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électronique analogique

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ECOLE POLYTECHNIQUE

Yvan Bonnassieux

PHY 568 Microelectronique
Promotion X2003

Introduction à l’électronique analogique
yvan.bonnassieux@polytechnique.fr

Sommaire
Modèle hybride π du transistor MOS Montage source commune (transconductance) Montage Drain Commun (suiveur en tension) Montage Grille Commune (Convoyeur de courant) Montages composites Montages Amplificateurs Plots d’Entrée/Sortie

Ecole polytechnique, Majeure MNO, PHY568 Y. Bonnassieux, Janv 2006

diapo 2

Modèle hybride π du transistor MOS

Ecole polytechnique, Majeure MNO, PHY568 Y. Bonnassieux, Janv 2006

diapo 3

Equations d'états

2 zones de fonctionnement : zone résistive (VDS < (VGS-VT)) zone ''de pincement'' (pinch-off région ou zone de saturation) VDS > (VGS-VT))

Ecole polytechnique, Majeure MNO, PHY568 Y. Bonnassieux, Janv 2006

diapo 4

PHY568 Y. Ecole polytechnique. Majeure MNO. Bonnassieux.Equations d'états zone ''de pincement'' (pinch-off région ou zone de saturation) VDS > (VGS-VT)) Pour la zone résistive (VDS < (VGS-VT)) ID = µ nCox W 2 L (VGS − Vt )2 I D = µ n Cox W (VGS − Vt )VDS L L dessinée L réelle ID courant circulant dans le canal µn mobilité globale des électrons Cox capacité par unité de surface de l'oxyde W et L largeur et longueur du canal VGS la tension grille-source Vt la tension de seuil. Janv 2006 diapo 5 .

. Janv 2006 diapo 6 . Bonnassieux. PHY568 Y. Pas de courant de grille : impédance d'entrée infinie. Courant drain-source la grandeur de sortie. Fonction ''transconducteur'' : transconducteur courant drain commandé par le carré de la tension grille-source VGS. Majeure MNO. Ecole polytechnique.Représentation Quadripôle Simplifié Dans la zone de fonctionnement saturée Tension grille-source: grandeur d’entrée du quadripôle. commande en tension ''pure''.

Majeure MNO. Bonnassieux.Capacités parasites du MOS CoGS CIGS CIGD CoGD 0 I CGS = CGS + CGS CSB CDB 0 I CGD = CGD + CGD B CGS capacité Grille-Source CGD capacité Drain-Source CSB capacité Source-Substrat CDB capacité Drain-Substrat Ecole polytechnique. PHY568 Y. Janv 2006 Souvent négligeables diapo 7 .

Le gain de transduction .La plage dynamique ID0 Attention aux pertes générées par la polarisation Superposition de signaux dynamiques Capacités de découplage Ecole polytechnique. Janv 2006 VGS0 diapo 8 . Bonnassieux. PHY568 Y. Majeure MNO.Modèle petits signaux Point de fonctionnement : Polarisation statique VDS 0 = VDD − Rd I D 0 ID0 VGS 0 = VDS0 R2 VDD R1 + R2 Déterminer : .

⇒ remplacées par des masses virtuelles Paramètres incrémentaux L’équation d’état permet de calculer par dérivation les paramètres incrémentaux ''petits signaux'' Transconductance gm ∂I D = ∂ V GS ⎧ ⎪ µ n C ox ⎪ =⎨ ⎪ µ n C ox ⎪ ⎩ W V DS L W (V G S − V t ) = L Zone Résistive µ n C ox W ID L Zone Saturée Conductance de sortie g DS = ∂VDS =λI D ∂I D Ecole polytechnique.Modèle petits signaux les modèles petits signaux étant variationnels: ⇒ Grandeurs électriques continues considérées comme nulles. Janv 2006 diapo 9 . Bonnassieux. Majeure MNO. PHY568 Y.

Majeure MNO.Modèle petits signaux Paramètres Additionnels Limitation de la bande passante ⇒ prise en compte des capacités CGS & CGD Permettent de définir la fréquence de coupure : gm fc = 2π (CGS + CGD ) Schéma équivalent petits signaux Ecole polytechnique. PHY568 Y. Janv 2006 diapo 10 . Bonnassieux.

PHY568 Y. Janv 2006 diapo 11 . Majeure MNO. Bonnassieux.Montage source commune (transconductance) Ecole polytechnique.

PHY568 Y.Montage Source Commune la source est prise comme référence commune à l’entrée et à la sortie DD RL Schéma équivalent petits signaux (on néglige les capacités – basses fréquences) Rs Ecole polytechnique. Majeure MNO. Bonnassieux. Janv 2006 diapo 12 .

PHY568 Y. Majeure MNO. Bonnassieux.Montage Source Commune Caractéristique du quadripôle Impédance d’entrée Impédance de sortie Gain en tension Rin= ∞ Rout =1/gDS || RL ≈ RL Av = vout = − g m (1 / g D S RL ) ≈ − g m RL vin diapo 13 Ecole polytechnique. Janv 2006 .

Bonnassieux.Montage Source Commune Réponse en fréquence ( effet MILLER) Impossible de négliger les capacités grille-drain CGD et grille-source CGS in in 1 1 Prise en compte de CGD via une capacité ramenée sur l’entrée :capacité Miller : CMi CMi=( 1 + gmRL) CGD Ecole polytechnique. PHY568 Y. Janv 2006 diapo 14 out out . Majeure MNO.

5 pF . Janv 2006 diapo 15 vout Zin = 1/jω(CGS + CMI) Exemple gm =1 mA/V. CGD = 0. PHY568 Y.Montage Source Commune Réponse en fréquence ( effet MILLER) Impédance totale d'entrée : vin V1 Gain en tension : −g mRL vout =−g mRL Zin = vin RS + Zin 1+ jωRS (CGS +CM i ) Pulsation de coupure ω0 ω0 = 1 / RS [CG S + (1 + g m RL )CGD ] Ecole polytechnique. Majeure MNO. RS = 1kΩ CGS = 2. Bonnassieux.5 pF. RL = 20kΩ.

PHY568 Y. Majeure MNO. Bonnassieux. Grande impédance d'entrée: entrée en tension Grande impédance de sortie: sortie en courant montage inverseur Ecole polytechnique. Janv 2006 diapo 16 .Montage Source Commune Caractéristiques globales ''Source Commune'' ⇒ configuration Transconductrice.

Majeure MNO. Janv 2006 diapo 17 . Bonnassieux.Montage Drain Commun (suiveur en tension) Ecole polytechnique. PHY568 Y.

Montage Drain Commun le drain qui est commun à l’entrée et à la sortie DD Schéma équivalent petits signaux Rs RL out in vin Ecole polytechnique. Bonnassieux. Majeure MNO. PHY568 Y. Janv 2006 diapo 18 vout .

Gain en tension : V out 1 = ≈1 Vin 1 + 1 g m RL diapo 19 Ecole polytechnique. Janv 2006 . PHY568 Y. Bonnassieux. Majeure MNO.Montage Drain Commun Caractéristique du quadripôle (basse fréquence) Impédance d’entrée : Impédance de sortie : Rin= ∞ pas de courant dans la grille Rout = 1/gm//RL≈ 1/gm impédance basse ⇒ signal de sortie plutôt «en tension».

Bonnassieux. Majeure MNO. Janv 2006 diapo 20 .Montage Drain Commun Caractéristiques globales Le montage ''drain Commun'' est une configuration ''Suiveur de Tension''. PHY568 Y. Commun Tension ''la source suit la grille'' en tension gain en tension unité : vout/vin ≈ 1 grande impédance d'entrée faible impédance de sortie ~ 1/gm Ecole polytechnique.

Janv 2006 diapo 21 .Montage Grille Commune (Convoyeur de courant) Ecole polytechnique. Bonnassieux. PHY568 Y. Majeure MNO.

Janv 2006 diapo 22 . Majeure MNO.Montage Source Commune la grille est commune à l’entrée et à la sortie et reliée à la masse Ecole polytechnique. Bonnassieux. PHY568 Y.

Janv 2006 D gmV1 G diapo 23 RL . Bonnassieux. PHY568 Y. Majeure MNO.Montage Source Commune Schéma équivalent petits signaux Approche basses fréquences ( on négliges les capacités) 1/GDS supposée infinie Qui peut être mis sous la forme RS S gmV1 G Ecole polytechnique.

PHY568 Y. Bonnassieux. Janv 2006 diapo 24 . Majeure MNO.Montage Source Commune Caractéristique du quadripôle (basse fréquence) vin RS S gmV1 G gmV1 G D vout V1 Impédance d’entrée : Rin = 1/gm Impédance de sortie : Rout = 1 + g m RS g DS RL Gain en courant : Ai = 1 Gain en tension : Av = g m RL 1 + g m RS Ecole polytechnique.

PHY568 Y. Commune courant gain en courant unité: iout/iin = 1 non-inverseur faible impédance d'entrée ~1/gm très grande impédance de sortie : 1/gDS Ecole polytechnique. Bonnassieux.Montage Drain Commun Caractéristiques globales Le montage '‘Source Commune'' est une configuration ‘Convoyeur de courant''. Janv 2006 diapo 25 . Majeure MNO.

Montages composites Sources de courant. Etage amplificateur Offset de tension Etage de sortie Ecole polytechnique. Janv 2006 diapo 26 . PHY568 Y. Bonnassieux. Majeure MNO.

Miroirs de courant Objectif ⇒ courant constant et indépendant des paramètres du circuit et des tensions. PHY568 Y. Janv 2006 diapo 27 . . Bonnassieux. plusieurs utilisations possibles : Sources de courants polarisation statique de transistors charge active (synthèse de résistances virtuelles de valeur élevée) changement de point d'attache d'un signal Ecole polytechnique. Majeure MNO.

Si I1=Iref Impédance d'entrée: alors I2= I1=Iref. PHY568 Y. même tension grille-source ⇒ même courant de drain. Bonnassieux. Impédance d’entrée : Impédance de sortie: Rin = Rout = 1 gm 1 g DS Gain en courant unité: Impédance de sortie : Gain en courant : Ai ≈ 1 Ecole polytechnique. Janv 2006 diapo 28 .Miroirs de courant Miroir de courant élémentaire 2 transistors MOS (Q1 et Q2) identiques. ∀charge sur le drain de Q2. Majeure MNO.

Equations d’états : ID1=ID2 V1=VGS1+V2 et V2=VGS2 Ce qui donne en mode saturé µ nCox W1 2 L1 (V1 − V2 − Vt )2 = µ nCox W2 (V2 − Vt )2 2 L2 Dans le cas ou (W2/L2)= (W1/L1) on obtient : 1 V2 = V1 2 diapo 29 Ecole polytechnique. PHY568 Y.Décaleur de tension montages décaleurs de tension ⇒ adaptation de niveau de tension entre deux 2 transistors MOS Q1 et Q2 parfaitement appairés et fonctionnent en régime saturé. Bonnassieux. Majeure MNO. Janv 2006 .

Ecole polytechnique.Paire différentielle Objectifs Amplifier la différence entre 2 signaux Ne pas amplifier la valeur moyenne des 2 mêmes signaux 2 transistors à sources couplées (M1. Majeure MNO. M2). Vo2) drains de (M1. 2 sorties (Vo1. M2) 1 source de courant I0 (M3. Vi2) grilles de (M1. R) 2 résistances RL de charge sur les drains 2 entrées (Vi1. M4. Janv 2006 diapo 30 . M2). PHY568 Y. Bonnassieux.

Bonnassieux. Janv 2006 ≅ 60 dB diapo 31 .Paire différentielle Mode différentiel et Mode Commun vid = vi1 − vi 2 Différentiel v +v vic = i1 i 2 Commun 2 vod = vo1 − vo 2 vo1 + vo 2 voc = 2 Equation en gain de la paire différentielle Objectif vod = Add vid + Adc vic voc = Acd vid + Acc vic Nuisible Taux de Réjection en Mode Commun (Common Mode Rejection Ratio) Add TRMC = 20 log10 ( ) Adc Ecole polytechnique. PHY568 Y. Majeure MNO.

Janv 2006 . Bonnassieux. Majeure MNO. On obtient vod 1 = − g m RL vid 2 Soit globalement Add = vod = − g m RL vid diapo 32 Ecole polytechnique. PHY568 Y.Paire différentielle Gain en Mode différentiel ADD M1 et M2 identique ⇒ Montage symétrique I0 constant ⇒ masse virtuelle Néglige: résistance Drain-Source 1/gDS les capacités parasites.

Acc = voc g m RL =− 1+ 2 g m Rss vic résistance Rss grande. le gain en mode commun est faible. gain en Mode Commun. Janv 2006 diapo 33 .Paire différentielle Gain en Mode Commun ADC Tension vi2=0 ⇒ Grille de M2 est connectée à la masse ⇒ vi1=vic. Impossible de négliger la résistance parallèle de la source de courant Rss. PHY568 Y. Taux de réjection en mode commun : TRMC = 20 log10 (1 + 2 g m Rss ) Ecole polytechnique. Majeure MNO. Bonnassieux.

Majeure MNO.Paire différentielle Utilisation d’une charge active gain d’une paire différentielle % résistance de drain ⇒ augmentation par un miroir de courant (transistors M5 et M6) M5 M6 gain en mode différentiel : g m5 (W5 / L5 ) Add = − =− g m1 (W1 / L1 ) gain en commun : g m1 Acc = − g m1 (1 + 2 g m1 Rss ) Ecole polytechnique. PHY568 Y. Bonnassieux. Janv 2006 diapo 34 .

Bonnassieux. Majeure MNO. PHY568 Y. Janv 2006 diapo 35 .Montages Amplificateurs Ecole polytechnique.

PHY568 Y. Janv 2006 diapo 36 . Bonnassieux.Amplificateur Simple montage « source commune » remplacer la résistance de drain. Majeure MNO. par un transistor NMOS. caractéristique de transfert en tension Ecole polytechnique.

PHY568 Y. Bonnassieux. Majeure MNO.Amplificateur Simple On se place dans le cadre des 2 Transistors en mode saturés I D1 = µ nCox W1 W (V1 − Vt ) 2 = I D 2 = µ nCox 2 (VDD − V2 − Vt ) 2 2 L1 2 L2 ce qui donne pour la tension de sortie : V2 = VDD − Vt − W1 L1 (V1 − Vt ) W2 L2 Soit un gain dynamique en tension : dV2 W1 L1 =− Av = dV1 W2 L2 Ecole polytechnique. Janv 2006 diapo 37 .

Bonnassieux. Majeure MNO. Janv 2006 1 g m 2 + g ds1 + g ds 2 diapo 38 .Amplificateur Simple Approche Petit signaux La loi des nœuds en sortie : V2 V + 2 =0 1 g ds1 1 g ds 2 -Gm2V2 V1 gm1V1 1/gDS2 g m1V1 + g m 2V2 + V2 1/gDS1 Soit le gain en tension g m1 V2 Av = =− V1 g m2 + g sd 1 + g sd 2 Résistance de sortie Rs = Ecole polytechnique. PHY568 Y.

Majeure MNO.Inverseur CMOS caractéristique de transfert en tension Montage petits signaux GmpV1 Gain en tension g mn + g mp V2 Av = =− V1 g DSn + g DSp Ecole polytechnique. PHY568 Y. Janv 2006 V1 gmnV1 1/gDSn 1/gDSn V2 diapo 39 . Bonnassieux.

Avoir une impédance de sortie la plus faible possible Avoir une impédance d’entrée la plus grande possible Une structure en plusieurs étages Ecole polytechnique. Bonnassieux. Janv 2006 diapo 40 .Amplificateur Opérationnel Objectifs : Amplifier avec un gain important une différence de tension. PHY568 Y. Majeure MNO.

Majeure MNO. PHY568 Y. Bonnassieux. Janv 2006 diapo 41 .Amplificateur Opérationnel Exemple simplifié de structure Ecole polytechnique.

Majeure MNO. Janv 2006 diapo 42 . PHY568 Y. Bonnassieux.Amplificateur Opérationnel Caractéristique d’un amplificateur opérationnel réel Par exemple pour le LF356 de National Semiconductor : TRMC :100 dB Impédance d’entrée : 1012Ω Bande Passante Ecole polytechnique.

Majeure MNO. Janv 2006 diapo 43 . Bonnassieux.Plots d’Entrée/Sortie Ecole polytechnique. PHY568 Y.

Intégrer certaines fonctions de base : sortie bidirectionnelle. Majeure MNO. PHY568 Y. Protéger le circuit contre les charges électrostatiques.. Ecole polytechnique. test ( JTAG). .Plots d’Entrée/Sortie Rôles des plots d’Entrée/Sortie : Interfaçage entre l’extérieur et le cœur du circuit (interfaçage « mécanique » et électrique). 3 états. Janv 2006 diapo 44 .. Bonnassieux.

Plots d’Entrée/Sortie Ecole polytechnique. Janv 2006 diapo 45 . Bonnassieux. PHY568 Y. Majeure MNO.

PHY568 Y. Janv 2006 diapo 46 .Plots d’Entrée/Sortie Protection électrique Interface électrique buffer Structure globale d’un plot de sortie Ecole polytechnique. Bonnassieux. Majeure MNO.

PHY568 Y. Janv 2006 diapo 47 .Plots d’Entrée/Sortie Ecole polytechnique. Majeure MNO. Bonnassieux.

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