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Apostila de Eletronica Basica Unicamp

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  • 1.1 FÍSICA DOS SEMICONDUTORES
  • A ESTRUTURA DO ÁTOMO
  • ESTUDO DO SEMICONDUTORES
  • Figura 1-1
  • Figura 1-2
  • 1.2 DIODO
  • POLARIZAÇÃO DO DIODO
  • CURVA CARACTERÍSTICA DE UM DIODO
  • RESISTOR LIMITADOR DE CORRENTE
  • Figura 1-13
  • 1.3 DIODO EMISSOR DE LUZ E FOTODIODO
  • 1.4 APROXIMAÇÕES DO DIODO
  • 1.5 RETIFICADORES DE MEIA ONDA E ONDA COMPLETA
  • Figura 1-19
  • RETIFICADOR DE MEIA ONDA
  • Figura 1-21
  • Figura 1-22
  • RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA
  • Figura 1-23
  • RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE
  • Figura 1-25
  • Tabela 1-1
  • Figura 1-26
  • 1.6 CAPACITOR
  • 1.7 FILTRO PARA O RETIFICADOR
  • Figura 1-27
  • Figura 1-28
  • 1.8 DIODO ZENER
  • CORRENTE MÁXIMA NO ZENER
  • REGULADOR DE TENSÃO COM ZENER
  • CÁLCULO DO RESISTOR DE CARGA RS
  • 1.9 CIRCUITO COM DIODOS
  • MULTIPLICADORES DE TENSÃO
  • LIMITADORES
  • GRAMPEADOR CC
  • 1.10 EXERCÍCIOS
  • 2.1 FUNCIONAMENTO DE TRANSISTORES BIPOLARES
  • Figura 2-1
  • Figura 2-2
  • POLARIZAÇÃO DO TRANSISTOR NPN
  • Figura 2-3
  • Figura 2-4
  • Figura 2-5
  • Figura 2-6
  • TRANSISTOR PNP
  • AS CORRENTES NO TRANSISTOR
  • Figura 2-7
  • A Figura 2-7
  • MONTAGEM BÁSICA COM TRANSISTOR
  • Figura 2-8
  • Figura 2-9
  • Figura 2-12
  • 3.1 RETA DE CARGA
  • 3.2 O TRANSISTOR COMO CHAVE
  • 3.3 O TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE
  • 3.4 O TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR
  • CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO EM EMISSOR COMUM
  • POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO
  • REGRAS DE PROJETO
  • 3.5 EXERCÍCIOS
  • 4.1 AMPLIFICADORES DE SINAL EMISSOR COMUM
  • TEOREMA DA SUPERPOSIÇÃO PARA AMPLIFICADORES
  • CIRCUITOS EQUIVALENTES CA E CC
  • RESISTÊNCIA CA DO DIODO EMISSOR
  • ββββCA - GANHO DE CORRENTE ALTERNADA
  • 4.2 AMPLIFICADOR COM EMISSOR ATERRADO
  • 4.3 REALIMENTAÇÃO
  • 4.4 AMPLIFICADOR COM REALIMENTAÇÃO PARCIAL
  • IMPEDÂNCIA DE ENTRADA
  • ESTÁGIOS EM CASCATA
  • 4.5 AMPLIFICADOR BASE COMUM
  • 4.6 AMPLIFICADOR COLETOR COMUM
  • 4.7 EXERCÍCIOS
  • 5.1 CLASSE A
  • 5.2 CLASSE B
  • 5.3 CLASSE AB
  • 6.1 OSCILADOR POR DESLOCAMENTO DE FASE
  • 7.1 JFET
  • POLARIZAÇÃO DE UM JFET
  • TRANSCONDUTÂNCIA
  • AMPLIFICADOR FONTE COMUM
  • AMPLIFICADOR COM REALIMENTAÇÃO PARCIAL
  • AMPLIFICADOR SEGUIDOR DE FONTE
  • 7.2 MOSFET
  • MOSFET DE MODO DEPLEÇÃO
  • MOSFET DE MODO CRESCIMENTO OU INTENSIFICAÇÃO
  • 7.3 FOTOTRANSISTOR E ACOPLADOR ÓPTICO
  • 7.4 EXERCÍCIOS

DEPARTAMENTO DE ELETRO-ELETRÔNICA COLÉGIO TÉCNICO DE CAMPINAS UNICAMP

ELETRÔNICA

Prof. Roberto Angelo Bertoli V3 setembro, 00

Colégio Técnico de Campinas

ELETRÔNICA

2

ÍNDICE
1
1.1

DIODO SEMICONDUTOR E RETIFICAÇÃO
FÍSICA DOS SEMICONDUTORES A ESTRUTURA DO ÁTOMO ESTUDO DO SEMICONDUTORES DIODO POLARIZAÇÃO DO DIODO CURVA CARACTERÍSTICA DE UM DIODO RESISTOR LIMITADOR DE CORRENTE DIODO EMISSOR DE LUZ E FOTODIODO APROXIMAÇÕES DO DIODO RETIFICADORES DE MEIA ONDA E ONDA COMPLETA RETIFICADOR DE MEIA ONDA RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE CAPACITOR FILTRO PARA O RETIFICADOR DIODO ZENER CORRENTE MÁXIMA NO ZENER REGULADOR DE TENSÃO COM ZENER CÁLCULO DO RESISTOR DE CARGA RS. CIRCUITO COM DIODOS MULTIPLICADORES DE TENSÃO LIMITADORES GRAMPEADOR CC

4
4 4 4 7 8 8 10 11 12 14 16 17 19 20 24 26 27 28 28 29 29 30 32 32

1.2

1.3 1.4 1.5

1.6 1.7 1.8

1.9

1.10 EXERCÍCIOS

2
2.1

TRANSISTOR BIPOLAR
FUNCIONAMENTO DE TRANSISTORES BIPOLARES POLARIZAÇÃO DO TRANSISTOR NPN TRANSISTOR PNP AS CORRENTES NO TRANSISTOR MONTAGEM BÁSICA COM TRANSISTOR

39
39 40 42 42 43

3
3.1 3.2 3.3 3.4

POLARIZAÇÃO DE TRANSISTORES
RETA DE CARGA O TRANSISTOR COMO CHAVE O TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE O TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO EM EMISSOR COMUM POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO REGRAS DE PROJETO EXERCÍCIOS

47
47 49 50 51 51 51 52 53

3.5

4

AMPLIFICADORES DE SINAL

55
set-00

Prof. Roberto A. Bertoli

Colégio Técnico de Campinas 4.1

ELETRÔNICA 55 57 57 58 60 60 63 63 65 66 68 70 71 73

3

AMPLIFICADORES DE SINAL EMISSOR COMUM TEOREMA DA SUPERPOSIÇÃO PARA AMPLIFICADORES CIRCUITOS EQUIVALENTES CA E CC. RESISTÊNCIA CA DO DIODO EMISSOR βCA - GANHO DE CORRENTE ALTERNADA AMPLIFICADOR COM EMISSOR ATERRADO REALIMENTAÇÃO AMPLIFICADOR COM REALIMENTAÇÃO PARCIAL IMPEDÂNCIA DE ENTRADA ESTÁGIOS EM CASCATA AMPLIFICADOR BASE COMUM AMPLIFICADOR COLETOR COMUM IMPEDÂNCIA DE ENTRADA EXERCÍCIOS

4.2 4.3 4.4

4.5 4.6 4.7

5
5.1 5.2 5.3

AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
CLASSE A CLASSE B CLASSE AB

76
76 78 80

6
6.1

OSCILADOR DE BAIXA FREQÜÊNCIA
OSCILADOR POR DESLOCAMENTO DE FASE

81
82

7
7.1

TRANSISTORES ESPECIAIS
JFET POLARIZAÇÃO DE UM JFET TRANSCONDUTÂNCIA AMPLIFICADOR FONTE COMUM AMPLIFICADOR COM REALIMENTAÇÃO PARCIAL AMPLIFICADOR SEGUIDOR DE FONTE MOSFET MOSFET DE MODO DEPLEÇÃO MOSFET DE MODO CRESCIMENTO OU INTENSIFICAÇÃO FOTOTRANSISTOR E ACOPLADOR ÓPTICO EXERCÍCIOS

83
83 83 87 88 89 89 90 90 91 92 93

7.2

7.3 7.4

8

REFERÊNCIA BIBLIOGRÁFICA

96

Prof. Roberto A. Bertoli

set-00

Os elétrons giram em torno do núcleo distribuindo-se em diversas camadas. bloqueando a passagem da corrente elétrica. num total de até sete camadas. encontrando grande facilidade para abandonar seus átomos e se movimentarem livremente no interior dos materiais. O cobre.1 DIODO SEMICONDUTOR E RETIFICAÇÃO FÍSICA DOS SEMICONDUTORES A ESTRUTURA DO ÁTOMO O átomo é formado basicamente por 3 tipos de partículas elementares: Elétrons. melhor condutor é o material. diferenciados entre si pelo seus números de prótons. formam uma estrutura cristalina. Consegue-se isolamento maior (resistividade) com substâncias compostas (borracha. O elétron cedido pode tornar-se um elétron livre. Como exemplo temos o germânio e silício ESTUDO DO SEMICONDUTORES Os átomos de germânio e silício tem uma camada de valência com 4 elétrons. MATERIAL SEMICONDUTOR Materiais que apresentam uma resistividade elétrica intermediária. a camada mais externa é chamada de valência. Os elétrons de valência estão rigidamente ligados aos seu átomos. ver Figura 1-1. Pode-se dividir em três tipos principais: MATERIAIS CONDUTORES DE ELETRICIDADE São materiais que não oferecem resistência a passagem de corrente elétrica. Prof. e geralmente é ela que participa das reações químicas Todos os materiais encontrados na natureza são formados por diferentes tipos de átomos. ou seja.). por exemplo. por meio de ligações covalentes.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 4 1 1. Roberto A. mica. mas uma especial em eletrônica é o comportamento à passagem de corrente. com somente um elétron na camada de valência tem facilidade de cedê-lo para ganhar estabilidade. sendo que poucos elétrons conseguem desprender-se de seus átomos para se transformarem em elétrons livres. cada átomo une-se a quatro outros átomos vizinhos. são substâncias cujos átomos se posicionam no espaço. Nessa estrutura. baquelita. Quando os átomos de germânio (ou silício) agrupam-se entre si. elétrons e nêutrons. e cada um dos quatro elétrons de valência de um átomo é compartilhado com um átomo vizinho. prótons e nêutrons. A carga do elétron é igual a do próton. O que caracteriza o material bom condutor é o fato de os elétrons de valência estarem fracamente ligados ao átomo. Quanto menor for a oposição a passagem de corrente. MATERIAIS ISOLANTES São materiais que possuem uma resistividade muito alta. formando uma estrutura ordenada. Cada material tem uma infinidade de características. Em cada átomo. de modo que dois átomos adjacentes compartilham os dois elétrons. porém de sinal contrário. etc. Bertoli set-00 .

simultaneamente um elétron e uma lacuna. elas seriam materiais isolantes. pode-se afirmar que o número de lacunas é sempre igual a de elétrons livres.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 5 Figura 1-1 Se nas estruturas com germânio ou silício não fosse possível romper a ligações covalentes. no local onde havia um elétron de valência. Sempre que uma ligação covalente é rompida. completando a ligação covalente (processo de recombinação). tornando-se elétrons livres. pois são apenas espaços vazios provocados por elétrons que abandonam as ligações covalentes rompidas. fazendo com que os elétrons das ligações rompidas passem a se movimentar livremente no interior do cristal. Essa região positiva recebe o nome de lacuna. pode ocorrer o inverso. No entanto com o aumento da temperatura algumas ligações covalentes recebem energia suficiente para se romperem. sendo também conhecida como buraco. Entretanto. Mas não vamos considera-lo. passa a existir uma região com carga positiva. Como tanto os elétrons como as lacunas sempre aparecem e desaparecem aos pares. IMPUREZAS Os cristais de silício (ou germânio. por simplicidade e também porque o silício é de uso generalizado em eletrônica) são encontrados na natureza misturados com outros elementos. uma vez que o átomo era neutro e um elétron o abandonou. Roberto A. Quando o cristal de silício ou germânio é submetido a uma diferença de potencial. um elétron preencher o lugar de uma lacuna. surgem. Figura 1-2 Com a quebra das ligações covalentes. os elétrons livres se movem no sentido do maior potencial elétrico e as lacunas por conseqüência se movem no sentido contrário ao movimento dos elétrons. Dado a dificuldade de se controlar as Prof. Bertoli set-00 . As lacunas não tem existência real.

Como os elétrons livres excedem em número as lacunas Prof.: Boro. Isto significa que existe uma lacuna na órbita de valência de cada átomo trivalente.: Fósforo e Antimônio). A este processo de inserção dá-se o nome de dopagem. O átomo trivalente entra no lugar de um átomo de silício dentro do cristal absorvendo três das suas quatro ligações covalentes. Por isso existem dois tipos de semicondutores: SEMICONDUTOR TIPO N O cristal que foi dopado com impureza doadora é chamado semicondutor tipo n. O átomo pentavalente entra no lugar de um átomo de silício dentro do cristal absorvendo as suas quatro ligações covalentes. com a intenção de se alterar produção de elétrons livres e lacunas. Ex. IMPUREZA DOADORA São adicionados átomos pentavalentes (com 5 elétrons na camada de valência. Roberto A. Bertoli set-00 .Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 6 características destes cristais é feito um processo de purificação do cristal e em seguida é injetado através de um processo controlado. As impurezas utilizadas na dopagem de um cristal semicondutor podem ser de dois tipos: impureza doadoras e impurezas aceitadoras. onde n está relacionado com negativo. e fica um elétron fracamente ligado ao núcleo do pentavalente (uma pequena energia é suficiente para se tornar livre). alumínio e gálio). Figura 1-3 IMPUREZA ACEITADORA São adicionados átomos trivalentes (tem 3 elétrons na camada de valência. Figura 1-4 Um semicondutor pode ser dopado para ter um excesso de elétrons livres ou excesso de lacunas. Ex. a inserção proposital de impurezas na ordem de 1 para cada 106 átomos do cristal.

a lacuna desaparece e o átomo associado torna-se carregado negativamente. Como as lacunas excedem em número os elétrons livres num semicondutor tipo p. a região próxima à junção fica sem elétrons livres e lacunas. onde p está relacionado com positivo. Roberto A. portadores minoritários. Chamamos esta região de camada de depleção. os elétrons são chamados portadores majoritários e as lacunas. A diferença de potencial através da camada de depleção é chamada de barreira de potencial. A intensidade da camada de depleção aumenta com cada elétron que atravessa a junção até que se atinja um equilíbrio. que é um dispositivo de estado sólido simples: o diodo semicondutor de junção. Bertoli set-00 . as lacunas são chamadas portadores majoritários e os elétrons livres. Os ions estão fixo na estrutura do cristal por causa da ligação covalente.3V para o germânio. 1. Além de certo ponto. O símbolo mais usual para o diodo é mostrado a seguir: Anodo material tipo p Catodo material tipo n Prof. Quando isto ocorre. SEMICONDUTOR TIPO P O cristal que foi dopado com impureza aceitadora é chamado semicondutor tipo p. (um íon negativo) Figura 1-6 Cada vez que um elétron atravessa a junção ele cria um par de íons. a camada de depleção age como uma barreira impedindo a continuação da difusão dos elétrons livres. À medida que o número de ions aumenta.7V para o silício e 0. portadores minoritários. Figura 1-5 Devido a repulsão mútua os elétrons livres do lado n espalham-se em todas direções. obtém-se uma junção pn.2 DIODO A união de um cristal tipo p e um cristal tipo n.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 7 num semicondutor tipo n. alguns atravessam a junção e se combinam com as lacunas. A 25º. esta barreira é de 0.

isto é. A tensão para a qual a corrente começa a aumentar rapidamente é chamada de tensão de joelho. Roberto A. o diodo não conduz intensamente até que se ultrapasse a barreira potencial. afastando-se da junção. os elétrons livres e as lacunas começam a atravessar a junção em grandes quantidades. Prof. Fato análogo ocorre com as lacunas do material do tipo p. CURVA CARACTERÍSTICA DE UM DIODO A curva característica de um diodo é um gráfico que relaciona cada valor da tensão aplicada com a respectiva corrente elétrica que atravessa o diodo. por exemplo. e isto diminui a camada de depleção. um resistor. Para haver fluxo livre de elétrons a tensão da bateria tem de sobrepujar o efeito da camada de depleção. tornando praticamente impossível o deslocamento de elétrons de uma camada para outra. A tensão no diodo é uma função do tipo: U = RFI +  kT  I ln + 1 q  IS  Eq. há uma polarização direta se o pólo positivo da bateria for colocado em contato com o material tipo p e o pólo negativo em contato com o material tipo n. Supondo uma bateria sobre os terminais do diodo. 0. Bertoli set-00 . POLARIZAÇÃO DIRETA Figura 1-7 Figura 1-8 Nota-se pela curva que o diodo ao contrário de. POLARIZAÇÃO DIRETA No material tipo n os elétrons são repelidos pelo terminal da bateria e empurrado para a junção. POLARIZAÇÃO REVERSA Invertendo-se as conexões entre a bateria e a junção pn. não é um componente linear. A medida que a bateria se aproxima do potencial da barreira. No material tipo n os elétrons são atraídos para o terminal positivo. ligando o pólo positivo no material tipo n e o pólo negativo no material tipo p. No material tipo p as lacunas também são repelidas pelo terminal e tendem a penetrar na junção.1 TENSÃO DE JOELHO Ao se aplicar a polarização direta.7V).Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 8 POLARIZAÇÃO DO DIODO Polarizar um diodo significa aplicar uma diferença de potencial às suas extremidades. ( No Si é aprox. 1. a junção fica polarizada inversamente. Podemos dizer que a bateria aumenta a camada de depleção.

* Salvo o diodo feito para tal. chega um momento em que atinge a tensão de ruptura (varia muito de diodo para diodo) a partir da qual a corrente aumenta sensivelmente. passa uma corrente elétrica extremamente pequena.2 Prof. (chamada de corrente de fuga). 1.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 9 POLARIZAÇÃO REVERSA DO DIODO Figura 1-9 Figura 1-10 o diodo polarizado reversamente. GRÁFICO COMPLETO. Figura 1-11 ESPECIFICAÇÕES DE POTÊNCIA DE UM DIODO Em qualquer componente. a potência dissipada é a tensão aplicada multiplicada pela corrente que o atravessa e isto vale para o diodo: P = U∗I Eq. os diodos não podem trabalhar na região de ruptura. Bertoli set-00 . Se for aumentando a tensão reversa aplicada sobre o diodo. Roberto A.

E se I=0A !UD=2V. no circuito da Figura 1-12 o US =2V e RS = 100Ω.01* U D + 20mA 100 Eq. pois representa a corrente mínima que atravessa o resistor e o diodo.5W) e os retificadores ( PMAX > 0.5W). Esse ponto é chamado de ponto de saturação. 1. 1-4 indica uma relação linear entre a corrente e a tensão ( y = ax + b). Se forem dados a tensão da fonte e a resistência RS. pois é o máximo valor que a corrente pode assumir. Quanto maior o RS.4 Se UD=0V ! I=20mA. a corrente I através do circuito é a seguinte: I= UR US − UD = RS RS Eq. Em geral um resistor é usado em série com o diodo para limitar a corrente elétrica que passa através deles. uma pequena tensão aplicada pode gerar uma alta intensidade de corrente. então: I= 2 − UD = −0. Ex. RETA DE CARGA Figura 1-12 Sendo a curva característica do diodo não linear. por exemplo. Roberto A. Na Figura 1-12. Os fabricantes em geral indicam a potência máxima ou corrente máxima suportada por um diodo. Baseia-se no uso gráfico das curvas do diodo e da curva do resistor. Se. Sobrepondo esta curva com a curva do diodo tem-se: Prof. Um método para determinar o valor exato da corrente e da tensão sobre o diodo. os diodos para pequenos sinais (potência especificada abaixo de 0. 1. torna-se complexo determinar através de equações o valor da corrente e tensão sobre o diodo e resistor.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 10 Não se pode ultrapassar a potência máxima. pois haverá um aquecimento excessivo. Bertoli set-00 . RS é chamado de resistor limitador de corrente.3 No circuito em série a corrente é a mesma no diodo e no resistor. RESISTOR LIMITADOR DE CORRENTE Num diodo polarizado diretamente. menor a corrente que atravessa o diodo e o RS .IMAX = 1A Usualmente os diodos são divididos em duas categorias. especificada pelo fabricante. Esse ponto é chamado corte.: 1N914 . é o uso da reta de carga. então são desconhecidas a corrente e a tensão sob o diodo.PMAX = 250mW 1N4001 . A Eq.

Figura 1-14 A polarização do LED é similar ao um diodo comum.U=2V) . vermelha. Quando uma energia luminosa incide numa junção pn.U=0V) .Ponto de saturação !Corrente máxima do circuito (I=12mA. contribuindo.78V) . de elementos como gálio. reversamente polarizado que é sensível a luz. Roberto A. Sobre o diodo existe uma tensão de 0. e sim.78V. o aumento da intensidade luminosa. para a corrente reversa. maior será corrente reversa num diodo. Bertoli set-00 . Esses portadores existem porque a energia térmica entrega energia suficiente para alguns elétrons de valência saírem fora de suas órbitas. Ao contrário dos diodos comuns não é feito de silício.Ponto de corte !Corrente mínima do circuito (I=20mA. a queda de tensão típica é de 1. como mostrado na Figura 1-14. aumenta sua a corrente reversa Num diodo polarizado reversamente. ou seja.5 Para a maioria dos LED’s disponíveis no mercado. o LED é esquematizado como um diodo comum com seta apontando para fora como símbolo de luz irradiada. 1.5V para correntes entre 10 e 50mA.U=0.Ponto de operação ou quiescente!Representa a corrente através do diodo e do resistor. FOTODIODO É um diodo com encapsulamento transparente.3 DIODO EMISSOR DE LUZ E FOTODIODO O diodo emissor de luz (LED) é um diodo que quando polarizado diretamente emite luz visível (amarela. circula somente os portadores minoritários. que é um material opaco. Prof. É amplamente usada em equipamentos devido a sua longa vida. acoplado em série com um resistor limitador de corrente. Nele. 1. baixa tensão de acionamento e boa resposta em circuitos de chaveamento. Quanto mais intensa for a luz na junção. gerando elétrons livres e lacunas.5 a 2. arsênico e fósforo. verde. A corrente que circula no LED é: ID = VS − VD R Eq. assim.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 11 Figura 1-13 (I=0A. laranja ou azul) ou luz infravermelha. ela injeta mais energia ao elétrons de valência e com isto gera mais elétrons livres.

1ª APROXIMAÇÃO (DIODO IDEAL) Um diodo ideal se comporta como um condutor ideal quando polarizado no sentido direto e como um isolante perfeito no sentido reverso.4 APROXIMAÇÕES DO DIODO ao analisar ou projetar circuitos com diodos se faz necessário conhecer a curva do diodo. Prof. funciona como uma chave aberta. Roberto A. 3ª APROXIMAÇÃO Na terceira aproximação considera a resistência interna do diodo.7V rb Figura 1-16 Pensa-se no diodo como uma chave em série com uma bateria de 0. mas dependendo da aplicação pode-se fazer aproximações para facilitar os cálculos. I sentido direto sentido reverso U Figura 1-15 2ª APROXIMAÇÃO Leva-se em conta o fato de o diodo precisar de 0.7V para iniciar a conduzir. I 0 7V rb sentido direto sentido reverso U 0.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 12 1. ou seja. Bertoli set-00 .7V.

65V entre seus terminais existirá uma corrente I=10mA.75V a corrente correspondente será de 30mA.: O diodo está polarizado diretamente.65/10mA = 65Ω RD2 = 0. no diodo 1N914 se for aplicada uma tensão de 0. Roberto A.7V rb Figura 1-17 Obs. Exemplo 1-1 Utilizar a 2ª aproximação para determinar a corrente do diodo no circuito da Figura 1-18: SOL.7V rb sentido direto sentido reverso U 0.:. enquanto uma tensão de -75V implica numa corrente de 5µA. Com isto pode-se calcular a resistência direta para cada tensão aplicada: RD1 = 0. pelo fato do diodo ter uma resistência não linear. Por exemplo. Por último se a tensão for de 0.Colégio Técnico de Campinas I ELETRÔNICA 13 0. 5k RS RS Figura 1-18 RESISTÊNCIA CC DE UM DIODO É a razão entre a tensão total do diodo e a corrente total do diodo.Resistência cc no sentido direto RR .85/50mA = 17Ω Nota-se que a resistência cc diminuí com o aumento da tensão RESISTÊNCIA REVERSA Tomando ainda como exemplo o 1N914.Resistência cc no sentido reverso RESISTÊNCIA DIRETA É a resistência quando é aplicada uma tensão no sentido direto sobre o diodo. portanto age como uma chave fechada em série com uma bateria. Ao aplicar uma tensão de -20V a corrente será de 25nA. É variável. Bertoli set-00 . A resistência reversa será de: RS1 = 20/25nA = 800MΩ Prof. Pode-se considerar dois casos: RD . Caso a tensão aplicada seja de 0.7 = = = 186mA .85V a corrente será de 50mA. ID = IRS = URS U S − UD 10 − 0. Ao longo do curso será usada a 2ª aproximação.75/30mA = 25Ω RD3 = 0.

1-6 onde: U ! tensão instantânea Up ! tensão de pico Algumas maneiras de se referir aos valores da onda: Valor de pico UP ! Valor máximo que a onda atinge Valor de pico a pico ( UPP ) ! Diferença entre o máximo e mínimo que a onda atinge Upp = Up . ONDA SENOIDAL A onda senoidal é um sinal elétrico básico. Devido ao alto custo de uma bateria se comparado com a energia elétrica. O valor médio de uma onda senoidal ao longo de um ciclo é zero.707 Up Valor médio O valor médio é quantidade indicada em um voltímetro quando na escala cc.5 RETIFICADORES DE MEIA ONDA E ONDA COMPLETA É comum em circuitos eletrônicos o uso de baterias de alimentação. Pode-se mostrar que: VRMS = 0. torna-se necessário a criação de um circuito que transforme a tensão alternada de entrada em uma tensão contínua compatível com a bateria. É que se verá neste item. O valor rms de uma onda senoidal. O diodo é um componente importante nesta transformação. Figura 1-19 A equação que representa a curva da Figura 1-19 é a seguinte: U = UP senθ Eq. Bertoli set-00 . Sinais mais complexos podem ser representados por uma soma de sinais senoidais.(. é definido como a tensão cc que produz a mesma quantidade de calor que a onda senoidal. 1. Eq.Up ) = 2 Up Valor eficaz ( URMS) ( Root Mean Square) O valor rms é valor indicado pelo voltímetro quando na escala ca. 1-7 Prof. Isto porque cada valor da primeira metade do ciclo. tem um valor igual mas de sinal contrário na segunda metade do ciclo.Colégio Técnico de Campinas RS2 = 75/5µA = 15MΩ ELETRÔNICA 14 A resistência reversa diminui à medida que se aproxima da tensão de ruptura. Roberto A.

5=19.5 9 obs. Roberto A. O componente utilizado é o transformador.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 15 O TRANSFORMADOR As fontes de tensões utilizadas em sistemas eletrônicos em geral são menores que 30VCC enquanto a tensão de entrada de energia elétrica costuma ser de 127VRMS ou 220VRMS.2W Prof. No transformador ideal: U2 N2 = U1 N1 Onde: U1 tensão no primário U2 tensão no secundário N1 número de espiras no enrolamento primário N2 número de espiras no enrolamento secundário A corrente elétrica no transformados ideal é: I1 N2 = I 2 N1 Eq. 1-8 Exemplo 1-2 Se a tensão de entrada for 115 VRMS.8/0.8*1. Abaixo um exemplo de transformador: Figura 1-20 A tensão de entrada U1 está conectada ao que se chama de enrolamento primário e a tensão de saída ao enrolamento secundário. Logo é preciso um componente para abaixar o valor desta tensão alternada. 1-9 Eq. Bertoli set-00 . A energia passa de uma bobina para outra através do fluxo magnético.: a potência elétrica de entrada e de saída num transformador ideal são iguais. Qual a tensão no secundário em valores de pico a pico? E a corrente elétrica no primário? SOL.167=12. a corrente de saída de 1. O transformador é a grosso modo constituído por duas bobinas (chamadas de enrolamentos). P=U*I=115*0.8 VRMS = U1 N1 115 9 U2PP=12. U2 N2 U 1 ! 2 = ! U2 = 12.167ARMS = I 2 N1 1.5ARMS e a relação de espiras 9:1.707=18VPP I1 N2 I 1 ! 1 = !I1 = 0.

Este processo de conversão de AC para cc. Sem corrente elétrica circulando implica em não ter tensão sob o resistor e toda a tensão do secundário fica no diodo.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 16 RETIFICADOR DE MEIA ONDA O retificador de meia onda converte a tensão de entrada (USECUNDÁRIIO ) ca numa tensão pulsante positiva UR. as curvas são as mostrada na Figura 1-22. é conhecido como “retificação”. Roberto A. Figura 1-22 O resistor R indicado no circuito representa a carga ôhmica acoplada ao retificador. Na Figura 1-21 é mostrado um circuito de meia onda. Bertoli set-00 . VALOR CC OU VALOR MÉDIO A tensão média de um retificador de meia onda mostrada por um voltímetro é dado por: Prof. Figura 1-21 Considerando o diodo como ideal. Durante o semiciclo negativo o diodo está polarizado reversamente e não há corrente circulando no circuito. Este circuito é conhecido como retificador de meio ciclo porque só o semiciclo positivo é aproveitado na retificação. podendo ser tanto um simples resistor como um circuito complexo e normalmente ele é chamado de resistor de carga ou simplesmente de carga. A saída do secundário tem dois ciclos de tensão: Um semiciclo positivo e um negativo. Durante o semiciclo positivo o diodo está ligado no sentido direto e age como uma chave fechada e pela lei das malhas toda a tensão do secundário incide no resistor R.

D1 está diretamente polarizado e conduz mas D2 está reversamente polarizado e cortado. Figura 1-23 As duas tensões denominadas de U2/2 na Figura 1-23 são idênticas em amplitude e fase. sem alteração no funcionamento elétrico da rede. quando U2/2 é negativa. É dado por: VCC = 2*0. Por causa dessa tomada.318 UP diodo ideal VCC = 0. O retificador superior retifica o semiciclo positivo da tensão do secundário.Vσ) diodo 2ª aproximação 17 Eq.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA VCC = 0. Considerando os dois diodos ideais.318UP diodo ideal VCC = 0. O transformador ideal pode ser. Quando U2/2 é positiva. Bertoli set-00 . temos a curva de tensão sobre o resistor de carga mostrada na Figura 1-24. Observe a tomada central no enrolamento secundário. o circuito é equivalente a dois retificadores de meia onda.636 (UP/2 . 1-13 FREQÜÊNCIA DE SAÍDA A freqüência de saída de onda completa é o dobro da freqüência de entrada. portanto. Roberto A.318 (UP . Analogamente. D2 conduz e D1 cortado. 1-12 Eq. enquanto o retificador inferior retifica o semiciclo negativo da tensão do secundário. como mostra a Figura 1-23 à direita. pois a definição de ciclo completo diz que uma forma de onda completa seu ciclo quando ela Prof.Vσ) diodo 2ª aproximação Eq. VALOR CC OU VALOR MÉDIO A tensão média de um retificador de meia onda mostrada por um voltímetro é similar o do retificador de meia onda com a observação de que agora tem-se um ciclo completo e o valor será o dobro. substituído por duas fontes de tensão idênticas.318 (UP/2) = 0. 1-11 RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA A Figura 1-23 mostra um retificador de onda completa. 1-10 Eq.

Figura 1-24 Prof. Na Figura 1-24. Bertoli set-00 .Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 18 começa a repeti-lo. Supondo que a tensão de entrada tenha uma freqüência de 60Hz. Roberto A. a forma de onda retificada começa a repetição após um semiciclo da tensão do secundário.33ms. a onda retificada terá uma freqüência de 120Hz e um período de 8.

º de Diodos Tensão Pico de Saída Tensão cc de Saída Tensão Pico Inversa no Diodo Freqüência de Saída Tensão de saída (rms) 1 UP 0. Na Figura 1-26 é mostrado as formas de ondas sobre o resistor de carga e os diodos. o diodo D3 recebe um potencial positivo em seu anodo. o diodo D4 recebe um potencial positivo em seu anodo.636 UP UP 2 fent 0. considerando os diodos ideais. Tabela 1-1 MEIA ONDA N. D1 e D4 ficam reversamente polarizado e o resistor de carga R recebe todo o semiciclo positivo da tensão U2. e o diodo D1 um potencial negativo no catodo. Para diodos ideais. Durante o semiciclo positivo da tensão U2.45 UP PONTE 4 UP 0.318 UP UP 2 fent 0. Os diodos D1 e D4 conduzem e os diodos D2 e D3 ficam reversamente polarizado.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 19 RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE Na Figura 1-25 é mostrado um retificador de onda completa em ponte. Na Tabela 1-1 é feito uma comparação entre os três tipos de retificadores. elimina-se o uso da tomada central do transformador. D2 e D3 conduzem. Com o uso de quatro diodos no lugar de dois. Figura 1-25 A corrente I percorre o resistor de carga sempre num mesmo sentido.318 UP UP fent 0.45 UP ONDA COMPLETA 2 0. Durante o semiciclo negativo da tensão U2. Roberto A.5UP 0. devido à inversão da polaridade de U2. Portanto a tensão UR é sempre positiva. Dessa forma. Bertoli set-00 . e o D2 um potencial negativo no catodo.9 UP Prof.

Prof. haverá uma distribuição de cargas e após um certo tempo as tensões na bateria e no capacitor serão as mesmas. por um Ao ligar uma bateria com um capacitor descarregado. Bertoli set-00 . Roberto A. E deixa de circular corrente elétrica. separadas material isolante.6 CAPACITOR Componente eletrônico.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 20 Figura 1-26 1. constituído por duas placas condutoras.

O capacitor pode armazenar carga elétrica. e portanto é mantida a diferença de potencial no capacitor. C= onde: ε = constante dielétrica (F/m) ε. 1-15 S = área de uma das placas (são iguais) (m2) d = Espessura do dielétrico em metro (m) C = Capacitância em Farads (F) em geral se usa submultiplos do Farad: µF. Trimmer) DISPOSIÇÃO DAS PLACAS Prof. A capacidade que tem um capacitor para armazenar cargas depende da sua capacitância. Roberto A.S d Eq.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 21 Se o capacitor for desconectado da bateria. Bertoli set-00 . nF. O capacitor se opõe a variação de tensão elétrica. as cargas elétricas acumuladas permanecem no capacitor. pF DETALHES SOBRE OS CAPACITORES TIPOS DE CAPACITORES papel mica tântalo cerâmica eletrolítico variável (distância / área) !(Padder.

Roberto A. As tensões no capacitor e resistor seguem as seguintes equações: VC=U*(1-e-t/τ) VR=U*e-t/τ onde τ=RC e é chamada de constante de tempo do circuito. 1-16 Eq.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 22 CARGA E DESCARGA DO CAPACITOR Suponha que o capacitor esteja descarregado e em t=0s a chave do circuito abaixo é fechada. 1-17 CIRCUITOS COM CAPACITOR E RESISTOR Resistor em série com o capacitor Prof. a tensão no capacitor atinge 63% da tensão da fonte Eq. Bertoli set-00 . Quando t=τ.

Bertoli set-00 . Roberto A.Colégio Técnico de Campinas Resistor em paralelo com o capacitor ELETRÔNICA 23 Resistor em série com capacitor e com um gerador de onda quadrada Prof.

Idealmente. antes de ligar o circuito. ele carrega até o valor da tensão de pico UP. Com o diodo aberto. o capacitor é carregado novamente até UP . Isto devido ao fato de o capacitor ter uma tensão de pico UP. No entanto a tensão de uma bateria deve ser estável. O intervalo de condução do diodo é chamado de ângulo de condução do diodo. Durante o ângulo de condução do diodo. O diodo só voltará a conduzir no momento em que a tensão no secundário iniciar a subir e seja igual a tensão no capacitor.7 FILTRO PARA O RETIFICADOR A tensão de saída de um retificador sobre um resistor de carga é pulsante como mostrador por exemplo na Figura 1-26. Durante um ciclo completo na saída. Bertoli set-00 . Ele conduzirá deste ponto até a tensão no secundário atingir o valor de pico UP. durante o primeiro quarto de ciclo da tensão no secundário. o diodo fica reversamente polarizado e não conduz. torna-se necessário o uso de filtro. o capacitor esteja descarregado. a tensão no resistor aumenta a partir de zero até um valor de pico e depois diminui de volta a zero. Nos retificadores sem filtro cada diodo tem um ângulo de condução de 180°. Prof. O capacitor é colocado em paralelo ao resistor de carga. Para o entendimento do funcionamento do filtro supor o diodo como ideal e que. o diodo está diretamente polarizado. Como o diodo conecta o enrolamento secundário ao capacitor. ele funciona como uma chave fechada. A idéia do filtro é a de que o tempo de descarga do capacitor seja muito maior que o período do sinal de entrada. o que significa uma chave aberta. Roberto A. o capacitor perderá somente uma pequena parte de sua carga durante o tempo que o diodo estiver em corte. o capacitor se descarrega por meio do resistor de carga. O tipo mais comum de filtro para circuitos retificadores é o filtro com capacitor mostrado na Figura 1-27.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 24 1. Com isso. Ao ligar. o diodo pára de conduzir. Para obter esse tipo de tensão retificada na carga. Figura 1-27 Figura 1-28 Logo após o pico positivo. Como a tensão no secundário é ligeiramente menor que UP.

Quanto menor. A desvantagem dele é. O pior caso. a constante de tempo se torna muito grande e pode levar vários ciclos para o capacitor se carregar totalmente. Este fluxo alto de corrente é chamado corrente de surto. A diferença para uma tensão cc pura é uma pequena ondulação (Ripple) causada pela carga e descarga do capacitor. Este resistor limita a corrente de surto porque ele é somado ao enrolamento e à resistência interna dos diodos. do valor da tensão de ondulação. Neste caso é carregado duas vezes a cada ciclo da tensão de entrada e descarrega-se só durante a metade do tempo de um meia onda. Como regra de projeto. Outra forma de reduzir a ondulação é optar pelo uso de um retificador de onda completa. Um modo de diminuir a corrente de surto é incluir um resistor entre os diodos e o capacitor. quanto menor a ondulação. melhor. no qual a freqüência de ondulação é o dobro do meia onda. a diminuição da tensão de carga cc. 1-18 UOND = tensão de ondulação pico a pico I = corrente cc na carga f = freqüência de ondulação C = capacitância A escolha de um capacitor de filtro. a corrente de surto não é uma preocupação. 1-19 Esta corrente diminui tão logo o capacitor vá se carregando. Bertoli set-00 . é o capacitor estar totalmente descarregado e o retificador ser ligado no instante em que a tensão da linha é máxima. o habitual é escolher a tensão de ondulação como sendo 10% da tensão de pico do sinal a ser retificado.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 25 Na Figura 1-28 é mostrada na tensão sob a carga. Pode-se relacionar a tensão de ondulação na seguinte fórmula: U OND = onde: I fC Eq. então. Na prática é aumentar o valor do capacitor. Em um circuito retificador típico. Isto tanto pode danificar os diodos quanto o capacitor. o capacitor se aproxima de um curto. A tensão na carga é agora uma tensão cc mais estável. Uma forma de reduzir a ondulação é aumentar a constante de tempo de descarga (R. Roberto A. Naturalmente. Mas. melhor. Neste momento o único elemento que limita a carga é a resistência dos enrolamentos e a resistência interna dos diodos. Prof.C). a corrente inicial circulando no capacitor será muito alta. Mas não é viável que a tensão de ondulação seja zero. depende. Assim a corrente será: I SURTO = UP R ENROLAMENTO + R DIODO Eq. o capacitor do filtro está descarregado. naturalmente. Portanto. CORRENTE DE SURTO (IMPULSIVA) Instantes antes de energizar o circuito retificador. quando a capacitância for muito maior do que 1000uF. No momento em que o circuito é ligado.

8 DIODO ZENER O diodo zener é um diodo construído especialmente para trabalhar na tensão de ruptura.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 26 1. Normalmente ele está polarizado reversamente e em série com um resistor limitador de corrente. ele suporta tensões reversas próximas a tensão de ruptura. Mas ao contrário de um diodo convencional. O diodo zener se comporta como um diodo comum quando polarizado diretamente. Prof. Bertoli set-00 . Roberto A. A sua principal aplicação é a de conseguir uma tensão estável (tensão de ruptura). Abaixo é mostrado a curva característica do diodo zener e sua simbologia. Graficamente é possível obter a corrente elétrica sob o zener com o uso de reta de carga.

Prof. Bertoli set-00 . CORRENTE MÁXIMA NO ZENER PZ = VZ * I Z Exemplo 1-3: Se um diodo zener de 12V tem uma especificação de potência máxima de 400mW. Veja o gráfico abaixo SEGUNDA APROXIMAÇÃO Uma Segunda aproximação é considera-lo como ideal mas que a partir da tensão de ruptura exista uma resistência interna.33mA 12V • Este zener suporta até 33. qual será a corrente máxima permitida? SOL.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 27 DIODO ZENER IDEAL O zener ideal é aquele que se comporta como uma chave fechada para tensões positivas ou tensões negativas menores que –VZ . Roberto A.: I ZMÁXIMA = 400mW = 33.3mA. Ele se comportará como uma chave aberta para tensões negativas entre zero e –VZ .

22 IL=VZ/RL sob o zener IS=IZ+IL Tensão de Ripple na carga (∆VL) Considerando RZ<<RL. Bertoli set-00 . 1-20 • Com o diodo conduzindo reversamente Eq. 1.21 Corrente sob RS. RS < • VSMIN − VZ I LMAX + I ZMIN Eq. 1.25 garante a corrente mínima para a carga Prof. Roberto A.23 Eq.variação de entrada RZ .Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 28 REGULADOR DE TENSÃO COM ZENER Objetivo: manter a tensão sobre a carga constante e de valor Vz. RS ! IZ=IS . IS = sob RL VS − VZ RS Eq.resistência da entrada CÁLCULO DO RESISTOR DE CARGA RS.resistência do zener RS .25 ∆VS . Tensão na carga • enquanto o diodo cortado VRL = RL * VS RS + RL VRL=VZ Eq. 1.IL Eq.24 ∆VL = RZ * ∆VS RS Eq. 1. 1. 1.

4Vp) DOBRADOR DE TENSÃO DE MEIA ONDA No pico do semiciclo negativo. qual o valor de RS? SOL. Bertoli set-00 .8)/(5m+40m)=293Ω 293Ω<RS <342Ω 1. 1. Pelo fato da fonte e C1 estarem em série. C2 tentará se carregar até 2Vp.26 RS > • VSMAX − VZ I LMIN + I ZMAX garante que sob o zener não circule uma corrente maior que IZMAX Exemplo 1-4: Um regulador zener tem uma tensão de entrada de 15V a 20V e a corrente de carga de 5 a 20mA. a tensão através de C2 será igual a 2Vp. isto faz C1 carregar até a tensão Vp.: RS <(15-6. Depois de vários ciclos. 3Vp.8V e IZMAX=40mA. Se o zener tem VZ=6. Redesenhando o circuito e ligando uma resistência de carga Prof.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 29 Eq. D1 está polarizado reverso e D2 direto. Roberto A.8)/(20m+4m)=342Ω e RS> (20-6. No pico do semiciclo positivo.9 CIRCUITO COM DIODOS MULTIPLICADORES DE TENSÃO Formado por dois ou mais retificadores que produzem uma tensão cc igual a um múltiplo da tensão de pico da entrada (2Vp. D1 está polarizado diretamente e D2 reversamente.

Bertoli . Roberto A.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 30 DOBRADOR DE TENSÃO DE ONDA COMPLETA TRIPLICADOR E QUADRIPLICADOR DE TENSÃO LIMITADORES • • Retira tensões do sinal acima ou abaixo de um dado nível. set-00 Prof. Serve para mudar o sinal ou para proteção.

porque ele mantém o sinal num nível fixo. Prof.7V. Roberto A. Este circuito é chamado grampo de diodo.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 31 LIMITADOR POSITIVO (OU CEIFADOR) LIMITADOR POLARIZADO ASSOCIAÇÃO DE LIMITADORES USO COMO PROTEÇÃO DE CIRCUITOS • • 1N914 conduz quando a tensão de entrada excede a 5. Bertoli set-00 .

Ex. 1-4)Suponha VS=5V e que a tensão através do diodo seja 5V. sua corrente é de 50mA. Qual será a tensão do diodo? O que acontecerá ao diodo? Ex. Bertoli set-00 . 1-5)Alguma faz com que R fique em curto no circuito ao lado. 1-3)Faça o gráfico I*V de um resistor de 2kΩ.7V e a corrente de 100mA? Ex. Por exemplo. 1. quando um diodo está polarizado diretamente. 1-1)Num dado circuito. se o sinal que chega oscila de -10V a +10V. O diodo está aberto ou em curto? Ex. marque o ponto onde a corrente é de 4mA.10 EXERCÍCIOS Ex. 1-6)Você mede 0V através do diodo do circuito ao lado.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 32 GRAMPEADOR CC O grampeador cc soma uma tensão cc ao sinal (não confundir com grampo de diodo). e ela indica uma leitura de +5V com relação ao terra (-). Quando polarizado reversamente. Qual a razão entre a corrente direta e a reversa? Ex. 1-2)Qual a potência dissipada num diodo de silício com polarização direta se a tensão de diodo for de 0. O que há de errado com o circuito? Prof. Roberto A. A seguir você testa a tensão da fonte. a corrente cai para 20nA. um grampeador cc positivo produziria uma saída que idealmente oscila de 0 a +20V (um grampeador negativo produziria uma saída entre 0 e -20V).

Se o diodo tiver a característica I*V abaixo. 1-10)Um diodo de silício tem uma corrente direta de 50mA em 1V. a tensão da fonte é de 100V e a resistência da fonte de 220Ω. 1-8)Repita o exercício anterior para uma resistência de 50Ω.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 33 I (mA) 100 50 . Quais os diodos relacionados abaixo podem ser utilizados? Diodo Prof. Calcule a corrente através do diodo Ex. Ex. Roberto A. 1-7 para uma fonte de tensão de 1.5V.5 2 2.5 V Ex. Utilize a terceira aproximação para calcular sua resistência de corpo. Ex. qual a corrente na extremidade superior da linha de carga: a tensão na extremidade mais baixa da linha de carga? Quais os valores aproximados da tensão e da corrente no ponto Q? Ex. 1-7)Uma fonte de tensão de 2. 1-11)A tensão da fonte é de 9V e da resistência da fonte é de 1kΩ. Bertoli Vruptura IMÁX set-00 . o que acontece com a linha de carga? Ex. 1-12)No circuito acima.5 3 3.5 1 1. 1-9)Repita o Ex. Descreva o que acontece com a linha de carga.5V leva o diodo a Ter um resistor limitador de corrente de 25Ω.

1s após o fechamento da chave. encontre o comprimento do lado de uma placa. se a área de cada placa é 0. 1-19)Um capacitor de placas paralelas de 1 F possui um dielétrico de cerâmica de 1mm de espessura. sendo esse revestimento as placas. Prof. etc.1mm e o dielétrico é o ar. 1-22)Para o circuito usado no problema 6. Encontre a capacitância. 1-13)E se eu inverter a polaridade da fonte? Ex. Compare os resultados. uma chave conecta um circuito série formado por uma fonte de 200V. encontre a capacitância tendo a mica como dielétrico. Qual é: • A tensão inicial do capacitor? • A corrente inicial? • tempo necessário para o capacitor atingir a tensão de 63% do seu valor máximo? Ex.01µF de placas paralelas. 15v fonte carga 12V Ex. εAr=8. uma fonte de 100V é conectada a um circuito série formado por um resistor de 1kΩ e um capacitor de 2µF descarregado. 1-21)Ao ser fechada. Depois. Ex. Esse disco é revestido dos dois lados com prata. computadores. Depois encontre o tempo necessário para a tensão no capacitor aumentar mais 50V (de 50V para 100V). Encontre o tempo entre a abertura e o fechamento.521 mm de espessura. 1-14)No circuito acima qual deverá ser o valor de R para se obter uma corrente de diodo de 10mA? (suponha VS=5V) Ex.5 cm. a distância entre as placas é 0. Roberto A. Descreva como funciona o circuito abaixo. 1-23)Um simples temporizador RC possui uma chave que quando fechada conecta em série uma fonte de 300V. 1-16)Encontre a capacitância de um capacitor de placas paralelas se a dimensão de cada placa retangular é de 1x0. Encontre a tensão no capacitor e a corrente no instante t=0.85x10-12 F/m εmica=5xεar εVidro=7. um resistor de 16MΩ e um capacitor descarregado de 10µF.07 m2 e o dielétrico é o vidro. utilizam uma bateria auxiliar no caso da fonte de alimentação principal falhar. 1-17)Encontre a distância entre as placas de um capacitor de 0. Ex.5 cm de diâmetro e 0. Ex. Ex.Colégio Técnico de Campinas 1N914 1N4001 1N1185 ELETRÔNICA 75V 50V 120V 200mA 1A 35A 34 Ex.5xεar εcerâmica=7500xεar Ex. Bertoli set-00 . encontre o tempo necessário para a tensão no capacitor atingir 50V. Se as placas são quadradas.1µF descarregado. 1-20)No instante t=0s. 1-18)Um capacitor possui como dielétrico um disco feito de cerâmica com 0. um resistor de 2MΩ e um capacitor de 0. 1-15)Alguns sistemas como alarme contra roubo. Ex.

Qual a tensão em rms no enrolamento do secundário? Qual deve ser o valor do capacitor de filtro? Ex. As especificações são uma tensão de carga de 15V e uma ondulação de 1V para uma resistência de carga de 680Ω. qual a ondulação de pico a pico (Ripple)? Ex. Se a resistência de carga for de 220Ω e a capacitância de 500µF. 1-25)A figura abaixo mostra uma fonte de alimentação dividida. 1-26)Você mede 24Vac através dos secundário da figura abaixo. tem uma tensão de pico na saída de 25V.7Vac e C=500µF? Qual a ondulação de pico a pico? Quais as especificações mínima de ID e VZ ? qual a polaridade de C1 e C2? Ex. Quais as tensões de saída para uma tensão do secundário de 17. 1-27)Você está construindo um retificador em ponte com um filtro com capacitor de entrada. as tensões de saída são iguais e com polaridade oposta. Bertoli set-00 . Escolha os capacitores de filtro. Devido à derivação central aterrada. Prof. Sugira alguns problemas possíveis. 1-28)A fonte de alimentação dividida da figura 1 tem uma tensão do secundário de 25Vac.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 35 Ex. 1-24)Um retificador em ponte com um filtro com capacitor de entrada.6Vac através do resistor de carga. Ex. utilizando a regra dos 10 por cento para a ondulação. Em seguida você mede 21. Roberto A.

Com a chave na posição mostrada. 1-34) para VRL =4. Qual a tensão através desse amperímetro quando ele indicar fundo de escala? Os diodos às vezes são ligados em derivação (Shunted) através do amperímetro.7V e IZMAX=40mA. que componente você sugere que está com defeito? Explique por quê? Ex. 1-30)O amperímetro da figura abaixo tem uma resistência de medidor de 2kΩ e uma corrente para fundo de escala de 50µA. Se o amperímetro estiver ligado em série com um circuito. Roberto A. qual Ripple na saída? Ex. Se o Ripple da fonte for de 9V de pico a pico.4Ω.2kΩ e Rz=6Ω. Quais valores VS pode assumir? Prof. os diodos podem ser de grande utilidade. e corrente de carga é de 30mA !50%. 1-33)Projete um regulador zener que preencha as seguintes especificações: tensão da carga é de 6. 1-31)Dois reguladores zener estão ligados em cascata.8V. Para que você acha que eles podem servir? Ex. 1-29)A tensão do secundário na figura abaixo é de 25Vac. O primeiro tem um Rs=680Ω e um Rz=10Ω. qual a tensão de saída ideal? Com a chave na posição mais alta. o 1N1594 tem uma tensão de zener de 12V e uma resistência zener de 1. Ex. qual a tensão de saída ideal? Ex.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 36 Ex. Bertoli set-00 . Se você medir aproximadamente 20V para a tensão de carga. como mostra a figura 4. tensão da fonte de 20V !20%. 1-32)Na figura abaixo. O segundo tem um Rs=1.

1-37)Qual o sinal sob VL? Ex.5W)? Prof.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 37 Ex. 1-35)No exercício anterior qual a tensão na carga para cada uma das condições abaixo: • diodo zener em curto • diodo zener aberto • resistor em série aberto • resistor de carga em curto O que ocorre com VL e com o diodo zener se o resistor em série estiver em curto? Ex. Se a corrente variar de 10 a 20mA. RL pode variar de 1kΩ a 50kΩ. Roberto A. qual a variação de tensão através do zener? Ex. 1-38)Um regulador zener tem Vz = 15V e Izmax=100mA. 1-36)Qual o sinal de saída? Ex. Qual o valor da resistência? Ex. 1-39)Um diodo zener tem uma resistência interna de 5Ω. 1-40)Uma variação de corrente de 2mA através do diodo zener produz uma variação de tensão de 15mV. 1-41)Qual o valor mínimo de RS para o diodo não queimar (VZ=15V e PZMAX=0. Bertoli set-00 . Qual o maior valor que a resistência série pode assumir? Ex. VS pode variar de 22 a 40V.

Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 38 Ex. qual a ondulação na saída? Prof. 1-44)No exercício anterior suponha que a fonte tenha um Ripple de 4V. 10k e 1kΩ? Ex. O primeiro tem uma resistência em série de 680Ω e um Rz=6Ω. 1-42)no exercício anterior. Bertoli set-00 . e qual a potência dissipada no zener? Ex. O segundo tem uma resistência série de 1k2Ω e Rz=6Ω. se RS= 2kΩ. 1-43)Qual o valor de Iz para RL= 100k. Se a resistência zener for de 10Ω. 1-45)Dois reguladores zener estão ligados em cascata. Roberto A. qual a corrente sobre o zener. qual o Ripple de saída? Ex. Se a ondulação da fonte for 9V de pico a pico.

oscilação. bastando levar em conta que os portadores majoritários do emissor são lacunas em vez dos elétrons livres. Bertoli set-00 . e outra entre a base e o coletor. o sinal de saída de uma cabeça de gravação. Em 1951. comutação. é levemente dopado e muito fino. Antes da década de 50. foi inventado o transistor. eles diferem entre si no tamanho e dopagem. Dois cristais tipo n e um tipo p ou dois cristais tipo p e um tipo n. O cristal do centro recebe o nome de base. O transistor tem duas junções. A partir daí o desenvolvimento da eletrônica foi imenso. etc. para realizar as funções de amplificação.base (ou só coletor). Ele foi desenvolvido a partir da tecnologia utilizada no diodo de junção. Por causa disso. com a diferença de o transistor ser formado por duas junções pn. Dentre todos os transistores. Na Figura 2-1 são mostrados de maneira esquemática os dois tipos: Figura 2-1 Cada um dos três cristais que compõe o transistor bipolar recebe o nome relativo a sua função.1 FUNCIONAMENTO DE TRANSISTORES BIPOLARES O transistor bipolar é constituído por três materiais semicondutor dopado.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 39 2 TRANSISTOR BIPOLAR Existe uma infinidade de sinais de interesse em eletrônica que são muitos fracos. a válvula era o elemento principal nesta tarefa. Roberto A. Apesar de na Figura 2-1 não distinguir os cristais coletor e emissor. A análise do transistor pnp é similar ao do npn. um transistor se assemelha a dois diodos. o bipolar é muito comum. é fortemente dopado e finalmente o último cristal tem o nome de coletor por receber os portadores de carga. Será analisado o funcionamento do transistor npn. com semelhanças ao diodo estudado anteriormente. etc. as correntes elétricas que circulam no corpo humano. Um cristal da extremidade recebe o nome de emissor por emitir portadores de carga. uma entre o emissor a base. e para transforma-los em sinais úteis torna-se necessário amplifica-los.base (ou só emissor) e o da direita de coletor . O diodo da esquerda é comumente designado diodo emissor . pois é comum aos outros dois cristais. Na prática isto significa tensões e correntes invertidas se comparadas com o npn. enquanto o diodo por apenas uma junção. 2.. como uma alternativa em relação as válvulas. como por exemplo. Prof. tem uma dopagem média. O primeiro é chamado de transistor npn e o segundo de pnp. detecção.

A Figura 2-2 mostra as camadas de depleção nas junções do transistor npn. Com os diferentes níveis de dopagem de cada cristal. Tanto maior a largura quanto menor a dopagem. juntam-se na base e retornam para as baterias. e a bateria B2 polariza diretamente o diodo coletor. Figura 2-3 JUNÇÕES COM POLARIZAÇÃO REVERSA Na Figura 2-4 os diodos emissor e coletor ficam reversamente polarizado. O fluxo de corrente elétrica é alto nas duas junções. as camadas de depleção tem larguras diferentes. A corrente elétrica circulando é pequena (corrente de fuga). POLARIZAÇÃO DO TRANSISTOR NPN As junções do transistor podem ser polarizadas diretamente ou reversamente. Bertoli set-00 . bastante na base e médio na região do coletor. Prof. Cada camada tem aproximadamente uma barreira potencial de 0. Os elétrons livres entram no emissor e no coletor. Roberto A. Ela penetra pouco na região do emissor.7V (silício) em 25°C.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 40 TRANSISTOR NÃO POLARIZADO Figura 2-2 A difusão dos elétrons livres através da junção produz duas camadas de depleção. JUNÇÕES COM POLARIZAÇÃO DIRETA Na Figura 2-3 a bateria B1 polariza diretamente o diodo emissor.

Esta junção. Prof. Roberto A. Esses atravessam sem dificuldade a camada de depleção penetram na região de coletor. grande parte dos elétrons da base passam a junção basecoletor. Ela é pequena porque a base é pouco dopada. Lá os elétrons livres são atraídos para o pólo positivo da bateria B2.REVERSA Na Figura 2-5 o diodo coletor está reversamente polarizado e diodo emissor diretamente polarizado. Estes elétrons na base podem retornar ao pólo negativo da bateria B1. é injetado uma alta corrente em direção a base.base (VBE). Se a tensão entre base e emissor (VBE) for maior que 0. No entanto isto não acontece. ou atravessar a junção do coletor passando a região do coletor. Em suma. Figura 2-5 No instante em que a polarização direta é aplicada ao diodo emissor. os elétrons do emissor ainda não penetraram na região da base. nos dois diodos as correntes são altas. retorna ao pólo negativo da bateria B1 e o restante da corrente flui para o coletor e daí para o pólo positivo da bateria B2.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 41 Figura 2-4 JUNÇÕES COM POLARIZAÇÃO DIRETA . Ver Figura 2-6.7V. Obs. muitos elétrons do emissor penetram na região da base. polarizada reversamente. Na base uma pequena parcela da corrente. dificulta a passagem dos portadores majoritários do cristal de base (lacunas) para o coletor. Os elétrons que a partir da base retornam a bateria B1 são chamados de corrente de recombinação. com a polarização direta do diodo emissor. Como a base é muito fina. por recombinação. A princípio espera-se uma corrente de fuga no diodo coletor e uma alta corrente no diodo emissor. mas não dos elétrons livres.base (VCB) bem maior que a tensão emissor . Considerar a tensão coletor . Bertoli set-00 .

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Figura 2-6

TRANSISTOR PNP
No transistor pnp as regiões dopadas são contrárias as do transistor npn. Isso significa que as lacunas são portadores majoritários no emissor em vez dos elétrons livres. O funcionamento é como a seguir. O emissor injeta lacunas na base. A maior parte dessas lacunas circula para o coletor. Por essa razão a corrente de coletor é quase igual a do emissor. A corrente de base é muito menor que essas duas correntes. Qualquer circuito com transistor npn pode ser convertido para uso de transistor pnp. Basta trocar os transistores, inverter a polaridade da fonte de alimentação, os diodos e capacitores polarizados. E o funcionamento será idêntico ao modelo npn. Considerando esta similaridade, neste curso os circuitos analisados são sempre os com transistores npn.

AS CORRENTES NO TRANSISTOR

Figura 2-7

A Figura 2-7 Figura 2-7 mostra o símbolo esquemático para um transistor pnp e npn. A diferenciação a nível de esquemático é feito através da seta no pino do emissor. A direção da seta mostra o fluxo de corrente convencional. Na figura é mostrado também o sentido das correntes convencionais IB , IC e IE . A lei de correntes de Kirchhoff diz que a soma de todas as correntes num nó é igual a soma das que saem. Então: IE = IC + IB Eq. 2- 1 A relação entre a corrente contínua de coletor e a corrente contínua de base é chamada de ganho de corrente β CC : Prof. Roberto A. Bertoli set-00

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Eq. 2- 2

β CC =

IC IB

Em geral mais de 95% dos elétrons livres atingem o coletor, ou seja, a corrente de emissor é praticamente igual a corrente de coletor. O parâmetro αcc de um transistor indica a relação entre a corrente de emissor e coletor:

α CC =

IC IE

Eq. 2- 3

Quanto mais fina e levemente dopada a base, mais alto o αcc. Pode-se relacionar o αcc com o β CC : !CC = !CC /(1 - !CC ) Eq. 2- 4

TESTE DE DIODOS E TRANSISTORES.
Uma maneira simples é mostrada a seguir para se testar diodos e transistores utilizando um ohmímetro. Teste de funcionamento de um diodo com um ohmímetro. 1. Encosta-se a ponta de prova negativa no cátodo 2. Encosta-se a ponta de prova positiva no ânodo O ohmímetro deve indicar resistência baixa. 3. Inverte-se as pontas de provas, a resistência deve ser alta. Teste de funcionamento de um transistor npn com um ohmímetro 1. Encosta-se a ponta de prova negativa na base do transistor 2. Encosta-se a ponta de prova positiva no coletor do transistor O ohmímetro deve indicar resistência alta. 3. Muda-se a ponta de prova positiva para o emissor do transistor O ohmímetro deve indicar resistência alta. 4. Inverte-se as pontas de provas, isto é, encosta-se a positiva na base e repete os itens 2 e 3. As resistências devem ser baixas. Isto é válido para os multímetros digitais. Em geral, nos multímetros analógicos, a ponta de prova positiva está ligada ao pólo negativo da bateria.

MONTAGEM BÁSICA COM TRANSISTOR
Na Figura 2-8, o lado negativo de cada fonte de tensão está conectado ao emissor. Neste caso denomina-se o circuito como montado em emissor comum. Além da montagem em emissor comum, existem a montagem em coletor comum e base comum, analisadas mais a frente. O circuito é constituído por duas malhas. A malha da esquerda que contém a tensão VBE e malha da direita com a tensão VCE.

VS = R S I B + VBE VCC = I C R C + VCE

Eq. 2- 5 Eq. 2- 6

Prof. Roberto A. Bertoli

set-00

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Figura 2-8

RELAÇÃO IB VERSUS VBE
Existe uma relação entre IB e VBE, ou seja, para cada IB existe uma tensão VBE correspondente (Figura 2-9). Naturalmente, esta curva semelhante a curva do diodo.

Figura 2-9

RELAÇÃO IC VERSUS VCE
A partir de VCC e VS é possível obter diversos valores de IC e VCE . a Figura 2-10 mostra esta relação supondo um IB fixo.

Figura 2-10

Prof. Roberto A. Bertoli

set-00

Como VBE na região ativa é em torno de 0. Na realidade o β CC não é constante na região ativa. Em geral se considera: Se IB=0 !IC =0. Habitualmente o gráfico fornecido pelo fabricante leva em consideração diversos IB’s. Um exemplo está na Figura 2-11. Por isso. Esta corrente é muito pequena. Então para cada IB há uma curva relacionando IC e VCE. quase zero. Figura 2-11 Prof. A variação de β CC pode ser da ordem de 3:1 ao longo da região ativa do transistor. Para sair da região de saturação e entrar na região ativa. A região de corte é um caso especial na curva IC x VCE. Na saturação não é possível manter a relação IC=IBβ CC. Bertoli set-00 . O gráfico da Figura 2-10. porque é necessário ter o valor fixo de IB. isto requer um VCE maior que 1V. o β CC se mantém constante na região ativa. Mesmo para outros valores de IB. Sendo a corrente de coletor (saída) proporcional a corrente de base (entrada). ele varia com a temperatura ambiente e mesmo com IC. Roberto A. A parte final é a região de ruptura e deve ser evitada. Na região de saturação o diodo coletor está polarizado diretamente. Nesta região uma variação do VCE não influencia no valor de IC. passa a simular uma pequena resistência ôhmica entre o coletor e emissor. mostra a curva IC x VCE para um dado IB. Na Figura 2-12 é mostrado um exemplo de variação de β CC. É quando IB =0 (eqüivale ao terminal da base aberto). é necessário uma polarização reversa do diodo coletor. É toda a curva entre a origem e o joelho. Notar no gráfico que para um dado valor de VCE existem diversas possibilidades de valores para IC. perde-se o funcionamento convencional do transistor. IC mantém-se constante e igual a IB β CC. No gráfico de exemplo. A corrente de coletor com terminal da base aberto é designada por ICEO (corrente de coletor para emissor com base aberta). designa-se os circuitos com transistores na região ativa de circuitos lineares. As regiões de corte e saturação. a tensão de ruptura está em torno de 80V e na região ativa para um IB=40µA tem-se que o β CC=IC/IB = 8mA/40µA=200. são amplamente usados em circuitos digitais. Os transistores operam na região ativa quando são usados como amplificadores. Isto ocorre. por simularem uma chave controlada pela corrente de base.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 45 A parte inicial da curva é chamada de região de saturação. A parte plana é chamada de região ativa.7V.

O modelo faz algumas simplificações: 1. o diodo coletor deve estar polarizado reversamente e a tensão do diodo coletor deve ser menor do que a tensão de ruptura. VBE =0. ou seja: o diodo emissor deve estar polarizado diretamente.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 46 Figura 2-12 O MODELO DE EBERS-MOLL Na análise ou projeto de um circuito transistorizado. Figura 2-13 Modelo Ebers-Moll Prof.7V 2. IC=IE !IB=IE/ !CC 3. Uma opção é a de se criar um circuito equivalente para o transistor usando componentes mais simples como fonte ou resistor. Veja Figura 2-13. despreza a diferença de potencial produzida pela corrente de base ao atravessar a resistência de espalhamento da base . tem-se dificuldade em trabalhar com o transistor a nível de malhas. Bertoli set-00 . O modelo de Ebers-Moll é um circuito equivalente do transistor levando em consideração que ele esteja trabalhando na região ativa. Roberto A.

IC e VCE. 3. Isto é.1 Nesta equação existem duas incógnitas.2 Eq.VCE )/ RC Eq. Roberto A. SOL.: Os dois pontos da reta de carga são: VCE = 0 !IC = VCC / RC (15 )/1k5 = 10mA ponto superior IC = 0 !VCE = VCC = 15V ponto inferior O corrente de base é a mesma que atravessa o resistor RB: Prof. como polariza-lo. também se aplica a transistores. Bertoli set-00 . A análise da malha esquerda fornece a corrente IC: IC = (VCC . basta Calcular os extremos da reta de carga: VCE = 0 !IC = VCC / RC ponto superior IC = 0 !VCE = VCC ponto inferior Eq. usa-se a reta de carga em transistores para obter a corrente IC e VCE considerando a existência de um RC. Figura 3-1 a conceito de reta de carga estudado no capítulo sobre diodos. A solução deste impasse é utilizar o gráfico IC x VCE. Com o gráfico em mãos.3 A partir da reta de carga e definido uma corrente IB chega-se aos valores de IC e VCE. Exemplo 3-1 No circuito da Figura 3-1 suponha RB= 500Ω Construa a linha de carga no gráfico da Figura 3-2 e meça IC e VCE de operação. 3. O problema consiste em saber os valores de correntes e tensões nos diversos componentes. Este capítulo estuda como estabelecer o ponto de operação ou quiescente de um transistor. 3. 3.1 RETA DE CARGA A Figura 3-1 mostra um circuito com polarização de base. Uma opção é o uso da reta de carga.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 47 3 POLARIZAÇÃO DE TRANSISTORES Um circuito transistorizado pode ter uma infinidade de funções e os transistores para cada função tem um ponto de funcionamento correto.

Nesse ponto a corrente de coletor é máxima.ponto quiescente). Figura 3-3 Prof. A interseção da reta de carga e a curva IB= IB(SAT) é chamada saturação. Este é o ponto de operação do circuito (ponto Q. e uma diminuição de IB leva o transistor região de corte. Nesse ponto a corrente de base é zero e corrente do coletor é muito pequena (ICEO ). Ver Figura 3-3 O ponto onde a reta de carga intercepta a curva IB =0 é conhecido como corte.5V.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 48 IB = 15 − 0. Bertoli set-00 . O ponto Q varia conforme o valor de IB. Roberto A.7 = 29µA 500K Figura 3-2 Após traçar a reta de carga na curva do transistor chega-se aos valores de IC =6mA e VCE=5. um aumento no IB aproxima o transistor para a região de saturação.

Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 49 3. Portanto. dispor de uma corrente de base que seja de aproximadamente um décimo do valor saturado da corrente de coletor.: Quando a tensão de entrada for zero. a corrente de coletor é máxima e o transistor satura. a maioria dos transistores de silício de pequeno sinal tem um β CC maior do que 10. o transistor está em corte. Exemplo 3-2 A Figura 3-4 mostra um circuito de chaveamento com transistor acionado por uma tensão em degrau. Saturação forte significa dispor de corrente da base suficiente para saturar o transistor para todas as variações de valores de β CC. Não é aconselhável a produção em massa de saturação fraca devido à variação de β CC e em IB(SAT). Se IB for zero. ou seja. No pior caso de temperatura e corrente. é como se houvesse uma chave fechada do coletor para o emissor. A tensão de saída vai a zero e a corrente de saturação será: Prof. Quando o transistor está saturado. Quando o transistor está cortado. Roberto A. Se IB for IB(SAT) ou maior. uma boa orientação de projeto para a saturação forte é de considerar um β CC(SAT)=10. a tensão de saída iguala-se a +5V. Neste caso. CORRENTE DE BASE A corrente de base controla a posição da chave. isto é. Qual a tensão de saída? SOL. a corrente de base será: IB = 5 − 0. Figura 3-4 Quando a tensão de entrada for de +5V. significando uma operação na saturação ou no corte e em nenhum outro lugar ao longo da reta de carga. a corrente de coletor é próxima de zero e o transistor está em corte. é como uma chave aberta.2 O TRANSISTOR COMO CHAVE A forma mais simples de se usar um transistor é como uma chave. Saturação fraca significa que o transistor está levemente saturado. ele se comporta como uma chave aberta. Bertoli set-00 .7 = 1.43mA 3K Supondo o transistor com um curto entre coletor e o emissor (totalmente saturado). a corrente de base é apenas suficiente para operar o transistor na extremidade superior da reta de carga. Sem corrente pelo resistor de coletor.

3 O TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE A Figura 3-5 mostra um transistor como fonte de corrente.VBE / IB = 5 .: Cálculo de IB Se IC =10mA ! IB (sat) = IC /β CC(SAT) = 10m /10 = 1. uma saída de 0V.VS = 0 logo. A corrente de emissor circula por esse resistor produzindo uma queda de tensão de IE RE. IE IE = VS − VBE RE Prof. Ele tem um resistor de emissor RE entre o emissor e o ponto comum. RC = VCC / IC = 5 /10mA = 500Ω Cálculo de RB RB = VE .2mA 330 Isto é aproximadamente 10 vezes o valor da corrente de base.7 / 1mA = 4k3Ω 3. Bertoli set-00 . o VCE de saturação é próximo de zero. Em circuitos digitais este circuito é chamado de porta inversora e tem a representação abaixo: Exemplo 3-3 Recalcule os resistores RB e RC no circuito da Figura 3-4 para um IC=10mA. No circuito analisado.0mA Cálculo de RC ao considerar o transistor saturado. certamente há uma saturação forte no circuito. ou seja. SOL.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 50 I C (SAT ) = 5 = 15.0. uma tensão de entrada de 0V produz uma saída de 5V e uma tensão de entrada de 5V. Roberto A. Figura 3-5 A soma das tensões da malha de entrada da é: VBE + IE RE .

observar que R1 e R2 formam um divisor de tensão. A Figura 3-7 mostra o circuito.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 51 Como VBE. RC ou da corrente de base. Para a análise da tensão em VR2.4 Figura 3-7 * a tensão VR2 não depende de β CC Com o valor de VR2 é simples o cálculo de IE. eles estabelecem valores específicos de tensões e correntes nos seus terminais. isto não é problema. determinando. via os resistores R1 e R2. Figura 3-6 POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO O circuito mais usado em amplificadores é chamado de polarização por divisor de tensão. o ponto de operação varia sensivelmente com o β CC. 3. Mas em circuitos que trabalham na região ativa. A Figura 3-6 mostra o circuito de polarização por base já estudado anteriormente. Deve-se olhar a malha de entrada: VR 2 = VBE + VE como VE = IE RE Eq. a principal desvantagem dele é a sua susceptibilidade à variação do β CC. a corrente no emissor é constante. Independe de β CC. portanto. Em circuitos digitais. e RE são aproximadamente constantes. 3. com o uso de β CC(SAT).6 VCC = R C I C + VCE + R E I E considerando IE = IC Prof. Como regra prática.4 O TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO EM EMISSOR COMUM Fontes de alimentação e resistores polarizam um transistor. 3. um ponto de operação no modo ativo (o ponto de operação). Pois: IC = β CC ∗ IB . VS.5 IE = Análise da malha de saída: VR 2 − VBE RE Eq. A principal evolução do circuito em relação ao polarização por base é de fixar uma tensão na base. Roberto A. considerar a corrente I 20 vezes maior que IB. isto é. 3. Bertoli set-00 . Supondo I>> IB: VR 2 = R2 VCC R1 + R 2 Eq. O valor de I deve ser bem maior que IB para a corrente IB não influenciar na tensão sob R2.

Por isso a polarização por divisor de tensão é amplamente utilizada. SOL.10 assim R2 será maior.85V 6K8 + 1K IE = cálculo de VE 3. ou seja. Por último. mas com possibilidade de degradação na Figura 3-8 estabilidade do ponto Q. Isto quer dizer que o circuito é imune a variações em β CC.5 VCC ou IC =0. Exemplo 3-4 Encontre o VB.1β CC R E Eq. 3.: Cálculo de VR2 a partir da Eq. O defeito desta regra. VE.8 VCC = I C (R C + R E ) + VCE IC = VCC − VCE R C + RE Notar que β CC não aparece na fórmula para a corrente de coletor.1 VCC Exemplo 3-5 Polarizar um transistor por divisão de tensão firme. 3-9 é polarização por divisor de tensão estabilizado. VCE =0.9 onde o valor de β CC é o do pior caso. aplicar a regra de VE ser um decimo de VCC. espera-se um divisor de tensão estabilizado.01β CC R E Eq. Roberto A. 3.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 52 Eq. 3.15V cálculo de VCE a partir da Eq.2m*(3k+750)=14. VE = 0. 3-7 VCE = 30.3V REGRAS DE PROJETO Sempre ao polarizar um transistor.5 IC(SAT). Bertoli set-00 Eq. Para minimizar o efeito do β CC. Quando se segue a regra da Eq. deve-se dar preferência a um ponto central. é o fato de um baixo R2 influenciar negativamente na impedância de entrada. 3.4. VCE e IE para o circuito da Figura 3-8. ou seja. De forma que o sinal possa excursionar ao máximo tanto com o aumento de IB quanto com a diminuição. Dados: Prof. considerar: R 2 ≤ 0.85 − 0. Na escolha do ponto de operação da curva IC x VCE. 3-4 VB = VR 2 = Cálculo de IE a partir da Eq. o que implica um ponto de operação estável. 3-6 1K 30 = 3.2mA 750 VE = IE RE = 4. 3-10 designa-se o circuito de polarização por divisor tensão firme e quando se segue a regra da Eq. 3. deseja-se manter o ponto Q de operação fixo independente de outros parâmetros externos. Então como opção podese considerar R 2 ≤ 0.7 Eq. o menor β CC que o transistor pode ter.7 = 4. isto é.2m*750= 3.11 .

1 VCC e VCE = VCC /2 Ex. 3-2) Projete um circuito de polarização por divisor de tensão com as seguintes especificações: VCC = 20V. 3-11 VE= 0. 3-4 VR 2 = R2 1000 VCC = 1. Prof. IC = 5mA. • Qual a tensão entre o coletor e o terra? • Desenhe a linha de carga. 3-10 10 − 5 − 100 = 400Ω 10m R 2 ≤ 0.: Cálculo de RE aplicando a regra da Eq. 3-8 e VCE= 0. Roberto A. 3-3) O transistor da figura abaixo tem um β CC =80. encontre as tensões VE e VCE de cada estágio. • Para β CC = 125. Considere VE = 0.1*10=1V I E= IC RE= VE/ IE = 100Ω cálculo de RC a partir da Eq.5 EXERCÍCIOS Ex.5 VCC RC = cálculo de R2 a partir da Eq. Bertoli set-00 . IC= 10mA e β CC= 100 53 SOL. 3-1) No circuito da figura abaixo.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA VCC= 10V. Ex. a tensão no emissor e a tensão de coletor. calcule a tensão na base.7 = * 10 R1 + R 2 1000 + R 1 R1 = 4888=4k7Ω 3.1 * 100 * 100 = 1000 R2 = 1000Ω cálculo de R1 Eq. 80< β CC < 400.0 + 0.

Considere VCC =20V. Indique o que ocorre com a tensão do coletor Q1 (aumenta. 3-5) No exercício anterior. não altera) se: • 1k8 aberto • coletor emissor do Q1 em curto • 240 aberto • 240 em curto • 300 em curto • 1k aberto • 910 aberto Indique o que ocorre com a tensão do coletor Q1 (aumenta.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 54 Ex. suponha VCC = 20V e calcule de cada estágio: VB. Ex. diminui. Ex. 3-6) Ainda em relação ao exercício 4. VE. sendo VCC = 10V. diminui. Roberto A. Bertoli set-00 . não altera) se: 1k aberto 180 aberto 620 aberto coletor emissor de Q3 em curto 150 aberto 1k em curto 180 em curto 620 em curto coletor emissor de Q3 aberto 150 em curto Prof. 3-4) Qual a tensão do emissor e do coletor (os dois em relação ao terra) para cada estágio do circuito abaixo. VC e IC .

Figura 4-2 Prof. Por outro lado se o sinal de entrada for muito grande. O capacitor funciona como uma chave aberta para corrente cc e como chave fechada para a corrente alternada. Neste capítulo considerase os transistores devidamente polarizados com seus pontos de operação próximos a meio da reta de carga para uma máxima excursão do sinal de entrada sem distorção. Ele será chamado de amplificador linear (ou de alta-fidelidade . Desde que a amplitude do sinal de entrada seja pequena. Roberto A. A entrada do sinal é acoplada à base do transistor via o capacitor C1 e a saída do sinal é acoplada à carga RL através do capacitor C2.1 AMPLIFICADORES DE SINAL AMPLIFICADORES DE SINAL EMISSOR COMUM No capítulo anterior foi estudado a polarização dos transistores. ele se somara a tensões cc de polarização e induzirá flutuações na corrente de coletor de mesma forma e freqüência. Ao injetar um pequeno sinal ca à base do transistor. as flutuações ao longo da reta de carga levarão o transistor à saturação e ao corte Um circuito amplificador é mostrado na Figura 4-2. Bertoli set-00 . A polarização é por divisor de Figura 4-1 tensão.Hi-Fi) se não mudar a forma do sinal na saída. Esta ação permite obter um sinal ca de uma estágio para outro sem perturbar a polarização cc de cada estágio.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 55 4 4. o transistor usará somente uma pequena parte da reta de carga e a operação será linear.

a freqüência e a capacitância.1R . Roberto A.2 * π * 20 * 1000 CAPACITOR DE DESVIO Um capacitor de desvio é semelhante a um capacitor de acoplamento. A fórmula da reatância capacitiva é: Figura 4-3 XC = 1 2πfC Eq. A resistência total (R) é a soma de RL e RTH. a menor freqüência do sinal. ou seja.2 Exemplo 4-1 Suponha o projeto de um estágio com transistor na faixa de áudio. há duas incógnitas. O ponto A designado de terra ca. C≥ 1 = 79.1R. como mostra a Figura 44. Bertoli set-00 . a capacitância reativa XC. 20 Hz a 20kHz.: Cálculo do XC ! X C ≤ 0.1*1000=100 A escolha da freqüência recai sobre a de menor valor f=20Hz. Num amplificador existe um faixa de freqüências de operação. A sua função no circuito é a de aterrar o emissor para sinais ca e não interferir na polarização cc. Por exemplo na Figura 4-3 a tensão ca no ponto A é transmitida ao ponto B.1R =0. 4-1.2πf MENOR R Eq. Qual o valor mínimo para o capacitor se ele perceber uma resistência total de 10 kΩ? SOL. O sinal de entrada entra no estágio via capacitor de acoplamento. todos os capacitores de acoplamento e desvio são considerados estabilizados e segue a regra XC <= 0. O capacitor C3 da Figura 4-2 é um exemplo de capacitor de desvio.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 56 CAPACITOR DE ACOPLAMENTO O capacitor de acoplamento faz a passagem de um sinal ca de um ponto a outro. Figura 4-4 A menos que se diga o contrário.9µF ! A capacitância deve ser igual ou maior que 79. comparada com a resistência em série (RTH e RL ). O ponto A está em curto com o terra no que se refere ao sinal ca. melhor será o acoplamento. Um capacitor de desvio não perturba a tensão cc no ponto A porque ele fica aberto para corrente cc. Para um acoplamento estabilizado X C ≤ 0. precisa ser bem menor. então a capacitância será: C≥ 1 0. 4. exceto que ele acopla um ponto qualquer a um ponto aterrado.1 Na Eq. Para não haver atenuação apreciável do sinal. sem perda significativa do sinal. Prof. Se a reatância for no máximo 10% da resistência total tem-se um acoplamento estabilizado. naturalmente não é possível uma reatância nula. 4. a escolha deve recair para o pior caso.9µF 0. Quanto menor a reatância capacitiva. O capacitor funciona idealmente como um curto para um sinal ca.

os capacitores são desprezados. O teorema da superposição diz que se pode calcular os efeitos produzidos no diversos pontos de um circuito para cada fonte de alimentação funcionando sozinha. O circuito da Figura 4-2 tem duas fontes de alimentação (VCC e VS). Somente correntes ca atuam neste caso e. Seqüência: • Reduzir a fonte cc a zero (considerar a fonte VCC em curto). A Figura 4-6 mostra o circuito equivalente ca. E depois o circuito devido a fonte ca denominado equivalente ca.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 57 TEOREMA DA SUPERPOSIÇÃO PARA AMPLIFICADORES Num amplificador transistorizado. A fonte ca produz então. portanto. aplica-se o teorema da superposição. Roberto A. Bertoli set-00 . • Abrir todos os capacitores. O jeito mais simples de análise do circuito é dividindo a análise em duas partes: uma análise cc e uma análise ca. Somente correntes cc atuam neste caso e. Cria-se o circuito devido a fonte cc denominado equivalente cc. CIRCUITOS EQUIVALENTES CA E CC. • Todos os capacitores em curto. A Figura 4-5 mostra o circuito equivalente cc. flutuações nessas correntes e tensões. EQUIVALENTE CC Análise do circuito considerando a fonte VCC e desprezando a fonte VS. Prof. os capacitores são considerados em curto. portanto. a fonte cc estabelece correntes e tensões quiescentes. Seqüência: • Reduzir a fonte ca a zero (considerar a fonte VS em curto). Figura 4-5 EQUIVALENTE CA Análise do circuito considerando a fonte VS e desprezando a fonte VCC. O efeito total será a soma de cada efeito individual. Em outras palavras.

VCC.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 58 Figura 4-6 A corrente total em qualquer ramo é a soma das correntes cc e ca. vs. Para isto as variáveis com suas letras e índices passam a ter a seguinte convenção: letra e índices maiúsculos para as quantidades cc. é conveniente distinguir os sinais contínuos dos alternados. O modelo continua válido para pequenos sinais alternados. Figura 4-7 Figura 4-7 RESISTÊNCIA CA DO DIODO EMISSOR Ao polarizar corretamente o transistor. o VBE foi aproximado para 0. onde o ciclo se repete. A Figura 4-8 mostra a curva do diodo relacionando IE e VBE. com uma alteração no diodo emissor. Sinal negativo para indicar tensões ou correntes senoidais 180° fora de fase. Letras e índices minúsculos para as quantidades ca. o modelo Ebers-Moll é uma alternativa boa e simples de representação do transistor. Roberto A. Bertoli set-00 .! ic. Se o sinal for pequeno. NOTAÇÃO A partir daqui. e de volta para Q. a seguir.7V. VE. ve.! IC. para um pico negativo em B. Prof. Na ausência de um sinal ca o transistor funciona no ponto Q. Até agora. o ponto de funcionamento oscilará senoidalmente de Q a pico positivo de corrente em A e. Igualmente a tensão total em qualquer ponto é soma das tensões cc e ca. geralmente localizado no meio da linha de carga cc. entretanto. a corrente e a tensão do emissor variam. Quando um sinal ca aciona o transistor.

Rescrevendo: re' = v be ie Eq. Prof. 4.4 vbe = tensão ca através dos terminais da base-emissor ie = corrente ca através do emissor. Roberto A. Neste modelo. os picos A e B serão próximos de Q. e o funcionamento é aproximadamente linear. uma tensão e uma corrente alternada. O arco A e B é quase uma linha reta. 4. respectivamente. na verdade são. o diodo base-emissor é substituído pela resistência ca do emissor. o diodo emissor para pequenos sinais ca se apresenta como uma resistência. ∆VBE e ∆IE. Bertoli set-00 .3 ∆VBE pequena variação na tensão de base-emissor ∆IE variação correspondente na corrente do emissor.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 59 Figura 4-8 Um sinal é considerado pequeno quando a oscilação de pico a pico na corrente do emissor (ie) for menor do que 10% do valor da corrente quiescente do emissor (IE ). chamada de resistência ca do emissor e pela lei de Ohm: re' = onde: r’e = resistência ca do emissor ∆VBE ∆I E Eq. Logo. A Figura 4-9 mostra o modelo ca Ebers-Moll. Se o sinal for pequeno.

há uma queda de tensão proporcional no RC.5 Obs. β CC é a razão entre a corrente de coletor e a corrente de base. O ganho de corrente ca (chamado de β ca ou simplesmente β) é a relação entre a variação da corrente de coletor e a variação da corrente de base para pequenos sinais em torno do ponto Q. 4.6 Graficamente β é a inclinação da curva no ponto Q. β CC depende do valor do ponto Q.: r’e depende só de IE de polarização. 4.2 AMPLIFICADOR COM EMISSOR ATERRADO A Figura 4-11mostra um circuito com um capacitor de desvio ligado ao emissor. A fonte vs injeta uma pequena onda senoidal à base do transistor através do capacitor de acoplamento. Veja a Figura 4-12. isto significa que os sinais de entrada e saída estão defasados de 180º. 4. Em suma uma variação positiva de vs produz uma variação negativa em vce. há uma queda de tensão nos terminais do RC o que culmina com uma queda de tensão de vce. βCA .Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 60 Figura 4-9 Uma outra maneira de se conseguir o valore de r’e é através da seguinte fórmula: re′ = 25mV IE Eq. Roberto A. Como a corrente de coletor é praticamente igual a corrente de emissor. Como o gráfico não é linear.GANHO DE CORRENTE ALTERNADA A Figura 4-10 mostra a curva IC x IB. Sendo mais preciso. aumenta a tensão de baseemissor. um pequeno aumento na tensão vs. Esta onda faz variar a tensão de vbe e pela curva da Figura 4-8 induz uma variação no ie. O capacitor aterra o emissor em termos de ca. Ele pode assumir diversos valores dependendo da posição Q. como ic é igual a ic. Bertoli set-00 . que por sua vez aumenta a corrente ie. Prof. β= ∆I C i c = ∆I B i b Eq.

Bertoli set-00 . Roberto A.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 61 Figura 4-10 Figura 4-11 Prof.

A lei de Ohm aplicada em r’e: ie = vs re' Eq. 4. Na Figura 4-14 o mesmo circuito ao considerar o modelo Ebers-Moll.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 62 Figura 4-12 GANHO D E TENSÃO O ganho de tensão é : AV = v saída v entrada Eq. a tensão vs aparece diretamente sobre diodo emissor.8 Prof. 4.menos para indicar o semiciclo positivo. porque a fonte de tensão VCC aparece como um curto em ca. o resistor do coletor RC e R1 tem um dos lados aterrado. Roberto A. Por causa do circuito paralelo na entrada. A tensão de entrada aparece com uma polaridade mais . Bertoli set-00 .7 Figura 4-13 A Figura 4-13 mostra o circuito equivalente ca para amplificador da Figura 4-11.

Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 63 Figura 4-14 na Figura 4-14. observando a questão do ganho e da estabilidade.10 como a corrente do coletor é aproximadamente igual a corrente do emissor AV = − Eq. A sua grande vantagem é estabilização do circuito.9 AV = v saída −i r = c 'C v entrada i e re rC re' Eq. a malha do lado direito tem dois resistores em paralelo RC e RL. Isto é um problema para a tensão de saída. a realimentação positiva. Prof. na maioria dos circuitos osciladores. 4. A realimentação negativa é mais aplicada nos amplificadores e. pois. 4.4 AMPLIFICADOR COM REALIMENTAÇÃO PARCIAL No amplificador de emissor comum a tensão de saída é inversamente proporcional a r’e. dado que ela subtrai parcialmente a tensão de entrada. v saída = −i c rC então o ganho Eq. E o valor de r’e depende do ponto de operação. A realimentação negativa em amplificadores tem como desvantagem a diminuição do ganho. este processo é designado como realimentação positiva. o nome dado é realimentação negativa. 4. Quando o sinal aplicado novamente à entrada do circuito possui a mesma fase que o sinal existente na entrada. O próximo item analisa um circuito com realimentação negativa. Bertoli set-00 . se o sinal reaplicado na entrada tiver fase oposta ao sinal já existente na entrada.3 REALIMENTAÇÃO Quando uma parte do sinal de saída de um circuito é aplicado de volta á entrada do mesmo. 4.11 4. O resistor equivalente é: rC = RL // RC na malha do lado direito a tensão de saída é a tensão sobre o resistor equivalente rC. Por outro lado. ela se torna susceptível as variações de temperatura e troca de transistor. Roberto A. dizemos que houve uma realimentação no circuito.

A realimentação é negativa porque a tensão de realimentação diminui a tensão ca no diodo emissor e portanto a corrente ie. Esse resistor não desviado recebe o nome de resistor de realimentação porque ele produz uma realimentação negativa. Uma opção para estabilizar o ganho de tensão é deixar uma certa resistência de emissor sem ser desviada. Bertoli set-00 Figura 4-16 Na Figura 4-16 está o equivalente ca do amplificador com realimentação parcial. a tensão no emissor aumenta. a tensão ca aparece no diodo e no RE1. a tensão ca no diodo emissor é menor que antes. No entanto com a inclusão do RE1. a equação da corrente de emissor é: Prof. Roberto A. Como resultado. r’ e . Veja Figura 4-15. Figura 4-15 A corrente ca do emissor deve circular através do resistor RE1 antes de passar pelo capacitor de desvio e pelo ponto de aterramento. Isso implica que a tensão de realimentação está em fase com a tensão ca de entrada.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 64 Naturalmente nos amplificadores com controle de volume (tensão de entrada). Mas nem todos o amplificadores tem este controle. o problema é contornável. Sem o resistor de realimentação o diodo emissor recebe toda a tensão ca de entrada (como mostrado na Eq. 4-8). Ou seja: v s = v be + v R E1 ou v be = v s − v R E1 Quando a tensão de entrada aumenta.

deve-se primeiro criar o equivalente ca como mostrado na Figura 4-18. Em contrapartida. Isso significa que a tensão ca na base será menor que a tensão vs. Bertoli Figura 4-18 set-00 . Mas como na base do transistor entra uma corrente ib. O divisor de tensão é formado pelo resistor RS e os resistores R1 //R2. na maioria das aplicações a fonte vs tem uma resistência em série como mostrado na Figura 4-17.12 Em geral o valor de RE1 é bem maior que o de r’e e o ganho de tensão passa a não ser influenciado pelas variações de r’e.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 65 ie = vs r + R E1 ' e a tensão de saída é o mesmo que da Eq. ela deve ser considerada. 4. No circuito equivalente. existe um compromisso entre a estabilidade do ganho de tensão e o valor do ganho. Em suma. Abaixo de 100kHz basta considerar os Prof. IMPEDÂNCIA DE ENTRADA No circuito da Figura 4-15 a tensão de entrada é aplicada diretamente na base do transistor. Figura 4-17 Para uma análise mais detalhada do comportamento ca. Roberto A. 4-9: v saída = −i c rC considerando ic=ie AV = v saída −i r r = c 'C = − ' C v entrada i e re re + R E1 Eq. quanto maior o RE1 menor será o ganho de tensão. pode-se ver um divisor de tensão do lado da entrada do transistor. A resistência ca vista da base é conhecida como impedância de entrada da base. No entanto.

4. 2. ELETRÔNICA 66 A impedância de entrada da base é a razão entre a tensão aplicada na base (vb) e a corrente ib. A resistência ca do coletor do 1° estágio. R2 e zbase.15 A tensão ca na base é o divisor de tensão RS com a impedância de entrada do estágio vb = Eq. é usual conectar dois ou mais estágios em série.14 a impedância de entrada do estágio (zent) é a resultante do paralelo de R1.13 Para descobrir a impedância da base é melhor aplicar o modelo de Ebers-Moll no circuito da Figura 4-18. 4. Este circuito é chamado de estágios em cascata. z base = vb ib Eq. 4. 4. como mostra a Figura 4-20. Abaixo uma seqüência de valores a serem calculados para análise de um amplificador de dois estágios: 1. Prof.Colégio Técnico de Campinas elementos puramente resistivos. Figura 4-19 através do circuito é possível saber o valor vb em função de r’e. a impedância de entrada do 2° estágio. aplica-se a mesma regra.16 No amplificador com realimentação parcial. Ela será: z base = β(re' + R E1 ) ESTÁGIOS EM CASCATA Eq.17 Para obter um maior ganho de tensão na saída de um amplificador. a única diferença é a impedância de entrada da base. Roberto A. porque conecta a saída do primeiro transistor à base do seguinte. 4. Bertoli set-00 . 4-13: z base = v b i e re' i bβ re' = = = β re' ib ib ib Eq. z ent = R 1 // R 2 // z base = R 1 // R 2 // β re' z ent vs R S + z ent Eq. vb=ier’e e a partir da Eq.

A tensão de entrada do 1° estágio 5. RC está em paralelo com zentb: rc=RC//zentb=3. O ganho de tensão do 1º estágio. Figura 4-20 A polarização cc é analisada individualmente. Os dois estágios são idênticos para polarização cc.6k//1k=783Ω o ganho de saída do primeiro estágio é Prof. O valor desta carga é a impedância de entrada do segundo estágio zentb. estar representando um terceiro estágio). Bertoli set-00 . por exemplo.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 67 3. VB= 1.04V com o valor de IE.8V VE= 1. Supondo β = 100: Figura 4-21 z entb = R 1A // R 2 A // β re' = 10k // 2k 2 // 100 * 22.1mA VC= 6.7 = 1kΩ na Figura 4-21.7Ω ’ ’ ANÁLISE DO PRIMEIRO ESTÁGIO O equivalente ca é mostrado na Figura 4-21: O segundo estágio age como uma resistência de carga sobre o primeiro. 4. O ganho de tensão total. O ganho de tensão de 2° estágio.1V IE= 1. 6. os capacitores de acoplamento isolam os dois estágios entre si e também da entrada vs e saída RL (o resistor de carga pode. Roberto A. tem-se r e : r e = 25mV/ IE= 22.

GANHO DE TENSÃO TOTAL O ganho de tensão total é a razão entre a tensão de saída do segundo estágio pela tensão de entrada: AVT = vsaída 2° est.19 Prof.6=2. Portanto a corrente cc do emissor é dada por IE = VEE − VBE RE Eq.6mVpp.=2. o ganho de tensão total é AVT= AV1AV2 Eq.625mVpp 1k + 600 logo a tensão ca de saída do primeiro estágio é vc=-34.6mVpp ANÁLISE DO SEGUNDO ESTÁGIO O equivalente ca para o segundo estágio é mostrado na Figura 4-22: Figura 4-22 Por causa do capacitor de acoplamento entre os dois estágios.5 68 O primeiro e segundo estágios tem a mesma impedância de entrada vb = 1k * 1m = 0. a tensão de saída é vsaída=-117*-21.53/0.18 4. Bertoli set-00 . 4.53Vpp.5 AMPLIFICADOR BASE COMUM A Figura 4-23 mostra um amplificador em base comum (BC). Roberto A.7=-117 por fim.7=-34. a base é ligada ao referencial comum (terra).5*o.65k/22./ventrada 1° est. O ponto Q é dado pela polarização do emissor. O segundo estágio tem um ganho de tensão de AV=-2.625=-21. 4.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA AV=-783/22. a tensão ca na base do segundo é igual a -21.625m=4048 ou seja.

a impedância de saída de um amplificador BC é z saída = R C Eq.22 O ganho de tensão é o mesmo que do amplificador emissor comum sem realimentação parcial. Exemplo 4-2 Qual a tensão de saída ca da Figura 4-24.23 Uma das razões para o não uso do amplificador BC quanto o EC é sua baixa impedância de entrada. 4. Bertoli set-00 . RE=20kΩ e RC=10kΩ. Eq. Como a tensão de entrada é igual a Eq. A impedância de entrada de um amplificador BC é aproximadamente igual a z ent ≅ re' a tensão de saída é Eq. Por isso. em função de IE.20 v saída = i c R C Ela está em fase com a entrada. 4. Prof. 4. Seu uso é viável principalmente para freqüências acima de 10MHz. Roberto A. A fonte ca que aciona o amplificador BC vê como impedância de entrada z entrada = re' que pode ter um valor bem baixo. Idealmente a fonte de corrente tem uma impedância infinita. um amplificador BC discreto não é muito utilizado em baixas freqüências. apenas a fase é diferente. 4.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 69 O sinal de entrada aciona o emissor e a tensão de saída é tomada do coletor.24 Figura 4-23 A impedância de entrada de um amplificador BC é tão baixa que ela sobrecarrega quase todas as fontes de sinais. onde as fontes de baixa impedância são comuns. 4. e então.21 v ent = i e re' O ganho de tensão é AV = icR C i e re' Eq.

1K = 62.8 53. Quanto menor a resistência de carga.5mV 4.8 * 0. Como o coletor está no terra para ca. O seguidor de emissor é colocado entre a saída do amplificador EC e a resistência de carga.8Ω a impedância de entrada ZENT=53.8 v ent = portanto a tensão na saída é 53. Bertoli set-00 .Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 70 Figura 4-24 SOL. ele é um amplificador coletor comum (CC). primeiramente a análise cc para descobrir o valor da corrente de coletor a malha externa é VCC = VCE + I E R E Prof. Esse problema é chamado de sobrecarga.518m = 32. O gerador de sinal está acoplado à base do transistor por meio de um capacitor de acoplamento.465mA 20k r’e = 25m/0.465m=53.8 1m = 0.7 = 0.518mV 50 + 53.6 AMPLIFICADOR COLETOR COMUM Ao se conectar uma resistência de carga em um amplificador EC.8 v saída = A V v ent = 62. A Figura 4-25 mostra um seguidor de emissor.: A corrente cc no emissor IE = e a resistência ca do emissor é de 10 − 0. o ganho de tensão diminuí. Roberto A. Uma forma de evitar a sobrecarga é usar um amplificador cc (coletor comum).8Ω o ganho de tensão levando a carga em consideração é AV = A tensão de entrada no emissor é 10K // 5. também conhecido como seguidor de emissor. maior a queda do ganho.

27 o uso da Eq. 4.25 a Figura 4-26 mostra o circuito ca para o seguidor de emissor Figura 4-26 o ganho de tensão é dado por AV = geralmente rE>> r’e. IMPEDÂNCIA DE ENTRADA Prof. 4-27 depende da precisão desejada no circuito. 4. 4. Então v saída i e rE r = = E ' ' v ent i e (rE + re ) rE + re AV ≅ 1 Eq. Bertoli set-00 .Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 71 Figura 4-25 isolando a corrente de emissor IE = VCC − VCE RE Eq. 4-26 ou da Eq. Roberto A.26 Eq.

sem amplificar.30 a impedância de entrada do amplificador é o paralelo de R1. R2 e impedância de entrada da base z ent = R 1 // R 2 // β(rE + re' ) como β(r’e +rE)>>R1. 4. TRANSISTOR DARLINGTON Figura 4-27 Prof. Roberto A. 4-28 ( ) Eq.28 ie = vb re + re' a resistência rE é o equivalente do paralelo RE com RL. A vantagem de montagem é o fato de ter uma alta impedância de entrada se comparada com emissor comum.31 com base na Eq. 4. 4-29 na Eq. a base se comporta como uma resistência equivalente de z ent ( base ) = do equivalente ca a corrente de emissor ca é vb ib Eq. 4-27 a tensão de emissor segue a tensão na base. R2 então:: z ent = R 1 // R 2 Eq. 4. Ou seja a tensão de saída é igual a de entrada. 4. Isolando vb v b = i e re + re' inserindo a Eq.29 z ent ( base ) = i e (re + re' ) ib a razão entre a corrente de coletor e a de base é aproximadamente igual β z ent ( base ) = β(rE + re' ) Eq.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 72 como visto antes. Bertoli set-00 .

4. 4-1) A fonte ca da figura abaixo pode ter uma freqüência entre 100Hz e 200Hz. 4-3) Desenhe o circuito cc equivalente para o amplificador da figura abaixo. 4-2) Na figura 2. Que valor ele deve ter? Ex. A seguir. Portanto.4V.33 Os fabricantes podem colocar dois transistores montados em coletor comum em um mesmo encapsulamento.000 e 20.7 EXERCÍCIOS Ex. ele pode ser tratado como um transistor comum exceto pelo valor de β e também pelo valor de VBE que passa a ser a soma dos dois VBE’s. desenhe o circuito ca equivalente.000. E é zent(base)= β RE Eq. Ou seja. Roberto A. o ganho de corrente entre a primeira base e o segundo emissor é β =β1 β2 Eq.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 73 Um caso especial de amplificador coletor comum é a conexão Darlington. que valor deve ter o capacitor de acoplamento? Ex. A corrente da base do segundo transistor vem do emissor do primeiro transistor. Ela consiste na ligação em cascata de dois seguidores de emissor.32 A principal vantagem da conexão Darlington é a alta impedância de entrada olhando para a base do primeiro transistor. Prof. Esse dispositivo de três terminais como mostrado no lado direito da Figura 4-27 é conhecido como transistor Darlington. Rotule as três correntes com a notação cc padronizada. opera com como um único transistor com um β CC entre 1. Para ter um acoplamento estabilizado ao longo desta faixa. 4. 4. aproximadamente igual a 1. Bertoli set-00 . como mostra a Figura 4-27. desejamos um capacitor de acoplamento estabilizado para todas as freqüências entre 500Hz e 1MHz.

Roberto A. 1mA e 10mA. Ex. 0. Bertoli set-00 .01mA. 4-6) Qual o valor de r´e no amplificador do exercício 4-4? Ex. 0.05mA.1mA. 4-7) E no circuito abaixo? Prof.5mA. 4-5) Calcule o valor de r´e para cada uma destas correntes cc do emissor: 0. 4-4) Desenhe os circuitos cc e ca equivalente para a figura 4. 0. Ex.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 74 Ex.

Qual o ganho mínimo de tensão? Qual o ganho máximo de tensão? Prof.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 75 Ex. 4-9) Os resistores do exercício anterior. Roberto A. tem uma tolerância de 5%. qual o valor de vsaída ? Ex. 4-8) Se vent = 1mV na figura 6. Bertoli set-00 .

1 CLASSE A No amplificador de potência classe A. Os amplificadores de potência de um modo geral. quando estes estiverem funcionando em regime dinâmico. com sua tensão baseemissor. Roberto A. Portanto. a corrente de coletor circula somente durante um intervalo menor que 180°. Isto resulta num ângulo de condução de θ=360° para transistor de saída. tem que vencer a tensão VBEQ para iniciar a sua condução. os amplificadores classe C são utilizados em circuitos de RF. classes A. A Figura 5-1 tem um gráfico que relaciona a corrente de coletor. POTÊNCIA DE SAÍDA A Figura 5-2 mostra um exemplo de amplificador de potência classe A.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 76 5 AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA São usados quando se deseja amplificar sinais de grande amplitude. Prof. B. O ponto de operação do transistor de saída está localizado no centro da região ativa e neste caso a polarização do transistor de saída é semelhante à polarização de transistores de baixo sinal. Isto significa que o sinal VBE aplicado a base do transistor. AB e C. Ele mostra as formas de onda dos quatro tipos básicos de amplificadores de potência. Bertoli set-00 . Em geral. 5. No amplificador de potência classe C o transistor de saída é polarizado num ponto de operação abaixo da região de corte do transistor. podem ser divididos em quatro classes: • Classe A • Classe B • Classe AB • Classe C As classes dos amplificadores de potência estão relacionadas diretamente com o ponto quiescente ou ponto de operação dos transistores de saída dos amplificadores. e seus pontos quiescentes. tanto de tensão como de corrente. É um emissor comum já comentado antes. a polarização do transistor de saída é feita de tal forma que a corrente de coletor circula durante todo o ciclo do sinal de entrada VBE. isto é. Portanto. as classes estão relacionadas também com o ângulo de condução (θ) dos transistores de saída. com VBEQ <0. Assim os amplificadores de potência são amplificadores que trabalham com grandes sinais e o regime de operação destes é severo em relação aos amplificadores de pequenos sinais.

etc.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 77 Figura 5-1 Figura 5-2 A resistência de carga RL. Roberto A. O resistor RC do coletor. por outro lado. pode ser um alto-falante. Bertoli set-00 . porque ela realiza Prof. um motor. O interesse é na potência transferida à resistência de carga. é um resistor comum que faz parte da polarização por divisão de tensão.

é uma referência a potência útil da carga. A configuração push-pull significa que quando um dos transistores está conduzindo. etc. Em contra partida.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 78 um trabalho útil. de emissor e transistor. é uma potência perdida e é transformada em calor. melhor. 5. qualquer potência no resistor RC. No denominador tem o número 8 resultante da conversão de rms para pico a pico. a Prof. POTÊNCIA CC DISSIPADA NO AMPLIFICADOR Quando o amplificador está sem sinal na entrada. Os amplificadores classe A tem uma baixa eficiência. é a soma da corrente no divisor de tensão e corrente no coletor EFICIÊNCIA É a razão entre à potência ca na carga e a potência da alimentação cc multiplicada por 100% η= PL 100% PS Quanto maior a eficiência do amplificador. o outro está em corte e vice-versa. Ela é dada por PL=VLIL ou PL = onde VL = tensão rms na carga IL = corrente rms na carga A potência máxima na carga ocorre quando o amplificador está produzindo a tensão máxima de pico a pico na saída sem ceifamento do sinal. gira o motor. VBEQ =0. Desta maneira. Nesse caso. tipicamente em torno de 25% (teoricamente). isto é. a potência na carga é 2 VL RL PL = (MPP )2 8R L MPP é o valor (máximo de pico a pico) da tensão ca sem ceifamento. No amplificador classe B. Isso ocorre por causa de perdas de potência nos resistores de polarização. Gera ondas acústicas. de coletor. Então quando se fala em potência de saída. Roberto A.2 CLASSE B Geralmente os amplificadores de potência classe B e classe AB utilizam dois transistores de potência num montagem denominada push-pull. Bertoli set-00 . cada um dos transistores de saída é polarizado num ponto de operação situado na região de corte do transistor. a dissipação de potência no transistor é igual a: PD=VCEQICQ Há também a potência dissipada no resistores R1 e R2 P1 = I1VCC  VCC  (VCC )2 =  R + R VCC = R + R  2  1 2  1 PS=P1+PD ou PS=ISVCC Então a potência cc total no amplificador é onde Is (corrente de dreno).

Roberto A. Quando um dos transistores está conduzindo. cada diodo emissor é polarizado com a mesma tensão. Em termos de eficiência η máxima teórica será de 78. Isto é. ICQ=0 como os resistores de polarização são iguais. a reta é vertical. A Figura 5-3 mostra uma forma de conectar um seguidor de emissor push-pull classe B. É muito difícil encontrar um ponto de operação estável na região de corte num amplificador push-pull. RETA DE CARGA CA A Figura 5-4 mostra a reta de carga ca. No semiciclo oposto. ou seja. O projetista escolhe os resistores de polarização para situar o ponto de operação no corte. A oscilação de tensão do transistor em condução pode seguir todo o percurso desde o corte à saturação. (Figura 5-4). circula durante um ângulo de condução de θ=180°. o outro transistor faz a mesma coisa. seu ponto de operação move-se para cima ao longo da reta de carga ca. Prof. a cada semiciclo do sinal de entrada VBE. Foi conectado um seguidor de emissor npn e um seguidor de emissor pnp. Qualquer diminuição significativa de VBE com a temperatura pode deslocar o ponto de operação para cima da reta de carga cc a valores muito altos de correntes. Como resultado. Isso significa que a tensão de pico a pico máxima (MPP) não ceifada do sinal de saída é igual a VCC.5%.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 79 corrente de coletor de cada transistor. ou seja. metade da tensão de alimentação sofre uma queda entre os terminais coletor e emissor de cada transistor. Isso polariza o diodo emissor de cada transistor entre 0. Bertoli set-00 . a corrente de saturação é infinita.7V. VCEQ = VCC 2 Figura 5-3 RETA DE CARGA CC como não há resistência cc no circuito do coletor ou do emissor da Figura 5-3. Isto é o dobro de tensão que de um amplificador classe A sob mesma tensão de alimentação.6V e 0. O ponto do outro transistor permanece no corte. Idealmente.

A grande vantagem é a eliminação da distorção por crossover. Isso é praticamente idêntico ao seguidor de emissor classe A.3 CLASSE AB Os amplificadores de potência AB também utilizam dois transistores de potência numa configuração push-pull. Prof. Bertoli set-00 . (VBEQ>0). Roberto A. é que cada um dos transistores de saída é polarizado num ponto de operação situado um pouco acima da região de corte do transistor. consequentemente. A diferença para a classe B. O ganho de tensão com carga é AV = RL R L + re' A impedância de entrada da base com carga é z ent ( base ) = β(R L + re' ) Figura 5-5 5. Isto significa que cada um dos transistores está conduzindo um pequena corrente de base e.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 80 Figura 5-4 A Figura 5-5 mostra o equivalente ca do transistor em condução. uma corrente de coletor proporcional a ela. circula durante um ângulo de condução de θ>180°. porém. A eficiência teórica fica entre 50% e 78. menor que 360°. A corrente de coletor de cada transistor.5%.

Por exemplo. dado por A+B (A. aplicado em fase com o sinal de entrada VE. se um amplificador possuir uma montagem emissor comum. que existe na entrada do amplificador. defasar ou não o sinal de amostragem VA. para que o sinal VR fique novamente em fase com o sinal VE. O circuito de realimentação deve. com a aplicação do sinal realimentador VR na entrada do amplificador. este torna-se instável e começa a oscilar. nesse caso. deve ser maior que um. por meio do circuito de realimentação que possui um ganho B. ou seja. Esta forma. B. Este sinal VE não é um sinal externo. de tal modo que o sinal VR fornecido à entrada esteja sempre em fase com o sinal de referência VE. realimenta a entrada do próprio amplificador. também chamado de rede de realimentação. Prof. Um outro critério muito importante para que haja oscilação é que o ganho total do oscilador. Roberto A. Portanto. mas um sinal qualquer de referência. Bertoli set-00 . Figura 6-1 A saída do amplificador de ganho A. neste caso. o sinal realimentado VR é somado. portanto. do sinal de saída VS. A defasagem a ser feita no sinal VA depende da defasagem imposta pelo amplificador e. o circuito ou rede de realimentação não deverá provocar defasagem e assim. provocar uma defasagem de 180°. então o sinal de saída VS estará defasado de 180° em relação ao sinal de entrada VE e o circuito de realimentação deverá. Se a montagem do amplificador for em base comum VS estará em fase com VE e. o sinal VR já estará em fase com o sinal VE.ganho da rede de realimentação).ganho do amplificador.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 81 6 OSCILADOR DE BAIXA FREQÜÊNCIA A Figura 6-1 mostra o diagrama de blocos básico de um circuito oscilador. portanto.

Figura 6-2 O amplificador está na montagem emissor comum e portanto. formado com resistores R e R3 e os capacitores C. Ao ligar o circuito será provocado uma instabilidade na base do transistor Q1. pois o transistor Q1 amplifica e posteriormente reamplifica o sinal presente em sua base.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 82 6. que provoca uma defasagem adicional de 180°. mas em fase com o sinal de entrada VE. sua tensão de saída VS está defasada de 180° em relação a tensão de entrada VE. O sinal de saída é aplicado no circuito de realimentação. Ele é utilizado para gerar sinais na faixa de freqüências de áudio. Roberto A. Prof. Bertoli set-00 .1 OSCILADOR POR DESLOCAMENTO DE FASE a Figura 6-2 mostra o circuito de um oscilador por deslocamento de fase. Isto é o suficiente para o circuito iniciar a sua oscilação. de modo que uma parcela do sinal de saída é novamente aplicada na entrada.

O transistor pode ser um dispositivo com canal n (condução por elétrons) ou com canal p (condução por lacunas).Junction Field Effect transistor) e os transistores de efeito de campo de óxido metálico (MOSFET). Com isto a porta fica com uma polarização reversa. através do canal entre os elementos da porta (G .1 JFET Na Figura 7-1. Há dois tipos básicos: os transistores de efeito de campo de junção (JFET . daí o nome unipolar. Figura 7-1 a condução se dá pela passagem de portadores de carga da fonte (S . Este tipo de transistor depende de um só tipo de carga. uma alta impedância entre a porta e a fonte. circulando apenas uma corrente de fuga e. A polarização reversa cria camadas de depleção em volta da regiões p e Prof. Uma ligação negativa VGG é ligada entre a porta e a fonte. e são utilizados amplamente em circuitos lineares. portanto. 7. é mostrada a estrutura e símbolo de um transistor de efeito de campo de junção ou simplesmente JFET. Tudo que for dito sobre o dispositivo com canal n se aplica ao com canal p com sinais opostos de tensão e corrente. estabelecendo um fluxo de corrente através do canal. POLARIZAÇÃO DE UM JFET A Figura 7-2 mostra a polarização convencional de um JFET com canal n. Esta corrente também depende da largura do canal. Bertoli Figura 7-2 set-00 .Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 83 7 TRANSISTORES ESPECIAIS Até agora foi estudado os transistores bipolares.Source) para o dreno (D). No entanto existem aplicações nos quais os transistores unipolares com a sua alta impedância de entrada são uma alternativa melhor. Roberto A.Gate). Uma alimentação positiva VDD é ligada entre o dreno e a fonte. se baseiam em dois tipos de cargas: lacunas e elétrons.

a corrente de dreno permanece aproximadamente constante. isto é. Figura 7-3 CURVA DE TRANSCONDUTÂNCIA A curva de transcondutância de um JFET é um gráfico da corrente de saída versus a tensão de entrada. a corrente de dreno está cortada. Se for como resistor controlado por tensão a região de trabalho é entre VDS igual a zero e antes de atingir a condição de pinçamento. após a condição de pinçamento e à esquerda da região de tensão VDS de ruptura.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 84 isto estreita o canal condutor (D-S). as camadas de depleção tocam-se e o canal condutor (D-S) desaparece. Esta é uma propriedade inerente a todos os JFET’s. dependendo da reta de carga. Para polarizar um transistor JFET é necessário saber a função do estágio. Para um dado VGG . CURVA CARACTERÍSTICA DE DRENO Para um valor constante de VGS. A sua equação é : Prof. A tensão VGG que produz o corte é simbolizada por VGS(Off) . a região de trabalho é o trecho da curva. IDSS é a corrente de dreno máxima que um JFET pode produzir. Neste caso. Na Figura 7-3. na Figura 7-3. o JFET age como um dispositivo resistivo linear (na região ôhmica) até atingir a condição de pinçamento ou estrangulamento. Quanto mais negativa a tensão VGG. Bertoli set-00 . mais estreito torna-se o canal. é mostrado um exemplo de curva para um JFET. Roberto A. A tensão de saturação mais alta (4V) é igual à intensidade da tensão de corte da portafonte (VGS(Off) = -4V). Acima da condição de estrangulamento e antes da ruptura por avalanche. Os índices IDSS referem-se a corrente do dreno para a fonte com a porta em curto (VGS=0V). VDS situa-se entre 0 e 4V. Como amplificador. ID em função de VGS. se o mesmo irá trabalhar como amplificador ou como resistor controlado por tensão. Quando o JFET está saturado (na região ôhmica).

como visto na polarização de transistores bipolares. o que resulta em VRS. Bertoli set-00 . Em outras palavras. 7. Na Figura 7-5 vemos um JFET polarizado.1 Figura 7-4 AUTOPOLARIZAÇÃO a polarização de um transistor JFET se faz de maneira semelhante à polarização de transistor bipolar comum. o mesmo deve estar reversamente polarizado entre porta e fonte. Para um JFET funcionar corretamente devemos lembrar que. ou seja. Roberto A. usa-se o transistor JFET como se fosse um transistor bipolar. Prof. pois o VGS aparece devido à corrente de dreno sobre RS. com resistores ligados ao terminais para limitar tensões e correntes convenientemente. Figura 7-5 Esse é o tipo de polarização mais comum e se chama autopolarização por derivação de corrente.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 85     2  VGS I D = I DSS 1 −  VGS( off )  Eq. primeiramente.

Exemplo 7-1 Se o resistor da fonte de um circuito de autopolarização for de 300Ω. VRG = VRS + VGS Eq.: A equação de VGS é VGS = -ID *300 para traçar a reta basta considerar ID = 0 e ID = IDSS. 7. 7.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 86 Essa tensão. Seja a curva da Figura 7-4 a base para encontrar o ponto Q. uma alternativa é o uso da curva de transcondutância para encontrar o ponto Q de operação.4 A corrente de fonte é a soma da corrente de dreno e de porta. pode-se fazer o gráfico da Figura 7-4 e ver onde ela intercepta a curva de transcondutância. Isso significa que a tensão da porta tem de estar entre 0 e -4V. distribui-se entre RG e a junção reversa. o ponto Q é : VGS= -1.5V e ID =5mA Prof.5mA. que. possui uma alta resistência. Para ID nulo. 7-3 Eq. Roberto A.2 o diodo porta-fonte está reversamente polarizado e a corrente IG é uma pequena corrente de fuga aproximadamente igual a zero. VGS= 13. VGS=0 e para o outro valor de ID.6 Para a polarização do JFET. A corrente de dreno máxima é de 13.5 VDD = I D (R D + R S ) + VDS RETA DE AUTOPOLARIZAÇÃO Eq. Então: I D ≅ IS Análise da malha do lado direito do circuito: Eq.3 VRS = −VGS = R S I S Eq. SOL. Assim aparecem VRG e VGS que somadas perfazem VRS. 7. Naturalmente a corrente de dreno é muito maior que a de porta. 7.5m*300=-4V. 7-2 e Eq. e a tensão de corte da porta-fonte é de -4V. Para descobrir este valor. 7. como tal. Usar o gráfico da Figura 7-4. VRG = I G R G ≅ 0 unindo as Eq. Qual o ponto Q. Aplicando na curva. Bertoli set-00 .

O equivalente formal é o Siemens. mas é aceitável para a maioria dos circuitos. Bertoli Eq. 2I DSS g mo Eq. 7. 7. A Figura 7-6 mostra o circuito equivalente ca simples para um JFET válida para baixas freqüências. A unidade é o mho.10  v gs   g m = g mo 1 −  v gs ( off )    TRANSCONDUTÂNCIA DE UM TRANSISTOR BIPOLAR Prof. Esse valor está na faixa de centenas de MΩ. como o do Exemplo 7-1 . O dreno do JFET funciona como uma fonte de corrente com um valor de gm VGS.9 gm é a inclinação da curva de transcondutância (Figura 7-4) para cada pequena variação de VGS.8 Eq.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 87 SELEÇÃO DO RS O ponto Q varia conforme o valor de RS. Roberto A. Figura 7-6 A Eq.7 Este valor de RS não produz um ponto Q exatamente no centro da curva. O ideal é escolher um RS em que o ponto Q fique no na região central. Há uma resistência RGS muito alta entre a porta e a fonte. 7. TRANSCONDUTÂNCIA Grandeza designada por gm e é dada por: gm = i ∆I D = d ∆VGS v gs i d = g m v gs Eq. (razão entre a corrente e a tensão 1/Ohm). 7. Ou em outras palavras. 7. v gs ( off ) = − abaixo o valor de gm para um dado VGS.11 set-00 . 7-10 mostra como obter VGS(Off) a partir da corrente máxima de dreno e da transcondutância para VGS= 0V (gmo ). é uma medida de como a tensão de entrada controla efetivamente a corrente de saída. O método mais simples para escolher um valor para RS é RS = VGS( off ) I DSS Eq.

Colégio Técnico de Campinas

ELETRÔNICA

88

O conceito de transcondutância pode ser usado em transistores bipolares. Ela é definida como para os JFET’s. Com base na Eq. 7-8:

gm =
como r’e = vbe/ie

∆I C i = c ∆VBE v be 1 re'

gm =

Eq. 7- 12

esta relação ajuda no momento de comparar circuitos bipolares com JFET’s.

AMPLIFICADOR FONTE COMUM
A Figura 7-7 mostra um amplificador fonte comum. Ele é similar a um amplificador emissor comum. As regras aplicadas para a análise são as mesmas

Figura 7-7 Na Figura 7-8 o equivalente ca para a análise do ganho.

Figura 7-8 o resistor de carga está em paralelo com a resistência de dreno. Simplificando:

rd = R D // R L
Quando a corrente de saída gm vent flui através de rd ela produz uma tensão de saída

vsaída = − rd g m v ent
dividindo ambos os lados por vent Prof. Roberto A. Bertoli

Eq. 7- 13

set-00

Colégio Técnico de Campinas

ELETRÔNICA

89

v saída v = − rd g m ent v ent v ent
finalmente o ganho de tensão ca para fonte comum

A V = −g m rd
notar a semelhança com a do amplificador em emissor comum

Eq. 7- 14

AV = −

rc 1 ∴ g m = ' ⇒ A V = −g m rc ' re re

AMPLIFICADOR COM REALIMENTAÇÃO PARCIAL
Na Figura 7-9 tem um amplificador com realimentação parcial

Figura 7-9 o ganho por analogia com o transistor bipolar, considerando r’e = 1/ gm, é:

Av = −

rd g r =− m d rs1 + 1 / g m 1 + g m rs1

Eq. 7- 15

AMPLIFICADOR SEGUIDOR DE FONTE
A Figura 7-10 mostra um seguidor de fonte

Figura 7-10 Prof. Roberto A. Bertoli set-00

Colégio Técnico de Campinas Novamente por analogia:

ELETRÔNICA

90

Av =

rs g r = ms rs + 1 / g m 1 + g m rs

Eq. 7- 16

7.2

MOSFET
O FET de óxido de semicondutor e metal , MOSFET, tem uma fonte, uma porta e um dreno. A diferença básica para o JFET é porta isolada eletricamente do canal. Por isso, a corrente de porta é extremamente pequena, para qualquer tensão positiva ou negativa.

MOSFET DE MODO DEPLEÇÃO
A Figura 7-11 mostra um MOSFET de modo depleção canal n e o seu símbolo. O substrato em geral é conectado a fonte (pelo fabricante), Em algumas aplicações usa-se o substrato para controlar também a corrente de dreno. Neste caso o encapsulamento tem quatro terminais. Os elétrons livres podem fluir da fonte para o dreno através do material n. A região p é chamada de substrato, e ela cria um estreitamento para a passagem dos elétrons livres da fonte ao dreno.

Figura 7-11 A fina camada de dióxido de silício (SiO2), que é um isolante, impede a passagem de corrente da porta para o material n.

Figura 7-12

Prof. Roberto A. Bertoli

set-00

normalmente aberto. O efeito é o mesmo que a criação de uma fina camada de material tipo n próximo ao dióxido de silício. Figura 7-13 A Figura 7-13 mostra um MOSFET de canal n do tipo crescimento e o seu símbolo. O substrato estende-se por todo caminho até o dióxido de silício. maior a corrente de dreno. Essa camada é chamada de camada de inversão tipo n. simbolizado por VGS(th). A Figura 7-14 mostra as curvas ID x VDS e ID x VGS do MOSFET de modo intensificação e reta de carga típica. Neste estágio o Prof. Quando VGS maior que VGS(th). Não existe mais um canal n ligando a fonte e o dreno. pode-se aplicar uma tensão positiva na porta (inversão de polaridade bateria VGG do circuito da Figura 7-12). Como no JFET a tensão de porta controla a largura do canal. Assim. Quando VGS é menor que VGS(th). No gráfico ID x VDS. Quanto maior a tensão.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 91 A Figura 7-12 mostra o MOSFET de modo depleção com uma tensão de porta negativa. a corrente de dreno é zero. VGS(th) pode variar de menos de 1V até mais de 5V dependendo do MOSFET. uma camada de inversão tipo n conecta a fonte ao dreno e a corrente de dreno é alta. Isto é que a diferencia de um JFET. o MOSFET fica no estado desligado (Off). Quando a tensão da porta é zero. Como a porta está isolada eletricamente do canal. Roberto A. a alimentação VDD força a ida dos elétrons livres da fonte para o dreno. a corrente de dreno é controlada pela tensão da porta. quando a tensão da porta é zero. O VGS mínimo que cria a camada de inversão tipo n é chamado tensão de limiar. Quando ela existe o dispositivo. A tensão positiva na porta aumenta o número de elétrons livres que fluem através do canal. MOSFET DE MODO CRESCIMENTO OU INTENSIFICAÇÃO O MOSFET de modo crescimento ou intensificação é uma evolução do MOSFET de modo depleção e de uso generalizado na industria eletrônica em especial nos circuitos digitais. Mas quando VGS é maior VGS(th). Quanto mais negativa a tensão. ela atrai elétrons livres na região p. a curva mais baixa é para VGS(th). menor a corrente de dreno. de repente conduz e os elétrons livres fluem facilmente da fonte para o dreno. Isto é totalmente diferente dos dispositivos JFET e MOSFET de modo depleção. Quando a porta é positiva. A tensão VDD força os elétrons livres a fluir através do material n. Bertoli set-00 . Os elétrons livres recombinam-se com as lacunas na região próxima ao dióxido de silício. Até um momento que a camada de depleção fecha o canal e impede fluxo dos elétrons livres. Quando a tensão é suficientemente positiva. todas as lacunas encostadas a dióxido de silício são preenchidas e elétrons livres começam a fluir da fonte para o dreno. Com VGS negativo o funcionamento é similar ao JFET. mas substrato p tem apenas uns poucos elétrons livres produzidos termicamente.

O início da parábola está em VGS(th). Prof.17 O fabricante fornece os valores de ID(On) e VGS(On). 7. Como a camada é muito fina. com o conseqüente aumento da corrente de coletor. Alguns MOSFET são protegidos por diodos zener internos em paralelo com a porta e a fonte. Roberto A. é fácil destruí-la com uma tensão porta fonte excessiva. Essa camada isolante é mantida tão fina quanto possível para dar a porta um melhor controle sobre a corrente de dreno. um exemplo de curva IC x VCE. diminuir a impedância de entrada. 7. Eq. A curva ID x VGS.18  VGS − VGS( th )   K =  VGS( ON ) − VGS( th )    2 Eq.3 FOTOTRANSISTOR E ACOPLADOR ÓPTICO FOTOTRANSISTOR Os fototransistores são constituídos basicamente de duas junções. é a curva de transcondutância e é uma curva quadrática. Bertoli set-00 . havendo uma janela que permite a incidência de a luz sobre a junção base-emissor. Mas eles tem como inconveniente. um isolante que impede a circulação de corrente de porta tanto para tensões positivas como negativas.19 Figura 7-14 TENSÃO PORTA-FONTE MÁXIMA Os MOSFET têm uma fina camada de dióxido de silício. pode-se destruir a camada isolante devido a transientes de tensão causados por retirada/colocação do componente com o sistema ligado. 7. aumentando a condutividade deste diodo emissor. Ela é I D = k (VGS − VGS( th ) ) 2 onde k é uma constante que depende do MOSFET em particular. 7. Além da aplicação direta de tensão excessiva entre a porta fonte. Na Figura 7-15. O simples ato de tocar um MOSFET pode depositar cargas estáticas suficiente que exceda a especificação de VGS máximo. Então rescrevendo a fórmula: I D = KI D ( on ) onde Eq.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 92 MOSFET pode trabalhar tanto quanto um resistor (região ôhmica) quanto uma fonte de corrente.

VDD=20V. calcule ID . haverá uma corrente de base e. 7. esta mesma luz produz uma corrente de base e por sua vez uma corrente de coletor que é β vezes maior que no fotodiodo. Ele é muito mais sensível que um LED e fotodiodo devido ao ganho β. RS e RD . ambos encapsulados em um mesmo invólucro. qualquer variação em VS produz uma variação na corrente do LED. ACOPLADOR ÓPTICO A Figura 7-16 mostra um acoplador óptico. Bertoli set-00 . Em suma.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 93 Figura 7-15 Sempre que houver luz incidindo sobre a base. a representação de um fototransistor: Um fotodiodo é uma alternativa ao fototransistor. portanto. que faz variar a emissão de luz e. Figura 7-16 A grande vantagem de um acoplador óptico é o isolamento elétrico entre os circuitos de entrada e de saída. produz uma variação na tensão dos terminais coletor-emissor. enquanto no fototransistor. Isso por sua vez. Abaixo.2V. O funcionamento é simples. Prof. Consiste de um LED próximo a um fototransistor. Dados: RD+RS=12kΩ. A diferença é que a luz incidindo no fotodiodo gera a corrente que atravessa o diodo. portanto. 7-1) No circuito da Figura abaixo. a corrente no fototransistor. Não existe nenhuma relação entre os terras de entrada e saída. o transistor deixa ser aberto. VDS=8V e VGS=-1. Roberto A. um sinal de tensão é acoplado do circuito de entrada para o circuito de saída. A maior sensibilidade do fototransistor traz como desvantagem uma redução na velocidade de chaveamento.4 EXERCÍCIOS Ex.

Roberto A.5V (tensão de operação de VGS) e ID = 8mA (para VDS= 0V).5V -1V -1. Dados: gm=3000µmho. RS e RG (suponha IG=5µA). RG=2M2Ω. ID(mA) 8m VGS =0V 4m 2m -0.5V -2. Utilize o método da reta de carga e a curva a seguir.0V 2 4 6 8 10 12 14 16 VDS (V) Ex. 7-3) No circuito da figura abaixo calcule AV e ZENT . Calcule RD .Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 94 Ex. para o circuito de autopolarização. VGSQ=-0. Bertoli set-00 . RD=4k7Ω e VDD=18V. 7-2) Dados: VDD = +12V. RS=1kΩ. Prof.

Rent=100kΩ. 7-5) Um 2N5457 tem IDSS=5mA e gmo=5. RL=10kΩ e VDD =+15V Ex. 7-6) Se gm=3.6mA.000µmho. 7-8) Se o seguidor de fonte da figura abaixo tem gm = 2. RS= 270Ω. Rent = 100kΩ.a.000!mho na figura 3. VGSQ = -4V. sabendo que: VDD=+9V. IDQ =1. RL=10kΩ e VDD = +15V. Qual ID para VGS=-1v? Qual o valor de gm para essa corrente de dreno? Ex.a. Roberto A. Bertoli set-00 .a. RS=270Ω. calcule o ganho de tensão. RG=10MΩ. de saída? Dados: vent=2mV. 7-4) No circuito seguidor de fonte. Nesse caso qual a tensão c. Rent =100kΩ. tem VGS(OFF)= -4V e IDSS =12mA. de saída? Dados: vent=5mV. RS=3900Ω. Ex. com RG = 1MΩ e RS= 3kΩ. RG = 10MΩ.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 95 Ex. 7-7) O amplificador JFET da figura abaixo. Prof. qual a tensão c. RD=1kΩ. RD = 1kΩ. Qual a tensão c. IDSS = 16mA e VGS(OFF)= -5V.000µmho. RG=10MΩ. de saída? Dados: vent=2mV. RL=1kΩ e VDD=+15V. Ex.

São Paulo. Prof. Albert Paul. 1ª ed. " MELLO. Rio de Janeiro. I. São Paulo. Eletrônica Vol. Dispositivos e circuitos eletrônicos. Jimmie J. Makron Books. Roberto A. INTRATOR. Edmond. 1994.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 96 8 REFERÊNCIA BIBLIOGRÁFICA " CATHEY. Érica. Hilton Andrade de. Bertoli set-00 . 3ª ed. 850 exercícios de eletrônica. Makron Books. São Paulo. 1997. 4ª ed. Renato. " MALVINO. 1991. (coleção Schaum) " HONDA. Dispositivos semicondutores. Livros técnicos e Científicos. 3ª ed. 1978.

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