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MODULOS MEMORIAS RAM

MEMORIA RAM
CONCEPTO: Se utilizan como memorias de trabajo de computadoras para el sistema operativo,
los programas y la mayor parte del software. En la RAM se cargan todas las instrucciones que
ejecuta la unidad central de procesamiento (procesador) y otras unidades del computador.

TIPOS DE MEMORIAS RAM


Las dos formas principales de RAM moderna son:
1.

SRAM (Static Random Access Memory), RAM esttica, memoria esttica de acceso
aleatorio.
Una memoria SRAM tiene tres estados distintos de operacin: standby, en el cual el
circuito est en reposo, reading o en fase de lectura, durante el cual los datos son ledos
desde la memoria, y writing o en fase de escritura, durante el cual se actualizan los datos
almacenados en la memoria.

voltiles.

no voltiles:

CAPACIDAD Y VELOCIDAD
Cada bit en una SRAM se almacena en cuatrotransistores, que forman un biestable.
Este circuito biestable tiene dos estados estables, utilizados para almacenar
(representar) un 0 o un 1. Se utilizan otros dos transistores adicionales para controlar el
acceso al biestable durante las operaciones de lectura y escritura. Una SRAM tpica
utilizar seis MOSFET para almacenar cada bit. Adicionalmente, se puede encontrar
otros tipos de SRAM, que utilizan ocho, diez, o ms transistores por bit.

NVRAM (non-volatile random access memory), memoria de acceso aleatorio no


voltil.

En los routers se utiliza para almacenar un archivo de configuracin de respaldo/inicio.


Hoy da, la mayora de memorias NVRAM son memorias flash ya que son muy usadas
para telfonos mviles y reproductores porttiles de audio.

MRAM (magnetoresistive random-access memory), memoria de acceso aleatorio


magnetorresistiva o magntica.
es un tipo de memoria no voltil que ha estado en desarrollo desde losaos 90. El
desarrollo continuado de la tecnologa existente, principalmente Flash y DRAM,
han evitado la generalizacin de su uso, aunque sus defensores creen que sus
ventajas son tan evidentes que antes o despus se convertir en la tecnologa
dominante para todos los tipos de memorias.

2. DRAM son las siglas de la voz inglesa Dynamic Random Access Memory, que
significa memoria dinmica de acceso aleatorio (o RAM dinmica), para denominar a un
tipo de tecnologa de memoria RAM basada en condensadores, los cuales pierden su carga
progresivamente, necesitando de un circuito dinmico de refresco que, cada cierto perodo,
revisa dicha carga y la repone en un ciclo de refresco.

FPM RAM
Fast Page Mode RAM (FPM-RAM) fue inspirado en tcnicas como el Burst Mode usado en
procesadores como el Intel 486,3 se implant un modo direccionamiento en el que el
controlador de memoria enva una sola direccin y recibe a cambio esa y varias
consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de
tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas
posiciones consecutivas. Funciona como si deseramos visitar todas las casas en una calle:
despus de la primera vez no sera necesario decir el nmero de la calle nicamente seguir
la misma. Se fabricaban con tiempos de acceso de 70 60 ns y fueron muy populares en
sistemas basados en el 486 y los primeros Pentium.

EDO RAM
Extended Data Output RAM (EDO-RAM) fue lanzada al mercado en 1994 y con tiempos de
accesos de 40 o 30 ns supona una mejora sobre FPM, su antecesora. La EDO, tambin es capaz
de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la
informacin de la columna anterior, dando como resultado una eliminacin de estados de espera,
manteniendo activo el bferde salida hasta que comienza el prximo ciclo de lectura.

BEDO RAM
Burst Extended Data Output RAM (BEDO-RAM) fue la evolucin de la EDO-RAM y
competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba
generadores internos de direcciones y acceda a ms de una posicin de memoria en cada
ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeo un 50 % mejor que la EDO. Nunca
sali al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria

sincrnicos que si bien tenan mucho del direccionamiento MOSTEK, agregan


funcionalidades distintas como seales de reloj.

VELOCIDAD
La velocidad en memorias DRAM viene limitada por el tiempo que cuesta drenar
(en lectura) o almacenar (en escritura) la corriente en las celdas. En MRAM, se
basa en la medicin de voltajes en lugar de corrientes, por lo que el tiempo de
asentamiento (settling) es mejor. Se ha demostrado que los dispositivos MRAM
tienen accesos en el orden de 2 ns, algo mejores que los de las DRAM ms
avanzadas, que utilizan procesos de fabricacin mucho ms recientes.6 La
diferencia con Flash es mucho ms acusada, con rendimientos similares en lectura,
pero miles de veces mejor en escritura.
SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory,) memoria de acceso aleatorio
dinmica sincrnica (DRAM) que tienen una interfaz sncrona, usadas ya desde principios
de 1970.

La RDRAM es un tipo de memoria sncrona, conocida como Rambus DRAM. ste


es un tipo de memoria de siguiente generacin a la DRAM en la que se ha
rediseado la DRAM desde la base pensando en cmo se debera integrar en un
sistema. El modo de funcionar de estas memorias es diferente a las DRAM,
cambios producidos en una serie de decisiones de diseo que no buscan solo
proporcionar un alto ancho de banda, sino que tambin solucionan los problemas de
granularidad y nmero de pins.
VELOCIDAD
La frecuencia principal de las RDRAM lleg a los 1200 MHz, incorporando dos
canales RDRAM separados, a 1200 MHz en un solo mduloRIMM 4800. Adems,
han pasado de RIMMs de 16 bits a conseguir mdulos de 32 y 64 bits.

XDR DRAM (eXtreme Data Rate Dynamic Random Access Memory) es una
implementacin de alto desempeo de las DRAM, el sucesor de las memorias
Rambus RDRAM y un competidor oficial de las
tecnologas DDR2 SDRAM y GDDR4. XDR fue diseado para ser efectivo en
sistemas pequeos y de alto desempeo que necesiten memorias de alto desempeo
as como en GPUs de alto rendimiento.
CAPACIDAD

Actualmente los mdulos XDR soportan una capacidad mxima de 1 GB.

SDR SDRAM son memorias sncronas, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns


y que se presentan en mdulos DIMM de 168 contactos. Est muy extendida la
creencia de que se llama SDRAM a secas, y que la denominacin SDR SDRAM es
para diferenciarla de la memoria DDR, pero no es as, simplemente se extendi
muy rpido la denominacin incorrecta. El nombre correcto es SDR SDRAM ya que
ambas (tanto la SDR como la DDR) son memorias sncronas dinmicas.

Nombre

Velocidad

estndar

del bus

Tiempo
entre
seales

Velocidad
del mdulo

Datos

Nombre

Mxima

transferidos

del

capacidad de

por segundo

mdulo

transferencia

SDR-66

15 ns

66,6 MHz

66 Millones

PC-66

533 MB/s

SDR-100

10 ns

100 MHz

100 Millones

PC-100

800 MB/s

SDR-133

7,5 ns

133,3 MHz

133 Millones

PC-133

1066 MB/s

DDR SDRAM permite a ciertos mdulos de memoria RAM compuestos por


memorias sncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, la capacidad de
transferir simultneamente datos por dos canales distintos en un mismo ciclo de
reloj. Los mdulos DDR soportan una capacidad mxima de 1 GiB (1 073 741 824
bytes).

Nombre

Frecuencia

Frecuencia de

estndar

deBus

memoria

Datos

Nombre

transferidos por

del

segundo

mdulo

Mxima capacidad de
transferencia

DDR-200 100 MHz

100 MHz

200 Millones

PC-1600

1600 MB/s (1,6 GB/s)

DDR-266 133 MHz

133 MHz

266 Millones

PC-2100

2128 MB/s (2,1 GB/s)

DDR-333 166 MHz

166 MHz

333 Millones

PC-2700

2656 MB/s (2,6 GB/s)

DDR-400 200 MHz

200 MHz

400 Millones

PC-3200

3200 MB/s (3,2 GB/s)

DDR2 SDRAM funcionan con 4 bits por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta en
un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la
misma frecuencia de una DDR SDRAM tradicional (si una DDR a 200 MHz reales
entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos mismos 200 MHz reales entrega
800 MHz nominales). Este sistema funciona debido a que dentro de las memorias
hay un pequeo buffer que es el que guarda la informacin para luego transmitirla
fuera del mdulo de memoria.
VELOCIDAD Y CAPACIDAD

Operan tanto en el flanco alto del reloj como en el bajo, en los puntos de 0 voltios y
1,8 voltios, lo que reduce el consumo de energa en aproximadamente el 50 por ciento
del consumo de las DDR, que funcionaban a 0 y 2,5 voltios.

DDR3 SDRAM DDR3 SDRAM permite usar integrados de 1 MiB a 8 GiB, siendo
posible fabricar mdulos de hasta 16 GiB. Los DDR3 tienen 240 contactos, los
DIMMs son fsicamente incompatibles, debido a una ubicacin diferente de la
muesca.
CAPCIDAD
DDR3 SDRAM permite usar integrados de 1 MiB a 8 GiB, siendo posible fabricar
mdulos de hasta 16 GiB.

DDR4 SDRAM es un tipo de memoria de computadora de acceso aleatorio (de la


familia de las SDRAM usadas ya desde principios de 1970).

CAPACIDAD
La capacidad de transferir simultneamente datos por dos canales distintos en un
mismo ciclo de reloj. Los mdulos DDR soportan una capacidad mxima de 1 GiB (1
073 741 824 bytes).
MODULOS

Dual in-line package (DIP) es una forma de encapsulamiento, comn en la


construccin de circuitos integrados. La forma DIP consiste en un bloque con dos
hileras paralelas de pines; la cantidad de estos depende de cada circuito. Por la
posicin y espaciamiento entre pines, los circuitos DIP son especialmente prcticos
para construir prototipos en tablillas o placas de pruebas(protoboard).

SIPP es el acrnimo ingls de Single In-line Pin Package (Paquete de Pines en


Lnea Simple) y consiste en un circuito impreso (tambin llamado mdulo) en el
que se montan varios chips de memoria RAM, con una disposicin de pines
correlativa ( de all, proviene su nombre). Tiene un total de 30 pines a lo largo del
borde del circuito, que encajan con las ranuras o bancos de conexin de memoria de
laplaca base del ordenador, y proporciona 8 bits por mdulo. Se us en
sistemas 80286 y fueron reemplazadas por las SIMM, ms fciles de instalar y que
proporcionan 8 o 32 bits por mdulo (segn si son de 30 o de 72 contactos).

RIMM, acrnimo de Rambus In-line Memory Module(Mdulo de Memoria en


Lnea Rambus), designa a los mdulos de memoria RAM que utilizan una
tecnologa denominada RDRAM, desarrollada por Rambus Inc. a mediados de
los aos 1990 con el fin de introducir un mdulo de memoria con niveles de
rendimiento muy superiores a los mdulos de memoria SDRAM de 100 MHz y 133
MHz disponibles en aquellos aos.

SIMM (siglas en ingls de Single In-line Memory Module), Es un formato


para mdulos de memoria RAM que consisten en placas de circuito impreso sobre
las que se montan los integrados de memoria DRAM. Estos mdulos se insertan en
zcalos sobre la placa base. Los contactos en ambas caras estn interconectados,
esta es la mayor diferencia respecto de sus sucesores los DIMMs. Fueron muy
populares desde principios de los 80 hasta finales de los 90, el formato fue
estandarizado por JEDEC bajo el nmero JESD-21C.

DIMM son reconocibles externamente por tener cada contacto (o pin) de una de sus
caras separado del opuesto de la otra, a diferencia de los SIMM en que cada
contacto est unido a su opuesto. La disposicin fsica de los DIMM duplica el
nmero de contactos diferenciados con el bus. Los mdulos DIMM comenzaron a
reemplazar a los SIMM como el tipo predominante de memoria cuando
los microprocesadores IntelPentium tomaron dominio del mercado. Un DIMM
puede comunicarse con la cach a 64 bits (y algunos a 72 bits), a diferencia de los
32 bits de los SIMM.

SO-DIMM tienen 100, 144 200 pines. Los de 100 pines soportan transferencias
de datos de 32 bits, mientras que los de 144 y 200 lo hacen a 64 bits. Estas ltimas
se comparan con los DIMM de 168 pines (que tambin realizan transferencias de
64 bits). A simple vista se diferencian porque las de 100 tienen 2 hendiduras gua,
las de 144 una sola hendidura casi en el centro y las de 200 una hendidura parecida
a la de 144 pero ms desplazada hacia un extremo.

FB-DIMM (Fully-Buffered Dual Inline Memory Module) es una variante de las


memorias DDR2, diseadas para aplicarlas en servidores, donde se requiere un

transporte de datos rpido, efectivo, y coordinado. La memoria FB-DIMM combina


la arquitectura interna de gran velocidad de la memoria DDR2, con una interfaz de
memoria en serie punto a punto que une cada mdulo FB-DIMM como en una
cadena.

TECNOLGAS
Cantida
d de
pines

Tipos
de
DIMM

072

Usados por:

Observaciones

SODIMM

FPM-DRAM y EDO-DRAM

(no el mismo que un 72pin SIMM)

100

DIMM

printer SDRAM

144

SODIMM

SDR SDRAM

168

DIMM

SDR SDRAM

172

MicroDIMM

DDR SDRAM

184

DIMM

DDR SDRAM

200

SODIMM

DDR SDRAM
y DDR2 SDRAM

204

SODIMM

DDR3 SDRAM

(menos frecuente para


FPM/EDO DRAM en reas
de trabajo y/o
servidores)

Cantida
d de
pines

240

244

Tipos
de
DIMM

DIMM

MiniDIMM

Usados por:

DDR2
SDRAM, DDR3 SDRAM
y Fully Buffered DIMM (FBDIMM) DRAM

DDR2 SDRAM

Observaciones