Yªu cÇu m«n häc

1. Lý thuyÕt. Bµi gi¶ng ; s¸ch “ Kü thuËt ®iÖn tö ”,“ ®iÖn tö t­¬ng tù ”.
2. Bµi tËp. Trªn líp ; bµi tËp vÒ nhµ ; c¸c s¸ch bµi tËp.
3. Thi. ®­îc dïng tµi liÖu, chñ yÕu d¹ng bµi tËp.
4. C«ng cô hç trî : sö dông c¸c phÇn mÒm chuyªn dông trªn PC.
Néi dung
1. Giíi thiÖu chung; c¸c phÇn tö b¸n dÉn trong ®iÖn tö tÝn hiÖu.
2. KhuÕch ®¹i tÝn hiÖu biÕn thiªn nhanh ( khuÕch ®¹i xoay chiÒu).
3. KhuÕch ®¹i tÝn hiÖu biÕn thiªn chËm (khuÕch ®¹i mét chiÒu).
4. C¸c m¹ch xö lý tÝn hiÖu analog.
5. Nguån cung cÊp cho m¹ch ®iÖn tö.
6. Nghiªn cøu m¹ch ®iÖn tö b»ng m« pháng.
§iÖn tö t­¬ng tù
nh÷ng vÊn ®Ò chung cña kü thuËt ®iªn tö :
VÞ trÝ vµ
môc ®Ých
tÝn hiÖu :
1. Trung thùc
2. HiÖu suÊt
N¨ng l­îng :
1. HiÖu suÊt.
2. Trung thùc
CÊu tróc tæng qu¸t
cña thiÕt bÞ ®iÖn tö c«ng suÊt.
1.1. ChÊt b¸n dÉn vµ ®Æc ®iÓm
Trong kü thuËt ®iÖn chia lµm 3
lo¹i chÊt theo ®iÖn trë xuÊt.
1.ChÊt dÉn ®iÖn :
2.ChÊt c¸ch ®iÖn.
3.ChÊt b¸n dÉn.
ChÊt b¸n dÉn thuÇn : Silic,
Giecmani, Xªlen, Gali«xit…
nhãm ho¸ trÞ 4,
ChÊt b¸n dÉn ®­îc øng dông lµ
lo¹i p vµ n.
• B¸n dÉn lo¹i n.
• B¸n dÉn lo¹i p.
cm . ) 10 10 (
4 6
O ÷ =
÷ ÷

cm . ) 10 10 (
15 10
O ÷ = 
cm . ) 10 10 (
10 6
O ÷ =
÷

Bµi 1. C¸c phÇn tö b¸n dÉn
trong ®iÖn tö tÝn hiÖu
1. §i«t ( DIODE). Nguyªn lý, ®Æc ®iÓm, øng dông.
2. Transistor Bipolar ( BT). C¸c lo¹i BT , nguyªn lý ®Æc ®iÓm vµ ®Æc
tÝnh VA.
3. Transistor tr­êng (FET) : JFET, MOSFET : nguyªn lý, ®Æc ®iÓm
vµ ®Æc tÝnh VA.
MiÒn qu¸ ®é p-n ( Junction ) vµ hµng rµo thÕ
C¸c chuyÓn ®éng cña h¹t mang ®iÖn
• KhuÕch t¸n.
• Tr«i.
HiÖn t­îng khi trong chÊt b¸n dÉn thuÇn cÊy
vµo hai miÒn kh¸c lo¹i nhau p vµ n.
KhuÕch t¸n :
®iÖn tr­êng miÒn qu¸ ®é p-n gäi lµ hµng rµo
thÕ miÒn qu¸ ®é, ®­îc ký hiÖu lµ φ
j
.
1.2. DIODE.
§Æc tÝnh VA.
®i«t thực :
φ
T
≈26mV
(ë 30
o
C)
Khi ®i«t dÉn
• Khi ®i«t kho¸
• Khi ®iÖn ¸p ng­îc qu¸ lín
s D D
u
s D D
o
T
u
s D
I i u
e I i u
C q
K J k
q
kT
e I i
T
D
T
D
÷ ~ ¬ <
~ ¬ >
=
=
= ÷ =
÷
÷
0
0
10 . 6 , 1
; / 10 . 38 , 1
; ) 1 (
19
23



C¸c ®Æc tÝnh VA ¸p dông khi ph©n tÝch
m¹ch ®iÖn tö .
1. §Æc tÝnh VA lý t­ëng.
2. §Æc tÝnh VA tuyÕn tÝnh.
Khi dÉn:
UD = Uo + ID.r
d
.
3. §Æc tÝnh VA thùc.
.
1.2. DIODE. ®Æc tÝnh VA
1.3.Ph©n tÝch m¹ch cã ®i«t. M¹ch h¹n chÕ tÝn hiÖu ®iÖn ¸p.
I. M¹ch h¹n chÕ trªn.
u
vµo
= U
vm
sinωt.
1. Coi ®ièt lµ van lý t­ëng.
a/. §i«t dÉn.
b/. ®ièt kho¸.
.
I. M¹ch h¹n chÕ trªn
2/.Coi ®i«t cã VA tuyÕn tÝnh.
a/. §i«t kho¸.
b/. §i«t dÉn.
.
I. M¹ch h¹n chÕ trªn (3).
M¹ch h¹n chÕ tÝn hiÖu ®iÖn ¸p.
II. M¹ch h¹n chÕ d­íi.
S¬ ®å m¹ch : ®¶o chiÒu ®i«t D.
u
vµo
= U
vm
sinωt.
1. Coi ®ièt lµ van lý t­ëng.
a/. §i«t dÉn.
b/. ®ièt kho¸.
.
2/.Coi ®i«t cã VA tuyÕn tÝnh.
a/. §i«t kho¸.
b/. §i«t dÉn.
III. M¹ch h¹n chÕ trªn - d­íi.
GhÐp ®ång thêi c¶ h¹n trÕ trªn vµ h¹n
chÕ d­íi trong cïng mét m¹ch.
§Æc ®iÓm :
§Æc tÝnh truyÒn ®¹t : u
ra
= f(u
vµo
).
M¹ch h¹n chÕ thùc tÕ.
Mét sè l­u ý :
1.3. Bipolar Transistor ( BT )
hoÆc BiJunction Transistor (BJT) 1947
Bipolar Transistor ( BT )
§Æc tÝnh vµo :
Quan hÖ vÒ dßng ®iÖn.
) 1 e ( I i
T
BE
U
ES E
÷ =
m
T
BE
U
ES E
e I i

. =
B C B C
C
E B C
i i i i
i
i i i


  ÷
= ¬ = ÷ ¬ = = +
1
) 1
1
(



÷
=
1
1 +
=



BT. §Æc tÝnh ra i
c
= f(u
ce
)
• §Æc tÝnh lµ quan hÖ ic= f(uce) khi giø
dßng ba z¬ kh«ng ®æi : ib = const.
• hä ®Æc tÝnh ra ic= f(uce; ib)
BT. bãng pnp
BT : mét sè ®iÓm chung kh¸c.
• BT kiÓu ®Êu Dalint¬n
• C¸c tham sè giíi h¹n.
1.4. Bãng FET ( Field-Effect Transistor )
1. Bãng
JFET
2. Bãng
MOSFET
1.4.1. Jfet ( Junction FET ; kªnh n )
Nguyªn lý vµ ®Æc ®iÓm
§Æc tÝnh VA
1. §Æc tÝnh ®iÒu khiÓn :
i
D
= f(Ugs)
2. Tham sè khuÕch ®¹i :
g
m -
®é hç dÉn
3. §Æc tÝnh ra : =f(Uds, Ugs).
2
) (
p gs D
U U k i ÷ =
1.4.2. MOSFET ( Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
Transistor).
• MOSFET cã hai lo¹i.
1/. MOSFET kªnh ®Æt s½n.
2/. MOSFET kªnh c¶m øng.
®Æc tÝnh truyÒn ®¹t
X
gs
D
gs
D
m
du
di
U
I
g =
A
A
= ®é hç dÉn
Tæng kÕt vÒ bãng FET
®Æc tÝnh truyÒn ®¹t
®Æc tÝnh ra :
§Æc tÝnh truyÒn ®¹t lo¹i kªnh n vµ kªnh p
2.1. Giíi thiÖu chung
C¸c tham sè cña bé khuÕch ®¹i.
• HÖ sè khuÕch ®¹i ®iÖn ¸p.
• HÖ sè khuÕch ®¹i dßng ®iÖn.
• HÖ sè khuÕch ®¹i c«ng suÊt .
HÖ sè Kp lµ hÖ qu¶ cña hÖ sè K
u
vµ K
i
• Tæng trë vµo.
• Tæng trë ra.
Bµi 2. KhuÕch ®¹i xoay chiÒu
6. §Æc tÝnh tÇn.
a/. ®¬n vÞ decibel.
K [dB] = 20log
10
K
b/. §Æc tÝnh biªn tÇn .
c/. §Æc tÝnh pha tÇn.
d/. D¶i th«ng .
7. MÐo.
mÐo phi tuyÕn
mÐo tuyÕn tÝnh.
8. C¸c chÕ ®é khuÕch ®¹i cña
Transistor.
• ChÕ ®é A :
• ChÕ ®é B :
• ChÕ ®é C :
• ChÕ ®é D :
C¸c kiÓu ®Êu BT.
• ®Êu kiÓu £mit¬ chung.
• ®Êu kiÓu Colect¬ chung.
