IX.

NOŢIUNI DE FIZICA MATERIEI CONDENSATE

IX.1. Cristale. Clasificarea cristalelor după structura cristalină
Atomii şi moleculele pot forma în funcţie de factorii interni (cum sunt
natura şi mărimea forţelor de interacţie etc.) şi externi (temperatura, presiunea
etc.) corpuri aflate în cinci stări de agregare: solidă, lichidă, gazoasă, plasmă
şi materie în stare hiperdensă (găuri negre).
Corpurile în stare solidă după gradul de ordonare a particulelor constitutive
pot fi în trei stări structurale: cristalină, mezomorfă şi amorfă.
Starea cristalină se caracterizează prin distribuţia ordonată a particulelor
constitutive, prin existenţa unei simetrii interne şi a unei simetrii extene.
Un cristal se caracterizează prin aşezarea ordonată a atomilor, ionilor sau
moleculelor în nodurile unei reţele geometrice tridimensionale.
Celula unitară sau celula elementară este definită de trei vectori
necoplanari b , a


şi , se numesc vectori de bază şi fac între ei unghiurile o,
|, ¸ determinând un paralelipiped.
c

Reţeaua cristalină se obţine prin repetarea celulei elementare în aceiaşi
orientare, pe direcţiile date de b , a


şi c

. Reţeaua reprezintă totalitatea
punctelor din spaţiu ai căror vectori de poziţie sunt:
c n b n a n R
n




3 2 1
+ + = (IX.1.1)
unde n
1
, n
2
şi n
3
eZ.
Baza reprezintă totalitatea atomilor (ionilor sau moleculelor) ataşaţi într-o
267
268
aceiaşi orientare unui nod al reţelei. Numărul de atomi din bază este
minimum unu ÷ ca la cristalele metalice, iar la structurile biochimice pot
depăşi o mie.
Reţeaua cristalină plus o bază de atomi ataşată fiecărui nod formează
structura cristalină.
Simetria cristalelor se caracterizează prin existenţa elementelor şi
operaţiilor de simetrie.
Elementele de simetrie sunt elemente geometrice - puncte, axe, plane - faţă
de care se efectuează operaţiile de simetrie.
Operaţia de simetrie este o transformare în urma căreia cristalul rămâne
invariant.
Operaţiile de simetrie pot fi: simple şi complexe. Principalele operaţii de
simetrie sunt: identitatea, translaţia, rotaţia şi reflexia (vezi: I. I. Sirotin, M.
P. Saskololskaia, Fizica cristalelor, E. S. E. , Bucureşti, 1981).
Prin combinarea operaţiilor simple se obţin operaţii de simetrie complexe:
translaţie ÷ reflexie, rotaţie ÷ reflexie, translaţie ÷ rotaţie, etc. Operaţiile de
simetrie corespund următoarele elemente de simetrie: axe de rotaţie, axe de
simetrie complexe, axe elicoidale, plane de simetrie şi de translaţie.
Un solid este un monocristal dacă solidul poate fi reprodus în întregime
prin repetarea celulei elementare. Dacă periodicitatea este respectată pe
porţiuni, atunci solidul este un amestec de monocristale, adică este un
policristal.
În starea amorfă particulelor constitutive se găsesc în stare dezordonată, nu
există relaţii de orientare, simetrie şi periodicitate (periodicitatea nu este
respectată sau este respectată doar la nivelul celulei elementare).
Corpurile amorfe sunt izotrope.
Starea mezomorfă este intermediară între starea cristalină şi cea amorfă. În
această categorie intră cristalele lichide. Acestea sunt substanţe organice cu
greutate moleculară mare, având moleculele alungite.
Substanţele ce trec în faza de cristal lichid prin modificarea concentraţie lor
din soluţie se numesc cristale lichide liotrope. Sunt importante datorită
rolului pe care îl au în sistemele biologice.
Substanţele ce trec în faza de cristal lichid prin modificarea temperaturii se
numesc cristale lichide termotrope. Sunt importante datorită aplicaţiilor
tehnologice şi din punct de vedere al cercetărilor fundametale. Clasificarea
cristalelor lichide termotrope a fost făcută de G. Friedel pe baza simetria
structurii lor. Astfel există trei clase mari de cristale lichide: cristalele lichide
nematice, cristalele lichide colesterice şi cristalele lichide smectice.


a) b) c)
Fig. IX.1

Cristalele lichide nematice, fig. IX.1.(a), se caracterizează printr-o
orientare orientaţională la mare distanţă, care se traduce prin faptul că axele
lungi ale moleculelor tind să se alinieze de-a lungul unei direcţii preferenţiale.
Cristalele lichide colesterice, fig. IX.1.(b), au ordonarea orientaţională a
axelor lungi ale moleculelor şi a centrilor de masă asemănătoare cu cea a
cristalelor lichide nematice, dar diferă prin structura de echilibru.
269
Configuraţia de echilibru este asemănătoare cu cea obţinută prin rotirea
uniformă în jurul axe Oz a unui nematic ce iniţial a fost aliniat uniform în
jurul unei axe preferenţiale situată într-un plan normal pe axa Oz.
La cristalele lichide smectice, fig. IX.1.(c), centrele de inerţie ale
moleculelor se găsesc în plane echidistante, iar axele lungi ale moleculelor
sunt paralele având direcţia normală sau înclinată faţă de planul straturilor.

IX.2. Tipuri fundamentale de reţele cristalografice
Un tip de reţea cristalografică corespunde unui anumit grup de operaţii de
simetrie.
Principale tipurile de reţele se numesc reţele Bravais. Aceste sunt:
*) reţele Bravais simplececonţin un singur nod din reţeaua cristalină, se
numesc reţele primitive - fiind celule elementare cu volum minim. Pornind de
la un singur nod al reţelei se poate obţine tot cristalul;
*) reţele cu bază - posedă mai mulţi atomi pe celulă. În acest caz reţeaua
cristalină nu se poate obţine pornind de la un singur nod al ei.
270

O reţea bidimensională este carcterizată prin trei pararmetri: doi vectorii
fundamentali şi a b

şi unghiul ¸ dintre ei. Mărimile a

şi b

se numesc
constantele reţelei pe direcţiile respective.
Există 5 tipuri de reţele Bravais bidimensionale grupate în 4 sisteme
cristalografice, tabelul 1.
O reţea tridimensională este caracterizată prin şase pararmetri: trei vectorii
fundamentali , a

b

, necoplanari şi unghiurile o, |, ¸ dintre ei. Mărimile c

a

, b

, c

se numesc constantele reţelei pe direcţiile respective.

Tabelul 1
Sistemul Caracteristici
Forma celulei
elementare
Reţeaua
oblic a=b
0
90 = ¸ paralelogram oblică
a=b
0
90 = ¸ dreptunghi dreptunghiulară primitivă
dreptunghiular
a=b
0
90 = ¸ dreptunghi dreptunghiulară centrală
pătratic a=b
0
90 = ¸ pătrat pătratică
hexagonal a=b
0
120 = ¸ romb de 60
0
hexagonală

Există 14 tipuri de reţele Bravais tridimensionale grupate în 7 sisteme
cristalografice, tabelul 2.

Tabelul 2

Sistemul

Caracteristici
Numărul
reţelelor
în sistem

Simbolul
triclinic c b a = = ; ¸ | o = = 1 P
monoclinic
c b a = = ; | ¸ o = = =
0
90
2 P, C
ortorombic (rombic)
c b a = = ;
0
90 = = = ¸ | o
4 P, C, I, F
tetragonal
c b a = = ;
0
90 = = = ¸ | o
2 P, I
cubic
c b a = = ;
0
90 = = = ¸ | o
3 P, I, F
trigonal (romboedric) c b a = = ;

0 0
90 120 = < = = ¸ | o
1 R
hexagonal
c b a = = ; ,
0
90 = = | o

0
120 = ¸
1 P


În tabelul 2 s-a notat: P = celulă simplă. C = celulă cu bază centrată, I =
celulă cu volum centrat, F = celulă cu feţe centrate, iar cu R celula primitivă
din sistemul trigonal ce este un romboedru.

IX.3. Direcţii şi plane cristaline
271
O direcţie cristalină este determinată de dreapta ce conţine cel puţin două
noduri ale reţelei cristaline.
272
| Direcţie cristalină este definită prin indicii întregi | , astfel ca
vectorul de poziţie al nodului cel mai apropiat, situat pe direcţia respectivă,
faţă de un alt nod luat ca origine să fie dat de relaţia (IX.1.1). Tripletul de
numere n
1
, n
2
, n
3
sunt numere prime între ele.
3 2 1
n n n
Exemplu: pentru sistemul cubic, nodul de coordonate ) 4 , 2 , 2 ( ) 4 , 2 , 2 ( ÷ ÷ se
găseşte pe direcţia | | 2 11 făţă de axele cubice (s-a obţinut în urma simplificării
cu 2).
Direcţiile echivalente din reţeaua cristalină se notază > <
3 2 1
n n n .
Exemplu: pentru sistemul cubic, diagonalele feţelor formează mulţimea de 24
direcţii echivalente,cese notează <110>.
Planul cristalin este determinat de trei noduri ale reţelei cristaline.
Planele din cristal se notează cu indicii
Miller.
Fie (ABC) planul a cărui orientare dorim s-o
determinăm, prezentat în fig. IX.2.
Se procedează astfel: 1) se evaluează
intersecţiile planului cu axele Ox, Oy şi Oz
Fig. IX.2 ca multipli ai constantelor reţelei a

, b

, c

,
şi fie p
1
, p
2
şi p
3
aceste intersecţii; 2) se inversază aceste numere; 3) se
determină cele mai mici trei numere întregi h, k, l ce se află în acelaşi raport:

3 2 1
1
:
1
:
1
: : :
p p p
l k h = (IX.3.1)
Rezultatul obţinut se pune într-o paranteză de forma (hkl), unde h, k şi l sunt
indicii Miller pentru planul considerat.
Datorită simetriei de translaţie, direcţia cristalină şi planul cristalin conţin o
infinitate de noduri ale reţelei cristaline.

IX.4. Reţeaua reciprocă
În teoria corpului solid relaţiile matematice ce intervin se exprimă sub o
formă mai simplă prin introducerea reţelei reciproce. Aceasta se defineşte
prin vectorii
*
a

,
*
b

şi
*
c

astfel încât:
1 = · = · = ·
* * *
c c b b a a
 
 
 
şi 0 = · = · = ·
* * *
a c c b b a
  
 

(IX.4.1)
Din relaţiile (IX.4.1) rezultă:

( ) ( ) ( ) c b a
b a
a ;
c b a
a c
b ;
c b a
c b
a
* * *









 







×
×
=
×
×
=
×
×
= (IX.4.2)
Între volumul celulei elementare a reţelei directe ) c b ( a V



× = şi cel al reţelei
inverse ) c b ( a V
* * * *



× = este valabilă relaţia
(IX.4.3) 1 =
*
V V

IX.5. Imperfecţiuni în cristale
Cristalele naturale sau cele obţinute artificial prezintă diferite defecte,
abateri de la structura ideală, numite imperfecţiuni, care fac ca repartiţia
atomilor (ionilor sau moleculelor) să nu mai fie riguros periodică.
Principalele tipuri de defecte sunt: punctuale, de linie (liniare), de suprafaţă
şi de volum.

IX.5.1. Defecte punctuale
Defectele punctuale sunt: defecte punctuale simple şi punctuale complexe.
Defectele punctuale simple sunt: *) vacanţe (defecte de tip Schottky) sau
defecte termice de reţea - reprezintă poziţii atomice neocupate în reţea (atomi
lipsă); *) atomi interstiţiali (defecte de tip Frenkel) - sunt atomi de aceaşi
273
natură cu ai reţelei cristaline, ce ocupă poziţii interstiţiile; *) atomi de
impuritate – sunt atomi diferiţi de ai reţelei considerate ce se pot găsi într-o
poziţie normală sau într-o poziţie interstiţială.
Defectul de tip Schottky poate să apară într-un cristal perfect prin
transferul unui atom dintr-un nod interior într-un nod al reţelei de la suprafaţa
cristalului.
Defectul de tip Frenkel - poate fi format prin deplasarea unui atom din
reţea într-o poziţie interstiţială, adică spre o poziţie care în mod normal nu
este ocupată de nici un atom, în locul sau apărând o vacanţă.
Principalele tipuri de defecte punctuale complexe sunt: bivacanţe,
trivacanţe, claster de vacanţe (aglomerări de vacanţe pe o zonă restrinsă fără
a distruge complet reţeaua sau aglomerări de impurităţi) etc.

IX.5.2. Defecte liniare
Reprezentantul tipic al defectelor liniare se numeşte dislocaţie. Prin
intermediul dislocaţiilor se realizează alunecarea cristalelor reale. Ele pot fi
definite ca fiind zone de perturbare locală a reţelei care separă regiuni din
cristal în care s-a produs alunecarea de cele în care nu s-a produs. Cele mai
simple dislocaţii sunt: dislocaţii de margine şi dislocaţii elicoidale sau în
şurub.
Dislocaţia de margine, fig. IX.3, apare prin introducerea unui semiplan
atomic suplimentar într-o reţea perfectă. Linia dislocaţiei marginale este
perpendiculară pe direcţia de alunecare. Prin definiţie vectorul b A A

= '
÷
se
numeşte vector Burgers.

274

Fig. IX.3 Fig. IX.4
Dislocaţia elicoidală, fig. IX.4, are linia paralelă cu direcţia de deplasare.

IX.5.3. Defectele de suprafaţă
Defectele de suprafaţă sunt: limite de fază (lichid-gaz, solid-gaz etc. ),
defecte de împachetare, pereţii de domenii feromagnetice sau feroelectrice
etc.

IX.5.4. Defectele de volum
Defectele de volum sunt: pori, fisuri, incluziuni etc.

IX.6. Alunecarea în cristalele ideale şi reale
Alunecarea în cristalele ideale şi reale se poate realiza pe cale sincronă,
adică dintr-o dată pe întregul plan de alunecare, sau asincron prin intermediul
mişcării dislocaţiilor. În cristalele perfecte, lipsite de imperfecţiuni,
alunecarea nu se realizează decât sincron. Alunecarea în cristal apare prin
mişcarea de translaţie a unui plan de atomi peste un altul, fig. IX.5, unde x
este distanţa faţă de poziţia de echilibru, iar t este tensiunea tangenţială ce a
produs alunecarea. În fig. IX.6 şi fig. IX.7 este prezentată variaţia energiei
potenţiale U şi a forţei dintre atomi. Tensiunea necesară menţinerii
Fig. IX.5 unui atom la distanţa x faţă de poziţia de echilibru este
275

b
x
b
x
sin
x a m x a m
t t
t t t
2 2
~ = (IX
unde b este modulul vectorul de alunecare b

.

Fig. IX.6 Fig. IX.7
La valori mici ale deplasării conform legii lui Hooke:

d
x
G = t (IX.6.2)
unde G este modulul de elasticitate transversal, iar d este constanta reţelei
cristaline.
Ţinând cont că d b ~ din relaţiile (IX.6.1) şi (IX.6.2) se obţine:

t
t
2
G
max
= (IX.6.3)
Pentru fier se obţine , iar experimental se obţine
. Acestă diferenţă se datoreşte faptului că alunecarea în
cristalele reale nu se datoreşte numai unei simple alunecări a planelor
atomice. La deplasarea planurilor atomice contribuie şi dislocaţiile care fac ca
t
max
să scadă.
2
1100 mm / daN
max
= t
2
8 2 mm / daN ,
max
= t
IX.8. Vibraţiile reţelei cristaline
IX.8.1. Vibraţiile termice ale reţelei cristaline
Atomii (ionii) din reţeaua cristalină execută mişcării de oscilaţie în jurul
poziţiilor de echilibru determinate de energia primită pe cale termică. Pe baza
acestor vibraţii poate fi explicată contribuţia atomilor (ionilor) din reţeaua
cristalină la proprietăţiile termice ale materialelor cristaline. S-au elaborat
276
diferite modele fizice care să se aproprie cât mai mult de situaţia reală din
cristal.
Atât din punct de vedere clasic cât şi cuantic mişcarea de vibraţie a unei
particule poate fi aproximată cu un oscilator armonic.
Clasic se consideră că solidul este alcătuit din N atomi (ioni), fiecare fiind
echivalent cu trei oscilatori armonici liniari (câte unul de fiecare grad de
libertate) şi conform statistici clasice energia solidului este
(IX.8.1) T k N U
B
3 =
unde k
B
este constanta Boltzmann.
Aceasta aproximaţie este însă inconsistentă cu principiul al III- lea al
termodinamicii, şi cu datele experimentale care arată: (C
V
este
căldura molară la volum constant).
0
0
=
÷
V
T
C lim
Primul model cuantic al solidului a fost dat de Einstein. Acesta a calculat
contribuţia vibraţiei reţelei cristaline pe baza modelului oscilatorilor
independenţi. Ulterior Debye pentru a explica unele neconcordanţe cu
experienţa a teoriei lui Einstein a elaborat modelul continuului. Ambele teorii
nu sunt riguroase. O teorie riguroasă este modelul oscilatorilor cuplaţi dată de
Debye. Aceasta conduce la cuantificarea vibraţiilor reţelei.


IX.8.1.1. Modelul oscilatorilor cuplaţi
În acest model se admite ca oscilaţiile unui atom din reţeaua cristalină sunt
dependente de starea de oscilaţie a atomilor învecinaţi ceea ce reprezintă o
aproximaţie riguroasă.
Fie un cristal unidimensional de atomi identici de masă m situaţi la distanţa
d unul faţă de altul, iar , u
n
şi sunt deplasările din poziţia de echilibru
1 ÷ n
u
1 + n
u
277
a atomilor , n şi , fig. IX.9. 1 ÷ n 1 + n
278
Forţa ce actionează asupra atomului n este
( ) ( )
1 1 ÷ +
÷ ÷ ÷ =
n n n n n
u u u u F | | (IX.8.2)
unde | este o constantă.
Ecuaţia de mişcare pentru atomului n este
Fig. IX. 9 ) u u u (
t d
u d
m
n n n
n
2
1 1
2
2
÷ + =
÷ +
| (IX.8.3)
Relaţii analoage se obţin pentru toţi atomii. Soluţia ecuaţiei (IX.8.3) este
( ) ( ) | | d n k t i exp A u
n
k , (IX.8.4) e + = e
unde: A = amplitudinea mişcării; v t e 2 = = pulsaţia mişcării; v = frecvenţa
vibraţiilor reţelei; nd = coordonata atomului n în poziţia de echilibru; k =
vectorul de undă.
Introducând soluţia (IX.8.4) în ecuaţie (IX.8.3) se obţine:
( ) ( ) | | 2 ÷ ÷ + ÷ d k i exp d k i exp |
2
= m e (IX.8.5)
de unde:

|
.
|

\
|
|
.
|

\
|
± = ) (
2
4
2
1
d k
sin
m
|
e (IX.8.6)
Relaţie ce exprimă relaţia de dispersie. Reprezentarea grafică a lui
) d k ( e e = (s-a luat în considerare numai soluţia cu (+) întrucât aceasta are
sens fizic) este dată în fig. IX.10.
t = d k atunci: Dacă

2
1
4
|
.
|

\
|
= =
max
e
m
|
e (IX.8.9)
Pentru valori mici ale lui kd relaţia (IX.8.6) devine:
d k
m
2
1
|
.
|

\
|
=
|
e (IX.8.7)
iar:
. const d
m k
v =
|
.
|

\
|
= =
2
1
| e
(IX.8.8)
este viteza de fază egală cu viteza de propagare a
Fig. IX.10 undelor elastice într-o coardă vibrantă.
La cristalele alcătuite din două tipuri de atomi de masă M şi m ocupând
poziţii pare şi respectiv impare ecuaţiile de mişcare sunt de forma:

¦
¦
¹
¦
¦
´
¦
÷ + =
÷ + =
+ +
+
÷ +
) u u u (
t d
u d
m
) u u u (
t d
u d
M
n n n
n
n n n
n
1 2 2 2 2
2
1 2
2
2 1 2 1 2
2
2
2
2
2
|
|
(IX.8.10)
Ecuaţiile au soluţii de forma:

( ) | |
( |
¹
´
¦
+ + = )|
+ =
+
dk ) n ( t i exp B ) k , ( u
k d n t i exp A ) k , ( u
n
n
1 2
2
1 2
2
e e
e e
(IX.8.11)
şi înlocuind aceste soluţii se obţine:

( )
( ) ¦
¹
¦
´
¦
÷ = ÷
÷ = ÷
| | e
| | e
B d k cos A B m
A d k cos B A M
2 2
2 2
2
2
(IX.8.12)
Sistemul obţinut are necunoscutele A şi B, iar soluţiile sunt diferite de zero
dacă determinantul coeficienţilor este nul:

( )
( )
0
2 2
2 2
2
2
=
÷
÷
| e |
| | e
m kd cos
kd cos M
(IX.8.13)
Din această condiţie se obţine ecuaţia:
( ) ( ) 0 4 2
2 2 2 4
= + + ÷ kd sin m M m M | e | e (IX.8.14)
Soluţiile ecuaţiei care au semnificaţie fizică sunt:

2
1
2
2
4
¦
)
¦
`
¹
¦
¹
¦
´
¦
(
(
¸
(

¸

÷
|
|
.
|

\
| +
±
|
|
.
|

\
| +
=
m M
) d k ( sin
m M
m M
m M
m M
| e (IX.8.15)
279
Reprezentând grafic relaţia ) d k ( e e = , fig. IX.11, se observă existenţa a
două ramuri: o ramură inferioră (1) care se obţine considerând în relaţia
(IX.8.15) semnul (÷), şi o ramură superioră (2) care are se obţine pentru
semnul (+) în relaţia (IX.8.15). Dacă 0 = kd , atunci:
*) pentru ramura inferioară 0 = e , şi din relaţia (IX.8.12) rezultă B A = ,
deci atomii din poziţiile pare şi impare
oscilează în
Fig. IX.11 acelaşi sens,
cea ce conduce la apariţia unor unde elastice
de tip acustic motiv pentru care ramura
inferioară se numeşte ramură acusticǎ; *)
pentru ramura superioară
2
1
2
(
¸
(

¸
+
=
M m
) M m ( |
e iar din relaţia (IX.8.12) rezultă
0 = + B m A M , adică atomii din poziţiile pare respectiv impare oscilează în
opoziţie de fază. O astfel de mişcare poate fi indusă de o undă
electromagnetică din domeniul optic, motiv pentru care ramura superioară se
numeşte ramură optică.

IX.8.2. Fononi
Din cele arătate rezultă că în cristale datorită agitaţiei termice se propagă
unde termice. Conform dualităţii corpuscul-undă vibraţiile reţelei care se
propagă prin cristal sub formă de unde, le putem asocia o particulă – fononul,
care este cuanta câmpului de vibraţie a reţelei cristaline. Ţinând cont de
fononi agitaţia termică a unui solid poate fi interpretată în mod analog cu
agitaţia termică a unui gaz. Fononul poate fi pus în evidenţă prin experienţe
de interacţie dintre cristal şi fotoni, electroni, neutroni etc. Fononul este
280
asemănător cu fotonul din teoria electromagnetică a luminii. Fononul are
energie nu şi masă de repaus, nu se poate analiza relativist, nu există în afara
mediului elastic este deci o cvasiparticulă. Undei care se propagă în cristal cu
frecvenţa ( ) q
j

v (frecvenţa unei vibraţii normale a reţelei cu vectorul de undă
corespunzătoare ramurii j din relaţia de dispersie) i se poate asocia un
fonon care are energia
q

( ) q h
j

v şi impulsul q

 . Energia datorată agitaţiei
„fononilor” este de forma v c n

\
|
= h
|
.
|
+
2
1
unde N ne . Aceasta energie poate
varia cu cantitatea n h A = A v c . La interacţia dintre reţeaua cristalină şi
electroni sau radiaţii electromagnetice energia reţelei cristaline se poate
modifica doar cu cantitatea hv, deci 1 ± = An . Dacă 1 ÷ = An , reţeaua emite o
cuantă elementară de energie, adică un fonon, în timp ce dacă 1 + = An
reţeaua absoarbe o cuantă de energie. Dacă în relaţia energie neglijăm energia
de zero atunci se obţine v c h n = , relaţie care arată că unei oscilaţii de
frecvenţă v i se pot asocia n fononi. Media acestei relaţii este v c h n = , unde
c este valoarea medie a energie. Aceasta se poate obţine în mod asemănător
cu cea de la foton şi este de forma:

1 ÷
|
|
.
|

\
|
=
T k
h
exp
h
B
v
v
c (IX.8.16)
Comparând această relaţie cu relaţia v c h n = se obţine:

1
1
÷
|
|
.
|

\
|
=
T k
h
exp
n
B
v
(IX.8.17)
relaţie care arată că sistemele de fononi sunt distribuite conform statisticii
Bose-Einstein.
281

IX.8.2.1. Energia reţelei cristaline
Energia reţelei cristaline datorată agitaţiei termice a gazului de fononi,
pentru modelul continuului a lui Debye, este de forma:

( )
}
÷
|
|
.
|

\
|
=
T /
D
B
D
dx
x exp
x T
T k N U
0
0
0
3
3
1
9 (IX.8.18)
unde: N = numărul de moduri de vibraţie, T = temperatura, 0
D
= temperatura
Debye specifică fiecărui element, iar
T k
h
x
B
v
= .

IX.9. Spectrul energetic al electronilor în reţeau cristalină
Studiul mişcării electronilor într-un potenţial periodic, cunoaşterea
structurii energetice a electronilor în solide este esenţială pentru explicarea
tuturor proprietăţilor corpului solid (proprietăţi termice, electrice etc.).

IX.9.1. Viteza şi acceleraţia electronului într-un potenţial periodic
Fie un electron care se mişcă liber şi conform relaţiei lui Broglie are
impulsul:
(IX.9.1) k p



=
Din ecuaţia lui Schrodinger pentru acesta se obţine pentru energie expresia:

e
m
k
E
2
2 2

= (IX.9.2)
Din relaţiile (IX.9.1) şi (IX.9.2) ţinând cont că impulsul este v m p
 
= , rezultă:

k d
E d
v

1
= (IX.9.3)
Generalizînd relaţia (IX.9.3) se obţine:
282
E grad v
k


 1
= (IX.9.4)
Mişcarea accelerată a electronului poate să apară sub acţiunea unei forţe
externe F

datorită unui câmp electric, câmp magnetic etc.
Să presupunem că în intervalul de timp At cât acţionează forţa F

variaţia
vectorului de undă al electronului este k

A iar a vectorului de poziţie este
t v r A A
 
= . Din teorema energiei, variaţia energiei electronului este egală cu
lucrul mecanic efectuat de forţă exterioară şi ţinând cont de relaţia (IX.9.4) se
obţine:
( ) dt E grad F dt v F dE
k





1
= = (IX.9.5)
de unde:
E grad F
dt
E d
k



1
= (IX.9.6)
Dar ) k ( E E

= , iar:
( E grad
dt
k d
dt
k d
k d
dE
dt
dE
k

)
 
 = = (IX.9.7)
Din relaţiile (IX.9.6) şi (IX.9.7) obţinem:
F
dt
k d



1
= (IX.9.8)
Componentele carteziene ale acceleraţiei se obţin ţinând cont că
şi de relaţiile (IX.9.4) şi (IX.9.8), şi sunt de forma: ) k , k , k ( a a
z y x
 
=

¿
=
= = =
3
1
2
2
1
j
i
j i
i i
i
F
k k
E
dt
dk
dk
dv
dt
dv
a
c c
c

, i, j = x, y, z (IX.9.9)
Deci, acceleraţia electronului care se mişcă într-un cristal nu are direcţia
forţei externe datorită prezenţei câmpului cristalului. Legea a doua a
283
dinamicii F
m
a
e

 1
= , pentru electronul liber, îşi păstrează forma înlocuind
e
m
1

cu mărimea:

(
(
(
(
(
(
(
(
¸
(

¸

=
2
2 2 2
2
2
2 2
2 2
2
2
2
1 1
z y z x z
z y y x y
z x y x x
*
k
E
k k
E
k k
E
k k
E
k
E
k k
E
k k
E
k k
E
k
E
m
c
c
c c
c
c c
c
c c
c
c
c
c c
c
c c
c
c c
c
c
c

(IX.9.10)
care se numeşte tensorul masei efective a electronului în reţeaua cristalină.
Discuţie:
1) Dacă:
0
2
>
j i
k k
E
c c
c
, i, j = x,y,z
atunci masa efectivă este pozitivă, iar particula descrisă este electronul
obişnuit;
2) Dacă:
0
2
<
j i
k k
E
c c
c
, i, j = x,y,z
atunci masa efectivă este negativă, iar particula descrisă se numeşte gol. În
acest caz electronul este deplasat de un câmp electric într-o direcţie opusă ca
şi cum ar fi implicată o sarcină pozitivă, golul.
Deci, masa efectivă nu este legată direct de masa electronului liber, ci
reprezintă masa pe care o are electronul ce se deplasează prin reţeaua
cristalină, exprimând interacţiile dintre electron şi cristal. Valoarea sa este în
general diferită pe direcţii cristalografice diferite. În anumite cazuri masa
efectiva a electronului poate fi un scalar. În acest caz componentele
284
nediagonale ale tensorului (IX.9.10) sunt nule, cele diagonale sunt egale între
ele, iar relaţia (IX.9.10) devine:

2
2
2
1 1
k
E
m
*
c
c

= (IX.9.11)

X.9.3. Spectrul energetic al solidelor
Diferitele metodele de calcul al structurii energetice a solidelor ) k ( E E

= :
aproximaţia electronilor liberi, aproximaţia electronilor strâns legaţi sau
aproximaţia electronilor cuasiliberi au domenii de valabilitate diferite şi în
general destul de restrânse datorită presupunerilor simplificatoare ce stau la
baza lor.
În calculul structurilor de benzi reale se utilizează metode mai
perfecţionate: metoda undelor plane ortogonalizate (OPW) ce constituie
oarecum o combinaţie a aproximaţia electronilor strâns legaţi şi a aproximaţia
electronilor cuasiliberi; metoda APW (metoda undelor plane modificate),
metoda funcţiilor Green, metoda pseudopotenţialului etc.
În metodele perfecţionate de calcul al structurii de benzi se ia în considerare
şi interacţia spin-orbită, printr-un potenţial suplimentar de perturbaţie de
forma unde s ) r ( l


, , l

ste momentul orbital, s spinul electronului, iar e ) r (

,
etrul interacţiei spin-orbită. Acest termen produce o despicare a
benzilor energetice cu atât mai mare cu cât atomii sunt mai grei.
param
În multe cazuri reale, se poate întâmpla ca două sau mai multe benzi
energetice permise să se suprapună, fie pe aceiaşi direcţie în spaţiul , fie pe
direcţii diferite.
k

În cazul când două benzi ce se intersectează pe o anumită direcţie în spaţiul
posedă aceeaşi simetrie (de exemplu provin din nivele atomice de acelaşi k

285
tip), atunci ele se “resping” şi apare o bandă interzisă. Dacă cele două benzi
au simetrii diferite, suprapunerea se păstrează.
Clasificarea corpurilor solide în metale, semiconductori şi izolatori se
bazează nu atât pe structura benzilor energetice care se formează în principiu
la fel pentru cele trei categorii de corpuri solide, ci, mai ales, pe gradul de
ocupare cu electroni a nivelelor energetice din benzi.

a) metale; b) semiconductori; c) izolatori
Fig. IX.15
Solidele care au o bandă permisă complet ocupată, urmată de una
incomplet ocupată sunt metale; cele care au o bandă permisă complet ocupată
urmată de una complet neocupată sunt semiconductori sau izolatori (benzile
permise considerate sunt ultimele benzi permise) fig. IX.15.
Diferenţa dintre semiconductori şi izolatori constă în faptul că lărgimea
benzii interzise dintre ultima bandă ocupată – banda de valenţă şi următoarea
bandă neocupată – banda de conducţie este mai mică la semiconductori decât
la izolatori. Aceasta permite ca electronii la semiconductori prin excitare
termică să poată să treacă din banda de valenţă în banda de conducţie.
După cum ştim, numărul valorilor permise ale lui k

este egal cu numărul
celulelor elementare din solid N, astfel că ţinând seama şi de spin, numărul
stărilor permise dintr-o bandă este 2N. Dacă banda prezintă şi o altă
degenerare, g, decât cea de spin, numărul stărilor va fi 2Ng. De exemplu,
286
pentru o bandă de tip s, 1 = g şi numărul stărilor este 2N. Pentru o bandă de
tip p, 3 = g , iar numărul stărilor este 6N. Dacă în celula elementară sunt s
atomi, fiecare contribuind cu n
e
electroni, numărul total de electroni va fi
iar ocuparea benzilor va fi dată de raportul dintre numărul total de
electroni şi numărul total de stări din toate benzile
N s n
e
¿
i
i
Ng 2 (g
i
degenerarea
benzii ,,i”). În cele ce urmează ne vom limita numai la electronii de valenţă,
benzile inferioare fiind ocupate. Fie n
v
numărul electronilor de valenţă dintr-
un atom. Distribuind cei electroni de valenţă pe nivelele benzilor la N s n
v
K T 0 = , sunt posibile două cazuri:
1) ultima bandă este incomplet ocupată, iar solidul este un metal;
2) electronii umplu complet un anumit număr de benzi. În acest caz, dacă
ultima bandă plină este despărţită de următoarea bandă permisă liberă printr-o
bandă interzisă, solidul este izolator sau semiconductor.
K T 0 = Metale. Caracteristic pentru metale este faptul că la , ultima bandă
care conţine electroni (banda de conducţie), este ocupată până la nivelul de
energie E
F
, nivelul de energie Fermi. Ocuparea succesivă a nivelelor se face
conform principiului Pauli, câte doi electroni cu spini opuşi pe fiecare nivel,
corespunzător la fiecare valoare a lui k.
Pentru un element monovalent, cu 1 = n ,
287
1 = s şi (bandă s),
fracţiunea de stări ocupate din banda de conducţie este
1 = g
2
1
2
=
N
N
. Această
situaţie se întâlneşte de exemplu la Na şi K.
În cazul elmentelor bivalente, cu structura electronică a nivelului atomic de
valenţă s
2
, numărul electronilor de valenţă pentru un atom pe celulă este 2N.
Dacă (bandă s), atunci toate cele 2N stări sunt ocupate şi solidele
respective ar trebui să fie izolatoare. Aceste elemente sunt în realitate metale,
1 = g
288

ceea ce se explică prin suprapunerea benzii s (complet ocupată) cu banda
următoare (complet liberă), formându-se astfel o bandă permisă incomplet
ocupată. O astfel de acoperire poate avea loc şi la alte elemente
(monovalente, trivalente, tetravalente etc).
După cum am văzut (§ IX.9.3.1) în vecinătatea marginii superioare a
benzilor energetice purtătorii de sarcină sunt golurile, astfel că, în cazurile în
care există suprapunere de benzi, conducţia electrică este mixtă, fiind
determinată atât de goluri cât şi de electroni. Contribuţia golurilor depinde,
printre altele, de gradul de suprapunere a benzilor. Metalele cu conducţie
mixtă se numesc - semimetale.
În general, solidele atomice cu număr impar de electroni de valenţă sunt
metale (sau semimetale), iar cele cu număr par de electroni de valenţă sunt
izolatoare sau semiconductoare, cu excepţia cazurilor de suprapunere a
benzilor când sunt metale (semimetale).
Semiconductorii sunt de două tipuri: a) semiconductori intrinseci; b)
semiconductori extrinseci. Semiconductorii extrinseci sunt semiconductori ce
au nivele adiţionale. Nivelele adiţionale sunt situate între banda de valenţă şi
banda de conducţie, în banda interzisă, şi se datoresc unor adaosuri
*)
cu
valenţă diferită introduse în semiconductor. Nivelele adiţionale sunt de două
tipuri: donoare dacă sunt situate în apropierea benzii de conducţie şi
acceptoare dacă sunt situate deasupra benzii de valenţă.
Nivelele donoare în siliciu (Si) şi germaniu (Ge) (materialele
semiconductoare cele mai importante la momentul actual) sunt introduse de
elemente pentavalente ca: P, As sau Sb elemente ce pot ceda un electron în


*)
Acestea sunt introduse controlat pentru a obţine semiconductorul extrinsec
dorit.
289
banda de conducţie a siliciului sau a germaniului, iar conductivitatea
semiconductorului se realizează prin electroni - semiconductorul este de tip n.
Nivelele acceptoare în siliciu sau germaniu sunt introduse de elemente
trivalente ca: B, Al sau In ce pot accepta un electron din banda de valenţă a
siliciului sau a germaniului, iar conductivitatea semiconductorului se
realizează prin goluri - semiconductorul este de tip p.
Dintre semiconductorii cei mai importanţi sunt: Ge, Si, B, o-Sn, precum şi
o serie de compuşi de tipul: A
II
B
VI
, A
III
B
V
, etc.

XI.10. Statistica purtătorilor
Cunoscând spectrul energetic al cristalului, pentru calculul concentraţiilor şi
curenţilor este necesar să se cunoască modul de ocupare cu purtători a nivelelor
energetice.

XI.10.1. Statistica purtătorilor în semiconductori
XI.10.1.1. Statistica purtătorilor în semiconductori intrinseci
213
in unitatea de
Să considerăm un semiconductor intrinsec a cărui schemă de benzi este
prezentată în fig. XI.18, unde E
c
este energia corespunzătoare marginii de jos a
benzii de conducţie şi E
v
energia corespunzătoare
marginii de sus a benzii de valenţă. Probabilitatea, f
n
(E),
ca un electron să ocupe starea energetică E la temperatura
T este dată de funcţia de distribuţie Fermi÷Dirac (relaţia
XI.10.2), iar 1÷f
n
(E) reprezintă probabilitatea ca starea să
nu fie ocupată. Numărul de electronilor d
Fig. XI.18 volum din banda de conducţie este dat de relaţia:

( )
}
·
+
|
|
.
|

\
| ÷
÷
|
|
.
|

\
|
=
c
E
B
F
c
*
n
dE
T k
E E
exp
E E
h
m
n
1
2
4
2
1
2
3
2
t (XI.10.25)
unde este masa efectivă a electonilor din banda de conducţie.
*
n
m
Numărul de goluri din unitatea de volum din banda de valenţa de valenţă este:

( )
}
· ÷
+
|
|
.
|

\
| ÷
÷
|
|
.
|

\
|
=
v
E
B
F
v
*
p
dE
T k
E E
exp
E E
h
m
p
1
2
4
2
1
2
3
2
t (XI.10.27)
unde este masa efectivă a golurilor din banda de valenţă.
*
p
m
Notând:
T k
E E
x
B
c
÷
= şi
T k
E E
B
c F
÷
= o relaţia (XI.10.25) devine:

( )
( )
}
·
+ ÷
=
c
E
B
*
n
dx
x exp
x
h
T k m
n
1
2
4
2
1
2
3
3
o
t (XI.10.28)
Notând:

}
·
+ ÷
=
0
2 1
1
2
F
2
1
dx
) x ( exp
x
) (
/
o t
o (XI.10.29)
care este una din cele mai utilizate integrale din familia integralelor Fermi÷Dirac
care au forma generală:

( ) ( )
}
·
+ ÷ +
=
I
0
1 1
1
F dx
x e
x
j
) (
j
j
o
o (XI.10.30)
unde este funcţia gama (integrala Euler de speţa a doua), iar relaţia
(XI.10.28) devine:
( 1 + I j )
) ( N n
c
o
2 / 1
F = (XI.10.31)
unde
( )
3
2
3
2 2
h
T k m
N
B
*
n
c
t
= .
Pentru concentraţia de goluri se obţine:
) ( N p
v
|
2 / 1
F = (XI.10.32)
unde
( )
3
2
3
2 2
h
T k m
N
B
*
p
v
t
= , ) (
/
|
2 1
F este asemănătoare cu ) (
/
o
2 1
F , iar
T k
E E
B
F v
÷
= | .

XI.10.1.2. Semiconductori nedegeneraţi
Dacă 1 ÷ < < · ÷ o , atunci . În acest caz , adică
nivelul Fermi este sub E
c
cu cel puţin k
B
T, adică în interiorul benzii interzise.
Pentru concentraţia de electroni, din relaţia (XI.10.31), se obţine:
o
o e ) (
/
=
2 1
F T K E E
B c F
÷ <
214

|
|
.
|

\
| ÷
T k
E E
exp N = n
B
c F
c
(XI.10.33)
Relaţia care se poate obţine dacă se foloseşte statistica clasică
Maxwell÷Boltzmann, iar gazul electronic este nedegenerat.
Dacă este îndeplinită condiţia 1 >>
|
|
.
|

\
| ÷
T k
E E
exp
B
F
, condiţie care poate fi numită
criteriu de nedegenerare, atunci unitatea de la numitor în expresia funcţiei de
distribuţie Fermi-Dirac (relaţia XI.10.1) poate fi neglijată iar aceasta devine
|
|
.
|

\
|
÷
T k
E
exp const ) E ( f
B
. = , adică se obţine funcţia de distribuţie clasică Maxwell
÷ Boltzmann.
Concentraţia de goluri din banda de valenţă se determină asemănător şi este:

|
|
.
|

\
| ÷
=
T k
E E
exp N p
B
F v
v
(XI.10.34)
Deoarece pentru un semiconductor intrinsec p n = , şi ţinând cont de expresiile
acestora se obţine:

*
n
*
p
B
v c
F
m
m
ln T k
E E
E
4
3
2
+
+
= (XI.10.35)
Pentru ,
*
p
*
n
m m =
2
v c
F
E E
E
+
= ; pentru , E
F
este deplasată spre banda de
valenţă; pentru , E
F
este deplasată spre banda de conducţie. Folosind
expresiile lui N
c
şi N
v
se obţine pentru E
F
expresia:
*
p
*
n
m m >
*
p
*
n
m m <

c
v
B
v c
F
N
N
ln T k
E E
E
2
1
2
+
+
= (XI.10.36)
Deoarece pentru semiconductor intrinsec nedegenerat
i
n p n = = , rezultă:
215

( ) ( )
( ) ( )
1 1
2 2
3
3
4
2
i c v
B
* *
B n p
3
B
E
n n p N N exp
2k T
2 2 k T m m
E
exp
h 2
| |
A
= = ÷ =
|
\ .
t
| |
A
= ÷
|
\ .
k T
(XI.10.37)
Dacă atunci:
* *
p
*
n
m m m = =

( )
|
|
.
|

\
| A
÷ =
|
|
.
|

\
| A
÷ =
T k
E
exp N
T k
E
exp
h
T k m
n
B
f e
B
B
*
i
2 2
2 2
3
2
3
t
(XI.10.38)
unde
( )
3
2
3
2 2
h
T k m
N
B
*
ef
t
= .
Dacă se reprezentă grafic
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
T
f
T
n
ln
i
1
2
3
, se observă ca această reprezentare
diferă puţin de o linie dreaptă datorită factorului
2
3
T . Deci, determinând
experimental variaţia concentraţiei purtătorilor în funcţie de temeratura se poate
determina lărgimea benzii interzise a materialului semiconductor.

XI.10.1.3. Semiconductori degeneraţi
Într-un semiconductor intrinsec degenerarea poate apare în următoarele cazuri:
1) Banda interzisă este mică şi temperatura este suficient de ridicată; nivelul
Fermi se poate afla faţă de E
c
sau E
v
la distanţe comparabile cu k
B
T sau mai mici,
astfel încât purtătorii de sarcină din ambele benzi sunt parţial degeneraţi; 2) Dacă
diferă mult de odată cu creşterea temperaturii nivelul Fermi se deplasează
spre banda cu purtătorii mai uşori putând intra în aceasta. În acest caz
semiconductorul intrinsec este degenerat, degenerarea având loc în una din
benzi. Dacă va apare o degenerare parţială numai în banda de
conducţie. Pentru această bandă, în acest caz care corespunde pentru
*
n
m
*
p
m
>>
*
n
*
p
m m
216
T k E E T k
B c F B
5 < ÷ < ÷ ,
) ( exp ,
) (
/
o
o
÷ +
=
25 0
1
F
2 1
, iar concentraţia de
electroni este:

|
|
.
|

\
| ÷
+
=
T k
E E
exp ,
N
n
B
F c
c
25 0
(XI.10.39)
Concentraţia de goluri din banda de valenţă este dată de relaţia (XI.10.34).
Pentru ca semiconductorul să rămână intrinsec trebuie ca:
p n = (XI.10.40)
ºinând cont de relaţiile (XI.10.10) şi (XI.10.15) relaţia (XI.10.39) devine:

|
|
.
|

\
| ÷
=
|
|
.
|

\
| ÷
+
T k
E E
exp N
T k
E E
exp ,
N
B
F v
v
B
c F
c
25 0
1
(XI.10.41)
Folosind expresiile lui N
c
şi N
v
se obţine:

|
|
.
|

\
| A
÷ +
|
|
.
|

\
| ÷
· =
|
|
.
|

\
|
T k
E
exp
T k
E E
exp ,
m
m
B B
F v
*
p
*
n
25 0
2
3
(XI.10.42)
ºinând cont de variaţia cu temperatura a lui AE:
T E E ¸ ÷ A = A
0
(XI.10.43)
unde ¸ este coeficientul de variaţie a benzii interzise cu temperatura, relaţia
(XI.10.42) devine:

|
|
.
|

\
| ÷ A
÷ +
|
|
.
|

\
| ÷
· =
|
|
.
|

\
|
T k
T E
exp
T k
E E
exp ,
m
m
B B
F v
*
p
*
n
o
0
25 0
2
3
(XI.10.44)
sau

|
|
.
|

\
| ÷ A
÷
|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
| ÷
÷ +
|
|
.
|

\
| ÷
T k
T E
exp
m
m
T k
E E
exp ,
T k
E E
exp
B
*
p
*
n
B
c F
B
c F
o
0
2
3
25 0
(XI.10.45)
217
de unde se poate obţine poziţia nivelului Fermi.
Punând condiţia din relaţia (XI.10.45) se obţine temperatura de
început de degenerare, adică:
T k E E
B c F
÷ = ÷

o +
(
¸
(

¸

+
|
|
.
|

\
|
A
=
2
0
c
v
B
. d . i
N
N
ln k
E
T (XI.10.46)
Punând condiţia din relaţia (XI.10.45) se obţine temperatura de
degenerare completă:
T k E E
B c F
5 = ÷

o +
(
(
¸
(

¸

÷
|
|
.
|

\
|
A
=
395 6
2
3
0
,
m
m
ln k
E
T
*
n
*
p
B
. c . d
(XI.10.47)
Peste această temperatură, electronii din semiconductor se comportă identic cu
electronii din metal, gazul de electronii este complet degenerat. În acest caz
, T k E
B F
5 >
2
3
3
4
F
2 1
o
t
o = ) (
/
, iar concentraţia electronilor dată de relaţia
(XI.10.33) devine:

( )
2
3
2
3
3
2
3
8
F
*
n
E
h
m
n
t
= (XI.10.48)
de unde se poate obţine poziţia nivelului Fermi:

3
2
3
8
2
|
.
|

\
|
+ =
t
n
m
h
E E
*
n
c F
(XI.10.49)

XI.10.1.4. Statistica purtătorilor în semiconductori extrinseci
Fie un semiconductor extrinsec a cărui schemă de benzi este prezentată în fig.
XI.19 şi fie N
d
şi N
a
numărul total de atomi donori respectiv numărul total de
atomi acceptori. Notăm cu N
dn
respectiv cu N
an

numărul de donori sau acceptori neutri.
218
Numărul de donori sau acceptori ionizaţi vor fi
dn d di
N N N ÷ = şi
.
an a ai
N N N ÷ =
Folosind metoda Gibbs, pentru un sistem cu un număr
Fig. XI.19 variabil de particule, pentru stările impurităţii, se
găseşte că funcţia de distribuţie a electronilor este:

1
1
1
+
|
|
.
|

\
| ÷
=
T k
E E
exp
g
f
B
F i
i
n
(XI.10.50)
unde g este gradul de degenerare a stării i a impurităţii. Dacă aparţine
unei impurităţi donoare, atunci
d i
E E =
2 =
i
g . Dacă
a i
E E = aparţine unei impurităţi
accptoare, atunci
2
1
=
i
g .
Existenţa pe nivelul donor a unui electron exclude posibilitatea ocupării
nivelului şi de un alt electron chiar cu spin opus, şi deci probabilitatea ca atomul
donor să se ionizeze negativ este neglijabilă. Aceasta se datoreşte faptului că o
dată ce un electron a fost captat, forţele de repulsie electrostatică împedică
captarea celui de-al doilea electron.
Atomul donor poate să cedeze uşor un electron devinind ion pozitiv. Se poate
spune deci că, pentru impuritatea donoare, ponderea statistică a stării neutre este
de două ori mai mare decât ponderea statistică a stării ionizate negativ.
În orice semiconductor, intrinsec sau extrinscec, condiţia de neutralitate
electrică trebuie respectată (numărul de sarcini negative trebuie să fie egal cu
numărul de sarcini pozitive). Pentru un semiconductor de tip n nedegenerat,
, şi ţinând cont ca temperatura este suficient de scăzută se poate considera
, condiţia de neutralitate este de forma
0 =
a
N
0 ~ p
di
N n = Numărul de electroni de pe
nivelele donoare este:
219

1
2
1
+
|
|
.
|

\
| ÷
= =
T k
E E
exp
N
f N n
B
F d
d
nd d d
(XI.10.51)
(vezi fig. XI.19), iar numărul de donori ionizaţi va fi:

1 2
1
+
|
|
.
|

\
| ÷
= ÷ =
T k
E E
exp
N
n N
B
d F
d
d i d
(XI.10.52)
Introducând în condiţia de neutralitate se obţine:

1 2 +
|
|
.
|

\
| ÷
=
|
|
.
|

\
| ÷
T k
E E
exp
N
T k
E E
exp N
B
d F
d
B
c F
c
(XI.10.53)
Notăm
T k
E
x
B
F
= şi relaţia (XI.10.55) devine:
0
2 2
1
2
=
|
|
.
|

\
| +
÷
|
|
.
|

\
|
+
T k
E E
exp
N
N
T k
E
exp x x
B
c d
c
d
B
d
(XI.10.54)
adică o ecuaţie de gradul doi în x, de unde:

|
|
.
|

\
|
÷
|
|
.
|

\
| ÷
+
(
¸
(

¸

|
|
.
|

\
|
= 1
8
1
4
1
T k
E E
exp
N
N
T k
E
exp x
B
d c
c
d
B
d
(XI.10.57)
(s-a considerat numai soluţia care dă pe 0 > x , deorece x nu poate fi negativ).
Ţinând cont şi de expresia lui x se obţine:

¦
)
¦
`
¹
¦
¹
¦
´
¦
|
|
.
|

\
|
÷
|
|
.
|

\
| ÷
+
(
¸
(

¸

|
|
.
|

\
|
= 1
8
1
4
1
T k
E E
exp
N
N
T k
E
exp ln T k E
B
d c
c
d
B
d
B F
(XI.10.55)
iar concentraţia de electroni este:

1 2 +
|
|
.
|

\
| ÷
= =
T k
E E
exp
N
N n
B
d F
d
i d
(XI.10.56)
Vom examina două cazuri:
220
A) Ionizarea parţială a impurităţilor
La temperaturi suficient de scăzute, când nu toate impurităţile sunt ionizate:
221
N N >
c d
; 1 >
|
|
.
|

\
| ÷
T k
E E
exp
B
d c
şi 1
8
>>
|
|
.
|

\
| ÷
T k
E E
exp
N
N
B
d c
c
d
, şi în acest caz relaţia
(XI.10.58) devine:

|
|
.
|

\
|
+
+
=
c
d B d c
F
N
N
ln
T k E E
E
2 2 2
(XI.10.57)
Din această relaţie se observă că la K 0 ,
2
d c
F
E E
E
+
= , adică nivelul Fermi se
găseşte la mijlocul distanţei dintre banda de conducţie şi nivelul donor. Când
T=0 K nivelul Fermi se deplasează spre banda de conducţie sau spre nivelul
donor după cum N
d
> N
c
sau N
d
< N
c
.
Concentraţia de purtători din banda de conducţie se obţine din relaţiile
(XI.10.35) şi (XI.10.60) şi este:

( )
|
|
.
|

\
| A
÷
=
|
|
.
|

\
| ÷
÷ =
T k
E
exp
h
T k m
N
T k
E E
exp
N N
n
B
d B
*
n
d
B
d c d c
2
2
2 2
2
3
4
3
2
1
t
(XI.10.58)
unde , şi deci creşte exponenţial cu temperatura.
d c d
E E E ÷ = A
Factorul preexponenţial depinde slab de temperatură, cu
4
3
T , deci se poate
considera că acest factor rămâne practic constan, deci:

|
|
.
|

\
| ÷
÷ ~
T k
E E
exp . const n
B
d c
2
(XI.10.59)
În acest caz graficul ln (n) = f
|
.
|

\
|
T
1
care este o dreaptă, iar panta acesteia este
egală cu
B
d c
k
E E
2
÷
÷ . Deci, determinând experimental variaţia concentraţiei
electronilor cu temperatura se poate determina energia de ionizare a impurităţilor
donare.

B) Ionizarea completă a impurităţilor donare
În acest caz sunt satisfăcute inegalităţile , şi
d c
N N 8 >>
1
8
<<
|
|
.
|

\
| ÷
T k
E E
exp
N
N
B
d c
c
d
. Dezvoltând în serie Taylor radicalul din relaţia
(XI.10.55) şi reţinând primii doi termeni se obţine:

c
d
B c F
N
N
ln T k E E + = (XI.10.60)
Deoarece ,
d c
N N >> 0 <
c
d
N
N
ln şi cu creşterea temperaturii nivelul Fermi se
deplasează in jos depărtându-se de banda de conducţie. Concentraţia electronilor
este în acest caz:
(XI.10.61)
d c
N N n = =
şi nu depinde de temperatură, numărul de electroni din banda de conducţie este
egal cu numărul de donori.
Calcule asemănătoare se pot face şi pentru semiconductorii de tip p.
În semiconductorii extrinseci conductibilitatea se datoreşte atât electronilor
proveniţi din ionizarea impurităţilor cât şi din semiconductorul de bază. La o
anumită temperatură cele două procese pot avea ponderi diferite. Pentru a
transfera un electron de pe un nivel adiţional în zona de conducţie este necesară o
energie egală cu , în timp ce pentru a transfera un electron din zona de
valenţă în cea de conducţie este necesară o energie egală cu lărgimea zonei
interzise AE, deci o energie mult mai mare. De aici rezultă că la temperaturi
joase numărul de electroni proveniţi de pe nivel adiţional este mult mai mare
d c
E E ÷
222
decât numărul de electroni proveniţi din banda de valenţă, şi deci
di
N p << ;
aceasta inegalitate se va păstra până când se ionizează toate impurităţile. La
temperaturi mai mari decât temperatura la care are loc ionizare totală a
impurităţilor , iar semiconductorul devine intrinsec. O anumită
temperatură poate fi joasă sau coborâtă, acesta fiind funcţie de concentraţia
impurităţilor. Astfel la o concentarţie mică, temperatura poate părea a fi mare, în
timp ce la o concentarţie mare, temperatura poate părea a fi mică.
d
N p >
d
N
Definim temperatura de saturaţie ca temperatura de trecerea de la conducţia
datorată impurităţilor la conducţia intrinsecă, şi aceasta poate fi calculată punând
condiţia , şi din relaţia (XI.10.58) considerând că N
c
nu depinde de
temperatură se obţine:
n =

|
|
.
|

\
|
A
d
c
B
d
N
N
ln k
E
2
=
s
T (XI.10.62)
Se observă că temperatura necesară ionizării complete este cu atât mau mare cu
cât energia de ionizare a impurităţilor este mai mare şi cu cât concentraţia
acestora este mai mare.

223
IX.12.2 Conductivitatea electrică
IX.12.2.2. Conductivitatea electrică a semiconductorilor
În prezenţa unui câmp electric E

, densitatea de curent este dată atât de
electroni cât şi de goluri, şi este
(IX.12.19)
p n
J J J
  
+ =
unde:
n n
v n e J


÷ = este densitatea de curent dată de electroni, cu n
concentraţia de electroni, şi viteza electronului;
n
v

p p
v p e J


=
p
v
este densitatea
de curent dată de goluri, cu p concentraţia de goluri, şi

viteza golului.
Introducând mobilitatea electronilor şi golurilor definite de relaţiile:

E
v
μ
n
n


÷ = şi
E
v
μ
p
p


= (IX.12.20)
şi ţinând cont de legea lui Ohm se obţine pentru conductivitatea
semiconductorilor relaţia:
o = e (n µ
n
+p µ
p
) (IX.12.21)
Experimental se constată că variaţia conductivităţii semiconductorilor
extrinseci cu temperatura este cea din fig.
IX.17, şi nu poate fi explicată printr-o teorie
clasică. Teoria cuantică arată că variaţia cu
temperatura a conductivităţii se datoreşte
variaţiei cu temperatura a concentraţiei de
Fig. IX.17 purtători şi a mobilităţii. Se arată că:
*) concentraţia de purtători variază cu temperatura, această variaţie
depinde de concentraţia donorilor respectiv acceptorilor şi de domeniul de
temperatură.
*) mobilitatea purtătorilor este influenţată de: a) ciocnirile inelastice cu
vibraţiile reţelei, şi în acest caz dependenţa mobilităţii de temperatură este de
308
forma:

2
3
÷
T ~
. vib
µ (IX.12.22)
b) ciocnirile inelastice cu defectele; dintre acestea cele cu sarcină sunt mai
importante, iar dependenţa mobilităţii de temperatură este de forma:

2
3
T ~
. def
µ (IX.12.23)
Pe un domeniu larg de temperatură se poate considera că mobilitatea
purtatorilor este

. def . vibr
µ µ µ
1 1 1
+ = (IX.12.24)
Din cele arătate anterior şi din fig. IX.17 rezultă că:
*) La temperaturi suficient de joase conductivitatea este deteminată de
componenta extrinsecă prin ionizarea impurităţilor, de variaţia mobilităţii cu
temperatura în special a componentei µ
vibr.
şi creşte când temperatura creşte.
*) La temperaturi medii se produce ionizarea totală a donorilor şi/sau
acceptorilor. Variaţia conductivităţii se datoreşte în special variaţiei cu
temperatura a mobilităţii, în special a componentei µ
def.
şi scade cu creşterea
temperaturii.
*) La temperaturi înalte conductivitatea este determinată de variaţia
concentraţiei purtătorilor cu temperatura datorată excitării din domeniul
intrinsec, şi creşte când temperatura creşte variind în principiu ca la metale.

IX.12.2.3. Conductivitatea electrică a izolatorilor
După cum s-a arătat izolatorii (vezi §. IX.9.4) au structura de benzi
asemănătoare cu cea a semiconductorilor intrinseci. Lărgimea benzii interzise
este mult mai mare şi în condiţii de temperatură şi câmp electric obişnuite
309
310

foarte puţini electroni pot efectua tranziţii din banda de valenţă în banda de
conducţie şi deci densitatea de curent electric este foarte mică. Dacă există
impurităţicesă introducă nivele adiţionale ca la semiconductori, apare şi o
conducţie asemănătoare cu cea de la aceştia. Într-un izolator bun impurităţile
au o concentraţie scăzută iar conductivitatea electrică datorată acestora este
mică. Dacă izolatorul este un cristal ionic, conductivitatea se realizează prin
ionii proprii, componenta electronică a
conductivităţii electrice este neglijabilă faţă de
cea ionică. Deci, în izolatori există două tipuri
de conducţie electrică: prin electroni-
electronică, şi prin ioni-ionică. În câmpuri
electrice intense conductivitatea total, o
t
, creşte foarte repede cu câmpul
electric E

tinzând la infinit în momentul străpungerii, când izolatorul devine
conductor, fig. IX.18. În domeniul (I) conductivitatea nu depinde practic de
E

, acest domeniu fiind numit intervalul lui Ohm (fiind valabilă legea Ohm).
În domeniul (II), numit intervalul lui Pool, conductivitatea depinde puternic
de E

. După cum se observă din figură conductivitatea ionică, o
i
, nu depinde
practic de E

, atât în intervalul lui Ohm cât şi în intervalul lui Pool, în timp ce
conductivitatea electronică, o
e
, creşte puternic în intervalul lui Pool, tinzând
Fig. IX.18 la infinit în momentul străpungerii.

IX.12.3. Efecte termoelectrice
Efectele termoelectrice apar în materiale conductoare şi semiconductoare
străbătute de curent electric în prezenţa unui gradient de temperatură fiind
datorate interdependenţei dintre fenomenele electrice şi termice. Principale
efecte termoelectrice sunt: efectul Seebeck, Peltier şi Thomson.

IX.12.3.1. Efectul Seebeck
Efectul Seebeck constă din apariţia unei forţe electromotoare într-un circuit
format din două materiale diferite ale căror contacte (suduri) sunt menţinute
la temperaturi diferite ( ), fig. IX.19.
1 2
T T >
311
ntru
Experimental se constată că dacă circuitul este deschis apare o tensiune
electromotoare, V
AB
, la capetele circuitului care depinde de diferenţa de
temperatură a contactelor şi de natura
conductoarelor; dacă circuitul este închis prin el
trece un curent numit curent termoelectric. Pe
diferenţe mici între temperaturile contactelor
Fig. IX.19 tensiunea electromotoareceapare este de forma:
dT V d
AB
o = (IX.12.25)
unde
A B AB
o o o ÷ = , o
A
şi o
B
sunt coeficienţi Seebeck absoluţi ai
materialelor A şi B, iar o
AB
este coeficientul Seebeck relativ. Deoarece o
AB

depinde de temperatură, tensiunea electromotoare măsurată este
(IX.12.26)
}
=
2
1
T
T
AB
T d ) T ( V o
Apariţia diferenţei de potenţial între punctele aflate la temperaturile T
1
şi
T
2
, de exemplu dacă materialul A este semiconductor, se poate explica astfel:
în regiunea caldă concentraţia purtătorilor de sarcină este mai mare, acesta se
încarcă pozitiv sau negativ după semnul sarcinii purtătorilor, şi astfel apare
un câmp electriccese opune creşterii nelimitate a sarcinii la capătul rece a
probei, stabilindu-se un regim staţionar. Difuzia purtătorilor este determinată
de diferenţa de energie datorată diferenţei de temperatură a cele două
contacte. Tensiunea electromotoare staţionară ce apare se numeşte forţa
termoelectrică a materialului respectiv, definită ca tensiunea electromotoare
pe grad.
La metale, spre deosebire de semiconductoari, concentraţia purtătorilor de
sarcină nu variază cu temperatura, iar forţa termoelectrică este mult mai mică.
Efectul Seebeck are aplicaţii la confecţionarea termocuplelor folosite la
măsurarea temperaturilor. Acestea au două contacte menţinute la temperaturi
diferite. Cunoscând temperatura contactului rece şi măsurând tensiunea se
poate determina temperatura contactului cald.

IX.12.3.2. Efectul Peltier
Efectul Peltier constă în degajarea sau absoarbţia de căldură la contactul
(joncţiunea) a două materiale (metal sau semiconductor) la trecerea unui
curent electric I în funcţie de sensul curentului. Căldura degajată (sau
absorbită) este
t I Q
AB P
H = (IX.12.27)
unde: H
AB
= coeficientul Peltier relativ, iar t este timpul cât a trecut curentul.
Coeficientul Peltier relativ este

A B AB
H H H ÷ = (IX.12.28)
unde H
A
şi H
B
sunt coeficienţii Peltier absoluţi ai celor două materiale.
Dacă
B A
H H > căldura Peltier este negativă, deci joncţiunea absoarbe
căldura.
Explicaţia efectului Peltier pentru o joncţiune semiconductor n - metal este:
la trecerea electronii din metal în semiconductor sub acţiunea câmpului
electric, aceştia au de trecut o barieră de potenţial, astfel că ei absorb energie
de la reţeau cristalină şi joncţiunea se răceşte. Dacă electronii sunt dirjaţi de
câmpul extern din semiconductor spre metal, atunci ei vor ceda energie
312
reţelei cristaline şi joncţiunea se încălzeşte.
În mod similar se poate explica efectul într-un semiconductor neomogen.
Efectul Peltier are aplicaţii practice la construcţia generatorilor de căldură sau
refrigeratori cu semiconductori.

IX.12.3.3. Efectul Thomson
Efectul Thomson constă în absorbţia sau degajarea de căldură la trecerea
unui curent electric printr-un material omogen în care există un gradient de
temperatură. Se degajă sau se absoarbe căldură în funcţie de sensul curentului
electric şi de natura materialului. Căldura degajată (sau absorbită) este
t
x
T
I Q
x Th
c
c
=t (IX.12.29)
unde t = coeficientul Thomson, I
x
intensitatea curentului electric, t timpul cât
a trecut curentul electric prin probă,
x
T
c
c
gradientul de temperatură.
Căldura degajată (sau absorbită) în unitatea de timp pe unitatea de volum se
adaugă la căldura degajată prin efect Joule.
Efectul Thomson se poate explica astfel: dacă sensul curentului electric
este acelaşi cu cel al curentului termoelectric determinat de gradientul de
temperatură atunci electronii sunt antrenaţi spre regiunile mai reci unde
cedează energie reţelei şi materialul se încălzeşte. Dacă câmpul electric
antrenează electronii spre regiunile mai calde ei absorb energie de la reţea iar
materialul se răceşte.

IX.12.4. Efecte galvanomagnetice
Efectele galvanomagnetice sunt efecteleceapar în materiale conductoare
(metalice sau semiconductoare) străbătute de un curent electric în prezenţa
313
unui câmp magnetic. În cazul în care câmpul magnetic este perpendicular pe
direcţia curentului electric, efectele se numesc efecte transversale.
Principalele efecte sunt: efectul Hall şi efectul Ethingshausen.
În cazul în care câmpul magnetic este paralel cu direcţia curentului electric
efectele se numesc efecte longitudinale. Principalele efecte sunt:
magnetorezistenţa şi efectul Nernst.

IX.12.4.1. Efectului Hall
Fie o bară conductoare strabătută de curentul electric de intensitate i după
direcţia Ox în prezenţa unui câmp magnetic de inducţie B

după direcţia Oy,
fig. IX.20. Experimental se constată o diferenţă de potenţial după direcţia Oz,
tensiunea Hall,ceeste de forma:
d B J R V
H H
= (IX.12.30)
314
unde: R
H
= constanta Hall;
S
i
J = = densitatea de
curent electric după axa Ox, S = secţiunea barei
după axa Ox; d = grosimea barei după Oz;
Fig. IX.20 În prezenţa câmpului magnetic apare forţa
Lorentz după axa Oy ce deviază purtători în această direcţie şi care este de
forma
B

( ) B v q F
d



× = (IX.12.31)
unde: q = sarcina unui purtator ( e q ÷ = dacă purţătorii sunt electroni, şi
dacă purţătorii sunt goluri); e q + =
d
v

= viteza de drift.
În relaţia (IX.12.31) viteza de drift,
d
v

, este perpendiculară pe ( B B
 
fiind
perpendicular pe direcţia câmpului electric).
Sub acţiunea forţei F

, fig. IX.21, ce deviază purtători de sarcină, are loc o
acumulare de purtătorii pe faţa superioară a probei ce se încarcă negativ sau
pozitiv după semnul acestora. Apare deci un câmp electric ce se opune
acumulării nelimitate de sarcină stabilindu-se un regim staţionar.


a) purtători de tip electroni; b) purtători de tip goluri
Fig. IX.21
Câmpul staţionar este câmpul Hall, E
H
, iar semnul său depinde de semnul
purtătorilor de sarcină q.
Ţinând cont că densitatea de curent este forma:
(IX.12.32)
d
v q n J


=
unde n este concentraţia purtătorilor, relaţia (IX.12.31) devine:
( ) ( ) B
n
B J
n
F
    
× = × = E
1 o
(IX.12.33)
unde o este conductibilitatea materialului, şi arată că forţa ce deviază
purtatorii nu depinde de semnul lor ci de direcţia lui J

şi (sau B

E

şi B

).
Câmpul Hall împiedică apariţia unui curent după Oy, compensând forţa F

,
adică:
F q
H
 
= E (IX.12.34)
Din relaţiile (IX.12.33) şi (IX.12.34) se obţine:
( ) B J
q n
F
q
H
   
× = =
1 1
E (IX.12.35)
Tensiunea Hall corespunzatoare ţinând cont că B

este perpendicular pe J


315
este
d B d B
q n
d B J
q n
d V
d H
E E
1
E
H
µ
o
= = = = (IX.12.36)
unde µ
d
este mobilitatea purtătorilor.
Comparând relaţia (IX.12.36) cu relaţia (IX.12.30) se obţine pentru constanta
Hall relaţia:

o
µ
d
H
q n
R = =
1
(IX.12.37)
Constanta R
H
este negativă şi foarte mică la metale, deoarece purtătorii
sunt electroni şi au concentraţia foarte mare. La metale
H
R este
( ) C cm / 10 10
3 4 5 ÷ ÷
÷ .
Deoarece în semiconductori concentraţia purtătorilor este mult mai mică
decât la metale constanta Hall la aceştia este mult mai mare. La
semiconductori R
H
este ( ) C / cm
3 5
10 10 ÷ . La semiconductori determinând R
H

se poate stabili tipul de purtători, şi deci şi tipul semiconductorului (n sau p).
Folosind teoria cuantică se găseşte că la semiconductorii cu un singur tip de
purtători constanta Hall este

q n
A R
H
1
= (IX.12.38)
unde A este o constantă care depinde de tipul mecanismului de împrăştiere a
purtatorilor.
Câmpul total ce acţionează asupra purtătorilor este

H t
E E E
  
+ = (IX.12.39)
şi este rotit faţă de axa Ox cu un unghi u, numit unghi Hall, dat de relaţia:
B R tg
H
H
o u = =
E
E
(IX.12.40)
Prin definiţie
316
o µ
H H
R = (IX.12.41)
se numeşte mobilitatate Hall, mobilitate determinată măsurând constanta Hall
şi conductivitatea.
Bazate pe acest efect traductoarele Hall se folosesc la măsurarea
cămpurilor magnetice sau la transformarea unui semnal magnetic într-unul
electric.

12.4.2. Efectul magneto-rezistiv
Efectul magneto-rezistiv constă în modificarea rezistivităţii metalelor sau
semiconductorilor în prezenţa câmpului magnetic. Acest efect se datoreşte
faptului că proiecţia drumului liber mijlociu al purtătorilor pe direcţia
câmpului electric aplicat este mai mică în prezenţa câmpului magnetic, câmp
care curbează traiectoriile electronilor. Fie l
0
lungimea drumului liber
mijlociu al electronului pe direcţia câmpului electric în absenţa câmpului
magnetic, şi l lungimea drumului liber mijlociu al electronului pe direcţia
câmpului electric în prezenţa câmpului magnetic aplicat perpendicular pe
direcţia câmpului electric.
Pentru unghuri Hall micii:

2
0
2
0 0 0
2 2
sin 2 ) cos 1 ( u
u
u
l
l l l l l ~
|
.
|

\
|
= ÷ = ÷ = A (13.67)
Deoarece l = v t, l ~ o, şi ţinând cont şi de relaţia (13.66) se obţine:
( )
2
0
2
1
B
l
l
H
H
µ
o
o o
=
A
=
÷
(13.68)
adică variaţia relativă este proporţională cu B
2
, deci un efect de ordinul doi.
În general, efectul magnetorezistiv depinde de orientarea reciprocă a
câmpurilor electric şi magnetic, de forma probei şi de orientarea probei faţa
de direcţiile cristalografice.
317
318

IX.12.2 Conductivitatea electrică
IX.12.2.2. Conductivitatea electrică a semiconductorilor
În prezenţa unui câmp electric E

, densitatea de curent este dată atât de
electroni cât şi de goluri, şi este
(IX.12.19)
p n
J J J
  
+ =
unde:
n n
v n e J


÷ = este densitatea de curent dată de electroni, cu n
concentraţia de electroni, şi viteza electronului;
n
v

p p
v p e J


=
p
v
este densitatea
de curent dată de goluri, cu p concentraţia de goluri, şi

viteza golului.
Introducând mobilitatea electronilor şi golurilor definite de relaţiile:

E
v
μ
n
n


÷ = şi
E
v
μ
p
p


= (IX.12.20)
şi ţinând cont de legea lui Ohm se obţine pentru conductivitatea
semiconductorilor relaţia:
o = e (n µ
n
+p µ
p
) (IX.12.21)
Experimental se constată că variaţia conductivităţii semiconductorilor
extrinseci cu temperatura este cea din fig.
IX.17, şi nu poate fi explicată printr-o teorie
clasică. Teoria cuantică arată că variaţia cu
temperatura a conductivităţii se datoreşte
variaţiei cu temperatura a concentraţiei de
Fig. IX.17 purtători şi a mobilităţii. Se arată că:
*) concentraţia de purtători variază cu temperatura, această variaţie
depinde de concentraţia donorilor respectiv acceptorilor şi de domeniul de
temperatură.
*) mobilitatea purtătorilor este influenţată de: a) ciocnirile inelastice cu
vibraţiile reţelei, şi în acest caz dependenţa mobilităţii de temperatură este de
308
forma:

2
3
÷
T ~
. vib
µ (IX.12.22)
b) ciocnirile inelastice cu defectele; dintre acestea cele cu sarcină sunt mai
importante, iar dependenţa mobilităţii de temperatură este de forma:

2
3
T ~
. def
µ (IX.12.23)
Pe un domeniu larg de temperatură se poate considera că mobilitatea
purtatorilor este

. def . vibr
µ µ µ
1 1 1
+ = (IX.12.24)
Din cele arătate anterior şi din fig. IX.17 rezultă că:
*) La temperaturi suficient de joase conductivitatea este deteminată de
componenta extrinsecă prin ionizarea impurităţilor, de variaţia mobilităţii cu
temperatura în special a componentei µ
vibr.
şi creşte când temperatura creşte.
*) La temperaturi medii se produce ionizarea totală a donorilor şi/sau
acceptorilor. Variaţia conductivităţii se datoreşte în special variaţiei cu
temperatura a mobilităţii, în special a componentei µ
def.
şi scade cu creşterea
temperaturii.
*) La temperaturi înalte conductivitatea este determinată de variaţia
concentraţiei purtătorilor cu temperatura datorată excitării din domeniul
intrinsec, şi creşte când temperatura creşte variind în principiu ca la metale.

IX.12.2.3. Conductivitatea electrică a izolatorilor
După cum s-a arătat izolatorii (vezi §. IX.9.4) au structura de benzi
asemănătoare cu cea a semiconductorilor intrinseci. Lărgimea benzii interzise
este mult mai mare şi în condiţii de temperatură şi câmp electric obişnuite
309
310

foarte puţini electroni pot efectua tranziţii din banda de valenţă în banda de
conducţie şi deci densitatea de curent electric este foarte mică. Dacă există
impurităţicesă introducă nivele adiţionale ca la semiconductori, apare şi o
conducţie asemănătoare cu cea de la aceştia. Într-un izolator bun impurităţile
au o concentraţie scăzută iar conductivitatea electrică datorată acestora este
mică. Dacă izolatorul este un cristal ionic, conductivitatea se realizează prin
ionii proprii, componenta electronică a
conductivităţii electrice este neglijabilă faţă de
cea ionică. Deci, în izolatori există două tipuri
de conducţie electrică: prin electroni-
electronică, şi prin ioni-ionică. În câmpuri
electrice intense conductivitatea total, o
t
, creşte foarte repede cu câmpul
electric E

tinzând la infinit în momentul străpungerii, când izolatorul devine
conductor, fig. IX.18. În domeniul (I) conductivitatea nu depinde practic de
E

, acest domeniu fiind numit intervalul lui Ohm (fiind valabilă legea Ohm).
În domeniul (II), numit intervalul lui Pool, conductivitatea depinde puternic
de E

. După cum se observă din figură conductivitatea ionică, o
i
, nu depinde
practic de E

, atât în intervalul lui Ohm cât şi în intervalul lui Pool, în timp ce
conductivitatea electronică, o
e
, creşte puternic în intervalul lui Pool, tinzând
Fig. IX.18 la infinit în momentul străpungerii.

IX.12.3. Efecte termoelectrice
Efectele termoelectrice apar în materiale conductoare şi semiconductoare
străbătute de curent electric în prezenţa unui gradient de temperatură fiind
datorate interdependenţei dintre fenomenele electrice şi termice. Principale
efecte termoelectrice sunt: efectul Seebeck, Peltier şi Thomson.

IX.12.3.1. Efectul Seebeck
Efectul Seebeck constă din apariţia unei forţe electromotoare într-un circuit
format din două materiale diferite ale căror contacte (suduri) sunt menţinute
la temperaturi diferite ( ), fig. IX.19.
1 2
T T >
311
ntru
Experimental se constată că dacă circuitul este deschis apare o tensiune
electromotoare, V
AB
, la capetele circuitului care depinde de diferenţa de
temperatură a contactelor şi de natura
conductoarelor; dacă circuitul este închis prin el
trece un curent numit curent termoelectric. Pe
diferenţe mici între temperaturile contactelor
Fig. IX.19 tensiunea electromotoareceapare este de forma:
dT V d
AB
o = (IX.12.25)
unde
A B AB
o o o ÷ = , o
A
şi o
B
sunt coeficienţi Seebeck absoluţi ai
materialelor A şi B, iar o
AB
este coeficientul Seebeck relativ. Deoarece o
AB

depinde de temperatură, tensiunea electromotoare măsurată este
(IX.12.26)
}
=
2
1
T
T
AB
T d ) T ( V o
Apariţia diferenţei de potenţial între punctele aflate la temperaturile T
1
şi
T
2
, de exemplu dacă materialul A este semiconductor, se poate explica astfel:
în regiunea caldă concentraţia purtătorilor de sarcină este mai mare, acesta se
încarcă pozitiv sau negativ după semnul sarcinii purtătorilor, şi astfel apare
un câmp electriccese opune creşterii nelimitate a sarcinii la capătul rece a
probei, stabilindu-se un regim staţionar. Difuzia purtătorilor este determinată
de diferenţa de energie datorată diferenţei de temperatură a cele două
contacte. Tensiunea electromotoare staţionară ce apare se numeşte forţa
termoelectrică a materialului respectiv, definită ca tensiunea electromotoare
pe grad.
La metale, spre deosebire de semiconductoari, concentraţia purtătorilor de
sarcină nu variază cu temperatura, iar forţa termoelectrică este mult mai mică.
Efectul Seebeck are aplicaţii la confecţionarea termocuplelor folosite la
măsurarea temperaturilor. Acestea au două contacte menţinute la temperaturi
diferite. Cunoscând temperatura contactului rece şi măsurând tensiunea se
poate determina temperatura contactului cald.

IX.12.3.2. Efectul Peltier
Efectul Peltier constă în degajarea sau absoarbţia de căldură la contactul
(joncţiunea) a două materiale (metal sau semiconductor) la trecerea unui
curent electric I în funcţie de sensul curentului. Căldura degajată (sau
absorbită) este
t I Q
AB P
H = (IX.12.27)
unde: H
AB
= coeficientul Peltier relativ, iar t este timpul cât a trecut curentul.
Coeficientul Peltier relativ este

A B AB
H H H ÷ = (IX.12.28)
unde H
A
şi H
B
sunt coeficienţii Peltier absoluţi ai celor două materiale.
Dacă
B A
H H > căldura Peltier este negativă, deci joncţiunea absoarbe
căldura.
Explicaţia efectului Peltier pentru o joncţiune semiconductor n - metal este:
la trecerea electronii din metal în semiconductor sub acţiunea câmpului
electric, aceştia au de trecut o barieră de potenţial, astfel că ei absorb energie
de la reţeau cristalină şi joncţiunea se răceşte. Dacă electronii sunt dirjaţi de
câmpul extern din semiconductor spre metal, atunci ei vor ceda energie
312
reţelei cristaline şi joncţiunea se încălzeşte.
În mod similar se poate explica efectul într-un semiconductor neomogen.
Efectul Peltier are aplicaţii practice la construcţia generatorilor de căldură sau
refrigeratori cu semiconductori.

IX.12.3.3. Efectul Thomson
Efectul Thomson constă în absorbţia sau degajarea de căldură la trecerea
unui curent electric printr-un material omogen în care există un gradient de
temperatură. Se degajă sau se absoarbe căldură în funcţie de sensul curentului
electric şi de natura materialului. Căldura degajată (sau absorbită) este
t
x
T
I Q
x Th
c
c
=t (IX.12.29)
unde t = coeficientul Thomson, I
x
intensitatea curentului electric, t timpul cât
a trecut curentul electric prin probă,
x
T
c
c
gradientul de temperatură.
Căldura degajată (sau absorbită) în unitatea de timp pe unitatea de volum se
adaugă la căldura degajată prin efect Joule.
Efectul Thomson se poate explica astfel: dacă sensul curentului electric
este acelaşi cu cel al curentului termoelectric determinat de gradientul de
temperatură atunci electronii sunt antrenaţi spre regiunile mai reci unde
cedează energie reţelei şi materialul se încălzeşte. Dacă câmpul electric
antrenează electronii spre regiunile mai calde ei absorb energie de la reţea iar
materialul se răceşte.

IX.12.4. Efecte galvanomagnetice
Efectele galvanomagnetice sunt efecteleceapar în materiale conductoare
(metalice sau semiconductoare) străbătute de un curent electric în prezenţa
313
unui câmp magnetic. În cazul în care câmpul magnetic este perpendicular pe
direcţia curentului electric, efectele se numesc efecte transversale.
Principalele efecte sunt: efectul Hall şi efectul Ethingshausen.
În cazul în care câmpul magnetic este paralel cu direcţia curentului electric
efectele se numesc efecte longitudinale. Principalele efecte sunt:
magnetorezistenţa şi efectul Nernst.

IX.12.4.1. Efectului Hall
Fie o bară conductoare strabătută de curentul electric de intensitate i după
direcţia Ox în prezenţa unui câmp magnetic de inducţie B

după direcţia Oy,
fig. IX.20. Experimental se constată o diferenţă de potenţial după direcţia Oz,
tensiunea Hall,ceeste de forma:
d B J R V
H H
= (IX.12.30)
314
unde: R
H
= constanta Hall;
S
i
J = = densitatea de
curent electric după axa Ox, S = secţiunea barei
după axa Ox; d = grosimea barei după Oz;
Fig. IX.20 În prezenţa câmpului magnetic apare forţa
Lorentz după axa Oy ce deviază purtători în această direcţie şi care este de
forma
B

( ) B v q F
d



× = (IX.12.31)
unde: q = sarcina unui purtator ( e q ÷ = dacă purţătorii sunt electroni, şi
dacă purţătorii sunt goluri); e q + =
d
v

= viteza de drift.
În relaţia (IX.12.31) viteza de drift,
d
v

, este perpendiculară pe ( B B
 
fiind
perpendicular pe direcţia câmpului electric).
Sub acţiunea forţei F

, fig. IX.21, ce deviază purtători de sarcină, are loc o
acumulare de purtătorii pe faţa superioară a probei ce se încarcă negativ sau
pozitiv după semnul acestora. Apare deci un câmp electric ce se opune
acumulării nelimitate de sarcină stabilindu-se un regim staţionar.


a) purtători de tip electroni; b) purtători de tip goluri
Fig. IX.21
Câmpul staţionar este câmpul Hall, E
H
, iar semnul său depinde de semnul
purtătorilor de sarcină q.
Ţinând cont că densitatea de curent este forma:
(IX.12.32)
d
v q n J


=
unde n este concentraţia purtătorilor, relaţia (IX.12.31) devine:
( ) ( ) B
n
B J
n
F
    
× = × = E
1 o
(IX.12.33)
unde o este conductibilitatea materialului, şi arată că forţa ce deviază
purtatorii nu depinde de semnul lor ci de direcţia lui J

şi (sau B

E

şi B

).
Câmpul Hall împiedică apariţia unui curent după Oy, compensând forţa F

,
adică:
F q
H
 
= E (IX.12.34)
Din relaţiile (IX.12.33) şi (IX.12.34) se obţine:
( ) B J
q n
F
q
H
   
× = =
1 1
E (IX.12.35)
Tensiunea Hall corespunzatoare ţinând cont că B

este perpendicular pe J


315
este
d B d B
q n
d B J
q n
d V
d H
E E
1
E
H
µ
o
= = = = (IX.12.36)
unde µ
d
este mobilitatea purtătorilor.
Comparând relaţia (IX.12.36) cu relaţia (IX.12.30) se obţine pentru constanta
Hall relaţia:

o
µ
d
H
q n
R = =
1
(IX.12.37)
Constanta R
H
este negativă şi foarte mică la metale, deoarece purtătorii
sunt electroni şi au concentraţia foarte mare. La metale
H
R este
( ) C cm / 10 10
3 4 5 ÷ ÷
÷ .
Deoarece în semiconductori concentraţia purtătorilor este mult mai mică
decât la metale constanta Hall la aceştia este mult mai mare. La
semiconductori R
H
este ( ) C / cm
3 5
10 10 ÷ . La semiconductori determinând R
H

se poate stabili tipul de purtători, şi deci şi tipul semiconductorului (n sau p).
Folosind teoria cuantică se găseşte că la semiconductorii cu un singur tip de
purtători constanta Hall este

q n
A R
H
1
= (IX.12.38)
unde A este o constantă care depinde de tipul mecanismului de împrăştiere a
purtatorilor.
Câmpul total ce acţionează asupra purtătorilor este

H t
E E E
  
+ = (IX.12.39)
şi este rotit faţă de axa Ox cu un unghi u, numit unghi Hall, dat de relaţia:
B R tg
H
H
o u = =
E
E
(IX.12.40)
Prin definiţie
316
o µ
H H
R = (IX.12.41)
se numeşte mobilitatate Hall, mobilitate determinată măsurând constanta Hall
şi conductivitatea.
Bazate pe acest efect traductoarele Hall se folosesc la măsurarea
cămpurilor magnetice sau la transformarea unui semnal magnetic într-unul
electric.

12.4.2. Efectul magneto-rezistiv
Efectul magneto-rezistiv constă în modificarea rezistivităţii metalelor sau
semiconductorilor în prezenţa câmpului magnetic. Acest efect se datoreşte
faptului că proiecţia drumului liber mijlociu al purtătorilor pe direcţia
câmpului electric aplicat este mai mică în prezenţa câmpului magnetic, câmp
care curbează traiectoriile electronilor. Fie l
0
lungimea drumului liber
mijlociu al electronului pe direcţia câmpului electric în absenţa câmpului
magnetic, şi l lungimea drumului liber mijlociu al electronului pe direcţia
câmpului electric în prezenţa câmpului magnetic aplicat perpendicular pe
direcţia câmpului electric.
Pentru unghuri Hall micii:

2
0
2
0 0 0
2 2
sin 2 ) cos 1 ( u
u
u
l
l l l l l ~
|
.
|

\
|
= ÷ = ÷ = A (13.67)
Deoarece l = v t, l ~ o, şi ţinând cont şi de relaţia (13.66) se obţine:
( )
2
0
2
1
B
l
l
H
H
µ
o
o o
=
A
=
÷
(13.68)
adică variaţia relativă este proporţională cu B
2
, deci un efect de ordinul doi.
În general, efectul magnetorezistiv depinde de orientarea reciprocă a
câmpurilor electric şi magnetic, de forma probei şi de orientarea probei faţa
de direcţiile cristalografice.
317

IX.15. Supraconductibilitatea
Fenomenul de supraconductibilitatea constă în anularea rezistenţei
electrice a unui material la temperaturi joase în general mai mici de 20 K.
Aceasta trebuie înţeleasă în sensul că dacă se induc curenţi într-o bobină în
formă de inel aceştia durează nelimitat (calculele indică 100.000 ani) după
suprimarea câmpului electric exterior dacă starea de supraconductibilitate
există. Elemente ce prezintă supraconductibilitatea electrică sunt: Al, Cd, Sn,
In, Pb etc. Supraconductibilitate prezintă deasemenea o serie de compuşi cum
ar fi: azoturi şi carburi, unele materiale ceramice etc.
În 1985, J. C. Bendoz şi K. A. Müller au arătat că ceramicile de tipul
Ba
x
La
2-x
CuO4, unde ) , , ( x 20 0 15 0 ÷ e , prezintă proprietăţi supraconductoare şi
au temperaturile de tranziţie înalte variind între K ) ( 77 20 ÷ . De atunci au
luat o amploare deosebită cercetările privind supraconductibilitatea la
temperaturi înalte.
O teorie cuantică a supraconductibilităţii a fost dată în 1957 de J.Bardeen,
L. N. Cooper şi J. Schrieffer - teoria B.C.S. Se arată că în starea
supraconductoare, pe lângă electronii normali apar şi electroni
supraconductori, aceştia fiind grupaţi în perechi, cu vectori de undă egali şi
de sens contrar, şi cu spini opuşi. Suma spinilor fiind nulă perechea se
comportă ca un boson, principiul de excluziune Pauli ne mai fiind aplicabil.
Formarea perechilor se datoreşte interacţiilor de tip electron-fonon-electron în
urma cărora are loc scăderea energiei sistemului şi o atracţie între cei doi
electroni cu formarea unei perechi. Probabilitatea ca perechile să se găsească
în starea cu energia minimă este foarte mare şi deci împrăştierea acestora pe
reţeaua cristalină este puţin probabilă deoarece aceasta ar conduce la
modificarea stării menţionate. Electronii circulă prin cristal practic fără
318
ciocniri şi deci reţeaua cristalină nu prezintă rezistenţă. Legatură este foarte
slabă, şi este uşor distrusă de agitaţia termică. Perechea dispare când
temperatura este mai mare decât temperatura de tranziţie.
Temperatura de tranziţie este temperatura la care se anulează rezistenţa.
Supraconductibilitatea cuprinde şi o serie de aspecte cum ar fi:
*) În câmp magnetic tranziţia normal – supraconductor este o transformare
de fază de ordinul I care se caracterizează printr-o căldură latentă.
*) Un câmp magnetic extern poate distruge starea de supraconductibilitate
dacă acesta atinge o valoare critică H
c
; H
c
este o funcţie de temperatură.
Temperatura la care se anulează rezistenţa în prezenţa unui câmp magnetic
se numeşte temperatură critică, T
c
.
*) Efectul Meissner-Ochsenfeld – Materialele supraconductoare sunt
materiale diamagnetice perfecte.
În câmp magnetic, sub temperatura de tranziţie, liniile de forţă magnetice
sunt respinse la suprafaţa corpului, fig. IX.26.


Fig. IX.26
Inducţia magnetică, densitatea curentului electric şi intensitatea câmpului
electric sunt diferite de zero numai într-un strat subţire de la suprafaţă, numit
adâncime de pătrundere, care are valoarea o = (10
-7
÷ 10
-8
) m.
*) Experienţa arată că în absenţa câmpului
magnetic tranziţia din starea normală în starea
319
supraconductoare este o tranziţie de ordinul al II-lea fără variaţia volumului
specific şi fără căldură latentă de tranziţie. Comportarea căldurilor specifice
este prezentată în fig. IX.27. Gorter şi Casimir
*)
, pentru a explica saltul
căldurilor specifice, au aplicat "modelul celor două fluide" (asemănător cu cel
de la heliu, vezi § XII.9.5.1). Acest model se bazează pe ipoteza unor
electroni "normali" şi "supraconductori".
Fig. IX.27 Căldura specifică a fazei supraconductoare se
poate presupune ca fiind formată, ca şi în cazul fazei normale, din căldura
specifică a electronilor şi a ionilor:
(IX.15.1)
e i
s s s
c c c + =
Căldura specifică a ionilor, datorată vibraţiilor reţelei, este ca şi în cazul
fazei normale (vezi § IX.8.3.2) de forma:
(IX.15.2)
3
T A c
i
s
=
unde A este o constantă.
Pentru căldura specifică electronică, experimental s-a obţinut o relaţie de
forma:

|
.
|

\
|
÷ =
T
b
exp T a c
c e
e
¸ (IX.15.3)
unde a şi b sunt constante, ¸ constanta lui Sommerfeld, iar T este temperatura.
Variaţia căldurii specifice electronice, relaţia (IX.15.3), sugerează că saltul
căldurilor specifice se datoreşte acesteia, şi deasemenea prezenţa unei benzi
interzise între starea normală şi cea supraconductoare. Prezenţa unei benzi
interzise a fost confirmată experimental prin experienţe de absorbţie în
infraroşu şi prin experienţe de tunelare.



*)
C. Gorter, H. B. G. Casimir, Physica, 1, 306, 1934.
320
IX.15.1. Aplicaţii ale supraconductibilităţii
Starea supraconductoare a diferitelor materiale prezintă o serie de aplicaţii.
Una dintre aplicaţiile se bazează pe faptul că un conductor aflat în starea
supraconductoare are o rezistenţă nulă. Pentru un solenoid aflat la o
temperatură sub temperatura de tranziţie energie consumată pentru a menţine
câmpurile magnetice intense este foarte mică, singura energie necesară este
pentru menţinerea temperaturii scăzute. În astfel de solenoizi, solenoizi
supraconductori, se obţin câmpuri magnetice de ordinul zecilor de tesla, ce
sunt utilizaţi în laboratoare de cercetare ştiinţifică în domeniul fizicii
solidului, fizicii nucleare sau fizicii plasmei.
O altă aplicaţie este criotronul. Acesta este un comutator supraconductor
(supraconductor-normal) care constă dintr-un fir,
denumit "poartă", realizat dintr-un metal, cum ar fi
tantalul (Ta) ( K , T
c
48 4 = ) şi o „înfăşurătoare de
control”, realizată dintr-un alt material cu o temperatură critică mai mare,
cum ar fi
Fig. IX.28 niobiu (Nb) ( K , T
c
46 9 = ), (fig. IX.28). Curentul care
trece prin înfăşurătoarea de control poate genera un câmp magnetic suficient de
mare încât să poată distruge supraconductibilitatea în poartă. Deci, curentul
porţii poate fi întrerupt cu ajutorul unui curent relativ mic, care străbate
înfăşurătoarea de control. Pe baza acestui dispozitiv simplu s-au construit
dispozitive mai complicate, cum ar fi elementul criotronic bistabil.
Criotroanele pot realiza toate operaţiile logice necesare în computere.
Prezintă dezavantajul necesităţii de a menţine echipamentul la temperaturi
foarte scăzute.
O altă aplicaţie se bazează pe joncţiunile Josephson (vezi § VII.3.3.2), ce sunt
denumite dispozitive "SQUID" (”Superconducting Quantum Interference
321
Devices”). Aceste dispozitive pot detecta câmpuri magnetice extrem de mici
( ) T
13
10
÷
. Aceste câmpuri sunt interesante pentru unele aplicaţii în biologie.
Deoarece câmpul magnetic poate fi generat de un curent mic care străbate
o bobină, s-au realizat şi alte dispozitive, cunoscute sub denumirea de
"SLUGS" (”Superconducting Low Inductance Galvanometers). Acestea
permit determinarea, pe o rezistenţă foarte mică, a unei căderi de tensiune
extrem de reduse (de circa ). V
14
10
÷
~
322
202



VIII. NOŢIUNII DE FIZICĂ CUANTICĂ
Fizica cuantică cunoscută ca mecanica cuantică se ocupă cu descrierea
proprietăţilor şi comportarea particulelor elementare, a nucleelor atomilor,
moleculelor şi parţial a cristalelor, adică cu legile ce descriu lumea
microscopică.
Fizica clasică descrie fenomenele lumii macroscopice, adică a corpurilor
(sistemelor) cu structură complexă, este rezultatul medierii unui număr foarte
mare de fenomene microscopice, fapt ce face ca multe din proprietăţile la
nivel microscopic să se piardă. Se poate afirma că legile fizici clasice apar ca
o aproximaţie a legilor fizicii cuantice.
Teoria cuantică se bazează pe o serie de axiome (sau postulate) stabilite şi
verificate din experienţe la nivel microscopic ce nu pot fi deduse din legile
fizicii clasice.
Mecanica cuantică a fost elaborată în perioda 1923-1927 şi a cunoscut
două formulări echivalente: mecanica cuantică matricială (M. Heisenberg,
M. Born, P. Jordan) şi mecanica ondulatorie (E. Schrödinger). S-a
demonstrat că cele două forme ale mecanicii cuantice sunt echivalente, iar P.
M. Dirac a elaborat ulterior o teorie cuantică mai generală.
Ideea fundamentală a mecanicii cuantice constă în abolirea conceptului de
orbită staţionară, noţiune introdusă de Bohr, ce nu poate fi verificată
experimental.
În mecanica cuantică matricială mărimilor fizice observabile cum ar fi
frecvenţa sau intensitatea radiaţiei emise de atomi li se asociază o matrice.
Aceste matrici satisfac o algebră necomutativă. Ecuaţiile de mişcare ale
variabilelor dinamice se exprimă prin ecuaţii între matrici, fiind formal
identice cu ecuaţile corespunzătoare unui sistem clasic.
Mecanica ondulatorie are la bază ipoteza undei asociate (unda de Broglie).
În cadrul acestui formalism, starea sistemului este descrisă de o funcţie de
undă + ce depinde de coordonatele de poziţie q, sau de coordonatele de
impuls p ale microparticulelor. Funcţia de undă nu are semnificaţie fizică
directă. Semnificaţie fizică are
2
+ (vezi: capitolul VI, § 4.1) şi reprezintă
probabilitatea de localizare a microparticulei într-o regiune din spaţiul de
reprezentare de volum dV.
În cele ce urmează vom folosi descrierea Schrödinger în reprezentarea
coordonate, adică ) q ( + + = . Mărimile fizice măsurabile (observabile) sunt
reprezentate prin operatori
*)
. În cadrul acestui formalism se postulează o
ecuaţie, ecuaţia lui Schrödinger, pe care o satisface funcţia de undă + a
sistemului cuantic.

VIII.1. Fundamentele mecanicii cuantice
VIII.1.1. Principiile mecanicii cuantice
Mecanica cuantică se bazează pe un număr de principii ce permit
determinarea comportării sistemelor de particule cuantice. Rezultatele
teoretice obţinute sunt în conformitate cu datele experimentale.

VIII.1.1.1. Principiul de incertitudine
Încercările de a explica fenomenele atomice cu ajutorul electrodinamicii şi
a mecanicii clasice duc la rezultate în contradicţie cu rezultatele


*)
Vezi Anexa 3.
203
204
experimentale. Să analizăm, de exemplu, difracţia electronilor printr-un
dispozitiv de tip Young. Se constată că dacă electronii produşi de un tun
electronic trec printr-una din fante cealaltă fiind închisă se obţine o anumită
imagine a distribuţiei intensităţii pe ecran. O imagine asemănătoare se obţine
dacă se repetă experinţa folosind a doua fantă, prima fiind închisă. Imaginile
obţinute prezintă un maxim în dreptul fantei libere. Imaginea obţinută
folosind cele două fante ar trebui să fie o simplă suprapunere a imaginilor
anterioare, deoarece fiecare electron deplasându-se pe traiectoria sa va trece
prin una sau alta din fante fără să se influenţeze. Se constată că imaginea
obţinută este total diferită de suma imaginilor separate, fiind similară cu cea
obţinută prin interferenţa undelor clasice coerente, cu surse în cele două
fante. Acelaşi rezultat se obţine şi dacă experienţa se efectuează astfel încât
electronii sunt emişi unu câte unu.
Să repetăm experienţa, folosind cele două fante, însă să încercăm să
localizăm electronul, adică fanta prin care acesta trece. Faţă de experienţa
precedentă se introduce o sursă de lumină ce emite fotoni cu lungimi de undă
variabile. Fotonii ce interacţionă cu electronii după trecerea acestora prin
fante pot fi detectaţi cu două detectoare D
1
şi D
2
. Activarea lui D
1
indică
trecerea electronului prin fanta “1”, iar activarea lui D
2
indică trecerea
electronului prin fanta “2” (se neglijează posibilitatea ca electronul ce a trecut
prin fanta “1” să activeze pe D
2
, iar cel ce a trecut prin fanta “2” să activeze
pe D
1
). Se constată că în acest caz figura obţinută este diferită de cea iniţială,
tinzând către aceasta când lungimea de undă a fotonilor creşte, adică pe
măsură ce posibilitatea de localizare precisă a electronilor scade.
Toate aceste rezultate nu sunt compatibile în nici un fel cu concepţia
mişcării electronului pe traiectorie. Deci:
În mecanica cuantică nu există noţiunea de traiectorie a particulei.
205
Această constatare constitue principiul de incertitudine ÷ principiul lui
Heisenberg ÷ ce pune în evidenţă deosebirea netă dintre mecanica clasică şi
cea cuantică. Traiectoria fiind determinată de cunoaşterea exactă a
coordonatelor de poziţie şi a celor de impuls, simultan, şi întrucât în
mecanica cuantică noţiunea de traiectorie îşi pierde sensul, înseamnă că
aceste mărimi nu sunt simultan măsurabile. Deci, în mecanica cuantică există
mărimi ce nu sunt simultan măsurabile.
În acelaşi timp starea sistemului fiind descrisă de funcţia de undă + ce
depinde fie de coordonatele de poziţie fie de cele de impuls, deci de un număr
mai mic de variabile, evoluţia sa nu poate fi univoc determinată. Mecanica
cuantică nu poate face previziuni strict determinate asupra comportări
sistemului în viitor. Fiind dată starea iniţială a unui sistem cuantic, o
măsurătoare ulterioară poate da rezultate diferite. Se poate afirma că sistemul
se găseşte cu o anumită probabilitate într-o regiune din spaţiul de
reprezentare, ceea ce evidenţiază caracterul statistic al mecanicii cuantice.
Mecanica cuantică determină numai probabilitatea de a obţine unul din
rezultate, deci este o teorie statistică.
Se arată că există şi mărimi simultan măsurabile, mărimi ce au un rol
important deoarece permit o descriere completă a stării sistemului. Acestea
alcătuiesc un sistem complet de mărimi măsurabile. Descrierea completă a
unei stări se obţine din măsurarea simultană a setului complet de mărimi. Din
aceste măsurători se pot deduce probabilităţile de obţinere a rezultatelor
oricărei măsurări ulterioare indiferent de ceea ce s-a întâmplat cu sistemul
până la prima măsurare.
VIII.1.1.2. Principiul suprapunerii stărilor
Semnificaţia fizică a funcţiei de undă este pusă în evidenţă din examinarea
unor rezultate experimentale, cum ar fi difracţia electronului folosind
dispozitivul Young (experienţă prezentată în § VIII.1.1.1). Se poate afirma că
după ce are loc difracţia, starea electronului este descrisă de o funcţie de undă
+ ce poate fi considerată ca fiind rezultatul suprapunerii a două funcţii de
undă +
1
şi +
2
ce descriu funcţiile sferice ce provin de la cele două fante,
adică:
+ = C
1
+
1
+ C
2
+
2
(VIII.1.1)
unde C
1
, C
2
sunt constante.
O funcţie de forma (VIII.1.1) reprezintă în general starea unui sistem în care
aceeaşi măsurătoare dă fie rezultatul R
1
ce corespunde sistemului aflat în
starea descrisă de funcţia de undă +
1
, fie rezultatul R
2
ce corespunde
sistemului aflat în starea descrisă de funcţia de undă +
2
. Acest rezultat poate
fi generalizat:
Un sistem cuantic ce poate avea stările descrise de funcţiile de unda +
1
,
+
2
, ..., +
n
poate avea şi starea descrisă de funcţia de undă ce rezultă prin
compunerea lor, adică:
(VIII.1.2)
¿
+ = +
k
k k
C
unde C
k
sunt constante, şi reprezintă principiul suprapunerii stărilor.
Din principiul suprapunerii stărilor rezultă direct că toate ecuaţiile pe care
le satisfac funcţiile de undă trebuie să fie liniare în +.

VIII.1.1.3. Principiul de corespondenţă
Principiul de corespondenţă afirmă:
Mecanica cuantică conţine ca un caz limită mecanica clasică; legile
mecanicii cuantice trec în legile mecanicii clasice când discontinuitaţile
cuantice devin neglijabile.
Trecerea de la mecanica cuantică la cea clasică poate fi descrisă formal ca
206
trecerea la limită . În aceste condiţii coordonatele de poziţie şi
impulsurile pot fi determinate simultan iar particula se deplasează în spaţiu pe
o "traiectorie clasică".
0 ÷ 

VIII.1.1.4. Principiul cauzalităţii
Fie un sistem cuantic a cărui stare iniţială este descrisă de funcţia de undă
( )
0
t + şi care evoluează spre o stare finală descrisă de funcţia de undă ( ) t + .
Principiul cauzalităţii afirmă că funcţia de undă ( ) t + este univoc determinată
de funcţia de undă ( )
0
t + , adică:
( ) ( ) ( )
0 0
t t , t L
ˆ
t + + = (VIII.1.3)
unde operatorul ( ) t , t L
ˆ
0
trebuie să aibă următoarele proprietăţi: 1) să fie liniar,
pentru a respecta principiul suprapunerii stărilor; 2) să fie unitar, pentru a
conserva normele.
Aşa cum am văzut mecanica cuantică are un caracter statistic, deci şi
determinarea cauzală în mecanica cuantică are un caracter statistic.

VIII.1.1.5. Principiul indiscernabilităţii microparticulelor
Conform principiului lui Hesenberg, microparticulele nu au traiectorie, fapt
ce le conferă o proprietate specifică – indiscernabilitatea. Particulele cuantice
în funcţie de proprietăţile lor fizice: masă, sarcină şi spin
*)
se clasifică în
clase de particule identice (acest principiu va fi tratat pe larg în § VIII.7).




*)
Spinul este momentul cinetic asociat mişcării de rotaţie a unei microparticule în jurul axei
proprii.
207
VIII.2. Formalismul Schrödinger
VIII.2.1. Operatori în mecanica ondulatorie
În formularea Schrödinger a mecanicii cuantice mărimile fizice
măsurabile (observabile) sunt reprezentate prin operatori liniari şi hermitici.
Liniaritatea operatorilor este necesară pentru a satisface principiul
suprapunerii stărilor, iar hermiticitatea pentru ca valoarea medie a mărimii pe
care o reprezintă să fie o mărime reală.
Fie un sistem cuantic definit de funcţia + , şi o mărime fizică oarecare prin
operatorul L
ˆ
. Valorile medii ale operatorului şi a operatorului complex
conjugat sunt
dV L
ˆ
L
ˆ
*
}
= + + şi
}
= dV ) L
ˆ
( L
ˆ
* * *
+ + (VIII.2.1)
unde
*
Ψ este funcţia complex conjugată corespunzătoare lui +.
Valorile pe care le pot lua mărimile fizice reale sunt, evident, mărimi reale.
De aceea, şi valoarea medie a unei mărimi fizice trebuie să fie reală în orice
stare, deci

*
L
ˆ
L
ˆ
= (VIII.2.2)
oricare ar fi +.
Din relaţiile (VIII.2.1) şi (VIII.2.2) se obţine:

} }
+ + = + + dV L
ˆ
dV L
ˆ
* * *
(VIII.2.3)
egalitate ce are loc dacă operatorul L

este un operator hermitic; deci
operatorii din mecanica cuantică asociaţi mărimilor fizice reale sunt operatori
hermitici.
În mecanica ondulatorie operatorii se postulează astfel:
-operatorii coordonatelor de poziţie sunt:
z z ˆ , y y ˆ , x x ˆ ÷ ÷ ÷ (VIII.2.4)
208
-operatorii componentelor impulsului p

, sunt:

x
i p ˆ
x
c
c
 ÷ = ;
y
i p ˆ
y
c
c
 ÷ = ,
z
i p ˆ
z
c
c
 ÷ = (VIII.2.5)
-operatorul altei mărimi fizice ce depinde de x, y, z, p
x
, p
y
, p
z
se obţine
conform regulii:
În expresia clasică a mărimii se substitue variabila respectivă prin
operatorul corespunzator.
Exemplu:
1) Aplicând regula enunţată anterior, pentru componentele carteziene ale
operatorului moment cinetic a cărui expresie clasică este

z y x
p p p
z y x
k j i
p r M = × =
 

(VIII.2.6)
se obţine relaţiile:

¦
¦
¦
¹
¦
¦
¦
´
¦
|
|
.
|

\
|
÷ = ÷ =
|
|
.
|

\
|
÷ = ÷ =
|
|
.
|

\
|
÷ = ÷ =
y
x
x
y i p y p x M
x
z
z
x i p x p z M
z
y
y
z i p z p y M
x y z
z x y
y z x
c
c
c
c
c
c
c
c
c
c
c
c



ˆ ˆ ˆ ˆ
ˆ
ˆ ˆ ˆ ˆ
ˆ
ˆ ˆ ˆ ˆ
ˆ
(VIII.2.7)
În coordonate sferice aceşti operatori sunt:

¦
¦
¦
¹
¦
¦
¦
´
¦
÷ =
|
|
.
|

\
|
÷ ÷ =
|
|
.
|

\
|
+ =
¢ c
c
¢ c
c
¢ 0
0 c
c
¢
¢ c
c
¢ 0
0 c
c
¢



i M
ˆ
sin g cot cos i M
ˆ
cos g cot sin i M
ˆ
z
y
x
(VIII.2.8)
Operatorul momentului cinetic total este
209

2 2
2
2
2 2
2
2 2
1
¢ 0
¢ c
c
0 0 c
c
0 c
c
,
sin
g cot M
ˆ
V ÷ =
|
|
.
|

\
|
+ + ÷ =   (VIII.2.9)
unde este operatorul lui Legendre.
2
,¢ 0
V
2) energia totală pentru o particulă de masă m
p
în mişcare nerelativistă într-
un câmp de forţe ) t , z , y , x ( U este după cum se ştie:
) t , z , y , x ( U
m
p
H
p
+ =
2
2
(VIII.2.10)
şi ţinând cont de relaţiile (VIII.2. 4) şi (VIII.2.5) se obţine:
) t , z , y , x ( U
m
H
ˆ
p
+ V ÷ =
2
2
2

(VIII.2.11)

VIII.2.2. Funcţiile de undă în mecanica cuantică
Fie un sistem a carui stare este descris de funcţia de undă ( ) q + + = .
Pătratul modulului acesteia ( )
2
q + determină distribuţia de probabilitate a
coordonatelor, iar ( ) dV q
2
+ este probabilitatea ca o măsurare efectuată
asupra sistemului să dea valorile coordonatelor cuprinse în elementul de
volum dV din spaţiul de reprezentare.
Suma probabilităţilor tuturor valorilor posibile ale coordonatelor sistemului
trebuie să fie egală cu unu, deci:
1
2
= +
}
dV ) q ( (VIII.2.12)
unde integrarea se face pe tot domeniul de definiţie, şi reprezintă aşa numita
condiţie de normare a funcţiei de undă.
Din punct de vedere fizic, aceasta înseamnă că probabilitatea de localizare a
particulei în spaţiu este certă.
Dacă integrala (VIII.2.12) este convergentă atunci prin alegerea unui
210
coeficient adecvat funcţia de undă + poate fi întotdeauna normată.
Dacă integrala este divergentă, atunci ( )
2
q + nu determină valorile absolute
ale probabilităţilor coordonatelor.
Deoarece ( )
2
q + reprezintă densitatea de probabilitate ca microparticula să
se gasească într-un punct oarecare din spaţiu, se impune ca funcţia de undă +
să îndeplinească următoarele condiţii, numite condiţii standard: 1) să fie
univocă; 2) să fie continuă; 3) să fie finită; 4) să aibă derivate de ordinul întâi
în raport cu variabilele spaţiale continue şi finite.
Cu trecerea timpului, starea sistemului în general se modifică, iar odată cu
aceasta se modifică şi funcţia de undă. În acest sens funcţia de undă poate fi
privită şi ea ca o funcţie de timp. Dacă ea este cunoscută într-un moment
iniţial oarecare, ea poate fi determinată principial şi în toate momentele
viitoare.
Majoritatea proceselor de măsurare din mecanica cuantică nu conduc la
acelaşi rezultat în condiţii experimentale identice. Fie o marime fizică
oarecare L, definită prin operatorul L
ˆ
. Rezultatele măsuratorilor sunt
reproductibile dacă împrăştierea statistică
*)
:

2 2
) ( )
ˆ
( L L L
 
÷ = A (VIII.2.13)
este zero, adică:

} }
} }
= = =
= = =
0
ˆ
)
ˆ
)(
ˆ
(
)
ˆ
( )
ˆ
( )
ˆ
( )
ˆ
(
2
* *
* 2 * 2
dV L dV L L
dV L L dV L L
+ A + A + A
+ A A + + A + A
(VIII.2.14)
Din relaţia (VIII.2.14) se obţine:


*)
Împrăştierea statistică (abaterea pătratică medie) a unei mărimii defineşte precizia
măsurătorii efectuate asupra mărimii.
211
0
2
÷ + AL
ˆ
sau + = + L L
ˆ
(VIII.2.15)
Relaţia (VIII.2.15) arată că se obţin rezultate reproductibile în cazul în care
funcţia de undă este funcţie proprie a operatorului L
ˆ
şi este satisfăcută pentru
anumite valori ÷ valori proprii ce pot fi:
1) un şir discret de valori L
1
, L
2
, ... L
n
, ... ce se numeşte spectru discret;
2) toate valorile cuprinse într-un anumit interval: b L a < < - se numeşte
spectru continu;
3) toate valorile cuprinse în intervale separate de forma:
1 1 1
b L a < < ,
, ... - se numeşte spectru de benzi separate.
2 2 2
b L a < <
n n n
b L a < <
Dacă unei valori proprii L
i
îi corespunde o singură funcţie proprie +
i
,
sistemul este nedegenerat. Dacă unei valori proprii L
i
îi corespund k funcţii
proprii +
i1
, +
i2
, ... +
ik
, sistemul este degenerat, k fiind gradul de degenerare.
Stările corespunzătore funcţiilor proprii sunt stări proprii ale sistemului în
raport cu măsurarea mărimii L. Din punct de vedere fizic starea proprie a
unui sistem fizic în raport cu măsurarea mărimii L, este acea stare ce rămâne
neperturbată după efectuarea măsurătorii.

VIII.2.4. Relaţii de comutativitate şi de necomutativitate
În mecanica cuantică mărimile fizice ce au aceleaşi funcţii proprii, se
numesc mărimi simultan măsurabile. Fie două mărimi reprezentate prin
operatorii L
ˆ
şi M
ˆ
, ale căror funcţii proprii +
n
sunt comune. Pentru cei doi
operatori conform relaţiei (VIII.1.15) se poate scrie:
(VIII.2.31)
¦
¹
¦
´
¦
=
=
n n
n n
M M
ˆ
L L
ˆ
+ +
+ +
Înmulţind la stânga prima ecuaţie cu M
ˆ
şi a două cu L
ˆ
şi scăzând apoi cele
două relaţii obţinute rezultă:
212
0 = ÷ L
ˆ
M
ˆ
M
ˆ
L
ˆ
(VIII.2.32)
adică cei doi operatori comută; deci:
Dacă operatorii ce reprezintă două mărimi fizice comută între ei mărimile
sunt simultan măsurabile, şi reciproc.
1) Coordonatele de poziţie şi de impuls ce nu corespund aceleiaşi
coordonate carteziene - ex: x şi p
y
. Fie + o funcţie de undă pentru care se pot
scrie relaţiile:

¦
¦
¹
¦
¦
´
¦
÷ = ÷ =
÷ =
|
|
.
|

\
|
÷ =
y
x i ) x (
y
i ) x ˆ ( p ˆ
y
x i
y
i x ) p ˆ ( x ˆ
y
y
c
+ c
+
c
c
+
c
+ c
c
+ c
+
 
 
(VIII.2.33)
Scazând relaţii (VIII.2.33) se obţine:
sau 0 = ÷ x ˆ p ˆ p ˆ x ˆ
y y
0 = ] p ˆ , x ˆ [
y
(VIII.2.34)
Analog se obţin relaţiile:
sau
¹
´
¦
= ÷
= ÷
0 ˆ ˆ ˆ ˆ
0 ˆ ˆ ˆ ˆ
z p p z
y p p y
x x
z z
¹
´
¦
=
=
0 ] ˆ , ˆ [
0 ] ˆ , ˆ [
x
z
p z
p y
(VIII.2.35)
2) Pătratul momentului cinetic total şi componentele acestuia sunt mărimi
simultan măsurabile deoarece sunt valabile relaţiile:
| | | | | | 0 0 0
2 2 2
= = =
z y x
M
ˆ
, M
ˆ
, M
ˆ
, M
ˆ
, M
ˆ
, M
ˆ
(VIII.2.36)
Între mărimile ce nu sunt simultan măsurabile în mecanica cuantică există
relaţii de necomutativitate.
Exmplu: Între mărimile în care intervine aceeaşi coordonată carteziană.
1) Coordonatele de poziţie şi de impuls ce corespund aceleiaşi coordonate
carteziene - ex: x şi p
x
.. Fie + o funcţie de undă pentru care se pot scrie
relaţiile:
213

¦
¦
¹
¦
¦
´
¦
÷ ÷ = ÷ =
÷ =
|
|
.
|

\
|
÷ =
x
x i i ) x (
x
i ) x ˆ ( p ˆ
x
x i
x
i x ) p ˆ ( x ˆ
x
x
c
+ c
+ +
c
c
+
c
+ c
c
+ c
+
  
 
(VIII.2.37)
Scăzând relaţiile (VIII.2.37) rezultă:
 i x ˆ p ˆ p ˆ x ˆ
x x
= ÷ sau  i ] p ˆ , x ˆ [
x
= (VIII.2.38)
Analog se obţin relaţiile:
sau
¹
´
¦
= ÷
= ÷


i z p p z
i y p p y
z z
y y
ˆ ˆ ˆ ˆ
ˆ ˆ ˆ ˆ
¹
´
¦
=
=


i p z
i p y
z
y
] ˆ , ˆ [
] ˆ , ˆ [
(VIII.2.39)
2) între componentele momentului cinetic definite de relaţiile (VIII.2.8):
| | | | | |
x z y y x z z y x
M
ˆ
i M
ˆ
, M
ˆ
, M
ˆ
i M
ˆ
, M
ˆ
, M
ˆ
i M
ˆ
, M
ˆ
   = = = (VIII.2.40)

VIII.2.5. Relaţiile de incertitudine
Relaţii de forma (VIII.2.39) sau (VIII.2.40) se pot scrie între oricare dintre
perechile de mărimi conjugate în sens Hamilton (coordonate de poziţie şi de
impuls ce corespund aceleiaşi coordonate carteziene, energie-timp, moment
cinetic-unghi de rotaţie etc.) se numesc relaţii de incertitudine şi exprimă
formularea matematică a principiului de incertitudine a lui Heisenberg.
Vom arăta că valoarea produsului abaterilor pătratice medii pentru mărimi
pentru care există relaţii de această formă are valoarea cea mai mică posibilă
egală cu . 4 /
2

Fie o particulă aflată într-o stare cuantică descrisă de funcţia de undă +.
Abaterile rezultatelor măsurătorilor efectuate, de exemplu pentru coordonata
şi impulsul după aceeaşi direcţie (de exemplu după Ox), de la valoarea medie
sunt:
x x x ÷ = A şi
x x x
p p p ÷ = A (VIII.2.41)
214
Semnificaţie pentru măsurători au abaterile pătratice medii adică:

2
2 2
x x ) x ( ÷ = A şi
2
2 2
x x x
p p ) p ( ÷ = A (VIII.2.42)
Vom presupune pentru simplificare că valorile medii ale coordonatei şi
impulsului sunt egale cu zero ( , dx Ψ x x 0
2
= =
}

}
= ÷ = 0 dx
dx

Ψ i p
*
x
 ).
0
2
> +
}

· ÷
dx
dx

Ψ x α (VIII.2.42)
sau
0
*
*
*
* 2 2
>
+ +
+
|
|
.
|

\
|
+
+ +
+
+ + + +
} } }

· ÷

· ÷

· ÷
dx
dx
d
dx
d
dx
dx
d
dx
d
x dx x o o (VIII.2.43)
unde o este o constantă reală arbitrară şi + este o funcţie pară.
În relaţiei (VIII.2.43) observăm că:

2
2
2 2
x) ( dx Ψ x dx Ψ Ψ x
*
A = =
} }

· ÷

· ÷
(VIII.2.44.a)
1
2
2
÷ = ÷ = =
|
|
.
|

\
|
+
} } }

· ÷

· ÷

· ÷
dx Ψ dx
dx
Ψ d
x dx
dx

Ψ
dx

Ψ x
*
*
(VIII.2.44.b)

2
2
2
2 2
2
1
ˆ
1
) p (Δ Ψdx p Ψ x d
x d
Ψ d
Ψ x d
dx

dx

x x
* *
*
 
= = ÷ =
} } }

· ÷

· ÷

· ÷
(VIII.2.44.c)
215
Din relaţiile (VIII.2.43) şi (VIII.2.45) se obţine:
0
1
2
2
2 2
> + ÷ ) p ( ) x (
x
A o A o

(VIII.2.45)
Relaţia (VIII.2.45) este îndeplinită dacă:
( ) ( ) 0
4
2 2
2
s · ÷
x
p x 1 A A

(VIII.2.46)
deoarece este un trinom pătratic în o.
Din relaţia (VIII.2.46) rezultă:
( ) ( )
4
2
2 2

> ·
x
p x A A (VIII.2.47)
Relaţia (VIII.2.47) arată că produsul abaterilor pătratice medii ale
coordonatei şi impulsului după aceaşi direcţie este cel puţin egal cu
4
2

şi
deci aceste mărimi nu pot fi simultan măsurabile.

VIII.2.6. Ecuaţia lui Schrödinger
Fie un sistem cuantic a cărui stare dinamică este descrisă de funcţia de
undă +. Dependenţa de timp şi de coordonate a acesteia este dată de ecuaţia
Schrödinger. Aceasta se postulează. Verificarea ecuaţiei se face prin
compararea rezultatelor obţinute la rezolvarea ei cu datele experimentale.
Ecuaţia trebuie să îndeplinească următoarele condiţii:
-să fie omogenă şi liniară pentru ca principiul suprapunerii stărilor să fie
satisfăcut;
-să conţină numai o derivată în raport cu timpul de ordinul unu, pentru ca
să fie satisfăcut principiul cauzalităţii;
-să aibă o astfel de formă încât atunci când discontinuităţile cuantice sunt
neglijabile să se obţină ca un caz limită mecanica clasică, pentru ca principiul
de corespondenţă să fie satisfăcut.
218
Operatorul energiei totale a fost postulat de Schrödinger, este de forma
t
i H
ˆ
c
c
 = , iar ecuaţia pe care o satisface funcţia de undă + este

t
i H
ˆ
c
+ c
+  = (VIII.2.48)
Aceasta este ecuaţia generală a lui Schrödinger.

VIII.2.6.1. Ecuaţia lui Schrödinger pentru stări staţionare
Prin stări staţionare în mecanica cuantică se înteleg stările în care energia
acestora este determinată. În acest caz hamiltonianul H şi energia potenţială
U nu depind explicit de timp adică 0 =
t
H
c
c
şi 0 =
t
U
c
c
. Astfel de sisteme se
numesc sisteme conservative.
Pentru o particulă de masă m
p
(în aproximaţia nerelativistă) operatorul H
ˆ

este dat de relaţia (VIII.2.10), iar ecuaţia Schrödinger (relaţia VIII.2.48) este
în acesta caz:

t
i ) z , y , x ( U
m
p
c
+ c
+ + 

= + V ÷
2
2
2
(VIII.2.49)
Ecuaţia (VIII.2.49) reprezintă ecuaţia Schrödinger temporală pentru stări
staţionare.
Deoarece energia potenţială nu depinde de timp se poate face separarea
variabilelor, adică:
) t ( f ) t , z , y , x ( ) t , z , y , x ( · =¢ + (VIII.2.50)
şi introducând această expresie în relaţia (VIII.2.49) se obţine:

) z , y , x (
U
m
) t ( f
t
f
i
p
¢
¢ ¢
c
c
+ V ÷
=
2
2
2


(VIII.2.51)
219
Notând cu E constanta de separare a variabilelor se obţin ecuaţiile:

¦
¦
¹
¦
¦
´
¦
= + V ÷
=
¢ ¢ ¢
c
c
E U
m
f E
t
f
i
2
2
2



) (VIII.2.53
) (VIII.2.52
Ecuaţia (VIII.2.53) se poate scrie sub forma:
¢ ¢ E H
ˆ
= (VIII.2.54)
unde E este energia particulei, şi este ecuaţia Schrödinger atemporală pentru
stările staţionare.
Ecuaţia (VIII.2.53) este o ecuaţie cu derivate parţiale de ordinul al II
lea
pentru
valorile proprii ale hamiltonianului, adică ale energiei, şi are următoarele
proprietăţi:
1) soluţia ecuaţiei este determinată până la un factor de fază constant
exp(io) arbitrar;
2) soluţia ecuaţiei este periodică:
) ( ) ( t ¢ ¢ ¢ ¢ 2 + =
3) ecuaţia nu admite soluţii pentru
. min
U E s , U
min.
este minimul absolut a
lui U;
4) pentru 0 < < E U
min
şi 0 = · ÷ ) r ( U

( r

este vectorul de poziţie al
microparticulei), ecuaţia descrie stări legate, ¢ este finită, 0 =
· ÷
¢
r
lim

, iar E
are valori discrete;
5) pentru
.
,
min
U E > 0 > E şi ( ) 0 = · ÷ r U

, ecuaţia descrie stări
nelegate; E are valori continue, iar ecuaţia Schrödinger nu are soluţii, în
general, pentru care integrala dV
2
}
¢ să fie convergentă, iar stările cu E
bine definite nu sunt stări proprii;
220
6) în punctele unde ,
0
C U e
2
C e + ;
7) în punctele unde U are discontinuităţi de speţa a I
a
,
1
C e ¢ ;
8) în punctele unde U are discontinuităţi de speţa a II
a
,
0
C e ¢ ;
9) în punctele unde U are un pol negativ de ordinul n, ¢ are un pol negativ
de ordinul ; 2 ÷ n
10) în regiunile unde +· = U , particula nu poate pătrunde, adică 0 = ¢ .
Trebuie observat că în mecanica cuantică în acele regiuni din spaţiu în care
U E < particula se poate afla cu toate că probabilitatea
2
¢ ca particula să se
afle într-o astfel de regiune tinde rapid către zero odată cu creşterea distanţei
spre interiorul regiunii, fiind însă diferită de zero pentru toate distanţele
finite. În aceasta constă deosebirea principială faţă de mecanica clasică, în
care particula în general nu poate pătrunde niciodată în regiunile în care
U E < (această problemă va fi tratată pe larg în paragraful . VIII.3.1.1 § )
Să presupunem că spectrul energetic este discret, adică este de forma E
1
,
E
2
, ... E
n
, iar ¢
1
, ¢
2
, ... ¢
n
sunt funcţiile propii corespunzătoare, soluţii ale
ecuaţiei (VIII.2.53). În acest caz soluţia ecuaţiei (VIII.2.52) este

|
.
|

\
|
÷ = t
E
i exp . const f
n

(VIII.2.55)
Soluţia generală a ecuaţiei temporale (VIII.2.49) dată de relaţia (VIII.2.50)
ţinând cont de relaţia (VIII.2.55) este de forma:

|
.
|

\
|
÷ = t
E
i exp ) z , y , x ( . const ) t , r (
n


¢ + (VIII.2.56)
Deci, în stările staţionare, funcţiile de undă depind periodic de timp,
dependenţa fiind dată de

n
n
E
= e ce reprezintă o generalizare a relaţiei de
Broglie.
221

VIII.2.7. Ecuaţia de continuitate în mecanica cuantică
Prin definiţie:
( + + + + V ÷ V =
* *
p
m
i
J
2


) (VIII.2.57)
este densitatea de curent de probabilitate.
Scriem ecuaţia (VIII.2.49) pentru + şi
*
+ :

¦
¦
¹
¦
¦
´
¦
+ + + V ÷ =
+
÷
+ + + V ÷ =
+
* *
p
*
p
U
m t
i
U
m t
i
2
2
2
2
2
2




c
c
c
c
(VIII.2.58)
Înmulţind la stânga prima relaţie cu
*
+ iar a doua relaţie cu +, şi apoi
scăzând cele două relaţii se obţine:
) (
m
i
) (
t
* *
p
*
+ V + ÷ + V + ÷ = + +
2 2
2

c
c
(VIII.2.59)
Ţinând cont de relaţia (VIII.2.57) relaţia (VIII.2.59) devine:
0 = V + J
t

c
µ c
(VIII.2.60)
unde este densitatea de probabilitate, şi reprezintă ecuaţia de
continuitate din mecanica cuantică.
*
+ + µ =
Relaţia (VIII.2.60) este analogă cu cea corespunzătoare densităţii de masă µ
m

şi densităţii de curent de masă
m
J

, sau cu cea corespunzătoare densităţii de
sarcină electrică µ
e
şi densităţii de curent electric
e
J

.
VIII.3. Mecanica cuantică a sistemelor unidimensionale
Fie o particulă de masa m
p
ce se deplasează de-a lungul axei Ox într-un
potenţial U(x,t). Ecuaţia Schrödinger este
222
) t , x ( ) t , x ( U
x m t
) t , x (
i
p
+
c
c
c
+ c
(
(
¸
(

¸

+ ÷ =
2
2 2
2

 (VIII.3.1)
În cazul stărilor staţionare ecuaţia atemporală Schrödinger corespunzătoare
este de forma:
) x ( E ) x ( ) x ( U
x d
d
m
p
¢ ¢ =
(
(
¸
(

¸

+ ÷
2
2 2
2

(VIII.3.2)

VIII.3.1. Particula liberă
VIII.3.1.1. Bariera de potenţial. Efectul tunel
Vom analiza mişcarea unei particule în câmpul reprezentat în fig. VIII.1.

Fig. VIII.1 Bariera de potneţial de formă oarecare

Considerând particula ca un sistem clasic energia totală a particulei este
(VIII.3.3) ) x ( U E E
cin
+ =
unde E
cin
este energia cinetică a particulei, iar U(x) energia potenţială.

A. Considerente clasice
Impulsul particulei este
)] x ( U E [ m ) x ( p
p
÷ ± = 2 (VI.3.4)
unde ± indică sensul de deplasare al particulei.
Se disting următoarele cazuri: a) , (U
0
este înălţimea maximă a
barierei) particula străbate nestingherită bariera; b) , particula nu
0
U E >
0
U E <
223
străbate bariera.
În cazul (b) să considerăm că 0 > p , adică particula se deplasează de la
stânga la dreapta. În punctul x
1
, (fig. VI.1), ) x ( U E
1
= şi . În acest
caz particula se opreşte şi se întoarece, nestrabătând bariera. Analog pentru
cazul
0
1
= ) x ( p
0 < p . Deci în ambele cazuri particula este ,, reflectată ” de barieră.

B. Cazul cuantic
Rezultatele sunt complet diferite dacă se analizează problema din punct de
vedere cuantic. Vom considera pentru început un caz mai simplu, şi anume
bariera de potenţial rectangular, fig. VIII.2, definită astfel:

¹
´
¦
s s
> <
=
L x U
L x ; x
) x ( U
0
0 0
0
(VIII.3.5)
Fie o particulă de masă m
p
având energia
0
U E < . Pentru cele trei regiuni
ecuaţia Schrödinger, relaţia (VIII.3.2), este de forma :

¦
¦
¦
¦
¹
¦
¦
¦
¦
´
¦
= +
= ÷
= +
0
0
0
2
2
2
2
2
2
2
2
2
III
III
II
II
I
I
k
x d
d
x d
d
k
x d
d
¢
¢
¢ o
¢
¢
¢
(VIII.3.6)
Fig. VIII.2 unde: E
m
k
p
2
2
2

= , iar ) E U (
m
p
÷ =
0
2
2
2

o .
Soluţiile ecuaţiilor (VIII.3.6) sunt de forma:
(VIII.3.7)
¦
¹
¦
´
¦
÷ + =
÷ + =
÷ + =
) ikx exp( G ) ikx ( exp F
) x exp( D ) x ( exp C
) ikx exp( B ) ikx ( exp A
III
II
I
¢
o o ¢
¢
Condiţiile de continuitate pentru funcţia de undă şi derivatele de ordinul I
224
sunt

¹
´
¦
=
=
) L ( ) L (
) ( ) (
III II
II I
¢ ¢
¢ ¢ 0 0

¹
´
¦
' = '
' = '
) L ( ) L (
) ( ) (
III II
II I
¢ ¢
¢ ¢ 0 0
(VIII.3.8)
Aceste condiţii conduc la următorul sistem de ecuaţii:

| | |
¦
¦
¹
¦
¦
´
¦
÷ ÷ = ÷ ÷
÷ = ÷
÷ ÷ = ÷ +
|
+ = +
) L ik ( exp G ) L ik ( exp F k i ) L exp( D ) L ( exp C
) D C ( ) B A ( k i
) L ik ( exp G ) L ik ( exp F ) L exp( D ) L ( exp C
D C B A
o o o
o
o o
(VIII.3.9)
Sistemul (VIII.3.9) este un sistem de 4 ecuaţii cu 6 necunoscute şi este
nedeterminat.
Presupunem că 0 = G , adică considerăm că în regiunea III se ia în
considerare numai unda directă, presupunere echivalentă cu aceea că
particula provine dintr-o sursă aflată în regiunea I. Împărţind prin A sistemul
de ecuaţii (VIII.3.9) se ajunge la un sistem de 4 ecuaţii cu 4 necunoscute:
A
D
,
A
C
,
A
B
şi
A
F
ce reprezintă amplitudinele relative. Acestea au o semnificaţie
fizică importantă şi pentru a o determina vom calcula densitatea de curent de
probabilitate în regiunile I şi III.
În conformitate cu relaţia (VIII.2.57) se obţine:
|
2 2
B A
m
k
J
p
I
÷ =

| (VIII.3.10)
şi

2
F
m
k
J
p
III

= (VIII.3.11)
În relaţiile (VIII.3.10) şi (VIII.3.11) densităţile de probabilitate:

2 2 2
F
m
k
J , B
m
k
J , A
m
k
J
p
t
p
r
p
i
  
= = = (VIII.3.12)
reprezintă fluxul incident, reflectat şi respectiv transmis.
225
Prin definiţie:

2
2
A
B
J
J
R
i
r
= = (VIII.3.13)
reprezintă coeficientul de reflexie, iar

2
2
A
F
J
J
T
i
t
= = (VIII.3.14)
reprezintă coeficientul de transmisie (de pătrundere) al barierei.
Conservarea numărului de particule ce cad (lovesc) pe barieră impune:

t r i
J J J + = (VIII.3.15)
şi ţinând cont de relaţiile (VIII.3.13) şi (VIII.3.14) se obţine:
1 = +T R (VIII.3.16)
Rezolvând sistemul (VIII.3.9) cu necunoscutele :
A
D
,
A
C
,
A
B
şi
A
F
, şi ţinând cont
de relaţia (VIII.3.14) se obţine pentru coeficientul de transmisie expresia

|
.
|

\
|
÷ ÷ = ) E U ( m
L
exp T T
p 0 0
2
2

(VIII.3.17)
unde
2 2 2
2 2
0
16
) k (
k
T
+
=
o
o
.
Coeficientul T, diferit de zero în general, caracterizează trecerea
microparticulei prin bariera de potenţial de dimensiuni microscopice în
contradicţie cu mecanica clasică, iar efectul se numeşte efect tunel.
Rezultatele obţinute pot fi generalizate pentru o barieră de potenţial de
formă arbitrară. Să considerăm bariera din fig. VIII.1, pe care o împărţim în
bariere elementare de diferite înălţimi şi de lărgimi Ax
i
. Coeficientul de
transmisie pentru bariera i va fi conform cu relaţia (VIII.3.17):
| |
)
`
¹
¹
´
¦
A ÷ ÷ =
i i p i i
x E ) x ( U m exp T T 2
2
0

(VIII.3.18)
226
Coeficientul de transmisie pentru toată bariera se obţine înmulţind
coeficienţii de transmisie elementari şi apoi trecând la limită. Rezultatul se
poate exprimă printr-o relaţie de forma:
( ) | |
¦
)
¦
`
¹
¦
¹
¦
´
¦
÷ ÷ ' =
}
2
1
2
2
0
x
x
p
dx E ) x ( U m exp T T

(VIII.3.19)
şi reprezintă coeficientul de transmisie pentru o bariera de potenţial de formă
arbitrară.
Criteriul de observabilitate a efectului este

e
T
T
0
> (VIII.3.20)
unde . 71 2, e =
Din relaţiile (VIII.3.17) şi (VIII.3.20) se obţine:
1 2
2
0
> ÷ ) E U ( m
L
p

(VIII.3.21)
Relaţia (VIII.3.21), pentru microparticule, este satisfacută pentru valori ale
lui şi E de ordinul eV şi pentru lărgimi de bariera de aproximativ .
0
U
0
60 A
Efectul tunel nu poate fi explicat în cadrul fizicii clasice. Din punct de vedere
clasic ar trebui să admitem că particula s-a găsit în interiorul barierei, timp în
care impulsul a fost imaginar, ceea ce evident nu este posibil. Însăşi prezenţa
constantei în formula coeficientului de transmisie pune în evidenţă
caracterul cuantic al efectului. În condiţiile în care  este neglijabil

0 ~ T şi
se obţine rezultatul din mecanica clasică.
Relaţia (VIII.3.3) exprimă energia totală a particulei, este o expresie clasică
şi arată posibilitatea măsurării simultane a energiei cinetice şi potenţiale. În
mecanica cuantică aceste mărimi nu sunt simultan măsurabile.
Să admitem că particula se găseşte în interiorul barierei de potenţial şi are
energia . Această afirmaţie este legată de măsurarea coordonatei de
0
U E <
227
poziţie cu o precizie suficientă, adică:
L ) x ( <
2
A (VIII.3.22)
Nedeterminarea la măsurarea impulsului se obţine din relaţia (VIII.2.48) şi
este

2
2
2
4 ) x (
) p (
x
A
A
·
>

(VIII.3.23)
Pentru ca efectul tunel să fie observabil, trebuie să fie satisfacută relaţia
(VIII.3.20), şi ţinând cont de relaţiile (VIII.3.21) ÷ (VIII.3.23) se obţine:
( E U
m
) p (
p
x
÷ >
0
2
2
A
) (VIII.3.24)
Relaţia (VIII.3.24) arată că nedeterminarea ce apare în privinţa măsurării
energiei cinetice pentru particula aflată în interiorul barierei este mai mare
decât diferenţa , adică mai mare decât însăşi energia cinetică. Deci,
energia cinetică şi potenţială în mecanica cuantică nu pot fi măsurate
simultan.
E U ÷
0

VIII.3.2. Particula legată
VIII.3.2.1. Particula în groapa de potenţial
În numeroase cazuri practice aproximaţia unei particule ce se află într-o
groapă de potenţial îşi găseşte aplicaţii. Dintre acestea menţionăm: electronii
în metal, particulele alfa din nucleu etc.
Fie o particulă, ce se găseşte într-o groapă de
potenţial de lărgime L cu pereţi infiniţi, fig. VIII.3,
de forma:

¹
´
¦
s s
> < ·
=
L x
L x ; x
) x ( U
0 0
0
(VIII.3.25)
228
Fig.VIII.3 Deoarece pentru 0 < x şi L x > , · = ) x ( U , conform
proprietăţii (10) a ecuaţiei Schrödinger, 0 = =
III I
¢ ¢ , 0
2 2
= =
III I
¢ ¢ şi
deci particula nu poate părăsi groapa de potenţial. În regiunea II ecuaţia
Schrödinger este de forma:
0
2
2 2
2
= +
II
p
II
E
m
x d
d
¢
¢

(VIII.3.26)
Notăm:

2
2
2
k E
m
p
=

(VIII.3.27)
iar ecuaţia (VIII.3.26), devine:
0
2
2
2
= +
II
II
k
x d
d
¢
¢
(VIII.3.28)
Ecuaţia (VIII.3.28) are soluţia generală de forma:
kx cos B kx sin A
II
+ = ¢ (VIII.3.29)
Condiţiile de continuitate pentru funcţiile de undă sunt:

¹
´
¦
=
=
) L ( ) L (
) ( ) (
III II
II I
¢ ¢
¢ ¢ 0 0
(VIII.3.30)
Din aceste condiţii ţinând cont că 0 = =
III I
¢ ¢ se obţine:
0 = B şi ( ) 0 = L k sin A (VIII.3.31)
Relaţia a II-a din (VIII.3.31) este satisfăcută dacă:

L
n
k
t
= (VIII.3.32)
unde , şi introducând în relaţia (VIII.3.27) se obţine pentru
energie
 , , , n 3 2 1 =

2
2 2
2
2 2
2 2 L m
n
m
k
E
p p
n
t  
= = (VIII.3.33)
229
şi deci energia este cuantificată.
Se observă că pentru valori mari ale lărgimii gropii de potenţial nivelele
energetice sunt foarte apropiate. Pentru valori mici ale lărgimii gropii de
potenţial de ordinul
0
A, nivelele energetice sunt separate apreciabil.
Funcţiile de undă date de relaţia (VIII.3.29) sunt de forma:

|
.
|

\
|
= x
L
n
sin A
n
t
¢ (VIII.3.34)
Din condiţia de normare:
1
0
2
=
}
L
n
dx ¢ (VIII.3.35)
unde ¢
n
este dat de relaţia (VIII.3.34) se obţine:

L
A
2
= (VIII.3.36)
iar relaţia (VIII.3.34) devine:

¦
¹
¦
´
¦
s s
|
.
|

\
|
=
rest în ,
L x , x
L
n
sin
L
n
0
0
2 t
+ (VIII.3.37)
relaţia care descrie unde staţionare.
Lungimile de undă corespunzătoare diferitelor moduri de oscilaţie, sunt

n
L
n
2
= ì (VIII.3.38)
Funcţiile de undă ¢
n
permit să se determine
probabilitatea de localizare a particulei în
groapa de potenţial dată de:

2
2 2
|
.
|

\
|
= x
L
n
sin
L
n
t
¢ (VIII.3.39)
care este reprezentată grafic în fig. VIII.4.
230
Fig. VIII.4 Se observă că pe măsură ce n creşte maximele
lui
2
n
¢ se apropie, astfel încât pentru · ÷ n , adică pentru energii mari ale
particulei, aceasta se poate afla în orice punct în groapa de potenţial
obţinându-se repartiţia pentru particula macroscopică.

VIII.3.3. Aplicaţii
Efectul tunel este important în explicarea unor fenomene cum ar fi: emisia
autoelectronică, radioactivitatea alfa, efectul Josephson etc.

VIII.3.3.1. Emisia autoelectronică
Emisia autoelectronică este emisia de electroni din metale sub acţiunea
câmpurilor electrice exterioare la temperaturi oricât de joase. Apare când pe
un metal se aplică un câmp electric foarte puternic de (10
8
÷10
10
)

V/m.
Deoarece fenomenul poate fi observat la orice temperatură se mai numeşte şi
emisie la rece; curentul electric astfel obţinut se numeşte curent
autoelectronic.
Fenomenul se explică admiţând că pentru electroni metalul poate fi
considerat ca o groapă de potenţial cu pereţi finiţi, care sub acţiunea câmpului
electric se transformă într-o barieră de potenţial cu atât mai puţin înaltă cu cât
câmpul electric este mai intens, iar electronii ies din metal prin efect tunel.
Forţa ce acţionează asupra electronului, fig. VIII.5, este formată din forţa
electrică şi forţa imagine:
2
4 x
e
E e F
c t
÷ ÷ =
2
0

unde: e = sarcina electronului; c
0
=
permitivitatea vidului; E = intensitatea
231
câmpului electric; iar x = distanţa dintre sarcina electronului şi sarcina
imagine.
Energia potenţială, este

x
e
x e U ) x ( U
0
2
0
4
E
c t
÷ ÷ = (VIII.3.41)
unde U
0
este energia potenţială în absenţa
Fig. VIII.5 câmpului electric.
Variaţia energie potenţiale este cea din fig. VIII.5. Se observă că ( ) x U
prezintă un maxim. Acesta se obţine din condiţia:
0
0
=
|
|
.
|

\
|
=x x
x
U
c
c
(VIII.3.42)
şi este

E
e
x
0
0
2
1
c t
= (VIII.3.43)
Introducând pe x
0
în relaţia (VIII.3.41) se obţine:

0
3
0 0
c t
E e
U ) x ( U U
max
÷ = = (VIII.3.44)
Deci, în prezenţa câmpului electric înălţimea peretelui gropii de potenţial a
coborât cu
0
3
c t
E e
.

A. Tratarea clasică
Electronii din metal care au energia
max
U E < sunt opriţi de barieră, iar cei
cu pot să părăsească metalul. În prezenţa câmpului electric lucrul
mecanic de extracţie pentru electroni scade, şi devine:
max
U E >
232

0
3
0
E
c t
e
W W ÷ = (VIII.3.45)
unde W
0
este lucrul de extracţie în absenţa câmpului electric.
Valoarea minimă a câmpului electric aplicat se obţine pentru 0 = W . În acest
caz intensitatea câmpului electric aplicat este

3
0
2
0
min
e
W
E
c t
= (VIII.3.46)
Pentru wolfram se obţine . Experimental apar curenţi intenşi
chiar pentru şi deci efectul nu poate fi explicat clasic.
m / V E
10
10 2· ~
m / V E
8
10 2· ~

B. Tratarea cuantică
Într-o primă aproximaţie putem neglija forţa imagine; ţinând seama de
aceasta se obţine un rezultat mai precis, dar
calculele sunt mai complicate. Variaţia energiei
potenţiale ( ) x U
x eE
în acest caz este de forma
U ) x ( U
0
÷ = , unde înălţimea barierii de
potenţial (fig. VIII.6).
0
U
Vom considera că electronul are energia
0
U E < ,
Fig. VIII.6 iar probabilitatea ca electronul să iasă din metalul
este dată de transparenţa barierii de potenţial (relaţia VIII.3.19). Luând
, şi deoarece pen 0
1
= x tru
2
x x = , E x = E e U ) x ( U ÷ =
2
, se obţine
folosind relaţia (VII
0 2
I.3.19):

|
.
|

\
|
÷ =
(
(
¸
(

¸

÷
÷ =
E E 3
2 4
2
3
0
0
o
exp . const
e
) E U ( m
exp T T
e

(VIII.3.47)
unde
e
) E U ( m
e
 3
2 4
2
3
0
÷
= o .
233
Dependenţa de forma celei date de relaţia (VIII.3.47) a fost găsită
experimental pentru curentul autoelectronic.

VIII.3.2.1.2. Radioactivitatea alfa
Particulele alfa existente în nucleele grele se comportă ca într-o groapă de
potenţial cu pereţi înclinaţi. Probabilitatea ca particulele alfa să părăsească
nucleul se poate evalua folosind rezultatele obţinute la efectul tunel.

VIII.3.3.2. Efectul Josephson
Efectul Josephson constă în apariţia unui curent electric într-un material
supraconductor separat în două regiuni de un strat izolator foarte subţire.
Efectul se datoreşte trecerii perechilor de electroni supraconductori (perechi
Cooper) dintr-o regiune în alta prin efect tunel.

VIII.4. Mişcarea în câmp central
Mişcarea unei particule în câmp de forţe centrale se referă la mişcarea
electronului în jurul nucleului, şi explică toate inconsistentele teoriei lui Bohr.
Matematic mişcarea în câmp central reprezintă o generalizare a mişcarii
planetelor în jurul Soarelui ce se face în conformitate cu legile mecanicii
clasice (problema lui Kepler). Mişcarea în câmp central poate fi folosită la
studiul oricărui proces de interacţie dintre două particule încărcate având
sarcini de acelaşi semn sau de semn contrar.
Ecuaţia atemporală Schrödinger pentru stări staţionare referitoare la
mişcarea în câmp central de forţe este de forma
| | 0
2
2
2
= ÷ + V ¢ ¢ ) r ( U E
m
p

(VIII.4.1)
234
unde: = energia potenţiala a particulei; r – distanţa dintre centrul de
forţe şi particulă.
( ) r U
Ţinând cont de simetria lui ( ) r U rezolvarea ecuaţiei (VIII.4.1) se va face în
acest caz în coordonate sferice r, 0 şi ¢.
Se arată că funcţia de undă ¢ a electronului ce descrie starea electronului
în atom este caracterizată de patru numere cuantice:
n ÷ numărul cuantic principal, determină energia electronului, şi ia valorile
1,2,3, ….;
l – numărul cuantic orbital; determină valorile proprii ale pătratului
momentului cinetic,
2
M , şi ia valorile 0,1,2, …, n-1;
m – numărul cuantic magnetic; determină valorile proprii ale lui
z
M ,
proiecţia momentului cinetic pe axa
z
O , şi ia valorile l ± ± ± , , 2 , 1 , 0  ;
m
s
– numărul cuantic magnetic de spin, determină valorile proprii ale lui
s
z
, a proiecţie spinului pe axa
z
O , şi ia valorile
2
1
± (adică două valori).
Spinul se datoreşte faptului că electronul are un moment cinetic propiu
numit moment cinetic de spin, de mărime
2
s şi de componente
x
s , şi
y
s
z
s .
Spinul este o proprietate fundamentală nu numai a electronului dar şi a
multor altor particule elementare. În afara particulelor cu spin semiîntreg
există şi particule cu spin întreg, de exemplu fotonul al cărui spin este 1. În
cazul sistemelor formate din mai multe particule spinul rezultant poate fi
întreg sau semiîntreg.

235
VIII.5. Sisteme de particule identice
Particulele identice, de exemplu electronii, sunt particulele ce au aceleaşi
proprietăţi fizice: masă, sarcină şi spin şi care îşi pierd "individualitatea" în
mecanica cuantică.
În mecanica cuantică după cum sa arătat conform principiului de
nedeterminare noţiunea de traiectorie îşi pierde sensul. Deci, nu există în
principiu posibilitatea de a urmări individual fiecare particulă identică.
Identitatea particulelor în mecanica cuantică după proprietăţile lor fizice are
un sens profund, ea duce la identitatea completă a lor, la indiscernabilitate
acestora.

VIII.5.1. Funcţii de undă simetrice şi antisimetrice
236
)
Vom considera pentru început un sistem de două particule identice.
Datorită identităţii acestora prin permutarea lor stările sistemului ce se obţin
trebui să fie echivalente fizic. Din punct de vedere al funcţiei de undă + ce
descrie starea sistemului aceasta poate varia numai cu un factor de fază
( o i exp , unde o este o constantă reală.
Fie +(q
1
, q
2
) funcţia de undă ce descrie sistemul unde q
1
şi q
2
reprezintă
ansamblul coordonatelor de poziţie şi a proiecţiei spinului pentru fiecare din
particule. După o permutare funcţia de undă a sistemului este
( ) ( ) ) i ( exp q , q q , q o + +
2 1
1
2 1
= (VIII.5.1)
iar după o nouă permutare funcţia de undă a sistemului este
( ) ( ) ) i ( exp q , q q , q o + + 2
2 1
2
2 1
= (VIII.5.2)
iar sistemul ajunge din nou în starea iniţiala, deci:
( ) ( )
2 1
2
2 1
q , q q , q + + = (VIII.5.3)
de unde:
( ) 1 2 = o i exp sau ( ) 1 2 ± = o i exp (VIII.5.4)
şi deci există două posibilităţi:
1) pentru semnului (+) funcţia de undă nu se schimbă prin permutarea
particulelor, este o funcţie de undă simetrică;
2) pentru semnului (÷) funcţia de undă se schimbă prin permutarea
particulelor, este o funcţie de undă antisimetrică .
Dacă două particule dintr-un sistem de particule identice sunt descrise de
exemplu prin funcţii simetrice, atunci acest lucru este valabil pentru oricare
altă pereche de particule din sistem întrucât sistemul este format din particule
identice. Deci:
Într-un sistem de particule identice când se permută două particule funcţia
de undă a sistemului ori nu-şi schimbă semnul ÷ este o funcţie de undă
simetrică, ori îşi schimbă semnul ÷ este o funcţie de undă antisimetrică.
Particulele descrise de funcţii de undă simetrice se numesc bosoni (fotoni,
fononi etc.), au spinul zero sau întreg şi se supun statistici Bose-Einstein.
Cele descrise de funcţii de undă antisimetrice se numesc fermioni (electroni
etc.), au spinul semiîntreg şi se supun statistici Fermi-Dirac.

VIII.5.2. Funcţia de undă totală a unui sistem cuantic
Fie un sistem cuantic alcătuit din N particule identice a căror interacţie o
putem neglija, şi fie +(q
1
), +(q
2
), ... , +(q
N
) funcţiile de undă
corespunzătoare diferitelor stări staţionare în care se poate afla fiecare
particulă separat, iar f
1
, f
2
, ... , f
N
sunt stările cuantice posibile. Vom determina
forma funcţie de undă totală +(q
1
,q
2
,…,q
N
) a sistemului ca întreg formată din
toate funcţiile +(q
1
), +(q
2
), ... , +(q
N
).
Pentru un sistem de bosoni funcţia de undă totală +(q
1
, q
2
, ... , q
N
) se
exprimă prin suma unor produse de tipul:
) ( ... ) ( ) (
2 1
2 1
N f f f
q q q
N
+ + + (VIII.5.5)
237
cu toate permutările posibile ale indicilor f
1
, f
2
, ... , f
N
; deci ea este de forma:

¿
=
N
N
f f f
N f f f N
q q q q q q
,..., ,
2 1 2 1
2 1
2 1
) ( ... ) ( ) ( ) , ... , , ( + + + + (VIII.5.6)
este o funcţie de undă simetrică.
Pentru un sistem de fermioni funcţia de undă totală ) , ... , , (
2 1 N
q q q + poate fi
exprimată printr-un determinant de forma:
( )
) ( ) ( ) (
) ( ) ( ) (
) ( ... ) ( ) (
!
1
,..., ,
2 1
2 1
2 1
2 1
2 2 2
1 1 1
N f f f
N f f f
N f f f
N
q q q
q q q
q q q
N
q q q
N N N
+ + +
+ + +
+ + +
+



= (VIII.5.7)
numit determinant Slater; factorul
!
1
N
apare din condiţia de normare.
Permutarea a două particule corespunde permutării a două coloane ale
determinantului şi are ca rezultat schimbarea semnului acestuia, deci şi a
semnului funcţiei de undă totale. În concluzie o funcţie de undă ce se exprimă
printr-o relaţie de forma (VIII.5.7) este o funcţie de undă antisimetrică.

VIII.5.3. Principiul identităţii microparticulelor
Pentru un anumit sistem de particule identice funcţiile de undă prezintă
aceeaşi simetrie. Dacă acesta nu s-ar realiza atunci starea sistemului formată
dintr-o suprapunere de funcţii de undă simetrice şi antisimetrice nu ar fi nici
simetrică nici antisimetrică ceea ce după cum am văzut nu este posibil (vezi §
VIII.5.1). Deci, se poate afirma:
Pentru un sistem cuantic de particule identice sunt realizabile acele stari
ce sunt descrise fie de funcţii de undă simetrice, fie antisimetrice.
238
Acesta este principiul identităţii microparticulelor care se formulează astfel:
În sisteme de particule cuantice identice se realizează acele stari ale căror
densităţi de probabilitate nu se schimbă prin permutarea a două particule.

VIII.5.4. Principiul de excluziune Pauli
Dacă în relaţia (VIII.5.7) două linii ale determinantului sunt identice, adicǎ
două particule ale sistemului cuantic se găsesc în aceaşi stare cuantică,
valoarea determinantului este nulă, 0 ÷ + , iar odată cu aceasta şi 0
2
÷ + ,
adică probabilitatea de realizare a stării este zero. Deci:
Într-un sistem de fermioni identici în aceaşi stare nu se pot afla simultan
două (sau mai multe) particule.
Aceasta este formularea cuantică a principiului lui Pauli.
Fermionii pot ocupa nivelele energetice respectând principiul de
excluziune Pauli, iar bosonii ocupă nivelele energetice fără să respecte acest
principiu.

VIII.5.5. Tabelul periodic al elementelor
Principiul lui Pauli stǎ la baza stabilirii configuraţiei învelişului electronic
al atomilor. Starea cuanticǎ a unui electron este determinatǎ de numerele
cuantice n, l, m, m
s
iar nivelele energetice se ocupǎ cu electroni conform
principiul lui Pauli.
După valorile pe care le poate lua n stările electronilor în atom se notează
cu 1, 2, 3, ... , iar după valorile pe care le ia l stările se noteză conform
convenţiei din tabelul 1. Astfel, starea cu 1 = n şi 0 = l se notează 1s; starea
cu şi 2 = n 0 = l se notează cu 2s etc.

239
Tabelul 1
l 0 1 2 3 4 5 ...
starea s p d f g h ...

Gradul de degenerare a unei stări definită de numărul cuantic l este
) 1 2 ( 2 + l deoarece numărul cuantic m poate lua 1 2 + l valori, iar 2 apare luând
în considerare şi spinul electronului.
Numărul total de electroni ce au acelaşi număr cuantic n, au aceaşi energie şi
se găsesc pe acelaşi nivel energetic (pătură sau orbită), este dat de relaţia:
(VIII.5.8)
2
1
0
2 ) 1 2 ( 2 n l N
n
l
= + =
¿
÷
=
iar nivele energetice se notează ca în tabelul 2.

Tabelul 2
n 1 2 3 4 5 6 ...
denumirea nivelului
energetic
K L M N O P ...
numărul de electroni 2 8 18 32 50 72 ...

Astfel, numărul de electroni ce corespunde stării s este de 2 electroni, stării p
este de 6 electroni, stării d este de 10 electroni etc.
În tabelul 3 sunt prezentate valorile numerelor cuantice ale electronilor situaţi
pe nivelele energetice K şi L.
Nivelele energetice se populează astfel încât energia sistemului să fie
minimă. Din această cauză aşa cum rezultă din examinarea sistemului
periodic al elementelor, popularea nivelele energetice se face lăsând libere
unele nivele interne la elementele de tranziţie.

Tabelul 3
Numărul
240
Nivelul
energetic
n l m m
s
total de electroni
1 0 0 +1/2 2 K
1 0 0 -1/2
2 0 0 +1/2
2 0 0 -1/2
2 1 -1 +1/2
2 1 -1 -1/2
2 1 0 +1/2
2 1 0 -1/2
2 1 +1 +1/2



L
2 1 +1 -1/2



8

Exemplu: Întrucât nivelul 3d are energia mai mare decât nivelul 4s se
completeză întâi nivelul 4s şi apoi nivelul 3d. Astfel elementele potasiu (K)
cu Z
*)
= 19 şi calciu (Ca) cu 20 = Z au configuraţia electronică
1s
2
2s
2
p
6
3s
2
p
6
4s
1
şi respectiv 1s
2
2s
2
p
6
3s
2
p
6
4s
2
, iar la scandiu (Sc) cu 21 = Z
începe să fie completat şi nivelul 3d, configuraţia electronică fiind:
1s
2
2s
2
p
6
3s
2
p
6
d
1
4s
2
.
Elementele ce au ultima pătură (s sau p) complet ocupată de electroni, 2
electroni la He, sau 8 electroni la celălalte gaze inerte, sunt stabile din punct
de vedere chimic.
În tabelul 4 este prezentată configuraţia nivelelor eneretice pentru primele
10 elemente chimice (un tabel complet este prezentat în Şt. Muscalu, Fizica
atomică, Ed. Didactică şi Pedagogică, Bucureşti, 1980).



*)
Z este numărul atomic, numărul de ordine al unei element din sistemul periodic al elementelor, egal cu
numărul de electroni din atom şi cu cel de protoni din nucleu.
241
242
Tabelul 4
Notarea stăriilor 1s 2s 2p 3s 3p 3d 4s 4p 4d 4f
Numărul maxim
de electroni

2

2 6

2 6 10

2 6 10 14
Z Elementul
1
2
H
He
1
2

3
4
5
6
7
8
9
10
Li
Be
B
C
N
O
F
Ne
2
2
2
2
2
2
2
2
1
2
2 1
2 2
2 3
2 4
2 5
2 6










Între valenţă şi numărul de electroni de pe ultimul nivel energetic este o
strânsă legătură. Valenţa este egală cu numărul de electroni sau cu 8 minus
acest număr. Excepţie fac metalele de tranziţie unde la comportarea chimică
participă şi electronii de pe ultima pătură d.

VIII.5.6. Statistici cuantice
Fizica statistică studiază proprietăţile fizice ale sistemelor macroscopice
pornind de la datele teoretice şi experimentale privind particulele care
compun aceste sisteme. Fizica statistică ţine seama de faptul că sistemele sunt
compuse dintr-un număr foarte mare de particule-atomi, ioni, molecule etc.
Alegerea componenţilor elementari ai unui sistem depinde de condiţiile
macroscopice în care se afla sistemul respectiv şi de scopul urmărit.
Fizica statistică poate fi tratata clasic sau cuantic. Între statistice clasice şi
cele cuantice există deosebiri principiale deoarece mecanica cuantică este ea
însăşi o teorie statistică. În descrierea unui sistem cuantic format din N
particule considerate ca indiscernabile (la scara atomică) teoria statistică
folosită se suprapune peste statistica proprie microparticulelor care exprimă
caracterul cuantic al mişcării lor. Deci teoria statisticilor cuantice este o teorie
"de doua ori" statistică.

VII.5.6.1. Particularităţile statisticilor cuantice
1) Elementul de volum din spaţiul fazelor:

N N
dp dp dp dq dq dq d  
2 1 2 1
· · · = O (VIII.5.9)
în fizica statistică clasică poate fi făcut oricât de mic.
În cazul unui sistem cuantic volumului elementar din spaţiul fazelor are o
valoare care nu poate fi făcută oricât de mică. Dacă f este numărul gradelor
de libertate al sistemului volumul elementar din spaţiul fazelor, ţinând cont de
relaţia lui Heisenberg (VIII.2.47) şi de relaţia (VIII.5.9), este de ordinul h
fN
,
deci este finit.
2) Sistemelor cuantice le sunt proprii spectre discrete pentru valorile
energiei, iar probabilitatea de realizare a unei stări cuantice va avea un
caracter discret şi va reprezenta probabilitatea finită de localizare a
microparticulelor într-o celulă din spaţiul fazelor.
3) Din principiul identităţii microparticulelor au rezultă două tipuri de
particule identice - fermioni şi bosoni, ce le corespund două tipuri de statistici
cuantice: a) pentru fermioni - statistica Fermi-Dirac; b) pentru bosoni -
statistica Bose-Einstein.

VIII.5.6.1. Statistica Fermi-Dirac
Pentru fermioni, conform principiului de excluziune Pauli în fiecare stare
cuantică se poate găsi cel mult un fermion. Numărul mediu de particule este
243

1 exp
1
+
|
|
.
|

\
| ÷
=
T k
E
N
B
FD
µ
(VIII.5.10)
relaţie ce reprezintă statistica Fermi-Dirac, unde μ este potenţialul chimic
*)
.
Numărul total de particule este dat de relaţia:

¿
=
FD i
N k N (VII.5.11)
unde k
i
reprezintă gradul de degenerare al nivelului energetic E
i
.
La temperatura K T 0 = repartiţia fermionilor pe nivelele energetice este:
a) nivelele pentru care µ < E sunt ocupate deoarece 1 =
FD
N ; b) nivelele
pentru care µ > E sunt libere deoarece 0 =
FD
N . Nivelul de energie care
separă la K T 0 = nivelele ocupate de cele libere se numeşte nivel Fermi sau
energia Fermi, şi reprezintă energia maximă la K T 0 = :

F
K T
E = =
=
0
0
µ µ (VIII.5.12)
La temperaturi nu prea mari, relaţia (VIII.5.10) devine:

1
1
+
|
|
.
|

\
| ÷
=
T k
E E
exp
N
B
F
FD
(VIII.5.13)
Electronii se repartizeză pe nivelele energetice astfel încât energia totală a
sistemului să fie minimă. Ei vor ocupa stările începând cu energia minimă,
0 = E , până la energia maximă, E
F
, deoarece conform cu principiul lui Pauli,
pe un nivel energetic se pot afla cel mult doi electroni. Deci, la K T 0 =
electronii nu vor avea toţi energia egală cu zero aşa cum rezultă din teorema
echipartiţiei energie din fizica clasică.


*)

j
a , S
j
j
N
E
|
|
.
|

\
|
c
c
= µ , ( )
244
j j
N , a , S E E = este energia sistemului; a
j
– parametrii de poziţie (parametrii
externi:volum, intensitate câmp electric etc.); N
j
– numărul de particule de specia j.
Dacă atunci
F
E E =
2
1
= ) E ( N
FD
pentru orice temperatură.

VIII.5.6.2. Statistica Bose-Einstein
Pentru bosoni nu există restricţii cu privire la numărul de particule ce se
pot găsi pe un nivel energetic. Numărul mediu de particule este

1
1
÷
|
|
.
|

\
| ÷
=
T k
E
exp
N
B
i
BE
µ
(VIII.5.14)
relaţie ce reprezintă legea de distribuţie Bose-Einstein.
Numărul total de particule este dat de relaţia:

¿
=
BE i
N k N

VIII.5.6.3. Limita comună a ststisticilor cuantice
Cele două tipuri de statistici cuantice conţin ca un caz limită statistica
clasică. Dacă condiţiile fizice sunt de aşa natură încât:
1 >>
|
|
.
|

\
|
÷
T k
exp
B
µ
(VII.5.15)
ambele statisticii, relaţiile (VII.5.10) şi (VII.5.14), conduc la un număr mediu
de particule:

|
|
.
|

\
|
÷ =
|
|
.
|

\
| ÷
÷ ~
T k
E
exp . const
T k
E
exp N
B B
µ
(VII.5.16)
regăsindu-se statistica clasică Maxwell - Botzmann.
245
Aceasta se realizează la temperaturi înalte şi când concentraţia de particule
este mică. Se poate arăta că pentru un sistem alcătuit din particule identice se
poate defini o temperatură critică, numită temperatură de degenerare, θ,
astfel încât dacă T este temperatura la care se găseşte sistemul, când:
a) u << T - sistemul de particule satisface statistica cuantică - sistemul de
particule se spune că este degenerat;
b) u >> T - sistemul de particule satisface statistica clasică - sistemul de
particule se spune că este nedegenerat.
Exemple de degenerescenţă cuantică:
*) gazul electronilor liberi din metale ce satisface statistica Fermi-Dirac;
*) gazul alcătuit din atomi de heliu, în heliul lichid, sau din fotoni ce
satisface statistica Bose-Einstein.
Pentru concentraţii tipice ale electronilor din metale, ,
3 28
10
÷
= m µ
K ~ 16000 u . Această valoare nu poate fi atinsă deoarece metalul se topeşte
la o temperatură cu mult mai joasă (wolframul, metalul cu temperatura de
topire cea mai mare, are ), şi deci gazul electronic din metale este
degenerat.
K T
t
3683 =

VIII.5.6.4. Aplicaţii ale statisticilor cuantice
A. Formula lui Richardson pentru emisia termoelectronică
Emisia termoelectronică constă din emisia de electroni de către un corp
metalic (catod sau filament încălzit) aflat la temperatură ridicată. Electronii
din metal pot fi asimilaţi ca un gaz. În teoria clasică se prespune că toţi
electronii se găsesc pe nivelul energetic cel mai scăzut, iar formula lui
Richardson pentru emisia termoelectronică, folosind fizica statistică clasică,
este

|
|
.
|

\
|
÷ =
T k
L
exp T C J
B
2
1
(VIII.5.17)
unde
|
|
.
|

\
|
=
e
B
m
k
n e C
t 2
0
cu n
0
concentraţia de electroni din metal, iar L
246
reprezentă lucrul mecanic de extracţie.
Din punct de vedere cuantic se consideră că electronii din metal pot fi
asimilaţi ca fiind într-o gropă de potenţial având adâncimea W, specifică
fiecărui metal. Electronii sunt fermioni, satisfac statistica Fermi-Dirac, şi
ocupă treptat stările energetice începând cu energia minimă, 0 = E . Formula
lui Richardson în acest caz este

|
|
.
|

\
|
÷ =
T k
exp T A J
B
_
2
(VIII.5.18)
unde
3
2
4
h
k e m
A
B e
t
= , iar
F
E W ÷ = _ este lucrul de extracţie sau energia de
extracţie.
Comparând relaţia clasică (VIII.5.15) cu cea cuantică (VIII.5.16) se
observă:
1) În cazul cuantic dependenţa de temperatură este cu T
2
în timp ce în cazul
clasic dependenţa este cu T
1/2
, adică o creştere mai puternică a curentului cu
temperatura în cazul cuantic faţă de cazul clasic, fapt confirmat de datele
experimentale;
2) În cazul cuantic lucrul de extracţie, _, reprezintă diferenţa dintre
adâncimea gropii de potenţial şi nivelul Fermi, E
F
, în timp ce în cazul clasic
reprezenta adâncimea gropii de potenţial pentru electroni. Acesta depinde
slab de temperatură deoarece E
F
depinde slab de temperatură.

B. Explicarea comportării heliului la temperaturi joase
Heliul are o structură simplă, stabilă şi simetrică. Atomii de heliu nu
au moment electric sau magnetic. Datorită structurii sale, cu simetrie sferică
pronunţată, forţele de interacţie Van der Waals sunt foarte slabe.
) He (
4
2
Heliul rămâne lichid chiar la zero absolut dacă presiunea este mai mică de
247
25 atm. . Distanţele de echilibru dintre atomii de heliu pentru heliu lichid sunt
mai mari decât dimensiunile atomilor şi ca urmare o serie de proprietăţi sunt
mai apropiate de proprietăţile gazelor decât de cele ale lichidelor.
Datele experimentale privind heliul, diagrama de fază şi variaţia căldurii
specifice cu temperatura, fig. VII.12 şi fig. VII.13, pun în evidenţă:

Fig. VII.12 Fig. VII.13

1) absenţa punctului triplu;
2) existenţa a două faze He I şi He II. Studiile efectuate cu raze X şi
neutroni au arătat că ambele faze corespund stării de lichid;
3) la 2,17 K curba de variaţie a căldurii specifice prezintă o transformare
de fază de speţa a doua transformare numită tranziţie ì datorită formei
asemănătoare cu litera grecească ì; odată cu creşterea presiunii T
ì
se
deplasează intersectând linia solidus la temperatura de 1,77 K (vezi fig.
VII.12);
4) variaţia vâscozităţii cu temperatura pentru He II arată că odată cu
scăderea temperaturii acesta nu scade ca la lichidele obişnuite ci rămâne
practic constantă până la temperatura de 2,6 K, având o valoare apropiată de
cea a gazelor de 3·10
-5
g·cm
-1
·s
-1
. În punctul T
ì
curba deşi rămâne continuă
vâscozitatea prezintă o scădere rapidă cu temperatura ajungând la
( )
1 1 11 9
s cm g 10 10 ~
÷ ÷
· ÷ , fenomen care a fost numit suprafluiditate.
Modelele teoretice pentru interpretarea proprietăţilor He II au la bază faptul
248
249
că atomii de heliu sunt bosoni. După cum s-a arătat la temperaturi sub
temperatura T
0
, relaţia (VII.7.37), gazul de bosoni condensează,
realizeazându-se o ordonare a atomilor de heliu, fapt care conduce la
scăderea entropiei şi a căldurii specifice.
Datele experimentale au evidenţiat scăderea entropiei sub T
ì
fără
modificarea structurii. Calculând temperatura T
0
se obţine 3,14 K valoare
apropiată de T
ì
. Abaterea a fost atribuită de London faptului că trecerea de la
He I la He II este o tranziţie de fază între două faze lichide iar în acest caz
trebuie luate în considerare şi forţele de interacţiune dintre atomii de heliu.
Teoria lui London care ia în considerare şi aceste forţe explică destul de bine
variaţia parametrilor de stare dar nu şi suprafluiditatea.
Suprafluiditate a fost explicată (vezi: D. Balla, K. V. Deutsch, Introducere
în fizica temperaturilor joase, Ed. Academiei, 1970) pe baza “modelului celor
două fluide” care conduce în cele mai multe cazuri la o soluţie exactă sau la
ecuaţii prea complicate care nu pot fi rezolvate exact. Condiţiile care apar în
probleme consideră că la temperaturi sub T
0
heliul este format din două
fluide: gazul Bose-Einstein condensat şi heliu normal. Cele două fluide:
componenta normală şi cea ”suprafluidă” sunt amestecate, dar cea
suprafluidă se presupune că nu participă la nici-un fenomen de disipaţie.

49



VI. TEORIA ELECTROMAGNETICA A LUMINII

VI.1. Unde electromagnetice
VI.1.1. Domeniul undelor electromagnetice
Frecvenţa (lungimea de undă) a undelor electromagnetice (radiaţiilor
electromagnetice) variază într-un interval foarte larg (vezi tabelul I). Undele
electromagnetice pot fi clasificate în: unde radio (care cuprind: unde lungi,
medii, scurte şi ultrascurte), radiaţii infraroşii, radiaţii vizibile etc. .

Tabelul 1
Denumirea
radiaţiei (undei)
Frecvenţa
radiaţiei [Hz]
Lungimea de undă
a radiaţiei [m]
unde lungi 10
3
÷10
4
10
5
÷10
3

unde medii 10
4
÷10
5
10
3
÷10
2

unde scurte 10
5
÷10
6
10
2
÷10
unde
radio
unde ultrascurte 10
6
÷10
10
10÷10
-1

raze infraroşii 10
10
÷10
13
10
-1
÷10
-4

lumină vizibilă 10
13
÷10
14
10
-4
÷10
-6

raze ultraviolete 10
14
÷10
16
10
-6
÷10
-8

raze X 10
16
÷10
20
10
-8
÷10
-12

raze gama 10
20
÷10
22
10
-12
÷10
-14


Domeniile de frecvenţe ale undelor radio se studiază în cadrul disciplinelor
de cultură tehnică generală şi de specialitate. Domeniile de frecvenţă
infraroşu (I.R.), vizibil(V) şi ultraviolet (U.VI.) se studiază în cadrul opticii.
Radiaţiile X se studiază în cadrul fizicii atomului, iar radiaţiile gama (¸) în
cadrul fizicii nucleului.
Sursele de unde electromagnetice care emit în domeniul optic se bazează
pe fenomenele de emisie spontană şi de emisie stimulată de către atomi, ioni
sau molecule. Acestea se clasifică în: *) surse clasice: cu spectru continuu; cu
spectru de linii; *) laseri ÷ cu mediu activ: *) solid ÷ solid dielectric; *) cu
gaz ÷ atomici, ionici, moleculari, excimeri; *) cu lichid – cu chelaţii ai
lantanidelor, cu coloranţi; *) cu semiconductori; etc.

VI.2. Propagarea câmpului electromagnetic în medii izotrope
VI.2.1. Ecuaţiile de propagare a undelor electromagnetice
Vom demonstra ca vectorii E

şi H

se propagă sub forma de unde, şi vom
considera medii liniare, omogene, izotrope fară polarizare şi magnetizare
permanentă, lipsite de distribuţii de sarcină şi nedisipative. În acest caz
0 = o , 0 = µ iar legile de material sunt:

¦
¹
¦
´
¦
=
=
=
0 J
H B
E D

 
 
µ
c
(VI.2.1)
Ecuaţiile lui Maxwell în acest caz se scriu sub forma:

t
H
E
c
c
µ


÷ = × V (VI.2.2)

t
E
H
c
c
c


= × V (VI.2.3)
(VI.2.4) 0 = VE

(VI.2.5) 0 = VH

Aplicând relaţiei (VI.2.2) operatorul rotor se obţine:
( )
|
|
.
|

\
|
÷ × V = × V × V
t
H
E
c
c
µ


(VI.2.6)
50
dar ( ) ) E ( E E
  
V V ÷ ÷V = × V × V
2
şi ţinând seama de relaţiile (VI.2.2) şi
(VI.2.4), relaţia (VI.2.6) devine:
0
1
2
2
2
2
= ÷ V
t
E
v
E
c
c


(VI.2.7)
unde:

µ c
1
= v (VI.2.8)
este viteza de propagare a vectorului E

.
Analog se arăta că:
0
1
2
2
2
2
= ÷ V
t
H
v
H
c
c


(VI.2.9)
Ecuaţiile obţinute, (VI.2.7) şi (VI.2.9), sunt formal identice cu ecuaţia de
propagare a undelor pentru medii nedisipative
*)
.
În vid viteza de propagare este:

0 0
0
1
µ c
= v (VI.2.10)
şi ţinut cont că: şi se obţine
, valoare care diferă foarte puţin de viteza luminii în vid
.
m / F ,
12
0
10 854 8
÷
· = c
s / m )
8
10 00004 ·
m / H
7
0
10 4
÷
· · = t µ
s / m v
8
0
10 3· ~
, ( c 0 99778 2 ± = ,
Concordanţa valorilor obţinute pentru viteza undelor electromagnetice şi
viteza luminii în vid a fost unul din argumentele în favoarea ipotezei naturii
electromagnetice a luminii.


*)
Diferitele tipuri de unde care se propagă într-un mediu omogen, izotrop, liniar, conservativ
şi nedisipativ verifică ecuaţia cu derivate parţiale de tipul:
0
1
2
2
2
= · ÷
t v c
+ c
A+
51
Într-un mediu oarecare caracterizat prin c
r
şi µ
r
:

n
c c v
v
r r r r r r
= ~ = =
µ c µ c µ c µ c
0
0 0
1 1
(VI.2.11)
unde
r r
v
c
n µ c = = se numeşte indice de refracţie
*)
.
Relaţiile (VI.2.7) ÷ (VI.2.10) arată că în mediile considerate câmpul
electromagnetic se propagă cu viteză finită aceasta constituind unul din
rezultatele cele mai importante ale teoriei electromagnetismului a lui
Maxwell - demonstraţia inexistenţei unei viteze de propagare infinită a
interacţiilor electrice respectiv magnetice.
Pentru medii liniare, omogene, izotrope, fără polarizaţie şi magnetizaţie
permanentă, lipsite de distribuţii de sarcini ( 0 = µ ) şi disipative, urmând o
cale analoagă cu cea anterioră se obţin relaţiile:
0
2
2
2
= ÷ ÷ V
t
E
t
E
E
c
c
µ c
c
c
µ o
 

(VI.2.12)
0
2
2
2
= ÷ ÷ V
t
H
t
H
H
c
c
µ c
c
c
µ o
 

(VI.2.13)
pentru vectorul E

- câmp electric, şi respectiv pentru H

- vectorul câmp
magnetic.
Ecuaţiile obţinute, (VI.2.12) şi (VI.2.13), sunt formal identice cu ecuaţia de
propagare a undelor pentru medii disipative.

VI.2.2. Unda electromagnetică sferică şi unda electromagnetică plană
În conformitate cu teoria generală a undelor într-un mediu omogen, izotrop
şi nedisipativ ecuaţiile de propagare (VI.2.7) şi (VI.2.9) pentru vectorii E

şi


*)
Deoarece c este viteza maximă în natură, atunci . 1 n >
52
H

admit ca soluţie unda electromagnetică sferică
**)
de forma:

¦
¦
¹
¦
¦
´
¦
(
¸
(

¸

|
.
|

\
|
+ +
(
¸
(

¸

|
.
|

\
|
÷ =
(
¸
(

¸

|
.
|

\
|
+ +
(
¸
(

¸

|
.
|

\
|
÷ =
v
r
t g
r v
r
t f
r
H
v
r
t g
r v
r
t f
r
E
2 2
1 1
1 1
1 1


 


 
(VI.2.14)
Un caz particular de undă sferică este unda armonică sferică care pentru
unda directă este de forma:

¦
¦
¹
¦
¦
´
¦
(
¸
(

¸

|
.
|

\
|
÷ =
(
¸
(

¸

|
.
|

\
|
÷ =
v
r
t i exp
r
B
H
v
r
t i exp
r
A
E










e
e
1
1
(VI.2.15)
unde şi sunt două constante.
1
A

1
B

Când distanţa de la sursa la punctul de observaţie este foarte mare, undele
sferice sunt practic unde plane şi sunt de forma:

| |
| ¦
¹
¦
´
¦
± ÷ =
± ÷ =
) r k t ( i exp B H
) r k t ( i exp A E
0 2
0 2
¢ e
¢ e

  
|

  
(VI.2.16)
unde şi sunt două constante,
2
A
 
2
B
v
k
e
=

este vectorul de undă sau de
propagare, iar ¢
0
este faza iniţială.
Separând partea temporală de cea spaţială relaţia (VI.2.16) se scrie:


**)
Unda sferică este o undă de forma:
|
.
|

\
|
+ + |
.
|

\
|
÷ =
v
r
t g
r v
r
t f
r


 


1 1
+
unde f şi g sunt două funcţii arbitrare. Termenul corespunzător lui f se numeşte undă directă ce
se propagă în sensul pozitiv al axei Ox, iar cel corespunzător lui g se numeşte undă inversă ce se
propagă în sensul negativ al axei Ox.
53

¦
¹
¦
´
¦
=
=
) t i ( exp ) r ( H H
) t i ( exp ) r ( E E
e
e

 

 
0
0
(VI.2.17)

VI.2.3. Transversalitatea undelor electromagnetice
Introducând soluţiile de forma (VI.2.17) în relaţiile (VI.2.7) şi (VI.2.9) se
obţine:
(VI.2.18)
¦
¹
¦
´
¦
= + V
= + V
0
0
2 2
2 2
H k H
E k E
 
 
Relaţiile (VI.2.18) reprezintă ecuaţiile atemporale ale undelor
electromagnetice. Aceste relaţii sunt identic satisfăcute dacă:
(VI.2.19)
2 2
k ÷ = V
de unde:
k i

 = V (VI.2.20)
unde semnul (–) corespunde undei directe, iar semnul (+) undei inverse.
Substituind valorea lui dată de relaţia (VI.2.20) în relaţiile (VI.2.4) şi
(VI.2.5) se obţine:
V
(VI.2.21)
¦
¹
¦
´
¦
= ·
= ·
0
0
H k i
E k i
 

 

Relaţiile (VI.2.21) arată:
Atât câmpul electric E cât şi cel magnetic

H

în fiecare moment sunt
perpendiculare pe direcţia de propagare definită prin vectorul de propagare
k

.
Din relaţiile (VI.2.3), (VI.2.17) şi (VI.2.20) pentru unda directă se obţine:
E H k
  
e c ÷ = × (VI.2.22)
Notând cu versorul direcţiei de propagare şi ţinând cont că:
n
1

(VI.2.23)
n
k k 1
 
=
din relaţia (VI.2.22) se obţine:
54
( ) ( ) (
n n n
H Z H H
k
E 1 1 1
      
× = × = × =
c
µ
e c
) (VI.2.24)
unde:

r
r
r
Z Z Z
0
0
0
= = =
c
µ
c
µ
c
µ
(VI.2.25)
este impedanţa intrinsecă a mediului, O
c
µ
7 376
0
0
0
, Z = = este impedanţa
intrinsecă a vidului, iar Z
r
este impedanţa relativă a mediului.
Relaţiile (VI.2.21) şi (VI.2.24) arată că vectorii E

, H

şi , în medii
izotrope formează un triedru drept în această ordine.
k
1


VI.2.4. Intensitatea undei electrice şi a undei magnetice
Prin definiţie intensitatea undei electrice respectiv a undei magnetice este:

2
E E E I
*
E
  

= = ;
2
H H H I
*
H
  

= = (VI.2.26)
Dar conform relaţiei (VI.2.24):
H Z E
 
= (VI.2.27)
iar relaţia (VI.2.26) devine:
(VI.2.28)
H E
I Z I
 
2
=
Ţinând cont de expresile densităţilor de energie electrică şi magnetică (vezi
§V.8, relaţia V.8.15) relaţia (VI.2.26) devine:

c
e
E
w
I
2
=

şi
µ
m
H
w
I
2
=

(VI.2.29)

VI.3. Optica electromagnetică a mediilor izotrope
VI.3.1. Reflexia - refracţia undelor electromagnetice
La suprafaţa de separaţie dintre două medii diferite, undele (deci şi cele
55
electromagnetice) suferă fenomenul de reflexie-refracţie, parţial
56
E plană care separă două medii semiinfinite, liniare, omogene,
reântorcându-se în mediul în care au fost produse, iar parţial trecând dintr-un
mediu în altul.
Fie o suprafaţă
izotrope, dielectrice, conservative, de permitivităţi c
1
şi c
2
şi de aceeaşi
permeabilitate
0 2 1
µ µ µ = = . Între constantele de material ale celor două
medii există rel

aţiile:
n
n
n
v
v
Z
Z
1
= = = =
1
2
2
1
1
2
2
c
c
(VI.3.1)
unde: v
1
, v
2
= vitezele undei în cele două medii; n
1
, n
2
= indicii de refracţie ai
celor două medii; n = indicele de refracţie relativ.
În fiecare punct şi în fiecare moment între vectorii H , E
 
şi , care formează
.24), m
ă,
k
1

unda electromagnetică, este valabilă relaţia (VI.2 for ând un triedru
drept în această ordine, ordine ce rămâne neschimbată în raport cu reflexia şi
refracţia undei.
Fie
i i
H E
 
, ÷ vectorii pentru unda incident
r r
H , E
 

isă, iar
÷ vectorii pentru unda
reflecta
t
H ,

÷ vectorii pentru unda transm
r
,1 1 tă,
t
E

i
 
şi
t
1

sunt versorii
după care se propagă unda incidentă, unda reflecta i unda transmisă.
Deoarece versorul
r
1

al direcţiei de propagare al undei reflectate este opus lui
i
1

pentru ca vectorii
r r
H , E
 
şi
r
1
tă ş

să formeze un triedru drept în aceasta
ordine este necesar ca fie
r
E

să fie opus lui
i
E

sau
r
H

să fie opus lui
i
H

,
fig. VI.1. Matematic aceasta se scrie astfel:

i
i r
r
E
E
f
E
E
 
=
i
i
r
r
H
H
şi
H
H
f
 
÷ (VI.3.2)
unde f poate fi ±1
*)
. În toate cazurile .

=
1
2
= f


*)
În demonstraţiile care urmează vom considera 1 = f .

Fig. VI.1 Fig. VI.2
Fie normala la suprafaţa de separare E. Planul H determinat de şi
n
1

n
1


k
1


este planul de incidenţă, fig. VI.1.
Admiţând că
i
E

şi
i
H

un
sunt unde polarizate liniar, aceşti vectori oscilează
în plane care formează ghiurile ¸ şi
2
t
¸ + cu planul de incidenţă.
Descompunem vectorii
i
E

şi
i
H

în câte o componentă paralelă cu planul
H şi una perpendiculară pe H, fig. VI.2. Se obţin următoarele perechi de
unde:
i
n
i
p
H , E şi respectiv,
i
p
i
n
H , E
   
.
Stud lexiei, refrac iul ref ţiei pentru aceste unde se va face separat.
Remarcam:

r
p
r
n
r
n
r
p
i
p
i
n
i
n
i
p
H
E
H
E
H
E
H
E
t
p
t
n
t
n
t
p
H
E
H
E
Z = =
2
Z = = = =
1
şi (VI.3.3)
VI.3.1.1. Formulele lui Fresnel
A

. Reflexia-refracţia undei
i
n
i
p
H , E
 

Fie o, o' şi | unghiur ie şi refracţie, fig. VI.3; undele ile de incidenţă, reflex
t
p
r
p
i
p
E E E , , sunt de forma:
  
57
58

¦
¦
¦
¦
¹
¦
¦
¦
¦
´
¦
(
¸
(

¸

|
|
.
|

\
|
÷ =
(
¸
(

¸

|
|
.
|

\
|
÷ =
(
¸
(

¸

|
|
.
|

\
|
÷ =
2
1
1
1
1
1
v
r
t i exp T E
v
r
t i exp R E
v
r
t i exp A E
t
t p
t
p
r
r p
r
p
i
i p
i
p


 


 


 
e
e
e
(VI.3.4)
Fig. VI.3
r

unde este un vector cu originea pe suprafaţa E şi cu extremitatea într-un
, R
p
şi T
p
se determină din condiţiile de continuitate ale
punct de observaţie M situat în mediul (1), în mediul (2) sau pe suprafaţa de
separaţie E.
Marimile A
p
componentelor tangenţiale ale vectorilor
p
E

şi
n
H

:
1) Condiţia de continuitate a compo ntel ta ne or ngenţiale ale intensităţii
câmpului electric pe suprafaţa E este de forma:
| | ( )
E E
| cos (VI.3.5)
ţia (VI.3.4):
o o E cos E cos E
t
p
r
p
i
p
= ' +
sau ţinând cont de rela
( ) ( )
( )
(
¸
(

¸

|
|
.
|

\
|
÷ =
=
(
¸
(

¸

|
|
.
|

\
|
÷ '
¸ ¸ . \
2
1 1
1
1
v
r
t i exp T cos
v
r
t i exp R
v
t
t p
r
r p
E
E
e |
e o





+
(
(

|
|
|

|
÷
1
cos
r
t i exp A cos
i
i p
E
e o


(VI.3.6)
Relaţia (VI.3.6) este satisfăcută identic pentru orice valori ale lui şi t decât
este invariantă în raport cu reflexia-refracţia undelor, adică:


E
r


dacă fazele celor trei termeni sunt egale, fapt din care decurg următoarele
consecinţe:
*) pulsaţia
e e e e = = =
t r i
(VI.3.7)

*) versorii , şi sunt coplanari;
r i
1 , 1
 
t
1


n
1
59
o o = '
de i i ţă e reflexie;
ând cont şi de rela le (VI.3.1) ş (VI.3.3) se obţine:
(VI.3.8) *)
adică unghiul nc den este egal cu cel d
*) ţin ţii i
n
n Z v sin
= = = =
2 1 1
n Z v sin |
o

1 2 2
(VI.3.9)
adica legea lui Snellius pentru refracţie.
ste condiţii relaţia (VI.3.6) devine: În ace

p p p
T
cos
R A
coso
|
= + (VI.3.10)
nentelor tangenţiale ale intensităţii
ului magnetic pe suprafaţa E, d cont de relaţia (V.5.2) este de
2) Condiţia de continuitate a compo
câmp ţinân
forma:
( )
E E
t r
n
i
n
H H H = ÷ (VI.3.11)
Folosind
n
relaţiile (VI.3.3), (VI.3.9) şi (VI.3.4) relaţia (VI.3.11) devine:
p p p
T
Z
Z
R A
2
sau
1
= ÷

ducând mărimile adimensionale
(VI.3.12)
(VI.3.13)
p p p
nT R A = ÷
p
p
p
A
R
r = şi
p
p
p
A
T
t =
pentru unda
Intro , coeficienţii de
reflexie şi respectiv de transmisie ai lui Fresnel
i i
H , E
n p
 
, şi
folosind relaţiile (VI.3.10) şi (VI.3.13) se obţine:
n
cos
cos
n
cos
cos
A
r
p
p
÷
= =
|
R
p
+
o
o
|
şi
n
cos
cos
A
t
p
p
= =
T
p
+
o
|
2
(VI.3.14)
B. Reflexia-refracţia undei
i
p
i
n
H , E
 

Componenta normală pe planul de incidenţă satisface pe suprafaţa E
n
E

60
condiţia de continuitate:
( )
E E
t
n
r
n
i
n
E E E = + (VI.3.15)
sau
(VI.3.16)
n n n
T R A = +
A
n
, R
n
, T
n
au semnificaţii similare cu A
p
, R
p
, T
p
.
oneneta H
p
satisface, pe s ia de continuit
unde
Comp uprafaţa E, condiţ ate:
( ) | | ( )
E E
| o cos H cos H H
t
p
r
p
i
p
= ÷ (VI.3.17)
sau exprimând pe
t
p
r
p
i
p
H , H , H în funcţie de
t
p
r
p
i
p
E , E , E se obţine:
o
|
o
|
cos
cos
n T
Z
Z
cos
cos
T R A
n n n n
= = ÷
2
1
Introducând mărimile adimensionale
(VI.3.18)
n
n
n
A
R
r = şi
n
n
A
n
T
t = , coeficienţii de
reflexie şi respectiv de transmisie ai lui Fresnel pentru unda
i
p
i
n
H , E
 
, şi
ţine: folosind relaţiile (VI.3.16) şi (VI.3.18) se ob

n
cos
cos
n
cos
A
r
n
n
n
+
÷
= =
o
cos R
|
|
o
şi
n
cos
cos
cos
A
t
n
n
n
= =
cos T
+
|
o
|
o
2
(VI.3.19)
iile (VI.3.14) şi (VI.3.19) sunt formulele lui Fre
relaţia (VI.3.9) acestea pot fi puse şi sub forma:
Relaţ snel şi ţinând cont de

( )
( )
( ) ( ) ¦
¦
¹
¦
¦
´
¦
+
÷
=
o |
o |
o |
cos sin
tg
tg
r
p
2
şi
÷ +
=
o | o | cos sin
t
p
( )
( )
( ) ¦
¦
¹
¦
¦
´
¦
+
÷
=
o |
o |
sin
sin
r
n
+
=
o |
o |
sin
cos sin
t
n
2
(VI.3.20)
VI.3.1.2. In ewsteriană
Dacă
cidenţa br
2
t
| o = + , atunci din relaţia (VI.3.20) se observă că , adică 0 =
p
r
61
unda nu se mai refl ţă.
pe planul de incidenţă, şi este perpendiculară pe unda refractată.
i
p
E

ectă. Nu există undă reflectată în planul de inciden
Radiaţia electromagnetică reflectată este total polarizată într-un plan normal
În acest caz unghiul de incidenţă se notează
B
o o = , şi se numeşte unghi
Brewster. Aplicând legea lui Snellius, relaţia (VI.3.9), se obţine.
n tg =
B
o (VI.3.21)
ă legea Brewster.
eriană este
.
VI.3.1.3. Reflexia totală
Acest fenomen apare dacă . Din legea Snellius se obţine în acest
caz:

care reprezint
0
56
Pentru sticla cu 52 , 1 = n , unghiul de incidenţă brewst
0
57 9 3 ~ ' = o
B

1 2
v v >


o sin
1
2
v
= (VI.3.22)
şi de
| sin
v
ci o | > .
În acest caz ex i de
incidenta
istă o valoare a unghiulu
L
o o = , fig. VI.4, numit unghi limită
pentru care unghiul de refracţie este , 2 t | = Fig. VI.4
iar 1 sin = | . Pentru valori ale unghiului o mai mari decât o
L
, 1
2
>
L
sin
v
v
o ,
1
nu mai e
t lă şi prezint
două caracteristici principale: 1) unda transmisă pătrunde în al doilea mediu
iar re (VI.6.11) ste satisfacută decât pentru valori imaginare ale
unghiului de refracţie |. Acest fenomen se numeşte reflexie ota ă
pe o distanţă foarte mică, de ordinul lungimii de undă, amortizându-se rapid;
2) intensitatea undei reflectate este egală cu intensitatea undei incidente.
laţia

VI.3.2. Interferenţa şi coerenţa undelor electromagnetice
Studiile efectuate au aratat că diferitele tipuri de unde care se propagă într-
62
n mediu omogen, izotrop, liniar, conservativ şi nedisipativ verifică ecuaţia
cu derivate p
u
arţiale de tipul:
0
1
2
2
2
2
= · ÷ V
t v c
+ c
+ (VI.3.23)
Dacă într-un mediu se propagă un sistem de unde descrise de funcţiile de
undă +
1
, +
2
, ... +
n
sau
n
... , , + + +
 
2 1

, ecuaţia (VI.3.23) fiind liniară admite ca
ă funcţiile: soluţie general

¿
=
i
+ + ;
¿
=
i
+ +
 
(VI.3.24)
Relaţiile (VI.3.24) exprim l suprapunerii stărilor.
Acest principiu arată că fie
ă principiu
care undă se propagă independent una de alta. Este
il numai dacă mediul e se propa
pe direcţii
erenţă de fază constantă în
nera acestora ia naştere fenomenul de interferenţă
valab în car gă undele este liniar.
Suprapunera undelor se numeşte interferenţă.
Se disting două cazuri:
1) Undele sunt coerente, dacă nu sunt polarizate liniar
perpendiculare, au aceiaşi frecvenţă şi dif
timp. La suprapu
staţionară. Amplitudinea undei rezultante este o funcţie periodică de
poziţia punctului în care se consideră interferenţa.
2) Undele sunt necoerente, amplitudinea şi intensitatea undelor variază în
timp. Prin suprapunera acestora ia naştere fenomenul de interferenţă
nestaţionară.

63
VI.3.2.1. Interferenţa undelor electromagnetice
Fie un domeniu gnetice
1
+

şi
2
+

în care se propagă două unde electroma ,

după, şi fie u unghiul dintre axele Ox
1
şi Ox
2
respectiv Oy
1
şi Oy
2
, fig. VI.5.
Direcţiile Ox
1
şi Ox
2
aparţin triedrelor rectangulare
1 1 1
z y x , respectiv
2 2 2
z y x (fig.VI.5), având aza z comună.

Fig. VI.5
Vom admite că ambele unde sunt armonice şi au aceaşi pulsaţie e
0
. Vom
analiza interferenţa acestor unde într-un punct de observaţie situat la o
distanţa suficient de mare faţă de surse pentru a putea considera cele două
unde, unde plane.Undele
1
+

şi
2
+

pot fi descompuse după axele Oy
1
, Oz
1
, şi
respectiv după Oy
2
, Oz
2
:
| | | | ) x k t ( i exp Z ) x k
o o 1 1 1
t ( i exp Y
o o 1 1

 

  
÷ + e e ÷ = + (VI.3.25)
unde

Y
1
şi sunt amplitudinile după Oy
1
şi Oz
1
, şi respectiv:
1
Z

| | { } | | { } ) t ( x k t i exp Z ) t ( x k t i e Y
o o o o
¢ e ¢ e xp + + ÷ + + ÷
2 2 2 2 2
 
 
=
  
(VI.3.26)
nde şi sunt amplitudinile după Oy
2
şi Oz
2
, iar ¢(t) es de
iţ di
g.
u te diferenţa
2
Y


2
Z

fază in ială ntre cele două unde, care în general este dependentă de timp.
Suprapunând componentele celor două unde care oscilează în planul H, fi
VI.7, se obţine:
( | )| | | { } ) t ( x k t i exp Y x k t
o o o o
¢ e e i exp Y +
H
=
1
+ ÷ + ÷
2 2 1

 

  
(VI.3.27)
tensitatea undei In
H
+

este
| | ) t ( x k cos ) (cos Y Y os
o
¢ A u u ÷ + +
2 1
2 2
1
2
 
c Y Y I
*
+ +
H H H
= =
2
2
(VI.3.28)
imilar intensitatea I
A
a undei rezultate prin compunerea undelor care

S
oscilează după Oz, deci într-un plan perpendicular pe planul H este:
| | ) t ( x k cos Z Z Z Z I
o
¢ A
A
÷ + + =
2 1
2
2
I.3.29)
2
1
2 (V
1 2
x x x ÷ = A unde .
itatea totala undei va fi Intens a
A H
I I I + = şi este de forma:
| | | | ) t ( x ) (cos Y Y I I
o
k cos Z Z ¢ A u ÷ + + =
2 1 0
2
2 1
(VI.3.30)
I
0
este suma termenilor independenţi de unde x A , având aceiaş
rmonicitatea undelor, considerându-le pachete
i valoare în
întregul câmp de interferenţă.
Vom ridica restricţia privind a
de unde reale cu frecvenţă cuprinsă între
2 2
0 0
v A
v
v A
v + ÷ , . În acest caz
amplitudinile Y
1
, Y
2
, Z
1
şi Z
2
nu mai sunt constante în timp ci variabile (vezi:
§ VI.3.1). Intensitatea medie a undei rezultante este
| | | | > ÷ + < + > =< > < ( x k cos Z Z ) (cos Y Y I I
o
) t ¢ A u
2 1 2 1 0
2 (VI.3.31)
iscuţie:
:
(VI.3.32)
e sunt incoerente, interferenţa staţionară nu apare, adic
D
*) Dacă
> >=< <
0
I I
undel ă nu există
maxime sau minime dependente de x A .
*) Interferenţa staţionară apare dac
| |
ă:
| | 0 ) t ( x k cos Z Z ) (cos Y Y
o 2 1 2 1
= > ¢ ÷ A + u < (VI.3.33)
e care reprezintă condiţia de coerenţă a undelor vec
riu în timp
care
relaţi toriale.
Din această condiţie rezultă că dacă ¢(t) variază rapid şi aleato
valoarea acesteia este nulă, deci interferenţa nu se produce. Chiar dacă
diferenţa de fază ¢(t) este constantă în timp interferenţa nu are loc dacă :
1) cele două unde sunt polarizate în plane perpendiculare, caz în
64
65
le me
produsele
2 1
Y Y · şi
2 1
Z Z · sunt nule;
2) valori dii > şi <
2 1
Y Y > <
2 1
Z Z sunt simultan nule;
3)
2
t
u = iar ; 0
2 1
>= < Z Z
4) > < co > < ÷ =
2 1 2 1
Z Z s Y Y u adică minimele produse prin interferenţa
nentelor Y sunt exact compensate de maximele produse prin
VI.3.2.3. Interferenţa undelor luminoase
Experimental se co luminoase emise de
blu de
compo
interferenţa componentelor Z.

nstată că prin suprapunerea undelor
două surse macroscopice distincte nu se obţine niciodată interferenţă.
Orice sursa macroscopică luminoasă este formată dintr-un ansam
microsisteme luminoase (atomi sau molecule) în număr foarte mare. Fie E
1

energia unui microsistem în starea normală. Sub acţiunea unei perturbaţii
exterioare, de exemplu transfer de căldură sau de energie electromagnetică,
microsistemul suferă o tranziţie într-o stare excitată avînd energia
1 2
E E > .
Starea excitată durează foarte puţin 10
-8
s după care microsistemul
nouă tranziţie revenind la starea iniţială de energie E
1
emiţînd un foton care
preia surplusul de energie
1 2
E E E
suferă o
÷ = A şi a carui frecvenţă este h / E A v = ,
unde h este constanta Planck. În cazul surselor clasice tranziţ
caracter spontan şi aleatoriu. Probabilitatea coerenţei unei surse microscopice
cu alta este foarte mică datorită distribuţiei cu totul aleatorie a fazelor iniţiale
şi a orientarilor impulsurilor luminoase emise de cele doua surse
microscopice în orice interval de timp
iile au un
t A . Cu atât mai mult coerenţa surselor
macroscopice este imposibil să se realizeze.
În acelaşi timp este evident că orice impuls este coerent cu el însuşi, şi deci se
pot obţine surse coerente prin dedublarea unei singure surse. Aceasta se poate
realiza prin reflexie sau refracţie când fiecare punct al sursei macroscopice
este coerent cu imaginea sa. Deasemenea undele secundare emise în
procesele de difracţie de sursele secundare de pe aceiaşi suprafaţă de undă
sunt coerente între ele.
Exemple de dispozitive ce produc unde coerente: *) prin difracţie-
dispozitivul Young; *) prin reflexie-oglinzile duble Fresnel, oglinda Lloyd;
*) prin refracţie - biprisma Fresnel, bilentila Billet.

VI.3.2.3. Interferometre
Interferometrele sunt dispozitive ce se bazează pe fenomenul de
interferenţă. Cu acestea se pot determina lungimii, indici de refracţie, grosimi
etc. cu mare precizie. Dintre cele mai importante interferometre amintim:
*) interferometrul Jamin utilizat pentru măsurarea indicelui de refracţie
necunoscut n al unui lichid; '
*) interferometrul Michelson cu lamă semitransparentă utilizat în
experienţa Michelson-Morley, în studiul sistematic al stucturilor fine a liniilor
spectrale etc. ;
*) interferometrul Fabry-Pérot folosit ca etalon;
*) interferometrul Mach-Zehnder utilizat pentru măsurarea variaţiilor
foarte mici ale indicilor de refracţie.
*) interferometrul Rayleigh folosit pentru măsurarea diferenţei de drum
optic.
66
A. Interferometrul Jamin
Acesta este format din două blocuri de sticlă cu feţele plan paralele şi
semiargintate pe una din feţe, fig. VI.6.
Lumina emisă de sursa S suferă pe blocul (I) o reflexie-refracţie în punctul A.
Unda reflectată trece prin cuva L
1
cu lichid, iar cea refractată suferă o reflexie
în B şi apoi trece prin cuva de lichid L
2
.


Fig. VI.6
În punctele C, D, E, F, M şi N undele suferă fenomene de reflexie-refracţie.
Se constată că în condiţiile reale de lucru pe ecran se observă franje de
interferenţă chiar dacă în cele două cuve este acelaşi lichid, deoarece distanţa
parcursă de cele două unde (1) şi (2) sunt diferite. Pentru măsurare indicelui
de refracţie necunoscut n al unui lichid se procedează astfel: iniţial în cele
două cuve se introduce acelaşi lichid al cărui indice de refracţie, n, se
cunoaşte, şi se observă figura de interferenţă. Se înlocuieşte apoi lichidul
dintr-o cuvă cu lichidul de indice de refracţie necunoscut. Prin introducere
acestuia apare o diferenţă de drum suplimentară o dată de relaţia:
'
( l n n ÷ ' = ) o (VI.3.34)
unde l este lungimea cuvei, iar figura de interferenţă se va deplasa cu:

ì ì
o l
) n n ( d ÷ ' = = (VI.3.35)
67
unde ì este lungimea de undă a radiaţie emise de sursa S.
Din relaţia (VI.3.10) se poate determina n' măsurând deplasarea d.

B. Interferometrul Michelson
Schema interferometrului Michelson este prezentată în fig. VI.7. Un
fascicol de lumină provenit de la o sursa S cade pe placa P
1
având feţele plan-
paralele, una din ele fiind metalizată şi semitransparentă. În punctul A,
fascicolul se împarte în fascicolul (1) şi (2)
perpendiculare unul pe altul. O raza din
fascicolul (1) după ce se reflectă în punctul C
pe oglinda O
1
şi apoi în A pe faţa
semitransparentă a placii P
1
se propagă spre
ecranul (E). O rază provenită din fasiculul (2)
după ce iese din placa divizoare P
1

Fig. VI.7 se reflectă în punctul B pe oglinda O
2
şi după ce
străbate din nou pe P
1
pe acelaşi drum se propagă spre ecanul (E). Între razele
(1) şi (2) apare o diferenţă de drum deoarece raza (1) străbate placa P
1
o dată,
în timp ce raza (2) o străbate de trei ori. Pentru a compensa această diferenţă
se introduce pe drumul razei (1) o lamă compensatoare P
2
. Figura de
interferenţă va fi cea corespunzătoare interferenţei într-o lamă de aer, formată
de imaginea din oglinda O
2
şi imaginea virtuală a oglinzii O
1
în lama P
1
.
Interferometrul are posibilitatea de a deplasa fin oglinda O
2
şi prin aceasta se
modifică distanţa străbătută de raza (2), aceasta făcând posibilă folosirea
interferometrului ca aparat optic de măsură.
'
O
1
68
Interferometrul Michelson se foloseşte pentru: *) controlul calităţii
oglinzilor, lunetelor şi în general al suprafeţelor polisate ce trebuie să fie
plane; *) în dilatometrie, întrucât se pot măsura cu acesta diferenţe foarte
69

mici de lungime care apar ca urmare a efectelor termice.

C. Interferometrul Fabry-Pérot
Acesta este realizat din două lame cu feţe plan-paralele având între ele un
strat de aer cu grosime reglabilă; suprafeţele interioare S
1
şi S
2
ale celor două
lame sunt semiargintate, ce formează un strat semireflectant cu o reflectanţă
foarte ridicată şi cu un coeficient de absorbţie scăzut. În stratul de aer dintre
cele două lame prin suprapunerea unui număr mare de unde lumioase produse
prin reflexie multiplă pe feţele semireflectante se produce interferenţa
acestora. Se obţin franje de interferenţă extrem de nete. Dacă se foloseşte o
radiaţie ce cuprinde n unde cvasimonocromatice se obţin n sisteme de inele
de interferentă.
Având o putere de rezoluţie
*)
foarte mare, interferometrul este folosit ca
aparat spectral de foarte mare precizie, ca etalon.

VI.3.3. Difracţia undelor
Prin fenomenul de difracţie a undelor se înţelege întreaga varietate a
fenomenelor ce apar la propagarea acestora în dreptul orificiilor,
deschiderilor de formă dreptunghiulară, ecranelor sau altor obstacole.
Fenomenele de difracţie pot fi aproximativ explicate pe baza principiului lui
Huygens.


*)
Puterea de rezoluţie (de separare sau separatore) este mărimea care caracterizează
capacitatea unui instrument optic (lunetă, microscop, aparat fotografic, interferometru etc.) sau a
unui material fotosensubil (film, placă spectrală, hârtie fotografică etc.) de a pune în evidenţă
distinct, separat, două puncte vecine. Cu cât valoarea sa este mai mare, cu atât pot fi distinse
puncte sau linii mai apropiate.
În studiul difracţiei undelor se pot deosebi două grupe de fenomene:
1) Fenomenele de difracţie în cazul în care distanţa de la sursa de unde la
deschidere şi distanţa de la deschidere la punctul de observaţie sunt
infinite – difracţie Fraunhofer. În acest caz are loc numai o
suprapunere de unde plane.
2) Fenomenele de difracţie în cazul în care distanţa de la sursa de unde la
deschidere şi distanţa de la deschidere la punctul de observaţie sunt
finite, dar suficient de mari în raport cu dimensiunea deschideri –
difracţie Fresnel.

VI.3.3.1. Principiul lui Huygens-Fresnel
Fie o sursa (S
p
) care genereaza o undă într-un mediu oarecare şi un punct
de observaţie M situat în mediu, fig.VI.8. Vom
numi S
p
sursă primară iar unda provenită de la această undă primară. Să
considerăm o suprafaţă închisă oarecare E numită suprafaţă auxiliară ce
înconjoară pe S
p
. Principiul lui Huygens afirma:
Sursa primara poate fi înlocuită printr-o distribuţie
continuă pe suprafaţa E de surse secundare
punctiforme convenabil alese astfel încât în punctul
M unda produsă prin suprapunerea undelor
secundare (produse de sursele secundare) să se
Fig. V.I.8 identifice cu cea produsă de unda primară.
Termenul de “surse convenabile” din enunţ implică specificarea unui
anumit procedeu de determinare a caracteristicilor surselor secundare, astfel
încât funcţia de undă rezultată din suprapunerea undelor secundare să se
identifice cu funcţia de undă provenită de la sursa primară. Huygens pune
condiţia ca suprafaţa înfăşurătoare a suprafeţelor undelor secundare sferice să
70
fie o suprafaţă de undă a undei primare (fig. VI.9).

Fig. VI.9
Metoda lui Huygens, deşi este o metodă pur geometrică, a permis
rezolvarea mai multor probleme din teoria undelor, cum ar fi: stabilirea
legilor reflexiei şi refracţiei, explicarea propagării undelor prin deschideri
mici şi mari, a propagării rectilinii a undelor, precum şi o prezentare intuitivă
a fenomenelor de dublă refracţie (anizotropie).
Principiul lui Huygens nu permite explicarea în detaliu a abaterilor de la
propagrea rectilinie, ce constituie obiectul difracţiei, şi nu explică de ce
sursele secundare nu emit unde ce se propagă în direcţie inversă.
Pentru a depăşi dificultăţile ce rezultă din principiul lui Huygens, Fresnel a
adăugat următorul postulatul:
Amplitudinea şi faza fiecărei surse secundare sunt egale în fiecare punct al
suprafeţei auxilire, cu amplitudinea şi faza produse în acel punct de către
unda primară.
În acest postulat este esenţial faptul că prin stabilirea fazelor surselor
secundare, se stabileşte în acelaşi timp şi coerenţa acestor surse. Prin aceasta
devine posibil calculul interferenţei produse prin suprapunerea undelor
secundare, iar suprafaţa de undă înfăşurătoare rezultă automat din această
suprapunere.
Principiul lui Huygens împreună cu postulatul lui Fresnel se numeşte
71
72
principiul lui Huygens-Fresnel.

VI.3.3.2. Difracţia prin deschideri
Fie un paravan opac în care s-a practicat o mică deschidere asupra căreia
cade o undă practic armonică. Dacă se cercetează distribuţia intensităţii undei
dincolo de paravan se constată că aceasta prezintă o succesiune de maxime şi
minime. Dacă o undă luminoasă cvasimonocrmatică traversează un orificiu
circular foarte mic pe un ecran situat în spatele acestuia se obţine o pată
circulară luminoasă înconjurată de inele întunecoase ce alternează cu cele
luminoase.
În cazul unei deschideri de formă dreptunghiulare având una din laturi
foarte înguste, se obţine o bandă centrală luminoasă însoţită la ambele
margini de franje întunecate şi luminoase alternante. Dacă deschiderea are
ambele laturi de acelaşi ordin de marime, figura de difracţie este diferită fiind
mult mai complicată şi este formată din benzi dreptunghiulare întunecate şi
luminoase.
Toate aceste fenomene de difracţie pot fi interpretate calitativ pe baza
principiului lui Huygens-Fresnel admiţând că în dreptul deschiderilor apare o
distribuţie superficială de surse secundare, iar interferenţa undelor generate
de aceste surse secundare determină figura de difracţie.
Fenomene similare se obţin şi în cazul difracţie produsă de obstacole de
mici dimensiuni.

VI.3.3.3. Difracţia prin reţele
O reţea plană de difracţie este un sistem de fante identitice, paralele,
echidistante şi coplanare, fig. VI.10, unde: a - largimea fantei; d - constanta
reţelei adică distanţa dintre două fante succesive. Fie o unda având lungimea
de undă ì ce cade pe o astfel de reţea sub un unghi de incidenţă
0
¢ , şi se
difractă sub un unghi ¢ .


Fig. VI.10

Se obţin maxime ori de câte ori este îndeplinită condiţia:
ì o m = (VI.3.36)
unde m = 0,1,2... , iar ) sin (sin d
0
¢ ¢ o ÷ = este diferenţa de drum dintre două
unde provenite de la doua fante alăturate; se obţine:
ì ¢ ¢ m d = ÷ ) sin (sin
0
(VI.3.37)


Fig. VI.11 Fig. VI.12

Pentru incidenţă normală 0
0
= ¢ , şi pentru unghiuri mici de difracţie din
relaţia (VI.3.37) se obţine:

m
d ¢
ì ~ (VI.3.38)
73
În fig. VI.11 este prezentată imaginea de difracţie obţinută de la o fantă, iar
în fig. VI.12 este prezentată imagina de difracţie obţinută de la o reţea de
difracţie. Se observă că odată ce numărul de fante creşte maximele principale
se detaşează net de cele secundare.

VI.3.3.4. Relaţia lui Bragg
Un material cristalin este caracterizat de aşejarea odonată a atomilor sau
moleculelor în nodurile unei reţele geometrice tridimensionale. O astfel de
reţea formează o reţea tridimensională de difracţie. Într-o astfel de reţea
fiecare atom “atins“ de undă incidentă devine la rândul său o sursă
punctiformă secundară. Vom considera pentru simplificare că distanţa dintre
nodurile reţelei este constantă şi egală cu d. Fie undele (1) şi (2) ce cad pe
reţea, şi fie un plan din aceasta situat în planul de
incidenţă fig. VI.13. Diferenţa de drum dintre
unda (1) şi unda (2) este
OB AO+ = o (VI.3.39)
Deoarece o o ' = , adică unghiul de incidenţă este
Fig. VI.13 egal cu cel de reflexie, din figură se obţine:
u sin d OB AO = = (VI.3.40)
unde o
t
u ÷ =
2
.
Din relaţiile (VI.3.39) şi (VI.3.40) rezultă:
u o sin d 2 = (VI.3.41)
Condiţia pentru ca prin suprapunerea undelor (1) şi (2) să se obţină maxim
este dată de relaţia (VI.3.36), şi folosind relaţia (VI.3.41) se obţine:
ì u m sin d = 2 (VI.3.42)
ce reprezintă relaţia lui Bragg.
Deoarece reflexia are loc pe toate planele va avea loc o interferenţă multiplă
ce conduce la apariţia unor maxime foarte pronunţate.
Reţelele cristaline sunt adecvate studiului cu raze X a căror lungime de undă
( ) este de acelaşi ordin de mărime cu echidistanţele dintre planele m
10
10
÷
~ ì
74
cristaline.

VI.4. Optica electromagnetică a mediilor dielectrice anizotrope
VI.4. 1. Propagarea luminii în medii anizotrope
În medii anizotrope, chiar omogene, proprietăţile de material depind de
direcţia de propagare. Vom considera medii anizotrope liniare, dielectrice,
fără polarizaţie şi magnetizaţie permanentă. Astfel de medii sunt în primă
aproximaţie medii conservative, 0 = o , iar permeabilitatea lor magnetică este
independentă de direcţie, putând fi considerată ca fiind
0
µ µ = . În astfel de
medii trebuie să ţinem seama de anizotropia proprietăţilor electrice puse în
evidenţă de tensorul permitivităţii electrice c (vezi capitolul IV, § 5.2.1). În
acest caz orientarea lui este diferită în general de a lui . Relaţiile ce
exprimă legile de material sunt în acest caz de forma:
D

E


H B
E D
 
 
0
µ
c
=
=

.b) 1 . 7 (V.
.a) 1 . 7 (V.

VI.4.2. Elipsoidul Fresnel
Dacă vectorii E

şi se reprezintă prin matrici de forma: D

, { }
¦
)
¦
`
¹
¦
¹
¦
´
¦
=
z
y
x
E
E
E
E {
75
} { }
z y x
E E E E = , { } (VI.4.2)
¦
)
¦
`
¹
¦
¹
¦
´
¦
=
z
y
x
D
D
D
D
~
unde { } E
~
este transpusa matricii { } E , atunci densitatea de energie electrică
dată de relaţia (V.8.15) se scrie:
{ }{ } D E
~
w
e
2
1
= (VI.4.4)
Ţinând cont de relaţia (VI.4.1.a) relaţia (VI.4.4) devine:
{ }{ }{ } E E
~
w
e
c
2
1
= (VI.4.5)
unde c este dat de relaţia (VI.3.16).
Din relaţiile (VI.4.2) şi (VI.4.5) se obţine:
) E E E E E E ( E E E w
z y yz z x xz y x xy z zz y yy x xx e
c c c c c c + + + + + = 2 2
2 2 2
(VI.4.6)
Notând:

e
z
e
y
e
x
w
E
Z
w
E
Y
w
E
X
2
,
2
,
2
= = = (VI.4.7)
iar relaţia (VI.4.5) devine:
(VI.4.8) 1 2
2 2 2
= + + + + + ) Z Y Z X Y X ( Z Y X
yz xz xy zz yy xx
c c c c c c
relaţie care reprezintă ecuaţia unui elipsoid ale cărui axe principale nu coincid
cu axele de coordonate.
Efectuând o transformare de coordonate convenabilă de la X, Y, Z la x, y, z
astfel încât axele principale ale elipsoidului să coincidă cu axele de
coordonate atunci relaţia (VI.4.8) devine:
1
2
2
2
2
2
2
= + +
c
z
b
y
a
x
(VI.4.9)
adică ecuaţia unui elipsoid raportat la axele principale ÷ elipsoidul lui
Fresnel, unde:
76

3 2 1
1 1 1
c c c
= = = c , b , a (VI.4.10)
iar, c
1
, c
2
şi c
3
sunt valori principale ale permitivităţii dielectrice ale
cristalului. Axele elipsoidului lui Fresnel se numesc axe principale sau axe de
simetrie electrice ale mediului. În raport cu aceste noi axe tensorul
permitivităţii electrice ia forma:
{ }
¦
)
¦
`
¹
¦
¹
¦
´
¦
c
c
c
= c = c
3
2
1
0 0
0 0
0 0
(VI.4.11)
Din relaţiile (IV.4.1.a) şi (V.4.11) se obţine:
(VI.4.12)
¦
¦
¹
¦
¦
´
¦
=
=
=
z z
y y
x x
E D
E D
E D
3
2
1
c
c
c

VI.4.2. Elipsoidul indicilor
Densitatea de energie electrică dată de relaţia (V.8.14) se poate scrie şi sub
forma:
{ }{ } { }{ }{ } D D
~
E D
~
w
e
q
2
1
2
1
= = (VI.4.13)
unde:
{ } { }
z y x
D D D D
~
= (VI.4.14)
este este transpusa matricii { , iar } D
{ } { } c q = (VI.4.15)
este matricea tensorului impermeabilităţii electrice.
Procedănd ca la paragraful precedent se obţine:
170
1
2
3
2
2
2
2
2
1
2
= + +
n
z
n
y
n
x
(VI.4.16)
adică ecuaţia unui elipsoid numit elipsoidul indicilor, unde:

0
1
1
c
c
= n ,
0
2
1
c
c
= n ,
0
3
1
c
c
= n (VI.4.17)
sunt indicii de refracţie principali de-a lungul celor trei axe principale.
Dacă mediile sunt liniare, izotrope fără polarizaţie şi magnetizaţie
permanentă c este un scalar şi deci D

şi E

au aceiaşi direcţie. În astfel de
medii c c c c = = =
3 2 1
n
, iar elipsoidul indicilor (relaţia V.4.16) se reduce la un
sferă de rază r = , unde n este idicele de refracţie absolut al mediului.

VI.4.3. Propagarea undelor electromagnetice în medii dielectrice anizotrope
În mediile considerate (anizotrope, liniare, dielectrice, fără polarizaţie şi
magnetizaţie permanentă şi nedisipative) ecuaţiile Maxwell sunt de forma:

¦
¦
¦
¦
¹
¦
¦
¦
¦
´
¦
= V
= V
c
c
c = × V
c
c
µ ÷ = × V
0 H
0 D
t
E
H
t
H
E
0






(V.4.18)
Considerând că se propagă unde electromagnetice armonice de forma:
(V.4.19)
¦
¹
¦
´
¦
e =
e =
e =
) t i ( exp ) r ( H H
) t i ( exp ) r ( D D
) t i ( exp ) r ( E E
0
0
0

 

 

 
şi luând în considerare numai unda directă adică:
(V.4.20)
k
k i 1

÷ = V
relaţiile (V.4.19) devin:
171

¦
¦
¦
¹
¦
¦
¦
´
¦
= ·
= ·
= × ÷
= ×
0 1
0 1
1
1
0
k
k
k
k
H
D
D H k
H E k
 
 
  
  
e
µ e

(V.4.21.d)
(V.4.21.c)
(V.4.21.b)
(V.4.21.a)
şi se observă că:
172
*) vectorii D,

H

şi formează un triedru drept în această ordine;
k
1

*) , şi , adică vectorii D H
 
±
k
H 1
 
± E H
 
± D

,
k
1

şi E

sunt coplanari.
Din relaţiile (V.4.21) se obţine:
( ) |
k k
E E
v
D 1 1
1
0
2
|
    
· ÷ =
µ
(V.4.22)

VI.4.4. Structura undei electromagnetice în medii anizotrope
În cazul general vectori D

şi E

au orientări diferite şi formează între ei un
unghi u, fig. V.18, ambii fiind perpendicularii pe direcţia vectorului H

. În
acest caz (al mediilor anizotrope) vectorul
k
1

al direcţiei de propagare al
undelor este normal pe vectori D

şi E

, şi este diferit de vectorul lui
Poynting, dat de relaţia (IV.8.4). Fie
S
1

versorul vectorul lui Poynting; relaţia
(IV.8.4) se scrie:


Fig. V.18

S P P
S H E S 1
   
· = × = (V.4.23)
şi deci vectorul lui Poynting este normal pe planul determinat de E

şi H

.
Planul format de E

şi H

nu mai coincide cu planul frontului de undă ce
conţine pe şi D

H

.
După cum se observă din figură, fig. V.12,
S
1

este coplanar cu D

, E

şi
k
1

şi
formează cu unghiul
k
1

u .
Direcţia transferului de energie, dată de vectorul lui Poynting, nu mai
coincide cu direcţia de propagare a undei.
Dacă în intervalul de timp t t t ÷ ' = A energia se transferă pe direcţia dată de
vectorul lui Poynting cu viteza w numită viteză radială sau viteză luminoasă
a undei, în acelaşi timp At suprafaţa echifază se deplasează cu viteza v pe
direcţia dată de vectorul normalei la suprafaţele echifaze, , viteză care se
numeşte viteză normală, sau viteza fazei.
k
1

Se observă că:

u cos
v
w = (V.4.24)

VI.4.5. Ecuaţiile Fresnel
Notând o
k
, |
k
şi ¸
k
cosinuşi directori ai versorului
k
1

, şi folosind relaţia
(V.4.22) se obţine:

( )
( )
( )
¦
¦
¦
¦
¹
¦
¦
¦
¦
´
¦
· ÷ =
(
¸
(

¸

÷
· ÷ =
(
¸
(

¸

÷
· ÷ =
(
¸
(

¸

÷
k k z
k k y
k k x
E v D
E v D
E v D
1
1
1
1
1
1
3
0
2
2
0
2
1
0
2
 
 
 
¸
c
µ
|
c
µ
o
c
µ
(V.4.25)
Introducând în relaţia (V.4.23.c) componentele vectorului date de relaţia D

173
(V.4.25), şi ale lui se obţine:
k
1

174

( ) 0 1
1 1 1
3
2
0
2
2
2
0
2
1
2
2
÷
+
k
o
0
= ·
|
|
|
|
.
|

\
|
÷
+
÷
+ ÷ =
= +
k
k k
z k y k x k
E
v v v
D D D
 
c
µ
¸
c
µ
|
c
µ
o | ¸
(V.4.26)
de unde rezultă următoarea ecuaţie:
0
1 1 1
3
2
0
2
2
2
0
2
1
2
2
=
÷
+
÷
+
÷
c
µ
¸
c
µ
|
c
o
v v v
k k k
(V.4.27)
0
µ
În relaţia (V.4.26) simplificarea cu factorul ( )
k
E 1
 
· este justificată, deoarece
E
 
formează cu un unghi diferit de
k
1
2
t
(vezi fig. V.18), deci ( ) 0 1 = ·
k
E
 
.
Notând:

0
µ
1
1
1
c
= v ,
0 2
2
1
µ c
= v ,
0 3
3
1
µ c
= v (V.4.28)
care se numesc viteze principale şi sunt proporţionale cu axele elipsoidului
lui Fresnel, relaţia (V.4.27) devine:
0
2
3
2
2
2
2
2
2
2
1
2
v
2
=
÷
+
÷
+
÷ v v v v v
k k k
¸ | o
(V.4.29)
Relaţia (V.4.29) se numeşte ecuaţia vitezelor normale a lui Fresnel. Aceasta
este o ecuaţie bipătrată care are două soluţiile reale şi pozitive v' 
D
şi
(semnul arată că unda produsă într-un punct, pe direcţia de propagare,
se poate propaga în ambele sensuri) cărora le corespund vectorii
v' '  
'

şi
respectiv : D' '


( ) | |
( ) | |
¦
¦
¹
¦
¦
´
¦
· ' ' · ÷ ' '
' '
= ' '
· ' · ÷ '
'
= '
k k
k k
E E
v
D
E E
v
D
1 1
1
1 1
1
2
0
2
0
    
    
µ
µ
(V.4.30)
Înmulţind prima relaţie cu D' '

şi pe a doua cu D'

şi apoi scăzând relaţiile, se
obţine:
( ) ( ) 0
2 2
= ' ' · ' · ' ' ÷ ' D D v v
 
(V.4.31)
Dacă v v ' ' = ' , atunci 0 = ' ' · ' D D
 
, şi D'

şi D' '

oscilează în plane
perpendiculare, adică sunt polarizate liniar în plane perpendiculare.
În cazul în care v v ' ' = ' , cele două unde se confundă. Direcţiile pentru care
v v ' ' = ' se numesc axe optice binormale.
Urmând o cale analoagă cu cea precedentă din ecuaţiile lui Maxwell se
poate obţine relaţia:
( ) | |
S S
D D w E 1 1
2
0
    
· ÷ = µ (V.4.32)
Fie o
S
, |
S
şi ¸
S
cosinuşi directori ai versorului
S
1

în raport cu sistemul de
coordonate cartezian. Din relaţia (V.4.32) se obţine:

( )
( )
( )
¦
¦
¦
¦
¹
¦
¦
¦
¦
´
¦
· ÷ =
(
¸
(

¸

÷
· ÷ =
(
¸
(

¸

÷
· ÷ =
(
¸
(

¸

÷
S S z
o
z
S S y
o
y
S S x
o
x
D
w
E
D
w
E
D
w
E
1
1
1
1
1
1
2
2
2
 
 
 
¸ c
µ
| c
µ
o c
µ
(V.4.33)
Ţinând cont că 0 în timp ce 1 = ·
S
E
 
0 1 = ·
S
D
 
deoarece direcţiile lui D

şi E


nu coincid, se obţine o relaţie similară cu relaţia (V.4.29), de forma:
175
0
1 1 1 1 1 1
2
3
2
2
2
2
2
2
2
1
2
2
=
÷
+
÷
+
÷
v w v w v w
S S S
¸ | o
(V.4.34)
Relaţia (V.4.34) se numeşte ecuaţia vitezelor radiale a lui Fresnel, este o
ecuaţie bipătrată care are soluţiile şi cărora le corespund vectorii
'
w 
' '
w  E'


şi respectiv E' '

.
Existe unele direcţii priveligiate pentru care
' ' '
w w = iar acestea se numesc
axe optice biradiale.

VI.4.6. Suprafaţa vitezelor normale şi suprafaţa vitezelor radiale
Dacă din origine se trasează toate direcţiile posibile reprezentate prin
vectorul care corespunde vitezelor normale, vârfurile acestor vectori se vor
găsi pe o suprafaţă care se numeşte suprafaţa vitezelor normale sau suprafaţa
vitezelor de faza, care este dată de ecuaţia:
v

0
2
3
2
2
2
2
2
2
2
1
2
2
=
÷
+
÷
+
÷ v v
v
v v
v
v v
v
z
y
x
(V.4.35)
unde v
x
, v
y
şi v
z
sunt componentele carteziene ale vectorului viteză, iar
.
2 2 2 2
z y x
v v v v + + =
Relaţia (V.4.35) se mai poate scrie sub forma:

( )( ) ( )( )
( )( ) 0
2
2
2 2
1
2 2
2
3
2 2
1
2 2 2
3
2 2
2
2 2
= ÷ ÷ +
+ ÷ ÷ + ÷ ÷
v v v v v
v v v v v v v v v v
z
y x
(V.4.36)
care reprezintă ecuaţia unei suprafeţe de gradul şase.
Pentru a recunoaşte forma acestei suprafeţe o vom intersecta cu planul 0 v
z
=
şi rezultă:
( ) ( ) ( ) | | 0
2
1
2 2 2
3
2 2 2
2
2
= ÷ + ÷ ÷ v v v v v v v v
y x
(V.4.37)
sau
176
(V.4.38)
( ) ( ) ¦
¹
¦
´
¦
= ÷ + ÷
=
0
2
1
2 2 2
3
2 2
2
2
2
v v v v v v
v v
y x
Relaţiile (V.4.38) reprezintă ecuaţia unui cerc şi
respectiv ecuaţia unui ovaloid, fig. V.19. Din
figură se observă că cele două suprafeţe
Fig. V.19 au patru puncte de contact. Direcţiile
4 1
A A şi
3 2
A A corespund axelor optice binormale, pentru care v v ' ' = ' .
În mod similar se poate găsi locul geometric al vârfului vectorului w

. Se
obţine tot o suprafaţă cu două pânze corespunzând lui şi respectiv lui .
Notând cu w
x
, w
y
şi w
z
componentele carteziene ale lui
'
w
w
' '
w

se obţine:

( )( ) ( )( )
( )( ) 0
2
2
2 2
1
2 2 2
3
2
3
2 2
1
2 2 2
2
2
3
2 2
2
2 2 2
1
= ÷ ÷ +
+ ÷ ÷ + ÷ ÷
v w v w w v
v w v w w v v w v w w v
z
y x
(V.4.39)
relaţie care reprezintă suprafaţa vitezelor radiale.
Întersectând cu planul rezultă: 0 =
y
w
( ) ( ) ( ) | | 0
2
1
2 2 2
3
2
3
2 2 2
1
2
2
2
= ÷ + ÷ ÷ v w w v v w w v v w
z x
(V.4.40)
de unde se obţin următorele două ecuaţii:

¦
¦
¹
¦
¦
´
¦
= +
= +
1
2
1
2
2
3
2
2
2
2 2
v
w
v
w
v w w
z x
z x
(V.4.41)
relaţii care reprezintă ecuaţia unui cerc respectiv
Fig. V.20 ecuaţia unei elipse, fig. 20.
Direcţiile
3 1
B B şi
4 2
B B corespund axelor optice biradiale, pentru care
. w w ' ' = '
VI.4.7. Cristale biaxe şi uniaxe
Cristalele se caracterizează prin aşezarea ordonată a atomilor, ionilor sau
177
moleculelor în nodurile unei reţele geometrice tridimensionale. Aceste reţele
determină anizotropia cristalului. Sunt 7 sisteme cristalografice de
cristalizare: triclinic, monoclinic, ortorombic, tetragonal, cubic, trigonal şi
hexagonal.
Cristalele care au
3 2 1
c c c = =
3 2 1
au două axe optice, se numesc cristale biaxe,
iar cele care au c c c = = au o singură axă optică şi se numesc cristalele
uniaxe.
Notând:

0 2 0 1
2 1 0
1 1
µ c µ c
= = = = v v v (VI.4.42)
şi

0 3
1
µ c
=
e
v (VI.4.43)
viteza ordinară, şi respectiv viteza extraordinară, se pot defini:

0
0
v
c
n = şi
e
e
v
c
n = (VI.4.44)
indicele de refracţie ordinar, respectiv indicele de refracţie extrordinar.
În orice cristal există o direcţie de-a lungul căreia:
(VI.4.45)
e o
n n =
Aceată direcţie trece prin centrul elipsoidului lui Fresnel şi se numeşte axă
optică a cristalului. Orice plan ce conţine axă optică se numeşte plan de
secţiune principal sau secţiune principală.
Valoarea diferenţei se numeşte birefringenţa cristalului.
o e
n n ÷
Cristalele ce fac parte din sistemele de cristalizare triclinic, monoclinic sau
ortorombic au cele trei permitivităţi diferite,
3 2 1
c c c = = , şi sunt cristale
biaxe.
Cristalele ce fac parte din sistemele de cristalizare tetragonal, hexagonal
178
sau trigonal au
3 2 1
c c c = = , şi sunt cristale uniaxe. Cristalele uniaxe ce au
se numesc cristale uniaxe pozitive, iar cele cu 0 > ÷
o e
n n 0 < ÷
o e
n n se
numesc cristale uniaxe negative.
Cristalele ce fac parte din sistemul de cristalizare cubic au
c c c c = = =
3 2 1
, c este independent de direcţie,şi sunt cristale izotrope.

VI.4.8. Birefringenţa indusă
Fenomenul de birefringenţă se poate obţine şi în medii izotrope dacă se
creează o asimetrie prin acţiunea unor forţe exterioare ÷ birefringenţa indusă.

VI.4.8.1. Birefringenţa mecanică
Birefringenta mecanică sau birefringenta fotoelastică÷ a fost descoperită
de Brewster în 1813. Un solid izotrop poate deveni birefringent ca efect al
unei tensiuni mecanice.
Dispozitivul experimental este cel din fig. VI.19. Secţiunea principală a
polarizorului P este orientată cu 45
o
în raport cu direcţia de comprimare. În
lipsa comprimării 0 = F , analizorul A fiind încrucişat cu polarizorul P
lumina nu trece (vezi § VI.5.3). Când 0 = F se observă lumină.

Fig. VI.19
Diferenţa de drum optic o este:
( )d n n
o e
÷ = o (VI.4.46)
unde d este grosimea lamei.
179
Experienţa arată că:
p k n n
m o e
ì = ÷ (VI.4.47)
unde k
m
este o constantă (experimental pentru sticla de crom şi lumină
galbenă se obţine pentru constanta k
m
valoarea 05 , 0 ÷ ), iar
S
F
p = este
presiunea exercitată de forţa F pe suprafaţa S a lamei.
Dacă l este lungimea lamei de sticlă, atunci d l S = şi din relaţiile (VI.4.15) şi
(VI.4.47) rezultă:
ì o
l
F
k
m
= (VI.4.48)
Se observă că efectul nu depinde de grosimea lamei d, ci de forţa pe unitatea
de lungime
l
F
.

VI.4.8.2. Birefringenţa electrică
Birefringenţa electrică ÷ efect Kerr - a fost descoperită de Kerr în 1876.
Majoritatea lichidelor devin birefrigente când se află în câmp electric.
Direcţia vectorului intensitate câmp electric E

este evident o direcţie
privilegiată în jurul căreia fenomenul prezintă o simetrie de revoluţie. În acest
caz propietăţile optice ale lichidului sunt ca ale unui cristal uniax ce are axa
optică de-a lungul direcţiei câmpului electric.

Fig. VI.20
Aplicând o tensiune U, câmpului electric este
d
U
E = , unde d este distanţa
dintre electrozi, fig. VI.20, apare o diferenţă de drum optic egală cu:
( l n n δ
e 0
÷ ) = (VI.4.49)
180
unde l este lungimea parcursă de undă în mediul supus acţiunii câmpului
electric (lungimea electrozilor).
Experienţa arată că:
(VI.4.50)
2
0
E k n n
e e
ì = ÷
unde ) , ( ì T k k
e e
= este constanta Kerr care depinde de temperatură şi de
lungimea de undă a luminii care traversează lichidul.
Din relaţiile (VI.4.49) şi (VI.4.50) rezultă:
(VI.4.51)
2
E k l
e
ì o =
Pentru majoritatea lichidelor (ex: nitrobenzen), adică acestea se
comportă ca un cristal uniax pozitiv. Există şi lichide pentru care (ex:
eterul), adică acestea se comportă ca un cristal uniax negativ.
0 >
e
k
0 <
e
k
Efectul Kerr se datoreşte acţiunii directoare exercitate de câmpul electric
asupra moleculelor lichidului. Dacă asimilăm moleculele cu un elipsoid de
revoluţie alungit, forţele exercitate de câmpul electric tind să orienteze axa
lungă a acestuia paralelă cu câmpul electric. Este evident că agitaţia termică
tinde să restabilească dezordinea corespuzatoare echilibrului termic. Timpul
de apariţie a efectului este de pentru lichide nepolare cu molecule
mici şi de câteva secunde pentru lichide vâscoase.
s 10
11 ÷
Efectul Kerr apare şi în solide, dielectrici, cum ar fi: KTaO
3
, BrTiO
3
,
SrTiO
3
etc.
Efectul Kerr este utilizat pentru a obţine obturatori ultrarapizi, modulatori
de intensitate luminoasă etc.
VI.4.8.3. Efectul Pockels
Efectul Pockels apare în cristale simultan cu efectul Kerr, fiind în unele
cazuri preponderent cum ar fi în: fosfat monosodic – KDP (KH
2
PO
4
) şi fosfat
diacid de amoniu - ADP (NH
4
H
2
PO4). Acesta se datoreşte modificări
181
condiţiilor de propagare a undelor electromagnetice în prezenţa câmpului
electric, determinate de tensorul permitivităţii dielectrice sau al susceptivităţii
electrice.
Indicele de refracţie este de forma :
( ) E n n E n
3
2
1
t ÷ = (VI.4.52)

unde τ depinde de direcţia câmpului electric aplicat şi de starea de polarizare
a luminii.
Efectul Pockels este un efect liniar, adică indici de refracţie depind de câmpul
electric la puterea întâia, în timp ce efectul Kerr este un efect de ordinul doi,
depinzând de câmpul electric la puterea a doua.

VI.4.8.4. Birefringenţa magnetică- efectul Cotton - Mouton
Birefringenţa magnetică - este un fenomen asemănător birefringenţei
electrice, şi constă în apariţia birefringenţei când un lichid izotrop este supus
acţiunii unui câmp magnetic. Se obţine o lege de forma:
( ) ( ) l B C l n n
e
2
0
ì ì o = ÷ = (VI.4.53)
unde: δ - diferenţă de drum optic, l - distanţa parcursă de radiaţia având
lungimea de undă λ prin substanţa supusă câmpului magnetic, n
e
şi n
o
sunt
indicii de refracţie corespunzărori unei direcţii paralele, respectiv
perpendiculare pe B - inducţia câmpului magnetic, C(ì) - constanta Cotton-
Mouton.
Constanta C(ì) este pozitivă la nitrobenzen şi negativă la sulfura de carbon
şi apă.

VI.5. Lumina naturală şi lumina polarizată
182
După cum s-a văzut, din teoria lui Maxwell, lumina are un caracter
electromagnetic. Datele experimentale şi teoretice au arătat totodată
caracterul transversal al vibraţiilor luminoase. Impulsurile luminoase
microscopice ce alcătuiesc lumina emisă de o sursă macroscopică constituie
fiecare în parte o undă ce vibrează după o singură direcţie perpendiculară pe
direcţia de propagare şi într-un singur plan, adică o undă polarizată liniar sau
plan polarizată. Cu toate acestea datorită mişcării haotice a microsistemelor
ce emit aceste impulsuri în urma unor tranziţii spontane, orientările planelor
de polarizare ale diferitelor impulsuri sunt distribuite în mod aleatoriu, fară să
existe o direcţie priveligiată de oscilaţie în fascicolul luminos. În anumite
cazuri particulare de propagare sau de emisie este posibil să se imprime o
orientare bine determinată planurilor de oscilaţie. În acest caz lumina este
polarizată, şi se caracterizează prin existenţa unui anumit plan după care
intensitatea luminoasă are valoare maximă I
M
în timp ce într-un plan
perpendicular pe primul intesitatea luminoasă este minima I
m
. Măsura de
polarizare a luminii este dată de gradul de polarizare:

m M
m M
I I
I I
P
+
÷
= (VI.5.1)
Lumina naturală are , deoarece în acest caz 0 = P
m M
I I = , datorită izotropiei
planurilor de oscilaţie. Dacă
m M
I I = , 1 < P , iar lumina este parţial
polarizată. Dacă , 0 =
m
I 1 = P , lumina este total polarizată, oscilaţiile
efectuânduse numai într-un plan bine definit.
Lumina polarizată poate fi obţinută prin: reflexie, refracţie, birefringenţă
(dublă refracţie) sau absorbţie.

VI.5.1. Polarizarea prin reflexie
Fie un fascicul de lumină naturală incidentă pe o oglindă confecţionată
183
dintr-un dielectric. În lumina naturală neexistând o orientare privilegiată
, în timp ce A A A
n p
= =
n p
R R = (vezi formulele lui Fresnel § VI.5.2), iar
relaţia (VI.5.1) se scrie:

2 2
2 2
p n
p n
R R
R R
P
+
÷
= (VI.5.2)
adică lumina reflectată este parţial polarizată.
Dacă
2
t
| o = + , adică la incidenţă brewsteriană, 0 =
p
R , , iar lumina
reflectată este polarizată liniar total.
1 = P
Dacă unghiurile o şi | sunt mici încât tangentele să fie egale cu sinsurile
atunci , iar lumina reflectată este lumină naturală.
2 2
p n
R R ~

VI.5.2. Polarizarea prin refracţie
Fie o unda de lumină naturală incidentă pe o lamă de sticlă. În lumina
naturală nu există o orientare priviligiată A A A
n p
= = . Din formulele Fresnel
(§ VI.5.2) se obţine:
( ) o | ÷ = cos
p n
T T (VI.5.3)
iar relaţia (VI.5.1) se scrie:
0
2 2
2 2
=
+
÷
=
n p
n p
T T
T T
P (VI.5.4)
adica lumina transmisă este parţial polarizată.
La incidenţă apropiată de incidenţa normală
( ) 1 cos ~ ÷o | , iar (vezi formulele lui
Fresnel § VI.5.2), şi
2 2
p n
T T ~
0 = P . Deci, lumina
transmisă este lumină naturală.
184
Polarizaţia prin refracţie prezintă avantajul că
fascicolul polarizat este paralel cu cel incident
Fig. VI.16 (apare totuşi o deplasare a razelor incidentă şi
refractată, deplasare care apare întotdeauna când are loc o refracţie printr-o
lamă cu feţele plan-paralele), fig. VI.16. Se observă că nu se poate obţine
lumină total polarizată deoarece T
n
şi T
p
se anulează simultan, iar valoarea
2 / t o | = ÷ este exclusă deoarece o şi | sunt în primul cadran. Se poate
obţine o lumină cu un grad suficient de polarizare prin refracţii succesive pe
7÷8 lame.

VI.5.3. Polarizarea prin birefringenţă (dublă refracţie)
La trecerea unui fascicol luminos ce cade normal pe un mediu anizotrop
uniax (ex: carbonat de calciu÷ spat de Islanda, cristal uniax negativ) se obţin
două unde refractate: una din unde se propagă în conformitate cu legile
opticii geometrice ÷ unda ordinară şi îi corespunde indicele de refracţie
ordinar n
o
; a doua nu respectă aceste legi ÷ unda extraordinară căreia îi
corespunde indicele de refracţie extrordinar n
e
. Acest fenomen şe numeşte
birefringenţei (dublă refracţie).
Birefringenţa nu are loc de-a lungul axei optice a cristalului. Planul care
conţine axa optică şi raza incidentă se numeşte plan principal (secţiune
principală) a cristalului. Unda ordinară este polarizată liniar total în planul de
incidenţă, iar cea extraordinară perpendicular pe acest plan.
Pentru a obţine lumină total polarizată este suficient să separăm fascicolele ce
apar. Unul din dispozitivele ce pot efectua o astfel de separare este prisma
Nicol. Acesta este format din două jumatăţi de spat de Islanda convenabil
tăiate şi lipite cu balsam de Canada, fig.VI.17. Indicele de refracţie al
balsamului de Canada este mai mic decât indicele de refracţie al undei
185
186
ordinare şi aceasta se reflectă total deoarece cristalul este astfel tăiat încât
unghiul de incidenţă este mai mare decât unghiul limită. După reflexie undei
ordinară este absorbită de un strat de lac negru aplicat la baza prismei. Unda
extraordinară trece nedeviată sub forma unei unde total polarizată liniar,
având aceeaşi direcţie cu unda incidentă. O astfel de prismă Nicol cu ajutorul
căreia se poate obţine lumină
Fig. VI.17 total polarizată se numeşte polarizor.

VI.5.4. Polarizarea prin absorbţie selectivă
Unele cristale birefringente au coeficienţi de absorbţie diferiţi pentru
diferitele direcţii de propagare ale vibraţiilor luminoase. Astfel, unele cristale
pot absorbi în întregime vibraţiile care se execută într-un plan, în timp ce
vibraţiile ce se execută într-un plan perpendicular sunt transmise, iar la
ieşirea din cristal se obţine un singur fascicul polarizat liniar.
Efectul se numeşte absorbţie selectivă sau dicroism.
Un cristal natural care prezintă acest fenomen este turmalina – cristal
natural uniax negativ. Fie o plăcă, dintr-un cristal de turmalină, cu feţele plan
paralele cu axa principală cristalografică adică cu axa optică. Lasând să cadă
un fascicol de lumină naturală pe o astfel de placă se va obţine la ieşirea din
placă un singur fascicol de lumină polarizată liniar. În aceast caz raza
ordinară este absorbită, iar cea extrordinară este transmisă.
Dacă un fascicol de lumină naturală este trimis prin două astfel de plăci ce
sunt aşezate cu axele optice paralele (fig. VI.18.a) lumina străbate sistemul,
în timp ce în cazul în care cele două plăci sunt aşezate cu axele optice
perpendiculare (fig. VI.18.b) lumina nu mai străbate sistemul.

a) b)
Fig. VI.18
Obţinerea luminii polarizare prin absorbţie selectivă se realizează practic
cu polaroizi, deoarece cristalele naturale care prezintă absorbţie selectivă au
în general dimensiuni mici. Polaroizii constau din geamuri de sticlă pe care se
depune un strat de gelatină în care sunt înglobate cristale fine dintr-o
substanţă care prezină fenomenul de dicroism (ex: turmalina, materiale
plastice, nitroceluloză etc.). Pentru a asigura orientarea tuturor cristalelor în
acelaşi sens în timpul solidificării se aplică câmpuri electrice puternice şi în
acelaşi timp se pecizează şi direcţia axei optice.
Polaroizii au o foarte mare utilizare în ştiinţă şi tehnică.

VI.5.5. Polarizarea rotatorie
Fenomenul optic de rotire a planului de polarizare a luminii liniar
polarizate se numeşte polarizare rotatorie.
Exemple de substanţe la care se întâlneşte acest fenomen sunt: cuarţul,
cristalele de zahăr, zahăr în soluţie etc.
187
Această proprietate a unor substanţe de a roti planul de polarizare a luminii se
numeşte activitate optică. Unele substanţe rotesc planul de polarizare spre
dreapta - se numesc dextrogire, în timp ce alte substanţe rotesc planul de
polarizare spre stânga - se numesc levogire.
Pentru substanţele optic active este valabilă relaţia:
l o ¢ = (VI.5.14)
unde: ¢ = unghiul cât s-a rotit planul de polarizare; o = puterea rotatorie care
este o constantă de material; l = grosimea stratul de substanţă străbătută.
Pentru substanţele optic active în soluţii, rotirea planului de polarizare
depinde explicit şi de concentraţia c a soluţiei după relaţia:
c l
s
o ¢ = (VI.5.15)
unde o
s
este puterea rotatorie specifică.
Pe această bază sunt construite polarimetrele şi zaharimetrele, aparate folosite
la determinare concentraţiei substanţelor optic active dizolvate într-un
solvent.

VI.5.6. Legea lui Malus
Dacă trimitem un fascicol de lumina de intensitate I
0
pe un ansamblu de
doi polarizori (nicoli) şi măsurăm prin procedee fotometrice obişnuite
intensitatea fascicolului transmis de cei doi polarizori se verifică relaţia:
(VI.5.16) o
2
0
cos I I =
unde o este unghiul format de planele de polarizare ale celor doi polarizori.
Pentru 0 = o ,
0
I I = , lumina trece, în timp ce pentru 2 / t o = , 0 = I şi
lumina nu trece. Cele două cazuri corespund polarizorilor “paraleli”
respectiv “încrucişaţi”.

187
188

VI.5.7. Aplicaţiile luminii polarizate
Lumina polarizată este folosită în ştiinţă şi tehnică.
În ştiinţă:
*) la determinarea spinului nucleului pe cale polarimetrică;
*) la studiul efectelor Stark, Zeeman şi Faraday;
*) la rotaţia optică şi la studiul structurii moleculare;
*) în astrofizică ÷ la studiul stării de polarizare a luminii primite de la
diferite nebuloase etc;
În tehnică:
*) la analiza tensiunilor produse în piese sub acţiunea forţelor exterioare ÷
metoda fotoelastică;
*) la măsurători de rotaţie unghiulară şi de deplasări liniare sau unghiulare
(telemetrie) în metrologie;
*) la modulări de fluxuri luminoase;
*) la filtre optice cu proprietăţi variate şi cu aplicaţii diverse, etc.

VI.6. Holografie
Laserii au reactualizat unele domenii ale opticii, dând extindere practică
noţiunii de coerenţă şi sensuri noi unor idei mai vechi legate de tehnica
perfecţionării imaginilor.
Holografia
*)
este o metodă interferenţială de înregistrare a undelor de
lumină difractate de un obiect iluminat cu lumină coerentă.
Prin holografie, se obţin imagini în relief, holograme, cu ajutorul unor
fascicule de lumină coerentă (produse de un laser), fără vreun obiectiv
fotografic. În urma interferenţei dintre razele laser difuzate de obiectul
holografiat şi cele ale unui fascicul auxiliar la nivelul stratului fotosensibil de


*)
Această posibilitate a fost sesizată de Gabor în 1948, şi realizată practic în 1950.
pe placa fotografică este înregistrat un sistem de franje de interferenţă. Pentru
reproducerea imaginii obiectului placa trebuie „citită” tot în lumină coerentă
provenită de la un laser, modulând din nou fasciculul de raze laser.
Holograma oferă o imagine în relief şi spre deosebire de fotografiile stereo
obişnuite unde senzaţia de profunzime se obţine doar după o singură direcţie
aici senzaţia se realizează după un număr mare de direcţii.
Metoda holografică poate folosi toate categoriile de unde: unde luminoase,
microunde, radiaţii Rontgen etc. cu condiţia ca acestea să aibă coerenţa
necesară obţinerii imaginii de interferenţă. Deşi, s-au obţinut holograme
folosind unde din toate categoriile, în prezent cel mai mare interes îl prezintă
holografia optică.

VI.6.1. Producerea hologramei
Obţinerea hologramei se realizează folosind lumină monocromatică. O
undă monocromatică emisă de un laser este trimisă spre obiectul a cărui
hologramă dorim s-o obţinem (fig. VI.21).
Pe placa fotogarfică (film fotografic) se suprapun unda difuzată sau
difractată de obiect, unda directă (u.o.) şi unda de referinţă (u.r.) a cărei fază
constantă este obţinută prin reflexie pe o lamă cu feţele plan paralele (LS).

Fig. 21
Prin suprapunerea acestor unde coerente se formează pe placă fotografică o
189
190
figură de interferenţă care constitue holograma obiectului. Interfranjele
hologramei conţin informaţii atât asupra diferenţelor de fază dintre unda
incidentă şi unda de referinţă, cât şi despre amplitudinea undei obiect care
determină contrastul figurii de interferenţă.

VI.6.2. Reconstrucţia obiectului
Fiecare parte din hologaramă conţine toate informaţiile referitoare la
obiect, iar pentru reconstituirea imaginii este suficient numai o parte din
hologramă. Deoarece holograma este asemănătoare cu o reţea plană de
difracţie, în urma iluminării acesteia se produce, prin difracţie, o imagine
tridimensională.
Pentru a reda imaginea înregistrată pe o hologramă trebuie să developăm
placa fotografică, şi s-o iluminăm doar cu un fascicul laser cu aceleaşi
proprietăţi cu cel folosit la înregistrarea hologramei. Figura de interferenţă
holografică înregistrată va difracta fasciculul laser care traversează
holograma şi astfel se reconstruieşte imaginea obiectului. Imaginea obţinută
se formează prin reconstrucţia frontului de undă. Imaginea are toate
dimensiunile obiectului original şi pare atât de reală încât observatorul este
tentat să o atingă cu mâna, dar acesta întâlneşte doar un fascicul de lumină
focalizat. Spre deosebire de o fotografie sau o pictură, o hologramă poate
reda un subiect cu o fidelitate dimensională totală. O hologramă creează tot
ceea ce vede ochiul: adâncime, dimensiune, formă, textură şi poziţie relativă.
Pe acelaşi film holografic se pot înregistra simultan imaginile mai multor
obiecte.
Există două tipuri de holograme după modul de iluminare: (a) prin reflexie ca
în cazul observării unei fotografii sau a unui tablou atârnat pe perete; (b) prin
transmisie.
191
Hologramele au următoarele proprietăţi:
- a) reprezintă o fotografie obţinută fără lentile;
- b) imaginile sunt tridimensionale prezentând o adâncime şi o paralaxă; îşi
schimbă aspectul în mod continuu o dată cu modificarea unghiului de vedere;
- c) orice parte a unei holograme conţine întreaga imagine;
- d) dimensiunea imaginii depinde de lungimea de undă utililizată; aceasta
putând fi modificată cu ajutorul lungimii de undă;
- e) reconstrucţia imaginii se poate realiza cu orice laser, singura condiţie
fiind aceea ca fasciculul utilizat să fie coerent.
Emulsiile pentru filmele holografice cele mai folosite sunt:
(a) Halogenură de argint - se obţin imagini de foarte bună calitate ce sunt
utilizate şi de fotografi şi artişti. Această emulsie este mai ieftină, mai puţin
fragilă, mai uşor de mânuit, dar nu asigură o calitate superioară în privinţa
adâncimii imaginii şi a rezoluţiei acesteia.
(b) Gelatină dicromată care este un amestec de gelatină cu alte substanţe
chimice depusă pe sticlă. Dicromatele produc imagini strălucitoare în
domeniul galben din vizibil. Imaginile au o adâncime mică dar se pot observa
cu ochiul liber. Această calitate le face mult utilizate în industria cadourilor.
Dicromatele au fost în multe cazuri înlocuite cu hologramele cu fotopolimeri
mult mai ieftine.
(c) Fotopolimerii sunt materialele cele mai noi. Acestea au fost introduse
de Polaroid şi Dupont. Fotopolimerii au un suport de plastic şi sunt adecvaţi
pentru producţia de serie. Adâncimea imaginii este puţin mai mică decât în
cazul celei obţinute cu halogenură de argint, dar imaginile sunt mai
strălucitoare şi au un unghi mai mare din care pot fi observate.

192
VI.6.3. Aplicaţii ale holografiei
În afară de obţinerea imaginilor în relief, holografia are numeroase alte
aplicaţii.
Holograme mici au fost introduse iniţial pe cărdurile de credit pentru a
preveni falsificarea acestora, sunt folosite azi tot mai des pe bancnote, pe
biletele emise pentru intrarea la diferite manifestări culturale sau sportive, pe
ambalajele originale ale programelor pentru calculator, precum şi pe alte
produse în acelaşi scop.
Un alt exemplu important al aplicaţiilor hologramelor sunt codurile de bare
de pe mărfurile vândute în marile magazine. Cititorul de coduri citeşte
informaţia de pe o reţea holografică. Această industrie mare a codurilor de
bare a făcut din holografie un succes industrial.
În industria aviatică sunt utilizate monitoarele numite HUD (head-up
displays) care permit piloţilor să vadă instrumentele de pe bordul avionului
care sunt proiectate printr-o tehnologie holografică.
Deoarece o hologramă poate să stocheze o cantitate foarte mare de
informaţie, se pot realiza memorii mult mai mari şi mai rapide decât cele
existente. Tehnica de stocare holografică de date, prin care este stocată
informaţia cu o densitate foarte mare în cristale sau fotopolimeri are şansa să
devină următoarea generaţie după tehnica blu-ray (care este limitată de
difracţie). Se estimează că se va ajunge cu această tehnică la o viteză de citire
a informaţiei de 1 terabit/s. În anul 2005 unele companii ca Optware şi
Maxell au produs un disc cu diametrul de 120 mm cu strat holografic care are
potenţialul de stocare de 3,9 TB şi care probabil va purta numele de
Holographic Versatil Disc.


193
VI.7. Absorbţia, difuzia şi dispersia luminii
Absorbţia, difuzia şi dispersia luminii sunt fenomene ce apar simultan la
propagarea luminii printr-un mediu.

VI.7.1. Absorbţia luminii
Toate substanţele sunt absorbante într-o anumită măsură. Unele substanţe
prezintă absorbţie pentru un domeniu larg de lungimile de undă în mod egal -
absorbţie generală. În natură nu există o substanţă care să prezinte o
absorbţie pentru absolut toate lungimile de undă, dar există substanţe care se
apropie de acest caz: negru de fum şi unele metale. Alte substanţe prezintă
absorbţie numai pentru anumite lungimi de undă - absorbţie selectivă.
Fenomenul de absorbţie selectivă este specific coloranţilor. Absorbţia
selectivă influenţeză culoare corpurilor. Culoarea se datoreşte pătrunderii
luminii pe o distanţă mică în corp urmată de un proces complicat de reflexie,
refracţie, împraştiere şi absorţie selectivă.

VI.7.2. Difuzia luminii
Experimental se constată că la trecerea unui fascicol de lumină printr-un
mediu (substanţă) intensitatea sa scade. Scăderea intensităţii fascicolui se
datoreşte atât unui proces de absorbţie cât şi unui proces de difuzie
(împrăştiere) ce apare mai ales când mediul este alcătuit din particule de
dimensiuni mici, pe care lumina este reflectată sau împraştiată neregulat.

VI.7.3. Dispersia luminii
Propagarea luminii printr-un mediu poate fi însoţită şi de fenomenul de
dispersie adică de variaţia indicelui de refracţie cu lungimea de undă.
În fig. VI.13 este prezentată variaţia indicelui de refracţie cu lungimea de
unda ( ) ì n n = , pentru mai multe substanţe. Din alura curbelor se pot trage
următoarele concluzii:
*) indicele de refracţie scade când lungimea de undă creşte; *) panta
curbelor este mai mare când lungimea de undă este mai mică; *) curbele
experimentale obţinute pentru diferite substanţe nu pot fi suprapuse printr-o
schimbare convenabilă a scalei de reprezentare.

Fig. VI.13 Fig. VI.14
Fenomenul de dispersie ce prezintă caracteristicile de mai sus se numeşte
dispersie normala.
Pentru unele substanţe variaţia indicilui de refracţie cu lungimea de undă,
( ) ì n n = , este cea din fig. VI.14. În acest caz dispersia se numeşte dispersie
anomala şi este prezentă în domeniul benziilor de absorbţie, în timp ce
dispersia normală este prezentă în domeniile îndepărtate de acestea.
Primul care a încercat sa explice fenomenul de dispersie a fost
matematicianul Cauchy. El a arătat că:
...
C B
A n + + + =
4 2
ì ì
(VI.7.1)
unde A, B, C, ... sunt constante ce depind de substanţă.
Luând în considerare primii doi termeni putem determina variaţia indicelui de
refracţie cu lungimea de unda (dispersia):
194

3
2
ì ì
B
d
n d
÷ = (VI.7.2)
O teorie a dispersiei anomale a fost dată de Sellmeier. Când substanţa
prezintă o singură bandă de absorbţie variaţia indicelui de refracţie cu
lungimea de undă este:

2
0
2
2
2
1
ì ì
ì
÷
+ =
C
n (VI.7.3)
unde
0
ì este lungimea de undă corespunzătoare oscilaţiilor proprii, iar pentru
substanţele ce au mai multe banzi de absorbţie, relaţia (VI.7.3) se scrie:

¿
÷
+ =
j j
j
C
n
2
0
2
2
2
1
ì ì
ì
(VI.7.4)
cu
j 0
ì lungimile de undă corespunzătoare oscilaţiilor proprii, ì lungimea de
undă a luminii, iar C şi C
j
sunt constante.
Dacă
0
ì ì > , adică în afara domeniul de absorbţie (VI.7.4) devine:

(
¸
(

¸

+ + + = ÷ ... C C n
4
4
0
2
2
0
2
1 1
ì
ì
ì
ì
(VI.7.5)
Dacă n este apropiat de unitate, atunci , şi se obţine formula
lui Cauchy. Aceasta prezintă discontinuităţi pentru valori ale lungimii de
undă corespunzătoare benzilor de absorbţie în contradicţie cu experienţă care
arată că variaţia variaţia indicilui de refracţie cu lungimea de undă nu
prezintă discontinuităţi, ci o variaţie lentă în lungul benzii de absorbţie.
) 1 ( 2 1
2
÷ ~ ÷ n n

195

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful