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ESERCIZIO 1 (Settimana 6

)
Dato il circuito di figura, determinare il valore minimo di RC tale che il transistor BJT sia
polarizzato nella regione attiva e la potenza dissipata dal solo transistor sia inferiore a 20 mW.
Dati: VCC=12 V, R1 = R2 = 50 kΩ, RE = 1 kΩ
VBE = 0.7 V, βF = 80, VCEsat = 0.2 V.
Q1:

Fig. 1 – Polarizzazione a 4 resistenze di un transistor bipolare (npn).

Soluzione
La potenza dissipata sul transistor bipolare dipende sia dal circuito di polarizzazione di base sia,
in misura solitamente dominante, dal circuito di collettore. Determiniamo quindi la corrente di base
e quella di collettore per il transistor Q1, nell’ipotesi che esso sia polarizzato nella regione attiva
delle sue caratteristiche di uscita. E’ conveniente schematizzare il circuito di polarizzazione di base
con il suo equivalente di Thevenin. Il circuito equivalente è dato in Fig. 2.
VCC

RC
Req
Q1
IB
IE

Veq
RE

Fig. 2 – Circuito equivalente secondo Thevenin del circuito di polarizzazione di base.

Si può quindi scrivere:
Veq = R eq ⋅ I B + VBE + R E ⋅ I B ⋅ (β F + 1) ,

(1)

RC ≥ IC (8) Scegliendo quindi RC pari a RC* = 740 Ω si ottiene una potenza dissipata a riposo di 20 mW. ma il transistor può uscire dalla regione attiva di funzionamento. (10) come doveva essere. Dalla (9) risulta allora .dove R eq = R 1 // R 2 = Veq = VCC ⋅ R1 ⋅ R 2 = 25 kΩ. Si ricava allora dalla (1) IB = Veq − VBE R eq + R E ⋅ (β F + 1) = 50 µA. R1 + R 2 (2) (3) e dove si è fatto uso della relazione I E = I B ⋅ (β F + 1) .  βF  (9) da cui consegue PQ = VCE ⋅ I C + VBE ⋅ I B = PMAX = 20 mW. Benché la risposta al quesito sia stata correttamente determinata e RC* rappresenti il valore cercato. è sicuramente interessante trovare anche il valore massimo di RC che soddisfa le condizioni poste. (4) che è valida nell’ipotesi di funzionamento nella regione attiva. Ciò può essere fatto imponendo che la tensione VCE divenga pari al minimo valore accettabile per ipotizzare un funzionamento in zona attiva VCEsat. (6) E’ possibile ora determinare la potenza dissipata sul transistor bipolare come funzione di RC. la tensione VCE ai capi del transistore risulta in questo caso la massima possibile e pari a  1  VCE = VCC − R *C ⋅ I C − R E ⋅ 1 +  ⋅ I C = 4. (5) da cui consegue che I C = I B ⋅ β F = 4 mA. E’ importante osservare che per valori di resistenza di collettore maggiori di RC* la tensione VCE si riduce e con essa anche la potenza dissipata. Infatti.99 V.  βF    (7) da cui risulta  1  P − VBE ⋅ I B VCC − R E ⋅ 1 +  ⋅ I C − MAX IC  βF  = 740 Ω. Si ottiene subito   1   PQ = VCE ⋅ I C + VBE ⋅ I B = VCC − R C ⋅ I C − R E ⋅ 1 +  ⋅ I C  ⋅ I C + VBE ⋅ I B < PMAX = 20 mW. R1 + R 2 R2 = 6 V.

R CMAX  1  VCC − VCEsat − R E ⋅ 1 +  ⋅ I C  βF  = = 1. che il circuito di polarizzazione proposto consente una buona stabilizzazione del punto di riposo del transistor Q1. (13)  1  VCE = VCC − R *C ⋅ I C − R E ⋅ 1 +  ⋅ I C = 4.  βF  (14) dove è possibile riscontrare uno spostamento del punto di riposo in tensione e corrente dell’ordine del 10% a fronte di una variazione del 50% del parametro βF. Ricordiamo che questo effetto si ottiene grazie alla presenza della resistenza di emettitore e facendo in modo che la corrente che percorre a riposo la resistenza R2 sia significativamente maggiore di quella assorbita dalla base del transistor.3 µA. si può ricalcolare il punto di lavoro corrispondente alla soluzione trovata attraverso le equazioni (5). . IC (11) giustamente maggiore di RC*.4 mA. A titolo di esempio. (6) e (9) nel caso si verifichi una variazione del parametro βF fino al valore β'F = 120. R eq + R E ⋅ β 'F + 1 (12) I C = I B ⋅ β F = 4.94 kΩ. E’ interessante osservare. infine. Si trova: I 'B = Veq − VBE ( ) = 36.7 V.