• ®Êu kiÓu Baz¬. Chung.
2.2. KhuÕch ®¹i BT, chÕ ®é A
A. BT, s¬ ®å £mit¬ chung (EC), chÕ ®é A
ChÕ ®é tÜnh vµ chÕ ®é ®éng.
Mét sè s¬ ®å khuÕch ®¹i BT, kiÓu £mit¬ chung.
I. T¸ch s¬ ®å chÕ ®é tÜnh vµ ®éng.
a/.ChÕ ®é tÜnh :
b/. ChÕ ®é ®éng.
II. TÝnh to¸n chÕ ®é tÜnh.
Môc ®Ých :
• x¸c ®Þnh ®Æc tÝnh tÜnh : t×m qua hÖ ic = f(u
ce
).
• T×m ®iÓm lµm viÖc tÜnh Q trªn ®Æc tÝnh ra.
S¬ ®å 1.
a/. M¹ch vßng CE :
®Æc tÝnh tÜnh
b/. M¹ch vßng BE.
®iÓm lµm viÖc tÜnh Q {IcQ;UceQ}
{ ; { ;
c cc c ce cc ce c
R E i u E u i / ; 0 ; ; 0 = = = =
Cã thÓ Eb = Ecc
II. TÝnh to¸n chÕ ®é tÜnh (2).
S¬ ®å 2.
a/. M¹ch vßng CE :
®Æc tÝnh tÜnh :
b/. XÐt m¹ch vßng BE.
§iÓm lµm viÖc tÜnh Q
{ ; { ; ) /( ; 0 ; ; 0
e c cc c ce cc ce c
R R E i u E u i + = = = =
Cã thÓ Eb = Ecc
)
1
(
e c
t
R R
arctag
+
÷ = 
II. TÝnh to¸n chÕ ®é tÜnh (3).
S¬ ®å 3.
BiÕn ®æi Thªvªnin chuyÓn s¬ ®å vÒ thµnh s¬ ®å xÐt.
Qui ®æi :
2 1
2
2 1
//
b b b
b
b b
cc
b
R R R
R
R R
E
E
=
+
=
III. TÝnh to¸n chÕ ®é ®éng
S¬ ®å chÕ ®é ®éng lµ t­¬ng tù nhau.
1/. §Æc tÝnh ®éng.
)
'
1
(
c
d
R
arctag ÷ = 
III. TÝnh to¸n chÕ ®é ®éng.
• biªn ®é tèi ®a cña dßng colect¬ :
• t­¬ng øng biªn ®é tèi ®a cña ®iÖn
¸p u
ce
:
2/. S¬ ®å thay thÕ BT ë chÕ ®é
®éng.
s¬ ®å thay thÕ kiÓu “ tham sè h “.
2
1
22 21
12 11
2
1
u
i
h h
h h
i
u
=
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
u h i h i
u h i h u
+ =
+ =
¸p dông cho BT
ce c
b be
u u i i
i i u u
÷ ÷
÷ ÷
2 2
1 1
;
;
biÓu thøc quan hÖ
vµo/ra cho BT
ce b c
ce b be
u h i h i
u h i h u
22 21
12 11
+ =
+ =
III. TÝnh to¸n chÕ ®é ®éng.
®¬n gi¶n hãa:
HÖ sè khuÕch ®¹i dßng ®iÖn :
ce b c
ce b be
u h i h i
u h i h u
22 21
12 11
+ =
+ =
Tæng hîp hai chÕ ®é.
Tæng trë ra : Rc
Tæng trë vµo :
11
11
11
.
//
h R
h R
h R R
b
b
b v
+
= =
B. KhuÕch ®¹i BT, s¬ ®å Colect¬ chung (CC)
I. Mét sè s¬ ®å Colect¬ chung vµ t¸ch s¬ ®å cho chÕ ®é tÜnh vµ ®éng .
B. KhuÕch ®¹i BT, s¬ ®å Colect¬ chung (CC)
Mét sè s¬ ®å Colect¬ chung vµ t¸ch s¬ ®å cho chÕ ®é tÜnh vµ chÕ ®é ®éng .
II. TÝnh to¸n chÕ ®é tÜnh cho s¬ ®å chung .
a/. M¹ch vßng CE :
®Æc tÝnh tÜnh:
b/. XÐt m¹ch vßng BE.
®iÓm lµm viÖc tÜnh Q
{ ; { ;
e cc c ce cc ce c
R E i u E u i / ; 0 ; ; 0 = = = =
)
1
(
e
t
R
arctag ÷ = 
III. TÝnh to¸n chÕ ®é ®éng.
1/. §Æc tÝnh ®éng.
)
'
1
(
e
d
R
arctag ÷ = 
II. TÝnh to¸n chÕ ®é ®éng
S¬ ®å thay thÕ BT cho tr­êng hîp ®Êu colect¬ chung.
HÖ sè khuÕch ®¹i ®iÖn ¸p :
HÖ sè khuÕch ®¹i dßng ®iÖn:
Tæng trë ra :
Tæng trë vµo :
2.3. KhuÕch ®¹i tÝn hiÖu chÕ ®é A. bãng FET
C¸c kiÓu ®Êu FET cho khuÕch
®¹i.
• ®Êu kiÓu Source chung.
®Æc ®iÓm :
• ®Êu kiÓu Drain chung.
®Æc ®iÓm :
• ®Êu kiÓu Gate Chung.
®Æc ®iÓm :
2.3.KhuÕch ®¹i dïng bãng FET
S¬ ®å kiÓu cùc Source chung.
2.3.1. KhuÕch ®¹i dïng JFET.
1. 1. ChÕ ChÕ ®é ®é t tÜ Ünh nh. S¬ ®å.
a/. ®Æc tÝnh tÜnh :
theo m¹ch vßng DS
ph­¬ng tr×nh ®Æc tÝnh tÜnh :
{ ;
{ ; ) /( ; 0
; 0
s d cc d ds
cc ds d
R R E i u
E u i
+ = =
= =
2.3.1.KhuÕch ®¹i JFET (2)
b/. ®iÓm Q.
M¹ch vßng GS.
1. Gi¶i theo ph­¬ng ph¸p ®å thÞ.
2
) 1 ( ÷ =
÷
p
gs
dss
s
gs g
U
u
I
R
u U 2. Giải tích: giải phương trình bậc 2
Chọn nghiệm thỏa mãn điều kiện:
Up < U
gsQ
< 0
2.3.1. JFET, s¬ ®å SC
2/. ChÕ ®é ®éng. t d
t d
d
;
R // R
1
arctag
¸ > ¸
÷ = ¸
Sơ đồ thay thế JFET ở chế độ động
2.3.1. JFET, s¬ ®å SC, chÕ ®é ®éng.
• HÖ sè khuÕch ®¹i ®iÖn ¸p.
• HÖ sè khuÕch ®¹i dßng ®iÖn.
d d d g g g
r R R R R R // ' ; //
2 1
= =
2.3.2.KhuÕch ®¹i dïng bãng MOSFET
MOSFET cã hai lo¹i.
Lo¹i kªnh ®Æt s½n t­¬ng tù nh­ JFET.
Lo¹i kªnh c¶m øng th× kh¸c, nªn xÐt lo¹i nµy.
II. MOSFET ®Êu kiÓu SC.
1. 1. ChÕ ChÕ ®é ®é t tÜ Ünh nh. S¬ ®å.
a/. ®Æc tÝnh tÜnh :
Suy ra ph­¬ng tr×nh ®Æc tÝnh tÜnh :
{ ;
{ ; ) /( ; 0
; 0
s d cc d ds
cc ds d
R R E i u
E u i
+ = =
= =
2.3.2. K§ MOSFET, s¬ ®å SC (2)
b/. ®iÓm Q.
1. Gi¶i theo ph­¬ng ph¸p ®å thÞ.
2
) (
TH gs
s
gs g
U u k
R
u U
÷ =
÷
2. Giải tích: giải phương trình bậc 2
Chọn nghiệm thỏa mãn điều kiện:
U
gsQ
> U
TH
2.3.2.MOSFET, s¬ ®å SC
2/. ChÕ ®é ®éng.
S¬ ®å chÕ ®é ®éng gièng
nh­ JFET.
Sơ đồ thay thế MOSFET kênh cảm ứng
2.3.2.MOSFET, s¬ ®å SC, chÕ ®é ®éng.
• HÖ sè khuÕch ®¹i ®iÖn ¸p.
• HÖ sè khuÕch ®¹i dßng ®iÖn.
2.4. C¸c vÊn ®Ò kh¸c trong khuÕch ®¹i.
2.4.1. khuÕch ®¹i nhiÒu tÇng.
Môc ®Ých : t¨ng hÖ sè khuÕch ®¹i
HÖ sè khuÕch ®¹i ®iÖn ¸p :
HÖ sè khuÕch ®¹i dßng, t­¬ng tù :
1 2 3 ) 1 (
1
2
2
3
3
) 1 (
) 1 (
...... . . ......
u u u n u un
v
ra
v
ra
v
ra
n v
n ra
vn
ran
vao
ra
u
K K K K K
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
u
K
÷
÷
÷
= = =
1 2 ) 1 (
1
2
2
) 1 (
) 1 (
...... . .......
i i n i in
v
ra
v
ra
n v
n ra
vn
ran
v
ra
i
K K K K
i
i
i
i
i
i
i
i
i
i
K
÷
÷
÷
= = =
GhÐp hai tÇng khuÕch ®¹i kiÓu EC.
2.4.2. khuÕch ®¹i chÕ ®é B.
KhuÕch ®¹i kiÓu ®Èy – kÐo ( Push – Pull)
• ChÕ ®é A : khuÕch ®¹i ®ñ c¶ hai nöa chu kú.
• ChÕ ®é B : m¹ch chØ khuÕch ®¹i chØ mét nöa chu kú
cña tÝn hiÖu vµo.
2.4.2. KhuÕch ®¹i kiÓu ®Èy – kÐo ( Push – Pull)
1/. KiÓu ghÐp biÕn ¸p.
a/.ChÕ ®é tÜnh. u
v
=0.
b/. ChÕ ®é ®éng. u
v
≠0
° ~ · ÷ ~ ÷ = 90 ) (
1
arctag
R
arctag
c
t

2.4.2. KhuÕch ®¹i kiÓu ®Èy – kÐo
2/. ghÐp qua tô, dïng bãng kh¸c
lo¹i, t¶i Emit¬
3/. KhuÕch ®¹i ë chÕ ®é AB
ghÐp trùc tiÕp
Kh¾c phôc mÐo xuyªn t©m.
2.4.3. §Æc tÝnh tÇn cña bé khuÕch ®¹i (1).
Quan hÖ Ku(ω) ⇒®Æc tÝnh biªn tÇn;
Quan hÖ φ(ω ) - ®Æc tÝnh pha tÇn.
c
j
u u
j
K
e K j K


 
 
+
= =
1
). ( ) (
0 ) (
2
0
) ( 1
) (
c
u
f
f
K
K
+
= 
c
arctag


  ÷ = ) (
2.4.3. §Æc tÝnh tÇn cña bé khuÕch ®¹i (2).
§Æc tÝnh tÇn cña khuÕch ®¹i xoay chiÒu.
Cã ®Æc ®iÓm lµ hÖ sè khuÕch ®¹i bÞ suy gi¶m ë c¶ hai
vïng tÇn sè.
Vïng tÇn sè thÊp:
Vïng tÇn sè cao.
hÖ sè mÐo :
• d¶i th«ng tÇn “Band width”.
2.4.3. §Æc tÝnh tÇn cña bé khuÕch ®¹i (3).
• §å thÞ Bode.
Lµ ®å thÞ biªn tÇn víi hÖ to¹ ®é [dB] –
log(f/f
o
).
Theo ®Æc tÝnh biªn tÇn
ChuyÓn sang hÖ [dB]
LuËt liªn hÖ gi÷a K
o
, f
o
vµ f
c
:
) f ( K ] dB [ K
)
f
f
( 1 log 20 ] dB [ K ) f ( K log 20 ] dB [ K
0
2
0
0 u
A ÷ =
+ ÷ = =
2
0
0
) ( 1
) (
f
f
K
K
u
+
= 
2.4.3. §Æc tÝnh tÇn cña khuÕch ®¹i
C¸c d¹ng mÐo trong khuÕch ®¹i.
1. MÐo phi tuyÕn.
HÖ sè mÐo tÇn sè n :
HÖ sè mÐo tæng :
2. MÐo tuyÕn tÝnh (hay mÐo tÇn sè).
% 100 .
1
%
A
A
D
n
n
=
% 100 . .... %
2 2
3
2
2 n
D D D TDH + + + =
2.4.4. Ph¶n håi trong khuÕch ®¹i
KhuÕch ®¹i hÖ hë :
KhuÕch ®¹i hÖ kÝn :
Ph¶n håi
Ph©n lo¹i :
• Ph¶n håi d­¬ng :
2.4.4. Ph¶n håi trong khuÕch ®¹i
• Ph¶n håi ©m :
T¸c dông cña ph¶n håi ©m ®iÖn ¸p.
ph v v
u u u ÷ = '
Bµi 3. khuÕch §¹i mét chiÒu.
3.1. VÊn ®Ò chung.
§Þnh nghÜa. KhuÕch ®¹i mét chiÒu lµ bé khuÕch ®¹i cã
kh¶ n¨ng khuÕch ®¹i tÝn hiÖu ®Õn tÇn sè b»ng 0.
§Æc tÝnh tÇn cña khuÕch ®¹i mét chiÒu,
3.2. KhuÕch ®¹i c©n b»ng – khuÕch ®¹i vi sai
nguyªn lý.
3.2. KhuÕch ®¹i c©n b»ng
II. T¸c ®éng cña tÝn hiÖu vµo.
1. Tín hiệu vào không đối xứng.
2. TÝn hiÖu vµo ®èi xøng :
3.3. KhuÕch ®¹i thuËt to¸n (Operationnal Amplifier- OA)
§Æc ®iÓm.
1. HÖ sè khuÕch ®¹i Ao = ∞.
2. Tæng trë vµo Rv = ∞.
3. Tæng trë ra Rra = 0.
3.4. KhuÕch ®¹i dïng OA.
1. KhuÕch ®¹i ®¶o dÊu.
2. KhuÕch ®¹i ®¶o dÊu cã ®é ®iÒu chØnh
hÖ sè khuÕch ®¹i lín.
2. KhuÕch ®¹i kh«ng ®¶o dÊu.
3. Mạch lặp dùng OA.
4.1. M¹ch céng.
1.Céng ®¶o dÊu.
Tæng qu¸t ho¸, cã thÓ céng víi nhiÒu
®­êng tÝn hiÖu
) .... (
0
2
2
0
1
1
0
vn
n
v v ra
u
R
R
u
R
R
u
R
R
u + + + ÷ =
Bµi 4. C¸c m¹ch xö lý tÝn hiÖu analog
4.1. M¹ch céng (2).
1.Céng kh«ng ®¶o dÊu.
Céng nhiÒu tÝn hiÖu. tæng qu¸t ho¸ :
4.2. M¹ch trõ.
4.3. M¹ch céng / trõ tæng qu¸t.
4.4. M¹ch tÝch ph©n.
1. TÝch ph©n ®¶o dÊu.
2. TÝch ph©n tæng ®¶o dÊu.
4.4. M¹ch tÝch ph©n (2)
3.TÝch ph©n kh«ng ®¶o dÊu.
4. M¹ch tÝch ph©n hiÖu.
4.5. M¹ch vi ph©n ( ®¹o hµm)
4.6. M¹ch l«garit.
4.7. M¹ch hµm mò ( ®èi l«ga).
4.8. M¹ch nh©n.
4.9. M¹ch chia.
4.10. M¹ch gi¸ trÞ tuyÖt ®èi (chØnh l­u).
1.S¬ ®å 1.
4.10. M¹ch gi¸ trÞ tuyÖt ®èi (2)
S¬ ®å 2.
3. M¹ch gi¸ trÞ tuyÖt ®èi .
4. M¹ch gi¸ trÞ tuyÖt ®èi
4.11. M¹ch so s¸nh.
1. So s¸nh hai cöa : BiÓu thøc ®iÖn ¸p ra :
4.11. M¹ch so s¸nh
2. So s¸nh mét cöa.
a/. Cöa ®¶o (-) nèi ®Êt.
b/. Cöa kh«ng ®¶o (+) nèi ®Êt.
4.12. M¹ch P.I.D.
1. M¹ch PID chuÈn.
). 0 (
) 0 (
1
) (
1
U
dt
du
K dt u K u K
U
dt
du
C R dt u
C R
u
R
R
u u u u
v
D v I v P
v
D D v
I I
v
p
po
D I P ra
+ + + =
= + + + = + + ÷ =
í
í
4.12. M¹ch PID (2).
2.M¹ch PID ®¬n gi¶n.
í í
+ + + ÷ =
]
]
]

+ + + + ÷ = )] 0 ( [ ) 0 (
1
). (
0
1 1
0
U
dt
du
K dt u K u K U
dt
du
C R dt u
C R
u
C
C
R
R
u
D v I v p
v
D v
I
v
I
D
ra
3. M¹ch PI ®¬n gi¶n.
4. M¹ch PI hiÖu.
í í í
+ + ÷ = + ÷ ÷ = + + = )] 0 ( . [ ) 0 (
1
) 0 (
1
1 1
0
0
U dt u K u K U dt u
C R
u
R
R
U dt i
C
R i u
v I v p v v c c ra
). 0 (
) 0 ( ) ( ) . . (
U dt u u
U dt u b u a u b u a u
I p
ph I d I ph p d p ra
+ A + A =
= + ÷ + ÷ =
í
í
4.13. M¹ch h¹n chÕ gia tèc.
Nguyªn lý ho¹t ®éng :
4.14. M¹ch khuÕch ®¹i vi sai cã tæng trë vµo lín
v
p
b a ra
u K u u
R
R
R
R
u u
R
R
u A = ÷ + = ÷ = ) )(
2
1 ( ) (
1 2
1
2
1
2
4.15. M¹ch läc tÇn sè.
§Þnh nghÜa.
Ph©n lo¹i.
Läc thô ®éng :
Läc tÝch cùc :
§Æc tÝnh läc.
§Æc ®iÓm 3 d¹ng läc.
1. Läc Bessel.
2. Läc ButterWorth.
3. Läc Trªb­sep.
B¶ng hÖ sè tÝnh to¸n cho bé läc tÇn sè cao vµ thÊp.
1,154 1 0,389 1,283 1 0,477 0 0 0
0
b2
0,192 0,765 0,774 0,369 1 1 0 0 0
0
a2
5,323 1 0,489 0 0 0 1,663 1 0,618
0
b1
2,14 1,848 1,34 3,48 1 0,756 0,978 1,414 1,362 a1
ЧЕБЫШЁВ
Trªb­-
sep
Butter
Worth
Bes-
sel
ЧЕБЫШЁВ
Trªb­-
sep
Butter
Worth
Bes-
sel
ЧЕБЫШЁВ
Trªb­-
sep
Butter
Worth
Bes-
sel
1
(B
&B)
1,352
(Trª.)
4 3 2 1
bËc
4.15.1. Läc tÇn thÊp
Hµm truyÒn bé läc tÇn sè thÊp.
trong ®ã :
k lµ hÖ sè khuÕch ®¹i ë tÇn sè f=0
Läc tÇn sè thÊp bËc 2. S¬ ®å th«ng dông.
Hµm truyÒn.
2 1 2 1
2
0
2
2 1 1 2 1 1 0
] ) 1 ( [ 1
) (
C C R R p C R k C R C R p
k
p K
  + ÷ + + +
=
)... 1 )( 1 (
) 1 (
) (
2
2 2
2
1 1 2
p b p a p b p a
k
p b p a
k
p K
i
i i
+ + + +
=
+ +
=
I
·
;
0
f
f
j p =
4.15.2. Läc tÇn sè cao.
Hµm truyÒn bé läc tÇn sè cao.
trong ®ã :
k lµ hÖ sè khuÕch ®¹i ë tÇn sè f=∞
Läc tÇn sè cao bËc 2. S¬ ®å th«ng dông.
Hµm truyÒn.
)... / / 1 )( / / 1 (
) / / 1 (
) (
2
2 2
2
1 1 2
p b p a p b p a
k
p b p a
k
p K
i
i i
+ + + +
=
+ +
=
I
·
;
0
f
f
j p =
4.15.3. Läc kÕt hîp.
1.Läc nhiÒu m¾t.
2. Läc d¶i th«ng.
4.15.4. Läc chän tÇn.
§Æc tÝnh tÇn sè vµ hÖ sè phÈm chÊt :
Hµm truyÒn.
2 1 3
2
2 1
1
3 1
) ( 1
) (
C C R R p C C pR
R
R R C
p
p K
td td
td
+ + +
=
B
f
Q
0
=
4.15.5. Läc chÆn tÇn.
1. Dïng m¾t läc 2T.
3. Läc chän tÇn dïng läc 2T
4
0
A
Q =
4.16. Mạch dịch pha
Mạch 1. Hàm truyền:
• góc pha m:
Mạch 2 có hàm truyền:
• góc pha φ :
• Cả hai mạch đều hệ số truyền
đạt bằng 1.
4.17. Ứng dụng mạch tích hợp trong điện tử tương tự
Quá trình phát triển
1.Transistor
2. Mạch tích hợp đơn giản: nhiều phần tử tích cực ( transistor) và thụ động
(R,C) trong một chip IC
3. Mạch tích hợp chức năng: IC chuyên dụng
 IC khuếch đại công suất
 IC nguồn
 IC tạo dao động
 IC đo lường
 IC chuyển đổi số - tương tự
 4. Mạch tích hợp đa chức năng và lập trình được ⇒ FPAA và FPGA
Công nghệ chế tạo và kỹ thuật điều khiển
Yêu cầu của nền sản xuất công nghiệp hiện đại - tính mềm dẻo linh hoạt:
• Thay đổi nhanh mẫu mã sản phẩm
• Đảm bảo chất lượng.
• Giá thành thấp.
Kỹ thuật đáp ứng giải pháp “ nhúng” (Embeded) .
• Kỹ thuật số: các mảng logic tích hợp lập trình được mềm dẻo như CPLD,
FPGA...
• Kỹ thuật tương tự: chip tích hợp lập trình được FPAA.
Đặc điểm chung của FPGA và FPAA :
• Là một chip tổ hợp chứa nhiều khâu chức năng cơ
sở (CLB hay CAB) có thể được đấu nối với nhau
và với các đường I/O thông qua các chuyển mạch.
• Các chuyển mạch hoạt động (đóng/ngắt) theo dữ
liệu lưu trữ trong bộ nhớ.
• Khi thay đổi nội dung của bộ nhớ sẽ có một chip
điều khiển khác thỏa mãn bài toán mới vẫn trên
chip cũ.
• Có khả năng thay đổi cấu trúc ( chương trình) off-
line hay online.
FPAA
Qui trình thiết kế mạch điện tử tương
tự sử dụng FPAA. Gồm 3 bước:
1. Chọn loại chip FPAA
AN120E04; AN121E04; AN131E04
AN220E04;AN221E04(02);
AN231E04….
2. Sử dụng phần mềm chuyên dụng
AnadigmDesigner2 để thiết kế, chỉnh định
mạch trên PC.
• Xây dựng mạch điện tử với thư viện CAM.
• Mô phỏng thử nghiệm và chỉnh định mạch.
3. Nạp chương trình cho chip FPAA trắng và
thử nghiệm thực tế.
Bµi 5. Nguồn cung cấp cho mạch điều khiển
Chøc n¨ng vµ ®Æc ®iÓm c¸c kh©u.
1.BA : biÕn ¸p.
2. ChØnh l­u :
3. Läc mét chiÒu.
4. æn ¸p 1.
5. æn ¸p 2.
5.1. ChØnh l­u.
5.1.1. ChØnh l­u mét pha.
§Æc ®iÓm c¸c s¬ ®å :
S¬ ®å h×nh tia S¬ ®å cÇu.
5.1.1. ChØnh l­u ba pha.
§Æc ®iÓm c¸c s¬ ®å :
S¬ ®å h×nh tia S¬ ®å cÇu.
5.1. ChØnh l­u.
5.2. S¬ ®å nguån mét chiÒu kh«ng æn ¸p
1. Nguån l­íi mét pha.
trong ®ã :
• Δu
dc
®é nhÊp nh« ®iÖn ¸p cho phÐp,
th­êng lÊy 10%.
• R
t
: ®iÖn trë t¶i.
• U
2
: ®iÖn ¸p cuén thø cÊp ®· tÝnh bï
c¸c sôt ¸p ë van, biÕn ¸p, l­íi.
2. Nguån l­íi ba pha.
Dïng chØnh l­u h×nh tia
dc t
U R
U
C
A
=
100
2
2
dc t
U R
U
C
A
=
150
2
2
5.3.M¹ch æn ®Þnh ®iÖn ¸p : æn ¸p.
Ph©n lo¹i :
1. æn ¸p kiÓu tham sè.
2. æn ¸p kiÓu bï.
3. æn ¸p kiÓu b¨m xung.
I. æn ¸p kiÓu tham sè :
II. æn ¸p kiÓu bï.
S¬ ®å cÊu tróc
nguyªn lý ho¹t ®éng :
II. æn ¸p kiÓu bï (2).
C¸c æn ¸p kiÓu bï ®­îc chÕ t¹o chuÈn d­íi d¹ng
IC víi vá theo chuÈn cña Transistor.
1. Hä 78xx vµ 79xx,
2. Hä LMxx7 :
] [ ) 1 .( 25 , 1
1
2
V
R
R
U
ra
+ =
II. æn ¸p kiÓu bï (3).
3. μA723 :
a/. ®iÖn ¸p ra thÊp : 2 ÷ 7V b/. ®iÖn ¸p ra cao : 7 ÷ 37V
5.3. thÝ dô vÒ nguån æn ¸p th«ng dông
1. Nguån l­íi mét pha.
trong ®ã : Δu
dc
®é nhÊp nh« ®iÖn ¸p cho
phÐp, th­êng lÊy 10%Ud.
• R
t
: ®iÖn trë t¶i.
• U
2
: ®iÖn ¸p cuén thø cÊp ®· tÝnh bï
c¸c sôt ¸p ë van, biÕn ¸p, l­íi.
• 2. Nguån l­íi ba pha.
dc t
m
U R
U
C hay C
A
=
100
) (
2
2 1
dc t
U R
U
C hay C
A
=
150
2
) (
2
2 1
Lưu ý đảm bảo độ chênh áp vào/ra tối thiểu cho IC
ổn áp
III. æn ¸p kiÓu b¨m xung PWM.
æn ¸p kiÒu bï
æn ¸p kiÓu b¨m xung,
III. æn ¸p kiÓu b¨m xung PWM (2).
Nguyªn lý :
Gi÷a nguån mét chiÒu E vµ t¶i m¾c mét kho¸
®iÖn tö Tr .
Kho¸ ®­îc ®iÒu khiÓn ®ãng/ng¾t theo chu kú
víi qui luËt:
• trong kho¶ng thêi gian 0 - t
0
cho kho¸ Tr
dÉn b·o hoµ, u
TR
≈0.
• lóc ®ã U
t
= E ;
• cßn tõ t
0
®Õn T, ®iÒu khiÓn kho¸ Tr
• m¹ch hë, t¶i bÞ ng¾t khái nguån U
t
= 0.
Nh­ vËy gi¸ trÞ trung b×nh cña ®iÖn ¸p trªn t¶i
nhËn ®­îc sÏ lµ:
• t
0
- thêi gian khãa Tr dÉn.
• ¸ - tham sè ®iÒu chØnh.
• T - chu kú ®ãng c¾t cña van.
E .
T
t
t E
T
1
t d E
T
1
U
0
0
to
0
t
0
 = = = =
í í
E
t
ThÝ dô vÒ nguån æn ¸p dßng lín kiÓu b¨m xung

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful