Cap.

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POLARIZAÇÃO DE FETs e MOS-FETs

1. Aspectos gerais. O FET (Field Effect Transistor) ou transistor de efeito de campo é um dispositivo unipolar (um tipo de portador). Sua operação parte do princípio em que um campo elétrico perpendicular a um fluxo de corrente controla a resistência de um canal constituído por portadores do tipo "P" ou portadores do tipo "N" os quais constituem, respectivamente, FET de canal P e FET de canal N. 1.1- Vantagens em comparação ao transistor bipolar:
• • • • •

Impedância de entrada extremamente elevada, da ordem de 100 M Maior imunidade a ruído Maior estabilidade térmica Fabricação relativamente simples Como desvantagens o FET apresenta menor velocidade de resposta e menor produto ganho x banda passante (PGL)

1.2 - Tipos. Basicamente dois:
• •

O FET de junção ou J-FET O FET de porta isolada, IG-FET ou MOS-FET

1.3 - Principais aplicações:
• • •

Amplificadores de tensão para pequenos sinais Medidores de alta impedância de entrada Circuitos digitais, principalmente quando integrado

2. Estrutura, símbolo e encapsulamento É constituído a partir de uma barra de material do tipo "P" ou "N" denominado "Canal". Nas extremidades da barra existem contatos metálicos formando um terminal chamado dreno "drain" e outro denominado fonte, supridouro "source". Ao lado dos contatos dreno-fonte existem ainda duas regiões "P" ou duas regiões "N", interligadas e difundidas no interior da barra chamadas de porta ou "gate". A figura a seguir ilustra este processo.

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Figura 01 - Estrutura, símbolo e encapsulamento do J-FET.

Cap.5 3. Funcionamento do J-FET canal N

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A figura abaixo mostra na seqüência o principio de funcionamento do FET de junção canal "N". O funcionamento de um FET canal "P" é análogo, necessário apenas inverter a polaridade das fontes de alimentação dreno-supridouro (VDS) e gate-supridouro VGS.

Cap.5 4. Polarização do J-FET

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Polarizar um dispositivo é fixar um ponto de trabalho ou ponto quiescente por meio de componentes periféricos, podendo esse ponto ser visualizado na característica de saída do dispositivo.

Figura 03 - Polarização do J-FET canal "N".

Figura 04 - Polarização do J-FET canal "P".

4.1 - Característica de transferência (VGS x ID) ou CARACTERÍSTICAS DE ENTRADA A física por trás do funcionamento do J-FET é a mesma para todos os J-FETs. Apenas o tamanho das regiões dopadas, o nível de dopagem etc. muda de um J-FET para outro. Por isso todos os J-FETs têm uma curva de transferência (transcondutância) que é o gráfico de uma equação do tipo Y=ax2, para o JFET: 4.2 - Exemplo Vamos representar a característica de transferência de um determinado J-FET que apresenta Vp = VGSoff (corte) -4V e IDSS = 12 mA, para diferentes valores de VGS. Como ponto de partida, consideramos 5 pontos estratégicos tendo como limites "0" e "VGSoff" e aplicaremos a fórmula de transferência para encontrar "ID" correspondente a cada ponto, conforme mostra a tabela abaixo.
Figura 05

Figura 06 - Tabela com resultados.

Fig. 7 - Gráfico característica de transferência VGS x ID

Cap.5

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Figura 05 - A equação ID = IDSS x (1 - VGS / Vp)², é a equação que determina ID em função de VGS, VP e IDSS. No gráfico da Fig. 8, são mostrados os pontos de operação sobre a reta de carga, semelhante ao BJT. A TRANSCONDUTÂNCIA (GANHO), abreviada nos manuais de transistores por gm ou S = Siemens, pode ser traduzida pela divisão entre a corrente de dreno pela tensão de gate, justamente o contrário da lei de Ohm = I / V ao invés de V / I. Antigamente, era usada a unidade de medida mho, o contrário de Ohm, para medir o ganho de um transistor de efeito de campo. Assim, se para cada volt no gate tivermos X mA de aumento de corrente no dreno, o ganho do transistor de efeito de campo será: gm ou mho = ID / VGS = X siemens ou milesiemens, para um transistor de baixa potência. Podemos utilizar os dados da tabela (Fig. 6) para representar graficamente as características de transferência (VGS x ID) do FET em questão. O resultado é o gráfico representado na Fig. 7. 5. Característica de Saída Tomando por base as características de entrada do FET anterior e considerando o máximo valor da tensão de alimentação suportada por este (VDS máx = 20 Volts), poderemos representar em um gráfico as características de saída (VDS x ID), também denominada "curvas de dreno".

Figura 08 - Reta de carga e ponto de trabalho na característica de saída.

5.1- Reta de carga e ponto de trabalho (ponto quiescente "Q") - Com base no circuito de polarização do FET, aplicando Kirchoff na malha de dreno, temos:

(soma de tensões quando aplicamos Kirchoff)
que corresponde a equação de uma reta em um sistema (ID x VDS) e para traçá-la necessitamos dois pontos, a saber: • primeiro:

Semelhante ao BJT
• segundo:

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A partir destes dois pontos traçaremos a reta de carga na característica de saída do dispositivo e localizaremos nesta, o ponto de trabalho ou ponto quiescente "Q", mostrado na figura 08. 6. Autopolarização do J-FET para operação na região média ou linear. Com um J-FET autopolarizado, conforme mostrado na figura abaixo, a tensão da fonte (supridouro) é igual ao produto da corrente de dreno pela resistência (rs) de supridouro: A tensão porta-supridouro (VGS) é o negativo dessa tensão, que é igual a: Essa é a equação para encontrar o ponto de trabalho (ponto "Q") em um J-FET autopolarizado, conforme mostrado na figura abaixo.

Figura 09 - J-FET autopolarizado.

Analogia: Não há corrente no Gate, VGS = 0, corresponde a um terra virtual, assim sendo: Uso da Lei de Ohm

Os dados desta equação permitem determinar a linha de autopolarização, a partir dos valores de VGS e ID quiescente, mostrada nas figuras 10 e figura 11. Veja exemplo na próxima página.

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Exemplo: Considerando um determinado FET com VGSq = -2V e IDq = 4 mA, o valor do resistor de supridouro Rs, será:

Figura 10 - Linha de autopolarização.

Figura 11 - Efeitos de diferentes resistores (RS) de polarização.

7. Aplicações com J-FET

Figura 12 - Chave analógica.

Figura 13 - Multiplexador analógico.

Figura 14 - Limitador de corrente.

8. MOS-FET Além do FET discreto ou FET de junção (J-FET), existe outro tipo de transistor de efeito de campo chamado MOS-FET, que significa "transistor de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor". A figura 15 compara os modelos do J-FET com MOS-FET e a figura 16 compara o MOS-FET com o transistor bipolar.

Figura 15 - Comparação entre o JFET e o MOSFET.

Figura 16 - Comparação entre o MOSFET e o transistor bipolar.

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É importante notar que a diferença básica entre FETs e transistores bipolares é que, os FETs controlam uma corrente de operação a partir de uma tensão e os transistores bipolares controlam a partir de outra corrente, aplicada aos respectivos terminais de controle. Exemplo:
• uma tensão aplicada ao gate de um FET controla a corrente dreno-supridouro.

As duas regiões "P", chamadas fonte (supridouro) e dreno, executam as mesmas funções relativas ao emissor e o coletor no transistor PNP. Enquanto o gate realiza a mesma função relativa à base. • Uma corrente aplicada à base de um transistor bipolar controla a corrente coletor-emissor.

Conclui-se que, o FET é um dispositivo controlado por tensão e o transistor bipolar é um dispositivo controlado por corrente. O MOS-FET é também chamado de IG-FET (Isolated Gate) porta isolada, porque apresenta a porta internamente isolada por uma camada de silício SiO2, O que faz apresentar uma resistência de entrada bem mais elevada que o FET de junção ou J-FET.

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O MOS-FET quanto ao modo de funcionamento ainda se divide em "modo depleção" e "modo intensificação" ou enriquecimento. 8.1 - MOS-FET modo depleção - Também chamado normalmente ligado, porque conduz quando VGS=0, seu funcionamento depende das regiões de depleção.

Figura 17 - Símbolo e modelo polarizado do MOS-FET modo depleção.

Figura 18 - Curva de dreno e curva de transcondutância do MOS-FET.

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8.2 - MOS-FET Intensificação - No modo intensificação tem menor capacitância e impedância de entrada mais elevada, seu funcionamento depende da "intensificação" da condutividade do canal.

Figura 19 - Símbolo e modelo polarizado do MOS-FET modo intensificação.

Figura 20 - Curva de dreno e curva de transcondutância do MOS-FET modo intensificação.

9. Aplicações com MOS-FET Nesta primeira década do século XXI, os MOSFETs estão sendo largamente empregados na fabricação de monitores de vídeo, principalmente em circuitos de proteção de saída horizontal e fonte de alimentação chaveadas para monitores de diversas marcas conceituadas no Brasil. A figura seguinte mostra alguns dos MOSFETs utilizados para esta finalidade.

Figura 21 - MOS-FET utilizado em monitores de vídeo para computadores.

A seguir apresentamos outro tipo de aplicação com MOSFET de potência, empregado na área de instrumentação Industrial, conforme mostra a figura 22.

Figura 22 - Circuito detector de nível de liquido.

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10. Referências ALMEIDA, Antônio Carlos de; Caderno de Anotações: SENAI/CEFET, 1978/2001. BASTOS, Arilson; Manutenção de monitores digitais; Rio de Janeiro - Brasil, Antenna Edições Técnicas Ltda, 2001. CIPELLI, Antonio Marco Vicari; SANDRINI, Waldir João; Teoria e desenvolvimento de Projetos de Circuitos Eletrônicos; São Paulo - Brasil, Érica, 1979. LOWENBERG, Edwin C.; Circuitos Eletrônicos; (Tradução: Ostend. A. Cardim). São Paulo - Brasil, McGraw-Hill do Brasil, 1974. MALVINO, Albert Paul; Eletrônica:volume 1; Tradução: José Lucimar do Nascimento; revisor técnico: Antonio Pertence Junior.- 4a ed. São Paulo - Brasil, Makron Books, 1995. KAUFMAN, Milton; Eletrônica Básica;(Tradução: Fausto Martins Pires Júnior) São Paulo - Brasil, McGraw-Hill do Brasil, 1984.