STT-PLN JAKARTA

MAKALAH KIMIA BAHAN
ACHMAD SAEFUDIN 2009-11-186

BAB I PENDAHULUAN

A. Latar Belakang
Dalam dunia kerja, manusia diajari oleh teknologi untuk memecahkan masalahmasalah kerja secara efisien dan efektif. Tidak heran kalau hal ini berpengaruh secara kuat terhadap pengelolaan serta organisasi perusahaan-perusahaan dan industri , agar tak tertinggal dalam persaingan global. Kemampuan menguasai teknologi tinggi adalah merupakan syarat mutlak bagi suatu negara untuk memasuki negara industri baru. Salah satu bidang teknologi tinggi yang sangat mempengaruhi peradaban manusia di bumi ini adalah teknologi semikonduktor dan mikroelektronika. Dewasa ini bahan semikonduktor organik mendapat perhatian baik dari kalangan peneliti maupun industri. Hal ini dikarenakan sifatnya yang ramah lingkungan, dalam arti mudah hancur dalam alam. Sehingga sampahnya tidak merusak lingkungan.

B. Tujuan Pembuatan makalah 1. Menjelaskan tentang semikonduktor 2. Menjelaskan tentang bahan semikonduktor dan manfaatnya dalam dunia nyata. 3. Menambah pengetahuan tentang mata kuliah Kimia dan Ilmu Bahan 4.Untuk menyampaikan informasi yang didapat penulis di dalam penulisan makalah ini 5.menambah pengetahuan tentang prinsip-prinsip penulisan laporan ilmiah riset dan teknologi.

BAB II PEMBAHASAN

SEMIKONDUKTOR Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti dioda, transistor dan sebuah IC (integrated circuit). Disebut semi atau setengah konduktor, karena bahan ini memang bukan konduktor murni. Bahan- bahan logam seperti tembaga, besi, timah disebut sebagai konduktor yang baik sebab logam memiliki susunan atom yang sedemikian rupa, sehingga elektronnya dapat bergerak bebas. Berikut sejarah dari tahun-ketahun penemua penting di dalam bidang semi konduktor. 1. 1821, Thomas Seebeck menemukan sifat-sifat semikonduktor PbS 2. 1833, Michael F araday menemukan kebergantungan konduktivitas terhadap temperatur untuk sebuah kelas material baru Semikonduktor 3. 1873, W. Smith menemukan sensitivitas Se terhadap cahaya 4. 1875, Werner von Siemens menemukan fotometer Selenium 5. 1878, Alexander G raham Bell menggunakan devais ini untuk wireless telecomunication system 6. 1947, Bardeen, Brattain, Schockley (Nobel Prize in Physcis) menemukan Bipolar Junction Transistor 7. 1954, Ch apin, Fueller, Pearson mengembangkan solar sel 8. 1958, John Kilby menemukan i ntegrated circuit (IC) 9. 1958, Leo Esaki (Nobel Prize in Physics) menemukan dioda terowongan ( tunnel diode) 10. 1960, Kahn dan At tal a mendemontrasikan MOS- FET pertama

11. 1962, 3 gr up yang masi ng dikepal ai o l eh Hall, Nathan, and Quist mendemontrasikan laser semikonduktor 12. 1963, Gunn menemukan osilasi gelombang mikro pada GaAs dan InP (RidleyWatkins-Hilsum-Gunn Effect) 13. 1963, Wanlass and Sah memperkenalkan teknologi CMOS. 14. 1963 -Skala MOSFET

15. Gate poly-Si 0 ,06 mikron d itemukan → sebuah gate dengan kontrol d imensi kritikal yang sangat baik. ( lih. Semiconductor International , p.18, 1 997). 16. Beyond PENTHIUM: INTEL MERCED CHIP → 21 Maret 1998: Intel memunculkan mikroporsessor 0,18 mikron 64 Bit baru y ang disebutnya MERCED. Mikrposessor ini diharapkan mampu memilik kecepatan melebihi 6 00 MHz. Sebelumnya pada tahun 1997, Intel mengumumkan teknologi 0,25 mikron. Rencana Intel memperkenalkan teknologi 0 ,13 mikron pada tahun 2000.

Sebenarnya atom tembaga dengan lambang kimia Cu memiliki inti 29 ion (+) dikelilingi oleh 29 elektron (-). Sebanyak 28 elektron menempati orbit-orbit bagian

dalam membentuk inti yang disebut nucleus. Dibutuhkan energi yang sangat besar untuk dapat melepaskan ikatan elektron-elektron ini. Satu buah elektron lagi yaitu elektron yang ke-29, berada pada orbit paling luar. Orbit terluar ini disebut pita valensi dan elektron yang berada pada pita ini dinamakan elektron valensi. Karena hanya ada satu elektron dan jaraknya 'jauh' dari nucleus, ikatannya tidaklah terlalu kuat. Hanya dengan energi yang sedikit saja elektron terluar ini mudah terlepas dari ikatannya.

Ikatan atom tembaga pada suhu kamar, elektron tersebut dapat bebas bergerak atau berpindah- pindah dari satu nucleus ke nucleus lainnya. Jika diberi tegangan potensial listrik, elektron-elektron tersebut dengan mudah berpindah ke arah potensial yang sama. Phenomena ini yang dinamakan sebagai arus listrik. Isolator adalah atom yang memiliki elektron valensi sebanyak 8 buah, dan dibutuhkan energi yang besar untuk dapat melepaskan elektron-elektron ini. Dapat ditebak, semikonduktor adalah unsur yang susunan atomnya memiliki elektron valensi lebih dari 1 dan kurang dari 8. Tentu saja yang paling "semikonduktor" adalah unsur yang atomnya memiliki 4 elektron valensi. Susunan Atom Semikonduktor. Bahan semikonduktor yang banyak dikenal contohnya adalah Silicon (Si), Germanium (Ge) dan Galium Arsenida (GaAs).

Germanium dahulu adalah bahan satu-satunya yang dikenal untuk membuat komponen semikonduktor. Namun belakangan, silikon menjadi popular setelah ditemukan cara mengekstrak bahan ini dari alam. Silikon merupakan bahan terbanyak ke dua yang ada dibumi setelah oksigen (O2). Pasir, kaca dan batu-batuan lain adalah bahan alam yang banyak mengandung unsur silikon. Dapatkah anda menghitung jumlah pasir dipantai.Struktur atom kristal silikon, satu inti atom (nucleus) masing-masing memiliki 4 elektron valensi. Ikatan inti atom yang stabil adalah jika dikelilingi oleh 8 elektron, sehingga 4 buah elektron atom Kristal tersebut membentuk ikatan kovalen dengan ion-ion atom tetangganya. Pada suhu yang sangat rendah (0oK), struktur atom silicon divisualisasikan seperti pada gambar berikut:

Struktur padatan Cu Struktur Kristal Si a. Struktur diamond Si b. Ikatan Tertrahedron c. Ikakatan tetrahedron 2 dimensi.

Struktur dua dimensi kristal Silikon Ikatan kovalen menyebabkan elektron tidak dapat berpindah dari satu inti atom ke inti atom yang lain. Pada kondisi demikian, bahan semikonduktor bersifat isolator karena tidak ada elektron yang dapat berpindah untuk menghantarkan listrik. Pada suhu kamar, ada beberapa ikatan kovalen yang lepas karena energi panas, sehingga memungkinkan elektron terlepas dari ikatannya. Namun hanya beberapa jumlah kecil yang dapat terlepas, sehingga tidak memungkinkan untuk menjadi konduktor yang baik. Ahli-ahli fisika terutama yang menguasai fisika quantum pada masa itu mencoba memberikan doping pada bahan semikonduktor ini. Pemberian doping dimaksudkan untuk mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah lebih banyak dan permanen, yang diharapkan akan dapat mengahantarkan listrik. Kenyataanya demikian, mereka memang iseng sekali dan jenius.Tipe-NMisalnya pada bahan silikon diberi doping phosphorus atau arsenic yang pentavalen yaitu bahan kristal dengan inti atom memiliki 5 elektron valensi. Dengan doping, Silikon yang tidak lagi murni ini (impurity semiconductor) akan memiliki kelebihan elektron. Untuk pemahaman yang lebih akan di bahas sebagai berikut.

PEMBAGIAN DAN JENIS-JENIS SEMIKONDUKTOR.

Secara umum semikonduktor dibagi menjadi 2 jenis berdasarkan kemurniannya yaitu intrinsic (murni) dan eksterinsik (tidak murni). Untuk semikonduktor yang tidak murni atau sering disebut semikonduktor ekstrinsik dibagi lagi menjadi dua yaiti tipe-n dan tipe-p. berikut penjelasannya.

a. Semikonduktor Murni (Interiksik). Silikon dan germanium merupakan dua jenis semikonduktor yang sangat penting dalam elektronika. Keduanya terletak pada kolom empat dalam tabel periodik dan mempunyai elektron valensi empat. Struktur kristal silikon dan germanium berbentuk tetrahedral dengan setiap atom memakai bersama sebuah elektron valensi dengan atomatom tetangganya. Gambar 6.1 memperlihatkan bentuk ikatan kovalen dalam dua dimensi. Pada temperatur mendekati harga nol mutlak, elektron pada kulit terluar terikat dengan erat sehingga tidak terdapat elektron bebas atau silikon bersifat sebagai insulator.

Energi yang diperlukan mtuk memutus sebuah ikatan kovalen adalah sebesar 1,1 eV untuk silikon dan 0,7 eV untuk germanium. Pada temperatur ruang (300K), sejumlah elektron mempunyai energi yang cukup besar untuk melepaskan diri dari ikatan dan tereksitasi dari pita valensi ke pita konduksi menjadi elektron bebas (gambar 6.2). Besarya energi yang diperlukan untuk melepaskan elektron dari pita valensi ke pita konduksi ini disebut energi terlarang (energy gap). Jika sebuah ikatan kovalen terputus, maka akan terjadi kekosongan atau lubang (hole). Pada daerah dimana terjadi kekosongan akan terdapat kelebihan muatan positif, dan daerah yang ditempati elektron bebas mempunyai kelebihan muatan negatif. Kedua muatan inilah yang memberikan kontribusi adanya aliran listrik pada semikonduktor murni. Jika elektron valensi dari ikatan kovalen yang lain mengisi lubang tersebut, maka akan terjadi lubang baru di tempat yang lain dan seolah-olah sebuah

muatan positif bergerak dari lubang yang lama ke lubang baru.

Keterangan : a) Struktur kristal silikon memperlihatkan adanya sebuah ikatan kovalen yang terputus dan b) Diagram pita energi menunjukkan tereksitasinya elektron ke pita konduksi dan meninggalkan lubang di pita valensi. Proses aliran muatan ini, yang biasa disebut sebagai “arus drift” dapat dituliskan sebagai berikut : “ Peristiwa hantaran listrik pada semikonduktor adalah akibat adanya dua partikel masing-masing bermuatan positif dan negatif yang bergerak dengan arah yang berlawanan akibat adanya pengaruh medan listrik” Berikut merupakan perbandingan bahan semikonduktor silicon dengan Germanium :

b. Semikonduktor Ekstrinsik. Ahli-ahli fisika terutama yang menguasai fisika quantum pada masa itu mencoba memberikan doping pada bahan semikonduktor ini. Pemberian doping dimaksudkan untuk mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah lebih banyak dan permanen, yang diharapkan akan dapat mengahantarkan listrik. Kenyataanya demikian, mereka memang iseng sekali dan jenius. Kita dapat memasukkan pengotor berupa atom-atom dari kolom tiga atau lima dalam tabel periodik (memberi doping) ke dalam silikon atau germanium murni (lihat gambar 6.3). Elemen semikonduktor beserta atom pengotor yang biasa digunakan diperlihatkan pada table berikut :

Untuk semikonduktor ekstrinsik ini di bagi lagi menjadi 2 jenis berdasarkan sifat kelistrikkannya. Apakah cenderung bermutan positif (tipe-p) atau negative (tipe-n). Berikut penjelasan lebih rincinya :

1. Semikonduktor tipe-n. Tipe-n pada bahan silikon diberi doping phosphorus atau arsenic yang pentavalen yaitu bahan kristal dengan inti atom memiliki 5 elektron valensi. Dengan doping, Silikon yang tidak lagi murni ini (impurity semiconductor) akan memiliki kelebihan elektron. Kelebihan elektron membentuk semikonduktor tipe-n. Semikonduktor tipe-n disebut juga donor yang siap melepaskan electron. Saat sebuah atom pentavalen menempati posisi atom silikon dalam kisi kristal, hanya empat elektron valensi yang dapat membentuk ikatan kovalen lengkap, dan tersisa sebuah elektron yang tidak berpasangan (lihat gambar 6.3). Dengan adanya energi thermal yang kecil saja, sisa elektron ini akan menjadi elektron bebas dan siap menjadi pembawa muatan dalam proses hantaran listrik. Material yang dihasilkan dari proses pengotoran ini disebut semikonduktor tipe-n karena menghasilkan pembawa muatan negatif dari kristal yang netral. Karena atom pengotormemberikan elektron, maka atom pengotor ini disebut sebagai atom donor. Secara skematik semikonduktor tipe-n digambarkan seperti terlihat pada gambar berikut:

Keterangan gambar : a) Struktur Kristal silicon dengan sebuah atom pengotor valensi lima menggantikan posisi salah satu atom silicon dan b) Struktur pita energi semikonduktor tipe-n, perhatikan tingkat energi atom donor.

Susunan Bahan Semikonduktor Tipe-n Bahan Semikonduktor tersusun dari unsur-unsur seperti Si dan Ge. Semikonduktor intrinsik hanya tersusun dari unsur Si atau Ge yang murni, dan semikonduktor ekstrinsik (semikonduktor tipe-n atau tipe-p) tidak hanya tersusun dari unsur Si atau Ge tetapi juga pengotor yang merupakan unsur bervalensi lima atau empat. Bila Si atau Ge diberi pengotor unsur bervalensi lima maka akan dihasilkan semikonduktor tipe-n (bahan yang kelebihan elektron, sehingga bersifat negatif). Sedangkan, bila Si atau Ge diberi pengotor unsur bervalensi tiga maka akan dihasilkan semikonduktor tipe-p (bahan yang kekurangan elektron, sehingga bersifat positif).

Susunan bahan semikonduktor intrinsik dapt dilihat pada gambar1, hanya terdiri dari unsur Si atau Ge. Sedangkan untuk semikonduktor tipe-n dan tipe-p dapat dilihat pada gambar dibawah ini:

Pada gambar 3 menunjukkan material tipe-p silikon dan germanium terdoping. Gambar 4 menunjukkan material tipe-n silikon dan germanium terdoping. Sedangkan bila dilihat dari pita energinya dapat digambarkan sebagai berikut :

Gambar 5 menunjukkan pita energy pada semikonduktor tipe-n. sedangkan ambar 6 menunjukkan pita energy pada semikonduktor tipe-p. paa semikonduktor tipe –p atom yang dipasnag menimbulkan hole, atom tersebut disebut atom akseptor(mempunyai lobang). Sebagaom akseptor adalah atom dari boron, alumunium, gallium, indium. Letak atom aksepti lebih dekat pada pita valensi(gambar 6). Untuk semikonduktor tipe-n, atom yang menggantikan Si atau Ge bervalensi 5 sehingga bahan menjadi kelebihan elektron. Atom yang menggantikan disebut atom donor. Letak atom donor pada celah energi lebih dekat dengan pita konduksi. Pada bahan semikonduktor yang bertindak sebagai pembawa muatan adalah

hole dan elektron bebas. Pada bahan jenis p pembawa muatannya adalah hole sedangkan pada bahan jenis n pembawa muatannya adalah elektron bebas.

Sifat Dasar Bahan Semikonduktor Tipe-n Sifat-sifat Listrik Bahan semikonduktor memiliki daya hantar lebih kecil dibanding bahan konduktor, tetapi lebih besar dibandingkan bahan isolator. Proses konduksi pada bahan-bahan dipengaruhi oleh jarak pita konduksi dan pita valensi. Pita energi dibagi menjadi tiga yaitu : - Pita valensi yaitu pita energi terakhir yang terisi penuh (zone penuh). - Pita konduksi yaitu pita diatas pita pita valensi yang berisi setengah penuh atau kosong (zone bebas). - Diantara pita konduksi dan valensi terdapat celah energi yang disebut pita terlarang (zone terlarang).

Bahan-bahan konduktor, semikonduktor dan isolator memiliki pita energi yang berbeda. Dapat dilihat pada gambar berikut :

Pada konduktor jarak kedua pita sangat dekat sekali bahkan hampir menumpuk. Pada isolator jarak keduanya cukup jauh sehinggaelektron dari zone penuh tidak dapat pindah ke zone bebas. Sedangkan pada semikonduktor jarak keduanya tidak begitu jauh dan ini memungkinkan elektron dapat berpindah jika dipengaruhi oleh faktor luar misalnya :    panas medan magnet tegangan yang tinggi

Kristal silikon disusun oleh atom-atom karbon sehingga pita energinya menyerupai pita energi pada intan. Tetapi celah energi dalam silikon hanya 1,1 eV tidak sebesar intan 6 eV. Pada suhu sangat rendah, semua elektron terluar silikon berada pada pita valensi, sedangkan pada pita konduksinya kosong. Tetapi pada suhu kamar, sebagian kecil elektron dalam pita valensi akibat gerak termalnya memiliki energi kinetik yang cukup untuk melewati pita terlarang, elektron-elektron ini cukup untuk menimbulkan arus listrik kecil ketika medan listrik luar diberikan pada kristal. Daya hantar pada semikonduktor selain bergantung pada jarak pita energinya juga bergantung dari sifat unsur itu sendiri yaitu sifat periodiknya. Sifatsifat itu diantaranya :  Jari-jari atom yaitu jarak antara kulit inti dengan kulit terluar. Semakin jari-jari atomnya kecil maka ikatan antara inti atom dengan elektron pada setiap kulit semakin kuat.  Energi ionisasi yaitu energi yang diperlukan untuk melepaskan elektron terluar dari suatu atom.  Energi ionisasi mempengaruhi sifat listrik dari suatu unsur semakin kecil energy ionisasi suatu unsur maka semakin mudah melepaskan elektron. Jadi dapat dikatakan Germanium lebih mudah melepaskan elektron dari pada Silikon karena Ge memiliki

energi inonisasi yang lebih kecil dari Si. Berikut tabel yang berisi beberapa energi ionisasi pada semikonduktor jenis-n dan jenis-p.

Afinitas elektron yaitu besarnya energi yang dilepaskan jika suatu atom menangkap elektron. Semakin besar energi yang dilepaskan suatu atom semakin mudah atomatom tersebut menangkap electron

Keelektronegatifan yaitu kecenderungan suatu atom untuk menangkap atau menarik elektron dari atom lain.

Konstanta dielektrik juga mempengaruhi energi ionisasi dari bahan semikonduktor. Kosntanta dielektrik relatif untuk germanium εr = 16 sedangkan silikon εr = 12. Karena itulah energi ionisasi dari silikon lebih besar dari germanium. Energi inonisasi dari beberapa perhitungan dapat dilihat pada tabel 1. Daya hantar mempengaruhi sifat hantaran yang dikenal juga dengan konduktivitas. Konduktivitas dari bahan dipengaruhi oleh beberapa factor diantaranya yaitu suhu. Berikut contoh bahan semikonduktor dan resistivitasnya pada suhu 20°C :

Besar konduktivitas berbanding terbalik dengan resistivitas ( σ = 1/ρ)

Sifat Non Listrik Ada beberapa faktor dari luar yang mempengaruhi sifat hantaran pada semikonduktor diantaranya :  Suhu Suhu merupakan faktor utama, karena suhu mempengaruhi konduktivitas dan resistivitas bahan. Penurunan resistivitas pada semikonduktor sangat cepat dengan kenaikan suhu. Walaupun pada suhu sangat rendah (suhu dimana hidrogen berbentuk cair), semikonduktor jadi tidak dapat dibedakan dengan bahan isolasi. Tetapi bila pada suhu diatas suhu tersebut semikonduktor memiliki ciri khas tersendiri. Pengaruh suhu terhadap resistivitas dapat dilihat dari grafik berikut :

Sifat penghantaran arus listrik pada semikonduktor semakin bertambah dengan kenaikan suhu. Dari gambar diatas dapat dilihat dua bentuk yang khas dari semikonduktor berdasarkan fungsi dari suhu. Karena itu unsur-unsur yang memiliki penurunan resistivitas terhadap kenaikan suhu merupakan sifat umum yang dapat mengklasifikasikan bahan tersebut sebagai semikonduktor. Hukum atau persamaan dari konduktivitas dapat dilihat pada rumus terkait. Untuk semikonduktor ekstrinsik grafik terhadap kenaikan suhunya ditunjukkan pada grafik yang lebih tinggi. Sedangkan garafik yang lebih rendah menunjukkan pengaruh suhu terhadap semikonduktor secara umum pada semikonduktor intrinsik.

 Cahaya Faktor cahaya juga mempengaruhi sifat hantaran pada semikonduktopr, karena ada semikonduktor yang peka terhadap cahaya. Semikonduktor yang peka terhadap cahaya disebut atau dinamakan photoelectric. Pada photoelectric resistansinya rendah bila terkena cahaya sedangkan bila gelap resistansinya naik. Sifat ini juga digunakan pada solar cell. Hanya memiliki tambahan khusus. Jadi resistansi dalam keadaan terang lebih kecil dari resistansi dalam keadaan gelap.  Tegangan yang diberikan Semikonduktor yang bergantung dari besar kecilnya tegangan disebut juga varistor. Pada varistor resistansi berubah menurut tegangan.  Medan listrik Medan listrik juga mempengaruhi besar kecilnya resistansi pada semikonduktor. Semikonduktor yang berpengaruh terhadap perubahan medan listrik disebut juga transistor.  Impurities Impurities / pengotoran juga berpengaruh pada sifat hantaran dari bahan semikonduktor. Impurities pada bahan semikonduktor sangat berpengaruh pada bahan semikonduktor. Sifat hantaran (konduktivitas) pada semikonduktor menjadi semakin bertambah. Sedangkan resistansinya semakin berkurang. Pengotoran ini membagi semikonduktor menjadi dua tipe yaitu tipe-n dan tipe-p. Bahan smikonduktor yang dipengaruhi oleh impurities disebut juga rectifier.

Pengukuran Sifat Bahan Semikonduktor Tipe-n Sifat bahan semikonduktor dapat diukur dari konduktivitasnya. Konduktivitas pada semikonduktor secara umum yaitu : σ = nn.qn.μn + np.qp.μp Dimana n yaitu molalitas, q adalah pembawa muatan, sedangkan μ menunjukkan pembawa gerakan (carrier mobility). Dimana, n menunjukkan pembawa muatan negatif (elektron) sedangkan p yaitu pembawa muatan positif (hole). Untuk benda padat seperti unsur silikon, konduksi berlangsung dari pita valensi ke pita konduksi. Dimana elektron adalah pembawa muatan negatif. Pergerakan elektron dari pita valensi menghasilkan lubang (hole), yaitu pembawa muatan positif. Karena itu kepadatan / jumlah elektron (nn) sama dengan kepadatan lubang (np), persamaan diatas dapat ditulis : σ = n.q.(μe+μh) Dimana sekarang n yaitu kepadatan dari elektron yang dilambangkan e sedangkan h melambangkan lubang. Selain konduktivitas juga dapat dihitung energi inonisasi dari semikoduktor. Kita asumsikan elektron bergerak melingkar dengan radius r sesuai model atom Bohr, dan dengan kecepatan v. Kita memperoleh keadaan pada jarak equilibrium yaitu :

Bila kedua ruas dikuadratkan lalu dibagi dengan dengan v2 dari persamaan jarak equlibrium, maka persamaan diatas menjadi :

Dari persamaan r didapat radius dari elektron proposional dengan εr. Radius dari orbit elektron di dalam germanium yang dikotori dengan Sb yaitu ≅ 16 x 0,53 ≅ 8,5 angstrom. Selain itu dari persamaan terakhir, energi total proposional terhadap 1/εr.

Analisa Sifat Bahan Semikonduktor Tipe-n Tinjauan Teoritis Bahan semikonduktor memiliki sifat antara konduktor dan isolator. Pada silikon dan germanium murni tidak terdapat elektron betas sehingga memiliki konduktivitas yang sangat kecil, karena proses pengotoran konduktivitasnya menjadi bertambah besar. Pengotor pada semikonduktor tipe-n yaitu unsur-unsur yang bervalensi lima. Sehingga unsur tadi berikatan dengan Si atau Ge menyebabkan adanya kelebihan elektron pada semikonduktor. Karena kelebihan elektron maka pembawa muatan pada bahan ini yaitu elektron karena itu semikonduktor ini disebut semikonduktor tipe-n. Atom donor pada pita energi pada suhu mutlak 0°, atom donor tidak terionisasi. Atom donor terionisasi bila mendapat panas yang dikenal dengan konduksi karena elektron. Proses

ini dapat dilihat pada gambar dibawah ini :

Gambar pita energi di sebelah kiri atas sama dengan pita energi semikonduktor intrinsik. Dimana pita valensi terisi sedangkan pita konduksinya kosong. Bagaimanapun, atom donor menempati sebagian celah energi yang hanya mengambil tempat sedikit di bawah pita konduksi. Titik hitam pada gambar di atas menunjukkan elektron. Saat temperatur meningkat getaran pada kisi-kisi molekunya semakin kuat dan denga enyerap sejumlah energy beberapa atom donor teriosasi. Atom tersebut melepaskan electron kepita konduksi seperti pada ambar d atas. Karena ionisasi dari atom donor lebih kecil dari energy yang diperlukan unutk meloncat kepita konduksi(Wg), atom donor akan melelewatkan electron-elekton kepita konduksi pada suhu yang lebih rendah dari sushu yang diperlukan ke pita konduksi.

2. Semikonduktor Tipe-p. Tipe-PKalau silikon diberi doping Boron, Gallium atau Indium, maka akan didapat semikonduktor tipe-p. Untuk mendapatkan silikon tipe-p, bahan dopingnya adalah bahan trivalen yaitu Atom-atom pengotor (dopan) mempunyai tiga elektron valensi sehingga secara efektif hanya dapat membentuk tiga ikatan kovalen. Saat sebuah atom trivalen menempati posisi atom silikon dalam kisi kristal, terbentuk tiga ikatan kovalen lengkap, dan tersisa sebuah muatan positif dari atom silikon yang tidak berpasangan (lihat gambar 6.4) yang disebut lubang (hole). Material yang dihasilkan dari

proses pengotoran ini disebut semikonduktor tipe-p karena menghasilkan pembawa muatan negatif pada kristal yang netral. Karena atom pengotor menerima elektron, maka atom pengotor ini disebut sebagai atom aseptor (acceptor). Secara skematik semikonduktor tipe-p digambarkan seperti terlihat pada gambar berikut :

Keterangan : a) Struktur Kristal silicon dengan sebuah atom pengotor valensi tiga menggantikan posisi salah satu atom silicon b) Struktur pita energy semikonduktor tipe-p, perhatikan tingkat energi atom donor.

TEKNOLOGI SEMIKONDUKTOR DAN PEMANFAATANNYA
a. Teknologi Silikon Pembahasan tentang divais semikonduktor tentunya tidak bisa lepas dari material semikonduktor itu sendiri sebagai bahan dasar pembuatan divais tersebut. Silikon (Si) dengan persediaanyang berlimpah di bumi dan dengan teknologi pembuatan kristalnya yang sudah mapan, telah menjadi pilihan dalam teknologi semikonduktor. Silikon very large scale integration (VLSI) telah membuka erabaru dalam dunia elektronika di abad ke-20 ini. Kebutuhan akan kecepatan yang lebih tinggi dan unjuk kerja yang lebih baik dari komputer telah mendorong teknologi silikon VLSI ke silikon ultra high scale integration (ULSI). Saat ini metaloxidesemiconductor field effect transistor (MOSFET) masih dominan sebagai divais dasar teknologi integrated circuit (IC). Dimensi dari MOSFET menjadi semakin kecildan akan menjadi sekitar 0,1 mikron untuk ukuran giga-bit dynamic random acces memories (DRAMs). Beberapa masalah yang timbul dalam usaha memperkecil dimensi dari MOSFET antara lain efek short channel dan hot carrier yang akan mengurangi unjuk kerja dari transistor itu sendiri. Walaupun sudah banyak kemajuan yang dicapai, pertanyaan yang selalu muncul adalah sampai seberapa jauh limit pengecilan yang dapat dilakukan ditinjau dari segi proses produksi, sifat fisika dari divais itu sendiri dan interkoneksinya. Banyak masalah dari segi fabrikasi yang dapat menjadi penghambat. Sebagai salah satu contoh keterbatasan dari proses produksi adalah teknik lithography yaitu teknik yang diperlukan untuk merealisasikan desain sirkuit ke lempengan (waver) silikon dalam proses fabrikasi IC. Dengan menggunakan cahaya sebagai sumber berkas, dimensi dari lithography dengan sendirinya akan dibatasi oleh panjang gelombang dari cahaya itu sendiri. Oleh sebab itu dikembangkan teknik lithographyyang lain menggunakan sinar-X dan berkas elektron. Dengan menggunakan kedua

teknik ini tidak terlalu ekonomis untuk digunakan pada proses produksi IC secara massal. Dari uraian di atas, terlihat masih adanya beberapa masalahyang akan timbul dalam proses fabrikasi IC di masa yang akan datang.

b. Teknologi berbasis silikon Seperti diketahui, ditinjau dari struktur elektronikanya, material semikonduktor dapat dibedakan atas dua jenis yaitu yang memiliki celah pita energi langsung (direct bandgap) dan celah pita energi tidak langsung (indirect bandgap). Silikon adalah material dengan celah energi yang tidak langsung, di mana nilai minimum dari pita konduksi dan nilai maksimum dari pita valensi tidak bertemu pada satu harga momentum yang sama. Ini berarti agar terjadi eksitasi dan rekombinasi dari membawa muatan diperlukan perubahan yang besar pada nilai momentumnya. Dengan kata lain, silikon sulit memancarkan cahaya. Sifat ini menyebabkan silikon tidak layak digunakan sebagai piranti fotonik/optoelektronik, sehingga tertutup kemungkinan misalnya membuat IC yang di dalamnya terkandung detektor optoelektronik atau suatu sumber pemamcar cahaya dengan hanya menggunakan material silikon saja. Beberapa usaha telah dilakukan untuk mengatasi hal ini antara lain dengan mengembangkan apa yang dikenal sebagai bandgap engineering. Salah satu contohnya adalah menumbuhkan struktur material SiGe/Si straitned layer superlattice. Parameter mekanik strain yang timbul karena perbedaan konstanta kisi kristal antara lapisan SiGe dan Si tersebut akan mempengaruhi struktur elektronik dari material di atas sehingga muncul efek brillioun-zone folding yang mengubah struktur pitanya menyerupai material dengan celah energi langsung (direct bandgap). Kombinasi dari kedua material tersebut memungkinkan terjadinya pemancaran dan penyerapan cahaya. Cara lain yang juga popular untuk memperbaiki sifat optik dari silikon adalah apa yang dinamakan material silikon porous. Dengan pelarutan secara elektrokimia, pada lempeng silikon dapat berbentuk lubang-lubang yang berukuran

puluhan angstrom. Dengan bantuan sinar laser, akan dapat dilihat dengan mata telanjang pemancaran cahaya dari material silikon tersebut. Fenomena ini dapat dijelaskan dengan menggunakan model two-dimensional quantum confinement. Kelemahan dari teknik ini adalah sifat reproducibility-nya yang rendah. Kemajuan-kemajuan di atas membuka era baru bagi material silikon dan panduannya untuk diaplikasikan pada divais optoelektronika.

c. Teknologi GaAs Salah satu hambatan dari teknologi silikon adalah sifat listrik yang berhubungan dengan rendahnya mobilitas pembawa muatan dari material silikon ini. Mobilitas adalah parameter yang menyatakan laju dari pembawa muatan dalam semikonduktor bila diberi medan listrik. Untuk membuat piranti berkecepatan tinggi, galium arsenide (GaAs) dan material-material panduannya telah dipertimbangkan sebagai material pengganti silikon. Selain untuk divais elektron, material ini juga digunakan divais fotonik/laser dan divais gelombang mikro (microwave device). GaAs adalah material semikonduktor dari golongan III-V yang memiliki mobilitas elektron sekitar enam kali lebih tinggi dari silikon pada suhu ruang. Material ini bertipe celah energi langsung. Dengan memanfaatkan kelebihan ini, telah berhasil dibuat transistor yang disebut high electron mobility transistor (HEMT), menyusul transistor yang lebih dahulu popular untuk teknologi GaAs yaitu metal semiconductor field effect transistors (MESFET). Struktur dari HEMT mirip dengan MOSFET, tapi dengan menggunakan teknik modulasi doping, di mana elektron dapat dipisahkan dari ion pengotornya dan bergerak dalam sumur potensial dua dimensi (2DEG) dengan kecepatan tinggi. Pengembangan IC dengan berbasis material GaAs saat ini juga sedang ramai diteliti. Beberapa tahun yang lalu telah berhasil dibuat 64 kb static random access memory (SRAM) yang berkecepatan tinggi sebesar 2ns dengan menggunakan teknologi HEMT berukuran 0,6 mikron. Transistor berkecepatan tinggi lainnya yang sedang dikembangkan adalah

heterojunction bipolar transistor (HBT). Struktur dari transistor ini adalah sambungan npn di mana emiter menggunakan material dengan celah energi yang lebih besar dibandingkan dengan base dan kolektor. Pada kondisi ini, diharapkan resistansi dari base dan kapasitansi dari sambungan base-emitter akan dapat direduksi sehingga dapat diperoleh frekuensi maksimum osilasi (fmaks) yang tinggi. Saat ini sudah dibuat HBT dengan fmaks 200 GHz. Walaupun banyak kemajuan yang sudah dicapai, banyak orang meragukan kemampuan teknologi GaAs ini untuk dapat bersaing dengan teknologi silikon dalam orde 0,1 mikron atau yang lebih kecil. Itulah sebabnya, banyak perusahaan semikonduktor terutama di Amerika Serikat yang tidak menganggap teknologi GaAs ini sebagai pengganti silikon.

d. Divais kuantum Dewasa ini, perhatian besar juga diberikan pada struktur semikonduktor berdimensi rendah (low-dimensional semiconductor) seperti quantum well (2D), quantum wire (1D) dan quantum dot (0D). Struktur seperti ini adalah pembuka jalan ke era fabrikasi nanoteknologi dan divais kuantum (quantum device). Telah diketahui bahwa bila elektron dikurung dalam daerah potensial dengan dimensi yang sama dengan panjang gelombangnya maka akan muncul sifat gelombang elektron dan berbagai fenomena kuantum akan dapat diamati. Beberapa fenomena kuantum dapat mengurangi performansi dari divais itu sendiri sedangkan fenomena yang lain dapat memacu terciptanya divais kuantum yang baru. Beberapa divais kuantum seperti wire-transistor, single-electron transistor sudah berhasil dibuat dan menunjukkan kecepatan yang tinggi. Permasalahan yang timbul dari divais yang dibuat berdasarkan struktur semikonduktor dimensi rendah ini adalah arus drive yang rendah sehingga masih sulit untuk diaplikasikan. Secara umum, permasalahan yang dihadapi divais kuantum ini adalah operasi kerjanya yang masih harus dilakukan pada suhu rendah (seperti

suhu helium cair : 4,2K) agar dapat diamati fenomena kuantum secara jelas. Hal ini tentunya akan menaikkan ongkos pembuatan sehingga belum menarik untuk diproduksi.

e. Intelligent material Dari uraian di atas terlihat bahwa meskipun perkembangan divais semikonduktor dewasa ini sangat cepat, beberapa hambatan sudah mulai terlihat. Pertanyaan yang muncul adalah apakah usaha-usaha untuk memperbaiki performasi dari divais semikonduktor dapat terus dilakukan dengan pola yang ada sekarang ini atau harus dicari pola yang lain. Pola yang ada sekarang adalah bahwa dalam teknologi IC, transistor sebagai divais aktif dasar hanya mempunyai satu fungsi saja dan kemudian diubah menjadi berfungsi banyak dengan bantuan disain sirkuit dan software. Dengan berkembangnya permintaan untuk menciptakan suatu rangkaian terpadu yang makin kompleks, beban yang ditanggung oleh disain software akan makin berat sehingga kemungkinan besar sulit untuk direalisasikan. Untuk itu, dari pihak hardware, haruslah dilakukan usaha untuk dapat membantu meringankan beban tersebut. Salah satu usul adalah menciptakan divais yang multifungsi sehingga divais menjadi lebih adaptif. Divais seperti ini dapat direalisasikan dengan menggunakan apa yang disebut sebagai intelligent material. IC yang terbuat dari divais yang adaptif seperti ini akan menjadi bermultifungsi tanpa harus membebani disain software yang makin kompleks.

APLIKASI PENERAPAN SEMIKONDUKTOR.

1. Resistor.

Gambar Kunstruksi Resistor Pada dasarnya semikonduktor sendri memilki sifat menghambat seperti halnya dengan resistor karbon. Hal ini karena bahan yang di gunakan pada resistor itu sama yaitu merupakan unsure yang terletak pada golongan 4, resistor yang digunakan biansanya adalah karbon, sedangkan semi konduktor ini memakai bahan dari Silikon. Tapi perbedaanya yaitu pada pengaplikasinnya, resistor carbon dapat di gunakan dalam bentuk yang besar sedangkan semi konduktor hanya berpengaruk kecil, karena ukuran dari semikonduktor itu sendiri.

2. Dioda dan transistor. Dioda atau transisitor merupakan gabungan dari dua atau lebih jenis semikonduktor ekstrinsik yaitu tipe-p dan tipe-n. Kedua jenis semikonduktor ini digabung dengan menggunakan bahn khusus yang dapat melekatkan dan dapat dialiri oleh electron. Ada dua bahan elektronik yang biasa dipakai yaitu dioda dan transisitor. Transisitor bipolar ini dibagi lagi menjadi dua jenis yaitu P-N-P dan N-P-N. intuk penjelasannya akan di bahas lebih lanjut di bawah ini :

Dioda ini di buat dengan menyambungkan dua semi konduktor yang berbeda jenis. Jika dioda ini diberi tegangan maju (forward bias) maka pada kutup positif akan memiliki teganagn yang lebih besar dari pada kutub negatifnya, sehingga elektron pada kutub negatif yang berasal dari kelebihan elektron pendonor akan berjalan mengisi hole pada kutup negatif. Sehingga arus listrik dapat berjalan.

Jika teganan yang diberikan berupa tegangan balik (reversebias) maka dapat dipahami tidak ada elektron yang dapat mengalir dari sisi N mengisi hole di sisi P, karena tegangan potensial di sisi N lebih tinggi. Dioda akan hanya dapat mengalirkan arus satu arah saja, sehingga dipakai untuk aplikasi rangkaian penyearah (rectifier). Dioda, Zener, LED, Varactor dan Varistor adalah beberapa komponen semikonduktor sambungan PN yang dibahas pada kolom khusus.

c. Transistor bipolar. Pada transistor ini menggunakan 3 semikonduktor yang ditata selang-seling sehingga penamaanya sesuai penataan bahan semikonduktor. Pada dasarnya Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Sambungan itu membentuk transistor PNP maupun NPN. Ujung-ujung terminalnya berturut-turut disebut emitor, base dan kolektor. Base selalu berada di tengah, di antara emitor dan kolektor. Transistor ini disebut transistor bipolar, karena struktur dan prinsip kerjanya tergantung dari perpindahan elektron di kutup negatif mengisi kekurangan elektron (hole) di kutup positif. bi = 2 dan polar = kutup. Adalah William Schockley pada tahun 1951 yang pertama kali menemukan transistor bipolar.

Transistor NPN dan PNP Akan dijelaskan kemudian, transistor adalah komponen yang bekerja sebagai sakelar (switch on/off) dan juga sebagai penguat (amplifier). Transistor bipolar adalah inovasi yang menggantikan transistor tabung (vacuum tube). Selain dimensi transistor bipolar yang relatif lebih kecil, disipasi dayanya juga lebih kecil sehingga dapat bekerja pada suhu yang lebih dingin. Dalam beberapa aplikasi, transistor tabung masih digunakan terutama pada aplikasi audio, untuk mendapatkan kualitas suara yang baik, namun

konsumsi dayanya sangat besar. Sebab untuk dapat melepaskan elektron, teknik yang digunakan adalah pemanasan filamen seperti pada lampu pijar.

Prinsip Kerja Transistor. Transistor ini bekerja mirip dengan dioda. Transistor akan bekerja jika pada kutup positif memilki tegangan yang lebig besar dari pada kutub negative tetapi karena kolektor ini lebih positif, aliran elektron bergerak menuju kutup ini. Misalnya tidak ada kolektor, aliran elektron seluruhnya akan menuju base seperti pada dioda. Tetapi karena lebar base yang sangat tipis, hanya sebagian elektron yang dapat bergabung dengan hole yang ada pada base. Sebagian besar akan menembus lapisan base menuju kolektor. Inilah alasannya mengapa jika dua dioda digabungkan tidak dapat menjadi sebuah transistor, karena persyaratannya adalah lebar base harus sangat tipis sehingga dapat diterjang oleh elektron. Untuk memahami lihat skema prinsip kerja transisitor berikut :

Keterangan : a) Arus yang terjadi pada Transistor jenis NPN, dan b) Arus yang terjadi pada transistor jenis PNP. Jika misalnya tegangan base-emitor dibalik (reverse bias), maka tidak akan terjadi aliran elektron dari emitor menuju kolektor. Jika pelan-pelan „keran‟ base diberi

bias maju (forward bias), elektron mengalir menuju kolektor dan besarnya sebanding dengan besar arus bias base yang diberikan. Dengan kata lain, arus base mengatur banyaknya elektron yang mengalir dari emitter menuju kolektor. Ini yang dinamakan efek penguatan transistor, karena arus base yang kecil menghasilkan arus emitter-collector yang lebih besar. Istilah amplifier (penguatan) menjadi salah kaprah, karena dengan penjelasan di atas sebenarnya yang terjadi bukan penguatan, melainkan arus yang lebih kecil mengontrol aliran arus yang lebih besar. Juga dapat dijelaskan bahwa base mengatur membuka dan menutup aliran arus emitter-collector (switch on/off).

3. Sel Surya (solar cell).

Sel surya, solar cell, photovoltaic, atau fotovoltaik sejak tahun 1970-an telah telah mengubah cara pandang kita tentang energi dan memberi jalan baru bagi manusia untuk memperoleh energi listrik tanpa perlu membakar bahan baker fosil sebagaimana pada minyak bumi, gas alam atau batu bara, tidak pula dengan menempuh jalan reaksi fisi nuklir. Sel surya mampu beroperasi dengan baik di hampir seluruh belahan bumi yang tersinari matahari, sejak dari Maroko hingga Merauke, dari Moskow hingga Johanesburg, dan dari pegunungan hingga permukaan laut.

Sel surya dapat digunakan tanpa polusi, baik polusi udara maupun suara, dan di segala cuaca. Sel surya juga telah lama dipakai untuk memberi tenaga bagi semua satelit yang mengorbit bumi nyaris selama 30 tahun. Sel surya tidak memiliki bagian yang bergerak, namun mudah dipindahkan sesuai dengan kebutuhan. Semua keunggulan sel surya di atas disebabkan oleh karakteristik khas sel surya yang mengubah cahaya matahari menjadi listrik secara langsung. Artikel ini sengaja ditulis guna menanggapi banyaknya pertanyaan mengenai bagaimana mekanisme atau prinsip kerja sel surya. Sengaja di sini hanya melibatkan penjelasan kualitatif.

Proses konversi Proses pengubahan atau konversi cahaya matahari menjadi listrik ini dimungkinkan karena bahan material yang menyusun sel surya berupa semikonduktor. Lebih tepatnya tersusun atas dua jenis semikonduktor; yakni jenis n dan jenis p. Semikonduktor jenis n merupakan semikonduktor yang memiliki kelebihan elektron, sehingga kelebihan muatan negatif, (n = negatif). Sedangkan semikonduktor jenis p memiliki kelebihan hole, sehingga disebut dengan p ( p = positif) karena kelebihan muatan positif. Caranya, dengan menambahkan unsur lain ke dalam semkonduktor, maka kita dapat mengontrol jenis semikonduktor tersebut, sebagaimana diilustrasikan pada gambar di bawah ini. Pada awalnya, pembuatan dua jenis semikonduktor ini dimaksudkan untuk meningkatkan tingkat konduktifitas atau tingkat kemampuan daya hantar listrik dan panas semikonduktor alami. Di dalam semikonduktor alami (disebut dengan semikonduktor intrinsik) ini, elektron maupun hole memiliki jumlah yang sama. Kelebihan elektron atau hole dapat meningkatkan daya hantar listrik maupun panas dari sebuah semikoduktor. Dua jenis semikonduktor n dan p ini jika disatukan akan membentuk

sambungan p-n atau dioda p-n (istilah lain menyebutnya dengan sambungan metalurgi / metallurgical junction) yang dapat digambarkan sebagai berikut. 1. Semikonduktor jenis p dan n sebelum disambung.

2. Sesaat setelah dua jenis semikonduktor ini disambung, terjadi perpindahan elektron-elektron dari semikonduktor n menuju semikonduktor p, dan perpindahan hole dari semikonduktor p menuju semikonduktor n. Perpindahan elektron maupun hole ini hanya sampai pada jarak tertentu dari batas sambungan awal.

3. Elektron dari semikonduktor n bersatu dengan hole pada semikonduktor p yang mengakibatkan jumlah hole pada semikonduktor p akan berkurang. Daerah ini akhirnya berubah menjadi lebih bermuatan positif.. Pada saat yang sama. hole dari semikonduktor p bersatu dengan elektron yang ada

pada semikonduktor n yang mengakibatkan jumlah elektron di daerah ini berkurang. Daerah

ini akhirnya lebih bermuatan positif. 4. Daerah negatif dan positif ini disebut dengan daerah deplesi (depletion region) ditandai dengan huruf W. 5. Baik elektron maupun hole yang ada pada daerah deplesi disebut dengan pembawa muatan minoritas (minority charge carriers) karena keberadaannya di jenis semikonduktor yang berbeda. 6. Dikarenakan adanya perbedaan muatan positif dan negatif di daerah deplesi, maka timbul dengan sendirinya medan listrik internal E dari sisi positif ke sisi negatif, yang mencoba menarik kembali hole ke semikonduktor p dan elektron ke semikonduktor n. Medan listrik ini cenderung berlawanan dengan perpindahan hole maupun elektron pada awal terjadinya daerah deplesi (nomor 1 di atas).

7. Adanya medan listrik mengakibatkan sambungan pn berada pada titik setimbang, yakni saat di mana jumlah hole yang berpindah dari semikonduktor p ke n dikompensasi dengan jumlah hole yang tertarik kembali kearah semikonduktor p akibat medan listrik E. Begitu pula dengan jumlah elektron yang berpindah dari

smikonduktor n ke p, dikompensasi dengan mengalirnya kembali elektron ke semikonduktor n akibat tarikan medan listrik E. Dengan kata lain, medan listrik E mencegah seluruh elektron dan hole berpindah dari semikonduktor yang satu ke semiikonduktor yang lain. Pada sambungan p-n inilah proses konversi cahaya matahari menjadi listrik terjadi. Untuk keperluan sel surya, semikonduktor n berada pada lapisan atas sambungan p yang menghadap kearah datangnya cahaya matahari, dan dibuat jauh lebih tipis dari semikonduktor p, sehingga cahaya matahari yang jatuh ke permukaan sel surya dapat terus terserap dan masuk ke daerah deplesi dan semikonduktor p.

Ketika sambungan semikonduktor ini terkena cahaya matahari, maka elektron mendapat energi dari cahaya matahari untuk melepaskan dirinya dari semikonduktor n, daerah deplesi maupun semikonduktor. Terlepasnya elektron ini meninggalkan hole pada daerah yang ditinggalkan oleh elektron yang disebut dengan fotogenerasi elektron-hole (electron-hole photogeneration) yakni, terbentuknya pasangan elektron dan hole akibat

cahaya matahari.

Cahaya matahari dengan panjang gelombang (dilambangkan dengan simbol “lambda” sbgn di gambar atas ) yang berbeda, membuat fotogenerasi pada sambungan pn berada pada bagian sambungan pn yang berbeda pula. Spektrum merah dari cahaya matahari yang memiliki panjang gelombang lebih panjang, mampu menembus daerah deplesi hingga terserap di semikonduktor p yang akhirnya menghasilkan proses fotogenerasi di sana. Spektrum biru dengan panjang gelombang yang jauh lebih pendek hanya terserap di daerah semikonduktor n. Selanjutnya, dikarenakan pada sambungan pn terdapat medan listrik E, elektron hasil fotogenerasi tertarik ke arah semikonduktor n, begitu pula dengan hole yang tertarik ke arah semikonduktor p. Apabila rangkaian kabel dihubungkan ke dua bagian semikonduktor, maka elektron akan mengalir melalui kabel. Jika sebuah lampu kecil dihubungkan ke kabel, lampu tersebut menyala dikarenakan mendapat arus listrik, dimana arus listrik ini timbul akibat pergerakan elektron.

Pada umumnya, untuk memperkenalkan cara kerja sel surya secara umum, ilustrasi di bawah ini menjelaskan segalanya tentang proses konversi cahaya matahari menjadi energi listrik.

4. IC (Intergrated Circuit).

Jack Kilby, seorang inIsinyur di Texas Instrument,mengembangkan sirkuit terintegrasi (IC : integrated circuit) di tahun 1958. IC mengkombinasikan tiga komponen elektronik dalam sebuah piringan silikon kecil yang terbuat dari pasir kuarsa. Para ilmuwan kemudian berhasil memasukkan lebih banyak komponen-komponen ke dalam suatu chip tunggal yang disebut semikonduktor. Integrated Circuit (IC) merupakan komponen semikonduktor yang di dalamnya dapat memuat puluhan, ratusan atau ribuan atau bahkan lebih komponen dasar elektronik yang terdiri dari sejumlah komponen resistor, transistor, dioda dan komponen semikonduktor yang lain. Komponen-komponen yang ada di dalam IC membentuk suatu subsistem terintegrasi (rangkaian terpadu) yang bekerja untuk suatu keperluan tertentu,

namun tidak tertutup kemungkinan dipergunakan untuk tujuan yang lain. Setiap jenis IC didesain untuk keperluan khusus sehingga setiap IC akan memiliki rangkaian internal yang beragam. Untuk mengetahui rangkaian internal, lingkungan kerja dan tegangan voltase operasi IC maka perlu dibaca datasheet yang diterbitkan oleh masing-masing produsennya (Philips, ST, Motorola, Sharp, Beckman, Cirrus Logic, Texas Instrument, dll) baik dalam bentuk media cetak seperti buku ataupun elektronik (E-Book PDF). Datasheet sangat diperlukan apabila kita akan mendesain sebuah rangkaian elektronik. Integrated Circuit diproduksi dengan berbagai kemasan dengan jumlah pin (kaki) yang bervariasi sesuai dengan fungsinya. Beberapa contoh kemasan IC yaitu DIP, CERDIP, DIL (dual in line) yang umum digunakan adalah DIP/DIl. Kemasan IC terbuat dari bahan epoxy atau silikon dan dari bentuk ini muncul pin-pin atau kaki-kaki dengan jarak kaki yang satu dengan yang lainnya teatur rapi. Sebuah IC mempunyai urutan kaki nomor 1 sampai dengan sejumlah kaki yang ada. Urutan kaki IC tidak dicantumkan pada badan IC akan tetapi yang pasti bahwa kaki nomor 1 berdekatan dengan kaki nomor 2, kaki nomor 2 berdekatan dengan kaki nomor 3 dan seterusnya.

IC dibedakan jenisnya menurut bentuk fisik dan fungsinya.

 

IC Power Amplifier Mempunyai bentuk pipih dan fisiknya lebih besar dari yang lain. Digunakan pada rangkaian penguat suara (audio amplifier). Daya output IC ini cukup besar, berkisar antara 15 watt sampai 100 Watt atau bahkan lebih. Contoh tipe IC-nya adalah STK015, STK 070, STK 105, LA 4440 dan sebagainya.

IC Power Adaptor (Regulator)

Digunakan sebagai komponen utama pada rangkaian power adaptor pada sub rangkaian regulator yang berfungsi sebagai penstabil tegangan atau voltase. Contoh tipe IC-nya adalah LM 317H, 78xx (xx = 05, 06, 07, 08, 09, 12), L200, S 042 P, LM 723 dan sebagainya.

 

IC Op Amp Digunakan pada rangkaian digital yang berfungsi sebagai op amp atau untuk keperluan lain. Misalnya op amp audio amplifier, op amp mic, op amp head tape recorder, termometer digital dan lain-lain. Contoh tipe IC-nya adalah LM 709, LM 741, LM 386, TL 074, TL 083, TL 084 dan sebagainya.

 

IC Silinder IC ini mempunyai bentuk silinder dan banyak digunakan pada rangkaian penguat pesawat CB(Citizen Band) atau HT (Held Transceived). IC jenis ini mempunyai tingkat ketahanan dan keawetan lebih lama dari jenis IC penguat yang lain. Contoh tipe IC-nya adalah μL 914, μA703, μA714 dan sebagainya.

 

IC Flip-Flap (FF) atau Timer (CLK,Clock) IC ini banyak digunakan pada rangkaian pembangkit (multivibrator) untuk memberi umpan atau sumber detak (oscilator) pada IC digital atau untuk keperluan lain. Misalnya NE 555 (IC terpopuler dikalangan pelajar) untuk alarm multiguna, signal injektor, penguji hubungan, saklar sentuh, timer lampu FF, frekuensi meter, pengacau frekuensi, otak rangkaian power amplifier, regulator pada power adaptor (dapat berfungsi seperti IC Power Amplifier dan Power Adaptor), pengusir serangga, organ elektronik dan lain-lain. Contoh tipe IC-nya NE 555, NE 556 (dua NE 555), M7555 dan sebagainya.  .IC Digital

Dalam IC digital, suatu titik elektronis yang berupa seutas kabel atau kaki IC, akan mewujudkan salah satu dari dua keadaan logika, yaitu logika '0' (nol, rendah) atau logika '1' (satu, tinggi). Suatu titik elektronis mewakili satu 'binary digit' atau biasa disingkat dengan sebutan 'bit'. Binary berarti sistem bilangan 'dua-an', yakni bilangan yang hanya mengenal dua angka, 0 dan 1.

5. Microprosesor.

Microprocessor adalah alat pemroses data yang merupakan pengembangan dari teknologi pembuatan Integrated Circuit (IC), Ada beberapa peristilahan yang dipakai untuk menunjukan tingkat kepadatan (density) dari suatu chip IC, yaitu Small Scale Integration (SSI-mengemas beberapa puluh transistor), Medium Scale Integration (MSImengemas sampai beberapa ratus transistor), dan sekarang yang sedang berkembang adalah Very Large Scale Integration (VLSI-mengemas puluhan ribu sampai jutaan transistor). Ultra-Large Scale Integration (ULSI) meningkatkan jumlah tersebut menjadi jutaan. Kemampuan untuk memasang sedemikian banyak komponen dalam suatu keping yang berukurang setengah keping uang logam mendorong turunnya harga dan ukuran komputer. Hal tersebut juga meningkatkan daya kerja, efisiensi dan keterandalan komputer. Chip Intel 4004 yang dibuat pada tahun 1971 membawa kemajuan pada IC dengan meletakkan seluruh komponen dari sebuah komputer (central processing unit, memori, dan kendali input/output) dalam sebuah chip yang sangat kecil. Sebelumnya, IC

dibuat untuk mengerjakan suatu tugas tertentu yang spesifik. Sekarang, sebuah mikroprosesor dapat diproduksi dan kemudian diprogram untuk memenuhi seluruh kebutuhan yang diinginkan. Tidak lama kemudian, setiap perangkat rumah tangga seperti microwave oven, televisi, dn mobil dengan electronic fuel injection dilengkapi dengan mikroprosesor. Contoh tentang teknologi ULSI, misalnya microprocessor jenis 8086 mengandung 40.000 buah transistor, 80286 terdiri dari 150.000 transistor, 80386 memuat 250.000 transistor, 80486 mempunyai 1,2 juta transistor, 80586 (Pentium) 3 juta buah transistor lebih sedangkan Intel Core 2 Duo mempunyai 271 juta transistor dan Intel Quad Core 2 Extreme yang terdiri dari empat inti prosesor. Pengembangan lebih lanjut microprocessor 80 inti. Silahkan hitung sendiri kandungan transistornya dan itu akan berkembang secara terus menerus.

BAB III KESIMPULAN
Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti dioda, transistor dan sebuah IC (integrated circuit). Disebut semi atau setengah konduktor, karena bahan ini memang bukan konduktor murni. Bahan- bahan logam seperti tembaga, besi, timah disebut sebagai konduktor yang baik sebab logam memiliki susunan atom yang sedemikian rupa, sehingga elektronnya dapat bergerak bebas. Bahan Silikon dan Germanium termasuk yang sering digunakan sebagai bahan semikonduktor, dan masih banyak bahan lainnya seperti Timah, dan SiC. Unsur-unsur yang merupakan semikonduktor masuk di dalam golongan !V A kecuali Timbal. Ikatan antar atomnya termasuk ikatan kovalen. Unsur –unsur tesebut termasuk senyawa karbon. Silikon banyak terdapat di alam dalam bentuk pasir kuarsa, dan tanah liat. Germanium terdapat dalam lapisan kerak bumi dan sangat sedikit jumlahnya (0,001%). Germanium memiliki daya hantar yang lebih baik dari pada Silikon, sedangkan silikon memiliki daya tahan panas yang baik, dan banyak terdapat di alam. Oleh karena itu Silikon lebih banyak digunakan. Silikon dan Germanium yang terdapat di alam masih belum murni sehingga perlu dimurnikan dengan proses kimia, dan dimurnikan lagi. Pada semikonduktor intrinsik tidak terdapat elektron bebas sehingga bersifat isolator, hanya karena pengaruh suhu resistivitasnya menurun, sehingga konduktivitasnya semakin meningkat seiring perubahan suhu. Konduktivitas dari semikonduktor bergantung dari mobilitas muatan, jumlah pembawa muatan, temperatur. Semikonduktor intrinsik pada suhu nol absolut merupakan isolator. Tidak demikian pada semikonduktor ekstrinsik. Pada suhu rendah (<1/T) semikonduktor ekstrinsik ( semikonduktor tipe-n dan tipe-p) bersifat ekstrinsik, dan pada suhu

tinggi (>1/T) bersifat intrinsik. Maksudnya pada suhu tinggi konduktivitasnya lebih landai dari pada konduktivitas pada suhu rendah. Keadaan diantaranya /peralihan merupakan keadaan dimana semua elektron dari atom donor telah pindah ke pita konduksi (exhaustion range) pada semikonduktor tipe-n atau semua lubang telah terisi penuh (saturation range) pada semikonduktor tipe-p. Semikonduktor terbagi menjadi semikonduktor yang hanya tersusun dasi Si atau Ge murni yang disebut semikonduktor intrinsik, dan semikonduktor yang diberi pengotor disebut semikonduktor ekstrinsik. Pengotor tersebut disisipkan ke dalam unsur utama (intrinsik) dengan cara yang disebut doping. Bila diberi atom yang bervalensi tiga maka akan terbentuk semikondukto tipe-p, atom pengotornya disebut atom akseptor. Sedangkan bila atom pengotornya bervalensi lima maka akan terbentuk semikonduktor tipe-n, atom pengotornya disebut atom donor. Atom pengotor harus sama ukurannya dengan atom murni/ utama. Semikonduktor tipe-n dan tipe-p memiliki kesamaan dalam hal perubahan konduktivitasnya terhadap suhu. Untuk membedakannya dapat digunakan percobaan dikenal dengan Hall effect. Untuk semikonduktor tipe-n voltage Hall bernilai positif, sedangakan pada semikonduktor tipe-p voltage Hall bernilai negatif. Besarnya voltage Hall bergantung dari Hall coefficient, arus, kuat medan dan ketebalan bahan.Semikonduktor banyak digunakan pada alat-alat yang menggubah energi listrik menjadi listrik, mengubah arus AC menjadi DC, menggubah energi panas menjadi listrik (solar cell), dan pada alat-alat pengukuran. Pada arus tegangan tinggi bahan semikonduktor digunakan pada arester agar dapat mengalirka tegangan berlebih akibat petir (tegangan sorja) ke tanah. Ada juga semikonduktor yang peka terhadap perubahan suhu (thermistor), cahaya (photoelectric), tegangan (varistor), listrik (transisitor), dan impurities (rectifier). Pengujian pada bahan semikonduktor dapat dilakukan dengan pemberian tegangan yang besar, atau pemanasan, atau gabungan keduanya.

DAFTAR PUSTAKA
A.S. Gr ove, Physics and Technol ogy of Semi conductor Devices, ( Wil ey, Singapore 1967) Aksin, M. 2003. Merakit Sendiri Sirine Infra Merah Alarm Anti Maling. Semarang: Effhar, E-Dukasi.Net Hakim, Rusman. 1994. Menjelajah Sistem Komputer dengan Debug. Jakarta: PT Elex Media Komputindo, Hufron.2006. Elektronika untuk SLTP jilid 1, Surakarta: CV. Harapan Baru. K, Andi Pratomo. 2004. Rangkaian Elektronik Praktis -Kendaraan –Rumah. Jakarta: Puspa Swara. Peter Singer , Tr ends in Ion I mplanta- tion, Semicondutor Internat ional, 50, p .59, Augus- tus ( 1996) S.M. Sze, Semiconductor De vices, Physic s a nd Te chnology, ( Wiley, Singapore 1985) S.R. Rio dan M. Iida, Fisika dan Teknologi Sem ikonduktor, ( Pradnya Paramita, Jakarta 1980) Sudirman, Ivan, dan Wahono, Romi Satria, “Sejarah Komputer”, http: // www. ilmukomputer. Com Zuhal, dan Zhanggischan. 2004. Prinsip Dasar Elektronika. Jakarta: PT Gramedia Pustaka Utama.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful