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CAP1_Semic

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  • 1.1. Introdução
  • 1.2. Semicondutores simples e compostos
  • 1.3. Modelo das ligações covalentes e das bandas de energia
  • 1.5. Semicondutores intrínsecos e extrínsecos em equilíbrio termodinâmico
  • 1.5.1. Semicondutores intrínsecos
  • 1.5.2. Semicondutores extrínsecos
  • 1.6.1. Efeito fotoeléctrico interno
  • 1.7. Cálculo de n e p em semicondutores não-degenerados
  • 1.7.1. Electrão num poço de potencial de altura infinita
  • 1.7.3. Densidade de estados em energia para os electrões num cristal
  • 1.7.4. Estatística de Fermi-Dirac
  • 1.7.5. Cálculo da densidade de electrões e buracos no semicondutor
  • 1.7.5.2 Densidade intrínseca. Variação com a temperatura

Fundamentos de Electrónica

Teoria
Cap.1 - Semicondutores






Jorge Manuel Torres Pereira
IST-2010

















ÍNDICE
CAP. 1 - SEMICONDUTORES

Pág.
1.1 Introdução ................................................................................................................... 1.1
1.2 Semicondutores simples e compostos ....................................................................... 1.2
1.3 Modelo das ligações covalentes e das bandas de energia ........................................ 1.8
1.4 Semicondutores compostos ternários e quaternários.
Variação das propriedades com a composição ...................................................... 1.13
1.5 Semicondutores intrínsecos e extrínsecos em equilíbrio termodinâmico ............ 1.18
1.5.1 Semicondutores intrínsecos ......................................................................... 1.18
1.5.2 Semicondutores extrínsecos ......................................................................... 1.22
1.6 Geração e Recombinação ........................................................................................ 1.29
1.6.1 Efeito fotoeléctrico interno .......................................................................... 1.31
1.7 Cálculo de n e p em semicondutores não degenerados ......................................... 1.34
1.7.1 Electrão num poço de potencial de altura infinita .................................... 1.34
1.7.2 Densidade de estados em energia ............................................................... 1.36
1.7.3 Densidade de estados em energia para os electrões num cristal .............. 1.39
1.7.4 Estatística de Fermi-Dirac ........................................................................... 1.40
1.7.5 Cálculo da densidade de electrões e buracos no semicondutor ................ 1.44
1.7.5.1 Localização do nível de Fremi no semicondutor
intrínseco e extrínseco .................................................................... 1.46
1.7.5.2 Densidade intrínseca. Variação com a temperatura ................... 1.47
1.8 Condução .................................................................................................................. 1.49
1.9 Efeito de Hall ............................................................................................................ 1.60
1.10 Difusão ....................................................................................................................... 1.64
1.11 Equação da continuidade ........................................................................................ 1.66
1.11.1 Exemplos de aplicação da equação da continuidade a
várias situações importantes ....................................................................... 1.68











SEMICONDUTORES

1.1. Introdução
Os materiais semicondutores vão colher a sua designação ao facto de, em geral,
possuírem um valor de condutividade eléctrica que é inferior ao dos materiais condutores mas
superior ao dos materiais isolantes. Contudo, nos extremos do intervalo, os valores de
condutividade para os semicondutores podem sobrepor-se aos valores referenciados para os
isolantes e condutores. Sendo assim o valor da condutividade por si só não é em geral
suficiente para determinar se o material é ou não semicondutor. Esta classificação exige ainda
a análise do tipo de variação de condutividade com a temperatura e do tipo de portadores de
carga responsáveis pela condução eléctrica.
Na Tabela 1.1 apresentam-se, de forma simplificada, algumas características associadas
à condutividade eléctrica e que permitem estabelecer uma classificação mais precisa dos
vários tipos de materiais.

Tabela 1.1
Condutividade eléctrica para vários tipos de materiais.
Material Condutividade
(S/m)
Variação com a subida
da temperatura
Tipo de portadores
de carga
Condutor 10
5
– 10
8
diminui Electrões
Semicondutor 10
-8
– 10
6
aumenta Electrões e buracos
Isolante 10
-16
– 10
-7
aumenta Iões e electrões

A estrutura do material semicondutor pode ser cristalina, amorfa ou policristalina. Uma
estrutura cristalina é caracterizada por uma disposição ordenada e regular dos átomos no
espaço. O material policristalino engloba todas as situações em que o material pode ser visto
como um agregado de cristais com várias orientações e tamanhos. No entanto é usual designar
por microcristal todo aquele em que o tamanho dos cristais constituintes é suficientemente
pequeno para só poderem ser observados com ajuda dum microscópio. No material amorfo a
ordem só é mantida a curta distância, isto é, entre os átomos vizinhos mais próximos.
Alterações muito pequenas nos ângulos de ligação e nas distâncias entre os átomos são
SEMICONDUTORES 1.2
suficientes para que a estrutura resultante deixe de apresentar a regularidade e ordem
característica dos cristais, que possuem centros, eixos ou planos de simetria claramente
definidos. Os materiais amorfos são isotrópicos enquanto que os materiais cristalinos, em
geral, são anisotrópicos.
1.2. Semicondutores simples e compostos
Os materiais semicondutores simples puros são constituidos por átomos de um único
elemento da Tabela Periódica, como é o caso do Silício (Si) ou do Germânio (Ge). Os
semicondutores compostos puros possuem átomos de vários elementos da Tabela Periódica,
por exemplo, SiGe, GaAs, InGaAs, InGaAsP, etc. É de realçar que quer os semicondutores
simples quer os semicondutores compostos podem ter alguns dos seus átomos de base
substituídos por outros, designados por impurezas de substituição que, embora numa
concentração muito reduzida relativamente aos átomos de base, são responsáveis por uma
alteração significativa das suas propriedades eléctricas e ópticas.
Os semicondutores simples mais importantes são o Si e o Ge, que pertencem ao grupo
IV da Tabela Periódica, Tabela 1.2. Estes elementos possuem uma configuração electrónica
caracterizada por quatro electrões de valência, com orbitais p parcialmente preenchidas. A
configuração electrónica estável, isto é, com as orbitais p completamente preenchidas, exige a
inclusão de mais quatro electrões que, para o Si e Ge, se obtêm através de ligações covalentes
entre um átomo do elemento com quatro átomos vizinhos. A disposição espacial dos átomos
corresponde a ter um deles no centro dum tetraedro e os quatro átomos vizinhos nos vértices
do tetraedro, Fig. 1.1.

Si
Si
Si
Si
Si

Fig. 1.1 – Disposição espacial dos átomos de Si no cristal onde se evidencia a ligação covalente de um
átomo de Si, no centro do tetraedro, aos 4 átomos vizinhos nos vértices do tetraedro.
SEMICONDUTORES 1.3
Tabela 1.2
Parte da Tabela periódica onde se indicam os grupos que contêm
elementos que entram na constituição dos semicondutores.

Fósforo 15
P
7,17 1,82
317,3 CUB
[Ne]3s
2
3p
3

Azoto 7
N
4,039 1,03
63,3 HEX
1s
2
2s
2
2p
3

Boro 5
B
8,73 2,34
2600 TET
1s
2
2s
2
2p
1

Carbono 6
C
3,57 2,26
4300 DIA
1s
2
2s
2
2p
2

Oxigénio 8
O
6,83 1,43
54,7 CUB
1s
2
2s
2
2p
4

Flúor 9
F
1,97
53,5 MCL
1s
2
2s
2
2p
5

Néon 10
Ne
4,43 1,56
24,5 CFC
1s
2
2s
2
2p
6

Hélio 2
He
3,57 0,179
1 /26atm) HEX
1s
2

Alumínio 13
Al
4,05 2,70
933 CFC
[Ne]3s
2
3p
1

Silício 14
Si
5,43 2,33
1683 DIA
[Ne]3s
2
3p
2

Gases Raros
3A 4A 5A 6A 7A
1B 2B
Enxofre 16
S
10,47 2,07
386 ORT
[Ne]3s
2
3p
4

Cloro 17
Cl
6,24 2,09
172,2 ORT
[Ne]3s
2
3p
5

Argon 18
Ar
5,26 1,78
83,9 CFC
[Ne]3s
2
3p
6

Cobre 29
Cu
3,61 8,96
1356 CFC
[Ar]3d
10
4p
1

Zinco 30
Zn
2,66 7,14
693 HEX
[Ar]3d
10
4s
2

Gálio 31
Ga
4,51 5,91
303 ORT
[Ar]3d
10
4s
2
p
1

Germânio 32
Ge
5,66 5,32
1211 DIA
[Ar]3d
10
4s
2
p
2

Arsénico 33
As
4,13 5,72
1090 ROM
[Ar]3d
10
4s
2
p
3

Selénio 34
Se
4,36 4,79
490 HEX
[Ar]3d
10
4s
2
p
4

Bromo 35
Br
6,67 4,10
266 ORT
[Ar]3d
10
4s
2
p
5

Kripton 36
Kr
5,72 3,07
116,5 CFC
[Ar]3d
10
4s
2
p
6

Prata 47
Ag
4,09 10,5
1234 CFC
[Kr]4d
10
5s
1

Cádmio 48
Cd
2,96 8,65
594 HEX
[Kr]4d
10
5s
2

Índio 49
In
4,59 7,31
429,8 TET
[Kr]4d
10
5s
2
5p
1

Estanho 50
Sn
5,82 7,30
505 TET
[Kr]4d
10
5s
2
5p
2

Antimónio 51
Sb
4,51 6,62
904 ROM
[Kr]4d
10
5s
2
5p
3

Telúrio 52
Te
4,45 6,24
723 HEX
[Kr]4d
10
5s
2
5p
4

Iodo 53
I
7,27 4,94
387 ORT
[Kr]4d
10
5s
2
5p
5

Xenon 54
Xe
6,20 3,77
161,3 CFC
[Kr]4d
10
5s
2
5p
6

Ouro 79
Au
4,06 19,3
1337 CFC
[Xe]4f
14
5d
10
s
1

Mercúrio 80
Hg
2,99 13,6
234,3 RBD
[Xe]4f
14
5d
10
s
2

Tálio 81
Ti
3,46 11,85
577 HEX
[Xe]4f
14
5d
10
6s
2
6p
1

Chumbo 82
Pb
4,95 11,4
601 CFC
[Xe]4f
14
5d
10
6s
2
6p
2

Bismuto 83
Bi
4,75 9,8
544,5 ROM
[Xe]4f
14
5d
10
6s
2
6p
3

Polónio 84
Po
3,75 9,4
527 CUB
[Xe]4f
14
5d
10
6s
2
6p
4

Astato 85
At

(575)
[Xe]4f
14
5d
10
6s
2
6p
5

Radon 86
Rn
(4,4)
(202) CFC
[Xe]4f
14
5d
10
6s
2
6p
6

Boro 5
B
8,73 2,34
2600 TET
1s
2
2s
2
2p
1

Nº atómico
Símbolo
Nome
Legenda
Constante de
rede (Å) Massa específica
(g/cm
3
)
Rede
cristalina
Configuração
Electrónica
Temperatura
de fusão (K)


Uma certa disposição no espaço de quatro destes tetraedros é que vai dar origem à
célula básica da estrutura cristalina, Fig. 1.2. Esta célula básica, designada por rede do
diamante, é um cubo caracterizado pelo valor da sua aresta, a constante de rede. É a repetição
periódica deste cubo nas três direcções do espaço que vai dar origem ao cristal. A rede do
diamante possui 8 átomos (4 do interior mais 6×1/2 das faces mais 8×1/8 dos vértices) e pode
ser visualizada em termos de duas redes cúbicas de faces centradas, em que uma delas de
deslocou relativamente à outra ao longo de uma diagonal interior.
Exemplo 1.1 – Determinar o número de átomos de Si num cm
3
e num m
3
.
Solução:
A constante de rede para o Si é 5,43 x10
-8
cm e por isso o volume da célula unitária é
1,6x10
-22
cm
3
. Havendo 8 átomos por célula unitária então o número de átomos de Si num
cm
3
é 8/1,6x10
-22
= 5x10
22
. Num m
3
há 10
6
vezes mais, isto é 5x10
28
átomos.
Para ter uma ideia das ordens de grandeza em causa tentemos imaginar os 5x10
22

átomos dispostos em linha. Se tomarmos o raio do átomo de Si como sendo 1 Ǻ o
comprimento total é de 10
10
km. Este valor corresponde à distância de ida e volta da Terra
a Plutão !!! Convém recordar que a distância Terra-Lua é muito menor ~4x10
5
km.
SEMICONDUTORES 1.4

Fig. 1.2 – Rede do diamante.

Os semicondutores compostos são designados por binários, ternários ou quaternários
consoante sejam constituídos por 2, 3 ou 4 elementos diferentes.
Os semicondutores compostos binários mais importantes são obtidos por combinação de
dois elementos do grupo IV da Tabela Periódica: SiC, SiGe; dois elementos dos grupos III-V:
InP, GaAs, GaP,...; ou dois elementos dos grupos II-VI: ZnS, ZnTe, CdS, ....
Os semicondutores compostos ternários são obtidos a partir de dois semicondutores
binários que, para além de possuirem um elemento em comum, os outros dois elementos
pertencem ao mesmo grupo da Tabela Periódica. Com os binários AB e CB é então possível
obter o ternário
1 x x
A C B

em que 0 1 x ≤ ≤ .
O parâmetro x traduz a concentração de A relativamente a C. O ternário resulta da
substituição de átomos C em CB por átomos A de AB ou vice-versa. Esta substituição é
possível pois A e C são átomos do mesmo grupo da Tabela Periódica. É de realçar que para
x 0 = se tem o semicondutor binário CB e que para x 1 = se tem AB. A associação de x ao
átomo A rege-se pela convenção de que para x 0 = o binário correspondente, neste caso CB,
deve ter a banda proibida mais baixa.
Na Tabela 1.3 referem-se alguns semicondutores binários constituidos por elementos
dos grupos III-V e os semicondutores compostos ternários correpondentes.
Os semicondutores compostos quaternários são constituídos por quatro elementos
diferentes e são obtidos a partir de 4 semicondutores binários. Genericamente, o semicondutor
SEMICONDUTORES 1.5
quaternário pode ser escrito como
1 1
emque (0 1 e 0 1)
x x y y
A B C D x y
− −
≤ ≤ ≤ ≤ .
Os elementos de cada conjunto, (A,B) e (C,D), pertencem ao mesmo grupo da Tabela
Periódica. Os binários de partida são portanto AC; AD; BC e BD. Um dos semicondutores
quaternários mais importantes é o In
x
Ga
1-x
As
y
P
1-y
, derivado dos binários InAs; InP; GaAs e
GaP. Outros quaternários obtidos experimentalmente são o
1 1
In Ga As Sb
x x y y − −
e
1 1
Al Ga As Sb
x x y y − −
.

Tabela 1.3
Alguns semicondutores compostos binários e os ternários correspondentes

Binários Ternários
AlAs
GaAs
Al
x
Ga
1-x
As
GaP
GaAs
GaAs
1-x
P
x

GaP
InP
In
1-x
Ga
x
P
InAs
InP
InAs
1-x
P
x

GaSb
InSb
In
1-x
Ga
x
Sb
GaAs
InAs
In
1-x
Ga
x
As

A utilização dos semicondutores compostos no fabrico de lasers e fotodetectores com
elevado desempenho tem sido objecto de intensa investigação. Contudo, nas aplicações mais
correntes, que não envolvem a emissão de luz, o Si continua a ser o semicondutor mais
utilizado. Não só o Si é o segundo elemento mais abundante na crosta terrestre, a seguir ao
oxigénio, como a sua tecnologia de fabrico permite obter cristais de elevada perfeição. A
existência de mais que um elemento na rede cristalina exige uma tecnologia mais exigente no
fabrico dos cristais. Os quaternários constituem por isso os materiais mais difíceis de obter e
portanto com um processo de fabrico mais caro. Só as suas propriedades excepcionais é que
os tornam economicamente viáveis no fabrico de dispositivos comerciais.
A maior parte dos semicondutores compostos cristalizam na rede de zincoblenda,
Fig. 1.3. No caso dos semicondutores compostos binários a célula básica é idêntica à do
diamante no entanto, os átomos no interior da célula são de tipo diferente dos que estão nos
SEMICONDUTORES 1.6
vértices e faces do cubo. Esta configuração deve-se a que, na ligação entre vizinhos mais
próximos, os átomos no centro do tetraedro são diferentes dos que estão nos vértices. Neste
caso a ligação entre um átomo e os seus vizinhos mais próximos não é covalente pura, possui
uma componente iónica, devido a haver distorção das nuvens electrónicas em virtude dos
átomos pertencerem a grupos diferentes na Tabela Periódica. Nos semicondutores ternários só
os átomos de um dado elemento é que são substituídos por átomos de outro elemento do
mesmo grupo cuja concentração relativa aos átomos que substitui é medida em termos do
parâmetro x. Nos quaternários são dois elementos de grupos diferentes que irão ser parcial ou
totalmente substituídos por outros dois elementos dos grupos correspondentes.

Fig. 1.3 – Rede de Zincoblenda.

Há alguns semicondutores que, cristalizam noutro tipo de redes cristalinas: a rede da
Wurtzite e do Sal das Rochas, Fig. 1.4. A rede da Wurtzite pode ser olhada como duas redes
hexagonais compactas deslocadas, uma relativamente à outra ao longo da altura, cada uma
com o seu tipo de átomos, e.g., GaN, CdS. A constante de rede, neste caso, envolve dois
parãmetros: a aresta da base a e a altura do prisma c. A rede do Sal das Rochas é uma rede
cúbica simples em que os átomos são alternadamente do mesmo tipo, ou duas redes cúbicas
de faces centradas, cada uma delas com o seu tipo de átomo, e.g., NaCl, PbS. A constante de
rede é o valor da aresta do cubo. Pode acontecer que o mesmo semicondutor possa manifestar
mais que uma estrutura cristalina, dependendo das condições de fabrico. É o caso do ZnS e
CdS que podem ser obtidos com a rede de zincoblenda ou a rede da wurtzite.
SEMICONDUTORES 1.7

Fig. 1.4 – Rede da Wurtzite (a) e do Sal das Rochas (b).


As redes cristalinas dos materiais semicondutores podem ser olhadas em termos
de redes cristalinas mais simples. Este aspecto é muito importante no contexto da
descrição matemática das redes cristalinas mais complexas com vista à obtenção
dos correspondentes diagrama de bandas. Estes diagramas são as peças
essenciais para a compreensão das propriedades eléctricas e ópticas dos
materiais e subsequente fabrico de dispositivos.
As redes cristalinas elementares são: rede cúbica simples (C.S.), rede cúbica de
corpo centrado (C.C.C.), rede cúbica de faces centradas (C.F.C.) e rede
hexagonal (H.S.). É interessante notar que a rede C.C.C. pode ser obtida a partir
de duas redes C.S..
a
C.S.
(1 átomo/Célula)
C.C.C.
(2 átomos/Célula)
a
C.F.C.
(4 átomos/Célula)
a
c
a
H.S.
(3 átomos/Célula)




Na Tabela 1.4 indicam-se a rede cristalina e a constante de rede para vários
semicondutores simples e compostos.

SEMICONDUTORES 1.8
Tabela 1.4
Rede cristalina e constante de rede para vários semicondutores.

Grupo
Elemento ou
Composto
Nome
Rede
Cristalina*
Constante de rede a
300 K
(Å)
IV C
Si
Ge
Sn
Carbono (diamante)
Silício
Germânio
Estanho
D
D
D
D
3.56683
5.43095
5.64613
6.48920

IV-IV SiC Silício carbono W a=3.086, c=15.117

III-V AlAs Arsenieto de alumínio Z 5.6605
AlP Fosforeto de alumínio Z 5.4510
AlSb Antimonieto de alumínio Z 6.1355
BN Nitreto de boro Z 3.6150
BP Fosforeto de boro Z 4.5380
GaAs Arsenieto de Gálio Z 5.6533
GaN Nitreto de Gálio W a=3.189, c=5.185
GaP Fosforeto de Gálio Z 5.4512
GaSb Antimonieto de Gálio Z 6.0959
InAs Arsenieto de Índio Z 6.0584
InP Fosforeto de Índio Z 5.8686
InSb Antimonieto de Índio Z 6.4794

II-VI CdS Sulfureto de Cádmio Z 5.8320
CdS Sulfureto de Cádmio W a=4.16, c=6.756
CdSe Seleneto de Cádmio Z 6.050
CdTe Telureto de Cádmio Z 6.482
ZnO Óxido de Zinco R 4.580
ZnS Sulfureto de Zinco Z 5.420
ZnS Sulfureto de Zinco W a=3.82, c=6.26

IV-VI PbS Sulfureto de Chumbo R 5.9362
PbTe Telureto de Chumbo R 6.4620

* D = Diamante, W = Wurtzite, Z = Zincoblenda, R = Sal das rochas; 1 Å= 10
-8
cm.
1.3. Modelo das ligações covalentes e das bandas de energia
As propriedades eléctricas e ópticas dos materiais semicondutores podem ser analisadas
de forma simplificada recorrendo ao modelo das ligações covalentes e/ou ao do modelo das
bandas de energia. Estes modelos estão representados simplificadamente na Fig. 1.5, para o
Si.
SEMICONDUTORES 1.9

+4

+4

+4

+4
+4

+4

+4

+4
+4

+4

+4

+4
+4

+4

+4

+4
T = 0 K
(a)
T = 0 K

WC
WV
WG
(b)

Fig. 1.5 – (a) Modelo das ligações covalentes; (b) Modelo das bandas, para o Si a 0 K.

O modelo das ligações covalentes consiste numa representação bidimensional dos
átomos no espaço onde se explicitam as ligações entre cada átomo e os 4 átomos vizinhos
correspondentes à partilha de 2 electrões com cada um deles. Um electrão partilhado é
representado por um segmento de recta que une dois átomos. Um electrão que se soltou da
ligação covalente deixou de estar partilhado pelos átomos. Por cada electrão nestas condições
haverá uma ligação incompleta que é usualmente representada por uma linha a tracejado
unindo os dois átomos. A 0 K as ligações estão todas completas e portanto a representação é a
que se indica na Fig.1.5(a). Este modelo deve ser utilizado com precaução pois apresenta
algumas limitações importantes nomeadamente no que se refere a algumas características
inerentes ao electrão como partícula quântica: é o caso da indescernibilidade e da
impossibilidade de localização precisa do electrão num dado ponto do espaço.
O modelo das bandas simplificado está representado na Fig.1.5(b), em que se mostra a
evolução da energia dos electrões em função da distância. W
C
neste diagrama está associado
ao mínimo absoluto da banda de condução e W
V
ao máximo absoluto da banda de valência.
Os valores de energia entre W
C
e W
V
constituem uma banda proibida com uma altura
G C V
W W W = − que, para uma dada temperatura, é um parâmetro característico dos
semicondutores, normalmente expresso em eV (electrão-Volt). Define-se electrão-Volt (eV)
como sendo a variação de energia cinética dum electrão quando submetido a uma diferença de
potencial de 1 V e portanto 1 eV= 1,6x10
-19
J. A existência duma banda proibida é
SEMICONDUTORES 1.10
característica dos semicondutores e isolantes. Contudo W
G
dos semicondutores é menor que
W
G
dos isolantes. Em princípio, um isolante possui 4
G
W > eV. Nos metais as bandas de
condução e valência sobrepõem-se não havendo portanto uma banda de energia proibida.
Os electrões partilhados possuem energias na banda de valência que, a 0 K, está
totalmente preenchida. A uma temperatura superior a 0 K há ligações que se partem pelo que
vai haver electrões na banda de condução com energias próximas de W
C
. De acordo com o
modelo das bandas referido só é possível caracterizar as transições entre bandas em termos da
alteração do valor da energia do electrão. No entanto, em geral, há que incluir também
alterações do momento.
A relação energia-momento é uma forma mais elaborada e mais completa para
apresentar o andamento das bandas. Há duas representações básicas possíveis e que envolvem
o que se designa por semicondutores de banda directa e semicondutores de banda indirecta.
Nos semicondutores de banda directa o topo da banda de valência e o mínimo absoluto da
banda de condução estão associados ao mesmo valor do momento. Nos semicondutores de
banda indirecta o mínimo absoluto da banda de condução e o máximo absoluto da banda de
valência estão associados a valores diferentes do momento, Fig. 1.6.


W
C
W
V
W
V

W
C

W
G
W
G

W
W
p
(a)
(b)
p

Fig. 1.6 – (a) Semicondutores de banda directa; (b) Semicondutores de banda indirecta.

Nos semicondutores de banda directa as transições de electrões envolvem basicamente
variações de energia e portanto quando um electrão transita da banda de condução para a
banda de valência a energia é fornecida sob a forma dum fotão com um valor próximo de W
G
.
SEMICONDUTORES 1.11
Estes materiais são os mais adequados para o fabrico de dispositivos emissores de luz. As
transições nos semicondutores de banda indirecta envolvem energia e momento, o que conduz
a rendimentos de emissão muito baixos, e portanto impedem na prática a sua utilização no
fabrico de dispositivos emissores de luz.
Na Tabela 1.5 referem-se os valores da altura da banda proibida a 0 e a 300 K e indica-
se o tipo de banda para vários semicondutores.

Tabela 1.5
Altura da banda proibida e tipo de banda para vários semicondutores.


Altura da banda
proibida (eV)

Semicondutor 300 K 0 K Banda
Elemento C 5.47 5.48 I
Si 1.12 1.17 I
Ge 0.66 0.74 I
Sn 0.082 D
IV-IV α-SiC 2.996 3.03 I
III-V AlAs 2.16 2.23 I
AlSb 1.58 1.68 I
GaN 3.46 3.50 D
GaSb 0.72 0.81 D
GaAs 1.42 1.52 D
GaP 2.26 2.34 I
InSb 0.17 0.23 D
InAs 0.36 0.42 D
InP 1.35 1.42 D
II-VI CdS 2.42 2.56 D
CdSe 1.70 1.85 D
CdTe 1.48 1.56 D
ZnO 3.35 3.42 D
ZnS 3.68 3.84 D
IV-VI PbS 0.41 0.28 I
PbTe 0.31 0.19 I

A altura da banda proibida determina o comprimento de onda da radiação emitida e
traduz a energia mínima dos fotões que são absorvidos.
A relação entre W
G
e o comprimento de onda λ parte da definição da energia associada
a um fotão dada por:

fotao
W h f =
¯
(1.1)
em que h é a constante de Planck,
34
6, 63 10 h Js

= × .

SEMICONDUTORES 1.12
No vazio

c
f =
λ
(1.2)
em que c é a velocidade de propagação da luz no vácuo
8
3 10 / c m s × =
Deste modo

fotao
hc
W =
λ
¯
(1.3)
Identificando a energia do fotão com W
G
, a relação entre W
G
e λ será então

G
h c
W =
λ
(1.4)
Com W
G
expresso em eV e λ em μm, a relação acima pode ser escrita como

1, 243
( )
( )
W eV
G
m
=
λ μ
(1.5)
Na Fig. 1.7 mostra-se a correspondência entre W
G
e λ para vários semicondutores e
compara-se este valor com o espectro da radiação visível.


Resposta do
olho humano
Infravermelho Vermelho Verde Violeta Ultravioleta
Laranja Amarelo Azul
CdTe
InSb PbS Ge Si GaAs CdSe GaP CdS SiC GaN ZnS
HgCdTe GaAs
1-y
P
y

λ (μm)
6.0 3.0 2.0 1.5 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.45 0.4 0.35
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6
W
G
(e.V.)
Fig. 1.7 – Correspondência entre W
G
e λ para vários semicondutores



SEMICONDUTORES 1.13
Exemplo 1.2 – O ternário Al
x
Ga
1-x
As é utilizado no fabrico de díodos emissores de luz
(LED). Sabendo que, para x<0,45, o semicondutor é de banda directa, determinar a gama
de comprimentos de onda que é possível emitir com estes materiais sabendo que, para x=
0,45, W
G
= 1,98 eV. Qual deverá ser W
G
se se pretender emitir no azul?
Solução:
Para que haja emissão de luz o semicondutor deve ser de banda directa, i.e., x<0,45.
Sendo assim a altura da banda proibida deve verificar a relação 1,42< W
G
<1,98 eV. Como
λ(μm)=1,243/ W
G
(eV) ter-se-à 0,628<λ<0,875 μm. Para esta gama de comprimentos de
onda a emissão é no vermelho ou infravermelho. Para emitir no azul λ~0,47 μm ou seja
W
G
~2,64 eV e portanto este ternário não seria adequado.
1.4. Semicondutores compostos ternários e quaternários. Variação das
propriedades com a composição
As propriedades dos semicondutores compostos ternários e quaternários dependem das
propriedades dos binários associados e os seus valores podem-se relacionar com a
composição x de forma linear ou não. As grandezas que possuem uma variação linear com a
composição são: a constante de rede, a; o coeficiente de dilatação, α; e a permitividade
eléctrica, ε. Apresentam uma variação não-linear com a composição a altura da banda
proibida, W
G
, a mobilidade, μ, e a condutividade térmica, χ.
Na Fig. 1.8 mostra-se a evolução da constante da rede em função da composição para
vários semicondutores ternários. Devido à linearidade observada a constante de rede do
ternário pode escrever-se em termos de constante de rede dos binários correspondentes como:

1
(1 )
x x
A B C AC BC
a x a x a

= + − (1.6)
É de realçar que, em geral, é necessário que as superfícies em contacto entre dois
materiais diferentes possuam o mínimo de irregularidades de modo a optimizar o
funcionamento do dispositivo. Na prática este objectivo pode ser alcançado desde que os
materiais em contacto possuam a mesma constante de rede. Diz-se então que as redes dos dois
materiais estão adaptadas. Na Fig. 1.8 verifica-se que o ternário Al
1-x
Ga
x
As, para toda a
composição x, possui uma constante de rede praticamente independente da composição. Esta
propriedade está na base do fabrico de dispositivos electrónicos comerciais com elevado
desempenho, e.g., díodos emissores de luz, a partir dos materiais semicondutores desta
família.
SEMICONDUTORES 1.14

x=0.47
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
x
5.80
5.40
5.60
6.00
6.20
6.40
6.60
InSb
InAs
AlAs
GaP
6.80
GaAs
InP
GaSb
a

(
Ǻ
)


Fig. 1.8 – Constante de rede em função da composição para vários semicondutores ternários.

Exemplo 1.3 – Em comunicação óptica utiliza-se como fotodetector um fotodíodo que, na
sua constituição, envolve dois materiais semicondutores em contacto com redes
adaptadas, o binário InP e o ternário In
1-x
Ga
x
As. Determinar a composição x que garante a
adaptação de redes.
Solução:
Se as redes estão adaptadas a constante de rede do ternário é igual à constante de rede
do binário
1-x x
In Ga As InP
a a = . Por sua vez ( )
1-x x
In Ga As InAs GaAs
1 a x a xa = − + . Da Tabela 1.4
tira-se,
InAs
=6,0584 a Ǻ,
GaAs
=5,6533 a Ǻ e
InP
=5,8686 a Ǻ pelo que
( ) 1 6, 0584 5, 6533 5,8686 x x − + = . Por resolução da equação anterior tira-se 0, 47 x = e
portanto o ternário utilizado é o In
0,53
Ga
0,47
As.
Este valor da composição podia ser obtido graficamente a partir da Fig. 1.8 traçando uma
recta horizontal que passa pelo valor da constante de rede do InP. Ao ponto de
intersecção desta recta com a recta que une as constantes de rede do InAs e GaAs está
associado o valor de x pretendido.

Para os quaternários a constante de rede é obtida de forma idêntica à utilizada para os
ternários:

1 1
(1 ) (1 ) (1 )(1 )
x x y y
A B C D AC AD BC BD
a x y a x y a x y a x y a
− −
= + − + − + − − (1.7)
Se, para o ternário, o valor de x está associado ao valor de uma dada grandeza à nossa
escolha, e.g., a constante de rede, no quaternário podem-se fixar os valores de duas grandezas
à escolha através das composições x e y que são independentes. Como se vê pela equação
SEMICONDUTORES 1.15
(1.7), ao fixarmos o valor da constante de rede obtém-se uma equação em x e y. Ao fixarmos
um valor para outra grandeza de interesse, e.g., a altura da banda proibida, obter-se-à uma
nova equação em x e y que, em conjunto com a anterior, permite determinar a composição do
quaternário pretendido. Esta flexibilidade assim como outras propriedades inerentes aos
semicondutores compostos quaternários estão na base do desenvolvimento e utilização destes
semicondutores no fabrico de dispositivos optoelectrónicos avançados.
Atendendo a que o coeficiente de dilatação linear e a permitividade eléctrica também
apresentam uma variação linear com a composição as relações a utilizar no seu cálculo para
os ternários e quaternários serão escritas de forma idêntica a (1.6) e (1.7).

Exemplo 1.4 – Pretende-se obter a composição do quaternário In
x
Ga
1-x
As
y
P
1-y
que
possua uma constante de rede 5,87 a = Ǻ e uma permitividade eléctrica relativa ε
r
= 11,4.
Dados da Tabela 1.4 e ainda ε
rGaAs
=11,1 ; ε
rInP
=9,6 ;  ε
rInAs
=12,3 ; ε
rGaP
= 8,5.
Solução:
Da Tabela 1.4 tira-se
InP
=5,8686 a Ǻ,
InAs
=6,0584 a Ǻ,
GaAs
=5,6533 a Ǻ,
GaP
5, 4512 a = Ǻ.
De acordo com equação (1.7) tem-se
5,87 6, 0584 (1 )5,8686 (1 ) 5, 6533 (1 )(1 )5, 4512 xy x y x y x y = + − + − + − − .
De igual modo pode escrever-se para a permitividade eléctrica
11, 4 12, 3 (1 )9, 6 (1 ) 11,1 (1 )(1 )8, 5 xy x y x y x y = + − + − + − − . A solução do sistema de
equações dá 0, 6; 0,84 x y = = . O quaternário que satisfaz as especificações referidas é
então o In
0,6
Ga
0,4
As
0,84
P
0,16
.

A evolução de W
G
com a composição não é linear, e depende do tipo de banda
associada a cada um dos semicondutores binários. Na Fig. 1.9 mostra-se a evolução de W
G

com x para o ternário In
1-x
Ga
x
As , em que ambos os binários envolvidos são de banda directa.
No caso em que um dos binários é de banda directa e o outro é de banda indirecta, e.g.,
o Al
x
Ga
1-x
As , a curva apresenta dois troços distintos, Fig. 1.10. A composição x=0,45, para a
qual se passa dum troço ao outro, estabelece a transição do ternário de banda directa para
banda indirecta.
Para uma variação de W
G
do tipo representado na Fig. 1.10, cada um dos troços pode ser
aproximado por um polinómio do 2º grau

2
1 1 2
( )
G G
W x W a x a x = + + (1.8)
SEMICONDUTORES 1.16


0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

x
W
G

(
e
V
)

In
1-x
Ga
x
As

Fig. 1.9 – Variação de W
G
com x para o In
1-x
Ga
x
As.


0

0.1

0.2 0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1

1.4

1.5

1.6

1.7

1.8

1.9

2.0

2.1

2.2

x

W
G

(
e
V
)

Al
x
Ga
1-x
As
x = 0.45

Fig. 1.10 – Variação de W
G
com a composição para Al
x
Ga
1-x
As.

Sendo ambos os binários de banda directa a expressão é válida para 0 1 x ≤ ≤ . Neste
caso

1
2 1 1 2
0
1
G
G G
x W
x W W a a
= → ⎧

= → = + +

(1.9)
ou seja:

( )
2
1 2 2
( ) (1 )
G G G
W x W x W x a x x = − + + −
.
(1.10)

Na Tabela 1.6 indicam-se os valores dos coeficientes a
1
e a
2
para alguns ternários
Termo que contabiliza
o afastamento da
relação linear
SEMICONDUTORES 1.17
obtidos a partir de binários de banda directa.

Tabela 1.6
Coeficientes do polinómio para cálculo de W
G
(x)
Composto a
1
(eV) a
2
(eV)
In
1-x
Ga
x
As 0,63 0,45
InAs
1-x
Sb
x
-0,771 0,596
InAs
1-x
P
x
0,891 0,101
GaAs
x
Sb
1-x
-0,32 1,005

A Fig. 1.11 mostra o gráfico que permite relacionar a altura da banda proibida com a
constante da rede para vários materiais semicondutores simples e compostos. Neste gráfico as
linhas que unem os pontos relativos aos semicondutores binários referem os semicondutores
ternários correspondentes. As linhas contínuas indicam semicondutores de banda directa e as
linhas a tracejado os semicondutores de banda indirecta. A área a sombreado refere-se ao
quaternário InGaAsP e cada ponto nesta superfície está associado a uma determinada
concentração x e y.

Fig. 1.11 – Altura de banda proibida em termos de constante de rede para vários semicondutores.
SEMICONDUTORES 1.18
1.5. Semicondutores intrínsecos e extrínsecos em equilíbrio termodinâmico
Designam-se por semicondutores intrínsecos aqueles que possuem na sua composição
só os átomos dos elementos básicos. Semicondutores extrínsecos são aqueles em que alguns
dos átomos de base são substituídos por outros designado por impurezas de substituição. A
concentração destes átomos de impurezas é, em geral, extremamente baixa, podendo ser da
ordem de 1 para 1 milhão de átomos de base. Deste modo a sua inclusão na rede cristalina não
modifica apreciávelmente a estrutura de bandas do semicondutor mas, como se verá mais
adiante, pode alterar significativamente as suas propriedades eléctricas. As impurezas de
substituição, no caso do Si, pertencem ao grupo V e ao grupo III e designam-se por impurezas
dadoras e aceitadoras respectivamente. Para o Si as impurezas dadoras mais utilizadas são o
P, As e Sb e a impureza aceitadora é o B. Nos semicondutores compostos as impurezas
utilizadas podem eventualmente actuar como impureza dadora ou aceitadora, dependendo do
átomo que substituem. É o caso do GaAs em que o Si pode actuar como impureza dadora se
substituir o Ga e aceitadora se substituir o As. Convém referir que no processo de fabrico
podem ser incorporados no cristal outros átomos de impurezas que não são necessariamente
impurezas de substituição. Em geral é necessário reduzir ao mínimo a concentração destas
impurezas pois degradam as propriedades do material semicondutor.
1.5.1. Semicondutores intrínsecos
O modelo das ligações de covalência e o modelo das bandas, às temperaturas de T= 0 K
e T≠ 0 K, estão representados na Fig.1.12 para um semicondutor intrínseco, e.g., o Si.
Para este material semicondutor, a 0 K, a banda de valência está completamente
preenchida e a banda de condução completamente vazia. Ao aplicar-se um campo eléctrico
não há corrente em virtude de os estados de movimento possíveis da banda de valência
estarem todos preenchidos por electrões e por isso estes não podem alterar o seu estado de
movimento. Para 0 T K ≠ é possível que alguns electrões da banda de valência adquiram
energia suficiente para passarem para a banda de condução, deixando na banda de valência
um número igual de ligações incompletas, a que correspondem estados de movimento
disponíveis para os electrões de valência. Define-se ritmo de geração térmica, G
ter
[m
-3
s
-1
],
como sendo o número de electrões na unidade de volume e na unidade de tempo que, devido à
temperatura, transitam de banda de valência para a banda de condução. Existe um processo
inverso, designado por recombinação, que envolve a passagem de electrões da banda de
SEMICONDUTORES 1.19
condução para a banda de valência. Em equilíbrio termodinâmico o ritmo de recombinação
3 1
R m s
− −
⎡ ⎤
⎣ ⎦
tem que verificar a condição

ter
G R = (1.11)

+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
T = 0 k
T ≠ 0 k
W
C

W
G

W
V

W
C

W
G

W
V

0 0 i
n p n = =

Fig. 1.12 – Modelo das ligações de valência e das bandas para um semicondutor intrínseco.

Do equilíbrio destes dois processos resulta, para uma dada temperatura, uma densidade
fixa de electrões na banda de condução, igual à densidade de ligações incompletas na banda
de valência. Um acréscimo de temperatura conduz a um aumento da densidade de electrões e
consequentemente de ligações incompletas. Ao aplicar um campo eléctrico, para T≠ 0 K, vai
haver corrente eléctrica pois os electrões da banda de condução e da banda de valência já
podem alterar o seu estado de movimento, Fig. 1.13. A corrente eléctrica deverá portanto
incluir o efeito do campo eléctrico nos electrões das duas bandas de energia. Na banda de
valência contudo só nos interessa contabilizar os electrões que transitam de ligação
incompleta em ligação incompleta, em número muito inferior aos que existem nessa banda,
mas que são em número igual aos da banda de condução. Deste modo o movimento do
electrão de valência para uma ligação incompleta pode ser olhado como sendo equivalente ao
SEMICONDUTORES 1.20
movimento duma partícula com carga positiva, igual ao módulo da carga do electrão, e
deslocando-se em sentido oposto. Designar-se-á esta partícula por buraco.


Acção do campo eléctrico
E

+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
Jn
Jp
e
F

J J J
n p
= +


Fig. 1.13 – Acção do campo eléctrico nos electrões de condução e de valência.

A densidade de buracos p é igual à densidade de ligações incompletas e, no caso do
semicondutor intrínseco, é igual à densidade de electrões n na banda de condução.
Em equilíbrio termodinâmico tem-se então:

3
0 0 i
n p n m

⎡ ⎤
= =
⎣ ⎦
(1.12)
em que n
i
se designa por densidade intrínseca. A densidade intrínseca é uma grandeza muito
importante e característica de cada semicondutor a uma dada temperatura. Na Tabela 1.7
indicam-se os valores de n
i
para vários semicondutores a 300 K.

Tabela 1.7
Valores de n
i
para vários semicondutores a 300 K.

Semicondutor n
i
(m
-3
) W
G
(eV)
Si 1,02×10
16
1,124
Ge 2,33×10
19
0,664
GaAs 2,1×10
12
1,424
InAs 1,3×10
21
0,354
InP 1,2×10
14
1,344

SEMICONDUTORES 1.21
Os electrões na banda de condução, aos quais nos iremos referir simplesmente como
electrões, e os buracos, vão ser olhados como partículas clássicas livres. Esta simplificação
exige que se associe a cada partícula uma massa eficaz m*, que engloba no seu valor os
efeitos da periodicidade da rede cristalina na estrutura das bandas. O fundamento e validade
desta analogia assentam na mecânica quântica. As massas eficazes do electrão e do buraco,
que designaremos por
* *
e
n p
m m , respectivamente, são em geral diferentes pois à banda de
condução e de valência estão associadas relações W(p) diferentes. Para uma rede anisotrópica
a massa eficaz será em geral um tensor 3×3. Sem perda de generalidade e por forma a
simplificar análises e cálculos futuros iremos considerar a massa eficaz como sendo um
escalar.
Para além da massa eficaz os electrões e os buracos são também caracterizados por
possuirem carga eléctrica que para o buraco é positiva e igual em módulo à carga do electrão,
19
1, 6 10 q C

= × . É de realçar a importância desta caracterização dos portadores de carga que
permite, num grande número de situações de interesse, a utilização dum tratamento clássico,
com vantagens óbvias ao tratamento quântico, mais rigoroso, mas bastante mais complexo.
Como se verá mais à frente a dependência de n
i
com a temperatura e a altura da banda
proibida pode ser expressa através da relação

2 3/ 2
G
W kT
i
n T e

∝ (1.13)
em que T é a temperatura absoluta (em graus Kelvin), W
G
a altura da banda proibida e k a
constante de Boltzmann,
23 1
1, 3806 10 k JK
− −
= × . Ao produto kT costuma designar-se por
energia característica da temperatura T e kT (300 K)= 4,1418x10
-21
J = 0,026 eV. Desprezando
a variação de W
G
com a temperatura, n
i
aumenta quando a temperatura aumenta. Embora n
i

dependa da temperatura através do termo T
3/2
e da exponencial verifica-se que, para a gama
usual de temperaturas, é o termo associado à exponencial que domina.

Exemplo 1.5 – Calcular valor de n
i
a 0 ºC e 60 ºC para o Si e GaAs. Utilizar os dados da
Tabela 1.7 e desprezar a variação de W
G
com a temperatura.
Solução:
De acordo com a equação (1.13) pode-se escrever
3/ 2
'
2 '
2
'
G
G
W
kT
i
W
i
kT
n T e
n T
e


⎛ ⎞
=
⎜ ⎟
⎝ ⎠
em que
i
n e
'
i
n são os valores da densidade intrínseca à temperatura
T e T’ respectivamente. A relação anterior pode ainda tomar a forma
SEMICONDUTORES 1.22
3/ 2 ( ' ) '
2 '
'
G
W T T
i kTT
i
n T
e
n T

⎛ ⎞
=
⎜ ⎟
⎝ ⎠
. Conhecido o valor de
i
n e W
G
à temperatura T pode-se então
calcular o valor de
'
i
n a qualquer temperatura. Nas relações anteriores a temperatura é
expressa em K e portanto a 0ºC corresponde T’=273 K e a 60ºC ter-se-à T’=333 K.
Utilizando os valores da Tabela 1.7 para 300 K obtém-se então:


Material
i
n (300 K)
(m
-3
)
'
i
n /
i
n (T’=273K)
'
i
n (T’=273K)
(m
-3
)
'
i
n /
i
n (T’=333K)
'
i
n (T’=333K)
(m
-3
)
Si
1,02×10
16

0,1
1,02×10
15

9,96
1×10
17

GaAs
2,1×10
12

0,058
1,2×10
11

17,64
3,7×10
13


1.5.2. Semicondutores extrínsecos
Os semicondurores extrínsecos possuem, para além dos átomos de base, impurezas de
substituição que, mesmo em número relativamente reduzido, são responsáveis por uma
alteração significativa da densidade de electrões ou buracos no semicondutor.
A título exemplificativo admita-se que o semicondutor considerado é o Si ao qual se
adicionaram impurezas de substituição do tipo dador, Fig. 1.14. A 0 K os electrões de
valência mantêm-se nas suas ligações de valência. É o caso dos electrões partilhados entre os
átomos de Si. No entanto as impurezas de substituição do tipo dador, e.g. o P para o Si,
possuem 5 electrões de valência dos quais só 4 é que são necessários para a ligação covalente
com os 4 átomos de Si vizinhos. A energia destes electrões está na banda de valência. O
electrão do átomo da impureza dadora que não está envolvido na ligação covalente possui
uma energia superior à dos electrões ligados, com valores próximos de W
C
, e, embora ligado
ao átomo da impureza, possui uma incerteza na sua localização que permite que ele possa ser
encontrado num raio que envolve várias dezenas de átomos de base. Sob o ponto de vista do
modelo das bandas, a cada impureza dadora corresponde um dado estado de energia,W
D
, na
banda proibida junto à banda de condução. A diferença de energias W
C
-W
D
é tipicamente da
ordem de centésimas de electrão-Volt o que faz com que um pequeno aumento da temperatura
seja suficiente para ionizar positivamente a impureza, isto é, fazer transitar o electrão para a
banda de condução sem que tenha qualquer efeito apreciável sobre electrões de banda de
valência, que requerem uma energia bastante mais elevada. Deste modo é possível criar na
banda de condução uma população de electrões muito maior que a população de buracos na
banda de valência. Obtém-se assim um semicondutor extrínseco tipo-n. Nesta altura é
SEMICONDUTORES 1.23
importante realçar que se continua a admitir que o modelo das bandas para o semicondutor
extrínseco é idêntico ao do semicondutor intrínseco, o que só é válido se a densidade de
impurezas for muito pequena comparada com a densidade de átomos de base do
semicondutor. A estes semicondutores é usual chamar de não-degenerados. Os
semicondutores degenerados possuem propriedades interessantes mas não irão ser estudadas,
pois caem fora do âmbito deste estudo.

T=0 k
W
C

W
D

W
V

0,05 e.V.
EQUILÍBRIO TERMODINÂMICO →
2
0 0 i
n p n =
(Semicondutor não degenerado)
W
C
W
D
W
V
T≠0 k
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +5 +4 +4
+4 +4 +4 +4
tipo-n
_
_
_
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +5 +4 +4
+4 +4 +4 +4
_
− − − − − − − −
+ + +

Fig. 1.14 – Modelo das ligações de valência e das bandas para um semicondutor extrínseco com
impurezas do tipo dador.

A introdução de impurezas de tipo aceitador, e.g. o Boro no Si, pode ser analisada de
forma idêntica, Fig. 1.15. Neste caso, a 0 K, a impureza possui só três electrões para partilhar
SEMICONDUTORES 1.24
com os 4 átomos de Si vizinhos pelo que fica uma ligação incompleta. A energia associada a
esta ligação incompleta é superior a W
V
mas relativamente próxima. Um pequeno aumento da
temperatura é suficiente para ionizar negativamente estas impurezas, dando origem a buracos
na banda de valência sem a correspondente criação de electrões na banda de condução.
Poder-se-á ter então um semicondutor extrínseco tipo-p em que a densidade de buracos é
muito maior que a de electrões. Um semicondutor em que coexistem os dois tipos de
impurezas é um semicondutor compensado. Se a densidade de impurezas dadoras for igual à
das impurezas aceitadoras a compensação é total e, em equilíbrio termodinâmico
0 0 i
n p n = = .


+ + + + + + + +
_
+4 +4 +4 +4
+4 +3 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +3 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
T=0 k
tipo-p
W
C

W
A

W
V

0,05 e.V.
EQUILÍBRIO TERMODINÂMICO →
2
0 0 i
n p n =
(Semicondutor não degenerado)
W
C
W
A
W
V
T≠0 k
_
_ _ _

Fig. 1.15 – Modelo das ligações de valência e das bandas para um semicondutor extrínseco com
impurezas do tipo aceitador.

SEMICONDUTORES 1.25
Como se viu anteriormente n
i
é uma medida do número de ligações de valência que se
partiram, devido à temperatura. Sendo assim n
i
pode ser usada como valor de referência nos
semicondutores extrínsecos. Atendendo a que a densidade de electrões, num semicondutor
com impurezas dadoras a uma dada temperatura, possui a contribuição das impurezas
ionizadas e das ligações partidas poder-se-á dizer que:

0
se
d d i
n N N n
+ +
>> = (1.14)
em que
d
N
+
é a densidade de impurezas dadoras ionizadas.
Para um semicondutor tipo-p ter-se-á então:

0
se
a a i
p N N n
− −
>> = (1.15)
em que
a
N

é a densidade de impurezas aceitadoras ionizadas.
É importante realçar que
0 d i
n N n
+
≠ + e
0 i
p n ≠ no semicondutor tipo-n devido à
recombinação. Para o semicondutor tipo-p também será
0 a i
p N n

≠ + e
0 i
n n ≠ pelas mesmas
razões.
No entanto provar-se-á mais à frente que, para um semicondutor não-degenerado em
equilíbrio termodinâmico, se verifica a relação

2
0 0 i
p n n =
,
(1.16)
independentemente de o semicondutor ser do tipo-n ou do tipo-p. A relação (1.16) é muito
importante no cálculo da densidade dos portadores. Um caso particular é o da determinação
da densidade de portadores minoritários, nas situações em que é possível obter facilmente a
densidade dos portadores maioritários, por estarmos nas condições de (1.14) ou (1.15).
Uma outra relação importante resulta do facto de, num semicondutor homogéneo em
equilíbrio termodinâmico, o material exibir neutralidade eléctrica local, ou seja, a densidade
de carga é zero em cada ponto do semicondutor. Atendendo a que a origem das cargas
eléctricas está nos electrões, buracos e impurezas ionizadas, poder-se-á escrever então com
generalidade:

( ) ( ) 0 0
0
a d
q n N q p N
− +
ρ = = − + + + (1.17)
ou seja

0 0 d a
n p N N
+ −
− = − (1.18)

0 0 d a
n N p N
+ −
− = − (1.19)
SEMICONDUTORES 1.26
As equações (1.18) e (1.19) permitem duas interpretações diferentes da mesma equação.
A equação (1.18) evidencia a influência de cada tipo de impurezas na densidade de
portadores. Se 0
d a
N N
+ −
− > então
0 0
n p > e portanto o semicondutor é tipo-n. Quando
0
d a
N N
+ −
− <
0 0
p n > e o semicondutor é tipo-p. Em particular se
0 0 d a i
N N n p n
+ −
= ⇒ = =

e o
material semicondutor diz-se que está totalmente compensado e comporta-se como um
semicondutor intrínseco. Durante o processo de fabrico do semicondutor a adição não
intencional de impurezas é normal, e o material resultante ou é do tipo-p ou do tipo-n. Só a
adição de impurezas de substituição de sinal contrário, de modo a compensar totalmente o
semicondutor, é que possibilita a obtenção de semicondutores intrínsecos.
Por sua vez na equação (1.19)
0 d
n N
+
− representa a densidade efectiva de electrões com
origem na geração térmica, pois traduz a diferença entre a densidade total de electrões e a
densidade de electrões devida às impurezas dadoras. A igualdade é consistente com o facto de
que por cada electrão gerado termicamente há também um buraco pois
0 a
p N

− representa a
densidade efectiva de buracos gerados termicamente.
No caso das impurezas dadoras e aceitadoras estarem totalmente ionizadas à
temperatura considerada, ter-se-á:
e
d d a a
N N N N
+ −
≈ ≈ (1.20)
e portanto, neste caso,

0 0 d a
n p N N − ≈ − (1.21)
Se, para um dado semicondutor homogéneo a uma dada temperatura, se conhecer a
densidade intrínseca e a densidade de impurezas ionizadas poder-se-ão calcular os valores de
0
n e
0
p a essa temperatura por resolução do sistema de equações que envolve (1.16) e (1.18).

Exemplo 1.6 – Considerar um cristal de Si homogéneo com impurezas do tipo aceitador
Na= 10
19
m
-3
. Calcular a densidade de electrões e buracos, em equilíbrio termodinâmico, à
temperatura de T= 300K e T= 450K. Si: ni( 300K)= 10
16
m
-3
; W
G
= 1,124 eV.

Solução:
T= 300K Admite-se que a 300K todas as impurezas estão ionizadas ou seja
a a
N N

= .
Atendendo a que
a i
N n > então
19 3
0
10
a
p N m

= = . De (1.16) tira-se então
13 3
0
10 n m

= .
Sendo
0 0
p n > o semicondutor a 300K é fortemente extrínseco tipo-p. Uma chamada de
atenção para a ordem de grandeza dos valores obtidos: sendo
0 0
p n > não é possível
SEMICONDUTORES 1.27
obter
0
n a partir da equação da neutralidade eléctrica, (1.18).
T= 450K A esta temperatura a densidade intrínseca é superior à de 300K, mantendo-se a
densidade de impurezas ionizadas. Ter-se-à pois que calcular primeiro a densidade
intrínseca a 450K para verificar se continuamos nas condições referidas a 300K. No
cálculo de
i
n a 450K utilizaremos a relação ( )
( ' )
3/ 2
'
2 '
'/
G
W T T
kTT
i i
n n T T e

= obtendo-se
i
n (450K)= 2,47x10
19
m
-3
. É então claro que, a 450K, já não estamos nas condições
a i
N n > . Para obter
0
n e
0
p deveremos então resolver o sistema de equações que
envolve (1.16) e (1.18). O valor de
0
p pode obter-se a partir de
2
2
0
4
2
a a i
N N n
p
− −
± +
=
em que só a solução positiva é que tem significado físico. Os cálculos dão então
0
p =3,02x10
19
m
-3
e
0
n =2,02x10
19
m
-3
. Para T= 450K
0 0 i
n p n = = e o semicondutor passa
a comportar-se como intrínseco.


É oportuno referir que, mesmo em equilíbrio termodinâmico, se o semicondutor não for
homogéneo, isto é, a distribuição das impurezas não for uniforme no volume do material, não
se verifica a condição de neutralidade eléctrica local, embora o semicondutor continue a ser
globalmente neutro. Este facto deve-se à natureza das cargas eléctricas, que são móveis no
caso dos electrões e buracos, e fixas no caso das impurezas ionizadas. Tome-se como
exemplo um semicondutor que possui densidade de dadores diferente em duas regiões do
semicondutor ( )
1 2 d d
N N > . Em qualquer ponto do semicondutor, em equilíbrio
termodinâmico verifica-se que
2
1 1 2 2 i
n p n p n = = , isto é
1 2
n n > e
1 2
p p < . O gradiente de
densidades de portadores móveis de carga que se estabelece dá origem ao movimento dos
portadores da região de maior densidade para regiões de menor densidade e conduz a uma
distribuição de electrões e buracos que quebra a neutralidade eléctrica local, responsável
pelo aparecimento de campos eléctricos locais, junto à interface das duas regiões. Neste
exemplo a carga positiva está do lado da região 1, em que
d
N é mais elevado.

O andamento da densidade de portadores em função da temperatura, para um
semicondutor extrínseco tipo-n, está representado na Fig. 1.16. É possível identificar três
regiões de funcionamento: a região de ionização, de saturação e intrínseca. Na região de
ionização o aumento de temperatura conduz fundamentalmente a um aumento da densidade
dos portadores que têm origem nas impurezas de substituição, neste caso electrões, pois
SEMICONDUTORES 1.28
envolve uma energia de activação W
C
-W
D
que é muito inferior à altura da banda proibida. Na
escala semi-logaritmica utilizada o andamento é aproximadamente linear evidenciando por
isso uma dependência exponencial com 1/T. Logo que as impurezas estão todas ionizadas
entra-se na zona de saturação na qual a densidade de electrões é aproximadamente constante.
Contudo a densidade de buracos continua a aumentar com o aumento de temperatura pois
cresce a densidade intrínseca. Finalmente, após uma dada temperatura
i
T , entra-se na zona
intrínseca de funcionamento a que corresponde uma densidade intrínseca elevada,
relativamente à densidade de impurezas, e em que as densidades de electrões e buracos são
idênticas. Conhecido o andamento da densidade de maioritários e da densidade intrínseca é
fácil de obter o gráfico da densidade de minoritários numa escala logaritmica atendendo a que
0 0
ln (ln ln ) / 2.
i
n n p = +


ln (n)
ln (p)
ln (n
i
)
ln (N
d
)
zona
intrínseca
zona de ionização
zona de saturação
declive
G
W
2k

declive
E
2k
Δ

n
p
n
i

1/T
i

1/T

Fig. 1.16 – Densidade de portadores em função da temperatura para um semicondutor tipo n

A determinação de
i
T , designada por temperatura intrínseca, pode ser efectuada desde
que se estabeleça a condição que deve verificar o valor da densidade intrínseca. Admitindo
que ( ) ,
i i d
n T N N N = = e conhecida a relação entre ( )
i i
n T e ( )
i
n T , sendo T uma temperatura
conhecida, dada por

( )
( )
3 2
2
2
G i
G
W kT
i i
i
W kT
i
n T
T e
n T T
e


⎛ ⎞
=
⎜ ⎟
⎝ ⎠
(1.22)
é possível obter, para um dado material, a temperatura
i
T .
SEMICONDUTORES 1.29
Um valor apoximado de
i
T pode ser obtido a partir da relação
( )
2
G i
W kT
i i
n T e

∝ (1.23)
Se se considerar que a densidade de impurezas é a mesma em dois materiais com W
G

diferentes, então o que tiver maior W
G
tem maior
i
T pois deve verificar-se a igualdade

2 2
G G
i i
W W
kT kT
e e

− −

= (1.24)
Nestas condições o Si possui um
i
T superior ao do Ge. Este facto torna o Si bastante
atractivo no fabrico de dispositivos por poderem funcionar a temperaturas mais elevadas.

Exemplo 1.7 – Calcular a temperatura Ti para o Si e para o Ge supondo que ambos os
materiais possuem N
d
=10
21
m
-3
Si: ni( 300K)= 10
16
m
-3
; W
G
= 1,124 eV; Ge: ni( 300K)=
2,3x10
19
m
-3
; W
G
= 0,664 eV.
Solução:
Com base na relação (1.23) tira-se ( ) ( ) 1/ 1/ 2 / ln ( ) / ( )
i G i i i
T T k W n T n T = + . Partindo do
princípio que a temperatura Ti é definida para a condição ( ) ,
i i d
n T N N N = = obtém-se
então Ti=639K para o Si e Ti=425K para o Ge.
1.6. Geração e recombinação
Como se viu anteriormente, ao processo de geração, quantificado em termos dum ritmo
de geração G[m
-3
s
-1
], contrapõe-se sempre um processo de recombinação caracterizado por
um ritmo de recombinação R[m
-3
s
-1
]. Em equilíbrio termodinâmico
G R = (1.25)
e G depende, para cada material, somente de temperatura.
Pretendemos relacionar G e R com a densidade n e p. Consideraremos as situações em
que G é independente de n e de p. Esta condição verifica-se em geral porque não só temos um
número muito elevado de electrões na banda de valência como de estados disponíveis na
banda de condução. Contudo a recombinação exige electrões na banda de condução e buracos
na banda de valência e portanto depende de n e de p. Sendo assim, para valores baixos de n e
p (semicondutores não degenerados) e recombinação banda a banda pode escrever-se, em
primeira aproximação,
( , , ) ( ) R T n p r T n p = (1.26)
SEMICONDUTORES 1.30
em que r(T) é uma constante que depende do material e da temperatura. A relação (1.26) pode
ser interpretada mais facilmente se se escrever ( , , ) R T n p como um desenvolvimento em série
de Taylor em termos de n e p:

2 2 3 3 2 2
( , , ) R T n p A Bn Cp Dn Ep Fnp Gn Hp In p Jnp = + + + + + + + + + + (1.27)
Os termos associados aos coeficientes A, B, C, D, E, G, H,... devem ser zero porque R
tem que ser zero se n ou p for zero. O primeiro termo não zero é Fnp. Os termos de ordem
superior
2
In p e
2
Jnp designam-se por termos de Auger e poderão, numa aproximação de 1ª
ordem, ser desprezados. Estes termos serão importantes e não deverão ser desprezados nos
casos em que n e p são elevados. O termo
2
n p traduz a recombinação que envolve dois
electrões e um buraco. Neste caso a energia e o momento associados à recombinação dum
electrão com um buraco são transferidos para outro electrão na banda de condução. Por sua
vez o termo
2
np envolve um electrão e dois buracos no processo de recombinação, com a
energia e momento da recombinação transferidos para um buraco.
Em equilíbrio termodinâmico

0 0
( ) G R r T n p = = (1.28)
Se se admitir a existência de vários mecanismos de geração ter-se-à
1
N
i
i
G G
=
=

. A
condição de equilíbrio termodinâmico obriga a que se verifique o princípio de equilíbrio
detalhado, isto é, que (1.28) se aplique a cada processo de geração-recombinação. Assim, em
equilibrio termodinâmico ter-se-à

1 1
N N
i i
i i
G R
= =
=
∑ ∑
(1.29)
e também

1 1 0 0 1
2 2 0 0 2
0 0
( )
( )
( )
N N N
G r T n p R
G r T n p R
G r T n p R
= =
= =
= =
.
(1.30)
Como há processos de geração-recombinação que não envolvem dadores ou
aceitadores, uma adição de dopantes não altera a respectiva equação correspondente ao
princípio de equilíbrio detalhado
SEMICONDUTORES 1.31

0 0
( )
i i
G r T n p = (1.31)
Contudo, como
0
n e
0
p se alteram com a densidade de dopante, então o produto
0 0
te
n p C = . Sabendo que
0
n e
0
p para o semicondutor intrínseco valem
i
n , então o produto
2
0 0 i
n p n = para qualquer semicondutor.
Deste modo pode-se escrever:

2
( )
i
G r T n = (1.32)
que , para cada material, só depende da temperatura.
Nalguns semicondutores, nomeadamente no Si, a geração e a recombinação não são
banda a banda, mas fazem-se através de estados intermédios na banda proibida designados
por ratoeiras. Este processo designa-se por SRH (Schokley, Read, Hall).
1.6.1. Efeito fotoeléctrico interno
Se o semicondutor, a uma dada temperatura, for iluminado uniformemente com
radiação monocromática de energia
G
W W ≥ , haverá um processo adicional de geração de
pares electrão-buraco ao qual se pode associar uma taxa de geração por efeito fotoeléctrico
que designaremos por
3 1
fe
G m s
− −
⎡ ⎤
⎣ ⎦
. Em regime estacionário a taxa de geração e de
recombinação equilibram-se pelo que:

il il
G R rn p = = (1.33)
com

ter fe
G G G = + (1.34)
e

0
0
il
il
n n
p p
= + Δ
= + Δ
(1.35)
Δ é o excesso de portadores resultantes da iluminação que será igual para electrões e buracos
quando a iluminação é uniforme.
É de realçar que a relação (1.33) só é válida para o regime estacionário. Quando se
estabelece a iluminação
fe ter
G G G = + e
2
i ter
R r n G = = e portanto G R > . O aumento de n e
p acarreta um aumento de R que só pára de aumentar quando
fe ter
R G G = + e as densidades
SEMICONDUTORES 1.32
de portadores alcançam o valor final de e
il il
n p .
Combinando as duas expressões anteriores ter-se-á:

ter fe il il
G G r n p + = (1.36)
ou
1
fe
il il
ter ter
G
r n p
G G
+ = (1.37)
Como
2
ter i
G r n = , e admitindo que a temperatura não sofreu uma variação apreciável,
ter-se-á

2
1
fe
il il i
ter
G
n p n
G
⎛ ⎞
= +
⎜ ⎟
⎝ ⎠
(1.38)

Exemplo 1.8 – Considere uma amostra de Si a 300 K com impurezas dadoras,
N
d
=10
19
m
-3
. Sob iluminação uniforme, e na situação estacionária, calcular a densidade de
electrões e buracos se G
fe
= 100G
ter
. Si: ni(300K)= 10
16
m
-3
.
Solução:
Ir-se-à admitir que a 300 K as impurezas estão todas ionizadas. Atendendo a que
d i
N n > então
0 d
n N = e
2
0 0
/
i
p n n = . Portanto, em equilibrio termodinâmico, n
0
=10
19
m
-3

e p
0
=10
13
m
-3
. Com iluminação uniforme e na situação estacionária pode-se utilizar a
equação (1.38) que, em conjunto com (1.35), dá origem a uma equação do 2º grau em
termos da densidade de excessos Δ:
( )
2 2
0 0
/ 0
i fe ter
n p n G G Δ + + Δ − = . Por aplicação dos valores numéricos obtém-se
2 19 34
10 10 0 Δ + Δ − = . Das duas soluções só a solução positiva tem significado físico e
vale Δ= 10
15
m
-3
. Deste modo, com iluminação,
19 3
0 0
10
il
n n n m

= + Δ = = e
15 3
0
10
il
p p m

= + Δ Δ = = . Como se vê pelos resultados só a densidade dos minoritários
foi alterada, mantendo-se a densidade dos maioritários. Esta perturbação do equilíbrio é
por isso designada por injecção fraca.

A taxa de geração por efeito fotoeléctrico está associada a uma grandeza característica
do material e que é o coeficiente de absorção, α [m
-1
]. O coeficiente de absorção representa o
número de fotões, de um dado comprimento de onda, que em média são absorvidos por
unidade de comprimento do semicondutor. A quantidade 1/α associa-se à distância que em
média o fotão percorre no semicondutor até ser absorvido. O coeficiente de absorção depende
SEMICONDUTORES 1.33
da energia dos fotões e do material. Na Fig. 1.17 mostra-se o coeficiente de absorção em
função da energia dos fotões para vários materiais semicondutores.
Se se designar por φ [m
-2
s
-1
] o fluxo de fotões, com uma dada energia, que incide na
face de uma amostra de semicondutor, a sua taxa de variação com a distância é proporcional
ao seu valor. A constante de proporcionalidade é designada por coeficiente de absorção.

( )
( )
d x
x
dx
φ
− = +αφ e assim
0
( )
x
x e
−α
φ = φ (1.39)
Define-se o ritmo de geração por efeito fotoeléctrico
( )
fe
d x
G
dx
φ
= − , se se admitir que
por cada fotão absorvido há a criação de um par electrão-buraco. Pode então escrever-se

0
x
fe
G e
−α
= αφ (1.40)
Na Fig. 1.18 mostra-se o andamento de G
fe
(x) e dá-se a interpretação geométrica de 1/α.

Fig. 1.17 – Coeficiente de absorção em função da energia para vários semicondutores.

SEMICONDUTORES 1.34

φ

0
x
Gfe
αφ 0
1/α
x
0

Fig. 1.18 – Evolução de G
fe
(x) num semicondutor.

É de notar que se
1 2 1 2
1/ 1/ α > α ⇒ α < α , isto é, os fotões a que correspondem maiores
energias são absorvidos mais em superfície.
1.7. Cálculo de n e p em semicondutores não-degenerados
O comportamento dos electrões no material semicondutor rege-se pela equação de
Schrödinger cuja solução é a função de onda. Esta grandeza é, em geral, um número
complexo. O valor do módulo da função de onda ao quadrado é um número real que
representa a densidade de probabilidade de encontrar a partícula num dado instante numa
dada região do espaço.
1.7.1. Electrão num poço de potencial de altura infinita
Um dos resultados mais importantes da aplicação da equação de Schrödinger a um
electrão num cristal é a quantificação da energia. Considere-se a título de exemplo um
electrão num poço de potencial de altura infinita e largura L, Fig. 1.19.
Sendo o electrão uma partícula livre a sua energia potencial W
P
é constante

. Se se
admitir que no interior do poço, W
P
=0

então a energia total do electrão, W, é igual à energia
cinética W
k
, dada por

2
2
k
p
W W
m
= = (1.41)
SEMICONDUTORES 1.35

x
W
P

0 L

Fig. 1. 19 – Poço de potencial de altura infinita a uma dimensão.

em que p e m são o momento e a massa do electrão respectivamente. Por sua vez o momento
e o comprimento de onda λ verificam a relação de de Broglie

h
p k
λ
= = h (1.42)
k é o número de ondas e 2 h = π h .
Para garantir a continuidade da função de onda nas fronteiras
2 L n = λ (1.43)
em que n é um inteiro.
Combinando as duas relações anteriores obtém-se

2
h
p n
L
= (1.44)
e portanto

2
2
2
8
h
W n
kn
mL
= (1.45)
Admitindo que m é a massa do electrão em repouso
31
0
9,11 10 m kg = × , ter-se-á:

19
3,8x10
2
2
W n
kn
L

=

(1.46)
Este resultado mostra que o electrão num poço de potencial infinito não possui um
contínuo de valores de energia.
Na Fig.1.20 mostram-se, de forma esquemática, os valores de energia possíveis para o
electrão quando 1, 2, 3 n = . Também se referem os valores da energia W
k1
para vários valores
da largura do poço que, de forma clara, indicam a importância da quantificação para os poços
SEMICONDUTORES 1.36
de dimensão reduzida. Para poços com dimensões macroscópicas os níveis de energias estão
tão próximos que podem ser olhados como formando um contínuo de energia.


k
W
3
k
W
2
k
W
1
k
W
1
1
1
13
10Å 0, 4 . .
100Å 3, 8 . .
1 3, 8 10 . .
k
k
k
L W eV
L W meV
L mm W eV

= ⇒ =
= ⇒ =
= ⇒ = ×

Fig. 1.20 – Quantificação da energia para um electrão num poço de potencial de altura infinita.

Para um poço de potencial a três dimensões, com comprimentos L
x
, L
y
e L
z
, a
quantificação da energia é expressa por

2 2 2 2
3 1 2
2 2 2
8
k
x y z
n n n h
W
m L L L
⎛ ⎞
= + +
⎜ ⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
(1.47)
em que
1 2 3
, e n n n são números inteiros designados por números quânticos principais e
0 x y z
L L L V = é o volume do cristal.
Para cada conjunto ( )
1 2 3
, , n n n , que define um dado estado de movimento,
correspondem dois estados quânticos associados ao spin do electrão, e que pode tomar os
valores 1 2 ± .
1.7.2. Densidade de estados em energia
O número de estados de movimento possíveis para o electrão obtém-se contando as
combinações
1 2 3
, e n n n .
A determinação do número de estados de movimento é mais fácil de determinar
tomando como base o espaço dos momentos, Fig. 1.21.

SEMICONDUTORES 1.37

h/(2L
x
)
p
z

p
y

p
x

h/(2L
z
)
h/(2L
y
)
p
p+dp
.

Fig. 1. 21 – Representação no 1º octante do espaço dos momentos do volume correspondente a um
estado de movimento.

A partir das relações para as componentes do momento do electrão segundo as três
direcções

1 2 3
; ;
2 2 2
x y z
x y z
h h h
p n p n p n
L L L
= = = (1.48)
e tendo em linha de conta os valores positivos de
1 2 3
, e n n n , pode identificar-se o volume
correspondente a um estado de movimento expresso por

3
0
8 2 2 2
x y z
h h h h
V L L L
⎛ ⎞
⎛ ⎞ ⎛ ⎞
= ⎜ ⎟
⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠ ⎝ ⎠
⎝ ⎠
(1.49)
Assim, no espaço dos momentos, o número de estados de movimento por unidade de
volume é dado por
3
0
8V h . Atendendo a que a cada estado de movimento correspondem dois
momentos de spin, o número de estados quânticos na unidade de volume é
0
3
8
2
V
h
× .
O volume entre a esfera de raio p e a de raio p+dp é, para o primeiro quadrante
( )
2
4 8 p dp π e por isso o número de estados quânticos neste volume, dN(p) é dado por

2 0
3
8
( )
V
dN p p dp
h
= π (1.50)
Em termos da energia, atendendo a que:
SEMICONDUTORES 1.38

2
, 2
2
2 2
2
k k
k
k
k k
k
p
W p mW
m
p dp m d W
m m
dp dW dW
p mW
= =
=
= =
(1.51)
ter-se-á

0
k k k
3
8 V
dN(W ) m 2mW d W
h
π
= (1.52)
em que ( )
k
dN W é o número de estados quânticos possíveis entre
k
W e
k k
W dW + . A
densidade de estados quânticos em energia, ( )
k
g W é definida como
( )
( )
0
3
8
2
k
k k
k
dN W
V
g W m mW
dW
h
π
= = (1.53)
e está representada na Fig. 1.22.


W
k
g(W
k
)
0

Fig. 1.22 – Função densidade de estados quânticos em energia

Pode parecer estranho que se tenha obtido uma densidade de estados em energia onde a
quantificação parece estar ausente. Contudo, como se viu na secção anterior, nos cristais com
dimensões macroscópicas os estados discretos de energia estão tão próximos que podem ser
olhados como formando um contínuo de valores de energia. No caso de dispositivos de
dimensão reduzida a relação (1.53) não é válida e a quantificação deve transparecer na relação
e no gráfico da respectiva densidade de estados em energia.

SEMICONDUTORES 1.39
1.7.3. Densidade de estados em energia para os electrões num cristal
A periodicidade da rede cristalina é responsável pelo aparecimento de bandas de energia
permitidas e bandas de energia proibidas. Nos casos em que o cristal é isotrópico e, para
valores próximos de uma dada energia
0
W , pode escrever-se

2
0 0
W W C p = + (1.54)
Esta expressão pode ser interpretada, sob o ponto de vista clássico, como sendo a soma
de uma energia potencial W
0,
com uma energia cinética C
0
p
2
, em que
0
0
1
2
C
m
= .
Para os electrões de condução C
0
>0 e pode escrever-se:

( )
( )
( )
2
*
*
0
0
2
0
c
c c
c
W W
p
W W m
m
C
>
= + >
>
(1.55)
enquanto que para os electrões de valência C
0
<0:

( )
( )
( )
2
*
*
0
0
2
0
V
V V
V
W W
p
W W m
m
C
<
= + <
<
(1.56)
* *
,
c V
m m são as massas eficazes dos electrões na banda de condução e de valência
respectivamente. No sentido de manter o formalismo clássico, introduz-se o conceito de
buraco com carga +q e massa eficaz
* *
0
p V
m m = − > .
Para os buracos ter-se-à então
( )
2
*
2
V V
p
p
W W W W
m
= − < (1.57)
Quer os electrões, quer os buracos são partículas livres (sob o ponto de vista clássico),
com energia de posição constante e igual a e
C V
W W respectivamente. As densidades de
estados quânticos em energia para os electrões e buracos podem então ser expressas por
( ) ( ) ( )
* * 0
3
8
2
c n n c c
V
g W m m W W W W
h
π
= − ≥ (1.58)
SEMICONDUTORES 1.40
( ) ( ) ( )
* * 0
3
8
2
v p p v V
V
g W m m W W W W
h
π
= − ≤ (1.59)
em que
* *
n c
m m = , e estão representadas na Fig.1.23.
1.7.4. Estatística de Fermi-Dirac
A distribuição dos electrões pelos estados quânticos obedece a uma função de
distribuição denominada por distribuição de Fermi-Dirac.
Esta distribuição assenta em dois pressupostos:
1) os electrões são indiscerníveis (princípio da indiscernibilidade)
2) não pode haver mais de um electrão por cada estado quântico (princípio de
exclusão de Pauli).


W
gC(W)
W G
W C
W V
gV(W)

Fig. 1. 23 – Representação de g
C
(W) e g
V
(W).

Baseado nestas condições e partindo da hipótese de que se tem um certo número N de
electrões com energia total W, eles irão ser distribuídos pelos diversos estados quânticos, de
modo a verificarem-se as condições impostas. Supõe-se que todos os estados quânticos têm
igual probabilidade de serem ocupados. Há várias maneiras de distribuir os N electrões pelos
vários estados quânticos possíveis de modo a que a energia total seja W. Uma distribuição
pode ser realizada de várias maneiras. A distribuição mais provável é a que se pode realizar de
um maior número de maneiras possível.
SEMICONDUTORES 1.41
A título de exemplo, considera-se que se têm 4 N = e 7 W = em que os estados de
energia possíveis são os estados 1, 2, 3 e que valem 1, 2, 3. Para cada um destes valores de
energia considerem-se três estados quânticos. Pretende-se descobrir qual a distribuição mais
provável. Neste caso só vai haver duas distribuições possíveis, (a) e (b), Fig.1.24.


(a) (b)
1
2
3
W

Fig.1. 24 – Distribuição de 4 electrões pelos estados quânticos de modo a garantir que a energia total é
igual a 7.

O número de maneiras associado à distribuição (a)
a
m é dada por

3 3 3
27
1 1 2
a
m
⎛ ⎞⎛ ⎞⎛ ⎞
= =
⎜ ⎟⎜ ⎟⎜ ⎟
⎝ ⎠⎝ ⎠⎝ ⎠
(1.60)
e à distribuição (b) é

( )
3 3
!
3
1 3 ! !
b
m
m
m
n m n n
⎛ ⎞⎛ ⎞ ⎛ ⎞
= = =
⎜ ⎟⎜ ⎟ ⎜ ⎟

⎝ ⎠⎝ ⎠ ⎝ ⎠
(1.61)
Deste modo a distribuição (a) é a mais provável.
Para além da estatística de Fermi-Dirac, aplicável aos electrões, é importante referir a
estatística de Bose-Einstein e de Maxwell-Boltzmann. A estatística de Bose-Einstein assenta
no princípio da indiscernibilidade das partículas mas não no princípio de exclusão de Pauli.
Aplica-se a fotões. Quanto à estatística de Maxwell-Boltzmann não verifica os dois princípios
referidos e aplica-se às moléculas de um gás rarefeito.
As estatísticas referidas são representadas por funções de distribuição que traduzem o
grau de preenchimento dos estados quânticos com energia entre W e W+dW. Para a estatística
de Fermi-Dirac a função de Fermi-Dirac ( ) f W é dada por

1
( ) 0 ( ) 1
1
F
W W
kT
f W f W
e

= ≤ ≤
+
(1.62)
SEMICONDUTORES 1.42
em que
F
W é a energia de Fermi, T é a temperatura absoluta e k é a constante de Boltzmann,
k= 1,38x10
-23
J/K. Para a estatística de Bose-Einstein a função de distribuição é dada por

1
( )
1
F
B E
W W
kT
f W
e


=


(1.63)
enquanto que para a estatística de Maxwell-Boltzmann se tem

( )
F
W W
kT
M B
f W e



= (1.64)
Atendendo a que o nosso objectivo é estudar o comportamento dos electrões e buracos
no semicondutor ir-se-á dedicar um pouco mais de atenção à estatística de Fermi-Dirac. Como
foi referido a função f(W) indica o grau de preenchimento dos estados quânticos e toma
valores entre 0 e 1. Sendo assim a função 1 ( ) f W − traduz o grau de desocupação dos
correspondentes estados quânticos e pode ser expressa como
( )
1
1
1
F
W W
kT
f W
e


− =
+
(1.65)
Os gráficos de f(W) e 1-f(W) são bastante elucidativos e estão representados na
Fig.1.25, tendo em linha de conta a transformação

F
W W
u
kT

= (1.66)
Para 0 T K = se

i.e. 0 , ( ) 0
i.e. 0 , ( ) 1
f
F
W W u f u
W W u f u
> > =
< < =
(1.67)
Para 0 . . 0, ( ) 1/ 2
F
T K W W i e u f u ≠ → = = =

( )
( )
. . , ( ) 0
. . , ( ) 1
F
F
W W kT i e u f u
W W kT i e u f u
− >> →+∞ →
− << − →−∞ →
(1.68)
Há um aspecto importante ligado com a forma da curva associada à função f(u) que se
traduz no seguinte resultado: para qualquer u, a função f(u) toma o mesmo valor que a função
1-f(-u), isto é, o grau de ocupação para um dado valor de energia é igual ao grau de
desocupação para um valor de energia simétrico relativamente à energia de Fermi.
Nalgumas situações importantes é possível simplificar a função de Fermi-Dirac, como é
SEMICONDUTORES 1.43
o caso em que

1
, ( )
1
F
F
W W
kT
F
W W
kT
W W kT f W e
e



− >> =
+
= (1.69)
Esta aproximação chama-se de aproximação de Maxwell-Boltzmann, em virtude da
função de Fermi-Dirac ser aproximada pela função de distribuição associada à estatística de
Maxwell-Boltzmann.

u
( ) f u 1
0
1/2
0 K T =
0 K T ≠
1 ( ) f u −

Fig. 1. 25 – Função de Fermi a T=0 K e T≠0 K.

O nível de Fermi,
F
W , em equilíbrio termodinâmico, é constante em qualquer região
do material, quer ele seja homogéneo ou não, porque a estatística de Fermi-Dirac é obtida sem
ter em linha de conta o número de estados quânticos em energia e a sua distribuição espacial.
O nível de Fermi varia com a temperatura. Para os metais W
F
decresce ligeiramente com o
aumento da temperatura. No entanto para os semicondutores a variação depende do tipo de
semicondutor, como será fácil de perceber pelas considerações feitas mais à frente. Pode-se
no entanto adiantar que nos semicondutores intrínsecos W
F
é praticamente independente da
temperatura, nos semicondutores tipo-n W
F
desce com o aumento de temperatura e que para
os semicondutores tipo-p W
F
sobe com o aumento de temperatura.
SEMICONDUTORES 1.44
1.7.5. Cálculo da densidade de electrões e buracos no semicondutor
Atendendo a que, ( )
c
g W dW é o número de estados quânticos existentes entre W e
W dW + e ( ) f W é o grau de preenchimento dos estados quânticos, o número de electrões
que existe entre W e W dW + é dado por ( ) ( )
c
f W g W dW .
Assim, o número total de electrões na banda de condução é calculado por
( ) ( )
c
c
W
N f W g W dW

=

(1.70)
ou seja,
( )
* * 0
3
8 1
2
1
F
c
n n c
W W
W
kT
V
N m W W dW
h
e


π
⎛ ⎞
= −
⎜ ⎟
⎜ ⎟
+ ⎝ ⎠

(1.71)
Definindo a densidade de electrões
0
n N V = e considerando
c F
W W kT − >> , i.e.,

1
1
F
F
W W
kT
W W
kT
e
e



=
+
(1.72)
tem-se
( )
*
*
3
8
2
F
c
W W
n
kT
n c
W
m
n e m W W dW
h



π
= −

(1.73)
Resolvendo o integral obtém-se

3/ 2
*
2
2
2
W W
c F
m kT
n kT
n e
h

⎛ ⎞

π
⎜ ⎟
=
⎜ ⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
(1.74)
que se pode escrever de forma mais compacta como

c F
W W
kT
c
n N e


= (1.75)
em que N
c
é a densidade efectiva de estados na banda de condução dada por

3/ 2
*
2
2
2
m kT
n
N
c
h
⎛ ⎞
π
⎜ ⎟
=
⎜ ⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
(1.76)
De igual modo a densidade de buracos p é obtida a partir da expressão
( ) ( ) 1
V
W
V
P g W f W dW
−∞
= − ⎡ ⎤
⎣ ⎦ ∫
(1.77)
SEMICONDUTORES 1.45
que, após ter-se também utilizado a aproximação de Maxwell-Bolzmann, dá

3 2
*
2
0
2
2
F V
W W
p
kT
m kT
P
p e
V
h


⎛ ⎞
π
⎜ ⎟
= =
⎜ ⎟
⎝ ⎠
(1.78)
ou seja

F V
W W
kT
V
p N e


= (1.79)
em que N
V
é a densidade efectiva de estados na banda de valência dada por

3/ 2
*
2
2
2
m kT
p
N
V
h
⎛ ⎞
π
⎜ ⎟
=
⎜ ⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠
(1.80)
É importante ter em atenção que as relações (1.75)e(1.79) só são válidas para o
equilibrio termodinâmico e na aproximação de Maxwell-Bolzmann, isto é, o nível de Fermi
deve estar localizado na banda proibida e suficientemente afastado da banda de condução e da
de valência de alguns kT. Os semicondutores que verificam estas condições designam-se por
não-degenerados.
Na Fig.1.26 faz-se a representação gráfica do cálculo do número total de electrões N e
buracos P na banda de condução e na banda de valência respectivamente.

W
( ) f W 1
W
F
1/2
1 ( ) f W −
W
g
C
(W) f(W)
W
G

W
C

W
V

g
V
(W) [1-f(W)] P
N
W
g
C
(W)
W
G

W
C

W
V

g
V
(W)
W
F
W
F


Fig. 1. 26 – Representação gráfica do cálculo de N e P.


SEMICONDUTORES 1.46
1.7.5.1 Localização do nível de Fermi no semicondutor intrínseco e extrínseco
Num semicondutor intrínseco n=p=n
i
e portanto

c Fi Fi V
W W W W
kT kT
c v
N e N e
− −
− −
= (1.81)
multiplicando ambos os membros por
Fi V
W W
kT
e

+
e dividindo por
C
N , vem:

C Fi Fi V
W W W W
V
kT
C
N
e
N
− + + −
= (1.82)

2
ln
Fi V C V
C
W W W N
kT kT N
⎛ ⎞ + ⎛ ⎞
− =
⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎝ ⎠
⎝ ⎠
(1.83)
ln
2
V C V
Fi
C
W W N kT
W
kT N
⎛ ⎞ +
= +
⎜ ⎟
⎝ ⎠
(1.84)

3 2
* *
* *
3
ln ln
2
p p
V V
C C
n n
m m
N N
N N
m m
⎛ ⎞ ⎛ ⎞
⎛ ⎞
⎜ ⎟ ⎜ ⎟
= → =
⎜ ⎟
⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎝ ⎠
⎝ ⎠ ⎝ ⎠
(1.85)
ou seja

*
*
3
ln
2 4
p
V C
Fi
n
m
W W
W kT
m
⎛ ⎞
+
⎜ ⎟
= +
⎜ ⎟
⎝ ⎠
(1.86)
Se
* *
p n Fi
m m W = ⇒ está exactamente a meio da banda proibida. Se o semicondutor for
extrínseco tipo-n
F
W aproxima-se da banda de condução e se for tipo-p aproxima-se da banda
de valência, Fig. 1.27. A variação de W
F
com a temperatura deverá ser agora fácil de perceber
se atendermos a que os semicondutores extrínsecos se comportam como intrínsecos a
temperaturas elevadas.

W
C

W
V

W
C

W
V

W
C

W
V

W
Fi

W
F

W
F

intrínseco
>>kT
>>kT
tipo-n tipo-p

Fig. 1. 27 – Localização do nível de Fermi nos semicondutores não-degenerados.
SEMICONDUTORES 1.47
As densidades n e p podem ainda escrever-se em termos da densidade intrínseca e da
posição relativa do nível de Fermi ao nível de Fermi intrínseco.

W W W W W W W W W W
F Fi Fi Fi F Fi F
kT kT kT kT
n N e N e N e e
c c c
− + − − − −
− − −
= = = (1.87)
ou seja

W W
F Fi
kT
n n e
i

= (1.88)
De igual modo se pode escrever

Fi F
W W
kT
i
p n e

= (1.89)
1.7.5.2 Densidade intrínseca. Variação com a temperatura
Num semicondutor não-degenerado ter-se-à, em equilíbrio termodinâmico,

C F
W W
C V
np N N e
− +
=
F
W −
V
C V G
W
W W W
kT kT kT
C V C V
N N e N N e
+

− −
= = (1.90)
Este resultado indica que o produto np é independente da localização do nível de Fermi
e portanto será válido para qualquer semicondutor, intrínseco ou extrínseco. Sendo que para o
semicondutor intrínseco n=p=n
i
, ter-se-à , para qualquer semicondutor não-degenerado em
equilíbrio termodinâmico,

2
G
W
kT
i C V
np n N N e

= = (1.91)
ou seja

2
G
W
kT
i C V
n N N e

= (1.92)
Atendendo a que
3
C V
N N T ∝ , ter-se-á

( ) 2 3
G
W kT
i
n T e

∝ ou seja
(2 ) 3 2
G
W kT
i
n T e

∝ (1.93)
As expressões anteriores mostram que a densidade intrínseca depende da temperatura
através de um termo exponencial e duma potência. Verifica-se que o termo exponencial é
dominante nas condições usuais. Na Fig. 1.28 mostra-se o andamento com a temperatura da
densidade intrínseca para vários semicondutores.
SEMICONDUTORES 1.48


Ge
Si
GaAs
10
20

10
15

10
10

10
5

1000/T (K
-1
)

1

2 3 4

n
i

(
c
m
-
3
)


Fig. 1. 28 – Densidade intrínseca em função da temperatura para vários semicondutores.


As expressões anteriores só são válidas em equilíbrio termodinâmico para
semicondutores não-degenerados. Fora do equilíbrio termodinâmico podemos manter as
expressões para as concentrações de electrões e buracos desde que desdobremos o nível de
Fermi, W
F
, em dois pseudoníveis de Fermi ou imref (de “imaginary reference” ou a palavra
fermi escrita ao contrário), um para electrões e o outro para buracos. Deste modo as
relações, (1.75), (1.79), (1.88) e (1.89) serão escritas como

c Fn
W W
kT
c
n N e


= ,
Fp V
W W
kT
V
p N e


= ,
Fn Fi
W W
kT
i
n n e

= e
Fi Fp
W W
kT
i
p n e

= (1.94)
em que W
Fn
e W
Fp
são os pseudoníveis de Fermi para electrões e buracos respectivamente.
Em situações de não-equilíbrio termodinâmico o produto np é diferente de n
i
2
e pode ser
expresso em termos da separação dos dois pseudoníveis de Fermi,

2
Fn Fp
W W
kT
i
np n e

= (1.95)
Deste modo a separação dos dois pseudoníveis de Fermi é portanto uma medida do
desvio das concentrações de portadores relativamente à situação de equilíbrio
termodinâmico, para a qual o desvio é zero.
Quando o semicondutor possui densidades de impurezas de substituição elevadas, i.e.,
SEMICONDUTORES 1.49
próximas de N
C
ou N
V
(~10
25
m
-3
para o Si), já não é válida a aproximação de Maxwell-
-Bolzmann e portanto as relações (1.75) e (1.79) não estão correctas. Nomeadamente já não
se verifica a relação pn=n
i
2
. Semicondutores fortemente dopados designam-se por
degenerados e são caracterizados por possuírem o nível de Fermi muito próximo ou mesmo
dentro da banda de condução ou de valência. A existência de estados de energia permitidos
junto ao nível de Fermi justifica que muitas das propriedades eléctricas dos semicondutores
degenerados sejam idênticas às dos metais. Adicionalmente existe uma diminuição da altura
da banda proibida em virtude dos estados associados à impurezas darem origem a bandas de
energia que se sobrepõem à banda de condução ou de valência. Para o Si, a diminuição da
altura da banda proibida pode ser desprezável para densidades de dopante inferiores a
10
24
m
-3
. Contudo verifica-se que, para uma densidade de impurezas dadoras de 10
25
m
-3
, já a
variação da altura da banda proibida pode ser superior a 10% do seu valor.

1.8. Condução
Os electrões e os buracos podem ser olhados como partículas livres desde que se lhes
associe uma massa eficaz. Num cristal perfeito e, sob o ponto de vista clássico, este tipo de
partículas tem um movimento rectilíneo e uniforme, limitado somente pelas paredes do
cristal. Na realidade este movimento é afectado pela existência de “choques” em vários
pontos do espaço e que obrigam a trajectória a desviar-se de forma aleatória. Estes “choques”
devem-se à alteração do andamento periódico ideal do potencial que pode ter origem na
temperatura, impurezas, ou imperfeições de rede cristalina. Variações do potencial no espaço
estão associadas a campos eléctricos locais, isto é forças de natureza eléctrica, que são
responsáveis pela alteração do estado de movimento do electrão.
Dos três tipos de “choques” o mais importante é o que está associado à temperatura, por
envolver todos os átomos do cristal. A temperatura faz com que os átomos oscilem em torno
das suas posições de equilíbrio conduzindo a alterações do potencial nessa região. Os
electrões ou os buracos que se movimentem junto aos átomos irão sentir estas perturbações e
portanto alterar a sua trajectória, como se mostra na Fig. 1.29. A densidade de impurezas é
normalmente muito inferior à dos átomos de base do semicondutor e não tem um efeito tão
importante quanto a temperatura. Por sua vez é possível, com a actual tecnologia, reduzir os
defeitos cristalinos a valores tais que se pode desprezar a sua influência no movimento dos
electrões ou dos buracos.
SEMICONDUTORES 1.50

Fig. 1.29 – Movimento dos electrões ou buracos devido à agitação térmica.

Este movimento de agitação térmica não dá origem a corrente eléctrica e por isso valor
médio da velocidade 0
th
v =

. Esta expressão pode ser interpretada como sendo o resultado
de observação no tempo da velocidade de uma só partícula ou a resultante da velocidade de
todas as partículas, de um dado tipo, num dado instante. Para os metais
6
10 /
th
v m s = e para os
semicondutores
5
10 / 300 /
th
v T m s = . Define-se tempo livre como o tempo que decorre entre
dois “choques”consecutivos e espaço livre como a distância percorrida correspondente.
Contudo, para a população de electrões e buracos presentes no semicondutor é mais adequado
falar em valores médios pois as propriedades macroscópicas do semicondutor estão
associadas ao comportamento do colectivo de partículas. Nesse sentido é mais importante
falar em espaço livre médio ou tempo livre médio para os portadores de carga.
Quando se aplica um campo eléctrico E

, aparece uma força eléctrica que, para o
electrão é dado por:

n
F qE = −

(1.96)
e para o buraco é

p
F qE =

(1.97)
Sendo o campo constante, a força também o será e, de acordo com os resultados da
mecânica clássica o movimento é uniformemente variado e a trajectória destas partículas é em
geral parabólica (só será rectilínea quando v e E

forem paralelos), Fig. 1.30.
SEMICONDUTORES 1.51

th
v

v

v
|

F

Fig. 1.30 – Trajectória dum electrão sob a acção duma força constante.


Após vários choques a trajectória do electrão pode ser visualizada como sendo
constituida por vários arcos de parábola, Fig. 1.31. Se o campo eléctrico não for
suficientemente elevado pode escrever-se

th F
v v v = +

(1.98)
em que
F
v

traduz o vector velocidade associado à força.
Em valores médios:

th F F
v v v v = + =

(1.99)
Entre “choques” a componente da velocidade paralela à força aumenta de acordo com a
relação:

*
F
F
v t
m
=

(1.100)

E

n
F

Fig. 1.31 – Trajectória do electrão após vários choques quando sujeito a um campo eléctrico constante.


SEMICONDUTORES 1.52
e por isso

* *
F
F F
v t
m m
= = τ

(1.101)
em que τ é o tempo livre médio.
Para os electrões ter-se-á então

*
q
n
v E E
F n
n
m
n
τ
= − = −μ

(1.102)
em que

2 1 1
[ ]
*
q
n
m V s
n
m
n
τ
− −
μ = (1.103)
é designada por mobilidade dos electrões. De acordo com (1.102) pode-se interpretar a
mobilidade dos electrões como o valor médio do acréscimo da sua velocidade entre dois
choques consecutivos, segundo a direcção do campo eléctrico aplicado, quando este vale 1
V/m. De forma idêntica obtém-se para os buracos:

*
q
p
v E E
F p
p
m
p
τ
= = μ

(1.104)

em que

2 1 1
[ ]
*
q
p
m V s
p
m
p
τ
− −
μ = (1.105)
é a mobilidade dos buracos, que pode ser interpretada de forma idêntica à dos electrões.
As relações de proporcionalidade entre a velocidade média, também designada por velocidade
de deriva, e o campo eléctrico, (1.102) e (1.104), só são verificadas para campos eléctricos
baixos, isto é, quando não há alteração significativa da velocidade ou energia dos portadores.
A evolução da velocidade de deriva com o campo eléctrico depende do material semicondutor
e tende a saturar para campos eléctricos elevados, Fig 1.32. Este comportamento tem a sua
origem na estrutura das bandas do semicondutor e nos processos de colisão associados aos
electrões mais energéticos.
SEMICONDUTORES 1.53

InGaAs
GaAs
InP
Si
T= 300K
0 5 10 15 20
Campo Eléctrico (kV/cm)
V
e
l
o
c
i
d
a
d
e

d
o
s

e
l
e
c
t
õ
e
s

(
1
0
5
m
/
s
)

3
2
1
0

Fig. 1. 32 – Velocidade de deriva dos electrões em função do campo eléctrico para vários materiais
semicondutores.

Na Tabela 1.8 indicam-se alguns valores típicos das mobilidades dos electrões e buracos
para vários semicondutores, a 300 K. É importante realçar que para um dado material a uma
dada temperatura se verifica sempre
p n
μ < μ .

Tabela 1.8
Mobilidades a 300 K para vários semicondutores

T=300 K Ge Si GaAs
μ
n
(m
2
V
-1
s
-1
) 0,39 0,15 0,85
μ
p
(m
2
V
-1
s
-1
) 0,19 0,045 0,04

Um aumento de temperatura, em geral, faz diminuir a mobilidade em virtude de
aumentar a frequência de “choques” com os átomos da rede. Contudo, para um semicondutor
com uma elevada densidade de impurezas e na gama de temperaturas baixas, um aumento de
temperatura pode conduzir a um aumento da mobilidade, Fig.1.33(a), em virtude de haver
uma diminuição de choques associados às impurezas e serem estas que determinam o valor da
mobilidade. Por sua vez, para uma dada temperatura, o aumento da densidade de impurezas
conduz sempre a uma diminuição das mobilidades, Fig.1.33(b).

SEMICONDUTORES 1.54

1
1
10


2
10


3
10


21 3
10
D
N m

=
0 100 200 300 400 500
T (K)
M
o
b
i
l
i
d
a
d
e

d
o
s

e
l
e
c
t
r
õ
e
s

(
m
2
/
(
V
.
s
)
)

23
10
25
10
(a)
Si

0.20
0.15
0.10
0.05
0
21
10
22
10
23
10
24
10
25
10
26
10
Concentração de dopante (m
-3
)
M
o
b
i
l
i
d
a
d
e

d
o
s

e
l
e
c
t
r
õ
e
s

(
m
2
/
(
V
.
s
)
)

(b)
T= 300K
T= 398K
T= 348K
Si

Fig.1.33 – Si: (a) Mobilidade em função da temperatura; (b) Mobilidade em função da densidade de
dopante.

No caso de os dois mecanismos de desvio serem independentes, a frequência média das
colisões é a soma das frequências médias devida a cada um dos mecanismos, podendo
escrever-se:

1 2
1 1 1
= +
τ τ τ
(1.106)
e portanto

1 2
1 2
μ μ
μ =
μ +μ
(1.107)
A existência duma velocidade média não nula segundo a direcção do campo, (1.102) e
(1.104), dá origem a um fluxo de partículas carregadas nessa direcção, ou seja a corrente
eléctrica. Atendendo que a densidade de corrente é dada por
cond F
J v = ρ

, ter-se-á:
para os electrões:
cond
n n
J qn E = + μ


(1.108)
SEMICONDUTORES 1.55
e para os buracos:
cond
p p
J qp E = μ


(1.109)
Num semicondutor a densidade de corrente total vai ter a contribuição de ambos os portadores
de carga e portanto
J J J
cond n p
cond cond
= +

(1.110)
Atendendo à lei de Ohm local
J E
cond
= σ

(1.111)
em que σ é a condutividade, obter-se-à para o semicondutor
[ ] ( ) / q n p S m
n p
σ = μ + μ (1.112)
Para o semicondutor intrínseco a condutividade pode escrever-se como:

( )
i i n p
q n σ = σ = μ +μ (1.113)
No caso dum semicondutor extrínseco tipo-n ter-se-à
( )
n n i
qn n n σ σ = μ = > (1.114)
e extrínseco tipo-p
( )
p p i
qp p n σ σ = μ = > (1.115)
Como se vê da relação (1.112) pode-se aumentar a condutividade aumentando a densidade de
portadores e/ou as mobilidades. Atendendo a que se pode alterar a densidade de portadores
em várias ordens de grandeza adicionando impurezas de substituição ao semicondutor, é fácil
de perceber que os semicondutores extrínsecos possuem valores de condutividade várias
ordens de grandeza superiores aos dos semicondutores intrínsecos. Convém relembrar que
este resultado pode ser obtido com densidades de impurezas de substituição muito pequenas,
e.g., uma impureza por um milhão de átomos de base.
É importante realçar que para um campo eléctrico constante a corrente eléctrica também
é constante. Este resultado deve-se ao facto de a velocidade média ser constante e não
aumentar com o tempo, como acontece às partículas clássicas sujeitas a forças constantes.
Não há aqui qualquer contradição porque as partículas estão sujeitas a “choques” e em cada
“choque” o acréscimo de energia obtido, associado ao aumento da velocidade, é todo
transferido para a rede cristalina. Esta energia transferida para a rede cristalina, em valores
médios, dá origem a um aumento de temperatura do cristal usualmente referido como efeito
de Joule. Os “choques” funcionam como uma força de atrito que se opõe ao movimento dos
portadores de carga e permite obter uma velocidade média constante para cada valor do
SEMICONDUTORES 1.56
campo eléctrico. A condutividade está por isso ligada com a maior ou menor resistência à
passagem da corrente no semicondutor. Para um dado campo eléctrico quanto maior a
condutividade maior a corrente. O inverso da condutividade designa-se por resistividade,
[ ] 1/ .m ρ = σ Ω . Conhecida a condutividade/resistividade, o comprimento L, e a área da
secção transversal S dum semicondutor homogéneo pode-se calcular a sua resistência através
da expressão:

1 L L
R
S S
= = ρ
σ
(1.116)

Exemplo 1.9 – Considerar uma resistência de germânio de tipo-n com 1 mm
2
de secção
e 1 cm de comprimento que possui uma densidade de impurezas dadoras N
d
=1,5x10
21
m
-3
.
Calcular a condutividade e a resistência da barra semicondutora a 300 K e a 410K. Admitir
que as mobilidades variam com o inverso da temperatura.
Dados: Ge(300K): ni=2,4x10
19
m
-3
; μ
n
=0,4 m
2
V
-1
s
-1
; μ
p
=0,2 m
2
V
-1
s
-1
; W
G
=0,66 eV.
Solução:
Ir-se-á admitir que a 300 K as impurezas estão todas ionizadas. Atendendo a que
d i
N n > então
0 d
n N = e
2
0 0
/
i
p n n = . Portanto, em equilibrio termodinâmico,
n
0
=1,5x10
21
m
-3
e p
0
=3,84x10
17
m
-3
. A condutividade
0 0
( )
n p
q n p σ = μ + μ e portanto σ= 96
S/m.De ( ) / R L S = σ obtém-se R=104,2 Ω. Aumentando a temperatura aumenta ni. O
valor de ni(410K)= 1,16x10
21
m
-3
, ver Exemplo 1.5. Neste caso já se não verifica
d i
N n >
e é necessário resolver o sistema que envolve as equações (1.16) e (1.18) obtendo-se
n
0
(410K)=2,1x10
21
m
-3
; p
0
(410K)=6,3x10
20
m
-3
. Por sua vez as mobilidades a T e a T’ estão
relacionadas através de μ(Τ’)=μ(T)(T/T’) pelo que μ
n
(410K)= 0,293 m
2
V
-1
s
-1
e
μ
p
(410K)=0,146 m
2
V
-1
s
-1
. Tira-se então (410 ) 113 / K S m σ = . Verifica-se que
( ) ( ) 410 300 K K σ > σ ou seja, o aumento da densidade de portadores domina
relativamente à diminuição das mobilidades. O aumento de temperatura foi
suficientemente elevado para que o semicondutor deixasse de se comportar como
fortemente extrínseco tipo-n e se encontre no limiar da região intrínseca de
funcionamento. Desprezando as variações das dimensões com a temperatura obtém-se
R(410K)= 88,5 Ω.

Se o semicondutor não for homogéneo a condutividade será diferente em várias
regiões do semicondutor e a expressão (1.116) já não é válida. É esse o caso das resistências
de circuito integrado que possuem uma condutividade à superfície superior à condutividade
nas camadas mais profundas. Na Fig. 1.34 mostra-se, de forma esquemática , uma resistência
SEMICONDUTORES 1.57
de circuito integrado constituida por uma camada de semicondutor extrínseco, de tipo
diferente da que constitui o substrato. Nesta resistência a concentração de dopante é máxima à
superfície e decresce até a uma distância b, junto ao substrato.


p+
p+ p
w
b
L
n
y
x
0
Contacto
metálico
Isolante
z

Fig. 1.34 - Resistência de circuito integrado.

Neste caso a resistência deve ser calculada de acordo com a relação:

( )
1
b
o
L
R
W
x dx
=
σ

(1.117)
em que L é o comprimento, W a largura e b a profundidade da resistência. Conhecida a
evolução da densidade de impurezas e da mobilidade com x é possível calcular o integral e de
seguida obter o valor da resistência. O cálculo do integral pode ser contudo difícil a não ser
que se façam algumas simplificações. No caso de uma distribuição da densidade de impurezas
N(x) do tipo gaussiano e com a densidade de portadores maioritários igual a N(x), com uma
mobilidade constante μ , ter-se-à:
( )
'
0
b
x dx qN σ = μ

(1.118)
em
'
N é a densidade de dopante por unidade de área. É importante realçar que o valor do
integral pode ser obtido através da medida duma resistência de semicondutor que possui uma
superfície quadrada (L=W). A relação (1.117) pode então escrever-se como

L
R R
W
=
¬
(1.119)
em que R
¬
é a resistência da camada e L/W representa o número de quadrados que descrevem
as dimensões superficiais da resistência. R
¬
tem as dimensões de Ω mas é especificado, por
convenção, em / Ω ¬. A título de exemplo, uma resistência de circuito integrado com L= 30
μm e largura W= 3 μm para a qual R
¬
= 300 / Ω ¬ possui um valor de 3 kΩ. A resistência da
camada ainda pode ser escrita na forma
SEMICONDUTORES 1.58

1
R
b
=
σ
¬
(1.120)
em que σ é a condutividade média da resistência calculada a partir de
( )
0
1
b
x dx
b
σ = σ

(1.121)
No exemplo anterior se se admitir que b= 5 μm então a condutividade média da resistência
vale 667 S/m.
A condutividade depende da temperatura através da mobilidade e da densidade de
portadores. Na Fig.1.35 mostra-se, para um semicondutor extrínseco, a variação da
condutividade com a temperatura. É possível distinguir três zonas: ionização, saturação e
intrínseca, correspondentes às zonas definidas para as curva da Fig. 1.16, relativa à variação
da densidade de portadores com a temperatura. É de realçar que só na zona de saturação há
uma diminuição da condutividade com o aumento da temperatura, em virtude de a densidade
de portadores se manter aproximadamente constante neste intervalo de temperaturas mas a
mobilidade descer.

intrínseca
saturação
ionização
log σ
Semicondutor tipo-n ou tipo-p
1/T 1/Ti

Fig. 1.35 – Variação da condutividade com a temperatura num semicondutor extrínseco.

Das considerações anteriores é importante notar que a condutividade, isto é, a
resistência dum semicondutor varia com a temperatura. Nos circuitos que envolvem
resistências de semicondutor poderá ser necessário ter em linha de conta este efeito para
garantir o seu funcionamento correcto.
A sensibilidade à temperatura das resistências de semicondutor pode no entanto ser
utilizada na implementação de sensores de temperatura. As resistências mais sensíveis à
temperatura são de semicondutor intrínseco e designam-se por termistores de coeficiente de
SEMICONDUTORES 1.59
temperatura negativo (NTC- Negative Temperature Coefficient) em virtude da resistência
diminuir com o aumento de temperatura. Termistores cuja resistência aumenta com o aumento
de temperatura designam-se por PTC - Positive Temperature Coefficient.
Os termistores NTC, independentemente de serem de material semicondutor ou não,
possuem uma lei de variação da resistência com a temperatura que é dada por

B
T
R Ae = (1.122)
em que A é uma constante de proporcionalidade com dimensões de Ω e B é uma constante
positiva que toma valores típicos da ordem de milhares de graus Kelvin. Na expressão (1.122)
T é a temperatura em K. De acordo com a expressão (1.122) a resistência dum termistor varia
de forma exponencial com a temperatura, Fig.1.36.


R
T
O
log R
1/T (a) (b)

Fig. 1.36 – Variação da resistência com a temperatura num termistor: (a) escala linear em função de T;
(b) escala logaritmica em função de 1/T.

Para um semicondutor intrínseco a resistência é dada por
1 L
R
S
i
=
σ
em que σ
i
é a
condutividade intrínseca dada por (1.113). Atendendo a que as mobilidades variam com
3/ 2
T


num semicondutor intrínseco, que a densidade intrínseca varia com a temperatura através da
expressão (1.13) e desprezando a variação das dimensões com a temperatura ter-se-à

(2 )
G
W kT
e
i

σ ∝ (1.123)
e portanto

(2 )
G
W kT
R e ∝ (1.124)
SEMICONDUTORES 1.60
Comparando (1.124) com (1.122) retira-se a constante A, que depende do material e das
dimensões, e a constante B que é expressa por

2
G
W
B
k
= (1.125)
A maioria dos termistores comerciais do tipo NTC são de material cerâmico e não de material
semicondutor por razões de natureza económica.
1.9. Efeito de Hall
O efeito de Hall resulta da acção conjunta dum campo eléctrico e magnético no
movimento dos portadores de carga num semicondutor. O efeito de Hall manifesta-se
sobretudo nos semicondutores extrínsecos fracamente dopados embora, de forma menos
evidente, também esteja presente nos semicondutores intrínsecos e metais.
Para os semicondutores extrínsecos o efeito de Hall pode ser analisado de forma
relativamente simples pois é suficiente considerar um único tipo de portadores, os
maioritários. A título de exemplo vai-se analisar o efeito de Hall num semicondutor
extrínseco tipo-n de forma paralelepipédica, no qual se estabeleceram quatro contactos em
duas direcções perpendiculares, Fig. 1.37. Entre os contactos A e B faz-se passar uma corrente
eléctrica constante de intensidade I. Sem campo de indução magnética B

, a tensão
H
U entre
os terminais C e D é igual a zero. Quando se aplica um campo estático B

, não
necessariamente uniforme, aparece entre C e D uma tensão
H
U diferente de zero e negativa,
se for aplicado como se mostra na Fig. 1.37. O efeito de Hall consiste no aparecimento da
tensão
H
U , designada por tensão de Hall.
A existência de corrente eléctrica permite associar a cada tipo de portadores de carga
uma velocidade média não nula. Nestas condições a acção dum campo B

dá origem a uma
força de natureza magnética, a força de Lorentz que, para os electrões, é dada por:
, F q v B
B n
⎡ ⎤
= −
⎢ ⎥
⎣ ⎦

(1.126)
e para os buracos
,
p
F q v B
B
⎡ ⎤
=
⎣ ⎦

(1.127)


SEMICONDUTORES 1.61

Fig. 1.37 - Configuração utilizada para o estudo do efeito de Hall

O vector força magnética tem o sentido e direcção definidos pelo produto externo e pelo sinal
da carga e um módulo dado por
( ) F q v B sen
B
= α

(1.128)
em que α é o ângulo que o vector velocidade faz com o vector B

, Fig.1.38. Se os vectores
forem perpendiculares α=90º e portanto F q v B
B
=

.


n
v

B
F

B

α
p
v

B
F

B

α
(a) (b)
buracos electrões

Fig. 1.38 – Vector força magnética para: (a) electrões e (b) buracos.

Consideremos então um semicondutor tipo-n e desprezemos a contribuição para a
corrente dos portadores minoritários, os buracos, Fig.1.39(a). De acordo com a relação
(1.126) e atendendo aos sentidos para
n
v

e B

, a força de natureza magnética
B
F

está
I
A
D C
B
I
y
/
z
/
x
/
z
y
x
tipo-n
B

U
H
SEMICONDUTORES 1.62
dirigida segundo – y e vale
n
F q v B
B
=

. A força dá origem a acumulação de carga
negativa nas regiões do semicondutor junto ao contacto C, estabelecendo-se por isso uma
diferença de potencial entre C e D, com o campo eléctrico dirigido de D para C. Deste modo a
tensão de Hall é negativa de acordo com o sentido convencionado na Fig. 1.39. Devido ao
aparecimento de uma componente do campo segundo y, o campo total no semicondutor não
será dirigido só segundo x. Ao ângulo formado entre o vector campo eléctrico e a sua
componente segundo x, designa-se por ângulo de Hall,
H
θ , que será tanto maior quanto maior
for o efeito de Hall. É de realçar que se o semicondutor fosse do tipo p e mantendo as
restantes condições, i.e., sentidos de I, B

,
H
U como na Fig. 1.39(b), então 0
H
U > . Este facto
resulta de que
B
F

tem o mesmo sentido que na situação em que o semicondutor é do tipo-n
pois há duas trocas de sinal: carga e velocidade. Assim, a acumulação de carga positiva é no
semicondutor junto a C. Deste modo, o efeito de Hall pode ser usado na determinação do tipo
de portadores maioritários de um semicondutor.















+
+
+
+
+
+

+
+
+
+
+
+
n
B

F
B

F
E

I
A
I
B
n
v

C D
0
H
U <
z
y
x













+
+
+
+
+
+

+
+
+
+
+
+
p
B

F
B

F
E

I
A
I
B
p
v

C D
0
H
U >
y E

E

(a) (b)
y E

x E

E

H
θ

Fig. 1. 39 – Efeito de Hall num semiconductor tipo-n (a) e num semiconductor tipo-p (b).

Nas condições da Fig. 1.39(a), e na situação estacionária, a força de natureza
magnética
B
F

é equilibrada pela força de natureza eléctrica
E
F

associada ao campo
y
E

.
SEMICONDUTORES 1.63
A força de natureza eléctrica
E
F

é dada por:
F qE
E y
= −

(1.129)
em que:
E E u
y y y
=

(1.130)
Da igualdade:
0 F F
E B
+ =

(1.131)
tira-se que:

x y
v B E = (1.132)
É de notar que:

v v u
x x
B Bu
z
= ⎧


=

(1.133)
Como:
I qnv
x y z
= − / / (1.134)
então:

1 IB
E
y
qn
y z
⎛ ⎞
= −
⎜ ⎟
⎝ ⎠
/ /
(1.135)
e portanto:

1 IB
U E
H y y
qn
z
⎛ ⎞
= = −
⎜ ⎟
⎝ ⎠
/
/
(1.136)
que se pode escrever como

H
IB
U R
H
z
=
/
(1.137)
em que

1
R
H
qn
= − (1.138)
se designa por constante de Hall.
Para semicondutores fortemente dopados, ou metais, R
H
é muito pequeno e portanto as
tensões de Hall são bastante baixas, e o efeito de Hall é dificilmente detectável. No sentido de
aumentar
H
U pode-se diminuir a espessura da amostra
z
/ . A importância do efeito de Hall é
enorme pois para além de permitir identificar o tipo de semicondutor extrínseco em análise,
SEMICONDUTORES 1.64
permite obter a densidade de portadores maioritários, conhecidos
z
/ , I, B

e
H
U , e pode ainda
ser utilizado na medida do campo B. As sondas de Hall são sensores de medida de B que se
baseiam no efeito de Hall.
Para semicondutores extrínsecos tipo-p, a expressão para tensão de Hall é idêntica a (1.137),
mas com a constante de Hall positiva, dada por:

1
R
H
qp
= (1.139)
No caso em que ambos os portadores, electrões e buracos, contribuem para a corrente
eléctrica, a constante de Hall é dada por:

( )
2 2
2
p n
n p
p n
R
H
q n p
μ − μ
=
μ + μ
(1.140)
Esta relação é geral e permite obter as relações (1.138) e (1.139) no caso particular dos
semicondutores serem extrínsecos tipo-n e tipo-p, respectivamente.

Exemplo 1.10 – Considere-se uma sonda de Hall de Si tipo-n, com a configuração da Fig.
1.37, que vai ser utlizada na determinação dum campo B

desconhecido existente numa
dada região do espaço. Admita que se mantém o sentido da corrente e o convencionado
para a tensão de Hall, U
H
, indicados na referida figura.
Ao estabelecer-se uma corrente I= 1mA obteve-se uma tensão de Hall U
H
= 0,5 V.
Sabendo que a densidade de electrões no semicondutor, a 300 K, é de 10
17
m
-3
e que
z
/ =
1mm, determinar o valor do campo B

e indicar o seu sentido.
Solução:
A partir da relação (1.136) obtém-se B= -8 mT. O sinal negativo significa que o sentido de
B

é o oposto ao indicado na Fig. 1.36.

1.10. Difusão
A difusão é um processo de transporte de partículas que resulta do seu movimento
aleatório nas três direcções do espaço, a uma dada temperatura. Este processo é bem
conhecido para as moléculas dum gás e caracteriza o movimento de partículas de regiões de
maior densidade para regiões de menor densidade. Com efeito, havendo igual probabilidade
de as partículas se movimentarem numa dada direcção, deverá existir uma corrente efectiva
SEMICONDUTORES 1.65
de partículas no sentido das densidades mais baixas. A difusão também tem lugar em líquidos
e sólidos e pode envolver, para além das moléculas dum gás, electrões, buracos e átomos de
impurezas.
Os electrões e buracos regem-se pela estatística de Maxwell-Boltzmann, no caso dos
semicondutores não-degenerados, e portanto podem ser olhados como um gás rarefeito de
partículas carregadas. Num semicondutor as condições necessárias e suficientes para haver
difusão dos portadores, temperatura e gradiante de densidades, encontram-se: num
semicondutor não homogéneo, quando a iluminação não é uniforme, quando há temperaturas
diferentes em regiões diferentes do semicondutor, etc. É importante realçar que a difusão dos
electrões e buracos, envolvendo partículas carregadas, dá origem a corrente eléctrica o que
não acontece com a difusão de partículas não-carregadas.
A visualização do processo de difusão pode ser feita recorrendo a um modelo
unidimensional simplificado, Fig. 1.40. Considere-se então que na coordenada x
A
há 8
partículas e em x
B
há 4 partículas, todas elas com movimento perfeitamente aleatório. Deste
modo, das 8 partículas em x
A
4 devem dirigir-se para a direita e 4 para a esquerda. Pela
mesma razão das 4 partículas em x
B
2 devem deslocar-se para a direita e 2 para a esquerda.
Numa coordenada intermédia existe pois um movimento efectivo de duas partículas para a
direita. No espaço tridimensional a difusão está associada a um movimento equiprovável da
partícula em qualquer direcção e sentido que, associado ao gradiante de densidades, garante
um fluxo de partículas da região de maior densidade para a de menor densidade.


x
A
x
B
x

Fig. 1.40 – Modelo unidimensional que exemplifica o processo de difusão.

Admite-se que a densidade de corrente de partículas por difusão
2 1
C m s
dif
− − ⎡ ⎤
⎢ ⎥
⎣ ⎦
é
proporcional ao gradiante de densidade sendo a constante de proporcionalidade o coeficiente
de difusão
2 1
D m s

⎡ ⎤
⎣ ⎦
. Atendendo a que o gradiante de densidade é um vector dirigido no
sentido das densidades crescentes, deverá escrever-se para os electrões
SEMICONDUTORES 1.66

dif
n n
C D grad n = −

(1.141)
e para os buracos

dif
p p
C D grad p = −

(1.142)
As respectivas densidades de corrente são:

ndif ndif n
J qC q D grad n = − =

(1.143)

pdif pdif p
J qC q D grad p = = −

(1.144)
Para os semicondutores não-degenerados os coeficientes de difusão e as mobilidades
estão ligados através das relações de Einstein:
D u
T
= μ (1.145)
em que

T
kT
u
q
= (1.146)
se designa por tensão característica da tempertura T. A T=300 K 0, 026 u V
T
= .
Assim, para os electrões e buracos, pode escrever-se

n T n
p T p
D u
D u
= μ
= μ
(1.147)
Para cada tipo de portador, a densidade de corrente, em geral, deverá pois conter dois
termos: o de condução e o de difusão. A densidade de corrente total é então expressa como:

n p
J J J = + (1.148)
em que

n ncond ndif
p pcond pdif
J J J
J J J
= +
= +
(1.149)
1.11. Equação da Continuidade
A equação da continuidade é uma equação diferencial que estabelece a lei de variação
no espaço e no tempo da densidade de electrões e dos buracos, sendo particularmente
importante na análise de algumas situações associadas a perturbações do equilíbrio
termodinâmico. Esta equação obtém-se por via fenomenológica, como se descreve a seguir.
SEMICONDUTORES 1.67
Num elemento de volume δV de semicondutor, que envolve o ponto P, a densidade de
portadores pode variar no tempo devido a dois factores: (a) um desequilíbrio entre o ritmo de
geração G e o ritmo de recombinação R, (b) um processo de transporte, condução e/ou
difusão, responsável pelo movimento de portadores de ou para o elemento de volume, Fig.
1.41.

C

n

δS
δV
P
*

Fig. 1.41 – Elemento de volume utilizado na formulação da equação da continuidade. δS representa a
superfície que envolve o elemento de volume δV, sendo n

a sua normal exterior. C

é a densidade de
corrente de partículas, dirigida segundo n

.

O desequilíbrio entre G e R é contabilizado em termos de [G-R]δV. Designando por C

a
densidade de corrente de partículas para o exterior, segundo a normal n

, o número de
partículas que entra em δV na unidade de tempo, é o fluxo de C

estendido a δS, a área que
envolve o volume considerado, e dado por

( )
, C n dS divCdV
S V
− = −
∫ ∫
δ δ

(1.150)
pelo teorema do fluxo de divergência. Com δV suficientemente pequeno e admitindo que não
há variações bruscas das densidades

V
divC dV divC V
δ
+ δ


= (1.151)
Assim pode-se escrever-se, para os electrões:
( )
n
n
n
V G R V divC V
t
∂ ⎛ ⎞
δ = − δ − δ
⎜ ⎟

⎝ ⎠

(1.152)
pelo que, para cada ponto do semicondutor
[ ]
n
n
n
G R divC
t

= − −


(1.153)
De igual modo para os buracos
SEMICONDUTORES 1.68
[ ]
p
p
p
G R divC
t

= − −


(1.154)
Atendendo a que a corrente pode ser de condução ou difusão, ter-se-á em geral:

dif cond
C C C = +

(1.155)
com

ndif n ncond n
pdif p pcond p
C D grad n C n E
C D grad p C p E
= − = − μ
= − = μ


(1.156)
Assim a equação da continuidade para os electrões e buracos poderá ser escrita como

[ ] ( )
[ ] ( )
n n
n
p p
p
n
G R D lap n div n E
t
p
G R D lap p div p E
t

= − + +μ


= − + −μ

(1.157)
Do lado direito da igualdade o primeiro termo está associado a um efeito local e os dois
termos restantes ao efeito de transporte de portadores duma região para a outra do
semicondutor. O segundo termo tem em linha de conta a difusão e o terceiro termo a
condução.
1.11.1. Exemplos de aplicação da equação da continuidade a várias
situações importantes

Caso 1: Semicondutor homogéneo tipo-p, iluminado uniformemente. Analisar a
evolução da densidade de electrões a partir do instante 0 t = , em que se corta a
iluminação. Considera-se injecção fraca.

Se o semicondutor é homogéneo e está iluminado uniformemente
0 divC =

, (1.158)
pelo que, para os electrões, a equação da continuidade será escrita como

dn
G R
dt
= − (1.159)
SEMICONDUTORES 1.69
Neste caso
0 0
G G rn p
ter
= = pois procuram-se as soluções para 0 t ≥ , quando não há
iluminação. Como
R r n p = (1.160)
ter-se-à:
( )
0 0
dn
r n p np
dt
= − (1.161)
Atendendo a que

0
0
'
'
n n n
p p p
= +
= +
(1.162)
virá:

0 0 0 0
' ' ' ' np n p n p n p n p = + + + (1.163)
Admitindo a situação de injecção fraca, isto é, só os minoritários são perturbados,
0
' p p << , pode escrever-se

0 0 0
' np n p n p + = (1.164)
porque
0
' n p é desprezável face a
0
' n p , em virtude de
0 0
p n >> , e ' ' n p é desprezável face
a
0
' n p pois
0
' p p << .
Deste modo

0
'
'
dn dn
r p n
dt dt
= = − (1.165)
Fazendo a substituição
0
1 ( )
n
rp τ = , virá então

' '
n
dn n
dt
= −
τ
(1.166)
cuja solução é
'( )
n
t
n t Ae
− τ
= (1.167)
em que A é uma constante de integração que vale '(0) A n = . A
n
τ costuma chamar-se tempo
de vida médio dos electrões e pode ser interpretado como o tempo que o excesso de electrões
leva em média até desaparecer por recombinação. Atendendo a que só os minoritários são
perturbados só faz sentido definir o tempo de vida médio para este tipo de portadores. Para
SEMICONDUTORES 1.70
n
t = τ o excesso de electrões atinge o valor de 1/e do valor em 0 t = . Usualmente considera-
se que os excessos estão praticamente recombinados para 4
n
t ≥ τ , a que corresponde a ter
uma densidade de excessos
4
' '(0) 1, 8% '(0) n e n n

≤ = . Os valores do tempo de vida médio
dos portadores minoritários apresentam grandes variações pois dependem da densidade e tipo
de centros de recombinação no semicondutor. No Sílicio os tempos de vida médio podem
variar de dezenas de μs a alguns ns.
Na Fig. 1.42 está representado o andamento de '( ) n t para dois valores do tempo de
vida dos electrões. No gráfico o tempo de vida é dado pela distância à origem do ponto de
intersecção, com o eixo das abcissas, da tangente à curva na origem.
O valor de '(0) n pode também ser obtido por aplicação da equação de continuidade
para os electrões. Se em 0 t

= tivermos atingido a situação estacionária com iluminação e que
o ritmo de geração por efeito fotoeléctrico é dado por
fe
G poder-se-à escrever
0 G R = − (1.168)
em que
fe ter
il il
G G G
R r n p
= +
=
(1.169)

sendo e
il il
n p as densidades de electrões e buracos respectivamente sob iluminação
uniforme.
Nas condições de injecção fraca ter-se-á então

'(0)
0 '(0)
fe fe n
n
n
G n G = − ⇒ = τ
τ
(1.170)


n’
n’(0)
t
0 τ
n1

τ
n2


Fig. 1.42 – Evolução de n’(t) a partir do instante em que se corta a iluminação
para dois valores do tempo de vida dos electrões τ
n2

n1
.
SEMICONDUTORES 1.71
Caso 2: Semicondutor homogéneo tipo-p, iluminado uniformemente. Analisar a
evolução da densidade de electrões a partir do instante 0 t = , em que se
estabelece a iluminação. Considera-se injecção fraca.

Para os electrões a equação da continuidade escreve-se como

dn
G R
dt
= − (1.171)
Neste caso

fe ter
G G G = + (1.172)
No seguimento do estudo feito para o Caso 1 pode escrever-se,

0
' ' 1
fe n
n
dn n
G
dt rp
= − + τ =
τ
(1.173)
cuja solução é dada por

/
'( )
n
t
fe n
n t Ae G
− τ
= + τ (1.174)
em que o primeiro termo da expressão corresponde à solução da equação diferencial
homogénea e o segundo termo à solução particular da equação diferencial.
A constante de integração A é obtida pela condição de fronteira
0 ' 0
fe n
t n A G = = ⇒ = − τ (1.175)
pelo que

( )
n
t
fe n
n '(t) G 1 e
− τ
= τ − (1.176)
Na Fig. 1.43 está representada a evolução de n '(t) nestas condições.


n’
G
fe
τ
n

τ
n

t
0

Fig. 1.43 – Evolução de n’(t) supondo que no instante t=0 se estabelece a iluminação.

SEMICONDUTORES 1.72
Neste caso, também se convenciona que a situação estacionária está praticamente
alcançada quando 4
n
t ≥ τ . Nestas condições, a diferença entre o valor de '( ) n t e o valor final
é menor que
( )
4
fe n
G e τ ou seja um erro inferior a 1,8%. É de realçar que neste contexto
n
τ
representa o tempo que em média o excesso de electrões leva a atingir o valor final.
Na Fig. 1.44 mostra-se a evolução dos excessos numa situação em que se combinam os
resultados obtidos nos casos anteriores e se admite que, durante a iluminação, foi atingida a
situação estacionária.


n’
G
fe
τ
n

τ
n

t
0
τ
n

G
fe

t

Fig. 1.44 – Evolução de n’(t) quando se combinam as soluções obtidas na Fig. 1.41 e 1.42.

Caso 3: Difusão com recombinação na situação estacionária. Despreza-se o efeito do
campo eléctrico.

A título de exemplo considere-se um semicondutor tipo-p em regime estacionário
sujeito a uma perturbação que só afecta os portadores minoritários, neste caso os electrões
(injecção fraca). Admita-se que na região em análise não há iluminação, isto é, G G
ter
= .
Estas condições têm lugar numa situação muito importante e que envolve os díodos de
junção quando sujeitos a uma tensão constante entre os seus terminais, como se irá estudar em
pormenor no próximo capítulo. Pode-se contudo adiantar que a relação corrente-tensão para o
díodo assenta nas soluções da equação da continuidade para os portadores minoritários do
lado p e n nas condições referidas.
Uma outra situação que corresponde às condições indicadas está representada na Fig.
1.45. A iluminação é constante e absorvida numa fatia estreita junto à superfície do
SEMICONDUTORES 1.73
semicondutor. O caso em análise permite obter, fora da zona iluminada e na situação de
injecção fraca, a evolução no espaço dos portadores minoritários.

Na situação correspondente à Fig. 1.45 embora não haja campo eléctrico aplicado
exteriormente existe campo eléctrico local que está associado à diferença de mobilidades dos
electrões e buracos. É fácil de ver que havendo excesso de electrões e buracos na fatia
iluminada eles tendem a fluir por difusão para a fatia não iluminada. Como os electrões têm
mobilidade superior à dos buracos os electrões vão à frente e portanto estabelece-se um
campo eléctrico local dirigido do lado não iluminado para o lado iluminado. O efeito deste
campo é mais importante para os maioritários e portanto vai-se desprezar a sua contribuição
para os minoritários o que facilita a resolução da equação da continuidade correspondente.


x
O
G
fe

Semicondutor extrínseco
b

Fig. 1.45 – Uma configuração possível para o estudo da difusão com recombinação dos minoritários.

Para os electrões a equação da continuidade deverá ser escrita como
[ ] 0
n
n
G R D lap n = − + (1.177)
Se se assumir um modelo unidimensional e injecção fraca ter-se-à

2
2
'
0
n
n
n d n
D
dx
= − +
τ
(1.178)
Notando que
2 2
2 2
' d n d n
dx dx
= pois
0
' n n n = + a equação diferencial toma a forma

2
2 2
' '
0
n
d n n
dx L
− = (1.179)
em que
n n n
L D = τ [m] é designado por comprimento de difusão.
SEMICONDUTORES 1.74
A solução geral para a equação anterior é do tipo
'( )
n n
x L x L
n x A e B e

= + (1.180)
em que A, B são constantes de integração que dependem das condições de fronteira.
Analisaremos duas situações importantes (i) cristal semi-infinito; (ii) cristal finito.

(i) Cristal semi-infinito

1
0 '
' 0
x n n
x n
′ = =
→∞ =

Estas condições de fronteira indicam que a perturbação estabelece um excesso
1
n′ em
0 x = mas longe, quando x →∞, a perturbação deixa de se fazer sentir, ou seja
0
' 0 n n n = ⇔ = o valor de equilíbrio termodinâmico. Esta última condição impõe
0 B = e por isso
1
A n′ = .
Assim a solução para este tipo de perturbação é dada por

1
'( )
n
x L
n x n e

′ = (1.181)
e está representada na Fig. 1.46 onde se dá a interpretação gráfica de
n
L .


n’
n
1

L
n

x
0

Fig. 1.46 – Evolução de n’(x) para um cristal semi-infinito.

No contexto deste resultado
n
L representa a distância que em média os minoritários
percorrem por difusão até se recombinarem. Também neste caso se poderá dizer que a maioria
dos excessos se recombinam desde que estejamos a uma distância da origem maior ou igual a
4
n
L . Para
n
x L = a densidade de excessos é
1
n e ′ . A solução obtida para um cristal semi-
infinito será válida para os cristais cuja dimensão segundo x é muito maior que L
n
.
É de realçar a semelhança dos gráficos relativos a esta situação e à correspondente ao
SEMICONDUTORES 1.75
Caso1. Contudo é bom realçar que no Caso 1 a densidade de excessos varia no tempo e não
no espaço e neste caso ela varia no espaço mas é invariante no tempo.

(ii) Cristal finito
Neste caso as condições de fronteira são:
1
2
0 '
'
x n n
x b n n
′ = =
′ = =

isto é, a perturbação faz-se sentir em ambos os extremos da fronteira. Os valores de A e
B obtêm-se a partir do sistema de equações

'
1
/ /
'
2
n A B
b L b L
n n
n Ae Be

= +




= +

(1.182)
Após alguma manipulação matemática ter-se-à

( )
1 2
1
'( )
n n n
b x x
n x n sh n sh
sh b L L L
⎡ ⎤ ⎛ ⎞ ⎛ ⎞ −
′ ′ = +
⎢ ⎥ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎢ ⎥
⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎣ ⎦
(1.183)
em que sh traduz a função seno-hiperbólico. A relação (1.183) está representada na
Fig.. 1.47 pela linha contínua. Para cristais curtos,
n
b L << ,

( )
1 2
1
n n
n '(x) n x
b
′ ′ −
′ − = (1.184)
e encontra-se representada na Fig.1.47 pela recta a tracejado.

n’
n
1

n
2

x
0
b

Fig. 1.47 – Evolução de n’(x) para um cristal finito (linha contínua)
e um cristal curto,
n
b L << (linha a tracejado).

SEMICONDUTORES 1.76
Exemplo 1.11 – Suponha que nas condições da Fig. 1.45, em que o semicondutor é Si
tipo-n, com N
d
= 10
19
m
-3
, existe em x=0 uma densidade de excessos de buracos Δp=
10
14
m
-3
. Pretende-se calcular a distância a partir da qual a densidade de buracos difere de
menos de 1% do valor de equilíbrio termodinâmico. Calcular também a densidade de
corrente de difusão em x=0 e x= L
p
. Para o Si, a 300K, admite-se que τ
p
= 10 μs, μ
p
= 0,045
m
2
V
-1
s
-1
, n
i
= 10
16
m
-3
e que o cristal possui um comprimento b= 1mm.
Solução:
A situação em estudo corresponde ao caso 3, analisado nos parágrafos anteriores. Antes
de mais vamos verificar se o cristal é ou não semi-infinito, para podermos escolher a
solução correcta para a evolução dos excessos com a distância x. Nesse sentido vai-se
calcular o valor de L
p
. e vamos comparar o resultado com a distância b. Atendendo a que
p T p
D u = μ e
p p p
L D = τ obtém-se L
p
= 0,108 mm que é muito menor que b= 1 mm.
Verifica-se portanto a condição de cristal semi-infinito e a solução pretendida é dada por
(1.181). Pretende-se determinar a coordenada x
1
tal que p(x
1
)-p
0
< 1% p
0
ou seja p’(x
1
)<
1% p
0
. Atendendo a que
/
'( ) '(0)
p
x L
p x p e

= ter-se-à
1
/
0
'(0) 0, 01
p
x L
p e p

< . Como n
0
= 10
19
m
-
3
ter-se-à p
0
= 10
13
m
-3
e portanto x
1
>0,75 mm. A densidade de corrente de difusão é dada
por (1.144) e portanto
/
'(0)
( )
p
x L p
pdif
p
qD p
J x e
L

= . Portanto J
pdif
(0)= 173 μA/m
2
e
J
pdif
(L
p
)=63,6 μA/m
2
.

ÍNDICE CAP. 1 - SEMICONDUTORES
Pág. 1.1 1.2 1.3 1.4 Introdução ................................................................................................................... 1.1 Semicondutores simples e compostos ....................................................................... 1.2 Modelo das ligações covalentes e das bandas de energia ........................................ 1.8 Semicondutores compostos ternários e quaternários. Variação das propriedades com a composição ...................................................... 1.13 1.5 Semicondutores intrínsecos e extrínsecos em equilíbrio termodinâmico ............ 1.18 1.5.1 Semicondutores intrínsecos ......................................................................... 1.18 1.5.2 Semicondutores extrínsecos ......................................................................... 1.22 1.6 Geração e Recombinação ........................................................................................ 1.29 1.6.1 Efeito fotoeléctrico interno .......................................................................... 1.31 1.7 Cálculo de n e p em semicondutores não degenerados ......................................... 1.34 1.7.1 Electrão num poço de potencial de altura infinita .................................... 1.34 1.7.2 Densidade de estados em energia ............................................................... 1.36 1.7.3 Densidade de estados em energia para os electrões num cristal .............. 1.39 1.7.4 Estatística de Fermi-Dirac ........................................................................... 1.40 1.7.5 Cálculo da densidade de electrões e buracos no semicondutor ................ 1.44 1.7.5.1 Localização do nível de Fremi no semicondutor intrínseco e extrínseco .................................................................... 1.46 1.7.5.2 Densidade intrínseca. Variação com a temperatura ................... 1.47 1.8 1.9 Condução .................................................................................................................. 1.49 Efeito de Hall ............................................................................................................ 1.60

1.10 Difusão ....................................................................................................................... 1.64 1.11 Equação da continuidade ........................................................................................ 1.66 1.11.1 Exemplos de aplicação da equação da continuidade a várias situações importantes ....................................................................... 1.68

Contudo. isto é. algumas características associadas à condutividade eléctrica e que permitem estabelecer uma classificação mais precisa dos vários tipos de materiais. Alterações muito pequenas nos ângulos de ligação e nas distâncias entre os átomos são . Uma estrutura cristalina é caracterizada por uma disposição ordenada e regular dos átomos no espaço. Sendo assim o valor da condutividade por si só não é em geral suficiente para determinar se o material é ou não semicondutor. em geral. os valores de condutividade para os semicondutores podem sobrepor-se aos valores referenciados para os isolantes e condutores.1 apresentam-se. entre os átomos vizinhos mais próximos. Introdução Os materiais semicondutores vão colher a sua designação ao facto de.SEMICONDUTORES 1.1. nos extremos do intervalo. Na Tabela 1. No material amorfo a ordem só é mantida a curta distância.1 Condutividade eléctrica para vários tipos de materiais. Tabela 1. possuírem um valor de condutividade eléctrica que é inferior ao dos materiais condutores mas superior ao dos materiais isolantes. No entanto é usual designar por microcristal todo aquele em que o tamanho dos cristais constituintes é suficientemente pequeno para só poderem ser observados com ajuda dum microscópio. de forma simplificada. O material policristalino engloba todas as situações em que o material pode ser visto como um agregado de cristais com várias orientações e tamanhos. Material Condutor Semicondutor Isolante Condutividade (S/m) 10 5 – 10 8 10 -8 – 10 6 10 -16 Variação com a subida da temperatura diminui aumenta aumenta Tipo de portadores de carga Electrões Electrões e buracos Iões e electrões – 10 -7 A estrutura do material semicondutor pode ser cristalina. Esta classificação exige ainda a análise do tipo de variação de condutividade com a temperatura e do tipo de portadores de carga responsáveis pela condução eléctrica. amorfa ou policristalina.

são responsáveis por uma alteração significativa das suas propriedades eléctricas e ópticas. GaAs. em geral. A disposição espacial dos átomos corresponde a ter um deles no centro dum tetraedro e os quatro átomos vizinhos nos vértices do tetraedro. Si Si Si Si Si Fig. Os semicondutores compostos puros possuem átomos de vários elementos da Tabela Periódica. 1. .1. que possuem centros. SiGe. no centro do tetraedro. para o Si e Ge. Os materiais amorfos são isotrópicos enquanto que os materiais cristalinos.2 SEMICONDUTORES suficientes para que a estrutura resultante deixe de apresentar a regularidade e ordem característica dos cristais. são anisotrópicos. etc. Estes elementos possuem uma configuração electrónica caracterizada por quatro electrões de valência.2. eixos ou planos de simetria claramente definidos. É de realçar que quer os semicondutores simples quer os semicondutores compostos podem ter alguns dos seus átomos de base substituídos por outros. Fig. 1. Semicondutores simples e compostos Os materiais semicondutores simples puros são constituidos por átomos de um único elemento da Tabela Periódica. exige a inclusão de mais quatro electrões que.1. que pertencem ao grupo IV da Tabela Periódica. por exemplo.1 – Disposição espacial dos átomos de Si no cristal onde se evidencia a ligação covalente de um átomo de Si. A configuração electrónica estável. isto é. aos 4 átomos vizinhos nos vértices do tetraedro. designados por impurezas de substituição que. 1. Os semicondutores simples mais importantes são o Si e o Ge. como é o caso do Silício (Si) ou do Germânio (Ge). InGaAsP. se obtêm através de ligações covalentes entre um átomo do elemento com quatro átomos vizinhos. com orbitais p parcialmente preenchidas.2. InGaAs. com as orbitais p completamente preenchidas. Tabela 1. embora numa concentração muito reduzida relativamente aos átomos de base.

99 13.36 4.65 4.7 CUB 53.79 6.09 10. é um cubo caracterizado pelo valor da sua aresta.8 TET 505 TET 904 ROM 723 HEX 387 ORT 161.95 11. em que uma delas de deslocou relativamente à outra ao longo de uma diagonal interior.13 5.6 3. 1.2.3 Tabela 1.51 5.96 2.83 1. Havendo 8 átomos por célula unitária então o número de átomos de Si num cm3 é 8/1. Legenda Nome Nº atómico Gases Raros Hélio 2 5 Boro Constante de rede (Å) Símbolo Massa específica (g/cm3) He 3A 4A 5 Carbono 6 Azoto 5A 6A 7 Oxigénio 8 Flúor 7A 3.SEMICONDUTORES 1.8 3. Exemplo 1.32 4.3 RBD 577 HEX 601 CFC 544.67 4.62 4.94 6.47 2.5 CFC 1s22s22p1 1s22s22p2 1s22s22p3 1s22s22p4 1s22s22p5 1s22s22p6 Alumínio 13 Silício 14 Fósforo 15 Enxofre 16 Cloro 17 Argon 18 Al 1B Cobre 2B 29 Zinco Si P S Cl Ar 4.73 2.70 5.43 2.27 4.3 CUB 386 ORT 172. Solução: A constante de rede para o Si é 5.07 6.77 1234 CFC 594 HEX 429.24 7.57 0.2 ORT 83.179 1 /26atm) HEX 1s2 9 Néon 10 B 8.78 933 CFC 1683 DIA 317.51 6.34 2600 TET 2 2 1 1s 2s 2p Temperatura de fusão (K) Boro Configuração Electrónica Rede cristalina B C N O F Ne 8. designada por rede do diamante. Para ter uma ideia das ordens de grandeza em causa tentemos imaginar os 5x1022 átomos dispostos em linha. Fig.17 1.72 4. Se tomarmos o raio do átomo de Si como sendo 1 Ǻ o comprimento total é de 1010 km.43 x10-8 cm e por isso o volume da célula unitária é 1.82 7.45 6.06 19.6x10-22= 5x1022.3 HEX 54.30 4.46 11.1 – Determinar o número de átomos de Si num cm3 e num m3.33 7. Esta célula básica.03 6.4 4. É a repetição periódica deste cubo nas três direcções do espaço que vai dar origem ao cristal.07 1356 CFC 693 HEX 303 ORT 1211 DIA 1090 ROM 490 HEX 266 ORT 116.57 2.96 8.10 5.09 5.59 7.75 9.66 5.4 1337 CFC 234. Este valor corresponde à distância de ida e volta da Terra a Plutão !!! Convém recordar que a distância Terra-Lua é muito menor ~4x105 km.75 9.34 3.66 7.6x10-22 cm3. isto é 5x1028 átomos.05 2.72 3.14 4.3 2.5 MCL 24.24 2.97 4. . a constante de rede.2 Parte da Tabela periódica onde se indicam os grupos que contêm elementos que entram na constituição dos semicondutores.43 1.4) CFC Au Hg Ti Pb Bi Po At (202) Rn [Xe]4f 5d 6s26p6 14 10 4.039 1.5 CFC 10 1 10 2 10 2 1 10 2 2 10 2 3 10 2 4 10 2 5 10 2 6 [Ar]3d 4p [Ar]3d 4s [Ar]3d 4s p [Ar]3d 4s p [Ar]3d 4s p [Ar]3d 4s p [Ar]3d 4s p [Ar]3d 4s p Prata 47 Cádmio 48 Índio 49 Estanho 50 Antimónio 51 Telúrio 52 Iodo 53 Xenon 54 Ag Cd In Sn Sb Te I Xe 4.5 ROM 527 CUB (575) 14 10 2 1 14 10 2 2 14 10 2 3 14 10 2 14 10 1 14 10 2 [Xe]4f 5d 6s 6p [Xe]4f 5d 6s 6p [Xe]4f 5d 6s 6p [Xe]4f 5d 6s 6p4 [Xe]4f145d106s26p5 [Xe]4f 5d s [Xe]4f 5d s Uma certa disposição no espaço de quatro destes tetraedros é que vai dar origem à célula básica da estrutura cristalina.9 CFC 2 3 2 4 2 5 2 6 2 1 2 2 [Ne]3s 3p [Ne]3s 3p [Ne]3s 3p [Ne]3s 3p [Ne]3s 3p [Ne]3s 3p 30 Gálio 31 Germânio 32 Arsénico 33 Selénio 34 Bromo 35 Kripton 36 Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr 3.56 2600 TET 4300 DIA 63.43 1.91 5. A rede do diamante possui 8 átomos (4 do interior mais 6×1/2 das faces mais 8×1/8 dos vértices) e pode ser visualizada em termos de duas redes cúbicas de faces centradas.61 8.82 10.85 4.5 2.26 1.20 3.26 4.73 2.31 5.3 CFC [Kr]4d105s1 [Kr]4d105s2 [Kr]4d105s25p1 [Kr]4d105s25p2 [Kr]4d105s25p3 [Kr]4d105s25p4 [Kr]4d105s25p5 [Kr]4d105s25p6 Ouro 79 Mercúrio 80 Tálio 81 Chumbo 82 Bismuto 83 Polónio 84 Astato 85 Radon 86 (4. Num m3 há 106 vezes mais.

Os semicondutores compostos binários mais importantes são obtidos por combinação de dois elementos do grupo IV da Tabela Periódica: SiC.3 referem-se alguns semicondutores binários constituidos por elementos dos grupos III-V e os semicondutores compostos ternários correpondentes. Na Tabela 1. dois elementos dos grupos III-V: InP. . Esta substituição é possível pois A e C são átomos do mesmo grupo da Tabela Periódica.. ou dois elementos dos grupos II-VI: ZnS. ZnTe.4 SEMICONDUTORES Fig. 3 ou 4 elementos diferentes. SiGe. Com os binários AB e CB é então possível obter o ternário AxC1− x B em que 0 ≤ x ≤ 1. Os semicondutores compostos são designados por binários. Genericamente. neste caso CB.. Os semicondutores compostos quaternários são constituídos por quatro elementos diferentes e são obtidos a partir de 4 semicondutores binários.1. O parâmetro x traduz a concentração de A relativamente a C.. o semicondutor . A associação de x ao átomo A rege-se pela convenção de que para x = 0 o binário correspondente. para além de possuirem um elemento em comum. GaP. O ternário resulta da substituição de átomos C em CB por átomos A de AB ou vice-versa. Os semicondutores compostos ternários são obtidos a partir de dois semicondutores binários que.. deve ter a banda proibida mais baixa. 1... CdS. os outros dois elementos pertencem ao mesmo grupo da Tabela Periódica. ternários ou quaternários consoante sejam constituídos por 2. GaAs..2 – Rede do diamante. É de realçar que para x = 0 se tem o semicondutor binário CB e que para x = 1 se tem AB.

GaAs e GaP.D). pertencem ao mesmo grupo da Tabela Periódica. Fig. Os elementos de cada conjunto.B) e (C. Os binários de partida são portanto AC.3 Alguns semicondutores compostos binários e os ternários correspondentes Binários AlAs GaAs GaP GaAs GaP InP InAs InP GaSb InSb GaAs InAs Ternários AlxGa1-xAs GaAs1-xPx In1-xGaxP InAs1-xPx In1-xGaxSb In1-xGaxAs A utilização dos semicondutores compostos no fabrico de lasers e fotodetectores com elevado desempenho tem sido objecto de intensa investigação. Al Ga As Sb x 1− x y 1− y In Ga As Sb x 1− x y 1− y e Tabela 1. No caso dos semicondutores compostos binários a célula básica é idêntica à do diamante no entanto. A existência de mais que um elemento na rede cristalina exige uma tecnologia mais exigente no fabrico dos cristais. Os quaternários constituem por isso os materiais mais difíceis de obter e portanto com um processo de fabrico mais caro. como a sua tecnologia de fabrico permite obter cristais de elevada perfeição. Outros quaternários obtidos experimentalmente são o . derivado dos binários InAs. que não envolvem a emissão de luz. Contudo. a seguir ao oxigénio. Não só o Si é o segundo elemento mais abundante na crosta terrestre. AD. BC e BD. o Si continua a ser o semicondutor mais utilizado.3. Um dos semicondutores quaternários mais importantes é o InxGa1-xAsyP1-y. A maior parte dos semicondutores compostos cristalizam na rede de zincoblenda. InP.5 quaternário pode ser escrito como Ax B1− xC y D1− y em que (0 ≤ x ≤ 1 e 0 ≤ y ≤ 1) .SEMICONDUTORES 1. os átomos no interior da célula são de tipo diferente dos que estão nos . 1. nas aplicações mais correntes. Só as suas propriedades excepcionais é que os tornam economicamente viáveis no fabrico de dispositivos comerciais. (A.

na ligação entre vizinhos mais próximos. A constante de rede é o valor da aresta do cubo. e. Nos semicondutores ternários só os átomos de um dado elemento é que são substituídos por átomos de outro elemento do mesmo grupo cuja concentração relativa aos átomos que substitui é medida em termos do parâmetro x. NaCl. uma relativamente à outra ao longo da altura.3 – Rede de Zincoblenda.1. Há alguns semicondutores que. e. envolve dois parãmetros: a aresta da base a e a altura do prisma c. cada uma com o seu tipo de átomos. possui uma componente iónica.g. dependendo das condições de fabrico. A rede do Sal das Rochas é uma rede cúbica simples em que os átomos são alternadamente do mesmo tipo. . Fig. GaN.g. cristalizam noutro tipo de redes cristalinas: a rede da Wurtzite e do Sal das Rochas. A constante de rede. ou duas redes cúbicas de faces centradas. os átomos no centro do tetraedro são diferentes dos que estão nos vértices. Pode acontecer que o mesmo semicondutor possa manifestar mais que uma estrutura cristalina. Neste caso a ligação entre um átomo e os seus vizinhos mais próximos não é covalente pura. É o caso do ZnS e CdS que podem ser obtidos com a rede de zincoblenda ou a rede da wurtzite. cada uma delas com o seu tipo de átomo. PbS. 1.6 SEMICONDUTORES vértices e faces do cubo. Nos quaternários são dois elementos de grupos diferentes que irão ser parcial ou totalmente substituídos por outros dois elementos dos grupos correspondentes. Fig. devido a haver distorção das nuvens electrónicas em virtude dos átomos pertencerem a grupos diferentes na Tabela Periódica.4. neste caso.. Esta configuração deve-se a que. CdS. A rede da Wurtzite pode ser olhada como duas redes hexagonais compactas deslocadas. 1..

). É interessante notar que a rede C.S. rede cúbica de corpo centrado (C.4 – Rede da Wurtzite (a) e do Sal das Rochas (b).S.F.C. rede cúbica de faces centradas (C.C.S.C.C.S. As redes cristalinas dos materiais semicondutores podem ser olhadas em termos de redes cristalinas mais simples..S. (1 átomo/Célula) a C. Estes diagramas são as peças essenciais para a compreensão das propriedades eléctricas e ópticas dos materiais e subsequente fabrico de dispositivos. (3 átomos/Célula) Na Tabela 1.) e rede hexagonal (H. As redes cristalinas elementares são: rede cúbica simples (C.C.4 indicam-se a rede cristalina e a constante de rede para vários semicondutores simples e compostos.). (4 átomos/Célula) a H.SEMICONDUTORES 1. (2 átomos/Célula) a C. . Este aspecto é muito importante no contexto da descrição matemática das redes cristalinas mais complexas com vista à obtenção dos correspondentes diagrama de bandas.C.7 Fig.C.F.). 1. c a C.C. pode ser obtida a partir de duas redes C.

82.56683 5.4620 IV-IV III-V II-VI IV-VI * D = Diamante.6533 a=3. para o Si.4512 6. Modelo das ligações covalentes e das bandas de energia As propriedades eléctricas e ópticas dos materiais semicondutores podem ser analisadas de forma simplificada recorrendo ao modelo das ligações covalentes e/ou ao do modelo das bandas de energia.0584 5. c=15.4 Rede cristalina e constante de rede para vários semicondutores. W = Wurtzite.43095 5.050 6.4794 5.086. Estes modelos estão representados simplificadamente na Fig.64613 6. 1 Å= 10-8 cm. c=6.9362 6.4510 6. 1.8320 a=4. .26 5.8686 6.1.482 4. R = Sal das rochas.5.420 a=3. c=6.185 5.0959 6.3.6150 4.580 5.756 6.1355 3.48920 a=3.6605 5.189.16.117 5.5380 5. Grupo IV Elemento ou Composto C Si Ge Sn SiC AlAs AlP AlSb BN BP GaAs GaN GaP GaSb InAs InP InSb CdS CdS CdSe CdTe ZnO ZnS ZnS PbS PbTe Nome Carbono (diamante) Silício Germânio Estanho Silício carbono Arsenieto de alumínio Fosforeto de alumínio Antimonieto de alumínio Nitreto de boro Fosforeto de boro Arsenieto de Gálio Nitreto de Gálio Fosforeto de Gálio Antimonieto de Gálio Arsenieto de Índio Fosforeto de Índio Antimonieto de Índio Sulfureto de Cádmio Sulfureto de Cádmio Seleneto de Cádmio Telureto de Cádmio Óxido de Zinco Sulfureto de Zinco Sulfureto de Zinco Sulfureto de Chumbo Telureto de Chumbo Rede Cristalina* D D D D W Z Z Z Z Z Z W Z Z Z Z Z Z W Z Z R Z W R R Constante de rede a 300 K (Å) 3.8 SEMICONDUTORES Tabela 1. Z = Zincoblenda. 1. c=5.

Um electrão que se soltou da ligação covalente deixou de estar partilhado pelos átomos. WC neste diagrama está associado ao mínimo absoluto da banda de condução e WV ao máximo absoluto da banda de valência. O modelo das ligações covalentes consiste numa representação bidimensional dos átomos no espaço onde se explicitam as ligações entre cada átomo e os 4 átomos vizinhos correspondentes à partilha de 2 electrões com cada um deles.SEMICONDUTORES 1. Por cada electrão nestas condições haverá uma ligação incompleta que é usualmente representada por uma linha a tracejado unindo os dois átomos.1. Define-se electrão-Volt (eV) como sendo a variação de energia cinética dum electrão quando submetido a uma diferença de potencial de 1 V e portanto 1 eV= 1. em que se mostra a evolução da energia dos electrões em função da distância. A existência duma banda proibida é . O modelo das bandas simplificado está representado na Fig. (b) Modelo das bandas. é um parâmetro característico dos semicondutores. Este modelo deve ser utilizado com precaução pois apresenta algumas limitações importantes nomeadamente no que se refere a algumas características inerentes ao electrão como partícula quântica: é o caso da indescernibilidade e da impossibilidade de localização precisa do electrão num dado ponto do espaço.9 T=0K +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 WC WG WV T=0K (a) (b) Fig. 1.5(a).5(b).6x10-19J. para uma dada temperatura.5 – (a) Modelo das ligações covalentes. A 0 K as ligações estão todas completas e portanto a representação é a que se indica na Fig. para o Si a 0 K. Os valores de energia entre WC e WV constituem uma banda proibida com uma altura WG = WC − WV que.1. Um electrão partilhado é representado por um segmento de recta que une dois átomos. normalmente expresso em eV (electrão-Volt).

Contudo WG dos semicondutores é menor que WG dos isolantes. Fig. a 0 K. Nos semicondutores de banda directa as transições de electrões envolvem basicamente variações de energia e portanto quando um electrão transita da banda de condução para a banda de valência a energia é fornecida sob a forma dum fotão com um valor próximo de WG. há que incluir também alterações do momento. 1. Nos semicondutores de banda directa o topo da banda de valência e o mínimo absoluto da banda de condução estão associados ao mesmo valor do momento. Em princípio. A relação energia-momento é uma forma mais elaborada e mais completa para apresentar o andamento das bandas. Nos metais as bandas de condução e valência sobrepõem-se não havendo portanto uma banda de energia proibida. Há duas representações básicas possíveis e que envolvem o que se designa por semicondutores de banda directa e semicondutores de banda indirecta.6. No entanto. 1.1. . (b) Semicondutores de banda indirecta.6 – (a) Semicondutores de banda directa. está totalmente preenchida.10 SEMICONDUTORES característica dos semicondutores e isolantes. De acordo com o modelo das bandas referido só é possível caracterizar as transições entre bandas em termos da alteração do valor da energia do electrão. um isolante possui WG > 4 eV. Os electrões partilhados possuem energias na banda de valência que. W W WC WG WV p WC WV WG p (a) (b) Fig. A uma temperatura superior a 0 K há ligações que se partem pelo que vai haver electrões na banda de condução com energias próximas de WC. em geral. Nos semicondutores de banda indirecta o mínimo absoluto da banda de condução e o máximo absoluto da banda de valência estão associados a valores diferentes do momento.

16 1.84 0.35 2.23 1.42 1.42 2.42 2.17 0. Altura da banda proibida (eV) Semicondutor Elemento C Si Ge Sn α-SiC AlAs AlSb GaN GaSb GaAs GaP InSb InAs InP CdS CdSe CdTe ZnO ZnS PbS PbTe 300 K 5.70 1.48 1.12 0. 63 × 10−34 Js .68 3.48 3.11 Estes materiais são os mais adequados para o fabrico de dispositivos emissores de luz.996 2.47 1.17 0. .31 0K 5. h = 6. Tabela 1.36 1. As transições nos semicondutores de banda indirecta envolvem energia e momento.50 0.34 0. Na Tabela 1. A relação entre WG e o comprimento de onda λ parte da definição da energia associada a um fotão dada por: W fotao = h f (1.72 1.5 referem-se os valores da altura da banda proibida a 0 e a 300 K e indicase o tipo de banda para vários semicondutores.35 3.56 3.5 Altura da banda proibida e tipo de banda para vários semicondutores.SEMICONDUTORES 1.85 1.42 1.082 3.03 2.58 3.23 0.41 0.74 0.42 3.66 2. o que conduz a rendimentos de emissão muito baixos.28 0.46 0.81 1.19 Banda I I I D I I I D D D I D D D D D D D D I I IV-IV III-V II-VI IV-VI A altura da banda proibida determina o comprimento de onda da radiação emitida e traduz a energia mínima dos fotões que são absorvidos.52 2.1) em que h é a constante de Planck.26 0.68 0. e portanto impedem na prática a sua utilização no fabrico de dispositivos emissores de luz.56 1.

V.6 0.4 2.4) Com WG expresso em eV e λ em μm.0 0.9 1.2) 3 × 108 m / s em que c é a velocidade de propagação da luz no vácuo c Deste modo W fotao = hc λ (1. Resposta do olho humano Infravermelho Vermelho Laranja Verde Amarelo Violeta Azul Ultravioleta CdTe InSb PbS Ge HgCdTe 6.35 3.6 2.4 2.5) Na Fig.1.5 0. a relação acima pode ser escrita como 1.4 3.8 0.4 Si GaAs CdSe GaAs1-yPy 0.6 0.6 1. 1.7 – Correspondência entre WG e λ para vários semicondutores .0 3.0 GaP CdS λ (μm) 0. a relação entre WG e λ será então WG = hc λ (1.12 SEMICONDUTORES No vazio f = c λ (1.45 2. 243 W (eV ) = G λ (μm) (1.) Fig.0 0.8 SiC GaN ZnS 0.4 0.0 0.8 1.0 0.2 3. 1.6 WG (e.7 1.8 1.5 2.3) Identificando a energia do fotão com WG.2 3.7 mostra-se a correspondência entre WG e λ para vários semicondutores e compara-se este valor com o espectro da radiação visível.2 2.2 1.0 1.0 0.

628<λ<0. As grandezas que possuem uma variação linear com a composição são: a constante de rede. o coeficiente de dilatação. Semicondutores compostos ternários e quaternários.875 μm. 1. Apresentam uma variação não-linear com a composição a altura da banda proibida. Devido à linearidade observada a constante de rede do ternário pode escrever-se em termos de constante de rede dos binários correspondentes como: a Ax B1− xC = x a AC + (1 − x) aBC (1. Na prática este objectivo pode ser alcançado desde que os materiais em contacto possuam a mesma constante de rede. a mobilidade. em geral. .8 verifica-se que o ternário Al1-xGaxAs..98 eV. Como λ(μm)=1. 1. Qual deverá ser WG se se pretender emitir no azul? Solução: Para que haja emissão de luz o semicondutor deve ser de banda directa. para x= 0. Sendo assim a altura da banda proibida deve verificar a relação 1.. i. μ. para x<0. Na Fig. para toda a composição x. WG= 1.e.45. a partir dos materiais semicondutores desta família. díodos emissores de luz.13 Exemplo 1.47 μm ou seja WG~2. o semicondutor é de banda directa. possui uma constante de rede praticamente independente da composição.4. e a condutividade térmica. determinar a gama de comprimentos de onda que é possível emitir com estes materiais sabendo que.8 mostra-se a evolução da constante da rede em função da composição para vários semicondutores ternários.g.98 eV. Para emitir no azul λ~0. e. ε. Variação das propriedades com a composição As propriedades dos semicondutores compostos ternários e quaternários dependem das propriedades dos binários associados e os seus valores podem-se relacionar com a composição x de forma linear ou não.SEMICONDUTORES 1.45.42< WG<1. x<0. a. WG. Esta propriedade está na base do fabrico de dispositivos electrónicos comerciais com elevado desempenho. Para esta gama de comprimentos de onda a emissão é no vermelho ou infravermelho.2 – O ternário AlxGa1-xAs é utilizado no fabrico de díodos emissores de luz (LED). χ. é necessário que as superfícies em contacto entre dois materiais diferentes possuam o mínimo de irregularidades de modo a optimizar o funcionamento do dispositivo. α.64 eV e portanto este ternário não seria adequado.45. Sabendo que. 1. e a permitividade eléctrica.6) É de realçar que. Na Fig. Diz-se então que as redes dos dois materiais estão adaptadas.243/ WG (eV) ter-se-à 0.

47 5.4 tira-se.80 GaSb InP GaAs AlAs 5.00 x=0. Determinar a composição x que garante a adaptação de redes.6533 = 5. Por resolução da equação anterior tira-se portanto o ternário utilizado é o In0.4 0.0584 Ǻ. Por sua vez aIn1-x Ga x As = (1 − x ) aInAs + x aGaAs .8686 . x 0.40 a (Ǻ) 6. Ao ponto de intersecção desta recta com a recta que une as constantes de rede do InAs e GaAs está associado o valor de x pretendido.8 1.60 GaP 5.8 traçando uma recta horizontal que passa pelo valor da constante de rede do InP.7) Se. Da Tabela 1. a constante de rede.20 InAs 6. o valor de x está associado ao valor de uma dada grandeza à nossa escolha. 1. na sua constituição. o binário InP e o ternário In1-xGaxAs.60 InSb 6.8 – Constante de rede em função da composição para vários semicondutores ternários. aInAs =6.8686 Ǻ pelo que (1 − x ) 6.g..14 SEMICONDUTORES 6.6 0.80 6. Solução: Se as redes estão adaptadas a constante de rede do ternário é igual à constante de rede do binário aIn1-x Ga x As = aInP .40 0 0. no quaternário podem-se fixar os valores de duas grandezas à escolha através das composições x e y que são independentes.47As.0584 + x 5. 47 e Este valor da composição podia ser obtido graficamente a partir da Fig. envolve dois materiais semicondutores em contacto com redes adaptadas. para o ternário.3 – Em comunicação óptica utiliza-se como fotodetector um fotodíodo que.53Ga0.2 0. Como se vê pela equação . e.1. 1. Exemplo 1.6533 Ǻ e aInP =5. Para os quaternários a constante de rede é obtida de forma idêntica à utilizada para os ternários: a Ax B1− xC y D1− y = x y a AC + x(1 − y ) a AD + (1 − x) y aBC + (1 − x)(1 − y ) aBD (1.0 x Fig. aGaAs =5.

para a qual se passa dum troço ao outro. 1. a altura da banda proibida. O quaternário que satisfaz as especificações referidas é então o In0. em que ambos os binários envolvidos são de banda directa.4 tira-se aInP =5.0584 + x(1 − y )5. aInAs =6.1 . εrInAs=12.g. Na Fig.7).10.4 – Pretende-se obter a composição do quaternário InxGa1-xAsyP1-y que possua uma constante de rede a = 5. A solução do sistema de equações dá x 0. a curva apresenta dois troços distintos.6) e (1.7).9 mostra-se a evolução de WG com x para o ternário In1-xGaxAs .7) tem-se 5. A evolução de WG com a composição não é linear. 4512 Ǻ. De igual modo pode escrever-se para a permitividade eléctrica 11.87 Ǻ e uma permitividade eléctrica relativa εr= 11.87 = xy 6.10. De acordo com equação (1. 4512 .8) .6 .3 .6533 Ǻ.0584 Ǻ. 1.SEMICONDUTORES 1. em conjunto com a anterior.5. Fig. aGaAs =5.8686 Ǻ. Solução: Da Tabela 1.6 + (1 − x) y11.g. ao fixarmos o valor da constante de rede obtém-se uma equação em x e y.6533 + (1 − x)(1 − y )5. Ao fixarmos um valor para outra grandeza de interesse.3 + x(1 − y )9. permite determinar a composição do quaternário pretendido.4 e ainda εrGaAs=11.15 (1.84 . obter-se-à uma nova equação em x e y que.. e.4As0. e depende do tipo de banda associada a cada um dos semicondutores binários. cada um dos troços pode ser aproximado por um polinómio do 2º grau WG ( x) = WG1 + a1x + a2 x 2 (1.84P0.8686 + (1 − x) y 5. εrGaP= 8. estabelece a transição do ternário de banda directa para banda indirecta.45.5 . No caso em que um dos binários é de banda directa e o outro é de banda indirecta. e. aGaP = 5. εrInP=9. Esta flexibilidade assim como outras propriedades inerentes aos semicondutores compostos quaternários estão na base do desenvolvimento e utilização destes semicondutores no fabrico de dispositivos optoelectrónicos avançados.6Ga0. 1. 4 = xy12. A composição x=0.16. Para uma variação de WG do tipo representado na Fig. o AlxGa1-xAs . y = 0. Exemplo 1. Atendendo a que o coeficiente de dilatação linear e a permitividade eléctrica também apresentam uma variação linear com a composição as relações a utilizar no seu cálculo para os ternários e quaternários serão escritas de forma idêntica a (1.6..1 + (1 − x)(1 − y )8.4. Dados da Tabela 1.

3 0.9 x = 0.2 0. 1.6 0.2 In1-xGaxAs WG (eV) 0 0.9 1 AlxGa1-xAs x Fig.8 0.7 0.8 1.2 2.4 0.8 0.10 – Variação de WG com a composição para AlxGa1-xAs.0 0.7 1.0 1.9 – Variação de WG com x para o In1-xGaxAs.4 0.8 0.10) Termo que contabiliza o afastamento da relação linear Na Tabela 1.6 indicam-se os valores dos coeficientes a1 e a2 para alguns ternários .2 1.1 0.6 1.1 2.1 0. Sendo ambos os binários de banda directa a expressão é válida para 0 ≤ x ≤ 1 .4 1. Neste caso ⎧ x = 0 → WG1 ⎨ ⎩ x = 1→ WG 2 = WG1 + a1 + a2 (1.5 0.45 WG (eV) 1.3 0. 2.16 SEMICONDUTORES 1.5 1.1.6 1.4 0 0.6 0.5 0.9 1 x Fig.4 0.6 0.9) ou seja: WG ( x) = WG1 (1 − x) + WG 2 x + a2 x 2 − x ( ) (1. 1.2 0.7 0.

63 -0. As linhas contínuas indicam semicondutores de banda directa e as linhas a tracejado os semicondutores de banda indirecta. Tabela 1. Neste gráfico as linhas que unem os pontos relativos aos semicondutores binários referem os semicondutores ternários correspondentes.005 A Fig. 1.11 – Altura de banda proibida em termos de constante de rede para vários semicondutores.101 1.11 mostra o gráfico que permite relacionar a altura da banda proibida com a constante da rede para vários materiais semicondutores simples e compostos.45 0.6 Coeficientes do polinómio para cálculo de WG(x) Composto a1 (eV) a2 (eV) In1-xGaxAs InAs1-xSbx InAs1-xPx GaAsxSb1-x 0. 1. A área a sombreado refere-se ao quaternário InGaAsP e cada ponto nesta superfície está associado a uma determinada concentração x e y.32 0.17 obtidos a partir de binários de banda directa. .596 0.SEMICONDUTORES 1.771 0. Fig.891 -0.

como se verá mais adiante. Gter [m-3s-1]. Para este material semicondutor. a banda de valência está completamente preenchida e a banda de condução completamente vazia. Ao aplicar-se um campo eléctrico não há corrente em virtude de os estados de movimento possíveis da banda de valência estarem todos preenchidos por electrões e por isso estes não podem alterar o seu estado de movimento. Em geral é necessário reduzir ao mínimo a concentração destas impurezas pois degradam as propriedades do material semicondutor. a que correspondem estados de movimento disponíveis para os electrões de valência. e. Convém referir que no processo de fabrico podem ser incorporados no cristal outros átomos de impurezas que não são necessariamente impurezas de substituição. Existe um processo inverso. pertencem ao grupo V e ao grupo III e designam-se por impurezas dadoras e aceitadoras respectivamente. A concentração destes átomos de impurezas é. às temperaturas de T= 0 K e T≠ 0 K. dependendo do átomo que substituem. É o caso do GaAs em que o Si pode actuar como impureza dadora se substituir o Ga e aceitadora se substituir o As.5. 1. podendo ser da ordem de 1 para 1 milhão de átomos de base. como sendo o número de electrões na unidade de volume e na unidade de tempo que. em geral. pode alterar significativamente as suas propriedades eléctricas. Semicondutores extrínsecos são aqueles em que alguns dos átomos de base são substituídos por outros designado por impurezas de substituição. As impurezas de substituição.. Nos semicondutores compostos as impurezas utilizadas podem eventualmente actuar como impureza dadora ou aceitadora.1. Define-se ritmo de geração térmica. no caso do Si. que envolve a passagem de electrões da banda de . Para T ≠ 0 K é possível que alguns electrões da banda de valência adquiram energia suficiente para passarem para a banda de condução.1. o Si.18 SEMICONDUTORES 1. Semicondutores intrínsecos e extrínsecos em equilíbrio termodinâmico Designam-se por semicondutores intrínsecos aqueles que possuem na sua composição só os átomos dos elementos básicos. designado por recombinação. a 0 K. Para o Si as impurezas dadoras mais utilizadas são o P. extremamente baixa. devido à temperatura. deixando na banda de valência um número igual de ligações incompletas.1. transitam de banda de valência para a banda de condução. As e Sb e a impureza aceitadora é o B.5. Semicondutores intrínsecos O modelo das ligações de covalência e o modelo das bandas. estão representados na Fig.g. Deste modo a sua inclusão na rede cristalina não modifica apreciávelmente a estrutura de bandas do semicondutor mas.12 para um semicondutor intrínseco.

A corrente eléctrica deverá portanto incluir o efeito do campo eléctrico nos electrões das duas bandas de energia. Deste modo o movimento do electrão de valência para uma ligação incompleta pode ser olhado como sendo equivalente ao . Em equilíbrio termodinâmico o ritmo de recombinação R ⎡ m −3 s −1 ⎤ tem que verificar a condição ⎣ ⎦ Gter = R (1.19 condução para a banda de valência. para uma dada temperatura. em número muito inferior aos que existem nessa banda. 1. para T≠ 0 K. Na banda de valência contudo só nos interessa contabilizar os electrões que transitam de ligação incompleta em ligação incompleta. uma densidade fixa de electrões na banda de condução. Um acréscimo de temperatura conduz a um aumento da densidade de electrões e consequentemente de ligações incompletas. 1.13.12 – Modelo das ligações de valência e das bandas para um semicondutor intrínseco.11) +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 T=0k WC WG WV WV WC T≠0k WG n 0 = p0 = n i Fig. Ao aplicar um campo eléctrico. Fig. igual à densidade de ligações incompletas na banda de valência.SEMICONDUTORES 1. vai haver corrente eléctrica pois os electrões da banda de condução e da banda de valência já podem alterar o seu estado de movimento. Do equilíbrio destes dois processos resulta. mas que são em número igual aos da banda de condução.

2×1014 1.124 0. e deslocando-se em sentido oposto. Na Tabela 1.20 SEMICONDUTORES movimento duma partícula com carga positiva. Tabela 1. Semicondutor ni (m-3) WG (eV) Si Ge GaAs InAs InP 1. Em equilíbrio termodinâmico tem-se então: n0 = p0 = ni ⎡ m −3 ⎤ ⎣ ⎦ (1.664 1. igual ao módulo da carga do electrão. 1.424 0. Designar-se-á esta partícula por buraco.344 . é igual à densidade de electrões n na banda de condução. Acção do campo eléctrico E +4 +4 +4 +4 +4 Jn +4 +4 +4 Fe +4 +4 Jp +4 +4 J = Jn + J p Fig.3×1021 1. A densidade intrínseca é uma grandeza muito importante e característica de cada semicondutor a uma dada temperatura.354 1.02×1016 2.13 – Acção do campo eléctrico nos electrões de condução e de valência.7 indicam-se os valores de ni para vários semicondutores a 300 K. A densidade de buracos p é igual à densidade de ligações incompletas e.33×1019 2. no caso do semicondutor intrínseco.1.12) em que ni se designa por densidade intrínseca.7 Valores de ni para vários semicondutores a 300 K.1×1012 1.

é o termo associado à exponencial que domina. num grande número de situações de interesse. e os buracos. mas bastante mais complexo.7 e desprezar a variação de WG com a temperatura. para a gama usual de temperaturas. q = 1. 6 × 10−19 C .3806 × 10−23 JK −1 . vão ser olhados como partículas clássicas livres. Como se verá mais à frente a dependência de ni com a temperatura e a altura da banda proibida pode ser expressa através da relação ni ∝ T 3 / 2 e−WG 2 kT (1. Solução: De acordo com a equação (1.13) em que T é a temperatura absoluta (em graus Kelvin).21 Os electrões na banda de condução. Utilizar os dados da Tabela 1. Sem perda de generalidade e por forma a simplificar análises e cálculos futuros iremos considerar a massa eficaz como sendo um escalar. que engloba no seu valor os efeitos da periodicidade da rede cristalina na estrutura das bandas. mais rigoroso.5 – Calcular valor de ni a 0 ºC e 60 ºC para o Si e GaAs. * que designaremos por mn e m* .13) pode-se escrever n ⎛T '⎞ =⎜ ⎟ ni ⎝ T ⎠ T e T’ ' i 3/ 2 e − WG 2 kT ' e W − G 2 kT em que ni e ni' são os valores da densidade intrínseca à temperatura A relação anterior pode ainda tomar a forma respectivamente.SEMICONDUTORES 1. . respectivamente. com vantagens óbvias ao tratamento quântico.026 eV. É de realçar a importância desta caracterização dos portadores de carga que permite. Esta simplificação exige que se associe a cada partícula uma massa eficaz m*. WG a altura da banda proibida e k a constante de Boltzmann. Ao produto kT costuma designar-se por energia característica da temperatura T e kT (300 K)= 4. As massas eficazes do electrão e do buraco. ni aumenta quando a temperatura aumenta. a utilização dum tratamento clássico.1418x10-21J 0. O fundamento e validade desta analogia assentam na mecânica quântica. Desprezando a variação de WG com a temperatura. Exemplo 1. aos quais nos iremos referir simplesmente como electrões. são em geral diferentes pois à banda de p condução e de valência estão associadas relações W(p) diferentes. Para além da massa eficaz os electrões e os buracos são também caracterizados por possuirem carga eléctrica que para o buraco é positiva e igual em módulo à carga do electrão. Para uma rede anisotrópica a massa eficaz será em geral um tensor 3×3. k = 1. Embora ni dependa da temperatura através do termo T3/2 e da exponencial verifica-se que.

isto é. possui uma incerteza na sua localização que permite que ele possa ser encontrado num raio que envolve várias dezenas de átomos de base. fazer transitar o electrão para a banda de condução sem que tenha qualquer efeito apreciável sobre electrões de banda de valência. possuem 5 electrões de valência dos quais só 4 é que são necessários para a ligação covalente com os 4 átomos de Si vizinhos. Sob o ponto de vista do modelo das bandas. Conhecido o valor de ni e WG à temperatura T pode-se então calcular o valor de ni' a qualquer temperatura.1×1012 -3 ni' / ni (T’=273K) 0. Obtém-se assim um semicondutor extrínseco tipo-n. o P para o Si. No entanto as impurezas de substituição do tipo dador. a cada impureza dadora corresponde um dado estado de energia.5. impurezas de substituição que. na banda proibida junto à banda de condução. para além dos átomos de base. A título exemplificativo admita-se que o semicondutor considerado é o Si ao qual se adicionaram impurezas de substituição do tipo dador. A 0 K os electrões de valência mantêm-se nas suas ligações de valência. Deste modo é possível criar na banda de condução uma população de electrões muito maior que a população de buracos na banda de valência. Semicondutores extrínsecos Os semicondurores extrínsecos possuem. embora ligado ao átomo da impureza.2×1011 -3 ni' / ni (T’=333K) 9. A energia destes electrões está na banda de valência.64 ni' (T’=333K) (m-3) 1×1017 3. Nesta altura é . A diferença de energias WC-WD é tipicamente da ordem de centésimas de electrão-Volt o que faz com que um pequeno aumento da temperatura seja suficiente para ionizar positivamente a impureza. O electrão do átomo da impureza dadora que não está envolvido na ligação covalente possui uma energia superior à dos electrões ligados.02×1015 1.2. com valores próximos de WC .7 para 300 K obtém-se então: ni (300 K) Material Si GaAs (m ) 1.1.058 ni' (T’=273K) (m ) 1.96 17.g.14. que requerem uma energia bastante mais elevada. 1. Nas relações anteriores a temperatura é expressa em K e portanto a 0ºC corresponde T’=273 K e a 60ºC ter-se-à T’=333 K.WD. mesmo em número relativamente reduzido. e. e. Fig. são responsáveis por uma alteração significativa da densidade de electrões ou buracos no semicondutor.22 SEMICONDUTORES ni' ⎛ T ' ⎞ = ni ⎜ T ⎟ ⎝ ⎠ 3/ 2 WG (T ' −T ) 2 kTT ' e .7×1013 1.02×1016 2. Utilizando os valores da Tabela 1.1 0. É o caso dos electrões partilhados entre os átomos de Si.

Fig. A estes semicondutores é usual chamar de não-degenerados. T≠0 k WC − − − − − − − − WD WV + + + EQUILÍBRIO TERMODINÂMICO → n 0 p0 = n i2 (Semicondutor não degenerado) Fig. A introdução de impurezas de tipo aceitador. pois caem fora do âmbito deste estudo. +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 _ +4 +4 +5 +4 +4 +4 +4 +4 _ +4 +4 _ +4 +4 +4 _ +4 +4 tipo-n T=0 k WC WD WV 0. o Boro no Si.15.V.05 e. a impureza possui só três electrões para partilhar . a 0 K. 1. pode ser analisada de forma idêntica. 1. e.g. Os semicondutores degenerados possuem propriedades interessantes mas não irão ser estudadas. Neste caso.SEMICONDUTORES 1.23 importante realçar que se continua a admitir que o modelo das bandas para o semicondutor extrínseco é idêntico ao do semicondutor intrínseco. o que só é válido se a densidade de impurezas for muito pequena comparada com a densidade de átomos de base do semicondutor.14 – Modelo das ligações de valência e das bandas para um semicondutor extrínseco com impurezas do tipo dador.

Se a densidade de impurezas dadoras for igual à das impurezas aceitadoras a compensação é total e.05 e. em equilíbrio termodinâmico n0 = p0 = ni .1. Um semicondutor em que coexistem os dois tipos de impurezas é um semicondutor compensado. dando origem a buracos na banda de valência sem a correspondente criação de electrões na banda de condução. . A energia associada a esta ligação incompleta é superior a WV mas relativamente próxima. T≠0 k _ WC WA WV _ _ + +++++++ EQUILÍBRIO TERMODINÂMICO → n 0 p0 = n i2 (Semicondutor não degenerado) Fig. Um pequeno aumento da temperatura é suficiente para ionizar negativamente estas impurezas.15 – Modelo das ligações de valência e das bandas para um semicondutor extrínseco com impurezas do tipo aceitador. Poder-se-á ter então um semicondutor extrínseco tipo-p em que a densidade de buracos é muito maior que a de electrões.24 SEMICONDUTORES com os 4 átomos de Si vizinhos pelo que fica uma ligação incompleta. +4 +4 +4 +4 +4 +3 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 _ +4 +4 +4 +4 +3 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 _ +4 +4 +4 tipo-p T=0 k WC WA WV 0.V. 1.

15). se verifica a relação p0 n0 = ni2 . a densidade de carga é zero em cada ponto do semicondutor. Atendendo a que a origem das cargas eléctricas está nos electrões.15) em que N a− é a densidade de impurezas aceitadoras ionizadas. para um semicondutor não-degenerado em equilíbrio termodinâmico. Um caso particular é o da determinação da densidade de portadores minoritários. Para um semicondutor tipo-p ter-se-á então: p0 − Na se − N a >> ni (1. num semicondutor com impurezas dadoras a uma dada temperatura.17) ou seja + − n0 − p0 = N d − N a + − n0 − N d = p0 − N a (1.14) + em que N d é a densidade de impurezas dadoras ionizadas.16) é muito importante no cálculo da densidade dos portadores. Sendo assim ni pode ser usada como valor de referência nos semicondutores extrínsecos.19) .SEMICONDUTORES 1. devido à temperatura. poder-se-á escrever então com generalidade: − + ρ = 0 = − q n0 + N a + q p0 + N d ( ) ( ) (1. num semicondutor homogéneo em equilíbrio termodinâmico. Uma outra relação importante resulta do facto de. o material exibir neutralidade eléctrica local. A relação (1. ou seja. buracos e impurezas ionizadas. nas situações em que é possível obter facilmente a densidade dos portadores maioritários.16) independentemente de o semicondutor ser do tipo-n ou do tipo-p. Atendendo a que a densidade de electrões. possui a contribuição das impurezas ionizadas e das ligações partidas poder-se-á dizer que: n0 + Nd + N d >> ni se (1. Para o semicondutor tipo-p também será p0 ≠ N a− + ni e n0 ≠ ni pelas mesmas razões.14) ou (1. No entanto provar-se-á mais à frente que.18) (1. (1. por estarmos nas condições de (1. É importante realçar que n0 ≠ N d+ + ni e p0 ≠ ni no semicondutor tipo-n devido à recombinação.25 Como se viu anteriormente ni é uma medida do número de ligações de valência que se partiram.

124 eV. De (1. é que possibilita a obtenção de semicondutores intrínsecos.26 SEMICONDUTORES As equações (1. Quando + − + − N d − N a < 0 p0 > n0 e o semicondutor é tipo-p.16) e (1.18) evidencia a influência de cada tipo de impurezas na densidade de portadores.18) e (1. No caso das impurezas dadoras e aceitadoras estarem totalmente ionizadas à temperatura considerada.20) e portanto. Em particular se N d = N a ⇒ n0 = p0 = ni e o material semicondutor diz-se que está totalmente compensado e comporta-se como um semicondutor intrínseco. à temperatura de T= 300K e T= 450K. Calcular a densidade de electrões e buracos. de modo a compensar totalmente o semicondutor. para um dado semicondutor homogéneo a uma dada temperatura. n0 o semicondutor a 300K é fortemente extrínseco tipo-p. Se N d+ − N a− > 0 então n0 > p0 e portanto o semicondutor é tipo-n. neste caso. Durante o processo de fabrico do semicondutor a adição não intencional de impurezas é normal. se conhecer a densidade intrínseca e a densidade de impurezas ionizadas poder-se-ão calcular os valores de n0 e p0 a essa temperatura por resolução do sistema de equações que envolve (1.21) Se.6 – Considerar um cristal de Si homogéneo com impurezas do tipo aceitador Na= 1019m-3.16) tira-se então n0 = 1013 m −3 . Si: ni( 300K)= 1016 m-3.19) n0 − N d+ representa a densidade efectiva de electrões com origem na geração térmica. WG= 1. Solução: − T= 300K Admite-se que a 300K todas as impurezas estão ionizadas ou seja N a Na . Só a adição de impurezas de substituição de sinal contrário.18). pois traduz a diferença entre a densidade total de electrões e a densidade de electrões devida às impurezas dadoras. Atendendo a que N a Sendo p0 ni então p0 N a = 1019 m −3 . n0 − p0 ≈ N d − N a (1. Uma chamada de n0 não é possível atenção para a ordem de grandeza dos valores obtidos: sendo p0 . Por sua vez na equação (1. e o material resultante ou é do tipo-p ou do tipo-n. ter-se-á: + Nd ≈ Nd − Na ≈ Na e (1. A equação (1. em equilíbrio termodinâmico. A igualdade é consistente com o facto de que por cada electrão gerado termicamente há também um buraco pois p0 − N a− representa a densidade efectiva de buracos gerados termicamente. Exemplo 1.1.19) permitem duas interpretações diferentes da mesma equação.

Em qualquer ponto do semicondutor. Para T= 450K n0 a comportar-se como intrínseco. Na região de ionização o aumento de temperatura conduz fundamentalmente a um aumento da densidade dos portadores que têm origem nas impurezas de substituição.16. Tome-se como exemplo um semicondutor que possui densidade de dadores diferente em duas regiões do semicondutor ( N d1 > N d 2 ) . pois . isto é n1 > n2 e p1 < p2 . a 450K. Ter-se-à pois que calcular primeiro a densidade intrínseca a 450K para verificar se continuamos nas condições referidas a 300K. neste caso electrões. No cálculo de ni a 450K utilizaremos a relação ni' = ni (T '/ T ) 3/ 2 WG (T ' −T ) 2 kTT ' e obtendo-se ni (450K)= 2. p0 ni e o semicondutor passa É oportuno referir que.18). em equilíbrio termodinâmico verifica-se que n1 p1 = n2 p2 = ni2 . e fixas no caso das impurezas ionizadas.02x1019m-3. mesmo em equilíbrio termodinâmico.16) e (1. É então claro que. 1. que são móveis no caso dos electrões e buracos. O andamento da densidade de portadores em função da temperatura. Este facto deve-se à natureza das cargas eléctricas. a distribuição das impurezas não for uniforme no volume do material. O valor de p0 pode obter-se a partir de p0 = − − N a ± N a + 4ni2 2 2 em que só a solução positiva é que tem significado físico.27 obter n0 a partir da equação da neutralidade eléctrica. não se verifica a condição de neutralidade eléctrica local. T= 450K A esta temperatura a densidade intrínseca é superior à de 300K. está representado na Fig. Para obter n0 e p0 deveremos então resolver o sistema de equações que envolve (1.18). responsável pelo aparecimento de campos eléctricos locais. (1. Os cálculos dão então p0 =3. junto à interface das duas regiões.SEMICONDUTORES 1. É possível identificar três regiões de funcionamento: a região de ionização. Neste exemplo a carga positiva está do lado da região 1. de saturação e intrínseca. mantendo-se a densidade de impurezas ionizadas. embora o semicondutor continue a ser globalmente neutro. já não estamos nas condições Na ni . se o semicondutor não for homogéneo.02x1019m-3 e n0 =2. O gradiente de densidades de portadores móveis de carga que se estabelece dá origem ao movimento dos portadores da região de maior densidade para regiões de menor densidade e conduz a uma distribuição de electrões e buracos que quebra a neutralidade eléctrica local. isto é. para um semicondutor extrínseco tipo-n. em que N d é mais elevado.47x1019m-3.

Conhecido o andamento da densidade de maioritários e da densidade intrínseca é fácil de obter o gráfico da densidade de minoritários numa escala logaritmica atendendo a que ln ni = (ln n0 + ln p0 ) / 2. designada por temperatura intrínseca. dada por ni (Ti ) ⎛T ⎞ =⎜ i ⎟ ni (T ) ⎝ T ⎠ 3 2 −WG 2 kTi e e−WG 2 kT (1. Admitindo que ni (Ti ) = N .28 SEMICONDUTORES envolve uma energia de activação WC-WD que é muito inferior à altura da banda proibida.16 – Densidade de portadores em função da temperatura para um semicondutor tipo n A determinação de Ti . Na escala semi-logaritmica utilizada o andamento é aproximadamente linear evidenciando por isso uma dependência exponencial com 1/T. Logo que as impurezas estão todas ionizadas entra-se na zona de saturação na qual a densidade de electrões é aproximadamente constante. Contudo a densidade de buracos continua a aumentar com o aumento de temperatura pois cresce a densidade intrínseca.22) é possível obter. Finalmente. . ln (n) ln (p) ln (ni) zona intrínseca ln (Nd) declive W − G 2k zona de saturação zona de ionização declive ΔE − 2k n p ni 1/Ti 1/T Fig. N = N d e conhecida a relação entre ni (Ti ) e ni (T ) . pode ser efectuada desde que se estabeleça a condição que deve verificar o valor da densidade intrínseca. após uma dada temperatura Ti . relativamente à densidade de impurezas.1. para um dado material. 1. entra-se na zona intrínseca de funcionamento a que corresponde uma densidade intrínseca elevada. e em que as densidades de electrões e buracos são idênticas. sendo T uma temperatura conhecida. a temperatura Ti .

23) tira-se 1/ Ti = 1/ T + ( 2k / WG ) ln ( ni (T ) / ni (Ti ) ) . Em equilíbrio termodinâmico G=R (1. para valores baixos de n e p (semicondutores não degenerados) e recombinação banda a banda pode escrever-se.124 eV. contrapõe-se sempre um processo de recombinação caracterizado por um ritmo de recombinação R[m-3s-1]. WG= 0. p) = r (T ) n p (1.23) Se se considerar que a densidade de impurezas é a mesma em dois materiais com WG diferentes. Sendo assim. n. Esta condição verifica-se em geral porque não só temos um número muito elevado de electrões na banda de valência como de estados disponíveis na banda de condução.6. WG= 1.24) Nestas condições o Si possui um Ti superior ao do Ge.SEMICONDUTORES 1. Exemplo 1. em primeira aproximação.26) . Contudo a recombinação exige electrões na banda de condução e buracos na banda de valência e portanto depende de n e de p. para cada material.7 – Calcular a temperatura Ti para o Si e para o Ge supondo que ambos os materiais possuem Nd=1021m-3 Si: ni( 300K)= 1016 m-3.29 Um valor apoximado de Ti pode ser obtido a partir da relação ni (Ti ) ∝ e −WG 2 kTi (1.3x1019 m-3. então o que tiver maior WG tem maior Ti pois deve verificar-se a igualdade e W − G 2 kTi e W′ − G 2 kTi′ (1. 1. quantificado em termos dum ritmo de geração G[m-3s-1].25) e G depende. somente de temperatura. Solução: Com base na relação (1. Consideraremos as situações em que G é independente de n e de p. R (T . Geração e recombinação Como se viu anteriormente. Este facto torna o Si bastante atractivo no fabrico de dispositivos por poderem funcionar a temperaturas mais elevadas. ao processo de geração. N = N d obtém-se então Ti=639K para o Si e Ti=425K para o Ge. Partindo do princípio que a temperatura Ti é definida para a condição ni (Ti ) = N . Pretendemos relacionar G e R com a densidade n e p.664 eV. Ge: ni( 300K)= 2.

28) Se se admitir a existência de vários mecanismos de geração ter-se-à G = ∑ Gi . E. D.26) pode ser interpretada mais facilmente se se escrever R (T . O termo n 2 p traduz a recombinação que envolve dois electrões e um buraco.. G. com a energia e momento da recombinação transferidos para um buraco.1. que (1. H.28) se aplique a cada processo de geração-recombinação.29) G1 = r1 (T ) n0 p0 = R1 G2 = r2 (T ) n0 p0 = R2 GN = rN (T ) n0 p0 = RN (1. Estes termos serão importantes e não deverão ser desprezados nos casos em que n e p são elevados. isto é. p ) = A + Bn + Cp + Dn 2 + Ep 2 + Fnp + Gn3 + Hp3 + In 2 p + Jnp 2 + (1.. O primeiro termo não zero é Fnp. A i =1 condição de equilíbrio termodinâmico obriga a que se verifique o princípio de equilíbrio detalhado. Os termos de ordem superior In 2 p e Jnp 2 designam-se por termos de Auger e poderão. numa aproximação de 1ª ordem. p) como um desenvolvimento em série de Taylor em termos de n e p: R (T . C. Por sua vez o termo np 2 envolve um electrão e dois buracos no processo de recombinação. n. A relação (1.27) Os termos associados aos coeficientes A. Neste caso a energia e o momento associados à recombinação dum electrão com um buraco são transferidos para outro electrão na banda de condução. em equilibrio termodinâmico ter-se-à ∑ e também N i =1 Gi = ∑ Ri i =1 N (1. Assim. uma adição de dopantes não altera a respectiva equação correspondente ao princípio de equilíbrio detalhado . ser desprezados..30) Como há processos de geração-recombinação que não envolvem dadores ou aceitadores. Em equilíbrio termodinâmico G = R = r (T ) n0 p0 N (1.30 SEMICONDUTORES em que r(T) é uma constante que depende do material e da temperatura. devem ser zero porque R tem que ser zero se n ou p for zero. B. n.

Hall). Efeito fotoeléctrico interno Se o semicondutor. Deste modo pode-se escrever: G = r (T ) ni2 (1.SEMICONDUTORES 1.31 Gi = ri (T ) n0 p0 (1.32) que . Em regime estacionário a taxa de geração e de ⎣ ⎦ recombinação equilibram-se pelo que: G = R = rnil pil (1. a geração e a recombinação não são banda a banda. O aumento de n e p acarreta um aumento de R que só pára de aumentar quando R = G fe + Gter e as densidades . nomeadamente no Si. então o produto n0 p0 = C te . haverá um processo adicional de geração de pares electrão-buraco ao qual se pode associar uma taxa de geração por efeito fotoeléctrico que designaremos por G fe ⎡ m −3s −1 ⎤ .35) pil = p0 + Δ Δ é o excesso de portadores resultantes da iluminação que será igual para electrões e buracos quando a iluminação é uniforme. Sabendo que n0 e p0 para o semicondutor intrínseco valem ni . para cada material. Read. Quando se estabelece a iluminação G = G fe + Gter e R = r ni2 = Gter e portanto G > R . Este processo designa-se por SRH (Schokley.33) (1.6. mas fazem-se através de estados intermédios na banda proibida designados por ratoeiras. Nalguns semicondutores. a uma dada temperatura. como n0 e p0 se alteram com a densidade de dopante.34) com G = Gter + G fe e nil = n0 + Δ (1. só depende da temperatura. É de realçar que a relação (1.33) só é válida para o regime estacionário.31) Contudo. 1. for iluminado uniformemente com radiação monocromática de energia W ≥ WG .1. então o produto n0 p0 = ni2 para qualquer semicondutor.

Das duas soluções só a solução positiva tem significado físico e vale Δ= 1015m-3. mantendo-se a densidade dos maioritários. Sob iluminação uniforme. que em média são absorvidos por unidade de comprimento do semicondutor. de um dado comprimento de onda. calcular a densidade de electrões e buracos se Gfe= 100Gter.37) Como Gter = r ni2 . nil = n0 + Δ n0 = 1019 m −3 e pil = p0 + Δ Δ = 1015 m −3 . Deste modo. Como se vê pelos resultados só a densidade dos minoritários foi alterada. Portanto. O coeficiente de absorção representa o número de fotões. Solução: Ir-se-à admitir que a 300 K as impurezas estão todas ionizadas. Nd=1019m-3.35). e admitindo que a temperatura não sofreu uma variação apreciável.36) ou 1+ G fe Gter = r nil pil Gter (1. A taxa de geração por efeito fotoeléctrico está associada a uma grandeza característica do material e que é o coeficiente de absorção. O coeficiente de absorção depende . em equilibrio termodinâmico. Por aplicação dos valores numéricos obtém-se Δ 2 + 1019 Δ − 1034 = 0 . Si: ni(300K)= 1016 m-3.38) que. com iluminação. n0=1019m-3 e p0=1013m-3. Esta perturbação do equilíbrio é por isso designada por injecção fraca.8 – Considere uma amostra de Si a 300 K com impurezas dadoras. Com iluminação uniforme e na situação estacionária pode-se utilizar a equação (1. dá origem a uma equação do 2º grau em termos da densidade de excessos Δ: Δ 2 + ( n0 + p0 ) Δ − ni 2G fe / Gter = 0 . Combinando as duas expressões anteriores ter-se-á: Gter + G fe = r nil pil (1.38) Exemplo 1.32 SEMICONDUTORES de portadores alcançam o valor final de nil e pil . A quantidade 1/α associa-se à distância que em média o fotão percorre no semicondutor até ser absorvido.1. ter-se-á ⎛ G fe ⎞ nil pil = ni2 ⎜1 + ⎟ ⎝ Gter ⎠ (1. em conjunto com (1. Atendendo a que Nd ni então n0 N d e p0 = ni2 / n0 . α [m-1]. e na situação estacionária.

1. A constante de proporcionalidade é designada por coeficiente de absorção. Fig. se se admitir que dx por cada fotão absorvido há a criação de um par electrão-buraco.17 – Coeficiente de absorção em função da energia para vários semicondutores. 1. com uma dada energia.40) Na Fig. Pode então escrever-se G fe = αφ0 e−αx (1.18 mostra-se o andamento de Gfe(x) e dá-se a interpretação geométrica de 1/α.SEMICONDUTORES 1. a sua taxa de variação com a distância é proporcional ao seu valor.17 mostra-se o coeficiente de absorção em função da energia dos fotões para vários materiais semicondutores. 1. Se se designar por φ [m-2s-1] o fluxo de fotões. Na Fig.39) Define-se o ritmo de geração por efeito fotoeléctrico G fe = − d φ( x) . que incide na face de uma amostra de semicondutor. − d φ( x) = +αφ( x) dx e assim φ( x) = φ0 e −αx (1.33 da energia dos fotões e do material. .

1. O valor do módulo da função de onda ao quadrado é um número real que representa a densidade de probabilidade de encontrar a partícula num dado instante numa dada região do espaço. Cálculo de n e p em semicondutores não-degenerados O comportamento dos electrões no material semicondutor rege-se pela equação de Schrödinger cuja solução é a função de onda. WP=0 então a energia total do electrão. Fig.18 – Evolução de Gfe(x) num semicondutor. 1.1. Esta grandeza é. É de notar que se α1 > α 2 ⇒ 1/ α1 < 1/ α 2 .19. isto é. Considere-se a título de exemplo um electrão num poço de potencial de altura infinita e largura L. em geral. é igual à energia cinética Wk. Sendo o electrão uma partícula livre a sua energia potencial WP é constante . W.41) .7. um número complexo.7. dada por W = Wk = p2 2m (1. os fotões a que correspondem maiores energias são absorvidos mais em superfície. Se se admitir que no interior do poço. Electrão num poço de potencial de altura infinita Um dos resultados mais importantes da aplicação da equação de Schrödinger a um electrão num cristal é a quantificação da energia.34 SEMICONDUTORES φ x 0 G fe αφ0 0 1/α x Fig. 1.1. 1.

1.42) Para garantir a continuidade da função de onda nas fronteiras L=nλ 2 (1.8x10−19 2 n L2 (1. ter-se-á: W = kn 3. h λ = k (1.35 WP x 0 L Fig. de forma esquemática.43) em que n é um inteiro.SEMICONDUTORES 1. Também se referem os valores da energia Wk1 para vários valores da largura do poço que. Combinando as duas relações anteriores obtém-se h p= n 2L e portanto W = kn h2 8mL2 n2 (1.20 mostram-se.44) (1. indicam a importância da quantificação para os poços .45) Admitindo que m é a massa do electrão em repouso m0 = 9. 2. 19 – Poço de potencial de altura infinita a uma dimensão. em que p e m são o momento e a massa do electrão respectivamente.3 . os valores de energia possíveis para o electrão quando n = 1.46) Este resultado mostra que o electrão num poço de potencial infinito não possui um contínuo de valores de energia. de forma clara. Por sua vez o momento e o comprimento de onda λ verificam a relação de de Broglie p= k é o número de ondas e = h 2π . 1.11×1031 kg . Na Fig.

8 meV . Fig. 1.8 × 10−13 eV . Wk3 . Ly e Lz. a quantificação da energia é expressa por Wk = 2 2 h 2 ⎛ n12 n2 n3 ⎞ ⎜ 2+ 2 + 2⎟ 8m ⎜ Lx Ly Lz ⎟ ⎝ ⎠ (1. Wk L = 10 Å ⇒ Wk1 = 0. que define um dado estado de movimento.36 SEMICONDUTORES de dimensão reduzida. Para cada conjunto ( n1.47) em que n1. n3 ) .2. L = 100 Å ⇒ Wk1 = 3. Para um poço de potencial a três dimensões. correspondem dois estados quânticos associados ao spin do electrão. L = 1 mm . n2 .1. . ⇒ Wk1 = 3.7. com comprimentos Lx. . n2 e n3 . 4 eV . Wk 2 Wk1 Fig. n2 e n3 são números inteiros designados por números quânticos principais e Lx Ly Lz = V0 é o volume do cristal. Densidade de estados em energia O número de estados de movimento possíveis para o electrão obtém-se contando as combinações n1.21. Para poços com dimensões macroscópicas os níveis de energias estão tão próximos que podem ser olhados como formando um contínuo de energia.20 – Quantificação da energia para um electrão num poço de potencial de altura infinita. 1. e que pode tomar os valores ± 1 2 . A determinação do número de estados de movimento é mais fácil de determinar tomando como base o espaço dos momentos. 1.

no espaço dos momentos. A partir das relações para as componentes do momento do electrão segundo as três direcções px = n1 h 2 Lx . p y = n2 h 2 Ly .49) Assim. pz = n3 h 2 Lz (1. para o primeiro quadrante ( 4π p2dp ) 8 e por isso o número de estados quânticos neste volume.48) e tendo em linha de conta os valores positivos de n1. O volume entre a esfera de raio p e a de raio p+dp é.37 pz p+dp h/(2Lx) h/(2Lz) . o número de estados de movimento por unidade de volume é dado por 8V0 h3 . 21 – Representação no 1º octante do espaço dos momentos do volume correspondente a um estado de movimento. n2 e n3 .50) . atendendo a que: 8V0 h3 dp (1. 1. Atendendo a que a cada estado de movimento correspondem dois momentos de spin. o número de estados quânticos na unidade de volume é 2 × 8V0 h3 . p h/(2Ly) py px Fig.SEMICONDUTORES 1. pode identificar-se o volume correspondente a um estado de movimento expresso por h3 ⎛ h ⎞ ⎛ h =⎜ ⎟⎜ 8V0 ⎝ 2 Lx ⎠ ⎜ 2 Ly ⎝ ⎞⎛ h ⎞ ⎟⎜ ⎟ ⎝ 2 Lz ⎟ ⎠ ⎠ (1. dN(p) é dado por dN ( p ) = π p 2 Em termos da energia.

22 – Função densidade de estados quânticos em energia Pode parecer estranho que se tenha obtido uma densidade de estados em energia onde a quantificação parece estar ausente. 1. No caso de dispositivos de dimensão reduzida a relação (1. como se viu na secção anterior. dN (Wk ) d Wk = 8π V0 h3 m 2mWk (1. nos cristais com dimensões macroscópicas os estados discretos de energia estão tão próximos que podem ser olhados como formando um contínuo de valores de energia.1. A densidade de estados quânticos em energia. g (Wk ) é definida como g (Wk ) = e está representada na Fig.53) não é válida e a quantificação deve transparecer na relação e no gráfico da respectiva densidade de estados em energia.38 SEMICONDUTORES p2 . p = 2mWk 2m k 2 p dp = 2m d Wk m m d Wk = d Wk p 2mWk Wk = (1. Contudo.22. 1. .52) em que dN (Wk ) é o número de estados quânticos possíveis entre Wk e Wk + d Wk .51) dp = ter-se-á dN(Wk ) = 8π V0 h3 m 2m Wk d Wk (1.53) Wk 0 g(W k ) Fig.

introduz-se o conceito de * buraco com carga +q e massa eficaz m* = − mV > 0 .57) Quer os electrões.3.39 1.54) Esta expressão pode ser interpretada. Densidade de estados em energia para os electrões num cristal A periodicidade da rede cristalina é responsável pelo aparecimento de bandas de energia permitidas e bandas de energia proibidas. sob o ponto de vista clássico.56) ( C0 < 0 ) * * mc . No sentido de manter o formalismo clássico. em que C0 = 1 . p Para os buracos ter-se-à então W = WV − p2 2m* p (W < WV ) (1. quer os buracos são partículas livres (sob o ponto de vista clássico).58) . com uma energia cinética C0p2. mV são as massas eficazes dos electrões na banda de condução e de valência respectivamente.55) enquanto que para os electrões de valência C0<0: p 2 (W < WV ) * ( mV < 0) W = WV + * 2mV (1. pode escrever-se W = W0 + C0 p 2 (1. como sendo a soma de uma energia potencial W0. 2m0 Para os electrões de condução C0>0 e pode escrever-se: W = Wc + p 2 (W > Wc ) * 2mc ( mc* > 0) ( C0 > 0 ) (1.SEMICONDUTORES 1. As densidades de estados quânticos em energia para os electrões e buracos podem então ser expressas por gc (W ) = 8πV0 h 3 * * mn 2mn (W − Wc ) (W ≥ Wc ) (1.7. para valores próximos de uma dada energia W0 . com energia de posição constante e igual a WC e WV respectivamente. Nos casos em que o cristal é isotrópico e.

1. W WC WV WG gC (W) gV(W) Fig. Há várias maneiras de distribuir os N electrões pelos vários estados quânticos possíveis de modo a que a energia total seja W. Esta distribuição assenta em dois pressupostos: 1) os electrões são indiscerníveis (princípio da indiscernibilidade) 2) não pode haver mais de um electrão por cada estado quântico (princípio de exclusão de Pauli).23.40 SEMICONDUTORES gv (W ) = 8πV0 h 3 m* 2m* (Wv − W ) p p (W ≤ WV ) (1. de modo a verificarem-se as condições impostas. e estão representadas na Fig. 1. A distribuição mais provável é a que se pode realizar de um maior número de maneiras possível. . Baseado nestas condições e partindo da hipótese de que se tem um certo número N de electrões com energia total W. Supõe-se que todos os estados quânticos têm igual probabilidade de serem ocupados. Estatística de Fermi-Dirac A distribuição dos electrões pelos estados quânticos obedece a uma função de distribuição denominada por distribuição de Fermi-Dirac. 23 – Representação de gC(W) e gV(W). Uma distribuição pode ser realizada de várias maneiras. eles irão ser distribuídos pelos diversos estados quânticos.1.7.59) * * em que mn = mc .4.1.

62) .60) ⎛ m⎞ m! ⎜ ⎟= ⎝ n ⎠ ( m − n )!n ! (1. Neste caso só vai haver duas distribuições possíveis. W 3 2 1 (a) (b) Fig.SEMICONDUTORES 1. 3. As estatísticas referidas são representadas por funções de distribuição que traduzem o grau de preenchimento dos estados quânticos com energia entre W e W+dW.24.1. 3 e que valem 1. Para além da estatística de Fermi-Dirac. Quanto à estatística de Maxwell-Boltzmann não verifica os dois princípios referidos e aplica-se às moléculas de um gás rarefeito. 24 – Distribuição de 4 electrões pelos estados quânticos de modo a garantir que a energia total é igual a 7. Fig. aplicável aos electrões.1. Pretende-se descobrir qual a distribuição mais provável. 2. Aplica-se a fotões. (a) e (b). considera-se que se têm N = 4 e W = 7 em que os estados de energia possíveis são os estados 1. Para cada um destes valores de energia considerem-se três estados quânticos. 2. A estatística de Bose-Einstein assenta no princípio da indiscernibilidade das partículas mas não no princípio de exclusão de Pauli.61) 0 ≤ f (W ) ≤ 1 (1. é importante referir a estatística de Bose-Einstein e de Maxwell-Boltzmann. Para a estatística de Fermi-Dirac a função de Fermi-Dirac f (W ) é dada por f (W ) = 1 W −WF 1 + e kT (1.41 A título de exemplo. O número de maneiras associado à distribuição (a) ma é dada por ⎛ 3⎞ ⎛ 3⎞ ⎛ 3 ⎞ ma = ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ = 27 ⎝1⎠⎝1⎠⎝ 2⎠ e à distribuição (b) é ⎛ 3⎞ ⎛ 3⎞ mb = ⎜ ⎟ ⎜ ⎟ = 3 ⎝ 1⎠ ⎝ 3⎠ Deste modo a distribuição (a) é a mais provável.

25.e. k= 1. f (u ) = 1/ 2 i. como é .e. i. u → −∞ .66) Para T = 0 K se W > Wf W < WF i. u > 0 .64) Atendendo a que o nosso objectivo é estudar o comportamento dos electrões e buracos no semicondutor ir-se-á dedicar um pouco mais de atenção à estatística de Fermi-Dirac.68) f (u ) → 1 Há um aspecto importante ligado com a forma da curva associada à função f(u) que se traduz no seguinte resultado: para qualquer u. Como foi referido a função f(W) indica o grau de preenchimento dos estados quânticos e toma valores entre 0 e 1. isto é. u = 0. f (u ) = 0 (1. tendo em linha de conta a transformação W − WF =u kT (1.1. Nalgumas situações importantes é possível simplificar a função de Fermi-Dirac. i. T é a temperatura absoluta e k é a constante de Boltzmann.65) Os gráficos de f(W) e 1-f(W) são bastante elucidativos e estão representados na Fig.63) −1 enquanto que para a estatística de Maxwell-Boltzmann se tem f M − B (W ) = e − W −WF kT (1. Para a estatística de Bose-Einstein a função de distribuição é dada por f B − E (W ) = 1 W −WF e kT (1. f (u ) → 0 (W − WF ) >> kT (W − WF ) << −kT (1. u < 0 .67) f (u ) = 1 Para T ≠ 0 K →W = WF i.42 SEMICONDUTORES em que WF é a energia de Fermi. o grau de ocupação para um dado valor de energia é igual ao grau de desocupação para um valor de energia simétrico relativamente à energia de Fermi. u → +∞ .e. Sendo assim a função 1 − f (W ) traduz o grau de desocupação dos correspondentes estados quânticos e pode ser expressa como 1 − f (W ) = 1+ e 1 − W −WF kT (1.38x10-23 J/K. a função f(u) toma o mesmo valor que a função 1-f(-u).e.1.e.

quer ele seja homogéneo ou não. f (W ) = 1 W −WF 1 + e kT − e W −WF kT (1. 1. O nível de Fermi varia com a temperatura.43 o caso em que W − WF >> kT . em virtude da função de Fermi-Dirac ser aproximada pela função de distribuição associada à estatística de Maxwell-Boltzmann. porque a estatística de Fermi-Dirac é obtida sem ter em linha de conta o número de estados quânticos em energia e a sua distribuição espacial. é constante em qualquer região do material. Pode-se no entanto adiantar que nos semicondutores intrínsecos WF é praticamente independente da temperatura. WF . O nível de Fermi. 25 – Função de Fermi a T=0 K e T≠0 K. Para os metais WF decresce ligeiramente com o aumento da temperatura. . No entanto para os semicondutores a variação depende do tipo de semicondutor. u T ≠0 K 1 − f (u ) 0 1/2 1 f (u ) T =0 K Fig. em equilíbrio termodinâmico.69) Esta aproximação chama-se de aproximação de Maxwell-Boltzmann. como será fácil de perceber pelas considerações feitas mais à frente. nos semicondutores tipo-n WF desce com o aumento de temperatura e que para os semicondutores tipo-p WF sobe com o aumento de temperatura.SEMICONDUTORES 1.

1.e.77) .5.72) tem-se n= * 8π mn ∞ h 3 ∫ − e W −WF kT * 2mn (W − Wc ) dW (1.71) Definindo a densidade de electrões n = N V0 e considerando Wc − WF >> kT . 1 W −WF 1 + e kT =e − W −WF kT (1. Assim.. ∞ ∫ f (W ) gc (W ) dW (1.70) Wc N= ∫ Wc 1 ⎛ ⎜ W −WF ⎜ ⎝ 1 + e kT ⎞ 8πV0 * * ⎟ 3 mn 2n (W − Wc ) dW ⎟ h ⎠ (1.44 SEMICONDUTORES 1.76) De igual modo a densidade de buracos p é obtida a partir da expressão P= WV −∞ ∫ gV (W ) ⎡1 − f (W ) ⎤ dW ⎣ ⎦ (1. i.75) em que Nc é a densidade efectiva de estados na banda de condução dada por ⎛ 2πm* kT n N = 2⎜ ⎜ c 2 ⎜ h ⎝ 3/ 2 ⎞ ⎟ ⎟ ⎟ ⎠ (1. Cálculo da densidade de electrões e buracos no semicondutor Atendendo a que. gc (W ) dW é o número de estados quânticos existentes entre W e W + dW e f (W ) é o grau de preenchimento dos estados quânticos. o número de electrões que existe entre W e W + dW é dado por f (W ) gc (W ) dW . o número total de electrões na banda de condução é calculado por ∞ N= ou seja.74) que se pode escrever de forma mais compacta como n = Nc (1.73) Wc Resolvendo o integral obtém-se ⎛ 2πm* kT n n = 2⎜ ⎜ 2 ⎜ h ⎝ 3/ 2 Wc − WF ⎞ − ⎟ kT e ⎟ ⎟ ⎠ W −W − c F e kT (1.7.

dá ⎛ 2πm* kT P p = 2⎜ p= ⎜ h2 V0 ⎝ ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ 32 W −W − F V e kT (1.1.80) É importante ter em atenção que as relações (1.26 faz-se a representação gráfica do cálculo do número total de electrões N e buracos P na banda de condução e na banda de valência respectivamente.79) só são válidas para o equilibrio termodinâmico e na aproximação de Maxwell-Bolzmann. após ter-se também utilizado a aproximação de Maxwell-Bolzmann. W W W 1 − f (W ) WC WF WV WG gC(W) gV(W) WF 1/2 1 f (W ) WC WF WV N WG P gC(W) f(W) gV(W) [1-f(W)] Fig.SEMICONDUTORES 1.79) em que NV é a densidade efectiva de estados na banda de valência dada por ⎛ 2πm* kT ⎜ p N = 2⎜ V 2 ⎜ h ⎝ 3/ 2 ⎞ ⎟ ⎟ ⎟ ⎠ (1. Os semicondutores que verificam estas condições designam-se por não-degenerados. 26 – Representação gráfica do cálculo de N e P.75)e(1. 1.78) ou seja p = NV W −W − F V e kT (1. Na Fig. isto é. o nível de Fermi deve estar localizado na banda proibida e suficientemente afastado da banda de condução e da de valência de alguns kT.45 que. .

Se o semicondutor for p extrínseco tipo-n WF aproxima-se da banda de condução e se for tipo-p aproxima-se da banda de valência.85) ou seja WFi ⎛ m* WV + WC 3 p = + kT ln ⎜ * ⎜ mn 2 4 ⎝ ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ (1. A variação de WF com a temperatura deverá ser agora fácil de perceber se atendermos a que os semicondutores extrínsecos se comportam como intrínsecos a temperaturas elevadas. .82) 2WFi ⎛ WV + WC −⎜ kT ⎝ kT ⎛ NV ⎞ ⎞ ⎟ = ln ⎜ N ⎟ ⎠ ⎝ C⎠ (1. 1.5.46 SEMICONDUTORES 1.83) WFi = WV + WC kT ⎛ NV ⎞ + ln ⎜ ⎟ 2 ⎝ NC ⎠ kT 32 * ⎛ NV ⎞ 3 ⎛ m p ⎞ ⎜ ⎟ → ln ⎜ ⎟ = ln * NC ⎠ 2 ⎜ mn ⎟ ⎝ ⎝ ⎠ (1. 27 – Localização do nível de Fermi nos semicondutores não-degenerados.27.1. vem: = NV NC −WC +WFi +WFi −WV kT e (1.84) * NV ⎛ m p ⎞ ⎜ ⎟ = * NC ⎜ mn ⎟ ⎝ ⎠ (1.81) multiplicando ambos os membros por W −W + Fi V kT e e dividindo por NC .1 Localização do nível de Fermi no semicondutor intrínseco e extrínseco Num semicondutor intrínseco n=p=ni e portanto Nc W −W − c Fi e kT = Nv W −W − Fi V kT e (1.7. >>kT WC WFi WV intrínseco WV tipo-n WF WV WC WF WC >>kT tipo-p Fig. Fig.86) * Se m* = mn ⇒ WFi está exactamente a meio da banda proibida. 1.

.7. Verifica-se que o termo exponencial é dominante nas condições usuais.91) ou seja ni = NC NV e Atendendo a que NC NV ∝ T 3 . 1. W −W +W −W W −W W −W W −W F Fi Fi Fi F Fi F − − kT kT kT e kT =N e =N e n=N e c c c − (1. ter-se-à . Sendo que para o semicondutor intrínseco n=p=ni. Na Fig. np = ni2 = NC NV W − G e kT (1.47 As densidades n e p podem ainda escrever-se em termos da densidade intrínseca e da posição relativa do nível de Fermi ao nível de Fermi intrínseco. intrínseco ou extrínseco. Variação com a temperatura Num semicondutor não-degenerado ter-se-à.88) De igual modo se pode escrever p = ni WFi −WF e kT (1. −WC +WF −WF +WV np = NC NV e kT = NC NV W −W − C V kT e = NC NV W − G e kT (1. para qualquer semicondutor não-degenerado em equilíbrio termodinâmico. ter-se-á ni2 ∝ T 3 e −WG ( kT ) − WG 2 kT (1.5.93) As expressões anteriores mostram que a densidade intrínseca depende da temperatura através de um termo exponencial e duma potência.87) ou seja W −W F Fi kT n=ne i (1.SEMICONDUTORES 1. em equilíbrio termodinâmico.89) 1.92) ou seja ni ∝ T 3 2 e −WG (2 kT ) (1.2 Densidade intrínseca.90) Este resultado indica que o produto np é independente da localização do nível de Fermi e portanto será válido para qualquer semicondutor.28 mostra-se o andamento com a temperatura da densidade intrínseca para vários semicondutores.

1.48 SEMICONDUTORES
10 20

10 15 ni (cm-3)

Ge

10

10

Si GaAs

105

1

2 3 -1 1000/T (K )

4

Fig. 1. 28 – Densidade intrínseca em função da temperatura para vários semicondutores.

As expressões anteriores só são válidas em equilíbrio termodinâmico para semicondutores não-degenerados. Fora do equilíbrio termodinâmico podemos manter as expressões para as concentrações de electrões e buracos desde que desdobremos o nível de Fermi, WF, em dois pseudoníveis de Fermi ou imref (de “imaginary reference” ou a palavra fermi escrita ao contrário), um para electrões e o outro para buracos. Deste modo as relações, (1.75), (1.79), (1.88) e (1.89) serão escritas como
n = Nc
W −W − c Fn kT e

, p = NV e

WFp −WV kT

, n = ni

WFn −WFi e kT

WFi −WFp

e p = ni e

kT

(1.94)

em que WFn e WFp são os pseudoníveis de Fermi para electrões e buracos respectivamente. Em situações de não-equilíbrio termodinâmico o produto np é diferente de ni2 e pode ser expresso em termos da separação dos dois pseudoníveis de Fermi, np = ni2 e
WFn −WFp kT

(1.95)

Deste modo a separação dos dois pseudoníveis de Fermi é portanto uma medida do desvio das concentrações de portadores relativamente à situação de equilíbrio termodinâmico, para a qual o desvio é zero. Quando o semicondutor possui densidades de impurezas de substituição elevadas, i.e.,

SEMICONDUTORES 1.49

próximas de NC ou NV (~1025 m-3 para o Si), já não é válida a aproximação de Maxwell-Bolzmann e portanto as relações (1.75) e (1.79) não estão correctas. Nomeadamente já não se verifica a relação pn=ni2. Semicondutores fortemente dopados designam-se por degenerados e são caracterizados por possuírem o nível de Fermi muito próximo ou mesmo dentro da banda de condução ou de valência. A existência de estados de energia permitidos junto ao nível de Fermi justifica que muitas das propriedades eléctricas dos semicondutores degenerados sejam idênticas às dos metais. Adicionalmente existe uma diminuição da altura da banda proibida em virtude dos estados associados à impurezas darem origem a bandas de energia que se sobrepõem à banda de condução ou de valência. Para o Si, a diminuição da altura da banda proibida pode ser desprezável para densidades de dopante inferiores a 1024m-3. Contudo verifica-se que, para uma densidade de impurezas dadoras de 1025m-3, já a variação da altura da banda proibida pode ser superior a 10% do seu valor.

1.8. Condução
Os electrões e os buracos podem ser olhados como partículas livres desde que se lhes associe uma massa eficaz. Num cristal perfeito e, sob o ponto de vista clássico, este tipo de partículas tem um movimento rectilíneo e uniforme, limitado somente pelas paredes do cristal. Na realidade este movimento é afectado pela existência de “choques” em vários pontos do espaço e que obrigam a trajectória a desviar-se de forma aleatória. Estes “choques” devem-se à alteração do andamento periódico ideal do potencial que pode ter origem na temperatura, impurezas, ou imperfeições de rede cristalina. Variações do potencial no espaço estão associadas a campos eléctricos locais, isto é forças de natureza eléctrica, que são responsáveis pela alteração do estado de movimento do electrão. Dos três tipos de “choques” o mais importante é o que está associado à temperatura, por envolver todos os átomos do cristal. A temperatura faz com que os átomos oscilem em torno das suas posições de equilíbrio conduzindo a alterações do potencial nessa região. Os electrões ou os buracos que se movimentem junto aos átomos irão sentir estas perturbações e portanto alterar a sua trajectória, como se mostra na Fig. 1.29. A densidade de impurezas é normalmente muito inferior à dos átomos de base do semicondutor e não tem um efeito tão importante quanto a temperatura. Por sua vez é possível, com a actual tecnologia, reduzir os defeitos cristalinos a valores tais que se pode desprezar a sua influência no movimento dos electrões ou dos buracos.

1.50 SEMICONDUTORES

Fig. 1.29 – Movimento dos electrões ou buracos devido à agitação térmica.

Este movimento de agitação térmica não dá origem a corrente eléctrica e por isso valor médio da velocidade vth = 0 . Esta expressão pode ser interpretada como sendo o resultado de observação no tempo da velocidade de uma só partícula ou a resultante da velocidade de todas as partículas, de um dado tipo, num dado instante. Para os metais vth 106 m / s e para os semicondutores vth 105 T / 300 m / s . Define-se tempo livre como o tempo que decorre entre dois “choques”consecutivos e espaço livre como a distância percorrida correspondente. Contudo, para a população de electrões e buracos presentes no semicondutor é mais adequado falar em valores médios pois as propriedades macroscópicas do semicondutor estão associadas ao comportamento do colectivo de partículas. Nesse sentido é mais importante falar em espaço livre médio ou tempo livre médio para os portadores de carga. Quando se aplica um campo eléctrico E , aparece uma força eléctrica que, para o electrão é dado por:
Fn = − qE

(1.96)

e para o buraco é
Fp = qE

(1.97)

Sendo o campo constante, a força também o será e, de acordo com os resultados da mecânica clássica o movimento é uniformemente variado e a trajectória destas partículas é em geral parabólica (só será rectilínea quando v e E forem paralelos), Fig. 1.30.

SEMICONDUTORES 1.51

v⊥

v th

F
v

Fig. 1.30 – Trajectória dum electrão sob a acção duma força constante.

Após vários choques a trajectória do electrão pode ser visualizada como sendo constituida por vários arcos de parábola, Fig. 1.31. Se o campo eléctrico não for suficientemente elevado pode escrever-se
v = vth + vF

(1.98)

em que vF traduz o vector velocidade associado à força. Em valores médios:
v = vth + vF = vF

(1.99)

Entre “choques” a componente da velocidade paralela à força aumenta de acordo com a relação: F vF = t (1.100) m*

E Fn

Fig. 1.31 – Trajectória do electrão após vários choques quando sujeito a um campo eléctrico constante.

só são verificadas para campos eléctricos baixos. quando este vale 1 V/m. . (1.102) em que μ = n qτ n * m n [m 2V −1s −1] (1. também designada por velocidade de deriva. Fig 1.102) e (1.105) é a mobilidade dos buracos. quando não há alteração significativa da velocidade ou energia dos portadores. isto é.102) pode-se interpretar a mobilidade dos electrões como o valor médio do acréscimo da sua velocidade entre dois choques consecutivos.104) em que μ p = qτ p * m p [m 2V −1s −1] (1.32.104).103) é designada por mobilidade dos electrões. e o campo eléctrico.101) em que τ é o tempo livre médio. De forma idêntica obtém-se para os buracos: v F p = qτ p E =μ E p * m p (1. Para os electrões ter-se-á então v F n =− qτ n E = −μ E n * m n (1. Este comportamento tem a sua origem na estrutura das bandas do semicondutor e nos processos de colisão associados aos electrões mais energéticos. A evolução da velocidade de deriva com o campo eléctrico depende do material semicondutor e tende a saturar para campos eléctricos elevados.52 SEMICONDUTORES e por isso vF = F F t = τ m* m* (1.1. segundo a direcção do campo eléctrico aplicado. De acordo com (1. que pode ser interpretada de forma idêntica à dos electrões. As relações de proporcionalidade entre a velocidade média.

04 Um aumento de temperatura.85 0.1. para um semicondutor com uma elevada densidade de impurezas e na gama de temperaturas baixas. a 300 K.39 0.8 Mobilidades a 300 K para vários semicondutores T=300 K Ge Si GaAs μn (m2V-1s-1) μp (m2V-1s-1) 0. Na Tabela 1. em geral.33(b).8 indicam-se alguns valores típicos das mobilidades dos electrões e buracos para vários semicondutores. em virtude de haver uma diminuição de choques associados às impurezas e serem estas que determinam o valor da mobilidade. para uma dada temperatura.19 0.SEMICONDUTORES 1.045 0. É importante realçar que para um dado material a uma dada temperatura se verifica sempre μ p < μ n . um aumento de temperatura pode conduzir a um aumento da mobilidade. 1. Por sua vez.33(a).53 3 InGaAs Velocidade dos electões (105m/s) InP 2 GaAs T= 300K 1 Si 0 0 5 10 15 Campo Eléctrico (kV/cm) 20 Fig. Fig. o aumento da densidade de impurezas conduz sempre a uma diminuição das mobilidades. Tabela 1. Contudo. 32 – Velocidade de deriva dos electrões em função do campo eléctrico para vários materiais semicondutores. faz diminuir a mobilidade em virtude de aumentar a frequência de “choques” com os átomos da rede. . Fig.1.15 0.

1. podendo escrever-se: 1 1 1 = + τ τ1 τ2 e portanto μ= μ1μ 2 μ1 + μ 2 (1. a frequência média das colisões é a soma das frequências médias devida a cada um dos mecanismos.107) A existência duma velocidade média não nula segundo a direcção do campo. No caso de os dois mecanismos de desvio serem independentes. ter-se-á: para os electrões: J ncond = + qnμ n E (1.s)) N D = 1021 m −3 (a) 10−1 1023 Si 10 −2 1025 10−3 0 100 200 T (K) 300 400 500 Mobilidade dos electrões (m2/(V.10 T= 300K T= 348K T= 398K (b) Si 0.102) e (1.05 0 1021 1022 1023 1024 1025 -3 1026 Concentração de dopante (m ) Fig.s)) 0.33 – Si: (a) Mobilidade em função da temperatura.104).20 0. Atendendo que a densidade de corrente é dada por J cond = ρ vF .108) .54 SEMICONDUTORES 1 Mobilidade dos electrões (m2/(V. dá origem a um fluxo de partículas carregadas nessa direcção.1. ou seja a corrente eléctrica. (1. (b) Mobilidade em função da densidade de dopante.106) (1.15 0.

Não há aqui qualquer contradição porque as partículas estão sujeitas a “choques” e em cada “choque” o acréscimo de energia obtido.112) pode-se aumentar a condutividade aumentando a densidade de portadores e/ou as mobilidades. Os “choques” funcionam como uma força de atrito que se opõe ao movimento dos portadores de carga e permite obter uma velocidade média constante para cada valor do . obter-se-à para o semicondutor σ = q(nμ + pμ ) n p [ S / m] (1. como acontece às partículas clássicas sujeitas a forças constantes. é fácil de perceber que os semicondutores extrínsecos possuem valores de condutividade várias ordens de grandeza superiores aos dos semicondutores intrínsecos.110) Atendendo à lei de Ohm local J cond = σE (1. Este resultado deve-se ao facto de a velocidade média ser constante e não aumentar com o tempo. É importante realçar que para um campo eléctrico constante a corrente eléctrica também é constante. associado ao aumento da velocidade.g.114) σ σ p = qp μ p (p ni ) (1.SEMICONDUTORES 1. é todo transferido para a rede cristalina.55 e para os buracos: J pcond = qpμ p E (1.112) Para o semicondutor intrínseco a condutividade pode escrever-se como: σ = σi = q ni μ n + μ p No caso dum semicondutor extrínseco tipo-n ter-se-à σ σn = qn μ n e extrínseco tipo-p ( ) ni ) (1. e.115) Como se vê da relação (1. em valores médios.113) (n (1. Convém relembrar que este resultado pode ser obtido com densidades de impurezas de substituição muito pequenas.109) Num semicondutor a densidade de corrente total vai ter a contribuição de ambos os portadores de carga e portanto J cond =J n cond +J p cond (1.. Atendendo a que se pode alterar a densidade de portadores em várias ordens de grandeza adicionando impurezas de substituição ao semicondutor. uma impureza por um milhão de átomos de base. Esta energia transferida para a rede cristalina.111) em que σ é a condutividade. dá origem a um aumento de temperatura do cristal usualmente referido como efeito de Joule.

5 Ω. Conhecida a condutividade/resistividade.1.84x1017m-3. Verifica-se que σ ( 410 K ) > σ ( 300 K ) relativamente à ou seja. ver Exemplo 1. o aumento da densidade de portadores domina das mobilidades. Desprezando as variações das dimensões com a temperatura obtém-se R(410K)= 88. de forma esquemática .4x1019m-3.4 m2V-1s-1. Para um dado campo eléctrico quanto maior a condutividade maior a corrente.9 – Considerar uma resistência de germânio de tipo-n com 1 mm2 de secção e 1 cm de comprimento que possui uma densidade de impurezas dadoras Nd=1.16) e (1. A condutividade está por isso ligada com a maior ou menor resistência à passagem da corrente no semicondutor. μp=0. e a área da secção transversal S dum semicondutor homogéneo pode-se calcular a sua resistência através da expressão: R= 1L L =ρ S σS (1.116) Exemplo 1.293 m2V-1s-1 e μp(410K)=0. Na Fig. ρ = 1/ σ [Ω.34 mostra-se. μn=0.5x1021m-3 e p0=3. Admitir que as mobilidades variam com o inverso da temperatura. em equilibrio termodinâmico. Calcular a condutividade e a resistência da barra semicondutora a 300 K e a 410K. Neste caso já se não verifica N d ni e é necessário resolver o sistema que envolve as equações (1. o comprimento L. Dados: Ge(300K): ni=2.2 m2V-1s-1. Por sua vez as mobilidades a T e a T’ estão relacionadas através de μ(Τ’)=μ(T)(T/T’) pelo que μn(410K)= 0. 1. Se o semicondutor não for homogéneo a condutividade será diferente em várias regiões do semicondutor e a expressão (1.1x1021m-3.5x1021m-3.66 eV.2 Ω.3x1020m-3. WG=0.5. Solução: Ir-se-á admitir que a 300 K as impurezas estão todas ionizadas.116) já não é válida. Tira-se então σ(410 K ) 113 S / m .De R = L / ( σS ) obtém-se R=104. Aumentando a temperatura aumenta ni. n0=1. Portanto.18) obtendo-se n0(410K)=2. Atendendo a que Nd ni então n0 Nd e p0 = ni2 / n0 .146 m2V-1s-1. p0(410K)=6. O inverso da condutividade designa-se por resistividade.16x1021 m-3.56 SEMICONDUTORES campo eléctrico. O aumento de temperatura foi diminuição suficientemente elevado para que o semicondutor deixasse de se comportar como fortemente extrínseco tipo-n e se encontre no limiar da região intrínseca de funcionamento. O valor de ni(410K)= 1. É esse o caso das resistências de circuito integrado que possuem uma condutividade à superfície superior à condutividade nas camadas mais profundas. A condutividade σ = q (n0μ n + p0μ p ) e portanto σ = 96 S/m. uma resistência .m] .

A relação (1. Contacto metálico Isolante w 0 p+ b L n p p+ z x y Fig.34 . W a largura e b a profundidade da resistência. R tem as dimensões de Ω mas é especificado. O cálculo do integral pode ser contudo difícil a não ser que se façam algumas simplificações.117) pode então escrever-se como R=R L W (1. A resistência da camada ainda pode ser escrita na forma .Resistência de circuito integrado.118) em N ' é a densidade de dopante por unidade de área. de tipo diferente da que constitui o substrato. No caso de uma distribuição da densidade de impurezas N(x) do tipo gaussiano e com a densidade de portadores maioritários igual a N(x). É importante realçar que o valor do integral pode ser obtido através da medida duma resistência de semicondutor que possui uma superfície quadrada (L=W). A título de exemplo. Nesta resistência a concentração de dopante é máxima à superfície e decresce até a uma distância b. ter-se-à: ∫ σ ( x ) dx = qN μ ' 0 b (1. Neste caso a resistência deve ser calculada de acordo com a relação: R= 1 ∫ σ ( x ) dx o b L W (1. em Ω / . Conhecida a evolução da densidade de impurezas e da mobilidade com x é possível calcular o integral e de seguida obter o valor da resistência. com uma mobilidade constante μ . junto ao substrato.119) em que R é a resistência da camada e L/W representa o número de quadrados que descrevem as dimensões superficiais da resistência. 1.117) em que L é o comprimento.SEMICONDUTORES 1. por convenção. uma resistência de circuito integrado com L= 30 μm e largura W= 3 μm para a qual R = 300 Ω / possui um valor de 3 kΩ.57 de circuito integrado constituida por uma camada de semicondutor extrínseco.

Nos circuitos que envolvem resistências de semicondutor poderá ser necessário ter em linha de conta este efeito para garantir o seu funcionamento correcto. É de realçar que só na zona de saturação há uma diminuição da condutividade com o aumento da temperatura. para um semicondutor extrínseco. correspondentes às zonas definidas para as curva da Fig. relativa à variação da densidade de portadores com a temperatura. saturação e intrínseca. isto é. Na Fig.35 – Variação da condutividade com a temperatura num semicondutor extrínseco.1. É possível distinguir três zonas: ionização. As resistências mais sensíveis à temperatura são de semicondutor intrínseco e designam-se por termistores de coeficiente de .120) em que σ é a condutividade média da resistência calculada a partir de σ= 1 σ ( x ) dx b∫ 0 b (1.121) No exemplo anterior se se admitir que b= 5 μm então a condutividade média da resistência vale 667 S/m.58 SEMICONDUTORES R = 1 σb (1. 1. a variação da condutividade com a temperatura. Das considerações anteriores é importante notar que a condutividade.35 mostra-se. A condutividade depende da temperatura através da mobilidade e da densidade de portadores.16. em virtude de a densidade de portadores se manter aproximadamente constante neste intervalo de temperaturas mas a mobilidade descer. a resistência dum semicondutor varia com a temperatura. 1. A sensibilidade à temperatura das resistências de semicondutor pode no entanto ser utilizada na implementação de sensores de temperatura.1. log σ saturação intrínseca ionização Semicondutor tipo-n ou tipo-p 1/Ti 1/T Fig.

Na expressão (1.113).123) .59 temperatura negativo (NTC. independentemente de serem de material semicondutor ou não.122) em que A é uma constante de proporcionalidade com dimensões de Ω e B é uma constante positiva que toma valores típicos da ordem de milhares de graus Kelvin.124) − WG (2kT ) (1.SEMICONDUTORES 1.Positive Temperature Coefficient.Negative Temperature Coefficient) em virtude da resistência diminuir com o aumento de temperatura.13) e desprezando a variação das dimensões com a temperatura ter-se-à σi ∝ e e portanto W (2kT ) R∝e G (1. Para um semicondutor intrínseco a resistência é dada por R = 1 L σi S em que σi é a condutividade intrínseca dada por (1.122) T é a temperatura em K. Fig. que a densidade intrínseca varia com a temperatura através da expressão (1.36.122) a resistência dum termistor varia de forma exponencial com a temperatura.36 – Variação da resistência com a temperatura num termistor: (a) escala linear em função de T. Os termistores NTC. Atendendo a que as mobilidades variam com T −3/ 2 num semicondutor intrínseco. R log R O (a) T (b) 1/T Fig. (b) escala logaritmica em função de 1/T. Termistores cuja resistência aumenta com o aumento de temperatura designam-se por PTC . possuem uma lei de variação da resistência com a temperatura que é dada por B R = Ae T (1. De acordo com a expressão (1. 1.1.

124) com (1. A título de exemplo vai-se analisar o efeito de Hall num semicondutor extrínseco tipo-n de forma paralelepipédica. 1. Quando se aplica um campo estático B . designada por tensão de Hall. A existência de corrente eléctrica permite associar a cada tipo de portadores de carga uma velocidade média não nula. Fig.37. Nestas condições a acção dum campo B dá origem a uma força de natureza magnética.122) retira-se a constante A. também esteja presente nos semicondutores intrínsecos e metais. aparece entre C e D uma tensão U H diferente de zero e negativa. e a constante B que é expressa por B= WG 2k (1. de forma menos evidente. para os electrões. O efeito de Hall manifesta-se sobretudo nos semicondutores extrínsecos fracamente dopados embora.37. a tensão U H entre os terminais C e D é igual a zero. B⎤ ⎣ ⎦ B (1. é dada por: F = −q ⎡ v . os maioritários. 1. 1.1.127) . não necessariamente uniforme. que depende do material e das dimensões.126) e para os buracos F = q ⎡ vp . Sem campo de indução magnética B . Entre os contactos A e B faz-se passar uma corrente eléctrica constante de intensidade I. O efeito de Hall consiste no aparecimento da tensão U H . no qual se estabeleceram quatro contactos em duas direcções perpendiculares. B ⎤ ⎢ n ⎥ B ⎣ ⎦ (1. se for aplicado como se mostra na Fig.60 SEMICONDUTORES Comparando (1.125) A maioria dos termistores comerciais do tipo NTC são de material cerâmico e não de material semicondutor por razões de natureza económica. Efeito de Hall O efeito de Hall resulta da acção conjunta dum campo eléctrico e magnético no movimento dos portadores de carga num semicondutor.9. Para os semicondutores extrínsecos o efeito de Hall pode ser analisado de forma relativamente simples pois é suficiente considerar um único tipo de portadores. a força de Lorentz que.

De acordo com a relação (1.61 B I A z UH x C y tipo-n D y z x B I Fig.1.126) e atendendo aos sentidos para vn e B .1.39(a). 1. Se os vectores forem perpendiculares α=90º e portanto F = q v B .37 .SEMICONDUTORES 1. Fig.Configuração utilizada para o estudo do efeito de Hall O vector força magnética tem o sentido e direcção definidos pelo produto externo e pelo sinal da carga e um módulo dado por F = q v B sen(α) B (1.128) em que α é o ângulo que o vector velocidade faz com o vector B . 1.38 – Vector força magnética para: (a) electrões e (b) buracos. a força de natureza magnética FB está . Consideremos então um semicondutor tipo-n e desprezemos a contribuição para a corrente dos portadores minoritários. Fig.38. os buracos. B FB vn α vp B α B electrões (a) buracos (b) FB Fig.

Deste modo.e.39(b). 1. Este facto resulta de que FB tem o mesmo sentido que na situação em que o semicondutor é do tipo-n pois há duas trocas de sinal: carga e velocidade. . Deste modo a tensão de Hall é negativa de acordo com o sentido convencionado na Fig. que será tanto maior quanto maior for o efeito de Hall. B . designa-se por ângulo de Hall.39(a). A força dá origem a acumulação de carga B negativa nas regiões do semicondutor junto ao contacto C. i. a acumulação de carga positiva é no semicondutor junto a C. 1. sentidos de I. Devido ao aparecimento de uma componente do campo segundo y. 1. É de realçar que se o semicondutor fosse do tipo p e mantendo as restantes condições. então U H > 0 . A I − n − − − − − − − FB − Ey − − − E + + + + + + z B A I y x + p + + + + + + FB + + + + + B Ey E vn C D C − − − − − − D θH + FE + + + + Ex + I UH < 0 FE − − − − vp − − I B (b) UH > 0 B (a) Fig.62 SEMICONDUTORES dirigida segundo – y e vale F = q vn B . Assim. 1.. o efeito de Hall pode ser usado na determinação do tipo de portadores maioritários de um semicondutor. com o campo eléctrico dirigido de D para C. 39 – Efeito de Hall num semiconductor tipo-n (a) e num semiconductor tipo-p (b). θ H . o campo total no semicondutor não será dirigido só segundo x. a força de natureza magnética FB é equilibrada pela força de natureza eléctrica FE associada ao campo E y . U H como na Fig. Nas condições da Fig. e na situação estacionária. Ao ângulo formado entre o vector campo eléctrico e a sua componente segundo x.1.39. estabelecendo-se por isso uma diferença de potencial entre C e D.

134) então: ⎛ 1 ⎞ IB E = ⎜− ⎟ y ⎝ qn ⎠ y z (1.129) em que: E =E u y y y (1. Para semicondutores fortemente dopados.130) Da igualdade: F +F =0 E B (1.SEMICONDUTORES 1.136) que se pode escrever como U H = RH IB z (1. ou metais.131) tira-se que: vx B = E y (1. R é muito pequeno e portanto as H tensões de Hall são bastante baixas.133) Como: I = − qnv x y z (1.138) se designa por constante de Hall. .132) É de notar que: ⎧v = v x u x ⎪ ⎨ ⎪ B = Bu z ⎩ (1.135) e portanto: U H =E ⎛ 1 ⎞ IB = ⎜− ⎟ y y ⎝ qn ⎠ z (1.63 A força de natureza eléctrica FE é dada por: F = − qE E y (1. e o efeito de Hall é dificilmente detectável.137) em que 1 R =− H qn (1. A importância do efeito de Hall é enorme pois para além de permitir identificar o tipo de semicondutor extrínseco em análise. No sentido de aumentar U H pode-se diminuir a espessura da amostra z .

a constante de Hall é dada por: R = H q nμ n + pμ p pμ 2 − nμ 2 p n ( ) 2 (1.138) e (1. a uma dada temperatura.10 – Considere-se uma sonda de Hall de Si tipo-n. Com efeito. é de 1017m-3 e que 1mm. Difusão A difusão é um processo de transporte de partículas que resulta do seu movimento aleatório nas três direcções do espaço. com a configuração da Fig. contribuem para a corrente eléctrica. deverá existir uma corrente efectiva . Solução: A partir da relação (1. 1. I.1.137). As sondas de Hall são sensores de medida de B que se baseiam no efeito de Hall. Sabendo que a densidade de electrões no semicondutor.64 SEMICONDUTORES permite obter a densidade de portadores maioritários. Para semicondutores extrínsecos tipo-p. determinar o valor do campo B e indicar o seu sentido. respectivamente.5 V. 1. e pode ainda z ser utilizado na medida do campo B.139) no caso particular dos semicondutores serem extrínsecos tipo-n e tipo-p. electrões e buracos. a 300 K. Exemplo 1. UH.37.136) obtém-se B= -8 mT.139) No caso em que ambos os portadores. a expressão para tensão de Hall é idêntica a (1. indicados na referida figura. dada por: 1 R = H qp (1. B e U H .10. 1.140) Esta relação é geral e permite obter as relações (1. que vai ser utlizada na determinação dum campo B desconhecido existente numa dada região do espaço. havendo igual probabilidade de as partículas se movimentarem numa dada direcção.36. conhecidos . mas com a constante de Hall positiva. Ao estabelecer-se uma corrente I= 1mA obteve-se uma tensão de Hall UH= 0. Admita que se mantém o sentido da corrente e o convencionado para a tensão de Hall. Este processo é bem conhecido para as moléculas dum gás e caracteriza o movimento de partículas de regiões de maior densidade para regiões de menor densidade. O sinal negativo significa que o sentido de = z B é o oposto ao indicado na Fig.

Os electrões e buracos regem-se pela estatística de Maxwell-Boltzmann. Admite-se que a densidade de corrente de partículas por difusão C ⎡ m −2 s −1 ⎤ é ⎥ dif ⎢ ⎣ ⎦ proporcional ao gradiante de densidade sendo a constante de proporcionalidade o coeficiente de difusão D ⎡ m2 s −1 ⎤ .40.65 de partículas no sentido das densidades mais baixas. Considere-se então que na coordenada xA há 8 partículas e em xB há 4 partículas. 1. É importante realçar que a difusão dos electrões e buracos.SEMICONDUTORES 1. xA xB x Fig. das 8 partículas em xA 4 devem dirigir-se para a direita e 4 para a esquerda. A visualização do processo de difusão pode ser feita recorrendo a um modelo unidimensional simplificado. temperatura e gradiante de densidades. no caso dos semicondutores não-degenerados. Pela mesma razão das 4 partículas em xB 2 devem deslocar-se para a direita e 2 para a esquerda. Fig. associado ao gradiante de densidades. buracos e átomos de impurezas. Deste modo. quando a iluminação não é uniforme. para além das moléculas dum gás. No espaço tridimensional a difusão está associada a um movimento equiprovável da partícula em qualquer direcção e sentido que. dá origem a corrente eléctrica o que não acontece com a difusão de partículas não-carregadas. Atendendo a que o gradiante de densidade é um vector dirigido no ⎣ ⎦ sentido das densidades crescentes. A difusão também tem lugar em líquidos e sólidos e pode envolver. todas elas com movimento perfeitamente aleatório. envolvendo partículas carregadas. 1. electrões. garante um fluxo de partículas da região de maior densidade para a de menor densidade. e portanto podem ser olhados como um gás rarefeito de partículas carregadas. encontram-se: num semicondutor não homogéneo. Num semicondutor as condições necessárias e suficientes para haver difusão dos portadores. Numa coordenada intermédia existe pois um movimento efectivo de duas partículas para a direita. quando há temperaturas diferentes em regiões diferentes do semicondutor.40 – Modelo unidimensional que exemplifica o processo de difusão. etc. deverá escrever-se para os electrões .

146) T 0. pode escrever-se Dn = uT μ n D p = uT μ p (1.66 SEMICONDUTORES Cndif = − Dn grad n (1.148) em que J n = J ncond + J ndif J p = J pcond + J pdif (1. Esta equação obtém-se por via fenomenológica. a densidade de corrente.143) (1.026 V .141) e para os buracos C pdif = − D p grad p (1. A densidade de corrente total é então expressa como: J = Jn + J p (1. como se descreve a seguir.147) Para cada tipo de portador. para os electrões e buracos.145) em que uT = kT q (1.1.11.142) As respectivas densidades de corrente são: J ndif = −q Cndif = q Dn grad n J pdif = q C pdif = − q D p grad p (1. sendo particularmente importante na análise de algumas situações associadas a perturbações do equilíbrio termodinâmico. em geral. deverá pois conter dois termos: o de condução e o de difusão. se designa por tensão característica da tempertura T.149) 1. Equação da Continuidade A equação da continuidade é uma equação diferencial que estabelece a lei de variação no espaço e no tempo da densidade de electrões e dos buracos. A T=300 K u Assim.144) Para os semicondutores não-degenerados os coeficientes de difusão e as mobilidades estão ligados através das relações de Einstein: D=u μ T (1. .

O desequilíbrio entre G e R é contabilizado em termos de [G-R]δV. para os electrões: ⎛ ∂n ⎞ ⎜ ⎟ δV = ( G − R )n δV − div Cn δV ⎝ ∂t ⎠ pelo que.SEMICONDUTORES 1. a densidade de portadores pode variar no tempo devido a dois factores: (a) um desequilíbrio entre o ritmo de geração G e o ritmo de recombinação R. o número de partículas que entra em δV na unidade de tempo. dirigida segundo n .41. 1. sendo n a sua normal exterior.151) Assim pode-se escrever-se. e dado por − ∫ C . Designando por C a densidade de corrente de partículas para o exterior. responsável pelo movimento de portadores de ou para o elemento de volume. Com δV suficientemente pequeno e admitindo que não há variações bruscas das densidades + δV ∫ div C dV div C δV (1. para cada ponto do semicondutor ∂n = [G − R ]n − div Cn ∂t De igual modo para os buracos (1. 1. n dS = − ∫ divCdV δS δV ( ) (1. Fig.67 Num elemento de volume δV de semicondutor.150) pelo teorema do fluxo de divergência. C é a densidade de corrente de partículas.153) (1. (b) um processo de transporte. é o fluxo de C estendido a δS. condução e/ou difusão. que envolve o ponto P. segundo a normal n .152) . δS * P δV C n Fig. a área que envolve o volume considerado.41 – Elemento de volume utilizado na formulação da equação da continuidade. δS representa a superfície que envolve o elemento de volume δV.

Considera-se injecção fraca. para os electrões.155) com Cndif = − Dn grad n C pdif = − D p grad p Cncond = − n μ n E (1.158) pelo que. iluminado uniformemente. Analisar a evolução da densidade de electrões a partir do instante t = 0 .1. Exemplos de aplicação da equação da continuidade a várias situações importantes Caso 1: Semicondutor homogéneo tipo-p.1.156) C pcond = p μ p E Assim a equação da continuidade para os electrões e buracos poderá ser escrita como ∂n = [G − R ]n + Dn lap n + μ n div n E ∂t ( ) (1. a equação da continuidade será escrita como dn =G−R dt (1. em que se corta a iluminação. 1.68 SEMICONDUTORES ∂p = [G − R ] p − div C p ∂t Atendendo a que a corrente pode ser de condução ou difusão.11. (1. O segundo termo tem em linha de conta a difusão e o terceiro termo a condução.154) (1.157) ∂p = [G − R ] p + D p lap p − μ p div p E ∂t ( ) Do lado direito da igualdade o primeiro termo está associado a um efeito local e os dois termos restantes ao efeito de transporte de portadores duma região para a outra do semicondutor.159) . Se o semicondutor é homogéneo e está iluminado uniformemente div C = 0 . ter-se-á em geral: C = Cdif + Ccond (1.

161) Atendendo a que n = n0 + n ' p = p0 + p ' (1.167) em que A é uma constante de integração que vale A = n '(0) .SEMICONDUTORES 1.164) porque n0 p ' é desprezável face a n ' p0 .160) ter-se-à: dn = r ( n0 p0 − np ) dt (1. pode escrever-se np n0 p0 + n ' p0 (1.163) Admitindo a situação de injecção fraca. A τn costuma chamar-se tempo de vida médio dos electrões e pode ser interpretado como o tempo que o excesso de electrões leva em média até desaparecer por recombinação. Atendendo a que só os minoritários são perturbados só faz sentido definir o tempo de vida médio para este tipo de portadores.166) cuja solução é n '(t ) = Ae−t τn (1. quando não há 0 0 R =rn p (1. e n ' p ' é desprezável face a n ' p0 pois p ' << p0 . Como ter = rn p pois procuram-se as soluções para t ≥ 0 . isto é. virá então dn ' n' =− dt τn (1.165) Fazendo a substituição τn = 1 (rp0 ) . Deste modo dn dn ' = = − r p0 n ' dt dt (1. p ' << p0 . Para . só os minoritários são perturbados.162) virá: np = n0 p0 + n0 p '+ n ' p0 + n ' p ' (1.69 Neste caso G = G iluminação. em virtude de p0 >> n0 .

No Sílicio os tempos de vida médio podem variar de dezenas de μs a alguns ns. Se em t = 0− tivermos atingido a situação estacionária com iluminação e que o ritmo de geração por efeito fotoeléctrico é dado por G fe poder-se-à escrever 0=G−R (1. com o eixo das abcissas. Nas condições de injecção fraca ter-se-á então 0 = G fe − n '(0) ⇒ n '(0) = G fe τn τn (1. O valor de n '(0) pode também ser obtido por aplicação da equação de continuidade para os electrões.42 – Evolução de n’(t) a partir do instante em que se corta a iluminação para dois valores do tempo de vida dos electrões τn2>τn1. 1. No gráfico o tempo de vida é dado pela distância à origem do ponto de intersecção.8% n '(0) . Usualmente considera- se que os excessos estão praticamente recombinados para t ≥ 4τn . Os valores do tempo de vida médio dos portadores minoritários apresentam grandes variações pois dependem da densidade e tipo de centros de recombinação no semicondutor.42 está representado o andamento de n '(t ) para dois valores do tempo de vida dos electrões. 1. a que corresponde a ter uma densidade de excessos n ' ≤ e −4 n '(0) = 1.70 SEMICONDUTORES t = τn o excesso de electrões atinge o valor de 1/e do valor em t = 0 .168) (1.170) n’ n’(0) 0 τn1 τn2 t Fig. da tangente à curva na origem. Na Fig.1.169) em que G = G fe + Gter R = r nil pil sendo nil e pil as densidades de electrões e buracos respectivamente sob iluminação uniforme. .

iluminado uniformemente.174) em que o primeiro termo da expressão corresponde à solução da equação diferencial homogénea e o segundo termo à solução particular da equação diferencial.171) (1. 1.176) Na Fig.71 Caso 2: Semicondutor homogéneo tipo-p.173) cuja solução é dada por n '(t ) = Ae −t / τn + G fe τn (1.SEMICONDUTORES 1.43 está representada a evolução de n '(t) nestas condições. Considera-se injecção fraca. 1. em que se estabelece a iluminação. Para os electrões a equação da continuidade escreve-se como dn =G−R dt Neste caso G = G fe + Gter (1. Analisar a evolução da densidade de electrões a partir do instante t = 0 . dn ' n' = − + G fe dt τn τn = 1 rp0 (1. . n’ Gfeτn τn 0 t Fig.172) No seguimento do estudo feito para o Caso 1 pode escrever-se.43 – Evolução de n’(t) supondo que no instante t=0 se estabelece a iluminação. A constante de integração A é obtida pela condição de fronteira t=0 n ' = 0 ⇒ A = −G fe τn (1.175) pelo que n '(t) = G fe τn 1 − e − t ( τn ) (1.

também se convenciona que a situação estacionária está praticamente alcançada quando t ≥ 4τn . a diferença entre o valor de n '(t ) e o valor final é menor que G fe τn ( ) e4 ou seja um erro inferior a 1. 1. Nestas condições.42.1. Pode-se contudo adiantar que a relação corrente-tensão para o díodo assenta nas soluções da equação da continuidade para os portadores minoritários do lado p e n nas condições referidas. 1. Estas condições têm lugar numa situação muito importante e que envolve os díodos de junção quando sujeitos a uma tensão constante entre os seus terminais.72 SEMICONDUTORES Neste caso. foi atingida a situação estacionária. Despreza-se o efeito do campo eléctrico.44 mostra-se a evolução dos excessos numa situação em que se combinam os resultados obtidos nos casos anteriores e se admite que. Na Fig. É de realçar que neste contexto τn representa o tempo que em média o excesso de electrões leva a atingir o valor final. 1. isto é.44 – Evolução de n’(t) quando se combinam as soluções obtidas na Fig. durante a iluminação. 1. neste caso os electrões (injecção fraca). Admita-se que na região em análise não há iluminação.8%. Gfe n’ Gfeτn t τn 0 τn t Fig. G = G ter .41 e 1. Uma outra situação que corresponde às condições indicadas está representada na Fig.45. como se irá estudar em pormenor no próximo capítulo. A iluminação é constante e absorvida numa fatia estreita junto à superfície do . Caso 3: Difusão com recombinação na situação estacionária. A título de exemplo considere-se um semicondutor tipo-p em regime estacionário sujeito a uma perturbação que só afecta os portadores minoritários.

O caso em análise permite obter. Como os electrões têm mobilidade superior à dos buracos os electrões vão à frente e portanto estabelece-se um campo eléctrico local dirigido do lado não iluminado para o lado iluminado.177) n' d 2n + Dn 2 τn dx (1. Para os electrões a equação da continuidade deverá ser escrita como 0 = [G − R ]n + Dn lap n Se se assumir um modelo unidimensional e injecção fraca ter-se-à 0=− (1. a evolução no espaço dos portadores minoritários.178) Notando que d 2n dx 2 = d 2n ' dx 2 pois n = n0 + n ' a equação diferencial toma a forma d 2n ' 2 n' − 2 =0 dx Ln (1.SEMICONDUTORES 1. Gfe Semicondutor extrínseco O x b Fig. 1.45 embora não haja campo eléctrico aplicado exteriormente existe campo eléctrico local que está associado à diferença de mobilidades dos electrões e buracos.45 – Uma configuração possível para o estudo da difusão com recombinação dos minoritários. 1. É fácil de ver que havendo excesso de electrões e buracos na fatia iluminada eles tendem a fluir por difusão para a fatia não iluminada. Na situação correspondente à Fig. O efeito deste campo é mais importante para os maioritários e portanto vai-se desprezar a sua contribuição para os minoritários o que facilita a resolução da equação da continuidade correspondente.179) em que Ln = Dn τn [m] é designado por comprimento de difusão. .73 semicondutor. fora da zona iluminada e na situação de injecção fraca.

1. ou seja n ' = 0 ⇔ n = n0 o valor de equilíbrio termodinâmico. Esta última condição impõe ′ B = 0 e por isso A = n1 . B são constantes de integração que dependem das condições de fronteira.46 onde se dá a interpretação gráfica de Ln . Também neste caso se poderá dizer que a maioria dos excessos se recombinam desde que estejamos a uma distância da origem maior ou igual a ′ 4 Ln . quando x → ∞ . 1. É de realçar a semelhança dos gráficos relativos a esta situação e à correspondente ao . a perturbação deixa de se fazer sentir. No contexto deste resultado Ln representa a distância que em média os minoritários percorrem por difusão até se recombinarem.46 – Evolução de n’(x) para um cristal semi-infinito.180) em que A. (i) Cristal semi-infinito x=0 x→∞ ′ n ' = n1 n' = 0 ′ Estas condições de fronteira indicam que a perturbação estabelece um excesso n1 em x = 0 mas longe. Analisaremos duas situações importantes (i) cristal semi-infinito. Para x = Ln a densidade de excessos é n1 e .74 SEMICONDUTORES A solução geral para a equação anterior é do tipo n '( x) = A e− x Ln + B ex Ln (1. Assim a solução para este tipo de perturbação é dada por ′ n '( x) = n1 e − x Ln (1. (ii) cristal finito.181) e está representada na Fig.1. n’ n1’ 0 Ln x Fig. A solução obtida para um cristal semi- infinito será válida para os cristais cuja dimensão segundo x é muito maior que Ln.

.47 – Evolução de n’(x) para um cristal finito (linha contínua) e um cristal curto. A relação (1.183) está representada na Fig. Para cristais curtos. b << Ln (linha a tracejado).183) em que sh traduz a função seno-hiperbólico.1. b << Ln .75 Caso1. 1.47 pela recta a tracejado. Contudo é bom realçar que no Caso 1 a densidade de excessos varia no tempo e não no espaço e neste caso ela varia no espaço mas é invariante no tempo.184) e encontra-se representada na Fig. a perturbação faz-se sentir em ambos os extremos da fronteira.182) Após alguma manipulação matemática ter-se-à n '( x) = ⎡ ⎛b−x⎞ ⎛ x ⎞⎤ 1 ′ ′ ⎢ n1sh ⎜ ⎟ + n2 sh ⎜ ⎟ ⎥ sh ( b Ln ) ⎢ ⎝ Ln ⎠ ⎝ Ln ⎠ ⎥ ⎣ ⎦ (1. Os valores de A e B obtêm-se a partir do sistema de equações ⎧ n' = A + B ⎪1 ⎨ −b / L b/ L n + Be n ⎪n' = Ae ⎩ 2 (1.. (ii) Cristal finito Neste caso as condições de fronteira são: ′ x = 0 n ' = n1 ′ x = b n ' = n2 isto é. n '(x) ′ n1 − ′ ( n1 − n′2 ) x b (1.SEMICONDUTORES 1.47 pela linha contínua. n’ n1’ n2 ’ 0 b x Fig. 1.

1.01 p0 . . Para o Si. Pretende-se calcular a distância a partir da qual a densidade de buracos difere de menos de 1% do valor de equilíbrio termodinâmico. Atendendo a que D p = uT μ p e L p = D p τ p obtém-se Lp= 0. existe em x=0 uma densidade de excessos de buracos Δp= 1014m-3. Portanto Jpdif (0) 173 μA/m2 e Jpdif (Lp) 63. analisado nos parágrafos anteriores. Calcular também a densidade de corrente de difusão em x=0 e x= Lp.144) por e portanto J pdif ( x ) = qD p p '(0) Lp e − x / Lp .45. A densidade de corrente de difusão é dada (1. ni = 1016m-3 e que o cristal possui um comprimento b= 1mm. Antes de mais vamos verificar se o cristal é ou não semi-infinito. para podermos escolher a solução correcta para a evolução dos excessos com a distância x. Verifica-se portanto a condição de cristal semi-infinito e a solução pretendida é dada por (1. com Nd = 1019m-3.045 m2V-1s-1. Atendendo a que p '( x ) = p '(0)e 3 ter-se-à p '(0)e < 0. Como n0= 1019m- ter-se-à p0= 1013 m-3 e portanto x1>0.11 – Suponha que nas condições da Fig. μp= 0. Solução: A situação em estudo corresponde ao caso 3.76 SEMICONDUTORES Exemplo 1. a 300K. Nesse sentido vai-se calcular o valor de Lp.6 μA/m2.75 mm.1. admite-se que τp= 10 μs. Pretende-se determinar a coordenada x1 tal que p(x1)-p0< 1% p0 ou seja p’(x1)< − x / Lp − x1 / L p 1% p0. em que o semicondutor é Si tipo-n.181). e vamos comparar o resultado com a distância b.108 mm que é muito menor que b= 1 mm.

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/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->