C

i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I.
Circuite fundamentale
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Cuprins
1 Tranzistoare MOS ¸si bipolare 3
1.1 Tranzistoare bipolare . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.1.1 Generalitˇat ¸i . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.1.2 Funct ¸ionarea tranzistorului bipolar . . . . . . . . . . . . 4
1.1.3 Modelul de semnal mare ˆın regiunea activˇa normalˇa . . . 7
1.1.4 Modelul de semnal mare al tranzistorului
bipolar ˆın saturat ¸ie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.1.5 Modelul de semnal mic al tranzistorului
bipolar ˆın RAN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.1.6 Caracteristica de ie¸sire . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.1.7 Caracteristica de transfer . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.1.8 Modelul de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa . . . . . . . . 11
1.2 Tranzistorul MOS cu canal indus . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.2.1 Generalitˇat ¸i . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.2.2 Funct ¸ionarea tranzistoarelor MOS . . . . . . . . . . . . 14
1.2.3 Modelul de semnal mare al tranzistorului MOS . . . . . 17
1.2.4 Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS
ˆın saturat ¸ie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1.2.5 Polarizarea substratului ¸si efectul ”latch-up” . . . . . . . 22
1.2.6 Modelul de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa . . . . . . . . 23
1.3 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2 Surse de curent 27
2.1 Sursa simplˇa de curent cu un singur tranzistor . . . . . . . . . . 27
2.2 Sursa de curent cu un singur tranzistor ¸si degenerare rezistivˇa . . 30
2.3 Sursa de curent cascodˇa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.4 Sursa de curent cu rezistent ¸ˇa de ie¸sire mˇaritˇa . . . . . . . . . . 35
2.5 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
ii
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
3 Oglinzi de curent 39
3.1 Introducere . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
3.2 Oglinzi de curent MOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
3.2.1 Oglinda simplˇa de curent MOS . . . . . . . . . . . . . . 40
3.2.2 Oglinda de curent cascodˇa MOS . . . . . . . . . . . . . 44
3.2.3 Oglinda cascodˇa MOS de joasˇa tensiune . . . . . . . . . 46
3.2.4 Oglinda de curent Wilson cu tranzistoare MOS . . . . . 50
3.3 Oglinzi de curent cu tranzistoare bipolare . . . . . . . . . . . . 53
3.3.1 Oglinda simpla cu tranzistoare bipolare . . . . . . . . . . 53
3.3.2 Oglinda de curent cu compensare de β . . . . . . . . . . 57
3.3.3 Oglinda de curent bipolarˇa cu degenerare rezistivˇa . . . . 61
3.3.4 Oglinda cascodˇa bipolarˇa . . . . . . . . . . . . . . . . . 64
3.3.5 Oglinda Wilson bipolarˇa . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
3.4 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
4 Referint ¸e electronice 70
4.1 Referint ¸ˇa simplˇa cu divizor de tensiune . . . . . . . . . . . . . . 71
4.2 Referint ¸a de tensiune cu diodˇa
bipolarˇa ¸si MOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
4.3 Referint ¸a de tensiune cu diodˇa Zener . . . . . . . . . . . . . . . 77
4.4 Referint ¸ˇa de curent cu oglindˇa simplˇa
de curent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
4.5 Referint ¸a de curent Widlar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
4.5.1 Referint ¸a Widlar cu tranzistoare MOS . . . . . . . . . . 79
4.5.2 Referint ¸a Widlar cu tranzistoare bipolare . . . . . . . . . 81
4.6 Referint ¸a de curent V
Th
¸si V
BE
. . . . . . . . . . . . . . . . . . 82
4.7 Referint ¸e independente de V
DD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
4.8 Referint ¸e compensate cu temperatura . . . . . . . . . . . . . . 85
4.9 Exemple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88
4.10 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92
5 Amplificatoare simple 94
5.1 Amplificatorul inversor cu sarcinˇa rezistivˇa . . . . . . . . . . . . 94
5.2 Amplificatorul inversor cu sarcinˇa diodˇa . . . . . . . . . . . . . 100
5.3 Amplificatorul inversor cu sarcinˇa sursˇa
de curent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
5.4 Amplificatorul inversor cascodˇa . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107
5.5 Amplificatorul inversor cascodˇa simetricˇa . . . . . . . . . . . . . 114
5.6 Amplificatorul inversor cascodˇa pliatˇa . . . . . . . . . . . . . . . 119
iii
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
5.7 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124
6 Amplificatoare diferent ¸iale 125
6.1 Introducere . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
6.2 Amplificatorul diferent ¸ial cu sarcinˇa rezistivˇa . . . . . . . . . . . 126
6.3 Amplificatorul diferent ¸ial MOS cu sarcinˇa
oglindˇa de curent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 133
6.4 Amplificatorul diferent ¸ial cu sarcinˇa surse de curent . . . . . . . 139
6.5 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145
7 Amplificatoare operat ¸ionale 147
7.1 Introducere . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
7.2 Amplificatorul operat ¸ional Miller . . . . . . . . . . . . . . . . . 149
7.2.1 Dimensionarea condensatorului Miller pentru stabilitate
necondit ¸ionatˇa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 156
7.2.2 Viteza de variat ¸ie a tensiunii de ie¸sire la AO Miller . . . 157
7.2.3 Amplificatorul operational Miller complet diferent ¸ial . . . 159
7.2.4 Amplificatorul operat ¸ional Miller
cu etaj repetor de ie¸sire . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160
7.2.5 Metoda de proiectare a amplificatorului
operat ¸ional Miller . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162
7.3 Amplificatorul operat ¸ional cascodˇa telescop . . . . . . . . . . . 167
7.3.1 AO cascodˇa telescop complet diferent ¸ial . . . . . . . . . 176
7.4 Amplificatorul operat ¸ional cascodˇa pliatˇa . . . . . . . . . . . . . 177
7.4.1 AO cascodˇa pliatˇa complet diferent ¸ial . . . . . . . . . . 185
7.5 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 186
iv
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Prefat ¸ˇa
Materialul prezentat ˆın aceastˇa carte se adreseazˇa student ¸ilor de la facultˇat ¸ile
de Electronicˇa ¸si Telecomunicat ¸ii, care urmeazˇa cursurile de Circuite Inte-
grate Analogice, inginerilor cu aceastˇa specialitate ¸si tuturor celor interesat ¸i
de proiectarea analogicˇa. Cartea este structuratˇa pe ¸sapte capitole, fiecare
abordˆand o categorie de circuite sau principii, utilizate ˆın proiectarea cir-
cuitelor analogice integrate.
ˆ
In capitolul 1 sunt prezentate tranzistoarele bipolare ¸si tranzistoarele MOS.
Pentru fiecare dispozitiv sunt discutate structura fizicˇa, probleme de pola-
rizare, modelul de semnal mare ¸si ecuat ¸iile de funct ¸ionare, caracteristicile
de ie¸sire ¸si de transfer, iar ˆın final modelul de semnal mic ¸si parametrii
specifici, atˆ at pentru joasˇa cˆat ¸si pentru ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa.
Capitolul 2 ˆı¸si propune studiul cˆatorva implementˇari electronice ale surselor
de curent. Pornind de la structura cea mai simplˇa ¸si argumentˆand fiecare
ˆımbunˇatˇat ¸ire se ajunge la structuri mai performante, utilizate ˆın practicˇa.
Capitolul 3 se ocupˇa de oglinzile de curent MOS ¸si bipolare. Accentul este
pus pe comportamentul de curent continuu ¸si caracteristicile de semnal mic
ale circuitelor. Fiecare oglindˇa este caracterizatˇa prin parametrii ei speci-
fici, astfel fiind posibilˇa comparat ¸ia ˆıntre diferitele implementˇari la nivel de
tranzistor.
ˆ
In capitolul 4 sunt introduse cˆateva tipuri de referint ¸e de tensiune ¸si de
curent. Pentru fiecare referint ¸ˇa sunt date expresia senzitivitˇat ¸ii mˇarimii de
ie¸sire cu tensiunea de alimentare ¸si a coeficientului de temperaturˇa. Tot
ˆın aceastˇa sect ¸iune este explicata o metodˇa prin care se eliminˇa dependent ¸a
de tensiunea de alimentare a mˇarimii generate.
ˆ
In final, sunt prezentate
referint ¸ele de tip bandˇa interzisˇa, imune la variat ¸iile cu temperatura.
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Capitolul 5 se referˇa la principalele configurat ¸ii de amplificatoare simple,
iar capitolul 6 la amplificatoarele diferent ¸iale. Aceste circuite stau la baza
oricˇarei structuri mai complicate ale unui amplificator operat ¸ional complet.
Caracteristicile specifice fiecˇarui etaj de amplificare, discutate ˆın acest pa-
ragraf, sunt punctul static de funct ¸ionare, domeniul de variat ¸ie al tensiunii
de ie¸sire, modelul de semnal mic ¸si comportamentul ˆın frecvent ¸ˇa.
Ultimul capitol vizeazˇa studiul unei categorii speciale de circuite analogice, ¸si
anume cel al amplificatoarelor operat ¸ionale.
ˆ
In acest context, sunt discutate
AO avˆand compensare de tip Miller, AO cascodˇa telescop ¸si AO cascodˇa
pliatˇa.
ˆ
In cazul fiecˇaruia sunt evident ¸iate avantajele, limitˇarile ¸si domeniul
de frecvent ¸e ˆın care se utilizeazˇa ˆın practicˇa. Cele trei structuri de AO sunt
ˆınsot ¸ite de metoda completˇa de proiectare pentru specificat ¸ii impuse.
Lucrarea oferˇa, pe lˆangˇa prezentarea ¸si analiza concretˇa a unor circuite, o
vedere de ansamblu aspura metodelor de analizˇa specifice circuitelor analo-
gice. Aceste metode permit cititorului sˇa adapteze algoritmii propu¸si altor
categorii de circuite, care nu sunt discutate ˆın aceastˇa carte.
Aprilie, 2007 Autoarea
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Capitolul 1
Tranzistoare MOS ¸si bipolare
Tranzistoarele sunt cele mai importante componente ale circuitelor integrate.
Ele pot fi de mai multe tipuri ˆın funct ¸ie de pa¸sii utilizat ¸i ˆın procesul de fabricat ¸ie.
Tranzistoarele cel mai adesea utilizate sunt cele bipolare ¸si MOS cu canal indus.
1.1 Tranzistoare bipolare
1.1.1 Generalitˇat ¸i
Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive cu 3 terminale (4 terminale dacˇa se
considera ¸si conexiunea de substrat) comandate ˆın curent. Simbolurile tipice
utilizate sunt date ˆın Figura 1.1.
B B
C E
E
C
NPN PNP
Figura 1.1: Simbolurile tipice ale tranzistoarelor bipolare
ˆ
In procesele moderne BiCMOS tranzistoarele NPN au o structurˇa fizicˇa ver-
ticalˇa, spre deosebire de tranzistoarele PNP, realizate de regulˇa ca dispozitive
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE
laterale. Structura unui tranzistor NPN este prezentatˇa ˆın Figura 1.2 (vedere
de sus ¸si sect ¸iune).
+
n buried
n+
p+
n-
n-
n-
p-
p-
p+ p+
p+
p+
n+
n+
n+ n+
SiO
2
conexiuni metalice
Figura 1.2: Structura fizicˇa a unui tranzistor NPN
Colectorul este realizat ca un strat ˆıngropat (eng. n+ buried), contactul
acestuia fiind accesibil printr-o port ¸iune verticalˇa de tip n+ (dopatˇa puternic cu
atomi donori cu exces de electroni). Colectorul ˆıngropat de dimensiuni mai mari
permite captarea optimˇa a purtˇatorilor. Tranzistorul este izolat de dispozitivele
adiacente prin structuri p+.
1.1.2 Funct ¸ionarea tranzistorului bipolar
Funct ¸ionarea tranzistorului bipolar este determinatˇa de cele douˇa jonct ¸iuni pn
din structurˇa, fiind similarˇa pentru tranzistoarele NPN ¸si PNP. Din acest motiv
se va discuta pe larg numai funct ¸ionarea variantei NPN.
4 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE
Tranzistorul nepolarizat
Figura 1.3 prezintˇa distribut ¸ia purtˇatorilor de sarcinˇa ˆıntr-un tranzistor NPN ale
cˇarui terminale sunt conectate la masˇa.
p n
+
+
+
+
+
+
n
+
+
+
+
+
+
B E C
Figura 1.3: Electronii ¸si golurile ˆıntr-un tranzistor NPN nepolarizat
La limita dintre regiunile n ¸si p electronii se recombinˇa cu golurile astfel ˆıncˆat
fˆa¸siile adiacente jonct ¸iunii sunt golite de sarcini mobile. Astfel dispozitivul
este ˆın echilibru energetic, curentul de conduct ¸ie fiind zero.
Tranzistorul corect polarizat
Figura 1.4 aratˇa distribut ¸ia purtˇatorilor de sarcinˇaˆıntr-un tranzistor NPN corect
polarizat.
Polarizarea corectˇa ˆınseamnˇa:
- polarizarea directˇa a jonct ¸iunii bazˇa-emitor (V
BE
> 0);
- polarizarea inversˇa a jonct ¸iunii bazˇa-colector (V
BC
< 0);
O tensiune pozitivˇa aplicatˇa ˆıntre bazˇa ¸si emitor reduce lˇat ¸imea regiunii de
golire prin compensarea potent ¸ialului intrinsec datorat recombinˇarii purtˇatorilor.
Cˆand tensiunea externˇa egaleazˇa efectul potent ¸ialului intrinsec, dioda bazˇa-
emitor intrˇa ˆın conduct ¸ie, iar emitorul injecteazˇa electroni mobili ˆın regiu-
nea bazei.
Doris Csipkes 5
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE
B(p)
E(n)
+
_
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
C(n)
+
_
V
BE
V
BC
Figura 1.4: Electronii ¸si golurile ˆıntr-un tranzistor NPN corect polarizat
O tensiune negativˇa aplicatˇa ˆıntre bazˇa ¸si colector mˇare¸ste lˇat ¸imea regiu-
nii de golire ¸si ˆın acela¸si timp potent ¸ialul pozitiv al colectorului accelereazˇa
electronii liberi injectat ¸i ˆın zona bazei de cˇatre emitor. Electronii accelerat ¸i
urmeazˇa sˇa fie captat ¸i de colector. Astfel se formeazˇa un curent de conduct ¸ie
ˆıntre colector ¸si emitor. Mecanismul de conduct ¸ie este prezentat ˆın Figura
1.5.
B(p) E(n)
+
_
C(n)
+
_
V
BE
V
BC


E
B
C
Figura 1.5: Mecanismul de conduct ¸ie a tranzistorului NPN
Observat ¸ie: sensul sˇaget ¸ilor reprezintˇa direct ¸ia de deplasare a electronilor.
Sensul curentului este opus cu sensul de deplasare a purtˇatorilor. Drept
urmare, ˆın tranzistoarele NPN curentul curge de la colector la emitor (sens
sugerat de sˇageata de pe simbolul dispozitivului).
Electronii liberi din regiunea bazei sunt ˆın numˇar mult mai mic decˆat golurile.
Din acest motiv ei se numesc purtˇatori minoritari.
6 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE
Dintre electronii injectat ¸i ˆın bazˇa de cˇatre emitor majoritatea ajung sˇa fie
captat ¸i de colector. Un numˇar mic de electroni se pierd ˆın bazˇa datoritˇa
potent ¸ialului pozitiv al bazei fat ¸ˇa de emitor. Astfel, apare un curent ˆın bazˇa.
Valoarea tipicˇa a curentului de bazˇa este de aproximativ 1% din valoarea
curentului de colector.
1.1.3 Modelul de semnal mare ˆın regiunea activˇa normalˇa
Modelul de semnal mare descrie funct ¸ionarea dispozitivului, dependent ¸a din-
tre tensiunile aplicate celor douˇa jonct ¸iuni ¸si curent ¸ii generat ¸i. Ecuat ¸iile de
funct ¸ionare se deduc din concentrat ¸iile de purtˇatori ˆın diferite regiuni ¸si para-
metrii geometrici ai jonct ¸iunilor. Curentul de colector se scrieˆın funct ¸ie de ten-
siunea bazˇa-emitor ca ˆın ecuat ¸ia (1.1). Se observˇa dependent ¸a exponent ¸ialˇa.
i
C
= I
S
· e
v
BE
V
T
(1.1)
ˆ
In aceastˇa ecuat ¸ie V
T
= kT/q este tensiunea termicˇa, iar I
S
este curentul de
saturat ¸ie.
Modelul de semnal mare este prezentat ˆın Figura 1.6.

i
B
i
C
v
BE
v
CE
B C
E E
Figura 1.6: Modelul de semnal mare al tranzistorului bipolar
Jonct ¸iunea bazˇa-emitor se modeleazˇa cu o diodˇa. Jonct ¸iunea colector-emitor
se modeleazˇa cu o sursˇa de curent comandatˇa ˆın curent a cˇarei factor de
transfer β este cˆa¸stigul de curent al tranzistorului.
ˆ
In ecuat ¸ia (1.1) ¸si modelul de semnal mare nu s-a t ¸inut cont de modulat ¸ia lˇat ¸imii
bazei cu variat ¸ia regiunii de golire bazˇa-colector. Cu cˆat tensiunea negativˇa V
BC
Doris Csipkes 7
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE
este mai mare, cu atˆat regiunea de golire este mai latˇa, iar lˇat ¸imea bazei scade.
Acest fenomen se nume¸ste efect Early. Ecuat ¸ia (1.1) se poate rescrie pentru
a considera ¸si efectul Early. Factorul de corect ¸ie este invers proport ¸ional cu
tensiunea Early V
EA
¸si direct proport ¸ional cu tensiunea colector-emitor.
i
C
= I
S
· e
v
BE
V
T
·

1 +
v
CE
V
EA

(1.2)
Observat ¸ie: tensiunea Early se poate exprima ca fiind variat ¸ia relativˇa a
lˇat ¸imii bazei cu tensiunea colector-emitor.
1.1.4 Modelul de semnal mare al tranzistorului
bipolar ˆın saturat ¸ie
ˆ
In regim saturat ambele jonct ¸iuni sunt polarizate direct. Astfel, atˆat emito-
rul cˆat ¸si colectorul injecteazˇa sarcini ˆın bazˇa, iar curentul nu se mai conformeazˇa
ecuat ¸iei i
C
= βi
B
. Tipic, curentul de bazˇa cre¸ste, condit ¸ia de saturat ¸ie fiind
i
C
≤ βi
B
(1.3)
ˆ
In practicˇa, pentru a evita saturat ¸ia nedoritˇa a tranzistoarelor bipolare, punctul
static de funct ¸ionare se alege astfel ˆıncˆat V
BE
< V
CE
.
1.1.5 Modelul de semnal mic al tranzistorului
bipolar ˆın RAN
Modelul de semnal mic se obt ¸ine din modelul de semnal mare considerˆand
variat ¸ii infinitezimale ale tensiunilor ¸si curent ¸ilor ˆın jurul punctului static de
funct ¸ionare ales.
Observat ¸ie: Modelul de semnal mic este un model inerent liniar datoritˇa
faptului cˇa variat ¸iile de semnal sunt infinitezimale ˆın jurul punctului static
de funct ¸ionare.
Modelul de semnal mic este dat ˆın Figura 1.7.
8 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE

i
B
i
C
v
BE
v
CE
B C
E E
r
BE
r
CE
g v
m BE
Figura 1.7: Modelul de semnal mic al tranzistorului bipolar ˆın RAN
Parametrii de semnal mic sunt rezistent ¸a bazˇa-emitor (r
BE
), rezistent ¸a
colector-emitor (r
CE
) ¸si transconductant ¸a de semnal mic (g
m
).
Rezistent ¸a colector-emitor
Definit ¸ie: rezistent ¸a colector emitor se define¸ste ca variat ¸ia tensiunii
colector-emitor cauzatˇa de variat ¸ia infinitezimalˇa a curentului de colec-
tor.
Expresia rezistent ¸ei colector-emitor este:
r
CE
=
∂v
CE
∂i
C
=
1
∂i
C
∂v
CE
=
1
I
S
V
EA
· e
v
BE
V
T

=
V
EA
i
C
(1.4)
Ordinul tipic de mˇarime al rezistent ¸ei colector-emitor este de sute de kΩ.
Transconductant ¸a de semnal mic
Definit ¸ie: transconductant ¸a de semnal mic se define¸ste ca variat ¸ia curen-
tului de colector cauzatˇa de o variat ¸ie infinitezimalˇa a tensiunii bazˇa-
emitor.
Expresia transconductant ¸ei de semnal mic este:
g
m
=
∂i
C
∂v
BE
= I
S
· e
v
BE
V
T
·

1 +
v
CE
V
T

·
1
V
T
=
i
C
V
T
(1.5)
Doris Csipkes 9
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE
Ordinul tipic de mˇarime a transconductant ¸ei este de mS.
Rezistent ¸a bazˇa-emitor
Definit ¸ie: rezistent ¸a bazˇa-emitor se define¸ste ca variat ¸ia tensiunii bazˇa-
emitor cauzatˇa de variat ¸ia infinitezimalˇa a curentului de bazˇa.
Expresia rezistent ¸ei bazˇa-emitor este:
r
BE
=
∂v
BE
∂i
B
=
1
∂i
B
∂v
BE
=
1
1
β
·
∂i
C
∂v
BE
=
β
g
m
(1.6)
Ordinul tipic de mˇarime a rezistent ¸ei bazˇa-emitor este de sute de kΩ.
1.1.6 Caracteristica de ie¸sire
Caracteristica de ie¸sire, datˇa ˆın Figura 1.8, descrie dependent ¸a dintre tensiu-
nea colector-emitor ¸si curentul de colector. Caracteristica de ie¸sire este o
familie de curbe corespunzˇatoare diferitelor valori ale tensiunii V
BE
. Panta
caracteristicii ˆın RAN este conductant ¸a colector-emitor (1/r
CE
).
i
C
v
CE
v
BE
V
EA
0
CE
v ¶
C
i ¶
SAT RAN
v
CE_PSF
i
C_PSF
Figura 1.8: Caracteristica de ie¸sire a tranzistorului NPN
10 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE
1.1.7 Caracteristica de transfer
Caracteristica de transfer descrie dependent ¸a curentului de colector de ten-
siunea bazˇa-emitor. Aceastˇa dependent ¸ˇa, prezentatˇa ˆın Figura 1.9, este o
exponent ¸ialˇa rapid crescˇatoare. Panta caracteristicii, mˇasuratˇa ˆın jurul punc-
tului static de funct ¸ionare, reprezintˇa transconductant ¸a de semnal mic (g
m
).
i
C
v
BE
0
BE
v ¶
C
i ¶
v
BE_PSF
i
C_PSF
Figura 1.9: Caracteristica de transfer a tranzistorului NPN
1.1.8 Modelul de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa
Modelul de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa caracterizeazˇa comportamentul ˆın
frecvent ¸ˇa al tranzistorului. Dependent ¸a de frecvent ¸a a parametrilor este datˇa
de capacitˇat ¸ile parazite ale dispozitivului. Modelul este prezentat ˆın Figura
1.10.
ˆ
In acest model r
B
, r
C
¸si r
E
sunt rezistent ¸ele echivalente ale terminale-
lor, iar C
BE
, C
BC
¸si C
CS
sunt capacitˇat ¸ile asociate cu jonct ¸iunile bazˇa-
emitor, bazˇa-colector ¸si colector-substrat. Toate capacitˇat ¸ile parazite sunt de
tip jonct ¸iune (eng. ”depletion”). Ele se datoreazˇa regiunilor de golire (aces-
tea act ¸ioneazˇa ca izolatoare fˇarˇa sarcini mobile) dintre regiunile p ¸si n din
structura dispozitivului.
Doris Csipkes 11
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE

i
B
i
C
B C
E
Substrat
r
BE
r
CE
g v
m BE
r
B
r
E
r
C
C
BE
C
BC
C
CS
Figura 1.10: Modelul de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa al tranzistorului
bipolar
Expresia tipicˇa a unei capacitˇat ¸i de golire depinde de tensiunea aplicatˇa
jonct ¸iunii, de potent ¸ialul intrinsec al jonct ¸iunii nepolarizate precum ¸si de
concentrat ¸ia purtˇatorilor din regiunile p ¸si n. De exemplu, capacitatea bazˇa-
colector se scrie:
C
BC
=
C
BC0

1 −
V
BC
Φ
intrinsecBC
(1.7)
Capacitatea bazˇa-emitor mai are o componentˇa datoratˇa tensiunii create de
difuzia sarcinilor din emitor spre bazˇa. Aceastˇa componentˇa depinde de
lˇat ¸imea bazei, de constanta de difuzie a electronilor ˆın siliciu ¸si de transconduc-
tant ¸a de semnal mic a tranzistorului.
1.2 Tranzistorul MOS cu canal indus
1.2.1 Generalitˇat ¸i
Tranzistoarele MOS sunt dispozitive cu 4 terminale, comandateˆın tensiune.
Simbolurile tipice sunt prezentate ˆın Figura 1.11.
Structura tranzistoarelor MOS cu canal n ¸si canal p este datˇa ˆın Figura 1.12.
Acest exemplu de structurˇa este valid numai pentru un proces de fabricat ¸ie
12 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE
de tip n-well cu substrat de tip p slab dopat. Din figurˇa trebuie remarcatˇa
¸si semnificat ¸ia parametrilor geometrici W ¸si L ai tranzistorului. Dispozitivele
individuale sunt izolate unul de celˇalalt prin implanturi speciale de izolator.
G G
D
sau
B B
S
S D
NMOS NMOS PMOS PMOS
Figura 1.11: Simbolurile frecvent utilizate pentru tranzistoarele MOS
substrat p-
PMOS
B
G G
B S S
D
D
polisiliciu
SiO
2
SiO
2
NMOS
n-well
p+ p+ p+
n+ n+ n+
ISO ISO ISO ISO
ISO
L L
W W
Figura 1.12: Sect ¸iunea tranzistoarelor MOS
Observat ¸ie: din Figura 1.12 se observˇa cˇa tranzistorul PMOS este plasat
ˆıntr-o regiune specialˇa (n-well) menitˇa sˇa elimine un scurt circuit ˆıntre drenˇa
¸si sursˇa prin substrat. Ca regulˇa generalˇa, tranzistoarele cu canalul de acela¸si
tip cu substratul sunt pozit ¸ionate ˆıntotdeauna pe o regiune implantatˇa cu
dopant complementar.
Doris Csipkes 13
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE
1.2.2 Funct ¸ionarea tranzistoarelor MOS
Funct ¸ionarea tranzistoarelor MOS este determinatˇa de structura fizicˇa a dispo-
zitivelor. Deoarece funct ¸ionarea tranzistoarelor PMOS este similarˇa cu a celor
NMOS (dacˇa toate tensiunile se considerˇa ˆın modul) ˆın continuare se discutˇa
numai tranzistorul cu canal n.
Sect ¸iunea unui tranzistor NMOS nepolarizat este prezentatˇa ˆın Figura 1.13.
n+ n+
substrat p-
regiuni de golire



D
G
S
Figura 1.13: Sect ¸iunea unui tranzistor NMOS nepolarizat
La jonct ¸iunea dintre materialele de tip n (drenˇa sau sursˇa) ¸si p (substrat) se
formeazˇa regiuni de golire a cˇaror lˇat ¸ime depinde de concentrat ¸ia de atomi
donori ¸si acceptori.
Regiunea de sub grilˇa ramˆane de tip p

, iar curentul prin dispozitiv este zero.
Dacˇa grila este polarizatˇa cu un potent ¸ial pozitiv fat ¸ˇa de sursˇa, atunci elec-
tronii minoritari din substratul p

vor fi atra¸si spre grilˇa. Atˆat timp cˆat
tensiunea V
GS
este mai micˇa decˆat o tensiune de prag V
Th
, recombinarea aces-
tor electroni cu golurile din regiunea imediat adiacentˇa oxidului de grilˇa duce la
extinderea regiunilor de golire dintre drenˇa, sursˇa ¸si substrat. Procesul este
ilustrat ˆın Figura 1.14.
Dacˇa tensiunea grilˇa-sursˇa depˇa¸se¸ste tensiunea de prag, concentrat ¸ia de
electroni sub grilˇa duce la aparit ¸ia temporarˇa a unei regiuni de inversie (numitˇa
ˆın continuare canal). Canalul se ment ¸ine atˆata timp cˆat V
GS
> V
Th
(Figura
1.15).
14 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE
n+ n+
substrat p-

D
G
S
e e
e
e
e
e
V <V
GS Th
Figura 1.14: Extinderea regiunilor de golire sub grilˇa
n+ n+
substrat p-

D
G
S
canal
V >V
GS Th
Figura 1.15: Formarea canalului pentru V
GS
> V
Th
Observat ¸ie: spre deosebire de tranzistoarele bipolare, aici conduct ¸ia se da-
toreazˇa purtˇatorilor majoritari (regiune complet inversatˇa). Deasemenea,
este important de remarcat cˇa dispozitivul are o structurˇa perfect simetricˇa.
Drept urmare, din punct de vedere teoretic, este indiferent care terminal se
considerˇa drenˇa ¸si care sursˇa.
Doris Csipkes 15
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE
Funct ¸ionarea ˆın regim liniar
Canalul odatˇa format, este necesarˇa aplicarea unei tensiuni ˆıntre drenˇa ¸si
sursˇa pentru a accelera electronii ¸si a aduce tranzistorul ˆın conduct ¸ie. Odatˇa
cu cre¸sterea tensiunii V
DS
(presupunem V
DS
> 0) jonct ¸iunea substrat-drenˇa
este invers polarizatˇa, iar regiunea de golire din jurul drenei se lˇarge¸ste
cauzˆand oˆıngustare a canalului de partea drenei. Fenomenul este prezentat
ˆın Figura 1.16.
n+ n+
substrat p-
canal îngustat

D
G
S
V >V
GS Th 0<V <V
DS DSsat
Figura 1.16:
ˆ
Ingustarea canalului datoritˇa tensiunii V
DS
ˆ
In regim liniar (eng. ”triode” sau ”weak inversion”) canalul formeazˇa un
contact ohmic ˆıntre drenˇa ¸si sursˇa. Astfel tranzistorul se va comporta ca o
rezistent ¸ˇa a cˇarei valoare este controlatˇa de tensiunea V
GS
. Condit ¸ia de
funct ¸ionare ˆın regim liniar este ca 0 < V
DS
< V
DSsat
.
Funct ¸ionarea ˆın regim saturat
ˆ
In regim saturat tensiunea V
DS
depˇa¸se¸ste tensiunea V
DSsat
. Regiunea de
golire din jurul drenei se lˇarge¸ste mai mult decˆat adˆancimea canalului. Astfel
contactul ohmic al drenei cu canalul dispare, fiindˆınlocuit de o regiune de golire
numitˇa regiune de ”pinch-off” ca ˆın Figura 1.17.
Datoritˇa pierderii contactului ohmic ˆıntre drenˇa ¸si sursˇa curentul prin dispozitiv
nu mai depinde de tensiunea drenˇa-sursˇa, ci numai de concentrat ¸ia de
16 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE
sarcini din sursˇa-canal, adicˇa de V
GS
. Electronii accelerat ¸i de V
DS
trec de
bariera de potent ¸ial fiind apoi eliminat ¸i din dispozitiv prin terminalul drenei.
n+ n+
substrat p-

D
G
S
regiune "pinch-off"

V >V
DS DSsat
V >V
GS Th
Figura 1.17: Regiunea de golire eliminˇa contactul ohmic al drenei cu ca-
nalul
Regimurile de funct ¸ionare se pot da conform Tabelului 1.1 in funct ¸ie de tensiu-
nile aplicate la terminale.
Regiune V
GS
V
DS
Canal
blocare < V
Th
nu conteazˇa nu
liniar > V
Th
0 < V
DS
< V
DSsat
da
saturat > V
Th
> V
DSsat
da, pinch-off
Tabelul 1.1: Regimurile de funct ¸ionare ale tranzistoarelor MOS
1.2.3 Modelul de semnal mare al tranzistorului MOS
Ecuat ¸iile specifice modelului de semnal mare se obt ¸in calculˆand gradientul de
variat ¸ie a sarcinii ˆın canal ˆın diferite regimuri de funct ¸ionare. Cea mai generalˇa
ecuat ¸ie a curentului de drenˇa se obt ¸ine pentru polarizareaˆın regim liniar. Aici
tranzistorul se comportˇa ca o rezistent ¸ˇa controlatˇa ˆın tensiune.
I
D
=
µC
ox
W
L
¸
(V
GS
−V
Th
) V
DS

V
2
DS
2

, 0 < V
DS
< V
DSsat
(1.8)
Doris Csipkes 17
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE
Mˇarimile din aceastˇa ecuat ¸ie au urmˇatoarele semnificat ¸ii:
- µ - mobilitatea purtˇatorilor de sarcinˇa (electroni sau goluri);
- C
ox
- capacitatea specificˇa a oxidului de sub grilˇa;
- W/L - raportul lˇat ¸ime/lungime al canalului.
Se observˇa cˇa variat ¸ia curentului cu tensiunea drenˇa-sursˇa este parabolicˇa.
Acest lucru ˆınseamnˇa cˇa valoarea curentului prin tranzistor va cre¸ste pˇatratic
cu V
DS
pˆanˇa la o valoare maximˇa, dupˇa care ar avea o tendint ¸ˇa de scˇadere.
Intuitiv, curentul va cre¸ste conform ecuat ¸iei (1.8) atˆata timp cˆat contactul
ohmic dintre drenˇa ¸si canal persistˇa, adicˇa pˆanˇa la aparit ¸ia regiunii ”pinch-off”.
Observat ¸ie: valoarea maximˇa a curentului ˆın regim liniar pentru un V
GS
dat se determinˇa calculˆand derivata curentului ˆın funct ¸ie de V
DS
¸si apoi
egalˆand derivata cu zero (metoda clasicˇa de calcul ale punctelor de infle-
xiune).
Prin calcule se demonstreazˇa cˇa valoarea curentului maxim se obt ¸ine pentru
V
DS
= V
GS
−V
Th
= V
DSsat
(1.9)
Aceastˇa ecuat ¸ie aratˇa cˇa regiunea ”pinch-off” apare dacˇa V
DS
depˇa¸se¸ste dife-
rent ¸a dintre tensiunea grilˇa-sursˇa ¸si tensiunea de prag. Astfel, (V
GS
−V
Th
)
se identificˇa cu V
DSsat
. Aceastˇa tensiune este adesea numitˇa ¸si tensiune de
”overdrive” (notatˇa ˆın continuare cu V
od
).
Dacˇa V
DS
> V
od
curentul ˆı¸si pˇastreazˇa valoarea maximˇa atinsˇa ˆın regim
liniar pentru un V
GS
dat, iar tranzistorul se satureazˇa. Termenul saturat ¸ie se
referˇa la faptul cˇa valoarea curentului este constantˇa indiferent de V
DS
.
ˆ
In
consecint ¸ˇa valoarea constantˇa a curentului se obt ¸ine substituind V
DS
cu V
od
ˆın
ecuat ¸ia (1.8).

I
D
=
µC
ox
W
2L
V
2
od
V
DS
> V
DSsat
(1.10)
18 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE
Aceastˇa ecuat ¸ie presupune cˇa lungimea canalului se ment ¸ine constantˇa indi-
ferent de V
DS
.
ˆ
In realitate ˆınsˇa lungimea regiunii ”pinch off” cre¸ste cu
V
DS
(modulat ¸ia regiunilor de golire), iar lungimea efectivˇa a canalului se
mic¸soreazˇa. Astfel, curentul de drenˇa va avea o dependent ¸ˇa slabˇa de V
DS
.
Expresia curentului de drenˇa trebuie corectatˇa ˆın mod similar ca la tranzistoa-
rele bipolare. Considerˆand gradientul de variat ¸ie a lungimii canalului cu V
DS
se
introduce coeficientul de variat ¸ie a lungimii canalului λ.
I
D
=
µC
ox
W
2L
· V
2
od
· (1 +λV
DS
) (1.11)
Figura 1.18 aratˇa variat ¸ia curentului de drenˇa cu V
DS
pentru regimul liniar ¸si
cel saturat (caracteristica de ie¸sire a dispozitivului).
V
DS
I
D
V
GS
Liniar
Saturaþie
0
Figura 1.18: Variat ¸ia curentului de drenˇa cu V
DS
Observat ¸ie: curentul de drenˇa variazˇa cu tensiunea substrat-sursˇa, chiar
dacˇa V
GS
este o valoare constantˇa. Acest lucru se datoreazˇa variat ¸iei ten-
siunii de prag V
Th
cu V
BS
conform ecuat ¸iei (1.12).
V
Th
(V
BS
) = V
Th0

2 |Φ
f
| +|V
BS
| −γ

2 |Φ
f
| (1.12)
Doris Csipkes 19
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE
Mˇarimile au urmˇatoarele semnificat ¸ii:
- γ - parametrul de prag al substratului;
- V
Th0
- tensiunea de prag a tranzistorului pentru V
BS
= 0;
- Φ
f
- potent ¸ialul intrinsec al jonct ¸iunii sursˇa-substrat.
1.2.4 Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS
ˆın saturat ¸ie
Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS este similar cu modelul tranzisto-
rului bipolar polarizat ˆın RAN. O diferent ¸ˇa este rezistent ¸a grilˇa-sursˇa infinitˇa,
datoratˇa izolatorului de sub grilˇa. O altˇa diferent ¸ˇa este contribut ¸ia jonct ¸iunii
substrat-sursˇa la fenomenul de conduct ¸ie. Modelul este prezentat ˆın Figura
1.19.

i
D
v
GS
v
DS
G D
S S
r
DS
g v
m GS
g v
mb BS
Figura 1.19: Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS saturat
Parametrii de semnal mic sunt transconductant ¸a (g
m
), transconductant ¸a
sursˇa-substrat (g
mb
) ¸si rezistent ¸a drenˇa-sursˇa (r
DS
).
Transconductant ¸a de semnal mic
Definit ¸ie: transconductant ¸a este variat ¸ia curentului de drenˇa cauzatˇa de
o variat ¸ie infinitezimalˇa a tensiunii grilˇa-sursˇa ˆın jurul punctului static de
funct ¸ionare.
Expresia transconductant ¸ei se scrie:
20 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE
g
m
=
∂i
D
∂v
GS
=
µC
ox
W
L
v
od
(1 +λv
DS
) =
2i
D
v
od

=

2µC
ox
Wi
D
L
(1.13)
Valoarea tipicˇa a transconductant ¸ei este de sute de µS, de 3-4 ori mai micˇa
decˆat a tranzistoarelor bipolare la acela¸si curent.
Transconductant ¸a sursˇa-substrat
Definit ¸ie: transconductant ¸a sursˇa-substrat se define¸ste ca variat ¸ia curen-
tului de drenˇa cauzatˇa de o variat ¸ie infinitezimalˇa a tensiunii substrat-
sursˇa.
Expresia transconductant ¸ei sursˇa-substrat este:
g
mb
=
∂i
D
∂v
BS
=
∂i
D
∂V
Th
·
∂V
Th
∂v
BS
= g
m
∂V
Th
∂v
BS
= g
m
·
γ
2

|v
BS
| + 2 |Φ
f
|
(1.14)
Datoritˇa factorului γ, tensiunii substrat-sursˇa ¸si potent ¸ialului intrinsec, valoarea
tipicˇa a transconductant ¸ei sursˇa-substrat este cu un ordin de mˇarime mai
micˇa decˆat cea a transconductant ¸ei de semnal mic.
Rezistent ¸a drenˇa-sursˇa
Definit ¸ie: rezistent ¸a drenˇa-sursˇa se define¸ste ca variat ¸ia tensiunii drenˇa-
sursˇa cauzatˇa de variat ¸ia infinitezimalˇa a curentului de drenˇa ˆın jurul
punctului static de funct ¸ionare.
Expresia rezistent ¸ei drenˇa-sursˇa se calculeazˇa ca ˆın ecuat ¸ia (1.15):
r
DS
=

∂v
DS
∂i
D

sat
=

¸
¸
¸
1
∂i
D
∂v
DS
¸

sat
=
1 +λv
DS
λi
D

=
1
λi
D
(1.15)
Valoarea tipicˇa a rezistent ¸ei drenˇa-sursˇa este de sute de kΩ, dar tinde sˇa fie
mai redusˇa decˆat rezistent ¸a colector-emitor a tranzistorului bipolar.
Doris Csipkes 21
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE
1.2.5 Polarizarea substratului ¸si efectul ”latch-up”
Regiunile dopate ale douˇa tranzistoare adiacente, unul NMOS ¸si celˇalalt
PMOS, formeazˇa elementele parazite R
n
, R
p
, Q
1
¸si Q
2
din Figura 1.20.
substrat p-
PMOS
B
p
G
p G
n
B
n
S
p
S
n
D
p
D
n
NMOS
n-well
p+ p+ p+
n+ n+ n+
ISO ISO ISO ISO
ISO
R
n
R
p
Q
1
Q
2

Figura 1.20: Elementele parazite ale structurii complementare
Tranzistorul PNP Q
1
are terminalele conectate dupˇa cum urmeazˇa: baza la B
p
,
emitorul la S
p
¸si colectorul la B
n
.
ˆ
In mod similar, Q
2
, de tip NPN, are baza
conectatˇa la B
n
, emitorul la S
n
¸si colectorul la B
p
. Structura echivalentˇa cu
conexiuni este datˇa ˆın Figura 1.21.
Rezistent ¸ele ˆımpreunˇa cu tranzistoarele bipolare PNP ¸si NPN sunt conectate
ˆıntr-o structurˇa de react ¸ie pozitivˇa. O perturbat ¸ie aplicatˇa la una din bazele
tranzistoarelor poate aduce structura ˆın conduct ¸ie.
ˆ
In acest caz circuitul ajunge
rapid la echilibru, pˇastrˆand starea de conduct ¸ie pˆanˇa cˆand tensiunea dintre
nodurile S
p
¸si S
n
este redusˇa la zero. Acest fenomen se nume¸ste ”agˇat ¸are”
sau ”latch-up”.
Pentru a evita agˇat ¸area elementelor parazite ˆın starea de conduct ¸ie se impune
blocarea explicitˇa a tranzistoarelor bipolare parazite. Pentru aceasta trebuie sˇa
asigurˇam o tensiune de bazˇa corespunzˇatoare ambelor tranzistoare. Un tran-
zistor bipolar NPN este blocat dacˇa potent ¸ialul bazei este mai mic sau egal cu
potent ¸ialul emitorului. Drept urmare, nodul B
n
se conecteazˇa ˆın totdeauna
la cel mai mic potent ¸ial din circuit (alimentarea negativˇa). Un rat ¸ionament
asemˇanˇator duce la concluzia cˇa nodul B
p
trebuie conectat la cel mai ˆınalt
potent ¸ial din circuit (alimentarea pozitivˇa).
22 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE

Q
1
Q
2
R
n
R
p
S
n
S
p
B
p
B
n
reactie
pozitiva
Figura 1.21: Structura parazitˇa echivalentˇa a tranzistoarelor complemen-
tare adiacente
1.2.6 Modelul de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa
Modelul de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa cuprinde capacitˇat ¸ile parazite ¸si
rezistent ¸ele echivalente ale terminalelor. Dintre aceste elemente cele mai
importante sunt capacitˇat ¸ile parazite introduse de structura fizicˇa a tranzis-
toarelor. Figura 1.22 aratˇa distribut ¸ia capacitˇat ¸ilor parazite.
- C
OLS
, C
OLD
- capacitˇat ¸i formate din suprapunerea unei port ¸iuni din
contactul grilei cu regiunea sursei ¸si a drenei (eng. ”overlap capacitan-
ces”);
- C
jBS
, C
jBD
, C
jCh
- capacitati de tip golire/jonct ¸iune (eng. ”deple-
tion”/”junction capacitances”) formate de contactul dintre douˇa regiuni
adiacente dopate complementar;
- C
Ch
- capacitatea canalului care are o naturˇa similarˇa cu capacitˇat ¸ile
de suprapunere.
Capacitˇat ¸i de jonct ¸iune
Expresia capacitˇat ¸ilor de jonct ¸iune este similarˇa cu cea din ecuat ¸ia (1.7).
C
jBS
=
C
BS0

1 −
V
BS
Φ
0BS
; C
jBD
=
C
BD0

1 −
V
BD
Φ
0BD
(1.16)
Doris Csipkes 23
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE
B
D
G
S
L
L
OL
L
OL
C
jBS
C
jBD
C
jBCh
C
OLS
C
OLD
C
Ch
Figura 1.22: Capacitˇat ¸ile parazite specifice structurii NMOS
Capacitˇat ¸i de suprapunere
Aceste capacitˇat ¸i sunt de tip planar. Prin urmare, expresia lor se scrie ca un
produs ˆıntre o capacitate specificˇa (acela¸si C
ox
ca ˆın expresia curentului) ¸si
aria de suprapunere a grilei cu sursa, respectiv cu drena.
C
OLS
= C
OLD

= W · L
OL
· C
ox
= C
GS0
· L
OL
= C
GD0
· L
OL
(1.17)
ˆ
In ecuat ¸ia de mai sus s-a considerat cˇa regiunile de suprapunere a grilei cu drena
¸si cu sursa au aceea¸si arie.
Capacitatea canalului
Capacitatea canalului este tot o capacitate planarˇa, formatˇa prin suprapunerea
grilei cu canalul. Drept urmare, expresia sa este similarˇa cu cea din ecuat ¸ia
(1.17).
C
Ch
= W · (L −2L
OL
) · C
ox
(1.18)
Fiecare dintre aceste capacitˇat ¸i contribuie la capacitˇat ¸ile parazite totale dintre
terminale, ˆın funct ¸ie de regimul de funct ¸ionare al tranzistorului. Tabelul
1.2 aratˇa contribut ¸ia fiecˇarei capacitˇat ¸i ˆın diferitele regimuri de funct ¸ionare.
Lungimea efectivˇa a canalului se define¸ste ca fiind L
ef
= L −L
OL
.
24 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE
Blocare Liniar Saturat ¸ie
C
GD
WL
OL
C
ox
WL
OL
C
ox
+
WL
OL
C
ox
+
1
2
WL
ef
C
ox
C
GS
WL
OL
C
ox
WL
OL
C
ox
+ WL
OL
C
ox
+
+
1
2
WL
ef
C
ox
+
2
3
WL
ef
C
ox
C
GB
C
GB0
+
C
GB0
C
GB0
+WL
ef
C
ox
C
SB
C
jSB
C
jSB
+
1
2
C
jBCh
C
jSB
+
2
3
C
jBCh
C
DB
C
jDB
C
jDB
+
1
2
C
jBCh
C
jDB
Tabelul 1.2: Contribut ¸ia capacitˇat ¸ilor parazite ˆın diferite regimuri de
funct ¸ionare
1.3 Sumar
ˆ
In aceastˇa sect ¸iune s-au studiat tranzistoarele bipolare ¸si tranzistoarele MOS.
Pentru fiecare dispozitiv au fost discutate urmˇatoarele aspecte:
• structura fizicˇa simplificatˇa;
• probleme de polarizare generale ( adit ¸ional efectul ”latch-up” la MOS);
• modelul de semnal mare ¸si ecuat ¸iile de funct ¸ionare;
• caracteristicile de ie¸sire ¸si de transfer;
• modelul de semnal mic ¸si parametrii specifici;
• modelul de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa;
• capacitˇat ¸ile parazite.
Doris Csipkes 25
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS S¸I BIPOLARE
Bibliografie
1. Lelia Fe¸stilˇa - Circuite integrate analogice I, Casa Cˇart ¸ii de S¸tiint ¸ˇa, 1997;
2. Lelia Fe¸stilˇa - Circuite integrate analogice II, Casa Cˇart ¸ii de S¸tiint ¸ˇa, 1999;
3. Doris Csipkes, Gabor Csipkes - Fundamental analog circuits. Practical
simulation exercises, UTPres, 2004;
4. P.E. Allen, D. Holberg - CMOS analog circuit design, Oxford University
Press, 1987
5. B. VanZeghbroeck - Principles of Semiconductor Devices, online book
2004, http://ece-www.colorado.edu/ bart/book/.
26 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Capitolul 2
Surse de curent
Sursele de curent joacˇa un rol important ˆın polarizarea circuitelor electronice.
ˆ
In mod ideal ele furnizeazˇa un curent independent de tensiunea de la borne.
Parametrii specifici implementˇarii electronice:
- rezistent ¸a de ie¸sire - trebuie sˇa fie cˆat mai mare pentru a se apropia de
sursele de curent ideale;
- tensiunea minimˇa la ie¸sire - trebuie sˇa fie cˆat mai micˇa pentru a permite
funct ¸ionarea la tensiuni de alimentare joase.
2.1 Sursa simplˇa de curent cu un singur tranzistor
Figura 2.1 prezintˇa sursa de curent cu un tranzistor ˆın varianta MOS ¸si bipolarˇa.
Tensiunile de comandˇa sunt aplicate ˆın grila, respectiv ˆın baza tranzistoarelor.
Q1
M1

I
out
I
out
I
out
V
G
V
B
Figura 2.1: Sursa de curent simplˇa cu un tranzistor
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. SURSE DE CURENT
Observat ¸ie: orice tranzistor poate fi considerat sursˇa de curent contro-
latˇa ˆın tensiune dacˇa este polarizat ˆın regiunea activˇa normalˇa (bipolar)
sau ˆın regim saturat (MOS).
Datoritˇa rˇaspˆandirii pe scarˇa mai largˇa a tehnologiilor CMOS ¸si BiCMOS, ˆın
aceastˇa sect ¸iune se vor discuta numai sursele de curent ˆın varianta MOS.
Ecuat ¸ia (2.1) define¸ste condit ¸ia de saturat ¸ie pentru un tranzistor MOS.
V
DS
≥ V
od
⇒ V
DSmin
= V
od
(2.1)
Aceastˇa ecuat ¸ie define¸ste implicit ¸si tensiunea minimˇa admisˇa la ie¸sire ¸si
anume V
out
m
in
= V
DSmin
.
Caracteristica de ie¸sire a sursei simple de curent este datˇa ˆın Figura 2.2.
V_V1
0V 0. 5V 1. 0V 1. 5V 2. 0V
I D( M1)
0A
50uA
100uA
150uA

I
out
V
out
V
out_min
ideal
real
PSF
Figura 2.2: Caracteristica de ie¸sire a sursei de curent cu un tranzistor
Din figurˇa se observˇa cˇa valoarea curentului depinde slab de tensiunea de
ie¸sire. Acest lucru conduce la ideea cˇa sursa implementatˇa de tranzistor nu
28 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. SURSE DE CURENT
este idealˇa, ci are rezistent ¸a de ie¸sire finitˇa. Valoarea lui R
out
se poate
determina mˇasurˆand panta caracteristicii ˆın regim saturat ˆın jurul PSF.
Se poate demonstra cˇa rezistent ¸a de ie¸sire este egalˇa cu rezistent ¸a drenˇa-sursˇa a
tranzistorului. Pentru demonstrat ¸ie se considerˇa modelul echivalent de semnal
mic al tranzistorului din Figura 2.3.

g V
m GS
g V
mb BS
r
DS
I
out
V
out
Figura 2.3: Schema echivalentˇa de semnal mic a sursei de curent cu un
tranzistor
Rezistent ¸a de ie¸sire se scrie:
R
out
=
V
out
I
out
=
(I
out
−g
m
V
GS
−g
mb
V
BS
) · r
DS
I
out
(2.2)
La construct ¸ia modelului echivalent de semnal mic se pasivizeazˇa toate sursele
constante din circuit. Astfel toate sursele de curent devinˆıntrerupere, iar toate
sursele de tensiune devin scurt circuit la masˇa. Din acest motiv atˆat V
GS
cˆat
¸si V
BS
sunt egale cu zero. Rezistent ¸a de ie¸sire devine:
R
out
=
V
out
I
out
= r
DS
(2.3)
Ordinul tipic de mˇarime al rezistent ¸ei drenˇa-sursˇa a fost precizat la sect ¸iunea
de tranzistoare MOS, aceasta fiind de o sutˇa de kΩ. Acest lucru ˆınseamnˇa
cˇa o variat ¸ie de tensiune de 1V la bornele sursei (V
DS
) va produce o variat ¸ie
de 10µA. De multe ori aceastˇa variat ¸ie este consideratˇa prea mare. Astfel este
necesarˇa gˇasirea unei metode de a mˇari rezistent ¸a de ie¸sire a sursei.
Doris Csipkes 29
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. SURSE DE CURENT
2.2 Sursa de curent cu un singur tranzistor ¸si de-
generare rezistivˇa
O metodˇa de a mˇari rezistent ¸a de ie¸sire a sursei simple cu un tranzistor este
conectarea ˆıntre terminalul sursei ¸si masˇa a unei rezistent ¸e ca ˆın Figura 2.4.
M1

g V
m GS
g V
mb BS
r
DS
I
out
V
out
V
G
V
B
R
R
I
out
I
out
Figura 2.4: Schema ¸si modelul de semnal mic al sursei degenerate rezistiv
Rezistent ¸a de ie¸sire se calculeazˇa ˆın mod similar ca pentru sursa farˇa degene-
rare.
R
out
=
V
out
I
out
=
(I
out
−g
m
V
GS
−g
mb
V
BS
) · r
DS
+I
out
R
I
out
(2.4)
Observat ¸ie: De aceastˇa datˇa, de¸si grila ¸si terminalul de substrat ale tranzis-
torului sunt conectate la masˇa ˆın modelul de semnal mic, terminalul sursei
este un nod flotant. Din acest motiv tensiunile V
GS
¸si V
BS
sunt diferite de
zero ¸si pot fi exprimate ca diferent ¸e de potent ¸ial.

V
GS
= V
G
−V
S
= −V
S
= −I
out
R
V
BS
= V
B
−V
S
= −V
S
= −I
out
R
(2.5)
30 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. SURSE DE CURENT
Din ecuat ¸iile (2.4) ¸si (2.5) rezultˇa:
R
out
= r
DS
+R + (g
m
+g
mb
) r
DS
R (2.6)
Deoarece g
mb
este tipic cu un ordin de mˇarime mai mic decˆat g
m
, rezistent ¸a de
ie¸sire se aproximeazˇa:
R
out

= r
DS
+R +g
m
r
DS
R

= g
m
r
DS
R (2.7)
ˆ
In afarˇa de modul de calcul al rezistent ¸ei de ie¸sire bazat pe schema de semnal
mic, mai existˇa un mod intuitiv de abordare a problemei care duce la acela¸si
rezultat aproximativ (ca ˆın ecuat ¸ia (2.7)).
Aceastˇa metodˇa de analizˇa se bazeazˇa pe identificarea unei react ¸ii negative de
tip serie-serie care mˇareste rezistent ¸a de ie¸sire a amplificatorului de pe calea
directˇa de semnal cu un factor egal cu cˆa¸stigul buclei.
Din analiza sursei de curent se observˇa cˇa mˇarimea de ie¸sire este chiar curentul
I
out
. Mˇarimea de intrare este consideratˇa potent ¸ialul de comandˇa din grila
tranzistorului. Astfel amplificatorul de pe calea directˇa de semnal este de tip
transconductant ¸ˇa, cˆa¸stigul acestuia fiind egal cu transconductant ¸a de semnal
mic a tranzistorului. Curentul de ie¸sire este mˇasurat ˆın serie ¸si transformat ˆın
tensiune cu un factor de react ¸ie egal cu R. Din schemˇa mai rezultˇa cˇa aceastˇa
cˇadere de tensiune pe R se scade din tensiunea de intrare, astfel bucla de react ¸ie
negativˇa fiind ˆınchisˇa.
g
m
r
DS
R
out
V
GS
V
G
V
R
I
out
R
Figura 2.5: Bucla de react ¸ie negativˇa serie-serie
Doris Csipkes 31
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. SURSE DE CURENT
Observat ¸ie: react ¸ia este serie-serie deoarece la intrare tensiunile se
ˆınsumeazˇa serie, iar la ie¸sire curentul se mˇasoarˇa tot serie.
Rezistent ¸a de ie¸sire a amplificatorului transconductant ¸ˇa de pe calea directˇa
este rezistent ¸a r
DS
a tranzistorului, dupˇa cum s-a arˇatat la sursa simplˇa fˇarˇa
degenerare. React ¸ia negativˇa mˇare¸ste rezistent ¸a de ie¸sire ˆın buclˇa ˆınchisˇa cu
un factor egal cu cˆa¸stigul buclei, adica cu g
m
· R. Astfel se ajunge la aceea¸si
aproximare a rezistent ¸ei de ie¸sire ca ˆın ecuat ¸ia (2.7).
Tensiunea minimˇa admisˇa la ie¸sire necesarˇa tranzistorului pentru a funct ¸iona ˆın
regim saturat este:
V
outmin
= V
DSmin
+RI
out
(2.8)
Ca exemplu, vom calcula cˆateva valori pentru R
out
¸si V
outmin
corespunzˇatoare
sursei de curent cu degenerare rezistivˇa, ¸stiind cˇa tranzistorul are r
DS
= 100kΩ,
g
m
= 1mS ¸si V
od
= 200mV , pentru diferite valori ale rezistentei R.
S¸tiind valoarea transconductant ¸ei ¸si a tensiunii de overdrive se poate calcula
curentul prin tranzistor ca fiind 100µA.
ˆ
In Tabelul 2.1 sunt calculate R
out
¸si V
outmin
pentru o rezistent ¸ˇa de degenerare
de 1kΩ, 10kΩ ¸si 100kΩ.
R R
out
V
outmin
1kΩ 201kΩ V
DSmin
+ 0, 1V
10kΩ 1, 11MΩ V
DSmin
+ 1V
100kΩ 10, 2MΩ V
DSmin
+ 10V
Tabelul 2.1: R
out
¸si V
outmin
pentru diferite valori ale lui R
Observat ¸ie: valorile din acest tabel sunt valide numai dacˇa presupunem cˇa
punctul static de funct ¸ionare al tranzistorului este ment ¸inut constant.
Acest lucru implicˇa o cre¸stere a potent ¸ialului din grilˇa pentru a compensa
cˇaderea de tensiune pe rezistent ¸ˇa. Astfel tranzistorul se va ment ¸ine saturat.
Dacˇa nu este compensatˇa cˇaderea de tensiune pe R, tranzistorul va intra ˆın
regim liniar odatˇa cu scˇaderea excesivˇa a tensiunii de ie¸sire.
32 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. SURSE DE CURENT
Din tabel se poate vedea cˇa pentru valori mari ale rezistent ¸ei pasive se obt ¸ine
cre¸sterea rezist ¸entei de ie¸sire, dar tensiunea minimˇa la ie¸sire cre¸ste ¸si ea limitˆand
funct ¸ionarea sursei ˆın circuitele mai complicate cu alimentare redusˇa. Astfel
apare ideea de a gˇasi o structurˇa care sˇa implementeze o sursˇa de curent avˆand
R
out
mˇaritˇa ¸si totodatˇa V
outmin
sˇa se ment ¸inˇa la valori relativ reduse. Solut ¸ia
este ˆınlocuirea rezistent ¸ei pasive cu un tranzistor (privit ˆın saturat ¸ie ca sursˇa de
curent).
2.3 Sursa de curent cascodˇa
Schema ¸si modelul echivalent de semnal mic al sursei de curent cascodˇa sunt
prezentate ˆın Figura 2.6.
M2
M1

g V
m1 GS1
g V
mb2 BS2
r
DS1
I
out
V
out
V
G2
V
B2 I
out
V
G1
g V
m2 GS2
I
out
r
DS2
Figura 2.6: Sursa de curent cascodˇa ¸si modelul echivalent de semnal mic
corespunzˇator
Rezistent ¸a de ie¸sire se scrie:
R
out
=
(I
out
−g
m1
V
GS1
) · r
DS1
I
out
+
+
(I
out
−g
m2
V
GS2
−g
mb2
V
BS2
) · r
DS2
I
out
(2.9)
Doris Csipkes 33
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. SURSE DE CURENT
Tensiunea V
GS1
este zero datoritˇa pasivizˇarii, iar expresiile lui V
GS2
¸si V
BS2
sunt:

V
GS2
= V
G2
−V
S2
= −V
S2
= −I
out
r
DS1
V
BS2
= V
B2
−V
S2
= −V
S2
= −I
out
r
DS1
(2.10)
ˆ
Inlocuind tensiunile grilˇa-sursˇa ¸si substrat-sursˇa ale lui M
2
ˆın ecuat ¸ia (2.9),
rezultˇa:
R
out
= r
DS1
+r
DS2
+ (g
m2
+g
mb2
) r
DS2
r
DS1

= g
m2
r
DS2
r
DS1
(2.11)
Din aceastˇa ecuat ¸ie se poate vedea cˇa expresia lui R
out
este aceea¸si ca pentru
sursa de curent cu degenerare rezistivˇa, cu diferent ¸a cˇa rezistent ¸a pasivˇa a fost
ˆınlocuit¸ a cu rezistent ¸a drenˇa-sursˇa a lui M
1
. Astfel ordinul teoretic de mˇarime
al rezistent ¸ei de ie¸sire este cel al MΩ -lor, pentru cazul ˆın care tranzistoarele au
r
DS
de o sutˇa kΩ ¸si g
m
de ordinul mS.
ˆ
In practicˇa aceastˇa valoare este adesea
imposibil de realizat.
Tensiunea minimˇa de ie¸sire este ˆın acest caz:
V
outmin
= V
DSmin1
+V
DSmin2
(2.12)
Caracteristica de iesire a sursei de curent cascodˇa este data ˆın Figura 2.7.
Din caracteristica de ie¸sire simulatˇa se observˇa o aplatizare a curbei ˆın regiunea
corespunzˇatoare regimului de saturat ¸ie a ambelor tranzistoarelor fat ¸ˇa de sursa
simplˇa de curent. Acest fapt indicˇa o cre¸stere considerabilˇa a rezistent ¸ei de
ie¸sire. O altˇa remarcˇa importantˇa este aceea cˇa existˇa douˇa puncte de frˆıngere
pe caracteristicˇa, unul corespunzˇator intrˇarii ˆın regim liniar a lui M
2
, iar celˇalalt
intrˇarii ˆın regim liniar a lui M
1
. Tensiunea minimˇa la ie¸sire este impusˇa de
condit ¸ia de funct ¸ionare ˆın regim saturat a ambelor tranzistoare.
34 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. SURSE DE CURENT
V_V1
0V 1. 0V 2. 0V 3. 0V
I D( M2)
0A
40uA
80uA
120uA

I
out
V
out
V
out_min
Figura 2.7: Caracteristica de ie¸sire a sursei de curent cascodˇa
2.4 Sursa de curent cu rezistent ¸ˇa de ie¸sire mˇaritˇa
O cre¸stere ˆın continuare a rezistent ¸ei de ie¸sire a sursei de curent cascodˇa este
posibilˇa prin mˇarirea cˆa¸stigului buclei de react ¸ie negativˇa. Aceasta se poate
face prin conectarea unui amplificator inversor ˆıntre sursa ¸si grila tranzistorului
M
2
.
M2
-
+
M1

g V
m1 GS1
g V
mb2 BS2
r
DS1
I
out
V
out
V
G2
V
B2
I
out
V
G1
g V
m2 GS2
I
out
r
DS2
V
CT
V
G2
a
-a
Figura 2.8: Sursa de curent cascodˇa cu R
out
maritˇa ¸si modelul echivalent
de semnal mic
Doris Csipkes 35
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. SURSE DE CURENT
Rezistent ¸a de ie¸sire se determinˇa dupˇa cum urmeazˇa:
R
out
=
(I
out
−g
m1
V
GS1
) · r
DS1
I
out
+
+
(I
out
−g
m2
V
GS2
−g
mb2
V
BS2
) · r
DS2
I
out
(2.13)
Tensiunea V
GS1
este zero, iar expresiile lui V
GS2
¸si V
BS2
se scriu:

V
GS2
= V
G2
−V
S2
= −aV
S2
−V
S2
= −(a + 1) I
out
r
DS1
V
BS2
= V
B2
−V
S2
= −V
S2
= −I
out
r
DS1
(2.14)
Combinˆand ecuat ¸iile (2.13) ¸si (2.14) rezultˇa:
R
out
= r
DS1
+r
DS2
+ [(a + 1) g
m2
+g
mb2
] r
DS2
r
DS1

=

= (a + 1) g
m2
r
DS2
r
DS1
(2.15)
Din expresia lui R
out
se poate vedea cˇa aceasta a crescut de aproximativ a ori
fat ¸ˇa de sursa de curent cascodˇa. Ordinul teoretic de mˇarime este cel al zecilor de
MΩ dacˇa se ia r
DS
de o sutˇa kΩ, g
m
de ordinul mS ¸si cˆa¸stigul amplificatorului
de ordinul zecilor.
Tensiunea minimˇa de ie¸sire este identicˇa cu cea a sursei de curent cascodˇa.
O posibilˇa implementare a sursei de curent cascodˇa cu rezistent ¸ˇa mˇarita este
datˇa ˆın Figura 2.9.
Rezistent ¸a de ie¸sire are urmˇatoarea formˇa:

R
out
= r
DS1
+r
DS2
+ [(a + 1) g
m2
+g
mb2
] r
DS2
r
DS1
a = g
m3
(r
DS3
|| r
DS4
)
(2.16)
36 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. SURSE DE CURENT
M4
M1
M3
M2

VDD
V
B2
I
out
V
G1
V
CT
V
G2
Figura 2.9: Implementarea la nivel de tranzistor a sursei de curent cas-
codˇa cu R
out
mˇaritˇa
2.5 Sumar
ˆ
In aceastˇa sect ¸iune s-au prezentat cˆateva implementˇari electronice ale sursei
de curent. Pornind de la structura cea mai simplˇa ¸si argumentˆand fiecare
ˆımbunˇatˇat ¸ire se ajunge la structuri mai performante, utilizate ˆın practicˇa. Pen-
tru fiecare structurˇa au fost discutate urmˇatoarele aspecte:
- schema ¸si modelul echivalent de semnal mic;
- rezistent ¸a de ie¸sire;
- tensiunea minimˇa de ie¸sire pentru care circuitul mai funct ¸ioneazˇa ca sursˇa
de curent;
- caracteristica de ie¸sire ¸si interpretarea ei.
Bibliografie:
1. Lelia Fe¸stilˇa - Circuite integrate analogice I, Casa Cˇart ¸ii de S¸tiint ¸ˇa, 1997;
Doris Csipkes 37
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. SURSE DE CURENT
2. Doris Csipkes, Gabor Csipkes - Fundamental analog circuits. Practical
simulation exercises, UTPres, 2004;
3. P.E. Allen, D. Holberg - CMOS analog circuit design, Oxford University
Press, 1987
38 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Capitolul 3
Oglinzi de curent
ˆ
In sect ¸iunea Surse de curent au fost prezentate structurile unor surse de curent
electronice ¸si parametrii specifici de funct ¸ionare. S-a presupus cˇa toate tranzis-
toarele sunt corect polarizate ˆın regim de saturat ¸ie. Punctul nediscutat a fost
metoda cu care sunt generate tensiunile constante din grilele tranzistoarelor.
ˆ
In majoritatea cazurilor tensiunile de grilˇa sunt generate injectˆand un curent de
referint ¸ˇa ˆıntr-un tranzistor conectat ca diodˇa MOS, determinˆand astfel tensiu-
nea grilˇa-sursˇa a tranzistorului. Astfel se ajunge la o clasˇa de subcircuite numite
oglinzi de curent. Oglinzile sunt utilizate pentru distribuirea curent ¸ilor de
polarizare, dar mai pot fi utilizate ¸si ca amplificatoare de curent.
ˆ
In conti-
nuare se vor discuta cˆateva variante constructive implementate cu tranzistoare
MOS ¸si tranzistoare bipolare.
3.1 Introducere
Parametrul de bazˇa care descrie funct ¸ionarea oglinzii de curent este cˆa¸stigul de
curent sau raportul de reflexie. Raportul de reflexie se define¸ste ca raportul
dintre curentul de ie¸sire ¸si curentul de intrare/referint ¸ˇa.
n =
I
out
I
in
(3.1)
Cerint ¸ele de performant ¸ˇa pentru oglinzile de curent sunt asemˇanˇatoare cu cele
de la sursele de curent, dar adit ¸ional mai punem condit ¸iile necesare ca intrarea
oglinzii sˇa fie o intrare de curent (de joasˇa impedant ¸ˇa):
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
- rezistent ¸a de ie¸sire sˇa fie cˆat mai mare pentru a reduce dependent ¸a cu-
rentului de ie¸sire cu tensiunea de ie¸sire (ca la sursele de curent);
- tensiunea minimˇa la ie¸sire pentru care circuitul mai funct ¸ioneazˇa ca sursˇa
de curent sˇa fie cˆat mai micˇa (ca la sursele de curent);
- tensiunea minimˇa la intrare sˇa fie cˆat mai micˇa (determinatˇa de PSF a
diodei MOS);
- rezistent ¸a de intrare sˇa fie cˆat mai micˇa;
- raportul de reflexie sˇa fie cˆat mai precis, constant cu tensiunea de alimen-
tare ¸si independent de temperaturˇa.
3.2 Oglinzi de curent MOS
3.2.1 Oglinda simplˇa de curent MOS
Oglinda simplˇa de curent se obt ¸ine din sursa de curent cu un singur tranzistor
prin conectarea grilei la dioda MOS care genereazˇa tensiunea de grilˇa. Schema
circuitului este datˇa ˆın Figura 3.1 ˆımpreuna cu modelul echivalent de semnal
mic.
M1 M2

g V
m1 GS1
g V
m2 GS2
r
DS1
r
DS2
I
in
I
out
I
out I
in
V
in V
out
Figura 3.1: Oglinda simplˇa de curent ¸si modelul echivalent de semnal mic
Observat ¸ie: modelul de semnal mic se deseneazˇa pentru tranzistoare ˆın
saturat ¸ie. M
1
este ˆıntotdeauna saturat datoritˇa conexiunii de diodˇa MOS
(V
DS
= V
od
+V
Th
> V
od
), iar M
2
este o sursˇa de curent.
40 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
Observat ¸ie: ˆın schema echivalentˇa de semnal mic nu apar sursele de curent
corespunzˇatoare transconductant ¸ei de substrat (g
mb
) deoarece tensiunile
V
BS
de control ale acestora sunt zero (B conectat la S pentru ambele
tranzistoare).
Rezistent ¸a de intrare a oglinzii se calculeazˇa din schema echivalentˇa de semnal
mic, t ¸inˆand cont de faptul cˇa tensiunea grilˇa-sursˇa a tranzistorului M
1
este egalˇa
cu tensiunea drenˇa-sursˇa:
R
in
=
V
in
I
in
=
r
DS1
1 +g
m1
r
DS1

=
1
g
m1
(3.2)
Rezistent ¸a de ie¸sire este aceea¸si ca pentru sursa de curent simplˇa:
R
out
=
V
out
I
out
= r
DS2
(3.3)
Tensiunea minimˇa admisˇa la ie¸sire este aceea¸si ca pentru sursa simplˇa de curent
¸si este egalˇa cu tensiunea drenˇa-sursˇa a lui M
2
pentru care acesta este ˆıncˇa ˆın
regim saturat.
Curent ¸ii de drenˇa ai tranzistoarelor se scriu:

i
D1
= β
1
(V
GS1
−V
Th1
)
2
(1 +λV
DS1
)
i
D2
= β
2
(V
GS2
−V
Th2
)
2
(1 +λV
DS2
)
β
1
=
µC
ox
W
1
2L
1
; β
2
=
µC
ox
W
2
2L
2
(3.4)
S¸tiind cˇa tensiunile grilˇa-sursˇa ale tranzistoarelor sunt egale, rezultˇa expresia
raportului de reflexie:
n =
I
out
I
in
=
β
2
(V
GS2
−V
Th2
)
2
(1 +λV
DS2
)
β
1
(V
GS1
−V
Th1
)
2
(1 +λV
DS1
)
(3.5)
Doris Csipkes 41
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
Examinˆand ecuat ¸ia (3.5) se observˇa cˇa sunt trei factori care afecteazˇa precizia
raportului de reflexie: modulat ¸ia lungimii canalului, neˆımperecherea tensiu-
nilor de prag a tranzistoarelor ¸si neˆımperecherea geometriei tranzistoarelor.
Pentru analiza efectului de modulat ¸ie a lungimii canalului se considerˇa un raport
de reflexie unitar (presupunˆand cˇa tranzistoarele au aceea¸si geometrie) ¸si cˇa
tensiunile de prag sunt perfect ˆımperecheate.
ˆ
In acest caz obt ¸inem:
n =
I
out
I
in
=
1 +λV
DS2
1 +λV
DS1
(3.6)
Ca o concluzie, se poate spune cˇa un dezechilibru ˆıntre tensiunile de intrare ¸si
de ie¸sire va produce o eroare a raportului de reflexie.
Pentru a analiza efectul neˆımperecherii tranzistoarelor se considerˇa tensiunile
drenˇa-sursˇa egale. Diferent ¸a dintre tensiunile de prag se noteazˇa cu V
Th
iar
diferent ¸a dintre geometriile tranzistoarelor se traduce ˆın ∆β. Pentru tensiunile
de prag ¸si parametrii β se pot scrie relat ¸iile:

V
Th1
= V
Th

1
2
∆V
Th
V
Th2
= V
Th
+
1
2
∆V
Th
V
Th
=
V
Th1
+V
Th2
2

β
1
= β −
1
2
∆β
β
2
= β +
1
2
∆β
β =
β
1

2
2
(3.7)
Combinˆand ecuat ¸iile (3.5) ¸si (3.7) rezultˇa:
n =

1 +
∆β

1 −
∆V
Th
2 (V
GS
−V
Th
)
2

1 −
∆β

1 +
∆V
Th
2 (V
GS
−V
Th
)
2
(3.8)
ˆ
In continuare se considerˇa funct ¸ia binomialˇa inversˇa ¸si dezvoltarea sa ˆın serie
Taylor:
42 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
1
a +x
=

¸
k=0
(−x)
k
a
k+1
=
1
a

x
a
2
+
x
2
a
3

x
3
a
4
+. . . (3.9)
Dacˇa se considerˇa x << 1 atunci termenii de ordin mai mare sau egal cu doi
se neglijeazˇa, iar ecuat ¸ia (3.9) devine:
1
a +x

=
1
a

x
a
2
(3.10)
Pentru cazul ˆın care, a = 1,
∆β
β
<< 1 ¸si
∆V
Th
2 (V
GS
−V
Th
)
, termenii de grad
mai mare decˆat doi se neglijeazˇa ¸si expresia aproximativˇa a lui n devine:
n

=

1 +
∆β

2

1 −
∆V
Th
2 (V
GS
−V
Th
)

4
(3.11)
Ridicˆand la puterile corespunzˇatoare ¸si neglijˆ nd din nou termenii de ordin mai
mare decˆat unitatea, raportul de reflexie se poate aproxima astfel:
n

= 1 +
∆β
β

2∆V
Th
V
GS
−V
Th
(3.12)
Observat ¸ie: eroarea raportului de reflexie se poate reduce dacˇa dimensiunea
tranzistoarelor este mai mare (geometria depinde de β) sau dacˇa curentul
prin ele este mai mare (curentul depinde de V
GS
− V
Th
). Intuitiv, douˇa
tranzistoare se ˆımperecheazˇa mai bine dacˇa dimensiunile lor sunt mai mari.
ˆ
Insumˆand performant ¸ele oglinzii simple de curent se poate observa cˇa rezistent ¸a
de ie¸sire este relativ redusˇa (ca la sursa simplˇa de curent), iar factorul de reflexie
variazˇa puternic cu asimetriile din circuit. Pentru a ˆımbunˇatˇat ¸i raportul de
reflexie ¸si rezistent ¸a de ie¸sire trebuie gˇasitˇa o structurˇa care sˇa egaleze tensiunile
drenˇa-sursˇa ale tranzistoarelor. De asemenea trebuie mˇaritˇa ¸si rezistent ¸a de
ie¸sire. Metoda cu care toate aceste neajunsuri sunt reduse este cascodarea.
Doris Csipkes 43
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
3.2.2 Oglinda de curent cascodˇa MOS
Oglinda de curent cascodˇa se obt ¸ine din oglinda simplˇa prin cascodarea ambelor
ramuri de circuit, avˆand schema ¸si modelul echivalent de semnal mic din Figura
3.2.
I
in
I
out
V
B3
V
B4
M2
M4
M1
M3


g V
m1 GS1
g V
m2 GS2
r
DS1
r
DS2
I
in
I
out
I
out
I
in
V
in V
out
g V
m3 GS3
g V
mb3 BS3
g V
mb4 BS4
g V
m4 GS4
r
DS3
r
DS4
Figura 3.2: Oglinda de curent cascodˇa MOS ¸si modelul de semnal mic
Determinarea rezistent ¸ei de intrare se face considerˆand teorema lui Norton la
ie¸sire (la ie¸sire curentul se mˇasoarˇa serie ⇒Norton), conform cˇareia rezistent ¸a
de sarcinˇa se ˆınlocuie¸ste cu un scurt circuit la masˇa. Drept urmare, trebuie
sˇa considerˇam V
out
= 0.
ˆ
In mod similar, pentru calculul rezistent ¸ei de ie¸sire
aplicˇam teorema lui Thevenin la intrare (curentul se ˆınsumeaza paralel ⇒
Thevenin). Astfel, se considerˇa I
in
= 0.
Calculul rezistent ¸elor de intrare ¸si de ie¸sire
Tensiunea de intrare se scrie ca suma cˇaderilor de tensiune pe tranzistoarele M
1
¸si M
3
:
V
in
= V
DS1
+V
DS3
(3.13)
T¸inˆand cont de faptul cˇa tensiunile drenˇa-sursˇa ale lui M
1
¸si M
3
sunt egale cu
tensiunile grilˇa-sursˇa, rezultˇa:
44 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
V
DS1
= (I
in
−g
m1
V
GS1
) r
DS1
⇒ V
DS1
=
r
DS1
1 +g
m1
r
DS1
I
in

=
1
g
m1
I
in
(3.14)
ˆ
In mod similar se scrie V
DS3
:
V
DS3
=
r
DS3
1 +g
m3
r
DS3
I
in

=
1
g
m3
I
in
(3.15)
ˆ
Inlocuind ecuat ¸iile (3.14) ¸si (3.15) ˆın (3.13), rezultˇa:
R
in
=
V
in
I
in

=
1
g
m1
+
1
g
m3
(3.16)
Rezistent ¸a de ie¸sire este identicˇa cu cea a sursei de curent cascodˇa:
R
out
=
V
out
I
out
= r
DS2
+r
DS4
+(g
m4
+g
mb4
) r
DS4
r
DS2

= g
m4
r
DS4
r
DS2
(3.17)
Ordinul de mˇarime pentru R
in
este de kΩ, iar pentru R
out
de MΩ.
Calculul tensiunii minime admise la ie¸sire
Pentru a determina tensiunea minimˇa admisˇa la ie¸sirea circuitului se vor consi-
dera toate tranzistoarele de aceea¸si dimensiune ¸si perfect ˆımperecheate (V
GS1
=
V
GS2
= V
GS3
= V
GS4
). S¸tiind cˇa tensiunea drenˇa-sursˇa pentru care un tran-
zistor mai este ˆın regim de saturat ¸ie este notatˇa cu V
DSmin
, putem scrie:
V
outMIN
=
DSmin4
+V
DSmin2
=
= V
DSmin4
+ (V
GS3
+V
GS1
−V
GS4
) = 2V
DSmin
+V
Th
(3.18)
Din expresia tensiunii minime admise la ie¸sire se poate remarca faptul
cˇa pe tranzistorul M
2
cade o tensiune V
DSmin
+ V
Th
. Pentru a lucra
ˆın regim saturat valoarea minimˇa necesarˇa acestuia ar fi V
DSmin
. Prin
Doris Csipkes 45
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
urmare, structura clasicˇa de oglindˇa de curent cascodˇa nu este solut ¸ia
optimˇa din punctul de vedere al tensiunii minime la ie¸sire (avˆand cu V
Th
mai mult decˆat este necesar pentru a polariza tranzistoarele).
Raportul de reflexie al oglinzii cascodˇa este ˆımbunˇatˇat ¸it deoarece prin cascodare
tensiunile drenˇa-sursˇa ale tranzistoarelor M
1
¸si M
2
au fost echilibrate (curent ¸ii
din M
3
¸si M
4
precum ¸si geometriile identice egaleazˇa V
GS3
cu V
GS4
). Astfel
cˆa¸stigul de curent este mult mai put ¸in influent ¸at de efectul de modulat ¸ie al
lungimii canalului.
ˆ
In practicˇa, pentru ˆımbunˇatˇat ¸irea raportului de reflexie, tranzistoarele M
1
¸si M
2
sunt optimizate pentru o ˆımperechere cˆat mai bunˇa, avˆand aria relativ extinsˇa,
iar M
3
¸si M
4
sunt optimizate pentru transconductant ¸ˇa cˆat mai mare ˆın vederea
cre¸sterii rezistent ¸ei de ie¸sire.
3.2.3 Oglinda cascodˇa MOS de joasˇa tensiune
Oglinda de curent cascodˇa de joasˇa tensiune ˆıncearcˇa sˇa optimizeze oglinda
de curent cascodˇa din punctul de vedere al tensiunii minime admise la
ie¸sire.
ˆ
In acela¸si timp se pˇastreaza structura etajului de ie¸sire a oglinzii cascodˇa
¸si implicit ¸si rezistent ¸a de ie¸sire.
M4
M1
M2

M3

I
in
I
out
V
Th
V
DSmin
V
GS3
V
GS4
V
GS1
Figura 3.3: Principiul utilizat la reducerea tensiunii minime de ie¸sire
ˆ
In sect ¸iunea anterioarˇa s-a demonstrat cˇa tensiunea minimˇa la ie¸sirea oglinzii
46 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
de curent cascodˇa era 2V
DSmin
+ V
Th
, ˆın timp ce valoarea necesarˇa este doar
2V
DSmin
. Considerˆand structura oglinzii din Figura 3.2 se observˇa cˇa surplusul
de tensiune V
Th
se datoreazˇa potent ¸ialului prea ridicat din grila tranzistorului
M
4
. Pentru a elimina V
Th
din expresia tensiunii minime de ie¸sire este necesar
ca potent ¸ialul acestui punct sˇa scadˇa cu V
Th
. Aceastˇa scˇadere se poate realiza
prin inserarea unei surse de tensiune constantˇa ca ˆın Figura 3.3. Tensiunea
furnizatˇa de aceastˇa sursˇa trebuie sˇa fie egalˇa cu V
Th
.
Pentru o funct ¸ionare corectˇa a circuitului este necesar ca toate tranzistoa-
rele sˇa fie saturate. Teorema lui Kirchhoff pentru tensiunile pe buclˇa duce
la urmˇatoarea ecuat ¸ie:
V
GS1
+V
GS3
= V
Th
+V
GS4
+V
DSmin
(3.19)
Din aceastˇa ecuat ¸ie rezultˇa cˇa potent ¸ialul din grila tranzistorului M
3
trebuie sˇa
fie suficient de mare pentru a permite funct ¸ionarea ˆın regim saturat a lui
M
2
. Relat ¸ia practicˇa de proiectare se poate scrie (ˆıntr-o primˇa aproximare se
considerˇa acela¸si V
Th
pentru toate tranzistoarele):
V
od1
+V
od3
= V
od4
+V
DSmin
(3.20)
O implementare practicˇa a acestui principiu este prezentatˇa ˆın Figura 3.4.
ˆ
In
aceastˇa structurˇa deplasarea de nivel se face cu ajutorul unei ramuri suplimen-
tare (M
5
-M
6
).
Ecuat ¸ia pentru tensiuni este:
V
GS1
+V
GS3
= V
GS6
+V
GS4
+V
DSmin
(3.21)
Dacˇa se considerˇa aceea¸si tensiune de prag pentru toate tranzistoarele, rezultˇa:
V
od1
+V
od3
= V
od6
+V
od4
+V
DSmin
(3.22)
Pentru a realiza tensiunile de overdrive V
od1
¸si V
od3
suficient de mari, ˆın acea
ramurˇa de circuit se injecteazˇa un curent de referint ¸ˇa, iar dimensiunile se aleg
ˆın concordant ¸ˇa cu tensiunile V
od
dorite ¸si cu valoarea curentului de referint ¸ˇa.
Doris Csipkes 47
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
M5
M3
M4
M1
M6
M2

I
in
I
out
V
GS6
I
ref
V
GS4
V
GS3
V
GS1
V
DSmin
Figura 3.4: Schema practicˇa de oglindˇa cascodˇa de joasˇa tensiune
O altˇa implementare implicˇa scˇaderea potent ¸ialului din sursa tranzistorului M
3
.
Acest lucru este posibil (farˇa a bloca tranzistorul M
1
) numai dacˇa potent ¸ialul
din grila lui M
3
este independent de V
GS1
. Structura de circuit este datˇa ˆın
Figura 3.5 a).
M2
M1
M2
M3 M3 M4
M1
M4

I
in
I
out
I
ref
V
GS3
I
in
I
out
I
ref
R
a) b)
V
GS4
V
DSmin
V
GS1
V
GS3
V
GS4
V
DSmin
V
DSmin
Figura 3.5: Altˇa modalitate de a scˇadea tensiunea minimˇa la ie¸sire
Aceastˇa structurˇa de circuit ne permite sˇa fixˇam tensiunea drenˇa-sursˇa a lui M
2
48 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
conform urmˇatoarei relat ¸ii:
V
od3
= V
od4
+V
DSmin
(3.23)
Din nou V
od3
trebuie sˇa fie suficient de mare pentru a permite funct ¸ionarea
tranzistorului M
2
ˆın regim saturat. Dezavantajul structurii este acela cˇa pentru
a obt ¸ine V
od3
suficient de mare trebuie fie sˇa mˇarim curentul prin ramurˇa, fie
sˇa alegem dimensiuni mult mai reduse pentru M
3
decˆat pentru M
4
. O solut ¸ie
ar fi introducerea unei rezistent ¸e care sˇa preia o parte din tensiunea V
GS3
(Figura 3.5 b).
ˆ
In acest caz tensiunile se scriu:
V
od3
+I
ref
R = V
od4
+V
DSmin
(3.24)
Dacˇa M
3
se alege identic cu M
4
atunci cˇaderea de tensiune drenˇa-sursˇa a lui
M
2
va fi tocmai I
ref
R. Prin aceastˇa metodˇa putem regla cu u¸surint ¸ˇa tensiunea
minimˇa la ie¸sire la 2V
DSmin
.
Observat ¸ie: raportul de reflexie al oglinzii din Figura 3.5 este afectat de
dezechilibrul dintre tensiunile V
DS
ale M
1
¸si M
2
. Corect ¸ia se poate face
inserˆand un tranzistor care sˇa echilibreze V
DS2
cu V
DS1
. Suplimentar, im-
plementarea numai cu tranzistoare este preferatˇa rezistent ¸ei pasive ori de
cˆate ori este posibil.
M5
M2
M1
M4
M1
M4
M5
M3
M3
M6
M2

I
in
I
out I
ref
V
DSmin
I
in
I
out
I
ref
R
a) b)
V
GS3
V
DSmin
V
GS4
V
GS4
V
DSmin
V
DSmin
V
GS3
Figura 3.6: Implementarea practicˇa a oglinzii cascodˇa de joasˇa tensiune
Doris Csipkes 49
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
Observat ¸ie: rolul ramurii M
3
-M
6
este sˇa stabileascˇa potent ¸ialul ˆın grilele
tranzistoarelor M
5
¸si M
4
. Aceastˇa ramurˇa nu va afecta expresia rezistent ¸ei
de intrare.
Calculul rezistent ¸ei de intrare ¸si de ie¸sire
Rezistent ¸a de ie¸sire este aceea¸si ca la oglinda cascodˇa clasicˇa. Rezistent ¸a de
intrare se calculeazˇa pentru V
out
= 0, conform teoremei lui Norton (similar ca
la oglinda cascodˇa clasicˇa). Din calcule rezultˇa:
R
in
=
r
DS1
+r
DS5
+ (g
m5
+g
mb5
) r
DS5
r
DS1
1 +g
m1
r
DS1
+ (g
m5
+g
mb5
) r
DS5
g
m1
r
DS1

=
1
g
m1
(3.25)
Se observˇa cˇa rezistent ¸a de intrare este comparabilˇa cu cea a oglinzii MOS
simple.
3.2.4 Oglinda de curent Wilson cu tranzistoare MOS
Oglinda Wilson utilizeazˇa react ¸ia negativˇa pentru a mˇari rezistent ¸a de ie¸sire.
Structura ¸si schema echivalentˇa de semnal mic a circuitului sunt date ˆın Figura
3.7.

g V
m1 GS1
g V
m2 GS2
r
DS1
r
DS2
I
in
I
out
I
out
V
in
V
out
g V
mb3 BS3
g V
m3 GS3
r
DS3
V
GS3
M1 M2
M3

I
in
I
out
V
B3
Figura 3.7: Structura ¸si schema echivalentˇa a oglinzii Wilson cu tranzis-
toare MOS
50 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
Tensiunea minimˇa la ie¸sire
Tensiunea minimˇa la ie¸sire trebuie sˇa asigure funct ¸ionarea tranzistorului M
3
ˆın
regim saturat, precum ¸si sˇa acopere tensiunea V
GS2
. Astfel, se obt ¸ine o valoare
similarˇa ca ¸si pentru oglinda cascoda clasicˇa:
V
outMIN
= 2V
DSmin
+V
Th
(3.26)
Este important de remarcat cˇa, datoritˇa conexiunii de diodˇa a M
2
, nu
avem nici o posibilitate de a reduce tensiunea minimˇa la ie¸sire.
Calculul rezistent ¸elor de intrare ¸si de ie¸sire
Rezistent ¸ele de intrare ¸si de ie¸sire se calculeazˇa ˆın condit ¸ii similare ca pentru
oglinzile de pˆana acum (I
in
= 0 pentru R
out
¸si V
out
= 0 pentru R
in
). Din
calcule rezultˇa:

R
in

=
r
DS1
1 +
g
m1
g
m3
r
DS1
1
r
DS2
+
1
r
DS3
+g
m2
+g
m3
R
out

= r
DS3
+
r
DS2
1 +g
m2
r
DS2
+g
m3
r
DS3
r
DS2
·
1 +g
m1
r
DS1
1 +g
m2
r
DS2
(3.27)
ˆ
In relat ¸iile (3.27) se pot face cˆateva simplificˇari care conduc la expresiile apro-
ximative din sistemul (3.28). Acestea sunt urmˇatoarele:
◦ g
m
r
DS
>> 1 si g
m
r
DS
r
DS
>> r
DS
◦ r
DS
/(1 +g
m
r
DS
)

= 1/g
m
◦ adit ¸ional s-a ignorat efectul substratului asupra tensiunii de prag
(g
m
>> g
mb
).

R
in

=
g
m2
+g
m3
g
m1
g
m3
R
out

=
g
m1
g
m3
r
DS1
r
DS3
g
m2
(3.28)
Doris Csipkes 51
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
Din structura circuitului (Figura 3.7) se observˇa cˇa tensiunile drenˇa-sursˇa ale
tranzistoarelor M
1
¸si M
2
nu sunt egale. Drept urmare, raportul de reflexie este
afectat de o eroare sistematicˇa. Aceastˇa eroare se poate reduce prin echilibrarea
tensiunilor drenˇa-sursˇa. Rezultˇa o structurˇa similarˇa cu cascoda clasicˇa (Figura
3.8).

g V
m1 GS1
g V
m2 GS2
r
DS1
r
DS2
I
in
I
out
I
out
I
in
V
in V
out
g V
m4 GS4
g V
mb4 BS4
g V
mb3 BS3
g V
m3 GS3
r
DS4
r
DS3
M3
M1 M2
M4

I
in
I
out
V
B3
V
B4
Figura 3.8: Structura ¸si schema de semnal mic a oglinzii Wilson MOS
echilibrate
Tensiunea minimˇa la ie¸sire rˇamˆane aceea¸si, iar rezistent ¸ele de intrare ¸si de ie¸sire
se calculeazˇa conform urmˇatoarelor relat ¸ii:

R
in

=
r
DS1
+
r
DS4
1 +g
m4
r
DS4
1 +
g
m1
g
m3
r
DS1
1
r
DS2
+
1
r
DS3
+g
m2
+g
m3
R
out

= r
DS3
+
r
DS2
1 +g
m2
r
DS2
+g
m3
r
DS3
r
DS2
·
1 +g
m1
r
DS1
1 +g
m2
r
DS2
(3.29)
De¸si structura circuitului s-a modificat, valorile aproximative ale rezistent ¸ei de
ie¸sire ¸si ale rezistent ¸ei de intrare sunt acelea¸si ca pentru oglinda Wilson simplˇa.
52 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
3.3 Oglinzi de curent cu tranzistoare bipolare
Oglinzile de curent cu tranzistoare bipolare au aceea¸si topologie ca ¸si oglinzile cu
tranzistoare MOS. Principalele diferent ¸e ˆın funct ¸ionare se datoreazˇa rezistent ¸ei
bazˇa-emitor finite ¸si curentului de bazˇa diferit de zero.
3.3.1 Oglinda simpla cu tranzistoare bipolare
Schema oglinzii de curent simple cu tranzistoare bipolare este datˇa ˆın Figura
3.9.
Q2 Q1

I
in
I
out
I
B2
I
B1
I
C1
I
C2
Figura 3.9: Oglinda de curent simplˇa cu tranzistoare bipolare
ˆ
In primul pas se analizeazˇa erorile factorului de reflexie. Aceste erori pot fi
introduse de dezechilibrul tensiunilor colector-emitor ale celor douˇa tranzis-
toare, de amplificarea de curent β ¸si, ˆın mod similar ca la oglinda MOS, de
neˆımperecherea ariilor. Neˆımperecherea ariilor se traduce ˆın neˆımperecherea
curent ¸ilor de saturat ¸ie I
S
ai tranzistoarelor.
Analiza factorului de reflexie ˆıncepe de la expresiile curent ¸ilor de colector ale
tranzistoarelor Q
1
¸si Q
2
. Datoritˇa faptului cˇa atˆat bazele cˆat ¸si emitoarele sunt
conectate ˆımpreunˇa, se poate considera V
BE1
= V
BE2
.
Doris Csipkes 53
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

I
C1
= I
S1
· e
V
BE1
V
T
·

1 +
V
CE1
V
EA

I
C2
= I
S2
· e
V
BE2
V
T
·

1 +
V
CE2
V
EA

(3.30)
O relat ¸ie importantˇa, dedusˇa din sistemul de mai sus, este dependent ¸a curentului
I
C2
de I
C1
. Pentru a determina aceastˇa dependent ¸ˇa se calculeazˇa raportul
curent ¸ilor de colector. Dupˇa efectuarea calculelor rezultˇa:
I
C2
= I
C1
I
S2
I
S1

1 +
V
CE2
−V
CE1
V
CE1
+V
EA

(3.31)
Aplicˆand teorem lui Kirchhoff pentru curent ¸i la nodul de intrare al oglinzii se
obt ¸ine expresia curentului de intrare.
I
in
= I
C1
+I
B1
+I
B2
= I
C1
+
I
C1
β
+
I
C2
β
=
= I
C1

1 +
1
β

+I
C1
I
S2
I
S1

1 +
V
CE2
−V
CE1
V
CE1
+V
EA

1
β
(3.32)
Din schema circuitului se poate scrie curentul de ie¸sire:
I
out
= I
C2
= I
C1
I
S2
I
S1

1 +
V
CE2
−V
CE1
V
CE1
+V
EA

(3.33)
Factorul de reflexie este raportul dintre curentul de ie¸sire ¸si curentul de intrare.
Se observˇa cˇa ˆın acest raport curentul I
C1
se simplificˇa. Astfel expresia lui n
rezultˇa:
n =
I
out
I
in
=
I
S2
I
S1

1 +
V
CE2
−V
CE1
V
CE1
+V
EA

1 +
1
β
+I
C1
I
S2
I
S1

1 +
V
CE2
−V
CE1
V
CE1
+V
EA

1
β
(3.34)
54 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
O transformare a acestei relat ¸ii permite exprimarea factorului de reflexie ˆın
funct ¸ie de o eroare sistematicˇa :
n =
I
S2
I
S1
(1 +) , (3.35)
unde eroarea se scrie:
= −1 +
1 +
V
CE2
−V
CE1
V
CE1
+V
EA
1 +
1
β
+I
C1
I
S2
I
S1

1 +
V
CE2
−V
CE1
V
CE1
+V
EA

1
β
(3.36)
ˆ
In cazul ideal, dacˇa V
CE1
= V
CE2
¸si β tinde la infinit, eroarea sistematicˇa a
raportului de reflexie va tinde la 0, iar factorul de reflexie este definit numai
de raportul curent ¸ilor de saturat ¸ie ¸si implicit de raportul ariilor.
n =
I
S2
I
S1
=
A
2
A
1
(3.37)
Acest lucru ˆınseamnˇa cˇa, de exemplu, dacˇa tranzistorul Q
2
are o arie dublˇa fat ¸ˇa
de Q
1
, atunci raportul ideal de reflexie va fi egal cu doi (curentul de ie¸sire dublu
fat ¸ˇa de cel de intrare).
Observat ¸ie: ¸si ˆın acest caz este valabilˇa teorema suprapunerii efectelor.
Eroarea totalˇa se obt ¸ine prin cumularea erorilor datorate dezechlibrului ten-
siunilor colector-emitor ¸si cˆa¸stigului de curent β (conform ecuat ¸iei (3.36)).
Observat ¸ie: raportul de reflexie este influent ¸at ¸si de neˆımperecherea geo-
metricˇa a ariilor celor douˇa tranzistoare. Astfel pot sˇa aparˇa erori statistice
chiar dacˇa β tinde la infinit ¸si V
CE1
= V
CE2
.
Performant ¸ele oglinzii de curent mai depind ¸si de rezistent ¸ele de intrare ¸si de
ie¸sire. Aceste rezistent ¸e se determinˇa din schema echivalentˇa de semnal mic
datˇa ˆın Figura 3.10.
Doris Csipkes 55
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

g V
m1 BE1
1/g
m1
r
BE1
r
BE1
I
in
I
in
V
in
V
in
V
out
V
out
r
BE2
r
BE2
r
CE1
r
CE1
g V
m2 BE2
g V
m2 BE2
r
CE2
r
CE2
I
out
I
out
Figura 3.10: Schema echivalentˇa de semnal mic a oglnzii simple cu TB
Observat ¸ie: orice sursˇa de curent controlatˇa de tensiunea de la propri-
ile borne este conform legii lui Ohm o rezistent ¸ˇa. Valoarea rezistent ¸ei
echivalente este R = 1/g
m
.
Rezistent ¸a de intrare
Rezistent ¸a de intrare se calculeazˇa pentru V
out
= 0 conform teoremei lui Nor-
ton. Tensiunea de intrare se scrie ˆın funct ¸ie de curentul de intrare ¸si rezistent ¸a
echivalentˇa vˇazutˇa la masˇa.
V
in
= I
in

r
BE1
||
1
g
m1
|| r
CE1
|| r
BE2

(3.38)
Rezistent ¸a de intrare rezultˇa:
R
in
=
V
in
I
in
= r
BE1
||
1
g
m1
|| r
CE1
|| r
BE2

=
1
g
m1
(3.39)
La aproximare s-a t ¸inut cont de faptul cˇa rezistent ¸a colector-emitor (de ordinul
100kΩ) ¸si rezistent ¸a bazˇa-emitor (100kΩ) sunt mult mai mari decˆat 1/g
m
(kΩ).
56 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
Rezistent ¸a de ie¸sire
Rezistent ¸a de ie¸sire se calculeazˇa pentru un curent de intrare I
in
= 0 conform
teoremei lui Thevenin. Din nou se t ¸ine cont de egalitatea tensiunilor bazˇa-
emitor ale celor douˇa tranzistoare. Astfel, V
BE1
= V
BE2
= V
in
= R
in
I
in
= 0.
Tensiunea de ie¸sire ¸si rezistent ¸a de ie¸sire se scriu:
V
out
= r
CE2
(I
out
−g
m2
V
BE2
) = r
CE2
I
out
⇒ R
out
=
V
out
I
out
= r
CE2
(3.40)
Tensiunea minimˇa la ie¸sire
Tensiunea minimˇa la ie¸sire trebuie sˇa permitˇa funct ¸ionarea tranzistorului Q
2
ˆın
regiunea activˇa normalˇa (ca sursˇa de curent). Drept urmare, V
CE2
trebuie sˇa
fie suficient de mare pentru a evita polarizarea directˇa ¸si deschiderea diodei
bazˇa-colector.
ˆ
In caz contrar Q
2
poate sˇa treacˇa ˆın regimul de saturat ¸ie.
ˆ
In
practicˇa se impune condit ¸ia ca V
CE
= V
BE
(ˆın ciuda faptului cˇa tranzistorul
este ˆın RAN ¸si pentru pentru V
BE
= V
CE
= V
CEsat
).
ˆ
In mod similar ca la oglinda simplˇa cu tranzistoare MOS, se pot face urmˇatoarele
observat ¸ii:
• rezistent ¸a de ie¸sire este relativ redusˇa, fiind necesarˇa o metodˇa de ˆımbu-
nˇatˇat ¸ire;
• factorul de reflexie prezintˇa o eroare sistematicˇa chiar ¸si dacˇa tensiunile
colector-emitor sunt echilibrate.
3.3.2 Oglinda de curent cu compensare de β
(eng. EFA - Emitter Follower Augmented)
Din schema oglinzii simple cu tranzistoare bipolare se observˇa cˇa responsabil
pentru eroarea sistematicˇa a factorului de reflexie introdusˇa de β este curentul
pierdut ˆın bazele celor douˇa tranzistoare. Astfel curentul de colector I
C1
nu mai este perfect egal cu I
C2
ca ˆın cazul realizˇarii MOS. Intuitiv, eroarea
datoratˇa cˆa¸stigului de curent s-ar putea reduce dacˇa s-ar mic¸sora curentul
Doris Csipkes 57
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
pierdut ˆın baze. Cea mai simplˇa metodˇa de a realiza aceastˇa ˆımbunˇatˇat ¸ire
este introducerea unui buffer de curent care sˇa permitˇa extract ¸ia unui curent
foarte redus din colectorul lui Q
1
¸si ˆın acela¸si timp sˇa producˇa curentul I
B1
+I
B2
prin amplificare de curent. Bufferul se poate implementa cu un simplu tranzistor
ca ˆın Figura 3.11 a.

Q2 Q1
Q3
g V
m1 BE1
r
BE1
I
in
V
in
V
out
r
BE2
r
CE1
g V
m2 BE2
r
CE2
I
out
r
BE3
r
CE3
g V
m3 BE3
I
in
I
out
I
B2
I
B1
I
C1
I
E3
I
C2
I
B3
a) b)
Figura 3.11: Structura ¸si schema echivalentˇa de semnal mic a oglinzii EFA
Raportul de reflexie se calculeazˇa ˆın mod similar ca la oglinda simplˇa.
ˆ
In primul
pas se scrie curentul de intrare ˆın funct ¸ie de curent ¸ii de colector I
C1
¸si I
C2
.
I
in
= I
C1
+I
B3
= I
C1
+
I
E3
β + 1
= I
C1
+
I
B1
+I
B2
β + 1
= I
C1
+
I
C1
+I
C2
β (β + 1)
(3.41)
Utilizˆand relat ¸ia (3.31) expresia curentului de intrare devine:
I
in
= I
C1

1 +
1
β (β + 1)

+I
C1
I
S2
I
S1

1 +
V
CE2
−V
CE1
V
CE1
+V
EA

1
β (β + 1)
(3.42)
Curentul de ie¸sire are aceea¸si expresie caˆın cazul oglinzii simple (ecuatia (3.33)).
Raportul de reflexie rezultˇa:
58 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
n =
I
out
I
in
=
I
S2
I
S1

1 +
V
CE2
−V
CE1
V
CE1
+V
EA

1 +
1
β (β + 1)
+
I
S2
I
S1

1 +
V
CE2
−V
CE1
V
CE1
+V
EA

1
β (β + 1)
(3.43)
Eroarea sistematicˇa va avea aceea¸si formˇa caˆın relat ¸ia (3.35), dar β esteˆınlocuit
de β (β + 1). Astfel, ˆın cazul unui β finit funct ¸ia 1/[β(β+1)] va tinde la 0 mult
mai rapid decˆat 1/β, iar eroarea sistematicˇa datoratˇa lui β este mult redusˇa.
Observat ¸ie: aceastˇa oglindˇa este ˆın continuare sensibilˇa la erorile dato-
rate dezechilibrului tensiunilor colector-emitor ¸si neˆımperecherii aleatoare a
ariilor. Corect ¸ia rezolvˇa numai problemele legate de β.
Rezistent ¸a de intrare
Rezistent ¸a de intrare se calculeazˇa din schema echivalentˇa de semnal mic datˇa
ˆın Figura 3.11 b). Scriind teoremele lui Kirchhoff ¸si legea lui Ohm se ajunge la
sistemul de ecuat ¸ii (3.44). Din schema de semnal mic se observˇa cˇa rezistent ¸a
r
CE2
este conectatˇa cu ambele borne la masˇa. Drept urmare, curentul prin ea
este zero. Deasemenea, sursa g
m2
V
BE2
extrage ¸si injecteazˇa acela¸si curent ˆın
nodul de masˇa ¸si astfel nu contribuie la echilibrul curent ¸ilor (se neglijeazˇa).

V
in
= V
BE3
+V
BE1
I
in
= g
m1
V
BE1
+
V
in
r
CE1
+I
B3
V
BE3
= r
BE3
I
B3
I
B3
+g
m3
V
BE3

V
BE1
r
CE3
=
V
BE1
r
BE1
|| r
BE2
(3.44)
Rezolvarea acestui sistem duce la urmˇatoarea expresie a rezistent ¸ei de intrare:
Doris Csipkes 59
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT

R
in
=
1
1
r
CE1
+
1
r
BE3
+r
ech
+
g
m1
1 +
r
BE3
r
ech
r
ech
= (1 +g
m3
r
BE3
) (r
BE1
|| r
BE2
|| r
CE3
)
(3.45)
T¸inˆand cont de faptul cˇa r
CE
¸si r
BE
sunt mult mai mari decˆat 1/g
m
, expresia
rezistent ¸ei de ie¸sire se aproximeazˇa:
R
in

=
1
g
m1
(3.46)
Se observˇa cˇa valoarea rezistent ¸ei de intrare este similarˇa cu cea a oglinzii simple.
Rezistent ¸a de ie¸sire
La calculul rezistent ¸ei de ie¸sire I
in
se considerˇa egal cu zero. Drept urmare nodul
de intrare va fi un nod flotant al cˇarui potent ¸ial se stabile¸ste prin echilibrul
curent ¸ilor ¸si tensiunilor ˆın restul circuitului. Se poate scrie urmˇatorul sistem de
ecuat ¸ii:

V
in
= V
BE3
+V
BE1
g
m1
V
BE1
+
V
in
r
CE1
+I
B3
= 0
V
BE3
= r
BE3
I
B3
I
B3
+g
m3
V
BE3

V
BE1
r
CE3
=
V
BE1
r
BE1
|| r
BE2
(3.47)
Rezolvˆand sistemul, rezistent ¸a de ie¸sire se scrie:

V
BE1
= V
BE2
= 0
V
out
= r
CE2
(I
out
−g
m2
r
BE2
) = I
out
r
CE2
(3.48)
60 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
Astfel:
R
out
=
V
out
I
out
= r
CE2
(3.49)
Tensiunea minimˇa la ie¸sire este aceea¸si ca la oglinda bipolarˇa simplˇa.
3.3.3 Oglinda de curent bipolarˇa cu degenerare rezistivˇa
Oglinda bipolarˇa simplˇa ¸si cea cu compensare de β nu rezolvˇa problema rezisten-
t ¸ei de ie¸sire relativ reduse. Ca ¸si ˆın cazul oglinzilor MOS, o solut ¸ie ar fi in-
troducerea unei react ¸ii negative prin douˇa rezistent ¸e conectate ˆın emitoarele
tranzistoarelor ca ˆın Figura 3.12 a).
Q1 Q2

I
in
I
out
I
B2
I
B2
I
B1
I
C1
I
C2
g V
m1 BE1
r
BE1
I
in
I
out
V
in
R
1
R
1
R
2
R
2
V
out
r
CE1
I
out
a) b)
g V
m2 BE2
r
BE2
r
CE2
Figura 3.12: Oglinda bipolarˇa cu degenerare rezistivˇa
Considerˆand tranzistoarele perfect ˆımperecheate ¸si β tinzˆand la infinit
(I
in
= I
C1
), teorema lui Kirchhoff pentru tensiunile pe ramuri se scrie:
V
BE1
+I
in
R
1
= V
BE2
+I
out
R
2
(3.50)
Dacˇa tensiunile bazˇa-emitor sunt egale (aproximativ acela¸si curent ¸si aceea¸si
arie) atunci raportul de reflexie rezultˇa:
n =
I
out
I
in

=
R
1
R
2
(3.51)
Doris Csipkes 61
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
Observat ¸ie: raportul de reflexie este ˆın continuare influent ¸at de β finit ¸si
de dezechilibrul tensiunilor colector-emitor ale tranzistoarelor.
Observat ¸ie: pentru a obt ¸ine un raport de reflexie diferit de unitate este
necesarˇa ¸si scalarea ariilor celor douˇa tranzistoare (pe lˆanga scalarea
rezistent ¸elor). Ecuatia (3.51) este validˇa sub aceastˇa formˇa numai dacˇa
V
BE1
= V
BE2
. Dacˇa aceasta condit ¸ie nu este ˆındeplinitˇa atunci raportul de
reflexie rezultˇa diferit de unitate, dar valoarea va fi diferitˇa de cea doritˇa.
(a se vedea exemplul)
Exemplu: dacˇa se dore¸ste un factor de reflexie egal cu 2 atunci se alege R
1
=
2R
2
. Suplimentar, aria tranzistorului Q
2
trebuie sˇa fie de douˇa ori mai mare.
ˆ
In acest caz raportul de reflexie va fi aproximativ 2, cu eroarea introdusˇa de β
finit ¸si de dezechilibrul tensiunilor.
Rezistent ¸a de intrare
Rezistent ¸a de intrare se calculeazˇa din schema echivalentˇa de semnal mic din
Figura 3.12 b) pentru V
out
= 0. Teoremele lui Kirchhoff ¸si legea lui Ohm duc
la urmˇatorul sistem de ecuat ¸ii:

V
in
=

R
1
+r
BE1
||
1
g
m1
|| r
CE1

(I
in
−I
B2
)
V
out
= r
CE2
(I
out
−g
m2
V
BE2
) +R
2
(I
out
+I
B2
) = 0
V
BE2
= r
BE2
I
B2
V
in
= V
BE2
+R
2
(I
out
+I
B2
)
(3.52)
Rezistent ¸a de intrare rezultˇa:
R
in
=
V
in
I
in
=
R
1
+r
BE1
||
1
g
m1
|| r
CE1
1 +
R
1
+r
BE1
||
1
g
m1
|| r
CE1
r
BE2
+ (1 +g
m2
r
BE2
) (R
2
|| r
CE2
)

= R
1
+
1
g
m1
(3.53)
62 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
La aproximare s-a considerat R
1
de ordinul kΩ-lor. Dacˇa R
1
este mai mare,
de exemplu 100kΩ, atunci conteazˇa tot ¸i termenii fract ¸iei.
Rezistent ¸a de ie¸sire
Pentru a determina rezistent ¸a de ie¸sire se scrie urmˇatorul sistem de ecuat ¸ii:

V
out
= r
CE2
(I
out
−g
m2
V
BE2
) +R
2
(I
out
+I
B2
)
V
BE2
= r
BE2
I
B2
V
BE2
+R
2
(I
out
+I
B2
) =

R
1
+r
BE1
||
1
g
m1
|| r
CE1

(I
in
−I
B2
)
I
in
= 0
(3.54)
Rezistent ¸a de ie¸sire este raportul dintre tensiunea ¸si curentul de ie¸sire. Aceasta
este de forma:

R
out
= r
CE2

¸
¸
¸
1 +
g
m2
R
2
1 +
R
2
r
BE2
+
r
ech
r
BE2
¸

+R
2
1 +
r
ech
r
BE2
1 +
R
2
r
BE2
+
r
ech
r
BE2
r
ech
= R
1
+r
BE1
||
1
g
m1
|| r
CE1
(3.55)
Expresia aproximativˇa a lui R
out
este:
R
out
= r
CE2
+R
2
+g
m2
r
CE2
R
2

= g
m2
r
CE2
R
2
(3.56)
Observat ¸ie: din ecuat ¸ia (3.56) se observˇa cˇa rezistent ¸a de ie¸sire are aceea¸si
formˇa ca la sursele de curent MOS. Rezistent ¸a de ie¸sire aproximativˇa a
unei structuri de tip cascodˇa se scrie ˆın totdeauna ca un produs ˆıntre
cˆa¸stigul tranzistorului cascodˇa (g
mcas
r
CE(DS)cas
) ¸si rezistent ¸a echiva-
lentˇa vˇazutˇa ˆın emitor/sursˇa.
Doris Csipkes 63
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
Tensiunea minimˇa la ie¸sire
Tensiunea minimˇa la ie¸sire trebuie sˇa permitˇa funct ¸ionarea tranzistorului Q
2
ˆın regiunea activˇa normalˇa ¸si sˇa acopere cˇaderea de tensiune I
out
R
2
pe
rezistent ¸ˇa. Dacˇa se dore¸ste obt ¸inerea unei rezistent ¸e de ie¸sire foarte mari,
aceastˇa cˇadere de tensiune devine semnificativˇa.
ˆ
In practicˇa rezistent ¸a pasivˇa
seˆınlocuie¸ste adesea cu o sursˇa de curent care permite o rezistent ¸ˇa echivalentˇa
similarˇa cu R
2
, dar cu avantajul unei cˇaderi de tensiune mult mai reduse.
Astfel se ajunge la structura cascodˇa.
3.3.4 Oglinda cascodˇa bipolarˇa
Structura circuitului este datˇa ˆın Figura 3.13.
Q3
Q1
Q4
Q2

I
in
I
out
I
B2
I
B1
I
C1
I
C2
I
B3
I
B4
I
E3
I
E4
I
C3
I
C4
Figura 3.13: Oglinda cascodˇa bipolarˇa
Forma generalˇa a raportului de reflexie se deduce ˆın mod similar ca la oglinzile
discutate anterior. Pentruˆınceput se scrie curentul de intrare avˆand urmˇatoarea
formˇa:
64 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
I
in
= I
C3
+I
B3
+I
B4
=
βI
E3
β + 1
+
I
E3
β + 1
+
βI
E4
β + 1
= I
E3
+
I
E4
β + 1
(3.57)
Identificˆand I
E3
¸si I
E4
de pe schema circuitului se obt ¸ine:
I
in
= (I
C1
+I
B1
+I
B2
) +
I
C2
β + 1
= I
C1
+
I
C1
β
+
I
C2
β
+
I
C2
β + 1
(3.58)
ˆ
In urmˇatorul pas se t ¸ine cont de relat ¸ia (3.31) dintre I
C1
¸si I
C2
. Rezultˇa:
I
in
= I
C1

1 +
1
β

+I
C1
I
S2
I
S1

1 +
V
CE2
−V
CE1
V
CE1
+V
EA

1
β
+
1
β + 1

(3.59)
Curentul de ie¸sire se scrie:
I
out
= I
C4
= I
E4
β
β + 1
= I
C2
β
β + 1
= I
C1
I
S2
I
S1

1 +
V
CE2
−V
CE1
V
CE1
+V
EA

β
β + 1
(3.60)
Raportul de reflexie se obt ¸ine ˆımpˇart ¸ind ecuat ¸iile (refecogl57) ¸si (refecogl56).
n =
I
S2
I
S1

1 +
V
CE2
−V
CE1
V
CE1
+V
EA

β
β + 1
1 +
1
β
+
I
S2
I
S1

1 +
V
CE2
−V
CE1
V
CE1
+V
EA

2β + 1
β (β + 1)
(3.61)
Eroarea sistematicˇa (fat ¸ˇa de unitate) rezultˇa:
= −1 +

1 +
V
CE2
−V
CE1
V
CE1
+V
EA

β
β + 1
1 +
1
β
+
I
S2
I
S1

1 +
V
CE2
−V
CE1
V
CE1
+V
EA

2β + 1
β (β + 1)
(3.62)
Doris Csipkes 65
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
Se observˇa cˇa eroarea sistematicˇa depinde ˆın continuare de β ¸si de diferent ¸a de
tensiune V
CE2
− V
CE1
. Dacˇa curent ¸ii prin tranzistoarele Q
3
¸si Q
4
sunt apro-
ximativ egali atunci se poate spune cˇa ¸si V
BE3
= V
BE4
. Astfel, tranzistoarele
cascodˇa echilibreazˇa tensiunile colector-emitor, iar eroarea raportului de refle-
xie va depinde foarte put ¸in de V
CE2
−V
CE1
. Dacˇa tranzistoarele sunt identice,
factorul de reflexie se aproximeazˇa:
n =
β
2
β
2
+ 4β + 2
(3.63)
Rezistent ¸a de intrare
Calculul riguros al rezistent ¸ei de intrare este relativ complicat datoritˇa curent ¸i-
lor de bazˇa ¸si rezistent ¸elor bazˇa-emitor finite ale tranzistoarelor. O expresie
aproximativˇa este datˇa ˆın urmˇatoarea ecuat ¸ie (similarˇa ca la varianta MOS):
R
in

=
1
g
m3
+
1
g
m1
(3.64)
Rezistent ¸a de ie¸sire
Calculul riguros este din nou relativ complicat. Drept urmare ˆın ecuat ¸ia (3.65)
este datˇa expresia aproximativˇa a rezistent ¸ei de ie¸sire.
R
out

=
g
m4
r
CE4
r
CE2
r
BE4
r
BE4
+r
CE2

1 +
g
m2
g
m1
(3.65)
Tensiunea minimˇa la ie¸sire
Tensiunea minimˇa la ie¸sire trebuie sˇa asigure funct ¸ionarea tranzistoarelor Q
2
¸si
Q
4
ˆın regiunea activˇa normalˇa.
3.3.5 Oglinda Wilson bipolarˇa
Varianta bipolarˇa a oglinzii de curent Wilson utilizeazˇa aceea¸si react ¸ie nega-
tivˇa ca ¸si implementarea MOS pentru a mˇari rezistent ¸a de ie¸sire a circuitului.
66 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
Schemele oglinzii simple ¸si a oglinzii ehilibrate sunt date ˆın Figura 3.14.
ˆ
In
continuare se discutˇa numai varianta echilibratˇa.
Q3
Q2 Q1
Q4

I
in
I
out
I
B3
I
E3
I
B2
I
B1
I
C2
I
C1
I
B4
I
E4
I
C4
I
C3
Q2 Q1
Q3

I
in
I
out
I
B3
I
E3
I
B2
I
B1
I
C2
I
C1
Figura 3.14: Oglinzile bipolare Wilson a) simplˇa ¸si b) echilibratˇa
Forma generalˇa a raportului de reflexie se calculeazˇa ˆın mod similar ca ¸si pentru
celelalte oglinzi bipolare discutate anterior. Dupˇa calcule raportul de reflexie al
oglinzii Wilson echilibrate se obt ¸ine:
n =
1
1 +β
+
I
S2
I
S1

1 +
V
CE2
−V
CE1
V
CE1
+V
EA

1 +
1
β (β + 1)
+
I
S2
I
S1

1 +
V
CE2
−V
CE1
V
CE1
+V
EA

1
β
(3.66)
ˆ
In cazul particular ˆın care tranzistoarele sunt identice (aceea¸si arie a
emitorului) ¸si V
CE1
= V
CE2
(tranzistoarele Q
3
¸si Q
4
echilibreazˇa oglinda
Q
1
-Q
2
), raportul de reflexie va fi o funct ¸ie numai de β, expresia lui fiind
urmˇatoarea:
n =
β
2
+ 2β
β
2
+ 4β + 2
(3.67)
Rezistent ¸a de intrare
Expresia aproximativˇa a rezistent ¸ei de intrare este:
Doris Csipkes 67
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
R
in

=
r
BE3
(g
m2
+g
m3
)
g
m2
+g
m1
g
m3
r
BE3

=
1
g
m3
+
1
g
m1
(3.68)
Se observˇa cˇa rezistent ¸a de ie¸sire aproximativˇa are aceea¸si expresie ca ¸si ˆın cazul
oglinzii cascodˇa clasice.
ˆ
In calcule s-a t ¸inut seama de egalitatea lui g
m1
cu g
m2
.
Aceastˇa egalitate este valabilˇa numai dacˇa raportul de reflexie al oglinzii
este unitar.
Rezistent ¸a de ie¸sire
Rezistent ¸a de ie¸sire aproximativˇa se scrie:
R
out

=
g
m1
g
m3
r
CE1
r
CE3
+
r
CE1
r
BE3
g
m2

1 +
r
CE1
r
BE3

+g
m1
r
CE1
r
BE3
(3.69)
Tensiunea minimˇa la ie¸sire
Tensiunea minimˇa la ie¸sire trebuie sˇa asigure funct ¸ionarea tranzistoarelor Q
2
¸si Q
3
ˆın regiunea activˇa normalˇa. Din structura circuitului se observˇa cˇa
tranzistorul Q
2
va funct ¸ionaˆın RAN datoritˇa conexiunii de diodˇa. Drept urmare
tensiunea minimˇa teoreticˇa la ie¸sire este ceva mai mare decˆat la oglinda cascodˇa.
ˆ
In practicˇa, punˆand condit ¸ia V
CE
= V
BE
pentru fiecare tranzistor, rezultˇa valori
similare pentru tensiunea minimˇa la ie¸sire ca ¸si pentru oglinda cascodˇa bipolarˇa.
3.4 Sumar
ˆ
In acest capitol s-au studiat structurile de oglinzi de curent MOS ¸si bipolare.
Accentul s-a pus pe comportamentul de curent continuu ¸si caracteristicile de
semnal mic ale circuitelor. Fiecare oglindˇa a fost caracterizatˇa prin factorul de
reflexie, tensiunea minimˇa la ie¸sire, rezistent ¸a de intrare ¸si rezistent ¸a de ie¸sire.
La oglinzile MOS raportul de reflexie depinde de neˆımperecherea geometricˇa a
tranzistoarelor ¸si de dezechilibrul tensiunilor drenˇa-sursˇa ale tranzistoarelor din
oglinda fundamentalˇa. Adit ¸ional, la oglinzile bipolare mai apare ¸si dependent ¸a
de cˆa¸stigul de curent finit al tranzistoarelor bipolare. Solut ¸ia careˆımbunˇatˇat ¸este
68 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT
performant ¸ele oglinzilor (ˆın general precizia raportului de reflexie ¸si rezistent ¸a
de ie¸sire) este alegerea unor structuri de tip cascodˇa.
Bibliografie:
1. Lelia Fe¸stilˇa - Circuite integrate analogice I, Casa Cˇart ¸ii de S¸tiint ¸ˇa, 1997;
2. Doris Csipkes, Gabor Csipkes - Fundamental analog circuits. Practical
simulation exercises, UTPres, 2004;
3. P.E. Allen, D. Holberg - CMOS analog circuit design, Oxford University
Press, 1987
4. A. Manolescu - Analog Integrated Circuits, editura Foton International,
1999
Doris Csipkes 69
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Capitolul 4
Referint ¸e electronice
Referint ¸ele de curent ¸si de tensiune sunt implementˇarile cu dispozitive active
ale unor surse ideale. Ele furnizeazˇa o tensiune sau un curent independent
de sarcinˇa, de temperaturˇa ¸si de tensiunea de alimentare.
ˆ
In realitate, termenul de referint ¸ˇa este utilizat pentru a denumi circuitele care
genereazˇa tensiuni ¸si curent ¸i cu o precizie mai bunˇa ¸si mai independente de
temperaturˇa ¸si tensiunea de alimentare decˆat sursele electronice obi¸snuite.
Pentru a caracteriza calitativ performant ¸ele unei referint ¸e, trebuie luate ˆın con-
siderare dependent ¸ele curentului sau tensiunii generate de temperaturˇa precum
¸si de parametrii de circuit. Astfel referint ¸ele se caracterizeazˇa prin doi parametrii
principali: senzitivitatea ¸si coeficientul de temperaturˇa.
Senzitivitatea este o mˇarime relativˇa ¸si se define¸ste astfel:
S
y
Xref
=
∂Xref
∂y
·
y
Xref
(4.1)
ˆ
In aceastˇa ecuat ¸ie X
ref
este tensiunea sau curentul generat, iar y este parame-
trul de circuit care introduce dependent ¸a (de ex. tensiunea de alimentare sau
o rezistent ¸ˇa).
Coeficientul de temperaturˇa este senzitivitatea la variat ¸ii ale temperaturii de
funct ¸ionare, normatˇa la 1

C.
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINT¸ E ELECTRONICE
TC =
∂Xref
∂T
·
1
Xref
(4.2)
Coeficientul de temperaturˇa este dat de regulˇa ˆın V(A)/

C sau ˆın ppm/

C.
Majoritatea parametrilor de circuit care intervin ˆın expresia curentului sau a
tensiunii de referint ¸ˇa depind de temperaturˇa. Astfel determinarea riguroasˇa a
coeficientului de temperaturˇa poate deveni foarte laborioasˇa.
4.1 Referint ¸ˇa simplˇa cu divizor de tensiune
Cea mai simplˇa implementare a unei surse de tensiune este un divizor de
tensiune. Pentru realizˇari practice se pot utiliza elemente pasive sau active.
Schema circuitului este datˇa ˆın Figura 4.1.
M1
M2

V
DD
V
DD
V
CC
I
I
R
1
R
2
V
ref
V
ref
Figura 4.1: Referint ¸ˇa cu divizor de tensiune
Expresia tensiunii de ie¸sire se poate gˇasi u¸sor scriind regula divizorului de
tensiune.
V
ref
=
R
2
R
1
+R
2
· V
DD
(4.3)
Aceastˇa ecuat ¸ie este validˇa numai dacˇa circuitul funct ¸ioneazˇa ˆın gol sau dacˇa
rezistent ¸a de sarcinˇa este foarte mare.
Doris Csipkes 71
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINT¸ E ELECTRONICE
Senzitivitatea cu tensiunea de alimentare se calculeazˇa dupˇa cum urmeazˇa:
S
V
ref
V
DD
=
∂V
ref
∂V
DD
·
V
DD
V
ref
=
R
2
· V
DD
R
1
+R
2
·
R
1
+R
2
R
1
· V
DD
= 1 (4.4)
Senzitivitatea fiind unitarˇa, o variat ¸ie de 10% a tensiunii de alimentare (uzualˇa
de altfel ˆın practicˇa) va produce o variat ¸ie de 10% a tensiunii de referint ¸ˇa.
Coeficientul de temperaturˇa depinde de variat ¸ia raportului de rezistent ¸e precum
¸si de variat ¸ia tensiunii de alimentare cu temperatura. Coeficientul de tempera-
turˇa al unui raport de rezistent ¸e de acela¸si tip este foarte redus. Prin urmare
factorul care influent ¸eazˇa variat ¸ia lui V
ref
cu temperatura este V
DD
.
Tensiunea de referint ¸ˇa furnizatˇa de varianta activˇa a circuitului se calculeazˇa
din urmˇatorul sistem de ecuat ¸ii:

I
D1
= β
n
· (V
GS1
−V
Thn
)
2
I
D2
= β
p
· (V
SG2
−|V
Thp
|)
2
β
n
=
k
n
W
1
2L
1
β
p
=
k
p
W
2
2L
2
(4.5)
Exprimˆand tensiunile V
GS
ale celor douˇa tranzistoare rezultˇa ecuat ¸iile de dispo-
zitiv:

V
GS1
= V
Thn
+

I
D1
β
n
V
SG2
= |V
Thp
| +

I
D2
β
p
(4.6)
Din circuit se mai obt ¸ine:

V
DD
−V
SG2
= V
ref
V
GS1
= V
ref
(4.7)
72 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINT¸ E ELECTRONICE
Din combinat ¸ia sistemelor (4.6) ¸si (4.7) rezultˇa curentul prin circuit.
ˆ
In calcule
se considerˇa I
D1
= I
D2
.

I =
V
DD
−|V
Thp
| −V
Thn
1

β
n
+
1

β
p
(4.8)
S¸tiind cˇa V
GS1
= V
ref
¸si considerˆand expresia lui V
GS1
ˆın funct ¸ie de curent, se
ajunge la urmˇatoarea expresie a tensiunii de referint ¸ˇa:
V
ref
= V
Thn
+
V
DD
−V
Thn
−|V
Thp
|
1 +

β
n
β
p
(4.9)
Senzitivitatea cu tensiunea de alimentare se obt ¸ine prin calculul derivatei.
S
V
ref
V
DD
=
∂V
ref
∂V
DD
·
V
DD
V
ref
=
V
DD
V
DD
+V
Thn

β
n
β
p
−|V
Thp
|
(4.10)
ˆ
In cazul particular ˆın care β
n
= β
p
¸si V
Thn
= |V
Thp
| senzitivitatea este egalˇa
cu unitatea.
ˆ
In practicˇa acest caz particular este foarte put ¸in probabil.
Coeficientul de variat ¸ie cu temperatura al implementˇarii active se determinˇa
calculˆand derivatele part ¸iale ˆın raport cu tot ¸i parametrii de circuit care variazˇa
cu temperatura. Astfel se poate scrie:
TC
V
ref
=
∂V
ref
∂T
·
1
V
ref
= f

TC
V
DD
, TC
V
Thn
, TC
V
Thp
, TC
β
n
, TC
β
p

(4.11)
Calculul matematic riguros al lui TC
V
ref
este relativ laborios.
Din expresia senzitivitˇat ¸ii ¸si coeficientului de temperaturˇa se observˇa cˇa ten-
siunea furnizatˇa de referint ¸ˇa este puternic dependentˇa de tensiunea de ali-
mentare ¸si de temperaturˇa. Aceastˇa dependent ¸ˇa se datoreazˇa faptului cˇa V
ref
Doris Csipkes 73
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINT¸ E ELECTRONICE
este definitˇa de curentul de echilibru prin circuit, care la rˆandul lui depinde
proport ¸ional de V
DD
. O ˆımbunˇatˇat ¸ire s-ar putea aduce circuitului dacˇa V
ref
ar depinde neliniar de curentul de echilibru. Dependent ¸a neliniarˇa se poate
realiza prin ˆınlocuirea rezistent ¸ei la masˇa cu un element neliniar, tipic o diodˇa
bipolarˇa sau MOS.
4.2 Referint ¸a de tensiune cu diodˇa
bipolarˇa ¸si MOS
Schemele referint ¸elor de tensiune cu diodˇa bipolarˇa ¸si diodˇa MOS sunt date ˆın
Figura 4.2.
M1 Q1

V
DD
V
DD
V
CC
I
I
R
V
ref
V
ref
R
Figura 4.2: Referint ¸a de tensiune cu diodˇa bipolarˇa ¸si diodˇa MOS
Expresia tensiunii de ie¸sire ¸si senzitivitatea cu V
DD
se pot determina cu metode
similare ca la referint ¸a cu divizor de tensiune. Presupunˆand cˇa referint ¸a este
izolatˇa de sarcinˇa (functioneazˇaˆın gol) punctele statice de funct ¸ionare se gˇasesc
la intersect ¸ia dintre caracteristicile tranzistoarelor ¸si dreapta de sarcinˇa.
Varianta MOS
Pentru varianta MOS se scrie urmˇatorul sistem de ecuat ¸ii:
74 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINT¸ E ELECTRONICE

I =
V
DD
−V
ref
R
V
ref
= V
GS
= V
Th
+

I
β
(4.12)
unde β are aceea¸si semnificat ¸ie ca la circuitele discutate anterior.
Tensiunea de referint ¸ˇa rezultˇa:
V
ref
= V
Th
+

V
DD
−V
ref
β · R
(4.13)
Aceastˇa ecuat ¸ie are solut ¸ii multiple (prin rearanjarea termenilor rezultˇa o ecuat ¸ie
de gradul 2). Calculul riguros al solut ¸iilor nu este neapˇarat necesar pentru
a determina senzitivitatea tensiunii de referint ¸ˇa cu tensiunea de alimentare.
Senzitivitatea se obt ¸ine cu metoda clasicˇa prin calculul derivatelor.
S
V
ref
V
DD
=
∂V
ref
∂V
DD
·
V
DD
V
ref
=
V
DD
2V
ref

β · R · (V
DD
−V
ref
)
(4.14)
Coeficientul de temperaturˇa este din nou o funct ¸ie de variat ¸iile cu temperatura
ale tuturor parametrilor de circuit. Determinarea expresiei exacte se face prin
derivare ˆın raport cu temperatura.
TC
V
ref
=
∂V
ref
∂T
·
1
V
ref
= f (TC
V
DD
, TC
V
Th
, TC
β
, TC
R
) (4.15)
Varianta bipolarˇa
Sistemul de ecuat ¸ii care caracterizeazˇa punctul static de funct ¸ionare se scrie:

V
ref
= V
BE
= V
T
· ln

I
I
S

I =
V
CC
−V
ref
R
(4.16)
Doris Csipkes 75
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINT¸ E ELECTRONICE
Tensiunea de referint ¸ˇa rezultˇa:
V
ref
= V
T
· ln

V
CC
−V
ref
R · I
S

(4.17)
Se observˇa cˇa aceastˇa ecuat ¸ie este transcendentˇa. Din acest motiv pentru
rezolvare se utilizeazˇa metode numerice. Senzitivitatea cu V
DD
se calculeazˇa
cu ajutorul derivatelor part ¸iale.
S
V
ref
V
CC
=
∂V
ref
∂V
CC
·
V
CC
V
ref
=
V
CC
· V
T
V
ref
· (V
CC
−V
ref
)
(4.18)
Se observˇa cˇa senzitivitatea scade cu V
ref
. Acest fapt se datoreazˇa variat ¸iei
neliniare a lui V
ref
cu valoarea curentul prin circuit.
Observat ¸ie: comparˆand senzitivitˇat ¸ile variantelor MOS ¸si bipolare se poate
ajunge la concluzia cˇa implementarea bipolarˇa oferˇa o senzitivitate mai
scˇazutˇa datoritˇa neliniaritˇat ¸ii accentuate a funct ¸iei I
C
= f(V
BE
). Chiar
¸si a¸sa, uneori senzitivitatea nu este suficient de micˇa pentru aplicat ¸ii de
precizie.
ˆ
In aceste cazuri este nevoie de structuri speciale care sˇa compen-
seze dependent ¸ele de V
DD
.
Coeficientul de temperaturˇa se scrie:
TC
V
ref
= f (TC
V
CC
, TC
V
T
, TC
R
, TC
I
S
) (4.19)
Un dezavantaj al referint ¸ei cu diodˇa simplˇa este domeniul limitat de valori ale
tensiunii de referint ¸ˇa. Din schemˇa rezultˇa cˇa V
ref
este ˆıntotdeauna egal cu
tensiunile grilˇa-sursˇa sau bazˇa-emitor ale tranzistoarelor.
O extensie a domeniului de valori se obt ¸ine prin introducerea unui divizor de
tensiune rezistiv ca ˆın Figura 4.3. Tensiunea de referint ¸ˇa pentru varianta MOS
se scrie:
V
ref
=

1 +
R
1
R
2

V
Th
+

V
DD
−V
ref
β · R

(4.20)
76 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINT¸ E ELECTRONICE
Q1 M1

V
DD
V
CC
I
I
R
V
ref
R
R
1
R
1
R
2
R
2
V
ref
Figura 4.3: Referint ¸a de tensiune cu diodˇa ¸si domeniu extins de valori
ˆ
In mod similar pentru varianta bipolarˇa rezultˇa:
V
ref
= V
T

1 +
R
1
R
2

ln

V
CC
−V
ref
R · I
S

(4.21)
4.3 Referint ¸a de tensiune cu diodˇa Zener
Din comparat ¸ia referint ¸elor de tensiune cu dioda MOS ¸si dioda bipolarˇa a rezul-
tat cˇa o dependen
ˇ
tˇa mai neliniarˇa a tensiunii pe diodˇa (proport ¸ionalˇa sau egalˇa
cu V
ref
) duce la o senzitivitate mai scˇazutˇa cu V
DD
. Intuitiv, cu cˆat variat ¸ia
curentului prin diodˇa cu tensiunea aplicatˇa (V
GS
sau V
BE
) este mai abruptˇa,
cu atˆat senzitivitatea cu V
DD
scade. Aceastˇa proprietate a circuitului este ex-
ploatatˇa prin utilizarea unor diode Zener cu caracteristica V
D
= f(I
D
) foarte
abruptˇa. Figura 4.4 prezintˇa referint ¸a de tensiune cu o diodˇa Zener ¸si variat ¸ia
curentului cu tensiunea pe diodˇa. Punctul static de funct ¸ionare este determinat
tot de intersect ¸ia caracteristicii diodei cu dreapta de sarcinˇa.
Dioda Zener este utilizatˇaˆın regim de strˇapungere pentru a implementa carac-
teristica tensiune-curent abruptˇa. Tensiunea de strˇapungere V
BV
este puternic
Doris Csipkes 77
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINT¸ E ELECTRONICE
dependentˇa de concentrat ¸ia purtˇatorilor de sarcinˇa din regiunile p
+
¸si n
+
ale
jonct ¸iunii.

V
DD
V
DD
I
PSF
V /R
DD
V
BV
I
R
D
V
ref
I
V
Figura 4.4: Referint ¸a de tensiune cu diodˇa Zener
Dezavantajul major al circuitului este faptul cˇa ˆın tehnologiile MOS tensiunea
de strˇapungere are valori ridicate, tipic 5-6V. Astfel referint ¸a nu poate fi
utilizatˇa ˆın circuitele de joasˇa tensiune unde alimentarea nu depˇa¸seste 2,5-3V.
4.4 Referint ¸ˇa de curent cu oglindˇa simplˇa
de curent
Referint ¸a de tensiune cu diodˇa discutatˇa anterior se poate transforma ˆıntr-o
referint ¸ˇa de curent prin copierea curentului din circuit cu o oglindˇa de curent.
Prin adˇaugarea unui tranzistor de ie¸sire din oglindˇa rezultˇa schema din Figura
4.5.
Dacˇa tranzistoarele sunt identice ¸si oglinzile echilibrate, atunci senzitivitatea
curentului de ie¸sire cu V
DD
va fi egalˇa cu senzitivitatea lui I
ref
. Oˆımbunˇatˇat ¸ire
a senzitivitˇat ¸ii este posibilˇa dacˇa senzitivitatea curentului I
ref
ar fi scalatˇa cu
un coeficient subunitar. Aceastˇa scalare se poate implementa dacˇa o parte
din tensiunea V
GS
(V
BE
) creatˇa de curentul I
ref
ar fi preluatˇa de un element
liniar. Astfel s-ar introduce o dependent ¸ˇa mai slabˇa a curentului de ie¸sire cu
V
DD
. Circuitul rezultat se nume¸ste oglindˇa de curent sau referint ¸ˇa Widlar.
78 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINT¸ E ELECTRONICE
V
DD
V
CC
V
DD
I
ref
I
ref
I
o
I
o
R
R
M1 Q2 M2 Q1

Figura 4.5: Referint ¸ˇa de curent cu oglindˇa de curent simplˇa
4.5 Referint ¸a de curent Widlar
Referint ¸a Widlar se poate implementa atˆat cu tranzistoare MOS cˆat ¸si cu tran-
zistoare bipolare. Schemele celor douˇa variante sunt date ˆın Figura 4.6.
M1 M2 Q2 Q1

V
DD
V
CC
V
DD
I
ref
I
ref
I
o
I
o
R
1
R
1
R
2
R
2
Figura 4.6: Referint ¸ˇa de curent Widlar
4.5.1 Referint ¸a Widlar cu tranzistoare MOS
Funct ¸ionarea circuitului este descrisˇa de urmˇatorul sistem de ecuat ¸ii:
Doris Csipkes 79
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINT¸ E ELECTRONICE

V
GS1
= V
GS2
+R
2
I
o
V
GS1
= V
Th
+

I
ref
β
1
V
GS2
= V
Th
+

I
o
β
2
(4.22)
Calculˆand diferent ¸a tensiunilor grilˇa-sursˇa ¸si ˆınlocuind ˆın prima ecuat ¸ie rezultˇa:
I
o
R
2
+

I
o
β
2

I
ref
β
1
= 0 (4.23)
Aceastˇa ecuat ¸ie este de gradul doi cu necunoscuta

I
o
. Solut ¸ia este de forma:

I
o
=
1
2R
2
·

¸
¸

1

β
2
±

1
β
2
+ 4R
2

I
ref
β
1
¸

(4.24)
Dat fiind faptul cˇa termenul din stˆanga este un radical, solut ¸ia acceptatˇa este
numai cea cu semnul plus.
Senzitivitatea curentului de ie¸sire cu tensiunea de alimentare se determinˇa prin
calculul derivatelor din ecuat ¸ia (4.23) ¸si identificarea senzitivitˇat ¸ilor S
Io
V DD
¸si
S
Iref
V DD
.
S
I
o
V
DD
= S
I
ref
V
DD
·

I
ref
β
1
2

I
ref
β
1

I
o
β
2
= S
I
ref
V
DD
·
V
od1
2V
od1
−V
od2
(4.25)
Din prima ecuat ¸ie a sistemului (4.22) rezulta ca V
GS1
> V
GS2
. Aceastˇa inega-
litate este valabilˇa ¸si pentru perechea V
od1
¸si V
od2
. Astfel:
S
I
o
V
DD
= k · S
I
ref
V
DD
, k < 1 (4.26)
80 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINT¸ E ELECTRONICE
4.5.2 Referint ¸a Widlar cu tranzistoare bipolare
Sistemul de ecuat ¸ii care descrie funct ¸ionarea circuitului se scrie:

V
BE1
= V
BE2
+R
2
I
o
V
BE1
= V
T
· ln

I
ref
I
S1

V
BE2
= V
T
· ln

I
o
I
S2

(4.27)
ˆ
Inlocuind ˆın prima ecuat ¸ie tensiunile bazˇa-emitor se obt ¸ine:
I
o
R
2
+V
T
· ln

I
o
I
ref
·
I
S1
I
S2

= 0 (4.28)
Curentul de ie¸sire rezultˇa:
I
o
=
V
T
R
2
· ln

I
ref
I
o
·
I
S2
I
S1

(4.29)
Aceastˇa ecuat ¸ie este transcendentˇa, prin urmare valoarea curentului de ie¸sire se
determinˇa prin metode numerice.
Observat ¸ie: curentul de ie¸sire depinde direct proport ¸ional de V
T
deci de
temperatura absolutˇa. Astfel, putem spune cˇa referint ¸a de curent Widlar cu
tranzistoare bipolare genereazˇa un curent de tip PTAT (Proportional To
Absolute Temperature). Pentru a fi PTAT curentul trebuie sˇa fie indepen-
dent de curentul de saturat ¸ie al tranzistoarelor, I
S
.
Senzitivitatea curentului de ie¸sire cu V
DD
se calculeazˇa similar ca la varianta
MOS, rezultˆand:
S
I
o
V
CC
= S
I
ref
V
CC
·
V
T
V
T
+R
2
I
o
= k · S
I
ref
V
CC
, k < 1 (4.30)
Doris Csipkes 81
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINT¸ E ELECTRONICE
Senzitivitatea se poate ˆımbunˇatˇat ¸i dacˇa ˆıntreaga tensiune V
GS2
(V
BE2
) este
preluatˇa de o rezistent ¸ˇa pasivˇa astfel ˆıncˆat valoarea curentului de ie¸sire nu va
mai depinde de V
GS2
(V
BE2
).
4.6 Referint ¸a de curent V
Th
¸si V
BE
Structura circuitului rezultˇa din observat ¸ia de mai sus ¸si este datˇa ˆın Figura 4.7.
M2 Q2
M1 Q1

V
DD
V
DD
V
CC
I
ref
I
ref
I
o
I
o
R
1
R
1
R
2
R
2
Figura 4.7: Referint ¸ˇa de curent V
Th
¸si V
BE
ˆ
In aceastˇa structurˇa rolul tranzistorului M
2
(Q
2
) este sˇa act ¸ioneze ca tampon
¸si sˇa stabileascˇa rezistent ¸a de ie¸sire a circuitului.
Curent ¸ii de ie¸sire se scriu:

I
oMOS
=
V
GS1
R
2
=
V
Th
+

I
ref
β
1
R
2
I
oTB
=
V
BE1
R
2
=
V
T
ln

I
ref
I
S1

R
2
(4.31)
82 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINT¸ E ELECTRONICE
Prin derivare se gˇasesc senzitivitˇat ¸ile curent ¸ilor de ie¸sire cu tensiunea de alimen-
tare.

S
I
oMOS
V
DD
= S
I
ref
V
DD
·
V
od1
2 (V
od1
+V
Th
)
S
I
oTB
V
CC
= S
I
ref
V
CC
·
V
T
V
BE1
(4.32)
Prin calcule numerice se poate demonstra cˇa referint ¸ele de tip V
Th
¸si V
BE
au senzitivitˇat ¸i mai reduse cu tensiunea de alimentare decˆat oglinzile Widlar
corespunzˇatoare.
4.7 Referint ¸e independente de V
DD
Curent ¸ii ¸si tensiunile furnizate de referint ¸ele studiate depind de tensiunea de
alimentare, avˆand o senzitivitate nenulˇa cu V
DD
.
La referint ¸ele studiate pˆanˇa ˆın acest moment curentul de ie¸sire depinde de
tensiunea de alimentare prin intermediul curentului de referint ¸ˇa I
ref
. La
rˆandul lui I
ref
depinde de V
DD
prin metoda cu care a fost generat (echilibrul din
prima ramurˇa → o cˇadere de tensiune pe o dioda MOS sau bipolarˇa). Intuitiv,
dacˇa I
ref
ar fi generat cu ajutorul lui I
o
, farˇa o dependent ¸ˇa de V
DD
, atunci
curentul de ie¸sire ar fi teoretic independent de tensiunea de alimentare. Acest
lucru este posibil prin dubla definit ¸ie a curentului de ie¸sire ¸si fenomenul numit
”bootstrapping”.
Generarea curentului I
ref
cu ajutorul lui I
o
se face prin simpla copiere a curen-
tului I
o
ˆın cealaltˇa ramurˇa printr-o oglindˇa de curent. Schema circuitului este
datˇa ˆın Figura 4.8.
Cele douˇa variante se bazeazˇa pe referint ¸ele Widlar ¸si V
Th
cu tranzistoare MOS.
Tranzistoarele M
5
¸si M
6
preiau ¸si distribuie curentul de ie¸sire spre alte circuite
dupˇa necesitate.
Ecuat ¸iile care descriu funct ¸ionarea circuitului sunt urmˇatoarele (scrise pentru
varianta cu referint ¸a V
Th
):
Doris Csipkes 83
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINT¸ E ELECTRONICE

V
GS1
= I
o
R
V
GS1
= V
Th
+

I
ref
β
1
(4.33)
M1
M5 M4 M3
M8
M2
M7
M6
M8
M5
M2
M1
M3
M7
M6
M4

V
DD
I
ref
I
5
I
5
I
6
I
6
I
o
R
p
R
Circuit de pornire
Circuit de pornire
V
DD
I
ref
I
o
R
p
R
Figura 4.8: Referint ¸ˇa bootstrap
Dacˇa se considerˇa tranzistoarele M
3
¸si M
4
identice ¸si se neglijeazˇa neidealitˇat ¸ile
oglinzii de curent rezultˇa I
ref
= I
o
.
ˆ
In aceste condit ¸ii, din sistemul (4.33) se
poate obt ¸ine expresia curentului de ie¸sire.

I
o
=
1
2R
·

1

β
1
+

1
β
1
+ 4RV
Th

(4.34)
Se observˇa cˇa aceastˇa ecuat ¸ie nu cont ¸ine elemente dependente de tensiunea de
alimentare. Drept urmare, senzitivitatea curentului de ie¸sire cu tensiunea de
alimentare este zero.
84 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINT¸ E ELECTRONICE
Observat ¸ie: ˆın realitate eroarea raportului de reflexie al oglinzii PMOS
depinde de dezechilibrul tensiunilor drenˇa-sursˇa ale tranzistoarelor. Deze-
chilibrul cont ¸ine ˆın expresia sa tensiunea de alimentare V
DD
. Astfel, dacˇa
raportul de reflexie nu este precis, senzitivitatea va avea o valoare diferitˇa
de zero.
Observat ¸ie: datoritˇa principiului de funct ¸ionare, circuitul are douˇa puncte
de echilibru. Primul punct este ˆın origine, unde atˆat I
ref
cˆat ¸si I
o
sunt
zero. Al doilea punct este definit de egalitatea lui I
ref
¸si I
o
la valori diferite
de zero. Pentru a ne asigura cˇa circuitul pˇarˇase¸ste punctul static nedorit
din origine trebuie sˇa adaugˇam un circuit de pornire.
Circuitul de pornire asigurˇa un curent init ¸ial prin circuit ¸si este dezactivat treptat
dacˇa circuitul evolueazˇa spre punctul static de funct ¸ionare definit de ecuat ¸ia
(4.34). Funct ¸ionarea circuitului de pornire din Figura 4.8 este urmˇatoarea:
- I
ref
= I
o
= 0 →ˆın drena lui M
1
avem potent ¸ial zero, dar ˆın grila lui
M
7
avem un potent ¸ial egal cu V
GS8
→ M
7
conduce → se injecteazˇa un
curent ˆın dioda MOS M
1
→ apare o cˇadere de tensiune pe rezistent ¸a R
→ apare un curent I
o
la ie¸sire → I
o
este copiat ˆın ramura de referint ¸ˇa
→ curent ¸ii I
ref
¸si I
o
vor converge spre o valoare de echilibru prin react ¸ie
pozitivˇa;
- tototdatˇa potent ¸ialul din drena lui M
1
cre¸ste → M
7
pierde V
GS
¸si se va
bloca treptat → circuitul de pornire este dezactivat, curentul prin M
7
reducˆandu-se la zero.
4.8 Referint ¸e compensate cu temperatura
Referint ¸ele prezentate pˆanˇa acum erau puternic influent ¸ate de variat ¸ia tempe-
raturii.
ˆ
In practicˇa este adesea necesarˇa generarea unei tensiuni sau a unui
curent stabil cu temperatura. Aceastˇa condit ¸ie este ˆındeplinitˇa de referint ¸ele
de tip bandˇa interzisˇa (eng. bandgap).
Tensiunile ¸si curent ¸ii generat ¸i de referint ¸ele studiate aveau o variat ¸ie pozitivˇa
sau negativˇa cu temperatura.
ˆ
In continuare se vor considera douˇa tipuri de
tensiuni: V
BE
¸si V
BE
, prima generatˇa de referint ¸a de curent de tip V
BE
, iar a
doua generatˇa de referint ¸a de curent Widlar cu tranzistoare bipolare.
Doris Csipkes 85
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINT¸ E ELECTRONICE
Variat ¸ia lui V
BE
cu temperatura
Reamintim variat ¸ia lui V
BE
cu valoarea curentului printr-un tranzistor bipolar:
V
BE
= V
T
· ln

I
C
I
S

(4.35)
La prima vedere s-ar pˇarea cˇa V
BE
cre¸ste cu temperatura (fiind proport ¸ionalˇa
cu V
T
). Pentru a determina sensul de variat ¸ie corect trebuie consideratˇa
urmˇatoarea expresie semi-empiricˇa a curentului de saturat ¸ie:
I
S
= I
0
· e

V
G0
V
T
(4.36)
ˆ
In aceastˇa ecuat ¸ie I
0
este un curent dependent de procesul de fabricat ¸ie (mult
mai mare decˆat I
S
), iar V
G0
este tensiunea de bandˇa interzisˇa a siliciului, ex-
trapolatˇa la temperatura de 0

K.
ˆ
Inlocuind expresia lui I
S
ˆın ecuat ¸ia (4.35),
rezultˇa:
V
BE
= V
T
· ln

¸
¸
I
C
I
0
· e
V
G0
V
T
¸

= V
G0
−V
T
· ln

I
0
I
C

(4.37)
Din aceastˇa ecuat ¸ie se observˇa cˇa tensiunea V
BE
scade liniar cu temperatura.
Deasemenea, la 0

K, V
BE
este egalˇa cu V
G0
. Drept urmare, se poate spune cˇa
V
BE
este o tensiune de tip CTAT (Complementary To Absolute Temperature).
Variat ¸ia tensiunii ∆V
BE
cu temperatura
Tensiunea ∆V
BE
este de fapt o diferent ¸ˇa de tensiuni de tip V
BE
. Astfel, se
poate scrie:
∆V
BE
= V
BE1
−V
BE2
= V
T
· ln

I
C1
I
C2
·
I
S2
I
S1

(4.38)
Dacˇa cele douˇa tranzistoare sunt identice, atunci ∆V
BE
va depinde numai de
raportul curent ¸ilor de colector, iar curent ¸ii I
S1
¸si I
S2
se simplificˇa. Astfel,
86 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINT¸ E ELECTRONICE
dependent ¸a de temperaturˇa a lui I
S
este eliminatˇa, iar ∆V
BE
va cre¸ste liniar
cu temperatura. Drept urmare putem spune cˇa ∆V
BE
este o tensiune de tip
PTAT.
Observat ¸ie: de cˆate ori avem nevoie de tensiune (sau curent) PTAT, vom
cˇauta sˇa generˇam o tensiune de tip ∆V
BE
. De cˆate ori avem nevoie de o
tensiune CTAT, generˇam o tensiune de tip V
BE
.
Principiul de funct ¸ionare a referint ¸elor compensate cu temperatura se bazeazˇa
pe ˆınsumarea ponderatˇa a douˇa tensiuni avˆand coeficientul de temperaturˇa
de semn opus (practic ˆınsumˇam un PTAT cu un CTAT). Adt ¸ional, ambele
tensiuni ar trebui sˇa fie independente de tensiunea de alimentare (se obt ¸ine prin
bootstrapping) deoarece sumarea compenseazˇa numai variat ¸iile cu temperatura.
Schema de principiu a unei referint ¸e ”bandgap” este datˇa ˆın Figura 4.9.
Q

V
DD
V
DD
I
a
PTAT
I
1
aV
T
V
T
V
BE
V
o
Figura 4.9: Schema de principiu a unei referint ¸e ”bandgap”
Tensiunea de ie¸sire se scrie:
V
o
= V
BE
+a · V
T
(4.39)
Coeficientul a este o mˇarime constantˇa, independentˇa de temperaturˇa
(de cele mai multe ori realizatˇa ca raport de rezistent ¸e ¸si/sau de curent ¸i de
saturat ¸ie).
Doris Csipkes 87
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINT¸ E ELECTRONICE
T¸inˆand cont de expresiile tensiunilor V
BE
¸si ∆V
BE
, tensiunea de ie¸sire se scrie:
V
o
= V
G0
−V
T
· ln

I
0
I
C

+V
T
· ln

I
C1
I
C2
·
I
S2
I
S1

(4.40)
Dacˇa circuitul este corect dimensionat, atunci termenii dependent ¸i de tempe-
raturˇa se reduc, iar tensiunea de ie¸sire va fi aproximativ egalˇa cu V
G0
(de aici
numele de ”bandgap”).
Pentru a gˇasi variat ¸ia tensiunii de ie¸sire cu temperatura se deriveazˇa ecuat ¸ia
(4.39) ˆın raport cu temperatura. Pentru un calcul corect ar trebui sˇa cunoa¸stem
valorile exacte ale tensiunilor ¸si coeficientul lor de variat ¸ie cu temperatura.
4.9 Exemple
Referint ¸a ”bandgap” de tip Widlar
Una dintre primele implementˇari ale referint ¸elor ”bandgap”, bazatˇa numai pe
tranzistoare bipolare, este cea datˇa de Widlar. Schema circuitului este prezen-
tatˇa ˆın Figura 4.10.
Pentru simplitate, ˆın calcule se considerˇa β = ∞. Expresia tensiunii de ie¸sire
se calculeazˇa din urmˇatorul sistem de ecuat ¸ii:

V
o
= R
1
I
1
+V
BE1
V
BE1
= V
BE2
+R
3
I
2
V
BE1
+R
1
I
1
= V
BE3
+R
2
I
2
(4.41)
Dacˇa tranzistoarele Q
1
¸si Q
3
sunt identice, atunci expresia lui I
2
se scrie:
I
2
=
V
T
R
3
· ln

R
2
R
1
·
I
S2
I
S1

(4.42)
Tensiunea de ie¸sire rezultˇa:
88 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINT¸ E ELECTRONICE
V
o
= V
BE1
+V
T
·
R
2
R
3
· ln

R
2
R
1
·
I
S2
I
S1

(4.43)
Din aceastˇa ecuat ¸ie se observˇa cˇa tensiunea de ie¸sire este compensatˇa cu tem-
peratura.
Q2
Q3
Q1
Q4

V
CC
V
DD
I
3
I
2
I
1
R
p
R
2
R
1
R
3
V
o
Figura 4.10: Referint ¸a ”bandgap” de tip Widlar
Observat ¸ie: ˆın general referint ¸ele ”bandgap” prezintˇa o curburˇa a carac-
teristicii V
o
= f(T) datoratˇa neidealitˇat ¸ilor. Punctul de maxim al curbei
semnificˇa un coeficient de temperaturˇa egal cu zero ¸si se ajusteazˇa la
temperatura nominalˇa cu ajutorul elementelor de circuit.
Referint ¸a ”bandgap” de tip Song
Referint ¸a ”bandgap” Song folose¸ste o oglindˇa Widlar bipolarˇa pentru a ge-
nera curentul PTAT. Oglinda de curent PMOS utilizatˇa pentru compensarea
variat ¸iilor cu V
DD
este o oglindˇa cascodˇa care reduce erorile raportului de re-
flexie ¸si implicit senzitivitatea curentului de ie¸sire cu V
DD
. Schema circuitului
este datˇa ˆın Figura 4.11.
Doris Csipkes 89
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINT¸ E ELECTRONICE
Q1
M8
M2
M3
M7
M4
M1
Q2
M6
M5
Q3

V
DD
V
DD
I
PTAT
I
2
I
1
R
1
R
2
V
o
Figura 4.11: Referint ¸a ”bandgap” de tip Song
Sistemul de ecuat ¸ii corespunzˇatoare circuitului se scrie:

V
o
= V
BE3
+R
2
I
PTAT
V
BE1
= V
BE2
+R
1
I
2
I
1
= I
2
= I
PTAT
(4.44)
Rezultˇa:
V
o
= V
BE3
+V
T
·
R
2
R
1
· ln

I
S2
I
S1

(4.45)
Referint ¸a ”bandgap” de tip Brokaw
Una dintre cele mai cunoscute structuri de referint ¸e ”bandgap” este celula
Brokaw. Diferent ¸a dintre tensiunile bazˇa-emitor necesarˇa pentru producerea
curentului PTAT este generatˇa cu ajutorul unui divizor rezistiv de tensiune.
90 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINT¸ E ELECTRONICE
Schema circuitului este datˇa ˆın Figura 4.12.
Q2 Q1
+
-

V
CC
V
DD
I
1
I
2
I
1
R
1
R
3
R
4
R
2
V
o
Figura 4.12: Referint ¸a ”bandgap” cu celulˇa Brokaw
ˆ
In aceastˇa variantˇa de celulˇa Brokaw amplificatorul operat ¸ional este utilizat ˆın
configurat ¸ia cu react ¸ie pentru a egala tensiunile la bornele sale de intrare. Dacˇa
se considerˇa amplificatorul operat ¸ional ideal (tensiune de offset ¸si curent ¸i de
polarizare neglijabili) atunci potent ¸ialele de la bornele inversoare ¸si neinversoare
sunt egale. Astfel, cˇaderile de tensiune pe rezistent ¸ele R
1
¸si R
2
sunt egale, iar
curent ¸ii sunt ponderat ¸i de valorile rezistent ¸elor.
Sistemul de ecuat ¸ii caracteristic circuitului se scrie:

V
o
= V
BE1
+R
4
(I
1
+I
2
)
V
BE1
= V
BE2
+R
3
I
2
R
1
I
1
= R
2
I
2
(4.46)
Doris Csipkes 91
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINT¸ E ELECTRONICE
Tensiunea de ie¸sire rezultˇa:
V
o
= V
BE1
+V
T
·
R
4
R
3
·

1 +
R
2
R
1

· ln

R
2
R
1
·
I
S2
I
S1

(4.47)
Observat ¸ie: ˆın realitate variat ¸ia cu temperatura a lui V
BE
este u¸sor ne-
liniarˇa, astfel ˆıncˆat caracteristica de ie¸sire a referint ¸ei ”bandgap” variazˇa
cu temperatura ca ˆın Figura 4.13. Se observˇa cˇa panta caracteristicii se
anuleazˇa la o singurˇa temperaturˇa, consideratˇa temperatura nominalˇa de
proiectare. De multe ori, mai ales la circuitele integrate de joasˇa putere,
aceastˇa temperaturˇa este egalˇa cu cea a camerei (27

C).
T
o
-40 C
o
100 C
o
27 C
V
DD
I
1
V
o
Figura 4.13: Variat ¸ia realˇa a tensiunii de ie¸sire cu temperatura
4.10 Sumar
ˆ
In acest capitol s-au prezentat cˆateva tipuri de referint ¸e considerate imple-
mentˇari electronice ale surselor ideale. Majoritatea referint ¸elor simple sunt sen-
sibile la variat ¸iile tensiunii de alimentare ¸si ale temperaturii. Pentru a com-
pensa variat ¸iile cu tensiunea de alimentare se utilizeazˇa procedeul de boots-
trapping care introduce o dubla definit ¸ie a curentului de ie¸sire eliminˆand astfel
dependent ¸a de V
DD
.
Pentru a compensa variat ¸iile tensiunii sau curentului generat cu temperatura
se utilizeazˇa ˆınsumarea unor tensiuni cu coeficient ¸i de temperaturˇa de semn
92 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINT¸ E ELECTRONICE
opus.
ˆ
In paragrafele dedicate referint ¸elor de tip bandˇa interzisˇa s-a arˇatat cˇa
aceste referint ¸e sunt, ˆın cazul ideal, imune la schimbˇarile de temperaturˇa, dar
ˆın realitate existˇa o curburˇa a caracteristicii temperaturˇa-tensiune. Elementele
de circuit permit o ajustare a temperaturii nominale la care coeficientul de
temperaturˇa al referint ¸ei se anuleazˇa.
Bibliografie:
1. Lelia Fe¸stilˇa - Circuite integrate analogice I, Casa Cˇart ¸ii de S¸tiint ¸ˇa, 1997;
2. Doris Csipkes, Gabor Csipkes - Fundamental analog circuits. Practical
simulation exercises, UTPres, 2004;
3. P.E. Allen, D. Holberg - CMOS analog circuit design, Oxford University
Press, 1987
4. A. Manolescu - Analog Integrated Circuits, editura Foton International,
1999.
5. T. H. Lee - The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits,
Cambridge University Press, 1998;
6. J-T. Wu - Voltage and Current References - Lecture Notes, National
Chiao-Tung University, Taiwan, 2003
Doris Csipkes 93
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Capitolul 5
Amplificatoare simple
Amplificatoarele inversoare simple constituie etajele fundamentale ˆın circuitele
de amplificare mai complexe, cum sunt amplificatoarele operat ¸ionale sau com-
paratoarele integrate.
Structura amplificatoarelor inversoare cont ¸ine ˆıntotdeauna o sursˇa de curent
controlatˇa ˆın tensiune ¸si un circuit de sarcinˇa. Mecanismul de amplificare
are la bazˇa principiul de conversie a tensiunii de intrare ˆın curent, iar apoi
acest curent este injectat ˆıntr-un nod de ˆınaltˇa impedant ¸ˇa de unde se culege
tensiunea de ie¸sire.
Discut ¸ia asupra amplificatoarelor simple din aceastˇa sect ¸iune prezintˇa analiza
punctului static de funct ¸ionare, modelul de semnal mic ¸si joasˇa frecvent ¸ˇa, pre-
cum ¸si comportamentul la frecvent ¸e mari.
5.1 Amplificatorul inversor cu sarcinˇa rezistivˇa
La acest tip de amplificator tensiunea de intrare este convertitˇa ˆın curent de
tranzistorul de intrare. Sarcina este o rezistent ¸ˇa pasivˇa care determinˇa ˆın ultima
instant ¸ˇa cˆa¸stigul. Schema circuitului este datˇa ˆın Figura 5.1.a.
Punctul static de funct ¸ionare
Punctul static de funct ¸ionare se gˇase¸ste din condit ¸ia de echilibru al circui-
tului. Condit ¸ia de echilibru implicˇa egalitatea curent ¸ilor prin rezistent ¸ˇa ¸si prin
tranzistor (presupunˆand funct ¸ionarea ˆın gol sau cu sarcinˇa pur capacitivˇa).
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
Punctul static de funct ¸ionare se poate determina ˆın mod grafic din intersect ¸ia
caracteristicii de ie¸sire a tranzistorului M
1
¸si a dreptei de sarcinˇa (Figura 5.1.b).
M1


V
DD
v
out
v
in
R
a) b)
PSF
R
I
V
out
V
DD
M
1
R
V
DD
I
Figura 5.1: Amplificatorul inversor cu sarcinˇa rezistivˇa
Observat ¸ie: fiecˇarei tensiuni de intrare continue (fiecˇarui V
GS1
) ˆıi va cores-
punde un punct de echilibru diferit, circuitul are mai multe puncte statice
de funct ¸ionare posibile
Domeniul de variat ¸ie a tensiunii de ie¸sire
Punctul static de funct ¸ionare al circuitului trebuie ales astfel ˆıncˆat la valori de
vˆarf ale semnalului tranzistorul sˇa rˇamˆanˇa ˆın regim saturat. Invers, pentru un
PSF ales se poate determina domeniul de variat ¸ie a semnalului de ie¸sire.
ˆ
In cazul amplificatorului cu sarcinˇa rezistivˇa limita de sus a domeniului de
variat ¸ie este chiar V
DD
deoarece rezistent ¸a nu impune reguli asupra cˇaderii
de tensiune la bornele sale. Limita de jos este determinatˇa de polarizarea
tranzistorului care funct ¸ioneazˇa ˆın regim saturat dacˇa V
DS
> V
od
. Astfel, la un
vˆarf negativ al semnalului tensiunea instantanee la ie¸sire nu are voie sˇa scadˇa
sub V
od1
.
Doris Csipkes 95
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
Modelul de semnal mic ¸si joasˇa frecvent ¸ˇa
Modelul de semnal mic ¸si joasˇa frecvent ¸ˇa, prezentatˆın Figura 5.2, ignorˇa efectele
capacitˇat ¸ilor parazite ¸si a capacitˇat ¸ii de sarcinˇa asupra funct ¸ionˇarii circuitului.
R
v
out
v
in
g v
m1 GS1
r
DS1

Figura 5.2: Schema de semnal mic a amplificatorului cu sarcinˇa rezistivˇa
La construct ¸ia modelului s-a considerat transconductant ¸a de substrat mult mai
micˇa decˆat g
m
, iar nodurile conectate la surse constante au fost pasivizate (de
ex. V
DD
devine masˇa).
Observat ¸ie: modelul de semnal mic este inerent liniar deoarece descrie
variat ¸ii mici (infinitezimale) ale semnalelor ˆın jurul punctului static de
funct ¸ionare. Acest lucru ˆınseamnˇa cˇa o tensiune sinusoidalˇa aplicatˇa la
intrarea modelului va produce la ie¸sire tot un semnal sinusoidal de aceea¸si
frecvent ¸ˇa.
Observat ¸ie: modelul de semnal mic cont ¸ine doar elemente pasive ¸si surse
comandate. Drept urmare, efectele dinamice din circuit (de ex. limitarea
semnalului sau viteza de variat ¸ie a semnalului) nu sunt modelate.
Cˆa¸stigul de joasˇa frecvent ¸ˇa se determinˇa scriind teorema lui Kirchhoff ¸si legea
lui Ohm la nodul de ie¸sire.
g
m1
v
in
+
v
out
r
DS1
+
v
out
R
= 0 (5.1)
Dacˇa se considerˇa r
DS1
>> R, rezultˇa:
96 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
A
0
=
v
out
v
in
=
−g
m1
1
r
DS1
+
1
R
= −g
m1
R
out

= −g
m1
R (5.2)
Observat ¸ie: cˆa¸stigul de joasˇa frecvent ¸ˇa al unui amplificator simplu de ten-
siune se scrie ˆıntotdeauna ca produsul dintre transconductant ¸a tranzisto-
rului de intrare (conversia tensiune-curent) ¸si rezistent ¸a de ie¸sire (conver-
sia curent-tensiune).
Pentru amplificatorul cu sarcinˇa rezistivˇa transconductant ¸a tranzistorului de
intrare este g
m1
, iar rezistent ¸a de ie¸sire se aproximeazˇa cu R.
Comportamentul ˆın frecvent ¸ˇa
Pentru a descrie comportamentul ˆın frecvent ¸ˇa trebuie sˇa t ¸inem cont de capa-
citˇat ¸ile parazite din circuit ¸si de capacitatea de sarcinˇa. Figura 5.3 prezintˇa
schema amplificatorului cu toate capacitˇat ¸ile nodurilor explicitate.
M1


v
in
V
DD
v
out
C
1
C
2
R
rhz
p
M1
Figura 5.3: Schema amplificatorului cu sarcinˇa rezistivˇa ¸si capacitˇat ¸ile ex-
plicitate
Capacitatea C
1
este chiar capacitatea grilˇa-drenˇa a tranzistorului M
1
. Capa-
citatea C
2
cont ¸ine toate capacitˇat ¸ile parazite conectate la nodul de ie¸sire ¸si
Doris Csipkes 97
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
capacitatea de sarcinˇa.
Din examinarea schemei se observˇa cˇa nodul de ie¸sire va introduce un pol ˆın
funct ¸ia de transfer a circuitului. Etajul fiind inversor, efectul Miller datorat
cuplajului capacitiv prin C
1
va produce ¸si un zero ˆın semiplanul drept (RHZ
= Right Half-plane Zero).
ˆ
In concluzie, dacˇa se considerˇa o sursˇa de tensiune
idealˇa la intrare, funct ¸ia de transfer a amplificatorului va avea un pol ¸si un zero
pozitiv.
Schema de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa a circuitului este datˇa ˆın Figura 5.4.
C
2
v
out
v
in
G v
m in
R
out

C
1
Figura 5.4: Modelul de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa al amplificatorului
cu sarcinˇa rezistivˇa
Teorema lui Kirchhoff pentru curent ¸i la nodul de ie¸sire conduce la urmˇatoarea
funct ¸ie de transfer:
A(s) =
v
out
v
in
= −
g
m1
R
out

1 −
sC
1
g
m1

1 +s (C
1
+C
2
) R
out

= −
g
m1
R
out

1 −
sC
1
g
m1

1 +sC
L
R
out
(5.3)
ˆ
In aceastˇa ecuat ¸ie capacitatea conectatˇa la nodul de ie¸sire este dominatˇa de
capacitatea de sarcinˇa. Funct ¸ia de transfer se mai poate scrie sub forma generalˇa
dupˇa cum urmeazˇa:
98 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
A(s) = −
A
0
·

1 −
s
ω
rhz

1 +
s
ω
p
(5.4)
Identificˆand parametrii rezultˇa cˆa¸stigul de joasˇa frecvent ¸ˇa A
0
, frecvent ¸a polului
f
p
¸si frecvent ¸a zeroului pozitiv f
z
.

A
0
= −g
m1
R
out

= −g
m1
R
f
p
=
1
2πRC
L
f
z
=
g
m1
2πC
1
(5.5)
Diagramele Bode corespunzˇatoare funct ¸iei de transfer de mai sus sunt date ˆın
Figura 5.5.


10KHz 1.0MHz 100MHz 10GHz 1.0THz
0d
90d
180d
-40
-20
0
20
|A(s)|
f
A(s) Ð
f
p
f
rhz
f
Figura 5.5: Caracteristicile de frecvent ¸ˇa ale amplificatorului cu sarcinˇa
rezistivˇa
Doris Csipkes 99
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
Pe figurˇa sunt identificate frecvent ¸ele aproximative f
p
¸si f
z
. Se observˇa cˇa zeroul
pozitiv compenseazˇa cˇaderea cu -20dB/decadˇa a caracteristicii de amplitudine,
dar introduce un defazaj suplimentar de −90

. Deasemenea trebuie remarcate
ordinele de mˇarime ale celor douˇa frecvent ¸e ¸si cˆa¸stigul de joasˇa frecvent ¸ˇa
relativ redus (< 10).
5.2 Amplificatorul inversor cu sarcinˇa diodˇa
Amplificatorul cu sarcinˇa diodˇa are structura similarˇa cu cea a amplificatorului cu
sarcinˇa rezistivˇa. Sarcina este de aceastˇa datˇa o diodˇa MOS. Schema circuitului
este datˇa ˆın Figura 5.6.a.
Punctul static de funct ¸ionare
Punctul static de funct ¸ionare se determinˇa din condit ¸ia de echilibru a circuitului
(acela¸si curent prin ambele tranzistoare).
ˆ
In mod grafic, punctul static de
funct ¸ionare este la intersect ¸ia dintre caracteristica de ie¸sire a tranzistorului M
1
¸si
caracteristica de transfer a lui M
2
(Figura 5.6.b). M
2
fiind ˆıntotdeauna saturat
(diodˇa), caracteristica sa de transfer este o parabolˇa cu vˆarful ˆın tensiunea
V
DD
−|V
Thp
|.

M1
M2

V
DD
v
out
v
in
a) b)
PSF
V
out
V -|V |
DD Thp
M
1
M
2
I
I
Figura 5.6: Amplificatorul inversor cu sarcinˇa diodˇa
100 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
Domeniul de variat ¸ie a tensiunii de ie¸sire
Valoarea instantanee a tensiunii de ie¸sire trebuie sˇa permitˇa pˇastrarea tranzis-
torului M
1
ˆın regim saturat ¸si a lui M
2
ˆın conduct ¸ie. La evaluarea domeniului
admis de variat ¸ie trebuie luat ˆın seamˇa ¸si semnalul suprapus peste compo-
nenta continuˇa. Astfel rezultˇa:
V
od1
+v
max
≤ V
out
≤ V
DD
−|V
Thp
| −v
max
(5.6)
ˆ
In aceastˇa inegalitate v
max
este amplitudinea semnalului la ie¸sirea circuitului.
Modelul de semnal mic ¸si joasˇa frecvent ¸ˇa
Modelul de semnal mic ¸si joasˇa frecvent ¸ˇa, prezentat ˆın Figura 5.7, permite
determinarea rezistent ¸ei de ie¸sire ¸si a cˆa¸stigului de joasˇa frecvent ¸ˇa.

r
DS2
v
out
v
in
g v
m1 GS1
r
DS1
g v
m2 GS2
Figura 5.7: Modelul de semnal mic al amplificatorului cu sarcinˇa diodˇa
Cˆa¸stigul de joasˇa frecvent ¸ˇa se calculeazˇa scriind teorema lui Kirchhoff pentru
curent ¸i la nodul de ie¸sire al circuitului. Dacˇa se considerˇa g
DS
<< g
m
rezultˇa:
A
0
=
v
out
v
in
= −g
m1
R
out
= −
g
m1
g
DS1
+g
DS2
+g
m2

= −
g
m1
g
m2
(5.7)
Se observˇa cˇa rezistent ¸a de ie¸sire este redusˇa datoritˇa conexiunii de diodˇa a
tranzistorului M
2
(rezistent ¸a echivalentˇa aproximativ 1/g
m2
). Astfel, cˆa¸stigul de
joasˇa frecvent ¸ˇa este apropiat de unitate, iar circuitul se utilizeazˇa ca repetor.
Doris Csipkes 101
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
Comportamentul ˆın frecvent ¸ˇa
ˆ
In mod similar ca ¸si amplificatorul cu sarcinˇa rezistivˇa existˇa un singur nod ˆın
calea semnalului. Capacitˇat ¸ile specifice circuitului sunt dateˆın Figura 5.8. Polul
introdus de nodul de ie¸sire este mutat la frecvent ¸e mai mari datoritˇa rezistent ¸ei
de ie¸sire reduse. Zeroul pozitiv apare aproximativ la aceea¸si frecvent ¸ˇa ca ¸si la
amplificatorul cu sarcinˇa rezistivˇa.
M1
M2


v
in
V
DD
v
out
C
1
p
rhz
C
2
Figura 5.8: Capacitˇat ¸ile specifice amplificatorului cu sarcinˇa diodˇa
Modelul de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa a amplificatorului este dat ˆın Figura
5.9. Se observˇa cˇa modelul este identic cu cel al amplificatorului cu sarcinˇa
rezistivˇa (topologia circuitului este neschimbatˇa), dar expresia rezistent ¸ei de
ie¸sire R
out
este diferitˇa.
Pentru R
out
aproximativ egal cu 1/g
m2
¸si C
1
+ C
2
aproximativ egal cu C
L
funct ¸ia de transfer rezultˇa:
A(s) =
v
out
v
in

= −
g
m1
g
m2
·
1 −
sC
1
g
m1
1 +
sC
L
g
m2
= A
0
·
1 −
s
ω
z
1 +
s
ω
p
(5.8)
102 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
C
2
v
out
v
in
G v
m in
R
out

C
1
Figura 5.9: Modelul de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa al amplificatorului
cu sarcinˇa diodˇa
Parametrii funct ¸iei de transfer sunt:
A
0

= −
g
m1
g
m2
; f
p
=
g
m2
2πC
L
; f
z
=
g
m1
2πC
1
(5.9)
Diagramele Bode corespunzˇatoare sunt date ˆın Figura 5.10.


|A(s)|
f
A(s) Ð
f
p
f
rhz
f

10KHz 1.0MHz 100MHz 10GHz 1.0THz
0d
90d
180d
-40
-20
0
Figura 5.10: Caracteristicile de frecvent ¸ˇa ale amplificatorului cu sarcinˇa
diodˇa
Doris Csipkes 103
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
Se observˇa deplasarea polului spre frecvent ¸e mai ˆınalte fat ¸ˇa de amplificatorul
cu sarcinˇa rezistivˇa. Zeroul a rˇamas la aceea¸si frecvent ¸ˇa, iar cˆa¸stigul de joasˇa
frecvent ¸ˇa este apropiat de 0dB.
5.3 Amplificatorul inversor cu sarcinˇa sursˇa
de curent
Topologia circuitului nu se schimbˇa fat ¸ˇa de circuitele discutate pˆanˇa acum,
dar sarcina este ˆınlocuitˇa cu o sursa de curent simplˇa cu un singur tranzistor.
Schema circuitului este datˇa ˆın Figura 5.11.a.
M2
M1


V
DD
v
out
v
in
a) b)
PSF
V
out
V
DD
V
G2
M
1
M
2
I
I
Figura 5.11: Amplificatorul inversor cu sarcinˇa sursˇa de curent
Punctul static de funct ¸ionare
Punctul static de funct ¸ionare se gˇase¸ste la intersect ¸ia caracteristicilor de ie¸sire
ale celor douˇa tranzistoare (Figura 5.11.b). Tensiunile de polarizare din grilele
celor douˇa tranzistoare trebuie alese astfel ˆıncˆat intersect ¸ia caracteristicilor sˇa
fie ˆın zonele de saturat ¸ie ale tranzistoarelor. Astfel, ambele tranzistoare vor
fi saturate ¸si se vor comporta ca ¸si surse de curent.
104 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
Domeniul de variat ¸ie a tensiunii de ie¸sire
Domeniul de variat ¸ie a tensiunii de ie¸sire se determinˇa din condit ¸iile de satu-
rat ¸ie ale celor douˇa tranzistoare. Condit ¸iile de saturat ¸ie, scrise pentru cazurile
ˆın care semnalul la ie¸sire ˆı¸si atinge valoarea maximˇa (v
max
) respectiv minimˇa
(−v
max
), conduc la urmˇatoarea inegalitate:
V
od1
+v
max
≤ V
out
≤ V
DD
−V
od2
−v
max
(5.10)
Inegalitatea de mai sus este utilizatˇa ¸si pentru a determina valoarea componentei
continue a tensiunii de ie¸sire. Alegerea se face astfel ˆıncˆat circuitul sˇa poatˇa fi
conectat ˆın cascadˇa ˆın timp ce variat ¸ia semnalului este maxim posibilˇa (trebuie
evitatˇa limitarea).
ˆ
In practicˇa apar frecvent amplificatoare ˆın cascadˇa unde
polarizarea tranzistorului de intrare ˆıntr-un etaj este asiguratˇa de ie¸sirea etajului
precedent.
Modelul de semnal mic ¸si joasˇa frecvent ¸ˇa
Modelul de semnal mic ¸si joasˇa frecvent ¸ˇa al amplificatorului inversor cu sarcinˇa
sursˇa de curent este datˇa ˆın Figura 5.12.

rDS2
vout
vin
gm1vGS1 rDS1 gm2vGS2
Figura 5.12: Modelul de semnal mic ¸si joasˇa frecvent ¸ˇa al amplificatorului
cu sarcinˇa sursˇa de curent
Observat ¸ie: grila ¸si sursa tranzistorului M
2
sunt conectate la un potent ¸ial
constant, independent de semnal. Prin pasivizare aceste noduri sunt conec-
tate la masˇa. Drept urmare, V
GS2
= 0 ¸si sursa comandatˇa g
m2
V
GS2
dispare
din schema de semnal mic.
Doris Csipkes 105
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
Teorema lui Kirchhoff pentru curent ¸i ¸si legea lui Ohm conduc la urmˇatoarea
expresie a cˆa¸stigului de joasˇa frecvent ¸ˇa:
A
0
= −
g
m1
g
DS1
+g
DS2
= −g
m1
(r
DS1
|| r
DS2
) = −g
m1
R
out
(5.11)
Rezistent ¸a de ie¸sire a circuitului se obt ¸ine ca o conexiune paralelˇa ˆıntre
rezistent ¸ele drenˇa-sursˇa ale celor douˇa tranzistoare.
Comportamentul ˆın frecvent ¸ˇa
Intuitiv, se poate spune cˇa amplificatorul cu sarcinˇa sursˇa de curent va avea
un comportament similar ˆın frecvent ¸ˇa ca ¸si amplificatoarele discutate anterior.
Acest lucru se datoreazˇa topologiei identice. Schema circuitului cu capacitˇat ¸i
parazite este prezentatˇa ˆın Figura 5.13.
M2
M1

V
DD
v
out
v
in
V
G2
C
2
C
1
p rhz
Figura 5.13: Capacitˇat ¸ile parazite ˆın amplificatorul cu sarcinˇa sursˇa de
curent
Modelul de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa este dat ˆın Figura 5.14.
106 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
C
2
v
out
v
in
G v
m in
R
out

C
1
Figura 5.14: Capacitˇat ¸ile parazite ˆın amplificatorul cu sarcinˇa sursˇa de
curent
Funct ¸ia de transfer ˆın s a circuitului este:
A(s) =
v
out
v
in

= −
g
m1
(r
DS1
|| r
DS2
)

1 −
sC
1
g
m1

1 +s (r
DS1
|| r
DS2
) C
L
= A
0
·
1 −
s
ω
z
1 +
s
ω
p
(5.12)
Cˆa¸stigul de joasˇa frecvent ¸ˇa, frecvent ¸a polului ¸si frecvent ¸a zeroului se scriu:
A
0

= −g
m1
(r
DS1
|| r
DS2
) ; f
p
=
1
2πR
out
C
L
; f
z
=
g
m1
2πC
1
(5.13)
Datoritˇa rezistent ¸ei de ie¸sire mˇarite frecvent ¸a polului se deplaseazˇa la frecvent ¸e
mai joase, ˆın timp ce cˆa¸stigul de joasˇa frecvent ¸ˇa al circuitului cre¸ste. Aceste
modificˇari sunt ilustrateˆın diagramele Bode din Figura 5.15. Parametrii funct ¸iei
de transfer sunt comparabile cu cele ale amplificatorului cu sarcinˇa rezistivˇa.
5.4 Amplificatorul inversor cascodˇa
Amplificatoarele discutate ˆın paragrafele anterioare se pot utiliza numai pentru
un cˆa¸stig relativ redus (tipic ˆın jur de 20-30dB), chiar unitar. Adit ¸ional, s-a
ignorat efectul rezistent ¸ei nenule al sursei de semnal de la intrare. Aceastˇa
rezistent ¸ˇa poate deteriora semnificativ comportamentul ˆın frecvent ¸ˇa al circui-
tului dacˇa se combinˇa cu capacitatea reflectatˇa la intrare prin efect Miller (de
ordinul sutelor de fF sau chiar pF dacˇa A
0
> 20dB). Rezultatul efectului Miller
este ˆın aceste cazuri un pol suplimentar la frecvent ¸e joase sau medii.
Doris Csipkes 107
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE


|A(s)|
f
A(s) Ð f
p
f
rhz
f
10KHz 1.0MHz 100MHz 10GHz 1.0THz
0d
90d
180d
-40
-20
0
20
Figura 5.15: Caracteristicile de frecvent ¸ˇa ale amplificatorului cu sarcinˇa
sursˇa de curent
Observat ¸ie: de¸si de cele mai multe ori efectul Miller nu este dorit, el poate
avea ¸si efecte benefice. Aceste efecte se folosesc laˆımbunˇatˇat ¸irea stabilitˇat ¸ii
amplificatoarelor cu etaje multiple (discut ¸ie mai detaliatˇa la structuri de
AO).
Utilizarea structurilor cascodˇa mˇare¸ste rezistent ¸a de ie¸sire a amplificatorului.
Adit ¸ional, tranzistorul M
1
va vedea ˆın drena sa o rezistent ¸ˇa de valoare apro-
ximativ egalˇa cu 1/g
m2
¸si astfel cˆa¸stigul lui va scˇadea fat ¸ˇa de amplificatorul
cu sarcinˇa sursˇa de curent. Drept urmare, capacitatea reflectatˇa la intrare prin
efect Miller va fi mai redusˇa. Acest lucru ˆınseamnˇa cˇa structura cascodˇa
permite reducerea consecint ¸elor efectului Miller pe tranzistorul de intrare.
Structura amplificatorului cascodˇa este datˇa ˆın Figura 5.16.a.
Punctul static de funct ¸ionare
108 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
Punctul static de funct ¸ionare al amplificatorului cascodˇa cu sarcinˇa sursˇa de
curent se obt ¸ine prin intersectarea caracteristicilor de ie¸sire ale tranzistorului
M
3
¸si a sursei de curent cascodˇa M
1
-M
2
ca ˆın Figura 5.16.b.
M1
M3
M2


V
DD
v
in
v
out
V
G3
V
G2

a) b)
PSF
V
out
V
DD
M+ M
1 2
M+ M
1 2
liniar
M
3
M
2
liniar
I
Figura 5.16: Amplificatorul cascodˇa
Cele douˇa coturi ale caracteristicii de ie¸sire a sursei cascodˇa corespund tensiu-
nilor la care tranzistorul M
2
¸si apoi M
1
intrˇa ˆın regim liniar. Aceste aspecte au
fost discutate detaliat ˆın paragraful cu surse de curent.
Domeniul de variat ¸ie a tensiunii de ie¸sire
Valorile extreme ale tensiunii instantanee la ie¸sire trebuie sˇa permitˇa ment ¸ine-
rea tuturor tranzistoarelor ˆın regim saturat, chiar dacˇa semnalul ˆı¸si atinge
valorile maxime pozitive ¸si negative.
Limita superioarˇa a domeniului admis pentru tensiunea de ie¸sire este determi-
natˇa de tensiunea sursˇa-drenˇa minimˇa a tranzistorului M
3
.
V
outMAX
= V
DD
−V
od3
−v
max
(5.14)
Limita inferioarˇa a domeniului de variat ¸ie se obt ¸ine similar, impunˆand condit ¸ia
de saturat ¸ie pentru tranzistoarele M
1
¸si M
2
.
Doris Csipkes 109
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
V
outMIN
= V
od1
+V
od2
+v
max
(5.15)
Modelul de semnal mic ¸si joasˇa frecvent ¸ˇa
Schema de semnal mic se obt ¸ine prinˆınlocuirea fiecˇarui tranzistor cu modelul sˇau
de semnal mic. Tensiunile V
G2
¸si V
G3
nu depind de semnal ¸si devin conexiuni
la masˇa dupˇa pasivizarea schemei. Figura 5.17 aratˇa schema de semnal mic
rezultatˇa dupˇa pasivizare.

r
DS2
v
out
v
in g v
m1 GS1
r
DS1
g v
m2 GS2
r
DS3
Figura 5.17: Schema de semnal mic a amplificatorului cascodˇa cu sarcinˇa
sursˇa de curent
Observat ¸ie: la circuitele care cont ¸in surse de curent mai complicate (de ex.
cascodˇa) este util sˇa se construiascˇa schema echivalentˇa de semnal mic prin
ˆınlocuirea tranzistoarelor. Astfel, pot fi puse ˆın evident ¸ˇa aspectele legate
de etajele intermediare de amplificare.
ˆ
In cazul amplificatorului cascodˇa
tranzistorul M
2
reprezintˇa un etaj tampon de curent (grilˇa comunˇa).
Cˆa¸stigul de joasˇa frecvent ¸ˇa rezultˇa din teorema lui Kirchhoff pentru curent ¸i
¸si legea lui Ohm.
110 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
A
0
=
−g
m1
(g
DS2
+g
m2
+g
mb2
)
g
DS1
(g
DS2
+g
DS3
) +g
DS3
(g
DS2
+g
m2
+g
mb2
)
(5.16)
Dacˇa se considerˇa transconductant ¸a de semnal mic mult mai mare decˆat con-
ductant ¸a drenˇa-sursˇa ¸si transconductant ¸a sursˇa-substrat, A
0
se aproximeazˇa:
A
0

= −g
m1
r
DS3
= −g
m1
R
out
(5.17)
Se observˇa cˇa rezistent ¸a de ie¸sire a amplificatorului este aproximativ egalˇa cu
r
DS3
.
Comportamentul ˆın frecvent ¸ˇa
Figura 5.18 prezintˇa schema amplificatorului cascodˇa cu capacitˇat ¸ile parazite
explicitate.
M3
M1
M2


v
in
V
DD
v
out
C
1 p
2
C
3
rhz
p
1
v
G2
v
G3
C
2
Figura 5.18: Capacitˇat ¸ile parazite ˆın amplificatorul cascodˇa cu sarcinˇa
sursˇa de curent
Doris Csipkes 111
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
Diferent ¸a majorˇa dintre caracteristicile de frecvent ¸ˇa ale amplificatoarelor stu-
diate pˆanˇa acum ¸si ale amplificatorului cascodˇa este aparit ¸ia unui pol supli-
mentar (p
2
) datorat etajului ˆın grilˇa comunˇa. Frecvent ¸a acestui pol este
determinatˇa de capacitatea ¸si de rezistent ¸a echivalentˇa a nodului din drena
tranzistorului M
1
.
Schema echivalentˇa de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa este datˇa ˆın Figura 5.19.

r
DS2
v
out
v
in g v
m1 GS1
r
DS1
g v
m2 GS2
r
DS3
C
3
C
1
C
2
Figura 5.19: Schema echivalentˇa de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa ampli-
ficatorul cascodˇa
Funct ¸ia de transfer a circuitului rezultˇa:
A(s) =
A
0

1 −
sC
1
g
m1

s
2
a +sb + 1
(5.18)
Coeficient ¸ii lui s se identificˇa dupˇa cum urmeazˇa:

a =
C
3
(C
1
+C
2
)
g
DS1
(g
DS2
+g
DS3
) +g
DS3
(g
DS2
+g
m2
)
b =
C
3
(g
DS1
+g
DS2
+g
m2
) + (C
1
+C
2
) (g
DS2
+g
DS3
)
g
DS1
(g
DS2
+g
DS3
) +g
DS3
(g
DS2
+g
m2
)
(5.19)
112 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
Examinˆand ecuat ¸ia (5.18) se observˇa cˇa funct ¸ia de transfer a circuitului are
doi poli ¸si un zero pozitiv. Cˆa¸stigul de joasˇa frecvent ¸ˇa, frecvent ¸a polilor ¸si
frecvent ¸a zeroului se pot aproxima ca ˆın urmˇatoarele ecuat ¸ii:

A
0

= −g
m1
r
DS3
f
p1
=
1
2πb

=
1
2πR
out
C
3
f
p2
=
b
2πa

=
g
m2
2π (C
1
+C
2
)
f
z
=
g
m1
2πC
1
(5.20)
Diagramele Bode corespunzˇatoare circuitului sunt date ˆın Figura 5.20.






|A(s)|
f
A(s) Ð
f

10KHz 1.0MHz 100MHz 10GHz 1.0THz
0d
90d
-90d
-80
-40
0
40
f
p1
f
rhz
f
p2
Figura 5.20: Diagramele Bode corespunzˇatoare amplificatorului cascodˇa
Se observˇa cˇa frecvent ¸a polului dominant a rˇamas aproximativ neschimbatˇa fat ¸ˇa
de amplificatorul simplu cu sarcinˇa sursˇa de curent, ˆın timp ce cˆa¸stigul de joasˇa
Doris Csipkes 113
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
frecvent ¸ˇa a crescut u¸sor. Frecvent ¸a polului al doilea, introdus de etajul ˆın grilˇa
comunˇa este de ordinul GHz-lor.
Un dezavantaj al circuitului este acela cˇa structura de cascodˇa nu este simetricˇa.
Din acest motiv, beneficiul adus de cascodˇa rezistent ¸ei de ie¸sire se pierde. O
solut ¸ie la aceastˇa problemˇa este utilizarea unei structuri de cascodˇa p-n
simetrice raportat la nodul de ie¸sire.
5.5 Amplificatorul inversor cascodˇa simetricˇa
Amplificatorul cascodˇa simetricˇa pˇastreazˇa avantajul introdus de cascoda simplˇa
ˆın ceea ce prive¸ste reducerea consecint ¸elor efectului Miller pe tranzistorul de
intrare. Adit ¸ional, rezistent ¸a de ie¸sire este mˇaritˇa considerabil prin simetrizarea
structurii. Schema circuitului este datˇa ˆın Figura 5.21.
M2
M3
M4
M1


V
DD
v
in
v
out
V
G3
V
G2
V
G4
a) b)
PSF
V
out
V
DD
M + M
1 2
M + M
3 4
M + M
1 2
liniar
M + M
3 4
liniar
M
2
liniar
M
3
liniar
I
Figura 5.21: Amplificatorul inversor cu cascodˇa simetricˇa
Punctul static de funct ¸ionare
114 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
Punctul static de funct ¸ionare se gˇase¸ste la intersect ¸ia caracteristicilor de
ie¸sire ale celor douˇa surse de curent cascodˇa (M
1
-M
2
¸si M
3
-M
4
). Este de
remarcat faptul cˇa ambele caracteristici prezintˇa frˆanturile specifice introduse
de intrarea ˆın regim liniar a tranzistoarelor cascodˇa ¸si apoi ale tranzistoarelor
conectate la V
DD
respectiv V
SS
.
ˆ
In punctul static de funct ¸ionare curentul este
acela¸si prin toate cele patru tranzistoare.
Domeniul de variat ¸ie a tensiunii de ie¸sire
Valoarea instantanee a tensiunii de ie¸sire trebuie sˇa permitˇa ment ¸inerea ˆın
saturat ¸ie a tuturor tranzistoarelor. Limitele domeniului admis de variat ¸ie se
scriu similar ca la amplificatorul cascodˇa simplu:

V
outMAX
= V
DD
−V
od3
−V
od4
−v
max
V
outMIN
= V
od1
+V
od2
+v
max
(5.21)
Modelul de semnal mic ¸si joasˇa frecvent ¸ˇa

r
DS2
v
out
v
in g v
m1 GS1
r
DS1
g v
m2 GS2
r
DS4
r
DS3
g v
m3 GS3
Figura 5.22: Schema de semnal mic a amplificatorul inversor cu cascodˇa
simetricˇa
Modelul de semnal mic ¸si joasˇa frecvent ¸ˇa a amplificatorului cu cascodˇa simetricˇa
Doris Csipkes 115
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
(Figura 5.22) se construie¸ste ˆınlocuind tranzistoarele cu schemele echivalente.
Suplimentar, potent ¸ialele din grilele tuturor tranzistoarelor ˆın afarˇa de M
1
sunt
constante ¸si devin conexiuni la masˇa dupˇa pasivizare.
Teoremele lui Kirchhoff ¸si legea lui Ohm scrise pentru circuit duc la urmˇatoarea
expresie a cˆa¸stigului de joasˇa frecvent ¸ˇa:
A
0

= −g
m1
(g
m2
r
DS2
r
DS1
|| g
m3
r
DS3
r
DS4
) = −g
m1
R
out
(5.22)
Ordinul de mˇarime a rezistent ¸ei de ie¸sire este cel al MΩ-lor, considerabil mai
mare decˆat ˆın cazul amplificatorului cascodˇa simplu.
M2
M4
M3
M1


v
in
V
DD
v
out
C
1
p
2
C
3
rhz
p
1
v
G2
v
G4
C
2
v
G3
R
ech3-4
Figura 5.23: Capacitˇat ¸ile specifice amplificatorului cu cascodˇa simetricˇa
116 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
Comportamentul ˆın frecvent ¸ˇa
Comportamentul ˆın frecvent ¸ˇa al circuitului se determinˇa considerˆand capa-
citˇat ¸ile parazite ¸si rezistent ¸ele echivalente ale tuturor nodurilor din circuit.
Figura 5.23 prezintˇa schema amplificatorului cu capacitˇat ¸ile nodurilor explici-
tate.
Schema de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa a circuitului este datˇa ˆın Figura 5.24.

r
DS2
v
out
v
in gm1vGS1
rDS1
g v
m2 GS2
R
ech3-4
v
C
3
C
1
C
2
Figura 5.24: Schema de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa a amplificatorului
cu cascodˇa simetricˇa
Funct ¸ia de transfer a circuitului are aceea¸si formˇa ca ¸si ˆın cazul variantei cu
cascodˇa simplˇa, cont ¸inˆand un zero pozitiv ¸si doi poli.
A(s) =
A
0

1 −
s
ω
rhz

1 +
s
ω
p1

1 +
s
ω
p2
(5.23)
Frecvent ¸ele polilor ¸si a zeroului se scriu:
Doris Csipkes 117
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

A
0

= −g
m1
(g
m2
r
DS2
r
DS1
|| g
m3
r
DS3
r
DS4
)
f
p1

=
1
2πC
3
(g
m2
r
DS2
r
DS1
|| g
m3
r
DS3
r
DS4
)

=
1
2πR
out
C
3
f
p2

=
g
m2
2π (C
1
+C
2
)
f
z

=
g
m1
2πC
1
(5.24)
Diagramele Bode corespunzˇatoare sunt date ˆın Figura 5.25.


|A(s)|
f
A(s) Ð
f
10KHz 1.0MHz 100MHz 10GHz 1.0THz
0d
90d
-90d
180d
-80
-40
0
40
f
p1
f
rhz
f
p2
Figura 5.25: Raspunsul ˆın frecvent ¸ˇa al amplificatorului cu cascodˇa sime-
tricˇa
Din figurˇa se observˇa cˇa polii ¸si zeroul pozitiv duc la un comportament ˆın
frecvent ¸ˇa similar cu cel al amplificatorului cascodˇa simplˇa. Diferent ¸a principalˇa
constˇaˆın cre¸sterea cˆa¸stigului datoritˇa rezistent ¸ei mˇarite de ie¸sire ¸si deplasarea
polului dominant la frecvent ¸e mai joase.
118 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
5.6 Amplificatorul inversor cascodˇa pliatˇa
Dezavantajul amplificatorului cu structuri p ¸si n simetrice este cˇa ˆın tehnologi-
ile cu tensiuni de alimentare joase tranzistoarele sunt dificil de polarizat ˆın
saturat ¸ie (insuficient V
DS
). Solut ¸ia este plierea structurii cascodˇa pentru a
reduce numˇarul de tranzistoare dintre cele douˇa conexiuni de alimentare. Cas-
codarea este fˇacutˇa cu un tranzistor PMOS care serve¸ste ca ¸si cascodˇa atˆat
pentru tranzistorul de intrare cˆat ¸si pentru cel de sarcinˇa.
Schema amplificatorului inversor cascodˇa pliatˇa este datˇa ˆın Figura 5.26.
M1
M3
M4
M2


V
DD
v
in
v
out
V
G2
V
G3
v
G4
Figura 5.26: Amplificatorul inversor cascodˇa pliatˇa
Punctul static de funct ¸ionare
Punctul static de funct ¸ionare este mai dificil de reprezentat ˆın mod grafic deoa-
rece curentul furnizat de tranzistorul M
4
se divide ˆıntre douˇa ramuri de cir-
cuit. La dimensionarea tranzistoarelor trebuie t ¸inut cont de valoare curentului
prin fiecare dispozitiv ˆın parte.
Domeniul de variat ¸ie a tensiunii de ie¸sire
Limitele domeniului de variat ¸ie a tensiunii de ie¸sire se determinˇa dupˇa acela¸si
Doris Csipkes 119
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
rat ¸ionament ca ˆın paragrafele precedente. Pentru o funct ¸ionare corectˇa toate
tranzistoarele trebuie ment ¸inute ˆın regim saturat, chiar ¸si ˆın prezent ¸a sem-
nalului. Rezultˇa:

V
outMAX
= V
DD
−V
od2
−V
od4
−v
max
V
outMIN
= V
od3
+v
max
(5.25)
Similar, tensiunea ˆın nodul de pliere este ¸si ea limitatˇa. Din condit ¸iile de
saturat ¸ie ale tranzistoarelor se obt ¸ine:

V
nod−pliereMAX
= V
DD
−V
od4
−v
max
V
nod−pliereMIN
= V
od2
+V
od3
+v
max
(5.26)
Observat ¸ie:
ˆ
In cazul ˆın care alimentarea este simetricˇa ˆıntre V
DD
¸si V
SS
,
limitele inferioare ale domeniilor de variat ¸ie corespunzˇatoare celor douˇa ten-
siuni se raporteazˇa la V
SS
.
Modelul de semnal mic ¸si joasˇa frecvent ¸ˇa
Schema echivalentˇa de semnal mic ¸si joasˇa frecvent ¸ˇa a amplificatorului inversor
cascodˇa pliatˇa este datˇa ˆın Figura 5.27.
Observat ¸ie: Sursele de curent comandateˆın tensiune corespunzˇatoare tran-
zistoarelor M
3
¸si M
4
se pot elimina din model deoarece atˆat grilele cˆat ¸si
sursele sunt conectate la potent ¸iale constante. Astfel ˆın schema de semnal
mic tensiunile grilˇa-sursˇa sunt egale cu zero dupˇa pasivizare.
Cˆa¸stigul de joasˇa frecvent ¸ˇa ¸si rezistent ¸a de ie¸sire rezultˇa:

A
0
= −g
m1
R
out
R
out

= r
DS3
|| [g
m2
r
DS2
(r
DS1
|| r
DS4
)]
(5.27)
120 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
Rezistent ¸a de ie¸sire se poate aproxima cu r
DS3
, similar ca ¸si ˆın cazul amplifica-
torului cu cascodˇa simplˇa.

r
DS4
v
out
v
in g v
m1 GS1 r
DS1
g v
m2 GS2
r
DS2
r
DS3
Figura 5.27: Modelul echivalent de semnal mic ¸si joasˇa frecvent ¸ˇa al am-
plificatorului inversor cascodˇa pliatˇa
Comportamentul ˆın frecvent ¸ˇa
Comportamentul ˆın frecvent ¸ˇa al amplificatorului cascodˇa pliatˇa este similar cu
cel al amplificatorului cascodˇa asimetricˇa. Schema circuitului cu capacitˇat ¸ile
parazite explicitate este datˇa ˆın Figura 5.28.
Schema de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa corespunzˇatoare este datˇa ˆın Figura
5.29.
Funct ¸ia de transfer a circuitului cont ¸ine doi poli ¸si un zero pozitiv, scriindu-se
sub forma:
A(s) =
A
0

1 −
s
ω
rhz

1 +
s
ω
p1

1 +
s
ω
p2
(5.28)
Doris Csipkes 121
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
M1
M4
M2
M3


v
in
V
DD
v
out
C
1
p
2
C
3
rhz
p
1
v
G2
v
G4
C
2
v
G3
Figura 5.28: Capacitˇat ¸ile parazite din structura amplificatorului cascodˇa
pliatˇa

r
DS4
v
out
v
in g v
m1 GS1
r
DS1
g v
m2 GS2
r
DS2
r
DS3
C
3
C
1
C
2
Figura 5.29: Modelul echivalent de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa al am-
plificatorului inversor cascodˇa pliatˇa
122 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
Frecvent ¸ele polilor ¸si a zeroului se calculeazˇa din schema de semnal mic ¸si ˆınaltˇa
frecvent ¸ˇa. Dupˇa efectuarea calculelor rezultˇa:

R
out

= r
DS3
|| [g
m2
r
DS2
(r
DS1
|| r
DS4
)]
f
p1

=
1
2πR
out
C
3
f
p2

=
g
m2
2π (C
1
+C
2
)
f
z

=
g
m1
2πC
1
(5.29)
Ordinele de mˇarime ale frecvent ¸elor sunt foarte similare cu cele obt ¸inute pentru
amplificatorul cascodˇa simplu. Asemˇanarea se observˇa ¸si pe diagramele Bode
din Figura 5.30.


f
f
|A(s)|
A(s) Ð
f
p1
f
rhz
10KHz 1.0MHz 100MHz 10GHz 1.0THz
0d
90d
-90d
-80
-40
0
f
p2
Figura 5.30: Caracteristicile de frecvent ¸ˇa simulate ale amplificatorului
cascodˇa pliatˇa
Doris Csipkes 123
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE
5.7 Sumar
ˆ
In acest capitol s-au prezentat principalele configurat ¸ii de amplificatoare simple.
Aceste circuite stau la baza oricˇarei structuri mai complicate ale unui ampli-
ficator, fie acesta un amplificator diferent ¸ial sau un amplificator operat ¸ional
complet.
Caracteristicile specifice fiecˇarui etaj de amplificare, discutate ˆın acest paragraf,
sunt punctul static de funct ¸ionare, domeniul de variat ¸ie a tensiunii de ie¸sire,
modelul de semnal mic ¸si comportamentul ˆın frecvent ¸ˇa. Aceste caracteristici
determinˇa performant ¸ele unui amplificator ˆın cazul ˆın care semnalul este sufi-
cient de mic pentru a se putea considera o funct ¸ionare liniarˇa.
Bibliografie:
1. Lelia Fe¸stilˇa - Circuite integrate analogice II, Casa Cˇart ¸ii de S¸tiint ¸ˇa, 1999;
2. Doris Csipkes, Gabor Csipkes - Fundamental analog circuits. Practical
simulation exercises, UTPres, 2004;
3. P.E. Allen, D. Holberg - CMOS analog circuit design, Oxford University
Press, 1987
4. A. Manolescu - Analog Integrated Circuits, editura Foton International,
1999.
5. J-T. Wu - Multiple-Transistor Gain Stages - Lecture Notes, National
Chiao-Tung University, Taiwan, 2002
124 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Capitolul 6
Amplificatoare diferent ¸iale
6.1 Introducere
Amplificatoarele diferent ¸iale sunt circuite care, spre deosebire de amplificatoa-
rele simple, au un semnal de intrare diferent ¸ial. Acest semnal se exprimˇa ca
o diferent ¸ˇa de potent ¸ial dintre douˇa noduri flotante (fiecare nod este la rˆandul
lui raportat la masˇa). Adesea semnalul diferent ¸ial util este suprapus peste un
semnal de mod comun. Modul de aplicare a semnalului de intrare unui etaj
diferent ¸ial este ilustrat ˆın Figura 6.1.
2
v
in
+
in
v
ip
v
ip
v
im
v
im
v
MC
V
2
v
in
-
MC
V
Figura 6.1: Semnalul de intrare diferent ¸ial ¸si tensiunea de mod comun
A doua reprezentare permite utilizarea semicircuitelor ˆın analiza amplificatoare-
lor diferent ¸iale. Aceastˇa abordare este foarte des utilizatˇa la calculele efectuate
pe baza modelului de semnal mic.
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENT¸ IALE
Expresia semnalului de intrare este:
V
in
= v
ip
−v
im
+V
MCin
= v
in
+V
MCin
(6.1)
Observat ¸ie: tensiunea de mod comun afecteazˇa ˆın mod identic ambele
intrˇari. Ea serve¸ste la polarizarea corectˇa a tranzistoarelor de intrare.
ˆ
In paragrafele urmˇatoare sunt prezentate cˆateva amplificatoare diferent ¸iale folo-
site ˆın proiectarea circuitelor analogice mai complicate (de ex. la amplificatoare
operat ¸ionale). Pentru fiecare structurˇa se vor discuta domeniile de variat ¸ie ale
tensiunilor de intrare ¸si ie¸sire, modelul de semnal mic ¸si comportamentul ˆın
frecvent ¸ˇa.
6.2 Amplificatorul diferent ¸ial cu sarcinˇa rezistivˇa
Cea mai simplˇa variantˇa de amplificator diferent ¸ial este cea cu sarcinˇa rezistivˇa.
Schema circuitului este datˇa ˆın Figura 6.2.
M1
M3
M2

V
DD
V
biasn
VX
R
D
R
D
V
SS
2
v
in
+
2
v
in
-
2
v
out
+
2
v
out
-
Figura 6.2: Amplificatorul diferent ¸ial cu sarcinˇa rezistivˇa
126 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENT¸ IALE
Domeniul de variat ¸ie a tensiunii de intrare
Tensiunea instantanee la intrˇarile amplificatorului diferent ¸ial trebuie sˇa permitˇa
polarizarea corectˇa (ˆın regim saturat) a tranzistoarelor de intrare M
1
-M
2
¸si a
sursei de curent M
3
.
Aparent s-ar putea afirma cˇa cel mai defavorabil caz pentru tranzistoarele de
intrare ¸si M
3
este atunci cˆand semnalul la una dintre intrˇari ˆı¸si atinge valoarea
maximˇa negativˇa fat ¸ˇa de tensiunea de mod comun.
ˆ
In acest caz s-ar putea
scrie urmˇatoarea ecuat ¸ie:
V
MCin−MIN

v
in
2
= V
od1,2
+V
Th1,2
+V
x−MIN
(6.2)
Tensiunile V
od1
¸si V
od2
sunt stabilite prin polarizare ¸si se considerˇa constante.
Ecuat ¸ia (6.2) exprimˇa cazul cel mai defavorabil numai dacˇa vˆarful de semnal
negativ cauzeazˇa scˇaderea tensiunii V
x
¸si intrarea ˆın regim liniar a tranzistorului
M
3
. Aici se pot pune douˇa ˆıntrebˇari:
- ce efect are cealaltˇa ramurˇa asupra tensiunii V
x
?
- cum afecteazˇa semnalul de intrare tensiunea V
x
dacˇa se considerˇa
¸si efectul celeilalte ramuri?
La primaˆıntrebare se poate rˇaspunde considerˆand perechea ecuat ¸iei (6.2), scrisˇa
pentru cealaltˇa ramurˇa a etajului diferent ¸ial:
V
MCin−MIN
+
v
in
2
= V
od1,2
+V
Th1,2
+V
x−MIN
(6.3)
Din comparat ¸ia celor douˇa ecuat ¸ii se observˇa cˇa cealaltˇa ramurˇa, unde sem-
nalul ˆı¸si atinge valoarea maximˇa pozitivˇa, compenseazˇa scˇaderea tensiunii
V
x
. Rezultˇa rˇaspunsul la a doua ˆıntrebare: tensiunea V
x
este independentˇa de
semnal.
Observat ¸ie: Deorece tensiunea V
x
nu depinde de semnal, nodul X, comun
celor douˇa tranzistoare M
1
¸si M
2
, este un nod de masˇa virtualˇa.
Doris Csipkes 127
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENT¸ IALE
Dacˇa V
x
este constantˇa, punctele statice de funct ¸ionare ale tranzistoarelor nu
depind de semnalul de intrare, ci numai de tensiunea de mod comun V
MCin
(adicˇa de polarizare). Astfel alegerea domeniului de variat ¸ie a tensiunii de intrare
se reduce la determinarea intervalului de valori admise pentru tensiunea de mod
comun V
MCin
pentru care toate tranzistoarele sunt saturate.
Tensiunea de mod comun minimˇa este:
V
MCin−MIN
= V
od1,2
+V
Th1,2
+V
od3
(6.4)
Domeniul de variat ¸ie a tensiunii de ie¸sire
Tensiunea maximˇa admisˇa la ie¸sire se calculeazˇa t ¸inˆand seama de cˇaderea
de tensiune pe rezistent ¸a de sarcinˇa ¸si de variat ¸ia maximˇa a semnalului.
V
out−MAX
= V
DD
−V
R
−v
max
(6.5)
Rezistent ¸a de sarcinˇa nu impune o cˇadere de tensiune minimˇa. Totu¸si, trebuie
t ¸inut cont de faptul cˇa tensiunea la ie¸sire polarizeazˇa intrarea urmˇatorului
etaj ˆıntr-o cascadˇa de amplificatoare. V
R
se alege astfel ˆıncˆat tranzistoarele de
intrare ale etajului urmˇator sˇa poatˇa fi corect polarizat ˆın regim saturat.
Tensiunea minimˇa la ie¸sire trebuie sˇa asigure polarizarea tranzistoarelor de
intrare M
1
¸si M
2
ˆın regim saturat. Rezultˇa:
V
out−MIN
= V
x
+V
od1,2
+v
max
(6.6)
Observat ¸ie: Existˇa un echilibru strict ˆıntre tensiunea de mod comun la
intrare V
MCin
¸si tensiunea de mod comun la ie¸sire V
MCout
. Legˇatura dintre
cele douˇa tensiuni este potent ¸ialul mesei virtuale V
x
.
Modelul de semnal mic ¸si joasˇa frecvent ¸ˇa
Modelul de semnal mic ¸si joasˇa frecvent ¸ˇa al amplificatorului diferent ¸ial cu sarcinˇa
rezistivˇa este dat ˆın Figura 6.3.
128 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENT¸ IALE

g v
m1 GS1
g v
m2 GS2
R
D
r
DS1
R
D
r
DS2
2
v
in
+
2
v
in
-
2
v
out
-
2
v
out
+
Figura 6.3: Modelul de semnal mic ¸si joasˇa frecvent ¸ˇa al amplificatorului
diferent ¸ial cu sarcinˇa rezistivˇa
Observat ¸ie: Tranzistorul M
3
lipse¸ste complet din modelul de semnal mic
deoarece prin pasivizare drena ¸si sursa sunt ambele conectate la masˇa (scurt
circuit ˆıntre V
SS
¸si masa virtualˇa).
Cˆa¸stigul de joasˇa frecvent ¸ˇa ¸si rezistent ¸a de ie¸sire se obt ¸in rezolvˆand urmˇatorul
sistem de ecuat ¸ii:

g
m1
v
GS1

1
r
DS1
·
v
out
2

1
R
D
·
v
out
2
= 0
g
m2
v
GS2
+
1
r
DS2
·
v
out
2
+
1
R
D
·
v
out
2
= 0
(6.7)
Adit ¸ional, se t ¸ine cont de modul de aplicare a semnalului de intrare diferent ¸ial
¸si de urmˇatoarele egalitˇat ¸i:
v
GS1
=
v
in
2
; v
GS2
= −
v
in
2
(6.8)
Cˆa¸stigul de joasˇa frecvent ¸ˇa rezultˇa dupˇa efectuarea calculelor:
A
0
=
v
out
v
in
=
g
m1
+g
m2
1
r
DS1
+
1
r
DS2
+
2
R
D
(6.9)
Dacˇa se considerˇa tranzistoarele de intrare ¸si rezistent ¸ele de sarcinˇa identice ¸si
perfect ˆımperecheate, atunci g
m1
= g
m2
¸si r
DS1
= r
DS2
, iar A
0
devine:
Doris Csipkes 129
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENT¸ IALE
A
0
=
g
m1
1
r
DS1
+
1
R
D
= g
m1
(r
DS1
|| R
D
) = g
m1
R
out
(6.10)
S¸tiind cˇa rezistent ¸ele de sarcinˇa R
D
au valoarea maximˇa limitatˇa din conside-
rente de zgomot, aria ocupatˇa pe silicu ¸si polarizare, ele vor fi ˆın majoritatea
cazurilor cu cel put ¸in un ordin de mˇarime mai mici decˆat rezistent ¸a r
DS
a unui
tranzistor MOS. Astfel cˆa¸stigul de joasˇa frecvent ¸ˇa se aproximeazˇa:
A
0

= g
m1
R
D
(6.11)
Observat ¸ie: Din expresia cˆa¸stigului de joasˇa frecvent ¸ˇa se observˇa cˇa
transconductant ¸a etajului diferent ¸ial este jumˇatate din transconductant ¸a
unui tranzistor de intrare g
m1
, iar rezistent ¸a de sarcinˇa diferent ¸ialˇa este de
douˇa ori rezistent ¸a R
D
.
Comportamentul ˆın frecvent ¸ˇa
M1
M3
M2

2
v
out
+


V
DD
V
biasn
R
D
R
D
V
SS
p
rhz
p
rhz
C
1 C
3
C
2
M1 M2
C
4
2
v
in
+
2
v
in
-
2
v
out
-
Figura 6.4: Amplificatorul diferent ¸ial cu sarcinˇa rezistivˇa ¸si capacitˇat ¸ile
parazite
130 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENT¸ IALE
Schema amplificatorului diferent ¸ial cu sarcinˇa rezistivˇa, avˆand capacitˇat ¸ile pa-
razite utilizate la determinarea comportamentului ˆın frecvent ¸ˇa explicitate este
datˇaˆın Figura 6.4. Din figurˇa se observˇa cˇa funct ¸ia de transfer a amplificatorului
va avea un singur pol ¸si un zero pozitiv, datorat efectului Miller pe tranzistoa-
rele de intrare. Suplimentar, dacˇa rezistent ¸a de ie¸sire a sursei de semnal este
diferitˇa de zero, atunci funct ¸ia de transfer se va extinde cu un pol determinat
de capacitˇat ¸ile C
GD
reflectate la intrare prin efect Miller.
Schema de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa a circuitului este datˇa ˆın Figura 6.5.

g v
m1 GS1
g v
m2 GS2
R
D
r
DS1 R
D
r
DS2
C
3
C
4
C
1
C
2
2
v
in
+
2
v
in
-
2
v
out
-
2
v
out
+
Figura 6.5: Schema de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa
Teoremele lui Kirchhoff ¸si legea lui Ohm duc la urmˇatoarea expresie a funct ¸iei
de transfer ˆın s:
A(s) =
g
m1
+g
m2
1
r
DS1
+
1
r
DS2
+
2
R
D
·

1 −
s (C
1
+C
2
)
g
m1
+g
m2

1 +s
C
1
+C
2
+C
3
+C
4
1
r
DS1
+
1
r
DS2
+
2
R
D
(6.12)
Identificˆand cˆa¸stigul de joasˇa frecvent ¸ˇa din ecuat ¸ia (6.9) ¸si considerˆand din nou
tranzistoarele ¸si rezistent ¸ele de sarcinˇa identice, rezultˇa:
A(s) =
A
0
·

1 −
sC
1
g
m1

1 +s
C
1
+C
3
1
r
DS1
+
1
R
D
=
A
0
·

1 −
sC
1
g
m1

1 +s (C
1
+C
3
) (r
DS1
|| R
D
)
(6.13)
Doris Csipkes 131
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENT¸ IALE
Funct ¸ia de transfer de mai sus se poate scrie sub forma generalˇa dupˇa cum
urmeazˇa:
A(s) =
A
0

1 −
s
ω
rhz

1 +
s
ω
p
(6.14)
Identificˆand coeficient ¸ii termenilor ˆın s din ecuat ¸iile (6.13) ¸si (6.14) se obt ¸in
frecvent ¸ele polului ¸si a zeroului.

f
p
=
1
2πR
out
(C
1
+C
3
)
f
rhz
=
g
m1
2πC
1
(6.15)
Caracteristicile de amplitudine ¸si fazˇa ale amplificatorului sunt date ˆın Figura
6.6.




f
f
f
rhz
|A(s)|
f
p

A(s) Ð

10KHz 1.0MHz 100MHz 10GHz 1.0THz
-135d
-90d
-45d
0d
0
10
20
Figura 6.6: Caracteristica de amplitudine ¸si fazˇa a amplificatorului
132 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENT¸ IALE
6.3 Amplificatorul diferent ¸ial MOS cu sarcinˇa
oglindˇa de curent
ˆ
In Figura 6.7 este prezentatˇa schema amplificatorului diferent ¸ial cu sarcinˇa
oglindˇa de curent. Tranzistoarele de intrare M
1
-M
2
sunt cu canal n, iar cele
de sarcinˇa M
3
-M
4
cu canal p. Ie¸sirea este asimetricˇa ¸si se culege din drena
tranzistorului M
2
.
M5
M4 M3
M2 M1

V
DD
v
out
V
biasn
V
SS
2
v
in
+
2
v
in
-
Figura 6.7: Schema amplificatorului diferent ¸ial cu sarcinˇa oglindˇa de cu-
rent
Domeniul de variat ¸ie a tensiunii de ie¸sire
Tensiunea maximˇa admisˇa la ie¸sirea circuitului se calculeazˇa astfel ˆıncˆat
tranzistorul de sarcinˇa M
4
sˇa fie saturat ¸si ˆın plus se t ¸ine cont de variat ¸ia
maximˇa a semnalului de ie¸sire. Prin urmare, V
out−MAX
va avea expresia:
V
outMAX
= V
DD
−V
od4
−v
max
(6.16)
Tensiunea minimˇa admisˇa la ie¸sire trebuie sˇa asigure funct ¸ionarea ˆın regim
saturat a tranzistoarelor de intrare M
1
-M
2
¸si a lui M
5
care implementeazˇa sursa
de curent.
Doris Csipkes 133
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENT¸ IALE
v
out−MIN
= V
od1,2
+v
od5
+v
max
(6.17)
Modelul de semnal mic ¸si joasˇa frecvent ¸ˇa
Modelul echivalent de semnal mic ¸si joasˇa frecvent ¸ˇa este prezentat ˆın Figura
6.8 ¸si include doar rezistent ¸ele echivalente nu ¸si capacitˇat ¸i.


g v
m4 GS4
g v
m1 GS1
g v
m2 GS2
r
DS3
r
DS1
r
DS2
2
v
in
+
2
v
in
-
g
m3
1
v
out
r
DS4
Figura 6.8: Modelul echivalent de semnal mic ¸si joasˇa frecvent ¸ˇa a circui-
tului
Determinarea cˆa¸stigului de semnal mic ¸si joasˇa frecvent ¸ˇa necesitˇa scrierea teo-
remei lui Kirchhoff pentru curent ¸i ˆın nodul intermediar din drena tranzistorului
M
1
¸si ˆın nodul de ie¸sire.

g
m1
v
GS1
+g
DS1
v +g
DS3
v +g
m3
v = 0
g
m2
v
GS2
+g
DS2
v
out
+g
m4
v
GS4
+g
DS4
v
out
= 0
(6.18)
Din inspect ¸ia circuitului din Figura 6.7 rezultˇa urmˇatoarele identitˇat ¸i:
v
GS1
=
v
in
2
; v
GS2
= −
v
in
2
; v
GS4
= v (6.19)
134 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENT¸ IALE
ˆ
Inlocuind tensiunile grilˇa-sursˇa din sistemul (6.18) cu aceste expresii ¸si apoi
eliminˆand tensiunea v din cele douˇa ecuat ¸ii, se obt ¸ine cˆa¸stigul circuitului:
A
0
=
v
out
v
in
=
g
m2
(g
DS1
+g
DS3
+g
m3
) +g
m1
g
m4
2 (g
DS2
+g
DS4
)
(6.20)
T¸inˆand cont de faptul cˇa tranzistoarele de intrare sunt identice, la fel ¸si cele de
sarcinˇa, se pot scrie egalitˇat ¸ile:
g
m1
= g
m2
, g
m3
= g
m4
(6.21)
Astfel, cˆa¸stigul amplificatorului devine:
A
0
=
g
m1
(g
DS1
+g
DS3
+ 2g
m3
)
2 (g
DS2
+g
DS4
) (g
DS1
+g
DS3
+g
m3
)
(6.22)
S¸tiind cˇa transconductant ¸a unui tranzistor MOS este mult mai mare decˆat
conductant ¸a sa drenˇa-sursˇa, cˆa¸stigul de joasˇa frecvent ¸ˇa se poate scrie sub o
forma simplificatˇa, dupˇa cum urmeazˇa:
A
0
=
g
m1
g
DS2
+g
DS4
= g
m1
(r
DS2
|| r
DS4
) (6.23)
Observat ¸ie: Din expresia cˆa¸stigului de joasˇa frecvent ¸ˇa se observˇa cˇa
transconductant ¸a etajului diferent ¸ial este de fapt cˆat transconductant ¸a unui
tranzistor de intrare, iar rezistent ¸a de sarcinˇa este egalˇa cu rezistent ¸ele
drenˇa-sursˇa a tranzistoarelor cu canal n ¸si p conectate ˆın paralel.
Comportamentul ˆın frecvent ¸ˇa
ˆ
In Figura 6.9 este datˇa schema amplificatorului diferent ¸ial cu sarcinˇa oglindˇa de
curent avˆand desenate capacitˇat ¸ile parazite ale tranzistoarelor.
Modelul echivalent de semnal mic folosit la analiza de frecvent ¸ˇa este dat ˆın
Figura 6.10.
Doris Csipkes 135
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENT¸ IALE
M5
M4 M3
M2 M1



V
DD
V
biasn
C
1
C
3
C
4
V
SS
p
2
rhz
C
2
lhz v
out
p
1
rhz

2
v
in
+
2
v
in
-
Figura 6.9: Schema amplificatorului cu capacitˇat ¸ile sale parazite

2
v
in
-

g v
m4 GS4
g v
m1 GS1
g v
m2 GS2
r
DS3
r
DS4
r
DS1
r
DS2
C
3
C
1
C
2
C
4
2
v
in
+
v
out
g
m3
1
Figura 6.10: Modelul echivalent de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa
136 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENT¸ IALE
Comportamentul ˆın frecvent ¸ˇa al circuitului se determinˇa scriind teorema lui
Kirchhoff pentru curent ¸i ˆın nodul intermediar din drena tranzistorului M
1
¸si
ˆın nodul de ie¸sire. Dupˇa efectuarea calculelor ¸si t ¸inˆand seama de expresiile
tensiunilor grilˇa-sursˇa date ˆın (6.19) se obt ¸ine funct ¸ia de transfer a circuitului:
A(s) =
g
m2

1 −s
C
2
g
m2

(g
DS1
+g
DS3
+g
m3
+sC
1
+sC
3
)
2 (g
DS1
+g
DS3
+g
m3
) (g
DS2
+g
DS4
) (as
2
+bs + 1)
+
+
g
m1

1 −s
C
1
g
m1

g
m4
2 (g
DS1
+g
DS3
+g
m3
) (g
DS2
+g
DS4
) (as
2
+bs + 1)
(6.24)
unde coeficient ¸ii a ¸si b au expresiile de mai jos:

a =
(C
1
+C
3
) (C
2
+C
4
)
(g
DS1
+g
DS3
+g
m3
) (g
DS2
+g
DS4
)
b =
(C
2
+C
4
) (g
DS1
+g
DS3
+g
m3
) + (C
1
+C
3
) (g
DS2
+g
DS4
)
(g
DS1
+g
DS3
+g
m3
) (g
DS2
+g
DS4
)
(6.25)
Deoarece structura circuitului este simetricˇa sunt valabile urmˇatoarele egalitˇat ¸i:
g
m1
= g
m2
, g
m3
= g
m4
, C
1
= C
2
(6.26)
Folosind aceste egalitˇat ¸i ¸si identificˆand termenii care constituie cˆa¸stigul de joasˇa
frecvent ¸ˇa, funct ¸ia de transfer din (6.24) se poate rescrie dupˇa cum urmeazˇa:
A(s) =
A
0

1 −s
C
1
g
m1

1 +s
C
1
+C
3
g
DS1
+g
DS3
+ 2g
m3

as
2
+bs + 1
(6.27)
Din analiza lui A(s) se observˇa cˇa aceasta are doi poli ¸si douˇa zerouri. Expresia
generalˇa a unei funct ¸ii de transfer cu doi poli ¸si douˇa zerouri este datˇaˆın (6.28).
Doris Csipkes 137
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENT¸ IALE
A(s) =
A
0

1 −
s
ω
rhz

1 +
s
ω
lhz

1 +
s
ω
p1

1 +
s
ω
p2
(6.28)
Polii funct ¸iei de transfer rezultˇa prin identificarea coeficient ¸ilor ˆın s a polinoa-
melor de la numitorul expresiilor date ˆın (6.27) ¸si (6.28). Astfel vom avea:
f
p1
=
1
2πb
, f
p2
=
b
2πa
(6.29)
ˆ
In relat ¸iile lui a ¸si b date ˆın (6.25) se considerˇa conductant ¸a drenˇa-sursˇa a tran-
zistoarelor mult mai mare decˆat transconductant ¸a lor. Astfel rezultˇa expresiile
simplificate ale polilor:

f
p1

=
g
DS2
+g
DS4
2π (C
2
+C
4
)
=
1
2π (C
2
+C
4
) R
out
f
p2

=
g
m3
2π (C
1
+C
3
)
(6.30)
Se observˇa cˇa polul dominat este introdus de nodul de ie¸sire, iar polul de ˆınaltˇa
frecvent ¸ˇa de nodul intermediar din drena tranzistorului M
1
.
Expresiile zerourilor se obt ¸in prin identificarea coeficient ¸ilor termenilor ˆın s de
la numˇarˇatorul expresiilor (6.27) ¸si (6.28). Este u¸sor de remarcat faptul cˇa
zeroul pozitiv este introdus de calea directˇa de semnal de la intrare la ie¸sire prin
capacitˇat ¸ile C
1
¸si C
2
. Zeroul negativ provine de la oglinda de curent M
3
-M
4
.

f
rhz
=
g
m1
2πC
1
f
lhz
=
g
DS1
+g
DS3
+ 2g
m3
2π (C
1
+C
3
)

=
2g
m3
2π (C
1
+C
3
)
(6.31)
ˆ
In Figura 6.11 este prezentatˇa caracteristica de amplitudine ¸si fazˇa a amplifica-
torului diferent ¸ial discutat.
138 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENT¸ IALE
f
p1
|A(s)|
f
f
f
lhz
A(s) Ð
f
p2
f
rhz
10KHz 1.0MHz 100MHz 10GHz 1.0THz
-135d
-90d
-45d
0d
-40
-20
-0
20
-60
Figura 6.11: Caracteristica de amplitudine ¸si fazˇa a circuitului
Din analiza caracteristicilor se poate observa prezent ¸a celor doi poli negativi, a
unui zero pozitiv ¸si a unui zero negativ, dupˇa cum am obt ¸inut ¸si din calculul
teoretic. Mai mult, se poate specifica ordinea ˆın care sunt situate ˆın frecvent ¸ˇa
singularitˇat ¸ile. Primul pol este polul dominat datorat nodului de ie¸sire a circui-
tului. Apoi urmeazˇa polul dat de nodul intermediar din grilele tranzistoarelor
care formeazˇa oglinda de curent ¸si la frecvent ¸ˇa apropiatˇa zeroul dat de acela¸si
nod intermediar. Faptul cˇa aceste singularitˇat ¸i sunt apropiate ˆın frecvent ¸ˇa se
poate dovedi ¸si teoretic analizˆand ecuat ¸iile (6.30) ¸si (6.31). Ultimul este zeroul
datorat cˇaii directe de semnal de la intrare la ie¸sire prin capacitatea grilˇa-drenˇa
a tranzistoarelor de intrare.
6.4 Amplificatorul diferent ¸ial cu sarcinˇa surse de
curent
Schema amplificatorului diferent ¸ial cu sarcinˇa surse de curent este prezentatˇa
ˆın Figura 6.12. Tranzistoarele M
3
-M
4
constituie circuitul de sarcinˇa. Ie¸sirea se
culege diferent ¸ial din drena tranzistoarelor M
1
¸si M
2
.
Doris Csipkes 139
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENT¸ IALE
M1 M2
M5
M3 M4


V
DD
V
biasn
V
biasp

V
SS
2
v
out
+
2
v
in
+
2
v
in
-
2
v
out
-
Figura 6.12: Schema amplificatorului cu sarcinˇa surse de curent
Domeniul de variat ¸ie a tensiunii de ie¸sire
Tensiunea maximˇa admisˇa la ie¸sirea circuitului se calculeazˇa similar ca pentru
amplificatorul diferent ¸ial cu sarcinˇa oglindˇa de curent. Astfel v
outMAX
este de
forma:
V
outMAX
= V
DD
−V
od3
−v
max
(6.32)
Tensiunea minimˇa admisˇa la ie¸sire se scrie conform relat ¸iei:
v
outMIN
= V
od1
+V
od5
+v
max
(6.33)
Domeniul de variat ¸ie a tensiunii de ie¸sire
Schema echivalentˇa de semnal mic ¸si joasˇa frecvent ¸ˇa este prezentatˇa ˆın Fi-
gura 6.13. Fiecare tranzistor este modelat cu o sursˇa de curent comandatˇa de
tensiunea grilˇa-sursˇa a sa ˆın paralel cu rezistent ¸a drenˇa-sursˇa.
140 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENT¸ IALE

r
DS1

g v
m4 GS4
g v
m1 GS1
g v
m2 GS2
r
DS3
r
DS4
r
DS2
g v
m3 GS3
2
v
in
+
2
v
in
-
2
v
out
-
2
v
out
+
Figura 6.13: Modelul echivalent de semnal mic ¸si joasˇa frecvent ¸ˇa a circui-
tului
Calculul cˆa¸stigului de semnal mic ¸si joasˇa frecvent ¸ˇa se determinˇa scriind teorema
lui Kirchhoff pentru curent ¸i ˆın nodurile de ie¸sire, ca ˆın ecuat ¸iile (6.34).

g
m1
v
GS1

v
od
2
g
DS1

v
od
2
g
DS3
= 0
g
m2
v
GS2
+
v
od
2
g
DS2
+
v
od
2
g
DS4
= 0
(6.34)
Analizˆand schema din Figura 6.12 se pot exprima tensiunile grilˇa-sursˇa ale tran-
zistoarelor de intrare astfel:
v
GS1
=
v
in
2
; v
GS2
= −
v
in
2
(6.35)
ˆ
Inlocuind tensiunile grilˇa-sursˇa cu tensiunile de intrare corespunzˇatoare ˆın siste-
mul (6.34) ¸si scˇazˆand cele douˇa ecuat ¸ii, se obt ¸ine cˆa¸stigul de semnal mic:
A
0
=
v
out
v
in
=
g
m1
+g
m2
g
DS1
+g
DS2
+g
DS3
+g
DS4
(6.36)
Dacˇa se considerˇa tranzistoarele de intrare perfect ˆımperecheate, la fel ¸si cele
de sarcinˇa, se pot scrie identitˇat ¸ile:
Doris Csipkes 141
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENT¸ IALE
g
m1
= g
m2
, g
DS1
= g
DS2
, g
DS3
= g
DS4
(6.37)
Bazat pe aceste egalitˇat ¸i, expresia cˆa¸stigului de joasˇa frecvent ¸ˇa devine mai
simplˇa ¸si este datˇa ˆın ecuat ¸ia (6.38).
A
0
=
g
m1
g
DS1
+g
DS3
= g
m1
(r
DS1
|| r
DS3
) (6.38)
Observat ¸ie: Din expresia cˆa¸stigului de joasˇa frecvent ¸ˇa se observˇa cˇa
transconductant ¸a etajului diferent ¸ial este jumˇatate din transconductant ¸a
unui tranzistor de intrare g
m1
, iar rezistent ¸a de sarcinˇa diferent ¸ialˇa este du-
blul rezistent ¸ei rezultate prin conectarea ˆın paralel r
DS
a tranzistoarelor cu
canal n ¸si p.
Comportamentul ˆın frecvent ¸ˇa
In Figura 6.14 este datˇa schema cu parazit ¸i a amplificatorului diferent ¸ial cu
sarcinˇa surse de curent.
M3
M2
M4
M5
M1

2
v
in
-

V
DD
V
biasn
V
SS
p
1
rhz
V
biasp
p
1
rhz
C
1
C
3
C
2
C
4
2
v
in
+
2
v
out
+
2
v
out
-
Figura 6.14: Schema amplificatorului cu capacitatile sale parazite
142 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENT¸ IALE
Modelul echivalent de semnal mic folosit la analiza de frecvent ¸ˇa este dat ˆın
Figura 6.15.

2
v
in
-

g v
m4 GS4
g v
m1 GS1
g v
m2 GS2
r
DS3 r
DS4
r
DS1
r
DS2
C
3
C
1
C
2
C
4
g v
m3 GS3
2
v
in
+
2
v
out
-
2
v
out
+
Figura 6.15: Modelul echivalent de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa a am-
plificatorului
Funct ¸ia de transfer a circuitului se poate determina scriind teorema lui Kirchhoff
pentru curent ¸i ˆın nodurile de ie¸sire. T¸inˆand seama de expresia cˆa¸stigului de
joasˇa frecvent ¸ˇa din ecuat ¸ia (6.36), ˆın urma calculelor raportul dintre tensiunea
de ie¸sire ¸si cea de intrare rezultˇa:
A(s) =
A
0

1 −s
C
1
+C
2
g
m1
+g
m2

1 +s
C
1
+C
2
+C
3
+C
4
g
DS1
+g
DS2
+g
DS3
+g
DS4
(6.39)
Funct ¸ia de transfer obt ¸inutˇa se poate scrie simplificat, dacˇa se considerˇa tran-
zistoarele de intrare perfect ˆımperecheate ¸si la fel cele de sarcinˇa. Aceasta
ˆınseamnˇa cˇa urmˇatoarele identitˇat ¸i sunt adevˇarate:
g
m1
= g
m2
, g
m3
= g
m4
, C
1
= C
2
, C
3
= C
4
(6.40)
Astfel comportamentul ˆın frecvent ¸ˇa al circuitului va fi caracterizat de relat ¸ia
(6.41).
Doris Csipkes 143
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENT¸ IALE
A(s) =
A
0
(1 −
sC
1
g
1
)
1 +
s(C
1
+C
3
)
g
DS1
+g
DS3
(6.41)
Din analiza expresiei lui A(s) se observˇa cˇa funct ¸ia de transfer are un pol ¸si un
zero. O astfel de funct ¸ie de transfer se poate scrie dupˇa cum urmeazˇa:
A(s) =
A
0

1 −
s
ω
rhz

1 +
s
ω
p
(6.42)
ˆ
In continuare se identificˇa coeficient ¸ii termenilor ˆın s din relat ¸iile (6.41) ¸si (6.42),
obt ¸inˆandu-se expresia polului ¸si a zeroului.

f
p
=
g
DS1
+g
DS3
2π (C
1
+C
3
)
=
1
2πR
out
(C
1
+C
3
)
f
rhz
=
g
m1
2πC
1
(6.43)
Polul este introdus de nodul de ie¸sire, iar zeroul este datorat cˇaii directe de
semnal de la intrare la ie¸sire prin capacitatea grilˇa-drenˇa a tranzistoarelor de
intrare.
Caracteristica de amplitudine si faza simulatˇa pentru amplificatorul discutat
este datˇa ˆın Figura 6.16.
144 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENT¸ IALE








|A(s)|
f
f
p
f
f
rhz A(s) Ð
10KHz 1.0MHz 100MHz 10GHz 1.0THz
-135d
-90d
-45d
0d
-40
-20
-0
20
-60
Figura 6.16: Caracteristica de amplitudine ¸si fazˇa a circuitului
6.5 Sumar
ˆ
In acest capitol s-au prezentat cele mai des utilizate configurat ¸ii de amplifica-
toare diferent ¸iale. Aceste circuite stau la baza oricˇarei structuri de amplificator
operat ¸ional.
ˆ
In cazul fiecˇarui etaj diferent ¸ial s-a discutat domeniul de variat ¸ie a tensiunii de
ie¸sire, cˆa¸stigul de joasˇa frecvent ¸ˇa ¸si comportamentul ˆın frecvent ¸ˇa. Determinarea
acestor parametrii s-a facut pe baza modelelor cu surse comandate.
Bibliografie:
1. Lelia Fe¸stilˇa - Circuite integrate analogice II, Casa Cˇart ¸ii de S¸tiint ¸ˇa, 1999;
2. Doris Csipkes, Gabor Csipkes - Fundamental analog circuits. Practical
simulation exercises, UTPres, 2004;
3. P.E. Allen, D. Holberg - CMOS analog circuit design, Oxford University
Press, 1987
Doris Csipkes 145
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENT¸ IALE
4. A. Manolescu - Analog Integrated Circuits, editura Foton International,
1999.
5. J-T. Wu - Multiple-Transistor Gain Stages - Lecture Notes, National
Chiao-Tung University, Taiwan, 2002
146 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Capitolul 7
Amplificatoare operat ¸ionale
7.1 Introducere
Amplificatoarele operat ¸ionale pot fi considerate ˆın cazul ideal surse de tensiune
comandateˆın tensiune, ale cˇaror tensiuni de ie¸sire depind de tensiunea de intrare
cu factorul de scalare numit cˆa¸stig.
ˆ
In cazul ideal cˆa¸stigul este independent
de frecvent ¸ˇa.
ˆ
In AO reale cˆa¸stigul depinde de frecvent ¸ˇa, iar comportamentul
circuitului poate fi modelat cu unul sau mai mult ¸i poli ¸si zerouri de transmisie.
Amplificatoarele operat ¸ionale se folosesc ˆın numeroase aplicat ¸ii, dintre care cele
mai uzuale sunt:
- ca detector de erori ¸si amplificator ˆın sistemele cu react ¸ie;
- ˆın filtrele AO-RC, AO-CMOS sau cu capacitˇat ¸i comutate;
- ˆın amplificatoarele cu cˆa¸stig variabil;
- ca ¸si comparatoare de vitezˇa micˇa sau medie.
Pentru a obt ¸ine cˆa¸stigul specificat (ˆın general de ordinul miilor sau zecilor de
mii), structura internˇa a AO trebuie sˇa permitˇa conversii succesive tensiune-
curent ¸si apoi curent-tensiune. Circuitul de intrare al fiecˇarui etaj din structura
amplificatorului operat ¸ional converte¸ste tensiunea diferent ¸ialˇa de intrare ˆın cu-
rent diferent ¸ial. Acest curent este reconvertit ˆın tensiune de cˇatre circuitul de
sarcinˇa al etajului. Astfel, cˆa¸stigul dorit este obt ¸inut prin cascadarea cˆatorva
etaje de amplificare.
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
Dacˇa notˇam cu G
m
cˆa¸stigul de conversie tensiune-curent, iar cu R
out
cˆa¸stigul
curent-tensiune, atunci pentru un AO cu n etaje cˆa¸stigul de joasˇa frecvent ¸ˇa se
scrie:
A
0
= (G
m1
R
out1
) · (G
m2
R
out2
) . . . (G
mn
R
outn
) · (7.1)
Schema de principiu a unui amplificator cu n etaje este prezentatˇaˆın Figura 7.1.
Etajele acestuia s-au ales sˇa fie de tipul amplificator simplu ˆın conexiune sursˇa-
comunˇa. Astfel, se poate ˆınt ¸elege u¸sor principiului conversiilor succesive, ¸si
anume: pe fiecare tranzistor se face conversia tensiune-curent, iar apoi curentul
din drenˇa este convertit ˆınapoi ˆın tensiune pe rezistent ¸a echivalentˇa de sarcinˇa.

M2 Mn M1
V
in
V
DD
R
ech1 R
ech2
R
echn
Circuit
de sarcina
V
DD
V
out
Circuit
de sarcina
Circuit
de sarcina
Figura 7.1: Ilustrarea principiului conversiilor succesive ˆın amplificatoare
cu etaje multiple

M1 M2 Mn
V–›I
V
in
V–›I
I–›V I–›V I–›V
V–›I
V
DD
V
DD
V
out
R
1
R
2
R
n
Figura 7.2: Exemplu concret de implementare a unui amplificator simplu
cu etaje cascadate
148 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
Un exemplu concret de implementare este arˇatat ˆın Figura 7.2.
ˆ
In acest scenariu
circuitul de sarcinˇa este o simplˇa rezistent ¸ˇa care determinˇa valoarea aproximativˇa
a rezistent ¸ei de ie¸sire echivalente corespunzˇatoare fiecˇarui etaj.
ˆ
In structurile practice de AO prima conversie V-I se face pe un etaj diferent ¸ial,
iar conversia I-V se face pe sarcina acestuia, care poate fi rezistivˇa, sursˇa de
curent sau oglindˇa de curent ˆın fun¸ctie de cˆa¸stigul pe care dorim sˇa-l obt ¸inem
¸si de topologia impusˇa (ie¸sire asimetricˇa sau diferent ¸ialˇa).
ˆ
In categoria amplificatoarelor care se bazeazˇa pe cascadarea mai multor etaje
pentru a obt ¸ine cˆa¸stigul dorit, reprezentantul cel mai cunoscut este AO Miller.
Cˆa¸stigul mˇarit al unui AO se poate realiza nu numai prin cascadarea mai multor
etaje, fiecare aducandu-¸si aportul la cˆa¸stigului final, ci ¸si prin folosirea unui
singur etaj de amplificare cu o structurˇa avˆand rezistent ¸a de ie¸sire mare, ceea ce
implicˇa ¸si un cˆa¸stig ridicat. Acesta este cazul AO cascodˇa telescop ¸si cascodˇa
pliatˇa.
ˆ
In cele ce urmeazˇa vor fi studiate diferite topologii de amplificatoare
operat ¸ionale.

V
in
V
in
a)
b)
Etaj diferential
de intrare
Etaj diferential
de intrare
Etaj inversor
Etaj inversor Etaj de iesire
V
out
V
out
V
DD
C
M
C
M
A
1
A
1
-A
2
-A
2
+1
Figura 7.3: Schemele bloc ale AO Miller a) farˇa ¸si b)cu repetor la ie¸sire
7.2 Amplificatorul operat ¸ional Miller
Amplificatorul operat ¸ional Miller se folose¸ste pentru aplicat ¸iile unde funct ¸iona-
rea la frecvent ¸e ˆınalte nu este criticˇa. Existˇa douˇa variante de implementare ale
acestuia, cu ¸si farˇa repetor la ie¸sire, avˆand schemele bloc din Figura 7.3.
Doris Csipkes 149
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
Varianta simplˇa, farˇa etaj repetor la ie¸sire, are rezistent ¸a de ie¸sire mare ¸si se
poate numi amplificator transconductant ¸ˇa, deoarece livreazˇa la ie¸sire curent.
Acest tip de AO poate comanda sarcini strict capacitive farˇa a fi influent ¸at
cˆa¸stigul de joasˇa frecvent ¸ˇa.
Structura unui AO Miller cu repetor la ie¸sire este bazatˇa pe un amplificator
transconductant ¸ˇa ¸si un etaj de ie¸sire avˆand o rezistent ¸ˇa de ie¸sire (R
out
) micˇa,
ˆın caz ideal zero. Varianta de AO Miller cu repetor la ie¸sire poate comanda
sarcini rezistiv-capacitive. La joasˇa frecvent ¸ˇa rezistent ¸a de sarcinˇa (R
L
) va
determina tensiunea de ie¸sire din divizorul de tensiune format din R
out
¸si R
L
.
Astfel, cˆa¸stigul repetorului este aproximativ egal cu unitatea.
M7
M2
M3
M1
M4
M6
M5

C
L
V
DD
V
SS
V
biasn
V
ip
V
out
V
im
Figura 7.4: Schema AO Miller simplu
Schema implementatˇa la nivel de tranzistor a amplificatorului operat ¸ional Miller
este aratatˇa ˆın Figura 7.4. Tranzistoarele M
1
- M
2
formeazˇa etajul diferent ¸ial
de intrare, iar M
3
-M
4
sarcina acestuia de tip oglindˇa de curent. Amplificatorul
diferent ¸ial este polarizat de sursa de curent M
5
. Cel de-al doilea etaj este un
amplificator inversor simplu, constituit din M
6
¸si M
7
.
Modelul echivalent de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa corespunzˇator AO Miller
este dat ˆın Figura 7.5. Se poate observa cˇa fiecare etaj de cˆa¸stig este modelat
150 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
cu rezistent ¸a echivalentˇa vˇazutˇa la ie¸sirea etajului ˆın paralel cu capacitatea
echivalentˇa a acestui nod ¸si o sursˇa de curent comandatˇa ˆın tensiune, avˆand
parametrul G
m
. Oglinda de curent M
3
-M
4
introduce un pol ¸si un zero negativ
la frecvent ¸e ˆınalte unde nu influent ¸eazˇa funct ¸ionarea AO, din acest motiv nu
au fost modelate.

V
DD
V
in V
out G V
m1 in
G V
m2
R
1
V
R
2
C
1
C
2
Figura 7.5: Modelul echivalent de semnal mic a AO Miller simplu
Conform acestui model, funct ¸ia de transfer a amplificatorului operat ¸ional este
de forma:
A(s) =G
m1

R
1
||
1
sC
1

G
m2

R
2
||
1
sC
2

=
=
G
m1
R
1
G
m2
R
2
(1 +sR
1
C
1
) (1 +sR
2
C
2
)
(7.2)
Parametrii de semnal mic au urmˇatoarele expresii:

G
m1
= g
m1
, G
m2
= g
m6
R
1
= r
DS2
|| r
DS4
, R
2
= r
DS6
|| r
DS7
C
1
= C
BD2
+C
BD4
+C
GS6
+C
GD6
(G
m2
R
2
)
C
2
= C
BD6
+C
BD7
+C
GD7
+C
L

= C
L
(7.3)
Analizˆand ecuat ¸ia (7.2) se observˇa cˇa circuitul are doi poli: unul dat de nodul
de ie¸sire ¸si celˇalalt de nodul intermediar. Condensatorul C
1
este mult mai mic
decˆat C
2
deoarece primul este format din capacitˇat ¸ile parazite ale tranzistoarelor
conectate la nodul intermediar al circuitului, iar cel de-al doilea include pe lˆangˇa
capacitˇat ¸ile parazite ¸si condensatorul de sarcinˇa. O altˇa observat ¸ie este aceea cˇa
Doris Csipkes 151
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
rezistent ¸ele R
1
¸si R
2
sunt de acela¸si ordin de mˇarime. Din aceste considerente
rezultˇa cˇa polul p
1
este cel dominant ¸si p
2
este polul de ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa.
Cˆa¸stigul de tensiune continuˇa ¸si polii funct ¸iei de transfer sunt dat ¸i ˆın sistemul
de ecuat ¸ii (7.4).

A
0
= G
m1
R
1
G
m2
R
2
f
p1
=
1
2πR
2
C
2
f
p2
=
1
2πR
1
C
1
(7.4)
Considerˆand scenariul ˆın care p
1
este polul dominant, caracteristicile de ampli-
tudine ¸si fazˇa, aproximate prin asimptotele lor, ale AO ˆın buclˇa deschisˇa, sunt
date ˆın Figura 7.6 a).
|A(s)|
A(s)
f
f
-90
-180
j
m
p1
p2
p1
*
p2
*
b)
|A(s)|
A(s)
f
f
p1
GBW
GBW
-90
-180
p2
j
m
a)
Figura 7.6: Rˇaspunsul ˆın frecvent ¸ˇa a AO ˆın buclˇa deschisˇa
Din inspect ¸ia caracteristicilor de frecvent ¸ˇa se poate vedea cˇa valoarea fazei la
frecvent ¸a unde cˆa¸stigul este zero dB (notatˇa GBW, eng. Gain BandWidth)
este apropiatˇa de -180

. Acest fapt se datoreazˇa celor doi poli apropiat ¸i, ambii
situat ¸i la frecvent ¸e mai mici decˆat GBW. Astfel la frecvent ¸a unde amplitudinea
152 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
este unitarˇa, faza a scˇazut deja douˇa decade ajungˆand ˆın jurul valorii de -180

.
ˆ
In aceste condit ¸ii marginea de fazˇa este insuficientˇa pentru a asigura stabilitatea
necondit ¸ionatˇa a amplificatorului ˆın buclˇa ˆınchisˇa.
Din condit ¸ia de stabilitate a lui Barkhausen rezultˇa cˇa faza nu trebuie sˇa fie mul-
tiplu de 180

la frecvent ¸a egalˇa cu produsul amplificare-banda (GBW). Pentru
a realiza stabilitatea necondit ¸ionatˇa, marginea de fazˇa se recomandˇa sˇa fie mai
mare decˆat 45

. O valoare a marginii de fazˇa de 60

asigurˇa stabilitatea simul-
tan cu compromisul overshoot minim ¸si vitezˇa de variat ¸ie a tensiunii de ie¸sire
maximˇa al rˇaspunsului la semnal treaptˇa.
Solut ¸ia la acestˇa problemˇa este a¸sa numita procedurˇa de compensare a carac-
teristicii de frecvent ¸ˇa. Prin aceasta polii sunt separat ¸i, un pol deplasˆandu-se la
frecvent ¸e mai joase, iar celˇalat pol la frecvent ¸e mai mari decˆat GBW. Separarea
ˆın frecvent ¸ˇa a celor doi poli are ca efect cre¸sterea marginii de fazˇa. Concret,
compensarea Miller se face cu ajutorul unei capacitˇat ¸i, C
M
, conectate ˆıntre
nodul intermediar ¸si nodul de ie¸sire al circuitului.
C
L
C
M
V
DD
V
SS
V
biasn
V
ip
V
out
V
im
M2
M3
M1
M5
M6
M7
M4

Figura 7.7: Schema AO Miller compensat
Schema AO Miller compensat este prezentatˇa ˆın Figura 7.7. Compensarea este
realizatˇa folosind efectul Miller pe etajul al doilea, inversor. Practic, capacitatea
grilˇa-drenˇa a tranzistorului M
6
este mˇaritˇa cu o capacitate pasivˇa C
M
. Deoarece
cˆa¸stigul etajului al doilea este ridicat, C
M
va fi reflectatˇa la ie¸sirea etajului
Doris Csipkes 153
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
diferent ¸ial cu valoare mˇaritˇa. Drept urmare, capacitatea echivalentˇa a acestui
nod va fi mˇaritˇa, iar polul corespunzˇator nodului se va deplasa la frecvent ¸e mai
joase, devenind polul dominant ˆın urma compensˇarii.
Adit ¸ional, rezistent ¸a de ie¸sire a etajului de cˆa¸stig ridicat va fi redusˇa de cˇatre
react ¸ia negativˇa prin capacitatea de compensare. Datoritˇa faptului cˇa la frecven-
t ¸e ˆınalte C
M
este un scurtcircuit virtual, tranzistorul M
6
poate fi considerat ˆın
conexiune de diodˇa. Astfel, rezistent ¸a de ie¸sire se poate aproxima cu 1/g
m6
.
Reducerea acestei rezistent ¸e echivalente are drept efect translatarea polului dat
de nodul de ie¸sire a AO la frecvent ¸e mai ˆınalte.
Modelul echivalent de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa al AO Miller compensat
este prezentat ˆın Figura 7.8.
ˆ
In acest model s-au ignorat polul ¸si zeroul datorat
oglinzii de curent ¸si zeroul pozitiv datorat efectului Miller pe tranzistoarele de
intrare.
V
DD

V
in V
out G V
m1 in
G V
m2
R
1
V
R
2
C
M
C
1
C
2
Figura 7.8: Modelul echivalent de semnal mic a AO Miller compensat
Scriind teorema lui Kirchhoff ˆın nodul intermediar ¸si ˆın nodul de ie¸sire, rezultˇa
sistemul de ecuat ¸ii (7.5).

G
m1
V
in
+
V
R
1
+V sC
1
+sC
M
(V −V
out
) = 0
sC
M
(V −V
out
) = G
m2
V +
V
out
R
2
+sC
2
V
out
(7.5)
Dupˇa eliminarea variabilei V corespunzˇatoare nodului intermediar al circuitului,
rezultˇa urmˇatoarea funct ¸ie de transfer:
154 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE

A(s) =
V
out
V
in
=
G
m1
G
m2
R
1
R
2

1 −s
C
M
G
m2

s
2
a +sb + 1
a = R
1
R
2
(C
1
C
2
+C
1
C
M
+C
2
C
M
)
b = R
1
C
1
+R
2
C
2
+ (R
1
+R
2
) C
M
+G
m2
R
1
R
2
C
M
(7.6)
Examinˆand ecuat ¸ia (7.6) se poate vedea cˇa funct ¸ia de transfer a circuitului
are doi poli la frecvent ¸ele ω
p1
, ω
p2
¸si un zero pozitiv la ω
rhz
(eng. Right
Halfplane Zero). Din nou s-au ignorat polii ¸si zerorurile de ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa
introduse de oglinda de curent, care nu influent ¸eazˇa funct ¸ia de transfer ˆın re-
giunea frecvent ¸elor de interes.
ˆ
In conformitate cu aceastˇa observat ¸ie, forma
generalˇa a funct ¸iei de transfer se scrie ca ˆın ecuat ¸ia (7.7).
A(s) =
A
0

1 −
s
ω
rhz

1 +
s
ω
p1

1 +
s
ω
p2
(7.7)
Determinarea expresiei polilor ¸si a zeroului se face prin identificarea coeficient ¸ilor
termenilor ˆın s din relat ¸iile (7.6) ¸si (7.7).
ˆ
In vederea simplificˇarii calculelor se
presupune cˇa polul al doilea este situat la frecvent ¸ˇa mult mai ˆınaltˇa decˆat polul
dominant, ω
p2
>> ω
p1
. Utilizˆand aceastˇa aproximare, rezultˇa:

A
0
= G
m1
R
1
G
m2
R
2
ω
p1
=
1
b
=
1
[C
2
R
2
+C
1
R
1
+C
M
(R
1
+R
2
) +C
M
G
m2
R
1
R
2
]
ω
p2
=
b
a
=
C
2
R
2
+C
1
R
1
+C
M
(R
1
+R
2
) +C
M
G
m2
R
1
R
2
R
1
R
2
[C
1
C
2
+C
M
C
1
+C
M
C
2
]
ω
rhz
=
G
m2
C
M
(7.8)
Pentru a simplifica expresiile polilor ¸si ale zeroului se t ¸ine cont de urmˇatoarele
aproximˇari:
Doris Csipkes 155
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
- etajul al doilea are un cˆa¸stig ridicat → G
m2
R
2
>> 1;
- capacitatea de sarcinˇa este mult mai mare decˆat capacitatea parazitˇa a
nodului intermediar → C
L
>> C
1
.
Expresiile aproximative ale frecvent ¸elor polilor ¸si a zeroului rezultˇa caˆın sistemul
(7.9).

f
p1

=
1
2πG
m2
R
1
R
2
C
M
f
p2

=
G
m2
2πC
2
f
rhz
=
G
m2
2πC
M
(7.9)
Din expresiile polilor se observˇa cˇa p
1
este situat la frecvent ¸e joase datoritˇa
efectului Miller. Efectul Miller se menifestˇa prin mˇarirea capacitˇat ¸ii echivalente
la nodul intremediar. Capacitatea reflectatˇa are valoarea amplificatˇa de cˆa¸stigul
etajului al doilea, G
m2
R
2
. Polul p
2
este translatat la frecvent ¸ˇa ˆınaltˇa datoritˇa
scurtcircuitului realizat de C
M
¸si conexiunii virtuale de diodˇa a tranzistorului
M
6
la frecvent ¸e mari. Caracteristicile de frecvent ¸ˇa ale circuitului compensat
sunt date ˆın Figura 7.6 b).
Dimensionarea condensatorului Miller C
M
este problema cheie pentru a asigura
marginea de fazˇa suficient de mare a amplificatorului cu douˇa etaje.
ˆ
In paragra-
ful urmˇator sunt deduse relat ¸iile de dimensionare a condensatorului C
M
pornind
de la o valoare impusˇa a marginii de fazˇa.
7.2.1 Dimensionarea condensatorului Miller pentru stabili-
tate necondit ¸ionatˇa
Considerˆand cˇa polii sunt separat ¸i ˆın frecvent ¸ˇa ˆın urma compensˇarii, iar f
p1
<<
f
p2
, efectele lor nu se vor suprapune, prin urmare se poate utiliza modelul cu
pol pseudo-dominat. Modelul cu pol pseudo-dominant ˆınseamnˇa cˇa primul etaj
va fi considerat un integrator ideal, cu polul specific ˆın origine (polul dominant
p
1
al AO), avˆand defazaj de −90

la orice frecvent ¸ˇa. Adit ¸ional, ¸stiind cˇa zeroul
pozitiv introduce un defazaj suplimentar ˆın caracteristica de fazˇa, trebuie luat
156 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
ˆın calcul ¸si efectul acestuia asupra marginii de fazˇa.
ˆ
In aceste condit ¸ii, se obt ¸ine
expresia marginii de fazˇa dupˇa cum urmeazˇa:
m
φ
= 90

−tan
−1

GBW
f
p2

−tan
−1

GBW
f
rhz

(7.10)
Considerˆand, de exemplu, zeroul pozit ¸ionat la frecvent ¸ˇa de zece ori mai mare
decˆat GBW, se poate calcula frecvent ¸a polului al doilea raportatˇa la GBW
pentru o valoare a marginii de fazˇa impusˇa. Astfel, pentru m
φ
= 45

rezultˇa
f
p2
= 1, 22 · GBW, iar pentru m
φ
= 60

se obt ¸ine f
p2
= 2, 22 · GBW.
ˆ
In practicˇa, amplificatorul Miller se proiecteazˇa pentru o margine de fazˇa
m
φ
= 60

, valoare care asigurˇa un compromis ˆıntre stabilitate, overshoot ¸si
viteza de variat ¸ie a tensiunii de ie¸sire. Prin urmare, dacˇa valoarea raportului
dintre f
p2
¸si GBW este cunoscutˇa, utilizˆand relat ¸iile (7.11), rezultˇa raportul
dintre capacitatea Miller ¸si a celei de sarcinˇa.

GBW = A
0
f
p1
=
G
m1
2πC
M
f
p2

=
G
m2
2πC
L
(7.11)
Capacitatea de compensare se dimensioneazˇa conform urmˇatoarei relat ¸ii:
C
M
= C
L
·
G
m1
G
m2
·
1
tan

90

−m
φ
−tan
−1

GBW
f
rhz
(7.12)
7.2.2 Viteza de variat ¸ie a tensiunii de ie¸sire la AO Miller
Viteza de variat ¸ie a tensiunii de ie¸sire, notatˇa SR (eng. Slew-Rate), este un
parametru de ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa ¸si semnal mare al amplificatoarelor operat ¸ionale.
Acesta se define¸ste ca rata maximˇa cu care poate varia tensiunea de ie¸sire a
amplificatorului operat ¸ional.
Doris Csipkes 157
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
Dacˇa amplitudinea semnalului de intrare depˇa¸seste o valoare criticˇa, atunci tot
curentul dat de sursa de curent care polarizeazˇa etajul diferent ¸ial va trece prin
unul dintre tranzistoarele de intrare M
1
sau M
2
. Blocarea uneia sau a celeilalte
dintre ramurile etajului diferent ¸ial depinde de semnul tensiunii de intrare. Pentru
o tensiune pozitivˇa la intrare, tranzistorul M
1
conduce ¸si M
2
este blocat. Astfel,
tot curentul de polarizare se regˇase¸ste ˆın M
1
¸si prin oglinda de curent M
3
- M
4
.
Capacitatea de compensare C
M
se va ˆıncˇarca de la acest curent furnizat de
oglindˇa. Sensul curentului este reprezentat cu linie continuˇa ˆın Figura 7.9.
ˆ
In
cazul unei tensiuni negative la intrare, M
1
este blocat ¸si M
2
conduce, iar curentul
de polarizare al etajului descarcˇa direct condensatorul C
M
. Sensul curentului
este desenat cu linie punctatˇa, ˆın acest caz.
M2
M4
M5
M3
M1

C
M
C
L
VDD
Vim
Vbiasn
-A2
Vip
VSS
Vout
Figura 7.9: Sensul curentului de polarizare ˆın AO Miller pentru tensiuni
de intrare pozitive ¸si negative
La determinarea vitezei de variat ¸ie a tensiunii de ie¸sire trebuie t ¸inut cont de
fiecare nod al circuitului.
ˆ
In formula finalˇa a SR-ului apare raportul minim
dintre curentul de ˆıncˇarcare ¸si capacitatea echivalentˇa asociatˇa fiecˇarui nod ˆın
parte. Pentru AO Miller, expresia SR se poate scrie dupˇa cum urmeazˇa:
SR =
dV
out
dt
= min

I
5
C
M
,
I
6
C
L

=
I
5
C
M
(7.13)
158 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
7.2.3 Amplificatorul operational Miller complet diferent ¸ial
Schema AO Miller complet diferent ¸ial este prezentatˇa ˆın Figura 7.10.
M2
M8
M1
M5
M3
M9
M4
M6
M7

C
L
C
M
C
M
V
DD
V
SS
V
biasn
V
biasp
V
ip
V
om
V
op V
im
Figura 7.10: Schema AO Miller complet diferent ¸ial
Avantajele prelucrˇarii de semnal diferent ¸iale au fost punctate ˆın capitolul ”Am-
plificatoare Diferent ¸iale” ¸si datoritˇa acestora, ˆın lant ¸urile de prelucrare a sem-
nalului sunt preferate structurile complet diferent ¸iale.
Circuitul este similar cu AO Miller simplu, cu diferent ¸a cˇa etajul de intrare are
sarcina de tipul sursˇa de curent, formatˇa din tranzistoarele M
3
-M
4
, iar etajul al
doilea este dublat. Astfel, este posibilˇa sˇa culegem semnalul de ie¸sire diferent ¸ial.

V
DD
V
in V
out V
G V
m1 in
G V
m2
R
1
R
2
C
M
C
M
C
1
C
2
V
ip
V
op
V
om
V
im
Figura 7.11: Modelul echivalent pentru varianta complet diferent ¸ialˇa
Doris Csipkes 159
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
Schema de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa este datˇa ˆın Figura7.11.
Parametrii de semnal mic se exprimˇa ˆın mod similar ca la varianta cu ie¸sire
asimetricˇa, dar trebuie t ¸inut cont de conexiunile diferent ¸iale ale componentelor.

G
m1
=
g
m1
2
, G
m2
=
g
m6
2
R
1
= 2 (r
DS2
|| r
DS4
) , R
2
= 2 (r
DS6
|| r
DS7
)
C
1
=
1
2
· [C
BD2
+C
BD4
+C
GS6
+ (C
GD6
+C
M
) A
2
]
C
2
=
1
2
· (C
BD6
+C
BD7
+C
L
)

=
C
L
2
(7.14)
7.2.4 Amplificatorul operat ¸ional Miller
cu etaj repetor de ie¸sire
Amplificatorul operat ¸ional Miller cu etaj repetor de ie¸sire este folosit ca sursˇa
de tensiune comandatˇa ˆın tensiune ¸si poate comanda sarcini rezistiv-capacitive.
Schema AO Miller cu etaj repetor de ie¸sire este datˇa ˆın Figura 7.12. Tranzis-
toarele M
8
si M
9
constituie bufferul de ie¸sire, avˆand cˆa¸stig unitar.
M9
M4
M8
M5
M2 M1
M7
M6
M3

C
L
C
M
V
DD
V
SS
V
biasn
V
ip
V
out
V
im
Figura 7.12: Schema AO Miller cu etaj repetor de ie¸sire
160 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
Modelul echivalent de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa este arˇatat ˆın Figura 7.13.
Etajul de ie¸sire este modelat cu o sursˇa de tensiune comandatˇa ˆın tensiune
avˆand cˆa¸stig unitar ¸si ˆın serie cu ea este conectatˇa rezistent ¸a echivalentˇa de
ie¸sire a bufferului.

V
DD
V
in
V
out
G V
m1 in
G V
m2
R
1
V
R
2
C
M
R
3
C
1
C
2
A =1
V
C
3
Figura 7.13: Modelul echivalent de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa pentru
circuitul din Figura 7.9
Funct ¸ia de transfer a circuitului este similarˇa cu cea a AO Miller simplu, cu
diferent ¸a cˇa etajul repetor de ie¸sire introduce un pol deˆınaltˇa frecvent ¸ˇa adit ¸ional.
Astfel, expresia lui A(s) este ˆın conformitate cu ecuat ¸ia (7.15).

A(s) =
G
m1
G
m2
R
1
R
2

1 −s
C
M
G
m2

(s
2
a +sb + 1) (1 +sR
3
C
3
)
a = R
1
R
2
(C
1
C
2
+C
1
C
M
+C
2
C
M
)
b = R
1
C
1
+R
2
C
2
+ (R
1
+R
2
) C
M
+G
m2
R
1
R
2
C
M
(7.15)
Parametrii de semnal mic G
1
, R
1
, C
1
, G
2
¸si R
2
sunt acea¸si ca la AO Miller
fˇarˇa etaj repetor din ecuat ¸ia (7.3).
ˆ
Insˇa, expresia lui C
2
se modificˇa datoritˇa
influent ¸ei capacitˇat ¸ilor parazite ale etajului repetor asupra capacitˇat ¸ii echivalente
din nodul de ie¸sire a amplificatorului simplu. Astfel, C
2
, rezistent ¸a ¸si capacitatea
echivalentˇa a bufferului de ie¸sire se scriu:

C
2
= C
BD6
+C
BD7
+C
GD7
+C
GD8
R
3
= r
DS9
||
1
g
m8

=
1
g
m8
C
3
= C
BD8
+C
BS9
+C
GS8
+C
GD9
+C
L

= C
L
(7.16)
Doris Csipkes 161
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
Frecvent ¸ele aproximative ale polilor ¸si a zeroului funct ¸iei de transfer sunt date
ˆın sistemul (7.17).

f
p1

=
1
2πG
m2
R
1
R
2
C
M
f
p2

=
G
m2
2πC
2
f
p3
=
1
2πR
3
C
3
f
rhz
=
G
m2
2πC
M
(7.17)
Analizˆand aceste ecuat ¸ii se observˇa cˇa frecvent ¸a polului dominant a rˇamas
aceea¸si ca la AO Miller simplu. Polul de ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa s-a mutat mai sus
ˆın frecvent ¸ˇa, datoritˇa capacitˇat ¸ii echivalente scˇazute a nodului de la intrarea
etajului repetor. Etajul repetor de ie¸sire introduce un pol suplimentar ˆın funct ¸ia
de transfer putˆand contribui semnificativ la ˆınrˇautˇat ¸irea marginii de fazˇa. Drept
urmare, expresia marginii de fazˇa trebuie completatˇa ca ˆın urmˇatoarea ecuat ¸ie:
m
φ
= 90

−tan
−1

GBW
f
p2

−tan
−1

GBW
f
rhz

−tan
−1

GBW
f
p3

(7.18)
Dezavantajul compensˇarii Miller este acela cˇa impune un compromis ˆıntre ban-
dˇa, marginea de fazˇa ¸si consumul de curent al amplificatorului operat ¸ional.
Astfel, stabilitatea necondit ¸ionatˇa ¸si banda largˇa se pot obt ¸ine numai cu pret ¸ul
unui consum de curent ridicat. Datoritˇa acestei limitˇari AO Miller este utilizat
cu precˇadere ˆın circuitele la care frecvent ¸a de funct ¸ionare nu depˇa¸se¸ste cˆat ¸iva
MHz.
7.2.5 Metoda de proiectare a amplificatorului
operat ¸ional Miller
ˆ
In acest paragraf este prezentatˇa metoda completˇa de proiectare a unui ampli-
ficator operat ¸ional Miller pentru specificat ¸ii impuse.
Specificat ¸iile considerate ˆın majoritatea aplicat ¸iilor sunt urmˇatoarele:
162 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
- cˆa¸stigul de joasˇa frecvent ¸ˇa A
0
≥ 60dB;
- viteza maximˇa de variat ¸ie a tensiunii de ie¸sire SR ≥ 15V/µs;
- produsul amplificare-bandˇa GBW ≥ 10MHz;
- zeroul pozitv sˇa fie situat la o frecvent ¸ˇa f
rhz
= 10GBW;
- capacitatea de sarcinˇa C
L
= 10pF;
- alimentare simetricˇa V
DD
= −V
SS
= 3V ;
- stabilitate necondit ¸ionatˇa cu m
φ
= 60

;
- tensiunea de overdrive a tranzistoarelor care nu rezultˇa din calcul se con-
siderˇa V
od
= 200mV .
Tip I
D
W/L V
od
V
Th
NMOS 50µA 10µ/1µ 174mV 450mV
PMOS 50µA 20µ/1µ 225mV 450mV
Tabelul 7.1: Valorile parametrilor din setul de referint ¸ˇa
Pasul 1: determinarea capacitˇat ¸ii de compensare ˆın raport cu cea de sarcinˇa.
Conform expresiilor deduse pentru GBW si f
rhz
, pe care le repetˇam din nou ˆın
ecuat ¸iile (7.19), ¸si t ¸inˆand cont de relat ¸ia dintre frecvent ¸a zeroului ¸si GBW datˇa
ˆın specificat ¸ii, vom avea:

GBW =
G
m1
2πC
M
f
rhz
=
G
m2
2πC
M
⇒ G
m2
= 10G
m1
(7.19)
Determinarea raportului dintre frecvent ¸a polului al doilea ¸si produsul amplifica-
re-bandˇa se face pe baza ecuat ¸iei (7.10), dupˇa cum urmeazˇa:
GBW
f
p2
= tan
¸
90

−m
φ
−tan
−1

GBW
f
rhz

⇒ f
p2
≥ 2, 22GBW (7.20)
Doris Csipkes 163
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
T¸inˆand cont de acest rezultat, de legˇatura dintre transcoductant ¸ele celor douˇa
etaje dedusˇa ˆın (7.19) ¸si de expresiile lui GBW si f
p2
, pe care le rescriem ˆın
sistemul (7.21), rezultˇa relat ¸ia dintre capacitatea Miller ¸si cea de sarcinˇa:

GBW =
G
m1
2πC
M
f
p2
=
G
m2
2πC
L
⇒ C
M
≥ 0, 22C
L
(7.21)
Pe baza acestei relat ¸ii ¸si ¸stiind cˇa C
L
= 10pF, putem alege capacitatea de
compensare C
M
= 2, 5pF.
C
M
= 2, 5pF
Pasul 2: calculul curentului de polarizare a etajului diferent ¸ial.
Din formula vitezei maxime de variat ¸ie a tensiunii de ie¸sire se calculeazˇa curentul
I
5
astfel:
SR =
I
5
C
M
⇒ I
5
= SR · C
M
= 37, 5µA (7.22)
I
5
= 37, 5µA
Pasul 3: calculul valorilor transconductant ¸elor celor douˇa etaje.
Din expresia produsului amplificare-bandˇa putem obt ¸ine valoarea lui G
m1
:
GBW =
G
m1
2πC
M
⇒ G
1
= 2πC
M
· GBW = 157µS (7.23)
Am arˇatat anterior cˇaˆıntre transconductant ¸ele celor douˇa etaje exitˇa urmˇatoarea
relat ¸ie:
G
m2
= 10G
m1
= 1, 57mS (7.24)
G
m1
= g
m1
= 157µS, G
m2
= g
m6
= 1, 57mS
164 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
Pasul 4: gˇasirea tensiunilor de ovedrive pentru tranzistoarele M
1
-M
2
S¸tiind valorile transconductant ¸ei ¸si a curentului prin M
1
, putem afla tensiunea
de overdrive a acestui tranzistor:
g
m1
=
2I
1
V
od1
=
I
5
V
od1
⇒ V
od1
=
I
5
g
m1
= 239mV (7.25)
V
od1
= V
od2
= 239mV, restul V
od
= 200mV
Pasul 5: dimensionarea tranzistoarelor M
1
-M
2
Folosind setul de referint ¸ˇa pentru tranzistoare NMOS (I = 50µA, V
od
=
174mV, W/L = 10µ/1µ) se face o scalare pentru a obt ¸ine setul de parametrii
dorit ¸i (I
1
= 18, 75µA, V
od1
= 239mV, W
1
/L
1
):
50µ
18, 75µ
=
10L
1
W
1
·

174m
239m

2

W
1
L
1
= 2 =


(7.26)
W
1
L
1
=
W
2
L
2
=


Pasul 6: dimensionarea tranzistorului M
5
Se face o nouˇa scalare pentru setul de parametrii dorit ¸i
(I
5
= 37, 5µA, V
od5
= 200mV, W
5
/L
5
):
50µ
37, 5µ
=
10L
5
W
5
·

174m
200m

2

W
5
L
5
= 5, 7 =
5, 7µ

(7.27)
W
5
L
5
=
5, 7µ

Doris Csipkes 165
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
Pasul 7: dimensionarea tranzistoarelor M
3
-M
4
Din nou scalˇam, de data aceasta folosind setul de referint ¸ˇa pentru tranzistoare
PMOS (I = 50µA, V
od
= 225mV, W/L = 20µ/1µ). Parametrii dorit ¸i sunt
(I
3
= 18, 75µA, V
od3
= 200mV, W
3
/L
3
):
50µ
18, 75µ
=
20L
3
W
3
·

225m
200m

2

W
3
L
3
= 9, 5 =
9, 5µ

(7.28)
W
3
L
3
=
W
4
L
4
=
9, 5µ

Pasul 8: determinarea curentului prin etajul al doilea de cˆa¸stig ¸si dimensionarea
lui M
6
Pentru ca factorul de reflexie al oglinzii de curent M
3
-M
4
¸si M
6
sˇa nu depindˇa
de eroarea datoratˇa coeficientului de modulat ¸ie al lungimii canalului, se impune
condit ¸ia de echilibru a tensiunilor drenˇa-sursˇa.
ˆ
In aceste condit ¸ii tensiunile de
overdrive ale tranzistoarelor ce formeazˇa oglinda sunt egale:
V
od3
= V
od4
= V
od6
= 200mV (7.29)
Din formula transconductant ¸ei pentru M
6
, rezultˇa curentul prin acesta conform
ecuat ¸iei (7.28).
g
m6
=
2I
6
V
od6
⇒ I
6
=
1
2
· g
m6
· V
od6
157µA (7.30)
I
6
= 157µA
Facem o nouˇa scalare pentru a obt ¸ine raportul dintre lˇat ¸imea ¸si lungimea ca-
nalului lui M
6
:
50µ
157µ
=
20L
6
W
6
·

225m
200m

2

W
6
L
6
= 80 =
40µ
0, 5µ
(7.31)
166 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
W
6
L
6
=
40µ
0, 5µ
Pasul 9: dimensionarea lui M
7
50µ
157µ
=
10L
7
W
7
·

174m
200m

2

W
7
L
7
=
23, 8µ

(7.32)
W
7
L
7
=
23, 8µ

Pasul 10: calculul tensiunii de polarizare V
biasn
V
biasn
= V
SS
+V
Thn
+V
od5
= −3 + 0, 45 + 0, 2 = −2, 35V (7.33)
V
biasn
= −2, 35V
Observat ¸ie: metoda de dimensionarea a circuitului prezentatˇa anterior, tre-
buie completatˇa prin rularea unor simulˇari atˆat de punct static de funct ¸ionare
cˆat ¸si de curent alternativ ¸si se ajusteazˇa fin, ˆın cˆateva iterat ¸ii geometria
tranzistoarelor pˆanˇa se obt ¸in performant ¸ele dorite ale AO proiectat.
7.3 Amplificatorul operat ¸ional cascodˇa telescop
Dezavantajul major al AO Miller este acela cˇa pentru un consum rezonabil
putem obt ¸ine o bandˇa modestˇa. Limitarea se datoreazˇa metodei de compensare
Miller. O structurˇa care pentru acela¸si consum oferˇa o bandˇa mai largˇa este
amplificatorul cascodˇa telescop. La aceastˇa variantˇa de AO cˆa¸stigul ridicat
este asigurat de rezistent ¸a de ie¸sire mare, tipic de ordinul MΩ-lor, a structurii
cascodˇa.
Schema AO cascodˇa telescop este prezentatˇa ˆın Figura 7.14. Tensiunea de
intrare se aplicˇa tranzistoarelor M
1a
-M
1b
din etajul diferent ¸ial. Sarcina acestuia
Doris Csipkes 167
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
este oglinda cascodˇa formatˇa din M
3a
-M
3b
¸si M
4a
-M
4b
. Pentru a mˇari rezistent ¸a
de ie¸sire se utilizeazˇa cascoda de tip NMOS ˆın locul structurii simple de etaj
diferent ¸ial.
ˆ
Intreg etajul este polarizat cu sursa de curent implementatˇa cu M
5
.

M4b
M1b M1a
M4a
M3a
M2a M2b
M3b
M5
C
L
V
DD
V
SS
V
biasn
V
casn
V
ip
V
out
V
im
D1a D1b
Figura 7.14: AO cascodˇa telescop
Modelul echivalent de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa corespunzˇator AO cascodˇa
telescop este dat ˆın Figura 7.15. Similar ca la AO cu compensare Milller s-au
ignorat singularitˇat ¸ile introduse de oglinda de curent cascodˇa M
3a
-M
3b
.

V
in
V
out
Vp
G V
m1 in
G Vp
m2
R
p
R
out
C
p
C
out
D1a
D1b
Figura 7.15: Modelul echivalent de semnal mic al AO cascodˇa telescop
Conform acestui model funct ¸ia de transfer a amplificatorului operat ¸ional rezultˇa
168 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
de forma:
A(s) =
G
m1
R
out
G
m2
R
p
(1 +sR
p
C
p
) (1 +sR
out
C
out
)
, (7.34)
unde parametrii de semnal mic au urmˇatoarele expresii:

G
m1
= g
m1
, R
out
= g
m2
r
DS2
r
DS1
|| g
m3
r
DS3
r
DS4
G
m2
=
g
m2
2
, R
p

=
2
g
m2
C
out
= C
BD2
+C
BD3
+C
GD2
+C
GD3
+C
L

= C
L
C
p
=
1
2
(C
BS2
+C
GS2
+C
BD1
)
(7.35)
ˆ
In cele ce urmeazˇa sunt prezentat ¸i pa¸sii de proiectare sistematicˇa a unui AO
cascodˇa telescop, avˆand specificat ¸ile:
- cˆa¸stigul de joasˇa frecvent ¸ˇa A
0
≥ 60dB;
- viteza maximˇa de variat ¸ie a tensiunii de ie¸sire SR ≥ 50V/µs;
- produsul amplificare-bandˇa GBW ≥ 53MHz;
- capacitatea de sarcinˇa C
L
= 4pF;
- alimentarea simetricˇa V
DD
= −V
SS
= 2V ;
- amplitudinea maximˇa a semnalului de ie¸sire V
semnMAX
= 0, 5V
Pasul 1: domeniul maxim de variat ¸ie a semnalului la ie¸sire.
La proiectare se considerˇa toate tranzistoarele polarizate ˆın regim saturat. Prin
urmare, tensiunea drenˇa-sursˇa a fiecˇarui tranzistor este mai mare decˆat ten-
siunea sa de overdrive. Pentru tranzistoarele M
4
, M
5
alegem V
od
= 250mV
in vederea obt ¸inerii unei bune ˆımperecheri.
ˆ
In cazul tranzistoarelor cascodˇa se
alege o valoare mai micˇa, V
od
= 200mV , pentru a obt ¸ine o valoare mˇaritˇa a
Doris Csipkes 169
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
transconductant ¸ei, necesarˇa realizˇarii rezistent ¸ei de ie¸sire ridicate a AO. Tensiu-
nea de overdrive a tranzistoarelor de intrare M
1
rezultˇa din specificat ¸ii ca fiind
V
od1
= 150mV , dupˇa cum se va arˇata la Pasul 5.
Tensiunea drenˇa-sursˇa a fiecˇarui tranzistor se alege cu o margine ∆V = 100mV
pentru a pˇastra tranzistoarele ˆın regim saturat chiar ¸si ˆın cazul cel mai defavo-
rabil, ˆın care tensiunea de prag ¸si punctul static de funct ¸ionare se deplaseazˇa
cu temperatura ¸si cu neidealitˇat ¸ile procesului de fabricat ¸ie.
Domeniul de variat ¸ie al tensiunii de ie¸sire trebuie ales astfel ˆıncˆat tranzistoarele
sˇa nu ajungˇa ˆın regim liniar sau blocate.
ˆ
In consecint ¸ˇa, limitele de variat ¸ie ale
tensiunii de ie¸sire se pot scrie:

V
DD
−V
outMAX
= V
DS3
+V
DS4
V
outMAX
= V
DD
−(V
od3
+ ∆V ) + (V
od4
+ ∆V )
⇒V
outMAX
= 1, 35V
V
outMIN
−V
SS
= V
DS1
+V
DS2
+V
DS5
V
outMIN
= V
SS
+V
od1
+V
od2
+V
od5
+ 3∆V
⇒V
outMIN
= −1, 1V
(7.36)
S-a notat cu V
outMAX
¸si V
outMIN
tensiunea maximˇa, respectiv minimˇa instan-
tanee la ie¸sirea circuitului.
Rezultˇa cˇa variat ¸ia maximˇa vˆarf la vˆarf a tensiunii de ie¸sire este:
∆V
out
= V
outMAX
−V
outMIN
= 1, 35 −(−1, 1) = 2, 45V (7.37)
Valoarea teoreticˇa maximˇa a tensiunii de ie¸sire suportate de circuit farˇa dis-
torsiuni (limitare) este 2, 45V . Pentru aplicat ¸ia noastrˇa considerˇam variat ¸ia
semnalului de ie¸sire de 1V , valoare normalˇa ˆın circuitele cu AO. Se pot alege
¸si alte valori ˆın limitele admise ¸si considerˆand tensiunea de mod comun datˇa.
Notˇam amplitudinea semnalului de ie¸sire cu V
semnMAX
, acesta avˆand valoarea
egalˇa cu jumˇatate din variat ¸ia semnalului de ie¸sire, mai precis 0, 5V .
Pasul 2: calculul tensiunii de mod comun V
MC
.
170 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
Pentru ca AO sˇa funct ¸ioneze corect atunci cˆand este cascadat ˆıntr-un lant ¸ de
amplificatoare, tensiunile de mod comun la intrare ¸si ie¸sire trebuie sˇa fie egale,
V
MCin
= V
MCout
.
Limita inferioarˇa a domeniului de variat ¸ie a tensiunii de mod comun trebuie
sˇa permitˇa ca tranzistoarele de intrare M
1a
-M
1b
¸si cel de polarizare al etaju-
lui diferent ¸ial M
5
sˇa fie ˆın regim saturat. Conform acestei condit ¸ii, tensiunea
grilˇa-sursˇa a tranzistoarelor de intrare ¸si cea drenˇa-sursˇa a tranzistorului ce im-
plementeazˇa sursa de curent trebuie sˇa asigure funct ¸ionarea dispozitivelor ˆın
regim saturat.
V
MCmin
−V
SS
= V
GS1
+V
DS5
, (7.38)
unde:

V
GS1
= V
od1
+V
Thn
= 0, 15 + 0, 45 = 0, 6V
V
DS5
= V
od5
+ ∆V = 0, 25 + 0, 1 = 0, 35
(7.39)
Rezultˇa V
MCmin
= −1, 05V
Pe de altˇa parte, tot valoarea minimˇa a tensiunii de ie¸sire se poate obt ¸ine
conform ecuat ¸iei (7.40).
V
MCmin
−V
SS
= V
DS1
+V
DS2
+V
DS5
+V
semnMAX
, (7.40)
unde:

V
DS1
= V
od1
+ ∆V = 0, 15 + 0, 1 = 0, 25V
V
DS2
= V
od2
+ ∆V = 0, 2 + 0, 1 = 0, 3V
V
DS5
= V
od5
+ ∆V = 0, 25 + 0, 1 = 0, 35
(7.41)
De aceastˇa datˇa, rezultˇa V
MCmin
= −0, 6V .
Pentru a afla valoarea minimˇa a tensiunii de mod comun, se ia cazul cel mai
defavorabil V
MCmin
= −0, 6V .
Doris Csipkes 171
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
Limita superioarˇa a domeniului de variat ¸ie a tensiunii de mod comun trebuie sˇa
permitˇa funct ¸ionarea tranzistoarelor M
3b
¸si M
4b
din oglinda de curent cascodˇaˆın
regim saturat, chiar ¸si atunci cˆand semnalul de ie¸sire atinge valoarea sa maximˇa.
V
DD
−(V
MCmax
+V
semnMAX
) = V
DS3
+V
DS4
, (7.42)
unde:

V
DS3
= V
od3
+ ∆V = 0, 3V
V
DS4
= V
od4
+ ∆V = 0, 35V
(7.43)
Rezultˇa valoarea maximˇa a tensiunii de mod comun, ca fiind V
MCmax
= 0, 85V
Teoretic, tensiunea de mod comun poate fi aleasˇa oriundeˆıntre -0,6V ¸si +0,85V.
ˆ
In practicˇa, variat ¸ia optimˇa a semnalului la ie¸sire este obt ¸inutˇa atunci cˆand
tensiunea de mod comun este aleasˇa la aproximativ jumˇatatea intervalului dintre
limitele admise pentru V
MC
. Prin urmare, o posibilˇa valoare ar putea fi V
CM
=
0V .
Pasul 3: calculul tensiunilor de polarizare V
biasn
si V
casn
.
Pentru a determina tensiunile de polarizare, trebuie mai ˆıntˆai stabilite cˇaderile de
tensiune drenˇa-sursˇa pe fiecare tranzistor. Cˇaderea de tensiune pe fiecare tran-
zistor trebuie sˇa permitˇa polarizarea acestuia ˆın regim saturat.
ˆ
In consecint ¸ˇa,
tensiunea sa drenˇa-sursˇa se alege cu o margine de cel put ¸in 100mV fat ¸ˇa de
tensiunea de overdrive.
Se porne¸ste cu a¸sezarea ˆın tensiune a tranzistorului M
5
. Tensiunea V
DS5
este
condit ¸ionatˇa de valoarea tensiunii de mod comun la intrare, astfel:
V
MCin
−V
SS
= V
GS1
+V
DS5
⇒ V
DS5
= 1, 4V (7.44)
Dacˇa V
MCin
= V
MCout
, atunci valoarea teoreticˇa calculatˇa a tensiunii instanta-
nee la ie¸sire nu se mai conformeazˇa ecuat ¸iei 7.36, ci este limitatˇa de tensiunea
grilˇa-sursˇa a tranzistorului de intrare ¸si de tensiunea drenˇa-sursˇa a lui M
5
. Deoa-
rece la M
5
asigurˇam 1, 4V , atunci restul de 0, 6V care rˇamˆan trebuie ˆımpˇart ¸it ¸i
ˆıntre tranzistoarele M
1
¸si M
2
. Vom aloca mai mult spat ¸iu ˆın tensiune tranzisto-
rului cascodˇa, deoarece ca ¸si la sursa de curent cascodˇa, tranzistorul care intrˇa
172 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
primul ˆın regim liniar este cel cascodˇa. Prin urmare, alegem V
DS1
= 0, 25V ¸si
V
DS2
= 0, 35V .
Cascodarea tranzistorului de intrare duce la o structurˇa nepotrivitˇa pentru egali-
tatea tensiunilor de mod comun de la intrare ¸si ie¸sire. Aceasta, datoritˇa faptului
cˇa bugetul de tensiune alocat tranzistorului de intrare ¸si celui cascodˇa este prea
redus. Este posibil ca pentru valori mai mari ale tensiunii de overdrive a M
in
,
acest tranzistor sˇa fie la limita regimului saturat.
ˆ
In cazul tranzistoarelor PMOS nu mai este o problemˇa alocarea tensiunilor
drenˇa-sursˇa, deoarece dispunem de 2V pe care sˇa-i ˆımpˇart ¸im ˆıntre M
3
¸si M
4
.
Din nou alocˇam mai mult tranzistorului cascodˇa ¸si vom avea V
DS3
= 1, 5V ¸si
V
DS4
= 0, 5V .
ˆ
In Figura 7.16 sunt marcate tensiunile drenˇa-sursˇa ¸si curent ¸ii prin tranzistoare.

M4b
M5
M2a
M2b
M3b M3a
M1a
M4a
M1b
V =2V
DD
V =-2V
SS
V 0,3V
casn=
V =0V
MC
V =0V
MC
100uA 100uA
200uA
V =0V
MC
V =0,5V
DS4
V =0,35V
DS2
V =0,25V
DS1
V =1,4V
DS5
V =1,5V
DS3
V =-1,3V
biasn
Figura 7.16: AO cascodˇa telescop - a¸sezare ˆın tensiune
Acum se pot calcula tensiunile de polarizare, conform ecuat ¸iilor (7.45) ¸si (7.46).
Doris Csipkes 173
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
V
casn
−V
SS
=V
GS2
+V
DS1
+V
DS5
⇒ V
casn
= V
SS
+ (V
od2
+V
Thn
) +V
DS1
+V
DS5
(7.45)
V
biasn
−V
SS
= V
GS5
⇒ V
biasn
= V
SS
+ (V
od5
+V
Thn
) (7.46)
Dupˇa ˆınlocuirea valorilor numerice ¸si efectuarea calculelor rezultˇa:

V
casn
= −2 + (0, 2 + 0, 45) + 0, 25 + 1, 4 = 0, 3V
V
biasn
= −2 + (0, 25 + 0, 45) = −1, 3V
(7.47)
Pasul 4: determinarea curentului de polarizare a etajului diferent ¸ial.
Curentul I
5
se obt ¸ine din expresia SR-ului, astfel:
SR =
I
5
C
L
⇒ I
5
= SR · C
L
= 200µA (7.48)
Curentul prin cele douˇa ramuri ale etajului diferent ¸ial este egal cu jumˇatate din
curentul dat de sursa implementatˇa cu M
5
.
I
1
= I
2
= I
3
= I
4
= I
5
/2 = 100µA (7.49)
I
5
= 200µA, I
1
= I
2
= I
3
= I
4
= 100µA
Pasul 5: calculul tensiunii de overdrive a tranzistoarelor de intrare.
Din expresia lui GBW se poate calcula transconductant ¸a G
m1
.
GBW =
G
m1
2πC
L
⇒ G
m1
= g
m1
= 2πC
L
· GBW = 1, 33mS (7.50)
Pe de altˇa parte transconductant ¸a tranzistorului M
1
se poate scrie conform
ecuat ¸iei (7.51).
174 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
g
m1
=
2I
1
V
od1
(7.51)
Din ecuat ¸iile (7.50) ¸si (7.51) rezultˇa valoarea tensiunii de overdrive pentru tran-
zistoarele M
1a
-M
1b
.
V
od1
=
2I
1
g
m1
= 150mV (7.52)
g
m1
= 1, 33mS, V
od1
= 150mV
Pasul 6: dimensionarea tranzistoarelor.
Tip I
D
V
od
V
DS
M
1a
−M
1b
100µA 150mV 0,3V
M
2a
−M
2b
100µA 200mV 0,45V
M
3a
−M
3b
100µA 200mV 1,5V
M
4a
−M
4b
100µA 250mV 0,5V
M
5
200µA 250mV 1,25V
Tabelul 7.2: Curent ¸ii ¸si tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor
Curent ¸ii ¸si tensiunile de overdrive a tuturor tranzistoarelor din schemˇa sunt date
ˆın Tabelul 7.2. Conform acestor valori ¸si folosind setul de referint ¸ˇa, se poate
calcula raportul W/L pentru fiecare tranzistor.
Pentru dimensionarea tranzistoarelor se face urmˇatoarea scalare:
I
ref
I
=
W
ref
L
ref
·
L
W
·

V
ref
od
V
od

2

W
L
=
W
ref
L
ref
·
I
I
ref
·

V
ref
od
V
od

2
(7.53)
Particularizˆand aceastˇa ecuat ¸ie pentru fiecare tranzistor din schemˇa, rezultˇa
geometria acestora, conform Tabelului 7.3.
Pentru tranzistoarele cascodˇa M
2
¸si M
3
s-a ales lungimea canalului mai redusˇa
decˆat a celorlate, ˆın vederea diminuˇarii capacitˇat ¸ilor parazite de la ie¸sire.
Doris Csipkes 175
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
M M
1
M
2
M
3
M
4
M
5
W
L
26, 9µ

7, 5µ
0, 5µ
25, 3µ
0, 5µ
32, 4µ

19, 4µ

Tabelul 7.3: Valorile W/L a tranzistoarelor
7.3.1 AO cascodˇa telescop complet diferent ¸ial
Schema AO cascodˇa telescop cu ie¸sire diferent ¸ialˇa se obt ¸ine din structura de
AO cascodˇa telescop cu ie¸sire simplˇa. Pentru aceasta se ˆınlocuie¸ste sarcina
oglindˇa de curent cascodˇa cu surse de curent cascodˇa ¸si se culege diferent ¸ial
ie¸sirea din drenele tranzistoarelor M
2
.
ˆ
In acest caz, circuitul de polarizare trebuie
sˇa furnizeze pe lˆangˇa tensiunile V
biasn
, V
casn
¸si tensiunea de polarizare V
casp
,
necesarˇa pentru polarizarea tranzistoarelor cascodˇa PMOS.
Schema AO cascodˇa telescop complet diferent ¸ialˇa este datˇa ˆın Figura 7.17.
M4b
M2a M2b
M1a
M4a
M1b
M3a M3b
M5

C
L
V
DD
V
SS
V
biasn
V
casn
V
biasp
V
casp
V
casn
V
ip
V
op
V
om
V
im
D1a D1b
Figura 7.17: AO cascoda telescop complet diferent ¸ialˇa
176 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
Un caz special ˆıl constituie modul de generare a tensiunii de polarizare V
biasp
,
care este furnizatˇa de un circuit destinat reglajului tensiunii de mod comun.
Acesta are la intrarea sa componenta continuˇa a tensiunii instantanee de la
fiecare ie¸sire a AO diferent ¸ial, pe care o comparˇa cu o tensiune de referint ¸ˇa,
egalˇa chiar cu tensiunea de mod comun. Printr-o buclˇa de react ¸ie negativˇa, prin
intermediul lui V
biasp
se regleazˇa curentul prin ramurile AO, pˆanˇa cˆand tensiunea
de mod comun la ie¸sire are valoarea doritˇa.
ˆ
In literatura de specialitate se gˇasesc
mai multe variante de implementare a circuitelor de reglaj a tensiunii de mod
comun, dar acestea, apart ¸inˆand unei tematici mai avansate, nu fac obiectul
cursului nostru.
Modelul echivalent de semnal mic ¸si ˆınaltˇa frecvent ¸ˇa este arˇatat ˆın Figura 7.18.
V
in
V
out
Vp
G V
m1 in
G Vp
m2
R
p
R
out
C
p
C
out
D1a
D1b

Figura 7.18: Modelul echivalent corespunzˇator AO din Figura 7.17
Parametrii de semnal mic sunt dat ¸i ˆın urmˇatorul sistem de ecuat ¸ii:

G
m1
=
g
m1
2
, R
out
= 2 (g
m2
r
DS2
r
DS1
|| g
m3
r
DS3
r
DS4
)
G
m2
=
g
m2
2
, R
p

=
2
g
m2
C
out
=
1
2
(C
BD2
+C
BD3
+C
GD2
+C
GD3
+ 2C
L
)

= C
L
C
p
=
1
2
(C
BS2
+C
GS2
+C
BD1
)
(7.54)
7.4 Amplificatorul operat ¸ional cascodˇa pliatˇa
Dezavantajul major al AO cascodˇa telescop ˆıl constituie polarizarea proble-
maticˇa a tranzistorului de intrare ¸si a celui cascodˇa NMOS, datoritˇa spat ¸iului
restrˆans ˆın tensiune care poate fi alocat acestora. Deoarece tensiunile de mod
Doris Csipkes 177
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
comun la intrare ¸si ie¸sire sunt egale, suma tensiunilor drenˇa-sursˇa a lui M
1
¸si
M
2
este egalˇa cu tensiunea grilˇa-sursˇa a tranzistorului de intrare. Pentru o po-
larizare corectˇa, valoarea tensiunii grilˇa-sursˇa se considerˇa insuficientˇa, ˆın cazul
cel mai defavorabil, pentru a acoperi echivalentul a douˇa tensiuni drenˇa-sursˇa.
Un caz concret a fost arˇatat ˆın exemplul de proiectare al AO cascodˇa telescop,
unde 0,6V au fost alocat ¸i tranzistorului de intrare ¸si celui cascodˇa NMOS.

M4
M5
M1
M3
M4
M2
Min
M1
M2
M5
M3
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
V
SS
V
DS2
V
SD3
V
DS1
V
DSin
V
GS1
V
GS1
V
biasn
V
biasn
V
biasp
V
biasp
V
biasn
V
casn
V
casn
V
casp
V
casp
V
inMC
V
inMC
V
outMC
VS1 VSin
V
outMC
Figura 7.19: Sect ¸iuni ale AO cascodˇa telscop ¸si AO cascodˇa pliatˇa
ˆ
In Figura 7.19 a) este datˇa o sect ¸iune din AO cascodˇa telescop. Dacˇa scriem
cˇaderea de tensiune dintre ie¸sire ¸si intrare, se poate demonstra afirmat ¸ia ante-
rioarˇa.

V
outMC
−V
S1
= V
DS2
+V
DS1
V
inMC
−V
S1
= V
GS1
V
inMC
= V
outMC
⇒ V
DS2
+V
DS1
= V
GS1
(7.55)
O solut ¸ie la aceastˇa problemˇa ar fi ˆınlocuirea tranzistorului cascodˇa NMOS cu
unul PMOS, ca ˆın Figura 7.19 b). Tranzistorul cascodˇa PMOS introduce o
deplasare de nivel ¸si astfel diferent ¸a tensiunilor drenˇa-sursˇa a tranzistorului de
intrare ¸si a celui cascodˇa PMOS trebuie sa fie egalˇa cu tensiunea grilˇa-sursˇa a
lui M
in
, conform ecuat ¸iei (7.56). Astfel, se pot aloca cu o margine rezonabilˇa
178 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
tensiunile drenˇa-sursˇa tuturor tranzistoarelor din schemˇa, evitˆand intrarea lor ˆın
regim liniar sau blocat. Rezultˇa structura cascodˇa pliatˇa.
ˆ
In acest caz ecuat ¸iile
7.55 se rescriu dupˇa cum urmeazˇa:

V
outMC
−V
S
in
= V
DS
in
−V
SD3
V
inMC
−V
S
in
= V
GS
in
V
inMC
= V
outMC
⇒ V
DS
in
−V
SD3
= V
GS
in
(7.56)
Schema AO cascodˇa pliatˇa este prezentatˇa ˆın Figura 7.20.
M1b
M3a
M5
Mina
M4b
M2a
M3b
Minb
M1a
M2b
M4a

C
L
V
DD
V
SS
V
biasn
V
biasp
V
casp
V
casn
V
ip
I
in
I
cas
I
in
I
cas
V
out
V
im
Figura 7.20: Amplificatorul operat ¸ional cascodˇa pliatˇa
Aceastˇa variantˇa de amplificator operat ¸ional are douˇa etaje. Primul, format
din tranzistoarele M
ina
¸si M
inb
converte¸ste tensiunea diferent ¸ialˇa de intrare
ˆın curent ¸si apoi din nou ˆın tensiune pe rezistent ¸a echivalentˇa a nodului de
pliere. Acest nod prezintˇa o impedant ¸a joasˇa, aproximativ egalˇa cu inversul
transconductant ¸ei tranzistoarelor cascodˇa PMOS. Al doilea etaj, este format cu
tranzistoare ˆın conexiune grilˇa-comunˇa ¸si amplificˇa curentul din nodul de pliere,
folosind rezistent ¸a de ie¸sire a circuitului de valoare ridicatˇa.
Modelul echivalent de semnal mic este acela¸si ca cel al AO cascodˇa telescop din
Figura 7.15. Parametrii de semnal mic sunt dat ¸i ˆın sistemul de ecuat ¸ii (7.57).
Doris Csipkes 179
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE

G
m1
= g
m
in
, R
out
= g
m2
r
DS2
r
DS1
|| g
m3
r
DS3
r
DS4
G
m2
=
g
m3
2
, R
p

=
2
g
m3
C
out
= C
BD2
+C
BD3
+C
GD2
+C
GD3
+C
L

= C
L
C
p
=
1
2
(C
BS3
+C
GS3
+C
BD4
+C
GD4
+C
BD1
)
(7.57)
Pentru a arˇata metoda completˇa de proiectare a unui AO cascodˇa pliatˇa, se
considerˇa urmˇatoarele specificat ¸ii:
- cˆa¸stigul de joasˇa frecvent ¸ˇa A
0
≥ 60dB;
- viteza maximˇa de variat ¸ie a tensiunii de ie¸sire SR ≥ 50V/µs;
- produsul amplificare-bandˇa GBW ≥ 50MHz;
- capacitatea de sarcinˇa C
L
= 4pF;
- alimentare simetricˇa V
DD
= −V
SS
= 1, 5V ;
- amplitudinea semnalului de ie¸sire V
semnMAX
= 0, 5V ;
- curentul prin ramurile etajului cascodˇa este I
cas
= 1, 5 ∗ I
in
, pentru a
evita blocarea tranzistoarelor din etajul de ie¸sire la semnal mare.
Pasul 1: domeniul maxim de variat ¸ie a semnalului la ie¸sire.
Valorile tensiunilor de overdrive se aleg V
od
= 250mV pentru tranzistoarele de
polarizare M
1
, M
4
, M
5
¸si V
od
= 200mV pentru tranzistoarele cascodˇa M
2
, M
3
.
Tensiunea de overdrive a tranzistoarelor de intrare M
in
rezultˇa V
od
= 160mV ,
dupˇa cum se va aratˇa la Pasul 5. Adit ¸ional, tensiunea drenˇa-sursˇa a fiecˇarui
tranzistor se alege cu o margine ∆V = 100mV fat ¸ˇa de valoarea V
DSsat
minimˇa
admisˇa.
Domeniul de variat ¸ie al tensiunii de ie¸sire trebuie ales astfel ˆıncˆat tranzistoarele
sˇa fie polarizate ˆın regim saturat. Rezultˇa cˇa limitele de variat ¸ie ale tensiunii de
ie¸sire sunt:
180 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE

V
DD
−V
outMAX
= V
DS3
+V
DS4
V
outMAX
= V
DD
−(V
od3
+ ∆V ) + (V
od4
+ ∆V )
⇒V
outMAX
= 0, 85V
V
outMIN
−V
SS
= V
DS1
+V
DS2
V
outMIN
= V
SS
+V
od1
+V
od2
+ 2∆V
⇒V
outMIN
= −0, 85V
(7.58)
Rezultˇa cˇa variat ¸ia maximˇa vˆarf la vˆarf a tensiunii de ie¸sire este:
∆V
out
= V
outMAX
−V
outMIN
= 0, 85 −(−0, 85) = 1, 7V (7.59)
Pentru aplicat ¸ia noastrˇa considerˇam cˇa variat ¸ia semnalului de ie¸sire este de 1V .
Aceasta este mai micˇa decˆat valoarea teoreticˇa maximˇa calculatˇa ˆın (7.59).
Pasul 2: calculul tensiunii de mod comun V
MC
.
Din nou punem condit ¸ia ca tensiunile de mod comun la intrare ¸si ie¸sire sˇa fie
egale, V
MCin
= V
MCout
.
Limita inferioar a a domeniului de variat ¸ie a tensiunii de mod comun trebuie
sˇa permitˇa tranzistoarelor de intrare M
ina
-M
inb
¸si celui de polarizare a etajului
diferent ¸ial M
5
sˇa funct ¸ioneze ˆın regim saturat.
V
MCmin
−V
SS
= V
GS1
+V
DS5
, (7.60)
unde:

V
GS
in
= V
od
in
+V
Thn
= 0, 16 + 0, 45 = 0, 61V
V
DS5
= V
od5
+ ∆V = 0, 25 + 0, 1 = 0, 35
(7.61)
Rezultˇa V
MCmin
= −0, 54V
Doris Csipkes 181
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
Pe de altˇa parte, tot valoarea tensiunii de mod comun la ie¸sire se poate obt ¸ine
conform ecuat ¸iei (7.61).
V
MCmin
−V
SS
= V
DS1
+V
DS2
+V
semnMAX
, (7.62)
unde:

V
DS1
= V
od1
+ ∆V = 0, 16 + 0, 1 = 0, 26V
V
DS2
= V
od2
+ ∆V = 0, 2 + 0, 1 = 0, 3V
(7.63)
De aceastˇa datˇa, rezultˇa V
MCmin
= −0, 35V .
Valoarea minimˇa a tensiunii de mod comun care acoperˇa ambele valori part ¸iale
calculate mai sus este V
MCmin
= −0, 35V .
Limita superioarˇa a domeniului de variat ¸ie a tensiunii de mod comun trebuie sˇa
permitˇa funct ¸ionarea tranzistoarelor M
3
¸si M
4
ˆın regim saturat, ˆın condit ¸iile ˆın
care semnalul de ie¸sire atinge valoarea sa maximˇa.
V
DD
−(V
MCmax
+V
semnMAX
) = V
DS3
+V
DS4
, (7.64)
unde:

V
DS3
= V
od3
+ ∆V = 0, 3V
V
DS4
= V
od4
+ ∆V = 0, 35V
(7.65)
Rezultˇa valoarea maximˇa a tensiunii de mod comun, ca fiind V
MCmax
= 0, 35V
Teoretic tensiunea de mod comun poate fiˆın intervalul -0,35V si +0,35V. Pentru
maximizarea domeniului de variat ¸ie a semnalului de ie¸sire alegem V
CM
= 0V .
Pasul 3: calculul tensiunilor de polarizare V
biasp
, V
casp
si V
biasp
.
Mai ˆıntˆai stabilim cˇaderile de tensiune pe fiecare tranzistor din schemˇa, astfel
ˆıncˆat ele sˇa fie polarizate ˆın regim saturat. Pentru aceasta, tensiunile drenˇa-
sursˇa se aleg cu o margine de cel put ¸in 100mV fat ¸ˇa de tensiunile de overdrive.
Deoarece schema este simetricˇa, tranzistoarelor M
1
-M
2
¸si M
3
-M
4
vom aloca
1,5V.
ˆ
In mod similar ca la AO cascodˇa telescop, repartizˇam mai mult spatiu ˆın
182 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
tensiune tranzistoarelor cascodˇa. Prin urmare, alegem V
DS1
= V
DS4
= 0, 5V
¸si V
DS2
= V
DS3
= 1V .
Tensiunea V
DS5
este condit ¸ionatˇa de valoarea tensiunii de mod comun la intrare
¸si se calculeazˇa conform ecuat ¸iei:
V
MCin
−V
SS
= V
GS
in
+V
DS5
⇒ V
DS5
= 0, 89V (7.66)
ˆ
In Figura 7.21 sunt marcate tensiunile drenˇa-sursˇa ¸si curent ¸ii prin tranzistoare.

Minb
M5
M3a
M4b
M4a
M1b
M2a
M3b
M2b
Mina
M1a
V =1,5V
DD
V =-1,5V
SS
V =0,35V
casp
V =0,8V
biasp
V =0V
MC
V =0V
MC
150uA
100uA
200uA
V =0V
MC
V =0,5V
DS4
V =1V
DS2
V =0,5V
DS1
V =0,89V
DS5
V =1V
DS3
V =-0,8V
biasn
100uA
150uA
250uA 250uA
Figura 7.21: AO cascodˇa pliatˇa - a¸sezare ˆın tensiune
Acum se pot calcula tensiunile de polarizare, conform ecuat ¸iilor anterioare.

V
biasn
−V
SS
= V
GS5
⇒ V
biasn
= −0, 8V
V
DD
−V
biasp
= V
SG4
⇒ V
biasp
= 0, 8V
V
DD
−V
casp
= V
SD4
+V
SG3
⇒ V
casp
= 0, 35V
(7.67)
Pasul 4: determinarea curentului de polarizare a etajului diferent ¸ial.
Doris Csipkes 183
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
Curentul I
5
se obt ¸ine din expresia SR-ului, astfel:
SR =
I
5
C
L
⇒ I
5
= SR · C
L
= 200µA (7.68)
Curentul prin cele douˇa ramuri ale etajului diferent ¸ial de intrare este egal cu
jumˇatate din curentul prin M
5
.
I
Dina
= I
Dinb
= I
5
/2 = 100µA (7.69)
I
5
= 200µA, I
ina
= I
inb
= 100µA, I
cas
= 1, 5 ∗ I
in
= 150µA
Pasul 5: calculul tensiunii de overdrive a tranzistoarelor de intrare.
Din expresia lui GBW determinˇam transconductant ¸a G
m1
.
GBW =
G
m1
2πC
L
⇒ G
m1
= g
m
in
= 2πC
L
· GBW = 1, 25mS (7.70)
Pe de altˇa parte, transconductant ¸a lui M
in
se poate scrie astfel:
g
m
in
=
2I
Din
V
od
in
(7.71)
Din ecuat ¸iile (7.70) ¸si (7.71) rezultˇa valoarea tensiunii de overdrive pentru tran-
zistoarele de intrare.
V
od
in
=
2I
in
g
m
in
= 160mV (7.72)
g
m
in
= 1, 25mS, V
od
in
= 160mV
Pasul 6: dimensionarea tranzistoarelor.
ˆ
In Tabelul 7.4 sunt dat ¸i curent ¸ii ¸si tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor din
schemˇa.
184 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
Tip I
D
V
od
V
DS
M
in
100µA 160mV 1,61V
M
1
150µA 250mV 0,5V
M
2
150µA 200mV 1V
M
3
150µA 200mV 1V
M
4
250µA 250mV 0,5V
M
5
200µA 250mV 0,89V
Tabelul 7.4: Curent ¸ii ¸si tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor
Deoarece curent ¸ii din ramurile circuitului sunt multiplii unui curent unitate,
egal cu 50µA, se vor face scalˇari pentru tranzistoarele de tip NMOS ¸si PMOS
avˆand curentul egal cu unitatea ¸si tensiunea de overdrive de 200mV ¸si 250mV .
Utilizˆand ecuat ¸ia (7.53), rezultˇa:

W
n
L
n
=
7, 5µ

,
W
p
L
p
=
25, 3µ

, pentru V
od
= 200mV
W
n
L
n
=
4, 8µ

,
W
p
L
p
=
16, 2µ

, pentru V
od
= 250mV
(7.73)
In Tabelul 7.5 sunt date dimensiunile tranzistoarelor din schemˇa.
M M
in
M
1
M
2
M
3
M
4
M
5
W
L
23, 6µ

3*
4, 8µ

3*
3, 7µ
0, 5µ
3*
12, 6µ
0, 5µ
5*
16, 2µ

4*
4, 8µ

Tabelul 7.5: Geometria tranzistoarelor
7.4.1 AO cascodˇa pliatˇa complet diferent ¸ial
Varianta complet diferent ¸ialˇa a amplificatorului cascodˇa pliatˇa este datˇa ˆın Fi-
gura 7.22. Trecerea de la AO cascodˇa pliatˇa cu ie¸sire simplˇa la structura complet
diferent ¸ialˇa se face ˆın mod similar ca la amplificatorul cascodˇa telescop.
Doris Csipkes 185
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
M1b
M1a
M2a
Mina
M4b
M3a
M2b
M4a
Minb
M5
M3b

C
L
V
DD
V
SS
V
biasn
V
casn
V
biasp
V
casp
V
casn
V
ip
V
op
V
om
V
im
Figura 7.22: AO cascodˇa pliatˇa complet diferent ¸ial
Schema de semnal mic este aceea¸si ca la AO cascodˇa telescop din Figura 7.18.
Parametrii de semnal mic sunt urmˇatorii:

G
m1
=
g
m
in
2
, R
out
= 2 (g
m2
r
DS2
r
DS1
|| g
m3
r
DS3
r
DS4
)
G
m2
=
g
m3
2
, R
p

=
2
g
m3
C
out
=
1
2
(C
BD2
+C
BD3
+C
GD2
+C
GD3
+ 2C
L
)

= C
L
C
p
=
1
2
(C
BS3
+C
GS3
+C
BD4
+C
GD4
+C
BD1
)
(7.74)
7.5 Sumar
ˆ
In acest capitol s-au prezentat cˆateva configurat ¸ii de amplificatoare operat ¸iona-
le. Astfel, au fost discutate AO Miller, AO cascodˇa telescop ¸si cascodˇa pliatˇa.
186 Doris Csipkes
C
i
r
c
u
i
t
e
I
n
t
e
g
r
a
t
e
A
n
a
l
o
g
i
c
e
Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERAT¸ IONALE
ˆ
In cazul fiecˇaruia s-au evident ¸iat avantajele, limitˇarile ¸si domeniul de frecvent ¸e
ˆın care se utilizeazˇa ˆın practicˇa.
Cele trei structuri de AO sunt ˆınsot ¸ite de metoda completˇa de proiectare pentru
specificat ¸ii impuse. Ace¸sti pa¸si de proiectare permit ca pentru un nou set de
specificat ¸ii sˇa se obt ¸inˇa cu u¸surint ¸ˇa dimensiunile tranzistoarelor ¸si a componen-
telor pasive, acolo unde este cazul.
Bibliografie:
1. Lelia Fe¸stilˇa - Circuite integrate analogice II, Casa Cˇart ¸ii de S¸tiint ¸ˇa, 1999;
2. Doris Csipkes, Gabor Csipkes - Fundamental analog circuits. Practical
simulation exercises, UTPres, 2004;
3. P.E. Allen, D. Holberg - CMOS analog circuit design, Oxford University
Press, 1987
4. J-T. Wu - Multiple-Transistor Gain Stages - Lecture Notes, National
Chiao-Tung University, Taiwan, 2002
Doris Csipkes 187

Cuprins

2 Surse de curent 2.1 Sursa simplˇ de curent cu un singur tranzistor . . . . . . . . . a 2.2 Sursa de curent cu un singur tranzistor ¸i degenerare rezistivˇ . s a 2.3 Sursa de curent cascodˇ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 2.4 Sursa de curent cu rezistentˇ de ie¸ire mˇritˇ . . . . . . . . . ¸a s a a 2.5 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Ci rcu

1 Tranzistoare MOS ¸i bipolare s 1.1 Tranzistoare bipolare . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1.1 Generalitˇ¸i . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . at 1.1.2 Functionarea tranzistorului bipolar . . . . . . . . . ¸ 1.1.3 Modelul de semnal mare ˆ regiunea activˇ normalˇ ın a a 1.1.4 Modelul de semnal mare al tranzistorului bipolar ˆ saturatie . . . . . . . . . . . . . . . . . ın ¸ 1.1.5 Modelul de semnal mic al tranzistorului bipolar ˆ RAN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ın 1.1.6 Caracteristica de ie¸ire . . . . . . . . . . . . . . . s 1.1.7 Caracteristica de transfer . . . . . . . . . . . . . . 1.1.8 Modelul de semnal mic ¸i ˆ a frecventˇ . . . . . s ınaltˇ ¸a 1.2 Tranzistorul MOS cu canal indus . . . . . . . . . . . . . . 1.2.1 Generalitˇ¸i . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . at 1.2.2 Functionarea tranzistoarelor MOS . . . . . . . . . ¸ 1.2.3 Modelul de semnal mare al tranzistorului MOS . . 1.2.4 Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS ˆ saturatie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ın ¸ 1.2.5 Polarizarea substratului ¸i efectul ”latch-up” . . . . s 1.2.6 Modelul de semnal mic ¸i ˆ a frecventˇ . . . . . s ınaltˇ ¸a 1.3 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

An alo gic e
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

at

e

3 3 3 4 7 8

gr

ite

8 10 11 11 12 12 14 17 20 22 23 25 27 27 30 33 35 37

In te

ii

5 Amplificatoare simple 5.1 Amplificatorul inversor cu sarcinˇ rezistivˇ a a 5.2 Amplificatorul inversor cu sarcinˇ diodˇ . a a 5.3 Amplificatorul inversor cu sarcinˇ sursˇ a a de curent . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.4 Amplificatorul inversor cascodˇ . . . . . . a 5.5 Amplificatorul inversor cascodˇ simetricˇ . a a 5.6 Amplificatorul inversor cascodˇ pliatˇ . . . a a

Ci rcu

4 Referinte electronice ¸ 4.1 Referintˇ simplˇ cu divizor de tensiune . . . . . ¸a a 4.2 Referinta de tensiune cu diodˇ ¸ a bipolarˇ ¸i MOS . . . . . . . . . . . . . . . . . as 4.3 Referinta de tensiune cu diodˇ Zener . . . . . . ¸ a 4.4 Referintˇ de curent cu oglindˇ simplˇ ¸a a a de curent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5 Referinta de curent Widlar . . . . . . . . . . . ¸ 4.5.1 Referinta Widlar cu tranzistoare MOS . ¸ 4.5.2 Referinta Widlar cu tranzistoare bipolare ¸ 4.6 Referinta de curent VT h ¸i VBE . . . . . . . . . ¸ s 4.7 Referinte independente de VDD . . . . . . . . . ¸ 4.8 Referinte compensate cu temperatura . . . . . ¸ 4.9 Exemple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.10 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

at

e

eg r

An
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3 Oglinzi de curent 3.1 Introducere . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2 Oglinzi de curent MOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1 Oglinda simplˇ de curent MOS . . . . . . . . . . a 3.2.2 Oglinda de curent cascodˇ MOS . . . . . . . . . a 3.2.3 Oglinda cascodˇ MOS de joasˇ tensiune . . . . . a a 3.2.4 Oglinda de curent Wilson cu tranzistoare MOS . 3.3 Oglinzi de curent cu tranzistoare bipolare . . . . . . . . 3.3.1 Oglinda simpla cu tranzistoare bipolare . . . . . . 3.3.2 Oglinda de curent cu compensare de β . . . . . . 3.3.3 Oglinda de curent bipolarˇ cu degenerare rezistivˇ a a 3.3.4 Oglinda cascodˇ bipolarˇ . . . . . . . . . . . . . a a 3.3.5 Oglinda Wilson bipolarˇ . . . . . . . . . . . . . . a 3.4 Sumar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . .

39 39 40 40 44 46 50 53 53 57 61 64 66 68

alo
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

70 . . . . . . . . . 71 . . . . . . . . . 74 . . . . . . . . . 77 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78 79 79 81 82 83 85 88 92

ite

In t

94 . . . . . . . . . . . . 94 . . . . . . . . . . . . 100 . . . . . . . . . . . . . . . . 104 107 114 119

iii

gic e

4 Amplificatorul operational Miller ¸ cu etaj repetor de ie¸ire . . . . . . . . . alo 6 Amplificatoare diferentiale ¸ 6. .2. . . . . . . . . . . . 157 . . .4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 Metoda de proiectare a amplificatorului operational Miller . . . . . . . . . . . . . . 147 . . . . . 124 125 . . . . 156 . . .2 Amplificatorul diferential cu sarcinˇ rezistivˇ ¸ a a 6. . . ¸ 7. . . . . . . . . . . . .5 Sumar . . . . . . . . . . . . 133 curent .5. .1 Introducere . . . . . .3 Amplificatorul diferential MOS cu sarcinˇ ¸ a oglindˇ de curent . . . . a ¸ 7.5 Sumar . . . . .2. . . 125 . . . . . . . . . . ¸ s 7. . 149 . . . . . . . . . . . . .2 Amplificatorul operational Miller . . . . . . .2. . . . . . a a ¸ 7. . . . . . . . 145 Ci rcu ite In t 7 Amplificatoare operationale ¸ 7. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2. . . . . . . . . . ¸ a 7. . . .2.1 Introducere . . 147 . . . . 7. . . . . . . .1 Dimensionarea condensatorului Miller pentru stabilitate neconditionatˇ . .3. . . . . . . . . . . . . .7 Sumar . . . .4 Amplificatorul operational cascodˇ pliatˇ . . .4 Amplificatorul diferential cu sarcinˇ surse de ¸ a 6. a 6. . . . . . . . . . . .1 AO cascodˇ telescop complet diferential . .1 AO cascodˇ pliatˇ complet diferential . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 Amplificatorul operational Miller complet diferential . . ¸ a a 7. . . . . . . . . 160 162 167 176 177 185 186 . . . 159 . . . . . ¸ 7. . . . . . . ¸ a 7. . . . 6. . 126 . . . . . . . . . . . . . s 7. 139 . . . . .3 Amplificatorul operational cascodˇ telescop . . . . . . . . . An at e eg r iv gic e . . ¸ 7. . . . . .2 Viteza de variatie a tensiunii de ie¸ire la AO Miller .

utilizate ˆ practicˇ. atˆt pentru joasˇ cˆt ¸i pentru ˆ a a a s ınaltˇ frecventˇ. astfel fiind posibilˇ comparatia ˆ a ¸ ıntre diferitele implementˇri la nivel de a tranzistor. inginerilor cu aceastˇ specialitate ¸i tuturor celor interesati a s ¸ de proiectarea analogicˇ. ˆ In capitolul 4 sunt introduse cˆteva tipuri de referinte de tensiune ¸i de a ¸ s curent. Cartea este structuratˇ pe ¸apte capitole. probleme de polaa rizare.Prefatˇ ¸a Capitolul 2 ˆsi propune studiul cˆtorva implementˇri electronice ale surselor ı¸ a a de curent. iar ˆ final modelul de semnal mic ¸i parametrii s s ın s specifici. a ¸a at e Materialul prezentat ˆ aceastˇ carte se adreseazˇ studentilor de la facultˇ¸ile ın a a ¸ at de Electronicˇ ¸i Telecomunicatii. In final. Pornind de la structura cea mai simplˇ ¸i argumentˆnd fiecare a s a ˆ ımbunˇtˇ¸ire se ajunge la structuri mai performante. modelul de semnal mare ¸i ecuatiile de functionare. caracteristicile s ¸ ¸ de ie¸ire ¸i de transfer. a at ın a Capitolul 3 se ocupˇ de oglinzile de curent MOS ¸i bipolare. ¸ a a ¸ Ci rcu ite In te gr ˆ In capitolul 1 sunt prezentate tranzistoarele bipolare ¸i tranzistoarele MOS. An alo gic e . fiecare a a s abordˆnd o categorie de circuite sau principii. s Pentru fiecare dispozitiv sunt discutate structura fizicˇ. Pentru fiecare referintˇ sunt date expresia senzitivitˇ¸ii mˇrimii de ¸a at a ie¸ire cu tensiunea de alimentare ¸i a coeficientului de temperaturˇ. Tot s s a ˆ aceastˇ sectiune este explicata o metodˇ prin care se eliminˇ dependenta ın a ¸ a a ¸ ˆ de tensiunea de alimentare a mˇrimii generate. utilizate ˆ proiectarea cira ın cuitelor analogice integrate. Fiecare oglindˇ este caracterizatˇ prin parametrii ei specia a fici. care urmeazˇ cursurile de Circuite Inteas ¸ a grate Analogice. imune la variatiile cu temperatura. sunt prezentate a referintele de tip bandˇ interzisˇ. Accentul este a s pus pe comportamentul de curent continuu ¸i caracteristicile de semnal mic s ale circuitelor.

a ¸ Caracteristicile specifice fiecˇrui etaj de amplificare. In ¸ AO avˆnd compensare de tip Miller. Cele trei structuri de AO sunt ¸ ın a ın a ˆ ¸ite de metoda completˇ de proiectare pentru specificatii impuse. ınsot a ¸ Ci rcu ite In t alo gic e Autoarea Capitolul 5 se referˇ la principalele configuratii de amplificatoare simple. ¸i a s ˆ acest context. limitˇrile ¸i domeniul a ˆ a ¸ a s de frecvente ˆ care se utilizeazˇ ˆ practicˇ.Aprilie. pe lˆngˇ prezentarea ¸i analiza concretˇ a unor circuite. a ¸ iar capitolul 6 la amplificatoarele diferentiale. 2007 eg r Lucrarea oferˇ. domeniul de variatie al tensiunii ¸ ¸ de ie¸ire. discutate ˆ acest paa ın ragraf. sunt punctul static de functionare. In cazul fiecˇruia sunt evidentiate avantajele. ın a at e An Ultimul capitol vizeazˇ studiul unei categorii speciale de circuite analogice. modelul de semnal mic ¸i comportamentul ˆ frecventˇ. AO cascodˇ telescop ¸i AO cascodˇ a a s a pliatˇ. Aceste metode permit cititorului sˇ adapteze algoritmii propu¸i altor a s categorii de circuite. o a a a s a vedere de ansamblu aspura metodelor de analizˇ specifice circuitelor analoa gice. sunt discutate anume cel al amplificatoarelor operationale. s s ın ¸a . Aceste circuite stau la baza ¸ oricˇrei structuri mai complicate ale unui amplificator operational complet. care nu sunt discutate ˆ aceastˇ carte.

Capitolul 1

Tranzistoare MOS ¸i bipolare s
Tranzistoarele sunt cele mai importante componente ale circuitelor integrate. Ele pot fi de mai multe tipuri ˆ functie de pa¸ii utilizati ˆ procesul de fabricatie. ın ¸ s ¸ ın ¸ Tranzistoarele cel mai adesea utilizate sunt cele bipolare ¸i MOS cu canal indus. s

1.1
1.1.1

Tranzistoare bipolare
Generalitˇ¸i at

In t

Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive cu 3 terminale (4 terminale dacˇ se a considera ¸i conexiunea de substrat) comandate ˆ curent. Simbolurile tipice s ın utilizate sunt date ˆ Figura 1.1. ın

eg r
C B E

at
E C PNP

Ci rcu

Figura 1.1: Simbolurile tipice ale tranzistoarelor bipolare

ˆ procesele moderne BiCMOS tranzistoarele NPN au o structurˇ fizicˇ verIn a a ticalˇ, spre deosebire de tranzistoarele PNP, realizate de regulˇ ca dispozitive a a

ite

B

NPN

e

An

alo

gic e

Circuite integrate analogice I

CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS SI BIPOLARE ¸

laterale. Structura unui tranzistor NPN este prezentatˇ ˆ Figura 1.2 (vedere a ın de sus ¸i sectiune). s ¸

conexiuni metalice p+

n+
n+

p+

n+

An
n-

e
p+
n+

eg r
n+ buried

p+

at
n+

In t

Figura 1.2: Structura fizicˇ a unui tranzistor NPN a

1.1.2

a ¸ Functionarea tranzistorului bipolar este determinatˇ de cele douˇ jonctiuni pn ¸ a din structurˇ, fiind similarˇ pentru tranzistoarele NPN ¸i PNP. Din acest motiv a a s se va discuta pe larg numai functionarea variantei NPN. ¸

4

Ci rcu

Colectorul este realizat ca un strat ˆ ıngropat (eng. n+ buried), contactul acestuia fiind accesibil printr-o portiune verticalˇ de tip n+ (dopatˇ puternic cu ¸ a a atomi donori cu exces de electroni). Colectorul ˆ ıngropat de dimensiuni mai mari permite captarea optimˇ a purtˇtorilor. Tranzistorul este izolat de dispozitivele a a adiacente prin structuri p+.

Functionarea tranzistorului bipolar ¸

ite

alo
npSiO2

p+ np-

gic e
Doris Csipkes

Circuite integrate analogice I

CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS SI BIPOLARE ¸

Tranzistorul nepolarizat Figura 1.3 prezintˇ distributia purtˇtorilor de sarcinˇ ˆ a ¸ a a ıntr-un tranzistor NPN ale cˇrui terminale sunt conectate la masˇ. a a

n + + + + + + E

p + + + + + +

n

B

Figura 1.3: Electronii ¸i golurile ˆ s ıntr-un tranzistor NPN nepolarizat

Tranzistorul corect polarizat

Figura 1.4 aratˇ distributia purtˇtorilor de sarcinˇ ˆ a ¸ a a ıntr-un tranzistor NPN corect polarizat. Polarizarea corectˇ ˆ a ınseamnˇ: a

O tensiune pozitivˇ aplicatˇ ˆ a a ıntre bazˇ ¸i emitor reduce lˇ¸imea regiunii de as at golire prin compensarea potentialului intrinsec datorat recombinˇrii purtˇtorilor. ¸ a a Cˆnd tensiunea externˇ egaleazˇ efectul potentialului intrinsec, dioda bazˇa a a ¸ a emitor intrˇ ˆ conductie, iar emitorul injecteazˇ electroni mobili ˆ regiua ın ¸ a ın nea bazei.

Ci rcu

- polarizarea directˇ a jonctiunii bazˇ-emitor (VBE > 0); a ¸ a - polarizarea inversˇ a jonctiunii bazˇ-colector (VBC < 0); a ¸ a

ite

In t

eg r

La limita dintre regiunile n ¸i p electronii se recombinˇ cu golurile astfel ˆ at s a ıncˆ fˆ¸iile adiacente jonctiunii sunt golite de sarcini mobile. Astfel dispozitivul as ¸ este ˆ echilibru energetic, curentul de conductie fiind zero. ın ¸

at

e

An
C
5

Doris Csipkes

alo

gic e

a Electronii liberi din regiunea bazei sunt ˆ numˇr mult mai mic decˆt golurile. Drept a urmare. a 6 Ci rcu ite _ V + BE In t alo gic e C E Doris Csipkes C(n) + + + + + + . ¸ a ¸ a ¸ Sensul curentului este opus cu sensul de deplasare a purtˇtorilor.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. ın a a Din acest motiv ei se numesc purtˇtori minoritari. e An B Figura 1.4: Electronii ¸i golurile ˆ s ıntr-un tranzistor NPN corect polarizat Figura 1. Astfel se formeazˇ un curent de conductie a a ¸ a ¸ ˆ ıntre colector ¸i emitor. Electronii accelerati ¸ ın a ¸ urmeazˇ sˇ fie captati de colector. TRANZISTOARE MOS SI BIPOLARE ¸ E(n) + + + + + + + + + + + + B(p) + + + + + + _ V + BE _ V + BC E(n) B(p) eg r _ V + BC at C(n) O tensiune negativˇ aplicatˇ ˆ a a ıntre bazˇ ¸i colector mˇre¸te lˇ¸imea regiuas a s at nii de golire ¸i ˆ acela¸i timp potentialul pozitiv al colectorului accelereazˇ s ın s ¸ a electronii liberi injectati ˆ zona bazei de cˇtre emitor. ˆ tranzistoarele NPN curentul curge de la colector la emitor (sens ın sugerat de sˇgeata de pe simbolul dispozitivului). Mecanismul de conductie este prezentat ˆ Figura s ¸ ın 1.5: Mecanismul de conductie a tranzistorului NPN ¸ Observatie: sensul sˇgetilor reprezintˇ directia de deplasare a electronilor.5.

TRANZISTOARE MOS SI BIPOLARE ¸ 1.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. Doris Csipkes 7 . Un numˇr mic de electroni se pierd ˆ bazˇ datoritˇ ¸ a ın a a potentialului pozitiv al bazei fatˇ de emitor. iar IS este curentul de In a ¸ a saturatie.6: Modelul de semnal mare al tranzistorului bipolar ite alo vCE gic e Dintre electronii injectati ˆ bazˇ de cˇtre emitor majoritatea ajung sˇ fie ¸ ın a a a captati de colector. Curentul de colector se scrie ˆ functie de ten¸ ın ¸ siunea bazˇ-emitor ca ˆ ecuatia (1.1. ¸ ¸a ın a Valoarea tipicˇ a curentului de bazˇ este de aproximativ 1% din valoarea a a curentului de colector.1) In t B vBE E iB Jonctiunea bazˇ-emitor se modeleazˇ cu o diodˇ. as ˆ ecuatia (1. Se observˇ dependenta exponentialˇ. Ecuatiile de a ¸ s ¸ ¸ ¸ functionare se deduc din concentratiile de purtˇtori ˆ diferite regiuni ¸i para¸ ¸ a ın s metrii geometrici ai jonctiunilor. a ın ¸ a ¸ ¸ a (1. dependenta din¸ ¸ tre tensiunile aplicate celor douˇ jonctiuni ¸i curentii generati. Jonctiunea colector-emitor ¸ a a a ¸ se modeleazˇ cu o sursˇ de curent comandatˇ ˆ curent a cˇrei factor de a a a ın a transfer β este cˆ¸tigul de curent al tranzistorului.1). ın eg r at ˆ aceastˇ ecuatie VT = kT /q este tensiunea termicˇ.1) ¸i modelul de semnal mare nu s-a ¸inut cont de modulatia lˇ¸imii In ¸ s t ¸ at bazei cu variatia regiunii de golire bazˇ-colector. Cu cˆt tensiunea negativˇ VBC ¸ a a a Ci rcu Figura 1. Astfel.3 Modelul de semnal mare ˆ regiunea activˇ normalˇ ın a a Modelul de semnal mare este prezentat ˆ Figura 1. apare un curent ˆ bazˇ.6. ¸ e iC = IS · e vBE VT An C iC E Modelul de semnal mare descrie functionarea dispozitivului.

ın 8 Ci rcu Modelul de semnal mic se obtine din modelul de semnal mare considerˆnd ¸ a variatii infinitezimale ale tensiunilor ¸i curentilor ˆ jurul punctului static de ¸ s ¸ ın functionare ales. a a at Acest fenomen se nume¸te efect Early. cu atˆt regiunea de golire este mai latˇ. s ¸ (1.1. ¸ Modelul de semnal mic este dat ˆ Figura 1. punctul ¸ a In a static de functionare se alege astfel ˆ at VBE < VCE . ¸ ite 1.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. conditia de saturatie fiind ¸ a s ¸ ¸ iC ≤ βiB at e Modelul de semnal mare al tranzistorului bipolar ˆ saturatie ın ¸ An Observatie: tensiunea Early se poate exprima ca fiind variatia relativˇ a ¸ ¸ a lˇ¸imii bazei cu tensiunea colector-emitor.3) Doris Csipkes . pentru a evita saturatia nedoritˇ a tranzistoarelor bipolare.2) (1.1) se poate rescrie pentru s ¸ a considera ¸i efectul Early.7. ¸ ıncˆ Observatie: Modelul de semnal mic este un model inerent liniar datoritˇ ¸ a faptului cˇ variatiile de semnal sunt infinitezimale ˆ jurul punctului static a ¸ ın de functionare. Tipic. iar lˇ¸imea bazei scade. Astfel.5 Modelul de semnal mic al tranzistorului bipolar ˆ RAN ın In t gic e este mai mare.4 eg r ˆ regim saturat ambele jonctiuni sunt polarizate direct. at alo ˆ practicˇ. TRANZISTOARE MOS SI BIPOLARE ¸ iC = IS · e vBE VT · 1+ vCE VEA 1. Factorul de corectie este invers proportional cu s ¸ ¸ tensiunea Early VEA ¸i direct proportional cu tensiunea colector-emitor. iar curentul nu se mai conformeazˇ a s a ın a a ecuatiei iC = βiB . curentul de bazˇ cre¸te. atˆt emitoIn ¸ a rul cˆt ¸i colectorul injecteazˇ sarcini ˆ bazˇ. Ecuatia (1.1.

e An · Parametrii de semnal mic sunt rezistenta bazˇ-emitor (rBE ). Expresia transconductantei de semnal mic este: ¸ vBE ∂iC vCE = IS · e VT · 1 + ∂vBE VT Ci rcu ite gm = 1 iC = VT VT gic e (1.5) 9 Doris Csipkes .4) (1.7: Modelul de semnal mic al tranzistorului bipolar ˆ RAN ın Ordinul tipic de mˇrime al rezistentei colector-emitor este de sute de kΩ.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. rezistenta ¸ a ¸ colector-emitor (rCE ) ¸i transconductanta de semnal mic (gm ). TRANZISTOARE MOS SI BIPOLARE ¸ B iB vBE E rBE gmvBE iC rCE C vCE E Rezistenta colector-emitor ¸ Expresia rezistentei colector-emitor este: ¸ rCE = In t ∂vCE 1 1 ∼ VEA = = vBE = IS ∂iC ∂iC iC · e VT VEA ∂vCE eg r at Definitie: rezistenta colector emitor se define¸te ca variatia tensiunii ¸ ¸ s ¸ a ¸ a colector-emitor cauzatˇ de variatia infinitezimalˇ a curentului de colector. s ¸ alo Figura 1. a ¸ Transconductanta de semnal mic ¸ Definitie: transconductanta de semnal mic se define¸te ca variatia curen¸ ¸ s ¸ tului de colector cauzatˇ de o variatie infinitezimalˇ a tensiunii bazˇa ¸ a a emitor.

descrie dependenta dintre tensius a ın ¸ nea colector-emitor ¸i curentul de colector.8: Caracteristica de ie¸ire a tranzistorului NPN s 10 An rBE = ∂vBE 1 1 β = = = ∂iB 1 ∂iC ∂iB gm · ∂vBE β ∂vBE alo gic e (1.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1.6) . ın iC SAT RAN ¶i C ite iC_PSF ¶v CE at 1.6 Caracteristica de ie¸ire s e vBE vCE_PSF vCE Doris Csipkes Ci rcu VEA 0 Figura 1. TRANZISTOARE MOS SI BIPOLARE ¸ Ordinul tipic de mˇrime a transconductantei este de mS.1. datˇ ˆ Figura 1.8. a ¸ Rezistenta bazˇ-emitor ¸ a Definitie: rezistenta bazˇ-emitor se define¸te ca variatia tensiunii bazˇ¸ ¸ a s ¸ a emitor cauzatˇ de variatia infinitezimalˇ a curentului de bazˇ. Panta a ¸ caracteristicii ˆ RAN este conductanta colector-emitor (1/rCE ). a ¸ a a Expresia rezistentei bazˇ-emitor este: ¸ a Ordinul tipic de mˇrime a rezistentei bazˇ-emitor este de sute de kΩ. Caracteristica de ie¸ire este o s s familie de curbe corespunzˇtoare diferitelor valori ale tensiunii VBE . a ¸ a In t eg r Caracteristica de ie¸ire.

Ele se datoreazˇ regiunilor de golire (aces¸ a tea actioneazˇ ca izolatoare fˇrˇ sarcini mobile) dintre regiunile p ¸i n din ¸ a aa s structura dispozitivului. rC ¸i rE sunt rezistentele echivalente ale terminale¸ In s lor. reprezintˇ transconductanta de semnal mic (gm ).7 Caracteristica de transfer iC_PSF ¶i C Figura 1. ¸ a ¸ .1.9. CBC ¸i CCS sunt capacitˇ¸ile asociate cu jonctiunile bazˇs at ¸ a emitor. ”depletion”). ite In t eg r 0 vBE_PSF at e vBE ¶v BE An 11 Doris Csipkes alo iC gic e ¸ Caracteristica de transfer descrie dependenta curentului de colector de tensiunea bazˇ-emitor.10. Modelul este prezentat ˆ Figura 1.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS SI BIPOLARE ¸ 1.9: Caracteristica de transfer a tranzistorului NPN 1. Toate capacitˇ¸ile parazite sunt de a s at tip jonctiune (eng.1. bazˇ-colector ¸i colector-substrat. este o a a ¸a a ın exponentialˇ rapid crescˇtoare. mˇsuratˇ ˆ jurul punc¸ a a a a ın tului static de functionare. Aceastˇ dependentˇ. Ci rcu Modelul de semnal mic ¸i ˆ a frecventˇ caracterizeazˇ comportamentul ˆ s ınaltˇ ¸a a ın frecventˇ al tranzistorului. prezentatˇ ˆ Figura 1. Panta caracteristicii. iar CBE .8 Modelul de semnal mic ¸i ˆ s ınaltˇ frecventˇ a ¸a ˆ acest model rB . Dependenta de frecventa a parametrilor este datˇ ¸a ¸ ¸ a at ın de capacitˇ¸ile parazite ale dispozitivului.

comandate ˆ tensiune. TRANZISTOARE MOS SI BIPOLARE ¸ B rB iB CBE rBE CBC gmvBE rCE iC rC CCS Substrat C rE E Figura 1. ¸ In t CBC0 VBC 1− ΦintrinsecBC at Expresia tipicˇ a unei capacitˇ¸i de golire depinde de tensiunea aplicatˇ a at a jonctiunii.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1.10: Modelul de semnal mic ¸i ˆ s ınaltˇ frecventˇ al tranzistorului a ¸a bipolar CBC = eg r 1. capacitatea bazˇ¸ a s a colector se scrie: e An alo (1.11. de constanta de difuzie a electronilor ˆ siliciu ¸i de transconducat ın s tanta de semnal mic a tranzistorului.7) Doris Csipkes gic e . s a ın Acest exemplu de structurˇ este valid numai pentru un proces de fabricatie a ¸ 12 Ci rcu Tranzistorul MOS cu canal indus Generalitˇ¸i at ite a Capacitatea bazˇ-emitor mai are o componentˇ datoratˇ tensiunii create de a a a a difuzia sarcinilor din emitor spre bazˇ. ın Structura tranzistoarelor MOS cu canal n ¸i canal p este datˇ ˆ Figura 1.1 Tranzistoarele MOS sunt dispozitive cu 4 terminale. Aceastˇ componentˇ depinde de a lˇ¸imea bazei.12. de potentialul intrinsec al jonctiunii nepolarizate precum ¸i de ¸ ¸ ¸ s concentratia purtˇtorilor din regiunile p ¸i n. De exemplu.2 1.2. ın Simbolurile tipice sunt prezentate ˆ Figura 1.

Din figurˇ trebuie remarcatˇ a a ¸i semnificatia parametrilor geometrici W ¸i L ai tranzistorului. Dispozitivele s ¸ s individuale sunt izolate unul de celˇlalt prin implanturi speciale de izolator.11: Simbolurile frecvent utilizate pentru tranzistoarele MOS L W G ISO B n+ ISO S p+ SiO2 polisiliciu eg r ISO S n+ substrat p- at G SiO2 e D p+ B p+ ISO n-well Observatie: din Figura 1. Ci rcu ite PMOS Figura 1. Ca regulˇ generalˇ. a D G S NMOS B G S sau An NMOS L W D n+ ISO NMOS D PMOS Figura 1.12: Sectiunea tranzistoarelor MOS ¸ In t alo PMOS 13 B Doris Csipkes gic e .Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. tranzistoarele cu canalul de acela¸i s a a a s tip cu substratul sunt pozitionate ˆ ¸ ıntotdeauna pe o regiune implantatˇ cu a dopant complementar.12 se observˇ cˇ tranzistorul PMOS este plasat ¸ a a a a ıntre drenˇ a ˆ ıntr-o regiune specialˇ (n-well) menitˇ sˇ elimine un scurt circuit ˆ a ¸i sursˇ prin substrat. TRANZISTOARE MOS SI BIPOLARE ¸ de tip n-well cu substrat de tip p slab dopat.

Atˆt timp cˆt s a a a tensiunea VGS este mai micˇ decˆt o tensiune de prag VT h .2 Functionarea tranzistoarelor MOS ¸ Sectiunea unui tranzistor NMOS nepolarizat este prezentatˇ ˆ Figura 1. concentratia de a a electroni sub grilˇ duce la aparitia temporarˇ a unei regiuni de inversie (numitˇ a ¸ a ˆ continuare canal). sursˇ ¸i substrat.13: Sectiunea unui tranzistor NMOS nepolarizat ¸ a a as s ¸ Dacˇ tensiunea grilˇ-sursˇ depˇ¸e¸te tensiunea de prag.15). iar curentul prin dispozitiv este zero. Deoarece functionarea tranzistoarelor PMOS este similarˇ cu a celor ¸ a NMOS (dacˇ toate tensiunile se considerˇ ˆ modul) ˆ continuare se discutˇ a a ın ın a numai tranzistorul cu canal n.2. s eg r An D n+ alo Doris Csipkes gic e Functionarea tranzistoarelor MOS este determinatˇ de structura fizicˇ a dispo¸ a a zitivelor. ın ite Regiunea de sub grilˇ ramˆne de tip p− . atunci eleca a ¸ ¸a a tronii minoritari din substratul p− vor fi atra¸i spre grilˇ. . 14 Ci rcu Dacˇ grila este polarizatˇ cu un potential pozitiv fatˇ de sursˇ. TRANZISTOARE MOS SI BIPOLARE ¸ 1. Procesul este a as ilustrat ˆ Figura 1.13.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. a a In t La jonctiunea dintre materialele de tip n (drenˇ sau sursˇ) ¸i p (substrat) se ¸ a a s formeazˇ regiuni de golire a cˇror lˇ¸ime depinde de concentratia de atomi a a at ¸ donori ¸i acceptori. recombinarea acesa a tor electroni cu golurile din regiunea imediat adiacentˇ oxidului de grilˇ duce la a a extinderea regiunilor de golire dintre drenˇ. Canalul se mentine atˆta timp cˆt VGS > VT h (Figura ın ¸ a a 1.14. ¸ a ın G S n+ regiuni de golire at e substrat pFigura 1.

a a a Drept urmare.14: Extinderea regiunilor de golire sub grilˇ a eg r G at VGS>VTh S D e In t n+ n+ substrat pcanal Figura 1. Deasemenea.15: Formarea canalului pentru VGS > VT h Observatie: spre deosebire de tranzistoarele bipolare. din punct de vedere teoretic. a as a Ci rcu ite An alo 15 Doris Csipkes gic e .Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. TRANZISTOARE MOS SI BIPOLARE ¸ VGS<VTh G S D n+ e n+ e e e e e substrat p- Figura 1. a a a este important de remarcat cˇ dispozitivul are o structurˇ perfect simetricˇ. aici conductia se da¸ ¸ toreazˇ purtˇtorilor majoritari (regiune complet inversatˇ). este indiferent care terminal se considerˇ drenˇ ¸i care sursˇ.

16: ˆ Ingustarea canalului datoritˇ tensiunii VDS a Functionarea ˆ regim saturat ¸ ın ˆ regim saturat tensiunea VDS depˇ¸e¸te tensiunea VDSsat . ci numai de concentratia de a a ¸ 16 Ci rcu ite ˆ regim liniar (eng. ın G S canal îngustat eg r Figura 1. Fenomenul este prezentat ˆ Figura 1. fiind ˆ ınlocuit de o regiune de golire numitˇ regiune de ”pinch-off” ca ˆ Figura 1.16. TRANZISTOARE MOS SI BIPOLARE ¸ Functionarea ˆ regim liniar ¸ ın Canalul odatˇ format. Astfel tranzistorul se va comporta ca o a s a rezistentˇ a cˇrei valoare este controlatˇ de tensiunea VGS . Conditia de ¸a a a ¸ functionare ˆ regim liniar este ca 0 < VDS < VDSsat . a ın Datoritˇ pierderii contactului ohmic ˆ a ıntre drenˇ ¸i sursˇ curentul prin dispozitiv as a nu mai depinde de tensiunea drenˇ-sursˇ. ”triode” sau ”weak inversion”) canalul formeazˇ un a In contact ohmic ˆ ıntre drenˇ ¸i sursˇ. iar regiunea de golire din jurul drenei se lˇrge¸te a a s cauzˆnd o ˆ a ıngustare a canalului de partea drenei.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1.17. este necesarˇ aplicarea unei tensiuni ˆ a a ıntre drenˇ ¸i a s sursˇ pentru a accelera electronii ¸i a aduce tranzistorul ˆ conductie. Regiunea de In as s golire din jurul drenei se lˇrge¸te mai mult decˆt adˆncimea canalului. Astfel a s a a contactul ohmic al drenei cu canalul dispare. Odatˇ a s ın ¸ a cu cre¸terea tensiunii VDS (presupunem VDS > 0) jonctiunea substrat-drenˇ s ¸ a este invers polarizatˇ. ¸ ın In t at substrat pDoris Csipkes e n+ An D VGS>VTh 0<VDS<VDSsat n+ alo gic e .

adicˇ de VGS .2. 0 < VDS < VDSsat L 2 ite In t Regiune blocare liniar saturat VGS < VT h > VT h > VT h eg r Regimurile de functionare se pot da conform Tabelului 1. ¸ ¸ VGS>VTh G S VDS>VDSsat D n+ regiune "pinch-off" n+ Tabelul 1. VDS nu conteazˇ a 0 < VDS < VDSsat > VDSsat Canal nu da da. Electronii accelerati de VDS trec de a a ¸ bariera de potential fiind apoi eliminati din dispozitiv prin terminalul drenei.17: Regiunea de golire eliminˇ contactul ohmic al drenei cu caa nalul An substrat p- alo (1.1 in functie de tensiu¸ ¸ nile aplicate la terminale.3 Modelul de semnal mare al tranzistorului MOS ID = V2 µCox W (VGS − VT h ) VDS − DS .1: Regimurile de functionare ale tranzistoarelor MOS ¸ Ecuatiile specifice modelului de semnal mare se obtin calculˆnd gradientul de ¸ ¸ a variatie a sarcinii ˆ canal ˆ diferite regimuri de functionare. TRANZISTOARE MOS SI BIPOLARE ¸ sarcini din sursˇ-canal.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. Cea mai generalˇ ¸ ın ın ¸ a ecuatie a curentului de drenˇ se obtine pentru polarizarea ˆ regim liniar. Aici ¸ a ¸ ın tranzistorul se comportˇ ca o rezistentˇ controlatˇ ˆ tensiune. a ¸a a ın Ci rcu 1.8) 17 Doris Csipkes gic e . pinch-off at e Figura 1.

curentul va cre¸te conform ecuatiei (1.mobilitatea purtˇtorilor de sarcinˇ (electroni sau goluri). e An Se observˇ cˇ variatia curentului cu tensiunea drenˇ-sursˇ este parabolicˇ.10) Doris Csipkes .capacitatea specificˇ a oxidului de sub grilˇ. (VGS −VT h ) ¸ a as se identificˇ cu VDSsat . TRANZISTOARE MOS SI BIPOLARE ¸ Mˇrimile din aceastˇ ecuatie au urmˇtoarele semnificatii: a a ¸ a ¸ . ˆ a a a In consecintˇ valoarea constantˇ a curentului se obtine substituind VDS cu Vod ˆ ¸a a ¸ ın ecuatia (1. at Prin calcule se demonstreazˇ cˇ valoarea curentului maxim se obtine pentru a a ¸ VDS = VGS − VT h = VDSsat (1.W/L . a a .raportul lˇ¸ime/lungime al canalului.8) atˆta timp cˆt contactul s ¸ a a ohmic dintre drenˇ ¸i canal persistˇ. a a ¸ a a a Acest lucru ˆ ınseamnˇ cˇ valoarea curentului prin tranzistor va cre¸te pˇtratic a a s a cu VDS pˆnˇ la o valoare maximˇ. adicˇ pˆnˇ la aparitia regiunii ”pinch-off”. a a a a ¸a a Intuitiv. Astfel. dupˇ care ar avea o tendintˇ de scˇdere. a ın In t  I = µCox W V 2 D od 2L  VDS > VDSsat eg r at Observatie: valoarea maximˇ a curentului ˆ regim liniar pentru un VGS ¸ a ın dat se determinˇ calculˆnd derivata curentului ˆ functie de VDS ¸i apoi a a ın ¸ s egalˆnd derivata cu zero (metoda clasicˇ de calcul ale punctelor de inflea a xiune).Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. iar tranzistorul se satureazˇ.Cox . ¸ ite Aceastˇ ecuatie aratˇ cˇ regiunea ”pinch-off” apare dacˇ VDS depˇ¸e¸te difea ¸ a a a as s renta dintre tensiunea grilˇ-sursˇ ¸i tensiunea de prag.9) Ci rcu Dacˇ VDS > Vod curentul ˆsi pˇstreazˇ valoarea maximˇ atinsˇ ˆ regim a ı¸ a a a a ın liniar pentru un VGS dat. a a .µ . Aceastˇ tensiune este adesea numitˇ ¸i tensiune de a a as ”overdrive” (notatˇ ˆ continuare cu Vod ). as a a a a ¸ alo 18 gic e (1. Termenul saturatie se a ¸ referˇ la faptul cˇ valoarea curentului este constantˇ indiferent de VDS .8).

iar lungimea efectivˇ a canalului se ¸ a mic¸oreazˇ. curentul de drenˇ va avea o dependentˇ slabˇ de VDS .18 aratˇ variatia curentului de drenˇ cu VDS pentru regimul liniar ¸i a ¸ a s cel saturat (caracteristica de ie¸ire a dispozitivului). Considerˆnd gradientul de variatie a lungimii canalului cu VDS se a ¸ introduce coeficientul de variatie a lungimii canalului λ. TRANZISTOARE MOS SI BIPOLARE ¸ ID = µCox W 2 · Vod · (1 + λVDS ) 2L alo VDS 2 |Φf | Figura 1. ¸ (1. s a a ¸a a Expresia curentului de drenˇ trebuie corectatˇ ˆ mod similar ca la tranzistoaa a ın rele bipolare.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. In ınsˇ s VDS (modulatia regiunilor de golire). chiar ¸ a a a dacˇ VGS este o valoare constantˇ. Astfel.18: Variatia curentului de drenˇ cu VDS ¸ a In t VT h (VBS ) = VT h0 + γ eg r VGS 2 |Φf | + |VBS | − γ at Liniar Saturaþie e ID An Doris Csipkes gic e Aceastˇ ecuatie presupune cˇ lungimea canalului se mentine constantˇ india ¸ a ¸ a ˆ realitate ˆ a lungimea regiunii ”pinch off” cre¸te cu ferent de VDS .12).12) 19 .11) (1. ¸ Ci rcu ite 0 Figura 1. s Observatie: curentul de drenˇ variazˇ cu tensiunea substrat-sursˇ. Acest lucru se datoreazˇ variatiei tena a a ¸ siunii de prag VT h cu VBS conform ecuatiei (1.

transconductanta ¸ ¸ sursˇ-substrat (gmb ) ¸i rezistenta drenˇ-sursˇ (rDS ).tensiunea de prag a tranzistorului pentru VBS = 0.2.Φf .VT h0 . Modelul este prezentat ˆ Figura a ¸ ın 1. O altˇ diferentˇ este contributia jonctiunii a a a ¸a ¸ ¸ substrat-sursˇ la fenomenul de conductie. O diferentˇ este rezistenta grilˇ-sursˇ infinitˇ. TRANZISTOARE MOS SI BIPOLARE ¸ Mˇrimile au urmˇtoarele semnificatii: a a ¸ .19: Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS saturat Parametrii de semnal mic sunt transconductanta (gm ).19. a s ¸ a a Transconductanta de semnal mic ¸ Definitie: transconductanta este variatia curentului de drenˇ cauzatˇ de ¸ ¸ ¸ a a o variatie infinitezimalˇ a tensiunii grilˇ-sursˇ ˆ jurul punctului static de ¸ a a a ın functionare.4 Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS ˆ saturatie ın ¸ In t Figura 1. at eg r gmbvBS gmvGS G vGS S e iD rDS An alo 1. ¸ Expresia transconductantei se scrie: ¸ 20 Ci rcu ite gic e D vDS S Doris Csipkes . . ın ¸a ¸ a a a datoratˇ izolatorului de sub grilˇ.potentialul intrinsec al jonctiunii sursˇ-substrat.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1.parametrul de prag al substratului.γ . ¸ ¸ a Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS este similar cu modelul tranzistorului bipolar polarizat ˆ RAN. .

dar tinde sˇ fie a ¸ a a a mai redusˇ decˆt rezistenta colector-emitor a tranzistorului bipolar.14) (1. a s Expresia transconductantei sursˇ-substrat este: ¸ a gmb = at  ∂iD ∂VT h ∂VT h ∂iD = · = gm = gm · ∂vBS ∂VT h ∂vBS ∂vBS 2 e An Definitie: transconductanta sursˇ-substrat se define¸te ca variatia curen¸ ¸ a s ¸ tului de drenˇ cauzatˇ de o variatie infinitezimalˇ a tensiunii substrata a ¸ a sursˇ. ¸ rDS = ∂vDS ∂iD In t  =  eg r 1   = 1 + λvDS ∼ 1 = ∂iD  λiD λiD ∂vDS sat Valoarea tipicˇ a rezistentei drenˇ-sursˇ este de sute de kΩ. de 3-4 ori mai micˇ a ¸ a decˆt a tranzistoarelor bipolare la acela¸i curent. tensiunii substrat-sursˇ ¸i potentialului intrinsec.15) 21 .13) (1. a alo Transconductanta sursˇ-substrat ¸ a γ |vBS | + 2 |Φf | Datoritˇ factorului γ.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. a a ¸ Doris Csipkes gic e ∂iD µCox W 2iD ∼ = vod (1 + λvDS ) = = ∂vGS L vod 2µCox W iD L (1. a a ¸ Rezistenta drenˇ-sursˇ ¸ a a Expresia rezistentei drenˇ-sursˇ se calculeazˇ ca ˆ ecuatia (1. TRANZISTOARE MOS SI BIPOLARE ¸ gm = Valoarea tipicˇ a transconductantei este de sute de µS.15): ¸ a a a ın ¸  sat Ci rcu ite Definitie: rezistenta drenˇ-sursˇ se define¸te ca variatia tensiunii drenˇ¸ ¸ a a s ¸ a sursˇ cauzatˇ de variatia infinitezimalˇ a curentului de drenˇ ˆ jurul a a ¸ a a ın punctului static de functionare. valoarea a as ¸ tipicˇ a transconductantei sursˇ-substrat este cu un ordin de mˇrime mai a ¸ a a micˇ decˆt cea a transconductantei de semnal mic.

nodul Bn se conecteazˇ ˆ totdeauna ¸ a ¸ la cel mai mic potential din circuit (alimentarea negativˇ). ¸ a 22 Ci rcu ite Rezistentele ˆ ¸ ımpreunˇ cu tranzistoarele bipolare PNP ¸i NPN sunt conectate a s ˆ ıntr-o structurˇ de reactie pozitivˇ. unul NMOS ¸i celˇlalt a s a PMOS. Rp .21. Un trana a a zistor bipolar NPN este blocat dacˇ potentialul bazei este mai mic sau egal cu a ¸ a ın potentialul emitorului.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. In t eg r Tranzistorul PNP Q1 are terminalele conectate dupˇ cum urmeazˇ: baza la Bp . Acest fenomen se nume¸te ”agˇ¸are” s a s at sau ”latch-up”. pˇstrˆnd starea de conductie pˆnˇ cˆnd tensiunea dintre a a ¸ a a a nodurile Sp ¸i Sn este redusˇ la zero. a ın at e alo Bn p+ Gp Gn substrat p- gic e ISO Regiunile dopate ale douˇ tranzistoare adiacente. emitorul la Sn ¸i colectorul la Bp .20: Elementele parazite ale structurii complementare Pentru a evita agˇ¸area elementelor parazite ˆ starea de conductie se impune at ın ¸ blocarea explicitˇ a tranzistoarelor bipolare parazite. Structura echivalentˇ cu a s a conexiuni este datˇ ˆ Figura 1. O perturbatie aplicatˇ la una din bazele a ¸ a ¸ a ˆ acest caz circuitul ajunge tranzistoarelor poate aduce structura ˆ conductie.20. formeazˇ elementele parazite Rn . Q2 . Q1 ¸i Q2 din Figura 1. In ın ¸ rapid la echilibru. Un rationament ¸ asemˇnˇtor duce la concluzia cˇ nodul Bp trebuie conectat la cel mai ˆ a a a ınalt potential din circuit (alimentarea pozitivˇ). are baza s In conectatˇ la Bn .5 Polarizarea substratului ¸i efectul ”latch-up” s ISO Bp n+ ISO Sp p+ Dp p+ ISO Sn n+ Dn n+ ISO Rn n-well PMOS Q1 Rp An NMOS Q2 Figura 1. TRANZISTOARE MOS SI BIPOLARE ¸ 1. de tip NPN. a a emitorul la Sp ¸i colectorul la Bn . Pentru aceasta trebuie sˇ a a asigurˇm o tensiune de bazˇ corespunzˇtoare ambelor tranzistoare. ˆ mod similar. a s Doris Csipkes .2. Drept urmare.

. TRANZISTOARE MOS SI BIPOLARE ¸ Bp Rn reactie pozitiva Sp Q1 Bn Rp 1.capacitati de tip golire/jonctiune (eng. Dintre aceste elemente cele mai ¸ importante sunt capacitˇ¸ile parazite introduse de structura fizicˇ a tranzisat a toarelor.6 Modelul de semnal mic ¸i ˆ s ınaltˇ frecventˇ a ¸a . a ¸ at at e An Figura 1.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1.22 aratˇ distributia capacitˇ¸ilor parazite. eg r Modelul de semnal mic ¸i ˆ a frecventˇ cuprinde capacitˇ¸ile parazite ¸i s ınaltˇ ¸a at s rezistentele echivalente ale terminalelor. ”overlap capacitans ces”). ”deple¸ tion”/”junction capacitances”) formate de contactul dintre douˇ regiuni a adiacente dopate complementar. CjCh . CjBD . at ¸ a ¸ CBS0 .2.capacitatea canalului care are o naturˇ similarˇ cu capacitˇ¸ile a a at de suprapunere. COLD . CjBD = VBS 1− Φ0BS CBD0 VBD 1− Φ0BD Ci rcu ite CjBS = In t . Capacitˇ¸i de jonctiune at ¸ Expresia capacitˇ¸ilor de jonctiune este similarˇ cu cea din ecuatia (1. Figura 1.CjBS .7).21: Structura parazitˇ echivalentˇ a tranzistoarelor complemena a tare adiacente alo Doris Csipkes gic e Sn (1.16) 23 Q2 .capacitˇ¸i formate din suprapunerea unei portiuni din at ¸ contactul grilei cu regiunea sursei ¸i a drenei (eng.COLS .CCh .

18) Fiecare dintre aceste capacitˇ¸i contribuie la capacitˇ¸ile parazite totale dintre at at ¸ terminale. s s Capacitatea canalului Ci rcu Capacitatea canalului este tot o capacitate planarˇ. (1. Tabelul ın ¸ 1. a s 24 ite In t COLS = COLD ∼ W · LOL · Cox = CGS0 · LOL = CGD0 · LOL = eg r Aceste capacitˇ¸i sunt de tip planar. a ¸ a at ın ¸ Lungimea efectivˇ a canalului se define¸te ca fiind Lef = L − LOL . respectiv cu drena.17). TRANZISTOARE MOS SI BIPOLARE ¸ G CjBCh CjBS L LOL LOL CjBD Figura 1.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1.22: Capacitˇ¸ile parazite specifice structurii NMOS at ˆ ecuatia de mai sus s-a considerat cˇ regiunile de suprapunere a grilei cu drena In ¸ a ¸i cu sursa au aceea¸i arie. expresia lor se scrie ca un at produs ˆ ıntre o capacitate specificˇ (acela¸i Cox ca ˆ expresia curentului) ¸i a s ın s aria de suprapunere a grilei cu sursa. formatˇ prin suprapunerea a a grilei cu canalul. Drept urmare. ˆ functie de regimul de functionare al tranzistorului. expresia sa este similarˇ cu cea din ecuatia a ¸ (1.2 aratˇ contributia fiecˇrei capacitˇ¸i ˆ diferitele regimuri de functionare.17) at e Doris Csipkes Capacitˇ¸i de suprapunere at An alo B gic e S COLS CCh COLD D . Prin urmare. CCh = W · (L − 2LOL ) · Cox (1.

In a ¸ s Pentru fiecare dispozitiv au fost discutate urmˇtoarele aspecte: a In t eg r Tabelul 1.3 Sumar • structura fizicˇ simplificatˇ. s • modelul de semnal mic ¸i ˆ a frecventˇ. s ınaltˇ ¸a • capacitˇ¸ile parazite. s s • modelul de semnal mic ¸i parametrii specifici. at ite ˆ aceastˇ sectiune s-au studiat tranzistoarele bipolare ¸i tranzistoarele MOS. ¸ • modelul de semnal mare ¸i ecuatiile de functionare. TRANZISTOARE MOS SI BIPOLARE ¸ Blocare CGD W LOL Cox Liniar W LOL Cox + 1 + W Lef Cox 2 W LOL Cox + 1 + W Lef Cox 2 CGB0 Saturatie ¸ W LOL Cox CGS W LOL Cox CGB CGB0 + +W Lef Cox CSB CDB CjSB CjDB 1 CjSB + CjBCh 2 1.2: Contributia capacitˇ¸ilor parazite ˆ diferite regimuri de ¸ at ın functionare ¸ at e 1 CjDB + CjBCh 2 An 2 CjSB + CjBCh 3 CjDB alo CGB0 25 W LOL Cox + 2 + W Lef Cox 3 Doris Csipkes gic e .Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1. a a Ci rcu • probleme de polarizare generale ( aditional efectul ”latch-up” la MOS). s ¸ ¸ • caracteristicile de ie¸ire ¸i de transfer.

2004. Oxford University Press. Gabor Csipkes . Holberg .E.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 1.Circuite integrate analogice II. gic e . Practical simulation exercises. Casa Cˇrtii de Stiintˇ.colorado. D.CMOS analog circuit design. online book 2004.Principles of Semiconductor Devices.Circuite integrate analogice I.edu/ bart/book/. s a a¸ ¸ ¸a 5.Fundamental analog circuits. B. Lelia Fe¸tilˇ . s a a¸ ¸ ¸a 2. http://ece-www. 26 Ci rcu ite In t eg r Doris Csipkes at e An 4. VanZeghbroeck . UTPres. Casa Cˇrtii de Stiintˇ. Lelia Fe¸tilˇ . 1997. P. Doris Csipkes. 1987 alo 3. Allen. 1999. TRANZISTOARE MOS SI BIPOLARE ¸ Bibliografie 1.

trebuie sˇ fie cˆt mai micˇ pentru a permite a s a a a functionarea la tensiuni de alimentare joase. a ın ˆ mod ideal ele furnizeazˇ un curent independent de tensiunea de la borne. at Parametrii specifici implementˇrii electronice: a e Iout Q1 VG Figura 2. respectiv ˆ baza tranzistoarelor.1 prezintˇ sursa de curent cu un tranzistor ˆ varianta MOS ¸i bipolarˇ.1: Sursa de curent simplˇ cu un tranzistor a An VB alo gic e .1 Sursa simplˇ de curent cu un singur tranzistor a Ci rcu ite Figura 2. ¸ eg r Iout M1 .Capitolul 2 Surse de curent Sursele de curent joacˇ un rol important ˆ polarizarea circuitelor electronice.tensiunea minimˇ la ie¸ire . a ın s a Tensiunile de comandˇ sunt aplicate ˆ grila. a ın ın Iout In t . In a 2.rezistenta de ie¸ire .trebuie sˇ fie cˆt mai mare pentru a se apropia de ¸ s a a sursele de curent ideale.

0V In t eg r Iout at PSF Caracteristica de ie¸ire a sursei simple de curent este datˇ ˆ Figura 2. ın Datoritˇ rˇspˆndirii pe scarˇ mai largˇ a tehnologiilor CMOS ¸i BiCMOS. ¸ s ¸ ¸ VDS ≥ Vod ⇒ VDSmin = Vod (2. Acest lucru conduce la ideea cˇ sursa implementatˇ de tranzistor nu s a a 28 gic e Vout Doris Csipkes . s a ın e An alo I D( M 1) Figura 2. 5V 2. 0V V_V1 1.1) define¸te conditia de saturatie pentru un tranzistor MOS. SURSE DE CURENT Observatie: orice tranzistor poate fi considerat sursˇ de curent contro¸ a latˇ ˆ tensiune dacˇ este polarizat ˆ regiunea activˇ normalˇ (bipolar) a ın a ın a a sau ˆ regim saturat (MOS). 5V 1.2: Caracteristica de ie¸ire a sursei de curent cu un tranzistor s Din figurˇ se observˇ cˇ valoarea curentului depinde slab de tensiunea de a a a ie¸ire. a ¸ ın Ecuatia (2.2. ˆ a a a a a s ın aceastˇ sectiune se vor discuta numai sursele de curent ˆ varianta MOS.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. 150uA real 100uA ideal 50uA Ci rcu ite 0A 0V Vout_min 0.1) Aceastˇ ecuatie define¸te implicit ¸i tensiunea minimˇ admisˇ la ie¸ire ¸i a ¸ s s a a s s anume Voutm in = VDSmin .

Rezistenta de ie¸ire devine: s ¸ s Vout = rDS Iout Rout = An alo Vout (2. Din acest motiv atˆt VGS cˆt a a a ¸i VBS sunt egale cu zero. aceasta fiind de o sutˇ de kΩ. Astfel este a ¸ a necesarˇ gˇsirea unei metode de a mˇri rezistenta de ie¸ire a sursei. Astfel toate sursele de curent devin ˆ ıntrerupere. Valoarea lui Rout se poate a ¸ s a determina mˇsurˆnd panta caracteristicii ˆ regim saturat ˆ jurul PSF. a a a ¸ s Doris Csipkes gic e . ci are rezistenta de ie¸ire finitˇ. Acest lucru ˆ a ınseamnˇ a cˇ o variatie de tensiune de 1V la bornele sursei (VDS ) va produce o variatie a ¸ ¸ de 10µA. De multe ori aceastˇ variatie este consideratˇ prea mare.3: Schema echivalentˇ de semnal mic a sursei de curent cu un a tranzistor Rezistenta de ie¸ire se scrie: ¸ s Rout = (Iout − gm VGS − gmb VBS ) · rDS Vout = Iout Iout In t eg r at e (2.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2.2) Ci rcu ite La constructia modelului echivalent de semnal mic se pasivizeazˇ toate sursele ¸ a constante din circuit. Iout gmVGS gmbVBS rDS Figura 2. a a ın ın Se poate demonstra cˇ rezistenta de ie¸ire este egalˇ cu rezistenta drenˇ-sursˇ a a ¸ s a ¸ a a tranzistorului.3) 29 Ordinul tipic de mˇrime al rezistentei drenˇ-sursˇ a fost precizat la sectiunea a ¸ a a ¸ de tranzistoare MOS. Pentru demonstratie se considerˇ modelul echivalent de semnal ¸ a mic al tranzistorului din Figura 2. SURSE DE CURENT este idealˇ.3. iar toate sursele de tensiune devin scurt circuit la masˇ.

4: Schema ¸i modelul de semnal mic al sursei degenerate rezistiv s Rezistenta de ie¸ire se calculeazˇ ˆ mod similar ca pentru sursa farˇ degene¸ s a ın a rare.4. Rout = (2. de¸i grila ¸i terminalul de substrat ale tranzis¸ a a s s torului sunt conectate la masˇ ˆ modelul de semnal mic. Din acest motiv tensiunile VGS ¸i VBS sunt diferite de s zero ¸i pot fi exprimate ca diferente de potential. SURSE DE CURENT 2.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. s ¸ ¸ ite  VGS = VG − VS = −VS = −Iout R VBS = VB − VS = −VS = −Iout R In t eg r at e R (2. s a ¸ ın Iout M1 gmVGS VB gmbVBS An Iout Vout (Iout − gm VGS − gmb VBS ) · rDS + Iout R = Iout Iout VG alo Figura 2.5) Doris Csipkes R 30 gic e Iout rDS Vout . terminalul sursei a ın este un nod flotant.2 Sursa de curent cu un singur tranzistor ¸i des generare rezistivˇ a O metodˇ de a mˇri rezistenta de ie¸ire a sursei simple cu un tranzistor este a a ¸ s conectarea ˆ ıntre terminalul sursei ¸i masˇ a unei rezistente ca ˆ Figura 2.4) Ci rcu Observatie: De aceastˇ datˇ.

7) 31 . Astfel amplificatorul de pe calea directˇ de semnal este de tip a transconductantˇ.5: Bucla de reactie negativˇ serie-serie ¸ a An Iout ˆ afarˇ de modul de calcul al rezistentei de ie¸ire bazat pe schema de semnal In a ¸ s mic. cˆ¸tigul acestuia fiind egal cu transconductanta de semnal ¸a as ¸ mic a tranzistorului. SURSE DE CURENT Din ecuatiile (2. Mˇrimea de intrare este consideratˇ potentialul de comandˇ din grila a a ¸ a tranzistorului. a ite In t eg r Ci rcu VGS VG gm at Aceastˇ metodˇ de analizˇ se bazeazˇ pe identificarea unei reactii negative de a a a a ¸ tip serie-serie care mˇreste rezistenta de ie¸ire a amplificatorului de pe calea a ¸ s directˇ de semnal cu un factor egal cu cˆ¸tigul buclei. Curentul de ie¸ire este mˇsurat ˆ serie ¸i transformat ˆ s a ın s ın tensiune cu un factor de reactie egal cu R. a as e rDS VR R Figura 2.4) ¸i (2. rezistenta de a a ¸ ie¸ire se aproximeazˇ: s a Rout ∼ rDS + R + gm rDS R ∼ gm rDS R = = alo Rout Din analiza sursei de curent se observˇ cˇ mˇrimea de ie¸ire este chiar curentul a a a s Iout .Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2.6) Deoarece gmb este tipic cu un ordin de mˇrime mai mic decˆt gm . ın ¸ Doris Csipkes gic e (2.5) rezultˇ: ¸ s a Rout = rDS + R + (gm + gmb ) rDS R (2. Din schemˇ mai rezultˇ cˇ aceastˇ ¸ a a a a cˇdere de tensiune pe R se scade din tensiunea de intrare. mai existˇ un mod intuitiv de abordare a problemei care duce la acela¸i a s rezultat aproximativ (ca ˆ ecuatia (2. astfel bucla de reactie a ¸ negativˇ fiind ˆ a ınchisˇ.7)).

1 sunt calculate Rout ¸i Voutmin pentru o rezistentˇ de degenerare In s ¸a de 1kΩ. Astfel tranzistorul se va mentine saturat. ¸ s ın ¸ Tensiunea minimˇ admisˇ la ie¸ire necesarˇ tranzistorului pentru a functiona ˆ a a s a ¸ ın regim saturat este: Voutmin = VDSmin + RIout An alo Observatie: valorile din acest tabel sunt valide numai dacˇ presupunem cˇ ¸ a a punctul static de functionare al tranzistorului este mentinut constant.1: Rout ¸i Voutmin pentru diferite valori ale lui R s ite R 1kΩ 10kΩ 100kΩ In t ˆ Tabelul 2. s Rout 201kΩ 1. 11M Ω 10. a ¸a ¸ Dacˇ nu este compensatˇ cˇderea de tensiune pe R. Astfel se ajunge la aceea¸i as s aproximare a rezistentei de ie¸ire ca ˆ ecuatia (2.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. 2M Ω Voutmin VDSmin + 0. 10kΩ ¸i 100kΩ. s e gic e (2. tranzistorul va intra ˆ a a a ın regim liniar odatˇ cu scˇderea excesivˇ a tensiunii de ie¸ire. a a a s 32 Ci rcu Tabelul 2. iar la ie¸ire curentul se mˇsoarˇ tot serie. dupˇ cum s-a arˇtat la sursa simplˇ fˇrˇ ¸ a a a aa degenerare. 1V VDSmin + 1V VDSmin + 10V eg r Stiind valoarea transconductantei ¸i a tensiunii de overdrive se poate calcula ¸ ¸ s curentul prin tranzistor ca fiind 100µA. vom calcula cˆteva valori pentru Rout ¸i Voutmin corespunzˇtoare a s a sursei de curent cu degenerare rezistivˇ. ¸ ¸ Acest lucru implicˇ o cre¸tere a potentialului din grilˇ pentru a compensa a s ¸ a cˇderea de tensiune pe rezistentˇ. Reactia negativˇ mˇre¸te rezistenta de ie¸ire ˆ buclˇ ˆ ¸ a a s ¸ s ın a ınchisˇ cu a un factor egal cu cˆ¸tigul buclei.7). adica cu gm · R. a s a a Rezistenta de ie¸ire a amplificatorului transconductantˇ de pe calea directˇ ¸ s ¸a a este rezistenta rDS a tranzistorului. ¸tiind cˇ tranzistorul are rDS = 100kΩ. a s a gm = 1mS ¸i Vod = 200mV . pentru diferite valori ale rezistentei R.8) Doris Csipkes . SURSE DE CURENT Observatie: reactia este serie-serie deoarece la intrare tensiunile se ¸ ¸ ˆ ınsumeazˇ serie. at Ca exemplu.

3 Sursa de curent cascodˇ a An gmb2VBS2 rDS1 Schema ¸i modelul echivalent de semnal mic al sursei de curent cascodˇ sunt s a prezentate ˆ Figura 2.9) 33 . dar tensiunea minimˇ la ie¸ire cre¸te ¸i ea limitˆnd s ¸ s a s s s a functionarea sursei ˆ circuitele mai complicate cu alimentare redusˇ. ın at gm1VGS1 e gm2VGS2 Iout M2 VG2 M1 VB2 eg r In t Iout Vout VG1 Rezistenta de ie¸ire se scrie: ¸ s (Iout − gm1 VGS1 ) · rDS1 + Iout (Iout − gm2 VGS2 − gmb2 VBS2 ) · rDS2 + Iout Ci rcu Figura 2. (2.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2.6.6: Sursa de curent cascodˇ ¸i modelul echivalent de semnal mic as corespunzˇtor a ite Rout = alo Iout rDS2 Doris Csipkes gic e Din tabel se poate vedea cˇ pentru valori mari ale rezistentei pasive se obtine a ¸ ¸ cre¸terea rezistentei de ie¸ire. Solutia a as a a ¸ a ¸ este ˆ ınlocuirea rezistentei pasive cu un tranzistor (privit ˆ saturatie ca sursˇ de ¸ ın ¸ a curent). SURSE DE CURENT 2. Astfel ¸ ın a apare ideea de a gˇsi o structurˇ care sˇ implementeze o sursˇ de curent avˆnd a a a a a Rout mˇritˇ ¸i totodatˇ Voutmin sˇ se mentinˇ la valori relativ reduse.

pentru cazul ˆ care tranzistoarele au ¸ s ın rDS de o sutˇ kΩ ¸i gm de ordinul mS. Astfel ordinul teoretic de mˇrime a ¸ a a a al rezistentei de ie¸ire este cel al MΩ -lor. ¸ ¸ ın 34 Ci rcu ite In t eg r Din aceastˇ ecuatie se poate vedea cˇ expresia lui Rout este aceea¸i ca pentru a ¸ a s sursa de curent cu degenerare rezistivˇ. Tensiunea minimˇ la ie¸ire este impusˇ de a ın a s a conditia de functionare ˆ regim saturat a ambelor tranzistoare. a ın Din caracteristica de ie¸ire simulatˇ se observˇ o aplatizare a curbei ˆ regiunea s a a ın corespunzˇtoare regimului de saturatie a ambelor tranzistoarelor fatˇ de sursa a ¸ ¸a simplˇ de curent. a a s a ın ¸ rezultˇ: a Rout = rDS1 + rDS2 + (gm2 + gmb2 ) rDS2 rDS1 ∼ gm2 rDS2 rDS1 = An alo Tensiunea minimˇ de ie¸ire este ˆ acest caz: a s ın Voutmin = VDSmin1 + VDSmin2 (2. at e gic e (2.7. ˆ practicˇ aceastˇ valoare este adesea a s In a a imposibil de realizat. Acest fapt indicˇ o cre¸tere considerabilˇ a rezistentei de a a s a ¸ ie¸ire. iar expresiile lui VGS2 ¸i VBS2 a a s sunt:  VGS2 = VG2 − VS2 = −VS2 = −Iout rDS1 VBS2 = VB2 − VS2 = −VS2 = −Iout rDS1 ˆ Inlocuind tensiunile grilˇ-sursˇ ¸i substrat-sursˇ ale lui M2 ˆ ecuatia (2.11) Doris Csipkes .9). O altˇ remarcˇ importantˇ este aceea cˇ existˇ douˇ puncte de frˆ s a a a a a a ıngere pe caracteristicˇ.10) (2. cu diferenta cˇ rezistenta pasivˇ a fost a ¸ a ¸ a ˆ ınlocuit¸ cu rezistenta drenˇ-sursˇ a lui M1 . SURSE DE CURENT Tensiunea VGS1 este zero datoritˇ pasivizˇrii.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. iar celˇlalt a a a ın a intrˇrii ˆ regim liniar a lui M1 .12) Caracteristica de iesire a sursei de curent cascodˇ este data ˆ Figura 2. unul corespunzˇtor intrˇrii ˆ regim liniar a lui M2 .

0V Doris Csipkes gic e Vout 35 . Aceasta se poate a a as ¸ a face prin conectarea unui amplificator inversor ˆ ıntre sursa ¸i grila tranzistorului s M2 .8: Sursa de curent cascodˇ cu Rout maritˇ ¸i modelul echivalent a as de semnal mic alo 3. SURSE DE CURENT 120uA Iout 80uA 40uA 0A 0V I D( M 2) Vout_min 1. eg r VG2 at e Iout gmb2VBS2 rDS2 VCT + - ite Iout Ci rcu a VG2 M2 -a Iout Vout rDS1 VB2 M1 VG1 Figura 2.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. 0V Figura 2.7: Caracteristica de ie¸ire a sursei de curent cascodˇ s a 2.4 Sursa de curent cu rezistentˇ de ie¸ire mˇritˇ ¸a s a a In t O cre¸tere ˆ continuare a rezistentei de ie¸ire a sursei de curent cascodˇ este s ın ¸ s a posibilˇ prin mˇrirea cˆ¸tigului buclei de reactie negativˇ. 0V V_V1 An gm2VGS2 gm1VGS1 2.

13) ¸i (2. eg r Rout = rDS1 + rDS2 + [(a + 1) gm2 + gmb2 ] rDS2 rDS1 ∼ = ∼ (a + 1) gm2 rDS2 rDS1 = at e gic e (2.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. a s a a O posibilˇ implementare a sursei de curent cascodˇ cu rezistentˇ mˇrita este a a ¸a a datˇ ˆ Figura 2.15) (2.13) .9.16) Doris Csipkes VBS2 = VB2 − VS2 = −VS2 = −Iout rDS1 Combinˆnd ecuatiile (2. gm de ordinul mS ¸i cˆ¸tigul amplificatorului a a s as de ordinul zecilor.14) (2.14) rezultˇ: a ¸ s a Rezistenta de ie¸ire are urmˇtoarea formˇ: ¸ s a a 36 Ci rcu  Rout = rDS1 + rDS2 + [(a + 1) gm2 + gmb2 ] rDS2 rDS1 a = gm3 (rDS3 || rDS4 ) ite Tensiunea minimˇ de ie¸ire este identicˇ cu cea a sursei de curent cascodˇ. iar expresiile lui VGS2 ¸i VBS2 se scriu: s  VGS2 = VG2 − VS2 = −aVS2 − VS2 = − (a + 1) Iout rDS1 An alo (2. a ın In t Din expresia lui Rout se poate vedea cˇ aceasta a crescut de aproximativ a ori a fatˇ de sursa de curent cascodˇ. Ordinul teoretic de mˇrime este cel al zecilor de ¸a a a MΩ dacˇ se ia rDS de o sutˇ kΩ. SURSE DE CURENT Rezistenta de ie¸ire se determinˇ dupˇ cum urmeazˇ: ¸ s a a a (Iout − gm1 VGS1 ) · rDS1 + Iout (Iout − gm2 VGS2 − gmb2 VBS2 ) · rDS2 + Iout Rout = Tensiunea VGS1 este zero.

Pena at ın a tru fiecare structurˇ au fost discutate urmˇtoarele aspecte: a a eg r at Figura 2. 1997. . Casa Cˇrtii de Stiintˇ.caracteristica de ie¸ire ¸i interpretarea ei.schema ¸i modelul echivalent de semnal mic. s a a¸ ¸ ¸a Ci rcu . s s ite . Lelia Fe¸tilˇ .rezistenta de ie¸ire.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2.Circuite integrate analogice I.tensiunea minimˇ de ie¸ire pentru care circuitul mai functioneazˇ ca sursˇ a s ¸ a a de curent.9: Implementarea la nivel de tranzistor a sursei de curent cascodˇ cu Rout mˇritˇ a a a e An 37 Doris Csipkes alo gic e Iout . ¸ s Bibliografie: 1.5 Sumar . SURSE DE CURENT VDD VCT M4 VG2 M3 M2 VB2 M1 VG1 2. Pornind de la structura cea mai simplˇ ¸i argumentˆnd fiecare a s a ˆ ımbunˇtˇ¸ire se ajunge la structuri mai performante. s In t ˆ aceastˇ sectiune s-au prezentat cˆteva implementˇri electronice ale sursei In a ¸ a a de curent. utilizate ˆ practicˇ.

Fundamental analog circuits. Practical simulation exercises. 38 Ci rcu ite In t eg r Doris Csipkes at e An alo gic e 3. 2004. 1987 . D. Gabor Csipkes .Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 2. P. Doris Csipkes. Oxford University Press. UTPres.E. Allen. Holberg .CMOS analog circuit design. SURSE DE CURENT 2.

Punctul nediscutat a fost ın ¸ metoda cu care sunt generate tensiunile constante din grilele tranzistoarelor. determinˆnd astfel tensiunea grilˇ-sursˇ a tranzistorului. s s ¸a Iout Iin ite 3. S-a presupus cˇ toate tranziss ¸ a toarele sunt corect polarizate ˆ regim de saturatie. Raportul de reflexie se define¸te ca raportul s dintre curentul de ie¸ire ¸i curentul de intrare/referintˇ. ˆ contis In nuare se vor discuta cˆteva variante constructive implementate cu tranzistoare a MOS ¸i tranzistoare bipolare. dar mai pot fi utilizate ¸i ca amplificatoare de curent.1 Introducere In t ˆ sectiunea Surse de curent au fost prezentate structurile unor surse de curent In ¸ electronice ¸i parametrii specifici de functionare. Astfel se ajunge la o clasˇ de subcircuite numite a a a oglinzi de curent. Oglinzile sunt utilizate pentru distribuirea curentilor de ¸ polarizare. ˆ majoritatea cazurilor tensiunile de grilˇ sunt generate injectˆnd un curent de In a a a a referintˇ ˆ ¸a ıntr-un tranzistor conectat ca diodˇ MOS. s eg r n= at e An alo (3.Capitolul 3 Oglinzi de curent Ci rcu as Parametrul de bazˇ care descrie functionarea oglinzii de curent este cˆ¸tigul de a ¸ curent sau raportul de reflexie.1) Cerintele de performantˇ pentru oglinzile de curent sunt asemˇnˇtoare cu cele ¸ ¸a a a de la sursele de curent. dar aditional mai punem conditiile necesare ca intrarea ¸ ¸ oglinzii sˇ fie o intrare de curent (de joasˇ impedantˇ): a a ¸a gic e .

a a a . .2 Oglinzi de curent MOS Iin M1 Iout M2 Iin Observatie: modelul de semnal mic se deseneazˇ pentru tranzistoare ˆ ¸ a ın saturatie.1 Oglinda simplˇ de curent MOS a e Iout rDS1 gm2VGS2 rDS2 Vout Doris Csipkes 3. M1 este ˆ ¸ ıntotdeauna saturat datoritˇ conexiunii de diodˇ MOS a a (VDS = Vod + VT h > Vod ). iar M2 este o sursˇ de curent. s a alo gic e . s s . Schema a a circuitului este datˇ ˆ Figura 3. a 40 Ci rcu Figura 3.tensiunea minimˇ la intrare sˇ fie cˆt mai micˇ (determinatˇ de PSF a a a a a a diodei MOS).raportul de reflexie sˇ fie cˆt mai precis. OGLINZI DE CURENT .1: Oglinda simplˇ de curent ¸i modelul echivalent de semnal mic a s ite Vin gm1VGS1 An .rezistenta de intrare sˇ fie cˆt mai micˇ. ¸ a a a In t eg r Oglinda simplˇ de curent se obtine din sursa de curent cu un singur tranzistor a ¸ prin conectarea grilei la dioda MOS care genereazˇ tensiunea de grilˇ.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3.2. at 3.tensiunea minimˇ la ie¸ire pentru care circuitul mai functioneazˇ ca sursˇ a s ¸ a a de curent sˇ fie cˆt mai micˇ (ca la sursele de curent).1 ˆ a ın ımpreuna cu modelul echivalent de semnal mic. constant cu tensiunea de alimena a tare ¸i independent de temperaturˇ.rezistenta de ie¸ire sˇ fie cˆt mai mare pentru a reduce dependenta cu¸ s a a ¸ rentului de ie¸ire cu tensiunea de ie¸ire (ca la sursele de curent).

5) Tensiunea minimˇ admisˇ la ie¸ire este aceea¸i ca pentru sursa simplˇ de curent a a s s a ¸i este egalˇ cu tensiunea drenˇ-sursˇ a lui M2 pentru care acesta este ˆ a ˆ s a a a ıncˇ ın regim saturat. (3.3) (3.2) 41 . OGLINZI DE CURENT Rin = An Vin rDS1 ∼ 1 = = Iin 1 + gm1 rDS1 gm1 alo Rezistenta de intrare a oglinzii se calculeazˇ din schema echivalentˇ de semnal ¸ a a mic. β = µCox W2  1 2 2L1 2L2 n= In t eg r Doris Csipkes gic e Observatie: ˆ schema echivalentˇ de semnal mic nu apar sursele de curent ¸ ın a corespunzˇtoare transconductantei de substrat (gmb ) deoarece tensiunile a ¸ VBS de control ale acestora sunt zero (B conectat la S pentru ambele tranzistoare). Curentii de drenˇ ai tranzistoarelor se scriu: ¸ a Stiind cˇ tensiunile grilˇ-sursˇ ale tranzistoarelor sunt egale. rezultˇ expresia ¸ a a a a raportului de reflexie: Iout β2 (VGS2 − VT h2 )2 (1 + λVDS2 ) = Iin β1 (VGS1 − VT h1 )2 (1 + λVDS1 ) Ci rcu ite  iD1 = β1 (VGS1 − VT h1 )2 (1 + λVDS1 )     iD2 = β2 (VGS2 − VT h2 )2 (1 + λVDS2 )    β = µCox W1 . ¸inˆnd cont de faptul cˇ tensiunea grilˇ-sursˇ a tranzistorului M1 este egalˇ t a a a a a cu tensiunea drenˇ-sursˇ: a a Rezistenta de ie¸ire este aceea¸i ca pentru sursa de curent simplˇ: ¸ s s a Vout = rDS2 Iout Rout = at e (3.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3.4) (3.

5) ¸i (3.8) Doris Csipkes . Diferenta dintre tensiunile de prag se noteazˇ cu VT h iar a a ¸ a diferenta dintre geometriile tranzistoarelor se traduce ˆ ∆β.7) rezultˇ: a ¸ s a Ci rcu ite  1 V  T h1 = VT h − ∆VT h   2    1 VT h2 = VT h + ∆VT h  2     VT h1 + VT h2 V =  Th 2 In t eg r at e  β = β − 1 ∆β  1   2    1 β = β + ∆β  2 2     β1 + β2 β =  2 An n= ∆β 2β ∆β 1− 2β 1+ ∆VT h 2 (VGS − VT h )2 ∆VT h 1+ 2 (VGS − VT h )2 1− ˆ continuare se considerˇ functia binomialˇ inversˇ ¸i dezvoltarea sa ˆ serie In a ¸ a a s ın Taylor: 42 gic e (3. se poate spune cˇ un dezechilibru ˆ a de ie¸ire va produce o eroare a raportului de reflexie. neˆ ¸ ımperecherea tensiunilor de prag a tranzistoarelor ¸i neˆ s ımperecherea geometriei tranzistoarelor. In ¸ Iout 1 + λVDS2 = Iin 1 + λVDS1 n= alo ıntre tensiunile de intrare ¸i s Ca o concluzie.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3.6) (3.7) (3. s Pentru a analiza efectul neˆ ımperecherii tranzistoarelor se considerˇ tensiunile a drenˇ-sursˇ egale. Pentru tensiunile ¸ ın de prag ¸i parametrii β se pot scrie relatiile: s ¸ Combinˆnd ecuatiile (3.5) se observˇ cˇ sunt trei factori care afecteazˇ precizia a ¸ a a a raportului de reflexie: modulatia lungimii canalului. Pentru analiza efectului de modulatie a lungimii canalului se considerˇ un raport ¸ a de reflexie unitar (presupunˆnd cˇ tranzistoarele au aceea¸i geometrie) ¸i cˇ a a s s a ˆ acest caz obtinem: tensiunile de prag sunt perfect ˆ ımperecheate. OGLINZI DE CURENT Examinˆnd ecuatia (3.

OGLINZI DE CURENT 1 = a+x ∞ k=0 x2 x3 1 x (−x)k = − 2 + 3 − 4 + .12) 43 .Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. ın alo An 4 ∆VT h ∆β << 1 ¸i s . Pentru a ˆ a ımbunˇtˇ¸i raportul de a at reflexie ¸i rezistenta de ie¸ire trebuie gˇsitˇ o structurˇ care sˇ egaleze tensiunile s ¸ s a a a a drenˇ-sursˇ ale tranzistoarelor. s Ci rcu Observatie: eroarea raportului de reflexie se poate reduce dacˇ dimensiunea ¸ a tranzistoarelor este mai mare (geometria depinde de β) sau dacˇ curentul a prin ele este mai mare (curentul depinde de VGS − VT h ). iar ecuatia (3. Metoda cu care toate aceste neajunsuri sunt reduse este cascodarea. douˇ a tranzistoare se ˆ ımperecheazˇ mai bine dacˇ dimensiunile lor sunt mai mari.10) (3. De asemenea trebuie mˇritˇ ¸i rezistenta de a a a a s ¸ ie¸ire. raportul de reflexie se poate aproxima astfel: a In t n∼1+ = eg r 2∆VT h ∆β − β VGS − VT h at n∼ = 1+ 1− ∆VT h 2 (VGS − VT h ) e ˆ Insumˆnd performantele oglinzii simple de curent se poate observa cˇ rezistenta a ¸ a ¸ de ie¸ire este relativ redusˇ (ca la sursa simplˇ de curent). termenii de grad β 2 (VGS − VT h ) mai mare decˆt doi se neglijeazˇ ¸i expresia aproximativˇ a lui n devine: a as a ∆β 2β 2 Ridicˆnd la puterile corespunzˇtoare ¸i neglijˆd din nou termenii de ordin mai a a s n mare decˆt unitatea.9) Dacˇ se considerˇ x << 1 atunci termenii de ordin mai mare sau egal cu doi a a se neglijeazˇ. Intuitiv. a = 1..11) (3. a a a a ak+1 (3. a a ite Doris Csipkes gic e (3. iar factorul de reflexie s a a variazˇ puternic cu asimetriile din circuit..9) devine: a ¸ 1 ∼ 1 x = − 2 a+x a a Pentru cazul ˆ care.

OGLINZI DE CURENT 3. a In t Vin = VDS1 + VDS3 eg r Figura 3.2. pentru calculul rezistentei de ie¸ire a a In ¸ s aplicˇm teorema lui Thevenin la intrare (curentul se ˆ a ınsumeaza paralel ⇒ Thevenin). conform cˇreia rezistenta s s a a a ¸ de sarcinˇ se ˆ a ınlocuie¸te cu un scurt circuit la masˇ. avˆnd schema ¸i modelul echivalent de semnal mic din Figura a s 3.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3.2. Vout (3. rezultˇ: a a a 44 gic e Iout gmb4VBS4 rDS4 rDS2 Oglinda de curent cascodˇ se obtine din oglinda simplˇ prin cascodarea ambelor a ¸ a ramuri de circuit. se considerˇ Iin = 0. trebuie s a sˇ considerˇm Vout = 0.2: Oglinda de curent cascodˇ MOS ¸i modelul de semnal mic a s at e Tinˆnd cont de faptul cˇ tensiunile drenˇ-sursˇ ale lui M1 ¸i M3 sunt egale cu ¸ a a a a s tensiunile grilˇ-sursˇ. Astfel. ˆ mod similar. Drept urmare.2 Oglinda de curent cascodˇ MOS a Iin Iin Iout gm3VGS3 gmb3VBS3 rDS3 gm4VGS4 alo Iout gm2VGS2 VB3 M3 M4 VB4 Iin Vin An M1 M2 gm1VGS1 rDS1 Calculul rezistentelor de intrare ¸i de ie¸ire ¸ s s Tensiunea de intrare se scrie ca suma cˇderilor de tensiune pe tranzistoarele M1 a ¸i M3 : s Ci rcu ite Determinarea rezistentei de intrare se face considerˆnd teorema lui Norton la ¸ a ie¸ire (la ie¸ire curentul se mˇsoarˇ serie ⇒ Norton).13) Doris Csipkes .

OGLINZI DE CURENT VDS1 = (Iin − gm1 VGS1 ) rDS1 ⇒ VDS1 = ˆ mod similar se scrie VDS3 : In VDS3 = rDS3 1 Iin ∼ Iin = 1 + gm3 rDS3 gm3 alo Rin = Vin ∼ 1 1 + = Iin gm1 gm3 An ˆ Inlocuind ecuatiile (3.15) ˆ (3.17) = Iout at e Doris Csipkes gic e 1 rDS1 Iin ∼ Iin = 1 + gm1 rDS1 gm1 (3.14) ¸i (3. Prin ın a a ite In t Ordinul de mˇrime pentru Rin este de kΩ.18) Din expresia tensiunii minime admise la ie¸ire se poate remarca faptul s cˇ pe tranzistorul M2 cade o tensiune VDSmin + VT h .13).Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. a eg r Vout = rDS2 +rDS4 +(gm4 + gmb4 ) rDS4 rDS2 ∼ gm4 rDS4 rDS2 (3.14) (3. rezultˇ: ¸ s ın a Rezistenta de ie¸ire este identicˇ cu cea a sursei de curent cascodˇ: ¸ s a a Rout = Calculul tensiunii minime admise la ie¸ire s Pentru a determina tensiunea minimˇ admisˇ la ie¸irea circuitului se vor consia a s dera toate tranzistoarele de aceea¸i dimensiune ¸i perfect ˆ s s ımperecheate (VGS1 = VGS2 = VGS3 = VGS4 ).16) 45 .15) (3. iar pentru Rout de MΩ. Stiind cˇ tensiunea drenˇ-sursˇ pentru care un tran¸ a a a zistor mai este ˆ regim de saturatie este notatˇ cu VDSmin . putem scrie: ın ¸ a Ci rcu VoutM IN =DSmin4 +VDSmin2 = = VDSmin4 + (VGS3 + VGS1 − VGS4 ) = 2VDSmin + VT h (3. Pentru a lucra a ˆ regim saturat valoarea minimˇ necesarˇ acestuia ar fi VDSmin .

3 Oglinda cascodˇ MOS de joasˇ tensiune a a In t Iin eg r VTh VGS4 M2 Oglinda de curent cascodˇ de joasˇ tensiune ˆ a a ıncearcˇ sˇ optimizeze oglinda a a de curent cascodˇ din punctul de vedere al tensiunii minime admise la a ie¸ire.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT urmare. s s ¸ s M3 ite VGS3 Ci rcu M1 VGS1 Figura 3. structura clasicˇ de oglindˇ de curent cascodˇ nu este solutia a a a ¸ optimˇ din punctul de vedere al tensiunii minime la ie¸ire (avˆnd cu VT h a s a mai mult decˆt este necesar pentru a polariza tranzistoarele). avˆnd aria relativ extinsˇ. a Raportul de reflexie al oglinzii cascodˇ este ˆ a ımbunˇtˇ¸it deoarece prin cascodare a at tensiunile drenˇ-sursˇ ale tranzistoarelor M1 ¸i M2 au fost echilibrate (curentii a a s ¸ din M3 ¸i M4 precum ¸i geometriile identice egaleazˇ VGS3 cu VGS4 ). ˆ practicˇ. s ¸ s 3. pentru ˆ In a ımbunˇtˇ¸irea raportului de reflexie. ˆ acela¸i timp se pˇstreaza structura etajului de ie¸ire a oglinzii cascodˇ s In s a s a ¸i implicit ¸i rezistenta de ie¸ire. Astfel s s a cˆ¸tigul de curent este mult mai putin influentat de efectul de modulatie al as ¸ ¸ ¸ lungimii canalului.2. a a a a iar M3 ¸i M4 sunt optimizate pentru transconductantˇ cˆt mai mare ˆ vederea s ¸a a ın cre¸terii rezistentei de ie¸ire. tranzistoarele M1 ¸i M2 a at s sunt optimizate pentru o ˆ ımperechere cˆt mai bunˇ.3: Principiul utilizat la reducerea tensiunii minime de ie¸ire s ˆ sectiunea anterioarˇ s-a demonstrat cˇ tensiunea minimˇ la ie¸irea oglinzii In ¸ a a a s 46 at Iout M4 e An VDSmin alo gic e Doris Csipkes .

Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. Tensiunea a ın furnizatˇ de aceastˇ sursˇ trebuie sˇ fie egalˇ cu VT h . Teorema lui Kirchhoff pentru tensiunile pe buclˇ duce a la urmˇtoarea ecuatie: a ¸ VGS1 + VGS3 = VT h + VGS4 + VDSmin An alo Vod1 + Vod3 = Vod4 + VDSmin eg r at Din aceastˇ ecuatie rezultˇ cˇ potentialul din grila tranzistorului M3 trebuie sˇ a ¸ a a ¸ a fie suficient de mare pentru a permite functionarea ˆ regim saturat a lui ¸ ın M2 .3.2 se observˇ cˇ surplusul a a a de tensiune VT h se datoreazˇ potentialului prea ridicat din grila tranzistorului a ¸ M4 . Considerˆnd structura oglinzii din Figura 3.22) Pentru a realiza tensiunile de overdrive Vod1 ¸i Vod3 suficient de mari. ˆ timp ce valoarea necesarˇ este doar a ın a 2VDSmin .4. Relatia practicˇ de proiectare se poate scrie (ˆ ¸ a ıntr-o primˇ aproximare se a considerˇ acela¸i VT h pentru toate tranzistoarele): a s e Ecuatia pentru tensiuni este: ¸ ite VGS1 + VGS3 = VGS6 + VGS4 + VDSmin In t O implementare practicˇ a acestui principiu este prezentatˇ ˆ Figura 3.21) 47 . OGLINZI DE CURENT Pentru o functionare corectˇ a circuitului este necesar ca toate tranzistoa¸ a a rele sˇ fie saturate. iar dimensiunile se aleg a a ¸a ˆ concordantˇ cu tensiunile Vod dorite ¸i cu valoarea curentului de referintˇ.20) (3. Pentru a elimina VT h din expresia tensiunii minime de ie¸ire este necesar s ca potentialul acestui punct sˇ scadˇ cu VT h .19) (3. a a a a a (3. Dacˇ se considerˇ aceea¸i tensiune de prag pentru toate tranzistoarele. ˆ acea s ın ramurˇ de circuit se injecteazˇ un curent de referintˇ. Aceastˇ scˇdere se poate realiza ¸ a a a a prin inserarea unei surse de tensiune constantˇ ca ˆ Figura 3. ˆ a a ın In aceastˇ structurˇ deplasarea de nivel se face cu ajutorul unei ramuri suplimena a tare (M5 -M6 ). rezultˇ: a a s a Vod1 + Vod3 = Vod6 + Vod4 + VDSmin (3. ın ¸a s ¸a Ci rcu Doris Csipkes gic e de curent cascodˇ era 2VDSmin + VT h .

4: Schema practicˇ de oglindˇ cascodˇ de joasˇ tensiune a a a a In t eg r O altˇ implementare implicˇ scˇderea potentialului din sursa tranzistorului M3 . Structura de circuit este datˇ ˆ a ın Figura 3. a a a ¸ Acest lucru este posibil (farˇ a bloca tranzistorul M1 ) numai dacˇ potentialul a a ¸ din grila lui M3 este independent de VGS1 . OGLINZI DE CURENT Iref M3 Iin M6 Iout VGS3 VGS6 VGS4 M4 M1 M5 M2 VDSmin VGS1 Figura 3.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3.5 a).5: Altˇ modalitate de a scˇdea tensiunea minimˇ la ie¸ire a a a s Aceastˇ structurˇ de circuit ne permite sˇ fixˇm tensiunea drenˇ-sursˇ a lui M2 a a a a a a 48 gic e VGS4 VDSmin M2 Doris Csipkes . at Iref M3 e Iref M3 Iin An Iin M1 alo Iout M4 Iout M4 ite VGS3 VGS4 VGS3 Ci rcu M1 VDSmin R VDSmin VGS1 M2 a) b) Figura 3.

5 b).5 este afectat de ¸ dezechilibrul dintre tensiunile VDS ale M1 ¸i M2 . Suplimentar. a s ite M4 VGS3 VGS4 R Ci rcu VDSmin M1 VDSmin M2 VDSmin a) Figura 3.24) In t Iref M3 M5 Iin Iout eg r Observatie: raportul de reflexie al oglinzii din Figura 3.6: Implementarea practicˇ a oglinzii cascodˇ de joasˇ tensiune a a a Doris Csipkes gic e Iout M4 VGS4 VDSmin M2 49 . a at Iref VGS3 M3 e M6 Dacˇ M3 se alege identic cu M4 atunci cˇderea de tensiune drenˇ-sursˇ a lui a a a a M2 va fi tocmai Iref R. O solutie a a ¸ ar fi introducerea unei rezistente care sˇ preia o parte din tensiunea VGS3 ¸ a (Figura 3. fie ¸ a a a sˇ alegem dimensiuni mult mai reduse pentru M3 decˆt pentru M4 . ˆ acest caz tensiunile se scriu: In (3. ima a plementarea numai cu tranzistoare este preferatˇ rezistentei pasive ori de a ¸ cˆte ori este posibil.23) Vod3 + Iref R = Vod4 + VDSmin An Iin M5 M1 alo b) Din nou Vod3 trebuie sˇ fie suficient de mare pentru a permite functionarea a ¸ tranzistorului M2 ˆ regim saturat. Prin aceastˇ metodˇ putem regla cu u¸urintˇ tensiunea a a s ¸a minimˇ la ie¸ire la 2VDSmin . Dezavantajul structurii este acela cˇ pentru ın a a obtine Vod3 suficient de mare trebuie fie sˇ mˇrim curentul prin ramurˇ. OGLINZI DE CURENT conform urmˇtoarei relatii: a ¸ Vod3 = Vod4 + VDSmin (3.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. Corectia se poate face s ¸ inserˆnd un tranzistor care sˇ echilibreze VDS2 cu VDS1 .

OGLINZI DE CURENT Observatie: rolul ramurii M3 -M6 este sˇ stabileascˇ potentialul ˆ grilele ¸ a a ¸ ın tranzistoarelor M5 ¸i M4 . Rezistenta de ¸ s s a a ¸ intrare se calculeazˇ pentru Vout = 0. Din calcule rezultˇ: a a a 3. a ¸ a a ¸ s Structura ¸i schema echivalentˇ de semnal mic a circuitului sunt date ˆ Figura s a ın 3. conform teoremei lui Norton (similar ca a la oglinda cascodˇ clasicˇ).25) Vout Doris Csipkes . Aceastˇ ramurˇ nu va afecta expresia rezistentei s a a ¸ de intrare. Calculul rezistentei de intrare ¸i de ie¸ire ¸ s s Rin = rDS1 + rDS5 + (gm5 + gmb5 ) rDS5 rDS1 ∼ 1 = 1 + gm1 rDS1 + (gm5 + gmb5 ) rDS5 gm1 rDS1 gm1 An VGS3 alo Iout gm2VGS2 Rezistenta de ie¸ire este aceea¸i ca la oglinda cascodˇ clasicˇ.4 Oglinda de curent Wilson cu tranzistoare MOS Oglinda Wilson utilizeazˇ reactia negativˇ pentru a mˇri rezistenta de ie¸ire.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. e M3 Ci rcu ite Iin Iout gm3VGS3 VB3 Iin Vin gm1VGS1 rDS1 rDS2 M1 M2 Figura 3.2.7: Structura ¸i schema echivalentˇ a oglinzii Wilson cu tranziss a toare MOS 50 gic e Iout gmb3VBS3 rDS3 (3.7. In t eg r at Se observˇ cˇ rezistenta de intrare este comparabilˇ cu cea a oglinzii MOS a a ¸ a simple.

precum ¸i sˇ acopere tensiunea VGS2 . a s Calculul rezistentelor de intrare ¸i de ie¸ire ¸ s s 1 eg r  Rin ∼ =     1+   ◦ gm rDS >> 1 si gm rDS rDS >> rDS Ci rcu ◦ rDS /(1 + gm rDS ) ∼ 1/gm = ◦ aditional s-a ignorat efectul substratului asupra tensiunii de prag ¸ (gm >> gmb ). Din a s calcule rezultˇ: a An alo Doris Csipkes gic e (3.28). datoritˇ conexiunii de diodˇ a M2 .27) se pot face cˆteva simplificˇri care conduc la expresiile aproIn ¸ a a ximative din sistemul (3. nu a a a avem nici o posibilitate de a reduce tensiunea minimˇ la ie¸ire.  Rin ∼ gm2 + gm3  =  gm1 gm3  R ∼ gm1 gm3 rDS1 rDS3  out = gm2 ite ˆ relatiile (3.26) 51 .27) (3. Acestea sunt urmˇtoarele: a In t rDS2     rDS2 1 + gm1 rDS1  Rout ∼ rDS3 + + gm3 rDS3 rDS2 ·  = 1 + gm2 rDS2 1 + gm2 rDS2 rDS1 gm1 gm3 rDS1 1 + + gm2 + gm3 rDS3 at (3.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3.28) e Rezistentele de intrare ¸i de ie¸ire se calculeazˇ ˆ conditii similare ca pentru ¸ s s a ın ¸ oglinzile de pˆna acum (Iin = 0 pentru Rout ¸i Vout = 0 pentru Rin ). Astfel. OGLINZI DE CURENT Tensiunea minimˇ la ie¸ire a s Tensiunea minimˇ la ie¸ire trebuie sˇ asigure functionarea tranzistorului M3 ˆ a s a ¸ ın regim saturat. se obtine o valoare s a ¸ similarˇ ca ¸i pentru oglinda cascoda clasicˇ: a s a VoutM IN = 2VDSmin + VT h Este important de remarcat cˇ.

8: Structura ¸i schema de semnal mic a oglinzii Wilson MOS s echilibrate Tensiunea minimˇ la ie¸ire rˇmˆne aceea¸i.8). OGLINZI DE CURENT alo gm3VGS3 Iout gm2VGS2 Iin Iin Iout gm4VGS4 gmb4VBS4 rDS4 VB4 M4 M3 VB3 Vin Iin An rDS1 M1 M2 gm1VGS1 Figura 3. Drept urmare. raportul de reflexie este s afectat de o eroare sistematicˇ.7) se observˇ cˇ tensiunile drenˇ-sursˇ ale a a a a tranzistoarelor M1 ¸i M2 nu sunt egale. s s ¸ s a 52 Doris Csipkes gic e Iout rDS3 gmb3VBS3 Vout rDS2 Din structura circuitului (Figura 3. Rezultˇ o structurˇ similarˇ cu cascoda clasicˇ (Figura a a a a a a 3. Aceastˇ eroare se poate reduce prin echilibrarea a a tensiunilor drenˇ-sursˇ.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. iar rezistentele de intrare ¸i de ie¸ire a s a a s ¸ s s se calculeazˇ conform urmˇtoarelor relatii: a a ¸ Ci rcu  rDS4  rDS1 +   1 + gm4 rDS4  Rin ∼  = gm1 gm3 rDS1    1+ 1 1 + + gm2 + gm3  rDS2 rDS3      rDS2 1 + gm1 rDS1  Rout ∼ rDS3 +  + gm3 rDS3 rDS2 · = 1 + gm2 rDS2 1 + gm2 rDS2 ite In t eg r at e (3. .29) De¸i structura circuitului s-a modificat. valorile aproximative ale rezistentei de s ¸ ie¸ire ¸i ale rezistentei de intrare sunt acelea¸i ca pentru oglinda Wilson simplˇ.

1 Oglinda simpla cu tranzistoare bipolare IC1 Q1 eg r IB1 at IB2 Iin e Figura 3. OGLINZI DE CURENT 3. alo Doris Csipkes gic e Oglinzile de curent cu tranzistoare bipolare au aceea¸i topologie ca ¸i oglinzile cu s s tranzistoare MOS. se poate considera VBE1 = VBE2 .3 Oglinzi de curent cu tranzistoare bipolare 3. a Ci rcu ˆ primul pas se analizeazˇ erorile factorului de reflexie. a s a 53 . de amplificarea de curent β ¸i. Principalele diferente ˆ functionare se datoreazˇ rezistentei ¸ ın ¸ a ¸ bazˇ-emitor finite ¸i curentului de bazˇ diferit de zero.9. ¸ ¸ ite In t An Iout IC2 Q2 Schema oglinzii de curent simple cu tranzistoare bipolare este datˇ ˆ Figura a ın 3.3. Datoritˇ faptului cˇ atˆt bazele cˆt ¸i emitoarele sunt s a a a a s conectate ˆ ımpreunˇ. ˆ mod similar ca la oglinda MOS.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. de s ın neˆ ımperecherea ariilor. Neˆ ımperecherea ariilor se traduce ˆ neˆ ın ımperecherea curentilor de saturatie IS ai tranzistoarelor.9: Oglinda de curent simplˇ cu tranzistoare bipolare a Analiza factorului de reflexie ˆ ıncepe de la expresiile curentilor de colector ale ¸ tranzistoarelor Q1 ¸i Q2 . Aceste erori pot fi In a introduse de dezechilibrul tensiunilor colector-emitor ale celor douˇ tranzisa toare.

30) (3. OGLINZI DE CURENT V   IC2 = IS2 · e BE2 · 1 + VCE2 VT  VEA IC2 = IC1 IS2 IS1 1+ VCE2 − VCE1 VCE1 + VEA An 1 β 1 β alo O relatie importantˇ.33) (3. Astfel expresia lui n a a ın a rezultˇ: a IS2 IS1 1+ VCE2 − VCE1 VCE1 + VEA VCE2 − VCE1 1+ VCE1 + VEA Ci rcu n= Iout = Iin 1+ 1 IS2 + IC1 β IS1 54 gic e  V I = I · e BE1 · 1 + VCE1 VT  C1  S1  VEA (3. Pentru a determina aceastˇ dependentˇ se calculeazˇ raportul a ¸a a curentilor de colector. s s Se observˇ cˇ ˆ acest raport curentul IC1 se simplificˇ. Dupˇ efectuarea calculelor rezultˇ: ¸ a a Iin = IC1 + IB1 + IB2 = IC1 + = IC1 1 + 1 β + IC1 IS2 IS1 eg r at 1+ Aplicˆnd teorem lui Kirchhoff pentru curenti la nodul de intrare al oglinzii se a ¸ obtine expresia curentului de intrare. dedusˇ din sistemul de mai sus.34) Doris Csipkes . este dependenta curentului ¸ a a ¸ IC2 de IC1 .32) (3. ¸ Din schema circuitului se poate scrie curentul de ie¸ire: s ite In t IC1 IC2 + = β β VCE2 − VCE1 1+ VCE1 + VEA e Iout = IC2 = IC1 IS2 IS1 VCE2 − VCE1 VCE1 + VEA Factorul de reflexie este raportul dintre curentul de ie¸ire ¸i curentul de intrare.31) (3.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3.

¸a eg r n= IS2 A2 = IS1 A1 at ˆ cazul ideal. iar factorul de reflexie este definit numai de raportul curentilor de saturatie ¸i implicit de raportul ariilor. de exemplu. atunci raportul ideal de reflexie va fi egal cu doi (curentul de ie¸ire dublu s fatˇ de cel de intrare).37) 55 . eroarea sistematicˇ a a s a In raportului de reflexie va tinde la 0. a ın Ci rcu ite Observatie: ¸i ˆ acest caz este valabilˇ teorema suprapunerii efectelor. OGLINZI DE CURENT O transformare a acestei relatii permite exprimarea factorului de reflexie ˆ ¸ ın functie de o eroare sistematicˇ : ¸ a IS2 (1 + ) .10. Aceste rezistente se determinˇ din schema echivalentˇ de semnal mic s ¸ a a datˇ ˆ Figura 3. ¸ s ın a Eroarea totalˇ se obtine prin cumularea erorilor datorate dezechlibrului tena ¸ siunilor colector-emitor ¸i cˆ¸tigului de curent β (conform ecuatiei (3. a s Performantele oglinzii de curent mai depind ¸i de rezistentele de intrare ¸i de ¸ s ¸ s ie¸ire. Astfel pot sˇ aparˇ erori statistice a a a a chiar dacˇ β tinde la infinit ¸i VCE1 = VCE2 .35) (3.36)). dacˇ tranzistorul Q2 are o arie dublˇ fatˇ a a a a ¸a de Q1 . dacˇ VCE1 = VCE2 ¸i β tinde la infinit. s as ¸ In t Acest lucru ˆ ınseamnˇ cˇ. IS1 n= unde eroarea se scrie: An VCE2 − VCE1 VCE1 + VEA = −1 + IS2 VCE2 − VCE1 1 1+ 1 + + IC1 β IS1 VCE1 + VEA 1+ alo 1 β Observatie: raportul de reflexie este influentat ¸i de neˆ ¸ ¸ s ımperecherea geometricˇ a ariilor celor douˇ tranzistoare.36) (3. ¸ ¸ s e Doris Csipkes gic e (3.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3.

Valoarea rezistentei ¸a ¸ echivalente este R = 1/gm . Tensiunea de intrare se scrie ˆ functie de curentul de intrare ¸i rezistenta ın ¸ s ¸ echivalentˇ vˇzutˇ la masˇ.38) (3. at Rezistenta de intrare rezultˇ: ¸ a Vin 1 1 = rBE1 || || rCE1 || rBE2 ∼ = Iin gm1 gm1 Ci rcu || rCE1 || rBE2 e Rin = La aproximare s-a ¸inut cont de faptul cˇ rezistenta colector-emitor (de ordinul t a ¸ 100kΩ) ¸i rezistenta bazˇ-emitor (100kΩ) sunt mult mai mari decˆt 1/gm (kΩ).39) Doris Csipkes .10: Schema echivalentˇ de semnal mic a oglnzii simple cu TB a Rezistenta de intrare ¸ Rezistenta de intrare se calculeazˇ pentru Vout = 0 conform teoremei lui Nor¸ a ton.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT Iin rBE1 Vin gm1VBE1 rCE1 rBE2 gm2VBE2 Iout rCE2 Vout Iin rBE1 Vin 1/gm1 rCE1 rBE2 alo gm2VBE2 An ite In t Vin = Iin rBE1 || Figura 3. s ¸ a a 56 gic e Iout Vout rCE2 (3. a a a a 1 gm1 eg r Observatie: orice sursˇ de curent controlatˇ de tensiunea de la propri¸ a a ile borne este conform legii lui Ohm o rezistentˇ.

Intuitiv. Astfel curentul de colector IC1 ın nu mai este perfect egal cu IC2 ca ˆ cazul realizˇrii MOS.2 (eng. 3.3. OGLINZI DE CURENT Rezistenta de ie¸ire ¸ s Rezistenta de ie¸ire se calculeazˇ pentru un curent de intrare Iin = 0 conform ¸ s a teoremei lui Thevenin.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. a Tensiunea de ie¸ire ¸i rezistenta de ie¸ire se scriu: s s ¸ s Vout = rCE2 (Iout − gm2 VBE2 ) = rCE2 Iout ⇒ Rout = Tensiunea minimˇ la ie¸ire a s • rezistenta de ie¸ire este relativ redusˇ. EFA . fiind necesarˇ o metodˇ de ˆ ¸ s a a a ımbunˇtˇ¸ire. ın s at e An alo Vout = rCE2 (3. Astfel.40) Iout Doris Csipkes gic e 57 . se pot face urmˇtoarele In a a observatii: ¸ eg r Tensiunea minimˇ la ie¸ire trebuie sˇ permitˇ functionarea tranzistorului Q2 ˆ a s a a ¸ ın regiunea activˇ normalˇ (ca sursˇ de curent). ˆ caz contrar Q2 poate sˇ treacˇ ˆ regimul de saturatie. Din nou se ¸ine cont de egalitatea tensiunilor bazˇt a emitor ale celor douˇ tranzistoare. VBE1 = VBE2 = Vin = Rin Iin = 0. ˆ a In a a ın ¸ In practicˇ se impune conditia ca VCE = VBE (ˆ ciuda faptului cˇ tranzistorul a ¸ ın a este ˆ RAN ¸i pentru pentru VBE = VCE = VCEsat ). VCE2 trebuie sˇ a a a a fie suficient de mare pentru a evita polarizarea directˇ ¸i deschiderea diodei a s bazˇ-colector. a at • factorul de reflexie prezintˇ o eroare sistematicˇ chiar ¸i dacˇ tensiunile a a s a colector-emitor sunt echilibrate.Emitter Follower Augmented) Din schema oglinzii simple cu tranzistoare bipolare se observˇ cˇ responsabil a a pentru eroarea sistematicˇ a factorului de reflexie introdusˇ de β este curentul a a a pierdut ˆ bazele celor douˇ tranzistoare. eroarea ın a datoratˇ cˆ¸tigului de curent s-ar putea reduce dacˇ s-ar mic¸ora curentul a as a s Ci rcu Oglinda de curent cu compensare de β ite In t ˆ mod similar ca la oglinda simplˇ cu tranzistoare MOS. Drept urmare.

11: Structura ¸i schema echivalentˇ de semnal mic a oglinzii EFA s a Raportul de reflexie se calculeazˇ ˆ mod similar ca la oglinda simplˇ. ın ¸ ¸ s Iin = IC1 +IB3 = IC1 + IB1 + IB2 IC1 + IC2 IE3 = IC1 + = IC1 + (3. s s ın Raportul de reflexie rezultˇ: a 58 gic e pierdut ˆ baze.11 a.41) β+1 β+1 β (β + 1) Utilizˆnd relatia (3. OGLINZI DE CURENT gm3VBE3 Iin Q3 An rBE1 rBE2 gm2VBE2 Iout alo rCE3 Iout rCE2 Vout Iin rBE3 IB3 IC1 Q1 IE3 IB1 IB2 IC2 Q2 rCE1 Vin gm1VBE1 at ite In t eg r 1+ 1 IS2 + IC1 β (β + 1) IS1 a) Figura 3.42) β (β + 1) Curentul de ie¸ire are aceea¸i expresie ca ˆ cazul oglinzii simple (ecuatia (3.31) expresia curentului de intrare devine: a ¸ Ci rcu e b) VCE2 − VCE1 VCE1 + VEA Iin = IC1 1 + 1 (3.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. Bufferul se poate implementa cu un simplu tranzistor ca ˆ Figura 3. ˆ primul a ın a In pas se scrie curentul de intrare ˆ functie de curentii de colector IC1 ¸i IC2 . ın Doris Csipkes .33)). Cea mai simplˇ metodˇ de a realiza aceastˇ ˆ ın a a a ımbunˇtˇ¸ire a at este introducerea unui buffer de curent care sˇ permitˇ extractia unui curent a a ¸ foarte redus din colectorul lui Q1 ¸i ˆ acela¸i timp sˇ producˇ curentul IB1 +IB2 s ın s a a prin amplificare de curent.

Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. Drept urmare.35).11 b). iar eroarea sistematicˇ datoratˇ lui β este mult redusˇ. Astfel. Scriind teoremele lui Kirchhoff ¸i legea lui Ohm se ajunge la ın s sistemul de ecuatii (3. Deasemenea. OGLINZI DE CURENT n= 1+ 1 IS2 + β (β + 1) IS1 1 β (β + 1) Eroarea sistematicˇ va avea aceea¸i formˇ ca ˆ relatia (3. Corectia rezolvˇ numai problemele legate de β. Din schema de semnal mic se observˇ cˇ rezistenta ¸ a a ¸ rCE2 este conectatˇ cu ambele borne la masˇ. ˆ cazul unui β finit functia 1/[β(β +1)] va tinde la 0 mult ın ¸ mai rapid decˆt 1/β. dar β este ˆ a s a ın ¸ ınlocuit de β (β + 1). curentul prin ea a a este zero. ¸ a An alo Doris Csipkes gic e Iout = Iin IS2 IS1 1+ VCE2 − VCE1 VCE1 + VEA VCE2 − VCE1 1+ VCE1 + VEA (3.44) V  BE3 = rBE3 IB3      VBE1  IB3 + gm3 VBE3 − VBE1 =  rCE3 rBE1 || rBE2 Rezolvarea acestui sistem duce la urmˇtoarea expresie a rezistentei de intrare: a ¸ e Observatie: aceastˇ oglindˇ este ˆ continuare sensibilˇ la erorile dato¸ a a ın a rate dezechilibrului tensiunilor colector-emitor ¸i neˆ s ımperecherii aleatoare a ariilor.43) 59 . a a a a Rezistenta de intrare se calculeazˇ din schema echivalentˇ de semnal mic datˇ ¸ a a a ˆ Figura 3. as ¸ a Ci rcu ite  Vin = VBE3 + VBE1      Vin  I = g V  in + IB3 m1 BE1 +  r CE1 In t eg r Rezistenta de intrare ¸ at (3. sursa gm2 VBE2 extrage ¸i injecteazˇ acela¸i curent ˆ s a s ın nodul de masˇ ¸i astfel nu contribuie la echilibrul curentilor (se neglijeazˇ).44).

Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. Se poate scrie urmˇtorul sistem de ¸ s ın a ecuatii: ¸ at Rezistenta de ie¸ire ¸ s e (3.48) Doris Csipkes  VBE1 = VBE2 = 0 V = r out CE2 (Iout − gm2 rBE2 ) = Iout rCE2 60 gic e  Rin =     1 1 + 1 gm1 + rBE3 + rech 1 + rBE3 rech (3. rezistenta de ie¸ire se scrie: a ¸ s Ci rcu  Vin = VBE3 + VBE1      V  g V  m1 BE1 + in + IB3 = 0  rCE1 V  BE3 = rBE3 IB3      VBE1  IB3 + gm3 VBE3 − VBE1 =  rCE3 rBE1 || rBE2 ite In t eg r La calculul rezistentei de ie¸ire Iin se considerˇ egal cu zero. a a ¸ a Rezolvˆnd sistemul.47) (3. OGLINZI DE CURENT rCE1      rech = (1 + gm3 rBE3 ) (rBE1 || rBE2 || rCE3 ) Tinˆnd cont de faptul cˇ rCE ¸i rBE sunt mult mai mari decˆt 1/gm .46) .45) (3. Drept urmare nodul ¸ s a de intrare va fi un nod flotant al cˇrui potential se stabile¸te prin echilibrul a ¸ s curentilor ¸i tensiunilor ˆ restul circuitului. expresia ¸ a a s a rezistentei de ie¸ire se aproximeazˇ: ¸ s a 1 Rin ∼ = gm1 An alo Se observˇ cˇ valoarea rezistentei de intrare este similarˇ cu cea a oglinzii simple.

3 Oglinda de curent bipolarˇ cu degenerare rezistivˇ a a gic e Iout gm2VBE2 rCE2 Vout Rout = (3.12 a).Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. o solutie ar fi int s s ın ¸ troducerea unei reactii negative prin douˇ rezistente conectate ˆ emitoarele ¸ a ¸ ın tranzistoarelor ca ˆ Figura 3.12: Oglinda bipolarˇ cu degenerare rezistivˇ a a Considerˆnd tranzistoarele perfect ˆ a ımperecheate ¸i β tinzˆnd la infinit s a (Iin = IC1 ).50) Dacˇ tensiunile bazˇ-emitor sunt egale (aproximativ acela¸i curent ¸i aceea¸i a a s s s arie) atunci raportul de reflexie rezultˇ: a Iout ∼ R1 = Iin R2 n= (3. ın alo R2 3. Ca ¸i ˆ cazul oglinzilor MOS.51) Doris Csipkes 61 .3. teorema lui Kirchhoff pentru tensiunile pe ramuri se scrie: Ci rcu ite VBE1 + Iin R1 = VBE2 + Iout R2 In t a) eg r IB1 IB2 at Iout gm1VBE1 rCE1 R1 b) (3. OGLINZI DE CURENT Astfel: Vout = rCE2 Iout Tensiunea minimˇ la ie¸ire este aceea¸i ca la oglinda bipolarˇ simplˇ.49) rBE1 Vin R1 R2 Figura 3. a s s a a Iin IC1 Q1 Iout Iin IC2 Q2 e An IB2 rBE2 Oglinda bipolarˇ simplˇ ¸i cea cu compensare de β nu rezolvˇ problema rezistena as a ¸ei de ie¸ire relativ reduse.

12 b) pentru Vout = 0. Teoremele lui Kirchhoff ¸i legea lui Ohm duc s la urmˇtorul sistem de ecuatii: a ¸ at 1 Rezistenta de intrare ¸ e (3. s Rezistenta de intrare rezultˇ: ¸ a Ci rcu  1   || rCE1 (Iin − IB2 ) Vin = R1 + rBE1 ||   gm1     Vout = rCE2 (Iout − gm2 VBE2 ) + R2 (Iout + IB2 ) = 0   VBE2 = rBE2 IB2      V = V in BE2 + R2 (Iout + IB2 ) In t eg r Rezistenta de intrare se calculeazˇ din schema echivalentˇ de semnal mic din ¸ a a Figura 3. a a a (a se vedea exemplul) gic e . Exemplu: dacˇ se dore¸te un factor de reflexie egal cu 2 atunci se alege R1 = a s 2R2 .Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT Observatie: raportul de reflexie este ˆ continuare influentat de β finit ¸i ¸ ın ¸ s de dezechilibrul tensiunilor colector-emitor ale tranzistoarelor. dar valoarea va fi diferitˇ de cea doritˇ.51) este validˇ sub aceastˇ formˇ numai dacˇ ¸ VBE1 = VBE2 . a a ˆ acest caz raportul de reflexie va fi aproximativ 2. Ecuatia (3. Suplimentar. Dacˇ aceasta conditie nu este ˆ a ¸ ındeplinitˇ atunci raportul de a reflexie rezultˇ diferit de unitate. cu eroarea introdusˇ de β In a finit ¸i de dezechilibrul tensiunilor. aria tranzistorului Q2 trebuie sˇ fie de douˇ ori mai mare.53) Doris Csipkes Rin Vin = = Iin 62 ite || rCE1 gm1 ∼ R1 + 1 = 1 gm1 R1 + rBE1 || || rCE1 gm1 1+ rBE2 + (1 + gm2 rBE2 ) (R2 || rCE2 ) An alo Observatie: pentru a obtine un raport de reflexie diferit de unitate este ¸ ¸ necesarˇ ¸i scalarea ariilor celor douˇ tranzistoare (pe lˆnga scalarea a s a a a a a a rezistentelor).52) R1 + rBE1 || (3.

55) (3.56) se observˇ cˇ rezistenta de ie¸ire are aceea¸i ¸ ¸ a a ¸ s s formˇ ca la sursele de curent MOS. a ¸ ¸ Rezistenta de ie¸ire ¸ s Pentru a determina rezistenta de ie¸ire se scrie urmˇtorul sistem de ecuatii: ¸ s a ¸  Vout = rCE2 (Iout − gm2 VBE2 ) + R2 (Iout + IB2 )      VBE2 = rBE2 IB2   1 V  BE2 + R2 (Iout + IB2 ) = R1 + rBE1 || || rCE1 (Iin − IB2 )   gm1     I = 0 in An alo In t        R = r   out CE2 1 +       r  ech Expresia aproximativˇ a lui Rout este: a Ci rcu Rout = rCE2 + R2 + gm2 rCE2 R2 ∼ gm2 rCE2 R2 = ite rech 1+  gm2 R2 rBE2  + R2 R2 rech  R2 rech 1+ + 1+ + rBE2 rBE2 rBE2 rBE2 1 = R1 + rBE1 || || rCE1 gm1 eg r Rezistenta de ie¸ire este raportul dintre tensiunea ¸i curentul de ie¸ire.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. OGLINZI DE CURENT La aproximare s-a considerat R1 de ordinul kΩ-lor. Aceasta ¸ s s s este de forma: at  e Observatie: din ecuatia (3. atunci conteazˇ toti termenii fractiei. Dacˇ R1 este mai mare.56) 63 . Rezistenta de ie¸ire aproximativˇ a a ¸ s a ıntre unei structuri de tip cascodˇ se scrie ˆ totdeauna ca un produs ˆ a ın cˆ¸tigul tranzistorului cascodˇ (gmcas rCE(DS)cas ) ¸i rezistenta echivaas a s ¸ lentˇ vˇzutˇ ˆ emitor/sursˇ. a de exemplu 100kΩ. a a a ın a Doris Csipkes gic e (3.54) (3.

Dacˇ se dore¸te obtinerea unei rezistente de ie¸ire foarte mari. OGLINZI DE CURENT Tensiunea minimˇ la ie¸ire a s Tensiunea minimˇ la ie¸ire trebuie sˇ permitˇ functionarea tranzistorului Q2 a s a a ¸ ˆ regiunea activˇ normalˇ ¸i sˇ acopere cˇderea de tensiune Iout R2 pe ın a a s a a rezistentˇ. a a Astfel se ajunge la structura cascodˇ.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. ˆ practicˇ rezistenta pasivˇ a a a In a ¸ a se ˆ ınlocuie¸te adesea cu o sursˇ de curent care permite o rezistentˇ echivalentˇ s a ¸a a similarˇ cu R2 .4 Oglinda cascodˇ bipolarˇ a a Structura circuitului este datˇ ˆ Figura 3.3. dar cu avantajul unei cˇderi de tensiune mult mai reduse.13.13: Oglinda cascodˇ bipolarˇ a a Forma generalˇ a raportului de reflexie se deduce ˆ mod similar ca la oglinzile a ın discutate anterior. a ın eg r IB3 IB4 IB1 IB2 Iin at e Iout IC4 Q4 IC3 Q3 In t IE3 ite IC1 Q1 Ci rcu Figura 3. Pentru ˆ ınceput se scrie curentul de intrare avˆnd urmˇtoarea a a formˇ: a 64 An IE4 IC2 Q2 alo gic e Doris Csipkes . a 3. ¸a a s ¸ ¸ s aceastˇ cˇdere de tensiune devine semnificativˇ.

59) β β+1 (3.60) (3.61) (3.58) (3.62) 65 βIE3 IE3 βIE4 IE4 + + = IE3 + β+1 β+1 β+1 β+1 (3.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. ¸ ımpˇ ¸ ¸ s VCE2 − VCE1 β IS2 1+ IS1 VCE1 + VEA β + 1 n= 1 IS2 VCE2 − VCE1 2β + 1 1+ + 1+ β IS1 VCE1 + VEA β (β + 1) ite In t Iout = IC4 = IE4 β IS2 β = IC2 = IC1 β+1 β+1 IS1 VCE2 − VCE1 VCE1 + VEA Eroarea sistematicˇ (fatˇ de unitate) rezultˇ: a ¸a a VCE2 − VCE1 β VCE1 + VEA β + 1 VCE2 − VCE1 2β + 1 1+ VCE1 + VEA β (β + 1) Ci rcu 1+ 1 IS2 + β IS1 = −1 + 1+ Doris Csipkes gic e (3.31) dintre IC1 ¸i IC2 . OGLINZI DE CURENT Iin = IC3 + IB3 + IB4 = Identificˆnd IE3 ¸i IE4 de pe schema circuitului se obtine: a s ¸ Iin = (IC1 + IB1 + IB2 ) + IC2 IC1 IC2 IC2 = IC1 + + + β+1 β β β+1 alo ˆ urmˇtorul pas se ¸ine cont de relatia (3.57) . Rezultˇ: In a t ¸ s a Iin = IC1 1 + eg r Curentul de ie¸ire se scrie: s at 1 β + IC1 IS2 IS1 1+ VCE2 − VCE1 VCE1 + VEA e An 1+ 1 1 + β β+1 Raportul de reflexie se obtine ˆ artind ecuatiile (refecogl57) ¸i (refecogl56).

a s a ¸ s 66 Ci rcu Oglinda Wilson bipolarˇ a ite Rout ∼ = In t Calculul riguros este din nou relativ complicat.65) Doris Csipkes . iar eroarea raportului de reflea a xie va depinde foarte putin de VCE2 − VCE1 .63) (3.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. tranzistoarele as cascodˇ echilibreazˇ tensiunile colector-emitor. OGLINZI DE CURENT n= Rezistenta de intrare ¸ alo An β2 β 2 + 4β + 2 Rezistenta de ie¸ire ¸ s Tensiunea minimˇ la ie¸ire a s Tensiunea minimˇ la ie¸ire trebuie sˇ asigure functionarea tranzistoarelor Q2 ¸i a s a ¸ s Q4 ˆ regiunea activˇ normalˇ. ın a a 3.64) (3. ¸ a factorul de reflexie se aproximeazˇ: a (3. Drept urmare ˆ ecuatia (3.5 Varianta bipolarˇ a oglinzii de curent Wilson utilizeazˇ aceea¸i reactie negaa a s ¸ tivˇ ca ¸i implementarea MOS pentru a mˇri rezistenta de ie¸ire a circuitului. Astfel. a a ¸ s gm4 rCE4 rCE2 rBE4 gm2 rBE4 + rCE2 1 + gm1 eg r 1 1 Rin ∼ + = gm3 gm1 at e Calculul riguros al rezistentei de intrare este relativ complicat datoritˇ curenti¸ a ¸ lor de bazˇ ¸i rezistentelor bazˇ-emitor finite ale tranzistoarelor.65) ın ¸ este datˇ expresia aproximativˇ a rezistentei de ie¸ire. Dacˇ tranzistoarele sunt identice.3. Dacˇ curentii prin tranzistoarele Q3 ¸i Q4 sunt aproa ¸ s ximativ egali atunci se poate spune cˇ ¸i VBE3 = VBE4 . O expresie as ¸ a aproximativˇ este datˇ ˆ urmˇtoarea ecuatie (similarˇ ca la varianta MOS): a a ın a ¸ a gic e Se observˇ cˇ eroarea sistematicˇ depinde ˆ continuare de β ¸i de diferenta de a a a ın s ¸ tensiune VCE2 − VCE1 .

ˆ s ın In continuare se discutˇ numai varianta echilibratˇ. OGLINZI DE CURENT Schemele oglinzii simple ¸i a oglinzii ehilibrate sunt date ˆ Figura 3.14. Dupˇ calcule raportul de reflexie al a oglinzii Wilson echilibrate se obtine: ¸ at e Figura 3. expresia lui fiind ¸ urmˇtoarea: a β 2 + 2β + 4β + 2 ite n= β2 Rezistenta de intrare ¸ Expresia aproximativˇ a rezistentei de intrare este: a ¸ Doris Csipkes gic e Iout IC3 Q3 1 β (3.14: Oglinzile bipolare Wilson a) simplˇ ¸i b) echilibratˇ as a An IB1 IB2 alo IE3 IC2 Q2 IE3 IB4 IB3 Ci rcu ˆ cazul particular ˆ care tranzistoarele sunt identice (aceea¸i arie a In ın s emitorului) ¸i VCE1 = VCE2 (tranzistoarele Q3 ¸i Q4 echilibreazˇ oglinda s s a Q1 -Q2 ). a a Iin IB3 IC1 Q1 Iout Q3 Q4 Iin IC4 IE4 IC1 Q1 IC2 Q2 IB1 IB2 1 IS2 VCE2 − VCE1 + 1+ 1 + β IS1 VCE1 + VEA n= 1 IS2 VCE2 − VCE1 1+ + 1+ β (β + 1) IS1 VCE1 + VEA In t eg r Forma generalˇ a raportului de reflexie se calculeazˇ ˆ mod similar ca ¸i pentru a a ın s celelalte oglinzi bipolare discutate anterior.66) (3.67) 67 .Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. raportul de reflexie va fi o functie numai de β.

OGLINZI DE CURENT rBE3 (gm2 + gm3 ) ∼ 1 1 Rin ∼ + = = gm2 + gm1 gm3 rBE3 gm3 gm1 (3. a s ¸ s ¸ s La oglinzile MOS raportul de reflexie depinde de neˆ ımperecherea geometricˇ a a tranzistoarelor ¸i de dezechilibrul tensiunilor drenˇ-sursˇ ale tranzistoarelor din s a a oglinda fundamentalˇ.4 Sumar ˆ acest capitol s-au studiat structurile de oglinzi de curent MOS ¸i bipolare. Aditional.68) Rezistenta de ie¸ire ¸ s Rezistenta de ie¸ire aproximativˇ se scrie: ¸ s a Tensiunea minimˇ la ie¸ire trebuie sˇ asigure functionarea tranzistoarelor Q2 a s a ¸ ¸i Q3 ˆ regiunea activˇ normalˇ. a a s a a ˆ practicˇ. Din structura circuitului se observˇ cˇ s ın a a a a tranzistorul Q2 va functiona ˆ RAN datoritˇ conexiunii de diodˇ. la oglinzile bipolare mai apare ¸i dependenta a ¸ s ¸ de cˆ¸tigul de curent finit al tranzistoarelor bipolare. rezultˇ valori In a a ¸ a similare pentru tensiunea minimˇ la ie¸ire ca ¸i pentru oglinda cascodˇ bipolarˇ. In a t Aceastˇ egalitate este valabilˇ numai dacˇ raportul de reflexie al oglinzii a a a este unitar. Solutia care ˆ as ¸ ımbunˇtˇ¸este a at 68 Ci rcu ite In t eg r Tensiunea minimˇ la ie¸ire a s at gm2 1 + rCE1 rBE3 e Rout ∼ = gm1 gm3 rCE1 rCE3 + rCE1 rBE3 rCE1 + gm1 rBE3 An (3. rezistenta de intrare ¸i rezistenta de ie¸ire. punˆnd conditia VCE = VBE pentru fiecare tranzistor. gic e . Fiecare oglindˇ a fost caracterizatˇ prin factorul de a a reflexie.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3. In s Accentul s-a pus pe comportamentul de curent continuu ¸i caracteristicile de s semnal mic ale circuitelor.69) Doris Csipkes alo Se observˇ cˇ rezistenta de ie¸ire aproximativˇ are aceea¸i expresie ca ¸i ˆ cazul a a ¸ s a s s ın ˆ calcule s-a ¸inut seama de egalitatea lui gm1 cu gm2 . oglinzii cascodˇ clasice. a s s a a 3. Drept urmare ¸ ın a a tensiunea minimˇ teoreticˇ la ie¸ire este ceva mai mare decˆt la oglinda cascodˇ. tensiunea minimˇ la ie¸ire.

2004. Oxford University Press. Doris Csipkes. Lelia Fe¸tilˇ .E. editura Foton International. UTPres.Fundamental analog circuits. 1987 alo Doris Csipkes gic e 69 . Manolescu . 1997. Casa Cˇrtii de Stiintˇ. A. s a a¸ ¸ ¸a 2. Holberg . Gabor Csipkes . s a Bibliografie: 1. 1999 Ci rcu ite In t eg r at e An 3.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 3.Circuite integrate analogice I. Practical simulation exercises.CMOS analog circuit design. OGLINZI DE CURENT performantele oglinzilor (ˆ general precizia raportului de reflexie ¸i rezistenta ¸ ın s ¸ de ie¸ire) este alegerea unor structuri de tip cascodˇ. 4. P. Allen.Analog Integrated Circuits. D.

Capitolul 4

Referinte electronice ¸

Senzitivitatea este o mˇrime relativˇ ¸i se define¸te astfel: a as s y ∂Xref · ∂y Xref

Ci rcu

ite

In t

Pentru a caracteriza calitativ performantele unei referinte, trebuie luate ˆ con¸ ¸ ın siderare dependentele curentului sau tensiunii generate de temperaturˇ precum ¸ a ¸i de parametrii de circuit. Astfel referintele se caracterizeazˇ prin doi parametrii s ¸ a principali: senzitivitatea ¸i coeficientul de temperaturˇ. s a

y SXref =

eg r

ˆ realitate, termenul de referintˇ este utilizat pentru a denumi circuitele care In ¸a genereazˇ tensiuni ¸i curenti cu o precizie mai bunˇ ¸i mai independente de a s ¸ as temperaturˇ ¸i tensiunea de alimentare decˆt sursele electronice obi¸nuite. as a s

at

e

Referintele de curent ¸i de tensiune sunt implementˇrile cu dispozitive active ¸ s a ale unor surse ideale. Ele furnizeazˇ o tensiune sau un curent independent a de sarcinˇ, de temperaturˇ ¸i de tensiunea de alimentare. a as

An

alo
(4.1)

ˆ aceastˇ ecuatie Xref este tensiunea sau curentul generat, iar y este parameIn a ¸ trul de circuit care introduce dependenta (de ex. tensiunea de alimentare sau ¸ o rezistentˇ). ¸a Coeficientul de temperaturˇ este senzitivitatea la variatii ale temperaturii de a ¸ ◦ C. functionare, normatˇ la 1 ¸ a

gic e

Circuite integrate analogice I

CAPITOLUL 4. REFERINTE ELECTRONICE ¸

TC =

∂Xref 1 · ∂T Xref

(4.2)

Coeficientul de temperaturˇ este dat de regulˇ ˆ V(A)/◦ C sau ˆ ppm/◦ C. a a ın ın

4.1

Referintˇ simplˇ cu divizor de tensiune ¸a a

Cea mai simplˇ implementare a unei surse de tensiune este un divizor de a tensiune. Pentru realizˇri practice se pot utiliza elemente pasive sau active. a Schema circuitului este datˇ ˆ Figura 4.1. a ın

R1

In t

R2

Vref

eg r
Vref =

at

VDD I

e
M2 M1

An
VCC I

Expresia tensiunii de ie¸ire se poate gˇsi u¸or scriind regula divizorului de s a s tensiune. R2 · VDD R1 + R2 (4.3)

Aceastˇ ecuatie este validˇ numai dacˇ circuitul functioneazˇ ˆ gol sau dacˇ a ¸ a a ¸ a ın a rezistenta de sarcinˇ este foarte mare. ¸ a

Ci rcu

ite

Figura 4.1: Referintˇ cu divizor de tensiune ¸a

alo
Vref

Majoritatea parametrilor de circuit care intervin ˆ expresia curentului sau a ın tensiunii de referintˇ depind de temperaturˇ. Astfel determinarea riguroasˇ a ¸a a a coeficientului de temperaturˇ poate deveni foarte laborioasˇ. a a

Doris Csipkes

gic e

71

Circuite integrate analogice I

CAPITOLUL 4. REFERINTE ELECTRONICE ¸

Senzitivitatea cu tensiunea de alimentare se calculeazˇ dupˇ cum urmeazˇ: a a a
ref SVDD =

V

∂Vref VDD R2 · VDD R1 + R2 · · =1 = ∂VDD Vref R1 + R2 R1 · VDD

Exprimˆnd tensiunile VGS ale celor douˇ tranzistoare rezultˇ ecuatiile de dispoa a a ¸ zitiv:

ite

In t

 ID1 = βn · (VGS1 − VT hn )2     ID2 = βp · (VSG2 − |VT hp |)2    β = kn W1 β = kp W2  n p 2L1 2L2

eg r

at

e
ID1 βn ID2 βp

Tensiunea de referintˇ furnizatˇ de varianta activˇ a circuitului se calculeazˇ ¸a a a a din urmˇtorul sistem de ecuatii: a ¸

An

Coeficientul de temperaturˇ depinde de variatia raportului de rezistente precum a ¸ ¸ ¸i de variatia tensiunii de alimentare cu temperatura. Coeficientul de temperas ¸ turˇ al unui raport de rezistente de acela¸i tip este foarte redus. Prin urmare a ¸ s factorul care influenteazˇ variatia lui Vref cu temperatura este VDD . ¸ a ¸

alo

Senzitivitatea fiind unitarˇ, o variatie de 10% a tensiunii de alimentare (uzualˇ a ¸ a de altfel ˆ practicˇ) va produce o variatie de 10% a tensiunii de referintˇ. ın a ¸ ¸a

Ci rcu

  VGS1 = VT hn +      VSG2 = |VT hp | +  

Din circuit se mai obtine: ¸ VDD − VSG2 = Vref VGS1 = Vref

72

gic e

(4.4)

(4.5)

(4.6)

(4.7)

Doris Csipkes

11) 73 . T Cβp ∂T Vref ite Coeficientul de variatie cu temperatura al implementˇrii active se determinˇ ¸ a a calculˆnd derivatele partiale ˆ raport cu toti parametrii de circuit care variazˇ a ¸ ın ¸ a cu temperatura.8) (4.7) rezultˇ curentul prin circuit. T CVT hp . Astfel se poate scrie: In t ˆ cazul particular ˆ care βn = βp ¸i VT hn = |VT hp | senzitivitatea este egalˇ In ın s a ˆ practicˇ acest caz particular este foarte putin probabil.6) ¸i (4. REFERINTE ELECTRONICE ¸ Din combinatia sistemelor (4. a √ I= VDD − |VT hp | − VT hn 1 1 √ + βn βp An βn βp VDD βn − |VT hp | βp Vref = VT hn + VDD − VT hn − |VT hp | 1+ alo Stiind cˇ VGS1 = Vref ¸i considerˆnd expresia lui VGS1 ˆ functie de curent. T Cβn . ˆ calcule ¸ s a In se considerˇ ID1 = ID2 . Din expresia senzitivitˇ¸ii ¸i coeficientului de temperaturˇ se observˇ cˇ tenat s a a a siunea furnizatˇ de referintˇ este puternic dependentˇ de tensiunea de alia ¸a a mentare ¸i de temperaturˇ. In a ¸ eg r ∂Vref VDD · = ∂VDD Vref at e VDD + VT hn Calculul matematic riguros al lui T CVref este relativ laborios.9) (4. T CVT hn .10) (4. se ¸ a s a ın ¸ ajunge la urmˇtoarea expresie a tensiunii de referintˇ: a ¸a Senzitivitatea cu tensiunea de alimentare se obtine prin calculul derivatei.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. ¸ ref SVDD = V Ci rcu T CVref = ∂Vref 1 · = f T CVDD . cu unitatea. Aceastˇ dependentˇ se datoreazˇ faptului cˇ Vref s a a ¸a a a Doris Csipkes gic e (4.

2 Referinta de tensiune cu diodˇ ¸ a bipolarˇ ¸i MOS as gic e este definitˇ de curentul de echilibru prin circuit. REFERINTE ELECTRONICE ¸ R at In t Vref VDD I e eg r Q1 An VCC I R Schemele referintelor de tensiune cu diodˇ bipolarˇ ¸i diodˇ MOS sunt date ˆ ¸ a as a ın Figura 4.2: Referinta de tensiune cu diodˇ bipolarˇ ¸i diodˇ MOS ¸ a as a Expresia tensiunii de ie¸ire ¸i senzitivitatea cu VDD se pot determina cu metode s s similare ca la referinta cu divizor de tensiune. ¸ s a Varianta MOS Pentru varianta MOS se scrie urmˇtorul sistem de ecuatii: a ¸ 74 Ci rcu ite alo Vref 4. M1 Figura 4.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. O ˆ ¸ ımbunˇtˇ¸ire s-ar putea aduce circuitului dacˇ Vref a at a ar depinde neliniar de curentul de echilibru. tipic o diodˇ ¸ a a bipolarˇ sau MOS. a Doris Csipkes . Dependenta neliniarˇ se poate ¸ a realiza prin ˆ ınlocuirea rezistentei la masˇ cu un element neliniar.2. care la rˆndul lui depinde a a proportional de VDD . Presupunˆnd cˇ referinta este ¸ a a ¸ izolatˇ de sarcinˇ (functioneazˇ ˆ gol) punctele statice de functionare se gˇsesc a a a ın ¸ a la intersectia dintre caracteristicile tranzistoarelor ¸i dreapta de sarcinˇ.

s ¸ Tensiunea de referintˇ rezultˇ: ¸a a Vref = VT h + VDD − Vref β·R An I IS alo (4.14) (4. T CVT h .Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. T Cβ . Calculul riguros al solutiilor nu este neapˇrat necesar pentru ¸ a a determina senzitivitatea tensiunii de referintˇ cu tensiunea de alimentare.12) .15) (4.16) 75 ref SVDD = V ∂Vref VDD · = ∂VDD Vref 2Vref Coeficientul de temperaturˇ este din nou o functie de variatiile cu temperatura a ¸ ¸ ale tuturor parametrilor de circuit. T CR ) ∂T Vref In t eg r at Aceastˇ ecuatie are solutii multiple (prin rearanjarea termenilor rezultˇ o ecuatie a ¸ ¸ a ¸ de gradul 2). ¸ a VDD β · R · (VDD − Vref ) e gic e  I = VDD − Vref   R  Vref = VGS = VT h +  (4. REFERINTE ELECTRONICE ¸ I β unde β are aceea¸i semnificatie ca la circuitele discutate anterior. ın T CVref = Varianta bipolarˇ a Sistemul de ecuatii care caracterizeazˇ punctul static de functionare se scrie: ¸ a ¸  Vref = VBE = VT · ln     I = VCC − Vref R Doris Csipkes Ci rcu ite ∂Vref 1 · = f (T CVDD . ¸a Senzitivitatea se obtine cu metoda clasicˇ prin calculul derivatelor. Determinarea expresiei exacte se face prin derivare ˆ raport cu temperatura.13) (4.

a a a ite T CVref = f (T CVCC .Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. Tensiunea de referintˇ pentru varianta MOS ın ¸a se scrie: R1 R2 VDD − Vref β·R Ci rcu Un dezavantaj al referintei cu diodˇ simplˇ este domeniul limitat de valori ale ¸ a a tensiunii de referintˇ. REFERINTE ELECTRONICE ¸ Tensiunea de referintˇ rezultˇ: ¸a a VCC − Vref R · IS Se observˇ cˇ senzitivitatea scade cu Vref .3.17) (4. Acest fapt se datoreazˇ variatiei a a a ¸ neliniare a lui Vref cu valoarea curentul prin circuit. Chiar a a a at ¸ ¸i a¸a. T CR . Senzitivitatea cu VDD se calculeazˇ a a cu ajutorul derivatelor partiale.19) Vref = 1+ VT h + (4. In a seze dependentele de VDD . T CVT . Din acest motiv pentru a a a ¸ a rezolvare se utilizeazˇ metode numerice.18) . T CIS ) In t Observatie: comparˆnd senzitivitˇ¸ile variantelor MOS ¸i bipolare se poate ¸ a at s ajunge la concluzia cˇ implementarea bipolarˇ oferˇ o senzitivitate mai a a a scˇzutˇ datoritˇ neliniaritˇ¸ii accentuate a functiei IC = f (VBE ).20) 76 Doris Csipkes An ref SVCC = V ∂Vref VCC VCC · VT · = ∂VCC Vref Vref · (VCC − Vref ) alo Se observˇ cˇ aceastˇ ecuatie este transcendentˇ. Din schemˇ rezultˇ cˇ Vref este ˆ ¸a a a a ıntotdeauna egal cu tensiunile grilˇ-sursˇ sau bazˇ-emitor ale tranzistoarelor. ¸ eg r at e (4. uneori senzitivitatea nu este suficient de micˇ pentru aplicatii de s s a ¸ ˆ aceste cazuri este nevoie de structuri speciale care sˇ compenprecizie. Coeficientul de temperaturˇ se scrie: a O extensie a domeniului de valori se obtine prin introducerea unui divizor de ¸ tensiune rezistiv ca ˆ Figura 4. ¸ gic e Vref = VT · ln (4.

Aceastˇ proprietate a circuitului este exa a ploatatˇ prin utilizarea unor diode Zener cu caracteristica VD = f (ID ) foarte a abruptˇ.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. REFERINTE ELECTRONICE ¸ VDD I R VCC I R R1 M1 alo Vref R1 Q1 ˆ mod similar pentru varianta bipolarˇ rezultˇ: In a a eg r Vref = VT 1+ R1 R2 at ln VCC − Vref R · IS (4. Intuitiv.3 Referinta de tensiune cu diodˇ Zener ¸ a a Dioda Zener este utilizatˇ ˆ regim de strˇpungere pentru a implementa caraca ın teristica tensiune-curent abruptˇ. Punctul static de functionare este determinat a ¸ tot de intersectia caracteristicii diodei cu dreapta de sarcinˇ. ¸ a ite In t e Figura 4. cu cˆt variatia a a a ¸ a curentului prin diodˇ cu tensiunea aplicatˇ (VGS sau VBE ) este mai abruptˇ. Tensiunea de strˇpungere VBV este puternic a a Ci rcu Din comparatia referintelor de tensiune cu dioda MOS ¸i dioda bipolarˇ a rezul¸ ¸ s a tat cˇ o dependenˇˇ mai neliniarˇ a tensiunii pe diodˇ (proportionalˇ sau egalˇ a ta a a ¸ a a cu Vref ) duce la o senzitivitate mai scˇzutˇ cu VDD .3: Referinta de tensiune cu diodˇ ¸i domeniu extins de valori ¸ as An 77 R2 R2 Doris Csipkes gic e Vref .4 prezintˇ referinta de tensiune cu o diodˇ Zener ¸i variatia a a ¸ a s ¸ curentului cu tensiunea pe diodˇ. Figura 4.21) 4. a a cu atˆt senzitivitatea cu VDD scade.

Astfel s-ar introduce o dependentˇ mai slabˇ a curentului de ie¸ire cu ¸a a s VDD . s a ¸a 78 Ci rcu Referinta de tensiune cu diodˇ discutatˇ anterior se poate transforma ˆ ¸ a a ıntr-o referintˇ de curent prin copierea curentului din circuit cu o oglindˇ de curent. Aceastˇ scalare se poate implementa dacˇ o parte a a din tensiunea VGS (VBE ) creatˇ de curentul Iref ar fi preluatˇ de un element a a liniar. Astfel referinta nu poate fi a ¸ utilizatˇ ˆ circuitele de joasˇ tensiune unde alimentarea nu depˇ¸este 2. ¸a a Prin adˇugarea unui tranzistor de ie¸ire din oglindˇ rezultˇ schema din Figura a s a a 4.4: Referinta de tensiune cu diodˇ Zener ¸ a Dezavantajul major al circuitului este faptul cˇ ˆ tehnologiile MOS tensiunea a ın de strˇpungere are valori ridicate. REFERINTE ELECTRONICE ¸ dependentˇ de concentratia purtˇtorilor de sarcinˇ din regiunile p+ ¸i n+ ale a ¸ a a s jonctiunii.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4.5-3V.4 Referintˇ de curent cu oglindˇ simplˇ ¸a a a de curent Dacˇ tranzistoarele sunt identice ¸i oglinzile echilibrate. a ın a as 4. ¸ VDD I R VDD/R I D Vref IPSF An at e VBV VDD Figura 4. O ˆ s a ımbunˇtˇ¸ire a at a senzitivitˇ¸ii este posibilˇ dacˇ senzitivitatea curentului Iref ar fi scalatˇ cu at a a a un coeficient subunitar. atunci senzitivitatea a s curentului de ie¸ire cu VDD va fi egalˇ cu senzitivitatea lui Iref . Circuitul rezultat se nume¸te oglindˇ de curent sau referintˇ Widlar.5. ite In t eg r alo V Doris Csipkes gic e . tipic 5-6V.

5. Schemele celor douˇ variante sunt date ˆ Figura 4. REFERINTE ELECTRONICE ¸ VDD Iref R Io VCC Iref R Referinta Widlar se poate implementa atˆt cu tranzistoare MOS cˆt ¸i cu tran¸ a a s zistoare bipolare.5: Referintˇ de curent cu oglindˇ de curent simplˇ ¸a a a Figura 4.6.6: Referintˇ de curent Widlar ¸a 4.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4.5 Referinta de curent Widlar ¸ M1 ite Ci rcu R2 An Figura 4. a ın eg r In t Io M2 VDD Iref R1 at e VCC Iref R1 Io Q1 Q2 4.1 Referinta Widlar cu tranzistoare MOS ¸ Functionarea circuitului este descrisˇ de urmˇtorul sistem de ecuatii: ¸ a a ¸ alo R2 79 M1 M2 Q1 Q2 Doris Csipkes gic e Io .

23) (4.25) (4. Solutia este de forma: ¸ 1 + 4R2 β2 Ci rcu I SVo = SVref · DD DD I = SVref · DD 2 Din prima ecuatie a sistemului (4. Aceastˇ inega¸ a litate este valabilˇ ¸i pentru perechea Vod1 ¸i Vod2 . Astfel: as s I SVo = k · SVref . solutia acceptatˇ este a a ¸ a numai cea cu semnul plus. Iref β1 Iref − β1 Io β2 In t Dat fiind faptul cˇ termenul din stˆnga este un radical. REFERINTE ELECTRONICE ¸ Calculˆnd diferenta tensiunilor grilˇ-sursˇ ¸i ˆ a ¸ a a s ınlocuind ˆ prima ecuatie rezultˇ: ın ¸ a Io − β2 Iref =0 β1 √ An  Iref   β1 Vod1 2Vod1 − Vod2 alo Io R2 +  Io = ite Senzitivitatea curentului de ie¸ire cu tensiunea de alimentare se determinˇ prin s a Io calculul derivatelor din ecuatia (4. eg r 1  1 · − √ ± 2R2 β2 at I I e Aceastˇ ecuatie este de gradul doi cu necunoscuta a ¸ Io .24) (4.23) ¸i identificarea senzitivitˇ¸ilor SV DD ¸i ¸ s at s Iref SV DD .Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4.26) Doris Csipkes . k < 1 DD DD 80 gic e  VGS1 = VGS2 + R2 Io       Iref VGS1 = VT h + β1      Io V  GS2 = VT h + β2 (4.22) (4.22) rezulta ca VGS1 > VGS2 .

putem spune cˇ referinta de curent Widlar cu a a ¸ tranzistoare bipolare genereazˇ un curent de tip PTAT (Proportional To a Absolute Temperature). IS . k < 1 CC VT + R2 Io e Io R2 + VT · ln An =0 (4. a Senzitivitatea curentului de ie¸ire cu VDD se calculeazˇ similar ca la varianta s a MOS. prin urmare valoarea curentului de ie¸ire se a ¸ a s determinˇ prin metode numerice.30) 81 Doris Csipkes alo gic e (4.28) (4.5.29) I Aceastˇ ecuatie este transcendentˇ.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. ¸ ite In t VT I = k · SVref . Pentru a fi PTAT curentul trebuie sˇ fie indepena dent de curentul de saturatie al tranzistoarelor. Astfel. REFERINTE ELECTRONICE ¸ 4. rezultˆnd: a I SVo = SVref · CC CC Ci rcu Observatie: curentul de ie¸ire depinde direct proportional de VT deci de ¸ s ¸ temperatura absolutˇ.27) .2 Referinta Widlar cu tranzistoare bipolare ¸ Sistemul de ecuatii care descrie functionarea circuitului se scrie: ¸ ¸  VBE1 = VBE2 + R2 Io       Iref VBE1 = VT · ln IS1      VBE2 = VT · ln Io  IS2 ˆ Inlocuind ˆ prima ecuatie tensiunile bazˇ-emitor se obtine: ın ¸ a ¸ Io IS1 · Iref IS2 Curentul de ie¸ire rezultˇ: s a VT · ln R2 Io = eg r at Iref IS2 · Io IS1 (4.

s a a ¸ s Curentii de ie¸ire se scriu: ¸ s  Iref    VT h +   VGS1 β1 I  =  oM OS = R2 R2  Iref   VT ln   VBE1  IS1 I  oT B = = R2 R2 Ci rcu ite alo Io R2 (4.31) Doris Csipkes 82 gic e .7: Referintˇ de curent VT h ¸i VBE ¸a s ˆ aceastˇ structurˇ rolul tranzistorului M2 (Q2 ) este sˇ actioneze ca tampon In a a a ¸ ¸i sˇ stabileascˇ rezistenta de ie¸ire a circuitului. REFERINTE ELECTRONICE ¸ Senzitivitatea se poate ˆ ımbunˇtˇ¸i dacˇ ˆ a at a ıntreaga tensiune VGS2 (VBE2 ) este preluatˇ de o rezistentˇ pasivˇ astfel ˆ at valoarea curentului de ie¸ire nu va a ¸a a ıncˆ s mai depinde de VGS2 (VBE2 ). a ¸ s a ın VDD Iref R1 Io M2 An R1 Q2 Q1 VCC Iref M1 R2 eg r at In t e Figura 4.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. 4.6 Referinta de curent VT h ¸i VBE ¸ s Structura circuitului rezultˇ din observatia de mai sus ¸i este datˇ ˆ Figura 4.7.

Generarea curentului Iref cu ajutorul lui Io se face prin simpla copiere a curentului Io ˆ cealaltˇ ramurˇ printr-o oglindˇ de curent. Intuitiv.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. La ¸a rˆndul lui Iref depinde de VDD prin metoda cu care a fost generat (echilibrul din a prima ramurˇ → o cˇdere de tensiune pe o dioda MOS sau bipolarˇ). Schema circuitului este ın a a a datˇ ˆ Figura 4.32) 83 . farˇ o dependentˇ de VDD . atunci a a ¸a curentul de ie¸ire ar fi teoretic independent de tensiunea de alimentare. a Ecuatiile care descriu functionarea circuitului sunt urmˇtoarele (scrise pentru ¸ ¸ a varianta cu referinta VT h ): ¸ Ci rcu ite In t eg r at e 4. a a ¸ s Tranzistoarele M5 ¸i M6 preiau ¸i distribuie curentul de ie¸ire spre alte circuite s s s dupˇ necesitate. a a La referintele studiate pˆnˇ ˆ acest moment curentul de ie¸ire depinde de ¸ a a ın s tensiunea de alimentare prin intermediul curentului de referintˇ Iref .8. Acest s lucru este posibil prin dubla definitie a curentului de ie¸ire ¸i fenomenul numit ¸ s s ”bootstrapping”. avˆnd o senzitivitate nenulˇ cu VDD . REFERINTE ELECTRONICE ¸ Prin derivare se gˇsesc senzitivitˇ¸ile curentilor de ie¸ire cu tensiunea de alimena at ¸ s tare. a ın Cele douˇ variante se bazeazˇ pe referintele Widlar ¸i VT h cu tranzistoare MOS.7 Referinte independente de VDD ¸ An Prin calcule numerice se poate demonstra cˇ referintele de tip VT h ¸i VBE a ¸ s au senzitivitˇ¸i mai reduse cu tensiunea de alimentare decˆt oglinzile Widlar at a corespunzˇtoare.  S IoM OS = S Iref ·  VDD  VDD  IoT B I S  V = SVref CC CC Curentii ¸i tensiunile furnizate de referintele studiate depind de tensiunea de ¸ s ¸ alimentare. a alo Vod1 2 (Vod1 + VT h ) VT · VBE1 Doris Csipkes gic e (4. a a a dacˇ Iref ar fi generat cu ajutorul lui Io .

senzitivitatea curentului de ie¸ire cu tensiunea de s alimentare este zero.8: Referintˇ bootstrap ¸a Io = 1 · 2R 1 √ + β1 1 + 4RVT h β1 Se observˇ cˇ aceastˇ ecuatie nu contine elemente dependente de tensiunea de a a a ¸ ¸ alimentare.33) I5 I6 R (4. REFERINTE ELECTRONICE ¸  VGS1 = VT h +  Iref β1 VDD Rp M3 M4 M5 An M3 alo VDD Rp I5 Io I6 M4 M5 M7 M7 Iref Iref at e M1 M8 M2 M6 M8 R Circuit de pornire eg r M1 Circuit de pornire Dacˇ se considerˇ tranzistoarele M3 ¸i M4 identice ¸i se neglijeazˇ neidealitˇ¸ile a a s s a at ˆ aceste conditii. ¸ s Ci rcu ite In t Figura 4. In a ¸ poate obtine expresia curentului de ie¸ire.34) Doris Csipkes . 84 gic e Io M2 M6  VGS1 = Io R   (4. Drept urmare. din sistemul (4.33) se oglinzii de curent rezultˇ Iref = Io .Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4.

curentul prin M7 reducˆndu-se la zero. dar ˆ grila lui ın ¸ ın M7 avem un potential egal cu VGS8 → M7 conduce → se injecteazˇ un ¸ a curent ˆ dioda MOS M1 → apare o cˇdere de tensiune pe rezistenta R ın a ¸ → apare un curent Io la ie¸ire → Io este copiat ˆ ramura de referintˇ s ın ¸a → curentii Iref ¸i Io vor converge spre o valoare de echilibru prin reactie ¸ s ¸ pozitivˇ.Iref = Io = 0 → ˆ drena lui M1 avem potential zero. prima generatˇ de referinta de curent de tip VBE . . dacˇ ¸ ın a raportul de reflexie nu este precis. Dezea a chilibrul contine ˆ expresia sa tensiunea de alimentare VDD . Aceastˇ conditie este ˆ a ¸ ındeplinitˇ de referintele a ¸ de tip bandˇ interzisˇ (eng. a 4.tototdatˇ potentialul din drena lui M1 cre¸te → M7 pierde VGS ¸i se va a ¸ s s bloca treptat → circuitul de pornire este dezactivat.8 este urmˇtoarea: ¸ a An Observatie: datoritˇ principiului de functionare.34). iar a s a ¸ doua generatˇ de referinta de curent Widlar cu tranzistoare bipolare. senzitivitatea va avea o valoare diferitˇ a de zero. a eg r at e Circuitul de pornire asigurˇ un curent initial prin circuit ¸i este dezactivat treptat a ¸ s dacˇ circuitul evolueazˇ spre punctul static de functionare definit de ecuatia a a ¸ ¸ (4. a ¸ Ci rcu ite In t . circuitul are douˇ puncte ¸ a ¸ a de echilibru. Functionarea circuitului de pornire din Figura 4.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. a a Tensiunile ¸i curentii generati de referintele studiate aveau o variatie pozitivˇ s ¸ ¸ ¸ ¸ a ˆ continuare se vor considera douˇ tipuri de sau negativˇ cu temperatura. bandgap). In a a tensiuni: VBE ¸i VBE . Astfel. REFERINTE ELECTRONICE ¸ .8 Referinte compensate cu temperatura ¸ Referintele prezentate pˆnˇ acum erau puternic influentate de variatia tempe¸ a a ¸ ¸ ˆ practicˇ este adesea necesarˇ generarea unei tensiuni sau a unui raturii. In a a curent stabil cu temperatura. unde atˆt Iref cˆt ¸i Io sunt ın a a s zero. Primul punct este ˆ origine. Pentru a ne asigura cˇ circuitul pˇrˇse¸te punctul static nedorit a aa s din origine trebuie sˇ adaugˇm un circuit de pornire. a a alo Doris Csipkes gic e 85 Observatie: ˆ realitate eroarea raportului de reflexie al oglinzii PMOS ¸ ın depinde de dezechilibrul tensiunilor drenˇ-sursˇ ale tranzistoarelor. Al doilea punct este definit de egalitatea lui Iref ¸i Io la valori diferite s de zero.

Drept urmare. ¸ ¸ s a 86 Ci rcu Variatia tensiunii ∆VBE cu temperatura ¸ ite Din aceastˇ ecuatie se observˇ cˇ tensiunea VBE scade liniar cu temperatura.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4.38) Dacˇ cele douˇ tranzistoare sunt identice.36) (4. In t VBE  VG0  IC  = VT · ln  · e VT  = VG0 − VT · ln I0  eg r ˆ aceastˇ ecuatie I0 este un curent dependent de procesul de fabricatie (mult In a ¸ ¸ mai mare decˆt IS ). V Deasemenea. iar VG0 este tensiunea de bandˇ interzisˇ a siliciului. Pentru a determina sensul de variatie corect trebuie consideratˇ ¸ a urmˇtoarea expresie semi-empiricˇ a curentului de saturatie: a a ¸ alo I0 IC Tensiunea ∆VBE este de fapt o diferentˇ de tensiuni de tip VBE . Astfel. se ¸a poate scrie: ∆VBE = VBE1 − VBE2 = VT · ln IC1 IS2 · IC2 IS1 (4. ın ¸ rezultˇ: a at e gic e (4. ˆ a Inlocuind expresia lui IS ˆ ecuatia (4. exa a a trapolatˇ la temperatura de 0◦ K. atunci ∆VBE va depinde numai de a a raportul curentilor de colector. a ¸ a a ◦ K. se poate spune cˇ VBE este o tensiune de tip CTAT (Complementary To Absolute Temperature).37) Doris Csipkes .35) (4. Astfel. REFERINTE ELECTRONICE ¸ Variatia lui VBE cu temperatura ¸ Reamintim variatia lui VBE cu valoarea curentului printr-un tranzistor bipolar: ¸ IC IS VBE = VT · ln VG0 IS = I0 · e VT − An La prima vedere s-ar pˇrea cˇ VBE cre¸te cu temperatura (fiind proportionalˇ a a s ¸ a cu VT ). iar curentii IS1 ¸i IS2 se simplificˇ.35). la 0 a a BE este egalˇ cu VG0 .

vom ¸ a cˇuta sˇ generˇm o tensiune de tip ∆VBE . REFERINTE ELECTRONICE ¸ dependenta de temperaturˇ a lui IS este eliminatˇ. iar ∆VBE va cre¸te liniar ¸ a a s cu temperatura. ¸ a ın VDD I I1 VBE at eg r aVT e a Vo Q Figura 4. ¸ Ci rcu ite In t An VT Principiul de functionare a referintelor compensate cu temperatura se bazeazˇ ¸ ¸ a pe ˆ ınsumarea ponderatˇ a douˇ tensiuni avˆnd coeficientul de temperaturˇ a a a a de semn opus (practic ˆ ınsumˇm un PTAT cu un CTAT). Schema de principiu a unei referinte ”bandgap” este datˇ ˆ Figura 4. Adtional.9. a gic e 87 V Doris Csipkes . Drept urmare putem spune cˇ ∆VBE este o tensiune de tip a PTAT. independentˇ de temperaturˇ a a a a (de cele mai multe ori realizatˇ ca raport de rezistente ¸i/sau de curenti de a ¸ s ¸ saturatie). De cˆte ori avem nevoie de o a a a a tensiune CTAT.39) Coeficientul a este o mˇrime constantˇ.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. ambele a ¸ tensiuni ar trebui sˇ fie independente de tensiunea de alimentare (se obtine prin a ¸ bootstrapping) deoarece sumarea compenseazˇ numai variatiile cu temperatura. a ¸ alo PTAT Observatie: de cˆte ori avem nevoie de tensiune (sau curent) PTAT.9: Schema de principiu a unei referinte ”bandgap” ¸ Tensiunea de ie¸ire se scrie: s Vo = VBE + a · VT (4. generˇm o tensiune de tip VBE .

gic e (4. Pentru un calcul corect ar trebui sˇ cunoa¸tem ın a s valorile exacte ale tensiunilor ¸i coeficientul lor de variatie cu temperatura. este cea datˇ de Widlar.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4.40) .10.41) (4. atunci termenii dependenti de tempea ¸ raturˇ se reduc. atunci expresia lui I2 se scrie: a s VT · ln R3 R2 IS2 · R1 IS1 Ci rcu  Vo = R1 I1 + VBE1   V = VBE2 + R3 I2  BE1   VBE1 + R1 I1 = VBE3 + R2 I2 In t eg r at (4. iar tensiunea de ie¸ire va fi aproximativ egalˇ cu VG0 (de aici a s a numele de ”bandgap”). Expresia tensiunii de ie¸ire ın a s se calculeazˇ din urmˇtorul sistem de ecuatii: a a ¸ ite Dacˇ tranzistoarele Q1 ¸i Q3 sunt identice. bazatˇ numai pe a ¸ a tranzistoare bipolare. REFERINTE ELECTRONICE ¸ Tinˆnd cont de expresiile tensiunilor VBE ¸i ∆VBE . ˆ calcule se considerˇ β = ∞. s ¸ alo Dacˇ circuitul este corect dimensionat.9 Exemple Referinta ”bandgap” de tip Widlar ¸ Una dintre primele implementˇri ale referintelor ”bandgap”. Schema circuitului este prezena tatˇ ˆ Figura 4. a ın Pentru simplitate. tensiunea de ie¸ire se scrie: ¸ a s s I0 IC IC1 IS2 · IC2 IS1 Vo = VG0 − VT · ln + VT · ln 4.42) Doris Csipkes I2 = Tensiunea de ie¸ire rezultˇ: s a 88 e An Pentru a gˇsi variatia tensiunii de ie¸ire cu temperatura se deriveazˇ ecuatia a ¸ s a ¸ (4.39) ˆ raport cu temperatura.

Oglinda de curent PMOS utilizatˇ pentru compensarea a variatiilor cu VDD este o oglindˇ cascodˇ care reduce erorile raportului de re¸ a a flexie ¸i implicit senzitivitatea curentului de ie¸ire cu VDD . Schema circuitului s s este datˇ ˆ Figura 4. Punctul de maxim al curbei a at semnificˇ un coeficient de temperaturˇ egal cu zero ¸i se ajusteazˇ la a a s a temperatura nominalˇ cu ajutorul elementelor de circuit.11.43) Din aceastˇ ecuatie se observˇ cˇ tensiunea de ie¸ire este compensatˇ cu tema ¸ a a s a peratura. a ite In t eg r R3 Q2 at Q1 e An Vo R1 I1 alo 89 VCC Doris Csipkes gic e . I3 Q4 Rp R2 I2 Q3 Figura 4. REFERINTE ELECTRONICE ¸ Vo = VBE1 + VT · R2 · ln R3 R2 IS2 · R1 IS1 (4.10: Referinta ”bandgap” de tip Widlar ¸ Referinta ”bandgap” de tip Song ¸ Referinta ”bandgap” Song folose¸te o oglindˇ Widlar bipolarˇ pentru a ge¸ s a a nera curentul PTAT. a ın Ci rcu Observatie: ˆ general referintele ”bandgap” prezintˇ o curburˇ a carac¸ ın ¸ a a teristicii Vo = f (T ) datoratˇ neidealitˇ¸ilor.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4.

REFERINTE ELECTRONICE ¸ VDD M6 M7 M8 M3 M4 M5 I1 I2 M1 M2 IPTAT Vo R2 Q1 Q2 Q3 Figura 4. a 90 .44) IS2 IS1 (4.45) Doris Csipkes V Ci rcu Rezultˇ: a ite Vo = VBE3 + VT · R2 · ln R1 Referinta ”bandgap” de tip Brokaw ¸ Una dintre cele mai cunoscute structuri de referinte ”bandgap” este celula ¸ Brokaw.11: Referinta ”bandgap” de tip Song ¸ Sistemul de ecuatii corespunzˇtoare circuitului se scrie: ¸ a  Vo = VBE3 + R2 IP T AT   V = VBE2 + R1 I2  BE1   I1 = I2 = IP T AT In t eg r at R1 e An alo gic e (4.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. Diferenta dintre tensiunile bazˇ-emitor necesarˇ pentru producerea ¸ a a curentului PTAT este generatˇ cu ajutorul unui divizor rezistiv de tensiune.

Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4.12. Astfel. iar a ¸ s curentii sunt ponderati de valorile rezistentelor. ¸ ¸ ¸ ite In t eg r R4 at (4. Dacˇ ¸ ¸ a se considerˇ amplificatorul operational ideal (tensiune de offset ¸i curenti de a ¸ s ¸ polarizare neglijabili) atunci potentialele de la bornele inversoare ¸i neinversoare ¸ s sunt egale. cˇderile de tensiune pe rezistentele R1 ¸i R2 sunt egale.46) e An 91 I2 Doris Csipkes alo Vo gic e . a ın VCC R1 R2 + I1 Q1 Q2 R3 Figura 4.12: Referinta ”bandgap” cu celulˇ Brokaw ¸ a Sistemul de ecuatii caracteristic circuitului se scrie: ¸  Vo = VBE1 + R4 (I1 + I2 )   V = VBE2 + R3 I2  BE1   R1 I1 = R2 I2 Ci rcu ˆ aceastˇ variantˇ de celulˇ Brokaw amplificatorul operational este utilizat ˆ In a a a ¸ ın configuratia cu reactie pentru a egala tensiunile la bornele sale de intrare. REFERINTE ELECTRONICE ¸ Schema circuitului este datˇ ˆ Figura 4.

13. mai ales la circuitele integrate de joasˇ putere.13: Variatia realˇ a tensiunii de ie¸ire cu temperatura ¸ a s 4. Majoritatea referintelor simple sunt sena ¸ sibile la variatiile tensiunii de alimentare ¸i ale temperaturii.10 Sumar ˆ acest capitol s-au prezentat cˆteva tipuri de referinte considerate impleIn a ¸ mentˇri electronice ale surselor ideale.47) eg r 27 C o at T 100 C o Figura 4. a a a alo gic e . REFERINTE ELECTRONICE ¸ Tensiunea de ie¸ire rezultˇ: s a Vo = VBE1 + VT · R4 R2 · 1+ R3 R1 · ln R2 IS2 · R1 IS1 (4. ¸ Pentru a compensa variatiile tensiunii sau curentului generat cu temperatura ¸ se utilizeazˇ ˆ a ınsumarea unor tensiuni cu coeficienti de temperaturˇ de semn ¸ a 92 Ci rcu ite In t -40 C o e Doris Csipkes Vo An Observatie: ˆ realitate variatia cu temperatura a lui VBE este u¸or ne¸ ın ¸ s liniarˇ. consideratˇ temperatura nominalˇ de a a a a a proiectare. astfel ˆ at caracteristica de ie¸ire a referintei ”bandgap” variazˇ a ıncˆ s ¸ a cu temperatura ca ˆ Figura 4.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. a aceastˇ temperaturˇ este egalˇ cu cea a camerei (27◦ C). Se observˇ cˇ panta caracteristicii se ın a a anuleazˇ la o singurˇ temperaturˇ. Pentru a com¸ s pensa variatiile cu tensiunea de alimentare se utilizeazˇ procedeul de boots¸ a trapping care introduce o dubla definitie a curentului de ie¸ire eliminˆnd astfel ¸ s a dependenta de VDD . De multe ori.

ˆ paragrafele dedicate referintelor de tip bandˇ interzisˇ s-a arˇtat cˇ In ¸ a a a a aceste referinte sunt. a ¸ a 93 . T. D. imune la schimbˇrile de temperaturˇ. National Chiao-Tung University. J-T. 1997. Manolescu . Oxford University Press. dar ¸ ın a a ˆ realitate existˇ o curburˇ a caracteristicii temperaturˇ-tensiune. Practical simulation exercises.Circuite integrate analogice I. Doris Csipkes. Lelia Fe¸tilˇ . 1987 Ci rcu ite In t 6. Cambridge University Press. 1998.Voltage and Current References . UTPres. Taiwan.Lecture Notes. at 4. ˆ cazul ideal. Elementele ın a a a de circuit permit o ajustare a temperaturii nominale la care coeficientul de temperaturˇ al referintei se anuleazˇ. REFERINTE ELECTRONICE ¸ 1. editura Foton International.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 4. s a a¸ ¸ ¸a 3. 1999.The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits. Lee . Casa Cˇrtii de Stiintˇ.Analog Integrated Circuits. Holberg . alo Bibliografie: Doris Csipkes gic e opus. 2004.CMOS analog circuit design. A. H. Wu .E. 2003 eg r 5. P. Allen.Fundamental analog circuits. Gabor Csipkes . e An 2.

Capitolul 5 Amplificatoare simple Discutia asupra amplificatoarelor simple din aceastˇ sectiune prezintˇ analiza ¸ a ¸ a punctului static de functionare. Mecanismul de amplificare a ın s a ın are la bazˇ principiul de conversie a tensiunii de intrare ˆ curent. pre¸ s a ¸a cum ¸i comportamentul la frecvente mari.1. modelul de semnal mic ¸i joasˇ frecventˇ. ¸a as a ın Punctul static de functionare ¸ Punctul static de functionare se gˇse¸te din conditia de echilibru al circui¸ a s ¸ tului. iar apoi a acest curent este injectat ˆ ıntr-un nod de ˆ ınaltˇ impedantˇ de unde se culege a ¸a tensiunea de ie¸ire.a. An alo gic e . Schema circuitului este datˇ ˆ Figura 5. Conditia de echilibru implicˇ egalitatea curentilor prin rezistentˇ ¸i prin ¸ a ¸ ¸a s tranzistor (presupunˆnd functionarea ˆ gol sau cu sarcinˇ pur capacitivˇ). Sarcina este o rezistentˇ pasivˇ care determinˇ ˆ ultima ¸a a a ın instantˇ cˆ¸tigul. cum sunt amplificatoarele operationale sau com¸ paratoarele integrate. s ¸ 5. s at e Amplificatoarele inversoare simple constituie etajele fundamentale ˆ circuitele ın de amplificare mai complexe.1 Amplificatorul inversor cu sarcinˇ rezistivˇ a a La acest tip de amplificator tensiunea de intrare este convertitˇ ˆ curent de a ın tranzistorul de intrare. a ¸ ın a a Ci rcu ite In t eg r Structura amplificatoarelor inversoare contine ˆ ¸ ıntotdeauna o sursˇ de curent a controlatˇ ˆ tensiune ¸i un circuit de sarcinˇ.

Astfel.1: Amplificatorul inversor cu sarcinˇ rezistivˇ a a Domeniul de variatie a tensiunii de ie¸ire ¸ s ˆ cazul amplificatorului cu sarcinˇ rezistivˇ limita de sus a domeniului de In a a variatie este chiar VDD deoarece rezistenta nu impune reguli asupra cˇderii ¸ ¸ a de tensiune la bornele sale. Limita de jos este determinatˇ de polarizarea a tranzistorului care functioneazˇ ˆ regim saturat dacˇ VDS > Vod . circuitul are mai multe puncte statice de functionare posibile ¸ eg r at e b) An vin M1 alo M1 VDD Vout 95 R R Doris Csipkes gic e .1.b). s s a VDD VDD I R I vout PSF a) Figura 5. Invers. pentru un a a a a a ın PSF ales se poate determina domeniul de variatie a semnalului de ie¸ire. Ci rcu Punctul static de functionare al circuitului trebuie ales astfel ˆ at la valori de ¸ ıncˆ vˆrf ale semnalului tranzistorul sˇ rˇmˆnˇ ˆ regim saturat.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. ¸ s ite In t Observatie: fiecˇrei tensiuni de intrare continue (fiecˇrui VGS1 ) ˆ va cores¸ a a ıi punde un punct de echilibru diferit. AMPLIFICATOARE SIMPLE Punctul static de functionare se poate determina ˆ mod grafic din intersectia ¸ ın ¸ caracteristicii de ie¸ire a tranzistorului M1 ¸i a dreptei de sarcinˇ (Figura 5. la un ¸ a ın a vˆrf negativ al semnalului tensiunea instantanee la ie¸ire nu are voie sˇ scadˇ a s a a sub Vod1 .

iar nodurile conectate la surse constante au fost pasivizate (de a a ex.1) Dacˇ se considerˇ rDS1 >> R. limitarea semnalului sau viteza de variatie a semnalului) nu sunt modelate. ¸a Cˆ¸tigul de joasˇ frecventˇ se determinˇ scriind teorema lui Kirchhoff ¸i legea as a ¸a a s lui Ohm la nodul de ie¸ire. ¸ ite In t eg r La constructia modelului s-a considerat transconductanta de substrat mult mai ¸ ¸ micˇ decˆt gm . efectele dinamice din circuit (de ex. a at e An alo gic e vout Doris Csipkes . prezentatˆ Figura 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE Modelul de semnal mic ¸i joasˇ frecventˇ s a ¸a Modelul de semnal mic ¸i joasˇ frecventˇ. VDD devine masˇ). Acest lucru ˆ ¸ ınseamnˇ cˇ o tensiune sinusoidalˇ aplicatˇ la a a a a intrarea modelului va produce la ie¸ire tot un semnal sinusoidal de aceea¸i s s frecventˇ.2. rezultˇ: a a a 96 Ci rcu Observatie: modelul de semnal mic contine doar elemente pasive ¸i surse ¸ ¸ s comandate.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. at s at a ¸ a vin gm1vGS1 rDS1 R Figura 5. Drept urmare.2: Schema de semnal mic a amplificatorului cu sarcinˇ rezistivˇ a a Observatie: modelul de semnal mic este inerent liniar deoarece descrie ¸ variatii mici (infinitezimale) ale semnalelor ˆ jurul punctului static de ¸ ın functionare. ignorˇ efectele s a ¸a ın a capacitˇ¸ilor parazite ¸i a capacitˇ¸ii de sarcinˇ asupra functionˇrii circuitului. s gm1 vin + vout vout + =0 rDS1 R (5.

Figura 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE A0 = vout = vin Comportamentul ˆ frecventˇ ın ¸a In t eg r at Pentru a descrie comportamentul ˆ frecventˇ trebuie sˇ ¸inem cont de capaın ¸a at citˇ¸ile parazite din circuit ¸i de capacitatea de sarcinˇ.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. ¸ s a alo Observatie: cˆ¸tigul de joasˇ frecventˇ al unui amplificator simplu de ten¸ as a ¸a siune se scrie ˆ ıntotdeauna ca produsul dintre transconductanta tranzisto¸ rului de intrare (conversia tensiune-curent) ¸i rezistenta de ie¸ire (convers ¸ s sia curent-tensiune).3 prezintˇ at s a a schema amplificatorului cu toate capacitˇ¸ile nodurilor explicitate. Capaa a citatea C2 contine toate capacitˇ¸ile parazite conectate la nodul de ie¸ire ¸i ¸ at s s Ci rcu M1 Figura 5. Doris Csipkes gic e 97 −gm1 = −gm1 Rout ∼ −gm1 R = 1 1 + rDS1 R (5. at VDD R rhz e ite C1 vin M1 p Capacitatea C1 este chiar capacitatea grilˇ-drenˇ a tranzistorului M1 . iar rezistenta de ie¸ire se aproximeazˇ cu R.2) .3: Schema amplificatorului cu sarcinˇ rezistivˇ ¸i capacitˇ¸ile exa as at plicitate An vout C2 Pentru amplificatorul cu sarcinˇ rezistivˇ transconductanta tranzistorului de a a ¸ intrare este gm1 .

Functia de transfer se mai poate scrie sub forma generalˇ a ¸ a dupˇ cum urmeazˇ: a a 98 alo gic e .4: Modelul de semnal mic ¸i ˆ s ınaltˇ frecventˇ al amplificatorului a ¸a cu sarcinˇ rezistivˇ a a eg r at vin e Rout An Gmvin C2 vout (5.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. a Din examinarea schemei se observˇ cˇ nodul de ie¸ire va introduce un pol ˆ a a s ın functia de transfer a circuitului. Schema de semnal mic ¸i ˆ a frecventˇ a circuitului este datˇ ˆ Figura 5. s ınaltˇ ¸a a ın C1 Ci rcu sC1 sC1 gm1 Rout 1 − gm1 Rout 1 − vout gm1 ∼ gm1 A(s) = =− =− vin 1 + s (C1 + C2 ) Rout 1 + sCL Rout ite Teorema lui Kirchhoff pentru curenti la nodul de ie¸ire conduce la urmˇtoarea ¸ s a functie de transfer: ¸ In t Figura 5. dacˇ se considerˇ o sursˇ de tensiune In a a a idealˇ la intrare. Etajul fiind inversor. functia de transfer a amplificatorului va avea un pol ¸i un zero a ¸ s pozitiv. efectul Miller datorat ¸ cuplajului capacitiv prin C1 va produce ¸i un zero ˆ semiplanul drept (RHZ s ın = Right Half-plane Zero).3) Doris Csipkes ˆ aceastˇ ecuatie capacitatea conectatˇ la nodul de ie¸ire este dominatˇ de In a ¸ a s a capacitatea de sarcinˇ.4. AMPLIFICATOARE SIMPLE capacitatea de sarcinˇ. ˆ concluzie.

0MHz 100MHz Figura 5.4) (5. 20 0 -20 |A(s)| ite -40 In t eg r at e  A0 = −gm1 Rout ∼ −gm1 R =      1 fp = 2πRCL     f = gm1  z 2πC1 An f frhz f 10GHz 1.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5.5) 99 . frecventa polului a a as a ¸a ¸ fp ¸i frecventa zeroului pozitiv fz .5: Caracteristicile de frecventˇ ale amplificatorului cu sarcinˇ ¸a a rezistivˇ a Doris Csipkes gic e s ωrhz s 1+ ωp (5. s ¸ 180d Ð A(s) fp Ci rcu 90d 0d 10KHz 1.5. AMPLIFICATOARE SIMPLE A0 · 1 − A(s) = − Diagramele Bode corespunzˇtoare functiei de transfer de mai sus sunt date ˆ a ¸ ın Figura 5.0THz alo Identificˆnd parametrii rezultˇ cˆ¸tigul de joasˇ frecventˇ A0 .

6: Amplificatorul inversor cu sarcinˇ diodˇ a a 100 alo 5.2 Amplificatorul inversor cu sarcinˇ diodˇ a a gic e Vout Pe figurˇ sunt identificate frecventele aproximative fp ¸i fz .6.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. Schema circuitului a a a a a este datˇ ˆ Figura 5. a a a dar introduce un defazaj suplimentar de −90◦ . caracteristica sa de transfer este o parabolˇ cu vˆrful ˆ tensiunea a a a ın VDD − |VT hp |. AMPLIFICATOARE SIMPLE Punctul static de functionare ¸ VDD M2 In t eg r I Punctul static de functionare se determinˇ din conditia de echilibru a circuitului ¸ a ¸ ˆ mod grafic.a. Sarcina este de aceastˇ datˇ o diodˇ MOS. ite Ci rcu I vout at e M2 PSF M1 M1 vin An b) Amplificatorul cu sarcinˇ diodˇ are structura similarˇ cu cea a amplificatorului cu a a a sarcinˇ rezistivˇ. Se observˇ cˇ zeroul a ¸ s a a pozitiv compenseazˇ cˇderea cu -20dB/decadˇ a caracteristicii de amplitudine. Doris Csipkes . a ın VDD-|VThp| a) Figura 5. M2 fiind ˆ ıntotdeauna saturat (diodˇ).b). punctul static de (acela¸i curent prin ambele tranzistoare).6. In s functionare este la intersectia dintre caracteristica de ie¸ire a tranzistorului M1 ¸i ¸ ¸ s s caracteristica de transfer a lui M2 (Figura 5. Deasemenea trebuie remarcate ordinele de mˇrime ale celor douˇ frecvente ¸i cˆ¸tigul de joasˇ frecventˇ a a ¸ s as a ¸a relativ redus (< 10).

7: Modelul de semnal mic al amplificatorului cu sarcinˇ diodˇ a a Se observˇ cˇ rezistenta de ie¸ire este redusˇ datoritˇ conexiunii de diodˇ a a a ¸ s a a a tranzistorului M2 (rezistenta echivalentˇ aproximativ 1/gm2 ). cˆ¸tigul de ¸ a as joasˇ frecventˇ este apropiat de unitate.7. iar circuitul se utilizeazˇ ca repetor. Dacˇ se considerˇ gDS << gm rezultˇ: ¸ s a a a A0 = vout gm1 ∼ − gm1 = −gm1 Rout = − = vin gDS1 + gDS2 + gm2 gm2 ite In t gic e (5. a ¸a a Doris Csipkes Ci rcu Cˆ¸tigul de joasˇ frecventˇ se calculeazˇ scriind teorema lui Kirchhoff pentru as a ¸a a curenti la nodul de ie¸ire al circuitului. permite s a ¸a ın determinarea rezistentei de ie¸ire ¸i a cˆ¸tigului de joasˇ frecventˇ.7) 101 vin gm1vGS1 rDS1 Figura 5.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. In a s Modelul de semnal mic ¸i joasˇ frecventˇ s a ¸a eg r at e Modelul de semnal mic ¸i joasˇ frecventˇ.6) . Astfel. Astfel rezultˇ: a a Vod1 + vmax ≤ Vout ≤ VDD − |VT hp | − vmax alo rDS2 ˆ aceastˇ inegalitate vmax este amplitudinea semnalului la ie¸irea circuitului. prezentat ˆ Figura 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE Domeniul de variatie a tensiunii de ie¸ire ¸ s Valoarea instantanee a tensiunii de ie¸ire trebuie sˇ permitˇ pˇstrarea tranziss a a a torului M1 ˆ regim saturat ¸i a lui M2 ˆ conductie. La evaluarea domeniului ın s ın ¸ admis de variatie trebuie luat ˆ seamˇ ¸i semnalul suprapus peste compo¸ ın as nenta continuˇ. ¸ s s as a ¸a An gm2vGS2 vout (5.

Se observˇ cˇ modelul este identic cu cel al amplificatorului cu sarcinˇ a a a rezistivˇ (topologia circuitului este neschimbatˇ).Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE Comportamentul ˆ frecventˇ ın ¸a ˆ mod similar ca ¸i amplificatorul cu sarcinˇ rezistivˇ existˇ un singur nod ˆ In s a a a ın calea semnalului.8: Capacitˇ¸ile specifice amplificatorului cu sarcinˇ diodˇ at a a Pentru Rout aproximativ egal cu 1/gm2 ¸i C1 + C2 aproximativ egal cu CL s functia de transfer rezultˇ: ¸ a sC1 s 1− gm1 ωz = A0 · s sCL 1+ 1+ ωp gm2 Ci rcu Modelul de semnal mic ¸i ˆ a frecventˇ a amplificatorului este dat ˆ Figura s ınaltˇ ¸a ın 5. s a vout ∼ gm1 A(s) = · =− vin gm2 ite In t eg r vin An vout C2 (5. a a VDD M2 rhz p C1 M1 e at 1− Figura 5.8.8) Doris Csipkes 102 alo gic e .9. Polul at ın introdus de nodul de ie¸ire este mutat la frecvente mai mari datoritˇ rezistentei s ¸ a ¸ de ie¸ire reduse. dar expresia rezistentei de a a ¸ ie¸ire Rout este diferitˇ. Zeroul pozitiv apare aproximativ la aceea¸i frecventˇ ca ¸i la s s ¸a s amplificatorul cu sarcinˇ rezistivˇ. Capacitˇ¸ile specifice circuitului sunt date ˆ Figura 5.

10.0THz 103 . fp = . a ın |A(s)| 0 -20 -40 ite In t eg r at e gm2 gm1 gm1 . fz = A0 ∼ − = gm2 2πCL 2πC1 An (5.10: Caracteristicile de frecventˇ ale amplificatorului cu sarcinˇ ¸a a diodˇ a Doris Csipkes gic e vout f f 1.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE C1 vin Gmvin Rout C2 Figura 5.9) alo frhz 180d Ð A(s) fp Ci rcu 90d 0d 10KHz 1.9: Modelul de semnal mic ¸i ˆ s ınaltˇ frecventˇ al amplificatorului a ¸a cu sarcinˇ diodˇ a a Parametrii functiei de transfer sunt: ¸ Diagramele Bode corespunzˇtoare sunt date ˆ Figura 5.0MHz 100MHz 10GHz Figura 5.

ambele tranzistoare vor ın ¸ fi saturate ¸i se vor comporta ca ¸i surse de curent.b). iar cˆ¸tigul de joasˇ a a a s ¸a as a frecventˇ este apropiat de 0dB.a. Astfel. a ¸a a a dar sarcina este ˆ ınlocuitˇ cu o sursa de curent simplˇ cu un singur tranzistor. AMPLIFICATOARE SIMPLE Se observˇ deplasarea polului spre frecvente mai ˆ a ¸ ınalte fatˇ de amplificatorul ¸a cu sarcinˇ rezistivˇ.3 Amplificatorul inversor cu sarcinˇ sursˇ a a de curent Topologia circuitului nu se schimbˇ fatˇ de circuitele discutate pˆnˇ acum. a ın VDD M2 I VG2 I at vout M2 e M1 M1 vin In t eg r VDD Vout a) Figura 5. Zeroul a rˇmas la aceea¸i frecventˇ.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. a a Schema circuitului este datˇ ˆ Figura 5.11. s s 104 Ci rcu ite An PSF b) Doris Csipkes alo gic e . Tensiunile de polarizare din grilele a celor douˇ tranzistoare trebuie alese astfel ˆ at intersectia caracteristicilor sˇ a ıncˆ ¸ a fie ˆ zonele de saturatie ale tranzistoarelor. ¸a 5.11.11: Amplificatorul inversor cu sarcinˇ sursˇ de curent a a Punctul static de functionare ¸ Punctul static de functionare se gˇse¸te la intersectia caracteristicilor de ie¸ire ¸ a s ¸ s ale celor douˇ tranzistoare (Figura 5.

ˆ practicˇ apar frecvent amplificatoare ˆ cascadˇ unde a In a ın a polarizarea tranzistorului de intrare ˆ ıntr-un etaj este asiguratˇ de ie¸irea etajului a s precedent. conduc la urmˇtoarea inegalitate: a Vod1 + vmax ≤ Vout ≤ VDD − Vod2 − vmax alo rDS2 Modelul de semnal mic ¸i joasˇ frecventˇ s a ¸a Modelul de semnal mic ¸i joasˇ frecventˇ al amplificatorului inversor cu sarcinˇ s a ¸a a sursˇ de curent este datˇ ˆ Figura 5. independent de semnal. Conditiile de saturatie.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE Domeniul de variatie a tensiunii de ie¸ire ¸ s Domeniul de variatie a tensiunii de ie¸ire se determinˇ din conditiile de satu¸ s a ¸ ratie ale celor douˇ tranzistoare. Ci rcu Figura 5. An gm2vGS2 vin gm1vGS1 rDS1 Observatie: grila ¸i sursa tranzistorului M2 sunt conectate la un potential ¸ s ¸ constant. Alegerea se face astfel ˆ at circuitul sˇ poatˇ fi s ıncˆ a a conectat ˆ cascadˇ ˆ timp ce variatia semnalului este maxim posibilˇ (trebuie ın a ın ¸ a evitatˇ limitarea).12: Modelul de semnal mic ¸i joasˇ frecventˇ al amplificatorului s a ¸a cu sarcinˇ sursˇ de curent a a ite Doris Csipkes gic e vout (5. Drept urmare. Prin pasivizare aceste noduri sunt conectate la masˇ. scrise pentru cazurile ¸ a ¸ ¸ ˆ care semnalul la ie¸ire ˆsi atinge valoarea maximˇ (vmax ) respectiv minimˇ ın s ı¸ a a (−vmax ).12.10) 105 . VGS2 = 0 ¸i sursa comandatˇ gm2 VGS2 dispare a s a din schema de semnal mic. a a ın In t eg r at e Inegalitatea de mai sus este utilizatˇ ¸i pentru a determina valoarea componentei as continue a tensiunii de ie¸ire.

se poate spune cˇ amplificatorul cu sarcinˇ sursˇ de curent va avea a a a un comportament similar ˆ frecventˇ ca ¸i amplificatoarele discutate anterior.11) Doris Csipkes . s ınaltˇ ¸a ın 106 Ci rcu Figura 5. a ın e ite M1 vin Modelul de semnal mic ¸i ˆ a frecventˇ este dat ˆ Figura 5. ¸ a a a In t VG2 eg r VDD M2 C1 p rhz at Intuitiv. AMPLIFICATOARE SIMPLE Teorema lui Kirchhoff pentru curenti ¸i legea lui Ohm conduc la urmˇtoarea ¸ s a expresie a cˆ¸tigului de joasˇ frecventˇ: as a ¸a gm1 = −gm1 (rDS1 || rDS2 ) = −gm1 Rout gDS1 + gDS2 A0 = − Rezistenta de ie¸ire a circuitului se obtine ca o conexiune paralelˇ ˆ ¸ s ¸ a ıntre rezistentele drenˇ-sursˇ ale celor douˇ tranzistoare. Schema circuitului cu capacitˇ¸i a at parazite este prezentatˇ ˆ Figura 5. ın ¸a s Acest lucru se datoreazˇ topologiei identice.13.14.13: Capacitˇ¸ile parazite ˆ amplificatorul cu sarcinˇ sursˇ de at ın a a curent An vout C2 Comportamentul ˆ frecventˇ ın ¸a alo gic e (5.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5.

AMPLIFICATOARE SIMPLE C1 vin Gmvin Rout C2 Figura 5. chiar unitar.13) 107 In t 2πRout CL 5. Aceastˇ ¸ a rezistentˇ poate deteriora semnificativ comportamentul ˆ frecventˇ al circui¸a ın ¸a tului dacˇ se combinˇ cu capacitatea reflectatˇ la intrare prin efect Miller (de a a a ordinul sutelor de fF sau chiar pF dacˇ A0 > 20dB). fp = = 1 gm1 2πC1 eg r at A(s) = vout ∼ =− vin e gm1 (rDS1 || rDS2 ) 1 − sC1 gm1 1 + s (rDS1 || rDS2 ) CL An s ωz = A0 · s 1+ ωp 1− (5. ˆ timp ce cˆ¸tigul de joasˇ frecventˇ al circuitului cre¸te. frecventa polului ¸i frecventa zeroului se scriu: as a ¸a ¸ s ¸ A0 ∼ −gm1 (rDS1 || rDS2 ) .15.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5.4 Amplificatoarele discutate ˆ paragrafele anterioare se pot utiliza numai pentru ın un cˆ¸tig relativ redus (tipic ˆ jur de 20-30dB). ın ¸ Doris Csipkes Ci rcu Amplificatorul inversor cascodˇ a ite Datoritˇ rezistentei de ie¸ire mˇrite frecventa polului se deplaseazˇ la frecvente a ¸ s a ¸ a ¸ mai joase.14: Capacitˇ¸ile parazite ˆ amplificatorul cu sarcinˇ sursˇ de at ın a a curent Functia de transfer ˆ s a circuitului este: ¸ ın Cˆ¸tigul de joasˇ frecventˇ. a a alo gic e vout . s-a as ın ¸ ignorat efectul rezistentei nenule al sursei de semnal de la intrare. Rezultatul efectului Miller a este ˆ aceste cazuri un pol suplimentar la frecvente joase sau medii. fz = (5. Aceste ın as a ¸a s modificˇri sunt ilustrate ˆ diagramele Bode din Figura 5. Parametrii functiei a ın ¸ de transfer sunt comparabile cu cele ale amplificatorului cu sarcinˇ rezistivˇ.12) . Aditional.

15: Caracteristicile de frecventˇ ale amplificatorului cu sarcinˇ ¸a a sursˇ de curent a Structura amplificatorului cascodˇ este datˇ ˆ Figura 5. eg r at gic e f f 1.a. capacitatea reflectatˇ la intrare prin a a a a efect Miller va fi mai redusˇ. tranzistorul M1 va vedea ˆ drena sa o rezistentˇ de valoare apro¸ ın ¸a ximativ egalˇ cu 1/gm2 ¸i astfel cˆ¸tigul lui va scˇdea fatˇ de amplificatorul a s as a ¸a cu sarcinˇ sursˇ de curent.16.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. a a s ¸ s Aditional. Drept urmare. el poate ¸ s avea ¸i efecte benefice. Aceste efecte se folosesc la ˆ s ımbunˇtˇ¸irea stabilitˇ¸ii a at at amplificatoarelor cu etaje multiple (discutie mai detaliatˇ la structuri de ¸ a AO). Acest lucru ˆ a ınseamnˇ cˇ structura cascodˇ a a permite reducerea consecintelor efectului Miller pe tranzistorul de intrare.0MHz 100MHz alo frhz e 0d 10KHz 10GHz Figura 5. ¸ ite In t Observatie: de¸i de cele mai multe ori efectul Miller nu este dorit. a a ın Punctul static de functionare ¸ 108 Ci rcu Utilizarea structurilor cascodˇ mˇre¸te rezistenta de ie¸ire a amplificatorului.0THz Doris Csipkes . AMPLIFICATOARE SIMPLE |A(s)| 20 0 -20 -40 180d Ð A(s) fp 90d An 1.

16: Amplificatorul cascodˇ a e b) alo 109 VG3 M 1+ M 2 Doris Csipkes gic e . AMPLIFICATOARE SIMPLE Punctul static de functionare al amplificatorului cascodˇ cu sarcinˇ sursˇ de ¸ a a a curent se obtine prin intersectarea caracteristicilor de ie¸ire ale tranzistorului ¸ s M3 ¸i a sursei de curent cascodˇ M1 -M2 ca ˆ Figura 5. a a a a VoutM AX = VDD − Vod3 − vmax (5. ¸ s Ci rcu ite In t Cele douˇ coturi ale caracteristicii de ie¸ire a sursei cascodˇ corespund tensiua s a nilor la care tranzistorul M2 ¸i apoi M1 intrˇ ˆ regim liniar. ın eg r Figura 5. impunˆnd conditia a ¸ ¸ a ¸ de saturatie pentru tranzistoarele M1 ¸i M2 .Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5.b. s a ın VDD M3 I M3 M2 vout M1+ M 2 liniar PSF M2 liniar VG2 M1 vin a) An VDD Vout at Domeniul de variatie a tensiunii de ie¸ire ¸ s Valorile extreme ale tensiunii instantanee la ie¸ire trebuie sˇ permitˇ mentines a a ¸ rea tuturor tranzistoarelor ˆ regim saturat. Aceste aspecte au s a ın fost discutate detaliat ˆ paragraful cu surse de curent.16. s Limita superioarˇ a domeniului admis pentru tensiunea de ie¸ire este determia s natˇ de tensiunea sursˇ-drenˇ minimˇ a tranzistorului M3 . chiar dacˇ semnalul ˆsi atinge ın a ı¸ valorile maxime pozitive ¸i negative.14) Limita inferioarˇ a domeniului de variatie se obtine similar.

15) gm2vGS2 rDS2 e at vin An rDS3 vout Doris Csipkes eg r gm1vGS1 rDS1 Observatie: la circuitele care contin surse de curent mai complicate (de ex. a a gic e . Tensiunile VG2 ¸i VG3 nu depind de semnal ¸i devin conexiuni s s la masˇ dupˇ pasivizarea schemei. AMPLIFICATOARE SIMPLE VoutM IN = Vod1 + Vod2 + vmax Modelul de semnal mic ¸i joasˇ frecventˇ s a ¸a (5. Figura 5. a a a Cˆ¸tigul de joasˇ frecventˇ rezultˇ din teorema lui Kirchhoff pentru curenti as a ¸a a ¸ ¸i legea lui Ohm. ¸ ¸ cascodˇ) este util sˇ se construiascˇ schema echivalentˇ de semnal mic prin a a a a ˆ ınlocuirea tranzistoarelor.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5.17 aratˇ schema de semnal mic a a a rezultatˇ dupˇ pasivizare. s 110 Ci rcu ite Figura 5. pot fi puse ˆ evidentˇ aspectele legate ın ¸a In a de etajele intermediare de amplificare.17: Schema de semnal mic a amplificatorului cascodˇ cu sarcinˇ a a sursˇ de curent a In t alo Schema de semnal mic se obtine prinˆ ¸ ınlocuirea fiecˇrui tranzistor cu modelul sˇu a a de semnal mic. Astfel. ˆ cazul amplificatorului cascodˇ tranzistorul M2 reprezintˇ un etaj tampon de curent (grilˇ comunˇ).

16) Dacˇ se considerˇ transconductanta de semnal mic mult mai mare decˆt cona a ¸ a ductanta drenˇ-sursˇ ¸i transconductanta sursˇ-substrat.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. alo A0 ∼ −gm1 rDS3 = −gm1 Rout = Doris Csipkes gic e (5. e ite vG2 M2 Ci rcu C1 rhz p2 M1 vin Figura 5.18: Capacitˇ¸ile parazite ˆ amplificatorul cascodˇ cu sarcinˇ at ın a a sursˇ de curent a An vout C3 Se observˇ cˇ rezistenta de ie¸ire a amplificatorului este aproximativ egalˇ cu a a ¸ s a rDS3 .17) 111 .18 prezintˇ schema amplificatorului cascodˇ cu capacitˇ¸ile parazite a a at explicitate. A0 se aproximeazˇ: ¸ a as ¸ a a Comportamentul ˆ frecventˇ ın ¸a In t vG3 eg r VDD M3 p1 at C2 Figura 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE A0 = −gm1 (gDS2 + gm2 + gmb2 ) gDS1 (gDS2 + gDS3 ) + gDS3 (gDS2 + gm2 + gmb2 ) (5.

Schema echivalentˇ de semnal mic ¸i ˆ a frecventˇ este datˇ ˆ Figura 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE gm2vGS2 rDS2 An rDS3 gm1vGS1 rDS1 C1 Functia de transfer a circuitului rezultˇ: ¸ a ite In t Figura 5. a s ınaltˇ ¸a a ın .Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5.19) Doris Csipkes vin  C3 (C1 + C2 ) a =    gDS1 (gDS2 + gDS3 ) + gDS3 (gDS2 + gm2 )  b = C3 (gDS1 + gDS2 + gm2 ) + (C1 + C2 ) (gDS2 + gDS3 )   gDS1 (gDS2 + gDS3 ) + gDS3 (gDS2 + gm2 ) 112 e alo C3 gic e vout Diferenta majorˇ dintre caracteristicile de frecventˇ ale amplificatoarelor stu¸ a ¸a diate pˆnˇ acum ¸i ale amplificatorului cascodˇ este aparitia unui pol suplia a s a ¸ mentar (p2 ) datorat etajului ˆ grilˇ comunˇ.19. Frecventa acestui pol este ın a a ¸ determinatˇ de capacitatea ¸i de rezistenta echivalentˇ a nodului din drena a s ¸ a tranzistorului M1 .18) (5.19: Schema echivalentˇ de semnal mic ¸i ˆ a s ınaltˇ frecventˇ amplia ¸a ficatorul cascodˇ a Coeficientii lui s se identificˇ dupˇ cum urmeazˇ: ¸ a a a Ci rcu sC1 gm1 A(s) = 2 s a + sb + 1 A0 1 − eg r at C2 (5.

ˆ timp ce cˆ¸tigul de joasˇ a a ın as a Ci rcu 0d -90d 10KHz Figura 5.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. a ın 40 0 -40 -80 In t eg r at |A(s)| e f fp2 fp1 f 1.20) 113 .20: Diagramele Bode corespunzˇtoare amplificatorului cascodˇ a a ite An Doris Csipkes gic e (5.0MHz 100MHz Ð A(s) 90d Se observˇ cˇ frecventa polului dominant a rˇmas aproximativ neschimbatˇ fatˇ a a ¸ a a ¸a de amplificatorul simplu cu sarcinˇ sursˇ de curent. AMPLIFICATOARE SIMPLE Examinˆnd ecuatia (5. frecventa polilor ¸i s as a ¸a ¸ s frecventa zeroului se pot aproxima ca ˆ urmˇtoarele ecuatii: ¸ ın a ¸  A0 ∼ −gm1 rDS3  =     1 f = 1 ∼   p1 2πb = 2πR C  out 3 gm2 f = b ∼  p2 =   2πa 2π (C1 + C2 )      fz = gm1 2πC1 alo frhz 10GHz 1.18) se observˇ cˇ functia de transfer a circuitului are a ¸ a a ¸ doi poli ¸i un zero pozitiv. Cˆ¸tigul de joasˇ frecventˇ.20.0THz Diagramele Bode corespunzˇtoare circuitului sunt date ˆ Figura 5.

a ın VDD M4 VG4 M3 eg r I at In t M3+ M 4 M1+ M 2 VG3 M2 e PSF M2 liniar M3 liniar M3+ M 4 liniar vout VG2 M1 ite M1+ M 2 liniar An b) Punctul static de functionare ¸ 114 Ci rcu vin a) Figura 5. Schema circuitului este datˇ ˆ Figura 5. s 5.21.21: Amplificatorul inversor cu cascodˇ simetricˇ a a alo gic e VDD Vout Doris Csipkes . a Un dezavantaj al circuitului este acela cˇ structura de cascodˇ nu este simetricˇ. rezistenta de ie¸ire este mˇritˇ considerabil prin simetrizarea ¸ ¸ s a a structurii. AMPLIFICATOARE SIMPLE frecventˇ a crescut u¸or. beneficiul adus de cascodˇ rezistentei de ie¸ire se pierde.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. a a a Din acest motiv. Aditional. Frecventa polului al doilea. introdus de etajul ˆ grilˇ ¸a s ¸ ın a comunˇ este de ordinul GHz-lor.5 Amplificatorul inversor cascodˇ simetricˇ a a Amplificatorul cascodˇ simetricˇ pˇstreazˇ avantajul introdus de cascoda simplˇ a a a a a ˆ ceea ce prive¸te reducerea consecintelor efectului Miller pe tranzistorul de ın s ¸ intrare. O a ¸ s solutie la aceastˇ problemˇ este utilizarea unei structuri de cascodˇ p-n ¸ a a a simetrice raportat la nodul de ie¸ire.

21) 115 . Este de s a a s remarcat faptul cˇ ambele caracteristici prezintˇ frˆnturile specifice introduse a a a de intrarea ˆ regim liniar a tranzistoarelor cascodˇ ¸i apoi ale tranzistoarelor ın as ˆ punctul static de functionare curentul este conectate la VDD respectiv VSS .Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE  VoutM AX = VDD − Vod3 − Vod4 − vmax An gm3vGS3 Valoarea instantanee a tensiunii de ie¸ire trebuie sˇ permitˇ mentinerea ˆ s a a ¸ ın saturatie a tuturor tranzistoarelor.22: Schema de semnal mic a amplificatorul inversor cu cascodˇ a simetricˇ a Modelul de semnal mic ¸i joasˇ frecventˇ a amplificatorului cu cascodˇ simetricˇ s a ¸a a a Doris Csipkes gic e vout Punctul static de functionare se gˇse¸te la intersectia caracteristicilor de ¸ a s ¸ ie¸ire ale celor douˇ surse de curent cascodˇ (M1 -M2 ¸i M3 -M4 ). In ¸ acela¸i prin toate cele patru tranzistoare. Limitele domeniului admis de variatie se ¸ ¸ scriu similar ca la amplificatorul cascodˇ simplu: a alo rDS3 rDS4 Domeniul de variatie a tensiunii de ie¸ire ¸ s Modelul de semnal mic ¸i joasˇ frecventˇ s a ¸a In t gm2vGS2 eg r at rDS2 rDS1 V outM IN = Vod1 + Vod2 + vmax e Ci rcu vin ite gm1vGS1 Figura 5. s (5.

considerabil mai a ¸ s mare decˆt ˆ cazul amplificatorului cascodˇ simplu. AMPLIFICATOARE SIMPLE (Figura 5.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. a ın a gic e (5. Suplimentar. potentialele din grilele tuturor tranzistoarelor ˆ afarˇ de M1 sunt ¸ ın a constante ¸i devin conexiuni la masˇ dupˇ pasivizare.22) se construie¸te ˆ s ınlocuind tranzistoarele cu schemele echivalente. s a a Teoremele lui Kirchhoff ¸i legea lui Ohm scrise pentru circuit duc la urmˇtoarea s a expresie a cˆ¸tigului de joasˇ frecventˇ: as a ¸a alo A0 ∼ −gm1 (gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4 ) = −gm1 Rout = VDD vG4 M4 vG3 In t eg r M3 p1 at Rech3-4 vout p2 C3 C2 Doris Csipkes ite vG2 M2 C1 Ci rcu rhz M1 vin Figura 5.22) .23: Capacitˇ¸ile specifice amplificatorului cu cascodˇ simetricˇ at a a 116 e An Ordinul de mˇrime a rezistentei de ie¸ire este cel al MΩ-lor.

s ınaltˇ ¸a a ın gic e . gm2vGS2 rDS2 e C1 vin An Rech3-4 C3 vout C2 v s ωrhz s 1+ ωp2 (5. at s ¸ Figura 5. a a ¸ a s ite Figura 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE Comportamentul ˆ frecventˇ ın ¸a Comportamentul ˆ frecventˇ al circuitului se determinˇ considerˆnd capaın ¸a a a citˇ¸ile parazite ¸i rezistentele echivalente ale tuturor nodurilor din circuit. continˆnd un zero pozitiv ¸i doi poli.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5.23 prezintˇ schema amplificatorului cu capacitˇ¸ile nodurilor explicia at tate.24.23) 117 gm1vGS1 Ci rcu Functia de transfer a circuitului are aceea¸i formˇ ca ¸i ˆ cazul variantei cu ¸ s a s ın cascodˇ simplˇ.24: Schema de semnal mic ¸i ˆ s ınaltˇ frecventˇ a amplificatorului a ¸a cu cascodˇ simetricˇ a a A(s) = Frecventele polilor ¸i a zeroului se scriu: ¸ s Doris Csipkes In t eg r rDS1 A0 1 − s 1+ ωp1 at alo Schema de semnal mic ¸i ˆ a frecventˇ a circuitului este datˇ ˆ Figura 5.

Diferenta principalˇ ¸a a a ¸ a s as a ¸ a s s constˇ ˆ cre¸terea cˆ¸tigului datoritˇ rezistentei mˇrite de ie¸ire ¸i deplasarea a ın polului dominant la frecvente mai joase.24) .Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. ¸ 118 Ci rcu -90d 10KHz Figura 5.0MHz Din figurˇ se observˇ cˇ polii ¸i zeroul pozitiv duc la un comportament ˆ a a a s ın frecventˇ similar cu cel al amplificatorului cascodˇ simplˇ. AMPLIFICATOARE SIMPLE Diagramele Bode corespunzˇtoare sunt date ˆ Figura 5.0THz 1.25.25: Raspunsul ˆ frecventˇ al amplificatorului cu cascodˇ simeın ¸a a tricˇ a An Doris Csipkes alo  A0 ∼ −gm1 (gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4 )  =     1 1  ∼ fp1 ∼ = =   2πC3 (gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4 ) 2πRout C3 gm2 fp2 ∼  =   2π (C1 + C2 )     gm1  fz ∼ = 2πC1 gic e (5. a ın |A(s)| 40 0 -40 -80 eg r at f fp2 frhz 180d 90d 0d ite In t Ð A(s) fp1 e f 100MHz 10GHz 1.

6 Amplificatorul inversor cascodˇ pliatˇ a a Schema amplificatorului inversor cascodˇ pliatˇ este datˇ ˆ Figura 5. La dimensionarea tranzistoarelor trebuie ¸inut cont de valoare curentului t prin fiecare dispozitiv ˆ parte. ın Domeniul de variatie a tensiunii de ie¸ire ¸ s Limitele domeniului de variatie a tensiunii de ie¸ire se determinˇ dupˇ acela¸i ¸ s a a s Ci rcu ite Figura 5. Casa a codarea este fˇcutˇ cu un tranzistor PMOS care serve¸te ca ¸i cascodˇ atˆt a a s s a a pentru tranzistorul de intrare cˆt ¸i pentru cel de sarcinˇ. Solutia este plierea structurii cascodˇ pentru a ¸ ¸ a reduce numˇrul de tranzistoare dintre cele douˇ conexiuni de alimentare. a s a Doris Csipkes gic e 119 .26: Amplificatorul inversor cascodˇ pliatˇ a a In t An VDD alo Dezavantajul amplificatorului cu structuri p ¸i n simetrice este cˇ ˆ tehnologis a ın ile cu tensiuni de alimentare joase tranzistoarele sunt dificil de polarizat ˆ ın saturatie (insuficient VDS ). a a a ın vG4 M4 eg r VG3 at VG2 M2 e vout M3 vin M1 Punctul static de functionare ¸ Punctul static de functionare este mai dificil de reprezentat ˆ mod grafic deoa¸ ın rece curentul furnizat de tranzistorul M4 se divide ˆ ıntre douˇ ramuri de cira cuit. AMPLIFICATOARE SIMPLE 5.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5.26.

26) . AMPLIFICATOARE SIMPLE rationament ca ˆ paragrafele precedente. tensiunea ˆ nodul de pliere este ¸i ea limitatˇ.27) 120 Doris Csipkes gic e (5.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. chiar ¸i ˆ prezenta sem¸ ın s ın ¸ nalului. Rezultˇ: a  VoutM AX = VDD − Vod2 − Vod4 − vmax V outM IN = Vod3 + vmax Similar. Din conditiile de ın s a ¸ saturatie ale tranzistoarelor se obtine: ¸ ¸  Vnod−pliereM AX = VDD − Vod4 − vmax V nod−pliereM IN = Vod2 + Vod3 + vmax An alo Schema echivalentˇ de semnal mic ¸i joasˇ frecventˇ a amplificatorului inversor a s a ¸a cascodˇ pliatˇ este datˇ ˆ Figura 5.25) (5. a a a Cˆ¸tigul de joasˇ frecventˇ ¸i rezistenta de ie¸ire rezultˇ: as a ¸a s ¸ s a Ci rcu ite  A0 = −gm1 Rout R ∼ r out = DS3 || [gm2 rDS2 (rDS1 || rDS4 )] In t Modelul de semnal mic ¸i joasˇ frecventˇ s a ¸a eg r Observatie: ˆ cazul ˆ care alimentarea este simetricˇ ˆ ¸ In ın a ıntre VDD ¸i VSS . a at e (5. Astfel ˆ schema de semnal ¸ ın mic tensiunile grilˇ-sursˇ sunt egale cu zero dupˇ pasivizare. Pentru o functionare corectˇ toate ¸ ın ¸ a tranzistoarele trebuie mentinute ˆ regim saturat. s limitele inferioare ale domeniilor de variatie corespunzˇtoare celor douˇ ten¸ a a siuni se raporteazˇ la VSS .27. a a a ın Observatie: Sursele de curent comandate ˆ tensiune corespunzˇtoare tran¸ ın a zistoarelor M3 ¸i M4 se pot elimina din model deoarece atˆt grilele cˆt ¸i s a a s sursele sunt conectate la potentiale constante.

29.28) Ci rcu Schema de semnal mic ¸i ˆ a frecventˇ corespunzˇtoare este datˇ ˆ Figura s ınaltˇ ¸a a a ın 5. scriindu-se ¸ ¸ s sub forma: s ωrhz 1+ s ωp2 (5. a a rDS4 vin gm1vGS1 rDS1 An Functia de transfer a circuitului contine doi poli ¸i un zero pozitiv. a ın A(s) = In t Comportamentul ˆ frecventˇ ın ¸a eg r A0 1 − s 1+ ωp1 Figura 5. Schema circuitului cu capacitˇ¸ile a a at parazite explicitate este datˇ ˆ Figura 5.27: Modelul echivalent de semnal mic ¸i joasˇ frecventˇ al ams a ¸a plificatorului inversor cascodˇ pliatˇ a a at e rDS3 alo gm2vGS2 Doris Csipkes gic e rDS2 vout 121 . AMPLIFICATOARE SIMPLE Rezistenta de ie¸ire se poate aproxima cu rDS3 . ite Comportamentul ˆ frecventˇ al amplificatorului cascodˇ pliatˇ este similar cu ın ¸a a a cel al amplificatorului cascodˇ asimetricˇ.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5.28. similar ca ¸i ˆ cazul amplifica¸ s s ın torului cu cascodˇ simplˇ.

Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE VDD vG4 M4 C1 vin p2 rhz M1 C2 vG3 M2 p1 An gm2vGS2 rDS3 M3 C1 vin ite gm1vGS1 In t eg r rDS4 rDS1 C2 rDS2 Ci rcu at Figura 5.28: Capacitˇ¸ile parazite din structura amplificatorului cascodˇ at a pliatˇ a e alo vout C3 C3 vG2 Figura 5.29: Modelul echivalent de semnal mic ¸i ˆ s ınaltˇ frecventˇ al ama ¸a plificatorului inversor cascodˇ pliatˇ a a 122 gic e vout Doris Csipkes .

Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 5.0THz (5.30: Caracteristicile de frecventˇ simulate ale amplificatorului ¸a cascodˇ pliatˇ a a Doris Csipkes gic e f f 1. Asemˇnarea se observˇ ¸i pe diagramele Bode a a as din Figura 5. Dupˇ efectuarea calculelor rezultˇ: ¸a a a 0 -40 -80 In t eg r |A(s)| at e Ordinele de mˇrime ale frecventelor sunt foarte similare cu cele obtinute pentru a ¸ ¸ amplificatorul cascodˇ simplu.30.29) 123 . An fp2 10GHz  Rout ∼ rDS3 || [gm2 rDS2 (rDS1 || rDS4 )] =      1  fp1 ∼  =   2πRout C3 gm2 fp2 ∼  =   2π (C1 + C2 )      f ∼ gm1  z= 2πC1 alo frhz ite Ð A(s) fp1 Ci rcu 90d 0d -90d 10KHz 1.0MHz 100MHz Figura 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE Frecventele polilor ¸i a zeroului se calculeazˇ din schema de semnal mic ¸i ˆ a ¸ s a s ınaltˇ frecventˇ.

Circuite integrate analogice I

CAPITOLUL 5. AMPLIFICATOARE SIMPLE

5.7

Sumar

Bibliografie:

3. P.E. Allen, D. Holberg - CMOS analog circuit design, Oxford University Press, 1987 4. A. Manolescu - Analog Integrated Circuits, editura Foton International, 1999. 5. J-T. Wu - Multiple-Transistor Gain Stages - Lecture Notes, National Chiao-Tung University, Taiwan, 2002

124

Ci rcu

ite

In t

eg r

2. Doris Csipkes, Gabor Csipkes - Fundamental analog circuits. Practical simulation exercises, UTPres, 2004;

at

1. Lelia Fe¸tilˇ - Circuite integrate analogice II, Casa Cˇrtii de Stiintˇ, 1999; s a a¸ ¸ ¸a

e

An

Caracteristicile specifice fiecˇrui etaj de amplificare, discutate ˆ acest paragraf, a ın sunt punctul static de functionare, domeniul de variatie a tensiunii de ie¸ire, ¸ ¸ s modelul de semnal mic ¸i comportamentul ˆ frecventˇ. Aceste caracteristici s ın ¸a determinˇ performantele unui amplificator ˆ cazul ˆ care semnalul este sufia ¸ ın ın cient de mic pentru a se putea considera o functionare liniarˇ. ¸ a

alo

gic e

ˆ acest capitol s-au prezentat principalele configuratii de amplificatoare simple. In ¸ Aceste circuite stau la baza oricˇrei structuri mai complicate ale unui amplia ficator, fie acesta un amplificator diferential sau un amplificator operational ¸ ¸ complet.

Doris Csipkes

Capitolul 6

Amplificatoare diferentiale ¸
6.1 Introducere

In t

eg r
VMC

Amplificatoarele diferentiale sunt circuite care, spre deosebire de amplificatoa¸ rele simple, au un semnal de intrare diferential. Acest semnal se exprimˇ ca ¸ a o diferentˇ de potential dintre douˇ noduri flotante (fiecare nod este la rˆndul ¸a ¸ a a lui raportat la masˇ). Adesea semnalul diferential util este suprapus peste un a ¸ semnal de mod comun. Modul de aplicare a semnalului de intrare unui etaj diferential este ilustrat ˆ Figura 6.1. ¸ ın

at

e

An
v + in 2 v - in 2

v ip
v in v im

ite

A doua reprezentare permite utilizarea semicircuitelor ˆ analiza amplificatoareın lor diferentiale. Aceastˇ abordare este foarte des utilizatˇ la calculele efectuate ¸ a a pe baza modelului de semnal mic.

Ci rcu

VMC

Figura 6.1: Semnalul de intrare diferential ¸i tensiunea de mod comun ¸ s

alo
v ip
v im

gic e

Circuite integrate analogice I

CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENTIALE ¸

Expresia semnalului de intrare este: Vin = vip − vim + VM Cin = vin + VM Cin (6.1)

eg r
v out 2 +
VX
M3

Cea mai simplˇ variantˇ de amplificator diferential este cea cu sarcinˇ rezistivˇ. a a ¸ a a Schema circuitului este datˇ ˆ Figura 6.2. a ın

at
RD

6.2

Amplificatorul diferential cu sarcinˇ rezistivˇ ¸ a a

e
v out 2
M2

ite

In t

RD

M1

Ci rcu

v + in 2

Vbiasn

Figura 6.2: Amplificatorul diferential cu sarcinˇ rezistivˇ ¸ a a

126

An
VDD

ˆ paragrafele urmˇtoare sunt prezentate cˆteva amplificatoare diferentiale foloIn a a ¸ site ˆ proiectarea circuitelor analogice mai complicate (de ex. la amplificatoare ın operationale). Pentru fiecare structurˇ se vor discuta domeniile de variatie ale ¸ a ¸ tensiunilor de intrare ¸i ie¸ire, modelul de semnal mic ¸i comportamentul ˆ s s s ın frecventˇ. ¸a

-

VSS

alo
v in 2

Observatie: tensiunea de mod comun afecteazˇ ˆ mod identic ambele ¸ a ın s a intrˇri. Ea serve¸te la polarizarea corectˇ a tranzistoarelor de intrare. a

gic e

Doris Csipkes

2 + VT h1.2 + VT h1.2) exprimˇ cazul cel mai defavorabil numai dacˇ vˆrful de semnal ¸ a a a negativ cauzeazˇ scˇderea tensiunii Vx ¸i intrarea ˆ regim liniar a tranzistorului a a s ın M3 . a s a a Ci rcu vin = Vod1.3) 127 . scrisˇ a a ¸ a pentru cealaltˇ ramurˇ a etajului diferential: a a ¸ ite VM Cin−M IN + In t Din comparatia celor douˇ ecuatii se observˇ cˇ cealaltˇ ramurˇ.2). In a a ¸a scrie urmˇtoarea ecuatie: a ¸ VM Cin−M IN − vin = Vod1. nodul X. comun ¸ celor douˇ tranzistoare M1 ¸i M2 . s s a Ecuatia (6.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENTIALE ¸ Domeniul de variatie a tensiunii de intrare ¸ Tensiunea instantanee la intrˇrile amplificatorului diferential trebuie sˇ permitˇ a ¸ a a polarizarea corectˇ (ˆ regim saturat) a tranzistoarelor de intrare M1 -M2 ¸i a a ın s sursei de curent M3 .2) (6. Aici se pot pune douˇ ˆ a ıntrebˇri: a e Doris Csipkes gic e (6. Aparent s-ar putea afirma cˇ cel mai defavorabil caz pentru tranzistoarele de a intrare ¸i M3 este atunci cˆnd semnalul la una dintre intrˇri ˆsi atinge valoarea s a a ı¸ ˆ acest caz s-ar putea maximˇ negativˇ fatˇ de tensiunea de mod comun. Observatie: Deorece tensiunea Vx nu depinde de semnal.cum afecteazˇ semnalul de intrare tensiunea Vx dacˇ se considerˇ a a a ¸i efectul celeilalte ramuri? s La prima ˆ ıntrebare se poate rˇspunde considerˆnd perechea ecuatiei (6. Rezultˇ rˇspunsul la a doua ˆ a a ıntrebare: tensiunea Vx este independentˇ de a semnal.ce efect are cealaltˇ ramurˇ asupra tensiunii Vx ? a a . compenseazˇ scˇderea tensiunii ı¸ a a a a Vx . unde sem¸ a ¸ a a a a nalul ˆsi atinge valoarea maximˇ pozitivˇ. este un nod de masˇ virtualˇ.2 + Vx−M IN 2 An alo .2 + Vx−M IN 2 eg r at Tensiunile Vod1 ¸i Vod2 sunt stabilite prin polarizare ¸i se considerˇ constante.

6) Doris Csipkes . VR se alege astfel ˆ at tranzistoarele de a ıncˆ intrare ale etajului urmˇtor sˇ poatˇ fi corect polarizat ˆ regim saturat.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6.2 + Vod3 Domeniul de variatie a tensiunii de ie¸ire ¸ s alo Tensiunea maximˇ admisˇ la ie¸ire se calculeazˇ ¸inˆnd seama de cˇderea a a s at a a de tensiune pe rezistenta de sarcinˇ ¸i de variatia maximˇ a semnalului. AMPLIFICATOARE DIFERENTIALE ¸ Tensiunea de mod comun minimˇ este: a VM Cin−M IN = Vod1.2 + VT h1.2 + vmax In t eg r Rezistenta de sarcinˇ nu impune o cˇdere de tensiune minimˇ.4) (6. a ın 128 Ci rcu gic e Dacˇ Vx este constantˇ. Totu¸i. trebuie ¸ a a a s ¸inut cont de faptul cˇ tensiunea la ie¸ire polarizeazˇ intrarea urmˇtorului t a s a a etaj ˆ ıntr-o cascadˇ de amplificatoare. ¸ as ¸ a Vout−M AX = VDD − VR − vmax at e (6. Astfel alegerea domeniului de variatie a tensiunii de intrare a ¸ se reduce la determinarea intervalului de valori admise pentru tensiunea de mod comun VM Cin pentru care toate tranzistoarele sunt saturate. ci numai de tensiunea de mod comun VM Cin (adicˇ de polarizare).5) Tensiunea minimˇ la ie¸ire trebuie sˇ asigure polarizarea tranzistoarelor de a s a intrare M1 ¸i M2 ˆ regim saturat. a ¸ Modelul de semnal mic ¸i joasˇ frecventˇ s a ¸a Modelul de semnal mic ¸i joasˇ frecventˇ al amplificatorului diferential cu sarcinˇ s a ¸a ¸ a rezistivˇ este dat ˆ Figura 6. a a a ın An a ıntre tensiunea de mod comun la Observatie: Existˇ un echilibru strict ˆ ¸ intrare VM Cin ¸i tensiunea de mod comun la ie¸ire VM Cout . punctele statice de functionare ale tranzistoarelor nu a a ¸ depind de semnalul de intrare.3. (6. Rezultˇ: s ın a ite Vout−M IN = Vx + Vod1. Legˇtura dintre s s a cele douˇ tensiuni este potentialul mesei virtuale Vx .

9) Dacˇ se considerˇ tranzistoarele de intrare ¸i rezistentele de sarcinˇ identice ¸i a a s ¸ a s perfect ˆ ımperecheate.7) 129 . AMPLIFICATOARE DIFERENTIALE ¸ - v out 2 + v out 2 + v in 2 gm1vGS1 rDS1 RD RD rDS2 gm2vGS2 Figura 6.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. vGS2 = − 2 2 (6.8) Cˆ¸tigul de joasˇ frecventˇ rezultˇ dupˇ efectuarea calculelor: as a ¸a a a A0 = vout = vin gm1 + gm2 1 2 + + rDS1 rDS2 RD 1 (6. atunci gm1 = gm2 ¸i rDS1 = rDS2 . se ¸ine cont de modul de aplicare a semnalului de intrare diferential ¸ t ¸ ¸i de urmˇtoarele egalitˇ¸i: s a at vGS1 = vin vin . iar A0 devine: s Ci rcu In t  1 g v  m1 GS1 −  rDS1  1  gm2 vGS2 + rDS2 eg r vout 1 vout − · =0 2 RD 2 vout 1 vout · + · =0 2 RD 2 · at Cˆ¸tigul de joasˇ frecventˇ ¸i rezistenta de ie¸ire se obtin rezolvˆnd urmˇtorul as a ¸a s ¸ s ¸ a a sistem de ecuatii: ¸ e An alo Doris Csipkes gic e v in 2 (6.3: Modelul de semnal mic ¸i joasˇ frecventˇ al amplificatorului s a ¸a diferential cu sarcinˇ rezistivˇ ¸ a a Observatie: Tranzistorul M3 lipse¸te complet din modelul de semnal mic ¸ s deoarece prin pasivizare drena ¸i sursa sunt ambele conectate la masˇ (scurt s a circuit ˆ ıntre VSS ¸i masa virtualˇ). s a ite Aditional.

AMPLIFICATOARE DIFERENTIALE ¸ A0 = gm1 1 rDS1 + 1 RD = gm1 (rDS1 || RD ) = gm1 Rout (6.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6.4: Amplificatorul diferential cu sarcinˇ rezistivˇ ¸i capacitˇ¸ile ¸ a a s at parazite 130 An C2 VSS v in 2 gic e Doris Csipkes .11) Comportamentul ˆ frecventˇ ın ¸a In t RD eg r v out 2 + at RD p rhz p rhz - v out 2 e M2 M2 Observatie: Din expresia cˆ¸tigului de joasˇ frecventˇ se observˇ cˇ ¸ as a ¸a a a transconductanta etajului diferential este jumˇtate din transconductanta ¸ ¸ a ¸ unui tranzistor de intrare gm1 . aria ocupatˇ pe silicu ¸i polarizare. iar rezistenta de sarcinˇ diferentialˇ este de ¸ a ¸ a douˇ ori rezistenta RD . ele vor fi ˆ majoritatea a s ın cazurilor cu cel putin un ordin de mˇrime mai mici decˆt rezistenta rDS a unui ¸ a a ¸ tranzistor MOS. Astfel cˆ¸tigul de joasˇ frecventˇ se aproximeazˇ: as a ¸a a (6.10) A0 ∼ gm1 RD = alo VDD Stiind cˇ rezistentele de sarcinˇ RD au valoarea maximˇ limitatˇ din conside¸ a ¸ a a a rente de zgomot. a ¸ ite C1 C3 M1 M1 C4 Ci rcu + v in 2 Vbiasn M3 Figura 6.

at - v in 2 (6.5. atunci functia de transfer se va extinde cu un pol determinat a ¸ de capacitˇ¸ile CGD reflectate la intrare prin efect Miller.13) 131 .4.9) ¸i considerˆnd din nou a as a ¸a ¸ s a tranzistoarele ¸i rezistentele de sarcinˇ identice. Suplimentar. datorat efectului Miller pe tranzistoas rele de intrare. s ınaltˇ ¸a a ın v out v out + 2 2 C1 An RD - alo + v in 2 gm1vGS1 rDS1 RD C3 C4 rDS2 gm2vGS2 Figura 6. avˆnd capacitˇ¸ile pa¸ a a a at razite utilizate la determinarea comportamentului ˆ frecventˇ explicitate este ın ¸a datˇ ˆ Figura 6. dacˇ rezistenta de ie¸ire a sursei de semnal este a ¸ s diferitˇ de zero.12) (6.5: Schema de semnal mic ¸i ˆ s ınaltˇ frecventˇ a ¸a Teoremele lui Kirchhoff ¸i legea lui Ohm duc la urmˇtoarea expresie a functiei s a ¸ de transfer ˆ s: ın gm1 + gm2 s (C1 + C2 ) · 1− 1 2 1 gm1 + gm2 + + rDS1 rDS2 RD A (s) = C1 + C2 + C3 + C4 1+s 1 1 2 + + rDS1 rDS2 RD In t eg r at e Identificˆnd cˆ¸tigul de joasˇ frecventˇ din ecuatia (6.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. rezultˇ: s ¸ a a sC1 sC1 A0 · 1 − gm1 gm1 A (s) = = C1 + C3 1 + s (C1 + C3 ) (rDS1 || RD ) 1+s 1 1 + rDS1 RD A0 · 1 − Ci rcu ite Doris Csipkes gic e C2 Schema amplificatorului diferential cu sarcinˇ rezistivˇ. AMPLIFICATOARE DIFERENTIALE ¸ Schema de semnal mic ¸i ˆ a frecventˇ a circuitului este datˇ ˆ Figura 6. Din figurˇ se observˇ cˇ functia de transfer a amplificatorului a ın a a a ¸ va avea un singur pol ¸i un zero pozitiv.

14) (6.0MHz 100MHz Figura 6.0THz  f =   p  frhz  1 2πRout (C1 + C3 ) gm1 = 2πC1 alo 20 |A(s)| 10 0d -45d -90d Ð A(s) Ci rcu -135d 10KHz ite 0 In t eg r 1. ¸ s An f frhz f 10GHz 1. AMPLIFICATOARE DIFERENTIALE ¸ Functia de transfer de mai sus se poate scrie sub forma generalˇ dupˇ cum ¸ a a urmeazˇ: a A0 1 − A (s) = ωrhz s 1+ ωp Identificˆnd coeficientii termenilor ˆ s din ecuatiile (6.6.15) Doris Csipkes .13) ¸i (6.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6.14) se obtin a ¸ ın ¸ s ¸ frecventele polului ¸i a zeroului.6: Caracteristica de amplitudine ¸i fazˇ a amplificatorului s a 132 at fp Caracteristicile de amplitudine ¸i fazˇ ale amplificatorului sunt date ˆ Figura s a ın 6. e gic e s (6.

Vout−M AX va avea expresia: a s VoutM AX = VDD − Vod4 − vmax (6. VDD M3 M4 + Vbiasn eg r M5 at VSS v in 2 e M2 M1 Figura 6.16) Tensiunea minimˇ admisˇ la ie¸ire trebuie sˇ asigure functionarea ˆ regim a a s a ¸ ın saturat a tranzistoarelor de intrare M1 -M2 ¸i a lui M5 care implementeazˇ sursa s a de curent.7 este prezentatˇ schema amplificatorului diferential cu sarcinˇ In a ¸ a oglindˇ de curent. AMPLIFICATOARE DIFERENTIALE ¸ 6. Prin urmare. ite In t An vout v in 2 Doris Csipkes alo 133 gic e . Tranzistoarele de intrare M1 -M2 sunt cu canal n. iar cele a de sarcinˇ M3 -M4 cu canal p. Ie¸irea este asimetricˇ ¸i se culege din drena a s a s tranzistorului M2 .Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6.3 Amplificatorul diferential MOS cu sarcinˇ ¸ a oglindˇ de curent a ˆ Figura 6.7: Schema amplificatorului diferential cu sarcinˇ oglindˇ de cu¸ a a rent Domeniul de variatie a tensiunii de ie¸ire ¸ s Ci rcu Tensiunea maximˇ admisˇ la ie¸irea circuitului se calculeazˇ astfel ˆ at a a s a ıncˆ tranzistorul de sarcinˇ M4 sˇ fie saturat ¸i ˆ plus se ¸ine cont de variatia a a s ın t ¸ maximˇ a semnalului de ie¸ire.

8: Modelul echivalent de semnal mic ¸i joasˇ frecventˇ a circuis a ¸a tului Ci rcu  gm1 vGS1 + gDS1 v + gDS3 v + gm3 v = 0  gm2 vGS2 + gDS2 vout + gm4 vGS4 + gDS4 vout = 0 ite Determinarea cˆ¸tigului de semnal mic ¸i joasˇ frecventˇ necesitˇ scrierea teoas s a ¸a a remei lui Kirchhoff pentru curenti ˆ nodul intermediar din drena tranzistorului ¸ ın M1 ¸i ˆ nodul de ie¸ire. vGS2 = − .Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6.2 + vod5 + vmax (6. vGS4 = v 2 2 (6. s ın s In t at gm2vGS2 + v in 2 e vGS1 = alo gm4vGS4 Modelul echivalent de semnal mic ¸i joasˇ frecventˇ este prezentat ˆ Figura s a ¸a ın 6.7 rezultˇ urmˇtoarele identitˇ¸i: ¸ a a at vin vin . s ¸ s at - v in 2 Din inspectia circuitului din Figura 6. AMPLIFICATOARE DIFERENTIALE ¸ vout−M IN = Vod1.17) Modelul de semnal mic ¸i joasˇ frecventˇ s a ¸a 1 gm3 rDS3 rDS4 An rDS2 gm1vGS1 eg r rDS1 Figura 6.19) 134 gic e vout (6.18) Doris Csipkes .8 ¸i include doar rezistentele echivalente nu ¸i capacitˇ¸i.

18) cu aceste expresii ¸i apoi a a s eliminˆnd tensiunea v din cele douˇ ecuatii. cˆ¸tigul de joasˇ frecventˇ se poate scrie sub o ¸ a a as a ¸a forma simplificatˇ. Astfel.9 este datˇ schema amplificatorului diferential cu sarcinˇ oglindˇ de In a ¸ a a curent avˆnd desenate capacitˇ¸ile parazite ale tranzistoarelor. AMPLIFICATOARE DIFERENTIALE ¸ ˆ Inlocuind tensiunile grilˇ-sursˇ din sistemul (6. dupˇ cum urmeazˇ: a a a at e A0 = gm1 (gDS1 + gDS3 + 2gm3 ) 2 (gDS2 + gDS4 ) (gDS1 + gDS3 + gm3 ) An (6.23) 135 Doris Csipkes gic e (6. la fel ¸i cele de ¸ a a s sarcinˇ. Ci rcu Observatie: Din expresia cˆ¸tigului de joasˇ frecventˇ se observˇ cˇ ¸ as a ¸a a a transconductanta etajului diferential este de fapt cˆt transconductanta unui ¸ ¸ a ¸ tranzistor de intrare. cˆ¸tigul amplificatorului devine: as gm3 = gm4 alo Tinˆnd cont de faptul cˇ tranzistoarele de intrare sunt identice. iar rezistenta de sarcinˇ este egalˇ cu rezistentele ¸ a a ¸ drenˇ-sursˇ a tranzistoarelor cu canal n ¸i p conectate ˆ paralel. se pot scrie egalitˇ¸ile: a at (6.21) Comportamentul ˆ frecventˇ ın ¸a ˆ Figura 6.10.20) .Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. a a s ın ite In t A0 = gm1 = gm1 (rDS2 || rDS4 ) gDS2 + gDS4 eg r Stiind cˇ transconductanta unui tranzistor MOS este mult mai mare decˆt ¸ a ¸ a conductanta sa drenˇ-sursˇ.22) (6. a at Modelul echivalent de semnal mic folosit la analiza de frecventˇ este dat ˆ ¸a ın Figura 6. se obtine cˆ¸tigul circuitului: a a ¸ ¸ as gm2 (gDS1 + gDS3 + gm3 ) + gm1 gm4 vout = vin 2 (gDS2 + gDS4 ) A0 = gm1 = gm2 .

9: Schema amplificatorului cu capacitˇ¸ile sale parazite at 1 gm3 In t eg r rDS3 rDS4 gm4vGS4 at C4 e vout C2 rDS1 C3 rDS2 gm2vGS2 VSS ite An v in 2 Doris Csipkes v in 2 - v in 2 + v in 2 136 Ci rcu C1 gm1vGS1 Figura 6. AMPLIFICATOARE DIFERENTIALE ¸ VDD lhz rhz p2 rhz p1 vout C2 C4 M1 M2 + Vbiasn M5 Figura 6.10: Modelul echivalent de semnal mic ¸i ˆ s ınaltˇ frecventˇ a ¸a alo C1 C3 gic e M3 M4 .Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6.

a ¸ s a a ın In t gm3 = gm4 . Ci rcu Folosind aceste egalitˇ¸i ¸i identificˆnd termenii care constituie cˆ¸tigul de joasˇ at s a as a frecventˇ.24) 137 .19) se obtine functia de transfer a circuitului: a a ın ¸ ¸ (6.26) (6. functia de transfer din (6.25) (6.28). AMPLIFICATOARE DIFERENTIALE ¸ A(s) = An C1 = C2 2 (gDS1 + gDS3 + gm3 ) (gDS2 + gDS4 ) (as2 + bs + 1) C1 gm1 1 − s gm4 gm1 + 2 (gDS1 + gDS3 + gm3 ) (gDS2 + gDS4 ) (as2 + bs + 1) alo gm2 1 − s C2 gm2 (gDS1 + gDS3 + gm3 + sC1 + sC3 ) unde coeficientii a ¸i b au expresiile de mai jos: ¸ s   b = (C2 + C4 ) (gDS1 + gDS3 + gm3 ) + (C1 + C3 ) (gDS2 + gDS4 )  (gDS1 + gDS3 + gm3 ) (gDS2 + gDS4 ) eg r  a =    (C1 + C3 ) (C2 + C4 ) (gDS1 + gDS3 + gm3 ) (gDS2 + gDS4 ) at (6. e Doris Csipkes gic e + Comportamentul ˆ frecventˇ al circuitului se determinˇ scriind teorema lui ın ¸a a Kirchhoff pentru curenti ˆ nodul intermediar din drena tranzistorului M1 ¸i ¸ ın s ˆ nodul de ie¸ire.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. Expresia a a s a generalˇ a unei functii de transfer cu doi poli ¸i douˇ zerouri este datˇ ˆ (6.24) se poate rescrie dupˇ cum urmeazˇ: ¸a ¸ a a C1 gm1 C1 + C3 gDS1 + gDS3 + 2gm3 as2 + bs + 1 1+s A0 1 − s A(s) = Din analiza lui A(s) se observˇ cˇ aceasta are doi poli ¸i douˇ zerouri. Dupˇ efectuarea calculelor ¸i ¸inˆnd seama de expresiile ın s a s t a tensiunilor grilˇ-sursˇ date ˆ (6.27) Deoarece structura circuitului este simetricˇ sunt valabile urmˇtoarele egalitˇ¸i: a a at ite gm1 = gm2 .

28). Este u¸or de remarcat faptul cˇ aa s s a zeroul pozitiv este introdus de calea directˇ de semnal de la intrare la ie¸ire prin a s capacitˇ¸ile C1 ¸i C2 .31) ˆ Figura 6. ¸a Expresiile zerourilor se obtin prin identificarea coeficientilor termenilor ˆ s de ¸ ¸ ın la numˇrˇtorul expresiilor (6. iar polul de ˆ a a a s ınaltˇ frecventˇ de nodul intermediar din drena tranzistorului M1 .29) .27) ¸i (6. fp2 = 2πb 2πa alo Polii functiei de transfer rezultˇ prin identificarea coeficientilor ˆ s a polinoa¸ a ¸ ın melor de la numitorul expresiilor date ˆ (6. Zeroul negativ provine de la oglinda de curent M3 -M4 . Astfel vom avea: ın s gic e s ωrhz s 1+ ωp1 s ωlhz s 1+ ωp2 1+ (6.28) (6.11 este prezentatˇ caracteristica de amplitudine ¸i fazˇ a amplificaIn a s a torului diferential discutat.28).25) se considerˇ conductanta drenˇ-sursˇ a tranIn ¸ s ın a ¸ a a zistoarelor mult mai mare decˆt transconductanta lor. ¸ 138 Doris Csipkes An b 1 . AMPLIFICATOARE DIFERENTIALE ¸ A0 1 − A(s) = fp1 = ˆ relatiile lui a ¸i b date ˆ (6.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6.27) ¸i (6. Astfel rezultˇ expresiile a ¸ a simplificate ale polilor: Se observˇ cˇ polul dominat este introdus de nodul de ie¸ire.30) (6. at s Ci rcu  g frhz = m1   2πC1 2gm3  f = gDS1 + gDS3 + 2gm3 ∼  lhz = 2π (C1 + C3 ) 2π (C1 + C3 ) ite In t eg r  1 fp1 ∼ gDS2 + gDS4 =  =  2π (C2 + C4 ) 2π (C2 + C4 ) Rout  gm3 f ∼  p2 = 2π (C1 + C3 ) at e (6.

Apoi urmeazˇ polul dat de nodul intermediar din grilele tranzistoarelor a care formeazˇ oglinda de curent ¸i la frecventˇ apropiatˇ zeroul dat de acela¸i a s ¸a a s nod intermediar. se poate specifica ordinea ˆ care sunt situate ˆ frecventˇ ın ın ¸a singularitˇ¸ile.31). dupˇ cum am obtinut ¸i din calculul s a ¸ s teoretic. Mai mult. AMPLIFICATOARE DIFERENTIALE ¸ |A(s)| 20 -0 -20 -40 -60 0d -45d -90d -135d Ð A(s) fp2 flhz An f 1.0MHz 100MHz 10KHz e 10GHz Figura 6.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. Faptul cˇ aceste singularitˇ¸i sunt apropiate ˆ frecventˇ se a at ın ¸a poate dovedi ¸i teoretic analizˆnd ecuatiile (6. Amplificatorul diferential cu sarcinˇ surse de ¸ a curent ite In t eg r at alo frhz 1. a ¸ unui zero pozitiv ¸i a unui zero negativ.11: Caracteristica de amplitudine ¸i fazˇ a circuitului s a 6. Tranzistoarele M3 -M4 constituie circuitul de sarcinˇ.0THz fp1 Doris Csipkes gic e f 139 . Ie¸irea se ın a s culege diferential din drena tranzistoarelor M1 ¸i M2 . Ultimul este zeroul s a ¸ s datorat cˇii directe de semnal de la intrare la ie¸ire prin capacitatea grilˇ-drenˇ a s a a a tranzistoarelor de intrare.12. ¸ s Ci rcu Din analiza caracteristicilor se poate observa prezenta celor doi poli negativi.4 Schema amplificatorului diferential cu sarcinˇ surse de curent este prezentatˇ ¸ a a ˆ Figura 6. Primul pol este polul dominat datorat nodului de ie¸ire a circuiat s tului.30) ¸i (6.

13. a a ın ¸ a a 140 alo v in 2 v out 2 + v out 2 gic e .33) Doris Csipkes Domeniul de variatie a tensiunii de ie¸ire ¸ s Schema echivalentˇ de semnal mic ¸i joasˇ frecventˇ este prezentatˇ ˆ Fia s a ¸a a ın gura 6.32) Ci rcu ite voutM IN = Vod1 + Vod5 + vmax An VSS (6. AMPLIFICATOARE DIFERENTIALE ¸ VDD M3 M4 Vbiasp + v in 2 M1 M2 - Vbiasn M5 Figura 6. Fiecare tranzistor este modelat cu o sursˇ de curent comandatˇ de a a tensiunea grilˇ-sursˇ a sa ˆ paralel cu rezistenta drenˇ-sursˇ. Astfel voutM AX este de ¸ a a forma: VoutM AX = VDD − Vod3 − vmax Tensiunea minimˇ admisˇ la ie¸ire se scrie conform relatiei: a a s ¸ In t eg r at e (6.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6.12: Schema amplificatorului cu sarcinˇ surse de curent a Domeniul de variatie a tensiunii de ie¸ire ¸ s Tensiunea maximˇ admisˇ la ie¸irea circuitului se calculeazˇ similar ca pentru a a s a amplificatorul diferential cu sarcinˇ oglindˇ de curent.

34) Doris Csipkes alo 141 v in 2 gic e + v out 2 - v in 2 . se pot scrie identitˇ¸ile: a at Ci rcu In t  v gm1 vGS1 − od gDS1 −  2  gm2 vGS2 + vod gDS2 + 2 eg r Calculul cˆ¸tigului de semnal mic ¸i joasˇ frecventˇ se determinˇ scriind teorema as s a ¸a a lui Kirchhoff pentru curenti ˆ nodurile de ie¸ire.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6.13: Modelul echivalent de semnal mic ¸i joasˇ frecventˇ a circuis a ¸a tului An (6. ¸ ın s ın ¸ vod gDS3 = 0 2 vod gDS4 = 0 2 at e Figura 6.35) ˆ Inlocuind tensiunile grilˇ-sursˇ cu tensiunile de intrare corespunzˇtoare ˆ sistea a a ın mul (6.12 se pot exprima tensiunile grilˇ-sursˇ ale trana a a zistoarelor de intrare astfel: vGS1 = vin vin . la fel ¸i cele s de sarcinˇ. ca ˆ ecuatiile (6. AMPLIFICATOARE DIFERENTIALE ¸ - v out 2 rDS3 gm3vGS3 rDS4 gm4vGS4 + gm1vGS1 rDS1 rDS2 gm2vGS2 ite Analizˆnd schema din Figura 6.34) ¸i scˇzˆnd cele douˇ ecuatii.34). vGS2 = − 2 2 (6. se obtine cˆ¸tigul de semnal mic: s a a a ¸ ¸ as A0 = vout gm1 + gm2 = vin gDS1 + gDS2 + gDS3 + gDS4 (6.36) Dacˇ se considerˇ tranzistoarele de intrare perfect ˆ a a ımperecheate.

AMPLIFICATOARE DIFERENTIALE ¸ gm1 = gm2 .38). a In t eg r M3 at VDD M4 e p1 rhz M2 Observatie: Din expresia cˆ¸tigului de joasˇ frecventˇ se observˇ cˇ ¸ as a ¸a a a transconductanta etajului diferential este jumˇtate din transconductanta ¸ ¸ a ¸ unui tranzistor de intrare gm1 .2 + v out 2 C1 C3 M1 C4 Ci rcu + v in 2 Vbiasn M5 Figura 6. as a ın ¸ A0 = gm1 = gm1 (rDS1 || rDS3 ) gDS1 + gDS3 (6. expresia cˆ¸tigului de joasˇ frecventˇ devine mai at as a ¸a simplˇ ¸i este datˇ ˆ ecuatia (6.14: Schema amplificatorului cu capacitatile sale parazite 142 An Vbiasp C2 v in 2 VSS alo gic e Doris Csipkes . s ite v out p1 rhz . gDS3 = gDS4 (6.37) Bazat pe aceste egalitˇ¸i.14 este datˇ schema cu paraziti a amplificatorului diferential cu a ¸ ¸ sarcinˇ surse de curent. gDS1 = gDS2 .38) Comportamentul ˆ frecventˇ ın ¸a In Figura 6. iar rezistenta de sarcinˇ diferentialˇ este du¸ a ¸ a blul rezistentei rezultate prin conectarea ˆ paralel rDS a tranzistoarelor cu ¸ ın canal n ¸i p.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6.

15. dacˇ se considerˇ tran¸ ¸ a a a zistoarele de intrare perfect ˆ ımperecheate ¸i la fel cele de sarcinˇ. C1 = C2 . C3 = C4 (6.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6.39) Functia de transfer obtinutˇ se poate scrie simplificat.41). - + v in 2 C1 gm1vGS1 rDS1 C3 C4 rDS2 Figura 6. Aceasta s a ˆ ınseamnˇ cˇ urmˇtoarele identitˇ¸i sunt adevˇrate: a a a at a gm1 = gm2 . gm3 = gm4 .40) ın ¸a ¸ Astfel comportamentul ˆ frecventˇ al circuitului va fi caracterizat de relatia (6.15: Modelul echivalent de semnal mic ¸i ˆ s ınaltˇ frecventˇ a ama ¸a plificatorului ite C1 + C2 gm1 + gm2 A(s) = C1 + C2 + C3 + C4 1+s gDS1 + gDS2 + gDS3 + gDS4 A0 1 − s In t Functia de transfer a circuitului se poate determina scriind teorema lui Kirchhoff ¸ pentru curenti ˆ nodurile de ie¸ire. AMPLIFICATOARE DIFERENTIALE ¸ Modelul echivalent de semnal mic folosit la analiza de frecventˇ este dat ˆ ¸a ın Figura 6. Tinˆnd seama de expresia cˆ¸tigului de ¸ ın s ¸ a as joasˇ frecventˇ din ecuatia (6. Ci rcu An C2 alo v in 2 gm2vGS2 v out 2 rDS3 gm3vGS3 rDS4 gm4vGS4 Doris Csipkes gic e + v out 2 143 . ˆ urma calculelor raportul dintre tensiunea a ¸a ¸ ın de ie¸ire ¸i cea de intrare rezultˇ: s s a eg r at e (6.36).

41) (6.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6.42). ¸ a s An ωrhz s 1+ ωp alo Polul este introdus de nodul de ie¸ire. Caracteristica de amplitudine si faza simulatˇ pentru amplificatorul discutat a este datˇ ˆ Figura 6. AMPLIFICATOARE DIFERENTIALE ¸ Din analiza expresiei lui A(s) se observˇ cˇ functia de transfer are un pol ¸i un a a ¸ s zero. O astfel de functie de transfer se poate scrie dupˇ cum urmeazˇ: ¸ a a s A0 1 − A (s) = eg r  1 fp = gDS1 + gDS3 =    2π (C1 + C3 ) 2πRout (C1 + C3 ) g f  rhz = m1   2πC1 at e ˆ continuare se identificˇ coeficientii termenilor ˆ s din relatiile (6.43) Doris Csipkes . a ın 144 Ci rcu ite In t gic e sC1 ) g1 A(s) = s(C1 + C3 ) 1+ gDS1 + gDS3 A0 (1 − (6. In a ¸ ın ¸ s obtinˆndu-se expresia polului ¸i a zeroului.16. iar zeroul este datorat cˇii directe de s a semnal de la intrare la ie¸ire prin capacitatea grilˇ-drenˇ a tranzistoarelor de s a a intrare.41) ¸i (6.42) (6.

¸ eg r at alo 1. Gabor Csipkes . Casa Cˇrtii de Stiintˇ.0MHz 100MHz 10KHz e 10GHz Figura 6. Oxford University Press. Aceste circuite stau la baza oricˇrei structuri de amplificator ¸ a operational.0THz fp frhz Doris Csipkes gic e f 145 . In t ˆ acest capitol s-au prezentat cele mai des utilizate configuratii de amplificaIn ¸ toare diferentiale. cˆ¸tigul de joasˇ frecventˇ ¸i comportamentul ˆ frecventˇ.16: Caracteristica de amplitudine ¸i fazˇ a circuitului s a 6.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6.E. 3.5 Sumar Bibliografie: 1. 2004. AMPLIFICATOARE DIFERENTIALE ¸ |A(s)| 20 -0 -20 -40 -60 0d -45d -90d -135d Ð A(s) An f 1. 1987 Ci rcu ite ˆ cazul fiecˇrui etaj diferential s-a discutat domeniul de variatie a tensiunii de In a ¸ ¸ ie¸ire.Fundamental analog circuits. Allen. Determinarea s as a ¸a s ın ¸a acestor parametrii s-a facut pe baza modelelor cu surse comandate. Holberg . D. Doris Csipkes. 1999. P. Practical simulation exercises. s a a¸ ¸ ¸a 2.CMOS analog circuit design. UTPres. Lelia Fe¸tilˇ .Circuite integrate analogice II.

A. J-T.Analog Integrated Circuits. Wu .Multiple-Transistor Gain Stages . 1999. 146 Ci rcu ite In t eg r Doris Csipkes at e An alo gic e 5. editura Foton International. Manolescu . 2002 .Lecture Notes.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 6. AMPLIFICATOARE DIFERENTIALE ¸ 4. National Chiao-Tung University. Taiwan.

AO-CMOS sau cu capacitˇ¸i comutate. iar comportamentul ¸a In as ¸a circuitului poate fi modelat cu unul sau mai multi poli ¸i zerouri de transmisie.Capitolul 7 Amplificatoare operationale ¸ 7.ˆ filtrele AO-RC. ˆ cazul ideal cˆ¸tigul este independent as In as de frecventˇ. Ci rcu .ca ¸i comparatoare de vitezˇ micˇ sau medie. dintre care cele ¸ ın ¸ mai uzuale sunt: eg r Amplificatoarele operationale pot fi considerate ˆ cazul ideal surse de tensiune ¸ ın comandate ˆ tensiune. s a a ite In t Amplificatoarele operationale se folosesc ˆ numeroase aplicatii. cˆ¸tigul dorit este obtinut prin cascadarea cˆtorva a as ¸ a etaje de amplificare. ¸ s at e An alo gic e . structura internˇ a AO trebuie sˇ permitˇ conversii succesive tensiunea a a curent ¸i apoi curent-tensiune. ın as Pentru a obtine cˆ¸tigul specificat (ˆ general de ordinul miilor sau zecilor de ¸ as ın mii). Circuitul de intrare al fiecˇrui etaj din structura s a amplificatorului operational converte¸te tensiunea diferentialˇ de intrare ˆ cu¸ s ¸ a ın rent diferential. ˆ AO reale cˆ¸tigul depinde de frecventˇ.ˆ amplificatoarele cu cˆ¸tig variabil. s ın ¸ . ın at . Astfel.ca detector de erori ¸i amplificator ˆ sistemele cu reactie. ale cˇror tensiuni de ie¸ire depind de tensiunea de intrare ın a s cu factorul de scalare numit cˆ¸tig. Acest curent este reconvertit ˆ tensiune de cˇtre circuitul de ¸ ın a sarcinˇ al etajului.1 Introducere .

a ın Etajele acestuia s-au ales sˇ fie de tipul amplificator simplu ˆ conexiune sursˇa ın a comunˇ. . . AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ Dacˇ notˇm cu Gm cˆ¸tigul de conversie tensiune-curent.2: Exemplu concret de implementare a unui amplificator simplu cu etaje cascadate 148 Doris Csipkes VDD . iar cu Rout cˆ¸tigul a a as as curent-tensiune. (Gmn Routn ) · VDD Circuit de sarcina Circuit de sarcina An Mn Schema de principiu a unui amplificator cu n etaje este prezentatˇ ˆ Figura 7. ın ¸ a a at e I–›V alo Circuit de sarcina Rech1 M1 M2 eg r Vin Rech2 Figura 7. Astfel.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7.1) V–›I VDD Vin M1 M2 Mn Figura 7.1: Ilustrarea principiului conversiilor succesive ˆ amplificatoare ın cu etaje multiple ite I–›V In t VDD I–›V Ci rcu R1 R2 V–›I V–›I gic e Vout Rechn Rn Vout (7. atunci pentru un AO cu n etaje cˆ¸tigul de joasˇ frecventˇ se as a ¸a scrie: A0 = (Gm1 Rout1 ) · (Gm2 Rout2 ) .1. ¸i a ınt s s anume: pe fiecare tranzistor se face conversia tensiune-curent. iar apoi curentul din drenˇ este convertit ˆ a ınapoi ˆ tensiune pe rezistenta echivalentˇ de sarcinˇ. se poate ˆ ¸elege u¸or principiului conversiilor succesive.

s a s a ¸ a ˆ categoria amplificatoarelor care se bazeazˇ pe cascadarea mai multor etaje In a pentru a obtine cˆ¸tigul dorit. ¸ as Cˆ¸tigul mˇrit al unui AO se poate realiza nu numai prin cascadarea mai multor as a etaje.3. ˆ cele ce urmeazˇ vor fi studiate diferite topologii de amplificatoare a In a operationale.2 Amplificatorul operational Miller se folose¸te pentru aplicatiile unde functiona¸ s ¸ ¸ rea la frecvente ˆ ¸ ınalte nu este criticˇ. avˆnd schemele bloc din Figura 7. fiecare aducandu-¸i aportul la cˆ¸tigului final.2. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ Un exemplu concret de implementare este arˇtat ˆ Figura 7. In ¸ iar conversia I-V se face pe sarcina acestuia. ¸ s a a ˆ structurile practice de AO prima conversie V-I se face pe un etaj diferential. Existˇ douˇ variante de implementare ale a a a acestuia. sursˇ de a a curent sau oglindˇ de curent ˆ fun¸tie de cˆ¸tigul pe care dorim sˇ-l obtinem a ın c as a ¸ ¸i de topologia impusˇ (ie¸ire asimetricˇ sau diferentialˇ). ci ¸i prin folosirea unui s as s singur etaj de amplificare cu o structurˇ avˆnd rezistenta de ie¸ire mare. care poate fi rezistivˇ. cu ¸i farˇ repetor la ie¸ire. Acesta este cazul AO cascodˇ telescop ¸i cascodˇ as as a s a pliatˇ.3: Schemele bloc ale AO Miller a) farˇ ¸i b)cu repetor la ie¸ire as s Amplificatorul operational Miller ¸ VDD An Vout +1 alo Vout Doris Csipkes gic e 149 . ¸ eg r -A2 a) CM at CM Vin A1 In t Etaj diferential de intrare Etaj inversor e ite Vin A1 -A2 Etaj inversor Etaj diferential de intrare Etaj de iesire 7. ceea ce a a ¸ s implicˇ ¸i un cˆ¸tig ridicat.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. reprezentantul cel mai cunoscut este AO Miller. s a s a Ci rcu b) Figura 7. ˆ acest scenariu a ın In circuitul de sarcinˇ este o simplˇ rezistentˇ care determinˇ valoarea aproximativˇ a a ¸a a a a rezistentei de ie¸ire echivalente corespunzˇtoare fiecˇrui etaj.

Se poate observa cˇ fiecare etaj de cˆ¸tig este modelat ın a as 150 Ci rcu ite Figura 7.4. are rezistenta de ie¸ire mare ¸i se a a s ¸ s s poate numi amplificator transconductantˇ. as a ¸a Doris Csipkes . Tranzistoarele M1 . deoarece livreazˇ la ie¸ire curent. ¸a s s a ¸a s a ˆ caz ideal zero. cˆ¸tigul repetorului este aproximativ egal cu unitatea. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ M3 M4 eg r M2 at M1 e Vip Vbiasn Vim An M6 In t M7 M5 Schema implementatˇ la nivel de tranzistor a amplificatorului operational Miller a ¸ este aratatˇ ˆ Figura 7. as gic e Varianta simplˇ. s s Astfel. iar M3 -M4 sarcina acestuia de tip oglindˇ de curent.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. Cel de-al doilea etaj este un ¸ amplificator inversor simplu.4: Schema AO Miller simplu alo VDD Vout CL VSS Structura unui AO Miller cu repetor la ie¸ire este bazatˇ pe un amplificator s a transconductantˇ ¸i un etaj de ie¸ire avˆnd o rezistentˇ de ie¸ire (Rout ) micˇ. Varianta de AO Miller cu repetor la ie¸ire poate comanda ın s sarcini rezistiv-capacitive. ¸a a s Acest tip de AO poate comanda sarcini strict capacitive farˇ a fi influentat a ¸ cˆ¸tigul de joasˇ frecventˇ. farˇ etaj repetor la ie¸ire. s Modelul echivalent de semnal mic ¸i ˆ a frecventˇ corespunzˇtor AO Miller s ınaltˇ ¸a a este dat ˆ Figura 7.5. Amplificatorul a diferential este polarizat de sursa de curent M5 . constituit din M6 ¸i M7 . La joasˇ frecventˇ rezistenta de sarcinˇ (RL ) va a ¸a ¸ a determina tensiunea de ie¸ire din divizorul de tensiune format din Rout ¸i RL .M2 formeazˇ etajul diferential a ın a ¸ de intrare.

C1 = CBD2 + CBD4 + CGS6 + CGD6 (Gm2 R2 )    C = C ∼ 2 BD6 + CBD7 + CGD7 + CL = CL ite In t 1 1 Gm2 R2 || sC1 sC2 Gm1 R1 Gm2 R2 = (1 + sR1 C1 ) (1 + sR2 C2 ) eg r at Conform acestui model. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ V Vin alo R2 C2 Gm1Vin R1 C1 Gm2V Figura 7. din acest motiv nu ¸ a ¸ au fost modelate. Condensatorul C1 este mult mai mic s s a decˆt C2 deoarece primul este format din capacitˇ¸ile parazite ale tranzistoarelor a at conectate la nodul intermediar al circuitului. Oglinda de curent M3 -M4 introduce un pol ¸i un zero negativ s la frecvente ˆ ¸ ınalte unde nu influenteazˇ functionarea AO.3) 151 . Gm2 = gm6    R = r R2 = rDS6 || rDS7 1 DS2 || rDS4 . avˆnd a s a a ın a parametrul Gm .5: Modelul echivalent de semnal mic a AO Miller simplu A(s) =Gm1 R1 || Parametrii de semnal mic au urmˇtoarele expresii: a  Gm1 = gm1 .2) se observˇ cˇ circuitul are doi poli: unul dat de nodul a ¸ a a de ie¸ire ¸i celˇlalt de nodul intermediar. iar cel de-al doilea include pe lˆngˇ a a capacitˇ¸ile parazite ¸i condensatorul de sarcinˇ. (7. functia de transfer a amplificatorului operational este ¸ ¸ de forma: e An = VDD Analizˆnd ecuatia (7.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7.2) (7. O altˇ observatie este aceea cˇ at s a a ¸ a Ci rcu Doris Csipkes gic e Vout cu rezistenta echivalentˇ vˇzutˇ la ie¸irea etajului ˆ paralel cu capacitatea ¸ a a a s ın echivalentˇ a acestui nod ¸i o sursˇ de curent comandatˇ ˆ tensiune.

a a s ınaltˇ ¸a Cˆ¸tigul de tensiune continuˇ ¸i polii functiei de transfer sunt dati ˆ sistemul as as ¸ ¸ ın de ecuatii (7. Din aceste considerente ¸ s s a rezultˇ cˇ polul p1 este cel dominant ¸i p2 este polul de ˆ a frecventˇ. Gain BandWidth) ¸ as a este apropiatˇ de -180 ◦ . Astfel la frecventa unde amplitudinea ¸ ¸ a ¸ 152 gic e f p2* (7.4).Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. ın An b) -90 -180 ite A(s) f A(s) -90 -180 Ci rcu mj mj a) Figura 7. ale AO ˆ buclˇ deschisˇ. caracteristicile de amplia ın tudine ¸i fazˇ. sunt s a ın a a date ˆ Figura 7. ¸  A0 = Gm1 R1 Gm2 R2      1 fp1 = 2πR2 C2     1 f =  p2 2πR1 C1 alo p1 p2 GBW |A(s)| eg r p1 p2 In t GBW f at e |A(s)| p1* Considerˆnd scenariul ˆ care p1 este polul dominant.6: Rˇspunsul ˆ frecventˇ a AO ˆ buclˇ deschisˇ a ın ¸a ın a a Din inspectia caracteristicilor de frecventˇ se poate vedea cˇ valoarea fazei la ¸ ¸a a frecventa unde cˆ¸tigul este zero dB (notatˇ GBW. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ rezistentele R1 ¸i R2 sunt de acela¸i ordin de mˇrime. eng. Acest fapt se datoreazˇ celor doi poli apropiati. ambii a a ¸ situati la frecvente mai mici decˆt GBW.6 a). aproximate prin asimptotele lor.4) f Doris Csipkes .

Pentru ¸ a a realiza stabilitatea neconditionatˇ. capacitatea a grilˇ-drenˇ a tranzistorului M6 este mˇritˇ cu o capacitate pasivˇ CM . CM . marginea de fazˇ se recomandˇ sˇ fie mai ¸ a a a a mare decˆt 45◦ . conectate ˆ at ıntre nodul intermediar ¸i nodul de ie¸ire al circuitului. Separarea ¸ a ¸ a ˆ frecventˇ a celor doi poli are ca efect cre¸terea marginii de fazˇ. Practic.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ este unitarˇ. inversor. s s eg r M4 at CM M2 e M6 M7 M3 In t M1 ite Vip Vim M5 Vbiasn Ci rcu Figura 7. faza a scˇzut deja douˇ decade ajungˆnd ˆ jurul valorii de -180◦ . un pol deplasˆndu-se la ¸a ¸ a frecvente mai joase. a a a a ın ˆ aceste conditii marginea de fazˇ este insuficientˇ pentru a asigura stabilitatea In ¸ a a neconditionatˇ a amplificatorului ˆ buclˇ ˆ ¸ a ın a ınchisˇ. a a a Solutia la acestˇ problemˇ este a¸a numita procedurˇ de compensare a carac¸ a a s a teristicii de frecventˇ. iar celˇlat pol la frecvente mai mari decˆt GBW. Prin aceasta polii sunt separati.7: Schema AO Miller compensat Schema AO Miller compensat este prezentatˇ ˆ Figura 7. a Din conditia de stabilitate a lui Barkhausen rezultˇ cˇ faza nu trebuie sˇ fie mul¸ a a a tiplu de 180◦ la frecventa egalˇ cu produsul amplificare-banda (GBW). Concret. Compensarea este a ın realizatˇ folosind efectul Miller pe etajul al doilea. O valoare a marginii de fazˇ de 60◦ asigurˇ stabilitatea simula a a tan cu compromisul overshoot minim ¸i vitezˇ de variatie a tensiunii de ie¸ire s a ¸ s maximˇ al rˇspunsului la semnal treaptˇ. CM va fi reflectatˇ la ie¸irea etajului as a s An VDD Vout VSS alo CL Doris Csipkes gic e 153 . Deoarece a a a a a cˆ¸tigul etajului al doilea este ridicat.7. ın ¸a s a compensarea Miller se face cu ajutorul unei capacitˇ¸i.

rezultˇ ın s ın s a sistemul de ecuatii (7. tranzistorul M6 poate fi considerat ˆ ın conexiune de diodˇ. ın a Aditional.5) Dupˇ eliminarea variabilei V corespunzˇtoare nodului intermediar al circuitului.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. iar polul corespunzˇtor nodului se va deplasa la frecvente mai a a a ¸ joase.8: Modelul echivalent de semnal mic a AO Miller compensat Scriind teorema lui Kirchhoff ˆ nodul intermediar ¸i ˆ nodul de ie¸ire. devenind polul dominant ˆ urma compensˇrii. V Vin eg r at CM R1 C1 Gm2V R2 C2 Vout Gm1Vin Figura 7. a a rezultˇ urmˇtoarea functie de transfer: a a ¸ 154 Doris Csipkes . rezistenta de ie¸ire a etajului de cˆ¸tig ridicat va fi redusˇ de cˇtre ¸ ¸ s as a a reactia negativˇ prin capacitatea de compensare. rezistenta de ie¸ire se poate aproxima cu 1/gm6 . In ın s oglinzii de curent ¸i zeroul pozitiv datorat efectului Miller pe tranzistoarele de s intrare. Astfel. Modelul echivalent de semnal mic ¸i ˆ a frecventˇ al AO Miller compensat s ınaltˇ ¸a ˆ acest model s-au ignorat polul ¸i zeroul datorat este prezentat ˆ Figura 7. a ¸ s Reducerea acestei rezistente echivalente are drept efect translatarea polului dat ¸ de nodul de ie¸ire a AO la frecvente mai ˆ s ¸ ınalte. Drept urmare.5). ¸ Ci rcu  G V + V + V sC + sC (V − V ) = 0  m1 in 1 out M  R1  sC (V − V ) = G V + Vout + sC V  M out m2 2 out R2 ite In t e An alo gic e VDD (7. capacitatea echivalentˇ a acestui ¸ a a a nod va fi mˇritˇ. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ diferential cu valoare mˇritˇ. Datoritˇ faptului cˇ la frecven¸ a a a ¸e ˆ t ınalte CM este un scurtcircuit virtual.8.

forma ¸ In a ¸ generalˇ a functiei de transfer se scrie ca ˆ ecuatia (7.8) 155 . ˆ conformitate cu aceastˇ observatie. In ın ¸ s a presupune cˇ polul al doilea este situat la frecventˇ mult mai ˆ a decˆt polul a ¸a ınaltˇ a dominant. ωp2 >> ωp1 . ωp2 ¸i un zero pozitiv la ωrhz (eng. rezultˇ: a a a  A0 = Gm1 R1 Gm2 R2     1 ω = 1 =  p1   b [C2 R2 + C1 R1 + CM (R1 + R2 ) + CM Gm2 R1 R2 ]    b C2 R2 + C1 R1 + CM (R1 + R2 ) + CM Gm2 R1 R2 ωp2 = =   a R1 R2 [C1 C2 + CM C1 + CM C2 ]      G  ω  rhz = m2  C Ci rcu ite In t M Pentru a simplifica expresiile polilor ¸i ale zeroului se ¸ine cont de urmˇtoarele s t a aproximˇri: a Doris Csipkes gic e (7.7). Utilizˆnd aceastˇ aproximare.7). a ¸ ın ¸ A0 1 − A (s) = s 1+ ωp1 at e s ωrhz An alo  CM   Gm1 Gm2 R1 R2 1 − s   Gm2 A(s) = Vout =   2 a + sb + 1 Vin s a = R R (C C + C C + C C )   1 2 1 2 1 M 2 M     b = R1 C1 + R2 C2 + (R1 + R2 ) CM + Gm2 R1 R2 CM eg r s 1+ ωp2 Determinarea expresiei polilor ¸i a zeroului se face prin identificarea coeficientilor s ¸ ˆ vederea simplificˇrii calculelor se termenilor ˆ s din relatiile (7. Din nou s-au ignorat polii ¸i zerorurile de ˆ a frecventˇ s ınaltˇ ¸a introduse de oglinda de curent. care nu influenteazˇ functia de transfer ˆ re¸ a ¸ ın giunea frecventelor de interes.7) (7. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ Examinˆnd ecuatia (7.6) (7.6) ¸i (7. Right ¸ s Halfplane Zero).6) se poate vedea cˇ functia de transfer a circuitului a ¸ a ¸ are doi poli la frecventele ωp1 .Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7.

ˆ paragraa a In ful urmˇtor sunt deduse relatiile de dimensionare a condensatorului CM pornind a ¸ de la o valoare impusˇ a marginii de fazˇ.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. Aditional.1 Dimensionarea condensatorului Miller pentru stabilitate neconditionatˇ ¸ a ite Dimensionarea condensatorului Miller CM este problema cheie pentru a asigura marginea de fazˇ suficient de mare a amplificatorului cu douˇ etaje. trebuie luat ın a 156 Ci rcu 7. ın at e An gic e (7. prin urmare se poate utiliza modelul cu pol pseudo-dominat. Gm2 R2 .6 b). Efectul Miller se menifestˇ prin mˇrirea capacitˇ¸ii echivalente a a at la nodul intremediar. Modelul cu pol pseudo-dominant ˆ ınseamnˇ cˇ primul etaj a a ın va fi considerat un integrator ideal. iar fp1 << a a ¸ ın ¸a ın a fp2 . cu polul specific ˆ origine (polul dominant p1 al AO). avˆnd defazaj de −90◦ la orice frecventˇ.9) Doris Csipkes . Caracteristicile de frecventˇ ale circuitului compensat ¸ ¸a sunt date ˆ Figura 7. as . Polul p2 este translatat la frecventˇ ˆ a datoritˇ ¸a ınaltˇ a scurtcircuitului realizat de CM ¸i conexiunii virtuale de diodˇ a tranzistorului s a M6 la frecvente mari. ¸tiind cˇ zeroul a ¸a ¸ s a pozitiv introduce un defazaj suplimentar ˆ caracteristica de fazˇ.capacitatea de sarcinˇ este mult mai mare decˆt capacitatea parazitˇ a a a a nodului intermediar → CL >> C1 . efectele lor nu se vor suprapune.2. a a In t eg r Din expresiile polilor se observˇ cˇ p1 este situat la frecvente joase datoritˇ a a ¸ a efectului Miller. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ .9).etajul al doilea are un cˆ¸tig ridicat → Gm2 R2 >> 1. Capacitatea reflectatˇ are valoarea amplificatˇ de cˆ¸tigul a a as etajului al doilea. Expresiile aproximative ale frecventelor polilor ¸i a zeroului rezultˇ ca ˆ sistemul ¸ s a ın (7.  1 f ∼   p1 = 2πG R R C   m2 1 2 M    Gm2 f ∼  p2 = 2πC2      Gm2 f  rhz = 2πCM alo Considerˆnd cˇ polii sunt separati ˆ frecventˇ ˆ urma compensˇrii.

10) (7.11) (7. 22 · GBW . s a An alo Considerˆnd. zeroul pozitionat la frecventˇ de zece ori mai mare a ¸ ¸a decˆt GBW . se poate calcula frecventa polului al doilea raportatˇ la GBW a ¸ a pentru o valoare a marginii de fazˇ impusˇ. ¸ tan Doris Csipkes gic e (7.2. utilizˆnd relatiile (7. Slew-Rate). iar pentru mφ = 60◦ se obtine fp2 = 2. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ ˆ calcul ¸i efectul acestuia asupra marginii de fazˇ. 22 · GBW .2 Viteza de variatie a tensiunii de ie¸ire. Astfel. ¸ Ci rcu Viteza de variatie a tensiunii de ie¸ire la AO Miller ¸ s ite CM = CL · In t  GBW = A0 fp1 = Gm1   2πCM   fp2 ∼ Gm2 = 2πCL eg r at e ˆ practicˇ. ˆ aceste conditii. este un ¸ s a parametru de ˆ a frecventˇ ¸i semnal mare al amplificatoarelor operationale. overshoot ¸i s viteza de variatie a tensiunii de ie¸ire. valoare care asigurˇ un compromis ˆ a ıntre stabilitate. dacˇ valoarea raportului ¸ s a dintre fp2 ¸i GBW este cunoscutˇ. pentru mφ = 45◦ rezultˇ a a a fp2 = 1.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. amplificatorul Miller se proiecteazˇ pentru o margine de fazˇ In a a a mφ = 60◦ .11).12) 157 . Prin urmare. rezultˇ raportul s a a ¸ a dintre capacitatea Miller ¸i a celei de sarcinˇ. notatˇ SR (eng. ınaltˇ ¸a s ¸ Acesta se define¸te ca rata maximˇ cu care poate varia tensiunea de ie¸ire a s a s amplificatorului operational. se obtine ın s a In ¸ ¸ expresia marginii de fazˇ dupˇ cum urmeazˇ: a a a mφ = 90◦ − tan−1 GBW fp2 − tan−1 GBW frhz Capacitatea de compensare se dimensioneazˇ conform urmˇtoarei relatii: a a ¸ Gm1 · Gm2 1 90◦ − mφ − tan−1 GBW frhz 7. de exemplu.

a s ın s Capacitatea de compensare CM se va ˆ arca de la acest curent furnizat de ıncˇ oglindˇ. ˆ acest caz. In a dintre curentul de ˆ arcare ¸i capacitatea echivalentˇ asociatˇ fiecˇrui nod ˆ ıncˇ s a a a ın parte. CM CL An CM = alo I5 CM Dacˇ amplitudinea semnalului de intrare depˇ¸este o valoare criticˇ. iar curentul s de polarizare al etajului descarcˇ direct condensatorul CM .Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. a ın 158 gic e (7. Sensul curentului a este desenat cu linie punctatˇ. expresia SR se poate scrie dupˇ cum urmeazˇ: a a ite Figura 7. a s tot curentul de polarizare se regˇse¸te ˆ M1 ¸i prin oglinda de curent M3 . atunci tot a as a curentul dat de sursa de curent care polarizeazˇ etajul diferential va trece prin a ¸ unul dintre tranzistoarele de intrare M1 sau M2 . ˆ a a ın In cazul unei tensiuni negative la intrare.9. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ VDD M3 M4 at eg r M2 M1 e -A2 CL Vout Vip Vim Vbiasn Ci rcu La determinarea vitezei de variatie a tensiunii de ie¸ire trebuie ¸inut cont de ¸ s t ˆ formula finalˇ a SR-ului apare raportul minim fiecare nod al circuitului. Pentru AO Miller. tranzistorul M1 conduce ¸i M2 este blocat.9: Sensul curentului de polarizare ˆ AO Miller pentru tensiuni ın de intrare pozitive ¸i negative s In t M5 VSS SR = dVout = min dt I5 I6 . Sensul curentului este reprezentat cu linie continuˇ ˆ Figura 7. Pentru ¸ o tensiune pozitivˇ la intrare.M4 . M1 este blocat ¸i M2 conduce. Astfel. Blocarea uneia sau a celeilalte dintre ramurile etajului diferential depinde de semnul tensiunii de intrare.13) Doris Csipkes .

AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ 7. formatˇ din tranzistoarele M3 -M4 .Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7.11: Modelul echivalent pentru varianta complet diferentialˇ ¸ a Doris Csipkes gic e VDD VSS Vout Vom 159 .10: Schema AO Miller complet diferential ¸ Avantajele prelucrˇrii de semnal diferentiale au fost punctate ˆ capitolul ”Ama ¸ ın plificatoare Diferentiale” ¸i datoritˇ acestora. a a s ¸ Vop alo M8 CM Vop M9 Figura 7.3 Amplificatorul operational Miller complet diferential ¸ Schema AO Miller complet diferential este prezentatˇ ˆ Figura 7.10. este posibilˇ sˇ culegem semnalul de ie¸ire diferential. cu diferenta cˇ etajul de intrare are ¸ a sarcina de tipul sursˇ de curent. ˆ lanturile de prelucrare a sem¸ s a ın ¸ nalului sunt preferate structurile complet diferentiale.2. ¸ Circuitul este similar cu AO Miller simplu. iar etajul al a a doilea este dublat. Astfel. ¸ a ın M3 M4 M6 Vbiasp CM M1 M2 Vip M5 Vim M7 Vom Vbiasn at Ci rcu ite In t eg r CM Vip Vin Gm1Vin R1 C1 V CM Gm2V R2 C2 Vim e An CL Figura 7.

2.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7.12: Schema AO Miller cu etaj repetor de ie¸ire s 160 gic e (7. a t ¸ In t Schema AO Miller cu etaj repetor de ie¸ire este datˇ ˆ Figura 7. avˆnd cˆ¸tig unitar. a ın s at CM M7 e 7. s a as VDD M3 M4 M6 M8 Ci rcu ite eg r Amplificatorul operational Miller cu etaj repetor de ie¸ire este folosit ca sursˇ ¸ s a de tensiune comandatˇ ˆ tensiune ¸i poate comanda sarcini rezistiv-capacitive. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ Schema de semnal mic ¸i ˆ a frecventˇ este datˇ ˆ Figura7. s ınaltˇ ¸a a ın Parametrii de semnal mic se exprimˇ ˆ mod similar ca la varianta cu ie¸ire a ın s asimetricˇ.11. Tranziss a ın toarele M8 si M9 constituie bufferul de ie¸ire. R2 = 2 (rDS6 || rDS7 )   1 C1 = · [CBD2 + CBD4 + CGS6 + (CGD6 + CM ) A2 ]   2      C2 = 1 · (CBD6 + CBD7 + CL ) ∼ CL = 2 2 alo Vout CL VSS M1 M2 Vip Vim M5 Vbiasn Figura 7.4 Amplificatorul operational Miller ¸ cu etaj repetor de ie¸ire s An M9  gm6 g Gm1 = m1 . dar trebuie ¸inut cont de conexiunile diferentiale ale componentelor. Gm2 =   2 2    R1 = 2 (rDS2 || rDS4 ) .12.14) Doris Csipkes .

15).16) Doris Csipkes 161 . ˆ a. rezistenta ¸i capacitatea s ¸ s echivalentˇ a bufferului de ie¸ire se scriu: a s  C2 = CBD6 + CBD7 + CGD7 + CGD8   1 ∼ 1 R3 = rDS9 || =  gm8 gm8   C3 = CBD8 + CBS9 + CGS8 + CGD9 + CL ∼ CL = ite (7. s Vout VDD In t (7. G2 ¸i R2 sunt acea¸i ca la AO Miller s s fˇrˇ etaj repetor din ecuatia (7. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ V CM alo AV=1 Vin Gm1Vin R1 C1 Gm2V R2 C2 Figura 7.13: Modelul echivalent de semnal mic ¸i ˆ s ınaltˇ frecventˇ pentru a ¸a circuitul din Figura 7.3).15) Ci rcu Parametrii de semnal mic G1 . ın ¸ e An gic e R3 C3 Modelul echivalent de semnal mic ¸i ˆ a frecventˇ este arˇtat ˆ Figura 7. R1 . s ınaltˇ ¸a a ın Etajul de ie¸ire este modelat cu o sursˇ de tensiune comandatˇ ˆ tensiune s a a ın avˆnd cˆ¸tig unitar ¸i ˆ serie cu ea este conectatˇ rezistenta echivalentˇ de a as s ın a ¸ a ie¸ire a bufferului. cu ¸ a diferenta cˇ etajul repetor de ie¸ire introduce un pol deˆ a frecventˇ aditional.9  CM   Gm1 Gm2 R1 R2 1 − s    Gm2 A(s) =   2 a + sb + 1) (1 + sR C ) (s 3 3  a = R1 R2 (C1 C2 + C1 CM + C2 CM )      b = R C + R C + (R + R ) C + G R R C 1 1 2 2 1 2 m2 1 2 M M eg r at Functia de transfer a circuitului este similarˇ cu cea a AO Miller simplu. expresia lui C2 se modificˇ datoritˇ aa ¸ Insˇ a a influentei capacitˇ¸ilor parazite ale etajului repetor asupra capacitˇ¸ii echivalente ¸ at at din nodul de ie¸ire a amplificatorului simplu. C2 . expresia lui A(s) este ˆ conformitate cu ecuatia (7.13. ¸ a s ınaltˇ ¸a ¸ Astfel. Astfel. C1 .Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7.

Polul de ˆ a frecventˇ s-a mutat mai sus s ınaltˇ ¸a ˆ frecventˇ. stabilitatea neconditionatˇ ¸i banda largˇ se pot obtine numai cu pretul ¸ as a ¸ ¸ unui consum de curent ridicat. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ Frecventele aproximative ale polilor ¸i a zeroului functiei de transfer sunt date ¸ s ¸ ˆ sistemul (7.17) (7.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. ın  fp1          fp2  ∼ = 1 2πGm2 R1 R2 CM 7. a a s ¸ Astfel. Etajul repetor de ie¸ire introduce un pol suplimentar ˆ functia s ın ¸ de transfer putˆnd contribui semnificativ la ˆ autˇ¸irea marginii de fazˇ. Drept a ınrˇ at a urmare.17). Metoda de proiectare a amplificatorului operational Miller ¸ ite In t mφ = 90◦ − tan−1 GBW fp2 eg r Analizˆnd aceste ecuatii se observˇ cˇ frecventa polului dominant a rˇmas a ¸ a a ¸ a aceea¸i ca la AO Miller simplu. ¸ ¸ Specificatiile considerate ˆ majoritatea aplicatiilor sunt urmˇtoarele: ¸ ın ¸ a 162 Ci rcu ıntre banDezavantajul compensˇrii Miller este acela cˇ impune un compromis ˆ a a dˇ. Datoritˇ acestei limitˇri AO Miller este utilizat a a cu precˇdere ˆ circuitele la care frecventa de functionare nu depˇ¸e¸te cˆ¸iva a ın ¸ ¸ as s at MHz. datoritˇ capacitˇ¸ii echivalente scˇzute a nodului de la intrarea ın ¸a a at a etajului repetor.2. marginea de fazˇ ¸i consumul de curent al amplificatorului operational.5 ˆ acest paragraf este prezentatˇ metoda completˇ de proiectare a unui ampliIn a a ficator operational Miller pentru specificatii impuse. expresia marginii de fazˇ trebuie completatˇ ca ˆ urmˇtoarea ecuatie: a a ın a ¸ at GBW frhz e An − tan−1 ∼ Gm2 = 2πC2  1  fp3 =   2πR3 C3       frhz = Gm2 2πCM − tan−1 alo GBW fp3 gic e (7.18) Doris Csipkes .

¸i ¸inˆnd cont de relatia dintre frecventa zeroului ¸i GBW datˇ ¸ s t a ¸ ¸ s a ˆ specificatii.produsul amplificare-bandˇ GBW ≥ 10M Hz.viteza maximˇ de variatie a tensiunii de ie¸ire SR ≥ 15V /µs. ¸ a . dupˇ cum urmeazˇ: a ¸ a a GBW = tan 90◦ − mφ − tan−1 fp2 GBW frhz Doris Csipkes gic e . 22GBW (7. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ . a .10). a Tip NMOS PMOS ID 50µA 50µA W/L 10µ/1µ 20µ/1µ Vod 174mV 225mV VT h 450mV 450mV Pasul 1: determinarea capacitˇ¸ii de compensare ˆ raport cu cea de sarcinˇ.tensiunea de overdrive a tranzistoarelor care nu rezultˇ din calcul se cona siderˇ Vod = 200mV . a .19) ⇒ fp2 ≥ 2. a ¸a .20) 163 Gm2 = 10Gm1 Determinarea raportului dintre frecventa polului al doilea ¸i produsul amplifica¸ s re-bandˇ se face pe baza ecuatiei (7.cˆ¸tigul de joasˇ frecventˇ A0 ≥ 60dB. pe care le repetˇm din nou ˆ a ın ecuatiile (7. vom avea: ın ¸ ite Ci rcu  GBW = Gm1   2πCM  Gm2 f  rhz = ⇒ 2πCM In t eg r Tabelul 7. a .zeroul pozitv sˇ fie situat la o frecventˇ frhz = 10GBW .19).1: Valorile parametrilor din setul de referintˇ ¸a at e An alo (7.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. as a ¸a .stabilitate neconditionatˇ cu mφ = 60◦ .alimentare simetricˇ VDD = −VSS = 3V . a ¸ s . at ın a Conform expresiilor deduse pentru GBW si frhz .capacitatea de sarcinˇ CL = 10pF .

5µA at e An Pe baza acestei relatii ¸i ¸tiind cˇ CL = 10pF . Gm2 = gm6 = 1. de legˇtura dintre transcoductantele celor douˇ ¸ a a ¸ a etaje dedusˇ ˆ (7.19) ¸i de expresiile lui GBW si fp2 .23) Doris Csipkes . rezultˇ relatia dintre capacitatea Miller ¸i cea de sarcinˇ: a ¸ s a  GBW = Gm1   2πCM  Gm2 f =  p2 ⇒ 2πCL CM = 2. putem alege capacitatea de ¸ s s a compensare CM = 2. 5pF . 57mS Gm1 = gm1 = 157µS. 5µA ⇒ G1 = 2πCM · GBW = 157µS Am arˇtat anterior cˇ ˆ a a ıntre transconductantele celor douˇ etaje exitˇ urmˇtoarea ¸ a a a relatie: ¸ Gm2 = 10Gm1 = 1. ¸ a Din expresia produsului amplificare-bandˇ putem obtine valoarea lui Gm1 : a ¸ Ci rcu ite GBW = Gm1 2πCM In t I5 = 37.21). ¸ Din formula vitezei maxime de variatie a tensiunii de ie¸ire se calculeazˇ curentul ¸ s a I5 astfel: SR = I5 CM ⇒ eg r I5 = SR · CM = 37.21) (7. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ Tinˆnd cont de acest rezultat.22) (7. 57mS (7.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. pe care le rescriem ˆ a ın s ın sistemul (7. alo CM ≥ 0. 5pF Pasul 2: calculul curentului de polarizare a etajului diferential. 22CL Pasul 3: calculul valorilor transconductantelor celor douˇ etaje.24) 164 gic e (7.

75µ W1 eg r at 2 Folosind setul de referintˇ pentru tranzistoare NMOS (I = 50µA.27) 165 Pasul 6: dimensionarea tranzistorului M5 Ci rcu Se face o nouˇ scalare pentru setul de parametrii doriti a ¸ (I5 = 37. Vod = ¸a 174mV. W1 /L1 ): ¸ 174m 239m e ⇒ An W1 2µ =2= L1 1µ (7. 7µ = 5. Vod1 = 239mV. Vod5 = 200mV. 75µA. 7 = L5 1µ W5 5.25) . 5µA. 5µ W5 174m 200m 2 ite In t W1 W2 2µ = = L1 L2 1µ ⇒ W5 5. W/L = 10µ/1µ) se face o scalare pentru a obtine setul de parametrii ¸ doriti (I1 = 18. restul Vod = 200mV Pasul 5: dimensionarea tranzistoarelor M1 -M2 50µ 10L1 = · 18.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. 7µ = L5 1µ Doris Csipkes alo gic e (7. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ Pasul 4: gˇsirea tensiunilor de ovedrive pentru tranzistoarele M1 -M2 a Stiind valorile transconductantei ¸i a curentului prin M1 . putem afla tensiunea ¸ ¸ s de overdrive a acestui tranzistor: 2I1 I5 = Vod1 Vod1 I5 = 239mV gm1 gm1 = ⇒ Vod1 = Vod1 = Vod2 = 239mV.26) (7. W5 /L5 ): 10L5 50µ = · 37.

5µ 166 gic e (7. Parametrii doriti sunt ¸ (I3 = 18. 75µA. 5 = L3 1µ Ci rcu I6 = 157µA Facem o nouˇ scalare pentru a obtine raportul dintre lˇ¸imea ¸i lungimea caa ¸ at s nalului lui M6 : 20L6 50µ = · 157µ W6 225m 200m 2 W6 40µ = 80 = L6 0.28) (7.30) (7. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ Pasul 7: dimensionarea tranzistoarelor M3 -M4 Din nou scalˇm. W/L = 20µ/1µ). rezultˇ curentul prin acesta conform ¸ a ecuatiei (7.29) ⇒ I6 = at ⇒ 1 · gm6 · Vod6 157µA 2 e Pasul 8: determinarea curentului prin etajul al doilea de cˆ¸tig ¸i dimensionarea as s lui M6 An W3 W4 9.28). se impune a ¸ conditia de echilibru a tensiunilor drenˇ-sursˇ.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. Vod = 225mV. 5µ = = L3 L4 1µ alo ⇒ W3 9. 75µ W3 225m 200m 2 Din formula transconductantei pentru M6 . 5µ = 9.31) Doris Csipkes . W3 /L3 ): 50µ 20L3 = · 18. ˆ aceste conditii tensiunile de ¸ a a In ¸ overdrive ale tranzistoarelor ce formeazˇ oglinda sunt egale: a (7. de data aceasta folosind setul de referintˇ pentru tranzistoare a ¸a PMOS (I = 50µA. Vod3 = 200mV. ¸ ite gm6 = 2I6 Vod6 In t Vod3 = Vod4 = Vod6 = 200mV eg r Pentru ca factorul de reflexie al oglinzii de curent M3 -M4 ¸i M6 sˇ nu depindˇ s a a de eroarea datoratˇ coeficientului de modulatie al lungimii canalului.

Sarcina acestuia a ¸ Ci rcu ite In t eg r at Vbiasn = VSS + VT hn + Vod5 = −3 + 0. a structurii ¸ s cascodˇ. 8µ = L7 1µ Doris Csipkes alo 23.14. O structurˇ care pentru acela¸i consum oferˇ o bandˇ mai largˇ este a s a a a amplificatorul cascodˇ telescop.32) .33) 167 W7 23. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ W6 40µ = L6 0. a Schema AO cascodˇ telescop este prezentatˇ ˆ Figura 7. tipic de ordinul MΩ-lor.3 Amplificatorul operational cascodˇ telescop ¸ a Dezavantajul major al AO Miller este acela cˇ pentru un consum rezonabil a putem obtine o bandˇ modestˇ. tre¸ a buie completatˇ prin rularea unor simulˇri atˆt de punct static de functionare a a a ¸ cˆt ¸i de curent alternativ ¸i se ajusteazˇ fin. 45 + 0. 8µ W7 = L7 1µ gic e (7. 35V e An (7. Limitarea se datoreazˇ metodei de compensare ¸ a a a Miller. a a ¸ ¸ 7. ˆ cˆteva iteratii geometria a s s a ın a ¸ tranzistoarelor pˆnˇ se obtin performantele dorite ale AO proiectat. Tensiunea de a a ın intrare se aplicˇ tranzistoarelor M1a -M1b din etajul diferential. 2 = −2. La aceastˇ variantˇ de AO cˆ¸tigul ridicat a a a as este asigurat de rezistenta de ie¸ire mare. 5µ Pasul 9: dimensionarea lui M7 50µ 10L7 = · 157µ W7 174m 200m 2 ⇒ Pasul 10: calculul tensiunii de polarizare Vbiasn Vbiasn = −2. 35V Observatie: metoda de dimensionarea a circuitului prezentatˇ anterior.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7.

14: AO cascodˇ telescop a Ci rcu Vin ite Modelul echivalent de semnal mic ¸i ˆ a frecventˇ corespunzˇtor AO cascodˇ s ınaltˇ ¸a a a telescop este dat ˆ Figura 7.15. Similar ca la AO cu compensare Milller s-au ın ignorat singularitˇ¸ile introduse de oglinda de curent cascodˇ M3a -M3b .15: Modelul echivalent de semnal mic al AO cascodˇ telescop a Conform acestui model functia de transfer a amplificatorului operational rezultˇ ¸ ¸ a 168 alo gic e . AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ este oglinda cascodˇ formatˇ din M3a -M3b ¸i M4a -M4b . Pentru a mˇri rezistenta a a s a ¸ de ie¸ire se utilizeazˇ cascoda de tip NMOS ˆ locul structurii simple de etaj s a ın diferential. ˆ ¸ Intreg etajul este polarizat cu sursa de curent implementatˇ cu M5 . at a D1a In t An Vout CL Vim VSS Gm2Vp Rout Cout Vout Doris Csipkes Gm1Vin D1b Figura 7.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. a VDD M4a M4b M3a M3b M2a M2b Vcasn M1a D1a Vip Vbiasn M5 at eg r Vp Rp Cp e D1b M1b Figura 7.

M5 alegem Vod = 250mV in vederea obtinerii unei bune ˆ ¸ ımperecheri. ¸ s La proiectare se considerˇ toate tranzistoarele polarizate ˆ regim saturat.amplitudinea maximˇ a semnalului de ie¸ire VsemnM AX = 0. 5V a s ite In t .capacitatea de sarcinˇ CL = 4pF . (1 + sRp Cp ) (1 + sRout Cout ) (7. a .35) 169 .  Rp ∼ =  2 gm2 C = C ∼  out BD2 + CBD3 + CGD2 + CGD3 + CL = CL        Cp = 1 (CBS2 + CGS2 + CBD1 ) 2 alo . Pentru tranzistoarele M4 . Vod = 200mV . a . a Pasul 1: domeniul maxim de variatie a semnalului la ie¸ire. Rout = gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4      2  Gm2 = gm2 . Prin a ın urmare. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ de forma: A(s) = Gm1 Rout Gm2 Rp . as a ¸a .alimentarea simetricˇ VDD = −VSS = 2V . tensiunea drenˇ-sursˇ a fiecˇrui tranzistor este mai mare decˆt tena a a a siunea sa de overdrive.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7.viteza maximˇ de variatie a tensiunii de ie¸ire SR ≥ 50V /µs. pentru a obtine o valoare mˇritˇ a a ¸ a a Ci rcu .cˆ¸tigul de joasˇ frecventˇ A0 ≥ 60dB.34) unde parametrii de semnal mic au urmˇtoarele expresii: a  Gm1 = gm1 .produsul amplificare-bandˇ GBW ≥ 53M Hz. avˆnd specificatile: a a ¸ e An Doris Csipkes gic e (7. a ¸ s eg r at ˆ cele ce urmeazˇ sunt prezentati pa¸ii de proiectare sistematicˇ a unui AO In a ¸ s a cascodˇ telescop. ˆ cazul tranzistoarelor cascodˇ se In a alege o valoare mai micˇ.

mai precis 0. s ın s a a Notˇm amplitudinea semnalului de ie¸ire cu VsemnM AX . s at ¸ Domeniul de variatie al tensiunii de ie¸ire trebuie ales astfel ˆ at tranzistoarele ¸ s ıncˆ sˇ nu ajungˇ ˆ regim liniar sau blocate. 170 Ci rcu ite In t eg r V  outM IN − VSS = VDS1 + VDS2 + VDS5    V  outM IN = VSS + Vod1 + Vod2 + Vod5 + 3∆V      ⇒ VoutM IN = −1.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. 1) = 2. ˆ care tensiunea de prag ¸i punctul static de functionare se deplaseazˇ ın s ¸ a cu temperatura ¸i cu neidealitˇ¸ile procesului de fabricatie.36) Doris Csipkes . a a ¸ s Pasul 2: calculul tensiunii de mod comun VM C . 35V at e An alo S-a notat cu VoutM AX ¸i VoutM IN tensiunea maximˇ. Tensiu¸ a a ¸ s nea de overdrive a tranzistoarelor de intrare M1 rezultˇ din specificatii ca fiind a ¸ Vod1 = 150mV . AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ transconductantei. 45V (7. limitele de variatie ale a a ın In ¸a ¸ tensiunii de ie¸ire se pot scrie: s  VDD − VoutM AX = VDS3 + VDS4    VoutM AX = VDD − (Vod3 + ∆V ) + (Vod4 + ∆V )       ⇒V  outM AX = 1. dupˇ cum se va arˇta la Pasul 5.37) Valoarea teoreticˇ maximˇ a tensiunii de ie¸ire suportate de circuit farˇ disa a s a torsiuni (limitare) este 2. acesta avˆnd valoarea a s a egalˇ cu jumˇtate din variatia semnalului de ie¸ire. a a Tensiunea drenˇ-sursˇ a fiecˇrui tranzistor se alege cu o margine ∆V = 100mV a a a pentru a pˇstra tranzistoarele ˆ regim saturat chiar ¸i ˆ cazul cel mai defavoa ın s ın rabil. s Rezultˇ cˇ variatia maximˇ vˆrf la vˆrf a tensiunii de ie¸ire este: a a ¸ a a a s ∆Vout = VoutM AX − VoutM IN = 1. Pentru aplicatia noastrˇ considerˇm variatia ¸ a a ¸ semnalului de ie¸ire de 1V . valoare normalˇ ˆ circuitele cu AO. 5V . ˆ consecintˇ. respectiv minimˇ instans a a tanee la ie¸irea circuitului. necesarˇ realizˇrii rezistentei de ie¸ire ridicate a AO. 35 − (−1. 1V gic e (7. 45V . Se pot alege s a ın ¸i alte valori ˆ limitele admise ¸i considerˆnd tensiunea de mod comun datˇ.

35 ite eg r De aceastˇ datˇ. 1 = 0. 6V . 25 + 0. 25 + 0. unde: An alo at VGS1 = Vod1 + VT hn = 0. rezultˇ VM Cmin = −0. 1 = 0. 15 + 0. Doris Csipkes gic e (7. tensiunea ¸ a ın ¸ grilˇ-sursˇ a tranzistoarelor de intrare ¸i cea drenˇ-sursˇ a tranzistorului ce ima a s a a plementeazˇ sursa de curent trebuie sˇ asigure functionarea dispozitivelor ˆ a a ¸ ın regim saturat. 45 = 0. VM Cmin − VSS = VGS1 + VDS5 .40). 6V VDS5 = Vod5 + ∆V = 0.41) 171 . a a a Pentru a afla valoarea minimˇ a tensiunii de mod comun. unde: In t Pe de altˇ parte. 2 + 0.40) Ci rcu  VDS1 = Vod1 + ∆V = 0. ¸ (7.38) (7. s s a VM Cin = VM Cout . 15 + 0.39) (7. 1 = 0. 25V  V = Vod2 + ∆V = 0. se ia cazul cel mai a defavorabil VM Cmin = −0. 1 = 0. Conform acestei conditii. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ Pentru ca AO sˇ functioneze corect atunci cˆnd este cascadat ˆ a ¸ a ıntr-un lant de ¸ amplificatoare. tot valoarea minimˇ a tensiunii de ie¸ire se poate obtine a a s ¸ conform ecuatiei (7. 6V . Limita inferioarˇ a domeniului de variatie a tensiunii de mod comun trebuie a ¸ sˇ permitˇ ca tranzistoarele de intrare M1a -M1b ¸i cel de polarizare al etajua a s lui diferential M5 sˇ fie ˆ regim saturat.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. 05V a e VM Cmin − VSS = VDS1 + VDS2 + VDS5 + VsemnM AX . 35 Rezultˇ VM Cmin = −1. 3V  DS2  VDS5 = Vod5 + ∆V = 0. tensiunile de mod comun la intrare ¸i ie¸ire trebuie sˇ fie egale.

variatia optimˇ a semnalului la ie¸ire este obtinutˇ atunci cˆnd In a ¸ a s ¸ a a tensiunea de mod comun este aleasˇ la aproximativ jumˇtatea intervalului dintre a a limitele admise pentru VM C .44) Doris Csipkes .43) (7. unde: VDS3 = Vod3 + ∆V = 0. Tensiunea VDS5 este s s ın conditionatˇ de valoarea tensiunii de mod comun la intrare. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ Limita superioarˇ a domeniului de variatie a tensiunii de mod comun trebuie sˇ a ¸ a permitˇ functionarea tranzistoarelor M3b ¸i M4b din oglinda de curent cascodˇ ˆ a ¸ s a ın regim saturat. s a s a VDD − (VM Cmax + VsemnM AX ) = VDS3 + VDS4 . 4V . deoarece ca ¸i la sursa de curent cascodˇ. ca fiind VM Cmax = 0. a a ın In ¸a tensiunea sa drenˇ-sursˇ se alege cu o margine de cel putin 100mV fatˇ de a a ¸ ¸a tensiunea de overdrive. atunci valoarea teoreticˇ calculatˇ a tensiunii instantaa a a nee la ie¸ire nu se mai conformeazˇ ecuatiei 7. Pasul 3: calculul tensiunilor de polarizare Vbiasn si Vcasn . ci este limitatˇ de tensiunea s a ¸ a grilˇ-sursˇ a tranzistorului de intrare ¸i de tensiunea drenˇ-sursˇ a lui M5 . Cˇderea de tensiune pe fiecare trana a a zistor trebuie sˇ permitˇ polarizarea acestuia ˆ regim saturat. 4V Dacˇ VM Cin = VM Cout . trebuie mai ˆ ai stabilite cˇderile de ıntˆ a tensiune drenˇ-sursˇ pe fiecare tranzistor. tensiunea de mod comun poate fi aleasˇ oriunde ˆ a ıntre -0. o posibilˇ valoare ar putea fi VCM = a 0V . 3V VDS4 = Vod4 + ∆V = 0. Vom aloca mai mult spatiu ˆ tensiune tranzistos ¸ ın rului cascodˇ. Se porne¸te cu a¸ezarea ˆ tensiune a tranzistorului M5 . tranzistorul care intrˇ a s a a 172 gic e (7. Prin urmare. chiar ¸i atunci cˆnd semnalul de ie¸ire atinge valoarea sa maximˇ.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. ˆ consecintˇ. 35V alo Rezultˇ valoarea maximˇ a tensiunii de mod comun. Pentru a determina tensiunile de polarizare. 85V a a Teoretic. astfel: ¸ a Ci rcu VM Cin − VSS = VGS1 + VDS5 ite In t eg r at ⇒ e An VDS5 = 1.36. Deoaa a s a a rece la M5 asigurˇm 1.6V ¸i +0.85V. 6V care rˇmˆn trebuie ˆ artiti a a a ımpˇ ¸ ¸ ˆ ıntre tranzistoarele M1 ¸i M2 . s ˆ practicˇ.42) (7. atunci restul de 0.

deoarece dispunem de 2V pe care sˇ-i ˆ artim ˆ a a a ımpˇ ¸ ıntre M3 ¸i M4 . alegem VDS1 = 0. 5V ¸i a as s VDS4 = 0.a¸ezare ˆ tensiune a s ın Acum se pot calcula tensiunile de polarizare.46). acest tranzistor sˇ fie la limita regimului saturat.35V M1b VMC=0V VSS=-2V alo Doris Csipkes gic e primul ˆ regim liniar este cel cascodˇ. a 173 .16 sunt marcate tensiunile drenˇ-sursˇ ¸i curentii prin tranzistoare. datoritˇ faptului s s a cˇ bugetul de tensiune alocat tranzistorului de intrare ¸i celui cascodˇ este prea a s a redus.5V M4a 100uA M3a eg r 200uA M5 100uA M3b In t Vcasn=0. In a as ¸ at M4b e VDD=2V VDS4=0.3V M2a M2b ite M1a VDS1=0.16: AO cascodˇ telescop .4V Figura 7. 5V . Prin urmare. VMC=0V VDS2=0. Cascodarea tranzistorului de intrare duce la o structurˇ nepotrivitˇ pentru egalia a tatea tensiunilor de mod comun de la intrare ¸i ie¸ire. Este posibil ca pentru valori mai mari ale tensiunii de overdrive a Min . conform ecuatiilor (7. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ ˆ Figura 7.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. 35V . ¸ s An VDS3=1. Aceasta.45) ¸i (7. 25V ¸i ın a s VDS2 = 0.25V Ci rcu VMC=0V Vbiasn=-1.3V VDS5=1.5V ˆ cazul tranzistoarelor PMOS nu mai este o problemˇ alocarea tensiunilor In a drenˇ-sursˇ. s Din nou alocˇm mai mult tranzistorului cascodˇ ¸i vom avea VDS3 = 1.

25 + 1. 3V An alo (7.51).49) (7.50) Doris Csipkes Pasul 4: determinarea curentului de polarizare a etajului diferential. astfel: ¸ e gic e (7. ¸ 174 In t Curentul prin cele douˇ ramuri ale etajului diferential este egal cu jumˇtate din a ¸ a curentul dat de sursa implementatˇ cu M5 . 45) + 0. 3V Vbiasn = −2 + (0. ite I5 = 200µA. a Gm1 = gm1 = 2πCL · GBW = 1. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ Vcasn − VSS =VGS2 + VDS1 + VDS5 ⇒ Vcasn = VSS + (Vod2 + VT hn ) + VDS1 + VDS5 Vbiasn − VSS = VGS5 ⇒ Vbiasn = VSS + (Vod5 + VT hn ) Dupˇ ˆ a ınlocuirea valorilor numerice ¸i efectuarea calculelor rezultˇ: s a Vcasn = −2 + (0. ¸ SR = I1 = I2 = I3 = I4 = I5 /2 = 100µA Din expresia lui GBW se poate calcula transconductanta Gm1 . 45) = −1. 2 + 0.45) (7. 25 + 0.47) (7.48) (7. ¸ Gm1 2πCL Ci rcu Pasul 5: calculul tensiunii de overdrive a tranzistoarelor de intrare. GBW = ⇒ Pe de altˇ parte transconductanta tranzistorului M1 se poate scrie conform a ¸ ecuatiei (7.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. 33mS eg r I5 CL ⇒ I5 = SR · CL = 200µA I1 = I2 = I3 = I4 = 100µA at Curentul I5 se obtine din expresia SR-ului.46) . 4 = 0.

Conform acestor valori ¸i folosind setul de referintˇ. se poate ın s ¸a calcula raportul W/L pentru fiecare tranzistor.5V 1.3.2. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ gm1 = 2I1 Vod1 (7. ˆ vederea diminuˇrii capacitˇ¸ilor parazite de la ie¸ire.53) 175 . rezultˇ a a ¸ a a geometria acestora. Vod1 = 2I1 = 150mV gm1 (7. Vod1 = 150mV Pasul 6: dimensionarea tranzistoarelor.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7.25V ref Vod Vod 2 Iref Wref L = · · I Lref W ref Vod Vod ⇒ Wref W I = · · L Lref Iref alo Particularizˆnd aceastˇ ecuatie pentru fiecare tranzistor din schemˇ. conform Tabelului 7.51) rezultˇ valoarea tensiunii de overdrive pentru tran¸ s a zistoarele M1a -M1b . Pentru dimensionarea tranzistoarelor se face urmˇtoarea scalare: a Ci rcu ite In t eg r 2 Vod 150mV 200mV 200mV 250mV 250mV at e An VDS 0. a ın a at s Doris Csipkes gic e (7. Pentru tranzistoarele cascodˇ M2 ¸i M3 s-a ales lungimea canalului mai redusˇ a s a decˆt a celorlate.3V 0. Tip M1a − M1b M2a − M2b M3a − M3b M4a − M4b M5 ID 100µA 100µA 100µA 100µA 200µA Tabelul 7.5V 0.45V 1.2: Curentii ¸i tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor ¸ s Curentii ¸i tensiunile de overdrive a tuturor tranzistoarelor din schemˇ sunt date ¸ s a ˆ Tabelul 7. 33mS.52) gm1 = 1.50) ¸i (7.51) Din ecuatiile (7.

3. 5µ M3 25.3: Valorile W/L a tranzistoarelor 7. circuitul de polarizare trebuie ie¸irea din drenele tranzistoarelor M2 .17. s necesarˇ pentru polarizarea tranzistoarelor cascodˇ PMOS. 5µ 0. a ¸ a a ın eg r Vop CL D1a M5 at M4b M3b e Vom M2b Schema AO cascodˇ telescop cu ie¸ire diferentialˇ se obtine din structura de a s ¸ a ¸ AO cascodˇ telescop cu ie¸ire simplˇ. Vcasn ¸i tensiunea de polarizare Vcasp . 4µ 1µ M5 Tabelul 7.17: AO cascoda telescop complet diferentialˇ ¸ a 176 An VDD M1b Vim VSS alo gic e Doris Csipkes 19. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ M W L M1 26. 4µ 1µ .Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. 3µ 0. In s sˇ furnizeze pe lˆngˇVcasn a a a tensiunile Vbiasn . 5µ M4 32. 9µ 1µ M2 7. a a M4a Vbiasp M3a Vcasp Ci rcu ite Vcasn In t M2a M1a D1b Vip Vbiasn Figura 7. Pentru aceasta se ˆ a s a ınlocuie¸te sarcina s oglindˇ de curent cascodˇ cu surse de curent cascodˇ ¸i se culege diferential a a a s ¸ ˆ acest caz.1 AO cascodˇ telescop complet diferential a ¸ Schema AO cascodˇ telescop complet diferentialˇ este datˇ ˆ Figura 7.

Circuite integrate analogice I

CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸

Modelul echivalent de semnal mic ¸i ˆ a frecventˇ este arˇtat ˆ Figura 7.18. s ınaltˇ ¸a a ın
D1a

Vin

Gm1Vin

Rp

Cp

Vp

e

An
Gm2Vp

alo
Rout

Un caz special ˆ constituie modul de generare a tensiunii de polarizare Vbiasp , ıl care este furnizatˇ de un circuit destinat reglajului tensiunii de mod comun. a Acesta are la intrarea sa componenta continuˇ a tensiunii instantanee de la a fiecare ie¸ire a AO diferential, pe care o comparˇ cu o tensiune de referintˇ, s ¸ a ¸a egalˇ chiar cu tensiunea de mod comun. Printr-o buclˇ de reactie negativˇ, prin a a ¸ a intermediul lui Vbiasp se regleazˇ curentul prin ramurile AO, pˆnˇ cˆnd tensiunea a a a a de mod comun la ie¸ire are valoarea doritˇ. ˆ literatura de specialitate se gˇsesc s a In a mai multe variante de implementare a circuitelor de reglaj a tensiunii de mod comun, dar acestea, apartinˆnd unei tematici mai avansate, nu fac obiectul ¸ a cursului nostru.

D1b

Figura 7.18: Modelul echivalent corespunzˇtor AO din Figura 7.17 a

7.4

Dezavantajul major al AO cascodˇ telescop ˆ constituie polarizarea problea ıl maticˇ a tranzistorului de intrare ¸i a celui cascodˇ NMOS, datoritˇ spatiului a s a a ¸ restrˆns ˆ tensiune care poate fi alocat acestora. Deoarece tensiunile de mod a ın

Ci rcu

 g Gm1 = m1 , Rout = 2 (gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4 )   2      Gm2 = gm2 , Rp ∼ 2 =   2 gm2 1   = Cout = (CBD2 + CBD3 + CGD2 + CGD3 + 2CL ) ∼ CL   2      Cp = 1 (CBS2 + CGS2 + CBD1 ) 2

ite

In t

Parametrii de semnal mic sunt dati ˆ urmˇtorul sistem de ecuatii: ¸ ın a ¸

eg r

at
(7.54)

Amplificatorul operational cascodˇ pliatˇ ¸ a a

Doris Csipkes

gic e
Cout Vout

177

Circuite integrate analogice I

CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸

Vbiasp Vcasp

M4

M3

An
VSD3
M3

VoutMC Vcasn VDS1 Vbiasn
M1 M2

VDS2 VinMC VGS1 VDSin
Min

e
VSS

VinMC VGS1
M2

VS1
M5

eg r
M5

Vbiasn

at
VSin

VSS

Ci rcu

 VoutM C − VS1 = VDS2 + VDS1  V − VS1 = VGS1  inM C  VinM C = VoutM C ⇒ VDS2 + VDS1 = VGS1

ite

ˆ Figura 7.19 a) este datˇ o sectiune din AO cascodˇ telescop. Dacˇ scriem In a ¸ a a cˇderea de tensiune dintre ie¸ire ¸i intrare, se poate demonstra afirmatia antea s s ¸ rioarˇ. a

In t

Figura 7.19: Sectiuni ale AO cascodˇ telscop ¸i AO cascodˇ pliatˇ ¸ a s a a

alo
Vbiasp
M4

VDD

VDD

Vcasp

VoutMC Vcasn Vbiasn

M1

VSS

O solutie la aceastˇ problemˇ ar fi ˆ ¸ a a ınlocuirea tranzistorului cascodˇ NMOS cu a unul PMOS, ca ˆ Figura 7.19 b). Tranzistorul cascodˇ PMOS introduce o ın a deplasare de nivel ¸i astfel diferenta tensiunilor drenˇ-sursˇ a tranzistorului de s ¸ a a intrare ¸i a celui cascodˇ PMOS trebuie sa fie egalˇ cu tensiunea grilˇ-sursˇ a s a a a a lui Min , conform ecuatiei (7.56). Astfel, se pot aloca cu o margine rezonabilˇ ¸ a

178

gic e

comun la intrare ¸i ie¸ire sunt egale, suma tensiunilor drenˇ-sursˇ a lui M1 ¸i s s a a s M2 este egalˇ cu tensiunea grilˇ-sursˇ a tranzistorului de intrare. Pentru o poa a a larizare corectˇ, valoarea tensiunii grilˇ-sursˇ se considerˇ insuficientˇ, ˆ cazul a a a a a ın cel mai defavorabil, pentru a acoperi echivalentul a douˇ tensiuni drenˇ-sursˇ. a a a Un caz concret a fost arˇtat ˆ exemplul de proiectare al AO cascodˇ telescop, a ın a unde 0,6V au fost alocati tranzistorului de intrare ¸i celui cascodˇ NMOS. ¸ s a

(7.55)

Doris Csipkes

Circuite integrate analogice I

CAPITOLUL 7. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸

tensiunile drenˇ-sursˇ tuturor tranzistoarelor din schemˇ, evitˆnd intrarea lor ˆ a a a a ın ˆ acest caz ecuatiile regim liniar sau blocat. Rezultˇ structura cascodˇ pliatˇ. In a a a ¸ 7.55 se rescriu dupˇ cum urmeazˇ: a a  VoutM C VcasnVSin = VDSin − VSD3 −  V − VSin = VGSin  inM C  VinM C = VoutM C ⇒ VDSin − VSD3 = VGSin Schema AO cascodˇ pliatˇ este prezentatˇ ˆ Figura 7.20. a a a ın
M4a M4b

Vbiasp

Iin

Iin

Vcasp

at
Icas

M3a

e

An
M3b

Mina

Minb

eg r

Vip

Vim

M2a

M5

In t

Vbiasn

M1a

Figura 7.20: Amplificatorul operational cascodˇ pliatˇ ¸ a a

Aceastˇ variantˇ de amplificator operational are douˇ etaje. Primul, format a a ¸ a din tranzistoarele Mina ¸i Minb converte¸te tensiunea diferentialˇ de intrare s s ¸ a ˆ curent ¸i apoi din nou ˆ tensiune pe rezistenta echivalentˇ a nodului de ın s ın ¸ a pliere. Acest nod prezintˇ o impedanta joasˇ, aproximativ egalˇ cu inversul a ¸ a a transconductantei tranzistoarelor cascodˇ PMOS. Al doilea etaj, este format cu ¸ a tranzistoare ˆ conexiune grilˇ-comunˇ ¸i amplificˇ curentul din nodul de pliere, ın a as a folosind rezistenta de ie¸ire a circuitului de valoare ridicatˇ. ¸ s a Modelul echivalent de semnal mic este acela¸i ca cel al AO cascodˇ telescop din s a Figura 7.15. Parametrii de semnal mic sunt dati ˆ sistemul de ecuatii (7.57). ¸ ın ¸

Ci rcu

ite

alo
VDD Vout
M2b

Icas
M1b

VSS

Doris Csipkes

gic e
CL

(7.56)

179

5 ∗ Iin .57) Doris Csipkes . a dupˇ cum se va aratˇ la Pasul 5.capacitatea de sarcinˇ CL = 4pF . Aditional. a . se a a a a considerˇ urmˇtoarele specificatii: a a ¸ alo  Gm1 = gmin . a . M4 . AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ .viteza maximˇ de variatie a tensiunii de ie¸ire SR ≥ 50V /µs. a ite In t . Rezultˇ cˇ limitele de variatie ale tensiunii de a ın a a ¸ ie¸ire sunt: s 180 Ci rcu Valorile tensiunilor de overdrive se aleg Vod = 250mV pentru tranzistoarele de polarizare M1 . 5V . Rout = gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4      2  Gm2 = gm3 . a at e An Pentru a arˇta metoda completˇ de proiectare a unui AO cascodˇ pliatˇ. as a ¸a . s a Tensiunea de overdrive a tranzistoarelor de intrare Min rezultˇ Vod = 160mV .amplitudinea semnalului de ie¸ire VsemnM AX = 0.alimentare simetricˇ VDD = −VSS = 1.produsul amplificare-bandˇ GBW ≥ 50M Hz.cˆ¸tigul de joasˇ frecventˇ A0 ≥ 60dB. 5V . tensiunea drenˇ-sursˇ a fiecˇrui a a ¸ a a a tranzistor se alege cu o margine ∆V = 100mV fatˇ de valoarea VDSsat minimˇ ¸a a admisˇ.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. M3 . s eg r .  Rp ∼ =  2 gm3  Cout = CBD2 + CBD3 + CGD2 + CGD3 + CL ∼ CL =        Cp = 1 (CBS3 + CGS3 + CBD4 + CGD4 + CBD1 ) 2 gic e (7. ¸ s Domeniul de variatie al tensiunii de ie¸ire trebuie ales astfel ˆ at tranzistoarele ¸ s ıncˆ sˇ fie polarizate ˆ regim saturat.curentul prin ramurile etajului cascodˇ este Icas = 1. a ¸ s . pentru a a evita blocarea tranzistoarelor din etajul de ie¸ire la semnal mare. M5 ¸i Vod = 200mV pentru tranzistoarele cascodˇ M2 . s Pasul 1: domeniul maxim de variatie a semnalului la ie¸ire.

58) . ¸ a ¸ ın ite unde: Ci rcu VM Cmin − VSS = VGS1 + VDS5 . 85V VGSin = Vodin + VT hn = 0. 85) = 1. 35 Rezultˇ VM Cmin = −0. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ Rezultˇ cˇ variatia maximˇ vˆrf la vˆrf a tensiunii de ie¸ire este: a a ¸ a a a s ∆Vout = VoutM AX − VoutM IN = 0.59).60) (7. Limita inferioar a a domeniului de variatie a tensiunii de mod comun trebuie ¸ sˇ permitˇ tranzistoarelor de intrare Mina -Minb ¸i celui de polarizare a etajului a a s diferential M5 sˇ functioneze ˆ regim saturat. 25 + 0. 85 − (−0. a a a a a ın e An alo (7. VM Cin = VM Cout . In t eg r at Pentru aplicatia noastrˇ considerˇm cˇ variatia semnalului de ie¸ire este de 1V . ¸ a a a ¸ s Aceasta este mai micˇ decˆt valoarea teoreticˇ maximˇ calculatˇ ˆ (7. 54V a Doris Csipkes gic e  VDD − VoutM AX = VDS3 + VDS4    VoutM AX = VDD − (Vod3 + ∆V ) + (Vod4 + ∆V )       ⇒V  outM AX = 0. 7V (7.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. 16 + 0. 85V (7. 61V VDS5 = Vod5 + ∆V = 0. 45 = 0.61) 181 V  outM IN − VSS = VDS1 + VDS2    V  outM IN = VSS + Vod1 + Vod2 + 2∆V      ⇒ VoutM IN = −0. 1 = 0. Din nou punem conditia ca tensiunile de mod comun la intrare ¸i ie¸ire sˇ fie ¸ s s a egale.59) Pasul 2: calculul tensiunii de mod comun VM C .

a a a Valoarea minimˇ a tensiunii de mod comun care acoperˇ ambele valori partiale a a ¸ calculate mai sus este VM Cmin = −0. ˆ conditiile ˆ a ¸ s ın ın ¸ ın care semnalul de ie¸ire atinge valoarea sa maximˇ. ¸ VM Cmin − VSS = VDS1 + VDS2 + VsemnM AX . 1 = 0. 1 = 0. 35V Rezultˇ valoarea maximˇ a tensiunii de mod comun. 26V VDS2 = Vod2 + ∆V = 0.63) (7. tranzistoarelor M1 -M2 ¸i M3 -M4 vom aloca a s ˆ mod similar ca la AO cascodˇ telescop. ca fiind VM Cmax = 0. In a a ın 182 Ci rcu Teoretic tensiunea de mod comun poate fiˆ intervalul -0.62) (7. s a VDD − (VM Cmax + VsemnM AX ) = VDS3 + VDS4 . 3V De aceastˇ datˇ. tensiunile drenˇıncˆ a ın a sursˇ se aleg cu o margine de cel putin 100mV fatˇ de tensiunile de overdrive. 16 + 0.61). 2 + 0. a ¸ ¸a Deoarece schema este simetricˇ.65) Doris Csipkes . Pentru aceasta. 35V . ¸ s ite gic e (7. tot valoarea tensiunii de mod comun la ie¸ire se poate obtine a s ¸ conform ecuatiei (7. unde: alo VDS1 = Vod1 + ∆V = 0. Limita superioarˇ a domeniului de variatie a tensiunii de mod comun trebuie sˇ a ¸ a permitˇ functionarea tranzistoarelor M3 ¸i M4 ˆ regim saturat.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. Mai ˆ ai stabilim cˇderile de tensiune pe fiecare tranzistor din schemˇ.35V.64) (7. Pentru ın maximizarea domeniului de variatie a semnalului de ie¸ire alegem VCM = 0V . 3V VDS4 = Vod4 + ∆V = 0. repartizˇm mai mult spatiu ˆ 1. Vcasp si Vbiasp .35V si +0. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ Pe de altˇ parte. rezultˇ VM Cmin = −0. unde: eg r at e An In t VDS3 = Vod3 + ∆V = 0. astfel ıntˆ a a ˆ at ele sˇ fie polarizate ˆ regim saturat. 35V a a Pasul 3: calculul tensiunilor de polarizare Vbiasp . 35V .5V.

In a as ¸ An M4b Vbiasp=0. alegem VDS1 = VDS4 = 0.66) ˆ Figura 7. ¸  Vbiasn − VSS = VGS5 ⇒ Vbiasn = −0.21: AO cascodˇ pliatˇ .21 sunt marcate tensiunile drenˇ-sursˇ ¸i curentii prin tranzistoare. Prin urmare. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ tensiune tranzistoarelor cascodˇ.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7.5V VMC=0V VDS2=1V M1b VDS1=0.5V Pasul 4: determinarea curentului de polarizare a etajului diferential.5V VSS=-1.5V VDS4=0.8V M5 In t VDS5=0.89V Figura 7. 8V  DD  VDD − Vcasp = VSD4 + VSG3 ⇒ Vcasp = 0. ¸ Doris Csipkes gic e (7. conform ecuatiilor anterioare. 35V Ci rcu ite alo M2b VDD=1.a¸ezare ˆ tensiune a a s ın Acum se pot calcula tensiunile de polarizare.8V M4a e Vcasp=0. 8V  V − Vbiasp = VSG4 ⇒ Vbiasp = 0. 89V (7. 5V a ¸i VDS2 = VDS3 = 1V .67) 183 . s Tensiunea VDS5 este conditionatˇ de valoarea tensiunii de mod comun la intrare ¸ a ¸i se calculeazˇ conform ecuatiei: s a ¸ VM Cin − VSS = VGSin + VDS5 ⇒ VDS5 = 0.35V 100uA Mina Minb 250uA 250uA 150uA VDS3=1V M3b eg r VMC=0V M2a M1a 100uA at M3a 150uA VMC=0V 200uA Vbiasn=-0.

4 sunt dati curentii ¸i tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor din In ¸ ¸ s schemˇ.68) (7. Ci rcu Vodin = 2Iin = 160mV gmin Vodin = 160mV gmin = 1.70) (7. alo Pasul 5: calculul tensiunii de overdrive a tranzistoarelor de intrare. Pasul 6: dimensionarea tranzistoarelor. a ¸ Gm1 2πCL Pe de altˇ parte.71) (7.70) ¸i (7. Iina = Iinb = 100µA. a IDina = IDinb = I5 /2 = 100µA I5 = 200µA.72) Doris Csipkes . AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ Curentul I5 se obtine din expresia SR-ului. a 184 gic e SR = (7. astfel: ¸ I5 CL ⇒ I5 = SR · CL = 200µA Curentul prin cele douˇ ramuri ale etajului diferential de intrare este egal cu a ¸ jumˇtate din curentul prin M5 .69) (7.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. 25mS at 2IDin Vodin e An Icas = 1. Din expresia lui GBW determinˇm transconductanta Gm1 . 5 ∗ Iin = 150µA gmin = ite Din ecuatiile (7.71) rezultˇ valoarea tensiunii de overdrive pentru tran¸ s a zistoarele de intrare. 25mS. transconductanta lui Min se poate scrie astfel: a ¸ In t eg r GBW = ⇒ Gm1 = gmin = 2πCL · GBW = 1. ˆ Tabelul 7.

=  Ln 1µ Wp 25. ¸ egal cu 50µA.53). se vor face scalˇri pentru tranzistoarele de tip NMOS ¸i PMOS a s avˆnd curentul egal cu unitatea ¸i tensiunea de overdrive de 200mV ¸i 250mV .    Ln 1µ  Wn 4.22.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7.5: Geometria tranzistoarelor 7. pentru Vod = 200mV = Lp 1µ Wp 16. 7µ 0. pentru Vod = 250mV = Lp 1µ at M3 3* e 12.1 AO cascodˇ pliatˇ complet diferential a a ¸ Varianta complet diferentialˇ a amplificatorului cascodˇ pliatˇ este datˇ ˆ Fi¸ a a a a ın gura 7. 3µ .4. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ Tabelul 7. 2µ 1µ In Tabelul 7.5 sunt date dimensiunile tranzistoarelor din schemˇ. ¸ a ın a Doris Csipkes gic e (7. 6µ 0.61V 0. a M W L Min 23.89V . Trecerea de la AO cascodˇ pliatˇ cu ie¸ire simplˇ la structura complet a a s a diferentialˇ se face ˆ mod similar ca la amplificatorul cascodˇ telescop.73) M5 4* 4. 6µ 1µ M1 3* 4.5V 1V 1V 0. 8µ 1µ In t M2 3* 3. 5µ . a s s Utilizˆnd ecuatia (7. 5µ Deoarece curentii din ramurile circuitului sunt multiplii unui curent unitate. 8µ 1µ 185 Tip Min M1 M2 M3 M4 M5 ID 100µA 150µA 150µA 150µA 250µA 200µA Vod 160mV 250mV 200mV 200mV 250mV 250mV VDS 1. rezultˇ: a ¸ a An 5* alo M4 16.5V 0. 5µ ite Ci rcu Tabelul 7. 8µ   .4: Curentii ¸i tensiunile de overdrive ale tranzistoarelor ¸ s eg r   Wn = 7. 2µ .

22: AO cascodˇ pliatˇ complet diferential a a ¸ Schema de semnal mic este aceea¸i ca la AO cascodˇ telescop din Figura 7.74) Doris Csipkes . s a Parametrii de semnal mic sunt urmˇtorii: a  g Gm1 = min .5 ˆ acest capitol s-au prezentat cˆteva configuratii de amplificatoare operationaIn a ¸ ¸ le. Rp ∼ =   2 gm3  Cout = 1 (CBD2 + CBD3 + CGD2 + CGD3 + 2CL ) ∼ CL =    2      Cp = 1 (CBS3 + CGS3 + CBD4 + CGD4 + CBD1 ) 2 ite alo Vom M2b M1b 7.18. AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ M4a M4b VDD Vbiasp M3a M3b Vcasp Mina Minb Vip Vim Vcasn Vop M2a CL M5 M1a An e In t eg r at Vbiasn Figura 7. a s a a 186 Ci rcu Sumar gic e VSS (7. au fost discutate AO Miller. Astfel.Vcasn Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. Rout = 2 (gm2 rDS2 rDS1 || gm3 rDS3 rDS4 )   2     2  Gm2 = gm3 . AO cascodˇ telescop ¸i cascodˇ pliatˇ.

Ace¸ti pa¸i de proiectare permit ca pentru un nou set de ¸ s s specificatii sˇ se obtinˇ cu u¸urintˇ dimensiunile tranzistoarelor ¸i a componen¸ a ¸ a s ¸a s telor pasive. 1987 Ci rcu ite In t eg r 4. National Chiao-Tung University.Multiple-Transistor Gain Stages . AMPLIFICATOARE OPERATIONALE ¸ ˆ cazul fiecˇruia s-au evidentiat avantajele. ın a ın a Cele trei structuri de AO sunt ˆ ¸ite de metoda completˇ de proiectare pentru ınsot a specificatii impuse. Holberg . UTPres. Taiwan. J-T.Circuite integrate analogice I CAPITOLUL 7. 1999. Lelia Fe¸tilˇ . Doris Csipkes. s a a¸ ¸ ¸a 2. acolo unde este cazul. D.Fundamental analog circuits. 2004. limitˇrile ¸i domeniul de frecvente In a ¸ a s ¸ ˆ care se utilizeazˇ ˆ practicˇ. Allen. P. Oxford University Press.Lecture Notes. Practical simulation exercises.Circuite integrate analogice II. Bibliografie: 1.E. Gabor Csipkes . 2002 at e An alo 187 Doris Csipkes gic e . Wu .CMOS analog circuit design. 3. Casa Cˇrtii de Stiintˇ.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful