- Studiul dispozitivelor optoelectronice bazate pe efectul fotovoltaic

-

Studiul dispozitivelor optoelectronice bazate pe efectul fotovoltaic
I. Descrierea fenomenului fizic

Efectul fotovoltaic constă în apariţia unei tensiuni electromotoare într-un semiconductor iluminat. Interacţiunea dintre un solid şi undele electromagnetice determină, printre alte fenomene, absorbţia radiaţiei incidente. În cazul semiconductorilor, unul din mecanismele absorbţiei constă în tranziţia unui electron din banda de valenţă în banda de conducţie (în urma absorbţiei unui foton). În consecinţă numărul purtătorilor de sarcină liberi creşte, ceea ce determină creşterea conductivităţii electrice, fenomen numit fotoconductibilitate (sau efect fotoelectric intern). Generarea perechilor electron-gol sub secţiunea luminii este o condiţie necesară pentru producerea efectului fotovoltaic dar nu şi suficientă. Noii purtători de sarcină trebuie să se redistribuie, determinând apariţia unei diferenţe de potenţial între suprafaţa iluminată şi cea neiluminată. Redistribuirea poate fi determinată de: 1) generarea neuniformă a purtătorilor de sarcină într-un semiconductor omogen (efectul Dember); 2) un câmp intern local din semiconductor care poate fi realizat prin doparea diferită a semiconductorului (joncţiune p-n); 3) un gradient al timpului de viaţă al purtătorilor de sarcină; 4) prezenţa unui câmp magnetic (efectul fotoelectromagnetic), etc. Într-un semiconductor intrinsec, banda de conducţie este nepopulată la 0K şi este separată printr-o bandă interzisă Eg de banda de valenţă ocupată. Diferenţa dintre valoarea maximă a energiei în banda de valenţă şi valoarea minimă în banda de conducţie determină valoarea minimă a intervalului de energie interzis. Într-un semiconductor extrinsec, nivelele energetice ale impurităţilor se găsesc în zona interzisă, mai aproape de marginea inferioară a zonei de conducţie pentru atomii donori şi în vecinătatea marginii superioare a zonei de valenţă pentru atomii acceptori. Deoarece diferenţa de energie dintre nivelele impurităţilor şi marginea zonei de valenţă sau de conducţie este mică (≈0,01 eV) chiar la temperatura camerei, energia termică este suficientă pentru ionizarea acestor atomi. Acest lucru explică creşterea conductibilităţii electrice determinate de impurităţi. Pentru majoritatea semiconductorilor intervalul de energie interzis Eg are valori între 0,2 şi 2,3 eV. Deci vor produce tranziţia electronului din B.V. în B.C. fotonii cu frecvenţe de cel puţin: υ= Eg h (1)

Intervalului energetic 0,2 – 2,3 eV îi corespunde intervalul de lungimi de undă 6,2 – 0,5 μm, deci fotonii din domeniul vizibil şi infraroşu sunt cei ce determină tranziţia. Dacă notăm cu n0 şi p0 concentraţiile electronilor şi golurilor în lipsa iluminării şi la echilibru termic, sub acţiunea unui câmp electric E apare un curent de drift cu densitatea: " " " ! ! j = j n + j p = n0 ev n + p 0 ev p (2) 1

Dacă însă αd>>l. densităţile curenţilor de difuzie sunt: j n = eDn ∂n ∂z ∂p ∂z (7) j p = −eD p (8) unde Dn şi Dp sunt coeficienţi de difuzie. În consecinţa va apare un gradient de concentraţie care va determina apariţia unor curenţi de difuzie pentru goluri şi electroni.. v p = µ p E ) . Considerând o variaţie liniară a concentraţiei. se obţine: j = e(n0 µ n + p0 µ p )E = σ 0 E deci σ 0 = e(n0 µ n + p 0 µ p ) (4) (3) Dacă în urma iluminării concentraţiile electronilor şi golurilor se modifică cu Δn şi Δp. ∆n = ∆p . rezultă: (9) 2 . Curentul total va fi suma dintre curentul de drift (3) în prezenţa iluminării şi cel de difuzie: ∂n ∂p   j z = e(nµ n + pµ p )E z + e Dn − Dp  ∂z ∂z   Ţinând cont că: n = n0 + ∆n . Notăm cu α coeficientul de absorbţie definit ca raportul dintre cantitatea de energie absorbită de unitatea de volum în unitatea de timp şi energia incidentă pe unitatea de suprafaţă în unitatea de timp. Se poate arăta că atunci când αd<<l (unde d – grosimea stratului semiconductor) intensitatea radiaţiei este uniformă în probă şi deci Δn şi Δp nu variază în probă. intensitatea radiaţiei la distanţa z în probă este: I ( z ) = I 0 (1 − β )e − αz (6) unde β este coeficientul de reflexie la suprafaţa iluminată. p = p 0 + ∆ şi ∆n = ∆p .Studiul dispozitivelor optoelectronice bazate pe efectul fotovoltaic Ţinând cont de legătura dintre vitezele vn şi vp şi mobilităţile μn şi μp (v n = µ n E . schimbarea conductivităţii va fi: ∆σ ∆nµ n + ∆pµ p (1 + b )∆n = = σ0 n0 µ n + p 0 µ p n0 b + p 0 (5) În relaţia (5) s-a notat b = µ n µ p .

k – constanta lui Boltzmann. ca urmare a difuziei electronilor din p n domeniul n în domeniul p şi difuziei golurilor în sens invers. Dacă Dn=Dp (atunci când μn = μp) atunci Ez=0 şi V=0. Golurile în exces create în zona n pot difuza şi ele prin joncţiune. 2. Pentru j=0 se obţine din relaţia (12) tensiunea în circuit deschis Voc: 3 . în circuit deschis (jz=0)între faţa iluminată şi cea neiluminată apare un câmp electric: Ez = (D ∂∆n ∂z nµ n + pµ p n − Dp ) (11) şi deci o diferenţă de potenţial V. conform relaţiei (6). 1 la j0 – V. . Relaţia (12) este ilustrată în fig.+ . E Într-o joncţiune p-n. pentru iluminări diferite ale joncţiunii. Electronii în exces creaţi în regiunea p pot difuza prin joncţiune şi coboară bariera de potenţial spre zona n. Aceste densităţi de sarcină micşorează diferenţa de potenţial de la j0 Fig.+ diferenţă de potenţial (fig.Studiul dispozitivelor optoelectronice bazate pe efectul fotovoltaic j z = e(nµ n + pµ p )E z + e(Dn − D p ) ∂∆n ∂z (10) Aşadar.+ apare un câmp electric în stratul de baraj şi corespunzător o . În stare de echilibru. curenţii de difuzie vor fi egali cu cei de drift. Dacă αd>>l.+ . p Dacă joncţiunea p-n este iluminată. Apare astfel o sarcină pozitivă pe faţa p şi una negativă pe faţa n. V – tensiunea aplicată joncţiunii. fluxul de fotoni va varia q exponenţial cu adâncimea. Ecuaţia de curent tensiune este:  eV  j = j 0  e kT − 1 + j L     x x x x (12) unde: j0 – densitatea curentului invers la saturaţie în absenţa iluminării. 1. se vor crea perechi electron-gol în exces. Acest câmp electric împiedică continuarea difuziei şi în acelaşi timp duce la apariţia unor n curenţi de drift care se opun celor de difuzie. jL – curentul de generare independent de V şi direct proporţional cu intensitatea iluminării (determinat de perechile electron-gol generată de lumina incidentă)..). astfel încât curentul rezultant va fi nul.

2. Modul de lucru Dispozitivele care funcţionează pe baza fenomenelor prezentate anterior sunt: . Rezultă: j sc = j L (14) 1 2 3 4 V oc V Isc Φ4> Φ3> Φ2> Φ1 Fig. Se trasează curba volt-amperică la întuneric. Descrierea instalaţiei Instalaţia experimentală se compune dintr-o incintă opacă în interiorul căreia se găseşte fotodioda ROL 21 şi un bec cu incandescenţă. se modifică iluminarea proporţional cu inversul pătratului distanţei: E= unde k=10 S. k r2 (15) III.). Se trasează curbele volt-amperice pentru diverse iluminări ale celulei.. Distanţa dintre bec şi fotodiodă poate fi variată între 10 – 40 cm şi se poate citi pe o riglă ataşată incintei. Se determină curentul de scurt-circuit pentru diverse iluminări ale celulei din caracteristicile volt-amperice. 2 II.fototranzistorul .. dispozitivul se numeşte fotodiodă (prezintă un curent de întuneric redus şi o tensiune de străpungere mare). 4 .fotodioda . În această lucrarea se vor realiza următoarele determinări experimentale pentru o joncţiune p-n supusă acţiunii radiaţiilor electromagnetice: 1. În cazul în care joncţiunea p-n este utilizată în zona III a caracteristicii din fig.fotorezistenţa Dacă joncţiunea p-n este utilizată pentru transformarea energiei solare (zona II a caracteristicii din fig. 3. 2. Modificând distanţa dintre bec şi celula fotovoltaică.Studiul dispozitivelor optoelectronice bazate pe efectul fotovoltaic j kT ln(1 − L ) e j0 Voc = (13) I Curentul de scurt circuit se obţine punând condiţia V=0 în relaţia (13).celula solară . 2. dispozitivul este numit celulă solară.I.

Studiul dispozitivelor optoelectronice bazate pe efectul fotovoltaic 4. Se întocmesc tabelele I=f(U) şi se trasează graficele pentru diverse iluminări. Tabel de date experimentale: Nr. I[A] U[V] 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 5 . Se reprezintă în coordonate polare caracteristica de directivitate. Crt. 5. Se trasează caracteristica de directivitate. Se determină tensiunea în gol pentru diverse iluminări ale celulei din caracteristicile voltamperice. Se completează tabelul de variaţie al tensiunii electromotoare în funcţie de acest unghi pentru poziţia becului la r=15 cm. modificând unghiul dintre direcţia razelor incidente şi suprafaţa celulei fotovoltaice. Pentru trasarea caracteristicii de directivitate se modifică iluminarea..

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful