You are on page 1of 107

MISKOLCI EGYETEM ELEKTROTECHNIKAI

-
VILLAMOSMÉRNÖKI ELEKTRONIKAI
INTÉZET TANSZÉK

DR. KOVÁCS ERNŐ

ELEKTRONIKA
II.

(DISZKRÉT FÉLVEZETŐK,
ERŐSÍTŐK)

ELŐADÁS JEGYZET

2003.
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

2.0. Diszkrét félvezetők és alkalmazásaik
A fejezet összefoglalja a legfontosabb ismereteket a diszkrét félvezető alkatrészekről és
alkalmazásaikról. Kiemelten tárgyalja a lineáris alkalmazásokat, elsősorban is a diszkrét
elemekkel felépített félvezetős erősítőket. A fejezet a diszkrét alkatrészek közül nem
foglalkozik a teljesítmény-elektronikai alkatrészekkel és alkalmazásaikkal, az
optoelektronikai alkatrészekkel és a speciálisan csak nagyfrekvencián használt
alkatrészekkel, mivel ezeket egyéb tárgyak, anyagrészek, vagy fejezetek tartalmazzák. Az
egyes elektronikai elemek tárgyalásánál elsősorban –az alapvető működésén túl- a
legjellemzőbb paraméterek megismerése és értelmezése a cél. A diszkrét alkatrészek
családja jelentős számú alkatrészből áll, amelyből a fejezet csak a legjellemzőbb
alkatrészeket emeli ki a teljesség igénye nélkül.

2.1. Félvezető-elmélet alapjai
Az elektronika oly mélységig tárgyalja az elektronfizika vonatkozó tárgyköreit, ameddig
az szükséges ahhoz, hogy megértsük a félvezetőkben lezajló alapvető fizikai folyamatokat,
a félvezetők működését befolyásoló hibákat és a hőmérséklet hatását, mivel ezek közvetlen
hatással vannak az egyes elektronikai kapcsolások tulajdonságaira. A témakörhöz
kapcsolódó mélyebb, részletesebb ismereteket a fizika egyes fejezetei (szilárdtestfizika és
az elektronfizika) nyújtanak (lásd ajánlott irodalom).

A kristályos szilárd anyagokban a kötött rácsrészecskék környezetében szabad elektronok
találhatók. A szabad elektronok mennyisége dönti el, hogy az adott kristályos anyag
milyen villamos tulajdonsággal rendelkezik, pl. vezető vagy szigetelő. A vezetésben csak a
szabad elektronok vesznek részt.

Potenciális energia

Az atomhoz kötött elektronok meghatározott diszkrét energiaszinteket/pályákat tölthetnek
be. A diszkrét energiaszintek energiája meghatározható a magtól vett távolság
függvényében, figyelembe véve, hogy az elektronok pályasugara (r) csak egy egész szám
(n) négyzetével lehet arányos:
mZ 2 q 4 1
Wn (r ) = − ⋅
8ε o2h 2 n 2
ahol, m az elektron tömege, q az elektron töltése, Z rendszám, εo a vákuum permittivitása,
ħ a Planck-féle állandó. Az n kis egész szám n=1,2,3….
Wn(r) Wn(r)
r
r

potenciálgát

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 2
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Az ábrán azt az esetet ábrázoltuk, amikor az atomok rácstávolságnyira vannak egymástól.
A szaggatott vonal határolja azt a potenciálisenergia-teret, amelyben elektron nem
tartózkodhat. Az így létrejövő potenciálgátak a klasszikus fizika szerint megakadályozzák
az elektronok szabad mozgását a térben, azonban a kvantummechanika szerint az alagút-
hatás révén az elektronok egy része mégis átjut.
A meghatározott diszkrét energia pályák felhasadnak és nagy számú szint lehetséges
egymáshoz viszonylag közel. Ezek a szintek (amelyek továbbra is diszkrétek) képeznek
egy energia sávot. Az energia sávok között tiltott energia sávok helyezkednek el,
amelyben elektron nem tartózkodhat. A sávok közül az utolsó részben vagy teljesen
betöltött sávot vegyértéksávnak, míg az első nem betöltött vagy csak kis mértékben
betöltött sávot vezetési sávnak nevezzük. A vegyértéksáv és a vezetési sáv közötti tiltott
sáv nagysága jellemzője a vezető, félvezető és szigetelő anyagoknak. A vezető anyagok
teljesen betöltött vegyértéksávú, üres vezetési sávú és 3 eV-nál kisebb tiltott sávszélességű
anyagok. Ha a tiltott sáv szélessége 5..8 eV, akkor az anyag szigetelő. A kettő közötti
helyezkednek el a félvezetők. Pl. a szokásos félvezető anyagoknál a tiltott sáv szélessége:
Si esetén 1.1 eV, Ge esetén 0.72 eV, GaAs esetén 1.3 eV. Az energiasávok alapján lehet a
legegyszerűbben modellezni a félvezetők működését.

Sávelméleti alapok

A félvezető anyagokban a tiltott sáv szélessége elegendően kicsi ahhoz, hogy már
szobahőmérsékleten a vegyértéksávból elektron lépjen ki és a vezetési sávba kerüljön. A
kilépett elektron (n) helyén elektron hiány lép fel, ami pozitív töltést (p) jelent ezt hívjuk
lyuknak.
Az elektron gerjesztés hatására bekövetkező kiszakadását a kötött rácsszerkezetből
párképződésnek (generációnak) a visszatérését rekombinációnak nevezzük. A generáció
során lyuk-elektron pár keletkezik, a rekombináció során azonban egy lyuk-elektron pár
megsemmisül. Egy adott hőmérsékleten a töltéssűrűség egyensúlyban van, azonos számú
generáció és rekombináció zajlik le. Termikus gerjesztés esetén tehát mindig azonos számú
elektron és lyuk keletkezik.
W

Vezetési sáv
üres
Tiltott sáv
Vegyértéksáv
teljesen betöltött

generáció rekombináció
Az elektronok generációja és rekombinációja azonban nem minden anyagnál ilyen direkt
folyamat. A félvezetőket aszerint is csoportosíthatjuk, hogy az elektronok gerjesztése
(foton abszorpció) ill. generációja (foton kisugárzás) közvetett (indirekt félvezetők) vagy
közvetlen (direkt félvezetők) átmenettel történik-e. Direkt félvezetők esetén a k
hullámszámvektor (az elektromágneses tér terjedési irányába mutató, a frekvenciával
arányos vektor) nem változik meg, míg indirekt félvezetők esetén megváltozik.
A fenti sávszerkezeti modellel szemben a vezetési sáv alsó energia szintje és a
vegyértéksáv felső energia szintje nem párhuzamosan fut egymással, hanem a

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 3
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

hullámszámvektorral változik. A generációs és rekombinációs folyamatok ott zajlanak le,
ahol az a legkisebb energiaváltozással történik.

Direkt félvezetők
Wg = hωg , ahol Wg a tiltott sáv energia szélessége.

W

Vezetési sáv alsó
Wg energia szintje

A vegyértéksáv felső
energia szintje
k
A vezetési sáv alsó széle ugyanahhoz a k hullámszám-vektorhoz tartozik, mint a
vegyértéksáv felső széle. Ilyen félvezető, pl. GaAs, InSb, GaSb, stb. A direkt félvezetők az
energiát elsősorban a fénytartományba tartozó hullámsávban (foton kisugárzás) sugározzák
ki.

Indirekt félvezetők
hω = Wg + hΩ ,

ahol Wg a tiltott sáv energia szélessége, ħω a foton energia, ħΩ a fonon energia.
W

Vezetési sáv alsó
energia szintje
Wg

A vegyértéksáv
felső szintje
k
A vezetési sáv legalacsonyabb energia szintje eltérő k hullámszám-vektorhoz tartozik,
mint a vegyértéksáv felső energia szintje. Ilyen félvezető, pl. Si és Ge alapú félvezetők. Az
indirekt félvezetők az energiát elsősorban a hő-tartományba tartozó hullámsávban (fonon
kisugárzás) sugározzák ki.

Fermi szint (WF)

0 K° felett az elektronok az egyes energia szinteket különböző valószínűséggel (p) töltik
be. A betöltési valószínűséget a Fermi-Dirac eloszlási függvénnyel határozzák meg.
1
p=  W −W F 
 
1+ e  kT 

k a Boltzmann állandó, T a hőmérséklet [K]

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 4
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

W T=300 [K]
T=0 [K]
WF

p
0 0.5 1

A Fermi-szint definíciója:
1. Az az energiaszint, amelyet a szabad elektronok 50% valószínűséggel töltenek be.
2. Az a maximális energiaszint, amelyet az elektronok 0 K°-on még betölthetnek.
A Fermi-szint jelentőségét az adja, hogy az egyes anyagok–energia szerkezet
szempontjából- a Fermi- szintjükkel kapcsolódnak egymáshoz.

A félvezetőanyagok fajlagos vezetőképessége(σ) függ az elektron (n(T)) ill. lyuk (p(T))
koncentrációtól és az elektronok (µn) illetve lyukak (µp) mozgékonyságától. Az elektronok
mozgékonysága nagyobb, mint a lyukak mozgékonysága (pl. szobahőmérsékleten Si
esetén 2.6-szor, míg GaAs esetén 22-szer nagyobb). A mozgékonyság is
hőmérsékletfüggő. A lyukak és az elektronok mozgása ellentétes irányú, amely a lyukak
definíciója és keletkezési mechanizmusa alapján érthető.

A differenciális Ohm-törvény a mozgékonyság és a töltéshordozó koncentráció alapján
felírható:
σ = q(nµ n + pµ p )
J = σE
J az áramsűrűség. A térerő (E) hatására létrejött áramot drift áramnak nevezzük.

Intrinsic (saját) félvezetők

A nagytisztaságú félvezetőkben termikus gerjesztés hatására létrejött vezetést
sajátvezetésnek, az ilyen típusú félvezetőt sajátvezetőnek (intrinsic) nevezzük. A
sajátvezetés és a saját töltéshordozó sűrűség is nagy mértékben függ a tiltott sáv szélessége
és a hőmérséklet viszonyától (∆W/T). Ha ez a hányados kicsi, akkor a saját töltéshordozó
sűrűség is kicsi és a vezetőképesség is kicsi.
A sajátvezetés töltéssűrűség koncentrációja kicsi és erősen hőmérsékletfüggő (mivel maga
a hőenergia váltja ki), ami hátrányos a stabil vezetés szempontjából, ezért a gyakorlatban
szennyezett félvezetőket használunk, de a saját vezetés, mint fizikai jelenség minden 0 K
hőmérséklet felett üzemelő félvezetőben fellép. Léteznek félvezetők, amelyekben
szándékosan hozunk létre intrinsic réteget, hogy a félvezető bizonyos –a felhasználás
szempontjából fontos- tulajdonságait erősítsük (pl. pin-dióda).

Szennyezett félvezetők (extrensic félvezetők):

A félvezető alapanyagok (Si, Ge, GaAs, SiC, stb.) 4 vegyértéke stabil kovalens kötésű
rácsszerkezetet eredményez.
A félvezető alapanyagokhoz adalékolt 5 vegyértékű anyag azt eredményezi, hogy egy
szabad (le nem kötött) elektron keletkezik minden szennyező atomra. Ez elektron többletet

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 5
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

eredményez. Az így kapott félvezető réteget n rétegnek nevezzük (a szabad töltéshordozók
töltése alapján), magát a szennyezést donor típusú szennyezésnek nevezzük.
3 vegyértékű szennyező anyag alkalmazása esetén egy szabad elektron hiány (lyuk)
keletkezik minden szennyező atomra (a negatív töltés hiánya pozitív töltésként viselkedik
és a vezetésben úgy vesz részt mint az elektron, de ellentétes mozgási iránnyal). Az
elektron hiány pozitív töltést, azaz p réteget eredményez. A vezetésben csak a szabad
elektronok és lyukak vesznek részt. A 3 vegyértékű szennyezést akceptor típusú
szennyezésnek nevezzük.

Szennyezéssel a sajátvezetés töltéshordozóihoz képest sok nagyságrenddel több szabad
töltéshordozót viszünk be a félvezető anyagba. Pl. Si anyagban a donor szennyezés
mértéke tipikusan 1022/m3, míg az intrinsic töltéshordozók mennyisége
szobahőmérsékleten 1016/m3. A töltésegyensúlyból meghatározható, hogy ez kb. 1022/m3
elektront és 1010/m3 lyuk szabad töltéshordozót jelent.
Szennyezésre több olyan anyag is lehetőséget biztosít, amelynél a többlet elektron vagy
lyuk már szobahőmérsékleten is szabaddá válhat, pl. 5 vegyértékű: As, P, Sb, 3
vegyértékű: B, Al, Ga, In.

Az akceptor típusú szennyezés esetén a szennyező anyag energia szintje a tiltott sávba a
vegyértéksávhoz közel esik, így a vezetés a szennyezett anyag vegyértéksávja és a
szennyező anyag akceptor energia szintje között zajlik le.

W
Vezetési sáv

Tiltott sáv
Akceptor energia szint

Vegyértéksáv

Akceptor típusú szennyezés
P típusú félvezető anyag

A donor típusú szennyezés esetén a szennyező anyag energia szintje a tiltott sávba a
vezetési sávhoz közel esik, így a vezetés a szennyezett anyag vezetési sávja és a szennyező
anyag donor energia szintje között zajlik le.

W
Vezetési sáv

Donor energia szint
Tiltott sáv

Vegyértéksáv

Donor típusú szennyezés
n típusú félvezető anyag

A szabad töltéshordozók meghatározó többsége a szennyezéssel bevitt töltéshordozók (lásd
a fenti példát), így a Fermi-szint az akceptor vagy donor energia szint közelében van.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 6
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

A szennyezéssel bevitt töltéshordozókat (éppen meghatározó jellegük miatt) többségi
töltéshordozóknak, míg a termikus gerjesztés révén keletkező lyuk-elektron párokat
kisebbségi töltéshordozóknak nevezzük.

A szennyezés mértékének jelölése: n+ vagy p+ erősen szennyezett, n- vagy p- gyengén
szennyezett, amely az n és p szennyezéshez képest értendő.

Degenerált félvezetők
Amennyiben a szennyezés mértéke eléri, vagy meghaladja az 5x1023/m3 mértéket, akkor a
Fermi-szint a vezetési sávba (n) vagy a vegyértéksávba (p) tolódik el a tiltott sávból. Ez a
félvezetőnek fémes vezető tulajdonságot kölcsönöz a vezetési, vagy a vegyértéksávban
levő nagy mennyiségű töltéshordozó miatt. Speciális félvezetőket készítenek a degenerált
félvezető anyagokból.

A hőmérséklet hatására a termikusan gerjesztett intrinsic töltéshordozók száma rohamosan
nő, míg az extrensic töltéshordozók mennyisége nem változik. Amennyiben az intrinsic
töltéshordozók száma megegyezik az extrensic töltéshordozók számával, azaz ni=Na vagy
ni=Nd, akkor az eszköz sajátvezetésűvé válik (tranzit hőmérséklet). A gyorsan növekvő
számban keletkező töltéshordozók a belső hőmérsékletet emelik. A belső melegedés
következtében ez a folyamat tovább folytatódik és az eszköz a hőmérséklet hatására
tönkremegy. A működés során a félvezető hőmérsékletét minden esetben jóval a tranzit
hőmérséklet alatt kell tartani.

A félvezető anyagok gyártástechnikailag elérhető tisztasága, a kristályszerkezet torzulása a
potenciálgát sérülését eredményezi, melynek következtében elektron és lyuk csapdák
alakulnak ki. Ezek a csapdák részt vesznek a vezetésben és lecsökkentik a töltéshordozók
várható élettartamát. Különösen erősen befolyásolja a működést az az eset amikor a csapda
közel a tiltott sáv közepén helyezkedik el, mert ekkor mind az elektronok, mind a lyukak
elérik és mint rekombinációs központ működik. Az elektron és lyuk csapda esetén a
töltéshordozók átlagos élettartama sokkal hosszabb, mint a rekombinációs központ által
okozott rövid élettartam.
W
Vezetési sáv
elektron csapda

Tiltott sáv

lyuk csapda Vegyértéksáv rekombinációs központ

Az elektron/lyuk csapdák és a rekombinációs központok a félvezetők tulajdonságait
befolyásolják, pl. zaj, dinamikus viselkedés, stb. Van olyan eset amikor mesterségesen
hozunk létre pl. rekombinációs központokat, mivel ez meggyorsítja a felhalmozott töltések
kisütését (gyors félvezetők, pl gyors dióda).

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 7
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

2.1.1. A pn átmenet

A p és n rétegnek a gyártás során kialakuló kapcsolata különböző fizikai folyamatok
lezajlását eredményezi. Ennek megértését a sávelmélet alapján, a szabad töltéshordozók
eloszlása és a belső elektromos tér segítségével szemléltetjük.
Tételezzünk fel két különbözőképen szennyezett hasáb alakú félvezetőt (a gyakorlatban
sohasem ilyen kialakításúak), amelyeket kontaktusba hozunk egymással. Jelöljük az ábrán
a többségi töltéshordozókat körrel. (A kiürített réteg a valóságban sokkal keskenyebb, mint
a többi réteg!) A ρ a szabad töltéshordozók sűrűsége.

Jelölések: p réteg kiürített réteg n réteg
p többségi
n többségi
p kisebbségi
n kisebbségi
töltéshordozók E

ρ

+
x
-
W

Vezetési sáv
WD
Fermi szint
Tiltott sáv
Vegyértéksáv

Az ábra a szabad töltéshordozók kristály-menti (x irányú) eloszlást szemlélteti. A többségi
töltéshordozók gerjesztetlen állapotban a rácsszerkezethez kötve találhatók, szabad
töltéshordozók döntően a kiürített rétegben (további szokásos elnevezések tértöltési
tartomány, átmeneti tartomány) alakulnak ki.

A pn átmenetben lezajló folyamatok:

A két rétegben, mivel a többségi töltéshordozók töltése ellentétes és a rétegekben
koncentráció különbség van, megindul egy kiegyenlítő áram (diffúziós áram). A többségi
töltéshordozók a határfelületen (réteg, junction) az ellentétes töltésük miatt közömbösítik
egymást. A kisebbségi töltéshordozók azonban állandóan keletkeznek és rekombinálódnak,
mivel ezeket a termikus gerjesztés hozta létre. Így a határfelületen csak kisebbségi
töltéshordozók maradnak, azok is rekombináció miatt olyan megoszlásban, hogy a p
rétegben az n kisebbségi, n rétegben a p kisebbségi töltéshordozók koncentrációja sokkal
jelentősebb. Ez a töltésmegoszlás, mint egy sík kondenzátor viselkedik. A két oldal között
térerő alakul ki, amely a többségi töltéshordozók mozgása ellen hat. Minél szélesebb a
kiürített réteg annál nagyobb a belső térerő. Az így kialakult térerő azonban a kisebbségi

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 8
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

töltésekre gyorsítóan hat és kialakul egy kisebbségi töltéshordozó áram is (drift áram).
Termikus egyensúlyban a két áram (a diffúziós- és a drift áram) egyenlő. A pn réteg a
külvilág felé elektromosan semleges, a fenti folyamatok a réteg belsejében zajlanak le.

Az elektronoktól származó eredő áramsűrűség (Jn):
 dn 
J n = q nµ n E + Dn 
 dx 
A lyukak mozgásából származó eredő áramsűrűség (Jp):
 dn 
J p = q nµ p E − D p 
 dx 
Az elektronok (Dn) és a lyukak (Dp) diffúziós együtthatója:
kT
Dn = µ n
q
kT
Dp = µ p
q
Az eredő áramsűrűség:
J = Jn + J p

A belső térerő és a potenciálgát közötti összefüggés:
WD = qE
Az alábbi ábra szemlélteti az elektronok drift és diffúziós áramát (lyukak esetén
ugyanilyen összefüggés van, de ellentétes mozgási iránnyal):
p réteg kiürített réteg n réteg
többségi

kisebbségi

A belső térerő egy diffúziós potenciált hoz létre a kiürített rétegben:
kT N a N d
UD = ln 2
q ni
Na az akceptor szennyezés, Nd a donor szennyezés, ni a keletkező lyuk-elektron párok
száma térfogategységben (azonos számú lyuk és elektron keletkezik hő hatására). A
diffúziós feszültség az anyagtól, hőmérséklettől és a szennyezés mértékétől függ.
kT
UT =
q
Az UT az elektronika egy fontos paramétere és termikus feszültségnek nevezzük. Értéke
szobahőmérsékleten 26 mV (mivel értéke a hőmérséklettel egyenesen arányos, néhány
szakirodalom ettől eltérő értéket használ -attól függően, hogy milyen hőmérsékletre
vonatkoztatják- pl. 25 mV, 40 mV, stb.).

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 9
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Példa a diffúziós potenciál meghatározására:
Tételezzünk fel egy szokásos szennyezési arányt, pl. Na=3.1023/m3, Nd=3.1022/m3, UT=26 mV.
Szobahőmérsékleten az UD értéke ilyen körülmények között Si esetén 0.81 V, Ge esetén 0.43 V, GaAs esetén
1.16 V. (A szokásos értékek Si esetén 0.5-0.8, Ge esetén 0.2-0.5, GaAs esetén 1.1-1.4 V.)

2.1.1.1. A pn réteg gerjesztése külső feszültséggel

A pn rétegre kétféle módon kapcsolható feszültség kívülről:
A) az n rétegre a p réteghez képest pozitívabb feszültséget kapcsolva (záróirány)
B) a p rétegre az n réteghez képest pozitívabb feszültséget kapcsolva (nyitóirány)

A) Záróirányú feszültség

A külső feszültség iránya olyan, hogy növeli a belső térerőt, azaz még jobban lezárja a
félvezetőt. Az ábrán látható, hogy a potenciálgát megnő (WD+Wk, ahol Wk a külső
feszültség hatására létrejött belső energiaváltozás) és még kevesebb töltéshordozót enged
át. A diffúziós áram lecsökken, a drift áram megnő. Ennek hatására a kiürített réteg megnő.
A zárt áramkörben a kisebbségi töltéshordozók árama indul meg, amelynek nagysága csak
csekély mértékben függ a rákapcsolt feszültségtől, nagyságát elsősorban a hőmérséklet
szabja meg.
A pn réteg tehát lezárt állapotban sem ideálisan zárt, mert folyik a kisebbségi
töltéshordozók árama, amelyet gyakran maradékáramként vagy visszáramként
(optoelektronikai eszközök esetén sötétáramként) definiálunk (Io).
A záróirányú feszültség növelésével, az eszköz a letörés határára kerülhet, amely
tönkremenetelét okozhatja. A letörési jelenségekkel a 2.1.1.2. fejezet foglalkozik
részletesen.
Energia viszonyok záróirányú előfeszítés esetén:

p n

Uk

W
qUD+qUk
WD Wk

Vezetési sáv

Fermi szint
Tiltott sáv
Vegyértéksáv

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 10
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

B) Nyitóirányú feszültség

Nyitóirányban a p rétegre pozitívabb feszültséget kapcsolunk, mint az n rétegre.

p n

Uk

W
q(UD-Uk)

Vezetési sáv

Fermi szint
Tiltott sáv
Vegyértéksáv

A külső feszültség iránya olyan, hogy csökkenti a diffúziós áramot akadályozó belső
térerőt. Amennyiben a külső feszültség eléri a diffúziós potenciál értékét a potenciálgát
nem akadályozza tovább a többségi töltéshordozók áramát, így az áram rohamosan
(exponenciálisan) növekszik.
A pn réteg árama:
 UU k 
I = I o  e T − 1
 
 
Tranziens folyamatok a nyitó és záró feszültségirány változtatása esetén:

Változtatva a rétegekre kapcsolt feszültség irányát az eszköz meghatározott sebességgel
kapcsol át az egyik állapotból a másikba. Különösen kritikus a sebesség szempontjából a
nyitóirányból záróirányba történő váltás. A nyitóirányban felhalmozott többségi töltések
kisütése (rekombinációja) időt igényel, mivel az átkapcsolás után csak kisebbségi
töltéshordozók árama lesz, ami nagyságrendekkel kisebb áram, így a rekombináció is több
időt igényel. Ez megnöveli az átkapcsolási időt (töltéstárolási idő). A folyamat gyorsítható
rekombinációs centrumok kialakításával, ahol a közbenső energia szinten mind az elektron,
mind a lyuk rekombinálható, pl. arany szennyezéssel gyorsíthatják az eszközt
(gyorskapcsoló dióda).

2.1.1.2. Letörési jelenségek a pn rétegben

A záróirányú feszültség növelésével elérünk egy olyan feszültséget, amelynél a lezárt pn
átmeneten egyre nagyobb áram folyik át. Ez a feszültség a letörési feszültség (UBR). A
letörési folyamatok kialakulásának oka különböző lehet. A jelenség leírására két fizikai
hatást alkalmaznak.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 11
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

A) Lavina (avalanche) hatás

Nagy záróirányú feszültség hatására megnövekedett kiürített rétegben a szabad
töltéshordozók (kisebbségi) felgyorsulnak a rájuk nézve gyorsító hatású térben és nagy
energiára tesznek szert. A szabad elektronok beleütközve az atomszerkezethez kötött
elektronokba átadják energiájukat és további töltéshordozókat szakítanak ki. Ez a folyamat
ismétlődik és egy lavina-sokszorozás alakul ki a rétegben. A réteg tönkremenetelét a nagy
záróirányú feszültséggel egyidőben kialakuló áram által keltett veszteségi teljesítmény
okozza, amely jelentősen növeli a belső hőmérsékletet. A lavina hatás szennyezett
félvezetőkben 6-7 V felett alakulhat ki a szennyezés mértékétől függően. A jelenség
lezajlásához nagy szabad úthossz kell a töltéshordozóknak, ezért hőmérséklet növekedése
esetén növekvő záróirányú feszültség kell a letöréshez. A letörési feszültség hőmérsékleti
együtthatója tehát pozitív.

B) Alagút (Zener-) hatás

Erősen szennyezett félvezetők esetén lép fel. Az erős szennyezés következtében a kiürített
réteg vékony lesz, amely azt eredményezi, hogy már alacsony záróirányú feszültség esetén
is nagy térerő alakul ki. A vékony kiürített réteg és nagy térerő miatt közvetlen vezetés
indul meg az n-réteg vezetési és a p-réteg vegyértéksávja között.

W

Vezetési sáv

Fermi szint
Tiltott sáv
Vegyértéksáv

Zener hatás 6 V alatti záróirányú feszültség esetén alakul ki. A Zener hatáshoz nem kell
nagy szabad úthossz, így a hőmérséklet növekedése esetén a növekvő számú kisebbségi
töltéshordozó következtében a kiürített réteg vékonyabb lesz, azaz a letörési feszültség
hőmérsékleti együtthatója negatív.

2.1.2. Fém-félvezető átmenet

A fémekben a vezetési és a vegyértéksáv közötti tiltott sáv szélessége nagyon kicsi,
gyakran a két sáv átlapolódik. A fém-félvezető átmenet tulajdonságait nagymértékben
befolyásolja a két réteg vezetési sáv szélességének energia különbsége és a szennyezés
mértéke. A gyakorlat számára a legnagyobb jelentősége (pl. Shottky-dióda) a
∆Wcfém>∆Wcfélvezető esetnek van, ahol a fém [Al (digitális áramkörök), illetve Au vagy Pt
(nagyfrekvenciás alkatrészek)] kontaktusba kerül Si vagy GaAs félvezetővel.
A fémben levő nagy számú töltéshordozó miatt kiürített réteg csak a félvezetőben
keletkezik, a fém felületén és a félvezető kiürített rétegében töltésmegoszlás keletkezik a
pn réteghez hasonlóan. A felhalmozott töltés azonban kisebb, ami gyorsabb működést tesz
lehetővé.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 12
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

∆Wc
-

Wcfém
- Wcfélvezető vezetési sáv
-
- WF

vegyértéksáv

fém n félvezető réteg

A kevés szabad töltéshordozó miatt a kiürített réteg ellenállása nagyobb, mint akár a fém
akár a félvezető ellenállása volt. Alapállapotban (ábra szerint) a félvezetőn az egyensúlyt a
fémből a félvezetőbe és a félvezetőből folyó áram egyensúlya tartja fenn. Az eszköz
kívülről villamosan semleges, a belső vagy diffúziós feszültség tartja fenn az egyensúlyt. A
kialakuló diffúziós feszültség is kisebb, mint Si alapanyagú pn réteg esetén:
∆Wc
UD =
q
Ha az n rétegre negatívabb feszültséget kapcsolunk, akkor csökken a potenciálgát a két
réteg között, diffúziós áram indul. Ez az eszköz nyitóirányú előfeszítése.
Fordított előfeszítés esetén a fémből eredő töltéshordozók mennyisége nem változik, de a
félvezetőből származó töltéshordozók száma lecsökken, a kiürített réteg nő. A fém-
félvezető dióda tehát egyenirányító jellegű.
Ha a félvezető réteg erősen szennyezett (pl. n+, degenerált félvezető), akkor az átmenet úgy
viselkedik, mintha két fémet hoztunk volna kontaktusba. Ezt a megoldást alkalmazzák,
amikor egy félvezető lábat, illetve annak fémmel a réteghez vezetett jelét a
félvezetőréteghez erősen szennyezett rétegen keresztül vezetjük be integrált áramkörökben.
Így a réteg és a fémkivezetés közötti ellenállás kicsi lesz, ami előnyös a félvezető üzemére.

2.1.3. Termikus hatások félvezetőkben

Az elektron mozgása során -egyik rétegből a másikba- egyben energia is transzportálódik,
méghozzá hő formájában. A szállított hő arányos a szállított elektronok mennyiségével.

Peltier-hatás:

Két anyagon (félvezetőrétegen) U feszültség hatására átfolyó Q töltés által továbbított W
energia aránya a Peltier-együttható:
W P
αP = =
Q I
Ha egy félvezetőt két fém közé helyezünk és feszültséget kapcsolunk a fémekre, akkor az
egyik fémből a másikba mozoghatnak a töltések és ezzel a hőenergia, az átmenetek
egyenirányító hatása és a rétegek energia viszonyai miatt. Az n és p rétegeket egymástól
fémmel elválasztva felváltva alkalmazzuk akkor egy Peltier- termoelektromos hűtőt
kapunk, amelynek a mindennapi életen túl a félvezetők aktív hűtéseiben is egyre növekvő
szerepe van.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 13
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Ha a két anyag két ponton úgy csatlakozik, hogy azok különböző hőmérsékleten vannak,
akkor fellép a Seebeck-hatás. Ezt a jelenséget a termoelektromos átalakítóknál használják
ki hőmérséklet mérésére (hőelemek).
∆V
α S = lim
∆T → 0 ∆T

αP
αS =
T
Ha egy anyagon belül van hőmérséklet különbség akkor fellép a Thomson-hatás. Ennek a
jelenségnek az elektronikában kisebb a gyakorlati haszna.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 14
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

2.2. Kétrétegű félvezetők
Két félvezető réteggel számos félvezetőt építenek. Gyakorlatilag a pn rétegben lezajló
minden pozitív és negatív folyamat alapján készítenek eszközöket, mivel ami az egyik
felhasználási terület szempontjából hátrányos, az a másikból előnyös lehet, pl. kapacitás a
kiürített rétegben hátrányos a sebesség szempontjából, de ezen alapulnak a varicap diódák
vagya letörési jelenség hátrányos a normál diódánál, de ezen alapulnak a Zener-diódák,
stb.
A pn átmeneten alapuló eszközök egy jelentős csoportját alkotják az optoelektronikai
alkatrészek, azonban speciális tulajdonságaik és felhasználásuk miatt egy külön fejezet (4.
fejezet) foglalkozik velük.
A továbbiakban a leggyakoribb kétrétegű félvezető eszközök tulajdonságait és alkalmazási
területeit tekintjük át.

2.2.1. Dióda

A legalapvetőbb, leggyakrabban alkalmazott kétrétegű, egy pn átmenetet tartalmazó
eszköz a dióda (léteznek egyéb egyátmenetű eszközök is, azonban speciális felhasználási
területeik miatt itt nem foglalkozunk velük, pl. az egyátmenetű tranzisztor az UJT, amelyet
elsősorban az impulzustechnikában és teljesítményelektronikában használnak).

A dióda jelölése és a kivezetések elnevezései:
Katód

Anód

2.2.1.1. Dióda karakterisztika, paraméterek

IDF
nyitóirányú előfeszítés
IDFn
UBR UBRn Io
UDR UDF
UDFn
záróirányú
előfeszítés
IDR

A dióda nyitóirányban (UDF,IDF) akkor van előfeszítve, ha az anódján a feszültség
pozitívabb, mint a katódján. Záróirányban (UDR,IDR) az előfeszítés iránya ellentétes. A
záróirányú karakterisztika áram tengelyének (IR) léptékezése eltér a nyitóirányú
karakterisztikáétól a záróirányú áram bemutatása érdekében (a záróirányú áram a
nyitóirányú áramhoz képest több nagyságrenddel kisebb).

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 15
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

A dióda viselkedését nyitóirányban leírhatjuk a dióda egyenlettel:
 mU
U DF

I D = I o  e T − 1
 
 
Ahol: Io a maradékáram/visszáram (a kisebbségi töltéshordozók árama, mivel értéke a
hőmérséklettől függ, így a záróirányú feszültség –eltekintve a felületi
töltésszivárgástól- értékét nem befolyásolja)
UDF a dióda nyitóirányú feszültsége
UT a termikus feszültség, értékét ált. 26 mV-ra vesszük (∼23 C°)
m korrekciós tényező (értéke 1…2 között változik), amely a szennyezés mértékétől
függ. Normál diódáknál értékét 1-nek vesszük.

A dióda nyitóirányú árama egy adott feszültégtől kezdve rohamosan nő. Ez a feszültség
jellemző az adott dióda típusra, pl. Si diódák esetén 0,5…0,8 V között (a szennyezés
mértékétől függően), GaAs diódák esetén 1,1…1,4 V között, Ge diódák esetén 0,2…0,5 V
között (egyenlő a belső diffúziós potenciál értékével).

A fenti egyenlet kis áramok esetén igaz, mert növekvő áramoknál a rétegek, a
hozzávezetések valamint a csatlakozási pontok ohmos ellenállása nem hanyagolható el, így
azok lesznek a dominánsak (a karakterisztika –az ohmos ellenállásnak megfelelően-
egyenesbe megy át).

Jellemző statikus paraméterek:
nyitóirányú névleges áram IDFn (a diódán átfolyó szinuszos alakú áram lineáris
középértéke),
Egyenirányító kapcsolásokban (lásd 5. fejezet) fontos jellemző a periodikus
csúcsáram (max. áramcsúcs periodikus terhelés esetén), valamint az
aperiodikus csúcsáram (általában bekapcsoláskor fellépő legnagyobb
áramcsúcs).
névleges nyitóirányú feszültség UDFn,
Maximális veszteségi teljesítmény PDmax, amely a nyitóirányú áram és a dióda
feszültségének szorzata,
Visszáram Io
Névleges letörési feszültség UBRn, amely a tényleges letörési feszültség (UBR) 2/3
része.
A pn átmenet tulajdonságai erősen hőmérséklet-függőek, amely a dióda tulajdonságaiban is
megjelenik. Nemcsak a záróirányú áram (maradékáram), hanem a nyitóirányú
karakterisztika is eltolódik a hőmérséklet függvényében:
∂U D
≅ −2... − 3mV / C o
∂T I = állandó

Ez a hátrányos tulajdonság előnyös is lehet, amikor a pn átmenetet hőmérséklet mérésére
használjuk fel.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 16
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

A dióda (pn átmenet) dinamikus tulajdonságai

Vizsgáljuk meg a dióda viselkedését az alábbi kapcsolásban
uG(t)
R
t

uG(t) uD(t)
uD(t) tt

tbe tki

A dióda jellemző dinamikus paraméterei tbe (bekapcsolási idő, amely a felfutási és a
késleltetési időből tevődik össze) valamint a tki (kikapcsolási idő, amely a töltéstárolási
időből -tt- és a lefutási időből tevődik össze).
A töltéstárolási idő döntően befolyásolja a dióda gyorsaságát. Oka a nyitóirányban a
rétegben felhalmozott jelentős mennyiségű szabad töltéshordozó, amelynek kisütése időt
igényel, különösen akkor, ha a dióda nyitóból záróirányba kerül és így a töltésáramlás
lecsökken. A gyorskapcsoló diódák esetén ezt az értéket a szennyezés beállításával és a
megfelelő réteg konstrukcióval szorítják le. Különösen nagy sebességű diódákat vagy
Shottky-diódával vagy PIN diódával valósítunk meg. A nagy frekvenciás diódák eltérő
kialakításúak a GHz tartományban fellépő jelenségek miatt pl. Gunn, IMPATT, stb.
diódák. Az egyenirányító és teljesítmény diódák esetében a melegedési problémák
jelentősebbek, így azokat arra konstruálják.

2.2.1.2. Diódák alkalmazása

A diódák legfontosabb alkalmazásai:
Egyenirányítás: az egy- és háromfázisú egyenirányító kapcsolások, amelyek közül
az egyfázisú kapcsolásokat az 5. fejezet (Tápegységek) tárgyalja részletesen.
Nemlineáris karakterisztikák megvalósítása: pl. exponenciális és logaritmikus
karakterisztika /3. fejezet/, függvények törtvonalas közelítése, nemlineáris
karakterisztikák az irányítástechnikában, stb.

2.2.2. Zener-dióda

A Zener-dióda áramköri jelölése: Katód

Anód
A Zener-diódák olyan kétrétegű félvezetők, amelyek tartósan a letörési tartományban
dolgoznak. A legtöbb félvezető elérve a letörési feszültség határértékét tönkremegy,
elsősorban a jelenség hatására a rétegekben egyre növekvő hőmérséklettől. A Zener-dióda
esetében azonban az ilyenkor keletkező hőmennyiség elvezetését megoldották és az eszköz

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 17
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

üzemszerűen –a megadott határértékek között- ebben a tartományban üzemelhet. A fentiek
alapján azonban látható, hogy a diódáknál elérhető áramokat és teljesítményeket Zener-
diódával megközelíteni sem lehet, max. néhány W veszteségi teljesítményt viselnek el. A
jellemző paraméterek megfelelő értéken tartását a rétegek speciális szennyezésével érik el
(túlszennyezett- degenerált félvezető). A Zener- diódákban lejátszódó jelenséget a két
jellemző letörési jelenséggel magyarázzák, így a 6 V alatti Zener-diódák működését az
alagút hatással (hőmérsékleti együtthatójuk negatív), a 6 V-nál magasabb értékű Zenerek
működését a lavina hatással magyarázzuk (hőmérsékleti együtthatójuk pozitív). A Zener
diódákat működési elvükből következően záróirányban működtetjük (ez alól kivételek a
2.2 V alatti Zenerek, amelyek nem valódi Zenerek, hanem dióda kombinációk, így
nyitóirányba kapcsolják őket).

2.2.2.1. Karakterisztika, paraméterek

IF
Dióda jelleg

Uz
l [m] UR UF
Izmin
∂u z
rdz =
∂iz
Izmax
IR
Zener jelleg

Nyitóirányban (UF, IF) a Zener egy kisteljesítményű diódaként viselkedik. (a Zener-t
nyitóirányban nem célszerű igénybe venni, mivel gyengébb tulajdonságokkal rendelkezik,
mint egy közönséges dióda). Záróirányban (UR, IR) a Zener elérve a Zener feszültséget (Uz)
egy minimális Zener-áram után (Izmin) meredek karakterisztikával rendelkezik, azaz
jelentős áramváltozásra is csak kis feszültségváltozással reagál. A meredekség mértékét
mutatja meg a Zener dinamikus ellenállása (rdz), amely hőmérsékletfüggő. A Zener annál
kedvezőbb tulajdonságokkal rendelkezik, minél kisebb a dinamikus ellenállás mértéke. A
6-7 V környéki Zenerek rendelkeznek a legalacsonyabb ellenállással (rdz≅10Ω). A Zeneren
kialakuló feszültség (Uz) stabil, de értéke függ a hőmérséklettől. A hőmérsékletfüggés
mértékét a hőmérsékleti együttható mutatja meg (αz), amelynek értéke lehet pozitív vagy
negatív, de 6-7 V közötti tartományban az értéke közel nulla!
∂u z
αz =
∂T
A Zener maximális áramát a Zener veszteségi teljesítménye (Pdzmax) szabja meg. A
Zenereket –akárcsak a félvezető eszközök döntő többségét- a rétegekben keletkező hő teszi
tönkre, így a Zenerek, amelyek üzemszerűen letörésben üzemelnek, különösen érzékenyek
erre.
Pdz max
I z max =
Uz

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 18
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

A Zenereket különböző paraméterek szerint sorba rendezik:
• a Zener feszültség szerint: a Zenerek az ellenállás-sorokhoz (E6-E12) hasonló sor
szerint állnak rendelkezésre, mint katalógus áramkörök.
• a veszteségi teljesítmény szerint: a Zenerek alacsony teljesítményeket viselnek el,
tipikus értékek 0.1-0.2-0.4-1-2 W.

A különösen kedvező stabilitással rendelkező, esetleg belső hőmérsékletszabályozással
ellátott (mikrochip-fűtésű) Zenereket referencia Zenereknek nevezzük.

2.2.2.2. Zener-diódák alkalmazása

A Zenereket alapvetően három feladatra alkalmazzák:
a) kisteljesítményű, nem szabályozott (visszacsatolás nélküli) tápegységként
b) referenciafeszültség-forrásként
c) nemlineáris elemként áramkörökben, pl. határolás szabályozási körökben,
oszcillátorok amplitúdó-szabályozása, stb.

Az a) és b) alkalmazás hasonló áramköri kapcsolást igényel azzal a különbséggel, hogy a
Zenert referenciafeszültség-forrásként alkalmazva stabil körülményeket kell biztosítani,
így a bemeneti feszültségnek stabilnak kell lennie, a kimenetet árammal nem szabad
terhelni és az üzemelési hőmérsékletet is stabilan kell tartani. A c) alkalmazásokkal a
megfelelő fejezetek foglalkoznak (pl. 3. fejezet oszcillátorok amplitúdó stabilizálása, stb.).
It
R

Iz
Ube Uz Uki

A kapcsolást tápegységként alkalmazva az It>0, referencia feszültségforrásként alkalmazva
It=0.

Kiindulási jellemzők:
• Ubemin<Ube<Ubemax
• Itmin<It<Itmax
• Uki
Hanyagoljuk el a Zener-feszültség változását a Zener-áram függvényében, mivel ez az
összes változáshoz képest lényegesen kisebb.
U be min − U ki
R max ≤
I t max + I z min

U be max − U ki
Rmin ≥
I z max
A kapcsolás stabilitása:
A stabilitás meghatározásához helyettesítsük a Zener-diódát egy feszültséggenerátorral
(Uz) és egy ellenállással (rdz). Ez a helyettesítés a karakterisztika azon szakaszán, ahol
stabilizátor üzemben dolgozunk jól modellezi a Zenert.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 19
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

It
R

Iz
rdz
Ube Uki
Uz

A stabilitást két paraméterrel jellemezzük:

a.) A vonali vagy “line” stabilitás:
∂U ki rdz
Su = =
∂U be I t = állandó
R + rdz

Ha a bemeneti feszültség ∆U értékkel megváltozik, akkor a kimeneti feszültség az rdz-R
feszültségosztó által meghatározott mértékben változik.

b.) Terhelési vagy “load” stabilitás
∂U ki
Si = = −rdz
∂I t U
be = állandó

Ha a terhelő áram a kimeneten ∆It értékkel megnő, akkor a Zener árama ugyanilyen
mértékben csökken (Ube állandó és a Zener feszültségének változása a bemeneti
feszültséghez viszonyítva elhanyagolható), ennek megfelelően a Zener feszültsége ∆It⋅rdz
értékkel csökken.

A két összefüggés alapján látható, hogy a stabilitás annál jobb, minél kisebb a Zener
dinamikus ellenállása és minél nagyobb ellenállást tudunk alkalmazni soros elemként. Az
R akkor a legnagyobb, ha a kimenetet egyáltalán nem terheljük árammal. (Ez a referencia
feszültségforrásként történő alkalmazás esete!)

Példa:
Tervezzünk egy egyszerű Zener diódás feszültség stabilizátort az alábbi feltételek mellet:
• 8<Ube<12 V
• 0<It<10 mA
• Uki=5,6 V
Válasszuk a minimális Zener-áramot 5 mA-re (Kisebb teljesítményű Zenereknél 5 mA
elegendő, nagyobb teljesítményű Zener esetén a 10 mA szükséges)!

A Zener feszültsége megegyezik a kimeneti feszültséggel, így:
8 − 5,6
Rmax ≤ = 160Ω
(10 + 5) ⋅ 10−3
Válasszuk az ellenállást a maximális érték közelébe (R=150 Ω szabványos ellenállás érték)
a nagyobb stabilitás érdekében !

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 20
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

12 − 5.6 12 − 5.6 12 − 5.6
Rmin ≥ ⇒ I z max = = = 42,7 mA
I z max Rmin 150
Pdz max = U z I z max = 5,6 ⋅ 0,0427 = 239mW
A fentiek alapján válasszuk a BZX79C5V6 (Philips) Zener diódát.

Az ellenállás veszteségi teljesítménye:

PR max =
(U be max − U z )2 = (12 − 5,6)2 = 273mW
R 150
Válasszunk PdR=1/3 W-os teljesítményű ellenállást!

A kapcsolás stabilitása:
rdz 12
Su = = = 0,074
R + rdz 150 + 12
A bemeneti feszültség ∆Ube=4V-os megváltozására a kimeneti feszültség ∆Uki=0,28 V-ot
változik.
S L = − rdz = −12Ω
A terhelő áram ∆Iki=10 mA-s változására a kimeneti feszültség ∆Uki=-0,12 V-ot változik.
A kimeneti feszültség maximális változása, ha mindkét paraméter egyidőben változik:
|∆Uki|max=0.28-(-0.12)=0,4 V

2.2.3. Speciális diódák

A két félvezető réteg különböző tulajdonságait (az egyik alkalmazásban előnyös a
másikban hátrányos) kihasználva nagy választékban állnak rendelkezésre elektronikus
alkatrészek. A gyakorlat számára különösen jelentősek az optoelektronikai alkatrészek,
amelyeket a 4. fejezet tárgyal. Az alábbiakban a gyakorlat számára fontos, gyakran
elsősorban integrált formájában használt kétrétegű félvezetőket tárgyaljuk a teljesség
igénye nélkül.

2.2.3.1. PIN-dióda

A PIN dióda a p és n réteg között egy saját szennyezésű réteget is (intrinsic) tartalmaz. Az
így megnövelt kiürített réteg lehetővé teszi a szabad töltéshordozóknak, hogy ütközés
nélkül (kevés szabad töltéshordozó és nagy szabad úthossz) elérjék a legnagyobb
sebességüket. Ez lehetővé teszi, hogy az eszköz gyors legyen (a tranziens paraméterei
különösen kedvezőek). A p és az n réteg közötti megnövelt távolság a réteg kapacitását is
csökkenti, így a dinamikus tulajdonsága is jobb, mint egy normál diódának. Az eszközt
gyakran használják optoelektronikai eszközként üvegszálas átvitel vevő diódájaként,
illetve nagyfrekvencián (a módosított változatát a Read/IMPATT diódákat GHz
tartományban).

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 21
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

2.2.3.2. Shottky dióda

Jelölése:

Fém-félvezető dióda (pl. Al-Si), amelynek jellemzője a Si diódáknál lényegesen kisebb
nyitóirányú feszültség. Ezt a tulajdonságát felhasználva elsősorban a gyorskapcsoló diódák
(ps nagyságrendű kapcsolási idők) és a digitális áramkörök fontos alkatrésze (Shottky
tranzisztor).

IF
Si dióda

UR UF
IR Schottky dióda

2.2.3.3. Varicap-dióda (kapacitásdióda)

Jelölése:

A varicap diódák a pn átmenet kiürített rétegének feszültséggel változó kapacitását
használják ki. A záróirányba kapcsolt pn réteg kiürített rétegében csak kisebbségi
töltéshordozók halmozódnak fel, a p rétegben n az n rétegben p megoszlásban. Így
tulajdonképpen egy sík kondenzátort kapunk. Mivel a réteg vastagsága a szennyezésen és a
hőmérsékleten túl a rákapcsolt feszültségtől függ, egy feszültséggel vezérelt kapacitáshoz
jutunk. A félvezető speciális kialakításával és szennyezésével ez a hatás fokozható. A
kapcsolat a vezérlő feszültség és a kapacitás között nemlineáris. Tipikus kapacitások a
∼10..300 pF tartományba esnek. A kapacitásátfogás mértéke kb. 1:4….1:5.
A kapacitás változása a záró irányú feszültség függvényében:
C [pF]

UR

Elsősorban feszültséggel hangolt rezgőkörökben alkalmazzák rádiótechnikai célokra,
azonban a PLL hangolás megjelenésével jelentőségük csökkent.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 22
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

2.2.3.4. Alagút-dióda (Esaki-dióda, tunnel-dióda, avalanche-dióda)

Jelölése:

A szennyezés növelésével elérhető, hogy az alagút-hatás már kis feszültségen létrejöjjön.
Az alagút-dióda karakterisztikája tartalmaz egy olyan szakaszt, amelynek ellenállása
negatív, így felhasználható rezgőkörökben, relaxációs oszcillátorokban, a veszteségi
ellenállás kikompenzálására és csillapítatlan rezgés létrehozására.
IF
UR
UF

IR
rd<0

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 23
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

2.3. Tranzisztor (BJT)
Jelölése:
C

B B

npn E pnp

A tranzisztor három félvezető réteget (két átmenetet) tartalmazó alkatrész. A két félvezető
alapanyagból így két különböző struktúrájú tranzisztor állítható elő: npn és pnp. A két
eszköz működése nagyon hasonló azzal az alapvető különbséggel, hogy npn
tranzisztoroknál a többségi töltéshordozó az elektron, míg pnp tranzisztoroknál a lyuk.
Ennek megfelelően minden magyarázat és kapcsolás ami az npn tranzisztorra vonatkozik
alkalmazható a pnp tranzisztorra is, ha az elektron szót behelyettesítjük lyukkal, a
kapcsolások tápfeszültségét megfordítjuk ellenkező előjelűre és a polarizált kondenzátorok
bekötését megfordítjuk. Ennek megfelelően a továbbiakban csak az npn tranzisztorra
vonatkozó összefüggéseket határozzuk meg, de a fentiek figyelembevételével minden
magyarázat és összefüggés közvetlenül alkalmazható a pnp tranzisztorra és kapcsolásaira
is.

2.3.1. A tranzisztor működése

Tekintsük az alábbi elvi tranzisztor struktúrát a bejelölt feszültségirányokkal, amelyeket a
tranzisztor normál üzeméhez tartozó feszültségirányoknak tekintünk.
n p n
emitter (E) kollektor (C)

UCB
UBE

BE átmenet CB átmenet
bázis (B)
Energiaviszonyok a tranzisztorban:

E B C
E B C

vezetési sáv
qUCB qUBE

WF

vegyértéksáv

gerjesztetlen esetben

normál üzem esetén

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 24
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Az emitter a bázishoz képest erősen szennyezett. Az UBE feszültség a BE-átmenetre
nyitóirányú (a pn struktúra miatt) így a feszültség hatására nagy számú szabad elektron -
mint a vezetésben résztvevő töltéshordozó- keletkezik és mozog a bázis irányába. Az
elektronokra két hatás is érvényesül:
a) a p szennyezésű bázis rekombinációs hatása
b) a jelentősen pozitívabb feszültség a kollektoron, amely vonzza az elektronokat.

A bázis (az ábrával ellentétben) lényegesen keskenyebb, mint az elektronok szabad
úthossza, ráadásul gyengén szennyezett. Az emitterből a bázisba jutó elektronoknak ezért
csak egy csekély része rekombinálódik a bázisban. A többség a kollektorba jut. A CB
átmenet előfeszítése azonban záróirányú az np struktúra miatt. A záróirány a kollektorban
levő elektronok mozgását gátolja a bázis felé, de a bázis felöl érkező elektronokat
gyorsítja. A lezárt átmenet feszültsége a CB átmenetben található kisebbségi
töltéshordozókra gyorsító hatású, tehát megindul egy kisebbségi töltésáramlás a bázisból a
kollektor felé (szaggatott vonal). A többségi (folytonos vonal) és a kisebbségi
töltéshordozók mozgási irányát az alábbi ábra mutatja:
n p n

E C

B UCB
UBE

A töltéshordozók döntő többsége elektron (npn tranzisztornál). Az emitter hatásfok (γ) azt
mutatja meg, hogy az elektronokból származó áram (In) és a lyukakból származó áram (Ip)
hogyan viszonyul egymáshoz.
In
γ= ≈1
In + I p
A BE-rétegre adott nyitóirányú feszültséggel szabályozni lehet az emitterben keletkező
szabad elektronok számát, így magát az áramot.
Megjegyzés: A tranzisztort áramvezérelt eszköznek tekintjük, amelyet a bázisáram vezérel,
de a valósághoz közelebb áll az, hogy a bázisáramot az UBE feszültség vezérli, a bázis
áram ennek következménye, de a tisztán feszültségvezérelt FET-től történő
megkülönböztetés miatt elfogadható az áramvezérelt minősítés.
A lezárt átmeneten folyó visszáramot vagy maradékáramot a kisebbségi töltéshordozók
hozzák létre, így értéke elsősorban a hőmérséklettől függ. Az UCB feszültség –ha
elhanyagoljuk a felületi töltések hatását- értékét nem befolyásolja.
A szokásosan elfogadott áramirányok az elektronok mozgásával szembe mutatnak, így
az npn tranzisztor áramirányai és értékei:
n p n
E I C
E IC
ICB0
IB
B

UBE UCB

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 25
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Az összefüggés az áramok között:
I E = IC + I B
I C = AI E + I CB 0
I B = (1 − A)I E − I CB 0
Az A az emitterre vonatkoztatott nagyjelű áramerősítési tényező, amely azt mutatja meg,
hogy az emitterből kilépő töltések hányad része jut el a kollektorba. Értéke 0<A<1, modern
félvezető esetén közel az egyhez.
IC
A=
IE
Az áramokat a bázisáramokkal is felírhatjuk és definiálhatjuk a bázisáramra vonatkoztatott
nagyjelű áramerősítési tényezőt (B):
A 1
IC = IB + I CB 0
−3
112 A 1− A
B

A
B=
1− A
Mivel az A>0,99 így a B értéke 100 és 1000 közé esik.

A tranzisztor látszólag szimmetrikus eszköz és az emitter és a kollektor egymással
felcserélhető, a valóságban a jelentősen eltérő fizikai kialakítás és szennyezés miatt nem
cserélhető fel a két réteg egymással. Abban az esetben ha mégis a tranzisztor
feszültségirányai úgy alakulnak, hogy a kollektor és az emitter szerepe felcserélődik, akkor
a tranzisztor inverz üzeméről beszélünk. Inverz üzemben a tranzisztor paraméterei
jelentősen leromlanak, a B áramerősítési tényező értéke akár 1 alá is csökkenhet, azaz a
tranzisztor nem erősít hanem csillapít. Az inverz üzemet általában kerüljük, de pl. a TTL
digitális áramköröknél a bemeneti tranzisztor –a működési elvből következően-
üzemszerűen inverz üzembe kerülhet.

2.3.2. Nagyjelű helyettesítőkép

A tranzisztor nagyjelű vagy statikus karakterisztikáját az Ebers-Moll modell segítségével
írhatjuk le. A nagyjelű modell azt az állapotot írja le, amikor a tranzisztoron a munkapont-
beállításhoz szükséges feszültségek vannak és az ezek által meghatározott áramok folynak.
A tranzisztor (kisjelű) vezérlésétől ilyenkor eltekintünk, így a tranzisztor statikus üzemben
van. Maga a modell azon alapul, hogy a három réteg (két félvezető átmenet) felfogható két
egymással szembekapcsolt diódaként és viselkedése is ily módon tárgyalható. (F betűvel a
normálüzemű R betűvel az inverz üzemű paramétereket jelöltük.)

IF IR
E C
IE IC
ARIR AFIF
B IB

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 26
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

A kapcsokon a pozitív vonatkoztatási irányú áramok a négypólusoknál megszokott módon
befelé mutatók. Pont-vonallal a normál üzemmódhoz tartozó áramot jelöltük.

A kapcsokon folyó áramokra felírhatók az alábbi összefüggések:
I E = − I F + AR I R
I C = − I R + AF I F
I B = (1 − AF )I F + (1 − AR )I R
Az AR<<AF egy modern tranzisztornál.

A dióda egyenlet segítségével megteremthetjük az összefüggést a modell és a feszültségek
között, azonban a dióda maradékáramának fogalmát itt ki kell terjesztenünk egy két
átmenetet tartalmazó eszközre.
A tranzisztor és a dióda maradékáramai közötti összefüggés:

ICB0 ICS
ARICS

IEB0 IES
AFIES

Üresjárási záróirányú áramok Rövidzárási áramok
(BE és BC dióda áramai) (Tranzisztor visszáramai)

Felhasználva a dióda egyenletet és a visszáramok fenti értelmezését felírható:
 − UUBE   − UUBC 
I E = − I ES e T
− 1 + AR I CS e T − 1
   
 − UUBC   − UUBE 
I C = − I CS e T
− 1 + AF I ES e T − 1
   
A fentiek alapján megállapítható, hogy az áramerősítési tényezők és a maradékáramok
között összefüggés van:
AF I ES = AR I CS
Az üresjárási és a rövidzárási visszáramok között is létezik összefüggés:
I CB 0
I CS =
1 − AR AF
I EB 0
I ES =
1 − AR AF
A nagyjelű modell gyakorlati jelentősége elsősorban a tranzisztor számítógépes
modellezésében van, mivel legtöbb szimulációs program ezt a modellt használja.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 27
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

2.3.3. Karakterisztikák, paraméterek

A tranzisztor három kivezetésű alkatrész, azonban a kapcsolásokban a négypólusok
szerinti kialakításban alkalmazzák, így célszerűen a tranzisztor karakterisztikáit és
paramétereit is a négypólusoknál megszokott elrendezésben vesszük fel. Ez azt jelenti,
hogy a tranzisztor valamelyik kivezetését mind a bemeneti, mind a kimeneti oldallal
közösnek kell vennünk, így lehetséges közös bázisú (KB/CB), közös emitteres (KE/CE) és
közös kollektoros (KK/CC) kapcsolás, helyettesítőkép és karakterisztika-sereg. Mindegyik
kialakítást alkalmazzák a gyakorlatban, de a továbbiakban a KE alapkacsolás jellemzői
alapján tárgyaljuk a tranzisztort (ez gyakorlatilag megegyezik a KK kapcsolások
jellemzőivel), mivel ez talán a leggyakoribb kialakítás (feladat és az alkalmazási
frekvencia-tartomány dönti el). A többi ez alapján meghatározható, illetve levezethető.

közös emitteres közös bázisú közös kollektoros
(common emitter) (common base) (common collector)
KE/CE KB/CB KK/CC

Négypólus paraméterek értelmezése tranzisztorra:

A tranzisztor alapvetően nemlineáris eszköz, ezért az áramok és a feszültségek közötti
kapcsolatok csak függvényekkel írhatók le. A nemlineáris karakterisztikáknak is van
azonban szakaszonként lineáris részei, ahol a jellemző paraméterek koncentrált paraméterű
alkatrészekkel leírhatók.

Négypólus paraméterek értelmezése tranzisztorra:

IC
IB UCE
UBE
kimeneti paraméterek

bemeneti paraméterek transzfer paraméterek

A transzfer paramétereket egy-egy paraméterrel jellemezzük, de a ki- és bemeneti
jellemzők közötti kapcsolat leírására függvényeket használunk (bár egy adott
munkapontban ezeket is egy-egy paraméterrel helyettesítjük).

A) A tranzisztor bemeneti (UBE-IB) karakterisztikája:

IB A tranzisztor bázis-emitter bemeneti karakterisztikája alakra
megegyezik egy dióda karakterisztikájával (a B-E átmenet
normál üzemben egy nyitóirányba igénybevett pn átmenet).
IBM rBE A bemeneti karakterisztika jellemzője a tranzisztor
nyitásához szükséges bemeneti nyitóirányú feszültség
(hasonlóan a dióda nyitásához).
UBE
UBEM

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 28
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Lineáris üzemben a tranzisztort a karakterisztika lineáris szakaszán üzemeltetik, ahol a
görbe helyettesíthető egy paraméterrel. Az rBE a bázis-emitter dinamikus ellenállás (értéke,
bár a karakterisztika iránytangense közel állandó, munkapont-függő IBM,UBEM).
A dióda egyenletéből a dinamikus bemeneti ellenállás meghatározható.
∂U BE mU T
rBE = =
∂I B U CE = állandó
IB

Az m a szennyezés mértékére vonatkozó tényező értéke egynél nagyobb, de általában nem
ismert. A számításokban szobahőmérsékleten az mUT=26 mV-t veszük figyelembe, azaz a
továbbiakban m=1 értékkel számolunk.

A bemeneti karakterisztika- hasonlóan a dióda karakterisztikához- hőmérsékletfüggő:
IB
IBM(T1) T1
T1>T2>T3
T2
IBM(T2) rBE
T3
IBM(T3)
UBE
UBEM
A karakterisztika hőfokfüggése (értéke anyagjellemző):
∂U BE
= −2... − 3 mV / C o
∂T
Az ábrán az állandó feszültségről táplált BE-átmenet esetét is ábrázoltuk (feszültséggel
történő munkapont-beállítás), amelyből látható, hogy jelentősen változik a bázisáram a
hőmérséklet függvényében. Konstans árammal történő munkapont-beállítás esetén az UBE
feszültség változik. (A munkapont-beállítást lásd később.)

B) A tranzisztor kimeneti (IC-UCE) karakterisztikája

IC
ICmax IB5

I. IB4

IB3 Pdmax
III.
IB2
másodfajú
IB1 letörés

ICE0 IB0
II. UCE
UCEsat
IB=0 UCEmax

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 29
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

A tranzisztor kimeneti karakterisztikája függvénye a bázisáramnak is, ezért a kimeneti
karakterisztika egy parametrizált görbesereg. A karakterisztikában ábrázoltuk a
határértékeket (ICmax, UCEmax, Pdmax) is, amelyek minden tranzisztor estén katalógus adatok.
A másodfajú letörés szintén korlátozza a biztonságos üzemelési terület (Safe Operation
Area, SOA) nagyságát. A tranzisztor csak a be nem satírozott területen dolgozhat
biztonságosan.
Az üzemi területet három tartományra oszthatjuk. Az egyes tartományokban a tranzisztor
eltérő módon viselkedik és eltérő alkalmazásokban használják:
I. Telítési (szaturációs) tartomány
II. Lezárási tartomány
III. Aktív (lineáris) tartomány

A tranzisztor az I. és a II. tartományokban kapcsolóüzemben, míg a III. tartományban
lineáris üzemmódban, elsősorban erősítőként dolgozik.

A tartományok jellemzői:

I. Telítési tartomány: jellemzője, hogy mindkét pn átmenet nyitva van. A tranzisztor,
mint egy kapcsoló bekapcsolt állapota működik. A tartomány határát a CB dióda
nyitásához szükséges feszültség határolja (alakja olyan, mint egy dióda
karakterisztikája).
Jellemző paraméterek:
• ICmax maximális megengedett kollektor áram.
• UCEsat telítési/szaturációs feszültség (értéke anyagjellemző, Si félvezető
esetén 0.2-0.4 V)
A szaturációs feszültségből látható, hogy a tranzisztor nem ideális kapcsoló,
bekapcsolt állapotában is jelentős feszültségesése van, ami teljesítményelektronikai
alkalmazásokban hátrányos (Pd=IC*UCEsat), ráadásul értéke az árammal nő. A
tranzisztor nem “ültethető” le teljesen.

II. Lezárási tartomány: jellemzője, hogy mindkét pn-átmenet zárva van. Ez a
tranzisztor, mint kapcsoló kikapcsolt állapota. A tartomány határa az IB=0 görbe.
Jellemző paraméterek:
• UCEmax maximális CE feszültség
• ICE0 CE maradékáram/visszáram
A maradékáramból látható, hogy a tranzisztor kikapcsolt állapotában sem ideális,
mert ekkor is folyik áram, bár ez több nagyságrenddel kisebb, mint a normál
kollektor áram.

III. Aktív (lineáris)tartomány: jellemzője a BE átmenet nyitva, a CE átmenet zárva
(normál üzem). Ebben tartományban a tranzisztort lineáris üzemű alkalmazásokban
használjuk, elsősorban erősítőként.

Jellemző paraméterek:
Az aktív tartományban definiáljuk a transzfer paramétereket és a kimeneti
karakterisztika jellemző paraméterét, amely lineáris üzem miatt itt is egy
koncentrált paraméterű ellenállással jellemezhető.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 30
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

a) Transzfer paraméterek:

i) Bemenet hatása a kimenetre

Kisjelű áramerősítési tényező (β)

A bemeneti vezérlőjel a bázisáram és ennek a kimeneti kollektor áramra gyakorolt
hatását mutatja meg. (Ez a paraméter jól illeszkedik ahhoz a gondolatmenethez, hogy a
tranzisztor áramvezérelt eszköz.)
∂I C
β=
∂I B U CE = állandó

β = f (I C , ω)
A kisjelű áramerősítési tényező és a nagyjelű áramerősítési tényező (B) közötti kapcsolatot
az alábbi ábrán szemléltethetjük:

IC
∂I C
β=
∂I B
ICM munkapont
ICM

IC IB
B= IBM
IB

A B és a β eltér egymástól, azonban a lineáris szakaszon az eltérés nem jelentős. Gyakran
használjuk a kisjelű értékét a nagyjelű jellemzésére is. A nemlineáris szakaszon az eltérés
jelentős lehet.
A tranzisztorokat az áramerősítési tényező alapján β-osztályokba sorolják, pl. A,B,C
osztály. Pl. BC182B jelenti, hogy Si alapanyagú és 250-500 közötti áramerősítési
tényezőjű.

Az áramerősítési tényező értéke függ a kollektor áramtól és a frekvenciától. A kis-,
közepes- és nagyteljesítményű tranzisztorok hasonló alakú, de eltérő áram tartományú
karakterisztikával rendelkeznek, ezért pl. ha egy kis teljesítményű tranzisztor jól működik
2 mA kollektor áramnál, akkor a közép- és nagyteljesítményű tranzisztorok ugyanabban a
kapcsolásban teljesen eltérően viselkednek, bár természetesen mindketten tudják a 2 mA
áramot produkálni.
β
βmax
B

β

IC
ICmin ICmax

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 31
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Az áramerősítési tényező egy meghatározott kollektor áram tartományban maximális, ezért
ott kell használni. A fentiekből látható, hogy az azonos béta-osztályba sorolt, de eltérő
áramú tranzisztorok egy adott kollektor áramnál eltérően fognak viselkedni.

lgβ
β0 -3dB

0 lgf
fβ fT

Az áramerősítési tényező 3 dB-s határfrekvenciája: fβ
A tranzitfrekvencia (fT(β=1)): fT
Összefüggés a két jellemző frekvencia között: fT=β0*fβ

Felírható egy másik -bemenet hatása a kimenetre- típusú transzfer paraméter is,
amennyiben a tranzisztort feszültségvezéreltnek tekintjük. Ez a paraméter a meredekség,
amelynek szokásos jelölése S vagy gm szakirodalomtól függően.
∂I C IC
S= ≅
∂U BE U CE = állandó
UT

Összefüggés állítható fel a két -bemenetről a kimenetre mutató- transzfer paraméter között:

∂I C ∂I C ∂I B β βI B
S= ≅ = =
∂U BE ∂I B ∂U BE
{ rBE UT
U CE = állandó 123
β 1
rBE U CE = állandó

ii) A kimenet hatása a bemenetre:

Visszahatás paraméter (νr)
∂U BE
υr =
∂U CE I B = állandó

A visszahatás értéke modern tranzisztoroknál nagyon kicsi 10-4…10-6 [S], ezért a
visszahatást általában elhanyagoljuk.

b) Kimeneti paraméter

Kollektor-emitter ellenállás (rCE)

A karakterisztika lineáris szakasza az aktív tartományban helyettesíthető a karakterisztika
meredekségével.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 32
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

∂U CE
rCE =
∂I C U BE = állandó

Értéke meghatározható annak segítségével, hogy a karakterisztikák vízszintes szakaszait
meghosszabbítva azok egy feszültségnél metszik az UCE tengelyt, ez az Early-feszültség
(UY). Az Early-feszültség értéke 100..200 V npn tranzisztornál és 50..150 V pnp
tranzisztornál.
U Y + U CE
rCE = ,
IC
de alacsony frekvencián meghatározható a visszahatás segítségével is:
rBE 1
rCE = =
β υr S υr

2.3.4. Kisjelű helyettesítőkép

A tranzisztor kisjelű üzeme alatt azt az esetet értjük, amikor a munkapontba állított
tranzisztort a munkaponti mennyiségekhez képest kisebb jelekkel vezéreljük. A vezérlőjel
lehet egyenfeszültség vagy váltakozó feszültség. A tranzisztortól ilyenkor elvárt, hogy
karakterisztikája lineáris szakaszán működjön, amely behatárolja a vezérlő jel megengedett
nagyságát. A tranzisztor viselkedését kisjelű üzemmódban (mivel itt a tranzisztor a lineáris
szakaszon üzemel) leírhatjuk koncentrált paraméterű ideális alkatrészekkel. A leírás csak a
tranzisztor karakterisztikáinak azon meghatározott szakaszára érvényes, ahol az adott
munkapont környékén a karakterisztika még lineárisnak tekinthető. Ez azt jelenti, hogy a
helyettesítőkép elemeinek konkrét értékei eltérnek a munkapont függvényében.
Több módszer is ismert a helyettesítőkép megalkotására. Ki lehet indulni a konkrét fizikai
mennyiségekből (hibrid-π, amely elsősorban a kapcsolásból történő paraméter-számításra
alkalmas) vagy fel lehet állítani egy helyettesítőképet a négypólus-elmélet paraméterei
alapján (H-paraméterek, ez elsősorban katalógus alapján történő tervezésnél kitűnő). A
helyettesítőképek és paraméterek között egy adott munkapontban megfeleltetés teremthető.

2.3.4.1. Hibrid-π helyettesítőkép

A helyettesítőkép az egyes rétegek dinamikus ellenállásai, az aktív tartományban elérhető
meredekség vagy áramerősítési tényező és az egyes átmenetekben végbemenő
töltésfelhalmozást reprezentáló kondenzátorok alapján építhető fel. Az egyes rétegeket a
helyettesítőképben kisbetűvel jelöljük utalva a kisjelű üzemmódra. A helyettesítőképet a
tranzisztor közös emitteres kapcsolására építjük fel, ami jól használható közös kollektoros
esetben. A közös bázisú eset is levezethető a megalkotott helyettesítőképből.

A tranzisztor teljes fizikai hibrid-π helyettesítőképe:
Cb’c
rbb’ b’
b c
rb’c
ube ub’e rce uce

e e
rb’e Cb’e Sub’e

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 33
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

A helyettesítőkép egyes elemei részben már az előző fejezetben meghatározásra kerültek.
A további elemek definiciói:
rb’b bázis hozzávezetési ellenállás: a bázis elektróda és a bázis réteg közötti
ellenállás.
rb’e bázis-emitter ellenállás: a bázis réteg és az emitter közötti bemeneti ellenállás
(ez gyakorlatilag az rBE értékével egyezik meg)
rb’c a νr visszahatást modellező ellenállás
rce kollektor-emitter kimeneti ellenállás (=rCE)
Cb’e bázis-emitter átmenetben kialakuló kapacitás (a réteg és a diffúziós kapacitás
összege)
Cb’c kollektor-emitter átmenetben kialakuló kapacitás

A teljes helyettesítőképet magasabb frekvenciákon használjuk inkább, ahol a ~pF értékű
kapacitások hatása nem hanyagolható el. A helyettesítőkép segítségével a tranzitfrekvencia
meghatározható:
S
fT =
2π(Cb 'c + Cb 'e )

A tranzisztor egyszerűsített (alacsony frekvenciás) helyettesítőképe:

A visszahatás elhanyagolásával alacsony frekvencián a helyettesítőkép egyszerűsíthető.
(Azért, hogy a bemeneti és a bázis- emitter feszültséget meg tudjuk különböztetni
egymástól a kisbetűs indexeket visszacseréltük a korábban már használt nagybetűs
indexekre.)
b c
uBE rBE SuBE rCE uCE

e e

2.3.4.2. Tranzisztor paraméterek a négypólus paraméterekkel
kifejezve

∂I B ∂I B
dI B = dU BE + dU CE
∂U BE U = állandó ∂U CE U = állandó
1442 CE
44 3 1442BE44 3
1 νr
rBE rBE

∂I C ∂I C
dI C = dU BE + dU CE
∂U BE U = állandó ∂U CE U = állandó
1442 CE
44 3 1442BE44 3
S 1
rCE

A hibrid-π paraméterek és az Y (admittancia) négypólus paraméterek között közvetlen
megfeleltetés alakítható ki, ha felírjuk az áramokra a differenciális kapcsolatot (figyelmen
kívül hagyva a hőmérsékletfüggést).

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 34
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Mátrixos alakban az Y paraméterek:

1 νr 
 dI B   rBE r  dU BE 
dI  =  BE ⋅
 
 C  S 1  dU CE 
 4424r4 
CE 
1 3
Y

A gyakorlatban sokkal nagyobb jelentősége van a H-paramétereknek. A paraméterek
leírásakor az e index a közös emitteres kapcsolásra vonatkozik (a kisbetű pedig a kisjelű
paraméterre utal).
dU BE   h11e h12 e   dI B 
 dI  = h ⋅
h22 e  dU CE 
 C  12142 e
43
H

Összehasonlíthatjuk a hibrid-π paramétereket a H-paraméterekkel:
∂U BE 
h11e = 
∂I B U CE = állandó 
rBE ≅ h11e
∂U BE 
rBE = 
∂I B U CE = állandó 

∂U BE 
h12 e = 
∂U CE I B = állandó 
υr ≅ h12 e
∂U BE 
υr = 
∂U CE I B = állandó 

∂I C 
h21e = 
∂I B
U CE = állandó 
β ≅ h21e
∂I C 
β=
∂I B U = állandó 
CE 

∂I C 
h22 e = 
∂U CE U BE = állandó  1
rCE ≅
∂U CE  h22 e
rCE = 
∂I C U BE = állandó 

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 35
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Hibrid-paraméteres helyettesítőkép:
h11e
b c
ube iB h21e iB 1 u
ce
h22e
e e
h12e uCE
A visszahatás elhanyagolásával az alacsony frekvenciás H-paraméteres helyettesítőkép::

iB
b c
ube h21e iB 1 u
h11e h22e
ce

e e
h12e uCE

2.3.5. Speciális tranzisztorok

Háromrétegű tranzisztor struktúrával több eltérő tulajdonságú félvezetőt is kialakítottak. A
Legelterjedtebb tranzisztoron kívül, pl. ide tartozik a Darlington-tranzisztor, Schottky-
tranzisztor, fototranzisztor (az optoelektronikai fejezetben tárgyaljuk) és az egyátmenetű
tranzisztor (UJT, a teljesítményelektronikában tárgyalják).

2.3.5.1. Darlington-kapcsolás

Áramköri jele:

Gyakran előfordul, hogy egy tranzisztor áramerősítési tényezője nem elégendő –pl.
teljesítményerősítők, tápegységek, stb.- így a tranzisztorokat egymás után kötve megnövelt
áramerősítést hozunk létre. A Darlington-kapcsolás, amelynek egy tokban megvalósított
áramköri reprezentációja a Darlington-tranzisztor, alkalmas ilyen elrendezés
megvalósítására. Darlington-kapcsolást tehát meg lehet valósítani diszkrét tranzisztorokkal
vagy egy tokban gyártott Darlington-tranzisztorral is. Nagyobb teljesítmények esetén nem
két, hanem három tranzisztorral építünk fel Darlington kapcsolást hasonló elven.

Darlington-kapcsolás:
C IC
IC1
IB1
T1 IC2
B IB2
T2
E IE

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 36
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

I C = I C1 + I C 2 = B1 ⋅ I B1 + I B1 (B1 + 1)B2 = I B1 (B1 + (B1 + 1)B2 ) ≈ I B1B1B2
Beredő ≈ B1B2
βeredő ≈ β1β2
rBEeredő ≈ 2rBE1
2
rCEeredő ≈ rCE 2
3
Problémák:
a) lineáris üzem:
• Az UBEeredő=UBE1+UBE2, ami nagyobb, mint egy tranzisztor esetén, ez
azonban a gyakorlatban nem jelentős probléma
• Kis áramokkal történő vezérlés esetén nagy a nemlinearítás, mert
IB1 IB2

IB2M
IB1M
UBE1 UBE2
I
I B1M = B2M
B1 + 1

kis kivezérlés esetén, az első tranzisztor a bemeneti
C karakterisztikájának nemlineáris szakaszán működik, ami jelentős
torzítást okoz.
T1 T2 Megoldás: az első tranzisztort előfeszíteni egy áramgenerátorral a
B D nyitás, azaz a karakterisztika lineáris szakaszának határára. Ezt a
gyakorlatban egy ellenállással oldjuk meg, amit a 2. tranzisztor
R
bázis-emittere közé kötünk. Mivel ez a feszültség alig változik az
E áram függvényében (a karakterisztika nagy meredeksége
I0
következtében), így az ellenálláson közel állandó áram folyik át. A
D dióda a fordított polaritású feszültséget akadályozza meg a tranzisztoron, ami az inverz
üzem miatt tönkre teheti a félvezetőt. Ez a Darlington tranzisztorba gyárilag be van
integrálva, de erősen induktív terhelés esetén kívülről is kapcsolhatunk egy védő (clamp)
diódát a CB közé.

b) kapcsolóüzem

A tranzisztor eredő szaturációs feszültsége: U CEsat = U CEsat1 + U BE 2 lényegesen nagyobb,
mint egy tranzisztor szaturációs feszültsége. Ez jelentős veszteségi teljesítményt okoz
nagyobb áramoknál. ( Pd = U CEsat ⋅ I C ) Ez ellen gyakorlatilag nem lehet védekezni, újabban
inkább teljesítmény MOSFET-eket alkalmazunk Darlington tranzisztor helyett.

Komplementer (komposit) Darlington kapcsolás:

Két különböző, pnp és npn, tranzisztorból felépített Darlington kapcsolás, ahol az
áramirányok miatt az eredő tranzisztor fajtáját a meghajtó tranzisztor szabja meg (pnp a
jelenlegi összeállításban). Lehetséges npn meghajtó és pnp nagyáramú tranzisztor
kombinációja is. Eredőben ez npn tranzisztort eredményez, azonban a fenti elrendezés

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 37
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

gyakoribb, mivel az elektronok nagyobb mozgékonysága miatt a fenti modellel nagyobb
sebességű alkatrészhez jutunk, mint pnp Darlington kapcsolással. Különösen gyakran
alkalmazzák a komposit tranzosztort integrált formában, pl. műveleti erősítők végfokozata,
stb..
E IE
IC1
IB1
T1
B IB2
T2
C IC

Paraméterek:
Beredő ≈ B1B2
βeredő ≈ β1β2
rBEeredő ≈ rBE1
1
rCEeredő ≈ rCE 2
2
A szaturációs feszültség ugyanakkora, mint az előbb, de a nyitáshoz szükséges feszültség
kisebb (UBE1).

2.3.5.2. Shottky-tranzisztor

A Shottky-tranzisztor működés szempontjából helyettesíthető egy Shottky-dióda és egy
tranzisztor kombinációjával. A diódát a CB közé záróirányba kapcsoljuk. Telítéses
üzemmódban a CB dióda kinyitna, azonban a Shottky dióda -lényegesen kisebb
nyitóirányú feszültsége miatt- előbb nyit ki, így nem enged töltést felhalmozni a CB
átmenetben. Ez azt eredményezi, hogy a tranzisztornak nem lesz töltéstárolási ideje
(legalábbis a CB átmenetben felhalmozott töltések miatt nem), ami jelentősen megnöveli
azt a frekvenciát, amivel a tranzisztort kapcsolgatni lehet. A Shottky-dióda a fém-félvezető
átmenet miatt kevés töltéshordozót halmoz fel, ami gyors működést tesz lehetővé. Az így
kapott eszközt Schottky-tranzisztornak nevezzük és elsősorban a digitálistechnikában
használjuk gyors áramkörökben (STTL).
Jelölése:

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 38
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

2.3.6. Tranzisztor működése lineáris üzemben

A tranzisztor lineáris üzemben a bemeneti karakterisztika egyenes szakaszán és a kimeneti
karakterisztika aktív tartományában (általában annak közepén) üzemel. Ahhoz, hogy ebbe
az üzemállapotba hozhassuk a tranzisztort munkapont-beállításra van szükség.

2.3.6.1. Tranzisztor kis- és nagyjelű működése

Vizsgáljuk meg a tranzisztor működését lineáris üzemben (egyelőre a munkapont-beállító
kapcsolások nélkül) feltételezve, hogy a tranzisztor bázisa valamilyen módon olyan
feszültséget kap (UBEM), amely a kapcsolást a lineáris tartományba vezérli. Jelöljük M
betűvel a munkaponti adatokat.

Ut

RC iC
Cki

uki=uCE Rt
ube
uBE

Első megközelítésben hanyagoljuk el a kimeneti terhelés (Rt) és a kimeneti
csatolókondenzátor (Cki) hatását, azaz a kimenet működjön üresjárásban.
Legyen ube=UBEM+uv! Az UBEM egyenfeszültség, amely a tranzisztor munkapontba
állításához szükséges, az uv egy tetszőleges alakú (egyen- vagy váltakozó áramú) vezérlő
jel, amely a munkapont-beállító feszültségekhez képest kisebb (legalábbis annyira, hogy a
tranzisztor minden időpillanatban a lineáris szakaszon működjön).
Határozzuk meg, hogy mekkora legyen az UBEM, hogy a linearítás fennálljon és a
kivezérelhetőség (az a vezérlőjel, amelynél a kapcsolás még lineárisan működik)
maximális legyen.
A kapcsolás feszültségei és áramai:
ube = U BEM + uv
u BE = ube
iB = f (u BE )
iC = f (iB )
U t = iC RC + uCE
uki = uCE
Az alábbi ábra és a fenti egyenletek alapján meghatározhatjuk a kapcsolás nagyjelű és
kisjelű viselkedését grafikusan:
a) Az UBEM kijelöl egy munkapontot a bemeneti karakterisztikán (IBM).
b) Az IBM és a (statikus) munka egyenes metszéspontja kijelöli a munkapontot a
kimeneti karakterisztikán.
c) Az UCM és az ICM a munkaponti feszültség és áram a karakterisztika alapján
kiadódik.

A kapott munkapontoknak ki kell elégíteniük az alábbi követelményeket:
i) a bemeneti és a kimeneti karakterisztika lineáris szakaszán kell elhelyezkedniük,

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 39
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

ii) elegendően távol kell, hogy legyenek a nemlineáris tartományok határaitól ahhoz,
hogy a vezérlőjel hatására változó pillanatnyi munkapont (az ábrán kettős nyíllal
és vastagított vonallal jelöltük) által meghatározott áramok és feszültségek egyetlen
pillanatban se érjék el a nemlinearítás határát,
iii) a munkaponti áramoknak kellően kicsinek kell lenni ahhoz, hogy a kapcsolás
vesztesége a mindenkori feladathoz illeszkedően kicsi legyen.

A fenti egyenletek alapján grafikusan ábrázolhatjuk a kapcsolás viselkedését a bemeneti
és a kimeneti karakterisztikákon (statikus munka egyenes):
Lineáris tartomány
IC
ICmax IB5
IB

iB Ut/RC IB4

Lineáris IB3 Pdmax
tartomány M IBM
IBM ICM
IB2

IB1

ICE0 IB0 IB=0
UCE
UBEM UBE UCEsat UCEM
Ut UCEmax
ube uki

A kapcsolás működése:
a) Nagyjelű működés: az UBEM kijelöli a munkapontot a bemeneti karakterisztikán és ezzel
meghatározza az IBM munkaponti bázis áramot is. A munka egyenes és a munkaponti bázis
áram kijelöli a munkapontot a kimeneti karakterisztikában és ezzel kijelöli a munkaponti
UCEM és ICM értékeket.
b) Kisjelű működés: vezéreljük egy szinuszos jellel a bemenetet az ábra szerint. Ekkor a
bemeneti karakterisztikán a bázis áram pillanatnyi értéke szinuszosan vándorol a
vastagított nyílnak megfelelően. A pillanatnyi bázisáram a munka egyenesen is egy
szinuszosan mozgó pillanatnyi munkapontot jelöl ki, amely a kollektor-emitter feszültséget
(ami egyben a kimeneti feszültség is) szintén szinuszosan fogja vezérelni.

Azt a maximális bemeneti feszültséget illetve ennek következtében fellépő maximális
kimeneti feszültséget nevezzük a maximális kivezérelhetőségnek, melynél a jel torzulása
nem észlelhető illetve egy megadott értéket nem lép túl. Lineáris (erősítő) üzemben a jel
minden időpillanatban a kivezérelhetőség határán belül kell, hogy legyen! Amennyiben a
munkapontot a lineáris tartományok közepére vesszük, akkor szinuszos vezérlőjel esetén
elvileg a kivezérelhetőség maximális lesz. Azért elvileg csak, mert a kimeneti terhelés
megváltoztathatja a lineáris tartomány határait (dinamikus munka egyenes).

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 40
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

A kimenetre kapcsolt –a kimeneti ellenállással összemérhető- kimeneti terhelés (Rt)
hatása (dinamikus munka egyenes):

A munkaponti értékeket a terhelés (kondenzátoros leválasztás estén) nem befolyásolja,
mivel a kondenzátor egyenáramon szakadásként viselkedik!
• Ha az Rt>>Rc , akkor a dinamikus és a statikus munka egyenes egybe esik
(feszültségerősítők)
• Ha az Rt<<Rc, akkor a dinamikus munka egyenes jelentősen eltér a statikus munka
egyenestől (áramerősítők)
• Ha az Rt≈Rc , akkor a dinamikus munka egyenes eltér a statikus munka egyenestől
illetve gyakran a terhelés egyben a munkaellenállás is (pl. teljesítményerősítők)

Az ábrán bejelölésre került a pillanatnyi munkapont változása, valamint a kivezérelhetőség
változása szinuszos vezérlőjel esetén.
Lineáris tartomány (terhelés nélkül)
IC Lineáris tartomány (terheléssel)
ICmax IB5

1/(RC*Rt) meredekségű egyenes, IB4
dinamikus munka egyenes
IB3 Pdmax
1/RC meredekségű egyenes, M IBM
statikus munka egyenes ICM
IB2

IB1

ICE0 IB0 IB=0
UCE
UCEsat UCEM
Ut UCEmax
uki terhelés nélkül uki terhelés esetén

Hőmérséklet hatása a munkapontra (állandó feszültséggel történő munkapont-beállítás
esetén):

A növekvő hőmérséklet (T2>T1) hatására az IB erősen megnő (a meredek karakterisztika
miatt) ⇒ IC erősen megnő ⇒ munkapont eltolódik a munka egyenesen ⇒ a
kivezérelhetőség jelentősen lecsökken (szélső esetben a kollektor feszültség valamelyik
szélső helyzetbe tolódik. A hőmérséklet ugyanarra a bemeneti körre hat, mint a vezérlő jel
(uBE), a kapcsolás úgy viselkedik, mint hasznos jellel történő vezérlés esetén. Csökkenő
hőmérséklet esetén a folyamat ugyanígy csak fordított előjellel játszódik le.
A hőmérséklet hatását csak munkapont stabilizálással (pl. negatív visszacsatolással lehet
csökkenteni).

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 41
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

IC IB5
IB
IBM(T2)
IB4
M(T2) IBM(T2)
IB3 Pdmax

IBM(T1) M(T1) IBM(T1)
IB2
IB1

IB0
ICE0 IB=0
UBEM UCE
UBE
A munkapontba állított tranzisztoros elvi kapcsolás egyenáramú (nagyjelű) viselkedése
számolással:
I BM = f (U BEM )
I CM = BI BM
U CEM = U t − I CM RC

Az elvi tranzisztoros kapcsolás viselkedése (kisjelű) lineáris üzemben számolással:

A kapcsolás viselkedéséhez a tranzisztor kisjelű helyettesítő-képét használjuk fel. A
meghatározandó kisjelű paraméterek:
• a bemeneti ellenállás Rbe,
• a kimeneti ellenállás Rki,
• a feszültségerősítés Au.
A külső alkatrészeket beillesztjük a tranzisztor kisjelű helyettesítő-képébe, figyelembe
véve, hogy a tápfeszültség-pontok kisjelű szempontból földpontnak számítanak. Ezt több
módon is bizonyítani lehet, de az egyik legegyszerűbb a szűrőkondenzátorok hatásának
vizsgálatán keresztül történik:
+
1
C XC = ≈ 0 ω >> 0
ωC
-
A kondenzátor reaktanciája -megfelelő méretezése esetén (ez méretezési szempont)- az
adott frekvencia tartományban tart a nullához.
A fenti megállapítás alapján a kollektor ellenállás egyik pontját a helyettesítőkép kollektor
pontjához, míg a másikat a földponthoz (vonatkoztatási ponthoz, jelen esetben az
emitterhez) kell kötni, mivel az emitter közvetlenül a földpontra van kötve.
ibe B iB C
SuBE
ube uBE rBE vagy rCE uCE RC uki
βi B
E E

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 42
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Feszültségerősítés:
u BE = ube
uki = − Sube (rCE ∗ RC )
Au = − S (rCE ∗ RC )
Figyeljük meg, hogy a kapcsolás (közös emitteres) fázist forgat (180°) a bemeneti jelhez
képest. Ezt egy egyszerű gondolat sorral is leellenőrizhetjük: emeljük meg gondolatban a
bázisfeszültséget, akkor a bázisáram is megnő, amitől a kollektor áram is megnő, így a
kollektor feszültég csökken, azaz növekvő bemeneti feszültségre csökkenő kimenő
feszültséggel reagál.

Bemeneti ellenállás:
ibe = iB , ube = u BE
ube u BE
Rbe = = = rBE
ibe u BE
rBE
Kimeneti ellenállás:
ukiü − Sube (rCE ∗ RC )
Rki = = = rCE ∗ RC ,
ikiz − Sube
ahol ukiü az üresjárási kimeneti feszültség, ikiz a kimeneti zárlati áram.
(Ha méréssel állapítjuk meg a zárlati áramot, akkor természetesen sohasem érhetjük el a
zárlati állapotot, mert az eszköz tönkremegy. Ilyenkor csak a névleges terhelhetőségig
terheljük a kimenetet, de feltételezzük a lineáris viselkedést a további áramokra egészen a
zárlatig!)

Váltakozó áramú paraméterek, ha a kimenetet Rt ellenállással terheljük:

A bemeneti és a kimeneti ellenállás nem változik, egyrészt mert a kimenet visszahatása a
bemenetre elhanyagolható, másrészt a kimeneti ellenállás terheletlen kimenetre
értelmezett, így nem befolyásolja a terhelés a kimeneti ellenállást.
Az erősítés azonban megváltozik, mert a két kimeneten levő ellenállással egy harmadik
kapcsolódik párhuzamosan:
Au = − S (rCE ∗ RC ∗ Rt )
Hőmérséklet hatása:
A hőmérséklet a tranzisztor UBE feszültségét változtatja, így ugyanazon a ponton és
ugyanúgy vezérli a kapcsolást, mint a vezérlőjel. Ennek megfelelően az erősítés a
hőmérsékletre megegyezik a kisjelű erősítéssel, ami a gyakorlat számára hátrányos.
Különösen nagy problémát okoz ez abban az esetben, ha a vezérlőjel is egyenáram
(egyenáramú erősítők), mivel ilyenkor nem lehet megkülönböztetni a hasznos jelet és a
hőmérséklet miatti hibajelet egymástól. A hőmérséklet-változás hatásának csökkentése
elsősorban negatív visszacsatolással lehetséges.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 43
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

2.3.6.2. Munkapont-beállító kapcsolások

A tranzisztor munkapontját be lehet állítani a bementre adott feszültséggel vagy bázis
árammal. A munkapont-beállító kapcsolások mindhárom tranzisztoros alapkapcsolásra
azonosak.
Az alábbiakban az alap munkapont-beállító kapcsolásokat vizsgáljuk. A gyakorlatban
alkalmaznak egyéb, speciális igényeket kielégítő munkapont-beállító kapcsolásokat is a
különlegesen nagy vagy éppen kicsi bemeneti ellenállás beállítása érdekében, pl. feszültség
utánhúzó (boot strap), stb.

2.3.6.2.1 Munkapont-beállítás bázisosztóval

Ut

R1 RC iC
Cs2
Cs1

uBE uki=uCE Rt
ube R2
UB

Nagyjelű működés:

A Cs1 és Cs2 csatolókondenzátorok feladata a kapcsolás egyenáramú leválasztása a
meghajtó generátortól és a terheléstől.
Méretezési szempont, hogy az R1 és R2 ellenálláson átfolyó áram (bázisosztó árama, Io)
sokkal nagyobb legyen, mint a munkaponti bázisáram azért, hogy a tranzisztor ne terhelje
az osztót. (Ellenkező esetben az osztó kimeneti feszültsége függ a tranzisztor mindenkori
paramétereitől, így erős hőmérsékletfüggés léphet fel.)
R2
U B ≅ Ut
R1 + R2
Ut
Io ≅
R1 + R2
U BEM = U B
I BM = f (U BEM ), de I o >> I BM
I CM = BI BM
U CEM = U t − I CM RC

A kisjelű viselkedés:

B C

ube R1 R2 uBE rBE SuBE rCE uCE RC uki Rt

E E

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 44
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

A bázisosztó alkatrészeit az előző fejezetben tárgyaltak szerint beillesztjük a tranzisztor
kisjelű helyettesítő-képébe. Vegyük figyelembe, hogy a tápfeszültség-pontok kisjelű
szempontból földpontnak számítanak és a csatoló kondenzátorok az adott frekvencia
tartományban (helyes méretezés esetén) rövidzárnak tekinthetők.

Feszültségerősítés:
u BE = ube
uki = − Sube (rCE ∗ RC ∗ Rt )
Au = − S (rCE ∗ RC ∗ Rt )
Az erősítés az alapkapcsoláshoz képest nem változik.
Bemeneti ellenállás:
ube ube
Rbe = = = rBE ∗ R1 ∗ R2
ibe u u u
be
+ be + be
rBE R1 R2
A bázisosztó miatt a bemeneti ellenállás lecsökken.

Kimeneti ellenállás:
ukiü − Sube (rCE ∗ RC )
Rki = = = rCE ∗ RC
ikiz − Sube
A kimeneti ellenállás az alapkapcsoláshoz képest nem változik.

A kapcsolás hőmérséklet hatására jelentősen változtatja a munkapontját. Ez ugyan a
váltakozó áramú vezérlőjelet nem befolyásolja, de a munkapont vándorlás révén a
kapcsolás könnyen a nemlineáris szakaszon kezd dolgozni, esetleg szélsőséges esetben
egyik irányban nem is lehet kivezérelni (vág a kapcsolás).

Munkapont vándorlás a hőmérséklet növekedésére feszültségosztós munkapont-
beállításnál:

IC
IB IB5
T1=25 C°
T2>T1 IB4
IBM2(T2) M(T2) IBM(T2)
IB3
M(T1) IBM(T1)
IBM1(T1)
IB2

IB1

ICE0 IB0
UCE
UBEM UBE Kivezérelhetőség (T2)
Kivezérelhetőség (T1)

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 45
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

A munkapont-vándorlás már kis hőmérséklet növekedés esetén is jelentősen lecsökkentheti
a kivezérelhetőséget. A folyamat csökkenő hőmérsékletre ugyanúgy játszódik le, csak
ellenkező irányban.

2.3.6.2.2 Munkapont-beállítás bázisárammal
Ut

R1 RC iC
Cs2
Cs1 IB

uBE uki=uCE Rt
ube

Nagyjelű működés:

A munkaponti bázisáramot az R1 ellenállás állítja be. Az UBE feszültség függ a
bázisáramtól, de a bázisáram is függ az UBE feszültségtől az alábbi összefüggések szerint.
U t − U BEM
I BM = IBM és UBEM meghatározható számolással vagy
R1
grafikusan
U BEM = f ( I BM )
I CM = BI BM
U CEM = U t − I CM RC

A kisjelű viselkedés:
B C

ube R1 uBE rBE SuBE rCE uCE RC uki Rt

E E
Feszültségerősítés:
u BE = ube
uki = − Sube (rCE ∗ RC ∗ Rt )
Au = − S (rCE ∗ RC ∗ Rt )
Az erősítés az alapkapcsoláshoz képest nem változik.

Bemeneti ellenállás:
ube ube
Rbe = = = rBE ∗ R1 ≈ rBE
ibe ube + ube
rBE R1
A bemeneti ellenállás gyakorlatilag az alapkapcsolás bemeneti ellenállásával egyezik meg,
mivel valós adatok esetén R1>>rBE .

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 46
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Kimeneti ellenállás:
ukiü − Sube (rCE ∗ RC )
Rki = = = rCE ∗ RC
ikiz − Sube
A kimeneti ellenállást a munkapont-beállító kapcsolás nem befolyásolja.

Hőmérséklet hatása:

A kapcsolás erősebben hőmérsékletfüggő, mint az előző kapcsolás, mivel a hőmérséklet
két paraméteren keresztül is befolyásolja a munkapont értékét: UBE és az UBE miatt az IB is
függ a hőmérséklettől.

2.3.6.2.3 Munkapont-beállítás bázisárammal egyenáramú
visszacsatoláson keresztül

Ut

RC iC
R1 Cs2
Cs1

uBE uki=uCE Rt
ube

Megjegyzés a negatív visszacsatolásokat részletesen az erősítők fejezetben tárgyaljuk.

Nagyjelű működés:

A munkaponti bázisáramot az R1 ellenállás állítja be a kollektorról negatív
visszacsatolással. Az UBE feszültség függ a bázisáramtól, de a bázisáram is függ az UBE
feszültségtől. Ugyancsak függ az UCE feszültség a kollektor áramtól, ami viszont a
bázisáramtól függ az alábbi összefüggések szerint. A munkapont meghatározása az
egyenletek alapján grafikusan vagy közelítésekkel számolással lehetséges.
U CM − U BEM
I BM =
R1
U BEM = f ( I BM )
U CM = U CEM
I CM = BI BM
U CEM = U t − I CM RC

A kisjelű viselkedés:
R1
i’
B C

ube uBE rBE SuBE rCE uCE RC uki Rt

E E

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 47
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Ahhoz, hogy a paramétereket meg tudjuk határozni az R1 ellenállást le kell
transzformálnunk a bemenetre és a kimenetre. A transzformálás alapja, hogy a feszültségek
és az áramok a kapcsolásban a transzformálás után se változzanak meg.

Feszültség és áram szempontjából a fenti kapcsolással ekvivalens kapcsolás:

B C
i’
ube i’ uBE rBE SuBE rCE uCE RC uki Rt
R1’ R1’’
E E
Vegyük figyelembe, hogy az erősítés negatív (az uki fázisa 180°-ra van az ube fázisától) a
közös emitteres kapcsolásoknál.
ube − uki ube − Au ube 1 − Au 1 + Au
i' = = = ube = ube
R1 R1 R1 R1
ube R1
R1 ' = =
i ' 1 + Au
uki − ube Au Au
R1 ' ' = = = R1 ≅ R1
− i' 1 + Au 1 + Au
− ube
R1

Megjegyzés:

A fenti összefüggések az elektronika egy érdekes jelenségére –a Miller effektusra- is
rámutatnak.

Legyen a kollektor és a bázis között ellenállás helyett kondenzátoros visszacsatolás a
kapcsolásban (ez ténylegesen mindig van a tranzisztor CCB kapacitása miatt). Vizsgáljuk
meg a kondenzátor hatását a bemenetre!

A fentiek alapján általánosan írható, hogy a bemenetre transzformált impedancia:
Z
Z '=
1 + Au
1
Z =
ωC
1 1
Z' = =
ωC (1 + Au ) ωC '
C ' = C (1 + Au )
A kondenzátor hatása az erősítésnek megfelelően jelentősen megnövelhető. A bemenet úgy
érzékeli, mintha egy lényegesen nagyobb kondenzátor lenne ott. Ezt a jelenséget az
elektronika számtalan kapcsolásában felhasználjuk, pl. Miller generátor, frekvencia-
kompenzálás, integrált kapacitások hatásának növelése, stb., de káros az erősítők felső

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 48
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

határfrekvenciája szempontjából. Ez az egyik oka, amiért nem lehet tetszőlegesen nagy
erősítést elérni egy erősítő fokozattal (több egyéb ok is van!).

Feszültségerősítés:
Az erősítés kiszámításánál vegyük figyelembe, hogy a gyakorlatban R1>>rCE, RC.
u BE = ube
uki = − Sube (rCE ∗ RC ∗ Rt )
Au = − S (rCE ∗ RC ∗ Rt )
Az erősítés az alapkapcsoláshoz képest nem változik, így ennek a visszacsatolásnak nincs
hatása a feszültségerősítésre. (Későbbiekben látni fogjuk, hogy ez egy párhuzamos
feszültség típusú visszacsatolás, aminek valóban nincs hatása a feszültségerősítésre csak az
áramerősítésre!)

Bemeneti ellenállás:
ube ube R1
Rbe = = = rBE ∗
ibe ube + ube 1 + Au
rBE R1 '
Az R1 ugyan nagy, de nagy erősítés esetén a transzformált R1 kicsi lehet, így nem lehet
elhanyagolni. A bemeneti ellenállás csökken az előző esethez képest.

Kimeneti ellenállás:
ukiü − Sube (rCE ∗ RC )
Rki = = = rCE ∗ RC
ikiz − Sube
A kimeneti ellenállást ez a visszacsatolás lényegében nem befolyásolja, mivel R1
lényegesen nagyobb, mint rCE vagy RC.

Hőmérséklet hatása:

Az alkalmazott kapcsolás egyik nagy előnye, hogy a hőmérséklet hatását a munkapontra
csökkenti az alábbiak szerint. Tételezzük fel, hogy nő a hőmérséklet:
T↑⇒UBE↓⇒IB↑⇒IC↑⇒UCE↓⇒IB↓

hőmérséklet hatása következmény

A kapcsolás a hőmérsékletnövekedés miatti bázisáram növekedést részben kompenzálja.
(Teljesen nem lehet kikompenzálni!).

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 49
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

2.3.7. Tranzisztor működése kapcsolóüzemben

A tranzisztort kapcsolóüzemben úgy vezéreljük, hogy tartósan vagy csak a telítési, vagy
csak a lezárási tartományban tartózkodjon. Cél az aktív tartományon való minél gyorsabb
áthaladás. A tranzisztor menetdiagramja teljes lezárás és nyitás között attól is függ, hogy a
terhelés tisztán ohmos vagy van reaktív része is.
Ut A karakterisztikán feltüntettük a tranzisztor pillanatnyi
iC RC munkapontjának mozgását ohmos valamint kapacitiv
terhelés esetén. (Induktív terhelés esetén a munkagörbe
ugyanolyan, mint kapacitiv terhelés esetén csak az irányok
ellentétesek.) A keletkező veszteségi teljesítmény arányos a
ube uki=uCE
munkagörbék által bezárt területtel, amiből látszik, hogy a
kapcsolás vesztesége reaktáns terhelés esetén a legnagyobb.
A legegyszerűbb az ohmos terhelés, ezért a továbbiakban erre az esetre vizsgáljuk a
tranzisztor viselkedését.

IC
ICmax IB5
Mny

Ut/RC IB4

IB3 Pdmax

IB2

IB1

IB0 IB=0
ICE0
Mz UCE
UCEsat
Ut UCEmax
kapacitiv terhelés
Vizsgáljuk meg a fenti kapcsolásban, hogy ohmos terhelés esetén egy impulzusjellel
vezérelve a tranzisztort, hogyan alakul a kollektor áram időfüggvénye. A bemeneti
feszültséget a biztosabb kikapcsolás érdekében kis értékkel a negatív feszültség-
tartományba vezéreljük záráskor.

%
100 iC
90

ube
10
td.tr t
tst tf
ton
toff

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 50
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Bekapcsolási idő (ton):
• td késleltetési idő
• tr felfutási idő
Kikapcsolási idő (toff):
• tst töltéstárolási idő
• tf lefutási idő

A töltéstárolási idő oka a bekapcsoláskor nyitó állapotba kerülő C-B átmenet, ami nyitott
állapotban jelentős mennyiségű szabad töltést halmoz fel és amelyet a lezárás érdekében ki
kell sütni. A lezáráskor azonban csak kicsi áram folyik, így a kisütés hosszabb időt vesz
igénybe.
A be- és kikapcsolási idők meghatározzák a tranzisztorok legnagyobb kapcsolási
frekvenciáját. Kifejezetten kapcsolóüzemű alkalmazásokra gyártanak gyorskapcsoló
tranzisztorokat, ahol ezeket az időket a lehető legkisebb értéken tartják (pl. rekombinációs
centrumok létrehozásával). A digitáliselektronikában –az alacsony teljesítményigény és a
nagy sebesség miatt- elsősorban Shottky tranzisztorokkal biztosítják a gyors
átkapcsolásokat (illetve nem telítéses logika alkalmazásával).

Kapcsolási idők hatása a veszteségekre:

A véges kapcsolási idők azt eredményezik, hogy a tranzisztor kollektor áram és kollektor
feszültség lefutása véges meredekségű lesz. A feszültség és áram szorzata a pillanat-
teljesítmény (pd) amely függ az alábbi ábra szerint a kapcsolási időktől. A tranzisztoron
hővé alakuló teljesítmény a pillanat-teljesítmény átlagértéke.
pd
uCE
Ut ICmax

iC Pd

ICEo
UCEsat

Az átmenetek alatt jelentős teljesítmény csúcsok alakulnak ki. A frekvencia növekedésével
az átlag teljesítmény nő, ami a tranzisztor fokozott hő-terhelését eredményezi. A veszteség
csökkenthető gyorskapcsoló tranzisztorok alkalmazásával, illetve léteznek mesterséges
kapcsolások, amivel a feszültség és az áram átmeneteket egymáshoz képest időben
eltolják, így szorzatuk (a veszteségi teljesítmény) csökken. A tranzisztort minden esetben a
biztonságos működési területen belül kell tartani (Safe Operation Area, lásd tranzisztor
kimeneti karakterisztika UCEmax, ICmax, Pdmax által határolt terület).

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 51
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

2.4. Térvezérelt tranzisztor (Field Effect Transistor)
A térvezérelt tranzisztorokat 1952-ben fejlesztették ki, de sorozatgyártása csak a ‘60-as
években kezdődhetett meg. Az azóta eltelt időben a térvezérelt tranzisztorok rohamosan
növekvő jelentőségre tettek szert az elektronikában, elsősorban is integrált formájukban a
digitális elektronikában. A diszkrét MOSFET-ek fontos alkalmazási területe a
teljesítményelektronika és a nagyfrekvenciás kapcolások.
A térvezérelt tranzisztorok működése alapvetően különbözik a tranzisztor működésétől.
Ahogy az elnevezése is utal rá, vezérléséhez nem áram, hanem feszültség kell.
Működésüket legegyszerűbben úgy érthetjük meg, ha a FET-eket változó keresztmetszetű
ellenálláshuzaloknak tekintjük, ahol a vezeték (csatorna) keresztmetszetét (és ezzel az
ellenállását) elektromosan állítjuk. A változó ellenállás állandó feszültségre kapcsolva,
változtatja a csatorna áramat is. A csatorna n vagy p szennyezésű lehet.
A térvezérelt tranzisztorokat konstrukciós és egyben működési szempontból két fő
csoportra oszthatjuk (amelyek lehetnek mind n, mind p csatornásak):
TÉRVEZÉRELT TRANZISZTOR

JFET (Záróréteges) MOSFET

n p kiürítéses növekményes
csatornás csatornás

n p n p
csatornás csatornás csatornás csatornás
A GaAs alapra gyártott (elsősorban nagyfrekvenciás) FET-eket gyakran MESFET-nek
nevezik. A FET-ek (elsősorban is a MOSFET-ek) különösen jól integrálhatók, így a
modern analóg és digitális elektronika integrált áramköreinek jelentős részében
előfordulnak, alkalmanként keverve réteg-tranzisztorokkal. Az ilyen vegyes aktív
alkatrészkészletet tartalmazó áramkörök (pl. BiCMOS) kihasználják a mindkét
áramkörfajtában rejlő előnyöket.

2.4.1. Záróréteges FET (JFET)

Jelölése:
D
n csatornás
G S
D
p csatornás
G S

Az elektródák elnevezése:
D (drain) nyelő
S (source) forrás
G (gate) vezérlő/kapu

A működést az n csatornás JFET működésén keresztül vizsgáljuk, de a tápfeszültségek
polaritásának felcserélésével, a polarizált kondenzátorok polaritásának megfordításával

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 52
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

illetve a magyarázatokban az elektron szó felcserélésével lyukra, a kapcsolások és
magyarázatok kiterjeszthetők p csatornás FET-re is.

2.4.1.1. JFET működése

Tételezzünk fel egy rúd formában kialakított (a valóságban sohasem ilyen) homogén
módon szennyezett, n szennyezésű csatornát, amelyre merőlegesen kialakítanak egy p
szennyezésű réteget. Kapcsoljunk záró irányú feszültséget a pn rétegre (UGS<0). A záró
irányú feszültség miatt a határfelületen egy kiürített réteg alakul ki, amelyben a
töltéshordozók koncentrációja alacsony. A kiürített réteg vastagsága a csatorna vastagságát
(w) befolyásolja, így közvetve befolyásolja a csatorna ellenállását is. Amennyiben az n
réteg két végére konstans feszültséget kapcsolunk, akkor az áram is csökken a növekvő
ellenállás miatt, azaz a vezérlőelektródára kapcsolt feszültség vezérli a csatorna áramát. A
kiürített rétegbe nagyon kicsi áram folyik (záró irányba van kapcsolva), így a vezérlés
gyakorlatilag feszültséggel (elektromos térrel) történik.
kiürített
réteg n réteg
p réteg

(source) S D (drain)
w

G (gate)

UGS

UDS

A kiürített réteg nem szimmetrikus, mivel az UGS feszültség lényegesen kisebb, mint az
UDG (=UDS+UGS) feszültség. A drain felöl a csatornát elzárni nem lehet, mert a nagy
UDG feszültség miatt a szűkülő csatornában fellépő különösen nagy térerő megakadályozza
az elzáródást (a térerő legyőzésére minden határon túl növekvő feszültség kellene).
UGS=0 esetén a csatorna a legszélesebb, így ellenállása a legkisebb. Ekkor folyik a
legnagyobb áram (telítési vagy szaturációs áram, IDSS).
Egy adott Up=UGS (pintch off/elzáródási) feszültségnél a csatorna elzáródik. Azért tud a
csatorna a gate felöl elzáródni, mert a feszültség közvetlenül a pn rétegre hat, így kisebb
feszültség kell az elzáródáshoz és nem alakul ki akkora térerő, mint a másik oldal felöl, így
az nem akadályozza az elzáródást.
A kiürített réteg vastagsága függ a hőmérséklettől is (a hőmérséklet által generált töltések
miatt). A FET ennek következtében erősen hőmérsékletfüggő. Előnyös azonban, hogy
FET-nek van egy hőmérséklet-független munkapontja (bár ez erősen elméleti érték,
általában a katalógusok sem tartalmazzák). A FET-et ebben a munkapontban üzemeltetve
nem lesz érzékeny a hőmérsékletre.
Előnyös tulajdonsága a FET-nek, hogy alacsony a zaja, mivel nincs potenciálgát (réteg
átmenet) a mozgó töltéshordozók útjában, így nem keletkezik sörétzaj. A termikus és a
flicker zaj továbbra is fellép.
A FET-eknél a négy négypólus jellemző közül (bemeneti és kimeneti karakterisztika, és a
ki és bemenet felöl értelmezett transzfer karakterisztika) két jellemzőt értelmezünk, mivel
gyakorlatilag olyan nagy bemeneti ellenállással rendelkeznek, hogy azt nem kell
figyelembe venni (vagy csak extrém alkalmazásokban). Úgyszintén elhanyagoljuk a

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 53
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

kimenet visszahatását a bemenetre (hasonlóan a tranzisztorhoz). Így a FET-ek két
karakterisztikával jellemezhetők, a transzfer karakterisztikával és kimeneti
karakterisztikával. (Ezek a megállapítások fokozottan érvényesek a MOSFET-ekre is.)

2.4.1.2. JFET karakterisztikák, paraméterek

A JFET transzfer karakterisztikája:
IDS
IDSS

n csatornás

UGS
Up
p csatornás

A karakterisztika jellemzője, hogy az IDSS és az UP értéke erősen szór azonos típusú FET
esetén is (gyakran 1:10 arányban), ami a precíz áramkör-tervezést megnehezíti.

A karakterisztika hőfokfüggése:
IDS
T1
T2

T3
IDZ
UGS

IDZ a hőmérséklet-független munkapont.

A karakterisztika matematikai közelítése:
2
 U 
I DS = I DSS 1 − GS 
 UP 
Megjegyzés: A képletbe mind az UGS, mind az UP értékét előjelhelyesen kell
behelyettesíteni, pl. n csatornás esetén negatív előjellel.

A karakterisztika meredeksége:
I DS 2 I DSS  U GS 
S= =− 1 − 
U GS U DS = állandó
UP  UP 
2 I DSS
S max (U GS = 0) =
UP

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 54
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

A meredekség nemlineáris, a maximális értékét az UGS=0 esetén veszi fel.

Kimeneti karakterisztika (n csatornás):

IDS UGS1>UGS2>UGS3>UGS4>UGS5>UGS6
IDSmax Pdmax
UGS1=0

UGS2
I.
UGS3
II.
UGS4
UGS5
UGS6
UDS
Uk=UGS-Up UDSmax
A kimeneti karakterisztika két tartományra osztható:
I Elzáródás-mentes (néhány szakirodalomban ohmikus vagy trióda) tartomány
II Elzáródásos (néhány szakirodalomban telítési) tartomány
A tartományok határát az Uk könyök-görbe írja le.
Figyeljük meg, hogy -ellentétben a tranzisztorral- az elzáródás-mentes tartományban a
görbék nem azonos iránytangensűek, hanem minden görbe más és más iránytangenssel
rendelkezik. Ez teszi lehetővé, hogy a FET-et, mit vezérelt ellenállást használjuk (lásd
később részletesen.)
Az elzáródási tartományban a JFET lineáris erősítőként alkalmazható (aktív tartomány), a
jellemző paraméter a meredekség (S) és a csatorna ellenállás:
∂U DS
rDS =
∂I DS U GS = állandó

A FET nagyfrekvenciás helyettesítőképe:
Cgd
g d
ugs Cgs Sugs rds uds

s s
A Cxx szórt kapacitások az adott rétegek között. A rendkívül nagy bemeneti ellenállást
elhanyagolhatjuk a helyettesítőképből.
A FET kisfrekvenciás helyettesítőképe:
g d
ugs Sugs rds uds

s s
Kisfrekvencián a gyártás miatt keletkező szórt kapacitások hatása elhanyagolható.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 55
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

2.4.1.3. A JFET lineáris üzeme

A FET lineáris üzemben ugyanúgy erősítésre használható, mint a tranzisztor. Alapvető
különbség a félvezető eszköz meredekségében, zajában és nagyfrekvenciás viselkedésében
van. A tranzisztor ugyanolyan körülmények (UCE=UDS, IC=IDS) esetén jelentősen (tipikusan
egy nagyságrenddel) nagyobb meredekséggel rendelkezik, mint a FET. A tranzisztor zaja
azonban –a később tárgyalandó sörétzaj miatt- jelentősen nagyobb. A nagyfrekvenciás
tulajdonságai a FET-nek általában kedvezőbbek (elsősorban is a GaAs MESFET-nek),
mint a Si-tranzisztoroknak (a Ge-alapú tranzisztorok kedvező nagyfrekvenciás
tulajdonságokkal rendelkeznek).
Ugyanazok a szabályok érvényesek a p csatornás JFET kapcsolásokra az n csatornáshoz
képest, mint a pnp tranzisztoros kapcsolásokra az npn tranzisztoros kapcsolásokhoz képest,
így a továbbiakban csak az n csatornás JFET kapcsolásokkal foglalkozunk.
A JFET-et ugyanúgy – és hasonló okok miatt- munkapontba kell állítani, mint a
tranzisztort. Az alapvető különbség, hogy a FET árammal nem vezérelhető, így csak a
feszültséggel történő munkapont-beállítás jöhet szóba.

A FET kapcsolásoknál meg kell jegyezni, hogy a transzfer karakterisztika nagyfokú
hőmérséklet-függése miatt (IDSS és UP is nagy tartományban változhat) az alábbi
összefüggések alapján megtervezett kapcsolások bizonytalanul működhetnek a
hőmérséklettől és a JFET paraméter-szórásától függően!
+Ut
R1 RD
Cbe Cki

+ uki
ube UG RG RS CS
US
A CS kapacitás feladata az RS ellenállás kisjelű negatív visszacsatolásának
megakadályozása (“hidegítő” kondenzátor), mivel váltakozó jel esetén az impedanciája
közel nulla lesz és így kisjelű vagy váltakozó áramú szempontból kisöntöli az RS-t. A
bemeneten és a kimeneten levő két csatoló kondenzátor a kapcsolás egyenáramú
leválasztására szolgál a meghajtó és a terhelő áramkör felé.

A) Nagyjelű viselkedés számolással és grafikusan:

RG
UG = Ut
RG + R1
U S = I DS RS
RG
U GS = U G − U S = U t − I DS RS
RG + R1
2
 U 
I DS = I DSS 1 − GS 
 UP 
U DS = U t − I DS (RD + RS )

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 56
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

IDS Ut/(RD+RS) UGS1

IDS UGS2
IDSS
-1/RS U t RG UGS3
M RS RG + R1 M UGSM
UGS4
UGS UGS5
Up RG
UGSM Ut UGS6
RG + R1
UDS
Ut
Az RS ellenállással (a karakterisztika meredekségén keresztül) és/vagy a feszültségosztóval
állítható a munkapont a megfelelő értékre. Bár a kapcsolásban nincs negatív feszültség,
mégis kialakul a megfelelő UGS feszültség, mivel a kapcsolás -kihasználva a FET speciális
transzfer karakterisztikáját- önszabályozó módon beáll egy stabil munkapontba.

B) Kisjelű viselkedés

Az egyenletek megegyeznek a tranzisztor megfelelő kapcsolásának egyenleteivel (Közös
emitteres kapcsolás feszültségosztós munkapont-beállítással), figyelembe véve azt, hogy a
FET-nek elhanyagolhatóan nagy a bemeneti ellenállása.

g d

ube R1 RG ugs Sugs rDS uDS RD uki Rt

s s

Bemeneti ellenállás:
Rbe = R1 ∗ RG
Feszültségerősítés:
u gs = ube
uki = − Sube (rDS ∗ RD ∗ Rt )
Au = − S (rDS ∗ RD ∗ Rt )
Kimeneti ellenállás:
Rki = rDS ∗ RD
Az egyenletek hasonlósága ellenére –gyakorlati példák alapján- megállapítható, hogy a
JFET-es kapcsolás bemeneti ellenállása nagyobb, de erősítése kisebb, mint a megfelelő
tranzisztoros kapcsolásé.
A grafikus munkapont-beállító karakterisztikák alapján megállapítható, hogy a
munkapontot akkor is be lehet állítani, ha a kapcsolás nem tartalmaz R1 ellenállást, csak
egy RG gate-“hidegítő” ellenállást (az elektroncsöves megfelelő kapcsolás alapján szokták

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 57
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

még gate-levezető ellenállásnak is nevezni). Ez speciális kapcsolása a FET-eknek, nincs
tranzisztoros megfelelőjük.

JFET alapkapcsolás “gate-levezető” ellenállással.
+Ut
IDS
RD
Cki
Cbe
+ uki
ube UG RG RS CS
US
A) Nagyjelű viselkedés számolással és grafikusan:

UG = 0
U S = I DS RS
U GS = U G − U S = − I DS RS
2
 U 
I DS = I DSS 1 − GS 
 UP 
U DS = U t − I DS (RD + RS )

IDS Ut/(RD+RS) UGS1
IDS
UGS2
IDSS
-1/RS UGS3
M
M UGSM
UGS4
UGS UGS5
Up
UGSM
UGS6
UDS
Ut
A munkapontot az RS ellenállással lehet beállítani a megfelelő értékre.

B) Kisjelű viselkedés

g d

ube RG ugs Sugs rDS uDS RD uki Rt

s s

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 58
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Bemeneti ellenállás:
Rbe = RG
A bemeneti ellenállás igen nagy lehet. Gyakran az RG ellenállást aszerint választjuk meg,
hogy az ellenállás ne legyen nagyobb a szükséges értéknél, mert a nagyértékű ellenállás
jelentős zajt termel, így tulajdonképpen lerontjuk a bemeneti ellenállást a kívánt szintre.

Feszültségerősítés:
Au = − S (rDS ∗ RD ∗ Rt ) nem változott.
Kimeneti ellenállás:
Rki = rDS ∗ RD nem változott.

2.4.2. MOSFET

A két MOSFET (Metal-oxide-semiconductor field effect transistor) áramkörcsoport
működési elvében annyiban különbözik, hogy a kiürítésesnél a csatornát külső jellel
elszegényítjük töltéshordozókban, míg növekményesnél szabad töltéshordozókból
felépítjük a csatornát.
Számos eszköz működik a MOSFET-ekhez hasonló elven és struktúrában (pl. CCD, CID
áramkörök, stb. lásd Optoelektronika fejezet), de ezeket egyéb tárgykörökben tárgyaljuk.
A MOSFET-ek bemeneti ellenállása a JFET-hez képest is sokkal nagyobb, mivel a gate
nincs közvetlen kapcsolatban vezető réteggel, egy nagyon jó szigetelő (SiO2) választja el
azt a csatornától.
A hordozó (szubsztrát), amelyen a MOSFET-et kialakítják, villamos szempontból
felhasználható a MOSFET vezérlésére, ezért külön elektródaként feltüntetésre kerül, bár a
kapcsolások legnagyobb részében olyan potenciálra kötjük, hogy ne befolyásolja a
MOSFET működését.

2.4.2.1. Növekményes MOSFET

Áramköri jelölése:
D
substrate n csatornás
G S
D
substrate p csatornás
G S

Működése:
A MOSFET alapállapotban, feszültségmentes esetben nem tartalmaz csatornát. A hordozó
réteg (szubsztrát) gyengén szennyezett (majdnem intrinsic) p réteg, amelynek nagy
ellenállása van a kevés szabad töltéshordozó miatt. A D-S közé feszültséget adva nem
alakul ki áram a nagy ellenállás miatt. A csatorna a G-S közé kapcsolt pozitív UGS
feszültség hatására alakul ki úgy, hogy a gyengén szennyezett hordozó rétegben levő
negatív töltéseket a gate alatti szigetelő réteghez vonzza. Ugyanakkor a gate-hez
legközelebb levő -hőmérséklet hatására keletkező- lyuk-elektron párokból a lyukakat
taszítja. A szabad elektronok feldúsulása a gate alatt kialakítja a csatornát. A csatorna
kialakulásához minimálisan szükséges G-S feszültséget küszöbfeszültségnek nevezzük

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 59
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

(Uth). A D-S közé kapcsolt feszültség (UDS) hatására megindul a csatorna áram (IDS), amely
rohamosan nő a küszöb feszültség felett.

UDS
szigetelés
UGS SiO2
S G
D

n+ - n+
+
p-

szubsztrát
A növekményes MOSFET karakterisztikája
IDS
n csatornás

UGS
Uth
A karakterisztika matematikai leírására általában ugyanazt a közelítést alkalmazzuk, mint a
JFET-nél, de léteznek ettől eltérő összefüggések is. Egy szokásos matematikai közelítés, ha
UGS>Uth:

(
I DS = K U GS − U th )2

A K anyagjellemző konstans, amelynek tényleges értéke általában nehezen hozzáférhető.
A kimeneti karakterisztika jellegre megegyezik a JFET kimeneti karakterisztikájával.
A növekményes MOSFET helyettesítőképe megegyezik a JFET helyettesítőképével.

2.4.2.2. Kiürítéses MOSFET

Áramköri jelölése:
D
substrate n csatornás
G S
D
substrate p csatornás
G S

Működése:
A kiürítéses MOSFET alapesetben, feszültségmentes állapotban kialakított csatornát
tartalmaz. A D-S közé adott feszültség hatására a csatornán a telítési áram folyik. A
hordozó réteg (szubsztrát) gyengén szennyezett (majdnem intrinsic) p réteg, amelynek
nagy ellenállása van a kevés szabad töltéshordozó miatt. A csatorna a G-S közé kapcsolt
negatív feszültség (UGS) hatására elszegényedik szabad töltéshordozókban, mivel a

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 60
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

csatorna negatív töltéseit a kialakuló tér taszítja a szubsztrát p töltéshordozóit pedig
vonzza. Az n töltéshordozók elszegényedése növeli a csatorna ellenállását. A csatorna
elzáródik az UGS=Uth küszöb feszültségnél.

UDS
szigetelés
UGS SiO2
S G
D

n+ n+
p

szubsztrát
A kiürítéses MOSFET karakterisztikája
IDS

n csatornás

UGS
Uth
A karakterisztika matematikai leírására általában ugyanazt a közelítést alkalmazzuk, mint a
JFET-nél. Megfigyelhető, hogy ellentétben a JFET-tel a karakterisztika folytatódik a
pozitív UGS tartományban is egy határértékig. A pozitív UGS hatására a csatorna növekszik
a növekményes MOSFET-hez hasonló módon. (A JFET esetén pozitív UGS a pn átmenet
kinyitását eredményezte volna, ami az egész JFET nagyimpedanciás jellegét
megváltoztatta volna, ezért ott tilos pozitív UGS feszültséget kapcsolni a vezérlő
elektródára.)
A kimeneti karakterisztika jellegre megegyezik a JFET kimeneti karakterisztikájával.
A kiürítéses MOSFET helyettesítőképe megegyezik a JFET helyettesítőképével.

2.4.2.3. MOSFET lineáris üzeme

A kiürítéses MOSFET munkapont-beállítására ugyanaz vonatkozik, mint a JFET-re. A
növekményes MOSFET transzfer karakterisztikája alapvetően eltér a két másik típustól (n
csatornást feltételezve a JFET és a kiürítéses MOSFET esetén –UGS, míg növekményes
MOSFET esetén +UGS feszültség szükséges). A tisztán feszültségvezérelt bemenet miatt itt
is csak a feszültséggel történő munkapont-beállító kapcsolások jöhetnek szóba.
A szubsztrát bekötésénél figyelembe kell venni, hogy a MOSFET vezérelhető a szubsztrát
elektródán keresztül is, ezért olyan potenciálra kell kötni általános esetben, hogy ne
befolyásolja a kapcsolás működését. Pl. n csatornás MOSFET esetén vagy a source-hoz
(diszkrét MOSFET esetén gyakran már gyárilag összekötik és ki sem vezetik a
szubsztrátot) vagy a kapcsolás legalacsonyabb potenciálú pontjához kötik.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 61
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Tipikus közös source-u kapcsolás a közös emitteres kapcsolás analógiájára:

+Ut
R1 RD

+ uki
ube UG R2 RS CS
US

A) A kapcsolás nagyjelű viselkedése számolással és grafikusan:
R2
UG = Ut
R2 + R1
U S = I DS RS
R2
U GS = U G − U S = U t − I DS RS
R2 + R1
I DS = K (U GS − U th )
2

U DS = U t − I DS (RD + RS )

IDS Ut/(RD+RS) UGS1

IDS UGS2
-1/RS

U t R2 R2 UGS3
Ut
M R2 + R1
RS R2 + R1 M UGSM
UGS4
UGS UGS5
Uth UGSM
UGS6
UDS
Ut

B) A kapcsolás kisjelű viselkedése

Az egyenletek megegyeznek a JFET megfelelő kapcsolásának egyenleteivel.

g d

ube R1 R2 ugs Sugs rDS uDS RD uki Rt

s s

Bemeneti ellenállás:
Rbe = R1 ∗ R2

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 62
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Feszültségerősítés:
u gs = ube
uki = − Sube (rDS ∗ RD ∗ Rt )
Au = − S (rDS ∗ RD ∗ Rt )
Kimeneti ellenállás:
Rki = rDS ∗ RD

A grafikus munkapont-beállító karakterisztikák alapján megállapítható, hogy a
munkapontot akkor is be lehet állítani, ha a kapcsolás nem tartalmaz R2 ellenállást, csak
egy R1 ellenállást (ez a lehetőség azonban a MOSFET karakterisztikájától és a
tápfeszültség értékétől függ).

Növekményes MOSFET alapkapcsolás felhúzó ellenállással:

+Ut
R1 RD

+ uki
ube UG US RS CS

A) A kapcsolás nagyjelű viselkedése számolással és grafikusan:
UG = Ut
U S = I DS RS
U GS = U G − U S = U t − I DS RS
I DS = K (U GS − U th )
2

U DS = U t − I DS (RD + RS )

IDS Ut/(RD+RS) UGS1
IDS
Ut -1/RS UGS2
RS
UGS3
M Ut M UGSM
UGS4
UGS UGS5
Uth UGSM
UGS6
UDS
Ut

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 63
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

B) A kapcsolás kisjelű viselkedése

Különbség csak a bemeneti ellenállásban van:

g d

ube R1 ugs Sugs rDS uDS RD uki Rt

s s

Bemeneti ellenállás:
Rbe = R1
2.4.3. FET kapcsoló üzeme

A FET működését kapcsolóüzemben elsősorban a szórt kapacitásai határozzák meg.
Előnyös tulajdonsága, hogy nincs töltéstárolási ideje, ami a kapcsolási sebességet növeli.
Az egyéb kapcsolóüzemű jellemzők és paraméterek definícióra megegyeznek a réteg
tranzisztornál elmondottakkal.
A nagy sebesség, a vezérlési teljesítményigény hiánya, a kis-közepes teljesítmény
kategóriákban a tranzisztorhoz képest nagyobb működési frekvencia a FET -elsősorban is a
teljesítmény MOSFET- alkalmazások gyors terjedését eredményezte.
A tranzisztor és a MOSFET előnyeit egyesítik a két alkatrész kombinációjának tekinthető –
elsősorban a teljesítményelektronikában alkalmazott- szigetelt elektródás tranzisztorok
(IGBT).

2.4.4. FET-alapú vezérelt és aktív ellenállás

A kimeneti karakterisztika különböző meredekségű felfutása az elzáródás-mentes
tartományban az alapja a FET vezérelt ellenállásként történő felhasználásának. A kimeneti
karakterisztikát az origó környékén kinagyítva azt kapjuk, hogy egyrészt minden
karakterisztika más és más meredekségű, másrészt a kis jelek tartományában a drain és a
source szerepe felcserélhető (pl. MOSFET átviteli kapuk).
IDS UGS1
UGS2 UGS1> UGS2> UGS3> UGS4
UGS3
UGS4
UDS
Uk

A karakterisztikákat a könyök-görbéig közelítéssel egyenesnek tekintjük, így:
∂U DS U k U GS − U P U GS − U P UP UP
rDS = ≅ = = = =
∂I DS U GS = állandó
I DS I DS  U 
2
I DSS U GS − U P
I DSS 1 − GS 
 UP 
UP
= rDS min
U P − U GS

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 64
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

A minimális csatorna ellenállás:

UP
rDS min (U GS = 0 ) =
I DSS
Ábrázolva a csatorna ellenállás-vezérlő feszültség függvényt (rDS=f(UGS)):
rDS

rDSmin
UGS
UGS=UP
A kapott karakterisztika monoton, így a vezérlőfeszültség és az ellenállás közötti kapcsolat
egyértelmű, bár nemlineáris, de visszacsatolással linearizálható. A linerizálás a csatorna
ellenállás vezérelhetőségének tartományát is beszűkíti.
Linearizálás negatív visszacsatolással:

A MOS technológiával gyártott integrált áramkörökben ellenállások helyett -a jobb
integrálhatóság miatt- MOS-tranzisztorral felépített aktív ellenállásokat alkalmaznak.
IDS
UDS=UGS
UDS rDS5

UGS rDS4

rDS3
rDS2
rDS1
UDS

Erősítő kapcsolás aktív ellenállással:

Ut IDS
Munka-‘egyenes’

Munkapont

Uki

Ube
UDS

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 65
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

2.5. Félvezetők melegedése, hűtése és zaja

2.5.1. Félvezetők melegedése és hűtése

A félvezetők működésük során hőt termelnek (a veszteségi teljesítmény hatására), amelyet
a környezetüknek a szokásos módon (hőáramlás, hővezetés, hősugárzás) adják át. A
félvezető modellezhető hőtechnikai szempontból villamos elemekkel, hőtechnikai-villamos
analógiák felhasználásával.

Analógia állítható fel az alábbi módon:

Hőtechnikai elem Villamos analógia
Veszteségi teljesítmény Pd áramgenerátor
Hőellenállás Rth ellenállás
Hőmérséklet ν feszültség

Egy félvezető hőtechnikai modellje:
Rthca
Rthjc
Rth_hűtő
Pd νj νc Rth_szigetelő νa

Jelölések:
νj a réteg hőmérséklete (a határérték katalógus adat)
νc a tok hőmérséklete
νa a környezet hőmérséklete
Rthjc a réteg és a tok közötti hőellenállás
Rthca a tok és a környezet közötti hőellenállás
Rth_hűtő a hűtőfelület (beleértve a mesterséges hűtést is) hőellenállása
Rth_szigetelés a félvezető és a hűtőfelület közötti szigetelés hőellenállása

Az Rth_hűtő hőellenállás magában foglalja nemcsak a hűtőfelület hőellenállását, hanem
esetleges mesterséges hűtés (ventilátor, folyadék hűtés, Peltier-hűtő) hatását az eredő
hőellenállásra. Amennyiben nincs külön hűtőfelület, akkor Rth_hűtő→∞.
Gyakran előfordul, hogy két vagy több félvezetőt egy hűtőfelületen helyeznek el,
amelynek oka lehet, pl. helytakarékosság, megkövetelt azonos félvezető hőmérséklet, stb.
Amennyiben a félvezetők hűtőfelületei eltérő potenciálon vannak, akkor el kell egymástól
szigetelni őket. A szigetelés kiterjed a hűtőfelület és a félvezető felület közötti
elválasztásra (csillámlemez, hővezető pasztával szerelve az érdesség hatásának
csökkentésére) és a rögzítés elválasztására is (távtartók, csavarok, alátétek). Az Rth_szigetelés
az összes alkalmazott szigetelő együttes hőellenállását modellezi. Amennyiben nincs
elválasztás, akkor Rth_szigetelés=0.
A hűtőfelület elhelyezkedése és színe is erősen befolyásolja a hűtő tényleges
hőellenállását. A katalógusban megadott értékek mindig az optimális elhelyezésre és a
gyártáskori színre vonatkoznak. A matt fekete felület hőleadási tényezője lényegesen jobb,
mint a világos csillogó felületé (akár két nagyságrenddel is), így a jobb hatásfokú
hűtőfelületek feketére oxált alumínium hűtőfelületek a hőáramlással párhuzamosan
elhelyezkedő bordás felületekkel.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 66
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

A hűtőfelületek (szokásos elnevezésük: hűtőbordák) lehetnek gyárilag végleges méretre és
szerelésre előkészítettek és húzott alumínium bordák, amelyek méretre vágása és a rögzítő
felületek kialakítása a felhasználó feladata. A gyári kész bordák hőellenállás értéke adott,
amit általában csak rontani lehet, de a hosszra adott hőellenállású bordák hőellenállás
értéke befolyásolható.
Pl. tipikus húzott hűtőborda hőellenállása a hosszúság függvényében:
Rth_hűtő

l [m]
Az ábrán látható, hogy a hosszméret növelésével a hőellenállás nem arányosan változik,
ami a hővezetés fizikájával magyarázható.

Példa egy teljesítmény tranzisztor hűtőfelületének kialakítására:

Válasszuk a BD 246C pnp teljesítmény tranzisztort. Tokozása SOT-93 (lapos műanyag,
fém hátoldallal).
Legyen a környezeti hőmérséklet νa=25 C° (ez a félvezető közelében levő tér
hőmérséklete).
Jellemző katalógus határadatok:
UCE=100V, IC=10A, Pdmax=80 W, νjmax=150 C°

Hőtechnikai jellemzők:
Rthjc=1.56 K/W, Rthja=42 K/W.

a) Határozzuk meg, hogy a félvezetőt külső hűtés nélkül maximálisan mekkora
teljesítményre (Pd1) lehetne igénybe venni!
ν j max −ν a 150 − 25
Pd 1 = = = 2.97 W
Rthja 42
Ez a maximális veszteségi teljesítményének 3.7 %-a.

b) Határozzuk meg, hogy egy Rth hűtő= 0.76 K/W hőellenállású, gyárilag méretre vágott, de
felhasználható által kifúrható hűtőborda esetén (természetes hűtést alkalmazva, szigetelés
nélkül) mekkora teljesítményig lehet igénybe venni a tranzisztort!

Az Rthca>>Rth hűtő, ezért elhanyagolható.
ν j max − ν a 150 − 25
Pd 2 = = = 53.9 W, ami 67.3 %-os kihasználást tesz
Rthjc + Rth _ huto 1.56 + 0.76
lehetővé.
A példában szereplő hűtőborda mérete: 47x128x250 mm, keresztmetszet szelvénye:
.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 67
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

A maximális veszteségi teljesítmény végtelen hűtőfelülettel és alacsony környezeti
hőmérséklet esetén érhető el. (pl. a fenti példában a 100%-os kihasználáshoz végtelen
hűtőfelület kellett volna, ami technikailag kivihetetlen.)

2.5.2. Félvezetők zaja

A félvezetők, de egyéb alkatrészek esetén is számos oka lehet a zajok előfordulásának. A
zajok sztochasztikus jellegűek, így a teljes frekvencia-tartományban az eloszlás
függvényeikkel jellemezzük őket.

A félvezetőkben előforduló jellegzetes zajok és jellemzőik:

a) Termikus vagy Johnson zaj (uzT,izT)

Minden passzív és aktív alkatrész 0 K felett zajt termel. A zaj mértéke függ a
hőmérséklettől és az alkatrészre jutó jel-sávszélességtől. Pl. az ellenállás zaja (ahogy azt az
Elektronika I. jegyzetben levezettük):
2
u zT = 4kTBR
4kTB
2
i zT =
R
A termikus zaj teljesítménysűrűség spektruma (G(f)) a teljes frekvencia tartományban
egyenletes eloszlású (fehér zaj jellegű).
A félvezetők esetén egyéb jellemző zajok is vannak, amelyeket együtt kezelünk.

b) Sörétzaj (izs)

A sörétzaj a töltéseknek a potenciálgáton/küszöbön történő áthaladásakor keletkezik.
A keletkezett zajáram effektív értéke arányos az átfolyó árammal (I) és a sávszélességgel
(q az elektron töltése).
i zs = 2 IqB
A tranzisztor két pn átmenetet is tartalmaz, míg a FET-nek nincs pn átmenete, így ez a
zajfajta ott nem jelentkezik. (A FET zaja jelentősen kisebb, mint a tranzisztor zaja. A
normál FET zajtényezője körülbelül akkora, mint a speciális alacsony zajú tranzisztor
zajtényezője.) Ennek a zajnak a mértéke konstrukcióval befolyásolható.
A sörét zaj teljesítménysűrűség spektruma (G(f)) a teljes frekvencia tartományban
egyenletes eloszlású.

c) Villódzási vagy flicker zaj (izf)

A zaj oka nem teljesen tisztázott, de általában a nem teljesen tiszta félvezető anyagot és a
rácstorzulásokat tekintik annak. Ennek megfelelően mértéke technológiai módszerekkel
befolyásolható.
A villódzási zaj jellegzetessége, hogy a teljesítménysűrűség spektruma a frekvenciával
arányosan csökken (rózsaszín zaj), ezért szokás 1/f zajnak is hívni. A zajáram függ az
átfolyó áramtól és a sávszélességtől is (K egy empirikus konstans).

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 68
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

KIB
i zf =
f
A zajok együttesen befolyásolják egy félvezető működését, ezért csak egy jellemző érték
van jellemzésükre megadva.

Az F zajszám értelmezése:
Az alkatrészt zajmentesnek tételezzük fel (T=0 K esetén a zaj nulla) és a zajt a bemenetre
redukáljuk, méghozzá az alkatrészt meghajtó áramkör Thevenin helyettesítő-képének
megfelelő belső ellenállásába. A belső ellenállás által termelt zajt megnöveljük a
zajszámmal oly mértékig, hogy a zajmentesnek feltételezett alkatrész kimenetén a zaj
ugyan akkora legyen, mint az a zajos alkatrész kimenetén volt.

u z = 4kTBRg F

T>0 K T=0 K

Rg
uz

A zajszám katalógus adat és jellemzője az adott alkatrésznek. Gyakran a zajszám dB-ben
megadott értékét használják:
F * = 20 lg(F ) [dB]
Összetettebb áramkörökre, pl. műveleti erősítő, jelkondicionáló erősítő, stb. gyakran nem a
zajszámot, hanem a bemenetre redukált zajfeszültség vagy zajáram effektívérték négyzetét
adják meg. Ezt az értéket, mint bemeneti jelgenerátort tekintve bármely áramkör esetén a
kimeneti zaj kiszámítható.

A teljes áramkörre, amelynek zaját az egyes alkatrészek zaja határozza meg, nem a
zajszámot, hanem a jel/zaj (S/N) viszonyt használjuk, amelyet dB-ben adunk meg:

Uz T=0 K
Zajmentes
Rg áramkör
Ug
Rbe
(T=0 K)

Az áramkör bemenetére redukált zajgenerátor (Uz) és a jelgenerátor (Ug) nincs fázisban
egymással, ezért a bemeneti jelként az eredőjüket használjuk.
U z = 4kTBRg F
Rbe
U be = U g2 + U z2
Rbe + Rg

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 69
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

A jel/zaj viszony:

S Ug
= 20 lg
N Uz
Az Ug és Uz a jel és a zaj effektívértéke. A zaj a bemenetre van redukálva, ezért ugyanazt
az eredményt kapjuk, ha a kimeneten vesszük a két jel hányadosát, mert az erősítő
mindkettőt egyformán erősíti.
Alkalmanként definiálják a kapcsolás zajtényezőjét, amit hasonlóan a zajszámhoz F-vel
jelölünk:
Pkiz
F=
AP Pbez
A Pkiz a kimeneti zajteljesítmény, Pbez a bemeneti zajteljesítmény, AP a kapcsolás
teljesítmény erősítési tényezője.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 70
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

2.6. Erősítők
Az erősítők az erősítő típusú diszkrét félvezetők és integrált elektronikus áramkörök
leggyakoribb lineáris alkalmazásai. Erősítők nemcsak villamos jellemzők erősítésére, de
egyéb -a mindennapi gyakorlatban fontos- fizikai mennyiségekre is léteznek (pl.
hidraulikus, pneumatikus erősítők, mágneses erősítők, stb.). A fejezet további részében
azonban csak olyan erősítőkkel foglalkozunk, amelyeket az alap villamos jellemzők
(feszültség, áram és teljesítmény) nagylinearítású erősítésére alkalmaznak. Ezek közül is -
gyakorlati fontosságuk miatt- kiemelt jelentőséget a feszültség és a teljesítményerősítők
kapnak. Az áramerősítők, esetleg az áram bemenetű feszültségerősítők (meredekség
erősítők) kisebb gyakorlati jelentőséggel bírnak. A kapcsolásoknál nem tárgyaljuk az
integrált áramkörökön (műveleti erősítők) alapuló kapcsolásokat, mivel ezekkel egy külön
fejezet foglalkozik (Elektronika III.). Az erősítők tárgyalása során nem foglalkozunk a
nagyfrekvenciás kapcsolásokkal, csak a hangfrekvenciás és középfrekvenciás erősítőkkel.
A nagyfrekvenciás erősítők speciális jellegük miatt egyéb tárgyak anyagát képezik.

2.6.1. Erősítők csoportosítása

Az erősítőket csoportosíthatjuk erősített jellemzőjük alapján, mint:
• Feszültségerősítők
• Áramerősítők
• Teljesítményerősítők,
de csoportosíthatjuk őket a be- és kimeneti jelnek egy kitüntetett ponthoz
(földpont/vezeték, referencia vezeték, vonatkoztatási vezeték, a továbbiakban földvezeték
vagy földpont elnevezést használjuk) való viszonya alapján is:
• Aszimmetrikus erősítők
• Szimmetrikus erősítők
o Szimmetrikus bemenetű, de aszimmetrikus kimenetű erősítők
o Szimmetrikus ki- és bemenetű erősítők

2.6.1.1. Aszimmetrikus erősítők

A ki- és bemeneti pont egy földvezetékhez viszonyítva értelmezett.
ibe iki

ube uki

A bemeneti és a kimeneti jellemzők nem feltétlenül azonos fázisúak, ezért célszerű
vektormennyiségeket használni.
A bemeneti impedancia:
U be
Z be =
I be
A kimeneti impedancia:
U kiü
Z ki = −
I kiz

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 71
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Az Ukiü az üresjárási kimeneti feszültség, az Ikiz a kimeneti zárlati áram. (A negatív előjel a
felvett pozitív vonatkoztatási irányok miatt van.)

Az erősítés (az elektronikai gyakorlatban gyakrabban alkalmazott skalár mennyiségekkel
kifejezve) attól függően, hogy mi az erősített jellemző:
uki
Au =
ube
iki
Ai = −
ibe
 
 
Pki ukiiki uki  iki 
Ap = =− = −
Pbe ubeibe ube  ibe 
{ { 
Au  Ai 

A fenti mennyiségeket célszerűen általában dB-ben szokás megadni. Az összefüggések nem
adnak felvilágosítást a ki- és bemeneti jel egymáshoz viszonyított (frekvenciától függő)
fázishelyzetére. Az olyan alkalmazásoknál, ahol ez kritikus, az átvitelt a komplex
frekvencia-tartományban kell meghatározni.

2.6.1.2. Szimmetrikus bemenetű erősítők

A szimmetrikus bemenet jellemzője, hogy a bemeneti pontok egyike sem kitüntetett pont,
pl. földpont. A két földfüggetlen bemeneti pont közötti feszültséget szimmetrikus bemeneti
(kimenet esetén kimeneti) feszültségnek nevezzük, míg a földponthoz mért feszültségeket
aszimmetrikus (vagy azonos fázisú) feszültségnek nevezzük. Az aszimmetrikus
feszültségek alapján határozhatjuk meg a közösmódusú feszültséget. A fentiek alapján így
minden mennyiség esetében definiálható a szimmetrikus és a közösmódusú erősításen túl a
ki- és bemeneti ellenállás is.
A szimmetrikus bemenetű erősítők aszimmetrikus vagy szimmetrikus kimenetűek
lehetnek. A gyakorlatban az aszimmetrikus kimenetűek lényegesen gyakoribbak, de
speciális alkalmazásokban a szimmetrikus kimenetűek is előfordulhatnak.

i) Szimmetrikus bemenet, aszimmetrikus kimenet

ibe1 iki
ubes
ibe2 uki
ube1
ube2

A bemeneti mennyiségek általános esetben fáziseltéréssel is
Ubes rendelkeznek, ezért célszerűen vektormennyiségként értelmezzük
azokat.
Ube1 Ubek A két aszimmetrikus bemeneti feszültség különbsége a szimmetrikus
Ube2 bemeneti feszültség (Ūbes), míg a közösmódusú feszültség (Ūbek) a két
aszimmetrikus feszültség számtani középértéke.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 72
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

U bes = U be1 − U be 2
U be1 + U be 2
U bek =
2
Definiálhatjuk a szimmetrikus bemeneti áramot (Ībes) és a közösmódusú bemeneti áramat
(Ībek) is:
I be1 − I be 2
I bes =
2
I bek = I be1 + I be 2
Így a két bemeneti áram a szimmetrikus paraméterekkel kifejezve:
I bek
I be1 = I bes +
2
I
I be 2 = I bes − bek
2
Szimmetrikus (Zbes) és a közösmódusú (Zbek) bemeneti impedanciák:
U bek
Z bek =
I bek
U bes
Z bes =
I bes
A feszültségerősítés is lehet szimmetrikus (Aus) vagy közösmódusú (Auk).
uki
Aus =
ubes u bek = 0

uki
Auk =
ubek u bes = 0

Az uki az aszimmetrikus kimeneti feszültség.

A szimmetrikus bemenetű erősítők hibája (közösmódusú elnyomási tényező):

A szimmetrikus bemenetű erősítőket úgy tervezik, hogy azok csak a szimmetrikus jelet
erősítsék, így a közösmódusú erősítés hibának tekinthető. Ez alapján definiálható a
közösmódusú elnyomási tényező (KME vagy gyakrabban az angol rövidítéssel CMRR):
Aus
CMRR = 20 lg [dB]
Auk
A kimenet az aszimmetrikus erősítőhöz képest nem változott, így a kimeneti impedancia:
U kiü
Z ki = a korábban definiáltak szerint.
I kiz

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 73
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

ii) Szimmetrikus be- és kimenetű erősítő

ibe1 iki1
ubes iki2
ukis
ube1 uki1
ube2 uki2

A bemeneti paraméterek változatlanok, de az erősítésnél értelmezni kell a szimmetrikus és
az aszimmetrikus kimenet esetére vonatkozó erősítést is. A szimmetrikus (ukis) és a
közösmódusú (ukik) kimeneti feszültség definíciója hasonló, mint az a bemeneti feszültség
esetén volt.
ukis
Auss =
ubes u bek = 0

ukis
Ausk =
ubek u bes = 0

ukik
Auks =
ubes u bek = 0

ukik
Aukk =
ubek u bes = 0

A szimmetrikus és a közösmódusú kimeneti erősítés között fennáll az alábbi összefüggés:
Auss = 2 Auks
A kimeneti ellenállás is lehet szimmetrikus és közösmódusú a fentiek szerint.

2.6.2. Negatív visszacsatolás

Az erősítők nemlineáris elemeket tartalmaznak, amelyek általában hőmérsékletfüggőek is,
ami instabil működést, valamint torzítást eredményez. A negatív hatások csökkentésére
visszacsatolást alkalmazunk. A visszacsatolások lehet negatívak vagy pozitívak aszerint,
hogy a visszacsatolt jel a bemeneti jelhez képest azonos vagy ellentétes fázisban kerül
hozzáadásra. Pozitív visszacsatolást valamely jelenség felnagyítására, míg a negatív
visszacsatolást annak csökkentésére használjuk, így lineáris erősítőkben csak a negatív
visszacsatolás alkalmazható.
A negatív visszacsatolás általános hatásának vizsgálatához vegyük fel a hatásvázlatot:

ube-uv
ube + A0 uki
-
uv

K

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 74
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

A K elnevezése visszacsatolási tényező, értéke 0..1 között van. A K lehet frekvenciafüggő
vagy frekvencia-független esetleg aktív elemeket is tartalmazó áramkör. A
frekvenciafüggés lehetővé teszi speciális frekvenciakarakterisztikák megvalósítását is (pl.
frekvenciafüggő kompressziók, dekompressziók, stb.). Az uv a kimenetről a bemenetre
visszacsatolt jel.
Jelöljük A0 az erősítő nyílthurkú vagy visszacsatolatlan erősítését, T-vel a hurokerősítést
(körerősítést), legyen Av a visszacsatolt rendszer erősítése! Mind a nyílthurkú erősítés,
mind a visszacsatolt erősítés lehet (sőt a gyakorlatban mindig) frekvenciafüggő. (A
frekvenciafüggés hatását a “Műveleti erősítők” fejezetben tárgyaljuk részletesen.)
uki = A0 (ube − uv )
uv = Kuki
uki A0
Av = =
ube 1 + A0 K
T = A0 K
A visszacsatolt erősítés képletéből látható, hogy az erősítés csökkent a visszacsatolás
hatására, ami nem előny, hanem következmény.
A negatív visszacsatolás előnyeinek ismertetése különböző áramkörök kapcsán kerül sorra:
• a sávszélesség növekedése (a műveleti erősítőknél tárgyaljuk),
• a kapcsolás stabilitásának növekedése (a diszkrét erősítőknél kerül tárgyalásra),
• az erősítő nemlinearításai által okozott torzítások csökkentése (a torzult kimeneti jel
egy részének visszacsatolása a bemenetre negatív előjellel, “előtorzítás”),
• a zárt hurokban fellépő külső zavarások hatásainak csökkentése az előzőek szerint
az előtorzítás alkalmazásával.

A negatív visszacsatolások stabilitása alapvető az egész kapcsolás stabilitása
szempontjából. Amennyiben a frekvenciafüggő hurokerősítés (vektoriális értéke) bármely
frekvencián eléri a T=-1 értéket (Barkhausen kritérium) a kapcsolás önfenntartó gerjedésbe
megy át. Ha T<-1, akkor az eddig negatív visszacsatolás pozitív visszacsatolásba megy át.
Mind az önfenntartó gerjedést, mind a pozitív visszacsatolást felhasználjuk különböző
áramkörök megvalósítására (pl. oszcillátorok, hiszterézises komparátorok, stb.)

A visszacsatolandó jel lehet feszültség vagy áram, amelyet a bemenethez sorosan vagy
párhuzamosan csatolhatunk. Ennek megfelelően négy alaptípusa van a negatív
visszacsatolásnak:
a) Soros-feszültség
b) Soros-áram
c) Párhuzamos-feszültség
d) Párhuzamos-áram

Az egyes visszacsatolás típusoknál feltételezzük, hogy a visszacsatoló hálózat a
visszacsatolandó áramkört nem terheli sem a bemeneti, sem a kimeneti oldalon. Ez a
feltétel alkalmanként nem teljesül (elsősorban is diszkrét erősítőknél), ilyenkor a terhelés
hatását is figyelembe kell venni.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 75
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

a) Soros-feszültség típusú visszacsatolás
ibe

ubeo
A0 uki
ube

uv K

A visszacsatolt/zárthurkú feszültségerősítés (Auv):
uki = A0ube 0
ube 0 = ube − uv = ube − Kuki
uki A0
Auv = =
ube 1 + A0 K
Megállapítható, hogy a soros-feszültség típusú visszacsatolás visszacsatolt feszültség
erősítése csökken!

A visszacsatolt áramkör bemeneti ellenállása (Rbev)
Legyen a visszacsatolatlan erősítő bemeneti ellenállása Rbe0!
ube 0
Rbe 0 =
ibe
ube ube 0 + uv ube 0 + A0 Kube 0 u
Rbev = = = = (1 + A0 K ) be 0 = (1 + A0 K )Rbe 0
ibe ibe ibe ibe
{
Rbe 0

A visszacsatolt bemeneti ellenállás nő, ami feszültségerősítők esetén előny!

A kimeneti ellenállás (Rkiv):
A kimeneti ellenállás meghatározásához helyettesítsük az erősítő kimenetét a Thevenin-
helyettesítő-képpel. Hanyagoljuk el a visszacsatolásnak az erősítőre gyakorolt terhelő
hatását és legyen a bemeneti jel ube=0.
iki
U ki 0 = − Kuki A0
uki − U ki 0 1 + KA0 ubeo Uki0 Rki0 uki
iki ≅ = uki
Rki 0 Rki 0
uki Rki 0
Rkiv = =
iki 1 + KA0
A visszacsatolt kimeneti ellenállás csökken, ami
uv K
feszültségerősítők esetén előny!

Az áramerősítés értéke a visszacsatolás miatt nem változik! (Sem a bemeneti, sem a
kimeneti áramot nem befolyásolja a visszacsatolás.)

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 76
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

b) Soros-áram visszacsatolás
ibe Iki

ubeo
A0 uki
ube

uv K Rsc

A feszültségerősítés, az áramerősítés és a bemeneti ellenállás értéke a bemeneti oldalra
történő visszacsatolás típusától függ. Ez nem változott, tehát az előzőleg kiszámolt értékek
sem változtak.

A kimeneti ellenállás (Rkiv):
A kimeneti ellenállás meghatározásához helyettesítsük az erősítő kimenetét a Thevenin-
helyettesítőképpel. Hanyagoljuk el a visszacsatolásnak az erősítőre gyakorolt terhelő
hatását és legyen a bemeneti jel ube=0.
Helyettesítsük a visszacsatoló hálózatban levő összes olyan egység eredő ellenállását Rsc
(áramérzékelő, sense current) ellenállással, amely a kimeneti áram feszültséggé történő
átalakításában részt vesz.
iki

U ki 0 = − A0ube 0 = A0uv = Kiki Rsc A0 ubeo Uki0 Rki0 uki
u − U ki 0 uki − Kiki Rsc A0
iki = ki =
Rki 0 + Rsc Rki 0 + Rsc
uki
Rkiv = = Rki 0 + Rsc (1 + KA0 )
iki uv K Rsc

A kimeneti ellenállás kis mértékben nő (az Rsc a gyakorlatban kicsi érték a többi
impedanciához képest), gyakran a változást elhanyagolhatjuk!

c) Párhuzamos-feszültség visszacsatolás
ibe ibe0

ube iv ubeo A0 uki

uv K

A kimenet megegyezik a soros-feszültségvisszacsatolás kimenetével, ezért a kimeneti
ellenállást is azonos módon kell meghatározni.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 77
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

A visszacsatolt feszültségerősítés (Auv):
ube = ube 0 = uv
uki = A0ube 0 = A0ube
uki
Auv = = A0
ube
A feszültségerősítést a visszacsatolás nem változtatja!

A visszacsatolt áramkör bemeneti ellenállása (Rbev)
A bemeneti ellenállás meghatározásához helyettesítsük a visszacsatoló áramkört egy Rv
ellenállással!
Vegyük figyelembe, hogy a bejelölt áramirányok és feszültségirányok mellett a negatív
visszacsatolás –A0 esetén áll fenn!
ube 0
Rbe 0 =
ibe 0 ibe ibe0
ube − uki 1 + A0
iv =
Rv
= ube
Rv
ube iv ubeo A0 uki

ube ube
Rbev = = = Rv
ibe ibe 0 + iv
ube Rv
= = Rbe 0 ∗ uv K
ube 0 1 + A0 1 + A0
+ ube
Rbe 0 Rv

A bemeneti ellenállás csökken az erősítéstől és a visszacsatoló ellenállástól függően. Ez
feszültségerősítők esetén hátrány.

Az áramerősítés értéke a visszacsatolás miatt csökkenni fog! Konkrét értékét csak konkrét
kapcsolás esetén lehet pontosan megállapítani.

d) Párhuzamos-feszültség visszacsatolás
ibe ibe0

ube iv ubeo A0 uki

uv K

A jellemző paraméterek az eddigiek szerint a bemeneti oldalon megegyeznek a
párhuzamos visszacsatolásra, a kimeneti oldalon pedig az áram visszacsatolásra
meghatározottakkal.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 78
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Táblázatosan összefoglalva a kiszámolt értékeket:

Visszacsatolás Auv Aiv Rbev Rkiv
típusa
Soros-feszültség A0/(1+A0K) Ai0 Rbe0(1+A0K) Rki0/(1+A0K)
Soros áram A0/(1+A0K) Ai0 Rbe0(1+A0K) Rki0+Rsc(1+A0K)
Párhuzamos- A0 csökken Rbe0*Rv/(1+A0) Rki0/(1+A0K)
feszültség
Párhuzamos-áram A0 csökken Rbe0*Rv/(1+A0) Rki0+Rsc(1+A0K)

Példa: Ut
Vizsgáljuk meg a fenti összefüggések ismeretében a RC iC
korábban tárgyalt “munkapontbeállítás bázisárammal R1
egyenáramú visszacsatolással” alapkapcsolást.
uki
ube uBE

Rajzoljuk át a kapcsolást a negatív visszacsatolásoknál alkalmazott formára:

Megállapítható, hogy a visszacsatolás párhuzamos- Ut
feszültség típusú visszacsatolás.
A0
RC
A nyílthurkú erősítés:
Au 0 = − S (rCE ∗ RC )
uki
A nyílthurkú bemeneti ellenállás: ube uBE
Rbe 0 = rBE
A nyílthurkú kimeneti ellenállás R1
K
Rki 0 = rCE ∗ RC
Felhasználva az előbbiekben a párhuzamos-feszültség visszacsatolásra meghatározott
összefüggéseket:

Zárthurkú feszültségerősítés:
Au 0 = Auv
Zárthurkú bemeneti ellenállás:
Rv R1
Rbev = Rbe 0 ∗ = rBE ∗
1 + Au 1 + Au
A zárthurkú kimeneti ellenállás:
Rki 0
Rkiv =
1 + A0 K

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 79
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Rki 0 = rCE ∗ RC
1 1
K= − =0
Auv Au 0
rCE ∗ RC
Rkiv = = rCE ∗ RC
1 + S (rCE ∗ RC )K
Összehasonlítva az így kapott eredményeket a korábban a kisjelű helyettesítő-kép alapján
meghatározott összefüggésekkel megállapítható, hogy a különböző módszerekkel nyert
eredmények azonosak lesznek.

2.6.3. Aszimmetrikus kisjelű erősítők

Aszimmetrikus erősítőket tranzisztorral is és FET-vel is felépíthetünk. A FET-es
kapcsolások megegyeznek a korábbi fejezetben bemutatott JFET és MOSFET
alapkapcsolásokkal, ezért az alábbiakban csak a tranzisztoros erősítőket tárgyaljuk
részletesen.

2.6.3.1. Közös emitteres kapcsolások

A közös emitteres kapcsolások korábban tárgyalt elvi kapcsolásai azért nem megfelelőek
gyakorlati célokra, mert a kapcsolások stabilitása alacsony, a hőmérséklet a kapcsolások
működését erősen befolyásolja.
A kapcsolások munkapontbeállító áramköre bármelyik lehet a korábban tárgyalt három
alap megoldás közül, de a továbbiakban csak a feszültségosztós megoldással fogjuk a
kapcsolások működését tárgyalni.
A kapcsolásoknál negatív visszacsatolásokat alkalmaznak a stabilitás növelésére. A közös
emitteres kapcsolásnál a negatív visszacsatolást az emitter-körbe helyezett ellenállással
valósítják meg. Annak érdekében, hogy az egyenáramú és a váltakozó áramú
visszacsatolás eltérő legyen a munkapontbeállító ellenállások egy része (vagy akár az
egész) kondenzátorral áthidalásra kerül. Az alábbi kapcsolásnál a nem “hidegített”
ellenállás (RE2) kisjelű/váltakozó áramú szempontból visszacsatolás, azonban egyenáramú
szempontból mindkét ellenállás visszacsatolás, mivel a kondenzátor egyenáramon
szakadásnak tekinthető.
Ut

R1 RC iC
Cs2
Cs1
uBE uki=uCE Rt
ube R2
RE2
UB
RE +
CE

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 80
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Határozzuk meg a visszacsatolás típusát:
A meghatározáshoz részeire bontjuk a kapcsolást és összehasonlítjuk az elvi ábrával.
Ut

R1 RC iC IB Iki
Cs2
uBE
Cs1 A0
uBE uki=uCE Rt
ube R2 iE uki
ube
UB iE
uE RE2
RE2 Rsc
uE RE1
RE1 +

A visszacsatolás típusa tehát soros-áram visszacsatolás!

A visszacsatoló ellenállás kialakítására a fenti kapcsoláson (a) kívül egyéb lehetőségek (pl.
b és c) is rendelkezésre állnak:

Cs1 Cs1 Cs1

ube R2 uBE ube R2 uBE ube R2 uBE

UB RE2 UB RE UB
RE + CE
RE1 + CE

a) b) c)
A b) esetben az RE mind egyenáramú, mind váltakozó áramú szempontból visszacsatolás.
A c) esetben az RE csak egyenáramú szempontból visszacsatolás, váltakozó áramú
szempontból nincs visszacsatolás. Az alábbi egyenleteket ennek megfelelően
értelemszerűen lehet alkalmazni.
Jelöljük REDC–vel az egyenáramú szempontból visszacsatoló ellenállást és REAC–vel a
váltakozó áramú szempontból is visszacsatoló ellenállás!

kapcsolás REDC REAC
a RE1+RE2 RE1
b RE RE
c RE -

Az eltérő egyenáramú és váltakozó áramú visszacsatolás célja a megfelelő erősítés
beállítása a stabilitás megőrzése mellett.

Nagyjelű működés:
R2
U BM = U t
R1 + R2

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 81
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Ut
I0 =
R1 + R2
U EM = U BM − U BEM
U EM
I EM = ≈ I CM
REDC
I CM
I BM = >> I 0
B
U CEM ≅ U t − I CM (RC + REDC )
A munkapont stabilizálás hatásvázlata:

Tételezzük fel, hogy nő a hőmérséklet!
T↑⇒UBE↓⇒UE↑⇒IE↑⇒IC↑⇒IB↑⇒UBE↑

A hőmérsékletváltozás hatására a munkapont megváltozik, azonban a kapcsolás a változás
egy részét kikompenzálja az REDC ellenállásokon létrejövő negatív visszacsatolással!

Kisjelű viselkedés:

B C
iB
uBE rBE SuBE rCE uCE
ube R1 R2 RC uki Rt
E E
uE REAC

Feszültségerősítés:
β >> 1 ⇒ u E ≅ Su BE REAC = βiB REAC
ube = u BE + u E = u BE + Su BE REAC = u BE (1 + SREAC )
uki = − Su BE ( RC ∗ Rt )
uki − Su BE ( RC ∗ Rt ) S ( RC ∗ Rt )
Auv = = =−
ube u BE (1 + SREAC ) 1 + SREAC
A kimeneti feszültségben az rCE ellenállással nem számoltunk, mert a gyakorlatban
megvalósított ellenállásokat feltételezve a hatása elhanyagolható.
Ha SREAC>>1, akkor az erősítés értékét a (nagyon stabil) ellenállások szabják meg:
RC ∗ Rt
Auv ≅ −
REAC
Bemeneti ellenállás:
A bemeneti ellenállást három lépésben számítjuk ki:
I Meghatározzuk a tranzisztor bemeneti ellenállását (rBE)
II Meghatározzuk a negatívan visszacsatolt tranzisztor bemeneti ellenállását. (RbeII)
III Meghatározzuk a kapcsolás bemeneti ellenállását (Rbe)

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 82
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

uBE
iB
RbeI SuBE rCE
ube rBE
R1 R2
Rbe=RbeIII
RbeII uE RE2

RbeI = rBE
ube u BE (1 + SREAC ) iB rBE (1 + SREAC )
RbeII = = = = rBE (1 + SREAC )
ibe iB iB
RbeIII = Rbe = R1 ∗ R2 ∗ rBE (1 + SREAC )
Az RbeII a negatívan visszacsatolt alaperősítő bemeneti ellenállása, ami az elméleti értékkel
jól egyezik. A teljes kapcsolás tényleges bemeneti ellenállása (RbeIII) azonban a bázisosztó
miatt kisebb.

Kimeneti ellenállás:
ukiü − Su BE RC
Rki = ≅ ≅ RC
ikiz − Su BE
A kimeneti ellenállás az alapkapcsoláshoz képest csekély mértékben nőtt.

Hasonlítsuk össze a kapott eredményeket a soros-áram visszacsatolásra kiszámított
összefüggésekkel:
S (RC ∗ Rt ) A0
Auv = Av =
1 + SREAC 1 + A0 K
REAC
A0 = S (RC ∗ Rt ) K =
RC ∗ Rt
Rbe II = rBE (1 + SREAC ) Rbe = Rbe 0 (1 + A0 K )
14243
1+ A0 K

Rki ≅ RC Rkiv = Rki 0 + Rsc (1 + A0 K ) =
= rCE ∗ RC + REAC (1 + SREAC ) ≅ RC
REAC << RC

Az összefüggések megfelelő hasonlóságot mutatnak (több megfontolás csak a kimeneti
ellenállás számításánál van, mert ott több elhanyagolást is tettünk.)

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 83
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

2.6.3.2. Közös kollektoros kapcsolások

Ut

R1 RC
Cs1

ube R2 uBE Cs2
UB
RE uki

Az RC ellenállás alkalmazása a kapcsolásban opcionális. Feladata a tranzisztor
melegedésének csökkentése a tranzisztorra jutó UCE feszültség csökkentésével (és így a
Pd=UCEIC csökkentésével). A továbbiakban azt az esetet vizsgáljuk csak, amikor nincs RC
ellenállás.

Az előző kapcsolás alapján meghatározhatjuk a visszacsatolás típusát. A bemeneti körben
semmi sem változott, ezért a soros jelleget külön nem kell bizonyítani. Az RE ellenállás a
visszacsatoló ellenállás, ami azonban közvetlenül a kimenetre csatlakozik, így a kimeneti
feszültséget csatolja vissza, ellentétben az előző áram visszacsatolásos kapcsolással. A
visszacsatolás típusa tehát soros feszültség visszacsatolás.

Nagyjelű működés:
R2 Ut
U BM = U t I0 =
R1 + R2 R1 + R2
U EM = U BM − U BEM
U EM
I EM = I CM ≈ I EM
RE
I CM
I BM = >> I 0
B
U CEM ≅ U t − I CM RE
Munkapont-stabilizálás hatásvázlata:
Tételezzük fel, hogy nő a hőmérséklet, akkor T↑⇒UBE↓⇒UE↑⇒IE↑⇒IC↑⇒IB↑⇒UBE↑
A hőmérsékletváltozás hatására a munkapont megváltozik, azonban a kapcsolás ennek egy
részét kikompenzálja az RE ellenálláson létrejövő negatív visszacsatolással!

Kisjelű viselkedés:

B C
iB
uBE rBE SuBE rCE uCE
ube R1 R2 E
E
uE RE uki

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 84
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Terhelő ellenállást –az eddigiektől eltérően- azért nem veszünk fel, mert gyakori, hogy az
RE ellenállás maga a terhelés is!

Feszültségerősítés:
β >> 1 ⇒ uki = u E ≅ Su BE RE = β iB RE
ube = u BE + u E = u BE + Su BE RE = u BE (1 + SRE )
uki Su BE RE SRE
Auv = = = <1
ube u BE (1 + SRE ) 1 + SRE
Ha SRE>>1, akkor az erősítés egységnyi.

Bemeneti ellenállás:

A bemeneti ellenállás meghatározása a közös emitteres kapcsoláshoz hasonlóan történik. A
bemeneti áramkör azonos kialakítású a két kapcsolásban, ezért a bemeneti ellenállás
meghatározása is azonos lesz. Gyakorlati esetet feltételezve azonban a közös kollektoros
kapcsolás esetében nagyobb a bemeneti ellenállás, mert az R1 és R2 közel egyforma, így
eredőjük nagyobb, mint a közös emitteres kapcsolásban, ahol jelentősen eltérnek
egymástól az ellenállások.
Rbe = R1 ∗ R2 ∗ rBE (1 + SRE )

Kimeneti ellenállás:

Két esetre tudjuk meghatározni:
a) RE része a kapcsolásnak és a terhelés külön terhelő ellenállás
ukiü SuBE RE
Rki = ≅ ≅ RE
ikiz Su BE
b) RE egyben a terhelő ellenállás is (pl. teljesítményerősítők)
Az ellenállás kiszámításához ube=0 vesszük.
ube = 0
u E = u BE
ukiü u 1
Rki = ≅ BE =
ikiz Su BE S
A kimeneti ellenállás nagyon kicsi (S=0.01..0.5 [S], így Rki=2..100 [Ω])
A b) esetben egyszerűen meghatározhatjuk az áramerősítés mértékét is.

Az áramerősítés:
iki ie
Ai = = ≅β
ibe ib
A kapcsolás teljesítményerősítése:
Ap = Au Ai ≅ β

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 85
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

A fentiek alapján a közös kollektoros kapcsolás felhasználási területei:
• Teljesítményerősítés (lásd később)
• Impedancia illesztés
• Meghajtó áramkörök

A közös kollektoros kapcsolás (FC) bemeneti ellenállása nagy, a kimeneti ellenállása kicsi,
az erősítése ~1. Ha egy áramkör kimeneti impedanciája (Rki1) nem sokkal kisebb, mint a
rácsatlakozó másik áramkör bemeneti impedanciája (Rbe2), akkor a második áramkör
terheli az első áramkör kimenetét. Ez feszültségerősítőknél megengedhetetlen (lásd statikus
és dinamikus munkaegyenes). Ezt elkerülendő alkalmazunk impedancia illesztő
áramköröket.
Egy közös kollektoros kapcsolást iktatunk az elválasztandó áramkörök közé.

1. 2. 1. FC 2.

Rki1 << Rbe2 Rki1 << RbeFC RkiFC << Rbe2

A meghajtó (buffer) áramkörök nagyobb kimeneti árammal rendelkeznek, általában kis-
vagy egységnyi erősítéssel, a bemenetükön elhanyagolható teljesítményfelvétellel. A közös
kollektoros kapcsolás megfelel ezeknek a kritériumoknak és gyakran alkalmazzák nagyobb
áramigényű fogyasztók meghajtására. Ez a funkció nagyon közel áll a
teljesítményerősítőkhöz azzal a különbséggel, hogy itt általában csak az áramerősítés
fontos.

2.6.3.3. Közös bázisú kapcsolások
Ut

R1 RC iC
Cs2
CB

uki=uCE Rt
ube R2 Cs1 RE

Nagyjelű működés:
A nagyjelű munkaponti adatok számítása megegyezik a közös emitteres kapcsolásnál
alkalmazott módszerrel.
R2
U BM = U t
R1 + R2
Ut
I0 =
R1 + R2
U EM = U BM − U BEM

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 86
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

U EM
I EM =
RE
I CM
I BM = >> I 0
B
U CEM ≅ U t − I CM (RC + RE )

Kisjelű viselkedés:

B C
iB
uBE rBE SuBE rCE uCE
E RC uki Rt
E
ube uE RE

Feszültségerősítés:
ube
iB = −
rBE
ube
uki = − β iB ( RC ∗ Rt ) = β ( RC ∗ Rt )
rBE
uki β
Auv = = ( RC ∗ Rt ) = S ( RC ∗ Rt )
ube rBE
A kimeneti feszültségben az rCE ellenállással nem számoltunk, mert gyakorlatban
megvalósított ellenállásokat feltételezve a hatása elhanyagolható.
Az erősítés abszolút értékben megegyezik a visszacsatolatlan közös emitteres kapcsolás
erősítésével.

Bemeneti ellenállás:
ube
Rbe =
ibe
ube ube
ibe = + + Sube ≅ Sube
rBE RE
ube 1
Rbe ≅ ≅
Sube S
A bemeneti ellenállás nagyon kicsi (~10Ω), amely a feszültségerősítők szempontjából
hátrányos.

Kimeneti ellenállás
A kimeneti kör nem változott a közös emitteres kapcsoláshoz képest, így a kimeneti
ellenállás értéke:
Rki ≅ RC

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 87
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

A közös bázisú kapcsolás legnagyobb előnye, hogy a CBE és CBC kapacitások nem
visszacsatoló kapacitások, így a felső határfrekvencia értéke nem erősítésfüggő, azonos
körülmények között a legnagyobb a három alapkapcsolás körül. Elsődleges felhasználási
területe a szélessávú és nagyfrekvenciás erősítők.

2.6.3.4. Többfokozatú erősítők

A gyakorlati esetek jelentős részében egy erősítő fokozat nem elegendő a kívánt erősítés
eléréséhez. A stabilitás, a zavarérzékenység csökkentése és a szükséges határfrekvencia
érdekében egy erősítő fokozattal reálisan csak 10..50-szeres erősítés érhető el (közelebb az
alsó határhoz). A többfokozatú erősítők kialakításának célja lehet a nagyobb erősítés (ált.
feszültségerősítés elérése, pl. egyenáramú erősítők, jelkondicionálók), de lehet egy
nagyobb teljesítményű erősítő fokozat meghajtása is (előerősítő és főerősítő).

Az erősítő láncok több szempont szerint is csoportosíthatók.
i) Az egyik ilyen lehetőség a fokozatok közötti csatoláson alapul. Az egyes fokozatok
közötti csatolás lehet:
a) Közvetlen csatolás
b) RC csatolás
c) Transzformátoros csatolás
d) Optoelektronikai csatolás

A d) megoldás általában alacsonyabb linearítást eredményez, nagy elválasztási szigetelés
mellett. A megoldásról többet az Optoelektronika fejezet tartalmaz (Elektronika IV.).
Az b) és c) megoldások csak váltakozó áramú jelek erősítésére alkalmasak, míg az a)
megoldás mind egyen-, mind váltakozó áramú jel erősítése esetén használható.

ii) További lehetőség az erősítők frekvenciasávja szerinti csoportosítás:
a) Egyenfeszültségű erősítők
b) Normálsávú erősítők
c) Szélessávú erősítők
d) Szelektív erősítők
Az egyenfeszültségű erősítőknek nincs alsó határfrekvenciájuk. A felső határfrekvenciájuk
a hangfrekvenciás tartományba esik. Elsősorban méréstechnikai célokra alkalmazzák őket.
A normálsávú (esetleg hangfrekvenciás) erősítők általános célra használt erősítők.
A szélessávú erősítőket gyakran nevezik impulzus- vagy video erősítőknek is, mivel
elsősorban impulzus-szerű jelek erősítésére szolgálnak.
A szelektív erősítőknek mind áteresztősávi, mind zárósávi tulajdonságai meghatározottak.
Elsősorban a rádiófrekvenciás vagy afölötti frekvenciatartományban használt erősítők, de
szélesebb értelemben ide sorolhatók az aktív szűrők is.

iii) Lehet az erősítő láncokat a teljesítményerősítésben betöltött szerepük szerint is
csoportosítani:
a) Előerősítő
b) Főerősítő
c) Végerősítő

Az előerősítő célja az alacsony bemeneti jelnek a főerősítő által megkövetelt szintre
erősítése. Az előerősítők nagy stabilitással és nagyon alacsony zajjal rendelkeznek, mivel a

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 88
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

jel összemérhető a zajjal. Tulajdonságaik alapvetően meghatározzák az egész erősítőlánc
tulajdonságait.
A főerősítők illesztik a jelet a végerősítőhöz ás állítják be a végerősítők optimális
munkapontját. Általában nagyjelű feszültségerősítők. A végerősítők teljesítményerősítők.

2.6.3.4.1. Közvetlen csatolt erősítők (Direct Coupled)

A közvetlen csatolt erősítő fokozatok követhetik egymást sorosan (kaszkád erősítők), vagy
párhuzamosan (kaszkód erősítők). A kaszkód erősítők gyakran a különböző áramkörfajták
előnyös tulajdonságait használják fel, pl. KE+KK kapcsolás. A közvetlenül csatolt erősítők
egyenáramú munkaponti jellemzői összefüggnek, ami hőstabilitás szempontjából nagyobb
igényeket támaszt az áramkörökkel szemben. Az egyik fokozat állítja be a másik fokozat
munkapontját és vissza, ami azt eredményezi, hogy az előző fokozat munkapontjának
megváltozása kihat a másik fokozat munkapontjának stabilitására is. A fenti okok miatt
gyakran alkalmaznak közös visszacsatolást, ami mindegyik fokozatra egyszerre hat, bár
lehetséges az egyes fokozatok egyedi visszacsatolása is.

Egy tipikus közvetlen (DC) csatolt kétfokozatú erősítő:

Ut

RC1 RC2
Cs2
Cs1
T1 T2
uki=uCE Rt
ube
Rv
RE CE

A kapcsolás két visszacsatolást tartalmaz: áram-soros visszacsatolást a T2 emitter-körében
és egy áram-párhuzamos visszacsatolást a két fokozat között.

Nagyjelű üzem:
(az első tranzisztor körében levő elemek és paraméterek 1 indexet, míg a második esetén 2
indexet kapnak)
I C1= B1I B1
U CE1 = U t − I C1R C1
U E 2 = U CE1 − U BE 2
UE2
IC 2 ≅ I E 2 =
RE
U CE 2 = U t − I C 2R C 2
U E 2 − U BE1
I B1 =
Rv
U BE1 = f (I B1 )

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 89
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Kisjelű viselkedés
(A kapcsolás váltakozó áramú szempontból visszacsatolást nem tartalmaz.)

RC1

ube Rv rBE1 S1uBE1 rCE1 rBE2 S2uBE2 rCE2 RC2 uki

Erősítés:
uki = − S 2 (rCE 2 ∗ RC 2 ∗ Rt )(− S1 (rCE1 ∗ RC1 ∗ rBE 2 )ube )
Au = S1S 2 (rCE 2 ∗ RC 2 ∗ Rt )(rCE1 ∗ RC1 ∗ rBE 2 )

Bemeneti ellenállás:
Rbe = Rv ∗ rBE1

Kimeneti ellenállás:
Rki = RC 2 ∗ rCE 2
A fenti kapcsolás a CS1 és CS2 csatolókondenzátorok elhagyása esetén egyenfeszültségtől
képes erősíteni, bár ekkor a nagyjelű viselkedést a külső elemek (meghajtógenerátor,
terhelés) is befolyásolja.

2.6.3.4.2. RC csatolt erősítők

Az RC-csatolt erősítők egymáshoz kondenzátoros elválasztással csatlakoznak. Az
egyenáramú munkapontot az egyes fokozatok külön-külön állítják be. Ez a megoldás több
alkatrészt igényel és elvileg sem lehetséges egyenfeszültség erősítése.
Pl. kétfokozatú RC csatolt közös emitteres erősítő:
Ut Ut

R1 RC1 R3 RC2
Cs3
Cs1 Cs2
uki Rt
ube R2 R4
RE1 +
CE1 RE2 +
CE2

AI AII

Az eredő erősítés:
A = AI AII
A nagyjelű viselkedés illetve a fokozatok kisjelű viselkedésének meghatározása a közös
emitteres kapcsolásnál tárgyaltak szerint történik.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 90
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

2.6.3.4.3. Transzformátoros csatolás

Transzformátoros csatolást elsősorban a terhelő impedancia illesztésénél alkalmazunk, de
lehetséges fokozatok közötti elválasztásra is hangfrekvenciás transzformátort alkalmazni.
A transzformátorok fizikai méretei azonban nem illeszkednek a modern elektronika
méreteihez és költségeihez, ezért alkalmazása csak speciális esetben illetve
nagyfrekvencián indokolt.

2.6.4. Szimmetrikus erősítők

A szimmetrikus erősítők kitüntetett szerepet játszanak a modern integrált alapú
erősítéstechnikában, de diszkrét megvalósításokban is alkalmazzák őket. Nagy előnyük az
aszimmetrikus megoldásokkal szemben, hogy zavarérzékenységük -elsősorban is a külső
elektromágneses zavarokra- sokkal kisebb.
A műveleti erősítőknél döntően szimmetrikus bemeneti fokozat van és az ipari
műszererősítők is szinte kizárólagosan szimmetrikus bemenettel rendelkeznek (lásd
Elektronika III.)
Alapvető szimmetrikus erősítő a differenciálerősítő, amelyet mind tranzisztorral, mind
FET-vel megvalósítanak. A tranzisztoros megoldás nagy előnye a nagyobb alkatrész
szimmetria és az alacsonyabb hőfokfüggés, de magasabb bemeneti impedanciával
rendelkeznek és bár kicsi, de nem mindig elhanyagolható a bemeneti áramuk. A FET-
bemenetű differenciálerősítők elhanyagolhatóan kicsi bemeneti árammal rendelkeznek,
mind a szimmetrikus, mind az aszimmetrikus bemeneti impedanciájuk rendkívül nagy, de
nagyobb az aszimmetria és erősebb a hőfokfüggés.

2.6.4.1. Tranzisztoros differenciálerősítő

A kapcsolás helyes működésének alapja a teljesen egyforma félvezetők alkalmazása,
amelyet legkönnyebben integrált megvalósítással érhetünk el, de van diszkrét
tranzisztorokkal megvalósított differenciálerősítő is.

Elvi kapcsolás a vonatkoztatási irányokkal:
+Ut

RC RC
ukis

UE uki2
ubes uBE2 uki1
ube1 uBE1
iE1 iE2
ube2 I0
-Ut
A lehetséges fizikai megvalósítások:
• Párba válogatott (paraméter egyezőség alapján) közös hűtőfelületre szerelt
tranzisztor-pár
• Integrált differenciálerősítő tranzisztor-pár, esetleg beintegrált (mikrochip)
hőmérséklet stabilizálással
• Műveleti erősítők bemeneti fokozata, amely döntően differenciálerősítővel épül fel

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 91
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

A kapcsolás alapján felírható összefüggések:
U E = ube1 − u BE1 = ube 2 − u BE 2 ⇒ ubes = ube1 − ube 2 = u BE1 − u BE 2
u BE 1
i 
iE 1 ≅ I E 0 e UT
⇒ u BE1 =U T ln E1 
 IE0 
u BE 1 u BE 2 u BE 1 u BE 1 − u bes

I 0 = iE1 + iE 2 = I E 0e UT
+ I E 0e UT
= I E 0e UT
+ I E 0e UT
=

u BE 1 u
− bes   u
− bes 
= I E 0e 
UT
1 + e UT  = i 1 + e U T 
124 3  E1  
iE1    
Az IE0 a maradékáram.

I0 I 0  u 
iE 1 = = 1 + th bes   ≅ iC1
u
2  
− bes
 2U T 
1+ e UT

I  u 
iE 2 = 0 1 − th bes   ≅ iC 2

2  2U T 

Ábrázoljuk a kollektor áramokat a szimmetrikus vezérlőfeszültség függvényében:
I0
ic2
0.982I0
I0/2
ic1 0.018I0
ubes
4UT
Megfigyelhető, hogy már viszonylag kis bemeneti feszültség (4UT=104 mV) esetén is az
áram majdnem teljesen átterhelődik az egyik tranzisztorra. A differenciálerősítők ezen
tulajdonságát használják ki a két feszültség összehasonlítására szolgáló komparátoroknál,
illetve a telítetlen logikás ECL digitális áramkörökben.
Nyugalmi állapotban a kapcsolás két tranzisztorán egyforma áram folyik (I0/2), így a
szimmetrikus kimeneti feszültség nulla.

A differenciálerősítő meredeksége:
∂iC I  u 
S= = 0 1 − th 2 bes 
∂ubes 4U T  2U T 
I0
S max u =0
=
bes
4U T
A meredekség nem állandó, ami nemlinearítást okoz. A maximális meredekséget az ubes=0
esetén kapjuk.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 92
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

A meredekség változásának grafikus ábrázolása:
S
Smax

ubes

A meredekség változása az erősítés változását okozza, amely erős nemlinearítást
eredményez. Ennek kivédésére különböző módszereket alkalmaznak attól függően, hogy
diszkrét elemekkel felépített vagy integrált kivitelű differenciál erősítőről van-e szó.
a) Diszkrét elemekkel felépített differenciálerősítők esetén negatív visszacsatolást
alkalmazunk az emitter-körben. Ennek következtében a meredekség maximális
értéke is jelentősen csökken, azonban vele együtt csökken a meredekség változása
is. (lásd “a” görbe)
b) Integrált differenciálerősítők esetén nincs mód külső beavatkozásra, hanem a
bemeneti jeltartományt korlátozzák le, ami a gyakorlatban megvalósítható, mert a
maximális bemeneti jeltartomány lineáris üzemben kisebb, mint ±50µV általában.
Ebben a tartományban a meredekség változása elhanyagolható (“b” görbe). A
valóságban a hasznos jeltartomány lineáris üzemben a fenti étéknél is kisebb lehet.
S
Smax

a)

b) ubes

A bemeneti áramoknak, teljesen szimmetrikus bemenetek és ubes=0 esetén, egyformának
kellene lennie, azonban teljesen egyforma karakterisztikájú és tulajdonságú félvezetők nem
gyárthatók, így az áramok is különbözni fognak.

Nyugalmi áram (bias)
I B1 + I B 2
Ib =
2
Ofszet (hiba) áram
I b 0 = I B1 − I B 2

Bemeneti ellenállások:

a) Szimmetrikus bemeneti ellenállás (Rbes):
Rbes = 2rBE

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 93
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

b) Közösmódusú bemeneti ellenállás (Rbek)
Helyettesítsük a valós áramgenerátort a Norton-helyettesítő kapcsolásával (Rg).
Rbek = rBE (1 + SRg )
Az Rbek>>Rbes (akár több nagyságrenddel is). A bemeneti ellenállások nagy értékűek egy
megvalósított kapcsolásnál, így gyakran csak a szimmetrikus bemeneti ellenállást kell
figyelembe venni, mert a közösmódusú bemeneti ellenállás ehhez képest is
nagyságrendekkel nagyobb.

Értelmezhetjük a szimmetrikus kimeneti ellenállást (Rkis) és az aszimmetrikus kimeneti
ellenállást (Rki) is. A kimenetek közül azonban vagy csak a szimmetrikus vagy valamelyik
aszimmetrikus kimenetet használjuk, de nem egy időben. A két ellenállás így együtt nem
értelmezett.

2.6.4.2. FET-es differenciálerősítő

A differenciálerősítőket leggyakoribban a műveleti erősítők bemeneti fokozataként
alkalmazzuk. Elsősorban az általános célú műveleti erősítők kategóriájában a FET -azon
belül is a JFET- differenciálerősítő alkalmazása egyre jobban terjed. Nagy előnye az ilyen
erősítőknek, hogy a JFET bemenet miatt a bemeneti áramok teljes mértékben
elhanyagolhatók (néhány nagyon különleges alkalmazási esettől eltekintve, pl. töltéscsatolt
erősítők), a bemeneti ellenállás rendkívül nagy. További előny a FET alacsonyobb zaja.
Hátránya azonban, hogy a félvezetők aszimmetriája nagyobb, mint a bipoláris
tranzisztorral felépített differenciálerősítők esetén (bár ez egyre javul), ezért a
hibafeszültség (ofszet feszültség) általában nagyobb. További hátrány a FET-ek erősebb
hőmérsékletfüggése, amely minden paramétert befolyásol.

A FET bemenetű differenciálerősítő elvi kapcsolása:

+Ut

RD RD
ukis

uki2
uki1
ube1 IS1 IS2 ube2
I0
-Ut

2.6.5. Erősítők nemlinearítása (torzítás)

Az aktív elemek alapvetően nemlineáris elemek. Kapcsolási megoldásokkal (pl. negatív
visszacsatolás) a nemlienarítás csökkenthető, azonban –különösen a nagyjelű erősítőknél-
teljesen nem szüntethető meg. A nemlinearítás hatására az erősített jellemző torzul. A
torzulás bekövetkezhet amplitúdóban, fázisban és frekvenciában is.
Szinuszos vezérlő jelet feltételezve a torzulás lehet harmonikus torzulás, amikor a szinusz
jel amplitúdójának torzulása következtében megjelennek a felharmonikusok (a
nemszinuszos periodikus jeleknek megfelelően, lásd Elektronika I.).

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 94
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Az erősítő karakterisztikájának nemlinearítása következtében két frekvencia létrehozhat
egy harmadik (az eredeti jelben nem szereplő) frekvenciát is (intermodulációs torzítás).
Az erősítő fázis-karakterisztikájának nemlinearítása azt eredményezheti, hogy a különböző
frekvenciájú jelek eltérő fázishelyzetben jelennek meg az erősítő kimenetén. A
fázistorzulás jellemzésére a csoportfutási idő karakterisztikát használják, amelynek
különös jelentősége van az impulzus-erősítőknél.
Analóg erősítőknél elsősorban a harmonikus torzulásokkal számolunk, amely lehet az
alapharmonikusra vett torzítás és a teljes harmonikus torzítás (THD).
Tételezzünk fel egy feszültségerősítőt, legyen az alapharmonikus effektívértéke U1, akkor
a keletkező felharmonikusok: U2, U3, U4,…. A harmonikus torzítás esetén az egyes
keletkező felharmonikusokat külön-külön vonatkoztatjuk az alapharmonikusra (általában
százalékos mértékben), pl. a második harmonikus torzítás:
U2
D2 =
U1
A teljes harmonikus torzítás (THD):

∑U
i=2
i
2

THD =
U1
A csoportfutási időt a szűrőknél definiáljuk.

2.6.6. Erősítők határfrekvenciája

A korábban vizsgált kapcsolásoknál a fizikailag megvalósított kondenzátorok és a
félvezetőkben keletkező szórt kapacitások hatásaitól eltekintettünk.

Vizsgáljuk először a valóságos kondenzátorok (be- és kimeneti csatoló kondenzátor és
emitter “hidegítő” kondenzátor) hatását:

a) csatoló kondenzátorok hatása
erősítő
Rg Cbe Cki

Ug Ube Rbe Rki Uki Rt Ut

AvUbe
A bemeneti és a kimeneti körre felírható:
Rbe sRbeCbe
U be ( s ) = U g ( s ) = U g ( s)
Rbe + Rg +
1 sCbe (Rbe + Rg ) + 1
sCbe
Rt sRt Cki
U t ( s ) = U ki ( s ) = U ki ( s )
Rt + Rki +
1 sCki (Rki + Rt ) + 1
sCki

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 95
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

U t U be ( s ) sRt Cki sRbeCbe sRt Cki
A= = Av = Av =
U g U g ( s) sCki (Rki + Rt ) + 1 [ ]
1 + sCbe (Rbe + Rg ) [1 + sCki (Rki + Rt )]
s s
ωbe* ωki*
= Av
1 + s  1 + s 
 ωbe   ωki 

1 1
ωbe = , ωki =
Cbe (Rbe + Rg ) Cki (Rki + Rt )
A csatoló kondenzátorok, együttesen a meghajtó generátor és a terhelés ellenállásával, az
erősítő eredő erősítését a fenti egyenlet szerint változtatják meg.

Az erősítés frekvenciafüggésének ábrázolásához tételezzük fel, hogy ωbe<ωki (Ez nem
feltétlenül igaz. A gyakorlatban bármelyik lehet kisebb vagy nagyobb, sőt egyenlő is. Ez az
elvet azonban nem befolyásolja.)

A(ω)
20lgAv
-3dB
20lgA

ωbe ωki ωki*
lgω
ωbe*

Mindkét csatoló kondenzátor -az ábra szerint- az alsó határfrekvenciát befolyásolja.
Amennyiben ωbe<<ωki, akkor a -3 dB-es határfrekvencia ωa=ωki, ha ez a feltétel nem
teljesül, akkor az ωbe is befolyásolja a határfrekvenciát. (ωki<<ωbe esetén természetesen
mindez fordítva van).

b) emitter hidegítő kondenzátor hatása

A hatást a korábban tárgyalt közös emitteres kapcsolás c) változata (az emitter ellenállás
egyenáramú szempontból visszacsatolás, váltakozó áramú szempontból a kondenzátor
miatt rövidre van zárva) alapján vizsgáljuk. Ha nem hanyagoljuk el a kondenzátor hatását,
akkor az erősítés:
Au 0 = − S (RC ∗ Rt )
S (RC ∗ Rt ) 1
A( s ) = − = − S (RC ∗ Rt )
 1  SRE
1 + S  RE ∗  1+
 sC E  1 + sC E RE

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 96
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

1+ s
1 + sC E RE S (RC ∗ Rt ) 1 + sC E RE ωE
A( s ) = − S (RC ∗ Rt ) =− = − Auv
1 + sC E RE + SRE 1 + SRE 1 + s CE RE 1+ s *
1424 3
1 + SRE ωE
Auv

1 1 + SRE
ωE = ωE* = = ω E (1 + SRE )
CE RE CE RE
Ábrázolva az erősítés változását a frekvencia függvényében:

Auv(ω)
20lg|Auv|
ωE ωE*
lgω

Az ábra alapján megállapítható, hogy az emitter-hidegítő kondenzátor is az alsó
határfrekvenciát változtatja (ωE). A töréspont hatására ugyanaz érvényes, amit a
csatolókondenzátoroknál megállapítottunk, azaz a domináns töréspont -bármelyik lehet a
három töréspont közül- határozza meg a határfrekvencia értékét.
Tervezés esetén úgy választunk, hogy azt a töréspontot vesszük az előírt alsó
határfrekvenciára, amelynek ellenállásai a legkisebbek (mert ehhez kell a nagyobb
kondenzátor) és a másik két töréspontot az alsó határfrekvenciához képest egy dekáddal
kisebbre választjuk (így nem lesz hatásuk az alsó határfrekvencia értékére).

A félvezetők szórt kapacitásainak hatása

A korábbi kapcsolásokban mindig a tranzisztor, illetve a
FET alacsonyfrekvenciás kisjelű helyettesítő-képét Ut
használtuk és az aktív elemek szórt kapacitásainak hatását
elhanyagoltuk. A tranzisztorok esetén szórt kapacitás a R1 RC iC
CCB
bázis-emitter átmenetben és a kollektor-bázis átmenetben
alakul ki (nagysága katalógus adat). A FET-nél ennek
megfelelően a gate és a csatorna, azaz a gate-source és a uki
gate-drain között alakul ki. Vizsgáljuk meg a szórt ube R2
CBE
kapacitás hatását a közös emitteres tranzisztoros
alapkapcsolás alapján.

Kisjelű viselkedés:

B C
CCB
ube
R1 R2 uBE rBE rCE uCE RC uki
E
CBE SuBE
A visszacsatoló kondenzátort (CCB) letranszformálhatjuk a ki- és a bemenetre a korábban
meghatározott transzformációs összefüggések alapján (lásd Miller-hatás). A kimeneten a

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 97
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

kondenzátor gyakorlatilag változatlan kapacitás érték mellett transzformálódik és
figyelembe véve, hogy a kimeneti ellenállás általában jóval kisebb, mint a bemeneti, így a
kimeneti kör hatása elhanyagolható a bemeneti körhöz képest. A továbbiakban ennek
megfelelően csak a bemeneti kör hatását vizsgáljuk. A két szórt kapacitás közel azonos
értékű, azonban a transzformáció miatt a CCB kapacitásnak van domináns hatása, mivel
értéke erősítésszer nagyobb, mint a CBE kapacitás.
Auv = S ( RC ∗ rCE ∗ Rt )
'
CCB = CCB (1 + Auv )
Ce = CBE + CCB
'
≅ CCB (1 + Auv )
1
Rbe ∗
sCe
U be (s ) = U g
1
Rg + Rbe ∗
sCe
1
Rbe ∗
U ki ( s ) U ki ( s ) U be ( s ) sCe
Au ( s ) = = = Auv =
U g ( s ) U be ( s ) U g ( s ) 1
Rg + Rbe ∗
sCe
Rbe 1 Au
= Auv =
Rbe + Rg 1 + sCe (Rbe ∗ Rg ) 1 + s
142 43 ωf
Au

1 1 1
ωf = ≅ ≅ , Rbe >> Rg
Ce (Rbe ∗ Rg ) Ce Rg CCB (1 + Auv )Rg
Feszültségerősítés esetén a bemeneti ellenállásnak jóval nagyobbnak kell lennie, mint a
meghajtó generátor ellenállása, hogy az erősítő ne terheljen be, ezért az Rbe hatása
elhanyagolható.
Au(ω)|
20lgAu0

-20dB/D
ωf
lgω

A szórt kapacitás tehát a felső határfrekvenciát befolyásolja. Annál nagyobb a felső
határfrekvencia, minél kisebb az erősítés.
A közös bázisú kapcsolások esetén egyik kapacitás sem visszacsatoló, így nincs
transzformáló-hatás. Ekkor érhető el a legnagyobb határfrekvencia, ezért a közös bázisú
kapcsolásokat gyakran alkalmazzák nagyfrekvenciás vagy széles sávú alkalmazásokban.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 98
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

2.6.6. Teljesítményerősítők

A teljesítményerősítők a nagyjelű erősítők kategóriájába tartoznak és az erősítő láncban
elfoglalt helyük alapján gyakran nevezik őket végerősítőknek is.
A teljesítményerősítőket osztályokba sorolják, amelynek alapja, hogy a végerősítő
tranzisztor/MOSFET üzemidejének hány százalékában vezet. (Egy más megfogalmazás
szerint a végerősítő tranzisztort/MOSFET-et szinusz jellel vezérelve az hány fok
tartományban vezet -folyási szög-.) Ennek megfelelően vannak A, B, AB, C és –egyes
szakirodalmak szerint- D,E,F osztályú erősítők is. Az analóg technikában elsősorban az A,
B és az AB osztályú erősítőknek van különösen nagy jelentőségük.
IC
IB5

IB4

IIB3
B
M(A)
IB2

IB1
M(AB)
ICE0
UCE
M(B)
Ûki(A)

Ûki(B)

Ûki(AB)

A terhelés illesztése is különböző lehet:
• közvetlenül csatolt,
• kondenzátoros leválasztású
• transzformátoros csatolású.

A teljesítményerősítők optimális illesztése:
A vonallal határolt terület az, ahol a
iki Rt1 teljesítményerősítők biztonsággal működhetnek
-Ukimax
Rt2 (SOA). Feltételezve három különböző terhelő
+Ikimax Rt3 ellenállást megállapítható, hogy az Rt1 esetén a
Pdmax maximális kimeneti áram, Rt3 esetén a
maximális kimeneti feszültség hamarabb
határol, mintsem a maximális kimeneti
uki teljesítményt elérnénk. Az Rt2 az optimális
Pdmax terhelés esete, mivel mind a maximális
-Ikimax
kimeneti áramot, mind a maximális kimeneti
+Ukimax feszültséget, azaz a maximális kimeneti
teljesítményt el tudjuk érni.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 99
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

2.6.6.1. A osztályú erősítők

Az A osztályú erősítők végtranzisztorai optimális munkapontba állítva üzemelnek, így a
tranzisztorok 100%-ban vezetnek (folyási szög 360°), pl. közös emitteres vagy közös
kollektoros kapcsolás, ahol a kollektor illetve emitter munkapont-beállító ellenállás maga a
terhelés.
A felvett teljesítmény a fenti ábra szerinti optimális kivezérlést feltételezve (függetlenül a
kivezérlés mértékétől) állandó:
U t2
Pf =
2 Rt
Az Ut a tápfeszültség, Rt a terhelő ellenállás.

A maximális kimeneti teljesítmény (szinuszos jelet feltételezve és a szaturációs feszültséget
valamint a maradékáramot elhanyagolva):
U U
Uˆ ki = t ⇒ U ki = t
2 2 2
2 2
U U
Pki max = ki = t
Rt 8Rt
Az elérhető maximális hatásfok:
Pki max 1
η= = ⇒ 25%
Pf 4
Az A osztályú erősítők hatásfoka nagyon alacsony, kivezérlés nélkül akár nulla is lehet.
Az optimális teljesítményillesztés (Rt=RC) miatt a terhelésnek viszonylag nagy értékűnek
kell lenni, ami gyakran nem teljesül, ilyenkor megoldást jelenthet a transzformátoros
illesztés (hangfrekvenciás transzformátorral!). A transzformátoros illesztés további előnye,
hogy az elérhető hatásfok egészen 50%-ig emelkedhet (nem számítva a transzformátor
veszteségeit).
Az A osztályú erősítő kapcsolásnak megfelelnek a korábban tárgyalt KE ás KK
kapcsolások, de alacsony terhelő impedanciák esetén elsősorban a KK kapcsolás jöhet
szóba. Transzformátoros csatolás esetén (helyesen megválasztott transzformátor áttételnél)
mindkét kapcsolás megfelelő, alacsony impedanciák esetén is.
Lehetséges szimmetrikus erősítőkkel is A osztályú üzemet létrehozni, erre alkalmasak pl.,
az ellenütemű transzformátoros csatolású soros vagy párhuzamos meghajtású
végfokozatok.
Az A osztályú teljesítményerősítők legfontosabb előnye a nagyon kedvező torzítási
tényező, amely elsősorban szórakoztató elektronikai alkalmazásokban fontos.

2.6.6.2. B osztályú erősítők

A B osztályú erősítők munkapontja az UCE=Ut pontban van. Szinuszos jelet feltételezve ez
azt jelenti, hogy egy végtranzisztorral egy fél periódust lehet erősíteni, tehát a másik fél
periódus erősítéséhez egy az előzővel ellentétes fázisban működő másik végtranzisztorra
van szükség.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 100
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Működési viszonyok teljes kivezérlés esetén:

npn tranzisztor A pillanatnyi munkapont
működik mozgása
+IC
pnp tranzisztor
működik

npn
±Ut pnp

Ûki

-IC

A B osztályú erősítők tipikus áramköre az ellenütemű (push-pull) végfokozatok.

Az ellenütemű végfokozat elvi kapcsolása:

A kapcsolás tulajdonképpen egy npn és egy pnp tranzisztorpárra épülő közös kollektoros
kapcsolás, ahol a terhelés egyben a munkapont-beállító ellenállás is. A két fél-kapcsolás
sorosan egymás után működik, így a kapcsolás alapvető
+Ut tulajdonságai megegyeznek a közös kollektoros
kapcsolásnál tárgyaltakkal. A két végtranzisztort
ugyanazzal a jellel vezéreljük, így ami nyitó az egyikre
az záró irányú a másikra nézve. Nagyobb áramok esetén
ube Darlington kapcsolást, esetleg több tranzisztorral
uki kialakított Darlington kapcsolást alkalmazunk.
Azonos típusú végtranzisztorokkal is felépíthető a
-Ut kapcsolás, azonban ekkor a pnp tranzisztort kompozit-
Darlington kapcsolással kell felépíteni.

+Ut
Léteznek kvázi-komplementer kapcsolások is, amikor a
két végtranzisztor npn típusú, ekkor azonban a
ube1 végfokozat meghajtásában kell gondoskodni az
ellenütemű üzemállapot biztosításáról, azaz a két
uki tranzisztort kell két különböző (ellenfázisú) jellel
vezérelni.
ube2
-Ut

Ellenütemű erősítők elvi hatásfoka:
A maximális kimeneti teljesítmény, ha elhanyagoljuk a szaturációs feszültséget:
U t2
Pki max =
2 Rt

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 101
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Egy tranzisztor veszteségi teljesítménye:
u (t ) Uˆ sin (ωt )
∫ (U )
π π
1 1
PdT 1 =
2π ∫0 (U t − uki (t )) kiRt dt = 2π 0
t − Uˆ ki sin (ωt ) ki
Rt
dt =

1 Uˆ kiU t Uˆ ki2 
=  − 
Rt  π 4 

A veszteségi teljesítmény egy tranzisztorra maximális kimeneti teljesítmény esetén:
Uˆ ki = U t
1  U t2 U t2  U t2
PdT 1 = − = 0 . 068
R t  π 4  Rt
A hatásfok teljes kivezérlés esetén:
U t2
Pki max 2 Rt
η= = 2 = 0.786 ⇒ 78.6%
Pki max + 2 PdT 1 Ut U t2
+2 0.068
2 Rt Rt
Meghatározhatjuk a tranzisztorok maximális veszteségi teljesítményét. A levezetésből
megállapítható, hogy a végtranzisztorok maximális veszteségi teljesítménye nem a teljes
kivezérlésnél lép fel, hanem 64%-os kivezérlés esetén:
dPdT 1 1 U 2Uˆ ki  U
=0=  t −  ⇒ Uˆ ki = 2 t ≅ 0.64U t
dUˆ ki Rt  π 4  π
 U  Ut  
2

 2 Ut
t  2  
1 π   U t2
PdT 1 max =  π − =
Rt  π 4  Rtπ 2
 
 
A tranzisztorok hűtését a fenti teljesítményre kell méretezni!

A B osztályú végfokozat működése kis kivezérlések esetén:
ibe Tranzisztor bemeneti karakterisztika
Ideális karakterisztika

ube

Kis jelek esetén a bemeneti karakterisztika nullpont körüli nemlinearítása
miatt jelentős torzítás lép (gyakran nevezik ezt a torzítást kereszt-torzításnak
is). Ennek kivédésére az AB osztályú üzemmód alkalmas.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 102
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Végtranzisztorok hőmegfutása:

A közös jelről vezérelt végtranzisztorok, ha a hőmérsékletük eltérő, vagy paramétereik –
elsősorban is a bemeneti karakterisztikájuk és annak hőfokfüggése- eltérnek egymástól,
akkor különbözőképpen vezetnek változó hőmérséklet esetén. A jobban vezető tranzisztor
nagyobb áramot kényszerít a terhelésre, amire a tranzisztor jobban melegszik, mire (a
negatív hőfokfüggésű bemeneti karakterisztika miatt) még jobban kinyit, ami további
melegedést okoz. Ez a folyamat akár a végtranzisztor tönkremenetelét is okozhatja.
Védekezés:
• Párba válogatott tranzisztorok (paraméter egyezőség)
• Azonos hőmérséklet biztosítása (közös hűtőfelületre szerelés)
• Negatív visszacsatolás alkalmazása az emitterkörben
+Ut Az emitter ellenállásnak kis értékűnek kell lennie a
terhelő ellenálláshoz képest, mert csökkenti a hatásfokot.

Ugyanezt a végfokozatot kapcsolóüzemben is használják
RE (D osztályú erősítő), amikor a határfrekvencia közelében
történő üzemelés esetén előfordulhat, hogy az egyik
tranzisztor még nem zárt le és a másik tranzisztor még
ube uki
RE nem nyitott ki teljesen. Ilyenkor közvetlenül egy áram
indul meg a két tápfeszültség között, ami rontja a
hatásfokot és növeli a melegedést. Ennek korlátozására is
jó az emitter ellenállás alkalmazása. Megjegyezzük, hogy
ellenütemű kapcsolóüzemű alkalmazásokban egyéb
-Ut áramköri kialakítások is szokásosak.

A B osztályú erősítőket olyan alkalmazásokban használjuk elsősorban, amikor lényeges a
jó hatásfok, de nem kritikus a torzítás, pl. ipari elektronikai alkalmazások: szolenoidok
vezérlése, elektromechanikus működtetésű aktuátorok vezérlése, arányos mágnes szelepek
vezérlése, stb.

2.6.6.3. AB osztályú erősítők

Az AB osztályú üzem a nullpont körüli nemlinearítás
+Ut okozta torzítások kivédésére szolgál. A tranzisztorokat a
nyitás határáig előfeszítjük (U0 egyenfeszültség
alkalmazásával). Ez azt eredményezi, hogy a kapcsolás
U0 kivezérlés nélküli esetben is vesz fel teljesítményt (bár
lényegesen kisebbet, mint A osztályú üzem esetén), így
ube U0 hatásfoka akár nulla is lehet. A maximális kivezérlésnél
uki
elérhető hatásfok is csökken (bár nem jelentősen) a B
osztályúhoz képest.
-Ut
Az U0 értéke a végfokozat konkrét kapcsolásától függ (Darlington, stb.). A tranzisztorok
UBE(T) feszültsége a hőmérséklettől függ, így az U0 feszültségnek is együtt kell változnia a
az UBE(T) feszültséggel. Ez úgy érhető el, ha az U0 előállítására szolgáló félvezetők
hőmérséklete (a végtranzisztorokkal azonos hűtőfelületre szerelik) és hőfokfüggése
megegyezik a végtranzisztorokéval. Szokásos megoldás az U0 előállítására vagy dióda-sor
alkalmazása, vagy tranzisztoros kapcsolás.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 103
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

A bemeneti karakterisztika változása B osztályhoz képest:
Tranzisztor bemeneti
ibe karakterisztika
Ideális karakterisztika
U0 B osztály

ube
U0
Tranzisztor bemeneti
karakterisztika
AB osztály
Megfelelő U0 alkalmazásával az ideális és a tényleges közel azonos értékre hozható, ami a
torzítás jelentős csökkenését eredményezi.

Pl. tranzisztoros munkapont-beállító kapcsolás:

R1 R2  R 
U BE = U 0 ⇒ U 0 = U BE 1 + 1 
U0 R1 + R2  R2 
R2

Végfokozat AB osztályú munkapontbeállítással:

+Ut +Ut
I I

U0 U0
uki uki

ube -Ut ube -Ut

Az AB osztályú erősítők a nagyjelű hangfrekvenciás erősítők gyakran alkalmazott
megoldásai, ahol a torzítás és a hatásfok között kompromisszum szükséges.

Lehetséges egy tápfeszültséges teljesítményerősítők megvalósítása is. Ekkor azonban a két
tranzisztor emittere nem nulla feszültségen lesz, így a terhelésre egyenfeszültség jutna. Az
egyenfeszültség a terhelésen vagy nem megengedett (pl. induktív terhelés), vagy felesleges
melegedést és fogyasztást okozna, ezért kondenzátoros leválasztás szükséges a terhelés a
kimenet közé. A kis kimeneti impedancia miatt azonban nagy értékű kondenzátor
szükséges, ami megbízhatatlan és nagy méretű.

2.6.7. Szélessávú erősítők

A tranzisztoros (FET-es) alapkapcsolások nagyfrekvenciás tulajdonságait az erősítés és a
visszacsatoló szórt kapacitás határozta meg. Nagy sávszélesség esetén alacsony erősítést
lehetett megengedni. Közös bázisú kapcsolás esetén pedig egyéb tulajdonságok romlottak.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 104
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

A nagy sávszélesség előállításához ezért speciális kapcsolásokat –általában erősítő
láncokat- hoznak létre. Kedvező sávszélességű kapcsolások, pl. a KE+KK kapcsolásokkal
megvalósított kaszkód erősítők.

2.6.8. Szelektív erősítők

A szelektív erősítők a frekvenciatartomány egy meghatározott tartományát erősítik.
Alacsony frekvenciás megvalósításaik tulajdonképpen az aktív szűrők, amelyek részletes
tárgyalására az Elektronika III. jegyzet “Aktív szűrők” fejezetében kerül sor.
Nagyfrekvenciás szelektív erősítők hangolt LC köröket tartalmazó erősítők,
tulajdonképpen ezek is aktív sávszűrők, csak nem RC elemekkel felépítve.

Ajánlott irodalom

[1] Tietze, U-Schenk, Ch.: Analóg és digitális áramkörök, Műszaki Könyvkiadó, 1990.
[2] Millman,J-Grabel,A: Microelectronics, McGraw-Hill Int. Publ., 1987.
[3] Kittel, Ch.: Bevezetés a szilárdtest fizikába, Műszaki Könyvkiadó, 1981.
[4] Mayer,T-Vágó,I: Szilárdtestfizika, LSI Oktatóközpont, 1995.
[5] Seymour,J: Electronic devices and components, Pitman Publ., 1981.
[6] Uray-Szabó: Elektrotechnika, Tankönyvkiadó, 1992.
[7] Savant-Roden-Carpenter: Electronic Design, The Benjamin-Cummings Publ. 1991.

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 105
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

Tartalomjegyzék
2.0. Diszkrét félvezetők és alkalmazásaik ........................................................................ 2
2.1. Félvezető-elmélet alapjai....................................................................................... 2
2.1.1. A pn átmenet.................................................................................................. 8
2.1.1.1. A pn réteg gerjesztése külső feszültséggel .......................................... 10
2.1.1.2. Letörési jelenségek a pn rétegben........................................................ 11
2.1.2. Fém-félvezető átmenet ................................................................................ 12
2.1.3. Termikus hatások félvezetőkben ................................................................. 13
2.2. Kétrétegű félvezetők............................................................................................ 15
2.2.1. Dióda ........................................................................................................... 15
2.2.1.1. Dióda karakterisztika, paraméterek ..................................................... 15
2.2.1.2. Diódák alkalmazása............................................................................. 17
2.2.2. Zener-dióda.................................................................................................. 17
2.2.2.1. Karakterisztika, paraméterek ............................................................... 18
2.2.2.2. Zener-diódák alkalmazása ................................................................... 19
2.2.3. Speciális diódák........................................................................................... 21
2.2.3.1. PIN-dióda ............................................................................................ 21
2.2.3.2. Shottky dióda....................................................................................... 22
2.2.3.3. Varicap-dióda (kapacitásdióda)........................................................... 22
2.2.3.4. Alagút-dióda (Esaki-dióda, tunnel-dióda, avalanche-dióda)............... 23
2.3. Tranzisztor (BJT)................................................................................................. 24
2.3.1. A tranzisztor működése ............................................................................... 24
2.3.2. Nagyjelű helyettesítőkép ............................................................................. 26
2.3.3. Karakterisztikák, paraméterek ..................................................................... 28
2.3.4. Kisjelű helyettesítőkép ................................................................................ 33
2.3.4.1. Hibrid-π helyettesítőkép ...................................................................... 33
2.3.4.2. Tranzisztor paraméterek a négypólus paraméterekkel kifejezve......... 34
2.3.5. Speciális tranzisztorok................................................................................. 36
2.3.5.1. Darlington-kapcsolás ........................................................................... 36
2.3.5.2. Shottky-tranzisztor .............................................................................. 38
2.3.6. Tranzisztor működése lineáris üzemben ..................................................... 39
2.3.6.1. Tranzisztor kis- és nagyjelű működése................................................ 39
2.3.6.2. Munkapont-beállító kapcsolások......................................................... 44
2.3.6.2.1 Munkapont-beállítás bázisosztóval ..................................................... 44
2.3.6.2.2 Munkapont-beállítás bázisárammal..................................................... 46
2.3.6.2.3 Munkapont-beállítás bázisárammal egyenáramú visszacsatoláson
keresztül ............................................................................................................. 47
2.3.7. Tranzisztor működése kapcsolóüzemben .................................................... 50
2.4. Térvezérelt tranzisztor (Field Effect Transistor) ................................................. 52
2.4.1. Záróréteges FET (JFET).............................................................................. 52
2.4.1.1. JFET működése ................................................................................... 53
2.4.1.2. JFET karakterisztikák, paraméterek .................................................... 54
2.4.1.3. A JFET lineáris üzeme ........................................................................ 56
2.4.2. MOSFET ..................................................................................................... 59
2.4.2.1. Növekményes MOSFET ..................................................................... 59
2.4.2.2. Kiürítéses MOSFET ............................................................................ 60
2.4.2.3. MOSFET lineáris üzeme ..................................................................... 61
2.4.3. FET kapcsoló üzeme ................................................................................... 64
2.4.4. FET-alapú vezérelt és aktív ellenállás ......................................................... 64

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 106
Miskolci Egyetem Elektrotechnikai-Elektronikai Tanszék

2.5. Félvezetők melegedése, hűtése és zaja ................................................................ 66
2.5.1. Félvezetők melegedése és hűtése ................................................................ 66
2.5.2. Félvezetők zaja ............................................................................................ 68
2.6. Erősítők................................................................................................................ 71
2.6.1. Erősítők csoportosítása ................................................................................ 71
2.6.1.1. Aszimmetrikus erősítők....................................................................... 71
2.6.1.2. Szimmetrikus bemenetű erősítők........................................................ 72
2.6.2. Negatív visszacsatolás ................................................................................. 74
2.6.3. Aszimmetrikus kisjelű erősítők ................................................................... 80
2.6.3.1. Közös emitteres kapcsolások............................................................... 80
2.6.3.2. Közös kollektoros kapcsolások ........................................................... 84
2.6.3.3. Közös bázisú kapcsolások ................................................................... 86
2.6.3.4. Többfokozatú erősítők......................................................................... 88
2.6.3.4.1. Közvetlen csatolt erősítők (Direct Coupled) ....................................... 89
2.6.3.4.2. RC csatolt erősítők .............................................................................. 90
2.6.3.4.3. Transzformátoros csatolás ................................................................... 91
2.6.4. Szimmetrikus erősítők ................................................................................. 91
2.6.4.1. Tranzisztoros differenciálerősítő ......................................................... 91
2.6.4.2. FET-es differenciálerősítő ................................................................... 94
2.6.5. Erősítők nemlinearítása (torzítás)................................................................ 94
2.6.6. Erősítők határfrekvenciája........................................................................... 95
2.6.6. Teljesítményerősítők ................................................................................... 99
2.6.6.1. A osztályú erősítők ............................................................................ 100
2.6.6.2. B osztályú erősítők ............................................................................ 100
2.6.6.3. AB osztályú erősítők ......................................................................... 103
2.6.7. Szélessávú erősítők.................................................................................... 104
2.6.8. Szelektív erősítők ...................................................................................... 105
Ajánlott irodalom............................................................................................................... 105
Tartalomjegyzék ................................................................................................................ 106

Dr. Kovács Ernő: Elektronika előadás jegyzetek (II.) 107