T.C.

MARMARA ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ

ORGANİK IŞIK YAYAN DİYOTLARIN İMALİ VE KARAKTERİZASYONU

Gülşen KÖSOĞLU

YÜKSEK LİSANS TEZİ
FİZİK ANABİLİM DALI FİZİK PROGRAMI

DANIŞMAN I.Doç. Dr. Ahmet ALTINDAL II. Yrd.Doç.Dr. Fatih DUMLUDAĞ

İSTANBUL 2010

 

T.C. MARMARA ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ

ORGANİK IŞIK YAYAN DİYOTLARIN İMALİ VE KARAKTERİZASYONU

Gülşen KÖSOĞLU

(141101420070167)

YÜKSEK LİSANS TEZİ
FİZİK ANABİLİM DALI FİZİK PROGRAMI

DANIŞMAN

I.Doç. Dr. Ahmet ALTINDAL II. Yrd.Doç.Dr. Fatih DUMLUDAĞ

İSTANBUL 2010

 

   

TEŞEKKÜR

Tezimin planlanması, gerekli akademik çalışmaların yapılması ve yazımı sırasında önerilerini yardım ve desteğini esirgemeyen değerli tez danışmanım Doç.Dr. Ahmet ALTINDAL’a; Tezimi hazırlama esnasında yaptığı katkılardan dolayı değerli Yrd. Doç.Dr. Fatih DUMLUDAĞ’a; Yurt dışı çalışmaları için beni laboratuvarına kabul edip her türlü olanağı sağlayan sevgili Prof.Dr.Andy MONKMAN ve çalışma arkadaşlarına; Destek ve yardımını hiç bir zaman esirgemeyen Arş.Gör.Dr. Cenk SESAL’a; Destekleri için aileme, sevgili kardeşim Gülten ve çok sevdiğim arkadaşlarıma;

Teşekkürlerimi sunarım.

Haziran,2010 i
 

Gülşen KÖSOĞLU

   

İÇİNDEKİLER

SAYFA

TEŞEKKÜR.............................................................................................. i İÇİNDEKİLER ....................................................................................... ii ÖZET....................................................................................................... iv ABSTRACT ............................................................................................. v YENİLİK BEYANI................................................................................ vi SEMBOLLER ....................................................................................... vii KISALTMALAR..................................................................................... x ŞEKİLLER ............................................................................................ xii BÖLÜM I.GİRİŞ ve AMAÇ .................................................................. 1
I.1.GİRİŞ ...........................................................................................1

BÖLÜM II.GENEL BİLGİLER............................................................ 8
II.1 ORGANİK IŞIK YAYAN DİYOTLARIN (OIYD) YAPISI VE ÇALIŞMA PRENSİBİ ................................................................................... 8 II.2 ORGANİK YARIİLETKENLER ....................................................... 10 II. 3 YÜK İNJEKSİYONU .......................................................................... 11 II.4 YÜK AKIŞI ........................................................................................... 14 II.5 LANGEVİN REKOMBİNASYONU................................................... 18 II.6 SINGLET-TRIPLET UYARILMIŞ DURUMLAR ........................... 19 II.7 KUANTUM VERİMİ (Q.E)................................................................. 22

BÖLÜM III. ÇALIŞMALAR............................................................... 24

ii
 

.............    III................2 OPTİK KARAKTERİZASYONLARDAN ELDE EDİLEN BULGULAR ...............................1...1. 31 IV...................................................4 Katot Malzemesinin Kaplanması .... 25 III.1................... 1 AYGITLARIN ÜRETİMİ .......... 41 BÖLÜM V.....2 ITO’ların Temizlenmesi .1 ITO’nun Aşındırılması .. 29 III...............2....1..............1 Aygıtların Elektriksel Karakterizasyonu ... 30 BÖLÜM IV................ 26 III..................2 Aygıtların Optik Karakterizasyonu ...................................................................... 27 III...... SONUÇLAR ve TARTIŞMA ...............1...... 25 III......................... 34 IV............................................................... 61 ÖZGEÇMİŞ iii   ............. 56 KAYNAKLAR........ 31 IV...........................................................2 AYGITLARIN KARAKTERİZASYONU....... 27 III.......................5 Epoxy İle Koruma .......................................... 28 III.....................................1............................3 Organik Malzemelerin Kaplanması..................1 Dc Ölçümlerden Elde Edilen Bulgular .........1 ELEKTRİKSEL ÖLÇÜMLERDEN ELDE EDİLEN BULGULAR .............SON DEĞERLENDİRMELER ve ÖNERİLER................................................................................................2 Ac Ölçümlerden Elde Edilen Bulgular .............1......... 26 III.................................. 32 IV.2........................................................................

OIYD’ların üretilmesi esnasında aktif malzeme olarak kullanılan PSF ve PFO ince filmlerin hazırlanmasında klorobenzen ve toluen olmak üzere iki farklı çözücü kullanılmıştır.9-dioctylfluorene)) diğeri de PFO (polyspirobifluorene ) olmak üzere iki farklı aktif malzeme kullanılarak OIYD’lar üretilmiştir. Burroughes ve arkadaşlarının öncü çalışmalarıyla ilgi odağı olmuştur.    ÖZET ORGANİK IŞIK YAYAN DİYOTLARIN İMALİ VE KARAKTERİZASYONU Küçük moleküler ve polimerik malzemelerin kullanıldığı Organik Işık Yayan Diyotlar (OIYD) özellikle Tang. İlerleyen zamanlarda kullanılan malzemelerde ve cihaz konfigurasyonlarında bir çok yenilik meydana gelmiştir. yük mobilitesi ve farklı tabakalarda yük dengesinin sağlanmasıdır. Üretilen aygıtların gerek optik özellikleri gerekse elektriksel özelliklerinin kullanılan aktif malzemenin türüne ve aktif malzemenin ince filminin hazırlanması esnasında kullanılan çözücünün türüne sıkıca bağlı olduğu sonucuna varılmıştır. Bu Yüksek Lisans Tez çalışmasında. Bu anlamda cihaz verimini artırabilmek için singlet –triplet iç dönüşümleri destekleyen ve emisyon bölgesinde yük taşıyıcı dengesini sağlayabilecek metodlar geliştirilmiştir. Bu şekilde üretilen OIYD’ların hem elektriksel hemde optik karakterizasyonları yapılmıştır. Elektrolüminesans uygulamalarda kullanılan yüksek performanslı malzemelerin üretiminde gözetilecek kritik parametreler. aktif tabaka için uygun emisyon spektrasına sahip verimli ve dengeli yeni malzemeler üretimi üzerinedir. Gerek çalışma voltajının düşük olması gerek. aygıtın kararlı olması gerekse dış kuantum veriminin uygulanan anot-katot gerilimi ile doğrusal olarak artması nedeniyle en iyi OIYD performansını sergileyen yapının PSF’in klorobenzende çözülmesiyle elde edilen ITO/ PEDOT:PSS/ PSF/ Ba:Al tabakalarından oluşan yapı olduğu sonucuna varılmıştır. emisyon verimi. Haziran 2010 iv   Gülşen KÖSOĞLU . OIYD çalışmalarının büyük bölümü. aktif malzeme olarak biri PSF (poly(9.Van Slyke.

Since then there have been tremendous advances both in design of novel materials and device configurations. In the design of high performance materials for electroluminescent applications. Different strategies have been developed to enhance the efficiency of the devices such as assisted singlet–triplet internal conversion and the balance of charge carriers in the emissive zone. PSF (polyspirobifluorene) and PFO (poly(9. Two different organic solvents. new emitting materials with appropriate emission spectra remains one of the most active areas of these studies. The device structure of ITO/ PEDOT:PSS/ PSF/ Ba:Al where the organic material (PSF) solved in chlorobenzene device is decided the highest performanced OLEDs . The electrical and optical characterization of these OLEDs are represented in this work.The device exhibited lower working voltage. toluene and chlorobenzene are used in the production of PSF and PFO thin films. charge mobility and achievement of charge balance for the different layers must be considered. Van Slyke and Burroughes and co-workers. The search for efficient and stable. In this Master thesis.9dioctylfluorene)) are used as the active materials in organic light emitting diodes manufacturing.    ABSTRACT THE PRODUCTION AND CHARACTERIZATION OF ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES Organic light-emitting diodes (OLEDs) using small molecules or polymers have been intensively pursued after the initial work by Tang. Both the electrical and the optical characteristics of the devices are tightly depended on the choice of the active material and also the type of the organic solvent which is used in device preparation. Haziran 2010 v   Gülşen KÖSOĞLU . stabile device characteristics and a linear increased external quantum efficiency with the anodecathode potantial. critical parameters such as emission efficiency.

    YENİLİK BEYANI ORGANİK IŞIK YAYAN DİYOTLARIN İMALİ VE KARAKTERİZASYONU Bu tez çalışmasında.2010 Doç. aktif malzeme olarak kullanılan PFO ve PSF’in farklı iki çözücü kullanılmak suretiyle hazırlanan biri ITO/ PEDOT: PSS/ PFO/ Ba:Al tabakalarından diğeride ve ITO/ PEDOT:PSS/ PSF / Ba:Al tabakalarından oluşan OIYD’larda incelenmiştir.Dr. ilk defa cihazların elektriksel ve optik karakterizasyonları Haziran. Ahmet ALTINDAL vi Gülşen KÖSOĞLU   .

c φB φbn φl ϑx µn µn0 µP µp0 µR C EF Eg G I J :Elektron Afinitesi :Pi bağı :Sigma bağı :A.    SEMBOLLER χ π σ σa.C. İletkenlik : Potansiyel Engeli : Kontakların Elektron Enjeksiyonuna Gösterdiği Engel :Dalga Fonksiyonu :Taşıyıcı Hızı :Elektron Hareketliliği : Sıfır Elektrik Alandaki Elektron Hareketliliği :Boşluk Hareketliliği : Sıfır Elektrik Alandaki Boşluk Hareketliliği :Etkin Yeniden Birleşme Hareketliliği :Kapasite :Fermi Enerjisi :Enerji Band Aralığı :Elektron –Boşluk Çifti Oluşum Hızı :Akım(A) : Toplam Akım vii   .

    Jn Jp Jr L m M m* n Nc ne Nv pe R* R rc s Sn Tn V V VP Vrn :Elektron Akım Yoğunluğu :Boşluk Akım Yoğunluğu : Yeniden Birleşme Akımı :Toplam Açısal Momentum Vektörü :Atom Sayısı :Dipol Moment Operatörü : Etkin Kütle :Elektron Konsantrasyonu :Elektron Durum Yoğunluğu : Elektron Taşıyıcı Yoğunluğu :Boşluk Durum Yoğunluğu :Boşluk Taşıyıcı Yoğunluğu :Elektron –Boşluk Çifti İçin Yeniden Birleşme Hızı :Empedansın Gerçek Bileşeni :Coulomb Yakalama Yarıçapı :Spin Operatörü :Singlet Hal :Triplet Hal :Çekirdek Potansiyeli :Voltaj(V) :İyonizasyon Potansiyeli :Elektron için Etkin Yeniden Birleşme Hızı viii   .

    Vrp W X ηext ηint ηL ηp ηp ηq ηr κ ΦF Φf Ψ Ψb :Boşluklar için Etkin Yeniden Birleşme Hızı :Metal Elektrodun İş Fonksiyonu :Empedansın Sanal Bileşeni :Dış Kuantum Verimi :İç Kuantum Verimi :Akım Verimi (A/cd ) :Güç Kazancı :Işıma Verimi (lm/W) :Kuantum kazancı :Boşluk ve Elektronun bir Araya Gelerek Eksiton Oluşturma Olasılığı :Engel Yüksekliği :Denge Durumundaki Fermi Enerji Seviyesi :Floresans Kuantum Verimi :Elektrostatik Potansiyel . Metalin İş Fonksiyonu ix   .

    KISALTMALAR   Ag Al Alq3 Ba Ca EL ETL HOMO HTL Ir Ir(ppy3) ITO LCD LED lm/W LUMO MEHPPV Mg MoO3 :Gümüş :Alüminyum : (tris(quinolin-8-olato)aluminum (III)) :Baryum :Kalsiyum :Electroluminescence Layer :Electron Transport Layer :Highest Occupied Molecular Orbital :Hole Transport Layer :Iridyum : (fac-tris(2-phenylpyridine)iridium) :Indium Tin Oxide :Liquid Crystal Display :Light Emitting Diode :lümen/Watt :Lowest Unoccupied Molecular Orbital :poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-p-phenylenevinylene] :Magnezyum :Molibden Trioksit x   .

N’-bis(3-methylphenyl)-1.4-polyethylenedioxythiopene–polystyrenesultonate) : (poly(9.3.1’-biphenyl-4.N’-diphenyl-N.4’diamine) UV WOLED :Ultra Violet Light :White Light Emitting Diode xi   .9-dioctylfluorene) :Polyfluorenes :poly(p-phenylenevinylene) :Polyspirobifluorene :Platin :(poly(9-vinylcarbazole)) :rotate per minute :Ruteryum :Silisyum Dioksit : (tetrabutylammonium hexafluorophosphate ) :( N.    nm OIYD Os PBD PEDOT PFO PFs PPV PSF Pt PVK rpm Ru SiO2 TBAPF6 TPD :Nanometre : Organik Işık Yayan Diyot :Osmiyum :(2-(4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1.4-oxadiazole) : (3.

...1 OIYD’un Şematik Gösterimi.. 12 Şekil III......... 35 Şekil IV.......... 33 Şekil IV... 43 Şekil IV..........1..........................................1 Metal......1 D.......1 ITO/PEDOT:PSS/PFO/Ba:Al Tabakalarından Oluşan OIYD’un Fotoğrafı....1...................Organik Yarıiletken Arayüzeyi..................2 2 Numaralı Aygıtta Yayınlanan Işığın Renk Kromatiklik Diyagramı............2.............. 36 Şekil IV............ 38 Şekil IV....................1.1........................1....1......İletkenliğin Dört Farklı Sıcaklık Değeri İçin Frekansla Değişimi .................................................................... 28 Şekil III..............1...................2......2............. ve A.3 3 Numaralı Aygıtta ac İletkenliğin Dört Farklı Sıcaklık Değeri İçin Frekansla Değişimi ........2.....1 2 Numaralı Aygıtın J-V Karakteristiği....................2..............1...................................3...........2 ITO/PEDOT:PSS/PFO/Ba:Al ve ITO/PEDOT:PSS/PSF/Ba:Al Tabakalarından Oluşan Aygıtların Şematik Gösterimi .....c.2................1................4...........1 2 Numaralı Aygıtta Işıklılık Dalga Boyu İle Değişimi ............................2...........................4........................................... 30 Şekil III.................1................ 34 Şekil IV..............1.......................... 9 Şekil II.1.........2.................1 1 Numaralı Aygıtta a............1....................... 30 Şekil IV.... 41 Şekil IV....... 44 xii   ..........................7 3 Numaralı Aygıtın Empedansnın Frekans İle Değişimi ..............6 1 Numaralı Aygıtın Empedansnın Frekans İle Değişimi ...................... 32 Şekil IV......5 3 Numaralı Aygıtın Gösterilen Sıcaklıklarda Ölçülen X-R Karakteristikleri........2 3 Numaralı Aygıtın J-V Karakteristiği....................1........ 39 Şekil IV......................... 37 Şekil IV..............................2 Bir OIYD’nin Çalışma Prensibi ....... Ölçümlerde Kullanılan Deneysel Düzenek .....................2 2 Numaralı Aygıtta ac İletkenliğin Dört Farklı Sıcaklık Değeri İçin Frekansla Değişimi .................................... 40 Şekil IV.........1..............4 1 Numaralı Aygıtın Gösterilen Sıcaklıklarda Ölçülen X-R Karakteristikleri...........1..........................................................c............2............2..............................c..................2..1......2 Optik Ölçümlerin Yapıldığı Integrated Sphere..............3 3 Numaralı Aygıtta Işıklılık-Dalga Boyu Karakteristiği...............2. 9 Şekil II. 28 Şekil III..........................    ŞEKİLLER SAYFA NO Şekil II...1.........................2.........................

.............14 3 Numaralı Cihazda Dış Kuantum Verimi.2...15 4 Numaralı Cihazda Dış Kuantum Verimi. 53 Şekil IV.....................2.......... 52 Şekil IV........1 6 4 Numaralı Aygıtta Yayınlanan Işığın Renk Kromatiklik Diyagramı........1 8 3 Numaralı Aygıtta Parlaklık-Voltaj Karakteristiği ......................................13 2 Numaralı Cihazda Dış Kuantum Verimi...............2.......    Şekil IV.... 45 Şekil IV.... 46 Şekil IV........................2.......2...................... 48 Şekil IV......2.........................2.......1...........................1 5 4 Numaralı Aygıtta Işıklılık-Dalga Boyu Karakteristiği.......................................... 47 Şekil IV.... 55 xiii   ........................1 11 3 Numaralı Cihaz için Işık Akısı-Voltaj Grafiği................................ 51 Şekil IV....2.......1 4 3 Numaralı Aygıtta Yayınlanan Işığın Renk Kromatiklik Diyagramı............................... 49 Şekil IV.......1 9 4 Numaralı Cihaz İçin Parlaklık-Voltaj Grafiği......2.................................. 46 Şekil IV....12 4 Numaralı Cihaz için Işık Akısı-Voltaj Grafiği...... 54 Şekil IV......................1...2..............1...............1................. 50 Şekil IV.2...1 10 2 Numaralı Cihaz için Işık Akısı-Voltaj Grafiği...........1 7 2 Numaralı Aygıtta Parlaklık-Voltaj Karakteristiği .................2..............

1963 yılında antrasen’de elektrolüminesansın gözlemlenmesi [9] tüm dikkatlerin organik malzemeler üzerinde yoğunlaşmasına neden olmuştur. transistörler [3. katkılama ile bu tür malzemelerin elektriksel iletkenliğinin 7 ile 1000 kat artırılabileceğini göstermeleri ile polimer malzemelerden beklentiler daha da artırmıştır. Heeger [1]ve çalışma arkadaşlarının kendilerine 2000 yılında Nobel Kimya ödülünü kazandıran.4].    BÖLÜM I GİRİŞ VE AMAÇ Elektriksel olarak yalıtkan oldukları bilinen polimer malzemeler uzun yıllardır teknolojinin değişik alanlarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 1   . Bugün organik malzemeler sensörler [2]. organik lazerler [6] ve organik ışık yayan diyotlar [7. Gözlemlenen elektrolüminesans veriminin ve ömrünün inorganik malzemelerde gözlemlenen elektrolüminesans ile kıyaslanmayacak kadar küçük ve kısa olmasına rağmen. 1987 yılında Tang ve Vanslyke’nin [10] indiyum kalay oksit ve Mg :Ag elektrotlar arasına sandviç edilmiş iki organik (Alq3 (tris(quinolin-8-olato)aluminum (III)) ve diamine) tabakadan oluşan yapıda elektrolüminesans gözlemlediklerini rapor etmeleriyle yeni nesil ışık veren diyotların temeli atılmıştır.8] gibi opto-elektronik devre elemanlarının yapımında aktif malzeme olarak yaygın bir şekilde kullanılmaktadır. Tang ve Vanslyke’nin gözlemlerinden sonra aktif tabaka olarak organik yarıiletkenlerin kullanıldığı optoelektronik devre elemanlarının üretimi ve karakterizasyonu konusundaki çalışmaların sayısında dikkate değer ölçüde büyük bir artış olmuştur. Shirakawa. H. organik güneş pilleri [5].

Özellikle ink-jet baskı tekniği sayesinde esnek ve kıvrılabilir yüzeyler üzerinde dahi aygıtlar üretilebilir. OIYD aygıtları iletken konjuge polimerler ve küçük organik moleküler malzemelerden yapılabilir. Bu lambaların ürettikleri beyaz ışığın tonunda zaman içersinde değişmeler olabilir (ofislerde kullanılan floresans lambalardaki gibi). LCD ve diğer teknoloji ürünlerine göre renk kalitesinde de oldukça fark yaratır. Bu renkler sayesinde renk spektrumundaki tüm renkler net bir şekilde sağlanır. mavi. Ayrıca OIYD’lerden yapılmış ekranlar LCD ekranlar gibi arkadan ışıklandırma ilkesiyle çalışmaz. Bu malzemelerden oluşturulan pikseller düşük çalışma voltajlarında yüksek parlaklığa sahiptir. Organik veya polimerik malzemelerden üretilen bu piksellerin kromatiklik koordinatları incelendiğinde üretilen renk çok daha zengin ve gerçekçidir.000 :1 dir. Bu ekranları oluşturan piksellerin kendileri floresans ya da fosforesans yapabilen malzemelerden üretildiği için kendi ışığını üretir. LCD’lerde ekranın ömrü öncelikli olarak arka aydınlatmada kullanılan lambaya bağlıdır.000. Bu sebeple ekrandaki görüntünün renginde 2   . Özellikle cep telefonları ve dizüstü bilgisayarlar gibi taşınabilir elektronik aygıt piyasasında OIYD ekranlar düşük güç tüketimi ve piksellerinin yüksek parlaklık değeri ile teknoloji piyasasında büyük bir yer edinmiştir.    Optoelektronik devre elemanları arasında özellikle Organik Işık Yayan Diyotlar (OIYD) flat panel displaylerin temeli olarak büyük bir ilgi odağı olmuştur. İncelemelerde Kontrast Oranı OIYD’lardan yapılmış ekranlar için maksimum 1. OIYD’lardan yapılmış ekranlarda ise piksellerin kendileri ışık yaydığı için yaklaşık 1700’ye kadar genişleyen bir izleme açısına sahiplerdir. kırmızı ve yeşil bünyelerinde bulundururlar. LCD’ler üzerinde izleme açısını artırmak için bir çok çalışma yapılmıştır ama LCD’lerin çalışma mantığı ışığı bloke ederek karanlık alanlar oluşturmak olduğu için izleme açısında kayıplar yaşanmaktadır. Bu sayede ekranın güç veriminde büyük artışlar söz konusudur. Organik LED ekranlarda pikseller görüntü oluşumu için temel olan üç rengi. OIYD’den yapılmış ekranlar.000 :1 değerindeyken bu oran LCD için 10. LCD ekranlar içerlerinde sıvı kristaller uygulanan potansiyel altında yönelim göstererek dönerler bu esnada ekranın arkasından gönderilen ışığı bloke ederek görüntü oluşumunu sağlarlar. Ayrıca organik ışık yayan diyotlar için esnek plastik ya da metal altlıklar üzerinde aygıt oluşturulabildiği için LCD (liquid crystal displayer) ve Plazma ekranların kullanmak zorunda oldukları ağır ve kırılgan cam altlıklarla sınırlı değillerdir.

oksijen ve nemdir. OIYD’larda anot malzemesi olarak genelde (ITO) kullanılırken katot olarak Ca.Tung ve grubunun yaptığı beyaz OIYD (WOLED) çalışmalarında dış kuantum verimi yaklaşık %16 iken güç verimi 18. OIYD’larda ise problem pikselleri oluşturan fosforların yaşam süreleridir. OIYD’lerin bahsedilen tüm bu avantajlarının yanı sıra aygıt verimini artırma da karşılaştığı bazı sıkıntılar mevcuttur.    dalgalanmalar ve değişiklikler yaşanabilir. En basit haliyle bir OIYD birisi anot diğeride katot görevi yapacak olan iki elektrot arasına sandviç edilmiş biri boşluk taşıyıcı.. Özelliklede mavi ışık yayan fosforun yaşam süresi diğer renklere göre çok daha kısadır ve ekranın yaşam ömrünü belirleyen temel faktördür. Uyarılmış hallerdeki organik malzemeler oksijen ve nemden kolayca etkilenebilir.Sn. Örneğin düşük cam geçiş sıcaklığına sahip organik malzemelerin enjeksiyon bariyerlerinden (özellikle anot enjeksiyon bariyerinden) gelen sıcaklık sebebiyle kristalleşmesi ve bozulmasıdır [11]. Organik malzemelerin ömrünü etkileyen faktörler temelde iki gruptur. Bunlar iç ve çevresel faktörler olarak ayrılabilir. OIYD’lerin ömrünü sınırlayan çevresel faktörler ise ışık. biri yayıcı bir diğeride elektron taşıyıcı tabaka olmak üzere üç farklı tabakadan oluşur.Mg. Beyaz ışık yayan OIYDler floresans ve ampullerin yerine geçebilecek derecede verim sergiler. In.4 lm/W gibi bir değerdedir. Y. Şu an var olan elektrik ampülleri genel olarak 10-20 lm/W ve floresans lambalar ise 60-90 lm/W civarında güç verimine sahiptir. Al ve Mg gibi iş fonksiyonu küçük olan elektropozitif metaller veya alaşımlar kullanılmaktadır. Aygıt içersinde yeni kimyasal yapılar oluşabilir bu da aygıtın ışık yayınımını etkiler ve verimi azaltır. Bir OIYD’un 3   . OIYD’lar bu nedenlerden dolayı LCD ve Plazma teknolojisinin tek alternatifi olarak görülmektedir. OIYD’ler ayrıca aydınlatma teknolojilerinde de hızlı bir şekilde yer edinmeyi başarmıştır. Ayrıca organik malzemeler yumuşaktır ve organik olmayan malzemelere göre moleküler bağlar daha zayıftır bu sebeple malzeme içersine iyon geçişi daha kolaydır. gibi hareketli iyonlar elektrotlardan tabaka içersine nüfuz edebilir ve aygıt yapısında kirlilikler yaratarak uygulanan etkin alanı ve böylece de diyotun çalışmasını etkiler[12].

aktif tabaka olarak organik malzemelerin kullanıldığı OIYD’lerden maksimum verim elde etmek için yayıcı tabaka içerisine daha çok sayıda taşıyıcı enjeksiyonunun sağlanması gerekir. Mu ve diğerleri [22] elektrodun TPD/Alq3/Al tabakalarından oluşan yapının ışıma verimine etkisini inceledikleri çalışmalarında en iyi verimi anot tabakası olarak PEDOT’un (3. organik malzemelerde aynı elektrik alan etkisindeki boşluk hareketliliği elektron hareketliliğinden daha büyüktür[14] . yeni malzemelerin geliştirilmesi üzerine yoğunlaşmış durumdadır. yayıcı tabakaya ulaşan elektronların sayısının artırılması veya boşlukların sayısının azaltılması gerekmektedir. Bu yükler birbirlerine doğru hareket ederek yayıcı tabaka içerisinde bir elektron-boşluk çifti (eksiton) oluştururlar. Temelde elektron-boşluk dengesinin sağlanamamasına dayanan bu problem OIYD’ların çalışma voltajı. eksiton oluşumu ve dolayısıyla elektron-boşluk birleşmesinin yayıcı tabaka içerisinde gerçekleşmemesine bunun sonucu olarak da bu birleşmelerin ışımasız olmasına neden olmaktadır. Fukushi [20] ve çalışma arkadaşları anot malzemesinin (ITO) yüzey durumlarının ITO/αNPD/Alq3/Al tabakalarından oluşan OIYD’lerin ışıma özelliklerine ve ömürlerine etkilerini inceledikleri çalışmalarında ITO’nun yüzey durumlarının aygıtın ışıma özelliklerini etkilemediğini ancak aygıtın ömrünü uzattığını gözlemlemişlerdir. Sonuçta. Araştırmaların bir bölümü mevcut malzemeler kullanılarak üretilen OIYD’lerin performansını iyileştirmeye yönelik olarak yapılırken diğer bir bölümü de. ömrü. elektron taşıyıcı tabakaya elektronlar salınır. Y. Dolayısıyla. Ancak. SangMoo Park ve diğerleri ise [21] ITO’nun radyo frekansı plazma işlemine maruz bırakılmasının ITO/TPD/Alq3/Al yapılarının performansına etkisini incelemişler ve en iyi sonucu 10 dakika süreyle 0. H.4-polyethylenedioxythiopene– 4   . Bu da.1 torr oksijen ortamında plazma işlemine tutulan yapılarda elde etmişlerdir. Bu şekilde oluşan elektron-boşluk çiftinin yayıcı tabaka içerisinde yeniden birleşmesiyle görünür bölgede karakteristik ışık salınımı gerçekleşir [13]. OIYD’lardaki bu temel problemin aşılmasına yönelik olarak hala yoğun olarak araştırmalar yapılmaktadır.    çalışma prensibi kısaca şöyle özetlenebilir: Anot ve katot arasına uygun bir potansiyel farkının uygulanmasıyla anottan boşluk taşıyıcı tabakaya boşluklar katottan da. parlaklığı ve verimi gibi parametrelerini etkilemektedir [15-19].

Özellikle Ir(ppy)3 (ppy = phenylpyridine) kompleksleri OIYD’larda 5   .W.Ir. Floresans malzemeler spin istatistiklerine göre singlet hallerden oluşurken fosforesans malzemeler triplet hallerde gözlenir ve fosforesans haller tüm uyarılmış hallerin %75’ini oluşturur. Özellikle iridium kompleksleri üzerinde en çok çalışılan fosforesans malzemelerden biridir. OIYD için geliştirilen malzemelerden beklenen temel özellikler aygıt yapım maliyetinin düşmesi. J. uzun ömürlü olması. Luminesans yapabilen organik malzemeler temelde floresans ve fosforesans malzeme olarak ikiye ayrılırlar.Ru. aygıt yapım prosedürü oldukça basittir. organik ligand ya da organometalik bileşenlere sahip geçiş metal atomlarını. Triplet hallere sahip yayıcı malzemeler eğer ağır metal atomları ile katkılanırlarsa (Pt. Spin –kaplama sistemi kullanılarak yapılan OIYD aygıtlarda maliyet düşük. C. Böyle yüksek bir oranda olan triplet hallerin ışınsal geçişler sağlaması malzemenin ışıklılık veriminde çok büyük bir fark yaratır. geçiş voltajının ve çalışma voltajının fonsiyonel grup film kalınlığındaki artış ile çalışma voltajının düştüğünü bununla beraber aygıtın akım kazancınında azaldığını gözlemlemişlerdir. düşük voltajda yüksek ışıldama ve parlaklık değerleri sunması.) daha önceden triplet haller için yasaklı olan spin halleri izinli hale gelir ve organik malzeme hem floresans hem fosforesans ışıma yapabilir. Ancak organik malzemelerde normal koşullarda triplet hallerden ışınsal geçişler gözlenmez. uygun host malzemeler içersine katkılayarak öncü bir başarı sağladılar.. bir çok elektronik aygıt teknolojisi için kolay uygulanabilir özellikte olmasıdır. Yap [23] fonksiyonel grup film kalınlığının ITO/PVK:PBD:TBAPF6/Al tabakalarından oluşan yapının performansına etkisini incelemişler ve yüksek voltajlarda geri dönüşümlü bir geçiş gözlemlemişlerdir.C. Baldo ve grubu fosforesans boyaları . katkılama yöntemleriyle malzemenin luminesans ve kuantum verimi artırılmıştır. Bu nedenle son yıllarda spin kaplama tekniği ile kaplanabilen polimerik malzemelere önem verilmiş. Ir(ppy3) [ (fac-tris(2-phenylpyridine)iridium] üzerinde yaptıkları çalışmalar sayesinde yüksek verimlilikte yeşil fosforesans yapan OIYD’ler üretilmiştir [26] .Os. Ayrıca araştırıcılar.    polystyrenesultonate) kullanıldığı yapıda gözlemlemişlerdir. Ma [24] ve Lianbin Niu [25] sırasıyla MoO3 ve SiO2 tampon tabakanın OIYD’ların verimine etkisini incelemişler ve gerek MoO3 gerekse SiO2 tampon tabakalarının diyot veriminde bir artış oluşturduğunu gözlemlemişlerdir.

