精密設備於光電產業

之應用趨勢
報告人:設備研發處 范維如

旺矽科技股份有限公司
MJC PROBE INC.
1

Agenda
精密設備的概念
„ 光電產業簡介
„ LED 產業製程與設備說明
„ 精密設備應用於 LED 產業
„ 結論與討論
„

2

精密設備的概念

天 下 “大" 事 成 於 “細"
天 下 “難" 事 成 於 “易"

3

精密設備的概念
設備?
是什麼?

什麼是

精密設備?

歡迎進入想像的世界
4

精密設備的概念
客戶
需求


業務
研發

研發
製造


製造
品保

QA

製造
品保

客戶
滿意

是檢驗出來的?

精密設備

是組裝出來的?
是設計出來的?
5

精密設備的基礎設計
引言:
您發現了什麼?
‧ 軸數?
‧ 行程?
‧ 傳動方式?
‧ 精密等級?
‧ 其它?

6

光電產業簡介
‧ LCD ( 平面顯示器;3C 產業 )
‧ LED ( 發光二極體;節能 / 環保產業 )
‧ Solar Energy ( 太陽能;替代能源產業 )
‧ 光通訊產業
‧ MEMS 微機電產業
‧ ……
7

光電產業 - LCD
Array

‧ 下基板製作
‧ Array Pattern 製作
‧ 半導體黃光製程

Cell

‧ 上、下基板貼合
‧ 灌注液晶
‧ 偏光膜 / 擴散板貼附

Module

‧ 控制迴路貼合
‧ 產品組合

Î LCD TV / Monitor
8

LCD 產業設備需求

9

光電產業 - LED
„

LED的發光原理係利用外加電壓的方式,促使電子與電洞於半導
體中結合後,將能量以光的形式釋放.在LED元件兩端通入極小電
流便可發光.

10

LED 的分類 – 可見光

11

LED 產業應用趨勢

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光電產業 – Solar
‧ 多晶矽
‧ 砷化鎵 – 發電二極體 (PVD)
‧ 其它 ……
導電支架型 PVD

Key Point : 轉換效率

玻璃聚光型 PVD

COB 封裝 – 聚光型 PVD
Ref : 海德威電子 2006.08.08
13

Solar – 發電原理

SUN

14

Solar Cell – 光電轉換

15

LED 製程與設備說明
藍光 LED 製程說明
P
保護層
透明電極

P-GaN
MQW
N-GaN

N

基板
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LED 製程與設備說明
磊晶
EPI-WAFER
(MOCVD)

晶片製程
FAB PROCESS
-Anneal
-Photolithography
-Metallization
-Dry & Wet etching
-Visual Inspection

品質測試

研磨拋光

QA Testing

Lapping &
Polishing

切割劈裂

OQC &
Delivery

Counting &
Package

Visual
Inspection

Chip Sorting

出貨檢查

計數包裝

外觀檢查

晶粒分類

Scribing &
Breaking

100% Probing
Test

晶粒測試
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Scribing
Laser

LED晶圓

Back side

Zoom In

晶圓背面

藍膜
‧ 在晶圓背面以連續雷設光點達成線的效果
‧ 僅劃線未切穿
‧ 雷射光點越小,晶圓切割道也可越小

雷射光點
18

設備 – Laser Scriber
需求:
‧ 舊製程切割機精度有限
‧ 切割刀片為耗材,生產成本重

解決之道:
‧ 精度:Laser Scriber 精度主要取決於自動化機械控制精度
‧ 效益:可縮小切割道空間,增加單位面積晶粒數
‧ 耗材:Laser Oscillator 半衰期成本差異不大

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LED 製程與設備說明
磊晶
EPI-WAFER
(MOCVD)

晶片製程
FAB PROCESS
-Anneal
-Photolithography
-Metallization
-Dry & Wet etching
-Visual Inspection

品質測試

研磨拋光

QA Testing

Lapping &
Polishing

切割劈裂

OQC &
Delivery

Counting &
Package

Visual
Inspection

Chip Sorting

出貨檢查

計數包裝

外觀檢查

晶粒分類

Scribing &
Breaking

100% Probing
Test

晶粒測試
20

Chip Probing

21

Blue LED – 主要測試項目
Parameter

Symbol

Measurement
Condition

Min.

Typical

Max.

Unit

Forward Cutin Voltage

Vfin

Ifin =10μA

1.8

2.4

2.5

V

Forward
Voltage

Vf

If =20mA

2.9

3.3

3.5

V

Reverse
Current

Ir

Vr =5V

---

0.5

5

μA

Luminous
Intensity

Iv

If =20mA

18

---

999

mcd

Dominant
Wavelength

λd

If =20mA

450

---

475

nm

22

LED Prober

23

Prober 設計上的考量
精度:
‧Pad Size : 80 ~ 100 um
‧Probe Mark : 20 ~ 30 um
‧Accuracy : < 10 um

課題:

Pad

‧ 若精度不佳,後段 Bonding 製程無法進行
‧ 若傷及發光區,降低產品價值
‧ 趨勢:Pad 縮小可增加發光面積,如何提升設備精度?
24

視覺定位
視覺 v.s. 精度
‧機械定位精度 10 um
‧視覺辨視精度 10 um
Î Total 20 um

25

視覺辨識的挑戰
Normal

Power
Chip

粗化

鍍膜

26

Prober 的課題
‧ 生產速度 v.s. 精度要求
‧ 振動低
‧ 大行程 ( 2 inch Æ 4 inch wafer )
‧ 散熱問題 ( Power Chip )
‧ Cell Probing ( ex : RGGB 4-in-1 Cell )
‧ ……
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LED 製程與設備說明
磊晶
EPI-WAFER
(MOCVD)

晶片製程
FAB PROCESS
-Anneal
-Photolithography
-Metallization
-Dry & Wet etching
-Visual Inspection

品質測試

研磨拋光

QA Testing

Lapping &
Polishing

切割劈裂

OQC &
Delivery

Counting &
Package

Visual
Inspection

Chip Sorting

出貨檢查

計數包裝

外觀檢查

晶粒分類

Scribing &
Breaking

100% Probing
Test

晶粒測試
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Chip Sorting
‧晶粒分類:波長、亮度、電性…
‧外觀分類:破晶、刮傷

29

LED Sorter

30

Sorter 應用的課題
‧Multi-Bin 分類需求
‧Fully-Auto 化降低人力
‧AOI 視覺檢測能力加強
‧生產效率提升
‧與 Prober 之 In-Line 連線整合
31

Q&A

32

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