UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTIN FACULTAD DE INGENIERIAS DE PRODUCCION Y SERVICIOS ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA Laboratorio de Electrnica Anloga

1 Tema: TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO POLARIZACIN

Pgina: Jefe de Practicas Ing. Juan Carlos Cuadros Cdigo: Semest VI re: Grupo: A7 Lab. N 07
Fecha:13/01/ 2011

I INFORME PREVIO 1. Describa la operacin del JFET con sus propias palabras. 2. Realice el anlisis DC de los circuitos del procedimiento y anotar los resultados de los analices en las tablas correspondientes. Tener en cuenta en el anlisis el dispositivo a emplear en la simulacin y en el laboratorio. 3. Presentar una simulacin de los circuitos propuestos en el procedimiento del experimento siguiendo los pasos del mismo. Anote tambin los valores simulados.

II OBJETIVOS Verificar el comportamiento de un amplificador a JFET. Experimentar circuitos de amplificacin con JFET

I.

INFORME PREVIO

1. Describa la operacin del JFET con sus propias palabras.

El JFET es un dispositivo controlado por voltaje, es decir que el voltaje aplicado entre las terminales de Puerta y Fuente controla la corriente que entra en la terminal de Drenador. VDD proporciona una tensin drenaje a fuente, VDS, que provoca una corriente de drenaje, ID, del drenaje a la fuente. La corriente de drenaje, ID, que es idntica a la corriente de fuente, existe en el canal rodeado por la compuerta de tipo p. La tensin compuerta a fuente, VGS, que es igual a VGG crea una regin desrtica en el canal, que reduce el ancho de este y por tanto aumenta la resistencia entre drenaje y fuente. Como la unin compuerta fuente esta polarizada en inverso, el resultado es una corriente de compuerta nula.

2. Realice el anlisis DC de los circuitos del procedimiento y anotar los resultados de los analices en las tablas correspondientes. Tener en cuenta en el anlisis el dispositivo a emplear en la simulacin y en el laboratorio. PRCTICA 6: Medicin de la corriente de saturacin IDSS y el voltaje de estrangulamiento VP Construya el circuito de la Figura 1. Inserte el valor medido de R. El resistor de 10 KOhm est incluido para proteger el circuito de puerta si la fuente de alimentacin se aplica con polaridad equivocada y el potencimetro se ajusta a mximo valor.

VDD 25V R5 1k R1 10k V1 9V

50%

R 100

R4
50%

Tecla = A 5k

2SK168 (usado) 2N4416 R2

Tecla = A 1M

Figura 1 R (medido) = 99.4 ohm.

Vare el potencimetro de 1 MOhm hasta que VGS=0 V. recuerde que ID=IDSS cuando VGS=0 V. Ajuste VDS a 8 V. variando el potencimetro de 5 KOhm. Mida el voltaje dee VR: VR (medido)= 940 mV Calcule la corriente de saturacin de IDSS=ID=VR/R. usando el valor medido del resistor y antelo:

IDSS (medido) = 9.46 mA

Mantenga VDS en 8 V. y reduzca VGS hasta que VR caiga a 1 mV. A este nivel. ID=VR/R=1mV/100=10uA es decir. aproximadamente 0 mA. comparado con los niveles tpicos de operacin. Recuerde que VP es el voltaje VGS que resulta en ID=0 mA. Anote el voltaje de estrangulamiento:

Vp (medido) = -1.45 V

POLARIZACION FIJA

I DSS = 9.46 mA y V P = 1.45V VGS = 0.7 V Por _ Lo _ Tanto : V I D = I DSS 1 GS VP I D = 2.53mA

2

V D = 2k ( I D ) + VDS V DS = 4.94V VGD = (VDS VGS ) VGD = 0.7 10 VGD = 10.7V

MAGNITUD Vds Vgs Vgd

VALOR CALCULADO 4.94V -0.7V -10.7V

Is Id Ig

2.53mA 2.53mA 0A

AUTOPOLARIZACION

I DSS = 9.46 mA y V P = 1.45V VGS = I D RS VGS = 270I D V 270I D I D = I DSS 1 GS I D = (9.46x10 3 )1 VP 1.45 I D = (9.46x10 3 )(1 186.21I D ) 2 I D = 9.46 x10 3 3.523I D + 328.017I D
2 2 2 2

0 = 328.017I D 4.523I D + 9.46x10 3 I D = 2.57mA I D = 0.011 A V GS = 0.694V

I D = I S = 2.57 mA V DS = V DD I D ( R D + R S ) V DS = 3.06V IG = 0 A VGD = (V DS VGS ) VGD = 3.755V

MAGNITUD Vds Vgs Vgd Is Id Ig

VALOR CALCULADO 3.06V -0.694V -3.755V 2.57mA 2.57mA 0A

POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSION

I DSS = 9.46 mA y V P = 1.45V VGS = 33kVDD 1.5kI D 100k + 33k

2

VGS = 2.48 1.5kI D 2.48 1.5kI D I D = (9.46x10 )1 1.45

3 2

V I D = I DSS 1 GS VP

I D = (9.46x10 3 )(2.71 1034.48I D ) 2 0 = 1012361I D 54.041I D + 69.475x10 3 . I D = 2.158 mA I D = 3.18 mA

2

I D = 69.475x103 53.041I D + 1012361I D .

I D = I S = 2.158 mA V DS = V DD I D ( R D + R S ) V DS = 6.18V IG = 0 A VGD = (V DS VGS ) VGD = 6.937V

VGS = 0.757V

MAGNITUD Vds Vgs Vgd Is Id Ig

VALOR CALCULADO 6.18V -0.757V -6.937V 2.158mA 2.158mA 0A

3. Presentar una simulacin de los circuitos propuestos en el procedimiento del experimento siguiendo los pasos del mismo. Anote tambin los valores simulados.

POLARIZACION FIJA

MAGNITU D VDS VGS VGD IS ID IG

VALOR MEDIDO 4.32 V -0,697V -4.98V 2.842mA 2.842 mA 0A

AUTOPOLARIZACION

MAGNITU VALOR D MEDIDO VDS 4.34V

VGS VGD IS ID IG

-0,735V -5.06V 2.732mA 2.732 mA 0A

POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSION

MAGNITU D VDS VGS VGD IS ID IG

VALOR MEDIDO 5.986V -0,92 V -6.906 V 2,27mA 2.27 mA 0A