You are on page 1of 71

Bộ đề cương chi tiết của từng môn học

Chương trình đào tạo thạc sĩ
chuyên ngành khoa học và kỹ thuật vật liệu điện tử

MSE6010 Kỹ thuật đặc trưng vật liệu
1. Tên học phần: KỸ THUẬT ĐẶC TRƯNG VẬT LIỆU
2. Mã số: MSE6010
3. Khối lượng: 3(2-0-2-6)
• Lý thuyết: 30 tiết
• Thí nghiệm: 30 tiết
4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Bắt buộc, học kỳ 1
5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học ngành Khoa học và kỹ thuật vật liệu
6. Điều kiện học phần:
• Học phần tiên quyết: Vật lý và hóa học vật rắn. Tinh thể học. Lý thuyết nhiễu xạ.
• Học phần học trước: Khoa học vật liệu đại cương
• Học phần song hành: Khoa học vật liệu chọn lọc. Tổng hợp và chế tạo vật liệu.
7. Mục tiêu học phần: Giúp học viên có được cái nhìn tổng quan về khả năng áp dụng các
phương pháp đặc trưng vật liệu. Ngoài ra học viên có được một số kỹ năng cần thiết trong việc
lựa chọn phương pháp và chế tạo mẫu, phân tích và đánh giá ảnh hiển vi điện tử và phổ vi
phân tích.
8. Nội dung tóm tắt học phần: Giới thiệu tổng quan các kỹ thuật quan sát, phân tích và đánh
giá cấu trúc, tổ chức tế vi, thành phần của kim loại, bán dẫn, phi kim loại; trong đó tập trung
vào các phương pháp hiển vi điện tử và phân tích phổ nguyên tố. Phần thực hành bảo đảm để
học viên nắm được mục đích, đối tượng sử dụng khi lựa chọn các kỹ thuật đặc trưng và biết
cách xử lý các kết quả thực nghiệm.
9. Nhiệm vụ của học viên:
• Dự lớp: Theo qui định của Bộ GD-ĐT và của trường ĐHBKHN.
• Bài tập/thảo luận/kiểm tra/thí nghiệm: Theo quy định của Bộ GD-ĐT và của trường
ĐHBKHN
10. Đánh giá kết quả: QT(0,4) - T/TL(0,6)
• Điểm quá trình (dự lớp, kiểm tra giữa kỳ, hoàn thành thí nghiệm): 0,4
• Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): 0,6
11. Tài liệu học tập: Tài liệu chính: 1, 2, 4; Tài liệu tham khảo: còn lại
12. Nội dung chi tiết học phần:
KỸ THUẬT ĐẶC TRƯNG VẬT LIỆU
Nhóm biên soạn: GS. TS. Đỗ Minh Nghiệp
PGS. TS. Nguyễn Anh Tuấn
TS. Nguyễn Văn Hiếu
MỞ ĐẦU (1)
- Giới thiệu học phần: nội dung tóm tắt và mục tiêu học phần
- Yêu cầu đối với học phần và học viên, tài liệu
CHƯƠNG 1. KHÁI NIỆM CHUNG (LT 4)
1.1. Quan hệ giữa đặc trưng vật liệu với công nghệ chế tạo và sử dụng vật liệu
1.2. Đối tượng, mục tiêu và nội dung đặc trưng vật liệu
1.3. Phân loại, đặc điểm chung và khả năng ứng dụng của các kỹ thuật đặc trưng vật liệu
1.4. Các tiêu chí lựa chọn phương pháp đặc trưng vật liệu
CHƯƠNG 2. CÁC KỸ THUẬT QUAN SÁT TỔ CHỨC TẾ VI (LT 7; TN 6 )
2.1. Hiển vi điện tử quét (SEM, FESEM, ESEM, STEM): Tương tác tia điện tử và vật
liệu. Nguyên lý tạo ảnh. Ảnh điện tử thứ cấp và điện tử tán xạ ngược. Ảnh rơngen.
Chế tạo mẫu. Ứng dụng.
2.2. Hiển vi điên tử xuyên (TEM, HRTEM): Quang học điện tử. Nguyên lý tạo ảnh.
Tương phản tán xạ và tương phản nhiễu xạ. Nhiễu xạ và vi nhiễu xạ. Chế tạo mẫu.
Ứng dụng.
2.3. Các loại hiển vi khác
CHƯƠNG 3. CÁC KỸ THUẬT PHÂN TÍCH CẤU TRÚC (LT 6; TN 8 )
3.1. Nhiễu xạ rơngen: Phương pháp Debye. Phương pháp Laue. Ứng dụng.
3.2. Nhiễu xạ điện tử: Phương pháp ED, LEED, HEED và ứng dụng.
3.3. Nhiễu xạ nơtrôn: Nguyên lý. Thiết bị. Ứng dụng.
CHƯƠNG 4. CÁC KỸ THUẬT PHÂN TÍCH NGUYÊN TỐ (LT 5; TN 8 )
4.1. Phương pháp phổ điện tử
4.1.2. Phổ điện tử Auger (AES)
4.1.4. Phổ tổn hao năng lượng (EELS)
4.2. Các phương pháp phổ rơngen
4.2.1. Phổ huỳnh quang rơngen (XRF)
4.2.2. Phổ phân tán/tán sắc năng lượng (EDS)
4.2.3. Phổ phân tán/tán sắc bước sóng (WDS)
4.3. Các phương pháp phổ iôn/khối phổ
4.3.1. Phổ tán xạ ngược Rutherford (RBS)
4.3.2. Khối phổ iôn thứ cấp (SIMS)
4.4. Phương pháp phổ nguyên tử
4.4.1. Quang phổ hấp thụ nguyên tử
4.4.2. Quang phổ phát xạ nguyên tử
CHƯƠNG 5. CÁC KỸ THUẬT QUÉT BỀ MẶT (LT 7; BT 0; TN 8 )
5.1. Hiển vi lực nguyên tử (AFM)
5.2. Hiển vi đầu dò quét hiệu ứng xuyên ngầm (STM)
5.3. Các loại hiển vi đầu dò khác
13. Các bài tập và thí nghiệm: 07 bài thí nghiệm
1 và 2. Quan sát cấu trúc thực, phân tích ảnh nhiễu xạ điện tử và phổ tổn hao năng lượng
EELS bằng hiển vi điện tử truyền qua
3 và 4. Quan sát hình thái bề mặt, tương phản pha và phân tích nguyên tố bằng ảnh điện tử
thứ cấp SE, điện tử tán xạ ngược BSE và phổ rơngen phân tán năng lượng EDS trên kính
hiển vi điện tử quét
5. Quan sát hình thái /cấu trúc bề mặt trên hiển vi lực nguyên tử
6. Phân tích phổ Raman/phổ Auger
7. Phân tích thành phần nguyên tố bằng phổ phát xạ/hấp thụ nguyên tử
14. Tài liệu tham khảo:
1. David B. Williams and C. Barry Carter, Transmission Electron Microscopy, I-IV, Plenum
Press, New York, 1996.
2. M. De Crescenzi and M. N. Piancastelli, Electron Scattering and Related Spectroscopies,
World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd., 1996.
3. C. S. Barrett and T. B. Massalski, Structure of metals, Pergamon Press, New York, 1980.
4. René Guinebretière, X-ray Diffraction by Polycrystalline Materials, ISTE Ltd, GB and
USA, 2007.
5. D. Briggs and M. P. Seah (Eds), Practical Surface Analysis, 2nd ed., John Wiley & Sons
Ltd., 1996.
MSE6020 Khoa học vật liệu nâng cao
1. Tên học phần: KHOA HỌC VẬT LIỆU NÂNG CAO
2. Mã số: MSE6020
3. Khối lượng: 3(2,5-1-0-6)
• Lý thuyết: 37,5 tiết
• Bài tập, thảo luận: 10 tiết
• Báo cáo chuyên đề của học viên: 5 tiết
4. Học phần: Bắt buộc
5. Đối tượng tham dự: Học viên đã có bằng kỹ sư, cử nhân các ngành: công nghệ hóa học,
vật lý (thực nghiệm), điện tử, cơ khí. Học viên cao học chuyên ngành Khoa học và Kỹ thuật
vật liệu
6. Điều kiện học phần:
7. Mục tiêu học phần: Học viên hiểu biết rõ mối quan hệ giữa cấu trúc vi mô, các tính chất và
công nghệ chế tạo vật liệu; các loại vật liệu được ứng dụng nhiều trong công nghiệp và đời
sống; xu hướng phát triển của các loại vật liệu trong thế kỷ 21. Học viên có thể sử dụng các
kiến thức môn học để tiếp tục nghiên cứu, học tập và có thông tin lựa chọn vật liệu để ứng
dụng khi cần thiết.
8. Nội dung tóm tắt học phần: Cung cấp các nguyên lý cơ bản tạo nên các tính chất và hành
vi. Cũng đề cập đến cấu trúc và liên kết nguyên tử trong vật liệu, cấu trúc tinh thể, vô định
hình và nanô tinh thể; các chuyển pha; cơ tính, lý tính vật liệu; các vật liệu được ứng dụng
nhiều như: kim loại, vật liệu gốm, vật liệu polymer và compozit; các vật liệu điện tử; ảnh
hưởng của môi trường lên các tính chất vật liệu.
9. Nhiệm vụ của học viên:
• Dự lớp đầy đủ theo qui định.
• Tham gia trao đổi thảo luận ở lớp.
• Hoàn thành tiểu luận (theo sự hướng dẫn của thầy giáo) và trình bày trước lớp.
10. Đánh giá kết quả: QT/BT(0,40)-T(TL:0,60)
• Điểm quá trình (theo mục 9): 0,4
• Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): 0,6
11. Tài liệu học tập: Xem mục 13
Tài liệu chính: 1, 2, 3
Tài liệu tham khảo: còn lại
12. Nội dung chi tiết học phần:

KHOA HỌC VẬT LIỆU NÂNG CAO
Nhóm biên soạn: GS TSKH Thân Đức Hiền
PGS TS Nguyễn Văn Chi
PGS TS Nguyễn Anh Dũng
MỞ ĐẦU (1,5)
- Vật liệu với sự phát triển của khoa học công nghệ
- Phân loại các loại vật liệu (theo tính chất, theo cấu trúc)
- Xu thế phát triển vật liệu trong thế kỷ 21.
- Giới thiệu học phần, tài liệu tham khảo
CHƯƠNG 1. CẤU TRÚC NGUYÊN TỬ VÀ LIÊN KẾT TRONG VẬT LIỆU (LT 3)
1.1. Cấu trúc nguyên tử
1.2. Các dạng liên kết nguyên tử và phân tử
1.3. Liên kết và tính chất vật liệu
CHƯƠNG 2. TRẬT TỰ NGUYÊN TỬ TRONG CHẤT RẮN (LT 3; BT 2)
2.1. Cấu trúc tinh thể
2.2. Các hướng và mặt tinh thể
2.3. Các loại cấu trúc tinh thể trạng thái rắn
2.4. Đơn tinh thể, đa tinh thể.
CHƯƠNG 3. BẤT TRẬT TỰ NGUYÊN TỬ TRONG CHẤT RẮN (LT 3; BT 2)
3.1. Khuyết tật trong vật rắn
3.2. Các dao động nguyên tử
3.3. Khuyếch tán nguyên tử trong vật rắn
3.4. Vật liệu vô định hình
CHƯƠNG 4. CÁC LOẠI VẬT LIỆU KẾT CẤU (LT7;BT3)
4.1. Các tính chất cơ của vật liệu
4.2. Kim loại đen
4.3. Kim loại màu
4.4. Kim loại quí-hiếm
4.5. Các hợp kim đặc biệt khác
CHƯƠNG 5. VẬT LIỆU PHI KIM (LT7;BT2)
5.1. Vật liệu gốm
5.2. Vật liệu polymer
5.3. Vật liệu compozit
5.4. Vật liệu y sinh
CHƯƠNG 6. VẬT LIỆU ĐIỂN TỬ (LT 7; BT 2)
6.1. Tính chất nhiệt của vật liệu
6.2. Tính chất điện của vật liệu
6.3. Tính chất từ của vật liệu
6.4. Tính chất quang của vật liệu
CHƯƠNG 7. ẢNH HƯỞNG CỦA MÔI TRƯỜNG TỚI VẬT LIỆU (LT3;BT2)
7.1. Sự ăn mòn điện hóa
7.2. Các loại ăn mòn
7.3. Các phương pháp chống ăn mòn, bảo vệ vật liệu
CHƯƠNG 8. VẬT LIỆU CÓ CẤU TRÚC NANOMET (LT3;BT2) Giới thiệu
8.1. Các đặc tính của vật liệu có kích thước nanômet
8.2. Công nghệ chế tạo
8.3. Ứng dụng
13. Tài liệu tham khảo:
1. William D. Callister, Materials Science and Engineering: An Introduction, 7th Edition
John Wiley & Sons. Inc, 2007.
2. Donald R. Askeland, Pradeep P. Phule, The Science and Engineering of Materials, 5th
editon, Thomson-Engineering, 2005.
3. Lê Công Dưỡng (chủ biên), Vật liệu học, NXB Khoa học & Kỹ thuật, 2000.
4. William F. Smith, Principles of Materials Science and Engineering, Mc Graw-Hill Inc.,
1996.
5. Anderson J. C, Leaver K. D., Rawlings R. D., Alexander J. M., Materials Science 4th
edition, Chapmam & Hall, 1990.
MSE6030 Tổng hợp và chế tạo vật liệu
1. Tên học phần: TỔNG HỢP VÀ CHẾ TẠO VẬT LIỆU
2. Mã số: MSE6030
3. Khối lượng: 3(2,5-1-0-6)
• Lý thuyết: 37,5 tiết
• Bài tập (seminar): 15 tiết
4. Học phần: Bắt buộc của chuyên ngành Khoa học & Kỹ thuật vật liệu
5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học & Kỹ thuật vật liệu
6. Điều kiện học phần:
7. Mục tiêu học phần: Thông qua môn học, người học được tiếp cận một cách hệ thống trên
cơ sở khoa học việc nghiên cứu “tổng hợp & chế tạo” vật liệu; Cung cấp cho người học kiến
thức về hệ các phương pháp tổng hợp, chế tạo các vật liệu chính (kim loại, polyme, vô cơ-
ceramic) cùng những tiến bộ mới đạt được; Người học được cung cấp những hiểu biết trong
lĩnh vực vật liệu hiện đại (modern) và tiên tiến (advanced) bao gồm tổ chức, tính chất, ứng
dụng và chế tạo; Cung cấp cho người học sự hiểu biết về lĩnh vực vật liệu điện tử, công nghệ
chế tạo vật liệu bán dẫn, vai trò của tổng hợp (synthesis) trong thiết kế, chế tạo mạch tổ hợp
vi điện tử (microelectronic chips); Kích thích người học tư duy về “thế giới vật liệu” xung
quanh và những giải pháp vật liệu mới thích ứng.
8. Nội dung tóm tắt học phần: Cung cấp kiến thức cơ bản về hệ các phương pháp tổng hợp,
chế tạo vật liệu, bao gồm kim loại, ceramic, polyme, vật liệu (hiện đại) tiên tiến (đơn tinh thể,
compozit, vật liệu nanô). Môn học cũng đề cập lĩnh vực vật liệu điện tử với trọng tâm là các
phương pháp chế tạo vật liệu bán dẫn và vai trò của phương pháp tổng hợp trong thiết kế mạch
tổ hợp vi điện tử.
9. Nhiệm vụ của học viên:
• Dự lớp: Theo quy chế của Bộ GD&ĐT và Trường ĐHBK
• Bài tập: Theo quy định của giáo viên giảng dạy và của Trường ĐHBK
• Seminar
10. Đánh giá kết quả: KT/BT(0,3)-T(TL/TN:0,7)
• Điểm quá trình: Trọng số 0,3
- Bài tập làm đầy đủ
- Tham gia seminar và kiểm tra giữa kỳ
• Thi cuối kỳ (tự luận hoặc trắc nghiệm, vấn đáp): Trọng số 0,7
11. Tài liệu học tập:
Sách tham khảo: Xem phần tài liệu tham khảo.
1. Nội dung chi tiết học phần:

TỔNG HỢP VÀ CHẾ TẠO VẬT LIỆU
Nhóm biên soạn: GS. TS. Nguyễn Khắc Xương
PGS. TS. Nguyễn Văn Hiếu
TS. Phan Thị Minh Ngọc
MỞ ĐẦU (1,5)
- Những khái niệm cơ sở về vật liệu: định nghĩa vật liệu, phân loại vật liệu, vai trò của vật
liệu trong đời sống xã hội loài người, lịch sử phát triển vật liệu, định nghĩa khoa học vật
liệu, công nghệ vật liệu.
- Toát yếu nội dung môn học
- Tài liệu tham khảo
CHƯƠNG 1. CHẾ TẠO KIM LOẠI VÀ HỢP KIM (LT 10; BT 3)
1.1. Mở đầu và tóm tắt những vấn đề trình bày trong chương
1.2. Phương pháp luyện kim
1.2.1. Phương pháp sản xuất kim loại thô (hoả luyện - chế tạo gang lò cao; thuỷ
luyện - chế tạo Au; điện phân - chế tạo Al thô)
1.2.2. Phương pháp tinh luyện (luyện thép và tinh luyện thép; điện phân tinh luyện
đồng (Cu) và nhôm (Al))
1.3. Phương pháp chế tạo hợp kim
1.3.1. Phương pháp nấu luyện
1.3.2. Phương pháp hoá nhiệt luyện
1.3.3. Phương pháp hợp kim hoá cơ học.
1.4. Phương pháp tạo hình kim loại
1.4.1. Đúc (khuôn cát, áp lực, mẫu chảy)
1.4.2. Gia công biến dạng (rèn, cán, ép, kéo)
1.5. Luyện kim bột
1.5.1. Khái niệm về luyện kim bột
1.5.2. Chuẩn bị bột nguyên liệu
1.5.3. Tạo hình
1.5.4. Thiêu kết
CHƯƠNG 2. CHẾ TẠO VẬT LIỆU VÔ CƠ (LT 8; BT 4)
2.1. Đặc điểm cấu trúc và tính chất của vật liệu vô cơ
2.2. Gốm và vật liệu chịu lửa
2.2.1. Phương pháp chế tạo gốm
2.2.2. Phương pháp chế tạo vật liệu chịu lửa
2.3. Thuỷ tinh và gốm thuỷ tinh
2.3.1. Phương pháp chế tạo thuỷ tinh (nấu luyện, tạo hình)
2.3.2. Phương pháp chế tạo gốm thuỷ tinh
2.4. Xi măng và bê tông
2.4.1. Nguyên liệu để chế tạo xi măng
2.4.2. Phương pháp chế tạo xi măng và bê tông
2.5. Chế tạo hạt mịn và siêu mịn
2.5.1. Phương pháp kết tủa
2.5.2. Phương pháp sol-gel
2.6. Polyme vô cơ và cơ kim
2.6.1. Phương pháp chế tạo polyme vô cơ
2.6.2. Phương pháp chế tạo silicon
CHƯƠNG 3. CHẾ TẠO VẬT LIỆU HỮU CƠ (polyme) (LT 8; BT 4)
3.1. Những vấn đề chung
3.1.1. Cấu tạo phân tử polyme
3.1.2. Nguyên liệu ban đầu cho vật liệu polyme
3.2. Phương pháp tổng hợp polyme
3.2.1. Phương pháp trùng hợp (phản ứng trùng hợp; trùng hợp gốc; trùng hợp ion)
3.2.2. Phương pháp trùng ngưng (trùng ngưng có cân bằng; trùng ngưng không cân
bằng)
3.3. Phương pháp gia công vật liệu polyme
3.3.1. Gia công chất dẻo
3.3.2. Gia công cao su
3.3.3. Gia công sợi
3.3.4. Gia công sơn
3.3.5. Gia công màng
3.3.6. Gia công keo
3.3.7. Chế tạo polyme compozit (polyme compozit thông thường; polyme
nanôcompozit
CHƯƠNG 4. CHẾ TẠO MỘT SỐ VẬT LIỆU CHỨC NĂNG (LT 10; BT 4)
4.1. Chế tạo vật liệu bán dẫn
4.1.1. Khái niệm, phân loại vật liệu ban dẫn
4.1.2. Chế tạo vật liệu bán dẫn đa tinh thể
4.1.3. Chế tạo vật liệu bán dẫn đơn tinh thể
4.1.4. Gia công vật liệu bán dẫn (gia công cơ khí, xử lý hoá học)
4.1.5. Nguyên tắc chế tạo mạch tổ hợp
4.2. Chế tạo màng mỏng
4.2.1. Phương pháp CVD
4.2.2. Phương pháp PVD
4.2.3. Phương pháp phun phủ
4.3. Một số phương pháp chế tạo vật liệu nano thấp chiều
4.3.1. Phương chế tạo dây nanô ôxit kim loại bán dẫn
4.3.1. Phương pháp chế tạo ống nanô các bon
4.4. Phương pháp vật lý chế tạo các cấu trúc nanô
4.4.1. Phương pháp quang khắc
4.4.2. Phương pháp khắc hình và quang khắc nanô
4.4.3. Quang khắc mềm
4.4.4. Phương pháp tự sắp xếp hạt nano và dây nanô
4.5. Thực hành chế tạo và khảo sát và tinh chất hoá-lý dây nanô ZnO và SnO2
13. Tài liệu tham khảo:
1. M. F Ashby, An introduction to Microstructures Processing and Design, Engineering
Materials II.
2. Brent Strong, Plastics Materials and Processing, 2rd Ed. Prentice Hall, New Jersey-
Ohio, 2000.
3. Nguyễn Văn Thái (chủ biên), Công nghệ vật liệu, NXB Khoa học & kỹ thuật, 2006.
4. Seymour/Carracher’s, Marcel Dekker, Polymer chemistry, Inc.,New York-Basel, 2004.
5. Donald R.Askeland-Pradeep P. Phule,The Science and Engineering,7th Ed., Prentice
Hall, New Jersey, 2007.
IMS6010 Tiếng Anh nâng cao
1. Tên học phần: TIẾNG ANH
2. Mã số: IMS6010
3. Khối lượng: 2(1-0-2-4)
• Lý thuyết: 15 tiết
• Thực hành: 30 tiết
4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Bắt buộc, học vào kỳ II
5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học và kỹ thuật vật liệu chương
trình kết hợp với trường ĐHTH Amsterdam, Hà Lan
6. Điều kiện học phần:
7. Mục tiêu học phần: Hướng dẫn ôn tập ngữ pháp và luyện tập một số kỹ năng nhằm nâng
cao năng lực sử dụng ngôn ngữ và thực hiện bài thi dạng TOEFL cho học viên cao học.
8. Nội dung tóm tắt học phần: Ôn tập và hệ thống hoá các vấn đề ngữ pháp tiếng Anh cơ bản
bao gồm cấu trúc câu, các loại câu, từ loại (động từ, danh từ, tính từ, mạo từ...). Giới thiệu và
luyện tập các kỹ năng giải quyết các vấn đề ngữ pháp thường gặp trong bài thi TOEFL có liên
quan đến các nội dung trên. Giới thiệu và hướng dẫn luyện tập một số kỹ năng nghe, đọc, viết
cần thiết trong thi TOEFL.
9. Nhiệm vụ của sinh viên:
• Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
• Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
10. Đánh giá kết quả: KT/BT(0.40)-T(TL:0.60)
 Điểm quá trình: trọng số 0.4
- Dự lớp và làm thực hành đầy đủ
- Kiểm tra giữa kỳ
 Thi cuối kỳ (tự luận): trọng số 0.6
11. Tài liệu học tập:
Sách giáo khoa chính: Phillips, D. (1996). Longman Preparation Course for the
TOEFLTtest. Volume A-Skills and Strategies. Second Edition. New York: Addison-
Wesley Publishing Company.
Sách tham khảo: Xem phần tài liệu tham khảo.
12. Nội dung chi tiết học phần:

TIẾNG ANH NÂNG CAO
Nhóm biên soạn: ThS. Nguyễn Thị Diệu Linh
ThS. Trần Hương Giang
MỞ ĐẦU (0,5)
- Mục đích và tóm tắt nội dung môn học.
- Sách giáo khoa và tài liệu tham khảo.

Tuần 1
Một số kỹ năng nghe đoạn hội thoại ngắn
Các loại câu: câu đơn, câu ghép, câu phức và các từ nối. Các vấn đề thường gặp trong bài thi
TOEFL về các loại câu và từ nối và kỹ năng làm bài có liên quan.
Tuần 2
Một số kỹ năng nghe đoạn hội thoại ngắn
Các loại câu: câu với mệnh đề rút gọn. Các vấn đề thường gặp trong bài thi TOEFL về câu và
các kiểu mệnh đề rút gọn và kỹ năng làm bài có liên quan
Tuần 3
Một số kỹ năng nghe đoạn hội thoại dài
Cấu trúc câu và các thành phần trong câu: chủ ngữ, vị ngữ, bổ ngữ... Các vấn đề thường gặp
trong bài thi TOEFL về cấu trúc câu và các thành phần trong câu và các kỹ năng làm bài có
liên quan.
Tuần 4
Một số kỹ năng nghe đoạn hội thoại dài
Động từ: loại động từ, thời của động từ. Các vấn đề thường gặp trong bài thi TOEFL liên quan
đến động từ và các kỹ năng làm bài cần thiết.
Tuần 5
Một số kỹ năng nghe đoạn hội thoại dài
Động từ: thể bị động. Các vấn đề thường gặp trong bài thi TOEFL liên quan đến sử dụng động
từ thể bị động và chủ động và các kỹ năng làm bài cần thiết.
Tuần 6
Một số kỹ năng nghe một bài nói
Danh từ: số ít và số nhiều, danh từ chỉ người và vật
Đại từ
Các vấn đề thường gặp trong bài thi TOEFL liên quan đến sử dụng danh từ, đại từ và các kỹ
năng làm bài cần thiết.
Tuần 7
Một số kỹ năng nghe một bài nói
Tính từ và trạng từ: Phân biệt tính từ và trạng từ, các vị trí tính từ và trạng từ trong câu. Các
vấn đề thường gặp trong bài thi TOEFL liên quan đến sử dụng tính từ và trạng từ và các kỹ
năng làm bài cần thiết.
Tuần 8
Kiểm tra giữa kỳ
Tuần 9
Một số kỹ năng đọc hiểu: đọc lấy ý chính
Tính từ và trạng từ: tính từ bị động và chủ động, các dạng thức so sánh. Các vấn đề thường
gặp trong bài thi TOEFL liên quan đến sử dụng tính từ bị động và chủ động, dạng thức so sánh
của tính từ và trạng từ, và các kỹ năng làm bài cần thiết.
Tuần 10 - 11
Trả bài kiểm tra giữa kỳ
Một số kỹ năng đọc hiểu: đọc lấy thông tin chi tiết
Mạo từ và giới từ. Các vấn đề thường gặp trong bài thi TOEFL liên quan đến sử dụng mạo từ
và giới từ và các kỹ năng làm bài cần thiết.
Tuần 12
Một số kỹ năng đọc hiểu: đoán nghĩa từ
Kỹ năng viết một đoạn văn: bố cục một đoạn văn, câu mở đầu, câu kết, từ nối.

Tuần 13
Kỹ năng viết một bài văn ngắn: bố cục một bài văn, đoạn mở đầu và kết luận.
Tuần 14
Kỹ năng viết một bài văn ngắn: bố cục một bài văn, sắp xếp ý, chuyển và nối ý giữa các đoạn
trong một bài văn
Tuần 15
Ôn tập
Chia sẻ kinh nghiệm khi làm bài thi TOEFL

13. Tài liệu tham khảo:
1. Sullivan, P.N., Zhong, G., Brenne, G.l (1999). Arco Everything You Need to Score
High on TOEFL Preparation Kit . Macmillan.
2. Hinkel, E. (2004). Barron's TOEFL Test Strategies. Third edition. Baron.
3. King, C., Stanley, C. (1997). Building Skills for the TOEFL. Longman.
4. Pyle, M., Page, M. (2001). Cliffs TOEFL Preparation Guide Test of English as a
Foreign Language. Cambridge Univeristy Press.
5. Rogers, B. (1997). Complete Guide to the TOEFL Test. Heinle & Heinle.
6. Rogers, B. (1998). Peterson's 1999 TOEFL Practice Tests . Peterson’s.
7. Broukal, M.(1997). Peterson's TOEFL Reading Flash. Peterson’s.
8. Carris, J. (1998). Peterson's TOEFL Success With Words. Peterson’s.
Cơ học lượng tử ứng dụng 3(2-2-0-6)
1. Tên học phần: CƠ HỌC LƯỢNG TỬ ỨNG DỤNG
2. Mã số: IMS6020
3. Khối lượng: 3(2-2-0-6)
• Lý thuyết: 30 tiết
• Bài tập: 30 tiết
4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Bắt buộc, học vào học kỳ 1
5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học Chuyên ngành Khoa học và Kỹ thuật Vật liệu
6. Điều kiện học phần:
7. Mục tiêu học phần:
Kết thúc học phần người học phải nắm được các kiến thức cơ bản và nâng cao của Cơ học
lượng tử và sử dụng kiến thức về Cơ học lượng tử để khảo sát tính chất của hệ nhiều hạt (đặc
biệt các hệ trong vật lý chất rắn).
8. Nội dung tóm tắt học phần:
Toán tử. Hàm sóng. Các phép đo lượng tử. Phương trình Shrodinger không phụ thuộc thời
gian: hạt trong giếng thế một chiều, bó sóng. Các trạng tháilan truyền. Sự xuyên ngầm lượng
tử: hạtntrong giếng thế hữu hạn, đối xứng, sự truyền qua và phản xạ, sự xuyên ngầm. Cơ học
lượng tử 3 chiều: phương trình Schrodinger trong toạ độ cầu, nguyên tử Hydro, mô men động
lượng. Hệ nhiều hạt. Lý thuyết nhiễu loạn không phụ thuộc thời gian. Nguyên lý biến phân và
áp dụng cho các nguyên tử Hê li; Phương pháp WKB và áp dụng cho hiện tượng xuyên hầm;
9. Nhiệm vụ của sinh viên:
 Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
 Bài tập làm đầy đủ
10. Đánh giá kết quả: KT/BT(0.30)-T(TL:0.70)
 Điểm quá trình: trọng số 0.30. Trong đó bài kiểm tra viết giữa kỳ 2h chiếm 70%. Hai bài
tập về nhà chiếm 30%.
 Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.70
11. Tài liệu học tập:
 D.J. Griffiths, “Introduction to Quantum Mechanics”, 2nd edition (Pearson Prentice
Hall) 2005
 S. Gasiorowicz, "Quantum Physics" (Wiley, 1996).
12. Nội dung chi tiết học phần:

CƠ HỌC LƯỢNG TỬ ỨNG DỤNG
Biên soạn: PGS. TS. Đỗ Phương Liên
MỞ ĐẦU (0.5)
1. Mục đích môn học
2. Nội dung môn học
3. Sách giáo khoa và tài liệu tham khảo
CHƯƠNG 1. TOÁN TỬ (LT 1, BT 1)
1.1 Toán tử tuyến tính
1.2 Hàm riêng và trị riêng
1.3 Biểu diễn
1.4 Giao hoán và không giao hoán
1.5 Tích phân toán tử
1.6 Ký hiệu Dirac
1.7 Toán tử Hermite
CHƯƠNG 2. TRẠNG THÁI VÀ HÀM SÓNG (LT 1, BT 1)
Tính chất và ý nghĩa
Phương trình Schrodinger
Kỹ thuật giải phương trình Schrodinger bằng phương pháp tách biến
CHƯƠNG 3. CÁC PHÉP ĐO LƯỢNG TỬ (LT 1, BT 1)
Giá trị trung bình thống kê
Các biến xác định đồng thời
Nguyên lý bất định
CHƯƠNG 4. PHƯƠNG TRÌNH SCHRODINGER KHÔNG PHỤ THUỘC THỜI GIAN
(LT 2, BT 3)
4.1 Hạt trong giếng thế 1 chiều
4.2 Bó sóng
4.3 Áp dụng: mô phỏng chuyển động của bó sóng
CHƯƠNG 5. CÁC TRẠNG THÁI LAN TRUYỀN. SỰ XUYÊN NGẦM LƯỢNG TỬ
(LT 4, BT 4)
5.1 Hạt chuyển động qua hàng rào thế
5.2 Sự truyền qua và sự phản xạ
5.3 Xuyên hầm
5.4 Áp dụng: phân rã hạt alpha
CHƯƠNG 6. CƠ HỌC LƯỢNG TỬ TRONG KHÔNG GIAN 3 CHIỀU (LT: 7.5, BT: 8)
6.1 Phương trình Schrodinger trong toạ độ cầu
6.1.1 Kỹ thuật tách biến
6.1.2 Phương trình góc. Các hàm cầu điều hoà.
6.1.3 Phương trình xuyên tâm.
6.1.4 Áp dụng cho nguyên tử Hydro.
6.2 Mô men động lượng
6.2.1 Mô men động lượng quĩ đạo.
6.2.2 Mô men động lượng spin.
6.2.3 Mô men động lượng toàn phần.
CHƯƠNG 7. HỆ HẠT ĐỒNG NHẤT (LT 1.5, BT 2)
7.1 Bài toán hai hạt
7.2 Boson và Fermions
7.3 Áp dụng cho nguyên tử Hê li
CHƯƠNG 8. LÝ THUYẾT NHIỄU LOẠN KHÔNG PHỤ THUỘC THỜI GIAN
(LT 6.5, BT 6)
Lý thuyết nhiễu loạn cho các trạng thái không suy biến
Lý thuyết nhiễu loạn cho các trạng thái suy biến
Áp dụng: cấu trúc tinh tế của nguyên tử Hydro
Hiệu ứng Zeeman và hiệu ứng Stark
CHƯƠNG 9. NGUYÊN LÝ BIẾN PHÂN (LT 3, BT 2)
9.1 Lý thuyết
9.2 Áp dụng cho trạng thái cơ bản của Hê li
CHƯƠNG 10. GẦN ĐỨNG WKB (WENTZEL, KRAMERS, BRILLOUIN), ÁP DỤNG ĐỐI
VỚI HIỆU ỨNG XUYÊN NGẦM (LT: 3, BT: 2)

13. Tài liệu tham khảo:
1. P. Atkins and R. Friedman. “Molecular Quantum Mechanics”, 4th edition.
2. R. Eisberg & R. Resnick "Quantum Physics of Atoms, Molecules, Solids, Nuclei &
Particles", (Wiley, 1974)
3. W. Greiner "Quantum Mechanics: An Introduction" (Springer 1994)
4. Đa vư đôp , “Cơ học lượng tử”, NXB Khoa học kỹ thuật
IMS6030 Vật lý thống kê ứng dụng
1. Tên học phần: VẬT LÝ THỐNG KÊ ỨNG DỤNG
2. Mã số: IMS6030
3. Khối lượng: 3(2-1-1-6)
• Lý thuyết: 30 tiết
• Bài tập: 15 tiết
• Thực hành: 15 tiết
4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Bắt buộc, học vào kỳ 2
5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học và Kỹ thuật Vật liệu,
chương trình đào thạc sĩ kết hợp viện Itims (ĐHBK HN) - ĐHTH Amsterdam
6. Điều kiện học phần:
7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần người học phải nắm được các kiến thức cơ bản và
nâng cao của vật lý thống kê và việc sử dụng vật lý thống kê để khảo sát tính chất của hệ nhiều
hạt (đặc biệt các hệ trong vật lý chất rắn)
8. Nội dung tóm tắt học phần: Cung cấp một số kiến thức cơ bản và nâng cao về vật lý thống
kê và nhiệt động học như lý thuyết thăng giáng, lý thuyết hàm tương quan, hàm tiêu tán,
thuyết Langevin ...., và các ứng dụng của nó trong khảo sát các hiện tượng như chuyển động
Brownian, khuếch tán, dao động điều hòa tắt dần, chuyển pha, tới hạn, hấp phụ ... . Sử dụng
phương pháp MC để nghiên cứu một số mẫu như Ising, protein...
9. Nhiệm vụ của sinh viên:
• Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
• Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
10. Đánh giá kết quả: KT/BT(0.30)-T(TL:0.70)
 Điểm quá trình: trọng số 0.30
- Bài tập làm đầy đủ
 Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.70
11. Tài liệu học tập:
Tập bài giảng do giáo viên giảng dạy cung cấp
Sách tham khảo: Xem phần tài liệu tham khảo.
12. Nội dung chi tiết học phần:

VẬT LÝ THỐNG KÊ ỨNG DỤNG
Biên soạn: PGS. TS. Nguyễn Thanh Hải
MỞ ĐẦU (0,5)
1. Mục đích môn học
2. Nội dung môn học
CHƯƠNG 1: MỘT SỐ KIẾN THỨC CƠ BẢN CỦA VẬT LÝ THỐNG KÊ VÀ NĐLH
(LT 9,5; BT 7 )
1.1 Các nguyên lý cơ bản của cơ học thống kê và nhiệt động lực học
1.1.1 Nhiệt động lực học
1.1.2 Cơ học thống kê
1.2 Cơ học thống kê cổ điển
1.2.1 Hệ ở nhiệt độ không đổi – Phân bố chính tắc ( NVT)
1.2.3 Các phân bố khác
1.2.4 Sự hấp phụ Langmuir
1.3 Các thăng giáng và năng lượng tự do Landau
1.4 Năng lượng tự do và hiện tượng chuyển pha
1.4.1 Chuyển pha loại 1
1.4.2 Sự cùng tồn tại hai pha
1.5 Lý thuyết nhiễu loạn
1.6 Phương trình Van der waals
1.7 Lý thuyết trường trung bình
1.8 Lý thuyết Landau
1.9 Cơ sở phân tử của nhiệt động lực học
CHƯƠNG 2: THĂNG GIÁNG VÀ CÁC ĐẶC TRƯNG TUYẾN TÍNH (LT12 ; BT 8)
2.1 Chuyển đông Brownian : Bước ngẫu nhiên (1D)
2.2 Khảo sát hiện tượng khuếch tán
2.3 Hàm tương quan vận tốc
2.4 Lý thuyết Lagevin
2.5 Khai triển Fourier cho các thăng giáng
2.6 Dao động tử điều hòa tắt dần
2.7 Hệ thức Kramers- Kronig
2.8 Các tính chất cơ bản của các hàm đặc trưng
2.9 Hàm tiêu tán
CHƯƠNG 3: SỰ CHUYỂN PHA VÀ HIỆN TƯỢNG TỚI HẠN (LT 8; BT 0)
3.1 Mẫu Ising
3.2 Lý thuyết Landau
3.3 Hiện tượng tới hạn và thang đo
3.4 Các thăng giáng tới hạn
3.5 Không gian thực tái chuẩn hóa
3.6 Sự đổ vỡ của lý thuyết trường trung bình
3.7 Thang đo kích thước hữu hạn
CHƯƠNG 4: MÔ PHỎNG MONTE CARLO VÀ SỰ CÂN BẰNG HÓA HỌC (TH 15)
4.1. Giới thiệu chung về phương pháp mô phỏng MC
4.2 Phép lấy mẫu có trọng tâm
4.3 Thuật toán Metropolis
4.4 Điều kiện biên tuần hoàn
4.5 Phép lấy mẫu umbrella
4.6 Cân bằng hóa học
4.6.1 Các cơ sở nhiệt động lực học
4.6.2 Điều kiện cân bằng hóa học, thế hóa học và hằng số cân bằng
4.6.3 Sự liên kết của gen điều chỉnh protein
13. Tài liệu tham khảo:
1. Daan Frenkel and Fred MacKintosh Lecture note on Basics and and applied statistical
physics, (Amsterdam University and Vrije University, Netherland, 2008)
2. Đỗ trần Cát, Vật lý thống kê, NXB Khoa học kỹ thuật, 2000
3. D. Chandler, Introduction to Modern Statistical Mechanics (Oxford University
Press, New York, 1987).
4. J.-L. Barrat and J.-P. Hansen, Basic Concepts for Simple and Complex Liquids (Cambridge
U.P., Cambridge, 2003).
5. P.M. Chaikin and T.C.Lubensky, Principles of Condensed Matter Physics (Cambridge
U.P., Cambridge, 2000).
IMS6040 Vật lý chất rắn nâng cao
1. Tên học phần: VẬT LÝ CHẤT RẮN NÂNG CAO
2. Mã số: IMS6040
3. Khối lượng: 3 (2-2-0-6))
• Lý thuyết: 30 tiết
• Bài tập: 30 tiết
4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Bắt buộc, học vào học kỳ II
5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học và Kỹ thuật vật liệu
6. Điều kiện học phần:
7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần học viên nắm được khái niệm nâng cao trong vật lý
chất rắn, phát triển tư duy trực quan thông qua các mô phỏng phần mềm tương tác, khuyến
khích học viên theo đuổi các hướng nghiên cứu hiện đại thuộc lĩnh vực vật lý chất rắn.
8. Nội dung tóm tắt học phần: Học phần này hướng dẫn các khái niệm cơ bản của vật lý chất
rắn theo trình tự: Cấu trúc của các chất rắn, hiện tượng tán xạ của các hạt, cấu trúc vùng điện
tử của các chất rắn và chuyển động của điện tử vùng dưới tác dụng của điện trường và từ
trường ngoài. Người học được giới thiệu các khái niệm vật lý với mức độ khó hơn sau khi đã
nắm được các ý tưởng căn bản thông qua các mô hình và ví dụ đơn giản. Học phần cũng đưa
ra bức tranh tổng thể về các lĩnh vực nghiên cứu hiện nay về vật lý từ học, siêu dẫn và bán
dẫn.
9. Nhiệm vụ của sinh viên:
• Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
• Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
• Thí nghiệm mô phỏng trên máy tính bằng phần mềm chuyên dụng.
10. Đánh giá kết quả: BT(0.3)-T(TL:0.7)
• Điểm quá trình: trọng số 0,3
- Dự lớp đầy đủ.
- Làm và nộp bài tập đầy đủ.
• Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0,7
11. Tài liệu học tập:
Sách giáo khoa chính:
H. Ibach, H. Lüth, Solid-State Physics: An Introduction to Principles of Materials
Science, Springer (2003).
Sách tham khảo: Xem phần tài liệu tham khảo.
12. Nội dung chi tiết học phần:

VẬT LÝ CHẤT RẮN NÂNG CAO
Biên soạn: PGS. TS. Nguyễn Phúc Dương
MỞ ĐẦU (0,5)
- Giới thiệu học phần
- Tài liệu tham khảo
CHƯƠNG 1. LIÊN KẾT HÓA HỌC TRONG CÁC CHẤT RẮN (LT 4,5; BT 5)
1.1. Bảng hệ thống tuần hoàn các nguyên tố
1.2. Liên kết cộng hóa trị
1.3. Liên kết ion
1.4. Liên kết kim loại
1.5. Liên kết hydro
1.6. Liên kết Van der Waals
CHƯƠNG 2. NHIỄU XẠ TỪ CÁC CẤU TRÚC TUẦN HOÀN (LT 5; BT 5)
2.1. Lý thuyết cơ bản về hiện tượng nhiễu xạ
2.2. Các cấu trúc tuần hoàn và mạng đảo
2.3. Các điều kiện nhiễu xạ đối với các cấu trúc tuần hoàn
2.4. Vùng Brillouin
2.5. Thừa số cấu trúc
2.6. Các phương pháp phân tích cấu trúc
CHƯƠNG 3. ĐỘNG HỌC CÁC NGUYÊN TỬ TRONG TINH THỂ VÀ CÁC TÍNH CHẤT
NHIỆT CỦA CHẤT RẮN (LT 5; BT 5)
3.1. Thế năng mạng tinh thể
3.2. Phương trình chuyển động
3.3. Chuỗi tinh thể hai nguyên tử
3.4. Mật độ trạng thái
3.5. Năng lượng nhiệt của một dao động tử điều hòa
3.6. Nhiệt dung riêng
3.7. Sự giãn nở nhiệt
3.8. Sự dẫn nhiệt bởi các phonon
CHƯƠNG 4. CẤU TRÚC VÙNG ĐIỆN TỬ CỦA CÁC CHẤT RẮN (LT 6; BT 5)
4.1. Các tính chất đối xứng của tinh thể
4.2. Gần đúng điện tử gần tự do
4.3. Gần đúng liên kết chặt
4.4. Các ví dụ về cấu trúc vùng
4.5. Mật độ trạng thái
CHƯƠNG 5. CHUYỂN ĐỘNG CỦA ĐIỆN TỬ VÀ CÁC HIỆN TƯỢNG DẪN(LT 5; BT 5)
5.1. Chuyển động của điện tử trong các vùng và khái niệm khối lượng hiệu dụng
5.2. Dòng điện trong các vùng và khái niệm lỗ trống
5.3. Phương trình Boltzmann và thời gian hồi phục
5.4. Tán xạ của điện tử trong các vùng
5.5. Độ dẫn điện của các kim loại
5.6. Dao động điều hòa lượng tử và hình thái bề mặt Fermi
5.7. Hiệu ứng Hall lượng tử
CHƯƠNG 6. CÁC CẤU TRÚC NANOMET (LT 5; BT 5)
6.1. Cấu trúc điện tử của các hệ 1 chiều
6.2. Sự dẫn điện trong các hệ 1 chiều
6.3. Cấu trúc điện tử của các hệ 0 chiều
6.4. Sự dẫn điện trong các hệ 0 chiều
6.5. Các tính chất dao động và các tính chất nhiệt của các cấu trúc nanomet
13. Tài liệu tham khảo:
1. C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, 8th edition, Willey (2005)
2. N.W. Aschroft, N.D. Mermin, Solid State Physics, Saunders Company (1976)
IMS6050 Vật lý Sinh học và Vật chất Cô đặc thể mềm
1. Tên học phần: VẬT LÝ SINH HỌC VÀ CÁC HỆ CÔ ĐẶC THỂ MỀM
2. Mã số: IMS6050
3. Khối lượng: 3(2-2-0-6)
• Lý thuyết: 30 tiết
• Bài tập: 15 tiết
• Bài tập dài: 15 tiết
4. Học phần: Bắt buộc, học vào kỳ 2
5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học và Kỹ thuật Vật liệu
6. Điều kiện học phần:
7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần học viên hiểu được các khái niệm cơ bản về các
hiện tượng tự nhiên trong các hệ cô đặc thể mềm, vận dụng được kiến thức, mô hình vật lý để
giải thích các hiện tượng trong hệ cô đặc thể mềm đặc biệt là các hiện tượng khuếch tán, tương
tác sinh học giữa protein, ADN và các thực thể sinh học khác trong dung dịch và trên bề mặt ở
kích thước nano.
8. Nội dung tóm tắt học phần: Kiến thức cơ bản về giải phẫu học tế bào, các hệ siêu phân tử,
enzim, DNA, cách sắp xếp của sự sống, quan sát sự vân động của các hệ siêu phân tử, lý
thuyết vật lý (khuếch tán, ma sát, đàn hồi…), hóa học (động hóa, hóa bề mặt…), các mô hình
của Enstein, Brown, Hodgkin–Huxley, các phân bố toán học (rời rạc, liên tục)… áp dụng để
mô tả và nghiên cứu các hệ sinh học và hệ cô đặc thể mềm nói chung.
9. Nhiệm vụ của sinh viên:
• Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
• Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
• Thực hành theo các bài thí nghiệm về vi điện tử và bán dẫn tại phòng sạch của Viện
ITIMS.
10. Đánh giá kết quả:
 Điểm quá trình: trọng số 0.30
- Bài tập làm đầy đủ
- Hoàn thành bài tập lớn
- Kiểm tra giữa kỳ
 Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.70
11. Tài liệu học tập: xem mục 13
Tài liệu chính: 1
Tài liệu tham khảo: còn lại
12. Nội dung chi tiết học phần:

VẬT LÝ SINH HỌC VÀ VẬT CHẤT CÔ ĐẶC THỂ MỀM
Biên soạn: TS. Mai Anh Tuấn

MỞ ĐẦU (0.5)
- Giới thiệu học phần
- Tài liệu tham khảo
CHƯƠNG 1: CÁC GIẢ THUYẾT, MÔ HÌNH (LT 4,5; BT 5)
1.1 Người xưa biết gì
1.1.2 Cách sắp đặt của sự sống
1.1.3 Cách nhìn trên quan điểm thương mại, triết lý, thực tế
1.1.4 Tìm hiểu các định luật vật lý trong việc giải các bài toán sinh học
1.1.5 Một số ý tưởng chính của Vật lý và Hóa học trong sinh học
Bài tập – Giải bài tập
1.2 Cấu trúc nội tế bào
1.2.1 Sinh lý học Tế bào
1.2.2 Các thành phần của phân tử
1.2.3 Rút ngắn khoảng cách: Thiết bị phân tử
Bài tập – Giải bài tập
CHƯƠNG 2: CÁC HIỆN TƯỢNG VẬT LÝ TRONG HỆ SINH HỌC (LT 15; BT 15)
2.1 Vũ khúc phân tử
2.1.1 Các sự kiện tự nhiên của cuộc sống
2.1.2 Giải mã định luật khí lý tưởng
2.1.3 Bài học từ sự di truyền
Bài tập – Giải bài tập
2.2 Chuyển động ngẫu nhiên, ma sát và khuếch tán
2.2.1 Chuyển động Brownian
2.2.2 Vai trò của các mô hình của Einstein
2.2.3 Các chuyển động ngẫu nhiên khác
2.2.4 Tìm hiểu thêm về thuyết khuếch tán
2.2.5 Các hàm, đạo hàm trong bài toán về khuếch tán trong sinh học
2.2.6 Các ứng dụng của khuếch tán sinh học
Bài tập – Giải bài tập
2.3 Sự sống trong hệ có số Reynolds nhỏ
3.1. Mat sát trong hệ truyền chất
3.2 Số Reynolds
3.3 Các ứng dụng sinh học của hệ có số R nhỏ
3.4 Đặc điểm của các định luật vật lý
Bài tập – Giải bài tập
2.4 Entropy, Nhiệt độ và Năng lượng tự do
2.4.1. Phương pháp xác định mức độ mất trật tự
2.4.2 Entropy
2.4.3 Nhiệt độ
2.4.4 Định luật thứ hai của nhiệt động học
2.4.5 Hệ mở
2.4.6 Hệ vi mô
2.4.7 “RNA cuộn như một hệ hai trạng thái”
Bài tập – Giải bài tập
2.5 Lực Entropy
2.5.1 Lực Enropy trên quan điểm của hệ vi mô
2.5.2 Áp suất thấm lọc
2.5.3 Quá cân bằng: dòng thấm lọc
2.5.4 Tương tác đẩy
2.5.5 Tính chất đặc biệt của nước
Bài tập – Giải bài tập
2.6 Lực hóa học và quá trình tự gắn kết
2.6.1 Thế hóa học
2.6.2 Phản ứng hóa học
2.6.3 Phân ly
2.6.4 Quá trình tự gắn kết của các phân tử lưỡng tính
2.6.5 Các mô hình xử lý số liệu
2.6.6 Quá trình tự gắn kết trong tế bào
Bài tập – Giải bài tập
CHƯƠNG 3: VẬT CHẤT CÔ ĐẶC THỂ MỀM TIÊU BIỂU (LT 10; BT 10)
3.1 Đàn hồi và động học của nấm sợi nang và mạng lưới của chúng
3.1.1 Tính chất của nấm đơn sợi
3.1.2 Dung dịch của chất cao phân tử bán linh động
3.1.3 Đàn hồi mạng lưới
3.1.4 Hồi đáp phi tuyến
3.2 Xoắn và kéo dãn DNA: tìm hiểu về đơn phân tử
3.2.1 Các phương pháp thí nghiệm
3.2.2 Kéo dãn phân tử DNA
3.2.3 Chuỗi DNA dạng xoắn
3.2.4 Tương tác 5 DNA-protein
3.3 Tương tác và sự điều chỉnh cấu trúc trong chuỗi DNA
3.3.1 Tương tác tĩnh điện
3.3.2 Phương trình trạng thái: không có thăng giáng nhiệt
3.4 Mối quan hệ cấu trúc gen trong protein
3.4.1 Giới thiệu
3.4.2 Hàm năng lượng để nhận biết quá trình cuộn
3.4.3 Khả năng tiến hóa của protein
3.4.4 Tổng kết
13. Tài liệu tham khảo
1. Philips Nelson, Biological Physics: Energy, Information, Life, W. H. Freeman; updated 1st
edition (2008), ISBN-10: 0716798972.
2. W C K Poon and D Andelman, Soft Condensed Matter Physics in Molecular and Cell
Biology, CRC Press Taylor & Francis Group, 2006. ISBN-10: 0-7503-1023-5.
IMS6060 Cấu trúc điện tử và liên kết trong phân tử và vật rắn 2(2-0-0-4)
1. Tên học phần:
CẤU TRÚC ĐIỆN TỬ VÀ LIÊN KẾT TRONG PHÂN TỬ VÀ VẬT RẮN
2. Mã số: IMS6060
3. Khối lượng: 2(2-0-0-4)
• Lý thuyết: 30 tiết
4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Bắt buộc, học vào học kỳ 1
5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học và Kỹ thuật vật liệu
6. Điều kiện học phần:
7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần người học nắm vững kiến thức về cấu trúc điện tử
của các loại vật liệu trải rộng từ các phân tử đến các chất rắn. Người học nắm được xu hướng
hình thành cấu trúc điện tử của các phân tử, các chuỗi phân tử, các tinh thể đơn nguyên tố và
hợp kim thông qua việc giải hệ phương trình trường kỳ kết hợp áp dụng các phương pháp gần
đúng; nhận biết cấu trúc tinh thể, các tính chất cơ, điện, từ, quang dựa trên các cấu trúc điện tử
của một số phân tử và hợp chất điển hình.
8. Nội dung tóm tắt học phần: Cung cấp kiến thức về phương trình Schroedinger, tính chất
cơ lượng tử của electron, vai trò của liên kết hóa học trong việc xác lập nên các đặc tính dẫn
điện, các tính chất quang, tính chất từ cũng như các xu hướng liên kết và hình thành cấu trúc
của các tinh thể rắn.
9. Nhiệm vụ của sinh viên:
• Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
• Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
10. Đánh giá kết quả: BT(0,3)-T(TL:0,7)
• Điểm quá trình: trọng số 0,3
- Trình bày kiến thức tại Seminar và dự lớp đầy đủ
• Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0,7
11. Tài liệu học tập: xem mục 13
Tài liệu chính: 1; 2; 3
Tài liệu tham khảo: còn lại
12. Nội dung chi tiết học phần:

CẤU TRÚC ĐIỆN TỬ VÀ LIÊN KẾT TRONG PHÂN TỬ VÀ VẬT RẮN
Biên soạn: PGS. TS. Nguyễn Phúc Dương
MỞ ĐẦU (0,5)
- Giới thiệu học phần
- Tài liệu tham khảo
CHƯƠNG 1. CƠ HỌC LƯỢNG TỬ VÀ LIÊN KẾT HÓA HỌC (LT 3,5)
1.1 Mở đầu
1.2 Orbital nguyên tử
1.3 Khí electron tự do
CHƯƠNG 2. LIÊN KẾT VÀ CẤU TRÚC CỦA PHÂN TỬ (LT 8)
2.1 Phân tử lưỡng nguyên tử hóa trị s
2.2 Liên kết σ , π , δ
2.3 Phân tử lưỡng nguyên tử hóa trị sp
2.4 Các orbital lai
2.5 Phân tử liên hợp
2.6 Phân tử 3 nguyên tử AB2
2.7 Hiệu ứng Jahn-Teller
CHƯƠNG 3. LIÊN KẾT TRONG VẬT RẮN (LT 4)
3.1 Vật rắn như một phân tử lớn
3.2 Dải năng lượng. Tính chất điện của vật rắn theo thuyết dải năng lượng
3.3 Hiệu ứng Peierls
CHƯƠNG 4. LIÊN KẾT VÀ CẤU TRÚC CỦA KIM LOẠI HÓA TRỊ s-p (LT 4)
4.1 Dải năng lượng. Gần đúng electron tự do
4.2 Giả thế. Kim loại đơn giản
4.3 Các pha Hume-Rothery
CHƯƠNG 5. LIÊN KẾT VÀ CẤU TRÚC CỦA KIM LOẠI CHUYỂN TIẾP
VÀ BÁN DẪN (LT 5)
5.1 Gần đúng liên kết chặt. Dải năng lượng trong kim loại chuyển tiếp
5.2 Từ tính của kim loại chuyển tiếp
5.3 Liên kết bão hòa trong chất bán dẫn
CHƯƠNG 6. TÍNH CHẤT CẤU TRÚC ĐIỆN TỬ CỦA HỢP CHẤT (LT 5)
6.1 Liên kết trong hợp chất ion
6.2 Cấu trúc của một số vật rắn cộng hóa trị
13. Tài liệu tham khảo:
1. D.G. Pettifor Bonding and Structure of Molecules and Solids, Clarendon Press-Oxford
(1995)
2. J.K. Burdett Chemical Bonding in Solids, Oxford University Press (1995)
3. W.A. Harisson Electronic Structure and the Properties of Solids, Dover Publications –
New York (1989)
4. Vũ Đình Cự Vật lý chất rắn, NXB Khoa học và Kĩ thuật – Hà nội (1997)
5. Nguyễn Thế Khôi, Nguyên Hữu Mình Vật lý chất rắn, NXB Giáo dục – Hà nội (1992)

IMS6070 Vật lý vật liệu bán dẫn
1. Tên học phần: VẬT LÝ VẬT LIỆU BÁN DẪN
2. Mã số: IMS6070
3. Khối lượng: 2 (2-0-0-4)
• Lý thuyết: 30 tiết
4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Bắt buộc, học vào học kỳ 2
5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành khoa học và kỹ thuật vật liệu
6. Điều kiện học phần:
7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần học viên nắm được kiến thức cơ bản về vật lý bán
dẫn làm cơ sở cho việc tiếp thu các học phần về vật lý linh kiện bán dẫn và vật liệu bán dẫn
8. Nội dung tóm tắt học phần: Học phần này bao gồm các vấn đề về cấu trúc tinh thể và cấu
trúc vùng năng lượng, nồng độ hạt dẫn cân bằng và không cân bằng, bán dẫn không đồng nhất,
tính chất động và một số tính chất quang của bán dẫn.
9. Nhiệm vụ của học viên:
• Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
10. Đánh giá kết quả: KT (0.3)-T(TL:0.7)
 Điểm quá trình: trọng số 0.3
- Kiểm tra giữa kỳ
 Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.7
11. Tài liệu học tập:
1.Phùng Hồ và Phan Quốc Phô, Vật lý bán dẫn, nhà xuất bản KH&KT, 2002.
2. Angus Rockett, The materials science of semiconductor, Springer, 2008
12. Nội dung chi tiết học phần:

VẬT LÝ VẬT LIỆU BÁN DẪN
Nhóm biên soạn: GS. TS. Phùng Hồ
PGS. TS. Vũ Ngọc Hùng
MỞ ĐẦU (0,5)
- Giới thiệu học phần
- Tài liệu tham khảo
CHƯƠNG 1: CẤU TRÚC TINH THỂ VÀ CẤU TRÚC NĂNG LƯỢNG CỦA CHẤT BÁN
DẪN (LT 5,5)
1.1. Cấu trúc tinh thể của bán dẫn
1.2. Mạng đảo và vùng Brillouin
1.3. Cấu trúc năng lượng của bán dẫn
1.4. Điện tử trong tinh thể bán dẫn
1.5. Cấu trúc vùng năng lượng của một số bán dẫn
1.6. Các trạng thái định xứ
1.7. Hiệu ứng kích thước điện tử
CHƯƠNG 2: NỒNG ĐỘ HẠT DẪN CÂN BẰNG (LT 6)
2.1. Mật độ trạng thái, hàm phân bố
2.2. Nồng độ điện tử trong vùng dẫn, nồng độ lỗ trống trong vùng hoá trị.
Phương trình trung hoà
2.3. Bán dẫn riêng
2.4. Bán dẫn pha một loại tạp chất
2.5. Bán dẫn pha hai loại tạp chất
2.6. Bán dẫn suy biến
CHƯƠNG 3: MỘT SỐ TÍNH CHẤT ĐỘNG CỦA BÁN DẪN (LT5)
3.1. Thuyết điện tử kim loại
3.2. Phương trình động Boltzmann
3.3. Tán xạ hạt dẫn
3.4. Độ dẫn điện của bán dẫn
3.5. Hiệu ứng Hall trong bán dẫn một loại hạt dẫn và hai loại hạt dẫn
3.6. Một số tính chất động của bán dẫn trong điện trường cao
CHƯƠNG 4: NỒNG ĐỘ HẠT DẪN KHÔNG CÂN BẰNG VÀ BÁN DẪN KHÔNG ĐỒNG
NHẤT (LT 7)
4.1. Quá trình phun hạt dẫn, hạt dẫn không cân bằng
4.2. Quá trình tái hợp hạt dẫn, thời gian sống
4.3. Khuếch tán hạt dẫn, hệ thức Einstein
4.4. Phương trình liên tục
4.5. Các hiệu ứng tiếp xúc
4.6. Chuyển tiếp P-N đồng chất và dị chất
4.7. Cấu trúc MOS
4.8. Các cấu trúc có hiệu ứng kích thước lượng tử. Siêu mạng
CHƯƠNG 5: MỘT SỐ TÍNH CHẤT QUANG CỦA BÁN DẪN (LT 6)
5.1. Các đặc trưng quang
5.2. Tổng quan về phổ hấp thụ của bán dẫn
5.3. Hấp thụ riêng (hấp thụ cơ bản)
5.4. Hấp thụ Exciton
5.5. Hấp thụ do tạp chất
5.6. Tái hợp bức xạ tự phát trong bán dẫn
5.7. Tái hợp bức xạ cưỡng bức trong bán dẫn
13. Tài liệu tham khảo
1. Seeger, Physics of Semiconductors, Springer-Verlag,1990.
2. Kireev, Vật lý bán dẫn, 1970.
3. S.M. Sze, Semiconductor Devices, Physics and Technology, John Winley, 1985.
4. A Shik, Quantum Wells, World Scientific, 1997.
IMS6080 Từ học, vật liệu từ và siêu dẫn
1. Tên học phần: TỪ HỌC, VẬT LIỆU TỪ VÀ SIÊU DẪN
2. Mã số: IMS6080
3. Khối lượng: 3(2,5-1-0-6)
• Lý thuyết: 37,5 tiết
• Câu hỏi thảo luận, bài tập, tiểu luận: 15 tiết
4. Học phần: Bắt buộc
5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học và kỹ thuật vật liệu (vật
liệu điện tử)
6. Điều kiện học phần:
7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần học viên nắm vững các kiến thức về các hiện tượng
từ và siêu dẫn; các lý thuyết lý giải các hiện tượng từ và siêu dẫn; các loại vật liệu từ và siêu
dẫn (kể cả các loại vật liêu mới) và công nghệ chế tạo các loại vật liệu trên.
8. Nội dung tóm tắt học phần:
- Các loại vật liệu từ, các tính chất cơ bản của chúng và các lý thuyết giải thích trật tự từ
trong vật liệu
- Các hiện tượng từ quan trọng xảy ra trong vật liệu từ (cấu trúc đômen, quá trình từ hóa,
hiện tượng từ giảo, từ trễ)
- Các vật liệu từ ứng dụng trong kỹ thuật và đời sống.
- Các tính chất cơ bản của vật liệu siêu dẫn và lý thuyết giải thích hiện tượng siêu dẫn
- Các vật liệu siêu dẫn nhiệt độ cao.
9. Nhiệm vụ của học viên:
• Dự lớp: Theo qui định của Bộ GD&ĐT và Trường ĐHBKHN.
• Trao đổi, thảo luận: Tích cực, chủ động ở trên lớp
• Chuẩn bị và báo cáo tiểu luận theo hướng dẫn của giáo viên
10. Đánh giá kết quả:
• Điểm trong quá trình: Trọng số 0,3
• Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): Trọng số 0,7
11. Tài liệu học tập:
1. Thân Đức Hiền. Từ học và Vật liệu từ. Hà Nội, Nxb Bách khoa, 2008.
2. Thân Đức Hiền. Nhập môn siêu dẫn. Hà Nội, Nxb Bách khoa 2008.
12. Nội dung chi tiết học phần:

TỪ HỌC, VẬT LIỆU TỪ VÀ SIÊU DẪN
Nhóm biên soạn: GS.TSKH. Thân Đức Hiền
TS. Nguyễn Khắc Mẫn
MỞ ĐẦU (1)
- Giới thiệu học phần
- Tài liệu tham khảo
CHƯƠNG 1: TỪ HỌC (LT 14; BT 5)
1.1 Một số khái niệm về từ học và ứng dụng vật liệu từ
1.1.1 Nguồn gốc từ trường của vật chất
1.1.2 Phân loại các loại vật liệu từ
1.1.3 Vai trò của vật liệu từ trong công nghiệp và đời sống
1.2 Nghịch từ
1.2.1 Nghịch từ của vành đai điện tử
1.2.2 Nghịch từ của các chất
1.2.3 Siêu dẫn – chất nghịch từ lý tưởng
1.3 Thuận từ
1.3.1 Lý thuyết cổ điển và lượng tử giải thích hiện tượng thuận từ
1.3.2 Định luật Curie, Curie-Weiss về thuận từ
1.3.3 Thuận từ của các nguyên tố nhóm 3d và 4f
1.3.4 Tạo nhiệt độ thấp bằng phương pháp khử từ đoạn nhiệt các muối thuận từ
1.4 Sắt từ
1.4.1 Các tính chất từ của chất sắt từ
1.4.2 Lý thuyết trường phân tử giải thích hiện tượng sắt từ
1.4.3 Lý thuyết lượng tử giải thích hiện tượng sắt từ
1.4.4 Lý thuyết vùng giải thích hiện tượng sắt từ
1.5 Phản sắt từ
1.5.1 Các chất phản sắt từ
1.5.2 Tương tác trao đổi gián tiếp trong chất phản sắt từ
1.5.3 Lý thuyết trường phân tử giải thích tính chất phản sắt từ
1.6 Pheri từ
1.6.1 Các loại pherit thông dụng
1.6.2 Lý thuyết trường phân tử giải thích trật tự từ của các pherit
1.6.3 Tính chất từ của pherit ở nhiệt độ trên TC
1.7 Dị hướng từ và từ giảo
1.7.1 Hiện tượng dị hướng từ tinh thể và bản chất của hiện tượng
1.7.2 Dị hướng từ do hình dạng và trường khử từ
1.7.3 Dị hướng từ do ứng suất
1.7.4 Hiện tượng từ giảo và giải thích hiện tượng
1.8 Cấu trúc đômen trong sắt từ
1.8.1 Nguyên nhân tạo thành các đômen từ
1.8.2 Vách Block và vách Neél
1.8.3 Đơn đômen từ
1.8.4 Siêu thuận từ
1.9 Quá trình từ hóa và từ trễ
1.9.1 Các quá trình từ hóa
1.9.2 Bước nhảy Barkhausen và hiệu ứng Hopkinson
1.9.3 Hiện tượng từ trễ và nguyên nhân gây nên trễ từ
CHƯƠNG 2: CÁC VẬT LIỆU TỪ ỨNG DỤNG TRONG KỸ THUẬT VÀ ĐỜI SỐNG
(LT 12; BT 5)
2.1 Vật liệu từ mềm
2.1.1 Yêu cầu đối với vật liệu từ mềm
2.1.2 Các loại vật liệu từ mềm
2.2 Loại vật liệu ghi từ
2.2.1 Yêu cầu đối với vật liệu ghi từ, đọc từ
2.2.2 Các loại vật liệu ghi từ, đọc từ
2.3 Vật liệu từ cứng
2.3.1 Các loại vật liệu từ cứng
2.3.2 Yêu cầu đối với vật liệu từ cứng
2.3.3 Một số công nghệ chế tạo vật liệu từ
CHƯƠNG 3: SIÊU DẪN (LT 10; BT 5)
3.1 Hiện tượng siêu dẫn và lịch sử phát triển
3.2 Các vật liệu siêu dẫn
3.3 Các tính chất của chất siêu dẫn loại I
3.3.1 Điện trở không
3.3.2 Hiện tượng Meissner
3.3.3 Lý thuyết London về siêu dẫn
3.4 Các tính chất của chất siêu dẫn loại II
3.4.1 Trạng thái trung gian (Ginsburg-Landau)
3.4.2 Từ trường tới hạn HC1 và HC2
3.4.3 Dòng tới hạn JC
3.5 Lý thuyết vi mô giải thích hiện tượng siêu dẫn
3.5.1 Tương tác điện tử - Phonon
3.5.2 Khe năng lượng
3.5.3 Lý thuyết Bardeen-Cooper-Schrieffer
3.6 Hiện tượng xuyên ngầm trong chất siêu dẫn
3.6.1 Xuyên ngầm kim loại – siêu dẫn
3.6.2 Xuyên ngầm siêu dẫn – siêu dẫn
3.6.3 Hiện tượng Josephson dừng và không dừng
3.6.4 Giao thoa lượng tử siêu dẫn
3.7 Vật liệu siêu dẫn nhiệt độ cao
3.7.1 Các chất siêu dẫn nhiệt độ cao: LSCO, YBCO, BSCCO
3.7.2 Các chất siêu dẫn nhiệt độ cao khác: MgB2, chất siêu dẫn chứa Fe
3.7.3 Công nghệ chế tạo siêu dẫn nhiệt độ cao dạng khối và màng mỏng
3.8 Ứng dụng của chất siêu dẫn
3.8.1 Trong công nghiệp điện
3.8.2 Trong công nghiệp điện tử
3.8.3 Trong lĩnh vực y sinh
13. Tài liệu tham khảo:
1. B. D. Cullity, Introduction to Magnetic Materials, Addison-Wesley Publishing
Comp., 1972. B. D. Cullity, C. D. Graham, Introduction to Magnetic Materials, A John
Wiley & Sons, Inc., Publication, 2009
2. A. C. Rose-Innes and E. H. Rhoderick, Introduction to Superconductivity,
Pergamon Press, 1994
3. Charles P. Poole, J. R. Handbook of Superconductivity, Academic Press, 2000.
4. J. Robert Schieffer (Ed.), James S. Brooks, Handbook of High- Temperature
Superconductivity, theory and experiment, Springer, 2007.
5. B. D. Cullity, Introduction to Magnetic Materials, Addison-Wesley Publishing
Comp., 1972.
6. Các tài liệu trên mạng
IMS6090 Công nghệ vi hệ thống
1. Tên học phần: CÔNG NGHỆ VI HỆ THỐNG
2. Mã số: IMS6090
3. Khối lượng: 2 (2-0-0-4)
• Lý thuyết: 30 tiết
4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Tự chọn, học vào học kỳ 2
5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành: khoa học và kỹ thuật vật liệu; Vi hệ
thống và công nghệ nano; Cơ điện tử
6. Điều kiện học phần:
7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần học viên nắm được các kiến thức cơ bản về các kỹ
thuật cơ bản sử dụng trong chế tạo linh kiện MEMS và NEMS. Học viên có thể nắm được quy
trình công nghệ từ khâu chế tạo chip linh kiện đến khâu đóng gói và kiểm tra đánh giá linh
kiện.
8. Nội dung tóm tắt học phần: Học phần này bao gồm các vấn đề về các kỹ thuật cơ bản của
công nghệ vi hệ thống, phân loại công nghệ vi hệ thống, vật liệu cho công nghệ vi hệ thống,
đóng gói linh kiện và độ tin cậy linh kiện.
9. Nhiệm vụ của học viên:
• Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
10. Đánh giá kết quả: KT (0.3)-T(TL:0.7)
 Điểm quá trình: trọng số 0.3
- Kiểm tra giữa kỳ
 Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.7
11. Tài liệu học tập:
Sách tham khảo: Xem phần tài liệu tham khảo.
12. Nội dung chi tiết học phần:

CÔNG NGHỆ VI HỆ THỐNG
Người biên soạn: PGS. TS. Vũ Ngọc Hùng
MỞ ĐẦU (1)
1. Lịch sử phát triển công nghệ vi hệ thống
2. Hiện tại và tương lai của công nghệ vi hệ thống
3. Các thách thức
4. Mục đích và nội dung môn học
CHƯƠNG 1 CÁC KỸ THUẬT CƠ BẢN CỦA CÔNG NGHỆ VI HỆ THỐNG (LT 11)
1.1 Kỹ thuật quang khắc
1.1.1 Các bước thực hiện quang khắc
1.1.2 Độ nhạy và độ phân giải
1.1.3 Phân loại chất cảm quang
1.1.4 Quang khắc tia X và quang khắc chùm điện tử
1.2 Kỹ thuật ăn mòn ướt
1.2.1 Ăn mòn ướt đẳng hướng
1.2.2 Ăn mòn ướt dị hướng
1.2.3 Ăn mòn dừng
1.3 Kỹ thuật ăn mòn khô
1.3.1 Ăn mòn khô vật lý
1.3.2 Ăn mòn khô hoá học
1.3.3 Ăn mòn khô hoá- lý
1.4 Các phương pháp chế tạo màng mỏng
1.4.1 Phương pháp lắng đọng vật lý (PVD)
1.4.2 Phương pháp lắng đọng hoá học (CVD)
1.4.3 Phương pháp điện hoá
1.5 Phương pháp khuếch tán
1.6 Phương pháp ôxy hóa
1.6.1 Phương pháp ôxy hóa khô
1.6.2 Phương pháp ôxy hóa ẩm
1.7 Phương pháp đánh bóng cơ-hóa (CMP)
1.8 Kỹ thuật gắn kết phiến (bonding)
1.8.1 Kỹ thuật gắn kết tĩnh điện (anodic bonding)
1.8.2 Kỹ thuật gắn kết nóng chảy (fusion bonding)
CHƯƠNG 2 PHÂN LOẠI CÔNG NGHỆ VI HỆ THỐNG (LT 2)
2.1 Công nghệ vi cơ khối
2.1.1 Các quá trình kỹ thuật trong công nghệ vi cơ khối
2.1.2 Quy trình công nghệ SCREAM
2.1.3 Quy trình công nghệ PennSOIL
2.2 Công nghệ vi cơ bề mặt
2.2.1 Các quá trình kỹ thuật trong công nghệ vi cơ bề mặt
2.2.2 Ứng suất màng mỏng
2.2.3 Hiện tượng dính màng
2.2.4 Kỹ thuật chống dính
2.2.5 Quy trình công nghệ SUMMiT
2.3 Công nghệ LIGA
2.3.1 Phát xạ synchrotron
2.3.2 Các quá trình kỹ thuật trong công nghệ LIGA
CHƯƠNG 3 VẬT LIỆU CHO CÔNG NGHỆ VI HỆ THỐNG (LT 4)
3.1 Vật liệu đế
3.1.1 Đế silíc
3.1.2 Đế SOI
3.1.3 Đế tinh thể thạch anh
3.2 Vật liệu màng
3.2.1 Màng SiC
3.6.2 Màng SiGe
3.6.3 Màng kim cương
3.6.4 Màng SU-8
CHƯƠNG 4 CÔNG NGHỆ ĐÓNG GÓI LINH KIỆN (LT 4)
4.1 Các khâu kỹ thuật trong đóng gói
4.1.1 Xử lí linh kiện sau chế tạo
4.1.2 Lựa chọn/ thiết kế đóng gói
4.1.3 Dán chíp
4.1.4 Hàn dây và hàn kín
4.2 Một số ví dụ đóng gói
4.2.1 Đóng gói thử nghiệm nguyên mẫu
4.2.1 Đóng gói vi gương số (DMD)
4.2.3 Đóng gói điện- vi lưu
CHƯƠNG 5 ĐỘ TIN CẬY LINH KIỆN (LT 4)
5.1 Lý thuyết về độ tin cậy
5.2 Tính xác xuất và thống kê của độ tin cậy
5.3 Một số mô hình độ tin cậy
5.3.1 Mô hình Weibull
5.3.2 Mô hình loga thường
5.3.3 Mô hình hàm mũ
5.4 Các cơ chế gây hỏng linh kiện MEMS
5.4.1 Gây hỏng do quá trình hoạt động
5.4.2 Gây hỏng do quá trình già hóa
5.4.3 Gây hỏng do môi trường
CHƯƠNG 6 VI SENSƠ VÀ VI CHẤP HÀNH MEMS (LT 4)
6.1 Vi chấp hành MEMS
6.1.1 Vi chấp hành tĩnh điện
6.1.2 Vi chấp hành nhiệt
6.1.3 Vi chấp hành lực Lorentz
6.2 Vi sensơ MEMS
6.2.1 Vi sensơ kiểu tụ
6.2.2 Vi sensơ kiểu áp trở
6.3 Hiện tượng ồn của vi sensơ MEMS
13. Tài liệu tham khảo
1. Marc. J. Madou, Fundamentals of Microfabrication, Second Ed., Publisher: CRC
Press, 2002, ISBN 0-8493-0826-7
2. S. Fatikow, U. Rembold, Microsystem Technology and Microrobotics, Publisher:
Springer-Verlag, 1997, ISBN: 3-540-605658-0
3. Rao Tummala (Ed.), Fundamentals of Microsystems Packaging, Publisher: McGraw
Hill, 2001, ISBN: 0-07-137169-9
IMS6100 Vật lý, công nghệ mạch tích hợp và cảm biến bán dẫn
1. Tên học phần: VẬT LÝ, CÔNG NGHỆ MẠCH TÍCH HỢP VÀ CẢM BIẾN BÁN DẪN
2. Mã số: IMS6100
3. Khối lượng: 2(1-0-2-4)
• Lý thuyết: 15 tiết
• Thực hành: 30 tiết
4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Tự chọn, học vào kỳ 2
5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học Khoa học và kỹ thuật vật liệu
6. Điều kiện học phần:
7. Mục tiêu học phần:
Kết thúc học phần học viên nắm được những kiến thức về vật lý, công nghệ của linh
kiện, mạch tích hợp và cảm biến bán dẫn: Cấu tạo, nguyên lý hoạt động cũng như quy trình
công nghệ chế tạo.
8. Nội dung tóm tắt học phần:
Trình bày cho học viên các vấn đề liên quan đến vật lý và công nghệ chế tạo
mạch tích hợp và cảm biến bán dẫn. Tập trung vào các loại linh kiện và cảm biến cơ bản như
chuyển tiếp p-n, transistor lưỡng cực, transistor hiệu ứng trường mạch tích hợp CMOS và cảm
biến kiểu ISFET, cảm biến Hall, cảm biến sinh học.
9. Nhiệm vụ của sinh viên:
• Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
• Thực hành thí nghiệm chế tạo, khao sát tính của dây nano oxit kim loại bán dẫn.
10. Đánh giá kết quả:
 Điểm quá trình: trọng số 0.4
- Làm thí nghiệm đầy đủ, có báo cáo và bảo vệ: 0.3
- Kiểm tra giữa kỳ: 0.1
 Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.6
11. Tài liệu học tập: Xem mục 13
Tài liệu chính: 1, 2
Tài liệu tham khảo: còn lại
12. Nội dung chi tiết học phần:

VẬT LÝ, CÔNG NGHỆ MẠCH TÍCH HỢP VÀ CẢM BIẾN BÁN DẪN
Biên soạn: PGS. TS. Nguyễn Văn Hiếu
MỞ ĐẦU (0.5)
- Mục đích môn học
- Nội dung môn học
- Sách giá khoa và tại liệu tham khảo
CHƯƠNG 1: GIỚI THIỆU VỀ CÔNG NGHỆ BÁN DẪN VÀ MẠCH TÍCH HỢP
(LT 1.5)
1.1. Các khái niệm cơ bản của chất bán dẫn
1.2. Lịch sử phát triển của công nghệ bán dẫn
1.3. Sự phát triển của ngành công nghiệp mạch tích hợp (IC)
1.4. Giới thiệu quy trình chế tạo mạch tích hợp (IC)
1.5. Giới thiệu về công nghệ CMOS
CHƯƠNG 2: VẬT LÝ VÀ CÔNG NGHỆ LINH KIỆN BÁN DẪN (LT 4)
2.1. Mở đầu
2.2. Các tính chất cơ bản của vật liệu bán dẫn
2.2.1. Vật liệu bán dẫn, cấu trúc tinh thể Si
2.2.2. Bán dẫn tinh khiết ở nhiệt xác định
2.2.3. Vật liệu bán dẫn pha tạp
2.2.4. Điện trở suất của vật liệu Si pha tạp
2.2.5. Cấu trúc vúng năng lượng
2.2.6. Cấu trúc vùng năng lượng của bán dẫn pha tạp
2.2.7. Sự phụ thuộc của nồng độ hạt tải và nhiệt độ
2.2.8. Hàm phân bố Fermi
2.2.9. Định luật bảo toàn khối lượng
2.2.10. Các công thức quan trọng
2.2.11. Hiện tượng tái hợp
2.3. Chuyển tiếp p-n
2.3.1. Giới thiệu về diode chuyển tiệp p-n
2.3.2. Trạng thái cân bằng chuyển tiếp p-n
2.3.3. Mô hình vùng năng lượng
2.3.4. Trạng thái phấn cực thuân và phận cực ngược
2.3.5. Đặc trưng V-A
2.3.5. Hiện tượng đánh thủng chuyển tiếp p-n
2.4. Linh kiện bán dẫn lưỡng cực
2.4.1. Giới thiệu linh kiện lưỡng cực
2.4.2. Nguyên lý hoạt động và sơ đồ vùng năng lượng
2.4.3. Các đăc trưng của transistor lưỡng cực
2.5. Linh kiện bán dẫn trên cơ sở hiệu ứng trường
2.5.1. Giới thiệu cấu trúc MOS
2.5.2. Cấu trúc MOS lý tưởng
2.5.2. Các hiện tương bể mặt ở cấu trúc SiO2-Si
2.5.3. Nguyên lý hoạt động của linh kiện MOSFET
2.5.4. Phân loại các loại linh kiên MOSFET
2.5.5. Hiệu ứng kênh ngắn
2.5.6. Công nghệ CMOS
2.5.7. Công nghệ SOI (silicon on isulator)
2.5.8. Các bước công nghệ cơ bản để chế tạo mạch tích hợp
2.5.9. Các bước công nghệ chế tạo CMOS
CHƯƠNG 3: CHẾ TẠO BÁN DẪN – PHÒNG SẠCH (LT 2)
3.1.Mở đầu
3.2.Các phương pháp làm sạch
3.2.1.Phòng sạch
3.2.2.Làm sạch phiến
3.2.3.Loại bỏ tạp chất (Gettering)
3.3.Các phướng kiểm tra
3.3.1.Kiểm tra phòng sạch
3.3.2.Kiểm tra độ sạch của phiến
3.3.3.Kiểm tra tạp chất của phiến
CHƯƠNG 4: CÔNG NGHỆ TRƯỚC (FRONT-END) VÀ CÔNG NGHỆ SAU (BACK-END)
(LT 3)
4.1.Mở đầu
4.2.Công nghệ trước (front-end technology)
4.3.Công nghệ quang khắc tiên tiếng
4.4.Xử lý nhiệt độ cao
4.5.Vật liệu tiên tiếng cho cực cổng
4.6.Khảo sát các linh kiện có kích thước nano
4.7.Các công nghệ sau (back-end technology)
4.8. Công nghệ chế tạo lớp tiếp xúc (contact)
4.9.Công nghệ bề mặt (planarisation)
4.10.Công nghệ dây dẫn đa lớp nhôm
4.11.Công nghệ dây dẫn đa lớp đồng
4.12.Công nghệ vật liệu có hệ số điện môi thắp (low-k dielectric).
CHƯƠNG 5. CÁC LOẠI CẢM BIẾN BÁN DẪN (LT 4)
5.1. Giới thiệu
5.2. Cảm biến nhiệt
5.2.1. Cặp nhiệt
5.2.2. Cảm biến nhiệt trên cơ sở đi-ốt
5.2.3. Cảm biến nhiệt trên cơ sở bóng bán dẫn
5.2.4. Cảm biến nhiệt khác
5.3. Các loại cảm biến cơ
5.3.1. Đầu đo biến dạng
5.3.2. Đầu đo biến dạng trên cơ sở nguyên lý áp điện
5.3.3. Các bộ chuyển đổi tích hợp
5.3.4. Các loại cảm biến cơ khác
5.4. Các loại cảm biến từ
5.4.1. Đĩa Hall
5.4.2. Cảm biến từ trở
5.4.3. Transistor từ
5.4.4. Cảm biến từ trường dựa trên hiệu ứng trường
5.4.5. Cảm biến từ khác
5.5. Các loại cảm biến hóa học
5.5.1. Cảm biến ôxit-kim loại
5.5.2. Cảm biến nhạy ion hiệu ứng trường
5.5.3. Cảm biến xúc tác kim loại
5.5.4. Cảm biến sinh học.
13. Bài thực tập (TH 30)
Bài 1: Tiến hành quy trình xử lý phiến tiêu chuẩn
Bài 2: Thực tập quy trình quang khắc trong công nghệ chế tạo vi điện tử
Bài 3. Thực tập ăn mòn hóa học lớp SiO2
14. Tài liệu tham khảo
1. James, D. Plummer, Silicon VLSI Technology: Fundamentals, Practice and Modeling,
Prentice Hall Inc., 2000.
2. S.M. Sze, Semiconductor Devices: Physics and Technology, John Wiley & Sonic Inc. ,
1985
3. Nguyễn Đức Chiến và Nguyễn Văn Hiếu, Công nghệ chế tạo mạch vi điện tử, H: 2007
IMS6110 Vật liệu và linh kiện quang điện tử
1. Tên học phần: Vật liệu và linh kiện quang điện tử
2. Mã số: IMS6110
3. Khối lượng: 2 (1,5-1-0-4)
• Lý thuyết: 22,5 tiết
• Bài tập: 15 tiết
4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Tự chọn, học vào kỳ 2
5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học vật liệu,
6. Điều kiện học phần:
7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần học viên nắm vững các kiến thức cơ sở về vật liệu
quang điện tử như: các khái niệm cơ bản, các phương pháp chế tạo, các phương pháp phân
tích tính chất của vật liệu và ứng dụng. Các cấu trúc cơ bản và ứng dụng của một số linh kiện
quang điện tử.
8. Nội dung tóm tắt học phần: Học phần này trình bày các kiến thức cơ sở về vật liệu quang
điện tử và linh kiện quang điện tử bao gồm các loại vật liệu quang-bán dẫn, vật liệu thủy tinh
có pha tạp các nguyên tố đất hiếm (rare earth), các tính chất quang, tính chất nhiệt, tính chất
điện của các vật liệu này. Cơ chế hoạt động của một số linh kiện quang điện tử, phương pháp
chế tạo và ứng dụng.
9. Nhiệm vụ của sinh viên:
• Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
• Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
10. Đánh giá kết quả: KT/BT(0.3)-T(TL:0.7)
 Điểm quá trình: trọng số 0.30
- Bài tập làm đầy đủ:
- Hoàn thành bài tập lớn
 Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.70
11. Tài liệu học tập:
12. Nội dung chi tiết học phần:
VẬT LIỆU VÀ LINH KIỆN QUANG ĐIỆN TỬ
Người biên soạn: TS. Trần Ngọc Khiêm

MỞ ĐẦU (0,5)
- Mục đích môn học
- Nội dung môn học
- Sách giáo khoa và tài liệu tham khảo
PHẦN I: VẬT LIỆU QUANG ĐIỆN TỬ
CHƯƠNG 1: TÍNH CHẤT QUANG CỦA VẬT LIỆU BÁN DẪN VÀ CÁC PHƯƠNG
PHÁP CHẾ TẠO (LT 8,5; BT 5)
1.1 Giới thiệu
1.2 Các phương trình Maxwell
1.3 Điện tử trong trường điện từ
1.4 Sự chuyển mức vùng vùng
1.4.1 Sự chuyển mức vùng-vùng trong vật liệu bán dẫn khối
1.4.2 Sự chuyển mức vùng - vùng trong các giếng lượng tử
1.4.3 Sự chuyển mức vùng – vùng một cách gián tiếp
1.5. Sự dịch chuyển trong nội vùng
1.5.1 Sự chuyển mức nội vùng trong vật liệu bán dẫn khối
1.5.2 Sự chuyển mức vùng vùng trong các giếng lượng tử
1.5.3 Sự chuyển mức nội vùng trong các chấm lượng tử
1.6 Sự phun hạt tải và tái hợp bức xạ
1.6.1 Phát xạ tự phát
1.6.2 Gain trong vật liệu bán dẫn
1.7 Sự tái hợp không bức xạ
1.7.1 Sự phun hạt tải- những hiệu ứng không phát xạ
1.7.2 Tái hợp không bức xạ: Quá trình Auger
1.8 Các phương pháp chế tạo vật liệu
1.8.1 Các phương pháp chế tạo một số vật liệu bán dẫn khối
1.8.2 Phương pháp chế tạo một số vật liệu bán dẫn có cấu trúc nanô
CHƯƠNG 2: VẬT LIỆU CÓ CẤU TRÚC VÔ ĐỊNH HÌNH (LT 7)
2.1 Giới thiệu chung
2.2 Một số khái niệm
2.3 Quá trình chế tạo sợi quang
2.3.1 Các sợi truyền dẫn quang truyền thống
2.3.2 Các loại sợi quang có pha tạp đất hiếm
2.3.3 Tương tác giữa tín hiệu và nguồn bơm
2.4 Các ion đất hiếm
2.4.1 Đặc điểm nguyên tử đất hiếm
2.4.2 Phổ quang học của các ion đất hiếm
2.4.3 Các tính chất cơ bản
2.5 Khuếch đại quang sợi
2.5.1 Hệ khuếch đại hai mức năng lượng
2.5.2 Hệ khuếch đại 3 mức năng lương
2.6 Các quá trình chế tạo
2.6.1 Các quá trình chế tạo truyền thống
2.6.2 Chế tạo bằng phương pháp sol-gel
PHẦN II: LINH KIỆN QUANG ĐIỆN TỬ
CHƯƠNG 3: CÁC LOẠI LASE BÁN DẪN, ĐẦU DÒ QUANG HỌC VÀ DIODE PHÁT
QUANG (LT 3,5; BT 5)
3.1 Các laser diode bán dẫn
3.1.1 Hoạt động của các laser bán dẫn và diode laser bán dẫn
3.1.2 Các loại laser bán dẫn
3.1.3 Vai trò của các laser bán dẫn trong các modern của hệ thống thông tin quang sợi.
3.2 Các loại đầu dò quang học (photodetectors)
3.2.1 Sự hoạt động của một số loại đầu dò quang học
3.2.2 Quá trình chế tạo các đầu dò quang học và ứng dụng
3.3 Các diode phát quang
3.3.1 Hoạt động của các diode phát quang
3.3.2 Cấu trúc và ứng dụng của các diode phát quang.
CHƯƠNG 4: CÁC MODUL QUANG ĐIỆN TỬ VÀ LINH KIỆN DẪN SÓNG PHẲNG
(LT 3,5; BT 5)
3.4 Các modul quang điện tử
3.4.1 Hoạt động của các modul quang điện tử
3.4.2 Cấu trúc và ứng dụng của các modul quang điện tử
3.5 Linh kiện khuếch đại và dẫn sóng phẳng
3.5.1 Các phương pháp chế tạo
3.5.2 Các tính chất của linh kiên dẫn sóng phẳng
3.5.3 Các phương pháp kết nối vào ra.
13. Tài liệu tham khảo
1. Jacques I. Pankove “Optical proceses in semiconductor”, Dover publications Inc,
1971.
2. Jai Singh, “Optical properties of condensed matter and application”, Joln Wiley and
sons LTd ,2006.
3. Jasprit Singh, “electronic and optoelectronic properties of semiconductor structures”,
Cambridge University press, 2003.
4. P.C. Becker, N.A. Olsson, J.R. Simpson, “Erbium-doped fiber amplifiers:
Fundamentals and technology”, Academic press, 1999.

IMS6120 Vật liệu có cấu trúc nano
1. Tên học phần: VẬT LIỆU CÓ CẤU TRÚC NANO
2. Mã số: IMS6112
3. Khối lượng: 2(2-0-0-4)
• Lý thuyết: 30 tiết
4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Tự chọn, học vào kỳ 2
5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học và công nghệ vật liệu
6. Điều kiện học phần:
7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần học viên nắm được các kiến thức cơ bản về các loại
vật liệu nano; những công nghệ chế tạo, xử lý, gia công tiêu biểu; bản chất vật lý; cách thức
thao tác, quan sát và phân tích; những ứng dụng tiêu biểu của các vật liệu nano
8. Nội dung tóm tắt học phần:
Cung cấp kiến thức cơ sở về khoa học, công nghệ và ứng dụng các vật liệu có cấu trúc
nano cho học viên chuyên ngành Khoa học và công nghệ vật liệu, bao gồm:
- Giới thiệu tổng quan về các vật liệu có cấu trúc nano
- Vật liệu bán dẫn có cấu trúc nano
- Vật liệu quang tử và quang điện tử có cấu trúc nano
- Vật liệu từ có cấu trúc nano
- Các vật liệu nano khác và các vấn đề liên quan
9. Nhiệm vụ của sinh viên:
• Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
• Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
• Thí nghiệm: Thực hành trên các thiết bị chuyên dụng khảo sát các vật liệu nano.
10. Đánh giá kết quả: KT/BT(0.40)-T(TL:0.60)
 Điểm quá trình: trọng số 0.40
- Bài tập làm đầy đủ
 Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.60
11. Tài liệu học tập:
12. Nội dung chi tiết học phần:

VẬT LIỆU CÓ CẤU TRÚC NANO
Nhóm biên soạn: PGS. TS. Nguyễn Anh Tuấn
PGS. TS. Nguyễn Văn Hiếu
PGS. TS. Phạm Thành Huy
GIỚI THIỆU TỔNG QUAN (Nguyễn Anh Tuấn) (4)
1. Mở đầu: Mục đích môn học, Nội dung môn học, Sách GK và tài liệu tham khảo
2. Tóm lược lịch sử về KH&CN nano, tình hình phát triển và triển vọng
3. Phân loại, giới thiệu chung về cách thức chế tạo và nghiên cứu các vật liệu nano
4. Những đặc trưng, tính chất chung phụ thuộc kích thước
5. Hành vi khối của vật liệu cấu trúc nano
CHƯƠNG 1: VẬT LIỆU BÁN DẪN CẤU TRÚC NANO (Nguyễn Văn Hiếu) (LT 7)
1.1. Giới thiệu về linh kiện bán dẫn có cấu trúc nano
1.2. Hạt nanô bán dẫn: Tính chất, tổng hợp và ứng dụng
1.3. Dây nanô bán dẫn: Tính chất, tổng hợp và ứng dụng
1.4. Màng mỏng nanô
1.5. Các phương pháp vật lý chế tạo cấu trúc nanô
CHƯƠNG 2: VẬT LIỆU QUANG TỬ VÀ QUANG ĐIỆN TỬ CẤU TRÚC NANO
(Phạm Thành Huy) (LT 5)
2.1. Các chấm lượng tử bán dẫn
2.2. Nano silic
2.3. Các cấu trúc nano ZnS và ZnO
CHƯƠNG 3: VẬT LIỆU TỪ CẤU TRÚC NANO (Nguyễn Anh Tuấn) (LT 7)
3.1. Tính chất từ ở thang nano
3.2. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
3.3. Màng mỏng từ cấu trúc nano
3.4. Dây từ và ống từ nano
3.5. Hạt từ nano, dot từ và các chùm nano từ
3.6. Phân tử và nguyên tử từ cô lập
3.7. Các kỹ thuật hiện đại quan sát và phân tích các đặc trưng từ nano
CHƯƠNG 4: CÁC VẬT LIỆU NANO KHÁC VÀ CÁC VẤN ĐỀ LIÊN QUAN (LT 7)
4.1. Các vật liệu nano carbon (Phạm Thành Huy)
4.2. Các vật liệu nano chức năng đặc biệt khác (Nguyễn Văn Hiếu)
4.3. Hoá học nano (Nguyễn Văn Hiếu)
4.4. Các cấu trúc nano trong tự nhiên (Nguyễn Anh Tuấn)
4.5. Điện tử học phân tử, nguyên tử và thông tin lượng tử (Nguyễn Anh Tuấn)
4.6. Giới thiệu các kỹ thuật thao tác và lắp ráp nano (Nguyễn Anh Tuấn)
4.7. Khía cạnh an toàn và Những thách thức của vật liệu nano (Nguyễn Văn Hiếu)
13. Tài liệu tham khảo:
1. Hari Singh Nalwa, Nanostructured Materials and Nanotechnology, Academic Press, US,
2002.
2. Harry L. Tuller, Nanostructured Materials: Selected synthesis methods, Properties and
applications, Kluwer Academice, US, 2004.
3. H. Nejo, Nanostructured Fabrication and Analysis, Spinger, 2006.
4. David Sellmyer and Ralph Skomski; ADVANCED MAGNETIC NANOSTRUCTURES,
2006 Springer Science + Business Media, Inc.
5. B. Akta¸s, L. Tagirov and F. Mikailov; Magnetic Nanostructures; Springer-Verlag Berlin
Heidelberg 2007.
6. C. Dupas P. Houdy M. Lahmani; Nanoscience - Nanotechnologies and Nanophysics;
Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2007.
IMS6130 Tin học vật lý
1. Tên học phần: TIN HỌC VẬT LÝ
2. Mã số: IMS6130
3. Khối lượng: 2(1–0–2-0)
• Lý thuyết: 15 tiết
• Thực nghiệm: 30 tiết
4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Tự chọn
5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học và kỹ thuật vật liệu; Công
nghệ vi hệ thống và nanô
6. Điều kiện học phần:
7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần học viên nắm vững những nguyên lý cơ bản của kỹ
thuật ghép nối máy tính để thu thập và xử lý số liệu trong các hệ thống thực nghiệm tương tự
và số. Qua môn học, sinh viên sẽ có khả năng sử dụng một số thiết bị phần cứng và phát triển
một số chương trình phần mềm ứng dụng đơn giản để giải quyết một số bài toán thực nghiệm
liên quan.
8. Nội dung tóm tắt học phần: Cung cấp kiến thức cơ bản về kỹ thuật ghép nối máy vi tính
với một hệ thống thực nghiệm vật lý có số liệu vào/ra là tương tự hay số. Các thực nghiệm
phát triển một số chương trình thu thập số liệu đảm bảo chính xác và xử lý số liệu nhằm tăng
tỷ số tín hiệu trên can nhiễu cũng được thực hiện.
9. Nhiệm vụ của sinh viên:
• Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
• Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
• Thực nghiệm phát triển chương trình thu thập xử lý số liệu trên các máy tính, bản mạch
ghép nối, các thiết bị ngoại vi bằng ngôn ngữ C hay phần mềm Laview hoặc Matlab.
10. Đánh giá kết quả: KT/BT(0.30)-T(TL:0.70)
 Điểm quá trình: trọng số 0.30
- Dự giờ học lý thuyết và thực nghiệm đầy đủ
- Làm thực nghiệm đầy đủ
 Thi cuối kỳ (tự luận + thực hành): trọng số 0.70
11. Tài liệu học tập:
Tài liệu chính: 1
Tài liệu tham khảo: còn lại
12. Nội dung chi tiết học phần:

TIN HỌC VẬT LÝ
Biên soạn: PGS.TS. Trần Quang Vinh

MỞ ĐẦU (0,5)
1. Mục đích môn học
2. Nội dung môn học
3. Sách giáo khoa và tài liệu tham khảo
CHƯƠNG 1. TỔNG QUAN VỀ ĐO LƯỜNG VÀ ĐIỀU KHIỂN SỬ DỤNG PC (LT 2,5)
1.1. Sơ đồ khối của hệ thống đo lường và điều khiển dùng máy tính
1.2. Khái quát về kiến trúc máy tính – Bộ nhớ và các cổng vào/ra
CHƯƠNG 2. GHÉP NỐI MÁY TÍNH VỚI CÁC HỆ THỰC NGHIỆM VẬT LÝ (LT 4)
2.1. Thông tin số liệu số qua các cổng vào/ra
- Thông tin song song qua vi mạch PPI
- Thông tin nối tiếp
2.2. Các bộ định thời PIT
- Đo các sự kiện
- Đo khoảng thời gian
- Đo tần số
- Đo thời gian phản ứng
2.3. Ghép nối tín hiệu tương tự với máy tính
- Các cảm biến và chấp hành (các sensor nhiệt độ, ánh sáng, áp suất, các chỉ thị LED,
mô tơ bước,...)
- Tín hiệu tương tự và bộ biến đổi A/D (thu thập số liệu từ các cảm biến và bộ khuếch
đại, trích và giữ mẫu tín hiệu)
- Biến đổi D/A (xây dựng bộ A/D từ D/A, xây dựng máy phát tạo hàm)
CHƯƠNG 3. TĂNG TỶ SỐ S/N THEO THỜI GIAN THỰC (LT 4)
3.1. Tín hiệu và can nhiễu
3.2. Xử lý tín hiệu số trong miền thời gian
3.3. Xử lý tín hiệu số trong miền tần số
3.4. Các phương pháp tăng tỷ số tín hiệu trên ồn S/N
CHƯƠNG 4. LẬP TRÌNH XỬ LÝ TÍN HIỆU THEO THỜI GIAN THỰC (LT 4)
4.1. Lập trình C với các cổng vào/ra
4.2. Giới thiệu các gói phần mềm công cụ Labview và Matlab
4.3. Lập trình xử lý tăng tỷ số S/N
- Bộ lọc tần thấp
- Bộ lọc cửa sổ trượt
- Bộ lọc tích lũy đa kênh
13. Các bài thực nghiệm
Sinh viên phải tham gia ít nhất 6 buổi thực hành, mỗi buổi 5 tiết tại phòng thí nghiệm ghép
nối máy tính dưới sự hướng dẫn của thày. Khuyến cáo sinh viên cần tự học, tự thực hành thêm
mới tích lũy đủ kiến thức.
Bài 1: Thực hành ghép nối chip PPI-8255A với máy tính
-Điều khiển các đèn chỉ thị, mô tơ bước
-Đọc trạng thái các cổng và hiển thị lên màn hình máy tính.
Bài 2: Thực hành ghép nối chip PIT-8254 với máy tính
Chọn 2 trong số 4 bài tập sau:
-Phát sóng vuông có tần số, độ rộng xung biến đổi.
-Đo khoảng thời gian giữa 2 sự kiện
-Đo tần số sóng vuông TTL
- Xây dựng bộ đo phản ứng của người
Bài 3: Thực hành trên các bộ biến đổi D/A và A/D ghép nối máy tính
- Khảo sát bộ biến đổi A/D (ADS 80)
- Ghép nối bộ biến đổi A/D với cảm biến nhiệt độ, cảm biến từ, ...
- Xây dựng máy phát dạng sóng tùy ý
Bài 4: Thực hiện các bộ lọc tăng tỷ số S/N qua bộ biến đổi A/D
- Thực hiện bộ lọc tần thấp
- Thực hiện bộ lọc cửa sổ trượt
- Thực hiện bộ lọc tích lũy đa kênh
14. Tài liệu tham khảo:
1. J.N. Demas, S.E. Demas. Interfacing and Scientific Computing on Personal
Computers. Allyn and Bacon. 1990.
2. H.M. Staudenmaier (Ed.). Physics Experiments Using PCs. Springer-Verlag. 1995.
3. William H. Rigby, Terry Dalby, Computer Interfacing: A Practical Approach to Data
Acquisition and Control. Prentice Hall, 1995.
4. John Essick, Advanced LabVIEW Labs. Prentice Hall. 2002.
5. Stephen J. Chapman. Matlab Programming for Engineers. Brooks/Cole. 2002.
IMS6140 Quang từ 2 (2-0-0-4)
1. Tên học phần: QUANG TỪ
2. Mã số: IMS6140
3. Khối lượng: 2(1,5-1-0-4)
• Lý thuyết: 22,5 tiết
• Seminar/Bài tập: 15 tiết
4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Tự chọn, học vào kỳ II
5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học và Kỹ thuật vật liệu, Công
nghệ vi hệ thống và nanô
6. Điều kiện học phần:
7. Mục tiêu học phần: Kết thúc khóa học này học viên có kiến thức chuyên sâu về tương tác
của ánh sáng phân cực với các vật liệu từ, giới thiệu các phương pháp khai thác thông tin về
tính phân cực của ánh sáng để nghiên cứu các tính chất từ vi mô và phân bố đômen của các vật
liệu ở thang micro/nano.
8. Nội dung tóm tắt học phần: Cơ sở hiện tượng truyền ánh sáng trong chất rắn; Hiện tượng
luận về các hiệu ứng quang từ bao gồm hiệu ứng Faraday, Kerr và các hiệu ứng quang từ phi
tuyến; Cơ chế vi mô của hiện tượng quang từ; Quan sát cấu trúc đômen dựa trên các hiệu ứng
quang từ; Các vật liệu quang từ và ứng dụng (điện môi, garnet pheri từ, kim loại và hợp kim,
bán dẫn từ, vật liệu từ có cấu trúc nano).
9. Nhiệm vụ của sinh viên:
• Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
• Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
10. Đánh giá kết quả: BT(0,3)-T(TL:0,7)
• Điểm quá trình: trọng số 0,3
- Trình bày kiến thức tại Seminar và dự lớp đầy đủ
• Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0,7
11. Tài liệu học tập: Xem mục 13
Tài liệu chính: 1; 2
Tài liệu tham khảo: còn lại
12. Nội dung chi tiết học phần:

QUANG TỪ
Biên soạn: PGS. TS. Nguyễn Phúc Dương
MỞ ĐẦU (0,5)
- Giới thiệu học phần
- Tài liệu tham khảo
CHƯƠNG 1. GIỚI THIỆU CHUNG (LT 2)
1. Ánh sáng phân cực
2. Các phương pháp tạo ánh sáng phân cực
3. Đơn tinh thể phi tuyến
CHƯƠNG 2. SỰ TRUYỀN ÁNH SÁNG TRONG CHẤT RẮN (LT 5+BT 5)
1. Các phương trình Maxwell
2. Các tenxơ điện môi ε và từ thẩm µ
3. Sự truyền ánh sáng trong chất sắt từ
4. Hiệu ứng Faraday
5. Hiệu ứng Kerr
6. Hiện tượng quang từ phi tuyến
CHƯƠNG 3. CÁC KHÁI NIỆM VI MÔ VỀ HIỆU ỨNG QUANG TỪ (LT 5)
1. Lý thuyết về cấu trúc điện tử của vật liệu
2. Các quy tắc lọc lựa
3. Hiệu ứng quang từ trong các chất nghịch từ
4. Hiệu ứng quang từ trong các chất thuận từ
CHƯƠNG 4. QUAN SÁT CẤU TRÚC ĐÔMEN (LT 5+BT 5)
1. Cấu trúc đômen từ
2. Tương tác của ánh sáng với một vách đômen riêng lẻ
3. Quan sát các đômen sắt từ
4. Quang phổ của các đômen sắt từ
5. Quan sát cấu trúc đômen phản sắt từ bằng hiệu ứng quang từ phi tuyến
CHƯƠNG 5. CÁC VẬT LIỆU QUANG TỪ VÀ ỨNG DỤNG (LT 5+BT 5)
1. Các chất điện môi
2. Garnet
3. Kim loại và hợp kim
4. Bán dẫn từ
5. Các cấu trúc màng mỏng đa lớp, màng dạng hạt và các cấu trúc siêu mạng
13. Tài liệu tham khảo:
1. A.K. Zvezdin, V.A. Ktov, Modern Magnetooptics and Magnetooptical Materials, Institute
of Physics Publishing, 1997
2. P.W. Milloni, J.H. Eberly, Lasers, John Wiley, 1988
3. V. Antonov, B. Harmon, A. Yaresko, Electronic structure and Magneto-Optical
Properties of Solids, Kluwer Academic Publisher, 2004
4. S. Sugano, N. Kojima, Maneto-Optics, Springer Series in Solid State Science, Springer
Verlag Berlin Heidenberg, 2000
5. Các bài báo Review trong các lĩnh vực liên quan
IMS6150 Điện tử học Spin
1. Tên học phần: ĐIỆN TỬ HỌC SPIN (SPINTRONICS)
2. Mã số: IMS6150
3. Khối lượng: 2(2-0-0-4)
• Lý thuyết: 30 tiết
4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Tự chọn, học vào kỳ 2
5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học vật liệu, Công nghệ vi hệ
thống và nanô
6. Điều kiện học phần:
7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần học viên nắm được một số khái niệm và những vấn
đề cơ bản về điện tử học Spin (Spintronics) như các hiệu ứng hay hiện tượng cơ bản trong các
quá trình của Spin, những vật liệu, công nghệ và những linh kiện điện tử học Spin cơ bản,
những vấn đề mở và những thách thức của điện tử học Spin trong tương lai, tình hình nghiên
cứu về điện tử học Spin ở trong nước.
8. Nội dung tóm tắt học phần:
Khái quát về quá trình phát triển của điện tử học nói chung, đặc biệt là điện tử bán dẫn.
Giới thiệu những khái niệm và cung cấp kiến thức cơ sở về spintronics, bao gồm thuộc tính
spin là gì, các quá trình spin, các hiện tượng vận chuyển phụ thuộc spin, các vật liệu và công
nghệ cho spintronics, những linh kiện, dụng cụ spintronics tiêu biểu, những thách thức và xu
hướng phát triển spintronics trong tương lai.
9. Nhiệm vụ của sinh viên:
• Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
• Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
• Thí nghiệm trên các mẫu cảm biến van spin.
10. Đánh giá kết quả:
 Điểm quá trình: trọng số 0.40
- Dự lớp đầy đủ
- Làm thí nghiệm đầy đủ, có báo cáo và bảo vệ
- Kiểm tra giữa kỳ
 Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.60
11. Tài liệu học tập:
Sách tham khảo: Xem phần tài liệu tham khảo.
12. Nội dung chi tiết học phần:

ĐIỆN TỬ HỌC SPIN
Biên soạn: PGS. TS. Nguyễn Anh Tuấn
GIỚI THIỆU MỞ ĐẦU (1)
1. Giới thiệu chung
- Mục đích môn học
- Nội dung môn học
- Giới thiệu sách giáo khoa và tài liệu tham khảo
2. Tình hình phát triển của điện tử học truyền thống và những thách thức
3. Spintronics là gì?
3. Về spin của điện tử
PHẦN I: NHỮNG VẤN ĐỀ CƠ BẢN CỦA ĐIỆN TỬ HỌC SPIN
CHƯƠNG 1: CÁC HIỆN TƯỢNG CƠ BẢN CỦA CÁC QUÁ TRÌNH SPIN
(LT 7; BT 0; TN 0)
1.1. Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (GMR) và cơ chế tán xạ phụ thuộc spin
1.2. Hiệu ứng từ điện trở xuyên ngầm (TMR) và cơ chế xuyên ngầm phụ thuộc spin
1.3. Hiệu ứng từ điện trở siêu khổng lồ (CMR)
1.4. Hiệu ứng từ điện trở xung kích (BMR)
1.5. Hiện tượng xuyên ngầm đơn spin (SSET)
1.6. Hiện tượng tích tụ và phun spin
1.7. Hiện tượng xoắn spin
1.8. Hiệu ứng Hall spin
CHƯƠNG 2: CÁC VẬT LIỆU SỬ DỤNG TRONG ĐIỆN TỬ HỌC SPIN
(LT 5; BT 0; TN 0)
2.1. Các kim loại và hợp kim sắt từ
2.2. Bán dẫn từ, bán dẫn từ pha loãng
2.3. Ôxýt từ
2.4. Hợp chất/hợp kim nửa kim loại (Half-metal)
2.5. Các vật liệu từ có cấu trúc nano
2.6. Phân tử hữu cơ và Spintronics

CHƯƠNG 3: MỘT SỐ LINH KIỆN, DỤNG CỤ ĐIỆN TỬ HỌC SPIN
VÀ ỨNG DỤNG (LT 7; BT 0; TN 0)
3.1. Phân loại các linh kiện spintronics; cấu trúc van spin và khoá spin
3.2. Cảm biến, đầu đọc từ
3.3. Bộ nhớ từ không tự xoá (MRAM)
3.4. Các loại tranzito spin
3.4.1. Tranzito Johnson (BST)
3.4.2. Tranzito van spin (SVT)
3.4.3. Tranzito spin hiệu ứng trường (FEST)
3.5. Điốt quang-spin điện tử
3.6. Các linh kiện nanospinics
3.6.1. Linh kiện đơn spin điện tử (SSED)
3.6.2. Linh kiện dẫn spin trên sợi nanocarbon
3.7. Spin và máy tính lượng tử
PHẦN II: TRIỂN VỌNG, THÁCH THỨC VÀ TÌNH HÌNH NGHIÊN CỨU VỀ ĐIỆN TỬ
HỌC SPIN Ở TRONG NƯỚC
CHƯƠNG 4: TRIỂN VỌNG VÀ NHỮNG THÁCH THỨC CỦA ĐIỆN TỬ HỌC SPIN
(LT 8; BT 0; TN 0)
4.1. Triển vọng và thách thức chung
4.2. Giới thiệu về vật lý spin (Spin physics)
4.3. Giới thiệu về điện tử học nano (nanoelectronics) - Điện tử học nano spin (nanospinics)
4.4. Giới thiệu về điện tử học phân tử (molectronics) - Điện tử học spin phân tử
(molespinics)
CHƯƠNG 5: TÌNH HÌNH NGHIÊN CỨU VỀ ĐIỆN TỬ HỌC SPIN Ở TRONG NƯỚC
(LT 2; BT 0; TN 0)
5.1. Tình hình nghiên cứu chung ở trong nước
5.2. Những vấn đề về điện tử học spin đang được nghiên cứu tại viện ITIMS
13. Tài liệu tham khảo:
1. Michael Ziese and Martin J. Thornton, Spin Electronics, Springer-Verlag Berlin
Heidenberg 2001.
2. Y. B. Xu and S. M. Thompson, Spintronic Materials and Technology, Taylor & Francis
Group, 2007.
3. Mark Johnson, Magnetoelectronics Elsevier Academic Press, 2004
4. Spin dependent transport in magnetic nanostructures, CRC Press LLC, 2002.
5. Samdamichi Meakawa, Concepts in Spin Elelctronics, Oxford University Press 2006.
IMS6160 Công nghệ Sol-gel
1. Tên học phần: CÔNG NGHỆ SOL-GEL
2. Mã số: IMS6160
3. Khối lượng: 2(1,5-0-1-4)
• Lý thuyết: 22,5 tiết
• Thí nghiệm: 15 tiết
4. Học phần (bắt buộc, tự chọn, bổ túc, bổ sung): Tự chọn, học vào kỳ 2
5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành công nghệ vi hệ thống, Khoa học và
kỹ thuật vật liệu
6. Điều kiện học phần:
7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần học viên nắm vững các kiến thức cơ bản về phương
pháp chế tạo vật liệu bằng phương pháp sol-gel. Đồng thời cung cấp cho học học viên sự hiểu
biết về sự ảnh hưởng của các điều kiện công nghệ như, lượng nước, dung môi, nhiệt độ, độ pH
lên quá trình sol-gel.
8. Nội dung tóm tắt học phần:
Giới thiệu các quá trình thủy phân, các quá trình ngưng tụ. ảnh hưởng của chất xúc tác và các
điều kiện công nghệ tới quá trình sol-gel. Đồng thời đưa ra một số ví dụ cụ thể về việc chế tạo
vật liệu khối, vật liệu màng và vật liệu có cấu trúc nanô.
9. Nhiệm vụ của sinh viên:
• Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
• Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
10. Đánh giá kết quả: KT/BT(0.30)-T(TL:0.70)
 Điểm quá trình: trọng số 0.30
- Làm thí nghiệm đầy đủ, có báo cáo và bảo vệ
- Kiểm tra giữa kỳ: 0.30
 Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.70
11. Tài liệu học tập: xem mục 14
Tài liệu chính: 1
Tài liệu tham khảo: còn lại
12. Nội dung chi tiết học phần:

CÔNG NGHỆ SOL-GEL
Người biên soạn: TS. Trần Ngọc Khiêm
MỞ ĐẦU (0,5)
- Giới thiệu học phần
- Tài liệu tham khảo
CHƯƠNG 1: GIỚI THIỆU VỀ CÔNG NGHỆ SOL-GEL (LT 4)
1.1 Giới thiệu về công nghệ sol-gel
1.2 Các phản ứng hóa học trong quá trình sol-gel
1.3 Ảnh hưởng của các chất xúc tác tới các phản ứng thủy phân và ngưng tụ
1.4 Ảnh hưởng của độ pH tới quá trình sol-gel
1.5 Ảnh hưởng của nhiệt độ tới quá trình sol-gel
1.6 Ảnh hưởng của nước và dung môi tới quá trình sol-gel
1.7 Các ưu điểm và hạn chế của công nghệ sol-gel
1.8 Các ứng dụng của công nghệ sol-gel
CHƯƠNG 2: CÔNG NGHỆ NANÔ SOL-GEL (LT 6)
2.1 Phương pháp sol-gel
2.1.1 Hạt sol
2.1.2 Gel
2.2 Các hạt đơn phân tán trong dung dịch
2.2.1 Điều chế hạt cầu
2.2.2 Cấu trúc của hạt cầu
2.2.3 Cơ chế phát triển
2.3 Các phương pháp khác điều chế hạt nanô
2.3.1 Sol khí
2.3.2 Các phương pháp pha hơi
2.3.3 Các phương pháp dung dich khác.
CHƯƠNG 3: CHẾ TẠO VẬT LIỆU KHỐI BẰNG CÔNG NGHỆ SOL-GEL (LT 6)
3.1 Giới thiệu về công nghệ sol-gel cho việc chế tạo vật liệu khối
3.2 Chế tạo vật liệu khối có mật độ cao
3.2.1 Những nguyên lý cơ bản
3.2.2 Các bước tiến hành
3.2.3 Các yếu tố ảnh hưởng tới quá trình chế tạo
3.3 Chế tạo vật liệu khối xốp
3.3.1 Những nguyên lý cơ bản
3.3.2 Các bước tiến hành
3.3.3 Các yếu tố ảnh hưởng tới quá trình chế tạo
3.4 Các quá trình xử lý sol-gel
3.4.1 Các phương pháp xử lý nhiệt
3.4.2 Phương pháp chưng cất đẳng phí
3.4.3 Phương pháp Sấy siêu tới hạn
3.5 Các ví dụ về quá trình chế tạo vật liệu khối
CHƯƠNG 4: CHẾ TẠO MÀNG MỎNG VÀ SỢI BẰNG CÔNG NGHỆ SOL-GEL
(LT 6)
4.1 Giới thiệu
4.2 Quy trình sol-gel cho việc chế tạo màng
4.2.1 Yêu cầu của việc chế tạo sol
4.2.2 Các phương pháp phủ màng
4.2.3 Quy trình xử lý nhiệt
4.2.4 Màng oxít đơn và đa thành phần
4.2.5 Các phương pháp xác định tính chất của màng
4.2.5 Ứng dụng của màng chế tạo bằng phương pháp sol-gel
4.3 Quy trình sol-gel cho việc chế tạo sợi
4.3.1 Phân loại các loại sợi
4.3.2 Qua trình chế tạo sol cho việc kéo sợi
4.3.3 Các phương pháp kéo sợi
4.3.4 Ảnh hưởng của các điều kiện công nghệ lên hình dạng và kích thước sợi
4.3.5 Ứng dụng của các loại sợi được chế tạo bằng phương pháp sol-gel.
13. Bài thí nghiệm:
Chế tạo vật liệu SiO2 bằng phương pháp sol-gel
14. Tài liệu tham khảo
1. Lisa C.Klein, Sol-Gel technology for thin films, fibers, preforms, electronics, and
specialty shapes, Noyes publications, 1988.
2. C. Jeffrey Brinker, George W.Scherer, “Sol-gel Science: The physis and chemistry
of sol-gel processing”, Academic press limited, 1990.
3. Sumio Sakka “Handbook of sol-gel science and technology: processing,
characterization and applications” Kluwer academic publishers.
4. Nguyễn Đức Nghĩa “Hóa học nanô: Công nghệ nền và vật liệu nguồn”, NXB Khoa
học tự nhiên và công nghệ, 2007
IMS6170 Hóa Vật liệu 2(1-1-1-4)
1. Tên học phần: HÓA VẬT LIỆU
2. Mã số: IMS6170
3. Khối lượng: 2(1-1-1-4)
• Lý thuyết: 15 tiết
• Bài tập: 15 tiết
• Thực nghiệm: 15 tiết
4. Học phần: Tự chọn, học vào kỳ 2
5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Khoa học và Kỹ thuật Vật liệu; Công
nghệ vi hệ thống và nanô
6. Điều kiện học phần:
7. Mục tiêu học phần:
Sau khóa học người học nắm được các phương pháp tổng hợp vật liệu, đặc biệt là vật liệu có
cấu trúc nano bao gồm vật liệu vô cơ, hữu cơ, vật liệu sinh học ứng dụng của chúng và một số
phương pháp chế tạo theo tiếp cận hóa học và phân tích cấu trúc. Củng cố tăng cường các kỹ
năng thực nghiệm về hóa học cho sinh viên.
8. Nội dung tóm tắt học phần: Hóa học Vật liệu là một ngành tương đối mới liên quan tới
các phương pháp tổng hợp vật liệu chức năng tiên tiến dựa trên việc kết hợp các phương pháp
truyền thống và hiện đại. Các bài học tập trung vào việc tổng hợp, phân tích cấu trúc vật liệu,
tìm cách tối ưu chúng nhằm tạo ra những tính chất mong muốn.
9. Nhiệm vụ của sinh viên:
• Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
• Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
• Thực hành theo các bài thí nghiệm về vi điện tử và bán dẫn tại phòng sạch của Viện
ITIMS.
10. Đánh giá kết quả:
Điểm quá trình: trọng số 0.40
- Bài tập làm đầy đủ
- Hoàn thành bài tập lớn
- Làm thí nghiệm đầy đủ, có báo cáo và bảo vệ
Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.60
11. Tài liệu học tập: Xem mục 14
Tài liệu chính: 1
Tài liệu tham khảo: còn lại
12. Nội dung chi tiết học phần:
HÓA VẬT LIỆU
Biên soạn: TS. Mai Anh Tuấn

MỞ ĐẦU (1)
- Giới thiệu khóa học
- Tài liệu tham khảo
CHƯƠNG 1. HÓA VẬT LIỆU (LT 6+BT 7)
1.1 Giới thiệu về hóa vật liệu
1.2 Hóa chất rắn
1.3 Kim loại
1.4 Vật liệu siêu dẫn
1.5 Vật liệu hữu cơ
1.6 Vật liệu Nano
1.7 Kỹ thuật phân tích cấu trúc vật liệu
CHƯƠNG 2. MỘT SỐ PHƯƠNG PHÁP TỔNG HỢP TRONG HÓA VẬT LIỆU
(LT 8+BT8)
2.1 Giới thiệu
2.2 Phương pháp lắng đọng đơn lớp phân tử
2.3 Phương pháp tự gắn kết
2.4 Phương pháp đồng kết tủa
25 Phương pháp điện hóa
13. Bài thí nghiệm
Bài 1: Phản ứng oxy hóa - khử và ứng dụng trong phân tích định lượng các chất oxy hóa
và chất khử
Bài 2: Phản ứng tạo phức và ứng dụng trong phân tích định lượng các ion kim loại
14. Tài liệu tham khảo
1. Bradley D. Fahlman, Materials Chemistry, Springer Publisher, Amsterdam the Netherland,
2007, ISBN 978-1-4020-6119-6 (HB).
2. M. Kerler, Surface Chemistry and Colloids, London, 1972
3. Leonard F.C. Fundermentals of Surface and Thin film Analysis, Prentice Hall, 1986
4. Hobarth Willard, Lynne Merritt, John Dean, and Frank Settle, Instrumental Methods of
Analysis (Chemistry), Wadsworth Publishing Co., 7th Ed., 1988.
5. Ying-Bing Jiang, Plasma-assisted atomic layer deposition of conformal nano-cap layers
on self-assembled mesoporous low-k dielectrics, ProQuest / UMI (March 18, 2006).
6. D. Moebius, R. Miller, Novel Methods to Study Interfacial Layers (Studies in Interface
Science), Elsevier Science (December 1, 2001).
IMS6190 Các vấn đề về quản lý trong công nghiệp công nghệ cao
1. Tên học phần: CÁC VẤN ĐỀ VỀ QUẢN LÝ TRONG CÔNG NGHIỆP CÔNG
NGHỆ CAO
2. Mã số: IMS6190
3. Khối lượng: 2(2-0-0-4)
• Lý thuyết: 30 tiết
4. Học phần: Bắt buộc, học vào kỳ 1
5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Công nghệ Nano và Vi hệ thống;
Khoa học và kỹ thuật vật liệu
6. Điều kiện học phần:
7. Mục tiêu học phần:
Kết thúc học phần người học có những tiếp cận quản trị theo quan điểm kỹ thuật, người học
hiểu được công nghệ và kỹ thuật tương tác ra sao với hệ thống quản trị, vì sao chỉ công nghệ là
chưa đủ, tại sao quản lý, lập kế hoạch sản xuất, kho vận đóng vai trò quan trọng, tại sao cần
đưa kỹ năng quản lý vào trong công nghiệp công nghệ cao, khoa học môi trường và năng
lượng…Qua khóa học người học được trang bị thêm các tác phong và văn công nghiệp.
8. Nội dung tóm tắt học phần:
Kiến thức về nghiệp vụ trong sản xuất, nghiệp vụ phụ trợ, nghiệp vụ phân xưởng, điều phối và
lập kế hoạch, kỹ thuật dự báo, lập kế hoạch nguồn lực doanh nghiệp, sản xuất đúng hạn, các
công cụ quản lý chất lượng và luận điểm, PERT/CPM, công bố sản phẩm, quản lý dự án, ma
trận cấu trúc thiết kế, quản lý dây truyền cung cấp kho vận và điều phối các công ty trong
chuỗi cung cấp.
9. Nhiệm vụ của sinh viên:
• Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
• Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
10. Đánh giá kết quả:
Điểm quá trình: trọng số 0.4
Thi hết môn (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.6
11. Tài liệu học tập:
Tài liệu chính: 1
Sách tham khảo: Xem phần tài liệu tham khảo.
12. Nội dung chi tiết học phần:

CÁC VẤN ĐỀ VỀ QUẢN LÝ TRONG CÔNG NGHIỆP CÔNG NGHỆ CAO
Biên soạn: TS. Mai Anh Tuấn
MỞ ĐẦU (0.5)
- Giới thiệu học phần
- Yêu cầu đối với học phần, tài liệu tham khảo
CHƯƠNG 1: PHÂN TÍCH NGHIỆP VỤ (LT 2.5)
1.1. Nghiệp vụ phụ trợ
1.2. Nghiệp vụ phân xưởng
1.3. Tương hợp quy trình và sản phẩm
1.4. Các hệ thống xếp hàng
1.5. Sơ đồ quy trình liên tục
1.6. Điều phối và lập kế hoạch
1.7. Các kỹ thuật dự báo
CHƯƠNG 2: ĐIỀU PHỐI VÀ LẬP KẾ HOẠCH (LT 3)
2.1 Điều phối và lập kế hoạch
2.2 Quản lý ràng buộc
2.3 Điều phối và lập kế hoạch – lập kế hoạch nguồn lực doanh nghiệp
2.4 Sản xuất đúng hạn
CHƯƠNG 3: QUẢN LÝ CHẤT LƯỢNG (LT 3)
3.1 Các kỹ thuật Taguchi
3.2 Các công cụ quản lý chất lượng và luận điểm
CHƯƠNG 4: QUẢN LÝ DỰ ÁN (LT 3)
4.1 Quản lý dự án - PERT/CPM và công bố sản phẩm
4.2 Quản lý dự án: một công cụ cạnh tranh
4.3 Quản lý phát triển dự án: Ma trận Cấu trúc Thiết kế
CHƯƠNG 5: QUẢN LÝ DÂY TRUYỀN CUNG CẤP VÀ KHO VẬN (LT 3)
5.1 Xác định vị trí lưu trữ
5.2 Công nghệ Chuỗi Các nhà cung cấp
5.3 Dịch vụ khách hàng, quản lý dịch vụ khách hàng và phản hồi nhanh chóng.
5.4 Quản lý hệ thống kho vận
5.5 Điều phối các công ty trong chuỗi cung cấp
13. Tài liệu tham khảo:
1. A Modern Approach to Operations Management, New Age International (P) Ltd.,
Publishers 2005, ISBN (10): 81-224-2326-1.
2. Gideon Halevi, Handbook of Production Management Methods, Butterworth-
Heinemann, 2001 ISBN 0 7506 5088 5.
3. Sammy G. Shina, Six Sigma for Electronics Design and Manufacturing, McGraw-Hill
2002, ISBN: 0-07-140955-6

IMS6210 Công nghệ đóng gói mạch tích hợp (IC)
1. Tên học phần: CÔNG NGHỆ ĐÓNG GÓI MẠCH TÍCH HỢP (IC)
2. Mã số: IMS6210
3. Khối lượng: 2(2-0-0-4)
• Lý thuyết: 30 tiết
4. Học phần: Tự chọn, học vào học kỳ II
5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Công nghệ Nano và Vi hệ thống;
Khoa học và Kỹ thuật vật liệu
6. Điều kiện học phần:
7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần học viên hiểu được tầm quan trọng của quá trình
đóng gói chip trong sản xuất điện tử bao gồm những kiến thức cơ bản về công nghệ, vật liệu
và các quy trình liên quan tới đóng gói và lắp ráp mạch tổ hợp. Qua khóa học, học viên cũng
cần nắm được kiến thức cơ bản về kỹ thuật kiểm tra độ già hóa IC.
8. Nội dung tóm tắt học phần:
Hiện trạng và xu hướng trong công nghệ đóng gói và liên kết nối, các sai hỏng điện trong
đóng gói điện tử, thiết kế theo tiếp cận nhiệt và phân tích, tiếp cận kỹ thuật cơ khí và phân
tích, vật liệu trong đóng gói điện tử, kiểm tra độ già hóa IC, sản xuất và tự động hóa.
9. Nhiệm vụ của sinh viên:
• Dự lớp: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
• Bài tập: Theo quy định của Bộ GD&ĐT và trường ĐHBKHN.
10. Đánh giá kết quả:
- Điểm quá trình: trọng số 0.4
- Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): trọng số 0.60
11. Tài liệu học tập: Xem mục 13
Tài liệu chính: 1
Tài liệu tham khảo: tài liệu còn lại.
12. Nội dung chi tiết học phần:

CÔNG NGHỆ ĐÓNG GÓI MẠCH TÍCH HỢP (IC)
Biên soạn: TS. Mai Anh Tuấn
PGS. TS. Nguyễn Văn Hiếu
GIỚI THIÊU (0.5)
- Giới thiệu học phần
- Tài liệu tham khảo
CHƯƠNG 1. HIỆN TRẠNG, XU HƯỚNG TRONG CÔNG NGHỆ ĐÓNG GÓI IC
(LT 1)
1.1 Hiện trạng
1.1.1 Lịch sử của thiết bị điện tử
1.1.2 Đóng gói chip đơn (SCP) – chức năng và kiểu loại
1.1.3 Đặt vấn đề trong lựa chọn đóng gói (I/O, công suất, nhiệt, FF)
1.1.4 Ngoại vi (DIP/ QFP/TAB)
1.1.5 Đóng gói mảng (BGA/CSP)
1.1.6 Linh kiện đóng gói (đế, keo/nhựa dán, tản nhiệt, vật liệu tản nhiệt, SLI, giá đỡ
chip, ..)
1.1.7 Kiểm tra thông số đóng gói – Điện/Nhiệt/Độ già hóa/Chi phí
1.1.8 Xu hướng
1.2 Xu hướng trong công nghệ đóng gói

1.2.1

Mô-đun đa lõi (MCM – chức năng và ưu điểm
1.2.2 Hiệu suất đóng gói (điện, hiệu suất, độ già hóa, chi phí)
1.2.3 Các đế MCM (MCM-L, MCM-C, MCM-D)
1.2.4 Kiểm tra, sửa chữa MCM
1.2.5 Xu hướng
CHƯƠNG 2. SAI HỎNG VỀ ĐIỆN TRONG ĐÓNG GÓI ĐIỆN TỬ (LT 3)
2.1 Chức năng điện trong đóng gói
2.2 Phân bố tín hiệu và công suất
2.3 Tổ hợp tín hiệu
2.4 Các phương pháp mô phỏng và mô hình hóa
2.5 Thiết kế Bus và các vấn đề về hệ thống
2.6 Xu hướng trong công nghiệp
CHƯƠNG 3. TIẾP CẬN KỸ THUẬT NHIỆT TRONG ĐÓNG GÓI IC (LT 3)
3.1 Giới thiệu về tính chất nhiệt trong đóng gói
3.2 Cơ bản về điều khiển nhiệt trong đóng gói
3.3 Mô hình hóa sự khuếch tán nhiệt
3.4 Phân tích nhiệt, Mô hình hóa trạng thái ổn địn và chuyển tiếp nhiệt và thiết kế
3.5 Tản nhiệt cho thiết bị không đồng nhất (mô hình hóa FEA)
3.6 Các phương pháp làm nguội (Tích cực/Tiêu cực)
3.7 Đo đạc và phân tích
CHƯƠNG 4. TIẾP CẬN KỸ THUẬT CƠ TRONG ĐÓNG GÓI IC (LT 2)
4.1 Ứng suất nhiệt trong đóng gói điện tử
4.2 Cơ bản về cơ tính của vật liệu trong đóng gói IC
4.3 Mô hình hóa Cơ-Nhiệt
4.4 Phân tích đóng gói bằng phương pháp phần tử vô hạn (FEM)
CHƯƠNG 5. TỔNG QUAN VỀ VẬT LIỆU ĐÓNG GÓI IC (LT 2)
5.1 Vật liệu polyme trong đóng gói IC
5.2 Kiểm tra các thông số vật liệu đóng gói
5.3 Vật liệu trung gian truyền nhiệt
5.4 Vật liệu, kỹ thuật và thiết kế đế trong đóng gói
5.5 Vật liệu hàn, xử lý và độ già hóa
5.6 Công nghệ tiên tiến trong đóng gói (MEMS, vật liệu quang, vật liệu nano)
5.7 Kiểm tra sai hỏng và độ mỏi
CHƯƠNG 6. KỸ THUẬT SẢN XUẤT VÀ KIỂM TRA (LT 2)
6.1 Quy trình sản xuất (làm sạch, đi dây, thụ động hóa, phủ màng, điền kẽ, kiểm tra và
kiểm chuẩn)
6.2 Quản lý quy trình sản xuất
6.3 Sản xuất, dây truyền cung cấp, và thiết kế với chi phí thấp
CHƯƠNG 7. KIỂM TRA CHẤT LƯỢNG (LT 1.5)
7.1 Kiểm tra chất lượng & Thiết kế đạt chất lượng
7.2 Già hóa và thống kê
7.3 Kiểm tra độ già hóa IC
13. Tài liệu tham kháo
1. Rao R. Tummala, Fundamentals of Microsystems Packaging, 2001, McGraw-Hill
2. The National Technology Roadmap for Semiconductors, San Jose California:
Semiconductor Industry Association, 1997
3. http://www.mdronline.com/mpr/index.html
4. John Lau, C.P. Wong, John L. Prince, Wataru Nakayama, Electronic Pachaging:
Design, Materials, Process, and Reliability, 1998.
5. Ravi Mahajan, Raj Nair, Vijay Wakharkar, Johanna Swan, John Tang, & Gilroy
Vandentop, Intel Technology Journal, Vol. 6, Issue 2 (2002), pp. 62-75.
6. Chee Choong Kooi, et al., Electronics Packaging Technology, 2003 5th
Conference (EPTC 2003) 10-12 Dec. 2003, Pages:324–330.
7. Chia-Pin Chiu, et. al., Advanced Packaging Materials: Processes, Properties and
Interfaces,2000. Proceedings. International Symposium on , 6-8 March 2000. Pages: 265 –
270.
8. Ram Viswanath, Vijay Wakharkar, Abhay Watwe, & Vassou Lebonheur, Intel
Technology Journal, Q3 2000, pp. 1-16.
9. C. M. Garner, et. al, Electronics Packaging Technology Conference, 2000. (EPTC
2000). Proceedings of 3rd , 5-7 Dec 2000, Pages:6 – 9.
IMS6240 Vật liệu thông minh và ứng dụng
1. Tên học phần: VẬT LIỆU THÔNG MINH VÀ ỨNG DỤNG
2. Mã số: IMS6240
3. Khối lượng: 2(1,5-1-0-4)
• Lý thuyết: 22,5 tiết
• Bài tập, thảo luận: 10 tiết
• Báo cáo chuyên đề của học viên: 5 tiết
4. Học phần: Tự chọn, học vào kỳ II
5. Đối tượng tham dự: Học viên cao học chuyên ngành Công nghệ vi hệ thống và nanô; Khoa
học và kỹ thuật vật liệu
6. Điều kiện học phần:
7. Mục tiêu học phần: Kết thúc học phần học viên hiểu biết các loại vật liệu mà các tính chất
của chúng thay đổi một cách đáng kể dưới tác dụng của các điều kiện bên ngoài như ứng suất,
nhiệt độ, độ ẩm, nồng độ pH, điện trường và từ trường. Các loại vật liệu này đóng vai trò trong
nhiều lĩnh vực: y tế, quốc phòng, vũ trụ, vi điện tử và tự động hóa và đời sống.
8. Nội dung tóm tắt học phần:
- Cấu trúc cơ bản của các vật liệu
- Các tính chất của các vật liệu thông minh: vật liệu áp điện; hợp kim nhớ hình;vật liệu
polymer thông minh; vật liệu từ thông minh (từ giảo, chất lỏng từ);vật liệu quang
thông minh; tinh thể lỏng, vật liệu siêu dẫn.
- Các cảm biến và hệ điều hành sử dụng các vật liệu trên.
9. Nhiệm vụ của học viên:
• Dự lớp: Theo qui định của Bộ GD&ĐT và Trường ĐHBKHN.
• Chuẩn bị bài trước khi lên lớp
• Tham gia trao đổi trao đổi, thảo luận ở lớp
• Hoàn thành tiểu luận (theo hướng dẫn của giáo viên) và trình bày trước lớp
10. Đánh giá kết quả: QT/BT (0,3) – T(TL: 0,70)
• Điểm trong quá trình: 0,3
• Thi cuối kỳ (tự luận hoặc vấn đáp): 0,7
11. Tài liệu học tập: Xem mục 13
o Tài liệu chính: 1
o Tài liệu tham khảo: 2, 3, 4, 5, 6
12. Nội dung chi tiết học phần:

VẬT LIỆU THÔNG MINH VÀ ỨNG DỤNG
Nhóm biên soạn: GS.TSKH. Thân Đức Hiền
TS. Nguyễn Khắc Mẫn
MỞ ĐẦU: (1,5)
- Giới thiệu học phần; tài liệu tham khảo
- Cấu trúc tinh thể và cấu trúc điện tử của vật liệu
- Lịch sử phát triển của vật liệu thông minh
CHƯƠNG 1. VẬT LIỆU ÁP ĐIỆN (LT 3+BT 3)
1.1 Các loại vật liệu áp điện
1.2 Các tính chất của vật liệu áp điện
1.3 Lý thuyết giải thích hiện tượng áp điện
1.4 Ứng dụng của vật liệu
CHƯƠNG 2. HỢP KIM NHỚ HÌNH (LT 3+BT 2)
2.1 Các khái niêm cơ bản về hợp kim nhớ hình
2.2 Các tính chất của hợp kim nhớ hình
2.3 Các hợp kim nhớ hình tiên tiến
2.4 Ứng dụng của hợp kim nhớ hình
CHƯƠNG 3. VẬT LIỆU POLYMER THÔNG MINH (LT 3+BT 2)
3.1 Đại cương về vật liệu polymer
3.2 Các polymer dẫn điện
3.3 Các polymer nhớ hình
3.4 Polymer tự hàn gắn
3.5 Các ứng dụng
CHƯƠNG 4. VẬT LIỆU TỪ THÔNG MINH (LT 3+BT 2)
4.1 Đại cương về vật liệu từ
4.2 Các vật liệu từ giảo
4.3 Các chất lỏng từ
4.4 Các hiệu ứng từ - điện hóa
4.5 Ứng dụng của vật liệu từ thông minh
CHƯƠNG 5. VẬT LIỆU DẪN DIỆN THÔNG MINH (LT 3+BT 2)
5.1 Khái niệm về độ dẫn điện
5.2 Độ dẫn điện lý tưởng va siêu dẫn
5.3 Các tinh chất cơ bản của siêu dẫn ( điện trở không, hiệu ứng Messner)
5.4 SQUID và ứng dụng
CHƯƠNG 6. VẬT LIỆU QUANG THÔNG MINH (LT 3+BT 2)
6.1 Các vật liệu phát quang
6.2 Các chất nhậy quang và dẫn quang.
6.3 Các ứng dụng
CHƯƠNG 7. TINH THỂ LỎNG (LT 3+BT 2)
7.1 Mở đầu
7.2 Các pha của tinh thể lỏng
7.3 Các tính chất vật lý của tinh thể
7.4 Ứng dụng của tinh thể lỏng

13. Tài liệu tham khảo:
1. Jasprit Singh, Smart electronic materials – fundamental and application, Cambridge
University Press, 2005.
2. Maziar Arjomand, Smart materials in aerospace industry, The University of Adelaide,
2007.
3. A.S. Sidorkin, Domain structure in ferroelectronics and related materials, Cambridge
University Press, 2006
4. Smart materials: Application of smart materials in modern engineering fields,
www.techalone.com
5. Thân đức Hiền, Nhập môn về siêu dẫn, NXB Bách khoa – Hanội , 2008.
6. Sun Lien Chuang, Physics of Optoelectronic Devices, John Welley and Son, Inc., Ed.,
1995,