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ESCUELA DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNOCA ASIGNATURA: ELECTRÓNICA ANALÓGICA

Practica # 3: Características del Transistor BJT. 1. Objetivos específicos:              Dibujar el símbolo eléctrico de un Transistor BJT tipo NPN y PNP. Determinar el estado de un Transistor BJT por medio de prueba estatíca. Identificar los terminales de un transistor BJT (Transistor de unión bipolar) tipo NPN o PNP, por medio del manual de reemplazo y de la prueba estática. Identificar las tres regiones de trabajo de un transistor. Alambrar circuitos con transistores BJT.

2. Equipo y material: 1 Fuente de voltaje DC. 1 Manual NTE o ECG 1 Multitester. 1 Miliamperimetro DC. 1 Microamperimetro DC. 3 Transistores BJT ( NTE 123AP, NTE 152 o D313 y NTE 129). 1 Potenciometro de 100K. Resistores de 820, 100K, 3.3K.

3. Introducción teórica: El término transistor es la contracción de Transfer (resistor), es decir, de resistencia de transferencia. El Transistor BJT es un dispositivo electrónico semiconductor que se utiliza como amplificador o Interruptor electrónico. Es un componente clave en toda la electrónica moderna, el cual es ampliamente utilizado formando parte de conmutadores electrónicos, puertas lógicas, memorias de ordenadores y otros dispositivos. En el caso de circuitos analógicos los transistores son utilizados como amplificadores, osciladores y generadores de ondas. En definición un transistor es un componente electrónico formado a partir de un material semiconductor intrínseco (Silicio), al cual se le forman tres regiones dopadas (contaminadas con impurezas) en forma diferente, como se muestra en la figura 1. De cada una de estas regiones, sale un terminal que recibe nombres diferentes. Por ser un semiconductor, su uso es extremadamente importante en muchos circuitos.

Fig. 1

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2 La apariencia física de un BJT puede ser muy variada. 4. en la figura 3.EMISOR POLARIZACION DIRECTA INVERSA ESTADO Tabla 1 2 .1 Pruebe (en forma estática) el estado de los transistores y ordene sus datos utilizando la siguiente tabla. UNION BASE EMISOR TRANSISTOR CODIGO TIPO POLARIZACION DIRECTA INVERSA UNION BASE COLECTOR POLARIZACION DIRECTA INVERSA TERMINALES COLECTOR . se muestran algunos ejemplos de ellos. Procedimiento: Parte 1: Prueba Estática de Transistores Bipolares. Fig.En la figura 2 se muestran los dos tipos de transistores BJT. Transistor NPN Estructura de un transistor NPN Transistor PNP Estructura de un transistor PNP Fig. 3 4.

3 Arme el circuito de la fig.1 utilizando el transistor D313 o un equivalente y solicite revisión.4.2 Dibuje la forma física e identifique los terminales. Fig. 1 4. observando el cambio en el valor de la resistencia que hay entre los terminales Colector – Emisor del BJT. RCE = _______________ (con el terminal central en el punto 1) RCE = _______________ (con el terminal central en el punto 2) 3 . 4. (utilice el manual ECG) Parte 2: Cambios de la Resistencia entre Colector y Emisor. anote los valores extremos.4 Desplace el terminal central del potenciómetro hacia el punto 1 y luego hacia el punto 2.

4.13 Cierre el interruptor “S” y mida los voltajes VCE y VRC. 4. VCE = ___________________ 4.14 Mida la corriente Ic.11 Dibuje sobre el esquema de la fig.10 Subraye la región en la cual el BJT estaría operando. 2.6 Explique como cambia la resistencia entre los terminales Colector y Emisor en función del valor de la corriente de la base. IB= ___________ 4. Fig.9 ¿Cual es el valor de la corriente de colector? IC = _____________ 4. Ic = _______________ VRC = __________________ 4.17 Calcule la corriente de la base IB= ___________ Ic(max)= ______________ 4 .8 Con el interruptor “S” abierto. 2 utilizando el transistor 2N2222 o un equivalente y solicite revisión.7 Arme el circuito de la fig. 4. a) Región activa b) Región de saturación c) Región de corte 4.15 Mida el valor de la corriente IB. mida el voltaje que hay entre colector .16 Calcule el valor de la corriente de colector IC máxima.5 Cuando el terminal central del potenciómetro se desplaza ¿cómo cambia el valor de la corriente de base “Ib”? Con el terminal central en el punto 1 Con el terminal central en el punto 2 Ib = _______________ Ib = _______________ 4.emisor y a través de la resistencia de colector Rc.4. ______________________________________________________________________ ______________________________________________________________________________________ 4. 2 4. el recorrido de las corrientes que circularán en el circuito al cerrar el interruptor “S”.12 Ajuste el valor de la resistencia variable a 100K. VCE = __________________ VRC = ______________________________ 4.

22 Midiendo el voltaje en las resistencias respectivas.20 Conecte el voltímetro entre los terminales colector – emisor y ajuste la resistencia variable hasta que el valor del voltaje VCE = 0.19 Subraye la región en la cual el BJT estaría operando. _____________________________________________________________ ______________________________________________________________________________________ 4. 2. IC = _________________ IB = ______________ 4. ______________________________________________________________________________ 4.16 y explique sus resultados. Conclusiones: 1.23 Ajuste la resistencia variable a 0  y calcule nuevamente: IC = _________________ IB = ______________ 4. a) Región activa b) Región de saturación c) Región de corte 4. cuando VCE  0V. se mide entre B-E o entre B-C? ¿Cuál es el valor de la resistencia colector emisor de un transistor en corte? ¿Cuál es el valor de la resistencia colector emisor de un transistor en saturación? ¿En que regiones de trabajo opera un transistor que se comporta como interruptor? ¿Cuáles son las características de un transistor que esta en la zona de corte? ¿Cuáles son las características de un transistor que esta en la zona de saturación? ¿Cuáles son las características de un transistor que esta en la zona de activa? 5 . 3.18 Explique la el porqué de la diferencia (si es que existe) entre los dos valores de Ib e Ic calculados y medidos. calcule las corrientes IC e Ib en estas condiciones. ¿Cuál es el nombre de los tipos de transistores BJT? ¿Qué polaridad posee en el terminal de base un transistor NPN? ¿Cómo se determina cual es el terminal de base en un transistor por medio de prueba estática? ¿La mayor caída de tensión en un transistor BJT al realizar la prueba estática. a) Región activa b) Región de saturación c) Región de corte 4. 6.4. 5. 10.25 ¿Por qué el valor de “IC”.21 Subraye la región en la cual el BJT estaría operando. 4. 9. ya no aumenta aunque se aumente la corriente de la base “Ib”? 4. a) Región activa b) Región de saturación c) Región de corte 5.4 V 4. 8.24 Compare la corriente de colector calculada en el paso anterior con la Ic máxima calculada en el paso 4. 7.26 Subraye la región en la cual el BJT estaría operando.