Fontes Chaveadas - Cap.

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COMPONENTES SEMICONDUTORES RÁPIDOS DE POTÊNCIA

J. A. Pomilio

1. COMPONENTES SEMICONDUTORES RÁPIDOS DE POTÊNCIA
1.1 Diodos de Potência
Um diodo semicondutor é uma estrutura P-N que, dentro de seus limites de tensão e de corrente, permite a passagem de corrente em um único sentido. Detalhes de funcionamento, em geral desprezados para diodos de sinal, podem ser significativos para componentes de maior potência, caracterizados por uma maior área (para permitir maiores correntes) e maior comprimento (a fim de suportar tensões mais elevadas). A figura 1.1 mostra, simplificadamente, a estrutura interna de um diodo.
Junção metalúrgica

P+ + + + + + + _ _ + + _ _ _ _ _ _ _ N
++++++++ _ _ + ++++++++ _ _ + ++++++++ _ _ + ++++++++ _ _ + + _ + _ _ + + _ + _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ Difusão Anodo Catodo

0 1u

Potencial

Figura 1.1. Estrutura básica de um diodo semicondutor Aplicando-se uma tensão entre as regiões P e N, a diferença de potencial aparecerá na região de transição, uma vez que a resistência desta parte do semicondutor é muito maior que a do restante do componente (devido à concentração de portadores). Quando se polariza reversamente um diodo, ou seja, se aplica uma tensão negativa no anodo (região P) e positiva no catodo (região N), mais portadores positivos (lacunas) migram para o lado N, e vice-versa, de modo que a largura da região de transição aumenta, elevando a barreira de potencial. Por difusão ou efeito térmico, uma certa quantidade de portadores minoritários penetra na região de transição. São, então, acelerados pelo campo elétrico, indo até a outra região neutra do dispositivo. Esta corrente reversa independe da tensão reversa aplicada, variando, basicamente, com a temperatura.
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Fontes Chaveadas - Cap. 1

