You are on page 1of 12

‫نیمرسانا‬

‫نیمرسانای ذاتی‬
‫برای نیمرسانایی كه ناخالصی نداشته باشد ‪ ،‬مانند سیلیسیوم یا ژرمانیوم‬
‫‪ ،‬تعداد الكترون‌های موجود در نوار رسانش و تعداد حفره‌های موجود در‬
‫نوار ظرفیت باهم برابر ند ‪ .‬یك چنین نیمرسانایی را نیمرسانای ذاتی می‬
‫گویند ‪.‬‬
‫تعداد ترازهای خالی در دسترس الكترون های نوار رسانش ‪،‬بیشتر از‬
‫س الكترون های نوار ظرفیت است‬ ‫حالت های قابل دستر ِ‬
‫بنابراین حركت الكترون های نوار رسانش راحت‌تر از حركت الكترون‌های‬
‫نوار ظرفیت كه باعث حركت حفره ها می‌شود ‪ ،‬است ‪ .‬می‌توان گفت‬
‫سهم الكترون های نوار رسانش در رسانایی بیشتر از سهم حفره‌های‬
‫نوار ظرفیت است ‪.‬‬

‫نكته‬
‫هنگامی‌كككه یككك نیمرسككانا در میدان الكتریكككی قرار می‌گیرد الكترون های‬
‫نوار رسككانش در خلف جهككت میدان و حفره‌های نوار ظرفیككت درجهككت‬
‫میدان حركت می‌كنكند ‪.‬‬

‫كاهش مقاومت ویژه‌ی یك نیمرسانا در اثر افزایش دما‬


‫در دماهای بسكیار پاییكن نیمرسكانا نوار ظرفیكت پكر و نوار رسكانش خالی‬
‫دارد ‪ .‬از این رو همان گونه كه پیش از این گفته شد نه ‌الكترون های نوار‬
‫ظكر فیكت ككه پكر اسكت در رسكانش شرككت می‌كنككند و نكه در نوار رسكانش‬
‫الكترونكی وجود دارد‪ .‬از ایكن رو در ایكن دماهكا نیمرسكانا مثكل یكك نارسكانا‬
‫است و الكترون‌های آن نمی‌توانند از میدان الكتریكی انرژی كسب كنكند ‪،‬‬
‫‌و مقاومككت ویژه‌ی آنهككا بسككیار بال می‌رود در نتیجككه هككم تعداد بسككیاركم‬
‫الكترون در نوار رسكانش الكتریككی شرككت می‌كنككند و هكم چنكد تراز خالی‬
‫در نوار ظرفیكت ایجاد می‌شود ‪ .‬ككه گذار الكترون هكا ازیكك تراز پكر در نوار‬
‫ظرفیت به یكی از این تراز های خالی در همان نوار را میسر می‌كند و در‬
‫نتیجككه نوار ظرفیككت نیككز سككهمی در رسككانش الكتریكككی پیدا می‌كنككد واز‬
‫مقاومكت ویژه‌ی الكتریككی آن كاسكته می‌شود ولی بكا توجكه بكه ككم بودن‬
‫تعداد الكترون‌هایی كه به نوار رسانش رفته‌اند و كم بودن تعداد ترازهای‬
‫انرژی خالی در نوار ظرفیكت ‪ ‌،‬هرچكه دمكا بالتكر رود تعداد الكترونهای نوار‬
‫رسكانش و تعداد ترازهای خالی ظرفیكت بیشتكر می‌شود و در نتیجكه سكهم‬
‫هردو نوار در رسكانش الكتریككی افزایكش می‌یابكد واز مقاومكت الكتریككی‬
‫بیشتر كاسته می‌شود ‪.‬‬

