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Transistor MOSFET de empobrecimiento canal N.

Transistor MOSFET de empobrecimiento canal P.

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   Y Y YYY Y   Y   YY  YY
 Y    Y   YY Y Y Y  YY     Y Y

 
¦ocultar]

ëY  Historia
ëY G Funcionamiento
OY G. Estado de corte
OY G.G Conducción lineal
OY G.3 Saturación
OY G.4 Modelos matemáticos
ëY 3 Aplicaciones
OY 3. Ventajas
ëY 4 Enlaces externos

¦   
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YY  YY   Y Y&YY  Y YYY Y
 Y Y  Y  YY  YY    YY Y  Y  Y
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Curvas característica y de salida de un transistor MOSFET de acumulación canal n.

Curvas característica y de salida de un transistor MOSFET de deplexión canal n.

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ëY Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n.

ëY Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.


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Transistor de unión bipolar.

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  Y  Y  +Y

ëY Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como V  de portadores de carga.
ëY   se, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
ëY aolector, de extensión mucho mayor.

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Y  Y

 
¦ocultar]

ëY  Estructura
ëY G Funcionamiento
OY G. Control de tensión, carga y corriente
OY G.G El Alfa y eta del transistor
ëY 3 Tipos de Transistor de Unión ipolar
OY 3. NPN
OY 3.G PNP
OY 3.3 Transistor ipolar de Heterounión
ëY 4 Regiones operativas del transistor
ëY  Historia
ëY * Teoría y Modelos Matemáticos
OY *. Modelos para señales fuertes
XY *.. El modelo Ebers-Moll
OY *.G Modelos para señales débiles
XY *.G. Modelo de parámetro h
ëY o Véase también
ëY † Enlaces externos

¦ 

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Característica idealiada de un transistor bipolar.

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¦ 

El símbolo de un transistor NPN.

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 8YYY& )YY Y    Y

El símbolo de un transistor PNP.

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En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del
circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley
de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir una corriente de colector ɴ veces más
grande. (recordar que Ic ' ɴ * Ib$

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Replica del primer transistor.

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   Y +Y
Modelo Ebers-Moll para transistores NPN

Modelo Ebers-Moll para transistores PNP

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3+Y

ëY E es la corriente de emisor.
ëY C es la corriente de colector.
ëY | es la ganancia de corriente directa en configuración base común. (de (.9† a (.99†
ëY ES es la corriente de saturación inversa del diodo base-emisor (en el orden de () a
()G amperios
ëY ºT es el voltaje térmico | /  (aproximadamente G* mV a temperatura ambiente у 3((
K.
ëY ºE es la tensión base emisor.
ëY m es el ancho de la base.

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YY  +Y Y

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   Y Y4   Y Y* Y  Y  Y Y  YYYYY
  YY Y    YY Y Y

3+Y

ëY C es la corriente de colector.
ëY  es la corriente de base.
ëY E es la corriente de emisor.
ëY ɴF es la ganancia activa en emisor común (de G( a ((
ëY ɴR es la ganancia inversa en emisor común (de ( a G(
ëY S es la corriente de saturación inversa (en el orden de () a ()G amperios
ëY ºT es el voltaje térmico | /  (aproximadamente G* mV a temperatura ambiente у 3((
K.
ëY ºE es la tensión base-emisor.
ëY ºC es la tensión base-colector.

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3
Modelo de parámetro h generali2ado para un  T NPN.
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S   ve c
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Tipos de diodos de estado sólido
Diodo de alto vacío

wY  Y,Y +Y 


 9 -Y Y Y   Y    Y% Y  YY
 YYY  Y( YY Y/Y YY   )  Y   YY Y
    Y3Y Y $YY Y   ) YY YY,25A-Y YY
 Y  +Y Y*YY Y YY $Y Y YY Y   Y
 Y,Y -$Y&Y YYYYY Y   Y YY Y   Y
( Y &Y% 8 Y

3YY Y  $Y Y Y Y Y   $Y&Y% Y Y


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 Y  Y Y  Y  YY  Y   Y Y YY
  Y Y YY Y4   YYY3Y  Y

 Y   Y Y Y  YY  YY)$Y (Y Y  Y


  Y  ) Y Y Y  Y  YY)YY Y YY  $Y
Y Y  Y  YYY Y  Y   YY Y Y  YY
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   Y  Y Y' Y6Y  Y

6Y Y% Y Y  Y   $Y Y  YY)Y Y Y Y,Y
 -YY ( YY Y  YY  $Y Y Y Y  YY Y
 Y  YY4YY $YYY% YY  Y Y  YY)Y
   Y Y  Y Y  Y    Y'Y Y$Y Y Y
Y Y$Y Y   Y,Y-$Y  ( Y )YY  Y
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YYYY,     Y YY Y6-Y  Y% YY4 YY YY
Y Y, Y    Y YY Y
YYI- Y

4 Y (Y YY  Y ( Y Y  Y Y YY   Y Y

£ (p) a ó K (n)

Representación simbólica del diodo pn

Y Y  YYYY Y YY  Y4  $Y YY% YYY Y


 $Y Y  YY Y YY   Y

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Y Y $YY  )Y  &YY  YY YYYYY Y $Y
  YY YYY  YY  YY ( YYY 0Y Y $YYY
 Y   Y YY  Y

 Y% Y YY (Y Y   $Y YY  YYY  YYY


  )YYYYY&YYY YY  YY  Y Y Y
   Y% +Y
ëY El polo positivo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unión p-n.
ëY El polo negativo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es
equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n.
ëY Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la
diferencia de potencial en la : ona de carga espacial, los electrones libres del cristal n,
adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales
previamente se han despla: ado hacia la unión p-n.
; ; ;
ëY Una ve que un electrón libre de la ona n salta a la ona p atravesando la ona de
;
;
carga espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la ona p convirtiéndose en
electrón de valencia. Una ve; ocurrido esto el electrón es atraído por el polo positivo
de la batería y se despla; a de átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p, desde
el cual se introduce en el hilo conductor y no llega hasta la batería.

%  &      

Y Y $YYY YYY  )Y Y YYYYY&YYY  YYY


Y$YY% Y'Y   YYYY Y $Y&YY  YY'YY' Y
% Y YYY YYY  YYY  )$Y Y&YY Y4YY  +Y

ëY El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la <ona n, los cuales salen
del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se despla<an hasta llegar a
la batería. A medida que los electrones libres abandonan la <ona n, los átomos
pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrón en el
orbital de conducción, adquieren estabilidad († electrones en la capa de valencia, ver
semiconductor y átomo y una carga eléctrica neta de +, con lo que se convierten en
iones positivos.
ëY El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la =ona
p. Recordemos que estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una
ve= que han formado los enlaces covalentes con los átomos de silicio, tienen
solamente o electrones de valencia, siendo el electrón que falta el denominado 6Vu.
El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batería entran en la =ona p,
caen dentro de estos huecos con lo que los átomos trivalentes adquieren estabilidad
(† electrones en su orbital de valencia y una carga eléctrica neta de -, convirtiéndose
así en iones negativos.

Y Y  $YYYY )Y  YY  0Y Y $YYY


 YYY   Y Y  Y  Y 5' Y, Y    -YY Y
 YYY Y  Y Y% 8Y  Y,Y YY Y6-YY
      Y6 $Y4 Y (Y YY 
    "YY $YY Y Y Y$Y Y Y% 8Y
  Y YY  YY0Y&Y% YYY  $Y Y  YY YY
 Y  YY   Y  Y Y  Y Y  Y Y  Y
   Y Y  Y  Y.Y  $YY Y% YY  Y YY
 $YY  Y  YY YY Y   Y

      

ëY |ensión umbr l, de codo o de p rtid (Vɶ .


La tensión umbral (también llamada barrera de potencial de polari> ación directa
coincide en valor con la tensión de la >ona de carga espacial del diodo no polari> ado. Al
polari> ar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo,
incrementando la corriente ligeramente, alrededor del + de la nominal. Sin embargo,
cuando la tensión externa supera la tensión umbral, la barrera de potencial
desaparece, de forma que para pequeños incrementos de tensión se producen
grandes variaciones de la intensidad de corriente.
ëY aorriente máxim (Imax .
Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el
efecto Joule. Dado que es función de la cantidad de calor que puede disipar el diodo,
depende sobre todo del diseño del mismo.
ëY aoi nt inv sa d satuación"s)
s  ee c 
e eesees  ece  
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ëY aoi nt sup icial d uas


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 V                
+

(+
ëY  es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo
ëY º es la diferencia de tensión entre sus extremos.
ëY  es la corriente de saturación (aproximadamente ( ) G
ëY  es la carga del electrón cuyo valor es .* * ( ) 9
ëY | es la temperatura absoluta de la unión
ëY es la constante de oltAmann
ëY  es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y que
suele adoptar valores entre  (para el germanio y del orden de G (para el silicio .
ëY El término º| || es la tensión debida a la temperatura, del orden de G*
mV a temperatura ambiente (3(( K ó Go °C .

Y* YY  YY YY4 Y,Y   YY  Y YY Y Y Y


 -$YY  Y YY Y Y  Y/$Y% YY Y YY
  YYY Y  Y   0Y Y Y Y     YY
Y' () Y% Y Y  YYY  YY Y YY  Y,<-Y YY 
 Y

      

Diodo doble *CHGP (*G- de fabricación rusa usado como rectificador de media onda

ëY Diodo avalancha
ëY Diodo rectificador
ëY Fotodiodo
ëY Diodo Gunn
ëY Diodo láser
ëY Diodo emisor de luB (LED e IRED
ëY Diodo p-i-n
ëY Diodo Schottky o diodo de barrera Schottky
ëY Diodo Shockley (diodo de cuatro capas
ëY Diodo túnel o diodo Esaki
ëY Diodo Varicap
ëY Diodo Zener

£      
ëY Rectificador de media onda
ëY Rectificador de onda completa
ëY Rectificador en paralelo
ëY Doblador de tension
ëY EstabiliCador Zener
ëY Recortador
ëY Circuito fijador
ëY Multiplicador de tensión
ëY Divisor de tensión

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Y
Y
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Y  Y&Y  &YY  $Y' Y Y Y Y%  YYY Y222Y
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YY *YY  $Y'Y *Y Y  Y Y@#Y&Y"CY Y /YY
  Y

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Y
326
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 YY Y  $Y  YY  Y&Y  Y Y  Y
ëY !*£  Y
  YY Y Y'?&Y  YY
  $YY% YYYY   ) Y  Y
ëY El ?  es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseñado para
disparar TRIACs y Tiristores (es un dispositivo disparado por tensión). 
ëY Tiene dos terminales: MT1 y MT2. Ver el diagrama. 

ëY 
ëY El ?  se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero
orientados en formas opuesta. La conducción se da cuando se ha superado
el valor de tensión del zener que está conectado en sentido opuesto. 
ëY El ?  normalmente no conduce, sino que tiene una pequeña corriente de
fuga. La conducción aparece cuando la tensión de disparo se alcanza. 
ëY Cuando la tensión de disparo se alcanza, la tensión en el ?  se reduce y
entra en conducción dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del
SCR o TRIAC. Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de
potencia mediante control de fase.
ëY La curva característica del ?  se muestra a continuación

ëY 
ëY En la curva característica se observa que cuando
ëY [ +V o [ V es menor que la tensión de disparo, el ?  se comporta como
un circuito abierto
[ +V o [ V es mayor que la tensión de disparo, el ?  se comporta como
un cortocircuito 
ëY Sus principales características son:
[ Tensión de disparo
[ Corriente de disparo
[ Tensión de simetría (ver grafico anterior)
[ Tensión de recuperación
[ Disipación de potencia (Los ? s se fabrican con capacidad de disipar
potencia de 0.5 a 1 watt.)




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  YY$Y/ % YY E
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 FR

Y

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 YY7' +44 M?  4M?417Y

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  Y  Y

SIDAC

SIDACssHIs 
  sH   sc 

s
sc mdiodo de cuatro capasc  sc c sc s c c s
sm c s

  12 ssc 


ss c sc   12
 sm

ssH s   12cssc c sc s c c ssm c s

SIDACs    s  c c sscs  s


s c s ssc m  s 120270(c s)

MKP3V120Motorolasm
J c SIDACc  c 
mm 1  s   120( c  s 
MKP3!!!  s s" m sc s )
En la figura 12.5 se indican sus
características I[V en estado de
conducción.

En este caso, la tensión ánodo[cátodo es


aproximadamente ~1.1V prácticamente
independiente de la corriente.

Una de las aplicaciones más típicas delY


? es como generador de diente de
sierra en donde se aprovecha las
características de disparo y bloqueo de
este dispositivo.

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Y
 
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