Licence Professionnel Optronique Année 2004 - 2005

Rappels d'électronique
Note de cours
T.Dumartin
























1 RAPPELS D’ELECTRICITE 4
1.1 CIRCUIT ELECTRIQUE 4
1.2 COURANT ET TENSION 4
1.2.1 COURANT 4
1.2.2 TENSION 4
1.2.3 PUISSANCE 5
1.3 DIPOLE ELECTRIQUE 5
1.3.1 LE GENERATEUR DE TENSION 5
1.3.2 LE GENERATEUR DE COURANT 5
1.3.3 LA RESISTANCE 5
1.3.4 LA BOBINE 6
1.3.5 LE CONDENSATEUR 7
1.4 LOIS GENERALES 8
1.4.1 LOI DES NŒUDS 8
1.4.2 LOI DES MAILLES 8
1.4.3 THEOREME DE SUPERPOSITION 9
1.4.4 THEOREME DE THEVENIN 9
1.4.5 THEOREME DE NORTON 9
2 REGIME SINUSOÏDAL 10
2.1 CARACTERISATION DES SIGNAUX 10
2.1.1 SIGNAL PERIODIQUE 10
2.1.2 VALEUR MOYENNE ET VALEUR EFFICACE 10
2.1.3 SIGNAL SINUSOÏDAL 11
2.2 REPRESENTATION D’UN SIGNAL SINUSOÏDAL 11
2.3 IMPEDANCE COMPLEXE 11
2.3.1 IMPEDANCE DE LA RESISTANCE 12
2.3.2 IMPEDANCE DE L’INDUCTANCE 12
2.3.3 IMPEDANCE DU CONDENSATEUR 12
2.4 NOTION DE FONCTION DE TRANSFERT 12
2.5 REPRESENTATION DE BODE 13
3 LA DIODE 15
3.1 PRINCIPE 15
3.2 CARACTERISTIQUES 15
3.3 DIODES PARTICULIERES 16
3.3.1 DIODE SCHOTTKY 16
3.3.2 DIODE ZENER 17
4 LE TRANSISTOR BIPOLAIRE 18
4.1 PRINCIPE 18

4.2 REGIME DE FONCTIONNEMENT 18
4.3 CARACTERISTIQUES 19
4.4 MODELE AUX PETITS SIGNAUX 20
5 LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP 22
5.1 PRINCIPE 22
5.2 REGIME DE FONCTIONNEMENT 23
5.3 CARACTERISTIQUES 24
5.4 MODELE AUX PETITS SIGNAUX 26
6 L’AMPLIFICATEUR LINEAIRE INTEGRE 28
6.1 PRESENTATION 28
6.2 REGIME DE FONCTIONNEMENT 28
6.3 CARACTERISTIQUES 29


Annexe 1 : Diagramme asymptotique de Bode











1
q = n x e avec n : nombre d’électrons
e : charge élémentaire d’un électron 1,6.10
-6
C

2
Le Volt est défini de telle manière qu’une charge d’un Coulomb accélérée sous une tension de 1V acquiert une énergie de
1J (1V=1J/C)
Récepteur Générateur
conducteurs
1 Rappels d’électricité

1.1 Circuit électrique
Les circuits (ou réseaux) électriques sont
constitués par l’interconnexion de composants
électriques. Un circuit électrique est au moins
constitué d’un générateur et d’un récepteur reliés
entre eux par des conducteurs. Dans le cas le plus
simple, les composants utilisés ont seulement 2
bornes de connections : on les appelle des dipôles.

1.2 Courant et tension
1.2.1 Courant
Le courant circulant dans un circuit électrique est représentatif de la quantité d’électricité
circulant dans ce circuit. Il dépend donc du nombre de charges électriques se déplaçant. Cette
quantité est appelé intensité électrique et est définie comme le débit de charges électriques dans le
conducteur. On la note I et elle s’exprime en Ampère (A).

avec dq : la quantité d’électricité
1
(C)
dt : le temps (s)

On représente un courant électrique par une flèche sur un conducteur :




Remarque : on mesure l’intensité avec un ampèremètre branché en série

1.2.2 Tension
Au repos, les charges électriques d’un conducteur sont en mouvement continuel sous l’effet
de l’agitation thermique. Cependant, ce mouvement ne se traduit pas par un déplacement global
susceptible de générer un courant électrique. Pour mettre en mouvement ces charges dans une
direction donnée, il est nécessaire d’appliquer un champ électrique aux bornes du conducteur. En
appliquant une différence de potentiel sur un conducteur, on crée un champ électrique qui met les
électrons en mouvement. La valeur de la différence de potentiel est appelée la tension. On la note U
et elle s’exprime en Volt
2
(V).
On représente une différence de potentiel par une flèche à côté d’un composant :








Remarque : on mesure la tension avec un voltmètre branché en dérivation entre les bornes A et B.

dq
i=
dt
i
A B
u
AB

u
AB
= V
A
-V
B

potentiel du point B
en Volts
potentiel du point A
en Volts
En Volts ( V )
Chapitre
1


1.2.3 Puissance
La puissance est l’énergie absorbée ou fournie, par unité de temps, par un circuit électrique
ou une portion de circuit. Elle est donc représentative de la consommation d’un circuit. Elle s’exprime
en fonction de u et de i et son unité est le Watt (W) :




1.3 Dipôle électrique
On appelle dipôle électrique tout système composé seulement de deux bornes. Le
comportement d'un dipôle est caractérisé par la relation entre la tension à ses bornes et le courant le
traversant. Il existe deux possibilités pour le choix des sens conventionnels de la tension et du courant
électrique :







Convention récepteur : Le courant et la tension
sont fléchés en sens opposé. Le dipôle reçoit
de la puissance si p>0.
Convention générateur : Le courant et la
tension sont fléchés dans le même sens. Le
dipôle fournit de la puissance si p>0.


Les dipôles élémentaires les plus classiques sont :
1.3.1 Le générateur de tension
Le générateur de tension impose la valeur de la tension à ses bornes quel que soit
le courant qui le traverse.



1.3.2 Le générateur de courant
Le générateur de courant impose la valeur du courant qui le traverse quelle que soit
la tension à ses bornes.




1.3.3 La résistance
Une résistance est constituée de matériau ayant une forte résistivité. Elle
s’oppose au passage du courant dans un circuit électrique. On l’utilisera donc en
général pour limiter le courant dans un circuit. Le passage de ce courant provoque un
échauffement de la résistance.

Lois d’Ohm :

La relation liant la tension et le courant aux bornes d’une résistance s’appelle la loi d’Ohm :
u : tension aux bornes de la résistance en Volt.
u = R i i : courant traversant la résistance en Ampère.
R : valeur de la résistance en Ohm.

p=u×i
A B
U
AB

I
A B
U
AB

I
U
e
u
I
0
I
i
u


Puissance :

P = u.i =R.i² =
2
u
R
P : puissance dissipée s’exprimant en Watt.
u : tension aux bornes de la résistance en Volt
i : courant traversant la résistance en Ampère

Association :

En série : R
eq
= R1 + R2 + … + Rn

En parallèle :
eq
1 1 1 1
= + +... +
R R1 R2 Rn


Caractéristiques :

Une résistance est définie par sa valeur nominale en ohm, sa tolérance et la puissance maximale
qu’elle peut dissiper.

1.3.4 La bobine
On définit le coefficient d’induction magnétique de la bobine par le rapport entre
le flux d’induction magnétique à travers le circuit et le courant qui lui donne naissance ;
on le note L :
(t)
L =
i(t)
φ

Or la différence de potentiel u apparaissant grâce à l’effet auto-inductif aux bornes de la bobine est
égale à :
d
u(t) =
dt
φ

La relation entre le courant traversant une bobine et la tension à ses bornes est donc :




où L est appelée l’inductance de la bobine et s’exprime en Henri (H).

Energie :

Le phénomène physique correspond au stockage d’énergie sous forme magnétique. Ce stockage est
momentané et l’énergie est restituée au circuit en courant. Ainsi, la variation de courant aux bornes
d’une inductance ne pourra pas subir de discontinuité.



Association :

Idem résistance.

Caractéristiques :

Une bobine résulte du bobinage d’un fil électrique (dans l’air ou sur un
support magnétique) et elle est donc définie par la valeur de sa résistance
interne et son inductance. Ces principales caractéristiques sont son
coefficient de surtension Q qui définie la qualité de la bobine en fonction de la fréquence et son niveau
de saturation.
i
u
di
u(t) = L
dt
2
1
= L.i
2
w


1.3.5 Le condensateur
Un condensateur est constitué de deux plaques conductrices (étain, cuivre,
aluminium...) appelées armatures, placées en regard l’une de l’autre, et séparées par un
isolant d’épaisseur variable appelé diélectrique. Les diélectriques les plus utilisés sont
l’air, le mica, le papier, le mylar, le plastique, le verre, etc...
Il se caractérise par sa capacité C qui est la constante de proportionnalité entre la
charge (ou quantité d’électricité) qu’il acquiert et la tension u appliquée à ses bornes.

Capacité :

On définie la capacité C par le rapport de charges accumulées sur les armatures sur la différence de
potentiel entre les armatures :



La relation entre le courant traversant un condensateur et la tension à ses bornes est donc :




Energie :

Le phénomène physique correspond au stockage d’énergie sous forme électrostatique. Le stockage
est momentané et cette énergie est restituée au circuit sous forme de tension. Ainsi, la variation de
tension aux bornes d’un condensateur ne pourra pas subir de discontinuité.



Association :

En série :
eq
1 1 1 1
= + +... +
1 2 n C C C C


En parallèle : C
eq
= C1 + C2 + … + Cn

Caractéristiques :

Les principales caractéristiques d’un condensateur sont sa valeur nominale, sa tolérance et sa tension
nominale d’utilisation.
D’autre part, le modèle réel équivalent d’un condensateur peut se mettre sous la forme suivante :

R
P
: Résistance d’isolement. Elle va provoquer la
décharge du condensateur. R
P
>1MΩ.
R
S
: Résistance en série due aux contacts (quelques
dixièmes d’ohms). Lorsque le condensateur se charge et
se décharge avec un courant élevé, celui-ci dégage de la
chaleur.
C : Capacité du condensateur.
L
S
: bobine équivalente des liaisons – surtout génante en haute fréquence.

En fonction de la technologie de fabrication, ces différents paramètres vont plus ou moins intervenir.


i
u
q
C =
u
du
i = C
dt
2
1
= C. u
2
w


1.4 Lois générales
L’étude des circuits électriques linéaires est basée sur les lois de Kirchhoff (loi des mailles, loi
des nœuds). Leur application conduit à une mise en équation dont la résolution permet d’établir les
lois d’évolution des différentes grandeurs recherchées. Ces lois sont générales, si bien que leurs
résultats restent valables quel que soit la nature des signaux appliqués.


Vocabulaire :

Un nœud est un point du circuit relié à deux
dipôles ou plus (C et D).
Une branche de réseau est la partie de circuit
comprise entre deux nœuds. (CD et EF)
Une maille est un parcours fermé de
branches passant au plus une seule fois par
un nœud donné (ACEFDBA et ACDBA et
CEFDC).


1.4.1 Loi des nœuds
Il s'agit d'une conséquence de la conservation de la charge électrique. Elle peut s’exprimer sous deux
formes différentes :

La somme des intensités des courants arrivant à un nœud est égale à
la somme des intensités des courants sortant de ce nœud
Ou

la somme algébrique des courants arrivant à un nœud est
constamment nulle.

Ex : I
1
+ I
2
= I
3
+ I
4



1.4.2 Loi des mailles
La somme algébrique des tensions rencontrées en parcourant une maille dans un sens
prédéfini est nulle.

L’application de cette loi implique de respecter plusieurs règles :

1 – La tension aux bornes d’un élément est marquée
par une flèche conformément à la convention générateur ou
récepteur en usage.
2 – On choisit un sens de parcours de la maille.
3 – On décrit la maille dans le sens choisi
On affecte le signe + aux tensions
dont la flèche indique le même sens
On affecte le signe - aux tensions
dont la flèche indique le sens inverse
4 – La somme algébrique des tensions est nulle.

Ex : U
AD
– U
AB
– U
BC
+ U
DC
= 0


Générateur
D
1
D
2

A
B
C
D F
E
I
4
I
3
I
2
I
1
A

U
AD
A
B
C D
U
AB
U
BC
U
DC


1.4.3 Théorème de superposition
Si les circuits étudiés sont linéaires, ils en possèdent les propriétés. La principale est la
superposition qui peut se traduire de la manière suivante :

la réponse globale d’un montage soumis à plusieurs sources indépendantes est la
somme des réponses partielles correspondant à chaque source.

Ainsi, pour chacune des sources indépendantes, on étudie la réponse du circuit en
considérant les autres sources indépendantes "éteintes" (par contre, les sources commandées restent
toujours actives).

Remarques :
Une source de tension idéale "éteinte" est remplacée par un court-circuit (e = 0 ∀i).
Une source de courant idéale "éteinte" est remplacée par un circuit ouvert (i = 0 ∀u).

Ex :




I = I1 + I2





1.4.4 Théorème de Thèvenin
Tout réseau linéaire pris entre deux bornes peut se
mettre sous la forme d’un générateur de tension E
th
en
série avec une impédance Z
th
.

E
th
représente la tension à vide du réseau linéaire (lorsque
la portion de réseau débite dans un circuit ouvert )
Z
th
est l’impédance entre les deux bornes du réseau
lorsque toutes les sources indépendantes sont éteintes.


1.4.5 Théorème de Norton
Tout réseau linéaire pris entre deux bornes peut se
mettre sous la forme d’un générateur de courant I
N
en
parallèle avec une impédance Z
N
.

I
N
représente le courant de court-circuit du réseau linéaire
Z
N
est l’impédance entre les deux bornes du réseau lorsque
toutes les sources indépendantes sont éteintes.


Z
TH

E
TH
Z
N
I
N




2 Régime sinusoïdal

2.1 Caractérisation des signaux
Les signaux électriques dépendent du temps. La valeur du signal à l’instant t est appelée valeur
instantanée ; elle est notée en lettres minuscules. Si la valeur instantanée est constante, le signal est
dit continu ; il est noté en lettres majuscules.
2.1.1 Signal périodique
Un signal est dit périodique quand il représente une
allure qui se répète dans le temps. Dans ce cas là, on peut
trouver la plus petite valeur T appelée période telle que :

avec n entier naturel

La période s’exprime en seconde (s).

On définit aussi la fréquence f qui représente le nombre de
répétitions du signal par seconde :



La fréquence s’exprime en hertz (Hz)

2.1.2 Valeur moyenne et valeur efficace
On définit une valeur moyenne et une valeur efficace pour tout signal périodique.

Sur sa période T, la valeur moyenne d’un signal s(t) est défini par :





Remarque : on la note aussi parfois S
0
, S ou S
moy
. Elle représente l’aire du signal s(t).
Une valeur moyenne se mesure en mode DC

Sur sa période T, la valeur efficace d’un signal s(t) est défini par :





Remarque : dans une résistance, la valeur efficace d’un signal périodique représente la valeur
continue qui produirait une puissance dissipée équivalente à celle produite par la valeur périodique.
La valeur efficace est égale à la racine carré de la valeur moyenne du signal périodique au carré.
Une valeur efficace se mesure en mode AC et est toujours positive !!

Pour quantifier la valeur efficace par rapport à la valeur moyenne, on définit le facteur
de forme F :



Chapitre
2
s(t) = s(t+ n.T)
1
f =
T
T
t
u(t)
T
0
1
< s >= s(t) dt
T

T
2
eff
0
1
S = s (t) dt
T

eff
S
F =
< S >


2.1.3 Signal sinusoïdal
Une représentation classique d’un signal sinusoïdal se fait sous la forme suivante :




avec S : amplitude du signal
ω : pulsation du signal en rad.s
-1
(ω = 2π.f)
ω.t+φ : phase instantanée
φ : phase initiale (pour t=0 )




Un signal sinusoïdal est donc définit par sa valeur maximale, sa pulsation et sa phase à l’origine.

Remarque : la valeur efficace d’un signal sinusoïdal est égale à
S
2
d’où
eff
S = S 2

2.2 Représentation d’un signal sinusoïdal
Un signal s(t) = S.sin( . t+ ) ω ϕ peut se
représenter sous la forme d’un vecteur. Si tous les
signaux sont de même pulsation, on fige l’angle ωt à
0 (instant initial). Ainsi, la norme du vecteur
représentera l’amplitude du signal et son inclinaison
le déphasage à l’origine.
Cette description graphique est appelée
représentation de Fresnel. Elle bénéficie des
propriétés attachées aux vecteurs. Cependant elle
nécessite des constructions graphiques plutôt fastidieuses.
Le défaut des diagrammes de Fresnel est levé par une représentation utilisant les nombres
complexes. On identifie le plan précédent au plan complexe puis on exprime le nombre complexe S :



Ainsi :
le module deS représente l’amplitude de s(t)
la phase de S représente le déphasage de s(t)

Remarque : s(t) est la partie imaginaire du nombre complexe
j( t+ )
S = S.e
ω ϕ
.

2.3 Impédance Complexe
Pour un dipôle D , parcouru par le courant i(t) et aux bornes duquel on mesure la tension u(t),
l’impédance complexe est définie comme étant le rapport de la représentation complexe de u(t) par
celle de i(t) :



s(t) = S.sin( . t+ ) ω ϕ
t
u(t)
T =
1
f
S
y
x
S sin φ
S cos φ
S
φ
U
Z=
I
( ) ( ) | | cos sin ; S S t j t S t ω ϕ ω ϕ ω ϕ = + + + = +



2.3.1 Impédance de la résistance
Aux bornes d’une résistance, u = R i.
Donc


2.3.2 Impédance de l’inductance
Aux bornes d’une inductance,
di
u = L
dt
.
Si
j( t+ )
I = I.e
ω ϕ
, alors U = L. j .I ω
Donc


2.3.3 Impédance du condensateur
Aux bornes d’un condensateur,
du
i = C
dt
.
Si
j( t+ )
U = U.e
ω ϕ
, alors I = . j .U C ω
Donc




Remarques :

L’impédance dépend de la fréquence
Une impédance qui a une partie imaginaire négative est de type capacitif
Une impédance qui a une partie imaginaire positive est de type inductif.
La partie réelle d’une impédance est de type résistif et est toujours positive.
Le condensateur déphase le courant par rapport à la tension de – 90° => i(t) est en
avance sur u(t).
La bobine déphase le courant par rapport à la tension de + 90° => i(t) est en retard
sur u(t).

2.4 Notion de fonction de transfert
L’impédance de certains éléments de base de l’électrocinétique est variable avec la pulsation
de la source d’alimentation. Cette propriété est utilisée dans les fonctions électroniques où
interviennent des signaux à fréquence variable. Les circuits électroniques sont alors décrits par leur
fonction de transfert. Elle traduit le rapport entre la grandeur de sortie et celle d’entrée et son étude
permet de décrire les propriétés du circuit associé. En régime sinusoïdal, c’est une fonction complexe
de la variable fréquence. C’est donc la vision fréquentielle des signaux qui sera étudiée, se substituant
à la vision temporelle. Les amplitudes et phases relatives des signaux en fonction de la fréquence
constitueront le centre des études.
On représente un circuit électronique sous la forme d’une ‘’boîte noire’’ et on considère
l’entrée et la sortie sous leur représentation complexe.

( )
e e
v (t) = V cos t+
e
ω ϕ Ä
e
j( t+ )
e e
V = V e
ω ϕ

( )
s S
v (t) = V cos t+
s
ω ϕ Ä
s
j( t+ )
s s
V = V e
ω ϕ



d’où

R
Z R =
L
Z jLω =
C
1
Z =
jCω

Circuit
électronique
v
e
(t)
v
s
(t)
( )
( )
s e
s j -
s
e e
V
V
H jw = = e
V V
ϕ ϕ


On définit alors les deux fonctions de la pulsation ω :

le gain du circuit qui est le module de la fonction de transfert :

la phase du circuit qui est l’argument de la fonction de transfert :


2.5 Représentation de Bode
L’analyse purement algébrique de l’évolution du gain et de la phase de la fonction de transfert
d’un circuit devient souvent très vite complexe et fastidieuse. Aussi, on préfère utiliser une
représentation graphique : les diagrammes de Bode. On définit :

La courbe de gain :
( )
dB
G = 20 log H(jω) = 20 log H(ω) qui s’exprime en décibel (dB)

La courbe de phase : ( )
e s
= arg H j = - ϕ ω ϕ ϕ



Remarques :
L’axe des fréquences est en échelle logarithmique (graduée par décade), ce qui permet une
représentation sur une plus large plage de valeurs ( compression d’échelle).

Les diagrammes de Bode peuvent se représenter sous forme de courbe réelles ou de
diagrammes asymptotiques :

courbes réelles : c’est la représentation graphique des fonctions G
dB
et ϕ en fonction
de f ou de ω.
diagramme asymptotique : c’est la représentation graphique simplifiée des fonctions
à l’aide de leurs équivalents aux bornes du domaine de définition (ω → 0, ω → ∝ et ω
→ ω
c
).



Exemple : Etude d’un circuit RC

La fonction de transfert s’écrit :
s C
e R C
V Z
1
H(j ) = = =
V Z + Z 1+ jRC
ω
ω



si on pose ω
c
=1/RC, la fonction de transfert devient :
1
H(j ) =
1+ j
c
ω
ω
ω

D’où : ( )
1
H j =
1+ ²
c
ω
ω
ω
| |
|
\ .

= - Arctan
c
ω
ϕ
ω
| |
|
\ .


( ) H( ) = H j ω ω
( )
e s
= arg H j = - ϕ ω ϕ ϕ

v
e
(t) V
s
(t)
R
C


Etude du module :
( )
2
dB
c
G = 20log H j = -10log 1+
ω
ω
ω

| |

|

\ .



aux basses fréquences, ω → 0 donc G
dB
→ 0
-

aux hautes fréquences, ω → + ∞ donc G
dB
→ 20 log ω
c
–20 log ω
pour ω=ω
c
, G
dB
= -10 log 2 = -3dB

calcul de la pente aux hautes fréquences :
- sur [ω
c
, 2 ω
c
], G
dB
= [20 log ω
c
–20 log ω
c
] – [20 log ω
c
–20 log 2.ω
c
] = -20 log 2 = -6dB
- sur [ω
c
, 10 ω
c
], G
dB
= [20 log ω
c
–20 log ω
c
] – [20 log ω
c
–20 log 10.ω
c
] = -20 log 10 = -20dB


La représentation asymptotique de Bode est donc composée de 2 asymptotes :

D 1 asymptote parallèle à l’axe des fréquences pour ω<ω
c
(G
dB
= 0dB)
D 1 asymptote oblique de pente –6dB/octave ou –20dB/décade pour ω>ω
c
D le point d’intersection entre les 2 asymptotes est le point où ω=ω
c
, c’est la
pulsation de coupure


Etude de l’argument :
= - Arctan
c
ω
ϕ
ω
| |
|
\ .


aux basses fréquences, ω → 0 donc ϕ → 0°
-

aux hautes fréquences, ω → +∞ donc ϕ → -90°
-

pour ω=ω
c
, G
dB
= - Arctan 1 = - 45°


La représentation asymptotique de Bode est donc composée de 2 asymptotes :

D 1 asymptote parallèle à l’axe des fréquences pour ω<ω
c
(ϕ = 0°)
D 1 asymptote parallèle à l’axe des fréquences pour ω>ω
c
(ϕ = -90°)
D le point d’intersection entre les 2 asymptotes est le point où ω=ω
c
(ϕ = -45°)


Courbes de Bode :












Remarques :
La pente à ±20dB/décade (ou ±6dB/décade) est typique d’un système du 1
ier
ordre en ω.
Le déphase de ±90° est typique d’un système du 1
ier
ordre en ω.
Un système d’ordre n apportera des pentes et des déphasages n fois plus grand.


ω
G
dB

ω
c
10 100 1000
10 ω
c
-20 dB
-3 dB
Diagramme asymptotique
Courbe réelle
-20dB/dec
ω
ϕ
ω
c
10 100 1000
-90°
-45°
Diagramme asymptotique
Courbe réelle


3 La diode







3.1 Principe
La diode est un composant semi-conducteur,
c’est à dire qu’elle ne conduira le courant que sous
certaines conditions. Elle est composée de deux
jonctions de dopage opposé :
- une jonction dopé N où les électrons
sont majoritaires : c’est la cathode.
- une jonction dopé P où les trous sont
majoritaires : c’est l’anode.
Pour que les électrons de la zone N se déplacent vers
la zone P et rendent ainsi la diode conductrice, il faut
leur donner une énergie minimum en appliquant une différence de potentiel positive suffisante entre
les bornes A et K.

Remarque :
Une jonction PN ne peut être conductrice que dans un seul sens. Une différence de potentiel positive
appliquée entre K et A ne fera déplacer que très peu d’électrons et le courant créé sera considéré
comme négligeable (quelques nano-ampères).

3.2 Caractéristiques
La diode possède donc 2 régimes de fonctionnement :
- si elle laisse passer le courant, on dit qu’elle est passante
- si elle ne laisse pas passer le courant, on dit qu’elle est bloquée.
Ces régimes vont dépendre de la tension V
AK
aux bornes de la diode et du courant I
D
la traversant. La
différence de potentiel suffisante pour rendre la diode passante est appelée tension de seuil (V
f
ou
V
S
).

Fonctionnement

Si V
AK
<V
f
alors la diode est bloquée
Si V
AK
> V
f
et I
D
> 0 alors la diode est passante.

Charactéristique I
D
=f(V
D
)












Remarque : la tension de seuil dépend du matériau semi-conducteur utilisé (typiquement, V
F
vaut
0,7V pour des diodes en silicium).
Chapitre
3
A K
I
D

V
AK
=V
D

P N
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
A K
V
D

I
D

V
D

V
F

I
FM
V
BR



Modèle

Réel Classique Idéal




Caractéristiques techniques

V
F
: Tension de seuil.
I
F
: Courant direct maximum supporté par la diode en continu.
I
FM
: Valeur crête limite du courant direct.
V
R
: Tension continue inverse maximum supporté par la diode.
V
RM
: Tension crête inverse maximum supporté par la diode.
V
BR
: Tension de claquage inverse.
R
D
: Résistance interne de la diode.
t
rr
: Temps de recouvrement inverse. (une diode ne peut pas passer instantanément de l’état
passant à l’état bloqué)
t
dt
: Temps de recouvrement direct. (une diode ne peut pas passer instantanément de l’état bloqué
à l’état passant)

Applications

- conversion d’énergie (redresseur, hacheur, onduleur, etc…)
- démodulation
- commutation
- optoélectronique

3.3 Diodes particulières
3.3.1 Diode Schottky
La diode Schottky présente deux avantages par rapport aux diodes
classiques :
- elle a une tension de seuil plus faible (V
F
# 0,3V).
- son temps de recouvrement inverse est très très faible.


Applications

Elle est utilisée dans des applications où le temps de commutation de la diode est critique (utilisation
haute fréquence).

Critères de choix

- fréquence limite d’utilisation
I
D

V
D
V
F

Diode bloquée Diode passante
A K A K
R
D
V
F

V
D
V
D

Diode bloquée
I
D
V
D
V
F
Diode passante
A K A K
V
F
V
D
V
D
I
D

V
D
Diode bloquée Diode passante
A K A K
V
D
V
D
A K
I
D

V
D



3.3.2 Diode Zéner
Dans le sens direct, cette diode présente les mêmes caractéristiques
qu’une diode classique. Elle n’a d’intérêt qu’en inverse où elle ne présente
pas de zone de claquage. Au contraire, le courant reste nul seulement
jusqu’à ce que la tension atteigne la tension zéner de la diode ( Vz ). A ce
moment là, la tension de la diode Vd = Vz quelque soit le courant dans la
diode.


Caractéristique et modèle


























Applications

Les diodes Zéner sont appréciées pour leur tension zéner très stable. Ainsi, on les retrouve souvent
associées aux fonctions :
- référence de tension
- écrêtage de tension
- alimentation continue de faible puissance

Critères de choix

- la tension à stabiliser ( Vz )
- le courant maximal devant traverser la diode ( Iz )
- la puissance dissipée par la diode ( Pz )








A K
I
Z

V
Z

I
D
V
D

V
F
V
Z

Modèle équivalent en inverse Modèle équivalent en direct Modèle équivalent bloqué
I
FM

I
ZM

K A A
A
K
K
V
Z
R
Z

V
F

R
D



4 Le transistor bipolaire










4.1 Principe
Le transistor est constitué par la succession de
trois couches de semi-conducteur de type N-P-N (ou P-
N-P). Des connexions métalliques sont respectivement
fixées sur la partie centrale appelée Base et sur les
deux extrémités appelées Collecteur et Emetteur.
La couche centrale est très mince par rapport aux
autres. Sa largeur doit être très inférieure à la longueur
de diffusion des porteurs injectés dans cette zone.
En fonctionnement normal la jonction base-
émetteur est polarisée dans le sens passant (V
BE
#
0,7V) et la jonction base collecteur dans le sens
bloquant (V
C
>V
B
). Pour un dopage d'émetteur très supérieur à celui de la base, le courant Emetteur-
Base est essentiellement constitué par les porteurs négatifs passant de E vers B. La largeur de la
base étant inférieure à la longueur de diffusion de ces électrons dans le matériau de base, la plus
grande partie d'entre eux parvient dans la région de charge d'espace de la jonction BC , polarisée en
inverse, où ils sont capturés et atteignent le collecteur.

C'est l'effet transistor qui se traduit par la relation simple I
C
=α I
E


α < 1 est le gain en courant en base commune.
En introduisant I
E
=I
C
+I
B
on obtient la formule fondamentale du transistor :
I
C
= β I
B
avec =
1-
α
β
α

β est le gain en courant du transistor.


4.2 Régime de fonctionnement
En fonction du courant I
B
injecté sur sa base, le régime de fonctionnement du transistor sera
différent. Pour étudier le régime de fonctionnement d’un transistor, il faut dissocier chaque jonction.
Cela conduit à l’étude de deux circuits :

- le montage sur la jonction BE : le circuit de commande
- le montage sur la jonction CE : le circuit commandé

Le circuit de commande définit si le transistor est passant ou bloqué suivant la polarisation de
la jonction BE (direct ou inverse). De plus, le circuit commandé va limiter la valeur des courants I
C
et
I
E
. Ils ne pourront donc pas dépasser une certaine valeur malgré l’effet transistor. Ainsi, si I
B
devient
trop important, I
C
ne pourra pas dépasser la valeur maximum fixée par le montage commandé et la
jonction BC deviendra passante : le transistor sera saturé et il n’existera plus une relation linéaire
entre I
B
et I
C
. Puisque les deux jonctions BC et BE sont passantes, la différence de potentiel entre les
jonctions C et E sera très faible.
Chapitre
4
B
C
I
B

E
I
C

I
E

V
CE
V
BE

B
C
I
B

E
I
C
I
E
V
CE
V
BE
P N
E C

N
B


On voit donc apparaître trois régimes de fonctionnement :

transistor bloqué : I
B
=0 Ä I
C
=0

transistor passant : I
B
> 0 et I
C
= β I
B
Ä ≠
CE
V 0

transistor saturé : I
B
> 0 et I
C
= I
Csat
Ä V
CE
= V
Cesat
# 0.2V

Remarque : le transistor bipolaire se comporte donc comme une source de courant commandé par un
courant.

4.3 Caractéristiques

Caractéristique I
B
=f(V
BE
)



On retrouve la caractéristique d’une diode puisque la
jonction BE est une jonction PN.









Caractéristique I
C
=f(I
B
)



On retrouve :
- I
C
= 0 en fonctionnement bloqué
- I
C
= β I
B
en fonctionnement linéaire
- I
C
= I
Csat
en fonctionnement saturé







Caractéristique I
C
=f(V
CE
)

Chaque courbe correspond à une valeur
différente de I
B
.
La droite de charge est obtenue en écrivant
la loi des mailles côté jonction CE. C’est la droite
d’équation I
C
=f(V
CE
).
Ainsi, en connaissant la valeur de I
B
, on
peut trouver le point de fonctionnement à
l’intersection de la courbe correspondante et de la
droite de charge.
Si I
B
=I
B2
alors le transistor est saturé et le
point de fonctionnement se trouve en P1. Si I
B
=I
B1
,
le transistor fonctionne en régime linéaire et le point de fonctionnement se trouve en P2. Enfin, si I
B
=0,
le transistor est bloqué et le point de fonctionnement se trouve en P3.
I
B

V
BE

V
seuil
Fonctionnement
bloqué
Fonctionnement
passant
I
C

I
B

Fonctionnement
bloqué
Fonctionnement
linéaire
I
Csat

Fonctionnement
saturé
I
C

V
CE

V
CEsat

I
B0

I
B1
> I
B0
I
B2
> I
B1

I
B3
> I
B2

Droite de
charge
P1
P2
P3


Modèle


Caractéristiques techniques

V
CEsat
: Tension entre collecteur et émetteur lorsque le transistor est saturé.
V
CEmax
: Tension maximale admissible entre collecteur et émetteur
V
BE
: Tension entre base et émetteur lorsque le transistor est passant.
I
Cmax
: Courant maximum pouvant circuler entre collecteur émetteur.
I
Bmax
: Courant maximum pouvant circuler dans la base ( à ne pas dépasser surtout lorsqu’on
souhaite saturer le transistor ).
β : gain en courant du transistor ( aussi appelé H
FE
).
t
on
/t
off
: Temps de commutation ( passage bloqué-saturé et saturé-bloqué )
P
D
: Puissance maximale dissipée par le transistor (permet de dimensionner le dissipateur
thermique si besoin est ).

4.4 Modèle aux petits signaux

La modélisation précédente repose sur le principe que la tension base émetteur reste
constante. Elle est donc inadapté aux calculs dans le cas où les signaux appliqués au transistor sont
variables et de faible amplitude autour du point de repos (ex: amplificateur). Pour un fonctionnement
en régime variable, il faut donc utiliser le modèle aux petits signaux qui prend en compte la
caractéristique exacte de la jonction :
BE
T
V
U
C S
I = I . e
Le transistor est alors considérée comme un quadripôle linéaire que l'on définie par sa matrice H.
11 12
21 22
BE B
C CE
v i h h
h h i v
| | | | | |
= ⋅
| | |
\ . \ . \ .
avec h11 = r
BE
=
T
B
U
I
=
m
β
g

h12 =
BE
CB
r
r
→ 0 car r
CB
→ ∞
h21 = β
h22 =
CE
1
r
→ 0

On obtient donc le modèle aux petits signaux suivant :










Régime du transistor Valeur particulière Modèle équivalent
Bloqué I
B
= 0 – I
C
= 0

Linéaire I
B
> 0 – I
C
= β I
B
– ≠
CE
V 0

Saturé I
B
> 0 – I
C
= I
Csat
– V
CE
= V
Cesat

C E
C E
C E
B
E
C
r
BE

r
CB

r
CE

β.i
B



Remarque :
La résistance entre base et collecteur est très souvent négligé ainsi que celle entre collecteur et
émetteur. De plus, on accepte pour la source de courant commandé un modèle commandé en tension
ou en courant. Les modèles couramment utilisés sont donc les suivants :














Modèle de Giacoletto
En haute fréquence, il faut tenir compte des temps de stockage des charges. Pour les simuler, on
introduit les capacités internes C
B'E
et C
B'C
. En fait, lorsque la fréquence augmente, on fait la
distinction pour la jonction BE entre le comportement de la jonction à proprement dite et celui des
semi-conducteurs qui conduisent le courant jusqu'à la jonction. Pour cela, on introduit un point B' entre
base et émetteur qui n'existe pas physiquement. On voit alors apparaître :
- une résistance r
BB'
qui est la résistance du semi-conducteur
- une résistance r
B'E
qui correspond à la résistance de la jonction BE (r
BE
)
- une capacité C
B'E
qui correspond à la capacité de la jonction BE
- une capacité C
B'C
qui correspond à la capacité de la jonction BC












Remarque :
La présence des capacités fait apparaître des fréquences de coupures qui correspondent aux limites
d'utilisation en fréquence du transistor considéré.



B
E
C
r
BE
r
CE

β.i
B
B
E
C
r
BE
r
CE

g
m
.v
BE

Source de courant commandé en courant Source de courant commandé en tension
B
C
E
B'
r
BB'

r
B'E
r
CE
C
B'E
C
B'C
β.i
B



5 Le Transistor à effet de champ












Les transistors à effet de champ ont un principe de fonctionnement totalement différent des
transistors bipolaires. Il possède trois électrodes qui se nomment la grille (G), le drain (D) et la
source (S). Il existe plusieurs sortes de transistors à effet de champ :
- canal N ou P
- à grille isolée ou non (JFET ou MOSFET)
- à enrichissement ou à appauvrissement
5.1 Principe

JFET

Le transistor JFET est un transistor à effet de champ dont la
grille n'est pas isolée. Le JFET canal N est constitué d'une
mince plaquette de silicium dopé N qui va former le canal
conducteur principal. Cette plaquette est recouverte
partiellement d'une couche de silicium dopé P de manière à
former une jonction PN latérale par rapport au canal. Pour faire
circuler le courant dans le canal, deux électrodes sont présentes à ses extrémités : le drain et la
source. L'électrode connectée à la couche de silicium P s'appelle la grille. Elle est toujours polarisée
négativement par rapport à la source de façon à ce que la jonction soit bloquée.
La jonction étant polarisée en inverse, une zone de charge d'espace isolante (vide de
porteurs) d'épaisseur W se forme dans la couche N. Ainsi pour passer de S à D un courant ne peut
circuler que dans un canal d'épaisseur a-W. La résistance du canal N entre S et D va donc varier en
fonction de W ( W varie proportionnellement à la racine carrée de la tension de polarisation de la
jonction).
Le dipôle SD se comporte donc comme une résistance variable en fonction de la tension
grille-source. Plus la résistance sera faible et plus le courant circulant entre S et D pourra être
important.

Remarque :
Pour une valeur V
T
de V
GS
, W devient égal à a, le canal a donc une épaisseur nulle ce qui revient
à obtenir une résistance infinie, le courant ne peut donc plus circuler entre D et S. V
T
est la tension
de pincement du JFET.
En fait, pour faire circuler un courant entre D et S, il faut appliquer une différence de potentiel
entre ces deux points. Cette tension va modifier le profil de la zone isolante qui sera plus large du côté
du potentiel le plus élevé (D). Ainsi, si on augmente la tension V
DS
, à V
GS
donnée, l'épaisseur isolante
w
2
va augmenter. Ainsi, lorsque
GS
V +V
DS
= V
T
, le courant tendra vers une valeur constante. En effet,
une augmentation de V
DS
devrait entraîner un accroissement du courant dans le canal (loi d'ohm)
mais cette augmentation va accroître la tension V
DG
, ce qui aura pour effet d'agrandir la zone de
déplétion du côté de D et d'entraîner une augmentation de la résistance entre D et S. On retrouve le
phénomène de pincement.
Chapitre
5
G
D
S
D
S
G
D
S
G
JFET canal N MOSFET canal N à
enrichissement
MOSFET canal N à
appauvrissement

N
G
S D
a
W
P
w
2



MOSFET canal N à enrichissement

Le transistor MOSFET est un transistor à effet de champ
dont la grille est isolée par l'intermédiaire d'une très fine couche
d'oxyde de silicium (MOS = Metal Oxyde Semiconductor). Il est
constitué d'un support (substrat) faiblement dopé P où l'on insère
deux zones N fortement dopées. Ces deux zones seront la
source et le drain du MOSFET.
Si V
GS
=0, aucun courant de drain ne passera, car le circuit
source-drain est composé de deux jonctions en série, l'une PN et
l'autre NP : il y en aura toujours une en inverse.
Lorsqu'on applique une tension V
GS
positive, l'électrode de grille, l'isolant et le substrat P forment
un condensateur. Les électrons sont alors attirés vers la grille. Pour une tension V
GS
suffisamment
élevée (tension de seuil V
T
), la concentration en électrons dans le substrat est supérieure à la
concentration en trous au voisinage de la grille ; on a alors une couche N dite couche d'inversion entre
les zones N de la source et du drain. Les deux jonctions disparaissent, on n'a plus qu'un canal N, et le
courant peut passer entre drain et source si on applique une différence de potentiel entre D et S.
Ce mode de fonctionnement est appelé à enrichissement, car une tension V
GS
positive enrichit
le canal en porteurs minoritaires, permettant le passage du courant.

MOSFET canal N à appauvrissement
Le MOSFET à appauvrissement a la même structure que le MOS à enrichissement sauf qu'il
existe toujours un canal faiblement dopé N entre la source et le drain.
Pour V
GS
nulle, ce transistor fonctionne comme un JFET. Un courant pourra donc circuler entre D
et S.
Si V
GS
est inférieure ou égale à 0, le condensateur formé par la grille, l'isolant et le canal attire des
trous dans le canal initial qui neutralisent les électrons de cette zone N. On obtient le phénomène de
pincement. Ce mode de fonctionnement est appelé à appauvrissement.
Au contraire, pour V
GS
supérieure à 0, on retrouve le fonctionnement du MOS à enrichissement, et
le courant entre D et S va croître.

Remarque :
Lorsque V
DS
augmente, un phénomène de pincement se produit qui obstrue le canal : le courant de
drain devient constant, de la même manière que pour le JFET.

5.2 Régime de fonctionnement
La commande de ces transistors s'effectue donc par la tension de grille. Par opposition au
transistor bipolaire, le transistor à effet de champ se comporte donc comme une source de courant
commandée par une tension. L'avantage est donc que le circuit de commande ne consommera pas
de courant (R
E
très importante).
De même que pour le transistor bipolaire, on retrouve le circuit de commande (jonction GS) et
le circuit commandé (jonction DS). Les régimes de fonctionnement vont donc dépendre des
caractéristiques de ces deux circuits.
Le circuit commandé présente deux zones de fonctionnement :

- une zone où la jonction DS se comporte comme une résistance variable
- une zone de pincement où la valeur de I
D
ne dépend que de V
GS
. La jonction entre
D et S se comporte comme une source de courant commandée en tension. Dans
ce cas là, I
D
= g
m
.V
GS
et g
m
représente la transconductance du transistor

Ainsi, suivant la valeur de la tension de commande V
GS
et des caractéristiques du circuit commandé,
le transistor pourra fonctionner dans les régimes suivants :







P
N N
S D G
SiO
2

- - - - - -
+ + + +
résistance variable
transistor passant
transistor bloqué
transistor saturé


5.3 Caractéristiques

JFET canal N

Lorsque
DS T GS
V < V - V , la jonction DS se comporte comme une résistance R
DS
et le
transistor fonctionne dans sa zone ohmique.







Lorsque
DS T GS
V V - V > , la jonction DS se comporte comme une source de courant
commandée par la tension V
GS
et le transistor fonctionne dans sa zone de pincement.






L'équation de la droite de charge est trouvée par la loi des mailles sur le circuit commandé
(jonction DS). C'est la droite d'équation I
D
= f(V
DS
). Ainsi, en connaissant la valeur de V
GS
, on peut
trouver le point de fonctionnement à l’intersection de la courbe correspondante et de la droite de
charge.
Pour bloquer le transistor, il faut qu'aucun courant ne circule dans la jonction DS. Il faut donc
que V
GS
= V
T
(point B).
Pour saturer le transistor, il faut que le courant I
D
ne puisse plus augmenter même si V
DS
l'y
incite. En pratique, on fixe V
GS
=0 et ainsi I
D
ne peut dépasser I
DSS
(point S).


Remarque :
Pour les transistors JFET canal P, la polarisation change de signe (I
D
et V
DS
< 0) et la tension
de commande V
GS
est positive.

I
D

V
GS

V
T

I
DSS

I
D
V
DS

V
T
V
GS
= V
T
V
GS
= V
GS1
> V
T

V
GS2
> V
GS1

V
GS
= 0
Droite de
charge
S
B
Zone
ohmique
Zone de
pincement
T
DS
GS
DSS
T
V
R
V
-2. I 1-
V
| |
|
\ .

2
GS
D DSS
T
V
I = I 1-
V
| |
|
\ .


MOSFET canal N à enrichissement



La caractéristique de sortie est similaire à celle d'un JFET. On retrouve les zones de pincement et
ohmique qui permettent les même applications qu'un JFET. La tension V
T
est la tension de seuil.
Dans la zone de pincement :



L'équation de la droite de charge est trouvée par la loi des mailles sur le circuit commandé
(jonction DS). C'est la droite d'équation I
D
= f(V
DS
). Ainsi, en connaissant la valeur de V
GS
, on peut
trouver le point de fonctionnement à l’intersection de la courbe correspondante et de la droite de
charge.
Pour bloquer le transistor, il faut qu'aucun courant ne circule dans la jonction DS. Il faut donc
que V
GS
< V
T
.
Pour saturer le transistor, il faut que le courant I
D
ne puisse plus augmenter même si V
DS
l'y
incite. Le régime de saturation est atteint pour ≥
D
GS T
m
I
V V +
g
.



MOSFET canal N à appauvrissement





I
D

V
GS

V
T

I
D
V
DS

V
GS
= 0
V
GS
= V
GS1
> V
T

V
GS2
> V
GS1

V
GS3
> V
GS2

Droite de
charge
Zone
ohmique
Zone de
pincement
( )
2
D GS T
I = k V - V
I
D

V
GS

V
T


V
DS

V
GS
= V
T

V
GS1
= 0
V
GS2
> 0
V
GS3
> V
GS2

Droite de
charge
Zone
ohmique
Zone de
pincement
I
DSS



On retrouve les même formes de caractéristiques. A noter que pour V
GS
= 0, le transistor conduira
un courant de valeur I
DSS
.
Dans la zone de pincement :




Les conditions de saturation et de blocage sont semblables à celle du MOS à enrichissement.

Remarque :
Pour les transistors JFET canal P, la polarisation change de signe (I
D
et V
DS
< 0) et la tension
de commande V
GS
doit être inférieure à V
T
.


Modèle






I
D
=g
m
.V
GS








Caractéristiques techniques

V
T
: Tension de pincement du transistor (parfois notée V
GSth
).
R
DSon
: Résistance minimale entre Drain et Source lorsque le transistor est saturé
I
DSS
: Courant entre Drain et Source lorsque V
GS
=0.
V
DSon
: Tension entre Drain et Source lorsque le transistor est saturé.
g
m
: Transconductance du transistor en siemens (S).
β : gain en courant du transistor ( aussi appelé H
FE
).
t
on
/t
off
: Temps de commutation ( passage bloqué-saturé et saturé-bloqué )
P
D
: Puissance maximale dissipée par le transistor (permet de dimensionner le dissipateur
thermique si besoin est ).
V
GSBR
: Tension maximale entre Grille et Source.
C
ISS
: Capacité d'entrée en source commune (C
ISS
= C
GD
+ C
GS
)

5.4 Modèle aux petits signaux
Lorsque le transistor est utilisé en amplificateur, il est
polarisé dans sa zone de pincement. Il faut donc établir, comme
dans le cas du transistor bipolaire, un modèle adapté aux calculs
dans le cas où les signaux appliqués au transistor sont variables et
de faible amplitude autour du point de repos.
Comme le courant de grille est toujours extrèmement faible,
la résistance équivalente entre grille et source est considérée
comme infinie. Dans la zone de pincement, le courant entre D et S
dépend uniquement de la valeur de V
GS
. Et suivant les valeurs de
V
DS
et V
GS
, le canal entre D et S présentera une résistivité plus ou moins importante. On obtient donc
le modèle équivalent très simple ci-dessous.

Remarque :
Dans la plupart des cas, on considérera r
DS
très importante et on la négligera.
Régime du transistor Modèle équivalent
Bloqué

Pincement

Saturé

Résistif

2
GS
D DSS
T
V
I = I 1-
V
| |
|
\ .
G
S
D
r
DS

g
m
.V
GS

D S
D S
D S
D S


Modèle hautes fréquences

Aux fréquences plus élevées, il faut tenir compte de la capacité répartie entre le canal et la grille.
Pour simplifier on peut modéliser cette capacité répartie en une capacité grille source et une capacité
grille drain. A cause de l'épaisseur W plus grande coté drain, C
GS
est toujours supérieur à C
GD
.














G
S
D
C
GS

r
DS

C
GD
g
m
.V
GS


6 L’amplificateur linéaire intégré









6.1 Présentation
L'amplificateur linéaire intégré (ou amplificateur opérationnel) est un composant constitué
principalement de transistors (bipolaires ou à effet de champ). Il comprend deux entrées, une
inverseuse (–) et une non inverseuse (+) et une sortie (S). Son étage d'entrée est réalisé à partir d'un
amplificateur différentiel. La tension de sortie varie donc de la manière suivante en fonction de la
tension d'entrée :

Avec A
d
: gain différentiel
A
c
: gain de mode commun


La plupart des ALI sont dimensionnés de telle sorte que le gain de mode commun soit
négligeable par rapport au mode différentiel (voir Taux de Réjection de Mode Commun). Ainsi, la
variation de la tension de sortie est essentiellement définie par :



La valeur maximale de la tension de sortie est limitée par la tension d'alimentation qui
s'applique par l'intermédiaire de deux entrées d'alimentations (V
dd
et V
ss
).

Remarque :
En fait la tension de sortie ne pourra jamais dépasser la valeur de la tension de saturation de l'ALI
(V
sat
=V
alim
– V
déchet
).

6.2 Régime de fonctionnement
L'amplificateur linéaire intégré possède deux régimes de fonctionnement :
- un régime linéaire où V
S
dépend des éléments extérieurs de l'ALI
- un régime non linéaire où V
S
= ± V
sat


Régime linéaire
Ce type de fonctionnement est obtenu en effectuant une contre-réaction de la sortie sur l'entrée
inverseuse. La contre-réaction impose V
+
=V
-
. la tension de sortie ne peut dépasser ± V
sat
.


Régime non linéaire
Dans tous les autres cas, l'ALI fonctionne en régime non linéaire comme un comparateur. C'est à
dire que :
- V
S
= +V
sat
si V
+
>V
-

- V
S
= -V
sat
si V
+
<V
-




Chapitre
6
+
_
S

V
+

V
-

V
S

( )
+ -
S d
V = A V - V
( )
+ -
+ -
S d c
V + V
V = A V - V A
2
| |
+
|
\ .


6.3 Caractéristiques
Modèle

L'ALI peut se représenter par le modèle électrique très simple ci-dessus.



R
E
: résistance d'entrée de l'ALI. Elle est très importante (qq MΩ)
R
S
: résistance de sortie de l'ALI. Elle est très faible (qq Ω)
A
d
: gain différentiel de l'ALI. Il est très important (qq 100 000)
I
+
,I
-
: courant d'entrée de l'ALI. Ils sont très faible et correspondent aux courants de base ou de
drain de l'étage différentiel d'entrée. (qq pA pour FET, qq nA pour bipolaire).
ε : tension différentiel d'entrée (V
+
- V
-
)

Suivant le degré d'approximation nécessaire, on tiendra compte de toutes les imperfections et
on travaillera sur le modèle réel sinon on raisonnera sur le modèle idéal simplifié.

Modèle idéal

DL'amplification est considérée infinie : A
d
→ ∞
DLa résistance d'entrée est considérée infinie : R
E
→ ∞
DDu coup, les courants d'entrée sont nuls : I
+
= I
-
= 0
DLa résistance de sortie est nulle : R
S
= 0
DLa bande passante de l'ALI est infinie : ∆f → ∞
DLa tension de décalage (offset) est nulle pour V
+
= V
-

DLes tensions de déchets sont nuls : V
sat
= V
alim


Modèle réel

DL'amplification et la bande passante sont considérées finies et leur produit est constant :
A
d
x ∆f = cste

DLa résistance d'entrée est finie : R
E
≈ 1 à 2 MΩ
DLes courants d'entrée ne sont plus nuls et sont définis par la valeur du courant de polarisation :




DLa résistance de sortie est finie : R
S
< 250 Ω
DLorsque V
+
= V
-
= 0, la tension de sortie est égale à la tension de décalage : V
S
= V
offset

DLes tensions de déchets sont prises en comptes : V
sat
= V
alim
- V
déchet
(V
déchet
= qq V)

Remarque :
La plupart des ALI présentent maintenant des entrées de compensation de la tension d'offset afin
d'éliminer les erreurs dans des applications demandant une grande précision. Certains possèdent
même un circuit interne d'auto-compensation.


R
E

R
S
V
+

V
-

I
+

V
S
I
-

Ad.ε
ε
+ -
Bias
I + I
I =
2


Fonction de transfert






























Caractéristiques techniques

Tension de décalage d'entrée : c'est la tension d'offset due à l'étage différentiel d'entrée. Elle décale
la valeur de la tension de sortie. Elle est compensable sur la plupart des ALI.
Courant de décalage d'entrée : c'est le courant de polarisation des transistors de l'étage différentiel
d'entrée. Les constructeurs précisent la valeur de I
Bias

Résistance d'entrée : Elle dépend de la technologie des transistors utilisés pour réaliser l'étage
différentiel d'entrée. Elle sera beaucoup plus importante si des transistors à effet de champ sont
utilisés.
Résistance de sortie :
Courant de sortie maximum : C'est le courant maximum que peut débiter l'ALI, il limite la charge que
peut alimenter le montage à base d'ALI.
Tension d'alimentation : les constructeurs définissent une plage à ne pas dépasser. Elle définie la
dynamique de la tension de sortie.
Tension de déchet : Définie la valeur maximale disponible en sortie de l'ALI. (V
max
= V
alim
– V
déchet
)
Vitesse de montée : (Slew Rate) Cette vitesse limite les variations rapide de la tension de sortie
(temps de montée et temps de descente). Elle est fournie en V/s ou V/us.
Bande passante : Définie la gamme de fréquence où l'ALI fonctionne correctement. Les
constructeurs définissent le produit Gain Bande.
Taux de réjection de mode commun : (TRMC) Définie la capacité de l'ALI à rejeter le mode
commun en entrée (
+ -
V + V
2
) et à n'amplifier que le mode différentiel (
+ -
V - V ). Les constructeurs le
donne en dB. (
d
c
A
TRMC = 20log
A
).




ε = V
+
- V
-

V
S

+V
alim

-V
alim

-V
sat

+V
sat

Amplificateur réel
Amplificateur idéal
V
offset

V
déchet
Log f
dB
A
f
C

A
max

10.f
C

A
max

10












Annexe 1 : Diagramme asymptotique de Bode



























































c
j
ω
ω
1
c
j
ω
ω
1
1
c
j
ω
ω

1
c
j
ω
ω
+ 1
c
j
ω
ω

1
1
c
j
ω
ω
+
ω
G
dB

ω
c
+20dB/dec
ω
ϕ
ω
c
+90°
ω
G
dB

ω
c
-20dB/dec
ω
ϕ
ω
c
-90°
ω
G
dB

ω
c
+20dB/dec
ω
ϕ
ω
c
+90°
ω
G
dB

ω
c
+20dB/dec
ω
ϕ
ω
c
-90°
ω
G
dB

ω
c
-20dB/dec
ω
ϕ
ω
c
-90°
ω
G
dB

ω
c
-20dB/dec
ω
ϕ
ω
c
+90°

1 RAPPELS D’ELECTRICITE
1.1 CIRCUIT ELECTRIQUE 1.2 COURANT ET TENSION 1.2.1 COURANT 1.2.2 TENSION 1.2.3 PUISSANCE 1.3 DIPOLE ELECTRIQUE 1.3.1 LE GENERATEUR DE TENSION 1.3.2 LE GENERATEUR DE COURANT 1.3.3 LA RESISTANCE 1.3.4 LA BOBINE 1.3.5 LE CONDENSATEUR 1.4 LOIS GENERALES 1.4.1 LOI DES NŒUDS 1.4.2 LOI DES MAILLES 1.4.3 THEOREME DE SUPERPOSITION 1.4.4 THEOREME DE THEVENIN 1.4.5 THEOREME DE NORTON

4 4 4 4 4 5 5 5 5 5 6 7 8 8 8 9 9 9 10 10 10 10 11 11 11 12 12 12 12 13 15 15 15 16 16 17 18 18

2 REGIME SINUSOÏDAL
2.1 CARACTERISATION DES SIGNAUX 2.1.1 SIGNAL PERIODIQUE 2.1.2 VALEUR MOYENNE ET VALEUR EFFICACE 2.1.3 SIGNAL SINUSOÏDAL 2.2 REPRESENTATION D’UN SIGNAL SINUSOÏDAL 2.3 IMPEDANCE COMPLEXE 2.3.1 IMPEDANCE DE LA RESISTANCE 2.3.2 IMPEDANCE DE L’INDUCTANCE 2.3.3 IMPEDANCE DU CONDENSATEUR 2.4 NOTION DE FONCTION DE TRANSFERT 2.5 REPRESENTATION DE BODE

3 LA DIODE
PRINCIPE 3.2 CARACTERISTIQUES 3.3 DIODES PARTICULIERES 3.3.1 DIODE SCHOTTKY 3.3.2 DIODE ZENER
3.1

4 LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
4.1

PRINCIPE

4.2 REGIME DE FONCTIONNEMENT 4.3 CARACTERISTIQUES 4.4 MODELE AUX PETITS SIGNAUX

18 19 20 22 22 23 24 26 28 28 28 29

5 LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
5.1 PRINCIPE 5.2 REGIME DE FONCTIONNEMENT 5.3 CARACTERISTIQUES 5.4 MODELE AUX PETITS SIGNAUX

6 L’AMPLIFICATEUR LINEAIRE INTEGRE
6.1 PRESENTATION 6.2 REGIME DE FONCTIONNEMENT 6.3 CARACTERISTIQUES
Annexe 1 : Diagramme asymptotique de Bode

2. Pour mettre en mouvement ces charges dans une direction donnée.10-6 C 2 Le Volt est défini de telle manière qu’une charge d’un Coulomb accélérée sous une tension de 1V acquiert une énergie de 1J (1V=1J/C) . 1 q = n x e avec n : nombre d’électrons e : charge élémentaire d’un électron 1. dq i= dt avec dq : la quantité d’électricité1 (C) dt : le temps (s) On représente un courant électrique par une flèche sur un conducteur : i Remarque : on mesure l’intensité avec un ampèremètre branché en série 1. il est nécessaire d’appliquer un champ électrique aux bornes du conducteur.1 Circuit électrique Les circuits (ou réseaux) électriques sont constitués par l’interconnexion de composants électriques.1 Courant Le courant circulant dans un circuit électrique est représentatif de la quantité d’électricité circulant dans ce circuit.2. Générateur Chapitre 1 Récepteur conducteurs 1. on crée un champ électrique qui met les électrons en mouvement. On représente une différence de potentiel par une flèche à côté d’un composant : A uAB B uAB = VA-VB En Volts ( V ) potentiel du point B en Volts potentiel du point A en Volts Remarque : on mesure la tension avec un voltmètre branché en dérivation entre les bornes A et B. En appliquant une différence de potentiel sur un conducteur. Cette quantité est appelé intensité électrique et est définie comme le débit de charges électriques dans le conducteur. ce mouvement ne se traduit pas par un déplacement global susceptible de générer un courant électrique. Un circuit électrique est au moins constitué d’un générateur et d’un récepteur reliés entre eux par des conducteurs.1 Rappels d’électricité 1.2 Courant et tension 1. On la note U et elle s’exprime en Volt2 (V). Cependant. Il dépend donc du nombre de charges électriques se déplaçant. les charges électriques d’un conducteur sont en mouvement continuel sous l’effet de l’agitation thermique. La valeur de la différence de potentiel est appelée la tension. On la note I et elle s’exprime en Ampère (A). Dans le cas le plus simple. les composants utilisés ont seulement 2 bornes de connections : on les appelle des dipôles.6.2 Tension Au repos.

Il existe deux possibilités pour le choix des sens conventionnels de la tension et du courant électrique : A I B UAB A I B UAB Convention récepteur : Le courant et la tension sont fléchés en sens opposé.2 Le générateur de courant I0 u I Le générateur de courant impose la valeur du courant qui le traverse quelle que soit la tension à ses bornes. par un circuit électrique ou une portion de circuit.3 Dipôle électrique On appelle dipôle électrique tout système composé seulement de deux bornes. Le comportement d'un dipôle est caractérisé par la relation entre la tension à ses bornes et le courant le traversant. R : valeur de la résistance en Ohm.3 La résistance i u Une résistance est constituée de matériau ayant une forte résistivité. par unité de temps. Les dipôles élémentaires les plus classiques sont : Convention générateur : Le courant et la tension sont fléchés dans le même sens. .2.3. Elle s’exprime en fonction de u et de i et son unité est le Watt (W) : p=u×i 1.3. Elle est donc représentative de la consommation d’un circuit. Le dipôle fournit de la puissance si p>0.1 Le générateur de tension U e Le générateur de tension impose la valeur de la tension à ses bornes quel que soit le courant qui le traverse.3. 1. Lois d’Ohm : La relation liant la tension et le courant aux bornes d’une résistance s’appelle la loi d’Ohm : u : tension aux bornes de la résistance en Volt. 1. Le dipôle reçoit de la puissance si p>0.3 Puissance La puissance est l’énergie absorbée ou fournie. 1. Le passage de ce courant provoque un échauffement de la résistance. On l’utilisera donc en général pour limiter le courant dans un circuit.1. Elle s’oppose au passage du courant dans un circuit électrique. u=Ri i : courant traversant la résistance en Ampère.

Puissance : P = u.i² = u2 R P : puissance dissipée s’exprimant en Watt.3.. sa tolérance et la puissance maximale qu’elle peut dissiper. + R eq R1 R 2 Rn Caractéristiques : Une résistance est définie par sa valeur nominale en ohm. u : tension aux bornes de la résistance en Volt i : courant traversant la résistance en Ampère Association : En série : En parallèle : Req = R1 + R2 + … + Rn 1 1 1 1 = + + . Energie : Le phénomène physique correspond au stockage d’énergie sous forme magnétique.4 La bobine i u On définit le coefficient d’induction magnétique de la bobine par le rapport entre le flux d’induction magnétique à travers le circuit et le courant qui lui donne naissance . 1. on le note L : L= φ(t) i(t) Or la différence de potentiel u apparaissant grâce à l’effet auto-inductif aux bornes de la bobine est égale à : u(t) = di dt dφ dt La relation entre le courant traversant une bobine et la tension à ses bornes est donc : u(t) = L où L est appelée l’inductance de la bobine et s’exprime en Henri (H). w= Association : Idem résistance. . Ce stockage est momentané et l’énergie est restituée au circuit en courant. Caractéristiques : 1 L.. Ces principales caractéristiques sont son coefficient de surtension Q qui définie la qualité de la bobine en fonction de la fréquence et son niveau de saturation.i 2 2 Une bobine résulte du bobinage d’un fil électrique (dans l’air ou sur un support magnétique) et elle est donc définie par la valeur de sa résistance interne et son inductance. la variation de courant aux bornes d’une inductance ne pourra pas subir de discontinuité.i =R. Ainsi.

le verre. Le stockage est momentané et cette énergie est restituée au circuit sous forme de tension. LS : bobine équivalente des liaisons – surtout génante en haute fréquence. D’autre part. placées en regard l’une de l’autre. RS : Résistance en série due aux contacts (quelques dixièmes d’ohms).. la variation de tension aux bornes d’un condensateur ne pourra pas subir de discontinuité. RP>1MΩ... En fonction de la technologie de fabrication.5 Le condensateur Un condensateur est constitué de deux plaques conductrices (étain. cuivre. . i Capacité : On définie la capacité C par le rapport de charges accumulées sur les armatures sur la différence de potentiel entre les armatures : C= q u La relation entre le courant traversant un condensateur et la tension à ses bornes est donc : i=C Energie : du dt Le phénomène physique correspond au stockage d’énergie sous forme électrostatique..) appelées armatures.. u Il se caractérise par sa capacité C qui est la constante de proportionnalité entre la charge (ou quantité d’électricité) qu’il acquiert et la tension u appliquée à ses bornes. le papier. + Ceq C1 C 2 Cn Ceq = C1 + C2 + … + Cn Caractéristiques : Les principales caractéristiques d’un condensateur sont sa valeur nominale. le mylar. Elle va provoquer la décharge du condensateur. aluminium. Lorsque le condensateur se charge et se décharge avec un courant élevé. sa tolérance et sa tension nominale d’utilisation. et séparées par un isolant d’épaisseur variable appelé diélectrique. w= Association : En série : En parallèle : 1 C. C : Capacité du condensateur. celui-ci dégage de la chaleur. le plastique.3. le mica.u 2 2 1 1 1 1 = + + . le modèle réel équivalent d’un condensateur peut se mettre sous la forme suivante : RP : Résistance d’isolement. ces différents paramètres vont plus ou moins intervenir.1. Les diélectriques les plus utilisés sont l’air. etc.. Ainsi.

D UDC C Ex : UAD – UAB – UBC + UDC = 0 . Ces lois sont générales.4.aux tensions dont la flèche indique le sens inverse 4 – La somme algébrique des tensions est nulle. 3 – On décrit la maille dans le sens choisi On affecte le signe + aux tensions dont la flèche indique le même sens On affecte le signe . 1.1. Elle peut s’exprimer sous deux formes différentes : I1 I4 A I3 Ex : I1 + I2 = I3 + I4 I2 La somme des intensités des courants arrivant à un nœud est égale à la somme des intensités des courants sortant de ce nœud Ou la somme algébrique des courants arrivant à un nœud est constamment nulle. Une branche de réseau est la partie de circuit comprise entre deux nœuds. Leur application conduit à une mise en équation dont la résolution permet d’établir les lois d’évolution des différentes grandeurs recherchées. L’application de cette loi implique de respecter plusieurs règles : UAB A UAD B UBC 1 – La tension aux bornes d’un élément est marquée par une flèche conformément à la convention générateur ou récepteur en usage.4 Lois générales L’étude des circuits électriques linéaires est basée sur les lois de Kirchhoff (loi des mailles. loi des nœuds). si bien que leurs résultats restent valables quel que soit la nature des signaux appliqués. Vocabulaire : A Générateur C E D1 D2 B D F Un nœud est un point du circuit relié à deux dipôles ou plus (C et D). 2 – On choisit un sens de parcours de la maille.4.1 Loi des nœuds Il s'agit d'une conséquence de la conservation de la charge électrique. (CD et EF) Une maille est un parcours fermé de branches passant au plus une seule fois par un nœud donné (ACEFDBA et ACDBA et CEFDC). 1.2 Loi des mailles La somme algébrique des tensions rencontrées en parcourant une maille dans un sens prédéfini est nulle.

on étudie la réponse du circuit en considérant les autres sources indépendantes "éteintes" (par contre.4. IN représente le courant de court-circuit du réseau linéaire ZN est l’impédance entre les deux bornes du réseau lorsque toutes les sources indépendantes sont éteintes. Remarques : Une source de tension idéale "éteinte" est remplacée par un court-circuit (e = 0 ∀i).4. La principale est la superposition qui peut se traduire de la manière suivante : la réponse globale d’un montage soumis à plusieurs sources indépendantes est la somme des réponses partielles correspondant à chaque source. Eth représente la tension à vide du réseau linéaire (lorsque la portion de réseau débite dans un circuit ouvert ) Zth est l’impédance entre les deux bornes du réseau lorsque toutes les sources indépendantes sont éteintes. pour chacune des sources indépendantes.4. ZTH ETH 1. Ainsi.1. Une source de courant idéale "éteinte" est remplacée par un circuit ouvert (i = 0 ∀u).5 Théorème de Norton Tout réseau linéaire pris entre deux bornes peut se mettre sous la forme d’un générateur de courant IN en parallèle avec une impédance ZN. IN ZN . ils en possèdent les propriétés. Ex : I = I1 + I2 1. les sources commandées restent toujours actives).3 Théorème de superposition Si les circuits étudiés sont linéaires.4 Théorème de Thèvenin Tout réseau linéaire pris entre deux bornes peut se mettre sous la forme d’un générateur de tension Eth en série avec une impédance Zth.

La valeur efficace est égale à la racine carré de la valeur moyenne du signal périodique au carré. le signal est dit continu . S ou Smoy. Sur sa période T. la valeur efficace d’un signal s(t) est défini par : Seff 1 2 = s (t) dt T∫ 0 T Remarque : dans une résistance.1. la valeur moyenne d’un signal s(t) est défini par : < s >= 1 s(t) dt T∫ 0 T Remarque : on la note aussi parfois S0.2 Régime sinusoïdal 2. Si la valeur instantanée est constante. on définit le facteur de forme F : F= Seff <S> .1 Signal périodique u(t) Un signal est dit périodique quand il représente une allure qui se répète dans le temps. Elle représente l’aire du signal s(t). la valeur efficace d’un signal périodique représente la valeur continue qui produirait une puissance dissipée équivalente à celle produite par la valeur périodique. 2. Une valeur efficace se mesure en mode AC et est toujours positive !! Pour quantifier la valeur efficace par rapport à la valeur moyenne. il est noté en lettres majuscules. La valeur du signal à l’instant t est appelée valeur instantanée .T) t La période s’exprime en seconde (s). Dans ce cas là. avec n entier naturel T On définit aussi la fréquence f qui représente le nombre de répétitions du signal par seconde : f= La fréquence s’exprime en hertz (Hz) 1 T 2. elle est notée en lettres minuscules.1.1 Caractérisation des signaux Chapitre 2 Les signaux électriques dépendent du temps. Une valeur moyenne se mesure en mode DC Sur sa période T.2 Valeur moyenne et valeur efficace On définit une valeur moyenne et une valeur efficace pour tout signal périodique. on peut trouver la plus petite valeur T appelée période telle que : s(t) = s(t+ n .

sin(ω . Ainsi.t+φ : phase instantanée φ : phase initiale (pour t=0 ) T= 1 f Un signal sinusoïdal est donc définit par sa valeur maximale. Si tous les signaux sont de même pulsation. φ Cette description graphique est appelée x représentation de Fresnel.1. On identifie le plan précédent au plan complexe puis on exprime le nombre complexe S : y S = S cos (ω t + ϕ ) + j sin (ω t + ϕ )  = [ S .f) ω.s-1 (ω = 2π. Remarque : la valeur efficace d’un signal sinusoïdal est égale à S d’où S = Seff 2 2 2.sin(ω . sa pulsation et sa phase à l’origine.3 Impédance Complexe Pour un dipôle D . l’impédance complexe est définie comme étant le rapport de la représentation complexe de u(t) par celle de i(t) : Z= U I .2. ω t + ϕ ]   Ainsi : le module de S représente l’amplitude de s(t) la phase de S représente le déphasage de s(t) Remarque : s(t) est la partie imaginaire du nombre complexe S = S. Elle bénéficie des S cos φ propriétés attachées aux vecteurs.t+ ϕ ) avec S : amplitude du signal ω : pulsation du signal en rad. t+ ϕ ) peut se représenter sous la forme d’un vecteur.3 Signal sinusoïdal Une représentation classique d’un signal sinusoïdal se fait sous la forme suivante : u(t) S t s(t) = S. Le défaut des diagrammes de Fresnel est levé par une représentation utilisant les nombres complexes. Cependant elle nécessite des constructions graphiques plutôt fastidieuses. parcouru par le courant i(t) et aux bornes duquel on mesure la tension u(t).2 Représentation d’un signal sinusoïdal Un signal s(t) = S.e j(ω t+ϕ ) . on fige l’angle ωt à 0 (instant initial). 2. la norme du vecteur S sin φ représentera l’amplitude du signal et son inclinaison S le déphasage à l’origine.

Les amplitudes et phases relatives des signaux en fonction de la fréquence constitueront le centre des études.1 Impédance de la résistance Aux bornes d’une résistance.e . se substituant à la vision temporelle. u = L .e . Donc ZR = R 2.4 Notion de fonction de transfert L’impédance de certains éléments de base de l’électrocinétique est variable avec la pulsation de la source d’alimentation. dt j(ω t+ϕ ) Si U = U.U Donc ZC = Remarques : 1 jC ω L’impédance dépend de la fréquence Une impédance qui a une partie imaginaire négative est de type capacitif Une impédance qui a une partie imaginaire positive est de type inductif. La bobine déphase le courant par rapport à la tension de + 90° => i(t) est en retard sur u(t). jω . Cette propriété est utilisée dans les fonctions électroniques où interviennent des signaux à fréquence variable.3 Impédance du condensateur du Aux bornes d’un condensateur. dt j(ω t+ϕ ) Si I = I. En régime sinusoïdal. i = C . On représente un circuit électronique sous la forme d’une ‘’boîte noire’’ et on considère l’entrée et la sortie sous leur représentation complexe. Les circuits électroniques sont alors décrits par leur fonction de transfert. 2. alors I = C. Le condensateur déphase le courant par rapport à la tension de – 90° => i(t) est en avance sur u(t). c’est une fonction complexe de la variable fréquence.2 Impédance de l’inductance di Aux bornes d’une inductance. La partie réelle d’une impédance est de type résistif et est toujours positive. alors U = L.2.I Donc Z L = jLω 2. jω . v e (t) = Ve cos (ω t+ϕ e ) ve(t) Circuit électronique vs(t) Ve = Ve e j(ω t+ϕe ) Vs = Vs e j(ω t+ϕs ) vs (t) = VS cos (ω t+ϕ s ) d’où H ( jw ) = Vs Ve = Vs j(ϕs -ϕe ) e Ve .3. u = R i.3. C’est donc la vision fréquentielle des signaux qui sera étudiée. Elle traduit le rapport entre la grandeur de sortie et celle d’entrée et son étude permet de décrire les propriétés du circuit associé.3.

on préfère utiliser une représentation graphique : les diagrammes de Bode.On définit alors les deux fonctions de la pulsation ω : le gain du circuit qui est le module de la fonction de transfert : la phase du circuit qui est l’argument de la fonction de transfert : H(ω ) = H ( jω ) ϕ = arg  H ( jω )  = ϕ e . la fonction de transfert devient : H(jω ) = 1+ j D’où : ω ωc ω  1+   ²  ωc  ω  ϕ = . diagramme asymptotique : c’est la représentation graphique simplifiée des fonctions à l’aide de leurs équivalents aux bornes du domaine de définition (ω → 0. Exemple : Etude d’un circuit RC R ve(t) C Vs(t) La fonction de transfert s’écrit : H(jω ) = Vs Ve = ZC Z R + ZC = 1 1+ jRC ω 1 si on pose ωc=1/RC. On définit : La courbe de gain : G dB = 20 log H(jω) La courbe de phase : ( ) = 20 log H(ω) qui s’exprime en décibel (dB) ϕ = arg  H ( jω )  = ϕ e .ϕ s   2.ϕ s   Remarques : L’axe des fréquences est en échelle logarithmique (graduée par décade).Arctan    ωc  H ( jω ) = 1 . ω → ∝ et ω → ωc). ce qui permet une représentation sur une plus large plage de valeurs ( compression d’échelle). Les diagrammes de Bode peuvent se représenter sous forme de courbe réelles ou de diagrammes asymptotiques : courbes réelles : c’est la représentation graphique des fonctions GdB et ϕ en fonction de f ou de ω.5 Représentation de Bode L’analyse purement algébrique de l’évolution du gain et de la phase de la fonction de transfert d’un circuit devient souvent très vite complexe et fastidieuse. Aussi.

GdB = -10 log 2 = -3dB calcul de la pente aux hautes fréquences : .sur [ωc . GdB = [20 log ωc –20 log ωc] – [20 log ωc –20 log 2. GdB = [20 log ωc –20 log ωc] – [20 log ωc –20 log 10. . Le déphase de ±90° est typique d’un système du 1ier ordre en ω. c’est la pulsation de coupure Etude de l’argument : ϕ = . ω → + ∞ donc GdB → 20 log ωc –20 log ω pour ω=ωc. Un système d’ordre n apportera des pentes et des déphasages n fois plus grand.sur [ωc . 2 ωc].ωc] = -20 log 2 = -6dB . GdB = .Arctan 1 = .45° La représentation asymptotique de Bode est donc composée de 2 asymptotes : (ϕ = 0°) 1 asymptote parallèle à l’axe des fréquences pour ω<ωc (ϕ = -90°) 1 asymptote parallèle à l’axe des fréquences pour ω>ωc le point d’intersection entre les 2 asymptotes est le point où ω=ωc (ϕ = -45°) Courbes de Bode : GdB -3 dB -20 dB 10 ωc 100 10 ωc 1000 -20dB/dec ϕ ω -45° -90° 10 ωc 100 1000 ω Diagramme asymptotique Courbe réelle Diagramme asymptotique Courbe réelle Remarques : La pente à ±20dB/décade (ou ±6dB/décade) est typique d’un système du 1ier ordre en ω.Etude du module : G dB   ω 2  = 20 log H ( jω ) = -10 log 1+      ωc     aux basses fréquences.ωc] = -20 log 10 = -20dB La représentation asymptotique de Bode est donc composée de 2 asymptotes : 1 asymptote parallèle à l’axe des fréquences pour ω<ωc (GdB = 0dB) 1 asymptote oblique de pente –6dB/octave ou –20dB/décade pour ω>ωc le point d’intersection entre les 2 asymptotes est le point où ω=ωc.Arctan  ω    ωc  aux basses fréquences. ω → 0 donc ϕ → 0° aux hautes fréquences. 10 ωc]. ω → +∞ donc ϕ → -90° pour ω=ωc. ω → 0 donc GdB → 0aux hautes fréquences.

si elle laisse passer le courant. il faut leur donner une énergie minimum en appliquant une différence de potentiel positive suffisante entre les bornes A et K. Charactéristique ID=f(VD) ID IFM VBR VD VF Remarque : la tension de seuil dépend du matériau semi-conducteur utilisé (typiquement. . VF vaut 0. c’est à dire qu’elle ne conduira le courant que sous A K P N certaines conditions. Une différence de potentiel positive appliquée entre K et A ne fera déplacer que très peu d’électrons et le courant créé sera considéré comme négligeable (quelques nano-ampères). on dit qu’elle est bloquée. Ces régimes vont dépendre de la tension VAK aux bornes de la diode et du courant ID la traversant. . Elle est composée de deux jonctions de dopage opposé : .une jonction dopé N où les électrons sont majoritaires : c’est la cathode. Pour que les électrons de la zone N se déplacent vers la zone P et rendent ainsi la diode conductrice.2 Caractéristiques La diode possède donc 2 régimes de fonctionnement : . 3.3 La diode A ID Chapitre 3 K VAK=VD 3. Fonctionnement Si VAK<Vf alors la diode est bloquée Si VAK > Vf et ID > 0 alors la diode est passante.1 Principe La diode est un composant semi-conducteur. on dit qu’elle est passante .si elle ne laisse pas passer le courant. La différence de potentiel suffisante pour rendre la diode passante est appelée tension de seuil (Vf ou VS).une jonction dopé P où les trous sont VD majoritaires : c’est l’anode.7V pour des diodes en silicium). + + + + + + + + + + + + - Remarque : Une jonction PN ne peut être conductrice que dans un seul sens.

VR : Tension continue inverse maximum supporté par la diode. onduleur.son temps de recouvrement inverse est très très faible.elle a une tension de seuil plus faible (VF # 0. (une diode ne peut pas passer instantanément de l’état passant à l’état bloqué) tdt : Temps de recouvrement direct.3V).Modèle Réel ID Classique ID Idéal ID VF Diode bloquée VD Diode bloquée VF VD Diode bloquée VD Diode passante Diode passante Diode passante VD A K A VD K RD VF A VD K A VD K VF A VD K A VD K Caractéristiques techniques VF : Tension de seuil. IFM : Valeur crête limite du courant direct. etc…) démodulation commutation optoélectronique 3. RD : Résistance interne de la diode.3. Elle est utilisée dans des applications où le temps de commutation de la diode est critique (utilisation haute fréquence). IF : Courant direct maximum supporté par la diode en continu. trr : Temps de recouvrement inverse. VRM : Tension crête inverse maximum supporté par la diode.3 Diodes particulières 3. Critères de choix fréquence limite d’utilisation . hacheur.1 Diode Schottky A ID K VD Applications La diode Schottky présente deux avantages par rapport aux diodes classiques : . (une diode ne peut pas passer instantanément de l’état bloqué à l’état passant) Applications conversion d’énergie (redresseur. . VBR : Tension de claquage inverse.

3.3.alimentation continue de faible puissance Critères de choix la tension à stabiliser ( Vz ) le courant maximal devant traverser la diode ( Iz ) la puissance dissipée par la diode ( Pz ) . Ainsi. le courant reste nul seulement jusqu’à ce que la tension atteigne la tension zéner de la diode ( Vz ).référence de tension . Caractéristique et modèle ID IFM VZ VF VD IZM Modèle équivalent en inverse K RZ A Modèle équivalent bloqué K A Modèle équivalent en direct A RD K VZ VF Applications Les diodes Zéner sont appréciées pour leur tension zéner très stable.écrêtage de tension .2 Diode Zéner A IZ K VZ Dans le sens direct. A ce moment là. Elle n’a d’intérêt qu’en inverse où elle ne présente pas de zone de claquage. Au contraire. la tension de la diode Vd = Vz quelque soit le courant dans la diode. on les retrouve souvent associées aux fonctions : . cette diode présente les mêmes caractéristiques qu’une diode classique.

Ainsi. Puisque les deux jonctions BC et BE sont passantes. . la différence de potentiel entre les jonctions C et E sera très faible.α 4. où ils sont capturés et atteignent le collecteur. il faut dissocier chaque jonction. polarisée en inverse. C'est l'effet transistor qui se traduit par la relation simple IC=α IE α < 1 est le gain en courant en base commune. α 1. En introduisant IE=IC+IB on obtient la formule fondamentale du transistor : IC = β IB avec β= β est le gain en courant du transistor.7V) et la jonction base collecteur dans le sens bloquant (VC>VB). la plus grande partie d'entre eux parvient dans la région de charge d'espace de la jonction BC . La couche centrale est très mince par rapport aux autres. le circuit commandé va limiter la valeur des courants IC et IE. si IB devient trop important. En fonctionnement normal la jonction baseB émetteur est polarisée dans le sens passant (VBE # 0. Ils ne pourront donc pas dépasser une certaine valeur malgré l’effet transistor. Pour un dopage d'émetteur très supérieur à celui de la base. La largeur de la base étant inférieure à la longueur de diffusion de ces électrons dans le matériau de base. Des connexions métalliques sont respectivement fixées sur la partie centrale appelée Base et sur les deux extrémités appelées Collecteur et Emetteur.1 Principe Le transistor est constitué par la succession de trois couches de semi-conducteur de type N-P-N (ou PE C N P N N-P). De plus. Sa largeur doit être très inférieure à la longueur de diffusion des porteurs injectés dans cette zone. IC ne pourra pas dépasser la valeur maximum fixée par le montage commandé et la jonction BC deviendra passante : le transistor sera saturé et il n’existera plus une relation linéaire entre IB et IC.4 Le transistor bipolaire C IC Chapitre C IC 4 VCE IE B IB IE VCE B IB VBE E VBE E 4. le régime de fonctionnement du transistor sera différent. le courant EmetteurBase est essentiellement constitué par les porteurs négatifs passant de E vers B.2 Régime de fonctionnement En fonction du courant IB injecté sur sa base. Cela conduit à l’étude de deux circuits : le montage sur la jonction BE : le circuit de commande le montage sur la jonction CE : le circuit commandé Le circuit de commande définit si le transistor est passant ou bloqué suivant la polarisation de la jonction BE (direct ou inverse). Pour étudier le régime de fonctionnement d’un transistor.

IC = 0 en fonctionnement bloqué . en connaissant la valeur de IB.3 Caractéristiques Caractéristique IB=f(VBE) IB Fonctionnement bloqué Fonctionnement passant On retrouve la caractéristique d’une diode puisque la jonction BE est une jonction PN.On voit donc apparaître trois régimes de fonctionnement : transistor bloqué : transistor passant : transistor saturé : IB=0 IC=0 IB > 0 et IC = β IB IB > 0 et IC = ICsat VCE ≠ 0 VCE = VCesat # 0. IB3> IB2 IC . IB1 > IB0 Ainsi. C’est la droite charge P2 d’équation IC=f(VCE).IC = ICsat en fonctionnement saturé ICsat IB Fonctionnement bloqué Fonctionnement Fonctionnement linéaire saturé Caractéristique IC=f(VCE) Chaque courbe correspond à une valeur différente de IB.2V Remarque : le transistor bipolaire se comporte donc comme une source de courant commandé par un courant. Si IB=IB1.IC = β IB en fonctionnement linéaire . 4. si IB=0. VBE Vseuil Caractéristique IC=f(IB) IC On retrouve : . on peut trouver le point de fonctionnement à IB0 l’intersection de la courbe correspondante et de la P3 droite de charge. La droite de charge est obtenue en écrivant Droite de P1 IB2> IB1 la loi des mailles côté jonction CE. le transistor fonctionne en régime linéaire et le point de fonctionnement se trouve en P2. VCE Si IB=IB2 alors le transistor est saturé et le VCEsat point de fonctionnement se trouve en P1. le transistor est bloqué et le point de fonctionnement se trouve en P3. Enfin.

il faut donc utiliser le modèle aux petits signaux qui prend en compte la caractéristique exacte de la jonction : VBE I C = IS . ton/toff : Temps de commutation ( passage bloqué-saturé et saturé-bloqué ) PD : Puissance maximale dissipée par le transistor (permet de dimensionner le dissipateur thermique si besoin est ). Elle est donc inadapté aux calculs dans le cas où les signaux appliqués au transistor sont variables et de faible amplitude autour du point de repos (ex: amplificateur).iB C rCE E .  vBE   h11 h12   iB  i  = h  ⋅  C   21 h22   vCE  avec h11 = rBE = h12 = UT β = I B gm rBE → 0 car rCB → ∞ rCB h21 = β 1 h22 = →0 rCE On obtient donc le modèle aux petits signaux suivant : B rBE rCB β. VCEmax : Tension maximale admissible entre collecteur et émetteur VBE : Tension entre base et émetteur lorsque le transistor est passant. β: gain en courant du transistor ( aussi appelé HFE). ICmax : Courant maximum pouvant circuler entre collecteur émetteur.4 Modèle aux petits signaux La modélisation précédente repose sur le principe que la tension base émetteur reste constante. IBmax : Courant maximum pouvant circuler dans la base ( à ne pas dépasser surtout lorsqu’on souhaite saturer le transistor ). Pour un fonctionnement en régime variable. 4.Modèle Régime du transistor Bloqué Linéaire Saturé Valeur particulière IB = 0 – IC = 0 IB > 0 – IC = β IB – VCE ≠ 0 IB > 0 – IC = ICsat – VCE = VCesat Modèle équivalent C C C E E E Caractéristiques techniques VCEsat : Tension entre collecteur et émetteur lorsque le transistor est saturé.e UT Le transistor est alors considérée comme un quadripôle linéaire que l'on définie par sa matrice H.

Remarque : La résistance entre base et collecteur est très souvent négligé ainsi que celle entre collecteur et émetteur. on introduit les capacités internes CB'E et CB'C. on introduit un point B' entre base et émetteur qui n'existe pas physiquement. Pour les simuler. on fait la distinction pour la jonction BE entre le comportement de la jonction à proprement dite et celui des semi-conducteurs qui conduisent le courant jusqu'à la jonction. On voit alors apparaître : . En fait.une capacité CB'C qui correspond à la capacité de la jonction BC CB'C B rBB' B' rB'E C rCE CB'E β.vBE rCE C E Source de courant commandé en courant E Source de courant commandé en tension Modèle de Giacoletto En haute fréquence.iB E Remarque : La présence des capacités fait apparaître des fréquences de coupures qui correspondent aux limites d'utilisation en fréquence du transistor considéré. .une résistance rB'E qui correspond à la résistance de la jonction BE (rBE) . De plus. on accepte pour la source de courant commandé un modèle commandé en tension ou en courant. il faut tenir compte des temps de stockage des charges.une capacité CB'E qui correspond à la capacité de la jonction BE . Les modèles couramment utilisés sont donc les suivants : B rBE β.une résistance rBB' qui est la résistance du semi-conducteur .iB rCE C B rBE gm. Pour cela. lorsque la fréquence augmente.

le drain (D) et la source (S). La jonction étant polarisée en inverse. Le dipôle SD se comporte donc comme une résistance variable en fonction de la tension grille-source. une zone de charge d'espace isolante (vide de porteurs) d'épaisseur W se forme dans la couche N. pour faire circuler un courant entre D et S. Il possède trois électrodes qui se nomment la grille (G). Ainsi. le courant ne peut donc plus circuler entre D et S. G Remarque : Pour une valeur VT de VGS. Plus la résistance sera faible et plus le courant circulant entre S et D pourra être important. L'électrode connectée à la couche de silicium P s'appelle la grille. En fait. si on augmente la tension VDS . Pour faire circuler le courant dans le canal. deux électrodes sont présentes à ses extrémités : le drain et la source. Il existe plusieurs sortes de transistors à effet de champ : . Le JFET canal N est constitué d'une P mince plaquette de silicium dopé N qui va former le canal W conducteur principal. le canal a donc une épaisseur nulle ce qui revient à obtenir une résistance infinie. Ainsi.canal N ou P .5 Le Transistor à effet de champ D G G D G D Chapitre 5 S JFET canal N S MOSFET canal N à appauvrissement S MOSFET canal N à enrichissement Les transistors à effet de champ ont un principe de fonctionnement totalement différent des transistors bipolaires. il faut appliquer une différence de potentiel entre ces deux points. VT est la tension de pincement du JFET. l'épaisseur isolante w2 va augmenter. lorsque VGS +VDS = VT.à enrichissement ou à appauvrissement 5. W devient égal à a. le courant tendra vers une valeur constante. On retrouve le phénomène de pincement. Elle est toujours polarisée négativement par rapport à la source de façon à ce que la jonction soit bloquée. Ainsi pour passer de S à D un courant ne peut circuler que dans un canal d'épaisseur a-W. à VGS donnée.à grille isolée ou non (JFET ou MOSFET) . une augmentation de VDS devrait entraîner un accroissement du courant dans le canal (loi d'ohm) mais cette augmentation va accroître la tension VDG. . Cette tension va modifier le profil de la zone isolante qui sera plus large du côté du potentiel le plus élevé (D).1 Principe JFET Le transistor JFET est un transistor à effet de champ dont la grille n'est pas isolée. La résistance du canal N entre S et D va donc varier en fonction de W ( W varie proportionnellement à la racine carrée de la tension de polarisation de la jonction). En effet. Cette plaquette est recouverte w2 a S D N partiellement d'une couche de silicium dopé P de manière à former une jonction PN latérale par rapport au canal. ce qui aura pour effet d'agrandir la zone de déplétion du côté de D et d'entraîner une augmentation de la résistance entre D et S.

car le circuit source-drain est composé de deux jonctions en série. L'avantage est donc que le circuit de commande ne consommera pas de courant (RE très importante). Ce mode de fonctionnement est appelé à appauvrissement. Au contraire. car une tension VGS positive enrichit le canal en porteurs minoritaires. S G D MOSFET canal N à appauvrissement Le MOSFET à appauvrissement a la même structure que le MOS à enrichissement sauf qu'il existe toujours un canal faiblement dopé N entre la source et le drain. l'isolant et le canal attire des trous dans le canal initial qui neutralisent les électrons de cette zone N. Les électrons sont alors attirés vers la grille. On obtient le phénomène de pincement. on n'a plus qu'un canal N. pour VGS supérieure à 0.VGS et gm représente la transconductance du transistor Ainsi. et le courant peut passer entre drain et source si on applique une différence de potentiel entre D et S. permettant le passage du courant. et le courant entre D et S va croître. on retrouve le fonctionnement du MOS à enrichissement. Si VGS=0. Ce mode de fonctionnement est appelé à enrichissement. Dans ce cas là.MOSFET canal N à enrichissement Le transistor MOSFET est un transistor à effet de champ dont la grille est isolée par l'intermédiaire d'une très fine couche ++++ SiO2 d'oxyde de silicium (MOS = Metal Oxyde Semiconductor). ID = gm. Un courant pourra donc circuler entre D et S. Ces deux zones seront la P source et le drain du MOSFET. un phénomène de pincement se produit qui obstrue le canal : le courant de drain devient constant. l'électrode de grille. on a alors une couche N dite couche d'inversion entre les zones N de la source et du drain. 5. le condensateur formé par la grille. Le circuit commandé présente deux zones de fonctionnement : une zone où la jonction DS se comporte comme une résistance variable une zone de pincement où la valeur de ID ne dépend que de VGS. on retrouve le circuit de commande (jonction GS) et le circuit commandé (jonction DS). Pour VGS nulle. Les deux jonctions disparaissent. Pour une tension VGS suffisamment élevée (tension de seuil VT). Si VGS est inférieure ou égale à 0. aucun courant de drain ne passera. De même que pour le transistor bipolaire. de la même manière que pour le JFET. le transistor à effet de champ se comporte donc comme une source de courant commandée par une tension. Les régimes de fonctionnement vont donc dépendre des caractéristiques de ces deux circuits. ce transistor fonctionne comme un JFET. Par opposition au transistor bipolaire. l'isolant et le substrat P forment un condensateur. suivant la valeur de la tension de commande VGS et des caractéristiques du circuit commandé. La jonction entre D et S se comporte comme une source de courant commandée en tension. l'une PN et l'autre NP : il y en aura toujours une en inverse. Lorsqu'on applique une tension VGS positive. la concentration en électrons dans le substrat est supérieure à la concentration en trous au voisinage de la grille .2 Régime de fonctionnement La commande de ces transistors s'effectue donc par la tension de grille. Il est -----constitué d'un support (substrat) faiblement dopé P où l'on insère N N deux zones N fortement dopées. Remarque : Lorsque VDS augmente. le transistor pourra fonctionner dans les régimes suivants : résistance variable transistor passant transistor bloqué transistor saturé .

VGS .GS   VT  2 L'équation de la droite de charge est trouvée par la loi des mailles sur le circuit commandé (jonction DS). Ainsi.VGS . . Pour bloquer le transistor. la jonction DS se comporte comme une résistance RDS et le transistor fonctionne dans sa zone ohmique.5. la jonction DS se comporte comme une source de courant commandée par la tension VGS et le transistor fonctionne dans sa zone de pincement. on fixe VGS=0 et ainsi ID ne peut dépasser IDSS (point S). R DS VT  V  -2.GS   VT  Lorsque VDS > VT . En pratique. la polarisation change de signe (ID et VDS < 0) et la tension de commande VGS est positive. Il faut donc que VGS = VT (point B).3 Caractéristiques JFET canal N ID IDSS ID VGS = 0 Droite de charge S VGS2 > VGS1 VGS = VGS1 > VT VGS VT Zone ohmique VGS = VT B VT Zone de pincement VDS Lorsque VDS < VT . en connaissant la valeur de VGS. C'est la droite d'équation ID = f(VDS). Remarque : Pour les transistors JFET canal P. il faut qu'aucun courant ne circule dans la jonction DS. il faut que le courant ID ne puisse plus augmenter même si VDS l'y incite.  V  I D = I DSS  1. I DSS  1. Pour saturer le transistor. on peut trouver le point de fonctionnement à l’intersection de la courbe correspondante et de la droite de charge.

On retrouve les zones de pincement et ohmique qui permettent les même applications qu'un JFET. Pour bloquer le transistor.MOSFET canal N à enrichissement ID ID VGS3 > VGS2 Droite de charge VGS2 > VGS1 VGS = VGS1 > VT VGS VT Zone ohmique VGS = 0 VDS Zone de pincement La caractéristique de sortie est similaire à celle d'un JFET.VT ) 2 L'équation de la droite de charge est trouvée par la loi des mailles sur le circuit commandé (jonction DS). Le régime de saturation est atteint pour VGS ≥ VT + ID . La tension VT est la tension de seuil. C'est la droite d'équation ID = f(VDS). gm MOSFET canal N à appauvrissement ID VGS3 > VGS2 Droite de charge VGS2 > 0 IDSS VGS VT Zone ohmique Zone de pincement VGS = VT VGS1 = 0 VDS . Pour saturer le transistor. Dans la zone de pincement : I D = k ( VGS . en connaissant la valeur de VGS. Il faut donc que VGS < VT. Ainsi. on peut trouver le point de fonctionnement à l’intersection de la courbe correspondante et de la droite de charge. il faut que le courant ID ne puisse plus augmenter même si VDS l'y incite. il faut qu'aucun courant ne circule dans la jonction DS.

On retrouve les même formes de caractéristiques. RDSon : Résistance minimale entre Drain et Source lorsque le transistor est saturé IDSS : Courant entre Drain et Source lorsque VGS=0. VDSon : Tension entre Drain et Source lorsque le transistor est saturé. Comme le courant de grille est toujours extrèmement faible.4 Modèle aux petits signaux Lorsque le transistor est utilisé en amplificateur. Il faut donc établir. gm : Transconductance du transistor en siemens (S). un modèle adapté aux calculs dans le cas où les signaux appliqués au transistor sont variables et rDS gm. CISS : Capacité d'entrée en source commune (CISS = CGD + CGS) le dissipateur 5. la polarisation change de signe (ID et VDS < 0) et la tension de commande VGS doit être inférieure à VT. Remarque : Pour les transistors JFET canal P. on considérera rDS très importante et on la négligera. VGSBR : Tension maximale entre Grille et Source. Et suivant les valeurs de VDS et VGS. gain en courant du transistor ( aussi appelé HFE). le transistor conduira un courant de valeur IDSS. A noter que pour VGS = 0. Dans la zone de pincement :  V  I D = I DSS  1.VGS Caractéristiques techniques VT : Tension de pincement du transistor (parfois notée VGSth). On obtient donc le modèle équivalent très simple ci-dessous.VGS de faible amplitude autour du point de repos. β: ton/toff : Temps de commutation ( passage bloqué-saturé et saturé-bloqué ) PD : Puissance maximale dissipée par le transistor (permet de dimensionner thermique si besoin est ). .GS   VT  2 Les conditions de saturation et de blocage sont semblables à celle du MOS à enrichissement. comme dans le cas du transistor bipolaire. la résistance équivalente entre grille et source est considérée S comme infinie. le courant entre D et S dépend uniquement de la valeur de VGS. Modèle Régime du transistor Bloqué Pincement Saturé Résistif Modèle équivalent D D D D S S S S ID=gm. il est polarisé dans sa zone de pincement. G D Remarque : Dans la plupart des cas. Dans la zone de pincement. le canal entre D et S présentera une résistivité plus ou moins importante.

il faut tenir compte de la capacité répartie entre le canal et la grille.Modèle hautes fréquences Aux fréquences plus élevées. G CGS CGD gm. Pour simplifier on peut modéliser cette capacité répartie en une capacité grille source et une capacité grille drain. A cause de l'épaisseur W plus grande coté drain.VGS D rDS S . CGS est toujours supérieur à CGD.

V. Régime non linéaire Dans tous les autres cas. La contre-réaction impose V+=V-. la tension de sortie ne peut dépasser ± Vsat. Ainsi. La tension de sortie varie donc de la manière suivante en fonction de la tension d'entrée :  V + + V.1 Présentation L'amplificateur linéaire intégré (ou amplificateur opérationnel) est un composant constitué principalement de transistors (bipolaires ou à effet de champ).) + Ac    2  Avec Ad : gain différentiel Ac : gain de mode commun La plupart des ALI sont dimensionnés de telle sorte que le gain de mode commun soit négligeable par rapport au mode différentiel (voir Taux de Réjection de Mode Commun).VS = +Vsat si V+>V. C'est à dire que : . l'ALI fonctionne en régime non linéaire comme un comparateur.un régime non linéaire où VS = ± Vsat Régime linéaire Ce type de fonctionnement est obtenu en effectuant une contre-réaction de la sortie sur l'entrée inverseuse.VS = -Vsat si V+<V- . Remarque : En fait la tension de sortie ne pourra jamais dépasser la valeur de la tension de saturation de l'ALI (Vsat=Valim – Vdéchet). Son étage d'entrée est réalisé à partir d'un amplificateur différentiel.un régime linéaire où VS dépend des éléments extérieurs de l'ALI .6 L’amplificateur linéaire intégré + ∞ Chapitre 6 V + _ S V- VS 6.) La valeur maximale de la tension de sortie est limitée par la tension d'alimentation qui s'applique par l'intermédiaire de deux entrées d'alimentations (Vdd et Vss).2 Régime de fonctionnement L'amplificateur linéaire intégré possède deux régimes de fonctionnement : . une inverseuse (–) et une non inverseuse (+) et une sortie (S). VS = Ad ( V+ . Il comprend deux entrées.V. la variation de la tension de sortie est essentiellement définie par : VS = Ad ( V+ . 6.

Il est très important (qq 100 000) I+.V-) Suivant le degré d'approximation nécessaire.= 0 La résistance de sortie est nulle : RS = 0 La bande passante de l'ALI est infinie : ∆f → ∞ La tension de décalage (offset) est nulle pour V+ = VLes tensions de déchets sont nuls : Vsat = Valim Modèle réel L'amplification et la bande passante sont considérées finies et leur produit est constant : Ad x ∆f = cste La résistance d'entrée est finie : RE ≈ 1 à 2 MΩ Les courants d'entrée ne sont plus nuls et sont définis par la valeur du courant de polarisation : I Bias = I+ + I2 La résistance de sortie est finie : RS < 250 Ω Lorsque V+ = V.6.ε VS ε IV- résistance d'entrée de l'ALI.: courant d'entrée de l'ALI. Modèle idéal L'amplification est considérée infinie : Ad → ∞ La résistance d'entrée est considérée infinie : RE → ∞ Du coup. ε: tension différentiel d'entrée (V+ . on tiendra compte de toutes les imperfections et on travaillera sur le modèle réel sinon on raisonnera sur le modèle idéal simplifié. Elle est très faible (qq Ω) Ad : gain différentiel de l'ALI. .3 Caractéristiques Modèle L'ALI peut se représenter par le modèle électrique très simple ci-dessus.Vdéchet (Vdéchet = qq V) Remarque : La plupart des ALI présentent maintenant des entrées de compensation de la tension d'offset afin d'éliminer les erreurs dans des applications demandant une grande précision. (qq pA pour FET. les courants d'entrée sont nuls : I+ = I.= 0. qq nA pour bipolaire). Ils sont très faible et correspondent aux courants de base ou de drain de l'étage différentiel d'entrée.I. I+ V+ RS RE Ad. Certains possèdent même un circuit interne d'auto-compensation. Elle est très importante (qq MΩ) RE : RS : résistance de sortie de l'ALI. la tension de sortie est égale à la tension de décalage : VS= Voffset Les tensions de déchets sont prises en comptes : Vsat = Valim .

Elle définie la dynamique de la tension de sortie. Elle est compensable sur la plupart des ALI. Taux de réjection de mode commun : (TRMC) Définie la capacité de l'ALI à rejeter le mode commun en entrée ( V+ + V+ ) et à n'amplifier que le mode différentiel ( V . Ac . ( TRMC = 20log d ). Tension d'alimentation : les constructeurs définissent une plage à ne pas dépasser. il limite la charge que peut alimenter le montage à base d'ALI. Courant de décalage d'entrée : c'est le courant de polarisation des transistors de l'étage différentiel d'entrée.V ).fC Log f Caractéristiques techniques Tension de décalage d'entrée : c'est la tension d'offset due à l'étage différentiel d'entrée. Les constructeurs le 2 A donne en dB. Les constructeurs précisent la valeur de IBias Résistance d'entrée : Elle dépend de la technologie des transistors utilisés pour réaliser l'étage différentiel d'entrée.Fonction de transfert VS +Vsat Voffset Vdéchet +Valim ε = V+ . (Vmax = Valim – Vdéchet) Vitesse de montée : (Slew Rate) Cette vitesse limite les variations rapide de la tension de sortie (temps de montée et temps de descente). Tension de déchet : Définie la valeur maximale disponible en sortie de l'ALI. Elle sera beaucoup plus importante si des transistors à effet de champ sont utilisés. Les constructeurs définissent le produit Gain Bande. Résistance de sortie : Courant de sortie maximum : C'est le courant maximum que peut débiter l'ALI.V-Vsat Amplificateur réel Amplificateur idéal -Valim A dB Amax Amax 10 fC 10. Elle est fournie en V/s ou V/µs. Bande passante : Définie la gamme de fréquence où l'ALI fonctionne correctement. Elle décale la valeur de la tension de sortie.

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Annexe 1 : Diagramme asymptotique de Bode ω ωc ωc +20dB/dec j GdB GdB ω j ω ωc ωc ω 1 -20dB/dec ϕ +90° ϕ ωc ω ωc ω -90° GdB 1+ j ω ωc GdB +20dB/dec 1− j ω ωc +20dB/dec ωc ω ωc ω ϕ +90° ϕ ωc ω ωc ω -90° 1 GdB 1+ j ω ωc ω -20dB/dec 1 GdB 1− j ω ωc ω -20dB/dec ωc ωc ϕ ωc ϕ ω +90° -90° ωc ω .

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