračavanja poluprovodničke strukture (pn spoja. odnosno kontrolisanog dodavnja odeđene količine primesa čistom poluprovodniku. SEU Single Event Upsets) nastali prolaskom jedne teške naelektrisane čestice kroz poluprovodničku strukturu. koja predstavlja nepopravljivo narušavanje funkcionalnosti uređaja.1. Energetski razmak ovog diskretnog . Prolazni efekti najčešće se vezuju za pojavu lažnih signala ili prenapona u elektronskim kolima. koncentracije elektrona i šupljina se menjaju. Donorske primese stvaraju diskretan elektronski energetski nivo u zabranjenoj zoni.1 RADIJACIONI EFEKTI U PN SPOJU 5. one su donorske.

Ako primese povećaju koncentraciju šupljina u poluprovodniku. Koncentracija akceptorskih primesa N a najčešće je mnogo veća od sopstvene koncentracije šupljina u valentnoj zoni ( N a ›› pi ). električna provodnost dopiranog poluprovodnika znatno je veća od provodnosti čistog materijala. one su akceptorske. a šupljine manjinske nosioce. Provodnost dopiranog poluprovodnika vezana je prevashodno za kretanje većinskih nosilaca naelektrisanja. U provodniku n -tipa elektroni predstavljaju većinske. nezavisno od tipa primesa. pa je ukupna koncentracija šupljina u poluprovodniku p-tipa: p  N a  pi  N a (5. dok će koncentracija šupljina biti p  103 cm 3 . ponezane su relacijom np=ni2. Akceptorske primese stvaraju diskretan elektronski energetski nivo u zabranjenoj zoni. elektroni za sobom ostavljaju šupljine u valentnoj zoni. što menja ravnotežne koncentracije dveju vrsta nosilaca naelektrisanja. koncentracija slobodnih elektrona biće n  1017 cm3 . Ako se silicijumu kao donorska primesa doda fosfor u koncentraciji N d  1017 cm 3 . Elektroni svih atoma donora termički su pobuđeni u provodnu zonu. Koncentracija donorskih primesa Nd je najčešće mnogo veća od sopstvene koncentracije elektrona u provodnoj zoni ( N d ›› n ).2) 60 . blizu gornje ivice valentne zone. (5. Sve akceptorske primese jonizovane su već na sobnoj temperaturi. da se sve donorske primese mogu smatrati jonizovanim već na sobnoj temperaturi. rekombinacija na nivoima primesa se može zanemariti. Kako je ukupna koncentracija obe vrste nosilaca naelektrisanja u dopiranom poluprovodniku uvek veća nego u čistom (  1017 cm 3 u odnosu na sopstvenih 2 103 cm3 ). Stoga je ukupna koncentracija slobodnih elektrona u provodniku n -tipa: n  N d  ni  N d .1) Zbog povećanje koncentracije elektrona u provodnoj zoni raste brzina rekombinacije elektrona i šupljina. Pošto samo defekti sa nivoima duboko u zabranjenoj zoni deluju kao efikasni rekombinacioni centri. Popunjavanjem diskretnog aceptorskog nivoa.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA nivoa i provodne zone je dovoljno mali. a poluprovodnik je p-tipa. U termodinamičkoj ravnoteži koncentracije elektrona i šupljina u dopiranom poluprovodniku.

1. U poluprovodniku p-tipa elektroni predstavljaju manjinske. u termičkoj ravnoteži Fermi-jev nivo postaje prava linija i kroz obe oblasti monokristala. a kod poluprovodnika p-tipa u blizini valentne. a šupljine većinske nosioce. PN spoj nastaje kada se koncentracija primesa menja od n-tipa u ptip u jednoj tački monokristala. Kod poluprovodnika kod koga su p i n oblast dodiruju. kao što je prikazano na slici 5. Kod poluprovodnika n-tipa Fermi-jev nivo nalazi se u blizini provodne zone. iz relacije np  ni pi za koncentraciju elektrona dobija se vrednost n  1017 cm3 . Zonska struktura i diskretni energetski nivoi pn spoja. obrazujući pn spoj.a. U sopstvenom (nedopiranom) poluprovodniku Fermi-jev nivo leži praktično u sredini zabranjene zone.5 RADIJACIONI EFEKTI U OSNOVNIM STRUKTURAMA POLUPROVODNIČKIH ELEKTRONSKIH KOMPONENTI Ako se silicijumu kao akceptorska primesa doda bor u koncentraciji N a  1013 cm3 .1. na kojoj je takođe sa Ei označen položaj Fermi-jevog nivoa u sopstvenom poluprovodniku. Slika 5. Što ima za posledicu 61 .

6) gde su pn i n p ravnotežne koncentracije manjinskih nosilaca date izrazima: pn  p p e U K n p  nn e U K UT UT (5. T apsolutna temperatura. U okolini spoja ostaju nekompenzovani jonizovani atomi donora i akceptora. i stvaranje kontaktne razlike potencijala (slika 5. Kontaktna razlika potencijala u ravnotežnom slučaju (za nepolarisani pn spoj) dobija se u obliku: Uk  k BT N a N d ln qe ni 2 (5.5) (5.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA krivljenje valentne i provodne zone. koji formiraju oblast prostornog tovara (OPT).3) gde je k B Boltzman-ova konstanta.4) gde je pretpostavljeno da pozitivni spoljašnji napon smanjuje barijeru. odnosno elektrona u p-tipu poluprovodnika) uz oblast prostornog tovara na početku neutralnih oblasti date su izrazom:  U U pn (0)  p p e  K  UT  pn eU UT n p  0   n p eU UT (5. kada se na pn spoj dovede spoljašnji napon U. qe elementarno naelektrisanje.8) 62 . b). visina potencijalne barijere na kontaktu p i n oblasti iznosi: UB  UK U (5. Kontaktna razlika potencijala formira se uravnotežavanjem difuzionog kretanja elektrona i šupljina kroz spoj i električnog polja nastalog njihovim razdvajanjem. koje se protivi difuziji nosilaca. Relativna promena većinskih nosilaca može se zanemariti.1. Koncentracija manjinskih nosilaca (šupljina u n-tipu.7) (5. U neravnotežnom stanju. Usled promene barijere menja se i odnos koncentracije nosilaca sa jedne i druge strane spoja.

2. Kada je pn spoj direktno polarisan (U > 0). koncentracija manjinskih nosilaca iz oblasti prostornog tovara eksponencijalno raste sa porastom napona. U suprotnom slučaju. tj. širina prostornog tovara postaje veća. a UT  k BT qe . Najčešće je jedna strana spoja 63 . Sve češću primenu u izradi poluprovodničkih detektora jonizujućeg zračenja nalaze totalno osiromašeni pn spojevi. kod kojih se oblast prostornog tovara prostire čitavom zapreminom poluprovodničkog materijala sa obe strane spoja. Ovo se postiže primenom dovoljno velikog napona inverzne polarizacije. kada je pn spoj inverzno polarisan (U < 0). kada je spoljašnji napon takav da smanjuje barijeru. Raspodela manjinskih nosilaca u neutralnim oblastima pn spoja za: a) direktno (U>0) i b) inverzno (U<0) polarisan spoj Pri čemu su pn i n p ravnotežne koncentracije većinskih nosilaca.5 RADIJACIONI EFEKTI U OSNOVNIM STRUKTURAMA POLUPROVODNIČKIH ELEKTRONSKIH KOMPONENTI Slika 5.

do kojih se u proseku sve manjinske šupljine.2.9) gde su Dp i Dn difuzione konstante šupljina i elektrona. za direktno (U > 0) i inverzno (U < 0) polarisan spoj.2. Ukupna gustina struje kroz pn spoj. Na slici 5. Drugu stranu spoja čini poluprovodnik visoke čistoće. U tom slučaju rekombinacija nosilaca mora se izvršiti do granica dveju oblasti. rekombinuju. Pri negativnom naponu U izraz (5. Povećanje koncentracije manjinskih nosilaca sa udaljavanjem od barijera pri U < 0 dovodi do difuzije ovih nosilaca ka barijeri.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA tanak. odnosno elektroni. označene su difuzione dužine šupljina i elektrona (Lp i Ln). Smanjivanje koncentracije manjinskih nosilaca sa udaljavanjem od barijere pri U > 0 posledica je rekombinacije manjinskih nosilaca sa većinskim u toj oblasti. što se označava kao �-tip u slučaju donorskih primesa ili kao π-tip u slučaju akceptorskih primesa [24-26]. data je izrazom:  D p pn J  J p  J n  qe    Lp  Dn n p eU UT  1  Ln     (5. koji je samo blago dopiran.10) gde se J s naziva gustinom struje zasićenja (ili struje curenja) pn spoja i sastoji se od šupljinske i elektronske komponente.9) dobija se: J  J s  eU UT  1 (5. Zamenom (5. visoko dopiran sloj n+ ili p+-tipa. Raspodela manjinskih nosilaca u neutralnim oblastima pn spoja predstavljena je na slici 5. koja nastaje difuzijom manjinskih nosilaca.9) postaje: 64 .11) U mikroelektronskim napravama p i n oblasti su uske tako da su njihove širine wn i wp znatno manje od difuzionih dužina manjinskih nosilaca. pa izraz (5.9) postaje:  D p pn J   qe    Lp  Dn n p    J s   J ps  J ns Ln     (5.10) u (5.

a prelaz koncentracije primesa sa akceptorske na donorsku oblast skokovit. kod kog je koncentracija primesa sa obe strane spoja konstantna. Q predstavlja promenu nekompenzovanog prostornog naelektrisanja u oblasti prostornog tovara nastalu promenom širine ove oblasti.15) Odgovarajući izrazi za linearni pn spoj su: d3 12 0 r  U K  U  qe a Cb   0 r 65 qe a 0 r S  S3 d 12  U K  U  (5. na osnovu čega se za barijernu kapacitivnost dobija: Cb   0 r q  S N S e 0 r d 2 Uk U (5.5 RADIJACIONI EFEKTI U OSNOVNIM STRUKTURAMA POLUPROVODNIČKIH ELEKTRONSKIH KOMPONENTI  D p pn J  qe    wn  Dn n p eU UT  1   wp    (5.14) gde je N=Na Nd /(Na + Nd).12) Oblast prostornog tovara moguće je posmatrati kao pločasti kondenzator na osnovu čega se definiše barijerna kapacitivnost pn spoja: Cb  Q S   0 r U d (5. usled promene primenjenog napona U .16) (5. d širina oblasti prostornog tovara. širina oblasti prostornog tovara data je izrazom: d  d p  dn  2 0 r U K  U qe N (5.13) gde je  r relativna dielektrična propustljivost poluprodnika. S površina pn spoja. Za skokovit pn spoj.17) .

koja je ekvivalentna brzini promene koncentracije defekata zauzetih elektronima je: dnt  cn npt  c p pnt dt (5. U tom slučaju brzine emisije nosilaca sa nivoa defekata zanemarljivo su male u poređenju sa brzinama njihovog zahvatanja (cnn » en i cpp » ep). pre svega onih koji deluju kao centri rekombinacije i generacije nosilaca naelektrisanja [8. supstitucijski atomi nečistoća Bs (akceptor u donjoj polovini) i Ps (donor u gornjoj polovini) predstavljaju jonizovane defekte. S druge strane. najčešće. znači da kompleksi VO i (akceptor u gornjoj polovini energetskog procepa) i CiOi (donor u donjoj polovini) nemaju uticaja na potencijalnu barijeru pn spoja.  Et  EF  kBT i t 1 e 1 e Stoga su. 19. Promena osobina pn spoja nakon ozračavanja su posledice električne aktivnosti stabilnih tačkastih defekata. 22]. Brzina promene koncentracije elektrona smeštenih na nivou defekata.2 PROMENA PARAMETARA I OSOBINA PN SPOJA Popunjenost tačkastih defekata. koja predstavlja stacionarno neravnotežno stanje.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA gde je a = dN/dx nagib linearne promene koncentracije primesa na pn spoju [25]. jer predstavljaju neutralne defekte u oblasti prostornog tovara. dok nivoi u gornjoj polovini procepa nisu zauzeti elektronima. koji daju doprinos prostornom naelektrisanju o oblasti prostornog tovara. 5. prisutnih u oblasti prostornog tovara nepolarisanog (ravnotežnog) pn spoja.18) Stoga je popunjenost defekata u OPT elektronima i šupljinama data izrazima: 66 . To. koncentracije elektrona i šupljina u OPT su velike. nosiocima naelektrisanja 1 1 p  Nt određena je izrazima nt  N t  Et  EF  k BT .1. nivoi defekata koji se nalaze u donjoj polovini energetskog procepa zauzeti elektronom. na primer. a) Struja direktno polarisanog spoja Pri direktnoj polarizaciji pn spoja.

gde je σ efikasni presek za zahvatanje elektrona u slučaju donorskih.9) za gustinu struje direktne polarizacije postaje:  D p pn J dir  qe    Lp  Dn n p nd eU UT  1  qe i eU  Ln  2 r    2U T (5. odnosno šupljina u slučaju akceptrskih defekata. Relacije koje povezuju difuzione dužine manjinkskih nosilaca sa srednjim vremenima njihovog života su: 67 Ln  Dn n (5. dok je šupljinska zamka popunjena ako je c p p  cn n .20) Elekronska zamka je pri određenoj temperaturi popunjena samo u slučaju da je c p p  cn n .22) gde  r je karakteristično vreme indirektne rekombinacije na defektima. Uzimajući u obzir i komponentu struje pn spoja koja potiče od rekombinacije nosilaca na tačkastim defektima u oblasti prostornog tovara. dok su  n i  p srednja vremena života elektrona i šupljina kao manjinskih nosilaca.5 RADIJACIONI EFEKTI U OSNOVNIM STRUKTURAMA POLUPROVODNIČKIH ELEKTRONSKIH KOMPONENTI nt  pt  Nt cp p 1 cn n (5.24) . Ukoliko je rekombinacija prevashodno određena jednom vrstom defekata koncentracije Nt. izraz (5. uz pretpostavku da je U > UT.23) L p  Dn n (5. karakteristično vreme rekombinacije može se izraziti kao  r  1  Nt .21) što daljom transformacijom. postaje:  1  Na  J dir  qe ni2  Dn 1   n Nd D p U U nd  e T  qe i eU p 2 r  2U T (5.19) Nt cn 1 n cp p (5.

Pri inverznoj polarizaciji. Kada je udeo difuzione komponente struje dominantan n ima vrednost 1. 18.28) U stacionarnom stanju popunjenost defekata koncentracije Nt elektronima i šupljinama data je izrazima: nt  N t ep en  e p (5. koncentracija nosilaca u oblasti prostornog tovara je mala ( n  p  0 ) i njihovo zahvatanje od strane defekata se može zanemariti.10) .27) Dobija se da je: I dir  gde se µ i τ odnose na obe vrste manjinskih nosilaca.18) je moguće pisati u obliku: dnt  en nt  e p pt dt (5. b) Struja inverzno polarisanog spoja Inverzna polarizacija pn spoja predstavlja stacionarno neravnotežno stanje.25) gde je n faktor idealnosti. Ozračavanje pn spoja dovodi do smanjenja srednjeg života manjinskih nosilaca . Na osnovu izraza za struju zasićenja (5. što na osnovu (5.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA Eksperimentalni rezultati često se opisuju empirijskom relacijom za struju direktne polarizacije:  qeU    nk BT I dir  exp  (5. koji ima vrednosti izleđu 1 i 2. korišćenjem Einstein-ove relacije: Dp p  Dn k BT  n qe (5.27) povećava struju direktne polarizacije [8.26)   (5. 27]. za koje ne važe izrazi za popunjenost defekata nosiocima. dok je uslučaju dominacije rekombinacione komponente n = 2.29) 68 . Jednačinu (5. 22. 19.

34) Najčešće se defektoskopskim metodama eksperimentalno određuje vrednost samo jednog od dva koeficijenta zahvata (cn ili cp). brzina generisanja parova elektron-šupljina na defektima koncentracije Nt je: Gt  Nt ni CnC p Et  Ei E E  t i k BT Cn e  C p e k BT  N t en e p en  e p (5.33) Efektivna dusitina naelektrisanja u OPT inverzno polarisanog spoja određuje se kao qe N eff .5 RADIJACIONI EFEKTI U OSNOVNIM STRUKTURAMA POLUPROVODNIČKIH ELEKTRONSKIH KOMPONENTI pt  N t en en  e p ili.32) Efektivnu koncetraciju dopanata moguće je odrediti kao sumu koncentracija svih donora zauzetih šupljinama i svih akceptora zauzetih elektronima u oblasti prostornog tovara: N eff   donori uOPT pt   nt akceptori uOPT (5. mogu se odvijati i u obrnutom smeru. pri čemu umesto rekombinacije dovode do generacije nosilaca. U tom slučaju predpostavlja se da važi cn = cp i jednačina (5.30) i e p  c p N e Et  Ec  k BT k BT Nt nt  c 1 n e cp 2 Et  Ei  k BT (5. Procesi rekombinacije nosilaca na tačkastim defektima (rekombinacionim centrima). korišćenjem izraza en  cn N c e Et  Ec (5.34) piše u jednostavnijem obliku: 69 .31) Nt pt  1 cp cn e  2 Et  Ei  k BT (5. Za slučaj da je n  p  0 .

37) gde je S površina poprečnog preseka pn spoja. gustinu struje generacije moguće je izraziti kao: ig   qeGt posvim defektima (5.36).36) Pod pretpostavkom da u oblasti prostornog tovara ne postoje tačkasti defekti.14) može predstaviti kao: I inv  d  U (5.10) i (5. τg karakteristično vreme generacije nosilaca. sve do pojave proboja pri dovoljno velikoj vrednosti napona. strujom inverzno polarisanog spoja dominira komponenta koja potiče od generacije nosilaca. Na struju generacije inverzno polarisanog spoja imaju uticaj samo defekti prisutni unutar oblasti prostornog tovara. Na osnovu (5.38) Zavisnost struje inverzno polarisanog spoja od temperature je veoma izražena.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA Gt  Nt E  Ei 2cosh t k BT (5. s obzirom da je ona u najvećoj meri određena strujom generacije nosilaca. struja inverzno polarisanog pn spoja jednaka je struji zasićenja (Iinv = Is). Iinv je direktno srazmerna širini oblasti prostornog tovara. kada inverzna struja naglo raste.35) Pomoću Gt. izraz za struju inverzno polarisanog spoja koji uključuje i komponentu generacije može se napisati u obliku:    D p pn I inv  S J s  J g  Sqe    Lp  Dn n p d d  Sqe ni  Sqe ni   Ln  g g (5. Temperaturna zavisnost Iinv može se iskazati kao: 70 . što znači da se zavisnost Iinv od napona inverzne polarizacije na osnovu (5. Zanemarujući rekombinaciju.

takođe.42) gde L i L0 predtsavljaju difuzinu dužinu šupljina ili elektrona nakon i pre ozračavanja. slično atomima primesa. Oni.40) vol gde se konstanta α naziva faktorom oštećenja pri inverznoj polarizaciji. 2831] c) Srednje vreme života i difuziona dužina manjinskih nosilaca Stabilni defekti nastali dejstvom zračenja su električno aktivni.41) gde je τ srednje vreme života nakon ozračavanja. Na sličan načn se difuziona dužina manjinskih nosilaca dovodi u vezu sa fluensom upadnog zračenja: 1 1  2  K L 2 L L0 (5. τ 0 srednje vreme života pre ozračavanja. mogu predstavljati izvor nosilaca naelektrisanja u poluprovodniku. [15. Kτ konstanta oštećenja života manjinskih nosilaca. a KL konstantu oštećenja difuzione dužine manjinskih 71 . mogu postati "zamke" i centri rekombinacije nosilaca čime privremeno ili trajno smanjuju njihovu koncentraciju. Zavisnost inverzne struje po jedinici zapremine od fluensa zračenja izražava se kao: I inv   (5. Srazmernost fluensu upadnog zračenja objašnjava se porastom inverzne struje usled linearnog povećanja koncentracije centara feneracije.39) 2 k BT Struja inverzno polarisanog spoja raste linearno sa povećanjem fluensa zračenja.5 RADIJACIONI EFEKTI U OSNOVNIM STRUKTURAMA POLUPROVODNIČKIH ELEKTRONSKIH KOMPONENTI 2 I inv  T e  Eg (5. Defekti. Degradacija vremena života manjinskih nosilaca može se predstaviti pomoću relacije: 1 1   K   0 (5.

Radijacioni defekti akceptorskog tipa predstavljaju dominantni tip defekata. U tom slučaju. koja zavisi od vrste poluprovodničkog materijala. c predstavlja brzinu nestajanja donora. d) Efektivna koncentracija primesa i specifična električna otpornost Empirijski izraz za efektivnu koncentraciju primesa u ozračenom pn spoju je: N eff  N d e C  N a   (5. nadkoncentraije nosilaca i temperature [30-32]. 72 . oblast koja je prvobitno bila n-tipa postaje p-tipa. sve dok konačno ne dođe do inverzije tipa.43) gde Nd i Na označavaju polazne koncentacije donora i akceptora. tipa upadnog zračenja.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA nosilaca. β parametar koji se odnosi na pojavu defekata akceptorskog tipa. usled čega efektivna koncentracija primesa poluprovodnika ntipa u pn spoju postupno opada sa porastom fluensa zračenja.

što na sobnoj temperaturi može da traje godinama do konačnog zasićenja. Ova druga faza vremenske zavisnosti Neff uslovljena je obrnutim otpuštanjem [33.5 RADIJACIONI EFEKTI U OSNOVNIM STRUKTURAMA POLUPROVODNIČKIH ELEKTRONSKIH KOMPONENTI Slika 5. izraz za specifičnu provodnost je:  1 qe np N eff (5.44) Izraz (3. usled procesa otpuštanja. Zavisnost specifične otpornosti od fluensa neutrona energije 1 MeV. Tokom prvih 10 dana po ozračavanju Neff opada u poluprovodniku na sobnoj temperaturi. za koji važi N eff  N d  N a i N eff ? ni . Zavisnost ρ od fluensa neutrona energije 1 MeV prikazana je na slici 5.3. Za neozračen pn spoj. Za vrednosti fluensa veće od Φinv specifična otpornost ρ opada oko 50 puta sporije od N eff .3. 73 . Neff pokazuje i vremensku zavisnost po okončanju ozračavanja pn spoja. Specifična otpornost raste sa porastom fluensa do vrednosti Φinv pri kojoj nastaje inverzija tipa.44) ne važi za ozračeni pn spoj.34]. Nakon ovoga Neff ponovo raste.

U slučaju poluprovodnika p tipa. Ovo stanje naziva se akumulacija.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA 5. Odstupanje realnog MOS kondenzatora od ovakvog idealnog modela biće naknadno razmatrano. U termičkoj ravnoteži pri nultom naponu gejta Fermijev nivo je isti u sva tri materijala: materijalu od kog je izrađen kontakt gejta. Širina oblasti osiromašenja povećava se sa porastom primenjenog napona. koji predstavlja jednostavnu komponentu sa dva izvora. Za razumevanje radijacionih efekata u MOS strukturi uputno je najpre razmotriti principe funkcionisanja i radijacione efekte u MOS konedenzatoru. oksid i supstrat pod njim. Analizu je pogodno započeti od idealnog MOS kondenzatora za kog važe sledeće pretpostavke: 1) protok struje kroz oksid je zanemarljiv. kada je napon na gejtu negativan (VG < 0). i odgovarajući energetski dijagram prikazan je na slici 5.4.b.c. Ovaj režim naziva se stanjem ravnih zona (eng. šupljine bivaju odbijene od SiO2/Si razdvojne površi.a). granice energetskih zona su ravne celom dužinom silicijumske osnove. 3) poluprovodnik je uniformno dopiran. 2) kontaktna razlika potencijala između gejta i poluprovodnika je zanemarljivo mala. osiromašenja ili inverzije u zavisnosti od polariteta i veličine napona na gejtu VG. Ako se u slučaju p tipa poluprovodnika primeni pozitivan napon na gejtu (VG > 0). a koncentracija elektrona i šupljina u blizini SiO 2/Si razdvojne površi ista je kao i bilo gde u silicijumu. za p i n tip poluprovodnika od kog je izrađen supstrat. gde njihova koncentracija takođe raste sa porastom VG.4. elektroni (manjinski nosioci u provodniku p tipa) bivaju privučeni prema razdvojnoj površi. Ovo stanje naziva se osiromašenje. šupljine bivaju privučene ka SiO2/Si razdvojnoj površi.4. 4) nema naeleketrisanja unutar oksidnog sloja i 5) nema defekata na razdvojnim površinama koji bi imali ulogu zamki za slobone nosioce. ostavljajući za sobom oblast prostornog tovara koji čine naelektrisani akceptori. i pri njemu je koncentracija većinskih nosilaca veća u blizini SiO2/Si razdvojne površi nego u ostatku silicijuma. Kada se na priključak gejta primeni napon narušava se stanje ravnih energetskih zona i sistem dospeva u režim akumulacije. gde dolazi do njihovog nagomilavanja. 74 . Energetski dijagram koji odgovara ovom stanju dat je na slici 5.2 RADIJACIONI EFEKTI U MOS KONDENZATORU Osnovni deo MOSFET strukture čini MOS kondenzator. Na slici 5. Zahvaljujući pretpostavkama načinjenim za slučaj idealnog MOS kondenzatora. Istovremeno. koji obuhvata samo priključak gejta. prikazan je energetski dijagram idealnog MOS kondenzatora u različitim režimima rada.4. oksidu (izolatoru) i silicijumu (supstratu) (slika 5. Flatband condition).

75 . Energetski dijagram idealnog MOS kondenzatora u različitim režimima rada.4. za p i n tip supstrata.5 RADIJACIONI EFEKTI U OSNOVNIM STRUKTURAMA POLUPROVODNIČKIH ELEKTRONSKIH KOMPONENTI Slika 5.

RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA

Ako se porast VG nastavi, koncentracija elektrona na SiO2/Si
razdvojnoj površi konačno će postati jednaka ili veća od koncentracije
šupljina u silicijumu izvan oblasti prostornog tovara. Drugim rečima,
površinski sloj silicijumske osnove postaje efektivno materijal n tipa.
Ovo stanje se naziva jaka inverzija. Napon gejta pri kom ovaj režim
otpočinje naziva se napon inverzije Vi i on je ekvivalentan naponu praga
MOSFET-a Vt. Energetski dijagram koji odgovara stanju jake inverzije
dat je na slici 5.4.d.
Nakon uspostavljanja stanja inverzije, širina oblasti osiromašenja
prestaje da raste sa povećanjem primenjenog napona (u statičkom,
ravnotežnom režimu). Ovo se objašnjava time što manjinski nosioci
nagomilani uz SiO2/Si razdvojnu površ zaklanjaju unutrašnjost
poluprovodnika od električnog polja dodatnog nalektrisnja dovedenog na
gejt. Uspostavljanjem jake inverzije se, dakle, dostiže maksimalna širina
osiromašene oblasti.
5.2.1 C-V KARAKTERISTIKA IDEALNOG MOS
KONDENZATORA
Krive zavisnosti kapacitivnosti MOS kondenzatora od
primenjenog naizmeničnog napona pružaju niz informacija o
karakteristikama MOS uređaja.

Slika 5.5. C-V karakteristike idealnog MOS kondenzatora p tipa za
visoko-frekventni (puna linija)i nisko-frekventni (isprekidana linija)
napon primenjen na gejt.
76

5 RADIJACIONI EFEKTI U OSNOVNIM STRUKTURAMA POLUPROVODNIČKIH
ELEKTRONSKIH KOMPONENTI

Na slici 5.5 predstavljene su visoko- i nisko- frekventne C-V
karakteristike za idealni MOS kondenzator p tipa. U slučaju visokofrekventnog napona na gejtu, manjinski nosioci nisu u stanju da reaguju
na promene napona.
Kada je 0 < VG < Vt MOS kondenzator je u stanju osiromašenja.
Pod pretpostavkom da u oblasti osiromašenja nema slobodnih nosilaca,
ona se može tretirati kao sloj izolatora,pa se ukupna kapacitivnost može
postaviti u vidu serijske veze dva kondenzatora: jednog koji predstavlja
oksid (Cox) i drugog koji predstavlja oblast osiromašenja (Coo). Stoga je
ekvivalentna kapacitivnost MOS kondenzatora C = Cox Coo/( Cox+ Coo), iz
čega sledi da je C < Cox i C < Coo. Sa porastom napona VG povećava se i
širina oblasti osiromašenja usled čega se kapacitivnost MOS uređaja
opada. Pri postizanju inverzije (VG ≥ Vt) oblast osiromašenja i inverzije
predstavljena je visoko-frekventna C-V karakteristika u oblasti
osiromašenja i inverzije predstavljena je punom linijom u desnom delu
grafika. Ako se na gejt primeni veliki negativni napon, postiže se stanje
jake akumulacije, sa visokom koncentracijom većinskih nosilaca
nagomilanom uz površinu silicijuma. Ovi većinski nosioci zaklanjaju
unutrašnjost silicijuma od promena električnog polja izazvanih
modulacijom napona na gejtu. Kako u silicijumu nema oblasti
osiromašenja i sve linije lektričnog polja se završavaju na površini
silicijuma, sa stanovišta naizmeničnog signala silicijumska osnova
ponaša se kao kratak spoj. Stoga se, pri jakoj akumulaciji, sistem ponaša
kao pločasti kondenzator sa oksidom u ulozi dielektrika. Ukupna
kapacitivnost svodi se na kapacitivnost oksida Cox, što je i najveća
kapacitivnost sistema kao što se vidi u krajnjem levom delu grafika na
slici 5.5. idući od oblasti jake akumulacije u desno duž ose napona na
gejtu, stepen akumulacije opada, zaklanjanje postaje manje efikasno, i
linije naizmeničnog polja počinju da prodiru dublje u unutrašnjost
silicijuma. Sistem je, stoga, neophodno ponovo tretirati kao rednu vezu
dva kondenzatora, u kojoj kapacitivnost silicijumskog dela čini ukupnu
kapacitivnost manjom. Ovo smanjivanje kapacitivnosti sa porastom V G
nastavlja se tokom čitavog režima osiromašenja. Kao što je već rečeno,
stanje ravnih energetskih zona, koje kod idealnog MOS kondenzatora
odgovara nultom naponu na gejtu, predstavlja graničnu tačku između
akumulacije i osiromašenja.
Nisko-frekventna C-V karakteristika poklapa se sa visokofrekventnom u režimima akumulacije i osiromašenja (levi deo grafika na
slici 5.5.), jer pri ovim režimima manjinski nosioci nemaju ulogu, dok su
većinski nosioci u stanju da prate i visoko- i nisko-frekventne promene
77

RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA

signala. Sa približavanjem stanju inverzije, međutim, sve veći broj
manjinskih nosilaca pojavljuje se uz SiO2/Si razdvojnu površ. U slučaju
prethodno razmatranih visoko-frekventnih promena napona, manjinski
nosioci ne reaguju na naizmeničan signal, te stoga ne utiču na
kapacitivnost. U nisko-frekventnom slučaju, pojedine linije
naizmeničnog električnog polja se završavaju na manjinskim nosiocima
umesto na zadnjoj granici oblasti osiromašenja, što dovodi do smanjenja
kapacitivnosti. U stanju jake inverzije gotovo sve linije naizmeničnog
polja se završavaju na samoj SiO2/Si razdvojnoj površi, i ukupna
kapacitivnost ponovo dostiže vrednost kapacitivosti oksida, što je
prikazano isprekidanom linijom u desnom delu grafika na slici 5.5.
5.2.2 OSOBINE REALNOG MOS KONDENZATORA
Realni MOS kondenzator odstupa od idealnog u sledećim
aspektima:
1) Postoji konačna razlika potencijala između metalnog gejta i
poluprovodničke osnove,
2) U oksidu su prisutna nepokretna naelektrisanja,
3) U oksidu su prisutni pokretni joni i
4) Na razdvojnoj površi javljaju se defekti u rešetci sposobni za
zahvatanje i rekombinaciju nosilaca naelektrisanja (elektrona i
šupljina).
Usled postojanja konktaktne razlike potencijala između metalnog
gejta i poluprovodničkog supstrata, stanje ravnih zona postiže se
dovođenjem napona Vjb na gejt, a ne pri VG = 0 kao u idealnom slučaju.
Napon koji je potrebno primeniti jednak je postojećem kontaknom
potencijalu (Vjb=ϕms). Efekat koji ova činjenica unosi je translatorno
pomeranje C-V krive duž naponske ose za vrednost ϕms.
Za razliku od pretpostavke kod idealnog MOS kondenzatora, u
realnom oksidu su najčešće prisutna naelektrisanja. U zavisnosti da li se
pokreću pod dejstvom napona na gejtu ili ne, naelektrisanja u oksidu
mogu biti pokretna ili nepokretna
Nepokretna naelektrsanja koja su prisutna u oksidu kao posledica
tehnološkog
postupka njegovog dobijanja nazivaju se fiksna
naelektrisnja. Nepokretna naelektrisanja koja se u oksidu pojavljuju
vezivanjem (zahvatom, zarobljavanjem, trapovanjem) elektrona i šupljina
nazivaju se zarobljena naelektrisanja, i ona mogu biti posledica izlaganja
oksida dejstvu jonizujućeg zračenja. Nezavisno od porekla, nepokretna
78

5 RADIJACIONI EFEKTI U OSNOVNIM STRUKTURAMA POLUPROVODNIČKIH
ELEKTRONSKIH KOMPONENTI

naelektrisanja uzrokuj translatorno pomeranje C-V krive duž naponske
,
ose za vrednost Q0, x / C0 x , gde je Q0x
efektivna površinska gustina
nepokretnog naelektrisanja na samoj razdvojnoj površini SiO2/Si, koja se
sa stvarnom gustinom raspodele nepokretnog naelektrisanja ρx može
povezati relacijom:
Q0, x

d0 x


0

x
  x  dx
d0 x

(5.45)

gde je d 0x debljina oksida. Uticaj kontaktne razlike potencijala i
nepokretnih naelektrisanja na pomeranje C-V karakteristike ilustrovano
je na slici 5.6.

Slika 5.6. Uticaj kontaktne razlike potencijala i nepokretnih
naelektrisanja na pomeranje C-V karakteristike
realnog MOS kondenzatora
Tokom izrade vejfera za MOS strukture veoma lako dolazi do
njihove kontaminacije malim koncentracijama pozitivno naelektrisanih
jona alkalnih metala (najčešće Na+), koji čine pokretno naelektrisanje u
oksidu. Kretanje ovog naelektrisanja je proces koji zahteva termičku
aktivaciju, a odvija se pod dejstvom električnog polja primenjenog
napona. Po dovođenju napona na gejt može se smatrati da dolazi do
nagomilavanja celokupnog pokretnog naelektrisanja u oksidu na jednoj
od razdvojnih površina: SiO2/Si u slučaju VG > 0, odnosno metal/ SiO2 u
79

RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA

slučaju VG < 0. Rezultantno translatorno pomeranje C-V karakteristika će
biti ka nižim vrednostima napona pri VG > 0, odnosno ka višim pri VG <
0, kao što je predstavljeno na slici 5.7. Konačne vrednosti napona ravnih
zona Vfb (+) i Vfb (-) koje odgovaraju različitim polaritetima napona na
gejtu (VG > 0 i VG < 0, resprektivno) mogu se dovesti u vezu sa
,
površinskom gustinom naelektrisanja pokretnih jona u oksidu Qmi
preko
relacije:
Q,
V fb     V fb  i    mi
(5.46)
C0 x
Centri zahvata na razdvojnoj površi (koje se takođe nazivaju i
površinskim zamkama ili stanjima) su, slično tačkastim defektima kod pn
spoja i bipolarnih tranzistora, defekti lociranja na SiO2/Si razmeđi koje
imaju ulogu centara zahvata i rekombinacije elektrona i šupljina. Za
razliku od prethodno razmatranih karakteristika koje razlikuju realni
MOS kondenzator od idealnog, prisustvo površinskih zamki dovodi do
različitih pomeranja C-V karakteristike u zavisnosti od vrednosti
površinskog potencijala, odnosno napona na gejtu. Uzrok ovome je
zavisnost količine naelektrisanja zarobljenog na razdvojnoj površi od
stepena zakrivljenosti granica energetskih zona. Popunjenost površinskih
zamki nosiocima naelektrisanja podleže Fermijevoj raspodeli, tj. zavisi
od položaja Fermijevog nivoa na razdvojnoj površi.

Slika 5.7. Uticaj pokretnog naelektrisanja u oksidu na pomeranje
C-V karakteristike realnog MOS kondenzatora.
80

9. Na slici 5. Na slici 5. dok su zamke ispod EF neutralne. i raste kako sistem prolazi kroz stanja ravnih zona i osiromašenja do stanja inverzije. c) i d) predtstavljaju. Kod poluprovodnika n tipa.9.8 prikazane su C-V karakteristike tri MOS kondenzatora istih karakteristika. 81 .b).a) MOS kondenzator je predstavljen u stanju ravnih energetskih zona.8. Ako se pretpostavi da su sve zamke donorskog tipa. je ilustrovano ponašanje površinskih zamki i efekat koji one imaju na karakteristike MOS-a sa supstratom p i n tipa. (2) površinske zamke donorskog tipa. popunjenost zamki je najmanja u stanju akumulacije. Slika 5. dok akceptorske površinske zamke istežu C-V krivu u desno. koji je jednak broju popunjenih zamki.9. a treći isključivo akceptorskog tipa.uočava se da je uticaj donorskih zamki na razdvojnoj površi takav da se kriva isteže u levo. i ona je grafički predtsvljena na slici 5. osiromašenja i inverzije. njihovu energetsku raspodelu moguće je označiti sa Dit(E). Uticaj površinskih zamki na C-V karakteristiku MOS kondenzatora: (1)bez površinskih zamki. Zamke čiji energetski nivoi leže iznad Fermijevog (EF) su naelektrisani pozitivno. Jasno je da broj nosilaca naelektrisanja zahvaćenih zamkama na razmeđi. MOS kondenzator u stanjima akumulacije.9. drugi ima površinske zamke isključivo donorskog tipa. pri čemu je jedan bez površinskih stanja. zavisi od stepena u kom su granice energetskih zona u poluprovodniku zakrivljene.(3) površinske zamke akceptorskog tipa. Slike 5.5 RADIJACIONI EFEKTI U OSNOVNIM STRUKTURAMA POLUPROVODNIČKIH ELEKTRONSKIH KOMPONENTI Na slici 5. redom.

RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA Slika 5.9. Uticaj površinskih zamki na karakteristike MOS-a sa supstratom p i n tipa. 82 .

jasno je da će pojedini delovi te krive u ovom slučaju biti pomereni u različitoj meri. Kako pozitivno naelektrisan sloj naelektrisanja na SiO2/Si razmeđi uzrokuje negativan pomeraj C-V krive. 83 .5 RADIJACIONI EFEKTI U OSNOVNIM STRUKTURAMA POLUPROVODNIČKIH ELEKTRONSKIH KOMPONENTI Kod poluprovodnika p tipa. popunjenost zamki je najveća u stanju akumulacije. a opada kada MOS kondenzator prolazi kroz stanja ravih zona i osiromašenja do inverzije.

ili kraće MOS tranzistor. koristi efekat poprečnog polja (normalnog na površinu tranzistora) za modulisanje provodnosti površinskog poluprovodničkog sloja. b) n-kanal (šrafiran) i oblasti osiromašenja (oivčena isprekidanom linijom) Na slici 5. Ovo se može postići bilo stvaranjem inverzije tipa provodnosti površinskog sloja.3 RADIJACIONI EFEKTI U MOS TRANZISTORU 5. pri čemu je potrebno da p i n oblasti zamene mesta. a) Šematski prikaz MOSFET-a sa indukovanim kanalom n tipa. i da su polarizacije napona gejta i 84 . prikazan je MOSFET sa indukovanim n-kanalom. Slika 5.10.10.1 PRINCIPI FUNKCIONISANJA I OSNOVNE OSOBINE MOS TRANZISTORA MOSFET (eng. Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Trnasistor).3. bilo redukovanjem koncentracije nosilaca u ugrađenom kanalu (MOSFET sa ugrađenim kanalom). MOS sa indukovanim p-kanalom može se takođe formirati. tj.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA 5. stvaranjem kanala (MOSFET sa indukovanim kanalom).

šupljine u p-tipu poluprovodnika će se udaljiti. Insulated Gate FET) – FET sa izolovanim gejtom. Struja kroz kanal je data izrazom: 85 . ostavljajući nekompenzovane negativne jone akceptora. jer pn spoj drejna inverzno polarisan. Ukoliko je napon na gejtu VG veći. a zatim nastupa inverzija. Sve dok ne nastupi inverzija tipa. naziva se naponom praga i obeležava se sa Vt. a da bi bili izolovani od unutrašnjosti poluprovodnika p-tipa. odnosno utoliko je veći broj elektrona u indukovanom n-kanalu – otpornost kanala je tada manja. između sorsa i drejna ne postoji veza.10. Povećanjem potencijalne razlike šupljine se sve više udaljavaju. koji služi kao izolator. a drugi drejn (D). Napon potreban da se stvori kanal od sorsa do drejna. pa je za dati napon drejna VD veća struja kroz kanal ID. Da bi se napravili kontakti na krajevima kanala. Jedan spoj je sors (S). privlačenjem negativnih elektrona. pa se zato ponekad MOS tranzistori nazivaju i IGFET (eng. načinjena su dva pn spoja. Izlazne statičke - karakteristike MOSFET-a.11. Slika 5. utoliko je jača inverzija tipa. ispod gejta. Ako se metalna obloga gejta dovede na pozitivni potencijal u odnosu na poluprovodnik. Na površini između sorsa i drejna nalazi se tanak sloj ( 1 nm) silicijum-dioksida (SiO2).5 RADIJACIONI EFEKTI U OSNOVNIM STRUKTURAMA POLUPROVODNIČKIH ELEKTRONSKIH KOMPONENTI drejna suprotne onim prikazanim na slici 5. Preko njega se nalazi tanak sloj metala aluminijuma (Al) koji predstavlja kontakt gejta (G).

danas se sve više koristi u tehnologiji silicijumskih integrisanih kola.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA n 0 rSi O2W  ID  2  VG  Vt  VD  VD2  2t0 x L (5. CMOS invertor.3.2 CMOS Komplementarna sprega NMOS i PMOS tranzistora sa indukovanim kanalima. koji predstavlja napon gejta. za razliku od JFET tranzistora. t0x debljina oksida. W i L – širina i dužina indukovanog n-kanala. Povećavanjem napona VD iznad vrednosti VG  Vt izraz (5. koji se realizuju u planarnoj tehnologiji GaAs integrisanih kola. tj. MOSFET radi u režimu zasićenja.47) prestaje da važi. dimenzije kanala unipolarnih silicijumskih MOS tranzistora mogu se redukovati do ispod 0. Bipolarni tranzistori i dalje imaju veća pojačanja i više gornje granične učestanosti.2 µm. koji predstavlja napon praga za ovaj tip MOSFET-a. Zahvaljujući jednostavnoj konstrukciji. Proticanje struje kroz n-kanal prestaje tek pri dovoljno negativnom naponu gejta. Izlazne Važan parametar MOSFET-a je tzv. prenosna provodnost ili transkonduktansa. znatno veći nego kod silicijumskih kola sa bipolarnim tranzistorima.  rSi O2 relativna dielektrična konstanta oksida. Danas se unipolarni MOS tranzistori realizuju u planarnoj tehnologiji silicijumskih integrisanih kola. što omogućava visok stepen integracije savremenih silicijumskih elektronskih kola.48) MOSFET sa ugrađenim n-kanalom ima formiran kanal u vidu plitke n-oblasti ispod oksida gejta. Otuda je jasno da će MOS sa ugrađenim kanalom provoditi struju i pri nultom naponu gejta.47) gde je n pokretljivost elektrona. 5. sa težnjom da postane 86 . tzv. definisana izrazom: gm  I D VG  VD  const n 0 rSiO2W VD tox L (5. kanal se zatvara i struja drejna ostaje praktično konstantna. kojom su povezane n-oblasti sorsa i drejna. Polarizacije napona su iste kao i u slučaju MOS tranzistora sa indukovanim n-kanalom. Ipak.

49) odnosno snaga disipacije je: P E 2  CVDD f T (5. kada je jedan provodan drugi nije (otuda naziv komplementarni tranzistori). S obzirom da su gejtovi NMOS i PMOS tranzistora (sa indukovanim kanalima)na istom potencijalu. onda se parazitni kondenzator prazni preko njega sve dok se ne isprazni na nulu. Naime. energija iz jednosmernog izvora VDD troši se na punjenje parazitne kapacitivnosti C izlaznog priključka samo dok provodi PMOS tranzistor.12. očevidno je da će dva tranzistora raditi u push-pull sprezi.12. tj. Utrošena energija u toku jedne periode ovog invertora je:  q CVDD 0 q 0 E   VDDi  t  dt  VDD  2 dq  CVDD (5. Električna šema CMOS-a prikazana je na slici 5.5 RADIJACIONI EFEKTI U OSNOVNIM STRUKTURAMA POLUPROVODNIČKIH ELEKTRONSKIH KOMPONENTI dominantna tehnologija. i to dok se ova kapacitivnost ne napuni na napon VDD . Kada provodi NMOS. Električna šema CMOS-a. Snaga disipacije CMOS invertora smanjuje se smanjenjem parazitnih kapacitivnosti.50) gde je f =1/T učestanost uključivanja CMOS invertora. 87 . CMOS radi kao invertor i njegovo izuzetno sojstvo je da troši energiju iz stalnog izvora VDD samo u trenucima promene stanja na ulazu. Slika 5.

koji je sadržavao sve više tranzistora. sa sve većom minijaturizacijom i povećanjem brzine rada i gornje granice učestanosti ovih kola.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA napona izvora VDD i radne učestanosti f. 5. pojavljuje mogućnost integrisanja analognih i digitalnih funkcija na jednom CMOS čipu. dotle on kod CMOS invertora praktično i ne postoji. Takođe. Ovo unikatno svojstvo CMOS-a postalo je od posebnog značaja sa sve većom minijaturizacijom silicijumskih integrisanih kola. a bipolarni od 0°C do 70°C. Za idealni n-kanalni MOSFET sa indukovanim kanalom napon praga je: Vt  Vi  2b  2 qN A Sb C0 x (5. Ovo važi uopste za MOS tranzistore. mada se u novije vreme. Kako su oba sabirka u jednačini (5. On se može definisati kao napon gejta pri kom je ϕS = ϕb .51) Iz ove jednačine očigledno je da Vt zavisi od debljine oksida i koncentracije dopanata u kanalu.iz ovih razloga CMOS invertori imaju sve širu primenu u digitalnim integrisanim kolima. Naravno. Naime. pa se teži kompromisu ova dva zahteva. kada se posebno aktuelnim pokazao problem disipacije energije sa čipa. tada se smanjuje i brzina rada. 88 . CMOS kola se primenjuju u temperaturnom intervalu od -55°C do 125°C. zbog manje temperaturne osetljivosti. u njima glavnu ulogu imaju većinski nosioci. oni se mogu primenjivati u znatno širem opsegu temperatura. što je oko 106 puta manje od klasičnih bipolarnih tranzistora i oko 105 puta manje od NMOS tranzistora (u statičkom režimu rada odgovarajućih invertora). odnosno kao napon pri kom počinje jaka inverzija.51) popzitivna i napon praga za n-kanal MOS je pozitivna veličina.3 NAPON PRAGA MOS TRANZISTORA Napon praga Vt je jedan od najvažnijih parametara MOS kondenzatora. Ona disipiraju snagu 1 nW. usled termičke generacije parova elektron-šupljina. i njihova koncentracija je u relativnom iznosu mnogo osetljivija na temperaturske promene. dok u bipolarnim veliku ulogu imaju i manjinski. Dok se sa bipolarnim i unipolarnim NMOS tranzistorima problem disipacije sve teže rešavao domišljatim pristupima odvođenju energije čipa.3.

52) sabirci ms i  Q0. kao i uticaj naelektrisanja u oksidu na razdvojnoj površi. 5.3.  C0 x C0 x Q0. . konecentracije manjinskih nosilaca na razmeđi prevazilazi koncentraciju većinskih nosilaca. Ova struja naziva se potpražnom i potiče od konačne koncentracije manjinskih nosilaca u kanalu kada je VG < Vt . moguće je da napon praga bude negativan. Dakle u zavisnosti od udela pojedinih sabiraka. dok je sabirak  pozitivan za n-kanalni MOS ( Q0x je C0 x negativno zbog naelektrisanja akceptorskih zamki na radvojnoj površi).5 RADIJACIONI EFEKTI U OSNOVNIM STRUKTURAMA POLUPROVODNIČKIH ELEKTRONSKIH KOMPONENTI Napon praga realnog MOS tranzistora uključuje uticaj potencijalne razlike između gejta i supstrata. ali konačna struja drejna pri naponu gejta nižim od pražnog. međutim. što označava početak režima slabe inverzije. veličine.52) i su po pravilu negativne Qit. Zbog niske koncentracije nosilaca u reži slabe inverzije strujom drejna dominira diifuzija. x Qit. Jedan od osnovnih efekata dejstva jonizujućeg zračenja na MOS strukturu jeste pomeraj napona praga zbog naelektrisanja u oksidu i na razdvojnoj poveši generisanog zračenjem. Vt  2b  2 qN A S b C0 x  ms  U izrazu (5.4 POTPRAŽNA KARAKTERISTIKA MOS TRANZISTORA Izraz (5. koji nastupa pre dostizanja stanja jake inverzije. usled čega struja naglo pada na nultu vrednost kada napon gejta postane manji od napona praga. Pri naponu gejta nižem od pražnog (0 < VG < Vt . x C0 x (5. pa strujno-naponska karakteristika dobija sledeći oblik: 89 . Eksperimentalno se. što bi značilo da je tranzistor uključen (provodan) i pri VG = 0.47) za struju drejna MOS tranzistora je pod pretpostavkom da u kanalu nema slobodnih nosilaca naelektrisanja kada je I D  VG < Vt . ). uočava mala. ali dovoljno visokom da Fermijev nivo na razdvojnoj površi leži u gornjem delu energetskog procepa.

dovode do promena nagiba I D  VG krivih.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA 2 1 2  W aC0 x  ni  I D  n     exp    VD    exp  S   S  2   N A  L (5. Parametri koji dovode do odstupanja I – V karakteristika od idealnog oblika kada je utiču i na potpražno ponašanje MOS-a.54) C0 x i S   VG  V fb  a 2 1    2    4   1  a 2 VG  BV fb  1   12  1  (5.55) Jednačine (5. Površinske zamke. Efekat kontaktne razlike potencijala i naelektrisanja u oksidu je translatorno pomeranje I D  VG karakteristike duž VG ose za istu vrednost kao u nadpražnom režimu.53) gde je a 2   s LD  (5.55) ukazuju da u potpražnom režimu rada struja drejna raste eksponencijalno sa naponom gejta i postaje gotovo nezavisna od napona drejna kada je ovaj veži od 3kT qe .53) – (5. 90 . međutim.

5 RADIJACIONI EFEKTI U OSNOVNIM STRUKTURAMA POLUPROVODNIČKIH ELEKTRONSKIH KOMPONENTI Slika 5. 91 . 3 V i 10 V) i dve vrednosti napona drejna VD (0. Potpražne I D  VG karakteristike MOSFET-a za tri različite vrednosti napona polarizacije supstrata VBG (0 V.13.1 V i 10 V).

4 RADIJACIONI EFEKTI U BIPOLARNIM TRANZISTORIMA Oštećenja bipolarnog tranzistora izazvana uticajem jonizujućeg zračenja primarno se manifestuju raskidanjem hemisjkih veza kristalne rešetke molekula.4. Postoje dve oblasti u kojima jačina doze ima značajan uticaj: oblast vrlo velikih jačina doze (reda 108 cGy/s). kod kojih struja teče kroz supstrat poluprovodnika.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA 5.1. Makroskopska posledica ovog efekta je smanjenje koeficijenta strujnog pojačanja i povećanje struje rekombinacije na spoju baza-emitor.1 cGy/s). Usvojeno je da se jačina doze deli na malu (do 0. postoje i efekti koji zavise od jačine doze (D`. a strujno pojačanje je nešto veće u odnosu na vertikalni supstratski pnp tranzistor. Osnovni razlog je generisanje velikog broja parova elektron-šupljina (reda 1018 cm-3 za 92 . tipična za nuklearne ekspozicije. uticaj jonizujućeg zračenja je više izražen kod lateralnih tranzistora.4. tipična za eksploatacione uslove u svemiru. Zahvaljujući mehanizmu površinske rekombinacije. nego kod vertikalnih tranzistora.1 cGy/s – 50 cGy/s) i veliku jačinu doze (preko 50 cGy/s) [9].1 cGy/s). srednju (0. pre trajnog razaranja poluprovodnika) ima značajan efekat na funkcionisanje bipolarnih tranzistora. 5. pnp tranzistori su osetljivi na izlaganje jonizujućem zračenju u odnosu na npn tranzistore. kod kojih struja teče neprosredno ispod oksida. 5.1 EFEKTI JAČINE DOZE JONIZUJUĆEG ZRAČENJA U BIPOLARNIM TRANZISTORIMA Pored efekata koji se u integrisanim kolima ispoljavaju usled ukupne doze apsorbovanog jonizujućeg zračenja (D). Ipak.1 Efekat velikih jačina doze u bipolarnim tranzistorima U slučajevima izlaganja elektronskih komponenti γ zračenju nuklearne ekspozicije dolazi do formiranja uniformnog fluksa fotona koji (za manje apsorbovane doze. i oblast malih doza (ispod 0. tehnološka realizacija lateralnog tranzistora je jednostavnija. Zahvaćeno naelektrisanje formira oblasti inverznog naelektrisanja. povećavajući generaciono – rekombinacione struje i izazivajući skraćenje vremena života manjinskih nosilaca. odnosno zahvatom pozitivnog naelektrisanja na spoju Si-SiO2 ili u dubini oksida.dD/dt). Zbog manjeg strujnog pojačanja i niže radne frekvencije.

Ali. sa velikom verovatnoćom. Do izraza za trenutnu i zakasnelu komponentu fotostruje može da se dođe polazeći od jednačine kontinuiteta difuzionih jednačina za manjinske nosioce u p i n oblasti: pn  2 pn pn  pn 0  Dp  G t t x 2 p 93    J p  eD p D pn  G  g  x t  (5. povećavajući difuziju nosilaca ka spoju. na rastojanju od pn spoja većem od Ln se. Pojava ovakvog tranzijenta može da dovede do "zagušenja" pn spojeva u tranzistorima. potrebne su jačine doza reda 1011 do 1014 cGy/s da bi izazvale smanjenje provodnosti pn spoja za 50%. ip. jonizujućeg zračenja. rekombinuju pre dostizanja spoja. Ostali nosioci. znatno većeg od koncentracije dopiranja većine diskretnih i integrisanih komponenti. koja je u fazi sa pojavom radijacionog impulsa i teče od n oblasti ka p oblasti.56) . usled postojanja jakog električnog polja oblasti prostornih naelektrisanja. Pri pojavi fotostruje u tranzistoru. pa tako daju zanemarljiv doprinos fotostruji. U slučaju jako dopiranog silicijuma.5 RADIJACIONI EFEKTI U OSNOVNIM STRUKTURAMA POLUPROVODNIČKIH ELEKTRONSKIH KOMPONENTI jačinu doze γ zračenja 109 cGy/s). su tranzijentne struje. Elektroni i šupljine generisani van oblasti prostornog naelektrisanja takođe stvaraju tranzijentno povećanje struje manjinskih nosilaca. odgovarajući difuzioni gradijent raste. što predstavlja čest slučaj u modernim analognim integrisanim kolima namenjenim za rad na niskim naponima. Zbog toga je značajnije ispitivanje mehanizama nastanka fotostruja. Ipak samo nosioci naelektrisanja na rastojanju od jedne difuzione dužine sa obe strane pn spoja. i superponiraju se na postojeće struje rekombinacije. izazivajući povećanje provodnosti poluprovodnika i proticanje struja u smerovima u kojima su obično "blokirane". nosioci naelektrisanja će preći preko pn spoja za svega nekoliko ns. Ova struja se zove zakasnela komponenta fotostruje. mogu sa izvesnom verovatnoćom da pređu u drugu oblast. Povećanje provodnosti je posebno značajno kod korišćenja slabo dopiranog poluprovodnika. Pomenuti elektroni i šupljine čine trenutnu fotostruju. odnosno jedne dužine slobodnog puta naelektrisanja ( Ln  Dn ) . Ako se predpostavi dejstvo kratkog impulsa jonizujućeg zračenja na direktno polarisan pn spoj. id. zbog povećanja gradijenta struje manjinskih nosilaca iizazvane pojavom radijacionog impulsa. dolazi do nagle promene koncentracije manjinskih nosilaca. nastale kao odziv na impuls. Obe struje ip i id .

širina oblasti prostornih naelektrisanja. Za neograničeno trajanje radijacionog imulsa. definiše se fotostruja ustaljenog stanja.jačina t doze jonizujućeg zračenja.60) U npn tranzistoru elektroni difunduju iz baze. kod npn tranzistora se struja šupljina koje ulaze u bazu pojačava proporcionalno koeficijentu 94 . Međutim.ravnotežna koncentracija šupljina u n oblasti. J p . . t  p  0. dok je 0+ . Zakasnela fotostruja predstavlja razliku graničnih uslova sa obe strane pn spoja:  n p  0.srenje vreme života šupljina.granična koordinata spoja u n oblasti. Primarne fotostruje (trenutna i zakasnela) su predstavljene opštim izrazima za pn spoj.  p .58) gde je A – površina spoja. t  id  eA  D p n  Dn  x x    (5. Na sličan način može da se napiše i relacija za elektrone: n p t  Dn  2np x 2  np  np0 n G t   J n  eDn  n p  x  (5.59) gde je 0. I ss : I ss  eAGss  Wt  L p  Ln   Gss   g D t (5. odnosno za ustaljeno stanje. D p . a šupljine prelaze u bazu iz kolektora i emitora.koncentracija šupljina u n oblasti.difuziona konstanta šupljina u silicijumu.granična kooordinata u p oblasti. G(t) – nivo generisanja nosilaca pod uticajem jonizujućeg zračenja.gustina fotostruje šupljina.  g D konstanta generisanja parova elektron-šupljina u silicijumu.. pn 0 .RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA gde je pn .57) Trenutna fotostruja može da se predstavi izrazom: id  eAWt G  t  (5. Wt .

baza i emitor trenutno postaju povezani preko strimera niske impedanse. ako se posmatra fotostruja baze.5 RADIJACIONI EFEKTI U OSNOVNIM STRUKTURAMA POLUPROVODNIČKIH ELEKTRONSKIH KOMPONENTI strujnog pojačanja tranzistora. Kod vrlo velikih jačina doze. stvarajući veliku kolektorsku struju. Takođe. isto kao i one koje difuzijom prelaze u oblast baze iz kolektora i emitora. Tranzistor je tada u sprezi sa zajedničkim emitorom. Šupljine u aktivnom delu baze. što rezultuje i pojavom velike. Ako su odgovarajuće lateralne struje dovoljno velike. pri određenoj jačini doze fotostruja postaje nelinearna. Ova struja stvara lateralni pad napona paralelno spojevima baza-emitor i baza-kolektor. teku lateralno prema kontaktu baze. u spojno izolovanim bipolarnim integrisanim kolima usled pojave impulsa jonizujućeg zračenja izuzetno velike jačine doze (~10 9 cGy/s) može da dođe do aktiviranja parazitnog tiristora kroz supstrat kola (eng.1. Ova pojava je veoma retka u poljima jonizujućeg zračenja. 5. Središnji deo spoja baza-emitor je u većoj meri direktno polarisan u odnosu na periferiju. godine da sa smanjenjem jačine doze jonizujućeg zračenja ispod 10 cGy/s dolazi do otkaza integrisanog kola sa bipolarnim tranzistorima pri znatno manjim apsorbovanim dozama zračenja. Kada je jonizujuće zračenje dovoljno prodorno. Jačina doze jonizujućeg zračenja u Zemljinoj orbiti je reda 10-3 cGy/s. Ova fotostruja visoke gustine može da postane električno nestabilna. koja se pojačava proporcionalno koeficijentu strujnog pojačanja. stvarajući drastično uvećanu fotostruju oko kontakta emitora. što znači da na satelitima može da dođe do otkaza integrisanih kola pri mnogo manjoj ukupnoj apsorbovanoj dozi zračenja od doze verifikovane u laboratorijskim uslovima.2 Efekat malih jačina doza u bipolarnim tranzistorima Enlou i saradnici [35] uočili su 1991. pad napona na spoju baza-emitor može da premaši probojni napon BVEB0. što je mnogo manji nivo od jačina doza korišćenih pri laboratorisjkim ispitivanjima (D`=50 – 300 cGy/s). većih od 108 cGy/s. Odnos između stepena oštećenja kola pri 95 . Ako se to desi. Na ovaj način u kolektoru nastaje sekundarna fotostruja. nelinearne fotostruje. β. pa potencijal emitora i centralnog dela ostaju u fazi.4. ali predstavlja čest uzrok poremećaja u bipolarnim i MOSFET tranzistorima u poljima protona i teških jona. što može da dovede do proboja pn spoja. kao u slučaju dejstva radijacionog imulsa velike jačine doze. parovi elekron-šupljina u silicijumu nastaju homogeno. dok se nakon daljeg povećanja jačine doze vraća linearnost promene fotostruje. latch-up). Još jedna posledica pojave fotostruja na pn spojevima je nastajanje prenapona.

jer počinje proces 96 . nastalo od zahvaćenih šupljina u blizini spoja silicijum-oksid.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA maloj i velikoj jačini doze karakteriše faktor uvećanja (eng. Model prostornog naelektrisanja je naknadno proširen uključivanjem dodatnih zahvata elektrona na velikim jačinama doze. ukazujući na "ubrzani" test za ispitivanje uticaja male jačine doze. Na visokim temperaturama su jonizaciona oštećenja manje izražena u odnosu na niže temperature. pri velikim jačinama doze stvara lokalno električno polje koje usporava transport jona H + ka spoju Si-SiO2. na satelitima NASA-e. gde se lakše rekombinuju sa elektronima u silicijumu. Razvoj modela prostornih naelektrisanja doveo je do sledećih zaključaka: 1) osetljivost na uticaj zračenja male jačine doze je najveći kada nema prisutnog električnog polja i smanjuje se sa povećanjem jačine električnog polja. formirani su brojni modeli za tumačenje uočenih fizičkih mehanizama. Pretpostavku u velikoj meri potvrđuju rezultati istraživanja dobijeni upoređivanjem rezultata laboratorijskih ispitivanja i praćenja karakteristika operacionog pojačavača LM124 i komparatora LM139 u svemiru. Nakon otkrića efekta malih jačina doza u bipolarnim tranzistorima. lansiranih u orbitu 1997. Analitički modeli su korišćeni da pokažu da prostorno naelektrisanje.01 cGy/s. a potom je dodato i objašnjenje smanjenja koncentracije spolnih zahvata i kompenzacije akceptorskih primesa bora u silicijumu izazvanog reakcijama sa vodonikom. Pri malim jačinama doze ima dovoljno vremena da se šupljine oslobode i dođu do spoja poluprovodnik-oksid. Uočeno je da ispitivanje kola sa jačinom doze γ zračenja 100 cGy/s (izvor 60Co.25 MeV). približno odgovara oštećenju nastalom pri jačini doze 0. na temperaturi 100°C. 2) prostorno naelektrisanje na velikim jačinama doze se smanjuje sa povećanjem temperature. smanjujući gustinu spojnih zahvata. pa ne postoji prostorno naelektrisanje u dubini oksida. Prostorno naelektrisanje sa velikim jačinama doze izaziva zahvat šupljina u blizini spoja. Uzrok ovakve pojave je oporavak plitkih zahvata elektrona i šupljina na visokoj temperaturi. čije su uobičajne vrednosti 2 – 5. Metastabilni zahvati šupljina u kompleksima vakancija kiseonika u unutrašnjosti silicijum-dioksida izazivaju usporavanje transporta jona vodonika ka spoju Si-SiO2. EF). 1. godine [36]. enhancement factor.Metastabilni zahvat šupljine je identifikovan kao Eδ` centar. za istu apsorbovanu dozu zračenja. U modelu "prostornog naelekktrisanja" povećana osetljivost na uticaj zračenja malih jačina doze protumačena je smanjenjem gustine zahvaćenih pozitivnih naelektrisanja na Si-SiO2 prilikom izlaganja velikim jačinama doze zbog postojanja prostornog naelektrisanja u oksidu.

nezavisni mehanizmi osetljivosti na male jačine doze lateralnih i supstratskih pnp tranzistora. Prilikom razvoja modela prostornih naelektrisanja naglašeno je da efekat plitkih zahvata elektrona predstavlja glavni faktor koji utiče na "pravu" osetljivost npn tranzistora na male jačine doze. Duboko zahvaćene šupljine imaju veće aktivacione energije. u odnosu na komponentu koje su prvi put izložene zračenju.5 RADIJACIONI EFEKTI U OSNOVNIM STRUKTURAMA POLUPROVODNIČKIH ELEKTRONSKIH KOMPONENTI oporavka plitkih zahvata naelektrisanja. koji se sastoje od ozračivanja uzorka na sobnoj temperaturi sa velikom jačinom doze. pored "pravih" efekata jačine doze prisutan je i uticaj vremenski zavisnih efekata. poput usporenog transporta šupljina u debelim oksidima pri slabim električnim poljima i sporo formiranje spojnih zahvata. Pozitivna naelektrisanja. Zaključeno je da su prilikom prvog ozračavanja formirani dodatni defeki na spoju poluprovodnik-oksid koji reaguju sa sporo pokretnim česticama koje se kreću ka spoju tokom drugog ozračivanja. nakon koga se ponavlja ceo postupak ozračivanja i oporavka. kada nosioci naelektrisanja napuštaju oksid. nakon oporavka. dok su vremenski zavisni efekti. nije napravljenja razlika između "pravih" efekata jačine doze i vremenski zavisnih efekata. Zato je "faktor uvećanja" u analognim bipolarnim integrisanim kolima definisan kao odnos apsorbovanih doza zračenja male i velike jačine doze pri kojima dolazi do otkaza kola. čime se povećava električno polje na spoju Si-SiO2. Budući da se vremena apsorbovanja iste doze u pomenutim slučajevima značajno razlikuju. Zbog ranog definisanja "faktora uvećanja" na komplementarnim npn i pnp tranzistorima sa emitorom od polikristalnog silicijuma. potom oporavka kola od izlaganja zračenju na visokoj temperaturi. U oba slučaja su uzorci izlagani zračenju velike jačine doze. Na ovaj način se maksimalno povećava uticaj vremenski zavisnih efekata. U eksperimentima je uočeno dva do tri puta veća degradacija kod integrisanih kola koja su ozračavana drugi put. identifikovan je još jedan mehanizam koji može da bude vezan latentne spojne zahvate. Ovi rezultati su doveli do definisanja ubrzanih testova za ispitivanje male jačine doze. 97 . Pored "pravih" efekata male jačine doze i vremenski zavisnih efekata. odnosno šupljine. odnosno dolazi do akumuliranja naelektrisanja u malom delu oksida. Pri jačim dozama od oko 1 cGy/s pozitivnog naelektrisanja oksida i površinskog naelektrisanja na spoju Si-SiO2. I ukupno pozitivno naelektrisanje je povećano u slučaju malih jačina doze. pa ostaju zahvaćen i na visokim temperaturama. nalaze se bliže spoju Si-SiO 2 prilikom ozračavanja kola malim jačinama dozeu odnosu na velike jačine doze.

Zahvat pozitivnih naelektrisanja u oksidu (eng.VBE    N ot . u opštem slučaju. "depletion layer boundary" – granica oblasti prostornog naelektrisanja) Osnovno pitanje koje se nameće pri analizi relacije (5.14. kao što je navedeno. ili na promenu raspodele naelektrisanja na taj način da povećava rekombinaciju u silicijumu.3 Zavisnost efekata malih jačina doze od koncentracije zavaćenih naelektrisanja Izraz za promenu struje baze u funkciji koncentracije zahvaćenh spoljnih stanja i pozitivnih naelektrisanja u oksidu.61) je analitički oblik uticaja jačine doze. N it .61) Slika 5.4. VBE  e 2 kT 2 (5. došlo do zaključka da Not prvenstveno utiče na degradaciju npn tranzistora. zbog toga što se oblast prostornog 98 . može da se predstavi na sledeći način: qVBE 1 I B  qni PE s  N ot . iako se smatralo da su npn tranzistori osetljiviji. odnosno način na koji jačina doze utiče na akumuliranje naelektrisanja u oksidu. dok je Nit ključanfaktor koji utiče na osetljivost pnp tranzistora na jonizujuće zračenje malih jačina doze.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA 5. U prethodnim istraživanjima se. Može da se izvede opšti zaključak da smanjenje jačine doze utiče na povećanje koncentracije Not i Nit.1.

64) . odnosno uticaj koncentracije spojnih zahvata na karakteristike pnp tranzistora. defektni atomi mogu da formiraju veze sa nečistoćama koje postoje u rešetki. Širenje oblasti prostornih naelektrisanja ispod lokalnog oksida na spoju baza-emitor predstavlja uslov za pojavu zasićenja uticaja zahvaćenih naelektrisanja u oksidu na smanjenje koeficijenta strujnog pojačanja npn tranzistora. za pnp tranzistor N ot2 (5. Pretpostavljeni uzrok veće osetljivosti pnp tranzistora je velika razlika u debljini izolacionog oksida.4. Za bipolarne tranzistore može da se definiše. annealing) predstavlja parcijalno ili potpuno otklanjanje posledica uticaja radioaktivnog zračenja na integrisano kolo. ali može da dovede i do dalje degradacije.63) I B : N it Navedene empirijske relacije potvrđuju jak uticaj koncentracije zahvata naelektrisanja u oksidu na karakteristike npn tranzistora. formiranjem stabilnih defekata sa nečistoćama.62) 1 . 5. Nakon ozračavanja se većina defekata rekombinuje na sobnoj temperaturi nakon nekoliko časova. faktor oporavka. F(t). Ipak. u zavisnosti od vremena. Peršenkov i saradnici su pretpostavili empirijske relacije za određivanje uticaja spojnih zahvata i zahvata u oksidu na uvećanje struje baze npn i pnp tranzistora [37]: 2 I B : N it e Not .5 RADIJACIONI EFEKTI U OSNOVNIM STRUKTURAMA POLUPROVODNIČKIH ELEKTRONSKIH KOMPONENTI naelektrisanja na spoju baza-emitor širi u slabo dopiranu bazu.  99 0 1    N it  (5. pa je električno polje usled zahvaćenih pozitivnih naelektrisanja u oksidu jače. koji je kod pnp tranzistora oko tri puta deblji nego kod npn tranzistora.2 OPORAVAK BIPOLARNIH TRANZISTORA OD UTICAJA RADIOAKTIVNOG ZRAČENJA Oporavak (eng. Zato oporavak može da izazove poboljšanje karakteristika kola u periodu posle ozračavanja kroz rekombinaciju. i ove veze postaju stabilne na sobnoj temperaturi. za npn tranzistor (5.

RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA gde je β(t) – strujno pojačanje tranzistora nakon vremena t po prestanku ozračavanja. U slučaju postojanja spoljašnjeg napona na tranzistoru ili povišene temperature. Važan proces kod oporavka bipolarnih tranzistora nakon dejstva jonizujućeg zračenja je "oporavak" dubokih zahvata pozitivnih naelektrisanja (šupljina) u oksidu (SiO2). ali i njihovo veoma sporo oslobađanje. 100 . β(0) – strujno pojačanje tranzistora pre ozračivanja. oslovađanje zahvaćenih naelektrisanja traje od nekoliko ms do nekoliko godina. β(  ) – strujno pojačanje tranzistora nakon beskonačno dugog vremena oporavka. odnosno povećanjem pokretljivosti nosilaca. za različite temperature nakon ozračavanja. Nakon prestanka ozračavanja. dolazi do kretanja naelektrisanja. proces izohornog oporavka. u zavisnosti od kvaliteta oksida. Oporavak kola na konstantnoj temperaturi predstavlja proces izotermičkog oporavka. sa niskim faktorom dielektričnih gubitaka. Osobina kvalitetnih oksida. Do kompenzacije naelektrisanja dolazi rekombinovanjem elektrona iz silicijuma i pozitivnih naelektrisanja oslobođenih iz oksida. dok je oporavak u fiksnom vremenskom intervalu. jeste spor zahvat naelektrisanja. izazvanih električnim poljem ili termičkim pobuđivanjem. Na oporavak tranzistora posle ozračivanja znatno utiču temperatura i polarizacija.

ali zbog velike debljine oksida 101 . Parazitni tokovi struje mogu da se uspostave ispod debelih slojeva lokalnog oksida. Prikaz parazitnih MOSFET tranzistora paralelnih osnovnom MOSFET tranzistoru u oblastima ispod lokalnog oksida. Kada se debljina oksida parazitnog tranzistora poveća. odnosno uspostavljanja provodnog kanala ispod oksida i gejta. kapacitivnost gejta se smanjuje. odnosno može da zahvati veliku količinu pozitivnih naelektrisanja. može da dođe do porasta površinskog potencijala preko Fermijevog nivoa i inverzije površinskog sloja poluprovodnika. Slika 5. odnosno kapacitivnosti gejta. pa se napon praga smanjuje. ali drugačije debljine oksida.5 RADIJACIONI EFEKTI U OSNOVNIM STRUKTURAMA POLUPROVODNIČKIH ELEKTRONSKIH KOMPONENTI 5. Parazitne putanje prikazane na slici 5. Parazitni MOSFET tranzistor može da se predstavi kao paralelna veza više tranzistora iste širine Δwi dužine kanala L. Napon praga parazitnog tranzistora može da bude reda 1 – 10 V.16. Ukoliko se zahvaćeno naelektrisanje uoksidu poveća u dovoljnoj meri. lako nastaju prilikom ozračivanja integrisanih kola zbog toga što je oksid debeo.3 PARAZITNI MOSFET TRANZISTOR U BIPOLARNIM INTEGRISANIM KOLIMA Zahvat naelektrisanja u izolacionom oksidu bipolarnog integrisanog kola može da dovede do aktiviranja parazitnog MOSFET tranzistora.4. uz postojanje polarizacije iznad oksida posredstvom metalizacije postojećih elektroda bipolarnih tranzistora. kao i u oblastima "ptičjeg kljuna".15.

kao i od kvaliteta i geometrije oksida.65) gde je 0 . Promena pokretljivosti nosilaca naelektrisanja u indukovanom kanalu MOSFET tranzistora u funkciji promene koncentracije spojnih stanja može da se predstavi sledećom empirijsko relacijom:  0 1    N it (5. Zbog toga spojni zahvati umanjuju negativan uticaj zahvaćenih pozitivnih naelektrisanja u dubini oksida.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA nakon ozračivanja i pomeraj ΔVT može da bude istog reda veličine. Smanjenje pokretljivosti nosilaca utiče na smanjenje struje 102 . Prilikom ozračivanja dolazi do kretanja karakteristika parazitnih tranzistora i njihovo superponiranje sa karakteristikom glavnog tranzistora. Prenosne karakteristike osnovnog MOSFET tranzistora i parazitnih tranzistora.pokretljivost nosilaca pre ozračivanja. Oblik karakteristike ID = f(VGS) jako zavisi od apsorbovane doze zračenja.tehnološki parametar. odnosno najizraženije transliranje prenosne karakteristike. Parazitni tranzistor sa najdebljim oksidom gejta ima najveću promenu napona praga. izazivajući proticanje struje kroz parazitni tranzistor. dok spojna stanja imaju dominantan uticaj na smanjenje pokretljivosti nosilaca parazitnih MOSFET tranzistora. smanjujući provodnost kanala aktiviranog MOSFET tranzistora.  .16. Zahvaćena pozitivna naelektrisanja u oksidu utiču na pomeranje napona praga. Slika 5.

5 RADIJACIONI EFEKTI U OSNOVNIM STRUKTURAMA POLUPROVODNIČKIH ELEKTRONSKIH KOMPONENTI između drejna i sorsa. 103 . odnosno transkonduktanse MOSFET tranzistora. a) b) Slika 5. koja je proporcionalna pokreljivosti nosilaca  u linearnoj oblasti odnosno  u oblasti zasićenja MOSFET tranzistora (za konstantnu struju). Dva moguća slučaja efekta pomeranja prenosnih karakteristika parazitnih MOSFET tranzistora na glavnom tranzistoru.17.

Magnetne i optičke memorije se uglavnom koriste za memorisanje velikog broja digitalnih informacija.1 POLUPROVODNIČKE MEMORIJE Memorije u digitalnim sistemima predstavljaju sklopove u koje se može upisati i iz kojih se može pročitati informacija. Sa logičke tačke gledišta. Zavisno od medijuma na kome se informacija pamti. Vreme upisa i čitanje informacija u ovim memorijama je relativno dugačko. tako da se posle željenog vremenskog intervala mogu ponovo koristiti. tj. memorija je organizovana kao marica ćelija. Pri digitalnoj obradi informacija memorije imaju zadatak da prihvate i trajno upamte binarne informacije.6 POLUPROVODNIČKE MEMORIJE I RADIJACIONA OŠTEĆENJA 6. ima po 16 bita. najčešće se koriste poluprovodničke. zbog neophodnih mehaničkih . Danas se mogu napraviti takvi memorijski sklopovi u koje je moguće upisati sve pisane tekstove na svetu. Svaki red u matričnom memorijskom polju ima svoju adresu pomoću koje se ta lokacija može adresirati.1. radi upisa ili čitanja informacije. magnetne i optičke memorije. pri čemu se u jednu ćeliju može upisati jedna binarna cifra. Ćelije su grupisane po redovima matrice: Slika 6.1. Svaki red matrice na slici 6. jedan bit. Matrična organizacija memorije.

petabajt (1024 terabajt) itd. kod koje je fizički i vremenski proces upisa različit od procesa čitanja sadržaja. Kod poluprovodničkih memorija postoje dva osnovna tipa. poslednjih godina je došlo do izuzetno značajnog razvoja poluprovodničkih memorija. volatile memory) pa ona služi za privremeno skladištenje podataka za vreme rada računara. Da bi informacija ostala zapamćena u dinamičkoj memoriji. jer informacija ostaje zapisana i kada se isključi električno napajanje.6 POLUPROVODNIČKE MEMORIJE I RADIJACIONA OŠTEĆENJA pomeranja diska ili trake. . Ove memorije su postojane i u računarima služe da čuvaju sistematske programe za koje je potrebno da budu stalno raspoloživi. 1 kilobajt (KB) =210 =1024 bajta. RAM . velike brine kao i pogodnosti u pogledu svoje organizacije. postale najznačajniji memorijski medijumi za ugradnju unutar računarskih sistema i drugih digitalnih uređaja. što bi trebalo da označi da je vreme potrebno za čitanje ili upis podataka nezavisno od adrese na kojoj se čitanje ili upis obavlja). Kapacitet memorije se kreće u vrlo širokom opsegu. Informacija upisana u statičku memoriju ostaje zapamćena sve dok je memorija priključena na napon napajanja. izuzetno važna karakteristika svake memorije je kapacitet meomorije. u zavisnosti od namene memorije. 1 megabajt (MB) = 220 =1048576 bajta. Poluprovodničke memorije mogu biti statičke i dinamičke. inače se informacija gubi. Najbolji primer za ovo je BIOS. eng. neophodno je periodično obnavljati sadržaj "osvežavanje memorije". One su zbog sve nože cene. nepostojane memorije. Read Only Memory). zatim MOSFET tehnologiji i kao CCD elementi. Drugi tip je ROM memorija (eng. Informacija u poluprovodničkim RAM memorijama gubi se čim se isključi napajanje (tzv. i za koje se ne očekuje da će se često menjati za vreme eksploatacije računara. Naravno. postoje i veće jedinice. Veće jedinice za određivanje kapaciteta memorije su: 1 bajt (B) = 23 = 8 bita. kao što su terabajt (1024 gigabajta). 1 gigabajt (GB)= 230 =1073741824 bajta. ali sa naznakom koliko bita ima svaka reč. Poluprovodničke memorije se izrađuju u bipolarnoj. Pored brzine.Random Access Memory . Poželjno je da memorija ima što veći kapacitet. koji je upisan u memoriju ROM tipa. prvi tip je poluprovodnička memorija u koju se informacija može i upisati i iz nje pročitati u proizvoljnom trenutku-RAM memorija (eng.memorija sa proizvoljnim pristupom. Kapacitet memorije se izražava u broju bita ili češće u broju reči. velike gustine pakovanja. Magnetne i optičke memorije pripadaju klasi postojanih memorija.

Podaci smešteni u ROM-u su uvek tamo. a kada je sadržaj upisan. i čije je matrično polje realizovano u diodnoj ILI logici. Zbog toga ROM spada u klasu postojanih memorija. a na izlazu ROM-a se dobija Grejov kod. Ovu su stalne memorije opšte primene. Integrisano kolo ROM memorije može biti izvađeno iz računara duži vremenski period i onda ponovo vraćeno. One bi se mogle nazvati „memorijom koja uglavnom služi za čitanje” (eng. Postoji nekoliko vrsta ROM memorija čiji se sadržaj može promeniti pod određenim uslovima. . Najvažniju namenu su našle kao stalne memorije u računarima. Na slici 6. na primer: za generisanje binarnih reči. pa računar može da ga iskoristi za podizanje sistema. ROM se najčešće koristi za smeštanje sistmskih programa . memorija može samo da se čita. na ulaz se dovodi binarni kod. konverziju brojeva. koji se čuva u posebnom ROMu na matičnoj ploči računara.1.1. tada je samo adresna linija W 0= 1. Sama činjenica da se sadržaj ROM-a ne može tako lako promeniti obezbeđuje određeni nivo sigurnosti protiv slučajnih promena njegovih sadržaja. Read-Mostly Memory).6. Znači da je program dostupan kada se uključi napajanje. za koje želimo da budu na raspolaganju računaru u svako doba. Koriste se za programe koji se masovno proizvode i ne menjaju se često. Kada je kod adresnih signala na ulazu dekodera A2A1A0 = 000. bez obzira da li je priključeno napajanje. a sve ostale od W1 do W7 su nula. generisanje različitih funkcija. Kada adresna linija W0 nije preko diode fizički spojena ni na jednu liniju podataka izlazni kod će biti D2D1D0 = 000. i kasnije se ne može izbrisati I ponovo upisati. 6.1 Mask ROM Mask ROM je memorija čiji se sadržaj upisuje u fabrici u toku procesa proizvodnje. Dakle. Najbolji primer je sistemski ROM BIOS program. i podaci će još uvek biti u njemu. i koriste se.1. u telefoniji za određivanje vrste i tipa priključka itd. Ako je A2A1A0 = 111.1 ROM ROM memorija sa konstantnnim sadržajem u koju se posebnim postupkom upisuje željena informacija.2. poslednja adresna linija je tada W 7 = 111. One se proizvode sličnim tehnološkim postupkom kao i mikroprocesori. pa je izlazni kod iz ROM-a sada D2D1D0 = 100. je prikazana memorija koja predstavlja pretvarač binarnog koda u Grejov kod.

Ćelija ROM memorije realizovane u NILI logici sa NMOS tranzistorima. Primer memorije sa sadržajem upisanim u toku procesa proizvodnje: pretvarač binarnog koda u Grejov kod.6 POLUPROVODNIČKE MEMORIJE I RADIJACIONA OŠTEĆENJA Slika 6.3.3.2. Umesto diodne ILI logike za definisanje sadržaja ROM-a mogu da se koriste bipolarni tranzistori ili MOSFET tranzistori. je prikazana jedna ćelija ROM-a sa NMOS tranzistorima čije su ćelije . Na slici 6. Slika 6.

Tada kroz osigurač i diodu protekne struja većeg intenziteta koja pregore osigurač in a taj način raskine vezu adresne i liniju podataka.1. . Ako je adresna linija. a na liniju podataka gde treba odstraniti diodu dovodi se negativan impuls.a). Ako adresna linija nije na 1. odnosno naponu logičke 1. da se na svim ćelijama matričnog polja nalaze diode u rednoj vezi sa topljivim nikl-hrom osiguračima. na nivou logičke 1 provodi N kanalni MOSFET pa samim tim odvodi liniju podataka na naponski nivo logičke 0. Ćelija PROM-a a) sa topljivim nikl-hrom osiguračem.4. Slika 6.1. Kada memorija nije programirana sve adresne linije su preko osigurača i diode spojene na liniju podataka.4. koju može da programira sam korisnik prema svojim potrebama. N kanalni MOSFET ne provodi i linija podataka je na naponskom nivou napona napajanja VDD. kao što je prikazano na slici 6.2 PROM PROM je programabilna ROM memorija. Pregorevanje se vrši sukcesivno tako što se adresira reč po reč. koja je inače vezana za gejt. b) sa NMOS tranzistorom.matričnog polja realizovane pomoću NILI logike. Diodna PROM memorija je proizvedena tako. 6. Korisnik sam programira memoriju tako što izazove pregrevanje osigurača na mestima gde želi da mu bude logička 0.

6 POLUPROVODNIČKE MEMORIJE I RADIJACIONA OŠTEĆENJA

PROM memorija se može uraditi is a NMOS tranzistorima pri čemu su
osigurači redno vezani sa drejnom svakog tranzistora (slika 6.4.b). ova
memorija je proizvedena tako da su na svim mestima postavljeni
tranzistori sa osiguračima, što znači da je na svim adresama memorije
sadržaj svih bita logička 0. Programiranje se obavlja pregorevanjem
osigurača, tako što se na odgovarajući izlazni priključak D dovede impuls
čija je amplitude veća od VDD. Naravno i ovde se adresiranje vrši
postupno reč po reč. Programiranje PROM memorija se vrši pomoću
specijalnog uređaja koji se zove PROM programator. U programator se
pomoću računara upiše željeni sadržaj memorije, a zatim se sukcesivno
adresiraju sve adrese priključene PROM memorije i dovede impuls, koji
pregori odgovarajuće osigurače. Glavni nedostatak ovih memorija je što
se jedanput upisan sadržaj više ne može menjati.
6.1.2 EPROM
EPROM memorije (eng. Erasable Programmable Read Only
Memory) kao memorijske elemente koristi MOS tranzistore sa izlovanim
gejtom (slika 6.5).

Slika 6.5. Ćelija EPROM-a koja kao memorisjki element koristi
MOS transistor sa izolovanim gejtom
Svi tranzistori u memorijskoj matrici imaju po dva gejta.
Izolovani gejt je praktično okružen idealnim izolacionim materijalom
(SiO2) is a neizolovanim gejtom predstavlja kapacitivni razdelnik napona.
Kada memorija nije programirana napon logičke 1 na adresnom liniji je
dovoljan da preko kapacitivnog razdelnika formira kanal MOS

tranzistoru, pa je sadržaj svih lokacija 0. Programiranje memorije se vrši
na taj način što se na liniji podataka i adresnu liniju dovodi visok napon
(oko 25V) koji izaziva veliku struju drejna. Ova struja stvara veliko
ubrzanje elektrona, koji usled nedestruktivnog kretanja probijaju izolaciju
i akumuliraju se na izolovanom gejtu. Sada je izolovani gejt na
negativnom potencijalu (oko – 5V) pa napon logičke 1 na adresnoj liniji
od 5V nije dovoljan da formira kanal u MOS tranzistoru, te je sada na
tom mestu upisana logička 1. Ovako programirana memorija ne menja
sadržaj više od 10 godina. Ako se ovako programirana memorija izloži
dejstvu ultraljubičaste svetlosti u vremenu oko 20 minuta, sadržaj se gubi
jer SiO2 postaje slabo provodan i elektroni napuštaju izolovani gejt. Svaki
čip ima mali stalkleni prozor ugrađen na vrh kućišta ROM memorije, i
kroz njega se može videti unutrašnjost memorijskog čipa. EPROM se
može u svako doba obrisati tako što se kroz ovaj prozorčić osvetli
unutrašnjost čipa u komori sa UV svetlošću. Posle ovog čipa se može
ponovo programirati. Očigledno, ovo je mnogo korisnije od običnog
PROM-a, al ii dalje zahteva posebno svetlo za brisanje.

6 POLUPROVODNIČKE MEMORIJE I RADIJACIONA OŠTEĆENJA

6.2 RADIJACIONA OŠTEĆENJA U
POLUPROVODNIČKIM MEMORIJAMA
S obzirom da osobine većine MOS uređaja ne zavise značajnije od
vremena života manjinskih nosilaca, oni su relativno neosetljivi na
oštećenja izmeštanjem atoma kristalne rešetke. Iako je moguće uočiti
povećanje struja curenja nap n spojevima u ozračenim MOS
tranzistorima, kao i izvesne uticaje izmeštanja atoma pri prolasku
pojedinačnih jona kroz MOS structure malih dimenzija, generalno su
oštećenja izmeštanjem kod MOS-ova od sekundarnog značaja. Pri
izlaganju MOS structure dejstvu joizujućeg zračenja najznačajnije
promene izaziva jonizacija u oksidu (SiO2) i poluprovodniku (Si). Širina
energetskih procepa silicijum-dioksida i silicijuma su 9 eV i 1,1 eV,
respektivno.
6.2.1 RADIJACIONA OŠTEĆENJA KOJA ZAVISE OD
UKUPNE APSORBOVANE DOZE
Kod ozračenih MOS tranzistora, kao posledica ukupne apsorbovane
doze javljaju se pomeraj napona praga i smanjenje pojačanje, dok rad
integrisanih kola izrađenih u MOS tehnologiji može da bude usporen, sa
povećanim strujama curenja i mogućnošću potpunog otkazivanja.
Oštećenja koja izazivaju efekte zavisne od ukupne doze dešavaju se
izolatorkom sloju (oksidu) MOS struktura.
Radijaciona oštećenja u oksidnom sloju sastoje se od tri
komponente: pojave naelektrisanja zarobljenog u oksidu, povećanja broja
zamki na razdvojnoj površi i porasta broja zamki u unutrašnjosti oksida.
Procesi koji dovode do pojave ovih oštećenja šematski su prredstavljeni
na slici 6.6.
Jonizujuće zračenje generiše parove elektrone i šupljina u oksidu.
Ovi nosioci naelektrisanja mogu se rekombinovati ili kretati kroz oksid.
Elektroni su veoma pokretni u SiO2 i brzo stižu do kontakta. Nasuprot
ovome, efektivna pokretljivost šupljina je niska i njihov transport kroz
oksid je složen stohastički process. Jedan deo šupljina biva zarobljen i
čini pozitivno naelektrisanje u oksidu. Ostale šupljine stižu do SiO 2/Si
razmeđe, gde bivaju zahvaćene od strane postojećih defekata i mogu da
učestvuju u stavarnju površinskih zamki.

Slika 6.6. Dijagarm procesa putem kojih jonizujuće zračenje dovodi do
nastanka naelektrisanja zarobljenog u oksidu, neutralnih zamki i
površinskih zamki
Pored stvaranja parova electron-šupljina, jonizujuće zračenje koje
prolazi kroz oksid može da raskida hemijske veze u SiO 2 strukturi. Neke
od ovih veza mogu ponovo da se uspostave putem rekombinacije
elektrona i šupljina, dok druge ostaju raskinute proizvodeći električno
aktivne defetke.

6 POLUPROVODNIČKE MEMORIJE I RADIJACIONA OŠTEĆENJA

Ovi defekti mogu da čine centre zahvata nosilaca unutar oksida ili
površinske zamke za nosioce, ukoliko se pojave na SiO 2/Si razmeđi.
Vodonikovi atomi i hidroksilne grupe prisutni su u oksidu u vidu
nečistoća. Raskidanjem veza između ovih nečistoća i ostatka strukture
oksida one postaju slobodne i mogu da migriraju ka SiO 2/Si razdvojnoj
površi, na kojoj učestvuju u reakcijama čiji su krajnji proizvod
površinske zamke. Defekti nastali dejstvom zračenja unutar oksida
takođe mogu da se kreću pod dejstvom napona kristalne rešetke u blizini
SiO2/Si razdvojne površi, da bi konačno doveli do obrazovanja
površinskih zamki.
Kako je broj generisanih parova elektron-šupljina direkno
proporcionalan energiji koju zračenje preda oksidu, obim radijacionih
oštećenja u vidu zarobljenog naelektrisanja i površinskih zamki je takođe
proporcionalan ukupnoj apsorbovanoj dozi zračenja koju oksid primi.
Ukupna doza izražava se u jedinicama Gy (SiO2), odnosno Gy (Si) ako se
radi o dozi u poluprovodniku.
Ukupno zarobljeno naelektrisanje u ozračenom oksidu je najčešće
pozitivno. Površinske zamke mogu slobodno da razmenjuju
naelektrisanje sa silicijumskim supstratom, zbog čega znak njihovog
naelektrisanja zavisi od primenjenog napona – u većoj meri su
negativnog naelektrisanja ukoliko je napon na gejtu pozitivan. Sa
povećanjem ukupne apsorbovane doze količina naelektrisanja
zarobljenog u oksidu kao i broj površinskih zamki monotono raste.
Radijacionim ošvršćavanjem materijala u MOS strukturi moguće je deo
šupljina generisanih zračenjem koje ostanu zarobljene u oksidu svesti na
svega par procenata. U radijaciono ojačanom oksidu , broj površinskih
zamki nastalih dejstvom zračenja takođe se svodi na samo par procenata
broja generisanih parova elektron-šupljina. U standardnim, komercijalno
dostupnim uređajima, na bazi MOS tranzistora koji nisu radijaciono
ojačani tehnološkim postupkom, deo šupljina zarobljenih u oksidu može
biti veći od 50%, dok je broj radijaciono indukovanih površinskih zamki
takođe generalno veći.
Naelektrisanje zarobljeno u oksidu translatorno pomera C – V krivu
u negativnom smeru. Površinske zamke "razvlače" C - V karakteristiku,
tako da je potrebna veća promena napona na gejtu za postizanje iste
promene kapacitivnosti kao pre ozračavanja.
Slični efekti nastaju kod MOS tranzistora. Na slici 6.7. prikazana je
ID-VG karakteristika n-kanalnog MOS tranzistora, pre i posle ozračavanja.
Uočljivo je da se kriva pomera u levo, kao kod MOS tranzistora, što
znači da se napon praga tranzistora smanjuje, tj. da je niži napon gejta
dovoljan da uključi tranzistor. Nagib krive je manji, što ukazuje da je
potrebna veća promena napona gejta da bi se ostvarila ista promena struje

8. koji su tokom ozračavanja bili uključeni ili isključeni dovođenjem odgovarajućeg napona na gejt. trajanja ozračivanja i vremenskog trenutka u kom se posmatra MOS tranzistor. i elativne radijacione otpornosti uređaja. primenjenog napona i temperature nakon ozračavanja. tipa tranzistora. Strujno-naponska ID-VG karakteristika n-kanalnog MOS tranzistora pre i posle ozračavanja Stepen u kom će navedene promene biti zastupljene zavisi od niza faktora: ukupne apsorbovane doze zračenja. kao što su oblasti oksida koji se koristi za izolaciju aktivnih MOS struktura u kolu. Površinske zamke nastale dejstvom zračenja smanjuju pokretljivost nosilaca u kanalu MOS-a i time dovode do opadanja provodnosti kanala i transkonduktanse (prenose provodnost) tranzistora. Zanimljivo je uočiti da pri određenoj kombinaciji režima rada i vrednosti apsorbovane doze u n-kanalnom MOS-u dolazi do . primenjenog napona i temperature tokom ozralavanja. Slika 6.drejna kao pre ozračavanja. što izaziva smanjenje pojačanja. jačine doze. Ovaj efekat najuočljiviji je u potpražnoj oblasti karakteristike.7. prikazana je moguća promena napona praga n-kanalnog i p-kanalnog tranzistora. Na slici 6. odnosno da zračenje smanjuje pojačanje MOS tranzistora. što je efekat analogan onom kod MOS kondenzatora. Sa ID-VG krive još se uočava da je pri istom naponu gejta većem od pražnog struja niža nakon ozrračavanja. Iste vrste promne usled dejstva zračenja javljaju se i u parazitnim elementima prisutnim u integrisanim kolima.

Moguća je pojava kako otpuštanja. kašnjenja odziva. logički nivo signala i slično. dok druge ne uspeva da izvrši. Ovakva oštećenja kola često se očitavaju u promeni nekih ključnih parametara.6 POLUPROVODNIČKE MEMORIJE I RADIJACIONA OŠTEĆENJA povećanja napona praga iznad vrednosti pre ozračavanja. kao što su potrošnja u režimu pripravnosti (eng. od potpunog prestanka rada kola do stanja u kojima kolo pojedine operacije izvršava korektno. Radijacione promene osobina MOS tranzistora nisu stabilne tokom vremena nakon ozračavanja. stand-by).9. kao i od toga da li je polje zračenja još uvek prisutno tokom perioda otpuštanja. Promena napona praga n-kanalnog i p-kanalnog MOS konenzatora sa povećanjem ukupne apsorbovane doze. U integrisanom kolu izloženom dejstvu jonizujućeg zračenja. Primer promene struje napajanja jednog mikroprocesorskog kola u stand-by režimu i maksimalne radne frekvencije tog kola u zavisnosti od ukupne apsorbovane doze koju kolo primi dat je na slici 6. . Ove vremenski zavisne pojave zavise dodatno od temperature i napona gejta. u zavisnosti od režima rada tranzistora Promene karakteristika tranzistora mogu dovesti do znatnih izmena u funkcionisanju integrisanog kola baziranog na MOS tehnologiji. postoji velika verovatnoća da pojedinačni tranzistori budu u različitim režimima tokom ozračivanja.8. nakon ozračivanja imaju znatno različite napone praga. te da MOS-ovi istih pražnih napona pre ozračivanja. Detalji reagovanja integrisanog kola na konkretno radijaciono okruženje zavise od topologije kola i odziva pojedinih MOS tranzistora u tok kolu na ozračavanje. tako i dodatnog nagomilavanja defekata u oksidu. kao i promena ukupne količine naelektrisanja zarobljenog u oksidu. Slika 6.

Slika 6.10.9. Napon praga se vidljivo . prikazana je promena napona praga tokom i nakon ozračavanja dva n-kanalna MOS tranzistora sa različitim procesima izrade. Promena struje napajanja u stand-by režimu i maksimalne radne frekvencije mikroprocesorskog kola u zavisnosti od ukupne apsorbovane doze Slika 6. Na slici 6. pri čemu se otpuštanje po završetku ozračavanja odvijalo pri naponu gejta od +10 V i teperaturi od 100°C.10. Promena napona praga tokom i nakon ozračavanja dva n-kanalna MOS tranzistora sa različitim procesima izrade.

Pri uniformnom izlaganju MOS strukture ili kola polju zračenja visoke jačine doze. ove struje mogu znatno uticati na rad kola. promenu sadržaja memorijskih elemenata ili pogrešno izvršavanje logičke funkcije kola. unutar CMOS strukture postoje dva parazitna .2 PROLAZNA RADIJACIONA OŠREĆENJA ZAVISNA OD JAČINE DOZE Prolazni efekti zračenja su oni koji zavise od jačine doze. koji potom mogu d aobrazuju lokalnu struju relativno velike jačine. to parovi elektron-šupljina nastaju većom brzinom. ona se najčešće naziva prolaznim poremećajem (eng. Što je jačina doze veća. Jačina struje koja na ovaj način nastane je proporcionalna jačini apsorbovane doze. Ako je meka greška prouzrokovana dejstvom polja zračenja..11. Kao što je prikazano na slici 6. zbog postojanja p-n-p-n podstrukture koja može da obrazuje parazitni provodni put između napajanja i mase. Izmena sadžaja memorije. transient upset). soft errors). Ova pojava poznata je pod nazivomn odskok ili superoporavak. narušenje logičke funkcije kola i slične promene koje nisu trajnog karaktera nazivaju se mekim greškama (eng. i svojim kretanjem mogu da formiraju struje u tranzistorima i kolima. Drugi mogući slučaj pojave visoke jačine doze u MOS strukturi je prolaskom visokoenergetske naelektrisanje čestice. a ne od ukupne apsorbovane doze. npr. radijaciono generisanje struje koje se javljaju ravnomerno po čitavoj zapremini uzorka naziaju se fotostruje.6 POLUPROVODNIČKE MEMORIJE I RADIJACIONA OŠTEĆENJA menja od trenutka ukidanja polja zračenja i može dostići vrednost znatno veću od one pre ozračivanja. Pri dovoljno visokoj jačini doze (većoj od 104-105 Gy/s). 6. kako u izolatorskom sloju. odnosno brzine depozicije energije zračenja u MOS strukturi. Ovi nosioci mogu biti razdvojeni dejstvom električnog polja koje je prisutno u različitim delovima MOS strukture. Duž trajektorije visokoenergetskog jona koji prolazi kroz materijal javljaju se visoka koncentracija slobodnih nosilaca. ili čestice emitovane raspadom rezidualnih radionuklida prisutnih u kućištima integrisanih kola.2. Struje koje nastaju kao posledica ozračavanja mogu jačinom da nadmaše struje koje odgovaraju normalnom radu uređaja i da prouzrokuju neregularan rad kola. CMOS struktura je posebno podložna pojavi stanja sa velikom jačinom struje. SEU – Single Event Upset). radi se o pojedinačnom kratkotrajnom poremećaju (eng. tako i u silicijumskoj osnovi. Kada je uzrok meke greške jedan visokoenergetski jon. kao što su čestice koje sačinjavaju kosmičko zračenje.

Međutim. . Ova dva tranzistora su preko baze i kolektora vezana u kružnu vezu koja. Moguće je.11. U normalnim uslovima rada CMOS-a. latchup ne bi trebao da se događa. Jedini način da se uređaj izvede iz ovakvog stanja je ukidanje napajanja. latchup se može javiti pod dejstvom pobudne struje izazvane zračenjem. Poprečni presek CMOS invertora sa naznačenim parazitnim bipolarnim tranzistorima. pri određenim uslovima. Slika 6. može pozitivnom spregom da dovede oba tranzistora u zasićenje i tako formira niskoomski provodni put. Ovakvo stanje CMOS-a naziva se latchup. jer su naponi između baze i emitera oba parazitna bipolarna tranzistora jednaka nuli.bipolarna tranzistora (pnp i npn). pri čemu struja kroz parazitni provodni put može biti dosta velika čak i pri malim naponima napajanja (1 -2 V). Prolazni radijacioni efekti su prevashodno rezultat fotostruja generisanih zračenjem visoke jačine doze u supstratu MOS-a. dakle zaključiti da se efekti koji zavise od ukupne apsorbovane doze odnose pre svega na promenu karakteristika uređaja izazvane radijacionim oštećenjima u oksidu MOS-a.

Efekat izmeštanja atoma nije tretiran jer je on zanemarljiv u odnosu na efekte stvaranja slobodnih elektrona i parova elektron-šupljina. Broj generisanih parova elektronšupljina zavisi od apsorbovane doze gama zračenja. Usled toga elektroni pod dejstvom primenjenog napona na gejtu brzo napuštaju oksid izolatora. funcionalnost EPROM i EEPROM komponenti opada. One . Sa druge strane doprinos gama zračenja efektu izmeštanju atoma je zanemarljivo mali. Praćena je zavisnost promena u memorijskim čipovima od apsorbovane doze. Koliki će deo parova elektron-šupljina biti rekombinovan zavisi od jačine električnog polja u ozračenom oksidu. odnosno 150 po neutronu.6 POLUPROVODNIČKE MEMORIJE I RADIJACIONA OŠTEĆENJA 6. Sa druge strane relativno nepokretne šupljine bivaju zahvaćene u oksidu ili driftuju pod uticajem električnog polja ka FG. kao i površinskih zamki.7 po gama fotonu. tj. Ostatak elektrona je čak i na sobnoj temperaturi značajno pokretljiviji od šupljina u SiO 2. Srednje diferencijalne i kumulativne relativne promene broja grešaka u zapisima memorijskih uzoraka prikazane su na graficima u ovom poglavlju.3. za razliku od onih kod EEPROM memorija. Sa porastom doze broj grešaka raste. jer je poznato da su kod MOS uređaja neutronski efekti zanemarljivo mali.1 ISPITIVANJE RADIJACIONE OTPORNOSTI KOMERCIJALNIH POLUPROVODNIČKIH MEMORIJA Ispitivanje radijacione otpornosti poluprovodničkih memorija sprovođeno je izlaganjem uzoraka gama zračenju izvora 60Co. što najbolje dokazuje činjenica da na jedno izmeštanje atoma pod dejstvom gama fotona energije 1. Ove promene su u slučaju EPROM komponenti reverzibilnog tipa.3 EKSPERIMENTALAN RAD I REZULTATI 6. dok je na energijama od 12 MeV taj odnos 2. Deo parova elekron-šupljina se rekombinuje. u zavisnosti od apsorbovane doze.5 MeV dolazi 140 izmeštanja pod uticajem neutrona iste energije. posebno u poređenju sa efektima koji izazivaju jonizujujće gama zračenje. Glavni efekat koje izaziva gama zračenje 60Co je generisanje parova elektron-šupljina u SiO2 izolatoru gejta. Funkcionalna ispitivanja EEPROM komponenti u polju neutronskog zračenja nisu vršena. Što je polje jače veći broj parova će izbeći rekombinaciju. To je zbog toga što je efekat izmeštanja atoma dominantan efekat u slučaju oštećenja komponenti pod dejstvom upadnog neutronskog zračenja. karakteristika materijala i dostupne zapremine. Pošto EPROM i EEPROM komponente pripadaju grupi MOS struktura ispitivan je samo uticaj gama zračenja na njihovu funkcionalnost.

čime uslovljava i snižavanje napona praga. b) kumulativna (Ntot = 1.048. a) b) Slika 6.576 bita. Deo šupljina koji ne biva zahvaćen u oksidu se injektuje u FG i smnjuje broj elektrona u njemu. Srednja relativna promena broja grešaka u ozračenim EPROM uzorcima (NM27C010) u zavisnosti od apsorbovane doze: a) diferencijalna.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA doprinose formiranju pozitivnog naelektrisanja oksida.12. N0=0) .

Srednja relativna promena broja grešaka u reprogramiranim i ponovo ozračenim EPROM uzorcima (NM27C010) u zavisnosti od apsorbovane doze: a) diferencijalna.6 POLUPROVODNIČKE MEMORIJE I RADIJACIONA OŠTEĆENJA a) b) Slika 6.048. N0=0) .576 bita.13. b) kumulativna (Ntot = 1.

b) kumulativna (Ntot = 512 bita. Srednja relativna promena broja grešaka u ozračenim EPROM uzorcima (NM27C512) u zavisnosti od apsorbovane doze: a) diferencijalna.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA a) b) c) Slika 6. N0=0).14. c) odgovarajuće standardno odstupanje rezultata .

b) kumulativna (Ntot = 512 bita. N0=0). c) odgovarajuće standardno odstupanje rezultata .6 POLUPROVODNIČKE MEMORIJE I RADIJACIONA OŠTEĆENJA a) b) c) Slika 6.15. Srednja relativna promena broja grešaka u reprogramiranim i ponovo ozračenim EPROM uzorcima (NM27C512) u zavisnosti od apsorbovane doze: a) diferencijalna.

16.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA a) b) Slika 6. N0=0) . Srednja relativna promena broja grešaka u ozračenim EEPROM uzorcima (NM93CS46) u zavisnosti od apsorbovane doze: a) diferencijalna. b) kumulativna (Ntot = 1024 bita.

17. Srednja relativna promena broja grešaka u reprogramiranim i ponovo ozračenim EPROM uzorcima (M24128) u zavisnosti od apsorbovane doze:a) diferencijalna.6 POLUPROVODNIČKE MEMORIJE I RADIJACIONA OŠTEĆENJA a) b) c) Slika 6.N0=0). c) odgovarajuće standardno odstupanje rezultata . b) kumulativna (Ntot=128bita.

alfa čestica i lakih jona) sa izolatorskim slojem MOS strukture izvedene su u programu SPRIM 2008 (Stopping and Range of Ions in Matter) čiji su autori J. b) Raspodela zaustavljenih protona po dubini oksida.P. a) Trajektorije protona u xOy ravni.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA 6.2 MONTE CARLO SIMULACIJA DEJSTVA DIREKTNO JONIZUJUĆEG ZRAČENJA NA KARAKTERISTIKE POLUPROVODNIČKIH MEMORIJA Monte Carlo simulacije interakcije direktno jonizujućeg zračenja (protona.5 µm (500 istorija). Zieger. Biersack i M.3. Simulacija prolaska 50 keV-skih protona kroz sloj SiO2 debljine 0.18. a) b) Slika 6.Ziegler. J.D. .F.

Simulacija prolaska 30 keV-skih protona kroz sloj SiO2 debljine 0.19.5 µm (50 istorija). . a) Trajektorije protona u xOy ravni.6 POLUPROVODNIČKE MEMORIJE I RADIJACIONA OŠTEĆENJA a) b) Slika 6. b) Raspodela zaustavljenih protona po dubini oksida.

.5 µm (10 istorija).RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA a) b) Slika 6. Simulacija prolaska 30 keV-skih alfa kroz sloj SiO2 debljine 0. a) Trajektorije alfa čestica u xOy ravn. a) Odnost specifičnih jonizacija (ili linearnih prenosa energije) upadnih alfa čestica i izmeštenih atoma Si i O po dubini oksida.20.

s izraženom pojavom izmeštanja atoma Si i O i obrazovanja klastera pri završecima putanja jona. sa izraženom pojavom izmeštanja atoma Si i O I obrazovanja klastera pri završecima putanja jona. Simulacija prolaska 200 keV-skih jona Na+kroz sloj SiO2 debljine 0. .6 POLUPROVODNIČKE MEMORIJE I RADIJACIONA OŠTEĆENJA a) b) Slika 6.21. b) Odnos specifičnih jonozacija (ili linearnih prenosa energije) upadnih jona Na+ i izmeštenih atoma Si i O po dubini oksida Trajektorija natrijumovih jona u xOy ravni.5 µm (10 istorija). Uočljiv je znatan udeo depozicije energije jonizacije izmeštenih atoma. a) Trajektorija natrijumovih jona u xOy ravni.Odnos specifičnih jonozacija (ili linearnih prenosa energije) upadnih jona Na+ i izmeštenih atoma Si i O po dubini oksida.

Elektroni kreirani na p-strani i šupljine kreirane na n-strani (manjinski nosioci). pre nego što se nosioci rekombinuju. usled čega dolazi do protoka fotogenerisane struje. odnosno p delu diode. dešavaju se sledeći procesi. jako uređeno polje u oblasti prostornog tovara prebacuje manjinske nosioce u suprotan deo. Kada se površina solarne ćelije osvetli. pritom slabeći barijeru. koja se u slučaju solarnih ćelija . Da bi parovi elektron-šupljina mogli preko strujnog toka predati svoju energiju potrošaču u spoljašnjem kolu. Ukoliko ovako stvoreni višak manjinskih nosilaca (šupljina u n+ delu i elektrona u p-delu) može da difuzijom stigne do granica oblasti prostornog tovara. Polaritet napona na krajevima ćelije je identičan direktnoj polarizaciji obične spojne diode. Održavanju tog napona doprinosi novo generisanje nosilaca naelektrisanju u spoju. Napon koji se uspostavlja između spoljašnjih kontakata diode omogućiće protok struje. koji difunduju ka p-n prelazu. ili im je vreme života dovoljno dugo da mogu difundovati do p-n spoja. negativni elektroni i pozitivne šupljine moraju se razdvojiti. Ukoliko upadni fotoni imaju energiju veću od vrednosti energetsog procepa materijala. apsorpcija fotona se može odigrati u n+ delu.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA 7 RADIJACIONA OTPORNOST SOLARNIH ĆELIJA 7. pojave napona na krajevima ćelije i obezbeđenja električne snage za potrošač.1 PRINCIP RADA I OSNOVNE IZLAZNE KARAKTERISTIKE FOTONAPONSKE SOLARNE ĆELIJE Silicijumska p-n solarna ćelija zapravo je dioda u kojoj se upadni fotoni apsorbuju i generišu parove elektron-šupljina. U zavisnosti od energije fotona i osobina materijala. biće privučen tim poljem i kretaće se ka n. stvaraju se uslovi za apsorpciju fotona pri čemu dolazi do nezavisnog generisanja parova elektron-šupljina. Razdvajanje se postiže zahvaljujući unutrašnjem električnom polju p-n spoja koje se formira stvaranjem prostornog naelektrisanja diode. oblasti prostornog tovara ili p delu (ako se radi o n +-p spoju). Nosioci naelektrisanja kreirani izvan ovih oblasti biće rekombinovani kao manjinski nosioci naelektrisanja. Za stvaranje struje kod solarne ćelije bitni su samo oni parovi elektron-šupljina koji su formirani u oblasti prostornog tovara. Taj napon održava tok struje kroz spoljašnje kolo ukoliko su krajevi solarne ćelije vezani za neki potrošač. ali je smer fotogenerisane struje suprotan od smera struje spojne diode pri direktnoj polarizaciji.

 Generisani parovi elektron-šupljina moraju se razdvojiti. kao posledica parazitskih otpornosti. dok parazitska apsorpcija utiče na zagrevanje. U odnosu na to. Jsc i Voc se određuju kao preseci krive sa apscisom (Voc). osnovni zahtevi za dobijanje efikasnih solarnih ćelija mogu se sumirati u sledećem [38]:  Apsorpcija sunčeve svetlosti i kreiranje parova elektron-šupljina moraju biti odgovarajući. i nultom otpornošću kratkog spoja.  Korisna apsorpcija rezultuje kreiranjem parova elektron-šupljina. Pad napona na potrošaču. Deo svetlosti se ne apsorbuje i prolazi neiskorišćen kroz ćeliju. Zbog jednostavnog određivanja ovih veličina i njihove direktne zavisnosti od . Na I-V karakteristici.  Metalni (rešetkasti) pokrov mora biti mali. dešavaju se sledeći fizički procesi:  Refleksija određenog dela energije od površine ćelije. stvoren protokom svetlosno generisane struje. jedan od prvih koraka je određivanje površinske gustine struje kratkog spoja JSC i napona otvorenog kola VOC.1 ZAVISNOST STRUJE KRATKOG SPOJA I NAPONA OTVORENOG KOLA SOLARNE ĆELIJE OD OSNOVNIH FIZIČKIH PARAMETARA Prilikom analize I-V karakteristika solarnih ćelija. 7. kada je napon jednak nuli (gustina struje kratkog spoja Jsc). odnosno ordinatom (Jsc). Vrednost tih veličina se lako i direktno očitavaju sa I-V krive.  Razdvajanje i kolekcija fotogenerisanih nosilaca naelektrisanja. dok se šupljine moraju koncentrisati u poluprovodniku p-tipa. Ove dve veličine prterdstavaljaju dve krajnje tačke rada fotonaponskog uređaja koje su okarakterisane beskonačnom otpornošću potrošača kada je struja jednaka nuli (napona otvorenog kola Voc). Omski pad napona. ima isti efekat kao priključenje baterije na napon direktne polarizacije vrednosti RI. Prema tome.  Disipacija fotogenerisane struje na spoljašnjem potrošaču. Debeli metalni slojevi nisu transparentni.6 POLUPROVODNIČKE MEMORIJE I RADIJACIONA OŠTEĆENJA naziva struja mraka i predstavlja degradirajući faktor.  Gradivni potencijal mora biti dovoljno veliki jer određuje maksimu izlaznog napona ćelije.1.  Kretanje nosilaca naelektrisanja prema spoljašnjim kontaktima. elektroni se moraju koncentrisati u n-tipu. mora se svesti na najmanju moguću meru. kada upadna svetlost interaguje sa solarnom ćelijom.

7.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA osnovnih parametra solarne ćelije (Jo i RS i faktora idelanosti). u . koje se sastoji iz adekvatnog strujnog generatora. kao i potrošača. diode. i paralelnog i rednog otpornika. tj. Radi lakšeg shvatanja i analize ovih pojmova. V– primenjeni napon. Jsc = -│ JL│. Ekvivalentno električno kolo koje odgovara realnoj solarnoj ćeliji. n – faktor idealnosti.1.1. čijom analizom se može dobiti dublji uvid u kvalitet celog uređaja. koja se metodom superpozicije dodaje struji mraka solarne ćelije.1.1) qV   J  J sc  J 0  exp  1 nkT   (7. obično se formira ekvivalentno električno kolo solarnoj ćeliji. tj. k – Bolzmanova konstanta. Ovakvo linerano sabiranje (superpozicija) struje mraka i fotogenerisane struje je pogodno i moguće kod idealnih ili skoro idealnih solarnih ćelija čija se I-V karakteristika može približno opisati jednačinom: qV   J  J 0  exp  1  J L nkT   (7. prebačeno iz IV u I kvadrant I-V karakteristike. q – elementarno naelektrisanje I T – temperatura. struja kratkog spoja i napon otvorenog kola predstavljaju glavne izlazne karakteristike solarne ćelije.2) ili gde je: J0 – gustina struje zasićenja. slika 7. Slika 7.1 Gustina struje kratkog spoja Jedna od najčešćih (i u najvećem broju slučajeva opravdanih) aproksimacija prilikom definisanja gustine struje kratkog spoja je da je ona određena fotogenerisanom strujom JL.1.

U samoj ćeliji postoje gubici usled prisustva Rs.6 POLUPROVODNIČKE MEMORIJE I RADIJACIONA OŠTEĆENJA slučajevima relativno male redne i velike paralelne otpornosti. metod superpozicije (prema jednačini 7. onemogućava direktnu superpoziciju fotogenerisane struje i struje mraka. dubine spoja.2) ne važi. zato što je:  J L  q  F    SR    d (7. tj. respektivno. aproksimacija Jsc= -│ JL│ se smatra dovoljno tačnom. koji se na I-V karakteristici ispoljavaju kao povećanje zakrivljenosti “kolena” krive (smanjenje “kvadratičnosti”). U prisutvu redne otpornosti. a SR(λ) spektralni odziv.4) Pošto kod većine solarnih ćelija paralelna otpornost ima veliku vrednost. Tada se I-V karakteristika pri osvetljenju ne može dobiti direktnim prebacivanjem karakteristike u mraku za vrednost Jsc. Inače. faktor ispune).3) kT nkT Rsh     gde je: J01 i J0n – gustine struje zasićenja za n=1 i n>1.5) 0 gde je F(λ) broj upadnih fotona po jedinici površine u jedinici vremena u jediničnoj širini zone. Rs i Rsh – redna i paralelna otpornost. dovode i do pogoršanja izlaznih parametara (efikasnost. tj: J sc  JL R 1 s Rsh (7. oblik I-V karakteristike se primetno menja (slika 7. osim pri većim intenzitetima osvetljenja kada Rs može znatno smanjiti Jsc. u većini realnih slučajeva I-V karakteristika ima oblik dat jednačinom: qV  JRs   qV  JRs   V  JRs   J  J 01  exp  1  J 0 n  exp  1   J L (7. spektralni odziv zavisi od koeficijenta apsorpcije α.2). U slučaju kada je paralelna otpornost Rsh izuzetno mala (postoji “curenje” struje preko spoja) struja kratkog spoja je našto manja od fotogenerisane struje JL. Međutim. Postojanje struje J na desnoj strani jednačine u slučaku kada je Rs≠0 i Rsh konačno. širine . S druge strane. respektivno. struja kratkog spoja je prvenstveno određena spektrom i intenzitetom svetlosnog izvora i spektralnimodzivom poluprovodničkog materijala solarne ćelije (brojem kolektovanih parova elektron-šupljina po upadnom fotonu).

Takozvani optički gubici kod solarnih ćelija. tj. refleksija svetlosti od gornje površine ćelije i zasenčenja od gornje . kao i od gustine stanja u provodnoj i valentnoj zoni. vremena života i pokretljivosti (difuzione dužine) manjinskih nosilaca sa obe strane spoja. Za energiju upadnih fotona manje od 1.4 eV. Stopa fotogeneracije manjinskih nosilaca i njihova sposobnost da difunduju do spoja i izlaznih kontakata u osnovi određuju vrednost gustine struje kratkog spoja. pri upadnom fluksu od 100 mW/cm2. dobijene su vrednosti gustine struje kratkog spoja veće od 40 mA/cm2. Koeficijent apsorpcije α predstavlja sposobnost materijala da apsorbuje svetlost date talasne dužine i zavisi od vrste i veličine energetskog procepa materijala. apsorpcija svetlosti i generacija nosilaca se dešavaju dosta duboko ispod silicijumske površine (~10μm) i to usled veoma postepenog porasta koeficijenta apsorpcije sa energijom upadnog zračenja. prisustva ili odsustva električnog polja na opbe strane spoja i brzine površinske rekombinacije. kao što je silicijum.2. Slika 7. Za materijale sa indirektnim energetskim procepom. Teorijska I-V karakteristika solarnih ćelija sa uračunatom rednom Rs i paralelnom otpornošću Rsh [39].RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA osiromašene oblasti (prostornog tovara).

pa se menjanjem koncentracije nečistoća p-sloja može stvoriti kompromis između željene debljine i redne otpornosti. ona se ogleda u dva efekta: povećanje difuzione dužine u bazi i pomeranje apsorpcione ivice prema nižim energijama. što je veći broj upadnih fotona. pa i dopiranost matreijala povećava broj mogućih rekombinacionih centara i verovatnoću rekombinacije stvorenih parova elektron-šupljina. Uticaj spoljašnjih faktora kao što su temperatura i intenzitet osvetljenja na struju kratkog spoja mogu se posmatrati kroz njihov uticaj na stvaranje parova elektron-šupljina i njihov transport preko spoja. odgovarajućim dizajnom i procesom proizvodnje. veći je i broj fotogenerisanih parova. defekata. pa je i struja veća. ali se uopšteno gledajući može reći da je gustina struje kratkog spoja direktno proporcionalna upadnom fluksu. Kao prvo. plići spojevi imaju bolji spektralni odziv u vidnom delu spektra. i tzv. crveni odziv ćelije – za manje vrednosti upadne energije) i optimiziranje izgleda gornje kontaktne mreže radi zadovoljenja kontradiktornih uslova: manje zasenčenosti s jedne strane i manje otpornosti kontakat s druge. Međutim. Iz tog razloga je potrebno optimizirati dopiranost baze (1016 – 1017cm-3). Pored toga. Povećanje difuzione .6 POLUPROVODNIČKE MEMORIJE I RADIJACIONA OŠTEĆENJA kontaktne mreže su prvi limitirajući faktori za vrednost struje kratkog spoja. kako bi se uticalo na zadržavanje svetlosti unutar ćelije i smanjila transmisija svetlosti iz ćelije na graničnim površinama. što u krajnjem ishodu dovodi do smanjenja broja kolektovanih nosilaca naelektrisanja. što dovodi do povećanja struje kratkog spoja. visoka koncentracija nečistoća. pa se smanjenje dubine spoja smatra dobrim preduslovom za dobijanje većih struja kratkog spoja. ovi činioci se mogu svesti na minimum. pa samim tim povećava i izlaznu struju. pa se uvođenjem dodatnog polja na zadnjoj strani ćelije (BSF) može povećati struja kratkog spoja. Svakako treba imati u vidu i spaktralnu raspodelu upadnih fotona i njihovu prilagođenost energetskom procepu datog materijala. to je teksturisanje prednje površine solarne ćelije radi smanjenja refleksije i produženja optičkog puta svetlosti u ćeliji (čime se poboljšava generacija parova elektronšupljina. Što se tiče temperaturske zavisnosti struje kratkog spoja. izlazne struje. smanjiti što je više moguće dubinu spoja i povećati difuzionu dužinu u bazi. Novije tehnologije podrazumevaju nanošenje difuznih reflektujućih površina na zadnjoj strani ćelije. povećava se efikasnost kolekcije ali i redna otpornost uređaja. Sama kolekcija generisanih nosilaca je veoma često značajno smanjena rekombinacijom unutar materijala kao i na površini materijala. Takođe. Smanjenjem dubine spoja. tj.5) vidi se da je struja kratkog spoja direktno proporcionalna upadnom fluksu. Iz jednačine (7. što poboljšava spektralni odziv za veće talasne dužine. dok ćelije sa većom otpornošću imaju bolji odziv u infracrvenoj oblasti. tj.

Teorijski izračunata zavisnost Jsc od faktora idealnosti (n) prikazana je na slici 7. kao i njihovi energetski nivoi.2) uz početno definisanje nekih veličina koje su u skladu sa teorijski opšte prihvaćenim vrednostima sledećih veličina za silicijum: Voc=0. zauzetost stanja.3. prostorna raspodela nečistoća i defekata unutar materijala. verovatnoća rekombinacije i zavisnost svih ovih veličina od temperature ili napona. nedostatka podataka. na samom spoju i na površini. pa se u globalnoj analizi može i zanemariti. kao što je npr. povećanje gustine struje kratkog spoja sa povišenjem temperature je malo. povećava verovatnoću svakog nosioca da stigne do spoljašnjih kontakata bez rekombinacije. samo su neki od faktora koji se moraju uzeti u obzir prilikom analize transportnih procesa). Za njeno dobijanje je korišćena jednačina (7. aktivaciona energija.6V. naročito u poređenju sa promenama drugih fotonaponskih veličina sa temperaturom. upadni fluks Ps= 100 100 mW/cm2. T=300 K. Teorijska zavisnost gustine struje kratkog spoja od faktora idealnosti [40].3. ne mogu teorijski obraditi na zadovoljavajući način (npr. Međutim. Eksperimentalno dobijena zavisnost gustine struje kratkog spoja od faktora idealnosti prtedstavlja odraz mehanizma unutar ćelije koji se zbog svoje složenosti. i sl.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA dužine sa temperaturom usled povećanja difuzione konstante i vremena života nosilaca. Slika 7. napon otvorenog kola. dok su vrednosti za J0 birane tako da za n=1 .

nema direktnih gubitaka usled redne i paralelne otpornosti). 7. Površno gledajući moglo bi se zaključiti da bi povećanje faktora idealnosti i smanjenje J0 dovelo do povećanja Voc.2 Napon otvorenog kola Analiza zavisnosti napona otvorenog kola od parametara ćelije se zasniva na izrazu koji definiše Voc iz I-V karakteristike: Voc   nkT  J sc ln  1 q  J0  (7. pod pretpostavkom da je otpornost potrošača beskonačno velika. ali se može poslužiti za opdređivanje opšteg oblika zavisnosti. u uslovima kada je izlazna struja jednaka nuli. Pošto je odnos Jsc/J0 1010 – 1014.1. Međutim. Primećeno je npr. .. treba imati u vidu da je ovakvo teorijsko razmatranje nepotpuno zbog zanemarivanja bilo pozitivnih bilo negativnih uticaja drugih faktora.2). solarna ćelija je složen poluprovodnički uređaj sa jednom ili više jako dopiranih oblasti koje mogu da dovedu do pomeranja Fermijevog nivoa unutar provodne zone kada poluprovodnik postaje degenerisan..7) može se zaključiti da Voc prvenstveno zavisi od faktora idealnosti i J0. Naravno. Opseg vrednosti faktora idealnosti je išao od n=1 (idealan slučaj) do n=4 sa korakom 0. tj. parametara i procesa koji utiču na ove veličine. Sa grafika se može videti da čak i kada se isključi većina drugih uticaja (T=const.53 mA/cm2. povećanje faktora idealnosti (n) dovodi do izraženog smanjenja Jsc i to od 40 mA/cm 2 za n=1 do samo 11. da Voc raste sa povećanjem koncentracije dopiranja ali samo do izvesne granice. tj.7) Na osnovu jednačine (7. n=4.6) i (7. elektronska raspodela podleže pre Fermijevoj nego Bolcmanovoj statistici i procesi unutar ćelije se ne mogu jednostrano posmatrati.1. uvodi se aproksimacija: Voc  nkT  J sc   ln q  J0  (7.6) dobijenog iz jednačine (7.6 POLUPROVODNIČKE MEMORIJE I RADIJACIONA OŠTEĆENJA (faktor idealnosti) i Ps= 100 100 mW/cm2 gustina struje kratkog spoja bude 40 mA/cm2. Ps=const. tj.5. a za n>1 odgovarajuće proporcionalna. kada određeni efekti povezani sa velikom dopiranošću dovode do smanjenja izlaznih karakteristika.

na primer. Opadanje Voc sa porastom temperature se najčešće smatra linearnim i pojednostavljenom analizom se dobija da je [41]:  Eg 3kT     Voc  q q  Voc   T T (7. a pored toga i činjenica da je ta oblast uglavnom tanka (0.2 μm) pa se površinska rekombinacija na prednjoj površini mora uzeti u obzir. npr. Značaj minimiziranja kontaktne površine između metalne mreže i n+ – oblasti tada dolazi do izražaja. Eksperiment je s druge strane pokazao da povećanje NA iznad 1017 cm-3 dovodi do neželjenih efekata i pogoršanja rada ćelije. koja se iz više razloga ne može analitički jednostavno opisati. jednačina (7. što proizilazi iz same definicije napona otvorenog kola – to je onaj napon za koji generisana fotostruja ima istu vrednost (suprotnog znaka) kao ukupna struja mraka. BSF solarna ćelija ima veće Voc (za oko 10%) zbog smanjenja rekombinacione struje na zadnjem kontaktu. kada se uspostavlja ravnoteža između kontradiktornih zahteva. Svu složenost analize odražava i činjenica da se pored elektronske komponente mora uzeti u obzir i struja šupljina injektovanih u n + – oblast. Za slučaj n + – p – p+ –spoja. struktura sa dodatnim električnim poljem na zadnjoj strani ćelije(najčešć jako dopirana p+ – oblasti). nedvosmisleni zaključak je da gustina struje zasićenja J0.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA Pored sve složenosti zavisnosti Voc od fundamentalnih parametara ćelije.8) . Tada se J0 obično obeležava sa J01 (slučak kada je n=1) i rezultat je termičke generacije i injekcije manjinskih nosilaca unutar poluprovodnika. treba da je što manja kako bi Voc bilo veće. Naime. povećanja Jsc i stvaranja dodatnog potencijala između p-p+ oblasti. Analize su pokazale da bi se sa teorijskog stanovišta J01 moglo bezgranično smanjiti povećanjem nivoa povećanjem dopiranosti baze (J01 ~ 1/NA. između ostalog i zbog smanjenja Jsc usled kraćeg vremena života manjinskih nosilaca kao posledica veće dopiranosti materijala. što ponovo potvrđuje neophodnost optimiziranja i dizajna i osobina kontakata. Mnogi eksperimentalni rezultati ukazuju da je kompromisno rešenje dopiranost baze od 1016 cm-3 – 1017 cm-3. Tako. Već u samoj definiciji nailazimo na prvu prepreku. gdeje emiterski n+ -oblast više dopirana od bazne p. Kao prvo. tu je još uvek nedovoljno poznavanje efekata velike dopiranosti materijala u n+ – oblasti. predstavlja slučaj idealne solarne ćelije kod koje redna i paralelna otpornost nisu uzete u obzir.6) uz najčešću prvu aproksimaciju da je n=1. NA je koncentracija akceptora u bazi). tzv.1 – 0. može se uzeti da J01 nastaje isključivo injekcijom elektrona iz n + – oblasti u bazu.

ako se uzme u obzir i definicija faktora ispune ff (“mera kvadratičnosti” I-V karakteristike. Tipične vrednosti su oko -2mV/oC [40]. Očekivalo bi se da je u tom slučaju napon otvorenog kola veći nego kod ćelija gde je n<2. 7.7)) kod kojih je n>1 najčešće se primenjuje kod realnih solarnih ćelija. uz pretpostavku da je n=1 i da sopstvena koncentracija nosilaca najviše (eksponencijalno) zavisi od temperature. tj. koja se izražava u procentima.2 ZAVISNOST EFIKASNOSTI OD FUNDAMENTALNIH PARAMETARA SOLARNIH ĆELIJA Parametar kojim se najčešće određuje kvalitet solarne ćelije. gustina struje kratkog spoja i napon otvorenog . Definicioni izraz za Voc (jednačine (7. kao fotonaponskog generatora napona/struje. što u znatnoj meri smanjuje Voc. Iz date jednačine se može videti da je za ćelije sa manjim Voc pad napona sa porastom temperature izraženiji.1. dobija se izraz analogan jednačini (7.9) vidi. sposobnost solarne ćelije da pretvori deo sunčeve energije u električnu.7) gde je n=2. Svako povećanje faktora idealnosti iznad 1 (pa i iznad 2) odraz je povećanja rekombinacione struje mraka koja ne samo što u tom slučaju dominira ukupnom strujom mraka. Pojedine konfiguracije solarnih ćelija (p+-i-n+) imaju I-V karakteristiku u kojoj figuriše član n=2 koji je posledica dominacije SRH (Shockley-Read-Hall) rekombinacija u bazi.6 POLUPROVODNIČKE MEMORIJE I RADIJACIONA OŠTEĆENJA gde je Eg energetski procep. već je čini i znatno većom. Pored toga. Jsc i Voc [41]:  Pm ff J sc V oc  Ps Ps (7. zavisi od velikog broja fundamentalnih i tehnoloških faktora čiji se uticaj odražava kroz veličine kao što su faktor ispune. koja u datom sličaju predstavlja sunčev fluks koji u jedinici vremena dolazi na jediničnu površinu ćelije. jeste efikasnost.9) Kao što se iz jednačine (7. količnik maksimalne snage i proizvoda struje kratkog spoja i napona otvorenog kola – ff = Pm / (Jsc Voc)). efikasnost se može povezati i sa ostale tri glavne karakteristike: ff. ali je takva pretpostavka pogrešna. Efinaskost η definiše se kao odnos maksimalne snage koju uređaj daje Pm i ukupne uložene snage Ps. Kada se isključe članosi koji ukazuju na uticaj redne i paralelne otpornosti i uz pretpostavku da je vreme života manjinskih nosilaca konstantno. smanjujući istovremeno Voc.6) i (7. zato što je komponenta struje mraka J02 mnogo veća od J01.

Jsc i Voc).4. Jedan od tih faktora je i stvarna spektralna raspodela sunčevog zračenja koju je veoma teško definisati za svaki poseban slučaj. Slika 7. Tačka maksimalne snage Pm. Naime. pa se zato najčešće u teorijskim razmatranjima uzima da je Ps=100 mW/cm2. pa je sa stanovišta analize kvaliteta solarne ćelije zanimljivo razmatrati uzajamno dejstvo tih parametara i njihov uticaj na efikasnost. istovremeno zajedničko delovanje fizičkih veličina poluprovodničkog uređaja može proizvesti i sasvim neočekivane rezultate. iz jednačine (7. Efikasnost kao izlazni parametar predstavlja kombinaciju tri osnovna izlazna parametra solarnih ćelija (ff.9) jeste veličina koja direktno povezuje efikasnost i I-V karakteristiku jer predstavlja proizvod maksimalne gustine struje i napona datog uređaja: Pm  J m Vm (7. Simulacija zavisnosti P-V karakteristika od faktora idealnosti [40]. Smatra se da se efikasnosti od 22-24% mogu realno dobiti dobrom optimizacijom ulaznih parametara solarne ćelije.10) . u prvom redu smanjenjem prekomerne gustine struje zasićenja i gubitaka usled zasenčenja kontaktnom mrežom.RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA kola.

Za napone veće od 0. a sve više struje teče kroz unutrašnju diodu.4 V. a svako smanjenje struje u tački maksimalne snage na vrdnosti manje od Jsc karakteriše se kao unutrašnji gubitak ćelije. u idealnom slučaju na nulu i tada je napon ćelije jednak naponu otvorenog kola (otpornost opterećenja je izuzetno velika). .9) može se utvrditi da je sa stanovišta matematičke analize maksimalna snaga glavni ograničavajući faktor za efikasnost. napon na njenim krajevima ratse. kada je otpornost opterećenja (potrošača) izuzetno mala (≈ 0Ω) solarna ćelija se ponaša kao strujni generator sa strujom jednakom gustini struje kratkog spoja (za idealnu ćeliju).6 POLUPROVODNIČKE MEMORIJE I RADIJACIONA OŠTEĆENJA Ova veličina se najjednostavnije dobija sa grafika zavisnoszi izlazne snage od napona (slika 7. Strujno-naponska karakteristika solarne ćelije u mraku i pri osvetljenju. Slika 7. “kolena” I-V krive (slika 7. Sa povećanjem otpornosti opterećanja.45 V. Prilikom snimanja I-V karakteristike solarne ćelije. tačka maksimalne snage se uglavnom nalazi na naponu većem od 0. struja solarne ćelije opada.4) na kome se najbolja usklađenost otpornosti potrošača sa samim generatorom (solarnom ćelijom) manifestuje kao maksimalna vrednost snage. struja ćelije naglo opada. iza nominalnu vrdnost napona otvorenog kola od 0. Iz jednačine (7. Maksimalna snaga se može dobiti iz tzv. data otpornost koja obezbeđuje maksimalnu snagu mora se održavati na vrednosti koja daje najveću efikasnost.5). Pošto I-V kriva definiše položaj maksimalne snage u zavisnosti od otpornosti.57 V (za silicijum).5.

Ako se pođe od pretpostavke da je u idealnom slučaju Pm=Ps.78 iznose 4. fotoni energija manjih od energetskog procepa (hν < Eg) prolaze kroz ćeliju ne generišući par elektron-šupljina što izaziva dalje smanjenje snage za 18. prvenstveno treba obratiti pažnju na refleksiju fotona od površine ćelije što smanjuje njihov broj unutar poluprovodničkog materijala. Svu složenost problematike optimizacije osobina solarnih ćelija odražava i činjenica da u napred navedenoj analizi nije uzet u obzir uticaj faktora idealnosti na efikasnost (smatrano je da je n=1).RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA Što se fizičkog aspekta analize gubitaka tj. debljina n i p slojeva.7%.) određuju mogućnost termalizacije nosilaca i ukoliko nisu na odgovarajući način optimizirani mogu smanjiti efikasnost ćelije za 19. ti fotoni ne učestvuju u stvaranju nosilaca naelektrisanja i izazivaju gubitak snage od 1%. Ukoliko do apsorpcije fotona dođe u antirefleksionom sloju. smanjenja faktora ispune. što je posledica smanjene efikasnosti diode prilikom razdvajanja nosilaca i njohovog prebacivanja preko potencijalne barijere. U teorijskoj analizi gubitaka za silicijumsku solarnu ćeliju sa faktorom idealnosti jednakim jedinici. na defektima i sl. ali kod realnih solarnih ćelija gde postoji i redna i paralelna otpornost tada dolazi do povećanja redne otpornosti. S druge strane. pa predstavlja gubitak od čak 29. smanjenja efikasnosti tiče.8%. manje od 1).9 (tj. koji je potvrđen . U najvećem broju slučajeva je qVoc < Eg.. Fotoni koji dospevaju do unutrašnjosti solarne ćelije mogu imati energiju veću od energetsog procepa datog materijala (hν > Eg) i taj višak energije se ni na koji način ne može iskoristiti u fotonaponskoj konverziji. uzimajući u obzir napred navedene gubitke dobija se konačna vrednosti efikasnosti od 16. vreme života i pokretljivost nosilaca i sl. efikasnost solarne ćelije 100%. Sami parametri diode (dubina spoja. Gubici snage usled redne i paralelne otpornosti (oblika I2R) najčešće se uvrštavaju u gubitke koji su posledica smanjenja faktora ispune i u slučaju kada je ff =0. optimizacija veličina koje utiču na mehanizme gubitaka može dovesti do povećanja efikasnosti što je potvrđeno i u praksi. nesposobnost samog uređaja da te nosioce u potpunosti razdvoji i transportuje do izlaznih kontakata stvara nove mehanizme gubitaka. ukupna ulazna snaga će biti manja za 4. tj.2%. Dubina spoja takođe određuje i efikasnost kolekcije nosilaca i ako efikasnost ima vrednost 0.5%.2%. a samim tim smanjuje i fotogeneraciju paova elektron-šupljina.6%. a samim tim i efikasnosti. tj. Kada fotoni odgovarajućih energija stvore nosioce naelektrisanja (elektrone i šupljine). procenjeno je da refleksija kao mehanizam gubitaka smanjuje ukupnu ulaznu snagu Ps za 2%. Efikasnost kolekcije nosilaca se može povećati smanjenjem dubine spoja. Pošto je u ovoj analizi korišćena solarna ćelija sa standardnim parametrima. a zasenčenost gornjom kontaktnom mrežom za 4%.

11) uz uslov da je dP/dV=0.6 POLUPROVODNIČKE MEMORIJE I RADIJACIONA OŠTEĆENJA u svima realnim slučajevima. Treba imati u vidu da svi mehanizmi gubitaka neizbežno dovode do povećanja faktora idealnosti i na taj način indirektno utiču na smanjenje fikasnosti. uzroci povećanja faktora idealnosti su mnogobrojni. što u krajnjem ishodu može dovesti do postizanja dobre efikasnosti ili faktora ispune.11) Diferenciranjem jednačine (7. Naime.1). faktor idealnosti i gustina struje zasićenja (Rs. kod ćelija koje se ne mogu smatrati idealnim. tj. paralelna otpornost. kao što su redna otpornost. [40]: Jm  J0  qV q nkT Vm exp m  J L  1   nkT nkT qVm  Vm  J L /( J 0  1)  nkT  ln   q  1  (qVm ) /(nkT ) (7.3 ZAVISNOST FAKTORA ISPUNE OD FUNDAMENTALNIH FIZIČKIH PARAMETARA Jedan od glavnih parametara prilikom karakterizacije solarnih ćelija je tzv.12) (7. postojanje konačnih vrednosti za Rs i Rsh dovodi ne samo do direktnog smanjenja faktora ispune. izlaznu snagu solarne ćelije dobija se: qV   P  J V J 0V  exp 1 J LV nkT   (7. faktor ispune. zato što veličine Voc. proizvoljnost ovakvog gledišta je očigledna već iz samog definicionog izraza za faktor ispune. jer pored zavisnosti od fizičkih veličina. n i J0). Rsh. već njegovo podešavanje koje će u kombinaciji sa ostalim veličinama dati najbolji mogući izlaz. već i do zavisnosti vrednosti faktora ispune od faktora idealnosti. “mera kvadratičnosti” I-V karakteristike. oni zavise i od tipa spoja. glavni cilj optimizacije parametara solarne ćelije ne treba po svaku cenu da bude smanjenje faktora idealnosti. Faktor ispune ff za idealnu diodu se najčešće smatra da je nezavisan parametar. tj.13) 7.1. Zanemarujući sve ostale gubitke i uz korišćenje jednačine (7. tj. Zato. Čak i samo uvođenje . Prema tome. transportnih procesa i napona. Jsc i Pm u velikoj meri zavise od osnovnih parametara solarnih ćelija (i pn spojeva uopšte). dobijaju se izrazi za napon i struju u tački maksimalne snage. Međutim. U nekim slučajevima je povećanje n kompenzovano dobrim vrednostima drugih veličina.

povišenje temperature uređaja dovodi do znatnog smanjenja Voc usled eksponencijalne zavisnosti J0 od temperature (porasta J0). faktora qVoc/nkT. dominantan transportni proces je najčešće kombinacija termionske emisije i rekombinacije u osiromašenoj oblasti. Detaljnijom analizom definicionog izrarza za ff dolazi se do važnog zaključka da faktor ispune zavisi uglavnom od napona otvorenog kola Voc tj. Rsh. bio veći. smanjenje faktora ispune. Redna otpornost pri tome ima odlučujući značaj .14) Voc . gde je n najčešće veće od 2. n i J0. Prva tri člana sa desne strane predstavljaju struju mraka čiji eksponencijalni rast sa porastom napona ograničava vrednost Voc (za silicijumske solarne ćelije na oko 0.1). Najčešće vrednosti faktora ispune kod realnih solarnih ćelija su u opsegu 0. zatim paralelne otpornosti (usled curenja struje preko spoja) i dodatne komponente struje sa zavisnošću oblika exp(qV/nkT).RADIJACIONA KOMPATIBILNOST ELEKTROTEHNIČKIH KOMPONENTI I UREĐAJA faktora idealnostiu I-V karakteristiku idealne solarne ćelije (jednačina 7. tj.8. kod realnih solarnih ćelija (koje su mnogo složenije i po strukturi i po procesima koji se odvijaju u njima). I-V karakteristika takve realne solarne ćelije tada ima oblik dat jednačinom (7. Uticaj redne otpornosti se uopšteno može okarakterisati bezdimenzionom veličinom [40]: RJ r  s sc (7. Kod realnih solarnih ćelija.sloju i postojanja metalne kontaktne rešetke konačne otpornosti). Iako napred navedeni parametri imaju nesumnjiv uticaj na faktor ispune bilo kog tipa ćelija (pa čak i idealne). Pored toga.5 – 0.75 – 0. što dovodi do znašajnog smanjenja Voc a samim tim i faktora ispune. s druge strane dovodi do povećanja vrednosti faktora ispune.3). prilikom razmatranja karakteristika i njihovih zavisnosti moraju se uzeti u obzir i dodatni činioci. Povećanje Voc. uz aproksimaciju  J L  J sc . pa i Voc. Gustina struje zasićenja J0 je posledica termičke generacije manjinskih nosilaca u poluprovodniku i treba da je što manja kako bi izlazni napon uređaja. zato što njena vrednost direktno utiče na faktor ispune. U prvom redu to je postojanje redne otpornosti uređaja (pretežno posledica bočnog protoka struje u n + . bez uračunavanja vrednosti redne i paralelne otpornosti. što proutrokuje veću zakrivljenost I-V karakteristike.6 V). Smatra se da je eliminisanje gubitaka usled postojanja redne otpornosti mera uspešnosti dizajna svake pojedinačne ćelije bez obzira na njenu površinu. dovodi do direktnog povezivanja faktora ispune i faktora idealnosti. pa je smanjenje parametara koji se pojavljuju u datoj jednačini glavni uslov za minimizaciju struje mraka. pa bi se uprošćeno određivanje zavisnosti faktora ispune od ostalih parametara ćelije moglo svesti na određivanje zavisnosti Voc od Rs.

Sa porastom intenziteta osvetljenja. Rsh i n sa jedne strane. prisustvo redne i paralelne otpornosti dovodi i do izraženije zavisnosti faktora ispune od intenziteta osvetljenja. Postojanje redne otpornosti (kao i paralelne u izvesnoj meri) kao i opisivanje I-V karakteristike realne solarne ćelije jednačinom (7. pri konstantnoj temperaturi. U cilju postizanja maksimalno mogućeg faktora ispune za datu konfiguraciju ćelije. povećanjem broja linija gornje kontaktne mreže. Prilikom analize gubitaka u solarnim ćelijama. gubici usled postojanja redne otpornosti se najčešće svrstavaju pod gubitke usled smanjenja faktora ispune. Iz tog razloga je za rad pri visokim intenzitetima osvetljenja potrebno smanjiti rednu otpornost npr. uopšteno govoreći može se zaključiti da faktor ispune u većoj ili manjoj meri zavisi od osnovnih parametara solarne ćelije: Rs. Pri niskim intenzitetima osvetljenja važnu ulogu igra paralelna otpornost zato što se vrednost struje curenja tada može uporediti sa fotogenerisanom strujom. Naime. U nekim slučajevima su takvi zahtevi kontradiktorni. . Iako je uticaj redne otpornosti na faktor ispune najizrazitiji. faktor ispune raste do određene granice. i vrednosti Voc (a samim tim i J0) s druge strane. ograničavajući (pa čak i smanjujući) faktor ispune.15) gde je ff0 faktor ispune koji bi mogao da se dobije kada redna otpornost ne bi postojala. što ukazuje na njihovu veliku povezanost. što u velikoj meri smanjuje i izlazni naponi faktor ispune. kada redna otpornost počinje značajnije da utiče na izlazne kaarkteristike. Pored toga. potrbno je povećati napon otvorenog kola i paralelnu otpornost.1r  (7. pa je optimiziranje dizajna solarnih ćelija složen postupak sa vrlo često neizvesnim ishodom. Smanjenje faktora ispune usled redne otpornosti je tada aproksimativno dato sa: ff  ff 0 1  1. što se može objasniti povećanjem faktora idealnosti koje dovodi do odgovarajućeg smanjenja faktora ispune. a smanjiti faktor idealnosti i rednu otpornost.6 POLUPROVODNIČKE MEMORIJE I RADIJACIONA OŠTEĆENJA Ovaj parametar omogućava procenu kvaliteta ćelije nezavisno od intenziteta osvetljenja i napona otvorenog kola ćelije. postojanje komponente rekombinacione struje i njena dominacija u pojedinim slučajevima dovodi do promene oblika I-V karakteristike.3) ukazuje i na postojanje zavisnosti faktora ispune od faktora idealnosti.

7Ω [39]. Uzorci su podvrgavani dejstvu radioaktivnog zračenja u vidu tačkastog neutronskog izvora (Pu-Be) i izvora gama zračenja – kobaltna bomba 60Co. Solarne ćelije se koriste kao električni generatori. Redna otpornost solarne ćelije zavisi od dubine spoja. Nekorigovana i korigovana I-V karakteristika za uzorak S2.4 i 0. Kod svih uzoraka uočena je konačna vrednost unutrašnje redne otpornosti Rs. U eksperimentalnim merenjima korišćene su silicijumske solarne ćelije na bazi monokristalnog i polikristalnog silicijuma. energije i doze radioaktivnog zračenja.2 EKSPERIMENTALNI RAD I REZULTATI Eksperiment je baziran na snimanju I-V karakteristika solarnih ćelija uz varijaciju parametara merenja: tipa solarne ćelije. za potrebe analize parametara solarne ćelije u zavisnosti od . intenziteta osvetljenja. vrste radioaktivnog zračenja.16) I 0 Slika 7.6. koncentracija nečistoća u p i n oblasti. Njihove I-V karakteristike snimane su pri beloj svetlosti i pri monohromatskoj svetlosti. tako da se prilikom njihove izrade teži da njihova unutašnja redna otpornost bude što manja. Tipične vrednosti redne otpornosti kod solarnih ćelija sa standardnim prednjim kontaktom su između 0. Ova otpornost je. vrste osvetljenja.7. Vrednost ove otpornosti je dobijena numeričkim diferenciranjem I-V: r 1 dI / dV (7. kao i od konfiguracije kontakata na prednjoj površini.

kod većine ozračenih uzoraka uočava se povećanje otpornosti R s koje je u manjoj ili većoj meri izraženo u zavisnosti od primljene doze zračenja. do 500 Gy. pri dva nivoa osvetljenosti ćelije. Kod ovih uzoraka maksimalne primljene doze zračenja su veće.8 i 7.46 i 6. respektivno.78 Ω. Slika 7. Na slikama 7. odnosno 1522 kGy za uzorak S1. U pitanju su najmanje doze zračenja. i iznose 238 kGy za urorak S5. Kod svakog uzorka uočava se da manje vrednosti Rs odgovaraju većim osvetljajima. Kod ovih uzoraka uočava se izraženije povećanje vrednosti .7 RADIJACIONA OTPORNOST SOLARNIH ĆELIJA primljene doze zračenja. Takođe.2. Nakon primljenih kumulativnih doza od 10 i 100 Gy uočava se porast vrednosti R s. za uzorke S5 i S1. eliminisana uvođenjem vrednosti Rs u I-V jednačinu solarne ćelije. Izračunate početne vrednosti redne otpornosti R s kod uzoraka pre ozračivanja kretale su se između 0. 7.6). dok je nakon sledećeg koraka ozračivanja uočena stagnacija vrednsoti Rs.9 prikazana je zavisnost redne otpornosti Rs od primljene doze gama zračenja.7. Na taj način dobijene su korigovane I-V krive (slika 7.1 REDNA OTPORNOST Na slici 7. Grafik zavisnosti redne otpornosti od primljene doze gama zračenja za uzorak S2. pri dva nivoa osvetljenosti ćelije.7 prikazana je zavisnost redne otpornosti od primljene doze gama zračenja za uzorak S2.

8. Slika 7. Pri tome je relativno povećanje slabije izraženo kod većih doza. Slika 7. Ovo povećanje može se objasniti povećanjem gustine površinskih stanja. Grafik zavisnosti redne otpornosti od primljene doze gama zračenja za uzorak S1. .9. Grafik zavisnosti redne otpornosti od primljene doze gama zračenja za uzorak S5.Rs.

Ovaj uzorak je primio kumulativnu dozu od 5875 kGy.11 na kojoj je prikazana zavisnost redne otpornosi od primenjene doze gama zračenja za uzorak S7. pri dva nivoa osvetljenosti ćelija. relativni porast vrednosti redne otpornosti se drastično smanjuje. Grafik zavisnosti redne otpornosti od primljene doze gama zračenja za uzorak S6.9 ovde je još uočljivija.10. pri dva nivoa osvetljenosti ćelije. što znači da dolazi do zasićenja gustine površinskih stanja. Slično ponašanje može se uočiti i na slici 7. pri dva nivoa osvetljenosti ćelije. Slika 7. Ovaj uzorak primio je kumulativnu dozu od 5258 kGy.10 prikazana je zavisnost redne otpornosti od primljene doze gama zračenja za uzorak S6. Na slici 7. Kod ovog uzorka je došlo i do smanjenja vrednosti redne otpornosti nakon poslednjeg ozračivanja. Ovaj uzorak je primio kumulativnu dozu od 5258 kGy. I kod ovog uzorka uočljivo je zasićenje u porastu vrednosti redne opornosti kod velikih primenjenih doza zračenja. Tendencija porasta vrednosti redne otpornosti koja se može uočiti na slikama 7.12 prikazana je zavisnost redne opornosti od primljene doze gama zračenja za uzorak S3. Naime.8 i 7. .7 RADIJACIONA OTPORNOST SOLARNIH ĆELIJA Na slici 7. kod veoma velikih kumulativnih doza zračenja.

12. Grafik zavisnosti redne otpornosti od primljene doze gama zračenja za uzorak S3.11. . Grafik zavisnosti redne otpornosti od primljene doze gama zračenja za uzorak S7. Za razliku od predhodnih uzoraka kod uzorka S0uočava se skoro linearna zavisnost R s od primljene doze zračenja.13 prikazana je zavisnost redne opornosti od primljene doze gama zračenja za uzorak S0. pri četi nivoa osvetljenosti ćelije. Ovaj uzorak je takođe primio kumulativnu dozu od 5258 kGy. Slika 7. Na slici 7.Slika 7.

Slika 7.14. Grafik zavisnosti redne otpornosti od primljene doze gama zračenja za uzorak S0 (SOX lampa). Grafik zavisnosti redne otpornosti od primljene doze gama zračenja za uzorak S0. Na slikama 7. .7 RADIJACIONA OTPORNOST SOLARNIH ĆELIJA Slika 7. pri dva nivoa osvetljenosti ćelije natrijumovom SOX lampom pod niskim pritiskom.13.15 prikazane su zavisnosti redne otpornosti od primljene doze gama zračenja za uzorke S0 i S6.14 i 7.

Slika 7. Grafik zavisnosti redne otpornosti od primljene doze gama zračenja za uzorak S6 (SOX lampa). .Slika 7.16. Grafik zavisnosti redne otpornosti od primljene doze neutronskog zračenja za uzorak S4.15.

Ovakvo ponašanje ukazuje na to da je dostignuta maksimalna koncentracija defektnih stanja. kod nižih nivoa osvetljenosti.17.17 prikazane su zavisnosti redne otpornosti od primljene doze gama zračenja za uzorke S4 i S8.18 prikazana je zavisnost napona otvorenog kola od primljene doze gama zračenja za uzorak S2. posebno nakon drugog koraka ozračivanja. nakon inicijalnog povećanja. Kod uzorka S8 uočeno je i smanjenje vrednosti redne otpornosti.2. Na slici 7.19 prikazana je zavisnost napona otvorenog kola od primljene doze gama zračenja za uzorak S5. pri dva nivoa osvetljenosti ćelije. pri dva nivoa osvetljenosti ćelije. Kod uzorka S4 jasno se uočava povećanje vrednosti redne otpornosti kod manjih primljenih doza.2 NAPON OTVORENOG KOLA Na slici 7.7 RADIJACIONA OTPORNOST SOLARNIH ĆELIJA Slika 7. Za razliku od predhodnog uzorka ovde se jasno uočava opadanje vrednosti Voc. a nakon sledećeg koraka ozračivanja nije došlo do promene vrednosti Voc. 7.16 i 7. Nakon primljenih kumulativnih doza od 10 i 100 Gy uočava se blagi rast a potom pad vrednosti Voc. dok je kod velikih doza vrednost praktično konstantna. Na likama 7. . Grafik zavisnosti redne otpornosti od primljene doze neutronskog zračenja za uzorak S8. pri 3 odnosno 2 nivoa osvetljenosti ćelija.

Grafik zavisnosti napona otvorenog kola od primljene doze gama zračenja za uzorak S5.Slika 7. Grafik zavisnosti napona otvorenog kola od primljene doze gama zračenja za uzorak S2. Slika 7.18. .19.

. Grafik zavisnosti napona otvorenog kola od primljene doze gama zračenja za uzorak S6. Grafik zavisnosti napona otvorenog kola od primljene doze gama zračenja za uzorak S1.21. Slika 7.20.7 RADIJACIONA OTPORNOST SOLARNIH ĆELIJA Slika 7.

23 i 7. pri dva nivoa osvetljenosti ćelija. Ovi uzorci su primili veće kumulativne doze zračenja. .24 prikazane su zavisnosti napona otvorenog kola od primljene doze gama zračenja za uzorak S7 i S3 respektivno pri dava nivoa osvetljenosti ćelija. Kao i u predhodna dva slučaja upčljivo je oštro opadanje vrednosti Voc nakon prvog koraka ozračivanja i manje izraženo opadanje vrednosti Voc nakon drugog koraka ozračivanja.22. Na slikama 7.Na slikama 7. Slika 7. Na slici 7.22 prikazana je zavisnost napona otvorenog kola od primljene doze gama zračenja za uzorak S0.20 i 7. Kod oba uzorka uočljivo je oštro opadanje vrednosti V oc nakon prvog koraka ozračivanja i manje izraženo opadanje vrednosi Voc nakon drugog koraka ozračivanja. I kod ovih uzoraka upčljivo je oštro inicijalno opadanje vrednosti Voc nakon prvog koraka ozračivanja i manje izraženo opadanje vrednosti Voc nakon poslednjeg koraka ozračivanja. Grafik zavisnosti napona otvorenog kola od primljene doze gama zračenja za uzorak S0.21 prikazane su zavisnosi napona otvorenog kola od primljene doze gama zračenja za uzorke S1 i S6 respektivno. pri četri nivoa osvetljenosti ćelija.

24. Na slikama 7.7 RADIJACIONA OTPORNOST SOLARNIH ĆELIJA Slika 7. Grafik zavisnosti napona otvorenog kola od primljene doze gama zračenja za uzorak S7.25 i 7.26 prikazane su zavisnosti napona otvorenog kola od primljene doze gama zračenja za uzorke S0 i S6 respektivno pri dva nivoa osvetljenosti vrednosti Voc koje je analogno ponašanju pri beloj . Slika 7. Grafik zavisnosti napona otvorenog kola od primljene doze gama zračenja za uzorak S3.23.

Grafik zavisnosti napona otvorenog kola od primljene doze gama zračenja za uzorak S0 (SOX lampa). Slika 7.25.svetlosti s tim što je kod uzorka tipa A opadanje izraženije prilikom osvetljaja SOX lampom.26. Grafik zavisnosti napona otvorenog kola od primljene doze gama zračenja za uzorak S6 (SOX lampa). . Slika 7.

28. Grafik zavisnosti napona otvorenog kola od primljene doze neutronskog zračenja za uzorak S4.28 prikazane su zavisnosti napona otvorenog kola od primljene doze neutronskog zračenja za uzorke S4 i S8 respektivno. Kod ovih uzoraka karakteristično je veoma mala opadanja vrednosti Voc. pri dva nivoa osetljivosti.7 RADIJACIONA OTPORNOST SOLARNIH ĆELIJA Na slikama 7.27 i 7. .27. Slika 7. Grafik zavisnosti napona otvorenog kola od primljene doze neutronskog zračenja za uzorak S8. Slika 7.

30.29 prikazana je zavisnost struje kratkog spoja od primljene doze gama zračenja za uzorak S2. Slika 7. Slika 7.2. Grafik zavisnosti struje kratkog spoja od primljene doze gama zračenja za uzorak S2. Promene vrednosti Jsc nisu konzistentne niti su posebno izražene. Grafik zavisnosti struje kratkog spoja od primljene doze gama zračenja za uzorak S5.7. . pri dva nivoa osvetljenosti ćelije.3 STRUJA KRATKOG SPOJA Na slici 7.29.

Na slikama 7.7 RADIJACIONA OTPORNOST SOLARNIH ĆELIJA Na slici 7. što se posebno dobro vidi kod uzorka S6. Za razliku od predhodnog uzorka ovde se jasno uočava opadanje vrednosti Jsc.31. Grafik zavisnosti struje kratkog spoja od primljene doze gama zračenja za uzorak S1. respektivno. Slika 7. Inicijalno oštećenje je izraženije jer nastaje usled drastične promene koncentacije rekombinacionih centara. što je nešto izraženije pri većem intezitetu svetlosti. pri dva nivoa osvetljenosti ćelija. .32 prikazane su zavisnosti struje kratkog spoja od primljene doze gama zrčenja za uzorka S1 i S6. Relativna promena je veća nakon prvog koraka ozračivanja. Smanjenje struje vrednosti struje kratkog spoja meže se smatrati posledicom smanjenja vremena životnog generisanih nosilaca odnosno povećnom stopom rekonbinacije usled povećane gustine rekombinacionh centara. Ovi uzorci su primili veće kumulativne doze zračenja.30 prikazana je zavisnost stuje kratkog spoja od pimljene doze gama zračenja za uzorak S5. pri dva nivoa osvetljenosti ćelija. Kod oba uzorka uočljivo je oštro relativno opadanje vrednosti Jsc nakon prvog koraka ozračenja i nešto slabije izraženo opadanje vrenosti Jsc nakon drugog koraka ozračivanja.31 i 7.

Slika 7.Slika 7. . Grafik zavisnosti struje kratkog spoja od primljene doze gama zračenja za uzorak S0. Kao i u predhodna dva slučaja uočljivo je oštro opadanje vrednosti Jsc nakon prvog koraka ozračivanja i manje relativno opadanje vrednosti Jsc nakon drugog koraka ozračivanja. Na slici 7.33 prikazana je zavisnost struje kratkog spoja od primljene doze gama zračenja za uzorak S0 pri četiri nivoa osetljivosti ćelije.33.32. Grafik zavisnosti struje kratkog spoja od primljene doze gama zračenja za uzorak S6.

Slika 7.7 RADIJACIONA OTPORNOST SOLARNIH ĆELIJA Na slikama 7. Slika 7. I kod ovih uzoraka uočljivo je oštro inicijalno opadanje vrednosti Jsc nakon prvog koraka ozračivanja i zanatno manje izraženo opadanje vrednosti Jsc nakon poslednjeg koraka ozračivanja.35. .34.34 i 7. Grafik zavisnosti struje kratkog spoja od primljene doze gama zračenja za uzorak S7.35 prikazane su zavisnosti struje kratnog spoja od primljene doze gama zračenja za uzorak S7 i S3 pri dva nivoa osetljivosti ćelija. Grafik zavisnosti struje kratkog spoja od primljene doze gama zračenja za uzorak S3.

37 prikazane su zavisnosti struja kratkog spoja od primljene doze gama zračenja za uzorke S0 i S6 pri dva nivoa osvetljenosti natrijumovom (SOX) lampom.36 i 7. Sa grafika se može uočitit opadanje vrednosti Jsc koje je analogno ponašanje istih uzoraka pri beloj svetlosti. Grafik zavisnosti struje kratkog spoja od primljene doze gama zračenja za uzorak S0 (SOX lampa). .37.Na slikama 7. Grafik zavisnosti struje kratkog spoja od primljene doze gama zračenja za uzorak S6 (SOX lampa). Slika 7.36. Slika 7.

Grafik zavisnosti struje kratkog spoja od primljene doze neutronskog zračenja za uzorak S8. Slika 7.38. . Grafik zavisnosti struje kratkog spoja od primljene doze neutronskog zračenja za uzorak S4.39. Kod ovih uzoraka karakteristično je veoma malo opadanje vrednosti Jsc na nižem nivou osvetljenosti. Slika 7.7 RADIJACIONA OTPORNOST SOLARNIH ĆELIJA Na slikama 7.38 i 7. pri tri odnosno dva nivoa osvetljenosti.39 prikazane su zavisnosti struje kratkog spoja od primljene doze neutonskog zračenja za uzorke S4 i S8.

4 EFIKASNOST Na slici 7. Slika 7.7. Promene efikasnosti nisu konzistentne niti su jasno izražene. Grafik zavisnosti efikasnosti od primljene doze . . Slika 7.40 prikazana je zavisnost efikasnosti ćelije od primljene doze gama zračenja za uzorka S2 pri dva nivoa osetljivosti ćelije.40.41.2. Grafik zavisnosti efikasnosti od primljene doze gama zračenja za uzorak S2.

Grafik zavisnosti efikasnosti od primljene doze gama zračenja za uzorak S1.41 prikazana je zavisnost efikasnosti ćelije od primljene doe gama zračenja za uzorak S5 pri dva nivoa osetljenosti ćelije.42. Relativna promena je veća nakon prvog koraka ozračenosti što je u skadu sa promenama vrednosti Voc i Jsc kao i faktora ispune.7 RADIJACIONA OTPORNOST SOLARNIH ĆELIJA gama zračenja za uzorak S5. Grafik zavisnosti efikasnosti od primljene doze . Slika 7. Ovaj uzorak je primio nešto veće doze zračenja i kod njega se jasno uočava opadanje efikasnosti. Na slici 7.43. Slika 7.

. Slika 7.43 prikazane su zavisnosti efikasnosti ćelija od primljene doze gama zračenja za uzorke S1 i S6 pri dva nivoa osvetljenosti elije. Kao i prethodna dva slučaja uočljivo je oštro opadanje efikasnosti nakon prvog koraka ozračivanja i manje relativno opadanje efikasnosti nakon drugog koraka ozračivanja.46 prikazane su zavisnosti efikasnosti ćelije od primljene doze gama zračenja za uzorke S7 i S3 pri dva nivoa osvetljenosti ćelija.44 prikazana je zavisnost efikasnosti ćelije od primljene doze gama zračenja za uzorak S0 pri četi nivoa osvetljenosti ćelije.45 i 7. Ovi uzorci su primili veće kumulativne doze zračenja. Na slikama 7. Kod oba uzorka uočljivo je oštor relativno opadanje efikasnosti nakon prvog koraka oyračivanja i nešto slabije izraženo opadanje efikasnosti nakon drugog koraka ozračivanja što se posebno dobro cidi kod uzorka S6. Na slikama 7.42 i 7. I kod ovih uzoraka uočljivo je oštro inicijalno opadanje efikasnosti nakon prvog koraka ozračivanja i znatno manje izraženo opadanje efikasnosti nakon poslednjeg koraka ozračivanja.gama zračenja za uzorak S6.44. Grafik zavisnosti efikasnosti od primljene doze gama zračenja za uzorak S0. Na slici 7.

7 RADIJACIONA OTPORNOST SOLARNIH ĆELIJA Slika 7.45.47 i 7. Na slikama 7. Sa grafika se može uočiti . Slika 7.48 prikazane su zavisnosti efiasnosti ćelije od primljene doze gama zračenja za uzorake S0 i S6 pri dva nivoa osvetljenosti natrijumovom (SOX) lampom. Grafik zavisnosti efikasnosti od primljene doze gama zračenja za uzorak S3.46. Grafik zavisnosti efikasnosti od primljene doze gama zračenja za uzorak S7.

Grafik zavisnosti efikasnosti od primljene doze gama zračenja za uzorak S0 (SOX lampa).48.opadanje efikasnosti koje je analogno ponašanju istih uzoraka pri beloj svetolosti s tim da je kod uzorka S0 izraženije opadanje efikasnosti nakon drugog koraka ozračivanja pri monohromstskoj svetlosti. Slika 7. Grafik zavisnosti efikasnosti od primljene doze gama zračenja za uzorak S6 (SOX lampa). . Slika 7.47.

49. Grafik zavisnosti efikasnosti od primljene doze neutronskog zračenja za uzorak S4.50 prikazane su zavisnosti efikasnosti ćelije od primljene doze neutronskog zračenja za uzorke S4 i S8 pri tri odnosno dva nivoa osvetljenosti. Grafik zavisnosti efikasnosti od primljene doze neutronskog zračenja za uzorak S8. .49 i 7.7 RADIJACIONA OTPORNOST SOLARNIH ĆELIJA Na slikama 7. Kod uzorka S4 i S8 uočljivo je ponavljanje trenda iz većine predhodnih slučajeva smanjenje efikasnosti koje je manje izraženo u poslednjem koraku ozračivanja. Slika 7.50. Slika 7.

Oni predstavljaju dvoelektrodnu ili troelektrodnu simetričnu konfiguraciju sa gasnom izolacijom.  Ogromna i nepromenljiva otpornost – pri naponima nižim od napona paljenja ona iznosi od 108Ω do 1010Ω. Troelektrodni gasni odvodnici predstavljaju dva gasna odvodnika u istom balonu. Gasni odvodnici prenapona se sastoje od dve ili tri elektrode.1kPa do 70kPa.  Mala vrednost unutrašnje kapacitivnosti – reda je 1pF. sporost. jer imaju sposobnost da provode vrlo velike struje (najveća dozvoljena struja je i do 60kA). kripton ili ksenon) ili smeša plemenitih gasova na pritisku od 0. U poslednje vreme se za njih upotrebljava oznaka GFSA (Gas Filled Surge Arresters). a najviše do 10pF. U stanju provođenja je reda 0. mogu i neon. Kao izolacioni medijum koristi se plemeniti gas (najčešće argon. Najvažniji nedostaci gasnih odvodnika prenapona su:  Mala brzina reagovanja – tj. a kod metaloksidnih varistora čak i do 15000pF).1 OSNOVNE KARAKTERISTIKE GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA Gasni odvodnici prenapona su nelinearni elementi koji se isključivo koriste za zaštitu od prenapona. Prednosti gasnih odvodnika u odnosu na druge elemente za zaštitu od prenapona su:  Velika izdržljivost – najizdržljiviji od svih elemenata prenaponske zaštite. tj.1 Ω.  Najveći opseg zaštitnog nivoa – od 70V do 1200V. . Kapacitivnost potiče od kondenzatora koga čine elektrode u stanju bez struje i ona je zanemarljiva u odnosu na kapacitivnost ostalih elemenata prenaponske zaštite (kod prenaponskih dioda ona iznosi 12000pF. To je njihova najveća mana i zato je glavni zadatak povećanje njihove brzine odziva. U stanju vođenja gasni odvodnik je idealan zaštitni element.8 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA 8. Elektrode su tako postavljene da obezbeđujupostojanje pseudohomogenog električnog polja. koje su zatopljene u keramičko ili stakleno kućište. odnosno dugo vreme reagovanja do aktivacije odvodnika. Otpornost odvodnika ne unosi nikakvo slabljenje bez obzira na veličinu impedanse. Rastojanje između elektroda je reda milimetra ili delova milimetra. u čijoj unutrašnjosti je plemeniti gas ili smeša plemenitih gasova. otpornost kabla.

Statički nivo reagovanja (Us=230V) i zavisnost dinamičkog nivoa reagovanja od brzine porasta prenaponskog impulsa jednog gasnog odvodnika.  dinamički napon Ud. osnovna karakteristika gasnih odvodnika prenapona je njihova brzina reagovanja. Slika 8.1.8Up da ne bio ugrožen ispravan rad uređaja. Najznačajnije performanse gasnih odvodnika prenapona su:  broj elektroda.  statički napon paljenja Us.  Problem gašenja odvodnika koji često ostaje upaljen i nakon nestanka prenapona. struje produženog delovanja (follow-up current) u impulsnom režimu.  Odstupanje napona paljenja od nominalne vrednosti date u katalozima za ±20%. koja je posledica paljenja odvodnika impulsnim prenaponom i koja traje sve dok se ne postignu uslovi za gašenje odvodnika.  Postojanje tzv. Kao što je već rečeno.  materijal odvodnika.8 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA  Veliko odstupanje vremena reagovanja za različite odvodnike od srednje vrednosti.  najveća dozvoljena naizmenična struja.  najveća dozvoljena impulsna struja. statički i dinamički odziv. . To znači da ako je radni napon štićenog uređaja Ur tada Ur≤0. tj.

2 [27]. Zavisnost vremena reagovanja od brzine porasta prenaponskog impulsa. tj. Sa slike 8. kao i zavisnost dinamičkog nivoa reagovanja od brzine porasta impulsa. tj. odnosno pri višem dinamičkom naponu. Dinamički prag reagovanja gasnog odvodnika ili nivo reagovanja na impulse zavisi od brzine porasta napona na odvodniku. . vidimo da dinamički nivo sporije raste od brzine porasta napona. Slika 8. što se lepo vidi na slici 8. Pri većim brzinama promene napona proces jonizacije u odvodniku kasni.2. brži impulsi imaju kraće vreme reagovanja. on reaguje kasnije.1 na kojoj je prikazan statički nivo reagovanja.Jednosmerni (statički) prag reagovanja gasnog odvodnika je napon Us pri kome dolazi do paljenja odvodnika pod uticajem prenaponskih impulsa blage prednje ivice (do 10000V/s).

3.3: Slika 8.2 PRINCIP FUNKCIONISANJA GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA Princip funkcionisanja gasnih odvodnika prenapona zasniva se na električnom pražnjenju u gasovima. Proces proticanja struje kroz gas može se opisati naponsko-strujnom karakteristikom. Zavisnost napona od struje u gasnoj cevi.4. koja je prikazana na slici 8. Slika 8.8 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA 8. . Šematski prikaz uređaja za snimanje volt-amperske karakteristike gasnog pražnjenja.

pritiska gasa (p) i rastojanja između elektroda (d). odnosno proces jonizacije više ne mora da se održava spoljašnjim izvorom zračenja.Ukoliko je uspostavljen proces vremenski nepromenljive zapreminske jonizacije i ako na elektrode gasnog odvodnika dovodemo napon doći će do proticanja struje kroz odvodnik. ali postoji izvestan broj jona i slobodnih elektrona. On zavisi od vrste gasa. koji stižu do katode. U oblasti od tačke E do tačke F dolazi do naglog porasta struje sa porastom napona. a struja raste i do 1000A. Napon u tački F naziva se napon paljenja ili probojni napon.3 struja ne protiče kroz odvodnik. Usp napon . U oblasti od tačke B do tačke C struja prelazi u zasićenje. To je napon pri kome dolazi do proboja gasa u odvodniku. a ostatak se rekombinuje. Oblast od tačke A do tačke F na slici 8. tj. U tački I počinje proces lučnog pražnjenja pri kome napon naglo opada a struja raste. prirodna radioaktivnost). smanjuje se verovatnoća rekombinacije. a napon opada. U oblasti od tačke H do tačke I sa povećanjem napona struja se malo menja. Tipična UI karakteristika gasnog odvodnika pri povećanju struje prikazana je na slici 8. ali nosioci između sudara sa atomima gasa imaju sve veću energiju. Dakle. U oblasti od tače A do tačke B pri malim naponima samo deo jona i elektrona nastalih dejstvom spoljnjeg izvora dolazi do elektroda. od tačke F pražnjenje postaje samostalno i između tačaka F i H za održavanje struje je dovoljan napon manji od probojnog. tj.5. U tački F nesamostalno pražnjenje prelazi u samostalno. tj. jer se prilikom procesa rekombinacije i deeksitacije molekula gasa emituju fotoni. U tački A na slici 8. To je posledica multiplikativnih polsedica. što znači da skoro svi generisani nosioci stižu na elektrode. a struja se može održavati i bez spoljašnjeg izvora jonizujućeg zračenja. U oblasti od tačke D do tačke E polje dostiže takvu vrednost da pojedini elektroni tokom vremena između dva sudara stiču dovoljnu kinetičku energiju da mogu da izazovu jonizaciju atoma tokom sudara. Dalje povećanje struje ne dovodi do povećanja napona. Stoga se gašenje odvodnika može postići samo smanjivanjem struje na zanemarljivo malu vrednost ili njenim totalnim isključivanjem. a pre svega α procesa. U toj oblasti struja naglo raste. Pri tom vrednost napona opada do vrednosti jonizacionog potencijala za dati plemeniti gas (oko 15V do 20V). Za održavanje procesa lučnog pražnjenja potrebne su male struje reda 0.1A. udarne jonizacije. Gas počinje da svetli. gde je Up – napon paljenja odvodnika. U oblasti od tačke C do tačke D polje je dovoljno jako da potpuno onemogućava rekombinaciju i porast napona ne dovodi do porasta struje. kao posledica dejstva spoljašnjih jonizatora (kosmičko zračenje.3 naziva se oblast Townsendovog pražnjenja. proces rekombinacije postaje zanemarljiv. Sa povećanjem jačine električnog polja u međuelektrodnom prostoru dolazi do bržeg kretanja nosilaca naelektrisanja i raste broj nosilaca.

gde je Ug napon gašenja odvodnika. Tipična volt-amperska karakteristika gasnog odvodnika prenapona pri smanjenju struje. a Ulp je napon lučnog pražnjenja.6. Na slici 8. već je određen konfiguracijom kola u trenutku . čija je tipična vrednost između 10V i 20V.5. Taj napon nije karakteristika odvodnika.8 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA svetlog pražnjenja čija se vrednost kreće od 70V i 150V. Tipična volt-amperska karakteristika gasnog odvodnika prenapona pri povećanju struje. Slika 8. Slika 8.6 prikazana je tipična UI karakteristika odvodnika pri smanjenju struje.

Kao promenljivi parametri korišćeni su jačina apsorbovane doze. rendgenskog zračenja. kao i na originalno razvijenom modelu gasnog odvodnika prenapona. γ zračenja. . Eksperimentalno je proučavana radijaciona otpornost gasnih odvodnika prenapona. kao i model ugrađenih α i β izvora na relevantne karakteristike gasnih odvodnika prenapona. ekvivalentna doza. U tu svrhu vršena su ispitivanja uticaja različitih tipova zračenja i to: n+γ zračenja. jačina ekspozicione doze. energija i fluens. Ispitivanja su vršena na komercijalnim komponentama dva proizvođača SIEMENS i CITEL.kada struja opadne ispod vrednosti struje gašenja Ig. Struja gašenja je minimalna vrednost struje ispod koje se proces jonizacije u odvodniku više ne može održavati i tada struja u potpunosti prestaje da protiče kroz kolo.

3.8 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA 8.7.1 RADIJACIONA OTPORNOST KOMERCIJALNIH GASNIH ODVODNIKA U POLJU GAMA I X ZRAČENJA Ispitivanja su vršena na sledećim komercijalnim komponentama: SIEMENS gasni odvodnici prenapona nominalnog napona od 230V CITEL BB bipolarni keramički odvodnici jednosmernog prenapona 230V Efekti γ i X zračenja su uspitivani u odnosu na sledeće karakteristike odvodnika:  pretprobojnu struju u funkciji primenjenog napona  otpornost u funkciji primenjenog napona.   Slika 8. Pretprobojna struja u funkciji primenjenog napona bez zračenja. .3 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA U JEDNOSMERNOM REŽIMU 8.

150kV i 300kV. respektivno. respektivno.83 x 10 -6 C/kgs. Parametri polja X zračenja dozimetrijskog generatora prilikom ispitivanja navedenih komercijalnih komponenti bili su sledeći: napon X cevi 60kV. respektivno [42]. Slika 8.15cm i 60. Rastojanje između izvora 60Co i ispitivanih komponenti je iznosilo 272. a za CITEL gasne odvodnike 223V).42cm. Sa grafika se može zakljušiti sledeće:  U odsustvu zračenja primetan je nagli porast struje u toku proboja (probojni napon za SIEMENS komponente iznosi 212V. Pretprobojna struja u funkciji primenjenog napona u polju gama zračenja. respektivno.7 – 8. i energija X zraka 45keV.17 x 10 -6 C/kgs.9. 7. 5.43 x 10-4 C/kgs. Pre proboja struja se ne menja sa porastom . Prilikom uspitivanja navedenih komponenata jačina apsorbovane doze je iznosila 90 cGy/h. respektivno. respektivno.8.Efekti dejstva gama zračenja tako što je kao promenljivi parametar korišćena jačina apsorbovane doze. 115keV i 250keV.46 x 10-6 C/kgs. struja cevi 15mA. 10mA i 10mA. 960 cGy/h i 1920 cGy/h. 86. Jačina ekspozicione doze je iznosila 7.89 x 10-6 C/kgs i 3. respektivno.17 x 10-5 C/kgs i 1. Jačina ekspozicione doze je iznosila 2. Rezultati ispitivanja pretprobojne struje u funkciji primenjenog napona bez prisustva zračenja i u polju γ i X zračenja prikazani su na slikama 8.92cm.

prilikom prelaska iz neprovodnog u provodni režim rada. Pretprobojna struja u funkciji primenjenog napona u polju X zračenja. . Slika 8.12 [43]. U gama polju proboj se javlja pri vičim vrednostima napona (250V).  Gama zračenje značajno utiče na performanse gasnih odvodnika prenapona.  Gasni odvodnici su posebno osetljivi na dejstvo rendgenskog zračenja.10–8. Pretprobojna struja ima veće vrednosti nego u gama polju. Otpornost gasnih odvodnika prenapona u odnosu na primenjeni napon bez prisustva zračenja i u slučaju dejstva gama i rendgenskog zračenja prikazana je na slikama 8. respektivno.1 nA. Na višim vrednostima energije X zraka (250keV) primećuju se niže vrednosti pretprobojne struje. Porast struje nije tako oštar. kao u slučaju odsustva zračenja. dolazi do naglog porasta struje i njena vrednost dostiže red veličine µA.9.8 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA napona i ima konstantnu vrednost reda 0. Proboj se javlja pri nižim naponima u odnosu na vrednosti pri dejstvu gama zračenja. a porast struje je oštriji nego u gama polju 60Co. Preprobojna struja raste sa jačinom doze. U pretprobojnom režimu struja je deset puta veća nego bez prisustva radioaktivnog zračenja. Kada napon dostigne vrednost probojnog napona.

10.Slika 8. Otpornost u funkciji primenjenog napona bez prisustva zračenja. Otpornost u funkciji primenjenog napona .11. Slika 8.

115keV). Pri tome je ovaj porats izraženiji kod SIEMENS nego kod CITEL komercijalnih komponenti. Otpornost u funkciji primenjenog napona u polju X zračenja. s tim što ona ima za red veličine veće vrednosti u odnosu na one bez dejstva zračenja. Primećuje se blago opadanje otpornosti u blizini vrednsoti probojnog napona. Na osnovu dobijenih rezultata zaključujemo sledeće:  U pretprobojnom režimu otpornost odvodnika linearno raste sa naponom.8 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA u polju gama zračenja. kao i naglo opadanje otpornosti prilikom dosezanja vrednosti probojnog napona. Slika 8.  Pri nižim energijama X zračenja porast otpornosti sa primenjenim naponom je znatno blaži. nakon kratkog . Kada napon dostigne probojnu vrednost dolazi do naglog pada otpornosti.  Prilikom dejstva gama zračenja otpornost takođe linearno raste sa primenjenim naponom. tj.12. Proboj na visokoj energiji nastupa pri manjim vrednostima napona i pad otpornosti pri dostizanju probojnog napona je mnogo oštriji nego u slučaju nižih energija X zraka (45keV. nego pri visokoj energiji X zraka (250keV). Svi opisani efekti dejstva γ i X zračenja na karakteristike gasnih odvodnika prenapona imaju reverzibilan karakter.

10mA i 10mA.5mm.42cm. i energija X zraka 45keV.3.2 RADIJACIONA OTPORNOST MODELA GASNOG ODVODNIKA PRENAPONA U POLJU GAMA I X ZRAČENJA U slučaju ispitivanja dejstva γ i X zračenja na pretprobojnu struju modela gasnog odvodnika korišćene su tri vrste elektroda: aluminijumske.92cm. Eksperimenti su vršeni pri pritiscima od 2. struja cevi 15mA. U polju 60Co jačina apsorbovane doze u vazduhu je iznosila 96 cGy/h.67kPa i 4. 115keV i 250keV.83 x 10-6 C/kgs.89 x 10-6 C/kgs i 3. Slika 8. respektivno.perioda vremena gasni odvodnici ponovo imaju iste karakteristike kao pre dejstva zračenja. Rastojanje između elektroda je iznosilo 0. 150kV i 300kV. 86.13.67kPa. Jačina ekspozicione doze je iznosila 2. respektivno. respektivno. respektivno. 8.46 x 10-6 C/kgs. Zavisnost pretprobojne struje od primenjenog napona . Parametri polja X zračenja u slučaju ispitivanja modela gasnog odvodnika su bili sledeći: napon X cevi 60kV. respektivno.15cm i 60. 5. respektivno. 960 cGy/h i 1920 cGy/h. Rastojanje između izvora i odvodnika je iznosilo 272. mesingane i čelične.

8 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA u polju gama zračenja.15. Zavisnost pretprobojne struje od primenjenog napona . Slika 8. Slika 8. Zavisnost pretprobojne struje od primenjenog napona u polju gama zračenja.14.

Slika 8. Zavisnost pretprobojne struje od primenjenog napona .16. Zavisnost pretprobojne struje od primenjenog napona u polju gama zračenja.17. Slika 8.u polju gama zračenja.

18. Pritom je ovaj porast za obe vrednosti pritiska i sva tri materijala elektroda izraženiji što je veća jačina doze gama zračenja.  Za sva tri materijala elektroda. Zavisnost pretprobojne struje od primenjenog napona u odsustvu zračenja i u polju γ zračenja (za aluminijumske. većoj vrednosti pritiska odgovaraju veće vrednosti probojnog napona. Sa dobijenih grafika možemo zaključiti sledeće:  Gama zračenje značajno utiče na pretprobojnu struju gasnih odvodnika prenapona.2 Gy/h. mesingane i čelične elektrode za dve vednosti pritiska) prikazana je na slikama 8.13 do 8. U slučaju prisustva 60Co izvora primetan je stalni porast pretprobojne struje sa povećanjem napona.18 struja I1 odgovara slučaju kada nema zračenja. Bez prisustva gama izvora do dostizanja vrednosti probojnog napona. respektivno.8 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA u polju gama zračenja.6 Gy/h. U legendi prikazanoj na slikama od 8. pretprobojna struja se ne menja sa porastom napona. a struja I4 jačini apsorbovane doze gama zračenja od 19.96 Gy/h.18. struja I2 jačini apsorbovane doze gama zračenja od 0. . struja I3 jačini apsorbovane doze gama zračenja od 9. Materijal od koga su napravljene elektrode i vrednsot primenjenog pritiska prikazani su u vrhu slike.13 – 8. Slika 8. Zavisnost pretprobojne struje od primenjenog napona u polju gama zračenja.

19. kod kojih se i pri manjoj i pri većoj vrednosti pritiska najveći probojni napon postiže pri najvećoj jačini doze. Materijal od koga su napravljena elektrode i vrednost primenjenog pritiska prikazani su u vrhu svake slike.19 – 8.  Kod sva tri materijala elektroda pri većoj vrednosti pritiska većoj jačini primenjene doze odgovara veća vrednost probojnog napona.22. To jedino nije slučaj kod aluminijumskih elektroda. te se najveća vrednost probojnog napona postiže u slučaju odsustva zračenja. Zavisnost pretprobojne struje od primenjenog napona u polju X zračenja. struja I3 energiji X zračenja od 115keV. Na osnovu svih dobijenih rezultata može se zaključiti da je u jednosmernom režimu rada najprikladnijekoristiti model odvodnika sa elektrodama od mesinga pri većoj vrednosti pritiska. Slika 8. struja I2 energiji X zračenja od 45keV. tj. sa povećanjem jačine doze raste vrednost probojnog napona. većim jačinama doza odgovara manja vrednost probojnog napona. Najveće vrednosti probojnog napona se dostižu u slučaju mesinganih elektroda (čak i do 450V). a najmanje prilikom upotrebe čeličnih elektroda. . a struja I4 energiji X zračenja od 250keV. Struja I1 odgovara slučaju kada nema zračenja. Ista vrednost u slučaju dejstva X zračenja prikazana je na slikama 8. Pri manjoj vrednosti pritiska u slučaju elektroda od čelika i mesinga.

8 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA Slika 8. Slika 8. Zavisnost pretprobojne struje od primenjenog napona u polju X zračenja. Zavisnost pretprobojne struje od primenjenog napona u polju X zračenja.20.21. .

koje su najotpornije na dejstvo zračenja. X zračenje u pretprobojnom režimu praktično ne utiče na karakteristike gasnih odvodnika prenapona.22.  Mesingane elektrode su najotpornije na dejstvo X zračenja.67kPa pri naponima od 260V do 280V). čije prisustvo dovodi do povećanja vrednosti probojnog napona.  Nezavisno od materijala od koga su napravljene elektrode pri većoj energiji X zraka proboj nastupa pri manjimvrednostima napona. Može se zaključiti da je i u gama i u X polju najbolje upotrebiti mesingane elektrode.67kPa pri naponima od 230V do 250V.Slika 8.  U svim slučajevima proboj nastupa pri manjim vrednostima napona u odnosu na slučaj kada je odvodnik izložen gama zračenju (pri pritisku od 2. Sa dobijenih grafika možemo zaključiti sledeće:  U pretprobojnom režimu struja se ne menja sa porastom napona bez obzira na vrednosti primenjene energije X zračenja. nego pri manjem pritisku.  Proboj se pri većoj vrednosti pritiska javlja pri većim vrednostima probojnog napona. Takođe. tj. Zavisnost pretprobojne struje od primenjenog napona u polju X zračenja. najveća vrednost probojnog napona se dostiže u slučaju kada na odvodnik ne deluje X zračenje. odvodnik je otporniji na dejstvo gama zračenja. X zračenje . a pri pritisku od 4. S druge strane.

8 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA degradira osobine odvodnika i dovodi do proboja pri manjim vrednostima napona. .

Indukovani prenaponski impuls u vodu ima oblik trougaonog impulsa. kao što je prikazano na slici 8.2/50µs.4. t1[µs] vreme prednje ivice (vreme čela impulsa) koje predstavlja vreme za koje se dostigne vršna vrednost. t2[µs] vreme opadanja napona ili struje do polovine vršne vrednosti. Na slici 8. Zbog statističke obrade rezultata vršeno je po 50 merenja probojnog napona.8.23. 10/700µs I 100/700µs.24 prikazan je hronološki niz vrednosti probojnog napona CITEL odvodnika bez prisustva zračenja pri najbržem impulsu oblika 1. . Slika 8. odnosno energije X zračenja.2/50µs. t3[µs] vreme trajanja impulsa. sa svim parametrima eksperimenta kao i u jednosmernom režimu. Za iste komponente odgovarajući histogrami vrednosti probojnog napona pri brzini impulsa 1. i to bez prisustva zračenja.4 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA U IMPULSNOM REŽIMU 8. gde je: U[V] vršna vrednost napona. Izgled trougaonog impulsa. Merenja su vršena na tri brzine imulsa i to: 1.23 i obeležen sa U[V](t1/t2)[ µs].2/50µs.1 RADIJACIONA OTPORNOST KOMERCIJALNIH GASNIH ODVODNIKA U POLJU GAMA I X ZRAČENJA Efekti dejstva gama i X zračenja na karakteristike komercijalnih gasnih odvodnikla dva proizvođača CITEL i SIEMENS vršena su u istim poljima i pri istoj jačini apsorbovane doze gama zračenja.

prikazani su na slikama 8. 9. Slika 8.24.25 – 8. Histogram vrednosti probojnog napona CITEL odvodnika bez zračenja pri brzini impulsa 1.8 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA i u polju gama zračenja. pri jačinama doza od 0.96 Gy/h.2 Gy/h.2/50µs. Slika 8.28.2/50µs. respektivno. . Hronološki niz vrednosti probojnog napona CITELodvodnika bez prisustva zračenja pri impulsu 1.6 Gy/h i 19.25.

2/50µs.6 Gy/h i brzini impulsa 1.Slika 8. Histogram vrednosti probojnog napona CITEL odvodnika u polju gama zračenja pri jačini doze od 0. Slika 8.2/50µs.96 Gy/h i brzini impulsa 1. .27. Histogram vrednosti probojnog napona CITEL odvodnika u polju gama zračenja pri jačini doze od 9.26.

8 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA Slika 8.2/50µs.29.2/50µs prikazan je na slici 8.6 Gy/h i brzini impulsa 1.28. Histogram vrednosti probojnog napona SIEMENS odvodnika u polju gama zračenja pri jačini doze od 9. Histogram vrednosti probojnog napona CITEL odvodnika u polju gama zračenja pri jačini doze od 19.29. Slika 8.2 Gy/h i brzini impulsa 1.2/50µs.6 Gy/h i brzini impulsa 1. . Histogram vrednosti probojnog napona za SIEMENS odvodnike u polju gama zračenja pri jačini doze od 9.

respektivno. Volt-sekundne karakteristike za CITEL komponente u polju X zračenja.31.30.31.33. Slika 8.32 i 8.Volt-sekundne karakteristike za CITEL komponente u polju gama i X zračenja prikazane su na slikama 8. a za SIEMENS komponente na slikama 8. Slika 8. . respektivno. Volt-sekundne karakteristike za CITEL komponente u polju gama zračenja.30 i 8.

a najveće pri najsporijim impulsima (100/700µs). može se zaključiti sledeće:  Najmanje rasipanje vrednosti probojnog napona je pri najbržim korišćenim impulsima (1. Volt-sekundne karakteristike za SIEMENS komponente u polju gama zračenja. . kao i na osnovu rezultata svih merenja.32.33. Sa prikazanih grafika.2/50µs). Volt-sekundne karakteristike za SIEMENS komponente u polju X zračenja. Slika 8.8 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA Slika 8.

 Sve navedene promene su reverzibilnog karaktera i nakon određenog perioda vremena i CITEL i SIEMENS komponente ponovo imaju iste performanse. Jedino možemo zaključiti da kod CITEL komponenti dolazi do neznatnog poboljšanja. a kod SIEMENS komponenti do pogoršanja karakteristika. Hronološki niz vrednosti probojnog napona za aluminijumske elektrode bez zračenja pri impulsu 1.4.2 RADIJACIONA OTPORNOST MODELA GASNOG ODVODNIKA PRENAPONA U POLJU GAMA I X ZRAČENJA Uticaj gama i X zračenja na karakteristike modela gasnog odvodnika prenapona ispitivan je za tri materijala elektroda: aluminijum. . Može se reći da je uticaj X zračenja na odvodnike neznatan. čelik i mesing. Gama zračenje utiče na karakteristike odvodnika. Slika 8.2/50µs. za tri brzine impulsa: 1. ali se one ne menjaju po nekoj utvrđenoj zakonitosti sa povećanjem jačine doze.  X zračenje mnogo manje od gama zračenja utiče na karakteristike pomenutih komercijalnih gasnih odvodnika. kao pre dejstva zračenja (dinamička radijaciona otpornost). 10/700µs i 100/700µs.2/50µs. 8.34.

35.2 Gy/h pri impulsu 100/700µs.2 Gy/h pri impulsu 1.2/50µs. Slika 8. . Hronološki niz vrednosti probojnog napona za aluminijumske elektrode pri jačini doze gama zračenja od 19.36. Hronološki niz vrednosti probojnog napona za aluminijumske elektrode pri jačini doze gama zračenja od 19.8 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA Slika 8.

34 i 8. Slika 8.42 i 8. prikazani su na slikama 8.36 dat je na slici 8.37.Hronološki nizovi vrednosti probojnog napona za aluminijumske electrode bez prisustva zračenja i pri najvećoj primenjenoj jačini doze gama zračenja od 19.41.2Gy/h.2/50µs.96 Gy/h.2 Gy/h.36. a u slučaju aluminijumskih elektroda pri najvećoj jačini doze gama zračenja i najsporijem impulsu 100/700µs na slici 8. 9. odnosno mesinganih elektroda prikazani su na slikama 8. . pri brzini impulsa 1. Histogrami vrednosti probojnog napona za aluminijumske electrode bez zračenja i u polju gama zračenja pri jačinama doza od 0.6 Gy/h i brzini impulsa 1. Histogram koji odgovara hronološkom nizu prikazanom na slici 8.6 Gy/h i 19.2/50µs. respektivno.2/50µs u slučaju čeličnih. Histogram vrednosti probojnog napona Za aluminijumske elektrode bez zračenja i pri brzini impulsa 1.35.37 – 8.43. respektivno. prikazani su na slikama 8. Histogram vrednosti probojnog napona u polju gama zračenja 60Co pri jačini doze od 9.40.

39.6 Gy/h i pri brzini impulsa 1.2/50µs.38. Slika 8.8 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA Slika 8.96 Gy/h i pri brzini impulsa 1. . Histogram vrednosti probojnog napona za aluminijumske elektrode u polju gama zračenja pri jačini doze od 0.2/50µs. Histogram vrednosti probojnog napona za aluminijumske elektrode u polju gama zračenja pri jačini doze od 9.

6 Gy/h i brzini impulsa 1.41.Slika 8.2 Gy/h i pri brzini impulsa 100/700µs. Histogram vrednosti probojnog napona u polju gama zračenja 60Co pri jačini doze od 9.2 Gy/h i pri brzini impulsa 1.36 dat je na slici 8. Histogram vrednosti probojnog napona za aluminijumske elektrode u polju gama zračenja pri jačini doze od 19.41. .2/50µs.40. Histogram vrednosti probojnog napona za aluminijumske elektrode u polju gama zračenja pri jačini doze od 19. odnosno mesinganih elektroda prikazani su na slikama 8.42 i 8. Histogram koji odgovara hronološkom nizu prikazanom na slici 8.2/50µs u slučaju čeličnih.43. respektivno Slika 8.

42.8 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA Slika 8.43.6 Gy/h i pri brzini impulsa 1.2/50µs. Histogram vrednosti probojnog napona za čelične elektrode u polju gama zračenja pri jačini doze od 9.2/50µs. Histogram vrednosti probojnog napona za mesingane elektrode u polju gama zračenja pri jačini doze od 9. .6 Gy/h i pri brzini impulsa 1. Slika 8.

49. odnosno X polju prikazane su na slikama 8.44 . .44. Volt-sekundne karakteristike u slučaju aluminijumskih elektroda u polju gama zračenja. Volt-sekundne karakteristikeu slučaju aluminijumskih elektroda u polju X zračenja. čeličnih i mesinganih elektroda u gama. Slika 8. Slika 8.Volt-sekundne karakteristike u slučaju aluminijumskih.45.8. respektivno.

Volt-sekundne karakteristike u slučaju čeličnih elektroda u polju gama zračenja.8 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA Slika 8. Volt-sekundne karakteristike u slučaju čeličnih elektroda u polju X zračenja. . Slika 8.47.46.

49.Slika 8. Volt-sekundne karakteristike u slučaju mesinganih elektroda u polju X zračenja. .48. Volt-sekundne karakteristike u slučaju mesinganih elektroda u polju gama zračenja. Slika 8.

2/50µs. što uzrokuje povećanje brzine odziva odvodnika (poboljšanje karakteristika odvodnika). kao pre dejstva zračenja (dinamička radijaciona otpornost).8 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA Na osnovu dobijenih rezultata može se zaključiti sledeće:  Gama zračenje dovodi do sužavanja impulsne karakteristike odvodnika. I u ovom slučaju se najbolji rezultati postižu prilikom upotrebe aluminijumskih. samo što ono nije uvek najveće pri najvećim energijama X zraka. . a najveće pri najsporijim impulsima 100/700µs.  Najmanje rasipanje vrednosti probojnog napona je pri najbržim impulsima 1. a najmanje kod čeličnih elektroda. Dobijeni efekti su najviše izraženi kod elčektroda od aluminijuma.  I X zračenje dovodi do sužavanja volt-sekundne karakteristike odvodnika.  Sve navedene promene su reverzibilne i odvodnici nakon prestanka dejstva zračenja ponovo imaju iste karakteristike. a najločiji prilikom upotrebe čeličnih elektroda.

Naravno. a s obzirom na strukturu fisonog spektra kalifornijuma.8. relativno mali deo neutrona je učestvovao u aktivaciji materijaka odvodnika.. s obzirom da je efikasni presek neelastične interakcije za neutronsku komponentu znatno veći u odnosu na gama komponentu zračenja. Ipak i pored ovog ograničenja.244∙1011 n/cm2. Promena rasipanja srednje vrednosti statičkog probojnog napona u funkciji fluensa neutrona. ovaj element je bio izložen dejstvu izvora zračenja 252Cf [44].4148∙109n/cm2 kao i fluensu od 16. Slika 8. kao rezultat ozračavanja odvodnika pojavile su se evidentne promene njegovih elektronskih karakteristika. Kako efikasni presek za reakciju zahvata neutrona ima dovoljno veliku vrednost samo za termalne i spore neutrone. ali je njen udeo u posmatranim procesima irelevantan.5 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA U POLJU NEUTRONSKOG ZRAČENJA U cilju ispitivanja uticaja neutronskog zračenja na komercijalni gasni prenaponski odvodnik bez radioaktivnog punjenja. Gasni odvodnik je bio izložen neutronskom fluensu od 5. uz neutrone je bila prisutna i γ komponenta zračenja. Ispitivan je komercijalni prenaponski odvodnik čiji je deklarisani jednosmerni probojni napon iznosio 470 V.50. Odvodnik je ispitivan tako da .

Veći broj merenja je nepoželjan zbog ireverzibilnosti karakteristika gasnog odvodnika prenapona. što je uzrokovano povećanjem verovatnoće inicijalizacije jonizacionog akta. Promena rasipanja statičkog probojnog napona u funkciji fluensa neutrona data je na slici 8. Pedeset merenja impulsnog probojnog napona predstavlja minimalan broj merenja potreban za korektnu analizu statičkog probojnog napona. koja se manifestuje pri velikom broju proboja dielektrika.4148∙109 n/cm2). Slika 8. kako u slučaju ozračenog.52 dat je hronološki niz i histogram probojnog neozračenog odvodnika prenapona (Fn=5. eksperimenti su pokazali da u slučaju ozračavanja odvodnika prenapona dolazi do značajnog opadanja disperzije statičkog probojnog napona.50.   3.11V .36 V . U pogledu ispitivanja odvodnika statičkim naponom.51.8 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA je izvršeno ispitivanje vrednosti statičkog i impulsnog napona u po pedeset tačaka (radi statičke analize) pre i posle ozračavanja. Na slikama 8. Srednja vrednost probojnog napona se. tako i u slučaju neozračenog odvodnika. U  633. praktično nije promenila. odnosno povećanjem fluksa jonizujućih čestica i gama-kvanata kroz međuelektrodni prostor. Hronološki niz vrednosti dinamičkog probojnog napona neozračenog odvodnika prenapona. Sa grafika se uočava da disperzija statičkog probojnog napona opada do jedne određene granice posle čega se više praktično ne menja.51 i 8.

4148∙109 n/cm2).53.36 V . Slika 8.Slika 8. U  677.   1. Na dijagramima 8. Histogram vrednosti dinamičkog probojnog napona neozračenog odvodnika prenapona.52. Hronološki niz vrednosti dinamičkog probojnog napona ozračenog odvodnika prenapona.84 V .54 datesu iste karakteristike ozračenog odvodnika prenapona (Fn=5.53 i 8.

54. Histogram vrednosti dinamičkog probojnog napona ozračenog odvodnika prenapona.8 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA Slika 8. Volt-sekundna karakteristika pre i nakon izlaganja n+γ izvoru.55. . Slika 8.

koje je uslovljeno većom verovatnoćom nalaženja jonizujuće čestice ili γ-kvanta u međukatodnom prostoru.55 data je voltsekundna karakteristika i neozračenog i ozračenog odvodnika Takođe se uočava i suženje voltsekundne karakteristike. što dovodi do daljeg opadanja statističke disperzije slučajne promenljive “dinamički probojni napon”. Pa se u tom slučaju očigledno radi o reverzibilnosti promena. To dovodi do značajnog opadanja vrednosti vremena statičkog probojnog napona [46]. usled kratkog vremena (nekoliko časova) poluraspada radioaktivnih izotopa koji se obrazuju u materijalu odvodnika usled aktivacije neutronima. Brži odziv ozračenih gasnih odvodnika prenapona je posledica veće koncentracije slobodnih elektrona u međuelektrodnom prostoru. ograničene sa 0.Na slici 8. kako pokazuju rezultati merenja ove pojave su prolaznog karaktera. Dobijeni rezultati pokazuju da nakon ozračivanja standardno odstupanje statičkog probojnog napona značajno opada. koji predstavljaju dielektrike u odvodniku je mnogo manja od energije primarnog i indukovanog zračenja.99 postotnim kvantilima (donja i gornja kriva ozračenog i neozračenog odvodnika). Jonizacija je rezultat aktivacije materijala odvodnika neutronima [45]. Međutim. Jonizaciona energija inertnih gasova. Primarno zračenje i zračenje indukovano jonizacijom gasa u međuelektrodnom prostoru povećava broj inicijalnih elektrona lavinskog mehanizma.01 i 99. Testiranje odvodnika impulsnim naponom pokazuje da ozračeni odvodnik mnogo brže reaguje. To znači da n +γ zračenje dovodi do poboljšanja zaštitnih karakteristika gasnih odvodnika prenapona (dinamička radijaciona otpornost). koji potiču od jonizacije gasa. .

Komora i gasni sistem su bili tako dizajnirani da je obezbeđeno održavanje konstantne vrednosti pritiska tokom svih serija merenja. kriva 2 – strimerski mehanizam proboja). Vreme poluraspada 241Am je 432 godine.6 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA IZLOŽENIH DEJSTVU ALFA I BETA ZRAČENJA U cilju poboljšanja karakteristika modela odvodnika prenapona u njega su ugrađivani α i β izvori.8 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA 8. Porast dinamičkog napona je bio linearan sa amplitudom od 3kV. 0. drugi kontinualni spektar od 90Y ima ukupnu srednju energiju β zraka 934 keV. odnosno β izvora (kriva 1 – Townsendov mehanizam proboja. d-međuelektrodno rastojanje) određen je eksperimentalno i numerički.2 mm i 0.1 godinu. Probojni naponi su određivani iz serije od pedeset merenja. Korišćena je gasna komora.9 keV. β emiter 90Sr-90Y ima karakteristike: prvi kontinualni spektar od 90Sr ima ukupnu srednju energiju β zraka 196 keV. respektivno. Vrednost pritiska je menjana u odnosu od 10 2 Pa do 106 Pa.1 mm. Na slici 8. Kao promenljivi parametri korišćeni su pritisak gasa u komori i međuelektrodno rastojanje. respektivno. .  impulsnu (volt-sekundnu) karakteristiku. kao α 241 emiter Am kao i β emiter 90Sr-90Y.56 prikazana je zavisnost statičkog probojnog napona od proizvoda pd pre zračenja i nakon ugradnje α. U model gasnih odvodnika ugrađivani su respektivno. Pritom je obezbeđeno radioaktivno punjenje gasne komore α odnosno β izvorom. Elektrode su kondicionirane sa deset proboja pre svake serije merenja. a maksimum energije β elektrona iznosi 546 keV.6 keV. a međuelektrodno rastojanje je iznosilo 0. Uticaj ugrađene α i β radioaktivnosti ispitivan je u odnosu na sledeće karakteristike gasnih odvodnika:  statistički probojni napon.5 mm. Aktivnost 241Am je iznosila 1735Bq za energiju od 5485. koja je bila vezana u gasni sistem.  dinamički probojni napon. Primenjeni napon je imao stopu rasta od 8V/s za statički odnosno 1 kV/s za dinamički napon. Statički probojni napon inertnog gasa argona pri malim vrednostima proizvoda pd (p-pritisak. odnosno 267Bq za energiju od 5442. a maksimalna energija β zraka je 2286 keV [47]. Vreme poluraspada 90Sr je 29.

57 prikazana je volt-sekundna karakteristika odvodnika sa ugrađenim α.dok je pri višim pritiscima (105 Pa – 106 Pa) adekvatnija upotreba β emitera. zbog većeg efikasnog preseka za jonizaciju β čestica.Slika 8. praktična masovna primena ovog metoda nije prihvatljiva sa ekološkog stanovišta. Na slici 8. kriva 2 – strimerski mehanizam proboja). odnosno β izvorom. Naime. moguće je povećati brzinu rada gasnih odvodnika. I pored činjenice da se metodom ugrađivanja radioaktivnih izvora u gasni odvodnik prenapona bitno poboljšavaju njegove zaštitne karakteristike. Upotrebom α i β izotopa. Na osnovu dobijenih eksperimentalnih rezultata može se zaključiti da radioaktivno punjenje značajno poboljšava zaštitne karakteristike odvodnika. To se posebno ogleda u smanjenju vremena odziva za više od tri puta u odnosu na slučaj kada nema ugrađene radioaktivnosti (sa 100 ns na 30 ns). odnosno nominalnu vrednost radnog napona odvodnika. odnosno povećava se efikasnost modela gasnog odvodnika prenapona. dakle. odnosno β izvora (kriva 1 – Townsendov mehanizam proboja. Us na slici 8. Zavisnost statičkog probojnog napona od proizvoda pd pre zračenja i nakon ugradnje α.56. to bi dovelo do ozbiljnih problema sa .57 predstavlja statički probojni napon. Na nižim pritiscima (102 Pa – 103 Pa) efikasnija je ugradnja α izvora.

Volt-sekundna karakteristika odvodnika sa ugrađenim α.8 RADIJACIONA OTPORNOST GASNIH ODVODNIKA PRENAPONA aspekta ozračavanja stanovništva i mogućnosti kontaminacije životne sredine u slučaju akcidenta. odnosno β izvorom .57. Slika 8.

nakon prvog hipotetičkog razmatranja iz 1971 [48]. kada je realizovan memristor sa dva kraja. kada je i=0 i v=0. memristor ima takvu I-V krivu koju ni jedna kombinacija nelinearnih otpornika. i w promenljiva stanja koja zavisi od vremenskog integrala struje. Ukoliko M zavisi od q preko w. od oblika. koja ne mora biti jednaka nuli kada je v=0.9 MEMRISTORI Memristor je elektronska komponenta koja daje nelinearnu vezu između vremenskog integrala napona na njegovim krajevima i struje koja protiče kroz njega. U najprostijem slučaju za konstantu M. tj. Prema jednačini (9. Fizička komponenta koja demonstrira memristansu je napravljena tek 2008.1) gde je M memristansa. Nelinearnost se u principu može postići preko veličina (promenljivih stanja) specifičnih za svaki posebno realizovan memristor. Dalje. i sposobnost memristora da funkcioniše kao prekidač čuvajući ili pamteći vrednost otpornosti (što je i dalo memristorima njihovo ime kao skraćeinca za memory resistor). memristor postaje otpornik. . od količine naelektrisanja koje prođe kroz uređaj. tj. baziran na tankom filmu od titanijum dioksida [49]. Kako postoji veliki broj načina za ostvarivanje ove nelinearne zavisnosti. ovako definisan pojam memristora može se izraziti u diferencijalnoj formi: v (t )  M ( w)i (t ) . (9. Ova nemogućnost dupliranja osobina memristora drugim pasivnim strujnim elementima je ono što je dovelo do toga da se memristor posmatra kao četvrti fundamentalni pasivni element sa dva kraja. amplitude i frekvencije napona. To znači da je on čisto disipativan element. kondenzatora ili kalemova ne može proizvesti. Funkcionisanje ovog uređaja je zasnovano na distribuciji vakancija kiseonika u oksidu. Vrednost promenljive w na ovom mestu zavisi od isotrije promene napona. u Hewlett-Packard laboratoriji. Usled ove nelinearne veze karakterističnih osobina memristora dobija se histerezisna I-V karakterika. tj. na memristansu se može gledati kao na efektivnu otpornost memristora. U matematičkom smislu. koje mogu biti perturbovane usled intearkcija izmeštanja atoma kada je komponenta izložena protonskom ili jonskom snopu. kada nema nelinearnosti. Fizička jedinica za memristor je Ω. Memristor može zapamtiti stanje zadžavajući vrednost promenljive stanja w. ne postoji memristor opšteg tipa.1). kao i otpornik. memristor ne daje fazno pomeranje između struje i napona prilikom prolaska kroz nulu.

9 MEMISTORI

9.1 MEMRISTOR NA BAZI TITANIJUM DIOKSIDA
Konstruisani memristor se sastoji od tankog filma od titanijum
dioksida postavljenog između dve elektrode od platine. Sloj oksida se
dalje sastoji od visoko-rezistivnog stehiometrijskog TiO2 sloja i niskorezistivnog kiseonično deficitnog TiO2-x sloja, u kome vakancije
kiseonika služe kao elektronski donori. Čak i mala nestehiometrija od
0.1% u TiO2-x je ekvivalentna koncentraciji od 5.1019 donora/cm3 i ima
veoma snažan efekat na elekronsku provodnost. Memristansa se postiže u
ovoj TiO2-TiO2-x strukturi preko specifične sprege elektronskog i jonskog
transporta. Kiseonične vakancije se ponašaju kao mobilni dva puta
pozitivni joni, koji mogu da driftuju u električnom polju koje stvara
napon doveden na krajeve uređaja, šiftujući granicu između visokorezistentnih i nisko-rezistentnih slojeva. Kako je koncentracija vakancija
kiseonika u oblasti TiO2-x velika, transfer nekih vakancija u
stehiometrijskom sloju ima jako malo uticaja na elektronsku provodnost
u oblasti siromašnoj kiseonikom. S druge strane, elektronska provodnost
inicijalno stehiometrijskog materijala se dramatično povećava, jer ide iz
stanja u kome nema vakancija do stanja u kome postoje. Iako je uloga
vakancija kiseonika obezbeđivanje tankog oksidnog filma sa
memristivnim osobinama i dalje tema rasprava, postoji porast
eksperimentalnih dokaza koji indiciraju da njihov drift zaista utiče na
mnoge posmatrane karakteristike ovih struktura [50-52].
U osnovnom modelu uređaja koji je korišćen, promenljiva stanja
koja zavisi od protoka naelektrisanja je debljina w provodnog,
kiseonikom siromašnog sloja. Detaljniji model pokazuje da ne postoji
jedna promenljiva stanja, već da je promena otpornosti određena
vremenski zavisnom funkcijom stanja, koja može biti ili distribucija
koncentracije vakancija ili potencijal duž oksidnog sloja [53]. Iz ovog
modela sledi da kada je memrtistor pod naponom, postoji nagla razlika
između regiona niske i visoke koncentracije vakancija kiseonika. Širina
regiona visoke koncentracije vakancija se može prikazati kao
promenljiva stanja w predstavljena u pojednostavljenom modelu. Dalje,
na bilo kom nivou napona, električno polje je u osnovi konstantno unutar
ovog regiona, i jednako polju na interfejsu između dva oksidna regiona.
Mehanizam provođenja u memristorima na bazi titanijum dioksida
uključuje tunelovanje elektrona sa elektroda kroz potencijalnu barijeru
koja postoji na interfejsu između TiO2 i metalne elektrode. Visina i širina
barijere zavise od veličine regiona siromašnog kiseonikom u memristoru,
smanjujući se kako w postaje veće. Sa druge strane, migracija vakancija

kiseonika je najbolje opisana kao slabo jonsko provođenje u čvrstim
materijalima, rezultujući nelinearnim driftom vakancija u visokom
električnom polju [54]. Spoj ova dva drifta je zasnovan na činjenici da su
obe vrste naelektrisanja (elektroni i vakancije kiseonika) uključene u
funkcionisanje memristora usled istog električnog polja prisutnog duž
oksida [53].
U idealnom fizičkom modelu memristoa na bazi titanijum dioksida,
usvojenom za dalje razmatranje, pretpostavljeni su omsko elektronsko
provođenje i linearni jonski drift, kao dodatak pretpostavljenoj oštroj
vertikalnoj razlici između dva oksidna sloja. Totalna otpornost uređaja je
određena kao serijska veza visoko-rezistivnog stehiometrijskog sloja i
provodnog sloja osiromašenog kiseonikom. Omov zakon između struje i
napona stoga glasi:


w t 
w  t  
v  t    RON
 ROFF  1 
 i  t  ,

D
D 


(9.2)

gde je w(t) veličina sloja siromašnog kiseonikom, dok su RON i ROFF
otpornosti sloja siromašnog kiseonikom, odnosno stehiometrijskog sloja,
respektivno, datih za punu vrednost dužine uređaja D.
Uvidevši da je električno polje na interfejsu između dva oksidna
sloja u bilo kom momentu približno jednako polju na nisko-rezistivnom
sloju [53], granica između ovih slojeva driftuje brzinom datom sa:

R
dw
 OV ON i  t  ,
dt
D

(9.3)

gde je µOV pokretljivost vakancija kiseonika u titanijum dioksidu.
Rešavajući (9.3) po w dobija se:

OV RON t
 R
w  t   w0 
i    d  w0  OV ON q  t  ,

D 0
D

(9.4)

gde je w(t=0)=w0 inicijalna veličina regiona siromašnog kiseonikom, i
q(t) naelektrisanje elektrona koji su prošli kroz uređaj, za koje važi
q(t=0)=0. Kada ubacimo (9.4) u (9.3), poredeći sa (9.1), memristansa se
dobija kao:

9 MEMISTORI

M  q   R0  R

OV RON
q t ,
D2

(9.5)

gde je R0=RON(w0/D)+ROFF(1-w0/D) efektivna otpornost za t=0, a
ΔR=ROFF-RON. Memristansa je stoga direktno zavisna od naelektrisanja
koje je prošlo kroz kroz memristor. Ukoliko je primenjeni napon
uklonjen, memristor pamti svoje poslednje stanje, tj. vrednost ukupne
otpornosti u momentu ukidanja napona [49].
Pošto je pokretljivost vakancija kiseonika u titanijum dioksidu mala
(µOV~10-10cm2V-1s-1 [49,52]), memristivni efekti su primetni samo kada je
veličina memristora u nano skali, što je pokazano inverznom kvadratnom
zavisnošću totalne debljine filma (M~1/D2) u (9.5). Samo u ovako tankim
filmovima je vreme dovoljno kratko za koje drift dovoljne količine
vakancija kiseonika u ili van TiO2 sloja značajno menja njegovu
provodnost. Štaviše, za dato D, osobine memristivnosti su izražene samo
kada je ΔR>>R0.
Jednačina (9.1) se može sada napisati kao:

dq
.
dt

v  t   M  q

(9.6)

Nakon ubacivanja (9.5) u (9.6), rešavanja po q(t) i vraćanja ponovo
u (9.6), dobija se I-V karakteristika idealnog memristora:
i t 

v t

R0 1 m2ROV RON / D 2 R0 2

t

  v    d ,

(9.7)

0

Znak minus u imeniocu jednakosti (9.7) se primenjuje kada se
oblast siromašna kiseonikom širi, dok znak plus odgovara slučaju kada se
taj region smanjuje.
Tipična I-V kriva memristora za sinusoidalni obik napona, dobijena
teoretski iz jednačine (9.7) je prikazana na slici 9.1. Kriva ima formu
histerezisa sa dvostrukom petljom, sa segmentima negativne
diferencijalne otpornosti što odgovara intervalima tokom kojih se w(t)
povećava dok je v(t) već u recesiji, ali istog polariteta. Slična histerezisna
kriva se dobija za bilo koji primenjeni simetrični naizmenični napon.
Histerezis se javlja samo za napone malih amplituda (reda 1 V) na
frekvencijama ispod par kHz, za koje w nikada ne dostiže jednu od

graničnih vrednosti (0 ili D,tj. niskorezistivni sloj siromašan kiseonikom
ne biva veći nego što je dužina uređaja), niti potpuno ne nestaje. Za
naizmenične napone niske amplitude i visoke frekvencije, veličina sloja
siromašnog kiseonikom se jako malo menja tokom naponskog
poluperioda, čineći efektivnu otpornost memristora skoro konstantnom i
redukujući I-V histerezisnu krivu na pravu liniju, što se takođe može
videti na slici 9.1.

Slika 9.1. Strujno-naponska karakteristika memristora na bazi titanijum
dioksida, za koju su pretpostavljeni omska elektronska provodnost i
linearni jonski drift vakancija kiseonika. Primenjeni napon je
v(t)=v0sin(wt), sa v0=1V i w=π/10s-1. Drugi parametri su: RON=100Ω,
ROFF=16k Ω, D=60nm, w0=30nm, µOV=10-10cm2V-1s-1. Tačkasta kriva važi
za deset puta veću frekvenciju sinusoidalnog napona.
Eksperimentalna I-V kriva, dobijena iz merenja izvedenih na
realnom memristoru na bazi titanijum dioksida, se mnogo ne razlikuje od
one dobijene iz usvojenog modela. Nelinearnosti u jonskom transportu i
elektronskom tunelovanju na metal-oksidnom interfejsu uzrokuje
određene nelinearnosti na I-V krivoj, bez toga da menja njen sveukupni
histerezisni karakter [49, 55].
Ako w dostiže bilo koju od dve granične vrednosti, ostaje
konstantno sve dok je polaritet napona inverzan. U slučaju ovakvih
graničnih uslova, uređaj je prikladnije posmatrati kao memristivni sistem,
koji se ponaša kao pravi memristor, za koji važi jednačina (9.7), samo

9 MEMISTORI

dok je w u intervalu od 0 do D [56]. Vrednost w može dostići neku od
granica bilo tako što se primeni visok napon, bilo da bude dugo vremena
pod naponom istog polariteta. Granična stanja se značajno razlikuju u
otpornosti, što čini osnovu da se memristor ponaša kao bipolarni
prekidač. Ako se napon na krajevima memristora naglo ukine, vrednost
memristanse je zamrznuta i ostaje nepromenjena dok nema napona
polarizacije. Dugačka vremena života i osobina brzog menjanja
primećenih u memristorima na bazi titanijum dioksida čine ih
potencijalnim kandidatima za buduće stalne rezistivne memorije sa
proizvoljnim pristupom (RRAM – resistive random-access memories),
zasnovanim na tzv. crossbar arhitekturi.
Ako je amplituda ili frekvencija primenjenog naizmeničnog
napona takva da je w fiksirano na jednu od graničnih vrednosti za deo
perioda, primećene su različite asimetrične ili neregularne histerezisne IV krive [49]. U momentu kada w postaje jednako sa D, efektivna
otpornost memristora naglo opada, što proizvodi nagli porast struje na IV krivoj. Dokle god je w=D, tj. dok napon ne promeni polaritet, odnos
struje i napona je linearan.

2 REZULTATI SIMULACIJE TRANSPORTA ZRAČENJA Monte Carlo simulacije prolaska protona i jonskog snopa kroz PtTiO2-TiO2-x-Pt memristore su vršene u okviru TRIM dela softverskog paketa SRIM [57]. Energija snopa je menjana za čitav tipičan energetski spektar različitih vrsta jona. simulacija trasporta čestica se vršila dva puta. uzeta je vrednost od 4. Izvršene su obimne simulacije. Umesto izračunate vrednosti za TiO1. u poređenju sa koncentracijom vakancija kiseonika u sloju siromašnom kiseonikom. Simulacije su podrazumevale monoenergetske jednosmerne snopove radijacije. Rezultati su selektivno izloženi za energije i smerove snopova koji su izazvali značajna izmeštanja atoma kiseonika u stehiometrijskom oksidnom sloju. sa izabranim jonima koji predstavljaju neke od dobro poznatih radijacionih polja. Sve simulacije su vršene za stanje memristora koje odgovara w=D/2. čak i u oksidima tanjim od 50nm. tj.95 ponuđene u okviru paketa SRIM. Broj atomskih izmeštanja je direktno srazmeran fluensu upadne radijacije. će zaista izazvati značajnu proizvodnju parova vakancija kiseonik .jon kiseonika u oblasti TiO2. sa snopom usmerenim prema suprotnim stranama slojevite strukture memristora.097 g/cm3 iz literature [59]. Cilj je da se ukaže na to da neke komponente realnijeg radijacionog polja. koji se kreću u paralelnom snopu ili izotropno. Dimenzije memristorskog sendviča su zasnovane na osnovu parametara iz literature [60]. kao što su polja koja se javljaju u svemiru ili polja koja se javljaju u okolini nuklearnog objekta [61]. Zadate vrednosti energije izmeštanja praga za atome kiseonika i titanijuma u titanijum dioksidu u okviru SRIM softvera su promenjene na vrednosti dobijene studijom o simulaciji molekularne dinamike kristalne faze titanijum dioksida (65 eV za kiseonik i 130 eV za titanijum) [58]. koje se sastoji od protona i jona sa širokim energetskim spektrom. Za svaku vrstu jona i njegovu energiju. . broju istorija čestica na osnovu Monte Carlo simulacije. koji su bili normalni na strane steka materijala od koga se memristor sastoji.9.

9 MEMISTORI

a)
Slika 9.2. Rezultati simulacije za protonski snop energije 10 keV
(1000 protona) koji je normalan na levu stranu Pt-TiO2-TiO2-x-Pt steka,
totalne debljine 36nm. a) Tragovi čestica i jona.
Osa koja predstavlja dubinu mete je data u angstremima
Na slici 9.2a su prikazane trajektorije hiljadu protona energije 10
keV koji prelaze strukturu memristora debelu 36 nm. Upadni protonski
snop je normalan na površinu leve elektrode od platine. Debljine slojeva
duž horizontalne ose su sledeće: 3 nm sloj od platine, 15 nm
stehiometrijski TiO2 sloj, 15 nm TiO2-x sloj siromašan kiseonikom
(x=0.05), i druga 3 nm sloja od platine. Totalna dužina filma od titanijum
dioksida je onda D=30nm.
Na slikama 9.2b i 9.2c su prikazane raspodele jona kiseonika i
titanijuma koji su izmešteni usred dejstva upadnog protonskog snopa.
Na slici 9.2d je prikazana raspodela vakancija kiseonika, koje su
nastale usled dejstva protona i u kaskadama izmeštenih atoma kiseonika i
titanijuma. S obzirom da izmešteni joni kiseonika mogu da migriraju u
elektrodu od platine (slika 9.2b), vakancije kiseonika se ne mogu naći
van oksidnog filma (slika 9.2d).

b)

c)
Slika 9.2. Rezultati simulacije za protonski snop energije 10 keV
(1000 protona) koji je normalan na levu stranu Pt-TiO2-TiO2-x-Pt
steka, totalne debljine 36nm. b) Raspodela izmeštenih atoma kiseonika,
c) Raspodela izmeštenih atoma titanijuma.
Osa koja predstavlja dubinu mete je data u angstremima.

9 MEMISTORI

d)
Slika 9.2. Rezultati simulacije za protonski snop energije 10 keV
(1000 protona) koji je normalan na levu stranu Pt-TiO2-TiO2-x-Pt steka,
totalne debljine 36nm. d) Raspodela vakancija kiseonika.
Osa koja predstavlja dubinu mete je data u angstremima.

Slika 9.3. Raspodela izmeštenih atoma kiseonika za upadni snop alfa
čestica (1000 čestica) energija 100 keV normalno na
Pt-TiO2-TiO2-x-Pt strukturu, totalne debljine 36nm.
Osa koja predstavlja dubinu mete je data u angstremima.

Na slici 9.3 je prikazana raspodela izmeštenih jona kiseonika za
snop od hiljadu alfa čestica energije 100 keV koje prolaze kroz istu
strukturu memristora.
Na slici 9.4 je prikazan primer za snop jona ugljenika energije 100
keV. Prikazane su raspodele atoma kiseonika i titanijuma izmeštenih u
direktnim interakcijama sa jonima ugljenika ili u daljim kaskadnim
sudarima.
Na slici 9.5 je prikazan upadni snop jona gvožđa na elektrodu
bližu sloju TiO2-x , što rezultuje u skoro celim stablom izmeštanja u okviru
ove oblasti siromašne kiseonikom.

a)
Slika 9.4. Rezultati simulacije za upadni snop jona ugljenika (1000 jona)
energija 100 keV normalno na Pt-TiO2-TiO2-x-Pt strukturu, totalne
debljine 36nm.a) Raspodela izmeštenih atoma kiseonika.
Osa koja predstavlja dubinu mete je data u angstremima.

9 MEMISTORI

b)
Slika 9.4. Rezultati simulacije za upadni snop jona ugljenika (1000 jona)
energija 100 keV normalno na Pt-TiO2-TiO2-x-Pt strukturu, totalne
debljine 36nm. b) Raspodela izmeštenih atoma titanijuma.
Osa koja predstavlja dubinu mete je data u angstremima.

a)
Slika 9.5. Rezultati simulacije upadnog snopa jona gvožđa (50 jona)
energija 20 keV normalno na desnu stranu Pt-TiO2-TiO2-x-Pt steka,
totalne debljine 36nm. a). Tragovi čestica i jona.
Osa koja predstavlja dubinu mete je data u angstremima

. b) Raspodela izmeštenih atoma kiseonika.b) c) Slika 9.5. c)Raspodela izmeštenih atoma titanijuma. totalne debljine 36nm. Rezultati simulacije upadnog snopa jona gvožđa (50 jona) energija 20 keV normalno na desnu stranu Pt-TiO2-TiO2-x-Pt steka. Osa koja predstavlja dubinu mete je data u angstremima.

6. i oni prolaze kroz zapreminu uređaja duž skoro prave trajektorije. što prouzrokuje celo stablo izmeštanja. Smanjenje vrednosti ROFF je uzrokovana radijacijom indukovanim vakancijama kiseonika u stehiometrijskom TiO2 regionu. Veliki broj izmeštanja atoma titanijuma se takođe pojavljuje unutar oksida. uzrokujući srazmerno manje izmeštanja. za tri različite vrednosti otpornosti stehiometrijske oblasti: ROFF = 18 kΩ. teški joni imaju veći uticaj na memristor [62]. 16 kΩ i 14 kΩ. Primarno izmešteni atomi titanijuma i kiseonika uzrokuju dalja atomska izmeštanja. Pošto je nejonizujući energetski gubitak teških jona veći od gubitka protona i alfa čestica iste energije.3 DISKUSIJA Kao što Monte Carlo simulacija transporta protona i jona pokazuje. ovaj tip radijacije može generisati značajnu količinu parova vakancija kiseonik – jon kiseonika u oba sloja titanijum dioksida: i visoko i nisko rezistivnom. memristor na bazi titanijum dioksida je urođeno imun na protone i jone sa energijama većim od 10 MeV.9 MEMISTORI 9. Nejonizujući energetski gubitak ovih visokoenergetskih jona je značajno manji.1. Slika 9. Strujno-naponska kriva memristora na bazi titanijum dioksida. . Primenjeni sinusoidalni napon i svi drugi parametri su isti kao na slici 9. Zbog svoje nano strukture.

Smanjenje vrednosti µOV je uzrokovana radijacijom indukovanim prisustvom jona i atoma kiseonika u oksidu. gde mogu formirati gas O2 i izazvati deformaciju interfejsa oksid/metal.S obzirom da pojava dodatnih vakancija malo utiče na elektronsku provodnost nisko rezistivnog sloja siromašnog kiseonikom.7).10-10cm2V-1s-1 i µOV3=0. Ako je amplituda primenjenog napona dovoljno visoka. smanjenje µOV utiče na I-V histerezis. Promena odnosa otpornosti utiče na I-V karakteristiku preko veličina R0 i ΔR iz (9. Na slici 9.10-10cm2V-1s-1. Joni titanijuma i kiseonika proizvedeni radijacijom u stehiometrijskom sloju mogu postati intersticijalni atomi. kao što je prikazano na slici 9. remeteći ROFF/RON odnos memristora. Slika 9.5.8. Primenjeni sinusoidalni napon i svi drugi parametri su isti kao na slici 9.7). Prema (9. efekat na konduktansu stehiometrijskog TiO2 sloja bez vakancija može biti značajan. dovodeći do permanentnog prekida rada memristora [63].7. Strujno-naponska kriva memristora na bazi titanijum dioksida. ili mogu migrirati u električnom polju. Prisustvo atoma titanijuma i kiseonika može takođe redukovati pokretljivost vakancija kiseonika µOV [64].1. Radijacijom indukovano izbijanje vakancija kiseonika u stehiometrijskom sloju može uticati na smanjenje otpornosti ROFF. µOV2=0. .6 je prikazan efekat smanjenja vrednosti ROFF na I-V krivu memristora. joni kiseonika mogu doći do jedne od elektroda.7. za tri različite vrednosti pokretljivosti vakancija kiseonika: µOV1=10-10cm2V-1s-1.

2d).48 x 1019 cm-3.62 x 10-2 vakancija kiseonika za 10-8 cm po upadnom protonu u visoko rezistivnom stehiometrijskom sloju (slika 9. povećanje koncentracije elektrona u regionu je duplo veće nego za vakancije. Pošto vakancije kiseonika imaju ulogu dopanata n-tpa. diferencijalni fluens protona orbite svemirske letelice je reda 1016cm-2MeV-1. Neki od ovih jona imaju dovoljnu energiju da prodru kroz najdeblje i najbolje zaštitne slojeve korišćene na svemirskim letelicama. Ipak. energije i fluensi odabrani prilikom ovog ispitivanja predstavljaju radijaciono okruženje očekivano u svemirskoj letelici. Tip jona. Sledi primer takvog proračuna.2). energije teških jona prisutnih u galaktičkom kosmičkom zračenju su u opsegu od desetina MeV do nekoliko stotina GeV po atomskoj jedinici mase. Δne ≈ 2. Fluens protona koji nastaju od šildinga unutar letelice zavisi od tipa i debljine materijala korišćenog za izradu zaštite. fluens protona je 1000/(25 x 10-12cm2) = 4 x 1013 cm-2. Kada je ova vrednost pomnožena fluensom protona od 4 x 1013 cm-2 dobija se koncentracija vakancija kiseonika od 10. Izložena površina je stoga 50 nm x 50 nm = 250 nm2. odvojene filmom od titanijum dioksida [60]. što je takođe oblast poprečnog preseka oksida celom njegovom dužinom. može se proceniti koncentracija defekata u memristorima na bazi titanijum dioksida indukovanih radijacijom.9 MEMISTORI Za protone energije 10 keV. SRIM proračun daje 2.1 x 1020cm3. Površina memristora izložena jonskom snopu je definisana sa dve žice od platine širine 50 nm koje se seku pod pravim uglom. . Teški joni koji su zarobljeni u okviru Zemljinih radijacionih pojaseva imaju energije reda desetina MeV po jedinici atomske mase. Poredeći fluense korišćene u simulacijama sa poznatim fluensima nekih tipičnih radijacionih okruženja u kojima se očekuje rad elektronike. Prema prethodnom opisu radijacionog okruženja orbite svemirske letelice. Neke vrste jona se mogu pojaviti kao sekundarne čestice u interakcijama kosmičkog zračenja sa materijalom šildinga. ovo može biti uzeto kao gornja procenjena vrednost fluensa protona koji može postojati unutar zaštićene letelice. Niskoenergetski snopovi jona korišćeni u simulacijama su predstavljali radijaciona polja kojima su unutar svemirske letelice elektronske komponente mogle biti direktno izložene [65-67]. Za 1000 protona korišćenih u prvoj simulaciji (slika 9. Za mnogo upadnih protona na jednu stranu memristora. dajući svaka dva elektrona. tako da većina njih ne prodire kroz šilding letelice. Fluens jona tokom solarnih događaja može biti veći od srednje vrednosti fluensa galaktičkog kosmičkog zračenja čak tri reda veličine. i opsegu je od 106 do 1013 cm-2MeV-1.

Uticaj radijacijom indukovanih vakancija kiseonika je najistaknutiji za amplitude naizmeničnog napona koje ne približavaju vrednost w granicama intervala (0. do zarobljavanja intersticijskog atoma ili do formiranja kompleksa vakancija – intersticijalna nečistoća. ΔROFF je reda kΩ. promena iz anatas faze koja je najčešća faza u tankim filmovima od titanijum dioksida.Otpornost stehiomatrijskog regiona za punu dužinu oksida od D = 60 nm je: ROFF   D 1 D  . tj. Radijacijom indukovano smanjenje otpornosti u stehiometrijskoj oblasti je ΔROFF = ROFF(ne0+Δne ) -ROFF(ne0) = -1.6. Osobine opuštanja oksidnih filmova suštinski zavise od prisustva defekata i atoma nečistoća. U ovom ispitivanju.6 x 10-19 C naelektrisanje elektrona i A = 250 nm2 oblast poprečnog preseka oksida. Opuštanje treba uzeti u obzir za moguću promenu faze oksida titanijuma na dostignutoj temperaturi.8) gde je μe = 0. Samo neka osnovna predviđanja o samoopuštanju se mogu načiniti na osnovu idealnog modela korišćenog u ovom razmatranju.8). Efekat vakancija kiseonika koji je kreiran u oblasti visoke rezistivnosti može efektivno nestati ako je amplituda primenjenog naizmeničnog napona dovoljno visoka da vrednost w dovede blizu svoje maksimalne vrednosti koja predstavlja D. Stoga. qe = 1. zavisnost ROFF od koncentracije elektrona postaje: ROFF  3. za energiju i fluens protonskog snopa definisanog u similaciji. dok obezbeđuju dovoljno velike promene otpornosti za označeno memristivno ponašanje. stehiometrijski sloj titanijum dioksida je pretpostavljen bez defekata i nečistoća.9) Za inicijalnu vrednost ROFF = 18kΩ.1x1021cm-3. kao što korišćeno za iscrtavanje primera I-V krive na slici 9.4 cm2V-1s-1 pokretljivost elektrona u titanijum dioksidu [68]. koncentracija elektrona pre ozračivanja u stehiometrijskom sloju se dobija iz (9. . U tom slučaju.9): ne0=2. intersticijskog atoma titanijuma i intersticijskog atoma kiseonika mogu dovesti do anihilacije vakancije i intersticijskog atoma. A qe e ne A (9.625 kΩ. D). Kada se vrednosti zamene u (9. do amorfnog TiO2.75 1025   . ne  cm 3 (9. Migracije vakancija kiseonika.

Stanje totalne visoke rezistivnosti je osetljivo na promenu kada je izloženo protnskoj ili jonskoj radijaciji. i na sposobnosti da zadrži stanje na nultom naponu. je karakterisano smanjenim ili nepostojećim regionom siromašnim kiseonikom. koje odgovara slučaju kada je w≈0 . Ovo stanje. što omogućava da dva granična stanja budu nedvosmisleno razlikovana čitanjem naponskog signala. radijacijom indukovana promena ROFF nema efekta na stanje zadržavanja (pamćenja). Prekidačka funkcionalnost memristora je zasnovana na odnosu ROFF/RON. Smanjenje ROFF uzrokovano ozračivanjem može stoga perturbovati ovo stanje rezultujući grešku u čitanju. . što odgovara slučaju w=D.9 MEMISTORI značajan udeo radijacijom indukovanih vakancija kiseonika ostaje u visoko rezistivnoj oblasti. što je oblast za dalja istraživanja. nisko rezistivna oblast raširena preko celog oksida. Pošto je za visokoprovodno granično stanje. sa totalnom otpornošću memristora približno jednakoj ROFF. koja nikada ne nestaje potpuno tokom funkcionisanja uređaja. Detaljno modelovanje opuštanja u ozračenim memristorima na bazi titanijum dioksida treba da bude zasnovano na na šemi hemijske reakcije i izraženo preko diferencijalnih jednačina uzimajući u obzir brzinu razvoja i difuzione osobine radijacijom indukovanih defekata.

ako izmešteni joni kiseonika dođu do elektroda od platine.4 ZAKLJUČAK Izlaganje memristora na bazi titanijum dioksida protonskom i jonskom snopu može uticati na funkcionisanje uređaja na nekoliko načina. proizvodeći rotaciju suprotnu smera kazaljke na satu za I-V krivu memristora i veće promene duple petlje. izmeštenih radijacijom. Kada memristor radi kao prekidački uređaj trajne memorije. tj. Značajno generisanje parova jon kiseonika . može biti perturbovano ozračivanjem i rezultovati pogrešno očitavanje. karakterisano smanjenim regionom siromašnim kiseonikom. one mogu formirati gas O2 i uzrokovati permanentno urušavanje funkcionalnosti memristora. totalno visoko rezistivno stanje.vakancija kiseonika u oksidu je očekivano. može redukovati pokretljivost vakancija kiseonika. u okviru crossbar niza. uzrokujući rotaciju I-V krive memristora u smeru kazaljke na časovniku. .9. Konačno. Prisustvo jona titanijuma i kiseonika i intersticijalnih atoma. Radijacijom indukovano pojavljivanje vakancija kiseonika u stehiometrijskom TiO2 sloju može uzrokovati pad njegove otpornosti. kao što je i sugerisano Monte Carlo simulacijom transporta čestica.

. [2] Ivan Knežević. 255-258. [3] Ivan Knežević. Miloš Vujisić. No. Dolićanin. pp. Knežević.B. pp... no. Petronijević. Timotijević. Dolićanin. M.L. B. M. P.10 LITERATURA [1] Ivan Knežević. 61-67. M. pp. D. Dolićanin. P. Radiation hardness of COTS EPROMs and E2PROMs (2010) Radiation Effects and Defects in Solids. K. Stanković. Stanković. Iriĉanin.XXVII. September 2012. 24 (1). . pp.290296. [6] Cavrić.. Stankovic. Radiološka karakterizacija transportnog pakovanja tipa ŠKODA VPVR/M prilikom utovara i transporta ozračenog nuklearnog goriva iz istraživačkog reaktora RA u Rusku Federaciju. E. Osmokrović. [9] Vujisić.. K. A... art. [10] Zdjelarević. M.D.. Vujisic.. M. Zbornik radova. K.D. Radiation hardness of flash memory fabricated in deepsubmicron technology (2013) International Journal of Photoenergy. Vujisić. Vujisić. Osmokrović. Vol.. K. 40-43 [8] Vujisić. Absorbed Dose Assessment in Particle-Beam Irradiated Metal-Oxide and Metal-Nonmetal Memristors. str. Comparison of gamma ray effects on eproms and e2proms (2009) Nuclear Technology and Radiation Protection. Simulation-based calculations of the proton dose in phase change memory cells (2013) Nuclear Technology and Radiation Protection.V.Obrenović. Nevena Zdjelarević. I. Radiation hardness of indium oxide films in the cooper-pair insulator state (2012) Nuclear Technology and Radiation Protection. Radiation effects in cooper pair insulating thin films (2012) Progress in Electromagnetics Research Symposium. Stanković.L. 11651168. E. pp. B. XXVII Simpozijum Društva za zaštitu od zračenja Srbije i Crne Gore.. L. Vrnjačka Banja 2013. Luka Perazić i Nataša Lazarević. doktorska disertacija. Stanković.R. K...S. E. Marija D..3. Nuclear Technology and Radiation Protection. M. Efekti jonizujućeg zračenja u fazno promenljivim memorijama. 27 (1). [4] Nevena Zdjelarević. [7] Lazarević. 362-369. Vasić. N. 299-307. Pejović. Dolićanin. pp. P. Radijaciona otpornost rezistivnih postojanih memorija.Ć. D.. 2013.. [5] Lazarević.. doktorska disertacija. 158792.. 165 (5). Nevena Zdjelarević.. E.. 28 (3).

. Vol. Srpski nacionalni komitet Međunarodnog saveta za velike električne mreže.. N. Zbornik radova.D. Advanced Materials Research.S. Zoran Rajović. Zbornik radova. N. K. pp.V. Primena dozimetara sa optički stimulisanom luminescencijom (OSL) u ličnoj dozimetriji.. Despotović. Zbornik radova.. Zlatibor 2009.M. R D1 05. Pejović.. Switzerland. [16] Ivan Knežević.. 166 (1). [19] Ivan Knežević. Nevena Zdjelarević i Ivan Knežević. Ivan Knežević.M. 25 (2). str. Ispitivanje uticaja temperature na stabilnost karakteristika prenaponske diode. 41-45. P. [13] Marjanović. A. 29. Vrnjačka Banja 2013. Successive gamma-ray irradiation and corresponding post-irradiation annealing of pMOS dosimeters (2012) Nuclear Technology and Radiation Protection. Effects of heavy ion bombardment on TiO2 memristor operation (2011) Radiation Effects and Defects in Solids. Tara 2011. Bratislav Iričanin i Predrag Osmokrović.L. D. Vujisić. Nevena Bajčetić. R D1 11. Nevena Zdjelarević. Vujisić. K. Miloš Vujisić. 267-270. 29. [17] Ivan Knežević. M. Ispitivanje stabilnosti karakteristika gasnih odvodnika prenapona pri izlaganju jonizujućem zračenju (n i γ). Snežana Pavlović. M. 31.Pejović.. Edin Dolićanin.D. K. Zbornik radova. M.. Stanković. Osmokrović. P. Marija Obrenović. pp. savetovanje CIGRE Srbija. Trans Tech Publications. Srpski nacionalni komitet Međunarodnog saveta za velike električne mreže.. [12] Luka Perazić. Simulated exposure of titanium dioxide memristors to ion beams (2010) Nuclear Technology and Radiation Protection. M.. Marković.A. Modul za procenu ekvivalentne doze internog i eksternog izlaganja u matematičkom modelu za rasprostiranje radionuklida kroz granični sloj atmosfere u okolini nuklearnog objekta. [15] Zoran Gršić. Stanković. Osmokrović. Jakšić. S. pp. Radijacioni efekti u memristorima na bazi titanijum dioksida. str. pp. 1-7. Zlatibor 2013. Stanković. Milan Orlić. Marija Obrenović.B. Ivan Knežević. [18] Nevena Bajčetić. 120-125 [14] Marjanović. 341-345. XXVI Simpozijum Društva za zaštitu od zračenja Srbije i Crne Gore. Simulation of ion beam irradiation effects in perovskite oxide memristors. savetovanje CIGRE Srbija. 89-95. XXVII Simpozijum Društva za zaštitu od zračenja Srbije i Crne Gore.906 (2014). 27 (4). [11] ..

Ostojic. Stojanovic.W.Burcham.. [27] M. [24] Arsic. 28 (1).. (1998) Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Zbornik radova. P. N. 1974. Naučna knjiga. I. E. Krivokapic.O. [28] A. R D1 07..Leo. 298-302. 2nd Revised Edition. 12 (4).. D. Canada [29] F. N.Mlađenović – Prolaz zračenja kroz materiju.Bielajew.. M. W. [22] Osmokrovic. N. Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. The McGraw-Hill Companies. Applicability of simple expressions for electrical breakdown probability increase in vacuum and gas (1997) IEEE Transactions on Power Systems.. pp. 834-839. 132-137. Krivokapić. 2. .1996..Yang.R. Testing of spark gap irreversibility under conditions of operation. Srpski nacionalni komitet Međunarodnog saveta za velike električne mreže. National Research Council of Canada. K. 24 (2).0394). pp. Kartalovic. N. Izdavačko-informativni centar studenata. Beograd. N. P. pp. N.H. [21] Osmokrovic.. pp. I.F.E. Matijašević. Nuklearna fizika. 1975. Vujisić. Institute for National Measurement Standards.. 1994. 143-151.. M. Zlatibor 2009. (1995) Digest of Technical Papers-IEEE International Pulsed Power Conference. Techniques for Nuclear and Particle Physics Experiments..New York.. (2009) Nuclear Technology and Radiation Protection. D. Kartalovic. pp. N. Osmokrovic. Kartalović. Stability of the gas filled surge arresters characteristics under service conditions (1996) IEEE Transactions on Power Delivery...10 LITERATURA savetovanje CIGRE Srbija.. D. Kartalovic. Model law for gas isolated system (2000) IEEE Transactions on Plasma Science. 1455-1460. P. 11 (1). Inc. USA. B.. Reliability of semiconductor and gas-filled diodes for over-voltage protection exposed to ionizing radiation.Rogers – Electron Monte Carlo Simulation (Report PIRS . Ottawa. Dolićanin.Hamilton – Modern Atomic and Nuclear Phyisics. [26] W. Loncar.. Kartalovic. J. [20] Osmokrovic... Atanackov. Radioactive resistance of elements for over-voltage protection of low-voltage systems. 260-266. P. pp. Springer-Verlag New York. 140 (1-2).. P. Beograd. [25] Stanković.. [23] Osmokrović.

Radiation Effects in Commercial Electronics. [39] E. [41] Neutron reference radiations for calibrating neutron – measuring devices used for radiation protection purposes and for determining their response as a function of neutron energy.Massengill.Colinge. no. IEEE Transactions on Nuclear Sciences. CA: Western Periodicals.Paillet. 1997. 3.Dodd. Basic Mechanisms and Modeling of Single-Event Upset in Digital Microelectronics. C. New York: John Wiley & Sons. 522-538.F. [32] G. Van Nostrand Reinhold Company. no. 1992.Rudie. no.Dyer.R.Kaplan.Ash. Principles and Techniques of Radiation Hardening. John Wiley & Sons Inc. North Holywood. I-X. 1989. [33] A.L. [37] J.. Radiation Effects in SOI Technologies.P. Addition-Wesley Publishing Company Inc.C.Normand.S. The Effects of Radiation on Electronic Systems. 50. ISO 8529.G. 3. 14431469. 50. J.G. 1976. IEEE Transactions on Nuclear Sciences.L.Shaneyfelt. 1958. no.J.W.Barth.Messenger. 2003. 2003. 76.E. Massachusetts. 466-482.Dodd. [35] N. 583-602.S. 50. Atmospheric and Terrestial Radiation Environments.M. 2003.R. [31] I. L.R. IEEE. [34] J. E. Radiation and its Effects on Components and Sysytems Short Course.McGarrity. 11.. vols. Handbook of Radiation Effects in MOS Devices and Circuits. Space. 2000. New York. Proc. Fourth printing. [30] . V. Hardening Integrated Circuits Against Radiation Effects. [40] P. 3.E. pp. USA.Srour.Stassinopoulos.USA. [38] J.Holmes-Siedle. 3rd Edition. 1988. Reading. pp.Ferlet-Cavrois. vol. IEEE Transactions on Nuclear Sciences. pp. Radiation Effects on Microelectronics in Space. vol. M.Knoll – Radiation Protection and Measurement. vol.Adams. vol. Nuclear Physics. c [36] J. pp. P. Second Edition. 1989. 1994 Ieee Nuclear and Space Radiation Effects Conference Short Course.Schwank. P. M.

[46] V. 2003.J.Lannoo. Theoretical Aspects. NS11. G. vol.A. Elektrotehnički fakultet u Beogradu. V. [48] P.Corbett. 50. 565-582.1997. 2003. IEEE Trans. Phys. NewYork. High-impact papers presented at the IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference: The view in 2003. 2002. Bulk damage effects in irradiated silicon detectors due to clustered divacancies. Fundamentals of Nuclear Hardening of Electronic Equipment.W. Radiation Effects in Semiconductors.A. Berlin: Springer-Verlag.W. N.1965. [50] N.Osmokrović.Galloway.457465. Theoretical Aspects.Raković.Vavilov. J.82(1). [57] M. 2663-2668.Appl.Ashcroft.Gill et al. [43] L. 3.VanLint. [55] M.10 LITERATURA D. Nucl.Bourgoin.C. IEEE Transactions on Nuclear Science. [45] M. Radiation Damage in Silicon Particle detectors.Rickets.F. A138. vol. J. 1977. Određivanje faktora idealnosti detektora nejonizujućeg zračenja (doktorska disertacija). Holt.no.. 1999. Dissertation zur Erlangung des Doktorgrades des Fachbereichs Physik der Universität Hamburg. [54] K. New York: Consultants Bureau. [47] V. Solid State Physics. Elektrotehnički materijali. pp. Rinehart &Winston.50.Leadon. Elektrotehnički fakultet u Beogradu.A.D. J. Point Effects in Semiconductors I. Hamburg.2003.E. 1975. pp. 1992. [53] B. IEEE Transactions on Nuclear Sciences.Lannoo. Beograd. 2000. 1999. Akademska misao.Alexander. no. [51] K.3. New York: John Wiley & Sons.Vasić. [49] D. Radijaciona otpornost memorijskih komponenti (magistarski rad).Lončar. 1976. [56] J. Transient Ionizing Radiation Effects in Devices and Circuits.Watkins.Ukhin. 1981.Mermin. Mechanisms of Radiation Effects in Electronic Materials.Flanagan.Rev. R. [52] A. Akdademska misao.S. Fizičke osnove i karakteristike elektrotehničkih materijala.Moll.pp.Phys.Barengoltz. J. N. pp. New York: John Wiley & Sons. [44] V. 1981. Beograd. Point Effects in Semiconductors I. 555-560. Sci. [42] .Bourgoin.W.D. Berlin: Springer-Verlag.R.M.VanLint.J. 1980. T. Production of divacancies and vacancies by electron irradiation of silicon.Rogers.

Uticaj gama zračenja na pretprobojnu struju i otpornost nekih komercijalnih gasnih odvodnika kao elemenata za zaštitu od prenapona. V.Pershenkov.A. The Effect of Emitter Junction Bias on the Low Dose Rate Radiation Response of Bipolar Devices.Green.W.S. V.N.pp. W. [66] B.V. [58] . D.Campbell. P. Beogra. R.S. Kensington.Enlow. S.Stanković.L. 46. V. January 1971.ShevtzovShilovsky. [61] V.G.NSW. 2002. Physics of Semiconductor Devices. USA. V.Ulimov.Emily. V. R.1992.B. [62] N. John Wiley & Sons.M. [59] E. A. Static and Dynamic Radioactive Resistance of Gas Filled Surge Arresters.V.Maslov. Grenoble.D. USA. IEEE Transactions on Nuclear Science. vol. Analiza stope fotogenerisanja nosilaca naelektrisanja u tankoslojnim solarnim ćelijama sa zadnjim Lambertovim reflektorom (magistarski rad).Turflinger. [65] M. N.Rusanovsky. These pour obtenir le grade de docteur de l’universite Joseph Fourier. u Zborniku radova XXII Jugoslovenski simpozijum za zaštitu od zračenja.E.N.1342-1349. 1981.Schrimpf. R. 2nd Edition. R.Emelianov.Wales.pp.L.B. J.287. Dalas. Response of Advanced Bipolar Processes to Ionizing Radiation.Osmokrović.Vasić.Nasibullin.N. 2003.Marjanović.V. [63] S. 1999.Pease.Lončar. Univ. [67] B. The Effects of Hadron Irradiation on the Electrical Properties of Particle Detectors Mode From Various Silicon Materials. [60] J.Pease. Elektrotehnički fakultet. 1991. 2003.Stanković.Combs.L. 1998. vol.Size. S. S. in Book of abstracts XIVth IEEE Pulsed Power Conference. IEEE Transactions on Nuclear Science.F.Cherepko.Osmokrović. V. vol.Lončar. Solar Cells. P.Krieg.pp.N. I. 1997. 1608-1615.I. Beograd. IEEE Transactions on Nuclear Science.Nowlin. Karakterizacija tankih slojeva za silicijumske solarne ćelije i nuklearne detektore (magistarska teza).Kartalović.Titus.Vasić. A.Belyakov. 44.Casse. 1999. A. [68] Atomic Energy Commission: Guide for Fabricating and Handeling 252Cf Sources.S.Sogoyan.V. T. Petrovac na moru. pp.L. 38. 1840-1848. Enhaced Low Dose Rate Sensitivity of Linear Circuits in a Space Environment. [64] A.

L.Hauschild. 1984. Phys. 453. Q. vol. paper no. pp. Phys. 2009. Williams. B. [72] L. Bisquert. [76] Z. Ryu. [71] B. 2008. Coupled ionic and electronic transport model of thinfilm semiconductor memristive behavior.Osmokrović. B.Matijašević. N.Mosch. Exponential ionic drift: Fast switching and low volatility of thin-film memristors. 30. Dohnálek. 2009. [73] D. 1989. S. The missing memristor found. J. [75] H. 18. Strukov. Zhang. pp. 94. Small. pp. 507– 519. J. Rev.. [78] D. Phys. Joglekar. pp. Kay. [77] D.Circuit Theory. pp. vol. 146. 99. P. D. Strukov. pp. R. 661–675. Detail Specification for Protectors. 28–30. u Zborniku radova XLV Konferencija ETRAN. Strukov.Kartalović. [74] G.10 LITERATURA Huber Suhner AG: EMP Protectors. 2000. Snider. Status Solidi RRL vol. S. Miranzo. O. 2009. B. Memristor—The missing circuit element. 515–519. [69] . 126105. Sveska IV. Jeong. P. D. [79] Y. Imaging intrinsic diffusion of bridgebonded oxygen vacancies on TiO (110). 1058–1063. S. Bipolar resistive switching in amorphous titanium oxide thin film. 1971. A–Mater. vol. J. [70] W. 5. Solid State Ionics. 129-132. R. 80–83. vol. Eur. 367–376. Choi. Wolf. Williams. Garcia-Belmonte. S. S. Berlin: VEB Verlag Technik.. Appl. R. Uticaj radioaktivnog punjenja na efikasnost gasnih odvodnika prenapona pri malim vrednostima pd. vol. Y. Lee. vol. Williams. M. S. vol.Lončar. J. Phys. 2002. 1. M. J. Anomalous diffusion of defects in rutile-titanium dioxide: Correlation between ac conductivity and defect structures. Process. Li. J. Chua. Lett. Y.W. Borghetti. G. White. 4. 2007. Sokobanja. Stewart. Ge. Statistik fur Elektrotechniker. R. Sci. str. N. no. 2010. The elusive memristor: Properties of basic electrical circuits. Nature. pp. S.. D. Z. B. IEEE Trans.

Dyer. Proc. Ceramic Soc. pp. 2nd ed. Biersack. J. L. no. Amer. 3. Walters. S.: Oxford Univ. [86] M.. pp. Messenger. J. Effect of omnidirectional proton irradiation on shielded solar cells. [91] M. E. G. Summers. Nanotechnol. Adams. P. no. Nucl. Li. J. Yang. E. A. [80] . 191–201. vol. 2002. 3771– 3778. no. L. Dec. 2008. E. 3. A. Devanathan. Meth. J. 2005. 2006. How we found the missing memristor. 2004. M. pp. C. L. Jun. B. 239. vol. M. Space. L. A. Sci. vol.. SRIM (The Stopping and Range of Ions in Matter) [Online]. Williams. D. S. Messenger.. [85] A. atmospheric. Memristive switching mechanism for metal/oxide/metal nanodevices. I. 64. Chua. 2008. Ziegler. vol. G. 63. 1980. A. J. vol. 3250–3254. P. Burke. Minnear. Stewart. Nucl. [83] W. C. 2006. Available: www. 28–35. Williams. 6. Summers. 485–489. IEEE Trans. and terrestrial radiation environments. R. F. D. [89] S. Jun. R. [81] J. 2. A. R. H.srim. G. S. R. Nucl. Sci. Takahashi. pp. W. Oxford. A. Instr. U. 45. S. pp. R. 2003. G. IEEE Trans. Sci. 12. Barth. 6. New York: Research Signpost. D. no. Pickett. 51. L. Stassinopoulos. Ziegler. Walters. Morton. R. Ohlberg. 50. M. G. S. Memristive devices and systems. Xapsos. Handbook Of Radiation Effects. no. 466–482. X. N. Bradt. Townsend. Sakuma. Dec. Burke. Marks. vol. [84] R.K. O. [82] B. IEEE Spectrum. F. pp. [88] T. Dec. J. W. 429–433. Nat. Corrales. Badavi. J. R. F. Xapsos. Kang. A. pp. 1976. IEEE Trans. L. Nucl. 53. vol.. J. Thomas. no. S. Stoichiometry effects on the fracture of TiO. Warner. R. H. Stassinopoulos. Holmes-Siedle. 209–223. pp. R. NIEL calculations for high-energy heavy ions. Press. 7. P. pp. IEEE. Feb.L. [90] J. D. Barth. Threshold displacement energies in rutile TiO : A molecular dynamics simulation study.. P. Wilson. Physics of Solid State Ionics. E. A. E. vol. [87] J. 17–54. T.org.

pp. [92] B. Fitzmaurice. Spectroscopic determination of electron and hole effective masses in a nanocrystalline semiconductor film. Dec. Chem. Sci. .10 LITERATURA Burke. Phys. 100. Enright. 6. 2218–2223. vol.. IEEE Trans. 2000. J. 3. 47. no. vol. D. 1027–1035.. 1996. Nucl. Characterizing solar proton energy spectra for radiation effects applications. no. pp.