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INDICE

UNIDAD I: EL DIODO Y EL TRANSISTOR


1. 2. INTRODUCCIN A LOS SEMICONDUCTORES ....................... 1 EL DIODO SEMICONDUCTOR ..................................................... 4 2.1 Constitucin Interna ................................................................. 4 2.2 Funcionamiento ........................................................................ 5 EL DIODO RECTIFICADOR ........................................................... 8 EL DIODO ZENER ............................................................................ 8 EL TRANSISTOR BIPOLAR .......................................................... 10 FUNCIONAMIENTO ..................................................................... 11 CURVAS CARACTERSTICAS ..................................................... 11 MODELOS EQUIVALENTES ........................................................ 13

3. 4. 5. 6. 7. 8.

UNIDAD II: DISPOSITIVOS DE POTENCIA


1. TIRISTORES ..................................................................................... 15 1.1 EL DIODO SHOCKLEY ......................................................... 15 2. CARACTERSTICA TENSIN-INTENSIDAD ........................... 16 3. EJEMPLO DE APLICACIN: DETECTOR DE SOBRETENSIN ....................................................................................... 17 4. SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER) .............................. 17 5. CARACTERSTICA TENSIN INTENSIDAD ........................... 18 6. MTODOS DE CONMUTACIN ................................................ 18 7. APLICACIONES DEL SCR ............................................................ 20 8. MODELO DE TIRISTOR DE DOS TRANSISTORES ................. 21 9. ACTIVACIN DEL TIRISTOR ..................................................... 22 9.1 Tiristores de Desactivacin Por Compuerta (GTO). ......... 23 9.2 Tiristores De Triodo Bidireccional (TRIAC) ...................... 23 9.3 Rectificadores Controlados De Silicio Activados Por Luz (LASCR) ....................................................................... 24 10. SCS (SILICON CONTROLLED SWITCH) ................................... 24 11. EL DIAC............................................................................................ 25 12. EL TRIAC ......................................................................................... 27 13. APLICACIONES DEL TIRISTOR ................................................. 30 14. TRANSISTOR MONOUNION (UJT) ........................................... 30 15. TRANSISTOR MONOUNIN PROGRAMABLE ...................... 31

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UNIDAD III: TRANSFORMADOR Y RECTIFICADOR


1. 2. 3. 4. 5. TRANFORMADOR DE AISLAMIENTO ....................................... 33 FUNCIONAMIENTO........................................................................ 34 SEAL ALTERNA Y SEAL RECTIFICADA ............................. 35 RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA............................................ 36 RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA ................................... 42 5.1 Con Dos Diodos .................................................................. 42 5.2 En Configuracin Tipo Puente ......................................... 45

UNIDAD IV: FILTRADO Y REGULACIN


1. FILTRO A CAPACITO ...................................................................... 49 2. DUPLICADOR DE VOLTAJE DE MEDIA ONDA Y ONDA COMPLETA ............................................................................................... 55 3. EL DIODO ZENER COMO REGULADOR DE VOLTAJE.......... 57 4. FUNCIONAMIENTO DEL CIRCUITO BSICO .......................... 59 5. RESUMEN........................................................................................... 62 6. AUTO COMPROBACIN................................................................ 64 7. SOLUCIONARIO ............................................................................... 65

UNIDAD V: POLARIZACIN DEL TRANSISTOR


1. 2. 3. PUNTO DE OPERACIN .............................................................. 66 CIRCUITOS BSICOS DE POLARIZACIN ............................. 67 CLCULO DEL PUNTO DE OPERACIN ................................ 69

UNIDAD VI: APLICACIONES DEL TRANSISTOR


1. 2. 3. 4. EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR .................................... 78 CIRCUITO DE APLICACIN Y CLCULO ................................. 79 EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR ................................. 83 TIPOS DE AMPLIFICADORES........................................................ 83 4.1 CLASE A: ................................................................................. 84 4.2 CLASE B: .................................................................................. 84 4.3 CLASE AB: ............................................................................... 86 4.4 CLASE C: .................................................................................. 87 5. EL TRANSISTOR COMO FUENTE DE CORRIENTE .................. 88 6. APLICACIN COMO REGULADOR DE VOLTAJE ................... 90 7. CIRCUITO DE APLICACIN ......................................................... 90 8. RESUMEN........................................................................................... 93 9. AUTOCOMPROBACIN................................................................. 94 10. SOLUCIONARIO ............................................................................ 94

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UNIDAD VII: CI REGULADORES DE VOLTAJE


1. REGULADORES DE VOLTAJE INTEGRADOS ........................... 95 1.1 Reguladores de Voltaje Positivo Fijo .................................... 95 1.2 Reguladores de Voltaje Negativo Fijo. ................................. 97 1.3 Reguladores de Voltaje Variables. ....................................... 98 2. APLICACIONES DE LOS REGULADORES DE VOLTAJE INTEGRADOS. .......................................................................................... 99

UNIDAD VIII: LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES (OPAMP)


1. EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL IDEAL ...................... 101 1.1 Configuraciones Bsicas Con Amplificadores Operacionales ................................................................... 102 1.1.1 Amplificador Inversor ....................................................102 1.1.2 Amplificador No Inversor ...................................................102 1.2 El Amplificador Operacional Como Comparador ......... 113 EJERCICIOS DE PRCTICA ....................................................... 114 APNDICE ..................................................................................... 118

2. 3.

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UNIDAD I

EL DIODO Y EL TRANSISTOR

1.

INTRODUCCIN A LOS SEMICONDUCTORES Por naturaleza, algunos materiales forman cuerpos caracterizados por una geometra regular y son llamados cristales. Se dice que tales sustancias son cristalinas; en cambio otros slidos carecen de forma definida y son denominados plsticos o amorfos. Entre las sustancias cristalinas hay tanto elementos simples como compuestos, as como metales y no metales. La mayora de los minerales naturales son sustancias cristalinas.

Figura N 1: Fotografa de un Cristal

En lo externo, el cristal presenta caras planas dispuestas segn cierta simetra particular. En lo interno, el cristal esta caracterizado por un ordenamiento definido de sus tomos en un sistema muchas veces repetido, el que se denomina estructura cristalina bsica. El carcter cristalino de una substancia no siempre se reconoce a simple vista, pues sus cristales individuales son muy pequeos y estn aglomerados irregularmente, de modo que el aspecto del conjunto se confunde con el de una sustancia amorfa. Cuando un trozo de material cristalino esta formado por un cristal nico y no por un conglomerado de cristales, se habla de un monocristal.

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Figura N 2: Estructura Cristalina

De los monocristales pueden cortarse placas, barras y es frecuente llamarlos cristales errneamente. Del mismo modo se llaman cristales a las placas de germanio utilizadas en los diodos y en los transistores.

Figura N 3: tomo de Germanio

Figura N 4: tomo de Silicio

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tomos de Germanio y silicio en los que se muestra su nmero atmico y los electrones de valencia en su ltima capa ( 4 e- - claros ) los crculos oscuros indican los espacios para un electrn de enlaces. El germanio y el silicio son por ahora los semiconductores ms utilizados en la electrnica. Sin embargo, se presta mucha atencin al Silicio, a causa de su capacidad de funcionar a temperaturas ms elevadas que las que admite el germanio. Los semiconductores comunes incluyen elementos qumicos y compuestos como silicio, germanio, selenio, arseniuro del galio, y otros. En un semiconductor puro, o intrnseco, como el silicio, los electrones de valencia, o los electrones exteriores de un tomo se aparean y se comparten entre los tomos para hacer un enlace del tipo covalente que unen el cristal . Estos electrones de valencia no generan espontneamente la corriente elctrica.

Figura N 5: tomos de Silicio enlazado con un tomo de Fsforo

Figura N 6: tomos de Silicio enlazado con un tomo de Aluminio

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Obsrvese que cuando el silicio se enlaza con un tomo como el fsforo sobra un electrn libre, por tanto esta impureza generar un semiconductor tipo n. Cuando se enlaza con un tomo de aluminio en cambio, le falta un electrn para completar los cuatro enlaces covalentes, generndose un espacio libre denominado hueco, por tanto, esta impureza generar un semiconductor tipo p. Para producir electrones de conduccin se usa la temperatura o la luz, para excitar los electrones de valencia fuera de sus enlaces, al moverse libres dejan los llamados huecos o regiones de carga positiva que contribuye al flujo de la corriente elctrica. Se dice que estos agujeros son portadores de electricidad positiva. Este es el origen fsico del aumento en la conductividad elctrica de semiconductores por la temperatura. En cambio en el de dopado, otro mtodo para producir a los portadores libres de electricidad, se agregan impurezas al semiconductor.

La diferencia en el nmero de electrones de valencia entre el material agregado (donadores o aceptadores de electrones), y el organizador ( el semiconductor ) da lugar a los dos tipos, negativo (tipo n) o positivo (tipo p) de semiconductores. Este concepto se ilustra en el diagrama; acompaando al silicio est el fsforo (P); sus cinco electrones de valencia reemplazan a un tomo de silicio y proporcionan electrones negativos extras. En un semiconductor de tipo p, tomos con tres electrones de valencia como el aluminio (Al) lleva al sistema a una deficiencia de electrones, o a agujeros que actan como elementos de carga positivos. Los elementos de carga positivos extras o agujeros pueden dirigir electricidad.

2. EL DIODO SEMICONDUCTOR 2.1 Constitucin Interna En la constitucin interna de un diodo encontramos dos tipos de semiconductores, unidos a travs de una regin llamada juntura, estos tipos de semiconductores son denominados por el exceso de portadores que ellos presentan, en el caso del tipo n , son los electrones y del tipo p, son los elementos de carga positiva denominados huecos .

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Semiconductor tipo n

Semiconductor tipo p

Juntura Figura N 7: Estructura interna de un Diodo de unin o juntura

Figura N 8: Smbolo

2.2

Funcionamiento En un Diodo ideal la corriente pasa slo en una direccin. Si un voltaje positivo es aplicado con la convencin de polaridades mostrado en la figura. A travs de sus terminales denominados respectivamente nodo y Ctodo. nodo + Ctodo _

Batera

VD

Resistencia de Carga

ID Sentido de Corriente Figura N 9

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En este caso el diodo es considerado en polarizacin directa ( forward biased ) en la cual no presenta resistencia, y la corriente fluye en la direccin de la flecha, dicha corriente es limitada nicamente por una resistencia externa. Cuando la polaridad de la batera es contraria, el diodo es polarizado en inversa ( reverse biased ) y no fluye corriente entre sus terminales. La direccin de corriente asumida es convencional ( no corresponde al flujo de electrones ). Un diodo real slo es aproximado en su comportamiento a uno ideal. Cuando un diodo real es polarizado en directa, la corriente crece exponencialmente con el voltaje y la resistencia interna toma un valor finito. Germanio Corriente en el Diodo ID

VD

Silicio VD

Regin de Ruptura

0.6 V 0.2 V Voltajes Umbrales

Figura N 10 Para propsitos ms prcticos, se observa que no fluye una corriente apreciable hasta que sea aplicado un voltaje de 0.5 a 0.7 voltios de polarizacin directa (Este dato corresponde a un diodo de silicio). Pero una vez alcanzado estos valores de voltaje la corriente crece rpidamente. En efecto existe un umbral de conduccin (VT), el cual es de 0.6 voltios aproximadamente. Este rpido crecimiento exponencial de la corriente es representado atravs de una aproximacin por tramos (piecewise approximation) como se muestra en la figura anterior. Ntese que el voltaje en el diodo en la regin de polarizacin directa es siempre aproximadamente la misma (0.6 v. Para el Silicio) y casi

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independiente de la variacin de corriente. El diodo de Germanio presenta un voltaje umbral bien definido en aproximadamente 0.2 v, mientras que los diodos de Arseniuro de Galio (GaAs Diodos emisores de luz) tienen un voltaje umbral de 1.6 v . En la figura se muestra un diodo de Silicio, Germanio y un Diodo Emisor de Luz (LED).

Figura N 11: Diodos de Arseniuro de Galio, Germanio y Silicio

La corriente de polarizacin inversa en un diodo real es pequea ( un valor tpico suele ser de 10-8 Amperios ) y aproximadamente independiente al voltaje aplicado al diodo hasta que se alcanza la regin de ruptura con valores de voltaje de polarizacin inversa altos. A este punto se lo denomina regin de rompimiento por Avalancha o Zener, la corriente crece rpidamente con el incremento del voltaje inverso. La temperatura es un parmetro importante, el valor del voltaje umbral sufre una variacin (un corrimiento) a valores menores cuando la temperatura crece, de acuerdo al siguiente grfico. Variacin de Voltaje Umbral

Temperatura Co Figura N 12

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Para muchas aplicaciones, los parmetros ms importantes que distinguen a los varios tipos de diodos son el mximo voltaje de operacin y la corriente. El mximo voltaje se refiere al de polarizacin inversa y especifica el mnimo voltaje en el cual el rompimiento por avalancha ocurre para cada dispositivo. Debido a que el rompimiento puede producirse incluso por rpidos pulsos o picos de voltaje, el diodo debe de ser escogido con un voltaje inverso lo suficientemente alto para que no lo afecte los voltajes transitorios de valor alto que pudieran ocurrir. De manera similar el pico mximo de corriente para un diodo es especificado, y la corriente que circula por el diodo en un circuito determinado debera de ser substancialmente menor al valor mximo. Otros parmetros a tener en cuenta en la seleccin de un diodo son la rapidez de conmutacin entre el estado de conduccin y no conduccin y la corriente inversa de prdidas (current leakage). 3. EL DIODO RECTIFICADOR El Diodo proyectado para aplicaciones de rectificadores de fuentes poseen una capacidad de corriente relativamente alta y usualmente valores altos de voltaje inverso. Un pequeo rectificador tpico sera capaz de manejar 1 A. en promedio y un pico de 10 A. con un voltaje inverso de 100 V. o ms. Unidades que sobrepasen los 100 A. o 1 kV. son disponibles. Las unidades grandes poseen un tornillo que les permite ser montados de manera que puedan disipar calor a travs de disipadores de aluminio, debido al calentamiento interno motivado por la conduccin de niveles altos de corriente. La caja que contiene al diodo denominado case es usualmente conectado al terminal de ctodo con excepcin de aquellas unidades designados con R ( inverso) en los cuales esta conectado al nodo. Debido a que la corriente de fuga (reverse bias) puede ser apreciable y la respuesta en el tiempo (velocidad de conmutacin entre conduccin y no conduccin) comparativamente bajo en los diodos rectificadores, su trabajo no suele ser satisfactorio en otras aplicaciones.

4.

EL DIODO ZENER Dispositivos diseados para trabajar en la regin de rompimiento inverso son denominados como reguladores de voltaje o diodos Zener. Un buen diodo regulador debe de poseer un codo de rompimiento marcado y una pronunciada inclinacin en la curva caracterstica de voltaje corriente en la regin de polarizacin inversa.

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Punto de Operacin

Regin de Polarizacin Directa

Regin de Polarizacin Inversa Figura N 13

Codo de Rompimiento

La operacin de este diodo regulador es a travs de un resistor y una fuente de voltaje que lo polarice inversamente como se muestra en la figura, el diodo debe de mantener el voltaje entre sus terminales aproximadamente constante, el smbolo que lo representa es un tanto distinto al correspondiente a un diodo simple

Sentido de la corriente Figura N 14

Diodo Zener

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Figura N 15: Fuente de poder doble

5.

EL TRANSISTOR BIPOLAR En el transistor, una combinacin de dos uniones puede usarse para lograr amplificacin. Un tipo, llamado el transistor de unin de n-p-n, consiste en una capa muy delgada de material del tipo p entre dos secciones de material del tipo n, colocado en un circuito como el mostrado en la figura. Sentido del Flujo de corriente

Figura N 16 El color claro indica un semiconductor tipo n y el oscuro uno tipo p

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6.

FUNCIONAMIENTO El material del tipo n a la izquierda del diagrama es el elemento del emisor del transistor y constituye la fuente de electrones. Permitir el flujo directo de corriente por la unin n-p es su trabajo, el emisor tiene un voltaje negativo pequeo con respecto a la capa del tipo p que controla el flujo de electrones. El material del tipo n al otro lado en el circuito sirve como el elemento del colector que tiene un voltaje positivo grande con respecto a la base para prevenir el flujo inverso. Similar en funcionamiento al tipo n-p-n es el transistor de unin p-n-p que tambin tiene dos uniones , pero en el cual las corrientes fluyen en sentidos contrarios . Ntese la diferencia en el tamao y espesor del emisor, la base y el colector . 7. CURVAS CARACTERSTICAS Las caractersticas de entrada y salida de un Transistor n-p-n se muestran en el siguiente grfico. Se ha exagerado la variacin no lineal por propsitos de ilustracin; se ha asumido la usual configuracin emisor comn. Se nota que la caracterstica corriente voltaje de entrada por base es idntica a la de un diodo, sto es dado a que la juntura base emisor es en realidad un diodo. Una sola curva es mostrada debido a que las variaciones del voltaje de colector, lo afectan pero de manera muy leve. Es interesante notar que la resistencia de entrada del transistor es alta y posee una variacin no lineal (exponencial) con respecto al voltaje de base; esta resistencia es definida como la inversa de la variacin entre la corriente de base y el voltaje de base a emisor. Sentido de las Corrientes

Caracterstica de Entrada

Caracterstica de Salida

Figura N 17

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El valor de esta resistencia se encuentra por lo general en el rango de 100 a 1000 Ohms. Con respecto a la caracterstica de salida mostrado en el grfico se puede ver que la corriente de colector aparentemente es constante frente a las variaciones del voltaje de colector, pero que en la regin en la cual el voltaje de colector es pequeo, se produce una respuesta diferente (Regin de Saturacin) o tambin cuando el voltaje de colector es bastante alto Voltaje de Ruptura (Voltage break-down). Zona de Saturacin Zona Activa

Zona de Corte Figura N 18

Por cada valor de corriente de base, se obtiene una corriente mayor y proporcional en el colector, esta relacin de proporcionalidad es denominada ganancia de corriente (usualmente denominada ); este parmetro est definido de la siguiente manera: = Ic
Ib

Es necesario mencionar que este parmetro presenta variaciones dependientes de la temperatura, no obstante para muchos propsitos se puede considerar constante. Este es uno de los parmetros ms importantes en un transistor. Existe otro denominado alfa ( ) el cual nos da la relacin entre la corriente de colector y la de emisor mediante la siguiente expresin:

= Ic Ie

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Figura N 19: Tipos Diferentes de empaques de Transistores

Los valores mximos de operacin de un transistor con respecto a voltaje, corriente y potencia son especificados para cada tipo particular de transistor pero a manera general, podemos decir que por ejemplo el mximo valor de voltaje break-down para muchos transistores est en el rango de 15 a 100 voltios, la mxima corriente pico tpicamente est en el rango de 50 a 500 mA. Pero podra llegar al orden de los 10 A. para ciertos dispositivos de potencia. La mxima potencia de disipacin est en el orden de 0.1W a 150W. Es necesario tener cuidado de hacer trabajar al dispositivo sin llegar a su lmite de temperatura de operacin; es recomendable tener un margen considerable para asegurar la vida til del dispositivo. 8. MODELOS EQUIVALENTES A continuacin se muestran dos modelos o circuitos equivalentes que tratan de representar el comportamiento de este dispositivo; en el primero se muestra una simplificacin de su comportamiento o caracterstica de entrada y salida; en este caso conformado por un diodo entre base y emisor. Y una fuente de corriente dependiente de la corriente de base entre el colector y emisor; algo que debemos recordar es que el voltaje de operacin del transistor entre base y emisor est representado por el voltaje de operacin del diodo el cual se tomar como 0.6 voltios.

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El segundo, es el modelo convencional para pequea seal o de parmetros hbridos; ste es ligeramente diferente al anterior, aqu se representan las resistencias de entrada y salida del transistor y su equivalente en parmetros hbridos:

Modelo Simplificado

Modelo Hbrido

Ri = h ie = h fe go = h oe

Si estos parmetros son conocidos ya sea por medicin o por la informacin que los fabricantes de dispositivos dan en los manuales, es posible realizar los clculos para poder determinar el comportamiento del transistor en un circuito determinado.

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