Dispositivi Elettronici

Alberto Tibaldi
25 febbraio 2008
Indice
1 Propriet`a elettriche dei materiali 2
1.1 Metalli . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.2 Semiconduttori . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
1.2.1 Calcolo di n
i
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.3 Caratterizzazione dei semiconduttori drogati . . . . . . . . . . 10
1.3.1 Calcolo di n e p in un semiconduttore drogato . . . . . 12
1.3.2 Equazioni di Shockley . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2 Modello matematico delle correnti nei semiconduttori 20
2.1 Correnti di diffusione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.2 Relazioni di Einstein ed Equazioni del Trasporto . . . . . . . . 26
2.3 Equazione di continuit` a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
2.4 Equazione di Poisson . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
2.4.1 Legame Carica - Campo Elettrico . . . . . . . . . . . . 30
2.4.2 Dimostrazione qualitativa dell’Equazione di Poisson . . 31
2.5 Considerazioni su semiconduttori fuori equilibrio . . . . . . . . 32
2.6 Modello del Tasso di Ricombinazione Netto . . . . . . . . . . . 33
2.7 Esercizio Pratico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
2.7.1 Risoluzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
2.7.2 Ipotesi di lato corto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
3 Giunzione p-n 44
3.1 Studio qualitativo del diagramma a bande della giunzione p-n 47
3.2 Studio elettrostatico della giunzione p-n . . . . . . . . . . . . 51
3.2.1 Equazione di neutralit` a globale . . . . . . . . . . . . . 51
3.2.2 Analisi della barriera di potenziale . . . . . . . . . . . 52
3.2.3 Analisi formale dell’andamento di campo e potenziale . 53
3.2.4 Risoluzione del sistema . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
3.3 Applicazione di una tensione esterna alla giunzione . . . . . . 57
3.3.1 Capacit`a di svuotamento . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
3.4 Esercizio pratico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
1
3.4.1 Risoluzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
3.5 Effetti di una tensione su di una giunzione p-n . . . . . . . . . 65
3.5.1 Quasi-Livelli di Fermi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
3.6 Leggi della Giunzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
3.7 Caratteristica statica della giunzione p-n . . . . . . . . . . . . 70
3.8 Studio delle correnti nella giunzione p-n . . . . . . . . . . . . . 74
3.8.1 Polarizzazione diretta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74
3.8.2 Polarizzazione inversa: corrente inversa di saturazione . 76
3.9 Esercizio Pratico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
3.9.1 Risoluzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79
3.10 Cenni ad altri modelli della giunzione . . . . . . . . . . . . . . 81
3.10.1 Modello di ampio segnale . . . . . . . . . . . . . . . . . 81
3.10.2 Modello di piccolo segnale . . . . . . . . . . . . . . . . 83
3.11 Valutazione di V
γ
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83
3.12 Meccanismi di rottura della giunzione . . . . . . . . . . . . . . 84
3.12.1 Effetto valanga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
3.12.2 Effetto tunnel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
3.12.3 Diodi Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85
3.13 Calcolo della capacit` a di diffusione . . . . . . . . . . . . . . . 86
3.14 Modello a controllo di carica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
3.15 Modello di piccolo segnale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
3.16 Esercizio pratico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
3.16.1 Risoluzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
4 Il transistore bipolare 95
4.1 Analisi delle correnti . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
4.2 Calcolo delle correnti . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
4.3 Modello statico del transistore bipolare . . . . . . . . . . . . . 101
4.3.1 Equazioni di Ebers-Moll . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
4.4 Modello circuitale statico del transistore bipolare . . . . . . . 106
4.4.1 Andamento della caratteristica statica . . . . . . . . . 108
4.4.2 Effetto Early . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
4.5 Esercizio Pratico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
4.5.1 Risoluzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111
5 Sistemi MOS 120
5.1 Analisi Elettrostatica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121
5.1.1 Polarizzazione di un sistema MOS con tensione negativa124
5.1.2 Inversione di popolazione . . . . . . . . . . . . . . . . . 125
5.2 Calcolo della carica di inversione . . . . . . . . . . . . . . . . . 127
5.3 Determinazione della tensione di soglia di un sistema MOS . . 131
2
5.3.1 Calcolo della tensione di soglia . . . . . . . . . . . . . . 133
5.4 Il transistore MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134
5.5 Caratteristica statica del MOSFET: Analisi a canale graduale 135
5.6 Esercizio Pratico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
5.6.1 Risoluzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144
3
Capitolo 1
Propriet`a elettriche dei
materiali
Dalla fisica dello stato solido sappiamo che un solido `e rappresentabile me-
diante un diagramma a bande; il diagramma a bande `e un grafico in cui
si riportano sulle ascisse una posizione (ossia una coordinata spaziale, nel
reticolo diretto, o un vettore d’onda, nel reticolo reciproco), sulle ordinate
un’energia E; si noti che per buona parte della trattazione tuttavia si consi-
dereranno materiali isotropi, quindi non si considereranno in un primo tempo
variazioni delle condizioni del solido nello spazio.
I due tipi di solidi che siamo interessati a studiare in dispositivistica sono
i metalli ed i semiconduttori; diamo alcuni cenni sul loro comportamento, a
partire dallo studio del diagramma a bande.
1.1 Metalli
4
Indichiamo ora il significato dei diversi livelli energetici:
• E
C
: Livello energetico in cui inizia la banda di conduzione;
• E
F
: Livello di Fermi
• E
B
: Livello del vuoto, ossia livello energetico da superare per estrarre
il metallo
• qΦ
M
: Lavoro di estrazione del metallo;
• γ
n
: Parametro della funzione di densit` a degli stati energetici.
Facciamo alcune osservazioni: l’inizio della banda di conduzione dei me-
talli, E
C
, si pu` o considerare al livello energetico E = 0, poich`e l’energia
dell’elettrone in un metallo `e esclusivamente cinetica; il livello di Fermi si
trover`a dunque all’interno della banda di conduzione, all’incirca a 4, 5 eV.
Allo zero assoluto, tutti gli elettroni saranno al di sotto del livello di Fermi
(come si pu` o osservare mediante lo studio della distribuzione di Fermi-Dirac);
si definisce dunque una funzione esprimente il lavoro di estrazione, qΦ
M
, co-
me la minima energia in grado di estrarre, ad una temperatura pari a 0
K, un elettrone da un metallo. Gli elettroni pi` u facili da estrarre, ad una
temperatura di 0 K, saranno quelli in prossimit`a del livello di Fermi E
F
.
I due ingredienti per poter esprimere l’occupazione di uno stato in un
metallo saranno dunque la funzione di densit`a degli stati energetici N(E), e la
funzione di occupazione f(E; T): poich`e trattiamo lo studio sull’occupazione
di stati da parte di elettroni, ossia fermioni, la funzione di occupazione in
questione sar`a la gi`a citata distribuzione di Fermi-Dirac.
N(E) = γ
n
E
1
2
f(E; T) =
1
1 + e
E−E
F
kT
La funzione di densit` a degli stati effettivamente occupati, ρ
n
, sar` a data
dal prodotto dei nostri due ingredienti: funzione di densit` a degli stati e
funzione di occupazione degli stati. Ci`o `e meglio motivabile con un esempio
classico: dato un numero di sedie vuote disponibili in un cinema, ed il numero
di spettatori, il prodotto delle due fornir`a il numero di sedie effettivamente
occupate dai potenziali spettatori.
Esprimiamo questa nostra intuizione, formulando la funzione ρ
n
:
ρ
n
(E) = N(E)f(E; T)
5
In un metallo, accadr` a graficamente qualcosa di simile:
Questo grafico raffigura una situazione che non considera effetti termici,
ossia in cui la temperatura `e pari a 0 K, e quindi la funzione di Fermi-Dirac `e
di fatto un impulso rettangolare; in una condizione di notevole influenza ter-
mica, con una temperatura sui 3000 K, la funzione di Fermi-Dirac cambier`a
sensibilmente, e di conseguenza la densit`a degli stati occupati.
Noi consideriamo per`o di trovarci ad una temperatura T 300 K, ossia
una temperatura ragionevolmente confrontabile alla temperatura ambiente;
a meno che non si parli di studi specifici riguardanti effetti termici partico-
larmente influenti, una temperatura come 300 K ci permetter` a una buona
approssimazione rispetto alla realt` a.
Per sapere esattamente quanti elettroni vi saranno nel metallo in ban-
da di conduzione, ad una certa temperatura, sar`a sufficiente integrare la
funzione di densit` a di popolazione da 0 (livello di inizio della banda di con-
duzione E
C
) a +∞ (in prima approssimazione, infatti, il modello di Bethe-
Sommerfeld prevede una modellizzazione di un metallo come una buca di
potenziale infinita).
n =
_
+∞
0
ρ
n
(E)dE =
_
+∞
0
N(E)f(E; T)dE ∼ 10
22
e

/cm
3
In un metallo, abbiamo quindi a disposizione circa 10
22
elettroni per cm
3
.
Abbiamo gi`a nominato il lavoro di estrazione, e la sua unit`a di misura,
l’elettronvolt (eV): 1 eV `e l’energia che un elettrone ha se sottoposto ad
una differenza di potenziale pari ad 1 V; questa unit`a di misura `e molto
compatibile con i problemi che si trattano in dispositivistica, e quindi molto
comoda. Alcuni lavori di estrazione noti sono quello dell’alluminio Al, di
4,1 eV, o quello dell’oro Au, di 5 eV; cosa si intende per` o per lavoro di
estrazione, precisamente? Abbiamo gi` a dato una prima definizione; ora che
6
abbiamo parlato meglio di livello di Fermi, possiamo dire che il lavoro di
estrazione `e la distanza energetica tra il livello di Fermi E
F
e il livello del
vuoto, della buca modellizzante il metallo, E
B
.
1.2 Semiconduttori
Il diagramma a bande di un semiconduttore `e ben pi` u articolato di quello
di un metallo; analizziamone un modello semplificato, per poter iniziare una
prima trattazione dei semiconduttori; gli elementi in esso contenuti saranno:
• E
C
: Inizio della banda di conduzione;
• E
F
: Livello di Fermi;
• E
V
: Termine della banda di valenza;
• E
g
: Energy Gap, ossia distanza energetica tra banda di conduzione e
banda di valenza
Il livello di Fermi si trova, in un semiconduttore intrinseco, a met` a tra
il livello E
V
ed il livello E
C
. Si introduce una prima diversificazione delle
notazioni, inserendo, quando si parla di semiconduttori intrinseci, ossia puri,
regolari, e che non han subito trattamenti tecnologici di alcun tipo, un pedice
aggiuntivo i: parlando di livello di Fermi intrinseco, si parler` a di E
F
i
.
Abbiamo affrettato alcune conclusioni, per quanto esse siano corrette,
parlando del livello di Fermi: E
F
non pu`o essere all’interno della banda di
valenza, altrimenti gli elettroni potrebbero andarsene liberamente in banda
di conduzione, e quindi il semiconduttore condurrebbe senza alcun proble-
ma, anche senza trattamenti particolari, anche allo zero assoluto; l’evidenza
sperimentale mostra che allo zero assoluto, e in condizioni di intrinsicit` a, la
banda di conduzione `e vuota, e quella di valenza completamente piena di
elettroni.
Anche parlando di semiconduttori, si introduce il concetto di densit`a degli
stati disponibili, anche se sar`a pi` u complesso rispetto a quello nei metalli:
Le densit`a degli stati, in questo ambito, avranno forma:
N
BC
= γ
n
(E −E
C
)
1
2
N
BV
= γ
p
(E
V
−E)
1
2
7
Un’ulteriore convenzione: il pedice n identifica gli elettroni in banda di
conduzione; al contrario, il pedice p evidenzia le lacune lasciate dagli elettro-
ni, in banda di valenza. In un semiconduttore, vi saranno infatti due tipi di
portatori di carica, ossia gli elettroni in banda di conduzione (come ovvio,
anche dallo studio dei metalli), ma anche le lacune in banda di valenza, ossia
gli ammanchi di elettroni causati dalla transizione di questi verso livelli ener-
getici superiori ad E
V
(quali ad esempio la banda di conduzione). La tecnica
per trovare il numero effettivo di portatori, sar`a la stessa di prima, solo che
in questo caso, avendo due contributi, si dovranno risolvere due integrali:
n
i
=
_
+∞
E
C
γ
n
(E −E
C
)
1
2
f(E; T)dE
p
i
=
_
E
V
−∞
γ
p
(E
V
−E)
1
2
f(E; T)dE
Ma, come ci suggeriscono i pedici i, ci troviamo in un caso intrinseco, e
quindi possiamo dire senza indugi che
n
i
= p
i
Nel silicio, il semiconduttore per eccellenza nei nostri studi, n
i
= p
i
=
1, 45 · 10
10
elettroni per cm
3
, ad una condizione di temperatura di circa 300
K. Confrontando con i 10
22
elettroni in un metallo, la conduzione `e un evento
possibile, ma molto improbabile.
8
Continuiamo la nostra analisi fisica del comportamento elettrico dei se-
miconduttori, proponendo due equazioni fondamentali, che saranno spesso
usate nella trattazione:
n = n
i
=
_
+∞
E
C
N
BC
(E)f(E)dE = N
C,EFF
e

E
C
−E
F
kT
p = p
i
=
_
E
V
−∞
N
BV
(E)f(E)dE = N
V,EFF
e
E
V
−E
F
kT
I due termini N
EFF
sarebbero termini efficaci, che si riferiscono alla
definizione
N
ef
=
(2m

πkT)
3
2
h
Dove m

`e la massa efficace; sostituendo la massa efficace di elettroni o
lacune, si trovano rispettivamente la prima e la seconda equazione. Queste
due equazioni, si ottengono mediante un’approssimazione della distribuzione
di Fermi-Dirac alla distribuzione di Boltzmann, integrandola.
Ci imponiamo ora di calcolare la posizione energetica del livello di Fermi,
E
F
i
: considerando N
C
ed N
V
valori efficaci, possiamo dire che
n
i
= p
i
= N
C
e

E
C
−E
F
i
kT
= N
V
e

E
F
i
−E
V
kT
Sfruttiamo ora le condizioni di neutralit` a del semiconduttore intrinseco,
e cerchiamo di risolvere tale equazione rispetto al parametro E
F
i
:
e

E
C
−E
F
i
kT
· e
E
F
i
−E
V
kT
=
N
V
N
C
e

2E
F
i
kT
· e

E
V
+E
C
kT
=
N
V
N
C
=⇒E
F
i
=
E
C
+ E
V
2
+
kT
2
ln
N
V
N
C
Si noti tuttavia che le due concentrazioni N
V
ed N
C
differiscono esclusiva-
mente per la massa efficace di rispettivamente lacune ed elettroni; possiamo
dunque dire che, in caso di semiconduttori intrinseci quali quelli che stiamo
attualmente trattando, il termine logaritmico corregga solo di pochi meV (al
pi` u una decina) il livello di Fermi:
kT
2
ln
N
V
N
C
0 =⇒E
F
i

E
C
+ E
V
2
9
Ci `e ora possibile quotare il livello di Fermi intrinseco, potendo dire con
un’ottima approssimazione che esso si trova a met` a del gap tra banda di
valenza e banda di conduzione. Di fatto, il livello di Fermi intrinseco perde
molto significato fisico, dal momento che raramente capita di aver a che fare
con semiconduttori intrinseci; sar`a per`o spesso usato come punto di riferimen-
to per i nostri calcoli e le nostre congetture. Ora `e veramente possibile quindi
disegnare il diagramma a bande dettagliato e quotato di un semiconduttore,
e nella fatispecie del silicio:
Valori fondamentali da ricordare, nel silicio, sono:
• E
g
: Energy Gap (1,12 eV nel Silicio);
• qχ: Affinit` a Elettronica (4,05 eV nel Silicio);
• qΦ
S
: Lavoro di estrazione.
Abbiamo definito anche nel semiconduttore il lavoro di estrazione, qΦ
S
;
si noti che questo perde il significato fisico fortissimo che aveva nel metallo,
in quanto al livello di Fermi intrinseco, E
F
i
, non abbiamo elettroni, e dunque
il lavoro necessario per estrarre elettroni sar` a ben maggiore di quello che
dovremmo compiere in un metallo. Affinit` a elettronica ed energy gap sono
utili in quanto restano costanti, indipendentemente dai processi tecnologici
che vengono attuati sul substrato semiconduttivo, quindi utili riferimenti per
i calcoli che sar` a necessario attuare.
10
1.2.1 Calcolo di n
i
Abbiamo parlato del numero di elettroni in banda di conduzione, lo abbiamo
eguagliato al numero di lacune in banda di valenza per quanto riguarda semi-
conduttori intrinseci, e abbiamo accennato al fatto che il moto dei portatori
di carica, ossia la corrente elettrica, sar` a data sia dagli elettroni in banda di
conduzione, che dalle lacune in banda di valenza. Studiando un semicondut-
tore intrinseco, i fenomeni che stabiliscono la conduzione sono principalmente
due, uno in contrapposizione con l’altro:
• Generazione Termica (Gth): una temperatura non nulla muove un certo
numero di elettroni dalla banda di valenza alla banda di conduzione,
generando per l’appunto termicamente coppie elettrone-lacuna;
• Ricombinazione (R): gli elettroni, una volta separatisi dalle lacune,
possono ritornare nella banda di valenza, in seguito ad un certo transi-
torio di tempo trascorso in banda di conduzione, per ricombinarsi con
le lacune, facendo sparire una coppia elettrone-lacuna; si usa dire per
questo che sia il fenomeno antagonista della generazione termica.
Possiamo qualitativamente dire che i termini n
i
e p
i
rappresentino il punto
di equilibrio tra la ricombinazione termica e la ricombinazione, siano cio`e il
numero di coppie elettrone-lacuna presenti ad una certa temperatura. Voglia-
mo per`o studiare espressioni che ci permettano di calcolare n
i
, ed in seguito
pi` u generalmente n. I nostri punti di partenza, come abbiamo gi` a detto in
precedenza, sono:
n
i
= N
C
e

E
C
−E
F
i
kT
p
i
= N
V
e

E
F
i
−E
V
kT
Siamo stati soliti finora usare come condizione al contorno del nostro pro-
blema la neutralit` a; ci capiter` a spesso per` o di studiare condizioni molto meno
favorevoli, in cui la neutralit` a non sar`a presente nel sistema; moltiplichiamo
dunque n
i
e p
i
, tra loro, e vediamo che:
n
i
· p
i
= n
2
i
= N
C
N
V
e

E
C
−E
F
i
kT
· e

E
F
i
−E
V
kT
= N
C
N
V
e
E
V
−E
C
kT
Quindi:
n
2
i
= N
C
N
V
e

E
g
kT
11
Vediamo alcune cose: sappiamo da osservazioni precedentemente fatte
che N
C
ed N
V
variano proporzionalmente a T
3
2
; di conseguenza, la concen-
trazione dei portatori intrinseci varier` a pi` u che esponenzialmente: oltre al
contributo dell’esponenziale, c’`e quello appena citato di N
C
ed N
V
. Anche
il gap energetico E
g
`e funzione della temperatura: aumentando T, E
g
tende
a diminuire; non esistono funzioni analitiche in grado di determinare un an-
damento del gap di energia in funzione della temperatura, a meno che non
si ricavino da processi di statistica inferenziale (fitting), che studiano l’anda-
mento del passo reticolare medio al variare della temperatura; all’aumentare
della temperatura, aumenta il passo reticolare medio, e quindi il gap ener-
getico tende a ridursi. Per questo motivo, il gap `e molto influenzabile dalla
temperatura, ma poich`e noi consideriamo di trovarci sempre a 300 K, pos-
siamo considerare il nostro sistema invariante rispetto a problemi di questo
tipo.
1.3 Caratterizzazione dei semiconduttori dro-
gati
Abbiamo finora esaminato semiconduttori regolari, intrinseci, e quindi non
trattati tecnologicamente in alcun modo; iniziamo ora a considerare lo stu-
dio della variazione delle caratteristiche elettriche di un semiconduttore, al
variare di alcuni parametri tecnologicamente impiantati all’interno di un se-
miconduttore, considerando idealmente che essi vengano disposti in modo
regolare, e omogeneo nel substrato semiconduttivo.
Un semiconduttore si pu` o drogare in due modi: o tipo n, ossia incremen-
tando gli elettroni in banda di conduzione, o tipo p, incrementando le lacune
in banda di valenza. Concettualmente e a livello fisico i due processi presen-
tano notevoli differenze, anche se il risultato `e molto simile. Incominciamo
la trattazione dei semiconduttori drogati, parlando di un drogaggio tipo n.
Definiamo N
D
la concentrazione di drogante tipo n inserito nel semicon-
duttore. Droganti comunemente usati in processi di drogaggio del silicio
sono l’arsenico As, o il fosforo P. Cosa significa per` o, precisamente, drogare
un semiconduttore?
Drogare tipo n significa aggiungere stati artificiali nell’energy gap, intro-
ducendo livelli energetici particolari, detti livelli donatori E
D
, in prossimit` a
di E
C
. Arsenico e fosforo sono ideali droganti per il silicio proprio perch`e si
andranno a posizionare tendenzialmente in prossimit`a dell’inizio della banda
di conduzione (circa 40 meV l’arsenico, e pochi meV in pi` u il fosforo). I
drogaggi variano dall’introduzione di N
D
dai 10
14
ai 10
19
atomi su cm
3
.
12
In un semiconduttore drogato, le fenomenologie che provocheranno con-
duzione saranno tre:
• Generazione termica;
• Ricombinazione;
• Ionizzazione.
Drogare significa introdurre nel semiconduttore un fenomeno di ionizza-
zione; ad una temperatura nulla, T=0, possiamo considerare i livello ener-
getici donatori E
D
come delle sorte di gusci, contenenti elettroni. Questi
gusci tenderanno ad aprirsi, all’aumentare della temperatura T, e pi` u T au-
menter` a, pi` u saranno i gusci che si apriranno, lasciando liberi gli elettroni,
che tenderanno ad andare verso la banda di conduzione, vicinissima ai livelli
E
D
. Da un salto di 1,12 eV, essi dovranno solo saltare pochi meV, e dunque
un effetto termico pressoch`e minimo permetter`a una transizione in banda di
conduzione.
Si noti che la ionizzazione non ha un fenomeno antagonista, a differenza
della ricombinazione e della generazione termica che si elidono tra loro: ci` o `e
dovuto sia dal fatto che a 300 K non vi `e la possibilit` a fisica che un elettrone
tenda a tornare verso il proprio guscio, sia e soprattutto dal fatto che gli E
D
sono livelli energetici statici, localizzati, e non creano lacune. La ionizzazione
dunque realizza stati energetici che non dispongono assolutamente delle stesse
propriet` a di trasporto di cui disponevano le lacune in precedenza descritte.
Per il drogaggio tipo p, il discorso `e piuttosto simile, o meglio duale: gli
ioni droganti saranno identificati come N
A
, e daranno luogo a livelli accettori
E
A
, che tendono a disporsi in prossimit` a della banda di valenza, E
V
. Un
13
ottimo drogante tipo p per il silicio `e il boro B. Anche nel drogaggio tipo
p avverr` a un fenomeno di ionizzazione, che per` o agir`a in senso diverso, fi-
sicamente: gli atomi idonei per il drogaggio tipo p, sono in grado, a spesa
di un minimo effetto termico, di aprirsi ed accettare elettroni dalla banda di
valenza, come dei gusci che si aprono, e catturano elettroni, anzich`e liberarli
(a differenza di prima). Man mano che la temperatura aumenta, sempre pi` u
gusci si apriranno e cattureranno elettroni. Anche qua il gap da saltare per
gli elettroni sar` a infinitesimo, poich`e il buon drogante posizioner` a i propri
livelli accettori in prossimit` a del livello E
V
, e quindi daran vita a fenomeni
di trasporto in banda di valenza, senza avere fenomeni duali in contrapposi-
zione. Aldil`a di queste osservazioni fisiche qualitative, le fenomenologie sono
del tutto analoghe a quelle descritte nel semiconduttore tipo n.
A partire da ci` o che abbiamo finora descritto, facciamo alcune puntualiz-
zazioni onde evitare confusione:
• Non tutti gli atomi sono in grado di drogare un substrato semicon-
duttivo, ma solo certi, in base ad alcune caratteristiche che devono
possedere. Nel caso del silicio, per drogare tipo n devono essere pen-
tavalenti, e posizionare i propri livelli donatori in prossimit` a di E
C
,
per drogare tipo p devono essere trivalenti e posizionare i propri livelli
accettori in prossimit`a di E
V
;
• L’effetto del drogaggio provoca una notevole alterazione della popola-
zione delle bande energetiche, e dunque del diagramma a bande;
• L’effetto del drogaggio non `e puramente additivo: non siamo sicuri che,
aggiungendo ad esempio 10
10
atomi di arsenico, gli elettroni raddop-
pieranno (dalla loro condizione iniziale a 300 K di 1, 45 · 10
10
, intrinse-
ci); siamo sicuri di un miglioramento nella conducibilit` a, per ora non
quantificabile, a causa di fenomeni intrinseci di ricombinazione.
1.3.1 Calcolo di n e p in un semiconduttore drogato
Per poter determinare parametri come le concentrazioni dei portatori attivi,
n e p, in un semiconduttore drogato (e quindi non pi` u intrinseco), dobbia-
mo innanzitutto cercare una condizione al contorno idonea per potervi poi
applicare le giuste equazioni. Supponiamo per ora di drogare tipo n, con
concentrazione di drogante N
D
. Il meccanismo di ionizzazione ha una for-
te dipendenza dalla temperatura, quindi di fatto degli N
D
droganti ne sar`a
attiva, ionizzata solo una parte, che chiameremo N
+
D
. Per ognuno di que-
sti droganti ionizzati, vi sar`a un elettrone libero, in banda di conduzione.
Dover studiare una dipendenza della ionizzazione alla temperatura `e molto
14
pesante per i conti che ne deriverebbero, ma si pu` o applicare una condizione
interessantissima che ci accompagner`a spesso nella trattazione: l’ipotesi di
completa ionizzazione. Studiando l’andamento della ionizzazione al variare
della temperatura, si nota che per una temperatura intorno ai 100 K, tutte
le impurit` a droganti saranno ionizzate, e dunque attive, dopodich`e aumen-
tando la temperatura si instaurer`a un regime di saturazione, poich`e non vi
sono ulteriori impurit` a da ionizzare. Poich`e noi dunque studiamo sistemi ad
una temperatura T ∼ 300 K, potremo sempre considerare valida l’ipotesi di
completa ionizzazione, e quindi
N
+
D
= N
D
Il livello di Fermi E
F
, nel drogaggio tipo n, si innalzer`a rispetto alla
posizione di partenza, nel semiconduttore intrinseco, E
F
i
. Si pu` o dire che
infatti il livello di Fermi sia una sorta di baricentro dei livelli energetici,
come vedremo tra breve; non allontaniamoci per ora dal problema di base,
ossia il calcolo delle concentrazioni n e p. Supponiamo di conoscere E
F
,
ossia il livello di Fermi alterato dal drogaggio. Consideriamo n
n
il numero
di elettroni in banda di conduzione in seguito al drogaggio tipo n (come
suggerisce il pedice), e p
n
il numero di lacune in banda di valenza sempre in
questo stato:
n
n
= N
C
e

E
C
−E
F
kT
p
n
= N
V
e

E
F
−E
V
kT
Consideriamo nuovamente, come prima, il prodotto delle due equazioni
membro a membro:
n
n
p
n
= N
C
N
V
e

E
C
−E
F
kT
· e

E
F
−E
V
kT
= N
C
N
V
e

E
g
kT
= n
2
i
Abbiamo appena fatto, in seguito a questo semplice conto, una scoper-
ta interessantissima: qualsiasi siano le concentrazioni di portatori di carica
nelle bande, il loro prodotto `e una costante, e questa costante `e il quadrato
degli elettroni in banda di conduzione nel semiconduttore in stato intrinseco.
Questo fenomeno `e detto legge dell’azione di massa:
n
n
· p
n
= n
2
i
Ci` o ci fa rendere conto per` o anche di un problema gravissimo: tecnologi-
camente non `e possibile crescere una delle due concentrazioni senza andare a
scapito dell’altra: le due concentrazioni non possono crescere di pari passo,
poich`e il loro prodotto sar` a sempre e comunque costante.
15
Consideriamo anche un altro fatto: la carica totale del semiconduttore `e
nulla: ogni lacuna in banda di valenza ha un elettrone in banda di condu-
zione corrispondente, ed ogni elettrone derivante dal drogaggio ha un livello
(accettore in drogaggio tipo p, donatore nel drogaggio tipo n) ionizzato corri-
spondente. Esister` a dunque una condizione di neutralit`a del semiconduttore,
ma globale: la somma di tutte le cariche del semiconduttore sar`a nulla.
Appilichiamo dunque la condizione di neutralit`a globale del semicondut-
tore:
q(p
n
+ N
+
D
−n
n
) = 0 =⇒p
n
+ N
+
D
−n
n
= 0
Dalla legge dell’azione di massa, sappiamo che
p
n
=
n
2
i
n
n
=⇒
n
2
i
n
n
+ N
+
D
−n
2
n
= 0
Dunque, abbiamo un’equazione di secondo grado con variabile indipen-
dente n
n
; risolvendola, e considerando solo la radice positiva, si ottiene:
n
n
=
N
+
D
2
+
¸
_
N
D
2
_
2
+ n
i
Consideriamo il fatto che le grandezze sono funzione della temperatura
T:
n
n
(T) =
N
+
D
(T)
2

1 +
_
2n
i
(T)
2
N
+
D
(T)
_
+ 1
_
Per` o n
i
(T) `e nota, e di N
+
D
(T) conosciamo l’andamento. Possiamo pen-
sare in modo molto qualitativo che l’andamento dei portatori maggioritari,
ossia degli elettroni in banda di conduzione nel semiconduttore drogato tipo
n, al variare della temperatura, sia il seguente:
Si possono distinguere tre regioni, associate a tre regimi particolari:
1. Regime di congelamento: per temperature inferiori ai 100 K, l’atti-
vazione dei droganti non `e ancora completa, la generazione termica `e
molto bassa a causa della scarsa temperatura e dunque scarsa energia
termica del sistema, e quindi vi sar` a una bassa conducibilit` a;
2. Regime estrinseco: per temperature superiori a 100 K, si pu` o consi-
derare l’ipotesi di completa ionizzazione, e quindi si ha un regime di
saturazione: N
+
D
= N
D
, e n
n
N
D
. Il fatto che si siano attivati
completamente i droganti, ma comunque vi siano scarsi effetti termi-
ci, fa prevalere la interazioni di tipo elettrostatico su tutte le altre,
16
nella fatispecie su quelle di origine termica. Questo `e il regime che
tendenzialmente si utilizza, studiando dispositivi a semiconduttore;
3. Regime intrinseco: per temperature alte, le interazioni fononiche, ossia
derivanti da effetti termici, prevalgono su quelle elettrostatiche, e cos`ı
l’effetto del drogaggio tende a perdersi, per farsi sostituire da elettroni
intrinseci del materiale; in questo regime, n
n
n
i
(T). Questo tipo
di comportamento `e stato fatale per il germanio: il padre dei semi-
conduttori `e infatti stato l’appena citato germanio, semiconduttore a
gap estremamente piccolo. Il fatto che il gap fosse cos`ı ridotto, fa s`ı
che il regime intrinseco si instauri con una temperatura molto inferiore
rispetto a quella che lo farebbe instaurare nel silicio, di conseguenza
n
i
cresce molto pi` u rapidamente, e quindi `e scarsamente utilizzabile in
regime estrinseco, ossia quello utile nella maggior parte dei dispositivi.
Abbiamo largamente discusso l’andamento della funzione n
n
(T); potrem-
mo ora chiederci quale sia l’andamento della funzione dei minoritari, p
n
(T),
ossia delle lacune in banda di valenza in un semiconduttore drogato tipo n.
Sappiamo che
p
n
(T) =
n
2
i
(T)
n
n
(T)
Noi conosciamo bene sia l’andamento di n
i
(T) che di n
n
(T); la differenza
fondamentale da quest’ultima `e che i portatori minoritari non hanno una zona
di saturazione, in un certo livello energetico, ma la concentrazione varier`a in
modo puramente intrinseco. Non `e inutile lo studio di questo andamento,
17
poich`e alcuni dispositivi si basano sullo studio dell’andamento dei minoritari,
anche se ci`o sar`a molto meglio approfondito in seguito.
In un drogaggio tipo p, la situazione `e del tutto duale a quella appena
descritta:
q(p
P
−N

A
−n
p
) = 0 =⇒p
p
−N

A
−n
p
= 0
Dall’azione di massa,
n
p
=
n
2
i
p
p
=⇒p
2
p
−N

A
−n
2
i
= 0
Da ci`o, ragionando dualmente a prima,
p
p
(T) =
N

A
(T)
2
_
_
¸
1 +
_
2n
i
(T)
N

A
(T)
_
2
+ 1
_
_
L’andamento `e dunque del tutto analogo al precedente, esistono i tre
regimi, con le stesse condizioni del drogaggio tipo n. Stessa cosa per la
concentrazione dei minoritari n
p
(T), al variare della temperatura.
Potremmo a questo punto riproporre un problema precedentemente ac-
cennato: immaginiamo di drogare un substrato semiconduttivo sia tipo p
che tipo n; supponiamo di essere tecnologicamente in grado di poter intro-
durre una concentrazione di droganti N
A
uguale a quella di droganti N
D
;
applicando la neutralit` a globale e la legge dell’azione di massa, si ottiene
che:
_
p · n = n
2
i
q(p −n + N
+
D
−N

A
) = 0
=⇒
_
N
+
D
= N

A
p −n = 0
Si capisce che l’effetto del drogante N
D
compensa quello di N
A
, e vicever-
sa; se i due drogaggi sono dunque uguali, il semiconduttore torna semplice-
mente ad essere intrinseco. Ci` o ci induce a pensare che vi sia un meccanismo
di compensazione dei droganti. Abbiamo dunque analizzato una casistica,
ossia N
D
= N
A
; analizziamo le rimanenti due, al fine di poter studiare pi` u
profondamente questo meccanismo di compensazione.
• N
D
> N
A
: i donatori prevalgono sugli accettori, e cos`ı il drogante tipo
donatore in totale sar` a N
+

D
:
N
+

D
= N
+
D
−N

A
18
• N
D
< N
A
: situazione duale a prima, dove gli accettori prevalgono sui
donatori, e quindi N

A
sar` a:
N

A
= N

A
−N
+
D
Un esempio pratico di semiconduttore drogato sia n che p `e il transistore
bipolare (anche se sar`a necessario introdurre molte altre nozioni prima di
arrivare a trattarlo); aprendo finestre tipo p in un semiconduttore drogato
tipo n, si pu`o ottenere un prototipo di transistore bipolare.
1.3.2 Equazioni di Shockley
Partendo dalle nostre conoscenze, siamo ora in grado di disegnare e quotare
il diagramma a bande dettagliato di un semiconduttore drogato tipo n:
I simboli usati sono sempre i soliti; si pu`o considerare valida l’ipote-
si di completa ionizzazione, e a partire da questa effettuare i nostri studi;
sappiamo che:
n
n
∼ N
D
= N
C
e

E
C
−E
F
kT
=⇒E
C
−E
F
= kT ln
N
C
N
D
Possiamo dunque calcolare E
C
−E
F
, e da qui quotare il lavoro di estra-
zione:

S
n
= E
C
−E
F
+ qχ = qχ + kT ln
N
C
N
D
A seconda del drogaggio, il lavoro di estrazione varr`a dai 4,61 al 4,05 eV.
Il calcolo che per` o noi abbiamo effettuato di E
F
non `e ottimale: se do-
vessimo studiare il livello di Fermi in un semiconduttore drogato tipo p,
dovremmo ridisegnare da zero il diagramma a bande, rifare da capo le no-
stre congetture, e considerare la presenza di dati che comunemente non si
considerano, quali E
C
o E
V
. Utilizzando le relazioni appena studiate, in un
semiconduttore drogato tipo p il lavoro di estrazione sarebbe:

S
p
= qχ + E
g
−kT ln
N
V
N
A
19
Proponiamo ora qualcosa di diverso, ossia un metodo pi` u globale, pi` u sem-
plice, pi` u generale per il calcolo del livello di Fermi E
F
, sia in semiconduttori
tipo n che in semiconduttori tipo p. Partiamo dalle solite:
n = N
C
e

E
C
−E
F
kT
p = N
V
e

E
F
−E
V
kT
Considerate in un semiconduttore intrinseco, esse saranno:
n
i
= N
C
e

E
C
−E
F
i
kT
p
i
= N
V
e

E
F
i
−E
V
kT
Ricaviamo ora da queste ultime due, N
C
ed N
V
, tenendo conto che in un
semiconduttore intrinseco, n
i
= p
i
:
N
C
= n
i
e
E
C
−E
F
i
kT
N
V
= n
i
e
E
F
i
−E
V
kT
Sostituendo le espressioni appena trovate a partire dalle equazioni in-
trinseche, N
C
ed N
V
, nelle equazioni del semiconduttore non intrinseco,
troviamo:
n = n
i
e
E
C
−E
F
i
kT
· e

E
C
−E
F
kT
p = n
i
e
E
C
−E
F
i
kT
· e

E
F
−E
V
kT
Ordinando e semplificando alcuni termini, si ricavano le cosiddette Equa-
zioni di Shockley, in onore del fisico statunitense che le ha formulate per la
prima volta:
n = n
i
e
E
F
−E
F
i
kT
p = n
i
e
E
F
i
−E
F
kT
Queste equazioni sono particolarmente interessanti in quanto in esse spari-
scono i parametri estremamente scomodi che nelle relazioni precedentemente
utilizzate erano da considerare come noti; gli unici parametri richiesti sono
20
n
i
, che ci `e noto, e il livello di Fermi intrinseco, che si trover` a esattamente a
met` a dell’energy gap: quando si parlava di utilizzo del livello di Fermi intrin-
seco come punto di riferimento, si voleva proprio arrivare a questo risultato:
un’equazione in grado di fornire informazioni enormi a partire da dati mini-
mi. A partire da queste, invertendole, sar` a semplicissimo calcolare il livello
di Fermi:
E
F
−E
F
i
= kT ln
N
D
n
i
E
F
i
−E
F
= kT ln
N
A
n
i
Dopo la formulazione delle Equazioni di Shockley, possiamo ritenere con-
clusa questa prima trattazione del comportamento fisico di un semicondut-
tore, e utilizzare i mezzi appresi per studiare una prima modellazione di un
semiconduttore.
21
Capitolo 2
Modello matematico delle
correnti nei semiconduttori
In un metallo, gli elettroni come gi`a detto si trovano tutti in banda di con-
duzione, in continuo movimento, a causa di un moto di agitazione termica.
Essi possono solo essere trascinati da un campo elettrico ε, che provoca una
corrente di drift, cio`e di trascinamento.
In un semiconduttore all’equilibrio termodinamico, le correnti sono nulle.
Supponiamo di considerare un semiconduttore con contatti metallici (al fine
di disperdere resistenze parassite), i quali sono collegati ad una batteria che
fornisce una tensione V
a
; all’interno del semiconduttore vi sar` a un campo
elettrico direzionato nel verso dell’asse delle x da noi introdotto, E
x
= ε.
Ci poniamo a questo punto una domanda legittima: che effetto provoca
l’applicazione di una tensione V
a
, al semiconduttore? Come varier` a il suo
diagramma a bande in seguito all’applicazione di questa tensione esterna?
Supponiamo di studiare un condensatore, e di poter disporre di un volt-
metro ideale, in grado di misurare la ∆V (x), ossia la differenza di potenziale
al variare della posizione spaziale. Fissiamo l’origine del nostro sistema di
riferimento cartesiano spaziale sulla faccia sinistra del condensatore, e l’asse
delle x ortogonale alla faccia, verso positivo da sinistra a destra; posizioniamo
uno dei due puntali del voltmetro a massa sulla faccia sinistra del condensa-
tore, e muoviamo l’altro all’interno di questo sistema: avremo come risultato
una misura della differenza di potenziale al variare della posizione, in riferi-
mento alla prima faccia. La tensione avr`a, al variare della x, un andamento
lineare, ossia varier`a come una retta, con pendenza positiva: man mano che
ci si allontana dalla faccia cui `e posta la massa, la tensione tra i due puntali
continuer`a ad aumentare. Giunti al punto d, ossia dopo aver raggiunto la
seconda faccia del condensatore, la tensione sar` a V
a
, ossia la tensione ai capi
del sistema (considerando condensatore a facce piane parallele, escludendo
22
eventuali effetti di bordo e quindi considerando un campo elettrico uniforme
su tutta la superficie del condensatore).
Come varier` a l’energia potenziale di un elettrone in questo condensatore?
Noi sappiamo, dallo studio dell’elettrostatica, che:
ε = −
V
a
d
; F = −qε = −q
_

V
a
d
_
L’energia potenziale al variare della posizione spaziale x, U(x), da 0 a
x, sar`a l’integrale di linea della forza elettrostatica del condensatore; poich`e
abbiamo posto il puntale a massa sulla faccia sinistra del condensatore, e lo
0 della posizione spaziale in prossimit` a della massa:
U(x) = U(0) −
_
x
0
Fdx = 0 −
_
x
0
q
V
a
d
dx
Dunque, possiamo dire, risolvendo l’integrale, che:
U(x) = −
qV
a
d
x
Misurando l’energia in eV, il grafico coincide con il simmetrico rispetto
all’asse delle x del grafico appena visto per la tensione:
23
Esiste dunque un forte legame tra tensione ed energia potenziale di un
elettrone: poich`e abbiamo trovato un’espressione dell’energia potenziale co-
me retta a pendenza negativa che da 0 raggiunge un livello −qV
a
, e poich`e
il diagramma a bande altri non `e che il grafico dell’energia di un elettrone,
una tensione esterna V
a
applicata ad un diagramma a banda, tende a ruotare
tutte le grandezze presenti all’interno del diagramma, di un certo angolo. Ef-
fettivamente sembra piuttosto stravagante come idea, ma del tutto sensata:
poich`e l’energia potenziale di un elettrone di fatto, in seguito all’applicazio-
ne di una tensione esterna, `e una retta a pendenza negativa, allora anche il
diagramma a bande dovr`a subire una sorta di pendenza negativa, per poter
tener conto degli effetti della tensione sull’energia dell’elettrone. Fingendo
che ora al posto di un condensatore vi sia il nostro substrato semiconduttivo,
il discorso appena fatto `e perfettamente valido.
Questo diagramma inclinato rappresenta dunque il punto di vista degli
elettroni: il campo elettrico provocato dalla tensione V
a
far` a spostare verso
il basso (ossia in senso ad esso opposto) gli elettroni, e verso l’alto (ossia
in verso ad esso concorde) le lacune. Possiamo quasi immaginare, per fare
un confronto azzardato ma efficace, che l’applicazione di una polarizzazione
V
a
, inclinando il diagramma a bande, faccia risalire le lacune, come se fossero
bollicine d’aria, e faccia scendere gli elettroni, come se fossero palline di ferro.
In seguito a questa premessa, che ci permette di capire in modo del tut-
to qualitativo il comportamento di un semiconduttore e la variazione del
suo diagramma a bande in seguito all’applicazione di una tensione esterna,
introduciamo alcuni nuovi concetti; si consideri sempre il fatto che il semi-
conduttore `e drogato in modo del tutto uniforme, e che dunque vi `e una
condizione di neutralit`a sicuramente globale, ma anche locale: se infatti se-
zionassimo il semiconduttore, vedremmo che ogni singola fetta `e localmente
neutra, ossia che la somma di tutti gli eccessi di cariche in essa presenti `e
nulla. Questo perch`e l’applicazione di un campo elettrico esterno non cam-
bia in alcun modo la concentrazione degli elettroni in banda di conduzione.
Possiamo immaginare che la differenza di potenziale V
a
esterna sposti gli
24
elettroni verso destra, dove vi `e il contatto metallico nel quale gli elettroni
possono entrare liberamente; nel lato sinistro, capiter` a qualcosa di duale: il
semiconduttore a causa della tensione e del campo da essa derivante preleva
dal contatto ohmico sinistro elettroni. Un elettrone, assorbito dalla lamina
destra, lascia un buco, una lacuna, che sar` a poi in seguito ricombinata dalla
lamina sinistra, che fornisce elettroni al semiconduttore. Questo modello pu` o
intuitivamente spiegare cos`ı il trasporto di cariche.
Cerchiamo di formalizzare ora tutti questi concetti, partendo da una
definizione: vogliamo cercare di capire esattamente che cosa sia una corrente.
Una densit`a di corrente J `e un flusso di cariche, ossia di elettroni; per
flusso possiamo intendere semplicemente il prodotto di una velocit` a per una
densit` a. Date le ipotesi precedentemente illustrate, l’unica corrente che avre-
mo a disposizione sar` a quella di drift; la densit` a di corrente dovuta agli
elettroni in banda di conduzione sar`a data da:
J

= Φ
x,e
−(−q)
Il contributo delle correnti nel semiconduttore per` o sar` a dato anche da
una densit`a di corrente di lacune, formalizzata come:
J
+
= Φ
x,e
+(+q)
In totale, possiamo dire che la totale densit`a di corrente sar`a data da:
J = Φ
x,e
−(−q) + Φ
x,e
+(+q)
Abbiamo per`o detto qualche parola riguardo questo flusso, Φ, senza ap-
profondire molto, dicendo che `e una densit` a di elementi moltiplicato per una
velocit` a di moto. Le ipotesi di neutralit` a ci spingono a considerare velocit`a
v
d
, ossia di drift. Partendo da ci` o, potremo dire che, date le nostre ipotesi,
le espressioni dei due flussi saranno:
Φ
x,e
− = nv
d,e

Φ
x,e
+ = nv
d,e
+
Sostituendo nell’espressione della densit` a totale di corrente J,
J = −qnv
d,e
− + qnv
d,e
+
Stiamo ora continuando a parlare della velocit` a di drift, senza per`o aver-
ne fornito alcuna informazione: essa `e una velocit` a non istantanea, ma me-
dia, dell’intera popolazione: essa `e un parametro fittizio che descrive, ba-
25
sandosi sullo studio statistico di tutta la popolazione, la velocit` a media di
trascinamento di un singolo elettrone, tra un urto ed un altro con il reticolo.
Definiamo alcune nuove relazioni:
v
d,e
− = −µ
n
ε
v
d,e
+ = µ
n
ε
Dove µ rappresenta la mobilit` a dei portatori di carica, e ε `e il soli-
to campo elettrico derivante dalla polarizzazione esterna. Mediante alcune
osservazioni, si pu`o dire che:
µ
n
=
−qτ
m

n
µ
p
=

m

p
τ ∝
λ
N
th
Il parametro λ ha una forte dipendenza dalla regolarit` a del reticolo cri-
stallino, che noi consideriamo perfetto per ipotesi.
Riassumendo ci` o che abbiamo appena detto, la mobilit`a degli elettroni
`e maggiore di quella delle lacune, poich`e l’unico parametro variabile `e la
massa efficace m

, notoriamente superiore nelle lacune che negli elettroni.
La mobilit`a dei portatori risente di alcune caratteristiche:
• Maggiore sar`a la temperatura, maggiore sar`a l’interazione fononica coi
nuclei, e dunque minore la mobilit`a dei portatori;
• Maggiore sar`a il numero di imperfezioni del reticolo, minore sar` a la
mobilit` a dei portatori;
• Maggiore sar`a il drogaggio, e dunque la somma delle concentrazioni
(N
A
+N
D
), e minore sar` a la mobilit` a dei portatori di carica, poich`e vi
sar` a una popolazione maggiore.
E’ possibile spesso trovare dei grafici dei degradamenti di µ
n
e µ
p
:
Ora che abbiamo introdotto anche la mobilit`a elettronica, e una sua stima
grafica, possiamo completare la definizione della densit`a di carica, ed arrivare
ad una prima definizione di conducibilit`a elettrica in un semiconduttore:
J
n,drift
= (−q)n(−µ
n

26
J
p,drift
= qpµ
p
ε
La densit`a di corrente di drift totale, J, sar` a
J
d
= (qµ
n
n + qµ
p
p)ε = σε
L’espressione operativa della conducibilit` a in un semiconduttore sar` a dun-
que:
σ =
1
ρ
= qµ
n
n + qµ
p
p
In un metallo, la conducibilit` a `e solo affidata al moto degli elettroni; in
un semiconduttore, bisogna dunque considerare anche le lacune in banda di
valenza, per avere un quadro completo delle correnti presenti.
2.1 Correnti di diffusione
Potrebbe capitare che, a causa di fenomeni particolari o per motivi elettri-
ci/tecnologici, si abbia in un semiconduttore una concentrazione degli elet-
troni in banda di conduzione non uniforme; sezionando idealmente il semi-
conduttore, le fettine non avrebbero pi` u carica complessiva nulla, e quindi
la condizione di neutralit` a locale del semiconduttore sarebbe inapplicabile in
questo ambito. In una situazione come questa (che molto spesso trova riscon-
tro in applicazioni pratiche, come vedremo in seguito), avviene un fenomeno
di diffusione degli elettroni, causato dal gradiente della concentrazione al
variare della posizione in cui ci si trova. Questo perch`e, qualitativamente
parlando, gli elettroni tendono ad uniformarsi, e dunque ad occupare le se-
zioni del semiconduttore meno popolate. La diffusione degli elettroni causata
27
dal gradiente dunque provoca un flusso di elettroni, ed anche un flusso di la-
cune, poich`e anche esse tenderanno all’omogeneit` a nel sistema. Il campo ε `e
del tutto ininfluente in questo processo, o meglio il processo `e indipendente
da esso. Il campo elettrico provocava le correnti di drift precedentemente
studiate, ora avremo per`o due nuove correnti, provocate dalla diffusione dei
portatori:
J
n,diff
= −qΦ
x,e

diff
J
p,diff
= qΦ
x,e
+
diff
Possiamo dunque intuire ci`o:
Φ
x,e

diff
= −D
n
∂n
∂x
Φ
x,e
+
diff
= −D
p
∂p
∂x
I termini D
n
e D
p
sono i coefficienti di diffusione rispettivamente di elet-
troni in banda di conduzione e di lacune in banda di valenza, per ora non
ancora quantificati. Questi coefficienti, moltiplicati per la variazione nello
spazio di concentrazione di portatori, ossia per la derivata parziale rispetto
a x dei portatori rispettivi, definisce i due flussi di diffusione.
Possiamo considerare questo moto come confrontabile a quello di un gas;
il gradiente della concentrazione di elettroni `e negativo (secondo il sistema
di riferimento precedentemente definito), ma quindi il flusso risulta essere
positivo. Si noti che in un metallo questa situazione `e assolutamente irrea-
lizzabile: nel metallo gli elettroni sono come un mare, che assorbe facilmente
qualsiasi perturbazione gli venga fornita. Tecnologicamente non `e difficile
creare correnti di diffusione in un semiconduttore, come vedremo in seguito
parlando ad esempio della giunzione p-n.
2.2 Relazioni di Einstein ed Equazioni del Tra-
sporto
Formalizziamo ora tutto ci` o che abbiamo finora detto, partendo dalle ultime
relazioni discusse: la densit` a totale di corrente di diffusione, J
diff
, `e data da:
J
diff
= J
n,diff
+ J
p,diff
28
J
n,diff
= qD
n
∂n
∂x
J
p,diff
= −qD
p
∂p
∂x
Si possono ricavare i due coefficienti D
n
e D
p
, mediante le Relazioni di
Einstein, e scoprire che:
D
n
=
kT
q
µ
n
D
p
=
kT
q
µ
p
Per semplicit` a, si definisce il termine
kT
q
come equivalente in tensione
della temperatura: esso infatti dimensionalmente `e una tensione, chiamata
convenzionalmente V
T
:
V
T
=
kT
q
Il valore di V
T
ad una temperatura di 300 K, `e circa di 26 mV.
Mediante queste prime relazioni, abbiamo trovato i primi tasselli del puzz-
le rappresentante il modello matematico delle correnti in un semiconduttore:
le Relazioni di Einstein, e le equazioni del trasporto che ora esporremo in
forma ordinata:
J
n
= qnµ
n
ε + qD
n
∂n
∂x
J
p
= qpµ
p
ε −qD
p
∂p
∂x
2.3 Equazione di continuit`a
Supponiamo di avere un cubo di lato infinitesimo dx, e sezione A; vogliamo
quantificare la carica in esso contenuta. Supponiamo che il cubo si trovi,
sul nostro sistema di posizione cartesiano, nel punto x, e termini quindi nel
punto x + dx.
Nel punto x entrer` a una certa corrente, e quindi un certo flusso di cariche,
mentre nel punto x +dx ve ne sar` a presumibilmente un’altra, non sappiamo
se uguale o meno. Formalizzando, possiamo dire che:
29
∂n
∂t
Adx =
J
n
(x)A
−q
Cosa abbiamo detto qui: la variazione del numero di elettroni nel tempo,
all’interno del volume del cubo, `e uguale alla densit`a di carica diviso la carica
fondamentale, e quindi `e uguale al flusso di cariche che circolano nel cubo. In
realt` a, sarebbe necessario considerare, nella transizione all’interno del cubo,
altri tipi di fenomenologie, quali la generazione termica e la ricombinazione.
Formalizzando ulteriormente, possiamo aggiungere che:
∂n
∂t
Adx =
J
n
(x)A
−q

J
n
(x + dx)A
−q
+ (Gth −R)Adx
Sviluppiamo ora in serie di Taylor troncando al primo ordine il termine
J
n
(x + dx):
J
n
(x + dx) J
n
(x) +
∂J
n
(x)
∂x
dx
Sostituendo nell’espressione appena trovata, si trova che:
∂n
∂t
Adx =
J
n
(x)A
−q

_
J
n
(x)A
−q
+
1
−q
∂J
n
(x)
∂x
Adx
_
+ (Gth −R)Adx
=⇒
∂n
∂t
=
∂J
n
∂x
1
q
−U
n
Dove si definisce U
n
come il tasso medio di ricombinazione:
U
n
= R −Gth
30
In modo del tutto analogo si pu` o ricavare l’equazione di continuit` a delle
lacune, partendo dalle stesse equazioni precedentemente usate, e sfruttando
tecniche analitiche ed algebriche del tutto uguali, si ottiene:
∂p
∂t
= −
1
q
∂J
p
∂x
−U
p
2.4 Equazione di Poisson
Il nostro modello matematico delle correnti nel semiconduttore `e ancora
molto carente: l’equazione di continuit` a `e molto potente, tuttavia non sia-
mo in grado di riferirci con precisione ai termini della suddetta, in quanto
conosciamo molto poco riguardo ad essi.
Possiamo per`o sfruttare un’idea geniale: sostituire le due equazioni di
continuit`a, all’interno delle equazioni di trasporto precedentemente ricavate:
le soluzioni di questo sistema di equazioni sar` a un’espressione analitica delle
densit` a di portatori, in funzione di tempo e posizione, n(x; t) e p(x; t). Que-
ste non sono per`o le uniche incognite del problema: leggendo le equazioni
precedentemente introdotte, troviamo anche il campo elettrico ε, e il termine
di ricombinazione U
n
o U
p
a seconda se si studiano rispettivamente elettroni
o lacune.
Supponiamo dunque di avere, rispetto alla condizione di equilibrio, uno
spostamento di cariche, un accumulo locale di cariche, in grado di instaurare
gradienti di concentrazione e dunque un processo di diffusione mediante il ge-
nerarsi di flussi di portatori. Formalizziamo, nel nostro modelo matematico,
questo moto di cariche.
Supponiamo di avere eccessi locali di cariche, uno negativo ed uno positi-
vo: globalmente, il sistema sar` a neutro. Gli eccessi di cariche daranno vita a
campi elettrici nella zona compresa tra i due eccessi, non trascurabili. Inco-
minciamo dunque a studiare la densit` a di distribuzione delle cariche, in tutti
31
gli eccessi, al variare della posizione x in cui osserviamo il semiconduttore in
questo stato:
ρ(x) = +q
_
p(x; t) −n(x; t) + N
+
D
(x) −N

A
(x)
_
Data la distribuzione delle cariche, ora ci interessiamo del campo elettrico
ε. Per far ci` o, dobbiamo per` o aver ben presente il legame tra carica e campo
elettrico, senza aver ancora introdotto l’Equazione di Poisson, risultato finale
di questa sezione della trattazione del modello matematico. Apriamo una
breve parentesi ad un primo studio del legame tra carica e campo elettrico.
2.4.1 Legame Carica - Campo Elettrico
Dato il solito modello semplificato di condensatore a facce piane parallele
non dotato di effetti di bordo, applicata sulle facce una tensione ∆V =
V
a
, osserviamo che il campo elettrico ε(x) fuori dal condensatore `e nullo;
sappiamo dallo studio di Fisica riguardo l’elettrostatica, e dall’analisi dei
campi vettoriali, che:
ε(x) = −
∂Φ
∂x
Dove Φ `e il potenziale. Utilizzando il teorema fondamentale del calcolo
integrale:
Φ(x) = −
_
d
0
ε(x)dx ⇐⇒Φ(x) = Φ(0) −
_
x
0
ε
1
dx
Come sempre, consideriamo a 0 la massa del nostro sistema, dunque
Φ(0) = 0; si otterr` a che:
Φ(x) = −ε
1
x =⇒ε
1
= −
V
a
d
Tuttavia, parlando di condensatori, si introduce la capacit` a definita come
il rapporto tra carica e tensione, ma anche come rapporto del dielettrico
contenuto nel condensatore,
0
, e della distanza tra le facce:
C =
Q
V
a
=

0
d
Possiamo dunque dire, invertendo l’espressione, che
V
a
=
Q
C
=
Q

0
d
32
Riprendendo il legame tra campo e potenziale, si arriva finalmente a dire
che:
ε
1
= −
Q

0
Abbiamo trovato in questo particolare caso un’espressione del campo ε
1
,
esplicitato in funzione della carica, anche detto Legge di Gauss (in realt`a essa
racchiude significati ben pi` u profondi di quello appena mostrato, ma che non
sono utili alla trattazione). Questo `e un caso molto particolare, che dovremo
estendere per ottenere la pi` u generale formulazione del legame tra una carica
ed una differenza di potenziale, ossia l’Equazione di Poisson
2.4.2 Dimostrazione qualitativa dell’Equazione di Pois-
son
Ci preoccupiamo ora di mostrare l’equazione di Poisson, e di spiegarne il
significato profondo, mediante una dimostrazione non rigorosa ma comunque
efficace. L’equazione di Poisson avr`a una forma del tipo:

2
Φ
∂x
2
= −
ρ(x)

S
Il termine
S
`e la costante dielettrica del semiconduttore: esso sar` a il
prodotto di
0
, ossia la costante dielettrica del vuoto, e di
rS
, ossia la costante
dielettrica relativa del semiconduttore. ε sar` a il campo elettrico provocato
dagli eccessi di carica descritti mediante la loro funzione di densit`a ρ(x).
Poich`e sappiamo gi`a che:
ε = −
∂Φ
∂x
Mediante l’applicazione dell’equazione di Poisson possiamo dire che:
ε(x) =
_
ρ(x)

S
dx
Dunque,
ε(x) =
ρ(x)

S
x
Il campo avr` a una forma di questo tipo: da −∞ a x
1
il campo `e costan-
temente nullo; addentrandoci nella regione di cariche, il campo crescer`a, fino
all’uscita dalla regione, in x
2
. Il campo ora rimarr`a costante, fino a quando
non ci si addentrer`a nella seconda regione di cariche, da x
3
, che ridurr` a il
33
campo, fino ad annullarlo in x
4
. Andando da sinistra a destra, e considerando
prima una densit` a positiva (per x < 0), poi una positiva (in x > 0).
Integrando poi ε(x), si vedr`a che:
Φ(x) = −
_
ε(x)dx
Considerando come massa Φ(x
1
) = 0. Vediamo dal precedente studio,
sul campo, che esso `e maggiore di 0 per qualsiasi posizione x si scelga nello
spazio. L’integrale di tale funzione cambiata di segno sar` a dunque negativo,
ed avr`a un andamento di questo tipo: per x < x
1
, il potenziale sar`a sempre
0, come fissato anche dalla massa. Poich`e nella regione delle cariche, da x
1
a x
2
, abbiamo un campo ad andamento lineare, integrandolo ulteriormente
esso diverr` a quadratico, e quindi parabolico. Poich`e, ribaltando l’andamento
del campo, la retta avr`a pendenza negativa, allora la concavit`a del tratto di
parabola sar`a rivolta verso il basso. A questo punto, da x
2
a x
3
, si trova
un regime di campo costante, in cui il campo `e positivo, ma quindi ribaltato
negativo, e ci` o dar`a vita ad un tratto di retta a pendenza negativa, dal punto
x
2
al punto x
3
. Da x
3
a x
4
si ripeter`a il ragionamento precedente, ma questa
volta la distribuzione ribaltata del campo avr` a pendenza positiva, poich`e
dovr` a crescere fino a 0, quindi il tratto di parabola avr` a concavit`a rivolta
verso l’alto.
L’equazione di Poisson avr` a un ruolo fondamentale nel modello matema-
tico delle correnti in un semiconduttore, poich`e sar` a essa a fornirci le infor-
mazioni sul campo e sul potenziale, a partire dalla distribuzione di cariche
fornita o studiata nel problema.
2.5 Considerazioni su semiconduttori fuori equi-
librio
Prima di iniziare le nostre considerazioni sui semiconduttori fuori equlibrio,
aggiorniamo la simbologia che utilizzeremo d’ora in poi: quando trattere-
mo quantit`a all’equilibrio, termodinamico, ottico o di qualunque altro tipo,
34
useremo il pedice aggiuntivo 0: esempi saranno n
p0
, n
n0
, n
i0
, p
n0
, p
p0
, p
i0
.
Senza il pedice 0, i simboli finora utilizzati indicheranno una condizione di
non equilibrio nel semiconduttore causata da un qualche fenomeno.
Ci chiediamo per`o: come possiamo creare, in un semiconduttore, una
situazione di non-equilibrio?
Prendiamo un semiconduttore drogato tipo n, con un drogaggio N
D
, ed
esponiamolo ad un fascio di fotoni dotati di energia ω > E
g
, ossia dotati
di un’energia superiore al gap di energia tra banda di valenza e banda di
conduzione, in modo da facilitare le transizioni di elettroni.
Irradiamo una sola faccia del nostro semiconduttore con i fotoni ω, in
un punto che consideriamo come origine del sistema cartesiano; il fatto che
la loro energia sia sufficiente a provocare molte transizioni di elettroni dalla
banda di valenza a quella di conduzione, permette la generazione di diverse
coppie elettrone-lacuna: esse sbilanceranno le distribuzioni dei portatori in
prossimit` a del punto 0, n
n
(0)ep
n
(0) le quali varieranno rispetto ai valori
di equilibrio. Questo tipo di processo si pu` o chiamare generazione termica
(Gott), e lo consideriamo come un fenomeno puramente additivo: l’unico
fenomeno ad essa contrapposto `e la ricombinazione. Di fatto la generazione
ottica inietta coppie elettrone-lacuna in un semiconduttore, ma esistono due
sostanziali livelli di iniezione:
• Basso livello di iniezione: l’iniezione di coppie elettrone-lacuna altera
i portatori minoritari, ma non `e abbastanza elevata da poter variare
sensibilmente i portatori maggioritari. Ad esempio, se N
D
= 10
16
,
n
n0
= N
D
, p
n0
= 10
4
, i fotoni ω generano 10
13
coppie elettrone-
lacuna, n
n
n
n0
, poich`e 10
16
+ 10
13
10
16
, ma p
n
G(ω): infatti,
10
4
+ 10
13
10
13
.
• Alto livello di iniezione: l’iniezione di coppie elettrone-lacuna `e tal-
mente elevata da riuscire ad alterare sensibilmente sia i minoritari che
i maggioritari: supponiamo di avere una situazione come prima, ossia
N
D
= 10
16
, n
n0
= N
D
, p
n0
= 10
4
, i fotoni ω generano per`o 10
19
coppie
elettrone-lacuna. A queste condizioni, n
n
p
n
G(ω): la generazio-
ne termica `e cos`ı potente da compensare interamente il drogaggio N
D
,
e cos`ı annullarlo.
2.6 Modello del Tasso di Ricombinazione Net-
to
Cerchiamo ora di completare il nostro modello matematico delle correnti in
un semiconduttore, introducendo un modello del tasso netto di ricombina-
35
zione: supponiamo, prima di iniziare con il formalismo, di avere un semicon-
duttore all’equilibrio, e dunque n
n
= n
n0
, e p
n
= p
n0
. In questa situazione,
la generazione termica eguaglia la ricombinazione: per ogni generazione ter-
mica vi `e la ricombinazione antagonista, che non permette il perdurare di
un’eventuale variazione della situazione. Possiamo immaginare che questo
sia un caso limite del nostro modello: vi dovrebbe essere un coefficiente di
proporzionalit` a α che permetta di regolare la ricombinazione, in questo modo:
R = αn
n0
p
n0
In altre parole, aumentare uno dei due portatori, implicherebbe aumen-
tare anche il fenomeno di ricombinazione nel nostro semiconduttore. Con-
sideriamo questa proporzionalit` a come un assioma, e sviluppiamo il no-
stro modello; avevamo detto che, all’equilibrio termodinamico, R = Gth,
e dunque:
R = αn
n0
p
n0
= Gth
Ad un basso livello di iniezione, vi sar` a una variazione dei minoritari, in
questo ambito di p
n
, ma non dei maggioritari: in altre parole, n
n
= n
n0
. Il
livello di ricombinazione, da quello precedente, diventer`a:
R = αn
n
p
n
Definendo U
n
il tasso medio di ricombinazione degli elettroni, ma soprat-
tutto U
p
il tasso medio di ricombinazione delle lacune, minoritarie in questo
ambito, vediamo che:
U
p
= R −Gth = αn
n
p
n
−αn
n0
p
n0
= αn
n0
(p
n
−p
n0
)
Ma poich`e consideriamo sempre valida l’ipotesi di completa ionizzazione,
possiamo tranquillamente dire che:
U
p
= αN
D
(p
n
−p
n0
)
Introduciamo dunque un’ulteriore definizione: il tempo di vita medio delle
lacune, τ
p
τ
p

1
αN
D
τ
p
`e un tempo medio di vita delle lacune in una condizione a loro sfa-
vorevole, detto in modo molto approssimativo: poich`e ci troviamo in un
semiconduttore drogato tipo n, il tempo di vita degli elettroni in quanto
maggioritari sar` a molto superiore a quello delle lacune, dunque di fatto la
36
loro vita media sar` a inferiore, in quanto in proporzione saranno molto pi` u
colpite dalla ricombinazione degli elettroni (gli elettroni nati da ionizzazione
infatti non hanno un antagonista). Possiamo dunque finalmente terminare il
modello del tasso di ricombinazione, per le lacune, come:
U
p
=
p
n
−p
n0
τ
p
Cosa ci dice ci` o: drogando un semiconduttore, a seconda di quanto pi` u
drogante vi immetteremo, faremo sempre pi` u abbreviare la vita dei portatori
minoritari, poich`e aumenteremo la ricombinazione, che va principalmente a
loro scapito. Considerando p
n
−p
n0
un eccesso di lacune, si suol definire
p
n
−p
n0
= p

n
Dove l’apice indica proprio fatto che si parla di un eccesso. In tali
condizioni, il tasso di ricombinazione netto sar`a:
U
p
=
p

n
τ
p
Chiaramente, parlare di p

n
e di n

p
ha senso solo fuori equilibrio, in seguito
ad una perturbazione esterna, altrimenti la differenza tra il valore finale della
concentrazione di minoritario e il valore all’equilibrio sarebbe banalmente
nulla.
Le due relazioni che costituiranno il nostro modello di ricombinazione
saranno dunque:
U
p
=
p
n
−p
n0
τ
p
U
n
=
n
p
−n
p0
τ
n
Si noti che questo `e un modello di ricombinazione diretta, ossia basato
su semiconduttori a gap diretto, e dove cio`e le transizioni elettroniche da
un livello energetico ad un altro sono di tipo diretto, e quindi non consi-
deranti le interazioni fononiche. Esistono modelli che prevedono transizioni
indirette, ma ci` o non toglie l’efficacia di questo modello, nelle situazioni che
lo riguardano.
2.7 Esercizio Pratico
1. Dato un campione di silicio, drogato con N
A
= 10
16
atomi/cm
3
:
37
(a) Disegnare diagramma a bande dettagliato all’equilibrio termodi-
namico quotando ogni dettaglio;
(b) Calcolare la resistenza sapendo che l=1mm; A = 1 mm
2
.
2. Successivamente, si droghi lo stesso campione, con N
D
= 10
17
atomi/cm
3
;
a questo punto:
(a) Disegnare diagramma a bande dettagliato all’equilibrio termodi-
namico quotando ogni dettaglio
(b) Calcolare la resistenza sapendo che l=1mm; A = 1 mm
2
.
3. Sapendo che il semiconduttore `e illuminato con una radiazione luminosa
generante 10
13
coppie elettrone-lacuna sulla faccia posta in x=0, si
calcoli come le lacune in eccesso si redistribuiscono nel semiconduttore
con τ
p
= 1 ms.
4. Supponendo di ripetere l’analisi del punto precedente, avendo applicato
una tensione di polarizzazione V
a
= −1 V al campione, se ne valuti
l’effetto.
2.7.1 Risoluzione
Disegnare diagramma a bande dettagliato all’equilibrio termodina-
mico quotando ogni dettaglio
Cerchiamo di quotare il nostro diagramma a bande, e quindi di trovare tutti
i dati che ci servono per avere un quadro completo della situazione. Siamo
in un semiconduttore drogato tipo p, e quindi, poich`e ci troviamo a 300 K,
possiamo dire che la condizione di completa ionizzazione `e applicabile, e non
siamo in un regime intrinseco:
p
p
(300) N
A
Calcoliamo dunque il livello di Fermi, partendo dall’equazione di Shoc-
kley:
p
p
(300) N
A
= n
i
e

E
F
i
−E
F
kT
=⇒E
F
i
−E
F
= kT ln
N
A
N
D
Poich`e come abbiam gi` a detto, kT 0, 026V , ed N
A
= 10
16
, facendo i
conti troviamo che il livello di Fermi E
F
vale 349 meV. Possiamo considerare
noto il gap di energia E
g
, e l’affinit` a elettronica qχ.
Il lavoro di estrazione, dunque, varr` a:
38

S
p
= qχ +
E
g
2
+ E
F
i
−E
F
= 4, 05 + 0, 56 + 0, 349 = 4, 959 eV
Calcolare la resistenza sapendo che l=1mm; A = 1 mm
2
Abbiamo quotato tutto ci`o che siamo in grado di fare, per questo possiamo
passare al calcolo della resistenza del semiconduttore. Partendo dalla legge
di Ohm, possiamo dire che:
R = ρ
l
A
Disponiamo partendo dai dati del problema di l ed A, ma non abbiamo
alcuna informazione riguardante ρ. L’unica cosa che sappiamo, `e che:
ρ =
1
σ
Abbiamo ampiamente studiato σ in precedenza, e siamo arrivati a dire
che:
σ = q(µ
n
n + µ
p
p)
Noi disponiamo di p, ma ci mancano sia i minoritari n, che le mobilit` a
relative ad n e p. Per queste ultime, `e necessario consultare un grafico,
contenente la degenerazione delle mobilit` a al variare della temperatura e
della concentrazione di portatori N
A
+ N
D
, e quindi possiamo dire che:
µ
n
= 1050; µ
p
= 350
Per quanto riguarda invece i minoritari, `e sufficiente applicare la legge
dell’azione di massa:
n
p
· p
p
= n
2
i
=⇒n
p
=
n
2
i
p
p
= 2, 1 · 10
4
Il fatto che il numero di minoritari sia inferiore a quello di maggiori-
tari di molti ordini di grandezza, ci permette di trascurarli, calcolando la
conducibilit` a elettrica. Possiamo dunque dire che:
σ qµ
p
p
p
= 0, 746
Invertendo ora σ, troviamo ρ, e possiamo quindi calcolare R:
R =
1
σ
l
A
39
Abbiamo cos`ı risolto facilmente i primi due punti del problema; risolvere i
secondi `e del tutto inutile, in quanto il processo `e del tutto analogo, tenendo
semplicemente conto del fatto che vi `e una compensazione del drogante tipo p,
N
A
, in seguito all’introduzione di N
D
. Ricalcolando la nuova concentrazione
di minoritari mediante la legge dell’azione di massa, e le nuove mobilit` a dei
portatori, si pu`o facilmente raggiungere lo stesso risultato appena trovato
(chiaramente le cifre saranno diverse).
Calcolo lacune in eccesso
Trattiamo il terzo punto del problema, che sar` a molto pi` u interessante dei
primi due. Talvolta, converr` a fare divagazioni, che torneranno molto utili
nello studio di dispositivi in un momento pi` u avanzato della trattazione.
Supponiamo dunque di avere 10
13
coppie elettrone-lacuna, e dunque di avere
un basso livello di iniezione. Ci` o che capiter` a, `e che:
_
p
n0
10
13
n
n0
10
13
Applichiamo per la prima volta il modello matematico, partendo dall’e-
quazione di continuit` a:
∂p
n
∂t
= −
1
q
∂J
p
∂x
−U
p
Consideriamo il fatto che la generazione ottica non subisce variazioni nel
tempo, e che dunque, al variare del tempo t, il numero di coppie sar`a sempre
lo stesso, e quindi la derivata nel tempo sar`a nulla.
=⇒−
1
q
∂J
p
∂x
−U
p
= 0
Introducendo il nostro modello di ricombinazione diretta,

1
q
∂J
p
∂x

p
n
−p
n0
τ
p
= 0
Consideriamo l’equazione di trasporto della corrente, rappresentante la
densit` a di corrente J
p
, e quindi
J
p
= qµ
p
p
n
ε −qD
p
∂p
n
∂x
Consideriamo per` o che il nostro semiconduttore `e isolato rispetto all’e-
sterno, e dunque non vi sono fenomeni di polarizzazione, e il campo elettrico
dall’esterno risulter` a essere nullo, poich`e non abbiamo polarizzazioni esterne.
40
Potremmo pensare per` o ad eccessi di carica interni generati dall’iniezione ot-
tica: sarebbe un pensiero fuorviante, poich`e la generazione ottica provoca la
nascita di coppie elettrone-lacuna, e quindi non viene perturbato l’equilibrio
in questo senso, dunque possiamo considerare ρ = 0, ed ε = ε
ext
+ ε
int
= 0.
Il vero problema che potrebbe nascere `e il seguente: la diffusione di elettroni
e lacune avviene con una velocit` a differente, poich`e la differenza delle masse
efficaci di elettroni e lacune fa s`ı che queste seconde abbiano una mobilit`a
inferiore, ergo potrebbero generarsi campi elettrici momentanei, in seguito
a gradienti di diffusione temporanei. Al fine di prevenire questa possibilit` a,
consideriamo un’ipotesi aggiuntiva: la quasi neutralit` a del semicondutto-
re: ε 0: infatti il campo elettrico effettivamente potrebbe agire, ma solo
sulla corrente dei minoritari, che quindi non ci riguarda, in quanto del tut-
to trascurabile. Accettando tale ipotesi, l’equazione di trasporto si ridurr` a
semplicemente a:
J
p
−qD
p
∂p
n
∂x
Sostituendo l’equazione di trasporto in quella di continuit` a, e consideran-
do solo gli eccessi di cariche dovuti alla ricombinazione, si otterr`a:
0 = −
1
q
D
p

2
p

n
∂x
2

p

n
τ
p
Questa di fatto rappresenta un’equazione omogenea di secondo ordine a
coefficienti costanti:

2
p

n
∂x
2
=
1
D
p
τ
p
p

n
Considerando il polinomio caratteristico di quest’equazione, e riducendola
ad un’equazione di secondo grado, si ottiene che gli autovalori del polinomio
caratteristico avranno forma:
λ
2
=
1
D
p
τ
p
=⇒λ
1,2
= ±
1
_
D
p
τ
p
Potremmo ora fare quest’osservazione: il termine D
p
τ
p
`e una lunghez-
za quadratica, dimensionalmente parlando. Si definisce il parametro detto
lunghezza di diffusione, relativo alle lacune, come:
L
p
=
_
D
p
τ
p
Di fatto la lunghezza di diffusione `e un parametro che ci permette di
capire quanto velocemente i minoritari iniettati si disperdono, man mano
41
che ci si allontana dalla zona di iniezione: se la posizione che si analizza `e
lontana alcune lunghezze di iniezione, si troveranno pochissimi minoritari.
Chiaramente, vale una relazione del tutto duale, per gli elettroni iniettati in
un semiconduttore drogato p, ossia:
L
n
=
_
D
n
τ
n
Tornando al nostro problema, come sappiamo dalla teoria della risoluzione
delle equazioni differenziali a coefficienti costanti, le soluzioni dell’equazione
differenziale prima esposta avr` a forma del tipo:
p

n
(x) = Ae
λ
1
x
+ Be
λ
2
x
Nella fatispecie, la soluzione sar`a:
p

n
(x) = Ae
x
L
p
+ Be

x
L
p
Dobbiamo ora trovare le costanti di normalizzazione A e B: per far ci` o
serviranno due condizioni al contorno del problema:
1. Sappiamo che, lontano dalla zona di iniezione, le lacune si saranno in-
teramente ricombinate, e quindi, considerando di trovarci in una zona
molto lontana dalla zona di iniezione, possiamo dire che la ricombina-
zone avr` a annullato tutti i minoritari, e quindi
p

n
(∞) = 0 =⇒A = 0
2. Abbiamo una condizione al contorno sulla posizione iniziale: noi sappia-
mo infatti esattamente quante coppie elettrone-lacuna vengono inietta-
te otticamente, e quindi possiamo dire che, in quella che consideriamo
l’origine del sistema cartesiano, e l’origine dell’iniezione delle lacune,
p

n
(0) = 10
13
=⇒B = 10
13
Siamo arrivati, analizzando il nostro semiconduttore in condizione di lato
lungo (che vedremo non essere sempre valida), ad esprimere una relazione in
grado di descrivere l’andamento degli eccessi di portatori minoritari iniettati
in un semiconduttore drogato. Ci chiediamo a questo punto, come studiare
l’andamento delle correnti, data la funzione appena trovata. Ci chiediamo
innanzitutto, se esistono correnti nel semiconduttore, a queste condizioni; la
corrente totale infatti, indipendentemente dall’andamento della distribuzione
appena espressa, dovrebbe essere nulla: se cos`ı non fosse, significherebbe che
42
vi sono accumuli nel tempo, che violerebbero la legge di conservazione della
carica. Dato che trattiamo un semiconduttore lungo,
p

n
(x) = p

n
(0)e

x
L
p
Quindi, possiamo ricavare la corrente derivando questa distribuzione;
infatti:
J
p,diff
(x) = −qD
p
∂p

n
∂x
=
qp

n
(0)D
p
L
p
e

x
L
p
La variazione di concentrazione dovrebbe provocare una corrente di que-
sto tipo:
Ci` o `e in accordo con quanto abbiamo appena detto: allontanandoci dal
punto di iniezione, abbiamo un comportamento soddisfacente in quanto la
ricombinazione elimina tutte le correnti di minoritari, ma in un intorno del
punto di iniezione la corrente `e diversa da 0. Si pu`o intuire che vi sia un flusso
di elettroni che controbilancia la corrente in questo intorno di punti, in modo
da garantire comunque la conservazione della carica. Questo problema sar`a
molto importante da studiare in seguito, trattando le correnti nella giunzione
p-n, che ora inizieremo a studiare.
2.7.2 Ipotesi di lato corto
Permettiamoci una digressione sul problema appena studiato: esistono con-
dizioni (molto comuni, parlando ad esempio di microelettronica o nanotec-
nologie), in cui un dispositivo elettronico ha una lunghezza confrontabile o
addirittura inferiore alla lunghezza di diffusione, e quindi in cui il mecca-
nismo di ricombinazione del semiconduttore di fatto non riesce, nonostante
l’andamento esponenziale, a ridurre a zero il numero di lacune. Le condizioni
al contorno che abbiamo utilizzato, non sono dunque pi` u valide, in quanto
43
non `e possibile assimilare la lunghezza del lato a ∞. Chiaramente, i passaggi
iniziali saranno del tutto analoghi, e la soluzione dell’equazione differenziale
cui arriveremo sar`a sempre della forma:
p

n
(x) = Ae
x
L
p
+ Be

x
L
p
Al fine di poter ricavare nuove condizioni al contorno, sar` a necessario
proporre nuove ipotesi assuntive: il semiconduttore, per quanto corto, dovr` a
essere per esempio essere chiuso su di un metallo, mediante due placchette,
al fine di poter ottenere un contatto ohmico. Costruendo tecnologicamente
un dispositivo di questo tipo, la condizione al contorno che potremo appli-
care, sar`a la totale ricombinazione nel punto estremo del semiconduttore, d:
infatti, il contatto ohmico permette una totale ricombinazione con i minori-
tari non ancora ricombinati, all’interno del semiconduttore. Potremo dunque
considerare, come condizioni al contorno,
p

n
(d) = 0
p

n
(0) = A + B
Partendo da ci`o, troviamo che:
B = p

n
(0) −A
0 = Ae
d
L
p
+ (p

n
(0) −A)e

d
L
p
Svolgiamo ora alcuni passaggi algebrici, al fine di esplicitare in questo
ambito le costanti di normalizzazione A e B:
0 = A(e
d
L
p
−e

d
L
p
) + p

n
(0)e

d
L
p
Ma notiamo che e
d
L
p
−e

d
L
p
= 2 sinh(
d
L
p
); quindi:
A =
−p

n
(0)e

d
L
p
2 sinh(
d
L
p
)
Sostituiamo ora in B:
B = p

n
(0) +
p

n
(0)e

d
L
p
2 sinh(
d
L
p
)
= 2 sinh(
d
L
p
)p

n
(0) + p

n
(0)e

d
L
p
=
44
=
p

n
(0)e
d
L
p
−p

n
(0)e

d
L
p
+ p

n
(0)e

d
L
p
2 sinh(
d
L
p
)
Quindi,
B =
p

n
(0)e
d
L
p
2 sinh(
d
L
p
)
Sostituendo A e B nell’equazione di partenza, si ottiene che:
p

n
(x) =
−p

n
(0)e

d
L
p
e
x
L
p
+ p

n
(0)e
d
L
p
e

x
L
p
2 sinh(
d
L
p
)
=
p

n
(0)
_
e
d−x
L
p
−e

d−x
L
p
_
2 sinh(
d
L
p
)
=
sinh(
d−x
L
p
)
sinh(
d
L
p
)
Siamo dunque arrivati a dire che, dato un semiconduttore il cui lato `e
confrontabile con la lunghezza di diffusione, ossia d ∼ L
p
, la distribuzione
dell’eccesso di minoritari (nel nostro caso, con un semiconduttore drogato
tipo n, p

n
(x),
p

n
(x) =
sinh(
d−x
L
p
)
sinh(
d
L
p
)
Esiste un caso ancora pi` u estremo: se il lato del semiconduttore `e inferiore
alla lunghezza di diffusione, e quindi d L
p
, possiamo dire che d x, e
quindi possiamo riutilizzare la precedente espressione, considerandola per
un x tendente a 0. Ci` o per` o significa che siamo in grado di semplificare
notevolmente la nostra espressione, sviluppandola in polinomio di Taylor:
p

n
(x) ∼
p

n
(0) ·
d−x
L
p
d
L
p
= p

n
(0)
_
1 −
x
d
_
Utilizzando gli andamenti degli eccessi di minoritari ora ricavati, sar`a
possibile calcolare le correnti facilmente, anche con ipotesi diverse da quella
di lato lungo, sfruttando sempre le stesse conoscenze utilizzate precedente-
mente.
45
Capitolo 3
Giunzione p-n
Siamo riusciti a fornire un modello soddisfacente dell’andamento delle corren-
ti in un semiconduttore drogato, e abbiamo fatto un esempio applicativo di
come calcolarle. Ora vogliamo sfruttare queste conoscenze, in un dispositivo
usato molto comunemente, e alla base dell’elettronica: la giunzione p-n.
Dati due semiconduttori (comunemente noi useremo il silicio), drogati
uno tipo n, ed uno tipo p, essi avranno un diagramma a bande abbastanza
diverso sotto alcuni punti di vista, anche se con le conoscenze finora apprese
siamo in grado di motivarlo senza problemi.
Immaginiamo didatticamente di unire i due semiconduttori; i potenziali
dei due, in principio separati, una volta uniti, avranno lo stesso sistema di
riferimento. Consideriamo come origine dei tempi l’istante in cui si uniscono
i due semiconduttori; in un tempo 0
+
, le due barriere di potenziale del vuoto,
le E
B
, saranno coincidenti. Anche gli altri livelli, quali E
C
, E
V
, E
F
i
, saranno
tutti coincidenti, tranne il livello di Fermi reale dei semiconduttori, E
F
, che
presenter` a una discontinuit` a in prossimit` a del punto di giunzione. Volessimo
dunque tracciare un diagramma a bande del semiconduttore in un istante
0
+
, esso avrebbe l’andamento appena descritto.
Consideriamo, in questo sistema, come origine degli assi, il punto di giun-
zione dei due semiconduttori. Convenzionalmente, si considera a sinistra il
lato p, a destra il lato n. Possiamo dunque dire che, a destra della giunzione,
avremo molti elettroni in banda di conduzione (maggioritari) e poche lacune
in banda di valenza (minoritari), e viceversa a sinistra i portatori maggiorita-
ri saranno le lacune in banda di valenza, ed i minoritari gli elettroni in banda
di conduzione. Di fatto, vi saranno accumuli di carica, che provocheranno
flussi di portatori: dal lato p al lato n di lacune, dal lato n al lato p, di
elettroni (sempre parlando di un istante t = 0
+
. Questi flussi di cariche sus-
sisteranno, fino a quando sussisteranno le discontinuit`a nei livelli energetici,
e nella fatispecie la discontinuit` a del livello di Fermi. Per un certo transitorio
46
di tempo, dunque, a partire dall’istante 0, si avranno due flussi netti, ossia
due flussi che prevarranno su tutti gli altri:
1. Φ
x,e

BC
n −→p
2. Φ
x,e
+
BV
p −→n
Vogliamo cercare per` o di capire come pu`o instaurarsi, a partire da questo
stato transitorio, una condizione di equilibrio. Possiamo dire, partendo dalle
informazioni sui due flussi, che vi siano due canali di scambio di portato-
ri, separati: generazione termica e ricombinazione rispetto a questi scambi
saranno fenomeni molto lenti e poco efficaci, e quindi trascurabili in un pri-
mo tempo. Se per un certo intervallo di tempo si ha uno spostamento di
portatori di carica, capiter` a che, venendo a mancare elettroni di banda di
conduzione nel lato n, e lacune in banda di valenza nel lato p, si perder`a la
condizione di neutralit`a locale: in banda di conduzione il semiconduttore p
si sar` a spopolato di lacune nelle regioni prossime al contatto con il lato n, e
viceversa il semiconduttore lato n si sar` a spopolato di elettroni nelle regioni
prossime al contatto con il lato p.
Gli ioni positivi nel lato n dunque non avranno, in prossimit`a della giun-
zione, un elettrone in grado di neutralizzarli localmente, e idem gli ioni
negativi nel lato p, non avranno lacune in grado di neutralizzarli localmente.
Per lo studio della giunzione dovremo attenerci ad un modello leggermente
semplificativo: considereremo, come ipotesi, che in prossimit`a della giunzione
avvenga un completo svuotamento: le zone svuotate per ipotesi non conter-
ranno portatori maggioritari dei rispettivi lati (o comunque una quantit`a del
47
tutto trascurabile rispetto al numero di ioni). Gli unici elementi di carica
che considereremo in gioco, saranno gli ioni dei livelli energetici introdotti
mediante il drogaggio. Sar` a dunque semplice rappresentare la distribuzione
spaziale della carica della giunzione:
Fino ad un certo punto −x
p
, la distribuzione di ioni che non dispongono
di un maggioritario che lo neutralizza localmente sar` a del tutto nulla, per
poi avere un picco nel suddetto punto. La distribuzione di carica, negativa,
rester` a costante fino all’origine, dove vi sar`a un ulteriore salto: vi sar`a una
distribuzione di carica positiva dal punto 0 al punto x
n
, anch’essa costan-
te. Inoltre, considerando l’ipotesi di completo svuotamento in coincidenza
con l’ipotesi di completa ionizzazione, potremo dire che la densit` a di carica
coincider` a con la concentrazione di drogante introdotta nel substrato semi-
conduttivo, quindi potremo dire che l’altezza del rettangolo di sinistra sar`a
−N
A
, e l’altezza del rettangolo destro sar` a N
D
.
48
Potremmo ora chiederci alcune domande: ma qual `e la posizione del
salto? Coincide veramente con l’origine degli assi, `e cio`e in prossimit` a della
giunzione? Dove le distribuzioni di cariche iniziano ad annullarsi? La risposta
`e la seguente: dove il livello di Fermi cessa di essere discontinuo.
Vogliamo capire e quantificare l’estensione delle regioni di carica, studiar-
ne la geometria, quantificare i punti −x
p
ed x
n
, e soprattutto i loro valori
una volta raggiunto l’equilibrio, −x
p0
ed x
n0
. Questi valori saranno ottenuti
in seguito ad una crescita temporale dei valori fuori equilibrio −x
p
ed x
n
,
rispetto al loro stato iniziale. Nel punto di equilibrio, i flussi determinati dai
gradienti di concentrazione di carica saranno eguagliati dalla ricombinazione
e da flussi opposti, e quindi saranno nulli.
3.1 Studio qualitativo del diagramma a ban-
de della giunzione p-n
Facendo una prima analisi qualitativa del campo (senza considerare calcoli
analitici di alcun tipo, che verranno ripresi in seguito), possiamo vedere che
poich`e a sinistra la carica `e negativa, si avr`a, integrando, una retta decre-
scente da −x
p
fino a 0, e crescente da 0 fino a x
n
. Il campo sar` a dunque
un triangolo, interamente negativo, con il vertice posto in 0. Integrando
ulteriormente, si ottiene un insieme di due contributi parabolici, il primo
con concavit` a verso l’alto, il secondo con concavit`a verso il basso (poich`e si
inverte il segno del campo per l’equazione di Poisson).
Ribaltando il grafico del potenziale rispetto all’asse x, si trover`a una fun-
zione monotona decrescente, trattabile come due parabole, la prima fino a
0 con concavit` a verso il basso, la seconda fino a x
n
con concavit` a verso l’al-
to. Questo sar` a il grafico dell’energia potenziale valutata in eV, ma sar`a
soprattutto utile se pensata come parte di un diagramma a bande: il grafico
dell’energia potenziale, come gi` a accennato, `e il diario di bordo dell’elettrone,
ossia `e il suo diagramma a bande. Ci`o che si trova con questa sorta di dop-
pio andamento parabolico, `e semplicemente il raccordo tra i livelli energetici
dei due lati, una volta raggiunto l’equilibrio: infatti all’equilibrio il livello di
Fermi reale del sistema diventa continuo, confrontabile con una retta, men-
tre i vari E
B
, E
C
, E
V
, E
F
i
, raggiungono livelli energetici diversi, ma non
49
presentano discontinuit` a, bens`ı un raccordo come quello appena descritto
qualitativamente (e che in seguito verr` a calcolato analiticamente). Possiamo
dire che il lato n tender` a a scendere rispetto al lato p, che salir`a relativamente
ad n. Lo spostamento di carica, determinante l’equilibrio, ha determinato il
curvarsi dei livelli energetici, nell’intorno della zona della giunzione. Il livello
di Fermi si sar` a riallineato, e tutti gli altri curvati con un andamento come
quello appena descritto.
Notiamo che si viene a formare una barriera di potenziale, man mano
che si instaura l’equilibrio: pi` u passa il tempo, pi` u portatori tenderanno a
transire la barriera, e pi` u diventer` a difficile raggiungere l’altro lato, poich`e
il campo continuer` a ad aumentare. Al livello di equilibrio, i flussi sono del
tutto bilanciati: il flusso di elettroni in banda di conduzione dal lato n a
quello p equivale e bilancia quello di elettroni in banda di conduzione dal
lato p al lato n. Stesso discorso per le lacune. Possiamo esprimere con un
formalismo migliore, il fatto che si hanno in totale quattro flussi:
1. Φ
x,e

BC
n −→p
2. Φ
x,e

BC
p −→n
3. Φ
x,e
+
BV
p −→n
4. Φ
x,e
+
BV
n −→p
Φ
x,e

BC
n −→p = Φ
x,e

BC
p −→n
Φ
x,e
+
BV
p −→n = Φ
x,e
+
BV
n −→p
Quindi, si pu` o dire che:
_
1 = 2
3 = 4
Le barriere di potenziale causate dalla transizione di elettroni, e quindi
dalla non-neutralizzazione degli atomi droganti ionizzati, si modulano fino a
bilanciare questi flussi. Ci` o coincide esattamente con il bilanciare il livello di
Fermi. Questo fatto finora espresso facilmente per` o non `e banale, e vediamo
come sia realmente possibile, mediante una semplice dimostrazione:
Dati due materiali, 1 e 2, essi saranno caratterizzati da una propria distri-
buzione degli stati energetici, e da una funzione di occupazione degli stati (in
questo caso poich`e si parla sempre di elettroni/lacune e quindi di fermioni,
50
la Fermi-Dirac), caratterizzata proprio dal livello di Fermi del materiale. I
due materiali saran dunque cos`ı caratterizzati:
_
g
1
(E)
f
1
(E; T) ⇔E
F1
_
g
2
(E)
f
2
(E; T) ⇔E
F2
Supponiamo ora che sia gi` a stato raggiunto l’equilibrio termodinamico,
in seguito al contatto. Ci` o significa che per ogni generico livello energetico
E, bisogna garantire un egual flusso di portatori, e cio`e i flussi di lacune e di
elettroni da un lato ad un altro devono essere tra loro bilanciati. Consideria-
mo anche soltanto gli elettroni: `e sufficiente come condizione per la nostra
dimostrazione: la nostra ipotesi dunque sar`a:
Φ
x,e
−1 −→2 = Φ
x,e
−2 −→1
Quindi, esplicitando le funzioni caratterizzanti i flussi di portatori:
Φ
x,e
−1 −→2 = [g
1
(E · f
1
(E; T)] · [g
2
(E) · (1 −f
2
(E; T))]
Φ
x,e
−2 −→1 = [g
2
(E · f
2
(E; T)] · [g
1
(E) · (1 −f
1
(E; T))]
Ossia, perch`e i flussi di carica siano efficaci, deve essere presente un elet-
trone dal lato 1 in grado di effettuare la transizione, e vi deve essere uno
spazio libero (regolato dal complementare della funzione di occupazione) nel
lato 2; viceversa per il flusso da 2 a 1. Svolgendo i conti, si ottiene che:
g
1
f
1
g
2
−g
1
f
1
f
2
g
2
= g
2
f
2
g
1
−g
1
f
1
f
2
g
2
=⇒f
1
= f
2
Poich`e supponiamo di trovarci ad una temperatura di 300 K come nostro
solito, e consideriamo un qualunque livello energetico E, l’unica variabile in
gioco fissate queste rimane il livello di Fermi: infatti, dire che le due funzioni
di occupazione sono uguali, implica dire che:
1
1 + e
E−E
F1
kT
=
1
1 + e
E−E
F2
kT
=⇒E
F1
= E
F2
Questo, fissata una E qualsiasi.
Tentiamo ora di meglio definire ci` o che capita, stabilendo alcune osserva-
zioni in grado di guidarci nel rappresentare un diagramma a bande (per ora
qualitativo) di una giunzione p-n. In seguito effettueremo calcoli rigorosi per
51
il calcolo dei campi dovuti agli atomi ionizzati, e per la quantificazione della
barriera di potenziale.
Se tentassimo di costruire il diagramma a bande della giunzione, con le
nostre attuali competenze, dovremmo tener conto di queste osservazioni:
1. In una condizione di equilibrio, E
F
(x) `e una funzione costante, e dunque
E
F
(x) = E
F
:
2. Lontano dalla giunzione, i materiali si comportano come se la giunzione
non esistesse, poich`e la ricombinazione elimina tutti i portatori iniettati
dall’altra parte. Si ha dunque una neutralit`a globale, ma anche locale;
3. I livelli energetici sono quantit` a tutte continue, e non presentano dun-
que salti di alcun tipo;
4. L’affinit`a elettronica `e una caratteristica intrinseca del materiale, non
`e modificabile, e quindi si pu`o sempre considerare invariata;
5. Il gap di energia tra livello E
C
e livello E
V
`e invariante, in una giunzione
p-n.
Propriet` a extra, abbastanza scontata, `e la seguente: se il semiconduttore
dispone di una carica positiva, il diagramma a banda in quella zona sar` a
convesso; se ha carica negativa, sar` a concavo.
Mediante queste cinque propriet` a, si disporr` a di un metodo per disegnare
il diagramma a bande, in modo qualitativo.
Possiamo ora pensare ad un’idea: potremmo applicare sul livello di Fermi
intrinseco, anch’esso variante a causa della giunzione, e quindi funzione della
posizione, E
F
i
(x), e su E
F
, le equazioni di Shockley; considerando un punto
molto distante dalla giunzione come −∞nel lato p, e +∞molto distante nel
lato n; nel lato n, consideriamo dunque gli andamenti dei portatori in punti
distanti:
n
n
(+∞) = n
i
e
E
F
−E
F
i
(+∞)
kT
P
n
(−∞) = n
i
e
E
F
i
(−∞)−E
F
kT
Le equazioni di Shockley sono utili in quanto, mediante la loro applica-
zione, si potrebbe cercare immediatamente il numero di elettroni e lacune in
funzione della posizione, in ogni punto della giunzione.
Data ora questa prima impostazione qualitativa dello studio della giun-
zione, vorremmo passare ad un’analisi pi` u quantitativa, e quindi poter deter-
minare un’espressione che ci permetta di calcolare alcuni parametri: −x
p0
,
x
n0
, e la barriera di potenziale Φ
i
.
52
3.2 Studio elettrostatico della giunzione p-n
Iniziamo ora uno studio dettagliato e quantitativo della giunzione p-n, in
modo da poter determinare i valori dei parametri mancanti, e poterne quotare
ogni grandezza del diagramma a bande.
Le tre incognite sono le seguenti:
• −x
p0
: ampiezza zona di svuotamento del lato p;
• x
n0
: ampiezza zona di svuotamento del lato n;
• Φ
i
: potenziale interno tra il lato p ed il lato n
Poich`e abbiamo tre incognite, avremo bisogno di tre condizioni al contor-
no, e quindi di tre equazioni tra esse indipendenti, in modo da poter avere un
problema ben posto. Le tre idee che ora affronteremo al fine di poter ultimare
un modello quantitativo elettrostatico della giunzione, sono le seguenti:
1. L’applicazione della neutralit` a globale della giunzione p-n;
2. L’analisi della barriera come differenza tra i due lavori di estrazione dei
lati;
3. L’analisi formale dell’andamento di campo e potenziale della giunzione
in ogni zona.
3.2.1 Equazione di neutralit`a globale
In forma generale, l’equazione di neutralit`a globale ha forma:

_
0
−x
p
ρ(x)dx =
_
x
n
0
ρ(x)dx
Nel nostro caso specifico, date le ipotesi di semiconduttore omogeneo, di
completa ionizzazione dei droganti e di completo svuotamento, l’equazione
si ridurr`a semplicemente a:
qN
A
x
p0
= qN
D
x
n0
Ci mancano ora altre due equazioni. Lavoriamo in tale senso, al fine di
poter completare il sistema.
53
3.2.2 Analisi della barriera di potenziale
Data la barriera di potenziale Φ
i
, possiamo pensarla, come gi`a anticipato,
come differenza dei lavori di estrazione del lato p, e del lato n:
Φ
i
= qΦ
S
p
−qΦ
S
n
Questa differenza si pu`o pensare in termini della semplice differenza dei
soli livelli di Fermi intrinseci, in punti distanti dalla giunzione:
Φ
i
= E
F
i
(−∞) −E
F
i
(+∞)
Algebricamente, possiamo aggiungere e togliere lo stesso numero ad un’e-
quazione ed essa rimarr` a comunque invariata. Possiamo dunque aggiungere
e sottrarre la quantit` a E
F
:
Φ
i
= E
F
i
(−∞) −E
F
+ E
F
−E
F
i
(+∞)
Ma ora `e possibile ricondurre alle equazioni di Shockley queste espressioni:
(E
F
i
(−∞) −E
F
) + (E
F
−E
F
i
(+∞)) = kT ln
N
A
n
i
+ kT ln
N
D
n
i
=
= kT ln
N
A
N
D
n
2
i
= qΦ
i
La barriera `e l’energia positiva cos`ı definita: qΦ
i
. Si noti che la conven-
zione `e particolare: parlando quantitativamente di potenziale, avevamo preso
come riferimento, ossia come massa, il punto −x
p0
; ora, parlando di energia,
consideriamo come punto di riferimento (ossia come una sorta di massa, par-
lando per` o di energia sarebbe pi` u corretto parlare di una sorta di energia
iniziale) il punto x
n0
: per questo, i segni risultano comunque essere positi-
vi, anche se in effetti il potenziale espresso in V `e semplicemente l’opposto
dell’energia potenziale espressa in eV. Riassumendo dunque la convenzione:
• qΦ
i
= U(−∞) −U(+∞)
• Φ
i
= Φ(+∞) −Φ(−∞)
Ora, per terminare la formalizzazione, potremmo considerare la defini-
zione corretta di potenziale di contatto della giunzione p-n, non utilizzando
pi` u la convenzione a ±∞, ma utilizzando al posto di −∞il valore −x
p0
, e al
posto di +∞ il valore x
n0
:
54
Φ
i
= Φ(x
n0
) −Φ(−x
p0
)
Abbiamo cos`ı trattato anche la seconda condizione del nostro sistema. Ci
manca ancora una condizione, ossia l’applicazione dell’equazione di Poisson.
3.2.3 Analisi formale dell’andamento di campo e po-
tenziale
Partiamo dall’equazione di Poisson, e consideriamo quindi le due equazioni:
ε(x) =
_
ρ(x)

S
dx
Φ(x) = −
_
ε(x)dx
Partendo dalla densit`a di carica ρ(x) studiamo l’andamento del campo
elettrico. Dobbiamo per` o definire innanzitutto la funzione di densit`a di carica
ρ(x) come una funzione a tratti:
ρ(x) =
_
¸
¸
_
¸
¸
_
0 −∞< x < −x
p0
−qN
A
−x
p0
< x < 0
+qN
D
0 < x < x
n0
0 x
n0
< x < +∞
Considerando che abbiamo a che fare con una funzione definita a tratti,
possiamo calcolare il campo elettrico integrando ogni singolo intervallo: ba-
ster` a sfruttare l’equazione di Poisson ed il teorema fondamentale del calcolo
integrale, nel seguente modo: considerando l’integrazione in un intervallo
[a; x],
ε(x) = ε(a) +
_
x
a
ρ(x)

S
Si consideri inoltre che il campo deve ovviamente essere continuo, e che le
espressioni trovate devono essere tutte riferite alla stessa massa. Per questo,
sar` a necessario calcolare il valore finale del campo in un intervallo, e porlo
uguale al valore iniziale nell’intervallo successivo. Tenendo conto di queste
cose, studiamo ora ciascuna delle quattro zone:
• Per −∞< x < −x
p0
, ρ(x) = 0, quindi il campo sar` a nullo nella regione;
si noti che il valore finale di quest’espressione sar` a 0, poich`e la funzione
integranda sar`a sempre 0, quindi possiamo tranquillamente dire anche
senza calcoli che ε(−x
p0
) = 0.
55
• Per −x
p0
< x < 0, abbiamo che ρ(x) = +qN
D
; applicando l’espressione
prima proposta,
ε(x) = ε(−x
p0
) +
_
x
x
p0

qN
A

S
dx = −
qN
A

S
(x + x
p0
)
Questo poich`e il valore iniziale ε(−x
p0
) = 0. Calcoliamo il valore finale
di quest’espressione, ossia nel punto x = 0, che diventer` a il valore
iniziale della prossima zona:
ε(0) = −
qN
A

S
x
p0
• Per −x
p0
< x < 0, ρ = +qN
D
, quindi calcoliamo che:
ε(x) = ε(0) +
_
x
0
qN
D

S
dx = −
qN
A

S
x
p0
+
qN
D

S
x
Il valore finale di questo intervallo varr`a:
ε(x
n0
) = −
qN
A

S
x
p0
+
qN
D

S
x
n0
• Per x
n0
< x < +∞, potremmo riapplicare tutti i ragionamenti ed i
risultati analitici finora ricavati, per poter ricavare il valore del campo
elettrico ε(x) nella regione. In realt` a, possiamo ragionare in un modo
molto pi` u qualitativo ma altrettanto efficace: applicando la neutralit` a,
se il campo elettrico `e nullo a sinistra della regione di carica negativa,
se non fosse nullo a destra della regione di carica positiva, l’ipotesi di
neutralit` a sarebbe impossibile da applicare nella giunzione p-n. Appli-
cando in modo molto leggero l’ipotesi di neutralit` a, possiamo dunque
dire che
ε(x) = 0
Riassumendo, il valore del campo elettrico ε(x) sar`a:
ε(x) =
_
¸
¸
_
¸
¸
_
0 −∞< x < −x
p0

qN
A

S
(x + x
p0
) −x
p0
< x < 0

qN
A

S
x
p0
+
qN
D

S
x 0 < x < x
n0
0 x
n0
< x < +∞
56
A questo punto, disponiamo di una funzione a tratti del campo elettrico
ε(x): possiamo ripetere un ragionamento analogo al precedente, utilizzando
la relazione:
Φ(x) = Φ(a) −
_
x
a
ε(x)dx
Consideriamo dunque ciascuna delle quattro zone:
• Per −∞< x < −x
p0
, ε(x) = 0, dunque l’integrale varr` a 0 in ogni punto
di questo primo intervallo. Anche il valore finale, Φ(−x
p0
) sar`a 0.
• Per −x
p0
< x < 0, abbiamo che ε(x) = −
qN
A

S
(x + x
p0
). Integrando:
Φ(x) = Φ(−x
p0
) −
_
x
−x
p0

qN
A

S
(x + x
p0
)dx =
qN
A

S
(x + x
p0
)
2
Il valore finale di quest’espressione, ossia il potenziale valutato in 0,
sar` a:
Φ(0) =
qN
A

S
x
2
p0
• Per 0 < x < x
n0
, ε(x) = −
qN
A

S
x
p0
+
qN
D

S
x. Integrando la precedente
espressione:
Φ(x) = Φ(0)−
_
x
0
_

qN
A

S
x
p0
+
qN
D

S
x
_
dx =
qN
A
2
S
x
2
p0
+
qN
A

S
x
p0
x−
qN
D
2
S
x
2
Il valore finale di questa espressione, ossia il potenziale valutato in x
n0
,
sar` a:
Φ(x
n0
) =
qN
A
2
S
x
2
p0
+
qN
A

S
x
p0
x
n0

qN
D
2
S
x
2
n0
= Φ
i
• Per x
n0
< x < +∞, applicando la neutralit` a come nel caso del campo
elettrico, vediamo che nulla pu`o modificare l’andamento del potenziale,
che rimane dunque costante, e dunque pari al valore del potenziale di
barriera Φ
i
.
57
Avremo un’espressione a tratti del potenziale:
Φ(x) =
_
¸
¸
¸
_
¸
¸
¸
_
0 −∞< x < −x
p0
qN
A

S
(x + x
p0
)
2
−x
p0
< x < 0
qN
A
2
S
x
2
p0
+
qN
A

S
x
p0
x −
qN
D
2
S
x
2
0 < x < x
n0
qN
A
2
S
x
2
p0
+
qN
A

S
x
p0
x
n0

qN
D
2
S
x
2
n0
x
n0
< x < +∞
3.2.4 Risoluzione del sistema
Abbiamo gi` a applicato nel nostro sistema una prima volta l’equazione di
neutralit` a, per semplificare alcuni conti; l’applicazione introdotta `e stata
tuttavia molto leggera; per poter risolvere il sistema, sar` a necessario fare di
pi` u, mettendo a sistema tra loro tutte le tre condizioni, ottenendo risultati
precisi. Dallo studio del potenziale con l’equazione di Poisson, possiamo dire
che:
Φ
i
=
qN
A
2
S
x
2
p0
+
qN
D
2
S
x
2
n0
= Φ
p
+ Φ
n
Ossia si pu`o distinguere la barriera come somma di due contributi, dovuti
uno al lato p, ed uno al lato n. Le tre equazioni che abbiamo ricavato dalle
nostre congetture sono le seguenti:
1.
qN
A
x
p0
= qN
D
x
n0
2.
Φ
i
=
kT
q
ln
N
A
N
D
n
2
i
3.
Φ
i
=
qN
A
2
S
x
2
p0
+
qN
D
2
S
x
2
n0
Mettendo a sistema la prima e la terza equazione, possiamo ricavare x
n0
o x
p0
:
x
p0
= x
n0
N
D
N
A
=⇒Φ
i
=
qN
A
2
S
x
2
n0
N
2
D
N
2
A
+
qN
D
2
S
x
2
n0
=
qN
D
2
S
_
N
A
+ N
D
N
A
_
x
2
n0
Poich`e la seconda equazione ci fornisce un’espressione operativa della
barriera di potenziale Φ
i
, possiamo facilmente ricavare che:
58
x
n0
=
¸
2
S
qN
D
Φ
i
N
A
N
A
+ N
D
Possiamo ora dire di aver trovato ogni dato necessario per quotare il
diagramma a bande della giunzione p-n: ci imponiamo solo di mettere un
poco ordine nelle espressioni, esprimendo l’ultimo risultato trovato in modo
pi` u saggio: anzich`e considerare una singola ampiezza, consideriamo la totale
ampiezza (come somma delle due ampiezze) delle regioni di svuotamento,
x
d0
:
x
d0
= x
n0
+ x
p0
Partendo da qua, scriviamo un’espressione di x
d0
:
x
d0
= x
n0
+
N
D
N
A
x
n0
= x
n0
_
N
A
+ N
D
N
A
_
=
¸
_
N
A
+ N
D
N
A
_
2
N
A
N
D
+ N
A
2
S
qN
D
Φ
i
;
x
d0
=
¸
_
N
A
+ N
D
N
A
_
2
S
qN
D
Φ
i
Esprimendo ora la funzione con il concetto di drogaggio equivalente N
eq
,
definito come somma armonica dei due drogaggi:
N
eq
=
1
1
N
A
+
1
N
D
=
N
A
N
D
N
A
+ N
D
Si ottiene che:
x
d0
=
¸
2
S
qN
eq
Φ
i
3.3 Applicazione di una tensione esterna alla
giunzione
Abbiamo finora studiato la giunzione p-n in un caso di equilibrio. Potremmo
ora pensare a casi in cui non vi `e equilibrio, poich`e esso viene perturba-
to dall’esterno, mediante l’applicazione di una batteria di tensione V
a
alla
giunzione.
Consideriamo la seguente convenzione: il + della batteria va collegato
al lato p, il - della batteria al lato n. I contatti di accesso alla giunzione
59
saranno metallici (supponiamo ad esempio di oro Au): un accesso ad un
semiconduttore (e quindi ad una giunzione) deve essere mediato da un con-
tatto ohmico, al fine di poter eliminare resistenze parassite. Avremo a che
fare quindi sostanzialmente con tre interfacce, e tre potenziali di contatto.
Potremmo dunque ridisegnare il diagramma a bande del nostro sistema Au-
Si-Au: supponendo di trovarci in uno stato di equilibrio, il livello di Fermi
sar` a ovunque costante. Il metallo non potr` a, a causa della natura fluida
del suo mare di elettroni, presentare concavit` a in prossimit`a dei contatti, e
quindi solo il diagramma a bande dei semiconduttori potr` a subire curvature.
Lontano dalle interfacce, i materiali si comporteranno come isolati.
Cosa possiamo osservare: il metallo Au ha un livello di estrazione supe-
riore a quello del silicio; come gi` a detto, il raccordo sar` a solo da parte dei
semiconduttori poich`e la natura fluida del mare di elettroni non permette
modifiche al materiale. Oltre alla barriera Φ
i
, avremo altre due barriere di
potenziale, causate dalla differenza tra i lavori di estrazione. Ogni tensione di
contatto si pu`o circuitalmente rappresentare mediante una batteria: il con-
tatto Au-Si
p
sar` a una tensione positiva rispetto a p su n, poich`e `e dall’alto
verso il basso. Il contatto Si
n
-Au sar`a una tensione dal basso verso l’alto ri-
spetto a p, e quindi sar` a negativa. Circuitalmente, si pu`o pensare al sistema
come una maglia di batterie.
L’equazione di questa maglia sar` a la seguente:
Φ
Au,p
−Φ
i
+ Φ
n,Au
= 0
Da ci`o `e facilmente ricavabile la tensione Φ
i
:
Φ
i
= Φ
n,Au
−Φ
Au,p
60
Supponiamo di poter avere un voltmetro ideale: esso non potrebe misu-
rare niente, poich`e i potenziali di contatto bilanciano la tensione interna, che
quindi sar`a nulla.
Collegando finalmente la tensione esterna V
a
, supponendo che i contatti
metallici siano dei buoni contatti, ossia a bassissima resistenza, e che quindi
provocano una bassa caduta di tensione per le correnti che vi entrano, pos-
siamo pensare che le due resistenze serie dei contatti ohmici siano nulle, e
che quindi la tensione alla giunzione subir`a una variazione, raggiungendo un
valore V
j
, a noi incognito. La maglia di batterie sar` a modificata, ed avr`a
un’equazione associata di questo tipo:
−V
a
−Φ
Au,p
−V
j
+ Φ
n,Au
= 0
V
j
= Φ
n,Au
−Φ
Au,p
−V
a
Ma noi abbiamo prima detto che Φ
i
= Φ
n,Au
−Φ
Au,p
; dunque:
V
j
= Φ
i
−V
a
Quando applico una tensione positiva sul lato p, si abbassa la tensio-
ne sulla giunzione. A questo punto, in seguito a questa notevole scoperta,
introduciamo due definizioni:
• Una giunzione polarizzata con una tensione esterna V
a
> 0 `e detta
polarizzata direttamente;
• Una giunzione polarizzata con una tensione esterna V
a
< 0 `e detta
polarizzata inversamente.
La tensione provoca alcune interessanti conseguenze: disegnamo, in un
grafico, la distribuzione della tensione all’equilibrio, con una polarizzazione
diretta, e con una polarizzazione inversa: la concavit` a della funzione rimarr` a
61
sempre costante, ma quella che varier`a sar` a l’ampiezza delle regioni di svuo-
tamento, e quindi volendo dire in modo poco elegante, il punto di inizio ed
il punto di fine della funzione del potenziale (nonch`e ovviamente l’altezza
della barriera, come gi` a dimostrato mediante il calcolo delle equazioni delle
maglie): se si polarizza direttamente la giunzione, l’ampiezza della zona di
svuotamento x
d
diminuisce rispetto all’ampiezza di equilibrio x
d0
, e la bar-
riera di potenziale, a queste condizioni, diminuisce; al contrario, con una
polarizzazione inversa, l’ampiezza x
d
aumenta rispetto a quella di equilibrio,
e la barriera di potenziale aumenta. Trascurando come da ipotesi cadute re-
sistive sulle interfacce metalliche, capita ci` o: supponendo che le distribuzioni
di carica siano: −qN
A
x
p
(negative), e +qN
D
x
n
(positive); le tensioni, data
l’ipotesi di buoni contatti, dipendono esclusivamente dagli ioni, ricavando a
partire dalla loro funzione di densit` a l’espressione operativa del campo e del
potenziale. Se la tensione esterna modula la barriera, allora essa modula po-
tenziale (tensione), campo e carica. Con una V
a
positiva ridurremo la regione
di svuotamento: l’applicazione di una tensione esterna per` o non `e in grado di
modificare il drogaggio del semiconduttore, nella fatispecie le concentrazioni
N
A
ed N
D
, e tantomeno il valore della carica fondamentale q (quantizzata
come la carica di un protone o di un elettrone); V
a
quindi potr` a solo varia-
re l’ampiezza della regione di svuotamento x
d
, ma i parametri delle curve,
ossia la pendenza delle rette che formano il triangolo (nel campo elettrico),
o la concavit`a del doppio andamento parabolico (nel potenziale), resteranno
sempre costanti, e in questo senso avremo sempre le stesse funzioni, con per` o
un’ampiezza di zona di svuotamento diversa.
Potremmo ora chiederci come calcolare, a partire dalla variazione di Φ
i
con l’applicazione della tensione esterna V
a
, la variazione della zona d’ampiez-
za x
d
. L’idea `e semplicemente sostituire al posto della barriera di potenziale
Φ
i
nell’espressione di x
d
la tensione finale sulla giunzione V
j
:
x
d
(V
a
) =
¸
2
S
qN
eq

i
−V
a
)
In realt` a, l’effetto della tensione pu`o essere molto pi` u interessante di una
semplice variazione di x
d
: la tensione V
a
> 0 riduce la barriera di potenziale,
e cos`ı il flusso dei portatori verr`a modificato, e nello specifico verranno variate
le concentrazioni di portatori che attraverseranno la barriera, quindi generate
correnti. Dal punto di vista elettrostatico una tensione esterna fa variare le
regioni di svuotamento, e quindi la carica positiva Q
+
e quella negativa Q

.
62
3.3.1 Capacit`a di svuotamento
Un effetto molto interessante della tensione `e quello di rendere visibile una
sorta di capacit` a del semiconduttore: dato che V
a
modifica qN
D
x
n
(V
a
) e
−qN
A
x
p
(V
a
), la situazione potrebbe ricordare quello che in elettrostatica si
studia come modello di un condensatore: rivediamolo.
Data una carica Q, si pu` o definire una capacit` a C come:
C =
¸
¸
¸
¸
dQ
dV
¸
¸
¸
¸
Consideriamo come tensione la nostra V
a
, e come carica ad esempio quella
positiva, Q
+
. Ci servir` a una Q
+
funzione di V
a
, al fine di poterne calcolare
la derivata in V
a
. Ma noi abbiamo gi` a visto che:
Q
+
= qN
D
x
n
(V
a
)
x
n
(V
a
) =
¸
2
S
N
A
qN
D
(N
A
+ N
D
)

i
−V
a
)
Q
+
(V
a
) =
¸
2
S
N
A
q
2
N
2
D
qN
D
(N
A
+ N
D
)

i
−V
a
) =
_
2q
S
N
eq

i
−V
a
)
Calcolando il modulo della derivata rispetto a V
a
, si trova che:
C =
¸
¸
¸
¸
dQ
+
(V
a
)
dV
a
¸
¸
¸
¸
=
2q
S
N
eq
2
_
2
S
qN
eq
=
¸
q
2

2
S
N
2
eq
2
S
qN
eq

i
−V
a
)
=
=
¸
q
S
N
eq
2(Φ
i
−V
a
)
= C(V
a
)
Si noti che la capacit`a `e una funzione della tensione V
a
: il condensatore
con il quale stiamo modellando la regione di svuotamento `e dunque coman-
dabile in tensione, ossia la sua capacit`a varia con il variare della tensione che
gli viene applicata.
Cerchiamo ora per`o di ragionare in un modo diverso, al fine di ottenere
un risultato pi` u semplice; abbiamo detto che:
x
d
(V
a
) =
¸
2
S
qN
eq

i
−V
a
) =⇒C(V
a
) =

S
x
d
(V
a
)
63
Abbiamo scoperto una cosa molto interessante: un semiconduttore si
pu` o comportare come un condensatore a facce piane parallele, di costante
dielettrica
S
, e distanza x
d
tra le armature. Un semiconduttore svuotato
dunque `e equivalente ad un materiale dielettrico.
3.4 Esercizio pratico
Data una giunzione p-n in silicio con i seguenti drogaggi: N
A
= 10
16
; N
D
=
5 · 10
16
:
1. Disegnare il diagramma a bande dettagliato all’equilibrio.
2. Calcolare il campo elettrico massimo all’equilibrio.
3. Calcolare il valore della tensione esterna V
a
tale per cui il campo mas-
simo raddopi.
4. Calcolare il valore di capacit`a allo stato della giunzione nel punto
precedente.
5. Si metta a punto un metodo di misura sperimentale che tramite misura
di capacit`a permetta una valutazione del potenziale di contatto Φ
i
3.4.1 Risoluzione
Disegnare il diagramma a bande dettagliato all’equilibrio
Il primo punto `e gi` a stato risolto una volta, tuttavia lo discutiamo brevemen-
te: ricordando le propriet` a dei semiconduttori e dei metalli, e il fatto che il
livello di Fermi deve essere sempre costante nel semiconduttore, una raffigu-
razione qualitativa `e immediata. Per per` o poter quotare ogni singolo punto,
mancano alcuni dati: le posizioni delle regioni di svuotamento, l’ampiezza
della barriera, e i contributi di ogni lato alla barriera.
Si ricava immediatamente che:
Φ
i
=
kT
q
ln
N
A
N
D
n
2
i
L’ampiezza della banda di svuotamento sar` a:
x
d0
= x
n0
+ xp0 =
¸
2
S
N
eq
Φ
i
Sappiamo che
S
=
0

rS
= 11, 7 · 8, 854 · 10
−14
. N
eq
= 8, 33 · 10
15
.
64
Svolgendo i conti,
x
d0
= 3, 4 · 10
−7
Potremmo ora ragionare in due modi diversi: uno `e quello di considerare
le espressioni operative per il calcolo delle singole ampiezze x
p0
e x
n0
. Un
altro modo, pi` u intelligente, `e quello di considerare il fatto che le distribuzioni
di carica sono rettangolari, e quindi che:
N
A
N
D
=
x
n0
x
p0
Si pu`o ricavare dunque che:
x
n0
= 58nm; x
p0
= 292nm
Dunque, i valori dei contributi della barriera saranno:
Φ
n
=
qN
D
2
S
x
2
n0
= 0, 12V
Φ
p
=
qN
A
2
S
x
2
p0
= 0, 65V
Abbiamo quotato tutte le grandezze utili al diagramma a bande.
Calcolare il campo elettrico massimo all’equilibrio
Passiamo al punto successivo: il calcolo del campo elettrico massimo nella
giunzione. Anche qua ci vengono aperte notevoli strade, ma la teoria ci
insegna che il massimo del campo `e in prossimit`a dell’origine degli assi, ergo
del punto di giunzione, e che equivale all’area del triangolo. Possiamo dunque
calcolarlo cos`ı:
ε(0) = −
qN
A

S
x
p0
=
−qN
D

S
= 44kV/cm
Calcolare il valore della tensione esterna V
a
tale per cui il campo
massimo raddopi
Risolto il punto 2, tentiamo di risolvere in modo altrettanto rapido il punto 3:
anche qua la teoria potrebbe spingerci a conti molto elaborati, ma in realt` a
si tratta esclusivamente di risolvere un problema in cui abbiamo un triangolo
la cui area raddoppia, al raddoppiare della base. Quindi:
65

i
−V
a
) =
2x
d
ε(0) · 2
2
=⇒V
a
= 2, 2eV
Calcolare il valore di capacit`a allo stato della giunzione nel punto
precedente
Il quarto punto potrebbe nuovamente trarci in inganno, ma anch’esso `e de-
cisamente semplice: esiste un sistema banalissimo di calcolare la capacit`a
di svuotamento del semiconduttore, considerandolo (come la teoria ci pu` o
suggerire) come un condensatore a facce piane parallele. Quindi:
C
DEP
=

S
x
d
= 15nF/cm
2
Si metta a punto un metodo di misura sperimentale che trami-
te misura di capacit`a permetta una valutazione del potenziale di
contatto Phi
i
Il quinto punto `e molto pi` u interessante di quelli passati finora. Si noti come,
sfruttando le relazioni giuste e con qualche osservazione intelligente, i proble-
mi diventino molto pi` u semplici. Questo punto per`o effettivamente richiede
osservazioni pi` u importanti: vogliamo trovare un metodo per misurare, in
buona approssimazione, la tensione di contatto Φ
i
. Dalla teoria, sappiamo
che `e impossibile realizzare un voltmetro capace di ci`o, quindi dovremmo affi-
darci a misure di tipo indiretto. La traccia dell’esercizio suggeriva di sfruttare
effetti capacitivi al fine di realizzare questo metodo. Dalla teoria sappiamo
che:
C
DEP
=
¸
q
S
N
eq
2(Φ
i
−V
a
)
Vorremmo ora una funzione facile da studiare, a partire da questa, e che
non presenti il seguente problema: un’idea `e prendere l’espressione di C
DEP
,
e considerare C
−2
DEP
:
1
C
2
DEP
=
2(Φ −V
a
)
q
S
N
eq
Quest’espressione `e molto interessante da studiare in quanto di fatto non
`e altri che una retta: la propriet` a interessante `e che l’intersezione con l’asse
delle ascisse di questa retta non `e altri che Φ
i
, e quindi questo metodo di
misura ci fornisce implicitamente due misure: Φ
i
, ma anche N
eq
, poich`e
la pendenza della retta f(V
a
), e quindi `e possibile calcolare con un’ottima
66
precisione entrambe le grandezze. Possiamo dunque considerare terminato
questo esercizio, e tornare a studiare gli effetti pratici dell’applicazione di
una tensione esterna, su di una giunzione p-n.
3.5 Effetti di una tensione su di una giunzio-
ne p-n
Vorremmo ora comprendere, aldil`a degli effetti puramente elettrostatici, le
conseguenze dell’applicazione di una tensione esterna V
a
ad una giunzione.
Soprattutto, vorremmo studiare cosa capita ai flussi di portatori, in seguito
alla modulazione della barriera provocata dalla tensione. Introduciamo una
notazione che ci permetta di identificare univocamente i quattro flussi che
entrano in gioco nella giunzione p-n:
1. Elettroni da lato n a lato p;
2. Elettroni da lato p a lato n;
3. Lacune da lato p a lato n;
4. Lacune da lato n a lato p.
Se applichiamo alla giunzione una tensione V
a
> 0, e quindi siamo in un
caso di polarizzazione diretta, il lato p scender`a e quello n salir`a, in modo che
la barriera sar` a ridotta, il flusso 1 e il flusso 3 cresceranno, mentre gli altri
rimarranno inalterati. Il nostro obiettivo `e ora quello di quantificare la tran-
sizione dei portatori, ponendoci alcune domande specifiche: vorremmo poter
quantificare la concentrazione dei portatori minoritari iniettati, e calcolare il
livello di iniezione; V
a
infatti determina l’iniezione di elettroni nel lato p, e
di lacune nel lato n, dunque un’iniezione elettrica. Studiando le concentra-
zioni dei minoritari, pariamo da una condizione di equilibrio: possiamo dire,
mediante le leggi dell’azione di massa (o mediante le equazioni di Shockley)
che:
n
p
(−x
p
)|
EQ
=
n
2
i
p
p
(−x
p
)
=
n
2
i
N
A
= n
p0
p
n
(x
n
)|
EQ
=
n
2
i
n
n
(x
n
)
=
n
2
i
N
D
= p
n0
Possiamo intuire che, polarizzando la giunzione, n
p
(−x
p
) e p
n
(−x
n
) cre-
scono notevolmente. Siamo dunque in grado di studiare l’equilibrio, ma non
67
una condizione fuori equilibrio. Possiamo qualitativamente dire, come aveva-
mo gi`a affermato prima, che per una polarizzazione diretta l’ampiezza della
regione di svuotamento si riduce, e che V
j
< Φ
i
. Lontano dalla giunzione sap-
piamo che non abbiamo effetto della barriera, e che quindi molto a sinistra
della giunzione il semiconduttore sar`a tipo p neutro, molto a destra sar` a tipo
n neutro. Lontano dalla giunzione, di fatto, vi saranno le stesse condizioni
che si trovano in una condizione di equilibrio. Volendo dunque calcolare le
concentrazioni lontano dalla barriera, possiamo usare come al solito, le equa-
zioni di Shockley. Dalle parti della barriera, in un suo intorno, nascono i
nostri problemi: il livello di Fermi presenta una discontinuit`a, come abbia-
mo visto nel precedente grafico qualitativo. La discontinuit` a sar` a esprimibile
come un salto di ampiezza qV
a
tra i due livelli E
F
. In regioni neutre dunque
sappiamo esattamente come comportarci, ma in prossimit` a della giunzione,
e quindi in una zona fuori equilibrio, non sappiamo come procedere.
3.5.1 Quasi-Livelli di Fermi
L’idea vincente `e la seguente: il livello di Fermi, quando si studiano problemi
di equilibrio, `e sempre la base da cui partire per determinare le soluzioni: con
le equazioni di Shockley si possono infatti studiare, in funzione del livello di
Fermi E
F
, le concentrazioni di portatori. Come possiamo per` o descrivere un
semiconduttore in funzione del livello di Fermi, fuori equilibrio? Consideria-
mo un caso di basso livello di iniezione: in un semiconduttore drogato tipo
n, con N
D
, ed un’iniezione di portatori, capita che i maggioritari restano di
fatto inalterati, e che i minoritari subiscono una variazione sensibile. Ma
cosa capita al livello di Fermi? Poich`e aumentano i minoritari, esso subir` a
una variazione, poich`e si ha una variazione dell’equilibrio finale, causata dal-
l’iniezione. L’idea che permette di studiare casi fuori equilibrio mediante il
livello di Fermi, `e l’introduzione del concetto di quasi-livello di Fermi: in
prossimit` a di una zona di non equilibrio, sdoppiamo il livello di Fermi in due
livelli distinti: quello riferito ai maggioritari, nel nostro caso E
F
n
= E
F
, coin-
cider` a con il livello all’equilibrio, poich`e siamo in un regime di basso livello
di iniezione, e l’equilibrio dei maggioritari non viene alterato dall’iniezione.
Nei minoritari, si considerer` a un quasi livello di Fermi E
F
p
, diverso da E
F
,
che considera il fatto che l’iniezione ha notevolmente alterato l’equilibrio dei
minoritari, e quindi il loro livello di Fermi di riferimento.
Nello sdoppiamento dei livelli energetici consideriamo ad esempio per i
maggioritari il quasi-livello di Fermi E
F
n
= E
F
e quindi una condizione coin-
cidente con l’equilibrio, mentre per i minoritari il quasi-livello di Fermi sar` a
E
F
p
. Distinguendo questi due quasi-livelli di Fermi (quello dei minoritari si
distingue sempre in quanto, nel diagramma a bande, `e pi` u spostato verso il
68
livello di Fermi intrinseco, E
F
i
), possiamo calcolare sia n
n
che p
n
, median-
te una banale applicazione delle equazioni di Shockley. Facendo le stesse
osservazioni per un semiconduttore drogato p con drogaggio N
A
, possiamo
dunque introdurre le equazioni di Shockley:
N
D0
:
_
n
n0
= n
i
e
E
F
−E
F
i
kT
p
n0
= n
i
e

E
F
−E
F
i
kT
N
A0
:
_
p
p0
= n
i
e
E
F
i
−E
F
kT
n
p0
= n
i
e

E
F
i
−E
F
kT
In questi casi in equilibrio, la legge dell’azione di massa vale:
_
N
D0
= n
n0
p
n0
= n
2
i
N
A0
= n
p0
p
p0
= n
2
i
Nei casi fuori equilibrio, le equazioni di Shockley saranno:
N
D
:
_
n
n
= n
i
e
E
F
n
−E
F
i
kT
p
n
= n
i
e

E
F
p
−E
F
i
kT
N
A
:
_
p
p
= n
i
e
E
F
i
−E
F
p
kT
n
p
= n
i
e

E
F
i
−E
F
n
kT
69
In questi casi fuori equilibrio, vediamo che le leggi dell’azione di massa
subiranno una correzione (esponenziale) rispetto a quelle classiche in casi di
equilibrio:
_
N
D
: n
n
p
n
= n
2
i
e
E
F
n
−E
F
p
kT
N
A
: n
p
p
p
= n
2
i
e
E
F
n
−E
F
p
kT
Mediante questi strumenti teorici, ossia i quasi-livelli di Fermi, `e possibile
studiare un semiconduttore con le equazioni di Shockley anche in condizioni
fuori equilibrio.
3.6 Leggi della Giunzione
Tornando allo studio della giunzione, cerchiamo di applicare quanto appena
introdotto, e di utilizzare dunque sulle regioni di svuotamento le equazioni di
Shockley. Ipotizziamo che lo svuotamento di queste induca un basso livello
di iniezione, e quindi che il vecchio livello di Fermi descriva senza problemi
la concentrazione dei maggioritari. Usando le equazioni di Shockley si vede
che la distanza E
F
n
−E
F
i
al variare di x, nel lato n, `e costante fino a x = x
n
:
a partire dal punto x
n
, ossia a partire da quando si entra nella zona di
svuotamento, la differenza dei due livelli energetici crolla bruscamente, al
variare di x, man mano che ci si avvicina alla giunzione, per essere precisi
con un andamento esponenziale (come suggeriscono le equazioni di Shockley):
n
n
(x) = n
i
e
E
F
−E
F
i
(x)
kT
Quando x = x
n
, n
n
(x) = n
n0
; per x < x
n
, vi `e una diminuzione espo-
nenziale degli elettroni: questo perch`e prima della zona di svuotamento la
neutralit` a `e garantita dagli elettroni derivanti dagli ioni positivi (iniettati
come droganti). Per x > x
n
infatti, p
n
0, e quindi N
+
D
− n
n
0 (grazie
all’ipotesi di completa ionizzazione che si pu` o applicare sempre).
Via via che ci si inoltra nella zona di svuotamento, n
n
(x) diminuisce
velocemente, poich`e abbiamo la dipendenza dall’esponenziale della differenza
E
F
−E
F
i
(x), quindi, dalla condizione di neutralit` a in cui n
n0
N
D
, e ρ = 0,
si arriva a:
n
n
n
n0
; n
n
N
D
; ρ N
D
Questa `e una verifica a posteriori della validit` a dell’ipotesi di completo
svuotamento. Si noti che nella regione di svuotamento esistono moltissimi
portatori, ma che sono in numero estremamente trascurabile rispetto a N
D
.
70
Stesso ragionamento, duale, per il lato p. Dire che non vi sono minoritari `e un
errore gravissimo: dire che per` o l’ipotesi di completo svuotamento `e attuabile,
pu` o nascondere il fatto che i minoritari esistano, ma con una concentrazione
inferiore di diversi ordini di grandezza rispetto a quella dei maggioritari.
La transizione delle concentrazioni avverr` a con una certa gradualit`a; par-
tendo dall’ipotesi di basso livello di iniezione, e dal fatto che i maggioritari
nel lato n sono descritti da E
F
n
= E
F
, mentre nel lato p da E
F
p
= E
F
,
possiamo architettare le nostre congetture:
1. In equilibrio:
n
p0
(−x
p
) = n
i
e

E
F
i
(−x
p
)−E
F
kT
2. Fuori equilibrio:
n
p
(−x
p
) = n
i
e

E
F
i
(−x
p
)−E
F
n
kT
Ma, nel lato p all’equilibrio, E
F
= E
F
p
, poich`e trattiamo i maggioritari
e il basso livello di iniezione. Ricaviamo dunque dalla prima espressione n
i
,
tenendo conto di quest’osservazione:
n
p0
= n
i
e

E
F
i
(−x
p
)−E
F
kT
=⇒n
i
= n
p0
e
E
F
i
(−x
p
)−E
F
kT
Sostituendo nella seconda espressione, si ottiene che:
n
p
(−x
p
) = n
p0
e

E
F
i
(−x
p
)−E
F
n
kT
e
E
F
i
(−x
p
)−E
F
kT
= n
p0
e

E
F
p
−E
F
n
kT
Dualmente, nel lato n, considerando il punto di inizio della regione di
svuotamento x = x
n
, mediante gli stessi passaggi, si ricava che:
p
n
(x
n
) = p
n0
e
E
F
n
−E
F
p
kT
Ma possiamo osservare che
E
F
n
−E
F
p
kT
=
V
a
V
T
Abbiamo cos`ı dimostrato in modo formale, a partire dai quasi-livelli di
Fermi, due equazioni fondamentali per lo studio della giunzione p-n:
n
p
(−x
p
) = n
p0
e
V
a
V
T
=
n
2
i
N
A
e
V
a
V
T
71
p
n
(x
n
) = p
n0
e
V
a
V
T
=
n
2
i
N
D
e
V
a
V
T
Cerchiamo di comprendere l’importanza ed il significato di queste due
equazioni cos`ı fondamentali: l’esigenza iniziale era quella di capire quale
concentrazione di carica si originasse, ossia quanti elettroni andassero dal
lato n verso il lato p, e quante lacune dal lato p verso il lato n, in seguito
ad una modulazione della barriera, in prossimit` a delle zone di svuotamento,
ossia per x = x
n
e x = −x
p
. Siamo arrivati a capire, mediante la formulazione
delle leggi della giunzione, che la popolazione si sposta esponenzialmente con
la barriera, ossia man mano che ci si addentra nelle regioni di svuotamento,
si vede che si ha uno svuotamento con un andamento esponenziale. Al fine
di arrivare alle leggi della giunzione, abbiamo introdotto i quasi-livelli di
Fermi: possiamo immaginare che questi, all’aumentare della distanza dalla
giunzione, tendano asintoticamente ad unirsi, fino a coincidere nel livello di
Fermi all’equilibrio E
F
.
La legge della giunzione infester` a con gli andamenti esponenziali qua-
si tutte le equazioni di funzionamento dei dispositivi elettronici. Ci` o deriva
dall’applicazione delle equazioni di Shockley (necessarie, quindi altre applica-
zioni non cambierebbero comunque questo tipo di andamento), che a loro vol-
ta derivano dalla prima approssimazione fatta, partendo dalla distribuzione
di Fermi-Dirac, a quella di Boltzmann.
3.7 Caratteristica statica della giunzione p-n
Vogliamo ora studiare, nell’ambito della giunzione p-n, l’espressione della
corrente I in funzione della tensione di polarizzazione V
a
: I(V
a
). Cerchiamo,
a questo scopo, di riformulare tutte le nozioni finora apprese, applicando le
leggi della giunzione. All’equilibrio, i minoritari saranno:
n
p0
=
n
2
i
N
A
p
n0
=
n
2
i
N
D
Polarizzando direttamente la giunzione, a sinistra del punto −x
p
ed a de-
stra del punto x
n
, le concentrazioni dei minoritari saranno costanti; in questi
punti per`o il valore della concentrazione di portatori minoritari aumenter` a
esponenzialmente con la tensione, poich`e vi `e un abbassamento delle barriere
di potenziale; i minoritari sul lato p (nel punto −x
p
) e sul lato n (in x
n
)
saranno rispettivamente:
72
n
p
(−x
p
) = n
p0
e
V
a
V
T
p
n
(x
n
) = p
n0
e
V
a
V
T
Cosa succede in parole povere: mediante l’applicazione della tensione,
vengono iniettati elettricamente portatori minoritari nel lato: dal lato n gli
elettroni (che in n sono maggioritari) vengono iniettati nel lato p (dove diven-
tano minoritari), e viceversa da p ad n le lacune da maggioritarie divengono
minoritarie. Studiamo dunque, lato per lato, l’iniezione di portatori, par-
tendo dallo studio delle funzioni p
n
(x) ed n
p
(x), in posizioni generiche. Per
studiare le lacune iniettate dal lato p al lato n, dovremo studiare l’andamento
dell’eccesso di lacune nel lato n al variare della posizione x, ossia la differenza
tra le lacune presenti all’equilibrio e quelle iniettate dal lato p a quello n:
p

n
(x) = p
n
(x
n
) −p
n0
= p
n0
e
V
a
V
T
−p
n0
= p
n0
_
e
V
a
V
T
−1
_
Avevamo accennato a p

n
studiando la generazione ottica in un esempio
pratico precedentemente analizzato: anche in questo caso avviene un feno-
meno di iniezione, ma con cause e modalit` a differenti. Cerchiamo di meglio
definire la funzione p

n
(x), sfruttando il modello matematico del semicondut-
tore: partendo dall’equazione di continuit`a, e dal modello di ricombinazione
diretta:
0 = −
1
q
∂J
p
∂x

p
n
−p
n0
τ
p
Consideriamo valida l’ipotesi di quasi neutralit`a del semiconduttore: ε
0. La corrente di drift sar`a dunque circa uguale a 0, ed avremo una corrente
puramente diffusiva. Quindi:
J
p
= J
diff
= −q
∂p
n
∂x
D
p
Sostituendo nell’equazione di continuit`a, si ottiene, considerando l’eccesso
p

n
= p
n
−p
n0
:
0 = D
p

2
p

n
∂x
2

p

n
τ
p
Considerando l’espressione della lunghezza di diffusione L
p
=
_
D
p
τ
p
, la
forma della soluzione dell’equazione differenziale sar` a:
p

n
(x) = Ae
x
L
p
+ Be

x
L
p
73
Il semiconduttore si pu`o considerare nell’ipotesi di lato lungo: la lunghez-
za del lato n rispetto alla lunghezza di diffusione L
p
`e molto elevata. Possia-
mo dunque confondere la lunghezza del lato W
n
con +∞, e poter studiare le
solite condizioni al contorno:
p

n
(W
n
) = 0 =⇒A = 0
p

n
(x
n
) = Be

x
n
L
p
=⇒B = p

n
(x
n
)e
x
n
L
p
Sostituendo nell’equazione i coefficienti A e B, si ottiene:
p

n
(x) = p

n
(x
n
)e
x
n
L
p
e

x
L
p
= p

n
(x
n
)e

x−x
n
L
p
Quindi p

n
(x) dipende esclusivamente da un fenomeno di diffusione, su-
bisce un fenomeno di ricombinazione, e dopo poche lunghezze di diffusione
si potr`a considerare nulla. Ci` o avvalora a posteriori le nostre congetture
sul quasi-livello di Fermi: esso ci ha permesso di calcolare la concentrazione
delle lacune sul lato n; poich`e l’esponenziale ha l’esponente normalizzato di
L
p
, dopo che l’esponente sar` a multiplo di L
p
, il decadimento esponenziale di
portatori minoritari al variare della posizione dovuto alla ricombinazione an-
nuller` a o quasi la presenza dei suddetti minoritari. Per questo il quasi-livello
di Fermi coincider` a con il livello di Fermi, poich`e le lacune saranno tutte
ricombinate, come ci suggerisce l’espressione appena trovata. Considerando
il fatto che, come prima abbiam visto, abbiamo un’espressione dei minoritari
nel punto x
n
:
p

n
(x
n
) = p
n0
_
e
V
a
V
T
−1
_
Sostituendo nella nostra espressione ottenuta dal modello matematico
avremo che:
p

n
(x) = p
n0
_
e
V
a
V
T
−1
_
e

x−x
n
L
p
Sul lato p, si pu`o dimostrare con gli stessi passaggi che capita qualcosa
di completamente duale:
0 =
1
q
∂J
n
∂x

n

p
τ
n
J
n
= J
diff
= qD
n
∂n
p
∂x
=⇒
1
q

2
n

p
∂x
2

n

p
τ
n
74
Data L
n
=

D
n
τ
n
:
n

p
(x) = Ae
x
L
n
+ Be

x
L
n
Questa volta ci interesser`a confondere con −∞la lunghezza del lato −W
p
:
ad annullarsi sar`a questa volta per` o il termine B, nella prima condizione al
contorno, poich`e sostituendo nell’esponenziale x → −∞, il termine di A
tender` a a 0 da solo, mentre quello di B no.
n

p
(W
p
) = 0 =⇒B = 0
n

p
(−x
p
) = Ae

x
p
L
n
=⇒A = n

p
(−x
p
)e
x
p
L
n
Sostituiamo nella soluzione il coefficiente A e ricaviamo, dualmente a
prima:
n

p
(x) = n
p0
_
e
V
a
V
T
−1
_
e
x+x
p
L
n
Avendo svolto i passaggi pi` u rapidamente poich`e esattamente duali a
prima.
Riassumiamo ora ci` o che abbiamo ricavato da questo studio dell’andamen-
to dei portatori mediante il fenomeno di diffusione in seguito all’iniezione:
• Lato p: i portatori saranno gli elettroni iniettati dal lato n, e dunque i
relativi valori deriveranno solo dalla diffusione di questi:
n

p
(x) = n

p
(−x
p
)e
x+x
p
L
n
n

p
(−x
p
) = n
p0
_
e
V
a
V
T
−1
_
J
n
= J
n,diff
(x) = −qD
n
∂n

p
∂x
=
qD
n
L
n
n

p
(−x
p
)e
x+x
p
L
n
• Lato n: i portatori saranno le lacune iniettate dal lato p, e dunque i
relativi valori deriveranno solo dalla diffusione di queste:
p

n
(x) = p

n
(x
n
)e

x−x
n
L
p
p

n
(x
n
) = p
n0
_
e
V
a
V
T
−1
_
75
J
p
= J
p,diff
(x) = qD
p
∂p

n
∂x
=
qD
p
L
p
p

n
(x
n
)e

x−x
n
L
p
Le correnti avranno un andamento come quello appena descritto.
3.8 Studio delle correnti nella giunzione p-n
Riformuliamo ora meglio l’andamento delle correnti; possiamo infatti scri-
verle, nel seguente modo:
J
p,diff
(x) =
qD
p
p
n0
L
p
_
e
V
a
V
T
−1
_
e

x−x
n
L
p
J
n,diff
(x) =
qD
n
n
p0
L
n
_
e
V
a
V
T
−1
_
e
x+x
p
L
n
Abbiamo informazioni su di un intorno della giunzione; non sappiamo
per`o niente sulle correnti lontane da essa. Il fatto che vi sia una variazione di
corrente in prossimit`a della giunzione, garantisce il fatto che la corrente deve
essere globale, in tutto il semiconduttore, poich`e altrimenti vi dovrebbero
essere infiniti accumuli di carica che permettono il mantenersi della corrente
solo localmente, e ci` o va contro le leggi di conservazione della carica.
3.8.1 Polarizzazione diretta
Tentiamo di capire cosa capita nel nostro modello, quando alla giunzione `e
collegata una batteria che le fornisce una polarizzazione diretta. Abbiamo
da sinistra una corrente di lacune che va verso destra, passa per la giunzio-
ne (dove consideriamo che non avvengono fenomeni di alcun tipo, in prima
approssimazione), e quindi viene ricombinata nel lato in cui diventa minori-
taria; dualmente da sinistra a destra vi `e una corrente di elettroni che passa
per la giunzione, e viene ricombinata.
Ci chiediamo per` o da dove nascano queste due correnti: poich`e abbiamo
escluso per conservazione della carica che vi sia corrente solo nella giunzio-
ne o nelle sue prossimit` a, nella fatispecie che le cariche che permettono la
conducibilit` a siano tutte nella zona di svuotamento [−x
p
; x
n
], ci chiediamo
cosa generi queste correnti. Analizzando la situazione, vediamo che dal lato
p giungono lacune, che vanno in n mediante un meccanismo diffusivo, prima
descritto quantitativamente. Ma cosa trasporta fino alla giunzione le cariche
che poi verranno inviate dall’altro lato della giunzione, mediante diffusione?
In altre parole, cosa permette la corrente?
76
In una giunzione polarizzata direttamente, vi `e un campo elettrico dovuto
alla tensione applicata ai capi del dispositivo, che non `e in grado di modifi-
care la mobilit` a dei minoritari, ma `e in grado di muovere senza problemi una
corrente di maggioritari. Dal lato neutro della giunzione dunque proverr`a
una corrente di drift, di trascinamento, di portatori maggioritari, che, giunta
in prossimit`a della zona di svuotamento, si divider` a in due sezioni: una si
preoccuper`a di ricombinare la corrente arrivata dall’altro lato, un’altra sar` a
inviata all’altro lato: dualmente capiter`a nell’altro lato la stessa cosa, e in
questo modo sar`a motivabile sia la presenza della corrente, che la presenza
della ricombinazione a partire della zona di svuotamento: il meccanismo chia-
ve della corrente in polarizzazione diretta `e questa corrente di drift portata
dal campo, che ricombina la corrente giunta per diffusione dall’altro lato.
Riassumiamo ci` o che abbiamo appena detto: abbiamo in precedenza
quantificato gli eccessi di carica di minoritari iniettati in un lato dall’altro,
seguendo un modello completamente diffusivo (in quanto parliamo di minori-
tari). Matematicamente si `e verificato che, poich`e la corrente di diffusione ha
un modello di decadimento esponenziale, dopo alcune lunghezze di diffusione
si potr` a considerare sparita tutta la corrente iniettata: ci`o `e dovuto ad un
fenomeno di ricombinazione con portatori maggioritari del lato trasportati
mediante il campo elettrico della polarizzazione. I minoritari verranno satu-
rati, e cos`ı si verificher`a il moto di cariche globale in tutta la giunzione, e
quindi la corrente. La somma delle due correnti esterne alla giunzione sar` a
la corrente totale in essa contenuta e mossa:
J
tot
= J
p,diff
(x
n
) + J
n,diff
(−x
p
) =
_
qD
p
p
n0
L
p
+
qD
n
n
p0
L
n
_
_
e
V
a
V
T
−1
_
Questa corrente totale J
tot
sar` a anche coincidente con la somma delle
due correnti di drift, lontane dalla giunzione. In questo modo, studiando
semplicemente le correnti di diffusione, `e possibile calcolare le correnti di
drift in un punto qualsiasi del sistema lontano dalla giunzione. Introducendo
l’effetto del campo e della ricombinazione abbiamo cos`ı esteso le correnti
ovunque nella giunzione p-n.
Questo `e il meccanismo alla base di un diodo a giunzione (o almeno, met` a
di esso, poich`e stiamo solo considerando la corrente in polarizzazione diretta);
studiamolo ora sotto il punto di vista di altri fenomeno, considerando la
corrente nel diodo, I: data l’area della giunzione A
j
, consideriamo la corrente
I nel diodo come:
I = qn
2
i
A
j
_
qD
p
p
n0
L
p
+
qD
n
n
p0
L
n
_
_
e
V
a
V
T
−1
_
77
Passiamo ora allo studio della seconda met` a del modello del nostro diodo
a giunzione, studiandolo in regime di polarizzazione inversa.
3.8.2 Polarizzazione inversa: corrente inversa di satu-
razione
Data l’espressione appena analizzata, viene definito il termine I
0
come cor-
rente inversa di saturazione:
I
0
= qn
2
i
A
j
_
D
p
L
p
N
D
+
D
n
L
n
N
A
_
Questa `e la corrente che sperimentalmente si pu`o misurare applicando
una tensione esterna sufficientemente negativa al diodo: data infatti una
giunzione, essa, se polarizzata con una V
a
0, e misurata la corrente pas-
sante in essa, avr`a il valore I
0
. Il meccanismo fisico dietro questo fenomeno `e
differente da quello che abbiamo considerato in polarizzazione diretta, anche
se anche qua si pu`o scorgere una dualit`a tra i due fenomeni.
Supponiamo dunque di polarizzare inversamente il nostro diodo: se di-
segnassimo il diagramma a bande della giunzione, essa dovrebbe presentare
il lato p molto rialzato rispetto al lato n. La barriera di potenziale deri-
vante dalla polarizzazione sar` a molto elevata, e dunque i maggioritari non
avranno la possibilit` a di attraversarla. Saranno tuttavia possibili transizioni
di minoritari, che non avrebbero fatica ad attraversarla, poich`e la barriera
per i maggioritari rappresenta una sorta di scivolo per i minoritari. Ci` o ci
fa intuire che la corrente inversa di saturazione `e provocata da un moto di
portatori minoritari, e dunque che abbia una forte dipendenza dalla tempe-
ratura (come meglio diremo dopo per`o): si inizi a considerare il fatto che
I
0
∝ n
2
i
, ma che n
i
varia sensibilmente con la temperatura: esiste una regola
empirica che afferma che in un intorno di 300 K, per ogni incremento di 10
K la corrente raddoppi.
Anche in questo caso, in prossimit`a della giunzione, non consideriamo
effetti di alcun tipo: potremmo considerare ricombinazione o generazione
termica, che aumenterebbero o ridurrebbero la corrente. Ma l’efficacia di
questi due fenomeni dipende dalla temperatura: una volta che viene genera-
ta una coppia elettrone-lacuna all’interno della giunzione, questa viene im-
mediatamente separata dal campo, che allontana dalla giunzione i portatori.
Altri fenomeni quali la generazione ottica potrebbero comunque aumentare
la corrente inversa di saturazione, sempre generando nuove coppie elettrone-
lacuna. Ma noi non ci preoccupiamo di questi aspetti, per studiare quindi
solamente cosa capita a livello di correnti. Fenomeni additivi non verranno
78
considerati per ora nel nostro modello, anche se dispositivi quali fotodiodi o
celle fotovoltaiche si basano proprio su di essi.
Abbiamo detto che i minoritari sono in grado di transire la barriera,
divenendo maggioritari nel lato in cui arrivano; applicando la legge della
giunzione, sappiamo che:
n

p
(−x
p
) = n
p0
_
e
V
a
V
T
−1
_
p

n
(x
n
) = p
n0
_
e
V
a
V
T
−1
_
Gli eccessi di minoritari, man mano che ci si allontana dalla giunzione,
tendono ad azzerarsi. Le correnti saranno tutte negative, in quanto conside-
riamo correnti di minoritari. Potremo dire che avremo, derivando i portatori
rispetto alla variabile spaziale x (applicando nuovamente dunque un modello
diffusivo), delle correnti, ma di segno opposto alle precedenti. Potremmo
raffigurare di nuovo un diagramma delle correnti diffusive, al fine di studiare
la corrente inversa di saturazione I
0
:
Il campo di polarizzazione non `e in grado di agire sui minoritari: se fosse
possibile, allora la corrente sarebbe opposta rispetto al verso che effettiva-
mente risulta avere. Giunti dall’altro lato, i minoritari diverranno maggio-
ritari. La situazione `e del tutto duale alla precedente, ossia alla polarizza-
zione diretta: prima i maggioritari divenivano minoritari, ora i minoritari
divengono maggioritari. Prima il fenomeno che permetteva la corrente era
la ricombinazione delle correnti arrivate per diffusione unite ad un effetto
del campo; ora l’effetto del campo sar`a sempre presente (anche se in modo
diverso), ma il fenomeno chiave del meccanismo sar` a la generazione termica:
mediante generazione termica verranno a crearsi coppie elettrone-lacuna che
vengono immediatamente separate: i maggioritari rimarranno per qualche
tempo nel lato p, mentre i minoritari saranno iniettati nell’altro lato. Ad
evitare accumuli di carica, di maggioritari, che andrebbero cointro le leggi
di conservazione, `e il campo elettrico: poich`e il semiconduttore `e polarizza-
to inversamente, la tensione tender`a ad allontanare il flusso di maggioritari
dalla barriera. Poich`e questo eccesso di carica `e esiguo, dal momento che la
79
sola sorgente di cariche lontano dalla giunzione `e la generazione termica, in
questo ambito, I
0
sar` a esigua, a meno che non ci si trovi in alte temperatu-
re o regimi di generazione ottica. La tensione di polarizzazione inoltre non
`e in grado di favorire il processo, poich`e non varia la produzione di coppie
elettrone-lacuna con il variare della tensione. Al contrario iniettando dunque
termicamente od otticamente coppie elettrone-lacuna, le correnti di genera-
zione aumenteranno, e quindi anche la I
0
, come proposto precedentemente
in un breve cenno.
3.9 Esercizio Pratico
Data una giunzione p-n simmetrica brusca, drogata p N
A
= 10
16
, n N
D
=
5 · 10
16
, sapendo che i tempi di vita dei portatori sono τ
n
nel lato p, τ
p
nel
lato n, τ
n
(N
D
) = 0, 5µs, τ
p
(N
A
) = 0, 3µs:
1. Si valuti la corrente inversa di saturazione I
0
, e si disegni, quotan-
dole, le distribuzioni delle correnti, all’applicazione di una tensione
di polarizzazione V
a
= 0, 5 V, con area della giunzione A
j
= 1mm
2
,
W
n
= W
p
= 1mm.
2. Si valutino i valori delle resistenze serie nel lato p e nel lato n e si
discuta il loro effetto sulla caratteristica statica del diodo, I(V
a
)
Una breve divagazione, prima di risolvere l’esercizio: cosa si intende pre-
cisamente per caratteristica statica? La risposta `e semplice: la caratteristica
statica `e una funzione della tensione V
a
che non considera fenomeni di tran-
sitorio: si considera, a tal fine, che la tensione V
a
vari molto lentamente, in
modo di poter vedere nel grafico della caratteristica statica esclusivamente i
valori di regime della corrente, e non eventuali picchi di corrente transitori.
Una giunzione simmetrica `e una giunzione in cui i livelli di drogaggio
dei due lati sono confrontabili: per confrontabili, si intende una differen-
za di qualche ordine di grandezza. Se vi fosse un drogaggio tipico da una
parte (circa 10
16
per esempio), e nell’altro lato un drogaggio dell’ordine di
10
19
, la giunzione avrebbe una forte asimmetria, con effetti che pi` u avanti
analizzeremo. Si arriva a parlare, in casi come quello appena accennato, di
semiconduttore degenere, poich`e con un drogaggio elevato come 10
19
il livello
di Fermi del semiconduttore arriva a coincidere con il livello E
C
della banda
di conduzione.
Una giunzione si definisce brusca quando il drogaggio cambia rapidamen-
te, ossia presenta un salto, come in tutte le giunzioni finora studiate; i tecno-
logi sono soliti definire una funzione del drogaggio al variare della posizione
x, N(x):
80
N(x) = N
D
(x) −N
A
(x)
Se N(x) presenta una discontinuit` a (che sar` a ovviamente di tipo salto)
la giunzione `e detta brusca; se al contrario N(x) `e una funzione continua, si
parla di giunzione graduale. Lo studio del grafico di N(x) ci pu`o ricordare
molto l’andamento delle densit`a di carica: mediante N(x) sar` a infatti facile
dunque studiare le grandezze ρ, ε, Φ.
3.9.1 Risoluzione
Si valuti la corrente inversa di saturazione I
0
Il calcolo della corrente I
0
si pu` o considerare fattibile come somma di due
contributi: il contributo del lato n, ed il contributo del lato p:
I
0
= I
0n
+ I
0p
Possiamo dunque semplicemente calcolare in questo modo la corrente
inversa di saturazione:
I
0n
= qn
2
i
A
j
D
n
L
n
N
A
I
0p
= qn
2
i
A
j
D
p
L
p
N
D
Calcoliamo dunque i coefficienti di diffusione, mediante le relazioni di
Einstein:
D
n
=
kT
q
µ
n
(N
A
); µ
n
(N
A
) ∼ 1250 =⇒D
n
= 32, 5cm
2
/s
D
p
=
kT
q
µ
p
(N
D
); µ
p
(N
D
) ∼ 300 =⇒D
p
= 7, 8cm
2
/s
L
n
=
_
D
n
τ
n
= 40µ
m
L
p
=
_
D
p
τ
p
= 15µ
m
I
0n
= 2, 73 · 10
−13
A
I
0p
= 0, 35 · 10
−13
A
81
I
0
= 3, 08 · 10
−13
A
Ora che abbiamo calcolato il termine della corrente di saturazione in-
versa, quotare le correnti sar` a molto semplice, in quanto possiamo usare
l’espressione della corrente del diodo:
I
p,diff
= I
0p
_
e
V
a
V
T
−1
_
= 8µA
I
n,diff
= I
0n
_
e
V
a
V
T
−1
_
= 61µA
In toto, la corrente sul diodo con la tensione fornita dall’esercizio sar`a:
I = I
p,diff
+ I
n,diff
= 69µA
Si valutino i valori delle resistenze serie nel lato p e nel lato n
Passiamo ora alla soluzione del secondo punto del nostro esercizio: il calcolo
delle resistenze serie di accesso alla giunzione. Possiamo dire che, per ar-
rivare al punto di giunzione, attraverseremo infatti due resistenze, opposte
dalla lunghezza del lato p, e dalla lunghezza del lato n. Dalla legge di Ohm,
sappiamo che, per resistenze piccole e correnti piccole, vi `e una caduta di
tensione molto piccola, e dunque si potrebbe considerare che tutta la tensio-
ne V
a
vada alla giunzione, per ottenere una tensione risultante V
j
. Vogliamo
per`o comunque calcolare le resistenze opposte dai lati, al fine di capire ef-
fettivamente quanta tensione vi sia ai capi della giunzione, e comprendere in
modo pi` u quantitativo l’effetto della presenza del semiconduttore nel circuito.
Possiamo considerare che:
R
Sp
= ρ
p
W
p
−x
p
A
j
=
1

p
p
pv
=
1

p
N
A
= 1, 78 · 10 = 17, 8ω
Con un ragionamento del tutto analogo,
R
Sn
= ρ
n
W
n
−x
n
A
j
=
1

n
n
nv
=
1

n
N
D
= 0, 114 · 10 = 1, 14ω
Il modello elettrico rappresentante il circuito sar` a dunque quello del nostro
diodo, con in serie le due resistenze R
Sp
ed R
Sn
collegate, in serie, alla batteria
V
a
. Si verifica un problema nello studio della caratteristica statica: si dovr`a
considerare, per alte tensioni, una V

a
considerata come la tensione sul solo
diodo, I
D
una corrente elevata sul diodo, al di sopra del quale, le resistenze
82
avranno un effetto non indifferente in quanto provocheranno una caduta di
tensione sempre meno trascurabile. La tensione sul diodo, sar`a uguale a:
V

a
= V
a
−(R
Sp
+ R
Sn
)I
D
La corrente sul diodo avr`a, basandoci sull’espressione della corrente del
diodo ricavata a partire delle leggi della giunzione, un’espressione del tipo:
I
D
= I
0
_
e
V
a
−(R
Sp
+R
Sn
)I
D
V
T
−1
_
Si noti che quest’espressione `e fortemente non lineare, in quanto la cor-
rente I
D
appare sia come variabile dipendente che come argomento dell’e-
sponenziale, e dunque sarebbe necessario sfruttare metodi numerici al fine di
determinare le soluzioni di quest’equazione in funzione di I
D
. Intuitivamen-
te, possiamo per` o fare un ragionamento molto pi` u fine, pensando alla natura
del circuito: di base avremmo una corrente che varia esponenzialmente con
la tensione, ma le resistenze, facendo cadere tensione, al di sopra di un certo
valore, faranno stabilizzare il valore del rapporto
I
V
, facendolo diventare da
esponenziale a lineare per grossi valori di V
a
. Al di sopra di questo valore di
V
a
, l’andamento della caratteristica statica sar` a quello di una retta. In altre
parole, in queste condizioni, pi` u V
a
sar` a elevata, e sempre meno corrente in
proporzione percorrer`a il diodo.
3.10 Cenni ad altri modelli della giunzione
Continuiamo a discutere la modellizzazione del diodo a giunzione; finora ab-
biamo considerato un modello statico, basato cio`e sul non considerare feno-
meni di transitorio, effettuando lievi e lente variazioni di tensione, aspettando
che i valori si stabilizzassero ad un regime. Il vero problema del nostro mo-
dello statico per` o `e il seguente: abbiamo descritto in modo abbastanza valido
il diodo a giunzione in zona diretta (anche se alcuni aspetti sono ancora da
chiarire), ma molto male in zona inversa; introduciamo dunque alcune idee
nuove, per poi approfondirle in seguito, in modo da estendere il nostro mo-
dello statico, accostandovi modelli pi` u generali, quali quello di ampio segnale,
di piccolo segnale, ed altre osservazioni.
3.10.1 Modello di ampio segnale
Considerando un diodo, in polarizzazione diretta, esso presenta una cosa par-
ticolare: considerando una scala meno sensibile di quella che ci permetterebbe
di visualizzare chiaramente la corrente di saturazione inversa: consideriamo
83
ad esempio la scala del mA. Volendo ora disegnare un grafico della carat-
teristica statica, vedremmo che essa vale 0 fino ad un certo valore che noi
chiameremo V
γ
, ossia la tensione di accensione del diodo, leggermente positi-
va. Questa `e la tensione in cui l’esponenziale inizia ad attivarsi, e a curvare
la caratteristica statica, prima di stabilizzarsi ad una retta. Un veteroelet-
tronico, ossia un elettronico esperto, dotato di manualit` a, affermerebbe di
getto che se V
a
< V
γ
, il diodo sarebbe spento, e modellabile con un circuito
aperto; se V
a
> V
γ
, il diodo si modellerebbe con un generatore di tensione
V
γ
; questo valore, V
γ
, sar` a in seguito argomento di discussione, in quanto ora
bisogna accennare a qualcosa di molto pi` u interessante.
Se consideriamo una tensione di polarizzazione inversa V
a
0, molto in-
feriore a 0, al di sotto di un certo valore, che noi chiameremo V
Z
, o detta anche
tensione Zener (nel disegno seguente indicata con V
BD
), si avr` a un’ingente
corrente negativa: il diagramma corretto della caratteristica I(V
a
) avrebbe
in realt`a una forma del tipo:
Potremmo chiederci da dove provengono i valori V
γ
e V
Z
; per rispondere
a ci` o, si `e introdotto il modello di ampio segnale, che racchiude in s`e tutte
queste fenomenologie fisiche per noi ancora inspiegabili. Alla base del mo-
dello di ampio segnale, vi `e un concetto gi`a precedentemente introdotto, di
elettrostatica: la capacit` a di svuotamento del semiconduttore C
DEP
. In pa-
rallelo col diodo, potremo infatti immaginare un condensatore comandato in
tensione, a capacit` a variabile. A ci` o, si dovr`a associare per`o un’ulteriore ca-
pacit` a variabile, sempre in parallelo al diodo: la capacit` a di diffusione C
DEP
.
Possiamo anticipare che essa `e una capacit` a legata a fenomeni di diffusione
di minoritari, in uno stato di polarizzazione inversa del diodo.
Il modello circuitale del modello di ampio segnale sar` a il seguente:
Come gi` a detto, il diodo a giunzione `e in parallelo alle capacit` a (coman-
84
date in tensione) di svuotamento C
DEP
e di diffusione C
DEP
, il tutto in serie
con le resistenze serie di accesso del semiconduttore.
Questo modello ci presenter` a molti problemi, in quanto esso `e un circuito
fortemente non lineare, e dunque impossibile da studiare se non mediante
simulatori numerici, che effettivamente fino a vent’anni fa non esistevano.
Esistevano tecniche ingegneristiche in grado di eliminare o quantomeno ac-
cantonare la non linearit` a del circuito, al fine di poterlo ugualmente studiare;
ora vedremo qualche cenno su questo.
3.10.2 Modello di piccolo segnale
La forte non linearit` a del circuito rende impossibile l’applicazione dell’elet-
trotecnica, e delle sue tecniche di analisi circuitale. La strategia vincente
sar` a quella di considerare un preciso punto di funzionamento del circuito, e
di linearizzarlo in un intorno di questo valore, mediante una sorta di sviluppo
in serie troncato. Piccolo segnale deriva proprio dal fatto che questo metodo
funziona per`o solo localmente, a seconda del punto di lavoro che si utilizza.
Ricominciamo ora a trattare argomenti pi` u dettagliati, e di risolvere
alcuni dubbi introdotti in questi cenni.
3.11 Valutazione di V
γ
Come gi`a detto, V
γ
`e la tensione di accensione del diodo; il diodo sar` a in
stato di polarizzazione diretta, e con una tensione sufficientemente elevata
da far attivare l’esponenziale che controlla la crescita della caratteristica del
diodo. Supponiamo di stabilire a 0, 1 mA la minima corrente sensibile da
uno strumento di misura: V
γ
sar` a la tensione tale per cui avremo garanzia
di poter osservare questa minima corrente (scelta in realt` a arbitrariamente),
I
0min
. La tensione minima in questione sar` a data da:
V
γ
= V
T
ln
I
0,min
I
0
∼ 0, 6V
85
La scelta di I
0min
che noi abbiamo ipotizzato di 0, 1 mA per fare un
esempio in realt`a `e poco influente, poich`e il logaritmo attenua molto questo
fattore. Si tratta solo di una scelta di corrente minima osservabile con un
valore sensato. Si noti che il valore che abbiamo osservato di V
γ
`e circa a
met` a del valore dell’energy gap (1,12 eV). Questa `e una regola empirica, ma
sensata, in quanto gli ingegneri di vent’anni fa potevano solo sfruttare tali
regole empiriche per semplificare i propri modelli. L’importanza storica di
V
γ
`e la sua caratteristica di rappresentare un limite, al di sotto del quale
non vi `e crescita di corrente, al variare di V
a
, ma dopo il quale la crescita `e
esponenziale, ossia quasi verticale potremmo dire. Poi, per` o, si stabilizza, e
per questo motivo un diodo `e modellabile con una batteria: al di sopra di
un certo valore, la tensione resta sempre circa costante, poich`e le resistenze
serie di accesso al diodo rendono circa costante la tensione.
Passiamo ora all’analisi pi` u dettagliata del diodo a giunzione in stato di
polarizzazione inversa, analizzando i fenomeni di rottura della giunzione.
3.12 Meccanismi di rottura della giunzione
Se consideriamo una polarizzazione inversa con tensione V
a
0, e quindi
una tensione molto negativa, ci aspettiamo, dal modello statico, una corrente
inversa di saturazione, e quindi costante. In realt`a, al di sotto della tensione
Zener V
Z
, il diodo va in rottura (breakdown): vi `e una rottura elettrostatica
del diodo a giunzione.
Si noti che questo fenomeno `e reversibile: la rottura `e un fenomeno pura-
mente elettrostatico, a meno che con una corrente troppo alta, si manifesti
un effetto Joule non indifferente che produca un forte innalzamento termico
del dispositivo provocando danni fisici, che per` o non dipendono dalle ca-
ratteristiche elettriche dispositivo, quanto dalla sua resistenza al calore che
verrebbe dissipato dalle resistenze. Esistono due fondamentali meccanismi
di breakdown della giunzione, che analizzeremo in modo per`o puramente
qualitativo:
• Effetto Valanga
• Effetto Tunnel
3.12.1 Effetto valanga
Data una giunzione polarizzata inversamente, il lato p risulta essere molto
rialzato rispetto al lato n: il campo elettrico, a causa della forte tensione,
sar` a molto elevato, come gi` a detto. Nella zona di svuotamento, ci saranno,
86
come di consueto, fenomeni di generazione termica, che regoleranno la cor-
rente di saturazione inversa: questi provocheranno la nascita di una coppia
elettrone-lacuna. Il forte campo elettrico potr`a accelerare verso sinistra le
lacune (secondo la nostra usuale convenzione), e verso destra gli elettroni.
L’urto con il reticolo alla velocit` a acquisita dall’elettrone causata dall’in-
tensit` a del campo elettrico sar` a cos`ı violento da riuscire a provocare effetti
termici non trascurabili con esso, che daran luogo a due nuove coppie elet-
trone lacuna (una per la lacuna scontratasi, una per l’elettrone scontratosi):
a questo punto il campo separer` a ed accelerer`a questi due nuovi elementi,
che causeranno a loro volta nuove generazioni, che a loro volta causeranno
nuove generazioni, e in questo modo vi sar`a un effetto a valanga che provo-
cher` a una corrente non trascurabile nel diodo, e inversa, a causa del campo
di polarizzazione.
3.12.2 Effetto tunnel
A causa della polarizzazione inversa, abbiamo una barriera di potenziale mol-
to elevata. La banda di valenza, nel lato p, `e ricchissima di elettroni (per
definizione); poich`e la barriera si alza, ma anche restringe, quando assume
uno spessore sufficientemente ridotto (alcuni amstrong), aumentano le proba-
bilit` a dell’effetto tunnel, ossia dal fatto che la funzione d’onda degli elettroni
contenga una buona probabilit` a dell’elettrone di superare la barriera nono-
stante essa abbia un potenziale molto pi` u elevato di quello dell’elettrone.
Con una barriera sufficientemente stretta, dunque, il tunnelling diventer` a
possibile e anzi probabile.
3.12.3 Diodi Zener
I diodi che funzionano prevalentemente in zona di breakdown sono detti diodi
Zener. Il loro simbolo `e quello di un diodo, con due sorte di alette aggiuntive.
Essi vengono modellati, al di sotto del raggiungimento della zona Zener della
tensione, con una batteria. Si noti che la convenzione di utilizzatore del
diodo Zener `e opposta rispetto a quella dei comuni diodi, poich`e esso lavora
per l’appunto in zona inversa. Questo tipo di dispositivo `e utilizzato molto
comunemente, in quanto con una certa corrente, esso fornir` a sempre la stessa
tensione, rappresentando cos`ı un ottimo punto di riferimento in un circuito.
Cosa ci garantisce un diodo a tunnel piuttosto che un diodo a valanga?
Esistono diversi aspetti, ma il pi` u importante `e il drogaggio: un diodo a
giunzione molto drogato, avr` a una tensione Zener V
Z
molto piccola, e quindi
sar` a a effetto tunnel; al contrario, un diodo a giunzione poco drogato, con
una tensione Zener abbastanza elevata, sar` a a valanga.
87
3.13 Calcolo della capacit`a di diffusione
Parlando del nostro modello di ampio segnale, abbiamo detto che in parallelo
al diodo vi sono due capacit` a variabili: la capacit`a di svuotamento C
DEP
e la
capacit` a di diffusione C
DIF
, ma non abbiamo ancora analizzato e considerato
minimamente quest’ultima. Sappiamo solo che essa `e legata all’accumulo di
carica dei minoritari nei due lati.
Le distribuzioni dei minoritari saranno:
p

n
(x) = p

n
(x
n
)e

x−x
n
L
p
n

p
(x) = n

p
(−x
p
)e
x+x
p
L
n
Le cariche Q

p
e Q

n
sono gli integrali delle distribuzioni nello spazio in cui
agiscono gli eccessi di carica:
Q

p
=
_
+∞
x
n
qp

n
(x
n
)e

x−x
n
L
p
dx = −qp

n
(x
n
)(−L
p
)e

x−x
n
L
p
¸
¸
¸
+∞
x
n
= qp

n
(x
n
)L
p
=
qn
2
i
L
p
N
D
_
e
V
a
V
T
−1
_
Q

n
=
_
−x
p
−∞
qn

p
(−x
p
)e
x+x
p
L
n
dx = −qn

p
(−x
p
)L
n
e
x+x
p
L
n
¸
¸
¸
−x
p
−∞
= −qn

p
(−x
p
)L
n
=
−qn
2
i
L
n
N
A
_
e
V
a
V
T
−1
_
Vedendo un legame tra carica e tensione, potremmo voler introdurre a
questo punto una capacit` a. Per questo si definisce la capacit` a di diffusione,
come la somma dei moduli delle derivate delle cariche rispetto alla tensione
V
a
:
C
DIF
(V
a
) =
¸
¸
¸
¸
∂Q

p
∂V
a
¸
¸
¸
¸
+
¸
¸
¸
¸
∂Q

n
∂V
a
¸
¸
¸
¸
Da ci`o, si ricava che:
C
DIF
(V
a
) =
qn
2
i
L
p
N
D
e
V
a
V
T
+
qn
2
i
L
n
N
A
e
V
a
V
T
Si noti che se la giunzione `e fortemente asimmetrica, il termine a drogaggio
superiore sar`a trascurabile, poich`e la zona di svuotamento sar` a infinitesima.
Anche questa capacit` a `e una quantit` a fortemente non lineare: essa dipen-
de esponenzialmente dalla tensione esterna V
a
.
Torniamo alle espressioni appena ricavate degli eccessi di carica Q

p
e Q

n
:
prendiamo ad esempio nello specifico la Q

p
:
88
Q

p
=
qn
2
i
L
p
N
D
_
e
V
a
V
T
−1
_
Si pu` o facilmente notare una similitudine con la corrente di diffusione nel
punto x
n
, di lacune:
J
p
(x
n
) =
qD
p
n
2
i
N
D
L
p
_
e
V
a
V
T
−1
_
Moltiplicando e dividendo il termine L
p
all’espressione di Q

p
, si ottiene:
Q

p
·
L
p
L
p
=
qn
2
i
L
2
p
N
D
L
p
_
e
V
a
V
T
−1
_
=
qn
2
i
D
p
τ
p
N
D
L
p
Dunque, si pu` o vedere facilmente che:
J
p,diff
(x
n
) =
Q

p
τ
p
In modo del tutto duale, si pu` o verificare facilmente che:
J
n,diff
(−x
p
) =
Q

n
τ
n
Poich`e la corrente totale nel diodo `e la somma dei due contributi di carica,
possiamo dire che:
J
tot
= J
p,diff
+ J
n,diff
=
Q

p
τ
p
+
Q

n
τ
n
Questa `e la corrente totale nella giunzione in condizioni stazionarie. Ci`o ci
pu` o far intuire che la corrente nel diodo `e controllata sostanzialmente da una
ricombinazione: questa `e la base del modello del diodo a controllo di carica.
Manca per` o un fattore fondamentale: la dipendenza dal tempo. Dobbiamo
dunque meglio definire il nostro modello a controllo di carica, introducendo
una variazione della corrente nel tempo.
3.14 Modello a controllo di carica
Abbiamo finora considerato nel nostro diodo condizioni stazionarie; per poter
studiare il modello a controllo di carica, dovremo risolvere l’equazione di
continuit`a, in condizioni non stazionarie, e dunque con derivata temporale
della densit` a di carica non nulla. Considerando ad esempio la corrente dovuta
dalle sole lacune, nel lato n, vediamo che:
89
∂p

n
∂t
= −
1
q

∂x
J
p
(x) −
p

n
(x)
τ
p
Risulta essere sempre e comunque valida l’ipotesi di quasi neutralit` a, per
quanto riguarda i portatori minoritari, e dunque possiamo dire che la corrente
nel diodo in un intorno della giunzione `e puramente diffusiva:
J
p
= −qD
p
∂p

n
∂x
=⇒D
p

2
p

n
∂x
2
=

∂t
p

n
(x) +
p

n
(x)
τ
p
Integriamo dunque quest’espressione sull’asse delle ascisse spaziali x, en-
trambi i membri, a partire dal punto x
n
in cui inizia la ricombinazione, fino
ad una generica posizione spaziale x > x
n
:
D
p
_
∂p

n
∂x
¸
¸
¸
¸
x

∂p

n
∂x
¸
¸
¸
¸
x
n
_
=

∂t
_
x
x
n
p

n
(x)dx +
1
τ
p
_
x
x
n
p

n
(x)dx
Moltiplicando ambo i membri per la carica fondamentale q, si ottiene che
il termine con derivata temporale diventa:

∂t
_
x
x
n
qp

n
(x)dx +
1
τ
p
_
x
x
n
qp

n
(x)dx =

∂t
Q

p
(x) +
1
τ
p
Q

p
(x)
Al primo membro, invece, per x → +∞, il primo termine si annulla,
poich`e la ricombinazione avr` a annullato tutta la corrente di minoritari, e
quindi, considerando l’ipoteso di diodo lungo, potremo annullare il primo
termine, mentre il secondo sar` a:
−qD
p
∂p

n
∂x
¸
¸
¸
¸
x
n
= J
p,diff
(x
n
)
Dualmente, effettuando lo stesso processo con la corrente di elettroni
derivanti dal lato n verso il lato p, si ottiene:
J
n,diff
(−x
p
) =

∂t
Q

n
+
1
τ
n
Q

n
Poich`e la corrente totale nel diodo J
tot
sar` a data dalla somma dei due
contributi di corrente, il modello a controllo di carica sar` a determinato dal-
l’equazione:
J
tot
=

∂t
Q

p
+

∂t
Q

n
+
Q

p
τ
p
+
Q

n
τ
n
Terminiamo ora la trattazione di questo modello, cambiando argomento,
e parlando di un altro modello del diodo a giunzione.
90
3.15 Modello di piccolo segnale
Il modello a controllo di carica `e un sottocaso del modello ad ampio segnale,
che non considera effetti elettrostatici (quali le capacit` a prima discusse); il
modello ad ampio segnale `e il modello che pi` u interamente caratterizza un
dispositivo, nella fatispecie il diodo a giunzione nel nostro caso, per` o come gi` a
accennato `e molto difficile da utilizzare, a causa della sua forte non linearit`a.
L’idea del modello di piccolo segnale `e quella di studiare solo un preciso
punto di lavoro del dispositivo, linearizzandolo in un intorno di quel punto,
mediante una sorta di sviluppo in serie di Taylor troncata.
Dovremo studiare una funzione I(V
a
) per una certa V
a
= V
op
+v
SS
: V
op
(op
sta per Operating Point) `e la tensione del punto di lavoro a cui ci portiamo, al
fine di sviluppare l’espressione della I; v
SS
`e la rappresentazione dell’intorno,
del piccolo segnale (SS sta per Small Signal), ed `e la cosiddetta tensione di
piccolo segnale.
Partiamo dalla corrente del diodo, dicendo che:
I = I
0
_
e
V
a
V
T
−1
_
Poich`e consideriamo V
a
= V
op
+ v
SS
, possiamo sviluppare fino al primo
ordine, e quindi linearmente in un intorno del punto di lavoro la funzione
della caratteristica come:
I(V
op
+ v
SS
) = I
0
_
e
V
op
V
T
−1
_
+

∂V
a
_
I
0
e
V
a
V
T
−1
_
Di fatto la tensione V
op
`e una componente costante, mentre v
SS
il suo
intorno in cui possiamo considerare valida la linearizzazione effettuata. La
derivat`a della corrente I
0
nel punto di lavoro V
op
sar` a:

∂V
a
_
I
0
e
V
a
V
T
−1

¸
¸
V
o
p
=
I
0
e
V
op
V
T
V
T
= g
d
Il termine g
d
`e anche detto conduttanza differenziale; ad essa associata `e
la resistenza differenziale, come il suo reciproco:
r
d
=
1
g
d
Spesso gli elettronici scambiano tra loro il termine I
0
e
V
op
V
T
con I
op
. Con-
siderando questa definizione della corrente I
op
come corrente del punto di
lavoro V
op
, sar`a:
91
I(V (t)) = I(V
op
+ v
SS
(t)) I
op
+ g
d
v
SS
(t) = I(V
op
) + i
SS
(t)
In un intorno di V
op
, `e possibile dunque linearizzare il diodo, sostituendolo
con la resistenza differenziale r
d
: questa non sar` a altro che la pendenza della
retta osculatrice I(V
a
) nel punto di lavoro V
op
, con un intorno di piccolo
segnale v
SS
. Il termine i
SS
sar` a dato dall’approssimazione di I(V
a
) al punto
di lavoro V
op
, I(V
op
) = I
op
; possiamo dunque definire ora la corrente di piccolo
segnale come il semplice intorno-ordinata della caratteristica, ossia l’intera
caratteristica considerata in V
a
= V
op
+ v
SS
sottraendo la componente di
offset I(V
op
) = I
op
:
i
SS
(t) = I
tot
(V
a
) −I
op
= g
d
v
ss
Abbiamo cos`ı trattato in modo assolutamente completo il diodo, analiz-
zato sotto il punto di vista del metodo di piccolo segnale. Cerchiamo ora di
trattare brevemente allo stesso modo le capacit` a di svuotamento e di diffu-
sione C
DEP
e C
DIF
, considerandole sempre ad un punto di funzionamento
V
a
= V
op
+ v
SS
; possiamo dire che:
Q
DEP
(V
op
+ v
SS
(t)) Q
DEP
(V
op
) +
∂Q
DEP
∂V
a
¸
¸
¸
¸
V
op
· v
SS
Q
DIF
(V
op
+ v
SS
(t)) Q
DIF
(V
op
) +
∂Q
DIF
∂V
a
¸
¸
¸
¸
V
op
· v
SS
Utilizzando le espressioni operative gi` a ricavate in precedenza delle cariche
di svuotamento e di diffusione, si possono facilmente ricavare le espressioni
delle capacit`a di svuotamento e di diffusione.
Il modello di piccolo segnale riduce dunque, in un intorno del punto di
lavoro V
op
, il circuito di ampio segnale ad un resistore (resistenza differenziale
r
d
) in parallelo a due capacit`a: questo, in serie con le resistenze serie dei
lati della giunzione (che non hanno bisogno di essere linearizzate in quanto
sono quantit` a costanti). Si noti che, per V
a
< 0, ossia in polarizzazione
inversa, la r
d
avr` a su di s`e pochissima corrente, e diventer`a cos`ı dell’ordine dei
MΩ, assimilabile dunque con un circuito aperto; la diffusione sar`a pressoch`e
nulla, poich`e tutti i minoritari saranno solo nella zona di svuotamento, e la
capacit` a relativa alla diffusione sar` a circa nulla: C
DIF
0. Possiamo dunque
ulteriormente semplificare il modello di piccolo segnale, per una tensione
V
a
< 0, con un condensatore (nella fatispecie, il condensatore con cui si
modellano le zone di svuotamento, C
DEP
), in serie alle due resistenze dovute
ai lati del semiconduttore. Ovviamente, non si parla di una tensione di lavoro
92
negativa paragonabile a quella Zener, altrimenti la corrente `e molto elevata
e questa semplificazione non `e fattibile.
3.16 Esercizio pratico
Data una giunzione p-n cos`ı descritta: W
n
= 200µm, W
p
= 2µm, A
j
=
100µm
2
, µ
p
(N
A
) = 300, µ
n
(N
A
) = 100, µ
n
(N
D
) = 600, µ
p
(N
D
) = 150,
τ
p
= 0, 2µs, τ
n
= 1µ
s
, V
a
= 0, 2V , N
D
= 10
18
, N
A
= 10
16
, considerata con la
convenzione inversa: lato n a sinistra, lato p a destra:
1. Disegnare il diagramma a bande quotato (ampiezza regioni di svuota-
mento, quasi-livelli di Fermi, etc.);
2. Disegnare e quotare il diagramma delle correnti;
3. Calcolare il modello di ampio segnale del diodo a giunzione;
4. Calcolare il modello di piccolo segnale considerando V
a
come punto di
lavoro.
3.16.1 Risoluzione
Disegnare il diagramma a bande quotato
Per il primo punto del problema potremmo adottare le solite strategie di
risoluzione, oppure ragionare in un modo pi` u fine: osservando i dati del pro-
blema, notiamo che W
n
W
p
, e che N
D
N
A
. Questi dati ci permettono
di introdurre da un lato l’ipotesi di diodo corto, e dall’altro lato la forte diffe-
renza di drogaggio fa praticamente ridurre la zona di svuotamento ad una δ
(idealizzando, poich`e l’ampiezza della regione di svuotamento del lato n sar`a
molto inferiore a quella nel lato p). Possiamo trascurare nei nostri conti x
n
,
e dunque dire che l’ampiezza della regione di svuotamento sia:
x
d
x
d
=
¸
2
S

i
−V
a
)
qN
A
Poich`e ci manca per ora la barriera Φ
i
, calcoliamola, considerando questa
convenzione: poich`e il lato n `e un semiconduttore n
+
, ossia molto drogato,
possiamo dire in buona approssimazione che il livello di Fermi coincida con
il livello di partenza della banda di conduzione E
C
. Dunque:

S
+
n

93
Confondiamo dunque senza problemi il lavoro di estrazione con l’affinit` a
elettronica del silicio n
+
(che `e un parametro costante, e noto).
Possiamo dunque calcolare la barriera nel lato p, confrontando il livel-
lo di Fermi intrinseco in zona di neutralit` a, con il quasi-livello di Fermi,
aggiungendo al conto met`a dell’energy gap:

i
=
E
g
2
+ E
F
i
(+∞) −E
F
p
=
E
g
2
+ kT ln
N
A
N
i
Si pu`o dunque trascurare il termine al lato n, e ripetere il ragionamento
geometrico fatto sul diagramma a bande della giunzione gi` a esposto nella
teoria.
Disegnare e quotare il diagramma delle correnti
Passiamo al punto successivo: il calcolo delle correnti nella giunzione. Ab-
biamo una situazione molto particolare, poich`e abbiamo a che fare con un
diodo met` a lungo, e met` a corto; calcoliamo dunque, in entrambi i lati, la
distribuzione dei minoritari, al fine di calcolare le correnti di diffusione come
derivata della distribuzione. La distribuzione di lacune iniettate nel lato n
(ricordando che la nostra convenzione abituale `e invertita) sar`a:
p

n
(x) = p

n
(−x
n
)e
x+x
n
L
p
Per l’altro lato le cose si fanno pi` u difficili, in quanto le condizioni al con-
torno abituali per la risoluzione dell’equazione di continuit` a non valgono. Da
un altro esercizio teorico abbiamo per` o gi` a ricavato il risultato fondamentale
considerante le condizioni al contorno al fine di studiare il semiconduttore
corto, e quindi possiamo dire che:
n

p
(x) = n

p
(x
p
)
sinh
L−x
L
n
sinh
L
L
n
Poich`e nel nostro caso consideriamo il fatto che la lunghezza effettiva
del lato parta aldil`a della regione di svuotamento, e quindi L = W
p
− x
p
,
possiamo dire che, poich`e x x
p
generalmente,
n

p
(x) = n

p
(x
p
)
sinh
W
p
−x
L
n
sinh
W
p
−x
p
L
n
Partendo dalle due espressioni delle correnti ora ricavate possiamo, me-
diante la loro derivazione, ricavare le espressioni operative delle correnti:
94
J
p,diff
(x) = −qD
p
∂p

n
(x)
∂x
=
−qD
p
n
2
i
N
D
L
p
_
e
V
a
V
T
−1
_
e
x+x
n
L
p
J
n,diff
(x) = −qD
n
∂n

p
(x)
∂x
=
−qD
n
n
2
i
N
A
L
n
_
e
V
a
V
T
−1
_
−cosh
W
p
−x
L
n
sinh
W
p
−x
p
L
n
Ci` o che si potrebbe notare facendo il grafico delle due correnti, `e che J
p,diff
`e una corrente del tutto trascurabile; inoltre, la decrescita che si potrebbe
analizzare osservando l’andamento di J
n,diff
`e altrettanto trascurabile, quindi
di fatto la corrente totale nel diodo `e regolata dalla sola J
n,diff
, che `e una
corrente praticamente costante. Possiamo a questo punto chiederci quale sia
l’andamento della caratteristica statica del diodo; dal momento che abbiamo
usato per esperienza (e torner` a utile in seguito) questa convenzione opposta
della giunzione, invertiamo il senso di percorrenza degli assi, per comodit` a,
considerando −I
tot
, ed i segni − nelle espressioni potranno essere annullati:
−I
tot
= A
j
(J
p,diff
(−x
n
) + J
n,diff
(x
p
))
I = A
j
_
−qD
p
n
2
i
N
D
L
p
+
qD
n
n
2
i
N
A
L
n
cosh
W
p
−x
p
L
n
sinh
W
p
−x
p
L
n
W
p
−x
p
L
n
_
_
e
V
a
V
T
−1
_
In realt`a, per` o, il lato `e corto, quindi possiamo sviluppare seno e coseno
iperbolico, come rispettivamente argomento del seno e 1:
n

p
(x) n

p
(x
p
)
W
p
−x
p
L
n
In un dispositivo di questo tipo, si annulla l’usuale andamento della ricom-
binazione: l’andamento `e approssimabile a lineare, ed anzi costante, poich`e il
lato corto annulla gli effetti ricombinativi. Nel lato n invece l’unica particola-
rit` a introdotta nell’esercizio `e un forte drogaggio, che di fatto non modifica il
fenomeno di ricombinazione (se non rendendolo pi` u rapido). Nel transistore
bipolare, l’uso del lato corto sar` a proprio ci`o che servir` a per gestire le correnti
nel modo pi` u corretto, in modo da aumentare l’effetto transistor.
Calcolare il modello di ampio segnale del diodo a giunzione
Terminiamo l’esercizio calcolando i modelli di ampio e piccolo segnale: sap-
piamo che le nostre ipotesi di lato corto ci permettono di dire che:
C
DEP
=

S
x
d
A
j


S
x
p
(V
a
)
A
j
95
La capacit` a di diffusione si potr`a calcolare mediante il modello a controllo
di carica, calcolando la derivata parziale rispetto alla variazione di tensione di
polarizzazione esterna V
a
; in questo caso l’ipotesi semplificatrice sar` a quella
di grosso drogaggio: poich`e il drogaggio `e molto pi` u elevato al lato n che al
lato p, possiamo dire che il contributo della carica Q

p
sar` a trascurabile.
C
DIF
A
j
¸
¸
¸
¸
∂Q

n
∂V
a
¸
¸
¸
¸
Possiamo inoltre, come gi`a detto, approssimare la distribuzione degli elet-
troni ad una retta, a causa dello sviluppo in polinomio di Taylor del seno
iperbolico; possiamo dunque ulteriormente semplificare il modello a control-
lo di carica, calcolando l’area del triangolo il cui lato `e il lato del diodo, e
l’altezza la carica in questione `e la distribuzione di carica; quindi:
Q

n
=
−qn
2
i
(W
p
−x
p
)
2N
A
_
e
V
a
V
T
−1
_
Considerando il modulo della derivata parziale di quest’espressione ri-
spetto alla tensione V
a
, si otterr` a:
¸
¸
¸
¸
∂Q

n
∂V
a
¸
¸
¸
¸
=
qn
2
i
(W
p
−x
p
)
2N
A
V
T
e
V
a
V
T
Il modello di piccolo segnale sar` a una semplice linearizzazione di questo,
considerando il punto di lavoro scelto (ossia la V
a
).
96
Capitolo 4
Il transistore bipolare
Il transistore bipolare `e una geniale applicazione della giunzione p-n: esso `e
composto da una doppia giunzione n-p-n (oppure p-n-p); ma qual `e il senso
di fare una giunzione doppia?
Sappiamo che, per poter aumentare la corrente inversa di saturazione I
0
,
servirebbe un’iniezione di portatori mediante via termica, od ottica, oppure
utilizzare iniettori di altro tipo: la giunzione p-n. Abbiamo infatti studia-
to che una giunzione `e un iniettore di cariche, poich`e `e possibile iniettare
portatori mediante essa, e quindi incrementare la corrente inversa di satura-
zione. Possiamo dunque suddividere in tre principali zone questo dispositivo:
emettitore, base, collettore.
Consideriamo come emettitore per ora un semiconduttore drogato n, come
base un semiconduttore drogato p, come collettore un altro semiconduttore
drogato n. L’emettitore emette elettroni nel lato p ad esso adiacente, ossia
alla base, e questo mediante l’applicazione di una polarizzazione diretta. Da p
a n, vi sar` a una polarizzazione inversa, ma gli elettroni, giunti in abbondanza
97
dall’emettitore, andranno verso il collettore passando dalla base, mediante
una corrente di tipo diffusivo. Riassumendo, la barriera bassa dall’emettitore
E alla base B permette il passaggio di elettroni; dalla base B al collettore C
questi scivoleranno dalla barriera, arrivando senza problemi alla meta. Ma
qual `e il senso dell’utilizzo di questo dispositivo?
Si noti che la corrente di elettroni dall’emettitore E, alla base B `e rego-
labile dalla tensione sulla prima giunzione; ci` o che poi capita, `e che si possa
controllare la corrente che viene iniettata dalla base al collettore (poich`e essa
dipende da quanta ne `e stata iniettata dalla base, e questa `e regolabile dalla
tensione tra E e B), ma senza doverla riprendere tutta: di solito dobbiamo
pagare tutta la carica inviata da un semiconduttore ad un altro, con altret-
tanta carica dal secondo semiconduttore verso il primo, come abbiamo visto
nei meccanismi alla base del diodo a giunzione; di fatto, non sar`a necessaria
una grossa contropartita di corrente dalla base all’emettitore, o meglio ne sar` a
necessaria una quantit` a minima, come vedremo: vi sar` a una grossa corrente
da E a B, ma infinitesima da B ad E (in un buon transistore, alle condizioni
che introdurremo). L’astuzia si basa sul fatto che, tendenzialmente, gli elet-
troni derivanti dall’emettitore E verso la base B non dovranno ricombinarsi,
ma andare verso il collettore C, dove saranno comunque maggioritari (poich`e
il collettore `e un semiconduttore drogato tipo n).
Riassumendo, il transistore bipolare permette di controllare una corrente
tra emettitore e collettore senza dover pagare con una corrente troppo ingente
tra base ed emettitore, bens`ı solo con una minima corrente inversa.
4.1 Analisi delle correnti
Cerchiamo ora di rappresentare in modo qualitativo il modello delle correnti
in un transistore bipolare; consideriamo la giunzione da emettitore E a base B
polarizzata direttamente, e da base B a collettore C polarizzata inversamente:
V
BE
> 0, V
BC
< 0.
98
Nel dispositivo in studio, esistono cinque correnti; analizziamole una per
una:
1. I
nE
`e una corrente di diffusione di elettroni che vengono iniettati dal-
l’emettitore E alla base B;
2. I
nC
`e la frazione di I
nE
che non si `e ricombinata nella base; essa in un
dispositivo ben funzionante deve essere pi` u elevata possibile, poich`e la
ricombinazione in base deve essere minima, e poich`e essa sar` a destinata
a terminare nel collettore; I
nE
ed I
nC
sono le due correnti fondamentali
ai fini del funzionamento del transistore bipolare;
3. I
rB
`e una corrente di diffusione di lacune iniettata nella base a partire
dall’emettitore, che va a ricombinarsi interamente: `e una frazione di
I
nE
, che deve essere limitata, in quanto essa limita la corrente principale
I
nC
;
4. I
pB
`e una corrente di diffusione di lacune iniettate nell’emettitore a
partire dalla base; questa corrente deve essere piccola, in un buon di-
spositivo, poich`e dipende dalla ricombinazione di I
nE
, che deve essere
minore possibile per garantire un buon funzionamento;
5. I
pC
`e una corrente inversa di lacune diretta dal collettore C verso la
base B, molto ridotta, e spesso trascurabile nello studio dei transistori.
Ragioniamo ora su queste correnti: la corrente di ingresso nell’emettitore
dalla batteria, I
E
, `e data da:
I
E
= I
nE
+ I
pB
La corrente I
E
`e la somma delle due correnti I
nE
e I
pB
, la seconda de-
rivante dalla base. Poich`e una delle due correnti principali del transistore `e
quella totale che va dall’emettitore verso la base, la corrente da base a emet-
titore, I
pB
, sar` a da limitare. Si definisce sull’emettitore un parametro γ
F
che
determina l’efficienza del transistore, all’emettitore (F sta per Forward):
γ
F
=
I
nE
I
nE
+ I
pB
Il parametro γ
F
`e dunque detto efficienza di emettitore, e in un buon
dispositivo deve tendere a 1, poich`e I
pB
dovr` a tendere a 0; ci`o `e tecnologica-
mente fattibile, aumentando il drogaggio del lato emettitore n (come si pu` o
facilmente verificare dalla legge della giunzione). Possiamo dunque dire che:
I
nE
= γ
F
I
E
99
Ci interessa ora sapere, di questa γ
F
I
E
, quanta finir` a nel collettore, e
quindi quanta non verr`a ricombinata. Possiamo ricavare facilmente che:
I
nC
= I
nE
−I
rB
Possiamo dunque definire il parametro α
T
come:
α
T
=
I
nE
−I
rB
I
nE
Anche in questo caso, in un buon dispositivo, α
T
deve tendere a 1. In
questo caso, tecnologicamente il trucco per far tendere a 1 il coefficiente
α
T
, `e quello di usare una base corta: se la lunghezza del semiconduttore
W
B
L
n
, la ricombinazione non avr` a il tempo di agire efficacemente sulla
carica, e dunque α
T
→1.
La corrente I
pC
0 e quindi possiamo considerarla ora come ora trascu-
rabile.
Definiamo α
F
il prodotto dei due coefficienti di efficienza:
α
F
= γ
F
α
T
La corrente del collettore, I
C
, sar`a pari a:
I
C
= −α
F
I
E
Possiamo considerare il transistore come un nodo generalizzato, e dunque
studiare mediante le leggi di Kirchhoff le tre correnti su emettitore, collettore,
base: anche la base infatti avr` a una corrente, che andr`a ridotta mediante i
metodi tecnologici accennati, in un dispositivo valido:
I
E
+ I
B
+ I
C
= 0
Considerando l’espressione precedentemente vista in funzione di I
E
, so-
stituiamo nella relazione appena trovata:
I
E
= −
I
C
α
F
=⇒−
I
C
α
F
+ I
C
+ I
B
= 0
Quindi:
I
B
=
I
C
(1 −α
F
)
α
F
=⇒
I
C
I
B
=
α
F
1 −α
F
= β
F
Questo parametro, β
F
, `e detto guadagno in corrente. Abbiamo visto che
α
F
`e il prodotto di due numeri vicini ad 1, e dunque β
F
potrebbe essere un
numero molto elevato (da 100 a 300 o anche molto pi` u in un buon dispositivo).
100
Possiamo dire che:
I
C
= β
F
I
B
Con il prezzo di una corrente di base di soli pochi mA, `e possibile control-
lare correnti molto elevate, modulabili mediante la tensione tra emettitore
e base, V
BE
. Possiamo considerare I
B
come un prezzo da pagare, al fine di
poter liberamente modulare mediante la tensione la corrente del transistore.
Passiamo ora ad un calcolo pi` u quantitativo, al fine di studiare le correnti.
4.2 Calcolo delle correnti
Consideriamo alcune ipotesi preliminari: scegliamo come origine del nostro
sistema di assi cartesiani rappresentante la posizione spaziale sul dispositi-
vo il punto di inizio della regione di svuotamento sulla base, alla giunzione
con l’emettitore E; consideriamo inoltre la larghezza della base W
B
uguale
alla distanza tra le due regioni di svuotamento. Questa seconda ipotesi `e
molto approssimativa, in quanto di fatto la distanza tra le due regioni di
svuotamento varia con le regioni di svuotamento stesse, le quali sono modu-
labili mediante le tensioni esterne che controllano il dispositivo; poich`e per`o
utilizziamo l’ipotesi di lato corto, possiamo considerare come non troppo er-
rata questa approssimazione, anche se di fatto confondiamo una grandezza
variabile con la tensione con una costante.
I quattro punti del dispositivo interessanti per il nostro studio in questo
ambito saranno: −x
dE
, 0, W
B
, x
d
C, ossia il punto di inizio della zona di svuo-
tamento della giunzione tra emettitore e base, dal lato della base, l’origine
prima definita, la posizione della giunzione con il lato n (collettore), confusa
con l’inizio della relativa zona di svuotamento, e il punto di inizio della regio-
ne di svuotamento nel collettore. Studiamo dunque le leggi delle giunzioni,
applicandole nei suddetti punti; consideriamo N
DE
come la concentrazione
di drogaggio tipo n N
D
nell’emettitore E, e N
AB
come la concentrazione di
drogaggio tipo p N
A
nella base B:
p

n
(−x
dE
) =
n
2
i
N
DE
_
e
V
BE
V
T
−1
_
n

p
(0) =
n
2
i
N
AB
_
e
V
BE
V
T
−1
_
n

p
(W
B
) =
n
2
i
N
AB
_
e
V
BC
V
T
−1
_
101
In un transistore, i fenomeni di interesse avvengono soprattutto nella
base: in essa, ci dedicheremo allo studio dettagliato dei portatori di carica.
Supponiamo di conoscere come condizioni al contorno i portatori nei punti
0 e W
B
: essi saranno le grandezze appena ricavate mediante le leggi della
giunzione. Applichiamo ora alla base il modello matematico, ricordando che
ci troviamo in ipotesi di lato corto.
Consideriamo dunque le equazioni di continuit` a, nella base; si noti che
le nostre due equazioni al contorno sono per`o entrambe non nulle, quindi
avremo a che fare con conti algebrici di difficolt` a non indifferente.
Dal modello matematico, sappiamo che:
D
n

2
n

p
(x)
∂x
2
=
n

p
(x)
τ
n
D
p

2
p

n
(x)
∂x
2
=
p

n
(x)
τ
p
La soluzione generale delle equazioni differenziali avr` a come al solito una
forma del tipo (consideriamo la diffusione dentro alla base di elettroni, e
quindi l’eccesso di elettroni n

p
(x)):
n

p
(x) = Ae
x
L
n
+ Be

x
L
n
Applichiamo ora le due condizioni al contorno, che abbiamo precedente-
mente studiato:
n

p
(0) =
n
2
i
N
AB
_
e
V
BE
V
T
−1
_
=⇒A + B
n

p
(W
B
) =
n
2
i
N
AB
_
e
V
BC
V
T
−1
_
=⇒Ae
W
B
L
n
+ Be

W
B
L
n
Ora, possiamo ricavare dalla prima delle due condizioni:
B = n

p
(0) −A
Sostituendo nella seconda, otteniamo che:
n

p
(W
B
) = Ae
W
B
L
n
+ (n

p
(0) −A)e

W
B
L
n
Da ci`o, possiamo ricavare un’espressione del coefficiente A:
A =
n

p
(W
B
) −n

p
(0)e

W
B
L
n
e
W
B
L
n
−e

W
B
L
n
102
Sostituiamo ora l’espressione di A nella prima equazione, trovando il
valore di B:
B = n

p
(0) −A =
n

p
(0)e
W
B
L
n
−n

p
(0)e

W
B
L
n
−n

p
(W
B
) + n

p
(0)e

W
B
L
n
e
W
B
L
n
−e

W
B
L
n
=
=
n

p
(0)e
W
B
L
n
−n

p
(W
B
)
2 sinh
W
B
L
n
Ora, considerando la soluzione generale dell’equazione differenziale, inse-
riamo le condizioni al contorno ricavate mediante i nostri artifici, e ricaviamo:
n

p
(x) =
n

p
(W
B
)e
x
L
n
−n

p
(0)e
−W
B
+x
L
n
+ n

p
(0)e
W
B
−x
L
n
−n

p
(W
B
)e
−x
L
n
2 sinh
W
B
L
n
n

p
(x) = n

p
(0)
sinh
W
B
−x
L
n
sinh
W
B
L
n
+ n

p
(W
B
)
sinh
−x
L
n
sinh
W
B
L
n
Derivando l’espressione dei portatori cos`ı ricavata, possiamo studiare i
flussi delle correnti nella base. Si noti che le correnti che raggiungono il
collettore, lo faranno mediante un meccanismo diffusivo, come gi` a detto,
regolato dalle espressioni appena ricavate.
4.3 Modello statico del transistore bipolare
Abbiamo gi` a detto che il transistore bipolare `e un dispositivo dominato dalle
correnti di diffusione di minoritari in base; consideriamo d’ora in avanti una
convenzione semplificata: dal momento che non abbiamo a che fare con altro
che regioni di svuotamento, consideriamo x
dE
= x
E
, 0, e il punto x
C
come
punto di fine della regione di svuotamento nel collettore.
Le equazioni dei portatori nelle tre regioni, come abbiamo gi` a ricavato,
saranno: nell’emettitore E:
p

n,E
(x) = p

n
(−x
E
)e
x+x
E
L
p
=
n
2
i
N
DE
_
e
V
BE
V
T
−1
_
e
x+x
E
L
p
Nella base B:
n

p,B
(x) = n

p
(0)
sinh
W
B
−x
L
n
W
B
L
n
+ n

p
(W
B
)
sinh
x
L
n
W
B
L
n
103
Nel collettore C:
p

n,C
(x) =
n
2
i
N
DC
_
e
V
BC
V
T
−1
_
e

x−x
C
L
p
Partendo dalle precedenti espressioni, interessandoci nella fatispecie di
quelle concernenti la base B e l’emettitore E, ricaviamo le correnti I
p,diff
(x)
e I
n,diff
(x), che verranno tra poco riutilizzate in un’applicazione pratica;
ricordando le relazioni di Einstein per il calcolo delle correnti a partire dai
portatori:
I
n
= qAD
n
∂n
∂x
I
p
= −qAD
p
∂p
∂x
Ricaviamo:
I
nB,diff
(x) =
−qA
E
n
2
i
cosh
W
B
−x
L
n
N
AB
L
n
sinh
W
B
L
n
_
e
V
BE
V
T
−1
_
+
qA
E
n
2
i
cosh
x
L
n
N
DE
L
n
sinh
W
B
L
n
_
e
V
BC
V
T
−1
_
I
pE,diff
(x) =
−qA
E
n
2
i
e
x+x
E
L
p
L
p
N
DC
_
e
V
BE
V
T
−1
_
Per quanto riguarda invece la corrente di lacune nel collettore, C possiamo
dire che:
I
pC,diff
(x) =
qA
E
n
2
i
e
x−x
C
L
p
N
DC
L
p
_
e
V
BC
V
T
−1
_
Queste espressioni delle correnti, al variare della posizione spaziale x, ci
torneranno presto utili: dal punto di vista dei soli emettitore o collettore,
il transistore non avrebbe infatti molte differenze da una comunissima giun-
zione; poich`e la base `e gi`a un caso diverso, in quanto `e un lato corto, e si
comporta in modo molto anomalo per una giunzione p-n. Tenendo conto
di questi fatti, vogliamo determinare un modello statico per il transistore
bipolare; sar` a pi` u complesso rispetto al modello della giunzione, in quanto
questa volta si ha a che fare con tre correnti (di cui possiamo semplicemente
studiarne due, in quanto comunque la terza `e data dalla somma delle altre
due, cambiata di segno):
_
I
C
(V
BE
; V
BC
)
I
E
(V
BE
; V
BC
)
104
Dal momento che, come detto:
I
B
= −I
C
−I
E
Ricavando le due caratteristiche indicate alla parentesi graffa, il modello
statico del transistore bipolare sar`a di fatto completo. Come nel caso della
giunzione p-n, possiamo considerare, al posto delle correnti in zone lontane
dalla giunzione, le correnti valutate ai punti di inizio della regione di svuo-
tamento: sappiamo infatti che, lontano dalla giunzione, la corrente sar`a del
tutto equivalente, in quanto sar` a la corrente in grado di ricombinare i por-
tatori giunti dalle regioni di svuotamento, e quindi esattamente le correnti
valutate nei punti di inizio della regione di svuotamento, punti in cui non so-
no di fatto ancora iniziati fenomeni di ricombinazione. Per quanto riguarda
la caratteristica I
E
:
I
E
= I
p,diff
(−x
E
) + I
n,diff
(0)
Studiando la caratteristica statica della giunzione p-n, avevamo fatto lo
stesso ragionamento: usando le espressioni delle correnti appena ricavate
come derivazione da quelle dei portatori, otterremo:
I
E
= A
E
(−q)D
p
∂p

n
(x)
∂x
¸
¸
¸
¸
x
E
+ A
E
(+q)D
n
∂n

p
(x)
∂x
¸
¸
¸
¸
0
=
=
−qA
E
D
p
n
2
i
N
DE
L
p
_
e
V
BE
V
T
−1
_
e
−x
E
+x
E
V
T
+
−qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
L
n
_
e
V
BE
V
T
−1
_
cosh
W
B
L
n
sinh
W
B
L
n
+
+
−qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
L
n
_
e
V
BC
V
T
−1
_
cosh(0)
sinh
W
B
L
n
Ordinando l’espressione:
I
E
=
_
−qA
E
D
p
n
2
i
N
DE
L
p
+
−qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
L
n
cotgh
W
B
L
n
__
e
V
BE
V
T
−1
_
+
+
qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
L
n
sinh
W
B
L
n
_
e
V
BC
V
T
−1
_
In maniera del tutto analoga, si pu` o effettuare lo studio di I
C
: possiamo
infatti vedere facilmente che:
I
C
= I
n,diff
(W
B
) + I
p,diff
(x
C
)
105
Riprendendo anche ora le espressioni delle correnti appena ricavate, pos-
siamo ottenere che:
I
C
= A
E
(+q)D
n
∂n

p
(x)
∂x
¸
¸
¸
¸
W
B
+ A
E
(−q)D
p
∂p

n
(x)
∂x
¸
¸
¸
¸
x
C
=
= qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
1
sinh
W
B
L
n
_

cosh
W
B
−W
B
L
n
L
n
_
_
e
V
BE
V
T
−1
_
+
+qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
cosh
W
B
L
n
sinh
W
B
L
n
1
L
n
_
e
V
BC
V
T
−1
_
+
qA
E
D
p
n
2
i
N
DE
L
p
_
e
V
BC
V
T
−1
_
Ordinando:
I
C
=
qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
sinh
W
B
L
n
L
n
_
e
V
BE
V
T
−1
_
+
+
_
−qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
L
n
cotgh
W
B
L
n
+
−qA
E
D
p
n
2
i
N
DC
L
p
__
e
V
BC
V
T
−1
_
Confrontando le due espressioni, vediamo che esse, ossia il modello statico
del transistore bipolare, presentano tra loro alcune similitudini.
4.3.1 Equazioni di Ebers-Moll
Le equazioni appena ricavate del modello statico di un transistore bipolare
sono le cosiddette equazioni di Ebers-Moll, in onore agli scopritori del modello
statico del dispositivo in trattazione. Si `e soliti esprimere queste equazioni
nella seguente forma:
I
E
= a
1,1
_
e
V
BE
V
T
−1
_
+ a
1,2
_
e
V
BC
V
T
−1
_
I
C
= a
2,1
_
e
V
BE
V
T
−1
_
+ a
2,2
_
e
V
BC
V
T
−1
_
I quattro coefficienti in questione sono:
a
1,1
=
−qA
E
D
p
n
2
i
N
DE
L
p

qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
L
n
cotgh
W
B
L
n
a
1,2
=
qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
L
n
sinh
W
B
L
n
106
a
2,1
=
qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
L
n
sinh
W
B
L
n
a
2,2
=
qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
L
n
cotgh
W
B
L
n

qA
E
D
p
n
2
i
N
DC
L
p
Si noti che questo modello risulti essere corretto a meno di una variazione
di W
B
(che abbiamo ipotizzato coincidente con la distanza tra le due zone
di svuotamento nella base); questo modello trascura dunque l’effetto delle
tensioni sulla lunghezza del lato di base B, ossia sull’appena citato W
B
. Si
noti per`o un’altra cosa: abbiamo iniziato a sviluppare questo modello consi-
derando esclusivamente il caso di V
BE
> 0, V
BC
< 0; abbiamo per`o ricavato
equazioni che risultano essere valide indipendentemente dalle due tensioni (a
meno di particolari fenomeni quali il breakdown delle giunzioni, o cose di
questo tipo), esattamente come nello studio del diodo a giunzione: avevamo
infatti al tempo considerato la giunzione in stato di polarizzazione diretta, ma
ottenuto equazioni valide anche per la polarizzazione inversa. Siamo dunque
in grado di studiare, mediante le equazioni di Ebers-Moll, qualsiasi coppia
di tensione (V
BE
; V
BC
). Consideriamo dunque le quattro (che poi vedremo
diventare cinque) zone di tensione:
• V
BE
> 0, V
BC
< 0: `e la zona che abbiamo sinora studiato: il tran-
sistore provoca fenomeni di guadagno della corrente, regolati dai vari
coefficienti γ
F
, α
T
, α
F
, β
F
, dove la F significa Forward: italianizzando,
possiamo tradurre con Diretta. La regione, che `e la regione di fun-
zionamento pi` u tipica del transistore bipolare, `e detta regione attiva
diretta.
• V
BE
< 0, V
BC
> 0: di fatto, il collettore diventa l’emettitore, e l’emet-
titore diventa il collettore. Fisicamente, il significato, il funzionamento
del dispositivo sar`a del tutto uguale a prima, a meno del seguente fat-
to: il transistore `e progettato sia geometricamente che sotto il punto
di vista dell’iniezione di impurit`a drogante in modo da funzionare con
l’emettitore e il collettore in grado di svolgere i propri relativi compi-
ti nativi, quindi il funzionamento vi sar` a, ma il guadagno in corrente
nella zona, β
R
(R da Reverse, italianizzando Inversa), sar` a una decina
di volte inferiore rispetto al guadagno in zona diretta. Questa zona `e
detta regione attiva inversa.
• V
BE
< 0, V
BC
< 0: nella base arriver` a dall’emettitore un contributo
di corrente infinitesimo, ossia la corrente di polarizzazione inversa. Dal
107
momento che anche la tensione che modula le correnti `e negativa, dun-
que, il dispositivo sar` a di fatto su OFF: questa zona `e detta regione di
interdizione, e nel transistore non passa corrente.
• V
BE
> 0, V
BC
> 0: `e la zona pi` u complicata da studiare, delle quattro
(anche se vedremo che essa si sdoppier`a): essa `e detta regione di sa-
turazione: entrambe le giunzioni sono polarizzate direttamente, ma in
questo caso esistono due ulteriori sottopossibilit` a:
– V
BE
> V
BC
: il diagramma a bande ricorda quello della regione
attiva diretta, ma senza avere un guadagno in corrente: poich`e la
tensione tra base ed emettitore `e superiore a quella tra base e col-
lettore, l’iniezione in base dalla parte dell’emettitore partir` a da un
punto a potenziale pi` u elevato rispetto a quella da base a colletto-
re, quindi di fatto avremo una corrente, nella nostra convenzione,
da sinistra verso destra.
– V
BE
< V
BC
: si ha una situazione duale a quella appena descritta:
il potenziale tra base e collettore `e maggiore a quello tra base ed
emettitore, dunque si pu` o dire che la corrente vada da destra verso
sinistra, e si ha comunque un guadagno pressoch`e nullo (caso duale
a prima, in tutto e per tutto, come gi` a accennato)
Esiste un guadagno in corrente minimo, per` o non ha senso definirlo,
sia per il fatto che esso `e veramente trascurabile (e quindi si pu` o ap-
prossimare ad un regime di saturazione), non presentando un effetto
transistor, sia per motivi che analizzeremo in seguito.
In regione attiva (diretta o inversa che sia) il transistore bipolare si com-
porta come un amplificatore di corrente: il guadagno, definibile e modificabile
mediante la tensione di modulazione, `e costante, e permette di utilizzare l’ef-
fetto transistor; in zona di interdizione o di saturazione il transistore si usava,
un tempo, come interruttore OFF/ON (una sorta di diodo); la prima elet-
tronica digitale si basava sul transistore bipolare, sfruttando anche queste
zone di interdizione e saturazione; ora la tecnologia MOS ha soppiantato la
tecnologia BJT, a causa dei progressi tecnologici fatti in tal senso.
4.4 Modello circuitale statico del transistore
bipolare
Abbiamo parlato delle equazioni di Ebers-Moll, rappresentanti il modello
statico del transistore bipolare. Cerchiamo ora di estrarre da esse, mediante
108
semplificazioni in ciascuna zona, un modello circuitale del dispositivo elettro-
nico, partendo dall’idea che esso `e interpretabile come un nodo generalizzato
in cui convergono tre lati: Base, Emettitore, Collettore. Abbiamo quattro
regioni sostanzialmente da distinguere: occupiamoci di ciascuna di esse.
• Regione attiva diretta: abbiamo un nodo generalizzato con B, C, ed E.
Sappiamo che, a partire dalla corrente di base I
B
, si ha un guadagno
in corrente. Circuitalmente, l’elettrotecnica ci insegna che un buon
modello per rappresentare un guadagno di questo genere `e il generatore
pilotato di corrente: considerando il guadagno β
F
, possiamo dire che tra
collettore C ed emettitore E vi sar` a una corrente I
C
= β
F
I
B
, esprimibile
come un generatore pilotato dal pilota I
B
, corrente che dalla base B
va verso l’emettitore E. Dall’altra parte, si pu` o considerare la totale
analogia con una comune giunzione p-n polarizzata direttamente, e
quindi con un diodo; ricordiamo che, in questo modello, si introduceva
un generatore di tensione V
γ
, dove in questo caso la nostra tensione di
attivazione del transistore coincide con V
BE
. Questo modello presenta
alcune debolezze, che per` o possiamo per ora tralasciare.
• Regione attiva inversa: situazione del tutto uguale alla precedente, con-
siderando semplicemente le seguenti variazioni: al posto dell’emettitore
E vi sar`a il collettore C, al posto del collettore C vi sar`a l’emettitore
E, il guadagno in corrente sar` a β
R
, ed in questo caso la giunzione as-
similabile come diodo polarizzato direttamente sar` a quella tra base e
collettore, dunque il nostro generatore V
γ
sar` a la tensione di attivazione
V
BC
.
• Regione di interdizione: non essendovi contatto tra le tre regioni, pos-
siamo immaginare i tre nodi separati tra loro a due a due.
• Regione di saturazione: abbiamo due giunzioni polarizzate direttamen-
te, e quindi di fatto avremo due diodi in stato ON, con le relative V
γ
.
Una sar`a la tensione tra base ed emettitore, V
BE
, l’altra tra emettitore
e collettore, V
CE
= V
BE
−V
BC
.
Possiamo dunque dire, per quanto scontato sia, che i modelli circuitali
valgono se e solo se ci troviamo nelle opportune condizioni di tensione: si
tratta di quattro casi singoli, che per`o devono essere considerati nel punto in
cui sono stati definiti.
109
4.4.1 Andamento della caratteristica statica
Abbiamo terminato la descrizione del funzionamento del transistore bipola-
re nelle quattro regioni, ci dedichiamo ora a studiarne l’andamento grafico,
facendo alcune osservazioni che ci mancano.
Avendo diverse opzioni da rappresentare, ne scegliamo una fondamentale:
l’uscita di emettitore comune, I
C
(V
CE
), dove V
CE
= V
BE
− V
BC
. Algebrica-
mente, possiamo fare un’osservazione: sappiamo che V
BC
< 0, e V
BE
∼ V
γ
;
consideriamo inoltre un parametro variabile, I
B
, ossia la corrente di base, che
viene amplificata dal guadagno in corrente β
F
. Si otterr`a di fatto una serie
di curve parametriche, in funzione della tensione V
CE
. Possiamo considerare
in base ad osservazioni algebriche questo fatto: la caratteristica statica avr` a
due zone di interesse, ossia V
CE
< V
γ
e V
CE
> V
γ
: se infatti V
CE
> V
γ
, poich`e
sappiamo che il valore di V
BE
∼ V
γ
, allora di sicuro la tensione V
BC
sar` a suffi-
cientemente negativa da poterci permettere di essere sicuri di trovarci in una
regione attiva diretta. Secondo il modello statico, derivante dalle equazioni
di Ebers-Moll, la caratteristica statica del transistore si presenta come una
retta parallela all’asse delle x (dunque una funzione costante), all’aumentare
di V
CE
, poich`e il guadagno in corrente resta costante, al di sopra della tensio-
ne V
BE
. Per valori di V
CE
inferiori alla tensione V
γ
, si ha invece una funzione
decrescente a 0, e si noti il seguente dettaglio: al variare del parametro I
B
,
le curve, da un certo punto di funzionamento V
CE
in indietro verso l’origine
degli assi, tendono asintoticamente allo stesso andamento: da tutte parallele
tra loro, convergono tutte a zero, asintoticamente, allo stesso modo:
Questo andamento del grafico ci potrebbe far pensare al seguente fatto:
se tutte le curve parametriche di I
B
al variare di V
CE
, parallele tra loro,
sono tutte costanti dal punto V
γ
in poi, potremmo dire che mediante un
transistore bipolare si pu`o realizzare un generatore di corrente pilotato ideale:
poich`e il guadagno secondo il modello di Ebers-Moll `e una costante, poich`e
la caratteristica `e una funzione costante, potremmo pensare di aver ottenuto
110
un componente ideale.
Osservando il grafico a sinistra del valore V
γ
, osserviamo che questo an-
damento asintotico di tutte le curve parametriche al variare di I
B
, tendono
asintoticamente allo stesso modo ad andare a 0. Possiamo vedere algebrica-
mente che, se V
CE
< V
γ
, allora significa che se V
BE
∼ V
γ
, dunque V
BC
> 0,
e ci troviamo in una zona di saturazione. L’andamento asintotico di tutte le
curve parametriche ci fa intuire il fatto che non ha senso definire un guadagno
in corrente in zona di saturazione non solo per il fatto che sarebbe minimo,
ma anche perch`e non `e possibile identificare univocamente la curva presente
in un determinato punto della suddetta zona: lo stesso livello di corrente,
pu` o equivalere a diversi valori di I
B
, poich`e se le curve parametriche passano
tutte per lo stesso punto di corrente alla stessa tensione, allora significa che
il guadagno non `e univoco, come effettivamente lo `e in regione attiva diretta,
dove le curve non si intersecano (in quanto tutte parallele tra loro).
4.4.2 Effetto Early
Le vere cattive notizie arrivano per`o su di un altro fronte: tutto ci` o che ab-
biamo finora descritto, `e l’andamento della corrente I
C
previsto dal modello
statico, e, come abbiamo detto, sembrerebbe in grado di simulare l’anda-
mento di un generatore pilotato ideale: al variare della tensione, corrente
costante. Qua vengono per`o evidenziati i veri limiti del modello statico di
Ebers-Moll del transitore bipolare: se analizzassimo in laboratorio la caratte-
ristica statica del transistore, osserveremmo in realt` a il fatto che la pendenza
delle caratteristiche in regione attiva diretta `e non nulla, ma positiva di poco:
Questo dipende dal fatto che l’effetto statico si fonda sulla famosa ipotesi
di considerare l’ampiezza della regione di svuotamento in base non variabile,
ma assimilabile con la lunghezza della base W
B
: la tensione V
CE
per`o `e in
grado di modulare l’ampiezza di svuotamento (poich`e essa dipende da V
BC
,
quindi di fatto, variando la regione di svuotamento, gli effetti ricombinativi
111
diventano sempre meno trascurabili, e quindi di fatto si vedr`a una pendenza
positiva. Il modello come generatore pilotato `e dunque fallimentare, ma nella
cattiva notizia c’`e una buona notizia: man mano che aumenta la tensione, il
transistore continua a guadagnare sempre pi` u corrente, potremmo dire che
funziona sempre meglio, e quindi pur non avendo l’idealit`a, siamo riusciti a
costruire con questo dispositivo un buon amplificatore di corrente.
L’effetto che tiene conto di questa variazione delle regioni di svuotamen-
to `e detto Effetto Early: esso prevede l’aumentare di facilit` a dei portatori
ad attraversare la barriera di potenziale, grazie all’aumento della regione di
svuotamento provocato dall’aumento della tensione V
CE
. Si noti che anche
per il transistore bipolare esiste un fenomeno di breakdown: esso `e legato al
fatto che, alzando molto la tensione V
CE
(o, dualmente, abbassandola mol-
to), `e possibile far toccare, sovrapporre le due regioni di svuotamento, ed in
questo modo di fatto eliminare del tutto fattori ricombinativi, far coincidere
i lati, e perdere il controllo del dispositivo, la cui caratteristica schizzerebbe
aumentando improvvisamente di pendenza.
Analizziamo ora un esercizio pratico, riguardante il transistore bipola-
re, nel quale faremo alcuni approfondimenti e tratteremo alcuni aspetti non
ancora analizzati.
4.5 Esercizio Pratico
Cominciamo ancora prima di fornire i dati dell’esercizio con una piccola
divagazione: dato un transistore bipolare, vale sempre la diseguaglianza a
3:
N
DE
> N
AB
> N
DC
Questo perch`e:
• N
DE
> N
AB
: perch`e il coefficiente α
F
tenda a 1, un buon drogaggio
permette di migliorare l’efficienza di emettitore del transistore;
112
• N
AB
> N
DC
: aumentando il drogaggio in base rispetto a quello in
collettore, si fa s`ı che l’ampiezza della regione di svuotamento in base
sia pi` u difficile da incrementare, in questo modo si riesce ad arginare
l’effetto Early ed anche (e soprattutto) il breakdown.
Considerati dunque, come dati del transistore bipolare: N
DE
= 10
18
;
N
AB
= 5 · 10
16
; N
DC
= 10
16
; W
B
= 0, 2µm; W
E
= 0, 5µm; A
E
= 100µm,
τ
p
= 100ns, µ
p
(N
DE
) = 150, τ
n
= 1µs, µ
n
(N
AB
) = 1200
1. Si determini il diagramma a bande all’equilibrio
2. Supponendo che l’ampiezza della base sia quella all’equilibrio, si valu-
tino i parametri γ
F
, α
T
, α
F
, β
F
3. Supponendo una tensione di polarizzazione V
BE
= 0, 6 V tra base ed
emettitore, e V
CE
= 1 V tra emettitore e collettore, si valuti il modello
di piccolo segnale del transistore bipolare.
4.5.1 Risoluzione
Si determini il diagramma a bande all’equilibrio
In questo esercizio affronteremo diversi modi per calcolare alcuni parametri
del transistore, utilizzando idee di base completamente diverse. Incomincia-
mo con il calcolare, in modo classico, i valori di estrazione, in modo da poter
stimare le barriere di potenziale, all’equilibrio.
Poich`e l’emettitore del transistore bipolare `e un semiconduttore estrema-
mente drogato, quasi degenere, possiamo assumere alcune ipotesi semplifi-
cative: dal momento che in esso il livello di Fermi tende a coincidere con il
livello energetico E
C
, possiamo dire che il lavoro di estrazione coincida con
l’affinit` a elettronica del silicio, nell’emettitore E:

Sn
+
E
qχ = 4, 05eV
Nella base B:

S
p
B
qχ +
E
g
2
+ kT ln
N
AB
n
i
5eV
Nel collettore C:

S
n
C
qχ +
E
g
2
−kT ln
N
DC
n
i
4, 26eV
113
Che senso cercare in questo ambito le quotature del diagramma a ban-
de? Aldil`a del mero esercizio, possiamo renderci conto di un fatto importante:
all’equilibrio le regioni di svuotamento permettono una zona neutra sufficien-
temente estesa; e nella base? Analizziamole: considerando che l’emettitore
`e estremamente drogato, nel calcolo si potr`a considerare N
eq
N
AB
, per le
propriet` a della somma armonica di due termini: un termine molto grande e
uno molto piccolo, sommati armonicamente, daran vita ad un termine molto
vicino a quello piccolo.
x
dEB
x
pEB
=
¸
2
S
Φ
i,BE
qN
AB
= 0, 15µm
x
dBC
=
¸
2
S
Φ
i,BC
qN
eq
= 0, 34µm
Poich`e della regione di svuotamento tra base ed emettitore sappiamo
che essa `e decisamente pi` u ampia nella base, ma non abbiamo informazio-
ni aggiuntive su quella di base-collettore, consideriamo la proporzione dei
drogaggi, con la proporzione delle ampiezze delle regioni di svuotamento: le
ampiezze delle regioni di svuotamento sono inversamente proporzionali alla
concentrazione di drogaggio:
x
nBC
x
pBC
=
N
AB
N
BC
=⇒x
pBC
=
1
6
x
dBC
= 0, 057µm
Si noti che se sommiamo le due ampiezze di svuotamento, otteniamo:
0, 15 + 0, 057 = 0, 207µm
Dal momento che W
B
= 0, 2µm, gi`a all’equilibrio abbiamo una condizio-
ne di breakdown: le regioni di svuotamento si toccano, in questo modo il
transistore ha una condizione di rottura e non vi `e sostanzialmente base.
Scegliamo di modificare il testo del problema, considerando W
B
= 0, 4µm:
in questo modo, pur avendo allungato il lato della base, e quindi peggiorato
il fattore di efficienza, avremo un lato di base neutro pari a 400 −207 nm.
Si valutino i parametri γ
F
, α
T
, α
F
, β
F
Consideriamo dopo queste prime osservazioni e decisioni, il calcolo dei para-
metri richiesti dal problema. Partiamo dall’efficienza di emettitore, γ
F
:
γ
F
=
I
nE
I
nE
+ I
pB
=
I
ndiff
|
0
I
ndiff
|
0
+ I
pB
|
−x
E
114
Studiamo dunque queste espressioni, ricavate in precedenza:
I
pdiff
(−x
E
) = −
qA
E
D
p
n
2
i
N
DE
L
p
_
e
V
BE
V
T
−1
_
Possiamo semplificare la nostra espressione, osservando il fatto che, dal
momento che ci troviamo in polarizzazione diretta, V
BE
> 0, e
V
BE
V
T
1;
sappiamo che la lunghezza di diffusione L
p
`e cos`ı definita:
L
p
=
_
D
p
τ
p
= 6µm
Osserviamo che anche il lato di emettitore `e corto: W
E
L
p
.
Ci` o pu` o essere un bene in un transistore bipolare, in quanto lato corto
implica riduzione della resistenza di accesso al transistore, e quindi siamo
anche in grado di dire che W
E
∼ L
p
:
I
pdiff
|
−x
E
=
−qA
E
D
p
n
2
i
N
DE
W
E
e
V
BE
V
T
Semplifichiamo a questo punto anche l’espressione della corrente di elet-
troni in 0:
I
ndiff
|
0
=
−qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
L
n
_
e
V
BE
V
T
−1
_
cotgh
W
B
L
n
+
qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
L
n
sinh
W
B
L
n
_
e
V
BC
V
T
−1
_
Il secondo termine `e trascurabile rispetto al primo; inoltre, nel primo
termine, oltre a semplificare in precedenza il −1, siamo in grado di fare dei
ragionamenti simili al precedente, sul termine W
B
: poich`e:
L
n
=
_
D
n
τ
n
= 56µm W
B
Possiamo dire di nuovo di trovarci in ipotesi di lato corto (come `e ovvio
che sia la base), e dunque possiamo sviluppare il coseno iperbolico come 1,
ed il seno iperbolico come il proprio argomento:
cosh
W
B
L
n
1; sinh
W
B
L
n

W
B
L
n
Possiamo dunque dire che:
I
ndiff
(0) −
qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
L
n
W
B
L
n
e
V
BE
V
T
= −
qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
W
B
e
V
BE
V
T
Possiamo dunque ora riprendere la definizione di efficienza di emettitore,
e, sostituendo, si ottiene che:
115
γ
F
=
−qA
E
D
p
n
2
i
N
DE
W
E
e
V
BE
V
T
−qA
E
D
p
n
2
i
N
DE
W
E
e
V
BE
V
T
+
−qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
W
B
e
V
BE
V
T
γ
F
=
1
1 +
N
AB
D
p
W
B
N
DE
D
n
W
E
Possiamo calcolare che γ
F
= 0, 9976.
Abbiamo calcolato mediante questa nuova formula l’efficienza di emetti-
tore, semplificando notevolmente i nostri conti. Passiamo ora al calcolo di
un’espressione in grado di fornire il valore del parametro α
T
, ossia del fattore
di trasporto; sappiamo che:
α
T
=
I
ndiff
(0) −I
RB
I
ndiff
(0)
=
I
ndiff
(W
B
)
I
ndiff
(0)
Abbiamo in precedenza effettuato alcune approssimazioni nel termine di
corrente di diffusione di elettroni in base, nel punto x = 0. Queste approssi-
mazioni sono da rivedere, per questo motivo: vediamo che in questo ambito,
`e coinvolta anche la grandezza I
n,diff
(W
B
), che coinvolge un cosh(0), che vale
esattamente 1, tende e non solo a 1, come precedentemente. Di fatto, non sar` a
pi` u possibile approssimare il coseno iperbolico a 1, considerando W
B
L
n
,
in quanto otterremo un’approssimazione troppo grossolana; questa volta un
coseno iperbolico tender` a naturalmente a 1, l’altro sar`a sviluppato in serie
di Taylor, ma troncato al secondo ordine; consideriamo dunque le espressioni
in gioco:
I
ndiff
(0) =
−qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
L
n
_
e
V
BE
V
T
−1
_
cotgh
W
B
L
n

−qA
E
D
n
n
2
i
cosh
W
B
L
n
N
AB
L
n
sinh
W
B
L
n
e
V
BE
V
T
Abbiamo dunque considerato come unica approssimazione, per ora, l’ef-
fetto dell’esponenziale che prevale enormemente sul termine −1 in parentesi;
consideriamo ora l’espressione della corrente di diffusione di elettroni in base,
nel punto W
B
: in questo ambito, come gi`a anticipato, il coseno iperbolico
avr` a argomento algebricamente 0, e non solo tendente a 0:
I
ndiff
(W
B
) =
−qA
E
D
n
n
2
i
cosh(0)
N
AB
sinh
W
B
L
n
L
n
_
e
V
BE
V
T
−1
_

−qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
sinh
W
B
L
n
L
n
e
V
BE
V
T
Consideriamo ora il rapporto tra le due funzioni, ai fini di calcolare il
parametro α
T
:
116
α
T
=
−qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
sinh
W
B
L
n
L
n
e
V
BE
V
T
−qA
E
D
n
n
2
i
cosh
W
B
L
n
N
AB
L
n
sinh
W
B
L
n
e
V
BE
V
T
=
1
cosh
W
B
L
n
Solo ora sfruttiamo il fatto che ci troviamo in semiconduttore corto, consi-
derando il fatto che W
B
L
n
, ma, come anticipato, lo sviluppo considerato
sar` a quello troncato non al primo, ma al secondo ordine:
α
T
=
1
1 +
1
2
W
2
B
L
2
n
= 1 −
W
2
B
2L
2
n
= 0, 999994
Abbiamo ottenuto, anche per il fattore di trasporto α
T
, un’espressione
operativa molto pi` u utile (in caso di un transistore bipolare come quello
proposto dall’esercizio, ma che comunque rappresenta il transistore ottimale:
emettitore corto e molto drogato, base corta), e facile da utilizzare, rispetto
alla definizione. Possiamo ora, partendo da ci`o, calcolare il guadagno in
corrente del transistore:
α
F
= γ
F
α
T
0, 997
β
F
=
α
F
1 −α
F
413
Permettiamoci ora una divagazione, ragionando in modo diverso sul coef-
ficiente di trasporto, α
T
: possiamo infatti importare anche nel transisto-
re bipolare il modello a controllo di carica precedentemente studiato nella
giunzione p-n. Ci`o risulta molto interessante, soprattutto poich`e `e possibile
linearizzare la concentrazione degli elettroni in base, n

p
(x):
n

p
(x)
n
2
i
N
AB
e
V
BE
V
T
W
B
−x
L
n
W
B
L
n
=
n
2
i
N
AB
e
V
BE
V
T
_
1 −
x
W
B
_
Abbiamo dunque ridotto ad una semplice retta la distribuzione di carica,
sfruttando l’ipotesi di lato corto, la distribuzione dei portatori minoritari in
base. Potremmo chiederci come mai non abbiamo effettuato in precedenza
una semplificazione di questo tipo: linearizzare una funzione, ossia ridurla
a retta, implica ridurre la sua derivata ad una costante, o addirittura a 0,
perdendo informazioni su di essa. Il modello a controllo di carica per` o non
richiede la derivazione delle distribuzioni di portatori, bens`ı l’integrazione, al
fine di ottenere la carica totale in eccesso nel semiconduttore. Poich`e siamo
in un caso di retta decrescente, la totale corrente di ricombinazione sar` a
117
assimilabile al calcolo dell’area di un triangolo: considerando la lunghezza
del lato di base come base, e la concentrazione di carica come altezza:
Q

n
=
n
2
i
N
AB
e
V
BE
V
T
W
B
2
(−qA
E
)
Da ci` o, sappiamo semplicemente che la corrente di ricombinazione in base
vale:
I
RB
=
Q

n
τ
n
=
n
2
i
N
AB
e
V
BE
V
T
−qA
E
W
B

n
Da ci`o, `e possibile calcolare il coefficiente di trasporto come:
α
T
=
I
n,diff
(0) −I
RB
I
n,diff
(0)
= 1 −
I
RB
I
n,diff
(0)
= 1 −
−qA
E
W
B
n
2
i
2N
AB
τ
n
e
V
BE
V
T
−qA
E
D
n
n
2
i
2N
AB
W
B
e
V
BE
V
T
= 1 −
W
2
B
2L
n
Abbiamo ottenuto lo stesso risultato espresso precedentemente, mediante
un processo completamente diverso. In realt` a, esiste una via ulteriore, e
ancora pi` u comoda: partendo dalle equazioni di Ebers-Moll, si pu`o vedere
che:
I
E
= a
1,1
_
e
V
BE
V
T
−1
_
+ a
1,2
_
e
V
BC
V
T
−1
_
I
C
= a
2,1
_
e
V
BE
V
T
−1
_
+ a
2,2
_
e
V
BC
V
T
−1
_
Poich`e ci troviamo in regione attiva diretta, V
BC
< 0, possiamo dire che
il secondo termine sia in questo ambito del tutto trascurabile, per entrambe
le equazioni:
I
E
a
1,1
_
e
V
BE
V
T
−1
_
I
C
a
2,1
_
e
V
BE
V
T
−1
_
Da ci`o, si pu`o semplicemente ricavare che:
I
E

a
1,1
a
2,1
I
C
=⇒α
F
= −
a
1,1
a
2,1
Possiamo terminare questa divagazione, ed essere soddisfatti per tutte le
tecniche finora acquisite per il calcolo dei parametri del transistore bipolare:
abbiamo visto che, mediante ipotesi e tecniche completamente diverse, si
arriva a ottenere risultati assolutamente analoghi.
118
Si valuti il modello di piccolo segnale del transistore bipolare
Parliamo ora del terzo punto del problema, ossia lo studio di un modello di
piccolo segnale del transistore bipolare. Come dati abbiamo che V
BE
= 0, 6
V, che V
CE
= 1 V, ma poich`e V
CE
= V
BE
−V
BC
, sappiamo che V
BC
= −0, 4
V. Usiamo quello che viene detto il modello a π semplificato, utile in quanto
torner` a utile in seguito nello studio di sistemi MOS. Nella regione attiva
diretta, I
E
dipende molto da V
BE
, mentre I
C
`e rappresentabile come:
I
C
= −α
F
I
E
Il modello di piccolo segnale si basa, come abbiamo gi` a visto preceden-
temente, su piccolissime variazioni di tensione; per analzizare la variazione
di corrente I
C
, varieremo la tensione che la modula, indirettamente: V
BE
(si
discuter` a meglio sul significato della parola ’indirettamente’).
Abbiamo, nel transistore bipolare, un dispositivo che dal mondo esterno si
vede come un diodo, ed un collettore che di fatto non fa altro che raccogliere
la corrente. Consideriamo, a partire dalle equazioni di Ebers-Moll, che, per
la stessa ipotesi considerata precedentemente,
I
C
(V
BE
; V
BC
) I
C
(V
BE
)
I
C
= a
2,1
e
V
BE
V
T
Si noti che, poich`e adottiamo il modello statico introdotto da Ebers-Moll,
consideriamo trascurato l’effetto Early. Possiamo al solito trascurare i termini
dipendenti dalla tensione tra base e collettore, V
BC
, poich`e siamo ijn regione
attiva diretta. Linearizziamo dunque il nostro modello, considerando una
variazione infinitesima della corrente I
C
rispetto alla tensione di controllo,
V
BE
:
∂I
C
∂V
BE
¸
¸
¸
¸
V
BEop
=
a
2,1
V
T
e
V
BEop
V
T
Definiamo dunque la corrente del punto di lavoro, I
Cop
, come:
I
Cop

∂I
C
∂V
BE
¸
¸
¸
¸
V
BEop
Essendo noi in un modello di piccolo segnale, modificando infinitesi-
mamente la tensione V
BEop
con un piccolo segnale v
be
, possiamo vedere
che:
119
I
Cop
V
T
= g
m
Dove questa g
m
rappresenta una conduttanza analoga a quella preceden-
temente studiata nel diodo a giunzione. Si noti il seguente fatto: togliendo
gli offset verticali ed orizzontali I
Cop
e V
BEop
, si vedrebbe che g
m
rappresenta
una retta, e dunque una resistenza, o almeno potremmo pensarlo. In realt` a,
V
BE
come gi`a detto modula solo indirettamente il valore di g
m
, poich`e `e la
tensione di controllo, ma `e la tensione sulla giunzione tra base e collettore,
mentre g
m
si trova tra base ed emettitore; si parla dunque di g
m
come di una
transconduttanza, ossia, come di un parametro che, moltiplicato per il pilota
v
be
, permette di ottenere I
C
, anche se non vi `e una relazione diretta.
Ci manca un ulteriore parametro: ci` o che collega la base B all’emettitore
E. Potremmo ripetere le operazioni precedenti, considerando I
B
:
I
B
=
I
C
β
F
=⇒
1
β
F
∂I
C
∂V
BE
¸
¸
¸
¸
V
BEop
=
g
m
β
F
Possiamo dunque definire la resistenza del nostro modello π, r
π
, come:
r
π
=
β
F
g
m
Il modello di piccolo segnale del transistore bipolare sar` a semplicemente
rappresentato da un nodo generalizzato, in cui tra B ed E sta la r
π
, tra E e
C il generatore pilotato di valore I
C
= g
m
v
be
, dove v
be
, ossia il piccolo segnale
del nostro modello, rappresenta la tensione sulla r
π
.
Divaghiamo, accennando al modello di ampio segnale del transistore bi-
polare: consideriamo il fatto che ci troviamo semplicemente in una doppia
giunzione, e dunque dovremo considerare capacit` a di svuotamento e capacit`a
di diffusione per ognuna delle giunzioni. Dal momento che il punto di funzio-
namento del transistore interessante `e la regione attiva diretta, e quindi in
cui V
BE
> 0, e V
BC
< 0, possiamo dire che un parametro sar`a trascurabile:
C
DIF
(V
BC
) 0 poich`e ci troviamo in una zona di polarizzazione inversa della
giunzione base-collettore, e quindi possiamo trascurare.
Possiamo calcolare i parametri linearizzati, a partire dal modello di ampio
segnale, al fine di terminare del tutto il modello di piccolo segnale:
g
m
=
I
Cop
V
T
; I
Cop
= a
2,1
e
V
BEop
V
T
; a
2,1
=
qA
E
D
n
n
2
i
L
n
N
AB
sinh
W
B
L
n

qA
E
D
n
n
2
i
N
AB
W
B
120
r
π
=
β
F
g
m
; C
DEP
(V
BEop
) =
¸
q
S
N
A
2(Φ
i
−V
BEop
)
; C
DEP,BC
=
¸
q
S
N
eq
2(Φ
BC
−V
BCop
)
Possiamo infine linearizzare la carica totale, considerando come al solito
le ipotesi di lato corto. Poich`e inoltre il lato dell’emettitore `e estremamente
drogato (cosa gi` a sfruttata nel calcolo di C
DEP
(V
BEop
), possiamo dire che il
contributo di carica di diffusione in base sia trascurabile. Calcoliamo dunque
nella base B la carica totale come area del triangolo, per poi derivare rispetto
alla tensione e cos`ı trovare la capacit` a di diffusione:
Q

= Q

p
+ Q

n
Q

n
= −qA
E
n

p
(0)
W
B
2
= −
qn
2
i
W
B
A
E
2N
AB
e
V
BE
V
T
Derivando:
C
DIF
=
¸
¸
¸
¸
∂Q

n
∂V
BE
¸
¸
¸
¸
=
qn
2
i
W
B
A
E
2N
AB
V
T
e
V
BE
V
T
121
Capitolo 5
Sistemi MOS
L’acronimo MOS significa Metallo-Ossido-Semiconduttore (o meglio in ingle-
se Metal-Oxide-Semiconductor); per costruire dispositivi basati sulla tecno-
logia MOS, si usano:
• Come metalli: in principio Alluminio (Al), poi Silicio (Si) policristallino
molto drogato;
• Come ossido: biossido di silicio (SiO
2
), comunemente detto quarzo
(notoriamente isolante);
• Come semiconduttore: Silicio (Si-p o Si-n).
Per ora, fino a quando non si affermer`a il contrario, si considerer`a una
struttura di alluminio, quarzo, e silicio drogato tipo p.
Siamo in grado di tracciare il diagramma a bande del dispositivo appena
unito, ancora fuori dall’equilibrio, considerando come facemmo in precedenza
il livello del vuoto E
0
continuo, e tutti gli altri livelli discontinui.
Unendo i tre materiali, i livelli di Fermi dovrebbero tendere a parificarsi,
per poter ottenere una condizione di equilibrio. Il problema che fa variare
questa situazione rispetto a quelle precedentemente studiate, `e la presenza
dell’ossido, che `e un isolante, e dunque impedir` a il passaggio di carica al suo
interno, a causa del suo enorme gap di energia (e non solo come vedremo tra
pochissimo). Poich`e si raggiunga l’equilibrio si pu`o ipotizzare, con le nostre
attuali conoscenze, che serva un tempo infinito. Supponendo che l’equilibrio
sia gi`a stato raggiunto, il diagramma a bande sar` a di questo tipo:
Il metallo a causa della propria natura non pu` o subire modifiche o pieghe
dei livelli energetici; il semiconduttore, poich`e ha lavoro di estrazione pi` u
elevato, si svuota parzialmente, di lacune. Poich`e del dielettrico sappiamo
122
che esso `e in mezzo ai due, possiamo assimilare il sistema ad un condensato-
re, il cui campo `e dunque costante ovunque, ed il potenziale varia in modo
intuitivamente lineare. Cosa si `e originata dunque? Una struttura dota-
ta di barriere di potenziale all’interfaccia con l’ossido: conosciamo il lavoro
di estrazione del metallo, e del semiconduttore, e sappiamo che nell’ossido

OX
qχ, quindi possiamo dire che E
0
−qχ = E
C
; ma E
C
non `e costante,
e anzi in prossimit` a delle interfacce con l’ossido presenta discontinuit` a, per
essere precisi di 3,3 eV (con il metallo), e di 3,25 eV (con il semicondutto-
re), come si pu` o calcolare semplicemente mediante l’approssimazione appena
presentata del lavoro di estrazione dell’ossido con la sua affinit` a elettronica.
Una barriera di potenziale cos`ı elevata non pu` o essere saltata, e nei nostri casi
neanche attraversata per effetto tunnel, poich`e i dispositivi che consideriamo
hanno strati di ossido il cui spessore T
OX
100 amstrong.
5.1 Analisi Elettrostatica
Introduciamo un primo discorso sullo studio del sistema MOS; alcuni detta-
gli per ora trascurati, saranno comunque in seguito ripresi ed approfonditi.
Consideriamo nel sistema una convenzione che prevede l’asse x con l’origine
nell’interfaccia metallo-ossido, e con verso positivo da sinistra verso destra.
Dalle equazioni di Maxwell si pu` o studiare che, in un qualsiasi sistema, il
prodotto della costante dielettrica e del campo elettrico nel medesimo pun-
to `e una funzione continua (teorema dello spostamento dielettrico). L’ossido
sar` a privo di cariche in principio, il semiconduttore p in questione avr` a invece
una carica pari a ρ = −qN
A
x
d0
.
Il metallo per definizione non potr` a avere eccessi locali di carica, ma,
123
poich`e deve essere rispettata la neutralit` a globale nel semiconduttore, si pu`o
pensare che, in prossimit` a dell’interfaccia metallo-ossido, vi sia una δ di ca-
rica che permetta un impulso di carica pari a qN
A
x
d0
, e cio`e in grado di
neutralizzare la carica di svuotamento del semiconduttore. Poich`e vale la
legge dello spostamento dielettrico, possiamo dire che:
ε
OX

OX
= ε
S
(0)
S
Poich`e
OX
= 3, 9, e
S
= 11, 7, vi sar` a una barriera, come gi`a accenna-
to. Il campo presenter`a una discontinuit`a nella posizione 0 dell’asse delle x,
affinch`e lo spostamento dielettrico sia verificato; applicando l’equazione di
Poisson, integriamo rapidamente la carica di svuotamento, ottenendo:
ε
OX
=

S

OX
ε
S
(0) =

S

OX
qN
A

S
x
d0
124
Per il calcolo del potenziale, introduciamo un’ulteriore convenzione: con-
sideriamo la massa del sistema in +∞, e quindi:
Φ(+∞) = 0; Φ = −
_
εdx
Qualitativamente, il potenziale avr`a un andamento quadratico dall’ini-
zio della zona di svuotamento all’interfaccia con l’ossido, per poi crescere
linearmente, e quindi stabilizzarsi nel metallo. Si definisce, nel metallo, il
potenziale Φ
MS
come il potenziale di contatto tra metallo e semicondutto-
re: questa definizione `e priva di senso fisico in quanto non vi `e un contatto,
impedito dall’ossido, ma torner` a estremamente utile come definizione.
Il potenziale tra silicio e metallo, sar` a:
Φ
MS
=

M
−qΦ
Sp
−q
∼ 0, 9V
Il potenziale di contatto ha due contributi: V
S
, ossia quello provocato
dalla zona di svuotamento del semiconduttore, e V
OX
, ossia quello provocato
dall’appena citato andamento lineare del potenziale nell’ossido. Per quotare
tutto il diagramma a bande, mancano ancora alcuni parametri: x
d0
, V
S
, V
OX
.
Consideriamo una sorta di equazione alla maglia:
Φ
MS
= V
OX
+ V
S
Possiamo anche esprimere le due tensioni come funzioni di x
d0
:
V
S
=
qN
A
2
S
x
2
d0
V
OX
=
qN
A

OX
x
d0
T
OX
Si noti che per`o possiamo identificare, come gi`a detto, lo spazio compreso
tra metallo e semiconduttore come un condensatore, e dunque identificare
nell’ossido una capacit`a, ossia con un condensatore a facce piane parallele:
C
OX
=
ε
OX
T
OX
=⇒V
OX
=
qN
A
x
d0
C
OX
Sostituendo, l’equazione alla maglia diverr` a:
Φ
MS
=
qN
A
x
d0
C
OX
+
qN
A
2
S
x
2
d0
=⇒x
2
d0
+
2
S
C
OX
x
d0
−Φ
MS
2
S
qN
A
= 0
125
Risolvendo l’equazione in funzione dell’incognita x
d0
, e considerando solo
la radice positiva:
x
d0
= −

OX
C
OX
+
¸
_

S
C
OX
_
2
+
2
S
Φ
MS
qN
A
Tipicamente, la zona di svuotamento x
d0
ha un valore intorno ai 0,1 µm;
nelle condizioni che stiamo studiando ora (equilibrio), Φ
MS
sar` a per met` a
dovuta a tensioni dell’ossido V
OX
, e per met` a alla V
S
del semiconduttore.
Possiamo dire di aver quotato il diagramma a bande all’equilibrio di questa
prima struttura MOS.
Passiamo ora al considerare il semiconduttore MOS in situazioni fuori
equilibrio, e quindi consideriamo l’applicazione sul metallo M e sul semi-
conduttore S di una tensione esterna V
a
, considerando, in coerenza con la
precedente convenzione introdotta, il − sul verso del semiconduttore, e il +
verso il metallo.
Abbiamo sostanzialmente due possibilit` a da studiare, ossia V
a
< 0, e
V
a
> 0.
5.1.1 Polarizzazione di un sistema MOS con tensione
negativa
Se consideriamo una V
a
< 0, dalle nostre attuali conoscenze sappiamo esclusi-
vamente che i lati del semiconduttore saranno abbassati: con una tensione di
polarizzazione esterna negativa infatti i livelli energetici dei lati si alzeranno
rispetto al lato semiconduttivo, la curvatura del semiconduttore si ridurr` a,
e con essa la regione di svuotamento. Per una determinata tensione, pre-
cisamente per V
a
= −Φ
MS
, la tensione esterna compenser` a interamente il
potenziale di contatto, e cos`ı il livello di barriera E
0
sar` a allo stesso livello
per i tre materiali, e quindi avremo interamente compensato il potenziale di
contatto Φ
MS
(come suggerisce anche la definizione della tensione). Questa
situazione si dice di Flat Band (ossia condizione di banda piatta); questa
`e una condizione che non abbiamo ancora incontrato in precedenza, infatti
il fatto che l’ossido separi metallo e semiconduttore, impedisce il raggiun-
gimento della giunzione di non possibile raddrizzamento dei livelli, a causa
dell’irrefrenabile flusso di portatori di carica, che in questo caso vengono
bloccati dalla barriera di potenziale dell’ossido. Si `e soliti dunque definire la
tensione di banda piatta, V
FB
, come:
V
FB
−Φ
MS
126
Abbassando ulteriormente la tensione, e quindi per V
a
< V
FB
, vi `e il
sorpasso del livello E
0
del metallo rispetto a quello del semiconduttore: ci`o
indurr` a una carica positiva nel semiconduttore drogato tipo p (come si po-
trebbe anche vedere dal diagramma a bande), dando vita ad una regione
duale a quella di svuotamento: la regione di accumulo. In questo caso, la
δ di carica del metallo diventerebbe negativa, poich`e dovrebbe compensare
la carica di accumulo positiva nel semiconduttore. Non ci interessa ad ogni
modo lo studio del sistema MOS in condizioni di accumulo, quindi questo
cenno sulla condizione di V
a
< 0 non rappresenter`a il punto di funzionamento
dei dispositivi basati su tecnologie di questo tipo, o almeno non di quelle da
noi trattate.
5.1.2 Inversione di popolazione
Considerando una V
a
> 0, rispetto alla condizione di equilibrio, aumenter`a
la flessione del livello energetico del semiconduttore, che si innalzer` a ulte-
riormente rispetto a quello del metallo e dell’ossido. Progressivamente con
l’aumentare di V
a
, aumenter` a progressivamente l’ampiezza della regione di
svuotamento, ma vi saranno fenomeni che non siamo in grado di prevede-
re finora: lontani dal punto x
d
si ha la neutralit` a, la pi` u totale normalit`a,
come in uno stato di equilibrio; avvicinandoci per`o all’ossido, notiamo che
la distanza E
F
i
(x) − E
F
continua a diminuire, addirittura, a certe tensioni
V
a
, diventando negativa; mediante le equazioni di Shockley, si pu` o di fatto
studiare (come faremo tra non molto) fenomeni interessanti legati a ci` o. Sap-
piamo per ora che per x → +∞, n
p
(+∞) → n
p0
, e che p
p
(+∞) → N
A
; la
distanza varia, come gi` a detto in precedenza per la giunzione, solo in regione
di svuotamento. Continuiamo a proporre definizioni e osservazioni, prima di
passare a calcoli rigorosi, definendo il parametro:

p
E
F
i
(+∞) −E
F
127
Possiamo qualitativamente osservare che, se la V
a
flette a sufficienza le
bande al punto da far s`ı che E
F
i
(0) − E
F
= −qΦ
p
, allora nel punto 0,
n
p
(0) = p
p
(+∞). Sostituendo i dati nelle equazioni di Shockley si pu`o
avere riscontro formale di questo fatto, straordinario: dato un drogaggio
N
A
= 10
17
, in un semiconduttore in cui quindi gli elettroni sono minoritari,
si avrebbe una densit`a di elettroni pari a N
A
, in prossimit` a dell’interfaccia
con l’ossido. Questo meccanismo `e detto inversione di popolazione, ed `e in-
teressantissimo per creare dispositivi molto particolari: la densit`a enorme di
inversione n
p
(x) si viene a formare in uno spazio ridottissimo, in una nicchia
provocata dall’estremo curvamento dei livelli energetici causato dalla tensio-
ne esterna V
a
: questa `e di fatto una zona confinata stracolma di elettroni
(zona di inversione), e dunque fortemente conduttiva. Questa zona `e alla ba-
se del funzionamento del transistore MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor
Field-Effect-Transistor), dispositivo cos`ı costruito: su di un substrato droga-
to p (seguendo il nostro caso, poi ovviamente `e possibile invertire i drogaggi),
vengono impiantate due zone, due pozzetti fortemente drogati tipo n
+
, uno
detto source, l’altro detto drain. Metteremo a contatto ossido e metallo con
questi pozzetti, in modo che il canale scorra, per cos`ı dire, sotto l’ossido. Il
canale `e proprio questa zona di inversione, questa nicchia creata dalla for-
te tensione di cui abbiamo parlato. Vi saranno due tensioni alla base del
funzionamento di un MOSFET:
• V
GS
: la tensione del gate metallico, ossia quella che finora abbiamo
chiamato V
a
: essa `e la tensione che permette la creazione di un canale
di elettroni, nel semiconduttore;
• V
DS
: `e la tensione positiva tra drain D e source S, che sposta gli elet-
troni, passando nel canale che si viene a creare per inversione permessa
dalla V
GS
, appunto prendendoli dal source e spostandoli verso il drain
(poich`e il + `e sul drain, gli elettroni andranno in questo senso).
128
5.2 Calcolo della carica di inversione
Consideriamo d’ora in poi un’analisi pi` u quantitativa: per poter calcolare
eventuali correnti infatti `e necessario conoscere la concentrazione complessiva
della carica di inversione (di cui ora non abbiamo un’espressione operativa).
Per fare ci` o, avremo a disposizione mezzi matematici molto ridotti e basilari:
equazione di continuit` a, equazioni di Shockley, equazione di Poisson.
Sappiamo che:
ρ(x) = q(p
p
(x) −n
p
(x) −N
A
)
Vorremmo esplicitare, in funzione della tensione complessiva del semi-
conduttore, le due concentrazioni di portatori, p
p
(x) e n
p
(x); partiamo dalle
equazioni di Shockley:
p
p
(x) = n
i
e
E
F
i
(x)−E
F
kT
; n
p
(x) = n
i
e

E
F
i
(x)−E
F
kT
Definiamo per comodit` a il parametro qΦ(x) E
F
i
(x) −E
F
:
=⇒p
p
(x) = n
i
e
qΦ(x)
kT
; n
p
(x) = n
i
e

qΦ(x)
kT
Sappiamo che, molto lontani dall’interfaccia con l’ossido:
p
p
(+∞) = p
p0
= n
i
e

p
kT
; n
p
(+∞) = n
p0
= n
i
e


p
kT
Ricaviamo, ora, da queste ultime due espressioni, n
i
, per poi sostituirlo
nelle equazioni di partenza:
n
i
= p
p0
e


p
kT
; n
i
= n
p0
e

p
kT
Tornando finalmente alle equazioni di Shockley iniziali:
p
p
(x) = p
p0
e
qΦ(x)−qΦ
p
kT
; n
p
(x) = n
p0
e

qΦ(x)−qΦ
p
kT
Possiamo, ora, per comodit` a, definire una funzione che studi il potenziale,
con riferimento a +∞:
Ψ(x) =
qΦ(x) −qΦ
p
−q
In un certo senso potremmo dire che Ψ(x) rappresenta il nostro voltmetro
ideale: fissata la massa in un punto di neutralit` a (come un ideale +∞),
spostandoci in diverse x avremo la tensione nel punto interessato. Si noti che
Ψ(0) = V
S
(poich`e misuriamo semplicemente in questo modo il contributo
del solo semiconduttore al potenziale di contatto);
129
Possiamo dunque riscrivere ordinatamente le equazioni di Shockley, nel
seguente modo:
p
p
(x) = p
p0
e

Ψ(x)
V
T
n
p
(x) = p
p0
e
Ψ(x)
V
T
In condizioni di banda piatta, Ψ(x) = 0 a tappeto, per qualsiasi x; in
inversione, invece, Ψ(x) sar`a una funzione crescente, muovendoci da de-
stra verso sinistra. Possiamo dunque dire che essa ben modellizza ci`o che
intendevamo modellizzare.
Torniamo ora a parlare della ρ; possiamo dire, poich`e lontano dall’inter-
faccia con l’ossido vi `e neutralit`a, che ρ(+∞) = 0. Possiamo per` o quindi
anche dire che:
ρ(+∞) = 0 =⇒q(p
p
(+∞) −n
p
(+∞) −N
A
) = 0 =⇒p
p0
−n
p0
−N
A
= 0
Possiamo dunque ricavare N
A
:
N
A
= p
p0
−n
p0
Sostituendo ci`o nell’espressione della densit`a di carica, otteniamo che:
ρ(x) = +q
_
p
p0
e

Ψ(x)
V
T
−n
p0
e
Ψ(x)
V
T
−p
p0
+ n
p0
_
Quindi, ordinando:
ρ(x) = q
_
p
p0
_
e

Ψ(x)
V
T
−1
_
−n
p0
_
e
Ψ(x)
V
T
−1
__
Ora che abbiamo un’espressione della carica pi` u interessante, possiamo
considerare l’equazione di Poisson con la funzione Ψ(x) come tensione varia-
bile. Nella fatispecie, il nostro scopo sar` a risolvere l’equazione differenziale:

2
Ψ(x)
∂x
2
= −
q

S
_
p
p0
_
e

Ψ(x)
V
T
−1
_
−n
p0
_
e
Ψ(x)
V
T
−1
__
Vogliamo dunque capire in che situazione ci verremo a trovare, in segui-
to all’integrazione. Incominciamo rappresentando qualitativamente carica e
campo elettrico: l’effetto della tensione applicata aumenta infatti progres-
sivamente l’ampiezza della zona svuotata; se V
a
`e abbastanza positiva, si
former` a, interfacciata con l’ossido, una linguetta di carica, la famosa nicchia
che abbiamo prima nominato, ossia la zona di inversione, sottile alcuni nm.
130
Partendo da un generico x
0
> x
p
, sappiamo per certo, avendo noi fissato
la nostra massa, che ε(x
0
) = 0, e Ψ(x
0
) = 0. Possiamo dunque applicare la
legge di Poisson, per ottenere il campo come integrale della densit` a di carica
ρ; consideriamo un cambio di variabili, ed una moltiplicazione membro a
membro per il fattore
∂Ψ(x)
∂x
, il cui differenziale sar`a ∂y =

2
Ψ(x)
∂x
2
∂x, al fine di
risolvere l’integrale per sostituzione:
y =
∂Ψ
∂x
; dy =

2
Ψ
∂x
2
∂x
Notiamo che dunque, sostituendo, abbiamo semplicemente, al primo mem-
bro, ydy. Integrando dunque ambo i membri, incominciamo con il discutere
il primo:
ydy =⇒
_
−ε(x)
−ε(x
0
)
ydy =
y
2
2
=
(−ε(x))
2
2
Gli intervalli di integrazione considerano il fatto che, per l’equazione di
Poisson,
y =
∂Ψ
∂x
= −ε(x)
Risolto questo dettaglio, passiamo al secondo membro, integrato:
_
Ψ(x)
Ψ(x
0
)

q

S
_
p
p0
_
e

Ψ(x)
V
T
−1
_
−n
p0
_
e
Ψ(x)
V
T
−1
__
∂Ψ =
= −
q

S
_
p
p0
_
−V
T
e

Ψ(x)
V
T
+ V
T
_
−p
p0
Ψ(x) −n
p0
_
V
T
e
Ψ(x)
V
T
−V
T
_
+ n
p0
Ψ(x)
_
=
= −
q

S
_
p
p0
V
T
_
1 −e

Ψ(x)
V
T
_
+ n
p0
V
T
_
1 −e
Ψ(x)
V
T
_
+ Ψ(x)(n
p0
−p
p0
)
_
=
(−ε(x))
2
2
Abbiamo ottenuto un risultato molto importante: abbiamo espresso il
campo elettrico ε(x) in funzione del potenziale Ψ(x): infatti:
ε(x) = ±
¸
2q

S
_
p
p0
V
T
_
1 −e

Ψ(x)
V
T
_
+ n
p0
V
T
_
1 −e
Ψ(x)
V
T
_
+ Ψ(x)(n
p0
−p
p0
)
_
Si noti per`o un fatto: in precedenza, avevamo gi`a calcolato, velocemente,
il campo nel punto x = 0, sfruttando le nostre competenze elettrostatiche
131
riguardanti lo studio di un semiconduttore. Come mai abbiamo rieffettua-
to questa operazione, complicandola oltretutto notevolmente? In effetti, le
nostre precedenti competenze erano insufficienti ad esprimere interamente
la fenomenologia nascosta dietro ci` o che capita nel semiconduttore drogato
tipo p che stiamo studiando: il precedente studio, teneva esclusivamente con-
to della carica di svuotamento, ignorando totalmente la linguetta, la carica
di inversione. Questa avr`a un’influenza assolutamente non trascurabile, in
quanto provocher`a un picco del campo ε, in un intorno del punto x=0.
Consideriamo il seguente fatto: se applicassimo il teorema di Gauss al
sistema in studio, appoggiando un cilindro sull’ossido, vedremmo che sulla
superficie laterale del cilindro, e sulla base sospesa, il campo sarebbe nullo. Di
fatto, l’unica zona a campo elettrico non nullo `e proprio la faccia appoggiata
sull’ossido. Applicando dunque anche matematicamente il teorema, vediamo
che la carica totale del semiconduttore S, `e esprimibile come:
Q
S
= −ε(0)
S
Q
S
`e una funzione della carica totale nel semiconduttore, in funzione di
V
S
, rappresentante la carica su cm
2
. Ricordando che abbiamo precedente-
mente detto che Ψ(0) rappresenta V
S
, ossia il contributo del semiconduttore
al potenziale di contatto, possiamo dire che il campo in 0 vale:
ε(0) = f(Ψ(0)) = f(V
S
) = ±
¸
q

S
_
p
p0
V
T
_
1 −e

V
S
V
T
_
+ n
p0
V
T
_
1 −e
V
S
V
T
_
+ V
S
(n
p0
−p
p0
)
_
Vedendo l’andamento del campo, vediamo che esso `e funzione della tensio-
ne V
S
, ma dunque anche Q
S
sar` a una funzione di V
S
. Si `e soliti rappresentare
a questo punto il modulo della funzione Q
S
, fondamentale per lo studio di
un sistema MOS:
Quando V
S
= 0, ci troviamo in zona di banda piatta. Quando V
S
< 0,
siamo in regione di accumulo, come abbiamo precedentemente introdotto.
La parte interessante verr`a dopo, quando V
S
> 0: quando V
S
∼ 0, 45 V
siamo in una zona di equilibrio. Man mano che andiamo avanti, da 0 in poi,
avremo prima un regime governato da

V
S
. Crescendo per` o la tensione V
S
,
si attivano, dentro la radice, gli esponenziali, che instaurano il regime di in-
versione dapprima debole, per poi stabilizzarsi nel regime di forte inversione.
L’esponenziale `e talmente potente che cresce praticamente verticalmente, da
una certa tensione in poi, e in questo modo blocca la tensione: aldil` a di un
certo valore, si avrebbe una Q
S
elevatissima, senza controllo, quindi abbiamo
un blocco della tensione di controllo in questione. Il valore in cui la tensione
132
si blocca `e, nella fatispecie, V
S
= 2Φ
p
. Questa `e l’informazione fondamentale
che ci fornisce lo studio della funzione di Q
S
.
Dall’andamento del grafico di Q
S
possiamo dunque affermare che se un
sistema MOS entra in stato di forte inversione (SI, Strong Inversion), pos-
siamo considerare costante la tensione V
S
, e uguale a 2Φ
p
. Questo accade
perch`e, fino a questo limite, il semiconduttore riesce di fatto a contribuire al
potenziale di contatto, prendendosi a carico met`a della sua tensione, mentre
l’altra met`a andr`a a carico dell’ossido (la V
OX
). Aldil` a del valore limite da
noi descritto, il semiconduttore continuer` a a prendere in carico esclusicamen-
te V
S
= 2Φ
p
, mentre continuer` a a crescere la tensione a carico dell’ossido,
V
OX
, in grado di sostenerla, grazie alle proprie caratteristiche dielettriche.
5.3 Determinazione della tensione di soglia di
un sistema MOS
Abbiamo parlato largamente della tensione V
S
, ma non abbiamo idea di come
studiare il suo andamento, al variare della tensione applicata al gate metal-
lico, ossia al variare della nostra V
a
esterna. Abbiamo infatti finora parlato
dettagliatamente di tensioni interne al semiconduttore, e al dispositivo MOS
in generale, ma senza creare collegamenti con l’esterno. Vogliamo dunque
studiare la tensione di soglia nominale, ossia la minima tensione che porta
un sistema MOS in stato di strong inversion.
133
L’idea che possiamo sfruttare `e la seguente: studiare la distribuzione delle
tensioni in un MOS partendo dal punto di equilibrio, per arrivare al valore
critico di V
S
= 2Φ
p
. Graficamente, possiamo immaginare che continui ad
alzarsi il potenziale del metallo rispetto a quello del semiconduttore, e che
al di sopra di una certa tensione, il semiconduttore non sia pi` u in grado di
sostenere V
S
, e dunque V
a
andr` a interamente a ripartirsi sull’ossido, mentre
a rimanere ferma a 2Φ
p
sul semiconduttore.
Possiamo scrivere un’equazione alla maglia di questo dispositivo:
V
a
−V
FB
= V
OX
+ V
S
Da qui, possiamo dire che:
V
OX
= V
a
−V
FB
−2Φ
p
Come abbiamo gi`a affermato in precedenza, l’ossido funziona come un
condensatore a facce piane parallele dotato di un dielettrico tra le armature;
la carica sul metallo, `e di fatto come gi` a affermato una δ, di carica uguale
ed opposta a quella del semiconduttore (al fine di mantenere la neutralit`a
globale).
Possiamo dividere il contributo della carica totale al semiconduttore,
Q
S
, come somma di due contributi: cariche dovute allo svuotamento, Q
d
,
e cariche dovute all’inversione, Q
n
. Possiamo dire che:
Q
S
= −(Q
d
+ Q
n
) = C
OX
V
OX
=⇒Q
S
= C
OX
(V
a
−V
FB
−2Φ
p
)
Sappiamo che:
C
OX
=

OX
T
OX
Dunque, possiamo dire che la carica di inversione, Q
n
, valga:
Q
n
= −C
OX
(V
a
−V
FB
−2Φ
p
) −Q
d
Ma Q
d
in questo ambito, `e la carica di svuotamento, in stato di strong
inversion. Se V
S
= 2Φ
p
, ed `e bloccata, allora possiamo dire che anche la
variazione di ampiezza di regione di svuotamento, x
dSI
, si blocchi:
x
dSI
=
¸
2
S
V
S
qN
A
In generale, `e possibile esprimere la tensione V
S
come area del triangolo
rappresentante il campo elettrico nel semiconduttore:
134
V
S
=
qN
A
x
2
d
2
S
Possiamo dunque dire che la carica di svuotamento in queste condizioni
valga:
Q
dSI
= −qN
A
x
dSI
= −
_
2
S
qN
A

p
E quindi, la carica di inversione Q
n
sar` a:
Q
n
= −C
OX
(V
a
−V
FB
−2Φ
p
) +
_
2
S
qN
A

p
5.3.1 Calcolo della tensione di soglia
Prima di terminare il calcolo della tensione di soglia, forniamo la definizione
precisa di tensione nominale di soglia, V
T
(nella fatispecie, si parler` a di V
Tn
in caso di MOS a zona di inversione contenente elettroni, e dunque con
un semiconduttore drogato p, e di V
Tp
in un MOS con zona di inversione
contenente lacune (e dunque semiconduttore drogato tipo n): V
T
`e la tensione
che, applicata ad un sistema MOS, porta il sistema in forte inversione pur
potendo considerare ancora quasi nulla la carica di inversione.
Cosa significa questa definizione? Partendo dall’equazione appena rica-
vata, ed imponendo una carica di inversione nulla, quindi Q
n
= 0, vediamo
che:
V
Tn
= V
FB
+ 2Φ
p
+
1
C
OX
_
2q
S
N
A

p
Questa `e la tensione di soglia nominale: il limite che separa la strong
inversion e la weak inversion.
Possiamo dunque riscrivere l’espressione della carica di inversione come:
Q
n
= −C
OX
(V
a
−V
Tn
)
Cosa abbiamo scoperto, da quest’ultima riscrittura della carica di inver-
sione? Di fatto il sistema MOS si comporta come un condensatore molto
particolare: esso richiede una tensione di attivazione, pari alla tensione di
soglia V
Tn
, dopodich`e `e assimilabile a tutti gli effetti ad una capacit` a; nella
fatispecie, (V
a
− V
Tn
) sar` a proprio la tensione presente nel dispositivo MOS
funzionante.
Alcune precisazioni sulla tensione di soglia: la tensione
V
Tn
= V
FB
+ 2Φ
p
+
1
C
OX
_
2q
S
N
A

p
135
`e di norma positiva, altrimenti il MOS sarebbe costruito male. Se abbia-
mo una tensione V
a
< V
Tn
, non si ha uno strato di inversione. Valori tipici
della tensione V
Tn
variano da 0,2 a 1 V.
Abbiamo finora trattato solo ed esclusivamente n-MOS, ossia MOS con
semiconduttore drogato tipo p, e dunque canale di inversione pieno di elet-
troni. Esiste una situazione del tutto duale, ossia il p-MOS, in cui la tensione
di soglia varr`a:
V
Tp
= V
FB
−2Φ
n

1
C
OX
_
2q
S
N
D

n
Φ
n
=
kT
q
ln
N
D
n
i
Attualmente, vengono utilizzate sia tecnologie n-MOS che p-MOS, in una
tecnologia unica chiamata CMOS (Complementary MOS): si possono rea-
lizzare dispositivi MOS cio`e con inversioni sia n che p: tecnologicamente,
basandosi su di un unico substrato semiconduttivo debolmente drogato o co-
munque tendenzialmente intrinseco, si impiantano vaschette p-Well (per gli
n-MOS), o n-Well (per i p-MOS): qua si costruiranno i transistori, mediante
processi tecnologici.
Abbiamo parlato abbastanza in dettaglio del sistema MOS; descriviamo
da ora in poi una trattazione della sua pi` u interessante applicazione, ossia il
transistore a effetto di campo basato sulla tecnologia MOS, il MOSFET.
5.4 Il transistore MOSFET
Abbiamo gi`a sommariamente parlato del transistore MOSFET, dicendo che
esso rappresenta un sistema MOS il cui canale di inversione `e adiacente a
due pozzetti fortemente drogati (tipo n nel caso dell’n-MOS che stiamo stu-
diando), uno di source ed uno di drain. La tensione V
a
che abbiamo finora
studiato `e la tensione di gate, V
GS
; si prender` a in considerazione inoltre un’al-
tra tensione, V
DS
, ossia la tensione tra source e drain, positiva verso il drain.
Una prima differenza con il transistore bipolare che si nota, `e il fatto che i
due pozzetti, source e drain, sono esattamente identici, a parte il potenziale
in cui si trovano. In tutto il dispositivo, il source `e il punto a potenziale pi` u
basso. La tensione V
DS
`e proprio la tensione:
V
DS
= V
D
−V
S
Dove normalmente per` o V
S
si pu`o anche considerare come punto a poten-
ziale 0. La tensione V
DS
sar` a dunque sempre positiva: V
DS
≥ 0. Ulteriore
136
fatto da considerare, `e che tutti i transistori MOS che studieremo, avranno
una tensione V
BS
= 0: questa `e una semplificazione che noi presentiamo,
circuitalmente introducendo un corto circuito tra il terminale B (di Bulk, o
Body), ed il terminale S del source. Circuitalmente come gi` a detto S sar`a
collegato ad una massa (anche se qua sotto non lo indichiamo, consideriamolo
come ipotesi).
V
DS
sar` a entrante verso il drain, e dunque gli elettroni saranno spinti dal
source verso il drain: V
DS
> 0, I
DS
≥ 0.
Trascuriamo abbastanza nella nostra trattazione dei MOS i transistori
p-MOS: possiamo velocemente dire che in un dispositivo di questo tipo, la
regola operativa `e invertire le tensioni: poich`e il canale di inversione `e infatti
popolato da lacune, al fine di poter effettuare la transizione di carica, le
tensioni saranno invertite, ed invertite saranno anche le convenzioni:
V
DSp
< 0; V
Tp
≤ 0; I
DSp
≤ 0
La trattazione si baser` a sul trattare generalmente un sistema n-MOS,
talvolta citando il p-MOS.
5.5 Caratteristica statica del MOSFET: Ana-
lisi a canale graduale
Vogliamo trovare un’espressione operativa in grado di fornirci la caratteri-
stica statica del MOSFET, nel caso di n-MOS, ossia l’andamento della sua
corrente principale al variare delle tensioni. La corrente che interessa il di-
spositivo MOS sar` a la corrente di canale di inversione, tra drain e source,
I
DS
. Possiamo dire che questa dipenda di fatto da due tensioni: V
GS
, ossia
la tensione che regola l’apertura del canale di inversione, e V
DS
, ossia la ten-
sione che permette il moto dei portatori all’interno del canale di inversione,
dal source verso il drain.
137
I
DS
= f(V
GS
; V
DS
)
In realt` a vi sarebbe anche una dipendenza della corrente dalla tensione tra
bulk e source, V
BS
, che noi abbiamo per semplificazione annullato mediante
un cortocircuito tra i due terminali. Spesso ci` o non `e vero, quindi si ricordi
che ci troviamo in un’ipotesi semplificativa, ma non sempre verificabile. Non
consideriamo infatti, cos`ı facendo, un’eventuale polarizzazione del substrato.
Sappiamo che la corrente nel canale di un MOS c’`e solo con V
GS
> V
Tn
:
bisogna infatti far s`ı che il canale di inversione sia creato nel dispositivo, e
perch`e ci` o sia sicuramente verificato, la tensione al gate deve essere almeno
pari alla tensione di soglia, al fine di poter indurre lo stato di strong inversion
nel sistema MOS. Cosa capita ora? Vorremmo capire cosa succede con una
V
DS
> 0, per vedere e studiare il moto degli elettroni nel canale. Possiamo
intuire facilmente che il fatto che una tensione muova degli elettroni, significhi
che la corrente `e una corrente di trascinamento, di drift, e che quindi la
tensione generi la corrente in questo modo. Si noti per` o un dettaglio non
trascurabile: il canale di inversione `e un canale resistivo, e con una resistenza
non trascurabile, in quanto R `e dell’ordine dei KΩ. Il fatto che si abbia a che
fare con resistenze cos`ı elevate, ci fa capire che una corrente di qualche mA,
sia in grado di provocare una caduta di tensione dell’ordine dei V. Questo
problema inoltre `e reso ancora pi` u difficile da analizzare dal fatto che la
resistenza del canale non `e uniforme.
Consideriamo ora il nostro sistema in due dimensioni: poich`e l’asse delle
x `e gi`a stato occupato dallo spostamento sul gate per andare fino al termine
del bulk di silicio, consideriamo che la distanza tra i due canali sia su di
un asse ortogonale ad x, e chiamiamolo y. Possiamo considerare nel punto
y=0 il source, e ad una distanza L, nel punto y=L, il drain. Sappiamo solo
dire una cosa, della funzione del potenziale del canale, Φ
CH
: essa in 0 vale
Φ
CH
(0) = 0, mentre in L, punto in cui si localizza il drain, Φ
CH
(L) = V
DS
;
non abbiamo la bench`e minima idea di come vari per` o la tensione tra i due
punti, quindi consideriamo per ora incognita la funzione Φ
CH
(y).
Faremo quella che si dice analisi a canale graduale del dispositivo MO-
SFET: supponiamo di applicare una V
GS
> V
Tn
, al fine di trovarci in stato
di strong inversion e dunque di aver la certezza di avere il canale di inversio-
ne aperto. Consideriamo una tensione positiva tra source e drain, e quindi
V
DS
> 0. Tentando di rappresentare in tre dimensioni il grafico, noteremmo
ci` o: per y=0, e cio`e in prossimit` a del source, avremmo il nostro andamento
del potenziale gi`a noto. Al variare di y, per` o, il potenziale aumenta sempre
di pi` u, poich`e abbiamo applicato una tensione V
DS
tra drain e source. Capi-
tano alcuni effetti interessanti: se la tensione massima sopportabile al source
138
`e 2Φ
p
per y=0, questa man mano cresce spostandoci nelle y, e, arrivando a
x=0, y=L, si avrebbe 2Φ
p
+ V
DS
. Una tensione da sopportare per il semi-
conduttore si pu`o interpretare come aumento dell’ampiezza della regione di
svuotamento, che quindi avr` a un’ampiezza variabile con y.
L’andamento di Φ
CH
influenza pesantemente tutto il grafico.
Ci interesserebbe dunque esprimere un’equazione dell’andamento del po-
tenziale, ad una generica posizione y. Possiamo dire che:
V
GS
−V
FB
= V
OX
(y) + V
S
(y)
Dall’analisi a canale graduale, sappiamo che:
V
S
(y) = 2Φ
p
+ Φ
CH
(y)
Sostituendo nella precedente:
V
GS
−V
FB
= V
OX
(y)+2Φ
p

CH
(y) =⇒V
OX
(y) = V
GS
−V
FB
−2Φ
p
−Φ
CH
(y)
Possiamo tentare di introdurre, dal momento che conosciamo esattamen-
te la capacit` a dell’ossido interpretato come dielettrico in un condensatore,
la carica totale nel semiconduttore, considerabile come somma di carica di
svuotamento Q
d
e di carica di inversione Q
n
:
−(Q
d
(y) + Q
n
(y)) = C
OX
V
OX
Da qui, sostituendo:
−(Q
d
(y) + Q
n
(y)) = C
OX
(V
GS
−V
FB
−2Φ
p
−Φ
CH
(y))
La carica di inversione avr` a un’espressione del tipo:
Q
n
(y) = −C
OX
(V
GS
−V
FB
−2Φ
p
+ Φ
CH
(y)) −Q
d
(y)
Mediante dunque queste equazioni alla maglia, abbiamo trovato un’e-
spressione della carica di inversione in una generica posizione y. Questa per` o
`e ancora incompleta: non siamo ancora riusciti ad esplicitare la carica di
svuotamento nella generica posizione y, Q
d
(y).
Riflettiamo un attimo: le cariche di svuotamento sono strettamente legate
alle zone di svuotamento, del dispositivo. Come sono fatte queste, nello stato
che stiamo studiando? La tensione V
DS
`e positiva dal source S al drain D, e
quindi vedremo una regione di svuotamento crescente nel canale da S a D, ed
una zona molto estesa al drain, poich`e una polarizzazione positiva su di un
semiconduttore drogato tipo n provoca un allargamento della sua tensione di
139
svuotamento, poich`e si effettua una polarizzazione di tipo inverso. La regione
di svuotamento come abbiamo detto sar`a dunque crescente, per culminare
nel drain. Spostiamo dunque temporaneamente l’attenzione dalle cariche
di svuotamento, all’ampiezza delle regioni di svuotamento: vogliamo ora
determinare un’espressione di x
d
(y), ossia una funzione in grado di fornirci,
in una generica y, l’ampiezza della regione di svuotamento in quel punto.
Possiamo dire che x
d
sia una funzione non direttamente di y, quanto della
funzione del potenziale sul canale: come sappiamo il potenziale del canale `e
un valore aggiunto alla tensione totale nel dispositivo, e che effettivamente
l’ampiezza della regione di svuotamento ne risenta molto:
x
d
(y) x
d

CH
(y)) =
¸
2
S
(2Φ
p
−Φ
CH
(y))
qN
A
Questo risultato `e semplicemente un’applicazione dei classici studi elet-
trostatici effettuati sul semiconduttore, precedentemente.
Possiamo dire che la carica di svuotamento al variare di y sia semplice-
mente l’area del rettangolo, il prodotto tra l’altezza (carica in un punto) e
di ampiezza della regione di svuotamento, utilizzando l’ipotesi di completo
svuotamento:
Q
d
(y) = −qN
A
x
d
(y) = −
_
2q
S
N
A
(2Φ
p
+ Φ
CH
(y))
Possiamo, dunque, ora che abbiamo ottenuto un’espressione operativa
della Q
d
(y), ricavare la Q
n
, sostituendo nell’equazione ricavata in precedenza.
Ricordandola, dunque:
Q
n
(y) = −C
OX
(V
GS
−V
FB
−2Φ
p
−Φ
CH
(y)) −Q
d
Vediamo:
Q
n
(y) = −C
OX
(V
GS
−V
FB
−2Φ
p
−Φ
CH
(y)) +
_
2q
S
N
A
(2Φ
p
+ Φ
CH
(y))
Esiste un modo alternativo di esprimere quest’equazione, mediante alcuni
artifici algebrici: se sommiamo e sottraiamo il termine

2q
S
N
A
, si ottiene
che:
Q
n
(y) = −C
OX
(V
GS
−F
FB
−Φ
CH
(y))+
_
2q
S
N
A
_
_

p
+ Φ
CH
(y) −
_

p
)
_
Ora che abbiamo studiato dettagliatamente le cariche, vogliamo finalmen-
te passare al calcolo delle correnti, e nella fatispecie di I
DS
. Come gi`a detto,
140
la corrente in un MOSFET `e prevalentemente di trascinamento; in condizio-
ni statiche deve esserci in ogni punto del dispositivo, la stessa corrente. La
corrente che consideriamo parte dal source ed arriva al drain, quindi procede
in verso positivo sulla direzione dell’asse delle y. Consideriamo dunque tra
source e drain un punto generico y, ed un punto ad esso vicinissimo, y + dy.
Poich`e la corrente in questa situazione `e di drift, possiamo quantificarla in
questo punto dicendo che:
I
drift
(y) = −qµ
n
n
INV
(y)ε(y)WT
INV
= −I
DS
Cosa significa ci`o che abbiamo fatto: il numero di cariche di inversione
n
INV
(y) nel generico punto y moltiplicato per la carica fondamentale q e per
la mobilit`a µ
n
, con trascinamento dovuto al campo elettrico nel punto y, ε(y),
moltiplicato per la sezione attraversata, ossia il prodotto del lato W e dello
spessore dello strato di inversione T
INV
, ci fornisce, con una convenzione di
segno opposto, la corrente desiderata.
Quest’espressione contiene due termini che non abbiamo mai discusso o
nominato, ossia lo spessore dello strato di inversione, e il numero di elettroni
nello strato di inversione, rispettivamente T
INV
e n
INV
. Possiamo per` o dire
che
−qT
INV
(y)n
INV
(y) = Q
n
(y)
Infatti la funzione Q
n
(y), precedentemente ricavata, `e proprio la carica
totale di inversione nello straterello, per centimetro quadrato. Di fatto, non
conosciamo le due funzioni richieste, ma conosciamo il loro prodotto, e cos`ı
possiamo sostituirvi l’espressione della carica totale per centimetro quadro
precedentemente introdotta, al fine di calcolare la corrente:
−I
DS
= µ
n
Q
n
(y)ε(y)
Sappiamo anche un’altra cosa: il campo elettrico trascinante gli elettroni
`e la derivata del potenziale di canale rispetto alla generica posizione y:
ε(y) = −
∂Φ
CH
(y)
∂y
Possiamo dunque dire una cosa: sappiamo, qualitativamente, che il poten-
ziale nel canale `e una funzione monotona crescente, e che quindi la derivata
sar` a una funzione sempre positiva. Possiamo dunque mantenere i segni come
abbiamo fatto, poich`e rispetteranno la convenzione utilizzata.
Sostituiamo tutto, e vediamo che:
141
−I
DS
= µ
n
W(−Q
n
(y))
_

∂Φ
CH
(y)
∂y
_
Integrando ambo i membri per tutta la lunghezza del canale di inversione,
e quindi da 0 ad L:
_
L
0
I
DS
∂y = −
_
Φ
CH
(L)
Φ
CH
(0)
Q
n
(y)∂Φ
CH
(y)
Ma noi sappiamo che Φ
CH
(0) = 0, e che Φ
CH
(L) = V
DS
. Possiamo
dunque dire che:
I
DS
= −
µ
n
W
L
_
Φ
CH
(L)
Φ
CH
(0)
Q
n
(y)∂Φ
CH
(y)
Abbiamo tutti i dati: la funzione Q
n
(y) infatti sarebbe:
Q
n
(y) = −C
OX
(V
GS
−V
FB
−Φ
CH
(y)) +
_
2q
S
N
A
_

p
+ Φ
CH
(y) −
_

p
)
La letteratura classica di dispositivistica `e solita trascurare, nell’integra-
zione, tutti i termini sotto radice, al fine di semplificare i conti. Questa `e
un’approssimazione molto brutale, e molto grossolana, ma che semplifica a
tal punto i conti da essere comunemente usata. Un simulatore numerico per
circuiti, quale ad esempio SPICE, considera la formula nella sua forma pi` u
completa. Considerando ad ogni modo esclusivamente i termini polinomiali:
I
DS
=
µ
n
C
OX
W
L
_
(V
GS
−V
Tn
)V
DS

V
2
DS
2
_
Questa `e la caratteristica statica del transistore MOSFET, ed `e il risultato
che utilizzeremo in applicazioni pratiche. A partire da qua, possiamo trovare
una grandissima differenza con il transistore bipolare: il MOSFET ha il gate
isolato, ossia in cui non scorre una corrente. Nella base del BJT, invece, vi `e
una minima corrente.
Ci chiediamo ora, leggendo l’equazione della caratteristica statica di un
n-MOS, quale sia il suo andamento. Poich`e non abbiamo un’equivalente
della I
B
, non avremo un parametro in corrente da regolare. Lo studio della
caratteristica statica, si pu` o effettuare in questo modo: la variazione di I
DS
,
al variare della tensione V
DS
. Se applichiamo diverse tensioni di gate, tutte
in grado di indurre uno stato di strong inversion, ad esempio:
V
Tn
< V
GS1
< V
GS2
< V
GS3
142
Possiamo vedere che per piccole V
DS
, il MOS si comporta all’incirca come
una resistenza. Si ha, crescendo la V
DS
, una zona detta regione quadratica,
dove l’andamento della corrente `e parabolico, ossia raffigurante una para-
bola con coefficiente quadratico negativo (parabola rivolta verso il basso).
Sappiamo che quindi la funzione dovrebbe essere monotona crescente fino al
massimo, per poi divenire decrescente. Calcoliamo dunque il massimo della
funzione, derivandola rispetto alla variabile V
DS
, e ponendola nulla:
∂I
DS
∂V
DS
= 0 =⇒
µ
n
WC
OX
L
[(V
GS
−V
Tn
) −V
DS
] = 0
Questo si verifica quando:
V
DS
= V
GS
−V
Tn
Sostituendo dunque l’espressione del massimo appena ricavata nella fun-
zione di I
DS
, si ottiene:
I
DS,Max
(V
DS
) =
µ
n
WC
OX
L
_
(V
GS
−V
Tn
)(V
GS
−V
Tn
) −
(V
GS
−V
Tn
)
2
2
_
;
I
DS,Max
(V
DS
) =
µ
n
WC
OX
2L
(V
GS
−V
Tn
)
2
A seconda della tensione V
GS
applicata sul gate, abbiamo dunque un
diverso valore del massimo della corrente, quantificato. Dopo il massimo
per`o, la caratteristica dovrebbe essere decrescente.
Sperimentalmente, si verifica un andamento molto simile a quello che
effettivamente avveniva nel BJT:
Le caratteristiche crescono tutte, al variare del parametro della tensione
di gate V
GS
, e si passa cos`ı dalla regione quadratica, ad una regione detta di
saturazione (si noti che non centra niente con la regione di saturazione del
BJT: quella che qua `e la regione di saturazione, corrisponde alla regione attiva
diretta del BJT). Possiamo dunque dire che, per V
DS
> V
DSMax
, I
DS,Sat
=
I
DS,Max
. Possiamo dunque riassumere il modello statico, esprimendolo in
modo purtroppo non elegante per quanto corretto (a parte per la grossolana
approssimazione precedentemente fatta e criticata), mediante una funzione
a tratti:
• Per V
GS
< V
Tn
, la I
DS
= 0, ed il transistore MOSFET `e OFF;
• Per V
GS
> V
Tn
, e V
DS
< V
GS
−V
Tn
, il transistore `e in zona quadratica,
e:
143
I
DS
=
µ
n
C
OX
W
L
_
(V
GS
−V
Tn
)V
DS

V
2
DS
2
_
• Per V
GS
> V
Tn
, e V
DS
> V
GS
− V
Tn
, il transistore `e in zona di satura-
zione, e dunque:
I
DS
= I
DS,Sat
=
µ
n
WC
OX
2L
(V
GS
−V
Tn
)
2
Possiamo ora cercare di rispondere all’ultimo dei nostri dubbi, prima di
considerare del tutto terminata la trattazione della caratteristica statica in un
MOSFET: perch`e la corrente aldil`a del valore di massimo diviene costante?
(Anche se si ha un effetto duale dell’effetto Early, che accenneremo).
Proviamo a pensare alla distribuzione delle cariche nel sistema n-MOS
che stiamo studiando, esaminando le varie zone che abbiamo espresso nella
definizione della funzione a tratti della caratteristica statica.
• Date V
GS
= 0, V
DS
= 0, non abbiamo variazioni delle zone di svuota-
mento rispetto alla condizione di equilibrio, quindi possiamo pensare
che la carica sia interamente di svuotamento poich`e non abbiamo uno
stato di strong inversion;
• Data V
GS
> V
Tn
, V
DS
= 0, capita che il sistema n-MOS va in stato di
strong inversion, vi `e un aumento dello spessore del canale, dal momen-
to che si induce la carica di inversione Q
n
(precedentemente nulla), e
144
si ha un aumento generale della tensione, che porta anche all’aumento
della zona di svuotamento. In prossimit` a dei pozzetti drain e source
per`o non si ha una variazione sostanziale della zona di svuotamento.
• Se V
GS
> V
Tn
, V
DS
< V
GS
−V
Tn
, capita che si entra nella zona di condu-
zione del canale, le cariche si spostano dal source al drain, e cos`ı si ha il
dispositivo in zona di saturazione. Vediamo che la zona di svuotamento
tender` a molto a crescere andando dal source verso il drain, per effetto
della tensione di canale Φ
CH
, o se vogliamo della V
DS
che polarizza il
drain. Ma ci`o che sar`a interessante non sar` a solo la crescita della ca-
rica di svuotamento (associata alla crescita dell’ampiezza della regione
di svuotamento), bens`ı anche la diminuzione della carica di inversione:
man mano che la tensione aumenta, la carica di inversione diminuisce,
quindi, man mano che si procede dal source verso il drain, la carica di
inversione tender` a a diminuire. Questo perch`e capita il seguente fatto:
aumentando la tensione sul drain, questo per reggerla deve ridurre la
carica di inversione, e cos`ı in prossimit`a del drain, l’andamento della ca-
rica andr` a a strozzarsi. Per un caso limite, V
GS
> V
Tn
, V
DS
= V
GS
−V
Tn
,
la carica di inversione si annuller` a sul drain, e cos`ı si avr` a una sorta di
triangolo con base al source e vertice al drain. Considerando una ten-
sione ancora pi` u elevata, V
GS
> V
Tn
, V
DS
> V
GS
−V
Tn
, avviene quello
che si chiama Channel Lenght Modulation (modulazione di ampiezza di
canale): questo `e il duale dell’effetto Early del BJT: il punto ottenuto
dalla precedente osservazione alla tensione limite, tende ad arretrare,
cos`ı che la lunghezza del canale resistivo anzich`e L sar`a L’, e la zo-
na (L-L’) restante dalla parte del drain sar`a una zona ad alto campo
elettrico, causato dalla forte tensione applicata sul drain. Gli elettroni
giunti in questa zona verranno sparati nel drain da questo fortissimo
campo provocato dal forte potenziale applicato, tuttavia la corrente
non aumenter` a. Questo modello si pu` o assimilare ad un modello idro-
dinamico: data una cascata la cui pendenza aumenta, ipotizziamo come
la nostra tensione, arrivata ad un certo limite si fermer`a, e non potr` a
pi` u aumentare la corrente d’acqua. Questo avviene perch`e l’entit`a della
corrente viene regolata dalla zona resistiva, e, al di sopra di un certo
limite, il flusso di portatori non aumenter` a.
5.6 Esercizio Pratico
Dato un sistema MOS costituito da un gate di polisilicio drogato n
+
, un
ossido di spessore 300 Amstrong di quarzo, ed un substrato di silicio drogato
145
5 · 10
16
, con un lato L di 1µm, W = 5 µm, ed una mobilit`a elettronica
µ
n
= 400:
1. Si determini il diagramma a bande all’equilibrio quotato, e si stabilisca
in quale condizione si trova il semiconduttore.
2. Si calcoli la tensione di soglia.
3. Supponendo di disporre di una tensione di alimentazione pari a 5 V, si
calcoli la massima corrente erogabile dal dispositivo MOSFET.
4. Costruire un modello di ampio segnale del dispositivo MOSFET.
5. Si valuti il modello di piccolo segnale alle condizioni del punto 3.
5.6.1 Risoluzione
Diagramma a bande all’equilibrio quotato
Partiamo con una considerazione: al posto del gate metallico, ne abbiamo uno
di silicio policristallino. Ci` o non ci provoca alcun problema, in quanto esso `e
del tutto analogo ad un metallo, sotto ogni punto di vista, a parte per l’af-
finit` a elettronica, che al posto di 4, 1 varr` a 4, 05. Possiamo immediatamente
valutare il lavoro di estrazione partendo da qΦ
p
, come:

p
= E
F
i
(∞) −E
F
= kT ln
N
A
n
i
= 0, 39eV

S
p
= qΦ
p
+ qχ +
E
g
2
= 5eV
Possiamo dunque dire che il potenziale di contatto, ossia la differenza tra
i potenziali di metallo e semiconduttore, valga:

S
p
−qΦ
M
= 0, 95eV
Sappiamo che il potenziale di contatto allora, analogamente, Φ
MS
, varr`a
0,95 eV.
Calcoliamo la capacit`a dell’ossido, C
OX
:
C
OX
=

OS
T
OX
Possiamo ora calcolare l’ampiezza della regione di svuotamento nel semi-
conduttore, come:
146
x
d0
=
2
S
C
OX
+
¸
_
2
S
C
OX
_
2

Φ
MS
2
S
qN
A
= 90nm
Sappiamo che:
V
S
=
qN
A
x
2
d0
2
S
= 0, 32V ; V
OX
= Φ
MS
−V
S
= 0, 63V
Ci troviamo in una zona circa di equilibrio, quindi di fatto siamo in ottime
condizioni: il nostro dispositivo MOS `e costruito ottimamente.
Si calcoli la tensione di soglia
Possiamo passare al secondo punto, ossia al calcolo della tensione di soglia.
Questo `e semplicemente una banale applicazione della teoria; ricordando che:
V
Tn
= V
FB
+ 2Φ
p
+
1
C
OX
_
2q
S
N
A

p
Essa si pu` o anche esprimere come:
V
Tn
= V
FB
+ 2Φ
p
+ γ
B
_

p
Dove il termine γ
B
`e il body factor, ed `e uguale a:
γ
B
=

2q
S
N
A
C
OX
Il significato del body factor pu`o tornare molto utile, in quanto abbiamo
calcolato la tensione di soglia, nella teoria, considerando V
BS
= 0 (per il
solito discorso del cortocircuito tra body/bulk e source. Di fatto, il body
factor considera anche eventuali tensioni tra body e source, quindi possiamo
tenere conto di questa relazione, che potrebbe aiutarci in casistiche generali.
Usando una qualsiasi delle due relazioni, si pu`o facilmente verificare che:
V
Tn
= 4, 18V
Data alimentazione di 5 V, si calcoli la massima corrente erogabile
dal dispositivo MOSFET
Passando al terzo punto, il problema ci fornisce come tensione massima 5 V.
Dalla teoria, sappiamo che, pi` u elevata `e V
GS
, pi` u potremo ottenere correnti
elevate. Possiamo dunque porre senza molti dubbi, V
GS
= 5 V.
147
Per quanto riguarda invece la tensione tra drain e source, V
DS
, `e sufficiente
che essa sia maggiore o uguale del massimo:
V
DS
≥ V
GS
−V
Tn
= 5 −0, 82 = 4, 18
Possiamo dunque considerare per comodit`a V
DS
= 4, 18V , e calcolare la
corrente in saturazione, come il massimo della regione quadratica:
I
DS
=
µ
n
C
OX
W
2L
(V
GS
−V
T
)
2
= 230µAV
−2
I
D,Sat
= 2mA
Costruire un modello di ampio segnale del dispositivo MOSFET
Passiamo al quarto punto, pi` u teorico, dell’esercizio: la costruzione di un
modello di ampio segnale del MOSFET. Il modello di ampio segnale come
sappiamo deve saper prevedere le condizioni del dispositivo considerando
qualsiasi variazione di tensione con qualsiasi rapidit`a. Il modello di ampio
segnale deve essere il pi` u generale di un dispositivo e anche in grado di preve-
dere comportamenti statici. Da un punto di vista logico, tutto il modello si
baser` a su di un generatore di corrente I
DS
, attorno al quale inseriremo ulte-
riori elementi. Conosciamo gi` a l’andamento di questo, considerando staticit` a.
In realt` a abbiamo per`o effetti capacitivi, e due diodi (dovuti ai pozzetti di
source e drain). Esiste dunque una capacit`a di svuotamento sia per il source
(C
DEP
(0)), che per il drain (C
DEP
(−V
DS
)). Si noti che si usa −V
DS
poich`e,
dal momento che il pozzetto di drain `e drogato n+, e la tensione su di esso
`e positiva, allora avremo una polarizzazione inversa sul drain.
Non abbiamo ancora fatto considerazioni sul gate: sul gate abbiamo in-
fatti un condensatore a capacit` a variabile, poich`e anche il gate ha la sua
capacit` a: dal gate si vedono due dielettrici: se il transistore `e spento, per V
S
in zona di equilibrio, siamo in zona di svuotamento nel grafico della Q
S
, ossia
della carica del semiconduttore. Man mano che si aumenta la V
S
, si arriva
in zona di weak e poi di strong inversion, e cos`ı varia radicalmente la carica
contenuta nel semiconduttore.
Sappiamo che la capacit` a dell’ossido `e costante, e che del semiconduttore
conosciamo l’andamento della carica complessiva, Q
S
(V
S
). Possiamo dunque
calcolare la capacit`a variabile del semiconduttore, come:
C
S
=
∂Q
S
∂V
S
148
Semplicemente, sar`a sufficiente mettere la capacit` a C
S
in serie con la
capacit` a C
OX
, per completare il modello di ampio segnale.
Si valuti il modello di piccolo segnale alle condizioni del punto 3
Passiamo al modello di piccolo segnale, alle condizioni del terzo punto del
problema: in quelle condizioni, il transistore era saturo, e quindi il modello
di piccolo segnale `e sensato. Scegliamo di considerare come segnale variabile
per il modello, la V
GS
: al fine di modulare la corrente I
DS
, scegliamo sempli-
cemente di modificare l’apertura del canale di inversione. Possiamo dunque
dire che:
V
GS
(t) = V
GSop
+ v
gs
(t)
Sappiamo che:
I
DS
=
β
n
2
(V
GS
−V
T
)
2
Da ci`o, linearizzando:
I
DS

β
n
2
(V
GSop
−V
T
)
2
+
∂I
DS
∂V
GS
¸
¸
¸
¸
V
GSop
· v
gs
(t)
Possiamo dire che i
ds
(t) = I
DS
(V
GS
) − I
DSop
; da ci`o, possiamo definire
il parametro del generatore che useremo in un modello a π analogo o quasi
a quello del BJT, ma con una capacit` a tra gate e source, al posto di una
resistenza.
149

Indice
1 Propriet` elettriche dei materiali a 1.1 Metalli . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2 Semiconduttori . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.1 Calcolo di ni . . . . . . . . . . . . . . 1.3 Caratterizzazione dei semiconduttori drogati 1.3.1 Calcolo di n e p in un semiconduttore 1.3.2 Equazioni di Shockley . . . . . . . . 2 2 5 9 10 12 17 20 25 26 27 29 30 31 32 33 35 36 41 44 47 51 51 52 53 56 57 61 62

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . drogato . . . . .

. . . . . .

. . . . . .

. . . . . .

. . . . . .

. . . . . .

2 Modello matematico delle correnti nei semiconduttori 2.1 Correnti di diffusione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2 Relazioni di Einstein ed Equazioni del Trasporto . . . . . . 2.3 Equazione di continuit` . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . a 2.4 Equazione di Poisson . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4.1 Legame Carica - Campo Elettrico . . . . . . . . . . 2.4.2 Dimostrazione qualitativa dell’Equazione di Poisson 2.5 Considerazioni su semiconduttori fuori equilibrio . . . . . . 2.6 Modello del Tasso di Ricombinazione Netto . . . . . . . . . 2.7 Esercizio Pratico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.7.1 Risoluzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.7.2 Ipotesi di lato corto . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . .

3 Giunzione p-n 3.1 Studio qualitativo del diagramma a bande della giunzione p-n 3.2 Studio elettrostatico della giunzione p-n . . . . . . . . . . . . 3.2.1 Equazione di neutralit` globale . . . . . . . . . . . . . a 3.2.2 Analisi della barriera di potenziale . . . . . . . . . . . 3.2.3 Analisi formale dell’andamento di campo e potenziale . 3.2.4 Risoluzione del sistema . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3 Applicazione di una tensione esterna alla giunzione . . . . . . 3.3.1 Capacit` di svuotamento . . . . . . . . . . . . . . . . . a 3.4 Esercizio pratico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

3.5 3.6 3.7 3.8

3.9 3.10

3.11 3.12

3.13 3.14 3.15 3.16

3.4.1 Risoluzione . . . . . . . . . . . . . . . Effetti di una tensione su di una giunzione p-n 3.5.1 Quasi-Livelli di Fermi . . . . . . . . . . Leggi della Giunzione . . . . . . . . . . . . . . Caratteristica statica della giunzione p-n . . . Studio delle correnti nella giunzione p-n . . . . 3.8.1 Polarizzazione diretta . . . . . . . . . . 3.8.2 Polarizzazione inversa: corrente inversa Esercizio Pratico . . . . . . . . . . . . . . . . 3.9.1 Risoluzione . . . . . . . . . . . . . . . Cenni ad altri modelli della giunzione . . . . . 3.10.1 Modello di ampio segnale . . . . . . . . 3.10.2 Modello di piccolo segnale . . . . . . . Valutazione di Vγ . . . . . . . . . . . . . . . . Meccanismi di rottura della giunzione . . . . . 3.12.1 Effetto valanga . . . . . . . . . . . . . 3.12.2 Effetto tunnel . . . . . . . . . . . . . . 3.12.3 Diodi Zener . . . . . . . . . . . . . . . Calcolo della capacit` di diffusione . . . . . . a Modello a controllo di carica . . . . . . . . . . Modello di piccolo segnale . . . . . . . . . . . Esercizio pratico . . . . . . . . . . . . . . . . 3.16.1 Risoluzione . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . di saturazione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

62 65 66 68 70 74 74 76 78 79 81 81 83 83 84 84 85 85 86 87 89 91 91 95 96 99 101 104 106 108 109 110 111

4 Il transistore bipolare 4.1 Analisi delle correnti . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2 Calcolo delle correnti . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3 Modello statico del transistore bipolare . . . . . . 4.3.1 Equazioni di Ebers-Moll . . . . . . . . . . 4.4 Modello circuitale statico del transistore bipolare 4.4.1 Andamento della caratteristica statica . . 4.4.2 Effetto Early . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5 Esercizio Pratico . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5.1 Risoluzione . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . .

. . . . . . . . .

. . . . . . . . .

. . . . . . . . .

. . . . . . . . .

. . . . . . . . .

. . . . . . . . .

5 Sistemi MOS 120 5.1 Analisi Elettrostatica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121 5.1.1 Polarizzazione di un sistema MOS con tensione negativa124 5.1.2 Inversione di popolazione . . . . . . . . . . . . . . . . . 125 5.2 Calcolo della carica di inversione . . . . . . . . . . . . . . . . . 127 5.3 Determinazione della tensione di soglia di un sistema MOS . . 131 2

. . . . . . .6 5. . . . . . . . . . .5. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5. 133 134 135 143 144 3 . . . . . . . .5 5. Il transistore MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . .6. . . . . . . . . . . .3.1 Calcolo della tensione di soglia . . . .1 Risoluzione . .4 5. Caratteristica statica del MOSFET: Analisi a canale graduale Esercizio Pratico . . . . . . .

il diagramma a bande ` un grafico in cui e si riportano sulle ascisse una posizione (ossia una coordinata spaziale. nel reticolo reciproco). a partire dallo studio del diagramma a bande. nel reticolo diretto. I due tipi di solidi che siamo interessati a studiare in dispositivistica sono i metalli ed i semiconduttori. 1. o un vettore d’onda.Capitolo 1 Propriet` elettriche dei a materiali Dalla fisica dello stato solido sappiamo che un solido ` rappresentabile mee diante un diagramma a bande. sulle ordinate un’energia E. diamo alcuni cenni sul loro comportamento. si noti che per buona parte della trattazione tuttavia si considereranno materiali isotropi.1 Metalli 4 . quindi non si considereranno in un primo tempo variazioni delle condizioni del solido nello spazio.

all’incirca a 4. T ) = 1 E−EF 1 1 + e kT La funzione di densit` degli stati effettivamente occupati. il livello di Fermi si e trover` dunque all’interno della banda di conduzione. Gli elettroni pi` facili da estrarre. si pu` considerare al livello energetico E = 0. poich` l’energia o e dell’elettrone in un metallo ` esclusivamente cinetica. ad una temperatura pari a 0 K. a I due ingredienti per poter esprimere l’occupazione di uno stato in un metallo saranno dunque la funzione di densit` degli stati energetici N (E). EC . sar` data a a dal prodotto dei nostri due ingredienti: funzione di densit` degli stati e a funzione di occupazione degli stati. 5 eV. a a N (E) = γn E 2 f (E. Ci` ` meglio motivabile con un esempio oe classico: dato un numero di sedie vuote disponibili in un cinema. T ) 5 . un elettrone da un metallo. • γn : Parametro della funzione di densit` degli stati energetici. Esprimiamo questa nostra intuizione. qΦM . o si definisce dunque una funzione esprimente il lavoro di estrazione. ρn . ossia fermioni. T ): poich` trattiamo lo studio sull’occupazione e di stati da parte di elettroni. tutti gli elettroni saranno al di sotto del livello di Fermi (come si pu` osservare mediante lo studio della distribuzione di Fermi-Dirac). saranno quelli in prossimit` del livello di Fermi EF . ossia livello energetico da superare per estrarre il metallo • qΦM : Lavoro di estrazione del metallo. ad una u temperatura di 0 K. a Facciamo alcune osservazioni: l’inizio della banda di conduzione dei metalli. • EF : Livello di Fermi • EB : Livello del vuoto. come la minima energia in grado di estrarre. a Allo zero assoluto. il prodotto delle due fornir` il numero di sedie effettivamente a occupate dai potenziali spettatori. ed il numero di spettatori. e la a funzione di occupazione f (E.Indichiamo ora il significato dei diversi livelli energetici: • EC : Livello energetico in cui inizia la banda di conduzione. la funzione di occupazione in questione sar` la gi` citata distribuzione di Fermi-Dirac. formulando la funzione ρn : ρn (E) = N (E)f (E.

con una temperatura sui 3000 K. o quello dell’oro Au. il modello di BetheSommerfeld prevede una modellizzazione di un metallo come una buca di potenziale infinita). e quindi la funzione di Fermi-Dirac ` e e di fatto un impulso rettangolare. di 4. a Per sapere esattamente quanti elettroni vi saranno nel metallo in banda di conduzione. Alcuni lavori di estrazione noti sono quello dell’alluminio Al. Abbiamo gi` nominato il lavoro di estrazione. ossia una temperatura ragionevolmente confrontabile alla temperatura ambiente. T )dE ∼ 1022 e− /cm3 In un metallo. a meno che non si parli di studi specifici riguardanti effetti termici particolarmente influenti. ad una certa temperatura. a Noi consideriamo per` di trovarci ad una temperatura T o 300 K. e la sua unit` di misura. di 5 eV. +∞ +∞ n= 0 ρn (E)dE = 0 N (E)f (E. la funzione di Fermi-Dirac cambier` a sensibilmente. ora che a 6 .In un metallo. sar` sufficiente integrare la a funzione di densit` di popolazione da 0 (livello di inizio della banda di cona duzione EC ) a +∞ (in prima approssimazione. una temperatura come 300 K ci permetter` una buona a approssimazione rispetto alla realt`. in una condizione di notevole influenza termica. questa unit` di misura ` molto a e compatibile con i problemi che si trattano in dispositivistica. precisamente? Abbiamo gi` dato una prima definizione. e di conseguenza la densit` degli stati occupati.1 eV. a a l’elettronvolt (eV): 1 eV ` l’energia che un elettrone ha se sottoposto ad e una differenza di potenziale pari ad 1 V. cosa si intende per` per lavoro di o estrazione. e quindi molto comoda. accadr` graficamente qualcosa di simile: a Questo grafico raffigura una situazione che non considera effetti termici. ossia in cui la temperatura ` pari a 0 K. abbiamo quindi a disposizione circa 1022 elettroni per cm3 . infatti.

• EV : Termine della banda di valenza. in un semiconduttore intrinseco.2 Semiconduttori Il diagramma a bande di un semiconduttore ` ben pi` articolato di quello e u di un metallo. anche se sar` pi` complesso rispetto a quello nei metalli: a u Le densit` degli stati. 1. l’evidenza sperimentale mostra che allo zero assoluto. EB .abbiamo parlato meglio di livello di Fermi. e che non han subito trattamenti tecnologici di alcun tipo. si introduce il concetto di densit` degli a stati disponibili. la a banda di conduzione ` vuota. quando si parla di semiconduttori intrinseci. a met` tra a il livello EV ed il livello EC . Si introduce una prima diversificazione delle notazioni. per poter iniziare una prima trattazione dei semiconduttori. un pedice aggiuntivo i: parlando di livello di Fermi intrinseco. in questo ambito. e quella di valenza completamente piena di e elettroni. possiamo dire che il lavoro di estrazione ` la distanza energetica tra il livello di Fermi EF e il livello del e vuoto. a Abbiamo affrettato alcune conclusioni. e quindi il semiconduttore condurrebbe senza alcun problema. avranno forma: a NBC = γn (E − EC ) 2 NBV = γp (EV − E) 2 1 1 7 . anche senza trattamenti particolari. inserendo. e in condizioni di intrinsicit`. anche allo zero assoluto. altrimenti gli elettroni potrebbero andarsene liberamente in banda di conduzione. • EF : Livello di Fermi. regolari. ossia distanza energetica tra banda di conduzione e banda di valenza Il livello di Fermi si trova. • Eg : Energy Gap. Anche parlando di semiconduttori. si parler` di EFi . parlando del livello di Fermi: EF non pu` essere all’interno della banda di o valenza. gli elementi in esso contenuti saranno: • EC : Inizio della banda di conduzione. ossia puri. della buca modellizzante il metallo. per quanto esse siano corrette. analizziamone un modello semplificato.

la conduzione ` un evento e possibile. Confrontando con i 1022 elettroni in un metallo. si dovranno risolvere due integrali: +∞ ni = EC EV γn (E − EC ) 2 f (E. ossia gli ammanchi di elettroni causati dalla transizione di questi verso livelli energetici superiori ad EV (quali ad esempio la banda di conduzione). 45 · 1010 elettroni per cm3 . avendo due contributi. La tecnica per trovare il numero effettivo di portatori. in banda di valenza. ci troviamo in un caso intrinseco. anche dallo studio dei metalli). ma anche le lacune in banda di valenza. sar` la stessa di prima. In un semiconduttore. come ci suggeriscono i pedici i. ossia gli elettroni in banda di conduzione (come ovvio. T )dE γp (EV − E) 2 f (E. vi saranno infatti due tipi di portatori di carica. ma molto improbabile. e quindi possiamo dire senza indugi che ni = pi Nel silicio. 8 . solo che a in questo caso. il semiconduttore per eccellenza nei nostri studi. T )dE −∞ 1 1 pi = Ma. il pedice p evidenzia le lacune lasciate dagli elettroni. ad una condizione di temperatura di circa 300 K. ni = pi = 1.Un’ulteriore convenzione: il pedice n identifica gli elettroni in banda di conduzione. al contrario.

si trovano rispettivamente la prima e la seconda equazione. Queste due equazioni. EFi : considerando NC ed NV valori efficaci. si ottengono mediante un’approssimazione della distribuzione di Fermi-Dirac alla distribuzione di Boltzmann. possiamo dire che ni = pi = NC e− EC −EF kT i 3 = NV e− EF −EV i kT Sfruttiamo ora le condizioni di neutralit` del semiconduttore intrinseco. Ci imponiamo ora di calcolare la posizione energetica del livello di Fermi. in caso di semiconduttori intrinseci quali quelli che stiamo attualmente trattando.EF F e− NBV (E)f (E)dE = NV. che si riferiscono alla definizione (2m∗ πkT ) 2 Nef = h ∗ Dove m ` la massa efficace.Continuiamo la nostra analisi fisica del comportamento elettrico dei semiconduttori. a e cerchiamo di risolvere tale equazione rispetto al parametro EFi : e− EC −EF i kT ·e EF −EV i kT = = NV NC e− 2EF i kT · e− EV +EC kT NV NC kT NV EC + EV + ln 2 2 NC Si noti tuttavia che le due concentrazioni NV ed NC differiscono esclusivamente per la massa efficace di rispettivamente lacune ed elettroni. sostituendo la massa efficace di elettroni o e lacune. proponendo due equazioni fondamentali. il termine logaritmico corregga solo di pochi meV (al pi` una decina) il livello di Fermi: u =⇒ EFi = kT NV ln 2 NC 0 =⇒ EFi 9 EC + EV 2 . possiamo dunque dire che. integrandola.EF F e −∞ EC −EF kT p = pi = EV −EF kT I due termini NEF F sarebbero termini efficaci. che saranno spesso usate nella trattazione: +∞ n = ni = EC EV NBC (E)f (E)dE = NC.

si noti che questo perde il significato fisico fortissimo che aveva nel metallo. dal momento che raramente capita di aver a che fare con semiconduttori intrinseci. non abbiamo elettroni. • qχ: Affinit` Elettronica (4. Di fatto. EFi . in quanto al livello di Fermi intrinseco. a 10 . qΦS . e nella fatispecie del silicio: Valori fondamentali da ricordare. Abbiamo definito anche nel semiconduttore il lavoro di estrazione.05 eV nel Silicio).12 eV nel Silicio). quindi utili riferimenti per i calcoli che sar` necessario attuare. a • qΦS : Lavoro di estrazione. potendo dire con e un’ottima approssimazione che esso si trova a met` del gap tra banda di a valenza e banda di conduzione. Affinit` elettronica ed energy gap sono a utili in quanto restano costanti. indipendentemente dai processi tecnologici che vengono attuati sul substrato semiconduttivo. sar` per` spesso usato come punto di riferimena o to per i nostri calcoli e le nostre congetture. Ora ` veramente possibile quindi e disegnare il diagramma a bande dettagliato e quotato di un semiconduttore. e dunque il lavoro necessario per estrarre elettroni sar` ben maggiore di quello che a dovremmo compiere in un metallo. nel silicio.Ci ` ora possibile quotare il livello di Fermi intrinseco. sono: • Eg : Energy Gap (1. il livello di Fermi intrinseco perde molto significato fisico.

che dalle lacune in banda di valenza. siano cio` il e numero di coppie elettrone-lacuna presenti ad una certa temperatura. in cui la neutralit` non sar` presente nel sistema. I nostri punti di partenza. e vediamo che: ni · pi = n2 = NC NV e− i Quindi: n2 = NC NV e− kT i Eg EC −EF i kT · e− EF −EV i kT = NC NV e EV −EC kT 11 . lo abbiamo eguagliato al numero di lacune in banda di valenza per quanto riguarda semiconduttori intrinseci. tra loro. possono ritornare nella banda di valenza. moltiplichiamo a a dunque ni e pi . Vogliamo per` studiare espressioni che ci permettano di calcolare ni . Possiamo qualitativamente dire che i termini ni e pi rappresentino il punto di equilibrio tra la ricombinazione termica e la ricombinazione.2. in seguito ad un certo transitorio di tempo trascorso in banda di conduzione. uno in contrapposizione con l’altro: • Generazione Termica (Gth): una temperatura non nulla muove un certo numero di elettroni dalla banda di valenza alla banda di conduzione. come abbiamo gi` detto in u a precedenza.1 Calcolo di ni Abbiamo parlato del numero di elettroni in banda di conduzione. una volta separatisi dalle lacune. per ricombinarsi con le lacune. ci capiter` spesso per` di studiare condizioni molto meno a a o favorevoli. generando per l’appunto termicamente coppie elettrone-lacuna. e abbiamo accennato al fatto che il moto dei portatori di carica. Studiando un semiconduttore intrinseco. i fenomeni che stabiliscono la conduzione sono principalmente due. si usa dire per questo che sia il fenomeno antagonista della generazione termica. ed in seguito o pi` generalmente n. sar` data sia dagli elettroni in banda di a conduzione. ossia la corrente elettrica. • Ricombinazione (R): gli elettroni.1. facendo sparire una coppia elettrone-lacuna. sono: ni = NC e− pi = NV e− EC −EF i kT EF −EV i kT Siamo stati soliti finora usare come condizione al contorno del nostro problema la neutralit`.

3 Caratterizzazione dei semiconduttori drogati Abbiamo finora esaminato semiconduttori regolari.Vediamo alcune cose: sappiamo da osservazioni precedentemente fatte 3 che NC ed NV variano proporzionalmente a T 2 . parlando di un drogaggio tipo n. 12 . non esistono funzioni analitiche in grado di determinare un andamento del gap di energia in funzione della temperatura. Concettualmente e a livello fisico i due processi presentano notevoli differenze. Incominciamo e la trattazione dei semiconduttori drogati. e omogeneo nel substrato semiconduttivo. intrinseci. e pochi meV in pi` il fosforo). Droganti comunemente usati in processi di drogaggio del silicio sono l’arsenico As. Arsenico e fosforo sono ideali droganti per il silicio proprio perch` si e andranno a posizionare tendenzialmente in prossimit` dell’inizio della banda a di conduzione (circa 40 meV l’arsenico. o il fosforo P. I u 14 19 drogaggi variano dall’introduzione di ND dai 10 ai 10 atomi su cm3 . a meno che non si ricavino da processi di statistica inferenziale (fitting). ossia incremeno tando gli elettroni in banda di conduzione. e quindi il gap energetico tende a ridursi. di conseguenza. considerando idealmente che essi vengano disposti in modo regolare. Anche e il gap energetico Eg ` funzione della temperatura: aumentando T. introducendo livelli energetici particolari. c’` quello appena citato di NC ed NV . drogare o un semiconduttore? Drogare tipo n significa aggiungere stati artificiali nell’energy gap. Cosa significa per`. ma poich` noi consideriamo di trovarci sempre a 300 K. aumenta il passo reticolare medio. in prossimit` a di EC . il gap ` molto influenzabile dalla e temperatura. anche se il risultato ` molto simile. iniziamo ora a considerare lo studio della variazione delle caratteristiche elettriche di un semiconduttore. o tipo p. precisamente. detti livelli donatori ED . Definiamo ND la concentrazione di drogante tipo n inserito nel semiconduttore. 1. pose siamo considerare il nostro sistema invariante rispetto a problemi di questo tipo. che studiano l’andamento del passo reticolare medio al variare della temperatura. Eg tende e a diminuire. incrementando le lacune in banda di valenza. all’aumentare della temperatura. Un semiconduttore si pu` drogare in due modi: o tipo n. al variare di alcuni parametri tecnologicamente impiantati all’interno di un semiconduttore. e quindi non trattati tecnologicamente in alcun modo. Per questo motivo. la concentrazione dei portatori intrinseci varier` pi` che esponenzialmente: oltre al a u contributo dell’esponenziale.

• Ionizzazione. EV . a u che tenderanno ad andare verso la banda di conduzione. La ionizzazione dunque realizza stati energetici che non dispongono assolutamente delle stesse propriet` di trasporto di cui disponevano le lacune in precedenza descritte. Da un salto di 1. all’aumentare della temperatura T. Si noti che la ionizzazione non ha un fenomeno antagonista. il discorso ` piuttosto simile. a Per il drogaggio tipo p.12 eV.In un semiconduttore drogato. Drogare significa introdurre nel semiconduttore un fenomeno di ionizzazione. T=0. che tendono a disporsi in prossimit` della banda di valenza. ad una temperatura nulla. e pi` T auu menter`. e non creano lacune. essi dovranno solo saltare pochi meV. a differenza della ricombinazione e della generazione termica che si elidono tra loro: ci` ` oe dovuto sia dal fatto che a 300 K non vi ` la possibilit` fisica che un elettrone e a tenda a tornare verso il proprio guscio. lasciando liberi gli elettroni. o meglio duale: gli e ioni droganti saranno identificati come NA . le fenomenologie che provocheranno conduzione saranno tre: • Generazione termica. Un a 13 . e dunque un effetto termico pressoch` minimo permetter` una transizione in banda di e a conduzione. e daranno luogo a livelli accettori EA . possiamo considerare i livello energetici donatori ED come delle sorte di gusci. sia e soprattutto dal fatto che gli ED sono livelli energetici statici. Questi gusci tenderanno ad aprirsi. localizzati. vicinissima ai livelli ED . • Ricombinazione. pi` saranno i gusci che si apriranno. contenenti elettroni.

A partire da ci` che abbiamo finora descritto. dobbiau mo innanzitutto cercare una condizione al contorno idonea per potervi poi applicare le giuste equazioni. Il meccanismo di ionizzazione ha una forte dipendenza dalla temperatura. n e p. ma solo certi. che per` agir` in senso diverso. 45 · 1010 . e quindi daran vita a fenomeni a di trasporto in banda di valenza. a spesa di un minimo effetto termico. intrinseci). e aggiungendo ad esempio 1010 atomi di arsenico. Nel caso del silicio. Per ognuno di questi droganti ionizzati. per ora non a quantificabile. ionizzata solo una parte. a Dover studiare una dipendenza della ionizzazione alla temperatura ` molto e 14 . di aprirsi ed accettare elettroni dalla banda di valenza. e dunque del diagramma a bande. sempre pi` u gusci si apriranno e cattureranno elettroni. le fenomenologie sono a del tutto analoghe a quelle descritte nel semiconduttore tipo n. come dei gusci che si aprono. con concentrazione di drogante ND . • L’effetto del drogaggio non ` puramente additivo: non siamo sicuri che. in banda di conduzione. a per drogare tipo p devono essere trivalenti e posizionare i propri livelli accettori in prossimit` di EV . siamo sicuri di un miglioramento nella conducibilit`. sono in grado. Supponiamo per ora di drogare tipo n. facciamo alcune puntualizo zazioni onde evitare confusione: • Non tutti gli atomi sono in grado di drogare un substrato semiconduttivo. a causa di fenomeni intrinseci di ricombinazione. in un semiconduttore drogato (e quindi non pi` intrinseco). Aldil` di queste osservazioni fisiche qualitative. per drogare tipo n devono essere pentavalenti. Man mano che la temperatura aumenta. a • L’effetto del drogaggio provoca una notevole alterazione della popolazione delle bande energetiche.1 Calcolo di n e p in un semiconduttore drogato Per poter determinare parametri come le concentrazioni dei portatori attivi. Anche qua il gap da saltare per gli elettroni sar` infinitesimo.3. e catturano elettroni. in base ad alcune caratteristiche che devono possedere. 1. che chiameremo ND . e posizionare i propri livelli donatori in prossimit` di EC . gli elettroni raddoppieranno (dalla loro condizione iniziale a 300 K di 1.ottimo drogante tipo p per il silicio ` il boro B. quindi di fatto degli ND droganti ne sar` a + attiva. vi sar` un elettrone libero. fia o a sicamente: gli atomi idonei per il drogaggio tipo p. poich` il buon drogante posizioner` i propri a e a livelli accettori in prossimit` del livello EV . senza avere fenomeni duali in contrapposizione. anzich` liberarli e (a differenza di prima). Anche nel drogaggio tipo e p avverr` un fenomeno di ionizzazione.

poich` non vi a e sono ulteriori impurit` da ionizzare. il prodotto delle due equazioni membro a membro: nn pn = NC NV e− EC −EF kT · e− EF −EV kT = NC NV e− kT = n2 i Eg Abbiamo appena fatto. nel drogaggio tipo n. una scoperta interessantissima: qualsiasi siano le concentrazioni di portatori di carica nelle bande. in seguito a questo semplice conto. Consideriamo nn il numero di elettroni in banda di conduzione in seguito al drogaggio tipo n (come suggerisce il pedice). e questa costante ` il quadrato e e degli elettroni in banda di conduzione nel semiconduttore in stato intrinseco. si innalzer` rispetto alla a posizione di partenza. potremo sempre considerare valida l’ipotesi di completa ionizzazione. Supponiamo di conoscere EF . come vedremo tra breve. ma si pu` applicare una condizione o interessantissima che ci accompagner` spesso nella trattazione: l’ipotesi di a completa ionizzazione. e dunque attive. Questo fenomeno ` detto legge dell’azione di massa: e nn · pn = n2 i Ci` ci fa rendere conto per` anche di un problema gravissimo: tecnologio o camente non ` possibile crescere una delle due concentrazioni senza andare a e scapito dell’altra: le due concentrazioni non possono crescere di pari passo. dopodich` aumena e tando la temperatura si instaurer` un regime di saturazione. il loro prodotto ` una costante. nel semiconduttore intrinseco. ossia il calcolo delle concentrazioni n e p.pesante per i conti che ne deriverebbero. Poich` noi dunque studiamo sistemi ad a e una temperatura T ∼ 300 K. Si pu` dire che o infatti il livello di Fermi sia una sorta di baricentro dei livelli energetici. tutte le impurit` droganti saranno ionizzate. ossia il livello di Fermi alterato dal drogaggio. si nota che per una temperatura intorno ai 100 K. e a 15 . e pn il numero di lacune in banda di valenza sempre in questo stato: nn = NC e− pn = NV e− EC −EF kT EF −EV kT Consideriamo nuovamente. non allontaniamoci per ora dal problema di base. poich` il loro prodotto sar` sempre e comunque costante. come prima. Studiando l’andamento della ionizzazione al variare della temperatura. e quindi + ND = ND Il livello di Fermi EF . EFi .

fa prevalere la interazioni di tipo elettrostatico su tutte le altre. al variare della temperatura. Regime estrinseco: per temperature superiori a 100 K. donatore nel drogaggio tipo n) ionizzato corrispondente. l’attivazione dei droganti non ` ancora completa. abbiamo un’equazione di secondo grado con variabile indipendente nn . Esister` dunque una condizione di neutralit` del semiconduttore. la generazione termica ` e e molto bassa a causa della scarsa temperatura e dunque scarsa energia termica del sistema. Regime di congelamento: per temperature inferiori ai 100 K. associate a tre regimi particolari: 1. e di ND (T ) conosciamo l’andamento. a a ma globale: la somma di tutte le cariche del semiconduttore sar` nulla. e considerando solo la radice positiva. a a 2. sappiamo che n2 n2 i + =⇒ i + ND − n2 = 0 n nn nn Dunque. ossia degli elettroni in banda di conduzione nel semiconduttore drogato tipo n. e quindi vi sar` una bassa conducibilit`. e quindi si ha un regime di + saturazione: ND = ND . Il fatto che si siano attivati completamente i droganti. ed ogni elettrone derivante dal drogaggio ha un livello (accettore in drogaggio tipo p. Possiamo peno e sare in modo molto qualitativo che l’andamento dei portatori maggioritari. ma comunque vi siano scarsi effetti termici. e nn ND . sia il seguente: Si possono distinguere tre regioni. risolvendola. 16 . a Appilichiamo dunque la condizione di neutralit` globale del semiconduta tore: + + q(pn + ND − nn ) = 0 =⇒ pn + ND − nn = 0 Dalla legge dell’azione di massa. si ottiene: pn = N+ nn = D + 2 T: + ND (T ) nn (T ) = 2 ND 2 2 + ni Consideriamo il fatto che le grandezze sono funzione della temperatura 1+ 2ni (T )2 + ND (T ) +1 + Per` ni (T ) ` nota. si pu` consio derare l’ipotesi di completa ionizzazione.Consideriamo anche un altro fatto: la carica totale del semiconduttore ` e nulla: ogni lacuna in banda di valenza ha un elettrone in banda di conduzione corrispondente.

nella fatispecie su quelle di origine termica. potremmo ora chiederci quale sia l’andamento della funzione dei minoritari. Questo tipo di comportamento ` stato fatale per il germanio: il padre dei semie conduttori ` infatti stato l’appena citato germanio. Non ` inutile lo studio di questo andamento. ossia quello utile nella maggior parte dei dispositivi. di conseguenza ni cresce molto pi` rapidamente. semiconduttore a e gap estremamente piccolo. Sappiamo che pn (T ) = n2 (T ) i nn (T ) Noi conosciamo bene sia l’andamento di ni (T ) che di nn (T ). prevalgono su quelle elettrostatiche. e quindi ` scarsamente utilizzabile in u e regime estrinseco. fa s` ı ı che il regime intrinseco si instauri con una temperatura molto inferiore rispetto a quella che lo farebbe instaurare nel silicio. la differenza fondamentale da quest’ultima ` che i portatori minoritari non hanno una zona e di saturazione. studiando dispositivi a semiconduttore. in un certo livello energetico. per farsi sostituire da elettroni intrinseci del materiale. le interazioni fononiche. Questo ` il regime che e tendenzialmente si utilizza. Regime intrinseco: per temperature alte. ossia delle lacune in banda di valenza in un semiconduttore drogato tipo n. ma la concentrazione varier` in a modo puramente intrinseco. 3. Il fatto che il gap fosse cos` ridotto. in questo regime. e 17 . e cos` ı l’effetto del drogaggio tende a perdersi. Abbiamo largamente discusso l’andamento della funzione nn (T ). ossia derivanti da effetti termici. pn (T ). nn ni (T ).

al fine di poter studiare pi` u profondamente questo meccanismo di compensazione. Abbiamo dunque analizzato una casistica.poich` alcuni dispositivi si basano sullo studio dell’andamento dei minoritari. o a In un drogaggio tipo p. Potremmo a questo punto riproporre un problema precedentemente accennato: immaginiamo di drogare un substrato semiconduttivo sia tipo p che tipo n. supponiamo di essere tecnologicamente in grado di poter introdurre una concentrazione di droganti NA uguale a quella di droganti ND . si ottiene a che: p · n = n2 i =⇒ + − q(p − n + ND − NA ) = 0 + − ND = NA p−n=0 Si capisce che l’effetto del drogante ND compensa quello di NA . ragionando dualmente a prima. np = n2 i − =⇒ p2 − NA − n2 = 0 i p pp Da ci`. al variare della temperatura. il semiconduttore torna semplicemente ad essere intrinseco. Ci` ci induce a pensare che vi sia un meccanismo o di compensazione dei droganti. la situazione ` del tutto duale a quella appena e descritta: − − q(pP − NA − np ) = 0 =⇒ pp − NA − np = 0 Dall’azione di massa. esistono i tre e regimi. e cos` il drogante tipo ı + donatore in totale sar` ND : a + + − ND = ND − NA 18 . applicando la neutralit` globale e la legge dell’azione di massa. ossia ND = NA . Stessa cosa per la concentrazione dei minoritari np (T ). • ND > NA : i donatori prevalgono sugli accettori. analizziamo le rimanenti due. o  − N (T )  2ni (T ) pp (T ) = A 1+ − 2 NA (T ) 2  + 1 L’andamento ` dunque del tutto analogo al precedente. e anche se ci` sar` molto meglio approfondito in seguito. e viceversa. se i due drogaggi sono dunque uguali. con le stesse condizioni del drogaggio tipo n.

3. Utilizzando le relazioni appena studiate. a Il calcolo che per` noi abbiamo effettuato di EF non ` ottimale: se doo e vessimo studiare il livello di Fermi in un semiconduttore drogato tipo p. e considerare la presenza di dati che comunemente non si considerano.05 eV. si pu` considerare valida l’ipoteo si di completa ionizzazione. e a partire da questa effettuare i nostri studi.• ND < NA : situazione duale a prima. dove gli accettori prevalgono sui − donatori. dovremmo ridisegnare da zero il diagramma a bande. siamo ora in grado di disegnare e quotare il diagramma a bande dettagliato di un semiconduttore drogato tipo n: I simboli usati sono sempre i soliti.2 Equazioni di Shockley Partendo dalle nostre conoscenze. e da qui quotare il lavoro di estrazione: nn ∼ ND = NC e− EC −EF kT =⇒ EC − EF = kT ln NC ND A seconda del drogaggio. quali EC o EV . e quindi NA sar`: a − − + NA = NA − ND Un esempio pratico di semiconduttore drogato sia n che p ` il transistore e bipolare (anche se sar` necessario introdurre molte altre nozioni prima di a arrivare a trattarlo). si pu` ottenere un prototipo di transistore bipolare. rifare da capo le nostre congetture.61 al 4. in un semiconduttore drogato tipo p il lavoro di estrazione sarebbe: qΦSn = EC − EF + qχ = qχ + kT ln qΦSp = qχ + Eg − kT ln 19 NV NA . o 1. sappiamo che: NC ND Possiamo dunque calcolare EC − EF . il lavoro di estrazione varr` dai 4. aprendo finestre tipo p in un semiconduttore drogato tipo n.

Proponiamo ora qualcosa di diverso. esse saranno: ni = NC e− pi = NV e− EC −EF i kT EF −EV i kT Ricaviamo ora da queste ultime due. pi` generale per il calcolo del livello di Fermi EF . gli unici parametri richiesti sono 20 . sia in semiconduttori u tipo n che in semiconduttori tipo p. tenendo conto che in un semiconduttore intrinseco. ni = pi : NC = ni e NV = ni e EC −EF kT i EF −EV i kT Sostituendo le espressioni appena trovate a partire dalle equazioni intrinseche. nelle equazioni del semiconduttore non intrinseco. in onore del fisico statunitense che le ha formulate per la prima volta: n = ni e p = ni e EF −EF i kT EF −EF i kT Queste equazioni sono particolarmente interessanti in quanto in esse spariscono i parametri estremamente scomodi che nelle relazioni precedentemente utilizzate erano da considerare come noti. troviamo: n = ni e p = ni e EC −EF i kT · e− · e− EC −EF kT EC −EF kT i EF −EV kT Ordinando e semplificando alcuni termini. pi` semu u plice. si ricavano le cosiddette Equazioni di Shockley. ossia un metodo pi` globale. Partiamo dalle solite: n = NC e− p = NV e− EC −EF kT EF −EV kT Considerate in un semiconduttore intrinseco. NC ed NV . NC ed NV .

invertendole. che si trover` esattamente a e a met` dell’energy gap: quando si parlava di utilizzo del livello di Fermi intrina seco come punto di riferimento. e utilizzare i mezzi appresi per studiare una prima modellazione di un semiconduttore. possiamo ritenere conclusa questa prima trattazione del comportamento fisico di un semiconduttore. che ci ` noto. si voleva proprio arrivare a questo risultato: un’equazione in grado di fornire informazioni enormi a partire da dati minimi. 21 . sar` semplicissimo calcolare il livello a di Fermi: EF − EFi = kT ln EFi − EF = kT ln ND ni NA ni Dopo la formulazione delle Equazioni di Shockley. e il livello di Fermi intrinseco. A partire da queste.ni .

la tensione tra i due puntali e continuer` ad aumentare. al variare della x. a causa di un moto di agitazione termica. e di poter disporre di un voltmetro ideale. che provoca una corrente di drift. Essi possono solo essere trascinati da un campo elettrico ε. ossia la differenza di potenziale al variare della posizione spaziale. all’interno del semiconduttore vi sar` un campo a elettrico direzionato nel verso dell’asse delle x da noi introdotto. Giunti al punto d. verso positivo da sinistra a destra. in continuo movimento. in riferimento alla prima faccia. le correnti sono nulle. con pendenza positiva: man mano che a ci si allontana dalla faccia cui ` posta la massa. Supponiamo di considerare un semiconduttore con contatti metallici (al fine di disperdere resistenze parassite). la tensione sar` Va . Ex = ε. Ci poniamo a questo punto una domanda legittima: che effetto provoca l’applicazione di una tensione Va . La tensione avr`. ossia la tensione ai capi a del sistema (considerando condensatore a facce piane parallele. ossia dopo aver raggiunto la a seconda faccia del condensatore. in grado di misurare la ∆V (x). al semiconduttore? Come varier` il suo a diagramma a bande in seguito all’applicazione di questa tensione esterna? Supponiamo di studiare un condensatore. cio` di trascinamento. i quali sono collegati ad una batteria che fornisce una tensione Va . ossia varier` come una retta. e muoviamo l’altro all’interno di questo sistema: avremo come risultato una misura della differenza di potenziale al variare della posizione.Capitolo 2 Modello matematico delle correnti nei semiconduttori In un metallo. posizioniamo uno dei due puntali del voltmetro a massa sulla faccia sinistra del condensatore. Fissiamo l’origine del nostro sistema di riferimento cartesiano spaziale sulla faccia sinistra del condensatore. escludendo 22 . un andamento a lineare. e In un semiconduttore all’equilibrio termodinamico. e l’asse delle x ortogonale alla faccia. gli elettroni come gi` detto si trovano tutti in banda di cona duzione.

risolvendo l’integrale. poich` a e abbiamo posto il puntale a massa sulla faccia sinistra del condensatore. che: qVa x d Misurando l’energia in eV. U (x). dallo studio dell’elettrostatica. F = −qε = −q − d d L’energia potenziale al variare della posizione spaziale x. il grafico coincide con il simmetrico rispetto all’asse delle x del grafico appena visto per la tensione: U (x) = − 23 . che: ε=− Va Va . sar` l’integrale di linea della forza elettrostatica del condensatore. possiamo dire. Come varier` l’energia potenziale di un elettrone in questo condensatore? a Noi sappiamo. da 0 a x. e lo 0 della posizione spaziale in prossimit` della massa: a x x U (x) = U (0) − 0 F dx = 0 − 0 q Va dx d Dunque.eventuali effetti di bordo e quindi considerando un campo elettrico uniforme su tutta la superficie del condensatore).

che ci permette di capire in modo del tutto qualitativo il comportamento di un semiconduttore e la variazione del suo diagramma a bande in seguito all’applicazione di una tensione esterna. di un certo angolo. allora anche il e diagramma a bande dovr` subire una sorta di pendenza negativa. come se fossero bollicine d’aria. Fingendo che ora al posto di un condensatore vi sia il nostro substrato semiconduttivo. e che dunque vi ` una e e condizione di neutralit` sicuramente globale. ` una retta a pendenza negativa. il discorso appena fatto ` perfettamente valido. ma del tutto sensata: poich` l’energia potenziale di un elettrone di fatto. come se fossero palline di ferro. si consideri sempre il fatto che il semiconduttore ` drogato in modo del tutto uniforme. e verso l’alto (ossia in verso ad esso concorde) le lacune. ossia che la somma di tutti gli eccessi di cariche in essa presenti ` e nulla. e poich` e il diagramma a bande altri non ` che il grafico dell’energia di un elettrone. In seguito a questa premessa. vedremmo che ogni singola fetta ` localmente e neutra. e faccia scendere gli elettroni. ma anche locale: se infatti sea zionassimo il semiconduttore. per poter a tener conto degli effetti della tensione sull’energia dell’elettrone. Possiamo immaginare che la differenza di potenziale Va esterna sposti gli 24 . Questo perch` l’applicazione di un campo elettrico esterno non came bia in alcun modo la concentrazione degli elettroni in banda di conduzione. faccia risalire le lacune. per fare un confronto azzardato ma efficace. e una tensione esterna Va applicata ad un diagramma a banda. introduciamo alcuni nuovi concetti.Esiste dunque un forte legame tra tensione ed energia potenziale di un elettrone: poich` abbiamo trovato un’espressione dell’energia potenziale coe me retta a pendenza negativa che da 0 raggiunge un livello −qVa . e Questo diagramma inclinato rappresenta dunque il punto di vista degli elettroni: il campo elettrico provocato dalla tensione Va far` spostare verso a il basso (ossia in senso ad esso opposto) gli elettroni. tende a ruotare tutte le grandezze presenti all’interno del diagramma. che l’applicazione di una polarizzazione Va . Effettivamente sembra piuttosto stravagante come idea. in seguito all’applicazioe ne di una tensione esterna. Possiamo quasi immaginare. inclinando il diagramma a bande.

potremo dire che. date le nostre ipotesi. capiter` qualcosa di duale: il a semiconduttore a causa della tensione e del campo da essa derivante preleva dal contatto ohmico sinistro elettroni. o le espressioni dei due flussi saranno: Φx. ossia di elettroni. Le ipotesi di neutralit` ci spingono a considerare velocit` a a a vd . ossia di drift.e+ (+q) In totale.e− (−q) Il contributo delle correnti nel semiconduttore per` sar` dato anche da o a una densit` di corrente di lacune. Φ. la densit` di corrente dovuta agli a a elettroni in banda di conduzione sar` data da: a J− = Φx. a J = −qnvd. bae 25 . Partendo da ci`.e+ = nvd. senza apo profondire molto.elettroni verso destra. Una densit` di corrente J ` un flusso di cariche. Date le ipotesi precedentemente illustrate.e− (−q) + Φx. una lacuna.e− Φx.e+ Sostituendo nell’espressione della densit` totale di corrente J. ma mee a dia. senza per` avera o ne fornito alcuna informazione: essa ` una velocit` non istantanea. che sar` poi in seguito ricombinata dalla a lamina sinistra. lascia un buco. dell’intera popolazione: essa ` un parametro fittizio che descrive.e+ (+q) Abbiamo per` detto qualche parola riguardo questo flusso.e+ Stiamo ora continuando a parlare della velocit` di drift. partendo da una definizione: vogliamo cercare di capire esattamente che cosa sia una corrente. assorbito dalla lamina destra. Un elettrone. l’unica corrente che avrea mo a disposizione sar` quella di drift. nel lato sinistro. dove vi ` il contatto metallico nel quale gli elettroni e possono entrare liberamente.e− + qnvd. possiamo dire che la totale densit` di corrente sar` data da: a a J = Φx. per a e flusso possiamo intendere semplicemente il prodotto di una velocit` per una a densit`. ı Cerchiamo di formalizzare ora tutti questi concetti.e− = nvd. Questo modello pu` o intuitivamente spiegare cos` il trasporto di cariche. dicendo che ` una densit` di elementi moltiplicato per una e a velocit` di moto. che fornisce elettroni al semiconduttore. formalizzata come: a J+ = Φx.

la velocit` media di a trascinamento di un singolo elettrone. possiamo completare la definizione della densit` di carica. maggiore sar` l’interazione fononica coi a a nuclei. a • Maggiore sar` il drogaggio. ed arrivare a ad una prima definizione di conducibilit` elettrica in un semiconduttore: a Jn. tra un urto ed un altro con il reticolo. La mobilit` dei portatori risente di alcune caratteristiche: a • Maggiore sar` la temperatura. minore sar` la a a mobilit` dei portatori. si pu` dire che: o µn = µp = τ∝ −qτ m∗ n qτ m∗ p λ Nth Il parametro λ ha una forte dipendenza dalla regolarit` del reticolo cria stallino.e+ = µn ε Dove µ rappresenta la mobilit` dei portatori di carica. e dunque la somma delle concentrazioni a (NA + ND ).e− = −µn ε vd.sandosi sullo studio statistico di tutta la popolazione. a • Maggiore sar` il numero di imperfezioni del reticolo. Riassumendo ci` che abbiamo appena detto. poich` vi a a e sar` una popolazione maggiore. notoriamente superiore nelle lacune che negli elettroni. a E’ possibile spesso trovare dei grafici dei degradamenti di µn e µp : Ora che abbiamo introdotto anche la mobilit` elettronica. Mediante alcune osservazioni. e dunque minore la mobilit` dei portatori. Definiamo alcune nuove relazioni: vd. la mobilit` degli elettroni o a ` maggiore di quella delle lacune. che noi consideriamo perfetto per ipotesi. poich` l’unico parametro variabile ` la e e e massa efficace m∗ . e minore sar` la mobilit` dei portatori di carica. e ε ` il solia e to campo elettrico derivante dalla polarizzazione esterna. e una sua stima a grafica.drif t = (−q)n(−µn )ε 26 .

causato dal gradiente della concentrazione al variare della posizione in cui ci si trova. sar` a a Jd = (qµn n + qµp p)ε = σε L’espressione operativa della conducibilit` in un semiconduttore sar` duna a que: 1 = qµn n + qµp p ρ In un metallo. La diffusione degli elettroni causata 27 . e quindi u la condizione di neutralit` locale del semiconduttore sarebbe inapplicabile in a questo ambito. gli elettroni tendono ad uniformarsi.Jp. Questo perch`. bisogna dunque considerare anche le lacune in banda di valenza. J. e dunque ad occupare le sezioni del semiconduttore meno popolate. le fettine non avrebbero pi` carica complessiva nulla. in ae un semiconduttore. la conducibilit` ` solo affidata al moto degli elettroni. σ= 2. si abbia in un semiconduttore una concentrazione degli elettroni in banda di conduzione non uniforme. avviene un fenomeno di diffusione degli elettroni.drif t = qpµp ε La densit` di corrente di drift totale.1 Correnti di diffusione Potrebbe capitare che. In una situazione come questa (che molto spesso trova riscontro in applicazioni pratiche. sezionando idealmente il semiconduttore. qualitativamente e parlando. per avere un quadro completo delle correnti presenti. a causa di fenomeni particolari o per motivi elettrici/tecnologici. come vedremo in seguito).

dal gradiente dunque provoca un flusso di elettroni, ed anche un flusso di lacune, poich` anche esse tenderanno all’omogeneit` nel sistema. Il campo ε ` e a e del tutto ininfluente in questo processo, o meglio il processo ` indipendente e da esso. Il campo elettrico provocava le correnti di drift precedentemente studiate, ora avremo per` due nuove correnti, provocate dalla diffusione dei o portatori: Jn,dif f = −qΦx,e− dif f Jp,dif f = qΦx,e+ dif f Possiamo dunque intuire ci`: o Φx,e− dif f = −Dn Φx,e+ dif f = −Dp ∂n ∂x

∂p ∂x I termini Dn e Dp sono i coefficienti di diffusione rispettivamente di elettroni in banda di conduzione e di lacune in banda di valenza, per ora non ancora quantificati. Questi coefficienti, moltiplicati per la variazione nello spazio di concentrazione di portatori, ossia per la derivata parziale rispetto a x dei portatori rispettivi, definisce i due flussi di diffusione. Possiamo considerare questo moto come confrontabile a quello di un gas; il gradiente della concentrazione di elettroni ` negativo (secondo il sistema e di riferimento precedentemente definito), ma quindi il flusso risulta essere positivo. Si noti che in un metallo questa situazione ` assolutamente irreae lizzabile: nel metallo gli elettroni sono come un mare, che assorbe facilmente qualsiasi perturbazione gli venga fornita. Tecnologicamente non ` difficile e creare correnti di diffusione in un semiconduttore, come vedremo in seguito parlando ad esempio della giunzione p-n.

2.2

Relazioni di Einstein ed Equazioni del Trasporto

Formalizziamo ora tutto ci` che abbiamo finora detto, partendo dalle ultime o relazioni discusse: la densit` totale di corrente di diffusione, Jdif f , ` data da: a e Jdif f = Jn,dif f + Jp,dif f

28

Jn,dif f = qDn

∂n ∂x

∂p ∂x Si possono ricavare i due coefficienti Dn e Dp , mediante le Relazioni di Einstein, e scoprire che: Jp,dif f = −qDp Dn = Dp = kT µn q kT µp q

Per semplicit`, si definisce il termine kT come equivalente in tensione a q della temperatura: esso infatti dimensionalmente ` una tensione, chiamata e convenzionalmente VT : VT = kT q

Il valore di VT ad una temperatura di 300 K, ` circa di 26 mV. e Mediante queste prime relazioni, abbiamo trovato i primi tasselli del puzzle rappresentante il modello matematico delle correnti in un semiconduttore: le Relazioni di Einstein, e le equazioni del trasporto che ora esporremo in forma ordinata: Jn = qnµn ε + qDn Jp = qpµp ε − qDp ∂n ∂x ∂p ∂x

2.3

Equazione di continuit` a

Supponiamo di avere un cubo di lato infinitesimo dx, e sezione A; vogliamo quantificare la carica in esso contenuta. Supponiamo che il cubo si trovi, sul nostro sistema di posizione cartesiano, nel punto x, e termini quindi nel punto x + dx. Nel punto x entrer` una certa corrente, e quindi un certo flusso di cariche, a mentre nel punto x + dx ve ne sar` presumibilmente un’altra, non sappiamo a se uguale o meno. Formalizzando, possiamo dire che:

29

∂n Jn (x)A Adx = ∂t −q Cosa abbiamo detto qui: la variazione del numero di elettroni nel tempo, all’interno del volume del cubo, ` uguale alla densit` di carica diviso la carica e a fondamentale, e quindi ` uguale al flusso di cariche che circolano nel cubo. In e realt`, sarebbe necessario considerare, nella transizione all’interno del cubo, a altri tipi di fenomenologie, quali la generazione termica e la ricombinazione. Formalizzando ulteriormente, possiamo aggiungere che: Jn (x)A Jn (x + dx)A ∂n Adx = − + (Gth − R)Adx ∂t −q −q Sviluppiamo ora in serie di Taylor troncando al primo ordine il termine Jn (x + dx): ∂Jn (x) dx ∂x Sostituendo nell’espressione appena trovata, si trova che: Jn (x + dx) Jn (x) + ∂n Jn (x)A Adx = − ∂t −q Jn (x)A 1 ∂Jn (x) + Adx + (Gth − R)Adx −q −q ∂x =⇒ ∂n ∂Jn 1 = − Un ∂t ∂x q

Dove si definisce Un come il tasso medio di ricombinazione: Un = R − Gth

30

in quanto conosciamo molto poco riguardo ad essi. in tutti a 31 . t) e p(x. e sfruttando tecniche analitiche ed algebriche del tutto uguali. uno negativo ed uno positivo: globalmente. in grado di instaurare gradienti di concentrazione e dunque un processo di diffusione mediante il generarsi di flussi di portatori. e il termine di ricombinazione Un o Up a seconda se si studiano rispettivamente elettroni o lacune. Gli eccessi di cariche daranno vita a a campi elettrici nella zona compresa tra i due eccessi. Supponiamo dunque di avere. tuttavia non siaae mo in grado di riferirci con precisione ai termini della suddetta.4 Equazione di Poisson Il nostro modello matematico delle correnti nel semiconduttore ` ancora e molto carente: l’equazione di continuit` ` molto potente. troviamo anche il campo elettrico ε.In modo del tutto analogo si pu` ricavare l’equazione di continuit` delle o a lacune. t). nel nostro modelo matematico. questo moto di cariche. si ottiene: 1 ∂Jp ∂p =− − Up ∂t q ∂x 2. il sistema sar` neutro. n(x. Incominciamo dunque a studiare la densit` di distribuzione delle cariche. Supponiamo di avere eccessi locali di cariche. rispetto alla condizione di equilibrio. Formalizziamo. all’interno delle equazioni di trasporto precedentemente ricavate: a le soluzioni di questo sistema di equazioni sar` un’espressione analitica delle a densit` di portatori. uno spostamento di cariche. Possiamo per` sfruttare un’idea geniale: sostituire le due equazioni di o continuit`. un accumulo locale di cariche. in funzione di tempo e posizione. Quea ste non sono per` le uniche incognite del problema: leggendo le equazioni o precedentemente introdotte. partendo dalle stesse equazioni precedentemente usate. non trascurabili.

che C= Va = Q Q = C 0d 32 . si introduce la capacit` definita come a il rapporto tra carica e tensione. al variare della posizione x in cui osserviamo il semiconduttore in questo stato: + − ρ(x) = +q p(x. parlando di condensatori. ora ci interessiamo del campo elettrico ε. Apriamo una breve parentesi ad un primo studio del legame tra carica e campo elettrico.Campo Elettrico Dato il solito modello semplificato di condensatore a facce piane parallele non dotato di effetti di bordo. applicata sulle facce una tensione ∆V = Va . che: ∂Φ ∂x Dove Φ ` il potenziale. osserviamo che il campo elettrico ε(x) fuori dal condensatore ` nullo. t) − n(x. 0 . Utilizzando il teorema fondamentale del calcolo e integrale: ε(x) = − d x Φ(x) = − 0 ε(x)dx ⇐⇒ Φ(x) = Φ(0) − 0 ε1 dx Come sempre. consideriamo a 0 la massa del nostro sistema. 2. ma anche come rapporto del dielettrico contenuto nel condensatore. risultato finale di questa sezione della trattazione del modello matematico. si otterr` che: a Va d Tuttavia. e dall’analisi dei campi vettoriali. senza aver ancora introdotto l’Equazione di Poisson. Per far ci`. dobbiamo per` aver ben presente il legame tra carica e campo o o elettrico. invertendo l’espressione. e sappiamo dallo studio di Fisica riguardo l’elettrostatica. dunque Φ(0) = 0.1 Legame Carica . e della distanza tra le facce: Φ(x) = −ε1 x =⇒ ε1 = − Q 0 = Va d Possiamo dunque dire. t) + ND (x) − NA (x) Data la distribuzione delle cariche.4.gli eccessi.

in x2 . ossia la costante dielettrica del vuoto.4.2 Dimostrazione qualitativa dell’Equazione di Poisson Ci preoccupiamo ora di mostrare l’equazione di Poisson. ma che non u sono utili alla trattazione). Il campo ora rimarr` costante. e di rS . ossia l’Equazione di Poisson 2. anche detto Legge di Gauss (in realt` essa a racchiude significati ben pi` profondi di quello appena mostrato. che ridurr` il a a 33 . mediante una dimostrazione non rigorosa ma comunque efficace. fino a quando a non ci si addentrer` nella seconda regione di cariche. ossia la costante dielettrica relativa del semiconduttore. Questo ` un caso molto particolare. si arriva finalmente a dire che: ε1 = − Q 0 Abbiamo trovato in questo particolare caso un’espressione del campo ε1 . fino a all’uscita dalla regione. ε(x) = ρ(x) S ρ(x) S dx x Il campo avr` una forma di questo tipo: da −∞ a x1 il campo ` costana e temente nullo. ε sar` il campo elettrico provocato a dagli eccessi di carica descritti mediante la loro funzione di densit` ρ(x).Riprendendo il legame tra campo e potenziale. L’equazione di Poisson avr` una forma del tipo: a ρ(x) ∂ 2Φ =− 2 ∂x S Il termine S ` la costante dielettrica del semiconduttore: esso sar` il e a prodotto di 0 . addentrandoci nella regione di cariche. da x3 . a Poich` sappiamo gi` che: e a ∂Φ ∂x Mediante l’applicazione dell’equazione di Poisson possiamo dire che: ε=− ε(x) = Dunque. e di spiegarne il significato profondo. esplicitato in funzione della carica. che dovremo e estendere per ottenere la pi` generale formulazione del legame tra una carica u ed una differenza di potenziale. il campo crescer`.

poich` a e dovr` crescere fino a 0. a ed avr` un andamento di questo tipo: per x < x1 . Da x3 a x4 si ripeter` il ragionamento precedente. a partire dalla distribuzione di cariche fornita o studiata nel problema. il potenziale sar` sempre a a 0. allora la concavit` del tratto di a a parabola sar` rivolta verso il basso. Vediamo dal precedente studio. a Integrando poi ε(x). ma quindi ribaltato e negativo. L’equazione di Poisson avr` un ruolo fondamentale nel modello matemaa tico delle correnti in un semiconduttore. sul campo. la retta avr` pendenza negativa. integrandolo ulteriormente esso diverr` quadratico. fino ad annullarlo in x4 . come fissato anche dalla massa. L’integrale di tale funzione cambiata di segno sar` dunque negativo. Andando da sinistra a destra. ma questa a volta la distribuzione ribaltata del campo avr` pendenza positiva. aggiorniamo la simbologia che utilizzeremo d’ora in poi: quando tratteremo quantit` all’equilibrio. si trova a un regime di campo costante. ottico o di qualunque altro tipo. poi una positiva (in x > 0). termodinamico.5 Considerazioni su semiconduttori fuori equilibrio Prima di iniziare le nostre considerazioni sui semiconduttori fuori equlibrio. dal punto o a x2 al punto x3 . in cui il campo ` positivo. che esso ` maggiore di 0 per qualsiasi posizione x si scelga nello e spazio. poich` sar` essa a fornirci le infore a mazioni sul campo e sul potenziale. e quindi parabolico. si vedr` che: a Φ(x) = − ε(x)dx Considerando come massa Φ(x1 ) = 0. da x1 e a x2 . da x2 a x3 . ribaltando l’andamento a e del campo. abbiamo un campo ad andamento lineare. 2. a 34 . Poich` nella regione delle cariche. e considerando prima una densit` positiva (per x < 0). Poich`. e ci` dar` vita ad un tratto di retta a pendenza negativa. A questo punto.campo. quindi il tratto di parabola avr` concavit` rivolta a a a verso l’alto.

Senza il pedice 0. • Alto livello di iniezione: l’iniezione di coppie elettrone-lacuna ` tale mente elevata da riuscire ad alterare sensibilmente sia i minoritari che i maggioritari: supponiamo di avere una situazione come prima. e 104 + 1013 1013 . nn nn0 .6 Modello del Tasso di Ricombinazione Netto Cerchiamo ora di completare il nostro modello matematico delle correnti in un semiconduttore. se ND = 1016 . ossia ND = 1016 . pn0 = 104 . Di fatto la generazione e ottica inietta coppie elettrone-lacuna in un semiconduttore. Ad esempio. pn0 = 104 . Questo tipo di processo si pu` chiamare generazione termica o (Gott). nn (0)epn (0) le quali varieranno rispetto ai valori a di equilibrio. in un punto che consideriamo come origine del sistema cartesiano. e lo consideriamo come un fenomeno puramente additivo: l’unico fenomeno ad essa contrapposto ` la ricombinazione. pn0 . ma pn G( ω): infatti. introducendo un modello del tasso netto di ricombina35 . in modo da facilitare le transizioni di elettroni. ma non ` abbastanza elevata da poter variare e sensibilmente i portatori maggioritari. i fotoni ω generano per` 1019 coppie o elettrone-lacuna. ossia dotati di un’energia superiore al gap di energia tra banda di valenza e banda di conduzione.useremo il pedice aggiuntivo 0: esempi saranno np0 . i simboli finora utilizzati indicheranno una condizione di non equilibrio nel semiconduttore causata da un qualche fenomeno. pi0 . nn0 . permette la generazione di diverse coppie elettrone-lacuna: esse sbilanceranno le distribuzioni dei portatori in prossimit` del punto 0. ı 2. A queste condizioni. il fatto che la loro energia sia sufficiente a provocare molte transizioni di elettroni dalla banda di valenza a quella di conduzione. ma esistono due sostanziali livelli di iniezione: • Basso livello di iniezione: l’iniezione di coppie elettrone-lacuna altera i portatori minoritari. ni0 . nn0 = ND . Ci chiediamo per`: come possiamo creare. nn pn G( ω): la generazione termica ` cos` potente da compensare interamente il drogaggio ND . ed esponiamolo ad un fascio di fotoni dotati di energia ω > Eg . pp0 . in un semiconduttore. una o situazione di non-equilibrio? Prendiamo un semiconduttore drogato tipo n. poich` 1016 + 1013 1016 . e ı e cos` annullarlo. Irradiamo una sola faccia del nostro semiconduttore con i fotoni ω. nn0 = ND . i fotoni ω generano 1013 coppie elettronelacuna. con un drogaggio ND .

Possiamo immaginare che questo sia un caso limite del nostro modello: vi dovrebbe essere un coefficiente di proporzionalit` α che permetta di regolare la ricombinazione. minoritarie in questo ambito. detto in modo molto approssimativo: poich` ci troviamo in un e semiconduttore drogato tipo n. diventer`: a R = αnn pn Definendo Un il tasso medio di ricombinazione degli elettroni. e pn = pn0 . implicherebbe aumentare anche il fenomeno di ricombinazione nel nostro semiconduttore. e sviluppiamo il noa stro modello. ma non dei maggioritari: in altre parole. da quello precedente. e dunque: R = αnn0 pn0 = Gth Ad un basso livello di iniezione. dunque di fatto la a τp 36 . ma soprattutto Up il tasso medio di ricombinazione delle lacune. Il livello di ricombinazione. τp 1 αND τp ` un tempo medio di vita delle lacune in una condizione a loro sfae vorevole. in questo modo: a R = αnn0 pn0 In altre parole. di avere un semiconduttore all’equilibrio. In questa situazione. all’equilibrio termodinamico. che non permette il perdurare di e un’eventuale variazione della situazione. aumentare uno dei due portatori. prima di iniziare con il formalismo. vediamo che: Up = R − Gth = αnn pn − αnn0 pn0 = αnn0 (pn − pn0 ) Ma poich` consideriamo sempre valida l’ipotesi di completa ionizzazione. nn = nn0 . e possiamo tranquillamente dire che: Up = αND (pn − pn0 ) Introduciamo dunque un’ulteriore definizione: il tempo di vita medio delle lacune. il tempo di vita degli elettroni in quanto maggioritari sar` molto superiore a quello delle lacune. vi sar` una variazione dei minoritari. la generazione termica eguaglia la ricombinazione: per ogni generazione termica vi ` la ricombinazione antagonista. Consideriamo questa proporzionalit` come un assioma. in a questo ambito di pn . e dunque nn = nn0 . R = Gth.zione: supponiamo. avevamo detto che.

e dove cio` le transizioni elettroniche da e un livello energetico ad un altro sono di tipo diretto. 2. come: Up = pn − pn0 τp Cosa ci dice ci`: drogando un semiconduttore. altrimenti la differenza tra il valore finale della concentrazione di minoritario e il valore all’equilibrio sarebbe banalmente nulla. nelle situazioni che o lo riguardano. il tasso di ricombinazione netto sar`: a Up = pn τp In tali Chiaramente. condizioni. Esistono modelli che prevedono transizioni indirette. ma ci` non toglie l’efficacia di questo modello.7 Esercizio Pratico 1. che va principalmente a e loro scapito. a seconda di quanto pi` o u drogante vi immetteremo.loro vita media sar` inferiore. Dato un campione di silicio. parlare di pn e di np ha senso solo fuori equilibrio. ossia basato e su semiconduttori a gap diretto. drogato con NA = 1016 atomi/cm3 : 37 . si suol definire pn − pn0 = pn Dove l’apice indica proprio fatto che si parla di un eccesso. poich` aumenteremo la ricombinazione. in seguito ad una perturbazione esterna. Possiamo dunque finalmente terminare il modello del tasso di ricombinazione. per le lacune. Le due relazioni che costituiranno il nostro modello di ricombinazione saranno dunque: Up = Un = pn − pn0 τp np − np0 τn Si noti che questo ` un modello di ricombinazione diretta. in quanto in proporzione saranno molto pi` a u colpite dalla ricombinazione degli elettroni (gli elettroni nati da ionizzazione infatti non hanno un antagonista). e quindi non consideranti le interazioni fononiche. faremo sempre pi` abbreviare la vita dei portatori u minoritari. Considerando pn − pn0 un eccesso di lacune.

facendo i conti troviamo che il livello di Fermi EF vale 349 meV. kT e a 0. con ND = 1017 atomi/cm3 . si droghi lo stesso campione. 3. 2. avendo applicato una tensione di polarizzazione Va = −1 V al campione. si calcoli come le lacune in eccesso si redistribuiscono nel semiconduttore con τp = 1 ms. e quindi di trovare tutti i dati che ci servono per avere un quadro completo della situazione. 4. poich` ci troviamo a 300 K. Siamo in un semiconduttore drogato tipo p. Sapendo che il semiconduttore ` illuminato con una radiazione luminosa e generante 1013 coppie elettrone-lacuna sulla faccia posta in x=0. Successivamente. (b) Calcolare la resistenza sapendo che l=1mm. e possiamo dire che la condizione di completa ionizzazione ` applicabile. partendo dall’equazione di Shockley: pp (300) NA = ni e− EF −EF i kT =⇒ EFi − EF = kT ln NA ND Poich` come abbiam gi` detto. Possiamo considerare noto il gap di energia Eg . a questo punto: (a) Disegnare diagramma a bande dettagliato all’equilibrio termodinamico quotando ogni dettaglio (b) Calcolare la resistenza sapendo che l=1mm. se ne valuti l’effetto. dunque.(a) Disegnare diagramma a bande dettagliato all’equilibrio termodinamico quotando ogni dettaglio. Supponendo di ripetere l’analisi del punto precedente. e non e siamo in un regime intrinseco: pp (300) NA Calcoliamo dunque il livello di Fermi. A = 1 mm2 .7. 2.1 Risoluzione Disegnare diagramma a bande dettagliato all’equilibrio termodinamico quotando ogni dettaglio Cerchiamo di quotare il nostro diagramma a bande. e quindi. varr`: a 38 . a Il lavoro di estrazione. e l’affinit` elettronica qχ. 026V . A = 1 mm2 . ed NA = 1016 .

e contenente la degenerazione delle mobilit` al variare della temperatura e a della concentrazione di portatori NA + ND . e possiamo quindi calcolare R: R= 1 l σA 39 . ma non abbiamo alcuna informazione riguardante ρ. Possiamo dunque dire che: a σ qµp pp = 0. possiamo dire che: l A Disponiamo partendo dai dati del problema di l ed A. 349 = 4. ` che: e R=ρ 1 σ Abbiamo ampiamente studiato σ in precedenza. µp = 350 Per quanto riguarda invece i minoritari. che le mobilit` a relative ad n e p. 746 Invertendo ora σ. ci permette di trascurarli. 56 + 0. A = 1 mm2 Abbiamo quotato tutto ci` che siamo in grado di fare. L’unica cosa che sappiamo. troviamo ρ. 1 · 104 pp Il fatto che il numero di minoritari sia inferiore a quello di maggioritari di molti ordini di grandezza. e quindi possiamo dire che: µn = 1050. 959 eV 2 Calcolare la resistenza sapendo che l=1mm. e siamo arrivati a dire che: ρ= σ = q(µn n + µp p) Noi disponiamo di p. per questo possiamo o passare al calcolo della resistenza del semiconduttore. ` necessario consultare un grafico. ma ci mancano sia i minoritari n. calcolando la conducibilit` elettrica.qΦSp = qχ + Eg + EFi − EF = 4. ` sufficiente applicare la legge e dell’azione di massa: np · pp = n2 i n2 =⇒ np = i = 2. Partendo dalla legge di Ohm. Per queste ultime. 05 + 0.

e dunque non vi sono fenomeni di polarizzazione. a e Jp = qµp pn ε − qDp 40 . rappresentante la densit` di corrente Jp . e le nuove mobilit` dei a portatori. ` che: o a e pn0 nn0 1013 1013 Applichiamo per la prima volta il modello matematico. poich` non abbiamo polarizzazioni esterne. converr` fare divagazioni. risolvere i ı secondi ` del tutto inutile. a =⇒ − 1 ∂Jp − Up = 0 q ∂x Introducendo il nostro modello di ricombinazione diretta. e che dunque. si pu` facilmente raggiungere lo stesso risultato appena trovato o (chiaramente le cifre saranno diverse). e NA . Calcolo lacune in eccesso Trattiamo il terzo punto del problema. e quindi a ∂pn ∂x Consideriamo per` che il nostro semiconduttore ` isolato rispetto all’eo e sterno. tenendo e e semplicemente conto del fatto che vi ` una compensazione del drogante tipo p. u 13 Supponiamo dunque di avere 10 coppie elettrone-lacuna. il numero di coppie sar` sempre a lo stesso. Talvolta. e il campo elettrico dall’esterno risulter` essere nullo. e quindi la derivata nel tempo sar` nulla. − 1 ∂Jp pn − pn0 − =0 q ∂x τp Consideriamo l’equazione di trasporto della corrente. Ci` che capiter`. e dunque di avere un basso livello di iniezione. che torneranno molto utili a nello studio di dispositivi in un momento pi` avanzato della trattazione. che sar` molto pi` interessante dei a u primi due. al variare del tempo t. Ricalcolando la nuova concentrazione di minoritari mediante la legge dell’azione di massa. in quanto il processo ` del tutto analogo. partendo dall’equazione di continuit`: a 1 ∂Jp ∂pn =− − Up ∂t q ∂x Consideriamo il fatto che la generazione ottica non subisce variazioni nel tempo. in seguito all’introduzione di ND .Abbiamo cos` risolto facilmente i primi due punti del problema.

dunque possiamo considerare ρ = 0. e quindi non viene perturbato l’equilibrio in questo senso.Potremmo pensare per` ad eccessi di carica interni generati dall’iniezione oto tica: sarebbe un pensiero fuorviante. ma solo sulla corrente dei minoritari. poich` la differenza delle masse a e efficaci di elettroni e lacune fa s` che queste seconde abbiano una mobilit` ı a inferiore. poich` la generazione ottica provoca la e nascita di coppie elettrone-lacuna. Si definisce il parametro detto lunghezza di diffusione. ed ε = εext + εint = 0. e considerana do solo gli eccessi di cariche dovuti alla ricombinazione. in quanto del tutto trascurabile. si ottiene che gli autovalori del polinomio caratteristico avranno forma: λ2 = 1 =⇒ λ1. che quindi non ci riguarda. man mano 41 . Il vero problema che potrebbe nascere ` il seguente: la diffusione di elettroni e e lacune avviene con una velocit` differente. ergo potrebbero generarsi campi elettrici momentanei.2 = ± Dp τp 1 Dp τp Potremmo ora fare quest’osservazione: il termine Dp τp ` una lungheze za quadratica. Al fine di prevenire questa possibilit`. si otterr`: a Jp −qDp 1 ∂ 2 pn p 0 = − Dp 2 − n q ∂x τp Questa di fatto rappresenta un’equazione omogenea di secondo ordine a coefficienti costanti: ∂ 2 pn 1 p = 2 ∂x Dp τp n Considerando il polinomio caratteristico di quest’equazione. l’equazione di trasporto si ridurr` a semplicemente a: ∂pn ∂x Sostituendo l’equazione di trasporto in quella di continuit`. in seguito a gradienti di diffusione temporanei. Accettando tale ipotesi. e riducendola ad un’equazione di secondo grado. dimensionalmente parlando. come: Lp = Dp τp Di fatto la lunghezza di diffusione ` un parametro che ci permette di e capire quanto velocemente i minoritari iniettati si disperdono. relativo alle lacune. a consideriamo un’ipotesi aggiuntiva: la quasi neutralit` del semiconduttoa re: ε 0: infatti il campo elettrico effettivamente potrebbe agire.

come sappiamo dalla teoria della risoluzione delle equazioni differenziali a coefficienti costanti.che ci si allontana dalla zona di iniezione: se la posizione che si analizza ` e lontana alcune lunghezze di iniezione. per gli elettroni iniettati in un semiconduttore drogato p. e quindi a pn (∞) = 0 =⇒ A = 0 2. analizzando il nostro semiconduttore in condizione di lato lungo (che vedremo non essere sempre valida). e l’origine dell’iniezione delle lacune. si troveranno pochissimi minoritari. Sappiamo che. considerando di trovarci in una zona molto lontana dalla zona di iniezione. possiamo dire che la ricombinazone avr` annullato tutti i minoritari. le soluzioni dell’equazione differenziale prima esposta avr` forma del tipo: a pn (x) = Aeλ1 x + Beλ2 x Nella fatispecie. a queste condizioni. Chiaramente. Abbiamo una condizione al contorno sulla posizione iniziale: noi sappiamo infatti esattamente quante coppie elettrone-lacuna vengono iniettate otticamente. e quindi possiamo dire che. Ci chiediamo innanzitutto. lontano dalla zona di iniezione. significherebbe che ı 42 . pn (0) = 1013 =⇒ B = 1013 Siamo arrivati. ossia: Ln = Dn τn Tornando al nostro problema. dovrebbe essere nulla: se cos` non fosse. vale una relazione del tutto duale. ad esprimere una relazione in grado di descrivere l’andamento degli eccessi di portatori minoritari iniettati in un semiconduttore drogato. come studiare l’andamento delle correnti. la soluzione sar`: a x pn (x) = Ae Lp + Be x −L p Dobbiamo ora trovare le costanti di normalizzazione A e B: per far ci` o serviranno due condizioni al contorno del problema: 1. e quindi. se esistono correnti nel semiconduttore. in quella che consideriamo l’origine del sistema cartesiano. la corrente totale infatti. data la funzione appena trovata. Ci chiediamo a questo punto. le lacune si saranno interamente ricombinate. indipendentemente dall’andamento della distribuzione appena espressa.

in cui un dispositivo elettronico ha una lunghezza confrontabile o addirittura inferiore alla lunghezza di diffusione. pn (x) = pn (0)e x −L p Quindi.2 Ipotesi di lato corto Permettiamoci una digressione sul problema appena studiato: esistono condizioni (molto comuni. ma in un intorno del punto di iniezione la corrente ` diversa da 0. non sono dunque pi` valide. Dato che trattiamo un semiconduttore lungo. Si pu` intuire che vi sia un flusso e o di elettroni che controbilancia la corrente in questo intorno di punti. a ridurre a zero il numero di lacune. Questo problema sar` a molto importante da studiare in seguito.vi sono accumuli nel tempo. possiamo ricavare la corrente derivando questa distribuzione. in quanto u 43 . infatti: Jp. in modo da garantire comunque la conservazione della carica. abbiamo un comportamento soddisfacente in quanto la ricombinazione elimina tutte le correnti di minoritari. trattando le correnti nella giunzione p-n.7.dif f (x) = −qDp x ∂pn qp (0)Dp − Lp = n e ∂x Lp La variazione di concentrazione dovrebbe provocare una corrente di questo tipo: Ci` ` in accordo con quanto abbiamo appena detto: allontanandoci dal oe punto di iniezione. Le condizioni al contorno che abbiamo utilizzato. che violerebbero la legge di conservazione della carica. 2. parlando ad esempio di microelettronica o nanotecnologie). e quindi in cui il meccanismo di ricombinazione del semiconduttore di fatto non riesce. nonostante l’andamento esponenziale. che ora inizieremo a studiare.

al fine di esplicitare in questo ambito le costanti di normalizzazione A e B: 0 = A(e Lp − e Ma notiamo che e Lp − e d d −L p d d −L p ) + pn (0)e d −L p d = 2 sinh( Lp ). i passaggi e iniziali saranno del tutto analoghi. sar` la totale ricombinazione nel punto estremo del semiconduttore. Costruendo tecnologicamente un dispositivo di questo tipo. troviamo che: o B = pn (0) − A 0 = Ae Lp + (pn (0) − A)e d d −L p Svolgiamo ora alcuni passaggi algebrici. Potremo dunque considerare. e la soluzione dell’equazione differenziale cui arriveremo sar` sempre della forma: a x pn (x) = Ae Lp + Be x −L p Al fine di poter ricavare nuove condizioni al contorno. per quanto corto. d: a infatti. all’interno del semiconduttore. il contatto ohmico permette una totale ricombinazione con i minoritari non ancora ricombinati. sar` necessario a proporre nuove ipotesi assuntive: il semiconduttore. quindi: − d −pn (0)e Lp A= d 2 sinh( Lp ) Sostituiamo ora in B: p (0)e Lp d − d B = pn (0) + n = 2 sinh( )pn (0) + pn (0)e Lp = d Lp 2 sinh( Lp ) − d 44 . la condizione al contorno che potremo applicare. dovr` a essere per esempio essere chiuso su di un metallo. Chiaramente. al fine di poter ottenere un contatto ohmico.non ` possibile assimilare la lunghezza del lato a ∞. pn (d) = 0 pn (0) = A + B Partendo da ci`. come condizioni al contorno. mediante due placchette.

la distribuzione dell’eccesso di minoritari (nel nostro caso. e quindi d Lp . considerandola per un x tendente a 0. con un semiconduttore drogato tipo n. ossia d ∼ Lp . d d − d d −L p p (0)e Lp B= n d 2 sinh( Lp ) Sostituendo A e B nell’equazione di partenza. sviluppandola in polinomio di Taylor: pn (x) ∼ pn (0) · d Lp d−x Lp = pn (0) 1 − x d Utilizzando gli andamenti degli eccessi di minoritari ora ricavati. anche con ipotesi diverse da quella di lato lungo. sar` a possibile calcolare le correnti facilmente. pn (x) = sinh( d−x ) Lp d sinh( Lp ) Esiste un caso ancora pi` estremo: se il lato del semiconduttore ` inferiore u e alla lunghezza di diffusione. 45 . e quindi possiamo riutilizzare la precedente espressione. pn (x). si ottiene che: d −L x Lp d Lp x −L d−x pn (x) = −pn (0)e p e + pn (0)e d 2 sinh( Lp ) e p = pn (0) e Lp − e − d−x L p d 2 sinh( Lp ) = sinh( d−x ) Lp d sinh( Lp ) Siamo dunque arrivati a dire che. dato un semiconduttore il cui lato ` e confrontabile con la lunghezza di diffusione.p (0)e Lp − pn (0)e Lp + pn (0)e = n d 2 sinh( Lp ) Quindi. sfruttando sempre le stesse conoscenze utilizzate precedentemente. possiamo dire che d x. Ci` per` significa che siamo in grado di semplificare o o notevolmente la nostra espressione.

saranno coincidenti.Capitolo 3 Giunzione p-n Siamo riusciti a fornire un modello soddisfacente dell’andamento delle correnti in un semiconduttore drogato. le due barriere di potenziale del vuoto. EV . vi saranno accumuli di carica. i potenziali dei due. in principio separati. di elettroni (sempre parlando di un istante t = 0+ . Possiamo dunque dire che. fino a quando sussisteranno le discontinuit` nei livelli energetici. in un tempo 0+ . una volta uniti. che provocheranno flussi di portatori: dal lato p al lato n di lacune. Questi flussi di cariche sussisteranno. a destra della giunzione. tranne il livello di Fermi reale dei semiconduttori. e viceversa a sinistra i portatori maggioritari saranno le lacune in banda di valenza. e alla base dell’elettronica: la giunzione p-n. quali EC . saranno tutti coincidenti. il punto di giunzione dei due semiconduttori. avremo molti elettroni in banda di conduzione (maggioritari) e poche lacune in banda di valenza (minoritari). Convenzionalmente. Per un certo transitorio a 46 . Consideriamo come origine dei tempi l’istante in cui si uniscono i due semiconduttori. essi avranno un diagramma a bande abbastanza diverso sotto alcuni punti di vista. Ora vogliamo sfruttare queste conoscenze. drogati uno tipo n. a destra il lato n. avranno lo stesso sistema di riferimento. come origine degli assi. le EB . Anche gli altri livelli. Di fatto. dal lato n al lato p. e abbiamo fatto un esempio applicativo di come calcolarle. a e nella fatispecie la discontinuit` del livello di Fermi. Immaginiamo didatticamente di unire i due semiconduttori. in un dispositivo usato molto comunemente. ed uno tipo p. anche se con le conoscenze finora apprese siamo in grado di motivarlo senza problemi. che presenter` una discontinuit` in prossimit` del punto di giunzione. ed i minoritari gli elettroni in banda di conduzione. EFi . si considera a sinistra il lato p. Volessimo a a a dunque tracciare un diagramma a bande del semiconduttore in un istante 0+ . EF . esso avrebbe l’andamento appena descritto. in questo sistema. Dati due semiconduttori (comunemente noi useremo il silicio). Consideriamo.

e quindi trascurabili in un primo tempo. ossia due flussi che prevarranno su tutti gli altri: 1. si avranno due flussi netti. in prossimit` della giuna zione. come ipotesi. capiter` che. Possiamo dire. venendo a mancare elettroni di banda di a conduzione nel lato n. che vi siano due canali di scambio di portatori. Φx. un elettrone in grado di neutralizzarli localmente. partendo dalle informazioni sui due flussi. Se per un certo intervallo di tempo si ha uno spostamento di portatori di carica.e+ BV p −→ n Vogliamo cercare per` di capire come pu` instaurarsi. non avranno lacune in grado di neutralizzarli localmente. Φx.e− BC n −→ p 2. si perder` la a condizione di neutralit` locale: in banda di conduzione il semiconduttore p a si sar` spopolato di lacune nelle regioni prossime al contatto con il lato n. separati: generazione termica e ricombinazione rispetto a questi scambi saranno fenomeni molto lenti e poco efficaci. Per lo studio della giunzione dovremo attenerci ad un modello leggermente semplificativo: considereremo. Gli ioni positivi nel lato n dunque non avranno. una condizione di equilibrio. che in prossimit` della giunzione a avvenga un completo svuotamento: le zone svuotate per ipotesi non conterranno portatori maggioritari dei rispettivi lati (o comunque una quantit` del a 47 . e lacune in banda di valenza nel lato p.di tempo. e idem gli ioni negativi nel lato p. dunque. e a viceversa il semiconduttore lato n si sar` spopolato di elettroni nelle regioni a prossime al contatto con il lato p. a partire da questo o o stato transitorio. a partire dall’istante 0.

considerando l’ipotesi di completo svuotamento in coincidenza con l’ipotesi di completa ionizzazione. Inoltre. Sar` dunque semplice rappresentare la distribuzione a spaziale della carica della giunzione: Fino ad un certo punto −xp .tutto trascurabile rispetto al numero di ioni). rester` costante fino all’origine. potremo dire che la densit` di carica a coincider` con la concentrazione di drogante introdotta nel substrato semia conduttivo. la distribuzione di ioni che non dispongono di un maggioritario che lo neutralizza localmente sar` del tutto nulla. Gli unici elementi di carica che considereremo in gioco. a 48 . e l’altezza del rettangolo destro sar` ND . saranno gli ioni dei livelli energetici introdotti mediante il drogaggio. La distribuzione di carica. quindi potremo dire che l’altezza del rettangolo di sinistra sar` a −NA . per a poi avere un picco nel suddetto punto. negativa. dove vi sar` un ulteriore salto: vi sar` una a a a distribuzione di carica positiva dal punto 0 al punto xn . anch’essa costante.

a e ossia ` il suo diagramma a bande. il secondo con concavit` verso il basso (poich` si a a e inverte il segno del campo per l’equazione di Poisson). si trover` una funa zione monotona decrescente. si ottiene un insieme di due contributi parabolici. ma sar` a a soprattutto utile se pensata come parte di un diagramma a bande: il grafico dell’energia potenziale. Integrando ulteriormente. Questo sar` il grafico dell’energia potenziale valutata in eV.Potremmo ora chiederci alcune domande: ma qual ` la posizione del e salto? Coincide veramente con l’origine degli assi. e crescente da 0 fino a xn . Nel punto di equilibrio. i flussi determinati dai gradienti di concentrazione di carica saranno eguagliati dalla ricombinazione e da flussi opposti. studiarne la geometria. EFi . mentre i vari EB . la seconda fino a xn con concavit` verso l’ala a to. −xp0 ed xn0 . integrando. che verranno ripresi in seguito). una retta decree e a scente da −xp fino a 0. come gi` accennato. Ci` che si trova con questa sorta di dope o pio andamento parabolico. possiamo vedere che poich` a sinistra la carica ` negativa. e Vogliamo capire e quantificare l’estensione delle regioni di carica. la prima fino a 0 con concavit` verso il basso. e soprattutto i loro valori una volta raggiunto l’equilibrio.1 Studio qualitativo del diagramma a bande della giunzione p-n Facendo una prima analisi qualitativa del campo (senza considerare calcoli analitici di alcun tipo. 3. EV . il primo con concavit` verso l’alto. interamente negativo. trattabile come due parabole. ` cio` in prossimit` della e e a giunzione? Dove le distribuzioni di cariche iniziano ad annullarsi? La risposta ` la seguente: dove il livello di Fermi cessa di essere discontinuo. rispetto al loro stato iniziale. Ribaltando il grafico del potenziale rispetto all’asse x. ma non 49 . confrontabile con una retta. una volta raggiunto l’equilibrio: infatti all’equilibrio il livello di Fermi reale del sistema diventa continuo. e quindi saranno nulli. EC . con il vertice posto in 0. quantificare i punti −xp ed xn . ` semplicemente il raccordo tra i livelli energetici e dei due lati. Il campo sar` dunque a un triangolo. si avr`. ` il diario di bordo dell’elettrone. Questi valori saranno ottenuti in seguito ad una crescita temporale dei valori fuori equilibrio −xp ed xn . raggiungono livelli energetici diversi.

che salir` relativamente a a ad n. Questo fatto finora espresso facilmente per` non ` banale. e tutti gli altri curvati con un andamento come a quello appena descritto.e− BC n −→ p 2. Φx.e+ BV n −→ p Φx. 1 e 2. il fatto che si hanno in totale quattro flussi: 1. i flussi sono del a tutto bilanciati: il flusso di elettroni in banda di conduzione dal lato n a quello p equivale e bilancia quello di elettroni in banda di conduzione dal lato p al lato n. Notiamo che si viene a formare una barriera di potenziale. pi` portatori tenderanno a u u transire la barriera. Stesso discorso per le lacune. Possiamo a dire che il lato n tender` a scendere rispetto al lato p.e+ BV n −→ p Quindi.e+ BV p −→ n = Φx. man mano che si instaura l’equilibrio: pi` passa il tempo. poich` u a e il campo continuer` ad aumentare. e pi` diventer` difficile raggiungere l’altro lato. ha determinato il curvarsi dei livelli energetici. e quindi dalla non-neutralizzazione degli atomi droganti ionizzati. si modulano fino a bilanciare questi flussi. si pu` dire che: o 1=2 3=4 Le barriere di potenziale causate dalla transizione di elettroni. bens` un raccordo come quello appena descritto a ı qualitativamente (e che in seguito verr` calcolato analiticamente). e vediamo o e come sia realmente possibile. nell’intorno della zona della giunzione.e− BC n −→ p = Φx.presentano discontinuit`.e+ BV p −→ n 4.e− BC p −→ n 3. essi saranno caratterizzati da una propria distribuzione degli stati energetici. Φx. Ci` coincide esattamente con il bilanciare il livello di o Fermi.e− BC p −→ n Φx. Il livello di Fermi si sar` riallineato. Possiamo esprimere con un formalismo migliore. Al livello di equilibrio. e 50 . Φx. Lo spostamento di carica. e da una funzione di occupazione degli stati (in questo caso poich` si parla sempre di elettroni/lacune e quindi di fermioni. determinante l’equilibrio. Φx. mediante una semplice dimostrazione: Dati due materiali.

e− 2 −→ 1 = [g2 (E · f2 (E.e− 1 −→ 2 = [g1 (E · f1 (E. T ) ⇔ EF 1 g2 (E) f2 (E. T ) ⇔ EF 2 Supponiamo ora che sia gi` stato raggiunto l’equilibrio termodinamico. caratterizzata proprio dal livello di Fermi del materiale. dire che le due funzioni di occupazione sono uguali. T ))] Φx. e vi deve essere uno spazio libero (regolato dal complementare della funzione di occupazione) nel lato 2. esplicitando le funzioni caratterizzanti i flussi di portatori: Φx.la Fermi-Dirac). Consideriamo anche soltanto gli elettroni: ` sufficiente come condizione per la nostra e dimostrazione: la nostra ipotesi dunque sar`: a Φx. a in seguito al contatto.e− 1 −→ 2 = Φx. I due materiali saran dunque cos` caratterizzati: ı g1 (E) f1 (E. Ci` significa che per ogni generico livello energetico o E. Svolgendo i conti. deve essere presente un elete trone dal lato 1 in grado di effettuare la transizione.e− 2 −→ 1 Quindi. T )] · [g2 (E) · (1 − f2 (E. fissata una E qualsiasi. l’unica variabile in gioco fissate queste rimane il livello di Fermi: infatti. implica dire che: E−EF 2 =⇒ EF 1 = EF 2 1+e 1 + e kT Questo. T )] · [g1 (E) · (1 − f1 (E. viceversa per il flusso da 2 a 1. Tentiamo ora di meglio definire ci` che capita. si ottiene che: g1 f1 g2 − g1 f1 f2 g2 = g2 f2 g1 − g1 f1 f2 g2 =⇒ f1 = f2 Poich` supponiamo di trovarci ad una temperatura di 300 K come nostro e solito. e cio` i flussi di lacune e di e elettroni da un lato ad un altro devono essere tra loro bilanciati. T ))] Ossia. perch` i flussi di carica siano efficaci. In seguito effettueremo calcoli rigorosi per E−EF 1 kT 1 = 1 51 . stabilendo alcune osservao zioni in grado di guidarci nel rappresentare un diagramma a bande (per ora qualitativo) di una giunzione p-n. e consideriamo un qualunque livello energetico E. bisogna garantire un egual flusso di portatori.

considerando un punto molto distante dalla giunzione come −∞ nel lato p. Se tentassimo di costruire il diagramma a bande della giunzione. Possiamo ora pensare ad un’idea: potremmo applicare sul livello di Fermi intrinseco. Il gap di energia tra livello EC e livello EV ` invariante. Si ha dunque una neutralit` globale. ma anche locale. e quindi poter deteru minare un’espressione che ci permetta di calcolare alcuni parametri: −xp0 . e su EF . si potrebbe cercare immediatamente il numero di elettroni e lacune in funzione della posizione. mediante la loro applicazione. xn0 . in modo qualitativo. 4. poich` la ricombinazione elimina tutti i portatori iniettati e dall’altra parte. L’affinit` elettronica ` una caratteristica intrinseca del materiale. se ha carica negativa. e non presentano duna que salti di alcun tipo. abbastanza scontata. e o 5. Lontano dalla giunzione.il calcolo dei campi dovuti agli atomi ionizzati. a Mediante queste cinque propriet`. e quindi si pu` sempre considerare invariata. consideriamo dunque gli andamenti dei portatori in punti distanti: nn (+∞) = ni e Pn (−∞) = ni e EF −EF (+∞) i kT EF (−∞)−EF i kT Le equazioni di Shockley sono utili in quanto. si disporr` di un metodo per disegnare a a il diagramma a bande. I livelli energetici sono quantit` tutte continue. vorremmo passare ad un’analisi pi` quantitativa. non a e ` modificabile. 52 . nel lato n. EF (x) ` una funzione costante. e +∞ molto distante nel lato n. e dunque e EF (x) = EF : 2. dovremmo tener conto di queste osservazioni: 1. in una giunzione e p-n. i materiali si comportano come se la giunzione non esistesse. il diagramma a banda in quella zona sar` a convesso. sar` concavo. ` la seguente: se il semiconduttore a e dispone di una carica positiva. in ogni punto della giunzione. Propriet` extra. e quindi funzione della posizione. In una condizione di equilibrio. e per la quantificazione della barriera di potenziale. le equazioni di Shockley. Data ora questa prima impostazione qualitativa dello studio della giunzione. con le nostre attuali competenze. a 3. e la barriera di potenziale Φi . anch’esso variante a causa della giunzione. EFi (x).

3.2

Studio elettrostatico della giunzione p-n

Iniziamo ora uno studio dettagliato e quantitativo della giunzione p-n, in modo da poter determinare i valori dei parametri mancanti, e poterne quotare ogni grandezza del diagramma a bande. Le tre incognite sono le seguenti: • −xp0 : ampiezza zona di svuotamento del lato p; • xn0 : ampiezza zona di svuotamento del lato n; • Φi : potenziale interno tra il lato p ed il lato n Poich` abbiamo tre incognite, avremo bisogno di tre condizioni al contore no, e quindi di tre equazioni tra esse indipendenti, in modo da poter avere un problema ben posto. Le tre idee che ora affronteremo al fine di poter ultimare un modello quantitativo elettrostatico della giunzione, sono le seguenti: 1. L’applicazione della neutralit` globale della giunzione p-n; a 2. L’analisi della barriera come differenza tra i due lavori di estrazione dei lati; 3. L’analisi formale dell’andamento di campo e potenziale della giunzione in ogni zona.

3.2.1

Equazione di neutralit` globale a
0 xn

In forma generale, l’equazione di neutralit` globale ha forma: a −
−xp

ρ(x)dx =
0

ρ(x)dx

Nel nostro caso specifico, date le ipotesi di semiconduttore omogeneo, di completa ionizzazione dei droganti e di completo svuotamento, l’equazione si ridurr` semplicemente a: a qNA xp0 = qND xn0 Ci mancano ora altre due equazioni. Lavoriamo in tale senso, al fine di poter completare il sistema.

53

3.2.2

Analisi della barriera di potenziale

Data la barriera di potenziale Φi , possiamo pensarla, come gi` anticipato, a come differenza dei lavori di estrazione del lato p, e del lato n: Φi = qΦSp − qΦSn Questa differenza si pu` pensare in termini della semplice differenza dei o soli livelli di Fermi intrinseci, in punti distanti dalla giunzione: Φi = EFi (−∞) − EFi (+∞) Algebricamente, possiamo aggiungere e togliere lo stesso numero ad un’equazione ed essa rimarr` comunque invariata. Possiamo dunque aggiungere a e sottrarre la quantit` EF : a Φi = EFi (−∞) − EF + EF − EFi (+∞) Ma ora ` possibile ricondurre alle equazioni di Shockley queste espressioni: e ND NA + kT ln = ni ni

(EFi (−∞) − EF ) + (EF − EFi (+∞)) = kT ln NA ND = qΦi n2 i

= kT ln

La barriera ` l’energia positiva cos` definita: qΦi . Si noti che la convene ı zione ` particolare: parlando quantitativamente di potenziale, avevamo preso e come riferimento, ossia come massa, il punto −xp0 ; ora, parlando di energia, consideriamo come punto di riferimento (ossia come una sorta di massa, parlando per` di energia sarebbe pi` corretto parlare di una sorta di energia o u iniziale) il punto xn0 : per questo, i segni risultano comunque essere positivi, anche se in effetti il potenziale espresso in V ` semplicemente l’opposto e dell’energia potenziale espressa in eV. Riassumendo dunque la convenzione: • qΦi = U (−∞) − U (+∞) • Φi = Φ(+∞) − Φ(−∞) Ora, per terminare la formalizzazione, potremmo considerare la definizione corretta di potenziale di contatto della giunzione p-n, non utilizzando pi` la convenzione a ±∞, ma utilizzando al posto di −∞ il valore −xp0 , e al u posto di +∞ il valore xn0 : 54

Φi = Φ(xn0 ) − Φ(−xp0 ) Abbiamo cos` trattato anche la seconda condizione del nostro sistema. Ci ı manca ancora una condizione, ossia l’applicazione dell’equazione di Poisson.

3.2.3

Analisi formale dell’andamento di campo e potenziale
ρ(x)
S

Partiamo dall’equazione di Poisson, e consideriamo quindi le due equazioni: ε(x) = Φ(x) = − dx

ε(x)dx

Partendo dalla densit` di carica ρ(x) studiamo l’andamento del campo a elettrico. Dobbiamo per` definire innanzitutto la funzione di densit` di carica o a ρ(x) come una funzione a tratti:  0 −∞ < x < −xp0    −qNA −xp0 < x < 0 ρ(x) = 0 < x < xn0  +qND   0 xn0 < x < +∞ Considerando che abbiamo a che fare con una funzione definita a tratti, possiamo calcolare il campo elettrico integrando ogni singolo intervallo: baster` sfruttare l’equazione di Poisson ed il teorema fondamentale del calcolo a integrale, nel seguente modo: considerando l’integrazione in un intervallo [a; x],
x

ε(x) = ε(a) +
a

ρ(x)
S

Si consideri inoltre che il campo deve ovviamente essere continuo, e che le espressioni trovate devono essere tutte riferite alla stessa massa. Per questo, sar` necessario calcolare il valore finale del campo in un intervallo, e porlo a uguale al valore iniziale nell’intervallo successivo. Tenendo conto di queste cose, studiamo ora ciascuna delle quattro zone: • Per −∞ < x < −xp0 , ρ(x) = 0, quindi il campo sar` nullo nella regione; a si noti che il valore finale di quest’espressione sar` 0, poich` la funzione a e integranda sar` sempre 0, quindi possiamo tranquillamente dire anche a senza calcoli che ε(−xp0 ) = 0. 55

ρ = +qND . x ε(x) = ε(−xp0 ) + xp0 − qNA S dx = − qNA S (x + xp0 ) Questo poich` il valore iniziale ε(−xp0 ) = 0. potremmo riapplicare tutti i ragionamenti ed i risultati analitici finora ricavati. u a se il campo elettrico ` nullo a sinistra della regione di carica negativa. possiamo dunque a dire che ε(x) = 0 Riassumendo. ossia nel punto x = 0. abbiamo che ρ(x) = +qND . e se non fosse nullo a destra della regione di carica positiva. possiamo ragionare in un modo a molto pi` qualitativo ma altrettanto efficace: applicando la neutralit`. applicando l’espressione prima proposta. per poter ricavare il valore del campo elettrico ε(x) nella regione. In realt`. quindi calcoliamo che: x ε(x) = ε(0) + 0 qND S dx = − qNA S xp0 + qND S x Il valore finale di questo intervallo varr`: a ε(xn0 ) = − qNA S xp0 + qND S xn0 • Per xn0 < x < +∞. Calcoliamo il valore finale e di quest’espressione. il valore del campo elettrico ε(x) sar`: a  0 −∞ < x < −xp0    − qNA (x + x ) −xp0 < x < 0 p0 S ε(x) = qNA qND 0 < x < xn0  − S xp0 + S x   0 xn0 < x < +∞ 56 .• Per −xp0 < x < 0. Applia cando in modo molto leggero l’ipotesi di neutralit`. l’ipotesi di neutralit` sarebbe impossibile da applicare nella giunzione p-n. che diventer` il valore a iniziale della prossima zona: ε(0) = − qNA S xp0 • Per −xp0 < x < 0.

ε(x) = 0. applicando la neutralit` come nel caso del campo a elettrico. dunque l’integrale varr` 0 in ogni punto a di questo primo intervallo.A questo punto. Anche il valore finale. a • Per −xp0 < x < 0. ossia il potenziale valutato in 0. o che rimane dunque costante. ossia il potenziale valutato in xn0 . disponiamo di una funzione a tratti del campo elettrico ε(x): possiamo ripetere un ragionamento analogo al precedente. Φ(−xp0 ) sar` 0. sar`: a Φ(0) = qNA S x2 p0 x. abbiamo che ε(x) = − qNA (x + xp0 ). e dunque pari al valore del potenziale di barriera Φi . Integrando la precedente • Per 0 < x < xn0 . sar`: a Φ(xn0 ) = qNA 2 qNA qND 2 xp0 + xp0 xn0 − x = Φi 2S 2 S n0 S • Per xn0 < x < +∞. vediamo che nulla pu` modificare l’andamento del potenziale. 57 . ε(x) = − qNA xp0 + S espressione: x qND S Φ(x) = Φ(0)− 0 − qNA S xp0 + qND S x dx = qNA 2 qNA qND 2 xp0 + xp0 x− x 2S 2S S Il valore finale di questa espressione. utilizzando la relazione: x Φ(x) = Φ(a) − a ε(x)dx Consideriamo dunque ciascuna delle quattro zone: • Per −∞ < x < −xp0 . Integrando: S x Φ(x) = Φ(−xp0 ) − −xp0 − qNA S (x + xp0 )dx = qNA S (x + xp0 )2 Il valore finale di quest’espressione.

4 Risoluzione del sistema Abbiamo gi` applicato nel nostro sistema una prima volta l’equazione di a neutralit`.Avremo un’espressione a tratti del potenziale:          0 −∞ < x < −xp0 2 (x + xp0 ) −xp0 < x < 0 S qNA 2 qNA qND 2 x + S xp0 x − 2 S x 0 < x < xn0 2 S p0 qNA 2 qNA qND 2 x + S xp0 xn0 − 2 S xn0 xn0 < x < +∞ 2 S p0 qNA Φ(x) = 3. possiamo facilmente ricavare che: 58 . Dallo studio del potenziale con l’equazione di Poisson. per poter risolvere il sistema. Le tre equazioni che abbiamo ricavato dalle nostre congetture sono le seguenti: Φi = 1. possiamo dire che: qND 2 qNA 2 xp0 + x = Φp + Φn 2S 2 S n0 Ossia si pu` distinguere la barriera come somma di due contributi. dovuti o uno al lato p. mettendo a sistema tra loro tutte le tre condizioni. possiamo ricavare xn0 o xp0 : 2 ND qNA 2 ND qND 2 qND =⇒ Φi = xn0 2 + xn0 = NA 2S NA 2S 2S xp0 = xn0 NA + ND NA x2 n0 Poich` la seconda equazione ci fornisce un’espressione operativa della e barriera di potenziale Φi . ed uno al lato n. per semplificare alcuni conti. qNA xp0 = qND xn0 2. sar` necessario fare di a pi`. Φi = kT NA ND ln q n2 i qND 2 qNA 2 xp0 + x 2S 2 S n0 Mettendo a sistema la prima e la terza equazione. ottenendo risultati u precisi. Φi = 3. l’applicazione introdotta ` stata a e tuttavia molto leggera.2.

esprimendo l’ultimo risultato trovato in modo pi` saggio: anzich` considerare una singola ampiezza.3 Applicazione di una tensione esterna alla giunzione Abbiamo finora studiato la giunzione p-n in un caso di equilibrio. scriviamo un’espressione di xd0 : ND xn0 = xn0 NA NA + ND NA NA + ND NA 2S Φi qND 2 xd0 = xn0 + = NA 2S Φi . ND + NA qND xd0 = NA + ND NA Esprimendo ora la funzione con il concetto di drogaggio equivalente Neq . Potremmo ora pensare a casi in cui non vi ` equilibrio. xd0 : xd0 = xn0 + xp0 Partendo da qua. poich` esso viene perturbae e to dall’esterno.della batteria al lato n. consideriamo la totale u e ampiezza (come somma delle due ampiezze) delle regioni di svuotamento. I contatti di accesso alla giunzione 59 . definito come somma armonica dei due drogaggi: Neq = Si ottiene che: xd0 = 2S Φi qNeq 1 NA 1 + 1 ND = NA ND NA + ND 3. mediante l’applicazione di una batteria di tensione Va alla giunzione. il . Consideriamo la seguente convenzione: il + della batteria va collegato al lato p.xn0 = 2S NA Φi qND NA + ND Possiamo ora dire di aver trovato ogni dato necessario per quotare il diagramma a bande della giunzione p-n: ci imponiamo solo di mettere un poco ordine nelle espressioni.

avremo altre due barriere di potenziale.p 60 . si pu` pensare al sistema a o come una maglia di batterie.saranno metallici (supponiamo ad esempio di oro Au): un accesso ad un semiconduttore (e quindi ad una giunzione) deve essere mediato da un contatto ohmico.Au − ΦAu. poich` ` dall’alto a ee verso il basso. Oltre alla barriera Φi . Il contatto Sin -Au sar` una tensione dal basso verso l’alto ria spetto a p. Cosa possiamo osservare: il metallo Au ha un livello di estrazione superiore a quello del silicio. a Lontano dalle interfacce. Potremmo dunque ridisegnare il diagramma a bande del nostro sistema AuSi-Au: supponendo di trovarci in uno stato di equilibrio. causate dalla differenza tra i lavori di estrazione. e quindi sar` negativa. Circuitalmente. i materiali si comporteranno come isolati. al fine di poter eliminare resistenze parassite. e a a quindi solo il diagramma a bande dei semiconduttori potr` subire curvature. a causa della natura fluida a a del suo mare di elettroni.Au = 0 Da ci` ` facilmente ricavabile la tensione Φi : oe Φi = Φn. il livello di Fermi sar` ovunque costante. Il metallo non potr`. il raccordo sar` solo da parte dei a a semiconduttori poich` la natura fluida del mare di elettroni non permette e modifiche al materiale. Avremo a che fare quindi sostanzialmente con tre interfacce. e tre potenziali di contatto. L’equazione di questa maglia sar` la seguente: a ΦAu.p − Φi + Φn. come gi` detto. Ogni tensione di contatto si pu` circuitalmente rappresentare mediante una batteria: il cono tatto Au-Sip sar` una tensione positiva rispetto a p su n. presentare concavit` in prossimit` dei contatti.

La maglia di batterie sar` modificata.Au − ΦAu. A questo punto. introduciamo due definizioni: • Una giunzione polarizzata con una tensione esterna Va > 0 ` detta e polarizzata direttamente. la distribuzione della tensione all’equilibrio. raggiungendo un a valore Vj . poich` i potenziali di contatto bilanciano la tensione interna. supponendo che i contatti metallici siano dei buoni contatti. e con una polarizzazione inversa: la concavit` della funzione rimarr` a a 61 . che e quindi sar` nulla. si abbassa la tensione sulla giunzione.p . in seguito a questa notevole scoperta. La tensione provoca alcune interessanti conseguenze: disegnamo. in un grafico.Supponiamo di poter avere un voltmetro ideale: esso non potrebe misurare niente. a Collegando finalmente la tensione esterna Va . possiamo pensare che le due resistenze serie dei contatti ohmici siano nulle. ed avr` a a un’equazione associata di questo tipo: −Va − ΦAu. • Una giunzione polarizzata con una tensione esterna Va < 0 ` detta e polarizzata inversamente. e che quindi la tensione alla giunzione subir` una variazione.p − Vj + Φn.Au − ΦAu. dunque: Vj = Φi − Va Quando applico una tensione positiva sul lato p.p − Va Ma noi abbiamo prima detto che Φi = Φn. con una polarizzazione diretta.Au = 0 Vj = Φn. a noi incognito. e che quindi provocano una bassa caduta di tensione per le correnti che vi entrano. ossia a bassissima resistenza.

quindi generate correnti. ma quella che varier` sar` l’ampiezza delle regioni di svuoa a tamento. e la barriera di potenziale. a queste condizioni. le tensioni. e nello specifico verranno variate ı a le concentrazioni di portatori che attraverseranno la barriera. il punto di inizio ed il punto di fine della funzione del potenziale (nonch` ovviamente l’altezza e della barriera. diminuisce. Potremmo ora chiederci come calcolare. ricavando a partire dalla loro funzione di densit` l’espressione operativa del campo e del a potenziale. l’ampiezza della zona di svuotamento xd diminuisce rispetto all’ampiezza di equilibrio xd0 . e quindi la carica positiva Q+ e quella negativa Q− . capita ci`: supponendo che le distribuzioni o di carica siano: −qNA xp (negative). l’ampiezza xd aumenta rispetto a quella di equilibrio. con una polarizzazione inversa. al contrario. L’idea ` semplicemente sostituire al posto della barriera di potenziale e Φi nell’espressione di xd la tensione finale sulla giunzione Vj : xd (Va ) = 2S (Φi − Va ) qNeq In realt`. data l’ipotesi di buoni contatti. resteranno a sempre costanti. o la concavit` del doppio andamento parabolico (nel potenziale). e la barriera di potenziale aumenta. Con una Va positiva ridurremo la regione di svuotamento: l’applicazione di una tensione esterna per` non ` in grado di o e modificare il drogaggio del semiconduttore. l’effetto della tensione pu` essere molto pi` interessante di una a o u semplice variazione di xd : la tensione Va > 0 riduce la barriera di potenziale. e quindi volendo dire in modo poco elegante.sempre costante. la variazione della zona d’ampiezza xd . a partire dalla variazione di Φi con l’applicazione della tensione esterna Va . e tantomeno il valore della carica fondamentale q (quantizzata come la carica di un protone o di un elettrone). Trascurando come da ipotesi cadute resistive sulle interfacce metalliche. ossia la pendenza delle rette che formano il triangolo (nel campo elettrico). e cos` il flusso dei portatori verr` modificato. allora essa modula potenziale (tensione). 62 . Va quindi potr` solo variaa re l’ampiezza della regione di svuotamento xd . ma i parametri delle curve. dipendono esclusivamente dagli ioni. come gi` dimostrato mediante il calcolo delle equazioni delle a maglie): se si polarizza direttamente la giunzione. nella fatispecie le concentrazioni NA ed ND . campo e carica. Se la tensione esterna modula la barriera. e +qND xn (positive). Dal punto di vista elettrostatico una tensione esterna fa variare le regioni di svuotamento. e in questo senso avremo sempre le stesse funzioni. con per` o un’ampiezza di zona di svuotamento diversa.

Q+ . si trova che: dQ+ (Va ) 2q S Neq C= = = dVa 2 2 S qNeq = 2 q 2 2 Neq S = 2 S qNeq (Φi − Va ) q S Neq = C(Va ) 2(Φi − Va ) Si noti che la capacit` ` una funzione della tensione Va : il condensatore ae con il quale stiamo modellando la regione di svuotamento ` dunque comane dabile in tensione. Data una carica Q. Cerchiamo ora per` di ragionare in un modo diverso. abbiamo detto che: u xd (Va ) = 2S S (Φi − Va ) =⇒ C(Va ) = qNeq xd (Va ) 63 . al fine di ottenere o un risultato pi` semplice.3. Ci servir` una Q+ funzione di Va . al fine di poterne calcolare a la derivata in Va . ossia la sua capacit` varia con il variare della tensione che a gli viene applicata. e come carica ad esempio quella positiva.1 Capacit` di svuotamento a Un effetto molto interessante della tensione ` quello di rendere visibile una e sorta di capacit` del semiconduttore: dato che Va modifica qND xn (Va ) e a −qNA xp (Va ). Ma noi abbiamo gi` visto che: a Q+ = qND xn (Va ) 2 S NA (Φi − Va ) qND (NA + ND ) xn (Va ) = Q+ (Va ) = 2 2 S NA q 2 ND (Φi − Va ) = qND (NA + ND ) 2q S Neq (Φi − Va ) Calcolando il modulo della derivata rispetto a Va . la situazione potrebbe ricordare quello che in elettrostatica si studia come modello di un condensatore: rivediamolo. si pu` definire una capacit` C come: o a C= dQ dV Consideriamo come tensione la nostra Va .3.

l’ampiezza della barriera. una raffigurazione qualitativa ` immediata. Si ricava immediatamente che: Φi = kT NA ND ln q n2 i L’ampiezza della banda di svuotamento sar`: a xd0 = xn0 + xp0 = Sappiamo che S 2S Φi Neq = 0 rS = 11. 33 · 1015 . tuttavia lo discutiamo brevemene a te: ricordando le propriet` dei semiconduttori e dei metalli. 854 · 10−14 .4. Calcolare il campo elettrico massimo all’equilibrio. Un semiconduttore svuotato dunque ` equivalente ad un materiale dielettrico. Per per` poter quotare ogni singolo punto. e distanza xd tra le armature. 3. Si metta a punto un metodo di misura sperimentale che tramite misura di capacit` permetta una valutazione del potenziale di contatto Φi a 3.4 Esercizio pratico Data una giunzione p-n in silicio con i seguenti drogaggi: NA = 1016 . 5.1 Risoluzione Disegnare il diagramma a bande dettagliato all’equilibrio Il primo punto ` gi` stato risolto una volta. e 3. di costante o dielettrica S . Disegnare il diagramma a bande dettagliato all’equilibrio. e o mancano alcuni dati: le posizioni delle regioni di svuotamento. ND = 5 · 1016 : 1. Neq = 8. Calcolare il valore della tensione esterna Va tale per cui il campo massimo raddopi.Abbiamo scoperto una cosa molto interessante: un semiconduttore si pu` comportare come un condensatore a facce piane parallele. e il fatto che il a livello di Fermi deve essere sempre costante nel semiconduttore. 4. e i contributi di ogni lato alla barriera. Calcolare il valore di capacit` allo stato della giunzione nel punto a precedente. 2. 7 · 8. 64 .

al raddoppiare della base. tentiamo di risolvere in modo altrettanto rapido il punto 3: anche qua la teoria potrebbe spingerci a conti molto elaborati. Quindi: 65 . xd0 = 3. 4 · 10−7 Potremmo ora ragionare in due modi diversi: uno ` quello di considerare e le espressioni operative per il calcolo delle singole ampiezze xp0 e xn0 . Calcolare il campo elettrico massimo all’equilibrio Passiamo al punto successivo: il calcolo del campo elettrico massimo nella giunzione. i valori dei contributi della barriera saranno: Φn = Φp = qND 2 x = 0. xp0 = 292nm Dunque. 12V 2 S n0 qNA 2 x = 0. ` quello di considerare il fatto che le distribuzioni u e di carica sono rettangolari. ma la teoria ci insegna che il massimo del campo ` in prossimit` dell’origine degli assi. ma in realt` a si tratta esclusivamente di risolvere un problema in cui abbiamo un triangolo la cui area raddoppia. 65V 2 S p0 Abbiamo quotato tutte le grandezze utili al diagramma a bande. e che equivale all’area del triangolo. pi` intelligente. ergo e a del punto di giunzione.Svolgendo i conti. Anche qua ci vengono aperte notevoli strade. Un altro modo. e quindi che: NA xn0 = ND xp0 Si pu` ricavare dunque che: o xn0 = 58nm. Possiamo dunque calcolarlo cos` ı: ε(0) = − qNA S xp0 = −qND S = 44kV /cm Calcolare il valore della tensione esterna Va tale per cui il campo massimo raddopi Risolto il punto 2.

Dalla teoria. sappiamo che ` impossibile realizzare un voltmetro capace di ci`. quindi dovremmo affie o darci a misure di tipo indiretto. ma anche Neq .(Φi − Va ) = 2xd ε(0) · 2 =⇒ Va = 2. Quindi: CDEP = S xd = 15nF/cm2 Si metta a punto un metodo di misura sperimentale che tramite misura di capacit` permetta una valutazione del potenziale di a contatto P hii Il quinto punto ` molto pi` interessante di quelli passati finora. e quindi ` possibile calcolare con un’ottima e 66 . Questo punto per` effettivamente richiede u o osservazioni pi` importanti: vogliamo trovare un metodo per misurare. Dalla teoria sappiamo che: CDEP = q S Neq 2(Φi − Va ) Vorremmo ora una funzione facile da studiare. a partire da questa. considerandolo (come la teoria ci pu` o suggerire) come un condensatore a facce piane parallele. ma anch’esso ` dee cisamente semplice: esiste un sistema banalissimo di calcolare la capacit` a di svuotamento del semiconduttore. e quindi questo metodo di e misura ci fornisce implicitamente due misure: Φi . poich` e la pendenza della retta f (Va ). 2eV 2 Calcolare il valore di capacit` allo stato della giunzione nel punto a precedente Il quarto punto potrebbe nuovamente trarci in inganno. e −2 e considerare CDEP : 1 2 CDEP = 2(Φ − Va ) q S Neq Quest’espressione ` molto interessante da studiare in quanto di fatto non e ` altri che una retta: la propriet` interessante ` che l’intersezione con l’asse e a e delle ascisse di questa retta non ` altri che Φi . Si noti come. i problemi diventino molto pi` semplici. e u sfruttando le relazioni giuste e con qualche osservazione intelligente. in u buona approssimazione. La traccia dell’esercizio suggeriva di sfruttare effetti capacitivi al fine di realizzare questo metodo. e che non presenti il seguente problema: un’idea ` prendere l’espressione di CDEP . la tensione di contatto Φi .

in modo che a a la barriera sar` ridotta. ponendoci alcune domande specifiche: vorremmo poter quantificare la concentrazione dei portatori minoritari iniettati. mediante le leggi dell’azione di massa (o mediante le equazioni di Shockley) che: np (−xp )|EQ = pn (xn )|EQ = n2 n2 i = i = np0 pp (−xp ) NA n2 n2 i = i = pn0 nn (xn ) ND Possiamo intuire che. pariamo da una condizione di equilibrio: possiamo dire. e calcolare il livello di iniezione. Elettroni da lato n a lato p. dunque un’iniezione elettrica. in seguito alla modulazione della barriera provocata dalla tensione. Il nostro obiettivo ` ora quello di quantificare la trane sizione dei portatori.precisione entrambe le grandezze. Va infatti determina l’iniezione di elettroni nel lato p. Introduciamo una notazione che ci permetta di identificare univocamente i quattro flussi che entrano in gioco nella giunzione p-n: 1. Elettroni da lato p a lato n. il flusso 1 e il flusso 3 cresceranno. Lacune da lato p a lato n. e quindi siamo in un caso di polarizzazione diretta. Siamo dunque in grado di studiare l’equilibrio. 3. Soprattutto. aldil` degli effetti puramente elettrostatici. 2. vorremmo studiare cosa capita ai flussi di portatori. polarizzando la giunzione. np (−xp ) e pn (−xn ) crescono notevolmente. il lato p scender` e quello n salir`. Possiamo dunque considerare terminato questo esercizio. 3. Studiando le concentrazioni dei minoritari. 4. su di una giunzione p-n. e tornare a studiare gli effetti pratici dell’applicazione di una tensione esterna. mentre gli altri a rimarranno inalterati. e di lacune nel lato n.5 Effetti di una tensione su di una giunzione p-n Vorremmo ora comprendere. le a conseguenze dell’applicazione di una tensione esterna Va ad una giunzione. Lacune da lato n a lato p. ma non 67 . Se applichiamo alla giunzione una tensione Va > 0.

L’idea che permette di studiare casi fuori equilibrio mediante il livello di Fermi. Lontano dalla giunzione sappiamo che non abbiamo effetto della barriera. esso subir` e a una variazione. e che quindi molto a sinistra della giunzione il semiconduttore sar` tipo p neutro. a e quindi in una zona fuori equilibrio. che per una polarizzazione diretta l’ampiezza della a regione di svuotamento si riduce. le concentrazioni di portatori. e l’equilibrio dei maggioritari non viene alterato dall’iniezione.5. capita che i maggioritari restano di fatto inalterati. ` pi` spostato verso il e u 68 . ma in prossimit` della giunzione. in un suo intorno. e quindi il loro livello di Fermi di riferimento. a che considera il fatto che l’iniezione ha notevolmente alterato l’equilibrio dei minoritari. Nei minoritari. sdoppiamo il livello di Fermi in due a livelli distinti: quello riferito ai maggioritari. Dalle parti della barriera. le equazioni di Shockley. Possiamo qualitativamente dire. nascono i nostri problemi: il livello di Fermi presenta una discontinuit`. poich` si ha una variazione dell’equilibrio finale. ed un’iniezione di portatori. nel nostro caso EFn = EF . con ND . causata dale l’iniezione. ` sempre la base da cui partire per determinare le soluzioni: con e le equazioni di Shockley si possono infatti studiare. Volendo dunque calcolare le concentrazioni lontano dalla barriera. di fatto.1 Quasi-Livelli di Fermi L’idea vincente ` la seguente: il livello di Fermi. in funzione del livello di Fermi EF . La discontinuit` sar` esprimibile a a come un salto di ampiezza qVa tra i due livelli EF . mentre per i minoritari il quasi-livello di Fermi sar` a EFp . si considerer` un quasi livello di Fermi EFp . non sappiamo come procedere. 3. ` l’introduzione del concetto di quasi-livello di Fermi: in e prossimit` di una zona di non equilibrio. possiamo usare come al solito. Come possiamo per` descrivere un o semiconduttore in funzione del livello di Fermi. e che i minoritari subiscono una variazione sensibile. Nello sdoppiamento dei livelli energetici consideriamo ad esempio per i maggioritari il quasi-livello di Fermi EFn = EF e quindi una condizione coincidente con l’equilibrio. In regioni neutre dunque sappiamo esattamente come comportarci. nel diagramma a bande. coincider` con il livello all’equilibrio. come abbiaa mo visto nel precedente grafico qualitativo. quando si studiano problemi e di equilibrio. vi saranno le stesse condizioni che si trovano in una condizione di equilibrio. come avevamo gi` affermato prima. fuori equilibrio? Consideriamo un caso di basso livello di iniezione: in un semiconduttore drogato tipo n. poich` siamo in un regime di basso livello a e di iniezione. Ma cosa capita al livello di Fermi? Poich` aumentano i minoritari. Lontano dalla giunzione. e che Vj < Φi . molto a destra sar` tipo a a n neutro. Distinguendo questi due quasi-livelli di Fermi (quello dei minoritari si distingue sempre in quanto. diverso da EF .una condizione fuori equilibrio.

possiamo calcolare sia nn che pn . Facendo le stesse osservazioni per un semiconduttore drogato p con drogaggio NA .livello di Fermi intrinseco. le equazioni di Shockley saranno: ND : nn = ni e EF −EF n i kT EF −EF p i kT pn = ni e− pp = ni e NA : EF −EF p i kT EF −EF n i kT np = ni e − 69 . mediante una banale applicazione delle equazioni di Shockley. possiamo dunque introdurre le equazioni di Shockley: ND0 : nn0 = ni e EF −EF i kT EF −EF kT i pn0 = ni e− pp0 = ni e NA0 : EF −EF i kT EF −EF i kT np0 = ni e− In questi casi in equilibrio. la legge dell’azione di massa vale: ND0 = nn0 pn0 = n2 i NA0 = np0 pp0 = n2 i Nei casi fuori equilibrio. EFi ).

nn ND . per essere precisi con un andamento esponenziale (come suggeriscono le equazioni di Shockley): nn (x) = ni e EF −EF (x) i kT Quando x = xn . poich` abbiamo la dipendenza dall’esponenziale della differenza e EF − EFi (x). ρ ND Questa ` una verifica a posteriori della validit` dell’ipotesi di completo e a svuotamento. Ipotizziamo che lo svuotamento di queste induca un basso livello di iniezione. quindi. man mano che ci si avvicina alla giunzione. Si noti che nella regione di svuotamento esistono moltissimi portatori. per x < xn .6 Leggi della Giunzione Tornando allo studio della giunzione. ` costante fino a x = xn : e a partire dal punto xn . e ρ = 0. cerchiamo di applicare quanto appena introdotto. a si arriva a: nn nn0 . 70 . 3. ` possibile e studiare un semiconduttore con le equazioni di Shockley anche in condizioni fuori equilibrio.In questi casi fuori equilibrio. ossia i quasi-livelli di Fermi. nn (x) diminuisce velocemente. dalla condizione di neutralit` in cui nn0 ND . o Via via che ci si inoltra nella zona di svuotamento. e quindi che il vecchio livello di Fermi descriva senza problemi la concentrazione dei maggioritari. nn (x) = nn0 . vi ` una diminuzione espoe nenziale degli elettroni: questo perch` prima della zona di svuotamento la e neutralit` ` garantita dagli elettroni derivanti dagli ioni positivi (iniettati a e + come droganti). nel lato n. al variare di x. ossia a partire da quando si entra nella zona di svuotamento. e quindi ND − nn 0 (grazie all’ipotesi di completa ionizzazione che si pu` applicare sempre). pn 0. Usando le equazioni di Shockley si vede che la distanza EFn − EFi al variare di x. e di utilizzare dunque sulle regioni di svuotamento le equazioni di Shockley. la differenza dei due livelli energetici crolla bruscamente. Per x > xn infatti. ma che sono in numero estremamente trascurabile rispetto a ND . vediamo che le leggi dell’azione di massa subiranno una correzione (esponenziale) rispetto a quelle classiche in casi di equilibrio: ND : nn pn = n2 e i NA : np pp = n2 e i EF −EF p n kT EF −EF p n kT Mediante questi strumenti teorici.

o e pu` nascondere il fatto che i minoritari esistano.Stesso ragionamento. In equilibrio: np0 (−xp ) = ni e− 2. possiamo architettare le nostre congetture: 1. Fuori equilibrio: np (−xp ) = ni e− EF (−xp )−EF n i kT EF (−xp )−EF i kT Ma. nel lato n. mediante gli stessi passaggi. a partire dai quasi-livelli di ı Fermi. si ottiene che: np (−xp ) = np0 e− EF (−xp )−EF n i kT e EF (−xp )−EF i kT = np0 e− EF −EF p n kT Dualmente. Dire che non vi sono minoritari ` un e errore gravissimo: dire che per` l’ipotesi di completo svuotamento ` attuabile. e dal fatto che i maggioritari nel lato n sono descritti da EFn = EF . duale. per il lato p. considerando il punto di inizio della regione di svuotamento x = xn . EF = EFp . mentre nel lato p da EFp = EF . nel lato p all’equilibrio. ma con una concentrazione o inferiore di diversi ordini di grandezza rispetto a quella dei maggioritari. Ricaviamo dunque dalla prima espressione ni . para a tendo dall’ipotesi di basso livello di iniezione. due equazioni fondamentali per lo studio della giunzione p-n: np (−xp ) = np0 e VT = Va V n2 V a i e T NA EF −EF n p kT 71 . tenendo conto di quest’osservazione: np0 = ni e− EF (−xp )−EF i kT =⇒ ni = np0 e EF (−xp )−EF i kT Sostituendo nella seconda espressione. si ricava che: pn (xn ) = pn0 e Ma possiamo osservare che EFn − EFp Va = kT VT Abbiamo cos` dimostrato in modo formale. La transizione delle concentrazioni avverr` con una certa gradualit`. poich` trattiamo i maggioritari e e il basso livello di iniezione.

ossia quanti elettroni andassero dal lato n verso il lato p. pn (xn ) = pn0 e VT = Va 3. ossia man mano che ci si addentra nelle regioni di svuotamento. a questo scopo. che la popolazione si sposta esponenzialmente con la barriera. All’equilibrio.V n2 V a i e T ND Cerchiamo di comprendere l’importanza ed il significato di queste due equazioni cos` fondamentali: l’esigenza iniziale era quella di capire quale ı concentrazione di carica si originasse. si vede che si ha uno svuotamento con un andamento esponenziale. Ci` deriva o dall’applicazione delle equazioni di Shockley (necessarie. poich` vi ` un abbassamento delle barriere e e di potenziale. i minoritari sul lato p (nel punto −xp ) e sul lato n (in xn ) saranno rispettivamente: 72 .7 Caratteristica statica della giunzione p-n Vogliamo ora studiare. applicando le leggi della giunzione. a ossia per x = xn e x = −xp . mediante la formulazione delle leggi della giunzione. nell’ambito della giunzione p-n. Al fine di arrivare alle leggi della giunzione. La legge della giunzione infester` con gli andamenti esponenziali quaa si tutte le equazioni di funzionamento dei dispositivi elettronici. Cerchiamo. quindi altre applicazioni non cambierebbero comunque questo tipo di andamento). in questi punti per` il valore della concentrazione di portatori minoritari aumenter` o a esponenzialmente con la tensione. le concentrazioni dei minoritari saranno costanti. in seguito ad una modulazione della barriera. partendo dalla distribuzione di Fermi-Dirac. Siamo arrivati a capire. a quella di Boltzmann. a sinistra del punto −xp ed a destra del punto xn . di riformulare tutte le nozioni finora apprese. i minoritari saranno: np0 = pn0 = n2 i NA n2 i ND Polarizzando direttamente la giunzione. l’espressione della corrente I in funzione della tensione di polarizzazione Va : I(Va ). all’aumentare della distanza dalla giunzione. in prossimit` delle zone di svuotamento. abbiamo introdotto i quasi-livelli di Fermi: possiamo immaginare che questi. tendano asintoticamente ad unirsi. e quante lacune dal lato p verso il lato n. fino a coincidere nel livello di Fermi all’equilibrio EF . che a loro volta derivano dalla prima approssimazione fatta.

l’iniezione di portatori. lato per lato.np (−xp ) = np0 e VT pn (xn ) = pn0 e VT Va Va Cosa succede in parole povere: mediante l’applicazione della tensione. sfruttando il modello matematico del semiconduttore: partendo dall’equazione di continuit`. si ottiene. e dal modello di ricombinazione a diretta: 0=− 1 ∂Jp pn − pn0 − q ∂x τp Va Va Consideriamo valida l’ipotesi di quasi neutralit` del semiconduttore: ε a 0. vengono iniettati elettricamente portatori minoritari nel lato: dal lato n gli elettroni (che in n sono maggioritari) vengono iniettati nel lato p (dove diventano minoritari). dovremo studiare l’andamento dell’eccesso di lacune nel lato n al variare della posizione x. Per studiare le lacune iniettate dal lato p al lato n. Cerchiamo di meglio a definire la funzione pn (x). considerando l’eccesso a pn = pn − pn0 : Jp = Jdif f = −q 0 = Dp ∂ 2 pn pn − ∂x2 τp Dp τp . Studiamo dunque. la Considerando l’espressione della lunghezza di diffusione Lp = forma della soluzione dell’equazione differenziale sar`: a x pn (x) = Ae Lp + Be 73 x −L p . partendo dallo studio delle funzioni pn (x) ed np (x). ossia la differenza tra le lacune presenti all’equilibrio e quelle iniettate dal lato p a quello n: pn (x) = pn (xn ) − pn0 = pn0 e VT − pn0 = pn0 e VT − 1 Avevamo accennato a pn studiando la generazione ottica in un esempio pratico precedentemente analizzato: anche in questo caso avviene un fenomeno di iniezione. e viceversa da p ad n le lacune da maggioritarie divengono minoritarie. Quindi: ∂pn Dp ∂x Sostituendo nell’equazione di continuit`. La corrente di drift sar` dunque circa uguale a 0. in posizioni generiche. ma con cause e modalit` differenti. ed avremo una corrente a puramente diffusiva.

il decadimento esponenziale di a portatori minoritari al variare della posizione dovuto alla ricombinazione annuller` o quasi la presenza dei suddetti minoritari. come prima abbiam visto. come ci suggerisce l’espressione appena trovata. e poter studiare le solite condizioni al contorno: pn (Wn ) = 0 =⇒ A = 0 pn (xn ) = Be x − Ln p =⇒ B = pn (xn )e Lp − x−xn L p xn Sostituendo nell’equazione i coefficienti A e B. Ci` avvalora a posteriori le nostre congetture a o sul quasi-livello di Fermi: esso ci ha permesso di calcolare la concentrazione delle lacune sul lato n. Considerando il fatto che. Per questo il quasi-livello a di Fermi coincider` con il livello di Fermi. abbiamo un’espressione dei minoritari nel punto xn : pn (xn ) = pn0 e VT − 1 Sostituendo nella nostra espressione ottenuta dal modello matematico avremo che: pn (x) = pn0 e VT − 1 e Va Va − x−xn L p Sul lato p. poich` le lacune saranno tutte a e ricombinate. poich` l’esponenziale ha l’esponente normalizzato di e Lp . e dopo poche lunghezze di diffusione si potr` considerare nulla. subisce un fenomeno di ricombinazione. si ottiene: pn (x) = pn (xn )e Lp e xn x −L p = pn (xn )e Quindi pn (x) dipende esclusivamente da un fenomeno di diffusione. dopo che l’esponente sar` multiplo di Lp . Possiae mo dunque confondere la lunghezza del lato Wn con +∞.Il semiconduttore si pu` considerare nell’ipotesi di lato lungo: la lunghezo za del lato n rispetto alla lunghezza di diffusione Lp ` molto elevata. si pu` dimostrare con gli stessi passaggi che capita qualcosa o di completamente duale: 0= 1 ∂Jn np − q ∂x τn ∂np ∂x Jn = Jdif f = qDn =⇒ 1 ∂ 2 np np − q ∂x2 τn 74 .

nella prima condizione al a o contorno. dualmente a prima: np (x) = np0 e VT − 1 e Va x+xp Ln xp xp Avendo svolto i passaggi pi` rapidamente poich` esattamente duali a u e prima.dif f (x) = −qDn • Lato n: i portatori saranno le lacune iniettate dal lato p. e dunque i relativi valori deriveranno solo dalla diffusione di questi: np (x) = np (−xp )e Va x+xp Ln np (−xp ) = np0 e VT − 1 x+xp ∂np qDn = np (−xp )e Ln ∂x Ln Jn = Jn. e dunque i relativi valori deriveranno solo dalla diffusione di queste: pn (x) = pn (xn )e − x−xn L p pn (xn ) = pn0 e VT − 1 75 Va . mentre quello di B no. Riassumiamo ora ci` che abbiamo ricavato da questo studio dell’andameno to dei portatori mediante il fenomeno di diffusione in seguito all’iniezione: • Lato p: i portatori saranno gli elettroni iniettati dal lato n. a np (Wp ) = 0 =⇒ B = 0 np (−xp ) = Ae− Ln =⇒ A = np (−xp )e Ln Sostituiamo nella soluzione il coefficiente A e ricaviamo. il termine di A e tender` a 0 da solo.Data Ln = √ Dn τ n : np (x) = Ae Ln + Be− Ln x x Questa volta ci interesser` confondere con −∞ la lunghezza del lato −Wp : a ad annullarsi sar` questa volta per` il termine B. poich` sostituendo nell’esponenziale x → −∞.

Ma cosa trasporta fino alla giunzione le cariche che poi verranno inviate dall’altro lato della giunzione. che vanno in n mediante un meccanismo diffusivo. possiamo infatti scriverle.dif f (x) = Jn. nel seguente modo: Jp. o 3.1 Polarizzazione diretta Tentiamo di capire cosa capita nel nostro modello. e quindi viene ricombinata nel lato in cui diventa minoritaria. Ci chiediamo per` da dove nascano queste due correnti: poich` abbiamo o e escluso per conservazione della carica che vi sia corrente solo nella giunzione o nelle sue prossimit`. non sappiamo per` niente sulle correnti lontane da essa. ci chiediamo a cosa generi queste correnti. mediante diffusione? In altre parole. poich` altrimenti vi dovrebbero e essere infiniti accumuli di carica che permettono il mantenersi della corrente solo localmente.dif f (x) = V qDp pn0 V a − x−xn e T − 1 e Lp Lp x+xp V qDn np0 V a e T − 1 e Ln Ln Abbiamo informazioni su di un intorno della giunzione. vediamo che dal lato p giungono lacune. in tutto il semiconduttore. xn ].8. Abbiamo da sinistra una corrente di lacune che va verso destra. Il fatto che vi sia una variazione di o corrente in prossimit` della giunzione.Jp = Jp. 3.dif f (x) = qDp ∂pn qDp − x−xn = pn (xn )e Lp ∂x Lp Le correnti avranno un andamento come quello appena descritto. e ci` va contro le leggi di conservazione della carica. dualmente da sinistra a destra vi ` una corrente di elettroni che passa e per la giunzione. quando alla giunzione ` e collegata una batteria che le fornisce una polarizzazione diretta.8 Studio delle correnti nella giunzione p-n Riformuliamo ora meglio l’andamento delle correnti. garantisce il fatto che la corrente deve a essere globale. Analizzando la situazione. nella fatispecie che le cariche che permettono la a conducibilit` siano tutte nella zona di svuotamento [−xp . in prima approssimazione). e viene ricombinata. passa per la giunzione (dove consideriamo che non avvengono fenomeni di alcun tipo. prima descritto quantitativamente. cosa permette la corrente? 76 .

Matematicamente si ` verificato che. met` e a di esso. considerando la corrente nel diodo. Introducendo l’effetto del campo e della ricombinazione abbiamo cos` esteso le correnti ı ovunque nella giunzione p-n. I: data l’area della giunzione Aj . si divider` in due sezioni: una si a a preoccuper` di ricombinare la corrente arrivata dall’altro lato. ma ` in grado di muovere senza problemi una a e corrente di maggioritari. poich` stiamo solo considerando la corrente in polarizzazione diretta). di trascinamento. seguendo un modello completamente diffusivo (in quanto parliamo di minoritari). Dal lato neutro della giunzione dunque proverr` a una corrente di drift. e studiamolo ora sotto il punto di vista di altri fenomeno. e ı a quindi la corrente. lontane dalla giunzione.In una giunzione polarizzata direttamente. ` possibile calcolare le correnti di e drift in un punto qualsiasi del sistema lontano dalla giunzione. che non ` in grado di modifie care la mobilit` dei minoritari. giunta in prossimit` della zona di svuotamento. In questo modo. I minoritari verranno saturati.dif f (xn ) + Jn. un’altra sar` a a inviata all’altro lato: dualmente capiter` nell’altro lato la stessa cosa. consideriamo la corrente I nel diodo come: I = qn2 Aj i qDp pn0 qDn np0 + Lp Ln 77 e VT − 1 Va . studiando semplicemente le correnti di diffusione. Riassumiamo ci` che abbiamo appena detto: abbiamo in precedenza o quantificato gli eccessi di carica di minoritari iniettati in un lato dall’altro. e cos` si verificher` il moto di cariche globale in tutta la giunzione. poich` la corrente di diffusione ha e e un modello di decadimento esponenziale. che ricombina la corrente giunta per diffusione dall’altro lato. Questo ` il meccanismo alla base di un diodo a giunzione (o almeno. che la presenza a della ricombinazione a partire della zona di svuotamento: il meccanismo chiave della corrente in polarizzazione diretta ` questa corrente di drift portata e dal campo. La somma delle due correnti esterne alla giunzione sar` a la corrente totale in essa contenuta e mossa: qDp pn0 qDn np0 + Lp Ln Va Jtot = Jp. e in a questo modo sar` motivabile sia la presenza della corrente. vi ` un campo elettrico dovuto e alla tensione applicata ai capi del dispositivo. che. dopo alcune lunghezze di diffusione si potr` considerare sparita tutta la corrente iniettata: ci` ` dovuto ad un a oe fenomeno di ricombinazione con portatori maggioritari del lato trasportati mediante il campo elettrico della polarizzazione.dif f (−xp ) = e VT − 1 Questa corrente totale Jtot sar` anche coincidente con la somma delle a due correnti di drift. di portatori maggioritari.

viene definito il termine I0 come corrente inversa di saturazione: I0 = qn2 Aj i Dn Dp + Lp ND Ln NA Questa ` la corrente che sperimentalmente si pu` misurare applicando e o una tensione esterna sufficientemente negativa al diodo: data infatti una giunzione. essa.2 Polarizzazione inversa: corrente inversa di saturazione Data l’espressione appena analizzata. e dunque i maggioritari non a avranno la possibilit` di attraversarla. Ci` ci o fa intuire che la corrente inversa di saturazione ` provocata da un moto di e portatori minoritari. studiandolo in regime di polarizzazione inversa. 3. per studiare quindi solamente cosa capita a livello di correnti. Anche in questo caso.8.Passiamo ora allo studio della seconda met` del modello del nostro diodo a a giunzione. poich` la barriera e per i maggioritari rappresenta una sorta di scivolo per i minoritari. che non avrebbero fatica ad attraversarla. Saranno tuttavia possibili transizioni a di minoritari. Altri fenomeni quali la generazione ottica potrebbero comunque aumentare la corrente inversa di saturazione. questa viene immediatamente separata dal campo. anche se anche qua si pu` scorgere una dualit` tra i due fenomeni. Ma l’efficacia di questi due fenomeni dipende dalla temperatura: una volta che viene generata una coppia elettrone-lacuna all’interno della giunzione. La barriera di potenziale derivante dalla polarizzazione sar` molto elevata. essa dovrebbe presentare il lato p molto rialzato rispetto al lato n. e misurata la corrente passante in essa. o a Supponiamo dunque di polarizzare inversamente il nostro diodo: se disegnassimo il diagramma a bande della giunzione. avr` il valore I0 . e dunque che abbia una forte dipendenza dalla temperatura (come meglio diremo dopo per`): si inizi a considerare il fatto che o I0 ∝ n2 . in prossimit` della giunzione. Il meccanismo fisico dietro questo fenomeno ` a e differente da quello che abbiamo considerato in polarizzazione diretta. Ma noi non ci preoccupiamo di questi aspetti. ma che ni varia sensibilmente con la temperatura: esiste una regola i empirica che afferma che in un intorno di 300 K. non consideriamo a effetti di alcun tipo: potremmo considerare ricombinazione o generazione termica. se polarizzata con una Va 0. che aumenterebbero o ridurrebbero la corrente. sempre generando nuove coppie elettronelacuna. per ogni incremento di 10 K la corrente raddoppi. Fenomeni additivi non verranno 78 . che allontana dalla giunzione i portatori.

ossia alla polarizzae zione diretta: prima i maggioritari divenivano minoritari. ma il fenomeno chiave del meccanismo sar` la generazione termica: a mediante generazione termica verranno a crearsi coppie elettrone-lacuna che vengono immediatamente separate: i maggioritari rimarranno per qualche tempo nel lato p. Poich` questo eccesso di carica ` esiguo. Abbiamo detto che i minoritari sono in grado di transire la barriera. ma di segno opposto alle precedenti. ora i minoritari divengono maggioritari. anche se dispositivi quali fotodiodi o celle fotovoltaiche si basano proprio su di essi. Giunti dall’altro lato. man mano che ci si allontana dalla giunzione. divenendo maggioritari nel lato in cui arrivano.considerati per ora nel nostro modello. mentre i minoritari saranno iniettati nell’altro lato. Ad evitare accumuli di carica. dal momento che la e e 79 . applicando la legge della giunzione. che andrebbero cointro le leggi di conservazione. Potremo dire che avremo. La situazione ` del tutto duale alla precedente. la tensione tender` ad allontanare il flusso di maggioritari a dalla barriera. tendono ad azzerarsi. ` il campo elettrico: poich` il semiconduttore ` polarizzae e e to inversamente. in quanto consideriamo correnti di minoritari. delle correnti. Potremmo raffigurare di nuovo un diagramma delle correnti diffusive. allora la corrente sarebbe opposta rispetto al verso che effettivamente risulta avere. di maggioritari. Prima il fenomeno che permetteva la corrente era la ricombinazione delle correnti arrivate per diffusione unite ad un effetto del campo. al fine di studiare la corrente inversa di saturazione I0 : Va Va Il campo di polarizzazione non ` in grado di agire sui minoritari: se fosse e possibile. sappiamo che: np (−xp ) = np0 e VT − 1 pn (xn ) = pn0 e VT − 1 Gli eccessi di minoritari. derivando i portatori rispetto alla variabile spaziale x (applicando nuovamente dunque un modello diffusivo). Le correnti saranno tutte negative. i minoritari diverranno maggioritari. ora l’effetto del campo sar` sempre presente (anche se in modo a diverso).

in casi come quello appena accennato. di semiconduttore degenere. Si valutino i valori delle resistenze serie nel lato p e nel lato n e si discuta il loro effetto sulla caratteristica statica del diodo. e si disegni. e quindi anche la I0 . all’applicazione di una tensione di polarizzazione Va = 0. ossia presenta un salto. Wn = Wp = 1mm. le distribuzioni delle correnti. 3µs: 1. 5 V. τn (ND ) = 0. 5µs. La tensione di polarizzazione inoltre non ` in grado di favorire il processo. I(Va ) Una breve divagazione. si intende una differenza di qualche ordine di grandezza. poich` non varia la produzione di coppie e e elettrone-lacuna con il variare della tensione. Una giunzione si definisce brusca quando il drogaggio cambia rapidamente. in e questo ambito. quotandole. che la tensione Va vari molto lentamente. I0 sar` esigua. come in tutte le giunzioni finora studiate. i tecnologi sono soliti definire una funzione del drogaggio al variare della posizione x. e non eventuali picchi di corrente transitori. con area della giunzione Aj = 1mm2 . come proposto precedentemente in un breve cenno. con effetti che pi` avanti u analizzeremo. drogata p NA = 1016 . N (x): 80 . Se vi fosse un drogaggio tipico da una parte (circa 1016 per esempio). 2. 3. la giunzione avrebbe una forte asimmetria. poich` con un drogaggio elevato come 1019 il livello e di Fermi del semiconduttore arriva a coincidere con il livello EC della banda di conduzione. a meno che non ci si trovi in alte temperatua re o regimi di generazione ottica.9 Esercizio Pratico Data una giunzione p-n simmetrica brusca. prima di risolvere l’esercizio: cosa si intende precisamente per caratteristica statica? La risposta ` semplice: la caratteristica e statica ` una funzione della tensione Va che non considera fenomeni di trane sitorio: si considera.sola sorgente di cariche lontano dalla giunzione ` la generazione termica. n ND = 5 · 1016 . sapendo che i tempi di vita dei portatori sono τn nel lato p. le correnti di generazione aumenteranno. Si arriva a parlare. a tal fine. in modo di poter vedere nel grafico della caratteristica statica esclusivamente i valori di regime della corrente. Si valuti la corrente inversa di saturazione I0 . e nell’altro lato un drogaggio dell’ordine di 1019 . Una giunzione simmetrica ` una giunzione in cui i livelli di drogaggio e dei due lati sono confrontabili: per confrontabili. τp (NA ) = 0. τp nel lato n. Al contrario iniettando dunque termicamente od otticamente coppie elettrone-lacuna.

µp (ND ) ∼ 300 =⇒ Dp = 7.1 Risoluzione Si valuti la corrente inversa di saturazione I0 Il calcolo della corrente I0 si pu` considerare fattibile come somma di due o contributi: il contributo del lato n. µn (NA ) ∼ 1250 =⇒ Dn = 32. ε. mediante le relazioni di Einstein: Dn = kT µn (NA ). 8cm2 /s q Ln = Lp = Dn τn = 40µm Dp τp = 15µm Dp = I0n = 2.N (x) = ND (x) − NA (x) Se N (x) presenta una discontinuit` (che sar` ovviamente di tipo salto) a a la giunzione ` detta brusca. Lo studio del grafico di N (x) ci pu` ricordare o molto l’andamento delle densit` di carica: mediante N (x) sar` infatti facile a a dunque studiare le grandezze ρ. ed il contributo del lato p: I0 = I0n + I0p Possiamo dunque semplicemente calcolare in questo modo la corrente inversa di saturazione: I0n = qn2 Aj i I0p = qn2 Aj i Dn Ln NA Dp ND Lp Calcoliamo dunque i coefficienti di diffusione.9. Φ. 3. 73 · 10−13 A I0p = 0. si e e parla di giunzione graduale. se al contrario N (x) ` una funzione continua. 5cm2 /s q kT µp (ND ). 35 · 10−13 A 81 .

dif f + In. sappiamo che. per ottenere una tensione risultante Vj . 08 · 10−13 A Ora che abbiamo calcolato il termine della corrente di saturazione inversa. attraverseremo infatti due resistenze. Dalla legge di Ohm.dif f = I0p e VT − 1 = 8µA In. Wn − xn 1 1 = = = 0. Possiamo dire che. u Possiamo considerare che: RSp = ρp 1 1 Wp − xp = = = 1. con in serie le due resistenze RSp ed RSn collegate.dif f = 69µA Si valutino i valori delle resistenze serie nel lato p e nel lato n Passiamo ora alla soluzione del secondo punto del nostro esercizio: il calcolo delle resistenze serie di accesso alla giunzione. vi ` una caduta di e tensione molto piccola. per alte tensioni. e dalla lunghezza del lato n.I0 = 3. le resistenze 82 . 78 · 10 = 17. 14ω Aj qµn nnv qµn ND RSn = ρn Il modello elettrico rappresentante il circuito sar` dunque quello del nostro a diodo. e comprendere in modo pi` quantitativo l’effetto della presenza del semiconduttore nel circuito. 8ω Aj qµp ppv qµp NA Va Va Con un ragionamento del tutto analogo. la corrente sul diodo con la tensione fornita dall’esercizio sar`: a I = Ip. in serie. alla batteria Va . 114 · 10 = 1. al fine di capire efo fettivamente quanta tensione vi sia ai capi della giunzione. una Va considerata come la tensione sul solo diodo. per arrivare al punto di giunzione. e dunque si potrebbe considerare che tutta la tensione Va vada alla giunzione. Vogliamo per` comunque calcolare le resistenze opposte dai lati.dif f = I0n e VT − 1 = 61µA In toto. quotare le correnti sar` molto semplice. in quanto possiamo usare a l’espressione della corrente del diodo: Ip. Si verifica un problema nello studio della caratteristica statica: si dovr` a considerare. al di sopra del quale. ID una corrente elevata sul diodo. opposte dalla lunghezza del lato p. per resistenze piccole e correnti piccole.

l’andamento della caratteristica statica sar` quello di una retta. Intuitivamente. in quanto la core rente ID appare sia come variabile dipendente che come argomento dell’esponenziale. in modo da estendere il nostro modello statico. In altre a parole. ma le resistenze. sar` uguale a: a Va = Va − (RSp + RSn )ID La corrente sul diodo avr`. facendo cadere tensione. Al di sopra di questo valore di Va .avranno un effetto non indifferente in quanto provocheranno una caduta di tensione sempre meno trascurabile.10. in queste condizioni. e dunque sarebbe necessario sfruttare metodi numerici al fine di determinare le soluzioni di quest’equazione in funzione di ID . facendolo diventare da esponenziale a lineare per grossi valori di Va . effettuando lievi e lente variazioni di tensione. in polarizzazione diretta. pensando alla natura o u del circuito: di base avremmo una corrente che varia esponenzialmente con la tensione. u di piccolo segnale. possiamo per` fare un ragionamento molto pi` fine.1 Modello di ampio segnale Considerando un diodo. basandoci sull’espressione della corrente del a diodo ricavata a partire delle leggi della giunzione. faranno stabilizzare il valore del rapporto V . accostandovi modelli pi` generali. per poi approfondirle in seguito. pi` Va sar` elevata.10 Cenni ad altri modelli della giunzione Continuiamo a discutere la modellizzazione del diodo a giunzione. aspettando che i valori si stabilizzassero ad un regime. esso presenta una cosa particolare: considerando una scala meno sensibile di quella che ci permetterebbe di visualizzare chiaramente la corrente di saturazione inversa: consideriamo 83 . ma molto male in zona inversa. introduciamo dunque alcune idee nuove. quali quello di ampio segnale. ed altre osservazioni. finora abbiamo considerato un modello statico. 3. e sempre meno corrente in u a proporzione percorrer` il diodo. a 3. La tensione sul diodo. basato cio` sul non considerare fenoe meni di transitorio. Il vero problema del nostro modello statico per` ` il seguente: abbiamo descritto in modo abbastanza valido oe il diodo a giunzione in zona diretta (anche se alcuni aspetti sono ancora da chiarire). un’espressione del tipo: ID = I0 e Va −(RSp +RSn )ID VT −1 Si noti che quest’espressione ` fortemente non lineare. al di sopra di un certo I valore.

il diodo sarebbe spento. dotato di manualit`. per rispondere a ci`. molto inferiore a 0. si avr` un’ingente a corrente negativa: il diagramma corretto della caratteristica I(Va ) avrebbe in realt` una forma del tipo: a Potremmo chiederci da dove provengono i valori Vγ e VZ . si ` introdotto il modello di ampio segnale. potremo infatti immaginare un condensatore comandato in tensione. e modellabile con un circuito aperto. il diodo a giunzione ` in parallelo alle capacit` (comana e a 84 . si dovr` associare per` un’ulteriore caa o a o pacit` variabile. sempre in parallelo al diodo: la capacit` di diffusione CDEP . Vγ . Volendo ora disegnare un grafico della caratteristica statica. o detta anche tensione Zener (nel disegno seguente indicata con VBD ). vi ` un concetto gi` precedentemente introdotto. Alla base del modello di ampio segnale. ossia un elettronico esperto. Il modello circuitale del modello di ampio segnale sar` il seguente: a Come gi` detto. Un veteroelettronico. in uno stato di polarizzazione inversa del diodo. di e a elettrostatica: la capacit` di svuotamento del semiconduttore CDEP . che racchiude in s` tutte o e e queste fenomenologie fisiche per noi ancora inspiegabili. in quanto ora a bisogna accennare a qualcosa di molto pi` interessante. a a Possiamo anticipare che essa ` una capacit` legata a fenomeni di diffusione e a di minoritari. a capacit` variabile. che noi chiameremo VZ . vedremmo che essa vale 0 fino ad un certo valore che noi chiameremo Vγ . A ci`. ossia la tensione di accensione del diodo. se Va > Vγ . e a curvare e la caratteristica statica. u Se consideriamo una tensione di polarizzazione inversa Va 0. affermerebbe di a getto che se Va < Vγ . questo valore.ad esempio la scala del mA. il diodo si modellerebbe con un generatore di tensione Vγ . al di sotto di un certo valore. leggermente positiva. Questa ` la tensione in cui l’esponenziale inizia ad attivarsi. In paa rallelo col diodo. prima di stabilizzarsi ad una retta. sar` in seguito argomento di discussione.

10.min ∼ 0. Supponiamo di stabilire a 0.2 Modello di piccolo segnale La forte non linearit` del circuito rende impossibile l’applicazione dell’eleta trotecnica. a ora vedremo qualche cenno su questo. a seconda del punto di lavoro che si utilizza. La tensione minima in questione sar` data da: a Vγ = VT ln I0. il diodo sar` in a e a stato di polarizzazione diretta. Esistevano tecniche ingegneristiche in grado di eliminare o quantomeno accantonare la non linearit` del circuito. il tutto in serie con le resistenze serie di accesso del semiconduttore. 6V I0 85 . e a di linearizzarlo in un intorno di questo valore. Questo modello ci presenter` molti problemi. 3. che effettivamente fino a vent’anni fa non esistevano. a I0min . in quanto esso ` un circuito a e fortemente non lineare. e delle sue tecniche di analisi circuitale. mediante una sorta di sviluppo in serie troncato.date in tensione) di svuotamento CDEP e di diffusione CDEP .11 Valutazione di Vγ Come gi` detto. Vγ ` la tensione di accensione del diodo. Piccolo segnale deriva proprio dal fatto che questo metodo funziona per` solo localmente. La strategia vincente sar` quella di considerare un preciso punto di funzionamento del circuito. o Ricominciamo ora a trattare argomenti pi` dettagliati. al fine di poterlo ugualmente studiare. e con una tensione sufficientemente elevata da far attivare l’esponenziale che controlla la crescita della caratteristica del diodo. 3. 1 mA la minima corrente sensibile da uno strumento di misura: Vγ sar` la tensione tale per cui avremo garanzia a di poter osservare questa minima corrente (scelta in realt` arbitrariamente). e dunque impossibile da studiare se non mediante simulatori numerici. e di risolvere u alcuni dubbi introdotti in questi cenni.

Esistono due fondamentali meccanismi di breakdown della giunzione. e quindi costante.12. 3. dal modello statico. ci saranno. una corrente inversa di saturazione. Poi. Si tratta solo di una scelta di corrente minima osservabile con un valore sensato. come gi` detto. si stabilizza. Passiamo ora all’analisi pi` dettagliata del diodo a giunzione in stato di u polarizzazione inversa. ma a e sensata. 1 mA per fare un esempio in realt` ` poco influente. il lato p risulta essere molto rialzato rispetto al lato n: il campo elettrico. che per` non dipendono dalle cao ratteristiche elettriche dispositivo. In realt`. poich` il logaritmo attenua molto questo ae e fattore. quanto dalla sua resistenza al calore che verrebbe dissipato dalle resistenze. al di sotto del quale e non vi ` crescita di corrente. a meno che con una corrente troppo alta. e o per questo motivo un diodo ` modellabile con una batteria: al di sopra di e un certo valore. per`. a a 86 . al variare di Va . Nella zona di svuotamento. Questa ` una regola empirica. sar` molto elevato. ma dopo il quale la crescita ` e e esponenziale.La scelta di I0min che noi abbiamo ipotizzato di 0. al di sotto della tensione a Zener VZ . Si noti che il valore che abbiamo osservato di Vγ ` circa a e met` del valore dell’energy gap (1.12 eV). la tensione resta sempre circa costante. analizzando i fenomeni di rottura della giunzione. ci aspettiamo. a causa della forte tensione. il diodo va in rottura (breakdown): vi ` una rottura elettrostatica e del diodo a giunzione. si manifesti un effetto Joule non indifferente che produca un forte innalzamento termico del dispositivo provocando danni fisici. in quanto gli ingegneri di vent’anni fa potevano solo sfruttare tali regole empiriche per semplificare i propri modelli. ossia quasi verticale potremmo dire.1 Effetto valanga Data una giunzione polarizzata inversamente. L’importanza storica di Vγ ` la sua caratteristica di rappresentare un limite. e quindi una tensione molto negativa.12 Meccanismi di rottura della giunzione Se consideriamo una polarizzazione inversa con tensione Va 0. che analizzeremo in modo per` puramente o qualitativo: • Effetto Valanga • Effetto Tunnel 3. Si noti che questo fenomeno ` reversibile: la rottura ` un fenomeno purae e mente elettrostatico. poich` le resistenze e serie di accesso al diodo rendono circa costante la tensione.

Questo tipo di dispositivo ` utilizzato molto e comunemente. 3. aumentano le probabilit` dell’effetto tunnel.come di consueto. poich` esso lavora e e per l’appunto in zona inversa. un diodo a giunzione poco drogato.3 Diodi Zener I diodi che funzionano prevalentemente in zona di breakdown sono detti diodi Zener.12. che a loro volta causeranno nuove generazioni. a 87 . Il loro simbolo ` quello di un diodo. che daran luogo a due nuove coppie elettrone lacuna (una per la lacuna scontratasi. in quanto con una certa corrente. poich` la barriera si alza. e in questo modo vi sar` un effetto a valanga che provoa cher` una corrente non trascurabile nel diodo. e inversa. ma il pi` importante ` il drogaggio: un diodo a u e giunzione molto drogato. nel lato p. La banda di valenza. ossia dal fatto che la funzione d’onda degli elettroni a contenga una buona probabilit` dell’elettrone di superare la barriera nonoa stante essa abbia un potenziale molto pi` elevato di quello dell’elettrone.2 Effetto tunnel A causa della polarizzazione inversa. a causa del campo a di polarizzazione. rappresentando cos` un ottimo punto di riferimento in un circuito. che regoleranno la corrente di saturazione inversa: questi provocheranno la nascita di una coppia elettrone-lacuna. con due sorte di alette aggiuntive. ı Cosa ci garantisce un diodo a tunnel piuttosto che un diodo a valanga? Esistono diversi aspetti. ` ricchissima di elettroni (per e definizione). con una batteria. e quindi a sar` a effetto tunnel. abbiamo una barriera di potenziale molto elevata. esso fornir` sempre la stessa a tensione.12. al contrario. con a una tensione Zener abbastanza elevata. una per l’elettrone scontratosi): a questo punto il campo separer` ed accelerer` questi due nuovi elementi. e Essi vengono modellati. fenomeni di generazione termica. a a che causeranno a loro volta nuove generazioni. quando assume e uno spessore sufficientemente ridotto (alcuni amstrong). Si noti che la convenzione di utilizzatore del diodo Zener ` opposta rispetto a quella dei comuni diodi. il tunnelling diventer` a possibile e anzi probabile. u Con una barriera sufficientemente stretta. ma anche restringe. e verso destra gli elettroni. avr` una tensione Zener VZ molto piccola. 3. dunque. Il forte campo elettrico potr` accelerare verso sinistra le a lacune (secondo la nostra usuale convenzione). L’urto con il reticolo alla velocit` acquisita dall’elettrone causata dall’ina tensit` del campo elettrico sar` cos` violento da riuscire a provocare effetti a a ı termici non trascurabili con esso. al di sotto del raggiungimento della zona Zener della tensione. sar` a valanga.

potremmo voler introdurre a questo punto una capacit`. Sappiamo solo che essa ` legata all’accumulo di e carica dei minoritari nei due lati. poich` la zona di svuotamento sar` infinitesima.13 Calcolo della capacit` di diffusione a Parlando del nostro modello di ampio segnale. a e a Anche questa capacit` ` una quantit` fortemente non lineare: essa dipenae a de esponenzialmente dalla tensione esterna Va . a a come la somma dei moduli delle derivate delle cariche rispetto alla tensione Va : CDIF (Va ) = Da ci`. abbiamo detto che in parallelo al diodo vi sono due capacit` variabili: la capacit` di svuotamento CDEP e la a a capacit` di diffusione CDIF . Per questo si definisce la capacit` di diffusione. ma non abbiamo ancora analizzato e considerato a minimamente quest’ultima. Torniamo alle espressioni appena ricavate degli eccessi di carica Qp e Qn : prendiamo ad esempio nello specifico la Qp : ∂Qp ∂Qn + ∂Va ∂Va CDIF (Va ) = 88 . il termine a drogaggio e superiore sar` trascurabile. si ricava che: o V qn2 Lp V a qn2 Ln Va i e T + i e VT ND NA Si noti che se la giunzione ` fortemente asimmetrica. Le distribuzioni dei minoritari saranno: pn (x) = pn (xn )e − x−xn L p np (x) = np (−xp )e x+xp Ln Le cariche Qp e Qn sono gli integrali delle distribuzioni nello spazio in cui agiscono gli eccessi di carica: +∞ − x−xn L p Qp = xn qpn (xn )e dx = −qpn (xn )(−Lp )e − x−xn L p +∞ xn V qn2 Lp V a = qpn (xn )Lp = i e T −1 ND −xp Qn = −∞ qnp (−xp )e x+xp Ln dx = −qnp (−xp )Ln e x+xp Ln −xp −∞ = −qnp (−xp )Ln = V −qn2 Ln V a i e T −1 NA Vedendo un legame tra carica e tensione.3.

nel lato n. di lacune: Qp = Jp (xn ) = V qDp n2 V a i e T −1 ND Lp Moltiplicando e dividendo il termine Lp all’espressione di Qp . vediamo che: 89 .V qn2 Lp V a i e T −1 ND Si pu` facilmente notare una similitudine con la corrente di diffusione nel o punto xn . Dobbiamo o dunque meglio definire il nostro modello a controllo di carica. e Manca per` un fattore fondamentale: la dipendenza dal tempo. Ci` ci e o pu` far intuire che la corrente nel diodo ` controllata sostanzialmente da una o e ricombinazione: questa ` la base del modello del diodo a controllo di carica.dif f = Qp Qn + τp τn Questa ` la corrente totale nella giunzione in condizioni stazionarie.dif f (−xp ) = Jtot = Jp. introducendo una variazione della corrente nel tempo. si pu` verificare facilmente che: o Qn τn Poich` la corrente totale nel diodo ` la somma dei due contributi di carica. e e possiamo dire che: Jn. dovremo risolvere l’equazione di continuit`. e dunque con derivata temporale a della densit` di carica non nulla.dif f + Jn. 3.14 Modello a controllo di carica Abbiamo finora considerato nel nostro diodo condizioni stazionarie. per poter studiare il modello a controllo di carica. Considerando ad esempio la corrente dovuta a dalle sole lacune.dif f (xn ) = Qp τp In modo del tutto duale. si pu` vedere facilmente che: o Jp. in condizioni non stazionarie. si ottiene: Qp · V qn2 L2 V a Lp qn2 Dp τp i p = e T −1 = i Lp ND Lp ND Lp Dunque.

si ottiene che il termine con derivata temporale diventa: ∂ ∂t x qpn (x)dx + xn 1 τp x qpn (x)dx = xn ∂ 1 Qp (x) + Qp (x) ∂t τp Al primo membro. entrambi i membri. considerando l’ipoteso di diodo lungo. cambiando argomento. e dunque possiamo dire che la corrente nel diodo in un intorno della giunzione ` puramente diffusiva: e Jp = −qDp p (x) ∂ 2 pn ∂pn ∂ =⇒ Dp 2 = pn (x) + n ∂x ∂x ∂t τp Integriamo dunque quest’espressione sull’asse delle ascisse spaziali x. per a quanto riguarda i portatori minoritari. e e a quindi. a partire dal punto xn in cui inizia la ricombinazione.∂pn 1 ∂ p (x) =− Jp (x) − n ∂t q ∂x τp Risulta essere sempre e comunque valida l’ipotesi di quasi neutralit`. il modello a controllo di carica sar` determinato dala l’equazione: Jn. il primo termine si annulla. potremo annullare il primo termine. invece. per x → +∞. si ottiene: ∂ 1 Qn + Qn ∂t τn Poich` la corrente totale nel diodo Jtot sar` data dalla somma dei due e a contributi di corrente. effettuando lo stesso processo con la corrente di elettroni derivanti dal lato n verso il lato p. poich` la ricombinazione avr` annullato tutta la corrente di minoritari. fino ad una generica posizione spaziale x > xn : Dp ∂pn ∂x ∂p − n ∂x x ∂ = ∂t 1 pn (x)dx + τp xn x x pn (x)dx xn xn Moltiplicando ambo i membri per la carica fondamentale q. 90 . mentre il secondo sar`: a −qDp ∂pn ∂x = Jp. e parlando di un altro modello del diodo a giunzione.dif f (−xp ) = Jtot = Qp Qn ∂ ∂ Qp + Qn + + ∂t ∂t τp τn Terminiamo ora la trattazione di questo modello.dif f (xn ) xn Dualmente.

al e fine di sviluppare l’espressione della I.15 Modello di piccolo segnale Il modello a controllo di carica ` un sottocaso del modello ad ampio segnale. e del piccolo segnale (SS sta per Small Signal). Considerando questa definizione della corrente Iop come corrente del punto di lavoro Vop . ed ` la cosiddetta tensione di e piccolo segnale. mediante una sorta di sviluppo in serie di Taylor troncata. vSS ` la rappresentazione dell’intorno. La derivat` della corrente I0 nel punto di lavoro Vop sar`: a a Vop Va I0 e VT ∂ I0 e VT − 1 = = gd ∂Va VT Vo p Il termine gd ` anche detto conduttanza differenziale. e a L’idea del modello di piccolo segnale ` quella di studiare solo un preciso e punto di lavoro del dispositivo. come il suo reciproco: rd = 1 gd Vop Spesso gli elettronici scambiano tra loro il termine I0 e VT con Iop . possiamo sviluppare fino al primo e ordine. a causa della sua forte non linearit`. e che non considera effetti elettrostatici (quali le capacit` prima discusse). linearizzandolo in un intorno di quel punto. dicendo che: I = I0 e VT − 1 Poich` consideriamo Va = Vop + vSS . e quindi linearmente in un intorno del punto di lavoro la funzione della caratteristica come: Vop Va I(Vop + vSS ) = I0 e VT − 1 + Va ∂ I0 e VT − 1 ∂Va Di fatto la tensione Vop ` una componente costante. il a modello ad ampio segnale ` il modello che pi` interamente caratterizza un e u dispositivo. per` come gi` o a accennato ` molto difficile da utilizzare. Dovremo studiare una funzione I(Va ) per una certa Va = Vop +vSS : Vop (op sta per Operating Point) ` la tensione del punto di lavoro a cui ci portiamo. Partiamo dalla corrente del diodo. ad essa associata ` e e la resistenza differenziale. sar`: a 91 . mentre vSS il suo e intorno in cui possiamo considerare valida la linearizzazione effettuata.3. nella fatispecie il diodo a giunzione nel nostro caso.

sostituendolo e con la resistenza differenziale rd : questa non sar` altro che la pendenza della a retta osculatrice I(Va ) nel punto di lavoro Vop . poich` tutti i minoritari saranno solo nella zona di svuotamento. la rd avr` su di s` pochissima corrente. Si noti che. ossia in polarizzazione a inversa. il condensatore con cui si modellano le zone di svuotamento. in serie alle due resistenze dovute ai lati del semiconduttore. ossia l’intera caratteristica considerata in Va = Vop + vSS sottraendo la componente di offset I(Vop ) = Iop : iSS (t) = Itot (Va ) − Iop = gd vss Abbiamo cos` trattato in modo assolutamente completo il diodo. Ovviamente. con un intorno di piccolo segnale vSS . analizı zato sotto il punto di vista del metodo di piccolo segnale.I(V (t)) = I(Vop + vSS (t)) Iop + gd vSS (t) = I(Vop ) + iSS (t) In un intorno di Vop . in serie con le resistenze serie dei a lati della giunzione (che non hanno bisogno di essere linearizzate in quanto sono quantit` costanti). la diffusione sar` pressoch` a e nulla. e la e capacit` relativa alla diffusione sar` circa nulla: CDIF 0. I(Vop ) = Iop . e diventer` cos` dell’ordine dei a e a ı MΩ. il circuito di ampio segnale ad un resistore (resistenza differenziale rd ) in parallelo a due capacit`: questo. per Va < 0. assimilabile dunque con un circuito aperto. con un condensatore (nella fatispecie. ` possibile dunque linearizzare il diodo. si possono facilmente ricavare le espressioni delle capacit` di svuotamento e di diffusione. CDEP ). a Il modello di piccolo segnale riduce dunque. possiamo dire che: QDEP (Vop + vSS (t)) QDIF (Vop + vSS (t)) QDEP (Vop ) + QDIF (Vop ) + ∂QDEP ∂Va ∂QDIF ∂Va · vSS Vop · vSS Vop Utilizzando le espressioni operative gi` ricavate in precedenza delle cariche a di svuotamento e di diffusione. Il termine iSS sar` dato dall’approssimazione di I(Va ) al punto a di lavoro Vop . Possiamo dunque a a ulteriormente semplificare il modello di piccolo segnale. in un intorno del punto di lavoro Vop . considerandole sempre ad un punto di funzionamento Va = Vop + vSS . non si parla di una tensione di lavoro 92 . Cerchiamo ora di trattare brevemente allo stesso modo le capacit` di svuotamento e di diffua sione CDEP e CDIF . per una tensione Va < 0. possiamo dunque definire ora la corrente di piccolo segnale come il semplice intorno-ordinata della caratteristica.

µn (NA ) = 100. e e possiamo dire in buona approssimazione che il livello di Fermi coincida con il livello di partenza della banda di conduzione EC . calcoliamola.16 Esercizio pratico Data una giunzione p-n cos` descritta: Wn = 200µm. 2µs. considerata con la convenzione inversa: lato n a sinistra. e dunque dire che l’ampiezza della regione di svuotamento sia: xd xd = 2 S (Φi − Va ) qNA Poich` ci manca per ora la barriera Φi . lato p a destra: 1.16. e che ND NA . µp (ND ) = 150.). Disegnare e quotare il diagramma delle correnti. e 3. notiamo che Wn Wp . oppure ragionare in un modo pi` fine: osservando i dati del prou blema. Questi dati ci permettono di introdurre da un lato l’ipotesi di diodo corto. 2. NA = 1016 . Possiamo trascurare nei nostri conti xn . ND = 1018 . Disegnare il diagramma a bande quotato (ampiezza regioni di svuotamento. 2V . Wp = 2µm. considerando questa e convenzione: poich` il lato n ` un semiconduttore n+ . Calcolare il modello di piccolo segnale considerando Va come punto di lavoro. quasi-livelli di Fermi. e dall’altro lato la forte differenza di drogaggio fa praticamente ridurre la zona di svuotamento ad una δ (idealizzando. 3. poich` l’ampiezza della regione di svuotamento del lato n sar` e a molto inferiore a quella nel lato p). Aj = ı 100µm2 . ossia molto drogato. Va = 0. τn = 1µs . etc. altrimenti la corrente ` molto elevata e e questa semplificazione non ` fattibile. Calcolare il modello di ampio segnale del diodo a giunzione. µn (ND ) = 600.1 Risoluzione Disegnare il diagramma a bande quotato Per il primo punto del problema potremmo adottare le solite strategie di risoluzione. 3. τp = 0.negativa paragonabile a quella Zener. 4. Dunque: + qΦSn qχ 93 . µp (NA ) = 300.

La distribuzione di lacune iniettate nel lato n (ricordando che la nostra convenzione abituale ` invertita) sar`: e a pn (x) = pn (−xn )e x+xn Lp Per l’altro lato le cose si fanno pi` difficili. confrontando il livello di Fermi intrinseco in zona di neutralit`. al fine di calcolare le correnti di diffusione come derivata della distribuzione. calcoliamo dunque. a aggiungendo al conto met` dell’energy gap: a Eg Eg NA + EFi (+∞) − EFp = + kT ln 2 2 Ni Si pu` dunque trascurare il termine al lato n. e ripetere il ragionamento o geometrico fatto sul diagramma a bande della giunzione gi` esposto nella a teoria. e noto). qΦi = Disegnare e quotare il diagramma delle correnti Passiamo al punto successivo: il calcolo delle correnti nella giunzione. in entrambi i lati. Da a un altro esercizio teorico abbiamo per` gi` ricavato il risultato fondamentale o a considerante le condizioni al contorno al fine di studiare il semiconduttore corto. e quindi L = Wp − xp . la a a distribuzione dei minoritari. ricavare le espressioni operative delle correnti: 94 . con il quasi-livello di Fermi. e met` corto. poich` x e xp generalmente. e Possiamo dunque calcolare la barriera nel lato p. np (x) = np (xp ) p −x sinh WLn sinh Wp −xp Ln Partendo dalle due espressioni delle correnti ora ricavate possiamo. mediante la loro derivazione. a possiamo dire che. Abbiamo una situazione molto particolare. poich` abbiamo a che fare con un e diodo met` lungo.Confondiamo dunque senza problemi il lavoro di estrazione con l’affinit` a elettronica del silicio n+ (che ` un parametro costante. e quindi possiamo dire che: np (x) = np (xp ) sinh L−x Ln L sinh Ln Poich` nel nostro caso consideriamo il fatto che la lunghezza effettiva e del lato parta aldil` della regione di svuotamento. in quanto le condizioni al conu torno abituali per la risoluzione dell’equazione di continuit` non valgono.

a considerando −Itot . per`. ed i segni − nelle espressioni potranno essere annullati: −Itot = Aj (Jp. come rispettivamente argomento del seno e 1: Wp − xp Ln In un dispositivo di questo tipo. ed anzi costante.dif f (x) = −qDn ∂x NA Ln sinh Wp −xp Ln Ci` che si potrebbe notare facendo il grafico delle due correnti.dif f . ` che Jp.dif f (xp )) −qDp n2 qDn n2 cosh Ln Wp − xp i i + ND Lp NA Ln sinh Wp −xp Ln L n Wp −xp I = Aj e VT − 1 Va In realt`. la decrescita che si potrebbe e analizzare osservando l’andamento di Jn. poich` il e e lato corto annulla gli effetti ricombinativi.dif f (x) = −qDp x+xn V ∂pn (x) −qDp n2 V a i = e T − 1 e Lp ∂x ND Lp p −x V − cosh WLn ∂np (x) −qDn n2 V a i = e T −1 Jn. quindi possiamo sviluppare seno e coseno a o e iperbolico. il lato ` corto. invertiamo il senso di percorrenza degli assi. che di fatto non modifica il a e fenomeno di ricombinazione (se non rendendolo pi` rapido).dif f (−xn ) + Jn. si annulla l’usuale andamento della ricombinazione: l’andamento ` approssimabile a lineare. Possiamo a questo punto chiederci quale sia l’andamento della caratteristica statica del diodo. Nel transistore u bipolare.dif f ` altrettanto trascurabile. Nel lato n invece l’unica particolarit` introdotta nell’esercizio ` un forte drogaggio.dif f o e ` una corrente del tutto trascurabile. l’uso del lato corto sar` proprio ci` che servir` per gestire le correnti a o a nel modo pi` corretto. quindi e di fatto la corrente totale nel diodo ` regolata dalla sola Jn. u np (x) np (xp ) Calcolare il modello di ampio segnale del diodo a giunzione Terminiamo l’esercizio calcolando i modelli di ampio e piccolo segnale: sappiamo che le nostre ipotesi di lato corto ci permettono di dire che: CDEP = S xd Aj 95 S xp (Va ) Aj . in modo da aumentare l’effetto transistor. dal momento che abbiamo usato per esperienza (e torner` utile in seguito) questa convenzione opposta a della giunzione. per comodit`. che ` una e e corrente praticamente costante.Jp. inoltre.

CDIF Aj ∂Qn ∂Va Possiamo inoltre. e e l’altezza la carica in questione ` la distribuzione di carica. a causa dello sviluppo in polinomio di Taylor del seno iperbolico.La capacit` di diffusione si potr` calcolare mediante il modello a controllo a a di carica. si otterr`: a Qn = V ∂Qn qn2 (Wp − xp ) V a = i e T ∂Va 2NA VT Il modello di piccolo segnale sar` una semplice linearizzazione di questo. come gi` detto. 96 . possiamo dunque ulteriormente semplificare il modello a controllo di carica. a considerando il punto di lavoro scelto (ossia la Va ). possiamo dire che il contributo della carica Qp sar` trascurabile. in questo caso l’ipotesi semplificatrice sar` quella a di grosso drogaggio: poich` il drogaggio ` molto pi` elevato al lato n che al e e u a lato p. approssimare la distribuzione degli eleta troni ad una retta. quindi: e V −qn2 (Wp − xp ) V a i e T −1 2NA Considerando il modulo della derivata parziale di quest’espressione rispetto alla tensione Va . calcolando l’area del triangolo il cui lato ` il lato del diodo. calcolando la derivata parziale rispetto alla variazione di tensione di polarizzazione esterna Va .

ma qual ` il senso e di fare una giunzione doppia? Sappiamo che. base. come base un semiconduttore drogato p. collettore. come collettore un altro semiconduttore drogato n. Da p a n. Possiamo dunque suddividere in tre principali zone questo dispositivo: emettitore. vi sar` una polarizzazione inversa. per poter aumentare la corrente inversa di saturazione I0 . oppure utilizzare iniettori di altro tipo: la giunzione p-n. ossia alla base. ma gli elettroni. L’emettitore emette elettroni nel lato p ad esso adiacente. e quindi incrementare la corrente inversa di saturazione. Consideriamo come emettitore per ora un semiconduttore drogato n. e questo mediante l’applicazione di una polarizzazione diretta. od ottica. Abbiamo infatti studiato che una giunzione ` un iniettore di cariche. servirebbe un’iniezione di portatori mediante via termica. giunti in abbondanza a 97 .Capitolo 4 Il transistore bipolare Il transistore bipolare ` una geniale applicazione della giunzione p-n: esso ` e e composto da una doppia giunzione n-p-n (oppure p-n-p). poich` ` possibile iniettare e e e portatori mediante essa.

la barriera bassa dall’emettitore E alla base B permette il passaggio di elettroni.dall’emettitore. non sar` necessaria a una grossa contropartita di corrente dalla base all’emettitore. con altrettanta carica dal secondo semiconduttore verso il primo. il transistore bipolare permette di controllare una corrente tra emettitore e collettore senza dover pagare con una corrente troppo ingente tra base ed emettitore. ı 4. e da base B a collettore C polarizzata inversamente: VBE > 0. L’astuzia si basa sul fatto che. 98 . alla base B ` regoe labile dalla tensione sulla prima giunzione. consideriamo la giunzione da emettitore E a base B polarizzata direttamente. ` che si possa o e controllare la corrente che viene iniettata dalla base al collettore (poich` essa e dipende da quanta ne ` stata iniettata dalla base. o meglio ne sar` a necessaria una quantit` minima. come abbiamo visto nei meccanismi alla base del diodo a giunzione. di fatto. dalla base B al collettore C questi scivoleranno dalla barriera. andranno verso il collettore passando dalla base. ma infinitesima da B ad E (in un buon transistore. e Riassumendo. dove saranno comunque maggioritari (poich` e il collettore ` un semiconduttore drogato tipo n). Riassumendo. VBC < 0. e questa ` regolabile dalla e e tensione tra E e B). bens` solo con una minima corrente inversa. mediante una corrente di tipo diffusivo. tendenzialmente. ma andare verso il collettore C. alle condizioni che introdurremo). gli elettroni derivanti dall’emettitore E verso la base B non dovranno ricombinarsi.1 Analisi delle correnti Cerchiamo ora di rappresentare in modo qualitativo il modello delle correnti in un transistore bipolare. come vedremo: vi sar` una grossa corrente a a da E a B. ma senza doverla riprendere tutta: di solito dobbiamo pagare tutta la carica inviata da un semiconduttore ad un altro. arrivando senza problemi alla meta. Ma qual ` il senso dell’utilizzo di questo dispositivo? e Si noti che la corrente di elettroni dall’emettitore E. ci` che poi capita.

sar` da limitare. IpB . 4. esistono cinque correnti. IpB ` una corrente di diffusione di lacune iniettate nell’emettitore a e partire dalla base. 3. e spesso trascurabile nello studio dei transistori. che deve essere limitata. in un buon dispositivo. aumentando il drogaggio del lato emettitore n (come si pu` o facilmente verificare dalla legge della giunzione). e poich` essa sar` destinata e a a terminare nel collettore. Si definisce sull’emettitore un parametro γF che a determina l’efficienza del transistore. ci` ` tecnologicae a oe mente fattibile. Ragioniamo ora su queste correnti: la corrente di ingresso nell’emettitore dalla batteria. poich` la u e ricombinazione in base deve essere minima. 2. InE ` una corrente di diffusione di elettroni che vengono iniettati dale l’emettitore E alla base B. che deve essere e minore possibile per garantire un buon funzionamento. questa corrente deve essere piccola. essa in un e e dispositivo ben funzionante deve essere pi` elevata possibile. che va a ricombinarsi interamente: ` una frazione di e InE .Nel dispositivo in studio. IrB ` una corrente di diffusione di lacune iniettata nella base a partire e dall’emettitore. 5. InC ` la frazione di InE che non si ` ricombinata nella base. Poich` una delle due correnti principali del transistore ` e e quella totale che va dall’emettitore verso la base. IpC ` una corrente inversa di lacune diretta dal collettore C verso la e base B. la corrente da base a emettitore. ` data da: e IE = InE + IpB La corrente IE ` la somma delle due correnti InE e IpB . Possiamo dunque dire che: InE = γF IE 99 . poich` dipende dalla ricombinazione di InE . IE . la seconda dee rivante dalla base. InE ed InC sono le due correnti fondamentali ai fini del funzionamento del transistore bipolare. all’emettitore (F sta per Forward): γF = InE InE + IpB Il parametro γF ` dunque detto efficienza di emettitore. e in un buon e dispositivo deve tendere a 1. analizziamole una per una: 1. molto ridotta. in quanto essa limita la corrente principale InC . poich` IpB dovr` tendere a 0.

αT deve tendere a 1. In questo caso. ` quello di usare una base corta: se la lunghezza del semiconduttore e WB Ln . in un buon dispositivo. u IB = 100 IC IC =⇒ − + IC + IB = 0 αF αF . La corrente IpC 0 e quindi possiamo considerarla ora come ora trascurabile. che andr` ridotta mediante i a a metodi tecnologici accennati. e a quindi quanta non verr` ricombinata. collettore. base: anche la base infatti avr` una corrente. sostituiamo nella relazione appena trovata: IE = − Quindi: IC (1 − αF ) IC αF =⇒ = = βF αF IB 1 − αF Questo parametro. Possiamo ricavare facilmente che: a InC = InE − IrB Possiamo dunque definire il parametro αT come: InE − IrB InE Anche in questo caso. βF . e dunque studiare mediante le leggi di Kirchhoff le tre correnti su emettitore. sar` pari a: a IC = −αF IE Possiamo considerare il transistore come un nodo generalizzato. e dunque αT → 1. ` detto guadagno in corrente. tecnologicamente il trucco per far tendere a 1 il coefficiente αT .Ci interessa ora sapere. Definiamo αF il prodotto dei due coefficienti di efficienza: αT = αF = γF αT La corrente del collettore. e dunque βF potrebbe essere un e numero molto elevato (da 100 a 300 o anche molto pi` in un buon dispositivo). in un dispositivo valido: IE + IB + IC = 0 Considerando l’espressione precedentemente vista in funzione di IE . la ricombinazione non avr` il tempo di agire efficacemente sulla a carica. Abbiamo visto che e αF ` il prodotto di due numeri vicini ad 1. quanta finir` nel collettore. di questa γF IE . IC .

0. WB . ` possibile controle lare correnti molto elevate. I quattro punti del dispositivo interessanti per il nostro studio in questo ambito saranno: −xdE . in quanto di fatto la distanza tra le due regioni di svuotamento varia con le regioni di svuotamento stesse. Questa seconda ipotesi ` e molto approssimativa. al fine di poter liberamente modulare mediante la tensione la corrente del transistore. la posizione della giunzione con il lato n (collettore). consideriamo inoltre la larghezza della base WB uguale alla distanza tra le due regioni di svuotamento. xd C. dal lato della base. Studiamo dunque le leggi delle giunzioni. e NAB come la concentrazione di drogaggio tipo p NA nella base B: pn (−xdE ) = np (0) = n2 i NDE e e VBE VT −1 n2 i NAB n2 i NAB 101 VBE VT −1 −1 np (WB ) = e VBC VT .2 Calcolo delle correnti Consideriamo alcune ipotesi preliminari: scegliamo come origine del nostro sistema di assi cartesiani rappresentante la posizione spaziale sul dispositivo il punto di inizio della regione di svuotamento sulla base. le quali sono modulabili mediante le tensioni esterne che controllano il dispositivo. Possiamo considerare IB come un prezzo da pagare. u 4. e il punto di inizio della regione di svuotamento nel collettore. poich` per` e o utilizziamo l’ipotesi di lato corto. al fine di studiare le correnti. confusa con l’inizio della relativa zona di svuotamento. possiamo considerare come non troppo errata questa approssimazione. l’origine prima definita. alla giunzione con l’emettitore E. Passiamo ora ad un calcolo pi` quantitativo. VBE .Possiamo dire che: IC = βF IB Con il prezzo di una corrente di base di soli pochi mA. applicandole nei suddetti punti. modulabili mediante la tensione tra emettitore e base. anche se di fatto confondiamo una grandezza variabile con la tensione con una costante. consideriamo NDE come la concentrazione di drogaggio tipo n ND nell’emettitore E. ossia il punto di inizio della zona di svuotamento della giunzione tra emettitore e base.

ricordando che ci troviamo in ipotesi di lato corto. i fenomeni di interesse avvengono soprattutto nella base: in essa. e quindi l’eccesso di elettroni np (x)): np (x) = Ae Ln + Be− Ln Applichiamo ora le due condizioni al contorno.In un transistore. possiamo ricavare un’espressione del coefficiente A: o A= np (WB ) − np (0)e− Ln e Ln − e− Ln 102 WB WB WB . otteniamo che: np (WB ) = Ae Ln + (np (0) − A)e− Ln WB WB Da ci`. possiamo ricavare dalla prima delle due condizioni: B = np (0) − A Sostituendo nella seconda. Supponiamo di conoscere come condizioni al contorno i portatori nei punti 0 e WB : essi saranno le grandezze appena ricavate mediante le leggi della giunzione. quindi o avremo a che fare con conti algebrici di difficolt` non indifferente. sappiamo che: ∂ 2 np (x) np (x) Dn = ∂x2 τn p (x) ∂ 2 pn (x) = n Dp 2 ∂x τp La soluzione generale delle equazioni differenziali avr` come al solito una a forma del tipo (consideriamo la diffusione dentro alla base di elettroni. nella base. Consideriamo dunque le equazioni di continuit`. che abbiamo precedentemente studiato: np (0) = np (WB ) = n2 i NAB e e VBC VT VBE VT x x −1 =⇒ A + B WB WB n2 i NAB −1 =⇒ Ae Ln + Be− Ln Ora. a Dal modello matematico. Applichiamo ora alla base il modello matematico. ci dedicheremo allo studio dettagliato dei portatori di carica. si noti che a le nostre due equazioni al contorno sono per` entrambe non nulle.

Sostituiamo ora l’espressione di A nella prima equazione, trovando il valore di B: np (0)e Ln − np (0)e− Ln − np (WB ) + np (0)e− Ln e
WB WB Ln WB WB WB

B = np (0) − A =

−e

WB Ln

=

=

np (0)e Ln − np (WB )
B 2 sinh Wn L

Ora, considerando la soluzione generale dell’equazione differenziale, inseriamo le condizioni al contorno ricavate mediante i nostri artifici, e ricaviamo: np (WB )e Ln − np (0)e
x −WB +x Ln

np (x) =

+ np (0)e

WB −x Ln

− np (WB )e Ln

−x

B 2 sinh Wn L B −x sinh WLn B sinh Wn L

np (x) = np (0)

+ np (WB )

sinh −x Ln
B sinh Wn L

Derivando l’espressione dei portatori cos` ricavata, possiamo studiare i ı flussi delle correnti nella base. Si noti che le correnti che raggiungono il collettore, lo faranno mediante un meccanismo diffusivo, come gi` detto, a regolato dalle espressioni appena ricavate.

4.3

Modello statico del transistore bipolare

Abbiamo gi` detto che il transistore bipolare ` un dispositivo dominato dalle a e correnti di diffusione di minoritari in base; consideriamo d’ora in avanti una convenzione semplificata: dal momento che non abbiamo a che fare con altro che regioni di svuotamento, consideriamo xdE = xE , 0, e il punto xC come punto di fine della regione di svuotamento nel collettore. Le equazioni dei portatori nelle tre regioni, come abbiamo gi` ricavato, a saranno: nell’emettitore E: pn,E (x) = pn (−xE )e Nella base B: np,B (x) = np (0)
B −x sinh WLn x+xE Lp

n2 = i NDE

e

VBE VT

−1 e

x+xE Lp

WB Ln

+ np (WB )

x sinh Ln WB Ln

103

Nel collettore C: pn,C (x) = n2 i NDC e
VBC VT

−1 e

x−xC Lp

Partendo dalle precedenti espressioni, interessandoci nella fatispecie di quelle concernenti la base B e l’emettitore E, ricaviamo le correnti Ip,dif f (x) e In,dif f (x), che verranno tra poco riutilizzate in un’applicazione pratica; ricordando le relazioni di Einstein per il calcolo delle correnti a partire dai portatori: In = qADn ∂n ∂x ∂p ∂x

Ip = −qADp Ricaviamo:
B −x −qAE n2 cosh WLn i VBE VT

InB,dif f (x) =

NAB Ln sinh

WB Ln

e

−1 +
x+xE

x qAE n2 cosh Ln i

NDE Ln sinh e
VBE VT

WB Ln

e

VBC VT

−1

−qAE n2 e Lp i IpE,dif f (x) = Lp NDC

−1

Per quanto riguarda invece la corrente di lacune nel collettore, C possiamo dire che: qAE n2 e Lp i IpC,dif f (x) = NDC Lp
x−xC

e

VBC VT

−1

Queste espressioni delle correnti, al variare della posizione spaziale x, ci torneranno presto utili: dal punto di vista dei soli emettitore o collettore, il transistore non avrebbe infatti molte differenze da una comunissima giunzione; poich` la base ` gi` un caso diverso, in quanto ` un lato corto, e si e e a e comporta in modo molto anomalo per una giunzione p-n. Tenendo conto di questi fatti, vogliamo determinare un modello statico per il transistore bipolare; sar` pi` complesso rispetto al modello della giunzione, in quanto a u questa volta si ha a che fare con tre correnti (di cui possiamo semplicemente studiarne due, in quanto comunque la terza ` data dalla somma delle altre e due, cambiata di segno): IC (VBE ; VBC ) IE (VBE ; VBC ) 104

Dal momento che, come detto: IB = −IC − IE Ricavando le due caratteristiche indicate alla parentesi graffa, il modello statico del transistore bipolare sar` di fatto completo. Come nel caso della a giunzione p-n, possiamo considerare, al posto delle correnti in zone lontane dalla giunzione, le correnti valutate ai punti di inizio della regione di svuotamento: sappiamo infatti che, lontano dalla giunzione, la corrente sar` del a tutto equivalente, in quanto sar` la corrente in grado di ricombinare i pora tatori giunti dalle regioni di svuotamento, e quindi esattamente le correnti valutate nei punti di inizio della regione di svuotamento, punti in cui non sono di fatto ancora iniziati fenomeni di ricombinazione. Per quanto riguarda la caratteristica IE : IE = Ip,dif f (−xE ) + In,dif f (0) Studiando la caratteristica statica della giunzione p-n, avevamo fatto lo stesso ragionamento: usando le espressioni delle correnti appena ricavate come derivazione da quelle dei portatori, otterremo: IE = AE (−q)Dp ∂pn (x) ∂x
−xE +xE VT

+ AE (+q)Dn
xE

∂np (x) ∂x
VBE VT

=
0
B cosh Wn L B sinh Wn L

−qAE Dp n2 i = NDE Lp

e

VBE VT

−1 e

−qAE Dn n2 i + NAB Ln e
VBC VT

e

−1

+

−qAE Dn n2 i + NAB Ln Ordinando l’espressione:

−1

cosh(0) B sinh Wn L

IE =

−qAE Dp n2 −qAE Dn n2 WB i i + cotgh NDE Lp NAB Ln Ln + qAE Dn n2 i B NAB Ln sinh Wn L e
VBC VT

e

VBE VT

−1 +

−1

In maniera del tutto analoga, si pu` effettuare lo studio di IC : possiamo o infatti vedere facilmente che: IC = In,dif f (WB ) + Ip,dif f (xC ) 105

1 Equazioni di Ebers-Moll Le equazioni appena ricavate del modello statico di un transistore bipolare sono le cosiddette equazioni di Ebers-Moll. vediamo che esse.3.1 e VBE VT − 1 + a1.2 = qAE Dn n2 i B NAB Ln sinh Wn L 106 . possiamo ottenere che: IC = AE (+q)Dn ∂np (x) ∂x + AE (−q)Dp WB −W cosh WBLn B ∂pn (x) ∂x e VBE VT = xC = qAE Dn 1 n2 i NAB sinh WB L n − Ln −1 + +qAE Dn Ordinando: B n2 cosh Ln 1 i NAB sinh WB Ln L n W e VBC VT −1 + qAE Dp n2 i NDE Lp e VBC VT −1 IC = + qAE Dn n2 i WB NAB sinh Ln Ln e VBE VT −1 + e VBC VT −qAE Dn n2 WB −qAE Dp n2 i i cotgh + NAB Ln Ln NDC Lp −1 Confrontando le due espressioni. Si ` soliti esprimere queste equazioni e nella seguente forma: IE = a1.2 e VBC VT −1 −1 VBE VT VBC VT I quattro coefficienti in questione sono: a1.Riprendendo anche ora le espressioni delle correnti appena ricavate. presentano tra loro alcune similitudini.1 e IC = a2.1 = −qAE Dp n2 qAE Dn n2 WB i i − cotgh NDE Lp NAB Ln Ln a1. in onore agli scopritori del modello statico del dispositivo in trattazione.2 e − 1 + a2. 4. ossia il modello statico del transistore bipolare.

VBC ). che ` la regione di fune zionamento pi` tipica del transistore bipolare. esattamente come nello studio del diodo a giunzione: avevamo infatti al tempo considerato la giunzione in stato di polarizzazione diretta. possiamo tradurre con Diretta. VBC < 0: ` la zona che abbiamo sinora studiato: il trane sistore provoca fenomeni di guadagno della corrente. quindi il funzionamento vi sar`. La regione. il funzionamento del dispositivo sar` del tutto uguale a prima. qualsiasi coppia di tensione (VBE . o cose di questo tipo). ` detta regione attiva u e diretta. sar` una decina a di volte inferiore rispetto al guadagno in zona diretta. • VBE < 0.1 = a2. αF . mediante le equazioni di Ebers-Moll. Siamo dunque in grado di studiare. il collettore diventa l’emettitore. βR (R da Reverse. Fisicamente. ma il guadagno in corrente a nella zona. e l’emettitore diventa il collettore. VBC < 0: nella base arriver` dall’emettitore un contributo a di corrente infinitesimo. ossia la corrente di polarizzazione inversa. • VBE < 0. ossia sull’appena citato WB . VBC > 0: di fatto. abbiamo per` ricavato o equazioni che risultano essere valide indipendentemente dalle due tensioni (a meno di particolari fenomeni quali il breakdown delle giunzioni. Questa zona ` e detta regione attiva inversa. questo modello trascura dunque l’effetto delle tensioni sulla lunghezza del lato di base B. regolati dai vari coefficienti γF . il significato. ma ottenuto equazioni valide anche per la polarizzazione inversa. Consideriamo dunque le quattro (che poi vedremo diventare cinque) zone di tensione: • VBE > 0. αT . Dal 107 . dove la F significa Forward: italianizzando. VBC < 0.a2.2 = qAE Dn n2 i B NAB Ln sinh Wn L qAE Dn n2 WB qAE Dp n2 i i cotgh − NAB Ln Ln NDC Lp Si noti che questo modello risulti essere corretto a meno di una variazione di WB (che abbiamo ipotizzato coincidente con la distanza tra le due zone di svuotamento nella base). βF . Si noti per` un’altra cosa: abbiamo iniziato a sviluppare questo modello consio derando esclusivamente il caso di VBE > 0. italianizzando Inversa). a meno del seguente fata to: il transistore ` progettato sia geometricamente che sotto il punto e di vista dell’iniezione di impurit` drogante in modo da funzionare con a l’emettitore e il collettore in grado di svolgere i propri relativi compiti nativi.

ma senza avere un guadagno in corrente: poich` la e tensione tra base ed emettitore ` superiore a quella tra base e cole lettore. rappresentanti il modello statico del transistore bipolare.momento che anche la tensione che modula le correnti ` negativa. e nel transistore non passa corrente. il dispositivo sar` di fatto su OFF: questa zona ` detta regione di a e interdizione. per` non ha senso definirlo. mediante 108 . Cerchiamo ora di estrarre da esse. dunque si pu` dire che la corrente vada da destra verso o sinistra. l’iniezione in base dalla parte dell’emettitore partir` da un a punto a potenziale pi` elevato rispetto a quella da base a collettou re. VBC > 0: ` la zona pi` complicata da studiare. In regione attiva (diretta o inversa che sia) il transistore bipolare si comporta come un amplificatore di corrente: il guadagno. come interruttore OFF/ON (una sorta di diodo). in zona di interdizione o di saturazione il transistore si usava. sfruttando anche queste zone di interdizione e saturazione. da sinistra verso destra. e si ha comunque un guadagno pressoch` nullo (caso duale e a prima. quindi di fatto avremo una corrente. la prima elettronica digitale si basava sul transistore bipolare. • VBE > 0. ma in questo caso esistono due ulteriori sottopossibilit`: a – VBE > VBC : il diagramma a bande ricorda quello della regione attiva diretta. delle quattro e u (anche se vedremo che essa si sdoppier`): essa ` detta regione di saa e turazione: entrambe le giunzioni sono polarizzate direttamente. 4. – VBE < VBC : si ha una situazione duale a quella appena descritta: il potenziale tra base e collettore ` maggiore a quello tra base ed e emettitore. ora la tecnologia MOS ha soppiantato la tecnologia BJT. definibile e modificabile mediante la tensione di modulazione. a causa dei progressi tecnologici fatti in tal senso. e permette di utilizzare l’efe fetto transistor. o sia per il fatto che esso ` veramente trascurabile (e quindi si pu` ape o prossimare ad un regime di saturazione). come gi` accennato) a Esiste un guadagno in corrente minimo. un tempo. ` costante. sia per motivi che analizzeremo in seguito.4 Modello circuitale statico del transistore bipolare Abbiamo parlato delle equazioni di Ebers-Moll. nella nostra convenzione. non presentando un effetto transistor. in tutto e per tutto. dune que.

al posto del collettore C vi sar` l’emettitore a a E. VBE . o • Regione attiva inversa: situazione del tutto uguale alla precedente. per quanto scontato sia. si pu` considerare la totale o analogia con una comune giunzione p-n polarizzata direttamente. il guadagno in corrente sar` βR . in questo modello. che per` devono essere considerati nel punto in o cui sono stati definiti. dunque il nostro generatore Vγ sar` la tensione di attivazione a VBC . a partire dalla corrente di base IB . • Regione attiva diretta: abbiamo un nodo generalizzato con B. un modello circuitale del dispositivo elettronico. e quindi con un diodo. Circuitalmente. VCE = VBE − VBC . Sappiamo che. Questo modello presenta alcune debolezze. possiamo dire che tra collettore C ed emettitore E vi sar` una corrente IC = βF IB . Abbiamo quattro regioni sostanzialmente da distinguere: occupiamoci di ciascuna di esse. • Regione di interdizione: non essendovi contatto tra le tre regioni. si introduceva un generatore di tensione Vγ . ed in questo caso la giunzione asa similabile come diodo polarizzato direttamente sar` quella tra base e a collettore. • Regione di saturazione: abbiamo due giunzioni polarizzate direttamente. Dall’altra parte. esprimibile a come un generatore pilotato dal pilota IB . partendo dall’idea che esso ` interpretabile come un nodo generalizzato e in cui convergono tre lati: Base. Emettitore. l’elettrotecnica ci insegna che un buon modello per rappresentare un guadagno di questo genere ` il generatore e pilotato di corrente: considerando il guadagno βF . e quindi di fatto avremo due diodi in stato ON. corrente che dalla base B va verso l’emettitore E. l’altra tra emettitore a e collettore. con le relative Vγ . Una sar` la tensione tra base ed emettitore. che per` possiamo per ora tralasciare. dove in questo caso la nostra tensione di attivazione del transistore coincide con VBE . Possiamo dunque dire. C. ricordiamo che. Collettore. possiamo immaginare i tre nodi separati tra loro a due a due. che i modelli circuitali valgono se e solo se ci troviamo nelle opportune condizioni di tensione: si tratta di quattro casi singoli. si ha un guadagno in corrente. considerando semplicemente le seguenti variazioni: al posto dell’emettitore E vi sar` il collettore C. ed E.semplificazioni in ciascuna zona. 109 .

Secondo il modello statico. ne scegliamo una fondamentale: l’uscita di emettitore comune. e si noti il seguente dettaglio: al variare del parametro IB . le curve. IB .1 Andamento della caratteristica statica Abbiamo terminato la descrizione del funzionamento del transistore bipolare nelle quattro regioni. al di sopra della tensioe ne VBE . potremmo dire che mediante un transistore bipolare si pu` realizzare un generatore di corrente pilotato ideale: o poich` il guadagno secondo il modello di Ebers-Moll ` una costante. facendo alcune osservazioni che ci mancano. Si otterr` di fatto una serie a di curve parametriche. parallele tra loro. dove VCE = VBE − VBC .4. Possiamo considerare in base ad osservazioni algebriche questo fatto: la caratteristica statica avr` a due zone di interesse. asintoticamente. che viene amplificata dal guadagno in corrente βF . poich` e e e la caratteristica ` una funzione costante.4. ossia la corrente di base. consideriamo inoltre un parametro variabile. poich` il guadagno in corrente resta costante. Per valori di VCE inferiori alla tensione Vγ . IC (VCE ). tendono asintoticamente allo stesso andamento: da tutte parallele tra loro. possiamo fare un’osservazione: sappiamo che VBC < 0. da un certo punto di funzionamento VCE in indietro verso l’origine degli assi. derivante dalle equazioni di Ebers-Moll. ci dedichiamo ora a studiarne l’andamento grafico. poich` e sappiamo che il valore di VBE ∼ Vγ . allo stesso modo: Questo andamento del grafico ci potrebbe far pensare al seguente fatto: se tutte le curve parametriche di IB al variare di VCE . Avendo diverse opzioni da rappresentare. si ha invece una funzione decrescente a 0. convergono tutte a zero. allora di sicuro la tensione VBC sar` suffia cientemente negativa da poterci permettere di essere sicuri di trovarci in una regione attiva diretta. all’aumentare di VCE . potremmo pensare di aver ottenuto e 110 . in funzione della tensione VCE . Algebricamente. la caratteristica statica del transistore si presenta come una retta parallela all’asse delle x (dunque una funzione costante). sono tutte costanti dal punto Vγ in poi. e VBE ∼ Vγ . ossia VCE < Vγ e VCE > Vγ : se infatti VCE > Vγ .

Possiamo vedere algebricamente che. poich` se le curve parametriche passano o e tutte per lo stesso punto di corrente alla stessa tensione. e. corrente costante. Osservando il grafico a sinistra del valore Vγ . ma assimilabile con la lunghezza della base WB : la tensione VCE per` ` in oe grado di modulare l’ampiezza di svuotamento (poich` essa dipende da VBC . e ci troviamo in una zona di saturazione. gli effetti ricombinativi 111 . ma anche perch` non ` possibile identificare univocamente la curva presente e e in un determinato punto della suddetta zona: lo stesso livello di corrente.un componente ideale. come effettivamente lo ` in regione attiva diretta. L’andamento asintotico di tutte le curve parametriche ci fa intuire il fatto che non ha senso definire un guadagno in corrente in zona di saturazione non solo per il fatto che sarebbe minimo. pu` equivalere a diversi valori di IB . tendono asintoticamente allo stesso modo ad andare a 0. Qua vengono per` evidenziati i veri limiti del modello statico di o Ebers-Moll del transitore bipolare: se analizzassimo in laboratorio la caratteristica statica del transistore. e quindi di fatto. allora significa che se VBE ∼ Vγ . osserviamo che questo andamento asintotico di tutte le curve parametriche al variare di IB . sembrerebbe in grado di simulare l’andamento di un generatore pilotato ideale: al variare della tensione. 4. allora significa che il guadagno non ` univoco. e e dove le curve non si intersecano (in quanto tutte parallele tra loro). osserveremmo in realt` il fatto che la pendenza a delle caratteristiche in regione attiva diretta ` non nulla.2 Effetto Early Le vere cattive notizie arrivano per` su di un altro fronte: tutto ci` che abo o biamo finora descritto.4. come abbiamo detto. se VCE < Vγ . ` l’andamento della corrente IC previsto dal modello e statico. variando la regione di svuotamento. ma positiva di poco: e Questo dipende dal fatto che l’effetto statico si fonda sulla famosa ipotesi di considerare l’ampiezza della regione di svuotamento in base non variabile. dunque VBC > 0.

grazie all’aumento della regione di svuotamento provocato dall’aumento della tensione VCE . sovrapporre le due regioni di svuotamento. ma nella e cattiva notizia c’` una buona notizia: man mano che aumenta la tensione. e quindi pur non avendo l’idealit`. siamo riusciti a a costruire con questo dispositivo un buon amplificatore di corrente. Il modello come generatore pilotato ` dunque fallimentare. dualmente. potremmo dire che u funziona sempre meglio. 4. e perdere il controllo del dispositivo. Analizziamo ora un esercizio pratico. un buon drogaggio e permette di migliorare l’efficienza di emettitore del transistore. la cui caratteristica schizzerebbe aumentando improvvisamente di pendenza.diventano sempre meno trascurabili. 112 . il e transistore continua a guadagnare sempre pi` corrente. ed in e questo modo di fatto eliminare del tutto fattori ricombinativi. alzando molto la tensione VCE (o. vale sempre la diseguaglianza a 3: NDE > NAB > NDC Questo perch`: e • NDE > NAB : perch` il coefficiente αF tenda a 1. nel quale faremo alcuni approfondimenti e tratteremo alcuni aspetti non ancora analizzati. far coincidere i lati. e quindi di fatto si vedr` una pendenza a positiva. Si noti che anche per il transistore bipolare esiste un fenomeno di breakdown: esso ` legato al e fatto che. riguardante il transistore bipolare. abbassandola molto).5 Esercizio Pratico Cominciamo ancora prima di fornire i dati dell’esercizio con una piccola divagazione: dato un transistore bipolare. L’effetto che tiene conto di questa variazione delle regioni di svuotamento ` detto Effetto Early: esso prevede l’aumentare di facilit` dei portatori e a ad attraversare la barriera di potenziale. ` possibile far toccare.

NDC = 1016 . come dati del transistore bipolare: NDE = 1018 . e VCE = 1 V tra emettitore e collettore.5. µp (NDE ) = 150. quasi degenere. Considerati dunque. NAB = 5 · 1016 .• NAB > NDC : aumentando il drogaggio in base rispetto a quello in collettore. 6 V tra base ed emettitore. Supponendo una tensione di polarizzazione VBE = 0. βF 3. Incominciamo con il calcolare. possiamo assumere alcune ipotesi semplificative: dal momento che in esso il livello di Fermi tende a coincidere con il livello energetico EC . in modo classico. Poich` l’emettitore del transistore bipolare ` un semiconduttore estremae e mente drogato. si valuti il modello di piccolo segnale del transistore bipolare. nell’emettitore E: a qΦSn+ E Nella base B: qΦSp B Nel collettore C: qΦSn C qχ + Eg NDC − kT ln 2 ni 4. µn (NAB ) = 1200 1. Si determini il diagramma a bande all’equilibrio 2. AE = 100µm. 4. si fa s` che l’ampiezza della regione di svuotamento in base ı sia pi` difficile da incrementare. all’equilibrio. possiamo dire che il lavoro di estrazione coincida con l’affinit` elettronica del silicio. WE = 0. 2µm. i valori di estrazione. WB = 0. τp = 100ns. αT . in modo da poter stimare le barriere di potenziale.1 Risoluzione Si determini il diagramma a bande all’equilibrio In questo esercizio affronteremo diversi modi per calcolare alcuni parametri del transistore. in questo modo si riesce ad arginare u l’effetto Early ed anche (e soprattutto) il breakdown. τn = 1µs. 5µm. 05eV 113 . utilizzando idee di base completamente diverse. 26eV qχ + NAB Eg + kT ln 2 ni 5eV qχ = 4. αF . Supponendo che l’ampiezza della base sia quella all’equilibrio. si valutino i parametri γF .

207µm Dal momento che WB = 0. avremo un lato di base neutro pari a 400 − 207 nm. daran vita ad un termine molto vicino a quello piccolo. nel calcolo si potr` considerare Neq NAB . sommati armonicamente. con la proporzione delle ampiezze delle regioni di svuotamento: le ampiezze delle regioni di svuotamento sono inversamente proporzionali alla concentrazione di drogaggio: NAB 1 xnBC = =⇒ xpBC = xdBC = 0.BE = 0. 15µm qNAB xdBC = 2 S Φi. αF . 15 + 0. e quindi peggiorato il fattore di efficienza. otteniamo: 0. considerando WB = 0.BC = 0. e nella base? Analizziamole: considerando che l’emettitore ` estremamente drogato. gi` all’equilibrio abbiamo una condizioa ne di breakdown: le regioni di svuotamento si toccano. e Scegliamo di modificare il testo del problema. ma non abbiamo informazioe u ni aggiuntive su quella di base-collettore. il calcolo dei parametri richiesti dal problema. 057µm xpBC NBC 6 Si noti che se sommiamo le due ampiezze di svuotamento. consideriamo la proporzione dei drogaggi. per le e a propriet` della somma armonica di due termini: un termine molto grande e a uno molto piccolo. γF : γF = Indif f |0 InE = InE + IpB Indif f |0 + IpB |−xE 114 .Che senso cercare in questo ambito le quotature del diagramma a bande? Aldil` del mero esercizio. possiamo renderci conto di un fatto importante: a all’equilibrio le regioni di svuotamento permettono una zona neutra sufficientemente estesa. pur avendo allungato il lato della base. 057 = 0. in questo modo il transistore ha una condizione di rottura e non vi ` sostanzialmente base. Partiamo dall’efficienza di emettitore. xdEB xpEB = 2 S Φi. Si valutino i parametri γF . 4µm: in questo modo. αT . βF Consideriamo dopo queste prime osservazioni e decisioni. 2µm. 34µm qNeq Poich` della regione di svuotamento tra base ed emettitore sappiamo e che essa ` decisamente pi` ampia nella base.

osservando il fatto che. oltre a semplificare in precedenza il −1. in quanto lato corto o o implica riduzione della resistenza di accesso al transistore. Osserviamo che anche il lato di emettitore ` corto: WE e Lp . sul termine WB : poich`: e Ln = Dn τn = 56µm WB Possiamo dire di nuovo di trovarci in ipotesi di lato corto (come ` ovvio e che sia la base). ed il seno iperbolico come il proprio argomento: WB Ln Possiamo dunque dire che: cosh Indif f (0) − 1.Studiamo dunque queste espressioni. si ottiene che: 115 . e. ricavate in precedenza: Ipdif f (−xE ) = − qAE Dp n2 i NDE Lp e VBE VT −1 VBE VT Possiamo semplificare la nostra espressione. sinh WB Ln WB Ln BE BE qAE Dn n2 VV qAE Dn n2 VV i i e T =− e T WB NAB WB NAB Ln Ln Possiamo dunque ora riprendere la definizione di efficienza di emettitore. e sappiamo che la lunghezza di diffusione Lp ` cos` definita: e ı Lp = Dp τp = 6µm 1. sostituendo. dal momento che ci troviamo in polarizzazione diretta. siamo in grado di fare dei ragionamenti simili al precedente. VBE > 0. inoltre. nel primo e termine. e dunque possiamo sviluppare il coseno iperbolico come 1. e quindi siamo anche in grado di dire che WE ∼ Lp : BE −qAE Dp n2 VV i e T NDE WE Semplifichiamo a questo punto anche l’espressione della corrente di elettroni in 0: Ipdif f |−xE = Indif f |0 = −qAE Dn n2 i NAB Ln e VBE VT − 1 cotgh WB qAE Dn n2 i + Ln NAB Ln sinh WB Ln e VBC VT −1 Il secondo termine ` trascurabile rispetto al primo. Ci` pu` essere un bene in un transistore bipolare.

nel punto x = 0.dif f (WB ). questa volta un coseno iperbolico tender` naturalmente a 1. e non solo tendente a 0: a −qAE Dn n2 cosh(0) i B NAB sinh Wn Ln L VBE VT VBE −qAE Dn n2 i e VT B NAB sinh Wn Ln L Indif f (WB ) = e −1 Consideriamo ora il rapporto tra le due funzioni. ai fini di calcolare il parametro αT : 116 . semplificando notevolmente i nostri conti. considerando WB u Ln . consideriamo dunque le espressioni in gioco: −qAE Dn n2 i Indif f (0) = NAB Ln VBE VT e WB − 1 cotgh Ln B −qAE Dn n2 cosh Wn i L B NAB Ln sinh Wn L e VBE VT Abbiamo dunque considerato come unica approssimazione. consideriamo ora l’espressione della corrente di diffusione di elettroni in base. nel punto WB : in questo ambito. sappiamo che: αT = Indif f (WB ) Indif f (0) − IRB = Indif f (0) Indif f (0) Abbiamo in precedenza effettuato alcune approssimazioni nel termine di corrente di diffusione di elettroni in base. Di fatto. 9976. Abbiamo calcolato mediante questa nuova formula l’efficienza di emettitore.γF = −qAE Dp n2 i e NDE WE −qAE Dp n2 i e NDE WE VBE VT VBE VT VBE VT + 1 −qAE Dn n2 i e NAB WB γF = 1+ NAB Dp WB NDE Dn WE Possiamo calcolare che γF = 0. come gi` anticipato. ma troncato al secondo ordine. Passiamo ora al calcolo di un’espressione in grado di fornire il valore del parametro αT . che coinvolge un cosh(0). come precedentemente. ossia del fattore di trasporto. in quanto otterremo un’approssimazione troppo grossolana. che vale e esattamente 1. per questo motivo: vediamo che in questo ambito. tende e non solo a 1. Queste approssimazioni sono da rivedere. per ora. ` coinvolta anche la grandezza In. il coseno iperbolico a avr` argomento algebricamente 0. l’effetto dell’esponenziale che prevale enormemente sul termine −1 in parentesi. non sar` a pi` possibile approssimare il coseno iperbolico a 1. l’altro sar` sviluppato in serie a a di Taylor.

base corta). implica ridurre la sua derivata ad una costante. soprattutto poich` ` possibile o ee linearizzare la concentrazione degli elettroni in base. Poich` siamo e in un caso di retta decrescente. np (x): np (x) BE n2 VV i e T NAB WB −x Ln WB Ln = BE n2 VV i e T NAB 1− x WB Abbiamo dunque ridotto ad una semplice retta la distribuzione di carica. Potremmo chiederci come mai non abbiamo effettuato in precedenza una semplificazione di questo tipo: linearizzare una funzione. Ci` risulta molto interessante. ossia ridurla a retta. un’espressione operativa molto pi` utile (in caso di un transistore bipolare come quello u proposto dall’esercizio. e facile da utilizzare. o addirittura a 0. come anticipato. calcolare il guadagno in o corrente del transistore: αF = γF αT βF = 0. anche per il fattore di trasporto αT . 999994 2L2 n Abbiamo ottenuto. considerando il fatto che WB Ln . ma. ma che comunque rappresenta il transistore ottimale: emettitore corto e molto drogato. ragionando in modo diverso sul coefficiente di trasporto. 997 αF 413 1 − αF Permettiamoci ora una divagazione. la distribuzione dei portatori minoritari in base.−qAE Dn n2 i αT = NAB sinh WB Ln Ln e VBE VT W −qAE Dn n2 cosh L B i n W NAB Ln sinh L B n e VBE VT = 1 B cosh Wn L Solo ora sfruttiamo il fatto che ci troviamo in semiconduttore corto. lo sviluppo considerato sar` quello troncato non al primo. αT : possiamo infatti importare anche nel transistore bipolare il modello a controllo di carica precedentemente studiato nella giunzione p-n. ma al secondo ordine: a αT = 1+ 1 1 WB 2 L2 n 2 =1− 2 WB = 0. bens` l’integrazione. sfruttando l’ipotesi di lato corto. perdendo informazioni su di essa. la totale corrente di ricombinazione sar` a 117 . Possiamo ora. rispetto alla definizione. partendo da ci`. Il modello a controllo di carica per` non o richiede la derivazione delle distribuzioni di portatori. al ı fine di ottenere la carica totale in eccesso nel semiconduttore.

1 e a2. sappiamo semplicemente che la corrente di ricombinazione in base o vale: Qn n2 VBE −qAE WB = i e VT τn NAB 2τn Da ci`.1 e IC = a2. esiste una via ulteriore. si pu` semplicemente ricavare che: o o a1.1 IC =⇒ αF = − a2.assimilabile al calcolo dell’area di un triangolo: considerando la lunghezza del lato di base come base. ` possibile calcolare il coefficiente di trasporto come: o e IRB = In. ed essere soddisfatti per tutte le tecniche finora acquisite per il calcolo dei parametri del transistore bipolare: abbiamo visto che. IE 118 . VBC < 0. mediante ipotesi e tecniche completamente diverse. mediante un processo completamente diverso.2 e − 1 + a2. e a ancora pi` comoda: partendo dalle equazioni di Ebers-Moll.dif f (0) In. possiamo dire che e il secondo termine sia in questo ambito del tutto trascurabile. si arriva a ottenere risultati assolutamente analoghi. e la concentrazione di carica come altezza: BE n2 VV WB Qn = i e T (−qAE ) NAB 2 Da ci`.1 e VBE VT − 1 + a1.1 e VBE VT −1 −1 VBE VT Da ci`.1 a2.1 a1. per entrambe le equazioni: IE IC a1.dif f (0) −qAE WB n2 i e 2NAB τn −qAE Dn n2 i e 2NAB WB VBE VT VBE VT =1− 2 WB 2Ln Abbiamo ottenuto lo stesso risultato espresso precedentemente.2 e VBC VT −1 −1 VBE VT VBC VT Poich` ci troviamo in regione attiva diretta. si pu` vedere u o che: IE = a1.1 Possiamo terminare questa divagazione. In realt`.dif f (0) − IRB IRB αT = =1− =1− In.

un dispositivo che dal mondo esterno si vede come un diodo. come: ICop ∂IC ∂VBE VBEop Essendo noi in un modello di piccolo segnale.1 VBEop e VT VT Definiamo dunque la corrente del punto di lavoro. 6 V. che VCE = 1 V. Usiamo quello che viene detto il modello a π semplificato. indirettamente: VBE (si discuter` meglio sul significato della parola ’indirettamente’). su piccolissime variazioni di tensione. varieremo la tensione che la modula. Come dati abbiamo che VBE = 0. mentre IC ` rappresentabile come: e IC = −αF IE Il modello di piccolo segnale si basa. 4 e V. considerando una variazione infinitesima della corrente IC rispetto alla tensione di controllo. modificando infinitesimamente la tensione VBEop con un piccolo segnale vbe .Si valuti il modello di piccolo segnale del transistore bipolare Parliamo ora del terzo punto del problema. ICop . che. Nella regione attiva a diretta. come abbiamo gi` visto precedena temente. ma poich` VCE = VBE − VBC . poich` adottiamo il modello statico introdotto da Ebers-Moll. VBC . ossia lo studio di un modello di piccolo segnale del transistore bipolare. e consideriamo trascurato l’effetto Early. possiamo vedere che: 119 . Linearizziamo dunque il nostro modello. utile in quanto torner` utile in seguito nello studio di sistemi MOS. VBE : ∂IC ∂VBE = VBEop a2. ed un collettore che di fatto non fa altro che raccogliere la corrente. poich` siamo ijn regione e attiva diretta. IC (VBE . a partire dalle equazioni di Ebers-Moll. VBC ) IC = a2. nel transistore bipolare. a Abbiamo. per analzizare la variazione di corrente IC . Consideriamo. IE dipende molto da VBE . Possiamo al solito trascurare i termini dipendenti dalla tensione tra base e collettore. per la stessa ipotesi considerata precedentemente.1 e IC (VBE ) VBE VT Si noti che. sappiamo che VBC = −0.

a partire dal modello di ampio segnale. dove vbe . ICop = a2. moltiplicato per il pilota vbe . come: rπ = βF gm Il modello di piccolo segnale del transistore bipolare sar` semplicemente a rappresentato da un nodo generalizzato.1 e VT . considerando IB : IB = 1 ∂IC IC =⇒ βF βF ∂VBE = VBEop gm βF Possiamo dunque definire la resistenza del nostro modello π. a VBE come gi` detto modula solo indirettamente il valore di gm . Dal momento che il punto di funzionamento del transistore interessante ` la regione attiva diretta. anche se non vi ` una relazione diretta. e VBC < 0. si vedrebbe che gm rappresenta una retta. ma ` la tensione sulla giunzione tra base e collettore. Possiamo calcolare i parametri linearizzati. Divaghiamo. a2. accennando al modello di ampio segnale del transistore bipolare: consideriamo il fatto che ci troviamo semplicemente in una doppia giunzione. Si noti il seguente fatto: togliendo gli offset verticali ed orizzontali ICop e VBEop .1 = B VT Ln NAB sinh Wn L gm = qAE Dn n2 i NAB WB 120 . In realt`. in cui tra B ed E sta la rπ . poich` ` la a ee tensione di controllo. come di un parametro che. e Ci manca un ulteriore parametro: ci` che collega la base B all’emettitore o E. ossia il piccolo segnale del nostro modello. e dunque una resistenza. tra E e C il generatore pilotato di valore IC = gm vbe .ICop = gm VT Dove questa gm rappresenta una conduttanza analoga a quella precedentemente studiata nel diodo a giunzione. e quindi in e cui VBE > 0. rappresenta la tensione sulla rπ . rπ . si parla dunque di gm come di una transconduttanza. e mentre gm si trova tra base ed emettitore. permette di ottenere IC . e quindi possiamo trascurare. e dunque dovremo considerare capacit` di svuotamento e capacit` a a di diffusione per ognuna delle giunzioni. al fine di terminare del tutto il modello di piccolo segnale: VBEop qAE Dn n2 ICop i . o almeno potremmo pensarlo. ossia. possiamo dire che un parametro sar` trascurabile: a CDIF (VBC ) 0 poich` ci troviamo in una zona di polarizzazione inversa della e giunzione base-collettore. Potremmo ripetere le operazioni precedenti.

CDEP. considerando come al solito le ipotesi di lato corto. Poich` inoltre il lato dell’emettitore ` estremamente e e drogato (cosa gi` sfruttata nel calcolo di CDEP (VBEop ). per poi derivare rispetto alla tensione e cos` trovare la capacit` di diffusione: ı a Q = Qp + Qn Derivando: CDIF = BE ∂Qn qn2 WB AE VV = i e T ∂VBE 2NAB VT Qn = −qAE np (0) BE WB qn2 WB AE VV =− i e T 2 2NAB 121 . Calcoliamo dunque nella base B la carica totale come area del triangolo. CDEP (VBEop ) = gm q S NA .rπ = βF . possiamo dire che il a contributo di carica di diffusione in base sia trascurabile.BC = 2(Φi − VBEop ) q S Neq 2(ΦBC − VBCop ) Possiamo infine linearizzare la carica totale.

ancora fuori dall’equilibrio. e dunque impedir` il passaggio di carica al suo e a interno. fino a quando non si affermer` il contrario. • Come ossido: biossido di silicio (SiO2 ). il diagramma a bande sar` di questo tipo: a a Il metallo a causa della propria natura non pu` subire modifiche o pieghe o dei livelli energetici. poich` ha lavoro di estrazione pi` e u elevato. e tutti gli altri livelli discontinui. si usano: • Come metalli: in principio Alluminio (Al). • Come semiconduttore: Silicio (Si-p o Si-n). Supponendo che l’equilibrio sia gi` stato raggiunto. di lacune. per poter ottenere una condizione di equilibrio. con le nostre e o attuali conoscenze. Poich` del dielettrico sappiamo e 122 . che ` un isolante. per costruire dispositivi basati sulla tecnologia MOS. a causa del suo enorme gap di energia (e non solo come vedremo tra pochissimo). Siamo in grado di tracciare il diagramma a bande del dispositivo appena unito. Il problema che fa variare questa situazione rispetto a quelle precedentemente studiate. si svuota parzialmente. ` la presenza e dell’ossido. quarzo. il semiconduttore. considerando come facemmo in precedenza il livello del vuoto E0 continuo. Per ora. si considerer` una a a struttura di alluminio. e silicio drogato tipo p. che serva un tempo infinito. Poich` si raggiunga l’equilibrio si pu` ipotizzare. Unendo i tre materiali. comunemente detto quarzo (notoriamente isolante). i livelli di Fermi dovrebbero tendere a parificarsi. poi Silicio (Si) policristallino molto drogato.Capitolo 5 Sistemi MOS L’acronimo MOS significa Metallo-Ossido-Semiconduttore (o meglio in inglese Metal-Oxide-Semiconductor).

ma. ma EC non ` costante. Il metallo per definizione non potr` avere eccessi locali di carica. il o prodotto della costante dielettrica e del campo elettrico nel medesimo punto ` una funzione continua (teorema dello spostamento dielettrico). come si pu` calcolare semplicemente mediante l’approssimazione appena o presentata del lavoro di estrazione dell’ossido con la sua affinit` elettronica. possiamo assimilare il sistema ad un condensatoe re. a Una barriera di potenziale cos` elevata non pu` essere saltata.3 eV (con il metallo). il cui campo ` dunque costante ovunque. a 123 . in un qualsiasi sistema. per a a essere precisi di 3. 5. e nei nostri casi ı o neanche attraversata per effetto tunnel. il semiconduttore p in questione avr` invece a a una carica pari a ρ = −qNA xd0 . Dalle equazioni di Maxwell si pu` studiare che.1 Analisi Elettrostatica Introduciamo un primo discorso sullo studio del sistema MOS.25 eV (con il semiconduttore). e sappiamo che nell’ossido qΦOX qχ. e con verso positivo da sinistra verso destra. e di 3. saranno comunque in seguito ripresi ed approfonditi. quindi possiamo dire che E0 − qχ = EC .che esso ` in mezzo ai due. poich` i dispositivi che consideriamo e hanno strati di ossido il cui spessore TOX 100 amstrong. e e anzi in prossimit` delle interfacce con l’ossido presenta discontinuit`. alcuni dettagli per ora trascurati. ed il potenziale varia in modo e intuitivamente lineare. L’ossido e sar` privo di cariche in principio. e del semiconduttore. Cosa si ` originata dunque? Una struttura dotae ta di barriere di potenziale all’interfaccia con l’ossido: conosciamo il lavoro di estrazione del metallo. Consideriamo nel sistema una convenzione che prevede l’asse x con l’origine nell’interfaccia metallo-ossido.

e cio` in grado di e neutralizzare la carica di svuotamento del semiconduttore. possiamo dire che: εOX OX = εS (0) S Poich` OX = 3. vi sar` una barriera. a a affinch` lo spostamento dielettrico sia verificato. Poich` vale la e legge dello spostamento dielettrico. 9. ottenendo: εOX = S OX εS (0) = 124 S OX qNA S xd0 . si pu` e a o pensare che. Il campo presenter` una discontinuit` nella posizione 0 dell’asse delle x. come gi` accennae a a to. e S = 11. integriamo rapidamente la carica di svuotamento.poich` deve essere rispettata la neutralit` globale nel semiconduttore. applicando l’equazione di e Poisson. vi sia una δ di caa rica che permetta un impulso di carica pari a qNA xd0 . 7. in prossimit` dell’interfaccia metallo-ossido.

e quindi stabilizzarsi nel metallo. e VOX . VS . il potenziale ΦM S come il potenziale di contatto tra metallo e semiconduttore: questa definizione ` priva di senso fisico in quanto non vi ` un contatto. Per quotare tutto il diagramma a bande. ma torner` estremamente utile come definizione. ossia quello provocato dall’appena citato andamento lineare del potenziale nell’ossido.Per il calcolo del potenziale. mancano ancora alcuni parametri: xd0 . Consideriamo una sorta di equazione alla maglia: ΦM S = VOX + VS Possiamo anche esprimere le due tensioni come funzioni di xd0 : VS = VOX = qNA 2 x 2 S d0 xd0 TOX qNA OX Si noti che per` possiamo identificare. per poi crescere linearmente. nel metallo. Si definisce. come gi` detto. l’equazione alla maglia diverr`: a COX = 2S 2S qNA xd0 qNA 2 + xd0 =⇒ x2 + xd0 − ΦM S =0 d0 COX 2S COX qNA ΦM S = 125 . lo spazio compreso o a tra metallo e semiconduttore come un condensatore. introduciamo un’ulteriore convenzione: consideriamo la massa del sistema in +∞. ossia con un condensatore a facce piane parallele: a εOX qNA xd0 =⇒ VOX = TOX COX Sostituendo. a Il potenziale tra silicio e metallo. e dunque identificare nell’ossido una capacit`. sar`: a ΦM S = qΦM − qΦSp ∼ 0. Φ = − εdx Qualitativamente. e quindi: Φ(+∞) = 0. ossia quello provocato dalla zona di svuotamento del semiconduttore. il potenziale avr` un andamento quadratico dall’inia zio della zona di svuotamento all’interfaccia con l’ossido. VOX . 9V −q Il potenziale di contatto ha due contributi: VS . e e impedito dall’ossido.

1.Risolvendo l’equazione in funzione dell’incognita xd0 . e quindi consideriamo l’applicazione sul metallo M e sul semiconduttore S di una tensione esterna Va . a causa dell’irrefrenabile flusso di portatori di carica. e per met` alla VS del semiconduttore. il − sul verso del semiconduttore. che in questo caso vengono bloccati dalla barriera di potenziale dell’ossido. la curvatura del semiconduttore si ridurr`. dalle nostre attuali conoscenze sappiamo esclusivamente che i lati del semiconduttore saranno abbassati: con una tensione di polarizzazione esterna negativa infatti i livelli energetici dei lati si alzeranno rispetto al lato semiconduttivo. Passiamo ora al considerare il semiconduttore MOS in situazioni fuori equilibrio.1 µm. e il + verso il metallo. 5. impedisce il raggiungimento della giunzione di non possibile raddrizzamento dei livelli. Per una determinata tensione. considerando. come: VF B −ΦM S 126 . precisamente per Va = −ΦM S . ΦM S sar` per met` a a dovuta a tensioni dell’ossido VOX . Abbiamo sostanzialmente due possibilit` da studiare. infatti e il fatto che l’ossido separi metallo e semiconduttore. e cos` il livello di barriera E0 sar` allo stesso livello ı a per i tre materiali. a Possiamo dire di aver quotato il diagramma a bande all’equilibrio di questa prima struttura MOS. e considerando solo la radice positiva: 2 xd0 = − OX COX + S COX + 2 S ΦM S qNA Tipicamente. questa ` una condizione che non abbiamo ancora incontrato in precedenza. nelle condizioni che stiamo studiando ora (equilibrio). Questa situazione si dice di Flat Band (ossia condizione di banda piatta). e a Va > 0.1 Polarizzazione di un sistema MOS con tensione negativa Se consideriamo una Va < 0. a e con essa la regione di svuotamento. la tensione esterna compenser` interamente il a potenziale di contatto. VF B . e quindi avremo interamente compensato il potenziale di contatto ΦM S (come suggerisce anche la definizione della tensione). in coerenza con la precedente convenzione introdotta. Si ` soliti dunque definire la e tensione di banda piatta. la zona di svuotamento xd0 ha un valore intorno ai 0. ossia Va < 0.

prima di passare a calcoli rigorosi. Non ci interessa ad ogni modo lo studio del sistema MOS in condizioni di accumulo. ma vi saranno fenomeni che non siamo in grado di prevedere finora: lontani dal punto xd si ha la neutralit`. Continuiamo a proporre definizioni e osservazioni. rispetto alla condizione di equilibrio. come gi` detto in precedenza per la giunzione. o almeno non di quelle da noi trattate. Sapo piamo per ora che per x → +∞. np (+∞) → np0 . la distanza varia. e che pp (+∞) → NA . quindi questo cenno sulla condizione di Va < 0 non rappresenter` il punto di funzionamento a dei dispositivi basati su tecnologie di questo tipo.1. si pu` di fatto o studiare (come faremo tra non molto) fenomeni interessanti legati a ci`. dando vita ad una regione duale a quella di svuotamento: la regione di accumulo. definendo il parametro: qΦp EFi (+∞) − EF 127 . addirittura. diventando negativa. e quindi per Va < VF B . aumenter` a la flessione del livello energetico del semiconduttore.Abbassando ulteriormente la tensione. solo in regione a di svuotamento. mediante le equazioni di Shockley. la δ di carica del metallo diventerebbe negativa. poich` dovrebbe compensare e la carica di accumulo positiva nel semiconduttore. Progressivamente con l’aumentare di Va . la pi` totale normalit`. a u a come in uno stato di equilibrio. che si innalzer` ultea riormente rispetto a quello del metallo e dell’ossido. avvicinandoci per` all’ossido. vi ` il e sorpasso del livello E0 del metallo rispetto a quello del semiconduttore: ci` o indurr` una carica positiva nel semiconduttore drogato tipo p (come si poa trebbe anche vedere dal diagramma a bande). In questo caso.2 Inversione di popolazione Considerando una Va > 0. 5. a certe tensioni Va . aumenter` progressivamente l’ampiezza della regione di a svuotamento. notiamo che o la distanza EFi (x) − EF continua a diminuire.

nel semiconduttore.Possiamo qualitativamente osservare che. Vi saranno due tensioni alla base del funzionamento di un MOSFET: • VGS : la tensione del gate metallico. per cos` dire. poi ovviamente ` possibile invertire i drogaggi). passando nel canale che si viene a creare per inversione permessa dalla VGS . • VDS : ` la tensione positiva tra drain D e source S. appunto prendendoli dal source e spostandoli verso il drain (poich` il + ` sul drain. si avrebbe una densit` di elettroni pari a NA . Metteremo a contatto ossido e metallo con questi pozzetti. in prossimit` dell’interfaccia a a con l’ossido. allora nel punto 0. che sposta gli elete troni. l’altro detto drain. in una nicchia provocata dall’estremo curvamento dei livelli energetici causato dalla tensione esterna Va : questa ` di fatto una zona confinata stracolma di elettroni e (zona di inversione). questa nicchia creata dalla fore te tensione di cui abbiamo parlato. in modo che il canale scorra. uno detto source. straordinario: dato un drogaggio NA = 1017 . e e 128 . in un semiconduttore in cui quindi gli elettroni sono minoritari. ed ` ine e teressantissimo per creare dispositivi molto particolari: la densit` enorme di a inversione np (x) si viene a formare in uno spazio ridottissimo. e vengono impiantate due zone. Sostituendo i dati nelle equazioni di Shockley si pu` o avere riscontro formale di questo fatto. ossia quella che finora abbiamo chiamato Va : essa ` la tensione che permette la creazione di un canale e di elettroni. ı np (0) = pp (+∞). se la Va flette a sufficienza le bande al punto da far s` che EFi (0) − EF = −qΦp . Questa zona ` alla bae se del funzionamento del transistore MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor). Questo meccanismo ` detto inversione di popolazione. e dunque fortemente conduttiva. gli elettroni andranno in questo senso). dispositivo cos` costruito: su di un substrato drogaı to p (seguendo il nostro caso. due pozzetti fortemente drogati tipo n+ . Il ı canale ` proprio questa zona di inversione. sotto l’ossido.

Si noti che Ψ(0) = VS (poich` misuriamo semplicemente in questo modo il contributo e del solo semiconduttore al potenziale di contatto). avremo a disposizione mezzi matematici molto ridotti e basilari: o equazione di continuit`. ora. a spostandoci in diverse x avremo la tensione nel punto interessato. equazioni di Shockley. np (x) = ni e− Sappiamo che. per comodit`. Per fare ci`.5. a Sappiamo che: ρ(x) = q(pp (x) − np (x) − NA ) Vorremmo esplicitare. definire una funzione che studi il potenziale. ora. per poi sostituirlo nelle equazioni di partenza: ni = pp0 e− kT . ni = np0 e kT qΦp qΦp Tornando finalmente alle equazioni di Shockley iniziali: pp (x) = pp0 e qΦ(x)−qΦp kT .2 Calcolo della carica di inversione Consideriamo d’ora in poi un’analisi pi` quantitativa: per poter calcolare u eventuali correnti infatti ` necessario conoscere la concentrazione complessiva e della carica di inversione (di cui ora non abbiamo un’espressione operativa). molto lontani dall’interfaccia con l’ossido: pp (+∞) = pp0 = ni e kT . le due concentrazioni di portatori. da queste ultime due espressioni. a con riferimento a +∞: Ψ(x) = qΦ(x) − qΦp −q In un certo senso potremmo dire che Ψ(x) rappresenta il nostro voltmetro ideale: fissata la massa in un punto di neutralit` (come un ideale +∞). np (x) = np0 e− qΦ(x)−qΦp kT Possiamo. in funzione della tensione complessiva del semiconduttore. ni . pp (x) e np (x). equazione di Poisson. partiamo dalle equazioni di Shockley: pp (x) = ni e EF (x)−EF i kT . np (+∞) = np0 = ni e− kT qΦp qΦp Ricaviamo. np (x) = ni e− EF (x)−EF i kT Definiamo per comodit` il parametro qΦ(x) a =⇒ pp (x) = ni e qΦ(x) kT EFi (x) − EF : qΦ(x) kT . 129 .

Nella fatispecie. il nostro scopo sar` risolvere l’equazione differenziale: a Ψ(x) Ψ(x) ∂ 2 Ψ(x) q − =− pp0 e VT − 1 − np0 e VT − 1 ∂x2 S Vogliamo dunque capire in che situazione ci verremo a trovare. in inversione. Ψ(x) sar` una funzione crescente. si e former`.Possiamo dunque riscrivere ordinatamente le equazioni di Shockley. la famosa nicchia a che abbiamo prima nominato. ordinando: ρ(x) = q pp0 e − Ψ(x) VT − Ψ(x) VT − np0 e Ψ(x) VT − pp0 + np0 − 1 − np0 e Ψ(x) VT −1 Ora che abbiamo un’espressione della carica pi` interessante. interfacciata con l’ossido. per qualsiasi x. invece. una linguetta di carica. nel seguente modo: pp (x) = pp0 e − Ψ(x) VT np (x) = pp0 e Ψ(x) VT In condizioni di banda piatta. sottile alcuni nm. muovendoci da dea stra verso sinistra. se Va ` abbastanza positiva. Incominciamo rappresentando qualitativamente carica e campo elettrico: l’effetto della tensione applicata aumenta infatti progressivamente l’ampiezza della zona svuotata. possiamo u considerare l’equazione di Poisson con la funzione Ψ(x) come tensione variabile. Torniamo ora a parlare della ρ. che ρ(+∞) = 0. 130 . Possiamo per` quindi e a o anche dire che: ρ(+∞) = 0 =⇒ q(pp (+∞) − np (+∞) − NA ) = 0 =⇒ pp0 − np0 − NA = 0 Possiamo dunque ricavare NA : NA = pp0 − np0 Sostituendo ci` nell’espressione della densit` di carica. in seguito all’integrazione. possiamo dire. ossia la zona di inversione. otteniamo che: o a ρ(x) = +q pp0 e Quindi. poich` lontano dall’intere faccia con l’ossido vi ` neutralit`. Ψ(x) = 0 a tappeto. Possiamo dunque dire che essa ben modellizza ci` che o intendevamo modellizzare.

che ε(x0 ) = 0. ed una moltiplicazione membro a 2 Ψ(x) a membro per il fattore ∂Ψ(x) . ydy. avevamo gi` calcolato. integrato: y= Ψ(x) − Ψ(x0 ) q S pp0 e − Ψ(x) VT − 1 − np0 e Ψ(x) VT −1 ∂Ψ = =− q S pp0 −VT e − Ψ(x) VT + VT − pp0 Ψ(x) − np0 VT e Ψ(x) VT − VT + np0 Ψ(x) = =− q S pp0 VT 1−e − Ψ(x) VT + np0 VT 1−e Ψ(x) VT + Ψ(x)(np0 − pp0 ) = (−ε(x))2 2 Abbiamo ottenuto un risultato molto importante: abbiamo espresso il campo elettrico ε(x) in funzione del potenziale Ψ(x): infatti: ε(x) = ± 2q S pp0 VT 1−e − Ψ(x) VT + np0 VT 1−e Ψ(x) VT + Ψ(x)(np0 − pp0 ) Si noti per` un fatto: in precedenza. consideriamo un cambio di variabili. ∂Ψ = −ε(x) ∂x Risolto questo dettaglio. Integrando dunque ambo i membri. al fine di ∂x risolvere l’integrale per sostituzione: ∂Ψ ∂ 2Ψ . per l’equazione di Poisson. incominciamo con il discutere il primo: y= −ε(x) ydy =⇒ −ε(x0 ) ydy = y2 (−ε(x))2 = 2 2 Gli intervalli di integrazione considerano il fatto che. al primo membro. passiamo al secondo membro. o a il campo nel punto x = 0. e Ψ(x0 ) = 0.Partendo da un generico x0 > xp . sostituendo. per ottenere il campo come integrale della densit` di carica a ρ. velocemente. avendo noi fissato la nostra massa. sappiamo per certo. dy = ∂x ∂x ∂x2 Notiamo che dunque. sfruttando le nostre competenze elettrostatiche 131 . abbiamo semplicemente. il cui differenziale sar` ∂y = ∂ ∂x2 ∂x. Possiamo dunque applicare la legge di Poisson.

il campo sarebbe nullo. 45 V a siamo in una zona di equilibrio. Di fatto. Questa avr` un’influenza assolutamente non trascurabile. si avrebbe una QS elevatissima. che instaurano il regime di inversione dapprima debole. fondamentale per lo studio di un sistema MOS: Quando VS = 0. √ o avremo prima un regime governato da VS . appoggiando un cilindro sull’ossido. in funzione di e VS . Crescendo per` la tensione VS . Si ` soliti rappresentare a e a questo punto il modulo della funzione QS . per poi stabilizzarsi nel regime di forte inversione. ci troviamo in zona di banda piatta. la carica di inversione. a Consideriamo il seguente fatto: se applicassimo il teorema di Gauss al sistema in studio. vediamo che la carica totale del semiconduttore S. come abbiamo precedentemente introdotto. complicandola oltretutto notevolmente? In effetti. da e una certa tensione in poi. quando VS > 0: quando VS ∼ 0. dentro la radice. siamo in regione di accumulo. in a quanto provocher` un picco del campo ε. vediamo che esso ` funzione della tensioe ne VS . si attivano. Come mai abbiamo rieffettuato questa operazione. Quando VS < 0. Ricordando che abbiamo precedentemente detto che Ψ(0) rappresenta VS . ignorando totalmente la linguetta. Il valore in cui la tensione 132 . La parte interessante verr` dopo. possiamo dire che il campo in 0 vale: ε(0) = f (Ψ(0)) = f (VS ) = ± q S pp0 VT 1−e − VS T V + np0 VT 1 − e VT VS + VS (np0 − pp0 ) Vedendo l’andamento del campo. in un intorno del punto x=0. Applicando dunque anche matematicamente il teorema. le nostre precedenti competenze erano insufficienti ad esprimere interamente la fenomenologia nascosta dietro ci` che capita nel semiconduttore drogato o tipo p che stiamo studiando: il precedente studio. l’unica zona a campo elettrico non nullo ` proprio la faccia appoggiata e sull’ossido. Man mano che andiamo avanti. da 0 in poi.riguardanti lo studio di un semiconduttore. ma dunque anche QS sar` una funzione di VS . ossia il contributo del semiconduttore al potenziale di contatto. vedremmo che sulla superficie laterale del cilindro. e sulla base sospesa. gli esponenziali. rappresentante la carica su cm2 . L’esponenziale ` talmente potente che cresce praticamente verticalmente. quindi abbiamo un blocco della tensione di controllo in questione. senza controllo. e in questo modo blocca la tensione: aldil` di un a certo valore. ` esprimibile come: e QS = −ε(0) S QS ` una funzione della carica totale nel semiconduttore. teneva esclusivamente conto della carica di svuotamento.

Strong Inversion).si blocca `. il semiconduttore riesce di fatto a contribuire al e potenziale di contatto. Questa ` l’informazione fondamentale e e che ci fornisce lo studio della funzione di QS . mentre continuer` a crescere la tensione a carico dell’ossido. nella fatispecie. Vogliamo dunque studiare la tensione di soglia nominale. mentre a l’altra met` andr` a carico dell’ossido (la VOX ). a VOX . ma senza creare collegamenti con l’esterno. il semiconduttore continuer` a prendere in carico esclusicamena te VS = 2Φp . ossia al variare della nostra Va esterna. Dall’andamento del grafico di QS possiamo dunque affermare che se un sistema MOS entra in stato di forte inversione (SI. al variare della tensione applicata al gate metallico. prendendosi a carico met` della sua tensione. 5. possiamo considerare costante la tensione VS . ma non abbiamo idea di come studiare il suo andamento. Questo accade perch`. e al dispositivo MOS in generale. Aldil` del valore limite da a a a noi descritto. Abbiamo infatti finora parlato dettagliatamente di tensioni interne al semiconduttore.3 Determinazione della tensione di soglia di un sistema MOS Abbiamo parlato largamente della tensione VS . ossia la minima tensione che porta un sistema MOS in stato di strong inversion. grazie alle proprie caratteristiche dielettriche. in grado di sostenerla. 133 . e uguale a 2Φp . VS = 2Φp . fino a questo limite.

Qd . xdSI . e cariche dovute all’inversione. la carica sul metallo. e dunque Va andr` interamente a ripartirsi sull’ossido. si blocchi: xdSI = 2 S VS qNA COX = OX In generale. il semiconduttore non sia pi` in grado di u sostenere VS . valga: Qn = −COX (Va − VF B − 2Φp ) − Qd Ma Qd in questo ambito. Possiamo dire che: QS = −(Qd + Qn ) = COX VOX =⇒ QS = COX (Va − VF B − 2Φp ) Sappiamo che: TOX Dunque. QS . possiamo dire che: VOX = Va − VF B − 2Φp Come abbiamo gi` affermato in precedenza. per arrivare al valore critico di VS = 2Φp . Possiamo dividere il contributo della carica totale al semiconduttore. Possiamo scrivere un’equazione alla maglia di questo dispositivo: Va − VF B = VOX + VS Da qui. mentre a a rimanere ferma a 2Φp sul semiconduttore. ` la carica di svuotamento. possiamo dire che la carica di inversione. Qn . in stato di strong e inversion. possiamo immaginare che continui ad alzarsi il potenziale del metallo rispetto a quello del semiconduttore. l’ossido funziona come un a condensatore a facce piane parallele dotato di un dielettrico tra le armature. come somma di due contributi: cariche dovute allo svuotamento. Graficamente. ed ` bloccata. allora possiamo dire che anche la e variazione di ampiezza di regione di svuotamento. Se VS = 2Φp . e che al di sopra di una certa tensione. Qn .L’idea che possiamo sfruttare ` la seguente: studiare la distribuzione delle e tensioni in un MOS partendo dal punto di equilibrio. di carica uguale e a ed opposta a quella del semiconduttore (al fine di mantenere la neutralit` a globale). ` di fatto come gi` affermato una δ. ` possibile esprimere la tensione VS come area del triangolo e rappresentante il campo elettrico nel semiconduttore: 134 .

nella ee a fatispecie. porta il sistema in forte inversione pur potendo considerare ancora quasi nulla la carica di inversione.1 Calcolo della tensione di soglia Prima di terminare il calcolo della tensione di soglia. e dunque con un semiconduttore drogato p. e di VT p in un MOS con zona di inversione contenente lacune (e dunque semiconduttore drogato tipo n): VT ` la tensione e che. si parler` di VT n a in caso di MOS a zona di inversione contenente elettroni. dopodich` ` assimilabile a tutti gli effetti ad una capacit`. Alcune precisazioni sulla tensione di soglia: la tensione VT n = VF B + 2Φp + 1 COX 2q S NA 2Φp 1 135 . (Va − VT n ) sar` proprio la tensione presente nel dispositivo MOS a funzionante. vediamo che: 2q S NA 2Φp COX Questa ` la tensione di soglia nominale: il limite che separa la strong e inversion e la weak inversion. Cosa significa questa definizione? Partendo dall’equazione appena ricavata. Possiamo dunque riscrivere l’espressione della carica di inversione come: VT n = VF B + 2Φp + Qn = −COX (Va − VT n ) Cosa abbiamo scoperto. VT (nella fatispecie.3. forniamo la definizione precisa di tensione nominale di soglia.qNA x2 d 2S Possiamo dunque dire che la carica di svuotamento in queste condizioni valga: VS = QdSI = −qNA xdSI = − E quindi. la carica di inversione Qn sar`: a Qn = −COX (Va − VF B − 2Φp ) + 2 S qNA 2Φp 2 S qNA 2Φp 5. applicata ad un sistema MOS. quindi Qn = 0. ed imponendo una carica di inversione nulla. da quest’ultima riscrittura della carica di inversione? Di fatto il sistema MOS si comporta come un condensatore molto particolare: esso richiede una tensione di attivazione. pari alla tensione di soglia VT n .

ossia la tensione tra source e drain. vengono utilizzate sia tecnologie n-MOS che p-MOS. Abbiamo finora trattato solo ed esclusivamente n-MOS. non si ha uno strato di inversione. La tensione VDS sar` dunque sempre positiva: VDS ≥ 0. Ulteriore a 136 . si impiantano vaschette p-Well (per gli n-MOS). a parte il potenziale in cui si trovano. ossia MOS con semiconduttore drogato tipo p.` di norma positiva. Abbiamo parlato abbastanza in dettaglio del sistema MOS.4 Il transistore MOSFET Abbiamo gi` sommariamente parlato del transistore MOSFET. descriviamo da ora in poi una trattazione della sua pi` interessante applicazione. VDS . altrimenti il MOS sarebbe costruito male. si prender` in considerazione inoltre un’ale a tra tensione. il source ` il punto a potenziale pi` e u basso. e dunque canale di inversione pieno di elettroni. mediante processi tecnologici. ossia il p-MOS. positiva verso il drain. Esiste una situazione del tutto duale. Se abbiae mo una tensione Va < VT n . ` il fatto che i e due pozzetti.2 a 1 V. sono esattamente identici. La tensione Va che abbiamo finora studiato ` la tensione di gate. Una prima differenza con il transistore bipolare che si nota. La tensione VDS ` proprio la tensione: e VDS = VD − VS Dove normalmente per` VS si pu` anche considerare come punto a poteno o ziale 0. source e drain. e basandosi su di un unico substrato semiconduttivo debolmente drogato o comunque tendenzialmente intrinseco. in cui la tensione di soglia varr`: a VT p = VF B − 2Φn − Φn = 1 COX 2q S ND 2Φn kT ND ln q ni Attualmente. In tutto il dispositivo. o n-Well (per i p-MOS): qua si costruiranno i transistori. 5. dicendo che a esso rappresenta un sistema MOS il cui canale di inversione ` adiacente a e due pozzetti fortemente drogati (tipo n nel caso dell’n-MOS che stiamo studiando). VGS . ossia il u transistore a effetto di campo basato sulla tecnologia MOS. Valori tipici della tensione VT n variano da 0. uno di source ed uno di drain. il MOSFET. in una tecnologia unica chiamata CMOS (Complementary MOS): si possono realizzare dispositivi MOS cio` con inversioni sia n che p: tecnologicamente.

tra drain e source. la regola operativa ` invertire le tensioni: poich` il canale di inversione ` infatti e e e popolato da lacune. avranno e una tensione VBS = 0: questa ` una semplificazione che noi presentiamo. al fine di poter effettuare la transizione di carica. 137 . ossia la tensione che regola l’apertura del canale di inversione. e dunque gli elettroni saranno spinti dal a source verso il drain: VDS > 0. Possiamo dire che questa dipenda di fatto da due tensioni: VGS . e circuitalmente introducendo un corto circuito tra il terminale B (di Bulk. Circuitalmente come gi` detto S sar` a a collegato ad una massa (anche se qua sotto non lo indichiamo. o Body). le tensioni saranno invertite. IDS ≥ 0. 5. ossia la tensione che permette il moto dei portatori all’interno del canale di inversione. Trascuriamo abbastanza nella nostra trattazione dei MOS i transistori p-MOS: possiamo velocemente dire che in un dispositivo di questo tipo. consideriamolo come ipotesi). VT p ≤ 0. La corrente che interessa il dispositivo MOS sar` la corrente di canale di inversione. IDSp ≤ 0 La trattazione si baser` sul trattare generalmente un sistema n-MOS. ossia l’andamento della sua corrente principale al variare delle tensioni.5 Caratteristica statica del MOSFET: Analisi a canale graduale Vogliamo trovare un’espressione operativa in grado di fornirci la caratteristica statica del MOSFET. ` che tutti i transistori MOS che studieremo. a IDS . e VDS . ed invertite saranno anche le convenzioni: VDSp < 0. a talvolta citando il p-MOS. nel caso di n-MOS. ed il terminale S del source. VDS sar` entrante verso il drain.fatto da considerare. dal source verso il drain.

avremmo il nostro andamento o e a del potenziale gi` noto. al fine di trovarci in stato di strong inversion e dunque di aver la certezza di avere il canale di inversione aperto. punto in cui si localizza il drain.IDS = f (VGS . ΦCH : essa in 0 vale ΦCH (0) = 0. Tentando di rappresentare in tre dimensioni il grafico. per`. Spesso ci` non ` vero. che noi abbiamo per semplificazione annullato mediante un cortocircuito tra i due terminali. un’eventuale polarizzazione del substrato. ma non sempre verificabile. VBS . non abbiamo la bench` minima idea di come vari per` la tensione tra i due e o punti. e ı perch` ci` sia sicuramente verificato. ı Sappiamo che la corrente nel canale di un MOS c’` solo con VGS > VT n : e bisogna infatti far s` che il canale di inversione sia creato nel dispositivo. e ad una distanza L. ci fa capire che una corrente di qualche mA. in quanto R ` dell’ordine dei KΩ. il drain. Sappiamo solo dire una cosa. e che quindi la e tensione generi la corrente in questo modo. mentre in L. Al variare di y. cos` facendo. e Consideriamo ora il nostro sistema in due dimensioni: poich` l’asse delle e x ` gi` stato occupato dallo spostamento sul gate per andare fino al termine e a del bulk di silicio. Faremo quella che si dice analisi a canale graduale del dispositivo MOSFET: supponiamo di applicare una VGS > VT n . il potenziale aumenta sempre a o di pi`. la tensione al gate deve essere almeno e o pari alla tensione di soglia. noteremmo ci`: per y=0. ı sia in grado di provocare una caduta di tensione dell’ordine dei V. Questo problema inoltre ` reso ancora pi` difficile da analizzare dal fatto che la e u resistenza del canale non ` uniforme. Non consideriamo infatti. significhi che la corrente ` una corrente di trascinamento. di drift. Cosa capita ora? Vorremmo capire cosa succede con una VDS > 0. Consideriamo una tensione positiva tra source e drain. e quindi VDS > 0. quindi consideriamo per ora incognita la funzione ΦCH (y). Possiamo considerare nel punto y=0 il source. e con una resistenza e non trascurabile. Il fatto che si abbia a che e fare con resistenze cos` elevate. per vedere e studiare il moto degli elettroni nel canale. ΦCH (L) = VDS . Capiu e tano alcuni effetti interessanti: se la tensione massima sopportabile al source 138 . della funzione del potenziale del canale. al fine di poter indurre lo stato di strong inversion nel sistema MOS. Si noti per` un dettaglio non o trascurabile: il canale di inversione ` un canale resistivo. VDS ) In realt` vi sarebbe anche una dipendenza della corrente dalla tensione tra a bulk e source. quindi si ricordi o e che ci troviamo in un’ipotesi semplificativa. poich` abbiamo applicato una tensione VDS tra drain e source. Possiamo intuire facilmente che il fatto che una tensione muova degli elettroni. e cio` in prossimit` del source. nel punto y=L. consideriamo che la distanza tra i due canali sia su di un asse ortogonale ad x. e chiamiamolo y.

Una tensione da sopportare per il semiconduttore si pu` interpretare come aumento dell’ampiezza della regione di o svuotamento. Ci interesserebbe dunque esprimere un’equazione dell’andamento del potenziale. y=L. Possiamo dire che: VGS − VF B = VOX (y) + VS (y) Dall’analisi a canale graduale. del dispositivo. Questa per` o ` ancora incompleta: non siamo ancora riusciti ad esplicitare la carica di e svuotamento nella generica posizione y. poich` una polarizzazione positiva su di un e semiconduttore drogato tipo n provoca un allargamento della sua tensione di 139 . questa man mano cresce spostandoci nelle y. sappiamo che: VS (y) = 2Φp + ΦCH (y) Sostituendo nella precedente: VGS −VF B = VOX (y)+2Φp +ΦCH (y) =⇒ VOX (y) = VGS −VF B −2Φp −ΦCH (y) Possiamo tentare di introdurre.` 2Φp per y=0. si avrebbe 2Φp + VDS . Qd (y). ad una generica posizione y. sostituendo: −(Qd (y) + Qn (y)) = COX (VGS − VF B − 2Φp − ΦCH (y)) La carica di inversione avr` un’espressione del tipo: a Qn (y) = −COX (VGS − VF B − 2Φp + ΦCH (y)) − Qd (y) Mediante dunque queste equazioni alla maglia. a la carica totale nel semiconduttore. abbiamo trovato un’espressione della carica di inversione in una generica posizione y. ed una zona molto estesa al drain. e. nello stato che stiamo studiando? La tensione VDS ` positiva dal source S al drain D. che quindi avr` un’ampiezza variabile con y. dal momento che conosciamo esattamente la capacit` dell’ossido interpretato come dielettrico in un condensatore. considerabile come somma di carica di svuotamento Qd e di carica di inversione Qn : −(Qd (y) + Qn (y)) = COX VOX Da qui. a L’andamento di ΦCH influenza pesantemente tutto il grafico. Come sono fatte queste. e e quindi vedremo una regione di svuotamento crescente nel canale da S a D. arrivando a e x=0. Riflettiamo un attimo: le cariche di svuotamento sono strettamente legate alle zone di svuotamento.

utilizzando l’ipotesi di completo svuotamento: Qd (y) = −qNA xd (y) = − 2q S NA (2Φp + ΦCH (y)) Possiamo. Possiamo dire che la carica di svuotamento al variare di y sia semplicemente l’area del rettangolo. vogliamo finalmente passare al calcolo delle correnti. il prodotto tra l’altezza (carica in un punto) e di ampiezza della regione di svuotamento. ora che abbiamo ottenuto un’espressione operativa della Qd (y). poich` si effettua una polarizzazione di tipo inverso. e che effettivamente l’ampiezza della regione di svuotamento ne risenta molto: xd (y) xd (ΦCH (y)) = 2 S (2Φp − ΦCH (y)) qNA Questo risultato ` semplicemente un’applicazione dei classici studi elete trostatici effettuati sul semiconduttore. Spostiamo dunque temporaneamente l’attenzione dalle cariche di svuotamento. per culminare a nel drain. Come gi` detto. mediante alcuni √ artifici algebrici: se sommiamo e sottraiamo il termine 2q S NA . Possiamo dire che xd sia una funzione non direttamente di y. La regione e di svuotamento come abbiamo detto sar` dunque crescente. dunque: Qn (y) = −COX (VGS − VF B − 2Φp − ΦCH (y)) − Qd Vediamo: Qn (y) = −COX (VGS − VF B − 2Φp − ΦCH (y)) + 2q S NA (2Φp + ΦCH (y)) Esiste un modo alternativo di esprimere quest’equazione. ossia una funzione in grado di fornirci. ricavare la Qn . dunque. quanto della funzione del potenziale sul canale: come sappiamo il potenziale del canale ` e un valore aggiunto alla tensione totale nel dispositivo. Ricordandola. e nella fatispecie di IDS . l’ampiezza della regione di svuotamento in quel punto. sostituendo nell’equazione ricavata in precedenza. precedentemente.svuotamento. all’ampiezza delle regioni di svuotamento: vogliamo ora determinare un’espressione di xd (y). in una generica y. si ottiene che: Qn (y) = −COX (VGS −FF B −ΦCH (y))+ 2q S NA 2Φp + ΦCH (y) − 2Φp ) Ora che abbiamo studiato dettagliatamente le cariche. a 140 .

quindi procede in verso positivo sulla direzione dell’asse delle y. La corrente che consideriamo parte dal source ed arriva al drain. e Sostituiamo tutto. ed un punto ad esso vicinissimo. ε(y). la corrente desiderata. rispettivamente TIN V e nIN V . ossia lo spessore dello strato di inversione. e il numero di elettroni nello strato di inversione. non conosciamo le due funzioni richieste. per centimetro quadrato. y + dy. con trascinamento dovuto al campo elettrico nel punto y. Poich` la corrente in questa situazione ` di drift. e che quindi la derivata e sar` una funzione sempre positiva. a moltiplicato per la sezione attraversata. Possiamo dunque mantenere i segni come a abbiamo fatto.la corrente in un MOSFET ` prevalentemente di trascinamento. Possiamo per` dire o che −qTIN V (y)nIN V (y) = Qn (y) Infatti la funzione Qn (y). la stessa corrente. con una convenzione di segno opposto. che il potenziale nel canale ` una funzione monotona crescente. qualitativamente. ma conosciamo il loro prodotto. e vediamo che: 141 . in condizioe ni statiche deve esserci in ogni punto del dispositivo. precedentemente ricavata. al fine di calcolare la corrente: −IDS = µn Qn (y)ε(y) Sappiamo anche un’altra cosa: il campo elettrico trascinante gli elettroni ` la derivata del potenziale di canale rispetto alla generica posizione y: e ε(y) = − ∂ΦCH (y) ∂y Possiamo dunque dire una cosa: sappiamo. Di fatto. Consideriamo dunque tra source e drain un punto generico y. e cos` ı possiamo sostituirvi l’espressione della carica totale per centimetro quadro precedentemente introdotta. ci fornisce. poich` rispetteranno la convenzione utilizzata. ` proprio la carica e totale di inversione nello straterello. ossia il prodotto del lato W e dello spessore dello strato di inversione TIN V . Quest’espressione contiene due termini che non abbiamo mai discusso o nominato. possiamo quantificarla in e e questo punto dicendo che: Idrif t (y) = −qµn nIN V (y)ε(y)W TIN V = −IDS Cosa significa ci` che abbiamo fatto: il numero di cariche di inversione o nIN V (y) nel generico punto y moltiplicato per la carica fondamentale q e per la mobilit` µn .

possiamo trovare una grandissima differenza con il transistore bipolare: il MOSFET ha il gate isolato. Poich` non abbiamo un’equivalente e della IB . quale sia il suo andamento. e quindi da 0 ad L: L ΦCH (L) IDS ∂y = − 0 ΦCH (0) Qn (y)∂ΦCH (y) Ma noi sappiamo che ΦCH (0) = 0. Nella base del BJT. Possiamo dunque dire che: IDS = − µn W L ΦCH (L) Qn (y)∂ΦCH (y) ΦCH (0) Abbiamo tutti i dati: la funzione Qn (y) infatti sarebbe: Qn (y) = −COX (VGS − VF B − ΦCH (y)) + 2q S NA 2Φp + ΦCH (y) − 2Φp ) La letteratura classica di dispositivistica ` solita trascurare. Considerando ad ogni modo esclusivamente i termini polinomiali: IDS = V2 µn COX W (VGS − VT n )VDS − DS L 2 Questa ` la caratteristica statica del transistore MOSFET.−IDS = µn W (−Qn (y)) − ∂ΦCH (y) ∂y Integrando ambo i membri per tutta la lunghezza del canale di inversione. ed ` il risultato e e che utilizzeremo in applicazioni pratiche. Un simulatore numerico per circuiti. Questa ` e un’approssimazione molto brutale. Se applichiamo diverse tensioni di gate. invece. ad esempio: VT n < VGS1 < VGS2 < VGS3 142 . ossia in cui non scorre una corrente. e molto grossolana. Ci chiediamo ora. si pu` effettuare in questo modo: la variazione di IDS . o al variare della tensione VDS . ma che semplifica a tal punto i conti da essere comunemente usata. A partire da qua. non avremo un parametro in corrente da regolare. nell’integrae zione. Lo studio della caratteristica statica. tutti i termini sotto radice. vi ` e una minima corrente. al fine di semplificare i conti. considera la formula nella sua forma pi` u completa. tutte in grado di indurre uno stato di strong inversion. leggendo l’equazione della caratteristica statica di un n-MOS. e che ΦCH (L) = VDS . quale ad esempio SPICE.

Calcoliamo dunque il massimo della funzione. e si passa cos` dalla regione quadratica. una zona detta regione quadratica. quantificato. corrisponde alla regione attiva e diretta del BJT).M ax (VDS ) = IDS. derivandola rispetto alla variabile VDS . abbiamo dunque un diverso valore del massimo della corrente. e VDS < VGS − VT n . ossia raffigurante una parae bola con coefficiente quadratico negativo (parabola rivolta verso il basso). Sappiamo che quindi la funzione dovrebbe essere monotona crescente fino al massimo. per poi divenire decrescente. mediante una funzione a tratti: • Per VGS < VT n . il MOS si comporta all’incirca come una resistenza. esprimendolo in modo purtroppo non elegante per quanto corretto (a parte per la grossolana approssimazione precedentemente fatta e criticata).M ax . o Sperimentalmente. e e: 143 . per VDS > VDSM ax . ad una regione detta di ı saturazione (si noti che non centra niente con la regione di saturazione del BJT: quella che qua ` la regione di saturazione. ed il transistore MOSFET ` OFF.Sat = IDS. il transistore ` in zona quadratica. crescendo la VDS . dove l’andamento della corrente ` parabolico. al variare del parametro della tensione di gate VGS . la IDS = 0. IDS. si ottiene: µn W COX (VGS − VT n )2 (VGS − VT n )(VGS − VT n ) − . e • Per VGS > VT n .M ax (VDS ) = µn W COX (VGS − VT n )2 2L A seconda della tensione VGS applicata sul gate.Possiamo vedere che per piccole VDS . L 2 IDS. la caratteristica dovrebbe essere decrescente. Possiamo dunque dire che. si verifica un andamento molto simile a quello che effettivamente avveniva nel BJT: Le caratteristiche crescono tutte. e ponendola nulla: µn W COX ∂IDS = 0 =⇒ [(VGS − VT n ) − VDS ] = 0 ∂VDS L Questo si verifica quando: VDS = VGS − VT n Sostituendo dunque l’espressione del massimo appena ricavata nella funzione di IDS . Possiamo dunque riassumere il modello statico. Dopo il massimo per`. Si ha.

Sat = µn W COX (VGS − VT n )2 2L Possiamo ora cercare di rispondere all’ultimo dei nostri dubbi. • Data VGS > VT n . VDS = 0.IDS = µn COX W V2 (VGS − VT n )VDS − DS L 2 • Per VGS > VT n . e dunque: IDS = IDS. • Date VGS = 0. Proviamo a pensare alla distribuzione delle cariche nel sistema n-MOS che stiamo studiando. prima di considerare del tutto terminata la trattazione della caratteristica statica in un MOSFET: perch` la corrente aldil` del valore di massimo diviene costante? e a (Anche se si ha un effetto duale dell’effetto Early. esaminando le varie zone che abbiamo espresso nella definizione della funzione a tratti della caratteristica statica. capita che il sistema n-MOS va in stato di strong inversion. VDS = 0. e VDS > VGS − VT n . il transistore ` in zona di saturae zione. e 144 . che accenneremo). dal momene to che si induce la carica di inversione Qn (precedentemente nulla). quindi possiamo pensare che la carica sia interamente di svuotamento poich` non abbiamo uno e stato di strong inversion. vi ` un aumento dello spessore del canale. non abbiamo variazioni delle zone di svuotamento rispetto alla condizione di equilibrio.

si ha un aumento generale della tensione, che porta anche all’aumento della zona di svuotamento. In prossimit` dei pozzetti drain e source a per` non si ha una variazione sostanziale della zona di svuotamento. o • Se VGS > VT n , VDS < VGS −VT n , capita che si entra nella zona di conduzione del canale, le cariche si spostano dal source al drain, e cos` si ha il ı dispositivo in zona di saturazione. Vediamo che la zona di svuotamento tender` molto a crescere andando dal source verso il drain, per effetto a della tensione di canale ΦCH , o se vogliamo della VDS che polarizza il drain. Ma ci` che sar` interessante non sar` solo la crescita della cao a a rica di svuotamento (associata alla crescita dell’ampiezza della regione di svuotamento), bens` anche la diminuzione della carica di inversione: ı man mano che la tensione aumenta, la carica di inversione diminuisce, quindi, man mano che si procede dal source verso il drain, la carica di inversione tender` a diminuire. Questo perch` capita il seguente fatto: a e aumentando la tensione sul drain, questo per reggerla deve ridurre la carica di inversione, e cos` in prossimit` del drain, l’andamento della caı a rica andr` a strozzarsi. Per un caso limite, VGS > VT n , VDS = VGS −VT n , a la carica di inversione si annuller` sul drain, e cos` si avr` una sorta di a ı a triangolo con base al source e vertice al drain. Considerando una tensione ancora pi` elevata, VGS > VT n , VDS > VGS − VT n , avviene quello u che si chiama Channel Lenght Modulation (modulazione di ampiezza di canale): questo ` il duale dell’effetto Early del BJT: il punto ottenuto e dalla precedente osservazione alla tensione limite, tende ad arretrare, cos` che la lunghezza del canale resistivo anzich` L sar` L’, e la zoı e a na (L-L’) restante dalla parte del drain sar` una zona ad alto campo a elettrico, causato dalla forte tensione applicata sul drain. Gli elettroni giunti in questa zona verranno sparati nel drain da questo fortissimo campo provocato dal forte potenziale applicato, tuttavia la corrente non aumenter`. Questo modello si pu` assimilare ad un modello idroa o dinamico: data una cascata la cui pendenza aumenta, ipotizziamo come la nostra tensione, arrivata ad un certo limite si fermer`, e non potr` a a pi` aumentare la corrente d’acqua. Questo avviene perch` l’entit` della u e a corrente viene regolata dalla zona resistiva, e, al di sopra di un certo limite, il flusso di portatori non aumenter`. a

5.6

Esercizio Pratico

Dato un sistema MOS costituito da un gate di polisilicio drogato n+ , un ossido di spessore 300 Amstrong di quarzo, ed un substrato di silicio drogato 145

5 · 1016 , con un lato L di 1µm, W = 5 µm, ed una mobilit` elettronica a µn = 400: 1. Si determini il diagramma a bande all’equilibrio quotato, e si stabilisca in quale condizione si trova il semiconduttore. 2. Si calcoli la tensione di soglia. 3. Supponendo di disporre di una tensione di alimentazione pari a 5 V, si calcoli la massima corrente erogabile dal dispositivo MOSFET. 4. Costruire un modello di ampio segnale del dispositivo MOSFET. 5. Si valuti il modello di piccolo segnale alle condizioni del punto 3.

5.6.1

Risoluzione

Diagramma a bande all’equilibrio quotato Partiamo con una considerazione: al posto del gate metallico, ne abbiamo uno di silicio policristallino. Ci` non ci provoca alcun problema, in quanto esso ` o e del tutto analogo ad un metallo, sotto ogni punto di vista, a parte per l’affinit` elettronica, che al posto di 4, 1 varr` 4, 05. Possiamo immediatamente a a valutare il lavoro di estrazione partendo da qΦp , come: qΦp = EFi (∞) − EF = kT ln qΦSp = qΦp + qχ + NA = 0, 39eV ni

Eg = 5eV 2 Possiamo dunque dire che il potenziale di contatto, ossia la differenza tra i potenziali di metallo e semiconduttore, valga: qΦSp − qΦM = 0, 95eV Sappiamo che il potenziale di contatto allora, analogamente, ΦM S , varr` a 0,95 eV. Calcoliamo la capacit` dell’ossido, COX : a TOX Possiamo ora calcolare l’ampiezza della regione di svuotamento nel semiconduttore, come: COX =
OS

146

xd0 Sappiamo che:

2S = + COX

2S COX

2

ΦM S 2 qNA

S

= 90nm

qNA x2 d0 = 0, 32V ; VOX = ΦM S − VS = 0, 63V 2S Ci troviamo in una zona circa di equilibrio, quindi di fatto siamo in ottime condizioni: il nostro dispositivo MOS ` costruito ottimamente. e VS = Si calcoli la tensione di soglia Possiamo passare al secondo punto, ossia al calcolo della tensione di soglia. Questo ` semplicemente una banale applicazione della teoria; ricordando che: e VT n = VF B + 2Φp + Essa si pu` anche esprimere come: o VT n = VF B + 2Φp + γB 2Φp 1 COX 2q S NA 2Φp

Dove il termine γB ` il body factor, ed ` uguale a: e e √ 2q S NA γB = COX Il significato del body factor pu` tornare molto utile, in quanto abbiamo o calcolato la tensione di soglia, nella teoria, considerando VBS = 0 (per il solito discorso del cortocircuito tra body/bulk e source. Di fatto, il body factor considera anche eventuali tensioni tra body e source, quindi possiamo tenere conto di questa relazione, che potrebbe aiutarci in casistiche generali. Usando una qualsiasi delle due relazioni, si pu` facilmente verificare che: o VT n = 4, 18V Data alimentazione di 5 V, si calcoli la massima corrente erogabile dal dispositivo MOSFET Passando al terzo punto, il problema ci fornisce come tensione massima 5 V. Dalla teoria, sappiamo che, pi` elevata ` VGS , pi` potremo ottenere correnti u e u elevate. Possiamo dunque porre senza molti dubbi, VGS = 5 V.

147

18V . si arriva in zona di weak e poi di strong inversion. QS (VS ). 82 = 4. poich` anche il gate ha la sua a e capacit`: dal gate si vedono due dielettrici: se il transistore ` spento. pi` teorico. Conosciamo gi` l’andamento di questo. ` sufficiente e che essa sia maggiore o uguale del massimo: VDS ≥ VGS − VT n = 5 − 0. allora avremo una polarizzazione inversa sul drain. Il modello di ampio segnale come sappiamo deve saper prevedere le condizioni del dispositivo considerando qualsiasi variazione di tensione con qualsiasi rapidit`. e Non abbiamo ancora fatto considerazioni sul gate: sul gate abbiamo infatti un condensatore a capacit` variabile. e calcolare la a corrente in saturazione. Sappiamo che la capacit` dell’ossido ` costante. e che del semiconduttore a e conosciamo l’andamento della carica complessiva. Il modello di ampio a segnale deve essere il pi` generale di un dispositivo e anche in grado di preveu dere comportamenti statici. come il massimo della regione quadratica: IDS = µn COX W (VGS − VT )2 = 230µAV −2 2L ID. come: a CS = ∂QS ∂VS 148 . ossia della carica del semiconduttore. considerando staticit`. Possiamo dunque calcolare la capacit` variabile del semiconduttore.Per quanto riguarda invece la tensione tra drain e source. per VS a e in zona di equilibrio. dell’esercizio: la costruzione di un u modello di ampio segnale del MOSFET. a a In realt` abbiamo per` effetti capacitivi. e la tensione su di esso e ` positiva. 18 Possiamo dunque considerare per comodit` VDS = 4. e cos` varia radicalmente la carica ı contenuta nel semiconduttore. Man mano che si aumenta la VS . attorno al quale inseriremo ultea riori elementi. e due diodi (dovuti ai pozzetti di a o source e drain). Da un punto di vista logico. Si noti che si usa −VDS poich`. che per il drain (CDEP (−VDS )). tutto il modello si baser` su di un generatore di corrente IDS . siamo in zona di svuotamento nel grafico della QS .Sat = 2mA Costruire un modello di ampio segnale del dispositivo MOSFET Passiamo al quarto punto. Esiste dunque una capacit` di svuotamento sia per il source a (CDEP (0)). VDS . e dal momento che il pozzetto di drain ` drogato n+.

possiamo definire o il parametro del generatore che useremo in un modello a π analogo o quasi a quello del BJT. linearizzando: o IDS βn ∂IDS (VGSop − VT )2 + 2 ∂VGS · vgs (t) VGSop βn (VGS − VT )2 2 Possiamo dire che ids (t) = IDS (VGS ) − IDSop . da ci`. a Si valuti il modello di piccolo segnale alle condizioni del punto 3 Passiamo al modello di piccolo segnale. alle condizioni del terzo punto del problema: in quelle condizioni. e quindi il modello di piccolo segnale ` sensato. Possiamo dunque dire che: VGS (t) = VGSop + vgs (t) Sappiamo che: IDS = Da ci`. ma con una capacit` tra gate e source. al posto di una a resistenza.Semplicemente. il transistore era saturo. sar` sufficiente mettere la capacit` CS in serie con la a a capacit` COX . la VGS : al fine di modulare la corrente IDS . scegliamo semplicemente di modificare l’apertura del canale di inversione. 149 . Scegliamo di considerare come segnale variabile e per il modello. per completare il modello di ampio segnale.

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