Electrónica aplicada

INSTITUTO

PROFESIONAL

INACAP

“ELECTRÓNICA APLICADA”

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Electrónica aplicada

ELECTRÓNICA APLICADA 88 hrs. Programa: Unidad I Conceptos electrónicos (10 hrs.) Teoría física electrónica Funcionamiento de Diodos, transistores y tiristores de Electrónica Integrada (10

Unidad II Fundamentos hrs.)

Circuitos integrados monolíticos Armar circuitos integrados Unidad III Fundamentos de Electrónica Digital (10 hrs.) Tecnologías TTL y CMOS Circuitos de compuertas lógicas Microprocesadores Unidad IVTipos de sensores y actuadores utilizados en control electrónico (10 hrs.) Sensores resistivos Circuitos electrónicos Unidad V Sistemas de Encendido Electrónicos (12 hrs.) Sistemas de encendido Unidad VI Sistemas de Inyección Electrónica (20 hrs.) Inyección Monopunto y Multipunto Unidad VII Aplicaciones Electrónicas (10 hrs.) Control electrónico en Maquinaria pesada y vehículos livianos Circuitos de control electrónico

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Electrónica aplicada Bibliografía: Electrónica Analógica SCHAUM Edición, 1987 Ed. Mc Graw-Hill. España. Circuitos Electrónicos Discretos e Integrados SCHILING y BELOVE Edición, 1997 Editorial Marcombo Principios de Electrónica MALVINO, ALBERT PAUL Edición, 1997 Ed. Mc Graw-Hill. España. Dispositivos Electrónicos en el Automóvil GILLIERI, STEFANO Edición, 1997 Editorial Ceac

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Cuando el Hidrógeno y el Oxígeno se combinan químicamente. Podemos imaginarnos otras divisiones de la gota de agua. El hierro es un elemento. y éstos a su vez están compuestos por electrones. La materia se divide en moléculas. El agua es un compuesto químico de dos elementos: Hidrógeno (H) y Oxígeno (O) cuya fórmula es H2O.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 4 UNIDAD 1: COMPONENTES ELECTRÓNICOS Componentes prácticamente desconocidos hace treinta años. surgen hoy. protones y neutrones Molécula: Es la parte más pequeña en que puede dividirse la materia y seguir conservando sus características de compuesto. tendremos que estudiar la composición de la materia. Cobre. Si tomamos una gota de agua y la dividimos en dos tendremos dos partes. 4 . Sodio y Cloro. Para entender que es un electrón y como se comporta. Por ejemplo una molécula de H2O. Materia es todo aquello que ocupa un lugar en el espacio y tiene masa (ejemplo: hielo. Mercurio. La Sal es el resultado cuando se combina químicamente el Cloro y el Sodio. agua. como por ejemplo: • Su estructura • Propiedades de las partículas que lo Integran MODELO ATÓMICO DE BOHR: La electricidad consiste en el movimiento de electrones en un conductor. son ejemplos de otros elementos. gas). Para el estudio y comprensión de los fenómenos que ocurren en dispositivos semiconductores. las cuales a su vez se dividen en átomos. es necesario conocer algunos detalles del mundo atómico. pero ambas serán de agua. los Sustancia Elemento cuales en combinación forman los Átomo diferentes tipos de materia que se encuentran en nuestro planeta. Estos átomos se componen de dos partes: el núcleo y la periferia. Aluminio. Oxígeno. se forma el agua. hasta que llegue un momento en el que tendremos dos átomos de Hidrógeno por uno de Oxígeno. Toda la materia está compuesta de bloques químicos los cuales son llamados elementos. Hidrógeno. La naturaleza ha proporcionado más de 100 elementos. desplazando a las válvulas de vacío (tubos) de funciones que hasta hace poco se creían de su exclusiva propiedad.

es decir. todos los materiales que forman nuestro mundo diario.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 5 Átomo: Es la parte más pequeña en la cual un elemento puede ser reducido y ser clasificado aún. son aproximadamente 1800 veces más pesado.. creo el modelo (después llamado modelo de Bohr) donde se nuestra la estructura del átomo. Esta fuerza se equilibra con la fuerza de atracción del núcleo lo que mantiene al electrón en una órbita estable. etc. están formados por aproximadamente 100 sustancias básicas o elementos. Estos electrones son los llamados electrones de valencia Electrón N�leo Electrones + + + Orbita Protones Neutrones Ejemplo: El átomo de cobre tiene 29 protones y 29 electrones. El la periferia se encuentran: • Los electrones con carga eléctrica negativa. el número de electrones que giran alrededor del núcleo. actúa sobre él una fuerza centrífuga que trata de alejarlos del núcleo. De estos 29 electrones. 28 viajan en órbitas cercanas al núcleo y 1 viaja en una órbita lejana. Por ejemplo un átomo de Hidrógeno. y por ello se dice que un átomo es eléctricamente neutro. un átomo de Oxígeno. (electrón de valencia) Propiedades del átomo: 1) Los protones que poseen carga eléctrica positiva de igual magnitud que la del electrón. El número de protones es igual al número de electrones Hay algunos electrones que se encuentran en las órbitas más alejadas del núcleo. no tienen carga eléctrica o son neutros. 3) Debido al movimiento de rotación de los electrones alrededor del núcleo a. 2) Un átomo normal. en el cual el Sol es el núcleo y sus planetas las partículas que giran alrededor del núcleo En el núcleo del átomo se encuentran: • Los protones con carga eléctrica positiva • Los neutrones que como su nombre insinúa. un átomo de Cloro. es igual al número de protones. El átomo es similar a nuestro sistema solar. 4) Todo lo que nos rodea. El físico danés Niels Bohr. A este electrón se le llama: electrón libre. 5 . por lo que podrían liberarse fácilmente..

O . Cu. Bronce. Cl . Na. K .Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 6 Ejemplo: H . Sal. N . etc. Ca . 5) Cada elemento básico posee una cantidad diferente de electrones girando alrededor del núcleo. etc O bien una combinación de dos o más elementos básicos Ejemplo: Agua. Acero. en diferentes órbitas que se designan con las letras: 6 .

pero lo que les confiere un carácter especial es la presencia de huecos. El núcleo o centro del átomo contiene 29 protones (cargas positivas).Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 7 El átomo PRO POSE ELÉ POS NEUT POSEEN ELÉCT N NUCLEO K L M N O P Q ELECTRONES: POSEEN CARGA ELECTRICA NEGATIVA (-). M. 7 . transistores y los circuitos integrados es necesario estudiar los materiales semiconductores: componentes que no se comportan ni como conductores ni como aislantes. L. GIRAN ALREDEDOR DEL NUCLEO 8 Protones (+) 8 Neutrones 8 Electrones (-) Nucleus Anillos Orbitales (K. Los semiconductores poseen algunos electrones libres. N�) K L 햠 omo de Oxigeno Para comprender cómo funcionan los diodos. CONDUCTORES El cobre es un buen conductor si se observa su estructura atómica.

Los electrones viajan en distintas órbitas quedando sólo un electrón en el orbital exterior. la parte interna es el núcleo (+29) y los tres primeros orbitales (+28). El electrón más externo viaja muy lentamente y casi no se siente atraído hacia el núcleo. el cobre y el oro Cuando el electrón de valencia se va. Si un átomo tiene un electrón extra en el orbital de valencia llamamos al átomo cargado negativamente ión negativo. por eso el cobre es un buen conductor. produciendo menos fuerza centrífuga. una fuerza externa puede arrancar fácilmente ese electrón con una muy pequeña tensión. estos no caen hacia el núcleo debido a la fuerza centrífuga (hacia fuera) creada por su movimiento orbital. Eléctricamente Neutro Ion Positivo Ion negativo 8 . Los mejores conductores son la plata. Orbitales estables: El núcleo atómico atrae a los electrones orbitales. Éste es el que determina las propiedades eléctricas del átomo. se define la parte interna del átomo como el núcleo más todos los órbitales internos. Para un átomo de cobre. la fuerza centrífuga equilibra exactamente la atracción eléctrica ejercida por el núcleo. A causa de ello. la atracción que sufre el electrón de valencia es muy pequeña. La parte interna: En electrónica. Electrón libre: El electrón de valencia al ser atraído muy débilmente por la parte interna del átomo. La parte interna del átomo de cobre tiene una carga resultante de +1. Cuando un electrón exterior entra dentro del orbital de valencia. al que se le conoce como electrón libre. Si un átomo neutro pierde un electrón se convierte en un átomo cargado positivamente que recibe el nombre de ión positivo. Cuando un electrón se haya en un orbital estable. lo único que importa es el orbital exterior. 29 electrones (cargas negativas) se disponen alrededor del núcleo. el cual también se denomina orbital de valencia. El electrón de valencia se encuentra en un orbital exterior alrededor de la parte interna y tiene una carga resultante de +1. porque tiene 29 protones y 28 electrones internos. la carga resultante del átomo es +1. la carga resultante del átomo es -1. Por lo anterior. Los electrones de un orbital más alejado se mueven a una velocidad menor.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 8 Cuando un átomo de cobre tiene una carga neutra.

eléctricamente se vuelven negativos. ambos tienen 4 electrones de valencia. Este es el caso de los Aislantes (Azufre. El germanio fue el primero en utilizarse siendo luego reemplazado por el silicio pues el primero presentaba demasiada corriente inversa.) SEMICONDUCTORES: Los mejores conductores tienen un electrón de valencia. Los 4 electrones de valencia nos indican que es un semiconductor. observada en la figura. Los semiconductores más conocidos son el germanio y el silicio. 6 ó 7 electrones en la órbita periférica. Un semiconductor posee propiedades eléctricas entre las de un conductor y un aislante. Estos átomos se vuelven “iones negativos” pues. 9 . Un átomo de silicio tiene 14 protones y 14 electrones y su distribución. por lo tanto. etc. tienen la tendencia de completar esta órbita a ocho electrones. los mejores semiconductores tienen cuatro electrones de valencia.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 9 AISLANTES: Los átomos que tengan 5. mientras los mejores aislantes poseen ocho electrones de valencia. Cloro. muestra una carga resultante de +4 porque contiene 14 protones en el núcleo y 10 electrones en los dos primeros orbitales.

Los electrones dejan de pertenecer a un solo átomo. lo hacen en una estructura ordenada llamada cristal. radiaciones. que corresponde a la zona en que los electrones se encuentran semi libre. ello implica entregarles una cierta cantidad de energía. luz. Cada átomo de silicio comparte sus electrones de valencia con los átomos de silicio vecinos. y la “Banda Prohibida” que corresponde a la zona cerrada al paso libre de los electrones entre las bandas de Conducción y de Valencia.6 х 1019 Joules) CRISTALES DE SILICIO Cuando los átomos de silicio se combinan para formar un sólido. la “Banda de Conducción”. 10 . La magnitud de dicha energía es igual a la altura de la banda prohibida. Se mide en eV. De esta forma el átomo central parece tener 4 electrones adicionales. Para que los electrones de la banda de valencia puedan servir como portadores deben pasar a la banda de conducción. sumando un total de 8 electrones de valencia.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 10 BANDAS DE ENERGÍA Acá podemos destacar a la “Banda de Valencia”. Aunque el átomo tiene originalmente 4 electrones de valencia. ya que cada átomo central y sus vecinos comparten electrones. que corresponde a la zona donde los electrones se encuentran con la suficiente energía para moverse libremente en una estructura cristalina. de tal manera que tiene 8 electrones en el orbital de valencia. etc. Enlace covalente: Cada átomo vecino comparte un electrón con el átomo central. que puede tener la forma de calor. (1 eV = 1.

Este equilibrio entre fuerzas es el que mantiene unidos a los átomos de silicio. 11 .Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 11 Los pares de electrones que se observan en la figura se atraen con fuerzas iguales y opuestas (ya que pertenecen a átomos distintos). El electrón constituye un enlace entre núcleos opuestos llamado enlace covalente.

Si se toca un objeto. pasando a ser un electrón libre. Cuando no existen ocho electrones de forma natural en un elemento. No se está aseguro de por qué el orbital exterior de todos los elementos tiene una predisposición a tener 8 electrones.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 12 Saturación de valencia: El cristal de silicio contiene 8 electrones de valencia. 12 . El hueco: Cuando la temperatura es mayor que el cero absoluto (-273ºC). el electrón liberado gana energía para situarse en un orbital de nivel energético mayor. el calor hace que los átomos en un cristal de silicio vibren. el calor que transmite proviene de la vibración de sus átomos. esto produce una estabilidad química que da como resultado un cuerpo compacto de material de silicio. el orbital de valencia no puede soportar más de 8 electrones. más intensas serán las vibraciones mecánicas de dichos átomos. Cuando esto sucede. este tiende a combinarse y a compartir electrones con otros átomos para obtener 8 electrones en su orbital exterior. Se trata de una ley experimental estableciéndose que: Saturación de valencia: n= 8 O sea. Matemáticamente se puede explicar la estabilidad lograda al tener valencia 8 pero no se sabe la razón del porqué. un cristal de silicio es casi un aislante perfecto a temperatura ambiente. Debido a que los electrones están fuertemente ligados. Estas vibraciones pueden hacer que se desligue un electrón del orbital de valencia. A mayor calor.

El electrón libre se halla en un orbital de mayor energía en el extremo derecho del cristal. en el orbital de valencia. El tiempo que transcurre entre la creación y la desaparición de un electrón libre recibe el nombre de tiempo de vida que varía de unos cuantos nanosegundos a varios microsegundos dependiendo por ejemplo de la perfección del cristal. El efecto es el mismo que si el hueco original se desplazara hacia la derecha. Los electrones libres se mueven en forma aleatoria dentro del cristal. El hueco de la izquierda atrae al electrón de valencia del punto A. que se denomina hueco. lo que provoca que dicho electrón se desplace hacia el hueco creando un nuevo hueco en este punto. los electrones de valencia 13 . A temperatura ambiente. En un cristal se crean igual número de electrones libres que de huecos debido al calor. y se comporta como una carga positiva por la pérdida de ese electrón (ión positivo). es repelido por esta. En ocasiones un electrón libre se aproximará a un hueco. SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS (PURO) Es un semiconductor puro de silicio si cada átomo del cristal es un átomo de silicio. Flujo de electrones libres: En la figura se observa parte de un cristal de silicio situado entre dos placas metálicas cargadas. Debido a que el electrón está cerca de la placa cargada negativamente. Supóngase que la energía térmica ha producido un electrón libre y un hueco.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 13 Pero la salida del electrón deja un vacío. El nuevo hueco del punto A puede atraer y capturar otro electrón de valencia. Esta unión entre un electrón libre y un hueco se llama recombinación. En todo instante lo que está sucediendo dentro de un cristal de silicio • • • es: Se están creando electrones libres y huecos por acción del calor Otros electrones libres y huecos se están recombinando Algunos electrones libres y huecos existen temporalmente esperando una recombinación. de forma que se desplaza hacia la izquierda de un átomo a otro hasta que alcanza la placa positiva. un cristal de silicio se comporta casi como un aislante ya que producto del calor tiene solo unos pocos electrones libres y sus huecos correspondientes producidos por la energía térmica de dicho cristal. será atraído y caerá hacia él. De esta forma.

_ + _ + _ + _ + _ + _ + _ + _ + _ + _ + 14 . en sentido opuesto actuando de la misma forma que una carga positiva.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 14 pueden moverse en la trayectoria indicada por las flechas y el hueco.

en ese punto. S i queda en el centro el átomo Electrón pentavalente rodeado por 4 átomos de silicio. Cuando el silicio ha sido dopado con una impureza pentavalente se llama semiconductor tipo n. (Arsénico. Al enfriarse el cristal y volver a su estructura cristalina. El proceso de dopaje consiste en fundir un cristal puro de silicio para romper los enlaces covalentes y cambiar de estado sólido a líquido. Aumento en el número de electrones libres: Con el fin de aumentar el número de electrones libres se añaden átomos pentavalentes al silicio fundido. Cada átomo pentavalente produce un electrón libre S controlando así la conductividad de i un semiconductor dopado. deliberadamente se añaden átomos de impurezas a un cristal intrínseco para modificar su conductividad eléctrica. pero en este caso queda un electrón adicional al S A S poder solo 8 electrones situarse en i s i el orbital de valencia. antimonio. los átomos vecinos comparten un electrón con el átomo central. Como antes. DOPAJE DE UN SEMICONDUCTOR (SEMICONDUCTOR EXTRÍNSECO) El dopaje supone que. Los electrones libres y los huecos reciben a menudo la denominación de portadores debido a que transportan la carga eléctrica de un lugar a otro. Como los electrones superan a los huecos 15 . Por otro lado. Cuando los electrones libres llegan al extremo izquierdo del cristal entran al conductor externo y circulan hacia el terminal positivo de la batería. Uno dopado ligeramente tiene una alta resistencia y uno fuertemente dopado tiene una resistencia pequeña. fósforo). los electrones libres en el terminal negativo de la batería circularán hacia el extremo derecho del cristal. (no hay flujo por fuera del semiconductor). Así se produce un flujo estable de electrones libres y huecos dentro del semiconductor.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 15 En la figura anterior la tensión aplicada forzará a los electrones libres a circular hacia la izquierda y a los huecos hacia la derecha. Como estos materiales donarán un electrón extra al cristal se les conoce como impurezas donadoras. El electrón adicional queda en un orbital mayor y es un electrón libre. entran en el cristal y se recombinan con los huecos que llegan al extremo derecho del mismo.

16 .Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 16 reciben el nombre de portadores mayoritarios. mientras que a los huecos se les denomina portadores minoritarios.

por lo que recibe el nombre de átomo aceptor porque cada uno de los huecos con que contribuye puede aceptar un electrón libre durante la recombinación. los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios. El átomo trivalente en el centro queda rodeado de 4 átomos de silicio. Boro. Como el número de huecos supera al número de electrones libres. 17 . cada uno compartiendo uno de sus electrones de valencia. es decir átomos con 3 electrones de valencia (Aluminio. Como el átomo trivalente tenía al principio solo 3 electrones de valencia. Esto significa que aparece un hueco en el orbital de valencia de cada átomo trivalente. quedan solo 7 electrones en el orbital de valencia. Galio).Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 17 Aumento del número de huecos: Para lograrlo se utilizan impurezas trivalentes. Si Si A l Si Si hueco El silicio que ha sido dopado con impurezas trivalentes se llama semiconductor tipo p.

Cada signo (-) encerrado en un círculo representa un átomo trivalente y cada signo (+) es un hueco en su orbital de valencia. transistores y circuitos integrados. pues ambos se realizan de la unión de elementos originalmente neutros. pero no ocurre lo mismo se dopa un cristal de tal manera que una mitad sea tipo n y la otra tipo p. La unión es la frontera donde se juntan las regiones tipo n y tipo p. por ejemplo el arsénico (33 protones y 33 electrones). Zona de deplexión: 18 . Lo contrario ocurre al lado derecho donde se representa un semiconductor tipo n. La frontera entre ambos se le conoce como unión pn y a propiciado inventos como por ejemplo diodos. por lo que se le llama también diodo de unión. El semiconductor tipo p se representa como se aprecia en el lado izquierdo de la figura siguiente. Controlando posteriormente la cantidad de impurezas. Si se suman la cantidad de electrones y protones del semiconductor sigue siendo eléctricamente EL DIODO NO POLARIZADO Un Cristal semiconductor (tipo p ó n) tiene la misma utilidad que una resistencia de carbón. Por ejemplo un semiconductor tipo N se realiza con la unión del silicio (posee 14 protones y 14 electrones) con. no significa que sea positivo o negativo. se puede determinar con precisión las propiedades del semiconductor. Que sea un semiconductor tipo p o tipo n.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 18 Para que un fabricante pueda dopar un semiconductor debe producirlo inicialmente como un cristal absolutamente puro.

Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 19 Al unirse un semiconductor tipo n con uno tipo p. y el signo (–) encerrado en un circulo.3 V para diodos de germanio y 0. Los iones se encuentran fijos en la estructura del cristal debido a los enlaces covalentes y no pueden moverse de un lado a otro como los electrones libres y los huecos. A medida que aumenta el número de dipolos. El campo eléctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada barrera de potencial. se produce un éxodo de electrones del lado n hacia el lado p por la repulsión de cargas iguales. y el terminal positivo al material tipo p. BARRERA DE POTENCIAL Cada dipolo posee un campo eléctrico entre los iones positivos y negativos que lo forman. si entran electrones adicionales en la zona de deplexión. un ión negativo.7 V para diodos de silicio. A 25ºC la barrera de potencial es aproximadamente 0. La intensidad del campo eléctrico aumenta con cada electrón que cruza hasta que se alcanza el equilibrio. un ión positivo en el lado n (abandonó un electrón). por lo tanto. Cuando eso sucede el hueco desaparece y el electrón libre se convierte en un electrón de valencia creándose en esa difusión un par de iones. POLARIZACIÓN DIRECTA Consiste en conectar el terminal negativo de una fuente de corriente continua al material tipo n. iones Zona de deplexión En la figura el signo (+) encerrado en un circulo indica un ión positivo. Cada pareja de iones positivos y negativos en la unión se llama dipolo. son rechazados hacia la zona n. 19 . la región cercana a la unión se vacía de portadores y a esa zona se le conoce como zona de deplexión. Poco después de entrar a la región p el electrón libre cae en un hueco. y un ión negativo en el lado p (aceptó un electrón).

por ello. Si la tensión de la batería es menor que la barrera de potencial. como resultado la zona de deplexión se ensancha. Para hacerse una idea básica. existe una corriente continua a través del diodo. Como los electrones libres entran continuamente por el extremo derecho del diodo y continuamente se crean huecos en el extremo izquierdo. no circula corriente a través del diodo. los huecos y electrones libres se alejan de la unión. un diodo polarizado en forma directa permite el paso de la corriente eléctrica. los electrones libres. imaginemos todos los huecos en la zona p moviéndose hacia la derecha y todos los electrones libres desplazándose hacia la izquierda. por lo tanto. Los iones recién creados hacen que aumente la diferencia de potencial a través de la zona de deplexión. El terminal negativo de la batería trae los huecos y el terminal positivo. Incluso con polarización inversa hay una pequeña corriente. Corriente de portadores minoritarios: ¿Existe corriente después de haberse estabilizado la zona de deplexión? Sí. los electrones no tienen suficiente energía para atravesar la barrera de potencial.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 20 La batería empuja los electrones libres y los huecos hacia la unión. los electrones libres tienen suficiente energía para pasar a través de la zona de deplexión y recombinarse con los huecos. POLARIZACIÓN INVERSA El terminal negativo de la batería se encuentra conectado al lado p. En algún lugar cercana a la unión estas cargas opuestas se recombinan. Recuerde que la energía térmica crea continuamente pares de electrones libres 20 . y el terminal positivo de la batería al lado n. En resumen. Cuando la fuente de tensión continua es mayor que la barrera de potencial. La zona de deplexión deja de aumentar en el momento en que su diferencia de potencial es igual a la tensión inversa aplicada.

lo que significa que a ambos lados de la unión existen pequeñas concentraciones de portadores minoritarios. La corriente inversa originada por los portadores minoritarios producidos térmicamente se llama corriente inversa de saturación (Is). Corriente superficial de fugas: Es una pequeña corriente que circula por la superficie del cristal causada por impurezas en su superficie e imperfecciones en su estructura interna.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 21 y huecos. pero se debe observar que al aumentar la tensión inversa no hará que crezca el número de portadores minoritarios creados térmicamente. La corriente inversa en un diodo de silicio es aproximadamente cero 21 . La mayor parte de estos se recombinan con los portadores mayoritarios. Cuando esto sucede. por el circuito externo circula una pequeña corriente. pero los que se hayan dentro de la zona de deplexión pueden vivir lo suficiente para cruzar la unión.

Con los diodos rectificadores (el tipo más común). Una vez alcanzada la tensión de ruptura.. La temperatura es diferente. la temperatura de la unión es mas alta que la temperatura ambiente a causa del calor creado en la recombinación. existe un límite para la tensión máxima en inversa con la que se puede polarizar un diodo sin correr el riesgo de destruirlo. La tensión de ruptura de un diodo depende del nivel de dopaje del mismo. una gran cantidad de portadores minoritarios aparece repentinamente en la zona de deplexión y el diodo conduce descontroladamente por un efecto llamado avalancha que aparece con tensiones inversas elevadas. de forma que el proceso continúa hasta que la corriente inversa es muy grande. llegará un momento en que se alcance la tensión de ruptura del diodo (generalmente 50V). Cuando la tensión inversa aumenta obliga a los portadores minoritarios a moverse más rápidamente. Por lo tanto. la tensión de ruptura suele ser de 50 V. LA BARRERA DE POTENCIAL Y LA TEMPERATURA: La temperatura de unión es la temperatura dentro del diodo. produce electrones libres. es decir. exactamente en la unión pn. Ésta se muestra en la hoja de características del diodo en particular. Si se aumenta continuamente la tensión inversa. a otros dos de valencia. Estos dos electrones libres liberan. Cuando el diodo está conduciendo. Un incremento en la temperatura de la unión crea más electrones libres y huecos en las regiones dopadas. pueden golpear a los electrones de valencia y liberarlos. La barrera de potencial de un diodo de silicio decrece 2 mV por cada incremento de 1 ºC. y así sucesivamente.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 22 RUPTURA: Los diodos admiten unos valores máximos en las tensiones que se les aplican. chocando contra los átomos del cristal. lo que significa que la barrera de potencial disminuye al aumentar la temperatura de la unión. ∆V mV = −2 ∆T ºC 22 . La barrera de potencial depende de la temperatura en la unión. a su vez. Si adquieren la energía suficiente .

Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 23 Así se puede calcular la barrera de potencial a cualquier temperatura de la unión. 23 .

calor u otro tipo de radiación. son el calor. El diodo LED es un ejemplo de ello (diodo emisor de luz). En cuanto a los diodos LED. Algunos diodos LED producen radiación infrarroja (invisible) que es útil en sistemas de alarma antirrobo. En la simbología del diodo común. la luz y la tensión eléctrica. gana energía potencial con respecto al núcleo. el cátodo es marcado mediante un anillo en el cuerpo. Para aquellos cuyo tipo concreto viene señalado por una serie de letras y números. próximo a este terminal. verde. Después de que un electrón ha saltado a un orbital mayor. se requiere energía adicional para llevarlo a un orbital mayor. el lado p se llama ánodo y el lado n es el cátodo. Si lo hace devolverá la energía sobrante en forma de luz. Algunos de los agentes externos que pueden hacer saltar a un electrón a un nivel de energía mayor. y en ellos el cátodo se corresponde con el terminal más próximo a la banda de color más gruesa. Los diodos de unión pn y los zener tienen características constructivas que los diferencian de otros. Existen fabricantes que marcan el cátodo con la letra "K" o el ánodo con la "a". Cuando un electrón salta del primero al segundo orbital. y la flecha va de ánodo a cátodo.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 24 NIVELES DE ENERGÍA: Como el electrón es atraído por el núcleo. no supera el de una resistencia de carbón de ¼ W y aunque su cuerpo es cilíndrico. en muchos casos. Dependiendo del material de construcción del diodo. según sea la longitud de onda con la que emita. El ánodo de estos diodos es más largo que el cátodo. pues es función de la potencia que pueden disipar. Su tamaño. es de menor longitud y diámetro que las resistencias. 24 . DIODOS: Una resistencia ordinaria es un dispositivo lineal. Otros usan códigos de colores. Los diodos de punta de germanio suelen encapsularse en vidrio. Un diodo es un dispositivo no lineal porque la gráfica de la corriente en función de la tensión no es una línea recta. Es característico encontrarse un anillo en el cuerpo que nos indica el cátodo. No ocurre lo mismo con el tamaño. sólo algunos especiales difieren de su aspecto. la luz es roja. puede regresar a su nivel de energía inicial. se encuentran encapsulados en resinas de distintos colores. Aunque existe gran variedad de tipos. y usualmente la cara del encapsulamiento próxima al cátodo es plana. naranja o azul. porque la gráfica de su corriente en función de su tensión es una línea recta.

por esta razón. Por ejemplo un diodo 1N456 tiene una corriente máxima (Imax ) de 135 mA. siendo normalmente menor que 1 Ω. Entonces la avalancha produce una gran corriente inversa destruyendo el diodo. En la polarización directa. casi no hay corriente inversa hasta que la tensión del diodo alcanza la tensión de ruptura. la hoja característica que proporcionan los fabricantes especifica la corriente máxima que un diodo puede soportar sin peligro de acortar su vida o degradar sus propiedades. lo que quiere decir que aumentos pequeños de la tensión del diodo originan grandes incrementos en su corriente pues lo único que se opone a la corriente es la resistencia de las zonas p y n las que sumadas se les llama resistencia interna del diodo. pequeña corriente. Disipación de potencia: 25 .6 [V] app. Por otro lado. el calor excesivo destruirá el diodo. cuando el diodo está polarizado en inversa.) El circuito de la figura puede montarse en el laboratorio y medir la tensión en el diodo y la corriente que lo atraviesa. También se puede invertir la polaridad de la fuente de tensión continua y medir la corriente y tensión del diodo polarizado en forma inversa. a partir El valor de la resistencia interna es función del nivel de dopado y del tamaño de las zonas p y n. Máxima corriente continua con polarización directa: Si la corriente en un diodo es demasiado grande. Cuando el diodo está polarizado en directa no hay una corriente significativa hasta que la tensión en el diodo sea superior a la barrera de potencial. Si se representa la corriente a través del diodo en función de la tensión se obtendrá una gráfica parecida. AB Zona de Conducción (a partir de los 0.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 25 OA Zona de baja polarización directa. a tensiones mayores que la umbral. la corriente en el diodo crece rápidamente. RB = RP + R N OC Corriente inversa de saturación.

PD =VD × I D La limitación de potencia indica cuánta potencia puede disipar un diodo sin dañarse. lo que significa que no se permite en ninguna circunstancia una tensión inversa superior a 25V. La mitad positiva del ciclo de la tensión de fuente polarizará el diodo de manera directa. Rectificador de ½ onda: R = 1 [k Ohm] La figura muestra una fuente de corriente alterna (transformador) que entrega una tensión sinusoidal. Esto supone la destrucción del diodo. ya que este depende de muchos elementos de diseño. En la mitad negativa del ciclo. Como las líneas de tensión son alternas. Tensión inversa de ruptura: Un ejemplo es un diodo 1N4001. Es igual al producto de la tensión del diodo y la corriente. CIRCUITO CON DIODOS La mayoría de los dispositivos electrónicos. equipo estéreo y ordenadores necesitan una tensión continua para funcionar correctamente. el diodo se polariza de manera inversa 26 .Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 26 Se puede calcular la disipación de potencia de un diodo de la misma forma que se hace para una resistencia. Dentro de las fuentes de potencia hay circuitos que permiten que la corriente fluya en un solo sentido. lo que debe evitar el diseñador para cualquier condición de trabajo. este tiene una tensión inversa de 50 V. la primera cosa que necesitamos es convertir la tensión alterna en tensión continua. televisores. por ese motivo se incluye un factor de seguridad. Esto equivaldría a un interruptor cerrado por lo que aparecerá tensión positiva en la resistencia de carga. Estos circuitos se llaman rectificadores. Pmax =Vmax ×I max Por ejemplo si un diodo tiene una tensión y corriente máxima de 1V y 2A. Un diseño conservador emplearía un factor de 2. No existe una regla absoluta acerca del valor que debe darse al factor seguridad. su limitación de potencia es de 2W.

27 .Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 27 comportándose como un interruptor abierto y no hay tensión en la resistencia de carga.

1 −0.4V La tensión continua en la carga es: Vdc = Vp π Vdc = 13 .7V 0 V p ( out ) =14 .Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 28 f = 1 Ciclos ( H Z )( ) T seg VRMS = Vp 2 El valor del voltaje medio.1 1 V La tensión pico en la carga es V p ( out ) = V p ( in ) − .4V π Vdc = 4.27 V 28 .7V V V p ( out ) =13 . es el valor de una tensión continua que produce el mismo efecto calorífico que una Vp Vm = π Im = Ip π Ejercicio de ejemplo: 10 RM Se tiene una fuente alterna de 10 V (RMS) y 60VHzS Lo primero que hay que hacer es calcular el valor pico de la fuente alterna V p =VRM × 2 S V p =10 V × 2 Res istencia de carga V p = 4 .

y d2 y d4 conducen en la mitad negativa del ciclo. se utilizan los filtros. Diodo 4 Diodo 1 10 V RM S Diodo 3 Diodo 2 Diodo 1 10 V RM S Diodo 3 Diodo 4 10 V RM S Diodo 2 Valor de continua o valor medio en un rectificador de onda completa. Como resultado. para mejorar esta señal y dejarla lo más cercano a una señal continua pura. esta señal tiene el doble de ciclos positivos. la corriente circula por la carga durante ambas mitades del ciclo. por lo tanto el valor del voltaje rectificado es (VD): El valor de la corriente media en rectificador de onda completa es: Vdc = 2 ×Vp π Im = 2 × Ip π A la salida de un rectificador se obtiene una tensión continua pulsante. como son: • Filtros capacitivos (condensadores) 29 .Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 29 Rectificador de onda completa: El puente rectificador es un tipo de rectificador de onda completa. Existen diferentes tipos de filtros. como lo visto en la grafica. Los diodos d1 y d3 conducen en la mitad positiva del ciclo.

Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 30 • • Filtros inductivos (bobinas) Filtros inductivos . ambos o una mezcla de ambos. que a continuación daremos a conocer brevemente: 30 . Uno de los más usados es el filtro capacitivo.capacitivos.

Este tipo de filtros es muy usado en fuentes de alimentación y alternadores. una vez que el condensador almacena un valor máximo de tensión. el rizado de pico a pico tiene la mitad de tamaño que tendría con un rectificador de media onda. comenzando nuevamente su carga 31 . como se observa en la figura. Cuando una tensión de onda completa se aplica a un circuito RC. el condensador solo descarga la mitad del tiempo. la señal con el condensador mejora notablemente.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 31 El filtro de condensador en la entrada: Este filtro genera una tensión de salida continua igual al valor de pico de la tensión rectificada. comienza su descarga hasta que nuevamente la tensión continua pulsante alcance el valor del condensador. Por lo tanto. La siguiente figura nos muestra la forma de conectar el condensador: En los filtros de onda completa el rizado de pico a pico se corta por la mitad. El funcionamiento del condensador consiste en lo siguiente: El funcionamiento del condensador consiste en lo siguiente: Este se carga a través de la tensión continua pulsante que entrega el rectificador.

como por ejemplo asegurar el paso de corriente en un solo sentido. lo que permite al diodo Zener conducir corriente en sentido inverso sin sufrir daño. por lo tanto no existe el condensador que nos permita una corriente rectificada continua perfecta El diodo además de rectificar. La principal característica de este tipo de diodo.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 32 Se puede calcular el voltaje de rizado de pico a pico de cualquier filtro con condensador a la entrada: I Vr = fC Donde: • • • Vr I f C = = = = Tensión de rizado pico a pico (V) Corriente por la carga en continua (A) Frecuencia de rizado (Hz) Capacidad (F) • Como observación si se despeja en la fórmula la capacidad del condensador para lograr un rizado igual a cero. con lo cual se obtiene un gran número de hoyos (huecos) y electrones. se puede utilizar como elemento de protección. El diodo además puede proteger de errores de polaridad. se darán cuenta que el resultado es infinito. es que se le inyectan más impurezas de lo normal durante su fabricación. OTROS TIPOS DE DIODOS: Diodo Zener: El diodo Zener es un tipo de diodo diseñado especialmente para conducir satisfactoriamente el flujo de corriente en sentido inverso. si se usa en un circuito de diseño adecuado. 32 .

el diodo conducirá repentinamente corriente en sentido inverso. • • • El diodo Zener: Estabiliza la tensión. Para trabajar la corriente (I) tiene que ser mayor que la corriente (Iz) mínima. trabaja con variaciones importantes de corriente. para asegurar que el diodo Zener trabaje como estabilizador. que para pequeños márgenes de variación de voltaje. Como por ejemplo. pero cuando este voltaje llega a ser 6 [V] o más. debe cumplir las siguientes condiciones: 33 . El diodo Zener es un elemento estabilizador de tensión.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 33 La única característica de operación del diodo Zener es que no conducirá la corriente en dirección inversa por debajo de cierto valor predeterminado de voltaje inverso. Nunca debe pasar la Iz máxima. en un diodo Zener no puede circular corriente si el voltaje de polarización inverso es bajo 6 [V]. Este tipo de diodo es utilizado en circuitos de control.

la corriente Zener máxima (Iz máx.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 34 • • Este diodo debe ser atravesado como mínimo por una corriente igual a Iz mínimo (dato entregado por el fabricante).). ya que puede producir daños en el componente. No debe sobrepasar por ningún caso. 34 .

Estos diodos consiguen una luz bastante viva. con la muy importante particularidad de utilizar una mínima cantidad de corriente (pues solo gastan unas decenas de miliamperios por hora) por lo que resultan ideales en los circuitos de control de luces testigos. cado uno de color indicado según su construcción. abreviatura que corresponde a las iniciales de su nombre anglosajón (Light Emitter Diode). puede ser de color rojo si el tratamiento se ha llevado a cabo por medio de Galio – Arsénico. La energía luminosa radiada puede ser de color verde. que en definitiva. que son conocidos universalmente con el nombre de “LED” . Aplicaciones: Indicador posicionado de luces (color verde) Testigo de funcionamiento del alternador (color rojo) Indicador de funcionamiento de las bujías incandescentes (color amarillo) Testigo de funcionamiento de las luces altas de carretera Instrumentos de control • • • • • 35 . si el material del semiconductor ha sido tratado con impurezas de Galio – Fósforo. concluye con la particularidad que tienen determinados electrones de desprender fotones cuando vuelve a su órbita de valencia. Por lo tanto hay varios tipos básicos diferentes de LEDs.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 35 Diodo LED (Emisor de luz): Otro tipo de diodo utilizado son los diodos emisores de luz. Estos diodos funcionan por un complicado proceso físico. Por otro lado. También existen de color amarillo.

36 .Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 36 • Etc.

[ I ILED 18 10 3 × − Los Fotodiodos: El fotodiodo funciona de una manera inversa a lo que se ha visto en los diodos emisores de luz. En la sección anterior se estudiaron los conceptos fundamentales y la construcción de los diodos. LED = f = = 056kΩ] . Estos diodos trabajan al recibir una radiación luminosa y se deben polarizar en forma inversa. Se pueden utilizar en medir la velocidad angular de un motor. Se trata de un diodo semiconductor. se 37 . Cuando se forma una segunda sección de material TIPO P con la unión N – P. Además se estudió que los diodos están formados por una unión N – P. TRANSISTORES: El transistor es un dispositivo eléctrico utilizado para controlar el flujo de corriente.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 37 Ejemplo: Determine el valor de la resistencia “R” del circuito que se muestra a continuación. en el cual la corriente inversa varía con la iluminación que incide sobre su unión N – P. en sistemas de encendido transistorizado (reemplazando al platino). En ésta sección la operación del transistor es descrita por observación de las condiciones bajo las cuales el flujo de corriente NO permite el paso de corriente. R= V V −V 12− 18 .

Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 38 forma un “Transistor”. Note que la flecha va en la dirección de la teoría convencional del flujo de corriente de positivo a negativo en el circuito externo. El emisor es la línea con la flecha. El transistor NPN es el tipo más utilizado. Este arreglo es conocido como un transistor “PNP” También es posible formar un transistor “NPN” usando dos áreas de material “N” y una de material “P”. el material tipo “N” en el centro es la “base” y el material tipo “P” en el lado derecho es llamado “colector”. Modo de Funcionamiento: Unión Base – Emisor Directa Inversa Directa Unión Base – Colector Directa Inversa Inversa Modos de Funcionmaiento Saturación On Corte Off Activa Interruptor Interruptor 38 . la línea gruesa es la base y la línea sin flecha es el colector. El transistor es de estructura simple. El material “P” en el lado izquierdo es llamado “emisor”. pero debe cumplir con ciertos requisitos de “Dopado” y dimensiones especiales. que hacen que el dispositivo no se comporte como dos diodos.

Esta disposición se utiliza cuando queremos el transistor funcionando como interruptor.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 39 • En saturación: Cuando el transistor conduce el máximo de Ic que puede tolerar. 39 .

Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 40 • Transistor en corte: En serie con la base se conecta una resistencia de polarización Rb. Si el diodo emisor – base está polarizado en inversa no puede circular corriente alguna. circula una pequeña corriente que depende del valor de Rb. De esta forma tenemos una corriente en el circuito emisor – colector elevada que se puede controlar mediante otra mucho menor. el transistor funciona como un amplificador de corriente. la que hace que se establezca otra mucho mayor entre el emisor y el colector (Ic) proporcional a la corriente de base. Donde: Vi = Voltaje de entrada 40 . • En activa: Al polarizar directamente el diodo emisor – base. Configuraciones de un transistor Estas dependen del terminal que se elija común a la entrada y a la salida.

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Vo = Voltaje de salida

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Funciones principales de un transistor: En lo que respecta al automóvil se destaca la importancia del transistor en la utilización como Relé y amplificador.

a) Como Relé: Para que funcione de esta forma basta solo conseguir dar
órdenes a la base del transistor, a través de una débil polarización, para conseguir el paso de una gran corriente entre emisor – colector. La gran ventaje en este caso, con respecto a un Relé mecánico, es que el transistor no posee contactos ni resortes o mecanismos que se deterioren con el tiempo y la temperatura y que fácilmente pierden sus cualidades iniciales. Basado en este principio, el transistor tiene un amplio campo de aplicación en el automóvil y un ejemplo de ello es el sistema de encendido, como se muestra en la figura

La corriente principal proviene de la batería, chapa de contacto y emisor (E) del transistor. i los contactos del ruptor se encuentran abiertos, interrumpiendo el paso de corriente de base (B), de modo que el transistor queda bloqueado. Cuando los contactos del ruptor se unen polarizando a masa (corriente negativa) la base (B) del transistor, entonces éste se vuelve conductor, dando paso a la corriente de emisor (E) a colector (C), hasta el arrollamiento primario de la bobina de encendido. Este se alimenta y cuando se produce una nueva separación de los contactos del ruptor, el transistor se bloquea y se induce una corriente de alta tensión en el arrollamiento secundario (no se muestra en la figura) de la bobina de encendido, lo que produce el salto de la chispa en la bujía. En el caso de la figura, se observa que el transistor trabaja como un Relé, porque una pequeña corriente de base (B) permite el paso de una gran corriente entre emisor (E) y colector (C).

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El transistor permanece bloqueado hasta que se polarice la base del mismo y circule una pequeña corriente de base, la cual controla el transistor y lo vuelve conductor “encendiendo la ampolleta”.

b) Como Amplificador: Estos se utilizan cuando se trata de recibir señales
procedentes de sensores o captadores, los cuales trabajan con señales muy bajas. Para que estas señales puedan ser incorporadas a dispositivos electrónicos, tales como: módulos de encendido, unidad de control electrónica de inyección u otro microprocesador, deben amplificar las señales. En resumen un amplificador es un dispositivo por medio del cual una débil corriente producida por una fuente, hace provocar una fuerte corriente en la salida. En la fig se muestra un ejemplo simplificado de cómo un transistor puede realizar las funciones de un amplificador.

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el emisor es el pin 3.166 inf _ 2 0. considerando la siguiente relación Resistencia base emisor resistencia base colector 44 .172 _ 0.788>0.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 44 Canal N Enriquecimiento Canal P Dispositivo de Fuerza instalado (MOSFET) Transistores de Efecto de Campo Dispositivo de TRANSISTOR Puerta de Unión JFET NPN Transistores Bipolares PNP FORMA DE PROBAR UN TRANSISTOR BIPOLAR 1º) Utilizando el libro ECG 2º) Utilizando un multitester: Por ejemplo si no se conoce nada del TRX. llenar los recuadros en blanco En este caso la base se encuentra en el pin 2 ( ya que es común para pin 1 y 2). (ya que 0.788 _ 3 inf inf _ Sonda negativa realizadas las mediciones ( con el tester en escala de ohms). Canal N Deflexión Canal P MESFET Sonda positiva + + + 1 2 3 _ 1 _ 0. entonces se le asignan nuevos o letras a los pines del TRX.172). luego se construye una tabla de la siguiente forma.

Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 45 TIRISTORES: Son dispositivos semiconductores que tienen tres terminales (conectores). 45 . La ampolleta solo funciona cuando el interruptor se cierra y circula una pequeña corriente. como lo muestra el dibujo siguiente (configuración interna) Funcionamiento de un SCR: Si el ánodo se hace más positivo que el cátodo en un tiristor. estos no amplifican señales como los transistores. sino que actúan como interruptores de estado sólido.(R).R. que es limitada por esta resistencia. una corriente débil en una de sus terminales (compuerta) permite que una corriente mucho mayor fluya a través de los otros dos conductores.C.): Éste es similar a un transistor bipolar con una cuarta capa. sin embargo la unión P-N del centro se polariza de forma inversa y la corriente no puede fluir. La corriente controlada está encendida o apagada. Existen dos familias: a) Rectificador controlado de Silicio (S. Una corriente pequeña en la compuerta polariza la unión P-N del centro permitiendo que una corriente mucho mayor fluya a través del dispositivo. las uniones externas (dos) se polarizan.

con una línea ascendente. pero cuando este alcanza un punto determinado conocido con el nombre de tensión de operación (VBo). 46 . aquí existe un crecimiento de la tensión directa sin que el SCR permita el paso de la corriente.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 46 La gráfica siguiente nos muestra el comportamiento de un SCR. el tiristor SCR permite el paso de la corriente representado por la letra B.1 [A] hasta más de 2500 [A] De acuerdo a la gráfica y observando se ve que existe una característica de bloqueo en el momento que pasa la corriente (polarización directa). para profundizar el funcionamiento del SCR es conveniente observar su curva característica: Puede conducir de . que viene presentado por la letra A.

el SCR se bloquea y por consiguiente deja de conducir. la primera con una resistencia y la segunda con una fuente variable.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 47 Cuando la corriente directa desciende su valor bajo el punto C. En el sentido inverso el SCR se comporta como un diodo normal. La forma más efectiva para apagar un SCR es reducir la corriente de ánodo bajo el valor de (IH) o bajar el voltaje bajo el valor (VX). llamado o conocido como corriente de mantenimiento o de retención (IH). A continuación se muestra un diagrama en bloque de un circuito SCR: 47 .

75 V Estos valores indican que la fuente que alimenta al SCR tiene que ser capaz de suministrar al menos 10 mA a 0. Para la región negativa de la señal de entrada el SCR se apagará. Si se desea conducción a menos de 180º. La resistencia R1 limita la magnitud de la corriente de compuerta. • Interruptores estáticos. • Circuitos de protección. dando como resultado una corriente de compuerta muy reducida y muy poca pérdida en el circuito de compuerta. • Inversores. • Controles de motores. La tensión de bloqueo de 50 V. nos indica que a menos de este valor el SCR no puede cerrarse y la única forma de hacerlo sería aplicando un pulso a la compuerta. • Cicloconversores. • Recortadores. Se incluye al diodo D1 para prevenir una inversión en la corriente de compuerta. Con respecto a la corriente de mantenimiento. encendiendo al SCR. El interruptor puede ser electrónico.75 V. • Fuentes de alimentación reguladas. como se presenta en la figura (b). debido a que el ánodo es negativo respecto al cátodo. Las formas de onda para la corriente y voltaje de carga resultantes se muestran en la figura séte (b). si disminuye a menos de 6 mA el SCR se convertirá en un circuito abierto. Si el interruptor está cerrado. • Controles de fase. el voltaje ánodo a cátodo (VF) caerá al valor de conducción. Aplicaciones del SCR : Tiene variedad de aplicaciones entre ellas están las siguientes: • Controles de relevador. electromagnético. Cuando el SCR se enciende. 48 . la corriente de compuerta fluirá durante la parte positiva de la señal de entrada. En la figura se muestra un interruptor estático es serie de medida de media onda. dependiendo de la aplicación.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 48 Valores típicos: 2N4441 Posee una corriente de mantenimiento Una corriente de disparo de Una tensión de bloqueo directa de Una tensión de disparo típica de : : : : 6 mA 10 mA 50 V 0. • Cargadores de baterías. • Circuitos de retardo de tiempo. El resultado es una señal rectificada de media onda a través de la carga. para que el SCR se mantenga cerrado. el interruptor se puede cerrar en cualquier desplazamiento de fase durante la parte positiva de la señal de entrada. • Controles de calefacctión.

Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 49 a) b) En la figura anterior (a) se muestra un circuito capaz de establecer un ángulo de conducción entre 90º y 180º. con excepción de la resistencia variable y la eliminación del interruptor. Es un método efectivo para controlar la corriente rms y. se debe esperar la misma respuesta para la parte de pendiente negativa de la forma de onda de la señal. De esta forma se puede establecer la corriente de compuerta requerida para el encendido en cualquier punto entre 0º y 90º. como se muestra en la figura sgte (b). A esta operación se le menciona normalmente en términos técnicos como control de fase de media onda por resistencia variable. Si falla para disparar a éste y a menores valores del voltaje de entrada en la pendiente positiva de la entrada. Conforme R1 disminuye desde el máximo. el SCR se disparará de inmediato y resultará la misma acción que la obtenida del circuito de la figura anterior (b). debido a que la entrada está a su valor máximo en este punto. la corriente de compuerta se incrementará a partir del mismo voltaje de entrada. a) b) 49 . la potencia se dirige hacia la carga. la corriente de compuerta nunca llegará a alcanzar la magnitud de encendido. El circuito es similar al de la figura anterior (a). por tanto. el control no puede extenderse más allá de un desplazamiento de fase de 90º. Si R1 está en su valor máximo. Si R1es bajo. La combinación de las resistencias R y R1 limitará la corriente de compuerta durante la parte positiva de la señal de entrada.

Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 50 50 .

Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 51 b) TRIAC ( triode alternating current): Este dispositivo es equivalente a dos SCR conectados en paralelo en oposición como lo muestran las siguientes figuras: Símbolo: Estos dispositivos trabajan de forma bilateral tanto en el semiciclo positivo como en el semiciclo negativo y pueden controlar tanto motores como otros dispositivos eléctricos. 51 .

por la empresa Signetics Corporation con el nombre: SE555 / NE555 y fue llamado “The IC Time Machine” (el circuito integrado máquina del tiempo).I.4 Meg 5k 52 . fue para los experimentados y aficionados un dispositivo barato con el cual podían hacer muchos proyectos. (hace más de 30 años.I.6 V ~5% ~1% 6.3 V ~5% ~1% 3. Este C. como el motorota MC1455. • o o • o o o o o Pasemos ahora a mostrar las especificaciones generales del 555 (Vc = disparo): Especificaciones generales del 555 Vcc Frecuencia máxima (Astable) Nivel de tensión Vc (medio) Error de frecuencia (Astable) Error de temporización (Monoestable) Máximo valor de Ra + Rb Valor mínimo de Ra 5 – Volt 500 kHz a 2 MHz 10 – Volt 6. es tan versátil que se puede utilizar para modular una señal en frecuencia modulada (F. que es muy popular. Pero la versión original sigue produciéndose con mejoras y algunas variaciones a sus circuitos internos (claro está para hacerlo mejor). En estos días se fabrica una versión CMOS del 555 original. Aplicaciones: Temporizador. además. Modos de funcionamiento: Monoestable. El dispositivo 555 es un circuito integrado muy estable cuya función primordial es la de producir pulsos de temporización con una gran precisión y que.).2 Meg 5k 15 – Volt 10. Astable.0 V ~5% ~1% 10 Meg 5k Notas Varía con el Mfg y el diseño Nominal Temperatura 25 ºC Temperatura 25 ºC 3. que en esos momentos era el único integrado de su tipo disponible. Modulador de frecuencia. puede funcionar como oscilador. Generador de señales triangulares..Electrónica Aplicada Fundamentos de Electrónica Integrada Unidad II 52 UNIDAD II FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA INTEGRADA INTRODUCCIÓN Y CARACTERÍSTICAS DEL TIMER 555 El temporizador 555 fue introducido al mercado en el año 1971. Sus características más destacables son: • Temporización desde microsegundos hasta horas. Oscilador. Este C. Divisor de frecuencia.).M.

3 ~200 ma 3k 0. Este proceso de disparo ocurre cuando este pin va por debajo de 1/3 del voltaje de alimentación.I. Este pulso debe ser de corta duración. pues si se mantiene bajo por mucho tiempo.4 / < 0. Reset: Si se pone a un nivel por debajo de 0.7 [V]. donde se establece el inicio del tiempo de retardo. ya sea que este conectado como monostable. Salida: Aquí veremos el resultado de la operación del temporizador.4 / < 0. Cuando se utiliza en la configuración astable.3 ~200 ma 3k 0. si el 555 esta configurado como monostable. la salida se quedará en alto hasta que la entrada de disparo pase a alto otra vez.4 / < 0. el voltaje puede variar desde 1. o astable u otro. el voltaje será el voltaje de aplicación (Vcc) menos 1. Se puede ver en la figura. que independientemente del encapsulado la numeración de los pines es la misma (en sentido antihorario). el voltaje es este pin puede variar casi desde Vcc.3 ~200 ma Unidad II 53 A continuación podemos ver la configuración de pines o patillas. con 4 temporizadores tipo 555 en una sola unidad de 14 pines. Si por algún motivo este pin no se utiliza hay que conectarlo a Vcc para evitar que el 555 se resetee. Si este pin no 53 . 2 [V]).I. pone el pin de salida 3 a nivel bajo.Electrónica Aplicada Fundamentos de Electrónica Integrada Valor mínimo de Rb Reset VH / VL (pin 4) Corriente de salida (pin 3) 3k 0. Cuando la salida es alta. Esta salida se puede obligar a estar en casi 0 [V] con la ayuda del pin 4 (reset).7 [V]. El 556 es un C. con dos temporizadores tipo 555 en una sola unidad de 14 pines y el 558 es un C. (en la práctica Vcc menos 1 [V]) hasta casi 0 [V] (app. El voltaje aplicado a este pin puede variar entre un 45 y un 90% de Vcc en la configuración monostable. PIN 1 2 3 4 5 Descripción y conexión de los pines del Timer 555: Tierra o masa Disparo: Es en este pin.7 [V] hasta Vcc. Control de Voltaje: Cuando el temporizador se utiliza en el modo de controlador de voltaje.

Descarga: Utilizado para descargar con efectividad el condensador externo utilizado por el temporizador para su funcionamiento. V+ : También llamado Vcc. 54 .01 µF para evitar las interferencias. al igual que a las entradas y salidas de cada montaje. es el pin donde se conecta el voltaje de alimentación que va desde 4.Electrónica Aplicada Fundamentos de Electrónica Integrada Unidad II 54 6 7 8 se utiliza se recomienda instalar un condensador de 0.5 [V] hasta 16 [V] (máximo). Hay versiones militares de este integrado que llegan a 18 [V]. A continuación se mostrarán los modos de funcionamiento que posee este circuito integrado. En los esquemas se hace referencia al patillaje del elemento. Umbral: Es una entrada a un comparador interno que tiene el 555 y se utiliza para poner la salida del (pin 3) a nivel bajo.

NOTA: en el modo monoestable.068 [μF]. Observe que es necesario que la señal de disparo. para no tener problemas de sincronización que el flanco de bajada de la señal de disparo sea de una pendiente elevada. T = 1.I.1 * (22 [kΩ]) * (0. Determinar el tiempo de ancho de pulso. 55 . para iniciar la señal de salida. el disparo debería ser puesto nuevamente a nivel alto antes que termine la temporización.Electrónica Aplicada Fundamentos de Electrónica Integrada Unidad II 55 FUNCIONAMIENTO MONOSTABLE DEL TIMER 555 En este caso el circuito entrega a su salida un pulso de un ancho establecido por el diseñador (tiempo de duración). Una vez se produce el flanco descendente de la señal de disparo y se pasa por el valor de disparo. 5 [V] con Vcc 5 [V]) la salida se mantiene a nivel bajo (0 [V]).1 * Ra * C (en segundos) Donde: T = tiempo en [ms] Ra = Resistencia [kΩ] C = Capacidad del condensador [μF] Por ejemplo: En un circuito en condición monostable.65 [ms] Es recomendable. sea de nivel bajo y de muy corta duración en el pin 2 del C.068 [μF]) = 1. El esquema de conexión es el mostrado en la figura sgte Cuando la señal de disparo está a nivel alto (Ej. se tiene una resistencia de 22 [kΩ] y la capacidad del condensador es de 0. pasando lo más rápidamente posible a un nivel bajo (idealmente 0 [V]). que emite el timer 555. que es el estado de reposo. la salida se mantiene a nivel alto (Vcc) hasta transcurrido el tiempo determinado por la ecuación: T = 1.

Electrónica Aplicada Fundamentos de Electrónica Integrada Unidad II 56 OPERACION DEL TIMER 555 COMO MONOESTABLE Funcionamiento: • Cuando la señal que pasa por trigger baja de 1/3 Vcc. • El condensador esta conectado al pin 6 (umbral) y cuando este alcanza un valor de 2/3 Vcc. Salida alta. internamente se activa el comparador B. se descarga el condensador y la salida del timer es cero. • El tiempo en que la salida es alta depende del tiempo de carga del condensador. 56 . Los tiempos de duración dependen de los valores de Ra y Rb. T = 1. La señal de salida tiene un nivel alto por un tiempo T1 y en un nivel bajo un tiempo T2.1×R×C FUNCIONAMIENTO ASTABLE DEL TIMER 555 Este tipo de funcionamiento se caracteriza por una salida con forma de onda cuadrada (o rectangular) continua de ancho predefinido por el diseñador del circuito. el condensador comienza su proceso de carga puesto que el transistor interno esta con su base desenergizada. La figura siguiente muestra el esquema y comportamiento gráfico del timer 555 en función Astable o Biestable.

Si se desea ajustar el tiempo que está a nivel alto y bajo se deben aplicar las fórmulas: • • Salida a nivel alto: T1 = 0.Electrónica Aplicada Fundamentos de Electrónica Integrada Unidad II 57 En este modo se genera una señal cuadrada oscilante de frecuencia: f = 1/T = 1. Operación del timer 555 como astable (biestable): • Posee 2 estados de estabilidad.693*Rb*C La salida es una onda rectangular. 57 . • El ejemplo de un 555 como astable es el funcionamiento de un reloj. como la constante de tiempo de carga es mayor que la de descarga. • El objetivo es determinar los tiempos de cada estado de estabilidad en función de la carga y descarga de un condensador.44 / [C*(Ra+2*Rb)] La señal cuadrada tendrá como valor alto Vcc (aproximadamente) y como valor bajo 0 [V]. la salida no es simétrica.693*(Ra+Rb)*C Salida a nivel bajo: T2 = 0.

Electrónica Aplicada Fundamentos de Electrónica Integrada Unidad II 58 • • • • • El funcionamiento interno del integrado sigue siendo el mismo. Una vez que el voltaje del condensador llegue a 1/3 Vcc. se activa el comparador A pues la señal de trigger baja de 1/3 Vcc. la base del transistor interno se energiza y el condensador se descarga a través de RB por el pin 7. En este caso la salida del integrado es Vcc. la salida del integrado se hace cero. lo que cambia son las conexiones externas. La conexión de trigger y umbral están unidas y dependen solo del voltaje y del condensador. 58 . Cuando el condensador se esta cargando y llega a un voltaje 2/3 Vcc. La base del transistor se desenergiza por lo que el condensador ahora comienza a cargarse pero a través de las resistencias RA y RB.

los polos de las moléculas se anulan unos con otros. papel encerado. se mantiene constante por un determinado período de tiempo. el cual puede variar entre unos minutos y varios días. entre las placas del condensador. la fuerza eléctrica actúa sobre las moléculas. mica y materiales cerámicos. Si el voltaje aplicado es de corriente continua DC. la propiedad de almacenar carga eléctrica se conoce como capacidad “C”. Después de haber desconectado la fuente de alimentación del condensador. alineándose con el campo eléctrico. se almacena en el campo eléctrico que establecen las placas cargadas opuestamente. Cuando se aplica un voltaje estable. siendo de vital importancia en los circuitos electrónicos. pero teniendo polos eléctricos positivo y negativo. las moléculas del dieléctrico permanecen en un estado tensión y. ya que si funciona fuera de su régimen. Cuando el condensador esta descargado. 59 .Electrónica Aplicada Fundamentos de Electrónica Integrada Unidad II 59 CONDENSADORES Un condensador está constituido por dos o más placas. normalmente utilizados. en el condensador. Dicho diferencial. la corriente fluye de una placa hacia la otra. el condensador sigue esencialmente los cambios de polaridad del voltaje aplicado. Para el almacenamiento de la carga. Los condensadores que poseen un valor capacitivo elevado. La energía eléctrica almacenada por el condensador. cargándose y descargándose alternativamente en direcciones opuestas. se debe tener en cuenta la capacidad de éste. cada medio ciclo (semiciclo). que separa las placas del condensador. puede medirse una diferencia de potencial entre los terminales de éste. existe el riesgo de que estalle. las moléculas dieléctricas. En este instante. Los materiales dieléctricos. Además. mientras que la placa que esta conectada al polo negativo. La carga. En términos ideales. apuntando en la misma dirección de éste. Función y Clasificación: Los condensadores son dispositivos que tienen la propiedad de almacenar energía eléctrica. pueden ser consideradas en forma equivalente al electroestático de barras imantadas. se encuentra con un exceso de éstos. es retenida en el material dieléctrico. esta energía es almacenada dentro del condensador. el condensador se carga con el valor del voltaje aplicado. las cuales están separadas entre si por un material dieléctrico (aislante). Si el voltaje aplicado es de corriente alterna AC. En el caso de condensadores. de otro modo el usuario se expone a sufrir una descarga eléctrica. La unidad que permite cuantificar la capacidad de un condensador es el Faradio (F). tiene deficiencia de electrones. la placa que esta conectada al polo positivo de la fuente. Cuando se aplica un voltaje a través de las placas del condensador. materiales plásticos. con ello se establece efectivamente el flujo de corriente alterna. Cuando se desconecta la fuente. debido a la posibilidad de generación de gas en su interior. en el caso de reemplazar un condensador. La permanencia de la diferencial de potencial depende de la resistencia de fuga del dieléctrico. deben ser descargados al momento de manipular. no existe un flujo de corriente a través del dieléctrico. son: aire. pasando a través de la fuente de voltaje. de manera tal que no existe energía almacenada.

nanofaradio [ηF] y picofaradio [ρF].000001 F = 0. en la práctica.Electrónica Aplicada Fundamentos de Electrónica Integrada Unidad II 60 El Faradio es una unidad de capacidad muy grande y. 1 μF = 10 1 ηF = 10 1 ρF = 10 F = 0. se utilizan submúltiplos.000000001 -12 F = 0. tales como: microfaradio [μF].000000000001 -6 -9 60 .

los valores de la capacidad de un condensador vienen impresos en el propio componente. la capacidad del condensador viene impresa en faradio. por el contrario. si la impresión comprende números decimales (0. se mide en Faradio (F) Q = Carga almacenada. la unidad de medida es el “μF”. el voltaje en la resistencia se hace cero En t2 se cambia al conectar a la posición “b” 61 . Cuando la impresión es un número entero del 1 al 1000. 3. la capacidad de un condensador. se mide en Volt (V) Normalmente. Se tiene un circuito con un conmutador que varia su posición de a – b Se asume un condensador totalmente descargado t1 = Tiempo inicial en que el switch se conecta al punto “a” Al conectar el circuito la corriente es máxima y posteriormente decrece El voltaje en el condensador comienza desde cero hasta que iguala el voltaje de la fuente Cuando el voltaje del condensador se iguala al voltaje de la fuente.047). 5. 2. 4. se mide en Coloumb (Q) V = Diferencia de potencial. 6. la unidad de medida es el “ρF”. 7. En el caso de condensadores electrolíticos.001 – 0. Carga y descarga de condensadores: 1. esta dada por la siguiente expresión: C=Q/V Donde : C = Capacidad.Electrónica Aplicada Fundamentos de Electrónica Integrada Unidad II 61 Matemáticamente.

tiempo que demora el condensador en cargarse a un 63% de su valor máximo. Ejemplo: ¿Cuánto demora un condensador de100 µF en cargarse y que esta conectado a una resistencia de 10 KΩ? Se puede observar prácticamente de dos formas: • • Colocar un amperímetro en serie y observar el momento donde la corriente deja de circular.Electrónica Aplicada Fundamentos de Electrónica Integrada Unidad II 62 Tiempo de carga y descarga de un condensador: T = 4. se mide en segundos. (según el grafico cuando la corriente deja de circular. 62 . es porque el condensador ya se cargo) Se puede colocar un voltímetro en paralelo con la resistencia y observar cuando el voltaje llegue a cero.6 × δ δ=R×C δ = Constante de tiempo.

Electrónica Aplicada Fundamentos de Electrónica Integrada Unidad II 63 • • Al hacerlo de esa forma se observara que jamás llegara a cero. 63 . pues siempre habrá una pequeña corriente de fuga que pasa por el voltímetro. Es recomendable hacerlo con un amperímetro y mas aun con un amperímetro análogo. Conclusión: Podemos controlar el tiempo de carga y descarga de un condensador controlando el valor de resistencia y capacidad del condensador.

Lógica Lógica Lógica Lógica Lógica Lógica TTL TTL TTL TTL TTL TTL standard baja potencia Schohky Schohky baja potencia Schohky avanzada Schohky avanzada baja potencia 74AL504 7404 74L04 74504 74L504 74A504 Las características de tensión en todas las subfamilias TTL son las mismas (Vcc + 5 [V]). Héctor Alejandro Del Pino Muñoz. el dispositivo asume un nivel alto designado con un 1. Enrique Pulgar Orellana Ingenieros (E) Mec.Electrónica aplicada UNIDAD III FUNDAMENTOS DE LA ELECTRÓNICA DIGITAL Existen dos familias que trabajan dentro de integrados. la familia 74C00 y la familia 74HC00. su popularidad deriva a que tienen un extremado bajo consumo de potencia. Estos circuitos han ido evolucionando. sin embargo. conduciendo a nuevas subfamilias las cuales están disponibles en la National Semiconductor. Las marcas en los circuitos integrados TTL varían según el fabricante. cambian sus características de velocidad y de potencia. alta inmunidad al ruido y pueden funcionar con una fuente económica no regulada. que incluyen la antigua serie o familia 4000. fue introducida por la Texas Instruments en el año 1964. a continuación se muestra una figura de ejemplo: Una característica importante de las entradas TTL es que si no se conectan (flotante).  Circuitos integrados CMOS (Metal Óxido complementario): Fue introducido por la RCA en el año 1968. Automotriz 64 . dos tecnologías ampliamente utilizadas: los circuitos  TTL: Corresponde a la familia 7400. Los fabricantes producen 3 familias de circuitos integrados CMOS.

Todos los sistemas digitales se construyen a partir de tres compuertas lógicas básicas. No importa lo complicado que sean los circuitos integrados digitales todos ellos están hechos a partir de bloques de construcción sencillos. llamados compuertas. plástico Función del dispositivo Código del Fabricante para CMOS digital Los fabricantes sugieren que al trabajar con dispositivos CMOS. Desconectar la alimentación cuando se vayan a quitar los CI o se cambien las conexiones en un circuito impreso. para evitar daños provenientes de descargas estáticas y tensiones transitorias. Todos los volts usados en las compuertas serán altos o bajos. Automotriz 65 . que son: 1. sólo usando los elementos correspondientes (guantes) Circuitos integrados digital (compuertas lógicas) La compuerta lógica es un elemento básico en los sistemas digitales. Las compuertas lógicas operan con números binarios. Asegurar que las señales de entrada no excedan la tensiones de la fuente de alimentación. se consideren los siguientes datos. Un alto volt significara un 1 binario y un bajo volt significara un 0 binario. Enrique Pulgar Orellana Ingenieros (E) Mec.Electrónica aplicada A continuación se muestra un ejemplo para un código usado para un CMOS: CD 4028 B E Código fabricante Disp. La compuerta AND 2. La compuerta NOT Héctor Alejandro Del Pino Muñoz. Desconectar las señales de entrada antes de desconectar la alimentación del circuito Conectar todas las entradas no utilizadas al polo positivo o tierra de la fuente de alimentación No manipular el dispositivo. La compuerta OR 3. se debe seguir el siguiente procedimiento: del 1) 2) 3) 4) 5) 6) Almacenar los circuitos integrados CMOS en espumas conductoras especiales.

Enrique Pulgar Orellana Ingenieros (E) Mec. Automotriz 66 .Electrónica aplicada Héctor Alejandro Del Pino Muñoz.

en los esquemas se muestran su símbolo y el circuito NOT usando conmutadores: Símbolo Circuito Análogo Tabla de Verdad 67 Héctor Alejandro Del Pino Muñoz. Automotriz . es la siguiente: S = A∗ B b) Compuerta OR: La compuerta OR llamada “Cualquiera a todo” en los esquemas se muestran su símbolo y el circuito OR usando conmutadores: Símbolo Circuito Análogo Tabla de Verdad La expresión Booleana que define una compuerta o condición lógica OR. La compuerta NOT tiene solamente una entrada y una salida. Enrique Pulgar Orellana Ingenieros (E) Mec.Electrónica aplicada a) Compuerta AND: La compuerta AND llamada “Todo o nada” en los esquemas se muestran su símbolo y el circuito AND usando conmutadores: Símbolo Circuito Análogo Tabla de Verdad La expresión Booleana que define una compuerta o condición AND. es la siguiente: S = A+ B c) Compuerta NOT: La compuerta NOT se conoce también como un inversor.

Enrique Pulgar Orellana Ingenieros (E) Mec. entonces A = 0 Si A = 0.Electrónica aplicada La expresión Booleana que define una compuerta o condición lógica NOT es la siguiente: A=A Las leyes que condicionan una compuerta lógica NOT son las que se definen: Si A = 1. Automotriz 68 . entonces A = 1 Combinaciones de compuertas: 0 =1 Circuito Integral Digital Expresión Booleana Tabla de Verdad Circuito Integral Digital Expresión Booleana Tabla de Verdad Héctor Alejandro Del Pino Muñoz.

Enrique Pulgar Orellana Ingenieros (E) Mec.Electrónica aplicada Héctor Alejandro Del Pino Muñoz. Automotriz 69 .

como se ve en el esquema: Combinación Circuito Análogo Símbolo Tabla de Verdad Expresión Booleana Héctor Alejandro Del Pino Muñoz.Electrónica aplicada Dada las siguientes expresiones Booleanas: • • • S = ABC + ABC + AB C S = A B + AB C + A C C B S = A BC + AB + ABC + AB C Realizar: • • Los circuitos lógicos combinacionales La tabla de verdad Otras compuertas lógicas: Se pueden hacer otras cuatro compuertas lógicas a partir de las fundamentales y son: a) b) c) d) Compuerta Compuerta Compuerta Compuerta NAND NOR OR EXCLUSIVA NOR EXCLUSIVA a) Compuerta NAND: Esta se puede alterar a través de una compuerta AND y una compuerta NOT. Enrique Pulgar Orellana Ingenieros (E) Mec. Automotriz 70 .

Enrique Pulgar Orellana Ingenieros (E) Mec. como se ve en la siguiente figura: Combinación Circuito Análogo Símbolo Tabla de Verdad Expresión Booleana Héctor Alejandro Del Pino Muñoz.Electrónica aplicada b) Compuerta NOR: Dicha compuerta se obtiene a través de una compuerta OR y una compuerta NOT. Automotriz 71 .

La siguiente figura muestra el circuito lógico que realiza la función X OR: Combinación Símbolo Tabla de Verdad Expresión Booleana Héctor Alejandro Del Pino Muñoz. Enrique Pulgar Orellana Ingenieros (E) Mec. el termino OR exclusivo se abrevia X OR. Automotriz 72 .Electrónica aplicada d) Compuerta OR exclusiva: La compuerta OR exclusiva se conoce como la compuerta “alguno para no todos”.

un aumento de ellas (N° de entradas) implica un mayor poder de toma de decisiones. Al invertir esta. Automotriz 73 .Electrónica aplicada d) Compuerta NOR Exclusiva: También se llama X NOR la compuerta NOR produce la expresión A ⊕ B . Circuitos lógicos combinacionales: Estos responden a los datos que entran y pueden ser (0 ó 1) Héctor Alejandro Del Pino Muñoz. Enrique Pulgar Orellana Ingenieros (E) Mec. se forma la expresión Booleana: Combinación Símbolo Tabla de Verdad Expresión Booleana Las compuertas que se han nombrado se denominan circuitos lógicos ya que toman decisiones lógicas. las compuertas tienen con frecuencia mas de dos entradas. Las compuertas se utilizan individualmente o conectadas para formar una red.

Héctor Alejandro Del Pino Muñoz. Automotriz 74 . Estas tienen la función de ser “el cerebro”. Dentro del campo de la electrónica existen los dispositivos para lograr estos fines sin mayores problemas. la decisión más conveniente. Esquema del principio de mando de una unidad electrónica de control: Todo aquello que deba controlarse en cuyo funcionamiento pueden producirse alternativas puede ser regulado con gran facilidad por una unidad electrónica de control. El procedimiento externo se muestra a continuación: Con el tiempo se pretende llegar a construir un automóvil capaz de conseguir una centralización total de las órdenes cursadas al automóvil. Estos elementos reciben información de sensores y luego pueden calcular y elegir en el mínimo de tiempo.Electrónica aplicada SISTEMAS LÓGICOS SECUENCIALES Un ejemplo de este sistema se muestra a través del siguiente diagrama en bloques: a) Unidades Electrónicas de Control. para comandar los diferentes elementos en el automóvil. Enrique Pulgar Orellana Ingenieros (E) Mec.

7 ohms Si al medir el inyector .4v ( 0. por lo tanto la mezcla que manda es muy rica y el motor se ahoga ( tira humo negro) En simulación: el motor parte cada vez mejor en la medida que se varia la resistencia y por ende la temperatura del motor.0. caso de multipunto puede ser de 13. con contacto. Temperatura alta  resistencia baja R aprox 3000 ohms a 20ºC y si la tº varia a 90ºC  resistencia = 250 ohms ( mide tº del agua del motor. es un sensor inductivo. 3. llamado ECT) Motor frio 4. en el segundo caso.8 v Motor a 20ºC  12 v El ventilador funciona aproximadamente en los 98. el computador manda un mayor ancho de pulso. medicion en sensor TPS (v) motor detenido. la respuesta no es simple. Inyectores Multipunto. entonces debe medir 5v -5.8 volts) Si la resitencia delsensor de tº es muy alta. Automotriz .8v. sin embargo se puede hacer una analogía con el pensamiento humano: APUNTES VARIOS ( PRACTICOS) 1. el motor no parte). trabaja con 12 volts Monopunto.29 vca medicion de resistencia en la bobina = 1. entrega un VCA. su rango de medicion aprox 0. baja a 2. entonces el inyector debe tener baja resistencia o sea esta defectuoso Nota: Un motor puede tener el IAT y el MAP juntos o no.Electrónica aplicada La pregunta o inquietud que resalta es ¿Cómo una máquina con dispositivos electrónicos puede tomar decisiones?. Medicion de voltaje en sensor de temperatura (NTC) En frio = 3 Volts ( al hacer funcionar y dejar un rato . Sensor tº ntc. Sensor CKP ( si no entrega señal. los tienen separado. trabaja con otro voltaje ( 1 inyector) Entrada de combustible aprox a 45 psi Resistencia de inyector aprox 15 ohms.2 o 1.6 ohms. 75 Héctor Alejandro Del Pino Muñoz.45(aleta abierta)) = voltaje en Valenti ( ohms) 4.28( aleta cerrada) – 0. o sea el IAT en la tapa filtro de aire y el MAF adosado a la garganta. por ejemplo marca 5 v y deberia marcar 9 0 10 volts. Enrique Pulgar Orellana Ingenieros (E) Mec.87 ºC 2.

mide la cantidad de aire que entra al motor (actua por enfriamiento) tº =70 ºC En los motores bencineros. Enrique Pulgar Orellana Ingenieros (E) Mec.onda completa) Ancho de pulso Ejs Inyector 100 v 12 v 0v Inyector cerradao Inyector abierto OBD1: monitoreo sensores OBD2 : mem ram o cam ( encienden las luces de fallas) Héctor Alejandro Del Pino Muñoz. Sistema DIS entrega dos chispas Sistema tandem= 2 inyectores al mismo tiempo Sistema mixto = 4 inyectores al mismo tiempo Sonda de oxigeno: Motor en circuito cerrado = significa que el sensor de oxigeno esta trabajando bien Tipos: 4 cables  dos son para alimentación a calefactor ( 12 volts). otros 2 son del sensor 3 cables 1 tierra comun 2 cables entrada y salida del sensor 1 cable señal sensor y masa El voltaje en el sensor de Oxigeno. el inyector se mantiene un tiempo accionado.Electrónica aplicada 5. oscila entre 1000 mv y 0 mv 1000 mv ( mezcla rica) 500 mv ( si se mantiene a este rango. MAF: puede tener un hilo de alambre caliente. Automotriz 76 . ancho de pulso) / (V. el sensor esta defectuoso) 0 mv ( mezcla pobre) (La señal que entrega el sensor de oxigeno oscila entre 0 y 1 volt) tiene un rango de 2000 mv Si se comprueba que la mezcla es pobre entonces la manguera del MAP puede estar rota MAP: señal del sensor de presion absolutadel multiple de admisión ECU: unidad de control electronica o ECM Factor de trabajo = (V.

o sea No entra aire por la toma principal.Electrónica aplicada IAC = valvula de control de aire en valenti ( se mide con motor RUN) . Enrique Pulgar Orellana Ingenieros (E) Mec. siempre medir tensión de positivo a tierra de batería Héctor Alejandro Del Pino Muñoz. IAT : sensor de tº termocupla MAP : sensor de presion TPS : sensor de posición de la mariposa CKP : sensor de posición del cigüeñal ECT: tº refrigerante del motor ) sensor tº motor CANISTER: Acumula gases del estanque motor Claves de falla tipicas: sensor de oxigeno y luego los aprovecha el DTC = codigo falla almacenada. Automotriz 77 . FSS1= En análisis. solo entrega aire para el Valenti.

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