DEPARTAMENTO DE ELETRO-ELETRÔNICA COLÉGIO TÉCNICO DE CAMPINAS UNICAMP

ELETRÔNICA

Prof. Roberto Angelo Bertoli V3 setembro, 00

Colégio Técnico de Campinas

ELETRÔNICA

2

ÍNDICE
1
1.1

DIODO SEMICONDUTOR E RETIFICAÇÃO
FÍSICA DOS SEMICONDUTORES A ESTRUTURA DO ÁTOMO ESTUDO DO SEMICONDUTORES DIODO POLARIZAÇÃO DO DIODO CURVA CARACTERÍSTICA DE UM DIODO RESISTOR LIMITADOR DE CORRENTE DIODO EMISSOR DE LUZ E FOTODIODO APROXIMAÇÕES DO DIODO RETIFICADORES DE MEIA ONDA E ONDA COMPLETA RETIFICADOR DE MEIA ONDA RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE CAPACITOR FILTRO PARA O RETIFICADOR DIODO ZENER CORRENTE MÁXIMA NO ZENER REGULADOR DE TENSÃO COM ZENER CÁLCULO DO RESISTOR DE CARGA RS. CIRCUITO COM DIODOS MULTIPLICADORES DE TENSÃO LIMITADORES GRAMPEADOR CC

4
4 4 4 7 8 8 10 11 12 14 16 17 19 20 24 26 27 28 28 29 29 30 32 32

1.2

1.3 1.4 1.5

1.6 1.7 1.8

1.9

1.10 EXERCÍCIOS

2
2.1

TRANSISTOR BIPOLAR
FUNCIONAMENTO DE TRANSISTORES BIPOLARES POLARIZAÇÃO DO TRANSISTOR NPN TRANSISTOR PNP AS CORRENTES NO TRANSISTOR MONTAGEM BÁSICA COM TRANSISTOR

39
39 40 42 42 43

3
3.1 3.2 3.3 3.4

POLARIZAÇÃO DE TRANSISTORES
RETA DE CARGA O TRANSISTOR COMO CHAVE O TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE O TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO EM EMISSOR COMUM POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO REGRAS DE PROJETO EXERCÍCIOS

47
47 49 50 51 51 51 52 53

3.5

4

AMPLIFICADORES DE SINAL

55
set-00

Prof. Roberto A. Bertoli

Colégio Técnico de Campinas 4.1

ELETRÔNICA 55 57 57 58 60 60 63 63 65 66 68 70 71 73

3

AMPLIFICADORES DE SINAL EMISSOR COMUM TEOREMA DA SUPERPOSIÇÃO PARA AMPLIFICADORES CIRCUITOS EQUIVALENTES CA E CC. RESISTÊNCIA CA DO DIODO EMISSOR βCA - GANHO DE CORRENTE ALTERNADA AMPLIFICADOR COM EMISSOR ATERRADO REALIMENTAÇÃO AMPLIFICADOR COM REALIMENTAÇÃO PARCIAL IMPEDÂNCIA DE ENTRADA ESTÁGIOS EM CASCATA AMPLIFICADOR BASE COMUM AMPLIFICADOR COLETOR COMUM IMPEDÂNCIA DE ENTRADA EXERCÍCIOS

4.2 4.3 4.4

4.5 4.6 4.7

5
5.1 5.2 5.3

AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA
CLASSE A CLASSE B CLASSE AB

76
76 78 80

6
6.1

OSCILADOR DE BAIXA FREQÜÊNCIA
OSCILADOR POR DESLOCAMENTO DE FASE

81
82

7
7.1

TRANSISTORES ESPECIAIS
JFET POLARIZAÇÃO DE UM JFET TRANSCONDUTÂNCIA AMPLIFICADOR FONTE COMUM AMPLIFICADOR COM REALIMENTAÇÃO PARCIAL AMPLIFICADOR SEGUIDOR DE FONTE MOSFET MOSFET DE MODO DEPLEÇÃO MOSFET DE MODO CRESCIMENTO OU INTENSIFICAÇÃO FOTOTRANSISTOR E ACOPLADOR ÓPTICO EXERCÍCIOS

83
83 83 87 88 89 89 90 90 91 92 93

7.2

7.3 7.4

8

REFERÊNCIA BIBLIOGRÁFICA

96

Prof. Roberto A. Bertoli

set-00

ver Figura 1-1. baquelita. cada átomo une-se a quatro outros átomos vizinhos. Roberto A. sendo que poucos elétrons conseguem desprender-se de seus átomos para se transformarem em elétrons livres. bloqueando a passagem da corrente elétrica. Cada material tem uma infinidade de características. formando uma estrutura ordenada. melhor condutor é o material. Como exemplo temos o germânio e silício ESTUDO DO SEMICONDUTORES Os átomos de germânio e silício tem uma camada de valência com 4 elétrons.1 DIODO SEMICONDUTOR E RETIFICAÇÃO FÍSICA DOS SEMICONDUTORES A ESTRUTURA DO ÁTOMO O átomo é formado basicamente por 3 tipos de partículas elementares: Elétrons. por exemplo. Consegue-se isolamento maior (resistividade) com substâncias compostas (borracha. por meio de ligações covalentes. Bertoli set-00 . Os elétrons giram em torno do núcleo distribuindo-se em diversas camadas. encontrando grande facilidade para abandonar seus átomos e se movimentarem livremente no interior dos materiais. O elétron cedido pode tornar-se um elétron livre. diferenciados entre si pelo seus números de prótons. MATERIAL SEMICONDUTOR Materiais que apresentam uma resistividade elétrica intermediária. porém de sinal contrário. O que caracteriza o material bom condutor é o fato de os elétrons de valência estarem fracamente ligados ao átomo. a camada mais externa é chamada de valência. Os elétrons de valência estão rigidamente ligados aos seu átomos. Nessa estrutura. de modo que dois átomos adjacentes compartilham os dois elétrons. mica. são substâncias cujos átomos se posicionam no espaço. elétrons e nêutrons. mas uma especial em eletrônica é o comportamento à passagem de corrente. formam uma estrutura cristalina. etc. Em cada átomo. com somente um elétron na camada de valência tem facilidade de cedê-lo para ganhar estabilidade. Quando os átomos de germânio (ou silício) agrupam-se entre si. Pode-se dividir em três tipos principais: MATERIAIS CONDUTORES DE ELETRICIDADE São materiais que não oferecem resistência a passagem de corrente elétrica. prótons e nêutrons. ou seja. e geralmente é ela que participa das reações químicas Todos os materiais encontrados na natureza são formados por diferentes tipos de átomos. Prof. num total de até sete camadas. Quanto menor for a oposição a passagem de corrente. MATERIAIS ISOLANTES São materiais que possuem uma resistividade muito alta. A carga do elétron é igual a do próton. O cobre.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 4 1 1. e cada um dos quatro elétrons de valência de um átomo é compartilhado com um átomo vizinho.).

completando a ligação covalente (processo de recombinação). Quando o cristal de silício ou germânio é submetido a uma diferença de potencial. Dado a dificuldade de se controlar as Prof. por simplicidade e também porque o silício é de uso generalizado em eletrônica) são encontrados na natureza misturados com outros elementos. pode-se afirmar que o número de lacunas é sempre igual a de elétrons livres. fazendo com que os elétrons das ligações rompidas passem a se movimentar livremente no interior do cristal.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 5 Figura 1-1 Se nas estruturas com germânio ou silício não fosse possível romper a ligações covalentes. Entretanto. IMPUREZAS Os cristais de silício (ou germânio. tornando-se elétrons livres. um elétron preencher o lugar de uma lacuna. No entanto com o aumento da temperatura algumas ligações covalentes recebem energia suficiente para se romperem. Roberto A. Sempre que uma ligação covalente é rompida. pode ocorrer o inverso. Figura 1-2 Com a quebra das ligações covalentes. Como tanto os elétrons como as lacunas sempre aparecem e desaparecem aos pares. os elétrons livres se movem no sentido do maior potencial elétrico e as lacunas por conseqüência se movem no sentido contrário ao movimento dos elétrons. uma vez que o átomo era neutro e um elétron o abandonou. simultaneamente um elétron e uma lacuna. elas seriam materiais isolantes. passa a existir uma região com carga positiva. Essa região positiva recebe o nome de lacuna. no local onde havia um elétron de valência. sendo também conhecida como buraco. As lacunas não tem existência real. Mas não vamos considera-lo. pois são apenas espaços vazios provocados por elétrons que abandonam as ligações covalentes rompidas. surgem. Bertoli set-00 .

Ex.: Fósforo e Antimônio). O átomo pentavalente entra no lugar de um átomo de silício dentro do cristal absorvendo as suas quatro ligações covalentes. com a intenção de se alterar produção de elétrons livres e lacunas. Por isso existem dois tipos de semicondutores: SEMICONDUTOR TIPO N O cristal que foi dopado com impureza doadora é chamado semicondutor tipo n. a inserção proposital de impurezas na ordem de 1 para cada 106 átomos do cristal. onde n está relacionado com negativo. IMPUREZA DOADORA São adicionados átomos pentavalentes (com 5 elétrons na camada de valência. A este processo de inserção dá-se o nome de dopagem. As impurezas utilizadas na dopagem de um cristal semicondutor podem ser de dois tipos: impureza doadoras e impurezas aceitadoras. Isto significa que existe uma lacuna na órbita de valência de cada átomo trivalente. Bertoli set-00 . Ex. Figura 1-3 IMPUREZA ACEITADORA São adicionados átomos trivalentes (tem 3 elétrons na camada de valência.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 6 características destes cristais é feito um processo de purificação do cristal e em seguida é injetado através de um processo controlado. Figura 1-4 Um semicondutor pode ser dopado para ter um excesso de elétrons livres ou excesso de lacunas. O átomo trivalente entra no lugar de um átomo de silício dentro do cristal absorvendo três das suas quatro ligações covalentes. e fica um elétron fracamente ligado ao núcleo do pentavalente (uma pequena energia é suficiente para se tornar livre). Roberto A. alumínio e gálio).: Boro. Como os elétrons livres excedem em número as lacunas Prof.

Além de certo ponto. Quando isto ocorre. Bertoli set-00 .Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 7 num semicondutor tipo n. O símbolo mais usual para o diodo é mostrado a seguir: Anodo material tipo p Catodo material tipo n Prof. Roberto A. A intensidade da camada de depleção aumenta com cada elétron que atravessa a junção até que se atinja um equilíbrio. 1. esta barreira é de 0. obtém-se uma junção pn. SEMICONDUTOR TIPO P O cristal que foi dopado com impureza aceitadora é chamado semicondutor tipo p. A 25º.2 DIODO A união de um cristal tipo p e um cristal tipo n. portadores minoritários. a lacuna desaparece e o átomo associado torna-se carregado negativamente. os elétrons são chamados portadores majoritários e as lacunas. Figura 1-5 Devido a repulsão mútua os elétrons livres do lado n espalham-se em todas direções. A diferença de potencial através da camada de depleção é chamada de barreira de potencial. alguns atravessam a junção e se combinam com as lacunas. que é um dispositivo de estado sólido simples: o diodo semicondutor de junção. (um íon negativo) Figura 1-6 Cada vez que um elétron atravessa a junção ele cria um par de íons. Os ions estão fixo na estrutura do cristal por causa da ligação covalente.3V para o germânio. Chamamos esta região de camada de depleção. À medida que o número de ions aumenta. a camada de depleção age como uma barreira impedindo a continuação da difusão dos elétrons livres. portadores minoritários. a região próxima à junção fica sem elétrons livres e lacunas. onde p está relacionado com positivo. as lacunas são chamadas portadores majoritários e os elétrons livres.7V para o silício e 0. Como as lacunas excedem em número os elétrons livres num semicondutor tipo p.

por exemplo. A medida que a bateria se aproxima do potencial da barreira.1 TENSÃO DE JOELHO Ao se aplicar a polarização direta. Bertoli set-00 . Roberto A. afastando-se da junção. ( No Si é aprox. não é um componente linear. POLARIZAÇÃO DIRETA No material tipo n os elétrons são repelidos pelo terminal da bateria e empurrado para a junção. há uma polarização direta se o pólo positivo da bateria for colocado em contato com o material tipo p e o pólo negativo em contato com o material tipo n. e isto diminui a camada de depleção. POLARIZAÇÃO DIRETA Figura 1-7 Figura 1-8 Nota-se pela curva que o diodo ao contrário de.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 8 POLARIZAÇÃO DO DIODO Polarizar um diodo significa aplicar uma diferença de potencial às suas extremidades. 1. No material tipo p as lacunas também são repelidas pelo terminal e tendem a penetrar na junção. tornando praticamente impossível o deslocamento de elétrons de uma camada para outra. Podemos dizer que a bateria aumenta a camada de depleção. Para haver fluxo livre de elétrons a tensão da bateria tem de sobrepujar o efeito da camada de depleção. Prof. CURVA CARACTERÍSTICA DE UM DIODO A curva característica de um diodo é um gráfico que relaciona cada valor da tensão aplicada com a respectiva corrente elétrica que atravessa o diodo. A tensão no diodo é uma função do tipo: U = RFI +  kT  I ln + 1 q  IS  Eq. a junção fica polarizada inversamente. Supondo uma bateria sobre os terminais do diodo. Fato análogo ocorre com as lacunas do material do tipo p. os elétrons livres e as lacunas começam a atravessar a junção em grandes quantidades. um resistor.7V). 0. A tensão para a qual a corrente começa a aumentar rapidamente é chamada de tensão de joelho. o diodo não conduz intensamente até que se ultrapasse a barreira potencial. POLARIZAÇÃO REVERSA Invertendo-se as conexões entre a bateria e a junção pn. ligando o pólo positivo no material tipo n e o pólo negativo no material tipo p. isto é. No material tipo n os elétrons são atraídos para o terminal positivo.

passa uma corrente elétrica extremamente pequena. Bertoli set-00 . Se for aumentando a tensão reversa aplicada sobre o diodo.2 Prof. chega um momento em que atinge a tensão de ruptura (varia muito de diodo para diodo) a partir da qual a corrente aumenta sensivelmente. (chamada de corrente de fuga).Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 9 POLARIZAÇÃO REVERSA DO DIODO Figura 1-9 Figura 1-10 o diodo polarizado reversamente. 1. a potência dissipada é a tensão aplicada multiplicada pela corrente que o atravessa e isto vale para o diodo: P = U∗I Eq. Figura 1-11 ESPECIFICAÇÕES DE POTÊNCIA DE UM DIODO Em qualquer componente. os diodos não podem trabalhar na região de ruptura. Roberto A. GRÁFICO COMPLETO. * Salvo o diodo feito para tal.

E se I=0A !UD=2V. a corrente I através do circuito é a seguinte: I= UR US − UD = RS RS Eq.: 1N914 . Ex. Esse ponto é chamado de ponto de saturação. uma pequena tensão aplicada pode gerar uma alta intensidade de corrente. Sobrepondo esta curva com a curva do diodo tem-se: Prof. pois representa a corrente mínima que atravessa o resistor e o diodo. no circuito da Figura 1-12 o US =2V e RS = 100Ω. 1. 1-4 indica uma relação linear entre a corrente e a tensão ( y = ax + b). é o uso da reta de carga. por exemplo. pois é o máximo valor que a corrente pode assumir. menor a corrente que atravessa o diodo e o RS . Se forem dados a tensão da fonte e a resistência RS.IMAX = 1A Usualmente os diodos são divididos em duas categorias.PMAX = 250mW 1N4001 . os diodos para pequenos sinais (potência especificada abaixo de 0. Bertoli set-00 .5W). pois haverá um aquecimento excessivo. Os fabricantes em geral indicam a potência máxima ou corrente máxima suportada por um diodo. RETA DE CARGA Figura 1-12 Sendo a curva característica do diodo não linear. 1.3 No circuito em série a corrente é a mesma no diodo e no resistor.4 Se UD=0V ! I=20mA. Se.5W) e os retificadores ( PMAX > 0. Quanto maior o RS. especificada pelo fabricante. Baseia-se no uso gráfico das curvas do diodo e da curva do resistor. RS é chamado de resistor limitador de corrente. Roberto A. Na Figura 1-12. Esse ponto é chamado corte. Um método para determinar o valor exato da corrente e da tensão sobre o diodo. RESISTOR LIMITADOR DE CORRENTE Num diodo polarizado diretamente. torna-se complexo determinar através de equações o valor da corrente e tensão sobre o diodo e resistor. Em geral um resistor é usado em série com o diodo para limitar a corrente elétrica que passa através deles.01* U D + 20mA 100 Eq.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 10 Não se pode ultrapassar a potência máxima. então são desconhecidas a corrente e a tensão sob o diodo. A Eq. então: I= 2 − UD = −0.

a queda de tensão típica é de 1. Sobre o diodo existe uma tensão de 0. vermelha. maior será corrente reversa num diodo.78V. o aumento da intensidade luminosa. Bertoli set-00 . circula somente os portadores minoritários. laranja ou azul) ou luz infravermelha. verde. o LED é esquematizado como um diodo comum com seta apontando para fora como símbolo de luz irradiada. para a corrente reversa. e sim. como mostrado na Figura 1-14. reversamente polarizado que é sensível a luz.78V) .5 a 2.U=2V) . 1. Esses portadores existem porque a energia térmica entrega energia suficiente para alguns elétrons de valência saírem fora de suas órbitas. baixa tensão de acionamento e boa resposta em circuitos de chaveamento. que é um material opaco.U=0.5V para correntes entre 10 e 50mA. contribuindo.3 DIODO EMISSOR DE LUZ E FOTODIODO O diodo emissor de luz (LED) é um diodo que quando polarizado diretamente emite luz visível (amarela.5 Para a maioria dos LED’s disponíveis no mercado. A corrente que circula no LED é: ID = VS − VD R Eq. ela injeta mais energia ao elétrons de valência e com isto gera mais elétrons livres. acoplado em série com um resistor limitador de corrente.Ponto de saturação !Corrente máxima do circuito (I=12mA. É amplamente usada em equipamentos devido a sua longa vida. Quando uma energia luminosa incide numa junção pn. gerando elétrons livres e lacunas. FOTODIODO É um diodo com encapsulamento transparente. aumenta sua a corrente reversa Num diodo polarizado reversamente. arsênico e fósforo.Ponto de operação ou quiescente!Representa a corrente através do diodo e do resistor. Nele. Figura 1-14 A polarização do LED é similar ao um diodo comum. Quanto mais intensa for a luz na junção. Roberto A. de elementos como gálio. Ao contrário dos diodos comuns não é feito de silício. Prof.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 11 Figura 1-13 (I=0A.U=0V) .Ponto de corte !Corrente mínima do circuito (I=20mA. ou seja. 1. assim.

7V rb Figura 1-16 Pensa-se no diodo como uma chave em série com uma bateria de 0. I sentido direto sentido reverso U Figura 1-15 2ª APROXIMAÇÃO Leva-se em conta o fato de o diodo precisar de 0.4 APROXIMAÇÕES DO DIODO ao analisar ou projetar circuitos com diodos se faz necessário conhecer a curva do diodo.7V para iniciar a conduzir. Roberto A. 1ª APROXIMAÇÃO (DIODO IDEAL) Um diodo ideal se comporta como um condutor ideal quando polarizado no sentido direto e como um isolante perfeito no sentido reverso. Prof.7V. funciona como uma chave aberta. mas dependendo da aplicação pode-se fazer aproximações para facilitar os cálculos. 3ª APROXIMAÇÃO Na terceira aproximação considera a resistência interna do diodo. I 0 7V rb sentido direto sentido reverso U 0.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 12 1. Bertoli set-00 . ou seja.

75/30mA = 25Ω RD3 = 0. Por último se a tensão for de 0.: O diodo está polarizado diretamente. Com isto pode-se calcular a resistência direta para cada tensão aplicada: RD1 = 0.7 = = = 186mA . Caso a tensão aplicada seja de 0. A resistência reversa será de: RS1 = 20/25nA = 800MΩ Prof. enquanto uma tensão de -75V implica numa corrente de 5µA. 5k RS RS Figura 1-18 RESISTÊNCIA CC DE UM DIODO É a razão entre a tensão total do diodo e a corrente total do diodo. Ao longo do curso será usada a 2ª aproximação. Pode-se considerar dois casos: RD .Resistência cc no sentido reverso RESISTÊNCIA DIRETA É a resistência quando é aplicada uma tensão no sentido direto sobre o diodo. portanto age como uma chave fechada em série com uma bateria. Roberto A.Resistência cc no sentido direto RR . ID = IRS = URS U S − UD 10 − 0.65/10mA = 65Ω RD2 = 0. Bertoli set-00 .85/50mA = 17Ω Nota-se que a resistência cc diminuí com o aumento da tensão RESISTÊNCIA REVERSA Tomando ainda como exemplo o 1N914. Exemplo 1-1 Utilizar a 2ª aproximação para determinar a corrente do diodo no circuito da Figura 1-18: SOL.85V a corrente será de 50mA. É variável. pelo fato do diodo ter uma resistência não linear.7V rb Figura 1-17 Obs.Colégio Técnico de Campinas I ELETRÔNICA 13 0. Por exemplo.65V entre seus terminais existirá uma corrente I=10mA.75V a corrente correspondente será de 30mA.7V rb sentido direto sentido reverso U 0.:. Ao aplicar uma tensão de -20V a corrente será de 25nA. no diodo 1N914 se for aplicada uma tensão de 0.

707 Up Valor médio O valor médio é quantidade indicada em um voltímetro quando na escala cc. Bertoli set-00 .Colégio Técnico de Campinas RS2 = 75/5µA = 15MΩ ELETRÔNICA 14 A resistência reversa diminui à medida que se aproxima da tensão de ruptura. Devido ao alto custo de uma bateria se comparado com a energia elétrica. O valor médio de uma onda senoidal ao longo de um ciclo é zero. Isto porque cada valor da primeira metade do ciclo. O valor rms de uma onda senoidal. Sinais mais complexos podem ser representados por uma soma de sinais senoidais. torna-se necessário a criação de um circuito que transforme a tensão alternada de entrada em uma tensão contínua compatível com a bateria.(. O diodo é um componente importante nesta transformação. 1. Roberto A. tem um valor igual mas de sinal contrário na segunda metade do ciclo. Eq. ONDA SENOIDAL A onda senoidal é um sinal elétrico básico. É que se verá neste item.5 RETIFICADORES DE MEIA ONDA E ONDA COMPLETA É comum em circuitos eletrônicos o uso de baterias de alimentação. 1-7 Prof. 1-6 onde: U ! tensão instantânea Up ! tensão de pico Algumas maneiras de se referir aos valores da onda: Valor de pico UP ! Valor máximo que a onda atinge Valor de pico a pico ( UPP ) ! Diferença entre o máximo e mínimo que a onda atinge Upp = Up . é definido como a tensão cc que produz a mesma quantidade de calor que a onda senoidal. Pode-se mostrar que: VRMS = 0. Figura 1-19 A equação que representa a curva da Figura 1-19 é a seguinte: U = UP senθ Eq.Up ) = 2 Up Valor eficaz ( URMS) ( Root Mean Square) O valor rms é valor indicado pelo voltímetro quando na escala ca.

167=12. U2 N2 U 1 ! 2 = ! U2 = 12. P=U*I=115*0. Qual a tensão no secundário em valores de pico a pico? E a corrente elétrica no primário? SOL.8/0. O transformador é a grosso modo constituído por duas bobinas (chamadas de enrolamentos). O componente utilizado é o transformador. Abaixo um exemplo de transformador: Figura 1-20 A tensão de entrada U1 está conectada ao que se chama de enrolamento primário e a tensão de saída ao enrolamento secundário.707=18VPP I1 N2 I 1 ! 1 = !I1 = 0.5 9 obs.167ARMS = I 2 N1 1. 1-8 Exemplo 1-2 Se a tensão de entrada for 115 VRMS.: a potência elétrica de entrada e de saída num transformador ideal são iguais. 1-9 Eq. Logo é preciso um componente para abaixar o valor desta tensão alternada. A energia passa de uma bobina para outra através do fluxo magnético.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 15 O TRANSFORMADOR As fontes de tensões utilizadas em sistemas eletrônicos em geral são menores que 30VCC enquanto a tensão de entrada de energia elétrica costuma ser de 127VRMS ou 220VRMS.8 VRMS = U1 N1 115 9 U2PP=12.2W Prof.5=19.8*1. Bertoli set-00 . Roberto A. a corrente de saída de 1. No transformador ideal: U2 N2 = U1 N1 Onde: U1 tensão no primário U2 tensão no secundário N1 número de espiras no enrolamento primário N2 número de espiras no enrolamento secundário A corrente elétrica no transformados ideal é: I1 N2 = I 2 N1 Eq.5ARMS e a relação de espiras 9:1.

as curvas são as mostrada na Figura 1-22. A saída do secundário tem dois ciclos de tensão: Um semiciclo positivo e um negativo. Figura 1-21 Considerando o diodo como ideal. Sem corrente elétrica circulando implica em não ter tensão sob o resistor e toda a tensão do secundário fica no diodo.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 16 RETIFICADOR DE MEIA ONDA O retificador de meia onda converte a tensão de entrada (USECUNDÁRIIO ) ca numa tensão pulsante positiva UR. Este circuito é conhecido como retificador de meio ciclo porque só o semiciclo positivo é aproveitado na retificação. Na Figura 1-21 é mostrado um circuito de meia onda. Durante o semiciclo positivo o diodo está ligado no sentido direto e age como uma chave fechada e pela lei das malhas toda a tensão do secundário incide no resistor R. podendo ser tanto um simples resistor como um circuito complexo e normalmente ele é chamado de resistor de carga ou simplesmente de carga. VALOR CC OU VALOR MÉDIO A tensão média de um retificador de meia onda mostrada por um voltímetro é dado por: Prof. Roberto A. Bertoli set-00 . Durante o semiciclo negativo o diodo está polarizado reversamente e não há corrente circulando no circuito. Este processo de conversão de AC para cc. Figura 1-22 O resistor R indicado no circuito representa a carga ôhmica acoplada ao retificador. é conhecido como “retificação”.

1-13 FREQÜÊNCIA DE SAÍDA A freqüência de saída de onda completa é o dobro da freqüência de entrada. quando U2/2 é negativa. enquanto o retificador inferior retifica o semiciclo negativo da tensão do secundário. 1-10 Eq.318 (UP/2) = 0. substituído por duas fontes de tensão idênticas. como mostra a Figura 1-23 à direita. temos a curva de tensão sobre o resistor de carga mostrada na Figura 1-24. portanto.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA VCC = 0. VALOR CC OU VALOR MÉDIO A tensão média de um retificador de meia onda mostrada por um voltímetro é similar o do retificador de meia onda com a observação de que agora tem-se um ciclo completo e o valor será o dobro.318 (UP .Vσ) diodo 2ª aproximação Eq. 1-11 RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA A Figura 1-23 mostra um retificador de onda completa. 1-12 Eq. Por causa dessa tomada. pois a definição de ciclo completo diz que uma forma de onda completa seu ciclo quando ela Prof. Quando U2/2 é positiva.636 (UP/2 . O retificador superior retifica o semiciclo positivo da tensão do secundário.318 UP diodo ideal VCC = 0. sem alteração no funcionamento elétrico da rede. Roberto A. Considerando os dois diodos ideais. Analogamente. D1 está diretamente polarizado e conduz mas D2 está reversamente polarizado e cortado. Figura 1-23 As duas tensões denominadas de U2/2 na Figura 1-23 são idênticas em amplitude e fase. o circuito é equivalente a dois retificadores de meia onda. Bertoli set-00 . D2 conduz e D1 cortado. Observe a tomada central no enrolamento secundário. É dado por: VCC = 2*0.318UP diodo ideal VCC = 0. O transformador ideal pode ser.Vσ) diodo 2ª aproximação 17 Eq.

Roberto A. a forma de onda retificada começa a repetição após um semiciclo da tensão do secundário.33ms. Bertoli set-00 . Na Figura 1-24.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 18 começa a repeti-lo. a onda retificada terá uma freqüência de 120Hz e um período de 8. Supondo que a tensão de entrada tenha uma freqüência de 60Hz. Figura 1-24 Prof.

5UP 0. Dessa forma. D2 e D3 conduzem. Figura 1-25 A corrente I percorre o resistor de carga sempre num mesmo sentido. Durante o semiciclo negativo da tensão U2. Durante o semiciclo positivo da tensão U2. considerando os diodos ideais. Com o uso de quatro diodos no lugar de dois.318 UP UP fent 0. e o D2 um potencial negativo no catodo. Na Figura 1-26 é mostrado as formas de ondas sobre o resistor de carga e os diodos. Na Tabela 1-1 é feito uma comparação entre os três tipos de retificadores. Bertoli set-00 .318 UP UP 2 fent 0. Roberto A.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 19 RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE Na Figura 1-25 é mostrado um retificador de onda completa em ponte. elimina-se o uso da tomada central do transformador.45 UP PONTE 4 UP 0. o diodo D3 recebe um potencial positivo em seu anodo.45 UP ONDA COMPLETA 2 0.636 UP UP 2 fent 0. Os diodos D1 e D4 conduzem e os diodos D2 e D3 ficam reversamente polarizado. Para diodos ideais. e o diodo D1 um potencial negativo no catodo.º de Diodos Tensão Pico de Saída Tensão cc de Saída Tensão Pico Inversa no Diodo Freqüência de Saída Tensão de saída (rms) 1 UP 0. Portanto a tensão UR é sempre positiva. o diodo D4 recebe um potencial positivo em seu anodo. Tabela 1-1 MEIA ONDA N.9 UP Prof. D1 e D4 ficam reversamente polarizado e o resistor de carga R recebe todo o semiciclo positivo da tensão U2. devido à inversão da polaridade de U2.

Bertoli set-00 . Prof. separadas material isolante.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 20 Figura 1-26 1. haverá uma distribuição de cargas e após um certo tempo as tensões na bateria e no capacitor serão as mesmas. por um Ao ligar uma bateria com um capacitor descarregado. Roberto A. constituído por duas placas condutoras. E deixa de circular corrente elétrica.6 CAPACITOR Componente eletrônico.

Roberto A. Bertoli set-00 . O capacitor pode armazenar carga elétrica. nF. O capacitor se opõe a variação de tensão elétrica. A capacidade que tem um capacitor para armazenar cargas depende da sua capacitância. e portanto é mantida a diferença de potencial no capacitor.S d Eq. 1-15 S = área de uma das placas (são iguais) (m2) d = Espessura do dielétrico em metro (m) C = Capacitância em Farads (F) em geral se usa submultiplos do Farad: µF. as cargas elétricas acumuladas permanecem no capacitor. C= onde: ε = constante dielétrica (F/m) ε. pF DETALHES SOBRE OS CAPACITORES TIPOS DE CAPACITORES papel mica tântalo cerâmica eletrolítico variável (distância / área) !(Padder. Trimmer) DISPOSIÇÃO DAS PLACAS Prof.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 21 Se o capacitor for desconectado da bateria.

Bertoli set-00 . As tensões no capacitor e resistor seguem as seguintes equações: VC=U*(1-e-t/τ) VR=U*e-t/τ onde τ=RC e é chamada de constante de tempo do circuito. 1-17 CIRCUITOS COM CAPACITOR E RESISTOR Resistor em série com o capacitor Prof.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 22 CARGA E DESCARGA DO CAPACITOR Suponha que o capacitor esteja descarregado e em t=0s a chave do circuito abaixo é fechada. Quando t=τ. a tensão no capacitor atinge 63% da tensão da fonte Eq. 1-16 Eq. Roberto A.

Bertoli set-00 .Colégio Técnico de Campinas Resistor em paralelo com o capacitor ELETRÔNICA 23 Resistor em série com capacitor e com um gerador de onda quadrada Prof. Roberto A.

o capacitor se descarrega por meio do resistor de carga. Idealmente. A idéia do filtro é a de que o tempo de descarga do capacitor seja muito maior que o período do sinal de entrada. Prof. a tensão no resistor aumenta a partir de zero até um valor de pico e depois diminui de volta a zero. o capacitor esteja descarregado. o diodo está diretamente polarizado. Bertoli set-00 . durante o primeiro quarto de ciclo da tensão no secundário. antes de ligar o circuito. O tipo mais comum de filtro para circuitos retificadores é o filtro com capacitor mostrado na Figura 1-27. Como o diodo conecta o enrolamento secundário ao capacitor. Durante o ângulo de condução do diodo. Para obter esse tipo de tensão retificada na carga. O capacitor é colocado em paralelo ao resistor de carga.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 24 1. Nos retificadores sem filtro cada diodo tem um ângulo de condução de 180°. o diodo pára de conduzir. Ao ligar. No entanto a tensão de uma bateria deve ser estável. Ele conduzirá deste ponto até a tensão no secundário atingir o valor de pico UP.7 FILTRO PARA O RETIFICADOR A tensão de saída de um retificador sobre um resistor de carga é pulsante como mostrador por exemplo na Figura 1-26. Com isso. Figura 1-27 Figura 1-28 Logo após o pico positivo. O diodo só voltará a conduzir no momento em que a tensão no secundário iniciar a subir e seja igual a tensão no capacitor. o capacitor é carregado novamente até UP . o capacitor perderá somente uma pequena parte de sua carga durante o tempo que o diodo estiver em corte. torna-se necessário o uso de filtro. Roberto A. ele funciona como uma chave fechada. Com o diodo aberto. Durante um ciclo completo na saída. Para o entendimento do funcionamento do filtro supor o diodo como ideal e que. Como a tensão no secundário é ligeiramente menor que UP. ele carrega até o valor da tensão de pico UP. O intervalo de condução do diodo é chamado de ângulo de condução do diodo. o diodo fica reversamente polarizado e não conduz. Isto devido ao fato de o capacitor ter uma tensão de pico UP. o que significa uma chave aberta.

A tensão na carga é agora uma tensão cc mais estável. Roberto A. Em um circuito retificador típico. Assim a corrente será: I SURTO = UP R ENROLAMENTO + R DIODO Eq. no qual a freqüência de ondulação é o dobro do meia onda. 1-18 UOND = tensão de ondulação pico a pico I = corrente cc na carga f = freqüência de ondulação C = capacitância A escolha de um capacitor de filtro. melhor. Bertoli set-00 . Prof. naturalmente. é o capacitor estar totalmente descarregado e o retificador ser ligado no instante em que a tensão da linha é máxima. No momento em que o circuito é ligado. Portanto. Quanto menor. do valor da tensão de ondulação. a diminuição da tensão de carga cc. depende. Isto tanto pode danificar os diodos quanto o capacitor. Este resistor limita a corrente de surto porque ele é somado ao enrolamento e à resistência interna dos diodos. a corrente inicial circulando no capacitor será muito alta. Uma forma de reduzir a ondulação é aumentar a constante de tempo de descarga (R. Naturalmente. Como regra de projeto. Neste momento o único elemento que limita a carga é a resistência dos enrolamentos e a resistência interna dos diodos. então. Pode-se relacionar a tensão de ondulação na seguinte fórmula: U OND = onde: I fC Eq. A diferença para uma tensão cc pura é uma pequena ondulação (Ripple) causada pela carga e descarga do capacitor. o capacitor do filtro está descarregado.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 25 Na Figura 1-28 é mostrada na tensão sob a carga. Outra forma de reduzir a ondulação é optar pelo uso de um retificador de onda completa. 1-19 Esta corrente diminui tão logo o capacitor vá se carregando. quanto menor a ondulação.C). Mas não é viável que a tensão de ondulação seja zero. A desvantagem dele é. o capacitor se aproxima de um curto. melhor. Este fluxo alto de corrente é chamado corrente de surto. Na prática é aumentar o valor do capacitor. O pior caso. a corrente de surto não é uma preocupação. quando a capacitância for muito maior do que 1000uF. Um modo de diminuir a corrente de surto é incluir um resistor entre os diodos e o capacitor. a constante de tempo se torna muito grande e pode levar vários ciclos para o capacitor se carregar totalmente. Mas. o habitual é escolher a tensão de ondulação como sendo 10% da tensão de pico do sinal a ser retificado. Neste caso é carregado duas vezes a cada ciclo da tensão de entrada e descarrega-se só durante a metade do tempo de um meia onda. CORRENTE DE SURTO (IMPULSIVA) Instantes antes de energizar o circuito retificador.

A sua principal aplicação é a de conseguir uma tensão estável (tensão de ruptura). Normalmente ele está polarizado reversamente e em série com um resistor limitador de corrente. Abaixo é mostrado a curva característica do diodo zener e sua simbologia. ele suporta tensões reversas próximas a tensão de ruptura. Graficamente é possível obter a corrente elétrica sob o zener com o uso de reta de carga. Bertoli set-00 . Mas ao contrário de um diodo convencional. Prof.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 26 1. Roberto A.8 DIODO ZENER O diodo zener é um diodo construído especialmente para trabalhar na tensão de ruptura. O diodo zener se comporta como um diodo comum quando polarizado diretamente.

Veja o gráfico abaixo SEGUNDA APROXIMAÇÃO Uma Segunda aproximação é considera-lo como ideal mas que a partir da tensão de ruptura exista uma resistência interna.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 27 DIODO ZENER IDEAL O zener ideal é aquele que se comporta como uma chave fechada para tensões positivas ou tensões negativas menores que –VZ .: I ZMÁXIMA = 400mW = 33.3mA. Bertoli set-00 .33mA 12V • Este zener suporta até 33. qual será a corrente máxima permitida? SOL. CORRENTE MÁXIMA NO ZENER PZ = VZ * I Z Exemplo 1-3: Se um diodo zener de 12V tem uma especificação de potência máxima de 400mW. Ele se comportará como uma chave aberta para tensões negativas entre zero e –VZ . Roberto A. Prof.

1.25 ∆VS . 1.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 28 REGULADOR DE TENSÃO COM ZENER Objetivo: manter a tensão sobre a carga constante e de valor Vz. 1. RS ! IZ=IS . Tensão na carga • enquanto o diodo cortado VRL = RL * VS RS + RL VRL=VZ Eq.25 garante a corrente mínima para a carga Prof.IL Eq.resistência da entrada CÁLCULO DO RESISTOR DE CARGA RS. RS < • VSMIN − VZ I LMAX + I ZMIN Eq.24 ∆VL = RZ * ∆VS RS Eq. 1. 1-20 • Com o diodo conduzindo reversamente Eq.variação de entrada RZ . Roberto A.22 IL=VZ/RL sob o zener IS=IZ+IL Tensão de Ripple na carga (∆VL) Considerando RZ<<RL.resistência do zener RS .21 Corrente sob RS. Bertoli set-00 . 1.23 Eq. 1. IS = sob RL VS − VZ RS Eq.

3Vp.9 CIRCUITO COM DIODOS MULTIPLICADORES DE TENSÃO Formado por dois ou mais retificadores que produzem uma tensão cc igual a um múltiplo da tensão de pico da entrada (2Vp.8)/(5m+40m)=293Ω 293Ω<RS <342Ω 1. Roberto A.8V e IZMAX=40mA. D1 está polarizado diretamente e D2 reversamente. C2 tentará se carregar até 2Vp.26 RS > • VSMAX − VZ I LMIN + I ZMAX garante que sob o zener não circule uma corrente maior que IZMAX Exemplo 1-4: Um regulador zener tem uma tensão de entrada de 15V a 20V e a corrente de carga de 5 a 20mA. Depois de vários ciclos. a tensão através de C2 será igual a 2Vp. Redesenhando o circuito e ligando uma resistência de carga Prof. 1. 4Vp) DOBRADOR DE TENSÃO DE MEIA ONDA No pico do semiciclo negativo. isto faz C1 carregar até a tensão Vp.: RS <(15-6.8)/(20m+4m)=342Ω e RS> (20-6. No pico do semiciclo positivo. D1 está polarizado reverso e D2 direto. Se o zener tem VZ=6. qual o valor de RS? SOL.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 29 Eq. Pelo fato da fonte e C1 estarem em série. Bertoli set-00 .

set-00 Prof. Bertoli . Roberto A. Serve para mudar o sinal ou para proteção.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 30 DOBRADOR DE TENSÃO DE ONDA COMPLETA TRIPLICADOR E QUADRIPLICADOR DE TENSÃO LIMITADORES • • Retira tensões do sinal acima ou abaixo de um dado nível.

7V. porque ele mantém o sinal num nível fixo. Prof. Roberto A. Este circuito é chamado grampo de diodo.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 31 LIMITADOR POSITIVO (OU CEIFADOR) LIMITADOR POLARIZADO ASSOCIAÇÃO DE LIMITADORES USO COMO PROTEÇÃO DE CIRCUITOS • • 1N914 conduz quando a tensão de entrada excede a 5. Bertoli set-00 .

1.7V e a corrente de 100mA? Ex. 1-5)Alguma faz com que R fique em curto no circuito ao lado. e ela indica uma leitura de +5V com relação ao terra (-).Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 32 GRAMPEADOR CC O grampeador cc soma uma tensão cc ao sinal (não confundir com grampo de diodo). O diodo está aberto ou em curto? Ex. Ex. O que há de errado com o circuito? Prof. Qual a razão entre a corrente direta e a reversa? Ex. 1-1)Num dado circuito. Bertoli set-00 . 1-4)Suponha VS=5V e que a tensão através do diodo seja 5V. 1-3)Faça o gráfico I*V de um resistor de 2kΩ. Por exemplo. 1-6)Você mede 0V através do diodo do circuito ao lado. Qual será a tensão do diodo? O que acontecerá ao diodo? Ex. quando um diodo está polarizado diretamente. marque o ponto onde a corrente é de 4mA. sua corrente é de 50mA.10 EXERCÍCIOS Ex. um grampeador cc positivo produziria uma saída que idealmente oscila de 0 a +20V (um grampeador negativo produziria uma saída entre 0 e -20V). A seguir você testa a tensão da fonte. 1-2)Qual a potência dissipada num diodo de silício com polarização direta se a tensão de diodo for de 0. a corrente cai para 20nA. Roberto A. se o sinal que chega oscila de -10V a +10V. Quando polarizado reversamente.

5V. Se o diodo tiver a característica I*V abaixo.5 3 3.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 33 I (mA) 100 50 . Utilize a terceira aproximação para calcular sua resistência de corpo.5 1 1. o que acontece com a linha de carga? Ex.5 2 2. Ex. 1-7 para uma fonte de tensão de 1. 1-10)Um diodo de silício tem uma corrente direta de 50mA em 1V. 1-9)Repita o Ex. Quais os diodos relacionados abaixo podem ser utilizados? Diodo Prof. 1-11)A tensão da fonte é de 9V e da resistência da fonte é de 1kΩ. 1-8)Repita o exercício anterior para uma resistência de 50Ω.5V leva o diodo a Ter um resistor limitador de corrente de 25Ω. qual a corrente na extremidade superior da linha de carga: a tensão na extremidade mais baixa da linha de carga? Quais os valores aproximados da tensão e da corrente no ponto Q? Ex.5 V Ex. Roberto A. 1-12)No circuito acima. Calcule a corrente através do diodo Ex. Bertoli Vruptura IMÁX set-00 . Ex. a tensão da fonte é de 100V e a resistência da fonte de 220Ω. 1-7)Uma fonte de tensão de 2. Descreva o que acontece com a linha de carga.

encontre o tempo necessário para a tensão no capacitor atingir 50V. 1-23)Um simples temporizador RC possui uma chave que quando fechada conecta em série uma fonte de 300V. Bertoli set-00 . Ex. Encontre o tempo entre a abertura e o fechamento. se a área de cada placa é 0. Ex. 1-19)Um capacitor de placas paralelas de 1 F possui um dielétrico de cerâmica de 1mm de espessura.5 cm. Esse disco é revestido dos dois lados com prata.1s após o fechamento da chave. Encontre a capacitância. 1-15)Alguns sistemas como alarme contra roubo. Qual é: • A tensão inicial do capacitor? • A corrente inicial? • tempo necessário para o capacitor atingir a tensão de 63% do seu valor máximo? Ex.1µF descarregado. Roberto A. Se as placas são quadradas. Ex.5xεar εcerâmica=7500xεar Ex. 1-22)Para o circuito usado no problema 6. 15v fonte carga 12V Ex.5 cm de diâmetro e 0. Descreva como funciona o circuito abaixo. 1-13)E se eu inverter a polaridade da fonte? Ex. Encontre a tensão no capacitor e a corrente no instante t=0. εAr=8. Ex. sendo esse revestimento as placas. 1-20)No instante t=0s. uma chave conecta um circuito série formado por uma fonte de 200V. Depois.521 mm de espessura. 1-16)Encontre a capacitância de um capacitor de placas paralelas se a dimensão de cada placa retangular é de 1x0. Ex.07 m2 e o dielétrico é o vidro.Colégio Técnico de Campinas 1N914 1N4001 1N1185 ELETRÔNICA 75V 50V 120V 200mA 1A 35A 34 Ex.1mm e o dielétrico é o ar. Prof. 1-14)No circuito acima qual deverá ser o valor de R para se obter uma corrente de diodo de 10mA? (suponha VS=5V) Ex.01µF de placas paralelas. computadores. encontre a capacitância tendo a mica como dielétrico. um resistor de 2MΩ e um capacitor de 0. utilizam uma bateria auxiliar no caso da fonte de alimentação principal falhar. 1-21)Ao ser fechada. 1-18)Um capacitor possui como dielétrico um disco feito de cerâmica com 0. Depois encontre o tempo necessário para a tensão no capacitor aumentar mais 50V (de 50V para 100V). a distância entre as placas é 0. Compare os resultados. etc. 1-17)Encontre a distância entre as placas de um capacitor de 0.85x10-12 F/m εmica=5xεar εVidro=7. uma fonte de 100V é conectada a um circuito série formado por um resistor de 1kΩ e um capacitor de 2µF descarregado. encontre o comprimento do lado de uma placa. um resistor de 16MΩ e um capacitor descarregado de 10µF.

Qual a tensão em rms no enrolamento do secundário? Qual deve ser o valor do capacitor de filtro? Ex. Roberto A. Se a resistência de carga for de 220Ω e a capacitância de 500µF. Em seguida você mede 21. As especificações são uma tensão de carga de 15V e uma ondulação de 1V para uma resistência de carga de 680Ω. 1-26)Você mede 24Vac através dos secundário da figura abaixo. 1-28)A fonte de alimentação dividida da figura 1 tem uma tensão do secundário de 25Vac. Sugira alguns problemas possíveis. tem uma tensão de pico na saída de 25V.7Vac e C=500µF? Qual a ondulação de pico a pico? Quais as especificações mínima de ID e VZ ? qual a polaridade de C1 e C2? Ex. Quais as tensões de saída para uma tensão do secundário de 17. 1-24)Um retificador em ponte com um filtro com capacitor de entrada. qual a ondulação de pico a pico (Ripple)? Ex. Escolha os capacitores de filtro. Prof. 1-25)A figura abaixo mostra uma fonte de alimentação dividida.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 35 Ex. Devido à derivação central aterrada. as tensões de saída são iguais e com polaridade oposta. utilizando a regra dos 10 por cento para a ondulação. Ex. 1-27)Você está construindo um retificador em ponte com um filtro com capacitor de entrada.6Vac através do resistor de carga. Bertoli set-00 .

2kΩ e Rz=6Ω. 1-32)Na figura abaixo. Se você medir aproximadamente 20V para a tensão de carga. como mostra a figura 4. O primeiro tem um Rs=680Ω e um Rz=10Ω. Quais valores VS pode assumir? Prof.8V. O segundo tem um Rs=1. Qual a tensão através desse amperímetro quando ele indicar fundo de escala? Os diodos às vezes são ligados em derivação (Shunted) através do amperímetro.4Ω. 1-30)O amperímetro da figura abaixo tem uma resistência de medidor de 2kΩ e uma corrente para fundo de escala de 50µA. os diodos podem ser de grande utilidade. qual Ripple na saída? Ex. e corrente de carga é de 30mA !50%. 1-33)Projete um regulador zener que preencha as seguintes especificações: tensão da carga é de 6. Com a chave na posição mostrada. Roberto A. o 1N1594 tem uma tensão de zener de 12V e uma resistência zener de 1. Bertoli set-00 . tensão da fonte de 20V !20%.7V e IZMAX=40mA. Se o amperímetro estiver ligado em série com um circuito. 1-31)Dois reguladores zener estão ligados em cascata. qual a tensão de saída ideal? Ex. Se o Ripple da fonte for de 9V de pico a pico. Ex.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 36 Ex. Para que você acha que eles podem servir? Ex. qual a tensão de saída ideal? Com a chave na posição mais alta. 1-34) para VRL =4. 1-29)A tensão do secundário na figura abaixo é de 25Vac. que componente você sugere que está com defeito? Explique por quê? Ex.

RL pode variar de 1kΩ a 50kΩ. 1-37)Qual o sinal sob VL? Ex.5W)? Prof. Bertoli set-00 . 1-39)Um diodo zener tem uma resistência interna de 5Ω. Qual o valor da resistência? Ex. 1-36)Qual o sinal de saída? Ex. 1-38)Um regulador zener tem Vz = 15V e Izmax=100mA.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 37 Ex. Se a corrente variar de 10 a 20mA. VS pode variar de 22 a 40V. 1-40)Uma variação de corrente de 2mA através do diodo zener produz uma variação de tensão de 15mV. 1-41)Qual o valor mínimo de RS para o diodo não queimar (VZ=15V e PZMAX=0. Roberto A. qual a variação de tensão através do zener? Ex. 1-35)No exercício anterior qual a tensão na carga para cada uma das condições abaixo: • diodo zener em curto • diodo zener aberto • resistor em série aberto • resistor de carga em curto O que ocorre com VL e com o diodo zener se o resistor em série estiver em curto? Ex. Qual o maior valor que a resistência série pode assumir? Ex.

Se a ondulação da fonte for 9V de pico a pico. se RS= 2kΩ. qual a ondulação na saída? Prof. Roberto A. 10k e 1kΩ? Ex. 1-44)No exercício anterior suponha que a fonte tenha um Ripple de 4V. qual o Ripple de saída? Ex. 1-43)Qual o valor de Iz para RL= 100k. 1-45)Dois reguladores zener estão ligados em cascata. 1-42)no exercício anterior.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 38 Ex. O primeiro tem uma resistência em série de 680Ω e um Rz=6Ω. Bertoli set-00 . O segundo tem uma resistência série de 1k2Ω e Rz=6Ω. Se a resistência zener for de 10Ω. qual a corrente sobre o zener. e qual a potência dissipada no zener? Ex.

é fortemente dopado e finalmente o último cristal tem o nome de coletor por receber os portadores de carga. O cristal do centro recebe o nome de base. A partir daí o desenvolvimento da eletrônica foi imenso. Será analisado o funcionamento do transistor npn. A análise do transistor pnp é similar ao do npn. Antes da década de 50. Prof. e outra entre a base e o coletor. Bertoli set-00 . detecção.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 39 2 TRANSISTOR BIPOLAR Existe uma infinidade de sinais de interesse em eletrônica que são muitos fracos. O primeiro é chamado de transistor npn e o segundo de pnp. foi inventado o transistor. como por exemplo.1 FUNCIONAMENTO DE TRANSISTORES BIPOLARES O transistor bipolar é constituído por três materiais semicondutor dopado. Dentre todos os transistores. a válvula era o elemento principal nesta tarefa. Em 1951.base (ou só emissor) e o da direita de coletor . 2. Ele foi desenvolvido a partir da tecnologia utilizada no diodo de junção. Na prática isto significa tensões e correntes invertidas se comparadas com o npn. as correntes elétricas que circulam no corpo humano. tem uma dopagem média. uma entre o emissor a base. para realizar as funções de amplificação. um transistor se assemelha a dois diodos. Apesar de na Figura 2-1 não distinguir os cristais coletor e emissor. enquanto o diodo por apenas uma junção. Um cristal da extremidade recebe o nome de emissor por emitir portadores de carga. comutação. e para transforma-los em sinais úteis torna-se necessário amplifica-los. pois é comum aos outros dois cristais. com a diferença de o transistor ser formado por duas junções pn. O diodo da esquerda é comumente designado diodo emissor . etc. etc.base (ou só coletor). é levemente dopado e muito fino. o sinal de saída de uma cabeça de gravação. O transistor tem duas junções. como uma alternativa em relação as válvulas. bastando levar em conta que os portadores majoritários do emissor são lacunas em vez dos elétrons livres. Dois cristais tipo n e um tipo p ou dois cristais tipo p e um tipo n. oscilação. eles diferem entre si no tamanho e dopagem.. com semelhanças ao diodo estudado anteriormente. Por causa disso. Na Figura 2-1 são mostrados de maneira esquemática os dois tipos: Figura 2-1 Cada um dos três cristais que compõe o transistor bipolar recebe o nome relativo a sua função. Roberto A. o bipolar é muito comum.

O fluxo de corrente elétrica é alto nas duas junções.7V (silício) em 25°C. Com os diferentes níveis de dopagem de cada cristal. e a bateria B2 polariza diretamente o diodo coletor. A Figura 2-2 mostra as camadas de depleção nas junções do transistor npn.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 40 TRANSISTOR NÃO POLARIZADO Figura 2-2 A difusão dos elétrons livres através da junção produz duas camadas de depleção. POLARIZAÇÃO DO TRANSISTOR NPN As junções do transistor podem ser polarizadas diretamente ou reversamente. Bertoli set-00 . Prof. A corrente elétrica circulando é pequena (corrente de fuga). JUNÇÕES COM POLARIZAÇÃO DIRETA Na Figura 2-3 a bateria B1 polariza diretamente o diodo emissor. Ela penetra pouco na região do emissor. Cada camada tem aproximadamente uma barreira potencial de 0. Os elétrons livres entram no emissor e no coletor. Roberto A. Figura 2-3 JUNÇÕES COM POLARIZAÇÃO REVERSA Na Figura 2-4 os diodos emissor e coletor ficam reversamente polarizado. as camadas de depleção tem larguras diferentes. bastante na base e médio na região do coletor. Tanto maior a largura quanto menor a dopagem. juntam-se na base e retornam para as baterias.

REVERSA Na Figura 2-5 o diodo coletor está reversamente polarizado e diodo emissor diretamente polarizado. polarizada reversamente. por recombinação. Na base uma pequena parcela da corrente. Como a base é muito fina. ou atravessar a junção do coletor passando a região do coletor. Ela é pequena porque a base é pouco dopada. é injetado uma alta corrente em direção a base. Figura 2-5 No instante em que a polarização direta é aplicada ao diodo emissor. Prof. A princípio espera-se uma corrente de fuga no diodo coletor e uma alta corrente no diodo emissor. No entanto isto não acontece. mas não dos elétrons livres. Esses atravessam sem dificuldade a camada de depleção penetram na região de coletor.base (VBE). Bertoli set-00 . nos dois diodos as correntes são altas.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 41 Figura 2-4 JUNÇÕES COM POLARIZAÇÃO DIRETA . os elétrons do emissor ainda não penetraram na região da base. Roberto A. Ver Figura 2-6. Se a tensão entre base e emissor (VBE) for maior que 0. dificulta a passagem dos portadores majoritários do cristal de base (lacunas) para o coletor.7V. Esta junção. Considerar a tensão coletor . Em suma. retorna ao pólo negativo da bateria B1 e o restante da corrente flui para o coletor e daí para o pólo positivo da bateria B2.base (VCB) bem maior que a tensão emissor . Estes elétrons na base podem retornar ao pólo negativo da bateria B1. Obs. Lá os elétrons livres são atraídos para o pólo positivo da bateria B2. Os elétrons que a partir da base retornam a bateria B1 são chamados de corrente de recombinação. com a polarização direta do diodo emissor. muitos elétrons do emissor penetram na região da base. grande parte dos elétrons da base passam a junção basecoletor.

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Figura 2-6

TRANSISTOR PNP
No transistor pnp as regiões dopadas são contrárias as do transistor npn. Isso significa que as lacunas são portadores majoritários no emissor em vez dos elétrons livres. O funcionamento é como a seguir. O emissor injeta lacunas na base. A maior parte dessas lacunas circula para o coletor. Por essa razão a corrente de coletor é quase igual a do emissor. A corrente de base é muito menor que essas duas correntes. Qualquer circuito com transistor npn pode ser convertido para uso de transistor pnp. Basta trocar os transistores, inverter a polaridade da fonte de alimentação, os diodos e capacitores polarizados. E o funcionamento será idêntico ao modelo npn. Considerando esta similaridade, neste curso os circuitos analisados são sempre os com transistores npn.

AS CORRENTES NO TRANSISTOR

Figura 2-7

A Figura 2-7 Figura 2-7 mostra o símbolo esquemático para um transistor pnp e npn. A diferenciação a nível de esquemático é feito através da seta no pino do emissor. A direção da seta mostra o fluxo de corrente convencional. Na figura é mostrado também o sentido das correntes convencionais IB , IC e IE . A lei de correntes de Kirchhoff diz que a soma de todas as correntes num nó é igual a soma das que saem. Então: IE = IC + IB Eq. 2- 1 A relação entre a corrente contínua de coletor e a corrente contínua de base é chamada de ganho de corrente β CC : Prof. Roberto A. Bertoli set-00

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Eq. 2- 2

β CC =

IC IB

Em geral mais de 95% dos elétrons livres atingem o coletor, ou seja, a corrente de emissor é praticamente igual a corrente de coletor. O parâmetro αcc de um transistor indica a relação entre a corrente de emissor e coletor:

α CC =

IC IE

Eq. 2- 3

Quanto mais fina e levemente dopada a base, mais alto o αcc. Pode-se relacionar o αcc com o β CC : !CC = !CC /(1 - !CC ) Eq. 2- 4

TESTE DE DIODOS E TRANSISTORES.
Uma maneira simples é mostrada a seguir para se testar diodos e transistores utilizando um ohmímetro. Teste de funcionamento de um diodo com um ohmímetro. 1. Encosta-se a ponta de prova negativa no cátodo 2. Encosta-se a ponta de prova positiva no ânodo O ohmímetro deve indicar resistência baixa. 3. Inverte-se as pontas de provas, a resistência deve ser alta. Teste de funcionamento de um transistor npn com um ohmímetro 1. Encosta-se a ponta de prova negativa na base do transistor 2. Encosta-se a ponta de prova positiva no coletor do transistor O ohmímetro deve indicar resistência alta. 3. Muda-se a ponta de prova positiva para o emissor do transistor O ohmímetro deve indicar resistência alta. 4. Inverte-se as pontas de provas, isto é, encosta-se a positiva na base e repete os itens 2 e 3. As resistências devem ser baixas. Isto é válido para os multímetros digitais. Em geral, nos multímetros analógicos, a ponta de prova positiva está ligada ao pólo negativo da bateria.

MONTAGEM BÁSICA COM TRANSISTOR
Na Figura 2-8, o lado negativo de cada fonte de tensão está conectado ao emissor. Neste caso denomina-se o circuito como montado em emissor comum. Além da montagem em emissor comum, existem a montagem em coletor comum e base comum, analisadas mais a frente. O circuito é constituído por duas malhas. A malha da esquerda que contém a tensão VBE e malha da direita com a tensão VCE.

VS = R S I B + VBE VCC = I C R C + VCE

Eq. 2- 5 Eq. 2- 6

Prof. Roberto A. Bertoli

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Figura 2-8

RELAÇÃO IB VERSUS VBE
Existe uma relação entre IB e VBE, ou seja, para cada IB existe uma tensão VBE correspondente (Figura 2-9). Naturalmente, esta curva semelhante a curva do diodo.

Figura 2-9

RELAÇÃO IC VERSUS VCE
A partir de VCC e VS é possível obter diversos valores de IC e VCE . a Figura 2-10 mostra esta relação supondo um IB fixo.

Figura 2-10

Prof. Roberto A. Bertoli

set-00

Nesta região uma variação do VCE não influencia no valor de IC. IC mantém-se constante e igual a IB β CC. Na saturação não é possível manter a relação IC=IBβ CC. Bertoli set-00 . Por isso. Habitualmente o gráfico fornecido pelo fabricante leva em consideração diversos IB’s.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 45 A parte inicial da curva é chamada de região de saturação. Para sair da região de saturação e entrar na região ativa. designa-se os circuitos com transistores na região ativa de circuitos lineares. A corrente de coletor com terminal da base aberto é designada por ICEO (corrente de coletor para emissor com base aberta). Mesmo para outros valores de IB. Na realidade o β CC não é constante na região ativa. Em geral se considera: Se IB=0 !IC =0. A parte final é a região de ruptura e deve ser evitada. Na Figura 2-12 é mostrado um exemplo de variação de β CC. Isto ocorre. É quando IB =0 (eqüivale ao terminal da base aberto). isto requer um VCE maior que 1V. perde-se o funcionamento convencional do transistor. Roberto A. Sendo a corrente de coletor (saída) proporcional a corrente de base (entrada). passa a simular uma pequena resistência ôhmica entre o coletor e emissor. As regiões de corte e saturação.7V. A parte plana é chamada de região ativa. Notar no gráfico que para um dado valor de VCE existem diversas possibilidades de valores para IC. mostra a curva IC x VCE para um dado IB. são amplamente usados em circuitos digitais. o β CC se mantém constante na região ativa. quase zero. porque é necessário ter o valor fixo de IB. No gráfico de exemplo. É toda a curva entre a origem e o joelho. Na região de saturação o diodo coletor está polarizado diretamente. A região de corte é um caso especial na curva IC x VCE. O gráfico da Figura 2-10. ele varia com a temperatura ambiente e mesmo com IC. Um exemplo está na Figura 2-11. Os transistores operam na região ativa quando são usados como amplificadores. é necessário uma polarização reversa do diodo coletor. por simularem uma chave controlada pela corrente de base. a tensão de ruptura está em torno de 80V e na região ativa para um IB=40µA tem-se que o β CC=IC/IB = 8mA/40µA=200. Esta corrente é muito pequena. Como VBE na região ativa é em torno de 0. Então para cada IB há uma curva relacionando IC e VCE. Figura 2-11 Prof. A variação de β CC pode ser da ordem de 3:1 ao longo da região ativa do transistor.

despreza a diferença de potencial produzida pela corrente de base ao atravessar a resistência de espalhamento da base . O modelo faz algumas simplificações: 1. ou seja: o diodo emissor deve estar polarizado diretamente. o diodo coletor deve estar polarizado reversamente e a tensão do diodo coletor deve ser menor do que a tensão de ruptura. Roberto A. Bertoli set-00 . Veja Figura 2-13. O modelo de Ebers-Moll é um circuito equivalente do transistor levando em consideração que ele esteja trabalhando na região ativa. tem-se dificuldade em trabalhar com o transistor a nível de malhas. IC=IE !IB=IE/ !CC 3. Uma opção é a de se criar um circuito equivalente para o transistor usando componentes mais simples como fonte ou resistor. Figura 2-13 Modelo Ebers-Moll Prof.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 46 Figura 2-12 O MODELO DE EBERS-MOLL Na análise ou projeto de um circuito transistorizado. VBE =0.7V 2.

também se aplica a transistores. A solução deste impasse é utilizar o gráfico IC x VCE. SOL.2 Eq. Isto é. Este capítulo estuda como estabelecer o ponto de operação ou quiescente de um transistor. basta Calcular os extremos da reta de carga: VCE = 0 !IC = VCC / RC ponto superior IC = 0 !VCE = VCC ponto inferior Eq. Figura 3-1 a conceito de reta de carga estudado no capítulo sobre diodos. usa-se a reta de carga em transistores para obter a corrente IC e VCE considerando a existência de um RC.VCE )/ RC Eq. 3. 3. A análise da malha esquerda fornece a corrente IC: IC = (VCC .3 A partir da reta de carga e definido uma corrente IB chega-se aos valores de IC e VCE. 3. 3. IC e VCE. Exemplo 3-1 No circuito da Figura 3-1 suponha RB= 500Ω Construa a linha de carga no gráfico da Figura 3-2 e meça IC e VCE de operação. Roberto A.1 RETA DE CARGA A Figura 3-1 mostra um circuito com polarização de base. como polariza-lo. Bertoli set-00 . Com o gráfico em mãos.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 47 3 POLARIZAÇÃO DE TRANSISTORES Um circuito transistorizado pode ter uma infinidade de funções e os transistores para cada função tem um ponto de funcionamento correto. Uma opção é o uso da reta de carga. O problema consiste em saber os valores de correntes e tensões nos diversos componentes.1 Nesta equação existem duas incógnitas.: Os dois pontos da reta de carga são: VCE = 0 !IC = VCC / RC (15 )/1k5 = 10mA ponto superior IC = 0 !VCE = VCC = 15V ponto inferior O corrente de base é a mesma que atravessa o resistor RB: Prof.

Nesse ponto a corrente de base é zero e corrente do coletor é muito pequena (ICEO ). Este é o ponto de operação do circuito (ponto Q. um aumento no IB aproxima o transistor para a região de saturação.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 48 IB = 15 − 0. O ponto Q varia conforme o valor de IB. Bertoli set-00 . e uma diminuição de IB leva o transistor região de corte. Figura 3-3 Prof. A interseção da reta de carga e a curva IB= IB(SAT) é chamada saturação. Roberto A. Ver Figura 3-3 O ponto onde a reta de carga intercepta a curva IB =0 é conhecido como corte.5V. Nesse ponto a corrente de coletor é máxima.7 = 29µA 500K Figura 3-2 Após traçar a reta de carga na curva do transistor chega-se aos valores de IC =6mA e VCE=5.ponto quiescente).

o transistor está em corte.2 O TRANSISTOR COMO CHAVE A forma mais simples de se usar um transistor é como uma chave. Não é aconselhável a produção em massa de saturação fraca devido à variação de β CC e em IB(SAT). Se IB for zero. isto é. Se IB for IB(SAT) ou maior. Saturação fraca significa que o transistor está levemente saturado. Saturação forte significa dispor de corrente da base suficiente para saturar o transistor para todas as variações de valores de β CC. Quando o transistor está saturado. CORRENTE DE BASE A corrente de base controla a posição da chave. uma boa orientação de projeto para a saturação forte é de considerar um β CC(SAT)=10. Sem corrente pelo resistor de coletor.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 49 3. a corrente de base é apenas suficiente para operar o transistor na extremidade superior da reta de carga. significando uma operação na saturação ou no corte e em nenhum outro lugar ao longo da reta de carga. Figura 3-4 Quando a tensão de entrada for de +5V. No pior caso de temperatura e corrente.: Quando a tensão de entrada for zero. Neste caso. a maioria dos transistores de silício de pequeno sinal tem um β CC maior do que 10. a corrente de coletor é próxima de zero e o transistor está em corte.7 = 1. a tensão de saída iguala-se a +5V. A tensão de saída vai a zero e a corrente de saturação será: Prof. Qual a tensão de saída? SOL. Quando o transistor está cortado. é como se houvesse uma chave fechada do coletor para o emissor. a corrente de base será: IB = 5 − 0. é como uma chave aberta. Exemplo 3-2 A Figura 3-4 mostra um circuito de chaveamento com transistor acionado por uma tensão em degrau. a corrente de coletor é máxima e o transistor satura. dispor de uma corrente de base que seja de aproximadamente um décimo do valor saturado da corrente de coletor. ou seja. ele se comporta como uma chave aberta.43mA 3K Supondo o transistor com um curto entre coletor e o emissor (totalmente saturado). Bertoli set-00 . Roberto A. Portanto.

VS = 0 logo. ou seja.2mA 330 Isto é aproximadamente 10 vezes o valor da corrente de base. Ele tem um resistor de emissor RE entre o emissor e o ponto comum.3 O TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE A Figura 3-5 mostra um transistor como fonte de corrente. uma saída de 0V. certamente há uma saturação forte no circuito. RC = VCC / IC = 5 /10mA = 500Ω Cálculo de RB RB = VE .Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 50 I C (SAT ) = 5 = 15.0. A corrente de emissor circula por esse resistor produzindo uma queda de tensão de IE RE.: Cálculo de IB Se IC =10mA ! IB (sat) = IC /β CC(SAT) = 10m /10 = 1. IE IE = VS − VBE RE Prof. No circuito analisado. Em circuitos digitais este circuito é chamado de porta inversora e tem a representação abaixo: Exemplo 3-3 Recalcule os resistores RB e RC no circuito da Figura 3-4 para um IC=10mA. Figura 3-5 A soma das tensões da malha de entrada da é: VBE + IE RE . Bertoli set-00 .0mA Cálculo de RC ao considerar o transistor saturado. o VCE de saturação é próximo de zero. Roberto A. uma tensão de entrada de 0V produz uma saída de 5V e uma tensão de entrada de 5V.VBE / IB = 5 .7 / 1mA = 4k3Ω 3. SOL.

Mas em circuitos que trabalham na região ativa. Independe de β CC. considerar a corrente I 20 vezes maior que IB. Roberto A. Supondo I>> IB: VR 2 = R2 VCC R1 + R 2 Eq. eles estabelecem valores específicos de tensões e correntes nos seus terminais.4 Figura 3-7 * a tensão VR2 não depende de β CC Com o valor de VR2 é simples o cálculo de IE. a principal desvantagem dele é a sua susceptibilidade à variação do β CC. e RE são aproximadamente constantes. determinando. Pois: IC = β CC ∗ IB .4 O TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO EM EMISSOR COMUM Fontes de alimentação e resistores polarizam um transistor. portanto. 3. a corrente no emissor é constante. 3. Figura 3-6 POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO O circuito mais usado em amplificadores é chamado de polarização por divisor de tensão. A Figura 3-7 mostra o circuito. 3. com o uso de β CC(SAT).6 VCC = R C I C + VCE + R E I E considerando IE = IC Prof. o ponto de operação varia sensivelmente com o β CC. observar que R1 e R2 formam um divisor de tensão. VS.5 IE = Análise da malha de saída: VR 2 − VBE RE Eq.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 51 Como VBE. via os resistores R1 e R2. Em circuitos digitais. O valor de I deve ser bem maior que IB para a corrente IB não influenciar na tensão sob R2. RC ou da corrente de base. 3. A Figura 3-6 mostra o circuito de polarização por base já estudado anteriormente. Bertoli set-00 . um ponto de operação no modo ativo (o ponto de operação). isto é. Deve-se olhar a malha de entrada: VR 2 = VBE + VE como VE = IE RE Eq. isto não é problema. A principal evolução do circuito em relação ao polarização por base é de fixar uma tensão na base. Como regra prática. Para a análise da tensão em VR2.

Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 52 Eq. Isto quer dizer que o circuito é imune a variações em β CC.5 VCC ou IC =0.1 VCC Exemplo 3-5 Polarizar um transistor por divisão de tensão firme. 3-7 VCE = 30. o menor β CC que o transistor pode ter.85V 6K8 + 1K IE = cálculo de VE 3. 3.2m*(3k+750)=14. deve-se dar preferência a um ponto central.15V cálculo de VCE a partir da Eq. Roberto A.5 IC(SAT). 3. Exemplo 3-4 Encontre o VB. 3. VE. 3. ou seja. Por isso a polarização por divisor de tensão é amplamente utilizada. o que implica um ponto de operação estável. Bertoli set-00 Eq. espera-se um divisor de tensão estabilizado. De forma que o sinal possa excursionar ao máximo tanto com o aumento de IB quanto com a diminuição.2m*750= 3.7 Eq. 3-10 designa-se o circuito de polarização por divisor tensão firme e quando se segue a regra da Eq. VCE e IE para o circuito da Figura 3-8. 3-9 é polarização por divisor de tensão estabilizado. Dados: Prof. Então como opção podese considerar R 2 ≤ 0.8 VCC = I C (R C + R E ) + VCE IC = VCC − VCE R C + RE Notar que β CC não aparece na fórmula para a corrente de coletor. Na escolha do ponto de operação da curva IC x VCE.10 assim R2 será maior.9 onde o valor de β CC é o do pior caso. VCE =0.3V REGRAS DE PROJETO Sempre ao polarizar um transistor. Por último. considerar: R 2 ≤ 0. 3. Quando se segue a regra da Eq.2mA 750 VE = IE RE = 4.1β CC R E Eq. SOL. 3-6 1K 30 = 3.7 = 4. 3-4 VB = VR 2 = Cálculo de IE a partir da Eq. é o fato de um baixo R2 influenciar negativamente na impedância de entrada.11 . O defeito desta regra.85 − 0. Para minimizar o efeito do β CC. isto é. VE = 0. ou seja. mas com possibilidade de degradação na Figura 3-8 estabilidade do ponto Q. deseja-se manter o ponto Q de operação fixo independente de outros parâmetros externos. aplicar a regra de VE ser um decimo de VCC.01β CC R E Eq.: Cálculo de VR2 a partir da Eq.4.

3-11 VE= 0.7 = * 10 R1 + R 2 1000 + R 1 R1 = 4888=4k7Ω 3.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA VCC= 10V. Roberto A.1 * 100 * 100 = 1000 R2 = 1000Ω cálculo de R1 Eq. 3-3) O transistor da figura abaixo tem um β CC =80. Prof. 3-1) No circuito da figura abaixo. 80< β CC < 400. 3-8 e VCE= 0.1*10=1V I E= IC RE= VE/ IE = 100Ω cálculo de RC a partir da Eq. Bertoli set-00 . calcule a tensão na base. • Qual a tensão entre o coletor e o terra? • Desenhe a linha de carga. • Para β CC = 125.: Cálculo de RE aplicando a regra da Eq. a tensão no emissor e a tensão de coletor. Ex.1 VCC e VCE = VCC /2 Ex.5 VCC RC = cálculo de R2 a partir da Eq. 3-2) Projete um circuito de polarização por divisor de tensão com as seguintes especificações: VCC = 20V. Considere VE = 0.0 + 0.5 EXERCÍCIOS Ex. encontre as tensões VE e VCE de cada estágio. IC= 10mA e β CC= 100 53 SOL. 3-4 VR 2 = R2 1000 VCC = 1. 3-10 10 − 5 − 100 = 400Ω 10m R 2 ≤ 0. IC = 5mA.

3-4) Qual a tensão do emissor e do coletor (os dois em relação ao terra) para cada estágio do circuito abaixo. não altera) se: 1k aberto 180 aberto 620 aberto coletor emissor de Q3 em curto 150 aberto 1k em curto 180 em curto 620 em curto coletor emissor de Q3 aberto 150 em curto Prof. diminui. 3-5) No exercício anterior. Considere VCC =20V. Ex.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 54 Ex. suponha VCC = 20V e calcule de cada estágio: VB. VE. não altera) se: • 1k8 aberto • coletor emissor do Q1 em curto • 240 aberto • 240 em curto • 300 em curto • 1k aberto • 910 aberto Indique o que ocorre com a tensão do coletor Q1 (aumenta. Roberto A. sendo VCC = 10V. VC e IC . Bertoli set-00 . Indique o que ocorre com a tensão do coletor Q1 (aumenta. Ex. diminui. 3-6) Ainda em relação ao exercício 4.

Roberto A. Ao injetar um pequeno sinal ca à base do transistor.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 55 4 4. A entrada do sinal é acoplada à base do transistor via o capacitor C1 e a saída do sinal é acoplada à carga RL através do capacitor C2. Neste capítulo considerase os transistores devidamente polarizados com seus pontos de operação próximos a meio da reta de carga para uma máxima excursão do sinal de entrada sem distorção. Ele será chamado de amplificador linear (ou de alta-fidelidade . Bertoli set-00 . o transistor usará somente uma pequena parte da reta de carga e a operação será linear. Esta ação permite obter um sinal ca de uma estágio para outro sem perturbar a polarização cc de cada estágio. as flutuações ao longo da reta de carga levarão o transistor à saturação e ao corte Um circuito amplificador é mostrado na Figura 4-2. Desde que a amplitude do sinal de entrada seja pequena. A polarização é por divisor de Figura 4-1 tensão. Figura 4-2 Prof.1 AMPLIFICADORES DE SINAL AMPLIFICADORES DE SINAL EMISSOR COMUM No capítulo anterior foi estudado a polarização dos transistores. Por outro lado se o sinal de entrada for muito grande. O capacitor funciona como uma chave aberta para corrente cc e como chave fechada para a corrente alternada.Hi-Fi) se não mudar a forma do sinal na saída. ele se somara a tensões cc de polarização e induzirá flutuações na corrente de coletor de mesma forma e freqüência.

a capacitância reativa XC. O sinal de entrada entra no estágio via capacitor de acoplamento. Roberto A. Por exemplo na Figura 4-3 a tensão ca no ponto A é transmitida ao ponto B. há duas incógnitas. Para não haver atenuação apreciável do sinal. O capacitor funciona idealmente como um curto para um sinal ca. Para um acoplamento estabilizado X C ≤ 0.: Cálculo do XC ! X C ≤ 0. comparada com a resistência em série (RTH e RL ). Quanto menor a reatância capacitiva. melhor será o acoplamento. como mostra a Figura 44. Num amplificador existe um faixa de freqüências de operação. então a capacitância será: C≥ 1 0.9µF ! A capacitância deve ser igual ou maior que 79. a menor freqüência do sinal.1*1000=100 A escolha da freqüência recai sobre a de menor valor f=20Hz. 4. 4. precisa ser bem menor. Figura 4-4 A menos que se diga o contrário. 20 Hz a 20kHz. Bertoli set-00 . O ponto A designado de terra ca. exceto que ele acopla um ponto qualquer a um ponto aterrado. naturalmente não é possível uma reatância nula.2 Exemplo 4-1 Suponha o projeto de um estágio com transistor na faixa de áudio. Prof. O ponto A está em curto com o terra no que se refere ao sinal ca. todos os capacitores de acoplamento e desvio são considerados estabilizados e segue a regra XC <= 0.1R . sem perda significativa do sinal.1 Na Eq. C≥ 1 = 79.9µF 0. a freqüência e a capacitância.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 56 CAPACITOR DE ACOPLAMENTO O capacitor de acoplamento faz a passagem de um sinal ca de um ponto a outro. 4-1. Se a reatância for no máximo 10% da resistência total tem-se um acoplamento estabilizado. A sua função no circuito é a de aterrar o emissor para sinais ca e não interferir na polarização cc.1R.2πf MENOR R Eq. A resistência total (R) é a soma de RL e RTH. ou seja. a escolha deve recair para o pior caso. A fórmula da reatância capacitiva é: Figura 4-3 XC = 1 2πfC Eq. Um capacitor de desvio não perturba a tensão cc no ponto A porque ele fica aberto para corrente cc. O capacitor C3 da Figura 4-2 é um exemplo de capacitor de desvio.2 * π * 20 * 1000 CAPACITOR DE DESVIO Um capacitor de desvio é semelhante a um capacitor de acoplamento. Qual o valor mínimo para o capacitor se ele perceber uma resistência total de 10 kΩ? SOL.1R =0.

CIRCUITOS EQUIVALENTES CA E CC. • Todos os capacitores em curto. Cria-se o circuito devido a fonte cc denominado equivalente cc. Seqüência: • Reduzir a fonte ca a zero (considerar a fonte VS em curto). O efeito total será a soma de cada efeito individual.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 57 TEOREMA DA SUPERPOSIÇÃO PARA AMPLIFICADORES Num amplificador transistorizado. aplica-se o teorema da superposição. Figura 4-5 EQUIVALENTE CA Análise do circuito considerando a fonte VS e desprezando a fonte VCC. A Figura 4-5 mostra o circuito equivalente cc. Seqüência: • Reduzir a fonte cc a zero (considerar a fonte VCC em curto). Em outras palavras. A Figura 4-6 mostra o circuito equivalente ca. EQUIVALENTE CC Análise do circuito considerando a fonte VCC e desprezando a fonte VS. Prof. O teorema da superposição diz que se pode calcular os efeitos produzidos no diversos pontos de um circuito para cada fonte de alimentação funcionando sozinha. • Abrir todos os capacitores. O jeito mais simples de análise do circuito é dividindo a análise em duas partes: uma análise cc e uma análise ca. A fonte ca produz então. a fonte cc estabelece correntes e tensões quiescentes. flutuações nessas correntes e tensões. portanto. os capacitores são desprezados. Somente correntes cc atuam neste caso e. E depois o circuito devido a fonte ca denominado equivalente ca. os capacitores são considerados em curto. Roberto A. Somente correntes ca atuam neste caso e. Bertoli set-00 . portanto. O circuito da Figura 4-2 tem duas fontes de alimentação (VCC e VS).

Para isto as variáveis com suas letras e índices passam a ter a seguinte convenção: letra e índices maiúsculos para as quantidades cc. Até agora. NOTAÇÃO A partir daqui.7V. a seguir. Quando um sinal ca aciona o transistor. e de volta para Q. Igualmente a tensão total em qualquer ponto é soma das tensões cc e ca. Na ausência de um sinal ca o transistor funciona no ponto Q. Prof. Roberto A. com uma alteração no diodo emissor. Se o sinal for pequeno. VE. entretanto. o modelo Ebers-Moll é uma alternativa boa e simples de representação do transistor. vs. a corrente e a tensão do emissor variam. O modelo continua válido para pequenos sinais alternados.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 58 Figura 4-6 A corrente total em qualquer ramo é a soma das correntes cc e ca. Bertoli set-00 . geralmente localizado no meio da linha de carga cc. é conveniente distinguir os sinais contínuos dos alternados. o VBE foi aproximado para 0.! IC.! ic. VCC. ve. Figura 4-7 Figura 4-7 RESISTÊNCIA CA DO DIODO EMISSOR Ao polarizar corretamente o transistor. A Figura 4-8 mostra a curva do diodo relacionando IE e VBE. o ponto de funcionamento oscilará senoidalmente de Q a pico positivo de corrente em A e. Sinal negativo para indicar tensões ou correntes senoidais 180° fora de fase. Letras e índices minúsculos para as quantidades ca. para um pico negativo em B. onde o ciclo se repete.

uma tensão e uma corrente alternada. respectivamente.4 vbe = tensão ca através dos terminais da base-emissor ie = corrente ca através do emissor. Neste modelo.3 ∆VBE pequena variação na tensão de base-emissor ∆IE variação correspondente na corrente do emissor. Prof. e o funcionamento é aproximadamente linear.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 59 Figura 4-8 Um sinal é considerado pequeno quando a oscilação de pico a pico na corrente do emissor (ie) for menor do que 10% do valor da corrente quiescente do emissor (IE ). na verdade são. chamada de resistência ca do emissor e pela lei de Ohm: re' = onde: r’e = resistência ca do emissor ∆VBE ∆I E Eq. 4. O arco A e B é quase uma linha reta. Rescrevendo: re' = v be ie Eq. Se o sinal for pequeno. 4. o diodo emissor para pequenos sinais ca se apresenta como uma resistência. ∆VBE e ∆IE. Roberto A. Logo. o diodo base-emissor é substituído pela resistência ca do emissor. os picos A e B serão próximos de Q. A Figura 4-9 mostra o modelo ca Ebers-Moll. Bertoli set-00 .

há uma queda de tensão proporcional no RC. Ele pode assumir diversos valores dependendo da posição Q. um pequeno aumento na tensão vs. O capacitor aterra o emissor em termos de ca. Como a corrente de coletor é praticamente igual a corrente de emissor. Esta onda faz variar a tensão de vbe e pela curva da Figura 4-8 induz uma variação no ie. Veja a Figura 4-12. há uma queda de tensão nos terminais do RC o que culmina com uma queda de tensão de vce. que por sua vez aumenta a corrente ie. Bertoli set-00 .6 Graficamente β é a inclinação da curva no ponto Q. Em suma uma variação positiva de vs produz uma variação negativa em vce. β CC é a razão entre a corrente de coletor e a corrente de base. isto significa que os sinais de entrada e saída estão defasados de 180º.: r’e depende só de IE de polarização. 4.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 60 Figura 4-9 Uma outra maneira de se conseguir o valore de r’e é através da seguinte fórmula: re′ = 25mV IE Eq.5 Obs. O ganho de corrente ca (chamado de β ca ou simplesmente β) é a relação entre a variação da corrente de coletor e a variação da corrente de base para pequenos sinais em torno do ponto Q. Como o gráfico não é linear.GANHO DE CORRENTE ALTERNADA A Figura 4-10 mostra a curva IC x IB. Sendo mais preciso. Prof. β= ∆I C i c = ∆I B i b Eq. 4. β CC depende do valor do ponto Q. 4. βCA . A fonte vs injeta uma pequena onda senoidal à base do transistor através do capacitor de acoplamento. aumenta a tensão de baseemissor. como ic é igual a ic.2 AMPLIFICADOR COM EMISSOR ATERRADO A Figura 4-11mostra um circuito com um capacitor de desvio ligado ao emissor. Roberto A.

Roberto A. Bertoli set-00 .Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 61 Figura 4-10 Figura 4-11 Prof.

4.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 62 Figura 4-12 GANHO D E TENSÃO O ganho de tensão é : AV = v saída v entrada Eq. A lei de Ohm aplicada em r’e: ie = vs re' Eq. Por causa do circuito paralelo na entrada. A tensão de entrada aparece com uma polaridade mais . 4. porque a fonte de tensão VCC aparece como um curto em ca.menos para indicar o semiciclo positivo. o resistor do coletor RC e R1 tem um dos lados aterrado. a tensão vs aparece diretamente sobre diodo emissor. Bertoli set-00 .7 Figura 4-13 A Figura 4-13 mostra o circuito equivalente ca para amplificador da Figura 4-11.8 Prof. Roberto A. Na Figura 4-14 o mesmo circuito ao considerar o modelo Ebers-Moll.

Quando o sinal aplicado novamente à entrada do circuito possui a mesma fase que o sinal existente na entrada.4 AMPLIFICADOR COM REALIMENTAÇÃO PARCIAL No amplificador de emissor comum a tensão de saída é inversamente proporcional a r’e. A sua grande vantagem é estabilização do circuito.11 4.9 AV = v saída −i r = c 'C v entrada i e re rC re' Eq. 4. a realimentação positiva.10 como a corrente do coletor é aproximadamente igual a corrente do emissor AV = − Eq.3 REALIMENTAÇÃO Quando uma parte do sinal de saída de um circuito é aplicado de volta á entrada do mesmo. dado que ela subtrai parcialmente a tensão de entrada. O próximo item analisa um circuito com realimentação negativa. este processo é designado como realimentação positiva. se o sinal reaplicado na entrada tiver fase oposta ao sinal já existente na entrada. na maioria dos circuitos osciladores. observando a questão do ganho e da estabilidade. Isto é um problema para a tensão de saída. ela se torna susceptível as variações de temperatura e troca de transistor. Por outro lado. Roberto A. 4. o nome dado é realimentação negativa. pois. a malha do lado direito tem dois resistores em paralelo RC e RL. O resistor equivalente é: rC = RL // RC na malha do lado direito a tensão de saída é a tensão sobre o resistor equivalente rC. 4. dizemos que houve uma realimentação no circuito. 4. A realimentação negativa é mais aplicada nos amplificadores e. Bertoli set-00 . Prof. v saída = −i c rC então o ganho Eq.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 63 Figura 4-14 na Figura 4-14. E o valor de r’e depende do ponto de operação. A realimentação negativa em amplificadores tem como desvantagem a diminuição do ganho.

Como resultado. Veja Figura 4-15. 4-8). a tensão no emissor aumenta. No entanto com a inclusão do RE1. Sem o resistor de realimentação o diodo emissor recebe toda a tensão ca de entrada (como mostrado na Eq. o problema é contornável. Uma opção para estabilizar o ganho de tensão é deixar uma certa resistência de emissor sem ser desviada. A realimentação é negativa porque a tensão de realimentação diminui a tensão ca no diodo emissor e portanto a corrente ie. Mas nem todos o amplificadores tem este controle. r’ e . Roberto A. Esse resistor não desviado recebe o nome de resistor de realimentação porque ele produz uma realimentação negativa. a tensão ca aparece no diodo e no RE1. Figura 4-15 A corrente ca do emissor deve circular através do resistor RE1 antes de passar pelo capacitor de desvio e pelo ponto de aterramento. a tensão ca no diodo emissor é menor que antes. a equação da corrente de emissor é: Prof.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 64 Naturalmente nos amplificadores com controle de volume (tensão de entrada). Bertoli set-00 Figura 4-16 Na Figura 4-16 está o equivalente ca do amplificador com realimentação parcial. Ou seja: v s = v be + v R E1 ou v be = v s − v R E1 Quando a tensão de entrada aumenta. Isso implica que a tensão de realimentação está em fase com a tensão ca de entrada.

Roberto A. Em contrapartida. 4-9: v saída = −i c rC considerando ic=ie AV = v saída −i r r = c 'C = − ' C v entrada i e re re + R E1 Eq. No circuito equivalente. existe um compromisso entre a estabilidade do ganho de tensão e o valor do ganho. No entanto. 4. deve-se primeiro criar o equivalente ca como mostrado na Figura 4-18. Mas como na base do transistor entra uma corrente ib.12 Em geral o valor de RE1 é bem maior que o de r’e e o ganho de tensão passa a não ser influenciado pelas variações de r’e. pode-se ver um divisor de tensão do lado da entrada do transistor. Isso significa que a tensão ca na base será menor que a tensão vs. IMPEDÂNCIA DE ENTRADA No circuito da Figura 4-15 a tensão de entrada é aplicada diretamente na base do transistor. Abaixo de 100kHz basta considerar os Prof. quanto maior o RE1 menor será o ganho de tensão. Bertoli Figura 4-18 set-00 . na maioria das aplicações a fonte vs tem uma resistência em série como mostrado na Figura 4-17.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 65 ie = vs r + R E1 ' e a tensão de saída é o mesmo que da Eq. Figura 4-17 Para uma análise mais detalhada do comportamento ca. A resistência ca vista da base é conhecida como impedância de entrada da base. ela deve ser considerada. O divisor de tensão é formado pelo resistor RS e os resistores R1 //R2. Em suma.

4.13 Para descobrir a impedância da base é melhor aplicar o modelo de Ebers-Moll no circuito da Figura 4-18. 4. Figura 4-19 através do circuito é possível saber o valor vb em função de r’e. Este circuito é chamado de estágios em cascata. ELETRÔNICA 66 A impedância de entrada da base é a razão entre a tensão aplicada na base (vb) e a corrente ib. a impedância de entrada do 2° estágio. Prof. 4.17 Para obter um maior ganho de tensão na saída de um amplificador. vb=ier’e e a partir da Eq. Ela será: z base = β(re' + R E1 ) ESTÁGIOS EM CASCATA Eq. é usual conectar dois ou mais estágios em série. 4-13: z base = v b i e re' i bβ re' = = = β re' ib ib ib Eq. z ent = R 1 // R 2 // z base = R 1 // R 2 // β re' z ent vs R S + z ent Eq. Bertoli set-00 .14 a impedância de entrada do estágio (zent) é a resultante do paralelo de R1. 4. Roberto A. a única diferença é a impedância de entrada da base. 4. 2. como mostra a Figura 4-20. z base = vb ib Eq. aplica-se a mesma regra. R2 e zbase.Colégio Técnico de Campinas elementos puramente resistivos. porque conecta a saída do primeiro transistor à base do seguinte. A resistência ca do coletor do 1° estágio. Abaixo uma seqüência de valores a serem calculados para análise de um amplificador de dois estágios: 1.16 No amplificador com realimentação parcial.15 A tensão ca na base é o divisor de tensão RS com a impedância de entrada do estágio vb = Eq.

Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 67 3. 6. O ganho de tensão de 2° estágio. A tensão de entrada do 1° estágio 5.1mA VC= 6. O ganho de tensão total. tem-se r e : r e = 25mV/ IE= 22. por exemplo.7Ω ’ ’ ANÁLISE DO PRIMEIRO ESTÁGIO O equivalente ca é mostrado na Figura 4-21: O segundo estágio age como uma resistência de carga sobre o primeiro. Os dois estágios são idênticos para polarização cc.1V IE= 1. RC está em paralelo com zentb: rc=RC//zentb=3. 4.8V VE= 1. O ganho de tensão do 1º estágio. Figura 4-20 A polarização cc é analisada individualmente. estar representando um terceiro estágio). Roberto A. Bertoli set-00 . os capacitores de acoplamento isolam os dois estágios entre si e também da entrada vs e saída RL (o resistor de carga pode. VB= 1. O valor desta carga é a impedância de entrada do segundo estágio zentb. Supondo β = 100: Figura 4-21 z entb = R 1A // R 2 A // β re' = 10k // 2k 2 // 100 * 22.6k//1k=783Ω o ganho de saída do primeiro estágio é Prof.04V com o valor de IE.7 = 1kΩ na Figura 4-21.

5 68 O primeiro e segundo estágios tem a mesma impedância de entrada vb = 1k * 1m = 0. Bertoli set-00 . a tensão de saída é vsaída=-117*-21. o ganho de tensão total é AVT= AV1AV2 Eq.53/0.625=-21. O segundo estágio tem um ganho de tensão de AV=-2.7=-34.6mVpp. GANHO DE TENSÃO TOTAL O ganho de tensão total é a razão entre a tensão de saída do segundo estágio pela tensão de entrada: AVT = vsaída 2° est. 4./ventrada 1° est.=2. O ponto Q é dado pela polarização do emissor.53Vpp. Portanto a corrente cc do emissor é dada por IE = VEE − VBE RE Eq.65k/22.7=-117 por fim.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA AV=-783/22. Roberto A. a base é ligada ao referencial comum (terra).6mVpp ANÁLISE DO SEGUNDO ESTÁGIO O equivalente ca para o segundo estágio é mostrado na Figura 4-22: Figura 4-22 Por causa do capacitor de acoplamento entre os dois estágios.5*o.6=2. 4.19 Prof.5 AMPLIFICADOR BASE COMUM A Figura 4-23 mostra um amplificador em base comum (BC).625m=4048 ou seja.625mVpp 1k + 600 logo a tensão ca de saída do primeiro estágio é vc=-34. a tensão ca na base do segundo é igual a -21.18 4.

4. 4. Seu uso é viável principalmente para freqüências acima de 10MHz. em função de IE. 4. a impedância de saída de um amplificador BC é z saída = R C Eq. RE=20kΩ e RC=10kΩ. 4. A fonte ca que aciona o amplificador BC vê como impedância de entrada z entrada = re' que pode ter um valor bem baixo. Exemplo 4-2 Qual a tensão de saída ca da Figura 4-24.20 v saída = i c R C Ela está em fase com a entrada. Por isso. A impedância de entrada de um amplificador BC é aproximadamente igual a z ent ≅ re' a tensão de saída é Eq. Prof. Roberto A. Como a tensão de entrada é igual a Eq. Idealmente a fonte de corrente tem uma impedância infinita.21 v ent = i e re' O ganho de tensão é AV = icR C i e re' Eq. e então.22 O ganho de tensão é o mesmo que do amplificador emissor comum sem realimentação parcial.24 Figura 4-23 A impedância de entrada de um amplificador BC é tão baixa que ela sobrecarrega quase todas as fontes de sinais. onde as fontes de baixa impedância são comuns.23 Uma das razões para o não uso do amplificador BC quanto o EC é sua baixa impedância de entrada. 4. Bertoli set-00 . um amplificador BC discreto não é muito utilizado em baixas freqüências.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 69 O sinal de entrada aciona o emissor e a tensão de saída é tomada do coletor. Eq. apenas a fase é diferente.

A Figura 4-25 mostra um seguidor de emissor. Bertoli set-00 .518mV 50 + 53.7 = 0.1K = 62.465mA 20k r’e = 25m/0.8Ω a impedância de entrada ZENT=53.5mV 4.8 53.: A corrente cc no emissor IE = e a resistência ca do emissor é de 10 − 0. Quanto menor a resistência de carga. Esse problema é chamado de sobrecarga. Roberto A.8 1m = 0.8 v ent = portanto a tensão na saída é 53. Como o coletor está no terra para ca.518m = 32.465m=53. o ganho de tensão diminuí. primeiramente a análise cc para descobrir o valor da corrente de coletor a malha externa é VCC = VCE + I E R E Prof.8 * 0. também conhecido como seguidor de emissor.8Ω o ganho de tensão levando a carga em consideração é AV = A tensão de entrada no emissor é 10K // 5. O seguidor de emissor é colocado entre a saída do amplificador EC e a resistência de carga. ele é um amplificador coletor comum (CC).6 AMPLIFICADOR COLETOR COMUM Ao se conectar uma resistência de carga em um amplificador EC. O gerador de sinal está acoplado à base do transistor por meio de um capacitor de acoplamento.8 v saída = A V v ent = 62. Uma forma de evitar a sobrecarga é usar um amplificador cc (coletor comum).Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 70 Figura 4-24 SOL. maior a queda do ganho.

Roberto A.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 71 Figura 4-25 isolando a corrente de emissor IE = VCC − VCE RE Eq. 4. IMPEDÂNCIA DE ENTRADA Prof. 4. 4-27 depende da precisão desejada no circuito. 4. Bertoli set-00 . 4-26 ou da Eq.27 o uso da Eq.25 a Figura 4-26 mostra o circuito ca para o seguidor de emissor Figura 4-26 o ganho de tensão é dado por AV = geralmente rE>> r’e.26 Eq. Então v saída i e rE r = = E ' ' v ent i e (rE + re ) rE + re AV ≅ 1 Eq.

A vantagem de montagem é o fato de ter uma alta impedância de entrada se comparada com emissor comum.29 z ent ( base ) = i e (re + re' ) ib a razão entre a corrente de coletor e a de base é aproximadamente igual β z ent ( base ) = β(rE + re' ) Eq. 4. R2 então:: z ent = R 1 // R 2 Eq. 4-27 a tensão de emissor segue a tensão na base. 4.31 com base na Eq. R2 e impedância de entrada da base z ent = R 1 // R 2 // β(rE + re' ) como β(r’e +rE)>>R1. Ou seja a tensão de saída é igual a de entrada.28 ie = vb re + re' a resistência rE é o equivalente do paralelo RE com RL. Roberto A. 4. sem amplificar. Isolando vb v b = i e re + re' inserindo a Eq. 4-29 na Eq.30 a impedância de entrada do amplificador é o paralelo de R1. a base se comporta como uma resistência equivalente de z ent ( base ) = do equivalente ca a corrente de emissor ca é vb ib Eq.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 72 como visto antes. 4. TRANSISTOR DARLINGTON Figura 4-27 Prof. Bertoli set-00 . 4-28 ( ) Eq.

A corrente da base do segundo transistor vem do emissor do primeiro transistor. o ganho de corrente entre a primeira base e o segundo emissor é β =β1 β2 Eq.33 Os fabricantes podem colocar dois transistores montados em coletor comum em um mesmo encapsulamento. 4-3) Desenhe o circuito cc equivalente para o amplificador da figura abaixo. desenhe o circuito ca equivalente. E é zent(base)= β RE Eq.7 EXERCÍCIOS Ex. que valor deve ter o capacitor de acoplamento? Ex. 4. aproximadamente igual a 1. Rotule as três correntes com a notação cc padronizada.000. Portanto. Prof. Roberto A.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 73 Um caso especial de amplificador coletor comum é a conexão Darlington.000 e 20. 4. Esse dispositivo de três terminais como mostrado no lado direito da Figura 4-27 é conhecido como transistor Darlington. opera com como um único transistor com um β CC entre 1. Ou seja. Ela consiste na ligação em cascata de dois seguidores de emissor.4V. Que valor ele deve ter? Ex. 4. 4-2) Na figura 2. Bertoli set-00 . Para ter um acoplamento estabilizado ao longo desta faixa.32 A principal vantagem da conexão Darlington é a alta impedância de entrada olhando para a base do primeiro transistor. 4-1) A fonte ca da figura abaixo pode ter uma freqüência entre 100Hz e 200Hz. desejamos um capacitor de acoplamento estabilizado para todas as freqüências entre 500Hz e 1MHz. como mostra a Figura 4-27. ele pode ser tratado como um transistor comum exceto pelo valor de β e também pelo valor de VBE que passa a ser a soma dos dois VBE’s. A seguir.

0. 1mA e 10mA. 4-7) E no circuito abaixo? Prof.01mA.1mA. Ex.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 74 Ex. 4-6) Qual o valor de r´e no amplificador do exercício 4-4? Ex. 0. 0. 4-4) Desenhe os circuitos cc e ca equivalente para a figura 4.05mA. 4-5) Calcule o valor de r´e para cada uma destas correntes cc do emissor: 0. Bertoli set-00 . Ex. Roberto A.5mA.

Qual o ganho mínimo de tensão? Qual o ganho máximo de tensão? Prof. Roberto A.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 75 Ex. Bertoli set-00 . tem uma tolerância de 5%. qual o valor de vsaída ? Ex. 4-8) Se vent = 1mV na figura 6. 4-9) Os resistores do exercício anterior.

É um emissor comum já comentado antes.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 76 5 AMPLIFICADORES DE POTÊNCIA São usados quando se deseja amplificar sinais de grande amplitude. Ele mostra as formas de onda dos quatro tipos básicos de amplificadores de potência. Os amplificadores de potência de um modo geral. podem ser divididos em quatro classes: • Classe A • Classe B • Classe AB • Classe C As classes dos amplificadores de potência estão relacionadas diretamente com o ponto quiescente ou ponto de operação dos transistores de saída dos amplificadores. tem que vencer a tensão VBEQ para iniciar a sua condução. Bertoli set-00 . tanto de tensão como de corrente. os amplificadores classe C são utilizados em circuitos de RF. com VBEQ <0. AB e C. a polarização do transistor de saída é feita de tal forma que a corrente de coletor circula durante todo o ciclo do sinal de entrada VBE. 5. Isto significa que o sinal VBE aplicado a base do transistor. Assim os amplificadores de potência são amplificadores que trabalham com grandes sinais e o regime de operação destes é severo em relação aos amplificadores de pequenos sinais. as classes estão relacionadas também com o ângulo de condução (θ) dos transistores de saída. No amplificador de potência classe C o transistor de saída é polarizado num ponto de operação abaixo da região de corte do transistor. Prof. Portanto. com sua tensão baseemissor. Portanto. POTÊNCIA DE SAÍDA A Figura 5-2 mostra um exemplo de amplificador de potência classe A. isto é.1 CLASSE A No amplificador de potência classe A. a corrente de coletor circula somente durante um intervalo menor que 180°. classes A. e seus pontos quiescentes. B. O ponto de operação do transistor de saída está localizado no centro da região ativa e neste caso a polarização do transistor de saída é semelhante à polarização de transistores de baixo sinal. quando estes estiverem funcionando em regime dinâmico. Em geral. Isto resulta num ângulo de condução de θ=360° para transistor de saída. Roberto A. A Figura 5-1 tem um gráfico que relaciona a corrente de coletor.

por outro lado. porque ela realiza Prof. O interesse é na potência transferida à resistência de carga. pode ser um alto-falante. Bertoli set-00 . etc.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 77 Figura 5-1 Figura 5-2 A resistência de carga RL. O resistor RC do coletor. Roberto A. um motor. é um resistor comum que faz parte da polarização por divisão de tensão.

é uma referência a potência útil da carga. A configuração push-pull significa que quando um dos transistores está conduzindo. de emissor e transistor. isto é. de coletor. VBEQ =0. gira o motor. melhor. No amplificador classe B. Desta maneira. Os amplificadores classe A tem uma baixa eficiência.2 CLASSE B Geralmente os amplificadores de potência classe B e classe AB utilizam dois transistores de potência num montagem denominada push-pull. o outro está em corte e vice-versa.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 78 um trabalho útil. é a soma da corrente no divisor de tensão e corrente no coletor EFICIÊNCIA É a razão entre à potência ca na carga e a potência da alimentação cc multiplicada por 100% η= PL 100% PS Quanto maior a eficiência do amplificador. qualquer potência no resistor RC. POTÊNCIA CC DISSIPADA NO AMPLIFICADOR Quando o amplificador está sem sinal na entrada. a dissipação de potência no transistor é igual a: PD=VCEQICQ Há também a potência dissipada no resistores R1 e R2 P1 = I1VCC  VCC  (VCC )2 =  R + R VCC = R + R  2  1 2  1 PS=P1+PD ou PS=ISVCC Então a potência cc total no amplificador é onde Is (corrente de dreno). cada um dos transistores de saída é polarizado num ponto de operação situado na região de corte do transistor. 5. Em contra partida. Então quando se fala em potência de saída. Bertoli set-00 . Roberto A. Ela é dada por PL=VLIL ou PL = onde VL = tensão rms na carga IL = corrente rms na carga A potência máxima na carga ocorre quando o amplificador está produzindo a tensão máxima de pico a pico na saída sem ceifamento do sinal. No denominador tem o número 8 resultante da conversão de rms para pico a pico. a Prof. Nesse caso. é uma potência perdida e é transformada em calor. a potência na carga é 2 VL RL PL = (MPP )2 8R L MPP é o valor (máximo de pico a pico) da tensão ca sem ceifamento. tipicamente em torno de 25% (teoricamente). Isso ocorre por causa de perdas de potência nos resistores de polarização. etc. Gera ondas acústicas.

Bertoli set-00 . O projetista escolhe os resistores de polarização para situar o ponto de operação no corte. a cada semiciclo do sinal de entrada VBE.6V e 0.7V. Idealmente. Foi conectado um seguidor de emissor npn e um seguidor de emissor pnp. ou seja. ICQ=0 como os resistores de polarização são iguais. cada diodo emissor é polarizado com a mesma tensão. o outro transistor faz a mesma coisa. ou seja. A Figura 5-3 mostra uma forma de conectar um seguidor de emissor push-pull classe B. Qualquer diminuição significativa de VBE com a temperatura pode deslocar o ponto de operação para cima da reta de carga cc a valores muito altos de correntes. seu ponto de operação move-se para cima ao longo da reta de carga ca. Roberto A. VCEQ = VCC 2 Figura 5-3 RETA DE CARGA CC como não há resistência cc no circuito do coletor ou do emissor da Figura 5-3. O ponto do outro transistor permanece no corte. Quando um dos transistores está conduzindo.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 79 corrente de coletor de cada transistor. a corrente de saturação é infinita. circula durante um ângulo de condução de θ=180°. RETA DE CARGA CA A Figura 5-4 mostra a reta de carga ca. Isto é o dobro de tensão que de um amplificador classe A sob mesma tensão de alimentação. (Figura 5-4). Prof. Isso significa que a tensão de pico a pico máxima (MPP) não ceifada do sinal de saída é igual a VCC. Isto é. metade da tensão de alimentação sofre uma queda entre os terminais coletor e emissor de cada transistor.5%. É muito difícil encontrar um ponto de operação estável na região de corte num amplificador push-pull. Isso polariza o diodo emissor de cada transistor entre 0. No semiciclo oposto. a reta é vertical. Em termos de eficiência η máxima teórica será de 78. A oscilação de tensão do transistor em condução pode seguir todo o percurso desde o corte à saturação. Como resultado.

Prof. circula durante um ângulo de condução de θ>180°. A corrente de coletor de cada transistor.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 80 Figura 5-4 A Figura 5-5 mostra o equivalente ca do transistor em condução. (VBEQ>0). é que cada um dos transistores de saída é polarizado num ponto de operação situado um pouco acima da região de corte do transistor. Isto significa que cada um dos transistores está conduzindo um pequena corrente de base e.5%. O ganho de tensão com carga é AV = RL R L + re' A impedância de entrada da base com carga é z ent ( base ) = β(R L + re' ) Figura 5-5 5. porém.3 CLASSE AB Os amplificadores de potência AB também utilizam dois transistores de potência numa configuração push-pull. consequentemente. A diferença para a classe B. A eficiência teórica fica entre 50% e 78. Roberto A. Bertoli set-00 . Isso é praticamente idêntico ao seguidor de emissor classe A. menor que 360°. A grande vantagem é a eliminação da distorção por crossover. uma corrente de coletor proporcional a ela.

então o sinal de saída VS estará defasado de 180° em relação ao sinal de entrada VE e o circuito de realimentação deverá. se um amplificador possuir uma montagem emissor comum. nesse caso. Por exemplo. aplicado em fase com o sinal de entrada VE. também chamado de rede de realimentação. mas um sinal qualquer de referência. o circuito ou rede de realimentação não deverá provocar defasagem e assim. de tal modo que o sinal VR fornecido à entrada esteja sempre em fase com o sinal de referência VE. O circuito de realimentação deve. Esta forma. defasar ou não o sinal de amostragem VA. deve ser maior que um. por meio do circuito de realimentação que possui um ganho B. portanto. neste caso. Roberto A. este torna-se instável e começa a oscilar. Bertoli set-00 . realimenta a entrada do próprio amplificador. ou seja. do sinal de saída VS. Um outro critério muito importante para que haja oscilação é que o ganho total do oscilador. que existe na entrada do amplificador. o sinal realimentado VR é somado. B.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 81 6 OSCILADOR DE BAIXA FREQÜÊNCIA A Figura 6-1 mostra o diagrama de blocos básico de um circuito oscilador. com a aplicação do sinal realimentador VR na entrada do amplificador. o sinal VR já estará em fase com o sinal VE. Portanto. provocar uma defasagem de 180°. dado por A+B (A.ganho da rede de realimentação). Figura 6-1 A saída do amplificador de ganho A. para que o sinal VR fique novamente em fase com o sinal VE. Este sinal VE não é um sinal externo.ganho do amplificador. Prof. portanto. A defasagem a ser feita no sinal VA depende da defasagem imposta pelo amplificador e. Se a montagem do amplificador for em base comum VS estará em fase com VE e.

que provoca uma defasagem adicional de 180°. pois o transistor Q1 amplifica e posteriormente reamplifica o sinal presente em sua base. Isto é o suficiente para o circuito iniciar a sua oscilação. Figura 6-2 O amplificador está na montagem emissor comum e portanto. Ele é utilizado para gerar sinais na faixa de freqüências de áudio. mas em fase com o sinal de entrada VE. Bertoli set-00 . Ao ligar o circuito será provocado uma instabilidade na base do transistor Q1. de modo que uma parcela do sinal de saída é novamente aplicada na entrada. formado com resistores R e R3 e os capacitores C. Prof.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 82 6. O sinal de saída é aplicado no circuito de realimentação. Roberto A.1 OSCILADOR POR DESLOCAMENTO DE FASE a Figura 6-2 mostra o circuito de um oscilador por deslocamento de fase. sua tensão de saída VS está defasada de 180° em relação a tensão de entrada VE.

No entanto existem aplicações nos quais os transistores unipolares com a sua alta impedância de entrada são uma alternativa melhor. Há dois tipos básicos: os transistores de efeito de campo de junção (JFET . e são utilizados amplamente em circuitos lineares. circulando apenas uma corrente de fuga e.Junction Field Effect transistor) e os transistores de efeito de campo de óxido metálico (MOSFET). Tudo que for dito sobre o dispositivo com canal n se aplica ao com canal p com sinais opostos de tensão e corrente. Roberto A.Source) para o dreno (D). Bertoli Figura 7-2 set-00 .1 JFET Na Figura 7-1. uma alta impedância entre a porta e a fonte. Este tipo de transistor depende de um só tipo de carga. Figura 7-1 a condução se dá pela passagem de portadores de carga da fonte (S .Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 83 7 TRANSISTORES ESPECIAIS Até agora foi estudado os transistores bipolares. é mostrada a estrutura e símbolo de um transistor de efeito de campo de junção ou simplesmente JFET. Com isto a porta fica com uma polarização reversa. estabelecendo um fluxo de corrente através do canal. 7. A polarização reversa cria camadas de depleção em volta da regiões p e Prof. Uma alimentação positiva VDD é ligada entre o dreno e a fonte. daí o nome unipolar. O transistor pode ser um dispositivo com canal n (condução por elétrons) ou com canal p (condução por lacunas). através do canal entre os elementos da porta (G . POLARIZAÇÃO DE UM JFET A Figura 7-2 mostra a polarização convencional de um JFET com canal n. Uma ligação negativa VGG é ligada entre a porta e a fonte. Esta corrente também depende da largura do canal.Gate). se baseiam em dois tipos de cargas: lacunas e elétrons. portanto.

as camadas de depleção tocam-se e o canal condutor (D-S) desaparece. A sua equação é : Prof. Bertoli set-00 . a corrente de dreno permanece aproximadamente constante. se o mesmo irá trabalhar como amplificador ou como resistor controlado por tensão. a região de trabalho é o trecho da curva. VDS situa-se entre 0 e 4V. Acima da condição de estrangulamento e antes da ruptura por avalanche. Como amplificador. ID em função de VGS. Quanto mais negativa a tensão VGG. dependendo da reta de carga. Se for como resistor controlado por tensão a região de trabalho é entre VDS igual a zero e antes de atingir a condição de pinçamento. Para um dado VGG . CURVA CARACTERÍSTICA DE DRENO Para um valor constante de VGS. Para polarizar um transistor JFET é necessário saber a função do estágio. IDSS é a corrente de dreno máxima que um JFET pode produzir. Quando o JFET está saturado (na região ôhmica). A tensão VGG que produz o corte é simbolizada por VGS(Off) . Figura 7-3 CURVA DE TRANSCONDUTÂNCIA A curva de transcondutância de um JFET é um gráfico da corrente de saída versus a tensão de entrada. é mostrado um exemplo de curva para um JFET. mais estreito torna-se o canal. Os índices IDSS referem-se a corrente do dreno para a fonte com a porta em curto (VGS=0V). isto é. Roberto A. Neste caso. após a condição de pinçamento e à esquerda da região de tensão VDS de ruptura. a corrente de dreno está cortada. Esta é uma propriedade inerente a todos os JFET’s. na Figura 7-3. A tensão de saturação mais alta (4V) é igual à intensidade da tensão de corte da portafonte (VGS(Off) = -4V). Na Figura 7-3.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 84 isto estreita o canal condutor (D-S). o JFET age como um dispositivo resistivo linear (na região ôhmica) até atingir a condição de pinçamento ou estrangulamento.

com resistores ligados ao terminais para limitar tensões e correntes convenientemente.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 85     2  VGS I D = I DSS 1 −  VGS( off )  Eq. o que resulta em VRS. ou seja. Prof. Em outras palavras. Para um JFET funcionar corretamente devemos lembrar que. pois o VGS aparece devido à corrente de dreno sobre RS. Na Figura 7-5 vemos um JFET polarizado. Roberto A. primeiramente. 7.1 Figura 7-4 AUTOPOLARIZAÇÃO a polarização de um transistor JFET se faz de maneira semelhante à polarização de transistor bipolar comum. como visto na polarização de transistores bipolares. usa-se o transistor JFET como se fosse um transistor bipolar. o mesmo deve estar reversamente polarizado entre porta e fonte. Figura 7-5 Esse é o tipo de polarização mais comum e se chama autopolarização por derivação de corrente. Bertoli set-00 .

5mA.6 Para a polarização do JFET. SOL. Assim aparecem VRG e VGS que somadas perfazem VRS. Bertoli set-00 . que. como tal.3 VRS = −VGS = R S I S Eq. A corrente de dreno máxima é de 13.5m*300=-4V.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 86 Essa tensão.5 VDD = I D (R D + R S ) + VDS RETA DE AUTOPOLARIZAÇÃO Eq. 7. Para ID nulo. Naturalmente a corrente de dreno é muito maior que a de porta. Qual o ponto Q. Seja a curva da Figura 7-4 a base para encontrar o ponto Q. e a tensão de corte da porta-fonte é de -4V.4 A corrente de fonte é a soma da corrente de dreno e de porta. VRG = I G R G ≅ 0 unindo as Eq. Então: I D ≅ IS Análise da malha do lado direito do circuito: Eq. Usar o gráfico da Figura 7-4. Roberto A. 7. possui uma alta resistência. 7.: A equação de VGS é VGS = -ID *300 para traçar a reta basta considerar ID = 0 e ID = IDSS.2 o diodo porta-fonte está reversamente polarizado e a corrente IG é uma pequena corrente de fuga aproximadamente igual a zero. VRG = VRS + VGS Eq. 7-3 Eq. distribui-se entre RG e a junção reversa. 7-2 e Eq. pode-se fazer o gráfico da Figura 7-4 e ver onde ela intercepta a curva de transcondutância. VGS=0 e para o outro valor de ID. Aplicando na curva. Para descobrir este valor. Isso significa que a tensão da porta tem de estar entre 0 e -4V. uma alternativa é o uso da curva de transcondutância para encontrar o ponto Q de operação. o ponto Q é : VGS= -1. VGS= 13.5V e ID =5mA Prof. Exemplo 7-1 Se o resistor da fonte de um circuito de autopolarização for de 300Ω. 7. 7.

7. 7.7 Este valor de RS não produz um ponto Q exatamente no centro da curva.11 set-00 . 7. Esse valor está na faixa de centenas de MΩ. como o do Exemplo 7-1 . O dreno do JFET funciona como uma fonte de corrente com um valor de gm VGS. 7-10 mostra como obter VGS(Off) a partir da corrente máxima de dreno e da transcondutância para VGS= 0V (gmo ). 7. mas é aceitável para a maioria dos circuitos.8 Eq. A Figura 7-6 mostra o circuito equivalente ca simples para um JFET válida para baixas freqüências. Há uma resistência RGS muito alta entre a porta e a fonte.10  v gs   g m = g mo 1 −  v gs ( off )    TRANSCONDUTÂNCIA DE UM TRANSISTOR BIPOLAR Prof. 2I DSS g mo Eq. A unidade é o mho.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 87 SELEÇÃO DO RS O ponto Q varia conforme o valor de RS. 7. Roberto A. O equivalente formal é o Siemens. Figura 7-6 A Eq. Bertoli Eq. Ou em outras palavras. é uma medida de como a tensão de entrada controla efetivamente a corrente de saída. O método mais simples para escolher um valor para RS é RS = VGS( off ) I DSS Eq. (razão entre a corrente e a tensão 1/Ohm). TRANSCONDUTÂNCIA Grandeza designada por gm e é dada por: gm = i ∆I D = d ∆VGS v gs i d = g m v gs Eq.9 gm é a inclinação da curva de transcondutância (Figura 7-4) para cada pequena variação de VGS. v gs ( off ) = − abaixo o valor de gm para um dado VGS. O ideal é escolher um RS em que o ponto Q fique no na região central.

Colégio Técnico de Campinas

ELETRÔNICA

88

O conceito de transcondutância pode ser usado em transistores bipolares. Ela é definida como para os JFET’s. Com base na Eq. 7-8:

gm =
como r’e = vbe/ie

∆I C i = c ∆VBE v be 1 re'

gm =

Eq. 7- 12

esta relação ajuda no momento de comparar circuitos bipolares com JFET’s.

AMPLIFICADOR FONTE COMUM
A Figura 7-7 mostra um amplificador fonte comum. Ele é similar a um amplificador emissor comum. As regras aplicadas para a análise são as mesmas

Figura 7-7 Na Figura 7-8 o equivalente ca para a análise do ganho.

Figura 7-8 o resistor de carga está em paralelo com a resistência de dreno. Simplificando:

rd = R D // R L
Quando a corrente de saída gm vent flui através de rd ela produz uma tensão de saída

vsaída = − rd g m v ent
dividindo ambos os lados por vent Prof. Roberto A. Bertoli

Eq. 7- 13

set-00

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ELETRÔNICA

89

v saída v = − rd g m ent v ent v ent
finalmente o ganho de tensão ca para fonte comum

A V = −g m rd
notar a semelhança com a do amplificador em emissor comum

Eq. 7- 14

AV = −

rc 1 ∴ g m = ' ⇒ A V = −g m rc ' re re

AMPLIFICADOR COM REALIMENTAÇÃO PARCIAL
Na Figura 7-9 tem um amplificador com realimentação parcial

Figura 7-9 o ganho por analogia com o transistor bipolar, considerando r’e = 1/ gm, é:

Av = −

rd g r =− m d rs1 + 1 / g m 1 + g m rs1

Eq. 7- 15

AMPLIFICADOR SEGUIDOR DE FONTE
A Figura 7-10 mostra um seguidor de fonte

Figura 7-10 Prof. Roberto A. Bertoli set-00

Colégio Técnico de Campinas Novamente por analogia:

ELETRÔNICA

90

Av =

rs g r = ms rs + 1 / g m 1 + g m rs

Eq. 7- 16

7.2

MOSFET
O FET de óxido de semicondutor e metal , MOSFET, tem uma fonte, uma porta e um dreno. A diferença básica para o JFET é porta isolada eletricamente do canal. Por isso, a corrente de porta é extremamente pequena, para qualquer tensão positiva ou negativa.

MOSFET DE MODO DEPLEÇÃO
A Figura 7-11 mostra um MOSFET de modo depleção canal n e o seu símbolo. O substrato em geral é conectado a fonte (pelo fabricante), Em algumas aplicações usa-se o substrato para controlar também a corrente de dreno. Neste caso o encapsulamento tem quatro terminais. Os elétrons livres podem fluir da fonte para o dreno através do material n. A região p é chamada de substrato, e ela cria um estreitamento para a passagem dos elétrons livres da fonte ao dreno.

Figura 7-11 A fina camada de dióxido de silício (SiO2), que é um isolante, impede a passagem de corrente da porta para o material n.

Figura 7-12

Prof. Roberto A. Bertoli

set-00

Quando a porta é positiva. Essa camada é chamada de camada de inversão tipo n. VGS(th) pode variar de menos de 1V até mais de 5V dependendo do MOSFET. Roberto A. Quando VGS é menor que VGS(th). Quando ela existe o dispositivo. Neste estágio o Prof. A Figura 7-14 mostra as curvas ID x VDS e ID x VGS do MOSFET de modo intensificação e reta de carga típica. ela atrai elétrons livres na região p. Quanto mais negativa a tensão. Assim. O VGS mínimo que cria a camada de inversão tipo n é chamado tensão de limiar. a alimentação VDD força a ida dos elétrons livres da fonte para o dreno.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 91 A Figura 7-12 mostra o MOSFET de modo depleção com uma tensão de porta negativa. Isto é totalmente diferente dos dispositivos JFET e MOSFET de modo depleção. maior a corrente de dreno. Quando a tensão da porta é zero. O efeito é o mesmo que a criação de uma fina camada de material tipo n próximo ao dióxido de silício. Mas quando VGS é maior VGS(th). o MOSFET fica no estado desligado (Off). de repente conduz e os elétrons livres fluem facilmente da fonte para o dreno. a curva mais baixa é para VGS(th). No gráfico ID x VDS. uma camada de inversão tipo n conecta a fonte ao dreno e a corrente de dreno é alta. Os elétrons livres recombinam-se com as lacunas na região próxima ao dióxido de silício. Com VGS negativo o funcionamento é similar ao JFET. Bertoli set-00 . quando a tensão da porta é zero. simbolizado por VGS(th). A tensão VDD força os elétrons livres a fluir através do material n. Não existe mais um canal n ligando a fonte e o dreno. MOSFET DE MODO CRESCIMENTO OU INTENSIFICAÇÃO O MOSFET de modo crescimento ou intensificação é uma evolução do MOSFET de modo depleção e de uso generalizado na industria eletrônica em especial nos circuitos digitais. A tensão positiva na porta aumenta o número de elétrons livres que fluem através do canal. mas substrato p tem apenas uns poucos elétrons livres produzidos termicamente. Até um momento que a camada de depleção fecha o canal e impede fluxo dos elétrons livres. Como no JFET a tensão de porta controla a largura do canal. Como a porta está isolada eletricamente do canal. a corrente de dreno é zero. pode-se aplicar uma tensão positiva na porta (inversão de polaridade bateria VGG do circuito da Figura 7-12). Isto é que a diferencia de um JFET. Figura 7-13 A Figura 7-13 mostra um MOSFET de canal n do tipo crescimento e o seu símbolo. Quando VGS maior que VGS(th). a corrente de dreno é controlada pela tensão da porta. Quanto maior a tensão. Quando a tensão é suficientemente positiva. menor a corrente de dreno. O substrato estende-se por todo caminho até o dióxido de silício. todas as lacunas encostadas a dióxido de silício são preenchidas e elétrons livres começam a fluir da fonte para o dreno. normalmente aberto.

com o conseqüente aumento da corrente de coletor. diminuir a impedância de entrada. Alguns MOSFET são protegidos por diodos zener internos em paralelo com a porta e a fonte. Como a camada é muito fina. 7. Então rescrevendo a fórmula: I D = KI D ( on ) onde Eq. Na Figura 7-15. havendo uma janela que permite a incidência de a luz sobre a junção base-emissor. um exemplo de curva IC x VCE.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 92 MOSFET pode trabalhar tanto quanto um resistor (região ôhmica) quanto uma fonte de corrente. Além da aplicação direta de tensão excessiva entre a porta fonte.18  VGS − VGS( th )   K =  VGS( ON ) − VGS( th )    2 Eq.19 Figura 7-14 TENSÃO PORTA-FONTE MÁXIMA Os MOSFET têm uma fina camada de dióxido de silício. pode-se destruir a camada isolante devido a transientes de tensão causados por retirada/colocação do componente com o sistema ligado. Ela é I D = k (VGS − VGS( th ) ) 2 onde k é uma constante que depende do MOSFET em particular. O início da parábola está em VGS(th). Mas eles tem como inconveniente. 7. A curva ID x VGS. um isolante que impede a circulação de corrente de porta tanto para tensões positivas como negativas. Bertoli set-00 . é a curva de transcondutância e é uma curva quadrática. Prof. 7. aumentando a condutividade deste diodo emissor. Essa camada isolante é mantida tão fina quanto possível para dar a porta um melhor controle sobre a corrente de dreno. é fácil destruí-la com uma tensão porta fonte excessiva. O simples ato de tocar um MOSFET pode depositar cargas estáticas suficiente que exceda a especificação de VGS máximo. Eq. 7. Roberto A.3 FOTOTRANSISTOR E ACOPLADOR ÓPTICO FOTOTRANSISTOR Os fototransistores são constituídos basicamente de duas junções.17 O fabricante fornece os valores de ID(On) e VGS(On).

portanto. Ele é muito mais sensível que um LED e fotodiodo devido ao ganho β. ACOPLADOR ÓPTICO A Figura 7-16 mostra um acoplador óptico. O funcionamento é simples. RS e RD . Prof. a corrente no fototransistor. produz uma variação na tensão dos terminais coletor-emissor. o transistor deixa ser aberto. A diferença é que a luz incidindo no fotodiodo gera a corrente que atravessa o diodo. Figura 7-16 A grande vantagem de um acoplador óptico é o isolamento elétrico entre os circuitos de entrada e de saída. Bertoli set-00 . ambos encapsulados em um mesmo invólucro. enquanto no fototransistor. calcule ID . esta mesma luz produz uma corrente de base e por sua vez uma corrente de coletor que é β vezes maior que no fotodiodo. Dados: RD+RS=12kΩ.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 93 Figura 7-15 Sempre que houver luz incidindo sobre a base. um sinal de tensão é acoplado do circuito de entrada para o circuito de saída. que faz variar a emissão de luz e. VDS=8V e VGS=-1. Roberto A. a representação de um fototransistor: Um fotodiodo é uma alternativa ao fototransistor.4 EXERCÍCIOS Ex. A maior sensibilidade do fototransistor traz como desvantagem uma redução na velocidade de chaveamento.2V. 7-1) No circuito da Figura abaixo. Em suma. Abaixo. qualquer variação em VS produz uma variação na corrente do LED. portanto. Isso por sua vez. Não existe nenhuma relação entre os terras de entrada e saída. haverá uma corrente de base e. 7. Consiste de um LED próximo a um fototransistor. VDD=20V.

Utilize o método da reta de carga e a curva a seguir. Prof. Roberto A. Calcule RD . 7-2) Dados: VDD = +12V. Dados: gm=3000µmho. RG=2M2Ω. RS e RG (suponha IG=5µA).5V (tensão de operação de VGS) e ID = 8mA (para VDS= 0V). RS=1kΩ.0V 2 4 6 8 10 12 14 16 VDS (V) Ex. para o circuito de autopolarização. RD=4k7Ω e VDD=18V.5V -1V -1.5V -2. 7-3) No circuito da figura abaixo calcule AV e ZENT .Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 94 Ex. ID(mA) 8m VGS =0V 4m 2m -0. VGSQ=-0. Bertoli set-00 .

Rent = 100kΩ. Ex. qual a tensão c. 7-4) No circuito seguidor de fonte. 7-5) Um 2N5457 tem IDSS=5mA e gmo=5. RS= 270Ω.000µmho. com RG = 1MΩ e RS= 3kΩ.000!mho na figura 3. Rent =100kΩ. Ex.6mA. RG=10MΩ. RS=270Ω. RD=1kΩ. RG = 10MΩ. IDSS = 16mA e VGS(OFF)= -5V.a. Roberto A. Qual ID para VGS=-1v? Qual o valor de gm para essa corrente de dreno? Ex. tem VGS(OFF)= -4V e IDSS =12mA. RL=10kΩ e VDD =+15V Ex. calcule o ganho de tensão. IDQ =1. RG=10MΩ. Rent=100kΩ. de saída? Dados: vent=5mV.000µmho. Prof. Bertoli set-00 .Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 95 Ex. de saída? Dados: vent=2mV.a. RD = 1kΩ. de saída? Dados: vent=2mV. Qual a tensão c. RS=3900Ω. sabendo que: VDD=+9V. 7-6) Se gm=3. 7-7) O amplificador JFET da figura abaixo. VGSQ = -4V. RL=10kΩ e VDD = +15V. 7-8) Se o seguidor de fonte da figura abaixo tem gm = 2. RL=1kΩ e VDD=+15V. Nesse caso qual a tensão c.a.

Bertoli set-00 . " MALVINO. São Paulo. (coleção Schaum) " HONDA. Albert Paul. 850 exercícios de eletrônica. 1994. São Paulo. São Paulo. Prof. Livros técnicos e Científicos. 3ª ed. Dispositivos e circuitos eletrônicos. 1ª ed. 1991. 1978. Eletrônica Vol. Roberto A. Hilton Andrade de. 4ª ed. Makron Books. " MELLO. Makron Books.Colégio Técnico de Campinas ELETRÔNICA 96 8 REFERÊNCIA BIBLIOGRÁFICA " CATHEY. 1997. Dispositivos semicondutores. Rio de Janeiro. I. Renato. Edmond. 3ª ed. Érica. Jimmie J. INTRATOR.

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