Reghin 2010

.Š Tranzistorul a fost inventat la Bell Telephone Laboratories din New Jersey în decembrie 1947 de John Bardeen. Walter Houser Brattain. Descoperirea tranzistorului a determinat dezvoltarea electronicii fiind considerat una din cele mai mari descoperiri ale erei moderne. i William Bradford Shockley.

se nume te emitor (E).Š Š Š Tranzistorul bipolar este un dispozitiv semiconductor alc tuit dintr-o succesiune de trei regiuni realizate prin impurificarea aceluia i cristal semiconductor. Cealalt . Una dintre regiunile laterale. mai s rac în impurit i decât emitorul. Regiunea central este mult mai slab dotat cu impurit i decât celelalte regiuni i se nume te baz (B). . 1). puternic dotat cu impurit i. se nume te colector (C). regiunea central fiind mult mai îngust i de tip diferit fa de regiunile laterale (fig.

Fig. 1 .structura i simbolul tranzistorului bipolar de tip: a) pnp. b) npn .

Tranzistorul transfer curentul din circuitul de intrare de rezisten mic în circuitul de ie ire de rezisten mare. care determin în general curentul prin tranzistor. de unde i denumirea de tranzistor (transistor = transfer resistor) Š .Š Denumirile regiunilor extreme sunt corelate cu func iile lor. Baza are rolul de a controla(modifica) intensitatea curentului prin tranzistor în func ie de tensiunea dintre baz i emitor. iar colectorul colecteaz purt torii ajun i aici. Emitorul este sursa de purt tori.

2 . b).m rimile la bornele tranzistorului bipolar: a). Proprietatea de amplificare a tranzistorului bipolar se datoreaz a a-numitului efect de tranzistor. Pentru tranzistorul bipolar se pot defini trei curen i i trei tensiuni a a cum sunt prezentate in figura 2: Fig.Tranzistorul bipolar este un dispozitiv activ care are ca func ie de baz pe cea de amplificare. .

Š Š Š Š Tensiunile sunt legate prin rela ia: vCB = vCE + vEB. (1) iar curen ii prin rela ia: IE = IC + IB. Criteriul este urm torul: se consider tranzistorul ca un diport (un bloc cu dou borne ce formeaz poarta de intrare i alte dou borne ce formeaz poarta de ie ire). . Borna comun define te conexiunea tranzistorului. tranzistorul bipolar este asimilat cu un nod în care suma algebric a curen ilor este zero... Deoarece tranzistorul are doar trei borne (terminale). Alegerea m rimilor electrice care descriu comportarea tranzistorului se poate face in moduri diferite. Ca urmare a rela iilor (1) i (2) numai dou tensiuni i doi curen i sunt m rimi independente. (2) Pentru a ob ine rela ia (2). una dintre ele trebuie s fie comun intr rii i ie irii.

² conexiunea CC (cu colectorul comun) (fig.3.a adar. tranzistorul bipolar are trei noduri de conectare fundamentale: ² conexiunea BC (cu baza comuna) (fig. a). b).Š . c). ² conexiunea EC (cu emitorul comun) (fig. 3. . 3...

3 .conexiunile fundamentale ale tranzistorului bipolar: a) conexiunea BC. b) conexiunea EC. c) conexiunea CC .Fig.

. iar emitorul si colectorul î i inverseaz rolurile. acest regim nu este folosit in mod practic deoarece parametrii atin i de tranzistorul bipolar sunt inferiori celor corespunz tori regimului normal (colectorul este mai slab dopat decât emitorul). 2) regimul inversat de lucru (regiunea activ invers ) când jonc iunea emitorului este polarizat invers i cea a colectorului direct.Š Š Š In cazul tranzistorului bipolar se pot realiza urm toarele regimuri(regiuni) de lucru: 1) regimul normal de lucru (regiunea activ direct ) când jonc iunea emitorului este polarizat direct i cea a colectorului invers.

Primele dou regiuni de lucru sunt regiuni active. deoarece tranzistorul bipolar permite ob inerea unei amplific ri. Š Š . 4) regimul (regiunea) de satura ie când ambele jonc iuni sunt polarizate direct. tensiunile pe cele dou jonc iuni sunt mici i nu pot varia decât foarte pu in. iar curentul prin tranzistorul bipolar este practic nul. deoarece în aceste cazuri puterea disipat de tranzistor este mic din cauza valorii reduse a curentului (tranzistor bipolar ² blocat).Š 3) regimul de blocare sau de t iere) (regiunea de blocare sau de t iere) când ambele jonc iuni sunt polarizate invers. poate exista atât regim de satura ie normal cât i invers. respectiv a tensiunii (tranzistor bipolar ² saturat). Ultimele dou regiuni de lucru nu sunt regiuni active deoarece tranzistorul bipolar nu poate amplifica. Totu i aceste regiuni permit utilizarea tranzistorului bipolar ca element de comuta ie.

bazat pe schema echivalent format din dou diode conectate una în întâmpinarea celeilalte i a dou surse de curent continuu care indic interac iunea dintre aceste diode.Š Leg tura dintre curen ii i tensiunile tranzistorului bipolar pentru cele patru modalit i de cuplare în circuit pot fi studiate cu ajutorul modelului matematic Ebers-Moll. .

a) i pentru tranzistorul npn(4.b)... b) npn .Acesta este modelul Ebers ² Moll pentru tranzistorul pnp(4. Fig.modelul Ebers-Moll pentru tranzistor: a) pnp. 3 .

5 ² schema echivalent a tranzistorului bipolar dup modelul Ebers ² Moll ...iar aceasta este schema echivalent a tranzistorului bipolar dup modelul Ebers ² Moll: Fig..

dispozitivul pierzându-si propriet ile ini iale. Astfel.Š Valoarea temperaturii maxime a jonc iunilor pân la care tranzistorul func ioneaz normal depinde de natura semiconductorului folosit. are loc cre terea extraordinar de rapid a concentra iei purt torilor minoritari i semiconductorul se apropie de unul intrinsec. în timp ce cele realizate din germaniu sunt limitate în func ionare în jurul valorii de 100 grade C. Observa ie: La temperaturi mai mari decât cele men ionate. tranzistoarele realizate din siliciu func ioneaz corect pân spre 200 grade C. Š .

în principal. puterea disipat în cele dou jonc iuni ale acestuia. Puterea disipat de un tranzistor este . Š .Š Puterea disipat de tranzistor apare datorit trecerii curentului prin dispozitiv. O parte din aceast putere este radiat în mediul ambiant i o parte produce înc lzirea tranzistorului.

Aceast valoare este limitat de tensiunea de str pungere a jonc iunii colector baz (polarizat invers).Š Reprezint valoarea cea mai mare a tensiunii pe care o poate suporta un tranzistor f r ca acesta s se deterioreze. Acest parametru are valori diferite în func ie de conexiunea tranzistorului i este prezentat în foile de catalog pentru fiecare situa ie în parte. Š .

cum este domeniul radio ²TV. în circuite audio i de control al puterii. Sunt tranzistoare destinate aplica iilor la frecven e peste 100kHz. .Sunt tranzistoare destinate utiliz rii pân la frecven a de circa 100kHz. circuite de microunde. circuite de comuta ie etc.

radio). filtre. amplificatoare de instrumentatie. oscilatoare. surse de alimentare liniare sau în comuta ie sau în circuite integrate. modulatoare si demodulatoare. tehnologia de ast zi permi ând integrarea într-o singur capsul a milioane de tranzistori.Š Tranzistoarele pot fi folosite în echipamentele electronice cu componente discrete în amplificatoare de semnal (în domeniul audio. . video.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful