P. 1
Dispozitive Electronice si Optoelectronice

Dispozitive Electronice si Optoelectronice

|Views: 1,781|Likes:
Published by Vlad Vesa
Curs Dispozitive Electronice si Optoelectronice
Curs Dispozitive Electronice si Optoelectronice

More info:

Published by: Vlad Vesa on Jun 06, 2010
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PDF or read online from Scribd
See more
See less

06/02/2013

pdf

Sections

DISPOZITIVE ELECTRONICE SI

OPTOELECTRONICE
Suport curs - 2009

Vesa Vlad
6/26/2009




[Type the abstract of the document here. The abstract is typically a short summary of the contents of the
document. Type the abstract of the document here. The abstract is typically a short summary of the contents of
the document.]
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


1


BAZELE FIZICE ALE DISPOZITIVELOR ELECTRONICE
SEMICONDUCTOARE

Electronul-particula elementara cu sarcina negativa, q=e=−1,6∙10
-19
C. Intra în componenta
atomilor.
Electronica-domeniu al tehnicii care se ocupa cu teoria, fabricarea si utilizraea dispozitivelor
semiconductoare , a circuitelor integrate, etc.
Optoelectronica- ramura a electronicii care se ocupa cu producerea, masurarea si folosirea
radiatiei electromagnetice în domeniul optic, precum si cu conversia acestei radiatii în semnal
electric.
Materiale semiconductoare- au o rezistivitate specifica între cea a conductoarelor (Cu, Ag, Au,
Fe) si cea a izolatoarelor (sticla, diamant, etc.)







Explicatii: R
[Ω]

; ρ- parametrul fizic cu cel mai larg domeniu de valori (10
-10
†10
18
Ωm).
Din punct de vedere tehnic, cel mai important material semiconductor este siliciul. Face parte
din grupa a patra a sistemului periodic al elementelor ( este tetravalent) si cristalizeaza in structura de
tetraedru. Fiecare din cei 4 electroni de valenta ai unui atom participa la cate o legatura covalenta cu
unul din cei 4 atomi învecinati. La temperatura zero absolut (0 grade K), toti electronii sunt prinsi în
legaturi covalente si materialul se comporta ca un izolator (ca diamantul- forma cristalina a
carbonului). Este cazul reprezentat in figura. (expl: 0
0
K=-273,15
0
C)













Semiconductori
Conductori
(metale)
ρ[Ωm]
GaAs
Ge Si Se
10
-5
10
-4
10
-2
10
0
10
2
10
4
10
6
10
7
Izolatori
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


2



O data cu cresterea temperaturii, un numar tot mai mare de legaturi covalente se “rup”:
electronii in cauza devin liberi sa se deplaseze in reteaua cristalina. Intr-o reprezentare plana, reteaua
cu legaturi covalente rupte se prezinta ca in figura.


Locul lasat liber de electronul care a rupt legatura se interpreteaza ca o sarcina pozitiva, q, si se
numeste “gol”. Golul poate fi ocupat de un electron dintr-o legatura covalenta vecina. Aceasta
deplasare a legaturilor libere se interpreteaza ca o deplasare a golurilor.
Eliberarea unui electron din retea este echivalenta cu generarea termica a unei perechi electron-
gol. Orientativ, într-un cristal de Ge la tempetarura camerei (aprox 300
0
K) se rup 10
13
legaturi/
cm
3
.Aceste valori sunt mici comparativ cu 10
23
cat este numarul electronilor/ cm
3
, in metale. Totusi,
aceste densitati mici fac posibila conductia semiconductorilor. Se vorbeste de semiconductori
intrinseci respectiv de conductie intrinseca.
Densitatea spatiala a perechilor electron-gol se numeste concentratie intrinseca de purtatori, n
i
.
Electronii liberi se deplaseaza prin cristal datorita agitatiei termice. Traiectoria lor este in zig-
zag ca urmare a ciocnirilor cu paturile externe ale atomilor sau cu alti purtatori. În medie nu este
favorizata o directie de deplasare (a). Daca insa în cristal actioneaza un camp electric (Ē), va fi
favorizata clar o directie de deplasare. Ia nastere un curent de electroni si un curent de goluri. Spre
deosebire de metale, la semiconductoare rezistenta electrica scade cu cresterea temperaturii.

a) b) Ē







Semiconductoare extrinseci ( impurificate, dopate)
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


3


Conductivitatea semiconductorului poate fi crescuta prin introducerea in reteaua cristalina a
unor atomi pentavalenti (P, As). Al cincilea electron, care nu poate intra într-o legatura covalenta,
este eliberat de atom.



Astfel, pe langa perechile electron-gol,în cristal se vor gasi atatia electroni liberi cati atomi
pentavalenti (donatori) au fost introdusi în retea. Se vorbeste de Si dopat N sau simplu, siliciu N.
Electronii sunt în acest caz purtatori majoritari iar golurile sunt purtatori minoritari. Fiecare atom
donor ionizat este încarcat electric pozitiv, astfel încat cristalul este neutru din punct de vedere
electric.
Spre deosebire de gol, atomul de P ionizat pozitiv este fix in retea si nu participa la curentul
electric. În semiconductori de tip N, numarul golurilor din cristal este mai mic decat la
semiconductori intrinseci, coform relatiei p∙n=n
i
2
(T). La semiconductori intrinseci, p=n=n
i
(T).
Similar, conductivitatea Si poate fi crescuta prin introducerea în retea a unor atomi trivalenti (B,
Al, Ga, In). Un electron dintr-o legatura covalenta vecina ocupa golul atomului acceptor, lasand în
urma o legatura rupta (gol).

În acest cristal golurile sunt purtatori majoritari iar electronii, purtatori minoritari.
Se vorbeste de semiconductor dopat (smcd de tip P) si de conductie de tip P.
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


4


Daca se întalneste un electron cu un gol, ei se recombina si dispar ca purtatori liberi de sarcina.
Atunci cand generarea perechilor electron-gol este compensata de disparitia acestor perechi prin
recombinare se spune ca semiconductorul este in stare de echilibru.
Intr-un semiconductor pot exista 4 tipuri de entitati “încarcate”: electroni mobili, n/cm
3
; ioni
acceptori, N
A
/cm
3
(sarcini negative); goluri mobile, p/cm
3
; ioni donori, N
D
/cm
3
(sarcini pozitive).
Daca semiconductorul este omogen, densitatea locala de sarcina este nula: ρ=q(p + N
D
– n – N
A
)=0
adica p-n= N
A
- N
D
.
Consideram un semiconductor N: N
A
=0; N
D
>>n
i
⇒ n
0
≅N
D
si . Notatiile n
0
si p
0
arata ca
semiconductorul se alfa in stare de echilibru.



Ex: si la temperatura camerei are n
0∙
p
0
=10
20
/cm
6
. Daca N
D
=10
15
, ⇒ n
0
≅10
15
/cm
3
si p
0
≅10
5
/cm
3
.
Se observa ca p
0
<<p
i
deoarece recombinarea este puternica datorita numarului mare de elecroni.



n
0
≅N
D

p
0

n
i
=p
i

DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


5


Este posibila perturbarea temporara a concentratiilor de purtatori ( de exemplu prin iluminare,
ca în cazul fotorezistentelor). Daca notam cu n
`
si p
`
concentratiile în exces fata de starea de echilibru,
concentratiile momentane se pot exprima astfel:p=p
0
+p
`
; n=n
0
+n
`

Daca p
`
>0; n
`
>0, este vorba într-adevar de un exces de purtatori. Dupa disparitia stimulului,
excesul de concentratie tinde sa revina la zero prin recombinarea
purtatorilor. Legea de revenire este exponentiala n
`
(t)=n
`
(0)∙e
-t/τ
; p
`
(t)=p
`
(0)∙e
-t/τ
.
Daca p
`
<0; n
`
<0, exista un deficit (exces negativ) de purtatori. Revenirea la zero a deficitului se
produce prin generare de purtatori. Constanta de timp τ se numeste timp de viata mediu al
purtatorilor în exces.
Constanta de timp τ depinde de natura semiconductorului si ia valori tipice intre 1 ns si 500 μs.

Modelul benzilor energetice(m.b.e)

Modelul benzilor energetice este o reprezentare bazata pe considerente cuantice si statistice a
energiei electronilor din atomi, molecule semiconductoare, etc. Conform modelului atomic al lui
Bohr electronii pot avea doar valori discrete de energie.


Multimea atomilor dintr-un smcd. face ca valorile discrete de energie ale atomilor individuali sa
se grupeze in benzi compacte de energie separate de zone interzise.
Pentru intelegerea functionarii dispozitivelor electronice este importanta ocuparea cu electroni a
celor doua benzi superioare: banda de conductie si banda de valenta.

DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


6



In figura a s-a notat cu E
v
limita energetica superioara a benzii de valenta si cu E
c
limita
inferioara a benzii de conductie. Intre aceste limite se afla o banda interzisa de latime E
i
=E
c
-E
v
.
pentru Si, E
i
=1,1eV iar pentru Ge, E
i
=0,67 eV. (electron-voltul este o unitate de masura tolerata
pentru energie, în analiza proceselor ce implica particule elementare. 1eV=1,6∙10
-19
J este energia pe
care o castiga un electron parcurgand o diferenta de potential de 1V).
E
D
- nivelul energetic al donatorilor
E
A
- nivelul energeti c al acceptorilor ⇒ cad în banda interzisa.

M.b.e explica dependenta de temperatura a conductivitatii semiconductorilor. De asemenea, e
clar ca in aceleasi conditii de temperatura, smcd. cu banda interzisa mai ingusta ( E
C
-E
V
) are
conductibilitatea mai buna. M.b.e explica si influenta impuritatilor asupra conductibilitatii. Astfel,
atomii donatori introduc un nivel energetic suplimentar aproape de banda de conductie (BC). De aici,
electronii atomilor de impuritate trec usor in BC si conductibilitatea astfel crescuta are un caracter
electronic(electronii sunt majoritari). Atomii acceptori introduc un nivel energetic suplimentar
aproape de banda de valenta(BV).
Pe acest nivel pot veni usor electroni din BV, în care apar astfel goluri in plus si
conductibilitatea crescuta are un caracter de goluri ( golurile sunt majoritare).

Curentul electric in semiconductoare
In conditii de echilibru, purtatorii mobili de sarcina se misca datorita agitatiei termice dupa
traiectorii in zig-zag. Nici o directie nu este favorizata, valoarea medie a vitezei este nula; nu exista
curent (v=0).
Doua cauze pot determina o stare de dezechilibru:
- aplicarea unui camp electric din exterior;
- distributia neuniforma a purtatorilor din semiconductoare.
Campul electric Ē determina o tendinta (“drift”) in miscarea purtatorilor. Viteza medie a
golurilor, v
g
, respectiv a electronilor v
e
, nu vor mai fi nule ci proportionale cu intensitatea campului:
v
g

g
∙Ē; v
e
=-μ
e
∙Ē.
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


7


Parametrii μ
g
si μ
e
se masoara in [

]=[

], se numesc „mobilitatea electronilor‟ si au valoari
de ordinul 10
3
. Curentul care ia astfel nastere se numeste curent de drift iar marimea lui se apreciaza
prin densitate de curent J.


Electronii si golurile se deplaseaza in directii opuse, dar densitatile de curent corespunzatoare se
aduna:
J=J
g
+J
e
=

=q(n∙μ
e
+ p∙μ
g
) ∙ E= σ ∙ E.
Coeficientul σ este conductivitatea materialului semiconductor. Curentul de conductie I are
sensul de deplasare a golurilor, identic cu sensul cîmpului electric, E. Exemplu: o bara de Ge avand
forma unui paralelipiped de lungime l=1 cm si o sectiune S=(0,1 cm)
2
este strabatuta de curent.
Mobilitatile purtatorilor sunt: μ
g
=2∙10
3
cm
2
/(V∙s) si μ
e
=4∙10
3
cm
2
/(V∙s). Daca semiconductorul
este intrinsec (n
0
=p
0
=n
i
≅2∙10
13
cm
-3
, la T=300
0
K) se poate calcula conductivitatea materialului:

σ=q∙n
i

e+
μ
g
)=1,6∙10
-19
∙2∙10
13
(2+4)∙10
3
= 19,2∙10

[C] [cm
-3
] [cm
2
/(V∙s)] [(Ω∙cm)
-1
]
Cunoscand geometria barei si conductivitatea materialului, se poate determina rezistenta barei:
I=J∙S= σ∙E∙S= σ∙

∙S. Dar

σ∙

.

Sa consideram acum ca semiconductorul este de tip N si ca între capetele ei s-a masurat o
rezistenta R=10Ω. În aceste conditii se poate determina concentratia purtatorilor majoritari:

0(Ω∙cm)
-1
.
În acest caz σ este determinat în principal de purtatorii majoritari:
≅ ∙ ∙ ⇒ ≅

σ
∙μ

∙∙


≅ ∙

.
Rezulta o concentratie a purtatorilor majoritari (si implicit a atomilor donori) cu trei ordine de
marime peste valoarea concentratiilor n
0
=p
0
din cazul unui semiconductor intrinsec.
Pe langa curentul de drift care ia nastere prin aplicarea unui camp electric, poate sa apara si
curenti de difuzie, atunci cand distributia purtatorilor de sarcina în semiconductor nu este uniforma.
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


8


Distributii neuniforme ale purtatorilor pot sa apara, de exemplu, la injectia de purtatori majoritari sau
minoritari intr-un semiconductor.
Daca presupunem o densitate scazatoare a golurilor in sensul axei Ox, este clar ca golurile vor
difuza in sensul acestei axe.


Sensul curentului si al densitatii de curent de difuzie va fi dat de versorul axei Ox, ū: J = -q∙D
g

∙ ū.
Daca s-ar fi considerat o repartitie similara a electronilor, acestia ar fi difuzat tot spre dreapta
dar curentul si densitatea de curent corespunzatoare ar fi fost orientate împotriva lui ū: J
e
=q∙D
e

∙ ū.
Desigur, daca curentii de difuzare si curentii de drift coexista, densitatile de curent se aduna vectorial.
Efectul final al curentilor de difuzie este egalizarea, uniformizarea distributiei purtatorilor de sarcina.
Constantele D
e
si D
g
se numesc coeficienti de difuzie pentru goluri respectiv pentru electroni.
Sunt dovedite urmatoarele egalitati (Einstein):

In aceste relatii k=1,38∙10
-23
J/K este constanta lui Boltzmann iar V
T
≅25mV la T=293
0
K se
numeste tensiune termica. Relatiile se obtin pe baze statistice.




DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


9


DIODE SEMICONDUCTOARE
Toate dispozitivele sunt privite din punct de vedere al comportarii la borne (relatii intre tensiuni si
curenti).
Structura (fig 2.1): o jonctiune p-n; retea cristalina continua.

A – Anod
C – Catod
J – Jonctiune
p – zona in care sunt majoritare golurile
n – zona in care sunt majoritari electronii

Simbol de circuit pentru diode redresoare (comutatie)


D D
i u , - marimi instantanee



Conventie de notare:










Daca 0 >
D
u dioda este polarizata direct; se afla in conductie ( 0 >
D
i )
Daca 0 s
D
u

dioda este polarizata invers; dioda este blocata ( 0 ~
D
i )

Caracteristica diodei ( ) (
D D
u f i = )

157
5 , 1
4 , 0
A pentru
V V
A I
F
FM
|
)
`
¹
=
=






La Si: V U
D
7 , 0 ... 6 , 0 =

D
U
A C
D
i
J
p n
D
u
D
i
A
C
| | s t
d
u
D
u
D
U
| | V

Polarizare directa
FM
I
D
I
D
U S
I
RRM
V
Polarizare inversa
| | V u
D
| | mA i
D
F
V
Pentru diodele cu Siliciu

- componenta continua
- valoare instantanee
- variatia
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


10


La Ge: V U
D
3 , 0 ... 2 , 0 =



) ( 9 ... 1 tipic A A I
s
u u = : curent de saturatie
157 . . 400 A pentru V V
RRM
| ÷ =

Descrierea analitica a caracteristicii diodei

S
I - curent rezidual
| | 2 , 1 e m - parametrul tehnologic; vom lua m=1
T
U -tensiunea termica: 25mV la 25 C
°


D D
U I , - marimi statice ¬caracteristica statica

Aproximari ale relatiei (2.1)

a) V U
D
1 . 0 > (polarizare directa) :

÷ |
.
|

\
| >
1
25
100
exp
mV
mV
I
S

) 40 exp(
25
1
exp exp
D S D S
T
D
S D
U I U
mV
V
I
U
U
I I = |
.
|

\
|
· =
|
|
.
|

\
|
= ¬ (2.3)

b) (2.4) 1 . 0
S D D
I I V U ÷ = ¬ ÷ <

Efectul temperaturii asupra caracteristicii diodei
- Curentul rezidual
S
I depinde de temperatura jonctiunii
(2.5) 2 ) ( ) (
10 / ) (
1
1
T T
S S
T I T I
÷
· =
S
I ¬
- se dubleaza la fiecare crestere a temperaturii cu C
°
10
- Tensiunea
D
U are un coeficient de temperatura negative: la acelasi curent prin dioda tensiunea
D
U
scade daca temperatura T creste C mV
T
U
const I
D
D
°
=
÷ =
A
A
/ 5 , 2 (2.6)

(2.1 – pag 44)
1
T T >
1
T
| | V U
D
S
I
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


11







Notiunile de dreapta de sarcina si PFS

D D
U R I E + · = - ecuatia dreptei de sarcina
R- rezistenta de sarcina



Taieturile la axe :
¦
¹
¦
´
¦
=
O
= = ¬ =
= = ¬ =
mA
K
V
R
E
I U
V E U I
D D
D D
10
1
10
0
10 0


PFS – Punctul de functionare static se afla la intersecta dreptei de
sarcina(statica) cu caracteristica diodei.









Metode pentru determinarea PFS
1) Rezolvarea sistemului de ecuatii
2) Calculul iterativ(utilizat in programe ca PSPICE)
. 0
"' " " ' '
etc U I U I U
D D D D D
¬ ¬ ¬ ¬ ¬ = (calculul este rapid convergent)

Rezistenta dinamica a diodei (§2.4 si fig 2.7)




Pentru variatii de mica amplitudine in jurul PFS, dioda se comporta ca o rezistenta.
Din ecuatia (2.3)
0
40 40 ) 40 exp(
D D S
D
D
I U I
du
di
· ~ · = ¬


d D D
i I i + =
0
d D D
u U u + =
0
Variatii presupuse
sinusoidale
t U u
m d
e sin =
t I i
m d
e sin =
V E 10 =
O = K R 1
D
U
D
I
+
÷
PFS

D
I
0
D
U
] [mA I
D
R
E
E
] [V U
D
D
I
D
U
Caracteristica
diodei
0
D
U
0
D
I
PFS
t
d
u
t
d
i
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


12

=
·
= O
] [
25
] [ 40
1
] [
0 0
mA I A I
r
D D
d
(2.10) - Formla analitica pentru rezistenta dinamica (la mici variatii) a unei
diode aflata la polarizare directa.

Ex: O = ¬ = 5 5
0
d D
r mA I

Observatie: cu cat
0
D
I creste mai mult, cu atat
d
r scade mai accentuat.

Modelul de dioda ideala (§ 2.6 si fig. 2.11)
In unele aplicatii cum sunt redresoarele din blocurile de alimentare, tensiunile care intervin sunt mult mai
mari decat caderile de tensiune pe diodele polarizate direct iar curentii inversi (reziduali) prin diode sunt
neglijati fata de curentii care intervin in circuit.
Daca se neglijeaza tensiunile pe diodele polarizate direct si curentii reziduali prin diodele polarizate
invers se obtine modelul diodei ideale.

La polarizare directa:
0 =
d
u pentru
d
i >0
La polarizare inversa:
0 =
D
i pentru 0 <
D
u


Observatie: Exista o deosebire esentiala intre dioda si intrerupator, dioda conduce curentul intr-un singur
sens de la anod la catod. Dioda – dispozitiv unidirectional.

Aplicatie
Redresor monofazat monoalternanta(§2.7 pag 52)

Redresor – transforma o tensiune sinusoidala( fara componenta continua) intr-una cu componenta
continua, adica intr-o tensiune cu valoare medie nenula.
Monofazat – primeste la intrare o singura tensiune sinusoidala
Monoalternanta – redreseaza o singura alternanta


Tr :
- coboara tensiunea
- separa galvanic partea de forta (reteaua) de sarcina
t U u
m
e sin
2 2
· =

D – dioda ideala



Alternanta :

- + (pozitiva)



2
u u
S
=
S
R
2
u
Caracteristica
diodei ideale
D
u
D
i
÷ +
+ ÷
S
R
S
u
2
u
Tr
Hz
V
u
50
220
1
D
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


13



- - (negativa)



SCC
U -componenta continua(valoarea medie) a tensiunii ) (t u
S

í
= =
t
t
u u
t
0
2
2
sin
2
1
m
m SCC
U
d U U

Tensiunea redresata are o componenta contiuna dar este
departe de a fi constanta.




Filtrarea tensiunii redresate
Se pot utiliza bobine in serie cu
S
R sau condensatoare in paralel cu
S
R . Cel mai des se utilizeaza
condensatoare electrolitice sau cu tantal de valori mari.

] , [ ]; , [
4 3 2 1
t t t t - dioda conduce si C se incarca
] , [
3 2
t t - dioda este blocata si C se descarca peste
S
R
Teoretic descarcarea este exponentiala; practic din cauza constantei de timp mari (
s
CR ), in intervalul
] , [
3 2
t t descarcarea este liniara ¬Tensiunea redresata si filtrata e aproape constanta. Prezinta o “ondulatie”,
s
u A .
÷ A · = A
s
u C Q sarcina cu care se incarca C in ] , [
2 1
t t
÷ · ~ ÷ = A T
R
U
t t i Q
S
m
S
2
2 3
) ( sarcina evacuata din C pe durata descarcarii;
f
T
1
= este perioada tensiunii
iar Hz f 50 = este frecventa
) 15 . 2 (
2
f R u
U
C
S S
m
· · A
~

Formula de calcul a condensatorului care asigura o tensiune de ondulatie impusa.
Componenta contiuna a tensiunii redresata si filtrata este:
) 17 . 2 (
2
2
S
m SCC
u
U U
A
÷ ~

S
i
2
u
C S
u
S
R
m
U
2
S
u
S
u A
1
t
2
t
3
t
4
t
t
Tens. redresata si filtrata
Tensiunea redresata
0 =
S
u
S
R
2
u
0
t
t 2
( ) t u
2
( ) t u
S
u
S
u u ,
2
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


14






UN MODEL MAI PRECIS PENTRU DIODA (§2.6, fig. 2.12)
In aplicatiile in care caderile de tensiune care intervin sunt relativ mici ( V 6 s amplitudine), neglijarea
caderilor de tensiune pe diodele polarizate direct duce la
erori grosolane in analiza circuitelor ¬In locul
modelului de dioda ideala vom utiliza un model mai
precis:
¹
´
¦
< =
> =
0
0
, 0
0 ,
D D D
D D D
U u i
i U u

Schema de circuit corespunzatoare acestui model este:


MODELUL LINIAR PE PORTIUNI COMPLET( fig 2.13)
Daca vrem sa descriem si faptul ca tensiunea directa pe dioda creste usor o data cu curentul direct trebuie sa
includem in model si rezistenta dinamica a diodei ¬cel mai precis model liniar pe portiuni.
Schema de circuit adecvata este:



In acest caz, V U
D
6 , 0
0
s de exemplu O = = 5 ; 5 , 0
0 d D
r V U
Aplicatie
Limitator simetric cu diode(§2.9, pag 61)

Circuitul se poate utiliza pentru a obtine o tensiune rectangulara
dintr-o tensiune sinusoidala sau pentru protejarea instrumentelor
de masura.




d
i
V U
D
6 , 0
0
~
D
u
d
r `
d
i
V U
D
6 , 0
0
~
D
u
D
i
O
V U
D
6 , 0
0
~
0 D
U
D
u
Caracteristica reala
D
i
O
0 D
U
D
u
D
i A
D
u A
d
D
D
r
i
u
=
A
A
1
D
2
D
R
O k 1
E
u
I
u
÷ +
+ ÷
2 1
D D ÷
dioda ideala
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


15


Pentru analiza limitatorului vom folosi pentru diode modelul liniar complet. Deducem caracteristica de
transfer ( )
I E
u f u = . Se pot distinge trei situatii:

a) 0 ~
I
u Diodele sunt blocate si conteaza ca intreruperi de circuit:


b)
0 D I
U u >

Dioda
2
D conduce iar
1
D este blocata
Pentru a exprima tensiunea
E
u aplicam principiul
suprapunerii efectelor. Astfel, pentru 0
0
=
D
U ,
d
d
I E
r R
r
u u
+
· = ¬
'
;
Similar, daca presupunem
d
D E I
r R
R
U u u
+
· = ¬ =
0
' '
0 .


La suma de cauze corespunde suma de efecte:
0 0
' ' '
;
D I
d
D
d
d
I E E E
U u
r R
R
U
r R
r
u u u u >
+
+
+
= + = ¬
Exemplu: O = = 5 ; 5 , 0
0 d D
r V U . Se vede ca pentru
0 0 D I E D I
U u u U u = = ¬ = iar pentru
V V mV
k
k
V
k
V u V u
E I
55 , 0 5 , 0 50
5 1
1
5 , 0
5 10
5
10 10 = + =
O + O
O
· +
O + O
O
· = ¬ =


c)
0 D I
U u ÷ < . Dioda
1
D conduce iar

2
D este blocata.

D I
d
D
d
d
I E
U u
r R
R
U
r R
r
u u ÷ <
+
÷
+
= ;
0

De exemplu, pentru V u V u
E I
55 , 0 10 ÷ = ¬ ÷ =



R
O k 1
0 0
;
D I D I E
U u U u u + s s ÷ =
÷ +
+ ÷
I
u
R
O k 1
E
u
+
÷
I
u
d
r
0 D
U
R
÷
+
I
u
d
r
0 D
U
E
u
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


16




Observatie: Pentru 0 =
d
r si
0 D I
U u > , caracteristica de transfer este perfect orizontala
Dioda stabilizatoare (Zener) – §2.5 pag.49

Din motive tehnologice, comportarea diodei Zener la polarizare inversa ( 0 <
D
u ) difera esential de cea a unei
diode redresoare. DZ lucreaza, in general polarizata invers, motiv pentru care se folosesc notatiile:
. ;
D Z D Z
u u i i ÷ = ÷ =
Caracteristica DZ (vezi fig.2.9)

La polarizare directa ( 0 >
D
u ) DZ se comporta ca o dioda redresoare obisnuita ( V U
D
6 , 0
0
~ ).
La polarizare inversa pentru
0 Z Z
V u ~ ( tensiunea Zener ), apare o strapungere nedistructiva. Practic DZ
pastreaza tensiunea la borne aproximativ constanta, pentru variatii ale curentului
Z
i in limite largi. Valoarea
mA I
Zm
5 ~ (tipic) se stabileste de utilizator;
Daca
Zm Z
I i < , PF intra in cotul caracteristicii si DZ nu mai stabilizeaza. Valoarea
Zm
I depinde de puterea
diodei. Exemplu: Dioda PL9V1Z se distruge daca mA I i
Zm Z
100 ~ > .
Regiunea de
stabilizare
0 Z
V
| | mA i
D
| | mA i
Z
| | V u
D
Z
r
zm
I
ZM
I
V U
D
6 , 0
0
~
Z
u
Z
u
C
A
D
u
D
i
Z
i
V 5 , 0
V 5 , 0
V 5 , 0 ÷
V 5 , 0 ÷
E
u
I
u
V 05 , 0
V 05 , 0
V 5 , 0
V 5 , 0 ÷
I
u
t
V 10 ÷
V 10
E
u
t
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


17


In functie de tipul diodei,
0 Z
V poate lua valori de la 2,7V…sute de V. Exemplu: la PL9V1Z,
V V V
Z
5 , 0 1 , 9
0
± = . Tensiunea Zener are si un coeficient de temperatura,
T V
V
Z
Z
VZ
A ·
A
=
0
0
o ; Exemplu: la
PL9V1Z, C
VZ
0 4
/ 10 5
÷
· ~ o (vezi anexa B2).
Diodele cu V V
Z
6 ... 5
0
= , au 0
0
~
Z
o (tensiunea Zener independenta de temperatura).
Panta caracteristicii in regiunea de stabilizare, este data de rezistenta dinamica O ~
A
A
= 4
Z
Z
Z
i
u
r la PL9V1Z.

Modelul liniar pe portiuni al DZ(fig 2.14, pag. 52)
Carcteristica diodei Zener la polarizare inversa poate fi aproximata prin doua segmente de dreapta. Modelul de
circuit al DZ polarizata invers este:










Aplicatie:Stabilizator de tensiune cu DZ(§2.8 pag 58)




S
R - rezistenta de sarcina pe care trebuie sa obtinem
S
u cat mai constanta. R- rezistenta de balast (pe ea se
pierde tensiunea
S i
u u ÷ . Schema echivalenta a circuitului pentru regiunea de stabilizare este:


Scriem relatii pentru a exprima dependenta
( )
S I S
i u f u , = (unde
S
u -efect iar
S I
i u , cauze)
S S Z I
u R i i u + + = ) ( ; Dar,
Z
Z S
Z
Z Z
Z
r
V u
r
V u
i
0 0
÷
=
÷
=
A + + ÷ = ¬ /
0
S S
Z
Z
Z
S
I
u Ri
r
V
R
r
u
R u -intereseaza de
fapt doar variatiile
R
S
u
S
R
Z
i
Z
u
I
u
Z
u
0 Z
V
Z
i
Z
r
Z
u
Z
r `
Z
i
0 Z
V
S I
u u ,
t
S
u
I
u
R
S
u
S
R
Z
i
Z
u
I
u
0 Z
V
i S
i
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


18


S S
Z
S
I
u i R
r
u
R u A + A + ÷
A
= A 0
Z
Z
S
Z
Z
I S
r R
r R
i
r R
r
u u
+
·
A ÷
+
A = A ¬
Sa consideram “cauzele” pe rand : . ; 0 const i i
S S
= = A
Z Z
Z
S
S
I
r
R
r
r R
const i
u
u
S ~
+
= =
A
A
= ¬ |
0

Exemplu: O = 400 R 100 4
0
= ¬ O = S r
Z


Se numeste factor de stabilizare si arata de cate ori ondulatia tensiunii de iesire este mai mica decat
ondulatia tensiunii de intrare. Consideram cealalta cauza:
O = ~ =
+
·
=
A
A
÷ ¬ = = A 4 || ; 0
Z Z
Z
Z
S
S
I I
r r R
r R
r R
i
u
const u u
Ries Acest parametru se numeste rezistenta de iesire “vazuta”
de Rs atunci cand “priveste” spre stabilizator. Acesti parametri pot fi
definiti (calculati) pentru orice stabilizator. Ca urmare orice
stabilizator poate fi reprezentat astfel:

Este evidenta relatia:

− ∙

Stabilizatorul este cu atat mai bun cu cat

este mai mare si Ries mai mica. Ambele cerinte sunt
satisfacute daca

este mai mica (adica daca in regiunea de stabilizare caracteristica este mai aproape de
verticala).
Observatie:

nu reprezinta, in general o simpla rezistenta, ci un aparat care trebuie alimentat cu o
tensiune constanta. In acest caz variatiile

si

nu sunt sincronizate si efectele lor nu se compenseaza ca
in relatia *. In cazul cel mai defavorabil, variatiile

si

isi cumuleaza efectele, rezultand o variatie

mai mare.

Tema: exemplul de proiectare de la pagina 59.





stabilizator
S
u A
S
i A
S
R
ies
R
0
S
u
I
A
I
u A
S
R
S
i A ÷
S
u A
Stabilizator
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


19


COMPORTAREA DINAMICA A JONCTIUNII PN

Caracteristica diodei descrisa si utilizata anterior este perfect valabila atunci cand marimile electrice si
concentratiile de purtatori variaza relativ lent. Pentru a vedea ce se intampla in cazul unor variatii
rapide ale marimilor electrice trebuie analizata
schimbarea distributiei de sarcina atat in regiunea de
sarcina spatiala cat si in regiunile neutre.

Capacitatea de bariera, (numita uneori capacitate
de tranzitie), C
b
, se datoreaza sarcinilor spatiale ale
ionilor de impuritati din stratul de saracire. Este mai
importanta la polarizare inversa a jonctiunii.

In figura se arata (linie –) situatia sarcinilor
spatiale pentru o anumita tensiune inversa, u
j
<0. Daca
negativarea scade, adica daca tensiunea pe jonctiune
devine u
j
+∆u cu ∆u>0, sarcina spatiala se restrange(linia
….) prin aportul unor purtatori liberi de sarcina, goluri
respectiv electroni (linia –). Pentru variatii de
amplitudine mica, ∆Q este proportionala cu variatia
cauza ∆u. Astfel, se poate defini capacitatea de bariera, C
b
=
u
Q
u
A
A
÷ A 0
lim . Se dovedeste ca C
b
poate fi
exprimata similar cu σ capacitate a condensatorului plan: C
b
=

, unde A
j
este aria jonctiunii,
d=d
p
+d
u
este grosimea zonei de sarcina spatiala iar ε este permitivitatea “dielectricului dintre placi”.
Valorile tipice ale C
b
: 1 pF † 10 pF.(cativa pF)

In figura este prezentat simbolul de circuit si
dependenta C
b
(u
D
) pentru o dioda capacitiva (varicap).Pe
langa aria jonctiunii si tensiunea aplicata, C
b
este
determinata esential si de nivelul de dopare cu impuritati
(N
A,
N
D
). Dependenta C
b
(u
D
) poate fi determinata
tehnologic astfel incat ea sa conduca la o relatie liniara intre
tensiune si frecventa in circuitele oscilante.Astfel diodele
varicap pot fi folosite pentru acordul pentru o anumita
frecventa, pentru modularea in frecventa, si amplificarea
parametrica. Capacitatea de difuzie se datoreaza acumularii
de purtatori minoritari in volumul semiconductorului, de o
parte si de alta a regiunii saracite.
Trecerea curentului prin jonctiunea pn determina o injectie de purtatori minoritari a caror
densitate scade exponential cu departarea de jonctiune. La variatia curentului, sarcina totala a
purtatorilor minoritari in exces variaza, insa cu o anumita intarziere care depinde de durata de viata a
purtatorilor in materialul dat. Pentru a caracteriza variatia sarcinii in regiunile neutre ∆Q, la o variatie
mica de amplitudine, ∆u
D
, a tensiunii, se defineste capacitatea de difuzie
D D
u
d
du
dQ
u
Q
C
D
=
A
A
=
÷ A 0
lim .

Regiunea n
Regiunea p
x
p
Q A
x
Goluri
(
Electroni
(
) 0 ( < AQ
) 0 ( > AQ
V 20 ÷
0
5
min
max
~
b
b
C
C
pF 30
A
C
b
C
D
u
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


20




Analiza detaliata a proceselor dinamice din jonctiunea pn arata ca C
d
poate fi exprimata astfel:
C
d
=C
d0
∙exp(U
D
/U
T
) unde C
d0
este capacitatea de
difuzie la u
D
=0 iar U
T
tensiunea termica. In figura se
prezinta dependenta rezistentei dinamice (r
d
) si a
capacitatilor (C
b
si C
d
) de tensiunea aplicata pe
jonctiune (dioda). Evident, la polarizare directa
predomina capacitatea C
d
care poate creste pana la
sutimi de μF. La polarizare inversa este preponderenta
capacitatea de bariera, C
b
.
Se poate intocmi acum o schema echivalenta
care sa descrie mai exact comportarea jonctiunilor
(diodelor) la variatii. Astfel, la frecvente joase si
curenti mici, modelul se poate limita la rezistenta dinamica r
d
. Daca frecventa variatiilor creste,
trebuie introduse in schema capacitatile C
d
si C
b
. Acestea intervin in paralel si conteaza prin suma lor
numita capacitatea jonctiunii C
j
.La polarizare directa, Cj≅Cb. In sfarsit, daca PFS in jurul caruia se
produc variatiile este plasat la un curent mare, rezistentele de volum ale zonelor N si P (r
n
respectiv
r
p
) nu mai pot fi neglijate. Suma acestor rezistente, r
s
, trebuie inseriata cu modelul dinamic pentru
curenti mici.

Comportarea diodelor de inalta frecventa si de comutatie este influentata si de “inductivitatea”
terminalelor (L
s
) respectiv de capacitatea capsulei in care este montata dioda (C
c
). Astfel, schema
echivalenta pentru variatii a diodelor de inalta frecventa arata ca in figura.





d b j
C C C + =
p n s
r r r + =
d
r
R
e
g
i
u
n
e
a

s
a
t
u
r
a
t
a

Regiunea n
Regiunea p
0 p
n
0 n
p
p
n
n
p
x
d
C
b
C
D
u
d
r
] [O r ] [ pF C
0
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


21




Comutarea diodelor

Trecerea unei diode din starea de conductie in starea de blocare,
sau invers- din blocare in conductie- se numeste comutare. Acest
proces nu are loc instantaneu ci presupune desfasurarea unor regimuri
tranzitorii. Pe formele de unda tranzitorii se pot defini anumiti timpi
de comutare. Este de dorit ca timpii de comutare sa fie cat mai mici.
De aceea se acorda atentie mai ales timpilor de comutare inversa (din
conductie in blocare), comutarea directa (din blocare in conductive)
fiind mai rapida.
Tensiunea de intrare, u
I
variaza brusc
intre nivelurile V
F
(polarizare directa) si -
V
R
(care asigura blocarea diodei). Imediat
dupa ce u
I
da comanda de blocare, curentul prin
dioada trece pe valoarea (-V
R
/R). Acest curent
este asigurat de sarcina ce intra sau iese dintr-un
anumit volum, dar si de recombinarile din acest
volum

(τ - durata de viata a
purtatorilor).
Curentul ramane constant cat timp mai
exista sarcina in exces (stocata) in regiunile
neutre. Astfel, din conditia Q=0 rezulta ca
timpul de stocare

.
Abia dupa acest interval, incepe
“caderea” la zero (de fapt la -I
s
aproximativ 0) a
curentului. La o noua comanda u
I
=V
F
, incepe un
proces tranzitoriu de “ridicare” a curentului la
valoarea V
F
/R
.
Timpul de cadere t
c
si timpul de
ridicare t
r
se definesc de regula intre momentele
care marcheaza 10% si 90% din variatie. Cum t
s
+t
c
>>t
r
, este clar ca durata comutarii inverse (≅t
s
+t
c
)
iar nu timpul de comutare directa (t
r
) limiteaza performanta diodei in aplicatii bazate pe comutare.

TIPURI DE DIODE (BREVIAR)

Diode redresoare- utilizate la frecvente joase, in circuite de redresare si limitoare
A
C
c
C
j
C d
r
s
r
s
L
d
i
R
d
u
I
u
F
V
R
V ÷
t
I
u
Q
t
t
t
R
V
F
t
R
V
F
÷
t ·
S
I
S
I
R
V
F
R
V
R
÷
S
t
C
t
r
t
D
i
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


22


Diode Zener- prezinta o strapungere inversa nedistructiva. Se utilizeaza pentru stabilizarea
tensiunii sau in circuitele de limitare.
Diode capacitive (varicap) – regiunea sarcinilor spatiale functioneaza ca un condensator a carui
valoare este controlata prin tensiune. Se utilizeaza pentru acordarea circuitelor oscilante.
Diode Schottky- se bazeaza pe contactul metal-semiconductor si asigura o basculare rapida din
starea de conductie in starea de blocare. Se utilizeaza in circuite de comutare rapide si in domeniul
microundelor.
Diode tunel- se bazeaza pe o dotare foarte puternica (p
++
, n
++
) a domeniilor semiconductoare.
Bariera de potential este ingusta si poate fi strapunsa de electroni prin efect tunel. Se utilizeaza in
comutatoare rapide, amplificatoare de zgomot redus si oscilatoare in domeniul GHz.
Diode Impatt (Impact Ionisation Avalanche Transit Time). Functionarea diodei se bazeaza pe
avalansa de purtatori de sarcina care ia nastere in zona de camp electric intens datorita ionizatiilor de
impact. Se utilizeaza in oscilatoare si amlificatoare de microunde, circuite logice, formatoare de
impulsuri, etc.
Fotodiodele- sunt elemente fotosensibile; vor fiprezentate ca dispozitive optoelectronice.
Diodele fotoemisive (LED Light Emitting Diode) vor fi prezentate tot ca dispozitive
optoelectronice).












DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


23


TRANZISTORUL BIPOLAR

Tranzistorul este un element “activ”, in sensul ca poate amplifica semnalele. Denumirea
“bipolar” arata ca in functionarea acestor dispozitive intervin purtatori de ambele polaritati.

Structura tranzistorului evidentiaza doua
jonctiuni si trei terminale: Emitorul, Baza si Colectorul.
Exista doua variante complementare de
tranzistori: npn si pnp. Cele mai des utilizate sunt
tranzistoarele npn.
Fata de potentialul de referinta (┴) terminalele
tranzistorului se afla la potentialele V
E
, V
B
, si V
C
,
Tensiunile continui dintre terminale se pot exprima cu
ajutorul potentialelor. De exemplu U
CE
=V
C
-V
E
;
U
EC
=V
E
-V
C=
-U
CE
, etc.




Efectul de tranzistor

gol; electron care se deplaseaza sub actiunea
tensiunilor de polarizare. E
B
si E
C
sunt surse de tensiune
constanta, cate determina tranzistorul sa lucreze in regiunea
activa: jonctiunea BE e polarizata direct iar jonctiunea BC,
invers. (U
BC
= -U
CE
+U
BE
=-5V+0,6 V=-4,4 V). Campul creat de
sursa E
B
face ca electronii din Emitor sa difuzeze spre Baza.
Deoarece Baza este slab dopata si ingusta, majoritatea
covarsitoare a electronilor ajunsi in Baza difuzeaza mai departe
in Colector. Tipic, doar un electron din 200 se “recombina” in
Baza. I
B
este un current de goluri iar I
E
si I
C
sunt in esenta
curenti de electroni. Se defineste castigul static in curent:

(domeniul uzual).
Datele de catalog arata ca β difera mult de la un tranzistor la altul. Astfel, pentru BC 171,
β=110...850 (anexa B5). Alte relatii intre curentii tranzistorului: I
E
=I
B
+I
C
; Cum I
B
=

este neglijabil
fata de I
C
⇒I
E
≅I
C
.

Caracteristicile de iesire I
C
=f(U
CE,
I
B
) Fig. 3.7

La valori mici ale tensiunii U
CE
, curentul I
C
depinde puternic de tensiune. Este vorba de
regiunea de saturatie in care ambele jonctuni sunt polarizate direct. Pentru U
CE
>0.6 V, Ic≅const;
pentru I
B
dat. Aceasta e regiunea activa in care I
C
depinde practic doar de I
B
: I
C
= βI
B
. Daca pentru
U
CE
=constant, scadem I
B
, pentru I
B
<0, tranzistorul intra in regiunea de blocare, unde ambele
jonctiuni sunt polarizate invers.
Jonctiunea BC
Jonctiunea BE
C
B
E
n
n
p
goluri
electroni
C
B
E
+
÷
+
÷
V E
C
5 =
V E
B
6 , 0 =
C
I
E
I
B
I
BC
U
m u 1
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


24




Modele statice pentru tranzistorul npn
(ideal)
In regiunea activa, jonctiunea BE se
comporta ca o dioda polarizata direct, avand
caderea de tensiune U
BE0
≅0,6 V. Spre colector,
tranzistorul se comporta ca un generator de
curent dependent de curentul de baza: I
C
= βI
B
.
In regiunea de saturatie, tranzistorul ideal se comporta ca un
scurtcircuit intre terminale. Asta inseamna ca tensiunile pe jonctiuni
sunt neglijabile iar curentii sunt mari si vor fi limitati doar de
rezistentele din circuit.
Dimpotriva, in regiunea de blocare curentii prin tranzistor sunt
practic nuli, si tensiunile sunt mari. Ca urmare, in mod ideal,
tranzistorul blocat poate fi considerat ca o intrerupere de circuit.

Regiunea
Activa
0 =
B
I
A I
B
u 5 =
A I
B
u 10 =
A I
B
u 15 =
] [mA I
C
] [V U
CE
s
a
t
u
r
a
t
i
e
blocare
0,6V
B C
E
B
I
C
I
B
I · |
0 BE
U
E
I
+
÷
B C
E
B C
E
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


25


Dreapta de sarcina si PFS




Schema echivalenta in care tranzistorul s-a inlocuit cu modelul static pentru regiunea activa.
In circuitul de intrare, se poate scrie relatia: E
B
= R
B
I
B
+ U
BE0
= 300kΩ∙ 10μA + 0,6V = 3V +
+0,6V = 3,6V.
Altfel spus, daca fixam E
B
=3,6V impunem implicit un curent de baza I
B
=10μA. Dintre
caracteristicile tranzistorului, am selectat cea pentru care I
B
=10 μA.
In circuitul de iesire, este valabila relatia E
C
=R
C∙I
C
+U
CE,
numita ecuatia dreptei de sarcina. Ea se traseaza prin taieturi la
axe:
- pentru I
C
=0 ⇒ U
CE
=E
C
=10V;
- pentru U
CE
=0 ⇒ I
C
=E
C
/R
C
=10mA

PFS se afla la intersectia caracteristicii pentru I
B
=10μA cu
dreapta de sarcina. De exemplu, daca β=500⇒

= β

=500∙10
μA=5mA. ⇒

=E
C
-R
C∙I
C
=10-1kΩ∙5mA=5V. Se observa ca PFS
este fixat in mijlocul regiunii active. Daca se modifica E
C
, dreapta de sarcina se deplaseaza paralel cu
ea insasi si permite alegerea unui alt PFS. Pentru un tranzistor cu β mai mic, caracteristica ce
corespunde lui I
B
=10 μA va fi situata la valori mai mici ale curentului I
C
. PFS depinde de β.



V E
C
10 = +
O = k R
C
1
C
I
O = k R
B
300
B
I
CE
U
C
E +
C
R
C
I
B
R
B
I
0 BE
U
B
I · |
+
÷
B
C
E
B
E
B
E
BE
U
CE
U
] [V U
CE
C
I
A I
B
u 10 =
V E
C
10 =
mA
R
E
C
C
10 =
0
C
I
0
CE
U
PFS
dreapta de sarcina
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


26


SCHEME SIMPLE DE POLARIZARE
Se prezinta doua scheme de polarizare a tranzistorului,
prin prisma influentei pe care dispersia tehnologica a
factorului β o are asupra PFS.
Numim schema din figura, circuit cu polarizarea bazei
prin rezistenta. Ne propunem sa calculam R
B
si R
C
,
respectiv sa alegem E
C
astfel incat tranzistorul sa lucreze in
PFS:

=2mA;

=5V. Presupunem ca dispunem de un
tranzistor cu β=500. Pentru a scrie mai usor relatiile de
calcul, redesenam schema inlocuind tranzistorul cu modelul
static. Din circuitul colectorului rezulta: R
C
=(E
C
-

)/

.
Evident, trebuie sa alegem tensiunea de alimentare pentru a putea calcula rezistenta R
C
. Pentru ca
U
CE
sa poata creste si scadea cu cantitati aproximativ egale in jurul valorii

, alegem
E
C
=2∙

=10V.⇒ R
C
=(10V-5V)/2mA=2,5kΩ. Similar, din circuitul bazei rezulta: R
B
=(E
C
-

)/

in care

=

/β. Tinand seama ca E
C
>>U
BE0
, se obtine relatia mai simpla:
R
B
≅E
C
∙β/

=10V∙500/2mA=2,5MΩ. Cu aceasta “proiectarea” schemei de polariazre e gata. Stiind
insa ca β poate fi mult diferit de la un tranzistor la altul, ne intrebam ce s-ar intampla daca schimbam
tranzistorul cu un exemplar avand β=200(de exemplu). Aceasta schema fixeaza curentul de baza la
valoarea

=

=4μA. Ca urmare, cata vreme tranzistorul lucreaza in regiunea activa,

depinde esential de β. Pentru β=200 rezulta

=0,8mA si

=E
C
-

∙R
C
=8V. Similar, pentru un
tranzistor cu β=800 s-ar fi obtinut

=3,2mA respectiv

=2V. In concluzie, la aceasta schema PFS
este puternic dependent de β.
In continuare, se prezinta o schema la care dependenta PFS de β este partial eliminata. Pentru a
putea face comparatii, impunem acelasi PFS ca in cazul
precedent:

=5V;

=2mA. Alegem E
C
=2∙

=10V.
Pentru β=500 rezulta R
C
= (E
C
-

) / (

+

) ≅ (E
C
-

)
/

= 2.5kΩ , respectiv R
B
= (

-U
BE0
) /

/(

/β) =
1.25MΩ. Spre deosebire de schema precedenta, aici

nu este
fixat rigid ci depinde de PFS:

=(

-U
BE0
)/R
B

/R
B
. Cu
aceasta expresie aproximativa pentru

se poate scrie:

≅E
C
-β∙(

/R
B
)∙R
C
sau

=E
C
/(1+β∙

).
Cu aceasta ultima relatie se pot calcula valorile lui

(o coordonata a PFS) pentru situatiile in care tranzistorul
initial cu β=500 ar fi inlocuit cu un exemplar avand alt β. De exemplu, pentru β=200 s-ar obtine

≅7,1 V iar pentru β=800 ar rezulta

≅3,8 V. Se observa ca pentru aceleasi abateri ale lui β de
la valoarea considerata in proiectare, deplasarea PFS este mai mica decat in cazul schemei
precedente. Altfel spus, circuitul se opune printr-un mecanism de reactie negativa in c.c. tendintei de
modificare a PFS datorita modificarii lui β. Acest mecanism poate fi descris prin urmatorul lant
cauzal:


|
0
C
I
0
CE
U
0
B
I
0
C
I
C
E
C
R
C
I
B
R
B
I
CE
U
C
E
C
R
C
I
B
R
B
I
0 BE
U
B
I · |
+
÷
C
E
C
R
C
I
B
R
B
I
CE
U
C
E
C
R
C
I
B
R
B
I
0 BE
U
B
I · |
+
÷
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


27


Daca in cazul celei de-a doua scheme se neglijeaza I
B
fata
de I
C
, se poate considera ca in ambele cazuri, dreapta de sarcina
a tranzistorului are ecuatia: E
C
= R
C
∙ I
C
+ U
CE
.
Reprezentarea ei grafica se arata in figura impreuna cu
caracteristica pentru I
B
=4μA a unui tranzistor avand β=500.
Observatie: La tranzistorul pnp, toate
relatiile stabilite pentru tranzistorul npn
raman valabile, cu observatia ca sensul
curentilor si tensiunilor este exact invers.
Sageata din simbolul tranzistorului pnp este
indreptata spre jonctiune. Astfel, atat pentru
tranzistorul npn, cat si pentru pnp, sageata din simbol arata sensul real al
curentului de emitor I
E
.


Schema de polarizare cu divizor in baza (Fig 3.12a)

Se pun doua tipuri de probleme:
a) ANALIZA
- Se dau: E
C
, R
B1
,R
B2,
R
C
, R
E
, β.
- Se cere:

b) PROIECTAREA
- Se impune: PFS
- Se determina: E
C
, R
B1
, … , I
D



Pentru proiectarea schemei de polarizare, se pot parcurge
pasii descrisi la pagina 79-80.
La baza analizei sta ipoteza simplificatoare I
B
<<I
D
. Ca urmare neglijam I
B
, in aceste conditii,
R
B1
si R
B2
formeaza un divizor rezistiv⇒ V
B
=

∙R
B2
=1,6V. Cu caderea de tensiune tipica,
U
BE0
=0,6V (vezi schema echivalenta a tranzistorului) ⇒ V
E
=V
B
-U
BE0
=1V.
Acum se poate calcula curentul de emitor:
I
E
=V
E
/R
E
=2mA.
Ecuatia dreptei de sarcina E
C
≅I
C
∙(R
C
+R
E
)+U
CE
, se
traseaza prin taieturi la axe. Dar

≅I
E
=2mA. Din ecuatia
dreptei de sarcina, rezulta

=E
C
-

∙ (R
C
+R
E
)=12V-
2mA∙(2,5kΩ+0,5kΩ)=6V. Astfel, PFS are coordonatele
(

=2mA;

=6V). Acum e utila verificarea ipotezei
initiale:

=

/β=2mA/400=5μA( s-a presupus β=400). Cum
I
D
=E
C
/(R
B1
+R
B2
)=0.1mA, este evident ca I
B
<<I
D.
In aceste
conditii, PFS nu depinde, practic, de β.

] [V U
CE
] [mA I
C
2
A I
B
u 4 =
V E
C
10 =
mA
R
E
C
C
4 =
500 : = | pentru
pnp
EC
U
C
I
E
I
B
I
C
R
0
C
I
1 B
R
B
I
D
I
0
CE
U
O k 5 , 2
O k 5 , 0
E
R
0
E
I
2 B
R
O k 104
O k 16
V E
C
12 = +
] [V U
CE
] [mA I
C
V E
C
12 =
mA
R R
E
E C
C
4 =
+
0
C
I
0
CE
U
PFS
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


28


COMPORTAREA TRANZISTORULUI LA SEMNAL MIC.
MODELE DINAMICE

Tranzistorul (T) poate fi privit a un cuadripol pentru care se pot scrie relatiile:

Se poate arata ca, intr-o prima aproximare, parametrii h
12e
si h
22e
se pot neglija (exemplu, p.87).
Rezulta urmatorul model simplificat:
u
be
=h
11e
∙i
b

i
c
=h
21e
∙i
b

Parametrii se numesc hibrizi(h), pentru ca au dimensiuni diferite. De exemplu, h
21e
este
adimensional iar h
11e
este o rezistenta. Indicele e denota conexiunea EC (emitorul este comun intre
circ. de intrare si de iesire).
Paramentrul h
21e
se numeste castig in curent la semnal mic (small signal current gain) si poate
avea de la exemplar la exemplar, valori mult diferite:
h
21e

=125...900 (pt BC171, v.p.236).
Practic, acest parametru se masoara cu tranzistormetrul, pentru un PFS dat si o frecventa aleasa.
Spre deosebire de h
21e
care este raport de variatii, raportul curentilor statici de colector si baza

, se numeste castig static in curent. Desi acesti parametri difera usor (h
21e
>h
21E
) pentru
simplificare, in cele ce urmeaza ii vom considera egali.
Parametrul h
11e
este impedanta de intrare (input impedance) si poate fi exprimat printr-o
formula, in functie de h
21e
. Formula (3.38, p.84) este:

.
Ea permite determinarea lui h
11e
pentru un tranzistor cu h
21e
cunoscut si
care lucreaza intr-un PFS dat. Exemplu:

=1mA, h
21e
=200 ⇒ h
11e
=200∙25/1=5kΩ.

Modelul in parametri h simplificat corespunde urmatoarelor relatii:

In acest model, curentul de iesire variabil (i
c
) este comandat de curentul de intrare (i
b
).




B
E
C
e
i
be
u
b
i
c
i
b e
i h ·
21
e
h
11
{

b
i
be
u
c
i
ce
u
EC circuit de intrare circuit de iesire
|

| |

| ∙ |

|
(3.42, pag. 85)
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


29


Modelul π simplificat
Uneori este util ca variatia i
C
sa se exprime in raport cu tensiunea variabila de intrare. Se
introduce astfel parametrul numit transconductanta: i
c
=h
21e

⇒i
c
=g
m
∙u
be

g
m
=

⇒g
m
in [

].
Exemplu:

⇒g
m
= 40

.
Modelul exprimat cu ajutorul lui g
m
se numeste model π (simplificat):



B
E
C
e
i
be
u
b
i
c
i
e
h
11
be m
u g ·
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


30



ANALIZA UNUI AMPLIFICATOR LA SEMNAL MIC (VARIATII)


R
g
=1kΩ
R
1
=104 kΩ
R
2
=16 kΩ
R
C
=5 kΩ
R
S
=5 kΩ
R
E1
=0,1 kΩ
R
E2
=0,9 kΩ
C
1
, C
2
- condensatoare de cuplaj;
C
3
- condensator de decuplare a
rezistentei R
E2
.



Reactantele condensatoarelor sunt neglijabile la variatii X
Ci

≅0; ω-pulsatia semnalului.
Daca nu se aplica semnal la intrare, e
g
=0, nu se obtine semnal variabil nici la iesire, u
ies
=0. In
acest caz, T lucreaza in PFS determinat de R
1
,R
2
, R
c
, R
E1
, R
E2
, si E
c
. Procedand ca in cursul anterior,
se poate calcula PFS (

=1mA,

=6V).
La variatii ne intereseaza urmatoarele marimi: rezistenta de intrare R
in
, rezistenta de iesire R
ies

si amplificarea de tensiune A
u
=u
ies
/u
i
. Pentru a calcula aceste marimi, intocmim o schema echivalenta
pentru variatii. In acest sens tinem seama ca:
- rezistentele se comporta la fel in curent continuu si la variatii (c.a)-respecta legea lui
Ohm
- condensatoarele conteaza,practic, ca niste scurtcircuite la variatii (X
ci
≅0);
- sursa de tensiune continua conteaza ca scurtcircuit la variatii(∆E
c
=0);
- tranzistorul conteaza la variatii prin schema sa pentru semnal mic.

SCHEMA ECHIVALENTA ESTE:


- reprezinta scurtcircuite, in locul condensatoarelor si sursei E
c
.
- reprezinta schema echivalenta la var. a tranzistorului;
locurile unde sunt “vazute” R
in
, R
ies
si R
intr

E
e
i
b
i
c
i
e
h
11
*
i
1
R
2
R
1 E
R
C
R
g
R
g
C
i
u
r
R
int
*
u
ies
u
S
R
C
R
1
R
1 E
R
2
R
V E
C
12 = +
2 E
R
2
C
1
C
g
R
ies
u
i
u
g
C
3
C
S
R
in
R
ies
R
Sursa de semnal
amplificator sarcina
ies
R
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


31

Exemplu: h
21e
=200; h
11e
= 5kΩ ⇒ R
intr
= 5kΩ+200∙0,1kΩ = 25kΩ. Aproximare groba:
R
intr
≅h
21e
∙R
E1
.
R
in
=R
2
|| R
1
|| R
intr
= 16kΩ || 104kΩ || 25kΩ ≅ 9kΩ.
Amplificarea de tensiune:



Exemplu:



Semnul (-) arata ca u
ies
este in antifaza fata de u
i
. Ca amplitudine, u
ies
este de 25 de ori mai
mare.

|

(Explicatie: daca eg=0, rezulta i
b
=0 ⇒ i
c
=0 si curentul i
*
se inchide
doar prin R
c
).

Se poate calcula si amplificarea fata de sursa de semnal, eg:

Dar

. Deci A
ug
=A
u

Comentarii (v. pag. 89 si seminarul).


DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


32


PRECIZARE IN LEGATURA CU PARAMETRII “h”

Comportarea ampificatorului la variatii s-a facut pe baza modelului in parametri h simplificat.
In cele ce urmeaza se considera un exemplu simplu pentru a evidentia modelul in parametri h
complet si pentru a justifica prin calcul neglijarea parametrilor h
12e
si h
22e
, in modelul simplificat.
Modelul in parametri h complet este descris de relatiile:
u
be
=h
11e
∙i
b
+h
12e
∙u
ce
i
c
=h
21e
∙i
b
+h
22e
∙u
ce

In circuitul alaturat, u
BE
, i
B
, i
C
si u
CE
au cate doua componente:
una constanta ( de exemplu

, care tine de PFS) si una variabila
(de exemplu u
be
, care tine de semnalul ce trebuie amplificat).
Schema echivalenta pentru variatii se prezinta alaturat.

Pentru cei patru parametri consideram
valorile de catalog: h
22e
=18μS, h
21e
=220,
h
11e
=2,7kΩ, h
12e
=1,5∙10
-4
. Cum 1/h
22e
=
1/18 μS≅55kΩ ⇒ (1/h
22e
) || R
c
= 55kΩ || 2,5 kΩ =
2,39kΩ ≅ R
c
.
Deci, h
22e
poate fi omis din schema fara a
face o mare eroare.
Consideram acum o variatie u
ce
=1V≅h
21e

I
b
∙R
c
. Acum putem calcula variatia curentului
i
b
=u
ce
/(h
21e
∙R
c
)=1V/(220∙2,5kΩ)≅1,8μA. Se pot
calcula acum cele doua componente ale variatiei u
be
. Prima parte este i
b
∙h
11e
=1,8μA∙2,7kΩ=4,86mV.
A doua, datorata “reactiei interne” a tranzistorului, este: h
12e
∙u
ce
=1,5∙10
-4
∙1V=0,15mV. Deoarece
h
12e
∙u
ce
<<i
b
∙h
11e
, putem neglija efectul lui h
12e
. Astfel, u
be
≅4,86V. S-ar putea calcula o amplificare a
circuitului:


≅ −

) 10 ( V E
C
+
C
R
C
I
B
I
CE
u
BE
u
O k 5 , 2
e
h
11
ce e
u h ·
12
b e
i h ·
21
c
i
e
h
22
1
C
R
ce
u
b
i
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


33


TRANZISTORUL: REGIMURI DE FUNCTIONARE SI CONEXIUNI

In functie de tensiunile care polarizeaza cele doua jonctiuni( JBE- jonctiunea baza-emitor; JBC-
jonctiunea baza-colector) se disting 4 regimuri de functionare ale tranzistorului. Aceste regimuri sunt
precizate in tabel, pentru un tranzistor npn.
Regimul de functionare U
BE
U
BC
Precizari
Activ normal >0 <0
JBE-polarizata direct
JBC-polarizata invers
Activ invers <0 >0
JBE-polarizata invers
JBC-polarizata direct
Saturat (Saturatie) >0 >0 JBE si JBC polarizate direct
Blocat (Blocare) <0 <0 JBE si JBC polarizate invers

Tot cu referire la un tranzistor npn, in figura se prezinta cele trei conexiuni in care poate fi montat
un tranzistor. Astfel, in functie de electrodul de referinta („comun” intre intrare si iesire) avem
conexiunea „Emitor Comun”(EC), „Baza Comuna”(BC) sau „Colector Comun”(CC). Cea mai
utilizata este conexiunea EC.

In toate conexiunile este valabila relata I
E
=I
C
+I
B
. In conexiunea EC, curentul de baza comanda
curentul de colector. Factorul de amplificare in curent
β=I
C
/I
B
se noteaza si cu β
N
, sau β
F
atunci cand
tranzistorul lucreaza in regimul activ Normal, adica in
conectare directa (Forward-direct). Cum s-a vazut,
acest parametru ia valori de ordinul sutelor.
In conexiunea BC curentul care comanda pe I
C
este

I
E
. Factorul de „amplificare” este in acest caz α=I
C
/I
E

si ia valori usor subunitare: α=0,98†0,998. Pentru
regimul activ Normal zis si direct (Forward) se
folosesc si notatiile α
N
respectiv α
F
. Sunt usor de vazut
relatiile α=β/(β+1), β=α/(1-α). E usor de constatat ca
mici diferente in α corespund la mari diferente in β.
Astfel, α=0,98⇔β=49 iar α=0,998⇔β=499.
Asa cum se poate constata din graficul alaturat, factorul β este dependent de curentul de colector
I
C
(adica de PFS) dar si de temperatura. Valoarea maxima a lui β se constata la curenti

=4†10 mA.
B
C
E E
CE
U
C
I
E
I
B
I
BE
U
B B
C E
EB
U
CB
U
C
I
E
I
B
I
B
I
C C
B
E
BC
U
EC
U
E
I
C
I
CC BC EC
V U
CE
1 =
] [mA I
C
0
10
1
10
C

50
C

25
C

0
1
0
2

DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


34


MODELUL EBERS-MOLL
Modelul Ebers-Moll exprima functionarea statica a tranzistorului bipolar in toate regimurile de
functionare. Aplicand principiul superpozitiei, se
exprima curentii la terminale in functie de tensiunile
arbitrare ale jonctiunilor. Curentii I
EN
si I
CI
sunt ai
celor doua jonctiuni functionand ca diode. Daca se
considera factorul tehnologic m=1, putem scrie:
I
EN
=I
ES
[exp(

-1)] si
I
CI
=I
CS
[exp(

-1)].
In aceste relatii I
ES
si I
CS
sunt curenti de saturatie ai jonctiunii de emitor respectiv de colector,
cand cealalta jonctiune este scurtcircuitata. Pe de alta parte, I
CT
si I
ET
sunt curenti de transfer care
pornind de la una dintre jonctiuni, ajung la cealalta jonctiune:
I
CT

N
∙ I
EN
, si I
ET
= α
I
∙ I
CI

α
N
(≅0,995 tipic) si α
I
(≅0,5 tipic) sunt factori de amplificare in curent pentru conexiune BC, in
regim activ Normal, respectiv Invers.
Este posibil sa exprimam curentii de transfer in functie de tensiunea aplicata jonctiunii de la care
ei provin:
I
CT
=I
CES
[exp(

)-1];
I
ET
=I
ECS
[exp(

)-1];
Din comparatia cu relatiile precedente rezulta:
I
CES

N
∙IES;IECS α
I
∙ICS. In plus este valabila relatia I
CES
= I
ECS
=I
S
.
Pe baza figurii si a relatiilor precedente, se pot scrie expresiile curentilor la bornele tranzistorului:

Aceste trei relatii sunt echivalente cu circuitul alaturat (modelul Ebers-Moll al tranzistorului). Cu
ajutorul acestor relatii se pot trasa caracteristicile tranzistorului in toate cele trei conexiuni.
Se mai pot observa urmatoarele relatii:
I
E
=I
ES
[exp(

-)-1]- I
ECS
[exp(

)-1] (1)
I
C
=I
CES
[exp(

)-1]- I
CS
[exp(

)-1] (2)
I
B
=I
E
-I
C
.

B B
C
E C
I
E
I
B
I
'
B
'
BB
R
E C
B
n n p
ET
I CT
I
CI
I
B
I
C
I
E
I
BC
U
BE
U
EN
I
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


35



Elementul R
BB`
din model tine seama de faptul ca intre baza externa (terminalul accesibil al
tranzistorului) si baza interna B` exista o rezistenta electrica.

Caracteristici statice curent-tensiune
Caracteristicile de intrare si iesire in conexiunea BC se obtin din ecuatia (1) a modelului Ebers-
Moll: I
E
=f(U
BE
, U
BC
). In figura se reprezinta doua caracteristici din familie pentru U
BC
=0, respectiv
pentru U
BC
<<-U
T
. Caracteristicile de iesire pentru conexiunea BC tin de familia : I
C
=f(U
BC
, I
E
), in
care I
E
se ia ca parametru. Daca din relatia (1) se exprima [exp(

)-1] si se distribuie in (2)⇒
I
C
=

∙I
E
-I
CS
(1-

)[exp(

)-1] sau I
C

N
∙I
E
-I
CS
(1- α
N
∙ α
I
)[exp(

)-1] (3).

Pe baza ultimei expresii a lui I
C
, se pot reprezenta caracteristicile din figura, in regim activ normal,
U
BC
<<-U
T
, exp(

)≅0 si expresia lui I
C

devine: I
C

N
∙I
E
+I
CB0
(4) unde I
CB0
≅I
CS
.
Ultima expresie arata ca la tensiuni -U
BC
mari,
I
C
e independent de U
BC
⇒ caract. orizontale.
Limita dintre regimul activ si starea de blocare
corespunde conditiei U
BE
=0. Cand -U
BC
scade,
termenul exponential din expresia lui I
C

conteaza tot mai mult si I
C
scade, la o valoare
data a lui I
E
. In functie de valoarea
parametrului I
E
, exista o valoare U
BC
>0
(-U
BC
<0) pentru care I
C
se anuleaza. In domeniul de blocare poate fi remarcata caracteristica pentru
I
E
=0 pentru care I
C
=I
CB0
.
Se poate defini si ca o caracteristica de transfer in conexiunea BC: I
C
=f(I
E
,U
BC
) in care U
BC
este
luata ca parametru. Din (3) se vede ca pentru U
BC
=0, I
C
= α
N
∙I
E
. In schimb, in regimul activ normal, la
U
BC
<<-U
T
, este valabila relatia (4), astfel ca la I
E
=0 ⇒ I
C
= I
CB0
. I
CB0
se numeste curent rezidual de
colector (vezi pag.313) sau curent rezidual in conexiunea BC.
ES
I
BEF
U
EF
I
) (
ECS
I
T BC
U U
Pentru
÷ <<
0 =
BC
U
Pentru
E
I
BE
U

998 , 0
499
5 , 0 1
S
a
t
u
r
a
t
i
e

ACTIV
0 >
E
I
0 =
E
I
BC
U ÷
0 CB
I ÷
0 =
BE
U
C
I
BLOCARE
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


36



Caracteristicile de intrare in conexiunea EC au expresia generala I
B
=f(U
BE
, U
CE
) in care U
CE

este luata ca parametru. Astfel, daca se scade (2) din (1) si se tine seama ca U
BC
=U
BE
-U
CE
, pentru
regimul activ normal (U
CE
>>U
T
) se obtine: I
B
≅I
ES
(1- α
N
) exp

) ceea ce reprezinta caracterstica
unei diode.

Caracteristicile de iesire in conexiunea EC au expresia generala I
C
=f(U
CE
, I
B
) in care I
B
se
considera parametru. Calitativ, ele au fost prezentate in
legatura cu PFS. O expresie cantitativa a acestor
caracteristici se obtine daca in (4) substituim I
E
=I
C
+I
B
.
Rezulta I
C
=

∙I
B
+


N
∙I
B
+I
CE0
(5) unde I
CE0
este
curentul rezidual in conexiunea EC iar β
N
- factorul de
amplificare.
Dupa (5), in regimul activ normal, caracteristicile ar
trebui sa fie paralele cu axa U
CE
. Practic se constata insa o
crestere a lui I
C
cu tensiunea U
CE
in special la curenti
mari(vezi fig. 3.7). Aceasta comportare se explica prin
efectul Early: cand polarizarea inversa a J
BC
creste,
regiunea de sarcina spatiala a jonctiunii se lateste, latimea
bazei scade si creste numarul purtatorilor care provenind din emitor difuzeaza in colector. Ca urmare,
I
C
creste.
Caracteristica de transfer in conexiunea EC, I
C
=f(I
B
, U
CE
), in care U
CE
=constant, este, conform
relatiei (5), o dreapta. Avand in vedere valoarea relativ mica a lui I
CE0
aceasta dreapta trece prin
origine (vezi fig. 3.14). Trebuie inteles faptul ca relatia (5) reprezinta o dreapta doar daca
β
N
=constant. Dar, s-a aratat ca pentru un domeniu larg de valori ale lui I
C
, valoarea lui β
N
se modifica
substantial: la curenti I
C
mici, β
N
scade deoarece, procentual, numarul recombinarilor in baza creste,
iar la curenti mari, β
N
scade deoarece baza se comporta de parca ar fi mai puternic dopata decat este
in realitate (a se vedea in acest sens si comentariile la figura 3.14).
5 , 0
10
20
] [ A I
B
u
] [V U
BE
V PentruU
CE
1 =
E
I
C
I
0 CB
I
0 =
BC
U
Pentru
T BC
U U
Pentru
÷ <<
Regimul
activ -normal
S
A
T
U
R
A
T
I
E

BLOCARE
] [mA I
C
] [V U
CE
0 =
BC
U
0 CE
I
0 CB
I ÷
0
A u 5
A u 10
A u 15
A I
B
u 20 =
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


37


In legatura cu curentii reziduali I
CB0
, I
CE0
trebuie retinuta si puternica crestere o data cu cresterea
temperaturii jonctiunilor (a se vedea comentariile la figura 3.13 si figura B5.4).

] [ A I
B
u
] [mA I
C
Pentru

(T. in regimul activ-normal)
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


38


COMPLETARI PRIVIND TRANZISTORUL B
FUNCTIONAREA IN AFARA REGIUNII ACTIVE

Circuitul din figura permite saturarea tranzistorului ca si
functionarea lui in regiunea activa. Presupunem ca la inceput
R
B
=1,05MΩ (valoarea maxima). Rezulta I
B



Pentru β=200 ⇒ I
C
= β∙I
B
=1,8mA iar din ecuatia dreptei de sarcina,
E
C
=R
C
∙I
C
+U
CE
se obtine U
CE
=6,4V. In concluzie, J
BE
este polarizata
direct (U
BE
≅U
BE0
=0,6V) iar J
BC
este polarizata invers (U
BC
=U
BE
-
U
CE
=0,6V-6,4V=-5,8V). Deci, tranzistorul lucreaza in regiunea activa.

Sa scadem acum rezistenta R
B
. Ce se intampla?
I
B
I
C
U
CE
iar PFS se deplaseaza in sus de DSS.

Limita regiunii de saturatie (hasura galbena) este atinsa cand U
BC
=0, adica atunci cand U
CE
=U
BE
.
Curentul de baza care duce PFS la limita regiunii de saturatie are
valoarea I

. Acest curent corespunde
la R
B
=

≅376kΩ. Astfel, circuitul permite cresterea in
continuare a lui I
B
(prin scaderea lui R
B
) dar cresterile lui I
C
vor
fi tot mai mici (I
C
este limitat la valoarea 5mA). Rezulta ca in
regiunea de saturatie β este mai mic decat in regiunea activa.
Pentru o saturare profunda, se forteaza un curent de baza
I
BSAT
=(5†10) I
BLSAT
=(5†10)

. In aceste conditii la un
tranzistor cu Si, se obtin urmatoarele tensiuni tipice: U
CEsat
=0,2V;
U
BEsat
=0,7V; U
BCsat
=0,5V.
La un tranzistor cu Ge, lucrurile se petrec la fel, dar tensiunile
tipice regiunii de saturatie sunt mai mici: U
CEsat
=0,1V;
U
BEsat
=0,3V; U
BCsat
=0,2V.
In continuare urmarim functionarea tranzistorului in regiunea
de blocare. Un circuit care permite blocarea tranzistorului se
prezinta in figura.
Sursa E
B
are polaritatea astfel aleasa incat sa poata polariza invers J
BE
(adica sa asigure U
BE
<0).
Cealalta jonctiune, J
BC
era polarizata invers si in regiunea
activa (U
BC
<0), datorita sursei E
C
.

Din figura se observa ca la curentul I
B
=0, tranzistorul este
inca in regiunea activa. Valoarea lui I
C
pentru I
B
=0 se
noteaza cu I
CE0
. Limita regiunii de blocare corespunde la
U
BE
=0, cand I
E
=0 si dinspre C spre B circula curentul
I
C
−I
B
=I
CB0
. Se dovedeste ca I
CE0
=β∙I
CB0
, astfel incat pentru
I
CB0
=10mA, si β=200, rezulta I
CE0
=2μA (valori tipice).

B
R
C
R
C
E
) 10 ( V
O k 50
O k 10
B
I
C
I
0 =
BC
U
4 , 6
8 , 1
5
V 10 ] [V U
CE
] [mA I
C
BSat
I
BLSat
I
Regiunea Activa
PFS
C
E +
C
R
C
I
B
R
B
I
B
E
0 CB
I
O k 2
O M 1
0 =
E
I
+
÷
0 CE C
I I =
0 CE C
I I =
Regiunea activa
] [mA I
C
] [V U
CE
0 =
B
I
0 CE
I ÷
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


39



Conditia de blocare profunda a tranzistorului este U
BE
= -0,1V. Din circuit se poate scrie relatia:
E
B
=-U
BE
+I
CB0
∙R
B
.=-(-0,1V)+10nA∙1MΩ=0,11 V.
Se vede ca o tensiune foarte mica asigura blocarea tranzistorului. Exista insa un risc: curentul I
CB0

isi dubleaza valoarea la fiecare crestere a temperaturii cu 18
o
C. Ca urmare, pentru E
B
fixat, o data cu
cresterea temperaturii, tensiunea U
BE
poate deveni nula sau chiar pozitiva, astfel incat tranzistorul
paraseste regiunea de blocare si intra in regim activ.


COMUTAREA TRANZISTORULUI BIPOLAR

In circuitele de comutare, tranzistorul functioneaza fie blocat,
fie saturat, cu treceri rapide prin regiunea activa. Pentru
exemplificare consideram circuitul care implementeaza functia
de inversor.
Cand u
A
≅E
C
=5V, tranzistorul este saturat u
Y
=U
Cesat
≅0,2V
≅ 0 . In schimb, pentru u
A
=0V, tranzistorul este (aproape)
blocat; I
C
≅0 si u
Y
=U
CE
≅E
C
=5V.



Se observa ca valorile 1 si 0 logic nu sunt
reprezentate prin valori unice de tensiune ci
prin benzi continue de tensiuni. Banda de
valori care-l reprezinta pe 1 logic include si
toleranta sursei E
C
. Cu aceste precizari,
circuitul asigura pentru 1 logic la intrare, 0
logic la iesire, iar pentru 0 logic la intrare, 1 logic
la iesire. Denumirea de inversor e justificata.
Ne intereseaza comportarea dinamica a
inversorului, adica trecerea din blocare in
saturatie, si revenirea din saturatie in blocare a
tranzistorului. Presupunem ca la momentul t=0 se
aplica la intrarea circuitului un salt de tensiune
care determina trecerea curentului i
B
de pe
valoarea –I
B2
pe valoarea I
B1
: injectarea curentului
i
B
=I
B1
in baza nu determina cresterea imediata a
curentului de colector.

Daca se noteaza cu I
CS
curentul de colector in
regim saturat, se poate defini timpul de intarziere,
t
i
scurs din momentul aplicarii comenzii de
comutare directa (t=0) pana in momentul cand
i
C
(t)=0,1∙I
CS
. Acest timp este necesar pentru incarcarea capacitatilor de bariera C
bc
si C
be
, dar si
pentru ca purtatorii de sarcina injectati in baza sa ajunga in colector. Deoarece C
be
se incarca peste R
B

) 5 ( V E
C
+
O = k R
C
3
C
I
O = k R
B
15
B
I
Y
u
A
u
C
E
U
Banda de valori pentru 0 logic
Banda interzisa
Banda de valori care-l reprezinta pe 1 logic
B
i
1 B
I
2 B
I ÷
t
0
t
0
) (t i
C
t
S
t
C
t
r
t
i
t
CS
I
CS
I · 9 , 0
CS
I · 1 , 0
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


40


iar C
bc
se incarca peste R
B
si R
C
, timpul de intarziere (delay-time, t
d
) are expresia:
t
i
(=t
d
)≅R
B
∙C
be
+(R
B
+R
C
)∙C
bc
.
Valoarea tipica a lui t
i
este de cateva ns (1†10ns).
Timpul necesar cresterii curentului de la 0,1I
CS
la 0,9I
CS
se numeste timp de ridicare (rise-time), t
r
.
In acest interval de timp tranzistorul lucreaza in regim activ. Expresia analitica

a lui t
r
se obtine
folosind modelul de control prin sarcina a tranzistorului. Se obtine: t
r
=
r
∙ln

unde m=β∙I
B1
/I
CS
>1
este un factor de spracomanda a intrarii in saturatie. Se vede ca t
r
creste daca I
B1
creste (saturarea e
mai profunda).
r
este o constanta de timp care depinde de C
bc
, de durata de viata a purtatorilor
minoritari din baza, etc. Valoarea tipica a lui
r
este de (20†30)ns. Suma t
cd
=t
i
+t
r
se numeste timp de
comutare directa.
Dupa ce se da comanda de blocare (i
B
trece de la valoarea I
B1
la valoarea –I
B2
), curentul i
C
ramane
inca la nivelul I
CS
pana cand este executata sarcina in exces stocata in regiunea bazei. Intervalul
corespunzator este numit timp de stocare, t
s
. Orientativ acesta are valori de (60†80)ns ⇒(Storage-
time).
Dupa ce curentul i
c
incepe sa scada, se defineste timpul de cadere, t
c
(fall-time). Pentru acesta se
obtine expresia: t
c
=
r
∙ln

, unde k=∙I
B2
/I
CS
este un factor de comanda la blocare. Tipic, acest
timp este de ordinul zecilor de ns. Impreuna, t
s
+t
c
=t
ci
reprezinta timpul de comutare inversa. Este de
retinut ca t
ci
>>t
cd
.

DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


41


TRANZISTOR CU EFECT DE CAMP

TEC sau FET ( Field-Effect-Tranzistor)
-sunt dispozitive unipolare- in functionarea lor intervine un singur tip de purtatori de sarcina.
-sunt comandate in tensiune (curentii de intrare sunt, practic, nuli); au impedanta mare de intrare.
-se pot folosi ca rezistente comandate in tensiune.
-au o tehnologie mai simpla si permit o densitate mai mare de integrare (memorii,
microprocesoare)
TEC cu structura MOS (Metal-Oxid-Semiconductor) sunt foarte sensibile (pot fi distruse prin
atingere).
Clasificare:
- TEC-J (JFET) – tranzistoare cu poarta - jonctiune cu canal n sau cu canal p.
- TEC-MOS(MOSFET) – tranzistoare cu poarta izolata cu canal indus (n,p) sau initial
(n,p).

TEC-J CU CANAL “N”
G (gate = grila) – poarta;
D (drena) – colecteaza (dreneaza) purtatorii;
S (sursa) - furnizeaza purtatori de sarcina care in cazul canalului de tip n sunt electroni.



Deoarece grila este negativata fata de sursa (U
GS
0) jonctiunile pn sunt polarizate invers si in
jurul lor se creaza zone saracite in purtatori. Deplasand cursorul potentiometrului R
P
in sus,
negativarea creste si canalul se ingusteaza pana la strangularea lui completa. Odata cu negativarea tot
mai puternica a portii, curentul de drena I
D
(care are sensul contrar deplasarii electronilor) se tot
micsoreaza pana la anulare. In felul acesta tensiunea de intrare U
GS
0 controleaza curentul I
D
. pentru
a atrage electroni, drena este la un potential mai mare decat sursa (U
DS
0).




D
S
G
p
p
p
R
G
E
D
E
D
R
D
I
GS
U
÷
+
÷
+
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


42


Simboluri de circuit



Sensul sagetii din simbol precizeaza tipul canalului (si al tranzistorului). Se observa ca tensiunile
U
GS
, U
DS
si curentul I
D
au semne contrare penteu cele doua tipuri de tranzistoare. Deoarece
jonctiunile sunt polarizate invers, curentii de grila sunt practic nuli.
Caracteristicile de drena. Caracteristica de transfer
I
D
=f(U
DS
, U
GS
)
U
GS
- se ia ca parametru, caracteristica de drena

R.Lin – regiunea lineara (I
D
≅k∙U
DS
)
R.SAT – regiunea de saturatie – caracteristicile sunt, practic orizontale (independente de U
DS
)
De remarcat:
- La U
GS
=V
P
canalul este strangulat si I
D
=0
- La U
GS
=0 ⇒ I
D
=I
DSS
(valoarea maxima)

Caracteristica de transfer poate fi aproximata cu relatia:

∙ ( −

)

Din punct de vedere matematic, relatia I
D
=f(U
GS
) (pentru U
DS
= constant si in regiunea de
saturatie) are doua ramuri. Doar ramura cu U
GS
intre 0 si V
P
este realizabila fizic.
] [mA I
D
] [V U
GS
P
V
V 3 ÷ V 2 ÷ V 1 ÷
const U
DS
=
0
Ramura fizic imposibila
DSS
I
R. Sat.
V 3 ÷
V 2 ÷
V 1 ÷
0 =
GS
U
] [mA I
D
] [V U
DS
R.Lin
5
5
10
10
P GS DSsat
V U U ÷ =
const U
DS
=
P
V
D
G
S
GS
U
DS
U
D
G
S
GS
U
DS
U
Canal de tip n Canal de tip p
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


43


Aplicatie:Amplificator cu TEC-J
Parametrii tranzistorului:
V
P
=-4V;
I
DSS
=8mA;

Tensiuni si rezistente:
E
P
=30V;
E
S
=-6V;
R
G
=10MΩ,
R
D
=10kΩ;
R
S
=4kΩ;

)In curent continuu:
Determinam PFS, adica (

,

,

).
Presupunem ca tranzistorul lucreaza in
regiunea de saturatie astfel ca putem folosi, ca
o prima ecuatie, expresia caracteristicii de transfer. A doua legatura intre I
D
si U
GS
, inlocuiesc
tensiunile in [V], curentii in [mA] si rezistentele in [kΩ]. se obtine sistemul:
{

∙ ( −


)

−− −

∙ ∙

Din rezolvarea sistemului se obtine o solutie corecta

− si una falsa

.
Solutia corecta se recunoaste prin faptul ca V
P
U
GS
0
0. In schimb, la solutia falsa U
GS
0
=6V-
3,1mA∙4kΩ ≅ - 6V V
P
.
Tensiunea U
DS
0
poate fi aflata din ecuatia:

=E
D
-R
D

-R
S

-E
S
=30V-10kΩ∙2mA-4kΩ∙2mA+6V=8V. solutia completa este (2mA, -2V,
8V).
Verificam daca presupunerea ca tranzistorul lucreaza in regiunea de saturatie este corecta (altfel
calculele nu ar fi valabile). La limita regiunii de saturatie, U
DSsat
=U
GS
-V
P
. pentru caracteristica pe
care se afla PFS calculat, putem scrie U
DSsat
=-2-(-4)=2V. evident,

=8VU
DSsat
.Deci presupunerea
initiala a fost justa si PFS este corect calculat.
()In curent alternativ:
Comportarea la variatii a amplificatorului poate fi analizata pe baza schemei echivalente:



S
e
i
G D
gs
U
*
i
G
R
S
R
D
R
in
u ies
u
in
R
ies
R
gs m
U g ·
D
E
1
C
D
R
2
C
S
R
G
R
G
S
D
in
u
ies
u
S
E
D
I
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


44


Transconductanta g
m
se determina din expresia caracteristicii de transfer:
g
m

( −

)

∙ I

∙ √

∙ √

In exemplu, rezulta: g
m

∙ √ ∙ 2

Se obtin valorile: R
in
=R
G
=10MΩ (foarte mare, acesta e principalul avantaj al amplificatorului cu
TEC).
R
ies
=

|

A
u




−.
Amplificarea de tensiune este mica deoarece g
m
este mica (in comparatie cu valorile uzuale
pentru tranzistor bipolar).


TEC MOS cu canal indus de tip “p”

Structura TEC MOS din figura arata ca intre zonele de tip p
care formeaza sursa (S) si drena (D) nu exista in momentul
initial, un canal. Daca insa negativam grila, o parte din golurile
existente in substratul de tip n vor fi atrase pe cealalta parte a
substratului de oxid izolator si canalul astfel indus va permite
trecerea curentului. Fiind un curent de goluri, I
D
are semnal de la
sursa la drena.


Simbol de circuit


D
G
S
GS
U
DS
U
B
G
D
S
B
p p
substrat n ÷
Oxizi,
strat
izolator
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


45



Pentru a atrage golurile, drena trebuie sa fie negativizata fata de sursa (U
DS
0). Cu cat
negativizarea grilei este mai puternica (U
GS
0) cu atat canalul indus este mai larg si I
D
este mai mare
pentru U
DS
dat. Ca si la TEC-J, in planul caracteristicilor de drena se pot distinge doua regiuni: o
regiune liniara in care I
D
depinde si de U
DS
si de U
GS,
conform relatiei: I
D
=K[2 (U
GS
-V
P
) – U
DS

U
DS
2
]
O regiune de saturatie in care curentul I
D
depinde, practic, doar de U
GS
conform relatiei:
I
D
=K(U
G
-V
P
)
2
pentru |U
GS
|V
P
Reprezentarea grafica a ultimei relatii este numita caracteristica de transfer. Deoarece pentru
inducerea canalului, trebuie indeplinita relatia
U
GS
V
P
(tensiunea de prag), numai una din cele
doua ramuri ale parabolei este fizic realizabila.
Parametrul K este dependent de tehnologie:
K=(1...10)mA/V
2
.
Relatiile precedente sunt valabile si pentru un
TEC-MOS cu canal indus de tip „n‟ cu precizarea
ca tensiunile si curentii au sensuri schimbate.
Simbolul de circuit si caracteristica de transfer se
prezinta alaturat. Ramura fizic realizabila a
parabolei (pentru care se creaza canalul intre drena
si sursa corespunde pozitivizarii grilei peste nivelul
tensiunii de prag: U
GS
V
P
.


Observatie: pentru TEC-MOS cu canal initial vezi pagina 119.
Aplicatie: amplificator cu TEC-MOS (p. 123 problema 4.2.1).
Parametrii tranzistorului V
P
=3V, k- nu se da, dar se stie ca la

=6V, curentul de drena este

=10mA. Rezistentele au valori din figura (remarcati valoarea intensa a lui R
G
– in scopul cresterii
rezistentei de intrare). Tensiunea de alimentare: E
D
=30V
] [mA I
D
] [V U
GS
P
V
V 3 ÷ V 2 ÷ V 1 ÷
const U
DS
=
0
Ramura fizic imposibila
R. Sat.
V 4 ÷
V 6 ÷
V 8 ÷
V U
GS
10 ÷ =
] [mA I
D
] [V U
DS
R.Lin
5 ÷
5
10
10 ÷
P GS DSsat
V U U ÷ =
const U
DS
=
] [mA I
D
] [V U
GS
P
V
2 6
const U
DS
=
0
G
S
0 >
GS
U
0 >
DS
U
B
D
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


46




In curent continuu:
Determinam PFS al tranzistorului (

,

,

). Mai intai calculam valoarea parametrului
K

≅1,1 mA/V
2
. Desi R
G
este foarte mare, pe ea nu apare cadere de tensiune deoarece
curentul de grila este nul.
Ca urmare,potentialul grilei, V
G
depinde doar de difuzorul de tensiune (R
G1
, R
G2
):
V
G
=E
D

Acum putem exprima tensiunea U
GS
=V
G
-V
S
=V
G
-I
D
∙R
S
.
Cea de-a doua ecuatie este reprezentata de caracteristica de transfer I
D
=k(U
GS
-V
P
)
2
. Daca se
elimina U
GS
intre cele doua ecuatii iar tensiunile se inlocuiesc
in [V] si rezistentele in kΩ rezulta o ecuatie pentru I
D
in [mA]:
10 I
D
2
-169I
D
+640=0. Solutia adevarata este I
D
0
=5,73mA
(I
D
=11,17 este o falsa solutie deoarece pentru acest curent ar
rezulta U
GS
=11V-1kΩ∙11,17mA=-0,17V V
P
=3V). deci,

=11V-1KΩ∙5,73Ma=5,27

=E
D
-

(R
D
+R
S
)=7V. in
figura alaturata este reprezentata dreapta de sarcina si PFS
calculat.
Se verifica faptul ca

=7VU
DSsat
=5,27V-3V=2,27.
In curent alternativ:
Comportarea amplificatorului la variatii se analizeaza pe baza schemei echivalente:

D
E
1
C
D
R
2
C
S
R
O = M R
G
10
O = k R
G
19
1
O = k R
G
11
2
O k 3
O k 1
G
S
D
in
u
ies
u
] [V U
DS
] [mA I
D
mA ID 73 , 5
0
=
DS S D D D
U R R I E + + = ) (
V UDS 7
0
=
Ecuatia dreptei de saracina
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


47




Ca si in cazul TEC-J, transconductanta g
m
se determina ca panta caracteristicii de transfer in
PFS:
g
m

2K(U
GS
-V
P
)=2K∙√

=2√

cu valorile din acest exemplu, rezulta g
m
~5 mA/V. Acum, se poate calcula valoarea amplificarii:
A
u

=-2,5.
Ca si pentru amplificatorul cu TEC-J, A
u
este mica.
Marele avantaj al acestui amplificator este rezistenta de intrare:
R
in
=

=R
G
+R
G1
||R
G2
=R
G
=10MΩ.
Aceasta inseamna ca pentru u
in
cu amplitudinea de 1V, curentul i
in
abia atinge amplitudinea de
0,1µA..
R
ies

|

R
D
=3kΩ






S
G D
gs
U
*
i
G
R
S
R
D
R
in
u ies
u
in
R
ies
R
gs m
U g ·
1 G
R
2 G
R
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


48


E
BV
BC
n
BI
G
E
Nivel donor
DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE

In optica, oscilatiile sunt definite prin lungimea de unda si prin frecventa ∙ ∙

.
Undele radio, microundele, domeniul optic, razele X si razele gamma sunt unde electromagnetice.
Viteza de propagare a undelor electromagnetice in vid este c=

in care

si

sunt
permitivitatea, respectiv permeabilitatea magnetica a vidului. Domeniul optic cuprinde frecventele si
lungimile de unde din figura:

Ochiul uman percepe violetul la un capat de scala (≅0,43μm) si
rosul la celalalt (≅0,68μm).
Dispozitivele optoelectronice sunt prevazute cu lentila.
Confectionate din sticla, plastic sau alte materiale transparente,
acestea au rolul de a focaliza sau de a imprastia razele de lumina.
In optica se foloseste unghiul solid (vezi figura). Unghiul solid
corespunzator unui obiect O, se defineste ca Ω=

unde S este
suprafata delimitata de conul cu varful in centrul C si sprijinit pe corpul O. Unghiul solid se masoara
in steradian [sr] si poate lua valori intre 0 si 4.
Intensitatea unei surse punctiforme se masoara in candele [cd] sau lumeni/steradiani(1cd=1lm/sr)
Intensitatea unei surse extinse se masoara in [lm/cm
2
]: B
L
=

, unde [lm] reprezinta fluxul
luminos iar S [cm
2
] este suprafata radianta.

DIODA ELECTROLUMINISCENTA(LED)

Denumirea LED este acronimul expresiei “Light Emitting Diode”si desemneaza diodele care
daca sunt strabatute de curent, emit radiatie luminoasa de o anumita culoare. Pentru explicarea
acestei comportari se foloseste teoria benzilor (zonelor) energetice.
Dintre numeroasele benzi permise si interzise ale corpului solid, pentru
tehnica electronica doua sunt importante: Banda de Valenta (BV)
corespunzatoare electronilor de valenta – cei mai indepartati de nucleu-
si banda de conductie (BC). BV si BC sunt separate printr-o banda
interzisa (BI). Prin introducerea unor impuritati in semiconductor, se
pot crea niveluri energetice in interiorul BI. Impuritatile care cedeaza
electroni in BC se numesc donoare si semiconductorul rezultat este de
tip n (vezi figura).
Impuritatile care accepta electroni din BV generand acolo goluri,
se numesc acceptoare si semiconductorul rezultat este de tip p.
La revenirea unui electron din BC in BV este emis un foton (cuanta
v THz 60000 THz 769 THz 400
GHz 75
IR
Vizibil UV
s m c / 10 3
8
· ~
) (ì ) 5 ( nm ) 39 , 0 ( m u ) 75 , 0 ( m u
) 4 ( mm
C
R
S
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


49


de lumina). Frecventa si lungimea de unda ale radiatiei emise, depind de saltul energetic ce
caracterizeaza tranzitia electronului din BC in BV: ∙ ∙

.
∙ =h∙

⇒ λ=

- -Lungimea de unda
- h - Constanta lui Planck (6,626∙10
-34
Js)
- - Intervalul (saltul) energetic
- - viteza luminii
Exemplu: aliajul GaAsP prezinta o banda interzisa de E
G
=1,9 eV. (1eV=1,6∙10
-19
J reprezinta
energia pe care o castiga un electron care strabate o
diferenta de potential de 1V). Banda radiata se va situa intre
640 †700 nm. Daca lungimea de unda centrala λ
0
=650nm
culoarea va fi rosie. Pentru λ
0
=610 nm culoarea va fi
galbena.

Caracteristica spectrala (tipica) a radiatiei emise, se
prezinta in figura. Banda la 3dB se defineste la o scadere a
fluxului luminos la jumatate din valoarea maxima. Fluxul
luminos se defineste prin puterea (energia in unitatea de
timp) ce strabate o anumita sectiune:
10log

−10∙log2≅-3dB; B
3dB

2
−λ
1
≅5%∙ λ
0

Diodele laser au o caracteristica spectrala ingusta, tipic de doar cativa nm.

Caracteristica tensiune-curent a LED seamana cu cea a diodelor cu Ge si Si dar caderea de
tensiune directa depinde de latimea benzii interzise (de culoarea radiatiei emise). Valoarea curentului
direct I
F
, este de (0,1†5)mA la LED mai noi si de (5†20)mA la cele mai vechi.

Pentru a mari stralucirea unui LED, acesta poate fi comandat si cu impulsuri de curent. In acest
caz, I
Fmed
= ∙I
Fmax
, unde
ON
/T este factorul de umplere

al secventei de impulsuri. Pentru ca LED
sa nu se distruga, se cere indeplinita conditia I
Fmed
I
Fnominal
.



T
ON
T
OFF
T ON
T
max F
I
Fmed
I
t
] [mA I
F
V 1 V 7 , 1 V 2
V 3
] [V U
F
] [mA I
F
V V 5 ... 2 ÷ ÷
e Strapunger
Si Ge
Rosu
Oranj Verde Albastru
] [nm ì
] [W u
max
u
2
max
u
1
ì
0
ì
2
ì
) 3 ( dB ÷
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


50





Circuite simple cu LED-uri

In circuitul de semnalizare alaturat, LED-ul lumineaza la inchiderea
intrerupatorului K (o usa, contact cu lichid, etc.). Cunoscand I
F
(1…5mA) si U
F
(1,2
… 3,5V in functie de culoare), se poate calcula rezistenta de limitare R=(E
C
-U
F
)/I
F
.




In circuitul alaturat, tranzistorul functioneaza ca
sursa de curent constant, si comanda n LED-uri. Se
observa ca I
F
=I
C
≅I
E
=

.
R
B
trebuie sa asigure curentul necesar pentru ca
DZ

sa stabilizeze: I
Z

10mA.
Pentru ca tranzistorul sa nu intre in saturatie
trebuie sa se asigure U
CE
U
CEmin
≅1V. De aici rezulta
numarul de diode care pot fi comandate cu acest
circuit: E
C
n∙U
F
+U
CEmin
+U
E
, unde n

.





Circuit de afisare comandat dintr-o iesire logica (TTL):


R
2
R
1
R
O = = k R R 1
2 1
C
E
) (TTL
K
A
A K
Vedere laterala (stanga) si
de jos a unui LED
Tesitura pentru
marcarea catodului
Simbol STAS
Simboluri grafice (de circuit) pentru LED-uri
Simbol ORCAD
F
U
R
C
E +
K
F
I
F
U
F
I
CE
U
1
D
n
D
B
R
DZ
E
R
E
U
C
E +
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


51


Optocuplorul

Optocuplorul este un dispozitiv care realizeaza separarea galvanica intre un circuit electric numit
transmitator (T
x
) si altul numit receptor (R
x
). Prin “separare galvanica” se intelege faptul ca intre T
x

si R
x
nu exista o cale de curent, nici in curent continuu, nici in curent alternativ. Aceasta separare este
utila in multe aplicatii. Cateva exemple:
- in electronica de putere se separa partea de forta de partea de comanda si semnalizare;
- in electronica medicala se separa galvanic senzorii aplicati pe corpul pacientului de eventualele
tensiuni periculoase pentru acesta;
- in domeniul comunicatiilor se separa liniile dintre emitor si receptor, etc.
Fata de transformatorul de tensiune care, si el, realizeaza o separare galvanica, optocuplorul are
avantajul miniaturizarii si faptul ca semnalul se transmite intre T
x
si R
x
atat in curent alternativ cat si
in curent continuu. La transformator cuplajul se face prin campul magnetic variabil (in curent
alternativ) iar la optocuplor transmiterea semnalului intre T
x
si R
x
se realizeaza prin fluxul de lumina
constant (in curent continuu) sau variabil (in curent alternativ).



In alegerea sursei de lumina si a elementului fotosensibil se tine seama de spectrul sursei si de
curba de sensibilitate a fotodetectorului. In cazul nostru, spectrul radiat si curba de sensibilitate au
maximul la aceeasi lungime de unda,
0
(vezi figura). O alta cerinta de compatibilitate intre sursa si
detector este ca timpii lor de comutatie sa aibe valori apropiate sau de acelasi ordin de marime.
Fotoemitatorul cel mai folosit este LED-ul. Pe post de fotodetector se folosesc uzual fotodiode
sau fototranzistoare. Mai rar ca elemente fotosensibile se pot folosi si fotorezistente, fotoFET-uri,
fototriace sau fototiristoare.




Simbolul grafic al optocuplorului cu LED si fotodioda se prezinta alaturat. Optocuplorul LED-
fotodioda este cel mai rapid (frecventa de taiere maxima ≅100Mhz) fotodioda lucreaza cu detector de
lumina (in cadranul III). Fotocurentul I
FD
generat de ea este mic (µA) si trebuie amplificat.
LED
L
I
FD
I
optocuplor
FOTODETECTOR
S , u
] [nm ì 0
ì
Curba de
sensibilitate
Spectrul
emitatorului
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


52


Simbolul de circuit al optocuplorului LED-fototranzistor se prezinta in figura.



Poate fi un optocuplor cu baza fototranzistorului accesibila sau inaccesibila. Cel cu baza
accesibila mai larga. Fata de optocuploarele cu fotodioda, cele cu fototranzistor au avantajul unui
fotocurent mai mare (fototranzistorul amplifica), dar au si dezavantajul ca lucreaza la frecvente mult
mai mici.
Se mentioneaza varianta constructiva de optocuplor cu
apertura (fotointrerupatorul) la care o parte a caii optice este
accesibila utilizatorului. Deschiderea aperturii este de 2…3
mm. Se utilizeaza ca traductoare de pozitie pentru obiecte
aflate in miscare de translatie sau de rotatie. Se aplica de
exemplu in mouse, imprimanta, s.a.

Optocuploarele pot fi privite ca amplificatoare de curent. Factorul de transfer in curent (current
transfer rate), CTR se defineste, ca in figura:



L
C
I
I
I
CTR
L
A
A
=
÷ A
lim
0

Caracteristica I
C
=f(I
L
) are o portiune liniara, pe care se poate defini, ca raport de variatii, CTR.
Uzual I
L
ia valori de ordinul m. Asadar exista si optocuploare care lucreaza la curenti de ordinul
zecilor de mA. Daca la primele optocuploare CTR are valori de 0,01†0,1, in prezent CTR are valori
uzuale de ordinul miilor (10
3
), la frecvente de taiere de ordinul MHz.
Aplicatie: optocuplor pentru cititor de banda perforata. In momentele in care banda perforata
obtureaza calea optica (I
F
≅0), in sensul ca prin fototranzistor trece doar curentul de intuneric), prin
LED circula curentul I

2,45 mA

C
I
L
I
L
I A
C
I A
saturatie
(Fotocurentul,
in general)
L
I
FD
I L
I
FD
I
C
I
LED FOTODETECTOR
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


53




S-a presupus ca pe LED apare o cadere de tensiune de 1,6V (culoare rosie).
Cand insa, banda perforate permite iluminarea fototranzistorului, prin acesta va trece un curent
important. Presupunand ca tranzistorul iluminat se satureaza, putem scrie:
I
F

24,5 mA.
Astfel, cand tranzistorul este iluminat, curentul total prin LED este:
I
L
=I+I
F
=2,45+24,5=26,95 mA



Tensiunea U
ies
este o reprezentare a secventei de perforatie, luand valori 0V si R
E
∙I
F
= 330Ω ∙
24,5 mA= 8V (secventa de 0 si 1 logic).

Dispozitive fotodetectoare

La baza functionarii dispozitivelor fotodetectoare sta efectul
fotoelectric intern adica trecerea electronilor din zona de valenta in zona
de conductie, sub actiunea luminii absorbite. Pentru aceasta este necesar ca
fotonii sa aibe energia h ∙ E
G.
Tinand seama ca ∙ =c, rezulta o
limitare superioara a lungimii de unda a luminii incidente. De exemplu, la
Si E
G
=1,106 eV⇒ 1,1 µm. simultan cu absorbtia unei cuante de
lumina, se cedeaza o pereche electron-gol (vezi figura).


Fotorezistenta este un dispozitiv fotodetector semiconductor nepolar bazat pe fenomenul de
fotoconductivitate (cresterea cunductivitatii unui semiconductor ca urmare a iluminarii lui). Este un
element pasiv, fara jonctiune. Se utilizeaza materiale semiconductoare adaptate la lungimea de unda
a radiatiei de detectat: CdS, CdSe, ZnS. Fotorezistentele au o buna sensibilitate (pot fi utilizate la
iluminari mici) dar prezinta o inertie (zecimi de secunda) care face dificila urmarirea variatiilor
rapide ale iluminarii.
t
] [V u
ies
8
perforatie
D
U CE
U
E
R
R
V E 10 + =
O k 330
O k 3 , 3
L
I
ies
u
F
I
B
a
n
d
a

p
e
r
f
o
r
a
t
a

v h
BC
BV
G
E
+
÷
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


54



Fotodioda si celula solara


Structura unei fotodiode se prezinta in figura, cu evidentierea mecanismului de generare a diodei.
In stratul p
+
(puternic dopat cu goluri, p), sub efectul unei radiatii cu mic (albastru), se creaza
perechi electron-gol. In regiunea de sarcina spatiala (saracita in purtatori) are efect radiatia cu
mediu (rosu).
In stratul n
-
(puternic dopat cu electroni, n), actioneaza radiatia cu mare (IR). Campul electric
intens din regiunea sarcinii spatiale duce la deplasarea golurilor spre zona p
+
si a electronilor spre
stratul n
-
. Acesti purtatori generati datorita iluminarii pot produce un curent extern (fotocurent), I
P
.
De observat ca I
P
circula ca un curent invers prin dioda. Ecuatia fotodiodei se obtine daca din
curentul normal al unei diode se scade fotocurentul I
P
datorat iluminarii:
I=I
S
[exp(

)-1]-I
P

Nivelul de iluminare poate fi masurat in [W/m
2
] sau in Lux [lx]. Daca jonctiunea pn lucreaza in
cadranele I sau III, se va numi fotodioda, iar daca e utilizata in cadranul IV se va numi celula solara.

De obicei fotodioda lucreaza polarizata invers. Fara iluminare, prin ea trece un curent infim, I
0

(curentul de intuneric). Curentul invers creste cu incidenta luminoasa.
Pentru cadranul IV exista doua situatii limita: R
S
= ⇒ lucrand in gol, celula solara furnizeaza o
tensiune U
g
. Cand R
S
=0, celula furnizeaza curentul de scurtcircuit I
SC
=I
p
(pentru iluminarea data). In
general, conectata in paralel cu o rezistenta R
s
finita, dioda furnizeaza pe aceasta o putere
fotoelectrica (aria hasurata din figura).
S
R / 1 ÷
) 0 ( =
S SC
R I
0 > E
0 = E
R
U
R
I ÷
) ( · =
S G
R U
U
I
0
I
÷
÷
÷
mic . ì
mediu . ì
mare . ì
) (IR
+
p n
÷
n
I D
U
÷ +
+
+
+
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


55


Celulele solare de suprafata mare sunt prevazute cu contacte
metalice subtiri pentru a facilita o iluminare cat mai eficienta. Suprafata
iluminata e prevazuta cu straturi antireflexie. Puterea furnizata este data
de iluminare, de caracteristica diodei si de punctul de functionare ales
in cadranul IV.
Dioda PIN functioneaza ca si fotodioda dar la parametri superiori:
timpi de comutare mai redusi, tensiuni inverse mai mici, sensibilitate
mai ridicata, liniaritate mai buna a caracteristicii I
p
=f().
Solutia tehnologica sa asigure aceste imbunatatiri este interpunerea
intre stratul p
+
si stratul n
-
a unei regiuni de rezistivitate foarte mare
(regiune intrinseca, strat I).
Fototranzistorul corespunde functional unei fotodiode cu amplificator incorporat. Ca urmare,
sensibilitatea fototranzistorului este de sute de ori mai mare decat a fotodiodei. Structura
dispozitivului se prezinta in figura.


Contactele bazei (poate sa lipseasca) si emitorului sunt astfel facute incat sa existe o deschidere
cat mai mare pentru radiatia incidenta. Jonctiunea BC are suprafata mare si este polarizata invers.
Perechile electron-gol formate prin absorbtie fotonica se vor separa: golurile vor difuza spre E iar
electronii spre colector.


Curentul de colector are expresia I
C
=(1+)∙I
p
, unde I
p
este fotocurentul iar este
factorul de amplificare in curent. In planul caracteristicilor de iesire, parametrul iluminare tine locul
curentului de baza. Fototranzistoarele sunt dispozitive mai lente decat fotodiodele si de aceea se
utilizeaza doar pana la frecventa f100 kHz.
Observatie: unitatea de iluminare numita Lux [lx] corespunde unui flux luminos de 1 lumen
repartizat uniform pe o suprafata de 1m
2
.
lx 1000
] [mA I
C
] [V U
CE
lx 300
lx 100
lx 30
10 20 30 40 50
2
10
÷
1
10
÷
0
10
1
10
lx 3000
= E
E B
n
n
Emitorul
colectorul
metal
p
Baza
+
÷
Lumina
R
U
R
I
S
R
DISPOZITIVE ELECTRONICE SI OPTOELECTRONICE


56


Aplicatie: controlul curentului printr-un tranzistor cu ajutorul unei fotodiode.

Cand fotodioda este iluminata, curentul de colector al tranzistorului este mare si tensiunea de
iesire este scazuta. In lipsa iluminarii tranzistorul este blocat si tensiunea de iesire este aproximativ
egala cu tensiunea E
C
. Fata de fototranzistoare, fotodiodele au tolerante mai mici ale fotocurentului
deoarece nu intervine factorul aleator . In plus, caracteristica I
p
=f(ɸ) este mai lineara la fotodiode.
De aceea combinatia fotodioda-amplificator cu tranzistor este preferabila utilizarii unui
fototranzistor.


Aplicatie: releu comandat de fototranzistor

Fototranzistoarele admit curenti de colector suficient de mari
pentru ca sa poata comanda relee cu curenti de anclansare relative
mici. La iluminarea tranzistorului, releul din figura se anclaseaza.
Cand iluminarea dispare si curentul de colector scade brusc, la
bornele bobinei releului apare o tensiune indusa care poate distruge
fototranzistorul. Dioda D inlatura acest risc prin faptul ca limiteaza
tensiunea din colectorul tranzistorului (U
CE
) la valoarea E
C
+U
D
=24
V+0,6 V≅24V.


C
R
iesire
C
E +
) 24 ( V E
C
D
mA I
C
5 >

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->