You are on page 1of 4

Junction Field Effect Transistor

Alm "Junction Field Effect Transistor"dr.Elektronikte kullanlan alan etkili transistr tr. 1- Transistr (BJT, Bipolar Junction Transistor) hakknda temel bilgi Transistor B (beyz) ucuna uygulanan akma gre C (kolektr)-E (emiter) ulan arasndan geen akm kontrol eder. Baka bir deyile transistor alabilmek iin belli bir IB akmna gerek duyar. te bu nedenle transistrlere akm kontroll aktif devre eleman denir. Sekil l 'de NPN ve PNP tip: transistor sembolleri verilmitir. Sekii 1: NPN ve PNP transistor sembolleri 2.JFET (FET) ler G (gale, geyt, kap) ucuna uygulanan ters polariteli gerilimin deerine gre D (drain, dreyn, oluk)~S (source, sars, kaynak) ular arasndan geen akm kontrol edebilen elemanlara ise JFET (Jmction Field Effect Transistor, birleim yzeyli alan etkili transistor) denir. 3- JFETlerin zellikleri TV, video, kamera, bilgisayar, kesintisiz g kayna, anten ykselteci, verici, alc vb. gibi hassas yapl elektronik devrelerde yaygn olarak kullanlan JFET'lerin baz zellikleri unlardr: Giri empedanslar 100 MH dolaynda olup ok yksektir. Transistorun (BJT) giri empedans ise ok dk olup 2 dolayndadr. Radyasyon (nm) etkisi yoktur. Anahtar olarak kullanldklarnda kontrol edilmeleri kolaydr. Yani D-S ulan arasndan geen akm gck br VGG polarma (n gerilimleme) voltajyla denetlenebilir. Transistorlardan daha az grltl (parazitsz) alrlar. Scaklk deimelerinden daha az etkilenirler. Gvde boyutlar transistorlardan daha kktr. Giri empedanslarnn yksek, elektrotla aras kapasitenin (sann) dk olmas nedeniyle yksek frekansl elektronik devrelerde yaygn olarak kullanlrlar. Bant genilikleri (alabildikleri frekans aral) dardr. 4- Alan etkili transistor eitleri Alan etkili transistorlar iki gruba ayrlr: a. JFET (Junction Field Effect Transistor birleim yzeyli alan etkili transistor), b. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, metal oksit yar iletken alan etkili transistor) 5- JFETlerin yaps P ve N tipi iki yan iletkenin birlemesinden oluan JFET'lerin. D, S, G adl aya vardr. ekil 2'de N ve P kanall JFET sembolleri verilmitir. ekil 3'te ise N kanall JFET 'in yar iletken i yaps verilmitir.

ekil 3: JFET'lerin yar iletken i yaps JFET'lerde D-S arasndaki kanal maddesi byk, kap (G) maddesi ise kktr. N kanall JFET ile P kanall JFET arasnda bir fark yoktur. Sadece IP akmnn yn terstir. Bu blmde, anlalmas daha kolay olduu iin N kanall JFETlerin almas aklanacaktr. ekil 4: N kanal JFETin polarlmas 6- JFETlerin alma ilkesi ekil 4te grld gibi N kanall JFETin G ucu ters, D-S ular ise doru polarlmtr. JFET'in D ucuna balanm olan RD, yk direnci olarak grev yapmaktadr. G-S ular arasna balanm olan VGG kayna JFET'in G-S ular arasndaki yar iletkenleri ters polarr. Bilindii gibi P-N ekleminden oluan yar iletken ters polarldnda birleim

(junction, jonksiyon) blgesinde, elektron ve oyuk bakmndan fakirlemi bir blge (alan) oluur. Fakirlemi alann genilii ekil 5'te grld gibi G ucuna uygulanan ters polarma geriliminin deeri bydke artar. ekil 5: JFET'in G-S ular arasna ters olarak balanan VGG kaynann gerilim deeri arttka fakirlemi blge geniler. (JFETin akm geiren kanal daralr.) JFET'in G-S ular ters polarld iin G ucundan hi akn geii olmaz. te bu nedenle JFET'ler gerilim kontroll eleman olarak tanmlanrlar. Transistrlerin B ucu akm ektii iin bu elemanlar akm kontrolldr. ekil 4'te verilen devrede ilk anda VGG geriliminin O (sfr) volt olduunu varsayalm: Bu durumda VDD kayna RD direnci ve D-S ulan arasndan belli bir akm geirir. VGG kaynann gerilimi O (sfr) voltken geen akm JFET'in D-S ularnn ve RD'nin diren deeri tarafndan snrlanr.

ekil 6: JFET'in G ucuna uygulanan gerilim O V'ken IP akmnn ve VPS geriliminin deiiminin incelenebilmesi iin kurulan deney balant emas ekil 6'da verilen deney balant emasnda G ucu aseye balyken (VGG = OV) VDD kaynann gerilimi 0 (sfr) volttan itibaren artrlacak olursa ID akm da ekil 7'de grld gibi artmaya balar. Akmn dorusal (lineer) olarak art gsterdii A-B noktalan arasndaki bu ksma "omik blge" denir.

ekil 7: JFETin G-S ulan arasna uygulanan gerilim O V'ken D-S ular arasna balanan VDD kaynann gerilim deeri O'dan itibaren artn idamda ID akiminin karakteristik erisi JFET'e uygulanan VDD gerilimi dorusal bir ekilde artrlmaya devam edilirse ID akmnn ekil 7'de grld gibi dorusal olarak artmad grlr. ekil 6'da VDD gerilimi O Vtan 4 V'a doru artrldnda I akmn ekil 7'de grld gibi dorusala yakn dzgnlkte artt grlr. VDD gerilimi 4 volttan itibaren artrlsa bile ID akmndaki art durur. ID akmnn artnn durduu noktaya saturasyon (doyum, pinchoff) noktas denir. Doyum (pinch-off) noktas kritik gerilim deeri olarak da adlandrlr ve Vp ile gsterilir. FET'in G ucuna uygulanan ters polarma gerilimi VGG=0 voltken D-S ular arasndan geen ID alarm, VDD gerilimi artrlsa bile belli deerde sabitlesin Akmn sabit olduu bu deere IDSS (D-S ular arasndan geen doyum akm) denir. FET'in D-S ular arasndan geen akm, VDS ulan arasndaki gerilim artrlmaya devam etmesine karn pek fazla artmaz. ekil 7'de verilen karakteristik eride doyum (pinchoff) blgesi olarak adlandrlan blgede JFET'ten geen IDSS akm hemen hemen ayn deerde kalr. Sekil 6'da verilen deney balant emasnda VDD kaynann gerilim deeri artrlarak D-S ular arasndaki VDS gerilimi ykseltilecek olursa ID akm yksek bir deere kar. ID akmnn ar artmas ise JFET'in bozulmasna yol aar. ekil 7'deki karakteristik erisinde bozulma (breakdown, krlma) noktas (C) olarak gsterilen bu deeri JFET'e uygulamamak gerekir. 7. JFETlerin elektriksel karakteristikleri a. JFETin k (VDS - ID) Karakteristii FET'in G ucu ekil 6'da grld gibi aseye balyken VDS kaynann gerilim deeri belli bir noktaya ulatnda D-S ular arasndan belli byklkte bir akm geer. Buna IDSS akm denir. G ucuna uygulanan VGS ters polarma

gerilimi ekil 8'de grld gibi artrldnda (rnein-1 volt yapldnda) ID akm ekil 9'da grld gibi azalr.

ekil 8: JFET'in G ucuna uygulanan gerilim O volttan yksekken ID akmnn ve VDS geriliminin deiiminin incelenebilmesi iin kurulan deney balant emas ekil 9: JFET'in G- S ulan arasna uygulanan gerilim 1 voltken D-S ular; arasna balanan VDD kaynann gerilim deeri 0 Vtan itibaren artrldnda ID akmnn deeri IDSS deerinin altna iner. VGG kaynayla G ucuna uygulanan ters polarma gerilimi biraz daha artrldnda (rnein-1,5 V yapldnda) ID akm ekil 9'da grld gibi daha da azalr. VGS = -2 V yapldnda ise ID akm 0 A deerine iner. Sonu olarak VGG kaynayla G ucun; uygulanan ters gerilim -0,5, -l, -1,5, ..., -2 V eklinde artrlmaya devam edilirse ID akm 0 dzeyine doru iner. ID akmnn azalmasnn nedeni kanal blgesinin elektron ve oyuk ynnden fakirlemi bir hle gelmesindendir. Kanal blgesinin fakirlemi hle gelmesini salayan etken ise bilindii gibi G-S ular arasnn ters polarlm olmasdr. b- JFETin transfer (VGS - ID) Karakteristii JFET'in transfer karakteristii, sabit bir VDS gerilimi altnda VGS geriliminin deiimine gre ID akmnn deiimini gsterir. Baka bir deyile VDS gerilimi sabitken G ucuna uygulanan ters polarma (VGG) gerilimi artrldka ID akm ekil l0'da grld gibi IDSS deerinden 0 mA deerine doru iner.

ekil l0da verilen transfer karakteristii erisinde herhangi bir -VGS gerilimi deerinde ID akmnn deeri, ve ID=K.(VGS-VT)2 eklindedir. denklemiyle bulunur. ekil 10'da verilen karakteristik erisinden u yarglara varmak mmkndr: I. VGS gerilimi 0 V'ken JFET'ten maksimum dzeyde bir akm geii olmaktadr. Bu akm IDSS (saturasyon, doyum) akm olarak nitelenir. II. JFET'in G ucuna uygulanan ters polariteli VGS gerilimi VGG kaynayla 0 V'tan itibaren artrldnda D-S ular arasndan geen ID akm IDSS deerinden daha kk bir deere inmektedir, III. JFET'in G-S ular arasna uygulanan ters polarma gerilimi belli bir dzeye (-VP deerine) ulatnda D-S ular arasndan geen ID akm 0 (sfr) seviyesine inmektedir. Transfer Karakteristiiyle ilgili rnekler: rnek: Bir JFET'in VP gerilimi -3 V, IDSS akm 10 mA'dir, Buna gre, a. VGS gerilimi 0 voltken ID akmn, b. VGS gerilimi -l voltken ID akmn, c. VGS gerilimi -3 voltken ID akmn bulunuz. zm: a. =10 b. =10 c. =10 rnek: Bir JFET'in Vp gerilimi -4 V, IDSS akm 20 mA'dir, Buna gre, a. VGS gerilimi 0 voltken ID akmn, b. VGS gerilimi -2 voltken ID akmn,

c. VGS

gerilimi -4 voltken ID akmn bulunuz,

zm a. = 20 b. = 20 c. = 20

8.JFETlerin elektriksel parametreleri FET'e uygulanan gerilimlerin deitirilmesiyle bu elemann gsterdii davrana parametre (byklk) denir. Elektronik devre eleman reten firmalar kataloglarda her JFET iin parametre deerlerini bildirirler. rnek olarak BF245 adl JFET'in baz zellikleri aada verilmitir. VDSmaks= 30 V VGSmaks= -30 V gm = 5.5.10-3(mho) IDSS =10 mA JFET'lerin zellikleri aklanrken kullanlan baz teknik parametrelerin (terimlerin) anlamlar yledir: a. D-S doyma akm (IDSS) G-S eklemi ksa devre edildiinde (yani C ucuna O volt uygulandnda) D-S ular arasndan geen maksimum akmdr. b. G-S kapama gerilimi (kritik gerilim , V.) D-S kanalnn tamamen kapand (hi akn geirmedii) gerilim deeridir. Bu deer VGS-off (VGS-kesim) ile de gsterilir. c.G-S krlma gerilimi (VGSmaks) Bu parametre belirli bir akmda D-S ksa devreyken llr. Uygulamada bu deerin zerine klmas hlinde JFET bozulur. . D-S krlma gerimi (VDSmaks) JFET'in D-S ular arasna uygulanabilecek maksimum gerilim deerini bildirir. Bu deerin zerinde bir gerilim JFET'i bozar. d. Gei iletkenlii (gm) JFETler sabit akm eleman olduundan D ucundaki gerilimin deiimi ID akmnda pek bir deiiklie yol amaz. ID akm genellikle G ucuna uygulanan gerilimle kontrol edilir. Bu nedenle JFET'lerin en nemli parametrelerinden biri ID akmndaki deiime gre G voltajnn deiimidir. Bu parametre geirgenlik transkondktans, transconductance) olarak tanmlanr. Aada BF245 adl JFET'in gei iletkenlii erisi verilmitir. Geirgenlik, VDS gerilimi sabitken ID akm deiiminin G-S aras gerilim deiimine orandr.

(VDS=Sabit)

Geirgenlik, direncin tersi olduu iin birimi (mho, mo) ya da Siemens (S) ile ifade edilir.

denklemleri kullanlarak JFET'in geirgenlik deeri hesaplanr. rnek: Bir JFETin VGS gerilimi O V'tan-0,6 V'2 kadar deitiinde ID akm l mA'den 0,2 mA'e doru bir azalma (deiim) gstermektedir, JFET'in geirgenliini (transkondktansn) bulunuz. zm

rnek: Bir JFET'in IDSS akm 10 mA, VP gerilimi -6 V, VGS gerilimi -1 V olduuna gre JFET'in iletkenliini (transkondktansn) bulunuz. zm:

e. D-S iletim direnci (rds) Bu byklk, belirli bir G-S gerilimi ve IP akmnda llen gerilim D-S iletim direnci. JFET'in anahtar olarak kullanlmasnda nen tar. Bu deer on ile birka yz arasnda deiir.