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ELETRNICA

Fundamentos e Conceitos de
Eletrnica
Manual de Experincias

IVAN JORGE CHUEIRI

ELETRNICA

Fundamentos e Conceitos de Eletrnica

Ivan Jorge Chueiri


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ELETRNICA

2007 1 Edio,
2008 2 Edio,
2009 3 Edio,
2010 4 Edio,
2011 5 Edio.
Curitiba, PR.

ELETRNICA

NDICE
PREFCIO ..........................................................................................................................................................................................
BIBLIOGRAFIA ................................................................................................................................................................................
A EVOLUO DA ELETRNICA ................................................................................................................................................
RESISTORES .....................................................................................................................................................................................
CAPACITORES .................................................................................................................................................................................
INDUTORES ......................................................................................................................................................................................
DIODOS ..............................................................................................................................................................................................
LEVANTAMENTO DA CURVA CARACTERISTICA DO DIODO RETIFICADOR .............................................................
LEVANTAMENTO DA CURVA CARACTERISTICA DO DIODO ZENER ............................................................................
CIRCUITOS A DIODOS ...................................................................................................................................................................
CIRCUITO RETIFICADOR DE MEIA ONDA ..............................................................................................................................
FONTE REGULADA E GERADOR DE BASE DE TEMPO ........................................................................................................
CIRCUITO RETIFICADOR ONDA COMPLETA EM PONTE ..................................................................................................
CIRCUITOS CEIFADORES .............................................................................................................................................................
GRAMPEADORES E DOBRADORES DE TENSO ...................................................................................................................
TRANSISTOR BIPOLAR (BJT) ......................................................................................................................................................
CURVA DO TRANSISTOR MODO EMISSOR COMUM ...........................................................................................................
POLARIZAO DC EM MODO EMISSOR COMUM ...............................................................................................................
TRANSISTOR: CORTE E SATURAO - CONCEITO DE OPEN COLECTOR ..............................................................
FONTE REGULADA COM AJUSTE E PROTEO ..................................................................................................................
GANHO CA DE UM CIRCUITO TRANSISTORIZADO ............................................................................................................
CIRCUITO TRANSISTORIZADO DE DOIS ESTGIOS EM CASCATA ...............................................................................
CIRCUITO TRANSISTORIZADO DE DOIS ESTAGIOS COM REALIMENTAO ...........................................................
AMPLIFICADOR DE ADIO CLASSES DE AMPLIFICADORES .......................................................................................
CIRCUITO TOTEM POLE (PUSH-PULL OU AMPLIFICADOR CLASSE B) .......................................................................
TRANSISTOR DE UNIJUNO (UJT) .........................................................................................................................................
MISTURADOR DE CORES UTILIZANDO UJT ..........................................................................................................................
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (JFET) ........................
JFET TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO CURVA CARACTERSTICA .................................................................
JFET AMPLIFICADOR DC EM CONFIGURAO AUTOPOLARIZAO .....................................................................
JFET AMPLIFICADOR DC EM CONFIGURAO DIVISOR DE TENSO .....................................................................
JFET AMPLIFICADOR FONTE COMUM, DIVISOR DE TENSO .....................................................................................
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (MOSFET) .............................
MOSFET TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO CURVA CARACTERSTICA .........................................................
MOSFET TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO PORTAS LGICAS .........................................................................
MOSFET TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO COMO CHAVE ON/OFF ....................................................................
AMPLIFICADOR DIFERENCIAL ................................................................................................................................................
OP AMP AMPLIFICADOR DIFERENCIAL BJT ....................................................................................................................
OP AMP AMPLIFICADOR DIFERENCIAL JFET ..................................................................................................................
AMPLIFICADOR OPERACIONAL ..............................................................................................................................................
OP AMP DRIVER E REFERNCIA DE TENSO ...................................................................................................................
OP AMP INVERSOR NO INVERSOR ..................................................................................................................................
OP AMP ASSOCIAO EM CASCATA ...................................................................................................................................
OP AMP GANHO CONTROLADO POR JFET ........................................................................................................................
OP AMP INTEGRADOR E DIFERENCIADOR .......................................................................................................................
OP AMP SOMADOR ....................................................................................................................................................................
OP AMP SUBTRATOR ................................................................................................................................................................
OP AMP COMPARADOR ............................................................................................................................................................
OSCILADORES ................................................................................................................................................................................

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OSCILADOR HARMONICO EM PONTE WIEN .......................................................................................................................
OSCILADOR HARMONICO POR DESLOCAMENTO DE FASE (PHASE SHIFT OSCILLATOR) .................................
OSCILADOR HARMONICO TIPO DUPLO T (TWIN-T OSCILLATOR) ..............................................................................
OSCILADOR HARMONICO COLPITTS (COLPITTS OSCILATTOR) .................................................................................
OSCILADOR HARMONICO CLAPP (THE CLAPP OSCILATTOR) .....................................................................................
OSCILADOR HARMONICO HARTLEY (THE HARTLEY OSCILATTOR) ........................................................................
OSCILADOR HARMONICO ARMSTRONG (THE ARMSTRONG OSCILATTOR) .....
OSCILADOR DE REALAXAO ................................................................................................................................................
OSCILADOR PWM ........................................................................................................................................................................
CIRCUITO GERADOR DE BURST ..............................................................................................................................................
GERADORES DE FUNES .........................................................................................................................................................
GERADOR DE ONDA QUADRADA .............................................................................................................................................
GERADOR DE ONDA TRIANGULAR .........................................................................................................................................
GERADOR ONDA SENOIDAL A PARTIR DE ONDA TRIANGULAR ..................................................................................
GERADOR DE IMPULSOS ............................................................................................................................................................
GERADOR DE FUNES DIGITAL ........................................................................................................................................
GERADOR DE FUNES ANALGICO ................................................................................................................................
FILTROS ...........................................................................................................................................................................................
PLL PHASE LOOKED-LOOP ....................................................................................................................................................
REGULADORES DE TENSO .....................................................................................................................................................
REGULADORES DE CORRENTE ...............................................................................................................................................
PR-AMPLIFICADOR DE ADIO INTEGRADO ....................................................................................................................
PR-AMPLIFICADOR DE ADIO DISCRETO ........................................................................................................................
EXPANSOR LINEAR DE VOLUME ............................................................................................................................................
AGC CONTROLE AUTOMTICO DE GANHO ....................................................................................................................
CURRENT DUMPING AMPLIFIER 50WRMS ..........................................................................................................................
LM12 AMPLIFICADOR DE POTNCIA .................................................................................................................................
LM12 AMPLIFICADOR EM PONTE ........................................................................................................................................
FONTE DE ALIMENTAO LINEAR VARIVEL 2 A 30VDC ............................................................................................
CIRCUITO SEQUNCIAL DE 16 CANAIS UP/DOWN .........................................................................................................
CONTADOR SEQUNCIAL ..........................................................................................................................................................
FOTOCLULA INTELIGENTE ....................................................................................................................................................

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SENSOR DE TEMPERATURA ......................................................................................................................................................

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PREFCIO
Este manual foi elaborado para execuo de experimentos e desenvolvimentos de circuitos eletrnicos. Desde a
inveno do transistor (transfer resistor) por John Bardeen, Willian Shockley e Walter Brattain, cientistas do
Bell Telephone Laboratories no dia 16 de dezembro de 1948 -- cinqenta anos depois da descoberta do eltron
por Joseph John Thomson e cem anos depois do nascimento de Alexander Graham Bell, o transistor valeu a seus
inventores o prmio Nobel de Fsica de 1956. citado na edio de janeiro de 1998 da revista Proceedings of the
IEEE (edio comemorativa dos 50 anos do transistor) como ... a inveno da engenharia eltrica mais
revolucionria do sculo XX, cujo impacto sentido todo momento, em todo lugar na era da informao.

Considerada a maior inveno do sculo XX, onde todo e qualquer equipamento movido, acionado, controlado
atravs da eletricidade, utiliza transistores. Modernos computadores, eletrnica embarcada, meios de
comunicao, equipamentos de diagnsticos, brinquedos, domtica e tudo mais no mundo da tecnologia, utilizam
transistores. A evoluo da microeletrnica vem permitindo cada vez mais a diminuio do tamanho dos
transistores, que por sua vez vem permitindo maior quantidade de transistores em reas de silcio que outrora
permitia a criao de circuitos em VLSI (Very Large Scale of Integration). Hoje ultrapassa o conceito ULSI
(Ultra Large Scale of Integration), aumenta-se a velocidade dos dispositivos e finalmente diminui-se mais ainda o
tamanho dos transistores.
Como ferramenta auxiliar para estes desenvolvimentos sugerimos a utilizao da ferramenta PSPICE em
conjunto com a ferramenta de desenvolvimento OrCAD, tanto para projetos eletrnicos como em
microeletrnica, que na realidade, nos dias de hoje j chamada de nano eletrnica em funo das dimenses
dos dispositivos eletrnicos.

ELETRNICA

BIBLIOGRAFIA
MICROELETRNICA,
A. S. Sedra e K. C. Smith, ISBN 978-85-7605-022-3, PEARSON, Prentice Hall, So Paulo, 5 ed., 848 pp;

DISPOSITIVOS ELETRNICOS E TEORIA DE CIRCUITOS,


Robert L. Boylestad & Louis Nashelsky, ISBN 85.87918-22-2, PEARSON, Prentice Hall, So Paulo, 8 ed., 672 pp;

INTEGRATED ELETRONICS,
Millman & Halkias, ISBN 79-172657, McGRAW-HILL KOGAKUSHA, Ltd., Japan, 1 ed., 1972, 911 pp;

THE ART OF ELECTRONICS,


Horovitz and Hill, ISBN 0521370957, Cambridge University Press, 1125 pp;

BASIC ELECTRONICS,

Bernard Grob ISBN 0-07-024923-7 - Fourth Edition, McGraw-Hill KOGAKUSHA, LTD;

INTEGRATED CONVERTERS,
Paul Jespers, ISBN 0-19-856446-5, Oxford University Press;

THE 555 TIMER APPLICATION SOURCEBOOK, WITH EXPERIENCES,


Howard M. Berlin, ISBN 0-672-21538-1, Ed. Howard W. Sams & Co., Inc.; 158pp;

IC TIMER COOKBOOK,
Walter G. Jung, ISBN 0672214164, Ed. Howard. W. Sams; 1st edition (1977), 287 pp;

CMOS COOKBOOK,
Don Lancaster, ISBN 0750699434, Howard W. Sans and Company, and 512 pp;

CONTEMPORARY LOGIC DESIGN,


Randy H. Katz, ISBN 0805327037, Addison-Wesley Pub Co, 699 pp;

DIGITAL DESIGN WITH CPLD APPLICATIONS AND VHDL,


Robert K. Dueck, ISBN 0-7668-1160-3, Delmar Thomson Learning, 2nd ed., 846 pp;

DIGITAL LOGIC SIMULATION AND CPLD PROGRAMMING,


Steve Waterman, ISBN 0-13-084256-7, Prentice Hall, USA, 2000, 314 pp.

DIGITAL SYSTEMS: HARDWARE ORGANIZATION AND DESIGN,

Frederick J. Hill & Gerald Peterson, ISBN: 0471808067, 3rd edition, John Wiley & Sons, 601 pp;

ELECTRONICS - CIRCUITS, AMPLIFIERS AND GATES,


D. V. Bugg, ISBN 075030109 0, Edit. IOP Publishing Ltd., 377 pp;

ELEMENTOS DE ELETRNICA DIGITAL,


Ivan V. Idoeta & Francisco G. Capuano, Editora rica;

FUNDAMENTALS OF DIGITAL LOGIC WITH VHDL DESIGN WITH CD ROM,


Stephen Brown, ISBN: 0072355964, Book & CD Rom edition, McGraw-Hill Higher Education, 840 pp;

LOGIC AND COMPUTER FUNDAMENTALS,


M. Morris Mano and Charles R. Kime, ISBN 0-13-012468-0, Prentice Hall, 2nd edition (2000), 652pp;

LOGIC CIRCUIT DESIGN,


Alan W. Shaw, ISBN 0030507936, Oxford University Press, 702pp;

LOGICWORKS 4.0,
Book & CD ROM Edition, ISBN 0201326825, Addison-Wesley Pub Co., 202pp;

TTL COOKBOOK,
Don Lancaster, ISBN 0672210355, Howard W. Sans and Company, and 335pp;
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A EVOLUO DA ELETRNICA

Hans Christian Oersted (1777-1851)

Em um ensaio publicado em 1813, Hans Christian Oersted previu que deveria


existir uma ligao entre a eletricidade e o magnetismo. Em 1819, durante uma aula de
Eletricidade, aproximou uma bssola de um fio percorrido por corrente. Com surpresa,
observou que a agulha se movia, at se posicionar num plano perpendicular ao fio.
Quando a corrente era invertida, a agulha girava 180, continuando a se manter nesse
plano. Esta foi a primeira demonstrao de que havia uma relao entre eletricidade e
magnetismo.
Esse efeito, que foi chamado efeito de Oersted, que pode ser verificado com uma
pilha comum de 3volts, um pedao de cobre e uma bssola de bolso. Faa o fio passar
sobre o vidro da bssola. Ligue uma ponta do fio a um dos plos da pilha e a outra ao
plo oposto. Assim que fizer a segunda ligao, a agulha da bssola mudar de
direo: deixar de apontar para o Norte para se colocar perpendicular ao fio de cobre.
Oersted publicou suas observaes sobre o fenmeno em 1820. No mesmo ano,
apresentou-as em Paris, causando grande interesse entre os pesquisadores.
Sua descoberta acidental ocorrida no meio de uma aula pode hoje ser vista como
a iniciadora de um novo ramo de estudos: o eletromagnetismo.
LEI DE OHM

Georg Simon Ohm (1789-1854)

Entre 1825 e 1827, Georg Simon Ohm desenvolveu a primeira teoria matemtica
da conduo eltrica nos circuitos, baseando-se no estudo da conduo do calor de
Fourier e fabricando os fios metlicos de diferentes comprimentos e dimetros usados
nos seus estudos da conduo eltrica. Este seu trabalho no recebeu o merecido
reconhecimento na sua poca, tendo a famosa Lei de Ohm permanecido desconhecida
at 1841 quando recebeu a medalha Copley da Royal Society de Londres. O seu nome
foi dado unidade de resistncia eltrica no Sistema Internacional (SI) de unidades por
deciso do Congresso Mundial Eltrico reunido, em Chicago, em 1893.
Resistncia eltrica a capacidade de um corpo qualquer se opor passagem de
corrente eltrica pelo mesmo, quando existe uma diferena de potencial aplicada. Seu
clculo dado pela Lei de Ohm e, segundo o Sistema Internacional de Unidades (SI),
medida em ohms.
O RESISTOR
Resistncia eltrica de um elemento passivo de circuito que percorrido por uma
corrente invarivel de um Ampre, quando uma tenso eltrica constante de um Volt
aplicada aos seus terminais.
Em 1864 James Clerk Maxwell com 33 anos, havia predito matematicamente a
existncia de ondas eletromagnticas.

James Clerk Maxwell (1831-1879)

Equaes de Maxwell
A teoria do eletromagnetismo foi sua obra-prima. Maxwell conseguiu pensar e
descrever matematicamente os fenmenos eltricos e magnticos com um s grupo de
equaes, as chamadas equaes de Maxwell, que exprimem, em suas relaes, a
unidade dos fenmenos eltricos e magnticos. Lanavam-se as bases de toda a teoria
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do eletromagnetismo, e as equaes de Maxwell ainda hoje auxiliam, em sua forma
original, tanto o projetista de antenas como o estudioso da teoria da relatividade.
Servem tambm para calcular o movimento de um eltron dentro de uma mquina
aceleradora ou para entender o movimento de uma protuberncia na atmosfera solar.
Alm disso, prepararam o caminho para a inveno do rdio.
As transmisses sem fio comearam a ser vislumbradas com os estudos de
Heinrich Rudolf Hertz, fsico alemo que no ano de 1887 fez a primeira demonstrao
do processo de propagao de ondas eletromagnticas atravs do espao.

Heinrch Rudolf Hertz (1857-1894)

Em 1880, ano de sua diplomao, Hertz tornou-se assistente de von Helmholtz e,


durante os trs anos que passou no instituto berlinense, ocupou-se com pesquisas
experimentais sobre a elasticidade dos gases e sobre as descargas eltricas atravs
destes. Em 1883, obteve a docncia na Universidade de Kiel, onde comeou a estudar a
eletrodinmica de Maxwell. Este havia previsto teoricamente a existncia das ondas
eletromagnticas, mas o fato ainda no havia sido comprovado experimentalmente.

Guglielmo Marconi (1874-1937)

Thomas Alva Edison (1847-1931)

Guglielmo Marconi nasceu na cidade de Bolonha a 25 de abril de 1874. Filho de


Giuseppi Marconi, um negociante casado com Ana Jameson, me de Guglielmo, que
descendia de uma famosa famlia de destiladores de Dublin. Desde a mais tenra idade
Guglielmo Marconi sempre foi um sonhador. Tinha uma paixo pela eletricidade e
passava horas a brincar com baterias e fios.
Em 1894 com 20 anos, Guglielmo teve conhecimento das descobertas de Hertz
no domnio da eletricidade. Hertz era um fsico brilhante que provara a existncia das
ondas eletromagnticas, usando um equipamento rudimentar, fizera passar energia
eltrica entre dois pontos sem utilizar fios. Marconi pensou em controlar as ondas
Hertzianas para fins de comunicao. Bastaria juntar um manipulador telegrfico ao
transmissor e emitir as ondas em cdigo Morse para enviar mensagens invisveis
atravs do ar. Com dificuldades de concentrao na escola, tornou-se um jovem
obcecado em inventar a telegrafia sem fios (TSF). De um dos lados de uma colina
conseguiu que um sinal Morse fosse recebido do outro lado, a uma distncia de dois
quilmetros e meio.
Seu maior feito foi a inveno do rdio. Aos 35 anos em 1909, Marconi recebe o
prmio Nobel de fsica, pelos seus inventos e suas contribuies.
Thomas Alva Edison nasceu no dia 11 de fevereiro de 1847 em Milan, Ohio. Por
volta de 1855, o reverendo Engle era o professor da nica sala de aula da cidade, e
queixava-se de Thomas, que se recusava a fazer as lies. "O garoto confuso da
cabea, no consegue aprender", dizia. Trs meses depois, Thomas Alva Edison deixou
a classe e nunca mais voltaria a freqentar uma escola.
Edison registrou seu primeiro invento - uma mquina de votar, pela qual ningum
se interessou - quando tinha 21 anos. Dois anos mais tarde, inventou um indicador
automtico de cotaes da bolsa de valores. Vendeu-o por 40 mil dlares e tomou a
deciso de trabalhar em um laboratrio prprio, num subrbio de Nova York.
Em 1876, j famoso, a grandeza de seus recursos e a amplitude de suas atividades
motivaram a construo de um verdadeiro centro de pesquisas em Menlo Park. Era
quase uma cidade industrial. Possua oficinas, laboratrios, assistentes e tcnicos
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capacitados. Nessa poca, Edison chegou a propor-se a meta de produzir uma nova
inveno a cada dez dias. No chegou a tanto, mas verdade que, num certo perodo
de quatro anos, conseguiu patentear 300 novos inventos, o que equivale praticamente a
uma criao a cada cinco dias.
Em 1877 inventou o fongrafo. Quando a gravao estava completa, a ponta era
substituda por uma agulha; a mquina desta vez reproduzia as palavras quando o
cilindro era girado mais uma vez.
Em 1878, com 31 anos, props a si mesmo o desafio de obter luz a partir da
energia eltrica. Edison tentou inicialmente utilizar filamentos metlicos. Foram
necessrios enormes investimentos e milhares de tentativas para descobrir o filamento
ideal: um fio de algodo parcialmente carbonizado. Instalado num bulbo de vidro com
vcuo, e se aquecia com a passagem da corrente eltrica at ficar incandescente sem,
porm derreter, sublimar ou queimar. Em 1879, uma lmpada assim construda brilhou
por 48 horas contnuas e, nas comemoraes do final de ano, uma rua inteira prxima
ao laboratrio, foi iluminada para demonstrao pblica. Durante os trabalhos de
desenvolvimento da lmpada, Edison detectou outro fenmeno que passou a ser
chamado de Efeito Edison, que redundou na primeira vlvula terminica (Ver pg. 20).
Nikola Tesla nasceu na Crocia. Foi engenheiro e estudou nas Universidades de
Gratz na ustria e na de Praga na Checoslovquia. Em 1884 emigrou para os Estados
Unidos da Amrica onde trabalhou para Edison. Trs anos depois criou o seu prprio
laboratrio onde inventou o motor de induo que funciona com corrente alternada no
precisando de escovas. Trabalhou para Westinghouse impulsionando o uso da corrente
alternada na rede eltrica versus a utilizao de corrente contnua defendida por
Edison.

Nikola Tesla (1856-1943)

O sistema de corrente alternada acabaria por se impor, devido s suas vantagens.


Tesla registrou inmeras patentes entre as quais destaca-se a bobina de Tesla, uma
lmpada precursora das lmpadas fluorescentes e uma bomba que funcionava sem
palhetas. Tinha uma personalidade bastante excntrica vivendo num mundo de
fantasia. Razo pela qual no lhe foi dado o devido crdito.
Tesla construiu um laboratrio em Colorado Springs, em 1899, para efetuar
experimentos com eletricidade de alta freqncia e outros fenmenos. Naquele
laboratrio ele recebeu e registrou ondas de rdio csmicas, atravs de instrumentos
muito sensveis desenvolvidos por ele. Quando anunciou que havia recebido sinais de
rdio extraterrestres, a comunidade cientfica no acreditou em suas palavras, porque
ainda no se tinha conhecimento da real existncia das ondas csmicas.

Alexander Graham Bell (1847-1922)

Alexander Graham Bell nasceu no dia 3 de maro de 1847, em Edimburgo, na


Esccia. Sua famlia tinha tradio e renome como especialista na correo da fala e no
treinamento de portadores de deficincia auditiva.
Mais tarde, aps ter emigrado para os Estados Unidos da Amrica, em Boston,
fundou uma escola e nela lecionava fisiologia vocal. Decorria o ano de 1865 quando
lhe surgiu a idia da transmisso da voz por ondas eltricas, mas apenas registrou a
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patente do telefone em 1876. No ano seguinte formou a empresa "Bell Telephone
Company". As suas invenes foram imensas e contriburam para um rpido
desenvolvimento de muitas ansiedades da humanidade.
Bell apresentou seu invento ao pblico na Exposio do Centenrio, na
Filadlfia. Em 1898, Bell substituiu o sogro na presidncia da Society, transformou o
velho boletim da entidade na belssima National Geographic Magazine, semelhante
que temos hoje.

Apresentao do telefone

Inventor um homem que olha para o mundo em torno de si e no ficam satisfeitas


com as coisas como elas so. Ele quer melhorar tudo o que v e aperfeioar o mundo.
perseguido por uma idia, possudo pelo esprito da inveno e no descansa
enquanto no materializa seus projetos.
(Palavras de Alexander Graham Bell gravadas em uma placa no museu que leva o seu
nome, em Baddeck no Canad.).

O DIODO

John Ambrose Fleming (1849-1945)

Nove anos aps Edison ter descoberto o efeito que passou a ter seu nome (Efeito
Edison), em 1904, outro pesquisador ingls, John Ambrose Fleming daria
prosseguimento e obteria o primeiro resultado prtico. Ao contrrio de Edison e
Preece, que utilizaram como segundo elemento, apenas um fio metlico, ao professor
Fleming ocorreu idia de envolver todo o filamento da lmpada com uma placa
metlica. Fleming foi aluno James Clerk Maxwell nas cadeiras de matemtica e
eletricidade. Foi consultor cientfico de Marconi de 1899 a 1905, onde desenvolveu
tcnicas de radiotelegrafia, osciladores de centelhamento, geradores de rudo branco, e
desenvolvimento de circuitos sintonizados.

O TRANSISTOR

Bardeen, Shockley e Brattain

Inventado por cientistas do Bell Telephone Laboratories no dia 16 de dezembro


de 1947 - cinqenta anos depois da descoberta do eltron por Joseph John Thomson e
cem anos depois do nascimento de Alexander Graham Bell - o transistor valeu aos
seus inventores o prmio Nobel de fsica de 1956.
O invento de John Bardeen, William Bradford Shockley e Walter Houser
Brattain, possibilitou uma enorme evoluo na eletrnica contempornea. Por este
feito os trs cientistas receberam o Prmio Nobel de Fsica em 1956.
A inveno do transistor citada na edio de janeiro de 1998 da revista
Proceedings of the IEEE (edio comemorativa dos 50 anos do transistor) como a
inveno da engenharia eltrica mais revolucionria do sculo XX, cujo impacto
sentido todo momento, em todo lugar na era da informao.

Medalha do Nobel de Fsica

O CIRCUITO INTEGRADO
O primeiro circuito integrado, um conjunto de transistores em uma mesma lmina
de silcio e transistores em germnio foi inventado pelo pesquisador da TEXAS
Instruments, Jack St. Clair Kilby, tambm inventor da primeira calculadora porttil e
impressoras trmicas. Alm de ganhador do Nobel de Fsica em 2000, pela sua
contribuio microeletrnica, em sua homenagem um dos flip-flops mais utilizado
em circuitos digitais leva suas iniciais. Flip-flop JK.

Jack Kilby (1923-2005)

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RESISTORES
RESISTNCIA ELTRICA:
Por definio, todo material ou dispositivo que transforma energia eltrica em calor, explicado pelo Efeito Joule.Um
resistor ideal um componente com uma resistncia eltrica que permanece constante independentemente da tenso ou
corrente eltrica que circular pelo dispositivo.
A caracterstica principal de um resistor sua resistncia, dada em Ohms, possuindo relao entre tenso e corrente.
Essa relao dada por uma simples equao, Lei de Ohm:

R = E/i

R = Resistncia dada em Ohms ();


E = Tenso dada em Volts (V);
I = Corrente dada em Ampre (A).

RESISTIVIDADE ELTRICA:
A resistncia eltrica de um material condutor depende da sua geometria e composio. O parmetro relativo ao
material e denominado resistividade eltrica. Em um dado material homogneo de comprimento l e seo transversal A a
resistividade ser:

R=l/A

(m)

R = Resistncia eltrica dada em Ohms ();


= Resistividade eltrica do material;
l = Comprimento;
A = rea da seo transversal.

SRIES E6, E12, E24 (Resistores de quatro faixas)


SRIE E6

1,0 1,5 2,2 3,3 4,7 6,8

SRIE E12

1,0 1,2 1,5 1,8 2,2 2,7 3,3 3,9 4,7 5,6 6,8 8,2

SRIE E24

1,0 1,1 1,2 1,3 1,5 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,7 3,0 3,3 3,6 3,9 4,3 4,7 5,1 5,6
6,2 6,8 7,5 8,2 9,1

SRIES E48, E96, E192 (Resistores de cinco faixas)


SRIE E48

1,00 1,05 1,10 1,15 1,21 1,33 1,40 1,47 1,54 1,62 1,69 1,78 1,87 1,96 2,05 2,15
2,26 2,37 2,49 2,61 2,74 2,87 3,01 3,16 3,32 3,48 3,65 3,83 4,02 4,22 4,42 4,64
4,87 5,11 5,36 5,62 5,90 6,19 6,49 6,81 7,15 7,50 7,87 8,25 8,66 9,09 9,53

SRIE E96

1,00 1,02 1,05 1,07 1,10 1,13 1,15 1,18 1,21 1,24 1,27 1,30 1,33 1,37 1,40 1,43
1,47 1,50 1,54 1,58 1,62 1,65 1,69 1,74 1,78 1,82 1,87 1,91 1,96 2,00 2,05 2,10
2,15 2,21 2,26 2,32 2,37 2,43 2,49 2,55 2,61 2,67 2,74 2,80 2,87 2,94 3,01 3,09
3,16 3,24 3,32 3,40 3,48 3,57 3,65 3,74 3,83 3,92 4,02 4,12 4,22 4,32 4,42 4,53
4,64 4,75 4,87 4,99 5,11 5,23 5,36 5,49 5,62 5,76 5,90 6,04 6,19 6,34 6,49 6,81
7,15 7,32 7,50 7,68 7,87 8,06 8,25 8,66 8,87 9,09 9,31 9,53 9,76

SRIE E192

1,00 1,01 1,02 1,04 1,05 1,06 1,07 1,09 1,10 1,11 1,13 1,14 1,15 1,17 1,18 1,20
1,21 1,23 1,24 1,26 1,27 1,29 1,30 1,32 1,33 1,35 1,37 1,38 1,40 1,42 1,43 1,45
1,47 1,49 1,50 1,52 1,54 1,56 1,58 1,60 1,62 1,64 1,65 1,67 1,69 1,72 1,74 1,76
1,78 1,80 1,82 1,84 1,87 1,89 1,91 1,93 1,96 1,98 2,00 2,03 2,05 2,08 2,10 2,13
2,15 2,18 2,21 2,23 2,26 2,29 2,32 2,34 2,37 2,40 2,43 2,46 2,49 2,52 2,55 2,58
2,61 2,64 2,67 2,71 2,74 2,77 2,80 2,84 2,87 2,91 2,94 2,98 3,01 3,05 3,09 3,12
3,16 3,20 3,24 3,28 3,32 3,36 3,40 3,44 3,48 3,52 3,57 3,61 3,65 3,70 3,74 3,79
3,83 3,88 3,92 3,97 4,02 4,07 4,12 4,17 4,22 4,27 4,32 4,37 4,42 4,48 4,53 4,59
4,64 4,70 4,75 4,81 4,87 4,93 4,99 5,05 5,11 5,17 5,23 5,30 5,36 5,42 5,49 5,56
5,62 5,69 5,76 5,83 5,90 5,97 6,04 6,12 6,19 6,26 6,34 6,42 6,49 6,57 6,65 6,73
6,81 6,90 6,98 7,06 7,15 7,23 7,32 7,41 7,50 7,59 7,68 7,77 7,87 7,96 8,06 8,16
8,25 8,35 8,45 8,56 8,66 8,76 8,87 8,98 9,09 9,19 9,31 9,42 9,53 9,65 9,76 9,88
11

ELETRNICA

Para maior compreenso das tabelas acima, acesse:


Identificao de Resistores
http://samengstrom.com/nxl/2020/6_band_resistor_color_code_page.en.html
Tabelas das sries de resistores
http://www.logwell.com/tech/components/resistor_values.html

O uso de resistores se faz em todo e qualquer tipo de circuito que utilize energia eltrica, portanto o componente passivo mais
utilizado nesta rea.
Resistores podem ser associados de trs maneiras: Srie, Paralela ou de forma Mista.

Rt = R1 + R2 + Rn

1/Rt = 1/R1 + 1/R2 + 1/Rn

Resistor de Filme Metlico


(Metal Oxide Film Resistor)

Resistor de Filme Carbono


(Carbon Film Resistor)

Resistor de Fio com Dissipador de Alumnio


(Aluminum Housed Wire Wound Power
Resistor)

Resistor Cermico
(Wire wound ceramic resistor)

Resistor de Fio
(Wire Resistor)

12

Rt= R1 + R2 + (R3 x R4 / R3 + R4)

ELETRNICA

CAPACITORES
CAPACITORES OU CONDENSADORES:
Capacitores diferentemente dos resistores que so utilizados para limitar a passagem de corrente eltrica, causando
uma queda de tenso sobre eles prprios, um componente que armazena energia eltrica.
Esta caracterstica evidenciada pela sua construo. Um capacitor constitudo por duas placas paralelas isoladas
por um material denominado dieltrico. As placas de um capacitor podem ser de alumnio, polister, polipropileno, tntalo ou
outro tipo de material. O dieltrico pode ser mica, vidro, papel e at mesmo o ar.
Capacitores so utilizados para eliminar sinais indesejados, oferecendo um caminho mais fcil pelo qual a energia
associada a esses sinais esprios pode ser escoada, impedindo-a de invadir o circuito protegido. Nestas aplicaes,
normalmente quanto maior a capacitncia melhor o efeito obtido e podem apresentar grandes variaes de tolerncias.
J capacitores empregados em aplicaes que requerem maior preciso, tais como os capacitores que determinam a
freqncia de oscilao de um circuito, possuem tolerncias menores, so mais precisos e mais estveis, principalmente com as
variaes de temperatura.
A capacitncia de um capacitor uma constante caracterstica do componente, assim, ela vai depender de certos
fatores prprios do capacitor. A rea das armaduras, por exemplo, influi na capacitncia, que tanto maior quanto maior for o
valor desta rea. Em outras palavras, a capacitncia C proporcional rea A de cada armadura, ou seja:

C A
A espessura do dieltrico outro fator que influi na capacitncia. Verifica-se que quanto menor for a distncia d entre
as armaduras maior ser a capacitncia C do componente, isto :

C 1/d
Este fator tambm utilizado nos capacitores modernos, nos quais se usam dieltricos de grande poder de isolamento,
com espessura bastante reduzida, de modo a obter grande capacitncia.

C = ke0 . A/d
Onde:
C:
Ke0:
d:
A:

Capacitncia;
Constante dieltrica;
Distncia entre as superfcies condutoras;
rea dos condutores.

Material
Ar
Vidro
Ebonite
Mica
Borracha Pura
xido de alumnio
Pentxido de Tntalo
Cera de abelha
Parafina

Rigidez (kV/cm
30
75-300
270-400
600-750
330

1100
600

Constante (k)
1
3,8
2,8
5,4-8,7
3
8,4
26
3,7
3,5

A unidade de capacitncia expressa em Farad, em homenagem ao cientista britnico Michel Faraday. J que o farad
uma unidade muito grande, valores de capacitores so geralmente expressos em microfarads (F), nanofarads (nF), ou
picofarads (pF).
Como o milifarad raramente usado na prtica, uma capacitncia de 4.710-3 F, por exemplo, geralmente escrita como
4.700F (embora tambm possa ser 4,7mF).
TIPOS DE CAPACITORES
Capacitores de mica;
Capacitores de papel;
Capacitores Stiroflex;
Capacitores de polipropileno;
Capacitores de polister;
Capacitores de policarbonato;
Capacitores cermicos;
Capacitores eletrolticos Alumnio ou Tntalo;
Supercapacitores.
13

ELETRNICA
SIMBOLOGIA E CDIGO DE CORES

TABELA DE APLICAES:

14

ELETRNICA
ASSOCIAO DE CAPACITORES:
ASSOCIAO SRIE

Q1 Q2 Q3 cons tan te
U U1 U 2 U3
1
1 1 1
Ceq. C1 C2 C3
ASSOCIAO PARALELA

U1 U2 U3 cons tan te
Q Q1 Q2 Q3
Ceq. C1 C2 C3
MLTIPLOS DO FARAD

15

ELETRNICA

INDUTORES
INDUTORES:
Indutor um dispositivo eltrico passivo que armazena energia na forma de campo magntico, normalmente
combinando o efeito de vrios laos da corrente eltrica. Indutore podem ser utilizados em circuitos como filtros passa baixa,
passa bandas, passa altas ou rejeitando freqncias, ou ento como filtros em fontes de alimentao. Outra aplicao em
fontes chaveadas.
Geralmente o indutor constituido de uma bobina de material condutor, por exemplo, fio de cobre. Um ncleo de
material ferromagntico aumenta a indutncia concentrando as linhas de fora de campo magntico que fluem pelo interior das
espiras.
Indutores, assim como capacitores podem ser construdos em circuitos integrados utilizando o mesmo processo de
fabricao de transistores.
Para frequncias acima de 400Hz utiliza-se nucleos de ferrite. Quanto maior a frequncia, menor ser o ncleo. Para
frequncias de 0Hz a 400Hz, usa-se como ncleo o ao silcio.
Um grande fabricante de ncleos de ferrite a empresa brasileira Thornton Eletrnica Ltda.

Ncleos de Ferrite Thornton

Permeabilidade o grau de magnetizao de um material em resposta a um campo magntico. A permeabilidade absoluta


representada pela letra grega (pronuncia-se mi).

=B/H
onde B a densidade do fluxo magntico (tambm conhecida como induo magntica) no material e H a fora do campo
magntico.
16

ELETRNICA
No sistema internacional de unidades, a densidade do fluxo magntico medida em teslas (T), a fora do campo
magntico em Ampres por metro (A/m) e a permeabilidade em Henry por metro (H/m), ou Newton por Ampre ao quadrado
(N/A2).
A permeabilidade relativa, por vezes escrita com o smbolo r e frequentemente apenas com , a razo entre a
permeabilidade absoluta e a permeabilidade do espao livre (vcuo) 0:
onde: 0 = 4 10-7 NA-2

r = / 0

TABELA DE CONVERSES

FRMULAS

17

ELETRNICA

NCLEOS DE FERRITE
Fabricados com materiais nquel-zinco e magnsio-zinco, e designados pelo prefixo FT; os ncleos de ferrite de
nquel-zinco tm alto volume de resistividade, alto Q de 500 kHz a 100 MHz, moderada estabilidade de temperatura e vo
de 125 a 850 na escala de permeabilidade relativa (r). J os ncleos de ferrite de magnsio-zinco tem uma permeabilidade
relativa (r) muito alta, de 850 a 5000, alto Q de 1 kHz a 1 MHz, baixo volume de resistividade e moderada saturao, sendo
muito utilizados em fontes de alimentao e filtros de RFI ( o caso dos ferrites utilizados em antenas internas de rdios AM).
INDUTNCIA
Indutncia a grandeza fsica associada aos indutores, simbolizada pela letra L, medida em Henry (H), e
representada graficamente por um fio helicoidal. Em outras palavras um parmetro dos circuitos lineares que relaciona a
tenso induzida por um campo magntico varivel corrente responsvel pelo campo. A tenso entre os terminais de um
indutor proporcional taxa de variao da corrente que o atravessa. Matematicamente temos:

onde u(t) a tenso instntanea, sua unidade de medida o volt (V), L a indutncia, sua unidade de medida o Henry (H), i
a corrente, sua unidade de medida o ampere (A) e t o tempo (s).
ENERGIA
A energia (medida em joules, no SI) armazenada num indutor igual quantidade de trabalho necessria para
estabalecer o fluxo de corrente atravs do indutor e, conseqentemente, o campo magntico. dada por:

Onde I a corrente que circula pelo indutor.


18

ELETRNICA
Um indutor resiste somente a mudanas de corrente. Um indutor ideal no oferece resistncia para corrente contnua,
exceto quando a corrente ligada e desligada, caso em que faz a mudana de modo mais gradual. Porm, a maioria dos
indutores do mundo real so construdos a partir de materiais com resistncia eltrica finita, que se ope at mesmo corrente
direta.
A relao entre a variao da tenso de acordo com o tempo u(t) atravs de um indutor com indutncia L e a variao
da corrente de acordo com o tempo i(t) que passa por ele descrita pela equao diferencial:

Quando uma corrente alternada (CA) senoidal flui por um indutor, uma tenso alternada senoidal (ou fora
eletromotriz, Fem) induzida. A amplitude da Fem est relacionada com a amplitude da corrente e com a freqncia da
senide pela seguinte equao:
onde a freqncia angular da senide definida em termos da freqncia f por:

A reatncia indutiva definida por:


onde XL a reatncia indutiva medida em Ohms (medida de resistncia), a freqncia angula, f a freqncia em hertz, e L
a indutncia. A reatncia indutiva o componente positivo imaginrio da impedncia.
A impedncia complexa de um indutor dada por:

onde j a unidade imaginria.


ASSOCIAO DE INDUTORES
Cada indutor de uma configurao em paralelo possui a mesma diferena de potencial (tenso) que os demais. Para
encontrar a indutncia equivalente total (Leq):

A corrente atravs de indutores em srie permanece a mesma, mas a tenso de cada indutor pode ser diferente. A soma
das diferenas de potencial igual tenso total. Para encontrar a indutncia total:

19

ELETRNICA

DIODOS
A primeira vlvula eletrnica, o diodo, surgiu quando Thomas Alva Edison em 1879 faz funcionar mais uma de suas
invenes, que foi a lmpada eltrica. Neste momento ele no imaginava estar tambm fazendo nascer tcnica que
proporcionaria a construo da primeira vlvula de rdio.
A lmpada de Edison consistia em um filamento de carvo colocado dentro de uma
ampola de vidro, na qual era produzido o vcuo. Apesar do sucesso inicial, algo comeou a
preocupar o inventor. Depois de algumas horas ligada a lmpada apresentava certo
enegrecimento em sua ampola de vidro, reduzindo, portanto a luminosidade. Estudando o
fenmeno, concluiu Edison que partculas de carvo se desprendiam do filamento em direo
ampola, causando seu enegrecimento. Em uma das tentativas de resolver o problema,
colocou dentro da lmpada e em paralelo com o filamento, um segundo elemento que
consistia em um simples fio metlico. A inteno era que este novo elemento retivesse as
partculas de carvo, evitando assim que atingissem a ampola.
Conectando este fio a uma tenso positiva, notava-se uma deflexo no galvanmetro
conectado em srie, indicando uma passagem de corrente entre este novo elemento e o
filamento da lmpada. Confirmou-se ento a suposio de que o novo elemento solucionaria a
questo do enegrecimento. Edison ento concluiu que a corrente que circulava entre o
filamento e o fio metlico (que hoje chamaramos de placa) no circulava atravs do vcuo,
mas sim atravs das partculas de carvo emitidas pelo filamento.
Observou tambm que ao aplicar uma tenso negativa ao novo elemento, o galvanmetro nada indicava, concluindo,
pois que a corrente circulava em um nico sentido. Embora no o tenha conseguido explicar convenientemente, batizou a nova
descoberta como "EFEITO EDISON, fato este levado ao pblico em 1883. Em verdade sem o saber, Edison havia construdo
a primeira vlvula terminica.
Outros pesquisadores haveriam de prosseguir os estudos sobre a descoberta de T. A. Edison, assim que em 1895, W.
R. Preece, na Inglaterra estudou mais profundamente o fenmeno, chegando a concluses bem mais concretas. Concluiu
Preece que partculas carregadas de eletricidade negativa eram emitidas pelo filamento e atradas pelo segundo elemento
carregado com eletricidade positiva e repelidas pelo mesmo, quando carregado negativamente (emisso de eltrons). Apesar do
estudo mais aprofundado, no ocorreram a Preece quaisquer usos prticos, resultantes das concluses a que chegou.
O assunto caiu no esquecimento e somente nove anos mais tarde, em 1904, outro pesquisador ingls, John Ambrose
Fleming daria prosseguimento e obteria o primeiro resultado prtico. Ao contrrio de Edison e Preece, que utilizaram como
segundo elemento, apenas um fio metlico, ao professor Fleming ocorreu idia de envolver todo o filamento da lmpada com
uma placa metlica. Como resultado obteve correntes muito maiores circulando entre o filamento e a placa observando que
tambm variavam de intensidade de acordo com o dimetro da placa e a distancia desta em relao ao filamento. A primeira
vlvula "diodo" de uso prtico estava criada, pois Fleming teve a feliz iniciativa de us-la como detector de ondas
radioeltricas.
A vlvula Diodo dois elementos internos: placa e catodo. Algumas no possuem catodo, sendo chamadas de diodos
de aquecimento direto. O prprio filamento emite os eltrons para a placa. Os diodos com catodo so chamados de
aquecimento indireto. Abaixo vemos alguns tipos e o funcionamento.

O diodo moderno o mais simples dispositivo semicondutor; constitudo de uma juno PN semicondutora, permite
conduzir em um s sentido, tal qual a lmpada de Edison, que originou a primeira vlvula.
Os tipos mais usados so de Si (Silcio) e de Ge (Germnio). O seu comportamento eltrico depende da distribuio
de impurezas e da geometria da juno.
So classificados como diodos de sinal, retificadores, zeners, reguladores de tenso, detectores, emissores de luz,
fotos-diodo, etc..
Geralmente, os diodos so utilizados de tal forma a se aproveitar as caractersticas de assimetria da relao voltampre; so usados no chaveamento e na gerao de tenses e correntes alternadas, em resumo o diodo um dispositivo de
20

ELETRNICA
semicondutor que permite a corrente fluir em uma s direo. Embora um transistor tambm seja um dispositivo semicondutor,
no opera do mesmo modo que um diodo. Um diodo feito especificamente para permitir que a corrente flua em uma s
direo.
TIPOS DE DIODOS:
Diodo Retificador

Diodo Zener

Diodo Tnel

Diodo Schottky

Diodo PIN

Diodo GUNN

Diodo Varicap

Diodo LED

Diodo Emissor de Luz

Diodo Receptor ou fotodiodo

Foto-acoplador

Diodo LASER

DIAC

SCR

TRIAC

TransZorb

21

ELETRNICA
NOMENCLATURAS:
As nomenclaturas dos dispositivos semicondutores seguem o padro JEDEC (JOINT ELECTRONIC DEVICES
ENGINEERING COUNCIL), que normaliza (STANDARD) as pinagens e nomenclaturas dos componentes.
A primeira letra indica o tipo de
material semicondutor
A
Germnio

A segunda letra indica o tipo e aplicao


A

Diodo de sinal (diodo detector, de comutao a alta velocidade, misturador);

Silcio

Diodo de capacitncia varivel (VARICAP)

Arseneto de Glio

Transistor de aplicao em baixa freqncia

Antimnio de ndio

Transistor de potncia para aplicao em baixa freqncia

Outros compostos

Diodo Tnel

Transistor de aplicao em alta freqncia

Transistor de potncia para aplicao em alta freqncia

Dispositivo sensvel radiao

Tiristores

Transistor de aplicao em comutao

Tiristores

Transistor de potncia para aplicao em comutao

Diodo multiplicador (VARACTOR);

Diodo de potncia;

Diodo Zener;

NMERO

PRIMEIRA LETRA

SEGUNDA LETRA

Transistor PNP A.F.

Diodo

Transistor PNP B.F.

Transistor

Transistor NPN A.F.

Semicondutor com duas portas

Transistor NPN B.F.

TIRISTOR P

TIRISTOR N

FET canal P

FET canal N

Foto-transistor

Semicondutor

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ELETRNICA
ENCAPSULAMENTOS:
DO-3

D0-35

DO-41

TO-220AC

TO-3

PWRTAB

PWRTABS

SOT-223

SMA

SMB

SMC

D618SL

D2pak

Dpak

TO-220AB

TO-200AC

B380C1000G (GS)

KBPC (D46)

KBB (D37)

GBL

GBU*

GBPC (D34) *

MB (D34)

MT (D63)

DF8 (D71)

DF (D70)

SMD

LED SMD

* International Rectifier

23

ELETRNICA

EXPERINCIA 01
LEVANTAMENTO DA CURVA CARACTERSTICA DO DIODO RETIFICADOR
PR-RELATRIO 01
1) Defina o que vem a ser um diodo retificador;
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______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
2) Quais as principais diferenas entre diodos de germnio e diodos de silcio;
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______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
3) Quais efeitos a variao de temperatura pode causar nas caractersticas intrnsecas de um diodo retificador;
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
4) Defina o que vem a ser tenso de ruptura de um diodo retificador;
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______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
5) Descreva os dois modos principais de operao do diodo semicondutor genrico (polarizao direta, polarizao reversa);
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______________________________________________________________________________________________________
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______________________________________________________________________________________________________
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Data

Visto do Orientador:

Aluno:

_____/______/_____

________________________

_______________________________

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ELETRNICA
EXPERIMENTO 01

Lista de materiais
Diodo Retificador 1N4007 3 unidades;
Resistor 100R, 5W (fio) 3 unidades;
Resistor 100R, 1/4W 3 unidades.

Papel milimetrado;
Multmetro;
Fonte de alimentao;
Osciloscpio;
Proto-board.

6) Utilizando o datasheet do diodo 1N4007, preencher a tabela abaixo com suas caractersticas principais;

Parmetros

Nomenclatura

Valor

Tenso reversa de pico mxima


Tenso reversa contnua
Corrente contnua direta
Corrente de pico repetitiva
Corrente direta de surto (no repetitiva)
Tenso direta
Corrente reversa

7) A primeira parte do experimento extrair a curva direta do diodo, ou seja, a curva de conduo, conforme mostra a figura
abaixo:

Vin
0,10
0,20
0,30
0,40
0,50
0,60
0,70
0,80
0,90
1,00
2,00
3,00
4,00
5,00
6,00
7,00
8,00
9,00
10,0

VD (V)

ID (mA)

Complete a tabela com valores da tenso VD e da corrente ID medidas, com VIN variando de 0,1V a 10 VCC. Para tenses da
fonte entre 0,1V e 1,0V, varie VIN em incrementos de 0,1V. A partir de 1,0V, os incrementos de VIN devem ser de 1,0V. A
corrente sobre o diodo no pode ultrapassar a corrente mxima direta.

25

ELETRNICA
8) A segunda parte do experimento extrair a curva reversa do diodo, ou seja, a curva de corte, conforme mostra a figura
abaixo:

Vin
0,10
0,20
0,30
0,40
0,50
0,60
0,70
0,80
0,90
1,00
2,00
3,00
4,00
5,00
6,00
7,00
8,00
9,00
10,0

VD (V)

ID (mA)

Complete a tabela com valores da tenso VD e da corrente ID medidas, com VIN variando de 0,1V a 10 VCC. Para tenses da
fonte entre 0,1V e 1,0V, variar VIN em incrementos de 0,1V. A partir de 1,0V, os incrementos de VIN devem ser de 1,0V. A
tenso sobre o diodo no pode ultrapassar a mxima tenso reversa.

9) Com os dados obtidos, faa um esboo da curva VD x ID em papel milimetrado, identificando a tenso de ruptura (se
houver). Anexar o grfico obtido ao experimento.

10) O que ocorre se ultrapassarmos a mxima tenso reversa na segunda parte do experimento?
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
11) A variao de temperatura causa influncia no funcionamento dos diodos. O que pode-se concluir sobre esta influncia?
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno:________________________________

_____/______/_____

________________________

Aluno:________________________________

26

ELETRNICA

EXPERINCIA 02
LEVANTAMENTO DA CURVA CARACTERSTICA DO DIODO ZENER
PR-RELATRIO 02
1) Defina o que vem a ser um diodo zener;
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
2) Qual a diferena entre diodos zener e retificador;
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
3) Quais efeitos a variao de temperatura pode causar nas caractersticas intrnsecas de um diodo zener;
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
4) Defina o que vem a ser efeito zener em um diodo;
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
5) Descreva o que vem a ser efeito avalanche em um diodo zener?
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
6) Descreva as principais aplicaes de diodos zener em circuitos eletrnicos;
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
7) De que forma a variao de temperatura influncia no funcionamento de diodos zener? Se verdadeira, ao fazermos uma
regulao zener de 36VCC, qual a melhor soluo? (Ref.: Integrated Electronics Millman Chap 3 Junction-Diode)
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Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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27

ELETRNICA
EXPERIMENTO 02

Lista de materiais
Diodo Zener 6,8V (1N754) 3 unidades;
Resistor 100R, 5W (fio) 3 unidades;
Resistor 100R, 1/4W 3 unidades.

Papel milimetrado;
Multmetro;
Fonte de alimentao;
Osciloscpio;
Proto-board.

8) Utilizando o datasheet do diodo 1N754 ou equivalente, preencher a tabela abaixo com suas caractersticas principais;

Parmetros

Nomenclatura

Valor

Tenso zener nominal


Corrente zener de teste
Impedncia mxima
Corrente reversa mxima
Mxima corrente zener
Dissipao de potncia em CC
Forward Voltage

9) A primeira parte do experimento extrair a curva direta do diodo, ou seja, a curva de conduo, conforme mostra a figura
abaixo:

Vin
0,10
0,20
0,30
0,40
0,50
0,60
0,70
0,80
0,90
1,00
2,00
3,00
4,00
5,00
6,00
7,00
8,00
9,00
10,0

VD (V)

ID (mA)

Complete a tabela com valores da tenso VD e da corrente ID medidas, com VIN variando de 0,1V a 10VCC. Para tenses da
fonte entre 0,1V e 1,0V, varie VIN em incrementos de 0,1V. A partir de 1,0V, os incrementos de VIN devem ser de 1,0V. A
corrente sobre o diodo no pode ultrapassar a corrente mxima direta.

28

ELETRNICA
10) A segunda parte do experimento extrair a curva reversa do diodo, ou seja, tenso zener, como mostra a figura abaixo:

Vin
0,10
0,20
0,30
0,40
0,50
0,60
0,70
0,80
0,90
1,00
2,00
3,00
4,00
5,00
6,00
7,00
8,00
9,00
10,0

VD (V)

ID (mA)

Complete a tabela com valores da tenso VD e da corrente ID medidas, com VIN variando de 0,1V a 10VCC. Para tenses da
fonte entre 0,1V e 1,0V, variar VIN em incrementos de 0,1V. A partir de 1,0V, os incrementos de VIN devem ser de 1,0V. A
tenso sobre o diodo no pode ultrapassar a mxima tenso reversa.

11) Com os dados obtidos, faa um esboo da curva VD x ID em papel milimetrado, identificando a tenso de ruptura (se
houver). Anexar o grfico obtido ao experimento.

12) No circuito acima (item 9), associe dois diodos zener em srie. Explique o que foi observado.
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13) O que ocorre se ultrapassarmos a mxima tenso reversa na segunda parte do experimento? Associe as duas sadas da
fonte de alimentao no modo srie. Varie a tenso at chegar ao mximo (60VCC). Observe a variao de corrente e
tenso sobre o diodo zener.
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14) Quais as principais diferenas observadas entre diodo retificador e diodo zener em termos de funcionamento?
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Data

Visto do Orientador:

Aluno:________________________________

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Aluno:________________________________

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ELETRNICA

EXPERINCIA 03
CIRCUITOS A DIODOS
Diodos so utilizados em vrias aplicaes, onde em cada uma delas, especificamente so necessrios os mais
diversos tipos de diodos, j mostrados nesta apostila. Alm da sua utilizao em circuitos analgicos tais como; fontes de
alimentao, ceifadores, grampeadores, proteo; os mesmos so utilizados tambm em circuitos digitais, na elaborao de
portas lgicas. Neste experimento ser visto a associao de diodos e construo de portas lgicas.
PR-RELATRIO 03
1) Dado o circuito abaixo, determinar VD e ID;

ID
VOUT
2) Dado o circuito abaixo, determinar VOUT;

VOUT

3) Dado o circuito abaixo, analis-lo e mostrar o comportamento dos LEDs. Quais iro acender, quais no iro acender e
quais no iro funcionar normalmente;

4) Analisar o funcionamento dos circuitos abaixo e definir o tipo de porta lgica. Escrever a expresso lgica de cada circuito;

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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ELETRNICA
EXPERIMENTO 03

Lista de materiais
Diodo de sinal 1N4148;
Resistores;
LEDs.

Multmetro;
Fonte de alimentao;
Osciloscpio;
Proto-board.

5) Montar o circuito do item 1 e comparar os valores tericos e experimentais;

6) Montar o circuito do item 2 e comparar os valores tericos e experimentais;

7) Montar o circuito do item 3 e comparar os valores tericos e experimentais;

8) Montar o circuito do item 4 e comparar os valores tericos e experimentais;

Data

Visto do Orientador:

Aluno:________________________________

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Aluno:________________________________

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ELETRNICA

EXPERINCIA 04
CIRCUITO RETIFICADOR EM MEIA ONDA
Desenvolvimento e montagem de um circuito retificador em meia onda, que ser alimentado pela rede eltrica.
Lista de materiais
Transformador 12V-0-12V 500mA;
Diodo 1N4007;
Resistor de carga 5W fio (calcular);
Capacitor Eletroltico (calcular);
Capacitor 100nF Disco Cermico.

Multmetro;
Osciloscpio;
Proto-board.

PR-RELATRIO 04
1) Desenvolva um circuito retificador de meia onda alimentado por 12VCA e 175mA. Mostre a forma de onda da tenso
secundria do transformador no grfico 1, e a tenso retificada, com seu valor de Pico (VP) e valor mdio (Vmdio) no
grfico 2.

Grfico 1

Grfico 2

2) Calcule o valor do capacitor de filtro para a corrente de 175mA. Determine qual a tenso de isolao necessria para este
capacitor;

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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ELETRNICA
EXPERIMENTO 04
3) Verifique a forma de onda na sada secundria do transformador (ensaio a vazio), conforme figura 3.1, utilizando o
osciloscpio. Em seguida insira o ampermetro (em CA) e a carga no secundrio do transformador. Verifique o valor de
corrente fornecida e o valor da tenso sobre a carga com auxlio do osciloscpio, conforme figura 3.2. Insira as formas de
ondas nos grficos (figura 3.1 grfico 1, figura 3.2 grfico2, abaixo juntamente com as respectivas cotas.

Figura 3.1

Figura 3.2

grfico 1

grfico 2

4) Monte no proto-board o circuito retificador de meia onda em etapas conforme figura 3.3. Com osciloscpio verifique a
forma de onda entre o secundrio do transformador e o diodo retificador, em seguida verifique o sinal entre o diodo e a
carga RL, sem o capacitor. Insira as formas de ondas e valores obtidos nos grficos abaixo com as respectivas cotas;

Figura 3.3

grfico 3 (canal 1)

grfico 4 (canal 2)

33

ELETRNICA
5) Compare e descreva os resultados obtidos nos grficos 1 e 3.
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6) Coloque o filtro (capacitor C1) no circuito, observe a forma de onda, e insira no grfico abaixo. Adicione em paralelo a
carga RL, mais uma carga com o mesmo valor. Esta carga ir para 50% do valor nominal de RL. Qual o valor da tenso de
ripple encontrado?

grfico 5 (canal 2)

grfico 6 (canal 2)

7) Volte carga original e coloque o osciloscpio em modo CA. Mea o rudo CA na sada do circuito. Qual o valor do rudo
de alta freqncia (VCA) encontrado?
Grfico 1
VPP
VP
VRMS
Frequncia (f)
Perodo (T)

Grfico 2
VP
VCC
IDC
fpulsante
Tpulsante

Grfico 3
Carga = RL
VCC
VCA
IDC
Vripple

Grfico 4
Carga = 50%RL
VCC
VCA
IDC
Vripple

Regulao (%)

Regulao (%)

8) Qual o percentual de regulao da fonte, medida sem carga e com carga? Qual o percentual em relao tenso de
ripple?
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Data

Visto do Orientador:

Aluno:________________________________

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Aluno:________________________________

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ELETRNICA

EXPERINCIA 05
FONTE REGULADA E GERADOR DE BASE DE TEMPO
Fontes de alimentao com reguladores de tenso permitem uma larga gama de aplicaes. A utilizao correta destes
reguladores levando-se em conta as suas especificaes encontrada em datasheets fornecidos pelos fabricantes. Alguns itens
so importantes no momento de se projetar circuitos como o apresentado abaixo.
Este circuito composto por uma fonte de alimentao com retificao em onda completa com derivao central. Alem
disto possui uma sada osciladora em 60Hz (frequncia da rede), em nvel TTL. O valor TTL controlado por um diodo zener.
Para melhorar a resposta do sinal de clock (60Hz), coloca-se um circuito Schmitt Trigger na sua sada.
PR-RELATRIO 05
1) Defina os tipos de reguladores de tenso quanto as suas sadas;
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2) Quais os reguladores de tenso mais comuns para sada positiva?
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3) Quais os reguladores de tenso mais comuns para sada negativa?
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4) Qual a tenso mnima a ser aplicada em um regulador de tenso de +5V CC, na sua entrada, para que sua regulao na sada
seja estvel?
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5) Qual a tenso mxima a ser aplicada em um regulador de tenso para +24V CC, na sua entrada, levando-se em conta a
corrente mxima, para que sua proteo de sobre tenso no atue?
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6) Qual a temperatura mxima para que a proteo de sobre corrente no atue nos reguladores?
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7) Defina o que vem a ser tenso de ripple
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8) Defina o que vem a ser CMRR (Common Mode Rejection Ratio)?
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Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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ELETRNICA
EXPERIMENTO 05

Lista de materiais
TR1 Transformador 127V - 9-0-9V ou 12-0-12V 500mA;
Cabo de alimentao com plugue (dois pinos);
D1, D2, D3 Diodo retificador 1N4007 ou equivalente;
IC1 Regulador de tenso 7805 5V;
C1 Capacitor eletroltico 470uF x 50V (ou tenso maior);
C2 Capacitor de disco cermico 100nF x 35V;
C3 Capacitor eletroltico 470uF x 25V;
C4 Capacitor de disco cermico 100nF x 35V;
R1 Resistor 100R - 1/2W;
D4 Diodo Zener 5V1 400mW ou 1W;
IC2 CD40106, ou 7414;
RLED Calcular;
LED comum 2 unidades;
LED alto brilho 2 unidades.

Multmetro;
Fonte de alimentao;
Osciloscpio;
Proto-board.

Para os Circuitos Seqenciais e Mquinas de Estados Finito funcionarem, necessrio que exista a funo Clock (CLK).
Para isto, montar o circuito abaixo onde tem-se alm da fonte de alimentao um gerador de clock a partir da freqncia de
rede eltrica, que permite gerar trem de pulsos (onda quadrada) a partir da rede eltrica.
9) O circuito abaixo mostra como possvel, a partir de um sinal senoidal retificado obter uma onda de forma quadrada
utilizando um inversor (NOT) tipo Schmitt Trigger. Montar o circuito no proto-board e observar o funcionamento
utilizando um osciloscpio, para medir em cada ponto indicado. O LED conectado na sada do circuito utilizado como
lmpada piloto, ou seja, sinaliza o funcionamento da fonte de alimentao.

Obs.: Medir o ponto 2 sem C1 e C2, ponto 3 com C1 e C2.


10) Desenhe as formas de ondas obtidas nos grficos da prxima pgina. Descrever os resultados encontrados em cada ponto
de teste.
Obter os resultados dos pontos mostrados no circuito e anexar ao relatrio final, a ser entregue na prxima aula de laboratrio.

Data

Visto do Orientador:

Aluno:________________________________

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Aluno:________________________________

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ELETRNICA

Cabo ou Rabicho de Alimentao CA

Porta Fusvel - Fusvel

Transformador de Alimentao (abaixador)

Taps Primrio e Secundrio


Primrio:
Preto
Marrom
Vermelho

0V
127V
220V

Secundrio:
Azul
Preto
Azul

12V
0V
12V

Diodo Retificador

Capacitor Eletroltico

Capacitor Disco Cermico

Regulador de Tenso Positivo

Resistores

Diodo Zener

Circuito Integrado CD40106

LED Light Emitting Diode

37

ELETRNICA
Ponto 1

Ponto 2

Ponto 3

Ponto 4

Ponto 5

Ponto 6

Ponto 7

Ponto 8, 9

38

ELETRNICA

EXPERINCIA 06
CIRCUITO RETIFICADOR ONDA COMPLETA EM PONTE
Lista de materiais
Transformador 12V-0-12V 500mA;
Diodo 1N4007;
Resistor de carga 5W fio (calcular);
Capacitor Eletroltico (calcular) 2 unidades;
Capacitor 100nF Disco Cermico 4 unidades;
Capacitor 1000uF x 25V 2 unidades;
Regulador de tenso 7815 ou 7812;
Regulador de tenso 7915 ou 7912;
DISSIPADOR.

Multmetro;
Osciloscpio;
Proto-board.

PR-RELATRIO 06
1) Desenvolva um circuito retificador de onda completa em ponte alimentado por 12 V CA, 500 mA. Mostre nos grficos
abaixo a tenso secundria do transformador (grfico 1), e a tenso retificada, com seu valor de Pico (V P) e valor CC (VCC),
grfico 2.

grfico 1

grfico 2

2) Calcular o valor do capacitor de filtro. Determine qual a tenso de isolao deste capacitor;

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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ELETRNICA
EXPERIMENTO 06
3) Monte no proto-board o circuito retificador do item 1. Com osciloscpio verifique a forma de onda entre o secundrio do
transformador e os diodos retificadores. Em seguida verifique o sinal entre o diodo e a carga RL, sem o capacitor. Insira as
formas de ondas nos grficos abaixo;
Sinal entre o secundrio do trafo e diodo

Sinal entre o diodo e a carga

4) Mantenha a carga e insira o capacitor (filtro) no circuito, observe a forma de onda, e insira no grfico abaixo. Coloque a
carga de 50% de RL e verifique a forma de onda sobre a carga. Qual o valor da tenso de ripple encontrado. Insira a
forma de onda no grfico abaixo;
Forma de onda na sada com carga a 100%

Forma de onda com a o dobro da carga (RL/2)

5) Volte carga original e coloque o osciloscpio em modo CA. Mea o rudo CA na sada do circuito. Qual o valor do rudo
de alta freqncia (VCA) encontrado? Qual o percentual de regulao da fonte, medida com carga e o dobro da carga?

Grfico 1
VPP
VP
VRMS
Frequncia(f)
Perodo (T)

Grfico 2
VP
VCC
IDC(mA)
fpulsante
Tpulsante

Grfico 3
Carga = RL
VCC
VCA
IDC(mA)
Vripple

Grfico 4
Carga = 50%RL
VCC
VCA
IDC(mA)
Vripple

Regulao (%)

Regulao (%)

6) Quais as principais diferenas entre os circuitos da experincia 04 e a 06?


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ELETRNICA
7) Utilizando os mesmos clculos para capacitores, construir uma fonte simtrica utilizando a retificao onda completa em
ponte com derivao central. Inserir os reguladores de tenso positiva (7815) e negativa (7915) no circuito, seguindo o
datasheet dos mesmos. Mostrar o circuito.

Sinal entre o secundrio do trafo e diodos

Sinal entre os diodos e a carga

Sinais antes dos reguladores de tenso

Sinais aps os reguladores de tenso

8) Qual a aplicao deste tipo de fonte?


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9) possvel ter as mesmas sadas utilizando retificao onda completa a dois diodos com derivao central?
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Data

Visto do Orientador:

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ELETRNICA

EXPERINCIA 07
CIRCUITOS CEIFADORES
Circuitos ceifadores tambm conhecidos como limitadores utilizados para cortar parte dos semiciclos de sinais alternados
(senoidal, triangular ou quadrado). Sua principal aplicao limitar a amplitude destas ondas.
PR-RELATRIO 07
1) Dado o sinal senoidal abaixo, aplique um ceifamento de +2,5VCC;

2) Faa o mesmo aplicando um ceifamento de -4,5VCC;

3) Dada a onda senoidal abaixo, aplicar um ceifamento no semiciclo positivo de 3V CC e um ceifamento no semiciclo negativo
de -3VCC;

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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ELETRNICA
EXPERIMENTO 07

Lista de materiais
Diodo 1N4148 ou 1N914 (diodo de sinal) 3 unidades;
Resistor 1k, 1/4W 3 unidades;
Resistor 10k, 1/4W 3 unidades.

Fonte de alimentao;
Osciloscpio;
Gerador de funes;
Proto-board.

4) Montar o circuito ceifador abaixo.

5) Aplique em VIN um sinal senoidal de 1kHz com amplitude de 16VPP, em seguida ceifar o sinal, aplicando 5VCC atravs de
V1. Desenhe as duas formas de onda no grfico acima.
6) O que foi observado?
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7) Inverta a polaridade de V1 e mostre o sinal obtido,
aplicando 7VCC, atravs de V1;

8) Explique qual foi o resultado obtido?


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9)

Existe outra configurao que permita obter o mesmo tipo de sinal dos circuitos 4 e 7? Se sim, mostre os circuitos.

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ELETRNICA
10) Montar o circuito ceifador abaixo.

11) Aplique em VIN um sinal senoidal de 1kHz com amplitude de 16VPP, em seguida ceifar o sinal, aplicando 5VCC, atravs
de V1. Desenhar as duas formas de onda no grfico acima.
12) O que foi observado?
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13) Inverta a polaridade de V1, repita os passos do item 11 e mostre o sinal obtido. Desenhar as duas formas de ondas no
grfico abaixo;

14) Explique qual foi o resultado obtido?


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15) Existe outra configurao que permita obter o mesmo tipo de sinal na sada dos dois circuitos acima? Se sim, mostre os
circuitos.

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ELETRNICA
16) Montar o circuito ceifador abaixo.
Item 17

Item 18
17) Aplique em VIN um sinal senoidal de 1kHz com amplitude de
20VPP, em seguida ceifar o semiciclo positivo em 5VCC (V1) e
o semiciclo negativo em 7VCC (V2) e desenhe as formas de
onda no grfico ao lado;

18) Alterne o sinal de VIN para onda quadrada e mostre o


resultado no grfico ao lado;

19) Qual circuito na prtica substitui o circuito do item 16. Mostrar o circuito;
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Visto do Orientador:

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ELETRNICA

EXPERINCIA 08
GRAMPEADORES E DOBRADORES DE TENSO
Um circuito grampeador permite adicionar em um circuito eletrnico um nvel CC, positivo ou negativo, em um sinal
alternado, seja ele senoidal, quadrado ou triangular.
Circuitos dobradores de tenso permitem dobrar o valor de uma tenso alternada ao mesmo tempo em que transforma
este sinal em um sinal contnuo. Sua aplicao pode ser encontrada em TVs e VCRs.
PR-RELATRIO 08
1) Dado o sinal senoidal abaixo, desloque-o positivamente (grampeador positivo) adicionando 5VCC;

2) Dado o sinal senoidal abaixo, desloque-o negativamente (grampeador negativo) adicionando -4VCC

3) Mostrar o circuito dobrador meia-onda ou cascata;

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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ELETRNICA
EXPERIMENTO 08

Lista de materiais
Diodo 1N4148 ou 1N914 (diodo de sinal) 3 unidades;
Resistor 10k, 1/4W 3 unidades;
Capacitor 100uF x 50V Eletroltico 3 unidades.

Osciloscpio;
Gerador de funes, Fonte de Alimentao;
Proto-board.

4) Montar o circuito grampeador abaixo para produzir um deslocamento negativo. Aplicar VIN = 10VPP, e o valor DC =
5VDC, para um e uma frequncia de 60Hz. Altere a frequncia para 1kHz. Comente os resultados.
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5) Montar o circuito grampeador abaixo para produzir um deslocamento positivo. Aplicar VIN = 8VPP, e o valor DC = 5VDC,
para um e uma frequncia de 60Hz. Altere a frequncia para 1kHz. Comente os resultados.
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6) Montar o circuito dobrador de tenso de onda completa. Calcular o valor dos capacitores e suas respectivas tenses de
isolao. Apresentar os clculos;

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ELETRNICA
7) Mostrar a forma de onda de entrada e sada do circuito 4;

8) Mostrar a forma de onda de entrada e sada do circuito 5;

9) Mostrar a formas de onda do circuito 6;

Data

Visto do Orientador:

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Aluno:________________________________

48

ELETRNICA

TRANSISTORES
TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNO (BJT)
O transistor foi inventado nos Laboratrios da Bell Telephone em dezembro de 1947 (e no em 1948 como
freqentemente dito) por Bardeen e Brattain, e inicialmente demonstrado em 23 de Dezembro de 1947 por John Bardeen,
Walter Houser Brattain, e William Bradford Shockley, que foram laureados com o prmio Nobel da Fsica em 1956.
Ironicamente, eles pretendiam fabricar um transistor de efeito de campo (FET) idealizado por Julius Edgar Lilienfeld
antes de 1925, mas acabaram por descobrir uma amplificao de corrente no ponto de contacto do transistor. Isto evoluiu
posteriormente para converter-se no transistor (transfer resistor) de juno bipolar (BJT). O objetivo do projeto era criar um
dispositivo compacto e barato em substituio as vlvulas termoinicas usadas nos sistemas telefnicos da poca.
Os transistores bipolares passaram, ento, a serem incorporados a diversas aplicaes, tais como: aparelhos auditivos,
seguidos rapidamente por rdios transistorizados. Mas a indstria norte-americana no adotou imediatamente o transistor nos
equipamentos eletrnicos de consumo, preferindo continuar a usar as vlvulas termoinicas, cuja tecnologia era amplamente
dominada. Foi atravs de produtos japoneses; notadamente os rdios portteis fabricados pela Sony; que o transistor passou a
ser adotado em escala mundial.
Nessa poca, o MOSFET (Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor - Transistor de Efeito de Campo formado
por Metal / xido / Silcio) ficou em segundo plano, quase esquecido. Problemas de interface inviabilizavam a construo dos
transistores MOSFETs. Contudo, em 1959, Atalla e Kahng da Bell Labs fabricam e conseguem a operao de um transistor
MOS. Nessa poca, os transistores MOS so tidos como curiosidade, devido ao desempenho bastante inferior aos Bipolares.
Em 1960, devido a sua estrutura mais simples, o transistor MOS passou a ser encarado como um dispositivo vivel
para circuitos digitais integrados. Nessa poca, havia muitos problemas com estados de impurezas, o que manteve o uso de
tecnologia MOS restrito at o fim da dcada de 60. Entre 1964 - 1969 identificam o Sdio (Na) como o principal causador dos
problemas de estado de superfcie, e comeam a surgir solues para esse problema.
No incio da tecnologia MOS, os transistores pMOS foram mais utilizados, apesar do conceito de Complementary
MOS (CMOS) j estivesse sido introduzido por Weimer. O problema ainda a dificuldade de eliminao de estados de
superfcie nos transistores nMOS.
A tecnologia CMOS foi inventada por C. T. Sah e Frank Wanlass da Fairchild R & D Laboratory (US Patent
3,356,858 - "Low Stand-By Power Complementary Field Effect Circuitry") onde mostravam circuitos lgicos combinando
transistores canal P e transistores canal N em simetria complementar.
Em 1970, a Intel anuncia a primeira memria DRAM, fabricada com tecnologia pMOS. Em 1971, a Intel lana o
primeiro microprocessador do mundo, o INTEL 4004, baseado em tecnologia pMOS. Ele foi projetado para ser usado em
calculadoras. Ainda em 1971, resolve-se os problemas de estado de superfcie e emerge a tecnologia nMOS, que permite maior
velocidade e poder de integrao.
O domnio da tecnologia MOS dura at o final dos anos 70. Nessa poca, o transistor nMOS passou a ser um
problema, pois com o aumento da densidade dos CIs, a tecnologia demonstrou-se insuficiente, pois surgem grandes problemas
com consumo de potncia (que alto nesse tipo de tecnologia). Com isso, a tecnologia CMOS comea a ganhar espao.
A partir da dcada de 80, o uso de CMOS foi intensificado, levando a tecnologia a ser usada em 75% de toda a
fabricao de circuitos, por volta do ano 2000.
DADOS IMPORTANTES:
O primeiro processador 8 bits (8008) usava tecnologia pMOS e tinha freqncia de 0,2 MHz. Ano de fabricao:
abril/1972 - 3500 transistores com 10 um ou 10000nm, com uma tenso de trabalho de 5Vcc.
Dez anos depois, a Intel lanou o processador 80286, com freqncias de 6, 10, 12MHz, fabricado com tecnologia
CMOS - 134.000 transistores 1,5um ou 1500nm, com uma tenso de trabalho de 5Vcc.
O Pentium 4, lanado em janeiro de 2002, trabalha com freqncias de 2,2GHz a 3,0GHz, e possui 55 milhes de
transistores CMOS de 130 nm, sendo que 10% destes transistores so utilizados por circuitos de testes e verificao de cada
processador na linha de produo.
A IMPORTNCIA DO TRANSISTOR:
O transistor considerado uma das maiores descobertas ou invenes da histria moderna, tendo tornado possvel a
revoluo dos computadores e equipamentos eletrnicos. A chave da importncia do transistor na sociedade moderna a sua
habilidade de ser produzido em enormes quantidades usando tcnicas simples, resultando em preos irrisrios. conveniente
salientar que praticamente impossvel encontrarmos circuitos integrados que no possuam internamente centenas, milhares
ou mesmo milhes de transistores, juntamente com outros componentes como resistncias e condensadores. Por exemplo, o
microprocessador Cell do game PlayStation 3 tem aproximadamente 234 milhes de transistores, usando uma arquitetura de
fabricao de .45 microns, ou seja cada transistor fica distanciado dos outros 45 milionsimos de um milmetro.
49

ELETRNICA
O seu baixo custo permitiu que se transformasse num componente quase universal para tarefas no mecnicas. Visto
que um dispositivo comum, como um refrigerador, usaria um dispositivo mecnico para o controle, hoje freqente e muito
mais barato usar um microprocessador contendo alguns milhes de transistores e um programa de computador apropriado e
realizar a mesma tarefa. Os transistores hoje em dia tm substitudo quase todos os dispositivos eletromecnicos, a maioria dos
sistemas de controle, e aparecem em grandes quantidades em tudo que envolva eletrnica desde os computadores aos carros.
O seu custo tem sido crucial no crescente movimento para digitalizar toda a informao. Com os computadores
transistorizados a oferecer a habilidade de encontrar e ordenar rapidamente informao digital, mais e mais esforo foi posto
em tornar toda a informao digital. Hoje quase todos os meios na sociedade moderna so fornecidos em formato digital
convertidos e apresentados por computadores. Formas anlogas comuns de informao, tais como a televiso ou os jornais,
gastam a maioria do seu tempo com informao digital, sendo convertida no formato tradicional apenas numa pequena frao
de tempo.
FABRICAO:
Os materiais utilizados na fabricao do transistor so
principalmente o Silcio (Si), o Germnio (Ge), o Glio (Ga) e alguns
xidos. Na natureza, o silcio um material isolante eltrico, devido
conformao das ligaes eletrnicas de seus tomos, gerando uma rede
eletrnica altamente estvel. Atualmente, o transistor de germnio no
mais usado, tendo sido substitudo pelo de silcio, que possui
caractersticas muito melhores.
O silcio purificado e passa por um processo que forma uma
estrutura cristalina em seus tomos. O material cortado em finos
discos, que a seguir vo para um processo chamado de dopagem. Neste
processo so introduzidas quantidades rigorosamente controladas de
materiais selecionados (conhecidos como impurezas) que transformam a
estrutura eletrnica, introduzindo-se entre as ligaes dos tomos de
silcio, roubando ou doando eltrons dos tomos, gerando o silcio P ou
N, conforme ele seja positivo (tenha falta de eltrons) ou negativo (tenha
excesso de eltrons). Se a impureza tiver um eltron a mais, um eltron
fica sobrando na estrutura cristalina. Se tiver um eltron a menos, fica
faltando um eltron, o que produz uma lacuna (que funciona como se
fosse um buraco mvel na estrutura cristalina). Como resultado, temos
ao fim do processo um semicondutor.
O transistor montado justapondo-se uma camada P, uma N e outra P, criando-se um transistor do tipo PNP. O
transistor do tipo NPN obtido de modo similar. A camada do centro denominada base, e as outras duas so o emissor e o
coletor. No smbolo do componente, o emissor indicado por uma seta, que aponta para dentro do transistor se o componente
for PNP, ou para fora se for NPN.

FUNCIONAMENTO:
No transistor de juno bipolar ou TJB (BJT - "Bipolar Junction Transistor" na terminologia inglesa), o controle da
corrente coletor-emissor feito injetando corrente na base. O efeito transistor ocorre quando a juno coletor-base polarizada
reversamente e a juno base-emissor polarizada diretamente. Uma pequena corrente de base suficiente para estabelecer
uma corrente entre os terminais de coletor-emissor. Esta corrente ser to maior quanto maior for a corrente de base, de acordo
com a carga.

CARACTERSTICAS DE UM TRANSISTOR:
O fator de multiplicao da corrente na base (IB) mais conhecido por (beta) do transistor ou por h FE que dado pela
expresso: IC = IB x
IC: corrente de coletor;
IB: corrente de base;
: beta (ganho);
Configuraes bsicas de um transistor.
50

ELETRNICA

Transistor tipo NPN

Curva caracterstica de um BJT

Transistor tipo PNP

Existem trs configuraes bsicas (BC, CC e EC) cada uma com suas vantagens e desvantagens.
BASE COMUM (BC)
Baixa impedncia de entrada;
Alta impedncia de sada;
No h defasagem entre o sinal de
sada e o de entrada;
Amplificao de corrente igual a 1;
No ocorre inverso de fase.

COLETOR COMUM (CC)


Alta impedncia de entrada;
Baixa impedncia de sada;
No h defasagem entre o sinal de
sada e o de entrada;
Amplificao de tenso igual a 1;
No ocorre inverso de fase.

EMISSOR COMUM (EC)


Mdia impedncia de entrada;
Alta impedncia de sada;
Defasagem entre o sinal de sada e
o de entrada de 180 graus;
Pode amplificar tenso e corrente,
at centenas de vezes.

Os transistores apresentam as seguintes especificaes que podero ser consultadas nos datasheets dos fabricantes:
Tipo:
Pol.:
VCEO:
VCER:
IC:
PTOT:
hFE:
Ft:

o nome do transistor;
polarizao; N quer dizer NPN e P quer dizer PNP;
tenso entre coletor e emissor com a base aberta;
tenso entre coletor e emissor com resistor no emissor;
corrente mxima do emissor;
a mxima potncia que o transistor pode dissipar;
ganho (beta);
freqncia mxima;

ENCAPSULAMENTOS:
A maneira como o fabricante encapsulou o transistor nos fornece a identificao dos terminais. Existem tambm
outros tipos de transistores, notadamente os de efeito de campo (transistores FET, de Field Effect Transistor), neste caso o
controle da corrente feito por tenso aplicada porta.
51

ELETRNICA

52

ELETRNICA

EXPERINCIA 09
CURVA DO TRANSISTOR MODO EMISSOR COMUM
As caractersticas de um transistor so obtidas atravs das chamadas curvas caractersticas ou
paramtricas, que fornecem seus parmetros bsicos no modo DC e AC. Estes parmetros permitem conhecer seu
correto funcionamento. Em transistores bipolares ou de juno, a curva mais utilizada IC x VCE, onde temos as
regies de corte, conduo e saturao.
PR-RELATRIO 09
1) Levantar os parmetros do transistor BC548X (X = A, B, ou C), utilizando o datasheet do mesmo.
Valores Mximos Absolutos
PARMETRO
VALOR
VCBO

Tenso Coletor-Base

VCEO

Tenso Coletor-Emissor

VEBO

Tenso Emissor-Base

IC

Corrente de Coletor (CC)

PC

Dissipao de Potncia no Coletor

TJ

Temperatura de Juno

BC548
UNID

Temperatura de Armazenamento

T STG

Caractersticas Eltricas
PARMETRO

CONDIES DE TESTE

ICBO

Corrente de Corte Coletor

hFE

Ganho de Corrente CC

VCE (sat)

Tenso C-E (saturao)

VBE (sat)

Tenso B-E (saturao)

VBE (on)

Tenso B-E (ON)

fT

Ganho VS. Banda

COB

Capacitncia de Sada

CIB

Capacitncia de Entrada

NF

Noise Figure

MIN

TIP

MX

UNID

Classificao do hFE (beta)


BC548

hFE

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

_____/______/_____

________________________

_______________________________

53

ELETRNICA
EXPERIMENTO 09

Lista de materiais
Transistor BC548 (A, B ou C) 3 unidades;
Resistor 10 k - 1/4 W (RB) 3 unidades;
Resistor 100 - 1 W (RC) 3 unidades.

Papel milimetrado;
Multmetro;
Fonte de alimentao;
Osciloscpio;
Proto-board.

2) Montar o circuito abaixo utilizando o transistor BC548 e traar sua curva I C x VCE, variando-se VCC e tomando os valores
conforme os valores dos VCEs das tabelas. Utilizar duas fontes de alimentao. Uma para VBB e outra para VCC. O
osciloscpio ir mostrar o valor de VCE, conforme for variando-se o valor de VCC.

VBB

IB

0,0V
0,5V
1,0V
2,0V
3,0V
Como o valor de IB dever ser constante para cada VBB,
basta colher este valor uma nica vez.

IC (mA)
VBB

VCE=0 V

VCE=1 V

VCE= 2 V

VCE= 3 V

VCE= 4 V

VCE= 5 V

VCE= 6 V

VCE= 7 V

VCE= 8 V

VCE= 9 V

VCE=10V

VCE=11V

VCE=12V

VCE=13V

VCE=14V

VCE=15V

VCE=16V

VCE=17V

VCE=18V

VCE=19V

VCE=20V

VBB

VCE=0 V

VCE=1 V

VCE= 2 V

VCE= 3 V

VCE= 4 V

VCE= 5 V

VCE= 6 V

VCE= 7 V

VCE= 8 V

VCE= 9 V

VCE=11V

VCE=12V

VCE=13V

VCE=14V

VCE=15V

VCE=16V

VCE=17V

VCE=18V

VCE=19V

VCE=20V

0,0V
0,5V
1,0V
2,0V
3,0V

IB (mA)
0,0V
0,5V
1,0V
2,0V
3,0V
VCE=10V

54

ELETRNICA
3) Imprima com auxlio da ferramenta EXCEL ou trace em papel milimetrado as curvas IC x VCE em funo de IB.

4) Quais outros parmetros podem ser extrados do transistor BC548?


______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno:________________________________

_____/______/_____

________________________

Aluno:________________________________

55

ELETRNICA

EXPERINCIA 10
POLARIZAO DC EM MODO EMISSOR COMUM
PR-RELATRIO 10
1) Descreva o funcionamento de um circuito Base Comum;

____________________________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________________________
2) Idem para Coletor Comum

____________________________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________________________
3) Idem para Emissor Comum

____________________________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________________________
4) Defina o que vem a ser o BETA de um transistor?

____________________________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________________________
____________________________________________________________________________________________
5) Dado o circuito emissor comum abaixo, escolha um transistor NPN, polarize, utilizando o modelo divisor de tenso na
base, operando na regio ativa. Calcular R1, R2, RC e RE. Usar a curva do transistor, para um ICSAT = 40mA

Especificaes

Valores Calculados

Q1 = BC548C

RC: _____ PRC: _____

IC = 20mA;

RE: _____ PRE: _____

VCC = 12V;

R1: _____ PR1: _____

VCE = VCC /2.

R2: _____ PR2: _____

= ________

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

_____/______/_____

________________________

_______________________________

56

ELETRNICA
EXPERIMENTO 10
6) Mostrar o circuito DC e apresentar os clculos do circuito projetado, utilizar a curva abaixo para traar a reta de carga.

7) Medir as correntes e tenses do circuito e transferir para a tabela abaixo:


Valores calculados
IB

IC

VCE

VC

VE

IC /IB

RC

RE

R1

R2

RC

RE

R1

R2

Valores medidos
IB

IC

VCE

VC

VE

IC /IB

8) Justifique as discrepncias encontradas entre o circuito calculado e o circuito implementado;


______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno:________________________________

_____/______/_____

________________________

Aluno:________________________________

57

ELETRNICA

EXPERINCIA 11
TRANSISTOR: CORTE E SATURAO - ACIONAMENTO DE REL
CONCEITO DE OPEN COLLECTOR
Transistores possuem trs modos de operao: corte, conduo e saturao. Em amplificadores estes so polarizados para
operarem no modo de conduo. Porm h outra maneira de se fazer uma boa utilizao de transistores. o seu uso como
chave liga-desligamento para acionamento de pequenas cargas.
Uma destas cargas a bobina de um rel, que necessita de uma chave muitas vezes por estar sendo controlado por um
circuito digital, que no fornece a corrente suficiente e nem mesmo a tenso necessria para a operao do rel (12V CC
40mA). Outro tipo de carga so as agulhas de impressoras matriciais que utilizam solenides para acion-los (Impressoras
EPSON ou RIMA).
PR-RELATRIO 11
1) Montar o circuito abaixo utilizando uma porta lgica NOT como controlador de entrada. Calcule o valor de R B e RC em
funo da corrente da bobina do rel (@ = 40mA para 12Vcc), RPU = 10k.

2) Descreva o conceito de open collector:


______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
3) Calcular os valores de RC e RB em funo do ganho do transistor a ser utilizado. Apresentar os clculos.

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

_____/______/_____

________________________

_______________________________

58

ELETRNICA
EXPERIMENTO 11

Lista de materiais
Transistor BC548 (A, B ou C) 3 unidades;
CI CD40106;
Rel 12VCC;
Resistores, diodos.

Multmetro;
Fonte de alimentao;
Osciloscpio;
Proto-board.

4) Monte o circuito do item um. Acione o rel alterando o estado da porta lgica NOT. Utilize uma chave H-H ou pushbutton;
5) Descreva o funcionamento ao executar a etapa quatro;
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

6) Substitua o acionamento ON-OFF da porta lgica por um gerador de funes. Aplique um sinal TTL quadrado em
freqncia de 1Hz. Varie a freqncia lentamente at chegar a 10Hz. Descreva o que ocorre. Ao variar a freqncia o que
ocorre com a corrente IC do transistor?
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

7) Qual a mxima freqncia de oscilao do rel?


______________________________________________________________________________________________________

8) Cite as aplicaes que podem ser realizadas com este circuito:


______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno:________________________________

_____/______/_____

________________________

Aluno:________________________________

59

ELETRNICA

EXPERINCIA 12
FONTE REGULADA COM AJUSTE E PROTEO
Fontes Lineares na maioria dos casos so compostas de um transformador abaixador, diodos para a retificao e
capacitores como filtros. Estas so as fontes de alimentao mais comuns existentes no mercado. Dispensam qualquer tipo de
conhecimento adicional, porm, podem ser melhoradas quanto ao rendimento e a regulao, quando se tornam fontes Lineares
Reguladas.
Uma fonte linear regulada apresenta excelente regulao e bom desempenho, quando bem projetada. O modelo abaixo
mostra a seqncia de como se projetar uma fonte linear regulada com proteo de sobrecorrente.

PR-RELATRIO 12
Projetar a fonte de alimentao conforme circuito abaixo para fornecer uma tenso de 12V e 500mA. Usar como
referncia para o projeto o livro Integrated Electronics Millman-Halkias. Aps verificar o funcionamento utilizando uma
fonte externa, projetar o circuito retificador e calcular o capacitor de filtro.

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

_____/______/_____

________________________

_______________________________

60

ELETRNICA
EXPERIMENTO 12
1) Construir a fonte linear projetada no pr-relatrio;
2) Ajustar seu valor de sada;
3) Aplicar a carga mxima permitida, conforme o clculo (Imx), e verificar sua regulao.
Regulao (%): ______________________
4) Medir o ripple;
Ripple: _____________________________
5) Aumentar a corrente alm do limite mximo permitido, aumentando a carga, e verificar a atuao da proteo por sobre
corrente;
Corrente de curto: ____________________
6) Diminuir a corrente e verificar se a fonte volta a operar normalmente.
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
7) Variar a tenso de entrada a um valor mnimo que permita a sua regulao normal. Esta tenso mnima conhecida como
tenso de drop-out. Anote o valor.
Tenso mnima de operao com carga mxima: ______________
8) Demais resultados:
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

9) Concluses sobre a fonte projetada:


______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno:________________________________

_____/______/_____

________________________

Aluno:________________________________

61

ELETRNICA

EXPERINCIA 13
GANHO CA DE UM CIRCUITO TRANSISTORIZADO
Amplificadores de um estgio seguem o modelo bsico composto por um transistor, quatro ou trs resistores. Desta
maneira, projetar um amplificador de udio com ganho de tenso = 200 e frequncia de corte em 30 kHz.
PR-RELATRIO 13

1) Dado o circuito emissor comum abaixo, projet-lo mostrando os clculos para o circuito CC e CA.

VCC = 12V;
Q1 = _________
AI = __________
AV = _________
ZE = __________
ZS = __________

2) Apresentar o modelo CA do circuito acima;

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

_____/______/_____

________________________

_______________________________

62

ELETRNICA
EXPERIMENTO 13
3) Apresentar os clculos do circuito projetado, para o modelo CC e CA:

63

ELETRNICA
4) Medir as correntes e tenses do circuito e transferir para a tabela abaixo:

Valores calculados
IB

IC

VCE

VC

VE

IC /IB

RC

RE

R1

R2

RC

RE

R1

R2

Valores medidos
IB

IC

VCE

VC

VE

IC /IB

5) Mostrar os sinais de entrada e sada do amplificador:


VI

VO

Data

Visto do Orientador:

Aluno:________________________________

_____/______/_____

________________________

Aluno:________________________________

64

ELETRNICA

EXPERINCIA 14
CIRCUITO TRANSISTORIZADO DE DOIS ESTGIOS EM CASCATA
Circuitos transistorizados ou Amplificadores de dois estgios em cascata com acoplamento capacitivo onde o primeiro
estgio e do tipo Emissor Comum (EC) e o segundo estgio Coletor Comum (CC). Polariza-se cada um dos amplificadores de
modo independente em funo do ponto de operao desejado (ponto quiescente), uma vez que o acoplamento capacitivo evita
que o nvel CC de polarizao de cada um dos estgios, no interfira no outro.
PR-RELATRIO 14
1) Projetar um circuito de dois estgios emissor comum, utilizando transistores BJT.

2) Especifique os transistores a serem utilizados: _____________________


3) Defina o ganho do amplificador: ______________________
4) Defina a tenso de alimentao: ______________________
5) Demais caractersticas:
6) Ganho do primeiro estgio: ______________
7) Ganho do segundo estgio: _______________
8) Ganho total do circuito: _________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

_____/______/_____

________________________

_______________________________

65

ELETRNICA
EXPERIMENTO 14
9) Calculo do circuito:

10) Resultados obtidos:


Ganho do primeiro estgio

Ganho do segundo estgio

Ganho total do circuito

Primeiro Estgio
Valores calculados
IB

IC

VCE

VC

VE

IC /IB

RC

RE

R1

R2

RC

RE

R1

R2

RC

RE

R1

R2

RC

RE

R1

R2

Valores medidos
IB

IC

VCE

VC

VE

IC /IB

Segundo Estgio
Valores calculados
IB

IC

VCE

VC

VE

IC /IB

Valores medidos
IB

IC

VCE

VC

VE

IC /IB

Data

Visto do Orientador:

Aluno:________________________________

_____/______/_____

________________________

Aluno:________________________________

66

ELETRNICA

EXPERINCIA 15
CIRCUITO TRANSISTORIZADO DE DOIS ESTGIOS COM REALIMENTAO
Circuitos Transistorizados de dois estgios com realimentao ou Amplificadores conhecidos tambm com amplificadores
em cascata onde os ganhos so respectivamente AV1 e AV2. A sada do segundo estgio retorna para o primeiro estgio
(feedback) na malha R4 R9 em oposio ao sinal de entrada VI. Este tipo de circuito caracteriza-se como realimentao
negativa.
PR-RELATRIO 15

1) Especifique os transistores a serem utilizados: _____________________


2) Defina o ganho do amplificador: ______________________
3) Defina a tenso de alimentao: ______________________
4) Defina =VF/VO: _____________
5) Demais caractersticas:
6) Ganho do primeiro estgio: ______________
7) Ganho do segundo estgio: _______________
8) Ganho total do circuito: _________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

_____/______/_____

________________________

_______________________________

67

ELETRNICA
EXPERIMENTO 15
9) Calculo do circuito:

11) Resultados obtidos:


Ganho do primeiro estgio

Ganho do segundo estgio

Ganho total do circuito

Primeiro Estgio
Valores calculados
IB

IC

VCE

VC

VE

IC /IB

RC

RE

R1

R2

RC

RE

R1

R2

RC

RE

R1

R2

RC

RE

R1

R2

Valores medidos
IB

IC

VCE

VC

VE

IC /IB

Segundo Estgio
Valores calculados
IB

IC

VCE

VC

VE

IC /IB

Valores medidos
IB

IC

VCE

VC

VE

IC /IB

Data

Visto do Orientador:

Aluno:________________________________

_____/______/_____

________________________

Aluno:________________________________

68

ELETRNICA

AMPLIFICADORES DE ADIO CLASSE DE AMPLIFICADORES


As classes de amplificadores diferenciam-se quanto ao mtodo de operao, eficincia, linearidade e capacidade de potncia de
sada.
Os amplificadores so classificados em:
Classe A - O circuito de sada (vlvula ou
transistor) conduz durante os 360 do sinal de
entrada. Para que este tipo de amplificador
funcione corretamente, necessrio que a sua
polarizao, ou seja seu ponto quiescente (Q) esteja
em um nvel que o sinal de entrada varie na sua
excurso mxima (valor mnimo e valor mximo),
sem saturar o sinal de sada. Amplificadores Classe
A que utilizam fontes de alimentao single ou
simples necessitam de capacitor na sua sada para
eliminar o nvel DC existente no circuito.

Classe B O circuito de sada (vlvula ou transistor) conduz


durante apenas 180 do sinal de entrada (apenas um semi-ciclo).
Neste caso o ponto de polarizao desta classe de amplificador
ocorre em 0V, e a sada varia a partir deste ponto, por meio
ciclo. A sada neste tipo de amplificador no permite uma
reproduo fiel em relao ao sinal de entrada, pois apenas meio
ciclo ser amplificado e reproduzido. Para resolver este
problema, so necessrios dois amplificadores Classe B, um
para fornecer sada durante o semiciclo positivo e outro para o
semiciclo negativo. A combinao de ambos semiciclos fornece
ento uma sada de 360. Para se obetr este tipo de sinal na sada
utiliza-se os chamados amplificadores push-pull. Porm se
observamos o sinal de sada, existe uma descontinuidade na
passagem do sinal por zero.

69

ELETRNICA
Classe AB Este tipo de amplificador situa-se entre
os amplificadores de Classe A e os de Classe B. Desta
maneira ele polarizadoem um valor CC acima do
valor correspondente corrente zero de base da classe
B e acima da metade do valor da fonte de tenso da
classe A. Esta condio de polarizao ainda requer
uma sada do tipo push-pull para seter um ciclo de
sada completo. Para a operao classe AB, a
oscilao do sinal de sada ocorre entre 180 e 360,
no sendo uma operao classe B e nem classe A.

Classe C A polarizao de um amplificador classe


C feita para uma operaoem menos de 180 do
ciclo. Esta configurao opera apenas com circuitos
sintonizados (circuitos ressonantes), os quais
fornecem um ciclo completo de operao para a
frequncia sintonizada ou ressonante.
Esta classe de operao utilizada somente em
amplificaes especiais do tipo rdio ou telefonia.

Classe D - Operam modulando o sinal de entrada na forma de pulsos (PWM, "pulse width modulation"), controlando
o dispositivo eletrnico de sada (vlvula ou transistor) atravs de dois nveis de tenso, os quais fazem com que o
dispositivo conduza ou entre em corte. No confundir o D com modulao digital.
Os amplificadores de classe D tm um elevado rendimento, superior em alguns casos a 95%, o que reduz o tamanho
dos disipadores de calor necessrios, e por tanto o tamanho e peso do circuito.

Classe E e F - So amplificadores sintonizados utilizados para amplificao de RF e no se prestam a amplificao de


sinais de udio, visto possurem uma banda passante muito estreita e da ordem 200kHz em diante, chegando faixa
dos GHz.

As classes G, H e I no esto padronizadas como as classes A, B, AB, C e D. Trata-se de variaes dos circuitos
clssicos, que dependem da variao da tenso de alimentao para minimizar a disipao de energia nos transistores
de potncia na cada momento, dependendo do sinal aplicao entrada do amplificador em questo.

70

ELETRNICA

EXPERINCIA 16
CIRCUITO TOTEM POLE (PUSH-PULL OU AMPLIFICADOR CLASSE B)
Circuitos de sada Totem Pole tambm conhecidos como estgio de potncia Classe B so utilizados no s em sadas de
udio como em sadas de equipamentos de Instrumentao, dada a sua robustez.

PR-RELATRIO 16
1) Circuitos totem pole so utilizados em diversas aplicaes. Alm de circuitos de udio ou circuitos de instrumentao onde
mais utilizado este tipo de circuito?
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2) Mostre o circuito totem pole de sada no circuito acima citado (circuito de udio);

3) Descreva o funcionamento de um circuito Classe B;


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ELETRNICA
EXPERIMENTO 16

Lista de materiais
Diodo 1N4148 2 unidades;
Transistor 2N3904 (NPN) 2 unidades
Transistor 2N3906 (PNP) 2 unidades;
Resistor 100R 1W 1 unidade;
Resistor 680R 1/4W 2 unidades
Resistor 4,7k 1/4W 2 unidades;
Resistor 100k 1/4W 2 unidades;
Resistor 470R 1/4W 2 unidades;
Capacitor 1 F x 50V Eletroltico 2 unidades;
Capacitor 100 F x 50V Eletroltico 1 unidade.

Multmetro;
Fonte de alimentao;
Osciloscpio dois canais;
Gerador de funes;
Proto-board.

4) Montar no proto-board o circuito do esquemtico abaixo:

ATENO: Observe que o gerador de funes no poder esta no mesmo potencial de aterramento de fontes de alimentao
e osciloscpios.

5) Alimente o circuito (Vcc = 12Vcc) e com o gerador de funes, aplique na entrada um sinal senoidal de 1kHz e amplitude
de 2Vpp. Desenho em papel milimetrado os resultados de VI e VO apresentados no osciloscpio.
6) Utilizando as expresses vistas na aula terica do assunto, calcule a potncia de entrada P I (CC), a potncia de sada PO
(CA), a corrente de pico na carga IL(p), a potncia dissipada em cada transistor PQ e a eficincia %

PI(cc) = _________W; PO(ca) = __________W; PQ = __________W; IL(p) = __________A; % = ________%


7) Varie o valor da amplitude do sinal de entrada VI e a sua respectiva freqncia. O que houve com o sinal de sada VO?
Discuta os resultados obtidos.
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72

ELETRNICA
8) Repita o item quatro, porm substitua os resistores de 680R pelos diodos de sinal 1N4148.

9) Repita o item cinco. Alimente o circuito e com o gerador de funes, aplique na entrada um sinal senoidal de 1kHz e
amplitude de 2Vpp. Mostre o resultado de VI e VO apresentados no osciloscpio;
10) O que aconteceu com o sinal de sada VO comparando-se com o circuito do item 4. Descreva os resultados obtidos;
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11) O mesmo circuito totem-pole utilizado em sistemas com alimentao simtrica, neste caso o sinal de entrada injetado
entre os dois diodos.

Data

Visto do Orientador:

Aluno:________________________________

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Aluno:________________________________

73

ELETRNICA

TRANSISTORES
TRANSISTORES DE UNIJUNO (UJT)
O transistor de unijuno (UJT) um dispositivo semicondutor dos mais antigos. Seu princpio de funcionamento foi
descrito em 1948 pelo francs Welker e por Shockley em 1949. Como seu nome diz, um dispositivo de trs terminais
somente com uma juno PN. Como esperado, suas caractersticas e funcionamento so diferentes dos demais transistores.
O UJT basicamente um comutador que possui mais vantagens se comparado a outros dispositivos semicondutores.

A. A tenso de disparo baixa em relao a tenso de alimentao. A freqncia de oscilao de um oscilador UJT
independe da tenso de alimentao
B. Possui uma regio de resistncia negativa estvel, o que permite o seu uso em circuitos osciladores e de disparo de
tiristors.
C. Comparado a BJTs, o uso de UJTs, reduz pela metade o nmero de componentes em um circuito oscilador.
D. A resistncia interna de um UJT em estado de CORTE relativamente alta (de 5k a 10k), deste modo o seu consumo
em repouso baixo.
E. Necessita de baixa corrente para disparo (de 2 a 10uA).
F. Permite acionar tiristores diretamente, pois sua tenso de sada pode variar de 3V a 5V de pico.
G. As correntes de fuga (leakage current) so da ordem de 1 a 10nA.

A estrutura bsica do UJT essencialmente uma barra de material semicondutor tipo N, com material semicondutor
tipo P difundido na mesma, como mostra a figura abaixo. Os contatos referem-se a Base 1, Base 2 e Emissor. Assim podemos
observar que diferente do BJT que possui Coletor, Base e Emissor.

Seu smbolo como podemos observar ento Base2, Emissor e Base1. O UJT construdo de duas maneiras. A
primeira utilizando uma estrutura em barra e a segunda utilizando uma estrutura cbica.
Seu circuito equivalente apresentado figura abaixo mostra duas resistncias e um diodo diretamente polarizado entre estas.
RBB conhecido como resistncia de interbase, representado pela soma de RB1 e RB2, logo:
RBB = RB1 + RB2

(1)

Deve-se observar que a expresso acima s vlida enquanto o Emissor for um circuito aberto.
VRB1 a queda de tenso sobre RB1 e dada por:
VRB1 = RB1 / (RB1 + RB2)

(2)

Igualando a expresso (1) com (2), termos: VRB1 = (RB1/RBB) x VBB

(3)

A razo RB1/RBB refere-se como a razo intrnseca e denotada por


Aplicando uma tenso VE no emissor do UJT, o circuito ter uma nova configurao conforme figura abaixo e sua curva
caracterstica de VE em funo de IE
74

ELETRNICA

Se VE for menor VRB1, o diodo estar reversamente polarizado e o circuito comporta-se como um emissor aberto. Se
entre tanto VE for incrementado a ponto de exceder o valor de VRB1 em pelo menos 0,7V, o diodo estar diretamente polarizado
e a corrente IE fluir para a regio da BASE1. Quando isto ocorrer o valor de RB1 diminuir. Isto ocorre devido a presena
adicional de lacunas na barra do semicondutor. Um aumento adicional de V E faz com que a corrente de emissor aumente e
desta maneira reduza mais ainda o valor de RB1, aumentando a corrente sobre o mesmo. Este efeito chamado de efeito de
regenerao. O valor de VE que causa este efeito chamado de pico de tenso VP e dado por:
VP = AVVBB + VD

(4)

Quando a tenso VE comea a ser incrementada, a corrente pequena, em torno de micro ampres. Quando o ponto de pico
atingido, a corrente sobe rapidamente atingindo o ponto mximo levando o dispositivo a saturao. Neste ponto RB1 vai para o
seu menor valor que chamado de resistncia de saturao.
1) APLICAO TPICA UTILIZANDO UJT:
A aplicao mais conhecida utilizando UJT o circuito Oscilador de Relaxao que definido pela carga lenta e
descarga rpida do capacitor do circuito, como podemos ver na figura abaixo.

O circuito bsico e o circuito prtico esto mostrados acima. O resistor R3 no circuito funciona como um limitador de
corrente de emissor e prov o pulso de tenso enquanto R2 a compensao em temperatura. As formas de ondas mostradas
abaixo ocorrem no EMISSOR a na BASE1, so respectivamente um dente de serra e um pulso de curta durao.

75

ELETRNICA
A operao deste circuito se d pela carga de C1 atravs de R1 at que a tenso atinja o ponto de pico. A corrente de EMISOR
cresce rapidamente, descarregando C1, atravs da regio da BASE1 e R3. O repentino aumento da corrente atravs de R3
produz um pulso de tenso. Quando a corrente cai para o valor de IV (ver curva caracterstica), o UJT desliga e o ciclo se repete
novamente.
Temos que o tempo t entre pulsos sucessivos dado por:
t + R1C ln (VBB VV/VBB VP)

(5)

2) DESENVOLVIMENTO DE UM CIRCUITO DE RELAXAO PARA 1kHz


O oscilador usa um UJT 2N2646, operando na tenso de 10V.

Power Dissipation
RMS Emitter Current
Peak Emitter Current
(Capacitor discharge <10F)
Emitter Reverse Voltage
Interbase Voltage

300Mw
50mA
2A
30V
35V

ESPECIFICAES
Intrinsic Standoff Ratio (VBB = 10v)
Interbase Resistance (VBB = 3v, Ie = 0)
Emitter Saturation Voltage (VBB = 10v, IE = 50mA)
Emitter Reverse Current (VB2E = 30V IB1 = 0)
Peak Point Emitter Current (VBB = 25v)
Valley Point Current (VBB = 20v RB2 = 100R)
Base-One Peak Pulse Voltage

RBB0
VE(sat)
IE0
IP
IV
V0B1

0.69
6.7
2
0.001
0.8
5
8.5

importante que o valor de R1 seja suficientemente pequeno para que a corrente de emissor atinja o valor de IP enquanto a o
capacitor atinja a tenso VP, e ao mesmo tempo, grande o suficiente para que quando o capacitor descarregar, possa atingir a
corrente inferior IV, quando o capacitor ao se descarregar atinja VV.
Os valores limite para R1 dado por:
R1(mx) = (VBB VP) / IP

R2(mn) = (VBB VV) / IV

Das especificaes do UJT 2N2646, o valor mdio de ser 0,56 + 0,75 = 0,655. Substituindo na equao abaixo, teremos:
VP = 0,655 x 10V + 0,7V;
Logo VP = 7,25V;
Clculo de R1:
R1 = (10 7,25) / 5A, logo R1 = 550k;
Se VV = aprox. VBB/10, logo R1 (mn)= (10 1) / 4mA, teremos R1 = 2k25;
Tomando o valor de R1 = 10k, podemos calcular o valor de C:
t + R1C ln (VBB VV/VBB VP), logo
C = 0,001/ 104 ln (9/2,75), logo C= 84nF;
R2 no importante e neste caso o valor a ser utilizado ser de 470R.

76

ELETRNICA

3) CIRCUITO OSCILADOR SENOIDAL UTILIZANDO UJT

4) CIRCUITO GERADOR DE DENTE DE SERRA UTILIZANDO UJT

5) CIRCUITO FLASH A LED, UTILIZANDO UJT


O transistor de unijuno (UJT) 2N2646 usado como um
oscilador simples a partir dos componentes R1 e C2. O LED
conectado entre o Base2 (B2) do UJT e a terra. O resistor R2
limita a corrente atravs do UJT, bem como sobre o LED. Ao
ligar o circuito, o capacitor C2 carrega atravs de R1 e quando
est totalmente carregado, emissor coloca o UJT em conduo e
a corrente circula entre bases e o LED pisca. Nesta condio, C 2
descarrega, e recomea novamente o ciclo de carga.

77

ELETRNICA

EXPERINCIA 17
MISTURADOR DE CORES UTILIZANDO UJT
O circuito abaixo utiliza um UJT (2N2656 ou 2N6027) para disparar o SCR (TIC106D Texas Instruments), de
maneira que se for montado trs circuitos idnticos e utilizando as lmpadas de cores Vermelha, Verde e Azul (RGB), teremos
a combinao de todas as cores bsicas do espectro visvel.

DESCRIO DE FUNCIONAMENTO:

O transistor de unijuno (UJT), o responsvel pelo controle de disparo do SCR (TIC106D). Quando a tenso do
emissor cai abaixo da tenso da B2, a corrente flui da B2 para a B1. No momento em que o circuito energizado, tanto o
capacitor C1 como C3 esto descarregados. O capacitor C4 carrega-se rapidamente a uma tenso superior a tenso de emissor
do UJT, fazendo com que este acione a porta (gate) do SCR, levando a lmpada a brilhar. Nos subseqentes ciclos de
operao, os capacitores C1 e C3 estaro carregados, de maneira que C4 no ser carregado a ponto de acionar novamente o
emissor do UJT. Isto s ir ocorrer aps um determinado tempo do ciclo. Uma vez que C3 carrega-se em uma cadncia mais
rpida, atravs de R7 e R8, a lmpada se apaga lentamente. Quando a lmpada se apaga, C 1 descarrega-se mais rapidamente que
C3, o ngulo do emissor adiantado e a lmpada acende-se novamente. A funo de R1 no circuito para proteger o tiristor
(SCR), limitando as correntes de pico. O resistor em questo usado como um indutor.
R1 5R 5W - fio
R2 1k
R3 82k
R4 22k
R5 220k
R6 100k
R7 100k
C1 33uF x 50V
C2 1uF x 10V
C3 10uFx 50V
C4 47nF
D1 UF4007
D2 UF4007
D3 UF4007
Q1 SCR TIC106D
Q2 - UJT

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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ELETRNICA

TRANSISTORES
JUNCTION GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR (JFET)
H muitos tipos de transistores alm do transistor de juno bipolar (BJT) que discutimos at agora. Uma importante
classe de transistores de 3 terminais so os dispositivos de efeito de campo. Para estes, o parmetro de controle o campo
eltrico atravs da juno, em oposio corrente do BJT. J que um campo eltrico est associado a uma tenso, a vantagem
importante dos dispositivos de efeito de campo que no precisa haver uma corrente no elemento de controle (a porta).
Isso resulta em uma impedncia de entrada bastante elevada, e uma corrente de fuga bastante baixa.
Os mais fceis de entender so os transistores de efeito de campo de juno (JFETs), que iremos discutir primeiro e
com certos detalhes. Os FETs semicondutores de xido de metal (MOSFETs) so muito importantes para implementao de
lgica digital.
O FET conhecido como transistor unipolar porque a conduo de corrente acontece por apenas um tipo de portador
(eltron ou lacuna), dependendo do tipo do FET, de canal n ou de canal p. O nome efeito de campo decorre do fato que o
mecanismo de controle do componente baseado no campo eltrico estabelecido pela tenso aplicada no terminal de controle.
O Transistor JFET recebe este nome porque um transistor FET de Juno.
CONSTRUO

SMBOLO

A figura acima apresenta um JFET de canal n (existe tambm o JFET de canal p). Seu diagrama construtivo
simplificado representa uma barra de silcio semicondutor tipo n (semicondutor dopado com impurezas doadoras) e contendo
incrustadas duas regies tipo p. O JFET da figura 01 tem as seguintes partes constituintes:
FONTE: (source) fornece os eltrons livres,
DRENO: (drain) drena os eltrons,
PORTA: (gate) controla a largura do canal, controlando o fluxo dos eltrons entre a fonte e o dreno. As regies p da porta so
interligadas eletricamente.
Ainda observando a figura acima, a seta apontando para dentro representa uma juno pn de um diodo.
O JFET de canal p tem as mesmas partes constituintes de um JFET de canal n, porm seu smbolo apresenta a seta em
sentido contrrio, e as correntes e tenses so consideradas invertidas em relao ao JFET de canal n. Sendo que o JFET canal
n o mais utilizado.

CARACTERSTICAS MAIS IMPORTANTES DO JFET


Controle por Tenso: a corrente entre o dreno e a fonte controlada pela tenso aplicada na porta, em contraste com o
transistor BJT, cuja corrente de coletor controlada pela corrente de base.
Alta Impedncia de Entrada: para que seja possvel o controle de corrente do canal n necessrio que se produza uma
polarizao reversa das junes da porta, provocando desta forma um aumento na regio de depleo destas junes e em
decorrncia disto um estreitamento do canal; com isto, tem-se baixas correntes de porta, e conseqentemente, alta impedncia.
Curvas Caractersticas: o comportamento do JFET pode ser sumarizado por suas curvas de dreno e de transcondutncia.
Outras caractersticas: os transistores JFET apresentam menores ganhos em relao aos transistores BJT e em decorrncia
disto tm maior estabilidade trmica; geometricamente, os JFET tm dimenses menores quando comparados com os
transistores BJT.
JFETs so utilizados em circuitos semelhantes aos que utilizam BJTs
BJT = Controlado por corrente [ Ic => f(IB) ];
JFET = Controlado p tenso [ID => f(VGS) ].
79

ELETRNICA

Analogia do fluxo de gua para o mecanismo de controle do JFET

Na figura abaixo temos um JFET canal n, em que foi aplicada uma tenso positiva V DS, atravs do canal, e a porta foi
conectada diretamente fonte para estabelecer a condio VGS = 0V. O resultado so os terminais porta e fonte no mesmo
potencial. Ao ser aplicado VDD, temos ID = IS. Nesta condio o fluxo de eltrons irrestrito e limitado apenas pela resistncia
intrnseca do canal n entre dreno e fonte.

JFET canal n
Nota-se que a regio de depleo maior na parte superior, pois a polarizao reversa dreno/porta maior que a
polarizao reversa porta/fonte.
Considerando uma resistncia uniforme ao longo do canal n, logo ID estabelecer os nveis ao longo do canal.
Prximo a fonte a queda de tenso ser menor (menor resistncia) e prximo ao dreno a queda de tenso ser maior (maior
resistncia).
Como VGS=0, logo IG=0 e a juno PN estar sempre polarizada reversamente.
80

ELETRNICA
Aumentando-se VDS gradativamente de 0V para alguns Volts, a corrente aumentar como previsto pela lei de OHM,
como podemos ver no grfico IDS x VDS para VGS=0

Ao atingir o nvel de saturao quanto mais horizontal for a curva, significa que a resistncia de canal a maior
possvel. O ponto de pinch-off (VP), resulta do aumento de VDS e onde as duas regies de depleo se tocam como mostra a
figura abaixo.

Nesta condio (saturao) ID tenderia a zero. Porm, isto no acontece uma vez que I D mantm o valor de saturao
definido por IDSS. Isto quer dizer que h um canal muito estreito, com uma corrente de alta densidade.
IDSS a corrente mxima de dreno para um JFET e definida pela condio VGS = 0 e VDS > | VP| .

Portanto uma vez que VDS > VP esteja estabelecido, o JFET apresenta as caractersticas de uma fonte de corrente,
como mostra a figura acima a corrente fica fixa no valor ID = IDSS. Porm a tenso VDS (para nveis maiores que VP)
determinada pela carga aplicada.
81

ELETRNICA
A escolha da notao IDSS deriva do fato de a corrente ter sentido dreno fonte (drain source DS), com uma
conexo de curto-circuito da porta para fonte (gate-source).

A polarizao negativa de VGS aumenta as camadas de depleo diminuindo a rea de passagem de corrente
O valor de VGS que resulta em ID = 0mA definido por VGS = VP, com VP sendo uma tenso negativa para dispositivos de
canal n e uma tenso positiva para dispositivos de canal p.
Desta maneira VGS para canal n variar de 0V, -1V, -2V, -3V, -4V, at se igualar a VP, ou seja a curva ser totalmente
horizontal. Para canal p ocorrer o contrrio, onde VGS ser 0V, 1V, 2V, 3V, 4V, at se igualar a VP.

Curva caracterstica do JFET canal n com IDSS = 8mA e VP = - 4V

RESISTOR CONTROLADO POR TENSO


Na sua regio hmica, o JFET pode ser utilizado como um resistor controlado por tenso.

82

ELETRNICA

Expresso 5.1 (Boylestad)


ro = resistncia com VGS = 0V;
rd = resistncia especfica para um determinado VGS.

JFET canal p
O JFET canal p tem exatamente a mesma estrutura que o dispositivo canal n, diferindo somente na deposio dos
materiais.
Os sentidos das correntes so invertidos, assim como as polaridades das tenses V GS e VDS. Para o dispositivo de canal
p, a regio de depleo vai se contrair para tenses positivas crescentes aplicadas porta (gate) com relao fonte (source) e a
tenso VDS ser negativo, conforme a curva abaixo que apresenta um IDSS = 6mA, e tenso de pinch-off (VP) de VGS = +5V
Na figura abaixo temos a aplicao do valor VDSmx para cada VGS fazendo com que o transistor JFET atinja a tenso
de ruptura, o que ocorre da mesma forma em transistores de canal n.

83

ELETRNICA
O fluxo de eltrons da fonte para o dreno depende da largura do canal, isto , polarizao reversa na porta causa
aumento das regies de depleo, diminuindo a largura do canal e dificultando desta forma a passagem da corrente entre o
dreno e a fonte ( uma regio de ons, formada pela difuso pela juno). Desta forma temos as seguintes condies:
a) LARGURA DO CANAL: depende da tenso VGG, isto , quanto mais negativa, maior ser a regio de depleo e portanto
mais estreito o canal;
b) TENSO DE CORTE: a tenso suficiente para desaparecer o canal (VGScorte) tambm conhecida como tenso de ruptura
(pinch-off);
c) CORRENTE DE FUGA DA PORTA: Como a juno da porta opera em polarizao reversa, tem-se uma corrente baixa;
desta forma, a CORRENTE DE DRENO igual CORRENTE DA FONTE (ID). Esta a causa da alta impedncia de entrada
dos JFET.
OBS: Como a polarizao reversa entre a porta e a fonte (VGS) no consome corrente e a largura do canal depende de VGS, o
controle de ID efetivamente feito pela tenso da porta.

A corrente mxima definida por IDSS e ocorre quando VGS


= 0V e VDS >= |VP|, mostrado no circuito ao lado.

Para tenses VGS entre porta e fonte menores do que o valor


de pinch-off, a corrente de dreno 0 A (ID = 0A), mostrado
no circuito ao lado.

Para todos os valores de V GS entre 0 V e o valor de pinchoff, a corrente ID vai variar entre IDSS e 0 A,
respectivamente como mostra o circuito ao lado.

84

ELETRNICA

CURVA DE TRANSFERNCIA DO JFET

Transistores bipolares de juno (BJT) so controlados por


corrente, conforme expresso abaixo:

IC =

IB

(5.2)

Transistores de juno de efeito de campo (JFET) so


controlados por tenso como mostra a equao de
Shockley:

(5.3)

A curva de transferncia pode ser obtida utilizando-se a equao de Shockley ou as curvas caractersticas da curva de
canal n. Na figura abaixa constam os dois grficos com a escala vertical em mA para cada um dos grficos. O grfico
esquerda ID versus VGS. Utilizando-se as curvas caractersticas de dreno direita do eixo y, pode-se desenhar uma linha
horizontal da regio de saturao da curva, denotada por VGS = 0V, ao eixo I D. O valor da corrente resultante para ambos os
grficos IDSS. O ponto de interseo na curva ID versus VGS ficar como o mostrado, pois o eixo vertical definido por V GS =
0V.
Em resumo, quando VGS = 0V, ID = IDSS
Quando VGS = VP = -4V, a corrente de dreno 0 mA, definindo outro ponto na curva de transferncia.
Ou seja: Quando VGS = VP, ID = 0mA

85

ELETRNICA

APLICAO DA EQUAO DE SHOCKLEY:


A curva de transferncia da figura acima pode ser obtida diretamente da equao de Shockley (5.3), tendo-se apenas os valores
de IDSS e VP. Os valores de IDSS e VP definem os limites da curva em ambos os eixos, faltando apenas encontrar alguns pontos
intermedirios.
Substituindo VGS = 0V, temos
ID = IDSS ( 1- VGS/VP)2
= IDSS ( 1- 0/VP)2 = IDSS (1 0) 2
logo

Substituindo VGS = VP, obtemos


ID = IDSS ( 1- VP/VP)2
= IDSS ( 1- 1)2 = IDSS (0)
logo

Para VGS = -1 V, teremos ID= 4,5mA


Verificar utilizando as expresses 5.4
Para confirmarmos o valor de VGS, utilizamos a expresso abaixo:

Calcular VGS para ID= 4,5 mA e IDSS= 8mA

Referncia: Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos Boylestad & Nacheslky 8 Edio


86

ELETRNICA

EXPERINCIA 18
JFET - TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO CURVA CARACTERSTICA
O primeiro transistor de efeito de campo (FET Field Effect Transistor) desenvolvido foi o de juno. Os transistores
JFET, diferentemente dos transistores bipolares, so amplificadores de tenso e como o nome diz, utilizam o efeito de campo
para o controle da tenso. Existem assim dois tipos de JFET. So eles o FET canal P e FET canal N. Sua configurao unipolar
permite o controle do canal atravs da porta (gate).

PR-RELATRIO 18
1) Defina o que vem a ser um JFET Canal N e como este funciona?
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2) Defina o que vem a ser tenso de pinch-off de um JFET;
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3) Mostre a expresso de transcondutncia (gm) para VGS = 0 (gmo);

4) Dado o JFET BF245, preencha as tabelas de especificaes e caractersticas abaixo:


JFET BF245
especificaes
Tenso dreno-fonte
Tenso dreno-porta
Tenso reversa porta-fonte
Corrente de porta

smbolo

valor

unidade

Dissipao total do dispositivo - @ TA=25C


Fator de reduo acima de 25C

Faixa de temperatura da juno


Faixa da temperatura
armazenamento

do

canal

para

5) Para execuo do experimento, tenha em mos uma cpia do datasheet do JFET BF245,

Data

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Aluno:

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ELETRNICA

EXPERIMENTO 18
Lista de materiais
Transistor JFET BF245 ou 2N3819 3 unidades;
Resistor 100R 1/4W 3 unidades (R3);
Resistores 1k8 1/4W 3 unidades (R1, R2);
Trimpot multivoltas vertical 10k (azul) 3 unidades;
Papel milimetrado;

Multmetro;
Fonte de alimentao (duas);
Osciloscpio dois canais;
Proto-board.

6) Montar no protoboard o circuito do esquemtico abaixo:


Ajustar VGS = 0, atravs do POT1, monitorando atravs do voltmetro;
Varie o valor de VDD atravs da fonte de alimentao, de acordo com a
tabela abaixo;
Monitorar VDS atravs do osciloscpio. Anote os valores obtidos na tabela;
Repita o procedimento para os novos valores de VGS, variando VDD e
anote os valores na tabela abaixo;
Traar os valores obtidos (da tabela) para obter a curva caracterstica I DS
versus VDS do JFET. Para tanto, utilizar uma folha de papel milimetrado;
O prximo passo da experincia consiste no levantamento e anlise das
caractersticas de transferncia IDS versus VGS. Para tanto, a partir dos
dados descritos na tabela abaixo, levantar a caracterstica de transferncia
na mesma folha utilizada na obteno do grfico anterior.

VGS = 0V
VDD VDS
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
7V
8V
9V
10V
11V
12V
13V
14V
15V

IDS

VGS = -1.0
VDS

IDS

VGS = -2.0
VDS

IDS

VGS = -3.0
VDS

IDS

VGS = -4.0
VDS

IDS

7) Em funo da tabela obtida, determinar os valores de I DSS (mA) e VP (V);

Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

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ELETRNICA

EXPERINCIA 19
JFET AMPLIFICADOR DC EM CONFIGURAO AUTOPOLARIZAO
A configurao com auto polarizao elimina a necessidade de duas fontes DC, que necessria para a configurao com
polarizao fixa. A tenso de controle porta-fonte (gate-source) passa a ser determinada pela tenso atravs do resistor RS.

PR-RELATRIO 19

Para
anlise
DC,
os
capacitores de entrada e sada so
substitudos
por
circuitos
abertos e o resistor RG pode ser
substitudo por um curto-circuito
equivalente, j que IG = 0A.
Mostrar o circuito para anlise
DC, indicando as correntes e
tenses do circuito.

1) Utilizando o JFET BF245, para um VDD = 20V, determinar RD e RS. Em seguida, determinar os seguintes parmetros: (a)
VGSQ, (b) IDQ, (c) VD, (d) VG, (e) VS, (f) VDS. Utilizar IDSS e VP do datasheet do JFET BF245. Mostrar o modelo DC. Inserir
os valores obtidos na tabela abaixo.

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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89

ELETRNICA

EXPERIMENTO 19
2) Medir as correntes e tenses do circuito e transferir para a tabela abaixo:
Valores dos resistores calculados

RD =

RS =
Valores calculados

VGSQ

IDQ

VD

VGSQ

IDQ

VD

VG

VS

VDS

VG

VS

VDS

Valores medidos

IDSS =

VP =

IS =

3) Esboce a reta de auto polarizao e a curva de transferncia indicando o ponto quiescente;

4) Inserir os capacitores de entrada e sada no circuito (C1 = 1uF e C2 = 1uF). Injetar um sinal senoidal de 200mVPP 1kHz e
com o osciloscpio verificar o sinal de sada. Calcular o ganho AC. Em seguida injetar um sinal triangular. Fazer os
mesmos procedimentos. Mostrar os sinais nos grficos abaixo.

______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
5) Justifique as discrepncias encontradas entre o circuito calculado e o circuito implementado;
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
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Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

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Aluno: _______________________________

90

ELETRNICA

EXPERINCIA 20
JFET AMPLIFICADOR DC EM CONFIGURAO POR DIVISOR DE TENSO
A polarizao por divisor de tenso aplicada aos amplificadores com Transistores Bipolares (BJT) aplicada tambm aos
amplificadores com Transistores de Efeito de Campo (FET). A configurao bsica exatamente a mesma, porm a anlise
DC diferente. IG = 0A para os amplificadores com FET, por outro lado para os amplificadores com BJT, o valor de I B afeta os
valores de corrente e tenso nos circuitos de entrada e sada.

PR-RELATRIO 20
Para anlise DC, os
capacitores de entrada e
sada e o capacitor CS so
substitudos por circuitos
abertos equivalente.
A fonte VDD separada
em duas fontes equivalentes
para permitir a distino
entre a regio de entrada e
de sada do circuito.
Aplicando-se Kirchhoff,
determina-se o valor de VG.

1) Montar o circuito polarizao por diviso de tenso e determinar os valores de R1, R2, RD e RS, utilizando o JFET BF245,
para o ponto quiescente IDQ = 12mA, VGSQ = -1V, VDSQ=15V e VDD=25V. Mostre os clculos do circuito.

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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ELETRNICA

EXPERIMENTO 20
2) Medir as correntes e tenses do circuito e transferir para a tabela abaixo:
Resistores Calculados

R1 =

VGSQ

IDQ

R2 =
valores calculados
VD
VG

VGSQ

IDQ

VD

RD =

RS =
VS

VDS

VS

VDS

valores medidos

IDSS =

VP =

VG
IS =

3) Esboce a reta de auto polarizao e a curva de transferncia indicando o ponto quiescente;

4) Inserir os capacitores de entrada e sada no circuito (C1 = 1uF, C2 = 1uF e CS = 1uF/10uF). Injetar um sinal senoidal de
200mVPP 1kHz e com o osciloscpio verificar o sinal de sada. Calcular o ganho AC. Em seguida injetar um sinal
triangular. Fazer os mesmos procedimentos. Mostrar os sinais nos grficos abaixo.

______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
5) Justifique as discrepncias encontradas entre o circuito calculado e o circuito implementado;
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
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Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

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Aluno: _______________________________

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ELETRNICA

EXPERINCIA 21
JFET AMPLIFICADOR FONTE COMUM, DIVISOR DE TENSO
A configurao fonte comum a mais utilizada para JFET, atuando como amplificador de pequenos sinais e baixa
frequncia.

PR-RELATRIO 21
1) Utilizando o circuito da experincia 20, polarizao por diviso de tenso uma vez que foi determinado os valores de R1,
R2, RS e RD, utilizando o JFET BF245, para o ponto quiescente IDQ = 12mA, VGSQ = -1V, VDSQ=15V e VDD=25V. A seguir,
calcular a tenso na carga e o ganho de tenso total. Determinar C1, C2 e CS, determinar a faixa de operao em frequncia
entre 100Hz e 10kHz. Definir o valor mximo de entrada para uma carga de 50k. Determinar teoricamente o ganho AC.

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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ELETRNICA

EXPERIMENTO 21
2) Medir as correntes e tenses do circuito e transferir para a tabela abaixo:
Resistores Calculados

R1 =

R2 =
Valores calculados

RD =

RS =

Gfso

Gfs

ZE

ZS

AV (sem carga)

VEG

VL

AV (com carga)

VL

AV (com carga)

Valores medidos
AV (sem carga)

VEG

3) Aplicar um sinal senoidal variando de 100Hz a 10kHz. Mostrar a forma de onda em 100Hz e 10kHz. Mostrar a amplitude
de entrada e sada

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______________________________________________________________________________________________________

4) Justifique as discrepncias encontradas entre o circuito calculado e o circuito implementado;


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______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

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Aluno: _______________________________

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ELETRNICA

TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO - MOSFET


Transistores de efeito de campo com metal-oxido conhecidos como MOSFETs, um dispositivo usado para amplificar ou
comutar sinais eletrnicos, como transistores bipolares ou outros tipos do tipo FET. O princpio bsico deste transistor foi
proposto primeiramente por Julius Edgar Lilienfeld em 1925. Nos MOSFETs, uma tenso sobre o xido porta isolada pode
acionar o canal de conduo entre os dois outros contatos chamados a fonte eo dreno. Este canal pode ser do tipo n ou tipo p, e
, portanto, chamado de nMOSFET ou pMOSFET (tambm comumente nMOS, PMOS). de longe o transistor mais comum
em ambos os circuitos analgicos e digitais, embora sua maior contribuio seja nos processos de fabricao digital.
O termo metal no nome considerado um equvoco, isto porque o material depositado no gate deste tipo de dispositivo
na maioria dos casos uma camada de polisilcio (silcio policristalino). O alumnio foi o material utilizado para para deposio
no gate ou porta at meados de 1970, quando tornou-se dominante o polisilcio. Dada sua capacidade de formar portas autoalinhados o polisilcio passou a ser utilizado em larga escala.
Portas ou gates de transistores utilizando deposies metlicas esto recuperarando espao neste cenrio, j que difcil
aumentar a velocidade de operao dos transistores, sem portas de metal.
Na figura abaixo podemos ver a seo transversal de MOSFET canal N, que fabricado em um substrato p. Para que se
possa construir um dispositivo MOSFET canal P, deve-se primeiramente fazer um implante ou deposio de material N.

Os smbolos frequentemente utilizados para identificar um FET, podem ser vistos na figura acima. Lembrando que um
transistor FET identificado pela letra M, um transistor bipolar pela letra Q e um MESFET, pela letra Z.
APLICAES DIGITAIS:
A grande vantagem do dispositivo MOSFET para comutao digital que a camada de xido entre o gate e o canal impede
a passagem de corrente contnua, reduzindo ainda mais o consumo de energia e dando uma impedncia de entrada muito
grande. O xido formado entre o gate e o canal efetivamente isola um MOSFET, por tornar-se uma camada capacitiva. Esta
camada capacitiva por ter uma alta impedncia, consome menos corrente para acionar o dispositivo. Lembrando-se que em
circuitos digitais, dispositivos deste tipo operam somente na regio de corte e saturao. Alm disso estes dispositivo possui
alta capacidade de fan-out.
O crescimento das tecnologias digitais, como o microprocessador forneceu a motivao para o avano da tecnologia
MOSFET mais rpido do que qualquer outro tipo de transistor de silcio.
APLICAES ANALGICAS:
As vantagens do MOSFET nos circuitos digitais no traduz a supremacia em todos os circuitos analgicos. Os circuitos
digitais so cahveados, passando a maior parte do seu tempo fora da regio de comutao, enquanto os circuitos analgicos
dependem do comportamento MOSFET realizada precisamente na regio de comutao de operao. O transistor bipolar de
juno (BJT) tem sido tradicionalmente o transistor mais utilizado em circuitos analgicos, em grande parte devido sua maior
transcondutncia e sua impedncia de sada mais elevada.
Atualmente os circuitos BiCMOS, vem ocupando este espao, principalmente por permitir alta impedncia de entrada
(CMOS) e alta corrente de sada em baixas impedncias (BJT). Seu processo de fabricao mais complexo se comparados
aos processos MOS e BJT.

95

ELETRNICA

EXPERINCIA 22
MOSFET - TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO CURVA CARACTERSTICA
O transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) , de longe, o tipo mais comum de
transistores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analgicos.
A palavra "metal" no nome um originrio dos primeiros CIs, onde as portas (gates) eram de metal. Os CIs
modernos usam portas de polisilcio, mas ainda so chamados de MOSFETs. Um MOSFET composto de um canal de
material semicondutor de tipo N ou de tipo P e chamado respectivamente de n-MOSFET ou p-MOSFET.
FET (em ingls Field Effect Transistor), Transistor de Efeito de Campo, que, como o prprio nome diz, funciona
atravs do efeito de um campo eltrico na juno. Este tipo de transitor tem muitas aplicaes na rea de amplificadores
(operando na area linear), em chaves (operando fora da area linear) ou em controle de corrente sobre uma carga.
O FET pode ser dividido em duas categorias: JFETs e MOSFETs. Por sua vez, os MOSFETs se dividem em duas
categorias: MOSFET tipo Intensificao (enhancement) e Depleo (depletion).

PR-RELATRIO 22
1) Defina a transcondutncia de um MOSFET?
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
2)

Mostre a expresso de transcondutncia gm;

3)

Mostre a expresso de transcondutncia gm para VGS = 0 (gmo);

4)

Dado o MOSFET 2N7000 (N-Channel enhancement mode field effect transistor), preencha as tabelas de especificaes e
caractersticas abaixo:
2N7000
especificaes
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Maximum Gain Current
Maximum
Power
Dissipation
@TA=25C. Derated above 25C
Operating and Storage Temperature
Drain Source Breakdown Voltage
Forward Transcondutance

smbolo

valor

unidade

5) Para execuo do experimento, tenha em mo uma cpia do datasheet do MOSFET 2N7000.

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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ELETRNICA

EXPERIMENTO 22
Lista de materiais
Transistor 2N7000 (N-Channel enhancement mode field
effect transistor) 2 unidades;
Resistor de 100R 1 unidade;

Multmetro;
Fonte de alimentao;
Osciloscpio dois canais;
Gerador de funes;
Proto-board.

6) Montar no protoboard o circuito do esquemtico abaixo:


Ajustar VGS = 0, atravs da fonte de alimentao, monitorando atravs do
voltmetro;
Varie o valor de VDS atravs da fonte de alimentao, de acordo com a tabela
abaixo;
Monitorar VDS atravs do osciloscpio. Anote os valores obtidos na tabela;
Repita o procedimento para os novos valores de VGS, variando VDS e anote os
valores na tabela abaixo;
Traar os valores obtidos (da tabela) para obter a curva caracterstica IDS versus
VDS do MOSFET. Para tanto, utilizar uma folha de papel milimetrado;
O prximo passo da experincia consiste no levantamento e anlise das
caractersticas de transferncia IDS versus VDS. Para tanto, a partir dos dados
descritos na tabela abaixo, levantar a caracterstica de transferncia na mesma
folha utilizada na obteno do grfico anterior.

VDD
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
7V
8V
9V
10V
11V
12V
13V
14V
15V

VGS = 0V
VDS
IDS

VGS = 2V
VDS
IDS

VGS = 4V
VDS
IDS

VGS = 6V
VDS
IDS

VGS = 8V
VDS
IDS

7) Em funo da tabela obtida, determinar os valores de I DSS (mA) e VP (V);

Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

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Aluno: _______________________________

97

ELETRNICA

EXPERINCIA 23
MOSFET - TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO PORTAS LGICAS
Transistores de efeito do tipo CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor), so utilizados em pares para
construo de portas lgicas. Os pares Canal P e Canal N vieram a substituir as tecnologias nMOS, largamente utilizadas nos
anos 70 no s na construo de circuitos integrados da srie 4000, como tambm para microprocessadores e
microcontroladores.

PR-RELATRIO 23
1) Defina o que vem a ser tecnologia nMOS?
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
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2) Defina o que vem a ser tecnologia CMOS? E quem a implementou pela primeira vez?
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
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3) Defina o que vem a ser transistor Canal N?
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
4) Defina o que vem a ser transistor Canal P?
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
5) Dado o CD4007, preencha as tabelas de especificaes e caractersticas abaixo:
CD4007
especificaes

smbolo

valor

unidade

DC Supply Voltage Range


Quiescent Device Current
Output Voltage Low Level
Output Voltage High Level
Input Voltage Low Level
Input Voltage High Level
Propagation Delay Low to High
Propagation Delay High to Low
Propagation Delay
Transition Time

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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98

ELETRNICA

EXPERIMENTO 23
Lista de materiais
Transistor 2N7000 (N-Channel) 2 unidades;
Transistor BSS84 (P-Channel) 2 unidades;
CI CD4007 2 unidades;
Resistor 1k 1/4W 3 unidades;
Resistor 4k7 1/4W 3 unidades.

Multmetro;
Fonte de alimentao;
Osciloscpio dois canais;
Gerador de funes;
Proto-board.

6) Montar utilizando o transistor 2N7000 uma porta NOT nMOS. Utilizar um resistor de 1k entre V DD e Dreno Mostrar o
circuito, sua tabela verdade, tempo de subida e tempo de descida. Observe o sinal de entrada e o sinal de sada atravs do
osciloscpio.
Inicialmente aplique nvel lgico LOW (0V), em seguida nvel lgico HIGH (5V). Utilizando o gerador de funes, aplique
sinal TTL na entrada do circuito (5V 1kHz) e compare os sinais de entrada e sada. Medir o tempo de subida (rise-time) e
o tempo de descida (fall-time). Varie a freqncia aumentando para centenas de kilohertz. Observe e descreva o que ocorre
quando a freqncia aumentada.
Utilizando o CI CD4007, faa o mesmo procedimento. Comente as diferenas.
A

An

M1

Rise time

Fall-time

7) Montar uma porta NOT CMOS. Utilize inicialmente o transistor P (BSS84) e N (2N7000). Em seguida monte a mesma
porta utilizando o CI CD4007. Mostrar o circuito, sua tabela verdade, tempo de subida e tempo de descida. Observe o sinal
de entrada e o sinal de sada atravs do osciloscpio.
Inicialmente aplique nvel lgico LOW (0V), em seguida nvel lgico HIGH (5V). Utilizando o gerador de funes, aplique
sinal TTL na entrada do circuito (5V 1kHz) e compare os sinais de entrada e sada. Medir o tempo de subida (rise-time) e
o tempo de descida (fall-time). Varie a freqncia aumentando para centenas de kilohertz. Observe e descreva o que ocorre
quando a freqncia aumentada em ambos os circuitos.
A

An

M1

M2

Rise time

Fall-time

99

ELETRNICA
8) Montar uma porta NAND de duas entradas. Mostrar o circuito, sua tabela verdade, tempo de subida e tempo de descida.
Observe o sinal de entrada e o sinal de sada atravs do osciloscpio.
Inicialmente aplique nvel lgico LOW (0V), em seguida nvel lgico HIGH (5V). Utilizando o gerador de funes, aplique
sinal TTL na entrada do circuito (5V 1kHz) e compare os sinais de entrada e sada. Medir o tempo de subida (rise-time) e
o tempo de descida (fall-time). Varie a freqncia aumentando para centenas de kilohertz. Observe e descreva o que ocorre
quando a freqncia aumentada.
B

M1

M2

M3

M4

Rise time

Fall-time

9) Montar uma porta NOR de duas entradas. Mostrar o circuito, sua tabela verdade, tempo de subida e tempo de descida.
Observe o sinal de entrada e o sinal de sada atravs do osciloscpio.
Inicialmente aplique nvel lgico LOW (0V), em seguida nvel lgico HIGH (5V). Utilizando o gerador de funes, aplique
sinal TTL na entrada do circuito (5V 1kHz) e compare os sinais de entrada e sada. Medir o tempo de subida (rise-time) e
o tempo de descida (fall-time). Varie a freqncia aumentando para centenas de kilohertz. Observe e descreva o que ocorre
quando a freqncia aumentada.
B

M1

M2

M3

M4

Rise time

Fall-time

10) Concluses:
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Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

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Aluno: _______________________________

100

ELETRNICA

EXPERINCIA 24
MOSFET TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO COMO CHAVE ON/OFF
A utilizao de Transistores de Efeito de Campo como chave liga-desliga, permite um maior ganho se comparado aos
transistores de juno, uma vez que FETs ou MOSFETs possuem baixo threshold (Vth), induzindo menor perda ao circuito a
ser acionado.

PR-RELATRIO 24
1) Projetar utilizando um MOSFET canal N ou Canal P um circuito para controlar o CI CMOS 74HC244 atravs dos pinos
OEn (pinos 1 e 19). O MOSFET dever habilitar e desabilitar o referido circuito integrado. Como os pinos OEn, ao serem
colocados em nvel lgico verdadeiro fazem com que as sadas do 74HC244 v para o estado tri-state, colocar nas entradas
deste CI 5VDC e nas respectivas sadas, LEDs que indicaro quando o circuito estiver habilitado e desabilitado.

2) Projetar, utilizando um MOSFET canal N ou Canal P um circuito para controlar um LED de alto brilho (3,0V DC). O
MOSFET dever controlar o funcionamento do LED atravs de uma sada digital (porta lgica), que acionar a porta (gate)
do mesmo.

3) Projetar utilizando MOSFET como resistor varivel, um controlador de intensidade luminosa para um LED de alto brilho.

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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101

ELETRNICA

EXPERIMENTO 24
Lista de materiais
CI 74HC244 2 unidades;
MOSFET Canal N 2N7000;
MOSFET Canal P BSS92 ou BSS84;
LED alto brilho.

Multmetro;
Fonte de alimentao;
Osciloscpio dois canais;
Gerador de funes;
Proto-board.

4) Implementar o circuito projetado no item 1 e comentar os resultados obtidos;


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5) Em que outros tipos de circuitos possvel utilizar esta aplicao?
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6) Implementar o circuito projetado no item 2 e comentar os resultados obtidos;
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7) Implementar o circuito projetado no item 3 e comentar os resultados obtidos;
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8) Comente as principais diferenas de funcionamento entre os trs circuitos;
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Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

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Aluno: _______________________________

102

ELETRNICA

AMPLIFICADORES DIFERENCIAIS
O "amplificador diferencial" est associado diretamente tecnologia de circuitos integrados. amplamente utilizado na
construo de amplificadores operacionais. Boa parte dos circuitos analgicos construdos atravs da microeletrnica, quer
dizer, amplificadores operacionais utilizam as configuraes de amplificadores diferenciais.
A figura abaixo mostra o funcionamento de um amplificador diferencial genrico. Assumindo a configurao como um
circuito linear e possuindo uma simetria atravs de um espelho, o que os mostra idnticos e opostos. Estes dois circuitos so
idnticos e possuem as mesmas propriedades eltricas. As correntes I A e IB representam as correspondentes correntes fluindo
de cada uma das partes. VA e VB so as tenses correspondentes (relativas ao mesmo terra) a cada parte do circuito. Por outro
lado Ia e Ib so as correntes de um circuito para o outro.

A aplicao de simetria para o comportamento do circuito baseado em uma premissa filosfica de que a natureza no
perversa, e os elementos do circuito so parecidos operando em condies semelhantes que iro se comportar da mesma forma.
Dois casos ilustram as propriedades do tipo de arranjo simtrico mostrado acima que so de interesse especial. Suponha
que os sinais de entrada S1 e S2 esto previstos para o circuito. O sinal real pode ser S1-S2, ou seja, aplicado entre os terminais
de entrada, mas conveniente aqui para fazer referncia a cada um separadamente, a um ponto pacfico).
No primeiro caso, o "modo comum", ambos os sinais so os mesmos, ou seja, S1 = S2. No outro caso, o "modo diferencial", os
sinais so eletricamente assimtricas, ou seja, S1 = -S2.
Considere o caso de modo comum em primeiro lugar. Por causa da simetria fsica dos dois meios-circuitos e a simetria
eltrica da entrada de sinais de tenses e correntes correspondentes em cada metade do circuito ser igual. Assim, por exemplo,
Ia = Ib e utilizando a LKC, teremos Ia + Ib = 0, ou seja, a soma das correntes deve ser zero.
A concluso geral que no h modo comum de corrente que flui entre as duas metades, mesmo que haja conexes fsicas
entre eles.
A partir de raciocnio semelhante, a diferena de tenso de modo comum entre os pontos correspondentes em cada meio
circuito deve ser zero, ou seja, VA = VB = 0.
O estgio amplificador diferencial (diff-amp), que faz parte do amplificador operacional, prov ao conjunto, um alto ganho
de tenso e um modo de rejeio comum (CMRR Common Mode Rejection Ratio), igualmente alto. Diferentemente dos
amplificadores operacionais, o amplificador diferencial possui duas entradas e duas sadas.

103

ELETRNICA
OPERAO BSICA DC:
De um modo geral os amplificadores operacionais possuem mais de um estgio diferencial, principalmente os de alto
desempenho. Aqui ser mostrado o funcionamento de um nico estgio diferencial. Abaixo temos trs configuraes tpicas de
um estgio diferencial.
Na primeira configurao, vemos as duas entradas
aterradas, e os emissores de Q1 e Q2 estaro em -0,7V (VE =
VBE). Pode-se observar este valor de tenso no voltmetro
conectado junto aos emissores e referenciado a terra (GND).
Nesta condio temos que as tenses e as correntes so
idnticas em ambos os ramos. Deve-se levar em conta que Q1
e Q2 possuem o mesmo ganho () e est identicamente
compensado, o que ocorre durante o processo de fabricao.
Dessa forma as correntes de emissor de ambos so idnticas.
Assim temos que:
IE1 = IE2
Como a corrente em ambos os transistores fluem via RE
tem-se que IE1 = IE2, logo:
IE1 = IE2 = IRE / 2
Onde:
IRE = VE VEE / RE
Uma vez que IC IE, pode-se afirmar que:
IC1 = IC2 = IRE / 2
Sendo que as correntes e os resistores de coletor possuem
comportamentos idnticos, quando a tenso de entrada zero,
teremos:
VC1 = VC2 = VCC IC1RC1
Na segunda configurao, a entrada 2 est aterrada (GND)
e uma tenso positiva de BIAS aplicada na entrada 1. A
tenso DC de polarizao na base de Q1 faz com que a
corrente IC1 aumente e eleve a tenso de emissor para:
VE = VBIAS 0,7V
Esta condio reduz a tenso VBE de Q2, uma vez que sua
base est aterrada, fazendo com que IC2 diminua e VC2
aumente. Por sua vez VC1 diminui.
Finalmente na terceira configurao, a entrada 1 est
aterrada (GND) e uma tenso positiva de BIAS aplicada na
entrada 2. A tenso DC de polarizao na base de Q2 faz com
que a corrente IC2 aumente e VE tambm aumente.
Esta condio reduz a tenso VBE de Q1, uma vez que sua
base est aterrada, fazendo com que IC1 diminua e VC1
aumente.
Devemos observar que nas duas ltimas configuraes as
entradas aterradas dos transistores passam para a
configurao base comum.

104

ELETRNICA
Amplificadores diferenciais possuem trs modos de operao que so: Terminao Simples, Terminao Dupla e Modo
Comum.
Se um sinal de entrada aplicado em uma entrada (INPUT 1), com a outra entrada aterrada (INPUT 2 - GND), esta
operao denominada terminao simples;
Se dois sinais de entrada de polaridades opostas so aplicados s entradas (INPUT 1 e INPUT 2), a operao
denominada terminao dupla;
Se um mesmo sinal de entrada aplicado a ambas as entradas (INPUT 1 e INPUT 2), a operao denominada modo
comum.
Modo Terminao Simples (Single-Ended Input):
Quando o amplificador diferencial opera neste modo, uma das entradas aterrada e um sinal AC aplicado outra entrada.
Neste caso quando o sinal aplicado entrada 1, na sada 1 aparece um sinal invertido e amplificado. O mesmo sinal de
entrada aparece no emissor de Q1. Como os emissores de Q1 e Q2 esto conectados, este sinal torna-se um sinal de entrada para
Q2 que est operando na configurao base comum. O sinal amplificado por Q 2 e aparece na sada 2 de forma no
invertida.

No caso onde o sinal de entrada aplicado entrada 2, e a entrada um est aterrada, o sinal de sada amplificado e invertido
aparecer na sada 2. Nesta condio Q1 estar operando no modo de configurao base comum e o sinal amplificado no
invertido aparecer na sada 1.
Modo Terminao Dupla (Differential Input):
Nesta configurao, dois sinais de polaridades opostas (fora de
fase) so aplicados s entradas do amplificador diferencial. Este
tipo de operao chamado de terminao dupla ou entrada
diferencial. Por sobreposio ambos os sinais de entrada se somam
resultando na sada a operao diferencial total.

Modo Comum (Common-Mode Input):


O aspecto mais importante do funcionamento de um amplificador diferencial o chamado modo comum. Esta condio se
aplica a sinais nas entradas com mesma amplitude fase e frequncia so inseridos. O resultado de sada so os dois sinais
sobrepostos e neste caso os mesmo se cancelam. Deste tipo de operao deriva-se o CMRR Common Mode Rejection
Ratio, ou seja, Razo de Rejeio do Modo Comum.

105

ELETRNICA
OPERAO BSICA AC:
O circuito abaixo mostra a configurao AC de um Amplificador Diferencial utilizando transistores bipolares (BJT), a
partir da configurao bsica DC mostrada anteriormente. Para se fazer a anlise deste circuito no modo AC, os transistores
so substitudos pelo equivalente AC.

GANHO DE TENSO AC COM TERMINAO SIMPLES:


Para calcular o ganho de tenso AC com terminao simples, onde temos VO/VI, aplica-se um sinal em uma das entradas e
a outra permanece aterrada (GND). Seu novo equivalente AC e mostrado na figura abaixo. A corrente de base calculada
aplicando-se a equao da LKT para a entrada da Base 1. Considerando os dois transistores com mesmo beta, teremos:

Ib1 = Ib2 = IB
Ri1 = ri2 = ri
Como RE muito grande, temos:

Vi1 Ibri Ibri =0


Logo:

Ib = Vi1 / 2ri
Considerando 1 = 2 = ,

IC = Ib = (Vi1/2ri)
E o sinal de sada ser:

VO = ICRC = (Vi1/2ri)RC
Logo:

AV = VO / VI = RC/2re

O equivalente AC do circuito acima ser:

106

ELETRNICA

EXPERINCIA 25
OP AMPS - AMPLIFICADOR DIFERENCIAL BJT
Um amplificador operacional na sua forma bsica consiste tipicamente de dois ou mais amplificadores diferenciais. O
amplificador diferencial essencial para a operao interna de um Amplificador Operacional.
Neste experimento, ser construdo um amplificador diferencial Bipolar utilizando transistores NPN.

PR-RELATRIO 25
1) Monte um circuito amplificador diferencial utilizando transistores bipolares NPN; BC5xx; onde RC 1, RC2 e RE = 10k, VCC
= VEE = 15V. Mostrar o modelo DC com as duas entradas em GND e calcular as tenses e correntes do circuito.

2) Mostrar o modelo AC e calcular o ganho de tenso para o modelo com Terminao Simples.

3) Mostrar o modelo AC para Terminao Dupla, e apresentar os clculos para o ganho diferencial Ad.

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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_______________________________

107

ELETRNICA

EXPERIMENTO 25
4) Montar o circuito do item 1, e realizar as medies conforme indicado abaixo, deixando as entradas em GND:

IC1

IC2

Valores calculados
VO1

VO2

VE

IC1

IC2

Valores medidos
VO1

VO2

VE

5) Com uma das entradas aterradas, aplique um sinal senoidal em 1kHz na outra entrada. Observe antes de ligar a amplitude
do sinal, para que o circuito no apresente saturao. Compare o ganho medido com o ganho calculado e explique o que
ocorre com os sinais nas sadas?
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

6) Varie as tenses de alimentao VCC e VEE, inicialmente aplique 10VDC, explique qual o comportamento do circuito em
relao ao sinal de entrada. Varie o sinal de entrada e observe o sinal de sada. Repita para uma tenso de 18VDC;
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
7) Utilizando geradores de funes aplique dois sinais senoidais, um em cada entrada do circuito. Primeiramente em fase, em
seguida, defasado de 180. Comente os resultados;

______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

108

ELETRNICA
8) Substitua os resistores de 10k por resistores de 100k, repita as medidas

IC1

IC2

Valores calculados
VO1

VO2

VE

IC1

IC2

Valores medidos
VO1

VO2

VE

9) Com uma das entradas aterradas, aplique um sinal senoidal em 1kHz na outra entrada. Observe antes de ligar a amplitude
do sinal, para que o circuito no apresente saturao. Compare o ganho medido com o ganho calculado e explique o que
ocorre com os sinais nas sadas?
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

10) Varie as tenses de alimentao VCC e VEE, inicialmente aplique 10VDC, explique qual o comportamento do circuito em
relao ao sinal de entrada. Varie o sinal de entrada e observe o sinal de sada. Repita para uma tenso de 18VDC;
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
11) Utilizando geradores de funes aplique dois sinais senoidais, um em cada entrada do circuito. Primeiramente em fase,
em seguida, defasado de 180. Comente os resultados;

______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

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Aluno: _______________________________

109

ELETRNICA

EXPERINCIA 26
OPAMPS - AMPLIFICADORES DIFERENCIAIS JFET
Um amplificador operacional na sua forma bsica consiste tipicamente de dois ou mais amplificadores diferenciais. O
amplificador diferencial essencial para a operao interna de um Amplificador Operacional.
Neste experimento, ser construdo um amplificador diferencial JFET utilizando transistor canal N.

PR-RELATRIO 26
1) Monte um circuito amplificador diferencial utilizando transistores JFET canal N; BF2xx; onde RC 1, RC2 e RE = 10k, VDD =
VSS = 15V. Mostrar o modelo DC com as duas entradas em GND e calcular as tenses e correntes do circuito.

2) Mostrar o modelo AC e calcular o ganho de tenso para o modelo com Terminao Simples.

3) Mostrar o modelo AC para Terminao Dupla, e apresentar os clculos para o ganho diferencial Ad.

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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110

ELETRNICA

EXPERIMENTO 26
12) Montar o circuito do item 1, e realizar as medies conforme indicado abaixo, deixando as entradas em GND:

ID1

ID2

Valores calculados
VO1

VO2

VS

ID1

ID2

Valores medidos
VO1

VO2

VS

13) Com uma das entradas aterradas, aplique um sinal senoidal em 1kHz na outra entrada. Observe antes de ligar a amplitude
do sinal, para que o circuito no apresente saturao. Compare o ganho medido com o ganho calculado e explique o que
ocorre com os sinais nas sadas?
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

14) Varie as tenses de alimentao VCC e VEE, inicialmente aplique 10VDC, explique qual o comportamento do circuito em
relao ao sinal de entrada. Varie o sinal de entrada e observe o sinal de sada. Repita para uma tenso de 18V DC;
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
15) Utilizando geradores de funes aplique dois sinais senoidais, um em cada entrada do circuito. Primeiramente em fase, em
seguida, defasado de 180. Comente os resultados;

______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

111

ELETRNICA
16) Substitua os resistores de 10k por resistores de 100k, repita as medidas

ID1

ID2

Valores calculados
VO1

VO2

VS

ID1

ID2

Valores medidos
VO1

VO2

VS

17) Com uma das entradas aterradas, aplique um sinal senoidal em 1kHz na outra entrada. Observe antes de ligar a amplitude
do sinal, para que o circuito no apresente saturao. Compare o ganho medido com o ganho calculado e explique o que
ocorre com os sinais nas sadas?
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

18) Varie as tenses de alimentao VCC e VEE, inicialmente aplique 10VDC, explique qual o comportamento do circuito em
relao ao sinal de entrada. Varie o sinal de entrada e observe o sinal de sada. Repita para uma tenso de 18VDC;
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
19) Utilizando geradores de funes aplique dois sinais senoidais, um em cada entrada do circuito. Primeiramente em fase,
em seguida, defasado de 180. Comente os resultados;

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Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

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Aluno: _______________________________

112

ELETRNICA

AMPLIFICADOR OPERACIONAL
O amplificador operacional recebeu este nome porque foi projetado inicialmente para realizar operaes matemticas
utilizando a tenso como uma analogia de outra quantidade. Esta a base dos computadores analgicos onde os op amps eram
utilizados para realizar as operaes matemticas bsicas (adio, subtrao, integrao, diferenciao, e outras). Neste
sentido, um verdadeiro amplificador operacional um elemento do circuito ideal. Os amplificadores reais utilizados, feitos de
transistores, vlvulas, ou outros componentes amplificadores, so aproximaes deste modelo ideal.
Os op amps foram desenvolvidos na era das vlvulas termoinicas, onde eles eram usados em computadores
analgicos. Os op amps modernos so normalmente construdos em circuitos integrados, apesar de ocasionalmente serem
feitos com transistores discretos, e geralmente possuem parmetros uniformes com encapsulamentos e necessidades de
alimentaes padronizadas, possuindo muitos usos na eletrnica.
A maioria dos op amps simples, duplos ou qudruplos disponveis possuem uma pinagem padronizada que permite
que um tipo seja substitudo por outro sem mudanas na pinagem. Um op amp especfico pode ser escolhido pelo seu ganho
em malha aberta, largura de banda, nvel de rudo, impedncia de entrada, consumo da potncia, ou uma combinao de alguns
destes fatores.
Historicamente, o primeiro op amp integrado a tornar-se largamente disponvel foi o Fairchild UA-709, no final dos
anos 60, porm isto foi rapidamente modificado pela performance superior do LM741, que mais fcil de utilizar, e
provavelmente o mais conhecido da eletrnica - todos os principais fabricantes produzem uma verso deste chip clssico. O
LM741 possu transistores bipolares, e segundo os padres modernos possui uma performance considerada mdia.
Projetos melhorados baseados no transistor FET surgiram no final dos anos 70, e as verses com MOSFET no incio
dos anos 1980s. H ainda os chamados op amps Bi-FET, que combinam transistores bipolares e MOSFETs, e que aproveitam
as melhores caractersticas de ambos. Bi-FETs tpicos so os LF411 e LF351 da NATIONAL, assim como CA3130 e CA3140
da RCA.

O AMPLIFICADOR OPERACIONAL IDEAL


O amplificador operacional ideal tem um ganho infinito em malha aberta, largura de banda infinita, impedncia de
entrada infinita, impedncia de sada nula e nenhum rudo, assim como offset de entrada zero (exatamente 0 V na sada
quando as duas entradas forem exatamente iguais) e nenhuma interferncia trmica. Os circuitos integrados de op amps
utilizando MOSFETs so os que mais se aproximam destes valores ideais em limites de largura de banda.

O amplificador operacional provavelmente o dispositivo nico mais bem sucedido na rea de circuitos eletrnicos
analgicos. Com apenas alguns poucos componentes externos, ele pode ser ajustado de modo a fazer uma grande variedade de
funes em processamento de sinal. Tambm possui um preo relativamente baixo.

USO NO PROJETO DE SISTEMAS ELETRNICOS:


A possibilidade de usar os modelos em blocos dos amplificadores operacionais durante o projeto de circuitos faz com
que circuitos complicados se tornem mais simples para se trabalhar e compreender, especialmente em esquemas muito
grandes. Os op amps podem ser usados como se tivessem propriedades idealizadas (ganho infinito, dissipao de calor perfeita,
resposta de freqncia estvel, impedncia de entrada infinita, impedncia de sada nula, e outras respostas ideais).

113

ELETRNICA
Aps o projeto inicial de o circuito ter sido concludo (e muitas vezes modelado em computador), op amps especficos
so escolhidos de modo a ser o mais prximo possvel dos critrios de projeto e de custo. Pode ocorrer que um op amp com
todos os parmetros desejados no possa ser encontrado e ento se procura o amplificador operacional que mais se aproxime
da sua funo pretendida no seu sub-circuito.
O circuito projetado provavelmente precisar de modificaes para aceitar as qualidades dos amplificadores
operacionais reais. O mesmo feito para praticamente todas as partes eletrnicas durante do desenvolvimento do projeto (onde
estas tambm so utilizadas como perfeitas), isto deve ser feito de modo a fazer com que os componentes reais ajam os mais
prximos possveis dos componentes ideais. Este processo de desenvolver os circuitos com partes ideais e ento ajust-las de
acordo com suas verses reais e comumente verdadeiro em todos os componentes eletrnicos incluindo condensadores,
indutores, resistncias, transistores, diodos, etc.
Aps as modificaes necessrias, o resultado um circuito final utilizando op amps ideais. O objetivo do projeto
que qualquer erro ou discrepncia restante seja insignificante na prtica.
COMPORTAMENTO EM CORRENTE CONTNUA:
O ganho em malha aberta definido como a amplificao da entrada para a sada sem nenhuma realimentao (feedback) aplicada. Para a maioria dos clculos prticos, o ganho em malha aberta definido como infinito; na realidade,
entretanto, ele limitado pela quantidade de tenso aplicada alimentao do amplificador operacional, (terminais Vs+ e Vsno diagrama acima). Os dispositivos tpicos possuem um ganho de malha aberta em Corrente Contnua entre 100,000 e 1
milho. Isto permite que o ganho da aplicao seja ajustado utilizando a realimentao negativa. Os op amps possuem limites
de performance que o projetista deve manter em mente e muitas vezes trabalhar em torno disto.
COMPORTAMENTO EM CORRENTE ALTERNADA:
O ganho do op amp calculado em DC no se aplica a corrente alternada a freqncias mais altas. Isto ocorre devido s
limitaes do componente, tais como sua largura de banda finita, e s caractersticas em AC do circuito aonde colocada. O
problema mais bem conhecido no desenvolvimento de projetos com op amps a tendncia de estes ressonarem a Altas
freqncias, aonde mudanas na realimentao negativa mudam para realimentao positiva devido mudana de fase.
Os op amps tpicos, de baixo custo possuem uma largura de banda de alguns MHz. Op amps especficos e de alta
velocidade podem atingir uma largura de banda de centenas de MHz. Para circuitos de freqncia muito alta, um tipo
completamente diferente de op amp, chamado amplificador operacional de realimentao de corrente frequentemente usado.

NOTAO:
Um smbolo eltrico para o amplificador operacional mostrado abaixo:
Os seus terminais so:
V+: entrada no-inversora
V: entrada inversora
Vout: sada
+VDC: alimentao positiva
VDC: alimentao negativa
Os pinos de alimentao (VS+ e VS) podem ser nomeados de diferentes formas. Ver pinos de alimentao dos CIs.
Para op amps baseados em tecnologia FET, o positivo, ou alimentao de dreno comum chamada de V DD e o negativo, ou
alimentao de fonte comum chamado de VSS. Para op amps baseados em TBJ (BJT), o pino VS+ torna-se VCC e o pino VS
torna-se VEE. Eles so muitas vezes chamados VCC+ e VCC, ou mesmo V+ e V, no caso de as entradas serem nomeadas
diferentemente, a funo permanecer a mesma. Muitas vezes estes pinos so retirados dos esquemas eltricos para uma maior
claridade, e a configurao de alimentao dada ou previsvel atravs do circuito.
A posio dos pinos de polaridade pode ser invertida em diagramas para uma maior claridade. Neste caso, os pinos de
alimentao continuam nas mesmas posies: o pino de alimentao mais positivo sempre no topo, e o pino de alimentao
mais negativo na parte inferior. O smbolo inteiro no invertido, apenas as suas entradas de alimentao.

114

ELETRNICA

TIPOS DE Op Amps
Uso Geral

LM741
The LM741 series are general purpose
operational amplifiers which feature improved
performance over industry standards like the
LM709. They are direct, plug-in replacements for
the 709C, LM201, MC1439 and 748 in most
applications.
The amplifiers offer many features which make
their application nearly foolproof: overload
protection on the input and output, no latch-up
when the common mode range is exceeded,
as well as freedom from oscillations.

LM351
The LF351 is a low cost high speed JFET input
operational amplifier with an internally trimmed
input offset voltage (BI-FET IITM technology).
The device requires a low supply current and yet
maintains a large gain bandwidth product and a
fast slew rate. In addition, well matched high
voltage JFET input devices provide very low
input bias and offset currents. The LF351 is pin
compatible with the standard LM741 and uses
the same offset voltage adjustment circuitry.
This feature allows designers to immediately
upgrade the overall performance of existing
LM741 designs.

Banda Larga
Sample&Hold
Multiplexer
Multiplier
Comparator

CA3080

Baixa
Alimentao

TLV2322/24
The TLV232x operational amplifiers are in a
family of devices that has been specifically
designed for use in low-voltage single-supply
applications.
This amplifier is especially well suited to ultralow-power systems that require devices to
consume the absolute minimum of supply
currents.
Each amplifier is fully functional down to a
minimum supply voltage of 2 V, is fully
characterized, tested, and specified at both 3-V
and 5-V power supplies. The common-mode
input voltage range includes the negative rail and
extends to within 1 V of the positive rail.
These amplifiers are specifically targeted for use
in very low-power, portable, battery-driven
applications with the maximum supply current
per operational amplifier specified at only 27 mA
over its full temperature range of 40C to 85C.

115

ELETRNICA
Alta Tenso de
Alimentao

LM143
The LM143 is a general purpose high voltage
operational amplifier featuring operation to
g40V, complete input overvoltage protection up
to g40V and input currents comparable to those
of other super-b op amps. Increased slew rate,
together with higher common-mode and supply
rejection, insure improved performance at high
supply voltages. Operating characteristics, in
particular supply current, slew rate and gain, are
virtually independent of supply voltage and
temperature. Furthermore, gain is unaffected by
output loading at high supply voltages due to
thermal symmetry on the die.
The LM143 is pin compatible with general
purpose op amps and has offset null capability.

PB58

MSK130

Baixo
Consumo

TLV2322/24

Consumo: 17uA por canal

Rail-to-Rail

LM358
Utilizing the circuit designs perfected for Quad
Operational Amplifiers, these dual operational
amplifiers feature low power drain, a common
mode input voltage range extending to
ground/VEE, and single supply or split supply
operation. The LM358 series

116

Detalhes do PCB

ELETRNICA
Baixo Rudo

AD797
The AD797 is a very low noise,
low
distortion
operational
amplifier ideal for use as a
preamplifier. The low noise of
0.9 nV/Hz and low total
harmonic distortion of 120 dB
in audio bandwidths give the
AD797 the wide dynamic range
necessary for preamps in
microphones
and
mixing
consoles.
The AD797 is also useful in
infrared (IR) and sonar imaging
applications, where the widest
dynamic range is necessary. The
low distortion and 16-bit settling
time of the AD797 make it ideal
for buffering the inputs to -
ADCs or the outputs of high
resolution DACs, especially
when the device is used in
critical applications such as
seismic detection or in spectrum
analyzers. Key features such as a
50 mA output current drive and
the specified power supply
voltage range of 5 V to 15 V
make the AD797 an excellent
general-purpose amplifier.

LM318

The LM318 are precision, fast


operational amplifiers designed
for applications requiring wide
bandwidth and high slew rate.
They feature a factor-of-ten
increase in speed over generalpurpose
devices
without
sacrificing dc performance.
These operational amplifiers
have
internal
unity-gain
frequency compensation. This
considerably simplifies their
application because no external
components are necessary for
operation.
However, unlike most internally
compensated amplifiers, external
frequency compensation may be
added for optimum performance.
For inverting applications, feedforward compensation boosts the
slew rate to over 150 V/s and
almost double the bandwidth.
Overcompensation can be used
with the amplifier for greater
stability
when
maximum
bandwidth is not needed.
Further, a single capacitor can be
added to reduce the settling time
for 0.1% error band to under 1
s. The high speed and fast
settling time of these operational
amplifiers make them useful in
A/D converters, oscillators,
active filters, sample-and-hold
circuits, and general-purpose
amplifiers.

117

ELETRNICA
Baixo Offset

LF411

These devices are low cost, high


speed JFET input operational
amplifiers with very low input
offset voltage and guaranteed
input offset voltage drift. They
require low supply current yet
maintain a large gain bandwidth
product and fast slew rate. In
addition, well matched high
voltage JFET input devices
provide very low input bias and
offset currents.
The LF411 is pin compatible
with the standard LM741
allowing designers to
immediately upgrade the overall
performance of existing designs.
These amplifiers may be used in
applications such as high speed
integrators, fast D/A converters,
sample and hold circuits and
many other circuits requiring
low input offset voltage and
drift, low input bias current, high
input impedance, high slew rate
and wide bandwidth.

Instrumentao

INA114

The INA114 is a low cost,


general purpose instrumentation
amplifier offering excellent
accuracy.
Its versatile 3-op amp design and
small size make it ideal for a
wide range of applications. A
single external resistor sets any
gain from 1 to 10,000.
Internal input protection can
withstand up to 40V without
damage.
The INA114 is laser trimmed for
very low offset voltage (50mV),
drift (0.25mV/C) and high
common-mode rejection (115dB
at G = 1000).
It operates with power supplies
as low as 2.25V, allowing use
in battery operated and single 5V
supply systems. Quiescent
current is 3mA maximum. The
INA114 is available in 8-pin
plastic and SOL-16 surfacemount packages.
Both are specified for the 40C
to +85C temperature range.

Potncia

LM12

118

ELETRNICA

CIRCUITOS BSICOS COM OP AMPS


SEGUIDOR DE TENSO - IMPEDNCIA DE SADA DO OP AMP:
Nesta configurao, o ganho de malha aberta unitrio.

AVcl(VF) = 1
Esta configurao possui alta impedncia de entrada e baixa
impedncia de sada. Sua funo operar como um driver.

AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO AMPLIFICADOR NO INVERSOR:

Ganho da configurao no inversora

AVcl = VOUT/VIN
AVcl = 1 + (Rf / Ri)

AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO AMPLIFICADOR INVERSOR:


Ganho da configurao inversora

AVcl = - VOUT/VIN
O sinal negativo representa a inverso de fase

AVcl = - Rf/Ri
ASSOCIAO DE ESTGIOS EM CASCATA

AVCL = VO/VI
AVCL = VO1/VI x VO2/VO1 x ... x VO / VO(n-1)

AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO INTEGRADOR:

AVcl = 1 / 2fRC
119

ELETRNICA
AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO DIFERENCIADOR:

AVCL = 2fRC
AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO SOMADOR NO INVERSOR:

VO = (1 + RF / R) x (G1V1 + G2V2 + G3V3/ G1 + G2 + G3)

AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO SOMADOR INVERSOR:

VO = - RF (V1/R1 + V2/R2 + V3/R3)

AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO SUBTRATOR:

VO = R2 / R1 (V2 V1)

120

ELETRNICA
TIPOS DE ENCAPSULAMENTOS (PACKAGE OPTIONS):

NOVAS TENDNCIAS:

121

ELETRNICA

EXPERINCIA 27
OP AMP DRIVER E REFERNCIA DE TENSO
Circuito driver ou seguidor de tenso utilizado para que se possa manter um sinal estvel. Como exemplo, o
TMS103 da STMicroelectronics, que possui uma referencia de 2,5V associada a um Op Amp e um segundo Op Amp.
Neste experimento ser verificado o funcionamento de uma referncia de tenso (LM336-25) e uma referncia de
tenso associada a um amplificador operacional (TL082).

OpAmp TL082 TEXAS Instruments

OpAmp TMS103 STMicroelectronics

PR-RELATRIO 27
1) Descreva uma aplicao para o circuito driver;
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2) Descreva o funcionamento de um circuito referncia de tenso;
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
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______________________________________________________________________________________________________
3) Qual a diferena entre um diodo zener e um diodo referncia de tenso;
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______________________________________________________________________________________________________
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______________________________________________________________________________________________________
4) Onde so utilizados circuitos referencia de tenso;
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______________________________________________________________________________________________________
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Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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122

ELETRNICA

EXPERIMENTO 27
Lista de materiais
Amplificador operacional TL082 2 unidades;
CI LM336 2,5V Ref. de tenso 3 unidades;
Resistor 1k2 1/4W 3 unidades.

Fonte de alimentao;
Osciloscpio dois canais;
Gerador de funes;
Proto-board.
bottom view

top view

5) Montar o circuito referncia de tenso abaixo. Aplicar uma carga varivel na sada e observe com o osciloscpio a sada do
circuito. Calcule a corrente de sada. Anote as variaes.
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6) Montar o circuito seguidor de tenso (Voltage-Follower) conforme figura abaixo. Aplicar um sinal senoidal a sua entrada e
verifique o sinal na sada do circuito. Explique o que foi observado. Em seguida aplicar um nvel DC na entrada e explicar
o que foi observado.
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7) Montar o circuito de referncia com o seguidor de tenso associado. Coloque uma carga varivel na sada. Compare o
funcionamento deste circuito com o circuito do item 5.
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Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

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Aluno: _______________________________

123

ELETRNICA

EXPERINCIA 28
OP AMP INVERSOR E NO INVERSOR
PR-RELATRIO 28
1) Defina o ganho de um op amp genrico. Transforme este ganho em dB (decibis);

2) Quais os modos de operao de um Op Amp?


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______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
3) Quais as caractersticas de um Op Amp ideal?
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______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
4) Desenvolver utilizando as expresses apropriadas um Amplificador inversor que possua ganho 10. Mostre o circuito;

5) Desenvolver utilizando as expresses apropriadas um Amplificador no-inversor que possua ganho 20;

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

_____/______/_____

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124

ELETRNICA

EXPERIMENTO 28
Lista de materiais
Amplificador operacional TL082;
Transistor BC547
Transistor BC 557
Diodo 1N4148 ou 1N914
Resistores;

Multmetro;
Fonte de alimentao;
Osciloscpio dois canais;
Gerador de funes;
Proto-board.

6) Apresentar os seguintes clculos para cada um dos circuitos acima:


ACL Ganho de malha fechada;
ZIN Impedncia de entrada;
ZOUT Impedncia de sada.
Amplificador Inversor

Amplificador no-inversor

7) Montar o circuito Amplificador Operacional discreto da figura abaixo. Descrever o circuito. Alimentar o circuito com
15VCC. Configur-lo no modo inversor e injetar um sinal senoidal na sua entrada. Determinar o ganho de malha aberta e
sua banda.

Sinal de entrada

Sinal de sada

R1 = 4K7
R2 = 1K
R3 = 470R
R4 = 470R
D1 = 1N4148
D2 = 1N4148
Q1 = BC547
Q2 = BC547
Q3 = BC547
Q4 = BC557

______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
125

ELETRNICA
8) Utilizando proto-board montar o circuito inversor do item 4. Em seguida aplique um sinal senoidal de 1kHz na entrada e
verifique o ganho do circuito, variando a amplitude do sinal.
Aplique a mxima freqncia para atingir o ponto de corte do TL082. Verifique se este valor confere com o valor do
manual do fabricante. Caso no foi obtido, explicar o porqu?

Sinal de entrada

Sinal de sada

______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

9) Sem alterar a montagem do circuito (sinais de entrada, de sada, alimentao), remova R F e observe o sinal de sada. Em
seguida recoloque RF e remova RI e observe o sinal de sada. Insira as formas de ondas de sada obtidas no grfico abaixo e
explique o que foi observado.

Sinal de sada sem RF

Sinal de sada sem RI

______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

126

ELETRNICA
10) Utilizando proto-board montar o circuito no inversor do item 5. Em seguida aplique um sinal senoidal de 1kHz na entrada
e verifique o ganho do circuito, variando a amplitude do sinal.
Aplique a mxima freqncia para atingir o ponto de corte do TL082. Verifique se este valor confere com o valor do
manual do fabricante. Caso no foi obtido, explicar o porque?
Sinal de entrada

Sinal de sada

______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
11) Sem alterar a montagem do circuito (sinais de entrada, de sada, alimentao), remova RF e observe o sinal de sada. Em
seguida recoloque RF e remova RI e observe o sinal de sada. Insira as formas de ondas de sada obtidas no grfico abaixo
e explique o que foi observado.
Sinal de sada sem RF

Sinal de sada sem RI

______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

12) De posse de todas as informaes fazer relatrio do experimento e anexar as folhas de pr-relatrio e experimento.

Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

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________________________

Aluno: _______________________________

127

ELETRNICA

EXPERINCIA 29
OP AMP ASSOCIAO DE ESTGIOS EM CASCATA
Associao de estgios em casacata a associao de circuitos inversores e no inversores. J os estgios no
interagentes so aqueles que apresentam alta impedncia de entrada. Esta tcnica faz com que o circuito posterior no serve de
carga para o circuito anterior, pois na prtica no drena nenhuma corrente do circuito anterior.

PR-RELATRIO 29
1) Dado o circuito abaixo, Associao de Estgios em Cascata com trs estgios, mostrar a expresso de VOUT;

2) Dado o circuito de trs estgios com ganhos de +3, -5 e -2, calcular os resistores de feedback. Que tenso de sada (VOUT)
resultar de uma entrada de VIN de 200mV

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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_______________________________

128

ELETRNICA

EXPERIMENTO 29
Lista de materiais
Amplificador operacional TL084 2 unidades;
Resistores;

Fonte de alimentao;
Osciloscpio dois canais;
Gerador de funes;
Proto-board.

3) Montar o circuito do item 2, aplicar um sinal senoidal VIN = 200mV e alimentao simtrica de 15VDC. Mostrar os sinais
de entrada, intermedirios e de sada nos grficos abaixo;
Ponto 1 - VIN

Ponto 2

Ponto 3

Ponto 4 - VOUT

4) Qual o mximo sinal de entrada (tenso) que pode ser aplicado ao circuito acima, sem saturar?
______________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

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Aluno: _______________________________

129

ELETRNICA

EXPERINCIA 30
OP AMP - GANHO CONTROLADO POR JFET
Circuitos com amplificadores operacionais do tipo inversor ou no inversor podem ter seu resistor de realimentao
(RF), substitudo por um JFET canal N ou canal P.
Neste experimento utilizaremos um JFET BF245, para controlar o ganho do circuito, assim como poderemos calcular
o valor de RDS em funo dos sinais de entrada e sada do circuito proposto.
O ganho do circuito no inversor dado por: A = 1 + (R1/RDS) onde R1 o resistor de realimentao e RDS o resistor
equivalente drain-source do JFET.

PR-RELATRIO 30
1) Em que tipos de circuitos podemos utilizar esta configurao composta por um Op Amp e um JFET ou MOSFET?
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
2) Esboce a curva caracterstica do JFET e mostre onde se encontra a regio de resistncia controlvel.

3) Mostre outro circuito que utilize JFET como chave ON/OFF ou resistor controlado para sinais AC. Indicar a referncia

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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130

ELETRNICA
EXPERIMENTO 30
Lista de materiais
Amplificador operacional comparador 2 unidades;
Resistor 10k 1/4W 3 unidades;
Resistor 1k 3 unidades;
Resistor 3k3 3 unidades;
Resistor 470R 3 unidades;

Multmetro;
Fonte de alimentao;
Osciloscpio dois canais;
Gerador de funes;
Proto-board.

4) Montar o circuito no inversor abaixo onde o resistor RI ser substitudo pelo JFET canal N (BF245);

5) Aplique o sinal na entrada e verifique o ganho do circuito. Varie a tenso DC de modo a estabelecer um ganho em torno de
5. Caso o ganho esteja pequeno ou haja saturao, substitua o resistor RF;
6) Inverta a fonte DC e aumente a tenso at o ganho cair pela metade.
Explique o que ocorre com o circuito?
_____________________________________________________
_____________________________________________________
_____________________________________________________
_____________________________________________________
_____________________________________________________
_____________________________________________________
_____________________________________________________
_____________________________________________________
_____________________________________________________
_____________________________________________________

7) Calcule o valor de RDS medindo o ganho do circuito montado e usando a formula do ganho;
ACL = _________________

RDS = ______________

VGS = _________________V

8) O valor obtido igual ao valor calculado no experimento 16? Explique.


______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

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Aluno: _______________________________

131

ELETRNICA

EXPERINCIA 31
OP AMP - CIRCUITOS INTEGRADOR E DIFERENCIADOR
Comprovar o funcionamento de um circuito diferenciador e um circuito integrador. Verificar o funcionamento de
ambos para diferentes formas de ondas de entrada.

PR-RELATRIO 31
1) Defina um amplificador diferenciador inversor ideal, mostre o circuito do mesmo;
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

2) Defina um amplificador integrador inversor ideal, mostre o circuito do mesmo;


______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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132

ELETRNICA

EXPERIMENTO 31
Lista de materiais
Amplificador operacional TL082 2 unidades;
Resistor 10k 1/4W 3 unidades;
Resistor 100k 1/4W 3 unidades;
Resistor 4k7 1/4W 3 unidades;
Resistor 1M 1/4W 3 unidades;
Capacitor 10nFx64V;
Capacitor 2,2nFx64V.

Fonte de alimentao;
Osciloscpio dois canais;
Gerador de funes;
Proto-board.

3) Montar o circuito amplificador diferenciador inversor abaixo.

4) Aplique um sinal triangular de 1kHz e amplitude de 500mVPP. Observar e esboar as formas de onda de entrada e sada do
circuito;
5) Varie a freqncia conforme a tabela abaixo e complete os demais dados
freqncia
1kHz
2kHz
3kHz
4kHz
5kHz
6kHz
7kHz
8kHz
9kHz
10kHz

VOUT

ACL

20log(ACL)

freqncia
15kHz
20kHz
30kHz
40kHz
50kHz
60kHz
70kHz
80kHz
90kHz
100kHz

VOUT

ACL

20log(ACL)

6) Retire o resistor RIN e descreva o que acontece?


______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
7) Inserir o resistor RIN e aplicar um sinal quadrado. Observe o sinal de sada. Comente o resultado obtido.
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
133

ELETRNICA
8) Montar o circuito amplificador integrador inversor abaixo.

13) Retire o resistor RF, aterre VIN, alimente o circuito e observe o sinal de sada (VOUT);
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
14) Insira o resistor RF, mantenha VIN aterrado, alimente o circuito e observe o sinal de sada (VOUT);
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
15) Aplique um sinal quadrado de 1kHz e amplitude de 500mVPP. Observar e esboar as formas de onda de entrada e sada do
circuito;
16) Varie a freqncia conforme a tabela abaixo e complete os demais dados

freqncia
1kHz
2kHz
3kHz
4kHz
5kHz
6kHz
7kHz
8kHz
9kHz
10kHz

VOUT

ACL

20log(ACL)

freqncia
15kHz
20kHz
30kHz
40kHz
50kHz
60kHz
70kHz
80kHz
90kHz
100kHz

VOUT

ACL

20log(ACL)

17) Aplique um sinal senoidal e observe o sinal de sada. Comente o resultado obtido.
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

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Aluno: _______________________________

134

ELETRNICA

EXPERINCIA 32
OP AMP SOMADOR
Circuitos somadores analgicos permitem somar tanto valores AC como valores DC. Superposio usado para
calcular as tenses de sada resultante de cada entrada, e as tenses de sada so adicionados algebricamente para obter a tenso
de sada total.

PR-RELATRIO 32
1) Dado o circuito somador inversor, calcular os parmetros abaixo:

V1 = 0 a 3VDC;
V2 = 250mVPK @ 5kHz;
V3 = 1,2VRMS @ 10kHz;
V4 = -1VDC;
RI1 = 18k;
RI2 = 4k7;
RI3 = 22k;
RI4 = 27k;
RF = 47k;
Re = Calcular o valor de Re

2) Ganho de tenso de cada sinal de entrada;

3) Impedncia de entrada de cada sinal;

4) Corrente de cada sinal de entrada;

5) Mxima variao da tenso de sada (total);

135

ELETRNICA
6) Mxima variao da tenso de entrada (individual);

7) Impedncia de sada;

8) Capacidade de corrente de sada;

9) Clculo de Re.

10) Mxima excurso de sada do circuito:

11) Quais as aplicaes deste tipo de circuito analgico?


______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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136

ELETRNICA

EXPERIMENTO 32
Lista de materiais
Amplificador operacional TL082 2 unidades;
Resistores Conforme clculos.

Multmetro;
Fonte de alimentao;
Osciloscpio dois canais;
Gerador de funes;
Proto-board.

12) Montar o circuito, onde V1 dever ser um sinal


senoidal cujo f = 1kHz e amplitude igual a 0,5Vpp.
A tenso V2 dever assumir o valor de 0,5VDC.
Alimentar o circuito com VDC= +24VDC;
RI1 = 10k;
RI2 = 10k;
RF = 100k;
Re = 4k7.

13) Verificar primeiramente o offset do circuito;


14) Injetar os valores acima especificados e medir os sinais de entrada V1, V2 e sada Vo com o auxlio do osciloscpio
(DC), desenhando-as sincronizadas no tempo e com seus respectivos pontos notveis e valores mdios.
15) Em seguida, varie progressivamente o valor da fonte V2 entre 0 e 2 V, mantendo V1 constante. Descreva o observado,
justificando os resultados obtidos. Observe atentamente o sinal de sada com o auxlio do osciloscpio;
16) Implementar um circuito somador/divisor por 3, para que possa tomar por exemplo a soma de trs notas e apresentar a
mdia calculada na sua sada.
Circuito implementado:

Clculos:

Resultados:

17) De posse de todas as informaes fazer relatrio do experimento e anexar as folhas de pr-relatrio e experimento.

Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

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Aluno: _______________________________

137

ELETRNICA

EXPERINCIA 33
OP AMP DIFERENCIAL OU SUBTRATOR
Este tipo de circuito utilizado para se obter
uma tenso igual a diferena entre duas tenses
aplicadas s entradas do circuito. Em outras palavras,
um circuito subtrator ou diferencial um amplificador
que reage diferena entre dois sinais de entrada. Um
exemplo sobre amplificador diferencial o
comportamento quanto ao CMRR, como pode-se
observar na figura abaixo.

PR-RELATRIO 33
1) Dado o circuito subtrator abaixo, temos a expresso de VOUT;

2) Dado circuito abaixo deduzir e mostrar a expresso para VOUT;

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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138

ELETRNICA

EXPERIMENTO 33
Lista de materiais
Amplificador operacional TL082 2 unidades;
Resistores Conforme clculos.

Multmetro;
Fonte de alimentao;
Osciloscpio dois canais;
Gerador de funes;
Proto-board.

3) Dado o circuito abaixo, implementar (apresentar clculos), um subtrator com ganho unitrio;

VIN1 = 10VPK
VIN2 = 6VPK
Clculos:

4) Implementar o circuito do item 2, e mostrar o resultado final.


Clculos:

Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

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Aluno: _______________________________

139

ELETRNICA

EXPERINCIA 34
OP AMP COMPARADOR
Na prtica surge a necessidade de se comparar dois sinais entre si, de tal maneira que um destes sinais seja a
referncia pr-estabelecida. Para isto utilizam-se circuitos denominados comparadores. Basicamente existem dois tipos de
comparadores: comparador no inversor e comparador inversor. No primeiro caso temos o sinal de referncia aplicado na
entrada inversora do Op Amp, e o sinal da varivel a ser comparada aplicada na entrada no inversora. No segundo caso a
referncia est na entrada no inversora e o sinal da varivel a ser comparada est aplicado na entrada inversora.
Em muitos casos existe a necessidade de se limitar a tenso de sada nos comparadores. Um dos mtodos consiste na
aplicao de dois diodos zener contrapostos, inseridos entre a sada e o terminal inversor do Op Amp. Outro mtodo a
limitao de tenso de sada. Neste circuito inserido na entrada dois diodos retificadores (1N4007) ou de sinal (1N914 ou
1N4148), com finalidade de limitar o sinal de entrada. Tambm torna-se possvel tornar o sinal de sada compatvel a nvel
TTL, inserindo-se na sada somente um diodo zener. Nesta condio pode-se observar que existir uma pequena tenso
negativa (0,7V) na sada do circuito.

(a)

(c)

(b)

PR-RELATRIO 34
5) Explique como funcionam os dois diodos na entrada do circuito da figura (B);
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
6) Porque existe uma tenso negativa de 0,7V no sinal de sada no circuito da figura (C);
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
7) Quais as diferenas entre Op Amps convencionais e Op Amps comparadores?
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
8) Mostre dois CIs Comparadores (modelos e pinagens)

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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140

ELETRNICA

EXPERIMENTO 34
Lista de materiais
Amplificador operacional comparador 2 unidades;
Resistor 10k 1/4W 3 unidades;
Diodo Zener 5V1 1W 3 unidades;

Multmetro;
Fonte de alimentao;
Osciloscpio dois canais;
Gerador de funes;
Proto-board.

9) Montar o circuito comparador simples como detector de passagem por zero. Ajustar o gerador de funes para fornecer um
sinal senoidal de 2VPP e freqncia de 500Hz, em seguida mude para 10kHz;

10) Anotar os valores de tenses de pico negativo e positivo na sada do circuito;


______________________________________________________________________________________________________
11) Com base nas formas de onda observadas, explique por que este circuito tambm conhecido como detector de passagem
por zero;
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
12) Montar o circuito comparador simples como detector de passagem por zero. Ajustar o gerador de funes para fornecer um
sinal senoidal de 2VPP e freqncia de 500Hz, em seguida mude para 5kHz;

13) Com base nas formas de onda observadas, explique o que ocorreu com o nvel de tenso de sada do circuito?
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
14) O que ocorre se um dos diodos zener do circuito acima entrar em curto?
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno: ______________________________

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Aluno: _______________________________

141

ELETRNICA

OSCILADORES
Em Fsica, qualquer sistema que apresente movimento harmnico um oscilador, pelo simples fato de oscilar. Este
movimento chama-se harmnico e descrito por uma funo harmnica no tempo.
Em Eletrnica, osciladores so circuitos que geram um sinal de sada sem a necessidade de um sinal de entrada. Estes
circuitos osciladores so utilizados em vrios equipamentos eletrnicos.
Diversos tipos de osciladores produzem diferentes tipos de sinais de sada que so: senoidais, quadrados, triangulares
e dente de serra.
O funcionamento do oscilador senoidal baseado no princpio da realimentao positiva, onde uma parte do sinal de
sada re-inserido na entrada no inversora do amplificador operacional de forma a manter o sinal de sada.
Aplicaes:
Entre as vrias aplicaes de um oscilador, uma delas o Oscilador de udio, Osciladores de RF.
HP200-Audio Oscillator:
Primeiro oscilador de udio produzido por Bill Hewlett, apresentado na
defesa da sua tese de doutorado na Stanford University em 1938.
O circuito consiste de um oscilador com resistncia varivel para
cobertura de 35 cps (a unidade de freqncia naquele perodo era o ciclo)
a 35.000 cps em trs faixas.
O principal problema era o ajuste do resistor e capacitor da Ponte Wien
ajustados para obter um nvel de sada constante sobre uma ampla gama
dcada de freqncia.
Bill Hewlett resolveu o problema introduzindo um elemento no-linear
na malha de realimentao do oscilador. Este elemento controla a
realimentao (feedback), de acordo com a amplitude de oscilao e,
conseqentemente, mantm o ponto de operao adequada do sistema.
E o que torna a idia de um gnio que o elemento no-linear nada mais
foi do que uma simples lmpada de 3 watts.

142

ELETRNICA

EXPERINCIA 35
OSCILADOR HARMONICO EM PONTE WIEN
Um dos muitos tipos de osciladores harmnicos, ou seja, oscilador senoidal o Oscilador em Ponte Wien. Oscilador
em Ponte Wien, utiliza uma malha de avano/atraso (Lead/Lag network) no circuito de realimentao (feedback), quando
utiliza-se Op-Amps para esta finalidade.
A curva de resposta para uma malha avano/atraso, mostrada na figura abaixo, indica que a tenso de sada, chamada
de freqncia de ressonncia (fr), dada por Vout/Vin = 1/3, isto se R1 for igual a R2 e XC1 igual a XC2. Logo o valor da
freqncia de ressonncia ser dado por: fr = 1/2RC

PR-RELATRIO 35
1) Dado o circuito abaixo, calcular a freqncia de oscilao e o ganho de malha fechada, lembrando que o ganho dever ser
igual a 3 para que o circuito oscile;

R1 = 20k
R2 = 10k
R3 = 10k
R4 = 10k
R5 = 10k
C1 = 1nF
C2 = 1nF
D1 = 4,7V
D2 = 4,7V
D1=D2=6,8V (para a questo 5)

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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143

ELETRNICA
EXPERIMENTO 35
Lista de materiais
Amplificador operacional TL082 2 unidades;
Resistores;
Capacitores disco cermico;
Diodo Zener.

Fonte de alimentao;
Osciloscpio dois canais;
Proto-board.

2) Montar o circuito oscilador em Ponte Wien e mostrar as formas de ondas nas condies do item 1 e item 5

3) Compare o resultado terico com o experimental.


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______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

4) O que ocorre se o ganho de malha fechada do circuito for menor que 3?


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______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

5) Substitua os diodos Zener D1 e D2 por valores de 6,8V. Justifique o que ocorre com esta mudana;
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
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Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

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Aluno: _______________________________

144

ELETRNICA

EXPERINCIA 36
OSCILADOR HARMONICO POR DESLOCAMENTO DE FASE
(PHASE SHIFT OSCILLATOR)
Phase-Shift Oscillator ou Oscilador Deslocador de Fase o termo dado a um circuito oscilador particular que gera
sinais harmnicos (senoidal) e usa uma topologia de rede RC na realimentao positiva de um Op Amp. Gera a mudana
necessria a uma fase da freqncia para sustentar oscilaes. Eles so moderadamente estveis em freqncia e amplitude e
muito fcil de projetar e construir.
Acesse http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/Hbase/Electronic/oscphas.html, para obter auxlio no projeto do Phase-Shift
Oscillator.

PR-RELATRIO 36
1) Dado o circuito abaixo, definir a freqncia de oscilao fr;

fr = _________________
2) Calcular o valor de Rf, uma vez que B=1/29. Fixe o valor de R1=R2=R3=R=10k, C1=C2=C3=C= 1nF e calcular a frequncia
de oscilao do circuito.

145

ELETRNICA
3) Prove porque o valor de B na malha RC acima (item 1) 1/29 (modelo AC);

4) Qual o tipo do filtro utilizado no circuito?


______________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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146

ELETRNICA

EXPERIMENTO 36
Lista de materiais
Amplificador operacional TL082 2 unidades;
Resistor 10k 1/4W 5 unidades;
Resistor 8k2 1/4W 5 unidades;
Capacitores disco cermico.

Fonte de alimentao;
Osciloscpio dois canais;
Protoboard.

5) Montar o circuito Phase-Shift Oscillator do item 1, com os clculos do item 2. Medir freqncia e amplitude e desenhar no
grfico 1.
6) Trocar os resistores R1=R2=R3=R=10k por 8k2 e determinar a nova freqncia. Qual valor de fr encontrado. Desenhar o
resultado no grfico 2.

7) Compare o resultado terico com o experimental.


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______________________________________________________________________________________________________

8) Como o filtro do circuito triplo, quantos graus defasam cada um para o funcionamento do oscilador?
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______________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

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Aluno: _______________________________

147

ELETRNICA

EXPERINCIA 37
OSCILADOR HARMNICO DUPLO T (TWIN-T OSCILLATOR)
Tal qual o oscilador harmnico em Ponte Wien, o oscilador harmnico Duplo T, utiliza dois filtros RC tipo T, operando
em paralelo.
Os dois filtros so distintos, sendo um passa-baixas e outro passa-altas, ambos usando a configurao dos filtros T. O
filtro passa-baixas um circuito R-C-R "T", O filtro passa-altas um circuito C-R-C "T". Ambos circuitos formam uma ponte
que est sintonizado na freqncia de oscilao desejada. O sinal no ramo do C-R-C - Twin T filtro avana o sinal, e no R-C-R
atrasa o sinal de forma que ambos se cancelam comportando-se como um filtro NOTCH, fazendo com que se obtenha neste
ponto a frequncia de oscilao. Para que o circuito oscile a realimentao neste caso deve ser pela entrada inversora do
OpAmp, ou seja, utiliza a realimentao negativa (negative feedback). Por outro lado a realimentao positiva (positive
feedback) determina o ganho do oscilador.

A frequncia de oscilao calculada a partir da expresso:


X=2, logo o ganho do amplificador ter que ser X>2, para R1 e R2.

, onde C=C2=C3, R=R3=R4, e C1= C.X e R5=R/X, onde se

PR-RELATRIO 37
1) Construir um oscilador senoidal duplo T, para uma freqncia de sua escolha.
Freqncia: ____________
Apresentar os clculos da freqncia e os respectivos valores dos seus componentes
R1: ____________
R2: ____________
R3: ____________
R4: ____________
R5: ____________
C1: ____________
C2: ____________
C3: ____________

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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148

ELETRNICA

EXPERIMENTO 37
Lista de materiais
Amplificador operacional TL082 2 unidades;

Fonte de alimentao;
Osciloscpio dois canais;
Protoboard.

2) Montar o circuito oscilador duplo T, inserindo os valores calculados. Mostrar o sinal de sada obtido.

3) Os valores corresponderam a freqncia desejada.


______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

4) No lugar do resistor de realimentao positiva, associe um trimpot em R2 varie o seu valor. Comente o resultado obtido.
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

5) Variando-se a tenso de alimentao, variou a freqncia de sada.


______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

_____/______/_____

________________________

Aluno: _______________________________

149

ELETRNICA

EXPERINCIA 38
OSCILADOR HARMONICO COLPITTS (COLPITTS OSCILLATOR)
Osciladores harmnicos Colpitts so geralmente para aplicaes em freqncias fixas. Neste experimento, projetar e
calcular a freqncia de um oscilador duplo T. Indicar a referncia da consulta.

PR-RELATRIO 38
1) Construir um oscilador senoidal duplo T, para uma freqncia de sua escolha.
Freqncia: ____________
Apresentar os clculos da freqncia e os respectivos valores de R1 e C1.
R1: ____________
C1: ____________

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

_____/______/_____

________________________

_______________________________

150

ELETRNICA

EXPERIMENTO 38
Lista de materiais
Amplificador operacional TL082 2 unidades;

Fonte de alimentao;
Osciloscpio dois canais;
Protoboard.

2) Montar o circuito oscilador colpitts, inserindo os valores de R1 e C1 calculados. Mostrar o sinal de sada obtido.

3) Os valores corresponderam a freqncia desejada.


______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

4) No lugar do resistor de realimentao positiva, associe um trimpot e varie freqncia. Comente o resultado obtido.
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

5) Variando-se a tenso de alimentao, variou a freqncia de sada.


______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

_____/______/_____

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Aluno: _______________________________

151

ELETRNICA

EXPERINCIA 39
OSCILADOR HARMONICO CLAPP (THE CLAPP OSCILLATOR)
Osciladores senoidais tipo Clapp so geralmente para aplicaes em freqncias fixas. Neste experimento, projetar e
calcular a freqncia de um oscilador duplo T. Indicar a referncia da consulta.

PR-RELATRIO 39
1) Construir um oscilador senoidal duplo T, para uma freqncia de sua escolha.
Freqncia: ____________
Apresentar os clculos da freqncia e os respectivos valores de R1 e C1.
R1: ____________
C1: ____________

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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_______________________________

152

ELETRNICA

EXPERIMENTO 39
Lista de materiais
Amplificador operacional TL082 2 unidades;

Fonte de alimentao;
Osciloscpio dois canais;
Protoboard.

2) Montar o circuito oscilador Clapp, inserindo os valores de R1 e C1 calculados. Mostrar o sinal de sada obtido.

3) Os valores corresponderam a freqncia desejada.


______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

4) No lugar do resistor de realimentao positiva, associe um trimpot e varie freqncia. Comente o resultado obtido.
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

5) Variando-se a tenso de alimentao, variou a freqncia de sada.


______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

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Aluno: _______________________________

153

ELETRNICA

EXPERINCIA 40
OSCILADOR HARMONICO HARTLEY (THE HARTLEY OSCILLATOR)
Osciladores senoidais Hartley so geralmente para aplicaes em freqncias fixas. Neste experimento, projetar e calcular
a freqncia de um oscilador duplo T. Indicar a referncia da consulta.

PR-RELATRIO 40
1) Construir um oscilador senoidal duplo T, para uma freqncia de sua escolha.
Freqncia: ____________
Apresentar os clculos da freqncia e os respectivos valores de R1 e C1.
R1: ____________
C1: ____________

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

_____/______/_____

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_______________________________

154

ELETRNICA

EXPERIMENTO 40
Lista de materiais
Amplificador operacional TL082 2 unidades;

Fonte de alimentao;
Osciloscpio dois canais;
Protoboard.

2) Montar o circuito oscilador duplo T, inserindo os valores de R1 e C1 calculados. Mostrar o sinal de sada obtido.

3) Os valores corresponderam a freqncia desejada.


______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

4) No lugar do resistor de realimentao positiva, associe um trimpot e varie freqncia. Comente o resultado obtido.
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

5) Variando-se a tenso de alimentao, variou a freqncia de sada.


______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

_____/______/_____

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Aluno: _______________________________

155

ELETRNICA

EXPERINCIA 41
OSCILADOR HARMONICO ARMSTRONG (THE ARMSTRONG OSCILLATOR)
Osciladores senoidais Armstrong so geralmente para aplicaes em freqncias fixas. Neste experimento, projetar e
calcular a freqncia de um oscilador duplo T. Indicar a referncia da consulta.

PR-RELATRIO 41
6) Construir um oscilador senoidal duplo T, para uma freqncia de sua escolha.
Freqncia: ____________
Apresentar os clculos da freqncia e os respectivos valores de R1 e C1.
R1: ____________
C1: ____________

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

_____/______/_____

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156

ELETRNICA

EXPERIMENTO 41
Lista de materiais
Amplificador operacional TL082 2 unidades;

Fonte de alimentao;
Osciloscpio dois canais;
Protoboard.

7) Montar o circuito oscilador duplo T, inserindo os valores de R1 e C1 calculados. Mostrar o sinal de sada obtido.

8) Os valores corresponderam a freqncia desejada.


______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

9) No lugar do resistor de realimentao positiva, associe um trimpot e varie freqncia. Comente o resultado obtido.
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

10) Variando-se a tenso de alimentao, variou a freqncia de sada.


______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

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Aluno: _______________________________

157

ELETRNICA

EXPERINCIA 42
OSCILADOR DE RELAXAO
Osciladores de Relaxao so geralmente para aplicaes em freqncias fixas. Neste experimento, projetar e calcular a
freqncia de um oscilador duplo T. Indicar a referncia da consulta.

PR-RELATRIO 42
11) Construir um oscilador senoidal duplo T, para uma freqncia de sua escolha.
Freqncia: ____________
Apresentar os clculos da freqncia e os respectivos valores de R1 e C1.
R1: ____________
C1: ____________

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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________________________

_______________________________

158

ELETRNICA

EXPERIMENTO 42
Lista de materiais
Amplificador operacional TL082 2 unidades;

Fonte de alimentao;
Osciloscpio dois canais;
Protoboard.

12) Montar o circuito oscilador de Relaxao, inserindo os valores de R1 e C1 calculados. Mostrar o sinal de sada obtido.

13) Os valores corresponderam a freqncia desejada.


______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

14) No lugar do resistor de realimentao positiva, associe um trimpot e varie freqncia. Comente o resultado obtido.
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

15) Variando-se a tenso de alimentao, variou a freqncia de sada.


______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

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Aluno: _______________________________

159

ELETRNICA

EXPERINCIA 43
OSCILADOR PWM
Modulao por largura de pulso (Pulse Width Modulation), conhecida como PWM uma tcnica utilizada para
controlar circuitos analgicos em vrias aplicaes. Dentre elas, temos o controle de velocidade de motores DC, motores de
passo e intensidade luminosa atravs do disparo de Triacs.
O circuito PWM gera um sinal quadrado, com a largura do pulso varivel. Estas larguras variam desde 5% at 95%.

PR-RELATRIO 43
1) Utilizando o CI NE555, projetar um controlador PWM varivel;

2) Utilizando um Op Amp, projetar um controlador PWM varivel, inserir um acoplador ptico (MOC3033) para controlar um TRIAC
TIC236M. Utilizar como carga uma lmpada 127V 100W

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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160

ELETRNICA

EXPERIMENTO 43
Lista de materiais
Oscilador NE555 3 unidades;
Amplificador Operacional TL082 3 unidades;
Diodo 1N4148 5 unidades;
Resistores;
Capacitores;
Trimpots ou potencimetros

Multmetro;
Fonte de alimentao;
Osciloscpio dois canais;
Gerador de funes;
Protoboard.

3) Implementar o circuito do item 1. Colocar na sada um circuito Open Collector ou Seguidor de Emissor ou Totem Pole, para controlar
um motor DC. Comente os resultados.
_________________________________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________________________________

4) Implementar o circuito do item 2. Colocar na sada um circuito Open Collector ou Seguidor de Emissor ou Totem Pole, para controlar
um motor DC. Comente os resultados.
_________________________________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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161

ELETRNICA

EXPERINCIA 44
CIRCUITO GERADOR DE BURST
Geradores de Burst so utilizados para envio de informaes em forma de pacotes. Quando se trata de utilizar o protocolo
IrDA (The Infrared Data Association), este tipo de circuito apropriado, uma vez que a transmisso feita atravs de fototransmissores e capturada atravs de fotorreceptores.

Circuitos osciladores utilizando o CI NE555, do tipo ASTVEL e MONOESTVEL (one shot) e suas respectivas
expresses para clculo dos intervalos.

Circuito ASTVEL

Circuito MONOESTVEL

162

ELETRNICA

PR-RELATRIO 44
1) Implementar o circuito abaixo para funcionar como um circuito astvel para 10 Hz;

2) Implementar o circuito abaixo para funcionar como um circuito astvel para 38 kHz.

3) Defina o que vem a ser Protocolo IrDA e quais sua principais caractersticas?
______________________________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
_____________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
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Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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163

ELETRNICA

EXPERIMENTO 44
Lista de materiais
CI NE555 3 unidades;
Foto-transmissor TIL38 (ou equivalente) 3 unidades;
Foto-receptor IRM-8751-1;
Resistores;
Capacitores.

Fonte de alimentao;
Osciloscpio dois canais;
Protoboard.

4) Montar o circuito abaixo, utilizando os clculos executados nos itens 1 e 2 do pr-relatrio 27 (U1=10Hz, U2=38kHz);

5) Verificar as freqncias em ambos os circuitos (U1 e U2);

6) Inserir na sada do circuito um foto-emissor (fotodiodo) modelo TIL38;

7) Construir um circuito receptor utilizando o IRM-8751 (Infrared Remote-control Receiver Module) e mostrar a forma de
onda obtida (envoltrio), uma vez que este circuito possui um filtro passivo passa-baixas;

164

ELETRNICA
8) Mude a freqncia de U1 para 5Hz e mostre o sinal de sada;

9) Mostre o esquema eltrico do circuito receptor utilizando o IRM-8751.

10) Cite e descreva uma aplicao para este tipo de circuito


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______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
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Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

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Aluno: _______________________________

165

ELETRNICA

GERADORES DE FUNES
Amplificadores operacionais em configurao circuitos comparador e integrador permitem a construo de geradores
de funes. As funes usuais so onda quadrada, triangular e senoidal. Completando o segmento as funes dente de serra
que usualmente so esquerda e a direita. A combinao ou associao destes circuitos permite a construo de um gerador de
funes, como pode-se ver no circuito abaixo (Integrated Circuits Applications Forrest M Mims III) descrito.

Vrias so as configuraes de geradores de funes. O circuito abaixo mostra um gerador de funes com sadas
senoidal, triangular e quadrada com ajustes de freqncia, utilizando o CI XR2206 da EXAR. Este gerador vai de 0,1Hz a
1MHz. Gera sinais senoidal, triangular e quadrado. Impulso positivo e impulso negativo.

CI1 XR2206, CI2 74LS13, CI3 74LS90, CI4 74LS121;


Alimentao V+ = 18V, CIs TTL = 5V.

166

ELETRNICA

EXPERINCIA 45
GERADOR DE ONDA QUADRADA
O circuito abaixo representa um circuito gerador de onda quadrada a partir de um oscilador RC, e o grfico ao lado
mostra a forma de onda de sada e a de carga e descarga do capacitor.

A sada VO grampeada por dois diodos zener (back to back) e o sinal de sada limitado por +VZ e VZ. O valor de
dado por: = R3/ (R2 + R3). A tenso de entrada definida por: Vi = Vc - VO.
Sendo a topologia deste circuito a de um comparador, temos que, quando Vi for positivo, VO = VZ, por outro lado,
quando Vi for negativo, VO = +VZ. Considerando um instante de tempo onde Vi < 0 ou Vc < VO = VZ, o capacitor C
carregar exponencialmente na direo de +Vz, atravs da combinao RC enquanto V C. A sada permanece constante em
+Vz at que VC se iguale a + Vz.
Neste momento a sada do comparador mudar de estado indo para VZ. No momento t=0, onde VC = - VZ, para o
t/RC
primeiro meio ciclo (T/2), teremos: VC(t) = VZ [1 (1 +
] (para +VZ = VZ = VZ).
Dessa forma o perodo da sada (VO) ser dado por: T =2RC ln (1 +
Note que T independe do valor de VZ.

PR-RELATRIO 45
1) De posse das expresses acima, calcular os componentes para uma freqncia de 5kHz e 10kHz respectivamente;

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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167

ELETRNICA

EXPERIMENTO 45
2) Montar o circuito do item 1.
3) Verifique o funcionamento do circuito e mostre os sinais de sada (VO) e carga do capacitor (VC);

4) Qual a finalidade do resistor R1 no circuito?


______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
5) Retire os diodos zener do circuito e descreva o que ocorre? Qual a finalidade destes dois diodos?
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
6) Mostre o resultado com retirada dos diodos zener?

Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

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Aluno: _______________________________

168

ELETRNICA

EXPERINCIA 46
GERADOR DE ONDA TRIANGULAR
Para que se possa gerar uma onda triangular necessria a utilizao a utilizao de um gerador de onda quadrada
(experincia 45). Pode-se observar no grfico abaixo que o gerador de onda quadrada obtido de uma onda triangular, sedo
que esta onda triangular apresenta em suas bordas uma forma exponencial, originada pela carga e descarga do capacitor.

Para linearizar a forma triangular, necessrio que C


(capacitor) carregue de forma constante. No circuito abaixo
um segundo Op Amp utilizado para manter a corrente de C
constante e obter uma sada linear.
Uma vez que o integrador utilizado na forma inversora, a
realimentao ao diferenciador positiva (positive feedback).

Quando o comparador atinge tanto o estado de saturao positivo como o negativo, os diodos zener atuam como
grampeadores (clamping), limitando a tenso V, entre +VZ e VZ. Assumindo que V= VZ para t = t0, logo a corrente
circulando atravs do integrador ser: I+ = VZ / (R3 + R4) e a sada do integrador comea a mostrar uma rampa descendente, e o
sinal de sada dado por:
t

VOUT(t) = VOUT(t0) 1/C to I+ dt = VOUT(t0) I+/C(t t0)


A tenso no pino no inversor do comparador dada por: V3(t) = {R5VZ / R1 + R2 + R5} + {(R1 + R2)VOUT(t)/R1 + R2 + R5}
Quando V3 vai para zero e se torna negativo, a sada do comparador muda para o estado de sada negativo e V = VZ.
Neste ponto t = t1 e V3 em t1 = 0V, logo VOUT(t1) = [R5/R1 + R2)] VZ e em t2, VOUT = +[R5/R1 + R2)] VZ.
A freqncia da onda triangular determinada pela expresso f = R1 + R2 / 4(R3 + R4)R5C

PR-RELATRIO 46
1) De posse das expresses abaixo, calcular os componentes para uma freqncia de 5kHz e 10kHz respectivamente, em
seguida adicione potencimetros variveis, e observe a variao das freqncias;

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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169

ELETRNICA

EXPERIMENTO 46
2) Montar o circuito do item 1.
3) Verifique o funcionamento do circuito e mostre os sinais de sada (VOUT) e carga do capacitor (VC);

4) Qual a finalidade do resistor R5 no circuito?


______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
5) Retire os diodos zener do circuito e descreva o que ocorre? Qual a finalidade destes dois diodos?
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
6) Mostre o resultado com retirada dos diodos zener?

7) Coloque em curto um dos diodos zener e descreva o que acontece com o sinal de sada. Mostre a forma de onda;
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______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

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Aluno: _______________________________

170

ELETRNICA

EXPERINCIA 47
GERADOR DE ONDA SENOIDAL A PARTIR DE ONDA TRIANGULAR
Sinais senoidais so obtidos a partir de osciladores harmnicos. Nas experincias anteriores foram mostrados trs
tipos de osciladores que permitem gerar sinais senoidais.
Outra forma de se obter um sinal senoidal a partir de um sinal triangular que pode ser obtido atravs de uma matriz
de diodos ou transistores.
Este tipo de tcnica dispensa a utilizao de um dos tipos de osciladores acima citados.
O conformador a matriz de diodos o mais utilizado para obteno de sinal senoidal.
Este circuito consiste de uma rede de resistores e diodos. O diodo faz o papel da chave.
Seu funcionamento ocorre da seguinte forma: no ponto T inserido um sinal triangular
proveniente do circuito integrador. No instante em que o sinal triangular sair de 0 para
V+, e aparecer uma tenso diferente de 0V, aparecer no ponto A uma tenso menor
dada por VA = [RY/(RX + RY)]VT, ou seja a tenso dada pelo divisor de tenso formado
por RX e RY.
No instante seguinte (t2) a tenso ser um pouco maior que V1 + VD, e o diodo D1
conduzir, colocando R3 em paralelo com RY. O valor de RD desprezvel em relao a
R3 e com isto aparecer um divisor de tenso formado por RX mais RY em paralelo com
R3, dada pela expresso (RY//R3) e VA(t2) = [(RY//R3)/ RX + (RY//R3)]VX.
A tenso de sada sofrer uma atenuao em relao ao sinal de entrada e ter um ligeiro
achatamento.
No instante (t3), quando a tenso no ponto A for maior que V2 + VD, o diodo D2
conduzir e colocar R2 em paralelo com R3, que por sua vez j se encontra em paralelo
com RY. Neste instante a forma de onda sofrer um novo achatamento em funo ao
novo divisor e VA(t3)= [(RY//R3//R2)/ RX + (RY//R3//R2)]VX.
Da mesma maneira no instante (t4), D3 entrar em conduo e a tenso ser
VA(t4)=[(RY//R3//R2//R1)/ RX + (RY//R3//R2//R1)]VX.

PR-RELATRIO 47
1) Mostre o mesmo circuito, utilizando transistores ao invs e diodos como chaves;

2) Projete o circuito acima descrito (matriz de diodos) e implemente o mesmo.

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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171

ELETRNICA

EXPERIMENTO 47
3) Montar o circuito do item 1. Aplicar um sinal triangular de 1KHz.
4) Verifique o funcionamento do circuito e mostre os sinais de sada (VT) e carga do capacitor (VS);

5) possvel melhorar a forma do sinal de sada? Explique como?


______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

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Aluno: _______________________________

172

ELETRNICA

EXPERINCIA 48
GERADOR DE IMPULSOS
Circuito gerador de impulsos a partir do CI NE555. Este circuito permite controlar o intervalo dos pulsos assim como
a largura dos mesmos atravs de dcadas capacitivas, conforme figura abaixo.

PR-RELATRIO 48
1) Explique a diferena entre um gerador de funes e um gerador de impulsos;
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
2) Descreva o que vem a ser rise-time?
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
3) Descreva o que vem a ser fall-time?
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
4) Descreva o que vem a ser delay?
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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173

ELETRNICA
EXPERIMENTO 48
Lista de materiais
Oscilador NE555;
Resistores e Capacitores;

Fonte de alimentao;
Osciloscpio dois canais;
Protoboard.

5) Montar o circuito gerador de impulsos abaixo.

6) Verifique com auxlio do osciloscpio as variaes das freqncias e durao dos pulsos, para cada um dos capacitores do
circuito;
Freqncia

Perodo

Pos 1

C1

Pos 1

C6

Pos 2

C2

Pos 2

C7

Pos 3

C3

Pos 3

C8

Pos 4

C4

Pos 4

C9

Pos 5

C5

Pos 5

C10

7) Qual a amplitude mnima e qual a amplitude mxima de sada do circuito gerador de pulsos;
______________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno: _______________________________

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Aluno: _______________________________

174

ELETRNICA

EXPERINCIA 49
GERADOR DE FUNES - DIGITAL
Osciladores analgicos produzem excelentes geradores de sinais, principalmente para sinais senoidais, porm, projet-los
requer um bom conhecimento em circuitos analgicos.
Uma soluo projetar um circuito digital que permita gerar uma forma de onda senoidal a partir de registradores de
deslocamento e a utilizao de um filtro passa-baixas de segunda ordem na sua sada, conforme diagrama de blocos abaixo.
Utilizando flip-flops e um filtro passa-baixas na sua sada, projetar um gerador de sinais senoidal, triangular e quadrada.
1) Abaixo, o exemplo de um gerador de sinal senoidal:

sinal antes do filtro PB

sinal senoidal filtrado

175

ELETRNICA
2) Esquemtico do circuito projetado:

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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_______________________________

176

ELETRNICA

EXPERINCIA 50
GERADOR DE FUNES - ANALGICO
Osciladores analgicos produzem excelentes geradores de sinais, principalmente para sinais senoidais, porm, projet-los
requer um bom conhecimento em circuitos analgicos.
Utilizando um integrador e um comparador pode-se construir um gerador de funes para produzir sinais triangular,
quadrado, dente de serra para direita e para esquerda, com variao de ngulo.
Para gerar sinal senoidal, utiliza-se uma matriz de diodos sobre o sinal triangular, transformando este sinal em senoidal.
Para que a sada do gerador possa fornecer uma boa corrente utiliza-se um circuito totem-pole, muito comum para estes tipos
de aplicaes.
1) Abaixo, o exemplo de um gerador de funes:

177

ELETRNICA
2) Esquemtico do circuito projetado:

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

_____/______/_____

________________________

_______________________________

178

ELETRNICA

FILTROS

179

ELETRNICA

EXPERINCIA 51
PLL PHASE LOOKED-LOOP
Geradores PLL so os conhecidos conversores tenso-freqncia, muito utilizados na transmisso de dados em meios
tais como rdios FSK ou fibras pticas.
O circuito gerador e recuperador de informao usa o CI CD4046, que um CI PLL.

EXPERIMENTO 51
Implementar utilizando o CI CD4046 um transmissor PLL e um recuperador de informao PLL. O meio de
comunicao ser com fibra ptica plstica. Utilizar como meio de comunicao o kit abaixo.

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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ELETRNICA

EXPERINCIA 52
REGULADORES DE TENSO
Reguladores de Tenso so utilizados em fontes de alimentao e tem por finalidade manter a tenso de sada
constante, mesmo havendo variaes na tenso Contnua de entrada.
Neste experimento ser visto a utilizao e aplicao de reguladores de Tenso para sadas positiva e negativa.
PR-RELATRIO 52
1) De posse do datasheet do regulador de Tenso LM7805, preencher a tabela de caractersticas abaixo.

2) Existem reguladores de Tenso da famlia LM78XX,


para vrias tenses de sada.
Preencha a tabela ao lado, mostrando os valores de
tenso

Tipo
LM7805

VOUT
5V

3) Qual a tenso mxima de entrada de um regulador de Tenso LM7805?


______________________________________________________________________________________________________
4) Qual tenso mnima de entrada para um regulador de Tenso LM7812?
______________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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181

ELETRNICA
EXPERIMENTO 52

Lista de materiais
Regulador de tenso 7805, 7812;
Regulador de tenso 7912;
Capacitor 470uF x 50V;
Capacitor 1000uF x 50V;
Capacitor 100nF x 50V (disco cermico);
LED Vermelho (5mm);
Resistor 330R, 1k;
Resistor de fio 47R (5W).

Multmetro;
Proto-board;
Datasheet reguladores de tenso.

5) Monte no proto-board o circuito regulador positivo de 5VCC. Adicione ao circuito


os capacitores e o resistor de carga. Conecte a fonte de alimentao e proceda
conforme a tabela ao lado;

6) A partir de que valor de tenso de entrada o regulador passou a fornecer a tenso


nominal (5VCC)? ________________________________

INPUT
E(V)
2VDC
3VDC
4VDC
5VDC
6VDC
7VDC
8VDC
9VDC
10VDC
12VDC
15VDC
20VDC

OUTPUT
E(V)
I(A)

7) Aplique um curto momentneo na sada OUTPUT. Descreva o que foi observado no Ampermetro e no Voltmetro durante
o curto e depois da retirada do curto.
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

8) Substitua o regulador de 5VCC pelo de 12VCC. Adicione ao circuito os capacitores


e o resistor de carga. Conecte a fonte de alimentao e proceda conforme a tabela
ao lado;

9) A partir de que valor de tenso de entrada o regulador passou a fornecer a tenso


nominal (12VCC)? ________________________________

INPUT
E(V)
6VDC
8VDC
10VDC
12VDC
13VDC
14VDC
15VDC
18VDC
19VDC
20VDC
25VDC
30VDC

OUTPUT
E(V)
I(A)

10) Em que faixa de tenso de entrada, a sada do regulador de tenso 7812 mostrou-se estvel?
______________________________________________________________________________________________________
11) Quais as vantagens que um regulador de tenso apresenta quando utilizado em fontes de alimentao?
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
182

ELETRNICA
12) Monte no proto-board o circuito regulador negativo de 12V CC. Adicione ao
circuito os capacitores e o resistor de carga. Conecte a fonte de alimentao
e proceda conforme a tabela ao lado;

13) A partir de que valor de tenso de entrada o regulador passou a fornecer a


tenso nominal (-12VCC)? ________________________________

INPUT
E(V)
-6VDC
-8VDC
-10VDC
-12VDC
-13VDC
-14VDC
-15VDC
-18VDC
-19VDC
-20VDC
-25VDC
-30VDC

OUTPUT
E(V)
I(A)

14) Aplique um curto momentneo na sada OUTPUT. Descreva o que foi observado no Ampermetro e no Voltmetro
durante o curto e depois da retirada do curto.
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

15) Em que faixa de tenso de entrada, a sada do regulador de tenso 7912 mostrou-se estvel?
______________________________________________________________________________________________________

16) Caso a fonte que alimenta o regulador de tenso variar, o que ocorrer com a tenso de sada?
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
17) Descreva o conceito de regulador de tenso low-dropout, conhecidos como LDOs:
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________________________

Data

Visto do Orientador:

Aluno:________________________________

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Aluno:________________________________

183

ELETRNICA

EXPERINCIA 53
REGULADORES DE CORRENTE
Reguladores de corrente ou fontes de corrente so amplamente utilizadas na alimentao de circuitos que exijam um
bom controle no seu ponto de operao. Por exemplo, a utilizao de LEDs associados, ou ento para pequenos carregadores
de baterias do tipo NiCd e NiHi.

EXPERIMENTO 53

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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184

ELETRNICA

EXPERINCIA 54
PR-AMPLIFICADOR DE UDIO INTEGRADO

185

ELETRNICA

EXPERINCIA 55
PR-AMPLIFICADOR DE UDIO DISCRETO

186

ELETRNICA

EXPERINCIA 56
EXPANSOR LINEAR DE VOLUME

187

ELETRNICA

EXPERINCIA 57
AGC CONTROLE AUTOMTICO DE GANHO
Circuito CAG Controle Automtico de Ganho (do ingls, AGC Automatic Gain Control), um circuito utilizado
em vrios equipamentos eletrnicos, desde udio, televisores at telefones celulares. Seu papel o de manter o nvel de sinal
estvel, sem satur-lo assim como no deix-lo ir ao corte, ou seja, este circuito procura manter o sinal sempre em uma regio
linear.
O funcionamento deste tipo de circuito pode ser visto no diagrama eltrico abaixo de forma simplificada, onde o
ganho dado por AV = - Rf / Ri. Nesta configurao o correto para que o ganho seja alterado seria o ajuste de R f, porm neste
circuito o ganho ajustado de modo automtico pela variao da resistncia de canal de um transistor MOSFET canal P em
paralelo com um resistor RX.

Funcionamento do Circuito CAG:


O ganho deste circuito ajustado mediante a variao do valor da resistncia interna de M 1. Este ajuste obtido pela
variao da resistncia de canal do MOSFET, conhecida como RDS (resistncia Dreno-Fonte, ou Drain-Source), que
controlada pela polarizao da Porta-Fonte (Gate-Source).
Quando no h sinal aplicado entrada do circuito, o transistor Q1 (BC548C) est saturado, conseqentemente M1
(BSS84) recebe a mxima polarizao. Isto coloca o amplificador operacional no seu estado de mximo ganho. Ao aplicar um
sinal de entrada, a sada do amplificador operacional leva transistor Q 1 ao estado de conduo, fazendo com que a tenso de
porta de M1 diminua, aumentando a resistncia de canal (RDS), fazendo com que o sinal de entrada seja reduzido e por sua vez
reduzindo o sinal de sada.
Ao diminuir o sinal de entrada, o transistor Q1, comea a se deslocar para a regio de corte, fazendo com que tenso
de coletor aumente, aumentando a tenso de porta de M1, fazendo com que RDS diminua e o sinal de entrada seja amplificado.

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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188

ELETRNICA

EXPERINCIA 58
CURRENT DUMPING AMPLIFIER
Current Dumping Amplifier, uma inveno da empresa Quad (http://quad405.com/history.html), e descreve a
primeira aplicao de sucesso de um circuito realimentado para correo de erro em amplificadores de udio. O Current
Dumping Amplifier consiste de um amplificador alta potncia, onde nas baixas potncias apresenta tambm alta qualidade.
Seu circuito de pr-estgio foi desenvolvido de modo a monitorar tanto o sinal de entrada como o de sada. Este circuito
detecta qualquer diferena e realimenta com a necessria correo a sada do estgio de potncia. A qualidade
exclusivamente dependente do desempenho do pr-estgio do amplificador, juntamente com quatro componentes passivos.
Quando montado corretamente, a distoro do estgio de sada reduzida a zero. Com esta tcnica possvel produzir
um amplificador com alto desempenho e componentes de sada robustos. No existe problema de tenso de bias na sada,
assim como no necessrio nenhum ajuste para o melhor desempenho deste tipo de amplificador. Em caso de falha de algum
componente, o mesmo pode ser substitudo at mesmo por um equivalente O artigo do "Current Dumping" foi originalmente
apresentado na AES 50th Convention.
O princpio bsico de um Current Damping Amplifier explora o
fato de que, devido ao efeito das quatro componentes passivos R2,
R3, L e C mostrado na figura ao lado, onde a caracterstica de nolinearidade da fase de sada torna-se desprezvel. Assim possvel
usar um estgio de sada tipo Classe B, onde os transistores de
sada so polarizados no ponto de corte onde no haja corrente
quiescente de sada, com todas as vantagens e nenhuma
desvantagem para esta configurao. Por exemplo, no existe
distoro na sada (crossover distortion).

EXPERIMENTO 52
O circuito mostrado na figura abaixo mostra um amplificador de udio com estgio de sada Classe B, com potncia
de sada de 100WRMS a 4Ohms e distoro harmnica de 0.006% em 1 kHz, com uma alimentao simtrica de 30VDC. Para
diminuir mais ainda sua distoro harmnica, basta ajustar o valor de C3. O resistor R9 uma carga fantasma.
O estgio de potncia controlado pelos
transistores T1 e T4, atravs de T2 e T5, que so conectados
em srie com as fontes de alimentao positiva e negativa,
que por sua vez alimentam IC1. A escolha de um
amplificador operacional de bom desempenho (alto SlewRate) permite um melhor funcionamento do Current
Damping Amplifier.
O circuito original extrado da revista ELEKTOR
edio de julho/agosto de 1979, pgina 7-37, utiliza um
amplificador operacional LM741. Como mencionado
acima, o amplificador operacional pode ser substitudo por
um de melhor desempenho, podendo ser um LM144 ou
ento um Op Amp da famlia TLV (Texas Instruments)
Montar o circuito especificado e levantar suas
caractersticas funcionais.

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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189

ELETRNICA

EXPERINCIA 59
LM12 AMPLIFICADOR DE POTNCIA
O Amplificador Operacional LM12 (A Monolithic Power Op
Amp), um amplificador operacional de potncia capaz de suprir
uma corrente de 10A a 35V. Este circuito todo integrado,
construindo em tecnologia de silcio no modo single chip. Suporta
picos de potncia a taxa de 800W.
O circuito abaixo mostra um amplificador mono de 80WRMS a
8ohms. Sua alimentao simtrica para 35VDC.
Seu circuito interno mostrado na figura seguinte.
Montar o circuito abaixo e levantar as caractersticas do
amplificador

Data

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Aluno:

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190

ELETRNICA

EXPERINCIA 60
LM12 AMPLIFICADOR EM PONTE (BRIDGE AMPLIFIER)
Amplificadores em ponte apresentam um rendimento maior.
Estes amplificadores so montados a partir de amplificadores mono.
O circuito abaixo uma configurao em ponte (bridge),
utilizando o OpAmp LM12. Podemos observar que a sada para o
alto falante utiliza as sadas positivas, no havendo neste caso a
referncia a terra. A sada positiva amplifica o semi-ciclo positivo e a
sada negativa, o semi-ciclo negativo. Desta maneira o sinal
multiplicado por quatro.
Montar o circuito abaixo e levantar as caractersticas do
amplificador

Data

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Aluno:

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191

ELETRNICA

EXPERINCIA 61
FONTE DE ALIMENTAO LINEAR VARIVEL 2 A 30VDC
Fontes de alimentao para bancadas so essenciais em se tratando de desenvolvimento de projetos. De um modo geral
fontes para este tipo de aplicao necessitam de proteo contra curtos ou sobre correntes. A fonte da alimentao apresentada
fornece 1A, podendo ser alterada para 3A, trocando-se o transformador e ajustando-se o resistor limitador de corrente, uma vez
que o transistor de potncia suporta tal corrente.
Fonte de alimentao varivel: 2 a 30VDC;
Corrente mxima: 1 A
Proteo contra sobrecorrente;
Regulao: 0,6%;
Ripple: < 3mV;

EXPERIMENTO 51
Lista de materiais
T1
Trafo 127/220V 30V 1A;
D1,D2,D3,D4 1N4007;
D5
Led Verde;
D6
1N914;
D7
Led Vermelho;
D8
Zener 6,2V 1W;
C1
4700uF x 50V;
C2
220nF x 50V;
C3
470uF x 50V;
C4
100nF x 64V;

Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
R1
R2
R3
R4
R5
R6
R7
R8

2N2905;
BC408;
2N3053;
2N2905;
2N3055;
3k9;
3k9;
1,2R 2W;
2k7;
5k6;
22k linear;
2k7;
680R

Data

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Aluno:

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192

ELETRNICA

EXPERINCIA 62
CIRCUITO SEQNCIAL DE 16 CANAIS UP/DOWN
Circuito flash de 16 canais crescente/decrescente com clear e circuito de clock astvel.

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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193

ELETRNICA

EXPERINCIA 63
CONTADOR SEQNCIAL
Circuito seqencial utilizando o CI CD4017, podendo fazer contagem de 0 a 10, com reset aplicvel a
qualquer valor da contagem.
Utiliza como gerador de clock um circuito astvel a partir do CI NE555. O componente POT um
potencimetro que permite o ajuste da velocidade de clock.

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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194

ELETRNICA

EXPERINCIA 64
FOTOCLULA INTELIGENTE
Projetar uma fotoclula programvel que funcione a partir do seu acionamento, por 6 horas e se desligue. Atravs de
pontos de entrada, inserir sensores que permitam estarem integrados a portes, portas ou demais locais, que ao serem utilizados
faam as lmpadas se acenderem por um determinado tempo e depois serem desligadas.
Esta funo s poder funcionar aps a fotoclula ter completado o seu ciclo normal de funcionamento.
O ciclo normal de funcionamento poder ser programvel, devido a sazonalidade das estaes do ano, podendo assim
funcionar por 4, 5 ou 6 horas.
O acionamento temporrio poder ser programvel tambm, variando de 5, 10 ou 15 minutos.
1) Esquemtico do circuito projetado:
O circuito sensor da fotoclula composto de um foto-receptor,
polarizado reversamente, de um resistor para o controle de histerese,
associado a um capacitor.
Incidindo luz sobre o foto-receptor, este estar em conduo e a
sada em VCC. Na ausncia ou diminuio do nvel de iluminamento, este
ir para corte, levando o circuito para tenso baixa na sua sada.
Por norma uma fotoclula deve operar nas faixas de 3 LUXES
(para acionar a carga) e 6 LUXES (para desacionar a carga).
O restante do circuito pode utilizar OpAmps, um Microcontrolador
ou uma CPLD.

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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195

ELETRNICA

EXPERINCIA 65
SENSOR DE TEMPERATURA
Projeto de um sistema sensor de temperatura utilizando PTC100.

1. Caractersticas
A tenso na sada atinge os extremos de 200mV e 5V em correspondncia a resistncias do sensor (Pt100) de 92,16R (-20oC) e
175,84R (200oC). Caso ocorra uma abertura do circuito do sensor (quebra do sensor ou da fiao) a tenso de sada sobe alm
de 5V. Caso ocorra o contrrio, curto-circuito nos terminais do sensor, a tenso de sada assume valores da ordem de 50mV. A
observao destes valores permite, portanto, o diagnstico primrio do sensor.

2. Caracterstica peculiar do op-amp


Os op-amps usados so do tipo Rail-to-Rail (TLV2404). Medidas mostraram que estes op-amps tm baixssima capacidade de
drive na sada! Por esta razo foram usados os transistores NPN (BC337) nas sadas de U1 e U2. Caso estes op-amps sejam
substitudos por um outro op-amp sem esta limitao, ento estes transistores podem ser omitidos.
Nesta funo, fundamental que os op-amps tenham baixo drift de offset (menor que 3uV/oC) para assegurar a preciso do
circuito.

3. Funcionamento

HI

Uma fonte de referncia de tenso de 2,5V (LM336-2.5) polarizada atravs de R12 com cerca de 1mA. O valor da tenso de
referncia que ser efetivamente aplicada ao circuito pode ser ajustado em 10% (para menos) do seu valor. Como ser
mostrado em seguida, este ajuste da tenso de referncia implementa o ajuste de ganho do circuito.
Graas ao alto ganho do op-amp U1, a tenso sobre R4 mantida em Vr, produzindo, ento, uma corrente constante e
termicamente estvel que polariza o resistor Rzero.

9V

U1
R12
4.7k

Op-amps:
TLV2404

Q1

Vdd

bc337

Rzero
90

LM336

R11
1k

R5

R4
1.64k

Vr

1k

40k

U3

9V

Vdd

HI

9V
HI

2.5V

R9
10k

R6

R7

U2
Vdd

Q2
bc337

Rsensor
{Rx}
R2
1.64k

196

1k

R8
40k

saida

ELETRNICA
De maneira absolutamente idntica, o sensor PTC100 que est indicado como RSENSOR polarizado com uma corrente de
mesmo valor. Conseqentemente, as tenses nos pontos A e B sero dadas por:

VA
VB

Rzero
Vr
R4
Rsensor
Vr
Vr
R2
Vr

Como R2 = R4 (resistores de 1%), ento a diferena entre estas tenses ser:

VB VA

Vr
Rsensor Rzero
R2

Considerando que o sensor deve operar na faixa de 20oC a 200oC, a correspondente variao de resistncia de 83,68 .
Portanto, a variao desta tenso diferencial de 127,5mV. Para que isto corresponda variao de 5V na sada o sinal deve
ser ampliado de 40 vezes. Por esta razo usado um amplificador diferencial, implementado como U3 e os resistores R5-R8. O
ganho deste amplificador dado pela razo R6/R5. importante casar os pares de resistores R5-R7 e R6-R8 (usar resistores de
1%) para garantir alta rejeio aos sinais de modo comum.
Desse modo, a funo de transferncia do circuito dada por:

Vsaida

R6 Vr
Rsensor Rzero)
R5 R2

Os ajustes de Zero e de Fundo de Escala so independentes um do outro.


4. Converso Tenso-Freqncia
Considerando que esta tenso ser convertida em freqncia para posterior transmisso via fibra-ptica, importante verificar
se esta converso no introduz erros inaceitveis na medida da temperatura.
Para isto, um conversor V-F utilizando o CD4046 na configurao mostrada na figura seguinte foi caracterizado em
temperatura, aplicando-se trs valores distintos de tenso. O resultado obtido mostrado abaixo.

4046

Ventrada
9

Fsaida

C1
20n

7
6
11

R13
10k

16

O circuito (alimentado com 9VCC) foi colocado numa cmara climtica, aplicando-se tenso em VENTRADA produzida por um
gerador universal de tenso HP-3245A (alta preciso). O sinal de sada foi medido com ajuda de um osciloscpio. Os
resultados obtidos esto condensados na tabela abaixo.
3.0V

5.0V

7.0V

0o C

1.256 KHz

2.632 KHz

3.905 KHz

20 C

1.289 KHz

2.659 KHz

3.906 KHz

40oC

1.322 KHz

2.659 KHz

3.846 KHz

60 C

1.344 KHz

2.688 KHz

3.845 KHz

80oC

1.374 KHz

2.688 KHz

3.676 KHz

197

ELETRNICA
Os correspondentes coeficientes trmicos so:
1175 ppm/oC em Ventrada=3V
266 ppm/oC em Ventrada=5V
778 ppm/oC em Ventrada=7V
A estabilidade do VF satisfatria para a aplicao.

Data

Visto do Orientador:

Aluno:

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198

ELETRNICA

199

ELETRNICA

Rev. 0.4 jan/2011


Rev. 0.3 jan/2010
Rev. 0.2 jan/2009
Rev. 0.1 ago/2008
Rev. 0.0 jan/2008

Elaborado por:
Ivan Jorge Chueiri, MSc Professor Assistente
PUCPR Pontifcia Universidade Catlica do Paran
e-mail: i.chueiri@pucpr.br
Todos os direitos reservados. Nenhuma parte desta apostila poder ser reproduzida, sejam quais forem os meios
empregados, sem a permisso dos autores.
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