‫نكته‬
‫الكترونهایی كه در نوار ظرفیت‌اند پیش از آن كه الكترون نوار ظرفیت را‬
‫ترك كنكد سكهمی در رسكانش الكتریككی ندارنكد ولی پكس از آنككه تعدادی از‬
‫الكترونهكا بكه نوار رسكانش مكی رونكد ‪،‬چنكد تراز خالی در نوار ظرفیكت پیدا‬
‫مكی شود ‪ .‬ایكن جای خالی الكترون در نوار ظرفیكت را حفره مكی نامنكد ‪.‬‬
‫در ایكن وضعیكت الكترون هایكی ككه در نوار ظرفیكت مانده‌انكد می‌تواننكد بكا‬
‫كسكككب كمكككی انرژی ‪ ،‬گذاری از تراز خود به‌یككككی ازایكككن ترازهای خالی‬
‫( حفره )‌ انجام دهنكد و در رسكانش شرككت كنككند ‪ .‬در ایكن صكورت همان‬
‫طور ككه پیكش از ایكن گفتیكم نوار ظرفیكت نیكز در رسكانش الكتریككی سكهم‬
‫دارد ‪.‬ایكككن گذار الكترون از تراز اولیه‌ی خود بكككه تراز خالی ‪ ،‬مشابكككه آن‬
‫اسكت ككه حفره از تراز قبلی خود بكه تراز اولیه‌ی الكترون رفتكه اسكت ‪ .‬بكه‬
‫ایكن ترتیكب می‌توانیكم بكه جای آن ككه بگوییكم « الكترون گذاری درون نوار‬
‫ظرفیكت انجام داده اسكت » بگوییكم «حفره تراز خود را تغییكر داده اسكت‬
‫‪ ».‬بنابراین می‌توانیم رسانش مربوط به نوار ظرفیت را بر حسب حفره‬
‫توضیح دهیم ‪ ،‬و به جای این كه تعداد بسیار زیاد الكترون‌های نوار ظرفیت‬
‫را در نظكر بگیریكم ‪ ،‬گذار تعداد ككم حفره‌كها را بررسكی كنیكم ككه در نتیجكه‬
‫توضیح‌پدیده‌ها بسیار ساده‌تر می‌شود ‪.‬‬

‫تمرین‬ ‫‪‬‬
‫اگر دمای نمونه ای از نیمرسانا ی ذاتی ( مثل سیلیسیم خالص )‌افزایش‬
‫یابد ‪:‬‬
‫‪.1‬تعداد حفره‌ها افزایش می یابد ولی تعداد الكترون های رسانش‬
‫زیاد نمی‌شود ‪.‬‬
‫‪.2‬تعداد الكترون های رسانش افزایش می یابد ولی تعداد حفره‌ها‬
‫زیاد نمی‌شود ‪.‬‬
‫‪.3‬گاف انرژی زیاد می‌شود ‪.‬‬
‫‪.4‬رسانندگی الكتریكی افزایش می‌یابد ‪.‬‬
‫‪.5‬خواص الكتریكی تغییر نمی‌كند ‪.‬‬

‫گزينه «« ‪ »» 4‬افزايش دما حامل‌هاي بار ( الكترون ها و حفره ها )‬


‫را زياد مي‌كند ‪.‬‬

‫نكته‬
‫تعداد حاملن بار بكا افزایكش دمكا بیشتكر می‌شود ‪ .‬علوه بر ایكن اضافكه‬
‫كردن ناخالصی ( اتم هایی كه از جنس اتم‌های نیمرسانای ذاتی نیستند ) ‌‬
‫به نیمرسانا تعداد حاملن بار را افزایش می دهد ‪.‬‬
‫جنبه های اصلی نظریه‌ی نواری به صورت زیر جمع‌بندی‬
‫می‌شود ‪:‬‬

‫‪.1‬وقتی اتم‌های زیادی گرد هم می‌آیند تا یك جامد تشكیل شود ‪،‬‬


‫برهم‌كنش بین اتم‌ها باعث می‌شود كه ترازهای انرژی به صورت‬
‫نوارهایی پخش شوند ‪ .‬یعنی یك تراز انرژی اتمی تبدیل به یك نوار‬
‫انرژی در جامد می‌شود ‪.‬‬
‫‪.2‬خواص نوارها را ویژگی‌های اتمی ‪ ،‬اتم‌های منزوی و فاصله‌ی بین‬
‫اتم‌ها در جامد تعیین می‌كند ‪.‬‬
‫‪.3‬ویژگی‌های جامد را چگونگی اشغال شدن شدن نوارها و بزرگی‬
‫گاف انرژی بین آن‌ها ‪ ،‬تعیین می‌كند ‪.‬‬
‫آلیش نیمرساناها‬
‫افزودن مقدار كمكی ناخالصكی بكه نیمرسكانا را آلیكش نیمرسكانا میگوینكد ‪.‬‬
‫ایكن كار تاثیكر چشمگیری بر مقاومكت الكتریككی نیمرسكانا دارد ‪ .‬مقاومكت‬
‫نیمرسانا با افزایش ناخالصی‌ها كم می‌شود ‪ ،‬و رسانش الكتریكی توسط‬
‫آن بهتر صورت می‌گیرد ‪.‬‬
‫نیمرسانای غیرذاتی‬
‫در موردی كه رسانش بیشتر به دلیل وجود ناخالصی باشد ‪ ،‬نیمرسانا را‬
‫غیر ذاتی می‌گویند ‪.‬‬

‫نكته‬
‫نیمرسانای غیر ذاتی می‌تواند به دو صورت وجود داشته‬
‫باشد ‪:‬‬
‫الف ) نیمرسككانایی كككه در آن وجود ناخالصككی ‪ ،‬الكترون اضافككی بككه نوار‬
‫رسانش می‌دهد ‪ ( .‬نیمرسانای نوع ‪) n‬‬
‫ب ) نیمرسكككانایی ككككه در آن وجود ناخالصكككی ‪ ،‬حفره‌ی اضافكككی در نوار‬
‫ظرفیت به وجود می‌آورد ‪ ( .‬نیمرسانای نوع ‪) p‬‬
‫برای مثال ‪ Si‬سكیلیسیم و ‪ Ge‬ژرمانیوم دو ماده‌ی نیمرسكانا هسكتند ككه‬
‫به طور متداول در قطعه‌های الكترونیكی به طور متداول به كار می‌روند ‪.‬‬
‫اتم‌های هردوی ایككن عنصككرها ‪ ،‬هریككك چهار الكترون ظرفیككت دارنككد ‪ .‬در‬
‫هریكك از ایكن نیمرسكاناها اگكر بكه جای یككی از اتكم هكا ناخالصكی پنكج یكا سكه‬
‫ظرفیتككی وارد كنیككم ‪ ،‬نیمرسككانا را آلییده‌ایككم و بككه ترتیككب نیمرسككانای‬
‫غیرذاتی نوع ‪ n‬یا ‪ p‬به دست ‌‌آورده‌ایم‪.‬‬

‫نیمرسانای نوع ‪n‬‬


‫اگر یك اتم ناخالصی پنج ظرفیتی ‪ ،‬مانند آرسنیك ( ‪ ، ) Ar‬به نیمرسانایی‬
‫از جنس سیلیسیم وارد كنیم همان‌گونه كه در شكل زیر نشان داده است‬
‫‪ ،‬چهارتا از الكترون‌های ظرفیت اتم آرسنیك در پیوند كووالن بین این اتم‬
‫و اتم‌های سیلیسیم‬
‫همسكایه شرككت می‌كنككند ‪ .‬ایكن چهار الكترون بكه جای الكترون‌های اتكم ‪Si‬‬
‫سكیلیسیم ترازهای انرژی را در نوار ظرفیكت اشغال می‌كنككند ‪.‬حضوراتكم‬
‫ناخالصككی سككاختار نواری را تغییككر می‌دهككد ‪ .‬بككه ایككن ترتیككب كككه الكترون‬
‫اضافككی ( الكتروم پنجككم ) بر روی ترازی قرار می‌گیرد بككه نام تراز دهنده‬
‫در فاصله ی كمی زیر نوار رسانش قرار دارد ‪ .‬چون فاصله‌ی این تراز از‬
‫نواررسكانش بسكیار ككم اسكت ‪ ،‬تنهكا مقدار كمكی انرژی برای برانگیختككه‬
‫كردن و بردن آن از ایكن تراز بكه نوار رسكانش كافكی اسكت ‪ .‬در نتیجكه در‬
‫نوار رسكانش علوه بر الكترون‌های ذاتكی ‪ ،‬یكك الكترون دیگكر نیكز خواهیكم‬
‫داشككت ‪ .‬ایككن نوع اتم‌های ناخالصككی را كككه یككك الكترون اضافككی بككه نوار‬
‫رسانش می‌دهند ‪‌،‬ناخالصی دهنده می‌نامند ‪ .‬و نیمرساناهایی را كه با اتم ‌‬
‫های دهنده آلییده شده باشنككد از آن‌رو نیمرسككانای نوع ‪ n‬می‌نامنككد كككه‬
‫بیشتر حاملن بار در آن ها از نوع منفی ( ‪ ) ngative‬هستند ‪،‬یعنی تعداد‬
‫الكترون‌ها خیلی بیش از تعداد حفره‌هاست ‪.‬‬

‫نیمرسانای نوع ‪P‬‬


‫اگر یك اتم ناخالصی سه ظرفیتی ‪ ،‬مانند ایندیوم ( ‪ ، ) In‬بور ‪ ،‬آلومینیوم‬
‫یكا گالیكم ‪ ،‬بكه نیمرسكانایی از جنكس سكیلیسیم وارد كنیكم همان‌گونكه ككه در‬
‫شكل زیر نشان داده است ‪ ،‬سه‌تا از الكترون‌های ظرفیت اتم ناخالصی‬
‫در پیوند كووالن بین این اتم و‬

‫اتم‌های سككیلیسیم همسككایه شركككت می‌كنكككند ‪ .‬در ایككن حالت برای كامككل‬
‫شدن پیونكد چهارم یكك الكترون ككم داریكم ‪ .‬از آنجكا ككه تكمیكل چهار زوج‬
‫پیوندكووالنسی از نظر انرژی مطلوب‌تر است ‪ ،‬برای تكمیل پیوند چهارم‬
‫یك الكترون نوار ظرفیت به سادگی به دام می‌افتد ‪ ،‬با این عمل در نوار‬
‫ظرفیت ‪ ،‬علوه بر تراز خالی مربوط به الكترون‌ هایی كه به نوار رسانش‬
‫رفته اند ‌‪ ،‬یك حفره اضافی به وجود می‌آید كه در رسانندگی شركت می‬
‫كند ‪ ،‬نمودار تراز انرژی در شكل نشان داده شده است ‪.‬‬
‫ایكن نوع اتم‌های ناخالصكی سكه ظرفیتكی یكك تراز انرژی گسكسته در بالی‬
‫نوار ظرفیت و نزدیك به آن به وجود می آورند كه به تراز پذیرنده معروف‬
‫اسكت زیرا می‌تواننكد یكك الكترون را از نوار ظرفیكت بپذیرد ‪ .‬نیمرسكانایی‬
‫كه با ناخالصی پذیرنده آلییده شده باشد را نیمرسانای نوع ‪ p‬می‌نامند ‪.‬‬
‫در نیمرسكانای نوع ‪ p‬رسكانندگی بیشتكر بكه واسكطه‌ی حفره‌های دارای بار‬
‫مثبككت ( ‪ ) positive‬اسككت ‪ .‬درایككن نوع نیمرسككانا تعداد حفره‌های نوار‬
‫ظرفیت خیلی بیشتر از تعداد الكترون‌های نوار رسانش است ‪.‬‬
‫مقایسه‌ی نیمرساناهای ‪ n‬و ‪p‬‬
‫نیمرسانای غیر ذاتی ‪ n‬و ‪ p‬در موارد زیر با هم تفاوت دارند ‪.‬‬
‫‪ .1‬نیمرسكانای نوع ‪ n‬بكا ناخالصكی ‪ 5‬ظرفیتكی ونیمرسكانای نوع ‪p‬‬
‫با ناخالصی ‪ 3‬ظرفیتی آلییده شده است ‪.‬‬
‫‪ .2‬در نیمرسككانای نوع ‪ n‬تعداد الكترون‌های نوار رسككانش بیشتككر از‬
‫حفره‌های نوار ظرفیكككت اسكككت ولی در نوع ‪ p‬تعداد حفره‌های نوار‬
‫ظرفیت بیشتر از الكترون‌های نوار رسانش است‬
‫‪ .3‬در نیمرسككككانای نوع ‪ n‬حاملن بار بیشتككككر الكترون هككككا و در‬
‫نیمرسانای نوع ‪ p‬حاملن بار بیشتر حفره‌ها هستند ‪.‬‬
‫‪ .4‬در سكككككاختار نواری نیمرسكككككانای نوع ‪ n‬در گاف انرژی ‪ ،‬تراز‬
‫انرژی اتكم های دهنده نزدیكك بكه نوار رسكانش اسكت ولی در نوع ‪p‬‬
‫تراز انرژی اتم های پذیرنده نزدیك به نوار ظرفیت است ‪.‬‬

‫نكته‬
‫تذككر ایكن نكته‌ی مهكم لزم اسكت ككه نیمرسكاناهای نوع ‪ n‬و ‪ p‬هردو از‬
‫نظككر الكتریكككی خنثككی هسككتند چون از اتم‌های خنثككی تشكیككل شده‌انككد‬
‫نامگذاری نوع ‪ n‬و ‪ p‬مربوط بكه حاملن بار الكتریككی هنگام رسكانندگی‬
‫است و نه خود ماده ‪ .‬درنوع ‪ n‬حاملن بار بیشتر الكترون ها هستند كه‬
‫با رمنفی ‪ ( ) negative‬دارند و در نوع ‪ p‬حاملن بار بیشتر حفره ‌ها‬
‫هستند كه بار مثبت ( ‪ ) positive‬دارند ‪.‬‬

‫نكته‬
‫افزودن حتی مقدار بسیا ركمی ناخالصی به یك نیمرسانا بر مقاومت آن‬
‫تاثیر عمده می‌گذارد ‪ ،‬تراكم‌های ناخالصی نوعاً در حدود یك اتم‬
‫ناخالصی به ازای هر صد میلیون اتم از جنس ماده ی نارسانا ست ‪.‬‬

‫تمرین‬ ‫‪‬‬
‫آلیش نیمرساناها چیست ؟‬
‫‪ .1‬افزودن مقدار كمی ناخالصی به نیمرسانا‬
‫‪ .2‬افزودن مقدار كمی الكترون به نیمرسانا‬
‫‪ .3‬كاهش ناخالصی از نیمرسانا‬
‫‪ .4‬آلودگی نیمرسانا برای افزایش مقاومت‬

‫گزينه «« ‪»» 1‬‬

‫تمرین‬ ‫‪‬‬
‫دركدام ماده رسانش الكتریكی به علت وجود ناخالصی است ؟‬
‫نیمرسانای ذاتی‬ ‫‪.1‬‬
‫نیمرسانای غیرذاتی‬ ‫‪.2‬‬
‫رسانای اهمی‬ ‫‪.3‬‬
‫رسانای غیر اهمی‬ ‫‪.4‬‬

‫گزينكه «« ‪ »» 2‬ناخالصكي‌هايي ماننكد اينديوم يكا گاليكم يكا آلومينيوم ككه‬


‫عناصكر سكه ظرفيتكي هسكتندو آرسكنيك يكا فسكفر يكا آنتيموان ككه عناصكر پنكج‬
‫ظرفيتككي هسككتند در يككك نيمرسككاناي چهار ظرفيتككي ماننككد سككيليسيم يككا‬
‫ژرمانيوم ‪ ،‬سككبب پيدايككش حفره‌هاي بيشتككر در نيمرسككاناي نوع ‪ p‬و يككا‬
‫الكترون هاي بيشتر در نيمرساناي غير ذاتي داراي ناخالصي ‪ n‬است و در‬
‫آن بارهاي مثبكت يكا منفكي افزايكش مكي يابكد و رسكانش االكتريككي بهتكر‬
‫صورت مي‌گيرد ‪.‬‬

‫تمرین‬ ‫‪‬‬
‫در نیمرسانای نوع ‪ ، n‬اتم ناخالصی ‪ ،‬یك الكترون ‪ ........‬از اتم‌های‬
‫نیمرسانای ذاتی و در نیمرسانای نوع ‪ ، p‬اتم ناخالصی ‪ ،‬یك الكترون‬
‫‪ ........‬از اتم‌های نیمرسانای ذاتی دارد‪.‬‬
‫بیشتر ‪ ،‬بیشتر‬ ‫‪.1‬‬
‫بیشتر ‪ ،‬كمتر‬ ‫‪.2‬‬
‫كمتر ‪ ،‬كمتر‬ ‫‪.3‬‬
‫كمتر ‪ ،‬بیشتر‬ ‫‪.4‬‬
‫گزينه «« ‪»» 2‬‬

‫تمرین‬ ‫‪‬‬
‫نیمرسانای غیر ذاتی نوع ‪ n‬و نوع ‪ p‬به ترتیب از جانشین ساختن یك اتم ناخالص ‪ .......‬و ‪........‬‬
‫ظرفیتی به جای یكی از اتم‌ها به وجود می‌آید ‪.‬‬
‫‪ ،‬سه‬ ‫پنج‬ ‫‪.1‬‬
‫‪ ،‬پنج‬ ‫سه‬ ‫‪.2‬‬
‫‪ ،‬چهار‬ ‫پنج‬ ‫‪.3‬‬
‫‪ ،‬چهار‬ ‫سه‬ ‫‪.4‬‬
‫گزينه «« ‪»» 4‬‬

‫تمرین‬ ‫‪‬‬
‫درنیمرسانا نوع ‪ ، n‬حاملن بار بیشتر ‪ ..........‬ودر نیمرسانای نوع ‪p‬‬
‫حاملن بار بیشتر ‪..........‬هستند‬
‫الكترون‌ها ‪ ،‬الكترون‌ها‬ ‫‪.1‬‬
‫حفره‌ها ‪ ،‬حفره‌ها‬ ‫‪.2‬‬
‫حفره‌ها ‪ ،‬الكترون‌ها‬ ‫‪.3‬‬
‫الكترون‌ها ‪ ،‬حفره‌ها‬ ‫‪.4‬‬

‫گزينه «« ‪»» 4‬‬

‫تمرین‬ ‫‪‬‬
‫شكل مقابل مربوط به ساختار نواری كدام ماده است؟‬

‫‪ .n‬نیمرسانای نوع ‪p‬‬ ‫‪ .1‬نیمرسانای نوع ‪2‬‬


‫‪ .4‬رسانا‬ ‫‪ .3‬نیمرسانای ذاتی‬

‫گزينه «« ‪»» 1‬‬

‫تمرین‬ ‫‪‬‬
‫شكل مقابل مربوط به ساختار نواری كدام ماده است؟‬

‫‪ .n‬نیمرسانای نوع ‪p‬‬ ‫‪ .1‬نیمرسانای نوع ‪2‬‬


‫‪ .4‬رسانا‬ ‫‪ .3‬نیمرسانای ذاتی‬

‫گزينه «« ‪»» 2‬‬

‫تمرین‬ ‫‪‬‬
‫كدام‌یك از موارد زیر برای ناخالصی دهنده در سیلیسیم مناسب‌تر است ؟‬

‫‪ .3‬ژرمانیوم‬ ‫‪ .2‬ایندیم‬ ‫‪ .1‬سدیم‬


‫‪ .5‬آنتیموان‬ ‫‪ .4‬آرگون‬

‫گزينه «« ‪»» 5‬‬

‫تمرین‬ ‫‪‬‬
‫ناخالصی پذیرنده در ژرمانیوم ‪:‬‬
‫از لحاظ الكتریكی خنثی است‬ ‫‪.1‬‬
‫بار مثبت دارد‬ ‫‪.2‬‬
‫بار منفی دارد‬ ‫‪.3‬‬
‫بسته به دما ‪ 1‬یا ‪ 2‬درست است‬ ‫‪.4‬‬
‫بسته به دما ‪ 1‬یا ‪ 3‬درست است‬ ‫‪.5‬‬
‫‪.1‬‬
‫گزينه «« ‪»» 5‬‬

‫تمرین‬ ‫‪‬‬
‫كدام‌یك از موارد زیر به عنوان ناخالصی پذیرنده در ژرمانیوم مناسب‌تر‬
‫است ؟‬

‫‪ .5‬برم‬ ‫گالیم‬ ‫‪.4‬‬ ‫‪ .2‬سیلیسیم ‪ .3‬فسفر‬ ‫‪ .1‬منیزیم‬

‫گزينه «« ‪»» 5‬‬


‫پیوندگاه ‪p - n‬‬
‫اگكر یكك نیمرسكانای نوع ‪ n‬را بكه یكك نیمرسكانای نوع ‪ p‬متصكل كنیكم ‪،‬‬
‫قطعكه ی حاصكل را یكك پیونكد ‪ p - n‬می‌نامنكد ‪ .‬مرز مشترك پیونكد را‬
‫پیوندگاه ‪ p - n‬می‌نامند ‪.‬‬

‫نكته‬
‫در واقع این قطعات با تماس دو ماده ساخته نمی‌شوند ‪ ،‬بلكه یك طرف‬
‫رسانای ذاتی را طوری می آلیند كه نوع ‪ n‬شود و طرف دیگر را طوری‬
‫می‌آلیند كه به صورت نوع ‪p‬‬
‫دیود‬
‫پیوند ‪ p - n‬ویژگی جالبی دارد و آن این است كه هرگاه در مداری قرار‬
‫گیرد ‪ ،‬جریان الكتریكككی را تنهككا از یككك سككو از خود عبور می‌دهككد و مانككع‬
‫عبور جریان در سوی مخالف می‌شود ‪ .‬قطعه‌ای را كه دارای این خاصیت‬
‫باشد یك دیود می‌نامند ‪.‬‬
‫دیود قطعه‌ای اسككت كككه مقاومككت آن برای جریان‌هایككی كككه در یككك سككوی‬
‫معین می‌گذرند بسیار زیاد و برای جریان‌هایی كه در سوی مخالف‌اند عمل‬
‫ناچیكز اسكت ‪ .‬دیود را بكه دلیكل ایكن ویژگكی یك‌كسوكنكنده نیكز می‌نامنكد ‪ .‬در‬
‫مدارهای الكتریكی دیود را با نماد ‪ ‬یا ‪ ‬یا ‪ ‬یا ‪ ‬نمایش می‌دهند ‪ .‬پیكان‬
‫را معمول در جهتی انتخاب می‌كنكند كه جریان می‌تواندعبوركند ‪.‬‬

‫ساز و كار یكسوكنكندگی پیوند ‪p - n‬‬


‫‪p‬‬ ‫می‌دانیم كه یك نیمرسانای نوع ‪ ‌، n‬الكترون آزاد و یك نیمرسانای نوع‬
‫حفره‌ی آزاد دارد ‪ .‬هنگامی كه مانند شكل پیوند ‪p - n‬‬

‫تشكیل می‌دهیم ‪ ،‬الكترون‌هایی كه در طرف ‪ ، n‬نزدیكی پیوندگاه ‪ ،‬قرار‬


‫دارند ‪،‬به طرف ‪ p‬پخش می‌شوند و یونهای مثبت را كه قادر به حركت‬
‫نیستند ‪‌،‬بر جای می گذارند ‪ .‬به همین ترتیب در طرف ‪ p‬هم حفره ها به‬
‫طرف ‪ n‬می‌روند و ناحیه‌ای از بارهای منفی ثابت را بر جای می‌گذارند ‪.‬‬
‫وقتی الكترون‌های آزاد و حفره‌های آزاد كه از دو طرف می‌آیند به‬
‫یك‌دیگر می‌رسند ‪ ‌،‬یكدیگر را خنثی میكنكند واز تعداد حاملن بار در این‬
‫لیه كم می‌شود ‪ .‬درنتیجه در ناحیه‌ی پیوندگاه تعداد حامل‌های بار آزاد‬
‫بسیار كم است ‪ .‬به همین دلیل این ناحیه ناحیه‌ی تهی نامیده می‌شود‬
‫ناحیه‌ی تهی عرض معینی دارد ‪ ،‬زیرا به دلیل حضور یون‌های ثابت ‪ ،‬یك‬
‫میدان الكتریكی داخلی به وجود می‌آید كه از رفتن الكترون‌ها از ناحیه‌ی‬
‫‪ n‬و حفره‌ها از ناحیه‌ی ‪ p‬جلوگیری می‌كند و نمی‌گذارد عرض ناحیه تهی‬
‫بیشتر شود‪.‬جهت میدان داخلی همان‌گونه كه در شكل نشان داده شده‬
‫است از ناحیه ‌ی ‪ n‬به طرف ناحیه‌ی ‪ p‬است‬

‫دیود چگونه از عبور جریان الكتریكی در یك جهت‬


‫جلوگیری می‌كند ؟‬
‫خصوصیت‌های ناحیه‌های مختلف یك دیود را می‌توانیم با مراجعه به‬
‫نمودار پتانسیل الكتریكی شكل فوق دریابیم ‪ .‬میدان الكتریكی موجود در‬
‫ناحیه‌ی تهی باعث می‌شود كه یك طرف این ناحیه نسبت به طرف مقابل‬
‫در پتانسیل بالتری باشد ‪ .‬اگر اختلف پتانسیل دو سر ناحیه‌ی تهی را با‬
‫‪ Vo‬نمایش دهیم ‪ .‬نیرویی كه از میدان الكتریكی داخلی برهرحفره‌ای كه‬
‫بخواهد از ناحیه‌ی ‪ p‬به ناحیه ‪n‬برود وارد می‌شود در جهتی است كه آن‬
‫را به طرف ‪ p‬می راند ‪ .‬در نتیجه برای غلبه بر میدان الكتریكی داخلی ‪،‬‬
‫به انرژی اضافی ‪ e ∆Vo‬نیاز خواهد داشت ‪ .‬نیروی وارد بر الكترونی هم كه‬
‫بخواهد از ناحیه‌ی ‪ n‬به ناحیه‌ی ‪ p‬برود ‪ ،‬در جهتی است كه آن را به طرف‬
‫‪ n‬می‌راند ‪ .‬در نتیجه الكترون ها برای عبور از ناحیه‌ی تهی نیاز به انرژی‬
‫اضافی خواهند داشت ‪.‬‬
‫ت موافق‬
‫پیش‌ول ِ‬
‫انرژی اضافككی لزم برای حركككت الكترون‌ككها از سككمت راسككت بككه چككپ‬
‫ناحیه‌ی تهكی و حفره‌كها از سكمت چكپ بكه راسكت ناحیه‌ی تهكی را می‌توان‬
‫توسكط یكك منبكع ولتاژ خارجكی تامین‌كرد ‪ .‬برای ایكن كار بایكد ولتاژ خارجكی‬
‫به‌گونه‌ای به دو طرف پیوندگاه اعمال‌شود كه پایانه‌ی مثبت به ‪ p‬و پایانه‌ی‬
‫منفككی بككه ‪ n‬وصككل شود ‪‌،‬ككبه ایككن ترتیككب اختلف پتانسككیل بیككن دو طرف‬
‫ناحیه‌ی تهكی كاهكش می‌‌یابكد و موجكب می‌شود ككه الكترون هكا از ‪ n‬بكه ‪ p‬و‬
‫حفره ‌ها از ‪ p‬به ‪ n‬حركت كنكند ‪‌،‬و جریان الكتریكی را به وجو‌د آورند ‪.‬‬
‫ت موافق است‬ ‫در یك چنین شرایطی می‌گوییم دیود دارای پیش‌ول ِ‬

‫ت مخالف‬
‫پیش‌ول ِ‬
‫درصكورتی ككه ولتاژ خارجكی در جهكت عككس ( ‌پایانكه مثبكت بكه ‪ n‬و پایانكه‬
‫منفككی ‪ p‬بككه وصككل شود ) اعمال شود ‪ ‌،‬اختلف پتانسككیل دوسككرناحیه‌ی‬
‫افزایش می‌یابد و از عبور الكترون ‌ها از ‪ n‬به ‪ p‬و از عبور حفره ‌ها از ‪ p‬به‬
‫‪ n‬جلو گیری می‌كنككد و جریان بسككیار كمككی از پیوندگاه عبور می‌كنكككد ‪.‬‬
‫ت مخالف است ‪.‬‬ ‫دراین صورت می‌گوییم كه دیود دارای پیش‌ول ِ‬

‫منحنی تغییرات جریان برحسب اختلف پتانسیل دو سر دیود‬