OIYD için ilk PVK:Ir(ppy)3 aygıtı % 4.8 veya 6. İlk fluorine bazlı polimer 9-alkyl.kırmızı [29] gibi temel renklerde yüksek ışıma ve kuantum verimlerinde üretilebilmektedirler. Aygıtın yüksek elektron ve boşluk iletimi ve yük dengesi gereksiniminden dolayı yük yoğunluğu polimer ışık yayan diyotlar için performansı belirleyen önemli özelliklerden biridir. Polyfluoreneler hem optik hemde elektriksel özellikleriyle son derece ilgi çekici malzemelerdir. [Ir(dfbppy)(fbppz)2) [27] . Beyaz ışık eldesi için yürütülen çalışmalarda temel olarak çalışmalar mavi fosforesans yayıcılar üzerinedir. Mavi fosforesans malzemelerin ömürleri kırmızı ve yeşil fosforlara göre çok daha kısa olduğu için mavi fosforesansın yaşam ömrünü uzatmaya yönelik çalışmalar ağırlıktadır. Iridyum kompleksleri cyclometalating ligandlardaki değişimler ya da modifikasyonlarla değiştirilerek mavi fosforesans([Ir(dfppy)(fppz)2 . PFO en çok çalışılan polyfluorene malzemelerdir. FIracac [28] . bu hareketlilik değerine yüksek floresans verimide eşlik eder. Ir(4.and 9. Lamanski ve grubu bu sıkıntıyı giderebilmek için ilk kez PVK içersine elektron iletimini artıracak bir 6   .9-dialkylfluorenes Fukuka ve grubu tarafından 1989 yılında sentezlenmiştir [31] . elektron enjeksiyonu ise düşük seviyelerdedir [30]. Ir(dfmppy)(fbppz)2 . yeşil ve mavi fosforesans malzemeler için iyi bir host malzeme olabilir.8 boya katkı oranlarıyla Yang ve Tsutsui tarafından üretilmiştir [33]. PVK elektron iletimi açısından oldukça zayıftır.    kullanılan en yaygın fosforesans katkıdır. Organik ışık yayan diyotlarda host malzeme olarak en çok kullanılan malzeme PVK(poly(9-vinylcarbazole))’dır. Polyfluorene ışık yayan diyotlar için ilk aygıt verimi üzerine çalışmayı Grice ve ekibi 1998’de yaptı [32]. PVK p-tip bir bileşendir bu nedenle boşluk enjeksiyonu yüksek. PFO konjuge polimerler içinde yük hareketliliği en büyük olan malzemedir ve polythiopheneler dışında. Yüksek Triplet1 uyarılmış halinden ötürü kırmızı. Elektrofosforesans ışık yayan diyotlar için en çok çalışılan host malzeme PVK (Polyvinylcarbazole)’dur.6dFppy)2(acac). Polyfluorenler (PFs) mavi ışık salan diyotlar için umut vaad eden malzemelerdir. Iridyum kompleksleri gibi yüksek triplet enerjili yayıcılar için host olarak kullanılır.

güç verimi gibi en önemli OIYD parametrelerinin ölçülmesi suretiyle gerçekleştirilmiştir. aydınlatma şiddetinin gerilime bağlılığı. kuantum verimi.    elektron iletim bileşeni PBD (2-(4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1.3. Yapılan analizler sonucunda aygıtların gerek elektriksel gerekse optik özelliklerinin kullanılan aktif tabakaya sıkıca bağlı olduğu görülmüştür. Aygıtların. Bu şekilde üretilen OIYD’ların hem elektriksel hemde optik karakterizasyonları yapılmıştır.4- oxadiazole)) eklemişlerdir [34]. kapasite.4-ethylenedioxythiophene) poly(styrbenesulfonate))/ PFO (poly(9. 1991 yılında Braun ve Heeger ITO/MEH-PPV/Ca yapısında bir kırmızı-turuncu ışık yayan MEH-PPV (poly(2-methoxy-5-(2ethylhexyloxy)-p-phenylenevinylene)) kullanarak %1’lik bir kuantum verimi sağlamışlardır. elektriksel karakterizasyonları Akım-Voltaj (I-V) ve frekansa bağlı iletkenlik. Bu Yüksek lisans tez çalışmasında biri ITO(Indium Tin Oxide)/ PEDOT:PSS (Poly(3. PPV iskeletine substituents eklenmesi organik çözücülerde kolay çözünebilir türevlerin üretimini sağlamıştır. 1990’da Friend ve grubu tarafından geliştirilen yüksek floresans konjuge polimer PPV (poly(p-phenylenevinylene)).9dioctylfluorene)) / Ba:Al diğeride ITO/ PEDOT:PSS/ PSF (polyspirobifluorene) / Ba:Al tabakalarından oluşan iki farklı OIYD üretimi gerçekleştirilmiştir. Üretilen aygıtlarda aktif tabaka olarak kullanılan PFO ve PSF’in ince filmleri iki farklı çözücü kullanılarak hazırlanmıştır. ışık şiddeti ve akısının uygulanan gerilime bağlılığı ve yine. empedans ve direnç ölçümleri yapılmak suretiyle gerçekleştirilmiştir. ITO/PPV/Al tek tabakalı organik yeşilsarı ışık yayan diyotlar için çok önemli bir adım olmuştur [35]. 7   . Aygıtların elektriksel karakterizasyonları oda sıcaklığı ile 75°C arasındaki dört farklı sıcaklıkta gerçekleştirilmiştir. Optik karakterizasyonları ise. aygıt tarafından salınan ışığın uygulanan gerilime bağlılığı.

II. anot ve katot arasına yerleştirilen gerek boşluk taşıyıcı gerek yayıcı gerekse elektron taşıyıcı tabakaların organik yarıiletken malzemelerden oluşmasıdır.    BÖLÜM II GENEL BİLGİLER Bu bölüm. diyotların verimi ve yeniden birleşme mekanizmaları (recombination) gibi temel kavramların açıklanmasına ayrılmıştır. organik ışık yayan diyotların yapısı.1’de şematik olarak gösterilmiştir. 8   . çalışma prensibi.1’den görüleceği gibi OIYD anot ve katot arasındaki boşluk taşıyıcı (HTL). Yapının OIYD olarak adlandırılmasının nedeni ise. elektron taşıyıcı ve yayıcı (EL) tabakalarından oluşmaktadır. yük akış süreçleri. eksiton oluşumu.1 ORGANİK IŞIK YAYAN DİYOTLARIN (OIYD) YAPISI VE ÇALIŞMA PRENSİBİ Bir OIYD’un yapısı Şekil-II. Şekil-II.

1 OIYD’un şematik gösterimi Bu tabakalardan oluşan yapının OIYD olarak çalışma prensibi ise ŞekilII. Bu yükler birbirlerine doğru hareket ederek yayıcı tabaka içerisinde bir elektron-boşluk çifti (eksiton) oluştururlar (2).2’de şematik olarak gösterilmiştir. elektron taşıyıcı tabakaya elektronlar salınır (1).    Katot  ( l) EL  HTL  Anot  ( ) Alttaş   ( ) Şekil II. Bu şekilde oluşan elektron-boşluk çiftinin yayıcı tabaka içerisinde yeniden birleşinceye kadar hareket ederler (3). Şekil II. Bu yüklerin yeniden birleşmesiyle görünür bölgede karakteristik ışık salınımı gerçekleşir (4 ve 5).2 Bir OIYD’nin Çalışma Prensibi 9   . Yapıda anot ve katot arasına uygun bir potansiyel farkının uygulanmasıyla anottan boşluk taşıyıcı tabakaya boşluklar katottan da.

OIYD gibi elektriksel yolla ışıma (Elektrolüminesans) yapacak aygıt üretiminde kullanılacak organik yarıiletkenin sahip olması gereken en önemli özellikler. σ bağındaki hibrid orbitaller arasındaki üstüste binme π bağındaki p-orbitallerinin üstüste binmesinden daha büyüktür dolayısıyla. sp2 veya sp3 hibrid orbitallerinin üstüste binmesiyle tek kovalent bağ ya da σ bağı oluşur.2’de gösterilen OIYD’un çalışma prensibindeki her bir basamak (yük enjeksiyonu. sp2 ve sp1 hibritleşmesi ile oluşan bir σ bağı ile bir π bağından oluşan çift bağlar veya bir σ bağı ile iki π bağından oluşan üçlü bağlar çok daha önemlidir. yük taşıma kabiliyeti ve ışıma verimidir. eksiton oluşumu ve yeniden birleşme vb. bir elektroda yük transferini iletme kabiliyeti. Organik bileşiklerde atomlar arasındaki kimyasal bağlar atomik orbitallerin üstüste binmesiyle (overlap) oluşur. Bu sistemlerde π bağları saf p karakterli atomik orbitallerin üstüste binmesinin sonucudur. 10   . π bağının bağlanma enerjisi σ bağının bağlanma enerjisinden daha küçüktür. Ancak organik yarıiletkenlerde.2 ORGANİK YARIİLETKENLER Organik yarıiletkenler dipol-dipol kuvvetleri ile etkileşen karbon tabanlı moleküllerden oluşur. Şekil-II. küçük moleküler ağırlıklı malzemeler ve konjuge oligomerler olmak üzere üç ana grupta incelenebilir.    Organik yarıiletkenlerin bazı temel özellikleri ile . Organik yarıiletkenlerdeki yük iletim mekanizmalarını anlamak için öncelikle atomik orbitaller ve bunların kimyasal bağ oluşturma eğilimleri göz önüne alınmalıdır. p orbitalleri arasındaki zayıf bağlaşımdan dolayı bu orbitallerdeki elektronlar uzayda delokalize olma eğilimindedir. II.) aşağıdaki kısımlarda kısaca açıklanmıştır. Aktif tabakası organik yarıiletken olan OIYD’larda kullanılan malzemeler konjuge polimerler. yük akışı. Bilinmektedir ki iki atomun sp1.

Derece yaklaşıklıkla dalga fonksiyonu φl olan atomik p. Bir metal elektrottan organik yarıiletkene yük injeksiyonu. Böyle. farklı moleküllerin moleküler orbitalleri üstüste biner. Bir molekülün taban durumunda.    Elektronların delokalizasyonundan dolayı. Bu durumda σ bağındaki bir elektronun elektriksel iletkenliğe katkısı ihmal edilebilecek kadar küçüktür [36]. Metal-organik ara yüzeyinin fiziği tam anlaşılamamıştır. çok sayıda yarıiletkenlerdeki valans ve iletim bandına benzer bir band oluşturur. Dolayısıyla.orbitallerinin bir doğrusal bileşimi olarak tanımlanabilir. inorganik yarıiletkenlerdeki Schottky kontak denklemleri kullanılarak açıklanır. Doldurulmuş en yüksek enerjili moleküler orbitale HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital) denir. elektron sadece tek bir atoma ait değilde bütün moleküllere aittir. Daha öncede bahsedildiği gibi σ bağının bağlanma enerjisi π bağının bağlanma enerjisinden daha büyüktür. molekülün etkileştiği bir sistemde enerjilerdeki moleküller arasındaki yarılmalar inorganik etkileşmeden dolayı moleküler orbitallerin enerjisi yarılır. Bir π moleküler orbitalinin dalga fonksiyonu Ψπ. Dolayısıyla. en düşük enerjili moleküler orbital zıt spinli iki elektron tarafından doldurulur. Organik moleküllerin birbirine çok yakın olduğu moleküler katılarda. σ bağındaki bir elektronu hareket ettirmek π bağındaki bir elektronu hareket ettirmekten daha zordur. I. Moleküler orbitaller için kullanılan bu yaklaşıklıklardan bir tanesi atomik orbitallerin doğrusal kombinasyonu.Moleküler Orbitallerdir (Linear Combination of Atomic Orbitals-Molecular Orbitals). Yük 11   . 3 YÜK İNJEKSİYONU İnorganik yarıiletken tabanlı aygıtlarda olduğu gibi organik yarıiletken tabanlı aygıtlarda da metal-organik yarıiletken kontakları. II. sadece π moleküler orbitallerinin göz önüne alınması yeterli olacaktır. Bu gibi durumlarda hamiltonyenin özdeğer ve özvektörlerini bulmak için hamiltonyendeki bazı terimlerin ihmal edilmesi gerekir. Ancak. aygıt performansını belirleyen en önemli parametrelerden birisidir. Elektronlar tarafından doldurulmamış ve bu orbitale en yakın enerjili orbitalede LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital) denir.

1). enerjisi potansiyel engelini aşmaya yeten ve xdoğrultusunda hareket eden elektronların sayısı ile verilir. ϑx taşıyıcı hızı. EF + φB termoiyonik emisyon gerçekleşebilmesi için geçerli minimum enerji. VP iyonizasyon potansiyeli. Burada. dn = N(E). metale doğru olan akım yoğunluğu Js→m.Organik Yarıiletken Arayüzeyi Burada.3. W iş fonksiyonu.1) ile verilir. χ elektron afinitesi.    injeksiyonu için yükler injeksiyonu yapan metal elektrodun iş fonksiyonu W ile organik yarıiletkenin HOMO ve LUMO enerji seviyeleri arasındaki potansiyel engelini aşmak zorundadır (Şekil II. ∞ Yani yarıiletkenden J s →m = EF +φBn ∫ qϑx dn (II. EF Fermi enerjisi.3. φB’de potansiyel engelidir. dn ise bu enerji aralığındaki elektronların sayısıdır.F(E)dE (II.3. Vakum seviyesi  χ W anot  LUMO VP  EF  φB anot  HOMO  HOMO LUMO Wkatot  φB katot  EF  Şekil II.1 Metal.2) = 4π (2m* )3/2 E − Ec exp[−( E − Ec + qVn ) / kT ]dE 3 h 12   . Termoiyonik emisyon teorisinde yarıiletkenden metale geçen akım yoğunluğu.3.

−m ϑy qϑn −m*ϑx2 m* −m*ϑz2 Js→m = 2q( )exp(− ) ∫ ϑx exp( )dϑx ∫ exp( )dϑy ∫ exp( )dϑz h kT V0x 2kT 2kT 2kT −∞ −∞ (II.3) dE = m*ϑ dϑ E − EC = ϑ m* 2 (II.3.3.3.3. E − EC = 1 * 2 mϑ 2 (II.4) olur.7) J s →m = A*T 2 exp(− qφB qϑ ) exp( ) kT kT 13   .3.5) Denklem (II. birim hacimdeki hızları ϑ ile ϑ + dϑ arasında olan tüm doğrultulardaki elektronların sayısını verir.    ile verilir. qVn = EC − EF olup m* etkin kütledir.3. dn = 2( qϑ m* 3 m*ϑ 2 ) exp(− n ) exp(− )(4π 2ϑ 2 dϑ ) h kT 2kT (II.5). Eğer iletim bandındaki elektronların bütün enerjisinin kinetik enerji olduğu varsayılırsa.2)’de yerine yazılırsa. Bu ifadeler Denklem (II.6) ∞ ∞ * 2 ∞ ϑ2 =ϑx2 +ϑy2 +ϑz2 J s →m qϑn m*ϑ0 x 2 4π qm*k 2 2 =( )T exp(− ) exp(− ) h3 kT 2kT 1 * 2 2q m ϑox = q(ϑBi − ϑ ) ⇒ ϑox 2 = * (ϑBi − ϑ ) m 2 J s →m = ( q (ϑn + ϑBi ) 4π qm*k 2 2 qϑ )T exp(− ) exp( ) 3 h kT kT A= Richardsonsabiti (II.3.

1) olarak ifade edilir.3.2) ile verilir. Burada Jn ve Jp sırasıyla elektron ve boşluk akım yoğunluklarını.4 YÜK AKIŞI (II. G elektron –boşluk çifti oluşum hızı.4. ne ve pe ise elektron ve boşluk taşıyıcı yoğunluklarının ısıl denge durumundaki değerleridir. Elektron –boşluk çifti oluşum hızı G ve yeniden birleşme hızı R* sırasıyla G = γ ne pe R* = γ np ifadeleriyle verilir. R* ise elektron –boşluk çifti için yeniden birleşme hızıdır.8) qϑ = J ST [exp( ) − 1] kT II.    J n = J s →m + J m→ s = A*T 2 exp(− qφB n qϑ )[exp( ) − 1] kT kT (II. Burada γ Langevin yeniden birleşme katsayısı olup γ= 4π q μ R ε (II. Elektron ve boşluk yoğunlukları ile elektrostatik potansiyel Ψ arasındaki ilişki Maxwell –Boltzman dağılımından elde edilebilir ve bu ilişkiler.9) Zamandan Bağımsız Süreklilik Denklemleri: dJ n = −q (G − R*) dx dJ p = q (G − R*) dx (II. Etkin yeniden birleşme hareketliliği µR.4.3. hem boşluk hareketliliği µP ‘den hem de elektron hareketliliği µn den büyüktür. 14   .

4) ile verilir. μn ( E .4) denklemindeki elektron ve boşluk hareketlilikleri elektrik alana ve sıcaklığa bağlıdır. Poisson denklemi aşağıdaki gibidir: dE d 2ψ q = − 2 = ( p − n) ε dx dx (II. Bunlardan birincisi.4. sıfır elektrik alandaki elektron ve boşluk hareketliliklerini.5) (II.6) şeklinde verileceğini söyler.    ne = N c exp( q Ψ − qΦ F − χ c ) kT q Ψ − qΦ F + χ c + E g ) pe = NV exp(− kT (II. Eg enerji aralığıdır. Poisson denklemlerinden elde edilir. Burada E elektrik alan olup. T ) = μn 0 exp( E 1/2 ) E0 n E 1/2 μ p ( E .4. E0n ve E0p ise malzemedeki düzensizliklere bağlı sabitleri gösterir. χc elektron afinitesi.4. Metal organik yarı iletken kontaklar için temelde üç çeşit sınır koşulu vardır. Burada µn0 ve µp0. ΦF denge durumundaki Fermi seviyesi.4. metalin iş fonksiyonu φm ve χc ile belirlenebilir. Burada Nc ve Nv elektron ve boşlukları için durum yoğunluğu. kontaklardaki elektrostatik potansiyel Ψb. T ) = μ p 0 exp( ) E0 p (II.4.7) 15   . ψ bn = −φbm = −(φm − χ c ) (II.4. Elektron ve boşluk akım yoğunlukları sürüklenme-difuzyon denklemleriyle tanımlanır ve sırasıyla.3) ile verilir.T) nin.T) ve µp(E. J n = q μn (nE + kT dn ) q dx kT dp J p = q μ p ( pE − ) q dx (II. Poole-Frenkel hareketlilik yasası µn(E.

Vrn = 16πεμn (kT ) 2 q3 ile verilir. Boşluklar için etkin yeniden birleşme hızı Vrp yukardaki ifadede µn yerine µp konularak elde edilir. geri akan ana yüzey yeniden birleşme akımı(Fowler-Nordheim tünelleme akımı) ve tünelleme akımlarıdır.    burada φbn kontakların elektron injeksiyonuna gösterilen engeldir. Bu akımlar. Buna göre denge durumunda x = 0 ve x = L ‘daki elektron yoğunluğu . Bunlar x=0’dan x=L ye alan termoiyonik emisyon akımları. J nb = qVrn (nb − neq ) + ( J tn − J tn 0 ) J pb = − qVrp ( pb − peq ) + ( J tp − J tp 0 ) (II. Jtn ve Jtp Shottky sınır koşuluna Fowler-Nordheim tünellemesinin katkısı.8) şeklinde ifade edilir. Vrn ve Vrp ise elektron ve boşluklar için etkin yeniden birleşme hızıdır. Metal –organik yarıiletken arayüzeyindeki yük injeksiyonu ve yeniden birleşmeler göz önüne alındığında.4. Bu durumda Fowler –Nordheim akımları . Benzer şekilde kontaktan boşluk injeksiyonuna gösterilen engel için bir ifade elde edilebilinir. ) kT −φ − Δφbn ne { E (0)} = no exp( bn ) kT ile verilir. pe { E (0)} = no exp( −φbp − Δφbp (II.4.9) 16   . Toplam elektron (Jbn) ve boşluk (Jpb) akım yoğunlukları üç bileşenden oluşur. Burada neq ve peq sırasıyla ısıl denge durumdaki kontaktaki elektron ve boşluk yoğunlukları.

Konumdan bağımsız toplam akım J. 17   . Kararlı halde yeniden birleşme akımı Jr. Burada oluşan elektronların %25’i singlet halleri oluşturacağından Q=1/4dür.4. J J E η p = Q( r )( g ) J V ηq = (II. Cp = Cn = 8π 2qm (φbp − Δφbp )3/2 3h 3q 2 8π h(φbp − Δφbp ) 3q 2 8π h(φbn − Δφbn ) 8π 2qm (φbn − Δφbn )3/2 3h κn = ile verilen katsayılardır.10) ) κn E ( L) Burada κ ‘lar bariyer yüksekliği olup κp = Değişen parametreler C’lerde.    J tp = C p ( E (0)) 2 exp(− J tn = Cn ( E ( L)) exp(− 2 κp E (0) ) (II. J=Jp+Jn olduğundan kararlı duruma ulaşmıştır. Bu nicelikler sayesinde kuantum kazancı ηq ve güç kazancı ηp sırasıyla QJ r .4.11) olarak tanımlanır. Jr=Jp(0)-Jp(L) olabilir.

elektron ve boşluklar organik yarıiletken içine salındıktan sonra bu yükler etkileşmeye başlar ve yeniden birleşirler.2) 18   . J hole = q2 4πε r rc 2 pμ p (II.5 LANGEVİN REKOMBİNASYONU Bir OIYD’un çalışma prensibi göz önüne alınacak olursa. İstatistiksel olarak bağımsız zıt yüklere sahip taşıyıcıların rekombinasyon mekanizması Paul Langevin tarafından incelenmiştir.    II. q2 4πεε 0 rc rc = q2 4πεε 0 kT olup Coulomb yakalama yarıçapı denir.5.1) olacaktır. Hareketli alan yük ile durgun yük arasındaki coulomb çekimi potansiyel enerjisi hareketli yükün ısıl enerjisine eşit olduğunda rekombinasyon gerçekleşir. Eğer hareketli olan yükü boşluklar olduğu kabul edilirse boşluklar için sürüklenme akımı. J hole = qpμ p E Elektrik alan E ile potansiyel arasındaki ilişki kullanılarak boşluk akım yoğunluğu. Burada hareketliliğinin 1cm2/Vsn’den daha küçük olduğu organik yarıiletkenler için oda sıcaklığındaki rc değeri yaklaşık olarak 20nm civarındadır [37]. Elektron ve boşlukların bu şekilde yeniden birleşmesine rekombinasyon denir.Yüklerin ortalama serbest yollarının rc’den küçük olması koşuluyla bir durgun ve bir hareketli yük arasındaki yeniden birleşme. Yük = kT (II.5. Bu durumda. Langevin rekombinasyonunda yüklerden birinin durgun diğerinin ise kT ısıl enerjisiyle hareket ettiği kabul edilir. yüklerin her ikisinin de hareketli olması durumuna genelleştirilebilinir.

bir elektronun işgal edilmiş bir durumdan işgal edilmemiş bir duruma geride bir boşluk bırakarak geçmesi şeklinde kuantum mekaniksel olarak tanımlanır. Elektron ve boşluklar benzer dalga fonksiyonları ile temsil edilir. üçüde simetrik (triplet)Tn durum olmak üzere.6 SINGLET-TRIPLET UYARILMIŞ DURUMLAR Bir molekülün uyarılmış durumu. Boşluk rekombinasyon akım yoğunluğu. elektronlar civarındaki yarıçapı rc alan küre içersine akan boşluk akım yoğunluğu olarak düşünülebilir.3) γ= μ ε olur. Bu durumda boşluk rekombinasyon akım yoğunluğu.    olarak yeniden yazılabilir. olarak verilir. Uzaysal dalga fonksiyonu zıt polariteye sahip olduğu sürece spin dalga fonksiyonu simetrik ya da antisimetrik olabilir. spin dalga fonksiyonunun mümkün olan dört kombinasyonu biri antisimetrik (singlet) durumu Sn .5. ψ spin = 19   . Spinleri ½ olan iki parçacıktan oluşan bir sistemde Hamiltoniyenin öz durumları anti-simetrik olmak zorundadır. J boş − rec = J boş 4π rc 2 = q q2 μp = γ q p E (II. Dolayısıyla dalga fonksiyonları uzay ve spin dalga fonksiyonlarının çarpımı olarak yazılabilir. Elektron ve veya boşluklar için dalga fonksiyonunun spin bileşeni ψ spin = ↑ ↓ şeklinde gösterilebilir. Burada II. 1 (↑ ↓ − ↓ ↑ ) 2 singlet durumda.

S0 taban durumuyla (singlet) en düşük uyarılmış singlet durumun S1 arasında mümkündür. Bu geçişler sonucu elde edilen ışımaya floresans denir. Yani bu olasılık.derece yaklaşık durumda geçerlidir.    ψ spin = 1 (↑ ↓ + ↓ ↑ ) 2 ψ spin = ↑ ↑ ψ spin = ↓ ↓ triplet durumları şeklinde ifade edilebilir. Dolayısıyla sadece benzer spin simetrili geçişler için sıfırdan farklı dipol moment geçişleri elde edilir. Oysa spin-yörünge etkileşiminin dikkate alındığı bir durum için Hamiltoniyenin x-bileşeni. Bir Mi durumundan Mj durumuna ışıma yaparak geçme ihtimali (p) geçiş dipol momentinin karesi ile orantılıdır. elektronun koordinat sisteminin başlangıç noktasına olan uzaklıktır.Ancak bu sadece relativistik etkilerin dikkate alınmadığı I. Burada ri i. M.1) şeklinde verilir. H so * = 1 n n 1 n n ( Bi lxi + Bk lxk )( S xi + S xk ) + ∑∑ ( Bi lxi − Bk lxk )( S xi − S xk ) ∑∑ 2n i j 2n i j (II. Burada.6. En düşük uyarılmış triplet durum T1’den taban durumuna geçişler yasaklanmıştır.2) 20   . Dipol moment operatörü bir durumun dalga fonksiyonunun spin kısmını etkilemez. M = ∑ qri i ile verilir. m 1 dV (rij ) Bi = ∑ ( )( ) rij drij j (II.6. Bu sürenin sonunda ışıma yaparak veya yapmadan tekrar taban durumuna dönerler. Bir molekülün uyarılmış durumlarının belirli bir ömrü vardır. p ∝ ψi M ψ j 2 = ∫ψ i Mψ j dτ 2 ifadesi ile verilir. Burada M dipol moment operatörüdür ve dτ integrali tüm uzay üzerindendir. Böylece ışımalı geçişler ancak.

Förster enerji transfer ihtimali R-6 ile azalır ve ~10 nm ye kadar ki dipol etkileşiminde etkindir.1) denklemindeki I. Bu gibi host-guest sistemlerdeki enerji transferi Föster veya Dexter mekanizması ile açıklanır. Bu şekilde ışımalı geçişlere fosforesans denir. m ise atomların sayısıdır.çekirdeğe olan uzaklığıdır.T1 enerjili iki triplet çarpıştığı zaman. Bu nedenle yayıcı malzemesi (host) fosforesans komplekslerle düşük oranlarda katkılanır. Bu izinli geçişlerin olasılığı spin-yörünge etkileşmelerinin dikkate alınmadığı durumlardaki singlet S1 den taban durumu S0’a geçiş olasılığı ile orantılıdır. V çekirdek potansiyeli. Fosforesans aygıtlarda en düşük uyarılmış triplet durumların (T1) bazıları triplet-triplet yok olması (annihilation) yoluyla yok olurlar.    olup rij . Bu mekanizma yük dağılımları veya elektrik dipolleri arasındaki klasik etkileşmeye dayanır. II. fakat triplet durumları singlet karakter kazanırlar. spin-yörünge etkileşmesinin uyarılmış durumlarının singlet ve triplet karakterlerinin karışımı en düşük uyarılmış singlet durum S1den en düşük uyarılmış triplet hal T1 arasındaki geçişlerden sorumludur. 21   . l ise atomik yörünge. Fosforesans. Bu sönüm mekanizmasından dolayı “emitting” tabakası fosforesans özelliği olan komplekslerden OIYD yapmak verimli bir iş değildir. terimin spin kısmı aynı açısal kuantum sayılı (l) elektron dalga fonksiyonları için asimetriktir.6. Dolayısıyla spin yörünge etkileşmeleri dikkate alındığında triplet durumlardan taban durumuna geçiş mümkün hale gelir. aynı zamanda Coulomb mekanizması olarakta bilinir. (II. Ancak fosforesans malzemenin ışımalı geçiş ihtimallerinin yüksek olması için asıl malzemeden katkı malzemesine enerji transferinin iyi olması gerekir. Dolayısıyla farklı spin simetrili dalga fonksiyonları artık ortogonal değildir. 1. Dipol operatörü spin ile etkileşmediğinden sadece singlet transferlere neden olur. s spin operatörü. bir uyarılmış durumun enerjisi diğerine aktarılır ve böylece bir uyarılmış durum yok olur. Förster Mekanizması. terimin spin kısmı elektronların değiş-dokuşuna göre simetrik. n elektron konsantrasyonu. elektronun j.

kısa mesafelerde gerçekleşen bir süreçtir (genelde < 1 nm). Burada.    Değiş-tokuş etkileşmesi olarak da bilinen Dexter mekanizması tamamen kuantum mekaniksel bir olaydır. ηr :Boşluk ve elektronun bir araya gelerek eksiton oluşturma olasılığı. Dış kuantum verimi salınan fotonların enjekte edilen yüklere oranı ile belirlenir.E.χ. Akım verimi cd/A (ηL) ya da ışıma verimi (ηp) lm/W cinsinden verilebilir.Φf. Düşük hareketli yük taşıyıcılarına göre yük birleşme ya da eksiton oluşma olasılığı yaklaşık olarak 1 dir.ηout=ηint. Dolayısıyla. Bu mekanizma enerji transferlerinin olduğu II. Değiş-tokuş etkileşmesi olasılığı artan moleküller arası uzaklıkla üstel olarak azalır.ηout Burada. Temelde kuantum mekaniksel değiş dokuş etkileşimlerine dayanır ve bu sebeple donor ve akseptorun dalga fonksiyonlarının güçlü bir şekilde üst üste gelmesini gerektirir.7. host malzemedeki triplet enerji seviyeleri yayıcı tabakadaki triplet seviyelerden daha yüksektir.7 KUANTUM VERİMİ (Q. Organik malzemelerde ve kısmen katkılı sistemlerde bu oran %100’e yaklaşır.) Bir organik ışık yayan diyodun verimi kuantum verimi ile karakterize edilir. Kuantum verimini hesaplamak için iki parametre dikkate alınır bunlar: dış kuantum verimi(ηext) ve iç kuantum verimi (ηint) dir. orbitallerin çakışmasını gerektirir. Bu tür enerji transferi CBP: Ir (ppy)3 gibi host-guest sistemlerinde dominant olan bir mekanizmadır. Çoğu durumlarda. ηext= ηr. 22   . host malzemesinin elektrotlardan yayıcı tabakaya doğru hareket eden yükler için iyi bir yük taşıma özelliğinin olması gerektiğine dikkat edilmelidir.1) kuantum verimi ya da ışınsal olarak bozunan eksiton kesri. Φf :Floresans (II.

yeşil bölgede maksimum değerde olan göz hassasiyetinin (photonic response) fonksiyonlarıdır . Görüldüğü gibi yüksek ışıklılık verimine sahip bir aygıt için yüksek akım verimi ve düşük çalışma voltajı gerekmektedir. ηL : Akım verimi cd/A ile verilmiştir ve ışıklılığın*(L) aygıt içersinden geçen akımın yoğunluğuna (J) oranıdır. ηout :Aygıtı terk edip kaçabilecek olan fotonların kesridir. Bu sebeple ışıklılık ve akım verimi spektrumun kırmızı ve mavi bölgelerinde yeşile göre daha düşük değerler sunar[38].1973]. 23   . ηp :Işıklılık* verimi lm/W ile verilmiştir ve elektriksel girişe optik akışın oranıdır. ηp =Lπ/(JV)= ηLπ/V (II. Sadece altlık ve aygıt tabakalarının dalga klavuzları ile sınırlıdır.2) V çalışma voltajıdır.bu yüzey parçacığının verilmiş doğrultuya dik bir düzlem Sözlüğü. Burada ηL ve ηp .verilmiş izdüşümünün alanına bölümü(Ing: luminance)-Aydınlatma Terimleri doğrultudaki ışık yeğinliğinin. Spin istatistiklerine göre singletler için kesir χ =1/4dür. *[Işıklılık üzerindeki :Söz konusu noktayı çevreleyen sonsuz küçük yüzey parçacığının.7.    χ : Işınsal bozulmanın oluşma olasılığıdır ve genellikle sadece singlet eksitonlar ışık yayarlar.

Optik karakterizasyonları ise. elektriksel karakterizasyonları Akım-Voltaj (I-V) ve frekansa bağlı iletkenlik. kapasite. ITO(Indium Tin Oxide)/ PEDOT:PSS Poly(3.9dioctylfluorene)) / Ba:Al ve ITO/ PEDOT:PSS/ PSF (polyspirobifluorene) / Ba:Al tabakalarından oluşan iki farklı OIYD üretimi gerçekleştirilmiştir. güç verimi gibi en önemli OIYD parametrelerinin ölçülmesi suretiyle gerçekleştirilmiştir. aygıt tarafından yayılan ışığın uygulanan gerilime bağlılığı ışık şiddeti ve akısının uygulanan gerilime bağlılığı yine aydınlatma şiddetinin gerilime bağlılığı. Ayrıca. üretilen iki farklı yapıdaki OIYD’larda aktif malzeme olarak kullanılan PFO ve PSF filmlerin hazırlanması esnasında kullanılan çözücü türü ve konsantrasyonunun aygıt performansına etkisini belirlemek amacıyla aktif malzemelerin filmlerinin hazırlanmasında iki farklı çözücü (toluene ve klorobenzen) kullanılmıştır. 24   . Üretilen OIYD’ların hem elektriksel hemde optik karakterizasyonları yapılmıştır. kuantum verimi. Aygıtların. aygıtların üretim aşamaları ile elektriksel ve optik karakterizasyonlarında kullanılan deneysel düzeneklerin tanıtılmasına ayrılmıştır. karanlık ve havası boşaltılmış bir odacıkta yapılmıştır. empedans ve direnç ölçümleri yapılmak suretiyle gerçekleştirilmiştir. Bu bölüm. Gerek I-V gerekse frekansa bağlı ölçümler.4-ethylenedioxythiophene) poly(styrbene sulfonate)/ PFO (poly(9.    BÖLÜM III DENEYSEL ÇALIŞMALAR Bu Yüksek Lisans tez çalışmasında.

4 cm x 2. ITO kaplı yüzey.1. Bu amaçla. Bu sürenin sonunda çözeltiden çıkarılan ITO’lar Deiyonize (DI) su ile iyice durulanarak kurutuldu. Üretilecek OIYD’de anot malzemesinin aktif yüzey alanının istenilen boyutlarda olması için. ITO kaplı yüzeyde plastik bant yapıştırılmamış bölgedeki ITO’ların yüzeyden aşındırılması dolayısıyla. şeffaf yapışkan bir band ile kapatılmıştır. 1 AYGITLARIN ÜRETİMİ ITO/ PEDOT:PSS / PFO/ Ba:Al ve geçirilerek elde edilmiştir. • • • • • ITO’nun aşındırılması ITO’ların temizlenmesi ITO/ PEDOT:PSS/ PSF/ Ba:Al tabakalarından oluşan OIYD’lar sırasıyla aşağıdaki işlem basamaklarından Organik malzemelerin (PEDOT:PSS tabakalarının) kaplanması Katot malzemesinin kaplanması Epoxy ile koruma III. Bu işlemin sonucunda. yüzeyinin bir kısmı kapatılan ITO’lar 3:1 oranında HCl : H2O ‘dan oluşan bir çözelti içerisinde 12 dakika süreyle bekletildi.4 cm x 2. 2.4 cm boyutlarındaki ITO kaplı yüzeyinin bir kısmı aşındırılmıştır. kenarlarında yaklaşık olarak 0.6 cm genişliğindeki bir bölge açık kalacak şekilde.1 ITO’nun Aşındırılması Çalışmada bir yüzeyleri ITO kaplı.4 cm boyutlarında ve özdirenci 15 Ω olan cam altlıklar kullanılmıştır. 25   .    III. Daha sonra. 2. sadece plastik band yapıştırılmış kısımdaki ITO’nun kalması sağlandı.

1. camların ITO kaplı yüzeylerine organik malzemeler kaplanmıştır. PEDOT:PSS spin kaplama tekniğiyle 2500 rpm (rotation per minute) hızda 60 s süreyle döndürmek suretiyle kaplanmıştır.1.    III. Bu sürenin sonunda filmler. Kaplama işleminin ardından çözücünün tamamen buharlaşması için film 3 dakika süreyle 200 0C’de kurutulmuştur. Sonra da cam 60 sn süreyle 2500 rpm hızla döndürülldü. Öncelikle ITO kaplı cam üzerine PEDOT:PSS kaplanmıştır. Organik malzemelerin kaplanması spin kaplama yöntemiyle gerçekleştirilmiştir. PSF ve PFO kaplamaları da yine spin kaplama yöntemiyle gerçekleştirilmiştir. Her bir malzemenin iki farklı çözücü 26   . 120C0 de 10 dakika süreyle ısıl işleme tutuldu. • • • • Aseton içerisinde ultrasonik temizleme (6 dakika boyunca) İzopropanol içerisinde ultrasonik temizleme (6 dakika boyunca) Aseton içerisinde ultrasonik temizleme (6 dakika boyunca) Kurutma (Azot ile) Bu temizlik aşamalarından geçirilen ITO kaplı camlar kontrol edilerek temizliği yeterli görülmeyenler tekrar yukarıdaki temizlik işlemlerinden geçirilmiştir. Temizlik işlemleri tamamlanan ITO kaplı camların yüzeyine organik malzemeler kaplanmadan önce camlar.3 Organik Malzemelerin Kaplanması Camlar temizlenip UV ışığa tutulduktan sonra. bir mikro pipet yardımıyla bu çözeltilerden yaklaşık olarak 300µl alınarak camların PEDOT:PSS kaplanmış yüzeyi üzerine boşaltıldı. Daha sonra. 2 dakika süreyle UV ışığa maruz bırakılmıştır.2 ITO’ların Temizlenmesi Yüzeyindeki ITO’ların bir kısmı aşınıdırılmış olan cam taşıyıcıların yüzeylerindeki plastik bantlar çıkarıldıktan sonra yüzeyin temizlenmesi için. aşağıdaki temizlik işlemlerine tabii tutulmuşlardır. PSF ve PFO’nun spin kaplama yöntemiyle kaplanması için her bir malzeme toluen (10mg/ml) ve klorobenzen (15mg/ml) olmak üzere iki farklı çözücü içerisinde çözülmüştür. III. Gerek PFO gerekse PSF tek kat olarak kaplanmıştır.

Gerek Ba’un gerekse Al’un kaplanması esnasında kaplamanın homojen olması için kaplama hızı 0.    kullanılarak hazırlanan çözeltilerinden bu şekilde filmleri elde edildikten sonra aygıtlar. vb) etkilenmemeleri için bir epoxy (EPOXY:DELO KATIOBOND-LP651) ile koruma altına alınmıştır. katot malzemesi de kaplanmış olan aygıtların aktif alanlarını (aşındırılmamış ITO bulunan kısmı) kapatacak şekilde bir miktar epoxy aygıt üzerine damlatıldı. katot malzemesinin kaplanması için ısıl buharlaştırma sistemine yerleştirildi. önceden temizlenmiş olan bir cam bu epoxy üzerine yerleştirilerek hafifçe bastırıldı. gaz. Bu amaçla.1’de gösterilmiştir. Katot malzemelerinin kaplanması ısıl buharlaştırma yöntemiyle gerçekleştirilmiştir. Kaplanacak olan Ba ve Al ayrı ayrı birer potaya yerleştirildikten sonra sistem vakuma alındı. Bu aşamalardan geçirilerek üretilen bir OIYD’nin fotografı Şekil-III.4.1. Örneklerin yerleştirildiği odacık içerisindeki vakum seviyesi 10-6 mbar seviyesine ulaştığında önce yaklaşık olarak 4 nm kalınlığında Ba kaplandı.1.1. 27   . Epoxy’nin tam olarak kuruması için aygıtlar 3 dakika süreyle UV ışığa tutuldu. Daha sonra sistemin vakumu bozulmadan 100 nm kalınlığında Al kaplandı. Bu işlemlerin sonucunda OIYD’lerin üretimi tamamlanmış oldu. Organik malzemelerin kaplanması tamamlandıktan sonra örnekler.1 nm/ sn olacak şekilde ayarlandı. III.5 Epoxy İle Koruma Katot malzemelerinin (Ba:Al) kaplanmasının ardından vakum sisteminden çıkarılan aygıtlar.4 Katot Malzemesini Kaplanması Aygıtlarda katot malzemesi olarak Ba: Al kullanılmıştır. III. bu organik malzemelerin kaplanmış olduğu yüzey kaplanacak şekilde bir örnek tutucuya yerleştirildi. ortam koşullarından (nem. Sonra.

2 AYGITLARIN KARAKTERİZASYONU Bu kısımda yukarıda üretim aşamaları verilen aygıtların elektriksel ve optik karakterizasyonunda kullanılan deneysel düzenekler tanıtılacaktır.    Şekil III.4.1 ITO/PEDOT:PSS/PFO/Ba:Al Tabakalarından Oluşan OIYD’un Fotoğrafı (‐) Aluminyum Baryum PFO PEDOT:PSS ITO Cam Altlık (‐) Aluminyum Baryum PSF PEDOT:PSS ITO Cam Altlık (+) (+) Şekil III. 28   .4.1.2 ITO/PEDOT:PSS/PFO/Ba:Al ve ITO/PEDOT:PSS/PSF /Ba:Al tabakalarından Oluşan Aygıtların Şematik Gösterimi III.1.

Aygıtların elektriksel özelliklerinin belirlenmesinde kullanılan deneysel düzenek Şekil III. Ac ölçümler 290 K ile 350 K sıcaklık aralığında gerçekleştirilmiştir. 29   .c). Elektriksel karakterizasyon.2. Elektrometre bir kişisel bilgisayar ile kontrol edilebilmekte ve alınan bilgiler bilgisayara kaydedilmektedir.2. doğru akım (d. Üretilen OIYD’ların alternatif akım (ac) özellikleri bilgisayar kontrollü LCZMetre (Keithley 3330 model) yardımıyla frekansın ve sıcaklığın fonksiyonu olarak belirlenmiştir.) özelliklerinin belirlenmesi şeklinde gerçekleştirilmiştir. empedans bileşenleri.1’de gösterilmiştir. vakum yapılabilir.1.c. Aygıtların gerek dc gerekse ac elektriksel özellikleri vakum altında (∼10-3 mbar) ve karanlık ortamda gerçekleştirilmiştir.) iletkenliği ile alternatif akım (a.    III. Ölçümlerde aygıtlara 100 mV genlikli bir sinüs sinyali uygulanmış ve 40 Hz -100 kHz aralığında frekansa bağlı olarak. kapasite (C) ölçümleri yapılmıştır. Ölçümlerde. Aygıtların hem dc hemde ac elektriksel özelliklerinin belirlenmesinde alüminyumdan yapılmış. iletkenlik (σa. anot ve katot arasına bir elektrometre (Keithley 617 Model) yardımıyla ölçülecek aralıktaki voltajlar uygulanmış ve yine aynı elektrometre yardımıyla aygıt üzerinden geçen akım ölçülerek kaydedilmiştir. sanal bileşeni (X) ve gerçek bileşeni (R).c. ısıtılabilen ve sıcaklığı ölçmek için bir termal çift bulunan bir ölçüm hücresi kullanılmıştır.1 Aygıtların Elektriksel Karakterizasyonu Hazırlanan aygıtlarda yük iletim mekanizmalarının aydınlatılması amacıyla elektriksel ölçümler yapılmıştır.

1 D. ışık akısı. ışık akısı.1. Şekil III.    Şekil III. Aygıtların optik karakterizasyonları .2. aydınlatma şiddeti.2.2 Optik Ölçümlerin Yapıldığı Integrated Sphere 30   .2 Aygıtların Optik Karakterizasyonu Üretilen OIYD’ların optik karakterizasyonları oda sıcaklığında gerçekleştirilmiştir. aydınlatma şiddeti.c.c. güç verimi gibi bir çok parametrenin aynı anda ölçülebildiği tümleşik bir ölçüm sistemi kullanılmıştır (LABSHPERE integrating sphere).2. kuantum verimi. ve a. Ölçümlerde Kullanılan Deneysel Düzenek III. kuantum verimi. Bu ölçümlerde anot ve katot arasına değişen voltajlar uygulanmış ve buna bağlı olarak OIYD tarafından salınan ışığın dalga boyu aralığı. güç verimi gibi en önemli OIYD parametreleri ölçülerek kaydedilmiştir.1.

ışık şiddeti ve akısının uygulanan gerilime bağlılığı. Aygıtların ac karakterizasyonu ise dört farklı sıcaklıkta frekansa bağlı iletkenlik (fσ). aşağıdaki kısımlarda verilmiştir.9-dioctylfluorene)) / Ba:Al ve PEDOT:PSS/ PSF (polyspirobifluorene) / Ba:Al tabakalarından oluşan OIYD’ların doğru akım (dc) ve alternatif akım (ac) elektriksel özelliklerinin belirlenmesine yönelik yapılan ölçümlerle aygıt tarafından salınan ışığın uygulanan gerilime bağlılığı. Aygıtların dc karakterizasyonları akım yoğunluğugerilim (J-V) karakteristikleri ölçülmek suretiyle sadece oda sıcaklığında yapılmıştır. güç verimi gibi optik ölçümlerden elde edilen bulgulara ayrılmıştır. frekansa bağlı empedans (f-Z) ve empedansın gerçek ve sanal kısımlarının frekansa bağlılıklarının ölçülmesi suretiyle yapılmıştır.4-ethylene dioxy-2. Aygıtların dc ve ac karakterizasyonlarından elde edilen bulgular sırasıyla. aydınlatma şiddetinin gerilime bağlılığı. kuantum verimi.4-thiophene)ITO/ polystyrene sulfonate)/ PFO (poly(9.    BÖLÜM IV ÖLÇÜMLERDEN ELDE EDİLEN BULGULAR Bu bölüm ITO/ PEDOT:PSS(Poly(3. IV. 31   .1 ELEKTRİKSEL ÖLÇÜMLERDEN ELDE EDİLEN BULGULAR Üretilen aygıtların elektriksel karakterizasyonları dc ve ac olmak üzere iki farklı yöntemle yapılmıştır.

1 Dc Ölçümlerden Elde Edilen Bulgular Aygıtların J-V karakteristikleri sadece oda sıcaklığında ve uygulanan gerilimin pozitif değerleri için ölçülmüştür.1’de 2 numaralı aygıtın 1.1.5 5.0 12.5 10. 32   .5 volt aralığında elde edilen J-V karakteristiği gösterilmiştir. Bölge) için ise akım yoğunluğunun gerilimle artış hızının bir miktar azaldığı görülmüştür. Şekil IV.5 Voltaj(V) Şekil IV. Aygıtta anot ve katot arasına uygulanan gerilimin 4 volt ile 10 volt aralığındaki değerleri (II.5 volt ile 12.    IV. Uygulanan gerilimin 1.1. Bölge) aygıt üzerinden geçen akım çok küçük ve uygulanan gerilimden bağımsızdır. Gerilimin 4 volt değeri için akım yoğunluğunun değeri ihmal edilebilecek kadar küçük iken gerilimin 10 volt değerinde 325 mA’e çıkmaktadır.0 7. Bölge) için ise aygıt üzerinden geçen akım uygulanan gerilime bağımlı olmaya başlamakta ve uygulanan gerilimle doğrusal olarak artmaktadır.1. Gerilimin 10 volt ile 12.1.1 2 Numaralı Aygıtın J-V Karakteristiği Görüldüğü gibi bu aygıtın J-V karakteristiği 3 bölgeden oluşmaktadır.5 volt ile yaklaşık olarak 4 volt aralığındaki değerleri için (I.1. 400 350 Akim Yogunlugu(mA/cm ) 2 300 250 200 150 100 50 0 -50 0.5 volt aralığındaki değerleri (III.0 2.

500 450 Akim Yogunlugu(mA/cm2) 400 350 300 250 200 150 100 50 0 0 2 4 6 Voltaj(V) 8 10 Şekil IV. uygulanan gerilim 6 volttan büyük olmaya başladığında aygıt üzerinden geçen akım hızla artmaya başlamaktadır.1. 33   .1.    PSF’in toluende (10 mg/ml) çözülmesiyle üretilen ITO/ PEDOT: PSS/ PSF / Ba:Al tabakalarından oluşan 3 numaralı aygıtın oda sıcaklığında ölçülen J-V karakteristiğinin.2 3 Numaralı Aygıtın J-V Karakteristiği PSF’in klorobenzende (15 mg/ml) çözülmesiyle elde edilen 4 numaralı aygıtın J-V karakteristiği voltajın 2 volt ile 8 volt aralığındaki değerleri için oda sıcaklığında elde edilmiştir.5 volt aralıklarla ölçülen J-V karakteristiğinin de iletim durumunda çalıştırılan diyot karakteristiğine benzediği görülmüştür.1.2’den de açıkça görüleceği gibi. Şekil IV. Uygulanan voltajın 10 olan en büyük değeri için birim yüzey alanından geçen akım 450 mA değerine kadar çıkmaktadır. 4 numaralı aygıtın 0. PFO’nun klorobenzende (15 mg/ml) çözülmesiyle elde edilen ITO/ PEDOT:PSS/PFO/Ba:Al tabakalarından oluşan 2 numaralı aygıtın J-V karakteristiğinden farklı olarak iletim durumunda çalıştırılan diyot karakteristiğine benzediği görülmüştür.1. Şekil IV.1.1. Uygulanan gerilimin 6 volt’dan küçük değerleri için akım yoğunluğu ihmal edilebilecek kadar küçük iken.2’de 3 numaralı aygıtın J-V karakteristiği gösterilmiştir. uygulanan gerilim 6 volt’dan büyük olmaya başladığında aygıt üzerinden geçen akımın hızla artmaya başladığı görülmüştür. uygulanan voltajın 0 volt ile yaklaşık olarak 6 volt aralığındaki değerleri için aygıt üzerinden geçen akım çok küçük iken.

değeri için ölçülen iletkenlik değeri 3. Frekansa bağlı iletkenlik ölçümlerinde.1. IV.84x10-7 S/cm iken frekansın aynı değeri için 75 °C’deki iletkenliğin 5.2.1’den açıkça görülebileceği gibi tüm sıcaklıklarda ac iletkenlik artan frekans ile doğrusal olarak artmaktadır.1.1 1 Numaralı Aygıtta ac İletkenliğin Dört Farklı Sıcaklık Değeri İçin Frekansla Değişimi Yine aynı şekilden görülebileceği gibi.1. Şekil IV.1. Oda sıcaklığında frekansın 100 kHz.    PFO’nun toluende çözülmesiyle elde edilen ve ITO/ PEDOT: PSS/PFO/Ba: Al tabakalarından oluşan 1 numaralı aygıtın bir OIYD gibi çalışmadığı görülmüştür. ölçülen sıcaklık aralığı için.1’de gösterilmiştir. 1 numaralı aygıtın dc elektriksel özellikleri ile optik özelliklerinden elde edilen bulgular burada verilmemiştir. Şekil IV. Aygıtların.05x10-7 S/cm olduğu görülmüştür. gerek dc gerekse ac karakterizasyonu oda sıcaklığı ile 75 °C sıcaklık aralığında dört farklı sıcaklıkta gerçekleştirilmiştir.2. Frekansın 40 Hz ile 105 Hz aralığındaki değerleri için 1 numaralı aygıtın oda sıcaklığı ile 75 °C aralığındaki dört farklı sıcaklıkta ölçülen frekansa bağlı iletkenlik değerleri Şekil IV. her bir sıcaklık değeri için ac iletkenliğin frekansla 34   . Dolayısıyla.2.2 Ac Ölçümlerden Elde Edilen Bulgular Üretilen OIYD’ların elektriksel karakterizasyonları dc ve ac yöntemlerle yapılmıştır. aygıtın ac iletkenliği artan sıcaklıkla çok az değişmektedir.

Frekansın 40 Hz.) Şekil IV.96’ya 75 °C’de de 0. Şekil IV. Frekansın üssü olan s parametresi ise ln ω – ln σac grafiklerinin eğiminden hesaplanmış ve 1 numaralı aygıt için s parametresinin zayıfta olsa sıcaklığa bağlı olduğu ve artan sıcaklıkla azaldığı görülmüştür (s parametresinin oda sıcaklığındaki değeri 0. 40-1000 Hz.2’de 2 numaralı aygıtın 30 °C ile 73 °C sıcaklık aralığındaki dört farklı sıcaklıkta ölçülen ac iletkenlikleri gösterilmiştir.1) ile ifade edilebileceği görülmüştür. 2 numaralı aygıt için denklem 4.2.2’den açıkça görüleceği gibi. Burada A çoğu zaman sıcaklıkla değişen bir parametre ω ise açısal frekanstır. her sıcaklık değeri için ln f.2.ln σac grafikleri farklı eğimlere sahip iki doğrusal bölgeden oluşmaktadır. 1) ifadesine uygun bir şekilde değiştiği görülmüştür.2 2 Numaralı Aygıtta ac İletkenliğin Dört Farklı Sıcaklık Değeri İçin Frekansla Değişimi Ac iletkenliğin frekansa bağlılığının her iki frekans bölgesi için de denklem (4. Şekil IV. ile yaklaşık 1 kHz aralığındaki değerleri için ac iletkenlik artan frekans ile yavaş bir şekilde artarken 1 kHz’den daha yüksek frekans değerleri için iletkenliğin artan frekans ile daha hızlı bir şekilde arttığı görülmüştür.    σac=Aωs (4.93’e düştüğü görülmüştür.99 iken bu değer 44 °C’de 0.1.1.1’deki frekansın üssü olan s parametresinin bu frekans bölgelerindeki davranışlarının da farklı olduğu görülmüştür. frekans aralığı için s parametresi artan sıcaklıkla artarken 35   .

neredeyse sıcaklıktan bağımsız olduğu görülmüştür.1.4’de gösterilen X-R karakteristiklerinde frekansın artış yönü sağdan sola doğrudur. Buna göre. Şekil IV.1.41 iken 73°C’deki değerinin 1. Şekil IV.’den daha yüksek frekanslarda iletkenlik. ile 100 kHz. kuvvetle frekansa bağımlı hale gelmektedir.2. ac iletkenliğin yine iki farklı frekans bölgesinden oluştuğu görülmüştür.    (s’nin oda sıcaklığındaki değeri 0. arasındaki frekans değerleri için tamamen frekanstan bağımsız iken 25 kHz.3’de 3 numaralı aygıtın dört farklı sıcaklıkta ölçülen ac iletkenlik değerlerinin frekansa bağlılığı gösterilmiştir.-25 kHz.2. frekansın 40 Hz. artan 36   .03 olduğu bulunmuştur) yüksek frekans bölgesinde. Bu grafiklerden görülebileceği gibi.4’de 1 numaralı aygıt için empedansın sanal kısmının (X) gerçek kısmına (R) karşı değişimi gösterilmiştir. Şekil IV.1.1. arasındaki değerlerinde ölçülen X-R grafiğinden açıkça görülmektedir ki her bir sıcaklıktaki X-R karakteristiğinde hem R hem de X.3 3 Numaralı Aygıtta ac İletkenliğin Dört Farklı Sıcaklık Değeri İçin Frekansla Değişimi Şekil IV. yüksek frekans ac iletkenlik değerleri sıcaklıktan bağımsız iken düşük frekans ac iletkenliği artan sıcaklıkla az da olsa azalmaktadır. 3 ve 4 numaralı aygıtlarda ac iletkenliğin frekansa bağlılığının incelenmesinde ise.2. Bu aygıtlarda ac iletkenlik 40 Hz.2.

   

frekans ile azalmaktadır. Oda sıcaklığında ölçülen X-R karakteristiği için frekansın 40 Hz. değeri için ölçülen R değeri 65 kΩ, X değeri de 3 MΩ iken aynı sıcaklıkta frekansın 100 kHz. değeri için R ve X için ölçülen değerlerin sırasıyla, 1.28 kΩ ve 57.3 kΩ olduğu görülmüştür. 1 numaralı aygıt için elde edilen X-R karakteristiklerinin sıcaklığa bağlılığının incelenmesinde ise, yine açıkça görülecektir ki, her bir sıcaklıktaki karakteristik hemen-hemen bir doğru şeklinde olup artan sıcaklıkla doğruların eğimi azalmaktadır.

Şekil IV.1.2.4 1 Numaralı Aygıtın Belirtilen Sıcaklıklarda Ölçülen X-R

Karakteristikleri

PFO’nun

klorobenzende

çözülmesiyle

elde

edilen

ITO/

PEDOT:PSS/PFO/Ba:Al tabakalarından oluşan 2 numaralı aygıt için elde edilen X-R karakteristiklerinin de 1 numaralı aygıt için elde edilen X-R karakteristiklerine benzediği görülmüştür. Bu iki aygıt için elde edilen X-R karakteristikleri arasındaki farkın, frekansın aynı değerine karşı gelen X ve R değerlerinin farklı olduğu görülmüştür. 2 numaralı aygıtın X-R karakteristiklerinde de doğrusal olan grafiklerin eğimlerinin artan sıcaklıkla azaldığı görülmüştür. 37
 

   

PSF’in toluende çözülmesiyle elde edilen ITO/ PEDOT: PSS/PSF/Ba:Al tabakalarından oluşan 3 numaralı aygıtın X-R karakteristiğinin 1 ve 2 numaralı aygıtlarınkinden çok farklı olduğu görülmüştür. Şekil IV.1.2.5’de 3 numaralı aygıtın dört farklı sıcaklıkta ölçülen X-R karakteristikleri gösterilmiştir. Şekilden açıkça görülmektedir ki bu aygıtın her sıcaklık değerindeki X-R karakteristiği yarım dairelerden oluşmaktadır. Şekil IV.1.2.5’ün incelenmesinden görülecektir ki, 3 numaralı aygıtta empedansın gerçek kısmı artan frekans ile sürekli olarak azalırken sanal kısmı, frekansın küçük değerleri için önce artan frekans ile artmakta ve bir maksimum değere ulaştıktan sonra azalmaya başlamaktadır. Bu aygıtın X-R karakteristiklerinin sıcaklığa bağlılığının incelenmesinde ise açıktır ki, X-R karakteristikleri nerdeyse sıcaklıktan bağımsızdır.

Şekil IV.1.2.5 3 Numaralı Aygıtın Belirtilen Sıcaklıklarda Ölçülen X-R

Karakteristikleri

PSF’in klorobenzende çözülmesiyle elde edilen ITO/ PEDOT: PSS/PSF/Ba : Al tabakalarından oluşan 4 numaralı aygıt için benzer X-R karakteristikleri gözlemlenmiştir. 3 ve 4 numaralı aygıtların X-R karakteristikleri arasındaki tek farkın yarım dairelerin yarıçaplarının farklı olması olduğu görülmüştür. Ölçülen her 38
 

   

sıcaklık değerinde 4 numaralı aygıt için elde edilen X-R eğrilerinin yarıçaplarının 3 numaralı aygıt için elde edilen eğrilerin yarıçaplarından daha küçük olduğu bulunmuştur. Üretilen aygıtların ac karakterizasyonları empedans değerlerinin frekansa bağlılıklarının ölçülmesi suretiyle tamamlanmıştır. Şekil IV.1.2.6’da 1 numaralı aygıtın empedans (Z) değerlerinin frekans ile değişimi gösterilmiştir. Dört farklı sıcaklıkta ölçülen empedans değerlerinin artan frekans ile düzgün olarak azaldığı görülmüştür. Frekans ve empedans değerlerinin logaritmik olarak çizildiğinde, lnf – lnZ, elde edilen grafiklerinin (Şekil IV.1.2.6) eğimlerinin - 1’e çok yakın bir değerde olduğu ve grafiklerin eğiminin sıcaklıkla çok fazla değişmediği görülmüştür. 2 numaralı aygıt için elde edilen grafiklerinde 1 numaralı aygıtınkine benzediği gözlemlenmiştir. 2 numaralı aygıtta frekansın her değeri için empedans değerlerinin 1 numaralı aygıtınkinden daima daha küçük olduğu görülmüştür.

10

7

30ýC 0 44 C 0 58 C 0 75 C

0

10

6

Z(Ω)
10
5

10

3

10 f(Hz)

4

10

5

Şekil IV.1.2.6 1 Numaralı Aygıtın Empedansının Frekans İle Değişimi

3 ve 4 numaralı aygıtlar için elde edilen f-Z karakteristiklerinin 1 ve 2 numaralı aygıtlarınkinden çok farklı olduğu gözlemlenmiştir. Şekil IV.1.2.7’de 3 numaralı aygıt için elde edilen f-Z değerleri logaritmik olarak çizilmiştir. Şekil 39
 

   

IV.1.2.7’den açıkça görüleceği gibi düşük frekanslarda empedans frekanstan bağımsız iken belirli bir frekanstan sonra kuvvetle frekansa bağlı hale gelmekte ve artan frekansla hızla azalmaktadır. Ayrıca, empedansın frekansa bağlı hale geldiği frekans değerinin de sıcaklıktan bağımsız olduğu görülmüştür. Empedansın frekansa bağımlı hale geldiği frekans değerinin tüm sıcaklıklarda yaklaşık olarak 15 kHz. olduğu bulunmuştur. Empedansın kuvvetle frekansa bağlı olduğu 15 kHz.-100 kHz. frekans aralığında grafiklerin eğimi yaklaşık olarak - 0.5 olarak hesaplanmıştır. 3 numaralı aygıtta, tüm frekans değerleri için empedansın artan sıcaklıkla bir miktar arttığı gözlemlenmiştir.

10

7

30ýC 0 44 C 0 58 C 0 75 C

0

10

6

Z(Ω)
10
5

10

3

10 f(Hz)

4

10

5

Şekil IV.1.2.7 3 Numaralı Aygıtın Empedansının Frekans İle Değişimi

40
 

anot ile katot arasına sabit bir gerilim uygulanmış ve bunun sonucunda aygıt tarafından salınan ışığın her bir dalga boyundaki ışıklılık değerleri ölçülmüştür.2. Aşağıda bu ölçümlerin her birinden elde edilen bulgular verilmiştir.2 BULGULAR OPTİK KARAKTERİZASYONLARDAN ELDE EDİLEN Bu bölüm. aktif tabakası klorobenzende çözünmüş PFO olan 2 numaralı aygıtın ışıklılığa karşı dalga boyuna bağlı olarak değişimini göstermektedir.1 . 41   . Anot ile katot arasına uygulanan sabit gerilimin değişik değerleri için ölçülen ışıklılık-dalga boyu karakteristiklerinde ışıklılık.1’den açıkça görülmektedir ki ışıklılık artan anot-katot gerilimi ile artmaktadır.1. Şekil IV. Şekil IV. yaklaşık olarak 420 nm’den itibaren artmaya başladığı ve 430 nm’de maksimum değere ulaştıktan sonra bir miktar azaldığı sonra tekrar artarak 455 nm’de ikinci bir maksimuma ulaştığı bu dalga boyundan sonra tekrar bir miktar daha azalarak tekrar artmaya başladığı ve yaklaşık 530 nm’de üçüncü bir maksimuma ulaşarak bu dalga boyundan sonra hızla azaldığı görülmüştür. Bu ölçümlerde önce. Daha sonra. aygıt tarafından yayınlanan ışığın dalga boyu yaklaşık olarak 420 nm ile 650 nm arasındadır.2. anot ve katot arasına uygulanan gerilimin değeri değiştirilerek bu ölçümler tekrarlanmıştır. aktif tabaka olarak PSF ve PFO kullanıldığı ITO/ PEDOT:PSS/ PFO/ Ba:Al ve ITO/ PEDOT:PSS/ PSF/ Ba:Al tabakalarından oluşan OIYD’larda yapılan optik ölçümlerden elde edilen bulgulara ayrılmıştır.1.    IV. Aygıt tarafından salınan ışığın dalga boyuna göre analiz edilmesinden görülecektir ki.

1.2’den görüleceği gibi aygıt çalışma süreci boyunca sabit ve yoğun mavi renkli bir ışık yayınlamaktadır. Şekil IV.    Şekil IV.1. 42   .2.2.2 2 numaralı aygıt tarafından yayınlanan ışığın renk kromatiklik ekseni diyagramını göstermektedir.1 2 Numaralı Aygıtta Işıklılığın Dalga Boyu İle Değişimi Anot ile katot arasına uygulanan gerilimin her değeri için ışıklılık-dalga boyu karakteristiklerinin benzer şekildeki davranışları aygıtın kararlı olduğunu göstermektedir. Şekil IV.1.2.

anot-katot geriliminin küçük değerleri için anot-katot geriliminden bağımsız olarak yaklaşık 525 nm olduğu görülmüştür.3’de gösterilmiştir.5  0.2.4  0.6  0.3  0.7  0.8  Şekil IV.1  0  0.2  0. artan anot-katot gerilimi ile ışıklılığında da arttığı görülmüştür. Artan anot-katot gerilimi ile ışıklılığın maksimumunun yüksek dalga boyu bölgesine kaydığı gözlemlenmiştir.9  0.1. 3 numaralı aygıtta ışıklılığın uygulanan anot – katot gerilimi ile değiştiği. anot ile katot arasına uygulanan gerilimin farklı değerlerindeki ışıklılık-dalga boyu karakteristikleri Şekil IV. aygıt tarafından salınan ışıklılık 400 nm’den başlayarak hızla arttığı ve belirli bir dalga boyunda bir maksimuma ulaşarak sonra tekrar hızla düşmeye başladığı görülmüştür.6 0.    0.8  0. Bu aygıtta ışıklılık-dalga boyu karakteristiklerinde. Işıklılığın maksimum olduğu dalga boyunun.2 2 Numaralı Aygıtta Yayınlanan Işığın Renk Kromatiklik Diyagramı PSF’in toluen içerisinde çözülmesi suretiyle elde edilen 3 numaralı aygıtın.4 CIE‐x 0. Anot-katot arasına uygulanan gerilimin 7 volt değeri için maksimum ışıklılık 510 nm civarında gözlemlenirken anot-katot geriliminin 8 volta çıkarılmasıyla maksimumun gözlemlendiği dalga boyunun 530 nm’ye kaydığı ve bu değerin (maksimumun gözlemlendiği dalga boyu) anot-katot geriliminin 10 volta çıkarılmasıyla 580 nm’ye kaydığı görülmüştür. CIE‐y  43   .2 0.2.1.

1.3 3 Numaralı Aygıtta Işıklılık-Dalga Boyu Karakteristiği Maksimum ışıklılığın gözlemlendiği dalga boyundaki bu kayma renk kromatiklik ekseni diyagramında açıkça görülmektedir.2.2. Bu şekilden görüleceği gibi aygıt tarafından yayınlanan ışık mavi renkten bir kayma göstermektedir. 44   .1 4’de 3 numaralı aygıt tarafından yayınlanan ışığın renk kromatiklik ekseni diyagramı gösterilmiştir. Şekil IV.    Şekil IV.

CIE‐y  45   .8  0. Işıklılığın maksimum olduğu dalga boyunun uygulanan anot-katot geriliminden bağımsız olarak daima aynı dalga boyunda (yaklaşık 525 nm) gerçekleştiği görülmüştür.7  0.2.2.3  0.2  0.6  0.4  CIE‐x 0.1 5’de gösterilmiştir.4  0. Işıklılık maksimum olduğu dalga boyunun uygulanan anot-katot geriliminden bağımsız olması aygıtın oldukça kararlı olduğunun bir göstergesi olarak görülmüştür.1  0  0.    0. farklı anotkatot gerilimleri için aygıt tarafından salınan ışığın dalga boyuna bağlı ışıklılık değişimleri Şekil IV.2  0.5  0.1 4 3 Numaralı Aygıtta Yayınlanan Işığın Renk Kromatiklik Diyagramı PSF kullanılarak üretilen diğer bir aygıt olan 4 numaralı aygıtta.2.1 5’den görüleceği gibi artan dalga boyu ile ışıklılık hızla artarken bir maksimum değere ulaştıktan sonra tekrar hızla düşmeye başlamaktadır. Bu aygıtta da ışıklılık kuvvetle anotkatot gerilimine bağlı olduğu ve artan anot-katot gerilimi ile hızla arttığı gözlemlenmiştir.6  0.9  0. Şekil IV.8  Şekil IV.

8  CIE‐x  0.9  0.2.6  CIE‐y  0.2  0.4 0.1 6 4 Numaralı Aygıtta Yayınlanan Işığın Renk Kromatiklik Diyagramı 46   .5  0.3  0.2  0.4  0.    Şekil IV.1 5 4 Numaralı Aygıtta Işıklılık-Dalga Boyu Karakteristiği 0.2.6  Şekil IV.7  0.1  0  0.8  0.

    Renk kromatiklik ekseni diyagramından da (Şekil IV.1 8’de 47   .2. Parlaklığın anot-katot gerilimine bağlılığının incelendiği bir diğer aygıtta 3 numaralı aygıttır.5 Voltaj(V) 10. Uygulanan gerilimin 10 volt değerinden daha büyük değerleri için parlaklıktaki artışın çok hızlandığı ve 12 volt’da 1400 cd/m2 değerine ulaştığı gözlemlenmiştir. Şekil IV.1 6) açıkça görüleceği gibi aygıt çalışma süresi boyunca oldukça kararlı bir mavi ışık vermektedir.0 7.5 2 Şekil IV.2.5 5. Üretilen aygıtların optik karakterizasyonlarının yapılmasında aygıtın anot ve katodu arasına uygulanan gerilime bağlı olarak parlaklık ölçümleri yapılmıştır.1 7 2 Numaralı Aygıtta Parlaklık-Voltaj Karakteristiği Anot-katot geriliminin 2 volt ile 12 volt aralığındaki değerleri için gerçekleştirilen ölçümlerde anot-katot geriliminin 5 volta kadar olan değerlerinde parlaklık sıfır iken gerilim 5 volttan büyük değerlere ulaştığında parlaklığın gerilim ile doğrusal olarak arttığı ve gerilimin 10 değerinde 200 cd/m2 değerine ulaştığı görülmüştür.2.2.0 2. 3 numaralı aygıtın 2 volt ile 10 volt aralığındaki gerilimler için ölçülen parlaklık değerlerinin anot-katot gerilimi ile değişimi Şekil IV. 1400 1200 1000 Parlaklik(cd/m ) 800 600 400 200 0 -200 0.0 12.1 7’de 2 numaralı aygıt için bu ölçümlerden elde edilen sonuçlar gösterilmiştir.

Bu aygıtta. 4 numaralı aygıtın bu ölçümlerinden elde edilen sonuçlar Şekil IV. Şekilden görüleceği üzere. anot-katot geriliminin 10 volt değerinde parlaklık 4200 cd/m2 değerine ulaşmaktadır.1 9’de gösterilmiştir.5 Voltaj(V) Şekil IV.2.0 12.1 8 3 Numaralı Aygıtta Parlaklık-Voltaj Karakteristiği Aynı anot-katot voltajı için parlaklık değerinin en büyük olarak gerçekleştiği aygıtın 4 numaralı aygıt olduğu görülmüştür. 2 ve 3 numaralı aygıtların 6 volttaki parlaklık değerleri ile karşılaştırıldığında. Parlaklık değerinin en büyük olduğu aygıtın 3 numaralı aygıt olduğu görülmüştür. Gerilim 5 volttan büyük olmaya başladığında ise aygıt ışık salmaya başlamakta ve parlaklık değeri hızla artmaktadır. 4500 4000 3500 Parlaklik(cd/m ) 2 3000 2500 2000 1500 1000 500 0 0. 2 numaralı aygıtta bu 48   .5 10. 4 numaralı aygıtta parlaklık ölçümleri anot-katot geriliminin 3 volt ile 6 volt arasındaki değerlerinde gerçekleştirilmiştir. anot-katot geriliminin 4 volttan küçük değerleri için sıfır parlaklık gözlemlenirken gerilimin 4 volttan büyük değerleri için parlaklığın hızla artarak 6 voltta 450 cd/m2 değerine ulaştığı gözlemlenmiştir. anot-katot geriliminin 5 volttan küçük değerleri için aygıt ışık yayınlamamakta dolayısıyla parlaklık sıfırdır.    gösterildiği gibidir.5 5.0 2.0 7. Şekilden de görüleceği gibi.2.

IV.2. 49   .1 9 4 Numaralı Aygıt İçin Parlaklık-Voltaj Grafiği Aygıtların optik karakterizasyonlarında ölçülen parametrelerden bir tanesi de aygıt tarafından yayılan ışık akısının anot-katot gerilimine bağlılığıdır. 500 450 400 350 Parlaklik (cd/m ) 300 250 200 150 100 50 0 2 4 Voltaj(V) 6 8 2 Şekil IV.1 10’da 2 numaralı aygıtın bu ölçümlerinden elde edilen veriler gösterilmiştir. 2 numaralı aygıt için ışık akısı-gerilim ölçümleri.    voltaj değerindeki parlaklık ~ 100 cd/m2 iken 3 numaralı aygıtta ~ 250 cd/m2 4 numaralı aygıtta ise 450 cd/m2 olduğu görülmüştür.2. anot-katot geriliminin 2 volt ile 12 volt arasındaki 21 farklı gerilim değeri için gerçekleştirilmiştir.

5 5.5 Voltaj(V) Şekil IV.2. Anot katot geriliminin 10 volt’dan daha büyük değerleri için ise ışık akısı hızlı bir şekilde artmaya başlamış ve 12 voltta 0. Işık akısı-voltaj ölçümlerinden elde edilen bulgular parlaklıkvoltaj ölçümlerinden elde edilen sonuçlarla uyumlu olduğu görülmüştür. 3 numaralı aygıtta ışık akısının uygulanan gerilime bağlılığı ölçümlerinden elde edilen sonuçların parlaklık–voltaj ölçümleri ile uyumlu olduğu gözlemlenmiştir. IV.2.1 10’dan açık bir şekilde görüleceği gibi anot-katot geriliminin 5 volta kadar olan değerlerinde aygıt tarafından yayınlanan ışık akısı sıfır iken gerilimin 5 volt ile 10 volt arasındaki değerleri için ışık akısının anot-katot gerilimi ile doğrusal olarak arttığı görülmüştür.20 0.5 10.1 11’de 3 volt ile 10 volt arasındaki farklı gerilimlerde ölçülen ışık akısı değerleri gösterilmiştir.2 lm değerine ulaşmıştır.10 0.15 Isik Akisi(lm) 0.05 0.    0.7 lm değerine ulaşmaktadır.0 12. Şekilden de görüleceği gibi gerilimin 5 volttan küçük değerlerinde ışık akısı sıfır iken 5 volttan daha büyük gerilimler için ışık akısı hızla artmaya başlamakta ve 10 voltta 0.00 0.1 10 2 Numaralı Aygıt için Işık Akısı-Voltaj Grafiği Şekil IV. 50   .0 2.2.0 7.

0 7. Yine beklendiği gibi.5 10.5 5.0 12.1 11 3 Numaralı Aygıt için Işık Akısı-Voltaj Grafiği 4 numaralı aygıtta ışık akısı uygulanan gerilimin 2.3 0.2 0.12’de gösterilmiştir.07 lm değerine ulaşmaktadır.0 2. Ölçülen ışık akısı değerleri anot-katot gerilimine bağlı olarak IV. eşik değerinin altındaki gerilim değerleri için ışık akısı sıfırdır.1.0 0.5 Voltaj(V) Şekil IV.6 0.4 0.5 Isik Akisi(lm) 0.2.2.7 0.1 0. uygulanan gerilime sıkıca bağlı olduğu görülmüştür.5 volt ile 6 volt arasındaki değerleri için ölçülmüştür. 51   .    0. Gerilimin belirli bir eşik değerinden sonra ışık akısı hızla artmaya başlamakta ve 6 volt için maksimum değeri olan 0. Bu aygıt için de ışık akısının beklendiği gibi.

2 numaralı aygıtın dış kuantum veriminin anot-katot gerilimi ile değişimlerinin incelenmesinde.03 0. 4.1.12 4 Numaralı Aygıt için Işık Akısı-Voltaj Grafiği Aygıtların dış kuantum verimlerinin anot-katot geriliminin fonksiyonu olarak incelenmesinde elde edilen bulgular ise kısaca şöyledir.1. dış kuantum verimi-gerilim grafiğinin farklı eğimlere sahip iki doğrusal bölgeden oluştuğu gözlemlenmiştir.02 0.07 0.2. Anot-katot geriliminin 4.13’de gösterilmiştir.2. 52   .00 2 4 Voltaj(V) 6 8 Şekil IV.04 0.06 0.05 Isik Akisi(lm) 0.5 volt ile 12 volt arasındaki 16 farklı gerilim değerinde ölçülen dış kuantum verimi sonuçları Şekil.01 0.    0.

0x10 1. anot-katot geriliminin 4.5x10 2.35 değerine ulaştığı gözlemlenmiştir.2.1. sonra artan anot-katot gerilimi ile hızla düşmeye başlamaktadır. Bu incelemelerde dış kuantum verimi.1.0x10 2.0x10 5.7 değerine düşmektedir.5 volt arasındaki değerlerinde yavaş bir şekilde artarken gerilimin 9.13’den kolayca görüleceği üzere dış kuantum verimi.2.5 volt ile 9.2.    3.0x10 -1 -1 -1 -1 -1 -1 -2 0.5x10 1. Dis Kuantum Verimi(%) 3.5 volttan büyük değerleri için hızla artarak 12 voltta maksimum değeri olan % 0.E.0 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 Voltaj(V) Şekil IV. artan anot-katot gerilimi ile hızlı bir şekilde artmakta ve uygulanan gerilimin 7 volt değeri için maksimum değeri olan %1.25 değerine ulaşmakta. 3 numaralı aygıt için dış kuantum veriminin anot-katot gerilimine bağlı olarak değişimi Şekil IV. 53   .14’de gösterilmiştir.5x10 E.Q.13 2 Numaralı Aygıtta Dış Kuantum Verimi Şekil IV. Uygulanan gerilimin maksimum değeri olan 10 voltta % 0.1. 3 numaralı aygıtta dış kuantum verimi anot-katot geriliminin 4 ile 10 volt arasındaki değerleri için incelenmiştir.

2.    1.5 volt ile 6 volt arasındaki altı farklı gerilim değeri incelenmiş ve elde edilen bulgular Şekil IV.2.0 3 4 5 6 7 8 9 10 11 Voltaj(V) Şekil IV.E.02 iken gerilimin maksimum değeri olan 10 voltta kuantum verimi % 0.4 E.15’de gösterilmiştir. ölçülen gerilim aralığında.1. Uygulanan gerilimin en küçük değeri olan 3.0 0. Şekil IV.Q.14 3 Numaralı Aygıtta Dış Kuantum Verimi 4 numaralı aygıtın dış kuantum verimi uygulanan gerilimin 3.9 olarak gerçekleştiği gözlemlenmiştir. Dis Kuantum Verimi(%) 1.2 1.15’den de görülebileceği gibi bu aygıtta dış kuantum verimi.1.2.2 0.4 0.1.6 0. 54   .5 voltta dış kuantum verimi % 0.8 0. anot-katot arasına uygulanan gerilimle doğrusal olarak artmaktadır.

    1.8 0.2 0.0 Voltaj(V) Şekil IV.E.0 4.0 5.Q.15 4 Numaralı Aygıtta Dış Kuantum Verimi 55   .0 3.5 4.1.5 5.0 E.5 6.2.6 0.Dis Kuantum Verimi(%) 0.4 0.

Gerek PSF’in gerekse PFO’nun toluende çözülmesiyle hazırlanan aygıtların J-V karakteristikleri doğrultucu karakterde iken klorobenzende çözülmek suretiyle hazırlanan aygıtlarda J-V 56   . Bu Yüksek Lisans tez çalışmasının temelini oluşturan OIYD’ların üretimi başarılı bir şekilde gerçekleştirilmiştir.    BÖLÜM V SONUÇ VE DEĞERLENDİRMELER Üretilen OIYD’larda aktif malzeme olarak kullanılan PFO ve PSF’in farklı iki çözücü kullanılmak suretiyle hazırlanan biri ITO/ PEDOT:PSS/ PFO/ Ba:Al tabakalarından diğeride ve ITO/ PEDOT:PSS/ PSF / Ba:Al tabakalarından oluşan aygıtların elektriksel ve optik karakterizasyonlarından aşağıdaki sonuçlar elde edilmiştir. 1. Aygıtların J-V karakteristiklerinin kullanılan çözücünün türüne bağlı olarak farklı karakteristikler sergilediği görülmüştür. PFO’nun klorobenzende çözülmesi suretiyle hazırlanan ITO/ PEDOT:PSS/ PFO/ Ba:Al tabakalarından oluşan yapı bir OIYD olarak çalışırken aynı malzemenin (PFO) toluende çözülmesiyle hazırlanan ITO/ PEDOT:PSS/ PFO/ Ba:Al tabakalarından oluşan yapının bir OIYD olarak çalışmadığı gözlemlenmiştir. Üretilen OIYD’ların gerek optik gerekse elektriksel özelliklerinin aktif tabaka olarak kullanılan malzemeyi çözmek için kullanılan çözücünün türüne bağlı olarak değiştiği gözlemlenmiştir. 2.

gerek PSF in gerekse PFO’nun klorobenzen ve toluende çözülmek suretiyle hazırlanan filmlerinin farklı morfolojide olduğu. 5.3 ve 4 numaralı aygıtlarda ac iletimde dominant olan mekanizmanın kuantum mekaniksel tünelleme olduğu . Frekansın üssü olan s parametresinin 1.    karakteristiklerinin daha çok ohmik karakterli olduğu görülmüştür. 4. Aygıtların frekansa bağlı (ac) iletkenliklerinin incelenmesinde iletkenliğin frekansa bağlılığının kullanılan çözücüden ziyade aktif malzemenin türüne oldukça bağlı olduğu görülmüştür. Tüm bu gözlemler sonucunda 1. Aygıtların doğru akım davranışlarının çözücüye bağlılık göstermesi.3 ve 4 numaralı aygıtlar için sıcaklıktan bağımsız iken 2 numaralı aygıt için artan sıcaklıkta arttığı görülmüştür. 3. R2 kullanılan malzemelerin direncini temsil etmektedir. Eşdeğer devre modelinde R1 ölçümler esnasında kullanılan kablo. aşağıda gösterildiği gibi bir elektriksel eşdeğer devre ile gösterilebileceği sonucuna varılmıştır.2 numaralı aygıtta ise baskın olan mekanizmanın hoplama olduğu sonucuna varılmıştır. Bu bölgelerin biri düşük frekans bölgesi olup bu bölgede iletkenliğin frekanstan bağımsız olduğu diğer bölge ise yüksek frekans bölgesi olup bu bölgede iletkenlik artan frekansla artmaktadır. iletkenliğin tüm aygıtlarda frekansa bağlılığının σac = Aωs şeklinde ifade edilebileceğini göstermiştir. Aktif malzeme olarak PFO’nun kullanıldığı aygıtlarda (1 ve 2 numaralı aygıtlar) ac iletkenlik 40-105 Hz frekans aralığında artan frekansla doğrusal olarak artarken PSF’in kullanıldığı 3 ve 4 numaralı aygıtlarda iletkenliğin frekansa bağlılığının iki farklı bölgeden oluştuğu görülmüştür.kontak vb gibi faktörlerin direncini tanımlarken. 57   . dolayısıyla yük iletiminin de filmin morfolojisine bağlı olarak farklı mekanizmalar sayesinde gerçekleştiği şeklinde yorumlanmıştır. Gerek ITO/ PEDOT:PSS/ PFO/ Ba:Al tabakalarından gerekse ITO/ PSF / Ba:Al tabakalarından oluşan aygıtların empedans PEDOT:PSS/ spektrumlarının incelenmesinde yapıların. Kapasitans (C) ise iki metal arasında kalan malzemelerin kapasitansını göstermektedir. Ac iletkenlik ölçümlerinden elde edilen sonuçlar.

üretilen aygıtların gerek çalışma voltajlarının gerekse parlaklıklarının. Ayrıca. Aygıtların sabit bir anot-katot gerilimi için parlaklık değerlerinin karşılaştırılmasında PSF’in toluende çözülmesi suretiyle üretilen ITO/ PEDOT:PSS/ PSF / Ba:Al tabakalarından oluşan yapıda ~ 250 cd/m2 iken yine PSF’in bu kez klorobenzende çözülmesi suretiyle üretilen ITO/ PEDOT:PSS/ PSF/ Ba:Al tabakalarından oluşan yapıda parlaklık değerinin 450 cd/m2 olduğu görülmüştür. kullanılan çözücü türünün aygıtların parlaklık değerleri üzerindeki etkisinin bir göstergesi elde edilen olarak ITO/ yorumlanmıştır. Üretilen aygıtlar arasında en düşük çalışma voltajı PSF’in klorobenzende çözülmesiyle elde edilen aygıtta elde edilmiştir. 7. 8. Anot-katot geriliminin belirli bir eşik voltajından küçük değerlerinde parlaklık sıfır iken eşik voltajından daha büyük anot-katot gerilimleri için parlaklığın üstel olarak arttığı görülmüştür. PFO’nun klorobenzende çözülmesiyle PEDOT:PSS/ PFO/ Ba:Al tabakalarından oluşan yapı için aynı anot-katot geriliminde gözlemlenen parlaklık değeri ~ 100 cd/m2 olarak ölçülmüştür. Çözücü olarak klorobenzenin kullanıldığı aygıtlarda anot-katot geriliminin hemen her değeri için maksimum lüminesans yaklaşık olarak 530 nm dalga boyunda gözlemlenirken toluenin kullanıldığı aygıtta maksimum lüminesansın gözlemlendiği dalga boyunun artan anot-katot gerilimi ile yüksek dalga boylarına doğru kaydığı bulunmuştur. Üretilen aygıtlarda ışık akısının da anot-katot gerilimine sıkıca bağlı olduğu bulunmuştur.    R2  R1  C 6. İmal edilen OIYD’larda parlaklık değerinin anot-katot gerilimine bağlı olarak değiştiği görülmüştür. Aygıtların parlaklık değerlerinde olduğu gibi ışık akısının da 58   . Bu sonuçlar. Çözücü türünün aygıtların lüminesans karakteristikleri üzerinde ciddi bir etkisinin olduğu bulunmuştur. Çözücü olarak klorobenzenin kullanıldığı aygıtların toluende çözülerek üretilen aygıtlardan daha kararlı oldukları bulunmuştur. Gerek PFO’nun gerekse PSF’in klorobenzende çözülerek üretilen aygıtlarda lüminesansın artan anot-katot gerilimi ile arttığı gözlemlenmiştir. hem aktif tabakanın türüne hem de aktif tabakanın hazırlanmasında kullanılan çözücünün türüne bağlılık gösterdiği bulunmuştur.

sonra artan anot-katot gerilimi ile hızla düşmeye başladığı görülmüştür. Bu sonuç açıkca göstermektedir ki aktif tabakanın seçimi OIYD üretiminde son derece kritik bir parametredir. PSF’in toluende çözülmesi suretiyle elde edilen OIYD’da dış kuantum verimi.    uygulanan anot-katot geriliminin belirli bir eşik değerinden daha küçük değerleri için sıfır iken eşik değerinden daha büyük voltajlar için üstel olarak arttığı görülmüştür. Organik Işık Yayan Diyotların İmali ve Karakterizasyonu konulu bu Yüksek Lisans Tez çalışmasında. ölçülen gerilim aralığında. PSF’in klorobenzende çözülmesi suretiyle elde edilen OIYD’ ile yine PSF’in toluende çözülmesi suretiyle elde edilen aygıtın dış kuantum verimlerinin uygulanan anot-katot gerilimine bağlılığının incelenmesinde davranışın tamamen farklı olduğu görülmüştür. Gerek çalışma voltajının düşük olması gerek. 9. İmal edilen aygıtların dış kuantum verimlerinin uygulanan anot-katot gerilimindeki değişimlere bağlı olarak tamamen farklı davranışlar sergiledikleri sonucu çıkarılmıştır.25 değerine ulaştığı. Yine aynı malzemenin (PSF) bu kez klorobenzende çözülmesiyle üretilen OIYD’un dış kuantum veriminin ise. Bu şekilde üretilen OIYD’ların hem elektriksel hem de optik karakterizasyonları yapılmıştır. artan anot-katot gerilimi ile hızlı bir şekilde artmakta ve uygulanan gerilimin 7 volt değeri için maksimum değeri olan %1. OIYD’ların üretilmesi esnasında aktif malzeme olarak kullanılan PSF ve PFO ince filmlerin hazırlanmasında klorobenzen ve toluen olmak üzere iki farklı çözücü kullanılmıştır.9 olarak ölçülmüştür. Mesela. anot-katot arasına uygulanan gerilimle doğrusal olarak arttığı bulunmuştur. Üretilen aygıtların gerek optik özellikleri gerekse elektriksel özelliklerinin hem kullanılan aktif malzemenin türüne hem de aktif malzemenin ince filminin hazırlanması esnasında kullanılan çözücünün türüne sıkıca bağlı olduğu sonucuna varılmıştır. aygıtın kararlı olması gerekse dış kuantum veriminin uygulanan anot-katot gerilimi ile doğrusal olarak artması nedeniyle en iyi OIYD performansını sergileyen yapının PSF’in klorobenzende 59   . aktif malzeme olarak biri PSF diğeride PFO olmak üzere iki farklı aktif malzeme kullanılarak OIYD’lar üretilmiştir. Aygıtların ışık akısının gözlemlenmeye başlandığı anot-katot geriliminin en küçük değeri PSF’in klorobenzende çözülmesiyle elde edilen aygıtta gözlemlenmiştir. Bu aygıtta maksimum dış kuantum verimi % 0.

60   .    çözülmesiyle elde edilen ITO/ PEDOT:PSS/ PSF/ Ba:Al tabakalarından oluşan yapı olduğu sonucuna varılmıştır.

Rev. Antony.F. A. . :“ Electroluminescence in Organic Crystals” J. Van Slyke.Cryst. . .W. Phys.Turnbull. S. Rev.D.D. 107 (4) (2007) 1324–1338.Science Direct. Heeger. : “ Recent Progress of Molecular Organic Electroluminescent Materials and Devices”. 107 (2005) 849–855. . . Lett. Troadec.Synthetic Metals . A.Cryst.IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. Ruseckas. H. : “A Two Photon Pumped Polyfluorene Laser”.G. G. L. Chem.:“Organic Transistor Integrated Circuits for Large-Area Sensors” . S.T. 10 NO. Chen. Tsiminis. .Kato.S. Gau. 61   .Liq. P. Tsuchida. .39 (2002) 143..    REFERANSLAR [1] Chiang. 94 (2009) 253304.A. Ochi. :“Organic TFTs as Gas Sensors for Electronic Nose Applications” . Veriot. Miyadera. Louis. . Sariciftci.Sekitani. .Materials Science and Engineering R . . M. A. Appl.Iba. Magnante. Kallmann.. Shirakawa. J. Sensors 7 (2007) 267-307. . . H.1 JANUARY/ FEBRUARY 2004. T. :“ Conjugated Polymer-Based Organic Solar Cells” Chem. H. Samuel. K. Phys. Hung.S. B.. . :” Organic Devices Based on Multilayer Structures” . : “Flexible OLED Displays Using Plastic Substrates” ..C.I. Moliton. Gaoquan S. 38 (1963) 2042. Chen . . S. Y.T.H. : “Gas Sensors Based on Conducting Polymers. Subramanian. Tang. [5] [6] [7] [8] Günes.Y.V. .A. S. A. . .W. G. :“Electrical Conductivity in Doped Polyacetylene” . MacDiarmid. . 51 (1987) 913. A. Someya... C. Lett. C. C. Park.N. . C. . 39 (1977) 1098. Phys.VOL .444 (2006) 13–22. A. . Liao. H. [9] [10] [11] Pope. and Sensors ”. Sugimoto. J.S. Lett. E. . C.Mol. M. R. G. R. Fujimura.:“Organic Electroluminescent Diodes” Appl. W.Phys. . M.124 (2001) 49-51. Fincher. . Yoshida. Neugebauer. . . . Sensors and Actuators B . [2] [3] [4] Hua.

.    [12] Shen. R.Y.Y.Phys. . [19] Leung. 62   .Klubek. Y..Hatanaka.Wong.X. [16] Gufeng.W. W.I. 2(4) (2009) 435–441 [20] Fukushi. 16 (2006) 1481– 1487.. C.Y.P.Pfeiffer..C. .A.H. L. Shi.Tang. W. J. . [14] Calil. Machado.A. C.M.G. [18] Baek. Quirino.Lai. L.Schneider. .J.E. . P.H.Leo. Phys.T.U.S.C. C.W. Volume 9. Mater..Tang... :“Carrier Transport Properties of Organic Materials for EL Device Operation” Synthetic Metals 111–112 (2000) 331–333.Chung.G.V. M. Teixeira.Y. . Green. Moreira. .C. .A. Cremona. :“HighEfficiency and Low-Voltage p-i-n Electrophosphorescent Organic LightEmitting Diodes with Double Emission Layers” . K. . . H. . . :” Transparent Thermally Stable Poly (etherimide) Film as Flexible Substrate for OLEDs” . Vilani.. . ..Kominami. H.Chen. J. Tang. Appl.M.S. Thin Solid Films 518 (2009) 1382–1385.Yamaguchi..111 (2000) 233.H..K. .H.C.F. . Barrow.V.Phys.L. C. [13] Reyes. :“Electronic Structure and Reactivity Analysis for a set of Zn-chelates with Substituted 8Hydroxyquinoline Ligands and Their Application in OLED ” Organic Electronics. Achete. :“Optimization of White Organic Light Emitting Diodes Based on Emitting Layer Charge Carrier Conduction Properties” J. : ”Degradation Mechanisms in Organic Light Emitting Diodes”.J. L. M.T.VOLUME 85 NUMBER17.K.”Effect of ITO Surface State to the Aging Characteristics of Thin Film OLED”Applied Surface Science 244 (2005) 537–540. 41 (2008)105-101. F.Onnagawa. E. .Wallace.. Wang. D. S. [15] Culligan. .Nunez-Zarur.Chen. R. Front. .Nakanishi..M. Issue 5 (2008) 625-634. Legnani. .W.Qin. .: “Effect of Hole Mobility Through Emissive Layer on Temporal Stability of Blue Organic Light-Emitting Diodes” Adv. Funct. Tsutsui. [17] Naka.H. Synthetic Metals . . O.:“Charge Balance Materials for Homojunction and Heterojunction OLED Applications”.Y.Lee.Martinez.K.Zhou.Y. . .Optoelectron. J.Lee.D.D:Appl. Langlois.Okada. ...

Jiang.Jones. M. . True-Blue Emitting Phosphorescent OLEDS Employing Both Double Emission and Double Buffer Layers” .A.Yersin.B.Kang. .J. [22] Mu. .Gal.Thompson.. . .Y.S. .C. K.. J. stat.M. S.: 63   .C. S. phys. .:“Blue Light Emitting Ir(III) Compounds for OLEDs . A.F.Chi.New Insights into Ancillary Ligand Effects on the Emitting Triplet State” . C. [29] Lee.Y.W. P..Lett.J.H. .H.J.L.K.H.Y. A 113 (2009) 5927–5932. Steckl. [28] Rausch. [25] Niu.A.Y. R.C.M.Y. . .S. S. M.: “Very High-Efficiency Green Organic Light-Emitting Devices Based on Electrophosphorescence” . . Thompson. Klotzkin . Phys. J.I.Phys.S..S.S.Y. Burrows.Song . Liang. .. .A..X.T.M.Li.H.C.Chae.E.Kim .J. .Z.F.Zhang. No. Lee.Ebihara. W. Yahayaa.Jin. [23] Yapa. . : “Influence of Thickness of Functional Layer on Performance of Organic Salt-doped OLED with ITO/PVK:PBD:TBAPF6/Al Structure ”Current Applied Physics 8 (2008) 637–644 .H. Zhang. Chem ... Yang. . 204.R.E. I. Lamansky.K. . [27] Chang.C.: “ Enhanced Performance by Inserting Ultrathin SiO2 Layer in Organic Light-Emitting Devices” .. 3 (2007) 900– 906 .Shin.Lee. [24] Ma.M. Forrest. . .Jin..Z.C..Lim .M.L. Lee. :“Enhanced Power Efficiency for White OLED with MoO3 as Hole Injection Layer and Optimized Charge Balance” Solid State Communications 149 (2009) 214217.S.: ”Enhanced Performance of the OLED with Plasma Treated ITO and Plasma Polymerized Thiophene Buffer Layer” . :“A Comparative Study of Electrode Effects on the Electrical and Luminescent Characteristics of Alq3/TPD OLED: Improvements Due to Conductive Polymer (PEDOT) Anode ”Journal of Luminescence 126 (2007) 225–229.W.Chen. .Jung.Current Applied Physics 7 (2007) 474–479.J.B. [26] Baldo. .. Kim.W.C. M. M.Wu.Ikegami. H.J. . 75 (1999) 4.E. :“Efficient Iridium(III) Based. Park. Sallehb. . . Appl. sol.P.D. Shin.    [21] Park. . . C.H. Organic Electronics 10 (2009) 1364–1371.

Tsutsui. Holmes.Nature. Murphy. .Part 2 Lett.K. Burn P. “Device Physics of Organic Light Emitting Diodes Based on Molecular Materials” Organic Electronics. J. [37] Brütting.    “Synthesis and Characterization of Red-Emitting Iridium (III) Complexes for Solution-Processable Phosphorescent Organic Light-Emitting Diodes” Adv.. :“ Electronic Processes in Organic Crystals and Polymers. (2006) 572-582. . . R. [31] Fukuda. New York.2nd Edition. L. . P. .Sawada. Friend. C.P. E. Phys. J..” . . Bernius. . D. H... E. . S.Berleb.“Use of Poly(9-vinylcarbazole) as Host Material for Iridium Complexes in High-Efficiency Organic Light-Emitting Devices”. E..2 (2001) 1-36. Mater. Brown. S.M. Abdel. . Appl. [36] Pope M.Devices and Display Technologies” .B.S.Jpn. . J. W. Djurovich.Jpn..K. . Jpn. R. .. Wu.Anton G. “High Brightness and Efficiency Blue Light-Emitting Polymer Diodes” Appl. . N.M. I. T. [35] Burroughes. Garon. . K. D. 39 (2000) L828–L829. D. C. 39 (2000) L828. L. [38] Geffroy. P. R. M.Prat. . [32] Grice. . 73 (1998) 629–631. Lett. . . 19(2009) 2205–2212. . [33] Yang. Appl. Marks. F. A.C. J.9-dialkylfluorene) and Their Characteristics”. Woo. Oxford Science Publications . . Swenberg. D. Mackay. H. M. [30] Yang. D.Mückl. :“Organic Light Emitting Diode Technology: Materials. . Thompson. C. . Funct. Bradley. M. . . Phys. Inbasekaran. [34] Lamansky.Polym Int 55. B. 28 (1989) 1433. Appl. USA (1999). 64   . Phys. A. :“ Light-Emitting Diodes Based on Conjugated Polymers ” . Appl.Roy. A.. .L. W. Phys..J. :“Fusible Conducting Poly(9alkylfluorene) and Poly(9.Razzaq. Phys. “Cyclometalated Ir Complexes in Polymer Organic Light-Emitting Devices” J. 347 (1990) 539. J.Yoshino. Bradley..Tsutsui. M. 92 (2002) 1570–1575. “Use of Poly(9-vinylcarbazole) as Host Material for Iridium Complexes in High-Efficiency Organic Light-Emitting Devices”.. W.T.

  . İlk ve ortaöğrenimimi İstanbul’da tamamladım. 2003 yılında lisans öğrenimine Marmara Üniversitesi Fizik Bölümü’ne başladım ve 2007 yılında bitirdim. Halen bu bölümde görevimi sürdürmekteyim.    ÖZGEÇMİŞ 08 Mayıs 1984 İstanbul Doğumluyum. 2007 yılında Marmara Üniversitesi Fizik Bölümü’nde yüksek lisans eğitimime ve araştırma görevlisi olarak görevime başladım.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful