CLASE PRÁCTICA 2 RESUELTA.

PLAN D PROBLEMAS DE POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)
Sumario: 1. Introducción. 2. Solución de problemas. 3. Conclusiones. Bibliografía: 1. Rashid M. H. “Circuitos Microelectrónicos. Análisis y diseño”, pag. 186-188 y 192-196. Objetivos: • Que los estudiantes ejerciten el cálculo del punto de operación y la potencia disipada empleando diferentes métodos de solución, y la obtención de la línea de carga estática del BJT. • Profundizar en el principio de operación del regulador de voltaje serie y realizar los cálculos de sus principales variables. Problemas: 1. En el circuito mostrado en la figura 1, calcule: a) El punto de operación del transistor. Represente el punto de operación y la línea de carga estática en la característica de salida. b) La potencia que se disipa en el colector del transistor en reposo y la potencia que entrega la batería VCC. c) El valor máximo de RC con el cual el transistor permanece trabajando en la región activa. Datos: βF = hFE = 150; VBE = 0,7 V; VBE sat = 0,8 V; VCE sat = 0,1 V e ICO = 0. Respuesta: a) El punto de operación del transistor bipolar se caracteriza por la IBQ, ICQ y el VCEQ. Este es un circuito autopolarizado. Para calcular el punto de operación se abre el circuito como se muestra y se sustituye por una fuente referida a tierra en serie con una resistencia equivalente aplicando el Teorema de Thevenin.

Fig. 1: Problema 1.

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R2 50 VTH = VCC ⋅ = 12 ⋅ = 3. 010 mA = 10 μA ICQ = β F ⋅ I BQ = 150 ⋅ 0. Se supondrá que el transistor está operando en la zona de activa: Aplicando LKV en I (malla en a base del transistor): − VTH + I B ⋅ R B + VBE + I E ⋅ R E = 0 (1) 0 pero IE = I B + IC e IC = β F ⋅ I B + ( β F + 1) ⋅ ICO luego I E = (1 + β F ) ⋅ I B (2) Sustituyendo (2) en (1) nos queda que: − VTH + I B ⋅ R B + VBE + (1 + β F ) ⋅ I B ⋅ R E = 0 Despejando la corriente de IB: IB = R B + (1 + β F ) ⋅ R E VTH − VBE = 3. 29 kΩ R TH = R B = R1 R 2 = 1 2 = R1 + R 2 120 + 50 EL VOLTAJE DE THEVENIN SIEMPRE ESTÁ REFERIDO A TIERRA El transistor bipolar puede trabajar en activa.7 35.29 + (1 + 150 ) ⋅1.5 mA Aplicando LKV en II (malla de salida) para calcular el valor de VCEQ: − VCC + ICQ ⋅ R C + VCEQ + I EQ ⋅ R E = 0 2 .53 V R1 + R 2 120 + 50 R ⋅R 120 ⋅ 50 = 35.53 − 0.5 De donde: I BQ = 0. saturación o corte. 01 = 1.

5 ⋅ ( 5 + 1.Como β F = 150 >> 1 ⇒ I E ≈ IC de donde: − VCC + VCEQ + ICQ ⋅ ( R C + R E ) = 0 VCEQ = VCC − ICQ ⋅ ( R C + R E ) = 12 − 1.5 ⋅ 2.1 V ∴ Activa R/ Punto de Operación: Q IBQ = 10 μA. de donde: y al despejar IC nos queda que: − VCC + VCE + IC ⋅ ( R C + R E ) = 0 IC = − RC + RE VCE + RC + RE VCC Si IC = 0 ⇒ VCE = VCC VCC Si VCE = 0 ⇒ IC = RC + RE b) Potencia que se disipa en el colector del transistor bipolar: R / PC max = ICQ ⋅ VCEQ = 1.5 ) = 2. 25 = 3. a partir de la LKV obtenida en la malla II. VCEQ = 2. despejamos la IC en función del VCE: − VCC + IC ⋅ R C + VCE + I E ⋅ R E = 0 Como β F = 150 >> 1 ⇒ I E ≈ IC .5 mA. ICQ = 1. 25 V ( ) Para representar el punto de operación y la línea de carga estática en la característica de salida del BJT.375 mW Potencia que entrega la batería: PCC = VCC ⋅ ICC = VCC ⋅ ICQ + I1 ( ) ( ya que ICC = ICQ + I1 ) 3 . 25 V > VCE sat = 0.

