COMPUTACIÓN DEL GOLFO

La imagen moderna de la computación

PLAN DE CLASE

ASIGNATURA : Electrónica Básica (Semana 4)

TIPO DE CLASE: TEÓRICA PRÁCTICA TEÓRICA- x
PRÁCTICA
DOCENTE: Lic. Uriel Javier González Pérez

LUGAR: Aula 1 – SIE2 HORARIO: 08:00 a 13:00

FECHA: 05/03/06 N. DE ALUMNOS 13

OBJETIVO DE LA CLASE:
El alumno conocerá los dispositivos semiconductores de manera como el diodo.

CONTENIDO ESTRATEGIAS RECURSOS

DIDÁCTICOS
4. Dispositivos ENSEÑANZA APRENDIZAJE
semiconductores Apertura: Conocer los materiales • Equipo de
4.1. Introducción Que son los tipo N y tipo P. Computo
4.2. Diodos materiales • Marcadores
rectificadores • Pizarrón
extrínsecos que
4.3. Diodos zener • Borrador
utilizan los
4.4. Diodo LED
4.5. Comprobación de semiconductores.
diodos Desarrollo: Se El Educando prestara
realizara una atención la explicaron
practica con la del maestro. Elaborará
finalidad de que el la practica que el
alumno entienda la Educador le asigne
aplicación real de
un diodo

Cierre: EL alumno preguntara

Se reparan los sobre dudas que le
puntos más hayan quedado en
importantes de la clases y entregara la
Clase. Se revisara la practica
practica

TIPO DE EVALUACIÓN:

TAREAS PARTICIPACIÓN x APUNTES x INVESTIGACIÓN PRÁCTICAS DE x

LABORATORIO

REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS:
Memorias Prof. Manuel Haw CG Campeche
Materiales Extrínsecos tipo N y tipo P

Las características de los materiales semiconductores pueden ser alteradas por la

adición de ciertos átomos de impureza. Estas impurezas, aunque sólo haya sido
añadida 1 parte en 10 millones, pueden alterar en forma suficiente la estructura de la
banda y cambiar totalmente las propiedades eléctricas del material.

Un material semiconductor que haya sido sujeto de dopado se denomina un material

extrínseco.

Existen dos materiales extrínsecos de gran importancia para la fabricación de

dispositivos semiconductores: el tipo n y el tipo p.

Cristal de Silicio

Material tipo N

Tanto el material tipo n como el tipo p se forman mediante la adicción de un número

predeterminado de átomos de impureza al germanio o al silicio. El tipo n se crea a
través de la introducción de elementos de impureza que poseen cinco electrones de
valencia (pentavalentes), como el antimonio, arsénico y fósforo.

A las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se les llaman átomos
donadores.
 Material Intrínseco Tipo N

Cristal de Silicio "dopado" con átomos de Arsénico. Átomos "Donadores"

Material tipo P

El material tipo p se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o de

silicio con átomos de impureza que poseen tres electrones de valencia. Los elementos
que se utilizan con mayor frecuencia para este propósito son el boro, galio e indio.
A las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se les conoce como
átomos aceptores.

El material resultante tipo p es eléctricamente neutro, por las mismas razones

descritas para el material tipo n.

Material Extrínseco Tipo P

Cristal de Silicio "Dopado" con átomos o impurezas de Galio. Átomos "Aceptores"

Diodos

Los diodos son la unión de dos materiales semiconductores extrínsecos tipos p y n,

por lo que también reciben la denominación de unión pn.
 Formación de la zona de carga espacial

Al unir los cristales p y n, se manifiestan dos procesos:

1. La difusión de huecos del cristal p al n ( Jh ), y

2. Una corriente de electrones del cristal n al p ( Je ).

Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de
la unión, que recibe el nombre de zona de carga espacial, de agotamiento, de
deflexión, de vaciado, etc.

A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial va

incrementando su anchura, la acumulación de cargas induce una diferencia de tensión
(V) que actuará sobre los electrones con una determinada fuerza de desplazamiento
que se opondrá a la difusión de huecos y a la corriente de electrones y terminará
deteniéndolos.

Esta diferencia de tensión de equilibrio (V0) es de 0.7 V en el caso del silicio y 0.3 V si
los cristales son de germanio.

Representación simbólica del Diodo

Al extremo p, donde se acumulan cargas negativas se le denomina ánodo,

representándose por la letra A, mientras que la zona n, el cátodo, se representa por la
letra C (o K).

A (p) C ó K (n)

Representación simbólica del diodo pn.

Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensión externa, se dice que el diodo
está polarizado, pudiendo ser la polarización

• inversa: Vp > Vn, o

• directa: Vp < Vn.

Polarización inversa.

Polarización inversa del diodo pn.

En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p (la de menor
tensión) lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y por lo tanto la tensión en
dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la batería.

El diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la

temperatura se produce una pequeña corriente (del orden de 1 μA) denominada
corriente inversa de saturación.
Polarización directa.

Polarización directa del diodo pn.

En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga

espacial, permitiendo el paso de las corrientes de electrones y huecos a través de la
unión; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.

En la representación simbólica del diodo, la flecha indica el sentido de la polarización

directa.
 Polarización directa Polarización inversa

DIODOS ZENER

La corriente en la región Zener tiene una dirección opuesta a la de un diodo polarizado

directamente.

Se puede decir que el diodo Zener ha sido diseñado para trabajar con voltajes.

Los Tener tienen potencia o voltaje Zener desde -1.8 V a -200 V y potencias de 1/4 a
50 W.

El diodo Zener se puede ver como un dispositivo el cual cuando ha alcanzado su

potencial VZ se comporta como un corto. Es un "switch" o interruptor que se activa
con VZ volts. Se aplica en reguladores de voltaje o en fuentes.
En el circuito anterior se desea proteger la carga contra sobrevoltajes, el máximo
voltaje que la carga puede soportar es 4.8 volts. Si se elige un diodo Zener cuyo VZ
sea 4.8 volts,b se activará cuando el voltaje en la carga sea 4.8 volts, protegiéndola de
esta manera.

EL DIODO EMISOR DE LUZ (LED)

El LED es un diodo que produce luz visible (o invisible, infrarroja) cuando se

encuentra polarizado.

El voltaje de polarización de un LED varía desde 1.8 V hasta 2.5 V, y la corriente

necesaria para que emita la luz va desde 8 mA hasta los 20 mA.

Principio de Funcionamiento:

En cualquier unión P-N polarizada directamente, dentro de la estructura y

principalmente cerca de la unión, ocurre una recombinación de huecos y electrones (al
paso de la corriente). Esta recombinación requiere que la energía que posee un
electrón libre no ligado se transfiera a otro estado. En todas las uniones P-N una parte
de esta energía se convierte en calor y otro tanto en fotones. En el Si y el Ge el mayor
porcentaje se transforma en calor y la luz emitida es insignificante. Por esta razón se
utiliza otro tipo de materiales para fabricar los LED's, como Fosfuro Arseniuro de Galio
(GaAsP) o fosfuro de Galio (GaP).
DIODOS LED ( Light Emitting Diode).-Es un diodo que presenta un comportamiento
parecido al de un diodo rectificador sin embargo, su tensión de umbral, se encuentra
entre 1,3 y 4v dependiendo del color del diodo.
Color Tensión en directo
Infrarrojo 1,3v
Rojo 1,7v
Naranja 2,0v
Amarillo 2,5v
Verde 2,5v
Azul 4,0v

El conocimiento de esta tensión es fundamental ya normalmente se le coloca al led

una resistencia en serie que limita la intensidad que circulará por el. Cuando se
polariza directamente se comporta como una lamparita que emite una luz, cuando se
polariza inversamente no se enciende y además no deja circular la corriente.
La intensidad mínima para que un LED emita luz visible es de 4mA ycomo máximo
debe aplicarse 50mA.

Para identificar las terminales del diodo LED el cátodo será el terminal más corto,
siendo el más largo el ánodo. Además en el encapsulado, se observa un chaflán en el
lado en el que se encuentra el cátodo.
Se utilizan como señal visual y en el caso de los infrarrojos en los mandos a distancia.

Se fabrican algunos LEDs especiales:

LED bicolor.- Están formados por dos diodos conectados en paralelo e inverso. Se
suele utilizar en la detección de polaridad.

LED tricolor.- Formado por dos diodos LED (verde y rojo) montado con el cátodo
común. El terminal más corto es el ánodo rojo, el del centro, es el cátodo común y el
tercero es el ánodo verde.

Display.- Es una combinación de diodos LED que permiten visualizar letras y números.
Se denominan comúnmente displays de 7 segmentos. Se fabrican en dos
configuraciones: ánodo común y cátodo común.

Estructura de un LED bicolor Estructura de un LED tricolor Display

Disposición de los pines en

Display de cátodo común Display de ánodo común
un display

El rectificador de onda completa (R.O.C.)

Se conocen y se utilizan dos configuraciones para rectificadores de onda completa. La

primera de ellas es el "Puente" rectificador de onda completa:
 SIMBOLOGÍA

Diodo rectificador Diodo Schottky Diodo zener

Diodo varicap Diodo Pin Diodo túnel Diodo LED

 Fotodiodo Puente rectificador

Otros tipos de diodos semiconductores.

• Diodo avalancha
• Diodo varicap
• Fotodiodo
• Diodo Schottky
• Diodo túnel
• Diodo láser

Aplicaciones del diodo.

• Rectificador de media onda.

• Rectificador de onda completa.
• Filtro de condensador.
• Estabilizador zener.
• Circuito recortador.
• Integrador y diferenciador RC.
• Circuito fijador.
• Multiplicador.

Nomenclatura De Diodos

Todos los semiconductores tienen serigrafiados números y letras que especifican y

describen de que tipo de dispositivo se trata. Existen varias nomenclaturas o códigos
que pretenden darnos esta preciada información. De todas destacan tres:
PROELECTRON (Europea) que consta de dos letras y tres cifras para los
componentes utilizados en radio, televisión y audio o de tres letras y dos números
para dispositivos industriales. La primera letra precisa el material del que está hecho
el dispositivo y la segunda letra el tipo de componente. El resto del código, números
generalmente, indica la aplicación general a la que se aplica. Para la identificación de
estos dispositivos se utiliza la tabla que sigue a continuación.

La primera letra indica el material semiconductor utilizado en la construcción del

dispositivo
A Germanio
B Silicio
C Arseniuro de Galio
D Antimoniuro de Indio
R Material de otro tipo
 La segunda letra indica la construcción y utilización principal del dispositivo
A Diodo de señal (diodo detector, de conmutación a alta velocidad, mezclador).
B Diodo de capacidad variable (varicap).
C Transistor, para aplicación en baja frecuencia.
D Transistor de potencia, para aplicación en baja frecuencia
E Diodo túnel.
F Transistor para aplicación en alta frecuencia.
L Transistor de potencia, para aplicación en alta frecuencia
P Dispositivo sensible a las radiaciones.
Dispositivo de conmutación o de control, gobernado eléctricamente y teniendo un
R
efecto de ruptura (tiristor).
S Transistor de aplicación en conmutación.
Dispositivo de potencia para conmutación o control, gobernado eléctricamente y
T
teniendo un efecto de ruptura (tiristor).
U Transistor de potencia para aplicación en conmutación
X Diodo multiplicador (varactor).
Y Diodo de potencia (rectificador, recuperador).
Z Diodo Zener o de regulación de tensión.
La serie numérica consta:
a) De tres cifras (entre 100 a 999) para dispositivos proyectados principalmente en
aparatos de aplicación doméstica (radio, TV, registradores, amplificadores).
b) Una letra (X,Y,Z), seguida de dos cifras (de 10 a 99) para los dispositivos
proyectados para usos principales en aplicaciones industriales y profesionales.
Ejemplos:

BC107 Transistor de silicio de baja frecuencia, adaptado principalmente para usos

generales.

BSX 51 Transistor de silicio de conmutación, adaptado principalmente para aparatos

industriales.

En algunos casos, para indicar variaciones de un tipo ya existente, la serie

numérica puede ir seguida de una letra:

BSX51A Transistor similar al BSX51, pero especificado para una tensión más alta.

En Estados Unidos se utiliza la nomenclatura de la JEDEC ( Joint Electronic Devices

Engineering Council) regulado por la EIA (Electronic Industries Association), que
consta de un número, una letra y un número de serie (este último sin significado
técnico). El significado de los números y letras es el siguiente:

3N Transistor de Efecto de
1N Diodo o rectificador 2N Transistor o tiristor
Campo FET o MOSFET
Los fabricantes japoneses utilizan el código regulado por la JIS (Japanese Industrial
Standards), que consta de un número, dos letras y número de serie (este último sin
ningún significado técnico). El número y letras tienen el siguiente significado:

Número Primera letra Segunda letra

0 Foto transistor S Semiconductor A Transistor PNP de A.F.
Diodo, rectificador o
1 B Transistor PNP de B.F.
varicap
2 Transistor, tiristor C Transistor NPN de A.F.
Semiconductor con
3 D Transistor NPN de B.F.
dos puertas
F Tiristor de puerta P
G Tiristor de puerta N
J FET de canal P
K FET de canal N
Ejemplo.- 2SG150: Tiristor de puerta N