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Electrónica aplicada

INSTITUTO PROFESIONAL INACAP

“ELECTRÓNICA
APLICADA”

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Electrónica aplicada

ELECTRÓNICA APLICADA 88 hrs.

Programa: Unidad I Conceptos electrónicos (10 hrs.)
Teoría física electrónica
Funcionamiento de Diodos, transistores y tiristores

Unidad II Fundamentos de Electrónica Integrada (10
hrs.)
Circuitos integrados monolíticos
Armar circuitos integrados

Unidad III Fundamentos de Electrónica Digital (10 hrs.)
Tecnologías TTL y CMOS
Circuitos de compuertas lógicas
Microprocesadores

Unidad IVTipos de sensores y actuadores utilizados en
control electrónico (10 hrs.)
Sensores resistivos
Circuitos electrónicos

Unidad V Sistemas de Encendido Electrónicos (12 hrs.)
Sistemas de encendido

Unidad VI Sistemas de Inyección Electrónica (20 hrs.)
Inyección Monopunto y Multipunto

Unidad VII Aplicaciones Electrónicas (10 hrs.)
Control electrónico en Maquinaria pesada y vehículos
livianos
Circuitos de control electrónico

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Electrónica aplicada

Bibliografía: Electrónica Analógica
SCHAUM
Edición, 1987
Ed. Mc Graw-Hill. España.

Circuitos Electrónicos Discretos e Integrados
SCHILING y BELOVE
Edición, 1997
Editorial Marcombo

Principios de Electrónica
MALVINO, ALBERT PAUL
Edición, 1997
Ed. Mc Graw-Hill. España.

Dispositivos Electrónicos en el Automóvil
GILLIERI, STEFANO
Edición, 1997
Editorial Ceac

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La Sal es el resultado cuando se combina químicamente el Cloro y el Sodio. Sodio y Cloro. Estos átomos se componen de dos partes: el núcleo y la periferia. Oxígeno. Para el estudio y comprensión de los fenómenos que ocurren en dispositivos semiconductores. hasta que llegue un momento en el que tendremos dos átomos de Hidrógeno por uno de Oxígeno. se forma el agua. son ejemplos de otros elementos. surgen hoy. El agua es un compuesto químico de dos elementos: Hidrógeno (H) y Oxígeno (O) cuya fórmula es H2O. Para entender que es un electrón y como se comporta. El hierro es un elemento. y éstos a su vez están compuestos por electrones. tendremos que estudiar la composición de la materia. Toda la materia está compuesta de bloques químicos los cuales son llamados elementos. Materia es todo aquello que ocupa un lugar en el espacio y tiene masa (ejemplo: hielo. Si tomamos una gota de agua y la dividimos en dos tendremos dos partes. La naturaleza ha proporcionado más de 100 elementos. Por ejemplo una molécula de H2O. protones y neutrones Molécula: Es la parte más pequeña en que puede dividirse la materia y seguir conservando sus características de compuesto. desplazando a las válvulas de vacío (tubos) de funciones que hasta hace poco se creían de su exclusiva propiedad. gas). Podemos imaginarnos otras divisiones de la gota de agua. agua. La materia se divide en moléculas. Cobre. como por ejemplo: • Su estructura • Propiedades de las partículas que lo Integran MODELO ATÓMICO DE BOHR: La electricidad consiste en el movimiento de electrones en un conductor. Cuando el Hidrógeno y el Oxígeno se combinan químicamente. es necesario conocer algunos detalles del mundo atómico. Hidrógeno. pero ambas serán de agua. Aluminio. las cuales a su vez se dividen en átomos. los Sustancia Elemento cuales en combinación forman los Átomo diferentes tipos de materia que se encuentran en nuestro planeta.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 4 UNIDAD 1: COMPONENTES ELECTRÓNICOS Componentes prácticamente desconocidos hace treinta años. Mercurio. 4 .

y por ello se dice que un átomo es eléctricamente neutro. actúa sobre él una fuerza centrífuga que trata de alejarlos del núcleo. no tienen carga eléctrica o son neutros. por lo que podrían liberarse fácilmente. están formados por aproximadamente 100 sustancias básicas o elementos. Por ejemplo un átomo de Hidrógeno.. 4) Todo lo que nos rodea. 28 viajan en órbitas cercanas al núcleo y 1 viaja en una órbita lejana. El la periferia se encuentran: • Los electrones con carga eléctrica negativa. todos los materiales que forman nuestro mundo diario. A este electrón se le llama: electrón libre.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 5 Átomo: Es la parte más pequeña en la cual un elemento puede ser reducido y ser clasificado aún. un átomo de Cloro. 3) Debido al movimiento de rotación de los electrones alrededor del núcleo a. El número de protones es igual al número de electrones Hay algunos electrones que se encuentran en las órbitas más alejadas del núcleo. es igual al número de protones. 5 . De estos 29 electrones. en el cual el Sol es el núcleo y sus planetas las partículas que giran alrededor del núcleo En el núcleo del átomo se encuentran: • Los protones con carga eléctrica positiva • Los neutrones que como su nombre insinúa. etc. (electrón de valencia) Propiedades del átomo: 1) Los protones que poseen carga eléctrica positiva de igual magnitud que la del electrón. el número de electrones que giran alrededor del núcleo. creo el modelo (después llamado modelo de Bohr) donde se nuestra la estructura del átomo. 2) Un átomo normal. Estos electrones son los llamados electrones de valencia Electrón Electrones N�leo - + + + Orbita Protones Neutrones Ejemplo: El átomo de cobre tiene 29 protones y 29 electrones. El átomo es similar a nuestro sistema solar. Esta fuerza se equilibra con la fuerza de atracción del núcleo lo que mantiene al electrón en una órbita estable. un átomo de Oxígeno. son aproximadamente 1800 veces más pesado. es decir.. El físico danés Niels Bohr.

Na.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 6 Ejemplo: H . Sal. Ca . O . N . 5) Cada elemento básico posee una cantidad diferente de electrones girando alrededor del núcleo. Cu. Acero. etc O bien una combinación de dos o más elementos básicos Ejemplo: Agua. K . Cl . Bronce. en diferentes órbitas que se designan con las letras: 6 . etc.

GIRAN NUCLEO K L M N O P Q ALREDEDOR DEL NUCLEO 8 Protones 8 Neutrones 8 Electrones (+) (-) Nucleus Anillos K Orbitales L (K. N�) 햠 omo de Oxigeno Para comprender cómo funcionan los diodos. El núcleo o centro del átomo contiene 29 protones (cargas positivas). M. Los semiconductores poseen algunos electrones libres. CONDUCTORES El cobre es un buen conductor si se observa su estructura atómica. pero lo que les confiere un carácter especial es la presencia de huecos. 7 .Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 7 El átomo PRO POSE ELÉ POS NEUT POSEEN ELÉCT N ELECTRONES: POSEEN CARGA ELECTRICA NEGATIVA (-). transistores y los circuitos integrados es necesario estudiar los materiales semiconductores: componentes que no se comportan ni como conductores ni como aislantes. L.

estos no caen hacia el núcleo debido a la fuerza centrífuga (hacia fuera) creada por su movimiento orbital. produciendo menos fuerza centrífuga. Orbitales estables: El núcleo atómico atrae a los electrones orbitales. la carga resultante del átomo es -1. por eso el cobre es un buen conductor. el cobre y el oro Cuando el electrón de valencia se va. la parte interna es el núcleo (+29) y los tres primeros orbitales (+28). Si un átomo neutro pierde un electrón se convierte en un átomo cargado positivamente que recibe el nombre de ión positivo. La parte interna del átomo de cobre tiene una carga resultante de +1. Electrón libre: El electrón de valencia al ser atraído muy débilmente por la parte interna del átomo.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 8 Cuando un átomo de cobre tiene una carga neutra. Para un átomo de cobre. lo único que importa es el orbital exterior. el cual también se denomina orbital de valencia. porque tiene 29 protones y 28 electrones internos. Cuando un electrón exterior entra dentro del orbital de valencia. Los electrones viajan en distintas órbitas quedando sólo un electrón en el orbital exterior. una fuerza externa puede arrancar fácilmente ese electrón con una muy pequeña tensión. la carga resultante del átomo es +1. Los mejores conductores son la plata. la atracción que sufre el electrón de valencia es muy pequeña. Si un átomo tiene un electrón extra en el orbital de valencia llamamos al átomo cargado negativamente ión negativo. al que se le conoce como electrón libre. la fuerza centrífuga equilibra exactamente la atracción eléctrica ejercida por el núcleo. La parte interna: En electrónica. Éste es el que determina las propiedades eléctricas del átomo. A causa de ello. Cuando un electrón se haya en un orbital estable. 29 electrones (cargas negativas) se disponen alrededor del núcleo. El electrón más externo viaja muy lentamente y casi no se siente atraído hacia el núcleo. Eléctricamente Ion Positivo Ion negativo Neutro 8 . Por lo anterior. Los electrones de un orbital más alejado se mueven a una velocidad menor. El electrón de valencia se encuentra en un orbital exterior alrededor de la parte interna y tiene una carga resultante de +1. se define la parte interna del átomo como el núcleo más todos los órbitales internos.

Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 9 AISLANTES: Los átomos que tengan 5. ambos tienen 4 electrones de valencia.) SEMICONDUCTORES: Los mejores conductores tienen un electrón de valencia. muestra una carga resultante de +4 porque contiene 14 protones en el núcleo y 10 electrones en los dos primeros orbitales. 9 . observada en la figura. por lo tanto. Un átomo de silicio tiene 14 protones y 14 electrones y su distribución. Estos átomos se vuelven “iones negativos” pues. eléctricamente se vuelven negativos. tienen la tendencia de completar esta órbita a ocho electrones. Cloro. 6 ó 7 electrones en la órbita periférica. los mejores semiconductores tienen cuatro electrones de valencia. mientras los mejores aislantes poseen ocho electrones de valencia. Los semiconductores más conocidos son el germanio y el silicio. Los 4 electrones de valencia nos indican que es un semiconductor. El germanio fue el primero en utilizarse siendo luego reemplazado por el silicio pues el primero presentaba demasiada corriente inversa. etc. Un semiconductor posee propiedades eléctricas entre las de un conductor y un aislante. Este es el caso de los Aislantes (Azufre.

etc. ello implica entregarles una cierta cantidad de energía. y la “Banda Prohibida” que corresponde a la zona cerrada al paso libre de los electrones entre las bandas de Conducción y de Valencia. radiaciones. Enlace covalente: Cada átomo vecino comparte un electrón con el átomo central. Para que los electrones de la banda de valencia puedan servir como portadores deben pasar a la banda de conducción. de tal manera que tiene 8 electrones en el orbital de valencia. sumando un total de 8 electrones de valencia. la “Banda de Conducción”. Aunque el átomo tiene originalmente 4 electrones de valencia. que corresponde a la zona donde los electrones se encuentran con la suficiente energía para moverse libremente en una estructura cristalina. Cada átomo de silicio comparte sus electrones de valencia con los átomos de silicio vecinos. 10 . lo hacen en una estructura ordenada llamada cristal. Los electrones dejan de pertenecer a un solo átomo. La magnitud de dicha energía es igual a la altura de la banda prohibida. que corresponde a la zona en que los electrones se encuentran semi libre. luz.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 10 BANDAS DE ENERGÍA Acá podemos destacar a la “Banda de Valencia”. ya que cada átomo central y sus vecinos comparten electrones. (1 eV = 1. que puede tener la forma de calor.6 х 1019 Joules) CRISTALES DE SILICIO Cuando los átomos de silicio se combinan para formar un sólido. Se mide en eV. De esta forma el átomo central parece tener 4 electrones adicionales.

El electrón constituye un enlace entre núcleos opuestos llamado enlace covalente. Este equilibrio entre fuerzas es el que mantiene unidos a los átomos de silicio.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 11 Los pares de electrones que se observan en la figura se atraen con fuerzas iguales y opuestas (ya que pertenecen a átomos distintos). 11 .

Estas vibraciones pueden hacer que se desligue un electrón del orbital de valencia. Matemáticamente se puede explicar la estabilidad lograda al tener valencia 8 pero no se sabe la razón del porqué. Se trata de una ley experimental estableciéndose que: Saturación de valencia: n= 8 O sea. el orbital de valencia no puede soportar más de 8 electrones. el calor hace que los átomos en un cristal de silicio vibren.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 12 Saturación de valencia: El cristal de silicio contiene 8 electrones de valencia. El hueco: Cuando la temperatura es mayor que el cero absoluto (-273ºC). Si se toca un objeto. el electrón liberado gana energía para situarse en un orbital de nivel energético mayor. el calor que transmite proviene de la vibración de sus átomos. Debido a que los electrones están fuertemente ligados. pasando a ser un electrón libre. este tiende a combinarse y a compartir electrones con otros átomos para obtener 8 electrones en su orbital exterior. 12 . A mayor calor. un cristal de silicio es casi un aislante perfecto a temperatura ambiente. Cuando no existen ocho electrones de forma natural en un elemento. Cuando esto sucede. esto produce una estabilidad química que da como resultado un cuerpo compacto de material de silicio. No se está aseguro de por qué el orbital exterior de todos los elementos tiene una predisposición a tener 8 electrones. más intensas serán las vibraciones mecánicas de dichos átomos.

El nuevo hueco del punto A puede atraer y capturar otro electrón de valencia. En un cristal se crean igual número de electrones libres que de huecos debido al calor. de forma que se desplaza hacia la izquierda de un átomo a otro hasta que alcanza la placa positiva. en el orbital de valencia. A temperatura ambiente. El hueco de la izquierda atrae al electrón de valencia del punto A. En todo instante lo que está sucediendo dentro de un cristal de silicio es: • Se están creando electrones libres y huecos por acción del calor • Otros electrones libres y huecos se están recombinando • Algunos electrones libres y huecos existen temporalmente esperando una recombinación. que se denomina hueco. un cristal de silicio se comporta casi como un aislante ya que producto del calor tiene solo unos pocos electrones libres y sus huecos correspondientes producidos por la energía térmica de dicho cristal. Supóngase que la energía térmica ha producido un electrón libre y un hueco. y se comporta como una carga positiva por la pérdida de ese electrón (ión positivo). El electrón libre se halla en un orbital de mayor energía en el extremo derecho del cristal. Debido a que el electrón está cerca de la placa cargada negativamente. Los electrones libres se mueven en forma aleatoria dentro del cristal. Flujo de electrones libres: En la figura se observa parte de un cristal de silicio situado entre dos placas metálicas cargadas. lo que provoca que dicho electrón se desplace hacia el hueco creando un nuevo hueco en este punto. es repelido por esta. los electrones de valencia 13 . Esta unión entre un electrón libre y un hueco se llama recombinación. De esta forma. En ocasiones un electrón libre se aproximará a un hueco. será atraído y caerá hacia él. El efecto es el mismo que si el hueco original se desplazara hacia la derecha. El tiempo que transcurre entre la creación y la desaparición de un electrón libre recibe el nombre de tiempo de vida que varía de unos cuantos nanosegundos a varios microsegundos dependiendo por ejemplo de la perfección del cristal.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 13 Pero la salida del electrón deja un vacío. SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS (PURO) Es un semiconductor puro de silicio si cada átomo del cristal es un átomo de silicio.

_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ + + + + + + + + + + 14 .Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 14 pueden moverse en la trayectoria indicada por las flechas y el hueco. en sentido opuesto actuando de la misma forma que una carga positiva.

Cada átomo pentavalente S produce un electrón libre i controlando así la conductividad de un semiconductor dopado. pero en este caso S A S queda un electrón adicional al i s i poder solo 8 electrones situarse en el orbital de valencia. los átomos vecinos comparten un electrón con el átomo central. Cuando los electrones libres llegan al extremo izquierdo del cristal entran al conductor externo y circulan hacia el terminal positivo de la batería. deliberadamente se añaden átomos de impurezas a un cristal intrínseco para modificar su conductividad eléctrica. El proceso de dopaje consiste en fundir un cristal puro de silicio para romper los enlaces covalentes y cambiar de estado sólido a líquido. DOPAJE DE UN SEMICONDUCTOR (SEMICONDUCTOR EXTRÍNSECO) El dopaje supone que. Como antes. Aumento en el número de electrones libres: Con el fin de aumentar el número de electrones libres se añaden átomos pentavalentes al silicio fundido. Cuando el silicio ha sido dopado con una impureza pentavalente se llama semiconductor tipo n. Por otro lado. en ese punto. entran en el cristal y se recombinan con los huecos que llegan al extremo derecho del mismo. El electrón adicional queda en un orbital mayor y es un electrón libre. Así se produce un flujo estable de electrones libres y huecos dentro del semiconductor.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 15 En la figura anterior la tensión aplicada forzará a los electrones libres a circular hacia la izquierda y a los huecos hacia la derecha. Al enfriarse el cristal y S volver a su estructura cristalina. i queda en el centro el átomo Electrón pentavalente rodeado por 4 átomos de silicio. los electrones libres en el terminal negativo de la batería circularán hacia el extremo derecho del cristal. Uno dopado ligeramente tiene una alta resistencia y uno fuertemente dopado tiene una resistencia pequeña. (Arsénico. Como los electrones superan a los huecos 15 . fósforo). Como estos materiales donarán un electrón extra al cristal se les conoce como impurezas donadoras. (no hay flujo por fuera del semiconductor). antimonio. Los electrones libres y los huecos reciben a menudo la denominación de portadores debido a que transportan la carga eléctrica de un lugar a otro.

Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 16 reciben el nombre de portadores mayoritarios. mientras que a los huecos se les denomina portadores minoritarios. 16 .

Si A Si Si l Si hueco El silicio que ha sido dopado con impurezas trivalentes se llama semiconductor tipo p. quedan solo 7 electrones en el orbital de valencia. El átomo trivalente en el centro queda rodeado de 4 átomos de silicio. Esto significa que aparece un hueco en el orbital de valencia de cada átomo trivalente. Como el número de huecos supera al número de electrones libres. los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios. Como el átomo trivalente tenía al principio solo 3 electrones de valencia. cada uno compartiendo uno de sus electrones de valencia. Galio).Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 17 Aumento del número de huecos: Para lograrlo se utilizan impurezas trivalentes. es decir átomos con 3 electrones de valencia (Aluminio. Boro. por lo que recibe el nombre de átomo aceptor porque cada uno de los huecos con que contribuye puede aceptar un electrón libre durante la recombinación. 17 .

Lo contrario ocurre al lado derecho donde se representa un semiconductor tipo n. se puede determinar con precisión las propiedades del semiconductor. Zona de deplexión: 18 . por lo que se le llama también diodo de unión. Controlando posteriormente la cantidad de impurezas. Cada signo (-) encerrado en un círculo representa un átomo trivalente y cada signo (+) es un hueco en su orbital de valencia. Si se suman la cantidad de electrones y protones del semiconductor sigue siendo eléctricamente EL DIODO NO POLARIZADO Un Cristal semiconductor (tipo p ó n) tiene la misma utilidad que una resistencia de carbón. La unión es la frontera donde se juntan las regiones tipo n y tipo p. no significa que sea positivo o negativo. por ejemplo el arsénico (33 protones y 33 electrones). La frontera entre ambos se le conoce como unión pn y a propiciado inventos como por ejemplo diodos. transistores y circuitos integrados. El semiconductor tipo p se representa como se aprecia en el lado izquierdo de la figura siguiente. Por ejemplo un semiconductor tipo N se realiza con la unión del silicio (posee 14 protones y 14 electrones) con. pues ambos se realizan de la unión de elementos originalmente neutros. Que sea un semiconductor tipo p o tipo n.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 18 Para que un fabricante pueda dopar un semiconductor debe producirlo inicialmente como un cristal absolutamente puro. pero no ocurre lo mismo se dopa un cristal de tal manera que una mitad sea tipo n y la otra tipo p.

iones Zona de deplexión En la figura el signo (+) encerrado en un circulo indica un ión positivo. A medida que aumenta el número de dipolos. POLARIZACIÓN DIRECTA Consiste en conectar el terminal negativo de una fuente de corriente continua al material tipo n.7 V para diodos de silicio. y el signo (–) encerrado en un circulo. La intensidad del campo eléctrico aumenta con cada electrón que cruza hasta que se alcanza el equilibrio. Cada pareja de iones positivos y negativos en la unión se llama dipolo. y un ión negativo en el lado p (aceptó un electrón). BARRERA DE POTENCIAL Cada dipolo posee un campo eléctrico entre los iones positivos y negativos que lo forman. si entran electrones adicionales en la zona de deplexión. 19 . se produce un éxodo de electrones del lado n hacia el lado p por la repulsión de cargas iguales. por lo tanto. Los iones se encuentran fijos en la estructura del cristal debido a los enlaces covalentes y no pueden moverse de un lado a otro como los electrones libres y los huecos. Cuando eso sucede el hueco desaparece y el electrón libre se convierte en un electrón de valencia creándose en esa difusión un par de iones.3 V para diodos de germanio y 0. Poco después de entrar a la región p el electrón libre cae en un hueco. son rechazados hacia la zona n. un ión positivo en el lado n (abandonó un electrón).Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 19 Al unirse un semiconductor tipo n con uno tipo p. la región cercana a la unión se vacía de portadores y a esa zona se le conoce como zona de deplexión. El campo eléctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada barrera de potencial. un ión negativo. y el terminal positivo al material tipo p. A 25ºC la barrera de potencial es aproximadamente 0.

y el terminal positivo de la batería al lado n. Recuerde que la energía térmica crea continuamente pares de electrones libres 20 . imaginemos todos los huecos en la zona p moviéndose hacia la derecha y todos los electrones libres desplazándose hacia la izquierda. Si la tensión de la batería es menor que la barrera de potencial. los electrones libres tienen suficiente energía para pasar a través de la zona de deplexión y recombinarse con los huecos.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 20 La batería empuja los electrones libres y los huecos hacia la unión. Para hacerse una idea básica. POLARIZACIÓN INVERSA El terminal negativo de la batería se encuentra conectado al lado p. El terminal negativo de la batería trae los huecos y el terminal positivo. por ello. por lo tanto. existe una corriente continua a través del diodo. Los iones recién creados hacen que aumente la diferencia de potencial a través de la zona de deplexión. En resumen. Incluso con polarización inversa hay una pequeña corriente. un diodo polarizado en forma directa permite el paso de la corriente eléctrica. La zona de deplexión deja de aumentar en el momento en que su diferencia de potencial es igual a la tensión inversa aplicada. como resultado la zona de deplexión se ensancha. los electrones no tienen suficiente energía para atravesar la barrera de potencial. Como los electrones libres entran continuamente por el extremo derecho del diodo y continuamente se crean huecos en el extremo izquierdo. los huecos y electrones libres se alejan de la unión. los electrones libres. no circula corriente a través del diodo. Corriente de portadores minoritarios: ¿Existe corriente después de haberse estabilizado la zona de deplexión? Sí. Cuando la fuente de tensión continua es mayor que la barrera de potencial. En algún lugar cercana a la unión estas cargas opuestas se recombinan.

lo que significa que a ambos lados de la unión existen pequeñas concentraciones de portadores minoritarios. pero se debe observar que al aumentar la tensión inversa no hará que crezca el número de portadores minoritarios creados térmicamente.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 21 y huecos. La corriente inversa en un diodo de silicio es aproximadamente cero 21 . La mayor parte de estos se recombinan con los portadores mayoritarios. por el circuito externo circula una pequeña corriente. Cuando esto sucede. Corriente superficial de fugas: Es una pequeña corriente que circula por la superficie del cristal causada por impurezas en su superficie e imperfecciones en su estructura interna. pero los que se hayan dentro de la zona de deplexión pueden vivir lo suficiente para cruzar la unión. La corriente inversa originada por los portadores minoritarios producidos térmicamente se llama corriente inversa de saturación (Is).

de forma que el proceso continúa hasta que la corriente inversa es muy grande. La barrera de potencial depende de la temperatura en la unión.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 22 RUPTURA: Los diodos admiten unos valores máximos en las tensiones que se les aplican.. Por lo tanto. la tensión de ruptura suele ser de 50 V. Si se aumenta continuamente la tensión inversa. Cuando el diodo está conduciendo. lo que significa que la barrera de potencial disminuye al aumentar la temperatura de la unión. Si adquieren la energía suficiente . exactamente en la unión pn. es decir. Estos dos electrones libres liberan. produce electrones libres. ∆V mV = −2 ∆T ºC 22 . La tensión de ruptura de un diodo depende del nivel de dopaje del mismo. La temperatura es diferente. llegará un momento en que se alcance la tensión de ruptura del diodo (generalmente 50V). La barrera de potencial de un diodo de silicio decrece 2 mV por cada incremento de 1 ºC. chocando contra los átomos del cristal. y así sucesivamente. LA BARRERA DE POTENCIAL Y LA TEMPERATURA: La temperatura de unión es la temperatura dentro del diodo. Una vez alcanzada la tensión de ruptura. Cuando la tensión inversa aumenta obliga a los portadores minoritarios a moverse más rápidamente. Un incremento en la temperatura de la unión crea más electrones libres y huecos en las regiones dopadas. a su vez. la temperatura de la unión es mas alta que la temperatura ambiente a causa del calor creado en la recombinación. a otros dos de valencia. una gran cantidad de portadores minoritarios aparece repentinamente en la zona de deplexión y el diodo conduce descontroladamente por un efecto llamado avalancha que aparece con tensiones inversas elevadas. existe un límite para la tensión máxima en inversa con la que se puede polarizar un diodo sin correr el riesgo de destruirlo. Con los diodos rectificadores (el tipo más común). Ésta se muestra en la hoja de características del diodo en particular. pueden golpear a los electrones de valencia y liberarlos.

Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 23 Así se puede calcular la barrera de potencial a cualquier temperatura de la unión. 23 .

En cuanto a los diodos LED. Su tamaño. Los diodos de punta de germanio suelen encapsularse en vidrio. No ocurre lo mismo con el tamaño. En la simbología del diodo común. El ánodo de estos diodos es más largo que el cátodo. sólo algunos especiales difieren de su aspecto. pues es función de la potencia que pueden disipar. Si lo hace devolverá la energía sobrante en forma de luz. DIODOS: Una resistencia ordinaria es un dispositivo lineal. la luz es roja. Para aquellos cuyo tipo concreto viene señalado por una serie de letras y números. calor u otro tipo de radiación. puede regresar a su nivel de energía inicial. Los diodos de unión pn y los zener tienen características constructivas que los diferencian de otros. Otros usan códigos de colores.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 24 NIVELES DE ENERGÍA: Como el electrón es atraído por el núcleo. en muchos casos. Algunos diodos LED producen radiación infrarroja (invisible) que es útil en sistemas de alarma antirrobo. 24 . Es característico encontrarse un anillo en el cuerpo que nos indica el cátodo. Existen fabricantes que marcan el cátodo con la letra "K" o el ánodo con la "a". Cuando un electrón salta del primero al segundo orbital. Después de que un electrón ha saltado a un orbital mayor. próximo a este terminal. Aunque existe gran variedad de tipos. se encuentran encapsulados en resinas de distintos colores. según sea la longitud de onda con la que emita. naranja o azul. porque la gráfica de su corriente en función de su tensión es una línea recta. es de menor longitud y diámetro que las resistencias. no supera el de una resistencia de carbón de ¼ W y aunque su cuerpo es cilíndrico. Algunos de los agentes externos que pueden hacer saltar a un electrón a un nivel de energía mayor. El diodo LED es un ejemplo de ello (diodo emisor de luz). el lado p se llama ánodo y el lado n es el cátodo. la luz y la tensión eléctrica. gana energía potencial con respecto al núcleo. el cátodo es marcado mediante un anillo en el cuerpo. y la flecha va de ánodo a cátodo. Un diodo es un dispositivo no lineal porque la gráfica de la corriente en función de la tensión no es una línea recta. Dependiendo del material de construcción del diodo. son el calor. y usualmente la cara del encapsulamiento próxima al cátodo es plana. y en ellos el cátodo se corresponde con el terminal más próximo a la banda de color más gruesa. verde. se requiere energía adicional para llevarlo a un orbital mayor.

el calor excesivo destruirá el diodo. RB = RP + R N El valor de la resistencia interna es función del nivel de dopado y del tamaño de las zonas p y n. Por ejemplo un diodo 1N456 tiene una corriente máxima (Imax ) de 135 mA.6 [V] app. la corriente en el diodo crece rápidamente.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 25 OA Zona de baja polarización directa. Cuando el diodo está polarizado en directa no hay una corriente significativa hasta que la tensión en el diodo sea superior a la barrera de potencial. En la polarización directa. AB Zona de Conducción (a partir de los 0. por esta razón. siendo normalmente menor que 1 Ω. la hoja característica que proporcionan los fabricantes especifica la corriente máxima que un diodo puede soportar sin peligro de acortar su vida o degradar sus propiedades. lo que quiere decir que aumentos pequeños de la tensión del diodo originan grandes incrementos en su corriente pues lo único que se opone a la corriente es la resistencia de las zonas p y n las que sumadas se les llama resistencia interna del diodo. Disipación de potencia: 25 . Máxima corriente continua con polarización directa: Si la corriente en un diodo es demasiado grande. a tensiones mayores que la umbral.) OC Corriente inversa de saturación. Si se representa la corriente a través del diodo en función de la tensión se obtendrá una gráfica parecida. casi no hay corriente inversa hasta que la tensión del diodo alcanza la tensión de ruptura. pequeña corriente. También se puede invertir la polaridad de la fuente de tensión continua y medir la corriente y tensión del diodo polarizado en forma inversa. Por otro lado. cuando el diodo está polarizado en inversa. Entonces la avalancha produce una gran corriente inversa destruyendo el diodo. a partir El circuito de la figura puede montarse en el laboratorio y medir la tensión en el diodo y la corriente que lo atraviesa.

No existe una regla absoluta acerca del valor que debe darse al factor seguridad. Esto supone la destrucción del diodo. PD =VD × I D La limitación de potencia indica cuánta potencia puede disipar un diodo sin dañarse. CIRCUITO CON DIODOS La mayoría de los dispositivos electrónicos. Un diseño conservador emplearía un factor de 2. Es igual al producto de la tensión del diodo y la corriente. Rectificador de ½ onda: R = 1 [k Ohm] La figura muestra una fuente de corriente alterna (transformador) que entrega una tensión sinusoidal. Pmax =Vmax ×I max Por ejemplo si un diodo tiene una tensión y corriente máxima de 1V y 2A. lo que significa que no se permite en ninguna circunstancia una tensión inversa superior a 25V. la primera cosa que necesitamos es convertir la tensión alterna en tensión continua. Esto equivaldría a un interruptor cerrado por lo que aparecerá tensión positiva en la resistencia de carga. equipo estéreo y ordenadores necesitan una tensión continua para funcionar correctamente. este tiene una tensión inversa de 50 V. el diodo se polariza de manera inversa 26 .Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 26 Se puede calcular la disipación de potencia de un diodo de la misma forma que se hace para una resistencia. Como las líneas de tensión son alternas. Tensión inversa de ruptura: Un ejemplo es un diodo 1N4001. Estos circuitos se llaman rectificadores. La mitad positiva del ciclo de la tensión de fuente polarizará el diodo de manera directa. por ese motivo se incluye un factor de seguridad. En la mitad negativa del ciclo. Dentro de las fuentes de potencia hay circuitos que permiten que la corriente fluya en un solo sentido. su limitación de potencia es de 2W. ya que este depende de muchos elementos de diseño. lo que debe evitar el diseñador para cualquier condición de trabajo. televisores.

27 .Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 27 comportándose como un interruptor abierto y no hay tensión en la resistencia de carga.

7V V p ( out ) =13 .27 V Vdc = Vdc = π π 28 .Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 28 1 Ciclos f = ( H Z )( ) T seg Vp VRMS = 2 El valor del voltaje medio.4V La tensión continua en la carga es: Vp 13 .4V Vdc = 4.7V p ( in ) V p ( out ) =14 .1V La tensión pico en la carga es V p ( out ) =V −0. es el valor de una tensión continua que produce el mismo efecto calorífico que una Vp Vm = π Ip Im = π Ejercicio de ejemplo: Se tiene una fuente alterna de 10 V (RMS) y 60 10 VHz RM S Res istencia de carga Lo primero que hay que hacer es calcular el valor pico de la fuente alterna V p =VRMS × 2 V p =10 V × 2 V p =14 .1V −0.

para mejorar esta señal y dejarla lo más cercano a una señal continua pura. Como Diodo 3 Diodo 2 resultado. como son: • Filtros capacitivos (condensadores) 29 . Existen diferentes tipos de filtros. como lo visto en la grafica. Los diodos d1 y d3 10 V RM S conducen en la mitad positiva del ciclo. la corriente circula por la carga durante ambas mitades del ciclo. por lo tanto el valor del voltaje rectificado es (VD): El valor de la corriente media en rectificador de onda completa es: 2 ×Vp 2 × Ip Vdc = Im = π π A la salida de un rectificador se obtiene una tensión continua pulsante. se utilizan los filtros.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 29 Rectificador de onda completa: El puente rectificador Diodo 4 Diodo 1 es un tipo de rectificador de onda completa. y d2 y d4 conducen en la mitad negativa del ciclo. esta señal tiene el doble de ciclos positivos. Diodo 1 10 V RM S Diodo 3 Diodo 4 10 V RM S Diodo 2 Valor de continua o valor medio en un rectificador de onda completa.

ambos o una mezcla de ambos.capacitivos.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 30 • Filtros inductivos (bobinas) • Filtros inductivos . que a continuación daremos a conocer brevemente: 30 . Uno de los más usados es el filtro capacitivo.

El funcionamiento del condensador consiste en lo siguiente: El funcionamiento del condensador consiste en lo siguiente: Este se carga a través de la tensión continua pulsante que entrega el rectificador. Este tipo de filtros es muy usado en fuentes de alimentación y alternadores. el condensador solo descarga la mitad del tiempo. como se observa en la figura. el rizado de pico a pico tiene la mitad de tamaño que tendría con un rectificador de media onda. Por lo tanto. Cuando una tensión de onda completa se aplica a un circuito RC. La siguiente figura nos muestra la forma de conectar el condensador: En los filtros de onda completa el rizado de pico a pico se corta por la mitad. una vez que el condensador almacena un valor máximo de tensión. la señal con el condensador mejora notablemente.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 31 El filtro de condensador en la entrada: Este filtro genera una tensión de salida continua igual al valor de pico de la tensión rectificada. comenzando nuevamente su carga 31 . comienza su descarga hasta que nuevamente la tensión continua pulsante alcance el valor del condensador.

por lo tanto no existe el condensador que nos permita una corriente rectificada continua perfecta El diodo además de rectificar. El diodo además puede proteger de errores de polaridad.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 32 Se puede calcular el voltaje de rizado de pico a pico de cualquier filtro con condensador I a la entrada: Vr = fC Donde: • Vr = Tensión de rizado pico a pico (V) • I = Corriente por la carga en continua (A) • f = Frecuencia de rizado (Hz) • C = Capacidad (F) Como observación si se despeja en la fórmula la capacidad del condensador para lograr un rizado igual a cero. OTROS TIPOS DE DIODOS: Diodo Zener: El diodo Zener es un tipo de diodo diseñado especialmente para conducir satisfactoriamente el flujo de corriente en sentido inverso. lo que permite al diodo Zener conducir corriente en sentido inverso sin sufrir daño. se darán cuenta que el resultado es infinito. es que se le inyectan más impurezas de lo normal durante su fabricación. como por ejemplo asegurar el paso de corriente en un solo sentido. si se usa en un circuito de diseño adecuado. La principal característica de este tipo de diodo. con lo cual se obtiene un gran número de hoyos (huecos) y electrones. 32 . se puede utilizar como elemento de protección.

• Para trabajar la corriente (I) tiene que ser mayor que la corriente (Iz) mínima. El diodo Zener: • Estabiliza la tensión. trabaja con variaciones importantes de corriente. Como por ejemplo. en un diodo Zener no puede circular corriente si el voltaje de polarización inverso es bajo 6 [V]. que para pequeños márgenes de variación de voltaje. Este tipo de diodo es utilizado en circuitos de control. para asegurar que el diodo Zener trabaje como estabilizador. El diodo Zener es un elemento estabilizador de tensión. debe cumplir las siguientes condiciones: 33 .Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 33 La única característica de operación del diodo Zener es que no conducirá la corriente en dirección inversa por debajo de cierto valor predeterminado de voltaje inverso. • Nunca debe pasar la Iz máxima. pero cuando este voltaje llega a ser 6 [V] o más. el diodo conducirá repentinamente corriente en sentido inverso.

34 . la corriente Zener máxima (Iz máx. • No debe sobrepasar por ningún caso.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 34 • Este diodo debe ser atravesado como mínimo por una corriente igual a Iz mínimo (dato entregado por el fabricante). ya que puede producir daños en el componente.).

Por lo tanto hay varios tipos básicos diferentes de LEDs. puede ser de color rojo si el tratamiento se ha llevado a cabo por medio de Galio – Arsénico. que en definitiva. También existen de color amarillo. Estos diodos funcionan por un complicado proceso físico. Estos diodos consiguen una luz bastante viva. que son conocidos universalmente con el nombre de “LED” . concluye con la particularidad que tienen determinados electrones de desprender fotones cuando vuelve a su órbita de valencia. Por otro lado.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 35 Diodo LED (Emisor de luz): Otro tipo de diodo utilizado son los diodos emisores de luz. si el material del semiconductor ha sido tratado con impurezas de Galio – Fósforo. abreviatura que corresponde a las iniciales de su nombre anglosajón (Light Emitter Diode). La energía luminosa radiada puede ser de color verde. con la muy importante particularidad de utilizar una mínima cantidad de corriente (pues solo gastan unas decenas de miliamperios por hora) por lo que resultan ideales en los circuitos de control de luces testigos. cado uno de color indicado según su construcción. Aplicaciones: • Indicador posicionado de luces (color verde) • Testigo de funcionamiento del alternador (color rojo) • Indicador de funcionamiento de las bujías incandescentes (color amarillo) • Testigo de funcionamiento de las luces altas de carretera • Instrumentos de control 35 .

36 .Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 36 • Etc.

Se trata de un diodo semiconductor.56[ kΩ] I ILED 18×10−3 Los Fotodiodos: El fotodiodo funciona de una manera inversa a lo que se ha visto en los diodos emisores de luz. se 37 . V Vf − VLED 12− 1. en el cual la corriente inversa varía con la iluminación que incide sobre su unión N – P. En ésta sección la operación del transistor es descrita por observación de las condiciones bajo las cuales el flujo de corriente NO permite el paso de corriente. TRANSISTORES: El transistor es un dispositivo eléctrico utilizado para controlar el flujo de corriente. En la sección anterior se estudiaron los conceptos fundamentales y la construcción de los diodos.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 37 Ejemplo: Determine el valor de la resistencia “R” del circuito que se muestra a continuación. Además se estudió que los diodos están formados por una unión N – P.8 R= = = = 0. Estos diodos trabajan al recibir una radiación luminosa y se deben polarizar en forma inversa. Cuando se forma una segunda sección de material TIPO P con la unión N – P. en sistemas de encendido transistorizado (reemplazando al platino). Se pueden utilizar en medir la velocidad angular de un motor.

Note que la flecha va en la dirección de la teoría convencional del flujo de corriente de positivo a negativo en el circuito externo. El emisor es la línea con la flecha. Modo de Funcionamiento: Unión Base – Unión Base – Modos de Funcionmaiento Emisor Colector Directa Directa Saturación Interruptor On Inversa Inversa Corte Interruptor Off Directa Inversa Activa 38 . pero debe cumplir con ciertos requisitos de “Dopado” y dimensiones especiales. El transistor es de estructura simple.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 38 forma un “Transistor”. la línea gruesa es la base y la línea sin flecha es el colector. el material tipo “N” en el centro es la “base” y el material tipo “P” en el lado derecho es llamado “colector”. El transistor NPN es el tipo más utilizado. Este arreglo es conocido como un transistor “PNP” También es posible formar un transistor “NPN” usando dos áreas de material “N” y una de material “P”. que hacen que el dispositivo no se comporte como dos diodos. El material “P” en el lado izquierdo es llamado “emisor”.

Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 39 • En saturación: Cuando el transistor conduce el máximo de Ic que puede tolerar. 39 . Esta disposición se utiliza cuando queremos el transistor funcionando como interruptor.

la que hace que se establezca otra mucho mayor entre el emisor y el colector (Ic) proporcional a la corriente de base. el transistor funciona como un amplificador de corriente. De esta forma tenemos una corriente en el circuito emisor – colector elevada que se puede controlar mediante otra mucho menor. • En activa: Al polarizar directamente el diodo emisor – base.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 40 • Transistor en corte: En serie con la base se conecta una resistencia de polarización Rb. Si el diodo emisor – base está polarizado en inversa no puede circular corriente alguna. circula una pequeña corriente que depende del valor de Rb. Configuraciones de un transistor Estas dependen del terminal que se elija común a la entrada y a la salida. Donde: Vi = Voltaje de entrada 40 .

Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 41

Vo = Voltaje de salida

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Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 42

Funciones principales de un transistor:
En lo que respecta al automóvil se destaca la importancia del
transistor en la utilización como Relé y amplificador.

a) Como Relé: Para que funcione de esta forma basta solo conseguir dar
órdenes a la base del transistor, a través de una débil polarización, para
conseguir el paso de una gran corriente entre emisor – colector. La gran
ventaje en este caso, con respecto a un Relé mecánico, es que el transistor
no posee contactos ni resortes o mecanismos que se deterioren con el
tiempo y la temperatura y que fácilmente pierden sus cualidades iniciales.
Basado en este principio, el transistor tiene un amplio campo de
aplicación en el automóvil y un ejemplo de ello es el sistema de encendido,
como se muestra en la figura

La corriente principal proviene de la batería, chapa de contacto y
emisor (E) del transistor. i los contactos del ruptor se encuentran abiertos,
interrumpiendo el paso de corriente de base (B), de modo que el transistor
queda bloqueado. Cuando los contactos del ruptor se unen polarizando a
masa (corriente negativa) la base (B) del transistor, entonces éste se vuelve
conductor, dando paso a la corriente de emisor (E) a colector (C), hasta el
arrollamiento primario de la bobina de encendido. Este se alimenta y
cuando se produce una nueva separación de los contactos del ruptor, el
transistor se bloquea y se induce una corriente de alta tensión en el
arrollamiento secundario (no se muestra en la figura) de la bobina de
encendido, lo que produce el salto de la chispa en la bujía.
En el caso de la figura, se observa que el transistor trabaja como
un Relé, porque una pequeña corriente de base (B) permite el paso de una
gran corriente entre emisor (E) y colector (C).

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Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 43

El transistor permanece bloqueado hasta que se polarice la base
del mismo y circule una pequeña corriente de base, la cual controla el
transistor y lo vuelve conductor “encendiendo la ampolleta”.

b) Como Amplificador: Estos se utilizan cuando se trata de recibir señales
procedentes de sensores o captadores, los cuales trabajan con señales muy
bajas. Para que estas señales puedan ser incorporadas a dispositivos
electrónicos, tales como: módulos de encendido, unidad de control
electrónica de inyección u otro microprocesador, deben amplificar las
señales.
En resumen un amplificador es un dispositivo por medio del cual
una débil corriente producida por una fuente, hace provocar una fuerte
corriente en la salida.
En la fig se muestra un ejemplo simplificado de cómo un transistor
puede realizar las funciones de un amplificador.

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788>0. entonces se le asignan nuevos o letras a los pines del TRX.172 inf + 2 0.788 _ realizadas las mediciones ( con el tester en escala de ohms).172).166 _ inf + 3 inf 0. el emisor es el pin 3. llenar los recuadros en blanco En este caso la base se encuentra en el pin 2 ( ya que es común para pin 1 y 2). considerando la siguiente relación Resistencia base emisor resistencia base colector 44 . (ya que 0.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 44 Canal N Enriquecimiento Canal P Dispositivo de Fuerza instalado Canal N (MOSFET) Transistores de Deflexión Efecto de Canal P Campo MESFET Dispositivo de TRANSISTOR Puerta de Unión JFET NPN Transistores Bipolares PNP FORMA DE PROBAR UN TRANSISTOR BIPOLAR 1º) Utilizando el libro ECG 2º) Utilizando un multitester: Por ejemplo si no se conoce nada del TRX. luego se construye una tabla de la siguiente forma. Sonda Sonda positiva _ _ _ negativa 1 2 3 + 1 _ 0.

(R). que es limitada por esta resistencia.R. La corriente controlada está encendida o apagada. las uniones externas (dos) se polarizan. estos no amplifican señales como los transistores.C. Una corriente pequeña en la compuerta polariza la unión P-N del centro permitiendo que una corriente mucho mayor fluya a través del dispositivo.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 45 TIRISTORES: Son dispositivos semiconductores que tienen tres terminales (conectores).): Éste es similar a un transistor bipolar con una cuarta capa. sin embargo la unión P-N del centro se polariza de forma inversa y la corriente no puede fluir. una corriente débil en una de sus terminales (compuerta) permite que una corriente mucho mayor fluya a través de los otros dos conductores. sino que actúan como interruptores de estado sólido. La ampolleta solo funciona cuando el interruptor se cierra y circula una pequeña corriente. Existen dos familias: a) Rectificador controlado de Silicio (S. 45 . como lo muestra el dibujo siguiente (configuración interna) Funcionamiento de un SCR: Si el ánodo se hace más positivo que el cátodo en un tiristor.

para profundizar el funcionamiento del SCR es conveniente observar su curva característica: Puede conducir de . que viene presentado por la letra A.1 [A] hasta más de 2500 [A] De acuerdo a la gráfica y observando se ve que existe una característica de bloqueo en el momento que pasa la corriente (polarización directa). con una línea ascendente. el tiristor SCR permite el paso de la corriente representado por la letra B. aquí existe un crecimiento de la tensión directa sin que el SCR permita el paso de la corriente. pero cuando este alcanza un punto determinado conocido con el nombre de tensión de operación (VBo). 46 .Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 46 La gráfica siguiente nos muestra el comportamiento de un SCR.

A continuación se muestra un diagrama en bloque de un circuito SCR: 47 . En el sentido inverso el SCR se comporta como un diodo normal. la primera con una resistencia y la segunda con una fuente variable. llamado o conocido como corriente de mantenimiento o de retención (IH). el SCR se bloquea y por consiguiente deja de conducir.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 47 Cuando la corriente directa desciende su valor bajo el punto C. La forma más efectiva para apagar un SCR es reducir la corriente de ánodo bajo el valor de (IH) o bajar el voltaje bajo el valor (VX).

Para la región negativa de la señal de entrada el SCR se apagará. nos indica que a menos de este valor el SCR no puede cerrarse y la única forma de hacerlo sería aplicando un pulso a la compuerta. electromagnético. el interruptor se puede cerrar en cualquier desplazamiento de fase durante la parte positiva de la señal de entrada. El resultado es una señal rectificada de media onda a través de la carga.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 48 Valores típicos: 2N4441 Posee una corriente de mantenimiento : 6 mA Una corriente de disparo de : 10 mA Una tensión de bloqueo directa de : 50 V Una tensión de disparo típica de : 0. • Interruptores estáticos. Se incluye al diodo D1 para prevenir una inversión en la corriente de compuerta. si disminuye a menos de 6 mA el SCR se convertirá en un circuito abierto. Cuando el SCR se enciende. Si se desea conducción a menos de 180º.75 V. El interruptor puede ser electrónico. dependiendo de la aplicación. En la figura se muestra un interruptor estático es serie de medida de media onda. • Circuitos de protección. • Inversores. debido a que el ánodo es negativo respecto al cátodo. • Controles de fase. Si el interruptor está cerrado. • Cargadores de baterías. • Controles de calefacctión. como se presenta en la figura (b). dando como resultado una corriente de compuerta muy reducida y muy poca pérdida en el circuito de compuerta. Con respecto a la corriente de mantenimiento. • Controles de motores. • Fuentes de alimentación reguladas.75 V Estos valores indican que la fuente que alimenta al SCR tiene que ser capaz de suministrar al menos 10 mA a 0. para que el SCR se mantenga cerrado. La tensión de bloqueo de 50 V. 48 . • Cicloconversores. Aplicaciones del SCR : Tiene variedad de aplicaciones entre ellas están las siguientes: • Controles de relevador. • Circuitos de retardo de tiempo. el voltaje ánodo a cátodo (VF) caerá al valor de conducción. Las formas de onda para la corriente y voltaje de carga resultantes se muestran en la figura séte (b). encendiendo al SCR. La resistencia R1 limita la magnitud de la corriente de compuerta. la corriente de compuerta fluirá durante la parte positiva de la señal de entrada. • Recortadores.

Es un método efectivo para controlar la corriente rms y. como se muestra en la figura sgte (b). la potencia se dirige hacia la carga. el SCR se disparará de inmediato y resultará la misma acción que la obtenida del circuito de la figura anterior (b). El circuito es similar al de la figura anterior (a). la corriente de compuerta se incrementará a partir del mismo voltaje de entrada. A esta operación se le menciona normalmente en términos técnicos como control de fase de media onda por resistencia variable.Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 49 a) b) En la figura anterior (a) se muestra un circuito capaz de establecer un ángulo de conducción entre 90º y 180º. Si R1 está en su valor máximo. Si R1es bajo. De esta forma se puede establecer la corriente de compuerta requerida para el encendido en cualquier punto entre 0º y 90º. por tanto. debido a que la entrada está a su valor máximo en este punto. la corriente de compuerta nunca llegará a alcanzar la magnitud de encendido. Si falla para disparar a éste y a menores valores del voltaje de entrada en la pendiente positiva de la entrada. La combinación de las resistencias R y R1 limitará la corriente de compuerta durante la parte positiva de la señal de entrada. Conforme R1 disminuye desde el máximo. el control no puede extenderse más allá de un desplazamiento de fase de 90º. se debe esperar la misma respuesta para la parte de pendiente negativa de la forma de onda de la señal. a) b) 49 . con excepción de la resistencia variable y la eliminación del interruptor.

Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 50 50 .

Electrónica Aplicada Unidad I Componentes Electrónicos 51 b) TRIAC ( triode alternating current): Este dispositivo es equivalente a dos SCR conectados en paralelo en oposición como lo muestran las siguientes figuras: Símbolo: Estos dispositivos trabajan de forma bilateral tanto en el semiciclo positivo como en el semiciclo negativo y pueden controlar tanto motores como otros dispositivos eléctricos. 51 .

o Divisor de frecuencia. como el motorota MC1455. que es muy popular. es tan versátil que se puede utilizar para modular una señal en frecuencia modulada (F. fue para los experimentados y aficionados un dispositivo barato con el cual podían hacer muchos proyectos. Pero la versión original sigue produciéndose con mejoras y algunas variaciones a sus circuitos internos (claro está para hacerlo mejor). que en esos momentos era el único integrado de su tipo disponible. puede funcionar como oscilador. Electrónica Aplicada Unidad II Fundamentos de Electrónica Integrada 52 UNIDAD II FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA INTEGRADA INTRODUCCIÓN Y CARACTERÍSTICAS DEL TIMER 555 El temporizador 555 fue introducido al mercado en el año 1971. Este C. (hace más de 30 años.).M.I. En estos días se fabrica una versión CMOS del 555 original.4 Meg 6.2 Meg 10 Meg Rb Valor mínimo de Ra 5k 5k 5k 52 . • Modos de funcionamiento: o Monoestable. Este C.3 V 6. o Astable. o Modulador de frecuencia.). además. o Oscilador.0 V Nominal (medio) Error de frecuencia Temperatura ~5% ~5% ~5% (Astable) 25 ºC Error de temporización ~1% ~1% ~1% Temperatura (Monoestable) 25 ºC Máximo valor de Ra + 3. o Generador de señales triangulares.6 V 10.. • Aplicaciones: o Temporizador. por la empresa Signetics Corporation con el nombre: SE555 / NE555 y fue llamado “The IC Time Machine” (el circuito integrado máquina del tiempo). El dispositivo 555 es un circuito integrado muy estable cuya función primordial es la de producir pulsos de temporización con una gran precisión y que. Sus características más destacables son: • Temporización desde microsegundos hasta horas. Pasemos ahora a mostrar las especificaciones generales del 555 (Vc = disparo): Especificaciones generales del 555 Vcc 5 – Volt 10 – 15 – Notas Volt Volt Frecuencia máxima 500 kHz a Varía con el (Astable) 2 MHz Mfg y el diseño Nivel de tensión Vc 3.I.

Esta salida se puede obligar a estar en casi 0 [V] con la ayuda del pin 4 (reset). 2 [V]).4 / < 0.3 Corriente de salida (pin ~200 ma ~200 ~200 3) ma ma A continuación podemos ver la configuración de pines o patillas. la salida se quedará en alto hasta que la entrada de disparo pase a alto otra vez. PIN Descripción y conexión de los pines del Timer 555: 1 Tierra o masa 2 Disparo: Es en este pin. Si por algún motivo este pin no se utiliza hay que conectarlo a Vcc para evitar que el 555 se resetee. Cuando se utiliza en la configuración astable.3 0. 5 Control de Voltaje: Cuando el temporizador se utiliza en el modo de controlador de voltaje. donde se establece el inicio del tiempo de retardo. ya sea que este conectado como monostable. pone el pin de salida 3 a nivel bajo. Este pulso debe ser de corta duración.I. (en la práctica Vcc menos 1 [V]) hasta casi 0 [V] (app.4 / < 0. Si este pin no 53 .I. Se puede ver en la figura.7 [V] hasta Vcc. si el 555 esta configurado como monostable.4 / < 0. con dos temporizadores tipo 555 en una sola unidad de 14 pines y el 558 es un C. 4 Reset: Si se pone a un nivel por debajo de 0. el voltaje es este pin puede variar casi desde Vcc. El 556 es un C. Este proceso de disparo ocurre cuando este pin va por debajo de 1/3 del voltaje de alimentación. o astable u otro.7 [V].3 0. el voltaje puede variar desde 1. con 4 temporizadores tipo 555 en una sola unidad de 14 pines. El voltaje aplicado a este pin puede variar entre un 45 y un 90% de Vcc en la configuración monostable. pues si se mantiene bajo por mucho tiempo. el voltaje será el voltaje de aplicación (Vcc) menos 1. 3 Salida: Aquí veremos el resultado de la operación del temporizador. que independientemente del encapsulado la numeración de los pines es la misma (en sentido antihorario).7 [V].Electrónica Aplicada Unidad II Fundamentos de Electrónica Integrada 53 Valor mínimo de Rb 3k 3k 3k Reset VH / VL (pin 4) 0. Cuando la salida es alta.

A continuación se mostrarán los modos de funcionamiento que posee este circuito integrado. 7 Descarga: Utilizado para descargar con efectividad el condensador externo utilizado por el temporizador para su funcionamiento. es el pin donde se conecta el voltaje de alimentación que va desde 4. al igual que a las entradas y salidas de cada montaje. Hay versiones militares de este integrado que llegan a 18 [V].5 [V] hasta 16 [V] (máximo). 6 Umbral: Es una entrada a un comparador interno que tiene el 555 y se utiliza para poner la salida del (pin 3) a nivel bajo.Electrónica Aplicada Unidad II Fundamentos de Electrónica Integrada 54 se utiliza se recomienda instalar un condensador de 0. 8 V+ : También llamado Vcc. En los esquemas se hace referencia al patillaje del elemento. 54 .01 µF para evitar las interferencias.

65 [ms] Es recomendable. la salida se mantiene a nivel alto (Vcc) hasta transcurrido el tiempo determinado por la ecuación: T = 1. NOTA: en el modo monoestable. el disparo debería ser puesto nuevamente a nivel alto antes que termine la temporización.068 [μF]. para no tener problemas de sincronización que el flanco de bajada de la señal de disparo sea de una pendiente elevada. El esquema de conexión es el mostrado en la figura sgte Cuando la señal de disparo está a nivel alto (Ej. T = 1. que es el estado de reposo. Determinar el tiempo de ancho de pulso. Una vez se produce el flanco descendente de la señal de disparo y se pasa por el valor de disparo. 55 . sea de nivel bajo y de muy corta duración en el pin 2 del C. que emite el timer 555.Electrónica Aplicada Unidad II Fundamentos de Electrónica Integrada 55 FUNCIONAMIENTO MONOSTABLE DEL TIMER 555 En este caso el circuito entrega a su salida un pulso de un ancho establecido por el diseñador (tiempo de duración).1 * Ra * C (en segundos) Donde: T = tiempo en [ms] Ra = Resistencia [kΩ] C = Capacidad del condensador [μF] Por ejemplo: En un circuito en condición monostable. se tiene una resistencia de 22 [kΩ] y la capacidad del condensador es de 0. pasando lo más rápidamente posible a un nivel bajo (idealmente 0 [V]). para iniciar la señal de salida.I. Observe que es necesario que la señal de disparo.068 [μF]) = 1.1 * (22 [kΩ]) * (0. 5 [V] con Vcc 5 [V]) la salida se mantiene a nivel bajo (0 [V]).

• El condensador esta conectado al pin 6 (umbral) y cuando este alcanza un valor de 2/3 Vcc.Electrónica Aplicada Unidad II Fundamentos de Electrónica Integrada 56 OPERACION DEL TIMER 555 COMO MONOESTABLE Funcionamiento: • Cuando la señal que pasa por trigger baja de 1/3 Vcc. La figura siguiente muestra el esquema y comportamiento gráfico del timer 555 en función Astable o Biestable. se descarga el condensador y la salida del timer es cero. Salida alta.1×R×C FUNCIONAMIENTO ASTABLE DEL TIMER 555 Este tipo de funcionamiento se caracteriza por una salida con forma de onda cuadrada (o rectangular) continua de ancho predefinido por el diseñador del circuito. internamente se activa el comparador B. • El tiempo en que la salida es alta depende del tiempo de carga del condensador. T = 1. La señal de salida tiene un nivel alto por un tiempo T1 y en un nivel bajo un tiempo T2. Los tiempos de duración dependen de los valores de Ra y Rb. 56 . el condensador comienza su proceso de carga puesto que el transistor interno esta con su base desenergizada.

57 .Electrónica Aplicada Unidad II Fundamentos de Electrónica Integrada 57 En este modo se genera una señal cuadrada oscilante de frecuencia: f = 1/T = 1. • El ejemplo de un 555 como astable es el funcionamiento de un reloj. Operación del timer 555 como astable (biestable): • Posee 2 estados de estabilidad.693*Rb*C La salida es una onda rectangular.44 / [C*(Ra+2*Rb)] La señal cuadrada tendrá como valor alto Vcc (aproximadamente) y como valor bajo 0 [V]. como la constante de tiempo de carga es mayor que la de descarga.693*(Ra+Rb)*C • Salida a nivel bajo: T2 = 0. la salida no es simétrica. Si se desea ajustar el tiempo que está a nivel alto y bajo se deben aplicar las fórmulas: • Salida a nivel alto: T1 = 0. • El objetivo es determinar los tiempos de cada estado de estabilidad en función de la carga y descarga de un condensador.

la base del transistor interno se energiza y el condensador se descarga a través de RB por el pin 7. • La conexión de trigger y umbral están unidas y dependen solo del voltaje y del condensador. 58 . • Cuando el condensador se esta cargando y llega a un voltaje 2/3 Vcc. • En este caso la salida del integrado es Vcc.Electrónica Aplicada Unidad II Fundamentos de Electrónica Integrada 58 • El funcionamiento interno del integrado sigue siendo el mismo. lo que cambia son las conexiones externas. • Una vez que el voltaje del condensador llegue a 1/3 Vcc. se activa el comparador A pues la señal de trigger baja de 1/3 Vcc. la salida del integrado se hace cero. La base del transistor se desenergiza por lo que el condensador ahora comienza a cargarse pero a través de las resistencias RA y RB.

el cual puede variar entre unos minutos y varios días. se debe tener en cuenta la capacidad de éste. cada medio ciclo (semiciclo). Los condensadores que poseen un valor capacitivo elevado. se almacena en el campo eléctrico que establecen las placas cargadas opuestamente. existe el riesgo de que estalle. pueden ser consideradas en forma equivalente al electroestático de barras imantadas. esta energía es almacenada dentro del condensador. La carga. apuntando en la misma dirección de éste. materiales plásticos. Después de haber desconectado la fuente de alimentación del condensador. 59 . Dicho diferencial. Si el voltaje aplicado es de corriente continua DC. son: aire. tiene deficiencia de electrones. Si el voltaje aplicado es de corriente alterna AC. el condensador se carga con el valor del voltaje aplicado. la propiedad de almacenar carga eléctrica se conoce como capacidad “C”. el condensador sigue esencialmente los cambios de polaridad del voltaje aplicado. Cuando el condensador esta descargado. La permanencia de la diferencial de potencial depende de la resistencia de fuga del dieléctrico. con ello se establece efectivamente el flujo de corriente alterna. la placa que esta conectada al polo positivo de la fuente. mientras que la placa que esta conectada al polo negativo. alineándose con el campo eléctrico. En el caso de condensadores. las moléculas dieléctricas. Función y Clasificación: Los condensadores son dispositivos que tienen la propiedad de almacenar energía eléctrica. ya que si funciona fuera de su régimen. Cuando se aplica un voltaje a través de las placas del condensador. normalmente utilizados. las moléculas del dieléctrico permanecen en un estado tensión y. Para el almacenamiento de la carga. los polos de las moléculas se anulan unos con otros. en el caso de reemplazar un condensador. no existe un flujo de corriente a través del dieléctrico. entre las placas del condensador. debido a la posibilidad de generación de gas en su interior. la fuerza eléctrica actúa sobre las moléculas. deben ser descargados al momento de manipular. de manera tal que no existe energía almacenada. en el condensador. puede medirse una diferencia de potencial entre los terminales de éste. En este instante. Además. pasando a través de la fuente de voltaje. se mantiene constante por un determinado período de tiempo. Los materiales dieléctricos. pero teniendo polos eléctricos positivo y negativo. que separa las placas del condensador. En términos ideales. se encuentra con un exceso de éstos. las cuales están separadas entre si por un material dieléctrico (aislante). cargándose y descargándose alternativamente en direcciones opuestas.Electrónica Aplicada Unidad II Fundamentos de Electrónica Integrada 59 CONDENSADORES Un condensador está constituido por dos o más placas. La unidad que permite cuantificar la capacidad de un condensador es el Faradio (F). Cuando se desconecta la fuente. mica y materiales cerámicos. Cuando se aplica un voltaje estable. es retenida en el material dieléctrico. La energía eléctrica almacenada por el condensador. papel encerado. siendo de vital importancia en los circuitos electrónicos. la corriente fluye de una placa hacia la otra. de otro modo el usuario se expone a sufrir una descarga eléctrica.

se utilizan submúltiplos.000001 1 ηF = 10 -9 F = 0. en la práctica. 1 μF = 10 -6 F = 0.000000000001 60 . nanofaradio [ηF] y picofaradio [ρF]. tales como: microfaradio [μF].000000001 1 ρF = 10 -12 F = 0.Electrónica Aplicada Unidad II Fundamentos de Electrónica Integrada 60 El Faradio es una unidad de capacidad muy grande y.

En t2 se cambia al conectar a la posición “b” 61 . Al conectar el circuito la corriente es máxima y posteriormente decrece 5. por el contrario. si la impresión comprende números decimales (0. Se tiene un circuito con un conmutador que varia su posición de a – b 2. Cuando la impresión es un número entero del 1 al 1000. la unidad de medida es el “ρF”. se mide en Faradio (F) Q = Carga almacenada.Electrónica Aplicada Unidad II Fundamentos de Electrónica Integrada 61 Matemáticamente. la capacidad del condensador viene impresa en faradio. Se asume un condensador totalmente descargado 3. Cuando el voltaje del condensador se iguala al voltaje de la fuente.047). los valores de la capacidad de un condensador vienen impresos en el propio componente.001 – 0. Carga y descarga de condensadores: 1. la unidad de medida es el “μF”. el voltaje en la resistencia se hace cero 7. El voltaje en el condensador comienza desde cero hasta que iguala el voltaje de la fuente 6. la capacidad de un condensador. esta dada por la siguiente expresión: C=Q/V Donde : C = Capacidad. se mide en Coloumb (Q) V = Diferencia de potencial. En el caso de condensadores electrolíticos. t1 = Tiempo inicial en que el switch se conecta al punto “a” 4. se mide en Volt (V) Normalmente.

es porque el condensador ya se cargo) • Se puede colocar un voltímetro en paralelo con la resistencia y observar cuando el voltaje llegue a cero. tiempo que demora el condensador en cargarse a un 63% de su valor máximo. se mide en segundos. 62 . (según el grafico cuando la corriente deja de circular.Electrónica Aplicada Unidad II Fundamentos de Electrónica Integrada 62 Tiempo de carga y descarga de un condensador: T = 4. Ejemplo: ¿Cuánto demora un condensador de100 µF en cargarse y que esta conectado a una resistencia de 10 KΩ? Se puede observar prácticamente de dos formas: • Colocar un amperímetro en serie y observar el momento donde la corriente deja de circular.6 × δ δ=R×C δ = Constante de tiempo.

63 . Conclusión: Podemos controlar el tiempo de carga y descarga de un condensador controlando el valor de resistencia y capacidad del condensador.Electrónica Aplicada Unidad II Fundamentos de Electrónica Integrada 63 • Al hacerlo de esa forma se observara que jamás llegara a cero. • Es recomendable hacerlo con un amperímetro y mas aun con un amperímetro análogo. pues siempre habrá una pequeña corriente de fuga que pasa por el voltímetro.

Lógica TTL Schohky avanzada baja potencia 74AL504 Las características de tensión en todas las subfamilias TTL son las mismas (Vcc + 5 [V]). el dispositivo asume un nivel alto designado con un 1. Lógica TTL baja potencia 74L04 . Estos circuitos han ido evolucionando. dos tecnologías ampliamente utilizadas:  TTL: Corresponde a la familia 7400. conduciendo a nuevas subfamilias las cuales están disponibles en la National Semiconductor. Enrique Pulgar Orellana 64 Ingenieros (E) Mec.  Circuitos integrados CMOS (Metal Óxido complementario): Fue introducido por la RCA en el año 1968. cambian sus características de velocidad y de potencia. Electrónica aplicada UNIDAD III FUNDAMENTOS DE LA ELECTRÓNICA DIGITAL Existen dos familias que trabajan dentro de los circuitos integrados. fue introducida por la Texas Instruments en el año 1964. sin embargo. Lógica TTL Schohky avanzada 74A504 . alta inmunidad al ruido y pueden funcionar con una fuente económica no regulada. Lógica TTL standard 7404 . que incluyen la antigua serie o familia 4000. Héctor Alejandro Del Pino Muñoz. a continuación se muestra una figura de ejemplo: Una característica importante de las entradas TTL es que si no se conectan (flotante). su popularidad deriva a que tienen un extremado bajo consumo de potencia. la familia 74C00 y la familia 74HC00. Los fabricantes producen 3 familias de circuitos integrados CMOS. Lógica TTL Schohky 74504 . Automotriz . . Lógica TTL Schohky baja potencia 74L504 . Las marcas en los circuitos integrados TTL varían según el fabricante.

2) Desconectar la alimentación cuando se vayan a quitar los CI o se cambien las conexiones en un circuito impreso. Enrique Pulgar Orellana 65 Ingenieros (E) Mec. Automotriz . plástico Función del dispositivo Código del Fabricante para CMOS digital Los fabricantes sugieren que al trabajar con dispositivos CMOS. No importa lo complicado que sean los circuitos integrados digitales todos ellos están hechos a partir de bloques de construcción sencillos. Todos los sistemas digitales se construyen a partir de tres compuertas lógicas básicas. Las compuertas lógicas operan con números binarios. La compuerta AND 2. Un alto volt significara un 1 binario y un bajo volt significara un 0 binario. llamados compuertas. Electrónica aplicada A continuación se muestra un ejemplo para un código usado para un CMOS: CD 4028 B E Código del fabricante Disp. 3) Asegurar que las señales de entrada no excedan la tensiones de la fuente de alimentación. La compuerta NOT Héctor Alejandro Del Pino Muñoz. La compuerta OR 3. se consideren los siguientes datos. que son: 1. Todos los volts usados en las compuertas serán altos o bajos. se debe seguir el siguiente procedimiento: 1) Almacenar los circuitos integrados CMOS en espumas conductoras especiales. para evitar daños provenientes de descargas estáticas y tensiones transitorias. 4) Desconectar las señales de entrada antes de desconectar la alimentación del circuito 5) Conectar todas las entradas no utilizadas al polo positivo o tierra de la fuente de alimentación 6) No manipular el dispositivo. sólo usando los elementos correspondientes (guantes) Circuitos integrados digital (compuertas lógicas) La compuerta lógica es un elemento básico en los sistemas digitales.

Electrónica aplicada Héctor Alejandro Del Pino Muñoz. Enrique Pulgar Orellana 66 Ingenieros (E) Mec. Automotriz .

en los esquemas se muestran su símbolo y el circuito NOT usando conmutadores: Símbolo Circuito Análogo Tabla de Verdad Héctor Alejandro Del Pino Muñoz. es la siguiente: S = A∗ B b) Compuerta OR: La compuerta OR llamada “Cualquiera a todo” en los esquemas se muestran su símbolo y el circuito OR usando conmutadores: Símbolo Circuito Análogo Tabla de Verdad La expresión Booleana que define una compuerta o condición lógica OR. es la siguiente: S = A+ B c) Compuerta NOT: La compuerta NOT se conoce también como un inversor. Electrónica aplicada a) Compuerta AND: La compuerta AND llamada “Todo o nada” en los esquemas se muestran su símbolo y el circuito AND usando conmutadores: Símbolo Circuito Análogo Tabla de Verdad La expresión Booleana que define una compuerta o condición AND. Enrique Pulgar Orellana 67 Ingenieros (E) Mec. La compuerta NOT tiene solamente una entrada y una salida. Automotriz .

Electrónica aplicada La expresión Booleana que define una compuerta o condición lógica NOT es la siguiente: A=A Las leyes que condicionan una compuerta lógica NOT son las que se definen: 0 =1 Si A = 1. entonces A = 1 Combinaciones de compuertas: Circuito Integral Digital Expresión Booleana Tabla de Verdad Circuito Integral Digital Expresión Booleana Tabla de Verdad Héctor Alejandro Del Pino Muñoz. entonces A = 0 Si A = 0. Automotriz . Enrique Pulgar Orellana 68 Ingenieros (E) Mec.

Automotriz . Electrónica aplicada Héctor Alejandro Del Pino Muñoz. Enrique Pulgar Orellana 69 Ingenieros (E) Mec.

como se ve en el esquema: Combinación Circuito Análogo Símbolo Tabla de Verdad Expresión Booleana Héctor Alejandro Del Pino Muñoz. Automotriz . Electrónica aplicada Dada las siguientes expresiones Booleanas: • S = ABC + ABC + AB C • S = A BC + AB C + AB C • S = A BC + AB + ABC + AB C Realizar: • Los circuitos lógicos combinacionales • La tabla de verdad Otras compuertas lógicas: Se pueden hacer otras cuatro compuertas lógicas a partir de las fundamentales y son: a) Compuerta NAND b) Compuerta NOR c) Compuerta OR EXCLUSIVA d) Compuerta NOR EXCLUSIVA a) Compuerta NAND: Esta se puede alterar a través de una compuerta AND y una compuerta NOT. Enrique Pulgar Orellana 70 Ingenieros (E) Mec.

Automotriz . como se ve en la siguiente figura: Combinación Circuito Análogo Símbolo Tabla de Verdad Expresión Booleana Héctor Alejandro Del Pino Muñoz. Enrique Pulgar Orellana 71 Ingenieros (E) Mec. Electrónica aplicada b) Compuerta NOR: Dicha compuerta se obtiene a través de una compuerta OR y una compuerta NOT.

Enrique Pulgar Orellana 72 Ingenieros (E) Mec. Automotriz . La siguiente figura muestra el circuito lógico que realiza la función X OR: Combinación Símbolo Tabla de Verdad Expresión Booleana Héctor Alejandro Del Pino Muñoz. Electrónica aplicada d) Compuerta OR exclusiva: La compuerta OR exclusiva se conoce como la compuerta “alguno para no todos”. el termino OR exclusivo se abrevia X OR.

Electrónica aplicada d) Compuerta NOR Exclusiva: También se llama X NOR la compuerta NOR produce la expresión A ⊕ B . un aumento de ellas (N° de entradas) implica un mayor poder de toma de decisiones. Enrique Pulgar Orellana 73 Ingenieros (E) Mec. se forma la expresión Booleana: Combinación Símbolo Tabla de Verdad Expresión Booleana Las compuertas que se han nombrado se denominan circuitos lógicos ya que toman decisiones lógicas. Circuitos lógicos combinacionales: Estos responden a los datos que entran y pueden ser (0 ó 1) Héctor Alejandro Del Pino Muñoz. las compuertas tienen con frecuencia mas de dos entradas. Al invertir esta. Automotriz . Las compuertas se utilizan individualmente o conectadas para formar una red.

Esquema del principio de mando de una unidad electrónica de control: Todo aquello que deba controlarse en cuyo funcionamiento pueden producirse alternativas puede ser regulado con gran facilidad por una unidad electrónica de control. Héctor Alejandro Del Pino Muñoz. Enrique Pulgar Orellana 74 Ingenieros (E) Mec. Electrónica aplicada SISTEMAS LÓGICOS SECUENCIALES Un ejemplo de este sistema se muestra a través del siguiente diagrama en bloques: a) Unidades Electrónicas de Control. la decisión más conveniente. Dentro del campo de la electrónica existen los dispositivos para lograr estos fines sin mayores problemas. Estos elementos reciben información de sensores y luego pueden calcular y elegir en el mínimo de tiempo. Automotriz . Estas tienen la función de ser “el cerebro”. para comandar los diferentes elementos en el automóvil. El procedimiento externo se muestra a continuación: Con el tiempo se pretende llegar a construir un automóvil capaz de conseguir una centralización total de las órdenes cursadas al automóvil.

por lo tanto la mezcla que manda es muy rica y el motor se ahoga ( tira humo negro) . entonces debe medir 5v -5. la respuesta no es simple.8 v . medicion de resistencia en la bobina = 1. el motor no parte). trabaja con otro voltaje ( 1 inyector) Entrada de combustible aprox a 45 psi Resistencia de inyector aprox 15 ohms. el computador manda un mayor ancho de pulso. .29 vca . Héctor Alejandro Del Pino Muñoz. entrega un VCA. con contacto.6 ohms. Medicion de voltaje en sensor de temperatura (NTC) . Sensor CKP ( si no entrega señal. llamado ECT) .4v ( 0. En simulación: el motor parte cada vez mejor en la medida que se varia la resistencia y por ende la temperatura del motor. los tienen separado. Sensor tº ntc. R aprox 3000 ohms a 20ºC y si la tº varia a 90ºC  resistencia = 250 ohms . Motor frio 4. ( mide tº del agua del motor. En frio = 3 Volts ( al hacer funcionar y dejar un rato .8 volts) . caso de multipunto puede ser de 13.7 ohms Si al medir el inyector . Motor a 20ºC  12 v El ventilador funciona aproximadamente en los 98. Electrónica aplicada La pregunta o inquietud que resalta es ¿Cómo una máquina con dispositivos electrónicos puede tomar decisiones?.87 ºC 2. es un sensor inductivo. en el segundo caso. trabaja con 12 volts Monopunto.0. Enrique Pulgar Orellana 75 Ingenieros (E) Mec. medicion en sensor TPS (v) motor detenido.28( aleta cerrada) – 0.45(aleta abierta)) = voltaje en Valenti ( ohms) 4.8v.2 o 1. su rango de medicion aprox 0. o sea el IAT en la tapa filtro de aire y el MAF adosado a la garganta. Temperatura alta  resistencia baja . por ejemplo marca 5 v y deberia marcar 9 0 10 volts. sin embargo se puede hacer una analogía con el pensamiento humano: APUNTES VARIOS ( PRACTICOS) 1. Si la resitencia delsensor de tº es muy alta. Inyectores Multipunto. Automotriz . entonces el inyector debe tener baja resistencia o sea esta defectuoso Nota: Un motor puede tener el IAT y el MAP juntos o no. baja a 2. 3.

ancho de pulso) / (V. otros 2 son del sensor 3 cables 1 tierra comun 2 cables entrada y salida del sensor 1 cable señal sensor y masa El voltaje en el sensor de Oxigeno. Enrique Pulgar Orellana 76 Ingenieros (E) Mec. Automotriz . oscila entre 1000 mv y 0 mv 1000 mv ( mezcla rica) 500 mv ( si se mantiene a este rango. Electrónica aplicada MAF: puede tener un hilo de alambre caliente.onda completa) Ancho de pulso Ejs Inyector 100 v Inyector cerradao 12 v Inyector abierto 0v OBD1: monitoreo sensores OBD2 : mem ram o cam ( encienden las luces de fallas) Héctor Alejandro Del Pino Muñoz. Sistema DIS entrega dos chispas Sistema tandem= 2 inyectores al mismo tiempo Sistema mixto = 4 inyectores al mismo tiempo 5. Sonda de oxigeno: Motor en circuito cerrado = significa que el sensor de oxigeno esta trabajando bien Tipos: 4 cables  dos son para alimentación a calefactor ( 12 volts). mide la cantidad de aire que entra al motor (actua por enfriamiento) tº =70 ºC En los motores bencineros. el sensor esta defectuoso) 0 mv ( mezcla pobre) (La señal que entrega el sensor de oxigeno oscila entre 0 y 1 volt) tiene un rango de 2000 mv Si se comprueba que la mezcla es pobre entonces la manguera del MAP puede estar rota MAP: señal del sensor de presion absolutadel multiple de admisión ECU: unidad de control electronica o ECM Factor de trabajo = (V. el inyector se mantiene un tiempo accionado.

Electrónica aplicada IAC = valvula de control de aire en valenti ( se mide con motor RUN) . Automotriz . Enrique Pulgar Orellana 77 Ingenieros (E) Mec. IAT : sensor de tº termocupla MAP : sensor de presion TPS : sensor de posición de la mariposa CKP : sensor de posición del cigüeñal ECT: tº refrigerante del motor ) sensor tº motor CANISTER: Acumula gases del estanque y luego los aprovecha el motor Claves de falla tipicas: DTC = codigo falla almacenada. solo entrega aire para el Valenti. FSS1= sensor de oxigeno En análisis. siempre medir tensión de positivo a tierra de batería Héctor Alejandro Del Pino Muñoz. o sea No entra aire por la toma principal.