You are on page 1of 306

Robert Lorencon

ELEKTRONSKI ELEMENTI
IN VEZJA

Mnenja, predloge, namige… sporočite na naslov:
MAYA STUDIO, d.o.o., Ziherlova 38, Ljubljana
Tel.: (01) 42 95 255, Tel. & Fax: (01) 28 39 617
http://www.maya-studio.com
info@maya-studio.com

Lektorirala: Iva Sivec
Oblikovanje in stavek: Robert Lorencon
Naslovnica: MAYA STUDIO

CIP - Kataložni zapis o publikaciji
Narodna in univerzitetna knižnjica, Ljubljana

621.382(075.3)
372.862.138.2(075.3)

LORENCON, Robert
Elektronski elementi in vezja / [[besedilo in] risbe] Lorencon
Robert. - Ljubljana : Studio Maya, 1996

ISBN 961-221-010-1

62311168

 1996, 2003 Robert Lorencon, STUDIO MAYA
Vse pravice pridržane. Noben del te izdaje ne sme biti reproduciran, shranjen ali prepisan v
katerikoli obliki oz. na katerikoli način, bodisi elektronsko, mehansko, s fotokopiranjem,
snemanjem ali kako drugače, brez predhodnega pisnega privoljenja lastnika avtorskih pravic
(copyrighta).

KAZALO

KAZALO

1. UVOD 1
1.1. ELEMENTI ..................................................................................................1
1.2. VEZJA ..........................................................................................................2
1.2.1. Generatorji.............................................................................................2
1.2.2. Osnovna pravila vezij.............................................................................3
1.2.3. Četveropoli...........................................................................................11
1.2.4. Linearizacija.........................................................................................12
VPRAŠANJA ....................................................................................................13
NALOGE ...........................................................................................................13

2. POLPREVODNIKI 15
2.1. PREVODNOST MATERIALOV ...........................................................16
2.2. POLPREVODNIKI ...................................................................................17
2.2.1. Elektroni in vrzeli ................................................................................18
2.2.2. Polprevodnik s primesmi.....................................................................19
2.2.3. N-tip polprevodnika ............................................................................19
2.2.4. P-tip polprevodnika .............................................................................20
2.2.5. Večinski in manjšinski nosilci elektrine .............................................21
2.3. PN SPOJ......................................................................................................21
VPRAŠANJA ....................................................................................................24

III

ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA

3. DIODE 25
3.1. DELOVANJE DIODE .............................................................................26
3.1.1. Zaporna smer diode ............................................................................26
3.1.2. Tok nasičenja diode.............................................................................26
3.1.3. Prevodna smer diode...........................................................................27
3.1.4. Napetost kolena ...................................................................................28
3.2. LASTNOSTI DIOD...................................................................................29
3.2.1. Električni preboj diode .......................................................................29
3.2.2. Diferencialna upornost diode.............................................................30
3.2.3. Kapacitivnost diode .............................................................................33
3.2.4. Preklopne lastnosti diod......................................................................34
3.2.5. Trošenje moči diode in odvajanje toplote .........................................35
3.3. USMERNIKI..............................................................................................36
3.3.1. Polvalni usmernik ................................................................................37
3.3.2. Polnovalni usmernik s sredinskim odcepom .....................................39
3.3.3. Mostični polnovalni usmernik ............................................................42
3.3.4. Usmerniki za trofazni napetostni sistem ...........................................44
3.3.5. Množilniki napetosti............................................................................44
3.3.6. Zaporedna in vzporedna vezava diod ................................................46
3.3.7. Valovitost in glajenje napetosti ..........................................................47
3.3.8. Diode pri omejevanju napetosti .........................................................52
3.3.9. Dioda kot analogno stikalo.................................................................53
3.4. POSEBNE VRSTE DIOD........................................................................55
3.4.1. Prebojna dioda.....................................................................................55
3.4.2. Kapacitivna (varicap) dioda................................................................58
3.4.3. PIN dioda .............................................................................................59
3.4.4. Tunelska dioda.....................................................................................60
3.4.5. Schottkyjeva dioda...............................................................................61
3.4.6. Svetleča dioda (LED)..........................................................................62
3.4.7. Fotodioda in sončna celica..................................................................63
3.4.8. Laserska dioda .....................................................................................64
VPRAŠANJA ....................................................................................................66
NALOGE ...........................................................................................................67
IV

...............................6.....2... LC povezava ojačevalnikov....6..........................115 4.....2.....................6.........................................4. RC povezava ojačevalnikov ............1.......... Breme..............69 4....... Napetostni sledilnik........... KAZALO 4.............................1...............................................87 4...................1................ Tokovno in napetostno ojačenje ................................................106 4............96 4..... OJAČEVALNIKI PRI NIZKIH FREKVENCAH .....................5.... Nastavitev delovne točke z delilnikom napetosti..105 4.............................................................5..6...112 4...................................127 4..........................2................................128 V ........5..3...................................111 4................6...................6........................... Analiza tokov v tranzistorju....4.100 4...2.....................................2.... Tranzistor v orientaciji s skupnim kolektorjem... Frekvenčna propustnost......................4.............................4..6...72 4.......10.125 4............120 4. Različne orientacije tranzistorja......................................................................................4......9...........71 4. BIPOLARNI TRANZISTOR 69 4.......3............6....3................. Prilagoditev ojačevalnih stopenj........... Nastavitev delovne točke z uporom na bazi .................6...........................................5........89 4............... Vhodna in izhodna karakteristika bipolarnega tranzistorja. Stabilizacija delovne točke z napetostno povratno zanko..................6...... Skupno ojačenje......2.7......................97 4.....................1....5......2..............1..4............. Diferencialni ojačevalnik ......5....5.. SIMBOL IN ZGRADBA ...84 4...2..............111 4...........................92 4...............5............. Stabilizacija delovne točke z diodo ...1. STABILIZACIJA DELOVNE TOČKE...................... Stabilizacija delovne točke z emitorskim uporom ...3.....4....126 4..............................115 4..98 4......................... Šum ojačevalnika .......... delovna premica in delovna točka...92 4.....2..6.......................2................124 4.....90 4.....................83 4..............................76 4............. Transformatorska povezava ojačevalnikov....103 4........ Povezava ojačevalnikov s selektivnim transformatorjem ..... NASTAVITEV DELOVNE TOČKE. Enosmerna povezava ojačevalnikov..3...2.....77 4.............. DELOVANJE BIPOLARNEGA TRANZISTORJA......... Nadomestno vezje bipolarnega tranzistorja ............3...............3........8............... Tranzistor v orientaciji s skupnim emitorjem.................81 4..... Decibeli........6........98 4...............................6.........2.... VEČSTOPENJSKI OJAČEVALNIKI ...5...................... Tranzistor v orientaciji s skupno bazo ...........

....................130 4.151 VPRAŠANJA ............ Izkoristek ojačenja moči ...................130 4....................4...............7.................... Vpliv kapacitivnosti na ojačenje .....10............3...... A razred ojačevalnika.7..........8.......1................170 5.......................................................... B razred ojačevalnika ..........1.................................................... UNIPOLARNI TRANZISTORJI 159 5.........4....................6....................................6......................... PREKLOPNE LASTNOSTI TRANZISTORJA..........................9..........................................1......2.2....................... OJAČEVALNIKI PRI VISOKIH FREKVENCAH............8...142 4.............................7......................................7............................... Kapacitivno breme.........160 5.....9..................147 4......144 4......... AB razred ojačevalnika .......1.......... Vezja z JFET in bipolarnim tranzistorjem ............171 5.....................5.......9.......166 5.............. MOČNOSTNI OJAČEVALNIKI ................................ Kaskadni ojačevalnik............................................................................................................138 4............. HFET....1....1.8...............150 4..............................................161 5..................................146 4............173 5.............1..........138 4.....1....................1..................................... C razred ojačevalnika ....137 4...................................................131 4.........................................2.4........................ JFET ........... Nastavitev in stabilizacija delovne točke JFET ..... Delovanje JFET.....ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 4..... Orientacije JFET .. JFET kot upor............ MESFET ........149 4......................5....................................... Nadomestno vezje JFET .........165 5.155 NALOGE ................131 4..........................2......3..... Preklopni časi.................................... Karakteristika JFET ....................................................3...........1......... JFET kot dioda ...........................9.......7.......8........ Kapacitivnost kolektor-baza ..........8.3.......................1.................... Popačenje ......1.....................................................................8....................................................................................................................8.......................................................................................................8....................................169 5......................................................173 5......174 VI ..................... Induktivno breme .....140 4.163 5.............9.................................7.156 5......... Kapacitivnost baza-emitor ......................1..........................................................................139 4......1.................1........

...............198 6............6...................................................................................2.................................... ENOSPOJNI TRANZISTOR ALI UJT.................183 VPRAŠANJA ............197 6.................................................2............................7..............................203 VII .............. KRMILNI POLPREVODNIŠKI ELEMENTI 187 6...4..197 6............................................2...........................179 5.................................................................................. Močnostni MOSFET............ Nastavitev delovne točke MOSFET ...............198 6.....174 5........ ENOSPOJNI TRANZISTOR Z MO NOSTJO PROGRAMIRANJA ALI PUT ................. Tranzistor z izoliranimi vrati ali IGBT ..185 6.............199 VPRAŠANJA ................................................................................................................ Zaporno neprevodni tiristor ali SCR..1............. MOSFET..2............3......8..............................3..................... MOSFET z vgrajenim kanalom.....................1....4....... Zaporno prevodni tiristor ali RCT.....................8.........6....................... Tetrodni tiristor ali SCS ............6.........................192 6.......................3..............178 5....182 5............5......2............1.... CMOS tranzistorja ........ DIODNI TIRISTOR ..........................................................181 5..........2...................2..........................190 6................................................................2.... Tiristor z možnostjo ugašanja ali GTO...........178 5................. MOSFET z induciranim kanalom .... TIRISTOR .............. FAMOS tranzistor................2. NAČIN UPORABE TIRISTORJA IN TRIACA.................184 NALOGE ............................................ KAZALO 5.....................193 6.......................................................................................2.............2..................5............. TRIAC........6.............195 6........... DVOSMERNA DIODA .....177 5......195 6...175 5...... MOSFET z dvoje vrati ..6......................6.......191 6.......................................................4.................................................. DVOSMERNI DIODNI TIRISTOR ALI DIAC.............................7.................................................187 6................................................................2..........

6.......................1.1.................................................... Primerjalnik.219 7.......4.....10.........4.................................3.................209 7........216 7..................16....8.............. MOČNOSTNI INTEGRIRANI OJAČEVALNIKI....................................... OPERACIJSKI OJAČEVALNIK...............................................218 7........211 7..................1.........................9...............214 7.221 7......... Izvor simetrične napetosti................................236 VIII . Sprememba koeficienta ojačenja....................................235 NALOGE .............3........................218 7....................................17..................13.....................................................207 7......15........... Integrator ............1....... Primerjalnik s histerezo.....................1.................5.. Napetostni in tokovni izvor... Seštevalnik in odštevalnik ............................4..... Difuzija primesi.. Lastnosti operacijskega ojačevalnika ..........1.................................217 7.................4...................................................... Diferenciator......1..........1.....................1.......1..........................234 7........1..........4..................................216 7...............2.. Oksidacija .2.........212 7............................... Napetostno-tokovni pretvornik .......................................................3........ Fotolitografija ....1............................... LINEARNA INTEGRIRANA VEZJA 205 7...1....... Mostični ojačevalnik..... Neinvertirajoči ojačevalnik ....................... Okenski diskriminator...................229 7..................................................................208 7...........225 7......5.......................11...........................235 VPRAŠANJA ..........1...............................................................222 7...........................12...................235 7.............. TEHNOLOGIJA MONOLITNIH INTEGRIRANIH VEZIJ ........207 7.......... Metalizacija ......................233 7..........................................................................ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 7......... Epitaksija...............1...........4.........................4..........................1.219 7.....1...211 7................1...........................231 7...............................1.............1..................................... Invertirajoči ojačevalnik...............2...................................................7....212 7....................4................. Značilni podatki operacijskega ojačevalnika............................. Operacijski ojačevalnik z enojnim napajanjem ...14............................ Kompenzacija operacijskega ojačevalnika .... NAPETOSTNI REGULATORJI .......234 7............

3..1...............1.. Vakuumska dioda ..................................260 9...1.......... Vakuumaska trioda ....................6.........4......246 8.......2.. Monolitni termoelektrični pretvorniki. HALLOVA SONDA .............................................................2.. Termistorji...............................................................256 NALOGE ................................. OPTOELEKTRIČNI PRETVORNIKI............253 8.......254 8... Fototranzistor ...... Optični spojniki....1............3...........................259 9.....................1................................. Tlivka ........................261 9.......2......2....................................................2................5........................................1...................... DODATEK 257 9...................257 9....................261 9......4...................... Vakuumaska tetroda ............... Termična emisija elektronov ........... Katodna ali žarkovna cev ...................................................................................1...................................................262 9..... VAKUUMSKI ELEMENTI ...................1.............259 9...................................260 9.........................................................242 8................263 IX ......2....................1.............2.............4............ KAZALO 8...........2.......................245 8............................3......1....260 9..............259 9.................2..............................................................................4...........3...... Ojačevalniki z vakuumskimi elementi....................................3...........258 9...... PLINSKI ELEMENTI.....................................................250 8..................1............................................1......................2...................... Vakuumska pentoda.........................253 8.........260 9..........5........................... Fototiristor ali LASCR .......................256 9.........1..............................2........................................... Polprevodniška dioda in tranzistor .........2.......240 8.............7.......... TERMOELEKTRIČNI PRETVORNIKI........................ Fotodioda ............................................... Ignitron................ VAKUUMSKI IN PLINSKI ELEMENTI 239 8.255 VPRAŠANJA ...............1...................................................244 8...............2...241 8................................... Fotoupor.....1..........................................2.......................... PIEZOELEKTRIČNI PRETVORNIK............................................................................................1................. Tiratron ................................240 8.....1....................... Termočlen ......................

...ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 9...281 10......273 10.........5........................................6............. Plazma prikazovalniki ......................................................................................................... SIMBOLI ............................282 10.......... Ojačevalnik z bipolarnim npn tranzistorjem .............. PRIKAZOVALNIKI ....267 VPRAŠANJA .................2.........................4........ ORIENTACIJE UNIPOLARNEGA TRANZISTORJA .............................................5......... PREDPONE ....................266 9.........5......277 10....................................264 9.........271 10.....................................5..............8..................4.............................. ENAČBE ZNAČILNIH VEZIJ ..................6......274 10............................. ORIENTACIJE VAKUUMSKE TRIODE ...................... Usmerniki.....5........ POGOSTO UPORABLJENE ENAČBE .............1..............276 10......... Polnovalni usmernik s sredinskim odcepom ........5.....3.............6..............6..........................1...................................................................278 10........264 9.................................274 10......................................................................................272 10.4...................264 9.............270 10...3...... Ojačevalnik z JFET .276 10..............1.......................................... Polnovalni mostični usmernik.................................................5...........................................................................1..279 10...........5....6................................................6...........5......5.................................................................................................................................................... USMERNIKI..............275 10.2.......5......................... Vakuumeske elektronke ............4. ORIENTACIJE BIPOLARNEGA TRANZISTORJA ...277 10...........3......6......275 10.............266 9...........277 10...2.....2............................268 10................ Unipolarni tranzistorji...........................5.......... TABELE 269 10.......6......................................6........... Vakuumski fluorescenčni prikazovalniki.... CCD ... Diode ........................................284 INDEKSNO KAZALO 285 X ............7............3.......6....274 10. Operacijski ojačevalnik ........279 10...5........................ Operacijski ojačevalnik ........ Vakuumska trioda ...................................................5...... Prikazovalniki s tekočimi kristali ali LCD ................... LED prikazovalniki .......... Bipolarni tranzistor..............

podane z znaki ali barvami. 1 . tri ali več priključkov.1. Imajo bodisi dva. Pasivni elementi električno energijo le porabijo (upor. tuljava). Zaprti so v kovinska. da se za trenutek ustavimo pri nekaterih osnovnih pravilih vezij – z njimi se bomo pogosto srečevali skozi vso knjigo. je prav. ne more pa jih ojačati ali generirati – to nalogo opravljajo aktivni elementi (tranzistorji). so lahko pasivni ali aktivni. ki sestavljajo vezje. plastična ali keramična ohišja. Vezje. na katerih so osnovne označbe elementa. sestavljeno iz pasivnih elementov. lahko signale le preoblikuje. Elementi. 1. dioda) ali jo akumulirajo (kondenzator. ELEMENTI Elektronski elementi so osnovni gradniki vsakega vezja. UVOD Poglavje 1 UVOD Preden začnemo spoznavati elektronske elemente in vezja.

…). tresljaji. 2 . tuljave in generatorje. plini. V nado- mestnih vezjih srečamo naslednje elemente: upore. I I U U Slika 1. 1. nadomestnim vezjem.1). Napetostni in tokovni generator. VEZJA Električna vezja so sestavne enote električnih naprav. da ga za določeno delovno območje nadomestimo s preprostejšim. Vezje mora biti načrtovano in izdelano tako. generatorji. časovno spremenljivi ali nespremen- ljivi. 1.2.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Elementi so lahko linearni ali nelinearni. IG UG Slika 1.1. Linearna karakteristika upora ter nelinearna karakteristika diode. …). Generatorji Pogosto si izračun zapletenega vezja poenostavimo tako.1.2.2. kot npr. ki imajo nelinearno povezavo med tokom in napetostjo (slika 1. kondenzatorje. ki jim je vezje izpostavljeno (temperatura. da bo v danem okolju opravljalo predpisano funkcijo. Pri tem moramo upoštevati tudi vse zunanje vplive. Nelinearni elementi so tisti. vlaga. preoblikovalniki. Te imajo lahko različne funkcije (ojačevalniki. sevanje. dioda in tranzistor.

Ali z enačbo: U I= Ohmov zakon R Prvi Kirchhoffov∗ zakon: V vsakem vozlišču vezja je vsota pritekajočih tokov enaka vsoti odtekajočih tokov. Poznamo tudi krmi- ljeni generator. Pri izračunu moramo paziti na izbrane smeri tokov. so- razmeren padcu napetosti na tem elementu in obratno sorazmeren upornosti elementa. To je tudi logično. Osnovna pravila vezij Če želimo izračunati elemente v vezju. Prvi primer Izračunajmo tokove vezja s po- R1 močjo prvega in drugega Kirch- hoffovega zakona! 200 UB R2 R3 300 200 10V ∗ izg. Oglejmo si nekaj najvažnejših: Ohmov zakon pravi.2. moramo poznati osnovna pravila in teoreme vezij. Drugi Kirchhoffov zakon: V vsakem zaključenem tokokrogu (zanki) je vsota pritisnjenih napetosti po velikosti enaka vsoti vseh padcev napetosti v tem tokokrogu. 1. da je električni tok. saj se električni tok ne more nabirati v vozlišču ali pa v njem nastajati.2. Ali drugače: ob upoštevanju smeri padcev napetosti je vsota vseh padcev napetosti v zaključeni zanki enaka nič. UVOD Najpogosteje uporabimo idealne napetostne in tokovne generatorje. ne glede na velikost bremena. ki teče skozi nek element. Idealen pomeni. da se napetost pri napetostnem generatorju ali tok pri tokovnem generatorju ne spreminja. Izhodno veličino krmiljenega generatorja lahko spreminjamo s pomočjo izbrane napetosti ali toka. kirhof 3 .

I2 in I3. Smer padca napetosti mora biti na porabnikih ista kot (predpostavljena) smer toka. v katero smer bodo tekli. R1 U1 R2 R3 UB U2 U3 Nato poiščemo enačbe v zaključenih zankah. Smeri izberemo poljubno oz. zato potrebujemo tri neodvisne enačbe. Vezje jih ima tri. nam bo predznak povedal. R1 I1 I3 I2 R2 R3 UB Izračunati moramo vse tri tokove: I1. zato jih lahko po drugem Kirchhoffovem zakonu napišemo: 4 . pred- postavimo.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Postopek za izračun vezja je naslednji: Najprej v vezje vrišemo smeri tokov. Ko bomo posamezni tok izračunali. na virih (generatorjih) pa nasprotna. ali je bila naša predpostavka pravilna (pozitivni pred- znak) ali pa teče tok v nasprotni smeri (negativni predznak). Po prvem Kirchoffovem zakonu dobimo enačbo za vozlišče: I1 = I 2 + I 3 Sedaj v vezje vrišemo še padce napetosti na vseh elementih.

to pa vstavimo v enačbo: R2 + R3 R2 ⋅ R3 U B = I1 ⋅ R1 + I 2 ⋅ R2 in dobimo: U B = I1 ⋅ R1 + I1 ⋅ R2 + R3 Tako.25mA R ⋅R R1 + 2 3 R2 + R3 Preostala dva tokova znašata: I2=12. ki ga izračunamo iz zadnje enačbe: UB I1 = = 31.5mA ter I3=18.75mA. dobili smo rešitev za tok I1. 5 . UVOD R1 Prva zanka: U1 R2 R3 UB U2 U3 R1 Druga zanka: U1 R2 R3 UB U2 U3 R1 Tretja zanka: U1 R2 R3 UB U2 U3 Uporabimo samo prvi dve enačbi in skupaj z vozliščno rešimo vezje: I 3 = I1 − I 2 vstavimo v enačbo I 2 ⋅ R2 = I 3 ⋅ R3 in dobimo: R3 I 2 ⋅ R2 = ( I1 − I 2 ) ⋅ R3 ⇒ I 2 = I1 ⋅ .

kjer bomo seštevali padce napetosti. potem naredimo po vrsti naslednje: 1. 3.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Drugi primer Sedaj poskušajmo rešiti nekoliko težji primer.). uporabimo negativni predznak. da pri tistih vrisanih padcih napetosti. 4. ali se padci napetosti v enačbi seštevajo ali odštevajo. I1 − I2 + I3 = 0 −U B1 +U R1 +U R 2 = 0 −U R2 −U R3 +U B 2 = 0 Če ne vemo. kot je narisano na sliki. ki so nasprotni naši smeri seštevanja.. v zaključeni zanki. si izberimo smer seštevanja (poljubno – v smeri urinih kazalcev ali nasprotno). vsota je enaka nič.. pri isto usmerjenih pa pozitivnega. ki vsebuje dva vira napetosti. 2. Ponovno moramo izračunati vse tri tokove v vezju. seštejmo padce napetosti in sicer tako. UR1. Tako smo dobili tri neodvisne enačbe za tri neznane tokove: I2 = I1 + I3 U B 1 = I 1 ⋅ R1 + I 2 ⋅ R 2 U B2 = I 2 ⋅ R2 + I 3 ⋅ R3 6 . R1 I1 I3 R3 300 I2 200 UB1 R2 UB2 10V 500 4V Najprej si moramo označiti smeri tokov in padce napetosti. v vezje vrišemo vse padce napetosti in jih označimo (UB1. Nato postavimo vozliščne ter zančne enačbe.

8mA. I2=10.13mA. da lahko vsako poljubno linearno vezje spremenimo v vezje. Tellegenov teorem združuje oba Kirchhoffova zakona in pravi. da je v vsakem vezju vsota vseh moči enaka nič. ki vsebuje en sam tokovni vir in eno samo vzporedno vezano upornost. Za primer na strani 3 lahko napišemo enačbo: (− U B + U R1 ) ⋅ I 1 +U R 2 ⋅ I 2 +U R 3 ⋅ I 3 = 0 Theveninov in Nortonov teorem veljata le za linearna vezja. Negativni pred- znak pred tokom I3 pomeni. ki ga bo imel Theveninov napetostni vir. (Na uporu R3 v tem primeru ni padca napetosti. UVOD Rešitev naloge je: I1=16. kot smo si jo izbrali. Primer Iz danega vezja izpeljimo nadomestno vezje po R1 R3 Theveninu in Nortonu! Theveninovo vezje: Najprej izračunajmo nape- UB R2 tost.3. da lahko vsako poljubno linearno vezje spremenimo v vezje. da le-ta v resnici teče v nasprotno smer. a) b) linearno RTh aktivno U0 I0 RNo vezje Slika 1. Nortonov teorem pa pravi. ko so izhodne sponke odprte.32mA in I3=-5. Izračunamo ga na izhodu vezja. Prvi pravi. ki vsebuje en sam napetostni vir in eno samo zaporedno vezano upornost. saj skozenj ne teče tok!): 7 . Nadomestno vezje po Theveninu ter Nortonu.

ki ga bo imel Nortonov tokovni vir. 8 . zato lahko namesto njega narišemo kratek spoj (nasprotno pa ima idealen tokovni generator upornost neskončno veliko). ima upornost 0. Dobimo jo tako. ki je v našem primeru idealen.25mA RN 320Ω U B − I 1 ⋅ R1 I0 =I3 = = 18. da računamo upora po vzporedni vezavi. Izhod vezja kratko sklenemo in izračunamo tok: UB 10 V I1 = = = 31. 200 200 10V 300 6V 320 200 200 6V 300 320 Nortonovo vezje: Najprej izračunamo tok.75mA R3 Upornost RNo izračunamo enako kot upornost RTh. Napetostni vir.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA R2 300Ω U 0 =U B ⋅ = 10 V ⋅ = 6V R1 + R 2 200Ω + 300Ω Sedaj izračunajmo še zaporedno upornost RTh. Upornost znaša: 200Ω ⋅ 300Ω RTh = R 3 + R 1 R 2 = 200Ω + = 320Ω 200Ω + 300Ω Dvojna vzporedna črta v enačbi pomeni. da izmerimo upornost vezja na izhodnih sponkah.

narišemo kratek spoj): R2 200Ω U X 1 = U1 ⋅ = 10V ⋅ = 4V R1 + R2 300Ω + 200Ω Sedaj izračunajmo še drugo napetost tako. ki ga vzbujamo sočasno z več signali. odziv kjerkoli v vezju enak vsoti odzivov. UVOD 200 200 10V 300 18. ko je priključen samo prvi vir. ki jih dobimo pri posameznem vzbujanju. da je v vsakem linearnem vezju.5mA 320 300 320 Teorem o superpoziciji pravi. To pride prav.4V 10V 4V 10V 4V Najprej izračunamo napetost UX. ko preračunavamo vezja. da zanemarimo prvi vir: 9 . ki vsebujejo več virov. Drugi napetostni vir zanemarimo (ker ima upornost 0.5mA 200 200 18. Primer Izračunajmo napetost UX iz vezja na sliki s pomočjo superpozicije! a) b) R1 R2 R1 R2 R1 R2 U1 300 200 U2 U1 300 200 300 200 U2 UX +4V -2.

4 V R1 + R 2 300Ω + 200Ω Po teoremu o superpoziciji lahko obe napetosti seštejemo in dobimo: U X =U X 1 +U X2 = 4 V − 2. da lahko impedanco Z izločimo iz vezja in nastali vezji ločimo.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA R1 300Ω U X2 =U 2 ⋅ = −4 V ⋅ = −2 .6 V Substitucijski teorem: Vsak element vezja smemo nadomestiti s primerno izbranim virom in obratno. 10 . Pretvorba po Millerjevem teoremu. tako da velja (impedanco Z smo zaradi poenostavitve nadomestil z upornostjo R): R I I I R R1 = U 1+ 2 U1 U1 U2 U1 R1 R2 U2 R R2 = U 1+ 1 U2 I1 I2 I1 I2  I  R1 = R ⋅  1 + 2   I1  U1 R U2 U1 R1 R2 U2  I  R2 = R ⋅  1 + 1   I2  Slika 1. ne da bi spremenili napetost ali tok v obravnavani veji.4. Pravi.4 V = 1. Millerjev teorem: Z njim si lahko poenostavimo vezja.

Z drugimi besedami to pomeni.5. u1 = h11 ⋅ i1 + h12 ⋅ u2 hibridni h i2 = h21 ⋅ i1 + h22 ⋅ u2 Posamezni parameter je lahko vhodni (povezuje vhodni veličini). se enačba glasi: u1 z11 = i2 = 0 i1 Vrednost parametra dobimo tako. kako izberemo enačbe. Četveropoli Pri vezjih imamo največkrat opravka s četveropoli. verižnih ali hibridnih parametrih. Če želimo na primer izraziti vhodno impedanco četveropola z11 iz četveropol- ne enačbe: u1=z11xi1+z12xi2. Dve sta odvisni. da so izhodne sponke odprte. u2 in i2. da pripišemo drugemu členu enačbe vred- nost 0 – v našem primeru mora biti izhodni tok i2=0. tip četveropola četveropolni enačbi u1 = z11 ⋅ i1 + z12 ⋅ i2 impedančni u2 = z21 ⋅ i1 + z22 ⋅ i2 i1 i2 i1 = y11 ⋅ u1 + y12 ⋅ u2 admitančni i2 = y21 ⋅ u1 + y22 ⋅ u2 u1 vezje u2 u1 = A ⋅ u2 − B ⋅ i2 verižni i1 = C ⋅ u2 − D ⋅ i2 Slika 1. Odvisnosti podajajo štirje četveropolni parametri. admitančnih. govorimo o impedančnih.3. i1. bo to pomenilo kratko sklenjene sponke. izhodni (povezuje izhodni veličini) ter prenosni (povezuje vhodno in izhodno veličino). UVOD 1. Le-ti imajo en par vhodnih in en par izhodnih sponk. Lastnosti četveropola so podane z medsebojnimi odvistnostmi štirih spremenljivk: u1. Smeri tokov in i1 = g11 ⋅ u1 + g12 ⋅ i2 hibridni g napetosti na sponkah u2 = g 21 ⋅ u1 + g 22 ⋅ i2 četveropola. 11 .2. Kjer bomo srečali u=0. Seveda lahko vedno iz enega tipa parametrov prera- čunamo parametre drugega tipa. Glede na to. ostali dve pa neodvisni.

Postopek linearizacije pogosto uporabljamo. mirovno delovno točko). Če nelinearni element vzbujamo z dovolj majhnim signalom. Linearizacija Pri nelinearnih elementih je odvisnost med tokom in napetostjo. ima tok.6. ki smo ga linearizirali.. ki sedaj predstavlja lineariziramo karakteristiko elementa. kot že ime pove. Če si na krivulji izberemo točko (t. MOS tranzistorjem.). je sprememba oblike mnogo manjša. nelinearna.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 1.4. Za majhne signale lahko kratek odsek U-I karakteristike nelinearnega elementa lineariziramo oziroma nadomestimo s premico.2. 12 . Odsek karakteri- uR uD stike. tranzistorjem. lahko skoznjo narišemo tangento.. ko preračunavamo vezja s pol- prevodniškimi elementi (diodo. Odvisnost običajno podaja zapletena enačba.i. Njen nagib znaša: ∆U r= diferencialna upornost ∆I dioda upor tok [A] iD iR napetost [V] Slika 1. Enačbe s tem močno poenostavimo. ki teče skozi element. Kadar tak element vzbujamo s spremenljivo napetostjo (na primer sinusno). ki jih krmilimo z majhnimi signali. ustrezno popačeno (spremenjeno) obliko.

120Ω) 13 . Koliko neodvisnih enačb in koliko parametrov potrebujemo za opis četveropola? 9.: 4. Kakšna je razlika med linearnimi in nelinearnimi elementi? 3. Kaj je četveropol? Kako določimo parameter h12? 8. UVOD VPRAŠANJA 1. Ugotovite smer toka skozi upor v vezju in izračunajte velikost toka! (Odg. 120Ω. Kaj je linearizacija? Kakšen je pogoj.: 20mA) 200 U1 U2 10V 6V 2. Kaj je diferencialna upornost? V katerem primeru se razlikuje od statične upornosti? NALOGE 1. Ali si lahko poljubno linearno vezje predstavimo kot generator in upor- nost? Kateri teorem govori o tokovnem generatorju? Kako je pri tem vezana upornost: zaporedno ali vzporedno? 7. Izračunajte vrednost napetostnega vira in upornost upora za Theveninovo ter vrednost tokovnega vira in upornost upora za Nortonovo vezje! (Odg. Kakšna je smer padca napetosti na virih in kakšna na upornostih glede na izbrano smer toka? 6.8V. da lahko karakteristiko elementa lineariziramo? 10. Ali je upor pasiven ali aktiven element? Zakaj? 2. Kaj je »idealen« generator? Ali ga lahko naredimo? 4. 40mA. Kaj nam povesta prvi in drugi Kirchhoffov zakon o vezjih? 5.

ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA R1 200 UB R2 R3 8V 500 300 3.: 250Ω. Za naslednje vezje izračunaj četveropolna parametra z11 in z22! (Odg. 210Ω) i1 R1 i2 200 u1 R2 R3 u2 500 300 14 .

Ugotovil je. ki bi imel neko vmesno energijo. 1eV je potreben. in nevtroni. Tako je atom navzven električno nevtralen. ne pa o njihovih absolutnih vrednostih. ki ni vezan na jedro. Govorimo lahko le o razlikah energij med elektroni v atomu. ki vsebuje praktično vso maso atoma. Jedro sestavljajo protoni (pozitivno nabiti delci). Število pozitivnih protonov v jedru je enako številu negativnih elektronov. da premaknemo en elektron za napetostni potencial enega volta. Nično energijo pripišemo mirujočemu elektronu. ne obstaja. Natančneje je kroženje okrog jedra opisal danski fizik Niels Bohr leta 1913. Energijo merimo v eV (elektron voltih). da je atom sestavljen iz pozitivno nabitega jedra. ki krožijo okrog jedra. ter negativno nabitih delcev. Elektroni krožijo okoli jedra na različnih. natanko določenih orbitah. ki nimajo naboja. da imajo elektroni lahko le točno določene diskretne energije. Tako imajo 15 . POLPREVODNIKI Poglavje 2 POLPREVODNIKI Leta 1911 je britanski fizik Ernest Rutherford ugotovil. elektronov. elektron. ki krožijo okrog njega.

da kroži po materialu veliko število prostih elektronov. Med valenčnim in prevodnim energijskim pasom je t. Pravimo.1. Atomi dobrih prevodnikov ionizirajo že pri zelo nizkih temperaturah. negativno energijo. kjer v atomu krožijo elektroni. ki so vezani v atomu. da se elektroni.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA elektroni. mora imeti vsaj toliko energije. Razpored energijskih pasov. začnejo elektroni zaradi električne sile potovati. kar pomeni. da preskoči iz valenčnega v prevodni energijski pas. odda foton valovne dolžine 1. Zunanjo oblo. da elektron zapusti atom. da imajo premalo energije. Nasprotno pa so v izolantih valenčni elektroni trdneje vezani na jedro atoma. To tudi pomeni. področje ultravijolične svetlobe). Tako steče električni tok. prepovedani pas. Zaradi tega je v materialu le minimalno število prostih elektronov. elektron vodikovega atoma preskoči iz prvega vzbujenega stanja zopet v normalno stanje. prevodniki polprevodniki izolanti prosti elektroni prevodni pas W prepovedani pas valenčni pas elektroni vezani na valenčne oble atomov Slika 2. Ko npr. da bi lahko zapustili atom. prevodnost teh materialov izredno nizka. Če želimo. se gibljejo od nega- tivnega proti pozitivnemu potencialu.216 angstroma (10-10 m. 2. preskočijo elektroni v stanja z višjo energijo – pravimo. Ko na prevodni material priključimo napetost. Dogajanje lahko opišemo z energijami. ki se lahko po materialu prostorsko gibljejo.i. imenujemo valenčna obla. ki krožijo na tej zunanji obli. 16 . da je atom vzbujen. ki je zelo pomemben za določanje električnih lastnosti ma- terialov. energijsko nahajajo v valenčnem pasu. Ko atomu dovedemo energijo. PREVODNOST MATERIALOV Prevodnost materialov je odvisna od števila prostih elektrin.1. Ker imajo negativni naboj.

To lastnost imajo štirivalenčni elementi silicij. ki imajo posebne električne lastnosti. Na ta način so zunanje oble atomov izpolnjene. da so štirivalenčni. kot so na primer GaAs. ki jim pravimo kovalentne vezi.2. Razlika med prevodniki. polprevodnik in izolant. 2. V prostoru se atomi razporedijo simetrično v monokristalno mrežo.1 vidimo energijske pasove za prevodnik. germanij in ogljik ter nekatere kemične spojine elementov med II. Polprevodniki so materiali. polprevodniki in izolanti je prav v velikosti energije. POLPREVODNIKI Atomi polprevodniških materialov imajo štiri elektrone na zunanji obli. tem večjo energijo moramo dovesti atomu. da atom ioniziramo ter pridobimo prosti elektron. GaN. CdO. Čisti polprevodnik ima pri nizkih dovedenih energijah lastnost izolanta. CdS ter ZnSe. skupino periodičnega sistema. valenčni elektron jedro Slika 2. da elektron preskoči iz valenčnega v prevodni pas. Ker ima vsak atom po štiri sosede. Pri zelo nizki temperaturi so izolanti. pri višji temperaturi pa se obnašajo kot slabi prevod- niki. ki je potrebna. Skupaj torej osem. V elektronski industriji je kot polprevodnik najpogosteje uporabljen silicij. in VI. pri dovolj veliki dovedeni energiji pa se obnaša kot slab prevodnik. GaP. zato pravimo. Vsak od atomov prispeva vsakemu sosedu po en elektron iz zunanje oble. POLPREVODNIKI Na sliki 2. InSb. to pomeni. Čim širši je prepovedani pas. kjer vzpostavijo med seboj posebne vezi.2. 17 . da krožijo na zu- nanji obli poleg njegovih štirih še štirje sosedovi elektroni. Zgradba polpre- vodniškega materiala.

Ko elektron zapusti atom polprevodnika. Atom postane pozitiven ion. da pade v valenčni pas. Razliko energije odda kot foton. V električnem polju potujejo prosti elektroni k pozitivnejšemu potencialu. vrzeli pa k negativnejšemu. Pri posredni rekombinaciji pa se elektron ali vrzel ujameta v energijskem pasu. pravimo intrinsična prevodnost. ko elektron izgubi toliko energije. Elektroni in vrzeli Povedali smo že. toda že pri nizkih energijah se zgodi. Vrzel se tako prosto premika iz atoma na atom in prispeva k prevodnosti materiala. da zapustijo svoj atom in postanejo prosti. nastane pa zaradi nečistoč v polprevodniku – takim mestom pravi- mo pasti ali rekombinacijski centri. ki leži med prevodnim in valenčnim. ki prav tako prispeva k prevodnost polprevodnika. tudi izginjajo.1. Tako kot nastajajo oziroma se generirajo. 18 . pusti za sabo vrzel. da v to praznino vskoči elektron iz sosednjega atoma. se v njem tvori večje število prostih elektronov in vrzeli. zato se prevodnost poveča. Do prave rekombinacije torej pride z določeno zamudo. da imajo elektroni dovolj energije. Prevodnost polprevodnika je odvisna od števila prostih elektronov in vrzeli. da pri primerno veliki dovedeni energiji (dovolj je že sobna temperatura) določeno število atomov v polprevodniku ionizira. dokler se ne srečata in dejansko rekombinirata. Tu ostaneta ujeta določen čas. ki se zgodi vsakič. Pri neposredni rekombinaciji se elektron iz prevodnega pasu rekombinira z vrzeljo v valenčnem pasu. Temu pojavu pravimo rekombi- nacija. To pomeni. Če se temperatura polprevodnika poveča. Generacija in rekombinacija je lahko neposredna ali posredna. ki jo ima čisti polprevodnik. ki ji pravimo vrzel. Pri tem izgine elektron v prevodnem in vrzel v valenčnem pasu. torej primanjkljaj enega elektrona. Tej šibki prevodnosti. V tega sedaj vskoči elektron iz naslednjega soseda in tako naprej. Zato si lahko vrzel predstavljamo kot pozitiven gibljiv delec. Iz vsakega ioniziranega atoma dobimo par: prosti elektron in vrzel. Pobegli elektron pusti za seboj v atomu praznino.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 2. ki ima naboj po vrednosti enak elektronu.2.

Pri tem postopku v strukturo polprevodnika doda- jamo primesi – atome tujih elementov –. kot so fosfor. Večje število primesi povzroči povečanje števila prostih elektronov. Čim več jih je. 19 . Poglejmo si lastnosti polprevodnika za oba primera.3.3. Take primesi so lahko petvalenčne ali pa trivalenčne. N-tip polprevodnika Ko se ustvarja kristal polprevodnika. peti valenčni elektron pa ne. arzen in antimon. POLPREVODNIKI 2. Petvalenčna Si Si Si Si primes v polprevodniku. se tak polprevodnik imenuje n-tip polprevodnika. s katero je elektron vezan na atom). zato jih imenujemo donorji.2. sam pa se lahko prosto giblje po materialu. Za sabo pusti nepremičen pozitiven ion. ki zaradi različnega valenčnega števila močno izboljšajo prevodnost. Ker prevladujejo kot nosilci električnega toka negativni elektroni. Si Si Si Si Si Si P Si prosti elektron Slika 2. se štirje valenčni elektroni spojijo v kovalentne vezi s silicijevimi atomi. da se že pri nizki dovedeni energiji odtrga od atoma. ki ima pet elektronov na zunanji obli). Petvalenčne primesi. 2. Polprevodnik s primesmi Pomembno spremembo v električni lastnosti polprevodnika dosežemo s tako imenovanim dopiranjem. Ta elektron ima tako majhno vezalno energijo (to je energija. se lahko na različna mesta v njegovi strukturi namesto atomov polprevodnika vselijo atomi tuje primesi.2. boljša je prevodnost polprevodnika. ki občutno povečajo prevodnost polprevodnika. dajo svoj elektron.2. Če to mesto zasede petvalenčni atom (atom.

Trivalenčna Si Si Si Si primes v polprevodniku. 20 . da že pri sobni temperaturi prileti vanjo elektron iz okolice. aluminij. Atom primesi se tedaj spremeni v nepremičen negativen ion z enim elektronom več v valenčni obli. Če pa dodajamo primesi trivalenčnih atomov.4. Ker so ionizacijske energije teh primesi zelo majhne. kot so bor. »jemljejo« elektrone (in ustvarijo gibljive vrzeli). zato jim pravimo akceptorji. da so v polprevodniku sedaj gibljive vrzeli. Si Si Si Si vrzel Si Al Si Si Slika 2. Četrta kovalentna vez ostane prazna. se vsi trije elektroni spojijo v valenčne vezi z obkrožajočimi silicijevimi atomi. ki imajo tri elektrone na zunanji obli). Ker prevladujejo kot nosilci električnega toka pozitivne vrzeli. ki omogo- čajo prevodnost. To pomeni. Če polprevodniku dodajamo primesi petvalenčnih atomov. se tak polprevodnik imenuje p-tip polprevodnika. polprevodnik p-tipa. P-tip polprevodnika Če se v štirivalenčni polprevodnik vselijo trivalenčni atomi primesi (atomi. so vsi atomi pri normalnih temperaturah ionizirani. Tako dobljena polprevodnika imenujemo polprevodnik n-tipa oz.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 2. kar povzroči.2. se poveča število vrzeli. se v polprevodniku poveča število prostih elektronov. Ta pa pusti za seboj gibljivo vrzel. galij in indij.4. Trivalenčne primesi.

ki so nepomični in zato ostanejo v n-tipu. njihovo število pa je odvisno od temperature. Nasprotno so v p-tipu polprevodnika vrzeli večinski. V trenutku spojitve pa različna koncentracija elektronov in vrzeli v obeh tipih povzroči difuzijski tok: prosti elektroni namreč iz n-tipa odtekajo v p-tip polprevodnika. ki jih polprevodnik pridobi zaradi primesi. se istočasno veča tudi prevodnost. vrzeli pa manjšinski nosilci elektrine. Ko sta daleč narazen. ki jih v n-tipu polprevodnika ustvarijo primesi (v p- tipu vrzeli). da spojimo skupaj dva polprevodnika. v p-tipu pa elektroni. ker jih je tam manj. V polprevodniku pa se rojevajo tudi pari elektron-vrzel. elektroni pa manjšinski nosilci elektrine.5. Elektrinam.2. ne smemo zanemariti – četudi majhnega – deleža elektronov in vrzeli. ki se ustvarijo v polprevodniku zaradi dovedene energije. imenuje pn spoj. prvi je n-tip. Večinski in manjšinski nosilci elektrine Poleg prostih elektronov. rečemo. Enako se zgodi z vrzelmi. Tako pustijo za sabo pozitivne ione. Zamislimo si. zato se večini polprevodniških elementov karakteristike s temperaturo spreminjajo. V n-tipu so to vrzeli. Prevodnosti zaradi teh elektrin pravimo ekstrinsična prevodnost. ki so v polprevodniku v manjšini. bogatejšega z akceptorji. njihovo število pa ni odvisno od temperature. 2. ki so nepomični. V n-tipu polprevodnika so elektroni večinski. se meja. ki odtekajo iz p-tipa v n-tip. To so elektroni v n-tipu ter vrzeli v p-tipu polprevodnika. v p-tipu pa vrzeli. je v n-tipu enakomerna koncentracija prostih elektronov. ker jih je tam manj. Za njimi ostanejo v p-tipu polprevodnika negativni ioni. ki jih je manj kot večinskih nosilcev eleketrine. da so manjšinski nosilci elektrine. so v veliki večini. Ker se število prostih elektrin v polprevodniku s temperaturo veča. PN SPOJ Ko v polprevodniku ustvarimo področja z različnimi koncentracijami primesi donorjev in akceptorjev. Elektrine.3. zato jim rečemo večinski nosilci elektrine. ki loči z donorji bogatejše področje od področja. Difuzijski tok 21 . Rojevanje teh nabojev je odvisno od temperature. POLPREVODNIKI 2. drugi pa p- tip.

Elektroni. Elektrine odtekajo iz področja. ED n-tip p-tip Slika 2. prehodno ali osiromašeno področje 22 . ki zapustijo N-tip polprevodnika. ki ga povzroči neenakomerna koncentracija prostorskega naboja.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA je torej tok.6. kjer jih je manj. pustijo za seboj pozitivne ione. n-tip p-tip prosti elektron pozitiven ion vrzel negativen ion Slika 2. Vzpo- stavi se ravnovesno stanje. kjer jih je več. čim več elektrin preide iz enega v drugi tip. podobno vrzeli iz p-tipa pustijo za seboj negativne ione. tako da pri določeni vrednosti zaustavi odtekanje. Prostorski naboj je sedaj neenakomerno razporejen.5. Električno polje v zaporni plasti. Difuzijski tok skozi pn spoj. posledica tega pa je električno polje. Po smeri pa nastalo električno polje deluje na proste elektrine zaviralno. Električna poljska jakost tega polja je tem večja. ki ima smer od pozitivnega naboja (zaradi pozitivnih ionov) v n-tipu proti negativ- nemu naboju (zaradi negativnih ionov) v p-tipu polprevodnika. ki ji pravimo zaporna plast oz. Električna nevtralnost se poruši le v ozkem predelu med n in p-tipom polpre- vodnika. v področje.

ND koncentracija donorjev v n-tipu (1/cm3). Osiromašeno zato. ki raste v smeri iz p-tipa k n-tipu polprevodnika. ED p n gostota krajevnega NA naboja ND električna poljska jakost Slika 2. ki ga uporabimo za polprevodnik ter od koncentracij primesi v p in n-tipu polprevodnika: k⋅T N ⋅N UD = ⋅ ln A 2 D . To področje je širše tam. Potek gostote -E prostorskega naboja. kjer je koncentracija primesi manjša. NA koncentracija akceptorjev v p-tipu (1/cm3). Električna poljska jakost v zaporni plasti povzroča spremembo električnega potenciala. T absolutna temperatura v K. q ni kjer je: UD difuzijska napetost.7. depletion layer). k Boltzmannova konstanta (1. 23 . q absolutna vrednost naboja elektrona (1. električni električne poljske jakosti UD potencial in potenciala. Tej potencialni razliki pravimo difuzijska napetost ali kontaktna napetost in je odvisna predvsem od materiala. ker se v njem ne zadržujejo proste elektrine. ni koncentracija prostih elektrin v 1 cm3 čistega polprevodnika.6x10-19 As).38x10-23 Ws/K). POLPREVODNIKI (angl.

Kaj se zgodi. Kdaj lahko preskoči elektron iz valenčnega v prevodni pas? Kaj se zgodi. Ker se zaradi tega poruši električna nevtralnost. ko ustvarimo pn spoj? 12. Kaj se zgodi v trenutku. Kaj pomenita valenčni in prevodni pas? Kdaj so elektroni v prvem. Kaj so manjšinski nosilci elektrine in kaj večinski? 11. Kaj je zaporna plast? 24 .ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Ko v polprevodniku ustvarimo pn spoj. Zakaj nastane med p in n polprevodnikom električno polje? V katero smer je usmerjeno? Zakaj? 13. stečejo elektroni iz n v p-tip (ker jih je tam manj) ter vrzeli iz p v n-tip polprevodnika. Kaj so donorji in kaj akceptorji? 9. VPRAŠANJA 1. kdaj pa v drugem? 2. Opiši razliko med n-tipom in p-tipom polprevodnika! 10. Temu področju pravimo zaporna plast ali osiromašeno področje. ko polprevodniku dodamo 3 ali 5-valentne primesi? Kaj pomeni izraz »3-valentni«? 8. ko se vrne nazaj? 4. Kaj je rekombinacija? 6. Kaj je vrzel? 7. se v prehodnem področju med n in p-tipom ustvari električno polje. Kaj je difuzijski tok? 14. Naštej nekaj polprevodnikov! 5. Kako sta povezani med seboj prevodnost materialov in širina prepove- danega pasu? 3.

vendar pa poznamo še veliko drugih vrst diod. Kovinsko žico so zavarili na površino polprevodnika n-tipa. Najpogosteje srečamo usmerniške diode. Priključka diode imenujemo anoda in katoda. Prve diode so izdelovali kot t. DIODE Poglavje 3 DIODE Polprevodniška dioda je najstarejši polprevodniški element.1. Simbol in zgrad- A A ba diode. Pri zvaru so atomi iz žice zaradi visoke tempe- rature prodrli nekoliko v polprevodnik in ustvarili p-tip. točkaste diode.i. 25 . K K n p Slika 3. Narejena je kot spoj p in n-tipa polprevodnika.

Elektron.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 3. kjer bi ga električna sila potegnila zopet v n-tip.2). ki difundirajo skozi zaporno plast. Enako bi se zgodilo z vrzeljo. ki bi potovala iz p-tipa polprevodnika.2. Tok nasičenja diode Pri zaporni priključeni napetosti vseeno teče skozi diodo majhen tok. ki se imenuje zaporna plast. da je katoda na pozitivnem. Zaporna smer diode Povedali smo že.1. DELOVANJE DIODE Nastanek pn spoja smo si ogledali že v predhodnem poglavju. Oba tokova sta zelo majhna (nekaj nA za silicij in nekaj µA za germanij) in se s spremembo zaporno 26 .1. Zaporna smer diode. ki bi hotel iz n-tipa v p-tip. Zato lahko na diodo priključimo napetost v prevodno ali pa v zaporno smer. Če na diodo priključimo električni vir tako. Tok skozi diodo ne bi stekel. 3. E D +E B n p UB Slika 3. da je v okolici pn spoja področje brez prostih nosilcev elek- trin. ki prepušča električni tok samo v eno smer.1. Diodo si lahko predstavimo kot ventil. 3. bi na svoji poti zašel v omenjeno električno polje. in da tam vlada električno polje.1. bo ta napetost še povečala električno polje v pn spoju in tako še bolj preprečila potovanje elektronov proti pozitivnemu polu ter vrzeli proti negativnemu polu vira. anoda pa na negativnem potencialu (slika 3. Povzro- čijo ga predvsem generacije nosilcev naboja v zaporni plasti ter manjšinski nosilci naboja.2.

Oba toka običajno obravnavamo skupaj – govorimo o toku nasičenja diode. se s povečanjem temperature zvišuje tudi tok nasičenja. 3. Tako priključena napetost se odšteva od difuzijske napetosti. 27 . Pri delovanju elektronskih elementov je tok nasičenja nezaželjen. E D -E B n p UB Slika 3.1. zaporna napetost UR [ V ] 30 20 10 300K zaporni tok 350K 1 2 3 IR [ A ] Slika 3. Ta narašča eksponentno s temperaturo: pri silicijevi diodi se podvoji že.4. če povišamo temperaturo za 7K. Uporaben pa je lahko za merjenje temperature ali osvetlitve. Prevodna smer diode Če anodo priključimo na pozitivni pol vira. Tok nasičenja diode. Ker je tak tok odvisen od rojevanja elektrin (parov elektron-vrzel) v zaporni plasti. katodo pa na negativni. saj pomeni spreminjanje tokov v vezju s temperaturo. smo diodo priključili v prevodno smer.3. DIODE priključene napetosti le malo spreminjata. ki vlada na pn spoju: UD -UBAT. Prevodna smer diode.3.

za silicij (Si) 0. Napetosti. ki bo zato nehala prevajati. začne tok skozi diodo strmo naraščati. pravimo napetost kolena. ki sedaj prehajajo iz enega v drugi tip polprevodnika.2V. tem manjše je zaviralno električno polje in vse več je elektronov in vrzeli.3V. zaporne plasti ni več in tok skozi diodo naglo narašča. Dioda postaja vse prevodnejša. Razliki potencialov preko zaporne plasti pravimo potencialni prag. Od njega je odvisna višina napetosti. Napetost kolena 0. Odvisna je predvsem od materiala polprevod- nika ter od števila primesi in je za germanij (Ge) približno 0.0 UF [ V ] prevodna napetost germanijeve in silicijeve diode.1. se zmanjša tudi zaviralno električno polje. kar tudi pomeni. IF [mA] Ge Si prevodni tok 20 10 Slika 3.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Ker se zmanjša napetost preko zaporne plasti.4.5 1. 28 .5. ki jo moramo priključiti na pn spoj. Čim večja je napetost vira. da lahko prevelik tok uniči spoje znotraj diode. da bo dioda prevajala. Napetost kolena Zaradi električnega polja v pn spoju sta p in n plast na različnih električnih potencialih. 3. Ko zunanja napetost povsem nevtralizira notranjo difuzijsko napetost. kjer začne tok v prevodni smeri strmo nara- ščati. Ko prekoračimo napetost kolena.7V in za galijev arzenid (GaAs) 1.

kot so prebojna napetost. ko je sila na atome v zaporni plasti že dovolj velika. v kateri vlada električno polje. Zato prebojne napetosti niso nujno visoke. podatke najdemo v katalogih. ki teče skozi zaporno plast. Z njim postaja tudi sila na elektrine vse večja. se pričnejo 29 . Zaporna plast diode. Če tega toka ne omejimo. 3. Tok. v zaporni pa teče skozi diodo le zelo majhen tok. dioda prebije in zaporni tok strmo naraste. Dopustna temenska vrednost zapornega toka je mnogo manjša od prevodne temenske vrednosti.1.2. DIODE Dioda je sestavljena iz pn spoja polprevodnika in dveh priključkov: anode in katode.6.2. je zelo tanka. 3. Pri določeni zaporni napetosti. Električni preboj nastane zaradi dveh vzrokov: Zenerjev preboj: Ko napetost večamo. Električni preboj diode Dioda v zaporni smeri ne prevaja električnega toka. URM UR [ V] 90 60 30 20 40 60 I R [ A] Slika 3. kapacitivnost in podobno. je zanemarljivo majhen. V prevodni smeri prevaja šele pri napetosti kolena. Električni preboj diode v zaporni smeri. diodo uničimo. se veča tudi električno polje v pn spoju. LASTNOSTI DIOD Spoznali bomo nekaj značilnih lastnosti polprevodniških diod. Ko pa je priključena napetost diode velika.

lahko upornost diode lineariziramo. Pojavu pravimo plazovita ionizacija (angl. avalanche breakdown). lahko en sam elektron sproži plaz novih elektronov: vsak novo pridobljeni elektron v električnem polju močno pospeši in ob trku ionizira nov atom. Ko z zaporno priključeno napetostjo dosežemo mejno vrednost diode. Trk elektrona izbije iz valenčne oble atoma nov elektron. s katerimi krmilimo diodo. Slika 3. le-ta prebije. tok v zaporni smeri diode pa se naglo poveča. da si za majhen signal predstavljamo diodo kot ohmski upor. Če toka skozi diodo ne omejimo. velike kinetične energije. dovolj majhni. Diferencialna upornost diode Dioda je nelinearen element. Plazovita ionizacija. Do izrazitega zenerjevega pojava pride. Ko se elektron zaleti v atom. če ima pol- prevodnik veliko primesi in zato zelo ozko zaporno plast. lahko atom zaradi trka in predane energije ionizira.7.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA elektroni trgati iz valenčnih obel atomov in stečejo proti n-tipu. Plazovita ionizacija: Pri dovolj veliki zaporni napetosti imajo elektrine. ki tako ionizirajo. ki potujejo skozi prehodno področje pn spoja. jo uničimo. Tako nastane v prehodnem področju novi par elektron-vrzel. 3. močno povečajo koncentracijo elektrin v zaporni plasti in s tem tok v zaporno smer diode. 30 . zato je lahko izračun v vezjih zapleten. Ko postane električno polje v prehodnem področju dovolj močno.2. Dioda lahko prebije zaradi Zenerjevega efekta ali plazovite ionizacije.2. Atomi. To pomeni. Če pa so signali. Najprej si oglejmo razliko med statično in dinamično upornostjo diode.

38x10-23 Ws/K). q absolutna vrednost naboja elektrona (1. 31 . Pri nizkih frekvencah je napetostno tokovna karakteristika diode opisana z enačbo:  q⋅U  I D = IS ⋅  e k ⋅ T − 1 . Dinamična upornost pa je razmerje med priključeno izmenično napetostjo in izmeničnim tokom. Pri ohmskem uporu sta obe upornosti enaki.8). kot bi jo sicer ohmski upor (glej sliko 3. ki teče skozi element ali vezje: R=U/I. IF I rD UF U Slika 3. DIODE Statična upornost je razmerje med priključeno enosmerno napetostjo in enosmernim tokom.8. medtem ko pri nelinearnem elementu ne. Statična in dinamična upornost na nelinearnem elementu. Majhna izmenična napetost povzroči na bolj strmi krivulji nelinearnega elementa večjo spremembo toka (in s tem manjšo dinamično upornost).6x10-19 As). T absolutna temperatura v K. Enačba velja le za majhne spremembe napetosti in toka. ko lahko kratek odsek krivulje nadomestimo z odsekom premice – uporabimo linearizacijo.     kjer je: IS tok nasičenja diode. ki teče skozi element ali vezje: r=u/i. k Boltzmannova konstanta (1.

zato ga lahko zanemarimo.125Ω ID 0. Zato je diferencialna upornost v tej smeri navadno zelo velika in je v večini vezij njen vpliv zanemarljiv. je v primerjavi z njim tok nasičenja IS zelo majhen. ki ima pri sobni temperaturi vrednost okrog 25 mV. ki se z zaporno napetostjo le malo zveča.2A! 25mV 25mV r= = = 0. potem dobimo: k⋅T r= q ⋅ (I D + IS ) Če je tok diode ID dovolj velik. k⋅T UT = q Končno dobimo enačbo za diferencialno upornost diode: UT 25mV r≅ = ID ID V zaporni smeri teče le tok nasičenja IS.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Če iz enačbe izpeljemo diferencialno upornost r=u/i za prevodno smer diode. Primer Izračunajmo diferencialno upornost diode v prevodni smeri pri toku ID=0.2A 32 . Definiramo lahko tudi napetostni ekvivalent UT.

ki podaja povprečni čas trajanja manjšinskih elektrin – od njihovega nastanka pa do rekombinacije.2. 33 . Manjšinske elektrine so tisti elek- troni ali vrzeli. Kapacitivnosti. Čim večja je zaporna napetost na diodi. zato so vrzeli manjšinski nosilci elektrine). Vpliv zaporne napetosti na spojno kapacitivnost. ki so v danem tipu polprevodnika v manjšini (na primer v n-tipu prevladujejo prosti elektroni. Spojna kapacitivnost znaša nekaj pF (piko faradov). pravimo spojna kapacitivnost. tem širša je zaporna plast in manjša je spojna kapacitivnost. ki jo tako povzroči prehodno področje. Poznamo dve kapacitivnosti: Difuzijska kapacitivnost: Dioda ima v prevodni smeri zaradi kopičenja elektrin kapacitivnost.3. Ker sprememba zaporne napetosti vpliva na debelino zaporne plasti. ki ji pravimo difuzijska kapacitivnost. ki delujejo kot rekombina- cijski centri ali pasti. Zmanjšanju τ pripomorejo dodatki atomov zlata. Spojna kapacitivnost: V zaporni smeri deluje zaporna plast diode kot dielektrik pri kondenzatorju. DIODE 3. ki jo ima dioda. Kapacitivnost diode Pri višjih frekvencah ter pri hitrih preklopih se moramo soočiti tudi s kapacitiv- nostjo. Difuzijska kapacitivnost znaša nekaj nF (nano faradov). Enačba za difuzij- sko kapacitivnost se glasi: q ⋅ ID τ 1 τ CD = ⋅ = ⋅ k⋅T 2 r 2 Odvisna je od diferencialne upornosti r ter od življenjske dobe (τ) manjšinskih nosilcev elektrine. C S [ pF ] 6 4 2 p n 10 20 UR [ V] Slika 3.9. se z napetostjo spremeni tudi spojna kapacitivnost. Kapacitivnost diode v prevodni smeri se po vrednosti razlikuje od kapacitivnosti v neprevodni smeri.

UVH UF t UR IF pn -pno UVH R IF t 10% t IR tS tF t RR Slika 3. ki so posebej narejene za hitre preklopne čase. čas upadanja tF ter vsoto obeh – čas preklopa tRR (angl. da tok skozi diodo ne sledi popolnoma željeni obliki. teče tok v zaporno smer diode še nekaj časa. Ko se napetost generatorja nenadoma spremeni tako.4. opazimo. Preklopne lastnosti diod Pri vzbujanjih z impulzi deluje dioda kot stikalo: v prevodno smer prevaja. Proizvajalec daje naslednje podatke: čas kopičenja tS. se obrne tudi tok v zanki (slika 3. Ko diodo krmilimo z impulzi pravokotne oblike. da je dioda priključena v zaporno smer. Ko diodo preklopimo iz prevodne v zaporno smer. reverse recovery time). Dioda ima tako v zaporni kot tudi v prevodni smeri kapacitivnost. Tok steče za kratek trenutek tudi v zaporno smer diode. 34 . V trenutku preklopa je v n-tipu veliko vrzeli. ko je bila priključena v prevodni smeri. step-recovery-diodes). se zaradi nakopičenih elektrin ne zapre takoj. v zaporno pa je njen tok zanemarljivo majhen.10. Diode. so SRD (angl. ki so se v diodi nabrali med tem. ki je v prevodni smeri neprimerno večja.2.10). Razmere pri preklopu iz prevodne v zaporno smer diode. v p-tipu pa veliko elektronov. Ker ta presežek koncentracije iz prehodnega področja ne izgine takoj. ko je dioda prevajala.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 3. ki so se tam nakopičili v času. Razlog je v nakopičenih elektrinah.

5. ΘTOT totalna toplotna (termična) upornost. v kateri dioda obratuje. da ne presežemo dopustne tempera- ture spoja (TJ=TA+PTOTxΘTOT). PD izgubna moč na diodi (srednja moč). da se dioda pregreje tudi zaradi dviga temperature okolice. s kolikšno močjo smemo diodo obremeniti pri dani temperaturi okolice. Odvisnost dopustne moči od temperature okolice.11). za Si pa največ 150 °C. PD [ W ] 40 30 20 10 0 TA [ OC ] 25 50 75 100 125 150 Slika 3. Zaradi tega postaneta pomembni sposobnost odvajanja toplote in delovna temperatura. moramo pri višji temperaturi okolice znižati izgubno moč na diodi. ki ga lahko previsoka temperatura uniči. Θ TOT kjer je: TA temperatura okolice. Iz enačbe je razvidno.11. ki je za Ge največ 90 °C. Trošenje moči diode in odvajanje toplote Delovna temperatura je temperatura okolice. potem se v spoju troši moč P=IDxUD. ki prikaže povezavo med temperaturo okolice in dopustno izgubno močjo (slika 3.2. Ta povzroči segrevanje spoja. S pomočjo totalne toplotne upornosti izvemo. TJ dopustna maksimalna temperatura spoja. Celotna izgubna moč je dana z enačbo: TJ − T A PTOT = izgubna moč na diodi . izražena v °C/W. To upornost izdatno znižajo hladilna telesa. DIODE 3. Proizvajalci navadno podajajo karakteristiko. 35 . Če skozi diodo teče tok ID. Da do tega ne bi prišlo.

DC).12. da prevaja električni tok samo v eno smer. Usmerniško vezje pretvarja izmenični tok (angl. Polvalni usmernik z diodo.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Za konec še pregled nekaj karakterističnih parametrov diode: URRM največja trenutna ponovljiva zaporna napetost URSM največja trenutna neponovljiva zaporna napetost URWM največja trenutna periodična zaporna napetost pri sinusni obliki napetosti frekvence 50 ali 60 Hz IFAV srednja vrednost najvišjega trajno dovoljenega toka v prevodni smeri IFRMS največji trenuten ponovljiv tok v prevodni smeri IFSM največji trenuten neponovljiv tok v prevodni smeri TJ maksimalna temperatura spoja ΘJA termična upornost med spojem in ohišjem tRR čas preklopa diode 3. USMERNIKI Dioda je kot nalašč za usmerniška vezja. IF R+rD IIZH UG UIZH R IIZH UR UF UG Slika 3. 36 . AC) v enosmernega (angl. saj je njena poglavitna lastnost. direct current.3. alternate current.

tok skoznjo je zanemarljivo majhen. temveč močno utripa. ki je višja od napetosti kolena. zato toka v breme ni. zato največkrat upoštevamo samo upornost bremena.12 teče v pozitivni polperiodi tok skozi diodo in breme R. zato tak način usmerjanja ni posebno uporaben.7V. Pri usmer- niku na sliki 3. Pri izmeničnih signalih imamo največkrat podatke o efektivnih vrednostih napetosti in toka (angl. Dioda bo začela prevajati pri napetosti. Oblika toka skozi porabnik je zato enaka samo pozitivni polovici sinusne napetosti na vhodu vezja. V negativni polperiodi dioda ne prevaja. V negativni polperiodi dioda ne prevaja. Toda enosmerni tok iz usmernika ni enakomeren. Na bremenu ustvari padec napetosti v obliki sinusne polperiode. Poznamo pa tudi usmernike. Polvalno usmerniško vezje s porabnikom. smo izmenični tok na izhodu usmerili. Pri silicijevi diodi znaša kolenska napetost okrog 0. 37 . Polvalni usmernik Ker dioda prepušča tok samo v pozitivni polperiodi. IIZH UIZH 220V UIZH R UM USR t Slika 3. 3. mu pravimo polvalni usmernik. root-mean-square. V pozitivni polperiodi steče električni tok iz transformatorja skozi diodo in breme. ki so narejene za usmernike. pravimo usmerniške diode. RMS). ki usmerijo obe polperiodi.1. Vsa napetost transformatorja je sedaj na diodi v zaporni smeri. DIODE Diodam. Ker usmernik prevaja samo v pozitivni polperiodi. Dioda ima v prevodni smeri zelo majhno upornost.3. Tem pravi- mo polnovalni usmerniki. predvsem to velja pri omrežni napetosti.13.

kjer je I M temenski tok. Zato moramo pri načrtovanju usmernika upoštevati vse tokove in napetosti. Za signal sinusne oblike velja: UM U EF = efektivna vrednost napetosti. 2 Pri usmerjenem toku pa nas zanima predvsem srednja vrednost napetosti in toka (angl. Te so predvsem: 1. steče skozi diodo velik tok. ki znaša za silicijevo diodo okrog 0. zato mora prenesti vso napetost trans- formatorja. izraču- namo iz temenske napetosti negativne polperiode: U RM = U EF ⋅ 2 < U RRM 38 . Upoštevati moramo namreč tudi padec napetosti na diodi. srednja vrednost enosmernega konstantnega signala pa enaka enosmerni vrednosti. kjer najdemo podatke o njihovi vzdržljivosti. V prevodni smeri morajo prenesti tako srednji IFAV kot maksimalni ali temenski tok IFRMS. ki jo mora dioda prenesti. 2 I I EF = M efektivna vrednost toka. π IM I SR = srednja vrednost toka. To je povprečna vrednost napetosti in toka v nekem časovnem intervalu. kjer je I M temenski tok. Tako je srednja vrednost sinusnega signala v eni periodi enaka nič.7V. Ta tok teče tudi skozi porabnik. Pri previsokih zapornih napetostih se v zaporni plasti diode sproži plazovita ionizacija. 2. ki bi dal pri enakih pogojih in v enakem času enako toploto. Pri polvalnem usmerjenem signalu je srednja vrednost enaka: UM U SR = srednja vrednost napetosti. π Pri nižjih napetostih je srednja napetost na izhodu nekoliko nižja od izraču- nane. ki jo uniči. zato ga ni težko izračunati. Največjo zaporno napetost URM. Diode za usmernik izbiramo s pomočjo katalogov. kjer je U M temenska napetost. kjer je U M temenska napetost. ki jih bodo morale diode prenesti. Če se to zgodi.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Efektivna vrednost napetosti in toka izhajata iz opravljenega dela: efektivna vrednost izmeničnega toka je tista velikost enosmernega toka. average). Dioda v zaporni smeri ne prevaja.

DIODE 3. Ker usmerijo obe polperiodi izmeničnega signala.97 V U SR = = = 5. To moč izračunamo kot produkt srednjega toka in padca napetosti na diodi v prevodni smeri: PD = U D ⋅ I D ≈ 0.27 A RB 20Ω Dioda mora v zaporni smeri zdržati temensko napetost transformatorja: U RM = U M = 16.2. Polnovalni usmernik s sredinskim odcepom Boljši od polvalnih usmernikov so polnovalni usmerniki. imajo boljši izkoristek in povzročajo manjše utripanje toka skozi breme.4 V I SR = = = 0. dobimo iz efektivne: U M = U EF ⋅ 2 = 12V ⋅ 1. Ko je potrošnja moči na diodi prevelika. 39 .97 V 3.97V Oblika napetosti na bremenu je polvalna. se zaradi visoke temperature dioda uniči. ki jo potrebujemo za izračun srednje vrednosti. Električna moč. zato jo izračunamo po enačbi: UM 16. Kot prvega bomo spoznali usmernik s sredinskim odcepom transformatorja.7 V ⋅ I D Primer Izračunajmo enosmerno napetost in tok skozi breme polvalnega usmernika! Kolikšno zaporno napetost mora vzdržati dioda? 220V 12V 20 Temensko napetost. povzroči njeno segrevanje.4 V π π Električni tok pa izračunamo iz napetosti na bremenu: U SR 5.3.41=16. ki se troši na diodi.

Ker pa je ena od diod prevodna. da mora druga dioda prenesti celotno zaporno napetost transformatorja. 40 . velja. ne pa polovice: U RM = U M = U EF ⋅ 2 zaporna napetost diode Frekvenca izhodnega signala je ravno dvakrat večja od frekvence vhodnega signala. Ker je na diodi D2 zaporna napetost. ta ne prevaja. nato še v drugi polperiodi! V času pozitivne polperiode izmeničnega signala steče tok I1 skozi diodo D1. da bi tok tekel tudi skozi zgornjo polovico navitja. da je vsota vseh padcev napetosti v zanki enaka nič (drugi Kirchhoffov zakon). Tok teče samo skozi zgornjo polovico navitja. Srednja vrednost napetosti na bremenu USR je ravno dvakrat večja kot pri polnovalnem usmerniku in znaša: U MP U SR = 2 ⋅ srednja vrednost napetosti π I MP I SR = 2 ⋅ srednja vrednost toka π Temensko vrednost napetosti UMP in toka IMP upoštevamo le za polovico navitja transformatorja. breme RL in sredinski odcep nazaj v transformator. breme RL in sredinski odcep nazaj v transformator. pomeni. Pri omrežni frekvenci 50Hz je na izhodu signal frekvence 100Hz. dioda D1 in dioda D2 –.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA UIZH RL IIZH UMP 220V USR UIZH t Slika 3.14. V času negativne polperiode steče tok I2 skozi diodo D2. Polnovalni usmernik s sredinskim odcepom. saj v vsaki polperiodi teče tok le skozi polovico celotnega navitja! Če upoštevamo tokovno zanko – transformator. Delovanje usmernika si oglejmo najprej v eni. Zaporna napetost na diodi D1 sedaj prepreči. Skozi breme teče tok v obeh polperiodah vedno v isto smer. zato skozi njo in spodnjo polovico navitja trans- formatorja tok ne teče.

485 V Sedaj lahko izračunamo še enosmerno napetost in tok na bremenu: U MP 8. je enaka temenski vrednosti napetosti celotnega navitja: U RM = 2 ⋅ U MP = 16. da bo na izhodu polnovalnega usmernika napetost USR=12V? Izračun začnemo tako.485 V U SR = 2 ⋅ = 2⋅ = 5. DIODE Primer Izračunajmo enosmerno napetost in tok na bremenu polnovalnega usmernika s sredinskim odcepom.4 V I SR = = = 270mA RB 20Ω Največja zaporna napetost. ki jo morata diodi vzdržati.97 V Primer Kolikšno napetost mora imeti sekundarno navitje transformatorja s sredinskim odcepom.85 V 2 2 Nato izračunamo še efektivno vrednost napetosti na polovici navitja transfor- matorja: 41 . če 6V 20 transformator pretvori 220V na 2×6V! Kolikšno 220V zaporno napetost morata vzdržati diodi? 6V Najprej izračunajmo temensko vrednost napetosti polovice navitja: U MP = U EF ⋅ 2 = 6 V ⋅ 2 = 8. da najprej izračunamo potrebno temensko vrednost napetosti polovice navitja transformatorja: π π U MP = U SR ⋅ = 12 V ⋅ = 18.4 V π π U SR 5.

3.16 a). V času pozitivne polperiode steče tok iz transformatorja skozi diodo D1. Delovanje si spet oglejmo v posameznih polperiodah.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA U MP 18.16 b). Na diodah D2 in D4 je zaporna napetost. V času negativne polperiode pa steče tok iz transformatorja skozi diodo D2.15. Mostični polnovalni usmernik.85 V U EF = = = 13. breme R in nazaj skozi diodo D3 v transformator (slika 3. Mostični polnovalni usmernik Z mostičnim polnovalnim usmernikom dosežemo polnovalno usmerjanje brez uporabe sredinskega odcepa na transformatorju. vezanih v mostiček (pravimo mu tudi Greatzov mostiček). 3. breme R in nazaj skozi diodo D4 v trans- formator (slika 3. zato ne prevajata.3V (skupaj 26.7V. diodi pa morata v zaporni smeri vzdržati napetost 2xUMP=37.6V). Sedaj je zaporna napetost na diodah D1 in D3. UIZH IIZH UM 220V USR UIZH R t Slika 3.3. zato ne prevajata. Sestavljen je iz štirih usmer- niških diod.3V 2 2 Transformator mora pretvoriti 220V na 2×13. 42 .

je enaka temenski napetosti na transformatorju. oznaka B80C4700/3300 pomeni. Ta ima štiri sponke: dve z oznakami »∼ ∼« za vhod ter dve z oznakami »+ -« za izhod. Primer Izračunajmo napetost in tok na bremenu polnovalnega usmernika! Kolikšno zaporno napetost morajo zdržati diode? 220V 12V 20 U M = U EF ⋅ 2 = 12 V ⋅ 2 = 16. Srednji vrednosti napetosti in toka na izhodu sta enaki kot pri prejšnjem vezju. DIODE a) b) Slika 3.8 V π π 43 . da je zaporna napetost lahko največ 80V. ki pomeni mejno vrednost napetosti in toka: npr. največji tok s hlajenjem 4700 mA.97 V UM 16. Zato je padec napetosti na mostičku vedno enak dvema padcema napetosti na diodi (okrog 1.16. ostali dve pa ne. ki jo morajo diode prenesti. Zaporna napetost. π IM I SR = 2 ⋅ srednja vrednost toka. Na ohišju je tudi oznaka. le da sedaj upoštevamo temensko vrednost napetosti in toka celotnega navitja transformatorja: UM U SR = 2 ⋅ srednja vrednost napetosti. Prevajanje mostička v a) pozitivni in b) negativni polperiodi. V vsaki polperiodi dve nasproti ležeči diodi prevajata. lahko pa ga dobimo že nareje- nega.4V). π Mostično vezje lahko sestavimo iz štirih diod. kjer je U M temenska napetost.97 V U SR = 2 ⋅ = 2⋅ = 10. brez hlajenja pa 3300 mA. kjer je I M temenski tok.

4.97 V 3. pri drugem vezju pa kar šestkrat večja od omrežne. V času negativne polperiode teče tok iz transformatorja skozi diodo D1 in konden- zator C1. kar pomeni.3.17 b).17.3. b) z mostičnim vezjem.17 a) kot z mostič- nim vezjem (slika 3. V času pozitivne polperiode teče tok skozi kondenzator C1. Zaradi diode D2 tok ne teče skozi breme. Villardovo podvojitveno vezje (slika 3. Množilniki napetosti Poleg samega usmerjanja lahko z usmerniškim vezjem napetost tudi poveča- mo. diodo D2 ter kondenzator C2. Zato se kondenzator C2 napolni na napetost 2xU.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA U SR 10. 44 . 3.18 a) je polvalni usmernik. da je usmerjanje boljše kot pri enofaznem sistemu.5. temveč polni kondenzator C1 na napetost U. Kondenzator C2 se polni iz dveh napetostnih virov: transformatorja in kondenzatorja C1. Vezja pa so občutlji- vejša na različne vrednosti bremen.8 V I SR = = = 540mA RB 20Ω U RM = U M = 16. ki se je v predhodni polperiodi napolnil. Usmerniki za trofazni napetostni sistem: a) s sredinskim odcepom. Frekvenca izhodnega signala je pri prvem trikrat. Na ta način prihranimo pri navitju transformatorja. Usmerniki za trofazni napetostni sistem Ti usmerniki so lahko tako s sredinskim odcepom (slika 3. a) b) UIZH UIZH UIZH Slika 3.

Kaskadni usmernik. + 5U 4U + Slika 3.18. Tako je na izhodu napetost 2xU. Delonovo podvojitveno vezje (slika 3. Množilnika napetosti: a) Villardovo podvojitveno vezje in b) Delonovo podvojitveno vezje. 45 . Ker sta kondenzatorja na izhodu vezana zaporedno. DIODE a) C1 D2 b) D1 C1 D1 C2 UIZH UIZH D2 C2 Slika 3. kondenzator C2 se napolni na napetost U. kondenzator C1 se napolni na napetost U.18 b) je polnovalni usmernik. se padca napetosti obeh konden- zatorjev seštevata. V času negativne polperiode pa teče tok skozi kondenzator C2 in diodo D2. V času pozitivne polperiode teče tok skozi diodo D1 in kondenzator C1.19.

ki služijo za podva- janje napetosti. Upori služijo za uravnoteženje različnih zapornih upornosti diod. ki jih vežemo vzporedno k vsaki diodi.20). 46 . Zaporedna in vzporedna vezava diod Kadar uporabimo diode pri napetostih. kolikor je stopenj (kaskad). Če zanemarimo izgube. nekaj kilovoltov. uporabljamo kaskadni usmer- nik (slika 3. Ta je sestavljen iz več stopenj (kaskad).ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Za doseganje višjih napetosti. Upornost upora naj bo manjša od upornosti diod v zaporni smeri. 3. so zaradi odstopanj v karakteristikah posameznih diod padci napetosti različni (slika 3.6. Ker je tok v zaporni smeri skozi vse diode enak. da dobimo (določen čas po vklo- pu vezja!) na izhodu seštevek posameznih padcev napetosti na kondenzatorjih.3. Pri kaskadnem usmerniku moramo predvsem paziti na prebojne napetosti diod in kondenzatorjev.20. ki morajo biti primerno visoke. Zaporedna vezava diod. ki presegajo dovoljeno zaporno nape- tost diod. jih vežemo več zaporedno. Neenakomerno porazdeljena zaporna napetost lahko povzroči preboj katere od diod. To preprečimo z upori in kondenzatorji. Izberemo diode istega tipa (z enakimi zapornimi lastnostmi) in jih zaradi temperaturne uravnave pritrdimo na skupno hladilno telo. je napetost na izhodu tolikokrat višja. UR [ V] 150 100 50 D1 I0 D2 I0 UR IR [ A] Slika 3. Kondenzatorji pa služijo za uravnoteženje različnih preklopnih časov diod. Diode izmenoma polnijo kondenzatorje tako.19).

temveč ta zaradi izmenične napetosti na vhodu še vedno nekoliko niha. Kvaliteta usmernika je odvisna od razmerja med izmenično in enosmerno komponento napetosti na izhodu usmernika. 3.5 U0 1.21.21). Ker imajo diode različne prevodne karakteristike (slika 3.3. ne teče skozi vse diode enak tok. Vzpo- 0. ripple).0 UF [ V] redna vezava diod. 47 . DIODE Pri velikih prevodnih tokovih vežemo več diod vzporedno.22. IF [ A ] D1 D2 2 IF 1 U0 Slika 3. Izberemo diode istega tipa (z enakimi prevodnimi lastnostmi) ter jih vse pritrdimo na skupno hladilno telo. UIZH UR USR t Slika 3. To preprečimo z vezavo upora ali induktivnosti zaporedno z vsako diodo. Temu razmerju pravimo valovitost (angl. Določanje valovitosti. Valovitost in glajenje napetosti Na izhodu usmernikov ne dobimo čisto konstantne napetosti. Tako je poleg enosmer- ne komponente napetosti prisoten še delež izmenične.7.

18 trofazni mostični usmernik 0. priključimo vzporedno z bremenom.48 trofazni usmernik s sredinskim odcepom 0. tem manj je nihanja izhodne napetosti in boljši je usmernik. PVH izmenična moč na vhodu.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA pojem enačba faktor valovitosti (angl. Kondenzator. ki služi za glajenje napetosti. efficiency) P η = IZH ⋅ 100 PVH kjer je: U0 srednja vrednost napetosti na izhodu. PIZH enosmerna moč na izhodu. Za primer si oglejmo vrednost valovitosti pri osnovnih usmernikih: tip usmernika faktor valovitosti polvalni 1. 48 . rectification ratio) P RR = IZH PVH učinkovitost (angl. UR efektivna vrednost izmenične komponente napetosti na izhodu.21 polnovalni 0. Čim manjša je valovitost.23). ripple factor) U FR = R U SR faktor oblike (angl. Oglejmo si uporabo najenostavnejšega – RC filtra (slika 3. form factor) U FF = EF U SR usmerniško razmerje (angl. UEF efektivna vrednost napetosti na izhodu.042 Zmanjšanje faktorja valovitosti dosežemo z uporabo filtrov.

Zaradi kondenzatorja nihanje napetosti na bremenu ni več tako izrazito. Velika časovna konstanta τ pomeni počasnejše praznjenje in manjše utripanje napetosti na bremenu. ki se je medtem nabrala na kondenzatorju. UIZH B B ID A A C UIZH RB t ID t Slika 3.23).23). se sedaj prazni skozi breme. Elektrina. nadaljuje pot skozi kondenzator in breme. Ker je upornost diode rD največkrat mnogo manjša od upornosti bremena. Ko pa napetost na transformatorju pade pod napetost na kondenzatorju. prazni pa preko bremena. Kako hitro se kondenzator polni ali prazni. Glajenje napetosti s kondenzatorjem. Majhna časovna konstanta τ pa pomeni hitro praznje- nje kondenzatorja in večje utripanje napetosti na bremenu. DIODE Dioda prevaja. dioda ne prevaja več (od točke B do točke A na sliki 3. je odvisno od časovne konstante: τ = R ⋅C .23. skozi katero se kondenzator C polni ali prazni. Hitrost praznjenja in s tem velikost utripanja izhodne napetosti je odvisna od produkta upornosti bremena in kapacitivnosti 49 . se kon- denzator hitreje polni kot prazni. Pri usmerniku na sliki 3. ki teče skozi diodo.23 se kondenzator polni preko diode. Tok. kjer je R upornost. V tem času se v kondenzatorju kopiči elektrina. ko je napetost na transformatorju višja od napetosti na kondenzatorju (od točke A do točke B na sliki 3.

Srednjo napetost na izhodu lahko izračunamo s pomočjo poenostavitev. Pri dovolj veliki kapacitivnosti kondenzatorja (ωRC>>1) bomo eksponencialno padanje napetosti nadomestili s premico. UIZH UIZH C=1000 F R=100 C=500 F R=50 t t Slika 3. Če je UM temenska napetost. 50 . če želimo imeti enako učinkovito glajenje kot pri manjših tokovih.25. lahko napišemo: U Tizm U SR = U M − 2 UIZH UT t1 t2 T Slika 3.24. peak-to-peak) izmenične komponen- te napetosti.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA kondenzatorja. Vpliv kapacitivnosti in toka skozi breme na obliko napetosti. Poenostavitev t pri izračunu napetosti. UTizm pa napetost od temena do temena (angl. Pri večjih tokovih skozi breme (manjša upornost bremena) potrebujemo zato večjo kapacitivnost.

omrežna frekvenca pa f=50Hz! Kolikšna je C izhodna napetost USR? I SR 0. t2 pa čas praznjenja kondenzatorja. Napetost transformatorja je 10V. čas praznjenja t2 pa se bo bližal času ene periode t2=1/f za polvalni usmernik ali času ene polperiode t2=1/2f za polnovalnega. Tako je: I SR U SR = U M − za polvalni usmernik 2⋅ f ⋅C I SR U SR = U M − za polnovalni usmernik 4⋅ f ⋅C Primer Izračunajmo kapacitivnost kondenzatorja C. da bo 0.14V − = 13.1A C= = = 1000 µF f ⋅ UT 50Hz ⋅ 2V U M = U EF ⋅ 2 = 10 V ⋅ 2 = 14.1A. torej bo napetost nihanja: I SR ⋅ t2 UTizm = C Če je glajenje napetosti dovolj učinkovito. V času t2 bo kondenzator izgubil ISRxt2 naboja. bo čas polnjenja t1 zelo majhen.14V U 2V U SR = U M − T = 14. tok bremena 220V 10V 0.14 V 2 2 51 . DIODE Naj bo t1 čas polnjenja.1A utripanje napetosti na izhodu UT znašalo 2V.

Da bi omejili različne napetosti. ko vhodna napetost preseže +5.7V. Na sliki 3. ko je na vhodu napetost večja od +0.7V. To naredimo s pomočjo napetostnega vira. Na sliki 3. UIZH R 0. druga pa pri -0.7V. Preprosto omejevalno vezje z diodama. Dioda D1 začne prevajati. moramo diodi spremeniti napetost. ko je vhodna napetost višja od napetosti vira in napetosti kolena diode: 4. pri kateri prevaja. Prva začne prevajati. Napetostni vir obrnemo tako.7V Slika 3. 52 . V tem primeru smo omejili samo pozitivno napetost.26 je enostavno vezje z diodama. Na sliki 3. ki začneta prevajati.7V=5V.27 c) pa je omejevalnik. brž ko vhodna napetost preseže napetost kolena diod. Navzdol omejimo napetost tako. ki omeji napetosti na vhodu vezija. da vežemo še eno diodo in napetostni vir v nasprotno smer. kjer začne dioda prevajati šele. To lahko preprečimo z ustrezno vezavo diod. Na sliki 3. Diode pri omejevanju napetosti Zaradi napačne priključitve. Upor služi zato.27 b) je vezje. ki ga vežemo zaporedno z diodo.3.26.7V UG UIZH t -0. inducirane napetosti v vodih ali električne spraz- nitve se lahko napetost na vhodu vezja nevarno poveča in uniči vezje. da se prišteje k napetosti kolena diode (pozitivni pol vira je priključen na katodo diode).3V+0.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 3.27 a) je omejevalnik z diodo.7V. ki ga pogosto srečamo na vhodu digitalnih vezij. dioda D2 pa pri -0. da ne bi s prevelikim prevodnim tokom uničili diod.8. ki omeji napetost na +5V in -2V.

Ker je sedaj njena upornost rR zelo velika. Stikalo na sliki 3.9. bo tekel skozi diodo samo tedaj.28 vklopimo tako. Analogno stikalo z diodo. Dioda kot analogno stikalo Diode uporabljamo tudi kot stikala za izmenične signale. da na anodo (priključek A) priključimo pozitivno napetost. Če je signal dovolj majhen. Brž ko na diodo priključimo zaporno (enosmerno) napetost. Omejevalniki napetosti. 3.3V 1. ki je višja od napetosti kolena diode. predstavlja 53 . DIODE a) b) c) R R +5V 4.3. ko bo nanjo priključena enosmerna napetost v prevodni smeri. Dioda se tedaj odpre in prevaja tako enosmerni tok kot tudi majhen izmenični signal iz vhoda (priključek B). prehod signala ni več mogoč. Ko pa na anodo diode (priključek A) priključimo negativno napetost. A +10V.28.27. se dioda zapre. pravimo signalne diode.3V 4. ki služijo za krmiljenje signalov. -10V R1 C2 B C C1 R2 Slika 3.3V Slika 3. Diodam.

Ko na vhod med sponkama A in B priključimo pozitivno napetost UAB.29).ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA veliko oviro tudi za izmenični signal. Zaradi konstantnih padcev napetosti na diodah je izmenična napetost na izhodu UIZH enaka izmenični napetosti na vhodu UVH. s katerim krmilimo diodo. Boljše vezje (pravimo mu tudi vzorčevalnik) ima obliko mostička (slika 3. Kondenzatorja C1 in C2 preprečita. Vezje je primerno tudi za večje izmenične napetosti. 54 . Diodni vzorčevalnik. UAB A +UAB t R1 UG C t UG UIZH UIZH R2 t B -UAB Slika 3. Ko pa med sponki A in B priključimo negativno napetost.29. se diode zaprejo in na izhodu je napetost 0. stekel drugam. se vse štiri diode odprejo. da bi enosmerni tok.

POSEBNE VRSTE DIOD Poleg usmerniških diod poznamo še vrsto drugih diod. ki presegajo prebojno napetost diode. začne zaporni tok strmo naraščati. teče majhen zaporni tok v vrednosti nekaj nA (nano amperov). prevajajo v zaporno smer zaradi Zenerjevega efekta. Zenerjeve diode) uporabljamo v zaporni smeri pri napetostih. kar je – v nasprotju z usmerniško diodo – tu dopustno. 3. Nekaj najpomembnejših bomo spoznali v naslednjih odstavkih. ki prav tako služijo najrazličnejšim namenom.4. Slika 3. Prebojne diode za napetosti do 5V.1. Različne oblike diod.8V pa do 200V. nad to napetostjo pa zaradi plazovitega preboja. Prav zaradi prvega pojava so te diode dobile ime Zenerjeve diode (čeprav Zenerjev efekt velja samo za tiste do 5V).30. DIODE 3.4. 55 . Pri zaporni napetosti. Ko pa prekoračimo zaporno napetost preboja (Z-napetost). saj je dopustni tok v zaporni smeri občutno nižji od dopustnega toka v prevodni smeri. Zaradi tega moramo tok ustrezno omejiti. Vsako dodatno povečanje zaporne napetosti povzroči strmo povečanje zapornega toka. Prevodna karakteristika je podobna karakteristiki usmerniške silicijeve diode. Prebojna dioda Prebojne diode (ali tudi Z-diode oz. ki je nižja od prebojne. Prebojno napetost določijo pri izdelavi diode z ustreznim dopiranjem (dodajanjem primesi) in znaša nekje od 1.

ki mu pravimo stabilizacijsko področje. Zaradi tega se zveča tudi tok skozi upor R in padec napetosti UR. Zato mora biti vhodna napetost UVH večja od prebojne napetosti diode UZ. ki je v stabilizacijskem območju zelo strma).31. U R UR UVH UIZH I IR Slika 3.32. Dioda ima v področju Zenerjevega preboja negativni temperaturni koeficient.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA IF UZ UR UF IR Slika 3. Izhodna napetost pa le malo naraste. Simbola in karakteristika prebojne diode. Ta deluje kot stabilizator le. v področju plazovite ionizacije pa pozitivnega. Na sliki 3. če je napetost na diodi v stabilizacijskem področju. Prebojne diode najpogosteje uporabljamo za stabilizacijo napetosti – v zaporni smeri v področju. Ko vhodno napetost zvečamo. se strmo poveča tok skozi diodo (kar je razvidno že iz karakteristike. Stabilizator napetosti s prebojno diodo.32 je preprosto stabilizacijsko vezje z uporom in prebojno diodo. 56 .

∆UVH R + rZ R kjer je R zaporedno vezan upor. napetost na izhodu pa UZ=8V. kjer izko- riščamo strmo naraščanje toka v prebojnem področju diode. če spremenimo napetost na vhodu. kolikšen je tok diode pri dopustni izgubni moči: 57 . ki znaša PZ=0. je odvisno predvsem od strmine krivulje diode v stabilizacijskem področju. Upornost mora biti v mejah: UVH max − U IZH U − U IZH < R < VH min . I Z max + I IZH min I Z min + I IZH max kjer za najmanjši tok skozi diodo IZmin vzamemo nekje od 5% do 10% maksi- malnega IZmax. Pomembna podatka za doseženo stabilizacijo sta še gladilni faktor G ter faktor stabilizacije S: ∆UVH R G= = +1 ∆U IZH rZ ∆UVH UVH  R  U S= =  + 1 ⋅ IZH ∆U IZH  rZ  UVH U IZH Zaporedno vezani upor izberemo tako. DIODE Prebojno diodo najpogosteje uporabljamo za stabilizacijo napetosti. Najprej izračunajmo. Del območja lahko lineariziramo in podamo kot diferencialno upornost rZ. da ne prekoračimo dopustne izgubne moči prebojne diode.5W (slika 3. Za koliko se izhodna napetost spremeni. Sedaj je sprememba izhodne napetosti podana z enačbo: ∆U IZH rZ r = ≅ Z .32)! Največja vhodna napetost znaša UVH=15V. da prebojna dioda pri neobremenjenem vezju ne bo prekoračila dopustne izgubne moči. Primer Izračunajmo upornost zaporednega upora R tako.

Zaradi tega se spojna kapacitivnost z zaporno napetostjo manjša. Zaporna plast se z večanjem pritisnjene zaporne napetosti širi. kot če bi razmikali plošči kondenzatorja. mora imeti 58 .33. Kapacitivna (varicap) dioda Dioda. Simbol in potek kapacitivnosti z zaporno napetostjo kapacitivne diode. Le-ta je odvisna od izvedbe diod in znaša nekje od 0. V zaporni smeri deluje zaporna plast kot dielektrik. ki jo priključimo v zaporno smer.1 do 10pF (piko faradov). s katero uglašujemo diodo.5mA UZ 8V Sedaj lahko izračunamo upornost upora R: U R UVH − U Z 15V − 8V R= = = = 112 Ω IR IZ 62. kjer želimo z napetostjo spremi- njati kapacitivnost v vezju.5mA 3.2. C [ pF ] 6 4 2 UR [ V] 10 20 30 Slika 3.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA PZ 0. kot npr.5 W IZ = = = 62. se obnaša kot majhen kondenzator. Kapacitivno diodo uporabljamo povsod tam. Da bi bil vpliv CS čim manjši. v nihajnem krogu na sliki 3. podobno. dobro prevodni p in n področji pa kot plošči majhnega kondenzatorja. Tej kapacitivnosti pravimo spojna kapacitivnost diode.34. da bi stekel tok skozi tuljavo zaradi napetosti UUGL. Zaporedno vezani kondenzator CS prepreči.4.

3. Kapacitivne ali varaktorske (varicap) diode izkoriščamo za generiranje višjih harmonskih frekvenc v vezjih za pomnoževanje frekvence. Tu se ob preklopu zadržujejo elektrine dalj časa kot pri usmerniški diodi. Ko je dioda priključena v prevodni smeri. saj se ji kapacitivnost v zaporni smeri z večanjem zaporne napetosti manjša. 59 . Na ta način s spremembo napetosti uglašujemo resonančne kroge. ki so mnogokratniki osnovne – višjeharmoniki.4. Vzporedni nihajni krog s kapacitivno diodo. S pri- mernim filtrom nato izločimo željeno višjeharmonsko frekvenco. se zaradi nakopičenih elektrin tudi pri večjih izmeničnih signalih ne zapre. Poleg tega jih uporabljamo kot stikalne diode za signale visokih frekvenc. da ima med p in n področjem še področje brez primesi: intrinsično področje. Z večanjem uglaševalne napetosti UUGL se kapacitivnost diode niža in s tem se resonančna frekvenca nihajnega kroga viša. Tako je visokofrekvenčni signal manj popačen.34. 3. Kapacitivno ali varaktorsko diodo uporabljamo kot spremenljiv kondenzator. PIN dioda PIN dioda je narejena tako. kjer jim prevodno upor- nost krmilimo s prevodnim tokom – upornost jim namreč s tokom upada. CS R UUGL Slika 3. Zaradi nelinearnosti se iz signala z osnovno frekvenco generirajo signali z višjimi frekvencami. DIODE neprimerno večjo kapacitivnost. Uporabljamo jih pri visokih frekvencah. zato PIN diode niso primerne za usmernike. kot jo ima dioda. Pri preklopu napetosti iz prevodne v zaporno smer bo tok skozi diodo tekel še nekoliko časa. To nam omogoča nelinearna odvisnost spojne kapacitivnosti od zaporno priključene napetosti.

V prevodni smeri se tok s pritisnjeno napetostjo strmo veča do določene vrednosti. preide karakteristika v običajno prevodno karakteristiko. Tunelska dioda Tunelske diode so diode z ekstremno visoko dopiranima polprevodniškima področjema. Tunelska dioda nima zapornih lastnosti. Poglejmo najprej. Pri preklopu se elektrine v tem področju zadržujejo dlje kot pri ostalih diodah. IF A UR B UF IR Slika 3. 3. Simbol in karakteristika tunelske diode. Nato karakteristika preide v področje negativne upornosti (od točke A do točke B na sliki 3. Uporabljamo jo kot tokov- no spremenljiv upor ter kot stikalno diodo za visoke frekvence.4. Zaradi velikega števila nosilcev elektrin prihaja do njihovega tuneliranja (prehajanja) skozi zaporno plast. Področje negativne karakteristike pomeni. Uporabljamo jo kot zelo hitro stikalo. njeno področje negativne upornosti pa uporabljamo v oscilatorjih zelo visokih frekvenc razreda GHz (gigahertzov).4. V zaporni smeri teče velik tok že pri nizki priključeni napetosti. kjer ni primesi. kaj se dogaja.35. da se z večanjem prevodne napetosti prevodni tok manjša.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA PIN dioda ima med p in n področje. ko na diodo priključimo napetost v zaporni smeri. Ko doseže najnižjo vred- nost (točka B). 60 .35).

le da je tu vloga anode in katode obrnjena. Tunelska dioda ima zaradi izjemno velike količine primesi in ozke zaporne plasti drugačno karakteristiko kot navadna dioda. Uporabljamo jih v usmernikih. to pomeni. Spoju polprevodnika s kovino pravimo Schottkyjev spoj. Zaradu različnih energijskih nivojev kovine in polprevodnika se na njunem spoju ustvari potencialni prag oz. MESFET in podobno).4. V njeni prevodni karakte- ristiki izkoriščamo predvsem področje z negativno upornostjo. Ker med kovino in n- tipom polprevodnika potujejo le elektroni.36. kontaktna napetost. Schottkyjeva dioda Podobno kot pn spoj se obnese tudi spoj med kovino in polprevodnikom. ki imajo zaradi tunelskega efekta v zaporni smeri zelo nizko prebojno napetost in jim zato v zaporni smeri tok hitreje narašča kot v prevodni. Schottkyev spoj uporabljamo tudi v drugih elementih (foto diodah. Simbola Schottkyjeve diode. kjer je potrebna velika hitrost delovanja. Zaradi tega pri Schottkyjevi diodi ni zakasnitev zaradi presežkov manjšinskih nabojev in diode uporabljamo povsod tam. 3. 61 . ki jih uporabljamo za usmernike visokih napetosti. Slika 3. Schottky diode. da pri prevajanju sodelujejo večinski naboji (elektroni).5. DIODE Poznamo tudi backward diode. detektorjih ali v mešalnih vezjih. Tunelske diode uporabljamo kot zelo hitra stikala ter za oscilatorje zelo visokih frekvenc. so zgrajene iz GaAs (galijev arzenid) polprevodnika (GaAs Schottky power diodes) in imajo visoke dopustne prebojne napetosti (preko 800V). Taka dioda ima zelo dobre preklopne lastnosti in majhno prevodno napetost.

čim širši je. se presežki nabojev. Svetleča dioda (LED).37. GaAsP (med rdečo in rumeno) ter GaP (med rdečo in zeleno). Svetleča dioda (LED) Svetleča dioda (angl. Optični spojnik tako galvansko loči vhodne od izhodnih priključkov. v prikazovalnikih.1. Optični spojnik je vezje. ko je dioda priključena v prevodno smer. ki nastane zaradi rekombinaciji. v numeričnih prikazovalnikih (angl. LED) spreminja električno energijo v svetlobo. optičnih spojnikih ter v komunikacijskih vezjih. Električni signal se pretvarja v svetlobnega in nazaj v električnega. ki se je sprostila pri rekombinaciji. Valovna dolžina oddanega valovanja je odvisna od količine energije. Pri rekombinaciji se prosti elektroni vračajo iz prevodnega zopet v valenčni pas in s tem oddajajo energijo. Ko diodo priključimo v prevodno smer. Najpogosteje uporabljamo polprevodnike iz GaAs (infra- rdeče). A p n K Slika 3. Uporabimo jo kot signalno lučko. ki prehajajo preko pn spoja. rekombinirajo. opto- coupler). 7-segment display) ali pri optičnih spojnikih (angl. Svetleča dioda ali LED izkorišča oddajanje svetlobe.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 3.6. 62 . light emitting diode.).4. krajša valovna dolžina oddane svetlobe). Barva oddane svetlobe je odvisna od širine prepovedanega pasu (glej sliko 2. Za valovanje v področju vidne svetlobe silicijev polprevod- nik ni uporaben. Svetleče diode najpogosteje uporabljamo za kontrolne lučke. sestavljeno iz svetleče diode in svetlobno občutljivega polprevodniškega elementa. tem višja je frekvenca (oz.

ki v električnem polju stečejo vsak na svojo stran. Prav tako stečejo nastale vrzeli v p-tip. ki nastajajo zaradi sve- tlobe. v n-tip. UR 0 lx 500 lx 1000 lx IR Slika 3. ima večjo površino pn spoja kot navadna dioda ter odprtino. A IF IS p ED UR n UF P MAX K osvetljena IR Slika 3. Zaradi tega se ustvarijo proste elektrine. To 63 . stečejo elektroni.39.7. Zaradi elekričnega polja. DIODE 3. Podobno kot fotodioda deluje tudi sončna celica. skozi katero prehaja svetloba. Najpogosteje je silicijeva. avalanche photodiodes) izkoriščajo plazovito ionizacijo za ojačitev toka.4. ki vlada v zaporni plasti. da preskočijo iz valenčnega v prevodni pas. Pri fotodiodi se na zgoraj opisan način poveča zaporni tok. Osvetlitev prehodnega področja ustvari maj- hen tok skozi to področje. tok se v zaporni smeri diode naglo poveča.38. pari elektron-vrzel. Fotodioda in sončna celica Ko prehodno področje med p in n-tipom polprevodnika osvetlimo. ki se v tem področju odtrgajo iz valenčnih obel atomov. Pri dovolj veliki zaporni napetosti povzročijo elektrine. Simbol fotodiode in njena karakteristika v zaporni smeri. Sončna celica ter njena karakteristika. dobijo mnogi elektroni dovolj energije. plazovito ionizacijo. Ojačevalne fotodiode (angl. ki ga povzroči svetloba.

kjer imamo opraviti s pozitivno prevodno napetostjo UF ter negativnim zapornim tokom IR. da so vsi fotoni enake valovne dolžine. da se njen pn spoj razprostira na celotni površini celice.40 b). Njun produkt (električna moč) ima zato negativen predznak. koherentna pa to. steče skozenj električni tok v smeri od anode h katodi diode.40 a). da odda foton (slika 3.5cm. Absorpcija: elektron se povzpne na višji energijski nivo s pomočjo energije fotona (slika 3. Če si ogledamo karakteristiko osvetljene diode (na sliki 3. vzbujen elektron = elektron + foton 3. kako dobimo lasersko svetlobo. Stimulirana emisija: foton vpliva na vzbujen elektron tako. se v njej tvorijo prosti elektroni in vrzeli. Upoštevati moramo tri pojave. Sončna celica je narejena tako. Če zaporno plast diode osvetlimo. da dioda v tem delu karakteristike proizvaja električno energijo. Spontana emisija: obraten proces. 3.40 c). vzbujen elektron preide na nižji energij- ski nivo tako. Če na sončno celico priključimo breme. ugotovimo. da se ta povrne na nižji energijski nivo (slika 3. ki potekajo med elektroni in fotoni: 1. ki je za razliko od sončne svetlobe monokromatska in koherentna: monokromatska pomeni.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA povzroči negativen električni potencial na priključku n-tipa (katodi) in pozitiven na priključku p-tipa (anodi).39). ki zaradi električnega polja stečejo vsak na svojo stran.8. ki je zelo velika in znaša nekje od 5 do 7. Laserska dioda Laserska svetloba je ozek snop svetlobe. elektron + foton = vzbujen elektron 2. To pomeni. vzbujen elektron + foton = elektron + foton + foton 64 .4. Tako se v diodi z osvetlit- vijo poveča zaporni tok. da seže tudi v četrti kvadrant. Oglejmo si. da je elektromagnetno valovanje fotonov v fazi.

b) spontane emisije in c) stimulirane emisije. tako da se od njiju svetloba odbija. torej je njuno elektromagnetno valovanje v fazi. kjer ima polirana stranica slabšo odbojnost. Pogoj za tvorbo laserske svetlobe je med drugim veliko število vzbujenih elektronov. Na tisti strani. Potek a) absorpcije. 65 . drugi del pa uide v obliki laserske svetlobe. ki spet oddata vsak po dva fotona. se del fotonov odbije nazaj v spoj in povzroča nadaljnjo stimulirano emisijo. Stranici diode sta natančno polirani. itd. ki mora imeti visoko koncentracijo primesi v p in n-tipu polprevodnika.40. Prehodno področje diode je torej narejeno kot optični resonator. odda dva fotona. DIODE Oba fotona stimulirane emisije sta koherentna. Ko vzbujeni atom absorbira foton. Ta zadeneta druga dva vzbujena atoma. odbita svetloba pa povzroča stimulirano emisijo. ki sta v fazi. Omenjeni pojav je mogoče doseči v prevodno priključenem pn spoju (podobno kot pri svetleči diodi). prevodni pas p n laserska valenčni pas svetloba zrcali Slika 3. a) b) c) prevodni pas valenčni pas Slika 3. Laserska dioda.41. ki povzročijo stimulirano emisijo.

Kje srečamo Delonovo vezje? 9. ki služi za glajenje? 13. V kakšen namen najpogosteje uporabljamo prebojno diodo? 15. Kako lahko uporabimo diodo kot analogno stikalo? 14. Zakaj vežemo več diod zaporedno. kakšna je slabost take vezave in kako jo odpravimo? 10. Zakaj dioda v zaporni smeri ne prevaja električnega toka? Kaj je tok nasi- čenja diode? 2. Zaradi česa svetleča dioda sveti? 20. če želimo imeti 8-krat višjo napetost? 8. Kaj označuje pojem »valovitost« pri usmernikih? Kako jo najlažje zmanj- šamo? 12. Kaj je plazovita ionizacija? Ali diode prebijejo še na kakšen drug način? 4. Kaj je spojna kapacitivnost in od česa je odvisna? 5. Kako deluje mostični polnovalni usmernik? 7. Kaj je stimulirana emisija in kje jo lahko uporabimo? 66 . Kaj se zgodi z napetostjo na bremenu usmernika. Koliko diod in kondenzatorjev mora imeti kaskadni usmernik. Zakaj vežemo več diod vzporedno. Kako spreminjamo kapacitivnost pri kapacitivni diodi? 16. ki je izdelana iz spoja med kovino in polpre- vodnikom? Kakšna je njena lastnost? 19. če zvečamo kapacitiv- nost kondenzatorja. Zakaj nastane difuzijska kapacitivnost pri diodi in kakšen je njen vpliv na preklopne lastnosti diod? 6. kakšna je slabost take vezave in kako jo odpravimo? 11. Kako se imenuje dioda. Kaj je napetost kolena? Zakaj dioda v prevodni smeri prevaja šele pri določeni napetosti? Kolikšna je ta napetost za silicij in germanij? 3.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA VPRAŠANJA 1. Kako sončna celica pretvarja energijo v električno? 21. Kje uporabimo PIN diode? 17. Kakšna je značilnost tunelske diode? Kje jo zato lahko uporabimo? 18.

7A) 2.57V) 4. tok porabnika pa niha od 10 do 50mA. (Odg. Kolikšna je lahko največja izgubna moč na silicijevi diodi in kolikšen je prevodni tok.25W! Napetost na izhodu je UIZH=9V. Izračunaj zaporedno vezani upor pri stabilizatorju napetosti s prebojno diodo.: 291Ω) 67 . Kolikšno napetost mora imeti sekundar transformatorja. da bo na izhodu mostičnega usmernika 10V? (Odg. Nariši omejevalno vezje z diodami.: 1. DIODE NALOGE 1.: 11. ki naj omeji vhodno napetost na +3V in -1V! 5. največja dopustna temperatura polprevodniškega spoja pa je 150°C. 2. 1. (Odg.1V) 3. (Odg. Kolikšna je napetost na izhodu mostičnega usmernika s kondenzatorjem za glajenje napetosti C=500µF a) brez bremena ter b) z bremenom R=100Ω? Kolikšna je temenska vrednost izmenične komponente nape- tosti v drugem primeru? Napetost na sekundarju transformatorja znaša 10V. da pri najvišji vhodni napetosti UVH=20V dioda ne prekorači dovoljene izgubne moči PD=0. 12. če je delovna temperatura 30°C? Totalna toplotna upornost znaša 100°C/W.85V.: 14.14V.2W.

ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 68 .

Ime- nujejo se emitor (E). BIPOLARNI TRANZISTOR Poglavje 4 BIPOLARNI TRANZISTOR Bipolarni tranzistor. po njeni smeri lahko ugotovimo tip tranzistorja. 69 . ki služi za ojačenje signalov. Kombiniramo jih lahko na dva načina: pnp ter npn.1. odvi- sen od toka skozi drugi spoj. baza (B) in kolektor (C). zato tudi tranzistorje delimo na ta dva tipa. Ugotovila sta. Ta- ko je nastal polprevodniški element. SIMBOL IN ZGRADBA Bipolarni tranzistor dobimo z združitvijo treh plasti polprevod- nika. Če kaže puščica navznoter. Na vsako polprevodniško plast je pritrjen po en priključek. da je tok skozi prvi pn spoj. 4. je tranzistor pnp. V simbolu za tranzistor ima emitor obliko puščice. potem je tranzistor npn. ki je priključen v prevodno smer. je zgrajen iz dveh pn spojev. ki sta ga leta 1947 odkrila ameriška fizika Bardeen in Brattain. ki je priključen v zaporni smeri. če pa kaže puščica navzven.

kjer od njega zahtevamo. da se glede na vhodni signal čim hitreje odpre ali pa zapre. zato tudi pravimo.1.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA C C C C p n B B n B B p p n E E E E Slika 4. Kot stikalo ga najpogosteje najdemo v digitalni tehniki. ki preprečuje pregrevanje tranzistorja. takemu vezju pravimo integrirano vezje. da lahko nanj pritrdimo hladilni element. V prvem primeru je sposoben ojačati majhne spremembe toka na vhodu. 70 . Bipolarna tranzistorja: pnp in npn. Raznolike oblike bipolarnega tranzistorja. Bipolarni tranzistor nam služi najpogosteje kot ojačevalnik ali kot stikalo. ki je pritrjena v plastičnem ali kovinskem ohišju. Slika 4. da je to aktivni element. Ohišje je pri močnejših tranzistorjih oblikovano tako.2. Tranzistor je izdelan na ploščici polprevodnika. Če je na ploščici polprevodnika združenih več tranzistorjev in je ploščica zaptra v eno ohišje. iz njega pa molijo tri sponke.

2. da bi elektroni iz kolektorja stekli v bazo. ko bomo videli. Tokovi v npn bipolarnem tranzistorju.3 si oglejmo tokove. Skozi emitorski spoj steče emitorski tok IE. Pri izdelavi tranzistorja so primesi v polprevodniških plasteh dodane tako. vrzeli pa iz baze v emitor (JvBE). začnejo elektroni iz emitorja prehajati v bazo (JeBE). imenujemo ga emitorski spoj. UBE UCB Ko na emitorski spoj priključimo napetost UBE v prevodni smeri. ki so prišli iz emitorja v področje baze in so tu manjšinski nosilci elektrine. DELOVANJE BIPOLARNEGA TRANZISTORJA Tranzistor vsebuje dva pn spoja. Kolektor je na pozi- tivnejšem električnem potencialu kot baza. vrzeli pa iz baze v kolektor. kolektorski pa v zaporni smeri. Prvi spoj je med emitorjem in bazo. neprimerno večje od števila vrzeli v bazi. Zaradi tega nastane v bazi višek elektronov. ne zaključijo svoje poti skozi bazo. JeL JvBE E JvL C n p n IE JeEB JeBC IC B IB Slika 4. da je število elektronov. Na sliki 4. Med kolektorjem in bazo je zaporna napetost UCB. ki pa. Ko je emitorski spoj prevodno polariziran. Tranzistor deluje v tako imenovanem aktivnem področju le. ki prepreči. Zaradi zaporne napetosti med kolektorjem in bazo UCB pa 71 . ki ju lahko priključimo v prevodni ali v zaporni smeri. zato privlači elektrone. priteka v bazo iz emitorja veliko število elektronov. drugi pa med kolektorjem in bazo – kolektorski spoj. ki tečejo zaradi napetostnih virov UBE in UCB.3. BIPOLARNI TRANZISTOR 4. če je emitorski spoj priključen v prevodni smeri. ki prehaja iz emitorja v bazo.

pri pnp pa vrzeli. Bipolarni tranzistor dela v aktivnem področju tako. Pri dovolj široki bazi kolektorski tok ne bi več tekel in tranzistor bi deloval le še kot dva ločena pn spoja (ali dve diodi). ki jih emitor emitira v bazo. Čim širša je baza. večji je bazni tok IB in manjši je kolektorski tok IC. V nasprotnem primeru bi se večina elektronov rekombi- nirala (zapolnila vrzeli) vzdolž baze. da elektrine. nadaljujejo pot v kolektor. Zaradi spremembe napetosti UCB se tokovi le malo spremenijo. da je spoj med emitorjem in bazo priključen v prevodno smer. Koliko elektrin se med potjo v bazi rekombinira in tvori bazni tok IB. Nekaj elektronov.2. sicer zaključi pot v bazi z rekombinacijo in tvori bazni tok IB. a večino jih pritegne kolektor. ki stečejo zaradi prevodne napetosti iz emitorja v bazo. Analiza tokov v tranzistorju Zaradi prevodne napetosti na emitorskem spoju UBE steče emitorski tok IE.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA stečejo v kolektor in povzročijo kolektorski tok IC (JeBC).4. če je baza zelo tanka. ker jih privleče zaporno priključena napetost kolektorskega spoja. spoj med bazo in kolektorjem pa v zapor- no smer. C C IC UCB IB B B UCE IE UBE Slika 4. Pri npn tranzistorju so potujoče elektrine elektroni. napetostna vira pa morata biti obrnjena v nasprotno smer. Tedaj elektrine. Opis velja za npn tranzistor.1. 4. 72 . Zaporna napetost UCB med kolektorjem in bazo povzroči. ki jih emitor pošilja v bazo. stečejo v kolektor in tvorijo kolektorski tok IC. v pnp tranzistorju potujejo od emitorja h kolektorju vrzeli. To je mogoče le. je odvisno od napetosti UBE. ki prihajajo iz emitorja v bazo. Število elektrin. je odvisno predvsem od širine baze. Označbe tokov in E E napetosti na tranzistorju.

Kolektorski tok je skoraj enak emitorskemu. določimo ojačevalni faktor med kolektorskim in baznim tokom: IC α β= = kratkostični tokovni ojačevalni faktor IB 1 − α Oba faktorja sta kratkostična zato. ko je izhod kratkostičen (upor- nost bremena je 0). ima ojačevalec s tranzistorjem veliko tokovno ojačenje. ker je odvisen od tehnoloških izvedb tranzistorja. Če je vhodni priključek baza. Pomeni: UBE napetost med bazo in emitorjem UCB napetost med kolektorjem in bazo UCE napetost med kolektorjem in emitorjem IB bazni tok IC kolektorski tok IE emitorski tok Kolektorski tok IC je nekoliko manjši od emitorskega IE (IC = IE . Ker je ta tok majhen. ki nastajajo v baznem prehodnem področju (JeL in JvL na sliki 4. Zaradi fizikalnih dogajanj v bazi je β nekoliko odvisen tudi od velikosti kolektorskega toka. BIPOLARNI TRANZISTOR Med kolektorjem in bazo se pretakajo še manjšinski nosilci elektrin ter pari elektronov in vrzeli. Ker je bazni tok majhen. Raz- merje med IC in IE podaja faktor. je faktor ojačenja β mnogo večji od 1 (tipično 100).IB). zato ima faktor ojačenja α vrednost blizu 1 (okrog 0. ker veljata. izhodni pa kolektor. da je vhod na bazi.99) in je vedno manjši od 1. izhod pa na kolektorju. 73 . ki mu pravimo tokovno ojačenje: IC α= kratkostični tokovni ojačevalni faktor IE Ker tranzistor najpogosteje uporabimo tako. tudi pri tranzistorjih istega tipa.3). Faktor tokovnega ojačenja β se od tranzistorja do tranzistorja močno razlikuje. ga bomo na začetku zanemarili.

99! IB IE I C = α ⋅ I E = 0.1mA = 8.2 mA − 15mA = 0.9mA β= = = 99 I B 0. če sta IE=10mA in α=0.1mA = 8. če je tranzistor pri- ključen tako.333mA 74 .33 ⋅ 0.1mA.988 I C = β ⋅ I B = 82 . IB ter β.9mA I B = I E − I C = 10mA − 9.99 ⋅ 10mA = 9.1mA = 100 µA I C 9.33 1 − α 1 − 0.988.9mA = 0. kot kaže slika! Bazni tok IB=0.2mA! I B = I E − I C = 15. α=0.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Prvi primer IC Izračunajmo tokova IC. IB α 0.2mA IC 15mA α= = = 0.9868 I E 15.988 β= = = 82 .233mA +0.233mA I E = I C + I B = 8.2mA I 15mA β= C = = 75 I B 0.1mA Drugi primer Izračunajmo tok IB ter faktorja α in β.2mA Tretji primer IE IC Izračunajmo tokova IC in IE ter faktor β. če sta tokova IC=15mA in IE=15.

ter iz parov elektron-vrzel. 75 . ki izvirajo iz baze in kolektorja. Enačba za kolektorski tok je sedaj: I C = α ⋅ I E + I CB0 ali . ICB0 [ nA] 100 10 1 0. Ta tok je pri si- licijevem tranzistorju reda velikosti nA (nano amper) in se pri dvigu tempera- ture za 7K podvoji. se ta tok s temperaturo ali osvetlitvijo spreminja. ki nastanejo v pre- hodnem področju kolektorskega spoja. Čim višja je temperatura kolektorskega spoja. I C = β ⋅ I B + ( β + 1) ⋅ I CB0 kjer lahko drugi člen nadomestimo s kolektorskim tokom ICE0: I CE 0 = ( β + 1) ⋅ I CB0 I C = β ⋅ I B + I CE 0 Ker je kolektorski tok nasičenja ICE0 mnogo večji od toka ICB0.5. več atomov v prehodnem področju ionizira in s tem nastaja večje število prostih elektronov in vrzeli. Ker je ionizacija atomov v prehodnem področju in s tem nastajanje parov elektron-vrzel odvisna od dovedene energije. ko se spreminja zaradi dovedene energije iz okolice. je večji tudi njegov vpliv.1 Slika 4. Ta tok je sestavljen iz toka manjšinskih elektrin. ki je v primerjavi s kolektorskim tokom zelo majhen in mu pravimo tok nasičenja. Odvisnost toka 0 50 100 150 TJ [ oC ] nasičenja od temperature. BIPOLARNI TRANZISTOR V dosedanji razlagi smo zanemarili kolektorski tok manjšinskih nosilcev elektrine ICB0.

skupno bazo (slika 4.2. 76 .7.6.7 a). Način. ICE0 ICES ICB0 UCE0 UCES UCB0 Slika 4. je ena sponka tranzistorja skupna za vhod in izhod. Ker imajo ojačevalniki štiri sponke (dve za vhod in dve za izhod). Načini priključitve tranzistorja. V med priključkoma je prednapetost v zaporni smeri. IC IE a) b) IE IC c) IB IB UCE UBE UCB UCE UBE UCB Slika 4. 4. na katerega je tranzistor v vezju priključen (ali orientiran). S priključka sta kratkosklenjena. poimenujemo po skupni sponki. Različne orientacije tranzistorja Tranzistor lahko kot ojačevalnik vežemo na tri različne načine. R med obema priključkoma je upornost.7 c).b) in skupnim kolektorjem (slika 4. Tako poznamo tranzistor v orientaciji s skupnim emitorjem (slika 4.7. tranzistor pa samo tri. Primer priključitve tranzistorja za meritev preostalih tokov v tranzistorju.2.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Za označevanje vseh preostalih tokov bipolarnega tranzistorja uporabljamo dodaten indeks: 0 neimenovan priključek je odprt.

8 b).9. za koliko se spremeni kolektorski tok.8. ki nam pove. ki nadomesti delovanje zaporno priključenega kolektor- skega spoja. Nadomestno četveropolno vezje ali model tranzistorja lahko izpeljemo iz fizikalnega delovanja. Nadomestno vezje bipolarnega tranzistorja Delovanje tranzistorja si najlažje predstavimo z nadomestnim vezjem.2. 77 . ki vlada med baznim priključkom (sponko) in dejansko bazo na silicijevi ploščici.3. ki sedaj predstavlja tudi vhodno upornost tranzistorja. kjer nastopajo enostavnejši elementi. Na izhodnih priključkih pa je tokovni generator. a) IB IC b) IB IC B C B C IB rBE IB E E Slika 4. kjer je med vhodnima priključkoma dioda. ki nadomesti prevodno priključeni spoj med bazo in emitorjem. rB’E vhodna upornost emitorskega spoja. ∆U BE k⋅T U rBE = ≅β⋅ =β⋅ T ∆I B q ⋅ IE IE Pri izračunih vezij s tranzistorji velikokrat uporabljamo transkonduktanco gm. če spremenimo napetost med bazo in emitorjem: ∆I C q ⋅ IE β gm = ≅ = ∆U BE k⋅T rBE Nekoliko obširnejši model predstavlja hibridni π četveropol na sliki 4. Tokovni generator je krmiljen z vhodnim tokom IB (IC=βxIB). kjer so zajete še nekatere upornosti tranzistorja: rBB’ skupna upornost. Na sliki 4.8 a) je naj- enostavnejši model. BIPOLARNI TRANZISTOR 4. Preprosti nadomestni vezji bipolarnega tranzistorja. Pri majhnih in počasnih signalih lahko model lineariziramo in namesto diode upoštevamo diferencialno upornost rBE (slika 4.

u1 povratni vpliv izhodne napetosti na vhodu pri odprtih h12 = hr = i1 = 0 u2 vhodnih sponkah. Hibridni π četveropol.9. Četveropolni enačbi za h-parametre sta: u1 = h11 ⋅ i1 + h12 ⋅ u2 i2 = h21 ⋅ i1 + h22 ⋅ u2 Parametre izpeljemo iz enačb: u1 vhodna upornost pri kratkosklenjenih izhodnih h11 = hi = u2 = 0 i1 sponkah. i2 izhodna prevodnost pri odprtih vhodnih sponkah. ta upornost je zelo velika. ki se pojavi zaradi spremembe širine baze. h22 = ho = i1 = 0 u2 78 .ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA rB’C upornost zajema vpliv. rBB' B' rB'C B C rB'E gm u B'E rCE E Slika 4. Poglejmo si še nadomestno vezje tranzistorja s pomočjo h-četveropolnih enačb. i2 tokovno ojačenje pri kratkosklenjenih izhodnih h21 = hf = u2 = 0 i1 sponkah. ki jo ima sprememba kolektorske napetosti na širino baze. rCE upornost zajema spremembo kolektorskega toka s spremembo kolek- torske napetosti.

Vsi parametri so odvisni od nasta- vitve (delovne točke) tranzistorja. BIPOLARNI TRANZISTOR i1 h11 i2 u1 h12 u2 h21 i1 h22 u2 Slika 4. ter tiste za izmenične (dina- mične) vrednosti. Ločiti moramo parametre.10. H-četveropol. hFE). pri tranzistorjih za visoke frekvence pa pogosteje y- parametre. ki jih dobimo v katalogih proizvajalcev. 79 . ki so podani za enosmerne (statične) vrednosti – označujemo jih z velikimi indeksi (npr. Najpomembnejši je faktor tokovnega ojačenja: skupni emitor skupna baza I I statično tokovno ojačenje za hFE = C = β hFB = C = α enosmerne vrednosti toka IB IE ∆I C ∆I C dinamično tokovno ojačenje za h fe = = β AC h fb = = α AC izmenične vrednosti toka majhnih ∆I B ∆I E signalov Parametra hfe in hFE sta si zelo podobna. zato jim vrednosti določimo s pomočjo tabel. ki veljajo za majhne izmenične signale – označujemo jih z malimi indeksi (hfe). Tranzistor lahko priključimo v treh različnih orientacijah. zato si indeksi h- parametrov sledijo takole: skupni skupni skupna parameter emitor kolektor baza h11 hie hic hib h12 hre hrc hrb h21 hfe hfc hfb h22 hoe hoc hob Proizvajalci uporabljajo h četveropolne parametre za opis lastnosti tranzistorja pri nizkih frekvencah.

11. napetostno ojačenje AU.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Za enostavnejši izračun si bomo pomagali s preprostejšim nadomestnim vez- jem za majhne in počasne signale na sliki 4. Poenostavljen h- E E četveropol. vhodno upornost RVH in izhodno upornost RIZH bipolarnega tranzistorja: skupni emitor skupni kolektor skupna baza pomen hfe tokovno AI − hfe 1 + hfe − hfb = ojačenje 1 + hfe hfe ⋅ RL hie RL napetostno AU − 1− hfe ⋅ hie RVH hie ojačenje hie vhodna RVH hie ( ) hie + 1 + hfe ⋅ RL hib = 1 + hfe upornost RG + hie izhodna RIZH ∞ ∞ upornost 1 + hfe 80 . iB iC B C RG hie iB hfe RL iE Slika 4. Naslednja tabela prikazuje približke za tokovno ojačenje AI. jo lahko zanemarimo. Ker je upornost bremena RL največkrat mnogo manjša od izhodne upor- nosti 1/hoe. Ostala sta samo parametra hie in hfe.11.

IB UCE 100 UBE 0. BIPOLARNI TRANZISTOR Sedaj lahko podamo grobe ocene omenjenih veličin za vse tri orientacije tranzistorja. zato je karakteristika nekoliko odvisna tudi od izhodne napetosti UCE. skupni emitor skupni kolektor skupna baza AI velika (β) velika (β+1) majhna (α<1) AU velika majhna (<1) velika RVH srednja velika majhna RIZH srednja majhna zelo velika 4.5 1. Vhodna karakteristika bipolarnega tranzistorja. le da je tok IB mnogo manjši. Tranzistor je priključen v orientaciji s skupnim emitorjem. lahko izrazimo s pomočjo diferencialne upornosti spoja: 81 .12 prikazuje odvisnost vhodnega toka IB od priključene napetosti UBE pri konstantni izhodni napetosti UCE. Ta je odvisen od števila rekombinacij v bazi. I B [ A] 300 200 UCE = konst.0 UBE [ V] Slika 4. Karakteristika je podobna karakteristiki diode v prevodni smeri. Upornost pn spoja. ki jo čuti dovolj majhen signal.12.2. Vhodna in izhodna karakteristika bipolarnega tranzistorja Slika 4.4.

13 kaže odvisnost izhodnega toka IC od priključene napetosti UCE pri konstantnem baznem toku IB. ki jo čutimo z emitorske strani. To upornost bi morali prišteti vhodni upornosti. Zaradi spremembe napetosti UCE se kolektorski tok IC veča le v zelo majhni meri. Pri dovolj majhni napetosti med kolektorjem in emitorjem UCE kolektorski tok IC naglo upade. kar ima za posledico širšo kolektorsko zaporno plast. ko je napetost UCE manjša. kjer teče emitorski tok IE. Polje izhodnih karakteristik bipolarnega tranzistorja. je v diagramu vrisanih več karakte- ristik.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA k ⋅ T 25mV rE = ≅ e⋅ IE IE To je upornost. To se zgodi. če bi želeli imeti natančnejši izračun. vsaka velja za določeno vrednost baznega toka. Ker je tok v bazo za (hfe+1) manjši od emitorskega. kot je napetost med 82 . Temu pojavu pravimo Earlyjev efekt. je upornost za isti faktor večja: 25mV 25mV ( ) ( hie ≈ h fe + 1 ⋅ rE ≅ h fe + 1 ⋅) IE ≅ IB Pri izračunu smo izpustili upornost baze rB.13. ki jo povzroča upornost baznega priključka (sponke) in sprememba efektivne širine baze s kolektorsko nape- tostjo. Ker je kolektorski tok odvisen predvsem od baznega toka. S povečanjem napetosti UCE se poveča tudi zaporna napetost med kolektorjem in bazo. Zaradi tega privleče kolektor nekoliko več nosilcev elektrine iz baze in kolektorski tok se poveča. Polje izhodne karakteristike na sliki 4. IC [ mA ] IB =400 A IC 40 UCEsat IB =300 A 30 20 IB =200 A UCE UBE 10 IB =100 A ICE0 IB =0 5 10 15 20 UCE [ V] Slika 4.

Področje nasičenja tranzistorja. lahko napišemo: iC hfe ⋅ iB AI ≅ = = hfe iB iB 83 . ki je posledica toka nasičenja ICE0=(β+1)xICB0. Tokovno in napetostno ojačenje Tokovno ojačenje tranzistorja v orientaciji s skupnim emitorjem AI je podano kot: iIZH AI = iVH Ker je bipolarni tranzistor skoraj popoln tokovni generator.14. Ta je odvisen predvsem od dovedene energije. V polju karakteristik imenujemo to pod- ročje področje nasičenja tranzistorja. ki bi privlačila elektrine iz baze. Zato med kolektorjem in bazo ni več zaporne napetosti. BIPOLARNI TRANZISTOR bazo in emitorjem UBE (UCE=UBE+UCB).5. IC [ mA ] IB =400 A 40 UCEsat 30 IB =300 A področje nasičenja 20 IB =200 A 10 IB =100 A IB =0 2 4 6 8 UCE [ V] Slika 4. temveč postane celo prevodna. 4. V izhodni karakteristiki ugotovimo tudi. Napetosti UCE. pri kateri začne kolektorski tok strmo upadati. pravimo napetost nasičenja UCEsat.2. da pri vhodnem toku IB=0 teče na izhodu le majhen tok.

Napetostno ojačenje AU je podano kot: uIZH AU = uVH Iz četveropola pa dobimo za vhodno in izhodno napetost: uVH = hie ⋅ iB u IZH = − RL ⋅ ic = − RL ⋅ h fe ⋅ iB Negativen predznak pomeni. Ko na izhod tranzistorja priključimo ohmski upor RC kot v vezju na sliki 4.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Napetostno ojačenje lahko izpeljemo s pomočjo poenostavljenega nadomes- tnega vezja na sliki 4.2. Ko vstavimo gornji rezultat v enačbo za napetostno ojačenje.6.15. torej od frekvence neodvisna. rele in podobno. sestavljena iz frekvenčno odvisnih elementov. da je izhodna napetost v protifazi z vhodno. ali kompleksnejša. Breme. dobimo: RL ⋅ h fe ⋅ iB RL ⋅ h fe AU = − =− hie ⋅ iB hie Povezava med hfe in hie je pri dovolj velikem hfe: hie ≈ hfe ⋅ rE Zato se končna (poenostavljena) enačba za napetostno ojačenje glasi: RL AU = − rE 4. Bremena so lahko ohm- ska. delovna premica in delovna točka Na izhod tranzistorja priključujemo breme. To je lahko navaden ohmski upor. ki je sedaj odvisna od kolektorskega upora RC: 84 .11. vhod naslednje ojačevalne stopnje. kolektorski tok tranzistorja ustvari na njem padec napetosti: U RC = I C ⋅ RC V izhodni karakteristiki tranzistorja lahko prikažemo odvisnost kolektorskega toka IC od napetosti med kolektorjem in emitorjem UCE.

da si izberemo točki. Delovno premico narišemo tako.15. BIPOLARNI TRANZISTOR U CE = U CC − U RC = U CC − I C ⋅ RC U U I C = CC − CE RC RC Če zadnjo enačbo prikažemo v izhodni karakteristiki. če je IB=100µA! Napajalna napetost znaša UCC=12V. Kaže nam povezavo med kolektorskim tokom IC in napetostjo med kolektorjem in emitorjem UCE. kolektorski upor pa RC=400Ω. Če poznamo bazni tok IB. IC [ mA ] IC IB =400 A 40 RC URE 30 IB =300 A 500 UCC 20V 20 IB =200 A UCE UBE 10 IB =100 A 5 10 15 20 UCE [ V] Slika 4. 85 . v katerih seka abscisno in ordinatno os: pogoj izračun točke IC=0 UCE=UCC UCE=0 IC=UCC/RC Primer V izhodno karakteristiko na sliki vrišimo delovno premico ter z njeno pomočjo določimo napetost UCE. dobimo premico. lahko s pomočjo kolektorskega toka IC=βxIB poiščemo napetost UCE. Ohmsko breme in enosmerna delovna premica. ki ji pravimo enosmerna delovna premica.

Različni nagibi delovne premice za različne 5 10 15 20 UCE [ V] upornosti bremena. ko tranzistor »miruje«. Ker se delovna točka s spremembo temperature premika po delovni premici. IC [ mA ] 40 IB =400 A 30 IB =300 A 500 20 IB =200 A 1K 10 IB =100 A 2K Slika 4. ko na tranzistor ni priključen nikakršen vhodni signal. 10 IB =100 A da krivulja odvisnosti IC od UCE pri baznem toku IB=100µA seka delovno 3 6 8 9 12 UCE [ V ] premico v točki »D«. Napetost v dani točki pa znaša UCE=8V. Če spreminjamo upornost bremena. Skupna je le točka na abscisi. Točka nam podaja velikost kolektorskega toka IC in napetosti med kolektorjem in emitorjem UCE. ki določa razmere. Delovna točka je tista točka na delovni premici. potem se v karakteristiki spremeni tudi nagib delovne premice. jo moramo stabilizirati z ustreznim vezjem. na ordinati pa točko pri: 40 IB =400 A U CC 12 V IC = = = 30mA 30 40 IB =300 A RC 400Ω 0 20 IB =200 A Sedaj lahko povežemo obe točki s D premico.16. V polju karakteristik vidimo.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Na abscisi označimo točko pri UCE= IC [ mA ] UCC=12V. Ko breme vsebuje tudi kapacitivnosti in induktivnosti. Prav tako se 86 . se delovna premica spremeni v krivuljo. Oblika krivulje je sedaj odvisna tudi od frekvence signala.

17 je oblika kolektorskega toka. bo ko- lektorski tok tekel le takrat. ko na vhod ni priključen nikakršen signal. priključeno na izhodni sponki tranzistorja.3. BIPOLARNI TRANZISTOR premakne. V takem primeru moramo s pomočjo uporov nastaviti 87 . Delovna točka je točka na delovni premici.17. kajti tudi tranzistorji istega tipa se med seboj razlikujejo.8V. NASTAVITEV DELOVNE TOČKE Ko na vhod tranzistorja priključimo generator izmeničnega signala. da bi stekel kolektorski tok.5 do 0. 4. ki podaja vrednost toka in napetosti na tranzistorju. Ohmsko breme. narišemo v polju izhodnih karakteristik kot premico. IC kolektorski tok IC RC UCC UBE UBE t vhodna napetost Slika 4. Več o delovni točki bomo spoznali v naslednjih razdel- kih. ki znaša pri siliciju od 0. ko je na vhod priključen izmenični generator. vzbujen z generatorjem izmenične napetosti. Zelo majhne spremembe na- petosti na vhodu niso dovolj. Oblika izhodnega signala je torej popačena. Tranzistor. ko v vezju zamenjamo tranzistor. Na sliki 4. saj signal ne preseže potencialnega praga. ko bo napetost med bazo in emitorjem prevodna in višja od potencialnega praga pn spoja.

ki je določeno z nape- tostjo UCEsat (slika 4. Nižanje baznega toka bi povsem zaprlo tranzistor (slika 4.18. da bo spoj baza-emitor vedno prevoden in tudi majhne spremembe vhodnega signala bodo povzročile nihanje vhodnega (baznega) toka in s tem nihanje izhodnega (kolektorskega) toka.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA delovno točko tranzistorja: enosmeren vhodni tok bo povzročil. 88 . IC IC [ mA ] 1K 12 1K =100 IB 90 A 9 12V UVH 60 A 6 30 A 3 IB [ A ] 90 60 30 3 6 9 12 UCE [ V] UVH UIZH UBE Slika 4. Podobno bi previsoka nastavitev delovne točke povzročila. Prenizka nastavitev delovne točke bi povzročila predčasno popačenje izhod- nega signala. bomo pri dovolj veliki napajalni napetosti (UCC>>UCEsat) nastavili delovno točko kar na sredino delovne premice UCE=UCC/2. da bi napetost med kolektorjem in emitorjem zašla v področje nasičenja. da bo signal na izhodu čim manj popačen. Oblika izhodnega signala ojačevalnika s tranzistorjem. če je delovna točka nastavljena na sredino delovne premice. Če želimo. Nastavitev delovne točke je odvisna predvsem od tipa ojačevalnika.19 a).19 b).

ko na vhodu ni signala. da bo tranzistor primerno odprt. Delovno točko tranzistorja nastavimo z ustreznimi vezji. BIPOLARNI TRANZISTOR IC IC D D UCE UCE a) b) Slika 4. Če predpostavimo.7 V RB = = = IB IB IB RC URE RB IC IB UCC UCE Slika 4. Nastavitev delovne točke z uporom na bazi Delovno točko najenostavneje nastavimo z baznim uporom RB.20. 4.19. da je napetost kolena silicijevega tranzistorja UBE=0. Nastavitev delovne UBE točke z baznim uporom.3. Elemente vezja izbe- remo tako. Sedaj steče skozi upor RB bazni tok IB. Prenizka a) in previsoka b) nastavitev delovne točke.1.7V. 89 . ki povzroči kolektorski tok IC. potem se enačba za upor RB glasi: U RB U CC − U BE U CC − 0.

7V tranzistor.2. da je prečni tok IP skozi upora mnogo večji od baznega toka IP>IB. Pri istem baznem toku IB. ki je odvisen od velikosti upora RB.7 V RB = CC = = 565kΩ IB 20 µA 4. ugotovimo. ki teče skozi 0. Nekoliko boljšo nastavitev delovne točke lahko dosežemo z delilnikom napetosti na sliki 4.20 zamenjamo tranzistor. da imajo celo tranzistorji istega tipa različen tokovni ojačevalni faktor β.7 V 12 V − 0. se zato spremeni kolektorski tok IC in položaj delovne točke. IC IB 6V UCC 12V Najprej izračunajmo kolektorski tok.21. Napetost med bazo in emitorjem ostane tako pri različnih vrednostih baznega toka enaka. Izbrana sta tako. ko je delovna točka na sredini delovne premice: U CC U CE = = 6V 2 U U − U CE 6V I C = RC = CC = = 2 mA RC RC 3kΩ S pomočjo kolektorskega toka IC dobimo bazni tok IB in upornost upora RB: IC 2 mA IB = == 20 µA β 100 U − 0. Kolektorski upor RC=3kΩ. Delilnik napetosti predstavljata upora RB1 in RB2. napa- RB 3K jalna napetost UCC=12V ter β=100. Nastavitev delovne točke z delilnikom napetosti Ko v vezju na sliki 4.3. Sedaj sprememba baznega toka ne vpliva v tolikšni meri na razporeditev padcev napetosti na uporih. 90 .ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Primer Pri danem vezju nastavimo delovno točko na sredino RC delovne premice.

prečni tok IP naj bo 10- IC krat večji od baznega. Nastavitev delovne točke z delilnikom napetosti.25mA RC 2kΩ IC 2. ki naj bo 10-krat večji od baznega: I P = 10 ⋅ I B = 10 ⋅ 22 .7 V R B2 = = = 3.5 µA β 100 Nato izračunamo prečni tok IP.5 V I C = RC = = 2. IB 6V UCC 9V IP RB2 Najprej izračunamo bazni tok IB.1kΩ IP 225 µA 91 . skozi katerega teče tok IP. da bo RC delovna točka tranzistorja na sredi delovne premice! RB1 2K RC=2kΩ.5 µA = 225 µA Izračunajmo upor RB2. UCC=9V.5 V 2 U 4. Primer Izračunajmo vrednost upora RB1 in RB2. BIPOLARNI TRANZISTOR RB1 RC IB UCC IP UBE UCE RB2 Slika 4.25mA IB = = = 22. β=100.21. ko je delovna točka na sredi delovne premice: U CC U CE = = 4. padec napetosti pa je enak prevodni napetosti med bazo in emitorjem URB1=UBE: U BE 0.

7 V RB1 = = CC = = 33.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Tok skozi upor RB1 je enak vsoti prečnega in baznega toka IP+IB. Posledica je manjši bazni tok IB in s tem manjši kolektorski tok IC. Istočasno se poveča tudi tok skozi emitorski upor RE. 92 . Z večanjem temperature se veča tudi tok nasičenja ICE0 in delovna točka se premakne navzgor po delovni premici. Premik delovne točke preprečujemo z vezji. ki stabilizirajo delovno točko. se zaradi povečanja padca napetosti na emitorskem uporu URE zmanjša padec napetosti med bazo in emitorjem tranzistorja UBE. proti področju nasičenja. Ker je vhodna napetost UBM ostala nespremenjena.5 µA 4.1. razlog za to pa je segrevanje tranzistorja. Spomnimo se na nekatere enačbe: U BM = U BE + U RE = U BE + I E ⋅ RE seštevek padcev napetosti v zanki I C = hfe ⋅ I B + I CE 0 kolektorski tok I E = IC + I B emitorski tok Zaradi povečanja temperature tranzistorja se poveča tok nasičenja ICE0. 4.4.5kΩ IP + IB IP + IB 225 µA +22.4. Nekaj si jih bomo ogledali v tem poglavju. padec napetosti pa dobimo s pomočjo drugega Kirchhoffovega zakona: U CC = U RB1 + U RB2 = U RB1 + U BE Tako dobimo upornost upora RB1: U RB1 U − U BE 9 V − 0. se vhod- na napetost UBM porazdeli na padec napetosti na tranzistorju UBE in na emitorskem uporu URE. ki poveča kolektorski tok IC in pomakne delovno točko navzgor. To povzroči večji padec napetosti na emitorskem uporu URE.). 22. STABILIZACIJA DELOVNE TOČKE Položaj delovne točke lahko med obratovanjem drsi po delovni premici. Stabilizacija delovne točke z emitorskim uporom Ko na emitor tranzistorja priključimo emitorski upor RE (slika 4.

je poenostavljeno. ki je enaka seštevku prevodne napetosti na tranzistorju UBE (za silicijev tranzistor okrog 0. zato bodo tudi rešitve približne. da nimamo na razpolago h-parametrov. ( uVH iB ⋅ hie + iE ⋅ RE iB ⋅ hie + iB ⋅ h fe + 1 ⋅ RE ) RVH = iB = iB = iB ( = hie + hfe + 1 ⋅ RE ) RIZH = ∞ iC AI = = hfe iB u IZH − iC ⋅ RL − h fe ⋅ RL AU = = = uVH ( ) ( ) iB ⋅ hie + iB ⋅ 1 + h fe ⋅ RE hie + 1 + h fe ⋅ RE V primeru.22. Med bazo in maso UBM ustvari napetost.22 je delilnik napetosti sestavljen iz uporov RB1 in RB2. BIPOLARNI TRANZISTOR iB iC RC RB1 hie iB hfe RB2 RB1 iE RC RL RL UCC RB2 UBM RE RE Slika 4.22) izpeljimo karakteristične veličine vezja. Stabilizacija delovne točke z emitorskim uporom ter nadomestno vezje. V vezju s slike 4. Učinkovitost stabilizacije je odvisna od velikosti emi- torskega upora.7V) ter padca napetosti na emitorskem uporu URE. si lahko pomagamo z diferencialno upornostjo rE: RVH ≈ β ⋅ ( rE + RE ) RL AU ≈ − rE + RE 93 . ki ga uporabljamo pri izračunu. Nadomestno vezje. Iz nadomestnega vezja tranzistorja z emitorskim uporom (slika 4.

1 ⋅ U CC = 0.2V rE rE RE Najprej izračunajmo vrednosti za prvo vezje: U CC − U CE 12 V − 6 V RC = = = 1.2V UCC 12V 12V 1. b) z uporom RE! Naj bo padec napetosti na emitorskem uporu enak desetini napajalne napetosti (IC=5mA. Obe veličini si bomo ogledali v naslednjem primeru in sicer v vezju z emitorskim uporom ali brez njega. β=120). Primer Izračunajmo vhodno upornost RVH ter napetostno ojačenje AU ojačevalnika na sliki: a) brez upora RE. RC RC 6V UCC 7.2 kΩ IC 5mA 25mV 25mV rE = ≅ = 5Ω IE IC RVH = β ⋅ rE = 120 ⋅ 5Ω = 600Ω RC 1. UCC=12V.2 kΩ AU = − =− = − 240 rE 5Ω Nato še za drugo vezje: U RE = 0.2 V Padec napetosti na kolektorskem uporu URC je sedaj manjši za padec napetosti na emitorskem uporu URE 94 .ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Emitorski upor poveča vhodno upornost ter zmanjša napetostno ojačenje.1 ⋅ 12 V = 1.

vendar se je napetostno ojačenje znižalo iz 240 na 3.2 V RC = = = 960Ω IC 5mA U RE U RE 1. 95 . Sveda mora biti kapacitivnost konden- zatorja CE za dano delovno frekvenco primerno izbrana (velika) – v tem primeru lahko v zgornjih enačbah za vhodno upornost in ojačenje zanemarimo upornost RE. Priključitev emitor- skega kondenzatorja. Prav zaradi tega vežemo vzporedno z emitorskim uporom še kondenzator CE. BIPOLARNI TRANZISTOR U CC − U CE − U RE 12 V − 6 V − 1.6 µA 25mV 25mV rE = ≅ = 5Ω IE IC RVH = β ⋅ ( rE + RE ) = 120 ⋅ 243Ω = 29kΩ RC 960Ω AU = − =− = − 3.95 rE + RE 243Ω Iz primera vidimo. RB1 RC UCC RB2 RE CE Slika 4. da se je vhodna upornost povečala iz 600Ω na 29kΩ. zato dejansko izmenični signali upora RE ne čutijo.23. Le-ta zniža skupno impedanco (za izmenične signale) med emitorjem in maso.95.2 V RE = = = = 238Ω IE I C + I B 5mA +41.

1 ⋅ U CC = 0.4.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Primer Izračunajmo vrednosti uporov v vezju ojačevalnika tako. da bo delovna točka pri toku IC=4mA na sredini delovne premice! (UCC=16V.2. Njena naloga je.6 V RB1 = = = 31kΩ IP + IB 400 µA + 40 µA U BE + U RE 0.6 V RC = = = 1.24 je zaporedno z uporom RB2 vezana dioda.6 V RE = = = = 396Ω IE I C + I B 4mA + 40 µA I P = 10 ⋅ I B = 10 ⋅ 40 µA = 400 µA U CC − U BE − U RE 16 V − 0. β=100) RB1 RC UCC 16V RB2 RE CE U RE = 0. Zaradi tega je stabilizacija delovne točke dovolj dobra kljub nihanju napajalne napetosti. Stabilizacija delovne točke z diodo Na sliki 4.7 V − 1. da pri morebitni spremembi napajalne napetosti UCC obdrži čim bolj konstantno napetost med bazo tranzistorja in maso.1 ⋅ 16 V = 1.75kΩ IP 400 µA 4.6kΩ IC 4mA U RE U RE 1. 96 .6 V R B2 = = = 5.7 V + 1.6 V U CC − U CE − U RE 16 V − 8 V − 1.

97 .24. 4.4. Stabilizacija delovne točke z napetostno povratno zanko Ker povratnih zank še nismo obravnavali.25. Padec napetosti na tem uporu je enak URB=UCE-UBE. Stabilizacija delovne točke z diodo. Preko baznega upora RB teče tok IB v bazo tranzistorja. BIPOLARNI TRANZISTOR RB1 RC UCC RB2 RE CE Slika 4. se poveča tudi kolektorski tok skozi kolektorski upor RC. preko katerega se signal iz izhoda vrača nazaj na vhod (slika 4. Vezje z nape- tostno povratno zanko. Zaradi tega naraste padec napetosti na uporu RC in napetost UCE na tranzistorju pade. To povzroči zmanjšanje baznega toka in posledično tudi kolektorskega toka. bomo vezje opisali le s stališča stabilizacije delovne točke.3. zato je bazni tok: U RB U CE − U BE IB = = RB RB Ko se zaradi temperature poveča tok nasičenja ICE0.25). RC RB UCC UCE IB Slika 4. Povratno zanko v vezju predstavlja bazni upor RB.

Pri dovolj majhnem signalu ne- linearnosti tranzistorja lineariziramo. Delovna točka je stabilizirana z emitorskim uporom RE. uporabiljamo lahko diferencialne upor- nosti. Ker so delovne frekvence dovolj nizke. a) b) iB iC RC RB1 hie iB hfe RC RL RB2 RB1 UCC iE RL RB2 RE CE Slika 4. Kondenzatorja C1 in C2 preprečita odtok enosmernega baznega in kolektor- skega toka skozi generator in breme. Kapacitivnosti kondenzatorjev lahko za območje delov- nih frekvenc zanemarimo.1. ki so vezani na pozitivni pol napajalnega vira. Vezje ojačevalnika in nadomestno vezje. zato vse upore. 4. kondenzator CE pa služi za znižanje impedance med emitorjem in maso.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 4. OJAČEVALNIKI PRI NIZKIH FREKVENCAH Bipolarni tranzistor se najpogosteje uporablja za ojačenje signalov. Napetostni vir ima notranjo upornost 0. Na začetku si bomo ogledali ojačevalnike majhnih in počasnih signalov. v nadomestnem vezju vežemo na maso. 98 . Na izhodu ojačevalnika je priključeno breme RL. Tranzistor v orientaciji s skupnim emitorjem Vezje na sliki 4. parazitne kapacitivnosti elemen- tov in fazni zasuki še ne pridejo do izraza.26. Na sliki 4.26 b) je nadomestno vezje za male signale. kjer bomo lahko v izračunih uvedli določene poenostavitve. ki je vezan v orientaciji s skupnim emitorjem.5. Uporabili smo poeno- stavljen h-četveropol.26 a) je ojačevalnik s tranzistorjem.5.

da seštejemo napetosti v zaključenih tokokrogih s pomočjo drugega Kirchhoffovega zakona: U CC = U RC + U CE + U RE = I C ⋅ RC + U CE + I E ⋅ RE U CC = U RB1 + U RB2 = ( I P + I B ) ⋅ RB1 + I P ⋅ RB2 U RB2 = U BE + U RE = 0.4kΩ IP + IB 500 µA + 50 µA Z uporabo nadomestnega vezja bomo izračunali vhodno in izhodno upornost ter tokovno in napetostno ojačenje ojačevalnika. Padce napetosti na uporih dobimo tako. Ostali podatki ojačevalnika so: UCC=12V.7 V + 1.4 kΩ + 3.2 V RE = = = 238Ω IE 5. BIPOLARNI TRANZISTOR Najprej izračunajmo upore RC.05mA U CC − U CE − U RE 12 V − 6 V − 1. ki so med seboj vezani vzporedno. hfe=100.2 V RC = = = 960Ω IC 5mA U RE 1.2 V RB2 = = = 3.7 V + I E ⋅ RE Delovna točka naj bo na sredini delovne premice. zato bo UCE=UCC/2. IP=10xIB ter upornost bremena RL=1kΩ. Zato je vhodna upornost (dvojna vzporedna črta pomeni. Vhodna upornost ojačevalnika zajema upora RB1 in RB2 ter vhodno upornost tranzistorja hie. hie=1kΩ. RE. URE=0.05mA U BE + U RE 0. RB1 in RB2.1xUCC.8kΩ IP 500 µA U CC − U RB2 12 V − 1. IC=5mA. S pomočjo zančnih enačb izračunamo upore: I C 5mA IB = = = 50 µA hfe 100 I E = I C + I B = 5mA + 50 µA = 5.9 V RB1 = = = 18. da računamo upornost po vzporedni vezavi): uVH 1 RVH = = R B1 R B 2 hie = = 759Ω iVH 18.8kΩ -1 + 1kΩ -1 -1 99 .

da upoštevamo vhodni tok na vhodnem priključku ojačevalnika.2. Na izhodu bremenita tranzistor dve upornosti. Vhodni tok se razdeli na tok skozi upora RB1 in RB2 ter tok skozi vhodno upornost tranzistorja hie.27. za izhodni tok pa tok skozi breme. emitter follower). Takemu ojačevalniku pravimo tudi emitorski sledilnik (angl. RC in RL. Napetostno ojačenje smo predhodno že izpeljali. iB iE UCC UVH UIZH Slika 4. Tranzistor v orientaciji s skupnim kolektorjem Breme je priključeno na emitorju tranzistorja.5. ki sta med seboj vezani vzporedno v RL’. zato je po nadomestnem vezju: uIZH RIZH = ≈ RC = 960Ω iIZH Tokovno ojačenje (če zanemarimo hoe) je približno: iIZH AI = ≈ hfe = 100 iVH Tokovno ojačenje celotnega ojačevalnika dobimo tako. Vezje tranzistorja RL v orientaciji s skupnim ko- lektorjem.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Pri računanju izhodne upornosti vezja upoštevamo. vhod pa je med bazo in kolek- torjem (če iz slike to ni takoj vidno. Tako je uVH=iBxhie in uIZH=iCxRL’: u IZH h fe ⋅ iB ⋅ RL ' h fe ⋅ RL ' h fe ⋅ RC RL 100 ⋅ 960Ω 1kΩ AU = =− =− =− =− = − 49 uVH iB ⋅ hie hie hie 1kΩ 4. 100 . da pri izmeničnih signalih baterijo nadomestimo s kratkim spojem!). Kolektorski tok na izhodu pa se deli na tok skozi upor RC in skozi breme RL. se spomnite. da je izhodna upornost tranzistorja (1/hoe) zelo velika v primerjavi z upornostjo kolektorskega upora RC.

Na sliki 4. hie=100Ω. S pomočjo zančnih enačb dobimo padce napetosti na uporih: U CC = U CE + U RE = U CC + I E ⋅ RL U CC = U RB1 + U RB2 = ( I P + I B ) ⋅ RB1 + I P ⋅ RB2 U RB2 = U BE + U RE = 0. kjer imajo bremena majhno upornost (zvočnik. rele in podobno). Naraščanje vhodne napetosti povzroči naraščanje izhodne napetosti (pri orientaciji s skupnim emitorjem je naraščanje vhodne napetosti povzročilo padanje izhodne napetosti). Ker je breme na emitorju.28. a) b) iB iE RB1 hie iB hfe RL RB2 RB1 UCC iC RB2 RL Slika 4. da je vhodna upornost velika. tudi če ima breme majhno upornost (hie je pri običajnih tranzistorjih okrog 1kΩ) Emitorski sledilnik zato uporabljamo povsod tam.7 V + I E ⋅ RL Emitorski tok izračunamo s pomočjo upornosti emitorskega upora RL: 101 . ker je napetostno ojačenje takega ojačevalnika približno 1 (oz. Vezje ojačevalnika in nadomestno vezje. se enačba za vhodno upornost glasi: ( RVH = hie + hfe + 1 ⋅ RL) Iz enačbe sledi. nekoliko manjše) in torej izhodna napetost sledi vhodni.27 a) je ojačevalnik s podatki: UCC=12V. RL=100Ω. hfe=80 in IP=10xIB. BIPOLARNI TRANZISTOR Ime emitorski sledilnik je to vezje dobilo zato.

9Ω 81 Tokovno ojačenje je za tranzistor podano kot: iIZH iE AI = ≈ = h fe + 1 = 81 iVH iB Če želimo izračunati tokovno ojačenje celotnega ojačevalnika.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA U CC − U CE 12 V − 6V IE = = = 60mA RL 100Ω IE 60mA IB = = = 741µA hfe + 1 80 +1 Upora RB1 in RB2 pa izračunamo s pomočjo zančnih enačb: U BE + U RE 0. upoštevamo vhodni tok na vhodnem priključku ojačevalnika. Tok se nato razdeli na upora RB1 in RB2 ter na vhodno upornost tranzistorja rVH. Najprej izračunajmo vhodno upornost tranzistorja rVH. 102 .2 kΩ Pri skupni vhodni upornosti upoštevajmo sedaj še upora RB1 ter RB2 : uVH 1 RVH = = RB1 RB2 rVH = = 361Ω iVH 650Ω + 904Ω −1 + 8.7 V + 6 V RB2 = = = 904Ω IP 7.2 kΩ -1 − 1 Izhodno upornost izračunamo iz nadomestnega vezja: RIZH = = ( uIZH iB ⋅ hie + RB1 RB2 = ) hie + RB1 RB2 = iIZH iE hfe + 1 100Ω + 650Ω 904Ω = = 5.41mA U CC − U RB1 12 V − 6. ki znaša: ( ) rVH = hie + h fe + 1 ⋅ RL = 100Ω + (80 + 1) ⋅ 100Ω = 8.7V RB1 = = = 650Ω IP + IB 7.41mA + 741µA Vhodna upornost je enaka vzporedni vezavi uporov RB1 in RB2 ter vhodne upornosti tranzistorja.

hie=1kΩ. kar je zelo blizu vrednosti 1. IC=5mA.30 je vezje ojačevalnika s tranzistorjem v orientaciji s skupno bazo.3. IP=10xIB. URE=0. upora RB1 in RB2 pa služita za stabilizacijo delovne točke tranzistorja.5. Ojačevalnik ima podatke UCC=12V. Značilnost tega ojačevalnika je majhna vhodna upornost. Vezje tranzistorja v orientaciji s skupno bazo.4kΩ in RB2=3. 4. da je bazni priključek za signal sklenjen na maso.1xUCC ter RL=1kΩ. Poleg tega je kapacitivnost kolektorskega spoja. ko nanj priključujemo generatorje z majhno notranjo upornostjo. 103 . ki pri tranzistorju v orientaciji s skupnim emitorjem vrača signal iz izhoda nazaj na vhod ter slabi ojačenje pri višjih frekvencah. kot je npr. izhod pa med kolektorjem in bazo. BIPOLARNI TRANZISTOR Napetostno ojačenje izpeljemo iz razmerja izhodne in vhodne napetosti: AU = uIZH iE ⋅ RL = = ( ) hfe + 1 ⋅ RL = ( ) hfe + 1 ⋅ RL ≈1 uVH iB ⋅ rVH rVH ( ) hie + hfe + 1 ⋅ RL Če bi gornji izraz natančno izračunali. Na sliki 4. Tranzistor v orientaciji s skupno bazo Vhod ojačevalnika je med emitorjem in bazo. Upornosti uporov za nastavitev in stabilizacijo delovne točke izračunamo enako kot pri ojačevalniku s skupnim emitorjem: RC=960Ω.9878. RE=238Ω. Kondenzator CB služi zato. iE iC UVH UIZH RL Slika 4. hfe=100. sedaj sklenjena na maso. bi dobili AU=0. RB1=18.29. ki je primerna. antena.8kΩ.

9Ω iVH iE ( iB ⋅ h fe + 1 ) h fe + 1 100 + 1 Tako je celotna vhodna upornost vezja: RVH = 238Ω 9. 104 . Upornost tranzistorja 1/hob je namreč zelo velika in zato zanemarljiva. Vezje ojačevalnika in nadomestno vezje. Izhodni tok je tok.30.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA a) b) iE iC RC hie iB hfe RB1 RE RC RL UCC iB RE RL CB RB2 Slika 4. Vhodni tok se deli na tok skozi emitorski upor RE in emitorski tok iE. Ta je: uVH iB ⋅ hie iB ⋅ hie hie 1kΩ rVH = = = = = = 9. ki teče skozi breme RL.99 iVH iE h fe + 1 Enako kot v predhodnih primerih izračunamo celotno tokovno ojačenje tako. RIZH ≈ RC = 960Ω Tokovno ojačenje tranzistorja je definirano kot: iIZH iC h fe AI = ≈ = = 0. Vhodna upornost je s pomočjo nadomestnega vezja: RVH = RE rVH .9Ω = 9.5Ω Izhodna upornost je iz nadomestnega vezja enaka kar upornosti kolektorskega upora. da upoštevamo še ostale upornosti v vezju. kjer je rVH vhodna upornost tranzistorja v orientaciji s skupno bazo. medtem ko kolektorski tok teče skozi upor RC in breme RL.

Vendar bi v tem primeru morali uporabiti h-parametre za orientacijo s skupno bazo (npr. Prebojna dioda. ki pa je konstantna. tranzistor in breme tvorijo zaključeno zanko.31 je uporabljen kot emitorski sledilnik (angl. 105 . Skozi breme bi stekel večji tok in padec napetosti na njem bi narastel. hib). ki smo jih opravili za tranzistor v orientaciji s skupnim emitorjem. za katero lahko napišemo: U Z = U BE + U RL To pomeni. Če bi se padec napetosti na bremenu na primer znižal (zaradi manjše upornosti bremena).30) kot razmerje med izhodno in vhodno napetostjo na ojačevalniku. saj jih lahko preračunamo iz parametrov za skupni emitor. Napetostni sledilnik Tranzistor na sliki 4. 4. da je padec napetosti na bremenu URL odvisen le od napetosti na prebojni diodi. kot če bi uporabili samo prebojno diodo. bi za vhodno napetost napisali uVH=iExhib.31.4. bi to povzročilo zvišanje napetosti med bazo in emitorjem tranzistorja UBE. zato je tranzistor v orientaciji s skupnim kolektorjem. ki pa jih proizvajalci običajno ne podajajo. u IZH i ⋅R R h fe 100 AU = =− C C L =− ⋅ RC RL = − ⋅ 960Ω 1kΩ = − 49 uVH iB ⋅ hie hie 1kΩ Če bi se zgledovali po izračunih. Breme je priključeno na emitor. BIPOLARNI TRANZISTOR Napetostno ojačenje poiščemo iz nadomestnega vezja (slika 4. emitter follower). RB UBE IE UCC UZ URL RL Slika 4. Še enostavneje pa je – kot smo naredili v našem primeru – uporabiti nadomestno vezje s h-parametri za orientacijo s skupnim emitorjem. Vezje napetost- nega sledilnika.5. Zaradi tega bi se povečal bazni tok IB in kolektorski tok IC. Taka vezava omogoča boljšo regulacijo napetosti.

Kot bomo videli iz delovanja. Naj bo najmanjši tok diode IZ=5mA. To je v primeru. To je tedaj. ko je bazni tok tranzistorja največji: IC IL 100mA IB = ≅ = = 1mA β β 100 Sedaj lahko izračunamo upornost baznega upora. ki je predpisan.7 V RB = = = 550Ω IB + IZ 1mA + 5mA Največ električne moči potroši dioda tedaj. Tako ima ojačevalnik dva para vhodnih priključkov ter dva para izhodnih priključkov. Diferencialni ojačevalnik Diferencialni ojačevalnik je sestavljen iz dveh nasproti ležečih tranzistorjev. največji tok pa IL=100mA! Za kolikšno napetost mora biti izdelana prebojna dioda in kolikšna je njena največja izgubna moč? (UCC=16V.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Primer Izračunajmo upornost baznega upora RB na sliki 4. ko je bazni tok nič.7 V ⋅ 6mA = 76. ki je vezan na vir napetosti UEE: 106 . Zato je največja izgubna moč diode: PZ = U Z ⋅ I Z = 12. ko je tok skozi njo največji.31 tako. da bo padec napetosti na bremenu URL=12V.5.5. β=100) Napetost prebojne diode mora biti: U Z = U BE + U RL = 0.7 V Tok skozi prebojno diodo ne sme biti nikoli nižji od toka.7 V + 12 V = 12. skozi katerega tečeta oba tokova: U CC − U Z 16 V − 12. tak ojačevalnik ojača le razliko napetosti na obeh vhodih. V vezju na sliki 4.2mW 4.32 sta oba emitorja tranzistorjev vezana skupaj. Vhodni napetosti se porazdelita na padec napetosti med bazo in emitor tranzistorja ter emitorski upor. da se dioda še nahaja v področju preboja.

kot se je prvi odprl. ki je po obliki enak razliki obeh vhodnih signalov. Če sta vhodni napetosti enaki. 107 . To protitaktno delovanje nam omogoči dvoje: • na izhodu prvega tranzistorja dobimo signal v protifazi. Prav tako se poveča emitorski tok IE1 tega tranzistorja. Zaradi tega se prvi tranzistor dodatno odpre in kolektorski tok IC1 se poveča.32. Padec napetosti na emitorskem uporu je za obe vhodni napetosti enak. BIPOLARNI TRANZISTOR UVH 1 = U BE1 + U RE − U EE UVH 2 = U BE 2 + U RE − U EE UCC RC1 RC2 T1 UIZH1 UIZH2 T2 UVH1 UVH2 IE1 IE2 RE UEE Slika 4. medtem ko na izhodu drugega dobimo signal v sofazi z vhodnim (1). Kaj pa se dogaja z drugim tranzistorjem? Ker se vhodna napetost UVH2 ni spremenila. ki povzroči. da se padec napetosti na emitorskem uporu URE poveča. Denimo. dobimo na izhodu ojačevalnika signal. zapre. da vhodna napetost UVH1 na prvem tranzistorju naraste. povečanje padca napetosti na emitorskem uporu URE povzroči znižanje padca napetosti med emitorjem in bazo drugega tranzistorja UBE2. • ko dovedemo na oba vhoda različna signala. Vezje diferencialnega ojačevalnika. da sta enaka) enako odprta. Drugi tranzistor se zaradi tega za isto mero. potem sta tranzistorja (pod pogojem.

čim večji je emitorski upor. AUP CMRR = AUS Največkrat je podan v decibelih: AUP CMRR = 20 ⋅ log [dB] AUS Iz enačb je razvidno. sta enaka iE1=-iE2=(uVH1-uVH2)/2xrE. Pri dovolj velikem emitorskem uporu povzroči ojačevalnik prej slabljenje kot ojačenje. da je rejekcijski faktor tem boljši. 2 ⋅ rE kar pomeni. common-mode rejection ratio). Ko sta na obeh vhodih signala v sofazi. Ker ojačevalnik slabi sofazne signale. Ocena učinkovitosti diferencialnega ojačevalnika je rejekcijski faktor (angl. Na sliki 4. ko sta oba vhodna signala v protifazi. če v vezju na sliki 4.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Oglejmo si. Delovanje izboljšamo.32 emitorski upor nadomes- timo s tokovnim generatorjem. potem slabi tudi sočasno spremembo delovnih razmer obeh tranzistorjev s temperaturo. je ojačanje posameznega tranzistorja: RC AUS = 2 ⋅ RE Tok skozi emitorski upor je dvakrat večji od kolektorskega toka posameznega tranzistorja. Ta poskrbi. kako ojačevalnik ojača sofazne in protifazne signale. ki tečeta skozi emitorja tranzistorjev. Tokova. Sedaj si oglejmo enačbo za napetostno ojačenje. Tako dobimo: RC AUP = . da diferencialni ojačevalnik zelo dobro ojača protifazne signale. Zaradi tega sta tranzistorja pogosto pritrjena skupaj. ki služita kot tokovni generator. eden ob drugega.33 sta prikazani vezji. 108 . Ta je določen kot razmerje med protifaznim in sofaznim ojačenjem. da je emitorski tok vedno enak.

Če je napetost med bazo in negativno napajalno sponko konstantna (slika 4. v drugem primeru pa prebojna dioda.33). Morebitno povečanje kolektorskega toka skozi tranzistor bi povečalo padec napetosti na emitorskem uporu in znižalo padec napetosti med emitorjem in bazo.33. BIPOLARNI TRANZISTOR U IC IC RB R1 RE R2 RE U U Slika 4. a) UCC b) UCC RC1 RC2 RC1 RC2 T1 T2 T1 T2 RB1 2 IE T3 RB2 UEE RE UEE Slika 4. 109 . Generatorja konstantnega toka. Konstantno napetost na bazi zagotavlja v prvem primeru delilnik napetosti z uporoma R1 in R2. Zaradi tega bi se tranzistor zapiral in tok bi se znižal. Izboljšan diferencialni ojačevalnik s tokovnim generatorjem. potem je taka tudi napetost na emitorskem uporu.34. Dioda v prvem vezju služi za temperaturno kompenzacijo.

ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Prenosna karakteristika na sliki 4. skupaj z motnjami. vklopi in izklopi toka. Diferencialni ojačevalnik se med drugim uporablja pri prenosu signalov po daljših vodnikih. 110 . sicer deluje kot omejevalnik. se pojavi v obeh vodnikih enaka motnja. Motnji pa sta v fazi in zato oslabita. da potujeta v protifazi (slika 4. Diferencialni ojače- valnik je linearen le v ozkem področju okrog 0 V (do približno 25mV). Težavam se lahko izognemo. če signal s pomočjo diferencialnega ojačevalnika razdelimo v dva vodnika tako. odšteje. Ker sta koristna signala v protifazi. se ojačata.35.35 prikazuje spremembo kolektorskega toka posameznega tranzistorja z razliko vhodnih napetosti. kratki stiki in podobno). Prenosna karakteristika diferencialnega ojačevalnika.36). in ju. 8 IC [mA] T2 T1 6 4 2 0 -50 -25 0 25 50 UVH1 UVH2 [ mV ] Slika 4. kjer se pojavljajo razne motnje (povzročajo jih energetske naprave: iskrenje kontaktov elektromotorja ali relejev. Če sta vodnika skupaj. Signala nato sprejme drugi diferencialni ojačevalnik.

BIPOLARNI TRANZISTOR UCC UCC UVH2 pojav motnje UEE UEE Slika 4. ki imata emitorja vezana na isti emitorski upor (ali tokovni generator). Diferencialni ojačevalnik je sestavljen iz dveh tranzistorjev. svojo notranjo upornost RG. Tak ojačevalnik ojača le diferenčne signale. Skupno ojačenje Na sliki 4.1.37 vidimo.6. da ima generator signala. 4. Odstranjevanje motenj z uporabo diferencialnih ojačevalnikov. Zato je napetost na vhodu prve ojačevalne stopnje enaka: RVH 1 uVH 1 = uG ⋅ RVH 1 + RG 111 . da delujeta protitaktno: ko se prvi zaradi vhodnega signala odpira. 4. VEČSTOPENJSKI OJAČEVALNIKI Za doseganje večjega ojačenja vežemo več ojačevalnikov enega za drugim. medtem ko sofazne slabi. ki je vezan na vhod ojačeval- nika. Najprej si oglejmo. kako upoštevamo upornosti posameznih stopenj. To povzroči.6. se drugi zapira.36. ki jih bomo spoznali v tem poglavju. Med seboj so lahko povezani na več različnih načinov.

Električna moč na vhodu ojačevalnika je pVH=iVHxuVH ali drugače: 2 uVH pVH = RVH 112 .2. kolikšno vhodno upornost mora imeti ojačevalec. Nadomestno vezje ojačevalnika.6..38 je generator z napetostjo uG ter notranjo upornostjo RG priključen na vhod ojačevalnika z vhodno upornostjo RVH. Prilagoditev ojačevalnih stopenj Sedaj poskušajmo ugotoviti. kot smo ga zapisali za vhodno napetost v prvo oječavalno stopnjo. Na sliki 4. AUn .ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA generator 1. 4. Tako bi postali vsi izračuni odvisni tudi od delovne frekvence. Zaradi enostavnejšega izračuna smo privzeli ohmske vrednosti.. ojačevalna stopnja breme RG uVH RIZH1 RIZH2 uG RVH1 RVH2 uIZH RL Slika 4. Podoben izraz. da je pri generatorju z določeno notranjo upornostjo moč na vhodu ojače- valnika največja. Za natančnej- šo sliko bi morali upoštevati tudi vse kapacitivnosti in morebitne induktivnosti v vezju. ojačevalna stopnja 2.37. sestavljenega iz dveh ojačevalnih stopenj. uVH kjer je n število vseh ojačevalnih stopenj. le da sedaj notranjo upornost generatorja nadomesti izhodna upornost prve stopnje: RVH 2 uVH 2 = uIZH 1 ⋅ RVH 2 + RIZH 1 Napetostno ojačenje celotnega ojačevalnika je potem: uIZH AU = = AU 1 ⋅ AU 2 ⋅. lahko zapišemo tudi za drugo. kar bi upornosti spremenilo v impedance Z.

15 uVH RVH 1K 0. Takoj opazimo. da ima generator kompleksno upornost.3 pMAX 0.5 1 1. RG=1kΩ. Podatki: UCC=12V. da je največja moč tedaj. RL=1kΩ. BIPOLARNI TRANZISTOR Vhodno napetost nadomestimo z napetostjo generatorja: RVH uVH = uG ⋅ RVH + RG Sedaj je enačba za električno moč na vhodu: 2 RVH pVH = uG ⋅ ( RVH + RG ) 2 pVH [ mW ] 0. RVH = RG ZVH = Z G V primeru. hfe1=hfe2=100. Primer Izračunajmo elemente dvostopenjskega ojačevalnika ter njegovo skupno nape- tostno ojačenje AU .38 je diagram.1 1V 0 0.25 0. ki prikazuje potek električne moči na vhodu ojačevalnika v odvisnosti od vhodne upornosti. Na sliki 4. uG=1mV! 113 . ki jo proizvaja generator. ko sta upornosti generatorja in ojačevalnika enaki.38. Takrat se na vhodu ojačevalnika troši ravno polovica moči. hie1=hie2=1.2kΩ.5 2 RVH [ K ] Slika 4. mora imeti vhodna impedanca ojačevalnika konjugirano kompleksno upornost. IC1=IC2=4mA. Prilagoditev vhodne upornosti ojačevalnika generatorjevi upornosti.2 uG RG 0.

Napetostno ojačenje za tranzistor v orientaciji s skupnim emitorjem se glasi: h fe ⋅ RL ' AU = − .75kΩ -1 + 1. Torej: 114 . Vhodna upornost posamezne ojačevalne stopnje je: 1 RVH = RB1 RB2 hie = = 920Ω 23kΩ + 4. RE1=RE2=297Ω. RB11=RB12=23kΩ. hie kjer je RL’ celotna bremenska upornost tranzistorja.2kΩ.75kΩ. da sta breme prvemu tranzistorju kolektorski upor ter vzporedno vezana vhodna upornost naslednje ojačevalne stopnje. Iz nadomestnega vezja vidimo.2kΩ. RB21=RB22=4.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA RC1 RC2 RB11 RB12 UCC T1 T2 12V RB22 RL RE1 CE RE2 CE RB21 iB iC iB iC T1 T2 hie iB hfe hie iB hfe RB11 RB21 iE RC1 RB12 RB22 iE RC2 RL Najprej izračunajmo upore za stabilizacijo delovne točke: RC1=RC2=1.2 kΩ -1 -1 Izhodna upornost je enaka upornosti kolektorskega upora RIZH ≅ RC=1.

888V 4.6. Tak neposreden način povezovanja uporabimo. Frekvenčna propustnost Vsak posamezni ojačevalnik ima tako spodnjo in zgornjo mejno frekvenco.39 a) je del delilnika napetosti RC1-RB-RE2 in služi za to. To pomeni.45mV RVH 1 + RG 920Ω +1kΩ u IZH = AU ⋅ uVH = 1974.45mV = 0.2 kΩ Skupno ojačenje je tako AU=AU1xAU2=43.2 kΩ In druge ojačevalne stopnje: h fe ⋅ RC 2 RL 100 ⋅ 1. 4.5=1974. Enosmerni tok na vhodu ojačevalnika priteka neposredno iz izhoda predhodnega ojačevalnika. Pri združitvi več ojačevalnih stopenj se frekvenčna propustnost celotnega ojačeval- nika zniža.3. Tej pomanjkljivosti se lahko izognemo z uporabo elementov. da zniža enosmerno napetost na vhodu drugega tranzistorja in s tem prepreči. kolikšna je izhodna napetost signala. Zaradi tega je nižje tudi ojačenje ojačevalnika. da zaide v področje nasičenja. Sedaj še izraču- najmo.39 b). ko želimo ojačati enosmerne signale ter signale zelo nizkih frekvenc.4x45. to pomeni.7 ⋅ 0.4.6. če generator proizvaja uG=1mV: RVH 1 920Ω uVH = uG ⋅ = 1mV ⋅ = 0. ki imajo diferencialno upornost mnogo manjšo od statične: z diodami ter s prebojnimi diodami (vezje na sliki 4.2 kΩ 1kΩ AU 2 = − =− = − 45.4 hie 1. da med ojačevalniki ni ločilnih elementov (kondenzatorjev). Negativna predzna- ka se uničita. To pomeni. Upor RB v vezju na sliki 4. Enosmerna povezava ojačevalnikov Ojačevalnike najenostavneje povežemo z enosmerno povezavo.5 hie 1.2 kΩ 920Ω AU 1 = − =− = − 43. da je izhodni signal v fazi z vhodnim. višjo spodnjo mejno frekvenco in nižjo zgornjo mejno frekvenco. 115 . v primerjavi s posamezno ojačevalno stopnjo. BIPOLARNI TRANZISTOR h fe ⋅ RC1 RVH 2 100 ⋅ 1.7.

4V UCC 12V 2. IC2=6mA.1V)! RC1 UZ RC2 7.4V RE1 RE2 Najlažje je izračunati upor RE1.2V IB2 IC1 7. Primer Izračunajmo upore v vezju tako. β2=80. URE1=1.1V 1. vezani z enosmerno povezavo.39.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA a) b) RC1 RC2 RC1 RC2 RB UCC UCC RE1 RE2 RE1 RE2 Slika 4. IC1=3mA. ki teče skozi kolektorski upor RC1.2V.2 V RE1 = = = 396Ω I E1 3. Ojačevalni stopnji.2V 1. je enak kolektorskemu toku prvega tranzistorja ter baznemu toku drugega tranzistorja: 116 . da bo pri obeh delovna točka nastavljena na sredini delovne premice (UCC=12V. ki znaša: U RE1 1. UZ=5.03mA Tok. β1=100.

UZ.4 V RE 2 = = = 231Ω I E2 6. 117 . V vezju na sliki 4. da ima prvi tranzistor veliko napetostno ojačenje. UBE2 in URE2. S pomočjo drugega Kirchhoffovega zakona si izberemo zanko.2 V RC1 = = = 1. Njegova visoka vhodna upornost omogoča.7 V = 1. Na prvi (slika 4. se tako glasi: U CE1 + U RE1 = U Z + U BE 2 + U RE 2 Iz enačbe dobimo neznano napetost: U RE 2 = U CE1 + U RE1 − U Z − U BE 2 = 6 V + 1. Ojačevalni stopnji z enosmerno povezavo. sestav- ljeno iz padcev napetosti URE1. UCE1.40 b) pa smo drugi tranzistor zamenjali s pnp tranzistorjem.40.40 a) je drugi tranzistor v orientaciji s skupnim kolektorjem. v kateri smo upoštevali smeri padcev napetosti. BIPOLARNI TRANZISTOR U CC − U CE − U RE1 12 V − 6 V − 1.40 sta nekoliko boljši. Zančna enačba. moramo izračunati padec napetosti na njem. tako sta oba v orientaciji s skupnim emitorjem.06mA U − U CE − U RE 2 12 V − 6 V − 1. a) b) RC1 RC1 UCC UCC RE1 RE2 RE1 RC2 Slika 4.57kΩ I C1 + I B 2 3mA + 60 µA Če želimo izračunati emitorski upor RE2.4 V Sedaj lahko izračunamo upornost uporov RE2 in RC2: U RE 2 1.1V − 0.4 V RC 2 = CC = = 759Ω IC 6mA Vezji na sliki 4.2 V − 5.

hie1=500Ω. hfe2=50.7 V RE1 = = = 139Ω I E1 5mA + 50 µA Upornost kolektorskega upora izračunamo s pomočjo zančne enačbe: U CC = U RC1 + U CE1 + U RE1 = I C1 ⋅ RC1 + U CE1 + U RE1 U − U CE1 − U RE1 12 V − 6 V − 0.7 V RC1 = CC = = 1060Ω I C1 5mA 118 . hie2=100Ω! Pri obeh tranzistorjih mora biti delovna točka nastavljena na polovici delovne premice! RC1 IB2 IC1 6. IC2=15mA.7 V + 6 V − 6 V = 0.7V RE1 RE2 Ker je delovna točka na sredini delovne premice.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Primer Izračunajmo upornosti vseh uporov ter skupno napetostno ojačenje ojačeval- nika z enosmerno povezavo.7 V Upornost prvega emitorskega upora znaša: U RE1 0. Podatki: UCC=12V.7V 6V UCC IE2 12V 0. hfe1=100. Tako je upor RE2: U CC − U CE 12 V − 6 V RE 2 = = = 392Ω I E2 15mA + 0. to pomeni. IC1=5mA. da je na obeh tranzistorjih polovica napajalne napetosti: UCE=UCC/2.3mA Padec napetosti na prvem emitorskem uporu poiščemo iz zančne enačbe: U CE1 + U RE1 = U BE 2 + U RE 2 U RE1 = U BE 2 + U RE 2 − U CE1 = 0.

ki pa znižajo ojačenje ojačevalnika. BIPOLARNI TRANZISTOR Napetostno ojačenje prvega ojačevalnika dobimo tako. Drugi tranzistor deluje s svojo vhodno upornostjo rBE kot emitorski upor prvemu. Položaj delovne točke tranzistorja se s temperaturo spremeni.3 hie1 500Ω Napetostno ojačenje drugega ojačevalnika je približno enako 1 (vezava s skupnim kolektorjem). da najprej izračunamo vhodno upornost drugega ojačevalnika: ( ) RVH 2 = hie2 + h fe2 + 1 ⋅ RE 2 = 100Ω + ( 50 + 1) ⋅ 392 Ω = 20kΩ Tako je napetostno ojačenje prvega ojačevalnika: h fe1 ⋅ RC1 RVH 2 100 ⋅ 1060Ω 20kΩ AU = = = 201. Tej nevšečnosti se izognemo z uporabo dovolj učinkovitih povratnih zank. v katerem sta tranzistorja enosmerno vezana tako.41 a). Pomembna lastnost Darlingtonovega vezja je veliko tokovno ojačenje (≈β1xβ2) ter velika vhodna upornost (≈rBE1+β1xrBE2). Vezje. Dobimo ga v skupnem ohišju s tremi priključki. Če se spremeni delovna točka enega tranzistorja. kot kaže slika 4. Problematični pa sta nastavitev delovne točke in velik vpliv segrevanja tranzistorjev na drsenje delovne točke: drsenje na enem tranzistorju povzroči premik delovne točke tudi na drugih nanj vezanih tranzistorjih. ki so nanj vezani. zato je skupno napetostno ojačenje enako kar ojačenju prvega ojačevalnika. imenujemo Darlingtonovo vezje. Enosmerno povezani ojačevalniki lahko ojačajo tudi enosmerne signale. Parametri vezja so: hie = hie1 + hie2 ⋅ hfe1 hfe = hfe1 + hfe2 + hfe1 ⋅ hfe2 hoe = hoe2 + hoe1 ⋅ hfe2 hre = zanemarljiv 119 . Oba skupaj delujeta kot en sam npn tranzistor. podobno kot navaden tranzistor. Sprememba enosmernih veličin se v vsaki naslednji stopnji ojača. se spremenijo tudi položaji delovnih točk drugih tranzistorjev.

5. 4.42.41 b) pa pravimo White-follower. Poleg tega preprečimo. da bi enosmeren tok iz ojačevalnika odtekal v generator (mikrofon. gramofonska glava in podobno) ali v breme (slušalke. ojačevalnik ne more ojačati enosmer- nih signalov. zvočnik in podobno). Sorodnemu vezju na sliki 4. Zato je delovna točka posameznega tranzistorja stabilizirana ne glede na druge ojačevalnike. Kondenzator predstavlja skupaj z vhodno upornostjo ojačevalne stopnje delilnik napetosti. prepre- čimo enosmeren tok iz enega v drug ojačevalec.41. Ker so kondenzatorji vezani zaporedno. Ta je zaradi kapacitivnosti kondenzatorja odvisen od frekvence izmeničnega signala. ki jih vstavimo med ojačevalne stopnje.6. 120 .ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA a) b) C C B B E E Slika 4. povezana z RC povezavo. RC povezava ojačevalnikov S pomočjo kondenzatorjev. Darlingtonovi vezji. RC1 RC2 RB11 RB12 C1 C2 C3 UCC RB21 RE1 CE RB22 RE2 CE Slika 4. Ojačevalnika.

1 100nF 0. ki je prav tako odvisen od frekvence signala in znaša: imaginarni del 1 1 tan ϕ = = = realni del ω ⋅C⋅ R 2⋅π ⋅ f ⋅C⋅ R 121 .01 uVH R uIZH 10 100 1K 10K 100K f [ Hz ] 1. Padec napetosti na uporu je enak: R R 1 u R = uG ⋅ = uG ⋅ = uG ⋅ R + XC 1 1 R+ 1+ jω ⋅ C jω ⋅ C ⋅ R Absolutna vrednost razmerja med napetostjo na uporu in generatorjevo napetostjo je: uR 1 = uG 1 1+ ω ⋅ C 2 ⋅ R2 2 Ko se absolutna vrednost razmerja napetosti z nižanjem frekvence zniža na 1/√2 (v decibelih to pomeni padec za 3dB).43. pravimo. Pri spodnji mejni frekvenci velja: 1 1 2 2 2 =1 ali ωL = = 2 ⋅ π ⋅ fL ω ⋅C ⋅ R C⋅ R Vezje povzroči tudi fazni zasuk.43. BIPOLARNI TRANZISTOR AU 1 fL C 0. Poglejmo si najprej vezje na sliki 4. Delilnik napetosti in frekvenčni potek napetosti ter faznega toka.6K [o] 90 45 0 -45 f [ Hz ] -90 Slika 4. da nastopi spodnja mejna frekvenca fL.

RL=1kΩ. hie=600Ω ter hfe=100. Primer Izračunajmo kapacitivnosti kondenzatorja C1 in C2 v vezju za spodnjo mejno frekvenco fL=100Hz! Podatki ojačevalnika so: UCC=12V. kjer nastopi spodnja mejna frekvenca. IC=5mA. Zaradi zaporedno vezanih kapacitivnosti ima ojačevalnik fazni zasuk ter spodnjo mejno frekvenco. Generator in ojačevalnik. znaša fazni zasuk ϕ=45°. povezana s kondenzatorjem. RC RB1 C2 C1 UCC 12V RG RL RB2 RE CE 122 .44. Če sedaj upoštevamo še upornost generatorja. RG=500Ω. se enačba za spodnjo mejno frekvenco glasi: 1 fL = 2 ⋅ π ⋅ C ⋅ ( RG + RVH ) C uG RG RVH Slika 4. izpod katere ojačenje ojačevalnika naglo upada.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA V točki.

BIPOLARNI TRANZISTOR Najprej izračunajmo upornosti uporov v vezju: U CC − U BE − U RE 12 V − 0.2 V RB2 = = = 3. pod to frekvenco začne ojačenje ojačevalnika upadati.2 V RE = = = 238Ω IE 5.05mA Sedaj izračunamo še vhodno in izhodno upornost ojačevalnika: RVH = RB1 RB2 hie = 18kΩ 3. 123 .8kΩ 600Ω = 504Ω RIZH = RC = 960Ω Kapacitivnost prvega kondenzatorja C1 izračunamo tako. da upoštevamo upornost generatorja in vhodno upornost ojačevalnika: 1 1 C1 = = = 1.2 V RC = = = 960Ω IC 5mA U RE 1. Zaradi teh kapacitivnosti ima ojačevalnik spodnjo mejno frekvenco. da upoštevamo izhodno upornost ojačevalnika ter upornost bremena: 1 1 C2 = = = 812 nF 2 ⋅ π ⋅ fL ⋅ ( RIZH + RL ) 2 ⋅ π ⋅ 100Hz ⋅ ( 960Ω + 1kΩ) Posamezne ojačevalnike med seboj ločimo s kapacitivnostmi zato.6 µF 2 ⋅ π ⋅ fL ⋅ ( RG + RVH ) 2 ⋅ π ⋅ 100Hz ⋅ ( 500Ω + 504Ω) Kapacitivnost drugega kondenzatorja C2 pa dobimo tako.8kΩ IP 500 µA U CC − U CE − U RE 12 V − 6 V − 1.7 V + 1. ki bi spreminjali položaj delovne točke tranzistorjev.2 V RB1 = = = 18kΩ IP + IB 500 µA + 50 µA U BE + U RE 0. da prepreči- mo enosmerne tokove.7 V − 1.

Večanje kompleksne upornosti bremena s frekvenco pa kompenzira vpliv kapacitivnosti na ojačenje. ni mogla preseči vrednosti napajalne napetosti. L L RB11 RB12 C1 C2 C3 UCC RB21 RE1 CE RB22 RE2 CE Slika 4. saj slabijo ojačenje – z višanjem frekvence se namreč ojačenje ojačevalnika zmanjšuje. Pri ojačevalniku z induktivnim bremenom na sliki 4. LC povezane ojačevalnike uporabimo predvsem tam. Ojačevalnika.6. LC povezava ojačevalnikov Ko deluje tranzistor kot ojačevalnik v področju visokih frekvenc.45 je med kolektorjem in emitorjem tranzistorjev skoraj vsa napajalna napetost (tuljava ima zanemarljivo ohmsko upornost). prihajajo do izraza vse kapacitivnosti tranzistorja (in ostalih elementov). se veča tudi skupna bremenska impedanca tranzistorja. povezana z LC vezavo. To upadanje lahko delno kompenziramo. če nado- mestimo kolektorski upor z induktivnim bremenom oziroma tuljavo.6. 124 .ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 4.45. ki ga dobimo na izhodu predhodnih ojačevalnikov. Ker se tuljavi z višanjem frekvence veča induktivna upornost po enačbi XL=2xπxfxL. V prisotnosti signala pa lahko temenska vrednost na izhodu zaradi inducirane napetosti na tuljavi doseže dvakratno vrednost napajalne napetosti. Te kapacitivnosti so nezaželjene. Največja temenska vrednost signala. kjer želimo pri visokih frekvencah s frekvenco ublažiti vpliv upadanja ojačenja.

46. U 2 n2 kjer je n1 število ovojev na primarju in n2 število ovojev na sekundarju trans- formatorja. S pomočjo obeh enačb dobimo razmerje za tokova: I 1 n2 = I 2 n1 Razmerje upornosti pa izpeljemo s pomočjo Ohmovega zakona: 2 R1 U1 ⋅ I 2 U1 I 2 n1 n1  n1  = = ⋅ = ⋅ =  R2 I 1 ⋅ U 2 U 2 I 1 n2 n2  n2  RC2 RB11 RB12 C1 C3 UCC RB22 CB RB21 RE1 CE RE2 CE Slika 4. potem velja. Vezje ojačevalnika s transformatorsko povezavo. 125 . enaka električni moči primarja: P1 = P2 Drugo pravilo. ki jo troši breme na sekundarju transformatorja. je transformacija napetosti: U1 n1 = . ki ga moramo upoštevati.7. Če upoštevamo transformator brez izgub. BIPOLARNI TRANZISTOR 4.6. Transformatorska povezava ojačevalnikov Transformator uporabljamo v ojačevalnikih najpogosteje za galvansko loče- vanje ter za transformiranje upornosti. da je električna moč.

zelo veliko upornost.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA V izračunu smo upoštevali le ohmske upornosti. Signale s frekvenco blizu resonančne frekvence ojačevalnik ojača. Povezava ojačevalnikov s selektivnim transformatorjem Vzporedno vezana tuljava in kondenzator sestavljata vzporedni nihajni krog. V ojačevalnikih uporabljamo transformatorje najpogosteje za prilagoditev upornosti bremena ter za galvansko ločitev.8. 4. ki ji pravimo reso- nančna frekvenca. Z -3dB RB1 C L C1 UCC RB2 RE CE fL fo fH f Slika 4.47. ostale signale pa oslabi. povezanega s selektivnim transformatorjem ter diagram spremembe ojačenja s frekvenco. Za točnejši izračun bi morali upoštevati ne le kompleksno upornost bremena. Slabost transformatorske povezave je v njegovi velikosti.47). Resonančna frekvenca je odvisna od induktivnosti tuljave in kapacitivnosti kondenzatorja: 1 1 ω0 = ali f0 = L⋅C 2⋅π ⋅ L⋅C Selektivni transformator je sestavljen iz nihajnega kroga in je vezan na izhod ojačevalne stopnje (vezje na sliki 4. Vezje ojačevalnika. Tak nihajni krog ima pri natančno določeni frekvenci.6. 126 . ceni in omejenem frekvenčnem odzivu. temveč tudi kompleksne vrednosti samega transformatorja.

da ojačevalnik ojača le signale določenih frekvenc. da povečajo velikost vhodnega signala. Spodnja in zgornja mejna frekvenca sta sedaj določeni z enačbama (če je le Q>>1):  1   1  fH = f0 ⋅  1 +  ter fL = f0 ⋅  1 −   2 ⋅ Q  2 ⋅ Q Selektivni transformator uporabljamo tam. Definiramo ga kot razmerje amplitud ali efektivnih vrednosti. Ta je odvisna od kvalitete resonančnega kroga. uIZH AU = napetostno ojačenje uVH i AI = IZH tokovno ojačenje iVH p AP = IZH = AU ⋅ AI ojačenje moči pVH Ko govorimo o ojačevalnikih. pri kateri pade ojačenje za 3dB. ne moremo mimo enote dB (decibel). kjer želimo. ki je podana kot: Q = ω0 ⋅ R ⋅ C . BIPOLARNI TRANZISTOR Frekvenci. ima le ohmsko komponento upornosti. 4. Decibeli Ojačenje je lastnost ojačevalnikov.9. določata širino frekvenčnega pasu. Ko je nihajni krog v resonanci.6. Tako poznamo napetostno in tokovno ojačenje ter ojačenje moči. kjer je R upornost nihajnega kroga pri resonančni frekvenci ω0. Ta izvira iz logaritemskega zapisa ojačenja: pIZH A = 10 ⋅ log [dB] pVH S pomočjo enačbe za ojačenje moči lahko izpeljemo še napetostno in tokovno ojačenje: 127 .

6. Trenutna prerazporeditev elektrin in trki povzročijo majhna nihanja napetosti na priključkih elementa. ki teče skozi enega od spojev. T temperatura v K. je lahko šum večji od signala. ∆f pasovna širina v Hz. Občutljivost ojačevalnika je odvisna prav od velikosti šuma: če je signal zelo šibek. ki je neurejeno in kaotično. Šum ojačevalnika Vsak element ojačevalnika proizvaja šum (angl. Termični (ali Johnsonov) šum je posledica termičnega gibanja elektrin.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA pIZH u 2 ⋅ ZIZH u ⋅ ZIZH A = 10 ⋅ log = 10 ⋅ log IZH 2 = 20 ⋅ log IZH pVH uVH ⋅ ZVH uVH ⋅ ZVH pIZH i 2 ⋅ ZVH iIZH ⋅ ZVH A = 10 ⋅ log = 10 ⋅ log IZH 2 = 20 ⋅ log pVH iVH ⋅ ZIZH iVH ⋅ ZIZH Če sta vhodna in izhodna impedanca enaki. R upornost v Ω.10. Kontaktni šum (shot ali Schottky) nastane. ki je prisoten na celotnem frekvenčnem pasu. lahko enačbi poenostavimo: uIZH A = 20 ⋅ log [dB] uVH iIZH A = 20 ⋅ log [dB] iVH 4. Velikost šuma je sorazmerna toku. kjer je: k Boltzmannova konstanta (1. ko elektrina preleti potencialni prag med dvema polprevodniškima tipoma. 128 . naključni signal.38x10-23 J/K). Efektivna vrednost nape- tosti šuma je podana z enačbo: U n = 4 ⋅ k ⋅ T ⋅ R ⋅ ∆f . noise). med različnimi kovinami ali med kovino in polprevodnikom. To je neharmonski. Poglejmo si nekaj razlogov za nastanek šuma. Vsaka elektrina povzroči pri prehodu majhen tokovni sunek.

Če predpostavimo. Prisoten je predvsem pri frekvencah nižjih od 1kHz. majhnim kolektorskim tokom in frekvenčno širino. noise figure) nam pove. da sta vhodna in izhodna impedanca enaki. ki ni nič širša. Šumno število je odvisno od kolektorskega toka in notranje upornosti. koliko je obravnavano vezje šumno.1mA 10 10 10-3 10-2 10-1 100 101 0. 129 . enak notranji upornosti vezja: PIZHn NF = 10 ⋅ log [dB] . ki ga proizvaja vezje. ter termičnim šumom. kot je potrebno. ter AP ojačenje moči. Šumno število (angl. Da bi bil šum čim manjši. izberemo za vhodno stopnjo tranzistor z majhnim šumnim številom. Odvisnost šumnega števila NF od kolektorskega toka in upornosti generatorja. Podano je kot razmerje med šumom. enak notranji upornosti vezja.1 1 10 100 kolektorski tok v mA upornost generatorja v K Slika 4. Razmerje izhodne in vhodne napetosti signala dobimo iz ojačenja. potem je šumno število podano kot: UVH / UVHn U U NF = 20 ⋅ log = 20 ⋅ log VH − 20 ⋅ log IZH U IZH / U IZHn UVHn U IZHn NF [dB] NF [dB] IC =1mA 20 20 RG =1M RG =10K IC =0. zato proizvajal- ci pogosto podajajo ustrezne diagrame. ker se število ionizacij in rekombinacij v polprevodniku nenehno spreminja. ki bi ga proizvedel upor. PVHn moč termičnega šuma na vhodu vezja.48. BIPOLARNI TRANZISTOR Kombinacijsko-rekombinacijski šum (flicker ali 1/f) nastane zaradi tega. ki ga proizvede upor. AP ⋅ PVHn kjer je PIZHn moč šuma na izhodu vezja.

zato lahko opredelimo dve kapacitivnosti: prvo med bazo in emitorjem. To razmerje je enako razmerju med močjo signala in močjo šuma na izhodu vezja: PIZH U S / N = 10 ⋅ log = 20 ⋅ log IZH [dB] PIZHn U IZHn 4.7.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Razmerje signal/šum (angl. največ nekaj pF (piko faradov). V tem poglavju bomo spoznali predvsem vpliv notranjih kapacitivnosti tranzistorja na delovanje ojačevalnika.49. 4. Spojna kapacitivnost nastane zato. da kapacitiv- nosti polprevodniških elementov ne moremo več zanemariti. difuzijska. tok ne upade takoj. ki prehajajo iz enega v drugi tip polprevodnika.7. podana je z enačbo: 130 . Pri hitrih spremembah toka se zaradi počasnosti difuzije kopiči elektrina v polprevodniku. ker deluje osiromašeno področje med p in n polprevodnikom kot dielektrik. temveč šele takrat. nastane zaradi omejene hitrosti difuzije manjšinskih nosilcev. se izkaže. drugo pa med kolektorjem in bazo. C CB Slika 4. V notranjosti bipolarnega tranzistorja se vsak pn spoj obnaša kot majhen kondenzator. Druga. Kapacitivnost baza-emitor Pn spoj med bazo in emitorjem je seštevek dveh kapacitivnosti: spojne in difuzijske. ko elektrina dejansko odteče iz prehodnega področja. Kapacitivnosti v C BE notranjosti tranzistorja. OJAČEVALNIKI PRI VISOKIH FREKVENCAH Ko ojačevalnik obratuje pri višjih delovnih frekvencah. Ta kapacitivnost je zelo majhna. v kolikšni meri je ojačevalnik sposoben ločevati med koristnim signalom in šumom. Difuzijska kapacitivnost lahko doseže vrednost tudi nekaj nF (nano faradov).1. Ko prevodna napetost na spoju upade. signal to noise ratio) nam pove.

4.3. BIPOLARNI TRANZISTOR q ⋅ IE CBE = τ ⋅ .7. Frekvenci.2. ki je vezano na izhodu tranzistorja (glej nadomestno vezje na sliki 4.7. Vpliv kapacitivnosti na ojačenje Skupna kapacitivnost na vhodu je enaka seštevku obeh. ki potujejo skozi bazo. kjer je gm transkonduktanca tranzistorja. Zaradi kapacitivnosti je delilnik odvisen od frekvence. pri kateri ojačenje pade za vrednost 1/√2. širša je zaporna plast in manjša je spojna kapacitivnost CCB’ (opuščaj ob B-ju pomeni. Čim višja je zaporna napetost na spoju. 4. torej: CSK = C B' E + CCB' ⋅ (1 + g m ⋅ RL ) Skupna kapacitivnost deluje skupaj z vhodno upornostjo kot delilnik napetosti. Absolutno vrednost ojačenja dobimo iz predhodne enačbe in znaša: uIZH 1 AU = = uVH 1 + ω 2 ⋅ C 2 ⋅ R2 131 . k⋅T kjer je τ življenjski čas manjšinskih nosilcev elektrine. je vpliv te kapacitivnosti na vhod večji za velikost ojačenja ojačevalnika: CC = CCB' ⋅ (1 + AU ) ≈ CCB' ⋅ (1 + g m ⋅ RL ) . RL pa breme.51). ki nastane zaradi zaporno polariziranega spoja. Napetost na izhodu je enaka: XC 1 uIZH = uVH ⋅ = uVH ⋅ XC + R 1 + jω ⋅ C ⋅ R Z višanjem frekvence se izhodna napetost niža. CCB’ je sicer po velikosti majhna. toda povezuje vhod in izhod ojačevalnika. pravimo zgornja mejna frekvenca. da gre za kapacitivnost med pravo bazo – torej bazo na sami polprevodniški ploščici – in kolektorskim priključkom). Ker gre za povratno zanko. Kapacitivnost kolektor-baza Kapacitivnost kolektorskega spoja povzroča spojna kapacitivnost.

Nadomestno vezje tranzistorja na sliki 4.50 prikazuje potek ojačenja s frekvenco. Delilnik napetosti ter potek ojačenja in faznega zasuka s frekvenco. Tokovni ojače- 132 .51.01 uVH C u 10 100 1K 10K 100K f [ Hz ] 100nF IZH [ o ] 90 45 0 -45 f [ Hz ] -90 Slika 4. ki je enak: tan ϕ = −ω ⋅ C ⋅ R C CB' rBB' B' B C rB'C rB'E C B'E rCE gm u B'E E Slika 4. Diagram je narejen po logaritemski lestvici.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 1 Ojačenje pade za vrednost 1/√2 pri frekvenci: fH = 2⋅π ⋅C⋅ R AU 1 fH R 0. Diagram na sliki 4.6K 0.51 je hibridni Π-četveropol. ki smo mu dodali kapacitivnosti emitorskega in kolektorskega spoja.50. Opisani delilnik napetosti povzroči tudi fazni zasuk.1 1. Nadomestna vezava tranzistorja za visoke frekvence.

V katalogih največkrat najdemo ravno skrajno frekvenco tranzistorja. da izhod kratko sklenemo. BIPOLARNI TRANZISTOR valni faktor β za tranzistor v orientaciji s skupnim emitorjem dobimo tako. pri kateri pade kratkostični ojačevalni faktor na vrednost 1. ko ojačenje pade za vrednost 1/√2. unity gain fre- quency) je podana kot: gm fT = fβ ⋅ β = 2 ⋅ π ⋅ ( C B' E + CCB' ) To je frekvenca. Potek fT kratkostičnega tokovnega 1 ojačenja tranzistorja v 10K 100K 1K 10M 100M f [ Hz ] odvisnosi od frekvence. 133 . Tokovni ojačevalni faktor β. cut-off frequency) nastopi tedaj. to je pri frekvenci: gm fβ = 2 ⋅ π ⋅ ( C B' E + CCB' ) ⋅ β Skrajna frekvenca tranzistorja fT (angl. transition frequency.52. znaša: iC βf = iB ( uCE = 0) ali g m ⋅ rB' E β βf = = 1 + jω ⋅ ( C B' E + CCB' ) ⋅ rB' E 1 + jω ⋅ ( C B' E + CCB' ) ⋅ rB' E Zgornja mejna frekvenca (angl. ki je sedaj odvisen od frekvence. S pomočjo četveropola dobimo tokova:  1  iB = u B ' E ⋅  + jω ⋅ ( CB' E + CCB' ) ter  rB' E  iC = g m ⋅ uB' E Oba kondenzatorja sta zaradi kratkosklenjenega izhoda sedaj vezana vzpo- redno. f 100 10 Slika 4.

ki si sledijo: RB1=18kΩ. IC=5mA.8kΩ in RC=960Ω. Transkonduktanco gm pa iz omenjene upornosti: 25mV 25mV rB' E ≅ β ⋅ = 100 ⋅ = 500Ω IC 5mA 134 . da ne bo vplival na spodnjo frekvenčno mejo. RC RB1 C VH UCC 12V RG RB2 RE CE C CB' C VH rBB' B' rB'C RG RB1 RB2 rB'E C B'E rCE RC gm u B'E Najprej izračunajmo upornost uporov za stabilizacijo delovne točke tranzistorja. rCE=100kΩ. medtem ko so podatki tranzistorja: rBB’=100Ω. CB’E=1nF in CCB’=10pF (privzamemo. RG=1kΩ in CVH=10nF. Podatki za ojačevalnik so: UCC=12V. Upornost rB’E izračunamo glede na tok v delovni točki. β=hfe=100. RB2=3.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Primer Izračunajmo spodnjo fL in zgornjo fH mejno frekvenco ojačevalnika ter zgornjo mejno frekvenco tranzistorja fβ in skrajno frekvenco fT! Emitorski kondenzator CE naj bo dovolj velik. da je rB’C=∞).

pade za 3dB pri frekvenci 10. ki znaša AU=-gmxRL=-0. Skupna kapacitivnost na vhodu tranzistorja znaša: RL = rCE RC = 100kΩ 960Ω = 951Ω CSK = C B' E + CCB' ⋅ (1 + g m ⋅ RL ) = 1nF + 10pF ⋅ (1 + 0.7Ω) Na zgornjo mejno frekvenco fH vplivajo kapacitivnosti v tranzistorju. da kratko sklenemo izhod- ni sponki tranzistorja: 1 1 fβ = = = 315kHz 2 ⋅ π ⋅ rB' E ⋅ ( C B' E + CCB' ) 2 ⋅ π ⋅ 500Ω ⋅ (1000pF + 10pF) fT = fβ ⋅ β = 315kHz ⋅ 100 = 31. BIPOLARNI TRANZISTOR β 100 gm = = = 0. Zgornjo mejno frekvenco tranzistorja dobimo tako.6kHz (spodnja mejna frekvenca ojačevalnika) in 163kHz (zgornja mejna frekvenca).2.2S rB' E 500Ω Na spodnjo mejno frekvenco fL vpliva kondenzator CVH in znaša: RVH = RB1 RB2 ( rBB' + rB' E ) = 18kΩ 3.2S ⋅ 951Ω) = 2912 pF Zgornja mejna frekvenca je sedaj: RVH ' = RG RVH = 1kΩ 503.7Ω 1 1 fL = = = 10.2Sx951Ω=-190.8kΩ (100Ω +500Ω) = 503.7Ω = 335Ω 1 1 fH = = = 163kHz 2 ⋅ π ⋅ RVH ' ⋅ CSK 2 ⋅ π ⋅ 335Ω ⋅ 2912 pF Napetostno ojačenje ojačevalnika.5MHz 135 .6kHz 2 ⋅ π ⋅ CVH ⋅ ( RG + RVH ) 2 ⋅ π ⋅ 10nF ⋅ (1kΩ +503.

kjer ojačenje pade za 3dB. To je frekvenca. moramo upošte- vati tudi vse njegove kapacitivnosti. Vezje visokofrekvenčnega ojačevalnika in nadomestno vezje tranzistorja. Obe vplivata na zgornjo mejno frekvenco.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Vezje na sliki 4. saj je vhodna upornost tranzistorja med emitorjem in bazo enaka hie/hfe. je sedaj kolektorska kapacitivnost CCB’ vezana na maso in tako nima povratnega vpliva na vhod ojačevalnika. C3 2. V vezju smo uporabili tranzistor BF180.53. Zato je primeren za prilagoditev na upornost antene. Zgornja mejna frekvenca fα je približno enaka skrajni frekvenci tranzistorja fT. 136 . Tranzistor je priključen v orientaciji s skupno bazo. Kot lahko vidimo iz nadomestnega vezja na sliki 4. Ko tranzistor uporabimo v ojačevalniku za visoke frekvence.53. da je mejna frekvenca višja kot pri tranzistorju v orientaciji s skupnim emitorjem. Zgornjo mejno frekvenco tranzistorja v orientaciji s skupno bazo izračunamo s pomočjo fβ: fβ fα = 1−α To pomeni. ki je zelo majhna. To sta kapacitivnosti med bazo in emitor- jem ter med kolektorjem in bazo.5-6p R2 L E C C1 47K C4 22p 22p 9V C B'E rE C CB' RL T1 BF180 gm uB'E R1 1K C2 B B 1n R3 10K Slika 4. Ojačevalnik ima zelo nizko vhodno upornost.53 je ojačevalnik za signale visokih frekvenc. ki ima skrajno frekvenco okrog 700MHz.

Ker je drugi tranzistor vezan v orientaciji s skupno bazo. na njegov izhod je vezan drugi tranzistor in sicer v orientaciji s skupno bazo. Drugi tranzistor predstavlja breme prvega tranzistorja.7.4. zakaj! RC RB1 CB T2 T2 T1 RB2 UCC T1 RB3 RE CE Slika 4. Ojačevalnik je zato stabilnejši pri visokih frekvencah.54) sestavljata dva tranzistorja. le okrog 1. Kondenzator CB služi za to. Tako vezani ojačeval- nik je zelo primeren za ojačevanje signalov visokih frekvenc. Poglejmo. 137 . da je baza drugega tranzistorja za signale sklenjena na maso. saj je sklenjena na maso preko kondenzatorja CB.54. Napetostno ojačenje prvega tranzistorja je zato majhno. Prvi tranzistor nudi le tokovno ojačenje. je njegova vhodna upornost zelo majhna. Posledica tako majhnega ojačenja je majhen povratni vpliv kolektorske kapacitivnosti CCB’ prvega tranzistorja. BIPOLARNI TRANZISTOR 4. Kaskadni ojačevalnik Kaskadni ojačevalnik (vezje na sliki 4. Kolektorska kapacitivnost CCB’ drugega tranzistorja prav tako ne vpliva na vhod vezja. drugi pa napetostno. Prvi je vezan v orientaciji s skupnim emitorjem. Vezje kaskadnega ojačevalnika.

50 0. 138 . Tako postanejo pomembni potrošnja električne moči. 4. pod njo pa manjša. Omejitev izgubne moči tranzistorja. se porablja na bremenu.1.75 P>10W 5. ki so blizu izkrmiljenja (izkrmiljenje se zgodi. koliko električne moči.25 2.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 4.00 7. V polju nad hiperbolo je moč povsod večja. ki jo mora proizvajati napajalni vir.5mA 7. MOČNOSTNI OJAČEVALNIKI Močnostni ojačevalniki so ojačevalniki z veliko močjo na izhodu ter z velikimi signali.50 P<10W PMAX 0. Pove nam. ki jo proizvaja napajalni vir.5mA 0. segrevanje tranzistorja.5mA 10 20 30 40 UCE [ V] 10 20 30 40 UCE [ V] Slika 4. izkoristek moči. Pozorni moramo biti predvsem na omejitve tranzistorja.5mA 0.0mA 5. Izgubno električno moč lahko vrišemo v polje izhodnih karakteristik kot hiperbolo P=UCExIC. izkrmiljenje signala in popačenje. hlajenje. napetostne (prebojne napetosti spojev) in omejitev izgubne moči (segrevanje tranzistorja). Izkoristek ojačenja moči Izkoristek ojačenja moči je definiran kot razmerje med koristno močjo na bremenu in srednjo močjo.55. IC [ A ] P=10W IC [ A ] P=10W 10mA 10mA 1.75 0. ki so tako tokovne (največji dopustni tokovi).00 1. Prekoračitev dopustne izgubne moči povzroči prekomerno pregreva- nje tranzistorja in njegovo uničenje.25 2. ko ima izhodni signal največjo možno amplitudo).8.0mA 0.8.

da pri ojačevalnikih v avtomobilu. kjer je napajalna napetost 12V in upornosti zvočnika 4Ω. Le-ti imajo frekvence. kjer je UM temenska vrednost napetosti. Ko se signal sinusne oblike določene frekvence popači. ki jo lahko dobimo na izhodu ojačevalnika. 139 . moramo upoštevati. nepra- vilna nastavitev delovnih pogojev komplementarnih tranzistorjev in podobno. ki poveča napajalno napetost). Popačenje lahko omilimo z uporabo povratnih vezav.5W (ojačevalniki v avtomobilih imajo vezje. Pri največjem možnem teoretičnim izkrmiljenju. Če na primer želimo imeti ojačevalnik. zato jim pravimo višjeharmonski signali.8. ki so mnogokratniki frekvence osnovnega signala. moramo pri močnostnih ojačevalnikih upoštevati tudi izkoristek moči. Pri teoretičnem polnem izkrmiljenju je na- petostni signal na izhodu velik: 2xUM=UCC. ne moremo doseči večje moči od 4. Ker breme ne porabi vse električne moči. da je njegova karakteristika nelinearna. ki jo nudi napajalni vir. Električna moč je določena kot: P=UEFxIEF. pade na breme 25% moči. kjer ima izhodni signal amplitudo od 0 do UCC. Popačenje. mora napajalni vir proizvajati 400W moči. imenujemo nelinearno ali amplitudno popačenje in ga lahko le merimo (ne moremo ga izračunati. Preostalih 300W pa troši tranzistor za lastno segre- vanje. Vzrok za nelinearno popačenje so najpogosteje nelinearni elementi. Popačenje Ko tranzistor krmilimo z velikimi signali. zato lahko izpeljemo: 2 2 U EF UM U2 PL = = = CC RL 2 ⋅ RL 8 ⋅ RL Ta enačba nam na primer pove. da nastane poleg osnovnega signala še množica manjših signalov. da lega delovne točke na sredini delovne premice ni najbolj primerna za močnostne ojačevalnike. saj se karakteristike tranzistorjev tudi pri istih tipih razlikujejo). 4. ki na bremenu troši 100W koristne moči signala. ugotovimo. BIPOLARNI TRANZISTOR moč na bremenu η= moč napajalnega vira Za določeno napajalno napetost moramo izračunati največjo moč.2. ki je nastalo. To pomeni. Zaradi tega je signal na izhodu v primerjavi z vhodnim popačen.

kjer je popačenje najmanjše. Drug pojav.3. Prednost takega ojačevalnika je zato majhna stopnja nelinearnega popačenja. ko ojačevalnik ojača dva signala istočasno. Fazno popačenje pa nastane zaradi različnega faznega zasuka signalov različnih frekvenc. Frekvenčno popačenje nastane zato. Popačenje signala povzroči tvorbo višjih harmonskih komponent. ki ga povzroči polovična napajalna napetost na bremenu. 4. Temu popačenju pravimo intermodulacijsko popačenje (angl. Na izhodu dobimo poleg obeh signalov še dva manjša: prvega s frekvenco 1800Hz in drugega s frekvenco 200Hz. Izkoristek ojačenja moči je sedaj: 140 . ki nastanejo iz osnovnega signala in imajo frekvence.8. To so signali. ker ojačevalnik ne ojača enako signalov vseh frekvenc.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Stopnja popačenja je enaka razmerju vsote višjih harmonskih komponent do osnovnega signala. Recimo. Faktor popačenja (angl. je izkoristek zelo majhen. ki imata frekvenci enaki seštevku in razliki frekvenc osnovnih signalov. ko je delovna točka tranzistorja sta- bilizirana v aktivnem področju. Pri ojačevalnikih. Nelinearno popačenje nastane zaradi nelinearnih karakteristik tranzistorjev. Na izhodu ojačevalnika dobimo poleg osnovnega signala še signala. A razred ojačevalnika Ojačevalnik deluje v »A« razredu takrat. Srednja moč takega ojačevalnika znaša: U CC U2 PCC = U CC ⋅ I SR = U CC ⋅ = CC 2 ⋅ RL 2 ⋅ RL Srednji tok je približno enak toku v delovni točki. To je najpogo- steje na sredini delovne premice. THD) pa je enak razmerju vsote višjih harmonskih komponent do celotnega signala na izhodu ojačevalnika. opazimo. da na vhod ojačevalnika priključimo dva vira s frekvencama 800Hz in 1000Hz. total harmonic distorsion. ki so mnogokratniki frekvence osnovnega signala. ki nastane zaradi nelinearnosti karakteristik tranzistorja. intermodulation distortion). kjer je delovna točka stabilizirana na sredini delovne premi- ce in je breme priključeno na kolektor.

Tranzistor troši največ električne moči takrat. ki teče skozi breme tudi takrat. ko na vhodu ni signala. Zaradi tega se tranzistor najbolj greje takrat. Zaradi take vezave se izločijo vse sode višjeharmonske komponente. To pa je ravno na sredini delovne premice. Zaradi poti. se istočasno zapira drugi. Dodatno slabost takega ojačevalnika predstavlja kolektorski tok.56.56 a). a) b) RB1 C1 RB2 RE1 CE Slika 4.25 PCC U CC 4 2 ⋅ RL To pomeni. Kolektorski tok namreč vstopa v sredinski odcep transformatorja in teče preko navitja na kolektor. ko na vhodu ni signala.56 b) pravimo push-pull (potisni-povleči). zaradi česar je nelinearno popačenje manjše. po kateri pritekata kolektorska tokova. Ko se zaradi vhodnega signala odpira prvi tranzistor. BIPOLARNI TRANZISTOR 2 U CC PL 8 ⋅ RL 1 η= = 2 = = 0. V tem primeru izboljšamo izkoristek ojačenja moči na 50%. ko je produkt med kolektorskim tokom in napetostjo med kolektorjem in emitorjem (PC=ICxUCC) največji. sedaj ne povzroča toka skozi breme. Ojačevalnika v »A« razredu. Zato je namesto bremena na kolektorju običajno vezan transformator (vezje na sliki 4. Ker tečeta tokova v 141 . Vezju na sliki 4. ki teče v delovni točki tranzistorja. Enosmeren tok. ima ojačevalnik določene prednosti. da je izkoristek moči lahko največ 25 odstoten.

Izkoristek ojačenja moči je tu boljši. ko na vhodu ojačevalnika ni signala. Najlažja rešitev je. saj tranzistor prevaja električni tok le takrat.8. ki dela v »A« razredu. da delovno točko nastavimo na dno delovne premice. Tranzistor. prav tako pa izloči tudi nihanja napetosti zaradi valovitosti napajalne napetosti. Srednjo vrednost toka za eno pol- periodo smo spoznali že pri polvalnem usmerniku in znaša: 2 2 U CC I SR = ⋅ IM = ⋅ . Šele dovolj velik signal na vhodu povzroči kolektorski tok na tranzistorju. da preprečimo potrošnjo električne moči. 142 . B razred ojačevalnika Izkoristek ojačenja moči znatno izboljšamo tako. ko je na vhodu prisoten signal. π π RL Zato je srednja moč napajalnega vira enaka: 2 2 U CC PCC = U CC ⋅ I SR = ⋅ π RL Maksimalni izkoristek ojačenja moči je pri polnem izkrmiljenju: 2 U CC PL 8 ⋅ RL π η= = 2 = = 0.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA navitju transformatorja v nasprotnih smereh. 4. ima nastavljeno delovno točko tam. kjer je popačenje najmanjše. vendar ima zaradi tega zelo slab izkoristek moči. kjer je kolektorski tok enak 0.4. se pri magnetenju transfor- matorsko jedro ne zasiči.5%. kar je bistveno več kot v »A« razredu ojačevalnikov.785 PCC 2 U CC 4 ⋅ π 8 ⋅ RL Izkoristek ojačenja moči je sedaj največ 78.

57 je v tem. Ojačevalnik v »B« razredu. kjer je prvi npn in drugi pnp. Tak komplementarni par tranzistorjev lahko ojača obe polperiodi. Slabost ojačevalnika na sliki 4. 143 . IC T1 T1 RL UBE T2 T2 Slika 4.58. da lahko npn tranzistor ojača le pozitivno polperiodo vhodnega signala. ker je taka orientacija tranzistorjev primernejša za krmiljenje bremen z majhno upornostjo.58 sta orientirana s skupnim kolektorjem.57. Ojačevalnik v »B« razredu s komplementarnim parom tranzistorjev. potrebujemo pa dva napajalna vira. Rešitev je v dveh tranzistorjih. Tranzistorja v vezju na sliki 4. Signal na izhodu je kljub temu popačen. kot je zvočnik. To pa zato. BIPOLARNI TRANZISTOR RL IC UBE Slika 4.

Napetost med bazo in emitorjem posameznega tranzistorja mora biti tolikšna. Ojačevalnik v »AB« razredu. Tranzistorjem v vezju na sliki 4. Tranzistor troši manj. Ko na vhodu ni signala.5. 144 .59. če miruje (skozenj ne teče kolektorski tok).ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Razlog je v velikosti prevodne napetosti. Večja napetost bi povzročila prevelik kolektorski tok in segrevanje tranzistorjev.59 nastavimo delovno točko s pomočjo uporov ter obeh diod. potrebuje- mo za ojačenje obeh polperiod dva komplementarna tranzistorja. prenizka pa popačenje. IC A AB B UBE Slika 4. Če je delovna točka pravilno nastavljena in kolektor- ski tok dovolj majhen.7V. ko na vhodu ni signala. ker bi bila tranzistorja preveč zaprta. je izkoristek še vedno zadovoljiv. teče skozi tranzistor majhen kolektorski tok. da postavimo delovno točko tranzistorja nekoliko višje. da je tranzistor na meji prevajanja. Diodi služita za pravilno nastavitev delovnih točk. tranzistorja prevajata. da steče kolektorski tok. okrog 0. ki je potrebna med bazo in emitor- jem.7V). AB razred ojačevalnika Popačenje v »B« razredu popravimo tako.8. Ker tako nastavljen tranzistor prevaja le eno polperiodo. Šele ko vhodni signal preseže napetost kolena tranzistorjev (za silicij okrog 0. 4.

Do sedaj smo spoznali ojačevalnike s simetričnim napajanjem. a) b) T3 T2 RE1 T2 T1 RE2 T3 T1 T4 Slika 4. da lahko sedaj nastavimo delovno točko končnih tranzistorjev T3 in T4 s pomočjo trimer potenciometra. pnp tranzistor T3 pa odpira. ki imata navadno zelo majhno upornost (manjšo kot 1Ω). si moramo pomagati s kondenzatorjem. Oglejmo si delovanje vezja na sliki 4. Dopolnjena ojačevalnika v AB razredu.62! Ko je npn tranzistor T2 odprt. Prednost je v tem. ki nato pot nadaljuje skozi kondenzator C2 in zvočnik.60 a) krmili vhodni tranzistor T1 oba izhodna tranzistorja. 145 .60 b) smo obe diodi nadomestili s tranzistorjem T2. se znižata napetostna potenciala med bazama in maso obeh končnih tranzistorjev. Ko se tranzistor zaradi pozitivne polperiode vhodnega signala odpira.60. V vezju na sliki 4. se kondenzator C2 prazni preko tega tranzistorja in zvočnika. Nasprotno se zgodi ob negativni polperiodi vhodnega signala. ki je priključen na izhodu ojačevalnika. Ko je odprt pnp tranzistor T3. skozenj teče tok. Na emitorju končnih tranzistorjev sta priklju- čena upora RE1 in RE2. Kondenzator se sedaj polni. BIPOLARNI TRANZISTOR V vezju na sliki 4. Ko pa imamo na razpolago samo en napajalni vir. služita pa za temperaturno stabilizacijo delovne točke. ki ravno tako dobro obdrži stalno napetost med kolektorjem in emitorjem. Zaradi tega se npn tranzistor T2 zapira.

Tranzistor zato pretvori manj električne energije v toplotno kot sicer. če je tranzistor odprt krajši čas. Če delovno točko tranzistorja nastavimo nekoliko višje kot pri »B« razredu.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Kondenzator mora imeti dovolj veliko kapacitivnost. da lahko ojačevalnik dela tudi pri dovolj nizkih frekvencah. 4. ki uporablja en vir napajanja. C razred ojačevalnika Izkoristek ojačenja moči lahko še dodatno izboljšamo. se izognemo popačenju.6. T2 C2 C1 T1 T3 Slika 4. ki nastane zaradi kolenske napetosti tranzistorja. kot je trajanje ene polperiode.62. Vezje ojačeval- nika.8. Delovanje ojačevalnika s komplementarnimi tranzistorji ob uporabi enega vira napajanja. T2 T2 C2 C2 T3 T3 Slika 4.61. Pri ojačevalniku v »B« razredu prevaja 146 .

potem se tranzistor nahaja v točki A v diagramu na sliki 4. Tak ojačevalnik srečamo le pri radijskih oddajnikih. Še boljši izkoristek moči dobimo v primeru. BIPOLARNI TRANZISTOR tranzistor le polovico periode. zato se na izhodu pojavijo višjeharmonski signali. 4. Ko na vhodu steče bazni tok. Ojačevalnik v »C« razredu. v »C« razredu pa še manj. da preklopi iz enega v drugo stanje. UCC IC A AB C B UBE UBB Slika 4. Če baznega toka ni. Seveda tako vezje signal popači (govorimo o nelinearnem popačenju).9. PREKLOPNE LASTNOSTI TRANZISTORJA Od elektronskega stikala pričakujemo dvoje: odprto in zaprto stanje. To pomeni. ko tranzistor prevaja le del ene polperiode. Pri tem sta zelo pomembna potrošnja moči ter podatek. koliko časa porabi tranzistor.64 – teče le tok nasičenja ICE0. ki jih moramo s pomočjo selektivnih filtrov odstraniti. tranzistor 147 .63. da je delovna točka tranzistorja nastavljena v področju zaporne napetosti med bazo in emitorjem. Take ojačevalnike uporabimo najpogosteje pri močnostnih izhodnih stopnjah radijskih oddajnikov ter pri množilnikih frekvence.

Delovna točka se dvigne po delovni premici navzgor do točke B. Tranzistor se bo najbolj segrel ravno pri preklopu. se kolektor- ski tok bistveno ne poveča. Tranzistor je v področju nasičenja. Ko tranzistor odpiramo. Tranzistor v vlogi stikala. nato nadaljuje pot navzgor in se od sredine oddaljuje. zato je prekr- miljen (točka C). je kolektorski tok skozenj dovolj velik. ko je delovna točka na sredini delovne premice. da delovna premica seka krivuljo največje dopustne izgubne moči PTOT (glej diagram na sliki 4. zato je tranzistor izkrmiljen. ker je produkt napetosti in toka tam največji.64. Ko pa tranzistor prevaja. Ker delovna točka pri preklopu tranzistorja zelo naglo prečka sredino delovne premice. kjer je potrošnja tranzistorja največja. Tranzistor troši največ moči takrat. Napetost med kolektorjem in emitorjem je blizu področja nasičenja. Zato je segrevanje tranzistorja pri preklopnih vezjih odvisno od števila preklopov v časovni enoti. Ko je tranzistor zaprt.64). Delovna 148 . IC PIZG IC C RC B UCC UCE A IB=0 UCE Slika 4. kolektorski tok je zanemarljiv. Potrošnja električne moči tranzistorja je v enem ali drugem stanju zelo majhna. da bo morala delovna točka pogostokrat skozi sredino delovne premice in tranzistor se bo čedalje bolj segreval. Večje število preklopov v časovni enoti pomeni. lahko tranzistor nastavimo tako.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA odpremo. padec napetosti pa pri vrednosti nasiče- nja. Če dodatno povečujemo bazni tok na vhodu. To pa zato. je vsa napajalna napetost med kolektorjem in emitorjem. se delovna točka pomika po delovni premici navzgor. Na začetku se giblje proti polovici delovne premice.

9. zaradi svoje kapacitivnosti ne more v hipu prevajati. Delovna točka se premika po delovni premici navzgor. Pri stikalnem obratovanju lahko izgubno moč tranzistorja nekajkrat prekora- čimo. da lahko uporabimo tudi šibkejši tranzistor. ki govorijo o preklopnih lastnostih tranzistorjev. pa imenujemo čas vzpona (rise time) tr. a le za kratek čas. To pomeni. se tranzistor ne uspe toliko segreti. Tranzistor troši tedaj moč približno P≈ICB0xUCC. Delovna točka pri preklopu potuje skozi področje. 4. da tudi po preklopu še nekaj časa teče kolektorski tok. Temu pravimo zakasnilni čas zaradi kopičenja naboja (storage time) ts in je kar nekajkrat večji od vseh ostalih zakasnilnih časov. Proizvajalci ponujajo v katalogih vrsto podatkov. thermal runaway). V trenutku. zato se tranzistor ne pregreje. ko tranzistor zapremo. prehaja skozi bazo pri npn tranzistorju veliko število elektronov. posledica pa je večji tok nasičenja. dokler ne doseže največje dopustne izgubne moči. Oglejmo si oboje. ki so v bazi manjšinski nosilci elektrine. Če je preklop dovolj hiter. ki je na začetku majhna (točka »A« na sliki 4. v katerem kolektor- ski tok nato naraste od 10% do 90%. Temperatura tranzistorja se zato dvigne. da bi se uničil. ti elektroni še vedno pritekajo v kolektor.1. 149 . imenujemo čas upadanja (fall time) tf. kot je dovoljena. Čas. teče skozi kolektor le manjši tok nasičenja ICE0. Ko tranzistor prevaja. zato se poveča tudi potrošena moč na tranzistorju. vendar se prehod traja le kratek čas. Tako preteče nekaj časa. kjer je izgubna moč večja. BIPOLARNI TRANZISTOR točka se tako med preklopom znajde v področju. Preklopni časi Ko tranzistor vklopimo. Poleg tega je končna oblika signala odvisna tudi od vrste bremena. Čas. Pri slabi temperaturni stabilizaciji lahko segrevanje tranzistorja privede do termičnega pobega (angl. jih ostane v bazi določeno število. kjer se tranzistor pregreje in uniči. v katerem kolektorski tok nato pade iz 90% na 10%. Ker je med kolektorjem in bazo zaporna napetost. Ko je na vhodu tranzistorja tok nič. To pomeni.64). preden prispejo elektrine iz emitorja v kolektor. Zaradi segrevanja pa se tok nasičenja veča. Ta čas se imenuje čas zakasnitve vzpona (delay time) td. kjer je izgubna moč na tranzistorju večja od dopustne.

150 . Induktivno breme Induktivno breme tranzistorja je lahko rele. Inducira se lastna napetost tuljave. UCC UCE UCC UCE t trenutek. Zaradi induktivnosti se ta bremena obnašajo drugače kot ohmska. 4.2.9. da se v vsakem ovoju pojavi električna napetost.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA UVH t IC 90% 10% t td tr ts tf t on t off Slika 4.65. tuljava elektromotorja in po- dobno. ki temu toku nasprotuje. ko se transistor zapre Slika 4. Indukcijski zakon pravi. če se v njem spreminja magnetni pretok.66. Delovanje tranzistorja z induktivnim bremenom. V trenutku preklopa tranzistorja se kolek- torski tok skokovito spremeni. Časi zakasnitve tranzistorja. zato se spremeni tudi magnetni pretok v tuljavi.

Čas polnjenja in praznjenja kondenzatorja je izpeljan s pomočjo dejstva. da vzpo- redno s tuljavo vežemo diodo. 4.9. Temu se izognemo tako. ki povzroči. ki teče skozi kondenzator. Napetost na izhodu tranzistorja ne more slediti kolektorskemu toku. BIPOLARNI TRANZISTOR Posebej nevaren je trenutek. da se v ovojih inducira napetost. UC U 0. le-ta prebije. kot kaže vezje na sliki 4.3. Kapacitivno breme lahko povzročijo tudi dolgi vodniki ali vhodna kapacitivnost naslednje stopnje. Zaradi tega v tuljavi naglo upade magnetni pretok. Dioda je obrnjena tako.63 U polnjenje R t= t C UC UC U praznjenje 0.37 U t= t Slika 4. enak produktu kapacitivnosti in hitrosti spre- 151 . Če presežemo dopustno temensko vrednost napetosti tranzistorja. da je tok. Napetost med kolektorjem in emitorjem tranzistorja je sedaj enaka seštevku napajalne napetosti in inducirane napetosti tuljave. ko se v njej pojavi inducirana napetost. Potek polnjenja in praznjenja kondenzatorja. Kapacitivno breme Kapacitivno breme povzroči. ko prekinemo kolektorski tok. da se v njem nabira elektrina. Oglejmo si odziv kapacitivnega bremena na vhodni signal pravokotne oblike. da kratko sklene tuljavo.67. Ta je na kolektorju pozitivna in ima vrednost RxIC. ki se kasneje prazni preko tranzistorja in onemogoči hipne spremembe napetosti.66).

Kondenzator se postopoma polni. Zato je vezje na sliki 4. Ker je kondenzator na začetku prazen. medtem ko padec napetosti in tok skozi upor upadata.68 a) se kondenzator C polni skozi kolektorski upor RC in prazni skozi tranzistor. Krmiljenje kapacitivnega bremena s tranzistorji.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA membe napetosti na kondenzatorju. Pri praznjenju je tok na začetku največji in teče skozi upor v nasprotno smer. je na njem napetost 0. ko se kondenzator polni.68. dokler ne doseže 0V. V vezju na sliki 4. ki ga omejuje upor. saj se kondenzator 152 . kjer je τ časovna konstanta in znaša: τ =RxC. Enačbi za trenutno napetost na konden- zatorju sta:  − t   uC = U ⋅  1 − e τ  . a) b) RE 100 RC 10K T1 CL T2 CL Slika 4. To pomeni. da je hitrost pol- njenja in praznjenja odvisna le od produkta kapacitivnosti kondenzatorja in upornosti. ko se kondenzator prazni. Ker je upornost kolektorskega upora navadno mnogo večja kot je upornost odprtega tranzistorja.68 b) boljše. skozi katero se kondenzator polni ali prazni. se kondenzator neprimerno več časa polni kot prazni. Zaradi tega teče v kondenzator tok. napetost na njem narašča. Napetost na kondenzatorju upada.     −t uC = U ⋅ e τ .

1) = −40kΩ ⋅ 10nF ⋅ ( − 2. ko napetost pade na 90%.1ms t2 = − R1 ⋅ C ⋅ ln(0. BIPOLARNI TRANZISTOR sedaj polni preko tranzistorja (T1).1) = 0.92 ms − 0. ko upade na 10% celotne napetosti: − t1 uC = e R⋅C U − t1 u  = ln C  R⋅C  U t1 = − R2 ⋅ C ⋅ ln(0.3) = 2. ki ima mnogo manjšo upornost. Primer Kondenzator kapacitivnosti C=10nF se polni preko prvega upora z upornostjo R1=100kΩ.04ms = 0.3ms t R = t2 − t1 = 2.1) = −100kΩ ⋅ 10nF ⋅ ( − 2. prazni pa preko drugega upora z upornostjo R2=40kΩ.04ms t2 = − R2 ⋅ C ⋅ ln(0.92 ms t F = t2 − t1 = 0.9) = −100kΩ ⋅ 10nF ⋅ ( − 0.1) = 0.3) = 0. do trenutka.1ms = 2. do trenutka. ko doseže 90% celotne napetosti: − t1 uC =1− e R⋅C U − t1  u  = ln 1 − C  R⋅ C  U t1 = − R1 ⋅ C ⋅ ln(0.88ms 153 . ko napetost doseže 10%.2 ms Čas upadanja pa merimo od trenutka. Izraču- najmo čas naraščanja tR in čas upadanja tF napetosti na kondenzatorju! Čas naraščanja merimo od trenutka. ko je odprt.9) = −40kΩ ⋅ 10nF ⋅ ( − 0.3ms − 0.

teče skozenj največji tok. Ko je kondenzator prazen. je padec napetosti na njem enak celotni vhodni napetosti. V času polnjenja napetost na kondenzatorju narašča. ko se kondenzator popolnoma izprazni. v drugem primeru pa večja od trajanja polperiode pravokotnega signala. UR t C <T R UR t >T Slika 4. padec napetosti na uporu pa zaradi tega upada proti ničli. zato ima izhodna napetost nasproten predznak. zato je na uporu napetost 0V in tok več ne teče. vzbujenega s signalom pravokotne oblike.69.69 je v prvem primeru časovna konstanta RxC manjša. Ko se kondenzator popolnoma napolni.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Na sliki 4. teče tok v obratno smer. 154 . Tok ponovno pade na nič. Ko pa se kondenzator prazni. Oblika signala na izhodu vezja. ki je omejen z uporom.69 vidimo vpliv sklopnega kondenzatorja na obliko pravokotnega vhodnega signala. V vezju na sliki 4.

Kaj je tok nasičenja? Kako ga označimo in od česa je najbolj odvisen? 7. BIPOLARNI TRANZISTOR VPRAŠANJA 1. Čemu služi diferencialni ojačevalnik? Kako deluje? 17. V katero smer moramo priključiti emitorski in kolektorski spoj pri bipo- larnem tranzistorju. Kaj je Darlingtonovo vezje? 155 . Kaj pomeni. Kaj se zgodi. Kaj je področje nasičenja tranzistorja? 11. da bo deloval v aktivnem področju? 3. kot smo pričakovali? 13. V kakšni povezavi sta si α in β pri bipolarnem tranzistorju? 6. Naštej vse orientacije tranzistorja! Zakaj jih tako poimenujemo? 8. Kaj je α? Kolikšno vrednost ima? Ali je lahko večji od 1? 5. da je tranzistor »pnp« tipa? 2. Opiši prednosti in slabosti posameznih orientacij tranzistorja! 16. Zakaj diferencialni ojačevalnik izboljšamo s tokovnim generatorjem in kaj je faktor rejekcije ali CMRR? 18. da ga priključimo v zaporno smer? 4. Zaradi česa teče skozi kolektorski spoj električni tok. če delovno točko tranzistorja nastavimo z baznim uporom. Zakaj moramo delovno točko pri tranzistorju stabilizirati? 14. Zakaj moramo vhodno upornost ojačevalnikov prilagoditi upornosti gene- ratorja? 19. kljub temu. Razloži. kot na sliki 4. Kaj nam pove parameter hfe? 10. Kakšna je prednost in kakšna slabost enosmerno povezanih ojačevalni- kov? Kaj moramo paziti pri taki povezavi? 20. Kaj je enosmerna delovna točka in zakaj jo moramo nastavljati? Na kak- šen način jo nastavimo? 12. kako deluje stabilizacija delovne točke z emitorskim uporom! Čemu v takem vezju služi emitorski kondenzator? 15. Zakaj potrebujemo nadomestna vezja? Nariši preprosto nadomestno vezje za bipolarni tranzistor! 9. β tranzistorja pa je večji.20.

Kaj je skrajna frekvenca tranzistorja? 28. β=120 in ICB0=40µA? (Odg. če je IB=0. Kolikšen je kolektorski tok tranzistorja. Izračunajte AI.: 40. 1kΩ. Opiši. Kako deluje ojačevalnik v »AB« razredu.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 21. Kakšen vpliv imata kapacitivnosti tranzistorja na ojačenje? 27. Zakaj v »B« razredu potrebujemo dva komplementarna tranzistorja? 34. Zakaj nastane nelinearno popačenje? 31. Čemu služi sklopni kondenzator med posameznimi ojačevalnimi stop- njami? 22. ∞) 4. če imamo na voljo en sam napa- jalni vir? 35. Zakaj nastane zakasnitev pri preklopu bipolarnega tranzistorja? NALOGE 1. Izračunajte upornost kolektorskega RC in baznega upora RB v vezju na sliki 4. da bo delovna točka tranzistorja pri UCE=4V in IC=5mA! UCC=12V in β=120.: -120. AU.84mA) 2.3mA. kako nastane šum v ojačevalnikih! 26. če je IE=8mA in β=120 (termična napetost znaša 25mV)? (Odg. Zakaj v ojačevalnikih uporabljamo selektivne transformatorje? 25. Kako vplivajo sklopni kondenzatorji na frekvenčno karakteristiko ojače- valnika? Kaj se zgodi. Čemu tuljava namesto kolektorskega upora ojačevalnika? 24. 271kΩ) 156 . Kaj je izkoristek ojačenja moči pri močnostnih ojačevalnikih? 30.6kΩ.: 320mS) 3. -240. Pri tranzistorju v orientaciji s skupnim emitorjem sta parametra hfe=120 in hie=1kΩ. upornost bremena pa je 2kΩ.20 tako. Kolikšna je transkonduktanca tranzistorja gm. RVH in RIZH! (Odg. Kako deluje kaskadni ojačevalnik? Zakaj je primernejši za višje frekvence? 29. (Odg. če nižamo kapacitivnost teh kondenzatorjev? 23. Zakaj delimo ojačevalnike v razrede? Kakšne so razlika med posameznimi razredi? 32. Zakaj je izkoristek ojačenja moči boljši v »B« od tistega v »A« razredu? 33.: 1.

da bo IE2=240mA in delovna točka drugega tranzistorja na sredini delovne pre- mice (β1=100.: ≈-9) 7.5kΩ.: 1. hfe2=80 in hie2=1kΩ? (Odg.5mW) 8K6 680 UCC 16V 2K8 290 157 . 18. Izračunajte. 6. 140Ω. IC2=10mA. Kolikšno je napetostno ojačenje iz predhodnega primera. β2=60)! Kolikšna je približno vhodna upornost ojačeval- nika? (Odg: 10. hie1=1kΩ. 25Ω. β1=120. če so parametri: hfe1=120. Izračunajte upornosti uporov R1. če je β=80! (Odg. da bo delovna točka pri obeh tranzistorjih na sredini.4kΩ.37kΩ) R1 UCC 12V R2 RE 8. β2=80 in UCC=16V! (Odg. R2 in RE spodnjega vezja tako. Izračunajte upornosti uporov RC1. 800Ω) 6.: 59. BIPOLARNI TRANZISTOR 5. Podatki: IC1=5mA.40 tako.4kΩ. kolikšno izgubno moč troši tranzistor v danem vezju. RE1 in RE2 v vezju na sliki 4.

: 0.055MHz.9µV) 12. Ojačevalnik s pasovno širino 10kHz ima v vezju upor z upornostjo 5kΩ. Za koliko decibelov se je signal povečal? (Odg.038MHz. 1. Kolikšna je zgornja mejna frekvenca tranzistorja. Kolikšna je lahko največja (teoretična) moč na izhodu ojačevalnika v AB razredu pri napajalni napetosti 24V in upornosti bremena 8Ω? (Odg: 9W) 158 .ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 9. Kolikšno šumno napetost povzroči termični šum na uporu pri temperaturi 25°C? (Odg.47) s podatki: C=470pF in L=50µH.: 1. Ojačevalnik ima na izhodu selektivni transformator (glej sliko 4. če ima nihajni krog pri resonančni frekvenci upornost R=10kΩ? (Odg.: 83kHz) 13.: 3dB) 11. če je hfe=120 in fT=10MHz? (Odg. 1.021MHz) 10. Kolikšna je resonančna frekvenca nihaj- nega kroga in kolikšni zgornja in spodnja mejna frekvenca. Na izhodu ojačevalnika je narastel signal z 12mV na 17mV.

s katerim krmilimo tok skozi kanal. angl. junction gate field effect tranzistor) ter FET z izoliranimi vrati (IGFET. ker je električni tok v teh tranzistorjih sestavljen le iz večinskih nosilcev naboja. Poleg teh poznamo še posebne tipe tranzistorjev. angl. insulated gate field effect tranzistor). metal- oxide-semiconductor FET). enhancement-type) ter z vgrajenim kana- lom (angl. gate). ki ima dva priključka: izvor (S. field effect transistor). UNIPOLARNI TRANZISTORJI Poglavje 5 UNIPOLARNI TRANZISTORJI Unipolarnim tranzistorjem pravimo tudi tranzistorji z vplivom polja (FET. angl. MOSFET tranzistorji se po zgradbi delijo v dva tipa: z induciranim kanalom (angl. angl. kot je na primer bipolarni tranzistor z izoliranimi vrati (IGBT. drain). ki so najpogosteje kombi- nacija med unipolarnimi in bipolarnimi tranzistorji. source) in ponor (D. Unipolarni so zato. angl.1. insulated gate bipolar transistor). angl. 159 . angl. Glede na zgradbo vhodnega priključka ločimo dve vrsti unipolarnih tranzistorjev: spojni FET (JFET. depletion-type). imenujemo vrata (G. Simbole vseh tranzistorjev vidimo na sliki 5. Vhodni priključek. Ta tok teče skozi polprevodniški kanal. ki ga imenujemo tudi MOSFET (angl.

Pri tranzistorju z n-kanalom mora biti napetost na vratih (UGS) negativ- nejša. Poleg tranzistorjev z n-kanalom poznamo tudi tranzistorje s p-kanalom. vmeščen v nasprotni tip polprevodnika (p-tip).1. Simboli unipolarnih tranzistorjev. Ko na kanal priključimo električno napetost UDS. ki oklepa kanal. je spojen vhodni priključek – vrata. Na ta polprevodnik.1.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Unipolarni tranzistorji imajo – za razliko od bipolarnih – zelo veliko vhodno upornost. kot je na izvoru. JFET Tranzistor sestavlja kanal (na sliki 5. Le-ti pritekajo skozi izvor in odtekajo skozi ponor. Zaradi tega nastane med kanalom in oklepajočim polprevodnikom zaporna plast.2 n-tipa). 160 . 5. Za pravilno delovanje tranzistorja moramo na vhod priključiti napetost tako. da je pn spoj med vrati in kanalom polariziran v zaporno smer. stečejo skozi kanal večinski nosilci (v našem primeru elektroni). JFET MOS-FET MOS-FET z induciranim kanalom z vgrajenim kanalom D D D z n kanalom G G G S S S D D D s p kanalom G G G S S S Slika 5. ki znaša od 106Ω pri JFET do 1014Ω pri MOSFET.

se zaporna plast razširi globlje v kanal in s tem se zoža njegov prevodni presek. v kateri ni ne prostih elektronov ne vrzeli. ki je priključena v zaporno smer. UNIPOLARNI TRANZISTORJI S G D D p G n p S Slika 5.1.2. 161 . Delovanje JFET Zaradi napetosti UGS. ožji od dejanskega.1. ki lahko prevaja električni tok. da je kanal.3. Zaporna plast seže tudi v kanal. UDS UGS ID S G D ID p zaporni D plasti G n UDS UGS S p Slika 5. Upornost kanala je zaradi tega večja kot v primeru. Če vhodno napetost med vrati in izvorom UGS povečamo. 5. Priključitev JFET. če zaporne plasti ne bi bilo. Upornost kanala se še poveča. kar pomeni. Zgradba JFET. je med kanalom in oklepajočim polprevodnikom zaporna plast.

da pri nespremenjeni vrednosti UDS večamo zaporno napetost na vhodu UGS. pinchoff voltage). zato več ne narašča. Ko doseže napetost UDS dovolj veliko vrednost. Izhodna UDS karakteristika JFET pri UP pogoju UGS=0. pri kateri se kanal zadrgne. Ko napetost UDS povečujemo.4. To pa zato. imenujemo napetost zadrgnitve UP (angl. da se kanal pri ponoru preščipne ali zadrgne. ki teče skozi kanal. imenujemo napetost nasi- čenja UDSsat. ko je vhodna napetost (napetost na vratih) 0V. Širina zaporne plasti je vzdolž kanala različna – pri ponoru je mnogo širša kot pri izvoru. temveč ostaja z nadaljnjim večanjem napetosti UDS konstanten. označimo z IDSS. Ko priključimo napetost med izvorom in ponorom UDS. ID UGS =0 IDSS Slika 5. saj je kanal zaradi napetostnega vira na pozitivnejšem električnem potencialu. se med kanalom in vrati ustvari zaporna plast.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Opazujmo sedaj primer. se zaporni plasti z obeh strani toliko razširita. Tok ID. ki teče ob zadrgnitvi kanala ko je vhodna napetost UGS=0. pri kateri se kanal zadrgne. Napetost med vrati in ponorom. 162 . Kanal lahko zadrgnemo tudi tako. Tok skozi kanal ID sedaj več ne narašča. Povezava med napetostjo nasičenja in napetostjo zadrgnitve je naslednja: U DSsat = U GS − U P Ponorski tok ID. Napetost. se zaporna plast širi z obeh strani in prevodni del kanala se oža. ker je napetostna razlika med n-kanalom in oklepajočim p-tipom pri ponoru večja kot pri izvoru.

Polje izhodnih 5 10 15 UDS [ V] karakteristik JFET. da JFET deluje kot napetostno spremenljiv upor. Karakteristika JFET V polju izhodnih karakteristik ločimo dve področji: področje pod zadrgnitvijo in nad njo. Ker je velikost transkonduktance v različnih točkah krivulje različna. To pomeni. za koliko se spremeni ponorski tok ID. Področje nad zadrgnitvijo pa je primerno za ojačevalnike.6 je transkon- duktanca enaka nagibu tangente v izbrani točki na krivulji.5. Tokove nasičenja IDS v področju zadrgnitve približno izračunamo iz enačbe: 2  U  I DS ≅ I DSS ⋅  1 − GS   UP  Če vhodna napetost UGS doseže vrednost napetosti zadrgnitve UP. To je diagram.1. podajajo proizvajalci 163 . kjer želimo. da vhodna napetost ne sme nikoli preseči napetosti zadrgnitve. Slednje imenujemo tudi področje nasičenja. saj je izhodni tok ID odvisen le od velikosti vhodne napetosti UGS. potem je ponorski tok enak 0. UNIPOLARNI TRANZISTORJI 5. ki prikaže odvisnost izhodne veličine od vhodne. kar lahko predstavimo s prenosno karakteristiko. Razmerje med spremembo izhodnega toka in spremembo vhodne napetosti je prevodnost – transkonduktanca gm: ∆I D gm = ∆U GS Pove nam. Izhodni tok ID krmilimo s pomočjo vhodne napetosti UGS. če spremenimo napetost med vrati in izvorom UGS. ID [mA] UDSsat =UGS -UP UGS =0 6 -1V 4 -2V 2 -3V Slika 5. V prenosni karakteristiki na sliki 5. Področje pod zadrgnitvijo uporabljamo tam.2.

ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA največjo transkonduktanco gmo. Tu postane ponorski tok skoraj konstanten. da je gm=gmo pri napetosti UGS=0. ki jo ima tranzistor v določeni delovni točki. ki nam poda ojačenje unipolarnega tranzistorja. dobimo za gmo: 2 ⋅ I DSS g mo = − UP JFET ima tri priključke: izvor S.6. dobimo za transkonduk- tanco: ∆I D 2 ⋅ I DSS  U  gm = =− ⋅  1 − GS  ∆U GS UP  UP  Ker vemo. Kanal tranzistorja se pri napetosti nasičenja med izvorom in ponorom zadrgne ali preščipne. ponor D in vrata G. Če sedaj upoštevamo enačbo za ponorske tokove. 164 . Prenosna UGS [V] 4 3 2 1 karakteristika JFET. Pomemben podatek o tranzistorju je transkonduktanca. lahko nato izračunamo s pomočjo približne enačbe:  U  ID g m = g mo ⋅  1 − GS  = g mo ⋅  UP  I DSS ID [mA] IDSS 6 4 UP 2 Slika 5. ki je pri vrednosti UGS=0. odvisen je le od vhodne napetosti. Vrednost. Ponorski tok na izhodu krmilimo z vhodno napetostjo med vrati in izvorom.

a) iD b) iD G D G D C GD uGS gm uGS gd uGS gd C GS S S S S Slika 5. Na vhodu si torej predstavljajmo odprte sponke. zato so zanemarljive tudi spremembe tega toka.3. UNIPOLARNI TRANZISTORJI Primer Če med vrati in izvorom JFET priključimo napetost UGS=-1V. Vhodni tok IG je zanemarljiv. 165 . nad njo (v področju nasičenja) pa zelo majhna. Tokovni generator na izhodu je odvisen od produkta vhodne napetosti uGS in transkonduktance tranzistorja gm. V področju pod zadrgnitvijo je odvisnost velika. steče ponorski tok ID=4mA.7 a).1. napetost zadrgnitve pa je UP=-3V.7. Nadomestni vezji JFET. Nadomestno vezje JFET Najenostavnejše nadomestno vezje za majhne signale vidimo na sliki 5. največjo transkonduktanco gmo ter transkonduktanco v delovni točki gm! 2 2  U   − 1V  4 I D = I DSS ⋅  1 − GS  = I DSS ⋅  1 −  = I DSS ⋅  UP   − 3V  9 9 9 I DSS = I D ⋅ = 4mA ⋅ = 9mA 4 4 2 ⋅ I DSS 2 ⋅ 9mA g mo = − =− = 6mS UP − 3V  U   − 1V  g m = g mo ⋅  1 − GS  = 6mS ⋅  1 −  = 4mS  UP   − 3V  5. Izhodna diferencialna prevodnost gd pa podaja razmerje med spremembo ponorskega toka iD in spremembo napetosti med izvorom in ponorom uDS. Izračunajmo največji tok IDSS.

ki teče skozi breme RL. kar se odraža kot difuzijska kapa- citivnost. Nasprotovanju izhodnega signala. Ker je vhodni tok IG zanemarljiv.8 a). zato je izvor S na pozitivnejšem potencialu kot vrata G.1. V JFET imamo opraviti le s kapacitivnostmi zapornih plasti med krmilno elektrodo in kanalom. Vezje se tako upira spremembi toka na izhodu tranzistorja. ki imata kapacitivnosti nekaj pF (piko faradov). pravimo negativna 166 . Tok iD. Ponorski tok ID povzroči na uporu RS padec napetosti URS. da je pri tranzistorju z n kanalom vhodni priključek G negativnejši od izvora S. da bi se povrnil na vhod. vrata G imajo praktično potencial mase. kot kaže slika 5.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Iz prvega nadomestnega vezja lahko izpeljemo enačbo za napetostno ojačenje. posledica pa bi bil nižji ponorski tok ID.7 b) smo te kapacitivnosti predstavili s CGS in CGD. vezano na izhodu. 5. je enak: iD = g m ⋅ uGS Napetostno ojačenje je razmerje med izhodno in vhodno napetostjo signala. V nadomestnem vezju na sliki 5. bi povzročil večji padec napetosti na uporu RS. je tudi padec napetosti na uporu RG majhen. a nasprotno usmerjen od padca napetosti na uporu RS . je tam zelo pomemben podatek faktor ojačenja β. Nastavitev in stabilizacija delovne točke JFET Delovno točko tranzistorja nastavimo tako. Izvor bi postal pozitivnejši od vrat. Upor RS služi tudi za stabilizacijo delovne točke tranzistorja. zato dobimo: u i ⋅R g ⋅u ⋅R AU = IZH = D L = m GS L = g m ⋅ RL uVH uGS uGS Če se spomnimo bipolarnih tranzistorjev. Če bi se ponorski tok ID zaradi katerega koli vzroka povečal. Padec napetosti med vrati in izvorom (UGS) je približno enak (saj so vrata praktično na potencialu mase). ki je definiran kot: g µ= m gd V bipolarnem tranzistorju je hitrost odziva omejena zaradi (počasne) difuzije manjšinskih nosilcev v področju baze. Podoben podatek je za JFET ojačevalni faktor µ (grška črka mi). To dosežemo s pomočjo upora na izvoru RS.4.

UNIPOLARNI TRANZISTORJI povratna zanka. Vhodni tok IG je močno odvisen od temperature. Spremembo lahko ublažimo z vezjem na sliki 5. RD 8. S tem se spremenijo napetosti med vrati in izvorom UGS.2V 4mA 0V UDD 12V 2. Nastavitev delovne točke JFET. Primer Izračunajmo upornosti uporov v vezju ojačevalnika ter napetostno ojačenje. UP=-4V.2V RG RG gm uGS RD RS CS 167 . Delovanju zanke na izmenični signal se izognemo tako. Če je prečni tok skozi delilnik nekajkrat večji od vhodnega toka IG. gmo=10mS! Delovno točko nastavimo pri ID=4mA. potem je padec napetosti na izhodu delilnika skoraj neodvisen od sprememb toka IG.8 b). V prvem vezju smo zanemarili padec napetosti na vhodnem uporu RG. da vežemo vzporedno z uporom RS še kondenzator CS. Zato prihaja do izraza tudi sprememba padca napetosti na uporu RG. saj se s temperaturo kar nekajkrat poveča. a) b) RD RD RG1 UDD UDD RG RG2 RS CS RS CS Slika 5. če je UDD=12V.8. kjer za to poskrbi delilnik napetosti z uporo- ma RG1 in RG2.

ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Najprej moramo izračunati napetost med vrati in izvorom v delovni točki UGS: 2 ⋅ I DSS g ⋅ UP 10mS ⋅ ( − 4 V) g mo = ⇒ I DSS = − mo =− = 20mA UP 2 2  ID   4mA  U GS = U P ⋅  1 −  = −4 V ⋅  1 −  = −2 . U RS − U GS 2.5mS  UP   − 4V  AU = g m ⋅ RL = g m ⋅ RD = 4.2 V RD = = = 950Ω ID 4mA Pri izračunu ojačenja potrebujemo najprej transkonduktanco v delovni točki:  U   − 2.2 V RS = = = = 550Ω ID ID 4mA U DD − U DS − U RS 12 V − 6 V − 2. da delovna točka JFET tranzistorja na polovici delovne premice.275 Izračunajmo še vhodno in izhodno upornost ojačevalnika! Spet si pomagamo z nadomestnim vezjem in hitro ugotovimo. Upoštevati moramo le pogoj.5mS ⋅ 950Ω = 4. 2 V  g m = g mo ⋅  1 − GS  = 10mS ⋅  1 −  = 4. da je: RVH = RG = 1MΩ RIZH = RD = 950Ω 168 . 2 V  I DSS   20mA  Nato lahko izračunamo upornosti obeh uporov.

s skup- nim ponorom ter s skupnimi vrati. ki podaja napetostno ojačenje ter vhodno in izhodno upor- nost ojačevalnika z JFET za različne orientacije: skupni izvor skupni ponor skupna vrata − g m ⋅ RD g m ⋅ RS g m ⋅ RD AU * ≈1 1 + g m ⋅ RS 1 + g m ⋅ RS 1 + g m ⋅ RS 1 RVH RG RG RS + gm RS RIZH RD RD 1 + g m ⋅ RS *Enačba velja. če upor RS ni kratkosklenjen s kondenzatorjem (sicer je člen v imenovalcu enak 1). UNIPOLARNI TRANZISTORJI 5.1. RD RD RS RG RG RS RS Slika 5.5. Orientacije JFET. Orientacije JFET Podobno kot pri bipolarnih tranzistorjih tudi pri JFET uporabljamo vezave v različnih orientacijah. Poglejmo tabelo. Tako poznamo orientacije s skupnim izvorom. 169 .9.

Vezja z JFET in bipolarnim tranzistorjem Zaradi velike vhodne upornosti JFET nam včasih pride prav vezje.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 5. Nekaj rešitev je podanih v tabeli: Orj. Vezje RVH RIZH AU CS-CB UCC RG RL − g m ⋅ RL RL kaskadno UBB RG CS-CB UDD RG RL − g m ⋅ RL RD kaskadno UBB RG RL CD-CB UDD RG RL g m ⋅ RL RL UBB RG RE 170 .1. Vezje lahko približno izračunamo z uporabo poenostavljenih nadomestnih vezij.6. ki je sestav- ljeno iz JFET in bipolarnega tranzistorja.

171 .7. V teh mejah je upornost med izvorom in ponorom linearna in obojestranska (pri pozitivni in negativni UDS – glej sliko 5.10). UNIPOLARNI TRANZISTORJI CS-CE UEE RG RL hfe ⋅ g m ⋅ RL RG RL CD-CE UDD RG RL − hfe ⋅ g m ⋅ RL g m ⋅ hfe 1+ RL g mt ∆I C g mt = ∆U BE RG RE CS-CC UCC RG RL − g m ⋅ RL hfe RL RG RE 5. JFET kot upor JFET lahko uporabimo tudi kot napetostno spremenljiv upor. V ta namen izkoriščamo področje v karakteristiki pod zadrgnitvijo.1. saj pri višji napetosti že preidemo v področje zadrgnitve. Vhodna napetost je omejena na manj kot 100mV.

Izhodna napetost je določena z enačbo UIZH=UVHxRDS/(R+RDS).11. Nekaj možnih uporab si lahko ogledamo na sliki 5. JFET kot napetostno krmiljeni upor. 172 . kjer je RDS upornost kanala JFET. R R UREG UREG a) delilnik napetosti b) kontrola ojačenja C UREG UREG c) kontrola faznega zamika d) kontrola frekvence oscilatorja Slika 5.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA UGS =0 ID -1V -2V -100 -50 50 100 UDS [mV] Slika 5.11.10. V vezju a) uporabljamo JFET kot del napetostnega delilnika (drugi del predstavlja upor R). Linearno področje JFET.

Tok ID na začetku narašča do napetosti nasičenja UDSsat. UNIPOLARNI TRANZISTORJI V vezju b). JFET kot dioda V vezjih lahko JFET uporabimo tudi kot diodo. le da ima en sam priključek vrat. S G D n+ n n+ GaAs Slika 5. ostane tok konstanten vse do preboja. MESFET MESFET (angl. Zgradba MESFET. Ko se kanal zadrgne.9. ki so izdelana iz spoja prevodnik- polprevodnik. V zadnjih dveh vezjih c) in d) spreminjamo časovno konstanto.8. Ojačenje takega ojače- valnika je določeno z enačbo: AU=1+R/RDS. Pozorni moramo biti le na to. da deluje tranzistor v področju nad zadrgnitvijo. uporabljamo JFET v povratni zanki. ki mu spreminjamo frekvenco s spremembo RC členov. 5.1. Tranzistor se sedaj obnaša tako. ki določa hitrost polnjenja in praznjenja kondenzatorja: τ=RDSxC. ID D G S Slika 5.11 d) je oscilator.12. kot da bi bila napetost UGS=0V. JFET kot UDS konstanten izvor toka. ki omogoča večjo mobilnost elektrin kot silicij. Polprevodnik je najpogosteje galijev arzenid (GaAs).13. Zaradi tega uporabimo JFET kot konstanten izvor toka. 173 . metal-semiconductor field-effect transistor) je podoben JFETU. Vezje na sliki 5. Zaradi tega uporabljamo ta tranzistor pri mikrovalovnih ojačevalnikih (pri frekvencah nekaj GHz).1. 5. kjer je operacijski ojačevalnik vezan kot neinvertirajoči ojačevalnik (glej stran 209). V tem primeru morata biti vrata G in izvor S kratko sklenjena.

15.15. saj je zaradi odsotnosti primesi tu mobilnost elektrin zelo velika. Ko na tak kondenzator priključimo električno napetost. da ima širok prepovedani energijski pas. Zgradba HFET. heterojunction field-effect transistor) je narejen iz več vrst pol- prevodnega materiala. Zaradi tega se na 174 . MOS kondenzator. Oglejmo si delovanje MOS kondenzatorja.1. Kondenzator sestavljajo kovinska elektroda. se med elektrodama ustvari električno polje. 5. metal-oxide-semiconductor). Med vhodno elektrodo in kanalom je tanka plast oksidnega polprevodnika. kovina (Al) dielektrik (SiO2) polprevodnik Slika 5. Tako prehajajo elektrine v priležni polprevodnik. MOSFET MOSFET tranzistorji imajo vhodno elektrodo – vrata G – galvansko ločeno od kanala. S G D n+ n-AlGaAs n+ i-AlGaAs i-GaAs GaAs Slika 5.14. da delujejo kot majhen kondenzator.10.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 5. kot na sliki 5. pod kanalom leži polprevodnik. Kanal je dopiran tako. HFET tranzistor je uporaben v mikrovalovnih ojačevalnikih. HFET HFET (angl. tanka plast dielektrika iz oksidne plasti ter druga elektroda iz polprevodnika. Oznaka MOS izvira iz zgradbe krmilne elektrode: kovina-oksid-polprevodnik (angl.2. Vrata so izdelana tako. dielektrik. ki deluje kot izolator oz. ki nima primesi in ima ožji prepovedani pas.

pa negativna.16. bulk). Ta je previsoka že. v katerem je kanal n-tipa. s pomočjo katerega lahko v polprevodniškem kanalu ustvarimo (induci- ramo) dodatno elektrino. enhancement-mode) in • MOSFET z vgrajenim kanalom (angl. je dodaten priključek B (angl. lahko tranzistor uničimo s statično elektriko. Ozek pas polprevodnika. depletion-mode). 175 . UNIPOLARNI TRANZISTORJI kovinski elektrodi nabere pozitivna elektrina. v polprevodniku. Po načinu delovanja ločimo dve vrsti MOSFET: • MOSFET z induciranim kanalom (angl.1. Vhodna elektroda predstavlja skupaj s kanalom MOSFET majhen kondenza- tor. če priključke tranzistorja primemo z rokami. smo obogatili z negativno elektrino in izboljšali prevodnost. Na ta način lahko bogatimo ali siromašimo polprevodniški kanal MOS tranzistorja.2. MOSFET z induciranim kanalom.16. Ker je debelina dielektrika izredno majhna. Ta je v notranjosti spojen na izvor S in služi za to. S G D D n n G p S Slika 5. tik pod dielektrikom. Zaradi zgradbe vhodnega priključka imajo MOSFET zelo veliko vhodno upornost (okrog 1012 do 1014Ω). da delujeta polprevodnik in vhodna elektroda kot majhen kondenzator. MOSFET z induciranim kanalom Simbol in zgradba tranzistorja z n-kanalom sta prikazana na sliki 5. Na polprevodniku p-tipa. tik pod dielektrikom. 5.

17. Napetosti na vhodu. se v kanalu nabere dovolj veliko število negativne elektrine. ki je na višjem potencialu. se v kanalu nabere dovolj elektrin. Ko dosežemo določeno vrednost. je induciranih elektrin pri ponoru D premalo in kanal se tu preščipne.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Ko med izvor S in ponor D priključimo električno napetost. V tem delu je zato manj inducirane elektrine. Brez priključene vhodne napetosti teče skozi kanal zanemarljivo majhen tok. da začne kanal prevajati. tem več elektrine se nabere v kanalu in kanal bolje prevaja. da skozenj steče ponorski tok. Če je vhodna napetost dovolj velika. Ko med vrati G in izvorom S priključimo napetost. kaj se dogaja. v polprevodniku tik pod dielektrikom pa negativna. ki ji pravimo napetost nasičenja UDSsat. Če napetost UDS sedaj povečujemo. temveč ostaja skoraj konstanten. ko je napetost med vrati in izvorom UGS večja od napetosti med izvorom in ponorom UDS. ponorski tok ID ne narašča več. bo eden od pn spojev zaporno polariziran (na spodnji sliki to velja za pn spoj ob ponoru). Čim večja je vhodna napetost. Priključitev MOSFET z induciranim kanalom. se število elektrin ob ponoru D zmanjšuje. pravimo pragovna nape- tost UT (angl. Napetostna razlika med kanalom in elektrodo vrat G ni povsod enaka (zaradi priključene UDS) in je najmanjša v tistem delu kanala. Poglejmo. Količina v kanalu induciranih elektrin je odvisna od napetosti med vhodno elektrodo G in kanalom. se na elektrodi vrat nabere pozitivna elektrina. Ko na vhodu dosežemo pragovno napetost. Ko med izvor S in ponor D priključimo napetost UDS.17. 176 . threshold voltage). se v kanalu inducirana elektrina neenakomerno porazdeli. UDS UGS ID ID D S G D G UDS n n UGS S p B inducirana elektrina Slika 5. pri kateri začne kanal prevajati. torej ob ponoru D. kot kaže slika 5. Če napetost UDS še povečujemo.

MOSFET z vgrajenim kanalom MOSFET z vgrajenim kanalom ima med izvorom S in ponorom D vgrajen kanal iz n-tipa polprevodnika. Pri napetosti nasičenja med izvorom in ponorom pa se kanal preščipne. se v kanalu inducira dovolj veliko število elektrin in kanal začne prevajati. zato kanal slabše prevaja.18. UNIPOLARNI TRANZISTORJI ID [mA] ID [mA] UGS =6V 6 6 4 5V 4 2 4V 2 3V UT 5 10 15 UDS [ V] 2 4 6 UGS [ V] Slika 5. Ko je vhodna napetost dovolj velika. Pozitivna vhodna napetost na vratih G obogati kanal z negativno elektrino.19. 177 . zato kanal bolje prevaja. MOSFET z vgrajenim kanalom. Zaradi tega kanal prevaja tudi.2. Tu postane ponorski tok skoraj konstanten. S G D D n n G p S Slika 5. 5. Nasprotno pa negativna napetost na vhodnem priključku povzroči osiromašenje kanala (število negativih elektrin se zmanjša). če na vhodu ni napetosti. Karakteristika MOSFET z induciranim kanalom.2. odvisen le od vhodne napetosti.

ki je na izhodu ojačan. vrača ponovno na vhod. Z naraščanjem napetosti UDS se sedaj ponorski tok ID več ne spreminja (ostaja skoraj konstanten). 5. ki omejuje zgornjo mejno frekvenco. Nastavitev delovne točke MOSFET Delovno točko pri MOSFET nastavimo zelo podobno kot pri JFET. Karakteristika MOSFET z vgrajenim kanalom. tudi če med vrati in izvorom ni nobene napetosti. MOSFET z induciranim kanalom potrebuje med vhodnim priključkom G in izvorom pozitivno prednapetost (če je tranzistor z n-kanalom).4.20. je ta pojav 178 . ID [mA] ID [mA] UGS =4V 6 6 4 2V 4 2 0V -2V UT 5 10 15 UDS [ V] -2 0 2 UGS [ V] Slika 5. ali imamo opravka s tranzistorjem z induciranim kanalom ali pa gre za tranzistor z vgrajenim kanalom. ki ji pravimo napetost nasičenja UDSsat.2. Pri MOSFET z vgrajenim kanalom lahko z vhodno napetostjo ta kanal bodisi bogatimo z elektrino bodisi siromašimo.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Kanal se preščipne pri določeni napetosti med izvorom in ponorom. ki jih uporabljamo za visokofrekvenčne ojačevalnike. Preko te kapacitiv- nosti se signal.3. pri tem pa moramo vedeti. 5.2. Na ojačenje MOS tranzistorja pri višjih frekvencah vpliva tudi kapacitivnost med elektrodo vrat in ponorom. Pri MOS tranzistorjih. MOSFET z dvoje vrati Vhodna elektroda tvori skupaj s kanalom majhen kondenzator. MOSFET z vgrajenim kanalom pa prevaja.

da bi se signal vračal iz ponora nazaj na vhodno elektrodo G1. Prva elektroda G1 je priključena na vhod. da je izgubna moč čim manjša. medtem ko je druga G2 preko kondenzatorja speljana na maso. ki poteka tik pod izvorom. Močnostni MOSFET Močnostni MOS tranzistorji so narejeni tako. da ima kanal z majhnim presekom manjšo upornost od tistega z večjim.21. najprej difundirajo akceptorje iz bora. Tranzistor vežemo tako. ki ustvarijo izvor. da imamo dejansko opraviti s kaskadnim ojačeval- nikom z dvema MOSFET tranzistorjema. kjer bo nastal izvor. so močnostni MOS tranzistorji izdelani tako. UNIPOLARNI TRANZISTORJI nezaželjen. DMOS (angl. MOSFET z dvoje vrati. Proizvajalci dosežejo ozek kanal takole: v polprevodnik. Imeti morajo zelo majhne upornosti. D G2 +9V G1 S 47K 1-12p S G1 G2 D 3N201 1-12p 270 n n 47K 1n p 1n Slika 5.2. 179 . se okrog izvora ustvari ozek kanal. Slednja prepreči. ki ustvarijo kanal.5. da vzdržijo velike tokove in visoke prebojne napetosti. zato imajo vhodno elektrodo razdeljeno na dve elektrodi. Ker bor hitreje difundira v polprevodnik. 5. double diffused MOS) ima zelo ozek kanal. Takoj za tem difundirajo donorje iz fosforja. Ker velja. da imajo zelo ozek kanal in čim manjše kapacitivnosti.

ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA S G D n+ n+ p n- Slika 5. Na površini. izdelan v heksagonalnih oblikah. je priključek za vrata.23. kjer je izdelan priključek vrat. Zgradba DMOS kanal debelina kanala tranzistorja. Zgradba ponor HEXFET. 180 . Elektroni potujejo iz izvora preko ka- nala na mesta. drugi spodaj).23). izvor vrata izolator vrata izvor n n n p p p n kanal n+ Slika 5. V HEXFET poteka tok navpično skozi strukturo. tik pod izvorom. do ponora (glej puščice na sliki 5. Na teh mestih je kanal zelo ozek.22. Zaradi tega se lahko priključ- ka izvora in ponora razprostirata po celotni površini tranzistorja (eden je na vrhu substrata.

sestavljeno iz dveh komplementarnih (angl. Njihova prednost je v majhni potrošnji električne moči in v enostavni izdelavi. UNIPOLARNI TRANZISTORJI VMOS tranzistor je dobil ime po obliki vhodne elektrode. (Komplementarna tranzistorja sta tranzistorja nasprotnih tipov. 5. ki v obliki črke V sega globoko v polprevodnik. CMOS troši električno moč le v fazi preklopa. CMOS vezje.6. Na ta način dobimo zelo majhno debelino kanala. Tako obliko kanala dosežejo z jedkanjem takega polprevodniškega substrata (osnove). 181 . VMOS tranzistorji so narejeni za velike gostote toka. ki ima kristalno strukturo orientirano pod določenim kotom. complementary) MOSFET.24.2. Zgradba VMOS ponor tranzistorja. CMOS tranzistorja CMOS je vezje. UDD UVH ID t ID t Slika 5. izvor vrata n n p p kanal n n+ Slika 5.) CMOS vezja najdemo v digitalnih integriranih vezjih. zato se segrevanje integriranega vezja veča sorazmerno s kvadratom frekvence.25. a z zelo podobnimi karakteristikami. V delovanju se dopolnjujeta – odtod ime komplementarna.

) pomnenje p p n UV S D 3. Ko na vhod priključimo pozitiven električni potencial. prevaja tranzistor s p-kanalom. izolirana vrata S D 1. programmable read-only memo- ry).7.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Ko je na vhodu nizek napetostni potencial.2. medtem ko se tisti s p-kanalom zapre in izhod je na potencialu mase. erasable.24. To so digitalna integrirana vezja. na izhodu pa je pozitiven potencial. 5. FAMOS n tranzistor in EPROM vezje z odprtino. se odpre tranzistor z n-kanalom.) vpis p p n S D 2. 182 . floating-gate avalanche MOS) uporabljamo pri EPROM pomnilniških vezjih (angl. FAMOS tranzistor FAMOS tranzistorje (angl.) brisanje p p Slika 5. ki jih uporabljamo za trajno shranjevanje podatkov.

ko jih vpišemo. ne moremo pa jih poljubno spreminjati. vpišemo v pomnilniško vezje dvojiške podatke. Ker so vrata izolirana.24). ko izključimo napajalno napetost. ko v nekatera vrata vnesemo naboj. 5. Kljub temu pa EPROM lahko zbrišemo.27. Ko med izvor in ponor priključimo dovolj visoko napetost. ki povzroči. Tranzistor z izoliranimi vrati ali IGBT IGBT (angl. insulated-gate bipolar transistor) je tranzistor. Elektroni. Zato imajo integrirana vezja na površini prozorno odprtino. Zaradi tega se v izolirani elektrodi vrat nabere veliko prostega naboja. da se podatki. IGBT se na vhodu obnaša kot MOS tranzistor. če ga izpostavimo ultravijolični svetlobi. S tem. Tako združimo prednosti obeh tranzistorjev. sestavljen iz dveh: MOSFET in bipolarnega tranzistorja. ostanejo elektrine v njej ujete tudi potem. povzročimo plazoviti preboj pn spoja med kanalom in ponorom (slika 5. read-only memory) pomeni. imajo zaradi velike električne poljske jakosti tolikšno energijo.8. 183 . v druga pa ne. seveda če jih prej ne zbrišemo z UV svetlobo. na izhodu pa kot bipolarni tranzistor z zelo široko bazo. Simbola in zgradba IGBT. UNIPOLARNI TRANZISTORJI Prednost teh vezij je. v vezju zapisani za daljši čas. ohranijo tudi po izklopu napajalne napetosti. Oznaka ROM (angl. FAMOS tranzistor ima izolirana polprevodniška vrata. da zlahka prodrejo tudi skozi tanko izolacijsko plast v izolirana vrata. Podatki ostanejo. ki prodrejo skozi pn spoj. C C vrata emitor vrata ali G G n n p E E n baza C nadomestno vezje: p+ kolektor G E Slika 5. da iz njih lahko podatke le beremo.2. da kanal tranzistorja prevaja.

Kakšno lastnost ima MOSFET z dvoje vrati? 14. Kako lahko uporabimo JFET kot izvor konstantnega toka? 7. V čem se razlikujejo unipolarni tranzistorji od bipolarnih? 2. kje ga uporabljamo? Od česa je odvisna potrošnja moči tega vezja? 15. Kako stabiliziramo delovno točko pri JFET? 8. Opiši dogajanje v JFET pred zadrgnitvijo kanala in po njej! 4. Zaradi tega je majhna tudi izgubna moč tranzistorja. Kaj je IGBT in kakšne lastnosti ima? 184 . Zakaj moramo biti pazljivi.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Ker je vhodna elektroda izolirana kot pri MOSFET. Kaj je tok nasičenja JFET IDSS? 6. močnostne krmilnike ter ojačevalnike. VPRAŠANJA 1.27 je tranzistor z n-kanalom. Kakšna je zgradba JFET? Kako krmilimo ponorski tok pri JFET? 3. Kakšne so lastnosti MOSFET v primerjavi z JFET? 10. Zaradi tanke oksidne plasti zelo visoke vhodne upornosti obstaja nevarnost. da jih uničimo s statično elektriko. Kaj je pragovna napetost? 11. Kakšna je razlika med MOSFET z induciranim kanalom in MOSFET z vgrajenim kanalom? 13. Kaj je transkonduktanca tranzistorja? 5. Kaj je CMOS. Uporaben je za napetostne pretvornike. Na sliki 5. Po času preklopa poznamo počasne in hitre IGBT. je vhodna upornost tranzistorja zelo velika. Na izhodu. je upornost odprtega tranzistorja zelo majhna. ko delamo z MOSFET? 12. Kaj pomeni kratica MOSFET? Kako so MOSFET zgrajeni? 9. kjer ima IGBT zgradbo bipolarnega tranzistorja. IGBT ima visoke prebojne napetosti (>500V) in omogoča velike gostote toka (>20A).

IC=6mA. β=120. gmo=12mS. izhodno upornost in napetostno ojačenje ojačevalnika z JFET v orientaciji s skupnimi vrati. Vrednosti so: UDD=16V. IDSS=24mA. podatki pa so: ID=2mA.8 a) tako. UCC=12V. Izračunaj ojačenje ojačevalnika iz predhodne naloge. ID=5mA.: 1MΩ. če je +UDD napetost generatorja UG=2mV in trans- konduktanca tranzistorja gm=5mS! (Odg. 1.8kΩ.58kΩ.2) 5. (Odg. da bo delovna točka tranzistorja na sredini delovne premice (UGS=UP/2).: -23) 4. Izračunaj vhodno upornost. RD in RS na sliki 5. 11. da ima uni- polarni tranzistor gmo=15mS ter UP=-5V! (Odg.45mV) 10M 2mV 47M 185 . Izračunaj velikost izhodne napetosti. UNIPOLARNI TRANZISTORJI NALOGE 1. RS in RE vezja na sliki! Delovna točka bipolarnega tranzistorja naj bo na sredini delovne premice. Izračunaj upornosti uporov RG. če so: RD=6.: 10K 82.8kΩ. gmo=14mS in UP=-5V! (Odg. 1kΩ.: 605Ω.: 2. 1kΩ) 12V RL 6V 1M RE RS 3.2kΩ in 400Ω) 2. 6. RS=470Ω. če vemo. Izračunaj upornosti uporov RL. UGS=-2V. ID=5mA in RVH=1MΩ! (Odg.

ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 186 .

Delovanje v notranjosti UJT si lažje predstavimo na nadomestnem vezju (glej sliko 6. temveč krmiljenju tokov v vezju. Krmilna elektroda. 6.2). Zato nas bo zanimalo predvsem dogajanje ob vklopu in izklopu elementa. z dvema priključkoma: B1 in B2. ki je sestavljeno iz dveh uporov in diode. se imenuje emitor. se baza obnaša kot upor. ki mu pravimo tudi baza. KRMILNI POLPREVODNIŠKI ELEMENTI Poglavje 6 KRMILNI POLPREVODNIŠKI ELEMENTI Krmilni polprevodniški elementi. ENOSPOJNI TRANZISTOR ALI UJT UJT (angl. Narejeni so tako. ki jih bomo opisali v tem poglavju. da imajo dve stanji: vključeno in izključeno. unijunction transistor) sestavlja polprevodniški kanal. ki je pritrjena na p vložek. Edini pn spoj naredijo z majhnim vložkom p-tipa nekje blizu sredine kanala. niso namenjeni ojačenju. Padec napetosti med 187 . Ko na bazna priključka priključimo napetostni vir UBB.1.

Proizvajalec podaja faktor η. napetost manjša kot UP. Priključitev. Ko je na vhodu. je tok skozi emitor zanemarljivo majhen. V trenutku.2. IE B2 rB2 E rB1 UP UBE UBB UV B1 UBE Slika 6. 188 . ki je definiran kot: rB1 η= rB1 + rB2 Z njegovo pomočjo lahko izračunamo napetost med emitorjem in bazo: U P = η ⋅ U BB B2 B2 E n E p B1 Slika 6.1. kot je napetost vira UBB in je odvisen od položaja emitorja v bazi. Simbol in zgradba B1 UJT tranzistorja. nadomestno vezje in karakteristika UJT.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA emitorjem in priključkom B1 je manjši. postane pn spoj med emitorjem in bazo prevoden in steče emitor- ski tok. ko vhodna napetost preseže omenje- no vrednost. med emitorjem in bazo.

zato napetost med emitorjem in bazo narašča. da bi zadržal tranzistor odprt.3. Ob vklopu je konden- zator C prazen. Ko ta doseže prevodno napetost UP. Frekvenco takega oscilatorja lahko izračunamo s pomočjo približne enačbe: 1 f=  1  R ⋅ C ⋅ ln   1 − η 189 . Napetost med emitorjem in bazo hitro pade – tranzistor je v področju negativne upornosti (od vrednosti UV do UP na sliki 6.3 je RC oscilator. Vezje na sliki 6. je tok skozi upor premajhen. Kondenzator C se postopoma polni preko upora R. tranzistor je zato zaprt. Ta pojav zaznamo takoj po vklopu tranzistorja. Spoj med emi- torjem in bazo ne prevaja več. Ker se prevodna napetost med emitorjem in bazo zniža.2). najpogosteje izrabimo za oscilator. zato se ta zapre. zato postane prevodnejša. UE UP R UV UBB t UE C UB UB t Slika 6. Če je upornost upora R dovolj velika. Vezje oscilatorja z UJT. Področje z negativno upornostjo. zato se kondenzator ponovno polni. ki se pojavi ob vklopu UJT. KRMILNI POLPREVODNIŠKI ELEMENTI Emitorski tok povzroči. se kondenzator naglo sprazni skozi emitor. da se v bazi poveča število prostih elektrin. se UJT odpre in skozi emitor steče tok.

ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Primer Za UJT 2N3980 (η=0. vendar je delovanje podobno UJT. Simbol. ENOSPOJNI TRANZISTOR Z MOŽNOSTJO PROGRAMIRANJA ALI PUT Zgradba PUT (angl.73  6. IE A p A G n G p n UP UV K K UBE Slika 6.73) izračunajmo kapacitivnost kondenzatorja C tako. programmable unijunction transistor) je zelo podobna tiristorju (obravnavali ga bomo kasneje).2. PUT je sestavljen iz štirih slojev polprevodnika pnpn. 1 C= = R  1  93K R ⋅ f ⋅ ln   1 − η UBB 1 = = 82 nF  1  93kΩ ⋅ 100Hz ⋅ ln  C  1 − 0. 190 . da bo frekvenca oscilatorja f=100Hz! Upor R ima upornost 93kΩ. katoda K in vrata G. zgradba in karakteristika PUT.4. iz katerega molijo trije priključki: anoda A.

R2 UAK R1 Slika 6. ne glede na to.5. Zato je tok skozi diodo zanemarljivo majhen. zaporno polarizirani spoj prebije s plazovito ionizacijo in skozi diodo steče večji tok. Zaradi tega PUT lahko uporabimo v vezju oscilatorja. je eden od pn spojev priključen v zaporno smer. da ima podobne karakteristike. zato se ta tranzistor imenuje tudi tranzistor z možnostjo programiranja. KRMILNI POLPREVODNIŠKI ELEMENTI PUT prevaja šele takrat. Napetost. podobno kot UJT. V karakteristiki opazimo to kot področje z negativno upornostjo. 191 . kako jo obrnemo. Diodo ponovno zapremo tako. podobno kot bipolarni npn tranzistor. to pomeni.i. pri kateri začne PUT prevajati. ko je napetost med anodo in katodo UAK višja od napetosti med vrati in katodo UGK. Diodo uporabljamo predvsem kot vžigni element za tiristorje in triace. ki je bil prej neprevoden. Ko na dvosmerno diodo priključimo napetost. medtem ko napetost UAK pade. bilateral trigger diac) je sestavljena iz treh plasti polprevodnika. nastavimo s pomočjo zunanjih upo- rov R1 in R2. Takrat se anodni tok IA skozi tranzistor poveča. sedaj prevaja. Tako je sedaj: R2 η= R1 + R2 6. To sovpada s področjem z negativno upor- nostjo na diagramu. Vezje s PUT. Pn spoj. Ko pa je napetost dovolj velika. zato se napetost na diodi zniža. DVOSMERNA DIODA Dvosmerna dioda (angl. da znižamo napetost na njenih priključkih pod t. držalno vrednost.3. Dioda je dvosmerna.

katoda pa na negativno napetost. IA A A p n IH p UAK K n UBO K Slika 6. Ko je v prevodni smeri anoda priključena na pozitivno. Simbol. zgradba in karakteristika dvosmerne diode. sta dva pn spoja priključena v prevodno smer. medtem ko je srednji pn spoj priključen v neprevodno smer. ki si izmenoma sledijo.4.6. 192 . Simbol. DIODNI TIRISTOR Diodni tiristor (ali Shockleyjeva dioda) je sestavljen iz štirih plasti polpre- vodnika.7.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA I n p n U Slika 6. 6. zgradba in karakteristika diodnega tiristorja.

Dioda postane prevodna. Prvi je pnp. vse do ponovnega preboja. Delovanje diodnega tiristorja si lažje razložimo. Ko se tok diode zniža pod vrednost.8. Ta postane ponovno neprevodna. prevesna napetost –. če štiri sloje polprevodnika razdelimo na dva bipolarna tranzistorja (slika 6. KRMILNI POLPREVODNIŠKI ELEMENTI Ko je na priključkih diode dovolj velika napetost – t. 193 . da držita tranzistorja odprta. Če napetost sedaj nižamo. Ponazoritev delo- vanja diodnega tiristorja z K K dvema tranzistorjema. zato se tranzistorja odpirata. Ko pa tranzistorja enkrat zapremo. da se bazni tok še poveča. Ko diodni tiristor prevaja. Če diodi ne omejimo toka. srednji pn spoj prebije s plazovito ionizacijo.8).5. Dodatno odpiranje tranzistorjev povzroči. drugi pa npn. A A p IB1 n n p p IB2 n Slika 6. se bazna tokova povečata. da napetost na njej znižamo. ki ji pravimo držalni tok IH. dioda ugasne. jo uničimo. DVOSMERNI DIODNI TIRISTOR ALI DIAC Dvosmerni diodni tiristor (angl. Karakteristika elementa je tako simetrična za obe smeri toka. Tok skozi diodo strmo naraste in upornost diode se naglo zniža. sta oba tranzistorja odprta. bazna tokova ne tečeta več. vse dokler diodni tiristor ponovno ne prebije. sta bazna tokova še vedno dovolj velika. Ko diodni tranzistor enkrat prevaja. Diodo ugasnemo tako.i. njena prevodna napetost pa je majhna (med 1 in 2V). 6. bilateral diode switch) ali diac se obnaša kot obojestranski diodni tiristor.

ki teče skozi diac. Ponazoritev A1 zgradbe diaca. Ko se tok. A2 A2 n n p p p n n n p p p n n A1 Slika 6. da presežemo pre- vesno napetost.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA IA A2 A2 n p IH n UAK A1 p UBO n A1 Slika 6. Če strukturo diaca vzdolžno prerežemo na polovico. diac ugasne.10. da znižamo napetost na priključkih.9. zniža pod vrednost držalnega toka. 194 . zgradba in karakteristika diaca. Izključimo (ali ugasnemo) pa ga tako. da je sestavljen iz dveh vzporedno vezanih pnpn diod. Simbol. potem vidi- mo. Diac lahko vključimo (ali vžgemo) v obeh smereh tako.

12. S tiristorjem krmilimo tok skozi najrazličnejše porabnike. zgradba in karakteristika tiristorja. reverse blocking thyristor) ali SCR (angl.6. Ti. Slika 6. ki ga imenujemo vrata G. TIRISTOR Tiristor ima vlogo krmiljenega stikala.1. različnih tiristorjev. Omenili Oblika dveh bomo le nekaj najvažnejših. Zaprt toka ne prevaja.11. na katerih sta priključka anoda A in katoda K. najde- mo ga tudi v usmernikih. Na notranjem p-sloju je dodaten priključek. lahko pa ga s pomočjo dodatne krmilne elektrode ali vrat G vžgemo in postane prevoden. ristorjev je več vrst. silicon-controlled rectifier) je zgrajen iz štirih plasti polprevodnika pnpn. IA A A p n IH G G p UAK K n UBO K Slika 6.6. Simbol. 195 . Zaporno neprevodni tiristor ali SCR Zaporno neprevodni tiristor (angl. 6. KRMILNI POLPREVODNIŠKI ELEMENTI 6.

Ko se tiristor vključi. da v primeru električnega preboja srednjega spoja tiristor uničimo. Zaradi injiciranih nosilcev naboja v p- plast se zniža vžigna napetost tiristorja – tiristor torej lahko vključimo z dovolj velikim vhodnim tokom. Priključen v zaporni smeri ne prevaja. To pa zato. teče skozi vhodni priključek v tiristor majhen tok. saj ima v zaporni smeri usmerjena kar dva pn spoja. diodnega tiristorja pa ne! Ko priključimo na vrata G pozitivno napetost glede na katodo.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Delovanje je podobno delovanju diodnega tiristorja. Hitra sprememba napetosti med anodo in katodo poveča zaporni tok srednje plasti (to se zgodi zaradi notranje kapacitivnosti). da spustimo napetost med anodo in katodo. ko na vhodu ni več vžignega toka! Izključimo ga le tako. Ko anodni tok doseže dovolj majhno vrednost. šele nato lahko napetost naraste. tiristor uničimo. ki ji pravimo držalni tok. Vžigno napetost spreminjamo z vhodnim tokom IG. ne da bi se tiristor brez krmilnega toka samodejno vključil. se lahko zgodi. ker se ob izključitvi tiristorja v notranjosti zadržuje še velika količina nosilcev naboja. da se pri takojšnjem povišanju napetosti med anodo in katodo samodejno vključi. tok med anodo in katodo strmo naraste in prevodna napetost se zniža. Tok skozi tiristor teče tudi tedaj. Čim večji je. Po izključitvi mora najprej preteči določen čas (imenujemo ga sprostitveni čas). Če toka ne omejimo. Ko tiristor izključimo. IA IG3 >IG2 I >0 G2 IG1 =0 Slika 6. se tiristor sam izključi. Razlika med diodnim tiristorjem in tiristorjem je ta. V prevodni smeri je zaporno polariziran le srednji pn spoj. ki se ne uspejo takoj rekombinirati. kar spet lahko povzroči 196 . Sprememba vžigne napetosti pri različnih UAK vhodnih tokovih tiristorja. pri nižji napetosti se tiristor vključi.13.

6. Vključimo ga s pomočjo toka na vratih. Simbol GTO. pa je bližji anodi. Dodaten vhodni priključek. 197 . Prehitro naraščanje toka pri vžigu tiristorja povzroči toplotno preobremenitev notranjega spoja. Vhodni priključek. silicon controlled switch) ima dodaten. ki smo ga spoznali v prejšnjem razdelku. s katerim ga K ugasnemo. gate turn-off thyristor) deluje na enak način kot zaporno neprevodni tiristor. čeprav na vhodu ni krmilnega toka. ki preseže dovoljeno temensko napetost in uniči tiristor.15. Tiristor z možnostjo ugašanja ali GTO A Tiristor z možnostjo ugašanja (angl. Tetrodni tiristorji so po delovanju enaki zaporno neprevodnim. kar uniči tiristor. da spustimo anodni tok pod določeno mejo. usmerjenega toka na vhodnem priključku G.6. Vključimo ga z dovolj G velikim vhodnim tokom na vratih G. Tako kot dioda lahko tiristor prevaja tok le v eno smer. Poleg tega pa ga K lahko izključimo tudi s pomočjo dovolj velikega nasprotno Slika 6.14. Zato proizvajalci podajajo največjo dovolje- no strmino naraščanja toka (podatek di/dt). ki ji pravimo držalni tok. KRMILNI POLPREVODNIŠKI ELEMENTI samodejen vžig tiristorja. zato ga GK označimo z GK. da ga lahko med prevajanjem izključimo. katodo K in vrata G. 6. da se pri izklopu v bremenu inducira napetost (zaradi lastne indukcije). je bližji katodi. Ima tri priključke: anodo A. s katerim ga vključimo.2.6. izključimo pa tako. Podobno moramo paziti na dovoljeno temensko napetost tiristorja. da spustimo anodni tok pod držalno vrednost. le da so Slika 6. Tetrodni tiristor ali SCS Tetrodni tiristor (angl. izklju- čimo pa tako. Simbol SCS.3. Pri krmil- jenju induktivnih bremen se lahko zgodi. A četrti vhodni priključek (odtod tudi ime »tetrodni«). zato ga označimo z GA. narejeni za manjše moči. Le-ta GA služi zato. Tiristor si lahko predstavljamo kot elektronsko stikalo. Zato je dovoljena hitrost spremembe priključene napetosti omejena.

samoprožilni triac.6. Ugasnemo ga enako kot tiristor. Triacov je več vrst. Vključimo ga lahko tako s pozitivnim kot z negativnim napetostnim impulzom na vhodnem priključku. drugod kot prva anoda A1 in druga anoda A2.7.4. Zaporno prevodni tiristor ali RCT A Pri RCT tiristorju (angl. kjer želimo doseči večje moči. ki ima na vratih vgrajen diac. RCT največ uporabljamo v pretvornikih z nihajnimi G krogi nižjih frekvenc.17. obrnjena vsak v svojo stran. TRIAC Simbol RCT. 198 . Ko se anodni tok IA spusti pod vrednost držalnega toka IH. Simbol.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 6.16. se triac sam izključi. Na ta način lahko triac vključimo (ali vžgemo) v obeh smereh. tako da vezje v zaporni smeri sedaj prevaja. Osnovna priključka sta ponekod označena kot anoda A in katoda K. med njimi npr. IA A2 A2 n p IH n G UA p A1 n n UBO G A1 Slika 6. zgradba in karakteristika triaca. Vhodni priključek je skupen in ga imenujemo vrata G. 6. reverse conducting thyristor) je vzporedno dodana dioda. K Slika 6. Triac si lahko predstavljamo kot dva vzporedno vezana tiristorja.

ki vžge tiristor in tok steče skozi breme. Primer vezja za regulacije moči na žarnici s fazno regulacijo prikazuje slika 6. saj se vžge. Tokovna varovalka. Triac lahko vžgemo le do polovice polperiode (do 90°). Ko pritisnemo na tipko. V vezju na sliki 6. Ko padec napetosti na tem uporu doseže približno 0.7V/IMAX. V našem primeru pred- stavlja vžigni element diac.20.7V. le da prevaja električni tok v obeh smereh. NAČIN UPORABE TIRISTORJA IN TRIACA Tiristor in triac lahko v vezju uporabimo kot elektronsko stikalo. RS RG Slika 6. V izmeničnih tokokrogih lahko potrošnjo moči na porabniku spreminjamo s pomočjo fazne regulacije. ki jo dosežemo s tiristorjem ali triacom. 199 .18 uporabljamo tiristor kot tokovno varovalko. Tok.19).8. ko izmenična napetost pade na 0. KRMILNI POLPREVODNIŠKI ELEMENTI Triac je po delovanju enak tiristorju. ko tok na vhodnem priključku naraste na določeno vrednost. Pri tem spreminjamo čas vklopa vezja v posamezni polperiodi (slika 6. Krmilno vezje določa trenutek vklopa tiristorja ali triaca.18. 6. medtem ko se ugasneta sama vsakokrat. steče sedaj skozi tranzistor in tiristor ugasne. ki je prej tekel skozi tiristor. steče skozi upor RG tok. Upor RS izračunamo iz enačbe: RS=0. da s pomočjo RC členov zakasnimo napetost na prožilnem elementu. Predstavljamo si ga lahko kot dva tiristorja. se bipolarni tranzistor odpre. ki poskrbi za tokovni impulz na vhodu triaca. obrnjena vsak v svojo smer. Upornost upora RS je zelo majhna. Regulacijo vklopa v drugi polovici polperiode (ko tok pada) pa dosežemo tako. ki sta vezana vzporedno.

200 .ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA IA IA KRMILNO VEZJE t vžig ugasnitev IA IA KRMILNO VEZJE t Slika 6. 3A 220V 15K 100n 100n Slika 6.19. 2K2 1/2W TRIAC 100K DIAC 100n 400V. Krmiljenje moči na bremenu s pomočjo fazne regulacije.20. Regulacija moči na žarnici.

ko je napajalna napetost enaka vžigni napetosti UAK=180V. v kateri teče tok skozi breme (iskano periodo podamo s kotom α). da se tiristor vžge pri napetosti UAK=180V. Napetost UG na krmilni elektrodi je naravnana tako. Napajalna napetost je sinusne oblike in znaša UEF=220V. IA R IA t UG Pred vžigom tiristorja je tok skozi breme R praktično nič. Tiristor vžge. KRMILNI POLPREVODNIŠKI ELEMENTI Primer S tiristorjem krmilimo tok skozi ohmsko breme. dokler napetost vira ne pade na 0: α = 180°−φ = 145° 201 . zato na bremenu ni padca napetost. Izračunajmo velikost periode.5787 UM 311V φ = 35° Kot α se začne ob času vžiga in traja. Tako je v zanki generator-breme-tiristor praktično celoten padec napetosti med anodo in katodo. U M = U EF ⋅ 2 = 220 V ⋅ 2 = 311V U AK = U M ⋅ sin(ω ⋅ t ) = U M ⋅ sin φ U AK 180V sin φ = = = 0.

ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA

Primer
Izračunajmo upornost upora R, da bo triac vžgal pri zasuku napetosti φ=45°
(diac ima vžigno napetost UD=±32V)!

R
220V
C
100n

Zasuk napetosti, ki jo povzroči RC člen, izračunamo po enačbi:
R
tg ϕ = =ω ⋅C⋅ R
XC
Poleg zasuka RC člena je vžig zakasnjen še zaradi vžigne napetosti diaca, ki
znaša:
U M = U EF ⋅ 2 = 220 V ⋅ 2 = 311V

UD 32 V
sin α = = ⇒ α = 5,9°
U M 311V
Tako znaša zasuk, ki ga mora povzročiti RC člen:
ϕ = φ − α = 45°−5,9° = 39,1°
Sedaj lahko izračunamo upornost upora:
tg ϕ tg ϕ 0,812
R= = = = 25,8kΩ
ω ⋅ C 2 ⋅ π ⋅ f ⋅ C 2 ⋅ π ⋅ 50Hz ⋅ 0,1µF

202

KRMILNI POLPREVODNIŠKI ELEMENTI

VPRAŠANJA
1. Kakšen je namen krmilnih polprevodniških elementov?
2. Kako pri UJT določimo napetost, ko začne prevajati?
3. Zakaj se PUT imenuje »tranzistor z možnostjo programiranja«?
4. Kako vključimo in izključimo diodni tiristor? Kaj je držalni tok?
5. Kako vključimo in izključimo tiristor? Kakšna je bistvena razlika pri vklo-
pu med diodnim tiristorjem in tiristorjem?
6. Kako je vžigna napetost odvisna od vhodnega toka tiristorja?
7. Kaj je sprostitveni čas pri tiristorju?
8. Kaj se lahko zgodi pri hitri spremembi napetosti med anodo in katodo
tiristorja?
9. Zakaj proizvajalci podajajo največjo dovoljeno strmino naraščanja toka
tiristorja?
10. Kako deluje tetrodni tiristor ali SCS?
11. Kakšna je razlika med tiristorjem in triacom?
12. Kaj je fazna regulacija moči?

203

ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA

204

LINEARNA INTEGRIRANA VEZJA

Poglavje 7

LINEARNA
INTEGRIRANA
VEZJA
Integrirana vezja so vezja, sestavljena iz več
elementov, ki so vsi izdelani na skupnem
polprevodniku (substratu) ali na skupni
izolacijski podlagi. Integrirano vezje je zapr-
to v ohišju s podnožjem. Izdelujejo jih z
različnimi tehnološkimi postopki: tako loči-
mo monolitna, tankoplastna, debeloplastna
in hibridna integrirana vezja.

Pri monolitnem integriranem vezju so vsi
elementi izdelani na enem kosu polprevodnika. Med seboj so spojeni s tanko
kovinsko plastjo na površini polprevodnika.
Pri tankoplastnem integriranem vezju (angl. thin-film) so pasivni elementi iz-
delani iz različnih uporovnih in prevodnih plasti, ki so nanešene na izolacijsko
podlago. Posamezne elemente izdelajo s pomočjo selektivnega odstranjevanja
z jedkanjem.

205

ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA

Debeloplastno integrirano vezje (angl. thick-film) se razlikuje od tankoplast-
nih po tem, da so elementi na podlago natiskani. S postopkom sitotiska
nanašajo na osnovo paste, ki imajo določene prevodne lastnosti. Ko ploščico
segrevajo, organske snovi v pasti zgorijo in pasta otrdi.
Hibridno integrirano vezje predstavlja kombinacijo med omenjenima tehnolo-
gijama. Ker s tankoplastno in debeloplastno tehnologijo ne moremo izdelati
polprevodniških elementov (diod, tranzistorjev in ostalih), so le-ti izdelani z
monolitno tehnologijo in dodani v vezje. Vse skupaj še zaprejo v skupno ohišje
s podnožjem.

Poznamo monolitno, tankoplastno, debeloplastno in hibridno tehnologijo inte-
griranih vezij. Z monolitno tehnologijo izdelujemo elemente v polprevodniku,
s tankoplastno in debeloplastno pa pasivne elemente (predvsem upore) na
ploščici iz izolanta.
Linearna integrirana vezja služijo za obdelavo ali generiranje analognih sig-
nalov. Poznamo tudi digitalna integrirana vezja, ki služijo za obdelavo in
generiranje digitalnih signalov. Tipičen predstavnik linearnih integriranih vezij,
ki ga zelo pogosto srečujemo, je operacijski ojačevalnik, zato si ga bomo
podrobneje ogledali.

Slika 7.1. Različne oblike
ohišij monolitnih
integriranih vezij.

206

LINEARNA INTEGRIRANA VEZJA

7.1. OPERACIJSKI OJAČEVALNIK
Operacijski ojačevalniki so ojačevalniki v integrirani izvedbi. Tranzistorji ope-
racijskega ojačevalnika so med seboj direktno vezani (ni sklopnih kondenza-
torjev), kar pomeni, da lahko ojačajo tako enosmerne kot izmenične signale.
Ojačevalniki imajo dva vhodna priključka, ki jima pravimo neinvertirajoči
(angl. non inverted) in invertirajoči (angl. inverted) vhod. Kot že imeni
povesta, bo signal, priključen na neinvertirajoči vhod, na izhodu v fazi, signal,
priključen na invertirajoči vhod, pa v protifazi z vhodnim. Prvi vhod je zato
označen s »+«, drugi pa z »-«.

U 1 8
OFFSET NC
2 7
neinvertirajoči vhod IN U
3 6
izhod IN OUT
invertirajoči vhod U
4 5
OFFSET

U
A741

Slika 7.2. Operacijski ojačevalnik.

Operacijski ojačevalnik ima poleg vhodov še en izhodni priključek ter priključ-
ka za napajanje. Poleg teh srečamo še priključke, ki služijo za napetostno
izravnavo ter frekvenčno kompenzacijo.

7.1.1. Lastnosti operacijskega ojačevalnika
Električne lastnosti operacijskega ojačevalnika so naslednje:
• zelo velika vhodna upornost,
• zelo nizka izhodna upornost,
• zelo veliko napetostno ojačenje (104 do 105),
• protifazne signale na obeh vhodih ojača, medtem ko sofazne slabi.
Na vhodu operacijskega ojačevalnika je diferencialni ojačevalnik (glej tudi str.
106), zato ojača le razliko napetosti na obeh vhodih. Sofazni signali so
207

odštevanje. ki znižata ojačenje ojačevalnika. odvajanje. logaritmiranje. U neinv. Predpostavimo. dobimo na izhodu ojačan signal v fazi z vhodnim. integri- ranje. primerjalnike. vhod izhod inv. Notranjost U operacijskega ojačevalnika. ki podaja razmerje med protifaznim in sofaznim ojačenjem v dB (decibelih). Ima dva vhoda: če priključimo vhodni signal na prvega. ki mu pravimo neinvertirajoči vhod. da bo izhodni signal v protifazi z vhod- nim.). za izvajanje najrazličnejših linearnih funkcij (seštevanje.1. ki mu pravimo invertirajoči vhod. To pomeni. za generiranje najrazličnejših signalov in podobno. Operacijski ojačevalnik je ojačevalnik v integriranem vezju. itd.2. veliko vhodno upornost in zelo majhno izhodno upornost. vhod Slika 7. ravno tako tudi vhodna upornost. S pomočjo povratnih zank lahko lastnost ojačevalnika prilagodimo namenu uporabe: za ojačevalnike. Če priključimo vhodni signal na drugega. Taki vezavi pravimo negativna povratna vezava. dobimo prav tako ojačan signal. kar nam pove tudi zelo velik rejekcijski faktor CMRR. 7.3. Potem je napetost na inver- tirajočem priključku enaka: 208 . toda v protifazi z vhodnim. Operacijski ojačevalnik ima zelo veliko ojačenje.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA oslabljeni. je vhod na invertirajočem priključku. Invertirajoči ojačevalnik Če je operacijski ojačevalnik vezan kot invertirajoči ojačevalnik. množenje. da je napetostno ojačenje operacijskega ojačevalnika neskon- čno veliko. Povratno zanko izvedemo s pomočjo dveh uporov.

se enačba glasi: AOP AU = R1 1 + AOP ⋅ R2 7.1. LINEARNA INTEGRIRANA VEZJA U IZH U IZH U INV = = =0 AU ∞ Zaradi tega je tok. Vezje invertira- jočega ojačevalnika. Ker je ojačenje razmerje med izhodno in vhodno napetostjo. mora izhodni signal pritekati na invertirajoči vhod. da je izhodni signal v protifazi z vhodnim. Ker želimo negativno povratno vezavo. Negativna povratna vezava je ponovno narejena iz dveh uporov R1 in R2. 209 . Če pa želimo upoštevati še dejansko napetostno ojačenje operacijskega ojačevalnika. ki priteka iz izhoda skozi upor R2: UVH U I VH = − I R2 ali = − IZH R1 R2 R2 R1 Slika 7.4. Neinvertirajoči ojačevalnik Ko je vhod vezan na neinvertirajoči priključek. ki priteka iz vhoda skozi upor R1. ki ima končno vrednost. dobimo rešitev: R2 AU = − R1 Negativen predznak pomeni. enak ali nasproten toku. je izhodni signal v fazi z vhodnim.3.

Izhodna napetost pa je enaka padcu napetosti na obeh uporih R1 in R2: UVH = I ⋅ R1 U IZH = I ⋅ ( R1 + R2 ) R2 R1 Slika 7. izhodna pa zelo majhna.5. vhodna upornost je zelo velika.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Če spet predpostavimo idealne razmere. Vezje neinver- tirajočega ojačevalnika. upora- bimo enačbo: AOP AU = R1 1 + AOP ⋅ R1 + R2 Če upor R1 odvzamemo. je napetost med vhodnima priključ- koma enaka 0. Izhodna napetost je popolnoma enaka vhodni. Napetostno ojačenje je sedaj: R2 AU = 1 + R1 Če želimo upoštevati še končno ojačenje operacijskega ojačevalnika. Rečemo mu napetostni sledilnik (angl. potem dobimo ojačevalnik. Zato je vhodna napetost enaka padcu napetosti na uporu R1. 210 . ki ima ojačenje 1. voltage follower). namesto upora R2 pa naredimo kratek spoj.

7. 211 . 7.8 lahko poleg spremembe ojačenja spremenimo tudi polariteto izhodnega signala. Na ta način lahko naredimo vezje. Vezje napetost- nega sledilnika. ki sešteva in odšteva napetosti na vhodu.7.1. Napetost na izhodu tega vezja je enaka: U U U U  U IZH = − R2 ⋅  A + B − C − D   R1 A R1 B R1C R1 D  7. ki je za napetostno ojačenje večja od razlike obeh napetosti na vhodu.5. Sprememba koeficienta ojačenja S pomočjo potenciometra v vezju na sliki 7. Izhodna napetost je soraz- merna seštevku vhodnih napetosti UA in UB in razliki vhodnih napetosti UC in UD. Vezje seštevalnika D in odštevalnika napetosti.4. Primer takega vezja vidimo na sliki 7. LINEARNA INTEGRIRANA VEZJA Slika 7.1. dobimo na izhodu napetost.6. Seštevalnik in odštevalnik Ko priključimo napetosti na oba vhoda operacijskega ojačevalnika. R1A R2 A R1B B R1C C R1D R2 Slika 7.

Takrat sta oba vhoda operacijskega ojačevalnika na enakem potencialu in izhodna napetost je 0. se ojačevalnik obnaša kot neinvertirajoči ojače- valnik z ojačenjem 1.6. ko velja: RX/R2=R1A/R1B=1. ki se pojavi v mostičnem vezju. se ojačevalnik obnaša kot invertirajoči ojačevalnik z ojačenjem 1. Mostični ojačevalnik Operacijski ojačevalnik lahko uporabimo za ojačevanje napetostne razlike.1. Enačba izhodne napetosti je: U IZH = ( 2 ⋅ n − 1) ⋅ UVH 7. nR2 RX R2 U0 R1A R1B Slika 7.9. sestavljeno iz štirih uporov. je v ravnotežju. Enačba za izhodno napetost je v tem primeru: n RX − R2 U IZH = U 0 ⋅ ⋅ . Ko pa drsnik pomaknemo v skrajno zgornjo lego (n=1).8. Ko je drsnik potenciometra na skrajni spodnji točki (n=0). 2 RX + R2 212 . Mostično vezje. Vezje za spremem- bo koeficienta ojačenja. Vezje z mostičnim ojačevalnikom.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA R R Slika 7.

Vezje napetostnega primerjalnika. LINEARNA INTEGRIRANA VEZJA kjer nam n pove. in negativna. je izhodna napetost vedno maksimalna in sicer pozitivna. Primerjalnik Operacijski ojačevalnik ima zelo veliko napetostno ojačenje. Zaradi tega ojačevalnik uporabljamo kot primerjalnik (angl. Če ojačenja ne znižamo s pomočjo negativne povratne zanke. če je napetost na neinvertirajočem vhodu večja od napetosti na invertirajočem. comparator). kolikokrat je upornost upora v povratni zanki (nR2) večja od upornosti upora R2 v mostičku.7. UVH UREF U t UIZH UVH U UIZH UREF U t U Slika 7.10.1. 7. če je napetost na neinvertira- jočem vhodu manjša od napetosti na invertirajočem. Na izhodu operacijskega ojačevalnika brez povratne vezave dobimo lahko le dve vrednosti napetosti. 213 .

214 . 7. Praktičen primer uporabe primerjalnikov je na sliki 7. ko vhodna napetost preseže 2V.8.11. prva in druga pri 3V in vse tri.11. Primerjalnik s histerezo Če vsebuje vhodni signal motnje (slika 7. ko vhodna napetost preseže napetost na neinvertirajočem vhodu.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA U 5V >5V 3V >3V 2V >2V Slika 7. 3 in 5V). Delilnik napetosti. lahko to pripelje do nezaželjenih preklopov. Ko motnje povzročijo nihanje napetosti okrog primer- jalne (ali referenčne) napetosti v trenutku preklopa. sestavljen iz uporov.12 a). Vezje za detektiranje različnih nivojev napetosti tremi LED. ki zasvetijo. se namesto enega preklopa zgodi veliko število preklopov. Prva (spodnja) zasveti. omogoči primerjalne napetosti (2.1. Trije primerjalniki z operacijskim ojačevalnikom krmilijo LED. ko vhodna nape- tost preseže 5V.

kot vidimo na sliki 7. Posledica motenega vhodnega signala na primerjalniku a) ter odprava motenj s pomočjo različnih napetostnih nivojev b). Razlika v nivoju preklopnih napetostih nastane zaradi pozitivne povratne zanke z uporoma R1 in R2. Takemu vezju pravimo tudi Schmittov prožilnik (angl.12. ko vhodna napetost na invertirajočem vhodu preseže napetost na neinvertirajočem. LINEARNA INTEGRIRANA VEZJA a) b) UVH UVH vklop izklop UREF UVH t t UIZH UIZH U U t t U U Slika 7. Vklop primerjalnika se zgodi pri nekoliko višji vhodni napetosti kot izklop. da ločimo napetostni nivo vklopa od nape- tostnega nivoja izklopa.12 b). 215 . je zaradi uporov višja napetost tudi na neinvertirajočem vhodu. Primerjalnik preklopi v nizek izhodni nivo šele. Ko je na izhodu pozitivna napetost (visok izhodni nivo). Nevšečnosti se izognemo tako. Schmitt trigger).

13 vidimo razliko v napetostnih nivojih v obliki histerezne zanke. V diagramu na sliki 7. ko vhodna napetost pade pod napetost na neinvertirajočem vhodu. ki je podana z enačbo: R1 ∆UVH = ∆U IZH ⋅ R1 + R2 216 . Razlika v preklopnih nivojih preprečuje neza- željene preklope zaradi motenj.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA UIZH UVH UVH R1 R2 UREF Slika 7. Ko je na izhodu negativna napetost (nizek izhodni nivo). Vezje primerjalnika s histerezo.13. napetost na neinvertirajočem vhodu zaradi padcev napetosti na uporih pade. Primerjalnik preklopi spet v visok izhodni nivo šele.

1. Napetostni in tokovni izvor S pomočjo operacijskega ojačevalnika lahko naredimo izvor konstantne nape- tosti ali konstantnega toka.1.14. Enačbi za izračun toka skozi breme sta: UVH  R  UVH IL = ⋅ 1 + 2  IL = R1  R3  R1 7. R2 R2 R1 R1 IL RL R1 R2 R3 IL RL Slika 7. Napetostno-tokovna pretvornika. LINEARNA INTEGRIRANA VEZJA 7.14. Pri obeh je stabilnost izhodne veličine odvisna predvsem od stabilnosti referenčne napetosti.10.15 je refe- renčni člen izveden s pomočjo prebojne diode. lahko uporabimo operacijski ojačevalnik v eni izmed vezav na sliki 7.9. Napetostno-tokovni pretvornik Če želimo krmiliti breme s tokovnim signalom in ne z napetostnim. V vezjih na sliki 7. 217 . Ne glede na upornost bremena je tok skozi breme RL sorazmeren vhodni napetosti.

moramo na izhod ojačevalnika vezati dva komplementarna tranzistorja.11. deluje kot napetostni generator in odstopanje simetrične napetosti je zelo majhno. lahko uporabimo operacijski ojačevalnik tako.16. Izvor simetrične napetosti Kjer potrebujemo simetrično napetost (±U) majhnih tokov. Ker ima izhod ojačevalnika majhno notranjo upornost.1. Operacijski ojačeval- nik je v vezan kot napetostni sledilnik. Napetostni izvor a) in tokovni izvor b). kot kaže slika 7. Enačbi za primera a) in b) sta naslednji: R2 UZ U IZH = − U Z ⋅ IL = R1 R1 7. R U 2 U G U R 2 Slika 7. 218 .ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA U U R2 IL RL R1 R1 UZ UZ UIZH Slika 7. Ker sta upora R enaka.16. zato je izhodna napetost enaka vhodni. Izvor simetrične napetosti.15. je na neinvertirajočem vhodu natanko polovična napetost vira. Če želimo večje tokove.

LINEARNA INTEGRIRANA VEZJA

7.1.12. Okenski diskriminator
Diskriminator deluje tako, da je izhodni nivo nizek takrat, ko je vhodna nape-
tost med vrednostima UREFmin<UVH<UREFmax; če pa vhodna napetost ne pade
v to področje (»okno«), je na izhodu visok nivo. Vezje sestavljata dva
operacijska ojačevalnika. Prvi primerja z nižjo referenčno vrednostjo, drugi pa
z višjo. Prvi mora imeti vhod na neinvertirajočem vhodu, drugi pa na
invertirajočem.
R1
UREFmin

R2
UVH UIZH

R3 Slika 7.17. Vezje okenskega
UREFmax diskriminatorja.

7.1.13. Integrator
Integriranje je matematična operacija, s pomočjo katere izračunamo ploščino
tiste površine, ki jo oklepata funkcija in abscisa (x-os). Oglejmo si funkcijo, ki
je odvisna od časa (npr. odvisnost UVH od časa, slika 7.18). Kjer ima krivulja
pozitivne vrednosti (nad absciso), tam ploščina s časom narašča, pri negativnih
vrednostih (pod absciso) pa ploščina pada. Kjer ima funkcija vrednost 0, se
ploščina ne spreminja. V določenem časovnem intervalu je torej integral te
funkcije sorazmeren ploščini, ki jo funkcija v intervalu oklepa z absciso.
C UVH
R
t
UIZH

t

Slika 7.18. Vezje integratorja.
Konstantna pozitivna napetost na vhodu povzroči konstanten polnilni tok
skozi kondenzator, ki se enakomerno polni, zato se napetost na izhodu vezja
219

ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA

enakomerno viša. Podobno se kondenzator prazni, če je na vhodu negativna
napetost. Ker je vhod vezan na invertirajočem sponko je izhodni signal
obrnjen – kjer bi matematično izračunali pozitivno ploščino, dobimo pri
danem vezju negativno napetost (torej negativno ploščino), in obratno.

7.1.14. Diferenciator
Diferenciranje (ali odvajanje) je matematična operacija, s pomočjo katere
ugotovimo hitrost spreminjanja določene funkcije. Če vrednost funkcije naraš-
ča, je odvod pozitiven in po velikosti enak hitrosti spremembe. Odvod je po
predznaku negativen, če vrednost funkcije pada. Ko pa se vrednost funkcije ne
spreminja, je odvod enak 0.

R UVH
C
t
UIZH

t

Slika 7.19. Vezje diferenciatorja.

Hitrejša sprememba vhodne napetosti požene skozi kondenzator večji tok, ta
pa povzroči višjo napetost na izhodu vezja. Ker je signal pripeljan na inverti-
rajoči vhod, je izhodni signal, podobno kot pri integratorju, obrnjen.

7.1.15. Značilni podatki operacijskega ojačevalnika
Proizvajalci navajajo poleg splošnih omejitev (toka, napetosti, izgubne moči,
delovne temperature in podobno) še naslednje podatke, ki so značilni za
operacijske ojačevalnike:

220

LINEARNA INTEGRIRANA VEZJA

podatek pomen
Input resistance vhodna upornost (od nekaj kΩ do več sto MΩ)
Output izhodna upornost (nekaj Ω); s tako majhno izhodno upor-
resistance nostjo deluje ojačevalnik kot napetostni generator
Voltage gain napetostno ojačenje (zelo veliko, navadno preko 105); to je
ojačenje brez odprte zanke (angl. open-loop) pri frekvenci
0 Hz
Unity gain frekvenca, pri kateri pade napetostno ojačenje odprte zan-
frequency ke na 1
Output voltage največji razpon izhodne napetosti
swing
Input bias vhodni enosmerni tok v mirovni točki, ki teče zaradi
current vhodne upornosti ojačevalnika
Input offset vhodni izravnalni tok; enak je razliki enosmernih vhodnih
current tokov, ki je potrebna, da je izhodna napetost enaka 0 (brez
prisotnosti signala na vhodu)
Input offset sprememba vhodnega izravnalnega toka s temperaturo
current drift
Input offset vhodna izravnalna napetost; enaka je enosmerni napetosti,
voltage ki jo moramo priključiti med vhodnima priključkoma, da je
napetost na izhodu enaka 0
Input offset sprememba vhodne izravnalne napetosti s temperaturo
voltage drift
Output offset izhodna izravnalna napetost; enaka je napetosti na izhodu,
voltage ko sta oba vhodna priključka kratkosklenjena
CMRR rejekcijski faktor (angl. common-mode rejection ratio);
enak je razmerju protifaznega in sofaznega ojačenja v dB
PSRR rejekcijski faktor napajalne napetosti (angl. power supply
rejection ratio); pove nam, za koliko se spremeni vhodna
izravnalna napetost, če spremenimo napajalno napetost
Slew rate strmina naraščanja izhodne napetosti; pove nam, kako
hitro narašča napetost na izhodu, če vhod vzbujamo s stop-
ničasto napetostjo

221

ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA

7.1.16. Operacijski ojačevalnik z enojnim napajanjem
V vseh dosedanjih primerih so bili operacijski ojačevalniki priključeni na
dvojni (simetrični) napajalni vir. To pa zato, da je bila v odsotnosti signala na
vhodu izhodna napetost 0V. Če uporabimo enojni napetostni vir, mora biti
izhodna napetost enaka polovici napajalne napetosti, saj le tako lahko ojače-
valnik ojača obe polperiodi izmeničnega signala. Napetost na izhodu dvignemo
na pravo vrednost s pomočjo delilnika napetosti na neinvertirajočem vhodu
(upora R3 in R4 na sliki 7.20). Vhod in izhod ojačevalnika moramo ločiti od
ostalih vezij s pomočjo sklopnih kondenzatorjev.

a) U b) U
R2
R3 R3
C1 R1 C 1 R5
C2 C2

R4
R2
R4
R1

Slika 7.20. Primer nastavitve invertirajočega a) in neinvertirajočega b) ojačevalnika v
primeru enojnega napajalnega vira.

Nekateri operacijski ojačevalniki so posebej narejeni za enojno napajanje, kot
npr. Nortonov ojačevalnik LM3900. Z razliko od drugih operacijskih ojačeval-
nikov ga na vhodu krmilimo s tokom. Velikost enosmerne napetosti na izhodu
je podana z enačbo: UDC=UNAPxR2/R3.

222

LINEARNA INTEGRIRANA VEZJA

a) R2 b) R2
C 1 R1
C2 C2
C 1 R1

LM3900 LM3900
R3 R3
U U

Slika 7.21. Invertirajoči in neinvertirajoči Nortonov ojačevalnik.

Ko uporabimo namesto dvojnega samo en vir napajanja, moramo poskrbeti,
da bo na izhodu polovična napajalna napetost ali pa uporabimo operacijske
ojačevalnike, ki so posebej izdelani za enojno napajanje.

7.1.17. Kompenzacija operacijskega ojačevalnika
Ker operacijski ojačevalnik ni idealen, je potrebno njegove slabosti in nesime-
trije kompenzirati z zunanjimi vezji. Nekateri operacijski ojačevalniki imajo že
predvidene sponke za kompenzacijo. Oglejmo si značilne kompenzacije za
izravnavo toka, vhodne napetosti in frekvenčno kompenzacijo.
Izravnava vhodnega toka: Ker ima operacijski ojačevalnik zelo veliko
vhodno upornost, teče na vhodu zelo majhen tok (angl. input bias current).
Ojačevalnik na sliki 7.22 a) ima neinvertirajoči vhod priključen na maso, na
invertirajočem pa je upor R2, ki služi za povratno zanko.

a) R2 IP b) R2

R1 R1

UDC =IP R2
RK

Slika 7.22. Primer izravnave vhodnega toka.

223

ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA

Kadar na vhodu ni signala, bi morala biti izhodna napetost enaka 0. Zaradi
vhodne upornosti pa teče preko upora R2 majhen tok, ki ustvari padec napeto-
sti. Izhodna napetost je zato različna od 0!
Izhodno napetost lahko izravnamo tako, da na neinvertirajoči vhod priklju-
čimo upor RK. Vhodni tok skozi neinvertirajoči priključek ustvari na uporu RK
padec napetosti, ki izravna napetost na uporu R2. Izhodno napetost tako povr-
nemo na 0. Vrednost upora RK naj bo:
RK ≅ R1 R2

Izravnava vhodne napetosti: Če sta oba vhoda priključena na isto nape-
tost, bi morala biti izhodna napetost enaka 0. Pri dejanskem operacijskem
ojačevalniku pa ni vedno tako – o tem nam govori podatek o vhodni izravnalni
napetosti (angl. input offset voltage). Zato s pomočjo dodatnega vezja posku-
šamo izravnati izhodno napetost na 0V (slika 7.23).

a) R2 b)

R1

U
R2 U
R1

U
U

Slika 7.23. Primer izravnave vhodne napetosti.

Frekvenčna kompenzacija: S spremembo frekvence signala se spreminjata
tudi ojačenje in fazni zasuk na izhodu operacijskega ojačevalnika. Če doseže
skupni fazni zasuk ojačevalnika in negativne povratne zanke 180°, ojačevalnik
zaniha. Omenjeno nestabilnost lahko preprečimo s frekvenčno kompenzacijo.
Nekateri ojačevalniki imajo že interno kompenzacijo, drugi pa imajo pred-
videne priključke, kamor priključimo dodatne elemente (kondenzatorje in
upore) za kompenzacijo.

224

LINEARNA INTEGRIRANA VEZJA

ojačenje zaprte zanke [dB]
C=30pF, R=470
60

C=1nF, R=150
40
C
14
6 R
4
3 20
A723
1
5
7

100 1K 10K 100K 1M 10M
frekvenca [Hz ]

Slika 7.24. Primer zunanje frekvenčne kompenzacije.

Primer
Izračunajmo vrednosti elementov tako, da bo
R2 imel ojačevalnik ojačenje AU=-50, vhodno upor-
nost RVH=10kΩ ter spodnjo mejno frekvenco
C 1 R1 fL=60Hz! Upornost bremena je 1KΩ, napetostni
C2
generator na vhodu pa ima upornost 0.

RL
RK 1K Napetost na invertirajočem vhodu je 0, zato je vsa
vhodna napetost na uporu R1. Vhodna upornost
ojačevalnika je enaka:
RVH = R1 = 10kΩ
S pomočjo ojačenja izračunamo upor R2 :
R2 = − AU ⋅ R1 = 50 ⋅ 10kΩ = 500kΩ
Upor RK služi za izravnavo vhodnega toka, zato znaša:

225

Zaradi nevarnosti preobremenitve imajo notranjo zaščito pred kratkim stikom in pred toplotno preobremenitvijo.2. Ohišja močnostnih integ- riranih ojačevalnikov so narejena tako.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA R1 ⋅ R2 R3 = R1 R2 = = 9. da jih lažje pritrdimo na hladilno rebro. Nekateri imajo že vgrajeno hladilno kovin- sko ploščico.25.65 µF 2 ⋅ π ⋅ fL ⋅ RL 2 ⋅ π ⋅ 60Hz ⋅ 1kΩ 7. 2⋅π ⋅C⋅ R zato sta kapacitivnosti kondenzatorjev enaki: 1 1 C1 = = = 265nF 2 ⋅ π ⋅ fL ⋅ R1 2 ⋅ π ⋅ 60Hz ⋅ 10kΩ 1 1 C2 = = = 2. 226 . MOČNOSTNI INTEGRIRANI OJAČEVALNIKI Močnostni operacijski ojačevalniki imajo na izhodu močnostne tranzistorje ter boljši sistem za odvajanje toplote.8kΩ R1 + R2 Kondenzatorja C1 in C2 vplivata na spodnjo mejno frekvenco: 1 fL = . da jih lažje pritrdimo na hla- dilno telo. Slika 7.

Zaščita pred kratkim stikom a) in pred toplotno preobremenitvijo b).26 a) predstavljata tranzistorja T1 in T2 končno stopnjo operacijskega ojačevalnika. da ne zahteva veliko dodatnih elementov. kot je elektromotor. za večje moči pa kot hibridna integrirana vezja. se napetost na prebojni diodi. tranzistorja T3 in T4 služita za zaščito. ki ima pozitivni temperaturni koeficient. LINEARNA INTEGRIRANA VEZJA V vezju na sliki 7. Ojačevalniki za nižje moči so narejeni kot monolitna integrirana vezja. Uporaben je pri enojnem napajalnem viru. 227 .26 b) zaščiti integrirano vezje pred toplotno preobreme- nitvijo. zato je izhodna eno- smerna napetost (brez signala) vedno enaka polovici napajalne napetosti. ki se do določene mere zapreta. Močnostni ojačevalnik LM380 je narejen tako. a) U T1 b) U tokovna končni IC zaščita transistor T3 T1 RE izhod T2 T2 T4 RE U U Slika 7. Ko postane tok skozi končna tranzistorja T1 in T2 prevelik. Ko temperatura narašča. da se tranzistorja T3 in T4 odpreta. Zaradi tega se zniža napetost med bazo in emitorjem končnih tranzistorjev. se tranzistor T2 odpre in omeji moč na ojačevalniku. tako je ojačenje vedno enako 34dB.26. se poveča padec napetosti na emitorskem uporu RE do tolikšne mere. Služijo kot avdio ojačevalniki ali za krmiljenje bremen. Ko je ta dovolj velik. Drugo vezje na sliki 7. dvigne in poveča kolektorski tok tranzistorja T1. Povratna zanka je izvedena že v notranjosti.

U U 0. Na sliki 7.28. booster). 7 2.1 0.1 2 2 14 14 8 8 LM380 LM380 2M 6 1 1 6 51p 3. na drugem pada tako. Če potrebujemo na izhodu ojačevalnika večjo moč.7 0.29 je primer takšnega ojače- valnika z dvema komplementarnima tranzistorjema.27. Na sliki 7.7 3. vežemo dva dodatna močnostna tranzistorja (angl.28 je vezje mostičnega ojačevalnika.1 Slika 7. 7 0. kar pomeni.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA U 0. sestavljeno iz dveh ojačeval- nikov.1 2 14 500 8 LM380 2M 6 2.1 1M Slika 7. 228 . da ko napetost na izhodu prvega ojačevalnika narašča. Vezje ojačeval- nika z LM380. Vezana sta protitaktno.1 0. Vezje mostičnega ojačevalnika. Temenska vrednost napetosti je tako na bremenu dvakrat večja od napajalne napetosti. 7 3.

Vezje za pogon elektromotorja. da sta izhodna tranzistorja vezana na napa- jalne sponke operacijskega ojačevalnika.30 krmilimo elektromotor. s katerim lahko natančno nastavljamo položaj (obračamo npr. +5V R3 100K R4 100 R1 R2 1K 100K TIP32 P2 5K R7 P1 470 TIP31 5V 5K C2 M 1A C1 10n R5 R6 C3 10n 100 270 100n -5V Slika 7. Če vezje bolje pogledamo. vidimo.30.29. se premakne elektromotor toliko.58). S pomočjo vezja na sliki 7. V samem operacijskem ojačevalniku imamo na izhodu dva komplementarna tranzistorja (glej npr. ki sta 229 . LINEARNA INTEGRIRANA VEZJA U Slika 7. anteno). Močnostni ojačevalnik s končnima U tranzistorjema. da se položaja obeh potenciometrov izenačita. Ko premaknemo potenciometer P1. sliko 4. Elektromotor in potenciometer P2 sta zato mehansko povezana.

Nasprotno pa pri večji napetosti na izhodu primerjalnik zapira krmilni tranzistor. krmilni transistor IIZH primer- referenčni jalnik UVH UIZH člen UREF UIZH Slika 7. 7. NAPETOSTNI REGULATORJI Monolitni napetostni regulatorji služijo za stabilizacijo napetosti napajalnega vira. Shema splošnega napetostnega regulatorja. drugega pa v nekem drugem vezju. ki ima v istem ohišju več operacijskih oječevalnikov (ki so vsi vezani na isto napajanje). Pri opisani vezavi pa moramo biti pozorni.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA povezana na pozitivno in negativno napajanje. da sta tranzistorja TIP31 in TIP32 pri mirovnem toku operacijskega ojačevalnika še zaprta. ko bi npr. če teče tok skozi R5. se na R4 pojavi padec napetosti in prevajati začne tudi tranzistor TIP32. bi prišlo takoj. Dejansko je torej upor R4 vezan na kolektor prvega od teh (notranjih) trasistorjev.31. primerjalnik in krmilni tranzistor. Če prevaja prvi. Če je izhodna napetost manjša. Upora R4 in R5 izberemo tako. Če bi sedaj uporabili enega od teh ojačevalnikov za vezje s slike 7. potem primerjalnik odpira krmilni tranzistor. V grobem vsebujejo referenčni napetostni vir z zelo stabilno napetostjo. pri nekaterih pa izhodno napetost spreminjamo s pomočjo zunanjih elementov. Narejeni so lahko za točno določene napetosti. ki se mu zato poveča kolektorski in emitorski tok.3. Poleg tega imajo običajno še tokovno in toplotno zaščito. upor R5 pa na drugega. Podobno se zgodi s tranzistorjem TIP31. da ne uporabimo take izvedbe operacijskega ojačeval- nika. Primerjalnik primerja referenčno napetost z napetostjo na izhodu. 230 .30. v drugem operacijskem ojačevalniku do nedopustnega padca napajalne napetosti. stekel tok skozi upor R4.

z oznako 79 pa na negativno vejo usmernika. Shema integriranega vezja µA723.1 0.32. krmilni tranzistor in tranzistor za tokovno zaščito. krmilni tranzistor 11 10 12 tranzistor za 5 tokovno zaščito 2 3 6 REF. ki ima dostop do vseh notra- njih členov.1 2 12V 2 1000 0. 231 . Integrirano vezje µA723 je napetostni regulator. Sestavljajo ga referenčni člen konstantne napetosti (7.33 1 3 0. Dodatna številka XX pomeni velikost izhodne napetosti (npr. Regulatorje z oznako 78 priključimo na pozitivno vejo. 7812 poskrbi za izhodno napetost 12V). LINEARNA INTEGRIRANA VEZJA Integrirana vezja 78XX in 79XX so napetostni regulatorji s tremi priključki. Vezje zato lahko prilagajamo uporabi.33 2 0. primerjalnik. 220V/12V 1 3 +6V 7806 1 3 7812 0. Napetostni regulatorji s tremi priključki.33.15V).1 7906 -6V Slika 7. 13 4 7 A723 Slika 7.

s pomočjo katerega spreminjamo izhodno napetost od 2V do 25V. S pomočjo potenciometra na invertirajočem vhodu primerjalnika pa reguliramo izhodno napetost (napetosti na obeh vhodih primerjalnika morata biti enaki).33Ω 2N3055 0. 232 .1 C4 2..1A R3 0. V našem primeru je mejni tok enak: 0.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Vezje na sliki 7.33 /2W C1 R3 27. Tok na izhodu integriranega vezja je tako β-krat manjši. Večje tokove krmilimo tako.7 V 0. Upornost upora R3 izračunamo tako.34 je napetostni regulator. da pri mejnem toku doseže padec napetosti 0..40V 0. da se zaščitni tranzistor v integriranem vezju odpre in zniža napetost med bazo in emitorjem krmilnega tranzistorja.. da vežemo dodaten krmilni tranzistor v Darlingtonovi vezavi.7V. Upora R1 in R2 znižata referenčno napetost na neinvertirajočem vhodu primerjalnika na 2V. se padec napetosti na uporu R3 toliko poveča.7 V I MAX = = = 2.1 11 10 12 2 6 3 R1 A723 4 P1 1K2 5 13 5K C3 680p C2 7 R4 R2 10 430 470 Slika 7..25V 0. Vezje regulatorja napetosti z µA723.34. Ko izhodni tok naraste preko dovoljene mere. Ta se zapre in tok na izhodu pade.

Glede na število kompo- nent ločimo integrirana vezja z: • majhno stopnjo integracije SSI (angl. V tej tehnologiji izdelujejo mikroprocesorje ter druga zahtevnejša vezja. Na ta način so elementi v mono- litnem vezju med seboj izolirani. LINEARNA INTEGRIRANA VEZJA 7. TEHNOLOGIJA MONOLITNIH INTEGRIRANIH VEZIJ Elementi v monolitnem integriranem vezju so izdelani na skupni ploščici polprevodnika. large scale integration) ter • zelo veliko stopnjo integracije VLSI (angl. Poleg teh lahko izdelamo še manjše upornosti in kapacitivnosti. Prerez skozi monolitno ploščico (dioda in tranzistor).35 vidimo poenostavljen globinski prerez polprevodniškega substrata (osnove) z vgrajeno diodo in bipolarnim npn tranzistorjem. da je med osnovo in posameznimi elementi zaporna napetost. Na sliki 7. ki je navadno silicij. ki je iz p- tipa. To pa zato. je spojena na negativen priključek integriranega vezja.35. da bi tok iz posameznih elementov tekel v osnovo. Osnova. ki jih najpogosteje srečamo v računalniških vezjih. metalizirane povezave izolacija iz SiO2 n p n n p n n p polprevodniški substrat iz p-tipa Slika 7. medium scale integration). Osnovni elementi so: diode.4. • veliko stopnjo integracije LSI (angl. ki preprečuje. small scale integration). tiristorji ter drugi polprevodniški elementi. • srednjo stopnjo integracije MSI (angl. very large scale integration). bipolarni in unipolarni tranzistorji. 233 .

Nato ga razrežejo v tanke polprevodniške plošče.2.4. V polprevodniku je potrebno izdelati plasti n in p-tipa. Primesi prodrejo v substrat samo tam. ki jih spolirajo. V ta namen uporabljajo tehnološki postopek. 7. ki vsebuje primesi. Z difuzijo primesi lahko izdelamo več plasti n in p-tipa polprevodnika. kjer naredimo odprtine v oksidni plasti. z globino pa njihova količina upada. Ta poteka v peči ob prisotnosti plina. kjer smo naredili odprtine v oksidni plasti (o tem več v naslednjih dveh razdelkih). Tip in koncentracija primesi določata. nato prodrejo v globino. iz katerega z raznimi tehnološkimi postopki najprej izdelajo izredno čist polprevodnik cilindrične oblike. Na taki plošči je prostor za več integriranih vezij (slika 7. Po končanem postopku difuzije je tik pod površino največja koncentracija primesi. ki mu pravimo difuzija primesi. Difuzija primesi Osnovni material za izdelavo polprevodnikov za integrirana vezja je kristal SiO2. 234 .4. primesi prodrejo (difundirajo) v notranjost: najprej se veliko število primesi usede na površino polprevodnika.1. ki se usedajo na površino pol- prevodnika. katerega tipa bo polprevodnik. • Oksidno plast uporabimo kot izolacijsko plast med polprevodnikom in metaliziranimi povezavami na površini integriranega vezja. Oksidacija Površino polprevodnika oksidiramo iz več razlogov: • Oksidno plast uporabimo kot masko pri postopku difuzije.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA ploščica z integriranim vezjem testno vezje Slika 7. Ploščica polpre- vodnika pri izdelavi. Primesi prodrejo v globino polprevodnika samo tam.36. 7. Zaradi visoke temperature (okrog 1000°C) in visoke koncentracije primesi.36).

Pri tem nas- tane: Si+2H2O→SiO2+2H2. kjer uporabljamo vodno paro. Temu postopku pravimo suha oksidacija: Si+O2→SiO2. ki je zelo dober izolant. Atomi kisika se hitro vežejo s polprevodnikom v SiO2. LINEARNA INTEGRIRANA VEZJA • S pomočjo tanke oksidne plasti izdelamo krmilni priključek pri MOS tranzistorjih.37. izdelava odprtine p v oksidni plasti difuzija donorjev in n nastanek n-tipa p izdelava druge odprtine n v oksidni plasti p p difuzija akceptorjev in n nastanek p-tipa p Slika 7. 235 . Postopek difuzije primesi. Poznamo tudi vlažno oksidacijo. Oksidacija polprevodniških ploščic poteka v peči pri visoki temperaturi (od 900 do 1200°C).

Pri postopku naprševanja se ionizirani atomi. metalizirana plast odtranjena. Z epitaksijo lahko sestavimo tudi plasti iz različnih polprevodniških materialov (npr. Površino polprevodnika sedaj jedkamo in povsod tam.4. Na ta način – za razliko od difuzije primesi – naredimo plast polprevodnika z enakomerno koncentracijo primesi.4. ker ima nizko temperaturo tališča. Metalizacija Ko so elementi v polprevodniški ploščici izdelani. Osvetljeni del fotorezista (ali neosvetljeni. na silicij položimo plast iz galijevega arzenida). ki potujejo z veliko hitrostjo. jih med seboj povežemo z metaliziranimi povezavami. 7. s katerim na površino polprevodnika nanašamo nov polprevodnik. Skupaj s polprevodniškim materialom se na površino usedajo tudi primesi. ki se nato usedejo na površino polprevodnika.4. ostanejo samo povezave. Najpogosteje uporabijo aluminij. Fotolitografija S pomočjo fotolitografije selektivno odstranjujemo plasti s površine polpre- vodnika.4.3. bo oksidna oz. da se upari. ki jih želimo odtraniti. kjer so površine nezaščitene. Nato metaliziramo celotno površino ter s fotolitografskim postopkom in jedkanjem odstranimo odvečni material. Iz materiala izbijajo atome. Uparjena kovina se nato useda na površino polprevodnika. Kovino nanašamo na polprevodnik s pomočjo naparevanja ali naprševanja. odvisno od tipa fotoemulzije) nato z razvijalcem odstranimo. ki ji pravimo tudi fotorezist. 236 . Na površino polprevodnika nanesemo na svetlobo občutljivo fotoemulzijo.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 7.5. na kateri so izrisana področja. 7. ki ga želimo nanesti. preostali foto- rezist pa s segrevanjem otrdimo. Fotorezist osvetlimo z ultravijolično svetlobo skozi posebno masko. Najpogosteje jo uporabimo za izdelavo odprtin v oksidni plasti ter za izdelavo povezav v metalizirani plasti. zaletavajo v material. Na koncu še odstranimo preostali fotorezist s celotne površine polprevodnika. Pri postopku naparevanja kovino segrejemo. Epitaksija Epitaksija je postopek. Najprej izdelamo odprtine v oksidni plasti pol- prevodnika (oksidna plast služi kot izolant).

LINEARNA INTEGRIRANA VEZJA VPRAŠANJA 1. Zakaj moramo kompenzirati vhodni tok operacijskega ojačevalnika? 12. Kakšno vlogo ima oksidacija površine polprevodnika? 18. Kakšna je prednost primerjalnika s histerezo v primerjavi z navadnim pri- merjalnikom? 9. Kako deluje mostični ojačevalnik? 13. Kaj je napetostni sledilnik? 8. Poleg dveh vhodnih. Čemu služijo? 7. Ali lahko s tankoplastno tehnologijo izdelamo ojačevalnik? Obrazloži? 4. Kaj je referenčni člen in čemu služi? 15. Kakšne so osnovne lastnosti operacijskega ojačevalnika? 5. Zakaj ima operacijski ojačevalnik dva vhoda? 6. izhodnega in dveh napajalnih priključkov ima opera- cijski ojačevalnik lahko še nekaj dodatnih priključkov. Kaj je izravnalni tok in kaj je izravnalna napetost? 10. Kaj je monolitno integrirano vezje? 3. Kako deluje (zaporedni) napetostni regulator? Kaj pomeni oznaka 7905? 14. Kako poteka metalizacija površine polprevodnika? Čemu služi? 237 . Kako delimo integrirana vezja glede na tehnologijo? 2. Kaj je VLSI? 16. Kaj dosežemo z difuzijo primesi? 17. Čemu je enak CMRR? 11.

Izračunaj. (Odg.: +2. Na sliki je vezje odštevalnika z vhodnima napetostima +3V in +2V.: 2. upornost R1=1kΩ. Nariši in izračunaj R1. Kolikšna mora biti napetost referenčnega vira in upornost upora R2 primerjalnika s histerezo. Ugotovi.2V.: 1kΩ.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA NALOGE 1.3µF) 2. manjša) +10V 10K 47K 238 . CVH in CIZH invertirajočega ojačevalnika. RK. kolikšna je izhodna napetost! (Odg. 29kΩ) 4. fL=25Hz ter breme RL=1kΩ! (Odg. Podatki: RVH=1kΩ.3µF. da bo nivo vklopa pri vhodni napetosti 2. 100kΩ.4V in nivo izklopa pri 2. R2. 6. pri kateri vhodni napetosti primerjalnik na sliki preklopi! V katerem primeru je na izhodu visok nivo (pozitivna napetost): ko je vhodna napetost večja ali manjša od primerjalne? (Odg.5V) 4K 2K +3V 1K 2K +2V 3.: 8. 6.0V (glej sliko 7.13)? Izhodna napetost niha med +6 in -6V. AU=-100. 990Ω.24V.

LINEARNA INTEGRIRANA VEZJA 239 .

ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 240 .

Prva taka »elektronka« izvira še iz časa Thomasa Edisona. VAKUUMSKI IN PLINSKI ELEMENTI Poglavje 8 VAKUUMSKI IN PLINSKI ELEMENTI V tem poglavju bomo spoznali nekatere elemente. Zato je v žarnico vgradil dodatno elektrodo in ugotovil. v katerih je vakuum ali zelo redek plin. 241 . da je iz žarilne nitke na elektrodo skozi vakuum tekel električni tok. ko je delal poskuse z žarnicami (okrog leta 1884). Po iznajdbi triode leta 1906 se je začela elektronika naglo razvijati in elektron- ke so bile dolgo časa pomemben element v radijskih in televizijskih napravah. Notranjost steklenih bučk njegovih žarnic je nerazumljivo počrnila in svetilnost žarnic se je zato zmanjšala. ki so najpogosteje zaprti v steklene bučke.

ki ga pri tem opravijo. anoda krmilna katoda mrežica grelna žica (v notranjosti) vakuum steklena bučka podnožje Slika 8. Elektronka in njena zgradba. Pri sobni temperaturi je v kovini ogromno število prostih elektronov. pa izstopno delo. delu. 242 . vendar izmenična napetost. da elektroni izstopijo iz kovine v prazen prostor.1. tem več je elektronov. da zapustijo atom. da zapustijo kovino. ki jo je pri nekaterih dovolj.1. Omogoča namreč.1. Elektroni tvorijo na površini kovine elektronski oblak. ki se skoraj neovirano gibljejo po notranjosti kovine. a je ne morejo zlahka zapustiti. po- trebujejo zelo malo energije. Ta pojav je zelo pomemben za delovanje vakuumskih elementov. Kot katodo lahko uporabimo tudi samo žarilno nitko (direktno ogrevanje). povzroča nezaželjeno nihanje toka v elektronki. kjer delujejo elek- trične sile. Pojavu pravimo termična emisija elektronov. imajo pod katodo žarilno nitko.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 8. ki segreva nitko. ki krožijo na zunanjih oblah atomov prevodnega materiala. Elektronke.1. VAKUUMSKI ELEMENTI 8. ki služi za segrevanje katode (indirektno segrevanje). Termična emisija elektronov Elektroni. Čim višja je temperatura. ki zapuščajo površino kovine. Z višanjem temperature pridobivajo elektroni vse večjo kinetično energijo.

VAKUUMSKI IN PLINSKI ELEMENTI 8.2. molekul. Vakuumska dioda Vakuumska dioda je sestavljena iz anode. da je anoda pozitivnejša. da je v bučki zelo malo atomov oz. da elektroni stečejo skozi vakuum proti pozitivnejši elektrodi – anodi. IA tok nasičenja UAK Slika 8. ki so vse skupaj zaprte v stekleni bučki. prihaja do termične emisije elektronov. Vakuumska dioda. Vezje polvalnega usmernika ter karakteristika vakuumske diode.2. ki bi preprečevali gibanje elektronov – elektroni lahko neovirano potujejo iz katode na anodo. ki so zapustili katodo. A IA steklena bučka UAK žarilna K nitka f f Slika 8.3. katode in žarilne nitke.1. Nastalo električno polje deluje na elektrone. Med anodo in katodo priključimo električno napetost tako. Ko s pomočjo žarilne nitke segrevamo katodo. 243 . kar pomeni. Tlak v njej je zelo nizek. tako.

Vakuumska trioda Zgradba vakuumske triode je podobna vakuumski diodi. Vakuumska dioda prevaja električni tok samo v eno smer in jo zato lahko uporabimo v usmerniških vezjih.4. moramo katodo ogrevati do te mere. zato je število elektronov. 8. Negativna napetost na mrežici bolj ali manj odbija elektrone. Zato se elektroni. da na njej nastane termična emisija elektronov. delujejo električne sile na elektrone v obratno smer. Vakuumski elementi prevajajo električni tok skozi vakuum. Čim bolj je napetost med mrežico in katodo negativna. Krmilno mrežico priključimo na negativnejši električni potencial kot katodo. ponovno vrnejo k njej. le da ima trioda med anodo in katodo še krmilno mrežico G. A IA krmilna G mrežica UAK UGK K f f Slika 8. Da stečejo elek- troni iz katode proti anodi. ki jih privlači pozitivnejša anoda.1. pritegne pozitivnejša anoda. Segreta katoda oddaja elektrone. ki izstopijo iz katode. Vakuumska trioda. 244 . Na ta način z vhodno nape- tostjo UGK spreminjamo anodni tok IA. tako da je sedaj katoda po- zitivnejša.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Če napetostni vir med anodo in katodo obrnemo. Elektrone. tem manj elektronov prileti na anodo.3. manjše. ki prispejo na anodo. Na ta način lahko vplivamo na velikost anodnega toka. ki je narejena v obliki spirale in ima na elektrone zaviralni učinek. ki zapuščajo katodo. Električnega toka med anodo in katodo zato ni.

notranjo upornost in faktor ojačenja povezuje med seboj tako imeno- vana Barkhausenova enačba: g ⋅ rA =1 µ Delovno točko triode nastavimo približno tako kot pri JFET.5.5. si pomagamo s katodnim uporom RK. Karakteristični podatki so transkon- duktanca g (ali strmina). Tok v mrežico je zanemarljivo majhen.) notranja upornost Strmino. faktor ojačenja µ in notranja upornost rA. ∆I A g= ∆U GK (U AK = konst. VAKUUMSKI IN PLINSKI ELEMENTI IA [ mA ] UGK =0V 30 30 -1V -2V 0 0V 20 20 -3V =2 0V 30 K 10 10 UA UGK [V ] -6 -4 -2 100 200 300 UAK [V ] Slika 8. preseg D. zato tudi tok skozi upor RG.) strmina ∆U GK D= ∆U AK ( I A = konst.) faktor ojačenja ∆U AK rA = ∆I A (U GK = konst. 245 . Ker mora biti krmilna mrežica na negativnejšem električnem potencialu. Karakteristike vakuumske triode. zato je katoda za enako vrednost na pozitivnejšem potencialu. Anodni tok povzroči na tem uporu padec napetosti. Karakteristiko triode vidimo na sliki 8.) preseg ∆U AK µ= ∆U GK ( I A = konst.

izkoriščamo pa lahko tudi izparevanje vode. Dodatni mrežici pravimo zaščitna mrežica. se izhodna karakteristika tetrode popači. preprečuje. posledica pa je nižji anodni tok. ki jo odvaja- mo s pomočjo zračnega ali vodnega hlajenja. Le-te privlači pozitivnejša zaščitna mrežica. da iz nje izbijajo (sekundarne) elektrone. Pri velikih močeh se sprošča tudi velika toplota. Triode za velike moči so zgrajene za moči do nekaj sto kW in za napetosti nekaj deset kV. da je na vhodu ta kapacitivnost večja za faktor ojačenja. zade- vajo anodo s tolikšno energijo. Primer nastavitve delovne točke vakuumske triode in poenostavljeno nadomestno vezje. 246 . da med obe elek- trodi vstavimo dodatno elektrodo. Elektroni. Vakuumska tetroda Kapacitivnost med krmilno mrežico in anodo znižamo tako. elektronki pa tetroda. ki povzročijo upadanje ojačenja s frekvenco.1. Ker je s kondenzatorjem vezana na maso. Skozi to kapacitivnost se ojačani signal na izhodu ponovno vrača na vhod. Napetost na zaščitni mrežici je nekje na polovici napetosti med anodo in katodo.4. Trioda ima sorazmerno majhen faktor ojačenja in majhno notranjo upornost. 8. Predvsem izrazite so kapacitivnosti med elektrodami.6. Velik vpliv ima zlasti kapacitivnost med krmilno mrežico in anodo. To pomeni. ki priletijo iz katode.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA RA iA G A UA g uGK rA RG uGK RG RA uAK K RK CK iK Slika 8. da bi se signal vračal iz anode na krmilno mrežico. Ko napetost med anodo in katodo pade pod napetost na zaščitni mrežici.

Vakuumska pentoda Vakuumska pentoda ima vgrajeno dodatno mrežico. Postavljena je med zaščitno mrežico in anodo in priključena na katodo. Vakuumska tetroda. 8. Zaradi večjega števila elektrod nastaja pri pentodah večji šum.5. da odbija sekundarne elektrone nazaj na anodo.7. zato niso pri- merne za ojačitev signalov zelo majhnih napetosti.8. Vakuumska pentoda. 247 . ki ji pravimo zaviralna mrežica. A IA [ mA ] UGK=0V zaviralna 30 G3 mrežica -1V G2 20 G1 -2V 10 -3V K f f 100 200 300 UAK [V] Slika 8. Njena naloga je. Izhodna karakteristika tako ni več popačena kot pri tetrodi. VAKUUMSKI IN PLINSKI ELEMENTI A IA UGK=0 zaščitna mrežica G2 G1 K f f UAK Slika 8.1.

Ojačevalniki z vakuumskimi elementi Podobno kot tranzistorji lahko tudi elektronke služijo kot ojačevalni element ali kot stikalo... Uporabljamo jih lahko v vseh treh orientacijah: s skupno ka- todo. 8.6. Dobljena elektronka se imenuje trioda. s skupno anodo in s skupno krmilno mrežico. heksode. Orient. Poznamo tudi elektronke z več mrežicami. pentode.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Anodni tok v elektronki lahko krmilimo s pomočjo mrežice. ki jim pravimo tetrode.1. ki jo vstavimo med anodo in katodo.: s skupno katodo s skupno anodo s skupno mrežico RA RA RG RG RK RK CK RK AU g ⋅ rA R A <1 g ⋅ rA R A RVH RG RG RK RIZH rA R A 1/g g ⋅ RA 248 .

VAKUUMSKI IN PLINSKI ELEMENTI Ojačevalniki z elektronkami se delijo na podobne razrede. 249 . Vsaka od elektronk v vezju na sliki 8. Tako poznamo ojačevalnike z elektronkami v »A«. Ker je delovna točka znotraj (čeprav na sami meji) linearnega področja. Na sliki 8. push- pull) ojačevalnik. Ojačevalnik v »C« razredu uporabimo kot končno ojačevalno stopnjo pri oddajnikih ter pri množilnikih frekvence. kot smo jih srečali pri tranzistorskih oječevalnikih. Ojačevalnik v »B« ali v »AB« razredu je narejen kot protitaktni (angl. da je enosmerna delovna točka blizu dna karakteristike. je popačenje zelo majhno. Zaščitni mrežici pentod sta priključeni na transfor- mator zato. da elektron- ka odreže večji del signala. Enosmerna napetost na krmilnih mrežicah je tolikšna. Kljub visokemu popačenju pa je izkoristek ojače- valnika boljši kot pri ostalih razredih. »B«. »AB« in »C« razredu. da je popačenje ojačevalnika čim manjše.10 ojača eno pol- periodo vhodnega signala. Povratna zanka (iz transformatorja nazaj na triodo) služi za boljšo stabilizacijo ojačenja ojačevalnika. C2 R4 47 220K C4 22n EL34 C1 33n R9 R7 100 100 R6 C6 R1 470K 47 470K C3 R2 R8 C5 1K5 180 100 4n7 R5 2K7 R3 100 ECC83 Slika 8.9. Pri ojačevalniku v »C« razredu je delovna točka nastavljena tako. Razlika je v nastavitvi delovne točke. V »A« razredu je delovna točka nastavljena nekje na sredini delovne premice.9 je vezje nizkofrekvenčnega ojačevalnika v »A« razredu. Tako je anodni tok v mirovanju majhen. Ojačevalnik v »A« razredu.

10.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA IA delovna točka UGK Slika 8. IA delovna točka UGK Slika 8. 250 . Ojačevalnik v »C« razredu.11. Protitaktni ojačevalnik v »AB« razredu.

IA=2mA pri UGK=-2V. Anodni upor je tedaj: U A − U AK − U RK 250 V − 125 V − 2 V RA = = = 61.6mS. zato je med anodo in katodo polovična napajalna napetost.6mS ⋅ 60kΩ = 96 251 . VAKUUMSKI IN PLINSKI ELEMENTI Primer Izračunajmo upornosti uporov ter napetostno ojačenje neobremenjenega ojačevalnika v »A« razredu z vakuumsko triodo.6mS ⋅ 60kΩ 61.5kΩ = 48. g=1. če je UA=250V. rA=60KΩ! Koliko znaša ojačevalni faktor µ? RA UA 250V RG 2V 1M RK CK Padec napetosti na katodnem uporu je enak prednapetosti na krmilni mrežici.6 Ojačevalni faktor µ izračunamo s pomočjo Barkhausenove enačbe: µ = g ⋅ rA = 1.5kΩ IA 2 mA Pri napetostnem ojačenju moramo upoštevati tako notranjo upornost elek- tronke kot tudi anodni upor: AU = g ⋅ rA R A = 1. zato je: U GK 2V RK = = = 1kΩ IA 2mA Delovna točka je postavljena na sredino delovne premice.

V grobem je sestavljena iz treh delov: elektronskega topa. Uporabljamo jo v oscilos- kopih.12. 252 . so oblikovane tako. ki jo vidimo kot svetlo piko na zaslonu. ki priletijo na zaslon in s tem vplivamo na svetlost točke na zaslonu.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 8. B katoda. odklonskega sistema in lumini- scenčnega zaslona. D pomožna anoda. računalniških monitorjih ter v televizijskih sprejemnikih. Katodna ali žarkovna cev Katodna cev služi za prikazovanje slike na zaslonu. Z njo krmilimo število elektronov. ki je spojena s kovinsko prevleko v notranjosti cevi. Elektronski top oddaja tanek snop elektronov.7.13 so vrisane ekvipotencialne ploskve (ploskve z istim električnim potencialom). Na sliki 8. Na sliki 8. Top sestavljajo katoda. Zgradba katodne cevi osciloskopa. ki delujejo na elektrone kot leča. F elektrode odklonskega sistema ter G luminiscenčni zaslon. Krmilna mrežica je na negativnem napetostnem potencialu. ki fokusirajo in pospešu- jejo elektrone proti zaslonu.1. Z njihovo pomočjo zadevajo elektroni zaslon v skupni točki. ki letijo proti zaslonu. da delujejo kot elektronske leče. E anoda.12 je po vrsti: A grelna nitka. ki sledijo. krmilna mrežica ter vrsta elektrod. C krmilna mrežica (Wehneltov cilinder). A B C D E F G elektronski top odklonski sistem Slika 8. Elektrode.

Zaradi velike kinetične energije. Ta je pri osciloskopskih katodnih ceveh narejen s pomočjo dveh parov elektrod.14.13. je napetost med anodo in katodo zelo visoka (nekaj deset kV). da sveti. ki potujejo proti zaslonu. Na ta način lahko krmilimo elektronski žarek po celem zaslonu. Odklanjanje elektronskega snopa s pomočjo odklonskih elektrod. to pomeni. drugi par pa v vodoravni ravni (horizontalni odklonski sistem). se med njimi ustvari električno polje. Ker je pri televizijskih katodnih ceveh odklonski kot zelo velik. Zaslon je narejen iz luminiscenčnega materiala. ki jih odkloni. Na ta način se izrisuje slika na televizijskih katodnih ceveh. žarek najprej osvetli vse lihe vrstice. da preleti celoten zaslon od vrha do dna v vodoravnih črtah. E Slika 8. Ko na odklonske elektrode priključimo električno napetost. ki pa je pri računalniških monitorjih nezaže- 253 . interleaced). Odklonski sistem krmili žarek tako. Prvi par je postavljen v navpični ravni (vertikalni odklonski sistem). Gibanje elektronov. nato vse sode. ukrivi odklonski sistem. ki jo morajo elektroni doseči pred trkom. Takemu načinu pravimo prepletanje (angl. Oblika elektronske leče. VAKUUMSKI IN PLINSKI ELEMENTI ekvipotencialne ploskve Slika 8. je odklonski sistem narejen s pomočjo dveh parov elektromagnetov. kadar udarjajo vanj elektroni. Na mimoidoče elektrone deluje električna sila.

Barvna katodna cev deluje s pomočjo treh elektronskih topov. Pred zaslon je postavljena zaščitna mreža. Če bi na primer deloval samo eden izmed treh topov.15) do točke »B« in pri tem osvetli prvo črto na zaslonu. Ko se osvetli cel zaslon. A B Slika 8. 254 . Le-te so postavljene tako. Elektronika nato žarek prekine in odklonski sistem se postavi v položaj. Zaslon je zgrajen iz velikega števila luminiscenčnih točk rdeče. Naprej potuje od točke »A« (glej sliko 8. Poglejmo gibanje žarka na zaslonu brez prepletanja. da vsak elektronski top »vidi« na zaslonu točke samo ene barve.15. odklonski sistem vrne (ugasnejen) žarek iz točke »C« na začetek v točko »A«. Način preleta elektronskega žarka po C zaslonu. zaslonska mreža rdeča luminiscenčne točke na zaslonu elektronski topovi zelena modra Slika 8. Princip delovanja barvne katodne cevi. kjer bo žarek ponovno začel izrisovati sliko – torej na začetek druge vrste. zelene in modre barve (od tu kratica RGB: angl. red-green-blue). sestavljena iz velikega števila odprtin.16. bi na zaslonu videli sliko iz ene same osnovne barve.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA ljeno.

Simboli takih elementov so označeni s piko. Druge. imajo relativno velik padec nape- tosti in prevajajo manjše tokove. ko plin v notranjosti ionizira. da pride do termične emisije. s toplo (ali ogrevano) katodo. s hladno katodo. Tlivko s tremi elektrodami vžgemo s pomočjo dodatne 255 . VAKUUMSKI IN PLINSKI ELEMENTI 8. Vezji s tlivkama. napetost med priključki pa pade. ki sta postavljeni v stekleno bučko z razredčenim plinom neonom in argonom. dosežejo elektroni v notranjosti tolikšne kinetične energije.17 sta prikazani dve vrsti tlivk: tlivka z dvema a) in s tremi b) elektrodami. Ta pojav izkoriščamo predvsem pri elektronkah z žarilno katodo. Ker katode ne ogrevamo. Tlivka Tlivka je sestavljena iz dveh elektrod. Prevajati začnejo. ko pri dovolj veliki napetosti.17. Prve. ki ji pravimo vžigna napetost. PLINSKI ELEMENTI Plinske elektronke so elektronke. ko napetost med priključki doseže vžigno napetost. Pri nižji napetosti je tok zelo majhen in skoraj konstanten. Poznamo dve vrsti plinskih elektronk. Okoli elektrode z nižjim potencialom – torej katode – nastane tlilna plast.2. katere prerez narašča sorazmerno s tokom. Tedaj tok skozi plin naglo naraste. Ko pa napetost narašča. ki imajo v notranjosti namesto vakuuma zelo razredčen plin. Prevajati začne. postane katoda tako vroča. plin v notranjosti ionizira.2. 8. Na sliki 8. ki mu pravimo plazma.1. Obe začneta prevajati tedaj. spada tlivka med elektronke s hladno katodo. Če tok povečujemo. da povzročijo nadaljnjo ionizacijo atomov plina (plazovita ionizacija). A G K Slika 8. Zaradi tega nastane med katodo in anodo oblok z zelo veliko prevodnostjo. pa ima- jo majhen padec napetosti in prevajajo zelo velike tokove.

Negativ- nejša mrežica povzroči. začne tlivka prevajati in kondenzator se izprazni.2. Krmilno mrežico priklju- čimo na negativnejši električni potencial kot katodo. če mrežice ne bi uporabili. kot bi bila potrebna.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA elektrode G. Ko doseže napetost med mrežico in katodo vžigno vrednost. ko ni dovolj toka za vzdrževanje ionizacije plina.18. Vezji na sliki 8. 8. če ne bi uporabili dodatne elektrode. 256 . Krmilna mrežica G določa trenutek ionizacije plina in s tem prevajanje. da spustimo napetost med anodo in katodo.17 delujeta kot oscilator. uporabimo pa ga kot krmiljeni usmerniški ventil. tlivko uporabimo kot elektronsko stikalo. Ko napetost na kondenzatorju doseže vžigno vrednost. da se bo tiratron vžgal pri večji napetosti med anodo in katodo. Na ta način lahko reguliramo vžigno napetost. Narejen je za napetosti od 300V do 20kV ter za tokove od 20mA do 50A.2. Ker je vžigni tok (tok skozi elektrodo G) zelo majhen (<100µA). ki – če je med katodo in anodo napetost – potujejo proti anodi. kot bi bila. plin ionizira in med anodo in katodo steče tok. Tlivka ugasne in kondenzator se lahko ponovno polni. Tiratron Tiratron je plinska elektronka s toplo katodo. Ko je napetost med anodo in katodo dovolj velika. samodejno ugasne. Tiratron v nasprotno smer ne prevaja. Tiratron. zato zavira potovanje elektronov proti anodi. f f Ogrevana katoda povzroča termično emisijo elektronov. povzročijo elektroni ionizacijo plina. krmilna mrežica nima več funkcije. Ko tiratron vžge. Tiratron ugasnemo tako. Med anodo in katodo je sedaj potrebna nižja napetost. A G K Slika 8.

Ignitron. 257 . živo srebro izpari in ionizirana para omogoči električni lok med anodo in katodo.2. VAKUUMSKI IN PLINSKI ELEMENTI 8. A ignitor K Slika 8.3. Emisijo elektronov iz katode dosežemo z napetostnim impulzom med ignitorjem in katodo. Nareje- ni so s hladno ali s toplo (ogrevano) katodo.19. Zaradi velikih izgubnih moči in hlajenja živosrebrne pare moramo ignitrone hladiti z vodo. Ignitron Glavna značilnost te elektronke je živo srebro v njeni notranjosti. jih uporabimo za usmerniške ventile velikih tokov (pri točkastem varjenju). Ker prenašajo srednje tokove do 2500A. Ignitron uporablja hladno katodo in lahko preko električnega obloka prevaja zelo veli- ke tokove. Ko nastane električni preboj. Plinski elementi prevajajo električni tok s pomočjo ioniziranega plina.

3453) +200V 100K 68K 1M 470K 2K 1K 258 . Kako deluje tiratron? Kakšno vlogo ima krmilna mrežica v tiratronu? 11. 1kΩ. Kaj je termična emisija elektronov? 2. Kakšno vlogo ima krmilna mrežica v vakuumski triodi? 4. da bo IA=3mA in UGK=-3V! Podatki so UA=190V.: 30.6kΩ. Izračunaj vhodno upornost. Kako žarkovna cev nariše sliko na zaslon? 7. µ=100. Zakaj vakuumska dioda prevaja električni tok samo v eno smer? 3. Kako žarkovna cev ustvari barvno sliko? 8. da je g=1.: 1MΩ. Kako deluje ignitron? Ima toplo ali hladno katodo? Kakšna je razlika? NALOGE 1. Kakšno vlogo ima plin v plinskih elementih? 9. Zakaj lahko tlivko uporabimo v vezju oscilatorja? Kako deluje? 10. 38) 2.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA VPRAŠANJA 1. g=2mS.6 tako. Čemu služijo posamezne mrežice pri vakuumski pentodi? 5. Izračunaj upornosti upora RA in RK v vezju na sliki 8. izhodno upornost in napetostno ojačenje ojačevalnika na sliki. Kolikšno je napetostno ojačenje? (Odg. Kakšno vlogo imata elektronski top in odklonski sistem žarkovne cevi? 6. če vemo. 31kΩ.8mS in rA=58KΩ! (Odg.

jakost in smer magnetnega polja. razdalje. 259 . zaščito drugih elementov v vezju in podobno. pretoke. TERMOELEKTRIČNI PRETVORNIKI S pomočjo termoelektričnih pretvornikov pretvarjamo velikost in spremembo temperature v električni signal. Uporabljamo jih za meritev temperature. DODATEK Poglavje 9 DODATEK V tem poglavju bomo spoznali nekatere elemente. mehanske spremembe. ki jih pogosto srečujemo in so zato vredni omembe. Tako lahko spremljamo spremembo temperature. spremembe tlaka. nad- zor. ki jih uporabljamo tam.1. Predvsem bomo omenili električne pretvornike. jakosti svetlobe. sevanje in podobno. kjer želimo najrazličnejše veličine pretvoriti v električno. 9.

Nasprotno pa imajo PTK termistorji pozitiven temperaturni koeficient. Karakteristika T NTK in PTK termistorjev. NTK termistorji imajo negativni tempera- turni koeficient.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 9.1.2 smo enega od baznih uporov nadomestili z NTK termistorjem. Vrednosti elementov morajo biti izbrane tako. ki se jim upornost spreminja s temperaturo. R NTK PTK Slika 9. se povečuje tok nasičenja in s tem kolektorski tok. Ker pa se segreva tudi termistor. V vezju na sliki 9. da je tok IP nekajkrat večji od baznega toka IB. mu upornost pada. da jim upornost s temperaturo pada. Poznamo dve vrsti termistorjev: NTK in PTK. Termistorji Termistorji so upori. kar pomeni manjši padec napetosti in znižan bazni tok v tranzistor. To pomeni.1. Ko se tranzistor segreva. 260 . Termistorje lahko uporabimo za temperaturno stabilizacijo delovne točke in kot zaščitni element pri ojačevalnikih. Temperaturna stabilizacija delovne točke tranzistorja s termistorjem.1.2. Ta mora biti termično povezan s tranzistorjem. RB1 RC IB UCC IP RNTC Slika 9.

LM335 pa deluje kot nastavljiva prebojna dioda. ki ima vlogo. Termočlen in karakteristika. ki je odvisna od uporabljenih kovin in temperature.Ni on N iC 25 -k V Fe 500 1000 T [ oC ] Slika 9. Polprevodniška dioda in tranzistor Ker se polprevodniški diodi zaporni tok nasičenja spreminja s temperaturo.4.3. Termočlen Termočlen je sestavljen iz dveh kovin.3. da izniči vpliv temperature okolice. kjer prebojna napetost narašča sorazmerno s temperaturo (+10mV/K). U [mV] 50 vroč konec s t. 261 . Ta tok je od priključene napetosti skoraj neodvisen. Pogosto je zaporedno za prvim termočlenom dodan še drugi.1. 9. DODATEK 9. Monolitni termoelektrični pretvorniki Dokaj natančne temperaturne pretvornike najdemo v monolitni integrirani izvedbi. Ko spoj segrevamo.2. Z višanjem temperature se v diodi poveča število ioniziranih atomov. LM334 je nastavljivi tokovni vir.1. r . Obe integrirani vezji imata obliko klasičnega tranzistorja s tremi priključki. ki sta na enem koncu spojeni. 9. jo lahko uporabimo kot termoelektrični pretvornik. Termočlen meri temperaturno razliko med vročim (spojenim) in hladnim (nespojenim) koncem.1. se na priključkih pojavi električna napetost. ki ima izhodni tok sorazmeren s temperaturo. ki povečajo zaporni tok.

Poznamo tudi prebojne fotodiode (angl. prekinja kakšen gibljiv predmet (tako izvedbo najdemo v računalniški miški). je večji kot 262 .2. ki prihaja do pretvornika. Poznamo pa tudi fototiristor. se zaradi nastalih prostih elektronov in vrzeli poveča tok nasičenja. fototriak ter vakuumsko foto- celico. Oddaj- nik je v tem primeru svetlobni vir – najpogosteje LED ali laserska dioda. Ko fotodiodo osvetlimo. zato mu upornost z osvetlitvijo pada. le da mora biti pri fotodiodi pn-spoj kar najbliže površini diode (substrata).ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 9. Ko tranzistor osvetlimo. kjer svetlobo. najpogosteje fotodioda ali fototranzistor.3. kjer svetloba sproži preboj v zaporni smeri.2.2. 9. Zaradi tega se poveča zaporni tok.2. Fototranzistor Občutno boljšo občutljivost kot fotodioda ima fototranzistor. OPTOELEKTRIČNI PRETVORNIKI Optoelektrične pretvornike zelo pogosto srečamo pri prenosu signalov. Svetlobno občutljiv je kolektorski spoj. Ko ga osvet- limo. sprejemnik pa svetlobno občutljiv element. To pa zato. 9.2. Prenos svetlobe poteka po zraku (daljinski upravljalec). vendar povzročajo veliko šuma. po optičnih kablih ali v majhnem. Tok. Fotodioda Fotodioda je po zgradbi podobna običajni diodi. Fotoupor Fotoupor je zgrajen iz polprevodniškega materiala CdS ali CdSe. ki je sorazmeren s svetlobnim tokom. Kolektorski tok se zaradi tega poveča za kratkostični tokovni ojačevalni faktor β. Njihova dobra lastnost je predvsem v visoki občutljivosti.1. 9. avalanche fotodiode). zato je fototranzistor občutljivejši od fotodiode. se namreč v prehodnem področju zaradi ionizacij rojevajo novi elektroni in vrzeli. se v polprevodnem materialu rojevajo proste elektrine. Optoelektrične pretvornike srečamo tudi pri alarmnih ali kontrolnih napravah in števcih. ki teče skozi fototranzistor v temi. zaprtem prostoru (optični spojniki). prednost pa v nizki ceni in enostavnosti uporabe. ker je plazoviti preboj neurejen. Slabost fotoupora je v temperaturni občutljivosti.

fototiristor.4. fototriac in podobno. 9.2. zapornem spoju ge- nerira dodatne proste elektrone in vrzeli. Ti povečajo tok G skozi srednji spoj. zgradba in slika fototranzistorja. Simbol. Fototiristor ali LASCR Fototiristor (angl.2. skozi katero pronica svetloba. Svetlobni vir je navadno svetleča dioda (LED). 263 . Na vrhu ohišja je prozorna odprtina.5. Fototiristor. stimo pod držalno vrednost. Poznamo tudi Darlington-fototranzistor. ki ga lahko vključimo s pomočjo svetlobe. Tranzistor je lahko v izvedbi z baznim priključkom ali brez njega. pri katerem je občutljivost še večja. 9. DODATEK pri fotodiodi in enak toku nasičnja ICE0. Izključimo ga kot klasičen tiristor: anodni tok spu. Slika 9. Vezje lahko vključuje še digitalna vrata ali operacijski ojačevalnik. optocoupler) so sestavljeni iz svetlobnega vira in optoelektričnega elementa. svetloba na njegovo delovanje več ne vpliva.4. Optični spojniki Optični spojniki (angl. light actuated silicon controlled rectifier) A je tiristor.5. Ko se K tiristor enkrat vključi. fotodar- lington. fototranzistor. medtem ko je optoelektrični element lahko fotodioda. Osvet- litev prehodnega področja v srednjem. Najpogosteje ga srečamo kot integrirano vezje s šetimi priključki. ki pri določeni vrednosti prebije. C emitor kolektor n+ baza n+ p B n E Slika 9.

C L RB1 UCC Q RB2 Slika 9. Zato jih najpogosteje uporabimo tam. 9. Če pride do napetostne preobremenitve na eni strani. Najdemo ga v mikrofonih. Optični spojnik: 3 4N37 4 kombinacija med LED in fototranzistorjem.7. Oscilator s RE CE kremenčevim kristalom. PIEZOELEKTRIČNI PRETVORNIK Določeni kristali imajo posebne električne lastnosti. če le ne prekoračimo temen- ske vrednosti optičnega spojnika (1 do 25KV). V ta namen ga uporabljajo v zvočnikih. kristal zaniha. S pomočjo dveh elektrod naredimo iz piezoelektričnega kristala pretvornik.6. s pomočjo katerega pretvarjamo mehanska nihanja v električni signal. ultrazvočnih oddajnikih in podobno. Ko na elektrodi piezoelektričnega kristala priključimo električno napetost. 264 .3. kjer želimo galvansko ločitev dveh vej vezja. gramofonskih glavah. 1 6 2 5 Slika 9. Pojav je tudi nasproten. ostane vezje na drugi strani zaščiteno. Prednost optičnih spojnikov je v zelo dobri dielektrični izolaciji med vhodnimi in izhodnimi priključki. nato spet v električnega. Ko jih mehansko obre- menimo. se na površini kristala pojavi električna napetost. senzorjih tlaka in podobnih napravah.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA Električni signal se najprej pretvori v svetlobnega.

bo mehansko zanihal. HALLOVA SONDA Hallova sonda je ploščica polprevodnika. Ta je usmerjena pravokotno na smer toka in magnetnega polja. Kristal bo najmočneje nihal ravno tedaj... Hallovi sondi je običajno dodano integrirano vezje z ojačevalnikom. ki se s časom ne spreminja. B V I V Slika 9. Kremenčev kristal ima zelo visok faktor kvalitete Q. Če kristal vzbujamo z napetostjo. quartz). ki dobi v magnetnem polju posebne električne lastnosti. ki je podobno kot pri tranzistorju. vse skupaj pa je zaprto v ohišje. lahko s sondo merimo magnetno poljsko jakost.4. Hallova sonda. ki ga uporabljamo v oscilatorjih (npr. računalnikih. deluje na gibajoče elektrone dodatna sila. 9. nič pa od električnih veličin.). nastali potencialni razliki pa Hallova napetost. če ga vzbujamo z lastno resonančno frekvenco. Pojavu pravimo Hallov efekt. S pomočjo dodatnega para sponk. ki uporablja kremenčev kristal.8. To nihanje spet povzroči majhen napetostni signal. zato zanaša elek- trone iz prvotne smeri. Ta je odvisna le od vrste kristala in njegovih dimenzij. v raznih sprejemnikih in oddajnikih. ki je nameščen pravokotno na smer toka. DODATEK Zelo razširjen piezoelektrični pretvornik je kremenčev kristal (angl. Ko teče skozi ploščico električni tok in ploščico prebadajo silnice magnetnega polja. Običajno je zaprt v majhno kovinsko ohišje z dvema priključkoma. Zaradi tega ima oscilator. digitalnih urah. Tako se na enem robu ploščice nabere več elektronov kot na drugem. zelo stabilno frekvenco. 265 .

za table s po- tujočimi napisi) ali kot posamezne enote. Prikazovalniki s tekočimi kristali ali LCD Tekoči kristali so organske snovi z zelo dolgimi molekulami. LED prikazovalnike izdelujejo kot skupek svetlečih diod (npr. light emission diode) smo že spoznali. ki so v kontaktu s tekočimi kristali. ki ima najpogosteje 7 segmentov (svetlečih diod. da so na površini vse orientirane navpično. z več segmenti. rekombinirajo. PRIKAZOVALNIKI 9. Z vsako tako enoto. Molekule so sicer gibljive kot v tekočini. Prikazovalnik s tekočimi kristali (angl. podobne integriranim vezjem. Molekule razporedimo tako. Od tod ime tekoči kristali. da diode svetijo.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 9. ki imajo v elek- tričnem polju posebne lastnosti. 9. Slika 9. vendar razporejene po določenih pravilih. liquid crystal display) je zgrajen iz dveh optičnih polarizatorjev.2. z globino pa se postopoma orientirajo vodoravno. prevodnih prosojnih elektrod ter vmesne celice. lahko prikažemo eno izmed števil. ki veljajo za kristalne strukture. Razpored seg- mentov LED prikazoval- nika. Pri tem se prosti elektroni in vrzeli. ko skoznje teče tok v prevodni smeri. Vmesna celica s tekočimi kristali je zelo tanka in meri nekaj 10µm. Elektroni se tedaj spustijo iz prevodnega v valenčni energetski pas in oddajo presežek energije v obliki elektromagnetnega valovanja – svetlobe. ki prehajajo preko spoja. Spomni- mo se.1. kjer so zaprti tekoči kristali. Razporeditev molekul lahko vsilimo s posebnimi dodatki. 266 .9.5.5. LED prikazovalniki Svetleče diode ali LED (angl.5. postavljenih v obliki številke 8).

se isto zgodi tudi s svetlobo – postane vodoravno polarizirana. ki je enako polarizirana kot so usmer- jene molekule tekočih kristalov. da pada na tekoče kristale le navpično polarizirana svetloba.i. DODATEK tekoči kristali tekoči kristali izključeno vključeno Slika 9.10. 267 . se vse molekule tekočega kristala razporedijo v eno smer in sukanja svetlobe ni več. bodo prepuščale le navpično polarizirano svetlobo. Princip delovanja nematičnih tekočih kristalov. prozorna tekoči prozorna elektroda kristali elektroda nepolarizirana svetloba optični optični polarizator polarizator Slika 9. Tekoče kristale sedaj postavimo med dva optična polarizatorja – s prvim po- skrbimo. Tekoči kristali prepuščajo le svetlobo. nematične tekoče kristale. Opisan način delovanja velja za t. Zgradba prikazovalnika s tekočimi kristali. Ko pa med elektrodama priključimo električno napetost. Če so torej molekule orientirane navpično. drugi pa naj prepušča le vodoravno polarizirano svetlobo. Ker se molekule z globino postopoma zasučejo za 90°.11. Če na kristalih ni napetosti.

Poznamo transmisijske in refleksijske prikazovalnike. za njim pa vodoravno. Za katodo je uporabljena žarilna nitka. zasuka svetlobe na kristalih ne bo. Primer prikaznega elementa pri anoda vakuumskem fluorescen- čnem prikazovalniku. Anoda je oblikovana v obliki osmice (za prikaz številk) ter prevlečena s fosforescenčno snovjo. Ko priključimo napetost na eno navpično in eno 268 . ki prehaja skozi prikazovalnik. ogrevna mrežica žica Slika 9. saj bi pri enosmerni napeto- sti prihajalo do nezaželjenih elektrolitskih pojavov. ki omogoča termično emisijo elektronov. s katero krmilimo posamezne pri- kazne elemente. Plazma prikazovalniki Plazma prikazovalniki delujejo na principu prevajanja električnega toka v plinih.3. Med anodo in katodo je krmilna mrežica.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA bo izhodna svetloba polarizirana vodoravno in jo bo zato vodoravni optični polarizator prepuščal. Prikazovalnike krmilimo z izmenično napetostjo. Posamezno točko prikazovalnika prižgemo s pomočjo križno namešče- nih elektrod. ki zaradi naleta elektronov sveti v različnih barvah (odvisno od materiala).12. 9. zato (navpično polarizirana) svetloba ne bo mogla skozi vodoravni optični polarizator – površina bo postala črna. če pa na kristale pritisnemo napetost.5. Pred prikazovalnikom so prevodne elektrode nameščene navpič- no. Pri prvih je vir svetlobe postavljen za prikazovalnikom. Prikazovalniki s tekočimi kristali imajo zelo majhno porabo električne moči.4. pri drugih pa se svetloba.5. Vakuumski fluorescenčni prikazovalniki Ti so narejeni podobno kot direktno ogrevana trioda. 9. njihova slabost pa je v dolgem odzivnem času. odbija nazaj s pomočjo ogledala.

Enako ponovimo še s tretjimi vrati in elektrino smo premaknili z leve proti desni za razdaljo treh kondenzatorjev. Na ta način lahko naredimo pomikalni register (angl. CCD CCD (angl. pride na mestu.6. 9. DODATEK vodoravno elektrodo. Če se nato električna napetost pojavi na drugih vratih. 269 . ki prenaša elektrino. Ko posta- vimo več MOS kondenzatorjev enega poleg drugega. shift register). kjer lahko zakasnimo signal tudi do ene sekunde. je vsa elektrina pod drugimi vrati oz. charge-coupled device) je skupek MOS kondenzatorjev. kondenzatorjem. CCD enote zelo pogosto uporabljamo pri pret- vornikih slike v električni signal (pri video kamerah) ter za zakasnilne člene. se elektrina nabere pod prvim kondenzatorjem (z leve). Ko priključimo električno napetosti na prva vrata. p elektrina električni t1 potencial čas t2 t3 t4 smer pretakanja elektrine Slika 9.13. Na sliki vidimo osnovni princip delovanja pomikalnega registra za elektrino. bo tja odtekla tudi elektrina. lahko elektrina prehaja od enega do drugega. Ko električne napetosti na prvih vratih ni več. kjer se obe dve križata. do tlenja plina in prikaže se svetla točka plazme. Primer delovanja 3-faznega CCD.

Slika se shrani kot količina elektrine. Kaj se zgodi. Kako je zgrajen in kako deluje termočlen? 4. charge-coupled image sensor). Kako deluje kremenčev kristal. Pri pretvorbi slike ima vsak od MOS kondenzatorjev še optoelektrični pretvor- nik.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA izhod CCD celica optoelektrični pretvornik n n CCD celica (MOS kondenzator) p Slika 9. CCD sklop pri pretvornikih za video kamere in prerez enega od segmentov s Schottkyjevo fotodiodo. V času osvetlitve se s pomočjo optoelektričnega pretvornika generirajo prosti nosilci elektrine. Tako enoto označimo s CCIS (angl. Kaj je Hallova sonda? 8. Kaj so optični spojniki? Čemu služijo? 6. ki ga uporabljamo v oscilatorjih? 7.2? 3.14. ko osvetlimo fototranzistor? 5. VPRAŠANJA 1. Kakšne termistorje poznamo? 2. ki jo nato s pomočjo CCD-ja zaporedno prenesemo v elektronsko vezje. Kako deluje prikazovalnik s tekočimi kristali? Kakšno vlogo imata optična polarizatorja? 9. Kako deluje temperaturna stabilizacija tranzistorja v vezju na sliki 9. Kaj je CCD in kako deluje? 270 .

TABELE Poglavje 10 TABELE 269 .

3 0.15 0.042 300Hz t UEF UDZ zaporna konična napetost na diodah.33 0.5 0.21 50Hz t UR UEF UR R 1.22 3.45 1.18 150Hz t UR R UR UR R 0. 270 .1.0 1. USMERNIKI U EF U DZ I DM Vezje UR UR IR η fBR UR UEF UR R 2.86 2.73 0. fBR frekvenca nihanja napetosti na izhodu.74 1.48 100Hz t UR UEF UR R 1.11 1.5 0. IDM trajni mejni tok diod.48 100Hz t UEF UR 0.11 3. η valovitost.33 0.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 10.45 0.

2. TABELE 10. ORIENTACIJE BIPOLARNEGA TRANZISTORJA Orient. skupni emitor skupni kolektor skupna baza Shema + + + RC RC RE RVH hie ≈ β ⋅ rE ( ) hie + 1 + h fe ⋅ RE ≈ hie ≈ rE 1 + hfe ≈ β ⋅ ( rE + RE ) RG + hie RIZH RC RE ≈ rE RE RC 1 + hfe AI -hfe=-β 1+hfe=1+β -hfb=-α AU − h fe ⋅ RC ≈− RC ( hfe + 1) ⋅ RE ≈ 1 h fe ⋅ RC RC ≈ hie rE hie + ( hfe + 1) ⋅ RE hie rE RC in RE sta celotni bremeni na izhodu tranzistorja. Približek za notranjo upornost emitorja rE se izračuna po enačbi: U T 25mV rE = ≅ IE IE 271 . RG je upornost genera- torja.

3. ORIENTACIJE UNIPOLARNEGA TRANZISTORJA Orient.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 10. 272 . skupni izvor skupni ponor skupna vrata Shema + + RD RD RS RG RS RG RVH RG RG 1 RS + gm RS RIZH RD RD 1 + g m ⋅ RS g m ⋅ RS g m ⋅ RD AU − g m ⋅ RD ≈1 1 + g m ⋅ RS 1 + g m ⋅ RS RD in RS sta celotni bremeni na izhodu tranzistorja.

skupna katoda skupna anoda skupna mrežica Shema + + RA RA RG RK RG RK RVH RG RG RK RIZH rA R A 1/g g ⋅ RA AU g ⋅ rA R A <1 g ⋅ rA R A RA je celotna izhodna upornost triode.4. TABELE 10. ORIENTACIJE VAKUUMSKE TRIODE Orient. 273 .

ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA

10.5. POGOSTO UPORABLJENE ENAČBE

10.5.1. Diode
k⋅T termična napetost, ki znaša pri sobni
UT = temperaturi 25mV,
q

UT 25mV diferencialna upornost diode v prevodni
r≅ = smeri,
ID ID

TJ − T A izgubna moč diode.
PTOT =
Θ TOT

10.5.2. Usmerniki
U MAX efektivna vrednost napetosti,
U EF =
2
U MAX srednja vrednost napetosti na izhodu
U SR = polvalnega usmernika,
π
U MAX srednja vrednost napetosti na izhodu
U SR = 2 ⋅ polnovalnega usmernika,
π
UR faktor valovitosti,
FR =
U SR

U EF faktor oblike,
FF =
U SR

PIZH učinkovitost.
η= ⋅ 100
PVH

274

TABELE

10.5.3. Bipolarni tranzistor
I β kratkostični tokovni ojačevalni faktor za
α= C = tranzistor v orientaciji s skupno bazo,
IE 1+ β
IC α kratkostični tokovni ojačevalni faktor za
β= = tranzistor v orientaciji s skupnim
IB 1− α
emitorjem,

I E = IC + I B vsota tokov tranzistorja,

I C = α ⋅ I E + I CB0 ali kolektorski tok,
I C = β ⋅ I B + ( β + 1) ⋅ I CB0

I CE 0 = ( β + 1) ⋅ I CB0 kolektorski tok nasičenja pri odprtih
vhodnih sponkah,

∆U BE k⋅T U diferencialna upornost med bazo in
rBE = ≅β⋅ =β⋅ T emitorjem,
∆I B q ⋅ IE IE
k ⋅ T 25mV diferencialna upornost emitorja,
rE = ≅
e⋅ IE IE
h fe ⋅ RC RC napetostno ojačenje tranzistorja v
AU = − ≈− orientaciji s skupnim emitorjem (brez
hie rE
emitorskega upora)

10.5.4. Unipolarni tranzistorji
2 ponorski tok nasičenja,
 U 
I DS ≅ I DSS ⋅  1 − GS 
 UP 

 U  transkonduktanca
g m = g mo ⋅  1 − GS 
 UP 

ID transkonduktanca
g m = g mo ⋅
I DSS

275

ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA

2 ⋅ I DSS največja transkonduktanca,
g mo = −
UP

AU = − g m ⋅ RD napetostno ojačenje.

10.5.5. Operacijski ojačevalnik
R2 ojačenje invertirajočega ojačevalnika,
AU = −
R1

R2 ojačenje neinvertirajočega ojačevalnika,
AU = 1 +
R1

APR faktor rejekcije, kjer je APR protifazno
CMRR = 20 ⋅ log ojačenje in ASOF sofazno ojačenje.
ASOF

10.5.6. Vakuumske elektronke
g ⋅ rA Barkhausenova enačba,
=1
µ

AU = g ⋅ r A R A napetostno ojačenje ojačevalnika s
skupno katodo.

276

TABELE

10.6. ENAČBE ZNAČILNIH VEZIJ

10.6.1. Polnovalni usmernik s sredinskim odcepom

UEF RL USR
220V

U MAX U MAX = U EF ⋅ 2
U SR = 2 ⋅
π
U SR
U RRM = 2 ⋅ U MAX ID =
RL

10.6.2. Polnovalni mostični usmernik

UEF
220V

RL USR

U MAX U MAX = U EF ⋅ 2
U SR = 2 ⋅
π
U SR
U RRM = U MAX ID =
RL

277

ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA

10.6.3. Ojačevalnik z bipolarnim npn tranzistorjem

+ UCC

RB1 RC C IZH
C VH

RG RL
RB2
RE CE

U CC − U CE − U RE U RE
RC = RE =
IC IE

U CC − U BE − U RE U BE + U RE
RB1 = RB2 =
IP + IB IP

1 1
CVH = CIZH =
2 ⋅ π ⋅ fL ⋅ ( RG + RVH ) 2 ⋅ π ⋅ fL ⋅ ( RC + RL )

hfe ⋅ RC RL
RVH = RB1 RB2 hie AU = −
hie
Posplošitve:
U CC
U RE = I P = 10 ⋅ I B
10
U BE ≅ 0,7V (Si) hfe = β

25mV
hie ≈ β ⋅ rE rE ≈
IE

278

TABELE

10.6.4. Ojačevalnik z JFET

+ UDD
RD C IZH
C VH

RGN RL
RG
RS CS

U DD − U DS − U RS U GS
RD = RS =
ID ID

 U  ID 2 ⋅ I DSS
g m = g mo ⋅  1 − GS  = g mo ⋅ g mo = −
 UP  I DSS UP

1 1
CVH = C IZH =
2 ⋅ π ⋅ f L ⋅ ( RGN + RG ) 2 ⋅ π ⋅ f L ⋅ ( R D + RL )

RVH = RG AU = − g m ⋅ RD RS

10.6.5. Operacijski ojačevalnik
R2
Invertirajoči R2 AU = −
R1
ojačevalnik
C VH R1 1
C IZH CVH =
2 ⋅ π ⋅ fL ⋅ R1
1
CIZH =
RK RL 2 ⋅ π ⋅ fL ⋅ RL
RK = R1 R2

279

ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA R2 Neinvertirajoči C VH RK AU = 1 + C IZH R1 ojačevalnik 1 CVH = 2 ⋅ π ⋅ fL ⋅ RK RL 1 R1 R2 C IZH = 2 ⋅ π ⋅ f L ⋅ RL RK = R1 R2 Odštevalnik UA RA R2 U U  U IZH = R2 ⋅  B − A   RB R A  RB R2 UB Primerjalnik s histerezo R1 ∆UVH = ∆U IZH ⋅ (Schmittovo vezje) R1 + R2 R1 R2 UREF Generator U konstantne R2 R2 U IZH = − U Z ⋅ napetosti R1 R1 UZ UIZH 280 .

6. TABELE Generator U konstantnega toka IL RL UZ IL = R1 R1 UZ 10. Vakuumska trioda + UA RA C IZH C VH RGN RL RG RK CK U A − U AK − U RK U GK RA = RK = IA IA g ⋅ rA AU = − g ⋅ rA R A RL =1 µ 1 1 CVH = C IZH = 2 ⋅ π ⋅ f L ⋅ ( RGN + RG ) ( 2 ⋅ π ⋅ f L ⋅ r A R A + RL ) 281 .6.

SIMBOLI ohmski upor dioda spremenljivi upor prebojna dioda (potenciometer) nastavljivi (trimer) kapacitivna (varicap) upor dioda kondenzator Schottkyjeva dioda spremenljivi (vrtljivi) tunelska dioda kondenzator nastavljivi (trimer) svetleča (LED) dioda kondenzator elektrolitski foto dioda kondenzator diodni tiristor dušilka dušilka s feritnim diac jedrom vir izmeničnega idealen napetostni signala generator idealen tokovni napetostni vir generator 282 .ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 10.7.

TABELE bipolarni npn bipolarni pnp tranzistor tranzistor unipolarni JFET s unipolarni JFET s kanalom n tipa kanalom p tipa MOSFET z inducira. MOSFET z inducira- nim n kanalom nim p kanalom MOSFET z vgrajenim MOSFET z vgrajenim n kanalom p kanalom enospojni tranzistor tranzistor z možnostjo UJT programiranja PUT dvosmerna dioda tiristor ugasljivi tiristor GTO tetrodni tiristor SCS zaporno prevodni triac tiristor RCT vakuumska dioda vakuumska trioda tlivka tlivka s tremi elektrodami tiratron ignitron 283 .

ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA 10. PREDPONE predpona faktor simbol exa 1018 E peta 1015 P tera 1012 T giga 109 G mega 106 M kilo 103 k mili 10-3 m mikro 10-6 µ nano 10-9 n piko 10-12 p femto 10-15 f ato 10-18 a 284 .8.

69 diferencialni ojačevalnik. 77 diac. 220 aktivno področje tranzistorja. 69 difuzija primesi. 142. 247 A razred. 92 difuzijski tok. parametri. 146. 23. 247 CCD. 18 četveropoli. 27 stabilizacija delovne točke. 144. 81 npn. 193 nastavitev delovne točke. 119. 49. 127 bipolarni tranzistor. enačbe. 87 diferencialna upornost. 130 simbol. 17. 79 C razred. 11 B D β. 219 pnp. 71 delovna premica. 233 preklopne lastnosti. 76 diferenciator. 45 delovanje. 240 časovna konstanta. 25. 12. 85 karakteristika. 20 CMOS. 69 dinamična upornost. 12. 86 nadomestno vezje. 268 akceptor. 79 Darlingtonovo vezje. 73. 152. 31 285 . 33. 190. INDEKSNO KAZALO INDEKSNO KAZALO A C α. 247 CCIS. 53 Č anoda. 69 Delonovo vezje. 140. 267 AB razred. 108. 139 analogno stikalo. 230 B razred. 147 difuzijska kapacitivnost. 71 amplitudno popačenje. 30. 81 delovna točka. 106 orientacije. 247 debeloplastno integrirano vezje. 181 aktivni elementi. 21 zgradba. 206 baza. 69. 207. 1 CMRR. 15. 173 atom. 73. 69 difuzijska napetost. 72 decibel.

ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA dioda. 15 frekvenčno popačenje. 180 z možnostjo programiranja. 82 fototranzistor. 78. 122. 42 emitorski spoj. 191 fotodioda. 140 elektronske leče. 234 fotolitografija. 179 fazni zasuk. 95 GTO. 266 dvosmerna dioda. 115 Hallova sonda. 197 emitorski upor. 77 hladna katoda. 71 grelna žica. 260 elektron. 193. 206 EPROM. 37 fotoupor. 131. 187 HEXFET. 109 linearni. 107 energijski pasovi. 260. 90. 182 hibridni četveropol. 57 emitor. 16. 55 faktor stabilizacije. 253 286 . 19 fazno popačenje. 234 E fotoresist. 193 fotoemulzija. 1 G pasivni. 190 HFET. 15-19 frekvenčna kompenzacija. 1 generacija. 1 generator konstantnega toka. 26 faktor popačenja. 11. 263 enospojni tranzistor. 199 DMOS. 223 donor. 2 gladilni faktor. 198 fluorescenčni prikazovalnik. 234 fototiristor. 2 nelinearni. 78 enosmerna povezava. 85 h-četveropol. 240 fazna regulacija. 182 direktno ogrevanje. 25 F delovanje. 174 epitaksija. 140 držalni tok. 235 hibridna integrirana vezja. 63 dvosmerni diodni tiristor. 261 Earlyjev efekt. 18 aktivni. 2 generatorji. 223 elektron volt. 57 diodni tiristor. 250 elementi. 69 Greatzov mostiček. 260 efektivna vrednost. 240 emitorski kondenzator. 196. 139 vrste. 221 H enosmerna delovna premica. 250 elektronski top. 18 enojno napajanje. 192 FAMOS.

120. 264 287 . 192 nadomestno vezje. 190 kvaliteta Q. 222 kontaktna napetost. 137. 261 kapacitivnost. 23 izravnava. 263 K L kapacitivna dioda. 166 enospojni tranzistor. 190. 191 nastavitev del. 70 katodna cev. 58 LASCR. 128 izvor. 160 krmilni polprevodniški elementi. 3 invertirajoči ojačevalnik. 187 delovanje. točke. 222 kontaktni šum. 218 katoda. 16 končni tranzistor. 195 stabilizacija del. 124. 71 izhodna izravnalna napetost. 169 tiristor. 2 J krmilna mrežica. 137 indirektno ogrevanje. 159. 240. točke. 25. 86. 163 diodni tiristor. 82 kolektorski spoj. 181. 138 komplementarni par. 62. 226 izravnalni tok. napetost. 240 kaskadni ojačevalnik. 145. 138 129 izkrmiljenje. INDEKSNO KAZALO I IGBT. 140 Kirchhoffov zakon. 240 integrirano vezje. 146. 264 kapacitivnost diode. 242 JFET. 193 karakteristika. laserska dioda. 86. 127. 183 ignitron. 263 krmiljeni generator. 187 orientacije. 227 izolanti. 208 kolektor. 165 dvosmerna dioda. 69 izhodna karakteristika. 162 z možnostjo programiranja. 33. izvor simetrične napetosti. 103. 143. 255 kapacitivnost tranzistorja. 33 LC povezava. 64 130. 198 zadrgnitev kanala. 130. 46 integrator. 150 kaskadni usmernik. 159 kratkostični tokovni ojačevalni faktor. 217 73 kremenčev kristal. 95. 220 kombinacijsko-rekombinacijski šum. 166 triac. 250 intermodulacijsko popačenje. 220. 161 diac. 179 induktivnost. 151. izkoristek ojačenja moči. 124 LED. 166 LCD.

173 neinvertirajoči ojačevalnik. 235 nastavitev delovne točke. 159. 89. 147. 240. 218 nadomestno vezje. 105. 267 odštevalnik. 35 motnja. 102- 104. 110 izgubna moč. 148 zaščitna. 216 naprševanje. M 140. 205 napetostni sledilnik. 240 termična upornost. 176. 245 ojačenje tranzistorja. 235 omejevanje napetosti. 177 odklonski sistem. 229 tankoplastna.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA linearizacija. 205 napetostni izvor. 7 MOSFET. 142. 165 oksidacija. 90. 210 linearni elementi. 207 napetostni regulator. 60. 52 napetost kolena. 77. 28. 174.130 n-tip polprevodnika. 235 nelinearni elementi. 2 Millerjev teorem. 138. 144. 21 negativa upornost. 174 npn transisitor. 35 mostični usmernik. 225 Nortonov ojačevalnik. 87. 80. 19. 10 nelinearno popačenje. 189 MESFET. 42 delovna temperatura. 209 metalizacija. 178 linearna integrirana vezja. 166 manjšinski nosilci. 205 napetost od temena do temena. 175 O z vgrajenim kanalom. 206 napetost zadrgnitve. 205. 250 MOS kondenzator. 231 Nortonov teorem. 138 288 . 37 omejitve tranzistorja. 98. 35 mrežica. 83. 100. 216 operacijski ojačevalnik. 69 močnostni. 212. 35 krmilna. 12. 21 okenski diskriminator. 244 Ohmov zakon. 162 monolitna. 162. 211 mostični ojačevalnik. 44 nihajni krog. 98 napetost nasičenja. 242 segrevanje tranzistorja. 227 odvajanje toplote. 178 z induciranim kanalom. 221 monolitna integrirana vezja. 139 množilniki napetosti. 83. 3 zaviralna. 234 naparevanje. 50 debeloplastna. 1 napetostno-tokovni pretvornik. 258 nastavitev delovne točke. 131 N ojačevalnik. 126 močnostni ojačevalnik. 178 z dvoje vrati. 172. 179 NTK termistor.

260 nelinearno. 21 predpone. 105 P prebojna fotodioda. 22 pravila vezij. 260 intermodulacijsko. 284 pasivni elementi. 222 pomikalni register. 59 preklopni časi. 19. 260 fazno. 176 polprevodniki. 182 značilni podatki. 62. optični. 254 čas zaradi kopičenja naboja. 21 prevodniki. 219 ponor. 147. 159 optični polarizator. 169 pragovna napetost. 139 fotodioda. 267 lastnosti. 260 faktor popačenja. 266 čas kopičenja. 207 pomnilnik. 21 prevodnost. 37 kompenzacija. 30. 140 fototranzistor. 162. 262 149 PIN dioda. 27 n-polprevodnik. 261 frekvenčno. 253 čas zakasnitve vzpona. 139 orientacija tranzistorja. 264 preseg. 88. 139 optični spojnik. 1 preklopne lastnosti diode. 34. 76. 148. 139 optični spojnik. 149 tiratron. 253 čas upadanja. 69 preostali tok. 34 plinski elementi. 196 pnp tranzistor. 149 pn spoj. 139 optoelektrični pretvorniki. 140 fotoupor. 34 plazovita ionizacija. 140 fototiristor. 36. 255 čas vzpona. 34 pentoda. 251 polarizator. 16. 83. 260 p-tip polprevodnika. električni. 163 prepletanje. 191 čas preklopa. 39 preščipnjen kanal. 149 plazma prikazovalnik. piezoelektrični pretvornik. 76 področje nasičenja. 17 prevodna smer diode. 245 preklopne lastnosti tranzistorja. 176 osiromašeno področje. 2 preboj. 21 sprostitveni. 149 tlivka. 149 ignitron. 34. 18 289 . 16 p-polprevodnik. 55. INDEKSNO KAZALO operacijski ojačevalnik. 207 polvalni usmerniki. 261 amplitudno. 243 polnovalni usmerniki. 16. 19. 264 popačenje. 19. 261 stopnja popačenja. 29 prebojna dioda.

115. 198 Š rejekcijski faktor. 183 šumno število. 266 spodnja mejna frekvenca. 282 LED. 212. 64 vakuumski fluorescenčni. 205 seštevalnik. 173. 266 skrajna frekvenca tranzistorja. 196 propustnost. 115 srednja vrednost. 128 rekombinacija. 211 tehnologija monolitnih integriranih signalna dioda. 258 258 push-pull. 131 primerjalnik. 189 povezava. 263 kombinacijsko-rekombinacijski. 10 RC člen. 220. 96. 231 290 . 53 vezij. 190 step-recovery dioda. 126 tankoplastna integrirana vezja. 139 R strmina. 58. 207. 61 T SCR. frekvenčna. 229 sprememba koeficienta ojačenja. 197 tabele. 128 resonančna frekvenca. 264 sončna celica. 141 statična upornost. 252 129 ROM. 217 plazma. 195 SCS.166. 64 stopnja popačenja. 130 substitucijski teorem. 108. 121 prilagoditev. 133 tekoči kristali. teorem. 126. 264 simboli. 12 PUT. PTK termistor. 129 razmerje signal/šum. 48 svetleča dioda. 34 stimulirana emisija. 90. 112 spojna kapacitivnost. 129 samodejna vključitev. 196 Schottkyjeva dioda. 128 rekombinacijski center.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA prikazovalniki. 269 selektivni transformator. 9 filter. 33 kontaktni. 199 superpozicija. 38 PSRR. 214 sprostitveni čas. 18 termični. 62 oscilator. 130 S šumno število. 220 šum. 120 RCT. 243 razmerje signal/šum. RGB. 220 stabilizacija delovne točke. 264 simetrična napetost. 211 s histerezo. 33.

242 metalizacija.37-45 . INDEKSNO KAZALO difuzija.125. 245 tokovni izvor. 36. 179 termični šum. 183 epitaksija. 75. 259 VMOS. 258 MOSFET. 174 termočlen. 181 tetroda. 243 fotolitografija. 233 tranzistor z izoliranimi vrati. 253 valovitost napetosti. 183 monolitni. 44 zaporno neprevodni. 234 tekoči kristali. 48 transformator. 241 tok nasičenja tranzistorja. 75. 159 termična emisija elektronov. 182 termistor. 48 selektivni. 254 polnovalni. 264 U Tellegenov teorem. 244 tokovni ojačevalni faktor. 259 JFET. 250 tokovna varovalka. 235 tunelska dioda. 242 topla katoda. 141 faktor oblike. 60 oksidacija. 48 291 . 195 glajenje. 216 tetroda. 259 HFET. 39 tiristor. 26. 159. 259 MESFET. 160 polprevodni elementi. 36 Theveninov teorem. 163. 7 UJT. 163 katodna ali žarkovna cev. 7 polvalni. 159. 198 z možnostjo ugašanja. 226 faktor valovitosti. 244 simboli. 240 CMOS. 234 trioda. 253 vakuumski elementi. 174 termoelektrični pretvorniki. 197 usmerniki. 128 FAMOS. 73 trioda. 239 tok nasičenja. 48 toplotna preobremenitev. 47 tetrodni. 187 temperaturna kompenzacija. 37 tiratron. 110 unipolarni tranzistor. 199 pentoda. 195 zaporno prevodni. 180 termočlen. 257 IGBT. 258 HEXFET. 125 učinkovitost. 197 V tlivka. 149 DMOS. 126 usmerniško razmerje. 149 dioda. 173 termistorji. 77. 235 transkonduktanca. 160 tetrodni tiristor. 48 transformatorska povezava. 197 množilniki. 181 termični pobeg. 32.

3 žarilna nitka. 55 vezja. 7 žarkovna cev. diodni. 245 večinski nosilci. 250 Theveninov teorem. 3 ž Kirchhoffov zakon. 220 vhodni izravnalni tok. 111 Zenerjeva dioda. 54 vzporedna vezava diod.ELEKTRONSKI ELEMENTI IN VEZJA varicap dioda. 47 Z zadrgnitev kanala. 198 zaščitna mrežica. 44 višjeharmoniki. 26 zaporno neprevodni tiristor. 7 superpozicija. 21 Zenerjev preboj. 139 VMOS. 10 Millerjev teorem. 7 Nortonov teorem. 29 večstopenjski ojačevalnik. 131. 195 zaporno prevodni tiristor. 9 substitucijski teorem. 162 zaporedna vezava diode. 81 vhodna izravnalna napetost. 115. 220 Villardovo vezje. 46 zaporna plast. 22. 159. 190 vrzel. generatorji. 2 178 krmiljeni generator. 181 vrata. 2 Ohmov zakon. 58 zaviralna mrežica. 18. 2 zgornja mejna frekvenca. 240 Tellegenov teorem. 20 vzorčevalnik. teorem. 2 pravila vezij. 10 vhodna karakteristika. 26 zaporna smer diode. 244 292 .