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BENEMRITA UNIVERSIDAD

AUTNOMA DE PUEBLA

FACULTAD DE CIENCIAS DE LA
ELECTRNICA

AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
CON BJT
REPORTE DE LA PRCTICA N 7

RESUMEN
Verificar las caractersticas bsicas de un amplificador BJT.

OBJETIVOS
1) Medir el punto de operacin en D.C.
(todas las corrientes y todos los
voltajes).
2) Medir la ganancia diferencial.
3) Medir la ganancia en nodo comn.
4) Calcular la relacin de rechazo en
nodo comn (RRNC).

MARCO TEORICO

TRANSISTOR BJT

El transistor de unin bipolar (del ingls


bipolar junction transistor, o sus siglas BJT)
es un dispositivo electrnico de estado slido
consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre s, que permite controlar el paso de la
corriente a travs de sus terminales.
Un transistor de unin bipolar est formado
por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin
muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras
dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su
nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores
de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha,


que separa el emisor del colector.

Colector, de extensin mucho mayor.


Figura 1. Modelo del transistor BJT.

AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
Amplificador diferencial es un arreglo
realizado mediante transistores, es el circuito
principal de los amplificadores operacionales
integrados comerciales y de muchos otros
circuitos integrados, se ver el caso del
amplificador diferencial construido a partir
de transistores bipolares o BJT.
Algunas de las caractersticas importantes
del amplificador diferencial son su alta
impedancia de entrada, una ganancia de
tensin alta, un valor alto en cuanto al
rechazo en modo comn.

Figura 2. Amplificador Diferencial

AMPLIFICADOR OPERACIONAL

Figura 4. Fuente de corriente por divisor de voltaje.

Figura 3. Diagrama de un OPAMP LM741.

Se trata de un dispositivo electrnico que


tiene dos entradas y una salida. La salida es
la diferencia de las dos entradas multiplicada
por un factor (G) (ganancia):
Vout = G(V+ V) el ms conocido y
comnmente aplicado es el UA741 o
LM741.
El OPAMP ideal tiene una ganancia infinita,
una impedancia de entrada infinita, un ancho
de banda tambin infinito, una impedancia
de salida nula, un tiempo de respuesta nulo y
ningn ruido. Como la impedancia de
entrada es infinita tambin se dice que las
corrientes de entrada son cero.

DESARROLLO TERICO
Primero antes que nada nos dedicamos a
realizar los clculos para construir nuestra
fuente de corriente de 2mA y para ello nos
basamos en la primera de las dos opciones
que nos dio el profesor, que fue por divisor
de voltaje, el cual es como el que se muestra
a continuacin en la figura 4:

Para este circuito se dan las ecuaciones:

=>
=>

Vb = R1/(R1+R2)
Ve = Vb 0.7v
Ie = ( Ve ( -Vee ) ) / Re == Ic

Proponemos R1 y R2 = 6.8k y de esto,


obtenemos que:

Vb = (6.8k / 13.6k) (-15v) = -7.5v


=>
Ve = -7.5v 0.7v = -8.2v
S queremos una corriente Ic = 2mA:

Ie = (-8.2v + 15v) / Re = 2mA


Despejamos para finalmente obtener el valor
de Re:

Re = (-8.2v + 15v) / 2mA


Re = 3.4k

Ahora que ya obtuvimos nuestra fuente de


corriente y la complementamos a nuestro
circuito, procedimos a realizar nuestro
anlisis terico completo de este circuito y
para ello partimos de la instruccin del
profesor que era aterrizar las bases de los
transistores como se muestra en el siguiente
diagrama, para hallar las corrientes y
voltajes:

(A)
Ic
Ib
Ie
Volts
(V)
Vc
Vb
Ve
Vce
Vbc
Vbe

991u
6.71u
998u

961u
6.71u
967u

T1

T2

5.09
0
-0.62
5.71
-5.09
0.62

5.25
0
-0.62
5.87
-5.25
0.62

Fuente de corriente:
Amperes
(A)
Ic
Ib
Ie
Figura 5. Diagrama en punto de operacin Par
Diferencial.

Q1=Q2
V1=V2=0

2m
1.11m
2.01m
Volts
(V)

Vc
-1.01
Vb
-7.54
Ve
-8.18
DESARROLLO EXPERIMENTAL

Veq = -Vbe
Zona activa <=> Io =< 2Vcc/Rc
Ic1 = Ic2 = Io/ 2 N = Io/2
>>1
Vcq = Vcc (Io/2) Rc
Vce1 =Vce2 =Vcc + Vbe (Io/2) Rc
Dadas las ecuaciones, de estas mismas
partimos para obtener nuestros valores de las
corrientes y voltajes requeridos en el circuito
que a continuacin de muestran:
Amperes

T1

T2

MATERIAL
2 Resistencias de 390
1 Resistencia de 6.8k
2 Resistencias de 10k
1 Resistencias de 2.9k (serieparalelo)
2 Transistores 2N2222A

Con la ayuda del anlisis procedimos a


medir las corrientes y voltajes tanto para la
fuente de corriente como para lo dems,
donde nos pudimos dar cuenta que al
principio haba problemas ya que nuestro
circuito nos daba exactamente unas

corrientes y voltajes similares, cosa que


despus nos pudimos dar cuenta que eso era
seal de un error en el circuito.
Cabe mencionar antes que nada que a la hora
de realizar estas mediciones, fue necesario
modificar la resistencia emisor de la fuente
de corriente, ya que esta no daba los 2mA
exactos, daba una corriente de 1,78mA, asi
es que decidimos ajustar esa resistencia que
acab siendo de 2.9K.
Una vez teniendo eso, procedimos a hacer
las mediciones, obteniendo los siguientes
valores:
Amperes
(A)
Ic
Ib
Ie
Volts
(V)
Vc
Vb
Ve
Vce
Vbc
Vbe

T1

T2

931u
107u
1m

903u
107u
1m

T1

T2

5.89
0
-0.62
6.47
-5.81
0.62

6.05
0
-0.62
6.66
-5.96
0.63

Amperes
(A)
Ic
Ib
Ie

Figura 6. Conexin para calcular Ad.

Procedimos a medir con el osciloscopio el


voltaje Vo+ con una punta y el Vo- con otra

para poder visualizar ambas curvas y as


mismo poder restarlas:
=>

Vin = Vd = 200mV
Vo = 2.86v

Y ahora como ltima modificacin en el


circuito, para la tercera parte fue necesario
colocar ambas bases en un solo nodo, como
se muestra a continuacin:

2.1m
158m
2m
Volts
(V)

Vc
Vb
Ve

-1.02
-8.13
-8.74

Para lo siguiente que fue medir la ganancia


diferencial, para ello se le aplic una seal
en escala de mV a una base y la otra se dej
aterrizada como se muestra en la siguiente
imagen:

Figura 7. Conexin para calcular Acn.

Teniendo as nuestro circuito, procedimos a


hacer las mediciones aunque ahora
implementando una seal ya no en escala de
mV sino con una escala de volts, y as
finalmente obtener:
Con

=>

=>
RRNC = P = log ( 14.3v / 120mV )
=>

RRNC = P = 41.52

Vin = Vcn = 2.5v


Vo = 300mV

Ahora solo con estos valores para la parte


cuatro nos ayudamos con la siguiente
frmula para calcular el valor de la relacin
de rechazo en nodo comn:

RRNC = p =20 log (Ad / Acn)

En esta misma seccin de resultados, si


pueden dibujan las seales del osciloscopio,
cada con la que es.

RESULTADOS
Dados nuestros resultados anteriores:
2) Ganancia diferencial:

=>
=>

Ad = Vo / Vd
Ad = 2.86v / 200mV
Ad = 14.3 V

3) Ganancia en nodo comn:

=>
=>

Acn = Vo / Vcn
Acn = 300mV / 2.5v
Acn = 120mV

4) Relacin de rechazo en nodo comn:

RRNC = P = log ( Ad / Acn )

DIAGRAMA DEL CIRCUITO

Figura 8. Circuito final: Par Diferencial.

CONCLUSIONES

BIBLIOGRAFIA
[1] Boylestad, R. L., Nashelsky,
Louis.
Electrnica:
Teora
de
Circuitos y Dispositivos Electrnicos.
PEARSON EDUCACIN, Mxico,
2009.
[2] Thomas I. Floyd: Dispositivos
Electrnicos.
[3] S. Sedra, K. C. Smith. Circuitos Micro
electrnicos, Saunders College Publishing,
1992.
[4] Horenstein Mark N. Microelectrnica
circuitos y dispositivos. 2a. Ed. Prentice
Hall, 1997

[5] Paul B. Zbar,Albert Paul


Malvino,Michael A. Mille. Prcticas
de electrnica.