7 − 1. El valor máximo de RC (RCmax) se calcula cuando el transistor alcanza el límite de la región de saturación. calcule R1 para que IE = 2 mA. 4 . En el circuito mostrado en la figura 2. VBE = 0.8V. se puede observar que si se aumenta el resistor RC disminuye el VCE corriéndose el punto de operación hacia la zona de saturación sin variar el valor de ICQ.36 kΩ 2. al hacerse VCE = VCEsat.5 ⋅1.2 − 1.5 R / R C max = 6.5 I1 = CC = = 75 μA R1 120 Luego: R / PCC = VCC ⋅ ICQ + I1 = 12 ⋅ (1. VBE sat = 0.6 = = 6. Datos: βF = hFE = 50.5 + 0.36 kΩ ICQ 1.5 ⋅1.7V. 2: Problema 2. ICO = 0. ( Al ser βF = 150 >> 1 ⇒ IEQ ≈ ICQ ) Fig. De la malla de salida nos queda que: − VCC + IC ⋅ R C max + VCE sat + ICQ ⋅ R E = 0 y al despejar nos queda que: R C max = VCC − VCE sat − ICQ ⋅ R E 12 − 0.2V. 075 ) = 18.Aplicando una LKV como se muestra en la figura de la izquierda se podrá calcular el valor de I1: − VCC + I1 ⋅ R1 + VBE + I E ⋅ R E = 0 pero al ser β F = 150 >> 1 ⇒ IE ≈ IC − VCC + I1 ⋅ R1 + VBE + IC ⋅ R E = 0 y al despejar I1 nos queda que: V − VBE − IC ⋅ R E 12 − 0. VCE sat = 0.9 mW ( ) c) A partir de la línea de carga estática representada en la característica de salida.

039 = 1. 032 = 0. la cual se puede calcular aplicando una LKC en el nodo: − I + I1 + IC = 0 despejando I1 nos queda que: I = I1 + IC (4) pero IC = I E − I B = 2 − 0.96 mA luego al sustituir IC e I1 en (4) obtenemos que: I = I1 + IC = 0. 071 Aplicando LKV en la malla III para comprobar que el transistor está en activa: − VCC + I ⋅ R C + VCE + I E ⋅ R E = 0 5 .3 − 0.Respuesta: Suponiendo que el transistor está trabajando en la zona de activa: Aplicando LKC en el nodo B: − I1 + I 2 + I B = 0 despejando I1: I1 = I 2 + I B (1) 0 donde IC = β F ⋅ I B + ( β F + 1) ⋅ ICO luego I E = I B + IC = I B + β F ⋅ I B y al despejar IB nos queda que: IB = Aplicando LKV en la malla I podremos calcular el valor de I2: − I 2 ⋅ R 2 + VBE + I E ⋅ R E = 0 (2) despejando I2: βF + 1 IE = 2 = 0. 039 + 0.96 = 2. 071 mA luego al sustituir los valores de IB e I2 en (1) obtenemos que: Aplicando LKV en la malla II podremos calcular R1: − VCC + I ⋅ R C + I1 ⋅ R1 + I 2 ⋅ R 2 = 0 (3) Pero nos hace falta el valor de la corriente que circula por RC. 032 mA=32 μ A R2 28 I1 = 0. 03 mA y al despejar R1 en (3) nos queda que: V − I ⋅ R C − I 2 ⋅ R 2 12 − 2.1 I 2 = BE E E = = 0. 071 + 1. 032 ⋅ 28 R1 = CC = = 62. 04 kΩ I1 0. 03 ⋅ 3. 039 mA 50 + 1 pero al ser I E = I B + IC V + I ⋅R 0.7 + 2 ⋅ 0.

2 V ∴ Esta en activa R / R1 = 62 kΩ 3. La línea de carga se desplaza hacia la derecha con la misma pendiente. Datos: Q: βF = hFE = 100. IZK = 2 mA. Esto se debe a que el transistor opera en la región activa. Desde el punto de vista del diseño. que ICQ e IBQ se mantienen casi constantes. DZ: VZO = 5. En el caso en que VNR se mantenga constante y se varíe a RL: si RL decrece. c) Calcule las potencias disipadas en el Zener y en el colector del transistor. a) El regulador de voltaje paralelo ya estudiado es el circuito de este tipo más sencillo.1 = 5. calcule el valor máximo de RS para que el Zener se mantenga dentro de la región de regulación.8 V. pero al crecer VNR aumentan IRS e IZ. VBE sat = 0. Si se analizan estas dos variaciones en forma independiente. 3: Problema 3. VBE = 0. El principio de operación de este regulador serie se basa en la utilización de un Zener como referencia interna. por lo que VCEQ crece y contrarresta la posible variación de VNR manteniendo a VO casi constante. limitado por la capacidad del Zener empleado. para el caso en que RL sea constante y se varía VNR: se observa de las expresiones anteriores. b) Calcule el punto de operación del transistor. la línea de carga incrementa su pendiente pero mantiene el intercepto en VNR que no cambia. ICQ e IBQ aumentan pero IZ disminuye. En el regulador de voltaje serie de la figura 3: a) Explique su principio de operación y compárelo con el regulador paralelo. VCE sat = 0. pero la corriente por el Zener no crece bruscamente como ocurre con el regulador paralelo. El regulador de voltaje serie con diodo Zener mostrado a continuación mejora esta deficiencia. Fig. RZ = 0. En la característica de salida del transistor.y al despejar VCE nos queda que: VCE = VCC − I ⋅ R C − I E ⋅ R E VCE = 12 − 2. con un voltaje VZ que es independiente de las variaciones de VNR y de IL. El valor de VCEQ se mantiene casi constante pues VO apenas varía. la IB será relativamente baja. e) Para el caso que VCC = VNR = 12V ± 1V. presenta como deficiencia la de ser baja la corriente y la potencia que puede entregar en su salida. esto provoca que la disipación de potencia máxima en el Zener sea baja y no sea una limitante como lo es para el caso del regulador paralelo.2 V. Si se abre la carga se hace IL = 0.7 V. 03 ⋅ 3. 6 . d) Calcule la potencia PCD entregada por la batería. aún para caso peor en que se esté entregando la máxima corriente a la carga.3 − 2 ⋅ 0. por lo que su IB = IL/βF.7V. pues el transistor que está conectado en serie con la carga RL es el encargado de entregar la corriente de salida IL.1 V > VCE sat = 0. ICO = 0. Como βF >> 1.

05 = 5 V > VCE sat = 0.7 = 43.6 mA − 1 mA = 7.6 ⋅ 5. al aplicar unas LKV en I (la base del transistor) se obtiene que: − VZO + VBE + I E ⋅ R E = 0 despejando la corriente IE: V − VBE 5. VCEQ = 5 V c) ( ) PZ max = I Z ⋅ VZO ya que R Z = 0 Ω − I1 + I Z + I B = 0 ⇒ I Z = I1 − I B (1) Aplicando LKC en A podremos calcular el valor de IZ: Cálculo de I1: Aplicando LKV en la malla III podremos calcular I1: − VCC + I1 ⋅ R S + VZO = 0 Luego sustituyendo en (1) obtenemos que: I Z = 8.05 pero I E = IB + IC y al ser β F >> 1 IC ≈ I E luego ICQ = 100 mA ICQ βF = 100 = 1 mA 100 0 IC = β F ⋅ I B + ( β F + 1) ⋅ ICO ⇒ I BQ = Aplicando LKV en la malla II calcularemos el VCEQ: − VCC + VCEQ + I E ⋅ R E = 0 y al despejar VCE nos queda que: VCEQ = VCC − I E ⋅ R E = 10 − 100 ⋅ 0. 6 mA > I ZK = 2 mA ∴ El Zener regula R/ PZ max = I Z ⋅ VZO = 7.7 = = 8.7 V y la IZ debe ser mayor que IZK.1 ⋅ 5 = 0.b) Suponiendo que el diodo tener está en ruptura. 6 + 100 ) = 1. ICQ = 100 mA. VZO = 5. 086 W ( ) 7 . 2 V ∴ Q está en Activa R/ Punto de Operación: Q I BQ = 1 mA.5 d) R / PCC = VCC ⋅ I1 + ICQ = 10 ⋅ ( 8.5 W ⇒ V − VZO 10 − 5.7 − 0. 6 mA I1 = CC RS 0.3 mW PC = ICQ ⋅ VCEQ = 0.7 I E = ZO = = 100 mA RE 0. Como RZ = 0 y suponiendo que el transistor está en activa.

calcule el punto de operación y la potencia disipada en colector del transistor en reposo. 767 kΩ 4. el valor máximo de RS para que el Zener se mantenga dentro de la región de regulación se calcula para la peor condición que es cuando VNR = Vmin inst = 11 V.7 R S max = min inst = = 1.1V y ICO = 0. Fig. 4: Problema 4. En el circuito de la figura 4. IZ min inst = IZK y I la corriente de la carga es máxima (en este caso E ).7V. VBE = 0. βF V − VZO 11 − 5. Respuesta: Este circuito tiene la característica de que el transistor nunca estará en saturación ya que el colector es más positivo que la base del transistor. Suponiendo que el transistor está en activa: Aplicando LKV en la malla I obtenemos que: − VCC + ( IC + I B ) ⋅ R C + I B ⋅ R B + VBE + I E ⋅ R E = 0 − VCC + ( R C + R B ) ⋅ I B + IC ⋅ R C + VBE + I E ⋅ R E = 0 Al ser I E = I B + IC e IC = β F ⋅ I B + ( β F + 1) ⋅ ICO luego 0 I E = I B + IC = ( β F + 1) ⋅ I B − VCC + ( R C + R B ) ⋅ I B + β F ⋅ I B ⋅ R C + VBE + ( β F + 1) ⋅ IB ⋅ R E = 0 − VCC + ⎡ R B + ( β F + 1) ⋅ ( R C + R E ) ⎤ ⋅ I B + VBE = 0 ⎣ ⎦ 8 .e) Si VCC = VNR = 12V ± 1V. Datos: βF = hFE = 100. 767 kΩ (RZ = 0) IE 2 + 100 I ZK + 100 βF R/ R S max = 1. VCEsat = 0.

44 mW 5.87 mA Aplicando LKV en la malla II calcularemos el VECQ: 9 . ICQ = 2. 2735 = 2.VCC − VBE 12 − 0.7 Despejando la IB: I BQ = = = 27. 2 V ∴ Q está en Activa R/ Punto de Operación: Q I BQ = 27. VEB = 0. VEC sat = 0. calcule el punto de operación y la potencia disipada en colector del transistor en reposo. 44 V ( ) R/ PC = ICQ ⋅ VCEQ = 2.6 V.735 + 0.02735 ) ⋅ 3 − ( 2.36 μA R B + ( β F + 1) ⋅ R ICQ = β F ⋅ I BQ = 200 ⋅ 0.735 + 0.1 = 3. Respuesta: Suponiendo el transistor en activa y aplicando LKV en la malla I calcularemos la IBQ: − VCC + VEB + I BQ ⋅ R B + ICQ + I BQ ⋅ R = 0 (1) ( ) pero IC = β F ⋅ I B + ( β F + 1) ⋅ ICO 0 (2) luego al sustituir (2) en (1) nos queda que: − VCC + VEB + I BQ ⋅ R B + ( β F + 1) ⋅ I BQ ⋅ R = 0 VCC − VEB despejando IBQ obtenemos que: I BQ = = 14. 735 mA. Datos: βF = hFE = 200.1 V e ICO = 0. 5: Problema 5. 44 = 9. Fig. 44 V > 0. 01436 = 2. En el circuito de la figura 5.1) ICQ = β F ⋅ I BQ = 100 ⋅ 0.02735 ) ⋅ 0. 735 ⋅ 3.35 μA R B + ( β F + 1) ⋅ ( R C + R E ) 100 + (101) ⋅ ( 3 + 0. 735 mA Aplicando LKV en la malla II calcularemos el VCEQ: − VCC + ICQ + I BQ ⋅ R C + VCEQ + ICQ + I BQ ⋅ R E = 0 VCEQ = VCC − ICQ + I BQ ⋅ R C − ICQ + I BQ ⋅ R E ( ) ( ) ( ) ( ) VCEQ = 12 − ( 2.35 μA. VCEQ = 3.

21 mW 6.34 V > 0.34 V PC = ICQ ⋅ VECQ = 2. Respuesta del circuito de la figura 6 a): En alterna los condensadores se tienen en cuenta para el análisis dinámico. estos se abren.01436 ) ⋅ 3 = 6. 6: Problema 6. Datos: βF = hFE = 260. 21 mW ( ) R/ PC = 18. ICQ = 2. cuando se hace el análisis estático (directa) para calcular el punto de operación.87 mA. VBE = 0.36 μA. VCE sat = 0.1 V y ICO = 0.6 V.34 = 18. Fig. Suponiendo el transistor en activa: 10 . En los circuitos de la figura 6a) y 6b).1 V ∴ Q está en Activa ( ) ( ) R/ Punto de Operación: Q IBQ = 14.87 + 0.87 ⋅ 6. calcule el punto de operación y la potencia disipada en colector del transistor en reposo.− VCC + VECQ + ICQ + I BQ ⋅ R = 0 VECQ = VCC − ICQ + I BQ ⋅ R = 15 − ( 2. VECQ = 6.

64 − 0.87 μA R B + (1 + β F ) ⋅ R E 30 + (1 + 260 ) ⋅1.6 ICQ = β F ⋅ I BQ = 260 ⋅ 0. 67 V R1 + R 2 R1 + R 2 180 + 36 180 + 36 R ⋅R 180 ⋅ 36 R TH = R B = R1 R 2 = 1 2 = = 30 kΩ R1 + R 2 180 + 36 Aplicando LKV en I (malla en a base del transistor): VTH + I B ⋅ R B + VBE + I E ⋅ R E − VEE = 0 (1) pero I E = I B + IC e IC = β F ⋅ I B + ( β F + 1) ⋅ ICO 0 . 67 V 180 + 36 Segunda forma de calcular el VTH: (Aplicando superposición) R2 R1 36 180 VTH = VCC ⋅ − VEE ⋅ = 7⋅ −7⋅ = − 4. luego I E = (1 + β F ) ⋅ I B (2) Sustituyendo (2) en (1) nos queda que: VTH + I B ⋅ R B + VBE + (1 + β F ) ⋅ I B ⋅ R E − VEE = 0 Despejando la corriente de IB: V − VTH − VBE 7 − 4.6 I B = EE = = 3.¡¡LA FUENTE DE THEVENIN SIEMPRE ESTÁ REFERIDA A TIERRA!! Primera forma de calcular el VTH: VTH = VR − VEE 2 R1 + R 2 R2 y VR = ( VCC + VEE ) ⋅ 2 R1 + R 2 R2 VTH = ( VCC + VEE ) ⋅ − VEE = 14 ⋅ 36 − 7 = − 4. 00387 = 1 mA Aplicando LKV en II (malla de salida) para calcular el VCEQ: − VCC + IC ⋅ R C + VCE + I E ⋅ R E − VEE = 0 pero al ser β F = 260 >> 1 ⇒ IE ≈ IC luego: − VCC + VCEQ + ICQ ⋅ ( R C + R E ) − VEE = 0 11 .

VCEQ = 4. b) Calcule los parámetros de señal pequeña rπ. RE y la disipación de potencia de RE: V V 9 3 VE = CC = = 3 V ⇒ R E = E = = 2.99 1 + 100 I I 1 1 IE = C = = 1. βnominal = 173.97 kΩ ≈ 3 kΩ 3 3 I E 1.9 = 4. para el cual se tiene que: βmínimo = 100.9 V > VCE sat = 0. Respuesta: a) Diseño del circuito de polarización empleando un autopolarizado: 1er Paso: Cálculo de αF.y al despejar VCEQ nos queda que: VCEQ = VCC + VEE − ICQ ⋅ ( R C + R E ) VCEQ = 7 + 7 − 1⋅ ( 7.99 β F 100 2do Paso: Cálculo de VE. Supóngase VBE = 0.5 + 1.9 V ( ) R / PC = ICQ ⋅ VECQ = 1 ⋅ 4.01 2 PR = I E ⋅ R E = (1. 01 mA ≈ 1 mA e I B = C = = 0.1 V ∴ Activa R/ Punto de Operación: Q I BQ = 3. IE e IB: αF = 1 + βF βF = 100 = 0.97 μA. VCEQ = 10 V ( ) y R / PC = 10 mW 7. 6 ) = 4.3 kΩ 10 10 12 .3 ⋅ 10 – 14 A y VA = 100 V. 01) ⋅ 3 = 3. IS = 3.9 mW Respuesta del circuito de la figura 6 b): R/ Punto de Operación: Q IBQ = 3. 01 mA ( ICO = 0 ) ⋅ α F 0. 06 mW E 2 3er Paso: Cálculo de VCE: V 9 VCE = CC = = 3 V 3 3 4to Paso: Cálculo de RCE y su disipación de potencia: 3 3 IC ⋅ R C = VCC − VCE − VE = 9 − 3 − 3 = 3 V ⇒ R C = = = 3 kΩ IC 1 2 PR = IC ⋅ R C = (1) ⋅ 3 = 3 mW C 2 5to Paso: Cálculo de RTH y VTH: R TH = (1 + βF ) ⋅ R E = (1 + 100 ) ⋅ 3 = 30.87 μA. ICQ = 1 mA. ICQ = 1 mA. gm y ro del transistor. Use un transistor 2N2222. La corriente de operación del colector se tiene que ajustar a ICQ = 1 mA. La fuente de alimentación de CD es VCC = 9 V.7 V en la región activa y que βF = βf. a) Se desea diseñar un circuito de polarización de transistor como el que se ilustra en la figura 1.

VCE sat = 0.3 μA.8 kΩ .34 kΩ ( ) y PC = 2. ICQ = 1.3 = 4 V 6to Paso: Cálculo de R1 y su disipación de potencia: R1 = R TH ⋅ VCC VTH = 2 30. 8: Problema 8. Fig. 76 mS . gm y ro del transistor: β F ⋅ VT ICQ 100 ⋅ 25.8 = 25.175 = 0.VTH = I B ⋅ R TH + VBE + VE = 3 + 0. Respuesta: a) Punto de Operación: Q I BQ = 12. VBE sat = 0. calcule: a) El punto de operación del transistor y la potencia que disipa el transistor en reposo. b) El valor máximo de RC con el cual el transistor permanece trabajando en la región activa.6 V. VCEQ = 1. 7 + 0.2 V e ICO = 0. 1 ICQ VT V 1 100 = 100 kΩ = 38. 23 mA. c) Represente el punto de operación y la línea de carga estática en la característica de salida del transistor. Datos: βF = hFE = 100.54 = 1.37 mW 7to Paso: Cálculo de R2 y su disipación de potencia: R2 = VCC − VTH = = 30.54 kΩ 9−4 2 PR = 2 (9) 54.175 kΩ 4 PR 1 ( V − VTH ) = CC R1 R TH ⋅ VCC VTH 2 R2 (9 − 4) = 2 68. 01⋅ 30.8 V.49 mW b) Cálculo de los parámetros de señal pequeña rπ. 28 mW 13 .8 rΠ = = gm = = 8.3 ⋅ 9 = 68.85 V b) R C max = 4. VBE = 0. En el circuito mostrado en la figura 8. rO = A = ICQ 1 25.3 ⋅ 9 = 54.

ICO = 0. VRE = 6 V y βF = hFE = 100. VBE sat = 0. ICQ = 2 mA.7 V. 253 kΩ b) R E = 2.2 V. DZ: VZO = 8.97 kΩ y R B = 463 kΩ 10.8 V.8 V. Determine el punto de operación de cada transistor. IZK = 5 mA y RZ = 0. Fig. Datos: VBE = 0. En el regulador de voltaje serie de la figura 10: a) El valor máximo de RS para que el diodo zener regule adecuadamente si IZK = 5 mA y RE = 5 kΩ. Determine: a) El punto de operación del transistor y la región de trabajo del mismo. VCE sat = 0. VBEsat1 = VBEsat2 = 0. c) Represente el punto de operación y la línea de carga estática en la característica de salida del transistor. Fig.7V.921 kΩ y R C = 7 kΩ 11.9. 9: Problema 9. En el circuito de la figura 11 se muestra dos transistores trabajando en la región de activa con βF1 = hFE1 = 100 y βF2 = hFE2 = 50.7 V. En el circuito mostrado en la figura 9.2 V. Datos: VBE1 = VBE2 = 0. b) Las resistencias RC y RE para fijar una corriente de colector de IC = 1 mA y VCE = 5 V. Respuesta: a) Punto de Operación: Q I BQ = 20 μA. b) El valor de RE y RB. VBE sat = 0. VCE sat = 0. Datos: Q: βF = hFE = 100. VCEsat1 = VCEsat2 = 0.96 V b) R E = 2. ICO1 = ICO2 = 0. ( ) Activa 14 . Respuesta: a) R B max = 2. se conoce que ICQ = 2 mA.2 V e ICO = 0. VBE = 0. VCEQ = 9. 10: Problema 10.7 V.8 V.

ICO1 = ICO2 = 0.888 μA. VZO = 5.982 V ⎞ ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ 2 2 2 12.2 V.8 μA. ( ) 15 . En el circuito de la figura 12. Datos: VEB1 = VBE2 = 0. 11: Problema 11.15 Ω Fig.7 V. b) Determine a partir de qué valor de RE1 el transistor Q2 está saturado. ICQ = 145. βF1 = hFE1 = βF2 = hFE2 = 50.9 mA. a) Halle el punto de operación del transistor Q2. VCEQ = 8.Fig.7 V y RZ = 0 Respuesta: a) Punto de Operación: Q 2 IBQ = 4. VEC1 sat = VCE2 sat = 0. el transistor Q1 siempre está en activa. 2 V 2 2 2 b) R E1 ≤ 495. 12: Problema 12.8 V. VEB1 sat = VBE2 sat = 0. Respuesta: Punto de Operación: Q1 ⎛ I BQ = 28. VCEQ = 8. VCEQ = 10.916 μA. 428 V ⎞ ⎜ ⎟ 1 1 1 ⎝ ⎠ Q 2 ⎛ I BQ = 2.88 nA. ICQ = 98 mA. ICQ = 2.