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semicondutores

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Semicondutores

a distribuição e disposição desses átomos pode ser ordenada e organizada e designa-se por estrutura cristalina. Átomo de silício 2 http://www. O Germânio e o Silício possuem uma estrutura cristalina cúbica como é mostrado na seguinte figura.Estrutura cristalina dos semicondutores Quando os átomos se unem para formarem as moléculas de uma substância.pt/users/lpa .prof2000.

por meio de ligações covalentes. 3 http://www. de modo que dois átomos adjacentes compartilham os dois electrões. e cada um dos quatro electrões de valência de um átomo é compartilhado com um electrão do átomo vizinho.Ligação covalente Nessa estrutura cristalina. cada átomo (representado por Si) une-se a outros quatro átomos vizinhos.pt/users/lpa .prof2000.

consequentemente o material comporta-se como um isolante. 4 http://www. todas as ligações covalentes estão completas os átomos têm oito electrões de valência o que faz com que o átomo tenha estabilidade química e molecular.prof2000.Estrutura cristalina dos semicondutores Na prática. a estrutura cristalina ilustrada na figura só é conseguida quando o cristal de silício é submetido à temperatura de zero graus absolutos (ou 273ºC). Nessa temperatura.pt/users/lpa . logo não há electrões livres e.

5 http://www. À temperatura de zero graus absolutos (-273ºC) comporta-se como um isolante.pt/users/lpa .prof2000.Semicondutor intrínseco Um semicondutor intrínseco é um semicondutor no estado puro. mas à temperatura ambiente (20ºC) já se torna um condutor porque o calor fornece a energia térmica necessária para que alguns dos electrões de valência deixem a ligação covalente (deixando no seu lugar uma lacuna) passando a existir alguns electrões livres no semicondutor.

por meio de técnicas especiais. ou de um cristal onde o número de lacunas seja bem superior ao número de electrões livres. Um deles é através da energia térmica (ou calor). uma determinada quantidade de outros tipos de átomos. consiste em fazer com que um feixe de luz incida sobre o material semicondutor. contudo.prof2000. 6 http://www. aos quais chamamos de impurezas. Isto é conseguido tomando-se um cristal semicondutor puro (intrínseco) e adicionando-se a ele (dopagem).Semicondutor extrínseco Há diversas formas de se provocar o aparecimento de pares electrãolacuna livres no interior de um cristal semicondutor. necessitamos de um cristal semicondutor em que o número de electrões livres seja bem superior ao número de lacunas. Quando são adicionadas impurezas a um semicondutor puro (intrínseco) este passa a denominar-se por semicondutor extrínseco.pt/users/lpa . Outra maneira. Na prática.

7 http://www. Átomos dadores têm cinco electrões de valência (são pentavalentes): Arsénio (AS). As impurezas usadas na dopagem de um semicondutor intrínseco podem ser de dois tipos: impurezas ou átomos dadores e impurezas ou átomos aceitadores.pt/users/lpa . Átomos aceitadores têm três electrões de valência (são trivalentes): Índio (In). Fósforo (P) ou Antimónio (Sb). Gálio (Ga). este passa a ser um semicondutor extrínseco.Processo de dopagem Quando são adicionadas impurezas a um semicondutor puro (intrínseco).prof2000. Boro (B) ou Alumínio (Al).

pt/users/lpa .prof2000. Como esses átomos fornecem (doam) electrões ao cristal semicondutor eles recebem o nome de impurezas dadoras ou átomos dadores. dopado com impurezas dadoras é designado por semicondutor do tipo N (N de negativo. referindo-se à carga do electrão).Semicondutor do tipo N A introdução de átomos pentavalentes (como o Arsénio) num semicondutor puro (intrínseco) faz com que apareçam electrões livres no seu interior. Electrão livre do Arsénio 8 http://www. Todo o cristal de Silício ou Germânio.

pt/users/lpa . Todo o cristal puro de Silício ou Germânio. dopado com impurezas aceitadoras é designado por semicondutor do tipo P (P de positivo. Como esses átomos recebem (ou aceitam) electrões eles são denominados impurezas aceitadoras ou átomos aceitadores.prof2000. 9 http://www.Semicondutor do tipo P A introdução de átomos trivalentes (como o Índio) num semicondutor puro (intrínseco) faz com que apareçam lacunas livres no seu interior. referindo-se à falta da carga negativa do electrão).

10 http://www. Os electrões.prof2000. estão em minoria e designam-se por portadores minoritários da corrente eléctrica.pt/users/lpa . por sua vez.Portadores maioritários e minoritários Num semicondutor extrínseco do tipo N os electrões estão em maioria designando-se por portadores maioritários da corrente eléctrica. Num semicondutor extrínseco do tipo P as lacunas estão em maioria designando-se por portadores maioritários da corrente eléctrica. estão em minoria e designam-se por portadores minoritários da corrente eléctrica. As lacunas (que são a ausência de um electrão). por sua vez.

as lacunas deslocam-se em direcção ao pólo negativo. porém com carga eléctrica positiva. uma vez que possui carga eléctrica contrária.pt/users/lpa . Electrões Electrões A lacuna comporta-se como se fosse uma partícula semelhante ao electrão. Isto significa que. Enquanto os electrões livres se deslocam em direcção ao pólo positivo do gerador. 11 http://www. a lacuna pode mover-se do mesmo modo que o electrão. mas em sentido contrário.Movimento dos electrões e das lacunas nos semicondutores do tipo N Num cristal semicondutor tipo N o fluxo de electrões será muito mais intenso (sete larga) que o fluxo de lacunas (sete estreita) porque o número de electrões livres (portadores maioritários) é muito maior que o número de lacunas (portadores minoritários). quando o semicondutor é submetido a uma diferença de potencial.prof2000.

12 http://www. a lacuna pode mover-se do mesmo modo que o electrão. Isto significa que. quando o semicondutor é submetido a uma diferença de potencial. porém com carga eléctrica positiva. Enquanto os electrões livres se deslocam em direcção ao pólo positivo do gerador. as lacunas deslocam-se em direcção ao pólo negativo.pt/users/lpa . Electrões Electrões A lacuna comporta-se como se fosse uma partícula semelhante ao electrão. mas em sentido contrário. uma vez que possui carga eléctrica contrária.prof2000.Movimento dos electrões e das lacunas nos semicondutores do tipo P Num cristal semicondutor tipo P o fluxo de lacunas será muito mais intenso (sete larga) que o fluxo de electrões (sete estreita) porque o número de lacunas livres (portadores maioritários) é muito maior que o número de electrões livres (portadores minoritários).

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