´ Institut Sup´rieur des Etudes Technologiques de Rad`s e e ´ D´partement de G´nie Electrique e e

´ ´ TECHNOLOGIE GENERALE Support de cours

e e ´ e 3`me et 4`me niveaux G´nie Electrique Option Maintenance

` Dr J.Y. Haggege
Ing´nieur ENIT e ´ Agr´g´ de G´nie Electrique e e e Technologue a l’ISET de Rad`s ` e

2003

ii

ISET Rad`s e

cours de technologie g´n´rale e e

` HAGGEGE, 2003

Table des mati`res e
1 Les conducteurs 1.1 Caract´risation des conducteurs . . . . . . . . . . . . e 1.1.1 Conductivit´ . . . . . . . . . . . . . . . . . . e 1.1.2 Classification des mat´riaux en ´lectricit´ . . . e e e 1.1.3 Nature de la conduction ´lectrique . . . . . . e 1.1.4 R´sistance et r´sistivit´ . . . . . . . . . . . . . e e e 1.1.5 R´sistivit´ et temp´rature . . . . . . . . . . . e e e 1.2 Les conducteurs m´talliques . . . . . . . . . . . . . . e 1.2.1 Cuivre et alliages de cuivre . . . . . . . . . . . 1.2.2 Aluminium et alliages d’aluminium . . . . . . 1.3 Les fils conducteurs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3.1 Fils de bobinage . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3.2 Lignes a´riennes . . . . . . . . . . . . . . . . . e 1.3.3 Cˆbles isol´s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a e 1.4 Les contacts . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4.1 Contacts permanents . . . . . . . . . . . . . . 1.4.2 Contacts d´montables . . . . . . . . . . . . . e 1.4.3 Contacts mobiles . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5 Conducteurs sp´ciaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . e 1.5.1 R´sistances non ohmiques . . . . . . . . . . . e 1.5.2 Supraconducteurs . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5.3 Thermocouples . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5.4 Fusibles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.6 Ph´nom`nes thermiques dans les machines ´lectriques e e e 1.6.1 Calcul de l’´chauffement . . . . . . . . . . . . e 1.6.2 R´gime de surintensit´ cyclique . . . . . . . . e e 1.6.3 Surintensit´s occasionnelles . . . . . . . . . . e 1 1 1 1 2 2 2 2 3 5 6 6 7 10 12 12 12 13 13 13 15 16 16 17 17 20 23 25 25 25 25 26 27 28

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2 Les isolants 2.1 D´finition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . e 2.2 Caract´ristiques di´lectriques des isolants . . . . . . . . . . . e e 2.2.1 Permittivit´ relative . . . . . . . . . . . . . . . . . . e 2.2.2 Rigidit´ di´lectrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . e e 2.2.3 Angle de pertes di´lectriques et facteur de dissipation e 2.2.4 Calcul du champ ´lectrique dans un isolant . . . . . . e
` HAGGEGE, 2003 cours de technologie g´n´rale e e

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . di´lectrique e . . . . . . .

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ISET Rad`s e

.2 Fabrication . . . . . . . 3. . . . . 3. . . . . .3 Principe de fonctionnement du transistor bipolaire . . . . . . . . . . .5. . .2 Phototransistor . . . . . . . . . . . . . . . . . .9. . . . . . . . . . . . . . . . . . e a 2. . . . . . . . . . . . . .8. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . e 3. . . . . . . . . . . . . .2 Fabrication des circuits int´gr´s .3 Semiconducteurs dop´s . . . . . .5 Les transistors bipolaires . . e 3. . . . . . .2 Nature de la conduction dans un semiconducteur pur 3. . . . . . . . .2 Propri´t´s des semiconducteurs . . . . . . . . . . .8 Technologies micro´lectroniques . . . .7 Les circuits int´gr´s . . . . . . e 2. 3. . . . 69 4. . . . .3. . . .1 Notion d’int´gration . . . . . . 4 Les composants de l’´lectronique de puissance e 69 4. . . . . . . . . .3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2. . . . . . . . .9. . . . . . . . . . . . .3 Isolants liquides . . . . .8. 3. . . . . .2 Le MOSFET .1 Photodiode . . . . . . e Mat´riaux isolants . . . . . .1 Semiconducteurs purs . 29 29 30 30 30 34 35 37 37 37 37 38 39 39 40 40 41 42 44 46 46 46 47 48 51 51 55 58 58 59 60 60 61 62 62 64 65 65 66 2. . 3.6.6. . . . . . . . . . . . . . . .6 Influence de la temp´rature sur les isolants . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 Diodes ´lectroluminescentes (LED) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 Emploi des composants opto-´lectroniques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9. .1 Introduction . . . . . . 3. . . . . . . . . . . . . . . 3. . . . . . . . . . . . . . .1 Propri´t´s de la jonction PN . . . . . . . . . .4 Isolants gazeux . . . . . . . . . .9 Composants opto-´lectroniques . . . . . . . . . . . . . .5. . . . . . . . . . . . . . . . . .4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . e 3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ee 3.3 Courants dans une jonction PN . . . . . . . . . . . .4. . . . . . .9. . . . . . 2003 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4 La jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3. . . . .4 Photopiles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . e 3.2. . .3 3 Les semiconducteurs 3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3. .3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . e e 3.1 Introduction .2 Isolants solides . . . . . . . .1 Circuits logiques bipolaires . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3. . .1 Le JFET . . . . . . . 69 e ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE. . . . e 3. . . .2. . . . 2. . . . . . . . . . .3 Production du silicium . .4 Jonction PN polaris´e . . . . . . . . . .2. . . . . . . . . .2 Potentiel dans la jonction PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 Constitution . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3. . . . . .5 Claquage d’une jonction PN . . . .5. . . . . . . . . . . . . 3. . ee 3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1. . .9. . . . . . . . . . . . . . . . . . 3. . . . . . . .iv 2. . . . 3. . .1 But de l’´lectronique de puissance . . .7. . . . . . . 3. . . . . . . . . . . . 3. . . . . .6 Les transistors unipolaires . . . . . . . . . . 2. .4. . . . .2 Circuits logiques unipolaires . . . . . . . 3. . . 3. . . . e 3. . e . .4. . . . e e 3. . . .5 R´sistance ` l’arc . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3. . . . . . . . . .1 Types d’isolants utilis´s dans l’industrie ´lectrique e e 2. . . . . . . .2.4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7. . . . Table des mati`res e . 3.

. . . . . . . . . . e 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . 4. . . .1 Constitution . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4. . . . . . 4. . .6 Le diac .1. . . . . . . . . . . .5. . . . . . . . . . . . . . . .3. . . . . . . . . . 4. . . . . . . .8. . . . . . . . . . . .6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 Semiconducteurs de puissance . . . . . . . . .2 Fonctionnement . . .1. . .2 Principe de fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 4. .3 Circuit ´quivalent . . . . 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . Le MOSFET de puissance . . . 4. . . . Le transistor bipolaire de puissance . . . . .6 Utilisation du MOSFET de puissance . . . . . . .4 Applications industrielles des thyristors . . . . . . . . .2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3. . . . . . . . . Le thyristor GTO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . e 4. . . . . . . . . . . .4 Symboles . . . .7. . . . . . . . .6 Carat´ristiques dynamiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4. . . . . . . . . . . .1 Constitution . . . . . . . . . .4. . . . . .4. . . . . . . . .3 Structure g´n´rale d’un convertisseur en ´lectronique de puissance e e e 4. . . . . . . . . c 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6 4. . . .4 4. . . . . . . . . . . . . . .3. . . .1. . . . . . . . . . .3. . .2 4. . . . . . . . . . . . . . e 4. . . . . .8. . 4. . . . . . . . . . . . .2. . . . . . . . . . .1 Structure . . . .4 Pertes a l’´tat passant . . . . . . . .1 Principe . . .5 Caract´ristique dynamique . e 4. . . L’IGBT .5. . . . . . . . . . . . . . .4 Applications de l’´lectronique de puissance .3 Caract´ristique statique d’une diode de puissance . . . . e 4. .8 ` HAGGEGE. . . . . . . Le thyristor . . . .4 Circuit ´quivalent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 Utilisations .Table des mati`res e 4. . . . 4. . . . . . . . . . . . . . . . . 4.4.5 Applications du triac . . . . . . . . . . . .1 Structure . . 4. . . . . . . .2. 4. . e e a c 4. .3 Probl`mes li´s ` l’amor¸age et au bloquage des thyristors . . . . . . . . . . . . .4 Amor¸age . . . . . . . . . . . . . . . . .8. . . . .7. . . . . . . . . . 4.7. . . . . . .2 Transformations possibles en ´lectronique de puissance . . . . . .1 Constitution .2. . . . . .8. . . . . . . . . . . . .5 Caract´ristique statique . . . .6. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4. . . . . . . . . . . . .1 Structure de base d’une diode de puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4. . . . . e 4. . e 4. . . . .2 Principe de fabrication . . . . . La diode de puissance . . .8. 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4. . . . . . . . . .8. . . . . 4. .2. . . .5 Caract´ristiques en commutation . . . . 4. . . . . . . Le triac . . . . . . . . . . . . .2 Structure . . . . . 69 70 70 70 71 71 71 72 72 72 73 74 74 75 78 81 81 81 83 83 83 84 84 85 85 85 86 86 86 86 89 89 90 90 91 91 92 93 93 93 94 94 94 94 4. .7. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7 4. . . . . . . . 4. . . . . . . . . . . . .6 Diode Schottky .4. 4. . . . . . . . . . . . . . . . . . . e 4. 4. . . . . . e 4. . . .7. . . . . . . . . . . . . . .3 Caract´ristique statique . . . . . . . . . . . . . . . .2 Transistor Darlington monolithique . . . . . . . . . .2 Fonctionnement du thyristor . . . . .3 Caract´ristique du triac . . . . . .4. . ` e 4. .7. . . . . . 4.5. .1. . . . . . . . e 4. . . . . . . . . . . . . . . . .2 Avantage essentiel du GTO . . . . . . . . . 2003 ISET Rad`s e . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2. . . e cours de technologie g´n´rale e e v . . . . . .

. .5 Accumulateurs . . . . . . . . . . . . . . .2 Fonctionnement . . . . . 5.3. . . . . . . . . . . . . . a 4. . . . . . . . .8. . . . . . . . . . . 5. . . . .10. . . . . . . . 5. . . . . . . . . . 106 . . .6 Caract´ristiques d’une pile . . . . .2 L’accumulateur au plomb . . . e 5. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102 . . . 104 . . . . . . . .3. . . . .5 Energie d’une pile . . . . . . . . . . . . . 107 . . . .4 Repr´sentation d’une pile . . . . . . .3. . . . .3. . . . . . . . .3. . . . . . 5 Piles et accumulateurs 5. . . . . 103 . . . .3 Isolement ´lectrique . . . .10. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101 . e 5. . . . . . ` 5. . . . . . . . .5. . . Table des mati`res e . . . . . . 95 95 95 95 95 96 97 97 101 . . .3 Force ´lectromotrice . . . . . . . . 2003 . . . . 107 . . . .3 Piles . . .10 Montage et refroidissement des composants de puissance 4. . 5. . . . . . . . . . . . . .4. . . . . . . . . . . .2 Piles a l’oxyde mercurique . . . . . .1 Piles s`ches . . . .10. . . . . . . .2 Principe d’un g´n´rateur ´lectrochimique e e e 5. 103 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1 Rˆle du boˆ o ıtier du semiconducteur de puissance . .3. . . .1 Principe . . . . . . .7 Utilisation de l’IGBT . . .9 Technologies ´mergentes . . . . . . 102 . . . . . . . . . 107 111 ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE. . . . . 5. . . . . . .2 Environnement d’un semiconducteur de puissance 4. . .vi 4. . . e 4. . . . . . . . . 5. .10. . . . . . . . . . . . . . . . . . .4 Cˆblage . . . . . 4. . . . . . . . . . . e 4. . . . . . 102 . . . . . . . .10. . . . . . . . . 4.1 Grandeurs caract´ristiques . e 5. . . . . . . . .3. .4 Quelques types de piles . . e 5. 101 . . . . . . . . . .1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . 5. . . . 5. . . . . . . . . . . .5. . . . . . e 5. . . . . . . . . . . . . . . . . 104 . . 103 . 104 . .4. . .5 Radiateurs . . . . . . .7 Polarisation des piles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Bibliographie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102 . . .

Chapitre 1 Les conducteurs 1.m−1 ou e e Siemens (S). .2 Classification des mat´riaux en ´lectricit´ e e e Les mat´riaux utilis´s en ´lectricit´ sont class´s suivant leur conductivit´ : e e e e e e 5 −1 −1 .1 Caract´risation des conducteurs e Conductivit´ e Lorsqu’un champ ´lectrique E est appliqu´ ` un mat´riau quelconque. .1 1.Pour les semiconducteurs : σ ≈ 1 Ω−1 .Pour les conducteurs : σ > 10 Ω . 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e .1.Pour les isolants : σ < 10−5 Ω−1 . ` HAGGEGE. la densit´ de coue ea e e rant j qui le traverse est proportionnelle au champ : j = σE xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx I S j E avec j : densit´ de courant telle que : e I S La constante de proportionnalit´ σ est la conductivit´ qui s’exprime en Ω−1 .1.m . j= 1.m−1 .m−1 .

.Les conducteurs 1.3 Nature de la conduction ´lectrique e . .Semiconducteurs purs → ´lectrons libres et trous . e e 1.2 Chapitre 1 . e e 1. En g´n´ral. ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE.le cuivre et ses alliages .des m´taux non ferreux : aluminium.. aciers . e 1. . mercure.1.2 Les conducteurs m´talliques e L’industrie ´lectrotechnique emploie : e . e Les deux mat´riaux les plus utilis´s sont : e e .ρ0 : r´sistivit´ ` la temp´rature T0 . e e . e . et leurs alliages. e . α d´pend du domaine de temp´rature dans lequel on travaille.Conducteurs m´talliques → ´lectrons libres . cuivre. e e ea e .1. zinc.5 R´sistivit´ et temp´rature e e e ρ(T ) = ρ0 (1 + α(T − T0 )) La r´sistivit´ est li´e ` la temp´rature par la relation : e e e a e avec : . fontes.. magn´sium. .l’aluminium et ses alliages. et leurs alliages .des m´taux ferreux : fers. molybd`ne.1.. 2003 .Semiconducteurs dop´s → d´pend de la nature du dopage. on a : R=ρ avec ρ = 1 σ l S = r´sistivit´. nie e e ckel.4 R´sistance et r´sistivit´ e e e U I La r´sistance ´lectrique d’un conducteur est d´finie par la loi d’Ohm : e e e R= Pour un conducteur filiforme.Electrolytes → ions positifs ou n´gatifs .α : coefficient de temp´rature (◦ C−1 ) . Il est positif e e e e pour les conducteurs m´talliques (⇒ ρ augmente lorsque T augmente).

M´tal lourd : masse volumique µ = 8. le cuivre utilis´ doit avoir e e e e e une puret´ ≥ 99.Faible coefficient de temp´rature : α = 3.4 Propri´t´s m´caniques e e e Elles d´pendent de la puret´ du mat´riau.99 %.Les conducteurs m´talliques e 3 1.Bonne conductivit´ ´lectrique : r´sistivit´ ρ = 1.2.10−8 Ω. cˆbles.5 % . ` . 72.7 Propri´t´s magn´tiques e e e Le cuivre est diamagn´tique (tr`s faible aimantation dans le sens oppos´ au champ e e e magn´tique) ⇒ le cuivre peut ˆtre utilis´ pour la fabrication de ressorts d’appareils de e e e mesure. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e . Il est attaqu´ par l’acide nitrique et l’ame e moniac.. e .2 Obtention du cuivre ` partir du minerais a .Temp´rature de fusion ´lev´e : Tf = 1083 ◦ C.1.2. En ´lectronique. e ` 1.2 .1.9 %. on utilise du cuivre pur a e a e ` 99. e 1. 9.2.2. .1. e e e 1.2. barres. ee e e a . 96 g/cm3 .1.2. e 1. Il est peu abondant sur terre (0.2. En ´lectrotechnique.1. il e se recouvre d’une couche imperm´able : le vert-de-gris (carbonate de cuivre).Minerais oxyd´ → affinage ´lectrolytique : le minerais est dissous dans de l’acide e e sulfurique puis le cuivre en solution est extrait par ´lectrolyse ⇒ cuivre pur a 99.Bonne conductivit´ thermique λ = 393 W/m.5 %). 1.Minerais sulfur´ → affinage thermique : le minerais est grill´.1 Cuivre et alliages de cuivre Fabrication Le cuivre se trouve sous forme de minerais sulfur´s ou oxyd´s qui contiennent moins de e e 2 % de cuivre (limite ´conomique = 0.10−3 ◦ C−1 . L’ ´tamage e e permet une protection contre l’oxydation.K .2.1. e 1.1. Le cuivre est faiblement attaqu´ par l’acide e chlorhydrique et l’acide sulfurique concentr´. e .5 Propri´t´s ´lectriques e e e .3 Propri´t´s physiques du cuivre e e . le cuivre ne s’oxyde pas . ne contenant pas d’oxyg`ne (« oxygen-free ») → se soude facilement.m ` 20 ◦ C . fondu et d´sulfur´ e e e e dans un convertisseur ⇒ cuivre pur a 99.007 % de la e lithosph`re).1. dans l’air humide et charg´ en CO2 .6 Propri´t´s chimiques e e Dans l’air sec et froid.1 1. 9 % → fils. ` HAGGEGE..

raccords.2. e o e e e e . Bobinages de moteurs fonctionnant a ` temp´rature e ´lev´e e e (> 200 ◦ C).10 Laitons Alliages Cu + Zn ou Cu + Zn + Pb en proportions variables. au b´ryllium. ee e a Cuivres ` l’argent. lames de collecteurs.9 Cuivres faiblement alli´s e Dans ces cuivres. mat´riels t´l´phoniques. e grande r´sistance e aux efforts altern´s. supports d’isolateurs. e grande facilit´ e d’usinage. e Cu + Zr Bonne r´sistance e aux vibrations et aux temp´ratures e ´lev´es.1. e e Electrodes de soudage.Les conducteurs Le cuivre est ductile et mall´able : il peut ˆtre : e e . au tellure.. tubes.4 1.11 Bronzes Alliages Cu + Sn + Zn (+ Pb ou Al).. Cu + Be Tr`s e grande r´sistance e m´canique..1. e Ressorts. R´sistent ` la corrosion et aux vibrations : bagues e a de moteurs. qui peuvent ˆtre facilement d´coup´es ou pli´es .2. pi`ces e de frottement. au zirconium : tr`s a e e utilis´s dans l’industrie ´lectrotechnique. . au cadmium. au chrome. faible e conductivit´ e ´lectrique. Conducteurs pour cat´naires. 1. 2003 . . Electrodes de machines a ` souder. collecteurs de moteurs ` a temp´rature e ´lev´e (aviae e tion). cages de moteurs.2. Pi`ces d’ape pareillages ´lectriques. cosses. douilles. Ils poss`dent les propri´t´s suivantes : e e e ee Cu + Ag Possibilit´ e d’´tamage et e de soudure a ` l’´tain. Cu + Te Bonne conductivit´ e ´lectrique.´tir´ et fil´ → fils. la teneur des ´l´ments d’addition reste normalement inf´rieure ` 1 %.2. Faciles a usiner.1. ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE.lamin´ → feuilles. e e e 1. barres. lames de collecteurs. tˆles.1.. utilis´s ` e pour des pi`ces d’appareillages : culots. e e ee 1. r´sistance ` e a la corrosion. contacts de gros interrupteurs. Cu + Cr Mou et ductile ⇒ facile a ` travailler. e bagues de moteurs.8 Propri´t´s m´tallurgiques e e e Chapitre 1 . porte´lectrodes e pour machines ` a souder. e Cu + Cd Grande r´sistance e aux efforts altern´s (ex : e vibrations).

Coefficient de temp´rature : α = 4. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e .2.10−3 ◦ C−1 . le mercure. la potasse.5 Propri´t´s chimiques e e L’aluminium se recouvre rapidement d’une couche d’alumine de faible ´paisseur (≈ 1 µm) e qui le rend stable chimiquement. de fer.5 tonnes de bauxite pour extraire 2 tonnes d’alumine .K .Bonne conductivit´ thermique : λ = 222 W/m.1. acide nitrique.Electolyse de l’alumine en solution. e ` HAGGEGE.Extraction de l’alumine ` partir de la bauxite par des proc´d´s chimiques et thera e e miques .2.2..2.2.6 Propri´t´s magn´tiques e e e L’aluminium est amagn´tique. Au contact du cuivre. hydrocarbures. La production d’une tonne d’aluminium n´cessite : e .4 Propri´t´s ´lectriques e e e .14000 kWh (tension continue de 7 a 8 V).3 Propri´t´s m´caniques e e e Faible r´sistance ` la rupture. 1. e 1. L’aluminium est extrait de la bauxite par m´tallurgie en deux ´tapes : e e .1 Aluminium et alliages d’aluminium Fabrication L’aluminium se trouve a l’´tat naturel sous forme de minerais oxyd´ : la bauxite qui ` e e contient des oxydes d’aluminium. e a 1.m .2 . e e .2 Propri´t´s physiques de l’aluminium e e . e .10−8 Ω. de silicium et de titane. la e soude. .2. 8. e a alcools.2.2. 3.Bonne conductivit´ : r´sistivit´ ρ = 2. l’aluminium est alt´r´ par corrosion ´lectrolytique ⇒ il faut garder l’aluminium ee e en milieu sec.2 1. ` 1.2.2. 7 g/cm3 . e 1.Temp´rature de fusion Tf ≈ 650 − 660 ◦ C. e e e . . du plomb et en milieu humide corrosif.M´tal l´ger : masse volumique µ = 2. ..2. huiles.2.2. Il r´siste ` l’action des graisses. Il est attaqu´ par les acides chlorhydrique et fluorhydrique.Les conducteurs m´talliques e 5 1. du fer.

e e e 1. soudage. e 1.9 Principale utilisation de l’aluminium Fabrication de cˆbles en remplacement du cuivre.A chaud : moulage.. e e e e .2. 1. e .3. a 1.Rotors de moteurs a cage → aluminium pur a 99.1 Caract´ristiques n´cessaires e e . ` e .2 Mat´riaux employ´s e e Les fils de bobinage sont en cuivre ou en aluminium.3 Les fils conducteurs On distingue les fils de bobinage et les fils de cˆblage.1 Fils de bobinage Ils sont tr`s utilis´s dans l’industrie ´lectrotechnique pour la production ou l’utilisation e e e des champs magn´tiques.2. Il y a deux sortes de cˆbles : les a a cˆbles a´riens nus. Ils sont souvent plac´s autour d’un noyau ferromagn´tique. . souterrains.Faible r´sistance ´lectrique pour ´viter l’´chauffement et les chutes de tension . pliage. usinage. .3. ` ` . filage.. en contact avec l’atmosph`re.Fils de faible section → cuivre ´lectrolytique .2. e 1. intere e a e ee venant lors de l’op´ration de bobinage.Enroulements rotoriques des turbo-alternateurs de grande puissance → cuivre faiblement alli´ ` l’argent.1. .6 1.3. ea ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE. . On peut lui faire subir : e e a ` ..7 Propri´t´s m´tallurgiques e e e Chapitre 1 . 2003 .8 Traitements thermiques L’aluminium peut ˆtre trait´ thermiquement pour : e e .. suspendus ` des pylˆnes et les cˆbles a e e a o a isol´s.1.l’adoucir → aptitude a la d´formation plastique . sous-marins ou suspendus sur de courtes distances.5 % .Les conducteurs L’aluminium est tr`s mall´able ` froid ou a chaud.2.2.le durcir → am´lioration de ses propri´t´s m´caniques.Bonne r´sistance m´canique ` la rupture par traction ou par pliage r´p´t´s.A froid : laminage. e ee e 1.2.

T : tension du cˆble (en N) . e 1.2 1.3. e a Le param`tre a poss`de la dimension d’une longueur (m). Propri´t´ importante : r´sistance ` la rupture ≥ 350 N/mm. ee e a a form´s d’une ˆme en acier recouverte par des fils d’aluminium : acier → solidit´ .2.3. 2003 x − x0 a T p0 p a ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e . a . e e Relation entre fl`che f et port´e p : e e p2 f= 8a Longueur du cˆble suspendu entre A et B : a l(AB) = 2a sh ` HAGGEGE.3 . d´fini par : u e e a= avec : .p0 : poids lin´ique du cˆble (en N/m).1. ex : l’alm´lec.1 Lignes a´riennes e Constitution Alliages d’aluminium.2 G´om´trie e e A f = flèche B p = portée On montre que l’´quation de la ligne peut s’´crire : e e y − y0 = a ch o` a est le param`tre de la ligne. alumie a e nium → bonne conductivit´.Les fils conducteurs 7 1. Cˆbles nus.2.3. moins conducteur que le cuivre mais plus solide e et moins cher.

e .Echauffements en r´gime permanent (effet Joule + rayonnement solaire) .Cx : coefficient de traˆ ee . e .2.Echauffements dus aux surcharges transitoires.d : diam`tre du conducteur . El´ment de dimensionnement de ces supports. Dans le cas des lignes ` a presque horizontales (faible fl`che).3. e e elle s’ajoute au poids des cˆbles ⇒ augmentation de leur tension m´canique.8 1. .2. L’´chauffement acceptable par un conducteur est limit´ par la temp´rature qu’il atteint : e e e temp´rature ´lev´e → dilatation → augmentation de la longueur du cˆble : la ligne peut e e e a traˆ ıner ` terre .3.5 Choix des sections des lignes a´riennes e V2 2 La section a donner a un conducteur d´pend des pertes et des ´chauffements admissibles : ` ` e e . Cette pouss´e se transmet aux supports. 1.4 Effet du vent sur les conducteurs Le vent exerce sur les conducteurs une pouss´e : e F = Cx · d · ∆l · µ avec : ın´ .3 Conditions d’´tablissement e Chapitre 1 . a e 1.2. a e e ee e ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE.µ : masse volumique de l’air . l’´cartement entre les conducteurs (phases + neutre) e e est donn´ par : e port´e e ´cartement e p≤4m e ≥ 15 cm 4 m ≤ p ≤ 6 m e ≥ 20 cm 6 m ≤ p ≤ 15 m e ≥ 25 cm p ≥ 15 m e ≥ 35 cm Les conducteurs sont fix´s ` des isolateurs rigides par des attaches en fil d’aluminium ou e a de cuivre.∆l : ´l´ment de longueur du cˆble .3.Les conducteurs Les conducteurs doivent ˆtre hors d’atteinte : le point le plus bas de la ligne doit ˆtre ` e e a au moins 6 m au dessus du sol et a 3 m au dessus des bˆtiments. . 2003 . ee a .V : vitesse du vent. temp´rature + tension m´canique ⇒ d´t´rioration irr´versible des lignes.

D’o` : a Pmax = k 2 (W/km) I S max Soit c le coˆt unitaire des pertes (en dinars/W).2.Sl : surface lat´rale du conducteur.3. le coˆt total des pertes est : u u Cpertes = ` HAGGEGE.7 Densit´ de courant ´conomique e e Les valeurs de sections obtenues par l’´chauffement maximal conduisent g´n´ralement ` e e e a des pertes ´lev´es ⇒ il faut tenir compte du facteur ´conomique. 4 mm. Bilan de puissance : Pertes Joule = Puissance dissip´e. On impose : e e Imax = 500 A.Les fils conducteurs 1. Tmax = 60 ◦ C et Ta = 20 ◦ C. 2003 k 2 I ·c S max ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e . L’´chauffement e e ea e θ = T − Ta en r´gime permanent est li´ ` la puissance P dissip´e. e e e Les pertes maximales dans la ligne sont : Pmax = 3RI 2 avec R inversement proportionnel 35 e u ` la section.6 9 Calcul du diam`tre des lignes a´riennes en fonction de l’´chauffement e e e admissible Les pertes par effet Joule dans la ligne sont ´vacu´es par la surface lat´rale des conduce e e e e teurs.10−8 Ω. La densit´ de I courant correspondante est : j = S = 2.2. 1. ex : R = S (mm2 ) (Ω/km) pour l’alm´lec.3. 5.1. 35 A/mm2 .3 . on a : ρ = 3. e . par l’expression : P = K · Sl · (T − Ta ) avec : e .m et K = 20 W/◦ C/m2 . On a alors d = 16. e ⇒ ⇒ ⇒ ⇒ ⇒ RI 2 ρL πd2 4 = K · Sl · (T − Ta ) I 2 = K · πd · L · (T − Ta ) = = = 3 ρI 2 d3 d Kπ 2 d3 (T − Ta ) 4 4ρI 2 Kπ 2 θ 4ρI 2 Kπ 2 θ Exemple : pour l’alm´lec. Soit T la temp´rature du conducteur et Ta la temp´rature ambiante.K : coefficient de dissipation thermique (en W/◦ C/m2 ). d´pend de la nature et de la forme du conducteur .

` En pratique. On a e e a distingue : . ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE.une bonne tenue ` la corrosion due aux agents atmosph´riques et aux environa e nements chimiques. on prend une densit´ de courant telle que j < 1 A/mm2 . ≈ 0.une bonne conductivit´ ´lectrique afin de r´duire les pertes d’´nergie ⇒ elle est ee e e r´alis´e en cuivre ou en aluminium . .1 Cˆbles isol´s a e Constitution Les cˆbles isol´s sont constitu´s d’une ˆme conductrice et d’une enveloppe isolante..3.Les conducteurs k 2 · c + a + bS I S max = 0. on a : k = 3 × 35 = 105.3 1.3. 7 A/mm2 . 7 a 0. des fixations et du serrage des conducteurs . soit : 2 Imax b = S2 kc La densit´ de courant a l’optimum est donc : e ` jopt = Imax = S b kc Elle d´pend de la constante physique k et des constantes ´conomiques b et c. L’ˆme doit poss´der : a e . e e e 1.une r´sistance m´canique suffisante pour ´viter la rupture du conducteur au cours e e e de la pose. e .. On a alors : jopt = 0. e e Exemple : pour une ligne en alm´lec.une bonne souplesse pour faciliter le passage des conducteurs dans les conduites afin de respecter le trac´ des canalisations ou pour alimenter les appareils mobiles . 2003 .les cˆbles monoconducteurs : un seul conducteur isol´ revˆtu d’une gaine de proteca e e tion.3. armure . e e e .10−4 dinar/mm2 /km e et c = 10−5 dinar/W. e valeur inf´rieure aux densit´s limites d’´chauffement.10 Le coˆt kilom´trique de la ligne peut s’´crire : u e e Cligne = a + bS Le coˆt total (ligne + pertes) est : u C= Ce coˆt est minimal lorsque u dC dS Chapitre 1 . e e . 8 A/mm2 . b = 5. tresse.les cˆbles multiconducteurs : ensemble de conducteurs ´lectriquement distincts mais a e li´s m´caniquement dans un revˆtement (gaine.) .

3.L : longueur de l’´prouvette (en m).5 Equivalence aluminium .4 Mesure de la r´sistance lin´ique e e La r´sistance lin´ique se mesure sur une ´prouvette de cˆble de 1 m. e a .k : facteur compris entre 1 et 1. 26 = ≈ 1. 93.n : nombre de brins de l’ˆme ( n = 1 pour une ame massive) . La r´sistance mesur´e e e e a e e par une m´thode de mesure des faibles r´sistances est ramen´e ` la r´sistance lin´ique ` e e e a e e a 20 ◦ C pour 1 km : RT 1000 R20 = · 1 + α(T − 20) L avec : . e Calcul : ρ R20 = nπd2 · k 4 avec : .RT : r´sistance mesur´e ` la temp´rature T (en Ω) .1.2 qui d´pend de la constitution de l’ˆme (massive e a ou cˆbl´e).3 . a e e a 1. a 1.3.R20 : r´sistance ` 20 ◦ C en Ω/km . e . mesur´e ` 20 ◦ C. 28. 2003 ρAl L R ρCu L R = ρAl 28. α = 4. 1 → ˆme massive rigide.ρ : r´sistivit´ du m´tal en Ω.10−3 ◦ C−1 e pour l’aluminium .Les fils conducteurs 1. 24 ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e . a ˆ . Il est utilis´ pour des sections sup´rieures ` 10 mm . 63 ρCu 17. 03.T : temp´rature de l’ˆme (en ◦ C) . 2 → ˆme cˆbl´e a a a a e rigide (form´e de brins de cuivre ou d’aluminium dispos´s en h´lice). .mm2 /km ( 17. on a : e e e Section aluminium = Section cuivre ` HAGGEGE.26 pour l’alumie e e nium) . e 1.d : diam`tre des brins en mm .α : coefficient de temp´rature (α = 3. Pour une mˆme e e a r´sistance ´lectrique et une mˆme longueur.3 R´sistance lin´ique e e C’est la r´sistance d’un kilom`tre de cˆble.2 Classe de souplesse d’un cˆble a 11 Cˆbles des installations fixes : classes 1 et 2.3. .3.3.3.3.3. tient compte de la longueur r´elle du cˆble. e e a e . e e e Cˆbles souples : classes 5 et 6.cuivre L’aluminium est de plus en plus utilis´ car les r´serves mondiales d’aluminium sont tr`s e e e 2 e importantes. e a . pour une section et une e e a e a classe de souplesse donn´es.10−3 ◦ C−1 pour le cuivre.24 pour le cuivre.

La surface r´elle du contact d´pend de l’´tat de la surface des conducteurs et de e e e e la pression exerc´e → apparition d’une r´sistance de contact.. 9 ⇒ 1 kg d’aluminium remplace 4 kg de cuivre. 63 × 2. 7 0. 84 × µAl = = ≈ 0.) puis e e a e r´tablie.sertissage ou rivetage : contrainte m´canique (pression).m (effet de pile entre e e e e mat´riaux diff´rents) ou de chutes de tension. .. platine. 9 ⇒ 1 kg d’aluminium remplace 2 kg de cuivre.argent ou cuivre → bonne conductivit´ . au chalumeau ou a l’arc de mat´riaux de mˆme nature . 84 × 2.tungst`ne ou molybd`ne → bonne duret´ et haut point de fusion .or. sous graisse .4 Les contacts Un contact est une liaison assurant la continuit´ ´lectrique entre deux ou plusieurs conducee teurs.2 Contacts d´montables e La liaison ´lectrique peut ˆtre interrompue ` l’aide d’un outil (tournevis.contacts permanents .4. cl´ . On distingue les jonctions : connexion de deux extrˆmit´s de conducteurs. e e Il y a trois types de contacts : . a froid.1 Contacts permanents Ils sont r´alis´s par : e e . et les e e d´rivations : connexion d’un ou plusieurs conducteurs (conducteurs d´riv´s) en un point e e e d’un autre conducteur (conducteur principal). e . 84 Section cuivre ⇒ Masse aluminium 0. argent. Les contacts peuvent ˆtre le si`ge de d´gagement de chaleur. nickel. e e e . 7 = ≈ 0. 2003 .contacts mobiles. e ` .soudage : soudure autog`ne. e ` e e .contacts d´montables . 63 × µAl Masse aluminium 1. 1. e .´.4. de f.soudure de deux m´taux a l’aide d’un alliage a base de cuivre (brasure). 1. on a : e Section aluminium = 0. e ` ` 1.Les conducteurs 1. e a ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE.12 Chapitre 1 . On montre aussi que pour un mˆme e ´chauffement. e e Mat´riaux : e . 25 Masse cuivre µCu 8. rhodium → bonne r´sistance ` la corrosion. 5 = Masse cuivre µCu 8.

autolubrifiant. r´gulation de temp´rature. Leur r´sistance n’est e pas constante : elle varie avec un param`tre physique.5 1. magn´tor´sistance → champ magn´tique.B : indice de sensiblit´ thermique (2000 a 3000 K). e e e ` HAGGEGE.1 Thermistances Ce sont des r´sistances ` base d’oxydes c´ramiques. de plus.Conducteurs sp´ciaux e 13 1. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e . e ` On d´finit le coefficient de temp´rature de la thermistance : e e α= 1 ∆R B =− 2 <0 R ∆T T B 1 1 − T T0 Il est toujours n´gatif → thermistance CTN (Coefficient de Temp´rature N´gatif).1. ils n’ob´issent pas ` la loi d’Ohm : la tension a e e a ` leurs bornes n’est pas proportionnelle au courant qui les traverse.1 Conducteurs sp´ciaux e R´sistances non ohmiques e Ce sont des conducteurs non-lin´aires. e a e . e e e Symbole : T Utilisation des CTN : mesure de temp´ratures. e a .4. 1.5. cat´naires pour la traction ´lectrique e e e (translation). Probl`me principal : usure par frottements m´caniques → utilisation de mat´riaux pr´e e e e sentant une grande duret´ : cuivre faiblement alli´ au cadmium . compensation de la d´rive en temp´rature e e e de composants ´lectroniques.3 Contacts mobiles L’un des conducteurs est en mouvement de translation ou de rotation par rapport a ` l’autre. Leur r´sistance varie selon la loi : e a e e RT = R0 exp avec : .5 . usure ramen´e ` l’un des e e e a conducteurs qui peut ˆtre facilement remplac´ : charbon (pur ou m´lang´ ` du cuivre ou e e e ea de l’argent) qui est.5. Ex : thermistance → temp´rature.RT : r´sistance ` la temp´rature T (en Kelvin) .R0 : r´sistance ` T0 = 300 K (25 ◦ C) . Ex : balais de machines ´lectriques (rotation). e e e 1.1. e e varistance → tension.

a e ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE.1.) 1. modem.2 Varistances Chapitre 1 . 2003 . Utilisation : mesure des champs magn´tiques. quelqu’en soit le sens.1.α = 5 pour les VDR au SiC .3 Magn´tor´sistances e e Ce sont des sondes en antimoniure d’indium dont la r´sistance augmente en fonction du e champ magn´tique. R´sistance : e U 1−α U U = = R= I K · Uα K Puissance dissip´e dans la VDR : e P = U I = K · U α+1 Symbole : U Utilisation : protection des ´quipements contre les surtensions.14 1.5. . ` Caract´ristique courant-tension : e I = K · Uα avec : . . Le champ doit ˆtre appliqu´ perpendiculairee e e ment ` la sonde.appareils de télécommunication (téléphone.. e surtension Utilisation Ligne de transport U .α = 30 pour les VDR au ZnO.Les conducteurs R´sistances au carbure de silicium (SiC) ou ` l’oxyde de zinc (ZnO). Leur r´sistance d´croit e a e e lorsque la tension a leurs bornes augmente (→ VDR : Voltage Dependant Resistor)..transformateurs .5.

2 Supraconducteurs En dessous d’une temp´rature critique Tc . e ` e e ` e . certains mat´riaux perdent compl`tement leur e e e r´sistance ´lectrique.Bc0 : Champ magn´tique critique a temp´rature nulle . Tc est proche de 0 K → difficult´ dans l’utilisation pratique des supraconduce e teurs : n´cessit´ d’un syst`me de r´frigiration tr`s important ⇒ recherche de supracone e e e e ducteurs ` temp´rature critique ´lev´e.1. a e e e ` HAGGEGE. e La propri´t´ de supraconduction d´pend du champ magn´tique dans lequel se trouve le ee e e supraconducteur : le champ doit ˆtre inf´rieur a une valeur critique Bc . T ) est ` l’int´rieur de la zone de supraconduction. ce sont des supraconducteurs.5 . 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e . e e ` Relation entre Tc et Bc : 2 Tc Bc = Bc0 1 − Tc0 avec : .Tc0 : Temp´rature critique a champ magn´tique nul. e e Evolution de la r´sistivit´ d’un supraconducteur : e e ρ Tc T Cons´quence : un courant peut circuler sans pertes Joule dans un supraconducteur. e a e e En g´n´ral. Interpr´tation graphique : e B Bc0 xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx zone de supraconduction Tc0 T Le mat´riau est supraconducteur lorsque le champ magn´tique et la temp´rature sont tels e e e que le point de coordonn´s (B.5.Conducteurs sp´ciaux e 15 1.

5.conductivit´ ´lev´e . la valeur de la temp´rature T1 ` mesurer.Les conducteurs Application des supraconducteurs : bobinages d’´lectro-aimants pour la production de e champs magn´tiques tr`s intenses. e Constitution : M1 A S1 UAB Température T1 B M1 M2 (à mesurer) S2 Température T2 (référence) avec : . Ils sont bas´s e e e e sur l’effet thermo´lectrique (effet Seebeck) consistant en l’apparition d’une diff´rence e e de potentiel entre deux m´taux diff´rents soud´s ensembles et port´s ` des temp´ratures e e e e a e diff´rentes.faible oxydation . YBaCuO (Tc = 92 K). e ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE.bonne ductilit´. e . dont la fonction e e e est d’ouvrir le circuit si le courant qui le traverse d´passe une valeur donn´e pendant un e e temps d´termin´.3 Thermocouples Ce sont des instruments permettant de mesurer des temp´ratures ´lev´s. temp´rature de la glace fondante). e e Couple de m´taux M1 /M2 couramment utilis´s : e .temp´rature de fusion basse .4 Fusibles Ce sont des dispositifs mont´s en s´rie avec les installations ´lectriques. La soudure S2 ´tant e e e ◦ e maintenue ` une temp´rature T2 fixe (ex : 0 C.5. a partir d’une table de correspondance fournie par le a fabricant du thermocouple. 2003 . cˆbles de transport d’´nergie sans pertes Joule (cryoe e a e cˆbles). La tension UAB est fonction de la diff´rence de temp´rature T1 − T2 . a Exemples de mat´riaux supraconducteurs : NbTi (Tc = 10 K). e 1. e e Propri´t´s d’un fusible : ee .S1 . S2 : soudures. e 1. .cuivre/constantan → Tmax ≈ 400 ◦ C . e e . .platine rhodi´ → Tmax ≈ 1800 ◦ C. la a e ` mesure de UAB permet d’obtenir.16 Chapitre 1 . ee e .M1 /M2 : couple de m´taux diff´rents .

e .Ph´nom`nes thermiques dans les machines ´lectriques e e e 17 Calcul du diam`tre d’un fusible filiforme : pour un tel fusible.1036 0.1 1.If : courant de fusion (en A) . 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e .0638 0.1 Calcul de l’´chauffement e Equation de l’´chauffement e L’´limination de la chaleur produite par les pertes se fait essentiellement par convection.1. e e ` e Valeurs de Kf pour quelques mat´riaux conducteurs a la temp´rature ambiante de 25 ◦ C : mat´riau e argent plomb zinc aluminium cuivre coefficient Kf 0. e e e e e . a La puissance thermique dissip´e par convection a pour expression : e Pth = KS(T − Ta ) avec : . les autres facteurs contribuant a l’´chauffement ´tant ` e e les pertes dans les circuits magn´tiques (hyst´r´sis et courants de Foucault).6 Ph´nom`nes thermiques dans les machines ´lece e e triques L’´chauffement dans les machines ´lectriques a pour principale origine les pertes dans e e les conducteurs (effet Joule). d´termin´ exp´rimentalement. e c’est-`-dire par transfert thermique entre la machine et l’air ambiant.1722 0.Pth : puissance dissip´e (en W) . Les machines e e ´lectriques n´cessitent donc un refroidissement pour ´vacuer ces pertes.6.6 . e ` HAGGEGE.d : diam`tre du fusible (en mm) .Kf : coefficient d´pendant du mat´riau et de la temp´rature ambiante. le diam`tre se d´termine e e e d’apr`s la relation entre le courant et l’´chauffement dans un conducteur cylindrique.1. dans les e ee isolants (pertes par courants de fuite et pertes di´lectriques). La e e relation entre le diam`tre et le courant de fusion est donc de la forme : e d = K f · If avec : . dans les semiconducteurs e (pertes Joule et pertes en commutation pour les convertisseurs statiques) et dans les pi`ces e m´caniques (frottements et r´sistance de l’air pour les machines tournantes).0594 2/3 1.3029 0.6. e e e 1.

dT : ´chauffement (en ◦ C).c : chaleur massique (en J/◦ C/kg) .τ= ISET Rad`s e mc : constante de temps thermique .S : surface de dissipation (surface en contact avec l’air) . on a alors : e ⇒ mc mc dθ + KS θ = P dt C’est une ´quation diff´rentielle lin´aire du premier ordre dont la solution avec la condition e e e initiale θ(0) = 0 est : t θ(t) = θm 1 − e− τ avec : .18 Chapitre 1 .Les conducteurs . e Energie dissip´e dans l’air pendant la dur´e dt : e e Ed = Pth dt = KS(T − Ta ) dt Energie totale due aux pertes Joule : EJ = P dt o` P repr´sente la puissance des pertes Joule. . . u e Le bilan ´nerg´tique s’´crit donc : e e e EJ = Em + Ed ⇒ mc dT + KS(T − Ta ) dt = P dt dT + KS(T − Ta ) = P dt On note θ = T − Ta l’´chauffement. . e .K : coefficient de dissipation thermique (en W/◦ C/m2 ) . e L’´volution de l’´chauffement au cours du temps se fait d’apr`s le bilan ´nerg´tique : e e e e e Pertes Joule = ´chauffement de la machine + dissipation dans l’air ambiant e Energie n´cessaire pour ´chauffer la machine : e e Em = mc dT avec : . . d´pend des mat´riaux e e constituant la machine .T : temp´rature de la machine .Ta : temp´rature ambiante. 2003 .m : masse de la machine (en kg) . KS cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE.

P = 0 et l’´quation de l’´chauffement devient : ee e e mc dθ + KSθ = 0 dt t ⇒ θ(t) = θ0 e− τ ` HAGGEGE.6.6. Equivalence ´lectrique : e T − Ta P Rth Repr´sentation : e ⇔ ⇔ ⇔ tension courant r´sistance ´lectrique e e T 1.θm = 19 P : ´chauffement stabilis´.1.3 Refroidissement P Rth Ta Lorsque la machine est arrˆt´e.Ph´nom`nes thermiques dans les machines ´lectriques e e e .2 Loi d’Ohm thermique t A l’´quilibre thermique (t > 3τ ).1. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e . on a : e θm = T − Ta = On note Rth = P KS 1 la r´sistance thermique machine-air ambiant.6 .1. ´chauffement ` l’´quilibre thermique (t → ∞). On a alors : e KS T − Ta = Rth · P C’est la loi d’Ohm thermique. e e e a e KS Evolution de l’´chauffement au cours du temps : e θ = Τ − Τa θm τ 1.

.Is : valeur de la surcharge → ´chauffement stabilis´ θs .4 Echauffement en r´gime intermittent e θ régime continu régime intermittent t P t 1.Les conducteurs θ = Τ − Τa θ0 τ t 1. 2003 .1.2 1.2.6.20 avec θ0 : ´chauffement initial. e e .Ie : courant d’emploi assign´ maintenu entre deux surcharges successives → ´chauffee e ment stabilis´ θe . e Chapitre 1 . e e . e ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE.1 R´gime de surintensit´ cyclique e e Evolution de l’´chauffement en r´gime de surintensit´ cyclique e e e Un r´gime de surintensit´ cyclique est d´fini par : e e e .tr : temps de refroidissement entre deux surcharges cons´cutives .6.6.ts : temps de pr´sence de la surcharge .

Ith : courant thermique assign´ → ´chauffement stabilis´ θm . 2003 cours de technologie g´n´rale e e ts tr ts ISET Rad`s e . e e e 21 θ θs θm θi θe ts t s + tr 2t s + t r 2(t s + tr) t I surintensité courant d'emploi Is Ie t cycle échauffement / refroidissement L’´quation de l’´chauffement s’´crit : e e e P dθ θ + = ∝ I2 dt τ τ KS La solution de cette ´quation avec la condition initiale θ0 et la condition finale θ1 est : e θ(t) = (θ0 − θ1 )e− τ + θ1 t θ (t) θ1 θ0 t On a alors : θm = (θi − θs )e− τ + θs tr θi = (θm − θe )e− τ + θe Par ´limination de θi : e θs + (θm − θs )e+ τ = θe + (θm − θe )e− τ ` HAGGEGE.6 .1.Ph´nom`nes thermiques dans les machines ´lectriques e e e .

e . Cet appareil est soumis a des surcharges p´riodiques de valeur Is = 400 A et de dur´e ` e e ts = 1. 2+2. 5 ⇒ tr ≈ 2. e e ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE. e e On en d´duit la cadence horaire maximale de surcharges : e 60 min ≈ 15 surcharges/minute 3. 75 minutes. 2003 ts . c’est-`-dire la dur´e d’un cycle d’´chauffement/refroidissement. 6 et Ae = IIth = 125 = 0. Is . 95 minutes.courant thermique assign´ Ith = 250 A . e .22 Chapitre 1 .Les conducteurs Les ´chauffements stabilis´s sont proportionnels a I 2 (pertes Joule) : e e ` 2 θs ∝ I s 2 θm ∝ Ith 2 θe ∝ Ie On pose : As = Ae = On a alors : A2 + (1 − A2 )e+ τ = A2 + (1 − A2 )e− τ s s e e 1.courant permanent d’emploi assign´ Ie = 125 A . 95 min Application : les machines fonctionnant uniquement en r´gime intermittent (ex : machines e outils) peuvent ˆtre sous-dimensionn´es du point de vue du courant maximal admissible.2. 2 minutes.2 Calcul de la cadence maximale des surcharges ts tr Is θs ⇒ A2 = s Ith θm Ie θe ⇒ A2 = e Ith θm Les valeurs de ts . s e On calcule As = IIth = 400 = 1.6. a e e e Temps tr n´cessaire au refroidissement : A2 + (1 − A2 )e+ τ − A2 s e tr = −τ ln s 1 − A2 e Exemple : un appareil pr´sente les caract´ristiques suivantes : e e .constante de temps thermique τ = 22 minutes. Ith et τ sont g´n´ralement connues ⇒ calcul de la cadence e e maximale des surcharges. Ie . 250 250 La dur´e d’un cycle d’´chauffement / refroidissement est donc : 1. 75 = 3.

1 Surintensit´s occasionnelles e Cas d’une surintensit´ apparaissant en r´gime ´tabli e e e e On peut calculer la dur´e maximale ts de cette surintensit´ : e A2 + (1 − A2 )e− τ − A2 e s ts = τ ln e 2 1 − As Surintensit´ occasionnelle ⇒ tr → ∞ ⇒ e− τ → 0 d’o` : e u ts ≈ τ ln A2 − A2 e s 1 − A2 s tr tr θ θm θe ts t I Is Ie t Exemple : avec les valeurs pr´c´dentes de Is . 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e . 6 minutes.6.2 Cas d’une surintensit´ apparaissant ` la mise sous tension e a Dans ce cas.3. l’´chauffement e initial θe = 0 ⇒ Ae = 0 : −A2 s ts ≈ τ ln 1 − A2 s On a alors : ts ≈ 11 minutes.6. la machine est froide ⇒ le courant d’emploi n’intervient plus.3.3 1. Ie .1.Ph´nom`nes thermiques dans les machines ´lectriques e e e 23 1.6. ` HAGGEGE.6 . Ith et τ . e e 1. on a : ts ≈ 8.

2003 .Les conducteurs ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE.24 Chapitre 1 .

ee e e Les isolants sont utilis´s pour : e .m. e Un syst`me d’isolation est un isolant ou un ensemble d’isolants associ´s dans une machine e e ´lectrique. Un isolant est caract´ris´ a e e e e par ses propri´t´s ´lectriques.2.1 D´finition e Les isolants ou di´lectriques sont des mat´riaux ayant une r´sistivit´ tr`s ´lev´e : e e e e e e e 108 ` 1016 Ω. e 2.1 Caract´ristiques di´lectriques des isolants e e Permittivit´ relative e épaisseur e surface S vide (ou air) Soit un condensateur plan a vide (ou a air) : ` ` Sa capacit´ est : e C0 = ε0 ` HAGGEGE.Chapitre 2 Les isolants 2. m´caniques.assurer une s´paration ´lectrique entre des conducteurs port´s ` des potentiels e e e a diff´rents afin de diriger l’´coulement du courant dans les conducteurs d´sir´s → e e e e protection des personnes et des ´quipements . ` . 2003 S e ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e .remplir les fonctions de di´lectrique d’un condensateur.supporter les ´l´ments d’un r´seau ´lectrique et les isoler les uns par rapport aux ee e e autres et par rapport a la terre .2 2. chimiques et thermiques. car ils contiennent tr`s peu d’´lectrons libres. e .

r´versible pour les isolants e e gazeux et liquides (recombinaison des ions avec des ´lectrons).Les isolants o` ε0 = 8.2. Si le mˆme u e e condensateur est rempli par un isolant. 85. le champ ´lectrique est inversement proportionnel a la permittivit´ : e ` e isolant 1 εr1 C C0 isolant 2 εr2 E1 E2 On a la relation : εr1 E1 = εr2 E2 2. il apparaˆ un arc ´lectrique dans l’isolant : courant e ıt e intense traversant l’isolant en suivant un chemin form´ par des mol´cules ionis´es.2 Rigidit´ di´lectrique e e Si on augmente la tension a laquelle est soumis un isolant au del` d’une certaine valeur ` a appel´e tension de claquage.10−12 F/m est la permittivit´ absolue du vide (ou de l’air). l’isolant est perc´ : il y a rupture di´lectrique ou claquage ⇒ destruction de e e l’isolant. Dans un isolant. e La rigidit´ dielectrique G d’un isolant est d´finie par le rapport entre la tension U ` e e a laquelle se produit le claquage et la distance L entre les ´lectrodes entre lesquelles est e appliqu´e la tension : e U G= L ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE. sa capacit´ devient : e C = εr C0 = εr ε0 S e La permittivit´ relative est d´finie par le rapport : e e εr = La permittivit´ absolue est : e ε = εr ε0 Pour l’air ou le vide. 2003 . Dans e e e ce cas. εr > 1. εr = 1. irr´versible pour les isolants solides (carbonisation).26 Chapitre 2 . Pour tous les autres isolants.

Caract´ristiques di´lectriques des isolants e e 27 G est g´n´ralement exprim´e en kV/mm..la temp´rature. la rigidit´ di´lectrique peut ˆtre transversale ou longitudinale. la pression et l’humidit´ de l’atmosph`re . e e .3 2.2 . e e e 2.la fr´quence. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e . elle est toujours ≥ 1012 Ω.1 Angle de pertes di´lectriques et facteur de dissipation e di´lectrique e Circuit ´quivalent d’une isolation en courant alternatif e Un isolant plac´ entre deux conducteurs peut ˆtre mod´lis´ de mani`re simplifi´e par le e e e e e e circuit ´quivalent suivant : e conducteurs IC I IR C R U résistance d'isolement La capacit´ C repr´sente les conducteurs et la r´sistance R est la r´sistance d’isolement e e e e de l’isolant. e e e Par rapport aux positions relatives de la direction du champ ´lectrique et des surfaces e principales de l’isolant.3. 2.). la forme et la dur´e d’application de la tension . .la pr´sence d’impuret´s dans l’isolant (bulles d’air. humidit´.2..3.2. e e e .2.2 Calcul de l’angle de pertes di´lectriques e L’angle de pertes δ est d´fini comme ´tant l’angle compl´mentaire du d´phasage entre e e e e la tension U entre les conducteurs et le courant de fuite I traversant l’isolant : IC = j ωCU angle de pertes I = I C+ I R courant de fuite δ ϕ I R= U R U ` HAGGEGE.2. e e e La rigidit´ di´lectrique d´pend de : e e e .

Il d´pend de la e fr´quence de la tension appliqu´e selon une loi plus complexe que celle d´termin´e pr´c´e e e e e e demment ` partir du mod`le simplifi´ : tan δ pr´sente des maxima pour certaines fr´quences.bon isolant → r´sistance d’isolement R ´lev´e ⇒ δ faible .Pu : pertes di´lectriques (en W/cm3 ) .4 Calcul du champ ´lectrique dans un isolant e d1 d2 Soit un condensateur dont les plaques sont s´par´es par deux isolants : e e xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxx isolant 1 εr1 isolant 2 εr2 plaques U ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE.εr : indice de pertes εr tan δ .2.f : fr´quence (Hz) .Les isolants = RCω 1 1 = tan ϕ RCω La valeur tan δ est appel´e facteur de dissipation di´lectrique.3. a e e e e 2. le facteur de dissipation tan δ varie entre 10−2 et 10−4 .E : valeur efficace du champ ´lectrique (en V/cm). e e e . . On e e u e montre que la puissance par unit´ de volume des pertes di´lectriques est : e e Pu = 5 ε f E 2 10−12 9 r avec : .28 On a : tan ϕ = CU ω U R Chapitre 2 .2. e e En pratique. 2003 . e . On d´finit ´galement e e e e l’indice de pertes : εr = εr tan δ ⇒ tan δ = L’angle de pertes caract´rise la qualit´ d’un isolant : e e .3 Calcul des pertes di´lectriques e Un isolant est le si`ge d’un d´gagement de chaleur dˆ aux pertes di´lectriques.mauvais isolant → R faible ⇒ δ ´lev´. e 2. e .

e 2. La chaleur est difficilement ´vacu´e par les isolants car e e e ceux-ci ont une conductivit´ thermique tr`s faible.diminution de la rigidit´ di´lectrique .ramolissement pouvant atteindre la fusion.2 Classification thermique des isolants Les isolants sont class´s suivant la temp´rature maximale en dessous de laquelle ils ont e e une dur´e de vie d’une dizaine d’ann´es..2.oxydation . e e .2 .2. 2. Elle se mesure en secondes.2. 2.6. e e ` HAGGEGE. . On a : E1 d1 + E2 d2 = U εr1 E1 = εr2 E2 ⎧ U ⎪ E = ⎪ 1 ⎪ ε ⎪ d1 + εr1 d2 ⎨ r 2 ⇒ ⎪ ⎪ ⎪ E2 = ⎪ ⎩ εr2 εr1 U d1 + d2 Application : calcul du champ dans les isolants contenant des inclusions d’impuret´s e (bulles d’air.diminution de la r´sistance d’isolement (les isolants ont g´n´ralement un coefficient e e e de temp´rature n´gatif) ..Caract´ristiques di´lectriques des isolants e e 29 On veut calculer les champs E1 et E2 respectivement dans l’isolant 1 et dans l’isolant 2. . e e 2. L’´l´vation de temp´rature est provoqu´e par les pertes di´lectriques et ee e e e l’´chauffement des conducteurs.).5 R´sistance ` l’arc e a C’est la dur´e maximale d’application d’une tension sup´rieure ` la tension de claquage e e a d’un isolant avant l’apparition d’un arc ´lectrique.2.2. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e .6 Influence de la temp´rature sur les isolants e Une ´l´vation de temp´rature contribue a diminuer la dur´e de vie d’un isolant : ee e ` e .6.1 Loi exp´rimentale de vieillissement des isolants e e ` Une augmentation de 10 ◦ C de la temp´rature d’un isolant conduit a doubler sa vitesse de vieillissement. e e .

composites. 04 ` εr = 7 C´ramiques : argile + quartz + fondants + oxydes m´talliques.liquides . Les isolants sont class´s en trois types : e . ( ◦ C) e 90 105 120 130 155 180 >180 2.3. les fils de verre.3. .min´raux .3. e e .1 Mat´riaux isolants e Types d’isolants utilis´s dans l’industrie ´lectrique e e Isolants naturels : . Isolants synth´tiques : e . Utilis´es dans les isoe e e lateurs de lignes a´riennes et d’antennes.gazeux. e . .3 2.2. les supports d’inductances HF et UHF. thermoplastiques . 2003 . 2.Les isolants temp´rature max.mati`res plastiques e . .30 classe Y A E B F H C Chapitre 2 .organiques. thermodurcissables.´lastom`res . . e a ` Propri´t´s : Tmax = 400 a 500 ◦ C ee G ≈ 7 kV/mm δ = 0. 02 a 0. Utilis´s pour les isolateurs.solides .2 2. e r´sistent ` la chaleur et aux agents chimiques. les e ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE.1 Isolants solides Min´raux e Verres : sable siliceux + chaux + soude.

Mat´riaux isolants e 31 condensateurs HF. guipage de cˆbles. . Propri´t´s : Tmax = 105 ◦ C ee G ≈ 50 a 80 kV/mm (papier sec) . soie naturelle. Impr´gn´s de di´lectrique liquide pour e e e ´viter l’absorption d’eau.2. 2. bobines. Isolation de conducteurs et de cˆbles. obtenue ` partir de r´actions chimiques complexes e e a e de polym´risation effectu´es sur des mati`res de base : e e e . . stabilisants : ´vitent la d´composition . lubrifiants : facilitent la fabrication .10 εr = 4 a 6 ` Textiles : coton. e e e . e e ` HAGGEGE. . les composants pi´zo-´lectriques. ils sont utilis´s dans les transformateurs secs et les condensae e teurs. 100 kV/mm (papier impr´gn´ d’huile) ` e e −3 −3 a δ = 2.3. Rubans.2.3 .3 Isolants synth´tiques : mati`res plastiques e e Une mati`re plastique est le r´sultat d’un m´lange qui comprend : e e e . bois. de conducteurs de faible diam`tre. e e ` Propri´t´s : Tmax = 200 a 500 ◦ C ee G ≈ 10 a 20 kV/mm ` a δ = 5. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e . + catalyseurs.2 Organiques Papiers : cellulose extraite du bois ou de l’alfa. fluorures. Utilis´s pour l’isolae e e e tion a haute temp´rature des radiateurs de composants de puissance (feuilles de mica). ` e Propri´t´s : Tmax = 500 a 1000 ◦ C ee ` G ≈ 210 a 240 kV/mm ` a δ = 3.une r´sine de base ou polym`re. toiles pour l’isolation.10−4 εr = 6 a 7 ` 2.2.10−4 ` 1. calcaires.10 ` 4.3.10−4 ` 26. sels marins . d´riv´s du p´trole ou du charbon .des adjuvants : . latex de l’h´v´a. sable. e e e a Propri´t´s : Tmax = 60 ◦ C ee G ≈ 20 a 30 kV/mm ` εr = 3 2. e a ◦ ` Propri´t´s : Tmax = 90 a 120 C ee G ≈ 5 a 10 kV/mm ` εr = 3 Caoutchouc : r´sine naturelle. fibres artificielles.10−2 εr = 10 a 3000 ` Mica et produits micac´s : silicates hydrat´s de m´taux alcalins.

panneaux isolants. Enrobage d’isolation et d’´tanch´it´. caoutchouc ` e e synth´tiques. charges (poudre de verre. pae e ` e e pier ou mica. vernis. tr`s e a e e e e bonne tenue a la temp´rature. plastifiants : am´liorent la souplesse . insensibles a e e ee e aux agents atmosph´riques. Thermoplastiques ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE. sous des pressions ´lev´es. e ee e . 2003 .3. graisses.2. Moulage a froid.m .Thermoplastiques : ils peuvent ˆtre ramollis par chauffage puis durcis par ree froidissement de mani`re r´p´t´e. boˆ e a ıtiers . Mise en forme ` l’´tat ramolli dans un moule. Epoxydes : ` base de r´sines ´poxydes. isolants stratifi´s : e plaques. e Les proc´d´s de fabrication des mati`res plastiques sont principalement bas´s sur des e e e e traitements a haute temp´rature. Bonne r´sistance ` l’arc. ` e e e On distingue deux cat´gories de mati`res plastiques : e e . Caract´ristiques des mati`res plastiques : e e . Bonnes qualit´s di´lectriques. e . e e e e Aminoplastes : polym`res ` base de r´sines aminiques. e Polyesters : ` base d’esters (action d’un acide sur un alcool). tubes. colles.4 Mati`res plastiques utilis´es en ´lectrotechnique e e e Thermodurcissables Bak´lite (ph´noplastes) : a base de r´sines ph´noliques + charge de poudre de bois. Bonnes propri´t´s di´leca ee e triques. vernis.Thermodurcissables : ils sont transform´s de mani`re irr´versible en mat´riaux e e e e infusibles ou insolubles par un traitement thermique. Ils durcissent sous l’effet de la chaleur. e e ee a e processus de fabrication r´versible.tr`s bonne rigidit´ di´lectrique : toujours ≥ 10 kV/mm . Isolants moul´s : plaques ` bornes. d´chets textiles) : am´liorent les caract´ristiques e e e m´caniques et physiques.r´sistivit´ ´lev´e : 108 ≤ ρ ≤ 1017 Ω. e e 2. stables a la chaleur. plaques de circuits imprim´s.32 Chapitre 2 . r´sistent ` la chaleur. supports. e a ` ` e Silicones : polym`res ` base de silicium et d’oxyg`ne. Ils se pr´sentent sous forme d’huiles. Facilit´ de moulage : pi`ces de grandes e ` e e dimensions. Pi`ces e a e e a e d’appareillage.propri´t´s m´caniques inf´rieures ` celles des m´taux mais pouvant ˆtre am´lior´es ee e e a e e e e par les proc´d´s de fabrication (charges). e . carcasses. vernis a s´chage rapide. laques.faibles pertes di´lectriques . e e e .Les isolants . vernis. e . Excellentes propri´t´s di´lectriques.

pi`ces d’appareillages.2. Nylon) : bonne r´sistance ` l’usure et ` la temp´rature.naturel : s`ve de l’h´v´a (latex) + vulcanisation (traitement au soufre pour le dure e e cir) . isolation des cˆbles.2. conduits. tubes. bon isolant.5 Application : isolation des cˆbles de transport d’´nergie a e Un cˆble de transport d’´nergie est constitu´ d’une ˆme conductrice pouvant ˆtre creuse a e e a e pour la circulation d’un liquide de refroidissement et d’un ensemble de couches superpos´es pour l’assemblage des conducteurs et la protection ´lectrique et m´canique. a Polystyr`ne (PS) : l´ger. panneaux. e e e a a Polyt´trafluor´thyl`ne (PTFE. r´siste aux agents chie e e miques. Isolation e e e e e e des cˆbles. e Polyamide (PA. ´mail pour l’isolation des fils de bobinage. a e Produits cellulosiques : ` base de pˆte de papier. Fabrication de joints et de bagues. 2. Ils se pr´sentent a a e sous forme de fibres ou de vernis. isoe e e lation des cˆbles.. a e Poly´thyl`ne (PE) : l´ger. cuves. Plexiglas) : transparent. pi`ces d’appareillages. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e . e e e Isolation des cˆbles. tr`s bonnes qualit´s di´lectriques. r´siste aux chocs. R´alisation e a a e e e de pi`ces d’appareillages.synth´tique : polym`re du butadi`ne. . T´flon) : tr`s bonne tenue ` la temp´rature. e e Caoutchouc : deux types de caoutchoucs : . joints ´tanches pour cuves de transformateurs. l´ger. e e e Structure d’un cˆble isol´ : a e ` HAGGEGE. autolubrifiant. Isolation des cˆbles.3 . vernis. facile ` mouler.Mat´riaux isolants e 33 PVC (polychlorure de vinyle) : bonnes propri´t´s di´lectriques et m´caniques..3. a Polym´tacrylate de m´thyle (PMMA. Fabrication de vitres. tr`s bonnes e e e e e a e e qualit´s di´lectriques et m´caniques. incombusee e e tible. de fibres de coton .

Ils sont utilis´s seuls ou bien ils ime e e e bibent un isolant solide dont ils remplissent les vides. papier. gaine de plomb (écran de blindage) PVC.Les isolants conducteur assemblage + protection protection électrique protection mécanique { { { { âme isolation assemblage revêtement interne écran gaine de séparation armure gaine extérieure cuivre ou aluminium PVC matière plastique ou élastique (bourrage) PVC feuillard ou ruban de cuivre. les disjoncteurs.3. e e e 2.1 Huiles min´rales e D´riv´s du p´trole.3 Vernis Ce sont des associations r´sine + solvant + siccatif. ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE.3.10−4 permittivit´ relative : εr = 4 a 6 e ` 2. a ` e e Propri´t´s : rigidit´ di´lectrique : G ≈ 9 a 10 kV/mm ee e e ` facteur de dissipation : tan δ = 4. élastomère feuillard. élastomère 2. Huiles silicones : r´sistent ` des temp´ratures ´lev´es. prix ´lev´s.2 Huiles synth´tiques e Huiles chlor´es : ininflammables (pas de risque d’incendies). 2. ils servent e e e e e aussi au refroidissement par convection ou par ´vaporation (les isolants liquides ont e g´n´ralement une bonne conductivit´ thermique).34 Chapitre 2 . Risque d’oxydation a chaud en pr´sence d’oxyg`ne.3. 2003 . Utilis´s pour l’impr´gnation des e e e bobinages. les condensateurs e e e e et les cˆbles.3. utilis´es pour les transfore e mateurs.3. tresse PVC. e a e e e e e Huiles v´g´tales (ricin) : plastifiant dans la fabrication des vernis et des r´sines.3. les disjoncteurs.3. les condensateurs.3 Isolants liquides Les isolants liquides pr´sentent l’avantage de se r´g´n´rer apr`s un claquage . utilis´es dans les transformateurs. fil.

e e e 5 fois plus lourd que l’air. e a e ea sa rigidit´ di´lectrique est de 225 kV/mm .3 . non toxique. e e e e e ` HAGGEGE. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e . Dispositif d’extinction de l’arc ´lectrique dans les disjoncteurs HT.4 Isolants gazeux Tous les gaz sont isolants a la temp´rature ambiante. Comprim´ ` 10 bars. inodore. e a L’azote est chimiquement neutre. n´cessite une bonne ´tanch´it´. condensateurs ` air. ` e cˆbles HT.Mat´riaux isolants e 35 2. Transformateurs a atmosph`re d’azote sous pression. probl`me : risque d’explosion. ` la pression atmosph´rique ou sous pression. refroidissement des machines ´lectriques e e e e e de grande puissance.3. a L’hexafluorure de soufre (SF6 ) poss`de une bonne rigidit´ di´lectrique : 7. ` e L’air est le plus utilis´. disjoncteurs pneumatiques.5 kV/mm. incolore. e L’hydrog`ne a une conductivit´ thermique ´lev´e. a la pression atmosph´rique elle n’est que de e e ` e 3 kV/mm.2. Isolation des lignes a´riennes. parafoudres.

Les isolants ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE.36 Chapitre 2 . 2003 .

transistors a ` a ` effet de champ (JFET et MOSFET).). peu fiables et grands consommateurs d’´nergie. circuits int´gr´s. e e Les semiconducteurs ont ´t´ d´couverts au xix`me si`cle mais leurs applications pratiques ee e ont commenc´ en 1947 avec la d´couverte du transistor qui a remplac´ les tubes ` vide.1 Introduction Les semiconducteurs sont des mat´riaux solides utilis´s pour la fabrication des compoe e sants ´lectroniques. phose e phure d’indium (InP).Chapitre 3 Les semiconducteurs 3. triacs. Autres e e e mat´riaux semiconducteurs : germanium(Ge).. composants de puissance (thyristors. e e e a encombrants.2. IGBT. a Ils sont caract´ris´s par leur r´sistivit´ qui peut varier de 10−4 Ω. Dans le cas du silicium. e Composants a semiconducteurs : diodes ` jonction.m ` 102 Ω. Le mat´riau semiconducteur le plus utilis´ est le silicium (Si). chaque atome poss`de e e quatre ´lectrons p´riph´riques qu’il met en commun avec les quatre atomes voisins → e e e liaisons entre atomes assurant la rigidit´ du cristal..m en fonce e e e tion de la temp´rature (ρ diminue lorsque T augmente) : ils se situent donc entre les e conducteurs et les isolants... transistors bipolaires. ars´niure de gallium (AsGa). ils forment un cristal.1 Propri´t´s des semiconducteurs e e Semiconducteurs purs Les semiconducteurs purs sont des solides cristallis´s : les atomes sont r´guli`rement dise e e pos´s dans l’espace. e ` HAGGEGE. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e . e e 3.2 3.

e Plus la temp´rature augmente.2. e e .38 atome de silicium Chapitre 3 .d’´lectrons li´s qui peuvent se d´placer de trou en trou : ´quivalent au d´placement e e e e e d’un trou. chaque ´lectron lib´r´ cr´e un trou ⇒ concentration de e ee e 9 − ` trous = concentration d’´lectrons libres (≈ 10 e /cm3 pour le silicium a 25◦ C).Les semiconducteurs liaison entre atomes Si Si Si électron lié Si Si Si Sous l’effet de la temp´rature ambiante.d’´lectrons libres qui se d´placent entre les atomes de silicium . plus il y a cr´ation de paires ´lectron/trou ⇒ augmentation e e e de la conductivit´ d’un semiconducteur avec la temp´rature. 3. certains ´lectrons peuvent acqu´rir une ´nergie e e e e suffisante pour quitter une liaison entre deux atomes → il y a alors cr´ation d’une paire e ´lectron/trou. e e ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE. e trou Si électron L’atome de silicium correspondant devient alors un ion positif.2 Nature de la conduction dans un semiconducteur pur Le courant ´lectrique dans un semiconducteur pur est constitu´ : e e . Un trou est donc ´quivalent a une charge +e sautant d’atome en atome. e ` Si Si Si Si à t = t1 à t = t 2 > t1 Dans un semiconducteur pur. 2003 .

le silicium polycristallin est fondu dans un creuset puis les impuret´s (mat´riau dopant) sont ajout´es.2.3 Production du silicium Le silicium est obtenu a partir du sable (silice SiO2 ) par des traitements chimiques et ` physiques complexes. Le nombre de trous augmente : concentration de trous > concentration d’´lectrons libres. Parmi ces 5 ´lectrons p´riph´riques. 3.3 . il manque un ´lectron pour assurer une liaison ⇒ cr´ation e e e e e d’un trou qui peut accepter un ´lectron : les impuret´s sont des accepteurs (d’´lectrons).3 Semiconducteurs dop´s e Dans un cristal de semiconducteur pur. aluminium. phosphore. e e e ` HAGGEGE. Pour obtenir le silicium monocristallin. si on ajoute ` un cristal de semiconducteur pur des atomes d’impuret´s poss´dant e a e e 3 ´lectrons p´riph´riques. Ils deviennent des ions positifs fixes par rapport au cristal. Les ´lectrons sont majoritaires et les trous sont minoritaires. ex : arsenic. Ce silicium n’est pas directement utilisable car il n’est pas sous forme de cristal : les atomes ne sont pas rang´s r´guli`rement dans l’espace (silicium e e e polycristallin). Ils deviennent des ions n´gatifs fixes par rape port au cristal. on ajoute des impuret´s (atomes ´trangers) e e poss´dant 5 ´lectrons p´riph´riques. C’est le doe e e e page. e Si 4 liaisons électron libre Si impureté Si Si Le nombre d’´lectrons libres augmente dans le cristal ⇒ concentration d’´lectrons libres > e e concentration de trous. Le semie e conducteur est de type P.Production du silicium 39 3. 4 forment des liaisons avec des atomes de silicium. antimoine. Les atomes d’impuret´s sont appel´s donneurs e e e e (d’´lectrons). gallium. e e e ex : bore.3. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e . e le semiconducteur est de type N. De mˆme. indium. e e e le cinqui`me devient un ´lectron libre. Les trous sont majoritaires et les ´lectrons minoritaires.

au moyen e e e d’une scie diamant´e.N ou P → dopage normal : 1016 atomes/cm3 . . Il ne reste plus que les ions fixes. e e e Toutes ces op´rations se font dans des salles herm´tiques pour empˆcher la contamination e e e du silicium par d’autres impuret´s que celles n´cessaires au dopage. Un lingot de silicium monocristallin est obtenu par tirage ` partir d’un germe convenaa blement orient´.40 Trois types de dopage : Chapitre 3 . n´gatifs du cot´ P. 2003 .1 La jonction PN Propri´t´s de la jonction PN e e Soit un cristal de semiconducteur de type N d’un cˆt´ d’une fronti`re et de type P de oe e l’autre cˆt´. il r´sulte la cr´ation. e e e Les lingots sont ensuite d´coup´s en plaquettes circulaires. e e u e De ce ph´nom`ne de diffusion.Les semiconducteurs . e e e ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE. appel´es wafer. e e 3. positifs du cot´ N. Elles e e ne doivent pr´senter aucun d´faut et ˆtre parfaitement planes. Diam`tre normalis´ des lingots : 150 mm. les ´lectrons libres qui ont une concentration tr`s ´lev´e dans e e e e la r´gion N diffusent vers la r´gion P o` ils ont une concentration tr`s faible.N− ou P− → dopage faible : 1014 atomes/cm3 . d’une zone e e e e dans laquelle il n’y a plus de porteurs de charges mobiles. Epaisseur des plaquettes apr`s rodage : entre 350 et 650 µm.4.N+ ou P+ → dopage fort : 1020 atomes/cm3 . . oe e e e Jonction PN a l’´tat initial : ` e atomes accepteurs ionisés fixes Jonction PN trous majoritaires électrons minoritaires atomes donneurs ionisés fixes P - - + + + + + + + + + + N + + + + + électrons majoritaires trous minoritaires Autour de la jonction PN. e e e Cette zone est appel´e zone de transition ou zone de d´pl´tion ou charge d’espace. La surface de s´paration entre les deux r´gions est appel´e jonction PN.4 3. 200 mm et 300 mm. autour de la jonction PN.

Cette barri`re de potentiel existe e e en l’absence de g´n´rateur externe (built-in voltage).4 .3. e e ` HAGGEGE. dirig´ de la r´gion N vers la r´gion P (des charges positives vers les charges e e e n´gatives. 7 V. e 3. VD ≈ 0. comme dans un condensateur). 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e . appel´ champ e e e de diffusion.x1 ) ED - + + + + N VD : tension de diffusion. Pour le silicium. entre les fronti`res de la zone de transition.4.La jonction PN 41 zone de transition P - - ED + + + + + + + + + + N + + + + + Les ions fixes de la zone de charge d’espace cr´ent un champ ´lectrique ED . barrière de potentiel x1 x2 x Le champ ED entraˆ l’existence d’une diff´rence de potentiel VD appel´e tension de ıne e e diffusion.2 Potentiel dans la jonction PN zone de transition + P potentiel V(x) V(x) = ED (x .

Deux cas se pr´sentent : e .4.1 Courants dans une jonction PN Courant de diffusion trous majoritaires électrons majoritaires zone de transition ED E > eVD E < eVD F = e ED E < eVD F = . ne peuvent pas vaincre e e e a cette force → ils sont repouss´s vers la zone N .la majorit´ d’entre eux. e .4.Les semiconducteurs 3. 2003 . e e La jonction PN est donc travers´e par un double d´placement d’ensemble de porteurs e e majoritaires : électrons majoritaires P ID N trous majoritaires Il en r´sulte un courant ID appel´ courant de diffusion.3.42 Chapitre 3 . dont l’´nergie E est inf´rieure ` eVD .certains d’entre eux peuvent acqu´rir une ´nergie E ≥ eVD sous l’effet de la temp´e e e rature ambiante (agitation thermique) → ils peuvent traverser la zone de transition et passer dans la r´gion P. e Les trous de la r´gion P ont un comportement semblable : la majorit´ d’entre eux reste e e dans la r´gion P tandis que certains peuvent passer dans la r´gion N. dirig´ de P vers N : c’est un e e e courant de majoritaires.3.2 Courant de saturation Les porteurs minoritaires d’une r´gion qui abordent la zone de transition sont acc´l´r´s e ee e par le champ ED vers l’autre r´gion : e ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE. 3.4.3 3.e ED E > eVD P N Les ´lectrons libres de la r´gion N qui abordent la zone de transition sont soumis a une e e ` e force F = −eED due au champ de diffusion qui r`gne dans cette zone.

Le courant de saturation IS ne d´pend que du nombre de minoritaires → il augmente e avec la temp´rature .e ED P N La jonction est alors travers´e par un double d´placement de porteurs minoritaires : e e électrons minoritaires P IS N trous minoritaires Il en r´sulte un courant IS appel´ courant de saturation dirig´ de N vers P : c’est un e e e courant de minoritaires. il est tr`s faible (≈ 1 µA). 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e .IS = 0 ` HAGGEGE.3.La jonction PN électrons minoritaires 43 zone de transition ED F = e ED trous minoritaires F = .4 . e e Relation entre le courant de saturation IS et le courant de diffusion ID : le courant a ` l’ext´rieur du cristal est nul (circuit ouvert) → IS = ID : e ID P IS N I = ID .

T : temp´rature absolue (en K).4.Les semiconducteurs 3. 38. On montre que la relation entre ID et IS est : ID = IS (T ) exp avec : .10−23 J/K (constante de Boltzmann) .V < VD V x1 x2 en l'absence de polarisation VD x Le g´n´rateur de tension V augmente le potentiel de la r´gion P → la barri`re de potentiel e e e e devient VD = VD −V < V → un plus grand nombre de majoritaires est capable de traverser la zone de transition : il leur suffit d’une ´nergie plus faible E ≥ e(VD − V ) au lieu de eVD .k = 1.e = 1. ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE.I S IS potentiel V(x) - N avec polarisation directe ' VD = VD . e e e Le courant de diffusion ID augmente et devient tr`s sup´rieur au courant de saturation IS .4. .44 Chapitre 3 . 6. e Le courant direct IF = ID − IS devient : IF = IS (T ) exp eV kT − 1 ≈ ID eV kT Il augmente avec la tension V → la jonction PN conduit en sens direct.4.10−19 C .4 3.1 Jonction PN polaris´e e Polarisation en sens direct V + - zone de transition courant direct (forward) + ID + + + + P I F = ID . 2003 . .

4. 2003 -IS V cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e .La jonction PN 3. On en d´duit la caract´ristique courant/tension de la jonction PN : e e I courant de diffusion (majoritaires) courant de saturation (minoritaires) ` HAGGEGE.4 .I D VD x1 x2 en l'absence de polarisation ' VD = VD + V > VD x V Le g´n´rateur entraˆ une diminution du potentiel de la r´gion P → la barri`re de e e ıne e e potentiel devient VD = VD + V > VD → les majoritaires ne peuvent plus franchir la zone de transition car il leur faut une ´nergie trop importante E ≥ e(V + VD ) → ID ≈ 0 et e e IR = IS − ID ≈ IS → la jonction PN ne conduit pas en sens inverse car IS est tr`s faible (≈ 1 µA).2 Polarisation en sens inverse 45 V + zone de transition + ID + + + + courant inverse (reverse) P IS potentiel V(x) avec polarisation inverse - N I R = IS .3.4.

2 Claquage par avalanche Lorsque le champ ´lectrique dans la jonction d´passe 5.4.3 Claquage par effet de champ (effet Zener) Lorsque le champ ´lectrique dans la jonction d´passe 106 V/cm dans une jonction fortee e ment dop´e. 3.5.4. 3. Il y a trois types de claquage. le courant augmente rapidement : c’est le claquage. Le transistor pr´sente deux jonctions PN de e e e sens passant oppos´s.5 3. les ´lectrons de liaisons sont arrach´s et provoquent l’avalanche.46 Chapitre 3 . les atomes du cristal sont ionis´s par choc d’´lectrons. e ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE.5.5. e e e 3.4. e e e 3.Les semiconducteurs 3.1 Les transistors bipolaires Constitution Un transistor bipolaire est constitu´ d’un substrat (ou chip) de silicium comportant e trois zones dop´es successivement NPN ou PNP.5 Claquage d’une jonction PN Lorsque la jonction est polaris´e en inverse et que la tension atteint une valeur V < −VRM e (tension inverse maximale). 2003 .4.5.105 V/cm et que celle-ci est faie e blement dop´e. e électrodes métalliques E émetteur B base isolant (silice SiO 2 ) quelques µm N P quelques centaines de µm N collecteur électrode métallique C La base est tr`s mince et faiblement dop´e.1 Claquage par effet thermique Dissipation de chaleur importante → destruction de la jonction par surcharge en puissance.

. e . Une plaquette de 10 cm de ` e diam`tre permet de r´aliser 200000 composants de 0. e ouvertures film de SiO2 (masque) .Les transistors bipolaires Symboles : 47 NPN PNP 3.la plaquette de silicium est recouverte par un masque : film de silice (SiO2 ) perc´ d’ouvertures de la taille des composants a r´aliser.2 Fabrication Les transistors sont fabriqu´s par la m´thode de diffusion gazeuse : e e . .. d’´paisseur ≈ quelques dixi`mes de millim`tres et de 10 a 30 cm de diam`tre e e e ` e (wafer) .. 5 mm de cot´ ou 400000 come e e posants de 0...´l´ment de d´part : plaquette circulaire de silicium monocristallin.5 .la plaquette recouverte du masque est plac´e dans un four chauff´ entre 1000 et e e ◦ e 1300 C contenant un gaz riche en impuret´s (donneurs ou accepteurs). la concentration e d’impuret´s devient importante a la surface du silicium non prot´g´ par le masque e ` e e ` HAGGEGE..5. Les impuret´s diffusent dans le silicium → au bout de quelques heures. dop´ de type N ee e e ou P.. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e .3. 35 mm de cot´ .

on effectue une deuxi`me diffusion avec un e autre masque .1 Principe de fonctionnement du transistor bipolaire Polarisation Polarisation normale pour un transistor NPN : .jonction base-´metteur polaris´e en sens direct : VBE > 0 . e diffusion d'impuretés P masque jonction PN P N substrat quelques heures N .5. e e 3.jonction base-collecteur polaris´e en sens inverse : VCE > VBE . ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE.l’´paisseur et la concentration en impuret´s des zones diffus´es d´pend de la dur´e e e e e e d’exposition aux impuret´s.Les semiconducteurs → obtention d’une jonction PN par la m´thode de diffusion gazeuse . diffusion d'impuretés N autre masque transistor bipolaire NPN N P N quelques heures P N .pour obtenir un transistor bipolaire. VBE < 0 et VCE < VBE . La m´thode consistant e e ` effectuer des diffusions successives est appel´e proc´d´ PLANAR . 2003 . e .5. Des fils de connexion e e sont soud´s par ´vaporation d’or sur chaque zone du transistor.3.la plaquette est ensuite d´coup´e en transistors discrets. l’une des e e deux jonctions est bloqu´e quelque soit VCE . e Dans le cas d’un transistor PNP. si VBE = 0. a e e e .48 Chapitre 3 . Les transistors e e sont finalement plac´s dans des boˆ e ıtiers plastique.3 3. La zone N correspondant a la plaquette de silicium inie ` tiale est appel´e substrat car elle supporte les autres zones. c´ramique ou m´tallique.

5.Les transistors bipolaires C 49 N + VCE B P + VBE N E 3.3.5 .2 Fonctionnement C électrons majoritaires N collecteur zone de transition de la jonction B-C P + + + + - - ED - - B base (quelques µm ) quelques dixièmes de mm trous majoritaires émetteur N E électrons majoritaires ` HAGGEGE.3. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e .

3. e e 3. e La jonction BC. Le ua e courant de base est donc un courant de trous.3 Courants dans un transistor bipolaire IC C N + VCE IB B P + VBE électrons N E IE Le courant de base IB est dˆ ` la recombinaison ´lectron/trou dans la jonction BC. polaris´e en inverse est alors le si`ge du passage d’un courant impore e tant : c’est l’effet transistor r´sultant du fait que les deux jonctions appartiennent a un e ` mˆme cristal et sont tr`s proches l’une de l’autre. Le courant de collecteur est donc un courant d’´lectrons. e e e La jonction BC est polaris´e en sens inverse → elle est le si`ge d’un champ ED intense e e (champ de diffusion) dirig´ du collecteur vers la base ⇒ les ´lectrons qui se rapprochent e e de la zone de transition de la jonction BC sont attir´s par le champ ED qui les envoie dans e le collecteur ⇒ presque tous les ´lectrons issus de l’´metteur arrivent dans le collecteur e e car la base est tr`s mince (→ les ´lectrons sont proches de la jonction BC) et peu dop´e e e e (→ peu de recombinaisons ´lectron/trou). 2003 . e ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE.Les semiconducteurs Les ´lectrons majoritaires de l’´metteur diffusent a travers la jonction B-E polaris´e en e e ` e sens direct.50 Chapitre 3 . quelques ´lectrons se recombinent avec les trous e majoritaires de la base mais le plus grand nombre d’entre eux atteint la jonction BC qui est tr`s proche (car l’´paisseur de la base est tr`s faible).5. u e e Le courant de collecteur IC est dˆ au passage des ´lectrons de l’´metteur vers le collecteur sous l’effet du champ de diffusion ED . Au cours de cette diffusion.

6 . une zone P de la forme d’un parall´l´pip`de : la grille.1 Le JFET Constitution électrodes métalliques G S source grille P ~ 1 µm canal P substrat liaison interne N drain isolant D (silice) Sur un substrat de type P. a .6. ee e ` HAGGEGE.3.6 Les transistors unipolaires Ce sont les transistors ` effet de champ (TEC.1 3. Deux types a de TEC : . e e .1. α ≈ 0. 3.dans la couche N. En g´n´ral. on diffuse : . FET : Field Effect Transistor). 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e . 99.une couche N tr`s mince (≈ 1 µm).TEC ` jonctions : le JFET .transistor MOS : MOSFET. e e On en d´duit le gain en courant du transistor : e ⎧ ⎪ IE = I C + I B ⎨ IC α ⇒β= = IC ⎪ α= IB 1−α ⎩ IE Exemple : α = 0. 99 ⇒ β ≈ 100. 3.Les transistors unipolaires On d´finit le rendement de l’´metteur : e e α= IC e e nombre d ´lectrons arriv´s dans le collecteur = nombre total d ´lectrons ´mis par l ´metteur e e e IE 51 C’est une constante pour un transistor donn´ : α ne d´pend que de l’´paisseur et du e e e dopage de la base. faiblement dop´e : le canal .6.

la section et le dopage du e canal.1. 2003 .6. la tension inverse des jonctions grille-canal et substrat-canal augmente ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE. e e Si VDS augmente.canal D e _ P substrat G VGS = 0 S + P VDS > 0 N On suppose VGS = 0. Le courant ID est alors : VDS ID = RDS C’est le r´gime r´sistif.Les semiconducteurs Le canal est en contact avec deux ´lectrodes m´talliques de part et d’autre de la grille : e e le drain et la source.2 Fonctionnement On consid`re un JFET ` canal N : e a ID zones de transition des jonctions grille . e Tant que VDS reste faible (quelques volts). e 3. Ce transistor est un JFET ` canal N. le canal pr´sente entre source et drain une e r´sistance constante RDS ne d´pendant que de la longueur. la grille et le substrat a a sont de type N.canal et substrat . Pour un JFET ` canal P. Symboles : La fl`che indique le sens passant de la jonction grille-canal.52 Chapitre 3 . Si VDS > 0 les ´lectrons majoritaires du canal se d´placent de la e e source vers le drain sous l’effet de VDS → courant de drain ID > 0.

6 . e ID VGS = 0 régime de pincement régime résistif ~10 V VDS Si VGS < 0 : ID D diminution de la section initiale du canal pour VGS < 0 et VDS = 0 e _ P G VGS < 0 + P VDS > 0 La section initiale du canal (pour VDS = 0) est r´tr´cie par la polarisation inverse des e e e jonctions grille-canal et canal-source. ` HAGGEGE. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e + S N . La r´sistance RDS augmente et e e l’augmentation de VDS est compens´e par celle de RDS → le courant ID devient constant : c’est le r´gime de pincement. due a la tension VGS < 0 → le r´gime de pincement ` e est atteint pour un courant ID d’autant plus faible que la tension VGS est n´gative.Les transistors unipolaires 53 → apparition et ´largissement des zones de transition de ces jonctions → diminution de e la section utile du canal : il y a pincement du canal.3.

3 V VGS = .courant de drain pratiquement ind´pendant de la temp´rature car les porteurs de e e charge ne franchissent aucune jonction .6.r´sistance d’entr´e ´lev´e car le courant de grille est n´gligeable . ils le courant de sortie franchissent deux jonctions commande du cou. e e a e e ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE. sinon les jonctions grille-canal et substrat-canal e e seraient polaris´es en sens direct → courants importants dans ces jonctions → destruction e du JFET. e La tension VGS doit toujours ˆtre n´gative. e e e e e . Application des JFET : ´tages d’entr´e des amplificateurs ` forte imp´dance d’entr´e.7V = VGS off VDS En r´gime r´sistif. 3. ils ne franchissent aucune jonction tension de grille VGS transistor bipolaire courant d’entr´e e faible mais non n´gligeable : e il franchit une jonction en sens direct porteurs assurant minoritaires de la base .courant de base IB rant de sortie 3. . le JFET est donc ´quivalent a une r´sistance command´e par la tension e e e ` e e VGS .1.6. 2003 .Les semiconducteurs ID VGS = 0 VGS = .4 Avantages des JFET .1.3 Comparaison entre JFET et transistor bipolaire JFET n´gligeable : il franchit une e jonction en sens inverse majoritaires du canal .5V VGS = .54 Chapitre 3 .fabrication plus simple que les transistors bipolaires. Il existe une tension VGS of f appel´e tension de pincement pour laquelle la section e utile du canal est nulle mˆme lorsque VDS = 0 → ID = 0 quel que soit VDS : le JFET est e bloqu´.

6.Les transistors unipolaires 55 3. 3.6.2.2 Fonctionnement G S canal P Cas d’un NMOS : ` HAGGEGE. La grille est une ´lectrode m´tallique s´par´e du substrat par une mince couche e e e e isolante. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e .6. C’est un MOSFET ` canal N ou NMOS.6 . on diffuse deux r´gions N fortement dop´es : la source et le e e drain. a Pour un MOSFET ` canal P ou PMOS.2 Le MOSFET MOSFET = Metal Oxyde Semiconductor FET. le drain et la source sont de type P et le a substrat est de type N. Symboles : D D G S canal N 3.3.2.1 Constitution source grille drain isolant (silice) N P substrat liaison interne N Sur un substrat de type P.

e 3. e e ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE. e e La diffusion des MOSFET sur une plaque de silicium est tr`s facile ` r´aliser : le drain et e a e la source sont diffus´s en une seule op´ration. Si VGS > 0. la grille se charge positivement → les ´lectrons minoritaires du substrat P e sont attir´s ` la surface du substrat en face de la grille . e Il se produit une inversion du dopage dans la r´gion situ´e entre le drain et la source : il e e y a cr´ation d’un canal N induit par la polarisation de la grille → le courant de drain e a ID peut circuler ` travers le canal si VDS > 0. et si VDS > 0.3 Int´rˆt des MOSFET e e e Le courant de grille IG est extrˆmement faible : c’est le courant de fuite de la couche isolante → la puissance de commande du MOSFET en commutation est tr`s r´duite.6. la jonction drain-substrat est e polaris´e en inverse et ID = 0 : le transistor est bloqu´. Lorsque VGS ≤ 0. 2003 .2.Les semiconducteurs ID substrat P D G VGS > 0 + + + + + + + + + + N création d'un canal N induit + VDS > 0 S N La grille et la surface du substrat en regard sont assimilables aux armatures d’un condensateur : c’est un condensateur MOS. les trous majoritaires du substrat e a sont repouss´s de la surface. le canal ne se forme plus.56 Chapitre 3 .

6 . e e Symboles : D D G S canal N Il y a donc quatre types de transistors MOS : enrichissement appauvrissement 3.4 Le MOSFET ` appauvrissement a 57 Les MOSFET dans lesquels le canal est induit sont appel´s MOSFET ` enrichissement. e e e ` HAGGEGE. Si VGS ≥ 0. e En appliquant une tension VGS < 0.5 G S canal P canal P PMOS ` enrichissement a PMOS ` appauvrissement a canal N NMOS a enrichissement ` NMOS a appauvrissement ` Applications des MOSFET Ils sont utilis´s dans les circuits int´gr´s et les convertisseurs de puissance.6.2. le canal N r´el est appauvri en ´lectrons → le e e e courant ID ne peut plus circuler → le transistor est bloqu´. e a Il existe un autre type de MOSFET : le MOSFET ` appauvrissement.6. a Cas d’un NMOS ` appauvrissement : a S G D isolant N N substrat P N Le canal N existe physiquement : c’est un canal r´el (= canal induit).Les transistors unipolaires 3. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e . les ´lectrons circulent dans le canal N r´el → si VDS > 0.2. ID > 0.3.

sur un mˆme substrat (puce.certains composants sont difficilement int´grables : inductances et capacit´s de fortes e e valeurs. e e consommation de plus en plus r´duite .7. il existe des circuits int´gr´s contenant des composants e e ´lectroniques non interconnect´s : les connexions peuvent ˆtre r´alis´es ` la dee e e e e a mande de l’utilisateur → personnalisation de circuits int´gr´s (ASIC : Application e e Specific Integrated Circuits).4 Degr´ d’int´gration e e Le degr´ (ou taux) d’int´gration est le nombre de transistors int´gr´s sur un mˆme sube e e e e strat.LSI (Large Scale Integration) : de 10 ` 105 transistors (1970) .un circuit int´gr´ remplit une fonction bien d´termin´e → il ne peut pas ˆtre modifi´ e e e e e e par l’utilisateur .. chip). 2003 .3 .7.connexions entre composants. 3.ULSI (Ultra Large Scale Integration) : > 10 transistors (actuellement). . r´sistances. . Ces ´l´ments sont diffus´s sur le substrat.58 Chapitre 3 .7. a 7 .composants passifs : diodes.1.composants actifs : transistors bipolaires ou unipolaires . e . a 3 a . .Les semiconducteurs 3.la conception d’un nouveau circuit int´gr´ n´cessite un investissement ´conomique e e e e important. ee e 3. transistors de puissance . Il est e e e e constitu´ de : e .SSI (Small Scale Int´gration) : de 1 a 102 transistors (1960) . .7.1 Les circuits int´gr´s e e Notion d’int´gration e Principe Un circuit int´gr´ regroupe. Evolution du degr´ d’int´gration : e e . l’ensemble des composants e e e ´lectroniques n´cessaires pour r´aliser une fonction donn´e (logique ou analogique). e ` .. Cependant. . e e e e u fiabilit´ excellente (r´duction du nombre de composants discrets) . e e e e e Inconv´nients de l’int´gration e e 3.1. condensateurs.7. ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE.2 Avantages de l’int´gration e fabrication de circuits int´gr´s en grande quantit´ → r´duction du coˆt .MSI (Medium Scale Integration) : de 102 ` 103 transistors (1966) .1. e possibilit´ de r´aliser des circuits tr`s complexes avec un encombrement tr`s r´duit. .7 3.1.VLSI (Very Large Scale Integration) : de 105 ` 107 transistors (1986) .1 3.

.1.7.5 Taille des puces 59 . le logiciel de CAO produit e e e ea e un fichier contenant des commandes pour piloter un g´n´rateur de masques qui effectue e e la gravure des diff´rents masques (composants + connexions).0. .quelques centim`tres de cot´ en 1990.0. Plus le circuit int´gr´ est complexe.3. 25 µm en 1999 . 3. e ` HAGGEGE.7 . e e 3.6 Finesse du trait Finesse du trait : largeur des connexions entre les ´l´ments d’une puce.2.0. plus a e e le nombre de masques a r´aliser est important : jusqu` 10 masques qui doivent ˆtre ` e a e superpos´s avec une pr´cision < 1 µm → la fabrication des masques n´cessite l’utilisation e e e de m´thodes de CAO micro´lectronique. e .1. e La gravure utilise : . e e spécification du circuit intégré à réaliser logiciel de CAO microélectronique générateur de masques diffusion des composants et des connexions du circuit intégré 3. 13 µm en 2005. 1 µm.7. e . C’est un facteur ee important : plus cette largeur est faible.des rayons lumineux pour la fabrication de motifs d’´paisseur ≥ 1 µm .1 Fabrication des circuits int´gr´s e e Principe La technologie de fabrication des circuits int´gr´s est d´riv´e du proc´d´ PLANAR : e e e e e e diffusions successives ` travers des masques. Les premiers circuits int´gr´s (vers 1960) avaient une finesse de trait ≈ 10 µm. 1 et 1 µm .1.2 Etapes de fabrication A partir du sch´ma ´lectronique du circuit int´gr´ ` r´aliser.2 3. 18 µm en 2002 .0.des rayons ultraviolets pour les ´paisseurs comprises entre 0. Actuellee e ment : . plus le nombre de composants int´gr´s peut ˆtre e e e important.8 mm de cot´ en 1980 .7. .7.2. 35 µm en 1996 .4 mm de cot´ en 1960 .Les circuits int´gr´s e e 3. e . e .7. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e .des rayons X pour les ´paisseurs < 0.

1 3. 3. 2003 . T1 conduit → T2 est bloqu´ e e a e ` e → T4 est conducteur → la sortie est a l’´tat haut (+5 V) : c’est une fonction NAND. e e 3.8. profondeur et dopage.8.1. on peut r´aliser une centaine de cir` e e cuits int´gr´s. e e On utilise l’implantation ionique : projection d’atomes d’impuret´s dans le silicium e sous l’effet d’un champ ´lectrique dont la valeur permet de contrˆler la profondeur de e o p´n´tration des impuret´s dans le silicium.60 Chapitre 3 . Si une entr´e est ` l’´tat bas.8 Technologies micro´lectroniques e Deux classes de circuits int´gr´s : les circuits bipolaires (TTL.1 Circuits logiques bipolaires Circuits TTL Structure d’une porte NAND TTL (TTL : Transistor Transistor Logic) : +5 V T4 entrées E1 E2 E3 En T1 T2 T3 sortie Transistor amplificateur multi-émetteur inverseur de sortie (= fonction ET) Fonctionnement : le transistor T1 poss`de autant d’´metteurs que d’entr´es ` la porte e e e a e (transistor multi-´metteur). les circuits int´gr´s sont e e e e e d´coup´s puis plac´s dans des boˆ e e e ıtiers plastiques ou c´ramiques. e Les connexions entre la puce et les broches du boˆ ıtier sont r´alis´es avec des fils d’or ou e e d’aluminium soud´s par ´vaporation. e e La diffusion des composants d’un circuit int´gr´ ne peut plus se faire au moyen d’un gaz e e d’impuret´s : manque de pr´cision. Cette m´thode permet d’obtenir des zones e e e e diffus´es pr´cises en position. plus la longueur d’onde du rayonnement utilis´ e ` e doit ˆtre faible pour garder une bonne pr´cision. I2 L) et les circuits e e unipolaires (NMOS. PMOS. CMOS). ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE. Apr`s diffusion des composants et des connexions.Les semiconducteurs Plus l’´paisseur du trait a graver est faible. ECL. e e Sur une plaquette de 20 a 30 cm de diam`tre.

le courant d’´metteur de T1 se referme par le circuit e e d’attaque : la logique TTL est a extraction de courant.8.TTL Low Power Schottky : compromis vitesse / consommation : 5 ns / 2 mW/porte. faible tension e ` d’alimentation : entre 1 et 12 V. 54xxx : militaire). consommation e e plus importante : 25 mW/porte.sortance (nombre d’entr´es pouvant ˆtre aliment´es par une mˆme sortie) ´lev´e : e e e e e e 10. o 3.2 Circuits logiques unipolaires Ce sont des circuits int´gr´s ` base de transistors MOS (NMOS ou PMOS).tension d’alimentation : 5 V . temps de commutation e moyen : 15 ns . Utilis´e dans les circuits int´gr´s rapides. Les circuits e e a int´gr´s NMOS et PMOS ont une consommation ´lev´e et une faible rapidit´ → utilisation e e e e e de la technologie CMOS : grande rapidit´ et faible consommation. Tr`s grande rapidit´ : entre 1 et 2 ns . Am´liorations de la technologie TTL : e . .I2 L : Integration Injection Logic. ` Caract´ristiques : circuits de la s´rie 74/54 (74xxx : civil. consommation moyenne : e 20 mW/porte .bonne rapidit´ : temps de commutation ≈ 40 ns .TTL Schottky : temps de commutation tr`s faible (≈ 3 ns). e ` HAGGEGE. Utilis´e dans les t´l´communications. .TTL Low Power : comsommation r´duite : 3 mW/porte.8. Rapidit´ moyenne : 10 a 50 ns .8. e e . e .Technologies micro´lectroniques e 61 Lorsqu’une entr´e est au niveau bas.3.2. e 3. . 3. en instrue ee mentation et contrˆle.1 Structure CMOS CMOS = Complementary MOS : association de deux transistors MOS compl´mentaires.consommation moyenne : 50 mW/porte .8 .2 Autres technologies bipolaires . dans les automobiles.1. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e . e e e . .ECL : Emitters Coupled Logic.

ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE. 2003 . 3.2 Fonctionnement VG1 S1 = 0 → T1 bloqu´ e VG2 S2 = −VDD → T2 conducteur Si VE = 0 : ⇒ VS = VDD Si VE = VDD : VG1 S1 = 0 → T2 bloqu´ e VG2 S2 = VDD → T1 conducteur ⇒ VS = 0 Dans la structure CMOS.9.1 Photodiode Constitution R´alisation par la technologie PLANAR : sur un substrat de silicium P.1 3.8.1.Les semiconducteurs T2 S2 G2 D2 D1 G1 S1 P P N N P N VDD G2 T2 S 2 D2 VE G1 T 1 D1 S1 VS T1 inverseur CMOS 3. on diffuse une e mince couche N.2. tous les composants sont actifs (pas de r´sistances) → consome mation tr`s faible (<< TTL). e Un inverseur CMOS = deux transistors MOS → taux d’int´gration de la technologie e CMOS tr´s ´lev´.9 Composants opto-´lectroniques e L’opto-´lectronique ´tudie des dispositifs ´lectroniques dont le fonctionnement fait intere e e venir un faisceau lumineux.62 Chapitre 3 . e e e 3.9.

3 Caract´ristique e i (µA) . 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e .30 . la sensibilit´ est de ≈ 1 µA/(W/m2 ). e 3. e ` HAGGEGE.9 .2 Fonctionnement 63 Une diode ` jonction polaris´e en sens inverse est parcourue par un courant tr`s faible dˆ a e e u aux porteurs minoritaires des r´gions P et N : courant de saturation IS ≈ 1 µA. ils peuvent e e e e arracher des ´lectrons aux atomes → cr´ation d’´lectrons libres et de trous suppl´mentaires e e e e = porteurs majoritaires (´lectrons) et minoritaires (trous).10 v (V) 10 W/m2 -10 µA Dans le domaine des radiations visibles. d’autant plus important que l’´clairement du cristal est grand.1.Composants opto-´lectroniques e 3.20 obscurité 5 W/m 2 -5 µA . e Le courant i suit facilement des variations brusques d’´clairement → utilisation aux hautes e fr´quences (> 1 MHz). e quelques µm symbole : rayonnement N P substrat Si le cristal est ´clair´ du cot´ N et si les photons ont une ´nergie suffisante. Les minoritaires peuvent traverser la jonction → augmentation du courant inverse.1. puisqu’elle est polaris´e en sens ine verse.9.9. e Les majoritaires ne peuvent pas franchir la jontion.3.

Sensibilit´ e e 2 ≈ 100 a 200 µA/(W/m ).64 Chapitre 3 .2 Phototransistor base collecteur symbole : rayonnement P N émetteur N Le phototransistor ressemble au transistor bipolaire sauf que la base est ´clair´e par un e e rayonnement au lieu d’ˆtre travers´e par un courant de base → cr´ation de porteurs mie e e noritaires dans la base et circulation d’un courant entre collecteur et ´metteur.Les semiconducteurs 3. 2003 . ` IC 40 W/m 2 30 W/m 2 20 W/m2 10 W/m2 10 V 20 V VCE On augmente cette sensibilit´ en diffusant dans le mˆme cristal un second transistor qui e e amplifie le courant de collecteur du phototransistor (montage Darlington).9. ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE.

e e . La couche N doit ˆtre tr`s mince (< 1 µm) pour ´viter l’absorption de la lumi`re.3. Elle doit ˆtre fortement dop´e → diminution de la r´sistance e e e e interne de la photopile.9. Le rayonnement provient de l’´mission d’un photon lors de la recombinaison e ´lectron/trou : e e− + trou → rayonnement i lumière P N symbole : L’intensit´ du rayonnement ´mis augmente lorsque le courant i augmente.9. on r´alise des jonctions de surface e 2 e e e importante (plusieurs cm ). 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e .9.4 3. . Ex.3.2 Applications .9.3. e e 3.Source de lumi`re dans les montages photo-´lectriques (LED + phototransistor) .4.1 Diodes ´lectroluminescentes (LED) e Fonctionnement Une LED est une diode ` jonction PN qui ´met un rayonnement lorsqu’elle est polaris´e en a e e sens direct.3 3.Composants opto-´lectroniques e 65 3.voyants . Sa couleur e e d´pend de la nature du semiconducteur.1 Photopiles Constitution Photopile = groupement de cellules photovolta¨ ıques = diodes a jonction PN plac´es dans ` e un boˆ ıtier dont une face est transparente. I lumière charge Pour obtenir un courant et une puissance suffisants.9. e 3. ` HAGGEGE.9 . : ars´nio-phosphure de gallium → rouge.affichage num´rique.

avec une face avant en verre sp´cial. satele e lites. mise en marche e d’un escalier roulant. ee 3. ouverture et fermeture automatique de portes.9.3 Mise en œuvre : station solaire panneau solaire régulation horloge + utilisation - photopile Module (ou panneau solaire) = plusieurs dizaines de cellules plac´es sur un circuit ime prim´.4. e c e e e e 3.coupure d’un faisceau lumineux : comptage d’objets.appareils de mesure et d’analyse de l’´clairement. d´tection de flammes ou de e e e fum´e. stations de t´l´communications. protection du personnel travaillant sur des machines dangeureuses.9.4. lecture de cartes ou de bandes perfor´es.Les semiconducteurs .2 Applications Chapitre 3 .5.circuits sans g´n´rateurs . e e .surface importante (1 m2 → 60 W) .1 Emploi des composants opto-´lectroniques e Photodiode et phototransistor Capteur d’une information contenue dans un rayonnement : tout-ou-rien : . e analogique : . e . e e .faible rendement : ≈ 10 %.variation d’´clairement : ´clairage automatique.alimentation en ´lectricit´ de zones inaccessibles pour les lignes de transport.prix ´lev´ . L’ensemble doit ˆtre parfaitement ´tanche. mont´ dans un cadre en aluminium.4 Limitations . 2003 .9.9.66 3.4. .5 3. e ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE. 3.9. Sa face e e e arri`re re¸oit un enrobage de r´sine ´poxy. .reproduction du son au cin´ma (lecture de la piste sonore) .

9.5.. e e e 3.2 Photocoupleurs 67 LED + phototransistor dans un mˆme boˆ e ıtier : Relais. Lumi`re = porteuse pour les signaux vid´o.. 14 ou 16 segments).4 Affichage num´rique e Ensemble de LEDs constituant les segments d’un afficheur (7.9. 3. cathode commune . . num´riques. isolement galvanique.3..5.9..Composants opto-´lectroniques e 3.5. ` a anodes ou cathodes communes. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e .3 Transmission de l’information LED + phototransistor reli´s par une fibre optique → transmission de la lumi`re ` grande e e a distance.9 . anode commune ... ` HAGGEGE.

68 Chapitre 3 .Les semiconducteurs ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE. 2003 .

U2 Grandeurs alternatives f 2 .. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e . e Ces convertisseurs alimentent des r´cepteurs tr`s divers : moteurs. V1 cycloconvertisseur f1 = f 2 gradateur f1 = f 2 onduleur redresseur Grandeurs continues I1 .2 Transformations possibles en ´lectronique de puissance e Grandeurs alternatives f1 .1 Introduction But de l’´lectronique de puissance e C’est l’´tude des convertisseurs d’´nergie ´lectrique dont le rˆle est de modifier : e e e o . U1 hacheur survolteur U2 > U1 hacheur dévolteur U 2 < U1 Grandeurs continues I2 . .les caract´ristiques (valeur efficace. 4.. .Chapitre 4 Les composants de l’´lectronique de e puissance 4.1 4. e La puissance fournie ` ces r´cepteurs peut aller de quelques centaines de watts ` plusieurs a e a dizaines de m´gawatts → ´lectronique de puissance = ´lectronique “petits signaux” ou e e e “courant faible” (quelques watts).la forme (continue. fr´quence) e e des grandeurs ´lectriques. V2 ` HAGGEGE.1. installations e e ´lectriques. alternative). fours.1.

3 Structure g´n´rale d’un convertisseur en ´lectronique de e e e puissance partie commande partie puissance (courant faible) réseau d'alimentation convertisseur d'énergie charge signaux de commande commande mesures référence 4. ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE. .5 Semiconducteurs de puissance Trois types de semiconducteurs de puissance sont utilis´s : e ..Les composants de l’´lectronique de puissance e 4. e .semiconducteurs contrˆl´s sans commande de bloquage : oe → thyristors .engins de traction : m´tro. 4.1. bains e e e ´lectrochimiques.. . .1.70 Chapitre 4 .entrainements ` vitesse command´e : monte-charges. . r´acteurs chimiques. Il existe actuellement d’autres types de semiconducteurs de puissance bas´s sur l’int´grae e tion de la partie commande et de la partie puissance sur un mˆme cristal : « circuits e int´gr´s haute tension » (HVIC : High Voltage Integrated Circuits) ou dans un e e mˆme boˆ e ıtier (technologies hybrides). → thyristors GTO (Gate Turn Off ) .r´seaux ´lectriques : excitation et r´glage des alternateurs. . ventilateurs.. → transistors MOSFET de puissance .robotique : commande des actionneurs.. → IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)...semiconducteurs non-contrˆl´s : oe → diodes de puissance . pompes.1. Ces deux technologies constituent la technologie « Smart Power » : puissance intelligente. → triacs .. locomotives. . lamia e noirs. . e e .. .. 2003 .4 Applications de l’´lectronique de puissance e . .dispositifs de fabrication utilis´s en chimie et en m´tallurgie : fours ´lectriques. am´lioration du facteur e e e e de puissance..semiconducteurs contrˆl´s avec commande de bloquage : oe → transistors bipolaires de puissance .

la constitution des semiconducteurs de puissance est diff´rente de e e e e leurs ´quivalents en courant faible.1 Structure de base d’une diode de puissance zone P fortement dopée Anode P+ jonction PN zone N faiblement dopée N+ N- 10 µm dépend de la tension maximale inverse (claquage) substrat 250 µ m zone N fortement dopée 4. La section de la diode d´pend du courant maximal admissible par la diode. Des modifications sont faites sur les structures de base e afin de les adapter aux hautes tensions et aux forts courants. e Inconv´nient de la pr´sence de la zone N− : augmentation de la r´sistance de la diode en e e polarisation directe. Une diode peut utiliser toute une plaquette de silicium (wafer) de e 10 cm de diam`tre.2. e Diffusion d’une zone P+ (fortement dop´e) → anode de la diode. e e Le rˆle de la zone N− est d’absorber la zone de transition lorsque la diode est polaris´e o en inverse : zone N faiblement dop´e → diminution du nombre d’´lectrons → diminution e e du risque d’avalanche → augmentation de la tension de claquage.4. ` HAGGEGE. 4. Elle peut e atteindre plusieurs cm2 pour des diodes supportant des courants directs de plusieurs milliers d’amp`res. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e .2.2 Principe de fabrication Cathode section dépend du courant maximal admissible par la diode Diffusion d’une zone N− (faiblement dop´e) sur un substrat N+ (fortement dop´) → e e permet de contrˆler la tension maximale inverse (tension de claquage) = diode de faible o puissance.2 .La diode de puissance 71 4.2 La diode de puissance De mani`re g´n´rale.

2. e e 4. ces pertes sont plus importantes a cause de la dissipation dans la zone N− → effet plus important lorsque le ` courant est plus ´lev´ : P = Us · I + RD · I 2 .3 Caract´ristique statique d’une diode de puissance e I diode faible puissance 1 RD tension de claquage -Vz croissance linéaire pour les courants élevés. due à la zone N- ~1V V 4.Les composants de l’´lectronique de puissance e 4. 7 a 1 V.5 Caract´ristiques en commutation e Diode en commutation → diode de roue libre (´vite les surtensions lors de l’ouverture et e de la fermeture des circuits inductifs). if e E1 R e t t0 E2 i If t0 -Ir Qr t rr t Lorsqu’une diode parcourue par le courant direct If = E1 est brusquement soumise ` a R une tension inverse. 2003 .2. Un courant bref parcourt la diode e ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE. Dans les diodes de puissance.4 Pertes ` l’´tat passant a e Les pertes dans la diode sont dues a la tension de seuil lorqu’elle est polaris´e en sens ` e ` direct : P = Us · I avec Us ≈ 0. le bloquage n’est pas instantann´.2.72 Chapitre 4 .

Sa dur´e est trr : temps de recouvrement inverse (temps pendant lequel e e le courant reste n´gatif).4. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e . C’est le temps n´cessaire pour d´charger la zone de transition.2 Caract´ristiques e Actuellement.La diode de puissance 73 de la cathode vers l’anode.2 . Sa valeur maximale est −Ir = − E2 (Ir ne d´pend que du e R circuit ext´rieur). courant direct maximal ≤ 30 A. e e e trr ≈ 1 µs. Elle est ´galement soumise ` une tension inverse qui peut ˆtre ´lev´e → dissipation e a e e e d’´nergie.2. tension inverse maximale ≈ 100 a 200 V. 4.2.6. La perte de puissance est proportionnelle a la fr´quence de commutation et e ` e augmente avec la tension inverse lors du bloquage → surcharge transitoire importante pour les autres composants. ` ` HAGGEGE. 4V. e Ex : If = 150 A → Qr = 35 µC If = 800 A → Qr = 60 µC Cons´quences : ` chaque bloquage. t0 +trr La charge ´vacu´e est Qr = e e t0 idt.6. la diode est parcourue par un courant transitoire e a inverse. Elle d´pend de If et de la diode.2.6 Diode Schottky La principale caract´ristique d’une diode Schottky est d’avoir un temps de recouvrement e inverse tr`s faible ≈ 1 ns et une tension de seuil Vs ≈ 0. e 4. trr augmente avec Ifmax .1 Constitution anode silice (isolant) zone de transition sans anneaux de garde jonction métal-semiconducteur anneaux de garde (permettent d'élargir la zone de transition) P P N zone de transition avec anneaux de garde N+ cathode 4.

e e 4.3.J2 passantes de K vers A. 2003 .Les composants de l’´lectronique de puissance e 4. ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE.3 Le thyristor Le thyristor (ou SCR : Semiconductor Controlled Rectifier) est l’un des composants de puissance ` semiconducteur parmi les plus anciens (1957.1 Constitution C’est un composant a trois jonctions PN. ` section : dépend du courant maximal anode P+ J1 J2 J3 N+ P N+ cathode P N30 . C’est le composant qui permet d’atteindre les puissances les plus ´lev´es. .100 µm 10 µm gâchette Section pour les faibles courants : gˆchette localis´e a e cathode gâchette localisée Section pour les forts courants : gˆchette distribu´e a e gâchette distribuée cathode Symbole : VAK anode IA cathode gâchette Trois jonctions PN en s´rie entre anode et cathode : e .J1 et J3 passantes de A vers K . General Electric Research a Laboratory).74 Chapitre 4 .1000 µm 30 .50 µm 50 .

e N2 : tr`s dop´e.Le thyristor Mod`le simplifi´ : e e A P1 75 J1 N1 J2 G P2 N1 : ´paisse et peu dop´e .3.3.2. e e P2 : tr`s mince .3 . 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e .2 4.4.1 Fonctionnement du thyristor Amor¸age c IA R V K IG VAK ` HAGGEGE. e e J3 N2 K Sch´ma ´quivalent d’un thyristor : e e A P1 A A P1 N1 N1 J1 N1 J1 J2 G P2 G P2 N2 K K P2 J2 G J3 N2 J3 K 4.

le plus utilis´ en c a e pratique. + IG - + Ed + - + N1 J2 P2 N2 J3 électrons très nombreux (N2 très fortement dopée) IA Comme J2 est tr`s proche de J3 (zone P2 tr`s mince).Amor¸age par avalanche : si on augmente la tension V. les ´lectrons qui circulent e e e e e ` dans J3 sont soumis au champ Ed qui r`gne dans J2 . les jonctions J1 et J3 sont a polaris´es en sens direct ⇒ la tension a leurs extrˆmit´s est faible ⇒ VAK est pratiquement e ` e e e appliqu´e ` la jonction J2 .5 V et IA = V ⇒ le thyristor R s’amorce : amor¸age par avalanche. polaris´e en inverse ⇒ IA ≈ 0 (courant inverse de minoritaires) : e a le thyristor est bloqu´. Si IA devient sup´rieur a une e e valeur IH ≈ quelques mA (courant de maintien ou d’accrochage) ⇒ ph´nom`ne e e d’avalanche et le courant IA continue de circuler mˆme apr`s la disparition de IG ⇒ le thyristor s’amorce : amor¸age par courant de gˆchette.Amor¸age par courant de gˆchette : si on ferme bri`vement l’interrupteur K. c a e e a une impulsion de courant IG est envoy´e ` travers la jonction J3 . les minoritaires qui traversent J2 provoquent une avalanche et J2 devient conductrice ⇒ VAK devient faible ( V ) ≈ 1.Les composants de l’´lectronique de puissance e On suppose IG = 0 (pas de courant de gˆchette) : si VAK > 0. 2003 .76 Chapitre 4 . e Deux types d’amor¸age : c . c . ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE. trou minoritaire + - + Ed + - électron minoritaire + N1 J2 P2 N2 J3 IA Lorsque V devient sup´rieure ` une valeur VBO (BO : Break Over) ≈ plusieurs e a centaines de volts. la tension inverse de la c jonction J2 augmente ⇒ le champ Ed dans J2 augmente.

2.3. e Si VAK < 0 et qu’on envoie un courant IG . il y a claquage de J1 et J3 (avalanche) mais pas d’amor¸age : la tension VAK aux bornes du thyristor reste constante = tension c d’avalanche.3. .2 Bloquage 77 Si V diminue et devient n´gative. Il fonctionne comme un court-circuit lorsque : .VAK > 0 et IG = 0 (avec VAK < VBO ) . le thyristor bloque le courant lorsque : e e .4 Fonctionnement en charge e La droite de charge d’´quation IA = V −VAK d´termine deux points de fonctionnement M e R et P sur la caract´ristique courant-tension. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e . e Si VAK < −VRWM (Maximum Reverse Voltage).3.3 Caract´ristique courant-tension du thyristor e IA IH -VRWM IG 0 IG = 0 VAK VBO Remarque : VBO diminue si IG > 0 (courant continu permanent). le thyristor ne peut pas s’amorcer et reste e bloqu´ car J1 et J3 sont polaris´es en inverse. IA diminue et lorsque IA < IH .une impulsion de courant IG traverse la jonction gˆchette-cathode. J1 et J3 se bloquent.4. 4.2.Le thyristor 4. a 4. correspondant respectivement a l’´tat amorc´ e ` e e ou bloqu´ du thyristor : e ` HAGGEGE.VAK > 0 . En r´sum´.VAK < 0 (IG quelconque). .2.3 . J2 e n’est plus en r´gime d’avalanche.

78

Chapitre 4 - Les composants de l’´lectronique de puissance e

IA

V R M IH

M0
dro ite de ch arg

el im ite

amorçage par courant de gâchette

P0 VAK

P V VBO

4.3.3
4.3.3.1

Probl`mes li´s ` l’amor¸age et au bloquage des thyristors e e a c
Conditions d’amor¸age c

Caract´ristique de gˆchette (IG - VGK ) : e a

IG (A) 2 IG max courant minimum de gâchette (gate trigger) 1

zone d'amorçage certain

hyperbole de dissipation PG = VGK . IG PGmax caractéristique typique

IGT zone d'amorçage possible 5 VGK max VGK (V)

caractéristiques extrêmes dues à la dispertion des caractéristiques pour différents échantillons d'un même thyristor

Pour que le thyristor s’amorce correctement par un courant de gˆchette IG , il faut que : a - l’impulsion IG poss`de une valeur de crˆte suffisante pour d´clencher l’avalanche e e e ` dans J2 : 4 a 6 × IGT ; - la dur´e de l’impulsion IG soit suffisante pour que IA atteigne la valeur du courant e de maintien IH ;
ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE, 2003

4.3 - Le thyristor

79

- le temps de mont´e de IG soit faible pour que la surface dans laquelle commence e l’avalanche soit grande afin de limiter les ´chauffements dus ` IA qui augmente e a rapidement. Forme caract´ristique de l’impulsion d’amor¸age IG : e c

IG (mA) ^ 600 IG 0,9 ^ I
G

IGT
temps de montée

1

temps (µs)

durée de l'impulsion
Temps d’amor¸age : lorsqu’on envoie un courant IG , l’amor¸age n’est pas instantann´, la c c e e ` tension VAK d´croit progressivement a partir de V :
VAK V

V 10 ta thyristor bloqué temps d'amorçage temps (µs) thyristor amorcé

ta ≈ quelques µs, d´pend de la nature de la charge. e 4.3.3.2 D´samor¸age d’un thyristor e c

Deux types de commutations de l’´tat amorc´ ` l’´tat bloqu´ : e ea e e - commutations naturelles : thyristor parcouru par un courant alternatif → le thyristor se bloque ` chaque passage par z´ro de IA (cas des redresseurs et des gradateurs) a e → n´cessite un circuit d’amor¸age p´riodique ; e c e
` HAGGEGE, 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e

80

Chapitre 4 - Les composants de l’´lectronique de puissance e - commutations forc´es : le bloquage se fait par inversion de la tension VAK au moyen e d’un circuit de bloquage (cas des hacheurs et des onduleurs).

Exemple de circuit de bloquage :
circuit de bloquage

IA R V TH1 UC C TH2 R' thyristor auxiliaire
(faible puissance)

thyristor principal (forte puissance)

Fonctionnement : - TH1 amorc´, TH2 bloqu´ ⇒ C se charge et UC = V > 0. Si on amorce TH2, la e e e a tension −UC < 0 est appliqu´e ` TH1 qui se bloque et C se charge avec UC < 0. a - Au r´amor¸age de TH1, TH2 se bloque (UC < 0) et C se recharge jusqu’` UC = e c V > 0 ⇒ le syst`me est prˆt pour un nouveau cycle de bloquage. e e Temps de d´samor¸age : e c I

gate recovery time trr tgr

t VAK

t

tq temps désamorçage
ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE, 2003

1 Structure Triac = thyristor bidirectionnel. on peut grouper plusieurs ıtre a thyristors en s´rie et/ou en parall`le.3. il faut utiliser un circuit de blocage u e ⇒ complication du montage.3. Dans ce cas.Le triac 81 Le temps de d´samor¸age tq est la somme du temps de recouvrement inverse trr des e c e jonctions J1 et J3 et du temps tgr de disparition des ´lectrons dans la jonction J2 : tq = ` trr + tgr ≈ 5 a 400 µs. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e . le thyristor se r´amorce en l’absence e de courant de gˆchette (r´amor¸age intempestif).3 Amor¸age intempestif par c dVAK dt Un thyristor peut ˆtre amorc´ sans courant de gˆchette par une variation rapide de VAK .4. le thyristor est concurrenc´ par le GTO ou les e transistors. e Si on r´applique la tension VAK > 0 avant l’instant tgr . a e c 4. ` HAGGEGE.4. e e 4. e c Pour les applications o` les commutations sont forc´es. aux fr´quences jusqu’` quelques centaines de hertz.4 Le triac Le triac (TRIode for Alternative Current) est un semiconducteur de puissance con¸u pour c fonctionner en interrupteur command´ sur un r´seau alternatif. e a Pour accroˆ les performances des interrupteurs ` thyristors.3. 4. e e a Pour ´viter ce ph´nom`ne. e e 3000 A.4 Applications industrielles des thyristors Le thyristor est l’interrupteur des courants intenses sous des tensions ´lev´es : ≈ 5000 V. e e Le thyristor est irrempla¸able pour les applications o` les commutations sont naturelles c u (redresseur. gradateur) : il ne n´cessite qu’un circuit d’amor¸age.4 . on doit avoir : e e e dVAK dVAK < dt dt ≈ 100 a 400 V/µs ` max → utilisation de circuits de snubber pour limiter les variations de tension aux bornes du thyristor : R C 4.

P2 .P1 .N2 . cathode = N3.N2 .N1 → thyristor Th2 : anode = P2. Sch´ma ´quivalent : e e A1 G Th2 Γ Th1 A2 → 2 thyristors en antiparall`le + ´l´ment auxiliaire qui aiguille le courant de gˆchette e ee a vers les deux thyristors.N4 → ´l´ment auxiliaire Γ qui couple la gˆchette G du triac aux gˆchettes ee a a de Th1 et Th2.N3 → thyristor Th1 : anode = P1.N2 .P1 . P2 .P2 . cathode = N1.Les composants de l’´lectronique de puissance e A1 G N1 P1 N2 P2 (A2) Th2 élément auxiliaire N4 P1 N2 P2 N3 Γ A2 Th1 (A1) P1 . 2003 . Symbole : A1 G A2 ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE.82 Chapitre 4 .

2 Fonctionnement Pas de courant de gˆchette → aucun courant ne circule entre A1 et A2 : le triac est bloqu´. 4.par courant de gˆchette → 4 cas possibles : amor¸age dans les 4 quadrants.4 Amor¸age c Deux types d’amor¸age : c e .4. e .4 .Le triac 83 4. .4.4. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e .par d´passement de ±VBO → peu utilis´ . a e Une impulsion de courant de gˆchette IG met en conduction Th1 ou Th2 par l’ina term´diaire de l’´l´ment auxiliaire Γ suivant la polarit´ de la tension VA2A1 .3 Caract´ristique du triac e A2 I VA2A1 A1 -VBO IH VBO -IH VA2A1 I Elle se d´duit de celle du thyristor : e G 4.4. a c VA2A1 II A2 + G A1 A2 G III A1 G + A1 IV G + A1 A2 IG A2 + I ` HAGGEGE. e ee e Si on prend A1 comme r´f´rence des potentiels : ee .Th2 conduit lorsque VA2A1 > 0.Th1 conduit lorsque VA2A1 < 0 .

contacteur statique . → variation de temp´rature.5 Applications du triac Essentiellement en courant alternatif : . Symbole : A2 A1 Il est utilis´ pour le d´clenchement des triacs dans les variateurs de puissance. .84 Chapitre 4 . e e Exemple : charge ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE.4.Les composants de l’´lectronique de puissance e quadrant de d´clenchement e I II III IV polarit´ par e condition rapport ` A1 d’amor¸age a c de A2 de G IG + + faible + − moyen − − moyen − + fort 4. e 4. amor¸able uniquement par d´passement de a c e ±VBO ≈ ±30V. e .variateurs de puissance (gradateurs) → variation de l’intensit´ lumineuse .4. e → variation de vitesse .6 Le diac Il existe un triac sans gˆchette : le diac.circuit de d´marrage de moteurs alternatifs . 2003 .

5 . mais pour le bloquage. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e . C’est un composant semblable au thyristor sauf qu’il peut ˆtre e bloqu´ par inversion du courant de gˆchette. a Symbole : A A ou G K G K 4. ` HAGGEGE.5.2 Avantage essentiel du GTO Il ne n´cessite pas de circuit de bloquage.5.5 Le thyristor GTO GTO = Gate Turn Off.1 Constitution A N+ P+ N+ NP P+ N+ P1 J1 N1 J2 P2 J3 N2 G N+ N+ N+ N+ K Diff´rences par rapport au thyristor : e . e a 4.cathode morcel´e en un grand nombre d’ˆ e ılots ind´pendants.couche P1 court-circuit´e par des blocs N+ en contact avec l’anode et la couche N1 . e Cette g´om´trie particuli`re permet d’obtenir le bloquage par inversion du courant de e e e gˆchette.Le thyristor GTO 85 4.4. e . il faut un courant inverse e IA e e a I ≈ 2 → probl`me pour la r´alisation du circuit de gˆchette.

en absorbant la zone de transition. ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE. e .1 Le transistor bipolaire de puissance Structure Structure modifi´e par rapport au transistor bipolaire faible puissance pour supporter des e e e a e e tensions VCE ´lev´es ` l’´tat bloqu´ : E B 10 µm 5 à 20 µm 50 à 200 µm 250 µm N+ P NN+ C section dépend de IC La zone N− entre base et collecteur permet a la jonction base-collecteur. polaris´e en ` e inverse. de supporter une tension inverse importante sans claquage.5. 4. L’´paisseur de la base doit ˆtre tr`s faible (< 1 µm) pour les transistors de faible puissance e e e (→ fort gain en courant). elle doit ˆtre plus impore tante pour supporter des tensions ´lev´es → diminution du gain en courant : β ≈ 5 a 10 e e ` pour les transistors de puissance.Les composants de l’´lectronique de puissance e 4. e .6. 4.2 Transistor Darlington monolithique → permet d’augmenter le gain en courant des transistors de puissance.3 Utilisations Le GTO est utilis´ pour les fortes puissances (> 100 kW) : e . mais pour les transistors de puissance.traction ´lectrique . ` .variation de vitesse des moteurs a courant continu (hacheurs) .6 4.syst`mes d’allumage automobile .6. .86 Chapitre 4 .alimentations sans coupure (onduleurs) . 2003 .modulateurs radar.

1 Principe 87 C IC1 IC2 B IB IB1 T1 IE1 D1 aide au bloquage IC diode de roue libre D2 T2 IB2 IE E Gain du transistor Darlington : β = β1 β2 + β1 + β2 → gain ´lev´ mˆme si β1 et β2 sont e e e faibles. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e .2. 4.6.2.6 .6.Le transistor bipolaire de puissance 4.2 Structure B IE1 IB1 N+ IB2 IC1 silice (isolant) IC2 E N+ P N- N+ C ` HAGGEGE.4.

3 Caract´ristique IC − VCE e IC quasi-saturation IB6 IB5 IB4 IB3 IB2 IB1 IB = 0 VCE max VCE 4.4 Caract´ristiques en commutation e Cas d’une charge r´sistive : e fermeture : IB t IC td ton tr t VCE dur´e de fermeture : ton = td + tr e = retard + temps de croissance ≈ quelques µs (tr diminue quand IB augmente) t ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE. dans les transistors de puissance.6.Les composants de l’´lectronique de puissance e En pratique.2. la base et l’´metteur sont entrelac´s (struce e ture interdigit´e) → r´partition homog`ne des courants : e e e émetteur base N+ N+ N+ N+ N+ N+ P NN+ 4.2.88 Chapitre 4 . 2003 .6.

7 Le MOSFET de puissance MOSFET = transistor a effet de champ m´tal – oxyde – semiconducteur.7 . la d´croissance de VCE est plus lente → augmen` e tation des pertes en commutation. 2003 G S silice (isolant) ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e .7. a l’ouverture. ` e 4.4.Le MOSFET de puissance ouverture : IB 89 t IC toff dur´e d’ouverture : tof f = ts + tf e = temps de stockage + temps de d´croissance e (ts augmente quand IB augmente) t ts tf VCE t Si la charge est inductive.1 Constitution D métal transistor bipolaire parasite source N+ NP N court-circuit base-émetteur du transistor parasite ID drain canal grille ID diode parasite N source métal ` HAGGEGE. 4.

qui peut ˆtre utilis´e comme e e e e diode de roue libre int´gr´e. 2003 .7.si VGS ≤ 0. on associe un grand nombre de structures MOS de fa¸on ` obtenir e c a e e le courant ID d´sir´.3 Caract´ristique statique e ID zone ohmique zone de pincement (zone active) augmentation de VGS VDSmax VDS ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE. e e ` . ce canal relie le drain a la source ⇒ ID > 0. ` 4. sa base et son ´metteur sont e court-circuit´s → cr´ation d’une diode entre drain et source. Symboles : D D G S canal N 4. a Pour VDS ≥ 0 : . Pour ´viter que e e ce transistor ne soit mis accidentellement en conduction.2 Principe de fonctionnement G S canal P Identique ` celui du transistor MOS de faible puissance.90 Chapitre 4 . pas de courant qui circule entre drain et source car la jonction PN entre la zone N de drain et la zone P est polaris´e en inverse ⇒ ID = 0 .Les composants de l’´lectronique de puissance e C’est un transistor a structure verticale : VDMOS (Vertically Diffused MOS).si VGS > 0. diff´rent ` e du MOSFET faible puissance (structure lat´rale) → permet d’obtenir une r´partition e e homog`ne du courant de drain. e e Dans un mˆme cristal. e Cette structure cr´e un transistor bipolaire parasite entre source et drain. cr´ation du canal N induit a la surface de la zone P.7.

4. 4.7.7.Le MOSFET de puissance 91 A l’´tat passant.7 . 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e . Il se comporte comme une r´sistance e e e RDS qui diminue lorsque VGS augmente. le MOSFET est en r´gime ohmique.4 Circuit ´quivalent e zone ohmique D CGD G CGS S 4.3 à 1 Ω) pertes en conduction = RDSon ID² CGD G CGS S ID = f(VGS) Caract´ristique dynamique e Montage : RD ID RG VGG VD VDD ` HAGGEGE.5 zone active dépendent de VDS (diminuent quand VDS augmente) D RDSon < 1 Ω (0.

ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE. 2003 . e Son imp´dance d’entr´e est tr`s ´lev´e → il peut ˆtre command´ par des circuits int´gr´s e e e e e e e e e de faible puissance. Inconv´nient : obtention de ID et e e e e VDS ´lev´s : ID = 5 A → VDS = 1000 V. Il est tr`s stable thermiquement. l’ouverture du MOSFET consiste a d´charger les capacit´s CGS et CGD . e ` e e 4.Les composants de l’´lectronique de puissance e Fermeture du MOSFET : VGG t VGS t IG charge des capacités CGS et CGD t VD VDSon t ID t td tri tf tc = temps de charge des capacités CGS et CGD 100 ns = temps de fermeture De mˆme.7. ID = 45 A → VDS = 50 V.92 Chapitre 4 .6 Utilisation du MOSFET de puissance Le MOSFET est plus rapide que le transistor bipolaire → utilisable en haute fr´quence.

8. 2003 cours de technologie g´n´rale e e isolant N+ G ISET Rad`s e .MOSFET → temps de commutation faible mais pertes en conduction plus ´lev´es.L’IGBT 93 4. e e .8.1 Principe L’IGBT combine les avantages du transistor bipolaire et du MOSFET : .IGT (General Electric) .8 L’IGBT IGBT = Insulated Gate Bipolar Transistor (Transistor bipolaire a grille isol´e).8 .COMFET (Conductivity Modulated FET. .bipolaire → faibles pertes en conduction mais temps de commutation ´lev´ . . 4.4. e e augmentant avec VDS . RCA) . 4.GEMFET (Gain Ehanced Modulated FET. ´galement ` e e connu sous le nom de : .2 Structure D P+ N+ NP N+ S ` HAGGEGE. Motorola).

3 Circuit ´quivalent e D → Darlington hybride MOSFET-bipolaire : . . 2003 .7 à 1 V : chute de tension VBE du transistor bipolaire 4.8.8. a ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE.8.r´sistance en conduction du transistor e bipolaire → faibles pertes.5 Caract´ristique statique e ID VDSmax VDS 0.8.commutations → rapidit´ du MOSe FET . G S 4.6 Carat´ristiques dynamiques e Semblables ` celles du MOSFET.4 Symboles D C ou B G S E 4.Les composants de l’´lectronique de puissance e 4.94 Chapitre 4 .

a a ` . . diminution des pertes a l’´tat passant. e e 4. JFET de puissance .10.ID jusqu’` 200 a 400 A . circuits int´gr´s haute tension (HVIC) → puissance intelligente (smart power) : e e int´gration composants de puissance + logique de commande.possibilit´ de mise en parall`le de plusieurs IGBT → ID ≈ 1000 a 1500 A.9 .1 Montage et refroidissement des composants de puissance Rˆle du boˆ o ıtier du semiconducteur de puissance . e e 4. augmentation e ` e de la vitesse de commutations . e puissances dissip´es → ≈ centaine de kilowatts . courants → plusieurs centaines d’amp`res .10. ⇒ n´cessit´ d’une isolation ´lectrique. thyristor MOS (MCT : MOS Controlled Thyristor) .am´lioration des performances des composants existants : augmentation de leurs cae pacit´s de bloquage en tension. Ils sont encore peu commercialis´s mais e e repr´sentent l’avenir de l’´lectronique de puissance. . e e e e . montage et raccordement.7 Utilisation de l’IGBT .2 - Environnement d’un semiconducteur de puissance tensions → plusieurs kilovolts . 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e . e Ces composants constituent l’objet de la recherche actuelle dans le domaine des composants de l’´lectronique de puissance.Technologies ´mergentes e 95 4.´change d’´nergie : ´vacuation de la chaleur vers l’ext´rieur . de filtres anti-parasites e e e et/ou de blindage.VDS jusqu’` 1700 V .10 4. de refroidisseurs. ` HAGGEGE. e . ` . thyristor a effet de champ . e e 4. . e commutations rapides → ph´nom`nes ´lectromagn´tiques : rayonnements perturbae e e e teurs.9 Technologies ´mergentes e Actuellement.protection de la partie active (puce) contre les agressions m´caniques et chimiques .apparition de nouveaux composants et circuits int´gr´s de l’´lectronique de puise e e sance : . deux orientations dans la technologie des semiconducteurs de puissance : .8. ` .4.assemblage m´canique : insertion dans un ´quipement.

e e Trois types d’isolement ´lectrique : e . capacit´ parasite importante . e . e e e . conservant une chaˆ ıne thermique continue entre la puce et l’atmosph`re ext´rieure. u e e e . coˆt plus ´lev´ (nombre de pi`ces de montage). e ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE.3 Isolement ´lectrique e Hautes tensions → isolement entre les parties actives et la masse.96 Chapitre 4 .Les composants de l’´lectronique de puissance e 4. 2003 . e .isolement entre radiateur et chˆssis (masse) de l’´quipement → n´cessite autant de a e e radiateurs que de potentiels diff´rents. augmentation de la r´sistance thermique .isolement interne entre la puce et le boˆ ıtier : puce colle conductrice de chaleur boîtier → solution performante et ´conomique : nombre de pi`ces de montage r´duit.10.isolement entre boˆ ıtier et radiateur : vis composant cosse mica (isolant) radiateur canons isolants rondelles isolantes écrous → probl`mes : e .

u ` HAGGEGE.dissipation de l’´nergie stock´e dans ces inductances lors de l’ouverture d’interrupe e teurs . e a Utilisation de montages simples et rapides par barres et circuits imprim´s pr´fabriqu´s : e e e barres de raccordement (forts courants) circuit imprimé composant isolé radiateur 4.Montage et refroidissement des composants de puissance 97 4. ⇒ r´duire au maximum les cˆblages. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e . circulation forc´e. toutes les connexions doivent ˆtre ramen´es sur la e a e e mˆme face du composant de puissance → cˆblage compact. e e e 4. Cˆblage → introduction d’inductances parasites → a .10.4 Cˆblage a Courants intenses → conducteurs pr´sentant une section suffisante pour limiter les ´chaufe e fements.5 Radiateurs Evacuation de la puissance dissip´e → circulation d’un fluide caloporteur qui joue le rˆle e o d’´changeur thermique : air ou liquide avec. ´ventuellement.10 .10.1 Notion de r´sistance thermique e T2 S T1 < T2 P puissance dissipée sous forme de chaleur l Loi d’Ohm thermique : T2 − T1 = RT h · P e o` RT h est la r´sistance thermique (en ◦ C/W).4.surtensions. .10.5.

a e Remarque : la loi d’Ohm thermique est valable seulement en r´gime permanent.RT h c−r : r´sistance thermique boˆ e ıtier-radiateur → d´pend de la qualit´ du contact e e boˆ ıtier-radiateur. e e e e .5.λ : conductivit´ thermique (W/m/◦ C).. ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE. e Repr´sentation : e T2 P RTh T1 équivalence électrique RTh 2 V2 I R V1 R´sistance thermique ´quivalente : e e RTh 1 RTh n chaîne thermique RTh = RTh 1 + RTh 2 + .RT h j−c Tc (température du boîtier) Tr (température du radiateur) Ta (température ambiante) : r´sistance thermique jonction-boˆ e ıtier → ne d´pend que du composant . .. λ = 220 W/m/◦ C. 2003 .l : longueur . e Exemple : aluminium pur ` 90 % (utilis´ pour les radiateurs). . am´lior´ avec de la graisse de silicone .S : section . + RTh n 4.Les composants de l’´lectronique de puissance e RT h = l λS avec : .2 Application aux radiateurs Tj (température de jonction) puce boîtier radiateur air ambiant Trois r´sistances thermiques : e . e .RT h r−a : r´sistance thermique radiateur-air ambiant → d´pend de la surface du radiateur et du coefficient de transfert de chaleur en convection.10.98 Chapitre 4 .

3 R´alisation des radiateurs e Profil´s d’aluminium ou tˆles pli´es et peintes en noir (rayonnement maximal).radiateur avec graisse. e o e Profils aux formes vari´es → transfert thermique maximal dans le minimum de volume : e ` HAGGEGE. . exemple : transistor de puissance en boˆ ◦ TO3 : RT h j−c = 0. e ` e Application num´rique : e .Puissance dissip´e = 26 W . 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e . 9 − 0.Montage et refroidissement des composants de puissance Sch´ma ´quivalent : e e 99 P Tj RTh j-c Tc RTh c-r Tr totale RTh r-a Ta Tj = Ta + RT h avec : RT h totale ·P = RT h j−c + RT h c−r + RT h r−a La temp´rature Tj ne doit pas d´passer Tj max (sp´cifi´e par le constructeur) → d´termination e e e e e d’un radiateur permettant de v´rifier cette condition.Ta = 55 ◦ C . e M´thode de calcul : e e e ıtier . 4 26 = 1. 4 ◦ C/W avec graisse : d´pend du radiateur → choix du radiateur. ⇒ Tj − Ta ⇒ RT h r−a = (RT h = = j−c + RT h c−r + RT h − RT h r−a ) ·P Tj − Ta − RT h P j−c c−r 125 − 55 − 0. . 3 C/W ` sec = 0.4.10. exemple : transistor en boˆ ıtier TO3 : ◦ a 1. 39 ◦ C/W 4.RT h c−r c−r r−a : d´pend du contact boˆ e ıtier-radiateur.RT h RT h . . e .5.Tj max = 125 ◦ C . a d´terminer.RT h j−c : d´termin´e par le constructeur.10 . 9 C/W .

5. bornes de sorties ` raccordement par vis ou par fils .faibles et moyennes puissances : .Les composants de l’´lectronique de puissance e 4. a . boˆ ıtiers plastiques moul´s .100 Chapitre 4 . 2003 . r´sistent ` des forces d’arrachement de plusieurs kN.10.fortes et tr`s fortes puisssances : boˆ e ıtiers « press-pack » ` refroidissement double a face. e .4 Diff´rents types de boˆ e ıtiers Normalisation des boˆ ıtiers : . boˆ ıtiers m´talliques a fils ou a vis. e ` ` . e a ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE.

F : 1 faraday = 96500 C .E0 : constante (tension normale du m´tal) .2 Principe d’un g´n´rateur ´lectrochimique e e e métal M Bas´ sur la tension d’´lectrode : e e M Mn+ solution d'ions Mn+ → ´quilibre m´tal/ion : e e −→ M ←− Mn+ + ne− → diff´rence de potentiel EM entre le m´tal et la solution : la tension absolue d’´lectrode. . e e e donn´e par la loi de Nernst (1890) : e EM = E0 + RT ln aMn+ nF avec : e . de e a e e t´l´communications... Ils servent ee e e de source d’alimentation ´lectrique lorsque le r´seau ´lectrique n’est pas disponible. Ils sont utilis´s e e e e pour l’alimentation d’appareils destin´s ` ˆtre transport´s : appareils de mesure.aMn+ : activit´ des ions Mn+ dans la solution (= concentration des ions Mn+ pour les solutions dilu´es). e ` HAGGEGE.1 Introduction Les piles et les accumulateurs sont des g´n´rateurs ´lectrochimiques. e e e 5.T : temp´rature absolue .R : constante des gaz parfaits .Chapitre 5 Piles et accumulateurs 5. 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e . e . v´hicules ´lectriques autonomes . . ordinateurs portables. e .

e o e . e .d´placement des ions dans l’´lectrolyte sous l’effet du champ ´lectrique produit par e e e les ´lectrodes .m d’une pile = diff´rence de potentiel entre les tensions absolues d’´lectrodes.´. Exemple : e e e pile Daniell : E = ECu − EZn ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE. e Exemple : pile Daniell : anode : électrode de zinc (oxydation) ions Cu2+ + Zn2+ solution de SO4Zn (ions Zn2+) : électrolyte 1 e- + cathode : électrode de cuivre (réduction) ions SO42solution de SO4Cu (ions Cu2+) : électrolyte 2 paroi poreuse 5.3 Force ´lectromotrice e F.circulation des ´lectrons dans le circuit ext´rieur ⇒ courant ´lectrique .3.oxydation de l’´lectrode de zinc : e Zn −→ Zn2+ + 2e− ⇒ dissolution de l’´lectrode de zinc (anode) .3 5.3.r´action globale : e CuSO4 + Zn −→ ZnSO4 + Cu 5. e e e .Piles et accumulateurs 5.3. 2003 .1 Piles Principe Une pile est constitu´e par l’association de deux ´lectrodes dissemblables plongeant dans e e un ou plusieurs ´lectrolytes.2 Fonctionnement Cu2+ + 2e− −→ Cu . e .102 Chapitre 5 .r´duction des ions Cu2+ sur l’´lectrode de cuivre : e e ⇒ d´pˆt de cuivre sur l’´lectrode de cuivre (cathode) .

2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e . t quelques heures ` HAGGEGE.5. e e e e ee .4 Repr´sentation d’une pile e ⊕ Exemples : .3 .3. . .3.é.m de la pile.m) IM (pile en court-circuit) I Variation de la tension au cours du temps lorsque la pile alimente un r´cepteur : e V courbes de décharge E (f. .n : nombre d’´lectrons ´chang´s dans une r´action ´l´mentaire (M ←− Mn+ + ne− ) .5 Energie d’une pile R´actions chimiques → ´nergie chimiques transform´e en ´nergie ´lectrique.6 Caract´ristiques d’une pile e Variation de la tension entre les ´lectrodes en fonction du courant d´bit´ : e e e V E (f.F : 1 faraday = 96500 C .pile Volta : Cu|H2 SO4 |Zn 5. e e e e e Energie produite = nF E avec : −→ .é.3.E : f.´.m) I1 I2 > I1 I3 > I2 .pile Daniell : Cu | CuSO4 |ZnSO4 | Zn cathode electrolytes ´ anode .Piles 103 5. e 5.

3. 2003 .´.cathode Cu : 2H3 O+ + 2e− −→ H2 + 2H2 O D´gagement d’hydrog`ne sur la lame de cuivre → naissance d’une force contre-´lectroe e e e e e motrice (f.Piles et accumulateurs Remarque : la pile fournit de l’´nergie jusqu’` ´puisement des r´actifs.m de la pile : ph´nom`ne e de polarisation.´.anode Zn : Zn −→ Zn2+ + 2e− .4. e e e o En pratique. La polarisation est due a l’accumulation sur l’une ou les deux ´lectrodes des produits ` e engendr´s par les r´actions ´lectrochimiques qui ont lieu au cours du fonctionnement de e e e la pile (g´n´ralement de l’hydrog`ne sur le pˆle positif).m) ⇔ pile locale H2 |Cu → diminution de la f.m revient ` sa valeur initiale lorsque la pile est au repos (disparition de e a l’hydrog`ne par diffusion). Dans le cas des accue ae e mulateurs. e ⊕ V E (f. on ´limine ces produits de mani`re continue en ajoutant des substances e e appel´es d´polarisants.7 Polarisation des piles ⊕ Soit la pile Volta : Cu|H2 SO4 |Zn.´. e e Remarque : la f.104 Chapitre 5 . e 5.m) t fonctionnement repos 5. R´actions aux ´lectrodes : e e .é.c.1 Quelques types de piles Piles s`ches e La plus utilis´e : la pile ` couple Zn–C (zinc–carbone) appel´e pile Leclanch´ (1868).4 5. e a e e ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE. on peut r´g´n´rer ces r´actifs : accumulateurs = g´n´rateurs ´lectrochimiques e e e e e e e r´versibles.

2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e .´.1. e e pâte gélatineuse (électrolyte) 5.6 V 1V tension d'arrêt t ` HAGGEGE.1. diminution lente et continue : e e V 1.4. e e e ´lectrode n´gative : cuve de zinc (Zn). qui continue mˆme lorsque la pile est ` l’arrˆt. e e a e Sur l’´lectrode : e Zn −→ Zn2+ + 2e− 5.m : 1.f.1.Quelques types de piles 5.3 Caract´ristiques e .5.6 V en d´but d’utilisation.2 Fonctionnement Au voisinage de l’´lectrode ⊕ : e 2NH+ + 2e− −→ 2NH3 + H2 4 → d´gagement d’hydrog`ne qui provoque la polarisation de la pile ⇒ r´action de d´polarisation : e e e e H2 + 2MnO2 −→ H2 O + Mn2 O3 r´action lente.4 .4. e a d´polarisant : bioxyde de mangan`se (MnO2 ) . e e ´lectrolyte : chlorure d’ammonium g´lifi´ (NH4 Cl) .4.1 Constitution d’un ´l´ment Leclanch´ ee e 105 capsule de laiton électrode de carbone composé de scellement espace vide disque de carton électrode de zinc (cuve) mélange dépolarisant rondelle isolante → pile C|NH4 Cl2 |Zn : ´lectrode positive : bˆton de charbon (C) .

2. (mm) e 14.106 .4.normalisation : piles « rondes » : mod`le e R6 R14 R20 hauteur max.7 32. 1947) : électrode négative (zinc en poudre) rondelle d'isolement dépolarisant = électrode positive (oxyde mercurique HgO) récipient d'acier → pile HgO|KOH|Zn. e e e 5. e e e . courants de d´charge ´lev´s. e faible volume .piles pour moteurs (exemple : magn´tophones) : faible r´sistance interne. e e e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE.3 et 1 Ω .5 Chapitre 5 .´nergie massique : 60 Wh/kg .piles pour ´clairage : bon march´.5 24. 5. (mm) 50.1. (mm) e 13.4. 2003 ISET Rad`s e .r´sistance interne : entre 0.2.4 Diff´rents mod`les e e .2 5.4.2.2 5. utilisation intermittente de courte dur´e . e .2 Fonctionnement Zn + 2OH− −→ ZnO + H2 O + 2e− Anode : oxydation du zinc : Cathode : r´duction de l’oxyde mercurique : e HgO + H2 O + 2e− −→ Hg + 2OH− 5.4. e ´nergie massique : 100 Wh/kg .4. utilisation de longue dur´e unitaire.1 Piles ` l’oxyde mercurique a Constitution couvercle de cuivre électrolyte (potasse caustique KOH) Piles « bouton » (Ruben. e .5 50 61. intensit´ e e e ´lev´e.m ≈ 12 V .3 Caract´ristiques e f.2 diam`tre max.´.Piles et accumulateurs diam`tre min.5 26.2 34.

e . e e ` HAGGEGE.1 Grandeurs caract´ristiques e . ` Qd Qc Ed Ec 5.5. Elle se e e e e mesure en amp`re-heures (1 Ah = 3600 C). ils accumulent de l’´nergie qu’ils e e e e restituent pendant la d´charge.capacit´ : quantit´ maximale d’´lectricit´ qu’un accumulateur peut fournir. rendement ´nerg´tique : e e r= avec : Ed : ´nergie lib´r´e durant la d´charge de l’accumulateur . e ee e Ec : ´nergie fournie a l’accumulateur lors de la charge .5. rendement en quantit´ d’´lectricit´ : e e e q= avec : Qd : charge lib´r´e par l’accumulateur . 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e .2 L’accumulateur au plomb Invent´ par Plant´ en 1860.5. Elle est rapport´e ` 1 kg d’´lectrode e e a e contenu dans l’accumulateur → capacit´ massique (Ah/kg) . e 5. En charge. ee Qc : charge fournie a l’accumulateur.5 Accumulateurs Ce sont des g´n´rateurs chimiques r´versibles. e ` .rendements : .5 .Accumulateurs 107 5.

108 5.5.2.1 Constitution

Chapitre 5 - Piles et accumulateurs

Sch´ma simplifi´ : e e

feuille isolante et perméable + -

bac isolant

plaques en plomb
Plaque ⊕ recouverte de minium (Pb3 O4 ). Plaque recouverte de litharge (PbO). 5.5.2.2 Fonctionnement

électrolyte : acide sulfurique (H2SO4) + eau distillée

Charge de formation (premi`re charge) : e e - la cathode ⊕ est oxyd´e en bioxyde de plomb PbO2 : mati`re active de l’accue mulateur ; - l’anode
ISET Rad`s e

est r´duite en plomb spongieux Pb. e
cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE, 2003

5.5 - Accumulateurs D´charge : e - ´lectrode ⊕ : e PbO2 + H2 SO4 + 2H+ + 2e− −→
PbSO4
sulfate de plomb

109

+2H2 O

- ´lectrode e

: Pb + SO2− −→ 4
PbSO4
sulfate de plomb

+2e−

Charge : r´actions inverses et ´lectrode ⊕ ←→ ´lectrode . e e e Equation de fonctionnement : formule de la double sulfatation :
´lectrode ⊕ e ´lectrolyte e ´lectrode e
d´charge e

PbO2 +

2H2 SO4

+

Pb .

charge

−→ ←−

´lectrode ⊕ e

´lectrolyte e

´lectrode e

PbSO4 + 2H2 O + PbSO4

→ sulfatation des ´lectrodes ⊕ et e
+ -

décharge
+ + -

sulfate bioxyde de plomb bioxyde de plomb

sulfate sulfate de plomb sulfate de plomb

électrolyte : acide sulfurique + eau

de plomb de plomb électrolyte en cours d'évolution

électrolyte très appauvri

fin de charge

état intermédiaire charge

fin de décharge

Remarques : - la concentration de l’´lectrolyte diminue lors de la d´charge (production d’eau) → e e indicateur de l’´tat de la charge de l’accumulateur ; e - l’accumulateur est d´charg´ lorsque les deux ´lectrodes sont totalement sulfat´es ; e e e e - au cours de la charge, le sulfate de plomb est r´g´n´r´ en PbO2 et Pb. e e ee 5.5.2.3 Caract´ristiques : e

- capacit´ = 10 Ah/kg ; e - rendement en ´nergie : r ≈ 80% ; e - rendement en quantit´ d’´lectricit´ : q ≈ 90% ; e e e - r´sistance interne : quelques mΩ ; e - f.´.m d’un ´l´ment : e ee . au repos ≈ 2 V ;
` HAGGEGE, 2003 cours de technologie g´n´rale e e ISET Rad`s e

110 . en fin de charge ≈ 2,2 V ; . en fin de d´charge ≈ 1,8 V. e
f.é.m (V)

Chapitre 5 - Piles et accumulateurs

2,2

charge décharge

1,8 t (h) ~ 10 h

5.5.2.4

Mesure de la charge d’un accumulateur

Elle se fait en mesurant la densit´ de l’´lectrolyte au moyen d’un p`se-acide ou dene e e sim`tre : e
poire d'aspiration pipette tige graduée pèse acide flotteur lest

La densit´ de l’´lectrolyte se mesure en degr´s Baum´ (◦ B) : e e e e ◦ - ` pleine charge → 32 B ; a - ` mi-charge → 24 ◦ B ; a - accumulateur d´charg´ → 13 ◦ B. e e Formule de d´finition des degr´s Baum´ : e e e d= 144, 32 144, 32 − B

avec : - d : densit´ (sans unit´) ; e e - B : concentration en degr´s Baum´. e e 5.5.2.5 Applications des accumulateurs

- g´n´rateurs dans la traction ´lectrique ; e e e - r´serves d’´nergie dans les centrales ´lectriques ; e e e - d´marrage automobile. e
ISET Rad`s e cours de technologie g´n´rale e e ` HAGGEGE, 2003

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