Curs DEP

NICU BIZON RADIAN RĂDUCU
DIZPOZITIVE T
A
ELECTRONICE N
IO
DE PUTERE
T
IC
TEORIE ŞI APLICAŢII
T R
E S
R MATRIX
ROM
BUCURESTI
2002
© MATRIX ROM
C.P. 16-162
7750 – BUCURESTI
Tel. 01.4113617, fax 01.4114280
e-mail: matrix@fx.ro
A T
N
I O
T
IC
T R
ISBN 973-685-402-7
E S
R
Referenti stiintifici:
Prof. Dr. Ing. Emil SOFRON
Prof. Dr. Ing. Ilie POPA
A T
N
I O
T
IC
T R
Dr. Ing. Nicu BIZON este conferenţiar la Catedra de Electronică a Facultăţii de
Inginerie Electrică din Universitatea din Piteşti. Este titularul disciplinelor “Electronică
Industrială”, “Electronică de Putere” şi “Automatizări Industriale” . Activitatea sa de
E S
cercetare este orientată în principal spre domeniul optimizării din punct de vedere
energetic a echipamentelor electronice industriale şi controlul inteligent al acestora.
R
Electronica industrială sau de putere s-a impus în ultimele decenii ca un domeniu
distinct şi important al ştiinţei şi tehnicii. În mare măsură dezvoltarea Electronicii
Industriale a fost susţinută de progresele tehnologice obţinute în domeniul
semiconductoarelor. Acest aspect însă nu minimizează rolul proiectantului de structuri
de conversie eficiente, care practic pune dispozitivele de putere să lucreze în regimuri
optime de funcţionare printr-o comandă adecvată a lor. Aproximativ 70% din energia
electrică produsă pe plan mondial se transmite prin intermediul convertoarelor de
putere. În consecinţă, optimizarea energetică a structurilor existente şi dezvoltarea
altora constituie o problemă actuală şi de viitor a domeniului ingineresc.
Lucrarea de faţă este destinată în principal studenţilor de la facultăţile cu profil
electric care parcurg disciplina cu acelaşi nume sau o disciplină care are o sferă de
interes comună cu conţinutul acestei lucrări, dar poate fi utilă şi inginerilor care
lucrează în acest domeniu. Capitolele lucrării se referă la utilizarea şi protecţia
dispozitivelor electronice de putere, analiza redresoarelor necomandate şi comandate, a
convertoarelor cu reglaj prin fază şi a circuitelor de comandă aferente. Multiplele
exemple de calcul permit fixarea mai bine a noţiunilor teoretice, fiind deci utilă şi
proiectului de la această disciplină.
A T
N
I O
T
IC
T R
E S
R
PREFAŢĂ
Lucrarea ,,Electronică Industrială – Teorie şi Aplicaţii ” este destinată în

principal studenţilor de la facultăţile cu profil electric care parcurg disciplina cu
acelaşi nume sau o disciplină care are o sferă de interes comună cu conţinutul
acestei lucrări (Electronică de Putere, Dispozitive şi Circuite Electronice de Putere
etc.), dar poate fi utilă şi inginerilor care lucrează în acest domeniu. Monografia
acoperă prima parte a disciplinei ,,Electronică Industrială” predată la Universitatea
din Piteşti.
Capitolele lucrării se referă la utilizarea şi protecţia dispozitivelor
electronice de putere, analiza redresoarelor necomandate şi comandate, a
convertoarelor cu reglaj prin fază şi a circuitelor de comandă aferente.
T
Lucrarea, prin multiplele exemple de calcul, permite fixarea mai bine a
noţiunilor teoretice, fiind utilă şi proiectului de la această disciplină. Deşi
A
rezolvarea numerică a ecuaţiilor diferenţiale se poate face foarte uşor cu ajutorul
N
calculatorului, pentru a pune in evidenţă particularităţile de rezolvare a acestora,
sunt prezentate totuşi câteva exemple de calcul numeric iterativ, cu modalităţile
efective de alegere a soluţiei iniţiale.
I O
T
Performanţele convertoarelor statice de putere au crescut permanent datorită
optimizării tehnologice şi funcţionale a dispozitivelor semiconductoare de putere şi
IC
a tehnicilor de comandă. În lucrare sunt prezentate scheme electronice de comandă
complete, analizate funcţional şi comentate în vederea perfecţionării acestora.
T R
Analiza disipaţiei termice pentru dispozitivele semiconductoare de putere in
regim staţionar şi tranzitoriu permite evidenţierea tehnicilor de modelare şi a
E S modalităţilor de calcul aferente.

Prin conţinutul bogat în informaţii utile din
domeniu, structurat logic şi completat cu aplicaţii
R având un grad de dificultate divers, lucrarea

constituie un material de studiu util studenţilor de la
facultăţile cu profil electric.
Mulţumesc colegilor şi familiei pentru
sprijinul moral acordat. De asemenea, mulţumesc
domnului profesor dr. ing. Sofron Emil pentru
atenţia cu care a citit manuscrisul şi indicaţiile date.
Prof. Dr. ing. Nicu BIZON

UNIVERSITATEA DIN PITEŞTI
CUPRINS
1. INTRODUCERE ……………………………………………….…………………... I- 1
2. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE ………………………… II - 1
2.1. Caracterizare generală ………………………………………………...………... II - 1
2.2. Modele termice. Aplicaţii ………………………………………………………. II - 4
3. DIODE DE PUTERE …………………………………………………..……………. III - 1
3.1. Structuri şi caracteristici statice ……………...……………………………. III - 2
3.2. Valori limită admisibile ……………………………………...……………. III - 5
3.3. Comportarea dinamică ……………………………………...……………... III - 6
3.4. Aplicaţii …………………………………………………………...……….. III - 11
4. TRANZISTOARE BIPOLARE DE PUTERE ŞI TENSIUNE MARE …………. IV - 1
4.1. Structuri şi caracteristici statice …………………………………………. IV - 1
4.2. Valori limită admisibile …………………………………………………. IV - 4
4.3. Comportarea dinamică …………………………………………………... IV - 5
4.4. Aplicaţii ………………………………………………………………….. IV - 18
5. TRANZISTOARE MOS DE PUTERE …………………………………..………..
5.1. Structuri şi caracteristici statice …………………………………………....
A T
5.2. Parametrii funcţionali principali şi valori limită admisibile …………...…..
V- 1
V- 1
V- 3
5.3. Comportarea dinamică ……………………………………………...……...
5.4. Integrare funcţională ……………………………………………...……….. N V- 5
V - 11
5.5. Aplicaţii ………………………………………………………...…………..
6. TIRISTOARE ………………………..………………………………………………. I O V - 14
VI - 1
T
6.1. Structuri şi caracteristici statice …………………………………………. VI - 1
IC
6.2. Valori limită admisibile …………………………………………………. VI - 9
6.3. Comportarea dinamică …………………………………………………... VI – 10
6.4. Integrare funcţională …………………………………………………….. VI - 14
T R
6.5. Aplicaţii …………………………………………………………………..
7. TRANZISTORUL BIPOLAR CU POARTĂ IZOLATĂ (IGBT) ……………….
7.1. Structură, modelare şi caracteristici statice ……………………………….
VI - 22
VII - 1
VII - 1
E S
7.2. Comportarea dinamică a IGBT-ului …….………………………………….
7.3. Aria de funcţionare sigură; metode de protecţie …………………………...
7.4. Alegere între IGBT şi MOS ….…………………………………………….. VII - 9
VII - 7
VII - 4
R
7.5. Aplicaţii …………………………………………………………………….. VII - 10
8. METODE DE PROTECŢIE LA SUPRASOLICITĂRI
TERMICE ŞI ELECTRICE …………………………………………………. VIII - 1
8.1. Protecţia la suprasolicitări termice …………………………………...……. VIII – 1
8.2. Protecţia la supratensiuni electrice ………………………………...………. VIII – 1
8.3. Protecţia tiristoarelor la efecte di şi dv ………………………...………... VIII – 4
dt dt
8.4. Protecţia ESD pentru tranzistoare MOS şi IGBT ………………………….. VIII – 9
8.5. Aplicaţii ………………………………………………………...………….. VIII – 9
9. MODALITĂŢI DE CONECTARE …………………...………………………. IX – 1
9.1. Conectarea diodelor şi tiristoarelor …………...…………………………… IX – 1
9.2. Conectarea tranzistoarelor bipolare ………...……………………………... IX – 4
9.3. Conectarea în paralel a IGBT …………….………………………………... IX – 5
9.4. Aplicaţii ………………………………………………………………….. IX – 6
BIBLIOGRAFIE ………………………………………………………….. B - 1
Dispozitive Electronice de Putere – Teorie şi Aplicaţii Introducere
________________________________________________________________________
1. INTRODUCERE
Electronica industrială sau de putere s-a impus în ultimele decenii ca un domeniu

distinct şi important al ştiinţei şi tehnicii. Deşi la prima vedere domeniile de cercetare şi
aplicaţii par a fi parţial comune şi cu alte ramuri ale ştiinţei (de exemplu cu
Electrotehnica, Acţionări electrice, Dispozitive şi Circuitele Electronice etc.) a fost
necesară o tratare specializată a acestor domenii, privite prin prisma fiecărei discipline.
De fapt aceste discipline sunt strâns corelate şi înţelegerea deplină a unui proces
industrial presupune cunoştinţe din mai multe domenii. De exemplu, în comanda unui
motor electric nu se poate trata convertorul de putere separat de celelalte circuite, fără să
avem în vedere caracteristicile mecanice ale motorului sau optimizarea circuitului de
comandă. Aceasta deoarece fiecare bloc al sistemului de reglare depinde de celelalte, deci
optimizarea funcţionării sistemului nu poate fi decât globală. În mare măsură dezvoltarea
Electronicii Industriale a fost susţinută de progresele tehnologice obţinute în domeniul
A T
semiconductoarelor. Acest aspect însă nu minimizează rolul proiectantului de structuri de
conversie eficiente, care practic pune dispozitivele de putere să lucreze în regimuri
optime de funcţionare printr-o comandă adecvată a lor.
N
În fapt, Electronica Industrială se ocupă cu studiul, proiectarea şi construcţia
convertoarelor de putere şi a dispozitivelor semiconductoare de putere care le compun.
I O
Formal, domeniul Electronici Industriale poate fi considerat ca fiind alcătuit din două
subdomenii, şi anume electronica de putere şi electronica de comandă. Este însă evident
T
că o conversie energetică optimă din punct de vedere al randamentului de transfer
energetic nu poate fi realizată fără o tratare corelată a celor două blocuri ale schemei
IC
electrice ale convertorului: blocul de forţă şi blocul de comandă.
Convertoarele de putere sunt instalaţii industriale care se conectează între sursa de
R
alimentare cu energie şi consumator (sarcină), având rolul de a converti energia
electromagnetică de o anumită formă (curent continuu sau alternativ) într-o energie
T
electromagnetică, eventual de altă formă, în corelaţie cu cerinţele sarcinii sau ale
S
transferului energetic între sistemele de putere. Aproximativ 70% din energia electrică
produsă pe plan mondial se transmite prin intermediul convertoarelor de putere. În
E
consecinţă, optimizarea energetică a structurilor existente şi dezvoltarea altora constituie
R
o problemă actuală şi de viitor a domeniului ingineresc.
În cadrul convertoarelor de putere dispozitivele electronice lucrează, în general, în
regim de comutaţie, deci ca nişte comutatoare on/off. Pierderile de putere în comutaţii
trebuie să fie minime pentru a asigura un randament energetic la conversie eficient. De
fapt randamentul energetic (power factor) este cuvântul cheie al industriei mondiale,
mergându-se până la industria produselor electronice de uz casnic.
La baza convertoarelor de putere (redresoare, convertoare cu reglaj prin fază,
cicloconvertoare, variatoare de putere, invertoare, convertoare statice de frecvenţă cu
circuit intermediar de curent continuu, variatoare de curent continuu etc.) stau
dispozitivele electronice de putere (diode, tranzistoare, tiristoare, IGBT-uri, MCT-uri,
GTO-uri etc.). În ultimii ani performanţele energetice ale convertoarelor de putere s-au
îmbunătăţit esenţial, datorită progreselor din domeniul tehnologiei de realizare a
componentelor semiconductoare, a componentelor magnetice, dezvoltării tehnicilor
digitale de comandă (utilizarea microprocesoarelor, procesoarelor de semnal etc.) şi
utilizării unor metode de control hibride (neuro-fuzzy, optimale etc.). Simultan are loc şi
I-1
________________________________________________________________________
o reducere drastică a gabaritului convertoarelor. Fără a necesita o schemă electronică
complexă, controlul inteligent al sistemelor de conversie energetică asigură un
randament energetic ridicat, distorsiuni minime ale formelor de undă care se referă la
sarcină, precizie ridicată la reglaj, nivel de perturbaţii electromagnetice redus etc.
În realizarea blocului de forţă al convertorului sunt utilizate diferite dispozitive
electronice de putere. Alegerea unui dispozitiv de putere se face corelat cu tipul
convertorului, frecvenţa de lucru, parametrii electrici şi energetici ai sarcinii, parametrii
electrici ai sursei de alimentare cu energie, preţul de cost, parametrii de fiabilitate şi
calitate impuşi etc. O evoluţie în timp a pieţei mondiale pentru principalele dispozitivele
de putere comandate este ilustrată în figura 1.1. Se observă că în ultimii ani utilizarea
dispozitivele de putere comandate cu poartă de tip MOS integrată funcţional a crescut,
datorită simplificării circuitului de comandă.
A T
N
I O
T
IC
T R
E S
R Figura 1.1
În momentul de faţă, acumulându-se

producţia de convertoare din ultimul deceniu
(care mai sunt practic şi în exploatare), se
obţine repartizarea sectorială din figura 1.2.
Se observă că tiristoarele încă joacă un rol
important în Electronica Industrială, fiind
însă concurate puternic de MCT-uri, care tind
să devină în ultimii ani dispozitivele de
putere preferate de proiectanţii de
echipamente industriale. Figura 1.2
În figura 1.3 este ilustrată repartiţia dispozitivelor de putere în funcţie de puterea
convertorului realizat cu acele dispozitive electronice (unitate de referinţă 100% o
I-2
________________________________________________________________________
reprezintă numărul total de dispozitive utilizate în gama de puteri 1 – 30 kW). Se observă
că dispozitivele de putere de tip tiristor sunt folosite doar pentru puteri foarte mari. Pentru
puteri mici şi medii cele mai utilizate sunt tranzistoarele bipolare şi IGBT-urile. Datorită
perfecţionării tehnologiei de realizare a tranzistoarelor MOS, în ultimii ani sunt din ce în
ce mai folosite.
A T
N
I O
T
IC
Figura 1.3
T R
În această perspectivă, evoluţia dispozitivele de putere poate fi rezumată astfel:
- Integrarea în aceeaşi capsulă a dispozitivului de putere, a logicii de comandă şi a
E S
circuitului de protecţie;
- Înlocuirea tranzistoarelor bipolare de putere de către IGBT-uri;
- Optimizarea structurii tranzistorului MOS pentru aplicaţii de tensiune şi putere
R
scăzută, dar la frecvenţe de lucru mari (GHz) ;
- Optimizarea structurii SITH-ului pentru aplicaţii de putere foarte mare şi frecvenţă de
lucru înaltă;
- Înlocuirea tiristoarelor, GTO-urilor de către MCT-uri în majoritatea aplicaţiilor de
putere. În viitor, datorită proprietăţilor sale electrice şi energetice excelente, se
presupune că MCT-ul va rămâne singur în această competiţie a dispozitivelor de
putere care vor fi utilizate în proiectarea convertoarelor (poate doar în aplicaţiile de
mică putere şi frecvenţă ridicată să rămână în competiţie tranzistorul MOS).
Aceste etape pot avea loc simultan sau nu şi, cine ştie, poate apărea în competiţie un nou
dispozitiv de putere.
Lucrarea de faţă constituie prima parte a unei monografii care îşi propune să
arunce o privire de ansamblu şi de microscop asupra problematicii Electronicii
Industriale. Pentru înţelegerea şi fixarea aspectelor teoretice materialul este presărat cu
multe aplicaţii numerice.
I-3
Dispozitive Electronice de Putere – Teorie şi Aplicaţii Dispozitive semiconductoare de putere
________________________________________________________________________
2. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE
2.1. CARACTERIZARE GENERALĂ
În general, dispozitivelor semiconductoare de putere (cu excepţia diodelor din

seleniu policristalin, care sunt tot mai rar utilizate) sunt confecţionate pornind de la o
plachetă decupată dintr-un monocristal siliciu, având grosimea de ordinul zecimilor de
milimetru şi aria de ordinul centimetrilor pătraţi, în care se realizează una sau mai multe
joncţiuni paralele cu feţele plachetei, folosind cel mai adesea tehnologii de difuzie sau
implantare ionică. Progresele tehnologice obţinute în domeniul semiconductoarelor de
putere permit realizarea circuitelor electronice de putere la un nivel de performanţă ridicat,
optimizate din punct de vedere energetic, fiabile şi cu un preţ de cost scăzut.
Pentru ca dispozitivul să-şi exercite rolul de conducţie specifică, pentru care a fost
A T
creat, este necesar ca solicitarea fiecărei joncţiuni să fie limitată. Astfel:
 tensiunea inversă trebuie limitată la valori inferioare de străpungere în avalanşă;
 densitatea de curent trebuie limitată la valori determinate de materialul de bază şi
N
de caracteristicile joncţiunii (pentru siliciu valoarea maximă este de 100200 A/cm2);
I O
 temperatura în regiunea joncţiunilor trebuie limitată la valori pentru care conducţia
prin purtători generaţi termic rămâne neglijabilă fată de procesele de conducţie definitorii
T
pentru dispozitivele semiconductoare şi, de asemenea, pentru care nu există pericolul
apariţiei unor modificări structurale ireversibile (temperatura maximă a joncţiunilor este de
150200°C pentru siliciu).
IC
Respectarea primelor două condiţii se obţine printr-o proiectare corectă a circuitului
T R
electric extern şi alegerea adecvată a parametrilor de alimentare şi comandă. Metodologia
de proiectare este specifică fiecărui tip de dispozitiv semiconductor de putere şi necesită
cunoaşterea acestuia în detaliu (funcţionare, parametri electrici etc.).
E S
Pentru respectarea ultimei condiţii trebuie cunoscut modul în care se transportă şi se
evacuează în mediul ambiant energia termică generată prin funcţionarea dispozitivului,
normală din punct de vedere electric.
R
Analiza unui circuit electronic de putere se poate face uşor dacă considerăm pentru
dispozitivele semiconductoare de putere modele electrice funcţionale ideale, de tip
comutator cu doua stări:
- închis (on), când este parcurs de curent şi tensiunea la borne este nulă;
- deschis (off), când curentul prin el este nul, susţinând tensiune aplicată la borne.
Tranziţiile între stări se fac practic instantaneu pentru comutatoarele ideale (timpii
de comutaţie sunt nuli).
În această perspectivă, dispozitivele semiconductoare de putere pot fi clasificate în
funcţie de modul de control a stărilor on şi off. Astfel avem:
- dispozitive pentru care stările on şi off sunt determinate de tensiunea de al bornele sale;
de exemplu: diodele redresoare (cu joncţiune pn), diodele Schottky, diodele pnpn (diode
Schockley), diac-ul (diode ac switch) etc;
- dispozitive pentru care trecerea în starea on este determinată de aplicarea unui semnal
de comandă pe poartă (terminalul de comandă), iar trecerea în starea off este
determinată de circuitul electric în care este conectat; de exemplu: tiristoarele uzuale,
triac-ul (triode ac switch) etc;
II-1
________________________________________________________________________
- dispozitive pentru care trecerea în starea on, respectiv off, este controlată printr-un
semnal de comandă cu parametri specifici tipului de comutaţie (trecere dintr-o stare în
alta); de exemplu: tranzistoarele bipolare, tranzistoarele MOS, tiristoarele cu blocare pe
poartă (Gate Turn-Off Thyristor – GTO), tiristorul cu inducţie statică (Static Induction
Thyristor – SIT) tranzistoarele bipolare cu poartă izolată (Insulated Gate Bipolar
Tranzistor - IGBT, structuri darlington şi Bi-MOS, tiristoare comandate cu MOS-uri
(MOS Controlled Thyristor – MCT), comutatoare de putere inteligente (Inteligent
Power Switch – ISP) etc.
Un comutator electronic practic trebuie să aibă:
- un curent rezidual cât mai mic în starea off;
- o tensiune pe el în starea on cât mai mică;
- timpi de comutaţie cât mai mici;
- putere de comandă cât mai mică.
Este important ca proprietăţile dispozitivelor semiconductoare să fie cunoscute
atunci când alegem un dispozitiv optim pentru o aplicaţie dată. Tabelul 2.1 prezintă
comparativ proprietăţile esenţiale ale dispozitivelor electronice capabile să susţină tensiuni
pentru o tensiune directă în conducţie minimă.

A T
de peste 1000V. Se remarcă faptul că dispozitivele electronice de comutaţie sunt optimizate
Utilizând tehnici de proiectare variate şi originale, un proiectant de circuite
N
electronice de putere poate să folosească un dispozitiv în afara zonei de operare ,,normală”,
ilustrată în figura 2.1. Astfel, se poate spune că este dificilă utilizarea tranzistoarelor
I O
bipolare de înaltă tensiune (High Voltage Bipolar Transistor – HVT) la frecvente de peste
100kHz, dar totuşi în literatura de specialitate sunt descrise aplicaţii la frecvenţe de sute de
T
kHz. La alegerea unui tip de comutator concura o gama mai largă de parametri, legaţi într-o
IC
anumita măsură de frecvenţa de comutaţie:
- timpii de întârziere;
- puterea disipată în comutaţie;
R
- densitatea de curent în conducţie;
T
- limitări tehnologice la puteri mari;
S
- topologia aplicaţiei etc.
De exemplu, GTO este preferat tranzistorului de putere în aplicaţii de mare putere la
E
frecvenţe între 1kHz şi 20kHz, datorită capabilităţii sale la suprasarcină.
R
Evident, scăderea tensiunii susţinute în blocare determină performanţe mai bune
pentru dispozitivul electronic.
În timpul operaţiilor de montare în echipamentul de putere, precum şi pe toată
durata de utilizare, dispozitivele semiconductoare sunt supuse la solicitări complexe de
natură mecanică, electrică şi termică, ce pot afecta performanţele de fiabilitate ale acestora.
Observaţie privind notaţiile utilizate. Un "+" are, în funcţie de context, semnificaţia

"simplu" sau "mică", iar un "-" înseamnă "complexitate" sau "mare". Un punct în tabel
semnifică o medie între "+" şi "-", iar F (fast)=rapid, S (slow)=lent, CD=comutaţie directă
şi CI=comutaţie inversă. În cazul comutaţiei forţate pentru tiristoare sunt valabile
performanţele dintre acolade.
II-2
________________________________________________________________________
Dispozitiv / HVT JFET MOS THY GTO IGBT IGBT Unitate de

Parametru S F măsură
V(ON) 1 10 5 1.5 3 2 4 V
Circuit CD - + + + + + + -
Circuit CI - - + + - + + -
Comanda - . + . . + + -
Tehnologie + . . + - - - -
Protecţia - . + + -
A T - - -
ts, tq 2 0.1 0.1 5 1 N 2 0.5 μs
I O
Pd (com) . ++ ++
T
-- - - . -
J 50 12 20
IC 200 100 50 50 A/cm2
dv/dt 3 20
T R 10 0.5 1.5 3 10 V/ns
di/dt 1
E S 10 10 1 0.3 10 10 A/ns
Vmax
R
1500 1000 1000 5000 4000 1000 1000 V
Imax 1000 10 100 5000 3000 400 400 A
Imax / Inom 5 3 5 15 10 3 3 -
fmax 50 1000 1000 10 20 50 200 kHz
Tabelul 2.1
II-3
________________________________________________________________________
A T
Figura 2.1 N
I O
Simplificarea mijloacelor de testare a determinat împărţirea metodelor de încercare
T
în următoarele categorii de încercări: climatice, mecanice, termice şi electrice.
IC
Corespunzător acestor moduri de încercare avem, respectiv, sistemele de valori limită
absolute: mecanice, climatice, termice şi electrice. Conform definiţiei dată de CEI (Comisia
R
Internaţională de Electrotehnică) pentru sistemul de valori limită admisibile, fiecare este
imperativă, în sensul că depăşirea ei provoacă degradarea ireversibilă a dispozitivului.
T
Proiectanţii de echipamente cu dispozitive semiconductoare de putere trebuie să reţină că
S
există o corelaţie strânsă între probabilitatea defectării dispozitivului şi gradul de încărcare
a dispozitivului (în sensul apropieri de una din valorile limită admisibile).
E
Puterea disipată de un dispozitiv electronic de putere determină distrugerea termică
R
a acestuia, dacă valoarea sa depăşeşte anumite limite specifice regimului staţionar sau de
impulsuri. De aceea, în continuare vom analiza regimul termic al dispozitivelor
semiconductoare de putere.
2.2. MODELE TERMICE. APLICAŢII
În general, energia termică generată în timpul funcţionării este transportată prin

conducţie termică prin elementele constructive ale dispozitivului până la capsula acestuia şi
de aici la mediul ambiant prin conducţie, convecţie sau radiaţie, folosind metode de
transport si agenţi termici performanţi şi convenabili. Prin construcţie, una dintre fetele
plachetei, de preferinţă cea pe care nu se află decât un terminal electric, este sudată pe un
suport metalic ce face corp comun cu capsula, astfel încât aceasta să poată fi pusă în contact
termic cu sistemul de răcire extern.
II-4
________________________________________________________________________
La o funcţionare permanentă a
dispozitivelor semiconductoare de putere în regim
de comutaţie, puterea disipată apare sub formă de
impulsuri (figura 2.2), ceea ce conduce la o variaţie
în timp periodică sau neperiodică a temperaturii
joncţiunii, în care caz este necesară limitarea la
nivelul de siguranţă a valorii maxime instantanee a
temperaturii. O altă dificultate apare şi din cauză că
la utilizator temperatura joncţiunii nu poate fi
măsurată. Practic se poate măsura temperatura
capsulei, fiind deci necesar un model matematic al
proceselor termice din dispozitiv, pe baza căruia să
se definească o “temperatură virtuală” a joncţiunii
care să poată fi corelată cu datele de catalog şi cu
mărimile ce pot fi măsurate de utilizator. Figura 2.2.a
A T
N
I O
T
IC
T R
E S
R
Figura 2.2.b
Făcând uz de asemănarea ecuaţiilor care descriu propagarea căldurii şi, respectiv,

conducţia electrică (vezi relaţiile 2.1), se pot concepe modele electrice echivalente structurii
termice a dispozitivului electronic.
Q  C  U  W  C th  T
(2.1)
U  R  I  T  R th  P
Fiecare componentă a ansamblului dispozitiv semiconductor - sistem de răcire poate

fi caracterizată printr-o rezistenţă termică şi o capacitate termică. Rezistenţă termică
determină diferenţa de temperatură ce se stabileşte între extremităţile acelei componente, în
II-5
________________________________________________________________________
condiţiile unui transport staţionar de energie. Capacitate termică determină energia

acumulată în acea componentă, când între extremităţi există o anumită diferenţă de
temperatură. Pentru un ansamblu dispozitiv semiconductor - sistem de răcire se pot distinge
mai multe asemenea componente, unele interne (pastila de siliciu, piesele de contact termic,
capsula dispozitivului), iar altele externe (piesele de izolare electrică fată de radiator, pastă
de contact termic, radiatorul, agentul de transport al căldurii).
Circuitul electric echivalent poate fi constituit ca în figura 2.3.a sau, prin
transformări echivalente, ca în figura 2.3.b.
A T
N
I O
T
IC
Figura 2.3
T R
Circuitul echivalent natural prezentat în figura 2.3.a aproximează mai bine procesul
termic tranzitoriu deoarece energia acumulată în fiecare componentă determină univoc
S
creşterea temperaturii acelei componente, de la o valoare iniţială unică, la temperatura
ambiantă a. Utilizatorul are însă nevoie să cunoască doar temperatura virtuală a joncţiunii
E
vj, nu şi temperaturile tuturor componentelor ansamblului. În acest caz circuitul echivalent
R
din fig.2.3.b este mai convenabil pentru calcule. Este evidentă relaţia:
n
 vj   a    k (2.2)
k 1
In regim staţionar cele două modele termice sunt identice. Dacă notăm cu Pd puterea
disipată ce trebuie evacuată, în regim staţionar se obţine:
n
 vj   a  Pd   R th k (2.3)
k 1
Dacă se presupune că în momentul t0 puterea disipată are un salt de la valoarea Pd0

la valoarea Pd1 (figura 2.4), evoluţia ulterioară a diferenţei de temperatură k este dată de
expresia:
II-6
________________________________________________________________________
t t0

k ( t )  k  k 0  k   e k
, k  Pd1  Rth k
deci

t t0
k
 
t t0

 k ( t )   k 0  e  Pd1  Rth k  1  e k  (2.4)
 
unde:
k=Rth kCth k este constanta termică a componentei k;
k0 – diferenţa iniţială de temperatură
k – diferenţa finală de temperatură
A T
N
I O
T
IC
T R Figura 2.4
S
In regim staţionar puterea disipată maximă este dată de relaţia 2.5:
E Tvjk  Ta vjk  a
unde
R Pdk  
Rth ( j  a ) Rth ( j  a )
(2.5)
n
Rth ( j  a )  Rth k este rezistenta termică totală de regim staţionar între joncţiune şi
k 1
mediul ambiant;
T= + 273,15 este temperatura în grade Kelvin.
Pentru o încărcare cu un impuls unic dreptunghiular de putere Pd şi durată tp

admiţând condiţii iniţiale nule (k0=0 şi t0=0), temperatura virtuală a joncţiunii este
conform relaţiilor 2.2 şi 2.3 dată de relaţia 2.6
 
tp
n 
vj( tp)  a   k ( tp )  a  Pd  Rth k 1  e k 
(2.6)
k 1  
 
II-7
________________________________________________________________________
Dacă se cunoaşte mărimea:
n  
tp


Zth( tp )   Rthk 1  e k 
  (2.7)
k 1
 
denumită impedanţă termică tranzitorie, nu mai este necesar să se detalieze elementele

circuitului echivalent.
 APLICAŢII
Aplicaţia 2.1
Două tranzistoare montate pe acelaşi radiator disipă în regim staţionar puterea medie
Pd1=60W, respectiv Pd2=100W. Parametrii termici ai tranzistoarelor sunt următorii:
0 0 0
A T 0
R thj-c1 = 0,5 C/W , R thc-r1 = 0,3 C/W , R thc-a1 = 15 C/W , t jM1 = 150 C ,
0 0 0 0
R thj-c2 = 0,3 C/W , R thc-r2 = 0,2 C/W , R thc-a2 = 10 C/W , t jM2 = 150 C
N
Să se determine rezistenţa termică a radiatorului dacă a=200C.
I O
T
IC
T R
E S
Rezolvare
R Figura 2.5
Modelul termic echivalent acestei structuri de evacuare a energiei disipate de cele

doua tranzistoare este reprezentat in figura 2.5.a.
Neglijând rezistenţele termice Rthc-a se obţine modelul simplificat din figura 2.5.b.
Putem scrie relaţiile:
 j1 - a = Pd1 R th1 + (Pd1 + Pd 2) R thr-a
 j2 - a = Pd 2 R th 2 + (Pd1 + Pd 2) R thr-a
unde R thi = R thj- ci + R thc - ri , i = 1, 2 .
Punând condiţia că j1 = jM1, obţinem:
R thr -a1 = ( jM1 - a - Pd1 R th1)/(Pd1 + Pd 2)
II-8
________________________________________________________________________
Analog obţinem:
R thr -a2 = ( jM 2 - a - P d 2 R th 2)/(P d1 + P d 2)
Pentru a nu se distruge termic nici un tranzistor se alege:
Rthr-a < min(Rthr-a1, R thr-a2)

Numeric obţinem:
0
R thr -a < min(0,55, 0,5) = 0,5 C/W
Se observă că dimensionarea radiatorului este dictată de parametrii tranzistorului T2.
Aplicaţia 2.2
Să se determine temperatura joncţiunii şi a capsulei (terminalelor) în regim
staţionar, precum şi variaţia în timp a temperaturii joncţiunii, pentru dioda din redresorul
monofazat monoalternanţă din figura 2.6. Redresorul alimentează de la reţea (220Vef,
A T
50Hz) o sarcină rezistivă R=10Ω. Pentru redresare se foloseşte o diodă MR754 în capsulă
DO194. Graficul care dă răspunsul tranzitoriu al rezistenţei termice a diodei este dat în
N
figura 2.9. Rezistenţa termică terminale-ambiant (formată din rezistenţa termică terminale-
radiator şi radiator-ambiant) este Rtht-a=0.5˚C/W. Temperatura ambiantă se consideră
I O
θa=40oC. Din caracteristica curent – tensiune a diodei se obţine rT=30mΩ, VT0=0,8V.
T
IC
Figura 2.6
T R
E S
R
Figura 2.7 Figura 2.8
Rezolvare
În alternanţele pozitive dioda conduce, iar în alternanţele negative este blocată,
(formele de undă sunt date în figura 2.8)
Valoarea medie a pulsurilor de putere Pd este:
2
Pd(AV) = VT 0 I F(AV) + rF I F(RMS)
unde:
- IF(AV) este valoarea medie a curentului direct prin diodă;
- IF(RMS) este valoarea efectivă a curentului direct prin diodă.
Avem:
II-9
________________________________________________________________________

1 U U 220 2
I F(AV) =
2  R sin  d =  R =
0
100
 10 A
U
I F(RMS) =  15 A
2R
deci
P d(AV)  15W
Amplitudinea pulsului de putere este:
2
U U 
PFM  VT 0  rF    54W
R R
Pulsurile de putere pd*, de formă dreptunghiulară, cu amplitudinea maximă PFM, au

aceeaşi valoare medie Pd(AV) dacă factorul de umplere este:
=
Pd(AV)
PFM
= 0,28
A T
N
Pentru dispozitive de putere se dau familii de caracteristici reprezentând rezistenţa
termică tranzitorie pentru diferiţi factori de umplere. Din această familie de caracteristici se
I O
alege caracteristica obţinută pentru factorul de umplere specific aplicaţiei. Pentru diodele
redresoare caracteristica rezistenţei termice tranzitorii se dă special pentru redresare
monoalternanţă (figura 2.9) şi bialternanţă.
T
IC
T R
E S
R
Figura 2.9
Temperatura joncţiunii la momentul de timp t va fi:
 j (t ) =  a + P d(AV) ( Rth j -t (t ) + Rth c - a )
Utilizând pentru Rthj-t valorarea de regim staţionar (se ia ca exemplu lungimea

terminalelor 1/8 inch, pentru care Rthj-t=3.5˚C/W), putem scrie:
 j(st) =  a + Pd(AV) ( Rth j -t + Rth t - a ) = 100o C

II-10
________________________________________________________________________
Temperatura capsulei şi a terminalelor diodei este:
 t(st) =  j(st) - P d(AV) Rth j -t = 47o C
A T
N
I O
T
IC
T R
E S
R
II-11
Dispozitive Electronice de Putere – Teorie şi Aplicaţii Diode de Putere
________________________________________________________________________
3. DIODE DE PUTERE
Comutaţia diodelor de putere este determinată de circuitul electric în care sunt

conectate şi de tipul lor. În circuitele de putere practic sunt utilizate două tipuri de diode:
- diodele redresoare, bazate pe structura unei joncţiuni pn;
- diodele Schottky, bazate pe o joncţiune metal – semiconductor.
Materialul semiconductor care se foloseşte pentru realizarea diodelor de putere este siliciu.
În uz practic mai sunt şi diodele policristaline din seleniu. Diodele policristaline din
seleniu se caracterizează prin valori ale căderii de tensiune directă de circa 1V, densitate de
curent de aproximativ 1A/cm2 şi tensiuni inverse maxime de 50V. Construirea unor
elemente de seleniu cu secţiune de conducţie mare este destul de uşoară, dat fiind caracterul
policristalin al materialului semiconductor, iar aşezarea unui număr mare de elemente în
serie de asemenea nu prezintă dificultăţi deosebite, putându-se realiza astfel diode
echivalente (denumite coloane de redresare) având tensiunea inversă de ordinul 1000-
1500V şi curentul direct de ordinul 300÷500 A.
A T
Diodele monocristaline se caracterizează prin cădere de tensiune directă de 0,7÷0,9V pentru
siliciu (respectiv, 0,4÷0,5V pentru germaniu, care practic nu se mai utilizează), densitate de
curent de circa 100÷200A/cm2 şi tensiune inversă maximă de aproximativ 6KV la siliciu.
N
Construcţia pastilelor cu suprafaţă mai mare (de peste 100cm2) prezintă încă dificultăţi
I O
tehnologice, iar conectarea în serie sau paralel a mai multor diode pentru obţinerea unei
diode echivalente compuse necesită unele măsuri de protecţie care vor fi abordate mai
târziu.
T
La o diodă Schottky căderea de tensiune directă este de 0,3÷0,5V, iar tensiunea
IC
inversă maximă este de zeci de volţi (30÷50V).
Pentru un curent dat, puterea disipată de un sistem de conversie ce conţine diode
R
este proporţională cu căderea de tensiune în conducţie, iar puterea maximă disipată în
sarcină este proporţională cu căderea de tensiune inversa maxima. Randamentul este deci
T
aproximativ proporţional cu raportul dintre tensiunea directă si cea inversă a pentru o
S
anumită diodă. Valoarea inversă maximă a acestui raport (ce poate fi considerat ca un factor
de merit pentru acea diodă) este de circa: 50 la diodele din seleniu, 1000 la diodele Schottky
E
şi de peste 6000 la diodele din siliciu.
siliciu. R
Temperatura maximă de lucru este de aproximativ 160°C la seleniu şi 200°C la
Comparând parametrii caracteristici enumeraţi mai sus se poate constata că diodele

cu siliciu prezintă pentru realizarea convertoarelor de mare putere avantaje categorice în
privinţa:
- dimensiunilor (o joncţiune de siliciu echivalează cu peste 100 celule de seleniu
conectate în serie, iar dimensiunea transversală la un curent egal este de circa 10÷15 ori
mai mică);
- a temperaturii de lucru;
- a randamentului, mai ales în cazul sistemelor de tensiune mare (2÷3kV).
Pentru sursele de tensiune mică folosirea diodelor Schottky oferă posibilitatea obţinerii unui
randament mai mare decât cel estimat, care are in vedere doar pierderile de putere în
conducţie, deoarece timpii de comutaţie reduşi determină pierderi de putere la comutaţii
mici. In întreg dispozitivul nu există purtători mobili de sarcină pozitivă. Eliminarea stocării
de purtători minoritari reduce considerabil timpul de comutaţie inversă, ceea ce permite
utilizarea acestor dispozitive la frecvenţe mult mai mari (de circa 10 ori) în raport cu
diodele cu joncţiune, pentru acelaşi curent direct.
III-1
________________________________________________________________________
Avantajul diodelor redresoare din seleniu, în ceea ce priveşte siguranţa în
funcţionare (o străpungere inversă, produsă de regulă într-o zonă de mici dimensiuni,
determinând topirea locală a seleniului, fără a compromite definitiv celula, întrucât după
răcirea zonei topite aceasta se solidifică în seleniu amorf cu proprietăţi izolante bune, restul
celulei putându-şi îndeplini în continuare funcţia, cu o reducere a ariei utile de conducţie cu
mai puţin de 1%), practic dispare odată cu apariţia diodelor redresoare din siliciu cu
avalanşă controlată.
În cele ce urmează vor fi examinate caracteristicile şi comportarea diodelor de
putere, cu referire mai pe larg la cele de siliciu.
3.1. Structuri şi caracteristici statice

Ecuaţia caracteristicilor statice a joncţiunilor pn, curent (i) – tensiune (v) este
exprimată analitic prin relaţia:
  qv  
i  M  Is  exp   1 (3.1)
 
unde:
  kTj  
A T
- M este factorul de multiplicare a purtătorilor în joncţiunea polarizată invers:
1 N
M
 v 
1  R 
n
I O (3.2)
 VBR 
T
-
- IC
VBR este tensiunea inversă de străpungere prin fenomenul de avalanşă (breakdown);
curentul de saturaţie Is şi tensiunea de străpungere VBR sunt mărimi constructive,
T R
depinzând de tehnologia de execuţie a diodei;
- constantele universale sunt: q=1,610-19C şi k=1,3810-23J/K;
- exponentul n se determină experimental şi este de regulă cuprins între 2 ;i 4.
E S
În domeniul polarizării directe (forward), pentru tensiuni care depăşesc tensiunea
termică VT=kTa/q=0,026V, avem M1, iar exponenţiala este mult mai mare decât unitatea,
deci relaţia (3.1) poate fi aproximată prin:
R  vF
iF  Is  exp  
298 
 (3.3)
 VT 273  j 
unde:
- Ta=298K este temperatura medie ambiantă;
- j este temperatura joncţiunii exprimată în grade Celsius.
Dacă densitatea curentului direct creste până la 100÷150A/cm2, din cauza concentraţiei
mari a purtătorilor injectaţi, joncţiunea îşi pierde treptat anizotropia electrică şi începe să se
comporte ca un conductor; această regiune în care caracteristica devine aproape rectilinie
este denumită zonă de conducţie rezistivă sau ohmică. La curenţi şi mai mari, cu densităţi
de peste 200A/cm2, intervine încălzirea materialului, ceea ce determină curbarea
caracteristicii în sensul unei tendinţe de saturaţie. Rezultatele experimentale obţinute cu
diodele redresoare din siliciu se reprezintă de multe ori sub forma:
III-2
________________________________________________________________________
v   v   v 
i F  Ajod  exp F   Ajor  exp F   i F ~ exp F  (3.4)
 VT   2VT   VT 
unde  este factorul de idealitate al diodei, iar A este aria secţiunii de conducţie.
Valoarea 2 a factorului  se obţine atunci când curentul de recombinare (cea de-a doua
componentă din relaţia 3.4) este dominant (adică la densităţi mici de curent, de până la
100A/cm2), iar valoarea 1 pentru  se consideră atunci când este dominant curentul de
difuzie (prima componentă din relaţia 3.4). La nivele mari de injecţie componentele de
difuzie şi drift devin comparabile.
În figura 3.1 sunt reprezentate caracteristicile directe tipice pentru o diodă de putere
în domeniul curenţilor normali (figura 3.1.a) şi a supracurenţilor (figura 3.1.b).
A T
N
I O
T
IC
T R Figura 3.1
E S
Liniarizarea caracteristicii statice se face prin aproximare cu o semidreaptă ce
intersectează caracteristica de conducţie în două puncte alese convenţional. De obicei se
aleg punctele iF=I0 şi iF=3I0, unde curentul nominal I0 este definit ca fiind valoarea medie
R
redresată a curentului monofazat de formă sinusoidală care corespunde valorii nominale a
puterii disipate în conducţie. Intersecţia caracteristicii liniarizate cu axa absciselor defineşte
tensiunea de prag (de deschidere) VT0 , iar panta acesteia defineşte rezistenta echivalentă în
conducţie rT (notată uneori şi cu rF ).
La diodele de putere avem:
VT0=0,8÷1,1V , rTI0(0,1÷0,2)V (3.5)
În domeniul polarizării inverse primul termen din relaţia 3.1 devine neglijabil fată
de unitate şi caracteristica inversă este descrisă cu aproximaţie prin relaţia:
iRIR=MIs (3.6)
Cunoscându-se parametrii VT0, rT şi IR se poate reprezenta modelul electric

echivalent al diodei în regim staţionar (fig.3.2).
III-3
________________________________________________________________________
Figura 3.2
Valorile uzuale pentru curentul invers IR în funcţie de temperatura joncţiunii, la

tensiunea inversă maximă de lucru VRWM (încă suficient de mică fată de VBR , deci M1),
sunt date de relaţia:
IR=IR0exp[c(Tj-Ta)] (3.7)
temperatura ambiantă Ta.

A T
unde constanta c este cuprinsă între 0,03 şi 0,07[K-1], iar IR0 este curentul invers la
În domeniul temperaturilor de lucru a joncţiunii (j150°C) între curentul invers şi

cel direct mediu există relaţia
N
I R  (0,2  2)  10 - 4  I 0
T IO (3.8)
La diodele cu avalanşă controlată străpungerea are loc practic simultan pe întreaga
IC
pastilă, densităţile locale ale curentului de avalanşă fiind menţinute la valori mai mici
datorită distribuţiei uniforme a curentului în secţiune. Diodele asigură suprimarea
R
supratensiunilor tranzitorii fără a utiliza circuite suplimentare.
La aplicarea unei tensiuni inverse de valoare suficient de mare joncţiunea
T
semiconductoare străpunge; structura pn îşi pierde proprietăţile de redresare, curentul invers
S
crescând foarte mult. Există următoarele mecanisme de străpungere a unei joncţiuni pn:
- străpungerea prin avalanşă (ionizare prin şoc);
E
- străpungerea prin pătrundere sau atingere (punch-through sau reach-through);
R
- străpungerea Zener (prin tunelare).
Diodele Schottky reprezintă o categorie distincta in cadrul familiei diodelor de
putere prin faptul că funcţia de redresare este realizată de contactul între un metal şi un
semiconductor, şi nu de joncţiuni pn semiconductoare.
Curentul prin dioda Schottky este transportat de un singur tip de purtători, purtătorii
majoritari din semiconductor (goluri pentru semiconductorul de tip p, respectiv electroni
pentru semiconductorul de tip n). Deoarece mobilitatea electronilor este de 23 ori mai
mare decât cea a golurilor, diodele Schottky sunt realizate în general pe semiconductoare de
tip n.
Absenţa conducţiei prin purtători minoritari determină două avantaje majore:
1) nu există sarcină stocată la nivelul joncţiunii, deci timpii de comutaţie depind exclusiv de
capacitatea dispozitivului:
1
 q N D s 2
Cj = Aj   (3.9)
 2( Bn - n + V R ) 
III-4
________________________________________________________________________
unde:
- Bn este potenţialul barierei de contact Schottky, care depinde în principal de natura
metalului utilizat pentru realizarea contactului ( Bn = 0,6  0,7 V pentru Cr, Bn = 0,85 V
pentru Pt);
-  n - potenţialul Fermi pentru electroni;
- A j - aria joncţiunii metal-semiconductor;
- N d - reprezintă nivelul de dopare a stratului epitaxial;
- εs - permitivitatea electrica a semiconductorului n;
- q - sarcina electronului.
A T
N
I O
T
IC
T R
E S Figura 3.3
R
2) nu apare fenomenul de modulare a rezistivităţii stratului semiconductor, determinat de
creşterea nivelului de curent, deci tensiunea în conducţie şi tensiunea în blocare sunt
sensibil mai mici decât în cazul diodelor cu joncţiune pn.
În figura 3.3 este prezentată secţiunea transversală printr-o diodă Schottky (desenul
nu este făcut la scară).
3.2. Valori limită admisibile
În regim de polarizare inversă se definesc

următoarele valori limită admisibile (vezi figura 3.4):
VR - tensiunea inversă continuă;
V RRM - tensiunea inversă repetitivă maximă;
V RWM - tensiunea inversă de lucru maximă;
V RSM - tensiunea inversă de suprasarcină
maximă.
III-5
________________________________________________________________________
În regim de conducţie valorile limită admisibile se
vor referi la curentul ce parcurge dispozitivul:
IF - curent direct continuu;
IFAVM - curent direct mediu maxim;
IFRMSM - curent direct eficace maxim;
IFRM - curent direct repetitiv maxim;
IFRM - curent direct de suprasarcină maximă;
2
I t - integrala de curent in funcţie de care se
dimensionează siguranţele ultrarapide de
protecţie etc.
Pentru regimul de comutaţie al diodei interesează:
di/dt - panta critică de creştere a curentului de
conducţie;
dv/dt - panta critică de creştere a tensiunii de
blocare;
t jM - temperatura joncţiuni maximă
(parametru termic, dar strâns legat de
puterea disipată în comutaţie. A T
N
I O Figura 3.4
3.3. Comportarea dinamică

T
Trecerea diodei din starea de blocare în starea de conducţie sau invers, din conducţie
IC
în blocare, nu se poate produce instantaneu deoarece în oricare dintre stări în zona joncţiunii
există o acumulare de sarcină electrică şi înmagazinarea sau evacuarea acesteia cere un
de revenire inversă trr.

T R
anumit timp. Se definesc astfel: timpul de revenire directă tfr , timpul de stocare ts şi timpul
Durata intervalului de timp în care dioda îşi restabileşte capabilitatea de blocare în
S
invers poarta numele de timp de tranziţie tt (timpul de revenire inversa trr este trr=ts+tt). Din
punct de vedere practic, tranziţia unei diode din starea de blocare in starea de conducţie,
E
raportându-ne la durata timpului de tranziţie în blocare t off =trr, are loc instantaneu.
R
Producătorii de diode redresoare de putere specifică de regulă valoarea timpului de
revenire inversa t rr (reverse recovery time).
Comutarea în conducţie (comutaţia directă - CD) are loc ca un proces de stocare a
purtătorilor minoritari până la atingerea unei distribuţii staţionare a acesteia. În tot acest
timp impedanţa echivalentă a diodei este mică în comparaţie cu rezistenţa din circuitul
exterior, aşa că se poate admite că procesul are loc ca urmare a aplicării unei trepte de
curent. Distingem două situaţii:
 Dacă saltul de curent este mare, până în domeniul valorilor maxime admise, căderea de
tensiune este la început mare din cauza propagării relativ lente a stării de conducţie,
după care scade până la valoarea sa staţionară, comportarea fiind similară unei reţele
pasive R-L.
 Dacă saltul are amplitudine mică, rolul principal îl are acumularea capacitivă a
purtătorilor de sarcină, căderea de tensiune creste lent până la valoarea staţionară, iar
comportarea este similară unei reţele pasive R-C.
III-6
________________________________________________________________________
Circuitul de test pentru analiza comutaţiei
directe a diodei este reprezentat în figura 3.5, la
momentul t=0 comutatorul K trecând din poziţia 2 pe
poziţia 1. Schema echivalentă a diodei la comutarea în
conducţie poate fi reprezentată ca în figura 3.6.a, iar
formele de undă pentru trei valori ale saltului de curent
iF =VF/RF sunt arătate în figura 3.6.b. Figura 3.5
Durata procesului tranzitoriu este relativ mică, de ordinul microsecundelor, adică

tfr0,3÷0,7, unde  este timpul de viaţă al purtătorilor minoritari. Acest fenomen poate fi
neglijat în majoritatea cazurilor practice.
A T
Figura 3.6
N
I O
Trecerea diodei în stare de blocare (comutaţia inversă - CI) este legată de evacuarea sarcinii
T
stocate în timpul conducţiei directe, precum şi de încărcarea capacităţii joncţiunii până la
tensiunea inversă. Procesul tranzitoriu va fi deci rezultatul suprapunerii celor două
IC
fenomene. De remarcat că comportarea diodei în acest timp depinde mult de circuitul
exterior. De aceea, definirea mărimilor care caracterizează diodele în procesul de revenire
R
inversă diferă, funcţie de circuitul de măsurare folosit.
 Comutaţia inversă pe sarcină rezistivă
T
Tensiunea variază prin salt de la o valoare care polarizează direct dioda,
E S
determinând curentul direct IF, spre o valoare care polarizează invers dioda, iar în circuitul
exterior nu există decât rezistente de limitare a curenţilor (figura 3.7.a). Pe durata evacuării
sarcinii stocate Qs,
R Qs=IF
joncţiunea rămâne polarizată direct. Curentul invers IRM, prin care se evacuează sarcina
stocată, este definit de circuitul exterior (figura 3.7.b).
(3.10)
Figura 3.7
III-7
________________________________________________________________________
Dioda în conducţie (K închis pe poziţia 1) este parcursă de curentul
EF  vDF EF
IF   (3.11)
RF RF
În momentul t=0 se comută K pe poziţia 2 pentru aplicarea tensiunii inverse de
blocare ER. În timpul cât se evacuează sarcina stocate, ts, curentul invers este constant
ER QS
IRM   (3.12)
RR ts
deci
IF
ts    (3.13)
IRM
În intervalul ts  trr capacitatea inversă Cr a joncţiunii se încarcă, tensiunea inversă pe

joncţiune crescând până la valoarea ER, iar curentul tinzând spre valoarea staţionară IR.
Qrr  Qs   iRdt
trr T
Sarcina electrică totală evacuată prin curent invers (sarcina de revenire) este:
A (3.14)
ts
N
 Comutaţia inversă pe sarcină inductivă
I O
Deoarece în circuitele de utilizare există practic totdeauna inductanţe, care nu permit
T
obţinerea formelor de undă din fig.3.7.b, circuitele de test folosite în practică au o
inductanţă L în locul rezistentei RR. La comutarea lui K pe poziţia 2 curentul scade liniar cu
panta:
di

VR
IC
dt
T R L
Deoarece o parte din sarcina stocată dispare prin recombinare în timpul
(3.15)
scăderii curentului de la valoarea staţionară de conducţie IFM la zero, sarcina de revenire Qrr
E S
depinde atât de IFM cât şi de panta de scădere a curentului (relaţia 3.15). In figura 3.8 sunt
prezentate formele de undă ale curentului şi tensiunii pe diodă. Timpul de revenire inversă
trr este definit ca fiind intervalul temporal dintre trecerea prin zero a curentului şi intersecţia
R
cu axa absciselor a dreptei ce trece prin punctele IR1=0,9IRM si IR2=0,25IRM.
Figura 3.8
III-8
________________________________________________________________________
Fenomenul de revenire inversă afectează performanţelor circuitelor cu diode
redresoare de putere determinând apariţia de supratensiuni VRM şi disiparea în procesul de
revenire a puterii Prr. Puterea disipată Prr apare în principal în intervalul trr  ts, deoarece pe
durata ts căderea de tensiune pe diodă este mică.
Circuitul echivalent al diodei pe intervalul de revenire inversă poate fi reprezentat ca
în figura 3.9. Capacitatea Cr şi rezistenţa Rr sunt dependente de tensiunea inversă
instantanee, aşa încât procesul de blocare este dificil de descris analitic. Se poate observa că
după evacuarea sarcinii stocate (în model este utilizat comutatorul K(ts) care se deschide cu
întârzierea ts faţă de momentul de închidere a comutatorului K la t=0) apare un circuit
oscilant care poate fi amortizat sau nu în funcţie de valoarea rezistentei Rr.
A T
Figura 3.9
N
sunt de doua tipuri:
I O
În funcţie de mărimea timpului de revenire inversă diode redresoare de putere cu joncţiune
T
- cu revenire rapidă (diode de comutaţie); diodele rapide au trr şi Qrr mici (trr<2s şi
IC
Qrr<50C), iar intervalul (trr - ts) este mic în comparaţie cu ts. Amortizarea circuitului
echivalent este mică, tensiunea putând avea supracreşteri importante.
- normale; diodele normale, destinate practic utilizării în circuite de alimentare de la
T R
reţeaua de 50 Hz, au valori pentru trr si Qrr care pot fi cu până la un ordin de mărime mai
mari. De asemenea trr este sensibil mai mare decât ts, curentul invers scăzând lent, iar
supracreşterea tensiunii inverse este mult mai mică
E S
În circuitele de redresare se recomandă conectarea în paralel pe fiecare diodă a unui
condensator suplimentar care să reducă supratensiunea la comutarea inversă a acestora.
Neglijând amortizarea introdusă de Rr putem scrie:
R
VRM  ER  IRM 
1
 ER  IRM  L  E R 
2Q s E R
(3.16)
0C r Cr Cr
deoarece, urmărind formele de undă din figura 3.8, se observă imediat că avem:
1
|di/dt|=ER/L=IRM/ts QS   IRM  tS
2
deci:
2QSVR di
IRM   2 QS (3.17)
L dt
III-9
________________________________________________________________________
2QSL 2QS
tS   (3.18)
ER di
dt
Energia acumulată în bobină în momentul comutării după timpul ts este:
1 2
WL( tS)  LI RM  Q s E R (3.19)
2
După stingerea procesului tranzitoriu (i 0, v=VR), rămâne o energie acumulată în

condensator:
1
WCr ( trr )  C r E 2R (3.20)
2
durează practic procesul de comutare, este:

A T
Rezultă că energia disipată în dispozitiv pe intervalul (trr - ts), cât se consideră că
t rr
 t rr
 1 N 1
Wrr  WL ( t s )  WCr  E R  idt  E R  Q s   idt   C r E 2R  E R Q rr  C r E 2R
ts

 ts
IO
 2 2
(3.21)
Obţinem puterea disipată: T


IC 1 
Pr r  fWrr  f  E R Q rr  C r E 2R  (3.22)
unde f este frecvenţa comutărilor. T R  2 
E S
În toate cazurile practice se poate aproxima relaţia 3.22 cu:
Pd ( com )  Prr  fQ rr E R (3.22’)
R
În circuitele de putere diodele trec succesiv din starea de conducţie (pe durata tF) în
starea de blocare (pe durata tR), deci implicit şi prin stările de comutaţie (CD şi CI). În
fiecare dintre aceste stări o parte din energia furnizată de sursa de alimentare este
transformată în căldură în interiorul dispozitivului. Puterea totală disipată de diodă este deci
dată de relaţia:

Pd ( tot )  f  tF iFvFdt  tR iRvRdt  ERQrr  (3.23)
Primul termen este puterea disipată în conducţie directă:
Pd(cond)=VT0IF(AV)+rTI2F(RMS) (3.24)
Dacă se introduce factorul de formă al curentului kf=IF(RMS)/IF(AV) relaţia 3.24 se

scrie:
III-10
________________________________________________________________________
Pd(cond)  VT0IFAV  k f2 rT I 2F(AV) (3.25)
Se observă că pentru o valoare dată a

puterii disipate, curentul mediu admisibil prin
diodă depinde de factorul de formă care variază
între 1 (conducţie de curent continuu) şi o
valoare supraunitară, calculabilă pentru orice
formă de undă (sinusoidală redresată monofazat
monoalternanţă, când kf=/2=1,57, respectiv
pulsatorie cu durata de conducţie dată c - figura
3.10).
Puterea disipată în blocare are valoarea
maximă dată de: Figura 3.10
Pd ( bl )  VRWM  IR  f  t R
A T (3.26)
N
unde VRWM este tensiunea maximă repetitivă de lucru pentru diodă.
De regulă PR(bl)<<Pd(cond) , în general neglijându-se acest termen.
3.4. Aplicaţii
I O
Aplicaţia 3.1
T
Să se determine raportul curenţilor medii redresaţi, cel obţinut considerând
IC
fenomenul comutaţiei la cel ideal, care defineşte practic eficientei redresării. Se consideră
un redresor monofazat monoalternanţă realizat cu o diodă având Qrr =10C, alimentat de la
doua cazuri: a) f=50Hz b) f=5kHz.

T R
o tensiune sinusoidală u=10sin(2ft) şi având o sarcină rezistivă R=10. Se vor analiza
E S
R
Figura 3.11
Rezolvare
Schema de redresare monofazată monoalternanţă este prezentată în figura 3.11.a, iar
formele de undă în figura 3.11.b.
Curentul redresat mediu este:
Id=f(QF-Qrr)
iar curentul redresat mediu ideal (obţinut dacă n-ar exista procesul de comutaţie inversă)
este:
I0=fQF =U/R=0,318A
Rezultă relaţia pentru eficienţa redresării:
III-11
________________________________________________________________________
Id QF  Qrr Qrr
 1 f 
I0 QF I0
Se observă din examinarea relaţiilor de mai sus că puterea disipată în comutaţie şi

eficienţa redresării cresc odată cu creşterea sarcinii de revenire, dar şi cu creşterea
frecvenţei. Se impune deci o valoare maximă a frecventei la care un anumit tip de diodă
mai pot fi folosită în mod raţional. De exemplu, dacă admitem pentru eficienţa redresării o
valoare de 0,9, rezultă că dioda poate fi folosită eficient până la o frecventă maximă:
I0 10
fM  0,1   0,1   3,18kHz
Qrr   10  10  10 6
În consecinţă la frecvenţa reţelei avem practic o eficienţă a redresării practic unitară

(egală cu 0,9843), iar la frecvenţa de 5kHz se obţine valoarea 0,843.
O relaţie mai restrictivă pentru determinarea frecvenţei maxime de lucru eficient
din puterea disipată totală, de exemplu 20%. Rezultă:

A T
pentru o diodă se poate obţine din condiţia ca puterea disipată in comutaţii să fie un procent
fM 
0,2  Pd ( tot )
VRWM  Q rr N
I O
T
Dacă diodă are VRWM=30V (suficienta pentru aplicaţia de redresare analizată, unde
tensiune inversă de lucru care apare este 10V) şi Pd(tot)=1W (fară radiator), obţinem
IC
fM=0.67kHz. Puterea disipată în conducţie, conform relaţiilor din aplicaţia 2.2, este:
Pd(cond)=0,70,318+1,570,1(0,318)2 =0,223+0,0250,25W
dacă VT0=0,7V şi rT=0,1.
Aplicaţia 3.2 T R
E S
Pentru implementarea unui redresor trifazat cu punct median (figura 3.12.a) se
folosesc diode rapide: tri=100ns, trr ≈ ts=1μs, (tri fiind timpul intrinsec de creştere a
curentului prin diodă). Se defineşte timpul de comutare a diodei ca fiind tc=tri+trr=1,1μs.
R
Amplitudinea tensiunii din secundarele transformatorului este U=100 3 V (f=50
kHz), iar sarcina este puternic inductiva (I=10A=const.). Formele de undă ale curenţilor
prin diode sunt reprezentate în figura 3.12.b, în situaţiile:
a) diodele sunt ideale (tc=0) şi Lc=0;
b) diodele au parametrii de comutaţie precizaţi, iar inductanţa de comutaţie (cuprinzând
inductanţa de scăpări, a firelor de legătură etc.) este neglijabilă (Lc=0);
Să se determine inductanţa de comutaţie minimă din secundare (eventual artificial
introdusă) care dictează timpii de comutaţie.
Rezolvare.
În cazul când diodele sunt ideale şi inductanţa de comutaţie este neglijabilă, diodele
preiau prin salt curentul, una de la cealaltă. Intervalele de conducţie ale unei diode
corespund cu intervalele în care tensiunea fazei corespunzătoare este mai mare decât
tensiunile fazelor care se aplică în anodul celorlalte diode. Pe o perioadă a reţelei,
T=1/f=20s, intervalul de conducţie este T/3= 6,67s.
III-12
________________________________________________________________________
Pentru ca timpul de comutare să fie dictat de inductanţa de comutaţie este necesar ca
t *c  t *ri > t ri .
……
Figura 3.12.a
A T
Figura 3.12.b
N
Pe intervalul t *ri când conduc două diode, de exemplu D1 şi D2, notând tensiunea ud
O
pe sarcină cu udc şi considerând originea timpului in momentul când u1=u2, putem scrie:
I
   
T
u1 = U cos  +  , u 2 = U cos  -  ,  =  t
 3  3
u1 = L c
IC
d i1
+ u dc
T Ru 2 = Lc
dt
d i2
dt
+ u dc
deci
E S i1 + i 2 = I
u1 + u 2 = 1 L d(i1 + i2) + u = 1 dI + u = u
R 2 2
c
dt
dc Lc
2 dt
dc
Prin scăderea relaţiilor, rezultă ecuaţia diferenţială:

dc
d i1 1 
Lc = u1 - u 2  =  U sin sin 
dt 2 3
cu condiţia iniţială:
i1|t = 0 = I
Obţinem soluţia:

U sin
3 (1 - cos )
i1 = I -
 Lc
deci
III-13
________________________________________________________________________

U sin
3 (1 - cos )
i2 =
 Lc
Ţinând cont că:
u1|t = t*c = 0
obţinem
 
1   I 
* 
t c = arccos 1 - L c 
  
 U sin 
 3
Deoarece avem t *c <<T=20ms, putem utiliza pentru curenţii prin diode o
aproximaţie de tip parabolic
 1 2
1 - cos  = 2  sin 2  
2 2
sau liniar
1 - cos       t
A T
N
Pentru o aproximaţie liniară obţinem următoarele expresii ale curenţilor:
U sin

I O
i1 = I -
Lc Lc T
3 t = I - V F t = I - di t
dt
U sin

IC
3 t = V F t = di t
unde:
T R
i2 =
Lc Lc dt
V F = U sin
di
3
E S
 este tensiunea directă pe diodă în momentul comutaţiei;
este panta curentului prin diodă pe durata comutaţiei;
Rezultă:
dt
R t *c =
I
> t ri
di
dt
deci:
di I di
 
dt t ri dt int rin sec
Cu alte cuvinte, inductanţa Lc determină timpii de comutaţie dacă panta echivalentă

de variaţie a curentului (determinată de această inductanţă), este mai mică decât panta de
variaţie intrinsecă a curentului prin dispozitivul semiconductor. Din relaţiile de mai sus
rezultă condiţia
III-14
________________________________________________________________________

t ri  U sin
3 = 0,3 H
Lc >
I
Ţinând cont de această valoare mică obţinută, putem spune că, în general, inductanţa
parazită a circuitului determină durata comutaţiei curentului prin diode.
A T
N
I O
T
IC
T R
E S
R
III-15
Dispozitive Electronice de Putere – Teorie şi Aplicaţii Tranzitoare Bipolare de Putere si Tensiune Mare
____________________________________________________________________________
4. TRANZISTOARE BIPOLARE DE PUTERE ŞI TENSIUNE MARE
Tranzistoarele se folosesc în electronica de putere ca elemente de comutaţie bilaterală

sau ca amplificatoare de putere în circuite de sarcină rezonante. Caracteristicile de lucru sunt
studiate în vederea realizării unuia sau celuilalt dintre scopuri, iar tehnologiile de fabricaţie ale
tranzistoarelor de putere sunt de asemenea orientate fie spre obţinerea unor coeficienţi de
transfer, puteri şi frecvente de tranziţie ridicate (în cazul tranzistoarelor amplificatoare), fie
spre obţinerea unei tensiunii de saturaţie minime, simultan cu o tensiune de susţinere în blocare
maximă şi a unor timpi de tranziţie scăzuţi (în cazul tranzistoarelor de comutaţie). Realizările
tehnologice privind integrarea funcţională a permis obţinerea unor structuri evoluate de
comutatoare electronice care au la bază tranzistorul bipolar:
- tranzistoare cu amplificator integrat (Darlington) şi cu diode de protecţie integrate,
conectate în circuitul de intrare sau ieşire;
T
- biMOS, structura mixta MOS – bipolar care speculează în mod favorabil posibilită‘ile de
A
comandă facilă pentru MOS cu avantajele unui comutator de putere cu tranzistor bipolar;
- IGBT etc.
N
Pe piaţa dispozitivelor de putere există tranzistoare bipolare care pot susţine tensiuni în
I O
blocare de ordinul kilovolţilor (tipul HVT), respectiv tranzistoare care pot conduce curenţi de
de ordinul sutelor de amperi. Prin grupări serie-paralel se obţin comutatoare electronice ce pot
comuta puteri de ordinul sutelor de kilowaţi.
T
IC
Caracteristica statică principală a unui tranzistor bipolar de putere la tensiuni vCE mici
R
este reprezentată în planul iC-vCE, având ca parametru curentul de bază iB (figura 4.1.a).
T
E S
R
Figura 4.1.a
IV-1
____________________________________________________________________________
Regimul saturat al tranzistorului corespunde cu situarea punctului de funcţionare pe

linia critică (LC). Panta liniei critice mai este uneori notată prin G(sat) sau prin inversul acesteia
R(sat)=1/G(sat) =VCE(sat)/IC.
Definiţia pentru tensiunii de saturaţie VCE(sat) are mai multe formulări, cel mai frecvent
fiind definită pentru un anumit raport între curentul de colector şi de bază (de exemplu
IC/IB=10). Prezintă interes caracteristica de transfer care ilustrează dependenţa între factorul de
câstig în curent h21E (sau ) şi curentul de colector, la o tensiune VCE care situează punctele de
funcţionare în zona activă (figura 4.1.b):
iC=h21EiB
A T
N
I O
T
IC
Figura 4.1.b

R
Tranzistorul bipolar de putere şi tensiune mare (HVT)
T
Elementele constructive ale unui HVT în capsula SOT 186F sunt prezentate în figura
S
4.2, iar o secţiune transversală printr-un cip de HVT este dată în figura 4.3.
E
R
Figura 4.2
IV-2
____________________________________________________________________________
Figura 4.3
A T
Grosimea stratului n- determină valoarea maximă a tensiunii colector emitor susţinută
în blocare. Pentru a menţine această valoare se face o pasivizare a cip-ului cu sticlă specială
(figura 4.3). Structura HVT se poate obţine tehnologic în mai multe moduri prin tehnologiile
"planare".
N
Un HVT şi un tranzistor de tensiune mică diferă prin grosimea stratului n-, care
I O
determină şi alţi parametri electrici ai tranzistorului (vezi figura 4.4, unde ts este timpul de
stocare în bază a purtătorilor minoritari, iar tf este timpul de cădere a curentului de colector în
procesul de comutaţie inversă).
T
Valoarea tensiunii maxime susţinute în blocare depinde de profilul concentraţiei de
IC
purtători (figura 4.5). Dacă curentul de colector creşte, tensiunea vCE scade şi câmpul electric
poate atinge valoarea critică (Ecrit) pentru care se declanşează fenomenul de multiplicare în
T R
avalanşă (figura 4.6). La o tensiune vCE mică (aproximativ VCE=30V) golurile produse prin
multiplicare în avalanşă stabilizează temporar acest proces, dacă curentul de colector are o
valoare mică. La un curent de colector mare, structura în cel mult o microsecundă se distinge
termic.
E S
R
Figura 4.4
IV-3
____________________________________________________________________________
Figura 4.5

T
Figura 4.6
A
N
În planul iC-vCE conturul care corespunde valorilor limită admisibile ale curentului de
colector iC, tensiunii colector-emitor vCE şi puterii disipate închide o arie denumită “arie de
funcţionare sigură (AFS)” (figura 4.7.a).
I O
T
IC
T R
E S
R
Figura 4.7.a Figura 4.7.b
În general, curentul limită Ic max este impus de pierderile rezistive în porţiunile interne
ale conductoarelor de legătură la electrozi şi în suduri.
Limita de putere maximă disipată PdM este astfel stabilită încât la o temperatură dată
(a=25°C) a părţii metalice care vine în contact termic cu schimbătorul de căldură, temperatura
joncţiunii colector-bază să nu depăşească valoarea maximă admisă pentru siliciu (150200°C):
jM  a
PdM 
Rth jc
Se consideră tranzistoare de putere cele care au Rth jc15K/W.

IV-4
____________________________________________________________________________
 Limita superioară a tensiunii colector-emitor

VCEM este determinată de profilul de impurităţi a
joncţiunii colector-bază şi corespunde cu apariţia
fenomenului de multiplicare în avalanşă a
purtătorilor de sarcină în joncţiunea polarizată
invers. Tensiunea la care apare această
străpungere, denumită şi străpungere primară,
depinde şi de mecanismul injecţiei purtătorilor în
bază, deci de modul de conectare a bazei la
circuitul electric de comandă (vezi figura 4.7.b şi
figura 4.8), definindu-se: Figura 4.8
 VCE0 - cu baza în gol;
 VCER - cu baza conectată la emitor printr-o rezistentă;


VCES - cu baza conectată în scurtcircuit la emitor;
VCEX - cu baza polarizată invers.
Avem:
A T
VCE0<VCER<VCESVCEXVCB0
N
I O
O altă limitare superioară a tensiunii susţinute de tranzistor în zona activă, apare din
cauza fenomenului de concentrare a curentului ca urmare a eomogenităţilor în distribuţia
T
impurităţilor sau a neuniformităţilor profilului joncţiunii. Datorită acestui fenomen, tranzistorul
se poate distruge chiar la o putere disipată mai mică decât cea admisibilă. Fenomenul, denumit
IC
străpungere secundară, se produce în polarizare directă şi apare mai frecvent la tensiuni mari de
colector. Locul punctelor din planul iC-vCE care corespunde străpungerii secundare nu poate fi
T R
precizat printr-o linie caracteristică, deoarece fenomenul are un caracter statistic. Delimitarea
zonei de funcţionare sigură se face prin trasarea unei curbe de separare între zona în care poate
apărea străpungerea secundară şi cea în care apariţia străpungerii secundare are o probabilitate
forma (figura 4.8):
E S
acceptabil de mică (de regulă sub 1%). Această curbă este descrisă printr-o relaţie empirică de
R n
i c    v CE
în care  şi n sunt determinaţi valoric de tehnologia de fabricaţie utilizată.

(4.1)
În regim de impulsuri puterea instantanee disipată poate fi mai mare deoarece în timpul
impulsului temperatura joncţiunii nu ajunge la valoare maximă de regim permanent, iar în
pauza dintre impulsuri joncţiunea se răceşte.

Pentru un tranzistor în conducţie se pot distinge trei zone în care se acumulează sarcina
electrica ( figura 4.9). Sarcina Qb localizată în regiunea bazei este esenţială pentru conducţia
curentului de colector. Sarcina Qc localizată în zona colectorului, din dreptul emitorului,
determină o rezistenţă scăzută pentru colector, deci o tensiune colector-emitor scăzută. Sarcina
Qd este localizată în zona colectorului în dreptul contactului de bază. Pentru o valoare fixată a
IV-5
____________________________________________________________________________
curentului de colector valoarea sarcinilor Qb, Qc şi Qd depinde de tensiunea colector-emitor

(figura 4.10).
Figura 4.9
A T
Figura 4.10
N
I O
T
IC
T R
E S
R
Figura 4.11
Blocarea tranzistorului prin aplicarea unui curent de baza negativ se face în patru
etape, în care se evacuează sarcinile Qb, Qc şi Qd; durata primelor două etape determină timpul
de stocare ts, iar celelalte determină timpul de cădere al curentului de colector tf (figura 4.11).
Sarcina rămasă Qr este evacuată prin curent invers de bază în procesul de blocare a joncţiunii
bază-colector. Rezistenţa bazei Rb (în creştere în etapa c) determină prin curentul invers de
bază o tensiune negativă bază-emitor.
IV-6
____________________________________________________________________________
Pentru condiţii normale de comandă se obţine pentru VCEsat o valoare satisfăcătoare

(punctul N în figura 4.10), obţinându-se valori moderate pentru Qc şi Qd . Când se aplică un
curent de bază mai mare tranzistorul se saturează profund, valoarea sarcinilor Qc şi Qd,
crescând (punctul O - overdriven - în figura 4.10). Dacă se aplică o reţea pentru desaturarea
tranzistorului (punctul D în figura 4.10) valoarea timpului de stocare şi cădere scade. În acest
caz la saturaţie incipienta avem ( figura 4.12) VCEsat = V D1 + V BE - VD 3 , supracurentul de
comandă fiind preluat de dioda D3 . Dioda D2 asigură calea de evacuare a sarcinii stocate, iar
dioda D1 fixează pragul saturaţiei incipiente (eventual pot fi utilizate două diode în serie).
A T
N
Figura 4.12
I O Figura 4.13
T
În cazul configuraţiei Darlington (figura 4.13), ţinând cont de faptul că joncţiunile (BE
IC
şi BC) tranzistorului T1 joaca rolul diodelor D2 şi D3, tranzistorul de forţa T2 nu se va satura
profund, indiferent cât este valoarea curentului de comandă.
T R
Comutaţia tranzistorului din blocare în conducţie (comutaţia directă - CD), respectiv
invers (comutaţia inversa - CI), se face într-un timp determinat în principal de circuitul de
comandă.
 Circuite de comandă
4.14.
S
Circuitele de bază pentru comanda tranzistorului bipolar sunt reprezentate în figura
E
curentului de comanda iB. R
Se remarcă existenţa în fiecare circuit a rezistenţei RB care limitează valoarea
În cazul unei comenzi cu forţarea curentului de baza prin circuitul de accelerare (RB în
paralel cu CB - figura 4.15.a) puterea disipata la CD este mai mică decât în cazul unei comenzi
simple, printr-o rezistenţa RB (figura 4.15.b).
La comutarea inversă, din momentul t0 al aplicării tensiunii inverse de comandă se pot
evidenţia timpii:
- t 0 - t1 = ts ; pe durata căruia tranzistorul rămâne saturat;
- t 2 ; când iE=0 şi vBE devine negativă;
- t 3 ; când iC = 0;
- t 3 - t1 = t f ; timpul de cădere pentru iC.
Formele de undă la CI pentru circuitele de comandă din figura 4.14 sunt reprezentate in
figurile 4.16.ac.
IV-7
____________________________________________________________________________
A T
N
I O
T
Figura 4.14
IC
T R
E S
R
Figura 4.15
IV-8
____________________________________________________________________________
Figura 4.16.a
A T
Figura 4.16.b
N
I O
T
IC
T R
Figura 4.16.cE S Figura 4.17
R
În figura 4.17 se prezintă efectul măririi tensiunii aplicate pentru blocare ER asupra
performanţelor de comutare inversă a circuitului din figura 4.14.b (vezi pentru comparaţie
figura 4.16.b).
Circuitul de accelerare RBCB (figura 4.14.a) este utilizat uzual pentru comanda
tranzistoarelor având tensiuni VCEmax mici. În general se urmăreste ca IBRM = ICmax/2.
Puterea disipată scade dacă nu se utilizează condensatorul de accelerare CB (figura
4.14.b), crescând însă timpul de comutaţie inversă, sau dacă se măreşte tensiunea inversă
aplicata (figura 4.17), fără însă a se depăşi tensiunea de străpungere a joncţiunii BE, V(BR)EB0.
Se remarcă însă o creştere a timpului total de comutare inversă şi în această ultimă situaţie.
Pentru tranzistoare HVT funcţionarea joncţiunii BE în străpungere nu are efecte
distructive, dacă nu se depăşesc parametri I BR ( AV ) şi I BR (max) daţi în catalog (la comutarea
inversă se utilizează o bobina LB în serie cu rezistenţa RB din bază - figura 4.14.c).
Evident, urmărind figurile 4.16.ac, au loc relaţiile:
IV-9
____________________________________________________________________________
PdCI( 36 a) > PdCI( 36 b) > PdCI( 37 ) > PdCI( 36 c)
tf ( 36 a) > tf ( 36 b) > tf ( 37 ) > tf ( 36 c)
t s( 36 a) < t s( 36 b) < t s( 36 c)
Valoarea optimă a inductanţei LB se determină, în general, experimental. O estimaţie

bună, aplicabilă în practică, este dată de relaţia:
ER + VBEsat
LB =
diB
dt
unde:
- E R este tensiunea negativa de comanda;
- V BEsat  1V ;
A T
-
d iB
 0,5  I C [A / s] , pentru un HVT cu VCE0  400V , VCEx  800V ; N
-
dt
d iB
 0,15  I C [ A / s] , pentru un HVT cu VCE0  700V , VCEx  1500V ;
I O
dt
T
IC
Timpul de stocare poate fi estimat cu relaţia :
T R ts =
 I BRM 

 I BF
+
+ 1 L B

E R V BEsat
E S
unde, în practică, se consideră uzual:
I BRM = 1  3
R IBF
Deoarece avem E R = 2  5 V, o valoare mică pentru ts se obţine considerând o valoare

1
mică pentru inductanţa LB. În acest caz însă energia înmagazinată de bobină ( LB I2BRM ) este
2
insuficientă pentru a menţine joncţiunea BE în străpungere. în figurile 4.18 şi 4.19 sunt
prezentate două circuite care rezolvă această problemă: fie prin şuntarea rezistenţei de pierderi
RB cu o diodă la CI, fie prin mărirea tensiunii inverse aplicate cu tensiunea suplimentară V3
(se poate utiliza în locul rezistenţei R3 o dioda Zener care să fixeze această tensiune
suplimentară).
IV-10
____________________________________________________________________________
Figura 4.18
A T
N
Figura 4.19
I O
T
IC
T R
E S
R Figura 4.20
Circuitul optim de comandă este prezentat în figura 4.20. În practică, pentru a obţine rezultate
bune, nu sunt necesare, uneori, toate componentele din circuitul de comandă. Astfel, în
circuitele în care rata de creştere a curentului de colector este limitată (printr-o inductanţă
aflată în circuitul de colector), reţeaua R1  C1  D1 poate lipsi, fără a creste excesiv PdCD. În
circuitele în care LB este suficient de mare reţeaua R 3  C3 poate lipsi (vezi circuitele de
deflexie orizontală). Pentru evitarea oscilaţiilor se poate utiliza un rezistor balast R4.
 Modelarea procesele de comutaţie

Aşa cum deja s-a evidenţiat, intrarea în conducţie şi blocarea tranzistorului (în circuitul de
sarcină) se produc cu întârziere fată de comutarea în conducţie, respectiv blocarea circuitului
de intrare. Aceste întârzieri sunt determinate de procesele de deplasare, stocare si recombinare
IV-11
____________________________________________________________________________
a purtătorilor de sarcină în regiunea bazei şi în joncţiunea bază-colector.

Intervalul de timp dintre apariţia treptei de curent în bază şi atingerea valorii staţionare a
curentului de colector se numeşte timp de comutaţie directă ton, iar timpul dintre inversarea
curentului de bază şi anularea curentului de colector se numeşte timp de comutaţie inversă toff.
Fiecare dintre aceste intervale este constituit dintr-o întârziere propriu-zisă (td, respectiv ts) şi
un timp de creştere (tr), respectiv scădere (tf) a curentului de colector:
ton=td+tr
toff=ts+tf
Duratele corespunzătoare întârzierilor td, respectiv ts, se măsoară între momentele când
mărimile de intrare şi de ieşire ating valoarea de 10% din cea de palier (pentru td), respectiv
90% din palier (pentru ts). Duratele tr şi tf ale fronturilor mărimii de ieşire se consideră între
momentele când mărimea atinge 10%, respectiv 90% din valoarea maximă (figura 4.21).
A T
N
I O
T
IC
Figura 4.21
T R Figura 4.22
E S
Dacă sarcina pe care comută tranzistorul are caracter pur rezistiv (figura 4.22) pe
intervalul de întârziere td tranzistorul rămâne blocat, procesul de comutare desfăşurându-se pe
porţiunea de creştere a curentului tr. Modelând liniar creşterea curentului de colector, avem:
R i C  I CM
t
tr
, t(0,tr)
deci tensiune colector-emitor este:
t
v CE  VCC  R C i C  VCC  R C I CM
tr
Dacă tranzistorul este adus până la saturaţie se poate aproxima:
R C I CM  VCC  VCEsat  VCC

deci
IV-12
____________________________________________________________________________
 t 
v CE  VCC 1  
 tr 
Energia disipată în tranzistor la trecerea din blocare în saturaţie este:
tr
1
Wdr   i C v CE dt  I CM VCC t r (4.2)
0 6
La trecerea din saturaţie în blocare pe durata timpului de stocare ts, tranzistorul se mai
află în conducţie (vCE=VCEsat) procesul de blocare desfăşurându-se doar pe porţiunea de cădere
curentului, tf.
Analog, aproximând liniar, avem:
 t 
i C  I CM  1 

v CE  VCC

t f 
t
A T
deci
tf
N
tf
Wdf   i C v CE dt 
1
I O
I CM VCC t f (4.3)
0 6
T
IC
Rezultă puterea medie disipată în comutaţiile din blocare în saturaţie şi invers, pe
sarcină pur rezistivă, dacă frecvenţa comutărilor este f:
T R f
Pd ( com )  f Wdr  Wdf   I CM VCC ( t r  t f )
6
(4.4)
E S
Dacă sarcina pe care o comută
tranzistorul are caracter inductiv, trebuie
R
urmărit modul în care se desfăşoară procesul
de trecere de la starea de blocare la starea de
saturaţie şi invers, deoarece de traiectoria pe
care o descrie punctul de funcţionare în planul
caracteristicilor depind atât puterea disipată de
tranzistor cât şi protecţia sa în raport cu
străpungerea secundară. Schema de test care
serveşte pentru trasarea acestei traiectorii este
reprezentată în figura 4.23.
Figura 4.23
Prin închiderea contactului K1, acţionat periodic cu frecvenţa f, tranzistorul este adus la
saturaţie şi după timpul td punctul de funcţionare începe să se deplaseze pe o caracteristică
dinamică, ce corespunde caracterului sarcinii (rezistiv – marcată cu săgeţi punctate, respectiv
inductiv - marcată cu săgeţi continue), spre saturaţie (figura 4.24).
IV-13
____________________________________________________________________________
Figura 4.24
A T
N
Dacă RL şi Rs (rezistorul şunt) sunt mici se poate considera că prin intrarea în conducţie
punctul figurativ sare din A în B, după care urmează o creştere aproximativ liniară a curentului
pe linia critică (LC).
I O
Din momentul deschiderii lui K1, după scurgerea timpului de stocare, punctul figurativ
T
descrie, la curent aproape constant, deplasarea până la caracteristica de străpungere primară
corespunzătoare poziţiei comutatorului K2: 1-V(BR)CEX , 2-V(BR)CE0, 3-V(BR)CER. Pe această
IC
caracteristică are loc descărcarea energiei acumulate în bobina de sarcină L, până se ajunge în
punctul de blocare (VCC, ICO).
 1 2  T R 
În cazul unei sarcini puternic inductive 
L
 R L  RS

 t r  , dacă energia acumulată în

E S
bobină la sfârşitul încărcării  WL  LI CM
2
 este suficient de mare, punctul figurativ parcurge

traiectoria închisă A-B-C-D’-E-A. Formele de undă ale curentului şi tensiunii vor avea aspectul
din fig. 4.25.
R
Este evidentă relaţia:
di C VCC I CM VCC t p
   I CM  (4.5)
dt L tp L
unde tp este durata impulsului curentului din bază.

În cazul când RL şi RS nu sunt neglijabile o parte din energia acumulată se disipă în
rezistenţele din circuit şi din locul traiectoriei C-D’ este parcursă porţiunea curbilinie A-C-D-
E-A.
Din figura 4.25 şi din modul cum este parcursă caracteristica dinamică (segmentele
C-D şi D’-E), se observă că relaţia de similitudine între curent şi tensiune nu se mai respectă la
sarcina inductivă. În timpul de creştere trv tensiunea colector-emitor creşte până la valoarea de
vârf VCEM, practic la curentul constant ICM, după care curentul de colector scade sub tensiunea
de constantă VCEM în timpul de cădere al curentului tfi. Suma trv+tfi=tc reprezintă timpul de
IV-14
____________________________________________________________________________
comutare pe sarcină inductivă. Acceptând şi acum aproximările liniare pentru creşterea

tensiunii şi scăderea curentului, energia disipată pe dispozitiv la comutarea în blocare este dată
de relaţia:
t rv
1
Wrv  I CM  v CE dt  I CM VCEM t rv (4.6)
0 2
t fi
1
Wfi  VCEM  i C dt  I CM VCEM t fi (4.7)
0 2
iar puterea medie disipată în comutaţii, la o frecvenţă f a comutărilor, este:
f
Pd ( com ) 
2
I CM VCEM t C
unde VCEM este una dintre tensiunile de străpungere primare VCE0, VCER sau VCEX.
A T (4.8)
N
I O
T
IC
T R
E S
R
Figura 4.25
Durata de cădere a curentului de colector tfi este determinată de circuit:
LI CM
t fi  (4.9)
VCEM  VCC
Energia disipată în dispozitiv se exprimă în raport cu cea acumulată în bobină prin relaţia
(4.7’), obţinută prin introducerea în relaţia 4.7 a valorii tfi din 4.9:
IV-15
____________________________________________________________________________
1 2 VCEM
Wfi  LI CM (4.7’)
2 VCEM  VCC
De obicei, în circuitele de test Vcc<<VCEM, deci expresia 4.7’ reprezintă o energie

apropiată de cea existentă în bobină la începutul comutării.
Dacă se limitează tensiunea de comutare, printr-un
circuit exterior adecvat, la o valoare inferioară tensiunii de
străpungere primară, atunci timpul tfi este un timp intrinsec
(specific fiecărui tranzistor) şi figurează în datele de
catalog.
Majoritatea circuitelor de utilizare se realizează cu
limitarea tensiunii de comutare. Pentru determinarea
timpilor intrinseci trv, tfi, respectiv tc, schema din fig. 4.23
se completează ca în figura 4.26 cu dioda D şi sursa de
tensiune de limitare Vlim.
A T
Figura 4.26
La comutarea în conducţie, tensiunea scade de la tensiunea de alimentare VCC la o tensiune
redusă (VCEsat) sub un curent practic nul (ICE0), astfel încât pierderile de putere sunt practic
N
neglijabile faţă de cele date de relaţia 4.8’, în care tensiunea colector-emitor este limitată:
f
Pd ( com )  I CM Vlim t C
2
I O (4.8’)
Reducerea în continuare a pierderilor în comutaţii se face prin intermediul unor circuite
T
(C, R-C sau D-C-R) destinate reducerii tensiunii pe dispozitiv pe timpul de scădere a
IC
curentului.
T R
E S
R Figura 4.27
De exemplu, prima străpungere poate fi evitată conectând o diodă antiparalel cu inductanţa

sarcinii pentru a limita vCE la valoarea Vlim=VCC+VD. Schema prezintă dezavantajul disipării pe
diodă a energiei acumulate în bobina L (figura 4.27.a). Energia astfel pierdută poate scădea
dacă se înlocuieşte dioda cu un grup diodă-diodă Zener cu VDz >VCC (figura 4.27.b).
Altă soluţie constă în conectarea unui grup RC în paralel cu sarcina utilă R+jL, având
C=L/R2. Astfel rezultă o impedanţa totală pur rezistivă (ZS=R) şi dispare riscul străpungerii.
Curentul iL prin sarcina utilă este însă departe de a mai fi dreptunghiular (figura 4.27.c).
Practic comutaţia în sarcină are loc mult mai lent, dar nu şi în tranzistor.
O reducere cu aproximativ un ordin de mărime a puterii de comutaţie, faţă de cea dată de
relaţia 4.8’ (cu Vlim= VCC+VD), este posibilă folosind circuitul din figura 4.27.d completat cu o
diodă de nul D0 (figura 4.28).
IV-16
____________________________________________________________________________
Curentul sarcinii puternic inductive, practic constant pe durata tfi, se divide între tranzistor (ic)
şi condensator (icond), astfel:
 t  t
i c  I CM 1   , i cond  I CM (4.10)
 t fi  t fi
deci
1 t I t2
u cond   i cond dt  CM , u cond (0)  0 (4.11)
C0 2Ct fi
Dacă se admite că la t=tfi avem ucond=VCC+VD0VCC, rezultă:
I CM t fi
C (4.12)
2 VCC
Tensiunea pe condensator se scrie deci sub forma:
 t 
u cond  VCC    v CE
2
A T (4.13’)
 t fi 
N
Rezultă puterea medie disipată în comutaţii:
I O
T
2
t fi t fi
 t   t  f 1
P  f  i c v CE dt  f  I CM 1 
*
fi  VCC   dt  I CM VCC t fi  Pfi (4.14)
 t fi   t fi 12 6
IC
0 0 
Pe durata tsB tranzistorul se comportă cu şi în saturaţie, cu pierderi de putere minime. În
T R
schimb tsB este o durată minimă sub care timpul se conducţie nu mai poate fi scăzut, ceea ce
reduce din performanţele convertoarelor destinate să lucreze cu o durată de conducţie reglabilă.
E S
R
IV-17
____________________________________________________________________________
Reducerea ratei de creştere a tensiunii vCE la CI cu ajutorul unei reţele R-C-D (figura
4.28), numită reţea snubber, determină în concluzie şi o scădere a puterii Pd(com), deci evitarea
străpungerii secundare. Se recomandă o rată de creştere a tensiunii vCE dată de relaţia:
dv CE f [kHz]
= [kV/s]
dt 25
Uneori pierderile în reţeaua snubber pot fi considerabile şi deci se pune problema
recuperării energiei acumulate de condensator. Pentru o protecţie maximă a tranzistorului se
conectează în colector diverse reţele de protecţie (figura 4.29). Reţeaua D5 - R 5 - C5 formează
un detector de vârf pentru limitarea vârfurilor de tensiune vCE. Inductanţa L6 reduce rata de
creştere a curentului iC, care poate fi foarte mare pentru tranzistoare care comandă
transformatoare de putere, micşorând Pd(CD). Energia înmagazinată de L6 este disipată de
circuitul R6-D6 pe durata când tranzistorul este blocat.
Înfăşurarea secundară bobinată în opoziţie faţa de cea primara, împreuna cu D7, are rol
când D7 conduce.
A T
în recuperarea energiei înmagazinate de transformator. Creşte însă şi tensiunea vCE pe durata
4.4. Aplicaţii
Aplicaţia 4.1 N
I O
Pentru circuitul din figura 4.30 se consideră pe durata intervalelor de comutare directă
( t r ), respectiv inversă ( tf ), o variaţie liniară a curentului de colector prin tranzistor. Semnalul
T
de intrare, care comută tranzistorul din blocare în saturaţie şi invers, are frecvenţa f şi factorul
de umplere  = t1 /T . Să se calculeze puterea medie disipată de tranzistor în comutaţie, în
blocarea şi în saturaţie.
Exemplu numeric: IC
T R
E = 100V , R = 10 , t r = 1 , t f = 2 s ,  = 1/2 , f = 10 KHz , respectiv f = 50KHz .
Se neglijează timpul de stocare, iar tranzistorul are parametri:
S
- curentul de colector in blocare IC 0 = 1 mA ;
- tensiunea colector-emitor la saturaţie VC ES = 1V .
E
R
IV-18
____________________________________________________________________________
Rezolvare
Expresiile pentru curentul de colector şi tensiunea colector-emitor sunt urmatoarele
(figura 4.31):
 t
I CS t , t  [0, t r ]; comutare directa (CD)
 r
 VCC  VCEs
I CS  , t  [ t r , t 1 ]; saturatie (S)
iC (t)   R
  tt 
I CS 1  1
 , t  [ t 1 , t 1  t f ]; comutare inversa (CI )
  t f 
I , t  [ t r  t f , t 1  t 2 ]; blocare ( B)
 C0
  t 
VCE 0 1   , t  [0, t r ] ; CD

V
v CE ( t )   CEs

V t  t 1
t r 
,
, t [t r , t 1 ] ; S
t  [ t 1 , t 1  t f ] ; CI A T
 CE 0 t
 f
VCE 0  VCC  RI C 0 , N
t [t 1  t f , t 1  t 2 ] ; B
Energia disipată în timpul comutaţiei (CD si CI) este: I O

T
IC
tr t1 + t f
W com = W C D + W C I =  vC E (t) iC (t) dt +  vC E (t) iC (t) dt
0 t1
tr
=  t r ICS 
0
t
tr
 t
R tf
 V C E 0 1 -  dt +  u CE ( t + t1)  iC (t + t1) d(t + t1) =
T
 tr  0
S  t
tf
1 t
= IC S VC E 0  t r +  IC S 1 -  VC E 0  dt =
6  tf  tf
E
0
2
1 1 V CC - VC E S 1 VCC
= IC S V C E 0 ( t f + t r ) = (VCC - R I C0 )  ( t r + t f )  (t r + tf )
6
R 6 R
Energiile disipate în blocare, respectiv la saturaţie sunt:

6 R
t1 + t 2
W bl =  IC E 0 VC E 0 dt = IC 0 VC E 0 ( t 2 - t f ) =
t1 + t f
= IC 0  ( VCC - R IC 0)  ( t 2 - tf )  VCC IC 0 ( t 2 - tf )
respectiv
IV-19
____________________________________________________________________________
t1
VCC - VC Es  VCC VCEs ( - )
Wsat  ICS VCEs dt =
= VCEs ( t1 - t r )  t1 t r
tr
R R
Tinând cont că
P=f W
obţinem pentru f = 10KHz :
Pd ( com ) = 5W, Pd ( bl ) = 0,048 W, Pd ( sat ) = 4,9 W ,
respectiv, pentru f = 50KHz :
Pd ( com ) = 25 W, Pd ( bl ) = 0,04W , Pd ( sat ) = 4,5 W
Se observă că Pd(bl) este neglijabilă comparabil cu celelalte puteri.

A T
În concluzie, dacă timpul de comutaţie (tC=tr +tf) este neglijabil faţă de perioada
comutaţiilor T=1/f, puterea totală disipată de tranzistor poate fi calculată astfel: N
I O
Vc c  f  t C + VCEs   
2
Pd ( tot ) = Pd ( com ) + Pd ( sat ) 
T
R  6

VCC 

IC
Se observă o creştere liniară a puterii disipate cu frecvenţa comutaţiilor.
T R
Dacă ţinem cont de timpul de stocare ( t s ) relaţia de mai sus, prin înlocuirea
t1 - t r  t1 + ts - t r , devine:
VCC f   t c + VCEs   + VC E 0 
2
E S
Pd ( tot )   
R   6 VCC  VCC 
ts  
R
Rezultatele sunt sensibil diferite de cele calculate cu relaţia de mai sus doar la tensiuni
mici de alimentare sau dacă t s este mărit artificial (de exemplu, prin introducerea unei bobine
în circuitul de intrare).
IV-20
____________________________________________________________________________
Aplicaţia 4.2
Circuitul din figura 4.32 comută cu frecvenţa
f = 10 kHz , alimentând cu curent constant I = 10 A o
sarcină puternic inductivă ( L, r ) de la Vc c = 14V .
Inductanţa firelor de legatură este Lc = 0,35H , iar sarcina
stocată în dioda de nul este Qs = 5C . Aproximând liniar
evoluţia curentului de colector pe durata comutaţiei directe
t r i = 1 s , respectiv inverse tf i = 2s se cere:
a) Să se traseze formele de undă v D , iD , vC E , iC .
b) Să se calculeze puterea maximă disipată de
tranzistor, respectiv diodă.
Se consideră: VC Es = 1 V, VD = 0,5 V .
Figura 4.32
Rezolvare
a) În timpul comutaţiilor ( t r i , ts , tf i ) sunt valabile relaţiile:
A T
iC + i D = I
N
Vc c = Lc
d iC
dt I O
- VD + vC E
T
IC
deci, deoarece comutaţia are loc pe sarcina inductivă, avem (figura 4.33):
 t
 It

 I

ri
T R
, pe intervalul t r si ts (de comutatie directa pentru T)
, pe intervalul t1 (de conductie pentru T)

iC = 


E
 I (1 - ) S
t
tf i
, pe intervalul tf (de comutatie inversa pentru T)
iar

R
 0

, pe restul intervalului t2 (de blocare pentru T)
I
 VC C - ( Li - VD ) , pe intervalul t r si ts
 tr i
 VC E s , pe intervalul de saturatie

v CE = 
 Lc I + ) , pe intervalul
 VC C + ( VD tf i
 tf i

 VC C , pe intervalul de blocare
IV-21
____________________________________________________________________________
Figura 4.33
A T
b) Sarcina stocată Qs în dioda de nul se evacuează prin tranzistor. Avem:
N
IO
ts ts ts
I 1 I
Qs =  (- iD ) dt =  (ic - I) dt =  t dt = 2 t ts
2
tr i
T
0 0 0 ri
IC
deci
2Q 2  5  10-6
ts = = = 10-6 s = 1 s
R
I/ t r i
T
10  106
Puterea medie disipată de tranzistor la comutarea directă, când se ţine cont de sarcina
stocată de dioda Qs, este:
E S t r i + ts
 I  I
v CE  iC dt = f   Vc c - Lc - V D 
t r i + ts
Pd ( C D ) = f    t dt =
R 
0
I  I 1
 tr i  tr i 0
= f   Vc c - Lc - V D   ( t r i + ts )2 = 2 W
 tr i  tr i 2
În absenţa sarcinii stocate Q s (ts =0) obţinem:
 Lc I -  I  t r i = 0,5W
2
Pd ( C D ) = f   V c c - VD 
*
 tr i  tr i 2
deci apare ca evidentă necesitatea folosirii unor diode de comutaţie pentru a proteja
tranzistorul.
Puterea medie disipată de tranzistor la comutarea inversă este:
IV-22
____________________________________________________________________________
t fi
 Lc I +   f i 1 - t  dt =
t
Pd ( CI ) = f  v C E ic dt = f   Vcc + VD  
 
0  tf i  0  tf i 
 I  I t2
= f   Vc c + Lc + VD   f i = 2,3W
 tf i  tf i 2
Puterea medie disipată de tranzistor pe intervalele când este saturat este:
Pd ( sat ) = f  VC Es  I  ( t1 - t r i - t s )  f VC Es  I  (T - t r i - t f i - t s) =
= 104  10  96  10-6 = 9,6W = Pd ( sat ) M
Rezultă puterea totală disipată de tranzistor:

Pd (tot) T = Pd ( C D ) + Pd ( C I ) + Pd ( sat )  13,9 W A T
Puterea totală disipată de diodă este:
N
Pd ( tot ) D = f VD I
t r i + tf i
2 I O
+ f VD I ( t2 - tf i) 
T
IC
+
 f V D I( t ri + tfi ) t r i tf i + f VD I (T - t r i - tf i - ts ) =
2
3
T R
= 104  0.5  10   10-6 + 104  0.5  10  96  10-6 = 0,075 W + 4,85 W = 4,925 W
2
E S
Curentul maxim prin tranzistor, la sfârşitul intervalului t s este:
R
iar în absenţa sarcinii Qs este:
IC M = I
t r i + ts = 20A
tr i
*
IC M = 10 A
Observatie. Se verifică faptul că timpii de comutare sunt timpi intrinseci ai

tranzistorului şi nu sunt daţi de inductanţa de comutaţie, adică avem relaţia:
I I
< < Vc c .
tf i tr i Lc
Aplicaţia 4.3
IV-23
____________________________________________________________________________
La circuitul din aplicaţia 4.1, în paralel cu tranzistorul,

se conectează o reţea "snubber" (figura 4.34).
a) să se determine valoarea condensatorului pentru ca
tensiunea pe el să atingă valoarea V c c în momentul blocării
complete a tranzistorului. În acest caz să se traseze formele de
undă vCE, iC, vC, i, iD.
b) Să se calculeze puterea disipată în comutaţiile
inverse P*d ( C I ) şi să se compare cu Pd ( C I ) în absenţa reţelei
"snubber".
c) Să se determine rezistenţa R astfel încât curentul
prin tranzistor să nu prezinte un salt în momentul intrării în
saturaţie. Să se calculeze puterea disipată de rezistenţa R.
d) Să se calculeze tensiunea colector-emitor maximă
susţinuta in blocare.
Rezolvare
A T Figura 4.34
a) În intervalul tri+ts formele de undă sunt aproximativ aceleaşi ca şi fără reţeaua

N
"snubber", dioda D1 fiind blocată figura (4.35). Circuitul R-C atenuează saltul tensiunii vCE
condensatorul C (dioda D1 este blocată).

I O
(dioda D1 conduce). Pe intervalul când tranzistorul conduce la saturaţie, acesta descarcă la VCEs
T
IC
T R
E S
R
Figura 4.35
Pe intervalul tfi dioda D1 se deschide, condensatorul C încărcându-se. Dacă tensiunea

pe condensator atinge valoarea VCC înainte de blocarea tranzistorului T, va intra în conducţie şi
dioda de nul D, determinând blocarea rapidă a tranzistorului.
Determinarea condensatorului astfel încât
IV-24
____________________________________________________________________________
v c ( t f ) = Vc c
se face ţinând cont de relaţiile de mai jos, scrise cu originea timpului la începutul intervalului
tfi :
t
i(t) = I
tf i
 t 
ic (t) = I - i(t) = I 1 - 
 tf i 
1 t I t2
vc (t) =  i(t) dt = + vc (0) , vc (0) = V CEs
C0 C 2 tf i
Rezultă:
I tf i
 + V CEs = Vc c
C 2
A T
N
de unde obţinem:
C=
I  tf i
=
10  10 6
I O
= 0,385 F
2 (V c c - V CEs) 2  13
T
IC
După blocarea tranzistorului, prin diodele D şi D1 aflate în conducţie, condensatorul C
se încarcă oscilant (circuit serie L c + C ). La atingerea valorii maxime, a tensiunii pe
rezistorul R.
T R
condensator dioda D1 se blochează, în continuare condensatorul descărcându-se spre Vc c prin
b) Avem:
E S *
Pd (C I) = f
tf i tf i
 vC E ic dt = f  ( vc - V D 1) ic dt =
0 0
R 
=f  I I
2
 2 C tf i
tf i

0
2 t  tf i
 t  
t 1 -  dt + (V C Es - V D 1) I   1 -  dt  =
 tf i  0  tf i  
1 1  1
= f (V c c - V C E s ) I t fi  -  + f (V C Es - V D 1) I t fi 1 -  =
3 4  2
1 1
= f ( V c c - V C E s ) I t fi + f (V C Es - V D 1) I t fi =
12 2
1 4 1
= 10 13  10  2  10 6 + 10 4  0,5  10  2  10 6 = 0,217 W + 0,05 W = 0,267 W
12 2
IV-25
____________________________________________________________________________
faţă de Pd(CI) =2,3W calculată în aplicaţia 4.1.

c) Pe intervalul când tranzistorul este saturat condensatorul se descarcă prin R şi
tranzistor. Cu originea timpului la sfârşitul intervalului ts putem scrie relaţiile:
v c + Ri = VCEs
unde
1 t Lc I
vc =
C0  i dt + vc (0) , v c (0) = v CE (0) = Vcc 
tr i
+ VD
Derivând relaţia de mai sus obţinem ecuaţia diferenţială:
di 1
+ i=0
dt RC
cu soluţia:
i (t) = IM e- t/ ,  = R C, IM =
vc (0) - VCEs
R
=
Vc c 
Lc I
A
tf i T
+ V D - VC Es
Supracurentul la sfârşitul intervalului ts este: N

I O
t r i + ts t
I c = I cM  I = I 
T tr i
 I = I s
tr i
IC
Din condiţia de continuitate:
I c = IM
obţinem:
R=
ts 

T R
t r i  Vc c + V D - VC Es Lc  13,5
I
- =
t f i  10
- 0,35 = 1
1 E S
Cu buna aproximaţie, energia acumulată în condensator se disipă în rezistenţa R, deci:
1 1
R
P d R  f   C  Vc c  f  I  V c c  t f i =  10  10  14  10 = 0,35 W
2 4 -6
2 4 4
d) După blocarea tranzistorului şi intrarea diodei D în conducţie, ţinând cont că D1 este

deja în conducţie, translatând originea timpului în acest moment, putem scrie relaţiile:
di di
Vcc  L c  vc , v c  Vcc  0
dt dt t 0
dv c
iC , i t 0  I
dt
Prin derivarea primei relaţii, ţinând cont de cea de-a doua relaţie, se obţine ecuaţia diferenţială:
2
d i 1
2
+ i=0
dt Lc C
IV-26
____________________________________________________________________________
cu condiţiile iniţiale:
di
i t 0  I ,  0 (v c t 0
 Vcc )
dt t 0
Soluţia ei este:
1
i = I cos  0 t , 0 =
Lc C
deci
1 t I
C0 
vc =
i dt =
0 C
sin 0 t + V c c
Valoarea maximă a tensiunii pe condensator este:
I
VC M = + Vc c
iar
Lc +
0 C
0,35 A T
VCE M = V C M - V D 1 = I
C
V c c  V D 1 = 10
0,385
N
+ 14  0,5 = 23 V
I O
T
IC
T R
E S
R
IV-27
Dispozitive Electronice de Putere – Teorie şi Aplicaţii Tranzistoare MOS de Putere
___________________________________________________________________________
5. TRANZISTOARE MOS DE PUTERE
Tehnologia MOS permite obţinerea de curent mare în circuitul principal şi disiparea

unei puteri mult mai mari, ceea ce a condus la realizarea de tranzistoare de putere competitive
cu cele bipolare. În continuare, dacă nu se specifică altfel, referirile se vor face pentru
tranzistoare MOS de putere cu canal n. Tranzistoarele MOS cu canal p necesitând,
comparativ cu cele cu canal n, o arie a cip-ului de aproximativ trei ori mai mare pentru a
obţine aceeaşi rezistenţă drenă-sursă în conducţie, sunt mai scumpe şi în consecinţă mai rar
utilizate.

Un canal n vertical pentru un tranzistor MOS de putere este fabricat pe un substrat n+ ,
având drena metalică aplicatăa pe partea inferioară a sa (figura 5.1).
A T
N
I O
T
IC
T R
E S
R
Figura 5.1
Deasupra substratului n+ este crescut un strat n- epitaxial, grosimea şi rezistivitatea
fiecăruia depinzând de tensiunea programată să fie susţtinută în blocare între drenă şi sursă.
Structura canalului, format printr-un dublu implant în suprafaţa stratului epitaxial n- ,
renunţa la modelul celular, astfel încât mai multe mii de astfel de celule pot forma un singur
tranzistor. Poarta ( n+ polisiliciu) creată în stratul izolator de dioxid de siliciu reprezintă
structura unică care leagă între ele celulele aceluiaşi dispozitiv. Sursa metalică acoperă de
asemenea întreaga structură, realizând conectarea în paralel a celulelor individuale într-un
singur tranzistor. Densitatea tipica este de 0,3106 celule/ cm2 . O secţiune transversală printr-
o celulă este prezentată în figura 5.2.
V-1
___________________________________________________________________________
A T
Figura 5.2
N
I O
Când vGS este mai mare decât tensiunea de prag VP se creează o regiune subţire,
T
îmbogăţită în electroni în regiunea de sub poartă, rezultând o regiune conductoare de tip n pe
traseul dintre sursă şi drenă. Curentul poate circula în ambele sensuri. Funcţia de tranzistor se
IC
realizează dacă vGS>0 şi vDS>0, când curentul circulă de la drenă la sursă. Stratul de inversie
care formează canalul în regiunea p se continuă sub forma unei zone îmbogăţite şi în stratul
R
epitaxial aflat sub întreaga suprafaţă acoperită de poartă, ceea ce asigură distribuirea
curentului prin regiunea dintre celule, respectiv o bună utilizare a ariei pastilei.
T
Pentru vGS< VP electronii nu pot traversa bariera p şi tranzistorul se află în starea
E S
blocat, polarizat direct cu vDS>0. Prin inversarea tensiunii dintre sursă şi drenă (vDS<0)
joncţiunea pn- este polarizată direct şi dispozitivul se comportă ca o diodă. Dacă vGS> VP şi
vDS<0 conduc în paralel atât dioda cât şi tranzistorul, rezultând o diodă echivalentă cu o
cădere de tensiune în conducţie chiar mai mică decât a diodelor Schottky.
liniarizaţi sunt:
1 v
R
Familia de caracteristici statice iD=f(vDS) este ilustrată în figura 5.3. Parametrii
- R DS(S )   DS pe linia critică corespunzătoare zonei de “rezistenţă constantă“;

GS iD
i
- G m  D în regiunea activă corespunzătoare zonei de “curent constant“.
v GS
În consecinţă, ecuaţiile liniarizate ale curentului de drenă sunt:
v DS
iD  pe linie critică
R DS (S )
respectiv
i D  G m ( v GS  VP ) pentru v DS  VDSsat  v GS  VP
V-2
___________________________________________________________________________
Figura 5.3 A T
Caracteristica statică iD=f(vGS) este N
ilustrată în figura 5.4.
În tranzistoarele MOS de putere I O
conducţia are loc prin purtători majoritari, ceea
T
IC
ce determină un coeficient de temperatură
pozitiv al tensiunii drenă-sursă. Dacă într-o
zonă a pastilei apare o concentrare de curent,
T R
creşte temperatura locală, care contribuie apoi la
reducerea densităţii de curent în acea zonă,
producându-se o uniformizare automată a
E S
densităţii de curent. Această comportare indică
absenţa fenomenului de străpungere secundară.
Aria de funcţionare sigură este limitată doar de
R
curentul de drenă maxim, puterea disipată şi
tensiunea drenă-sursă susţinută în blocare.
Figura 5.4
5.2. Parametrii funcţionali principali şi valori limită admisibile

 Tensiunea de prag ( Vp sau V T )
Tensiunea de prag este un parametru important al tranzistorului MOS, necesar a fi
cunoscut pentru a realiza o comandă corectă a acestuia. Ea se măsoară în mod normal
conectând poarta la drena. Crescând tensiunea aplicată dispozitivului între drenă şi sursâ, se
reţine valoarea tensiunii la care se obţine un curent de drena de 1 mA. Această metodă este
foarte simplă şi furnizează indicaţii precise asupra momentului în care se creează canalul
indus.
Factorii principali care controlează tensiunea de prag sunt grosimea oxidului de sub
poarta şi concentraţia de suprafaţa maximă din canal, determinată de doza implantării zonei
p. Valoarea tensiunii de prag este în gama 2,1  4 V pentru tipul standard, respectiv 1  2 V
pentru tipul logic.
V-3
___________________________________________________________________________
 Rezistenţa drenă-sursă în starea de conducţie ("on") - R DS( on )

Contribuţia elementelor care determină R DS ( on ) depinde de valoarea tensiunii drenă-
sursă proiectată a fi susţinută în blocare (figura 5.5).
Se observă că la tensiuni mari (>500V) domină rezistivitatea şi grosimea stratului
epitaxial, în schimb ce la tensiuni mici o pondere mare o are rezistenţa canalului şi a stratului
difuzat p  . Rezistenţa întregului canal este determinată de lungimea canalului, grosimea
stratului de oxid al porţii, mobilitatea purtătorilor, tensiunea de prag şi tensiunea aplicată pe
poartă. Pentru o tensiune de poartă dată, rezistenţă canalului poate fi redusă semnificativ
micşorând grosimea stratului de oxid al porţii. Acest mod de lucru este utilizat pentru
tranzistorul MOS comandat cu nivele logice, permiţând obţinerea unei rezistenţe R DS( on )
similară cu cea a tipului standard cu numai 5V pe poartă. Rezistenţa totală a canalului este
invers proporţională cu lăţimea canalului determinată de toate ferestrele celulelor. Laţimea
canalului este de peste 200cm pentru un tranzistor de tensiune mică realizat pe un cip de
20mm2 .
A T
N
I O
T
IC
T R
E S Figura 5.5
R
 Tensiunea de străpungere drenă-sursă
Tensiunea de străpungere drenă-sursă este determinată de forma câmpului electric la
joncţiunea dintre stratul p  difuzat şi stratul n- epitaxial. Un set de inele flotante p  este
utilizat pentru controlul distribuţiei de câmp electric periferic.
Liniile de curent (de electroni), după ce străbat canalul extrem de scurt prin stratul p
aflat în contact electric cu teminalul sursă, străbat transversal pastila de siiciu spre drenă.
Conducţia este transversală (sau verticală), spre deosebire de tehnologia MOS clasică de mică
putere de tip planar, şi de aici denumirea de tranzistoare V-MOS.
Pentru tranzistoarele V-MOS semiconductorul are regiuni la fel dopate (ca pentru
tranzistoarele npn planare), dar este corodat chimic un şanţ cu profil triunghiular sau
trapezoidal până în regiunea n- (vezi figura 5.6). După aplicarea stratului izolator de SiO2,
deasupra acestui şanţ se depune contactul metalic al porţii. De-a lungul celor două flancuri
ale şanţului se formează canalul n indus.
O altă structură de MOS de putere care s-a impus în aplicaţii este cea D-MOS (double
diffuset MOS). Structura sa este ilustrată în figura 5.1.
V-4
___________________________________________________________________________

Conducţia prin purtători majoritari indică şi absenţa sarcinii stocate şi implicit a
timpului de stocare ce caracteriza tranzistorul bipolar la CI. Timpii de comutare specifici
sunt:
- td(on) şi td(off), determinaţi în special de prezenţa unei capacităţi relativ mari la intrare;
- tr şi tf, datoraţi propagării proceselor de formare, respectiv de dispariţie, a canalului de
conducţie şi existenţei capacităţilor proprii tranzistorului; valoarea acestor timpi este de
ordinul 0,10,2 s.
Simbolul tranzistorului MOS de putere cu canal n, completat cu capacităţile interne
C GS , C GD şi C DS , este prezentat în figura 5.7. Capacităţile proprii sunt de ordinul fracţiunilor
sau unităţilor de nanofarad, cea mai mare fiind CGS. Caracteristicile de comutaţie pentru un
MOS de putere sunt determinate de capacităţile inerente care apar în structura sa şi cele
determinate de circuitul în care este conectat.
A T
N
I O
T
IC
T R
Figura 5.6
E S Figura 5.7
Capacităţile sunt încărcate/descărcate de circuitul de comandă. În figura 5.8 sunt
R
prezentate formele de undă VDS şi VGS la comutaţia tranzistorului MOS pe sarcina rezistivă,
iar în figura 5.9 sunt prezentate etapele la comutaţia directă pe sarcină inductivă.
Capacitatea poartă-sursă CGS trebuie încărcată până la tensiunea de prag pentru a
începe procesul de comutaţie directă, definându-se timpul de întârziere la comanda pe poarta
td(on) (figura 5.9.a). Tensiunea VDS scade determinâd descărcarea capacitaţilor CDS ,
capacitatea CGS încărcându-se în continuare până la tensiunea VGG aplicată în poartă (vezi
figura 5.9.b). În momentul în care VDS < VGS capacitatea CGD creşte, determinând o creştere
mai lentă a tensiunii VGS (curentul de comandă încarcă capacitatea CGD - vezi figura 5.9.c). În
acest timp tensiunea VDS atinge valoarea minimă VDS(sat). Aplicarea unei tensiuni mai mari pe
poartă este necesară pentru a obţine o micşorare a rezistenţei R DS( on ) , deci implicit a
pierderilor de putere în conducţie (figura 5.9.d).
Comutaţia inversă pe sarcină rezistivă va dura mai mult decât comutaţia directă,
deoarece căile de încărcare a capacitaţilor conţin şi rezistenţa de sarcină.
V-5
___________________________________________________________________________
A T
N
Figura 5.8
I O
T
IC
T R
E S
R
Figura 5.9
V-6
___________________________________________________________________________
 Circuite de comandă
Circuitele de comandă trebuie să asigure o încărcare (descărcare) rapidă a
capacitaţilor parazite şi, atunci când este cazul, o izolare a comenzii faţă de circuitul de forţa.
În figurile 5.105.16 sunt prezentate astfel de circuite. Circuitele din figura 5.10 şi 5.11 sunt
circuite simple de comandă cu o poartă logică MOS, respectiv cu tranzistoare în etaj
contratimp, alimentate la o tensiune mai mare decât VP. În cazul în care se urmăreşte
obţinerea unui curent de comandă mai mare, eventual cu izolare galvanică cu optocuplor, se
pot utiliza circuitele din figura 5.12, respectiv 5.13. Dacă izolarea se face cu un transformator
de impulsuri sunt necesare masuri suplimentare pentru protecţia MOS-ului (cu diode Zener –
figura 5.14). Reducerea capacităţii de intrare se obţine cu circuitul simplu din figura 5.15 sau
cu cel din figura 5.16, care prin C2 >C1 asigură şi o tensiune inversă de comandă, reducând şi
timpul de comutaţie inversă.
În figurile 5.17 şi 5.18 sunt prezentate influenţele capacitaţile parazite CGS , respectiv
CGD, asupra timpilor de comutaţie, reprezentând curentului de drenă la două valori ale
capacităţilor. Dependenţa de rezistenta din circuitul de comanda RG pentru curentul de poarta
(IG), curentul de drena (ID) şi, respectiv, puterea disipată de tranzistor (Pd) în procesul de
comutaţie este prezentată figurile 5.19, 5.20 şi 5.21.
A T
N
I O
T
IC
T R
Figura 5.10
E S Figura 5.11
Figura 5.12
Figura 5.13
V-7
___________________________________________________________________________
Figura 5.14
A T
N
I O
T
IC
T R
E S
R
Figura 5.15
Figura 5.16
Figura 5.17
V-8
___________________________________________________________________________
Figura 5.18
A T
N
I O
T
IC
T R
E S
R Figura 5.19
Figura 5.20
V-9
___________________________________________________________________________
Figura 5.21
A T
Există multe circuite electronice de putere care au în componenţa lor structura de
semipunte (două comutatoare electronice care sunt comandate în contratimp şi alimentează o
N
sarcină cu caracter inductiv). Pentru comanda acestora s-au dezvoltat circuite integrate
specializate care evită utilizarea unor circuite costisitoare de comandă cu izolare (optocuplor
O
cu sursa de alimentare aferentă sau transformator de impulsuri).
I
T
IC
T R
E S
R
Figura 5.22
Metoda de comandă se numeşte “boostrap” şi are la bază ideea că tranzistorul MOS

nu consumă putere de la circuitul de comandă decât pe durata comutaţiei. Aceasta face
posibilă alimentarea circuitului de comandă pentru tranzistorul MOS de putere cu sursa
flotantă (T1) de la energia înmagazinată într-un condensator (Cboost).
Atunci când este comandat T2 condensatorul Cboost are unul din terminale la masă, ca
urmare dioda Dboost este deschisă şi Cboost se încarcă cu tensiunea Vdd. Transistorul T7,
comandat sincron cu T2 menţine în starea de blocare tranzistorul MOS de putere T1.
V-10
___________________________________________________________________________
La blocarea lui T2, potenţialul în drena acestuia creşte determinând blocarea diodei
Dboost. Circuitul de comandă T3, T4 este comandat prin R3 cu tensiunea Vdd şi ca urmare
tranzistorul MOS T1 va intra în conducţie. Tensiunea de alimentare a circuitului de comandă
a lui T1 este asigurată de Cboost, încărcat cu Vdd de la etapa anterioară.
 Comparaţie între tranzistoarele MOS şi bipolare de putere

Datorită tehnologiei de fabricaţie, tranzistoarele MOS de putere prezintă următoarele
particularităţi:
- fiabilitate şi reproductibilitate a parametrilor mai bune;
- comanda în tensiunea (consum de curent activ şi disipaţie de putere în circuitul de intrare
nule), deci circuite de comandă simple;
- timpi de comutaţie mai mici, deci posibilitatea de a funcţiona la frecvenţe mai ridicate;
- capacitate de supraîncărcare în curent mai mare faţă de regimul continuu de curent
(IDpuls/IDcont=45, faţă de ICpuls/ICcont=1.51.7 la tranzistoarele bipolare);
- absenţa străpungerii secundare, care conduce la lărgirea AFS;
- posibilitatea de a conecta mai multe dispozitive în paralel fără măsuri speciale de
echilibrare;
T
- cădere de tensiune în conducţie pe linia critică mai mare decât la tranzistoarele bipolare,
A
ceea ce în seamnă pierderi în conducţie de 23 ori mai mari (la ultimele tipuri de
N
tranzistoare MOS s-au adus îmbunătăţiri şi în această direcţie);
- izolaţia foarte bună dintre poartă şi ceilalţi electrozi accentuează pericolul străpungerii
I O
prin acumulare electrostatică; anumite tipuri de tranzistoare MOS conţin o diodă Zener
integrată între poartă şi sursă in scopul protecţiei acesteia.
T
Toate aceste proprietăţi au determinat o rapidă dezvoltare a aplicaţiilor de putere cu
tranzistoare MOS.
5.4. Integrare funcţională IC

T R
Dispozitivele de bază având o structură cu trei straturi şi două joncţiuni, proiectate
pentru lucru la înaltă tensiune (deci care au structura verticală caracterizată de existenţa unui
strat epitaxial de tip n-), sunt prezentate într-o formă simplificată a structurii lor în figura
S
5.23. Se observă că aceste structuri se obţin, în principiu, pornind de la o joncţiune pn la care
se adăugă un strat n, obţinând structurile de principiu prezentate în secţiune transversală în
figura 5.24.
E
R
Structurile de principiu cu trei straturi din figura 5.23 pot fi extinse cu un strat p  ,
obţinând trei structuri de bază cu patru straturi (figura 5.25):
- tiristorul convenţional - SCR (Silicon Controlled Rectifier), care este în esenţă un
HTV cu un strat p suplimentar (figura 5.25.a);
- tiristorul cu inducţie statică - SITh sau FCT - un J-FET la care s-a adăugat un strat

p (figura 5.25.b);
- tranzistorul bipolar cu poartă izolată - IGBT - un MOS la care s-a adăugat un strat

p (figura 5.25.c).
V-11
___________________________________________________________________________
Figura 5.23
A T
N
I O
T
IC
T R Figura 5.24
E S
R
Figura 5.25
În funcţie de aplicaţiile concrete în care sunt utilizate, dispozitivele semiconductoare

de putere trebuie să aibă:
- tensiuni susţinute în blocare cât mai ridicate;
- capabilităţi ridicate în curent;
- valori mari ale capabilităţilor în du/dt şi di/dt;
- timpi de comutare cât mai reduşi, deci frecvenţe de lucru cât mai ridicate;
V-12
___________________________________________________________________________
- puterea disipată în comutaţie cât mai mică;
- nivele reduse ale puterii de comandă pe poartă etc.
De regulă, îmbunătăţirea uneia din caracteristicile de mai sus conduce inevitabil la
degradarea altor parametri ai dispozitivelor. În consecinţa, există dispozitive de putere
optimizate pentru diferite aplicaţii, obţinute prin integrare funcţională, cum ar fi:
- tranzistorul cu efect de câmp cu dioda epitaxială rapidă FRED-FET (FET with Fast
Recovery Epitaxial Diode - figura 5.26.a);
- tiristoare cu blocare pe poartă denumite GTO (Gate Turn-Off Thyristor - figura
5.26.b);
- tiristor controlat de o structură MOS, denumit MCT (figura 5.26.c) etc.
A T
N
Figura 5.26
I O
T
Tendinţa dominantă în domeniul dispozitivelor semiconductoare de putere având un
IC
terminal de comandă (poartă sau bază) pentru controlul integral (on/off) al proceselor de
comutaţie este micşorarea puterii de intrare necesare funcţionării în diferite moduri de lucru
T R
(mărimea impedanţei de intrare) simultan cu mărirea densităţii de curent comutate
(micşorarea căderii de tensiune în direct, adică a rezistenţei în starea on).
E S
Caracteristicile principale ale dispozitivelor de comutaţie cu controlul integral al
secvenţelor on/off de către terminalul de comandă sunt prezentate comparativ în Tabelul 2.1.
R
Se observă că dispozitivele unipolare (TEC-J, TEC-MOS), care au o rezistenţă mare de
intrare, necesită o putere extrem de redusă pentru comanda porţii, în timp ce dispozitivele
bipolare (tiristorul GTO, SIT/FCT, tranzistorul bipolar) au ca trăsătură distinctivă densitatea
relativ mare a curentului în conducţie directă.
Îmbinarea acestor două caracteristici într-un singur dispozitiv s-a realizat prin
integrarea funcţională bipolar – MOS, obţinându-se dispozitivul de putere Bi-MOS.
Principiul integrării funcţionale Bi-MOS care stă la baza realizării dispozitivelor cu
“poartă izolată” este ilustrat în figura 5.27. Tranzistorul bipolar npn, respectiv MOS cu
canalul n, conectate în configuraţia Darlington, sunt realizate pe aceeaşi pastilă de siliciu. O
tensiune pozitivă aplicată pe poartă deschide tranzistorul MOS care asigură curentul de bază
V-13
___________________________________________________________________________
al tranzistorului bipolar. În starea de conducţie directă curent prin dispozitiv trece practic în
totalitate prin tranzistorul bipolar.
Se observă că dispozitivul de putere
Bi-MOS necesită o putere mică de comandă,
deoarece curentul absorbit de poarta
tranzistorului MOS este practic nul.
Comportamentul structurii Bi-MOS în starea
de conducţie este dictat de tranzistorul
bipolar.
Avantajele integrării Bi-MOS în cazul
tiristoarelor sunt şi mai evidente, deoarece
tiristoarele pot opera la puteri şi tensiuni
mari.
Figura 5.27
5.5. Aplicaţii
A T
N
Aplicaţia 5.1. Determinaţi panta de cădere a tensiunii Vds la comutarea in conducţie a
C dg  100pF .
I O
tranzistorului MOS din figura 5.11. Se dă: VGS( T )  3V , R G  100 , C gs  2nF şi
T
IC
Rezolvare
Pe intervalul de timp când tensiunea Vds scade tensiunea Vgs practic este constantă
dVds d Vdg  Vgs  dVdg ig

R
şi egală cu VGS( T ) (vezi figura 5.8). Rezultă
T 15  VGS( T ) 15  3
dt

dt

dt
E S 
C dg

R G  C dg

100  100  10 12
 1200V / s
R
Aplicaţia 5.2 . Analizaţi funcţionarea schemelor din figurile 5.15 şi 5.16. Care sunt
avantajele schemei din figura 5.16? Pentru tranzistorul MOS utilizat, BUZ 80A, cu parametrii
C gd  30pF, C ds  60pF, C gs  1600pF, R DS( on )  3, VGS( T )  3V, VGS max  20V
se cere:
a). Valoarea rezistenţei RG şi domeniul de valori pentru condensatorul C care permit comanda
corectă a tranzistorului MOS din figura 5.15, cu o valoare iniţială a curentului de comandă
IGmax =1A.
b). Valoarea capacităţii echivalente care este încărcată la comanda tranzistorului T1, dacă
avem: C 1  47 pF , C 2  47 nF , R DS ( on )( T 1 )( T 2 )  4  . Pentru VZD1  VZD 2  15V, Vdd  30V
şi R1 =R2 =47 să se estimeze valoarea curentului iniţial de descărcare a capacităţii Cgs la
comanda tranzistorului T2.
V-14
___________________________________________________________________________
Rezolvare
Pentru schema din figura 5.15 capacitatea echivalentă are aceeaşi valoare, atât la comanda în
conducţie cât şi la comanda în blocare a tranzistorului MOS, şi anume:
C  C gs
C in 
C  C gs
O valoare mică pentru capacitatea de intrare este recomandată pentru comutaţia rapidă în
conducţie a tranzistorului. Pentru o comutaţie rapidă în blocare se recomandă o valoare mare
pentru capacitatea Cin (pentru a menţine suficient timp tensiunea de la borne ca tensiune de
blocare a joncţiunii de comandă). Oricum, capacitatea de intrare scade faţă de C gs , în general
C gs
alegându-se C  C gs , când rezultă C in  . Divizarea capacitivă a tensiunii de comandă
2
Vcom presupune o mărire a amplitudinii acesteia pentru a fi la fel de fermă comutaţia,
T
comparativ au cea în care C lipseşte (figura 5.11) . Aceste dezavantaje sunt înlăturate de
schema din figura 5.16. Astfel, pentru comanda în conducţie a tranzistorului T3 se comandă
A
tranzistorul T1 care încarcă capacităţile care apar în serie: C1 , C 2 şi C gs ( T 3) . Alegând
N
C 2 >> C gs >> C1 capacitatea echivalentă este practic C1 , iar comutaţia în conducţie se face
rapid. La bornele condensatorului C 2 se stabileşte după un timp (mai mare ca cel în care
I O
capacitatea C gs ( T 3) se încarcă până la tensiunea de limitare VDZ1 ) tensiunea divizată rezistiv
T
Vdd  VZD1 R 2 / R 1  R 2  . La comanda tranzistorului T2 această tensiune apare ca tensiune
IC
de blocare, determinând un curent iniţial de descărcare de valoare
R 2 Vdd  VZD1 
T R
I RG max( T 3)  I D ( T 2) 
VZD1 
R 1  R 2 
R DS( on )( T 2 )
E S
Prin alegerea corespunzătoare a componentelor se poate obţine o comutare rapidă în blocare a
tranzistorului T3.
R
a). Valoarea iniţială a curentului de încărcare (respectiv descărcare) este:
I Gamx 
Vcom V
 R G  com  30
RG I G max
Tensiunea de comandă se divizează capacitiv, obţinând în final:
C gs Vcom
VGS 
C gs  C
Pentru o comandă corectă trebuie să avem:
VGS max  VGS  VGS( T )

Rezultă:
V-15
___________________________________________________________________________
 Vcom   V 
  1C gs  C   com  1C gs  800pF  C  14400pF
V 
 VGSamx   GS( T ) 
b). Conform celor de mai sus, capacitatea de intrare la comanda în conducţie este:
C in  C1  47pF
Se observă că se obţine o valoare mică pentru capacitatea de intrare, rezultând astfel o

valoare redusă pentru timpul de comutaţie în conducţie.
De asemenea, avem:
R 2 Vdd  VZD1  1
VZD1  15  30  15
R 1  R 2  2
I RG max( T 3)  I D ( T 2) 
R DS( on )( T 2)

4
A T  5,6A
N
Valoarea destul de mare a curentului iniţial de descărcare a capacităţii C gs determină
reducerea timpului de comutaţie în blocare.
I O
T
IC
T R
E S
R
V-16
Dispozitive Electronice de Putere – Teorie şi Aplicaţii Tiristoare
___________________________________________________________________________
6. TIRISTOARE
Tehnologia de integrarea în profunzime, combinată cu cea clasică de integrare în plan,

a permis realizarea unor dispozitive cu joncţiuni complexe, capabile să transporte curenţi de
ordinul sutelor de amperi şi să susţină tensiuni de ordinul 45kV. Aceste dispozitive
electronice sunt denumite tiristoare.

Tiristorul este un dispozitiv semiconductor bistabil cu trei sau mai multe joncţiuni,
care poate fi comutat din stare de blocare în stare de conducţie sau invers, în cel puţin un
cadran al caracteristicii curent-tensiune. Tiristoarele care pot fi comutate doar într-un cadran
(cadranul I) se numesc unidirecţionale, iar cele care pot fi comutate în două cadrane (I şi III)
se numesc bidirecţionale. Tiristoarele care pot fi comutate prin semnal de comandă doar din
starea de blocare în cea de conducţie sunt cu comandă unilaterală, iar cele care pot fi
comutate prin semnal de comandă în ambele stări sunt cu comandă bilaterală. Semnalul de
A T
comandă poate fi electric, prin injecţia unui curent în electrodul de comandă, numit poartă
(gate), sau optic, prin iradirea unei ferestre în capsula dispozitivului (dispozitivul numindu-se
fototiristor).
N
După numărul canalelor de comandă accesibile tiristoarele se clasifică în:
- diode tiristoare, fără electrod de comandă; terminalele se numesc anod, respectiv catod
complementare (p1n1p2, respectiv n1p2n2);

I O
(figura 6.1.a); figura 6.1.b prezintă echivalarea structurii pnpn cu doua tranzistoare
T
- triode tiristoare cu un singur electrod de comandă de tip:
- poartă anodică (Gn);
- poartă catodică (Gp în figura 6.2.a);
IC
- tetrode tiristoare, cu electrozi de comandă corespunzând ambelor tipuri de porţi (figura
6.2.b);
T R
E S
R
Tiristoarele unidirecţionale pot avea în cadrul III caracteristică de diodă polarizată

invers (tiristoare cu blocare inversă) sau caracteristică de diodă polarizată direct (tiristoare cu
conducţie inversă)
La tiristoarele unidirecţionale electrozii prin care intră şi iese curentul circuitului de
putere sunt denumiţi tot anod (A), respectiv catod (K). La tiristoarele bidirecţionale aceştia
VI-1
___________________________________________________________________________
sunt denumiţi electrozi principali şi sunt notaţi cu E1, respectiv E2.
Simbolurile adoptate pentru aceste dispozitive sunt prezentate în figura 6.3.
Figura 6.3
A T
N
Dispozitivul cu cea mai largă răspândire din familia tiristoarelor este tiristorul
unidirecţional cu blocare inversă şi poartă de tip Gp, la care ne vom referi în continuare, dacă
nu se menţionează altfel.
I O
Profilul concentraţiilor de impurităţi ale celor patru straturi ce constituie tiristorul
T
(considerând joncţiunile ideale) este reprezentat în figura 6.4. Joncţiunile j1 şi j2 pot susţine
IC
tensiuni inverse ridicate deoarece stratul n1 are o concentraţie mică de impurităţi donoare (de
ordinul 10131014 cm-3). În figura 6.5 este reprezentată dependenţa tensiunii de străpungere a
unei joncţiuni de concentraţia impurităţilor donoare din stratul n. Rezultă că joncţiunea j1
T R
susţine tensiunea de polarizare inversă (joncţiunea j3 având o tensiune de străpungere de
ordinul zecilor de volţi), iar joncţiunea j2 susţine tensiunea de polarizare directă, în starea de
blocare.
E S
R
Figura 6.4
VI-2
___________________________________________________________________________
Figura 6.5
Secţionând pastila de siliciu ca în figura 6.6.a ajungem la echivalarea funcţională a

tiristorului cu o structură cuprinzând două tranzistoare complementare (baza fiecăruia fiind
conectată la colectorul celuilalt, ca în figura 6.6.b).
A T
N
I O
T
IC
T R
E S Figura 6.6
R
Dacă tiristorul este polarizat direct (VA>VK) sunt evidente relaţiile:
I A  I C1  I C 2
IK  IA  IG
 I 
I C 2  M  2 I K  C 0 
 2 
 I 
I C1  M 1 I A  C 0 
 2 
unde IC0, curentul rezidual al joncţiunii j2, este considerat ca fiind uniform repartizat în
curenţii reziduali de colector ai celor două tranzistoare complementare echivalente, iar
factorul de multiplicare M are aceeaşi valoare pentru ambele tranzistoare.
Din relaţiile de mai sus rezultă:
VI-3
___________________________________________________________________________
M(I C 0   2 I G )
IA  (6.1)
1  M ( 1   2 )
Starea corespunzătoare satisfacerii condiţiei
M(1+2)<1 (6.2)
pentru care curentul anodic este comparabil cu IC0 şi IG (ambii de valoare foarte mică în
raport cu valoarea nominală a curentului anodic), se numeşte stare de blocare în polarizare
directă (porţiunea 0-1 a caracteristicii statice I-U din figura 6.7 sau 6.8).
A T
N
I O
Figura 6.7
T Figura 6.8
 Amorsarea tiristorului
Dacă se îndeplineşte condiţia de amorsare IC
T R
M(1+2)=1 (6.3)
E S
curentul anodic creşte foarte mult, fiind limitat doar de parametrii circuitului exterior,
tiristorul trecând în starea de conducţie (porţiunea 2-3 a caracteristicii statice I-U). Trecerea
de la starea de blocare directă la cea de conducţie se face cu salt (trecerea prin regiunea 1-2
R
de rezistenţa negativă făcându-se rapid), ceea ce concordă şi cu circuitul echivalent din figura
6.6.b. Astfel, după bascularea în conducţie, ambele tranzistoare echivalente sunt în stare de
saturaţie, iar electrodul de comandă nu mai are nici o influienţă asupra stării dispozitivului.
Conform relaţiei 6.3, tiristorul poate fi comutat din starea de blocat direct în starea de
conducţie acţionând fie asupra lui M, fie asupra factorului 1+2, astfel încât condiţia de
amorsare să fie îndeplinită.
a). Amorsarea prin breakover.
Creşterea factorului de multiplicare se poate obţine prin creşterea tensiunii anodice
peste o anumită valoare (tensiuna de comutaţie Vcom din figura 6.8), apropiată de tensiunea de
străpungere VFB0. Întrucât stăpungerea secundară pune în pericol integritatea dispozitivului
semiconductor acest mecanism de comutare pentru tiristoare trebuie evitat. Prin acest
mecanism se realizează practic comutarea în conducţie a diodelor tiristoare la tensiuni VFB0
de ordinul zecilor de volţi. Tiristoarele moderne pentru tensiuni înalte încorporează soluţii
constructive interne de protecţie contra distrugerii prin efectul de breakover.
b). La tensiuni anodice inferioare celei de străpungere, multiplicarea purtătorilor este practic
inexistentă (M1) şi condiţia de comutare devine:
VI-4
___________________________________________________________________________
1+2=1 (6.4)
De regulă avem 1  0,5 şi  2  0,5 , variaţia tipică a factorilor de curent 1 şi  2 în

funcţie de curentul prin joncţiunea centrală ( j2 ), având ca parametru temperatura joncţiunii
 , este arătată în figura 6.9. Curentul prin joncţiunea centrală este suma curenţilor de
colector ai celor două tranzistoare echivalente:
I j2  I C1  I C 2  ( 1   2 )I A   2 I G  I C 0 (6.5)
A T
N
I O
T
IC
Figura 6.9
T R
Îndeplinirea condiţiei 6.4, prin aducerea curentului I j2 la valoarea care rezultată din
amorsare fiind deci:

b1). Amorsarea pe poartă.
E S
figura 6.9, se poate face prin modificarea oricăruia dintre termenii expresiei 6.5, metodele de
R
Injectarea unui curent I G în poartă este mecanismul uzual de comandă controlată a
comutării tiristorului. Amorsarea tiristorului are loc la o tensiune VAK<VFB0 (figura 6.10),
funcţie de valoarea curentului direct aplicat în poarta IGF. O lupă în domeniul curentului
anodic este prezentată în figura 6.11.
b2). Amorsarea termică.
Conform figurii 6.9, creşterea temperaturii poate reduce curentul I j2 necesar
amorsării până la valoarea curentului rezidual I C 0 (care la rândul său creşte rapid cu
temperatura joncţiunii). Se produce astfel autoamorsarea termică a tiristorului. Fenomenul se
produce de obicei în domeniul temperaturilor maxime admise pentru siliciu şi se combină, în
general, cu comanda pe poartă.
b3). Amorsarea prin semnal optic.
Generarea de purtători în stratul p2 prin efect fotoelectric se utilizează la
optotiristoare. Purtătorii mobili de sarcină generează un fotocurent care conduce la amorsarea
dispozitivului prin acţiunea regenerativă celor două tranzistoare complementare din structura
pnpn.
VI-5
___________________________________________________________________________
b4). Amorsarea prin efect dv/dt.
2 0 r N D1 A T
La aplicarea unei tensiuni anodice de tip rampă, capacitatea de barieră a joncţiunii j2
CJ 2 (t) =
q v AK (t)
N
determină un curent de deplasare având densitatea:
I O
dq dv (t) T
dC j2 (t) dv (t)
 CJ 2 (t) AK
IC
jd = = CJ 2 (t) AK + v AK (t)
dt dt dt dt
Valoarea sa medie este:

jd0 = CJ 2
T R
dvAK (t)
dt
dv (t)
= 2 CJ 2 (V AK ( F)) AK
dt
E S
unde VAK(F) este valoarea finala a tensiunii anodice. Pentru o anumită pantă de creştere a
tensiunii anodice acesta determină amorsarea parazită a tiristorului.
R
Marirea capabilităţii în dv/dt a dispozitivelor pnpn se poate obţine prin conectarea
unui grup serie R+C (denumit snubber), dispuns în paralel cu dispozitivul (figura 6.12).
VI-6
___________________________________________________________________________
Conectarea unui rezistor RG între poartă şi catod, care deviază o parte din curentul de
deplasare din stratul p2, măreşte capabilitatea în dv/dt (figura 6.13). Negativarea porţii în
raport cu catodul conduce la efecte similare.
 Efectul di/dt
Ţinand cont că extinderea zonei de conducţie directă (on-zone spreading) se face cu o
viteză finită vs (figura 6.14), procesul de amorsare a tiristoarelor de putere (care au o arie a
catodului mare) determină limitari ale ratei de variaţie a curentului anodic di/dt.
În circuitele care utilizează tiristoare convenţionale, cu capabilitate în di/dt limitată la
valori de 50200A/s, limitarea pantei de creştere a curentului anodic se obtine prin
utilizarea unei inductanţe serie L (de ordinul H sau zeci de H), ca în figura 6.15. Mărirea
capabilitaţii în di/dt la tiristoarele moderne, până la valori de 300  1000A/s, se obţine prin
utilizarea unui amplificator de poartă integrat (integrated ampliphing gate), care acţionează
doar în primele faze ale procesului tranzitoriu de amorsare. Schema echivalentă simplificată a
tiristorului cu amplificator de poartă integrat seamănă cu configuraţia Darlington a două
tranzistoare.
A T
N
I O
T
IC
T R
E
Figura 6.14
S Figura 6.15

R
Blocarea tiristorului
După amorsare curentul IA este limitat doar de circuitul exterior şi primul termen din
relaţia 6.5 are, în general, o valoare mult mai mare decât a celorlalţi, a căror influienţă devine
neglijabilă. În consecinţă, tiristorul unidirecţional nu poate fi comandat în blocare decât prin
scăderea curentului anodic sub o valoare limită, definită de relaţia 6.5 corelat cu figura 6.9,
denumit curent de menţinere IH (holding current).
În general, comutarea tiristoarelor convenţionale din starea de conducţie directă în cea
de blocare se face forţat, prin aplicarea unei tensiuni inverse între anod şi catod, care practic
determină la un moment dat scăderea curentului anodic sub IH.
Dacă sarcină din circuitul exterior are componenta rezistivă prea mare sau dacă
sarcina este puternic inductivă (limitând panta de creştere a curentului anodic), după
dispariţia curentului de comandă IG, curentul anodic nu poate depăşi o valoare limită.
Valoarea limită care trebuie depăşită de curentul anodic pentru a rămâne tiristorul în
conducţie şi după terminarea impulsului de comandă este denumită curent de zăvorâre IL
(latching current). Valoarea parametrului IL este puţin mai mare decât IH
VI-7
___________________________________________________________________________
La polarizarea inversă a tiristorului joncţiunea j1 este mereu blocată şi comportarea
tiristorului este similară cu a unei diode polarizată invers (porţiunea 0-4-5 a caracteristicii din
figura 6.17).
 Alţi parametri statici specifici
Caracteristica statistică a tiristorului unidirecţional cu blocarea inversă are aspectul
arătat în figura 6.7.
Pentru starea de blocare se definesc parametrii:
- curentul direct în blocare ID (cu IG=0);
- tensiunea directă de străpungere sau tensiunea de întoarcere V(BO) (avem V(BO)-V(BR) la
IG=0 şi V(BO)IG).;
- curentul invers IR (IR ID);
- tensiunea de străpungere inversă V(BR).
Pentru starea de conducţie, utilizând un model liniar de conducţie a tiristorului, se
definesc parametrii:
- tensiunea de prag VT (VT=12V);
- rezistenţa în conducţie rT (rT=0,550m).
A T
Cunoaşterea acestor mărimi permite înlocuirea tiristorului real cu circuitul său şi
determinarea pierderilor de putere de conducţie în regim staţionar folosind relaţia:
Pd ( cond )  VT I T ( AV)  rT I T2 ( RMS)

N
I O
unde IT(AV) şi IT(RMS) sunt notaţiile pentru curentul mediu, respectiv direct, prin tiristor.
 Caracteristici de poartă
T
Caracteristica statică a porţii este cea a unei diode polarizate direct. Caracteristica de
IC
poartă este reprezentată în planul IG-VG printr-un domeniu în care sunt cuprinse toate
caracteristicile individuale pentru un anumit tip de tiristor, în condiţii de dispersie tehnologică
dată (vezi figura 6.16).
T R
E S
R
Figura 6.16
Zona A corespunde domeniului de valori pentru care amorsarea tiristorului nu este

posibilă. Zona B, având ca parametru de limitare superioară a domeniului temperatura
virtuală a joncţiunii vj, corespunde domeniului amorsării posibile pentru tiristor. Zona C
corespunde amorsării sigure a tiristorului, limitată superior de puterea de poartă admisibilă,
VI-8
___________________________________________________________________________
pentru diferite durate ale impulsului de comandă având valorile precizate în figură.
Cu linie punctată s-a reprezentat locul punctelor de funcţionare posibile când
comanda pe poartă este aplicată de la un generator având tensiunea în gol EG=10V şi
rezistenţa internă RG=2.
A T
N
I O
Figura 6.17
T Figura 6.18
IC
Caracteristica statică de amorsare din figura 6.17 evidenţiază parametrii IGD şi IGT care
R
precizează curentul de poartă de neamorsare, respectiv de amorsare sigură, în domeniul uzual
de temperatură. Corelat, se definesc şi pentru tensiunea de poartă parametrii VGD şi VGT.
T
admisibile (figura 6.18):
E S
În regim de polarizare inversă şi blocare directă se definesc următoarele valori limită
- VR – tensiunea inversă continuă;

R
- VRWM – tensiunea inversă maximă de lucru;
- VRRM – tensiunea inversă maximă repetitivă;
- VRSM – tensiunea inversă maximă de suprasarcină;
- VDFM – tensiunea continuă maximă în starea blocat direct;
- VDWM – tensiunea maximă de lucru în starea blocat direct;
- VDRM – tensiunea maximă repetitivă în starea blocat direct;
- VDSM – tensiunea maximă de suprasarcină în starea blocat direct.
În regim de conducţie se definesc următoarele valori limită admisibile:
- IT – curentul continuă maxim;
- IT(AV)M – curentul mediu redresat maxim;
- IT(RMS)M – curentul eficace maxim;
- ITRM – curentul de vîrf (repetitiv) maxim;
- IT(OV) – curentul de conducţie de suprasarcină previzibilă;
- ITSM – curentul de suprasarcină accidentală;
- I2 t – integrala de curent calculată pentru curentul de suprasarcină accidentală;
În regim de comutaţie se definesc următoarele valori limită admisibile:
VI-9
___________________________________________________________________________
- di/dt – viteza critică de creştere a curentului de conducţie;
- dv/dt – viteza critică de creştere a tensiunii anodice, din starea blocat invers în starea
blocat direct, pentru care tiristorul nu amorsează (în condiţiile în care nu există semnal de
comandă pe poartă, iar temperatura joncţiunii are valoarea maximă);
Pentru tiristoarele cu electrod de comandă se
definesc parametrii (vezi şi figura 6.19):
- IGM – curentul direct maxim de poartă;
- VGM – tensiunea directa maximă de poartă;
- PGM – puterea maximă disipată în joncţiunea de
poartă;
- VRGM – tensiunea inversă maximă de poartă;
Pentru regimul de disipaţie termică se
definesc parametrii:
-  vjM – temperatura virtuală a joncţiunii maximă;
-  cM – temperatura maximă a capsulei;
Figura 6.19
6.3. Comportarea dinamică A T

 Amorsarea
N
în figura 6.20.
I O
Secţiunea transversală printr-un tiristor de putere cu poartă centrală este reprezentată
În momentul aplicării tensiunii de comandă pe terminalul de poartă densitatea de

T
purtători injectaţi este mai mare în zona de adiacenţă cu stratul n2, astfel încât la început intră
IC
în conducţie doar o regiune inelară îngustă (în figura 6.21 se prezintă două etape din procesul
modificării regiunii de sarcină spaţiale corespunzătoare joncţiunii j2). Starea de conducţie se
T R
propagă apoi radial (vezi figura 6.15), cu o viteză relativ mică (v100m/s). Pentru a menţine
în timpul procesului tranzitoriu de amorsare densitatea de curent în limitele admisibile este
 di 
necesară o limitare a vitezei de creştere a curentului anodic din circuitul exterior  la  .
E S
Prin introducerea de inductanţe în circuitul anodic (figura 6.14) se poate obţine

di di

dt cr
.

R dt dt cr
VI-10
___________________________________________________________________________
Trecerea în starea de conducţie a tiristorului la aplicarea unui impuls pe poartă se
efectuează într-un timp finit, denumit timp de amorsare (turn-on time) ton (sau tgt):
tgt= tgd + tr (6.6)

tgd = t’gt + tgd (6.7)
unde:
- t’gt este timpul de întârziere datorit vitezei limitate de difuzie a purtători majoritari;
- tgd - întârzierea datorată frontului impulsului de poartă;
- tgd – timpul de întârziere la comanda pe poartă (gate delay time); scade cu creşterea
curentului de comandă, respectiv a ratei de creştere a acestuia (front mai abrupt de
comandă);
- tr – timpul de creştere (rise time), definit ca intervalul de timp în care curentul anodic
creşte de la 10% la 90% din valoarea sa finală (vezi figura 6.22).
În timpul fazei tr tensiunea
anodică scade, în tiristor disipându-se
totuşi o putere apreciabilă. Prin
introducerea inductanţelor de limitare a
pantei curentului anodic apare şi o
întârziere a creşterii curentului faţă de
A T
intervalul unde tensiunea anodică
scade, scăzând puterea disipată (vezi N
evoluţia curentului anodic reprezentată
cu linie întreruptă). Timpul de creştere
I O
a curentului anodic de la 90% la 100%
se numeşte (impropriu) timp de T
răspândire (spreeding time) ts.
Procesul tranzitoriu de amorsare
IC
se încheie la sfârşitul fazei ts când
conducţia se face prin întreaga
T
suprafaţa a catodului, iar tensiunea pe
R
S
tiristor scade la valoarea VT (toate
joncţiunile fiind polarizate direct).
 Blocarea
E
Figura 6.22
R
Trecerea tiristorului în starea de blocare este un proces dinamic de importanţă
esenţială pentru realizarea circuitelor de comutaţie cu tiristoare.
Dacă variaţia curentului anodic este lentă tiristorul se blochează spontan când
valoarea curentului scade sub IH. Acest mecanism de trecere din conducţie în blocare poartă
denumirea de blocare "naturală” sau spontană şi este folosit uzual la sistemele ce lucrează în
reţeaua de distribuţie de 50Hz, dar nu poate fi folosit în sistemele care comportă variaţii
rapide ale curentului anodic.
Aşa cum am mai spus, al doilea mecanism posibil de blocare constă în forţarea
scăderii curentului prin aplicarea bruscă a unei tensiuni inverse între anodul şi catodul
tiristorului, acest mecanism denumindu-se blocare (stingere) forţată. Tensiunea de stingere
este generată fie prin reacţia circuitului de sarcină, fie prin conectarea unui circuit auxiliar (de
stingere) în care s-a acumulat în prealabil o energie cu rol de sursă de tensiune pentru
stingere.
Admiţând că schema pentru aplicarea bruscă a tensiunii de stingere se realizează ca în
figura 6.23, procesul conducţiei inverse începe, ca şi în cazul diodelor, prin evacuarea sarcinii
stocate, cu deosebirea că în acest caz sunt două joncţiuni care au fost în conducţie, j1 şi j3
VI-11
___________________________________________________________________________
conectate în serie. Sarcina stocată în j3 este mult mai mică şi este eliminată după trecerea
intervalului de timp t 1 (vezi formele de undă din figura 6.23). Până la blocarea joncţiunii j3
toate joncţiunile sunt încă polarizate direct, tensiunea pe dispozitiv fiind în continuare mică şi
pozitivă. Urmează, în intervalul t 1  t 2 , încărcarea capacităţii joncţiunii j3 şi creşterea
tensiunii pe aceasta până la strapungerea inversă în momentul t 2 ( VBR 3 este de ordinul
zecilor de volţi). În continuare se termină evacuarea sarcinii stocate în j1 până la momentul
t 3 , urmând să fie încărcată apoi capacitatea acestei joncţiuni până la valoarea inversă aplicată
VR . Practic, în momentul t 4 , când curentul anodic invers atinge valoarea de regim staţionar
I R , procesul de comutaţie este încheiat.
Chiar după acest moment, în bazele dispozitivului (în special în statul n1) există încă
sarcină electrică reziduală, asociată purtătorilor minoritari. Dispariţia acestei sarcini prin
recombinare are loc în intervalul de timp t 4  t 6 . Reaplicarea tensiunii de blocare în direct,
cu pantă limitată, înainte de momentul t 6 conduce la amorsarea parazită a tiristorului. De
t= t 6 , şi este notat cu t q .
A T
aceea, timpul de blocare (comutaţie inversă) a unui tiristor durează din momentul t=0 până la
N
I O
T
IC
T R
E S
R Figura 6.23
Valorile curenţilor de palier I R1 şi I R 2 sunt date de relaţiile:
VR VR  VBR(3)
IR 1  IR2 
R2 R2
unde VBR (3) semnifică tensiunea de străpungere inversă a joncţiunii j3 .

Definirea sarcinii stocate, a timpului de stocare şi a timpului de revenire este similară
cu cea dată pentru diode, în condiţiile limitării vitezei de scădere a curentului prin inductanţa
externă. La tiristoare se defineşte în plus timpul de comutaţie inversă forţată t q ( t q  t rr ).
În figura 6.24 sunt reprezentate formele de undă ale curentului prin tiristor şi tensiunii
anodice la comutarea în blocare pe o sarcină inductivă L. În momentul t 1 se aplică tensiunea
de stingere prin intermediul unei inductanţe externe L care determină variaţia curentului de la
valoarea maxima de conductie I TM spre valoarea maximă inversă I RM , cu o pantă negativă
VI-12
___________________________________________________________________________
diT VR
  . În momentul t 2 curentul trece prin zero, tensiunea anodică având încă o valoare
dt L
pozitivă mică (1V). Joncţiunea j3 străpunge la momentul t ' 2 . Evacuarea sarcinii stocate din
joncţiunea j1 continua în tot intervalul de timp t 1  t 3 , după care tiristorul se blochează şi
tensiunea inversă creşte, putându-se obţine chiar o valoare VRM mai mare decât tendiunea
inversă aplicată (din cauza apariţiei circutului serie L+ C j1 ). În anumite cazuri, procesul de
încărcare poate căpăta un caracter oscilatoriu (proces ilustrat în figura 6.24 prin linie
întreruptă).
Din momentul t 4 curentul anodic a ajuns aproape de valoarea sa reziduală I R , însă
tiristorul încă nu poate suporta o reaplicare a tensinii directe (cu viteza de creştere nominală)
fără să amorseze parazit. Acest fenomen, aşa cum s-a explicat la comutaţia pe sarcină
rezistivă, se datorează existenţei în continuare a unor purtatori minoritari care se recombină
doar prin curent rezidual invers (de valoare foarte mică). Procesul de recombinare este limitat
temporal inferior de t q . Aplicarea unei tensiuni directe (cu o viteză de creştere nominală),
care generează atât curentul de deplasare, C j

dv
dt T
, cât şi curentul de purtători minoritari,
poate determina prin efect cumulat autoamorsarea tiristorului. Avem: A
t 6  t 2  t q  t rr  t 4  t 2 N
I O
T
IC
T R
E S
R
Figura 6.24
Pentru asigurarea fiabilitaţii circuitelor de comutare forţată se recomandă ca tiristorul

să rămână polarizat invers un interval de timp:
t i  (1,3  1,5)  t q (6.8)
VI-13
___________________________________________________________________________
Deoarece avem t q  10   p , unde  p este timpul de viaţă al purtătorilor minoritari

(goluri) din baza n1, metodele de reducere a timpului de blocare t q sunt practic cele de
reducere a timpului de viaţă al purtătorilor minoritari. Astfel, timpul de comutare inversă
forţată creşte odată cu creşterea temperaturii joncţiunii şi scade cu creşterea tensiunii de
blocare aplicate, fiind influenţată în mod similar şi de polarizarea joncţiunii j3 , prin tensiunea
de poartă existentă în momentul comutării forţate.
În raport cu timpul de blocare tiristoarele se clasifică în două categorii:
- tiristoare normale, destinate folosirii în circuite cu comutare de la reţeaua de 50Hz, având
t q  100s ;
- tiristoare rapide, destinate folosirii în circuite autonome (cu comutaţie forţată), având
t q  100s .
6.4. Integrare funcţională
ale vitezelor admisibile de creştere a curentului

di
T
Studiile de optimizare a structurii de bază a tiristorului au ca scop mărirea capabilităţii
acestuia de a susţine atât tensiuni mai mari în blocare, cât şi obţinerea de valori mai ridicate
A
, respectiv al tensiunii directe
dv
.
dt
N dt
În funcţie de aplicaţiile concrete în care sunt utilizate, tiristoarele trebuie să aibă:
- tensiuni în blocare cât mai mari ridicate;
- capabilităţi în curent mari;
I O
- valori mari ale capabilităţilor în
di
dt
şi
dv
dt
;
T
- timpi de comutare cât mai reduşi;
- puteri de comandă reduse; IC
- frecvenţe de lucru cât mai mari.
T R
În consecinţă, există tiristoare specializate, optimizate pentru diferite aplicaţii:
- tiristoare pentru aplicaţii la frecvenţa reţelei
- tiristoare asimetrice
E
- tiristoare pentru invertoareS
- tiristoare cu conducţie inversă
R
- tiristoare cu blocare asistată de poartă
- tiristoare cu amorsare optică
- tiristoare cu blocare pe poartă
Tiristoarele pentru aplicaţii la frecvenţa reţelei (Phase control / Converter Thyristors)
sunt utilizate în circuitele în care blocarea se realizează prin comutaţie naturală. Utilizarea
amplificatoarelor de poartă integrate permite amorsarea tiristoarelor de curenţi foarte mari
(mii de amperi) cu un curent de poartă de ordinul amperului. Tiristorul cu poartă
di
amplificatoare asigură, de asemenea, creşterea capabilitaţii în prin creşterea curentului
dt
de poarta. Tiristorul cu emitor scurtcircuitat prin extinderea contactului metalic de catod peste
zona p2 (scurtcircuitând parţial emitorul tranzistorului T2) duce la creşterea capabilităţii în
dv
prin faptul că o parte din curentul capacitiv al joncţiunii j2 se închide direct la catod.
dt
Tiristorul cu conducţie inversă (RCT – Reverse Conducting Thiristor) are un
comportament similar cu cel al unui tiristor convenţional la polarizarea sa în direct, însă nu
posedă capabilitatea de a bloca tensiunea inversă aplicată. Prin eliminarea, pe zona circulară
VI-14
___________________________________________________________________________
exterioară (figura 6.25), a stratului p1 (înlocuit cu o zonă conductoare n+) şi a stratului n2
(înlocuit cu zona conductoare p), în structura RCT apare o diodă antiparalel cu tiristorul care
duce la reducerea pierderilor de comutare inversă, crescând însă tq. Dispozitivele de tip RCT
sunt utilizate în aplicaţii de înaltă frecvenţă.
Optotiristorul sau tiristorul activat optic (LAT – Light–Activated Thyristor) este un
dispozitiv cu patru straturi şi trei terminale care poate fi amorsat cu un semnal luminos. În
acest caz rolul terminalului de poartă este jucat de fibra optică cuplată cu suprafaţa iradiată.
Puterea optică pentru amorsarea unui LAT de putere este extrem de mică, deoarece poate fi
concentrată aproape punctual.
Tiristoarele pentru invertoare (Inverter thyristor) se deosebesc de tiristoarele
convenţionale prin faptul că au o valoare mai redusă pentru timpul de blocare (tq=550s).
Ele funcţionează satisfăcător la frecvenţe de comutaţie de până la 15kH.
Tiristoarele asimetrice (ASCR – Asymetrical Silicon Controlled Rectifiers) au ca
trăsătură distinctă faptul că nu susţin decât într-o măsură redusă tensiunea inversă. De aceea
ele se utilizează cu diode conectate antiparalel, care limitează tensiunea inversă la 12V. În
direct ASCR pot susţine tensiuni de până la 2kV, iar curentul mediu condus poate ajunge la
T
500A. Având comparativ cu tiristoarele convenţionale (simetrice) un timp de comutaţie
inversă şi o cădere de tensiune în direct mai reduse, ASCR sunt utilizate în invertoare. Faţă de
A
tiristoarele convenţionale (simetrice) ASCR are suplimentar un strat n+ între stratul p1 (de la
anod) şi stratul n1, care îi conferă proprietăţile de mai sus.
N
I O
T
IC
T R
E S
R Figura 6.25
 Structuri pentru comanda indirectă a tiristorului :

Tiristorul poate fi comandat cu un curent negativ în electrodul de comandă dacă
acesta este ataşat nu direct, ci prin intermediul unei joncţiuni auxiliare numită poartă indirectă
(sau îndepărtată), respectiv printr-o poartă cu joncţiune (sau cu catod auxiliar).
Poarta indirectă este o joncţiune nG-p1 obţinută în stratul anodic (figura 6.26).
Un curent negativ prin electrodul de comandă G polarizează direct această joncţiune,
injectând electroni în stratul p1, o parte dintre aceştia difuzând prin joncţiunea j1 în stratul n1,
ceea ce atrage şi o injecţie de goluri din zona anodică în zona n1. Structura de straturi p1 – n1
– p1 – nG este echivalentă cu o structură de tiristor auxiliar care, odată amorsat, determină
modificarea densităţii de sarcină în vecinătatea joncţiunii j2, permiţând amorsarea structurii
principale.
Asemănător, la structura comandată cu o poartă cu joncţiune (asociată cu o structură
de “emitor scurtcircuitat“, vezi figura 6.27), între anod şi poartă se remarcă tiristorul auxiliar
VI-15
___________________________________________________________________________
p1 – n1 – p2 – nG. Un curent negativ aplicat în poartă determină comutarea directă a tiristorului
auxiliar, după care potenţialul din zona p2 ajunge până aproape de potenţialul anodului,
deschizând joncţiunea p2 – n2 de comandă a tiristorului propriu-zis.
Dioda tiristoare bidirecţională (diac) se obţine prin integrarea pe aceiaşi pastilă a două
A T
diode tiristoare unidirecţionale (Shockley), conectate intern antiparalel (figura 6.28.a).
Intrarea în conducţie, pentru fiecare sens al curentului, se face prin depăşirea tensiunii de
întoarcere a caracteristicii (VBR în figura 6.28.b), care în cazul diacului este de ordinul zecilor
N
de volţi (fară a se pune în pericol dispozitivul). De asemenea, diacul poate amorsa parazit
prin efect dv/dt.
I O
T
IC
T R
Figura 6.28E S Figura 6.29
R
Trioda tiristoare bidirecţională (triac) se obţine prin combinarea unei structuri de diac
cu o structură de comandă indirectă (figura 6.29). Rezultă astfel o structură cu şase straturi
semiconductoare şi cinci joncţiuni. Triacul este considerat un element de comutaţie lent şi
deci este folosit doar in circuite de putere alimentate de la reţeaua de 50Hz, când este necesar
sa fie prevăzute circuite pentru reducerea vitezei de creştere a tensiunii.
Marimile de comandă IGT, vGT şi tGT diferă în funcţie de modul de amorsare. Valorile
cele mai convenabile sunt pentru modul I+, iar cele mai defavorabile pentru modul III+.
Modurile de comandă sunt identificate prin cadranul de funcţionare din planul
caracteristicilor de ieşire (I sau III) şi prin semnul curentului de poartă, plasat ca exponent.
Tiristorul cu comandă bilaterală (GTO)

Tiristorul cu comandă bilaterală poate fi blocat cu ajutorul unui impuls de curent
negativ, extras din poartă, a cărui valoare este însă doar de 45 ori mai mică decât valoarea
curentului anodic condus.
Tiristoarele GTO lucrează la frecvenţe de până la 2kHz şi comută puteri de ordinul
VI-16
___________________________________________________________________________
megawaţilor (suportă tensiuni în stare blocată de până la 4500V şi curenţi de până la 3000A).
Lipsa circuitelor de stingere forţată determină reducerea pierderilor de putere la comutaţii şi
compactarea invertoarelor realizate cu GTO (figura 6.30).
Figura 6.30
A T
N
Structura generală şi schema echivalentă a tiristorului GTO sunt, în principiu, aceleaşi
dispozitivului sunt ilustrate în figura 6.31.

I O
ca ale tiristorului convenţional. Simbolul tiristorului GTO şi principiul blocării pe poartă a
T
IC
T R
E S
R
Figura 6.31
Spre deosebire de tiristor, comutaţia inversă poate fi realizată şi prin aplicarea pe poartă
VI-17
___________________________________________________________________________
a unui curent invers (IGR). Din figura 6.6 se observă că valoarea curentului de bază necesară
menţinerii în conduţie a tranzistorului npn este (1-npn)IK. Curentul generat de colectorul
tranzistorului pnp este npnIA, deci pentru a putea bloca tranzistorul npn va fi necesar un
curent invers de poartă I G   I GR care să satisfacă condiţia:
I G   pnp  I A  1   npn   I K
unde IK=IA+IG
Rezultă condiţia:
I GR  npn

IA  npn   pnp  1
Blocarea comandată a tiristorului GTO

este prezentată în figura 6.32.
Timpii corespunzători comutaţiei inverse sunt:
Timpul de stocare ts (storage time)
corespunde extragerii purtătorilor de
sarcină din regiunea bazei p a
dispozitivului. În cest interval are loc o
A T
ştrangulare a suprafeţei transversale de
conducţie a GTO (figura 6.33.a). spre aşa N
numita “zonă finală de conducţie” (final
on-zone), care este atinsă în momentul în
I O
care curentul devine egal cu 90% din
valoarea sa iniţială (figura 6.33.b). Ca T
urmare are loc o creştere a densităţii
curentului anodic ce poate duce la IC
T R
distrugerea termică a dispozitivului.
Timpul de descreştere tf (fall time)
reprezintă intervalul în care cele două
E S
tranzistoare echivalente sunt în regiunea
activă, disipându–se cea mai mare parte a
energiei dn timpul comutaţiei inverse.
R
Timpul de încheiere sau revenire tt (tail
time), în care curentul anodic scade de la
10% la 2% din valoare sa iniţială.
Figura 6.32
Figura 6.33
VI-18
___________________________________________________________________________
Parametrii specifici tiristoarelor GTO sunt:
- Curentul anodic maxim controlabil prin poartă ITQM sau IATO (peak controllable anode
current sau peak controllable on-state current);
- Curentul anodic maxim controlabil de poartă în mod repetitiv ITQRM (peak repetitive
controllable on-state current ), valabil în situaţia când tiristorul GTO lucrează în
comutaţie (practic, curentul maxim controlabil se micşorează, putând deveni chiar
jumătate din valoarea ITQM);
- Timpul de blocare (tgq), care reprezintă suma timpilor ts, tf şi tt (figura 6.32);
- Sarcina stocată QGQ (figura 6.32) extrase prin poartă pe durata corespunzătoare timpului
de blocare tgq ;
- Factorul operaţional de câştig în curent la blocare GOFF (operational turn-off gain):
I TQRM
G off  , unde IGRM reprezintă amplitudinea curentului invers de poartă care poate
I GRM
anula un curent anodic de valoare ITQRM într-un timp minim;
- Valoarea critică a ratei de creştere a tensiunii de blocare reaplicate la stingerea tiristorului
GTO,
du A
dt cr T
(critical rate of rise of re-applied off state voltage);
A
Tiristorul GTO cu poartă MOS (MCT)
N
Faţă de cele prezentate în capitolul precedent, există şi alte utilizări ale structurilor
I O
MOS pentru îmbunătăţirea performanţelor dispozitivelor de putere. Una dintre acestea o
constituie şunturile de catod controlate de structuri MOS, care înlătură dezavantajele
T
principale ale şunturilor convenţionale. Utilizarea structurilor MOS în tiristoare GTO a
condus la apariţia dispozitivului MOS GTO, a cărui blocare se bazează pe devierea curentului
IC
principal printr-o cale de joasă impedanţă. De asemenea, ideea aplicării integrării funcţionale
Bi-MOS în tehnologia tiristoarelor este de strictă actualitate.
T R
MCT-ul (MOS Controlled Tyristor) are o structură p+npn+ verticală asemănătoare cu
cea a unui tiristor (figura 6.34.a). Schema sa echivalentă (figura 6.34.b) conţine evident două
tranzistoare bipolare cuplate care simulează tiristorul şi două MOS-uri de comandă. MCT are
S
trei terminale (vezi simbolul din figura 6.34.c): anod (A), catod (K) şi poartă (G).
E
R
Figura 6.34
VI-19
___________________________________________________________________________
Practic, pe una din cele două feţe ale cristalului din care este obţinut dispozitivul
(anod sau catod ) se realizează prin difuzie o zonă inelară de tip opus, puternic dopată (p+ şi
dispozitivul este de tip P-MCT, respectiv n+ şi dispozitivul este de tip N-MCT).
Un N-MCT este format din aproximativ 100000 de celule de tipul celei prezentate în
figura 6.34. Zona de tip n+ realizată la anod este conectată electric la metalizarea anodului şi
totodată se află, parţial fiind în dreptul metalizării porţii (izolată la rândul ei de structură
printr-un strat de oxid). Rezultă astfel o structură de două tranzistoare MOS laterale. Un
tranzistor formează un canal de tip p şi are rolul de a comanda direct dispozitivul, iar celălalt
formează un canal de tip n şi rolul de a bloca dispozitivul. Deoarece comenzile sunt în
opoziţie, cele două tranzistoare pot fi comandate cu un semnal comun pe poartă.
În cazul N-MCT intrarea în conducţie se realizează prin negativarea porţii faţă de
anod (aflat la un potenţial pozitiv faţă de catod). Anularea semnalului de comandă (anularea
tensiunii poartă – anod) nu afectează starea de conducţie a MCT-ului. Deoarece regimul de
conducţie nu este controlat de tranzistorul P-MOS (cum este cazul la IGBT), densitatea
T
curentului anodic poate fi de aproape cinci ori mai mare comparativ cu cea corespunzătoare
IGBT-ului. De asemenea, nu se impun restricţii asupra factorilor de câştig corespunzători
celor două tranzistoare (pnp, npn ).
A
N
MCT-ul poate comuta invers natural, prin întreruperea curentului principal (dacă
tensiunea poartă anod este nulă), sau prin aplicarea pe poartă a unui impuls pozitiv faţă de
I O
anod. În cea de a doua situaţie , canalul de tip n format în regiunea laterală de tip p aflată sub
poartă scurtcircuitează joncţiunea J1. Astfel, curentul circulă pe calea anod – stratul n+ (aflat
T
sub metalizarea anodului) – canalul n format în regiunea laterală p – baza n. În consecinţă, în
baza n nu mai sunt injectaţi purtători minoritari (goluri) din regiunea p+ şi tranzistorul
IC
echivalent pnp este decuplat din schema echivalentă a tiristorului, curentul anodic circulând
de la anod, prin N-MOS şi tranzistorul npn. Pentru a se obţine o întrerupere eficientă a
R
curentului, trebuie îndeplinită condiţia IA(max)(Rch+Rn)npn < 0,5 V, unde Rch este rezistenţa
canalului tranzistorului N-MOS şi Rn este rezistenţa regiunii n+ aflată sub metalizarea
T
anodului şi canalul n al tranzistorului N-MOS. Pentru un curentul anodic ce poate fi întrerupt
E S
cât mai mare este necesar ca Rch+Rn să aibă o valoare cât mai mică şi totodată câştigul npn să
fie mic. Dispozitivele N-MCT permit întreruperea unor curenţi de trei ori mai mari
comparativ cu P-MOS-urile, dearece rezistenţa canalul n al N-MOS-ului (din N-MCT), faţă
R
de rezistenţa canalului p, este mai redusă. Micşorarea câştigului npn se obţine prin realizarea
unui strat p+ adiacent joncţiunii J3, micşorându-se şi timpului în care sarcina stocată în baza p
dispare în timpul comutaţiei inverse. Ca un dezavantaj se poate menţiona faptul că MCT-ul
este un dispozitiv asimetric.
Astfel, alături de IGBT-uri şi tranzistoare MOS, MCT-urile tind să devină cele mai
utilizate dispozitive în electronica de putere.
Din punct de vedere al pierderilor în conducţie , MCT-ul este dispozitivul cel mai
indicat, având o cădere de tensiune în starea de conducţie de aproximativ 1V, valoarea
tensiunii pe dispozitiv modificându-se foarte puţin funcţie de curent.
Din punct de vedere al comutaţiei directe, cel mai rapid este tranzistorul MOS.
Comutaţia directă a MCT-ul semănă cu a tiristorul, timpul de scădere a tensiunii pe dispozitiv
nefiind controlat de poarta MCT-ului.Din acest motiv, pentru limitarea curenţilor prin diodele
antiparalel se folosesc inductanţe de valori mici înseriate cu acestea. La comutaţie inversă
IGBT-ul este de două ori mai bun din punct de vedere energetic faţă de MCT şi cam tot de
două ori mai slab în comparaţie cu tranzistorul MOS.
Din punct de vedere al mărimii regiunii de funcţionare sigură cel mai bun este IGBT-
ul. La un curent egal cu valoarea maximă admisă în catalog, tensiunea directă ce poate apare
VI-20
___________________________________________________________________________
pe dispozitiv fără ca acesta să se distrugă este de 80% din valoarea maximă a tensiunii în
stare blocată pentru IGBT, respectiv de 50% pentru MCT. Evident folosirea snubber-elor
permit folosirea MCT-urilor şi la tensiuni de alimentare continui mai mari decât limita dată
de catalog.
MCT-urile sunt cele mai indicate pentru convertoarele rezonante sau cuasirezonante
datorită capabilităţii acestor circuite de a suporta variaţii de curent (di/dt) şi de tensiune
(du/dt) foarte mari. Frecvenţele la care pot lucra aceste convertoare depăşesc cu mult
frecvenţele maxime (20kHz) la care pot fi folosite MCT-urile din convertoarele
nerezonante, ajungând la frecvenţe de comandă de până la 100kHz. Pentru frecvenţe mai
mari tranzistoarele MOS sunt singurele dispozitive care pot fi utilizate.
Dispozitive comandate prin câmp electric – Tranzistorul cu inducţie statică (SIT) şi

tiristorul cu inducţie statică (SITH)
SIT-ul (Static Induction Transistor) are structura din figura 6.35, fiind o replică la
structura triodei.
A T
N
I O
T
IC
R
SIT-ul este format dintr-un scurt canal vertical de tip n în care se află electrozii grilei realizaţi
din domenii de tip p+ sub forma unei plase. În absenţa unui potenţial pe grilă dispozitivul se
T
află în conducţie. Dacă grila este negativată zonele sărăcite din jurul joncţiunilor de grila se
E S
vor uni şi vor bloca canalul de conducţie. SIT-urile se pot conecta în paralel fără probleme,
deoarece creşterea rezistivităţii canalului odată cu temperatura duce la repartizarea echilibrată
a curentului prin dispozitive. Cu ajutorul SIT s-au realizat convertoare cu puteri de ordinul a
10-20kW la frecvenţe de comandă de până la 100KHz. Datorită rezistenţei mari în starea ON
R
SIT-ul este folosit doar în aplicaţiile de mică putere şi frecvenţă ridicată.
În figura 6.36 este prezentată structura SITH-ului (Static Induction Tyristor), care este
asemănătoare cu structura SIT-uilui. Intrarea în conducţie se realizează prin aplicarea unei
tensiuni pozitive pe poarta SITH-ului faţă de catod. Regiunea p+ are rolul de a injecta goluri
în regiunea sărăcită de tip n, atunci când dispozitivul este polarizat direct., rezultând o
tensiune la bornele dispozitivului în stare ON mică. Comutaţia inversă este similară cu cea a
GTO-ului, necesitând un curent de poartă ridicat pentru a evacuarea purtătorilor în exces din
regiunea n-. În momentul în care joncţiunea ce delimitează zona p+ de poartă se polarizează
invers regiunea sărăcită a acestei joncţiuni se extinde blocând curentul direct prin dispozitiv,
ca şi în cazul SIT-ului. Compartiv cu GTO, se poate remarca că SITH-ul:
- este un dispozitiv normal ON (în timp ce GTO este un dispozitiv normal OFF);
- nu prezintă fenomene de comutaţie parazită du/dt;
- are capabilităţi mai ridicate în du/dt şi di/dt;
- are o regiunea de funcţionare sigură mai extinsă;
- necesită o putere de blocare mult mai mică;
- are însă o tensiune în conducţie mai mare.
VI-21
___________________________________________________________________________
6.5. Aplicaţii
Aplicaţia 6.11. Se consideră structura unidimensională de tiristor cu joncţiuni abrupte

asimetrice ( N A1  N A 3  1017 cm 3 , N D 2  1.45  1014 cm 3 , N D 4  10 21 cm 3 ). Să se determine:
a. Lărgimea regiunii de trecere a joncţiunii j2 pentru VA  1000V .
b. Tensiunea maximă de blocare în direct VB 0 , considerând că străpungerea are loc la
atingerea câmpului critic E cr  30 V m (pentru siliciu).
c. Lăţimea lstr pentru regiunea de trecere a joncţiunii j2 la străpungere;
d. Tensiunea maximă de blocare în polarizare inversă.
Se dă: n i  1.45  1010 cm 3 ,  Si  11.2 ,  0  8.86  10 14 F cm .
Rezolvare
Relaţiile cunoscute:
l
2  1
  
1 
   B0   A 
q  N D 2 N A 3  A T
 A   VA N
 B0 
kT
q
N N
I O
 ln A 2 D  VA
ni
ln  lp  l
T
IC
N A  lp  N D  ln
permit în cazul unei joncţiuni abrupte asimetrice ( N D 2  N A 3 ) calcul aproximativ al lăţimii
regiunii de trecere (l):
l p  l n  l 
2   0   Si  VA
T

R
2 11.2  8.86 1014 103
 9  103 cm  90 m (6.9)
E S
q  N D2 19
1.6 10 1.45  10 14
b. În regiunea de trecere câmpului electric are valoarea dată de expresia (figura 6.37):
R  q  N D2
  x  l n ,  l n  x  0
E x     ( 6.10 )
q  N A3
  l p  x , 0  x  l p
 
Valoarea maximă a câmpului electric este:
q  N D2
E Max  E0    ln

Ţinând cont de relaţia (6.9) obţinem:
q  N D2 2  q  N D2
E cr  l   VB0
 
Figura 6.37
VI-22
___________________________________________________________________________
deci tensiunea de străpungere a joncţiunii J 2 este:
  E cr2 11,2  8,86  10 14  9  1010

VB0  VBR 2    1925 V (6.11)
2  q  N D2 2  0,6  10 19  1,45  1014
c. Din relaţia 6.9 pentru VA  VB 0 obţinem:
2    VB 0
l str   125 m
q  N D2
d. În polarizare inversă joncţiunile j1 şi j3 sunt blocate, rezultând, conform relaţiei

6.11, tensiunile de străpungere:
  E cr2
VBR1
VBR 3 

2  q  N D2
  E cr2
 1925 V
  B0  8 V A T
2  q  N A3
N
I O
Observaţie. Relaţia 6.10 rezultă ţinând cont de ecuaţia Poisson:
 q  N D2
T
q v   ,  l n  x  0
IC
dE d 2 u
   
dx dx 2   q  N A3 , 0  x  lp
şi condiţiile al limită:
T R  
E  l n   E l p   0
E S
Aplicaţia 6.2. Se consideră dioda pnpn cu caracteristica de amorsare din figura 6.38,
R
având capacitatea de barieră a joncţiunii centrale C j = 25pF .
a. Se aplică acestei diode o tensiune rampă cu panta  = 20V/s . Se cere să se afle timpul
după care are loc amorsarea şi tensiunea de amorsare.
b. Care este tensiunea de amorsare dacă tensiunea se aplică lent ?
Rezolvare
a). In polarizare directă, tensiunea aplicată este susţinută de joncţiunea centrală.
Modelând dioda printr-o capacitatea C j în paralel cu rezistenţa R, de valoare:
R = VB 0 = 500 k
IB
curentul prin diodă este:
vA d vA 1
iA = + Cj =  C j +  vA
R dt R
VI-23
___________________________________________________________________________
Caracteristica dinamică a diodei este reprezentată prin segmentul CD paralel cu OB.
La amorsare avem:
1
IA on =  C j + VA on
R
Tensiunea de amorsare depinde de curentul anodic iA

(porţiunea AB a caracteristicii statice) astfel:
IAon - IB = VAon - VB 0
IH - IB V H - VB 0
Din ultimele două relaţii obţinem tensiunea de amorsare:

A T Figura 6.38
vA on = N
V B 0 ( I H - I B) -  C j ( V B 0 - V H )
= 25,5 V
V B 0 - VH + -
R
IH IB
I O
Timpul după care are loc amorsarea este: T
IC
vAon
= 1,27s
T R t on =

b). Dacă tensiunea se aplică lent (  foarte mic), caracteristica dinamică CD se

suprapune peste OB, deci:
E S VA on = VB 0 = 50V
R
Dioda amorsează la tensiunea cea mai mare.
VI-24
Dispozitive Electronice de Putere – Teorie şi Aplicaţii Tranzistorul Bipolar cu Poarta Izolata (IGBT)
___________________________________________________________________________
7. TRANZISTORUL BIPOLAR CU POARTĂ IZOLATĂ (IGBT)
La începutul anilor 1980 a fost proiectat un dispozitiv semiconductor de putere care s-

a dovedit a fi o excelentă soluţie pentru convertoarele în comutaţie la puteri şi tensiuni mari
de lucru. După aproximativ zece ani a fost posibilă fabricarea la scară industrială a acestuia,
dispozitivul fiind denumit tranzistor bipolar cu poartă izolată (IGBT - Insulated Gate Bipolar
Tranzistor).
Acest tranzistor combină caracteristicile de comutaţie şi modul de comandă ale
tranzistorului MOS cu capabilitatea de a lucra la puteri foarte mari a tranzistorului bipolar.
7.1. Structură, modelare şi caracteristici statice
 Structura IGBT
Dispozitivul este obţinut pe baza integrării funcţionale a unei structuri pnpn cu o
poartă de tip MOS. Structura transversală a unui IGBT este prezentată în figura 7.1.
A T
Structura unui IGBT este asemănătoare cu cea a unui tranzistor MOS, diferenţa
fundamentală fiind substratul puternic dopat p+. Fiind o structură pnpn (similară tiristorului)
IGBT-ul prezintă o capabilitate ridicată de blocare a tensiunii în polarizare directă şi inversă.
N
I O
T
IC
T R
E S
R
Figura 7.1
În mod similar tranzistorului MOS, lăţimea stratului n- determină tensiunea maximă

suportată în blocare. Curentul maxim prin dispozitiv este dat de aria totală a colectorului şi de
nivelul de dopare al straturilor n+ şi p+.
 Fenomenul de conducţie a curentului prin IGBT

La aplicarea unei tensiuni pozitive pe terminalul de colector faţă de emitor,
dispozitivul se află în starea de blocare în direct. Amorsarea are loc prin aplicarea unei
tensiuni pozitive pe poarta MOS-ului (fată de emitor). Aplicarea acestei tensiuni pozitive
VII-1
___________________________________________________________________________
determină acumularea sarcinilor negative în zona p-. Acest fenomen, denumit inversie de
sarcină, duce la formarea unui canal n de conducţie între zonele n+ şi n-. Iniţierea conducţiei
în direct are loc prin injecţia de electroni din stratul n+ de emitor în baza n, prin canalul de
inversie format.
Între colectorul şi emitorul IGBT-ului iau naştere două componente importante de
curent:
- curentul de electroni din stratul n+ care trec prin canalul creat în zona n- - acest curent
fiind specific şi conducţiei printr-un tranzistor MOS de putere;
- curentul de goluri din stratul p+ (acesta fiind emitorul tranzistorului pnp echivalet).
Datorită intrării în conducţie a tranzistorului MOS echivalent este creat curentul de bază
necesar intrării în conducţie a tranzistorului pnp echivalent. Conducţia de goluri din
stratul p+ duce la o reducere substanţială a rezistenţei în conducţie a structurii, în
comparaţie cu tranzistorul MOS. Natura bipolară a curentului în stare de conducţie
(format din electronii injectaţi de emitorul n+ şi din golurile injectate de stratul p+)
determină o capabilitate mare de curent şi o cădere de tensiune colector-emitor redusă în
conducţie directă.
Ca urmare, calea principală a
curentului în conducţie directă
este cea a componentei de
A T
electroni, care urmează traseul:
colector – joncţiunea J1 – canal
N
MOS – emitor (figura 7.1).
Curentul de goluri urmează
I O
traseul: colector – stratul p+ –
baza n – baza p – stratul n+ - T
emitor. Pentru prevenirea
fenomenului de agăţare (latch-
IC
up) conducţia tranzistorul npn
este “controlată” prin şunturile
din stratul de emitor, de
T R
rezistenţă RS (vezi figura 7.2 în
care este prezentată o schemă
echivalentă simplificată
E S
a
IGBT), prin care baza este
conectată la emitor. R Figura 7.2
Curentul de goluri (curent de colector al tranzistorului echivalent pnp) micşorează
rezistenţa electrică a bazei n, prin injecţia de purtători minoritari în această regiune.
Performanţele în comutaţie sunt diminuate de existenţa curentului de goluri, care
determină apariţia în baza n a unei sarcini electrice care trebuie să dispară prin recombinare,
în situaţia în care tranzistorul este comandat să fie blocat. Prin măsuri tehnologice
(micşorarea rezistenţei şuntului de emitor Rs, realizarea unui strat n+ între regiunea anodică
p+ şi baza n-etc.) se poate minimiza valoarea componentei de goluri a curentului. Micşorarea
volumul regiunii neutre n-, care reprezintă principală zonă de acumulare a sarcinii electrice
formate din golurile injectate de regiunea p+, îmbunătăţeşte performanţele de comutaţie ale
IGBT-ului, iar micşorarea câştigurilor în curent (npn şi pnp), determină mărirea capabilităţii
la variaţii ale tensiunii colector-emitor. Pe de altă parte, introducerea stratului n+ reduce
tensiunea inversă de străpungere a joncţiunii J3, capabilitate de blocare inversă a IGBT-ului
fiind de aproximativ –5V, deci IGBT-ul (ca oricare dispozitiv asimetric) trebuie protejat cu
diode antiparalel. IGBT-ul suportă densităţi de curent mai mari cam de trei-patru ori mai mari
VII-2
___________________________________________________________________________
comparativ cu tranzistorul bipolar, iar capacitatea echivalentă poartă-colector este mai mică
decât capacitatea poartă-drenă a unui tranzistor MOS echivalent din punct de vedere al
parametrilor electrici (datorită cuplării în serie a capacităţilor).
Blocarea IGBT-ului se realizează prin anularea potenţialului din poartă, care
determină blocarea tranzistorul MOS. Timpul de blocare este determinat în principal de
procesul de recombinare al purtătorilor minoritari (goluri) în baza n.
 Modelarea matematică a IGBT
Ecuaţiile de funcţionare a IGBT în regim static se pot deduce plecând de la schema

echivalentă a acestuia şi de la modelele matematice pentru dispozitivele din schema
echivalentă a IGBT. Se vor prezenta în continuare ecuaţiile curenţilor pentru dispozitivele
echivalente esenţiale: tranzistorul MOS şi tranzistorul bipolar pnp.
- curentul de drenă al tranzistorului MOS echivalent:
0 pentru VG  VT
I DMOS






1   ( VG  VT )
2
 k F k P  VG  VT V DS  k F V DS 
2 

A T V  VT 
pentru V DS  G
kF
(7.1)

 k P VG  VT 

2
N V  VT 
pentru V DS  G
 21   ( VG  VT )
I O kF
- curentul de colector al tranzistorului bipolar pnp:

T

  1 V EC IC
 0 pentru V EB  0
b 4 DP
I CPNP
R  Q
1  b Rb 1  b W 2 EB
T
pentru V EB  0
(7.2)
Notaţiile utilizate sunt:

S
VG: tensiunea de comandă (între poartă şi emitor)
E
VDS: tensiunea drenă-sursă a tranzistorului MOS echivalent
R
VEB: tensiunea emitor-bază a tranzistorului bipolar pnp echivalent
VEC: tensiunea colector-emitor a a tranzistorului bipolar pnp echivalent
kF: factorul de regiune, adimensional
kP: transconductanţa tranzistorului MOS echivalent, se măsoară în A/V2
VT: tensiunea de prag a tranzistorului MOS echivalent
θ: factorul de câmp, cu unitatea de măsură 1/V
b: raportul mobilităţii electron-gol
Rb: rezistenţa echivalentă a bazei tranzistorului pnp echivalent
DP: coeficientul de difuzie a golurilor
W: lăţimea bazei
QEB: sarcina în exces în bază
Suma celor doi curenţi reprezintă curentul total prin IGBT (IC). Tensiunea emitor-
colector a tranzistorului bipolar pnp echivalent este aproximativ tensiunea colector-emitor a
IGBT.
Ecuaţiile şi parametrii de mai sus stau la baza modelului SPICE al IGBT.
 Caracteristici statice
VII-3
___________________________________________________________________________
Caracteristica statică de ieşire a unui IGBT (figura 7.3) dedusă pe baza ecuaţiilor 7.1
şi 7.2, în conducţie directă, se aseamănă cu cea a unui MOS, având două regiuni distincte:
activă şi de saturaţie.
A T
N
I O
T
Figura 7.3
IC
În aplicaţiile din electronica industrială este necesară o tensiune poartă-emitor suficient
de mare pentru a asigura o funcţionare în regiunea activă a caracteristicii de ieşire. În această
regiune comportarea
dispozitivului este caracterizată
de o cădere de tensiune mică la
T R
un curent de colector ridicat.
În figura 7.4 S
este
E
prezentată caracteristica IC(VCE)
(simulare SPICE)
R
tranzistorului IGBT IRGBC20F
produs
Rectifier.
de International
a
Figura 7.4
7.2 Comportarea dinamică a IGBT-ului
Circuitul de comutare pe sarcină rezistivă este prezentat în figura 7.5. Comanda în

tensiune a IGBT face ca acesta să fie mai rapid decât tranzistorul bipolare de putere, însă mai
lent decât tranzistorul MOS de putere, datorită cuplării în paralel a capacităţilor echivalente.
 Comutaţia IGBT pe sarcină rezistivă
VII-4
___________________________________________________________________________
Comanda IGBT se face, în cele mai multe cazuri, cu circuite de comandă similare
tranzistorului MOS de putere. La aplicarea unei tensiuni de comandă pozitive, tensiunea
poartă-emitor creşte, evoluţia tensiunii fiind dată de rezistenţa serie şi de capacitatea poartă-
emitor. Odată atinsa tensiunea de prag VT se iniţiază un curent de drenă al tranzistorului
MOS echivalent. Curentul de drenă creşte rapid, conform caracteristicii ID(VDS) a
tranzistorului MOS echivalent, furnizănd curentul de bază necesar intrării în conducţie al
tranzistorului bipolar pnp echivalent.
Pentru un circuit de comutare pe
sarcină rezistivă ca în figura 7.5, formele de
undă corespunzătoare sunt prezentate în
figura 7.6. Definirea timpilor specifici
proceselor de comutaţie (de întârziere la
comutaţia directă td(ON), de creştere tr, de
întârziere la comutaţia inversă td(OFF) şi de
cădere tr) se face în mod analog (vezi
comutaţia tranzistorul MOS şi tranzistorului
bipolar).
Figura 7.5
A T
N
Deoarece intrarea în conducţie a IGBT-ului poate fi echivalată cu intrarea în conducţie
a unui tranzistor MOS înseriat cu o diodă de putere (dioda corespunzătoare joncţiunii J3),
I O
timpii corespunzători comutaţiei directe (td(ON) şi tr ) sunt mai mari ca timpii corespunzători
unui tranzistor MOS echivalent (chiar dacă capacitatea echivalentă de intrarea a IGBT-ului
este mai mică decât cea a tranzistorul MOS echivalent).
T
Blocarea IGBT-ului are loc în două etape. În prima etapă (intervalul t1-t2 din figura
IC
7.6), după aplicarea comenzii de blocare, capacitatea echivalentă a intrării se descarcă prin
rezistorul RGE (vezi figura 7.5), determinând blocarea tranzistorului MOS din structura
IGBT-ului (figura 7.2).
T R
E S
R
Figura 7.6
VII-5
___________________________________________________________________________
După momentul t2 curentul prin

dispozitiv este susţinut doar de curentul de
goluri (iP), injectate în baza n de către joncţiunea
J3 polarizată direct, rata scăderii în continuare a
curentului prin IGBT fiind determinată de rata
recombinării golurilor în baza n. Durata
comutaţiei inverse (tOFF = td(OFF)+tf) poate fi
controlată prin rezistorul RGE (vezi figura 7.7).
La fel ca la tranzistorul MOS, o rezistenţă RGE
mare determină o blocarea lentă a tranzistorului
IGBT (valoarea maximă a curentului de
recombinare iP este mai mică).
Figura 7.7
Puterea totală disipată de IGBT este dată de ecuaţia generală:
T
Pd   v CE i C dt  Pdcond  Pdcom ,
A T
N
0
unde :
T este perioada semnalului de comandă, vCE şi iC sunt căderea de tensiune colector-emitor şi
respectiv curentul de colector.
Pdcond este puterea disipată în conducţie I O
Pdcom este puterea disipată la comutaţie
T
IC
Puterea disipată în conducţie se calculează în mod analog tranzistorului bipolar de putere:
Pdcond  VCE ( sat ) I CM , (7.4)
unde:
R
τ este factorul de umplere al tensiunii de comadă
T
VCE(sat) este tensiunea colector-emitor la saturaţie a IGBT (parametru de catalog).
E S
Puterea disipată la comutaţie se calculează în mod similar tranzistorului MOS de putere,
ţinând cont de parametrii de catalog tr şi tf:
Pdcom 
EC I CM (t r  t f )
(7.5)

R
Comutaţia IGBT pe sarcină inductivă
6T
IGBT-ul este folosit în convertoare de

medie şi mare putere (uzual peste 200W).
Aceste convertoare au o structură de tip punte
sau semipunte, celula principală fiind formată
dintr-o coloană de două comutatoare electronice
care conduc alternativ curentul prin sarcină (vezi
figura 7.8). Datorită popularităţii deosebite a
acestei structuri, ea este folosită ca şi criteriu
principal de performanţă (benchmark) pentru
IGBT-uri. Dacă curentul de sarcină este pozitiv
el este comutat de T1 şi D2, iar dacă este negativ
este comutat de T2 şi D1. Figura 7.8
VII-6
___________________________________________________________________________
Figura 7.9
În figura 7.9 sunt prezentate formele de undă pentru tensiunea colector-emitor şi

curentul de colector obţinute prin simulare, pentru tranzistorul IRGBC20F (IGBT
A T
VCEmax=600V; ICmed=28A). La comutaţie directă tranzistorul T1 preia, pe lângă curentul de
sarcină, şi curentul invers de evacuare a sarcinii stocate în dioda D2. Din acest motiv
performanţele circuitului sunt determinate atât de IGBT-uri cât şi de diodele antiparalel.
N
Pentru determinarea puterii disipate se foloseşte relaţia integrală de definiţie a puterii
curentului de colector se liniarizează. Se obţin relaţiile:

I O
pe o perioadă T de comutaţie, în care variaţiile în timp ale tensiunii colector-emitor şi
P dcom 
EC I S
 T
 (t r  t s ) 2 t f 
 
IC
T  2t 2
 r
1
R
V C E ( sat ) I S ( T - t r i - t s )
P dcond =
T
T
Proiectantul unui circuit electronic de putere alege IGBT-ul şi dioda antiparalel (care
E S
în multe cazuri poate fi integrată în aceeaşi structură) în urma unui compromis. Se au în
vedere valoarea frecvenţei de comutaţie, performanţele dispozitivelor şi o echilibrare a
puterilor disipate în conducţie şi în comutaţie. Astfel, se consideră că alegerea unui dispozitiv
R
de putere s-a făcut corespunzător din punct de vedere al performanţelor de comutaţie ale
acestuia dacă puterea disipată la comutaţie este apropiată ca valoare de puterea disipată în
conducţie (chiar aproximativ egale). În caz contrar, s-a ales un dispozitiv fie prea performant
pentru aplicaţia dată (dacă Pdcond>>Pdcom), fie cu performanţe de comutaţie prea modeste
(dacă Pdcond<<Pdcom).
7.3. Aria de funcţionare sigură; metode de protecţie
Datorită ariei mari a bazei şi câştigului mic în curent a părţii bipolare a IGBT,
fenomenul străpungerii secundare la IGBT apare la nivele de curent şi tensiune foarte mari,
mai mari decât cele limită absolute. De aceea aria de funcţionare sigură a IGBT este una
extinsă, nelimitată de acest fenomen, având forma dreptunghiulară din care se scade o zonă
aproximativ dreptunghiulară dată de limitarea puterii disipate.
 Protecţia la supracurent
Datorită capabilităţii de a prelua vârfuri mari de curent, IGBT-ul poate comuta fără
circuit de protecţie la supracurent cu inductanţă de comutaţie, sau cu o inductanţă de
VII-7
___________________________________________________________________________
comutaţie foarte mică. La creşterea curentului de colector mult peste valoarea curentului de
lucru IGBT-ul se poate autoproteja prin schimbarea regiunii de funcţionare de pe
caracteristica statică, din activă în saturaţie in care curentul de colector este limitat la o
valoare maximă. În acest regim dispozitivul poate lucra intervale foarte scurte de timp, altfel
el se va distruge prin ambalare termică.
 Protecţia du/dt şi la supratensiune
Se ştie că o pantă de creştere foarte mare a tensiunii colector-emitor poate duce la
autoamorsarea tiristorului echivalent din structura IGBT. Protecţia la efect du/dt se realizează
tehnologic, printr-o rezistenţă de valoarea mică în grilă şi un câştig mic în curent al părţii
bipolare.
Atunci când comută pe sarcini inductive, există posibilitatea apariţiei unor
supratensiuni tranzitorii care să depăşească valoarea maximă de tensiune suportată de IGBT.
Limitarea acestei supratensiuni face cu circuite de tip Snubber sau cu diode Zenner de putere
montate antiparalel pe sarcină.
A T
N
I O
T
IC
T R Figura 7.10
În figura 7.10 sunt prezentate variante eficiente de circuite de protecţie la
E S
supratensiune pentru IGBT, pentru diferite puteri comutate. Circuitul din figura 7.10. a oferă
o cale de curent “neinductivă” la comutaţie inversă pentru ambele IGBT-uri, ajutând în acest
fel la limitarea supratensiunii colector-emitor. O metodă de a proiecta capacitatea Cp a
corespunzătoare circuitului Snubber presupune egalarea energiei acumulate în inductanţa de
R
comutaţie Lc cu cea din condensatorul Cp, pentru o supratensiune Umax dată de limitările
dispozitivelor Se obţine:
LI S
Cp  (7.6)
(U max  EC ) 2
Valoarea rezistorului din circuitul Snubber se calculează punând condiţia de

descărcare a condensatorului de la tensiunea Umax la tensiunea EC, în absenţa comutaţiei
inverse (a lui T1 sau T2), considerând frecvenţa f de lucru:
1
Rp  (7.7)
6 fC p
Puterea disipată de rezistor va fi:
VII-8
___________________________________________________________________________
fC p (U max  EC ) 2
PRp  (7.8)
2
Pentru aplicaţii la nivele mari de curent se pot utiliza schemele din figurile 7.10.b şi
7.10.c. Acestea sunt denumite circuit Snubber cu limitare şi respectiv cu înărcare-descărcare.
Circuitul Snubber cu limitare
În absenţa unei comutaţii inverse condensatoarele Cp1 şi Cp2 sunt încărcate la
tensiunea Ec. La comutaţie inversă tensiunea colector emitor a tranzistorului care comută
tinde să crească peste Ec, ceea ce duce la deschiderea diodelor Dp1, Dp2. În acest mod energia
din inductanţa de comutaţie este transferată condensatorarelor Cp1, Cp2, fără o creştere
substanţială a tensiunii pe acestea. După terminarea comutaţiei inverse condensatoarele Cp1,
Cp2 se descarcă prin Rp1, Rp2 de la tensiunea maximă către Ec.
Circuitul Snubber cu încărcare-descărcare
Limitarea supracreşterii tensiunii colector-emitor nu este la fel de eficientă ca la
circuitul anterior, însă avantajul este că se asigură şi o reducere a puterii disipate la comutaţie
inversă. Funcţionarea şi relaţiile de calcul sunt similare Snubber-ului de la tranzistorul bipolar
de putere.
7.4. Alegere între IGBT şi MOS A T

N
Acest paragraf propune câteva criterii de alegere între tranzistorul MOS şi IGBT
pentru o anumită aplicaţie.
I O
Deoarece la tranzistorul MOS căderea de tensiune în conducţie creşte cu creşterea
T
tensiunii drenă-sursă maxime, IGBT-ul este cu siguranţă alegerea în aplicaţiile la care sunt
IC
necesare dispozitive cu tensiuni de străpungere de peste 1000V. De asemenea, tranzistorul
MOS este alegerea firească în cazul tensiunilor de străpungere de sub 250V.
În principal, în intervalul 250 – 1000V IGBT este dispozitivul preferat în următoarele
condiţii:
- frecvenţe de lucru joase (sub 100KHz)
- puteri de peste 500W T R
- controlul turaţiei motoarelor;
E S
Aplicaţiile tipice în care utilizează tranzistorul IGBT:
- surse de tensiune neîntreruptibile;
R
- sisteme de sudură în curent continuu şi regim de comutaţie;
- sisteme de iluminare la frecvenţe de lucru joase.
Aplicaţiile tipice în care se
utilizează tranzistorul MOS:
- surse de tensiune în comutaţie
la frecvenţe de peste 200KHz
- sisteme de încărcare a
bateriilor chimice
- surse de tensiune
cvasirezonante la puteri de
până la 1000W.
Diagrama din figura 7.11
oferă o imagine mai clară
referitoare la alegerea între MOS
şi IGBT.
Figura 7.11
VII-9
___________________________________________________________________________
În “zona gri” alegerea între MOS şi IGBT se face ţinând cont de un complex de
criterii, incluzând frecvenţa de lucru, puterea de lucru, topologia de convertor, puterea
disipată de comutatorul electronic, fiabilitatea, preţul de cost, etc.
 Avantaje şi dezavantaje
Avantaje specifice ambelor structuri, raportat la tranzistorul bipolar de putere:
- Comanda simplă (putere practic nulă consumată pe poartă);
- Arie mare de funcţionare sigură;
- Suportă supracreşteri mari de curent.
Avantaje ale tranzistorului IGBT faţă de MOS:
- Avantajul esenţial al dispozitivelor IGBT îl constituie căderea de tensiune redusă în stare
de conducţie directă. IGBT – urile sunt realizate la puteri de ordinul zecilor de kilowaţi
(curenţi de zeci de amperi şi tensiuni susţinute in blocare de ordinul kilovolţilor);
- Absenţa diodei inverse; poate fi un avantaj, deoarece se poate monta o diodă externă cu
parametri de comutaţie doriţi, dar şi un dezavantaj (dacă dioda internă corespunzătoare
tranzistorului MOS ar fi fost satisfăcătoare din punct de vedere ai parametrilor de
comutaţie).
Dezavantaje ale tranzistorului IGBT faţă de MOS:
A T
- Viteza de comutaţie este mai mică; firmele producătoare de dispozitive de putere lansează
N
continuu pe piaţă IGBT-uri cu parametri de comutaţie superiori, în aşa fel încât acest
dezavantaj tinde să devină din ce în ce mai puţin semnificativ
I O
- Coeficientul negativ de temperatură poate duce la ambalare termică în cazul cuplării în
paralel fără precauţii privind echilibrarea curenţilor de colector (vezi capitolul 9). Acest
T
dezavantaj tinde să fie eliminat de noile structuri care au coeficient pozitiv de temperatură
la curentul de lucru.
- Preţul de cost mai ridicat.
IC
7.5. Aplicaţii
Aplicaţia 7.1
T R
S
Un IGBT este folosit petru reglajul puterii pe o sarcină rezistivă RL=20Ω, alimentată
de la tensiunea Ec=400V (vezi figura 7.5). Tranzistorul este comandat la frecvenţa f=1kHz şi
E
factorul de umplere τ=0,8. Parametrii IGBT-ului sunt: Vce(sat)=1.9V; td(on)=250nS;
tr=tf=350nS.
R
Să se de determine puterea disipată de IGBT în conducţie şi în comutaţie.
A fost utilizat un comutator electronic de putere potrivit acestei aplicaţii?
Rezolvare:
Se utilizează formulele integrale pentru calculul puterilor. Se liniarizează formele de
undă pentru curentul de colector şi tensiunea colector-emitor (vezi tranzistorul bipolar de
putere). Se obţine:
 V C E ( sat ) EC
P dcond =  30.4W
RL
2
E C (t r  t s ) f
P dcom   0.93W
6RL
Deoarece puterea disipată la comutaţie este cu mult inferioară celei disipate în

conducţie, tranzistorul IGBT este mult prea performant în raport cu aplicaţia dată. La
VII-10
___________________________________________________________________________
frecvenţa de comutaţie de 1KHz se putea folosi un tranzistor bipolar de putere cu un preţ mult
mai mic.
Aplicaţia 7.2
Un IGBT şi o diodă de putere sunt folosite pentru

reglajul tensiunii medii pe o sarcină puternic inductivă
(figura 7.12). Se dau curentul prin sarcină IL=40A,
tensiunea de alimentare EC=600V, frecvenţa de
comutaţie f=10KHz, factorul de umplere al semnalului de
comandă τ=0.6 şi parametrii dispozitivelor:
IGBT: tr=100nS, tf=300nS, VCE(sat)=2.5V+0.02IL
D: ts=350nS, VT=1.1V. Se ştie că la o tensiune de
comandă pe poartă VGE=15V curentul prin IGBT
corespunzător saturaţiei este Icmax=100A.
Să se determine puterea disipată totală de
dispozitivele de putere (se va neglija puterea disipată la
comutaţie de diodă).
A T
Figura 7.12
Rezolvare:
N
I O
T
IC
T R
E S Figura 7.13
R
Puterea disipată la comutaţie directă:
tr ts 2
t r I C max EC  t I 
PdCD  f  vCE iC dt  f
0
2I L
 f  I C max EC  t s  t r  r C max
 IL


PdCD  (75  120)W  195W
Puterea disipată la comutaţie inversă:
tf
t f I L EC
PdCI  f  vCE iC dt  f  36W
0
2
Puterea disipată de IGBT în conducţie:
PdcondT  VCE ( sat ) I L  0.6  (2.5  0.02  40)  40  80W
VII-11
___________________________________________________________________________
Puterea disipată de diodă în conducţie:
PdcondD  (1   )VT I L  0.4  1.1  40  18W
Rezultă o putere totală disipată de dispozitive:
Pdtot=195+36+80+18=329W
A T
N
I O
T
IC
T R
E S
R
VII-12
Dispozitive Electronice de Putere – Teorie şi Aplicaţii Metode de Protectie la Suprasolicitari Termice si Electrice
___________________________________________________________________________
8. METODE DE PROTECŢIE LA SUPRASOLICITĂRI

TERMICE ŞI ELECTRICE
Dispozitivele semiconductoare de putere se pot distruge dacă se depăşeşte curentul

maxim admis, tensiunea de susţinere, puterea disipată, iar in regim tranzitoriu viteza de
variaţie a curentului sau a tensiunii.
8.1. Protecţia la suprasolicitări termice

Tiristoarele şi diodele de putere sunt capabile să suporte suprasarcini nerepetitive de
scurta durata apreciabile (ITSM, IFSM). În ceste cazuri energia se acumulează în capacitatea
termică a primelor celule din reţeaua termică echivalentă.
Considerând că pastila de siliciu reprezintă prima celulă (vezi capitolul 2) şi că
supraîncălzirea este dată de un impuls de putere cu durata tp ( t p  10 ms ) şi energia totală
Wp , neglijând transmisia de căldură prin conducţie, se poate scrie:
  (Si ) 
W P
A T
C th (Si )
N
I O
În circuitul electric punctul de funcţionare se deplasează pe caracteristica de
conducţie cu segmentul uT  rTiT  rTiT (considerând supracurentul ca fiind mult mai mare
T
decât curentul de regim permanent iT iTN  iT  iTN  iT  iT ), deci energia Joule este:
tp
IC tp tp
Rezultă:
T R
WP   uTiTdt  rT  i dt rT  iT2 dt
0 0
2
T
0
E S r p
(Si)  T  i T2 dt
Cth(Si) 0
t
Mărimea
tp
 i T dt
0
2
R
, denumită integrala Joule (integrala de curent sau integrala de
suprasarcină), simbolizată prin I 2 t , defineşte pentru un tip de dispozitiv de putere o mărime

limită admisibilă.
Dacă energia impulsului de suprasarcină este mai mare dispozitivul de putere se
distruge prin supraîncălzirea pastilei de siliciu (se depăşeşte temperatura maximă tjmax).
Protecţia se asigură prin siguranţe fuzibile rapide.
8.2. Protecţia la supratensiuni electrice

Supratensiunile generate de surse externe care pot apare la bornele de intrare sau
ieşire ale echipamentelor electronice de putere au de regulă caracterul unor procese de scurtă
durată (în comparaţie cu perioada reţelei), iar sursele corespunzătoare au impedanţa internă
mare în comparaţie cu cea de intrare, respectiv de ieşire a circuitului în cauză. Aceste
particularităţi determină modalităţile de protecţie care, de regulă, înseamnă o şuntare pe
durata conectării sursei de supratensiune a impedanţei portului de intrare, respectiv ieşire, cu
o impedanţă tranzitorie de valoare mică. Principalele surse de supratensiuni provin din:
VIII-1
___________________________________________________________________________
 deconectarea de la reţea a înfăşurării primare a transformatorului care alimentează

schema, când aceasta nu debitează energie (curentul de magnetizare primar I  scade);
 conectarea la reţea a înfăşurării primare a transformatorului de alimentare, dacă
raportul de transformare este coborâtor şi dacă nu există ecran electrostatic între primar şi
secundar (figura 8.1);
 deconectarea sarcinii în circuite cu filtru inductiv la ieşire (când convertorul este
alimentat);
 prezenţa inducţiilor electromagnetice sau electrostatice cu circuitele de forţa vecine
(sau din cauza fenomenelor electrice atmosferice).
A T
Figura 8.1 N
I O
T
IC
T R
E S
R Figura 8.2
Analizând schema din figura 8.1.a se observă că putem scrie

- în regim permanent:
n2
U2  U1
n1
- în regim tranzitoriu, la conectarea primarului, tensiunea în secundar apare ca tensiune din

primar divizata într-un raport capacitiv:
C12
U2( tr )  U1 pentru schema a
C12  C2
C
U2( tr )  12( echiv) U1 pentru schema b
C12  C2
VIII-2
___________________________________________________________________________
Ţinând cont că capacitatea echivalentă scade la conectarea în serie a capacităţilor (C10 şi C20)
care apar faţă de ecran (dacă transformatorul are ecran de protecţie), va scădea corespunzător
şi tensiunea tranzitorie din secundar.
Pentru protecţie sunt utilizate dispozitive specializate în suprimarea supratensiunilor
(varistoare, diode cu avalanşă controlată etc.) sau circuite care vor fi prezentate în
continuare.
Diodele de conducţie liberă permit închiderea curenţilor inductivi din ramura de c.c. a
convertoarelor.
Uzual, circuitele de protecţie cele mai răspândite conţin componente de acumulare,
redresare şi disipare a energiei surselor de supratensiuni (figura 8.2). Se recomandă circuitul
din figura 8.2.b deoarece disipă o putere mai mică în regim nominal. Prin deconectarea
primarului, energia de magnetizare raportata la secundar ( W ' ) se transferă în condensator, a
cărui tensiune ajunge la valoarea UM (se neglijează energia disipată în R1 pe durata acestui
transfer):
W  
1
2
1
L 2 I 2  C ( U 2M  U 22 )
2
A T
unde U2 este amplitudinea tensiunii secundare.
N
Pentru a proteja dispozitivele din circuit se impune un factor de siguranţă >1, deci
U M   U 2  U RRM .
I O
Curentul de magnetizare al transformatorului se obţine din diagrame ale
transformatoarelor de forţă (vezi figura 8.3):
T
k 
I
 IC
I 
 f ( PN )
T R IN 1 IN 2
E S
R
Figura 8.3
Deoarece în condiţii nominale avem:
VIII-3
___________________________________________________________________________
2 PN
I 22 ( N ) 
RL
U 2  I 2 ( N )  R L  I    L 2
rezultă:
R L  k   L 2
deci valoarea lui C necesară pentru a asigura protecţia este dată de relaţia:
L 2 I2 2 k  PN
C 
U M  U 2  U 22 ( 2  1)
2 2
La conectarea primarului, procesul tranzitoriu de încărcare a condensatorului C prin

inductanţa echivalentă de scăpări a transformatorului raportată la secundar ( L' ) poate
determina o creştere a tensiunii condensatorului peste valoarea nominală U2. Pentru a evita
această supratensiune circuitul serie L'  R1  C trebuie să fie puternic amortizat, adică să
avem: A T
R1  2
L' 
N
C
I O
T
Inductanţa de scăpări se poate scrie în funcţie de tensiunea de scurtcircuit a
transformatorului, respectiv factorul de scurtcircuit ksc (figura 8.3):
IC
U 2 ( sc )  k sc U 2   L'  I 2 ( N )
Rezulta:
T R k sc U 22
deci:
E S L 
'
2  PN
R R1 
2 k sc U 22
  C  PN
Rezistenta R2 are rolul de a consuma surplusul de energie al condensatorului după

preluarea unui impuls de supratensiune şi de a descărca condensatorul la oprirea alimentării
echipamentului de putere.
8.3. Protecţia tiristoarelor la efecte di şi dv

dt dt
 Protecţia tiristoarelor la efecte di

dt
Circuitul de protecţie utilizat în acest caz este prezentat în figura 8.4. Reţeaua de
alimentare prezintă o inductanţa serie Lr, care, dacă nevoile de protecţie o cer, se
VIII-4
___________________________________________________________________________
completează cu o inductanţă de protecţie Lc, deci se consideră L=Lc+Lr. În cazul când nu se

poate determina valoarea lui Lr, se va considera Lr=0 din motive de siguranţa.
di
În vederea protejării în raport cu efectul se va observa că în momentul intrării în
dt
dvT
conducţie a tiristorului avem vT<<VD şi  0 , iar condiţia uc(0)  VD  ic(0)   VD ,
dt R
unde VD este tensiunea de alimentare directă a circuitului anodic în momentul amorsării.
Putem scrie:
di di VD VD VD
VD  L  vT   i t  i(0)  t
dt dt L L L
t t
1 di c 1  V D  RC
v T  Ri c   icdt   ic  0  ic  ic ( 0)e RC   e
C dt RC R
Rezultă expresia curentului prin tiristor:
iT  i  ic 
VD 
exp  
t  VD
 t
A T
R  RC  L
N
care poate fi aproximata pentru
t
RC
 1 prin relaţia
I O
1 1  T di
IC
VD
iT   V D  2   t  I(0)  t T
R L R C dt
T R
E S
R
VD
Panta de creştere a curentului anodic până la valoarea I(0)= este mare, fiind
R
limitată doar de inductanţa proprie elementelor R, C şi a conductoarelor de legătură cu
tiristorul. Rezultă, la prima vedere, că însăşi prezenţa unui circuit RC în paralel pe tiristor
di
pare a fi în contradicţie cu cerinţele de protecţie în raport cu . Deoarece la începutul
dt
amorsării aria de conducţie nu este nulă, ci are o valoare determinată de configuraţia
geometrică a straturilor p2-n2 şi de parametrii curentului de comandă, curentul anodic poate
avea o valoare iniţială mai mică decât I(0)M, la care se poate ajunge cu orice panta. De la
di
această valoare curentul trebuie să crească ca pantă limitată . Rezultă valoarea minima
dt cr
a rezistenţei R:
VIII-5
___________________________________________________________________________
VD
R  (8.1)
I(0) M
Din relaţia privind curentul anodic deducem panta sa:
di T 1 1  V D di VD
 VD    2    L (8.2)
dt L R C L dt cr
di
dt cr
S-a utilizat faptul că în majoritatea cazurilor practice avem îndeplinită condiţia:
1 1
 2
L R C
 Protecţia tiristoarelor la efecte dv

dt
dv A T
Pentru a stabili condiţiile de protecţie în raport cu efectul
dt
N
, referindu-ne la circuitul
din figura 8.5, vom presupune tiristorul blocat şi condensatorul iniţial descărcat.
I O
La bornele de alimentare a circuitului se aplică un salt de tensiune de polarizare
directă, având amplitudinea VD.
T
Capacitatea C având o valoarea relativ mare, se poate neglija tensiunea pe
IC
condensator faţă de tensiunea de alimentare (vC<<VD) în momentele de timp imediat
următoare comutării. Se poate scrie deci:
VD  L
di
dt
T R
di R
 Ri  vc   i 
dt L
VD
L
, i ( 0 )  0, i (  ) 
VD
R
Rezultă:
E S
R i
VD
R
  R  VD
1  exp   L t    L t
  
Viteza de creştere a tensiunii la bornele tiristorului este:
dv T di dv di VD dv
R  c R R 
dt dt dt dt L dt cr
Rezultă:
dv
dt cr
R 
VD
L
sau (minorând L cu raportul determinat mai sus, dat de relaţia 8.2):
VIII-6
___________________________________________________________________________
dv
dt
R  cr
(8.3)
di
dt cr
Combinând relaţiile 8.1 şi 8.3 obţinem domeniul de valori pentru rezistenţă:
dv
dt VD
cr
R  (8.4)
di I(0) M
dt cr
Capacitatea condensatorului C se determină astfel încât supratensiunea ce apare în

momentul comutării inverse a tiristorului să nu pericliteze integritatea acestuia. Circuitul de
test în momentul comutării inverse se poate modela ca în figura 8.6, iar în figura 8.7 sunt
reprezentate mărimile:
A T
- curentul prin tiristor înainte de comutare;
- curentul prin circuitul serie L-R-C, după comutare (pentru t>trr);
N
- tensiunea pe tiristor.
I
Curentul prin inductanţa L nu poate avea salturi, iar panta sa este:O
I RM di V T
IC
  R
t rr dt L
T R
Din catalog se extrage sarcina de revenire inversă:
 di 
iar din figura 8.7 rezultă

E S Qrr  f  ITM , 
 dt 
R Q rr 
1
2
IRM  t rr
Eliminând timpul de revenire inversă din ultimele două relaţii obţinem:
2 V R Q rr
I RM 
L
Tensiunea pe tiristor este:
1 di
v R  v C  Ri R 
C
 i R dt  Ri R   L R  VR
dt
unde vc şi IR sunt soluţiile ecuaţiei diferenţiale a circuitului serie R-L-C cu condiţiile iniţiale:
VIII-7
___________________________________________________________________________
i R ( t rr )  I RM , v C ( t rr )  0
respectiv cu valorile de regim permanent:
i R ( p )  0 , v C ( p )  VR
Valoarea cea mai mare a tensiunii pe tiristor, şi deci periculoasă, corespunde primului
maxim (egal cu –VRM şi unic în cazul circuitului amortizat).
Ecuaţia care dă punctele de extrem pentru vR este:
dv R i R di R d 2i R
 R  L 2  0
dt C dt dt
astfel că
VRM  v C ( t1 )  Ri R ( t1 ) (8.5)
unde t1 este momentul când se atinge acest maxim.

Ecuaţia transcendentală se rezolvă numeric şi dependenţa supratensiunii funcţie de
mărimile aplicate şi de elementele de circuit se prezintă sub formă grafică. Introducând A T
mărimile adimensionale
N
cC
VR
,rR
2Qrr
,
VRM
I O
2Qrr LVR VR
T
se obţine diagrama din figura 8.8.
IC
Pierderile în rezistenţă depinzând de energia acumulată în condensatorul C, se
T R
recomandă obţinerea valorii dorite pentru  cu o valoare cât mai mică pentru C. În
consecinţă, domeniul recomandat pentru alegerea perechii de valori pentru R şi C este cel
cuprins între liniile întrerupte din figura 8.8.
E S
R
VIII-8
___________________________________________________________________________
8.4. Protecţia ESD pentru tranzistoare MOS şi IGBT

Mulţi utilizatori ai dispozitivelor având la bază tehnologia MOS sunt familiarizaţi cu
mesajul de atenţionare: “WARNING! STATIC SENSITIVE DEVICE!”. ESD reprezintă o
prescurtare pentru descărcarea electricităţii statice (Electricity Static Discharge).
Electricitatea statică reprezintă un exces sau deficit de electroni al unei suprafeţe raportat la
altă suprafaţă sau la pământ. Electricitatea statică se poate măsura prin diferenţa de potenţial
sau prin intermediul sarcinii electrice. Descărcarea electricităţii statice are loc atunci când se
restabileşte echilibrul electrostatic între două corpuri aflate la potenţiale diferite.
Electricitatea statică apare în principal prin inducţie sau prin tribo-electrificare
(frecare).
Distrugerea ESD a tranzistoarelor MOS şi IGBT
Unul dintre cele mai mari avantaje ale structurilor MOS de putere şi IGBT - rezistenţa
de intrare foarte mare, peste 4GΩ – reprezintă în acelaşi timp şi un dezavantaj, fiind şi cauza
distrugerii acestora prin ESD. Distrugerea ESD are loc atunci când tensiunea grilă-sursă este
suficient de mare pentru a străpunge stratul de oxid. Datorită grosimii reduse a acestuia
tensiunea maximă suportată între grilă şi sursă este mică (20V).
T
Prin ESD practic se “arde” o secţiune microscopică în stratul de oxid care determină
A
distrugerea definitivă a dispozitivul. Distrugerea poate fi cauzată, de exemplu, de descărcarea
N
corpului uman încărcat la un potenţial electrostatic de ordinul sutelor de volţi, pe grila
tranzistorului MOS sau IGBT.
I O
Tensiunea statică necesară inducerii unei distrugeri ESD este în jur de 1000V,
dependentă de puterea la care tranzistorul MOS sau IGBT este proiectat (de dimensiunea cip-
ului).
T
8.5. Aplicaţii
IC
R
Aplicaţia 8.1. Calculaţi valoarea componentelor (L, R şi C) din circuitul de protecţie
a tiristoarelor care formează un contactor static. Acesta alimentează de la reţea ( 220 Vef ) o
T
sarcină rezistivă R S = 10 (figura 8.9). Se cunosc parametrii de catalog:
di
E S
dt max
A
 30 ,
s
du
dt max
 600
V
s
R
Pentru a nu solicita exagerat tiristorul în momentul descărcării condensatorului se admite o
energie maximă de 6mJ stocată în capacitorul C.
Rezolvare
Pe durata conducţiei unui tiristor curentul prin sarcină este (vezi figura 8.10):
VIII-9
___________________________________________________________________________
u U
i
sin  , φ=ωt
=
Rs Rs
Solicitarea maximă din punct de vedere al creşterii curentului apare dacă tiristorul
este comandat la  = 90 , când tensiunea are valoarea maximă U = 220  2 V . Rezultă:
U 220  2
L   10,4H
di 30
dt max
Solicitarea maximă prin salt de tensiune are loc dacă reţeaua se conectează în
momentul când u=U. Rezultă:
du du
dt max dt max 600
R    20
U di 30
L dt max
Presupunând că RC<<T/2=10ms, avem u c  u AK  u când tiristoarele sunt blocate,
deci energia înmagazinată în condensatorul C este la un moment dat:
A T
1 1
Cu C2  CU 2 sin 2 
Wc = N
2 2
I O
Solicitarea maximă, care apare la descărcarea condensatorului C prin tiristor, are loc
dacă tiristorul este comandat la  = 90 . Se impune:
1
WC = CU  WC max T
IC
2
2
deci:
C
2 W C max
U
2
=
T R
2  6 10 3
(220  2 )
2
= 1,32F
E S
Aplicaţia 8.2. Un tiristor având Q rr  500nC şi VRRM  1800V comută invers prin aplicarea
unei tensiunii VR  1000V . Dacă inductanţa din circuitul anodic este de 10H , iar rezistenţa
R
din circuitul snubber este de 100 , care este valoarea capacităţii snubber-ului care limitează
tensiunea inversă la o valoare admisibilă?
Rezolvare
Alegând VRM  VRRM se calculează . De exemplu pentru VRM  1600V obţinem
  1,6 . Pe de altă parte r=1, deci o valoare c aleasă din diagrama 8.8, conform
recomandărilor de mai sus, este c=1. În acest caz obţinem C  1F .
VIII-10
Dispozitive Electronice de Putere – Teorie şi Aplicaţii Modalitati de Conectare
___________________________________________________________________________
9. MODALITĂŢI DE CONECTARE
9.1. Conectarea diodelor şi tiristoarelor

 Serie
Dacă tensiunea de alimentare VD este mai mare decât tensiunea VRRM sau VDRM se
realizează structuri de putere compuse din mai multe diode sau tiristoare legate în serie
(figura 9.1).
Dispersia statistică a caracteristicilor statice în blocare determină tensiuni mult diferite
pe dispozitivele de putere din structură. Tiristorul care are curentul rezidual cel mai mic va
prelua o tensiune mai mare (apropiata de VBR sau VB0) şi se distruge prin străpungere sau
autoamorsare, determinând fenomenul de distrugere în cascadă şi a celorlalte tiristoare.
Pentru echilibrarea statică a tensiunilor pe tiristoare se conectează în paralel cu fiecare câte o
rezistenţă de valoare mare R p .
A T
N
I O
T
IC
Figura 9.1
T R
Se presupune că domeniul de dispersie al curenţilor reziduali este I D  (I Dm , I DM ) , iar
rezistenţele de egalizare au toleranţa t . Abaterea tensiunilor pe fiecare dintre cele n
S
dispozitive conectate în serie este precizată de un factor k apropiat de unitate:
E
unde VDM  min(VDRM , VRRM )  VWM
VDM  kVDm (9.1)
R
Cazul cel mai defavorabil apare atunci când dispozitivul având curentul rezidual
minim IDm are în paralel rezistenţa R pM  R p  (1  t ) , iar restul dispozitivelor au IDM şi
rezistenţe în paralel R pm  R p  (1  t ) .
În consecinţă, pentru tensiunea totală susţinută de structură avem:
VD  (n  1)  VDm  VDM (9.2)
Pentru curenţi putem scrie relaţia:
VDM VDm
I Dm   I DM  (9.3)
R p  (1  t ) R p  (1  t )
Alegem:
VWM
VDM  (9.4)

IX-1
___________________________________________________________________________
unde   1 este un coeficient de siguranţă.
După înlocuirea mărimilor VDM şi VWM în relaţia 9.3 obţinem:
VWM  [(k  1)  t  (k  1)]

Rp  (9.5)
  (I DM  I Dm )  (1  t 2 )  k
Condiţia de existenţă a unei soluţii R p  0 impune condiţia de toleranţă:
k 1
t (9.6)
k 1
Înlocuind mărimile VDM şi VWM în relaţia 9.2 obţinem:
VWM VWM n  1  k n
VD  (n  1)   VWM  VWM
k   k  k 
deci numărul de dispozitive necesar este dat de valoarea întreagă:

A T
VD N
n  k 
I OVWM
(9.7)
T
În regim dinamic, datorită dispersia valorilor parametrilor dispozitivelor apar
IC
următoarele fenomene nedorite:
 Sarcina stocată diferită determină un interval de timp privind comutarea inversă (trr)
R
diferit. Astfel, dispozitivul care s-a blocat primul preia întreaga tensiune de blocare.
Curentul prin acesta este curentul invers necesar evacuării sarcinii stocate a celorlalte
T
tiristoare. Apare deci o putere disipată de acest dispozitiv ce poate fi periculoasă. În acest
S
caz se impune divizarea capacitivă a tensiunii, folosind celule R s  Cs în paralel pe
fiecare dispozitiv. Dimensionarea acestora se face utilizând valorile L, C şi R specifice
E
circuitului de protecţie dimensionat pentru tiristorul echivalent întregii structuri din figura
R
9.1 la valorile de lucru nominale. Observând modul de conectare a componentelor,
obţinem Cs=nC şi R s 
R
n
 La comutarea directă, tiristoarele care au un timp de întârziere la comandă tgd mai mare
rămân blocate şi după amorsarea celor cu tgd mai mic. Astfel, ele preiau o tensiune din ce
în ce mai mare, distrugându-se prin disiparea unei puteri sporite (există si riscul
autoamorsării prin depăşirea tensiunii maxime).
Protecţia se face prin:
- reducerea dispersiei timpului de întârziere tgd,
- tehnici de aplicare simultană sau întârziată a impulsurilor de comandă (vezi figura 9.2
unde este prezentată o schemă pentru comanda în serie a tiristoarelor, respectiv figura 9.3
pentru o comandă aservită).
IX-2
___________________________________________________________________________
 Paralel
De asemenea, în cazul conectării în paralel, dispersia caracteristicilor de conducţie în
regim staţionar determină curenţi diferiţi prin dispozitive (tiristoare sau diode). Pentru
reducerea dispersiei curentului se conectează în serie cu fiecare dispozitiv câte o rezistenţa
Rs, de valoare mică.
T
Considerând pentru dispozitive caracteristicile statice liniarizate (vezi figura 9.4),
domeniul de dispersie va fi caracterizat prin limitele VT 01 , rT1  şi VT 02 , rT 2  .
Neglijând efectul toleranţei pentru R s şi notând dispersiile: A
VT 0  VT 02  VT 01  0 rT  rT 2  rT1  0
N
obţinem:
I O
VT  VT 01  rT1  R s   ITM  VT 02  rT 2  R s   kITM (9.8)
I ~
unde k  Tm  1. T
IC
ITM
Rezultă :
T R
Rs 
VT 0
ITM
 k  rT
1 k
 rTm (9.9)
unde rT1  rTm .
E S
R
Figura 9.4
IX-3
___________________________________________________________________________
În cazul convertoarelor echilibrarea dinamică prin cuplarea inductivă a curenţilor din
tiristoarele adiacente este mult mai eficientă decât cea statică.
O grija deosebita trebuie avuta pentru echilibrarea termica a dispozitivelor, care se
realizează prin aşezarea tuturor tiristoarelor sau diodelor pe un radiator comun.
9.2. Conectarea tranzistoarelor bipolare

 Paralel
Echilibrarea statica a curenţilor de
colector a tranzistoarelor conectate în
paralel poate fi realizată în emitor sau în
bază prin introducerea unor rezistenţe în
circuitul de comandă sau de forţă.
Rezistenţele din emitor fiind de valoare
mică se consideră ca fiind aproximativ
egale.
În figura 9.5 este reprezentat
circuitul general de echilibrare pentru
două tranzistoare.
Putem scrie:
Figura 9.5
A T
N
IO
VBB  (I B1  I B1 )R B  I B1R B1  VBE1  IC1R E
(9.10)
VBB  (I B1  I B1 )R B  I B 2 R B 2  VBE 2  IC 2 R E
T
IC
 Echilibrarea în emitor
Considerînd R B1  R B1  0 în relaţiile 9.10 şi R E suficient de mare, obţinem:
T R
(IC1  IC 2 )R E  VBE 2  VBE1  VBE  IC  IC1  IC 2 
VBE
RE
 0  IC1  IC 2
 Echilibrarea în bază
E S
Considerînd R E  0 în relaţiile 9.10 obţinem:
R IC1
R B1
1
R
 IC1 B 2  VBE 2  VBE1  VBE
2
Dacă se îndeplineşte condiţia
R B1 R B 2
  R BB
1 2
şi R BB este suficient de mare, atunci
VBE
IC  IC1  IC 2   0  IC1  IC 2
R BB
Introducerea rezistentelor de echilibrare în bazele tranzistoarelor, reprezintă o soluţie

economică din punct de vedere al puterii disipate de acestea, faţă de cazul echilibrării cu
rezistenţe în emitoare, când trebuie să alegem o soluţie de compromis (între echilibrarea
curenţilor şi scăderea randamentului energetic) considerând I C2 R E  1%PdL . Dacă ţinem cont
IX-4
___________________________________________________________________________
însă că o rezistentă mare în bază măreşte timpii de comutaţie ( în special t sB ) şi că condiţia
de echilibrare în bază depinde de tranzistoare (prin ), soluţia echilibrării în emitoare este
mult mai utilizată (prin efectul de reacţie negativă echilibrarea se obţine atât în zona activa
cât şi în saturaţie).
Echilibrarea dinamica, necesară mai ales la comutarea în blocare datorită inegalităţii
timpilor t sB şi t f (i ) , se poate realiza prin circuite adecvate de accelerare a comenzii şi prin
circuite de echilibrare dinamică de tip R-C.
 Serie
Conectarea în serie a tranzistoarelor se utilizează atunci când tensiunea colector-
emitor ce trebuie comutată sau reglată depăseşte tensiunea maximă admisă. Deoarece practic
acum sunt disponibile tranzistoare care pot comuta tensiuni de ordinul kilovolţilor, gruparea
serie a dispozitivelor este utilizată din ce în ce mai rar. Pentru a pune în evidenţă problemele
de echilibrare a tensiunilor pe dispozitivele ce formează structura, în starea de blocare
(respectiv de conducţie) a sa, la aplicaţii se prezintă o modalitate de comandă a unui element
regulator serie dintr-un stabilizator liniar de tensiune continuă.
9.3. Conectarea în paralel a IGBT

A T
N
Extinderea capabilităţii la curent a IGBT se poate face prin conectarea acestora în
de căldură pe suprafaţa sistemului electronic de putere.

I O
paralel. Se obţine astfel un avantaj suplimentar legat de distribuirea elementelor disipatoare
T
Ca şi în cazul tranzistoarelor de putere, dacă IGBT-urile se cuplează în paralel fără
alte precauţii, există dezavantajul solicitării dezechilibrate a dispozitivelor. Se consideră două
IC
IGBT-uri conectate în
parale, având evident
aceeaşi tensiune poartă-
emitor şi colector-emitor.
Pentru o dispersie mică a
T R
parametrilor caracteristicile
IC(VCE) ale celor două
dispozitive de putere diferă
E S
R
(vezi figura 9.6), rezultând
o distribuire neuniformă a
curentului prin IGBT-uri.
Figura 9.6
Figura 9.7
IX-5
___________________________________________________________________________
Se pune problema dacă variaţia cu temperatura a parametrilor IGBT poate compensa
dezechilibrul de curent ΔIC. Pentru a găsi răspuns la această problemă trebuie să studiem
variaţia cu temperatura a caracteristicii de ieşire IC(VCE). Se constată că această caracteristică
are un coeficient negativ de temperatură pentru nivele de curent sub o valoare caracteristică
unui anumit tip de dispozitiv, şi un coeficient de temperatură pozitiv pentru curenţi ce
depăşesc această limită.
În primul interval este necesară folosirea unui circuit de echilibrare datorită ambalării
termice: dispozitivul care conduce un curent mai mare se va încălzi suplimentar, ca urmare la
aceeaşi tensiune colector-emitor curentul prin acesta va creşte şi mai mult (reacţie pozitivă).
Datorită coeficientului pozitiv de temperatură, în intervalul al doilea este posibilă
echilibrarea curenţilor de colector fără utilizarea unui circuit special (situaţie similară
tranzistorului MOS de putere).
Există două structuri de IGBT:
- cu coeficient negativ de temperatură în toată aria de funcţionare sigură;
- cu coeficient negativ şi pozitiv de temperatură în aria de funcţionare sigură
IGBT-urile cu coeficient pozitiv de temperatură la curentul de lucru pot fi conectate
T
în paralel fără utilizarea unui circuit de echilibrare statică în emitor, însă este absolut necesar
ca ele să nu fie în contact termic. Se vor utiliza rezistenţe separate de comandă în grilă.
A
IGBT-urile având coeficient negativ de temperatură la curentul de lucru vor fi în
N
contact termic şi necesită un circuit de echilibrare în emitor. Pentru echilibrarea statică se vor
utiliza rezistenţe în emitor, analog tranzistorului bipolar de putere.
Măsuri de echilibrare dinamică
Dezechilibrarea dinamică cea mai
I O
puternică este dată de inductanţa
echivalentă din emitor. Pentru aceeaşi T
tensiune de comandă pe poartă, inductanţe
echivalente diferite în emitor duc la
IC
durata comutaţiei. În R
tensiuni poartă-emitor dezechilibrate pe
consecinţă
T
dispozitivele vor fi solicitate în mod
S
dezechilibrat. Măsurile de echilibrare sunt:
- rezistenţe de comandă pe poartă
E
separate pentru fiecare IGBT;
R
- realizarea cablajului imprimat pentru o
cât mai bună echilibrare a inductanţelor
echivalente din emitor.
Figura 9.8
9.4. Aplicaţii
Aplicaţia 9.1. Un stabilizator de tensiune continuă cu element de reglare serie format

din p tranzistoare în paralel (ca în figura 9.5, unde E şi U reprezintă tensiunea continuă de
intrare, respectiv de ieşire din stabilizator), având rezistenţele RE de egalizare a curenţilor,
trebuie să debiteze un curent I=20A, mai mare decât curentul ICM=7A suportat de un singur
tranzistor. Dacă se aproximează liniar caracteristica bază – emitor: u BE  U T  rB i B şi
i C   i B , se cere:
a) p minim necesar;
IX-6
___________________________________________________________________________
b) p pentru RE = 0 şi RE = 0,2;
b) REmin(p) şi PE(p), unde REmin(p) este valoarea minimă pentru RE, iar PE(p) este
puterea totală disipată de cele p rezistenţe RE.
Calcul numeric pentru p = 3  6.
Se cunosc valorile numerice pentru un tranzistor din Si ale dispersiei parametrilor UT, rB şi  :
UTm =0,4V, UTM = 0,65V, rBm = 10, rBM = 20,  m  5 ,  M  15 .
Rezolvare
a) Evident
 I 
p min     1  2,85  1  3
 I CM 
unde [q] reprezintă partea întreagă a numărului q.

Datorită dispersiei parametrilor tranzistorului curenţii de colector nu vor fi niciodată
egali (vezi figura 9.9.b), ei luând valori în gama [ICm , ICM]. Va rezulta astfel o valoare
practică p>pmin.
A T
b) Considerând relaţia aproximativă pentru uBE de tip liniar, se poate scrie (vezi figura
9.9.a):
unde
U B  u BE  R E i C  U T  Ri C
N
r
R  B  RE
I O

T
IC
T R
E S
R
Figura 9.9
Rezistenţa echivalentă R poate avea valorile extreme:
rM r (9.11)
RM   RE , Rm  m  RE
m M
Tensiunea de comandă UB fiind comună pentru toate tranzistoarele avem (vezi figura
9.9.b):
U Tm  R m i CM  U TM  R M i Cm (9.12)
IX-7
___________________________________________________________________________
Situaţia cea mai defavorabilă apare atunci când un singur tranzistor are parametrii
U Tm , R m , deci I C  I CM şi toate celelalte tranzistoare au UTM, RM, deci I C  I Cm . Curentul
total este dat de expresia:
p
I   i Ci  ICM  p  1I Cm
1
În consecinţă, relaţia 9.12 devine:
I  I CM (9.12’)
U Tm  R m I CM  U TM  R M
p 1
deci:
 I  I CM R M  (9.13)
p  1
 I CM R m  U TM  U Tm 
Dacă R E  0 relaţia 9.13 devine:

I  ICM  rBM 
A T

p
 I rBm  U  U 
m 
  1  11,77  1  12
N
 CM M TM Tm

I O
Analog, dacă R E  0,2 relaţia 9.13 devine: T
 r IC 
I  I CM  BM  R E  


p
 r
T R
 m

   1  9,38  1  10

 I CM  Bm  R E   U TM  U Tm 

E S M  
b) Introducând în relaţia 9.12’ expresiile 9.11 pentru RM şi Rm, expresia pentru
R
REmin(p) este:
 
I  I CM   rBM  p  1   I CM  rBm  U TM  U Tm 
m  M 
R E min (p) 
p  I CM  I
În ipoteza că I se distribuie aproximativ egal între cele p tranzistoare, rezultă puteri

aproximativ egale disipate de cele p rezistenţe RE, deci puterea totală va avea valoarea dată
de relaţia:
2
I 1
PE (p)  p  R E     R E I 2
p p
Pentru diferite valori ale lui p, se obţin următoarele date:
IX-8
___________________________________________________________________________
p REmin () PE (W)

3 1,5 25
4 0,7 10
5 0,43 5,375
6 0,3 3,33
Se observă că dacă valoarea lui p este apropiată de limita inferioară, puterea disipată
pe rezistenţele RE este mare, deci randamentul stabilizatorului este mic. Pe de altă parte,
creşterea numărului de tranzistoare reduce puterea disipată pe rezistenţele RE, dar măreşte
aproximativ proporţional costul stabilizatorului.
Aplicaţia 9.2. Elementul regulator serie al unui stabilizator pentru tensiuni mari este
T
format din p tranzistoare în serie (p=6 în figura 9.10.a), având parametrii VCB0=70V,
VCE0=60V, M=200, m=150, ICB0=30nA. Tensiunea maximă la intrare este E=300V, iar la
ieşire U=12V. Curentul maxim prin sarcină este IM=100mA.
A
Se cere să se calculeze:
N
a) Valoarea maximă a rezistenţelor (R) din divizorul rezistiv de egalizare a
I O
tensiunilor pentru a nu se depăşi VCEM  VCE 0 , dacă curenţii reziduali au valori
cuprinse între I CEM  I CE 0   M  I CB 0 şi ICEm0;
T
b) Valoarea maximă R pentru a nu se depăşi UCEM când tranzistoarele sunt în
IC
conducţie (IC=IM).
T R
E S
R
Figura 9.10
IX-9
___________________________________________________________________________
Rezolvare
a) În absenţa rezistenţelor R, tensiunea se distribuie pe tranzistoare în mod inegal,
deoarece fiind în serie sunt parcurse de acelaşi curent rezidual, rezultând tensiuni colector-
emitor diferite (vezi figura 9.10.b).
Neglijând tensiunea bază – emitor a tranzistoarelor, în circuit apare câte un tranzistor
în paralel cu fiecare rezistenţă R. Curentul rezidual de colector se însumează cu cel prin
rezistenţa R, deci:
VCEM V
I CEm   I CEM  CEm
R R
Deoarece rezistenţele divizorului sunt egale rezultă că avem:
VCE1  VCE2  ...  VCEp  VCEM  p  1VCEm  E

deci
I CEm 
VCEM
R
 I CEM 
E  VCEM
p  1R A T
N
Rezultă condiţia pentru alegerea valorii rezistenţei R:
pVCEM  E I O
R
T
p  1I CEM  I CEm 
IC
Considerând VCEM  VCE0 , I CEM  I CE0   I CB0 şi I CEm  0 , rezultă relaţia de dimensionare:
T R R
pVCE0  E
p  1ICE0
E S
Numărul p de tranzistoare trebuie să fie mai mare decât E pentru ca ele să poată
R
suporta tensiunea E, deci:
VCE 0
 E 
p  1  6
 VCE 0 
Curentul de fugă este:

I CE 0   M I CB 0  200  30 nA  6A
Rezultă
60
R  2 M
30  10 -6
b) Când tranzistoarele sunt în conducţie, deoarece curentul IB1 este furnizat de amplificatorul
de eroare AE, rezistenţa aflată în paralel cu T1 este parcursă de curentul
I R  VCE / R , cea în paralel cu T2 – de curentul IB2 + IR, şi aşa mai departe. Ultima
IX-10
___________________________________________________________________________
n
rezistenţă este parcursă de curentul I R   i Bj . Prin însumarea tensiunilor de pe
j 2
rezistenţele R, ţinând seama că U<<E, rezultă:
 p
1  p 1
1  I  
E  E  U  R  I R  I C     I R  I C    ...   I R  C   I R .
 j 2  j j 2  j  2  
  
sau
E p
p 1 j
 pI R  I C 
R j 2 j
deci
1E p
p  1  j 
I R    I C 
pR j 2  j 
Tensiunea cea mai mare este:
A T
 p
1 E
VCEp  R  I R  I C     RI C 
j 2  j
 p
p
1 j 1
j 2  j p N

I O
T
şi este maximă când  j   m (pentru toate tranzistoarele) şi I C  I M . Rezultă:
VCE 0 
E RI M

p m
1 p
IC  E RI M p  1
 p   j  1  p    2
de unde rezultă:
T R 
 j 2
E
R   U CE 0   m

2
m
E S  p  IM p  1
Pentru p=6 rezultă R<6k. De exemplu, pentru R=6k curentul prin divizorul
R
rezistiv este E/(pR)8,33mA << I M , deci R '  75 .
Se observă că valoarea rezistenţei R este impusă de condiţia din regimul de conducţie.
IX-11
Dispozitive Electronice de Putere – Teorie şi Aplicaţii Bibliografie
_____________________________________________________________________________
BIBLIOGRAFIE
1. Kelemen, M. Imecs, s.a., “Mutatoare – aplicaţii”, Editura Didactică şi Pedagogică, Bucureşti,

1980.
2. Kelemen, M. Imecs, “Electronică de putere”, Editura Didactică şi Pedagogică, Bucureşti,
1983.
3. Silard, “Tiristoare cu blocare pe poartă”, Editura Tehnică, 1990.
4. Taylor, “Power MOSFET design”, John Wiley & Sons, 1993.
5. Jayant Baliga, “Modern Power Devices”, John Wiley & Sons, 1987.
6. M. Bird, ş.a., “An introduction to Power Electronics”, John Wiley & Sons, 1993.
7. Rădoi, A. T. Murgan, V. Lăzărescu, ş.a., “Circuite şi Echipamente Electronice Industriale”,
Editura Tehnică, Bucureşti, 1986.
1994
A T
8. Rădoi, s.a., “SPICE Simularea şi analiza circuitelor electronice”, Ed. Amco Press, Bucureşti,
9. Finney, “The Power Thristor and its Apllications”, Mc. Graw Hill, New York, 1980.
N
10. Sofron, N. Bizon, S. Ionita, R. Raducu, “Modelare şi proiectare asistată de calculator a
sistemelor de control fuzzy”, Editura All, Bucuresti, 1998.
I O
11. Ionescu, s.a., “Convertoare statice de putere”, Editura Tehnica, Bucureşti, 1995.
12. F. Ionescu, “Diode semiconductoare si redresoare de putere”, Editura Tehnica, Bucureşti,
1995.
T
13. F. Ionescu, D. Alexa, s.a., “Electronica de putere – modelare si simulare”, Editura Tehnica,
Bucureşti, 1997.
IC
14. Ponner, “Electronică industrială”, Editura Didactică şi Pedagogică, Bucureşti, 1973.
Tehnica, Bucureşti, 1988.
T R
15. Străinescu, M. Condruc, “Tiristorul – Caracteristici, comandă, protecţie, utilizări”, Editura
16. Teodorescu – “Electronică industrială”, IPB, 1990.
Bucureşti, 1990.
E S
17. Bose, “Modern Power Electronics”, IEEE Pres, 1992.
18. Bodea, I. Teodorescu, şa., “Diode şi tiristoare de putere – Aplicaţii”, Editura Tehnica,
19. Bodea, I. Teodorescu, şa., “Diode şi tiristoare de putere – Performanţe”, Editura Tehnica,
Bucureşti, 1990.
R
20. Lucanu, “Electronica industrială”, IPI, 1981.
21. Bizon, “Electronică Industrială – I”, Îndrumar de laborator, Editura Universităţii din Piteşti,
Piteşti, 1999.
22. N. Bizon, “Dispozitive şi circuite electronice de putere”, Culegere de probleme, Editura
Universităţii din Piteşti, Piteşti, 1999.
23. N. Iosif, D. M. Luca, “Tiristoare şi module de putere – Catalog”, Editura Tehnica, Bucureşti,
1984.
24. Constantin, s.a., “Electronică industrială”, Editura Didactică şi Pedagogică, Bucureşti, 1983.
25. Dan, D. M. Luca, ş.a., “Diode cu siliciu – Catalog”, Editura Tehnica, Bucureşti, 1986.
26. Bîrcă-Gălăţeanu, D. A. Stoichescu, P. Constantin, “Electronică de putere – Aplicaţii”,
Editura Militară, Bucureşti, 1991.
27. V. Popescu, “Electronică Industrială”, IPT, 1983.
28. V. Popescu, “Electronică de putere”, Editura de Vest, Timişoara, 1998.
B-1
Dispozitive Electronice de Putere – Teorie şi Aplicaţii Bibliografie
_____________________________________________________________________________
29. ***, “Tranzistoare”, Catalog IPRS Băneasa, 1998.
30. ***, “Diode şi Tiristoare”, Catalog IPRS Băneasa, 1998.
31. ***, “Power Semiconductor Applications”, Philips Semiconductors, 1992.
32. ***, “Power module”, Mitsubishi semiconductors, 1995.
33. ***, “Databook”, Semikron, 1990.
34. ***, “Bipolar Power Transistor – Databoook”, Harris Semiconductor, 1992.
35. ***, “MCT/IBBTs/Diodes – Databoook”, Harris Semiconductor, 1992.
36. ***, “PSPICE – Reference Guide”, ORCAD9 Manuals, 2001
A T
N
I O
T
IC
T R
E S
R
B-2

Curs DEP

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Curs DEP

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

NICU BIZON RADIAN RĂDUCU

Lucrarea ,,Electronică Industrială – Teorie şi Aplicaţii ” este destinată în

E S modalităţilor de calcul aferente.

R având un grad de dificultate divers, lucrarea

Prof. Dr. ing. Nicu BIZON

Electronica industrială sau de putere s-a impus în ultimele decenii ca un domeniu

În momentul de faţă, acumulându-se

2. DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

2.1. CARACTERIZARE GENERALĂ

În general, dispozitivelor semiconductoare de putere (cu excepţia diodelor din

pentru o tensiune directă în conducţie minimă.

Utilizând tehnici de proiectare variate şi originale, un proiectant de circuite

Observaţie privind notaţiile utilizate. Un "+" are, în funcţie de context, semnificaţia

Dispozitiv / HVT JFET MOS THY GTO IGBT IGBT Unitate de

ts, tq 2 0.1 0.1 5 1 N 2 0.5 μs

Imax 1000 10 100 5000 3000 400 400 A

fmax 50 1000 1000 10 20 50 200 kHz

2.2. MODELE TERMICE. APLICAŢII

În general, energia termică generată în timpul funcţionării este transportată prin

Făcând uz de asemănarea ecuaţiilor care descriu propagarea căldurii şi, respectiv,

Fiecare componentă a ansamblului dispozitiv semiconductor - sistem de răcire poate

condiţiile unui transport staţionar de energie. Capacitate termică determină energia

Dacă se presupune că în momentul t0 puterea disipată are un salt de la valoarea Pd0

Pentru o încărcare cu un impuls unic dreptunghiular de putere Pd şi durată tp

Dacă se cunoaşte mărimea:

denumită impedanţă termică tranzitorie, nu mai este necesar să se detalieze elementele

Modelul termic echivalent acestei structuri de evacuare a energiei disipate de cele

 j1 - a = Pd1 R th1 + (Pd1 + Pd 2) R thr-a

R thr -a1 = ( jM1 - a - Pd1 R th1)/(Pd1 + Pd 2)

Pentru a nu se distruge termic nici un tranzistor se alege:

Rthr-a < min(Rthr-a1, R thr-a2)

Se observă că dimensionarea radiatorului este dictată de parametrii tranzistorului T2.

Amplitudinea pulsului de putere este:

Pulsurile de putere pd*, de formă dreptunghiulară, cu amplitudinea maximă PFM, au

Temperatura joncţiunii la momentul de timp t va fi:

 j (t ) =  a + P d(AV) ( Rth j -t (t ) + Rth c - a )

Utilizând pentru Rthj-t valorarea de regim staţionar (se ia ca exemplu lungimea

 j(st) =  a + Pd(AV) ( Rth j -t + Rth t - a ) = 100o C

Temperatura capsulei şi a terminalelor diodei este:

 t(st) =  j(st) - P d(AV) Rth j -t = 47o C

Comutaţia diodelor de putere este determinată de circuitul electric în care sunt

Comparând parametrii caracteristici enumeraţi mai sus se poate constata că diodele

3.1. Structuri şi caracteristici statice

VT0=0,8÷1,1V , rTI0(0,1÷0,2)V (3.5)

Cunoscându-se parametrii VT0, rT şi IR se poate reprezenta modelul electric

Valorile uzuale pentru curentul invers IR în funcţie de temperatura joncţiunii, la

temperatura ambiantă Ta.

În domeniul temperaturilor de lucru a joncţiunii (j150°C) între curentul invers şi

La diodele cu avalanşă controlată străpungerea are loc practic simultan pe întreaga

3.2. Valori limită admisibile

În regim de polarizare inversă se definesc

3.3. Comportarea dinamică

de revenire inversă trr.

Durata intervalului de timp în care dioda îşi restabileşte capabilitatea de blocare în

Durata procesului tranzitoriu este relativ mică, de ordinul microsecundelor, adică

În intervalul ts  trr capacitatea inversă Cr a joncţiunii se încarcă, tensiunea inversă pe

Energia acumulată în bobină în momentul comutării după timpul ts este:

După stingerea procesului tranzitoriu (i 0, v=VR), rămâne o energie acumulată în

durează practic procesul de comutare, este:

Obţinem puterea disipată: T

unde f este frecvenţa comutărilor. T R  2 

Pd ( com )  Prr  fQ rr E R (3.22’)

Primul termen este puterea disipată în conducţie directă:

Dacă se introduce factorul de formă al curentului kf=IF(RMS)/IF(AV) relaţia 3.24 se