You are on page 1of 1

2.

2 KONSTRUKCIONI THEMELOR DHE KARAKTERISTIKAT E DIODËS GJYSMËPËRÇUESE

Dioda gjysmëpërçuese formohet me bashkimin e thjeshtë të materialeve të tipit n
dhe p(të konstruktuara në bazë të njëjtë të germaniumit ose silicit) siç është
paraqitur në Fig. 2.3. 2 i po a n n N 2 i no d n p N Fig. 2.3 Kontakti pn: (a)
gjeometria e thjeshtuar dhe (b) profili ideal me doping uniform Fig. 2.4 Kontakti
(lidhja ) p-n pa polarizim të jashtëm 2. Dioda gjysmëpërçuese 31 Në momentin kur
dy materialet e tipave të ndryshëm bashkohen formojnë të ashtuquajturin kontakt
ose lidhje pn. Elektronet e materialit n dhe vrimat e materialit p në regjionin e afërt
me kontaktin, me difuzion për shkak të gradientit të lartë të ngarkesave në të dyja
anët, rekombinohen në mes veti dhe krijohet një regjion me mungesë të bartësve
në afërsi të kontaktit (Fig. 2.4). Në këtë pjesë jonet pozitive të materialit n dhe jonet
negative të materialit p mbesin në aspektin elektrik të paneutralizuara dhe
formojnë një barrierë potenciale. Ky regjion quhet regjion i varfëruar për shkak të
mungesës së bartësve të lirë (Fig. 2.4(b)). Barriera potenciale ose tensioni që
paraqitet në këtë hapësirë shprehet me 2 2 ln ln ad ad bi T i i kT NN NN V V en n
(2.1) , k = 1.3806x10-23 J/oku / V kT e T K konstanta e Boltzmann-it, T temperatura absolute në o Kelvin (K = 273 + o C), e = 1.6022 x 10-19 C ngarkesa e
elektronit dhe Na, Nd janë koncentrimet e akceptorëve dhe donorëve në regjionet p
dhe n. Parametri VT quhet tensioni termik, dhe në temperaturën e dhomës T = 300o
K është -19 1.3806x10-23 x300 25.8 1.6022x10 T kT V mV (2.2) e Nëse në qarkun
e diodës nuk ka polarizim të jashtëm, bartësit minor të materialit n do të kalojnë në
materialin p për shkak të tërheqjes nga jonet negative të këtij materiali të cilat kanë
mbetur të pakompenzuara. Në të njëjtën mënyrë edhe bartësit minor nga materiali i
tipit p (elektronet) të tërhequra nga jonet pozitive të materialit n do të kalojnë në
këtë material. Bartësit kryesor në materialin e tipit n (elektronet) duhet ta
kapërcejnë forcën tërheqëse të shtresës së joneve pozitive në materialin e tipit n
dhe pengesën e joneve negative në materialin p në mënyrë që të migrojnë në
regjionin neutral të materialit të tipit p. Edhe pse numri i bartësve kryesor është
mjaftë i madh në materialin e tipit n, një numër shumë i vogël i bartësve kryesor ka
energji të mjaftuar që të kaloj përmes regjionit të varfëruar në materialin e tipit p.
Në të njëjtën mënyrë bëhet edhe lëvizja e bartësve kryesor nga materiali i tipit p
(vrimave) në materialin e tipit n. Nëse në kontaktin pn nuk është zbatuar asnjë
tension i jashtëm, difuzioni i elektroneve dhe vrimave pas një kohe duhet të
ndërpritet. Kahu i fushës elektrike të induktuar do të shkaktojë një forcë që do t’i
kundërvihet difuzionit të vrimave nga regjioni p dhe difuzionit të elektroneve nga
regjioni n. Baraspesha termike arrihet kur forca e shkaktuar nga fusha elektrike dhe
“forca”e shkaktuar nga gradienti i dendësisë plotësisht balancohen.