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TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR - I
Prof. Corradi – Eletrônica Básica - Informação elementar e exercícios resolvidos.

O transistor de junção bipolar é um dispositivo semicondutor de três terminais, formado por três camadas consistindo de: duas camadas de material tipo "n" e uma de tipo "p" ou de duas de material tipo "p" e uma de tipo "n". O primeiro é chamado de transistor npn enquanto que o segundo é chamado de transistor pnp. Através de uma polarização de tensão adequada consegue-se estabelecer um fluxo de corrente, permitindo que o transistor seja utilizado em inúmeras aplicações como: chaves comutadoras eletrônicas, amplificadores de tensão e de potência, osciladores, etc. O termo bipolar refere-se ao fato dos portadores lacunas e elétrons participarem do processo do fluxo de corrente. Se for utilizado apenas um portador, elétron ou lacuna, o transistor é denominado unipolar (FET).

ESTRUTURA BÁSICA:
As figuras abaixo ilustram a estrutura básica de um transistor, representando um circuito T equivalente com diodos, ligados de tal forma a permitir a identificação da polarização das junções, as quais são: base-emissor e base-coletor (B-E e B-C respectivamente).

Observa-se que no transistor pnp a junção dos dois catodos do diodo forma a base, que é negativa, sendo o emissor e o coletor positivos, enquanto que no transistor npn a junção dos dois anodos forma a base que é positiva, sendo o emissor e o coletor negativos. A simbologia utilizada para os transistores de junção é mostrada logo abaixo dos circuitos equivalentes "T" com diodos.

POLARIZAÇÃO:
Para que um transistor funcione é necessário polarizar corretamente as suas junções, da seguinte forma:
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1 - Junção base-emissor: deve ser polarizada diretamente 2 - Junção base-coletor: deve ser polarizada reversamente Esse tipo de polarização deve ser utilizado para qualquer transistor de junção bipolar, seja ele npn ou pnp. As figuras abaixo ilustram exemplos de polarização para os dois tipos de transistores: Transistor npn com polarização direta entre base e emissor e polarização reversa entre coletor e base.

Transistor pnp com polarização direta entre base e emissor e polarização reversa entre coletor e base

Observe atentamente nas figuras acima a polaridade das baterias.

OPERAÇÃO BÁSICA:
1 - Junção diretamente polarizada:
A figura abaixo mostra o desenho de um transistor pnp com a polarização direta entre base e coletor. Para estudar o comportamento da junção diretamente polarizada, foi retirada a bateria de polarização reversa entre base e coletor.

Observa-se então uma semelhança entre a polarização direta de um diodo com a polarização direta entre base e emissor, onde aparece uma região de depleção estreita.
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Neste caso haverá um fluxo relativamente intenso de portadores majoritários do material p para o material n.

2 - Junção reversamente polarizada:
Passemos a analisar o comportamento da junção reversamente polarizada, conforme mostra a figura abaixo. Neste caso, foi removida a bateria de polarização direta entre emissor e base.

Observa-se agora, em virtude da polarização reversa um aumento da região de depleção semelhante ao que acontece com os diodos de junção, isto é ocorre um fluxo de portadores minoritários (corrente de fuga nos diodos), fluxo este que depende também da temperatura. Podemos então dizer que uma junção p-n deve ser diretamente polarizada (base-emissor) enquanto que a outra junção p-n deve ser reversamente polarizada (base-coletor).

FLUXO DE CORRENTE:
Quando um transistor é polarizado corretamente, haverá um fluxo de corrente, através das junções e que se difundirá pelas camadas formadas pelos cristais p ou n. Essas camadas não têm a mesma espessura e dopagem, de tal forma que: 1. A base é a camada mais fina e menos dopada; 2. O emissor é a camada mais dopada; 3. O coletor é uma camada mais dopada do que a base e menos dopada do que o emissor.

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TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR . A exemplo dos diodos reversamente polarizados.junior. Da mesma forma. denominados também de corrente de fuga e são difundidos com relativa facilidade até ao material do tipo p (coletor).I 4 . Podemos então dizer que o emissor (E) é o responsável pela emissão dos portadores majoritários. Os portadores minoritários são gerados no material tipo n (base). a corrente de base é significativamente maior. UNIP – Eletrônica para Engenheiros .nom. isto para transistores de baixa potência. Lembre-se de que os portadores minoritários em um cristal do tipo n são as lacunas. formada pelos portadores majoritários provenientes do emissor soma-se aos portadores minoritários (ICO) ou (ICBO). podendo alcançar alguns ampères em transistores de potência. obtemos: IE = IC + IB.Prof. As correntes de coletor e emissor são bem maiores. A corrente que fica retida na base recebe o nome de corrente de base (IB).br Uma pequena parte dos portadores majoritários ficam retidos na base. sendo da ordem de microampères. formada por portadores minoritários. Corradi – WWW. a figura a seguir ilustra o fluxo de corrente em um transistor npn. ou seja. a base (B) controla esses portadores enquanto que o coletor (C) recebe os portadores majoritários provenientes do emissor. Desta forma a corrente de coletor (IC). Aplicando-se a lei de Kirchhoff para corrente (LKT). da ordem de miliampères. praticamente desprezível.corradi. formando assim uma corrente minoritária de lacunas. através de outra forma de representação. o processo de análise é o mesmo. Na figura acima se observa que os portadores minoritários (ICO ou ICBO) provenientes da base são os elétrons. a maioria atravessa a base a se difunde para o coletor. para transistores de potência. No entanto. ocorre uma pequena corrente de fuga. onde: IC = IC (PORTADORES MAJORITÁRIOS) + ICO ou ICBO (PORTADORES MINORITÁRIOS) Para uma melhor compreensão. Como a base é uma película muito fina. que se somarão a corrente de coletor.

a corrente de coletor é representada por αIE. representa uma região de baixa impedância.Prof. VCC assume valores maiores do que VEE.95. sendo que esta última assume valores extremamente baixos que em muitos casos podem ser desprezados. essa corrente é formada por lacunas.7V para transistores de silício). Corradi – WWW. pois α é menor do que 1.55V a 0.99. caracterizada pela bateria VEE enquanto que.I . Os valores típicos de α variam de 0. A figura abaixo mostra um circuito com transistor npn. A junção base-emissor está polarizada diretamente e por isto. polarização esta. por serem formadas por elétrons. 5 UNIP – Eletrônica para Engenheiros .br Verifica-se ainda em relação ao exemplo anterior (transistor pnp). A voltagem de polarização base-emissor é baixa (da ordem de 0.os portadores majoritários são os elétrons e os minoritários as lacunas. uma vez que.nom. de forma que. sabendo-se que a corrente de emissor é 2mA? 1 2 O símbolo hFB é algumas vezes usado na lugar de α Isto é explicável. a corrente IC é o resultado dos portadores majoritários provenientes do emissor. Cristal P .9 a 0. denominada ICBO. Isto significa que parte da corrente do emissor não chega ao coletor 2 . inverter a polaridade das baterias de polarização e lembrar que: Cristal N .corradi. Essa quantidade de corrente varia de acordo com o tipo de transistor. A quantidade de corrente que chega no coletor proveniente do emissor depende do tipo de material e dopagem do emissor. Da mesma forma as correntes de emissor (IE) e de coletor (IC) também tem sentidos opostos. bastando para isso. OBS: Os transistores do tipo pnp e npn são submetidos ao mesmo processo de análise. A corrente de coletor divide-se basicamente em duas componentes: a corrente proveniente do emissor e a corrente proveniente do junção reversamente polarizada coletor-base.junior. Na prática. Como já foi dito anteriormente. a junção base-coletor está reversamente polarizada em função da bateria VCC.TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR . que a corrente de base (IB) tem um sentido oposto . Exemplo: Qual é a corrente de coletor de um transistor com α = 0.os portadores majoritários são as lacunas e os minoritários os elétrons. A constante de proporcionalidade dessa corrente é definida como α (alfa) 1 .

br Solução: IC = αIE IC = 0.α) é representada por β (beta) 3 .95 . a corrente de coletor é dada por: IC = αIE + ICBO ( I ) Como dito anteriormente.0.corradi.α) .08 b) Um transistor possui um fator β = 100.5 β= 1 .92. assim: IE = IC + IB ( II ) Substituindo ( I ) em ( II ). IC α α A relação α / (1 . IE .92 = = 11.99 α= = β + 1 101 Podemos então estabelecer uma relação entre α e β.92 0. parte da corrente do emissor que fica retida na base forma a corrente de base.junior. Qual é o fator β? Solução: 0. Qual é o fator α? Solução: β 100 = 0. Corradi – WWW.I O símbolo hFE é algumas vezes usado no lugar de β Alguns autores utilizam a notação αCC e βCC 6 . 4 Temos então: IC IC β= e α= IB IE 3 4 UNIP – Eletrônica para Engenheiros . podemos calcular a corrente de base: IB = (1 .α β β +1 α= Exemplos: a) Um transistor possui um fator α = 0.α ICBO .ICBO = 1.92 0.Prof. 2mA = 1.9mA Caso ICBO não seja desprezada.TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR . Podemos então estabelecer as relações: β= α 1.nom.

TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR . emissor comum (EC) e coletor comum (CC). podemos considerar para fins práticos: IC = IE CONFIGURAÇÕES BÁSICAS: Os transistores podem ser ligados em três configurações básicas: base comum (BC). Desta forma.corradi. CARACTERÍSTICAS: Ganho de corrente (Gi): < 1 Ganho de tensão (GV): elevado Resistência de entrada (RIN): baixa Resistência de saída (ROUT): alta EMISSOR COMUM: No circuito emissor comum. observa-se que o sinal é injetado entre emissor e base e retirado entre coletor e base. Corradi – WWW. para um valor de β ≥ 100. BASE COMUM: No circuito a seguir. Assim.junior. quanto maior for o valor de β. ou ainda.nom. CA é um capacitor de acoplamento de sinal. o sinal é aplicado entre base e emissor e retirado entre coletor e emissor. O capacitor no emissor "CE" assegura o aterramento do emissor para sinais alternados. qual dos terminais do transistor é referência para a entrada e saída de sinal.I 7 .Prof. O capacitor "C" ligado da base a terra assegura que a base seja efetivamente aterrada para sinais alternados. mais o valor de α tende a aproximar-se de 1. pode-se dizer que a base é o terminal comum para a entrada e saída do sinal. Essas denominações relacionamse aos pontos onde o sinal é injetado e retirado. levando-se em conta que IC = αIE. Então. UNIP – Eletrônica para Engenheiros .br β assume valores muito mais elevados em relação a α (o valor típico de β é da ordem de 30 a 300).

CA é um capacitor de acoplamento de sinal.I 8 .nom.br CARACTERÍSTICAS: Ganho de corrente (Gi): elevado Ganho de tensão (GV) elevado Resistência de entrada (RIN) média Resistência de saída (ROUT) alta COLETOR COMUM: A figura a seguir mostra um circuito na configuração coletor comum. O sinal de entrada é aplicado entre base e coletor e retirado do circuito de emissor.TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR . A configuração de coletor comum também é conhecida como seguidor de emissor.corradi. O capacitor "CC" ligado do coletor a terra assegura que o coletor esteja aterrado para sinais alternados.Prof. CARACTERÍSTICAS: Ganho de corrente (Gi): elevado Ganho de tensão (GV): ≤ 1 Resistência de entrada (RIN): muito elevada Resistência de saída (ROUT): muito baixa UNIP – Eletrônica para Engenheiros .junior. Essa denominação é dada devido a tendência de todo o sinal aplicado na entrada estar praticamente presente na saída (circuito de emissor). Corradi – WWW.

através de setas. base a terra e coletor a terra. Podemos por exemplo representar uma tensão entre coletor e emissor por VCE quando o transistor for npn. base comum e coletor comum.I 9 . Em outras palavras. Corradi – WWW. Isto significa que o coletor é mais positivo do que o emissor. utilizase usualmente o método convencional (do + para o -). indicando que o emissor é mais positivo do que o coletor. UNIP – Eletrônica para Engenheiros .nom.corradi. utilizando essa representação. Para as tensões.br As configurações emissor comum. A figura abaixo ilustra dois transistores com polaridades opostas.junior. Essas configurações também podem ser apresentadas conforme ilustram as figuras abaixo: REPRESENTAÇÃO DE TENSÕES E CORRENTES: Para representar tensões e correntes em um circuito com transistores. são também denominadas emissor a terra. a primeira letra após o V (neste caso o coletor) é mais positiva do que a segunda letra (neste caso o emissor).Prof. Para um transistor pnp a tensão entre coletor e emissor é representada por VEC. a ponta da seta aponta sempre para o potencial mais positivo e as correntes são representadas com setas em sentido contrário as das tensões.TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR .

Da mesma forma. como resistores. UNIP – Eletrônica para Engenheiros .br Na figura abaixo temos um outro exemplo utilizando essas representações.TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR . visto que o mesmo comporta-se como um circuito fechado.Prof.nom. uma única bateria pode polarizar um circuito transistorizado.corradi.I 10 . sendo uma para polarização da junção base-emissor e outra para a junção basecoletor. POLARIZAÇÃO COM UMA ÚNICA BATERIA: Temos visto até agora a polarização de transistores utilizando duas baterias. Observe atentamente as indicações das tensões e das correntes em função do sentido das setas. Na maioria das vezes. a ponta da seta indica que a tensão na parte superior desses resistores é mais positiva do que na parte inferior. etc. podem ser calculadas utilizando-se as leis de Kirchhoff para tensão (LKT). A figura a seguir mostra um transistor com polarização por divisor de tensão na base. cuja teoria será vista no capítulo referente aos circuitos de polarização. indutores. capacitores. Para as tensões VRC (tensão no resistor de coletor) e VRE ( tensão no resistor de emissor). As tensões nas junções do transistor e nos componentes externos.junior. Corradi – WWW. as correntes podem ser calculadas aplicando-se LKC. observe que as setas que indicam o sentido da corrente são opostas aquelas que indicam as tensões.

via de regra. não sendo obedecido a rigor nenhum tipo de escala.TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR . podemos obter várias equações: 1. A seguir são mostradas algumas curvas características. escolhe-se a região ativa.VRE = 0 VCC .junior.VRC . região ativa e região de ruptura.br Aplicando-se LKT.VRC . região de corte.VCB = 0 VCC .VBE . 5. Quando necessitamos de um transistor como chave eletrônica. De acordo com as necessidades do projeto essas regiões de operação devem ser escolhidas.VRB2 = 0 VRB1 .VRB1 . I1 = I2 + IB CURVAS CARACTERÍSTICAS: As curvas características definem a região de operação de um transistor. tais como: região de saturação.nom. A região de ruptura indica a máxima tensão que o transistor pode suportar sem riscos de danos. normalmente as regiões de corte e saturação são selecionadas. VCC .corradi.VCB = 0 VRB2 . 2. 4. 3. no caso de transistor operando como amplificador.VRE = 0 Aplicando-se LKC no ponto X. UNIP – Eletrônica para Engenheiros . 6.I2 2.Prof. temos: 1.VRC . Corradi – WWW.VRE = 0 VCE -VBE .VCE . apenas como fim didático.VCB .VBE .I 11 . IB = I1 .

nom.br CURVA CARACTERÍSTICA PARA MONTAGEM EM EMISSOR COMUM: A região de corte é mostrada na área sombreada.I 12 . onde IB = 0. Corradi – WWW.Prof. CURVA CARACTERÍSTICA PARA MONTAGEM EM BASE COMUM: UNIP – Eletrônica para Engenheiros .TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR .junior. A curva de potência máxima representa a máxima potência que pode ser dissipada pelo transistor.corradi.

br Observa-se na curva característica para montagem em base comum. A figura abaixo mostra a curva característica para emissor comum semelhante a vista anteriormente. enquanto que na curva característica para montagem em emissor comum.junior. na qual o transistor opera com total segurança. a corrente de base controla a corrente de coletor.TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR . observe a área sombreada.nom. onde a corrente de base controla a corrente de emissor. CURVA CARACTERÍSTICA PARA MONTAGEM EM COLETOR COMUM: Observe a calibração dos eixos de tensão e corrente para a montagem em coletor comum.Prof. a qual é denominada de área útil. que a corrente de emissor controla a corrente de coletor.I 13 . Corradi – WWW. UNIP – Eletrônica para Engenheiros .corradi. no entanto.

procura-se compensar as variações de β através do resistor de emissor. Corradi – WWW.br A região útil é delimitada pela curva de potência máxima 5 e conforme dito anteriormente.junior. pois é muito instável.POLARIZAÇÃO POR CORRENTE DE EMISSOR CONSTANTE Diferente do caso anterior. o transistor trabalha com segurança.5VCC 2 . CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO: Apresentaremos a seguir alguns circuitos de polarização muito utilizados e suas principais características: 1 .I .TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR .Prof. Para este tipo de polarização: IC = βIB Para evitar o disparo térmico. 5 Também denominada hipérbole de máxima dissipação.POLARIZAÇÃO POR CORRENTE DE BASE CONSTANTE Também denominado de polarização fixa. não ultrapassando a máxima potência permitida. adota-se geralmente: VCE = 0. pois uma variação da temperatura provoca uma variação de β. é um circuito muito utilizado quando deseja-se que o transistor opere como chaveamento eletrônico. com dois pontos bem definidos: corte e saturação. 14 UNIP – Eletrônica para Engenheiros .nom.corradi. Por esse motivo esse tipo de polarização não é utilizado em circuitos lineares.

Corradi – WWW.POLARIZAÇÃO POR REALIMENTAÇÃO NEGATIVA Este circuito reduz o ganho. mas em compensação aumenta a estabilidade.corradi. Isto resulta numa corrente de coletor menor compensando parcialmente o aumento original de β.1VCC UNIP – Eletrônica para Engenheiros . quando β aumentar. Aplicando LKT: VCC = VRC + VCE + REIE onde: VRC = RCIC logo: VCC = RCIC + VCE + REIE Adota-se como prática para garantir a estabilidade térmica sem afetar o sinal de saída: VRE = 0. reduzindo a corrente de base.1VCC Equações básicas: IB = IC VCC ou ainda: IB = RB + β RE β IE = (β + 1)IB 3 . fazendo com que haja uma diminuição da tensão de polarização VBE.TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR . aumentando também a tensão no emissor.Prof. Equações básicas: VRE = 0.nom.I 15 . a corrente de coletor aumenta.br Assim.junior.

Prof.SEGUIDOR DE EMISSOR O seguidor de emissor tem como característica o ganho de tensão baixo (≤ 1) Equações básicas: VCE = 0.(VCE + VRE) VCC IB = R B + β RC 4 .nom. Corradi – WWW.I 16 .corradi.POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO NA BASE UNIP – Eletrônica para Engenheiros .br VRC = VCC .junior.TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR .5VCC IE IE = βIB IB = VCC R B + β RE 5 .5VCC RE = 0.

podemos simplificar a fórmula: β +1 17 Se RE for 10 vezes maior do que UNIP – Eletrônica para Engenheiros . temos: RTH = RB1 . Aplicando Thevènin: Abrindo o terminal da base temos: VTH = RB2 . O nome divisor de tensão é proveniente do divisor de tensão formado por RB1 e RB2.nom.RTHIB . temos: IE = RTH β +1 RE + β +1 RTH . onde RB2 polariza diretamente a junção baseemissor.corradi. Passemos a analisar como opera esse tipo de polarização.VBE .REIE = 0 Sendo: IB = IE VTH . Corradi – WWW.TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR .VBE . VCC RB1 + RB2 Ainda com o terminal da base aberto e VCC em curto.junior. A grande vantagem desse tipo de polarização é sua estabilidade térmica (praticamente independente de β). RB2 RB1 + RB2 Isto nos dá o circuito equivalente de Thevènin: OBS: A resistência equivalente de Thevènin recebe o nome de RBB enquanto que a tensão equivalente de Thevènin recebe o nome de VBB Aplicando LKT: VTH .br A polarização por divisor de tensão na base ou polarização universal é um dos métodos mais usados em circuitos lineares.Prof.I .

junior. Corradi – WWW.α) = αIB + ICBO UNIP – Eletrônica para Engenheiros . RBB ou RB1 .nom.corradi.ICBO (β + 1) IC = βIB + (β + 1)ICBO IE = (β + 1)IB + (β + 1)ICBO onde: (β + 1)ICBO = ICEO Em função de α: Partindo da equação ( II ) da página 6 desta apostila: IC = αIE + ICBO temos: IE = IC + IB logo: IC = α(IC + IB) + ICBO portanto: IC = αIC + αIB + ICBO resolvendo: IC .br IE = VTH . base e coletor Em função de β IB = IE .TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR .4VCC RC = 4RE RBB = 0. VCC VBB RB2 = RB2 = RBB VBB 1VCC Cálculo das correntes de emissor. VCC ou VBB RB1 .1βRE Apresentamos a seguir algumas regras práticas para a elaboração de um projeto de polarização por divisor de tensão na base: VE = 0. o que equivale dizer que: RTH ≤ 0.1βRE RB1 = RBB .αIC = αIB + ICBO colocando IC em evidência resulta: IC (1 .I 18 .RBB RB1 = RBB .1VCC VCE = 0.VBE RE Para se conseguir uma boa estabilidade no circuito utiliza-se a regra 10:1.5VCC VRC = 0.Prof.

É a corrente entre coletor e base.I 19 .nom. para cada 10ºC de aumento de temperatura. ICBO: Varia com a temperatura. com o emissor aberto. emissor aberto e base aberta.α 1. uma vez que. uma vez que a junção base-emissor de um transistor é sempre polarizada diretamente. Corradi – WWW.junior. conforme será visto mais adiante. IEBO: ICEO: ICEO = (β + 1)ICBO Basicamente determina a amplificação de um circuito. UNIP – Eletrônica para Engenheiros . sendo de grande importância. É a corrente entre base e emissor com o coletor aberto. Não é normal termos esta situação.Prof.corradi. Esta corrente ao contrário da anterior. essa corrente dobra. tem um elevado significado. Trata-se da corrente entre coletor e emissor com a base aberta.br portanto: IC = αIB ICBO + 1.α CORRENTES DE FUGA NO TRANSISTOR: Existem três situações distintas para o transistor: coletor aberto.TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR .

nom.2 = 0.1β.(30.7V Solução: Adotando VE = 0.12 + 0. DADOS: β = 100 IC = 3mA VBE = 0.2V VCE = 6V VRC = 4.junior.02V Cálculo de RC VRC 4.02 2.br EXERCÍCIOS RESOLVIDOS SOBRE POLARIZAÇÃO: 1 .7 + 1.I 20 . polarizar o transistor na região ativa.000.400 = 4kΩ IC 3mA = 30μA = β 100 Cálculo de VBB VBB = RBBIB + VBE + VRE = 4.2V = = 400Ω RE = IE 3mA Cálculo de RBB RBB = 0. Corradi – WWW. podemos fazer IC = IE.5VCC e VRC = 0.corradi. (12) 48. determinando o valor dos resistores e as correntes.10-6) + 0.762Ω VBB 2.6kΩ (equivalente a 4RE) RC = IC 3mA Cálculo de R1 RBB . VCC 4. temos: VE = VRE = 1.TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR .Dado o circuito abaixo.4VCC. logo: IB = Cálculo de RE VRE 1.8V = = 1.2 VBB = 2.1VCC. VCE = 0.8V Cálculo de IB Como β = 100.02 Cálculo de R2 UNIP – Eletrônica para Engenheiros .000 .Prof.000 = = R1 = = 23.7 +1.

000 4.048 = 4.Prof.I 21 .762).92.92 α β= = = 11.762 . IB.5.corradi.762kΩ 4. IC. ICEO.817kΩ 30μA 3mA 3mA DADOS: IE = 4mA VBE = 550mV VCE = 5V VCC = 12V ICBO = 6μA α = 0.000 RBB = = 4.68mA + 75μA = 3.1683 0.000 19.5 1 . RBB (23.4.TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR .000) 95.000 4. Cálculo de β 0.Dado o circuito a seguir.755mA = 245μA Cálculo de RC UNIP – Eletrônica para Engenheiros .(4mA) = 3. RC e RB.92 Cálculo de ICEO ICEO = (β + 1)ICBO = 12.br R2 = R1 .(6μA) = 75μA Cálculo de IC IC = αIE + ICBO = 0.3.(4.762 Podemos também calcular R2 da seguinte forma: 4.nom.755mA Cálculo de IB IB = IE .RBB 23.809Ω ≈ 4.817Ω = = R1 .8317 11VCC 12 RESPOSTAS: RC RE R1 R2 IB IE IC 1.0.92 2 .02 VBB 1 .α 1 .0. Corradi – WWW.IC = 4mA .6kΩ 400Ω 23.junior. calcule: β.817Ω R2 = = = 2.

84kΩ 3 .7Ω) 245μA RESPOSTAS: VRB = 12 .TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR .6Ω) 3.2 = 5.5 75μA 3.No seguidor de emissor a seguir.2 RE = = 300Ω = IE 4mA Cálculo de RB VRB RB = VRB = VCC .544.I 22 .VRE (onde VRE = 0.84kΩ (41.Prof.0.55 .54kΩ 300Ω 41.836.25V β ICEO IC IB RC RE RB 11. calcule todas as tensões e correntes de polarização. Cálculo de IB VCC 15 15 15 IB = = = = = 72.junior.nom.VCE .br RC = VRC IC VRC = VCC .VRE IB 10. considerando β = 40.VBE .8V = 1.7kΩ) 100k + 108k 208k UNIP – Eletrônica para Engenheiros .1.8V RC = 5.12μA RB + βRE 100kΩ + 40(2.54kΩ (1.corradi.25V RB = = 41.5 .755mA 245μA 1.1VCC) VRC = 12 .1.755mA Cálculo de RE VRE 1. Corradi – WWW.2 = 10.

96mA 7V 8V 4 .9. 2.(2. Corradi – WWW.7.4k7 270k + 470k 740k Cálculo de IC IC = βIB = 100.72.27μA IC = 2.junior.(20.473V UNIP – Eletrônica para Engenheiros .IB = (41).nom.Calcule as correntes e as tensões de polarização no circuito a seguir: Considere β = 100.96mA) = 15 .27μA RB + βRC 270k + 100. Cálculo de IB VCC 15 15 15 IB = = = = = 20.REIE = VCC .br Cálculo de IE IE = (β + 1).corradi.TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR .027mA Cálculo de VCE VCE = VCC .(4k7 . 2.Prof.12μA = 2.027mA VCE = 5.12μA 2.27μA) = 2.RCIC = 15 .992V ≈ 8V RESPOSTAS: IB IE VCE VRE 72.527 = 5.473V RESPOSTAS: IB = 20.96mA Cálculo de VCE VCE = VCC .027mA) = 15 .992V = 7.VRE = 15 .7kΩ.008V ≈ 7V VRE = 7.I 23 .

Prof.2mA + 6μA = 1. Corradi – WWW.2mA IB Cálculo de IE IE = IC + IB = 1.216V = 2.18 RC = 15 .2mA Quando β > 100. 1. 200 = 1.3Ω) 1.corradi. 1.2mA RC = 5.18 15 = (RC .nom. 1.6 = 7.33Ω) RB = 6μA RESPOSTAS: IC = 1.333.junior.369. IB.2mA) + 8 + 0. 1.br 5 . podemos considerar IC = IE Cálculo de RC Utilizando a equação ( II ) 15 = (RC .68kΩ 24 UNIP – Eletrônica para Engenheiros . temos: ( II ) VCC = RCIC + VCE + REIE Cálculo de IC IC β = .VRC .TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR . logo: IC = 6μA .216V 14. 1.18 = 5.2mA) + 8 + (150 . Equações básicas ( I ) VCC . (6μA) = 7.683.I .Calcule IC. então: VCB = 8 .4 + (5.4 + 6.VRE = 0 VRC = RCIC e VRE = REIE.0.68k .206mA ≈ 1.37MΩ (2.2mA) + 8.816 = 14.VCE . RC e RB no circuito abaixo.8.2mA) 15 = (RC .2mA Cálculo de RB VRB = VCB + VRC RBIB = VCB + RCIC como: VCE = VCB + VBE.4V desta forma: RB .2mA) = 7.68kΩ (5.

37MΩ RETA DE CARGA: Podemos determinar o ponto de operação de um transistor através da reta de carga.corradi. Este ponto é denominado "ponto quiescente" ou simplesmente "Q".TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR . Através da equação VCC = (RC + IE)IC + VCE. definindo em um projeto ou aplicação os parâmetros de tensão e corrente.junior. temos VCC = VCE = 25V UNIP – Eletrônica para Engenheiros . Observe as áreas sombreadas. um determinado ponto em que o transistor opera na ausência de sinal. Tomemos como exemplo o circuito a seguir na montagem em emissor comum. Para determinarmos a reta de carga. fornecida pelo fabricante.br IE = 1. reta de carga para CA será abordada posteriormente. Esse método gráfico somente pode ser aplicado se tivermos disponível a curva característica do transistor. que representam as regiões de corte e de saturação. necessitamos de dois pontos. onde a curva característica do transistor é mostrada ao lado. Corradi – WWW. Entende-se como ponto de operação. obtemos: 1º ponto: para IC = 0. podendo esse ponto ser escolhido ao longo da reta de carga. se quisermos que ele opere na região linear. região de corte ou região de saturação.nom. Neste capítulo abordaremos apenas reta de carga para CC. A vantagem da utilização do método gráfico é a rapidez na análise dos pontos de operação de um transistor.I 25 .2mA RB = 2.Prof.

25 + 11 + 2.812 = 25.25mA VCEQ = 11V IBQ = 30μA Podemos então calcular o β e aplicar LKT para determinar a tensão nos resistores: IC 11. temos IC = VCC 25V = = 20mA RC + RE 1.I 26 .nom.br 2º ponto: para VCE = 0.812V Então: VCC = 11.25V VRE = (11.25mA). No nosso exemplo o ponto médio (bem aproximado) coincidiu com a corrente de base equivalente a 30μA.250Ω = 2. Para que o transistor opere na região linear. o ponto Q deverá ser o ponto médio da reta de carga.062V ≈ 25V UNIP – Eletrônica para Engenheiros .1kΩ = 11.junior.TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR .25mA).Prof.25kΩ Procedimento: Traça-se então a reta de carga unindo os dois pontos. Corradi – WWW.corradi.25mA β= = = 375 IB 30μA Partindo da equação: VCC = VRC + VCE + VRE VRC = (11. A partir daí então podemos determinar a corrente de coletor e a tensão entre coletor e emissor: ICQ = 11.

Prof. por exemplo. IB = 10μA.junior.6 + 250Ω. pois a corrente de coletor tende a zero. e constatar a variação de β ao longo da reta de carga.5 = 25.br Se na mesma curva selecionarmos um ponto quiescente (Q1) mais próximo da região de saturação. 2. teremos um aumento da corrente de coletor e uma diminuição de VCE. a tensão entre coletor e emissor (VCE) tende a zero. por exemplo. Para Q1: IC 18mA β= = = 400 IB 45μA VCC = VRC + VCE + VRE = 1kΩ.nom. conforme ilustra a figura abaixo: CONCLUSÕES: 1. a tensão entre coletor e emissor (VCE) tende a se igualar a VCC. para um ponto quiscente (Q2) mais próximo da região de corte.(18mA) VCC = 18 + 2.I 27 .5mA β= = = 250 IB 10μA UNIP – Eletrônica para Engenheiros .1V ≈ 25V Para Q2: IC 2. IB = 45μA.(18mA) + 2. Podemos então aplicar LKT referente aos pontos Q1 e Q2. pois aumenta consideravelmente a corrente de coletor. teremos uma diminuição da corrente de coletor e um aumento de VCE.6 + 4.TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR . Corradi – WWW. Quando um transistor opera na região de corte ou bem próxima dela. A tensão de saturação típica para um transistor de silício é da ordem de 150 a 250mV. Quando um transistor opera na região de saturação ou bem próxima dela.corradi.

devemos determinar dois pontos para traçar a reta de carga. logo VCB = VCE . Apresentaremos um exemplo de uma reta de carga para uma montagem em base comum. temos VCB = VCE = VCC.5 + 22 + 0.VBE.nom.625 = 25.5mA) VCC = 2. 1º ponto: Quando IC = 0.(2. VCB = 25V 2º ponto: VCC 25V Para VCE = 0. UNIP – Eletrônica para Engenheiros .TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR . VBE = 0.125V ≈ 25V A reta de carga pode ser também obtida para uma configuração base comum ou emissor comum.5mA) + 22 + 250Ω.junior. temos: IC = = = 25mA RC 1kΩ Neste caso RE é o circuito de entrada da configuração base comum. como VCB = VCE . Corradi – WWW.I 28 .Prof. seguindo o mesmo processo. sendo então desconsiderado para calcular um dos pontos da reta de carga.(2.corradi.br VCC = VRC + VCE + VRE = 1kΩ. Observe que o eixo da tensão está calibrado em VCB.0 Portanto. Como no caso anterior. Quando IC = 0.

corradi.6V TRANSISTOR COMO CHAVE ELETRÔNICA: É a forma mais simples de operação de um transistor. Veja a figura abaixo: Onde: VRC = RCIC = 1kΩ. utiliza-se a corrente de base da ordem de 1/10 da corrente de coletor no extremo superior da reta de carga.2mA) = 24. correntes.Prof.(12.4V Desta forma: VCE = VCB + VBE = 13 + 0.br Podemos então aplicar LKT no circuito em função dos dados obtidos no gráfico. etc. ao projetar uma chave eletrônica com transistor. existem duas malhas definidas: uma para o circuito de entrada (base-emissor) e outra para o circuito de saída (base-coletor).6 = 13. conforme mostra a figura abaixo: UNIP – Eletrônica para Engenheiros .TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR . sob todas as condições de funcionamento. como uma chave eletrônica aberta. pois ao longo da reta de carga são definidos apenas dois pontos: corte e saturação e.I 29 . portanto.(12mA) = 12V VRE = REIE = 2kΩ. Na prática. é preciso garantir sua saturação para qualquer tipo de transistor. β. comporta-se como uma chave eletrônica fechada e quando está em corte. podemos dizer que quando um transistor está saturado. Corradi – WWW. Como trata-se de uma configuração base-comum. variação da temperatura. Para que efetivamente o transistor opere como uma chave eletrônica.junior.nom.

Admitamos que queiramos no mesmo circuito controlar um led.0.junior.3V = = = = 5. então: RC = VCC . OBS: Na elaboração do projeto.1. Considerando VCE de saturação = 0.TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR . tensão entre coletor e emissor.Prof. como corrente de coletor. UNIP – Eletrônica para Engenheiros .nom. Corradi – WWW. corrente de base. IB = 0.I 30 . teremos: RC = Supondo que a tensão no led seja de 1.VBE 12 . etc. pois com isso. a corrente de base será 1/20mA = 2mA. Deveremos então recalcular o valor de RC.65kΩ 2mA IB IB 2mA VCC 12V = = 600Ω 2mA IC Para levar o transistor ao corte.5 18. basta abrir Sw.7 11.Vled 20 . deve-se tomar o cuidado de não ultrapassar os valores máximos especificados pelo fabricante.corradi.5V (valor típico). Estamos considerando o valor de 20mA plenamente compatível com nosso exemplo de projeto. Podemos então definir os valores de RC e RB RB = VRB VCC .5V = = = 925Ω IC 20mA 20mA OBS: É importante observar se o led suporta a corrente do projeto.br O valor de 20mA foi escolhido na curva característica e portanto. potência de dissipação.

O próximo passo é verificar se os valores adotados para RC e RB garantem a saturação do transistor. IB = TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE: Consiste em tornar a tensão de emissor fixa. Um sinal cuja forma de onda é quadrada e amplitude que varia de 0 a 5V é aplicado na entrada.915mA 4. no instante 2.7V = 0.nom.915 = 10. Corradi – WWW.br Outro exemplo de transistor usado como chave é mostrado abaixo.7V). se a tensão de entrada aumentar de 6V para 10V. a tensão VE (nos extremos de RE) variará de 5. operando como uma chave aberta e teremos na saída 15V (VCC). com 0V na entrada o transistor entra em corte.TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR . isto é.0. o ponto de operação situa-se na região ativa ao longo da reta de carga. No instante 1. UNIP – Eletrônica para Engenheiros .junior. garantindo a saturação. a relação é válida (10/0.5kΩ Portanto.3V para 9.3V. Pelo fato da tensão VBE ser fixa (da ordem de 0. IB deve ser da ordem de 1/10 de IC. VE seguirá as variações da tensão de entrada (VBB).corradi. operando como uma chave fechada e portanto.I 31 . resultando assim em uma corrente de emissor fixa. 5V .7kΩ 15V IC = = 10mA 1. ou seja. teremos na saída ≈ 0V.9).Prof. com 5V na entrada o transistor entra em saturação. Ao contrário do transistor como chave eletrônica.

principalmente quando o valor de VCC é baixo. quando opera como chave eletrônica.nom.corradi. A ilustração abaixo mostra as diferenças entre uma chave eletrônica e uma fonte de corrente.junior. não havendo resistor na base.TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR . vamos considerar um transistor operando como chave de corrente.br A identificação entre um circuito com transistor operando como chave eletrônica e como fonte de corrente é fácil.5 a 2. Quando desejamos acionar um led. Para entender melhor o que foi acima exposto. o emissor é aterrado e existe um resistor na base.5V.Prof. Devemos então estabelecer um valor ideal de RE para nosso projeto.I 32 . levando-se em conta a queda de tensão no led da ordem de 1. Corradi – WWW. como fonte de corrente o emissor é aterrado através de um resistor. Vamos supor: VBB (tensão de entrada) = +5V VCC = +12V IC = 5mA (um ponto médio da reta de carga dentro da região ativa) Determinar: As tensões em RC para os valores de 10Ω e 1000Ω UNIP – Eletrônica para Engenheiros . o ideal é fazê-lo através de uma fonte de corrente. ao passo que.

No entanto.junior.3V = = = = 860Ω IE IE 5mA 5mA Lembrar que VBB . assim sendo temos: Para RC = 10Ω VCE = 12 . suponhamos 4kΩ.3 = 7. Mesmo com RC = 0 a corrente de emissor se manterá em 5mA.3V então.(5mA) = 0.05 .05V VRC = 1kΩ.0.VCE . a tensão VCE é que variará. em outras palavras.I 33 . para uma grande gama de valores de RC.3V ficará fixa.VRE = 0.0. teríamos teoricamente VRC = 20V.VBE VRE 5V . se RC assumir valores mais elevados.4. IC teria que assumir valores menores. fixando também a corrente do emissor.7V CONCLUSÕES: A corrente de coletor manteve-se constante para uma variação muito grande de RC (100 vezes). desde que o transistor opere dentro da região ativa.5 .VRE = 0.VCE . Corradi – WWW.VRC . o que invalidaria a equação VCC .Prof. Deve-se portanto UNIP – Eletrônica para Engenheiros . temos: RE = VBB . Para RC = 470Ω Para RC = 1.65V Para RC = 1kΩ VCE = 12 . para os dois casos IC = 5mA (estamos admitindo IE = IC).VBE = VRE = VE A tensão de 4.(5mA) = 5V Para satisfazer a equação VCC .TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR .7V 4. Calculando VRC Levando-se em conta que a tensão do emissor está amarrada em 4.5kΩ VRC = 10Ω.3 = 2.VRC .corradi. para satisfazer a dita equação.br O valor de VCE nas duas condições Determinando RE Considerando IC = IE.4.nom.

Para fixar melhor o conceito referente ao transistor operando como fonte de corrente vamos admitir uma situação conforme ilustra a figura abaixo.I .corradi. RE = VBB . a corrente será praticamente constante não prejudicando a luminosidade. Os leds L-1 e L-2 necessitam de uma corrente de 15mA para obter uma luminosidade ideal.0.5V.333Ω (onde VBB .5V a 2. Quanto maior for RE (respeitando-se as características do projeto).7V = = 153. tamanhos e fabricantes diferentes (a tensão pode variar de 1.br evitar trabalhar com valores de RC que propiciem uma tensão VCE muito próxima da região de saturação.TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR . O valor da corrente de coletor não depende do valor de β. Poderá o led 2 ter sua luminosidade diminuída por necessitar de mais tensão? Solução: A primeira impressão é de que realmente o led 2 terá sua luminosidade diminuída. a corrente de coletor permanecerá praticamente igual. pois para leds de cores.Prof. mais estável torna-se a corrente de coletor. Quando o valor de VCC for relativamente baixo (por exemplo 5V) o acionamento de leds é mais eficaz com uma fonte de corrente. dimensionando o valor de RE. No entanto L-1 proporciona uma queda de 1. isto é.VBE 3V .nom.5V enquanto que L-2 uma queda de 2.5V).VBE = VRE) IE 15mA 34 UNIP – Eletrônica para Engenheiros .junior. ao substituir o transistor por outro de β diferente. Corradi – WWW. conforme será mostrado nos cálculos a seguir: Fixando a corrente de emissor: Se ambos os leds necessitam de 15mA para o brilho ideal então basta fixar a corrente de emissor em 15mA. pois em comparação ao led 1 necessita de mais tensão em seus terminais. No entanto como os leds estão sendo acionados por uma fonte de corrente tal não acontecerá.

Corradi – WWW.5 .Ed.Vled .nom.ELETRÔNICA .br Adotaremos então RE = 150Ω Para o led 1: VCE = 6 .2V Para o led 2: VCE = 6 . McGraw-Hill SP .ELETRÔNICA NO LABORATÓRIO .Vled 6V . Albert Paul .1.1.2.I 35 .corradi.Prof. Albert Paul . a luminosidade do led 2 não será diminuída. Reta de carga de L-1 1º ponto: VCC .1. 1 e 2 .3 = 1.5 = 3. McGraw-Hill SP .5V BIBLIOGRAFIA: Malvino.VRE = 6 .2V Desta forma.vols.5 .Ed.987 UNIP – Eletrônica para Engenheiros . A figura a seguir mostra que a corrente nos leds permanece constante.1.3mA RE 150Ω 2º ponto: VCE = VCC .TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR .Vled = 6 .5V Reta de carga de L-2 1º ponto: VCC .junior.VRE = 6 .5V IC = = = 23.5V IC = = = 30mA RE 150Ω 2º ponto: VCE = VCC .986 Malvino.2.Vled = 6 .2. embora as tensões sejam diferentes.Vled 6V .3 = 2.2.1.5 = 4.2.Vled .

1.Ed. Bernard . .nom.MICROELETRÔNICA CIRCUITOS E DISPOSITIVOS . Charles .1.McGraw-Hill Kogakusha . Prentice/Hall Brasil .990 Ibrape .br Boylestad.corradi.Prof. Robert .982 Schilling.Singapore Horenstein.Livros Técnicos e Ciebntíficos Editora S.RJ .MANUAL DE TRANSISTORES .1. Louis .996 Grob.CIRCUITOS ELETRÔNICOS . Corradi – WWW.DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS E TEORIA DE CIRCUITOS .I 36 .junior. Pedroni .1.ELECTRONIC CIRCUITS .RJ .A.McGraw-Hill International Editions .Nashelsky.BASIC ELECTRONICS .Belove.Tokyo . Prentice/Hall .TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR . Mark N.RJ .990 UNIP – Eletrônica para Engenheiros . .993 Volnei A.Ed. .DADOS PARA PROJETOS . Donald L.1.