COMPONENTES SEMICONDUTORES RÁPIDOS DE POTÊNCIA

J. A. Pomilio

Se o campo elétrico na região de transição for muito intenso, os portadores e m trânsito obterão grande velocidade e, ao se chocarem com átomos da estrutura, produzirão novos portadores, os quais, também acelerados, produzirão um efeito de avalanche. Dado o aumento na corrente, sem redução significativa na tensão na junção, produz-se um pico de potência que destrói o componente. Uma polarização direta leva ao estreitamento da região de transição e à redução da barreira de potencial. Quando a tensão aplicada superar o valor natural da barreira, cerca de 0,7V para diodos de Si, os portadores negativos do lado N serão atraídos pelo potencial positivo do anodo e vice-versa, levando o componente à condução. Na verdade, a estrutura interna de um diodo de potência é um pouco diferente desta apresentada. Existe uma região N intermediária, com baixa dopagem. O papel desta região é permitir ao componente suportar tensões mais elevadas, pois tornará menor o campo elétrico na região de transição (que será mais larga, para manter o equilíbrio de carga). Esta região de pequena densidade de dopante dará ao diodo uma significativa característica resistiva quando em condução, a qual se torna mais significativa quanto maior for a tensão suportável pelo componente. As camadas que fazem os contatos externos são altamente dopadas, a fim de fazer com que se obtenha um contato com característica ôhmica e não semi-condutor (como se verá adiante nos diodos Schottky). O contorno arredondado entre as regiões de anodo e catodo tem como função criar campos elétricos mais suaves (evitando o efeito de pontas). No estado bloqueado, pode-se analisar a região de transição como um capacitor, cuja carga é aquela presente na própria região de transição. Na condução não existe tal carga, no entanto, devido à alta dopagem da camada P+, por difusão, existe uma penetração de lacunas na região N-. Além disso, à medida que cresce a corrente, mais lacunas são injetadas na região N-, fazendo com que elétrons venham da região N+ para manter a neutralidade de carga. Desta forma, cria-se uma carga espacial no catodo, a qual terá que ser removida (ou se recombinar) para permitir a passagem para o estado bloqueado do diodo. O comportamento dinâmico de um diodo de potência é, na verdade, muito diferente do de uma chave ideal, como se pode observar na figura 1.2. Suponha-se que se aplica uma tensão vi ao diodo, alimentando uma carga resistiva (cargas diferentes poderão alterar alguns aspectos da forma de onda). Durante t1, remove-se a carga acumulada na região de transição. Como ainda não houve significativa injeção de portadores, a resistência da região N- é elevada, produzindo um pico de tensão. Indutâncias parasitas do componente e das conexões também colaboram com a sobre-tensão. Durante t2 tem-se a chegada dos portadores e a redução da tensão para cerca de 1V. Estes tempos são, tipicamente, da ordem de centenas de ns. No desligamento, a carga espacial presente na região N- deve ser removida antes que se possa reiniciar a formação da barreira de potencial na junção. Enquanto houver portadores transitando, o diodo se mantém em condução. A redução em V on se deve à diminuição da queda ôhmica. Quando a corrente atinge seu pico negativo é que foi retirado o excesso de portadores, iniciando-se, então, o bloqueio do diodo. A taxa de variação da corrente, associada às indutâncias do circuito, provoca uma sobre-tensão negativa. Diodos rápidos possuem trr da ordem de, no máximo, poucos micro-segundos, enquanto nos diodos normais é de dezenas ou centenas de micro-segundos.
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ou seja.br/~antenor 1-3 . uma vez que não existe carga espacial armazenada no material tipo N. nos quais esta variação de corrente é suavizada. o efeito dominante deixa de ser o resistivo. reduzindo os picos de tensão gerados. Estrutura típica de diodo de potência. como indicado na figura 1. devido à sua elevada derivada e ao fato de. a resistência do contato governa o fluxo da corrente.2 Diodos Schottky Quando é feita uma junção entre um terminal metálico e um material semicondutor. é uma fonte importante de sobretensões produzidas por indutâncias parasitas associadas aos componentes por onde circula tal corrente. neste momento. o catodo. Numa deposição de Al (3 elétrons na última camada). Quando este contato é feito entre um metal e uma região semicondutora com densidade de dopante relativamente baixa. O seu chaveamento é muito mais rápido do que o dos diodos biplares.unicamp. 1 COMPONENTES SEMICONDUTORES RÁPIDOS DE POTÊNCIA J.3. 1.e Formas de onda típicas de comutação de diodo de potência. A fim de minimizar este fenômeno foram desenvolvidos os diodos “soft-recovery”. por causa da maior mobilidade dos portadores neste tipo de material.Fontes Chaveadas . Um diodo Schottky é formado colocando-se um filme metálico em contato direto com um semicondutor. Note-se que apenas elétrons (portadores majoritários em ambos materiais) estão e m trânsito. o diodo já estar desligado. um comportamento ôhmico. criando uma região de transição na junção.2.fee. sendo necessário apenas refazer a http://www. Pomilio O retorno da corrente a zero. os elétrons do semicondutor tipo N migrarão para o metal. tipicamente. o contato tem. após o bloqueio.dsce. A. O metal é usualmente depositado sobre um material tipo N. passando a haver também um efeito retificador. A parte metálica será o anodo e o semicondutor. trr t1 dif/dt iD i=Vr/R dir/dt t3 Qrr Anodo P+ 10e19 cm-3 10 u Vfp vD -Vr t2 Von t4 t5 Vrp +Vr N _ 10e14 cm-3 Depende da tensão vi N+ 10e19cm-3 250 u substrato vD iD R -Vr vi Catodo Figura 1.Cap.

a fim de reduzir as perda de condução. 1.4 mostra a estrutura básica de um transistor bipolar. a máxima tensão suportável por estes diodos é de cerca de 100V.4.3 Transistor Bipolar de Potência (TBP) 1.Fontes Chaveadas .3V). 1 COMPONENTES SEMICONDUTORES RÁPIDOS DE POTÊNCIA J.1 Princípio de funcionamento A figura 1.unicamp.3. contato retificador SiO2 Al Al contato ôhmico N+ Tipo N Substrato tipo P Figura 1. Pomilio barreira de potencial (tipicamente de 0. http://www. Rc Vcc J2 N+ C N- J1 N+ - P B - E Vb Rb Figura 1.3 Diodo Schottky construído através de técnica de CIs. com isso.br/~antenor 1-4 .fee. A região N tem uma dopagem relativamente alta.Cap. e com J2 (B-C) reversamente polarizada. Estrutura básica de transistor bipolar A operação normal de um transistor é feita com a junção J1 (B-E) diretamente polarizada.dsce. A. A aplicação deste tipo de diodos ocorre principalmente em fontes de baixa tensão. nas quais as quedas sobre os retificadores são significativas.

2 Limites de tensão A tensão aplicada ao transistor encontra-se praticamente toda sobre a junção J2 a qual. os quais dependem principalmente da forma como o comando de base está operando. chegando à região de transição de J2. reduzindo.5. os elétrons são atraídos do emissor pelo potencial positivo da base.unicamp.dsce. a estrutura interna dos TBPs é diferente. 1.fee. A figura 1. mostra uma estrutura típica de um transistor bipolar de potência.Fontes Chaveadas . B E N+ 10e19 cm-3 10e16 cm-3 10 u 5 a 20 u C N10e14 cm-3 50 a 200 u B E N+ 10e19 cm-3 250 u (substrato) P C Figura 1. O TBP não sustenta tensão no sentido oposto porque a alta dopagem do emissor provoca a ruptura de J1 em baixas tensões (5 a 20V). com baixa dopagem. A. existe uma camada intermediária do coletor. Na realidade.Cap. Esta camada central é suficientemente fina para que a maior parte dos portadores tenha energia cinética suficiente para atravessá-la. http://www. que. o limite de tensão Vce é Vces o qual. por sua vez. atraídos pelo potencial positivo do coletor. Pomilio No caso NPN. leva o dispositivo a um fenômeno chamado de primeira ruptura. tipicamente. 1 COMPONENTES SEMICONDUTORES RÁPIDOS DE POTÊNCIA J.br/~antenor 1-5 . necessária à manutenção de ligeiras polarizações reversas entre base e emissor. conforme se vê nas figuras 1. está reversamente polarizada.3. Para suportar tensões elevadas. Com o transistor conduzindo (Ib>0) e operando na região ativa. As bordas arredondadas da região de emissor permitem uma homogenização do campo elétrico. se atingido. os tempos de comutação do componente.7. Estrutura interna de TPB e seu símbolo O uso preferencial de TBP tipo NPN se deve às menores perdas em relação aos PNP.5. se relaciona com Ic pelo ganho de corrente do dispositivo. Ib. principalmente. então. sendo. Existem limites suportáveis por esta junção. a qual define a tensão de bloqueio do componente. o que ocorre por causa da maior mobilidade dos elétrons em relação às lacunas. O controle de Vbe determina a corrente de base.6 e 1.

para transistores submetidos a valores elevados de tensão.Fontes Chaveadas .dsce.br/~antenor 1-6 . Isto é uma indicação interessante que.3 Área de Operação Segura (AOS) A AOS representa a região do plano Vce x Ic dentro da qual o TBP pode operar sem se danificar. Ic Ib>0 Vces Ib=0 Ic Vcbo Ic Vceo Ib<0 Figura 1.8 mostra uma forma típica de AOS. Se.Cap. Com o transistor desligado (Ib=0) a tensão que provoca a ruptura da junção J2 é maior. Tipos de conexão do circuito de base e máximas tensões Vce.7 Característica estática de transistor bipolar. elevando-se ainda mais quando a corrente de base for negativa. 1 COMPONENTES SEMICONDUTORES RÁPIDOS DE POTÊNCIA J. Ic segunda ruptura primeira ruptura Ib4 Ib3 Ib2 Ib1 Ib=0 Vces Ib4>Ib3>Ib2>Ib1>0 Figura 1.3. necessariamente. A figura 1. A. Vceo Vce Vcbo Ib<0 http://www.unicamp. ao se elevar a tensão Vce. o estado desligado deve ser acompanhado de uma polarização negativa da base. Este acontecimento não danifica. Pomilio O processo de primeira ruptura ocorre quando. a corrente Ic se concentrar em pequenas áreas.fee. provoca-se um fenômeno de avalanche em J2. o dispositivo. o sobreaquecimento produzirá ainda mais portadores e destruirá o componente (segunda ruptura). 1. no entanto.6.

Quando Ic cresce. Quando se aproxima da saturação. A figura 1.dsce. À semelhança da carga espacial armazenada nos diodos. a qual é fornecida pelo fabricante. Quando esta distribuição de carga espacial ocupa toda a região N. Pomilio log Ic Ic max 10 us 100 us A Ic DC B 1 us C D log Vce Figura 1. à saturação. criando uma carga espacial que penetra a região N-.fee. pela presença da camada N. dada a maior queda de tensão sobre R. atraindo lacunas da base para o coletor. A. por ser definida para um único pulso.3. À medida que Vce se reduz.Cap. Os TBP apresentam uma região chamada de quase-saturação gerada. Na região ativa. aos valores de tensão e corrente e à impedância térmica do transistor. uma vez que a AOS. é uma restrição mais branda.4 Região de quase-saturação Consideremos o circuito mostrado na figura 1. Aspecto típico de AOS de TBP A: Máxima corrente contínua de coletor B: Máxima potência dissipável (relacionada à temperatura na junção) C: Limite de segunda ruptura D: Máxima tensão Vce À medida que a corrente se apresenta em pulsos (não-repetitivos) a área se expande.Fontes Chaveadas . 1 COMPONENTES SEMICONDUTORES RÁPIDOS DE POTÊNCIA J. Tal situação caracteriza a chamada quase-saturação. e as curvas estáticas do TBP alí indicadas. Tais lacunas associam-se a elétrons vindos do emissor e que estão migrando pelo componente. 1. Para pulsos repetitivos deve-se analisar o comportamento térmico do componente para se saber se é possível utilizá-lo numa dada aplicação.do coletor. http://www. caminha-se no sentido da saturação. Esta análise térmica é feita com base no ciclo de trabalho a que o dispositivo está sujeito.10 mostra a distribuição de carga estática no interior do transistor para as diferentes regiões de operação.br/~antenor 1-7 . J2 está reversamente polarizada e ocorre uma acumulação de elétrons na região da base. principalmente. Vce diminui.unicamp. nos transistores bipolares também ocorre estocagem de carga. J2 fica diretamente polarizada.chega-se. Isto representa um "alargamento" da região da base.8. implicando na redução do ganho do transistor.9. efetivamente.

sendo necessário.br/~antenor 1-8 . http://www. definir adequadamente o ponto de operação.dsce. o que sinaliza a importância do ótimo circuito de acionamento de base para que o TBP possa operar numa situação que minimize a tempo de desligamento e a dissipação de potência (associada ao valor de Vce).unicamp.Cap. Coletor N+ Nquasesaturação região ativa base virtual Base P Emissor N+ e- saturação Figura 1. enquanto para altas correntes tem-se o fenômeno da quase-saturação reduzindo o ganho.5 Ganho de corrente O ganho de corrente dos TBP varia com diversos parâmetros (Vce.Fontes Chaveadas . temperatura). a recombinação dos portadores em trânsito leva a uma redução no ganho.9 Região de quase-saturação do TBP. no projeto. 1 COMPONENTES SEMICONDUTORES RÁPIDOS DE POTÊNCIA J. Em baixas correntes. É claro que no desligamento toda esta carga terá que ser removida antes do efetivo bloqueio do TBP.10 Distribuição da carga estática acumulada no TBP 1. Pomilio saturação Ic Vcc/R quase-saturação R Ib região ativa Vce Vcc corte Vcc Vce Figura 1.fee. Ic.3. como explicado anteriormente. A.

br/~antenor 1-9 . a) Carga resistiva A figura 1. 1.Cap.6 Características de chaveamento As características de chaveamento são importantes pois definem a velocidade de mudança de estado e ainda determinam as perdas no dispositivo relativas às comutações. Como a carga é resistiva. geralmente. O sinal de base.11 Comportamento típico do ganho de corrente em função da tensão Vce.unicamp.Fontes Chaveadas .12 mostra formas de onda típicas para este tipo de carga.3. enquanto "f" relaciona-se aos tempos de descida. de modo a reduzir a espessura efetiva da base. da temperatura e da corrente de coletor. O índice "s" refere-se ao tempo de armazenamento e "d" ao tempo de atraso.dsce. 1 COMPONENTES SEMICONDUTORES RÁPIDOS DE POTÊNCIA J. http://www. o que leva a um aumento do ganho. tri: tempo de crescimento da corrente de coletor Este intervalo se relaciona com a velocidade de aumento da carga estocada e depende da corrente de base. A. uma variação de Ic provoca uma mudança em Vce. que são dominantes nos conversores de alta freqüência. Pode ser reduzido pelo uso de uma maior corrente de base com elevado dib/dt.fee. Pomilio Para uma tensão Vce elevada. a largura da região de transição de J2 que penetra na camada de base é maior. negativo. ganho de corrente Vce = 2V (125 C) Vce = 400 V (25 C) Vce = 2 V (25 C) log Ic Figura 1. td: tempo de atraso Corresponde a tempo de descarregamento da capacitância da junção b-e. Definem-se diversos intervalos considerando operação com carga resistiva ou indutiva. O índice "r' s e refere a tempos de subida (de 10% a 90% dos valores máximos). a fim de acelerar o bloqueio do TBP. para o desligamento é.

A figura 1. como o valor de Ib (negativo).Cap.13 mostra formas de onda típicas com este tipo de carga. Pomilio 100% 90% Sinal de base 10% ton=ton(i) td=tdi tri toff=toffi ts=tsi tfi 90% Corrente de coletor 10% ton(v) tdv tsv tfv toff(v) trv +Vcc 90% Tensão Vce 10% Vce(sat) CARGA RESISTIVA Figura 1. de modo a tornar breve o tempo de armazenamento. b. Além disso. A.1) Entrada em condução Com o TBP cortado. reduzindo Id (pois Io é constante).12 Característica típica de chaveamento de carga resistiva ts: tempo de armazenamento Intervalo necessário para retirar (Ib<0) e/ou neutralizar os portadores estocados no coletor e na base tfi: tempo de queda da corrente de coletor Corresponde ao processo de bloqueio do TBP. e de fatores externos. com a travessia da região ativa. 1 COMPONENTES SEMICONDUTORES RÁPIDOS DE POTÊNCIA J. como o tempo de recombinação. Após td. da saturação para o corte. pelo transistor circula a corrente reversa do diodo. Io circula pelo diodo (=> Vce=Vcc). http://www.fee.dsce. A redução de Ic depende de fatores internos ao componente. Para obter um desligamento rápido deve-se evitar operar com o componente além da quase-saturação. Ic começa a crescer.Fontes Chaveadas . b) Carga indutiva Seja Io>0 e constante durante a comutação.br/~antenor 1-10 . Quando Ic=Io. o diodo desliga e Vce começa a diminuir.unicamp.

a corrente por Cs cresce linearmente.13. 1 COMPONENTES SEMICONDUTORES RÁPIDOS DE POTÊNCIA J. à medida que Id cresce (tfi).15. A energia acumulada em Cs será. com a corrente limitada por Rs.Fontes Chaveadas .14) Quando Vce começa a crescer. então. inicia-se o processo de desligamento do TBP. Ic=Io. o pico de potência se reduzirá a menos de 1/4 do seu valor sem circuito amaciador (supondo trv=0) http://www. Quando o transistor ligar o capacitor se descarregará por ele.Cap. Para que o diodo conduza é preciso que Vce>Vcc. Após tsv começa a crescer Vce. Enquanto isto não ocorre. especialmente durante o chaveamento de cargas indutivas.7 Circuitos amaciadores (ou de ajuda à comutação) . Pomilio b. Fazendo-se com que Cs complete sua carga quando Ic=0. Ic diminui.br/~antenor 1-11 .dsce."snubber" O papel dos circuitos amaciadores é garantir a operação do TBP dentro da AOS.3. desviando parcialmente a corrente. Sejam as formas de onda mostradas na figura 1. Df só conduzirá quando Vce>Vcc. Além destes tempos definem-se outros para carga indutiva: tti: (tail time): Queda de Ic de 10% a 2% tc ou txo: intervalo entre 10% de Vce e 10% de Ic Vb Io Lcarga Df td Ic Io R carga Vcc Ic tsv tti Vce Vcc Vce Figura 1.fee. Considerando que Ic caia linearmente e que IL é constante. o capacitor Cs começa a se carregar (via Ds). Formas de onda com carga indutiva 1. a) Desligamento .unicamp.2) Bloqueio Com a inversão da tensão Vbe (e de Ib). reduzindo Ic.Objetivo: atrasar o crescimento de Vce (figura 1. Com a entrada em condução do diodo. A. dissipada sobre Rs.

além de reduzir a taxa de crescimento de Ic.Cap. Circuito amaciador de desligamento e trajetórias na AOS Io Vce Ic Vcc Ic Vce Vcc Io.15.Fontes Chaveadas . Deve-se usar o maior Rs possível.14. 1 COMPONENTES SEMICONDUTORES RÁPIDOS DE POTÊNCIA J. limite o pico de corrente em um valor inferior à máxima corrente de pico repetitiva do componente. http://www. por outro lado. A. Pomilio Io log Ic Lcarga Df Io Cs R carga Vcc Ic Cs Vce Ds Rs Vcs Vcc log Vce sem amaciador Figura 1.dsce. após o disparo do TBP. mas Vce só se reduz quando Df deixar de conduzir.Vcc P P trv Figura 1.16) No circuito sem amaciador.fee. A colocação de Ls provoca uma redução de Vce. b) Entrada em condução: Objetivo: reduzir Vce e atrasar o aumento de Ic (figura 1.unicamp. Ic cresce.br/~antenor 1-12 . O valor de Rs deve ser tal que permita toda a descarga de Cs durante o mínimo tempo ligado do TBP e. Formas de onda no desligamente sem e com o circuito amaciador.

tal indutância irá produzir alguma sobretensão no momento do desligamento. No disparo. pois sua junção B-C está sempre reversamente polarizada . T1 T2 Figura 1.17.Cap. T1 deve comutar antes. http://www. em princípio. A própria indutância parasita do circuito realiza. o papel de retardar o crescimento da corrente e diminuir a tensão Vce. T1 liga primeiro.3. A.fee. parcialmente. assim. a s perdas de chaveamento. além de ressoar com as capacitâncias do circuito. considerando que os tempos associados à entrada em condução são bem menores do que aqueles de desligamento.17).ganho de corrente β= β1(β2+1)+β2 .unicamp.T2 não satura.br/~antenor 1-13 .Fontes Chaveadas .dsce. fornecendo corrente de base para T2. Vcc carga Df Ds Ls Rs Figura 1. Inevitavelmente. 1. Pomilio Normalmente não se utiliza este tipo de circuito. Conexão Darlington.8 Conexão Darlington Como o ganho dos TBP é relativamente baixo.tanto o disparo quanto o desligamento são sequenciais. Circuito amaciador para entrada em condução. de ambos transistores. elevando. que apresentam como principais características: .16. usulmente são utilizadas conexões Darlington (figura 1. Os tempos totais dependem. 1 COMPONENTES SEMICONDUTORES RÁPIDOS DE POTÊNCIA J. interrompendo a corrente de base de T2. No desligamento.

A solução adotada é criar caminhos alternativos para esta corrente. Deve-se lembrar aqui que existem capacitâncias associadas às junções dos transistores. cujo papel é garantir seu bom desempenho em condições adversas.fee. provocando um curto-circuito (momentâneo) na fonte. A. 1 COMPONENTES SEMICONDUTORES RÁPIDOS DE POTÊNCIA J. uma vez que faz a função do diodo de circulação. de emissor para coletor.dsce.br/~antenor 1-14 . Além destes resistores.19.18. para facilitar o escoamento das cargas no processo de desligamento. por meio de resistores.18. Além disso. Conexão Darlington com componentes auxiliares. transformando-se em corrente de base de T4. http://www. Figura 1. é usual a inclusão de um diodo reverso. Usualmente associam-se aos transistores em conexão Darlington. tal diodo tem fundamental imporância no acionamento de cargas indutivas. outros componentes. produzindo uma corrente a qual.Cap. Pomilio Considerando o caso de uma topologia em ponte (ou meia ponte). como mostrado na figura 1.unicamp. como se vê na figura 1. o qual poderá conduzir.Fontes Chaveadas . quando o conjunto superior conduz. circulará pelo emissor. de modo que T4 não conduza. se a base de T3 estiver aberta. T1 capacitâncias parasitas i i T2 A carga T3 T4 Figura 1. o inferior deve estar desligado.18 Conexão Darlington num circuito em ponte. Quando o potencial do ponto A se eleva (pela condução de T2) a junção B-C terá aumentada sua largura.

mais portadores são atraídos. acelerando assim a retirada dos portadores armazenados. Pomilio 1. Quando esta tensão atinge um certo limiar (Vth). como mostrado na figura 1.1 Princípio de funcionamento (canal N) O terminal de gate é isolado do semicondutor por SiO2.22 mostra a estrutura básica do transistor. deve-se prover uma corrente negativa. http://www. Ib2 deve ter tal valor que faça o TBP operar na região de quase-saturação. a tensão mínima na junção B-C é zero. A junção PN. mas sem portadores livres. As transições devem ser rápidas. D3 permite a circulação de corrente negativa na base.20 Forma de onda de corrente de base recomendada para acionamento de TBP. Quando em condução.unicamp. Elevando Vgs. Um valor elevado Ib1 permite uma redução de tri.4. A. A figura 1. elétrons livres (gerados principalmente por efeito térmico) presentes na região P são atraídos e formam um canal N dentro da região P. Quando uma tensão Vgs>0 é aplicada. Arranjo de diodos para evitar saturação. D1 D2 D3 Figura 1. pelo qual torna-se possível a passagem de corrente entre D e S.21. Para o acionamento de um transistor único.dsce. Excesso na corrente Ib é desviado por D1.define um diodo entre Source e Drain. pode-se utilizar um arranjo de diodos para evitar a saturação. para reduzir os tempo de atraso. o potencial positivo no gate repele as lacunas na região P. 1 COMPONENTES SEMICONDUTORES RÁPIDOS DE POTÊNCIA J.Cap. A operação como transistor ocorre quando Vds>0. 1. Neste arranjo.3.21.fee. deixando uma carga negativa.9 Métodos de redução dos tempos de chaveamento Um ponto básico é utilizar uma corrente de base adequada: Ib1 Ib2 dib/dt dib/dt Ibr Figura 1.Fontes Chaveadas .4 MOSFET 1. o qual conduz quando Vds<0.br/~antenor 1-15 . No desligamento.

. Uma pequena corrente de gate é necessária apenas para carregar e descarregar a s capacitâncias de entrada do transistor.Cap.. Pomilio ampliando o canal... em geral... no qual a corrente Id se mantém constante para qualquer Vds... são de canal N por apresentarem menores perdas e maior velocidade de comutação... caracterizando a região ativa do MOSFET.fee... reduzindo sua resistência (Rds).. A máxima tensão Vds é determinada pela ruptura do diodo reverso. Estrutura básica de transistor MOSFET. A resistência de entrada é da ordem de 1012 ohms........... A passagem de Id pelo canal produz uma queda de tensão que leva ao seu afunilamento. Este comportamento caracteriza a chamada "região resistiva". Estes transistores. o que conduziria ao seu colapso e à extinÁão da corrente! Obviamente o fenômeno tende a um ponto de equilíbrio..22. A tensão Vgs é limitada a algumas dezenas de volts.. http://www.. Este fato facilita a associação em paralelo destes componentes..-... ou seja.dsce.. Os MOSFETs não apresentam segunda ruptura uma vez que a resistência do canal aumenta com o crescimento de Id....-. Vdd Vgs S G +++++++++++++++ .Fontes Chaveadas ... 1 COMPONENTES SEMICONDUTORES RÁPIDOS DE POTÊNCIA J.....---------------. A figura 1..23 mostra a característica estática do MOSFET.-- N+ P NN+ -Id -Id D G S Símbolo D SiO2 metal Figura 1. por causa da capacidade de isolação da camada de SiO2.. A.unicamp.-... devido à maior mobilidade dos elétrons em relação às lacunas. Um aumento de Id leva a uma maior queda de tensão no canal e a um maior afunilamento.br/~antenor 1-16 .. permitindo o aumento de Id.. o canal é mais largo na fronteira com a região N+ do que quando se liga à região N-..

Fontes Chaveadas .23.dsce. começa a crescer a corrente de dreno. tem-se a limitação da resistência de condução. entretanto.2 Área de Operação Segura A figura 1.4.25) Ao ser aplicada a tensão de acionamento (Vgg). Característica estática do MOSFET. Para baixas tensões. Pomilio Id região resistiva Vgs3 Vgs2 Vgs1 região ativa Vdso vgs3>Vgs2>Vgs1 Vds Figura 1. a capacitância de entrada começa a s e carregar. 1.24.br/~antenor 1-17 . AOS para MOSFET. Df se mantém e m http://www. A. Para tensões elevadas ela é mais ampla que para um TBP equivalente. Enquanto Id<Io. 1 COMPONENTES SEMICONDUTORES RÁPIDOS DE POTÊNCIA J. com a corrente limitada por Rg.fee.unicamp.carga indutiva a) Entrada em condução (figura 1. 1. A: Máxima corrente de dreno contínua B: Limite da região de resistência constante C: Máxima potência (relacionada à máxima temperatura de junção) D: Máxima tensão Vds log Id Id pico Id cont B A C D Vdso log Vds Figura 1.Cap.4. Quando se atinge a tensão limiar de condução (Vth). uma vez que não existe o fenômeno de segunda ruptura.3 Característica de chaveamento .24 mostra a AOS dos MOSFET. após td.

A. Vgg V+ Io Vgs Vth Cgd Id Id=Io Vdd V+ Df Vds Vds on td CARGA INDUTIVA Rg Vgs Vgg Cgs Cds Vds Id Figura 1. Df desliga e Vds cai. fazendo com que a variação de Vgs se torne muito mais lenta (em virtude do "aumento" da capacitância). Os manuais fornecem informações sobre as capacitâncias operacionais do transistor (Ciss.fee. o que ocorre é que. Na verdade. mostradas na figura 1. Pomilio condução e Vds=Vdd. reduzindo a velocidade do processo de carga de Cgs.Fontes Chaveadas .br/~antenor 1-18 . a tensão Vgs volta a aumentar. Coss e Crss). A descarga desta última capacitância se dá desviando a corrente do circuito de acionamento.dsce. até atingir Vgg.unicamp. Isto se mantém até que Vds caia. com Cds curto-circuitada Crs = Cgd Coss ~ Cds + Cgd http://www.26. a capacitância dentre dreno e source se descarrega. quando. enquanto Vds se mantém elevado. Quando Vds diminui. o que ocorre até que Cgd esteja descarregado. o mesmo ocorrendo com a capacitância entre gate e dreno.25 Formas de onda na entrada em condução de MOSFET com carga indutiva. Durante a redução de Vds ocorre um aparente aumento da capacitância de entrada (Ciss) do transistor (efeito Miller). então. Quando Id=Io. 1 COMPONENTES SEMICONDUTORES RÁPIDOS DE POTÊNCIA J.Cap. a capacitância que drena corrente do circuito de acionamento é apenas Cgs. as quais se relacionam com as capacitâncias do componente por: Ciss = Cgs + Cgd .

especialmente devido às capacitâncias associadas à região P. Como os MOSFETs não apresentam cargas estocadas.Fontes Chaveadas . mas na ordem inversa. O controle de componente é análogo ao do MOSFET. Sua velocidade de chaveamento é semelhante à dos transistores bipolares.unicamp. pois acelera a descarga da capacitância de entrada. 1 COMPONENTES SEMICONDUTORES RÁPIDOS DE POTÊNCIA J. A máxima tensão suportável é determinada pela junção J2 (polarização direta) e por J1 (polarização reversa). a partir da região P+.26. pela aplicação de uma polarização entre gate e emissor. a qual relaciona-se à região do gate do tiristor parasita.dsce. uma vez que J1 está diretamente polarizada. Esta maior condutividade produz uma menor queda de tensão em comparação a um MOSFET similar.1 Princípio de funcionamento A estrutura do IGBT é similar à do MOSFET. http://www.5. mas com a inclusão de uma camada P+ que forma o coletor do IGBT.27. Como J1 divide 2 regiões muito dopadas.Cap. O uso de uma tensão Vgg negativa apressa o desligamento. ou seja. Pomilio C (nF) C (nF) 4 3 2 1 Ciss 4 3 Cgs Cds Coss 2 Crss 1 0 0 10 20 30 40 Vds (V) 0 10 20 30 Cgd 40 Vds (V) 0 Figura 1. Os modernos componentes não apresentam problemas relativos a este elemento indesejado.5 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) O IGBT alia a facilidade de acionamento dos MOSFET com as pequenas perdas e m condução dos TBP.fee. Também para o IGBT o acionamento é feito por tensão. conclui-se que um IGBT não suporta tensões elevadas quando polarizado reversamente. A. não existe o tempo de armazenamento.br/~antenor 1-19 . A construção do dispositivo deve ser tal que evite o acionamento deste tiristor. Os IGBTs apresentam um tiristor parasita. 1. como se vê na figura 1.tem sua condutividade modulada pela injeção de portadores minoritários (lacunas). 1. Capacitâncias de transistor MOSFET b) Desligamento O processo de desligamento é semelhante ao apresentado. por isso são muito mais rápidos que os TBP. Em termos simplificados pode-se analisar o IGBT como um MOSFET no qual a região N.

Pomilio Gate (porta) Emissor N+ N+ C P J2 NE N+ P+ J1 B J3 Coletor SiO2 metal Figura 1.dsce. por difusão.br/~antenor 1-20 . http://www. na qual a taxa de recombinação é bastante mais elevada do que na região N-. indo até 1200V/500A. tipicamente entre: 100V/200A e 1000V/20A.fee. as lacunas existentes na região N. as lacunas presentes em N+ recombinam-se com muita rapidez. apressando a extinção da carga acumulada na região N-.unicamp. Os MOSFET possuem uma faixa mais reduzida de valores. Nos TBPs isto se dá pela drenagem dos portadores via base.5. no entanto. 1 COMPONENTES SEMICONDUTORES RÁPIDOS DE POTÊNCIA J. o que não é possível nos IGBTs. em detrimento dos TBP. 1. fazendo com que. uma vez que isto depende da chegada dos portadores vindos da região P+. Como o acionamento do IGBT é muito mais fácil do que o do TBP. sendo um pouco mais lenta a queda da tensão Vce. Já os TBP e IGBT atingem potências mais elevadas. Desta forma. tais portadores devem ser retirados.27. possibllitando o restabelecimento da barreira de potencial e o bloqueio do componente. 1.6 Alguns Critérios de Seleção Um primeiro critério é o dos limites de tensão e de corrente. Para o desligamento.refluam. A.Cap. devido ao acionamento isolado. ficando. Estrutura básica de IGBT. seu uso tem sido crescente. A solução encontrada foi a inclusão de uma camada N+.2 Características de chaveamento A entrada em condução é similar ao MOSFET.Fontes Chaveadas .

qualquer dos 3 componentes podem responder satisfatoriamente.dsce. 1 COMPONENTES SEMICONDUTORES RÁPIDOS DE POTÊNCIA J. Como regra básica: em alta freqüência: MOSFET em baixa freqüência: IGBT http://www.Fontes Chaveadas .br/~antenor 1-21 .Cap. Pomilio Outro importante critério para a seleção refere-se às perdas de potência no componente. Assim. A. No entanto. Em freqüências mais baixas. aplicações em alta freqüência (acima de 50kHz) devem ser utilizados MOSFETs. as perdas em condução dos TBPs e dos IGBTs são sensivelmente menores que as dos MOSFET.unicamp.fee.