BAHAN – BAHAN LISTRIK DASAR FISIKA KUANTUM

Dosen Pembimbing : Hj. Melda Latif

Kelompok XI Intan Pertiwi ( 0810951054 ) Olivia Fernaza ( 0810951064 ) Vinda D. Zoebir ( 0810952068 )

Jurusan Teknik Elektro Universitas Andalas Padang 2009

elektron membutuhkan sejumlah energi tertentu untuk bertransisi. Semikonduktor adalah sejenis insulator dengan band gap terbatas. InGaAs. . Dalam semikonduktor dan insulator. Kata “band gap” ditujukan pada perbedaan energi antara puncak pita valensi dengan dasar pita konduksi. dan terlarang dari rentang lain. dioda laser. Kita juga dapat membentuk lapisan material dengan cara mengganti komposisi dengan teknik molecular beam epitaxy. di mana elektron dapat melompat dari satu pita ke pita lainnya. BAND GAP DALAM SEMIKONDUKTOR Semikonduktor adalah material dengan band gap yang kecil. Insulator adalah material dengan band gap yang besar. Satu-satunya pengangkut yang tersedia untuk konduksi adalah elektron yang memiliki energi thermal (panas) yang cukup untuk melewati band gap. biasanya lebih dari 3 eV. band gap. Energi yang dibutuhkan berbeda untuk masing-masing material. Untuk insulator dan semiconduktor. Ketika temperatur meningkat. yaitu jumlah energi yang dibutuhkan untuk membebaskan sebuah elektron di kulit luar dari orbitnya. amplitudo vibrasi atom meningkat. seperti GaAIAs. menyebabkan ruang interatomic yang lebih besar.BAND GAP Dalam ilmu fisika padat. Agar elektron dapat melompat dari pita valensi ke pita konduksi. Perbedaan antara semikonduktor dan insulator terletak pada konvensi. yang dikenal juga energy gap. dan InAIAs. dan sel solar. Gerakan elektron juga memainkan peran dalam menentukan klasifikasi material informal. Teknik band gap adalah proses mengontrol atau mengubah band gap suatu material dengan mengontrol komposisi dari campuran semikonduktor tertentu. elektron dibatasi oleh sejumlah pita energi. Insulator dengan band gap yang lebih besar. Interaksi antara kisi-kisi phonon dengan elektron bebas dan hole akan mempengaruhi band gap pada tingkatan yang lebih kecil. Elektron dapat memperoleh energi yang cukup untuk melompat ke pita konduksi dengan menyerap phonon (panas) ataupun photon (cahaya). band gap maksudnya adalah perbedaan energi (dalam satuan volt elektron) antara puncak pita valensi. dan dasar pita konduksi. Di mana Eg(0). tidak dianggap semikonduktor dan biasanya tidak menunjukkan sifat semikonduktor dalam kondisi praktis. tapi bukan nol (<3 eV). adalah jangkauan energi padat di mana tidak terdapat elektron. α dan β adalah material konstan. Metode ini dibentuk dalam desain heterojunction bipolar transistors (HBTs). Energi band gap pada semikonduktor akan berkurang seiring dengan peningkatan temperatur. Konduktivitas pada semikonduktor intrinsik tergantung pada band gap. Hubungan antara energi band gap dengan suhu dapat dijelaskan dengan rumus empiris Varshni : .

0•10-9 pada suhu kamar dengan energi panas 25. Sebuah pengubah luminescent solar menggunakan medium luminescent untuk menurunkan nilai photon dengan energi di atas band gap menjadi photon dengan energi yang mendekati band gap semikonduktor yang terdiri dari sel solar.74 0. juga dikenal dengan quantum confinement effect (efek kurungan kuantum). SEL PHOTOVOLTAIC Band gap menentukan bagian mana dari spektrum solar yang dapat diserap sel photovoltaic. Pada kristal quantum dot.67 2.11 1. SECARA MATEMATIS Rasio kemungkinan bahwa dua keadaan dengan perbedaan energi ΔE akan ditempati oleh elektron ditentukan dengan faktor Boltzmann : Di mana : : adalah fungsi eksponen adalah perbedaan energi adalah konstanta Boltzmann adalah suhu Pada level Fermi (chemical potential).86 2.6 6.Pada kristal semikonduktor biasa. band gap tergantung ukuran dan dapat diubah untuk membentuk jarak energi antara pita valensi dan pita konduksi.43 .9 meV.45 2.26 1. DAFTAR BAND GAP Material Silicon Selenium Germanium Silicon carbide Aluminium phosphide Aluminium arsenide Aluminium antimonide Aluminium nitride Diamond Gallium(III) phosphide Gallium(III) arsenide Symbol Si Se Ge SiC AlP AlAs AlSb AlN C GaP GaAs Band gap (eV) @ 300K 1. kemungkinan suatu keadaan ditempati adalah ½.16 1.5 2. band gap ditetapkan berdasarkan keadaan energi kontinyu. Band gap juga tergantung pada tekanan. rasionya adalah e -20 atau sekitar 2. Band gap dapat terjadi secara langsung maupun tidak langsung tergantung pada struktur pita elektronik.3 5. Jika level Fermi berada di tengah band gap sebesar 1 eV.

proses ini mungkin terjadi pada band gap langsung.Gallium(III) nitride Gallium(II) sulfide Gallium antimonide Indium(III) nitride Indium(III) phosphide Indium(III) arsenide Zinc oxide Zinc sulfide Zinc selenide Zinc telluride Cadmium sulfide Cadmium selenide Cadmium telluride Lead(II) sulfide Lead(II) selenide Lead(II) telluride Copper(II) oxide PADA PHOTON DAN PHONON GaN GaS GaSb InN InP InAs ZnO ZnS ZnSe ZnTe CdS CdSe CdTe PbS PbSe PbTe CuO 3. dan keadaan energi maksimal dalam pita valensi.42 1. band gap atau stop band adalah jarak frekuensi photon.2 Dalam photon. phonon. Material yang menunjukkan sifat ini dikenal sebagai photonic crystal. di mana elektron pada pita konduksi menghancurkan sebuah hole pada pita valensi.36 3.6 2.5 (@ 295 K) 0.7 2.73 1.35 0.4 2. jika berbeda digolongkan dalam band gap tidak langsung. PENGERTIAN RADIATIVE RECOMBINATION Interaksi antara elektron. Keadaan energi minimal dalam pita konduksi. Sebuah photon dengan energi di dekat band gap semikonduktor memiliki momentum yang hampir nol. Jika k-vectornya sama. DIRECT AND INDIRECT BAND GAP Band gap untuk semikonduktor terdiri dari 2 jenis.27 0. dan partikel lain dibutuhkan untuk memenuhi kekekalan energi dan momentum kristal (yaitu kekekalan total k-vector).25 2. Jika elektron berada dekat dasar pita konduksi.37 0. prosesnya harus melibatkan . di mana jika tunneling effect diabaikan.7 1. dan hole berada dekat puncak pita valensi. karena kekekalan momentum kristal akan terganggu. tidak ada photon yang dapat dikirimkan lewat material.49 0.37 3.29 1. maka digolongkan dalam band gap langsung. masing-masing digolongkan berdasarkan k-vector tertentu dalam zona Brillouin.7 0. tapi tidak mungkin terjadi pada band gap tidak langsung. Proses penting yang disebut radiative recombination. hole. photon. Agar radiative recombination dapat terjadi pada material band gap tidak langsung. melepaskan kelebihan energi sebagai photon. band gap langsung dan band gap tidak langsung. Hal yang sama terjadi pada phonon pada phononic crystal.

kita dapat mengetahui nilai yang dimiliki band gap. Itulah sebabnya light-emitting dan laser diode selalu dibuat dari material band gap langsung. Ini dapat terjadi dengan membentuk dislocation loop dalam material.penyerapan atau pemancaran phonon. meskipun merupakan gap tidak langsung dan kurang baik menyerap cahaya. jika lebih tipis. FORMULA PENYERAPAN Metoda yang umum dan biasa untuk menentukan apakah sebuah band gap langsung atau tidak langsung adalah dengan menggunakan absorption spectroscopy. yang menyebabkan radiative recombination lebih lambat pada band gap tidak langsung dibanding band gap langsung. elektron akan kembali jatuk ke dalam kulit pita valensi dengan radiative recombination dan memancarkan cahaya. Keterlibatan phonon menyebabkan proses ini terjadi dalam jangka waktu tertentu. ditempatkan pada titik cacat atau batas grain. karena kebanyakan rekombinasi berupa non-radiatif. Sel solar silikon biasanya setebal ratusan micron. bidang di atas dan di bawah “dislocation disk” ditarik terpisah. jika elektron yang sangat aktif tercegah untuk mencapai tempat rekombinasi ini. Penyerapan spektrum dari material band gap tidak langsung biasanya lebih bergantung pada suhu dibanding material langsung. Cahaya dengan energi photon mendekati band gap dapat menembus lebih jauh sebelum terserap oleh material band gap tidak langsung daripada band gap langsung. yang menyebabkan elektron tidak dapat melewati pinggir ini. Silicon merupakan material sel solar paling umum. Dengan menetapkan daya tertentu dari absorption coefficient terhadap energi photon. membentuk tekanan negatif. Bagaimanapun. karena pada suhu rendah terdapat lebih sedikit phonon. yang meningkatkan energi dari pita konduksi besarbesaran. bukannya band gap tidak langsung seperti silicon. Di pinggir loop. sel solar film tipis dibuat dari material band gap langsung yang menyerap cahaya di daerah yang lebih tipis. karena photon merah tidak punya energi yang cukup untuk proses langsung. Sebaliknya. PENGERTIAN PENYERAPAN CAHAYA Kebalikan dari radiative recombination adalah penyerapan cahaya (light absorption). Hal ini sangat penting untuk photovoltaic (sel solar). silicon mulai meneruskan cahaya merah pada suhu liquid helium. banyak cahaya yang hanya akan melewatainya. karena sebuah photon atau phonon dapat bersamaan menyerap untuk membentuk transisi tidak langsung. Ini merupakan asal prinsip “DELEDs” (Dislocation Engineered LED). dan apakah band gap itu langsung atau tidak langsung. Fakta bahwa radiative recombination lebih lambat pada material band gap tidak langsung menunjukkan bahwa pada hampir semua situasi. mereka tidak punya pilihan lain kecuali kembali jatuh ke dalam pita valensi dengan radiative combination. . dan dapat dibuat dari lapisan aktif yang sangat tipis (<1 micron). Contohnya. di mana momentum phonon sama dengan perbedaan antara momentum electron dan hole. radiative recombination merupakan proporsi kecil dari rekombinasi total. Jika area tepat di atas dislocation loop dalam kondisi bebas-kerusakan (tidak memungkinkan terjadinya rekombinasi non-radiatif).

dari band gap. atau jika banyak bagian pita valensi yang kosong atau pita konduksi penuh. with Di mana : • • • • • • α adalah absorption coefficient. dan mengabaikan semua sumber penyerapan lain selain penyerapan band ke band. dengan besar satuan panjang dan nilai yng sama dengan konstanta lattice. fungsi dari frekuensi cahaya ν adalah frekuensi cahaya h adalah konstanta Planck (hν adalah energi sebuah photon dengan frekuensi ν) turunan konstanta Planck ( ) Eg adalah energi band gap A * adalah konstanta frekuensi-independen tertentu. di mana dan adalah massa efektif dari elektron dan hole. Tidak berlaku juga jika transisi langsung dilarang. tapi tidak terlalu besar. • • • • • Rumus ini berlaku hanya untuk cahaya dengan energi photon lebih besar. seperti daya tarik listrik antara elektron yang baru dibentuk dengan hole. Rumus untuk band gap tidak langsung : Di mana : • • Ep adalah energi phonon yang membantu dalam transisi k adalah konstanta Boltzmann .Untuk band gap langsung. dengan rumus di atas . absorption coefficient cahaya berdasarkan rumus berikut : α berhubungan dengan frekuensi . berturut-turut (mr disebut "reduksi massa") q adalah elementary charge n adalah indeks bias ε0 adalah permitivitas ruang hampa xvc adalah "elemen matrix ".

dapat diduga bahwa ini merupakan band gap langsung. jika hν dibanding α1 / 2 membentuk garis lurus. dapat diukur dengan cara memperkirakan garis lurus ke sumbu α = 0. sebaliknya. .• T adalah suhu thermodynamic Karena itu. dapat diukur dengan memperkirakan garis lurus ke sumbu α = 0 (anggap ). jika hν dibanding α2 membentuk garis lusur. dapat diduga bahwa ini merupakan band gap tidak langsung .

org .DAFTAR PUSTAKA en.wikipedia.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful