P. 1
OE22

OE22

|Views: 5,870|Likes:
Published by joedoe1

More info:

Published by: joedoe1 on Jan 24, 2012
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

12/09/2014

pdf

text

original

Sections

  • 1.1. Uvod i osnovni pojmovi
  • 1.2. Nabijena čestica u elektrostatičkom polju
  • 1.2.1. Elektron u homogenom elektrostatskom polju
  • 1.2.2. Otklon elektrona u katodnoj cijevi
  • 1.3. Nabijena čestica u magnetostatskom polju
  • 1.3.1. Elektron u homogenom magnetostatskom polju
  • 1.3.2. Katodna cijev s otklanjanjem pomoću magnetostatskog polja
  • 1.5. Elektrostatske leće
  • 1.6.1. Maseni spektrometar
  • 1.6.2. Linearni akcelerator
  • 1.6.3. Ciklotron
  • 2.3. Emisija elektrona iz metala
  • 2.3.1. Termionska emisija
  • 2.3.2. Sekundarna emisija
  • 2.3.3. Fotoemisija
  • 2.6. Generacija i rekombinacija nositelja naboja
  • 2.7. Koncentracija nositelja naboja
  • 2.8. Fermijeva razina
  • 3.1. Poluvodički P-N spoj
  • 3.1.1. P-N spoj pod djelovanjem napona
  • 3.2. Poluvodičke diode
  • 3.2.1. Strujno-naponska karakteristika P-N dioda
  • 3.2.2. Neke vrste P-N dioda
  • 3.3.1. Nadomjesni sklop (ekvivalentna shema)
  • 3.4. Ograni enje snage u poluvodi kim diodama
  • 3.6. Bipolarni tranzistori
  • 3.6.1. Osnovni principi rada tranzistora
  • 3.7. Statičke karakteristike tranzistora
  • 3.7.1. Ulazne i izlazne karakteristike tranzistora za spoj zajedničke baze
  • 3.7.2. Ulazne i izlazne karakteristike tranzistora za spoj zajedničkog emitera
  • 3.8. Ograničenja u radu tranzistora
  • 3.9. Dinamička svojstva bipolarnih tranzistora
  • 3.10. Tranzistor kao četveropol
  • 3.11. Nadomjesni sklopovi bipolarnih tranzistora
  • 3.12. Vakuumska trioda
  • 3.13. Unipolarni tranzistori
  • 3.14. JFET
  • 3.15. Statičke karakteristike N – kanalnog JFET-a
  • 3.16. Nadomjesni sklop JFET-a
  • 3.18. Statičke karakteristike MOSFET-a
  • 3.19. Nadomjesni sklop MOSFET-a
  • 3.20. Ograničenja rada i prednosti unipolarnih tranzistora
  • 4.1. Pojačala
  • 4.1.1. Računanje u decibelima
  • 4.1.2. Strujni i naponski izvori
  • 4.1.3. Ulazni otpor
  • 4.1.4. Naponsko pojačanje i frekvencijski odziv
  • 4.2. Pojačala s bipolarnim tranzistorima
  • 4.2.2. Naponsko pojačalo u spoju ZB
  • 4.2.3. Pojačalo u spoju ZC – transformator impedancije (emitersko sljedilo)
  • 4.3. Pojačala s unipolarnim tranzistorima
  • 4.3.1. Pojačalo u spoju zajedničkog uvoda (ZS)
  • 4.3.2. Pojačalo u spoju zajedničkog odvoda (ZD)
  • 4.3.3. Pojačalo u spoju zajedničke upravljačke elektrode (ZG)
  • 4.4. Kaskadna pojačala
  • 4.4.1. Darlingtonov spoj
  • 4.5. Diferencijalno pojačalo
  • 4.6. Strujno zrcalo
  • 4.7. Povratna veza
  • 4.7.1. Oscilatori
  • 4.8. Operacijska pojačala
  • 4.8.1. Neinvertirajuće pojačalo
  • 4.8.2. Invertirajuće pojačalo
  • 4.8.3. Diferencijalno pojačalo
  • 4.8.4. Sumator (zbrajalo)
  • 4.8.5. Naponsko sljedilo
  • 4.8.6. Strujno-naponski pretvornik
  • 4.8.7. Integrator
  • 4.8.8. Derivator
  • 4.8.9. RC oscilator realiziran pomoću operacijskog pojačala
  • 5.1. Logički sklopovi
  • 5.2. Tehnike realizacije logičkih sklopova
  • 5.2.1. Otpornik – tranzistor logika (RTL)
  • 5.2.2. Diodna logika (DL)
  • 5.2.3. Diodno-tranzistorska logika (DTL)
  • 5.2.4. Tranzistor-tranzistor logika (TTL)
  • 5.2.5. Logika zajedničkog emitera (ECL)
  • 5.2.6. MOSFET (MOS)
  • 5.3. Sekvencijalna logika
  • 5.3.1. Razinom okidani bistabili
  • 5.3.2. Bridom okidani bistabili

Sveučilište u Splitu

Vladan Papić

PREDAVANJA IZ OSNOVA ELEKTRONIKE

Split, 2005

Manualia Universitatis studiorum Spalatensis

Autor: Doc. dr. sc. Vladan Papić Recenzenti: Prof. dr. sc. Sven Gotovac Prof. dr. sc. Dragan Poljak Doc. dr. sc. Hrvoje Dujmić

Objavljivanje ove sveučilišne skripte odobreno je na 28. sjednici Senata Sveučilišta u Splitu održanoj 20. siječnja 2005. godine, odlukom br: 01-12/21-2-2004.

CIP-Katalogizacija u publikaciji Sveučilišna knjižnica u Splitu UDK 628.38(075.8)

PAPIĆ, Vladan Predavanja iz osnova elektronike / Vladan Papić. – Split : Fakultet prirodoslovno- matematičkih znanosti i odgojnih područja, 2005. – 163 str. : graf. prikazi ; 24 cm. – (Manualia Universitatis studiorum Spalatensis) Bibliografija. ISBN 953-7155-02-1

ISBN

953-7155-02-1

Split, veljača 2005.

Sadržaj
I. Fizikalna elektronika
1. Nabijene čestice u električnom i magnetskom polju 1.1. Uvod i osnovni pojmovi ---------------------------------------------------------------------------1 1.2. Nabijena čestica u elektrostatskom polju --------------------------------------------------------2 1.2.1. Elektron u homogenom elektrostatskom polju --------------------------------------------5 1.2.2. Otklon elektrona u katodnoj cijevi ----------------------------------------------------------8 1.3. Nabijena čestica u magnetostatskom polju ---------------------------------------------------- 11 1.3.1. Elektron u homogenom magnetostatskom polju ---------------------------------------- 14 1.3.2. Katodna cijev s otklanjanjem pomoću magnetostatskog polja ------------------------ 15 1.4. Gibanje nabijene čestice pod istovremenim djelovanjem elektrostatskog i magnetostatskog homogenog polja-------------------------------------------------------------- 18 1.5. Elektrostatske leće -------------------------------------------------------------------------------- 21 1.6. Primjene ------------------------------------------------------------------------------------------- 23 1.6.1. Maseni spektrometar ----------------------------------------------------------------------- 23 1.6.2. Linearni akcelerator ------------------------------------------------------------------------ 26 1.6.3. Ciklotron------------------------------------------------------------------------------------- 27 2. Svojstva metala i poluvodiča 2.1. Klasifikacija čvrstih tijela------------------------------------------------------------------------ 31 2.2. Energetske vrpce u vodičima -------------------------------------------------------------------- 31 2.3. Emisija elektrona iz metala ---------------------------------------------------------------------- 35 2.3.1. Termionska emisija ------------------------------------------------------------------------- 35 2.3.2. Sekundarna emisija ------------------------------------------------------------------------- 36 2.3.3. Fotoemisija ---------------------------------------------------------------------------------- 37 2.4. Poluvodiči i energetske vrpce u poluvodičima ------------------------------------------------ 39 2.5. Primjese u poluvodičima------------------------------------------------------------------------- 41 2.6. Generacija i rekombinacija nositelja naboja --------------------------------------------------- 45 2.7. Koncentracija nositelja naboja ------------------------------------------------------------------ 47 2.8. Fermijeva razina ---------------------------------------------------------------------------------- 49 2.9. Pokretljivost nositelja naboja-------------------------------------------------------------------- 42 2.10. Vodljivost poluvodiča -------------------------------------------------------------------------- 44 2.11. Difuzija u poluvodičima ------------------------------------------------------------------------ 45

II. Elektronički elementi i sklopovi
3. Elektronički elementi 3.1. Poluvodički P-N spoj----------------------------------------------------------------------------- 59 3.1.1. P-N spoj pod djelovanjem napona -------------------------------------------------------- 62 3.2. Poluvodičke diode -------------------------------------------------------------------------------- 64 3.2.1. Strujno-naponska karakteristika P-N dioda ---------------------------------------------- 65 3.2.2. Neke vrste P-N dioda ---------------------------------------------------------------------- 68 3.3. Dovo enje diode u radnu točku i nadomjesni sklop ------------------------------------------ 70 3.3.1. Nadomjesni sklop (ekvivalentna shema) ------------------------------------------------- 72

7.83 3.1. Nadomjesni sklop JFET-a---------------------------------------------------------------------. MOSFET ----------------------------------------------------------------------------------------.2. Statičke karakteristike tranzistora--------------------------------------------------------------.10. Strujno-naponski pretvornik --------------------------------------------------------------140 4.20.90 3.8. Ulazne i izlazne karakteristike tranzistora za spoj zajedničkog emitera -------------. Neinvertirajuće pojačalo ------------------------------------------------------------------136 4.84 3.4. Darlingtonov spoj--------------------------------------------------------------------------127 4.3. Pojačalo u spoju zajedničkog odvoda (ZD)---------------------------------------------123 4. Nadomjesni sklop MOSFET-a----------------------------------------------------------------102 3.3. Statičke karakteristike N – kanalnog JFET-a -----------------------------------------------.96 3.3. Unipolarni tranzistori --------------------------------------------------------------------------.1. Strujno pojačalo u spoju ZE --------------------------------------------------------------118 4. Ulazni otpor --------------------------------------------------------------------------------114 4.1.99 3. Dinamička svojstva bipolarnih tranzistora----------------------------------------------------.7. Naponsko pojačalo u spoju ZB-----------------------------------------------------------120 4. Integrator------------------------------------------------------------------------------------141 . Naponsko pojačanje i frekvencijski odziv ----------------------------------------------115 4.1.4. Pojačalo u spoju ZC – transformator impedancije (emitersko sljedilo) -------------121 4. Statičke karakteristike MOSFET-a-----------------------------------------------------------101 3.8.1.79 3.18.6. Oscilatori------------------------------------------------------------------------------------132 4.93 3. JFET ---------------------------------------------------------------------------------------------.6. Diferencijalno pojačalo -------------------------------------------------------------------------128 4. Elektronički sklopovi 4. Ulazne i izlazne karakteristike tranzistora za spoj zajedničke baze ------------------.2.3. Ograničenja u radu tranzistora -----------------------------------------------------------------.4. Osnovni principi rada tranzistora --------------------------------------------------------.3.17. Sumator (zbrajalo) -------------------------------------------------------------------------139 4.2. Tranzistor kao četveropol ---------------------------------------------------------------------.5.13.2.87 3.98 3.8.7.6.92 3.3.1. Pojačala s unipolarnim tranzistorima ----------------------------------------------------------122 4.14.1.2. Operacijska pojačala ----------------------------------------------------------------------------134 4.12.2.78 3. Povratna veza ------------------------------------------------------------------------------------131 4.2. Pojačalo u spoju zajedničkog uvoda (ZS)-----------------------------------------------122 4.1.1.8.86 3.4.3.7. Naponsko sljedilo --------------------------------------------------------------------------140 4.3. Nadomjesni sklopovi bipolarnih tranzistora-------------------------------------------------. Bipolarni tranzistori -----------------------------------------------------------------------------. Računanje u decibelima -------------------------------------------------------------------107 4.84 3.1.4.8. Pojačalo u spoju zajedničke upravljačke elektrode (ZG)------------------------------124 4. Invertirajuće pojačalo ---------------------------------------------------------------------137 4.16. Usporedba poluvodičke i vakuumske diode --------------------------------------------------.76 3.19.1. Pojačala -------------------------------------------------------------------------------------------105 4. Strujni i naponski izvori-------------------------------------------------------------------107 4. Kaskadna pojačala -------------------------------------------------------------------------------125 4. Strujno zrcalo ------------------------------------------------------------------------------------129 4.1.2.7.76 3.85 3.11.7. Ograničenje snage u poluvodičkim diodama -------------------------------------------------.8. Diferencijalno pojačalo -------------------------------------------------------------------138 4.9.8.2. Ograničenja rada i prednosti unipolarnih tranzistora---------------------------------------103 4.6.8.5. Vakuumska trioda ------------------------------------------------------------------------------.8.15.5.1. Pojačala s bipolarnim tranzistorima -----------------------------------------------------------118 4.3.94 3.

Razinom okidani bistabili-----------------------------------------------------------------157 5.8.9. Bridom okidani bistabili ------------------------------------------------------------------160 Literatura . Logika zajedničkog emitera (ECL) ------------------------------------------------------153 5. RC oscilator realiziran pomoću operacijskog pojačala --------------------------------143 5. Diodna logika (DL) ------------------------------------------------------------------------151 5. MOSFET (MOS) --------------------------------------------------------------------------154 5.2.2.2.2. Logički sklopovi ---------------------------------------------------------------------------------145 5.3.8. Tehnike realizacije logičkih sklopova ---------------------------------------------------------147 5. Sekvencijalna logika ----------------------------------------------------------------------------155 5.1.1.5.4.6.2. Tranzistor-tranzistor logika (TTL)-------------------------------------------------------152 5.2.3.2.3. Otpornik – tranzistor logika (RTL) ------------------------------------------------------150 5. Digitalna elektronika 5.2. Derivator ------------------------------------------------------------------------------------142 4.8.7.2. Diodno-tranzistorska logika (DTL) ------------------------------------------------------152 5.3. Komplementarni MOSFET (CMOS) ----------------------------------------------------155 5.2.4.1.

.

2) gdje je m0 masa mirovanja promatrane čestice. gore napisane vrijednosti za masu pojedine čestice ne vrijede. kada brzina gibanja više nije zanemariva u odnosu na brzinu svjetlosti. potrebno je poznavati i brzine te akceleracije promatranih čestica. dok je masa protona i neutrona za 1839 puta veća od mase elektrona. Putanje nabijenih čestica u elektrostatskim poljima su slične putanjama predmeta u gravitacijskom polju. v je brzina čestice. Kod velikih brzina kretanja čestica. Elektron iz stanja mirovanja može pokrenuti električna sila. U većini primjena se uzima nekorigirana vrijednost mase jer su brzine gibanja čestica relativno male. ČESTICA elektron neutron proton NABOJ qe = -1. Za razliku od gibanja u prostoru. a naročito pod dinamičkim promjenama električnog i magnetskog polja. analitičko određivanje putanje elektrona u jednodimenzionalnim elektrostatskim i magnetskim poljima je razmjerno jednostavno.67 x 10-27 kg mp = 1839 x me = 1. onda na njega mogu djelovati električne i magnetske sile. Elektronska balistika je pojam koji vezujemo uz ovakva razmatranja i njena zadaća je određivanje trajektorija nabijenih čestica u tim poljima. a predznakom suprotan naboju elektrona. Masa iona nekog elementa dana je izrazom: mI = a ⋅ mP (1.1.1 x 10-31 kg mn = 1839 x me = 1. .) gdje je a atomska težina promatranog elementa. Sličnost gibanja elektrona u elektrostatskim poljima i gibanja zrake svjetlosti kroz optička sredstva koristi se za analizu gibanja u elektronskoj optici. tj. najčešće elektrona.1. Tada treba uzeti u obzir relativističku korekciju za masu pa dobivamo slijedeći izraz: m= m0 ⎛v⎞ 1− ⎜ ⎟ ⎝c⎠ 2 (1. onda promjenu njegovog stanja može izazvati i magnetska sila.V. a ako se giba. Nabijene čestice u električnom i magnetskom polju 1. Ako elektron promatramo kao nabijenu materijalnu česticu. iznosom jednak. promatrat ćemo gibanje nabijenih čestica u električnim i magnetskim poljima. a c = 3⋅108 m/s je brzina svjetlosti. Uvod i osnovni pojmovi U ovom poglavlju. Ubrzanje je moguće jedino djelovanjem sila.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 1 1.6 x 10-19 C [As] 0 qp = -qe = 1. Osim trajektorija.6 x 10-19 C [As] MASA me = 9. odatle je i porijeklo termina elektronska balistika. dakle.67 x 10-27 kg Naboj protona je.

dakle ima kinetičku energiju E K = mv 2 .V.4) možemo napisati sustav od 3 skalarne jednadžbe . tj. j . na nju djeluje sila koja je proporcionalna jakosti električnog polja: Za elektron vrijedi omjer r r F = q⋅E (1.1). Kada se nabijena čestica mase m i naboja q nalazi u električnom polju. tj.2. Da bi 2 čestica dobila brzinu. Česticu možemo ubrzati na dva načina: djelovanjem fizičke sile na masu djelovanjem električne sile na naboj − qe C = 1.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 1. Čestica može biti u stanju 1 mirovanja ili gibanja određenom brzinom. Utjecaj gravitacijske sile na gibanje zanemarujemo. Temeljem relacija (1. r ma r r F = qE m q Slika 1. mora biti ubrzana.4) ( ) r r r gdje su i .1. Pošto je ova čestica promijenila stanje gibanja (pokrenuli smo je iz stanja mirovanja). Nabijena čestica u elektrostatičkom polju 2 Promotrimo gibanje elektrona ili neke druge čestice u vakuumu. Nabijena čestica u električnom polju U stanju ravnoteže je r r ma = qE r q r a= E m r q r r r r r axi + a y j + az k = Exi + E y j + Ez k m (1. mora se javiti Newtonova sila reakcije r r ma gdje je a akceleracija (Slika 1. sila na naboj je 1011 puta manja od sile na me0 kg masu (ona sila koja će pokrenuti elektron). Na nju djeluje sila F . k jedinični vektori.76 ⋅ 1011 . na nju mora djelovati neka sila.3) r Zamislimo česticu mase m i naboja q.

5) možemo odrediti putanju čestice u parametarskom obliku.7) Ponovimo još jednom.5) Temeljem sustava jednadžbi (1. ove jednadžbe vrijede za slučaj gibanja čestice u elektrostatskom polju. polje je određeno gradijentom električnog potencijala U (usmjereno je od točaka većeg ka točkama manjeg potencijala.6) (1. z )     x i  y j  z k    U Ex   x U Ey   y U Ez   z odakle slijedi d 2x q U  2 m x dt 2 d y q U  2 m y dt d 2z q U  2 m z dt (1. U1 m. u smijeru negativne derivacije potencijala):   U  U  U   E   gradU ( x.Papić: Predavanja iz osnova elektronike q ax  Ex m q ay  Ey m q az  Ez m d2 q d q x  Ex vx  Ex 2 m dt dt m 2 d q d q → vy  Ey → y  Ey 2 dt m m dt 2 d q d q vz  Ez z  Ez 2 dt m m dt 3 (1. Pošto se promatra čestica u elektrostatskom polju tj. polje se ne mijenja u vremenu.2. y. Čestica u konzervativnom polju  v1 T2  v2 . q t2 .V. tj. s vremenom t kao parametrom. T1 m. U2 Slika 1. q t1 .

V. ako želimo česticu iz stanja mirovanja i točke nultog potencijala dovesti u točku T2. onda je v2   2 q U2 m (1. Ako je polje konzervativno. 1 2 1 mv 2   qU 2  U 1   mv12 2 2 2q U 2  U 1  v 2  v12  m Ako u t1 = 0 vrijedi: v1 = 0 i U1 = 0. možemo dobiti izraz za krajnju brzinu.8) kinetička energija potencijalna energija (naboj x potencijal) Temeljem gornje jednadžbe. onda u točki T2 potencijal U2 mora biti pozitivan (tj.2). onda je u tome polju zbroj energija u vremenskom trenutku t1 jednak zbroju energija u vremenskom trenutku t2. ukoliko se obje promatrane točke nalaze na trajektoriji kojom se giba nabijena čestica (Slika 1. .Papić: Predavanja iz osnova elektronike 4 Imamo još jednu mogućnost promatranja ovog fenomena. v2. Za situaciju kad pokrećemo elektron iz stanja mirovanja: 1 2 mv 2  qU 2 2 (EK  EP ) (1. Zbroj energija je suma kinetičke i potencijalne energije čestice pa možemo pisati: 1 2 1 2 mv1  qU 1  mv 2  qU 2 2 2 (1. za jedinicu energije se obično uzima elektronvolt (eV).11) Zbog općenito vrlo malih iznosa energija elektrona. a opći oblici jednadžbi vrijede i za ione pa se numeričke vrijednosti za njih mogu dobiti uvrštavanjem njihovog iznosa za masu i naboj.10) Temeljem jednadžbe (1. Nadalje ćemo promatrati isključivo gibanje elektrona.6  10 19 J .10) slijedi da. dok je za pozitivno nabijene čestice potrebno U2 < 0. Dakle: 1eV  1.9) (1. U2 > 0) ako je čestica negativno nabijena. Jedan eV predstavlja kinetičku energiju elektrona koji je iz stanja mirovanja ubrzan potencijalnom razlikom od 1 V.

a) b) Slika 1.3). s brzinom vk u smijeru električnog polja.14) . d – udaljenost između elektroda.3. pa ga polje ubrzava. Ua – napon baterije) b) Raspodjela potencijala između dvije ravne i paralelne elektrode Baterija s naponom Ua omogućava stvaranje elektrostatskog polja između pločastih elektroda. tj. Elektron može biti u mirovanju.7) je: q U d 2x  0  a 2 dt m0 d Nakon integriranja dobijemo q U dx  v   0  a t  C1 dt m0 d (1. a – anoda. Električno polje je usmjereno od točaka većeg potencijala (anodi) prema točkama manjeg potencijala (katodi) i može se opisati slijedećom jednadžbom:   E  Ex  i .2.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 1.13) (1. diferencijalna jednadžba gibanja (vidi jednadžbu 1. Elektron u homogenom elektrostatskom polju 5 U homogenom polju nema prostorne promjene jakosti polja.V. dakle nema promjene jakosti polja ni na putanji kojom se giba elektron.12) Ukoliko je elektron u trenutku t = 0 emitiran iz katode čiji je potencijal odabran kao referentan. ili može ulijetati u polje različitim brzinama (razni smjerovi i iznosi). jednak nuli.1. Elektrostatsko polje između pločastih elektroda a) Konfiguracija elektroda (k – katoda. Takva polja se formiraju u prostoru između dvije bliske pločaste elektrode (Slika 1. Ex   U U   Ex hogomogeno  derivacija konstantna   a x d (1.

  Primjer: Neka elektron s brzinom va  va i uđe u homogeno elektrostatsko polje.15) a integriranjem (1. a koji je u slučaju homogenog polja određen relacijom U ( x)  Ua x d (1. Ovakvo gibanje je uzrokovano konstantnom silom uslijed električnog polja i možemo reći da je gibanje analogno gibanju predmeta u gravitacijskom polju. U ovom slučaju je trajektorija pravac. pa tako ni promjena položaja u tim smjerovima.  E  E  konst.16) proizlazi da brzina raste linearno s vremenom. Kada je početna brzina proizvoljno orijentirana.15) dobivamo i položaj elektrona u trenutku t (konstanta C2 = 0): q0 U a t 2 x    vk t m0 d 2 (1.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 6 Budući da je u trenutku t = 0 početna brzina v = vk . .15) i (1. pa je brzina elektrona: q U dx  v   0  a t  vk dt m0 d (1.V.16) Konstanta integracije C2 u ovom slučaju iščezava.18) pa kombiniranjem posljednje dvije jednadžbe dobijemo poznati (vidi 1. a prijeđeni put (x) raste kvadratično s vremenom.19) gdje je U(x) potencijal na bilo kojem mjestu unutar ploča. jer je početna brzina u smjeru polja. Smijer kretanja elektrona (paralelno s osi x) je okomit na homogeno elektrostatsko polje paralelno s osi y. trajektorija elektrona će biti parabola. Iz jednadžbi (1. Ukoliko je početna brzina vk = 0. Potrebno je pronaći jednadžbu putanje elektrona. slijedi C1=vk . a ovisan o potencijalu unutar ploča: v  2q0 U ( x) m0 (1.17) x (1. možemo napisati slijedeće jednadžbe gibanja v q U dx  0  a t dt m0 d q0 U a t 2   m0 d 2 (1. jer se za t = 0 elektron nalazi na katodi gdje je x = 0.20) Za promatrani slučaj nema brzine u y i z smjeru.10) izraz za brzinu neovisan o vremenu.    E  E y  ( E ) j .

a dalje se giba tangencijalnom brzinom  v 2 po pravcu. sastavljeno od vertikalnog i horizontalnog otklona daje neku rezultantnu krivulju. Što je manje zadovoljen uvjet tp << T.Papić: Predavanja iz osnova elektronike  U  E   gradU   j y  U E  y 2 d x qe  0 dt 2 me 0 7 ' x  C1' t  C 2 q d 2 y qe   E y  e  ( E ) 2 dt me 0 me 0 d 2 z qe  0 dt 2 me 0  y  qe t 2 ' E  C1'' t  C 2' 2 me 0 ' z  C1''' t  C 2'' U početnom trenutku (t = 0) vrijedi x = y = z = 0 .4) trebalo bi biti toliko malo (tp << T) da nam električno polje bude praktično konstantno za trajanja tp. Rezultantno gibanje. C1  0 (jer je vy = 0)  y  me 0 me 0 2 2 Za z komponentu možemo pisati: ' ' z  C1''' t  C 2'' u t = 0. ali ako su zadovoljeni određeni uvjeti možemo aproksimativno uzeti da se elektron giba u elektrostatskom polju. odnosno. z = 0  C 2''  0. vy = vz = 0. Na elektron u gibanju se može djelovati elektrostatskim poljem.V. x = 0  C 2  0. Promjenom napona između otklonskih pločica mijenjamo i veličinu otklona elektrona. Električno polje između otklonskih pločica je u stvarnosti promjenjivo u vremenu. a otklon je po vertikali. za mrežu frekvencije 50 Hz osnovni period iznosi T = 20 ms. Ako otklonske pločice zarotiramo oko osi x za 90° imamo otklon po horizontali u ±z smjeru. Vrijeme preleta (tp) kroz polje (Slika 1. v X  v a  C1'  x  v a t Za y komponentu možemo pisati:  qe t 2  qe t 2 '' '' '' '' E y E  C1 t  C 2 u t = 0. y = 0  C 2  0.21)  qe t   t  y E  va m e 0 2v a me 0 2 2 Dakle. v Z  0  C1'''  z  0 Dobili smo sustav: x  va t   qe x 1  y E 2 x 2 (parabola okrenuta prema gore) (1. vx = va . Za x komponentu možemo pisati: ' ' x  C1' t  C 2 u t = 0. Na primjer. greška u . do izlaska iz polja elektron se giba po paraboli. elektron se otklanja. da je promjena napona (pa tim i polja) zanemarivo mala za trajanja tp u odnosu na promjenu tijekom perioda T.

4.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 8 mjerenju će biti veća. elektronski top. pa osciloskopi imaju neku graničnu frekvenciju iznad koje više ne mogu mjeriti.6 prikazani su bitni sastavni dijelovi katodne cijevi. Najbolje je kad se rade od metalnih oksida jer je tada potrebna niža temperatura za izbijanje elektrona. Elektroni se otpuštaju zagrijavanjem. Krug s izvorom napona Uf zagrijava žicu katode (Slika 1. Katoda nam daje elektrone (anoda ih ubrzava). . Kroz rupu na anodi prolazi uski snop elektrona ubrzanih pozitivnim naponom anode.5. To su specijalno strukturirana elektrostatska polja sa svrhom fokusiranja elektronskog snopa. Uf + K A vA bokocrt - + Ua Slika 1. Prije su se katode izrađivale od volframa. Otklon elektrona u katodnoj cijevi U prethodnom poglavlju.2. otklonske pločice i 3. 2. Utjecaj vremena preleta elektrona na mjerenje Dodatak : Elektronski top Potreban nam je neki metal koji će davati elektrone.V. Oko katode se stvara oblak elektrona koji biva povučen od anode. Slika 1. Taj proces nazivamo termionska emisija elektrona iz metala. zaslon sa slojem fosfora. a to su: 1. Što je veća frekvencija. Elektronski top 1. Fokusiranje elektrona se obavlja elektronskim lećama.2. greška je sve veća. primjeru i dodatku opisano je djelovanje elemenata koji su osnova katodne cijevi.5). Na slici 1.

Papić: Predavanja iz osnova elektronike 9 Slika 1. To izgleda kao metalni prsten oko ekrana (metalizacija).22) l ⎛ ⎞ Sa slike 1. y1) i T2 ⎜ L + . Kad ne bi bilo otpornika. tj. Po dogovoru je + tamo gdje struja ulazi u otpornik. mijenjamo izgled slike na ekranu.21) proizlazi y= − qe U D 2 x 2 me 0 2dv a −q va = 2 e U a me 0 ⇒ y= UD 2 x 4dU a (1.V.19) i (1. Izvor elektrona (A) moramo dovesti na isti potencijal koji pretpostavljamo da vlada po sredini sustava otklonskih pločica. Između katode i anode stvara se elektrostatičko polje uslijed kojeg se elektron privlači ka pozitivnoj anodi. Ua je napon kojim ubrzavamo elektrone. Iz (1. Odredimo točke T1 i T2. Otklon elektrona u katodnoj cijevi Katoda je napravljena od metalnog oksida koji ima veliku izdašnost pri termionskoj emisiji.6. a UD je napon kojim otklanjamo elektrone. Kod izvora napajanja struja (po dogovoru) ide od plusa prema minusu. Otklonske pločice imaju svoj izvor napajanja (UD). Za zaštitu djelovanja vanjskih polja na tok elektrona. Kroz otpornik se stvara pad napona. d s ⎟ 2 ⎝ ⎠ . Građena je kao cijev unutar koje se nalazi žarna nit (Uf). Na taj način smo postigli da je potencijal anode isti kao potencijal na sredini polja između naponskih pločica. Pad napona je u našem slučaju isti na oba otpornika.6 možemo očitati koordinate točke T1(l. onda bi polje između pločica bilo potpuno neovisno o polju između A i K. često se ekran spaja s anodom (daje mu se pozitivni potencijal +Ua).

uvrstimo T2 ⎜ L + . d s ⎟ u jednadžbu: 2 ⎝ ⎠ U Dl ⎛ l ⎞ U Dl 2 dS = ⎜L + ⎟− 2dU a ⎝ 2 ⎠ 4dU a dakle apsolutna vrijednost vertikalnog otklona računa se iz izraza dS = U D lL 2dU a (1. Ovaj višak energije akumulira se u atomu tako što elektroni iz elektronskih ljuski prelaze u viša energetska stanja tj.24) r Što je veći anodni napon. objasnimo pojavu svijetle točke na ekranu do koje dolazi uslijed sudara elektrona s površinom ekrana. Neka stanja elektrona su nestabilnija od drugih.23). pri čemu se oslobađa kvant energije foton. manja je osjetljivost (veći Ua ⇒ veća v a ⇒ manji utjecaj električnog polja ⇒ manji otklon). Na kraju. . a definira se kao vrijeme koje protekne od prestanka pobude do pada intenziteta emitirane svjetlosti na 10% početne tj. Osjetljivost katodne cijevi S definira se kao omjer otklona i otklonskog napona: S= dS lL = U D 2dU A (1. dužina pločica i udaljenost pločica od zaslona veći. a napon ubrzanja i razmak pločica manji. za razliku od fosforescencije koju izaziva vraćanje nešto stabilnijih elektrona na niže energetske nivoe. Ovakvo stanje elektrona je nestabilno i on se teži vratiti na niži energetski nivo. predaje mu dio svoje energije.23) Kao što slijedi iz jednadžbe (1. Kada elektron pogodi atom fosfora ili nekog materijala.V. maksimalne vrijednosti. Važna veličina koja opisuje ovu pojavu je perzistencija materijala. Pojava emitiranja svjetlosti koja nastaje kao posljedica vraćanja jako nestabilnih elektrona u svoje ljuske naziva se fluorescencija. otklon će biti to veći što su otklonski napon. u elektronske ljuske s većom energijom.Papić: Predavanja iz osnova elektronike y1 = UD 2 l 4dU a 10 pa je koeficijent smjera u T1 ′ y1 = U Dl 2dU a ′ tangenta: y t = y1 x + b U Dl 2 U l U l2 U l U l2 = D l + b ⇒ b = − D ⇒ yt = D x − D 4dU a 2dU a 4dU a 2dU a 4dU a l ⎛ ⎞ pošto je i T2 na tangenti.

sila koja djeluje na nabijenu česticu okomita je na smjer gibanja čestice i na magnetsko polje. . Nabijena čestica u magnetostatskom polju 11 Sila kojom magnetsko polje djeluje na nabijenu česticu je r r r F = qv × B (1. energija nabijene čestice se prolaskom kroz magnetostatsko polje ne mijenja. uslijed prirode vektorskog produkta. proizlazi da sila na nabijenu česticu iščezava ukoliko se čestica giba u smjeru polja. Dakle. r i r r v × B = vx Bx r j vy By r k r r r v z = i (v y B z − v z B y ) + j (v z B x − v x B z ) + k (v x B y − v y B x ) Bz (1.3.26) Iz jednadžbe (1. Uslijed djelovanja sile čestica dobije ubrzanje r r F = ma ⇒ r q r r a = v×B m (1.27) a= r r q r i (v y B z − v z B y ) + j ( v z B x − v x B z ) + k ( v x B y − v y B x ) m [ ] (1. v (m/s) i B (T).28) rastavi na komponente. dobivaju se slijedeće jednadžbe za gibanje elektrona u magnetskom polju.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 1.V. Sila je u njutnima ako su i ostale jedinice dane u MKS sustavu: q (As).26).25) r r gdje je v × B vektorski produkt brzine elektrona i magnetske indukcije.28) Ukoliko se jednadžba (1. u pravokutnom koordinatnom sustavu: ⎫ d 2x q = (v y B z − v z B y )⎪ 2 m dt ⎪ 2 ⎪ d y q = (v z B x − v x B z )⎬ 2 m dt ⎪ 2 ⎪ d z q = (v x B y − v y B x )⎪ dt 2 m ⎭ (1.29) Budući da je smjer sile uvijek okomit na smjer brzine i polja.

Obodna brzina će biti konstantna. z F v y B X Slika 1. Nabijena čestica u magnetskom polju ne dobiva dodatnu kinetičku energiju. Magnetsko polje samo krivi putanju čestice. Uvrstimo poznate vrijednosti u jednadžbu (1. Ovo je jednoliko gibanje. F = Fj . Primjer ponašanja čestice u magnetostatskom polju – početni uvjeti r r r r r Općenito znamo da je v = v x i + v y j jer je B = − Bk . To vrijedi ako se mijenja samo smjer akceleracije.V. a kinetička energija je određena isključivo početnom brzinom v. m.29): ⎫ d 2x q = (− v y B )⎪ 2 m dt ⎪ 2 ⎪ d y q = (v x B ) ⎬ 2 m dt ⎪ 2 ⎪ d z q = ⋅0 = 0 ⎪ dt 2 m ⎭ ⎫ d 2x q = − v y B⎪ 2 dt m ⎪ 2 ⎪ d y q = vx B ⎬ 2 dt m ⎪ 2 ⎪ d z =0 ⎪ dt 2 ⎭ (1.30): .7 je prikazana nabijena čestica koja s brzinom v uđe u homogeno magnetsko polje.30) r q r r r q a = v × B ⇒ a = vB = a m m (1. Gornje tvrdnje dokažimo integriranjem izraza (1. r r r r Za primjer na slici imamo da u trenutku t = 0 vrijedi v = v x i tj.7.31) U gornjim jednadžbama q. v i B su konstantne veličine.Papić: Predavanja iz osnova elektronike Primjer: Kružna putanja 12 r Na slici 1.

čiji je radijus r= y mv = konst. qB (1. C 2 = 0 .33) q xB m vz = 0 Pošto se ukupna brzina (kinetička energija) ne mijenja.35) (0.V. v y = v z = 0 ⇒ C1 = v .Papić: Predavanja iz osnova elektronike 13 vx = − vy = q yB + C1 m (1. možemo pisati 2 2 v = vx + v y dakle.32) q xB + C2 m v z = C3 Uvrštavanjem početnih uvjeta u t = 0 ⇒ x = y = z = 0. C3 = 0 .34) Jednadžba (1. v x = v . Rezultantna putanja čestice .r) F B v X Slika 1. ⎞ ⎞ ⎛q ⎛q 2 ⎜ xB ⎟ + ⎜ yB − v ⎟ = v ⎠ ⎝m ⎠ ⎝m ⎛ ⎛ mv ⎞ mv ⎞ ⎟ =⎜ x +⎜y− ⎜ ⎟ ⎜ qB ⎟ ⎟ qB ⎠ ⎝ ⎝ ⎠ 2 2 2 2 2 (1. vx = − vy = q yB + v m (1.34) je zapravo jednadžba kružnice po kojoj se čestica giba.8.

V. 2) Nabijena čestica se u magnetskom polju kreće jednolikim kružnim gibanjem čija ravnina se nalazi okomito na magnetsku indukciju. v qB ω= = r m ω ≠ f (v) .Papić: Predavanja iz osnova elektronike 14 Prethodne zaključke (1.35) mogli smo dobiti i postavljanjem samo osnovnih jednadžbi F = qBv = ma te uzimajući u obzir da je sila magnetskog polja ustvari centripetalna sila koja zakrivljuje putanju čestice: mv 2 = qBv r Iz jednadžbe (1.1. nije ovisna o brzini v. 3) Radijus je konstantan. 1.68 ⋅ 10 −12 B 11 ω = 1. . Elektron u homogenom magnetostatskom polju S obzirom na prethodno dobivene izraze za ponašanje čestice u homogenom magnetostatskom polju možemo pisati slijedeće izraze v r = 5. 4) Kutna brzina.57 ⋅ 10 −11 f = 2.3.76 ⋅ 10 B T = 3. ili je prisutan i neki njegov izotop. odnosno vrijeme ophoda.34) i (1. a za vrlo jake magnete 15-20 T. ali je funkcija brzine. Na ovaj način možemo odrediti da li se neki element nalazi sam.kutna brzina ne ovisi o brzini Period rotacije možemo pisati kao T= 1 2π 2π 2πm = = = ≠ f (v ) ω f 2πf qB Prethodna razmatranja o ponašanju nabijene čestice u magnetskom polju možemo sažeti u četiri tvrdnje: 1) Nabijena čestica u magnetskom polju ne dobiva dodatnu kinetičku energiju.35) možemo zaključiti da će radijus zakrivljenosti putanje ovisiti o masi čestice. Magnetsko polje samo krivi putanju čestice.8 ⋅ 1010 B 1 B Uobičajene vrijednosti indukcije su oko 10 T.

Derivirajmo (1.36) Za elektron možemo pisati: x2 + (y + r) = r 2 2 (1. a znamo da je q e < 0 .37) po x –u: 2 x + 2( y + r ) y ' = 0 y′ = − x y+r y = y1 .V.37) jer je iz (1.y1) i T2(l/2+L. Za slučaj prikazan slikom.3.polje y qE mE0 va b T1(l.35) r = me 0 v a . ako iz (1.9) homogeno magnetostat. Otklon elektrona pomoću magnetostatskog polja I u ovom slučaju vrijeme preleta mora biti vrlo malo. Za trajektoriju čestice u homogenom magnetskom polju općenito možemo pisati: x2 + (y − r) = r 2 2 (1. x =l ′ yT1 = − l y1 + r Također. Katodna cijev s otklanjanjem pomoću magnetostatskog polja 15 Jedna od važnih primjena kružnog gibanja je magnetski otklon elektrona u katodnoj cijevi (Slika 1. qe B potrebno je odrediti jednadžbu pravca koji prolazi točkama T1(l. sinusno mijenja).9.37) eksplicitno napišemo y: . pretpostavljamo da se radi o strogo ograničenom magnetskom polju (to inače nije točno). inače ne možemo govoriti o magnetostatskom polju (magnetsko polje se.y1) ds l L T2(l/2+L. Pošto želimo odrediti otklon elektrona ds.ds) EKRAN x dio kruznice Slika 1.ds).2.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 1. kao i električno.

9) da je r > l.38) y = −r ± r 2 − x 2 Dva moguća rješenja predstavljaju gornju i donju točku presjeka kružnice (u našem slučaju ona predstavlja kružnicu po kojoj se elektron otklanja u magnetostatičkom polju) s pravcem paralelnim s osi y (u našem slučaju pravac odgovara desnom rubu polja).40) l2 l2 l2 l2 l2 l2 l y = − x + b ⇒ b = y1 + = − r + r 2 − l 2 + = −r + r 1 − 2 + ≈ − r + r + = r r r r r r r dakle b≈ l2 l l2 ⇒ y ≈− x+ r r r (1. Kako pretpostavljamo (a tako je prikazano i na slici 1. Uvrstimo li vrijednosti koordinata točke T1 dobijemo: ⎛m v m v y1 = − r + r − l = − e 0 a + ⎜ e 0 a ⎜ q B qe B ⎝ e 2 2 ⎞ ⎟ −l2 ⎟ ⎠ 2 (1.19) možemo pisati .42) (1.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 16 (1. za rješenje uzimamo gornju točku presjeka kružnice s pravcem. kad uvrstimo koordinate točke T2.43) Poznavajući ovisnost početne brzine elektrona i anodnog napona (1. vrijedi: l⎛ l ⎞ l 2 l 2 lL dS ≈ − ⎜ L + ⎟ + = − r⎝ 2 ⎠ r 2r r l 2 << lL ⇒ d S ≈ − dS ≈ lL r lLq e B dS = me 0 v a lL r (1.41) pa.39) Uvijek je r >> y1 . dakle onu u kojoj je y vrijednost manje negativna.V. pa vrijedi ′ yT ≈ − l r (1.

.44) Osjetljivost je jednaka omjeru otklona i indukcije S= 1 q dS 1 = lL − e ⋅ 2 me 0 B Ua (1. tada će rezultantna putanja elektrona imati oblik zavojnice. dok se u TV i radarskim uređajima koji zahtijevaju znatno veće napone Ua koriste katodne cijevi s magnetskim otklonom. a za veće napone koristimo katodnu cijev s magnetostatskim (za koju vrijedi S ~ Ua otklonom zbog manjeg utjecaja Ua. Napomena: gornji izvod mogao se pojednostavniti polazeći od pretpostavke da za male l d kutove otklona vrijedi tgθ = = S (slični trokuti). r L r Ako smjer početne brzine elektrona v a prilikom ulaska u magnetostatsko polje nije okomit na r smjer magnetske indukcije B .45) dakle. S ~ Ua . U osciloskopu se koriste katodne cijevi s elektrostatskim otklonom. Ukupna putanja biti će superpozicija kružnog gibanja elektrona uslijed komponente brzine r r okomite na B i gibanja uslijed komponente brzine paralelne s B koja se neće mijenjati s vremenom. Ako naponi nisu jako veliki.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 17 va = − 2 qe Ua ⇒ me 0 q q me 0 1 1 − = lLB − e ⋅ = lLB − e ⋅ 2q eU a 2me 0 U a 2me 0 Ua lLBq e dS = me 0 (1.V. Osjetljivost nam govori o tome kolika je veličina amplitude na ekranu. osjetljivost ne opada mnogo ni ako koristimo katodnu cijev s elektrostatskim otklonom 1 ).

dok homogeno električno polje pločastog kondenzatora čije su elektrode razmaknute za d. a zakretanje putanje magnetostatskim poljem. Da bi mogli ubrzati česticu moramo imati elektrostatsko polje.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 1. Električno polje će u pravcu svog djelovanja jednoliko ubrzavati nabijenu česticu što rezultira promjenljivim korakom zavojnice. Ovakva putanja rezultat je toga što magnetsko polje djeluje samo na onu komponentu brzine koja je na njega okomita. a brzina prema njima proizvoljno orijentirana.46) r q r r r a= E+v×B m ( ) (1. pa projekcija putanje na ravninu okomitu na smjer polja ima oblik kružnice. djeluje u smjeru negativne osi y. Općenito možemo pisati r r r r r F = ma = qE + qv × B pa slijedi (1. Gibanje nabijene čestice pod istovremenim djelovanjem elektrostatskog i magnetostatskog homogenog polja 18 Dosadašnja razmatranja temeljila su se na pretpostavci da nabijena čestica u polji ima neku brzinu. a između kojih je priključen napon U.48) Primjer: Putanja elektrona u obliku cikloide Promatrajmo putanju elektrona ako su električno i magnetsko polje međusobno okomiti kao što je prikazano na slici 1. Ubrzavanje se vrši elektrostatskim. Homogeno magnetsko polje indukcije B djeluje u smjeru negativne osi z. putanja čestice je zavojnica s promjenljivim korakom.47) što dalje možemo napisati posebno za svaku komponentu d 2x q = (E x + v y B z − v z B y ) dt 2 m d2y q = (E y + v z B x − v x B z ) m dt 2 2 d z q = (E z + v x B y − v y B x ) dt 2 m (1. Primjer korištenja elektrostatskog i magnetostatskog polja su akceleratori čija je osnovna svrha ubrzavanje čestica tj.10. Za specijalni slučaj kad su oba polja paralelna.V.4. davanje kinetičke energije. Brzina čestice u trenutku ulaska u polje jednaka je nuli. . Putanja čestice koja se giba u takvim kombiniranim poljima često je komplicirana jer ovisi o smjerovima električnog i magnetskog polja te o kutu što ga zatvaraju brzina čestice i ravnina u kojoj djeluju oba polja.

V.49) u (1. .Papić: Predavanja iz osnova elektronike z B d 19 E 0 y x0 ym x Slika 1. Primjer putanje elektrona u elektrostatskom i magnetostatskom polju Za naš slučaj možemo pisati r r r r E = jE y ⇒ E = − jE r r r r B = k B z ⇒ B = −k B Ex = Ez = 0 Bx = B y = 0 odnosno E y = −E Bz = − B Uvrštavanjem jednadžbe (1.50) (1.48) dobijemo q q dy d 2x = − e vy B = − e B 2 me me dt dt q dx d 2 y qe = ( Bv x − E ) = e ( B − E ) 2 me me dt dt d 2z =0 dt 2 (1.49) U prethodnim razmatranjima smo već zaključili da će trajektorija biti u XY ravnini (okomito na B i u ravnini s E) pa z komponentu iz jednadžbe (1.52) dalje nećemo razmatrati.51) (1.52) (1.10.

V.Papić: Predavanja iz osnova elektronike

20

Uvrštavanjem jednadžbe (1.53) u (1.51) i rješavanjem te diferencijalne jednadžbe dobije se rješenje za y, a nakon toga uvrštavanjem dy/dt u jednadžbu (1.50) i rješenje za x. Dakle, integriranjem (1.50), uz poznate početne uvjete t = 0; dx/dt = 0; dy/dt = 0; dz/dt = 0; x = y = z = 0 dobijemo
q dx = − e By dt me

(1.53)

pa uvrštavanjem u (1.51) možemo napisati
qe U d 2 y ⎛ qe ⎞ 2 +⎜ y 2 ⎜ m B ⎟ y = − m d ili && + a y = b ⎟ dt e ⎝ e ⎠
2

što je nehomogena diferencijalna jednadžba drugog reda s konstantnim koeficijentima. Konačni izraz, uzimajući u obzir početne uvjete glasi:
x= ⎛ qe B qe B ⎞ ⎜ ⎟ ⎜ m t − sin m t ⎟ e ⎠ ⎝ e ⎞ mU ⎛ q B y = e 2 ⎜ cos e t − 1⎟ ⎟ ⎜ me q e dB ⎝ ⎠ meU q e dB 2

(1.54)

z=0

gibanja u smjeru osi z nema, jer nema početne brzine ni električnog polja u tom smjeru. Gibanje opisano jednadžbom (1.54) predstavlja cikloidu u ravnini XY. Koordinata x stalno raste s vremenom i srednja brzina kojom se elektron duž te osi giba jednaka je U/(dB). Koordinata y se kreće stalno između nule i maksimalne vrijednosti. Zanima nas maksimalna vrijednost:
qe B t = +1 ⇒ y = 0 me mU q B za cos e t = −1 ⇒ y = −2 e 2 = y max me q e dB

za cos

Ako želimo da elektron dira elektrodu (kritična magnetska indukcija):
y max = d 2meU m 1 =d⇒d = 2 eU 2 B qe q e dB Ako nas zanima na kojem mjestu (x) će elektron dodirnuti anodu (ili imati maksimum), onda je
cos(2k + 1)π = −1 ⇒
qe B t = (2k + 1)π me k = 0,1,2,...

V.Papić: Predavanja iz osnova elektronike za k = 0 je t =

21

πme
qe B
x=

vrijeme nastupanja prvog maksimuma pa je
meU qe dB 2 ⎛ q e B πme q e B πme ⎞ meU ⎜ ⎜ m ⋅ q B − sin m ⋅ q B ⎟ = q dB 2 (π − 0 ) ⎟ e e e ⎝ e ⎠ e x= meπ U q e dB 2

1.5. Elektrostatske leće

Promatrajući ponašanje zrake svjetlosti i njenog loma prilikom prolaska kroz optički različita sredstva može se primijetiti sličnost s gibanjem elektrona u području promjenljivog potencijala u elektrostatskim poljima. Ovakva analogija omogućava nam pojednostavnjenje određenih problema u elektronici. Prisjetimo se Snellovog zakona (Slika 1.11):
sin β1 n 2 = sin β 2 n1

(1.55)

gdje su β1 i β2 kutovi koje tvori zraka svjetlosti s normalom na graničnu plohu, dok su n1 i n2 pripadajući indeksi loma.

Slika 1.11. Ilustracija Snellovog zakona Sada promotrimo što se događa s elektronom koji dolazi do granične plohe koja razdvaja dva područja različitih potencijala (Slika 1.12).

V.Papić: Predavanja iz osnova elektronike

22

 v1n

 v1t  v1

1

 E

T1 T2   2 v 2t   v2n v2
d

U1 U2

U 2  U1

Slika 1.12. Promjena smijera kretanja elektrona prilikom prelaska iz područja nižeg potencijala U1 u područje višeg potencijala U2. Plohe različitih potencijala (U1 i U2) nalaze se vrlo blizu (d je vrlo mali). Između njih je  elektrostatsko polje E . Polje uzrokuje promjenu kinetičke energije elektrona, i to samo one komponente brzine koja je paralelna s tim poljem (normalne). Tangencijalne komponente će ostati nepromijenjene prolazom iz točke T1 u točku T2. Iz slike 1.12 možemo izraziti iznose tangencijalnih komponenata brzine preko iznosa ukupnih brzina i kutova β1 i β2 , pa vrijedi:

v1t  v2t  v1 sin 1  v2 sin  2
ili analogno Snellovom zakonu iz jednadžbe (1.55)
sin  1 v 2  sin  2 v1

(1.56)

(1.57)

Brzina elektrona može se, kako je već pokazano, iskazati relacijom

v1  

2qe U1 me

2q v2   e U 2 me pa kombiniranjem jednadžbi (1.58) i (1.57) dobijemo
sin  1 U2  sin  2 U1

(1.58)

(1.59)

tj. ako je U 2  U 1   1   2 .

broj protona. Npr. Primjenom elektronsko-optičkog zakona loma u velikoj se mjeri olakšava određivanje trajektorija elektrona u elektrostatskim poljima. Maseni spektrometri uvijek rade s pozitivnim ionima.V. možemo saznati dali je čestica osnovni element ili izotop (više atoma koji imaju isti atomski broj tj. razlikuju ovisno o omjeru mase i naboja tih čestica m/q (prisjetimo se relacija 1. Maseni spektrometar Rad masenog spektrometra zasniva se na činjenici da se radijusi krivljenja putanja čestica ubrzanih potencijalom U. uz pomoć masenog spektrometra možemo saznati relativne udjele različitih elemenata u promatranom uzorku.35 i 1. Slično.10): r mv 2qU . v qB m  r2  2U m  B2 q Drugim riječima. možemo razlikovati mase različitih čestica (pod uvjetom da imaju isti naboj). Dodajmo da se. koje se nađu u magetostatskom polju B. .13). Ilustracija elektronsko-optičkog zakona loma Možemo zaključiti da će negativno nabijena čestica koja se kreće s plohe nižeg potencijala na plohu višeg potencijala skretati prema okomici (Slika 1. Primjene 1.1. Rad masenog spektrometra može se podijeliti u četiri koraka: Korak 1: Ionizacija Atom se ionizira izbacivanjem jednog ili više elektrona kako bi dobili pozitivni ion. ali različiti maseni broj).6.13. radi se o fokusirajućoj leći. potencijal u elektrostatskom polju mijenja kontinuirano. za razliku od diskontinuirane promjene indeksa loma u svjetlosnoj optici.Papić: Predavanja iz osnova elektronike U1  v 23 U2 U3 U1  U 2  U 3 F Slika 1.6. Dakle. ovisno o veličini radijusa r. 1.

Čestice u uzorku (atomi ili molekule) se bombardiraju tokom elektrona i neki sudari imaju dovoljnu energiju da izbiju jedan ili više elektrona iz nekih čestica što za posljedicu ima stvaranje pozitivnih iona.15. Korak 4: Detekcija Zraka iona koji prolaze kroz stroj električno se detektira.Masi iona (što su lakši to će biti više otklonjeni) .Papić: Predavanja iz osnova elektronike Korak 2: Ubrzanje Ioni se ubrzavaju kako bi imali neku kinetičku energiju. 24 Korak 3: Otklanjanje Ioni se otklanjaju magnetskim poljem ovisno o njihovoj masi. a grijač koji je napravljen od metalne zavojnice na koju je narinut napon. Što su lakši. pozitivno nabijena ploča.15.15. Dobijeni pozitivni ioni usmjeravaju se u drugi dio masenog spektrometra pomoću odbojnika iona koji je lagano pozitivno nabijen. Količina otklanjaja također ovisi i o broju pozitivnih naboja u ionu – drugim riječima.c): Različite ione magnetsko polje različito otklanja.14. Vaporizirani uzorak prolazi kroz ionizacijsku komoru. Srednji otvor je na nekom međunaponu. isijava elektrone koje privlači elektronski hvatač tj. Koliko će otklanjanje biti zavisi o: .b): Pozitivni ioni su odbijeni van iz vrlo pozitivne ionizacijske komore (+10000 V) i prolaze kroz tri otvora. Ubrzanje (Slika 1. o tome koliko smo elektrona izbacili u prvom koraku. više će se otklanjati.V. Osnovni elementi masenog spektrometra Ionizacija (Slika 1. više se otklanjaju. od kojih je posljednji na 0 V. Otklanjanje (Slika 1. Svi ioni su ubrzani u fino fokusiranu zraku. Akceleracija Ionizacija Elektromagnet U vakuumsku pumpu Vaporizirani uzorak Ogibanje Detekcija Pojacalo Prikaz Slika 1. Što je ion više nabijen.a): Vakuuum u cijevi je nužan kako bi se omogućilo da ioni dobiveni u ionizacijskoj komori u svom kretanju kroz stroj nigdje ne udaraju u molekule zraka. Najveći broj pozitivnih iona ima naboj +1 jer je mnogo teže izbiti elektrone iz već pozitivnog iona.

Promjenom magnetskog polja možemo postići promjenu veličine otklanjanja pojedinih tokova iona pa stoga možemo postići da nam do detektora stižu upravo željeni ioni. Najveći broj iona u spektrometru stoga zaista i ima jedinični naboj pa je omjer masa/naboj isti kao i masa iona. njegov naboj se neutralizira s jednim elektronom koji preskače iz metala na ion.V.c. Struja je dakle. Pojedine faze rada masenog spektrometra a) Ionizacija. Preostali ioni se sudaraju sa stijenkama gdje dobijaju elektrone i postaju neutralni. To ostavlja prazninu u metalu i elektroni se pomiču kako bi je popunili. Na primjer. omjer masa/naboj je 28. d) Detekcija Detekcija (Slika 1. Kad ion pogodi metalnu kutiju. proporcionalna s brojem pristiglih iona. Ova pretpostavka je opravdana. tok iona A se najviše otklanja – on sadrži ione s najmanjim omjerom masa/naboj. Moderni spektrometri imaju računalo koje kontrolirano povećava jakost magnetskog polja c) . s obzirom da je energija potrebna za ionizaciju atoma na način da više od jednog elektrona bude izbijeno daleko veća nego ona koja je potrebna za izbijanje samo jednog elektrona.15.d): Na slici je prikazano da samo tok iona B prolazi skroz kroz spektrometar i stiže u detektor iona. c) Otklanjanje. Proučavanje iona je jednostavnije ako pretpostavimo da je naboj svih iona 1+. Ion s masom 56 i nabojem 2+ će također imati omjer mase i naboja 28. Na slici 1. Na kraju.15. a) Tok iona B b) Elektromagnet Pozitivni ion Ulazni tok iona Tok iona C Tok iona A Tok iona B Metalna kutija Vod do pojacala elektroni d) Slika 1.15.Papić: Predavanja iz osnova elektronike - 25 Naboju iona (Ioni s 2 ili više pozitivnih naboja više se otklanjaju od onih s jednim pozitivnim nabojem) Ovi faktori kombinirani su u omjer masa/naboj q/m. Tok iona C se najmanje otklanja pa to znači da on ima najveći omjer masa/naboj. Magnetsko polje može se lako mijenjati mijenjanjem jakosti struje elektromagneta. ako neki ion ima masu 28 i naboj 1+. b) Ubrzanje. otklanjaju se iz masenog spektrometra pomoću vakuumske pumpe. Tok elektrona u metalnoj žici detektira se kao električna struja koja se može pojačati i snimiti.

Npr. električno polje koje se formira između cijevi A i B ubrzava česticu. pa mu se pridjeljuje maksimalni relativni intenzitet 100%. u uzorku je najviše zastupljen element sa m/q=106.14. a cijevi A i C negativno polarizirane. mjerenjem struja se može histogramom prikazati relativni udio pojedinih masa (ili. Slika 1. čime se postupno povećava brzina čestice. ako se promatra pozitivna čestica upravo izašla iz cijevi A (koja je pozitivno polarizirana). električno polje je nula.15). na slici 1.16. Prikaz rezultata na masenom spektrometru 1.6. Linearni akcelerator Linearni akceleratori su uređaji kod kojih se primjenjuju elektrostatska polja kao osnovna. tako da se čestica unutar cijevi nastavlja kretati istom brzinom. Pri tome za svaku postavljenu jakost magn. a magnetostatska kao pomoćna (ako su potrebna). Tijekom svake poluperiode čestice se ubrzavaju u međuprostorima. Faraday-ev kavez). električno polje . Frekvencija generatora je takva da je.V. Nakon što se B promijeni od nekog minimuma do maksimuma.17. točnije. Jakost struje proporcionalna je količini iona sa odgovarajućom masom. pozitivni ioni ili elektroni). Slika 1. polja B mjeri struju iona sa odgovarajućom masom (onih koji za definirano B uspijevaju doći do detektora). Linearni akcelerator Snop nabijenih čestica postupno se ubrzava u nizu cilindričnih cijevi priključenih na visokonaponski generator koji radi na visokoj frekvenciji (Slika 1. po izlasku čestice iz cijevi B. polaritet napona okrenut. Nakon ulaska u cijev B. "zaštićena" od djelovanja električnog polja. Npr.2. Cilj ovih uređaja je postizanje velikih ubrzanja nabijenih čestica (npr. Drugim riječima. m/q) u odnosu na neki maksimum. s obzirom da je unutrašnjost cijevi na istom potencijalu (predstavlja tzv. tako da je sada cijev B pozitivno polarizirana.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 26 od neke minimalne do maksimalne vrijednosti.

nalaze u homogenom magnetostatskom polju jakosti B.16.16. b). pretpostavit će se pozitivan naboj čestice i smijer magnetskog polja kako prikazuje slika.10).3. cijevi moraju biti vrlo duge (npr. Kako se vidi sa slike. VF generator između D1 i D2 stvara napon (razliku potencijala) na način da je D1 negativniji od D2 za napon U. Pri ovome djeluje i magnetsko polje koje će kriviti putanju. sve do konačne brzine. kako pokazuje slika 1. kao i procjep. b)). D-ovi (D1 i D2) koji zapravo predstavljaju tanki šuplji vodljivi valjak presječen po pola i razmaknut (slika 1. do utjecaja dolazi i zakrivljenost Zemlje pa se korekcija putanje vrši pomoću magnetskog polja. kada udara u metu. tj. Ciklotron Ciklotroni se također. te uleti u šuplji poluvaljak D1.V. te ga valja uzeti u obzir pri dimenzioniranju cijevi. b) D-ovi se nalaze u magn. nalazi se izvor nabijenih čestica.polje u procjepu između D-ova. ima brzinu 2q v  U (relacija 1. cijev B bi počela privlačiti česticu. npr. cijevi imaju progresivno veće dužine.6. kao i linearni akceleratori. Unutar D1 nema više djelovanja m . Nakon što čestica dođe do D1. 1.polju B Rad ciklotrona će se objasniti uz pomoć ilustracije sa slike 1. tj. Hamburg 33 km . te je usporavati (oduzimati joj energiju umjesto dodavanja!). U sredini. po izlasku iz B polaritet napona još nije okrenuo. Da bi se postigla velika kinetička energija. Ovo polje ubrzava pozitivno nabijenu česticu od D2 prema D1. Na početku (u t0=0) se pozitivno nabijena čestica ubaci u procjep između D-ova. Kada bi frekvencija generatora bila takva da se. koje stvaraju jaki elektromagneti između kojih su D-ovi smješteni.800 GeV). U uskom procjepu između D-ova se stvara jako el. kako bi se osigurala sinkronizacija između promjene polariteta izmjeničnog generatora (koji ima konstantnu frekvenciju. D-ovi se.18.16 prikazani su tzv. međutim put koji čestica prevali prilikom ubrzanja (u uskom procjepu) toliko je kratak da se ovo krivljenje putanje može zanemariti i uzeti da se u procjepu između D-ova giba pravocrtno.2) postaje nezanemarivo. Polovi elektromagneta Slika 1. Stanford 64 m – Ek = 660 MeV. sve do postizanja željene kinetičke energije. period) i pozicije čestice (koja putuje sve brže. Kod dovoljno velikih brzina povećanje mase (relacija 1. Na slici 1.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 27 opet ubrzava česticu i u prostoru između cijevi B i C.16. CERN Ek = 400 GeV. pa u istom vremenu prevaljuje sve veći put). polje usmjereno prema D1. Postupak se ponavlja i za sve sljedeće cijevi. između D-ova. a) nabijena čestica se postupno ubrzava pri svakom prolazu kroz el. Zbog velike dužine cijevi. koriste za ubrzavanje čestica. D-ovi su spojeni na visokofrekvencijski generator (VF) frekvencije f=1/T i nalaze se u čeličnoj komori iz koje je istisnut zrak. a).

2). Prednosti ciklotrona u odnosu na linearni akcelerator su slijedeće: potrebni su manji naponi zauzimaju manje prostora Nedostatci ciklotrona u odnosu na linearni akcelerator su slijedeći: konstantno krivljenje putanje čestice znači da postoji konstantna promjena komponenti brzine u ravnini zakrivljenja.60)  konst. jer se brzina čestice povećala. pa generator zadržava fiksnu frekvenciju. te sada iznosi v1= v0 +∆v= 2∆v. 1 VF generator ima fiksnu frekvenciju ( f   konst. tj. te dolazi do krivljenja putanje. kako pokazuje slika 1. ) i mijenja polaritet T napona. Ovo znači da će se vrijeme ophoda povećavati. polje. brzina joj se opet poveća za ∆v. čestica izađe iz D1 i opet upada u procjep. što izaziva elektromagnetsko zračenje . te se putanja čestice opet krivi. u točno određenim trenutcima (svako T/2).     konst.polja (Faradayev kavez). U trenutku t1=T/2. Međutim. Ciklotroni koji povećanje mase čestice kompenziraju smanjenjem frekvencije nazivaju se sinkrociklotroni. potrebno je i B povećati 2 puta. pa dimenzije elektromagneta mogu postati nepraktično velike - .Papić: Predavanja iz osnova elektronike 28 elektr.npr. ako se masa čestice povećala 2 puta. Po izlasku iz D2 (u trenutku t2=T) VF generator opet okreće polaritet napona D-ova. koje kod velikih brzina izaziva značajne gubitke energije koja se predaje čestici za postizanje velikih energija. tj. što znači da D2 postaje negativniji od D1 i el. Ovakav tip ciklotrona naziva se izokroni ciklotron.   2 f  konst. sada VF generator okreće polaritet napona (jer mu je frekvencija f=1/T. te se čestica nastavlja gibati brzinom v0=∆v. te je opet izložena djelovanju el. tj. ciklotronsko zračenje. već samo magnetsko. pa je. pri svakom djelovanju el. Međutim.  f  mv  r 2 m r r qB   Međutim.16 a)).polja.tzv. ali ovaj put po većem radijusu nego prije. D-ova.V. te se cijeli ciklus ponavlja. Nakon što dosegne D2. moramo uzeti u obzir i povećanje mase čestice sa brzinom. vrijeme potrebno čestici da napravi puni krug (koje mora biti podešeno tako da je isto kao period VF generatora T).    q  konst. Unutar D2 ne djeluje el. još djeluje magnetsko polje. Ovo znači da će se čestica opet početi ubrzavati. ali ovaj put prema D2. čestica se giba spiralno prema rubovima D-ova. kako bi pravovremeno došlo do okretanja polariteta D-ova. kako bi vrijeme ophoda ostalo isto. polja). značajno se povećaju dimenzije D-ova. polja i/ili polaritet naboja čestice). No vrijeme ophoda. uvijek ostaje isto (prisjetimo se: vrijeme ophoda čestice u magnetskom polju ne zavisi o brzini).. potrebno smanjivati frekvenciju generatora. polje je sada usmjereno od D1 ka D2. brzina čestice se poveća za ∆v. kako je pokazano na slici (razmisliti što bi bilo ako bi se obrnuo smijer magn. ako je potrebno postići vrlo velike energije (velike brzine). Danas se u pravilu koristi drugi način kompenzacije relativističkog povećanja mase: povećanje jakosti magnetskog polja B . pa je radijus sve veći. definirano relacijom (1. Pri svakom prolasku kroz procjep (tj. Ovo se lako može dokazati: v     B v r  v (1.

10. Zbog čega nabijena čestica u magnetskom polju ne dobija kinetičku energiju? 12. Koja je razlika u djelovanju magnetskih i električnih sila na elektron? 2. Na čemu se temelji rad masenog spektrometra? 20. Kako glasi Snellov zakon? 18. 17. Napišite izraz za ubrzanje nabijene čestice nastalo uslijed djelovanja magnetskog polja. Kada za neko polje kažemo da je elektrostatsko? 4. 19. Navedite primjer putanje elektrona koji se istovremeno nalazi u elektrostatskom i magnetostatskom polju. 13. O čemu ovisi osjetljivost kod katodne cijevi s magnetskim otklonom? 15. Izvedi izraz za brzinu nabijene čestice u konzervativnom polju. Što je osjetljivost i o kojim veličinama ona ovisi? 11. Za koje primjene koristimo katodne cijevi s otklonom pomoću elektrostatskog polja. Opiši trajektoriju nabijene čestice u magnetskom polju odgovarajućom jednadžbom. Koje su karakteristike homogenog elektrostatskog polja? 7. Koju jedinicu energije uobičajeno koristimo pri promatranju ponašanja nabijenih čestica u električnim i magnetskim poljima? 6. Što je vrijeme preleta i zašto je ono važno? 9. Izvedi izraz za brzinu i trajektoriju elektrona između dvije pločaste elektrode poznatog razmaka i napona među njima. Koja je razlika između linearnog akceleratora i ciklotrona? 22.V. Koja se sila javlja kao posljedica promjene stanja gibanja nabijene čestice uslijed djelovanja električnog polja? 3.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 29 Pitanja: 1. 5. Navedite osnovne dijelove katodne cijevi i njihovu funkciju. 14. Objasnite promjenu smjera elektrona prilikom prelaska iz područja višeg potencijala u područje nižeg potencijala i obratno. 8. Koji su osnovni dijelovi masenog spektrometra? 21. Zašto sinkrociklotroni imaju promjenjivu frekvenciju oscilatora? . a za koje one s magnetostatskim poljem i zašto? 16.

Papić: Predavanja iz osnova elektronike 30 .V.

IL]LNDOQLP VYRMVWYLPD WHPSHUDWXUQD RSWLþND PDJQHWVND HOHNWULþND. na primjer po strukturi.93DSLü 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike 31  6YRMVWYD PHWDOD L SROXYRGLþD  .ODVLILNDFLMD þYUVWLK WLMHOD ýYUVWD WLMHOD PRåHPR GLMHOLWL SR QMLKRYLP VYRMVWYLPD QD YLãH QDþLQD.

NULVWDOLþQD SUDYLODQ SRUHGDN DWRPD RGQRVQR PROHNXOD. LWG (OHNWURQL NRML Ve QDOD]H X YDQMVNRM OMXVFL DWRPD WM YDOHQWQL HOHNWURQL NOMXþQL VX ]D UD]XPLMHYDQMH NDNR WLK VYRMVWDYD WDNR L NDUDNWHUD VLOD NRMH GUåH DWRPH QD RNXSX $NR SURPDWUDPR VWUXNWXUX WM UDVSRUHG DWRPD L PROHNXOD þYUVWD WLMHOD GLMHOLPR QD .amorfna (raspored atoma ili grupa atoma je nepravilan) .

Ionski kristali vrlo slabo vode struju. što ]QDþL GD VH RED DWRPD LRQL]LUDMX L VYDNL ]D VHEH LPD SRSXQMHQH OMXVNH 1D&O-). SRJRWRYR QD QLåLP WHPSHUDWXUDPD Metalni kristali.YRGLþH . 6 RE]LURP QD NDUDNWHU VLOD NRMH GUåH DWRPH NULVWDOD QD RNXSX PRJXüH MH NULVWDOH þYUVWLK WLMHOD podijeliti na ionske. a na temperaturi DSVROXWQH QXOH XRSüH QH YRGH Sa stajališta elektronike osnovna podjela jest na: . kovalentne i molekularne.izolatore 2YD SRVOMHGQMD SRGMHOD ]DVQLYD VH QD UD]OLNDPD X YULMHGQRVWL VSHFLILþQRJ RPVNRJ RWSRUD PDWHULMDOD $NR MH VSHFLILþQL RWSRU R SP ≤ 10 −3 Ωcm  WDGD VH UDGL R YRGLþX ]D YULMHGQRVW R SP > 10 6 Ωcm ULMHþ MH R L]RODWRULPD 6SHFLILþDQ RWSRU YRGLþD UDVWH V SRUDVWRP WHPSHUDWXUH dok specifiþDQ RWSRU SROXYRGLþD RSDGD V SRUDVWRP WHPSHUDWXUH LDNR PRåH XQXWDU RGUH HQRJ LQWHUYDOD WHPSHUDWXUQH VNDOH L UDVWL 3RGMHOX þYUVWLK WLMHOD QD YRGLþH SROXYRGLþH L L]RODWRUH PRJXüH je L]YUãLWL XJODYQRP QD RVQRYX YUVWH VLOD NULVWDOQH YH]H =D QDMYHüL EURM YRGLþD WLSLþQL VX PHWDOQL NULVWDOL D ]D SROXYRGLþH L L]RODWRUH LRQVNL L NRYDOHQWQL NULVWDOL VSHFLILþQRJ RWSRUD 10 −3 Ωcm < RSP < 10 6 Ωcm JRYRULPR R SROXYRGLþX D ]D YULMHGQRVWL  (QHUJHWVNH YUSFH X YRGLþLPD 9RGLþ MH HOHPHQW VXVWDYD NRML VDPR XVPMHUDYD HOHNWULþQX HQHUJLMX RQD SXWXMH RNR YRGLþD. Kovalentni kristali 8 RYRP VOXþDMX VH VLOH NULVWDOQH YH]H RVWYDUXMX GLMHOMHQMHP YDOHQWQLK HOHNWURQD L]PH X VXVMHGQLK DWRPD SDURYL HOHNWURQD ]DMHGQLþNL NUXåH RNR REMH jezgre). koji ima jedan valentni elektron. Ti elektroni QLVX YH]DQL X] VYRMH PDWLþQH DWRPH L NUHüX VH VORERGQR NUR] þLWDY NULVWDO 6ORERGQL HOHNWURQL VX X]URN YHOLNH VSHFLILþQH YRGOMLYRVWL PHWDOQLK NULVWDOD 6LOH NULVWDOQLK YH]D L]PH X LRQD kristalne rešetke su elektrostatske prirode i ostvaruju ih slobodni elektroni. metalne. predaje taj elektron kloru. Sila kristalne veze je elektrostatske prirode i rezultat je ionizacije. Ionski kristali. Ioni kristalne rešetke nastali su otpuštanjem valentnih elektrona. Natrij.SROXYRGLþH . Sile NULVWDOQLK YH]D VX L RYGMH HOHNWURVWDWVNH SULURGH DOL VH QH PRJX REMDVQLWL NODVLþQRP &RXORPERYRP VLORP YHü YDOQRP SULURGRP HOHNWURQD 8GUXåLYDQMH YDOHQWQLK HOHNWURQD X kovalentne veze ima za posljedicu da kovalentni kristali slabo vode struju. Kod ovog tipa kristala pojedini elektroni vanjske ljuske jednog elementa SUHOD]H QD DWRPH GUXJRJ HOHPHQWD QD WDM QDþLQ GD RED WYRUH ]DWYRUHQH OMXVNH 7LSLþDQ SULPMHU takvog kristala je NaCl.

 8 supravodljivom stanju metali su skoro LGHDOQL YRGLþL WM JXELFL HQHUJLMH NRML VX WRSOLQVNRJ NDUDNWHUD VX ]DQHPDULYL 6XSUDYRGOMLYRVW VH SRVWLåH QD YUOR QLVNLP WHPSHUDWXUDPD .

Ovaj put nas zanima kako dolazi do stvaranja elektronskog oblaka.93DSLü 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike 32 1D VOLFL  SULND]DQD MH YHü SR]QDWD VOLND NDWRGH L HOHNWURQVNRJ REODND NRML QDVWDMH X QMHQRM okolini. HOHNWULþQLP SROMLPD 'UXJL QDþLQ MH termionska Stvaranje elektronskog oblaka emisija ]DJULMDYDQMH PHWDOD. -HGDQ RG QDþLQD GRELYDQMD HOHNWURQD MH vrlo jakim Slika 2.1. U samom metalu postoje HQHUJHWVNH UD]LQH SD PRåHPR JRYRULWL R WRPH GD üH MHGDQ GLR HOHNWURQD X YDQMVNRP RPRWDþX DWRPD QHNRJ RGUH HQRJ PHWDOD LPDWL VSRVREQRVW JLEDQMD SRG GMHORYDQMHP YDQMVNRJ HOHNWULþQRJ polja. dolazi do pojave emisije elektrona. To je YR HQMH VWUXMH NUR] PHWDO 0H XWLP DNR VH WLP VORERGQLP SRNUHWOMLYLP HOHNWURQLPD GDMX YHüH energije od energije koja je potrebna da elektron napusti metal.

Za razliku od fizike koja se zasniva na NODVLþQoj statistici. Energije elektrona u metalu su VWDWLVWLþNL UDVSRUH HQe tj. nemaju svi elektroni unutar nekog pojasa energija jednake energije.2). 7UHüL QDþLQ MH djelovanjem elektromagnetskog polja (svjetlosni zagrijavanjem metala spektar). 8]LPDMXüL X RE]LU VWDWLVWLþNX UDVSRGMHOX HQHUJLMD HOHNWURQD PL üHPR dakle promatrati FLMHOL HOHNWURQVNL REODN D QH MHGQX LOL GYLMH þHVWLFH Elektroni. d ec DPA0§ 0% ¡ C B @ b ( £ 9 (  £ &¡ © H` Y ( £ ¡ © § © £" ¢© 6 )$F¤aPX6 ' F2$% £& § ¡" ! © £ © § © T % " 1  §" %6 © F $#© 8G)¢20$$# ¡F$6W © V¢2$¢UF82¢ "  5 6 %  £¡    ' & % § %  3 % C ©  £ &¡ © H   % T © D© 6 )¤FFI¢)¢ % £ 9 ¡ %  £ § £" 6 " 1    © § ¢% 8§¢© 6S¢$%  2¢8R & © § ( ¥ C ( £ 9 ¡ (  £ &¡ © H & % )QGF0§ 0% P0© 6 )$FI G1  &% & EFD¢A¥ 9 % 6 ¢¢ $¡8© 67 5 C B @ % ! ( £   E E T1 >T2 T=0 0 0 0. To je fotoemisija ýHWYUWL MH QDþLQ bombardiranjem površine metala (metalnih oksida) vanjskim elektronima ili nekim drugim þHVWLFDPD – sekundarna emisija.T) . da bi se gibali.5 1 Slika 2.2. Raspodjela energija slobodnih elektrona u metalu (desno) Zaposjednutost energetskih razina od strane elektrona u ovisnosti o temperaturi (lijevo) f(E.T)dN dn = dE dE 3 ¢ £   £¤" £$20)¢ & " 1 (   % § ( ' % § ¡"  ! £   $#© ©  ¢   £  © § 4 ¥£¡ ¢¨¦¤¢  za T >0 T2 T1 >T2 T1 T1>0 T2 EF EF f(E. kvantna fizika je pokazala da pri temperaturi od 0º K moraju postojati kvantna gibanja elektrona 2YR MH RVQRYD UD]PDWUDQMD NRMLP üHPR REMDVQLWL SRQDãDQMH slobodnih elektrona u metalima (Slika 2. moraju imati neku energiju.

1) E − EF gdje su: EF – Fermijeva razina E – NLQHWLþND HQHUJLMD T – apsolutna temperatura k – Boltzmannova konstanta 1.2: Na slici je zapravo prikazana Fermi-Diracova raspodjela tj.T ) = (2.38 ⋅ 10 −23 J / K 2YD MHGQDGåED L]YHGHQD MH QD RVQRYX 3DXOLMHYRJ SULQFLSD LVNOMXþLYRVWL na jednom HQHUJHWVNRP QLYRX PRåH ELWL VDPR MHGDQ HOHNWURQ. IXQNFLMD NRMD RGUH XMH YMHURMDWQRVW GD MH QHNR HQHUJHWVNR VWDQMH ]DSRVMHGQXWR HOHNWURQRP L NRMD VH PRåH PDWHPDWLþNL napisati nD VOLMHGHüL QDþLQ 1 f (E.93DSLü 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike 33 Objasnimo prvo desnu stranu slike 2.

L +HLVHQEHUJRYRJ XYMHWD QHRGUH HQRVWL 1+ e kT ( ) âWR MH WHPSHUDWXUD QLåD QMHQD NULYXOMD MH EOLåD SUDYRNXWQRM NULYXOML 6YH NULYXOMH VLJXUQR SUROD]H NUR] WRþNX 0.5. EF.

$OL YHü PDOR L]QDG 0 K (npr. $NR LPDPR YRGLþ QD DSVROXWQRM QXOL QH PRåH SRVWRMDWL QL MHGQD razina iznad EF. Na toj temperaturi svi dozvoljeni energetski nivoi (do EF) su stvarno zaposjednuti.15 K. 10 .

Dovoljna je minimalna temperatura iznad apsolutne nule pa da postoji neka vjerojatnost (vrlo PDOD. PRåHPR LPDWL HQHUJLMH L]QDG EF.

Na temperaturi apsolutne nule iznad Fermijeve razine nema ni MHGQRJ HOHNWURQD $NR VH WHPSHUDWXUD SRYHüD LPDW üHPR DVLPSWRWVNL UHS WM L QDMPDQMH SRYHüDQMH WHPSHUDWXUH X RGQRVX QD DSVROXWQX QXOX X]URNRYDW üH SRVWRMDQMH HOHNWURQD X energetskim stanjiPD L]QDG )HUPLMHYH UD]LQH 'R QHNH HQHUJLMH üH VH HOHNWURQL NRML VX L]QDG EF VDPR JLEDWL XQXWDU PHWDOD VWYDUDMX VWUXMX. Od nulte energetske razine do Fermijeve energetske razine raste broj elektrona koji ]DSRVMHGDMX RGUH HQH UDzine. /LMHYD VWUDQD VOLNH  SUHGVWDYOMD UDVSRGMHOX JXVWRüH HOHNWURQD SR HQHUJHWVNLP UD]LQDPD L PRåH VH RSLVDWL L]UD]RP f ( E . 0RåHPR ND]DWL GD MH )HUPLMHY QLYR RQDM HQHUJHWVNL QLYR þLMD MH YMHURMDWQRVW ]DSRVMHGQXüD MHGQDND  ]D QHNX NRQDþQX temperaturu) D RGUH HQ MH UDVSRGMelom energetskih razina i ukupnim brojem elektrona. S(E) JXVWRüD GR]YROMHQLK NYDQWQLK VWDQMD LOL EURM GR]YROMHQLK HQHUJLMD HOHNWURQD X MHGLQLþQRP LQWHUYDOX energija u jedinici volumena.2) dE dE gdje je n NRQFHQWUDFLMD HOHNWURQD X MHGLQLþQRP YROXPHQX. GD üH i energetske razine iznad EF ipak biti zaposjednute. T ) = (2. a dN/dE tj. T )dN dn = S ( E ) ⋅ f (E .

Ako je E ≥ E F + 3kT 1 + e −3 . D L]QDG WH QRYH UD]LQH üH HOHNWURQL L]OLMHWDWL L] metala (za to je potrebno savladati barijeru izlaza).T ) = 1 1+ e E − EF kT Krivulja prikazana na slici 2. 3URPRWULPR VDGD MHGQDGåEX ) f (E. T ) = ≈ 1 .2 L JRUQML L]UD] VH VDPR DSURNVLPDWLYQR VODåX $NR MH 1 E ≤ E F − 3kT RQGD PRåHPR SUHWSRVWDYLWL GD MH f ( E .

93DSLü 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike onda imamo f ( E . T ) = vjerojatnost).3. Izlaz elektrona iz metala 9MHURMDWQRVW GD QHNL HOHNWURQ L]D H L] PHWDOD L HQHUJLMH NRMH VX SRWUHEQH GD EL XRSüH PRJDR L]DüL L] PHWDOD REMDVQLW üHPR SRPRüX VOLNH  Slika 2.1.2. − 1 ≈ e −3 ⇒ f ( E .5 T=2500 K 0 EF E Slika 2.4.T) 1 T=0 K 0. T ) = e 3 1+ e E − EF kT 34 NODVLþQD 0D[ZHOO-Boltzmannova f(E. Dijagram Fermijeve vjerojatnosti na temperaturi 2500 K (radna temperatura volframa) 2. Dijagram energija slobodnih elektrona u metalu .

93DSLü 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike 35 Na slici 2. EB je energija barijere. Ako je temperatura 0 K. odnosno YDQMVNL SURVWRU 'HVQD VWUDQD VOLNH SUHGVWDYOMD YHü SR]QDWX NULYXOMX NRMD QDP JRYRUL R SRWHQFLMDOQRM HQHUJLML HOHNWURQD X PHWDOX WM R HQHUJLML NRMX HOHNWURQ PRUD LPDWL GD EL XRSüH PRJDR L]DüL iz metala.4. X predstavlja dubinu prodora u metal. odnosno površinu metala. EB=EF+EW. svi elektroni nalaze se do energetske razine EF 7DGD QL MHGDQ HOHNWURQ QHPD HQHUJHWVNX UD]LQX YHüX RG )HUPLMHYH D EF nije dovoljna da HOHNWURQ L]D H L] PHWDOD EB>EF . EW je izlazni rad (energija koja je potrebna da bi elektron izašao iz metala).

DNR WHPSHUDWXUD UDVWH WDNR VH SRYHüDva HQHUJLMD HOHNWURQD DOL VH PLMHQMD L UDVSRGMHOD JXVWRüH SR HQHUJHWVNLP UD]LQDPD -HGDQ GLR HOHNWURQD PDOL EURM. .

üH LPDWL HQHUJLMH YHüH RG EB 7DM GLR HOHNWURQD PRåH L]DüL L] PHWDOD GDNOH GROD]L GR HPLVLMH HOHNWURQD 8 QHNLP VOXþDMHYLPD GRYROMQH VX L Panje temperature da GR H GR HPLVLMH QSU NRG RNVLGQLK PDWHULMDOD

 0RåHPR ]DNOMXþLWL GD MH SRVWL]DQMH HPLVLMH ovisno o Fermijevoj razini EF L HQHUJHWVNRM EDULMHUL ]D RGUH HQL PHWDO Svi metali nemaju jednaku krivulju koncentracije elektrona. Što je koncentracija elektrona YHüD YLãD MH SR YULMHGQRVWL L )HUPLMHYD UD]LQD 7D YULMHGQRVW VH NUHüH RG -9 H9 9HOLþLQD L]OD]QRJ UDGD ]D PHWDOH VH NUHüH RG -5 H9 %DULMHUD VH PRåH VPDQMLWL MDNLP HOHNWURVWDWVNLP SROMHP 7LPH VH SRVWLåH þXSDQMH HOHNWURQD L] PHWDOD WM QD WDM QDþLQ VPDQMXMHPR EW. .DUDNWHULVWLþQH HQHUJHWVNH YUSFH ]D PHWDO SULND]DQH VX QD VOLFL 

Slika 2.5. Energetske vrpce za metal Za stanje T = 0 K VYL HOHNWURQL VH QDOD]H X RVMHQþDQRP SRGUXþMX L QH SRVWRML QLNDNYD PRJXüQRVW HPLVLMH 8 VOXþDMX SRYHüDQMD WHPSHUDWXUH MHGDQ GLR HOHNWURQD SUHOD]L X W]Y YRGOMLYX YUSFX L SRG XWMHFDMHP YDQMVNRJ SROMD WL HOHNWURQL PRJX YRGLWL HOHNWULþQL QDERM $NR energija naraste iznad EB, dolazi do emisije, ali tada više ne govorimo o metalu. 2.3. Emisija elektrona iz metala 2.3.1. Termionska emisija 7HUPLRQVND HPLVLMD QDVWDMH ]DJULMDYDQMHP PHWDOD 0HWDO üH QDSXVWLWL VDPR RQL HOHNWURQL þLMD MH HQHUJLMD X VPMHUX JUDQLþQH SRYUãLQH PHWDOD YHüD RG SRWHQFLMDOQH EDULMHUH EB) na granici katoda-vakuum. Potrebnu energiju elektroni dobivaju zagrijavanjem metala. Na primjer, za katodu od volframa je radna temperatura 2500 K, pa je kod te temperature energija

93DSLü 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

36

SRMHGLQDþQRJ HOHNWURQD ET = 0.22 eV. Ta energija je znatno manja od potrebnog izlaznog rada NRML MH RNR  SXWD YHüL 7XPDþHQMH SRMDYH HPLVLMH HOHNWURQD SUL WLP WHPSHUDWXUDPD ]DVQLYD VH QD þLQMHQLFL VWDWLVWLþNLK UD]GLRED DVLPSWRWVNL UHS SULND]DQ X SUHWKRGQLP SRJODYOMLPD

 ýLQMHQLFD GD VH HOHNWURQL SRQDãDMX SR VWDWLVWLþNLP UD]GLREDPD RPRJXüDYD REMDãQMHQMH HPLVLMH elektronD L] PHWDOD =D RELþQH NDWRGH L]OD]QL UDG VH NUHüH RNR EW  H9 (OHNWURQ PRåH QDSXVWLWL PHWDO NDGD MH X VPMHUX JUDQLþQH SRYUãLQH QSU VPMHU x NRRUGLQDWH.

Empirijska vrijednost konstante A iznosi A = 60 ⋅ 10 −4 A / m 2 K 2 .4) gdje je A konstanta.2. 2.3) me Komponente brzina u drugim smjerovima mogu biti proizvoljne. Odatle PRåHPR QDSLVDWL ]D MDNRVW VWUXMH VOLMHGHüL L]UD] I e = S ⋅ J e = SAT 2 e − EW kT (2.5) gdje je S površina katode i ima dimenziju m2. NLQHWLþND energija barem jednaka EB SD PRåHPR SLVDWL 2E B vX ≥ (2.3. Sekundarna emisija 8NROLNR þHVWLFH QSU HOHNWURQL LRQL LWG. Sumiranjem svih elektrona NRML PRJX ELWL HPLWLUDQL X VPMHUX RNRPLWRP QD JUDQLþQX SRYUãLQX PRåHPR GRELWL L]UD] ]D JXVWRüX VWUXMH WHUPLRQVNH HPLVLMH J e = AT 2 e − EW kT (2.

 XGDUDMX X QHNL þYUVWL PDWHULMDO PRåH VH SULPLMHWLWL GD üH WDM PDWHULMDO HPLWLUDWL HOHNWURQH 2YLVQR R YUVWL PDWHULMDOD L HQHUJLML þHVWLFD NRMH XGDUDMX X PDWHULMDO YDULUDW üH L NROLþLQD HPLWLUDQLK HOHNWURQD ýHVWLFH NRMH XGDUDMX X þYUVWL PDWHULMDO QD]LYDMX VH SULPDUQH þHVWLFH D HPLWLUDQL HOHNWURQL L] PHWDOD – VHNXQGDUQH þHVWLFH 7HKQLþNL MH QDMYDåQLMD VHNXQGDUQD HPLVLMD L]D]YDQD HOHNWURQLPD 6OLND .

6. Te Te Te Slika 2. Taj NYRFLMHQW MRã VH QD]LYD L IDNWRU VHNXQGDUQH HPLVLMH 'DNOH PRåHPR SLVDWL p ghi f I T δ  . Sekundarna emisija Omjer emitiranih sekundarnih elektrona na jedDQ SULPDUQL HOHNWURQ R]QDþLPR V δ .

93DSLü 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike 37 δ= Ι sek Ι prim (2. Za primjer priND]DQ QD VOLFL  WDM RPMHU L]QRVL  . a PDNVLPXP HPLVLMH VH SRVWLåH HQHUJLMRP RG QHNROLNR VWRWLQD H9 Kompozitne površine OHJXUH. odnosno primarnih elektrona.QDþH ]D PHWDOH MH δ oko 2.6) gdje su Isek i Iprim struje sekundarnih. Da bi elektron mogao izbiti druge elektrone mora imati energiju od barem 15-20 eV. a za okside do 10.

7) VYMHWORVW (0 YDO.3. VX XYLMHN L]GDãQLMH RG þLVWLK PDWHULMDOD SD L RG ]EURMD L]GDãQRVWL SRMHGLQLK VDVWDYQLK dijelova legura. Fotoemisija Kod fotoemisije izboj (emisija elektrona) nastaje zbog svjetlosnog udara na površinu metala (Slika 2.3. 2.

godine. Ova pojava razjašnjena je tek 1905.7. q T Te Te Te PHWDO . 0H XWLP RVLP RYH YH]H SULPLMHüHQR MH L GD ]a neke vrste svjetlosti ne dolazi do emisije elektrona bez obzira na jakost radijacije. Slika 2. Naime. Fotoemisija )RWRHPLVLMD RYLVL R MDNRVWL VYMHWORVWL 9Hü RGDYQR MH GRND]DQD SURSRUFLRQDOQRVW L]PH X EURMD emitiranih elektrona (struje fotoemisije) i jakosti radijacije koja pada na katodu. SR]QDWR MH GD VH VYMHWORVW VDVWRML RG QL]D NRPSRQHQDWD RG LQIUDFUYHQH GR XOWUDOMXELþDVWH.

ν frekvencija radijacije. h Poznata relacija koja povezuje valnu duljinu (λ) i frekvenciju svjetlosne zrake je . Ako je frekvencija svjetlosne komponente LVSRG QHNH JUDQLþQH YULMHGQRVWL WDNDY VYMHWORVQL YDO QH PRåH SURL]YHVWL IRWRHPLVLMX EH] RE]LUD QD QMHJRYX MDNRVW .7) gdje je h Planckova konstanta ( h = 6. Svaka boja ima svoju valnu duljinu tj. Dakle. a EW potreban E izlazni rad. za sve frekvencije ispod ν = W nema emisije. frekvenciju.DG VH SULEOLåLPR LQIUDFUYHQRP GLMHOX VSHNWUD QHPD HPLVLMH (LQVWHLQ MH dokazao da mora vrijediti relacija hν ≥ EW (2.626 ⋅ 10 −34 Js ).

8) gdje je c EU]LQD VYMHWORVWL 8YUãWDYDQMHP RYH MHGQDGåEH X MHGQDGåEX .93DSLü 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike 38 c c ⇒ν = ν λ λ= (2.

10) Dodatak: Spektralna osjetljivost fotoemisije.9) λ≤ gdje je 1 A = 10 −10 m . 0 1. GRELMHPR c EW ch ≥ ⇒λ≤ λ h EW ili (2.986 ⋅ 10 −15 0 A EW (2. Gornja vrijednost valne duOMLQH NRG NRMH GROD]L GR IRWRHPLVLMH RGUH HQD MH NYDQWQLP XYMHWRP L]UDåHQLP UHODFLMRP .

ULYXOMH spektralne ovisnosti prikazane su na slici 2.8. 6YDND IRWRNDWRGD LPD UD]OLþLWX RVMHWOMLYRVW ]D SRMHGLQH YDOQH GXOMLQH UDGLMDFLMH D WD VSHNWUDOQD RVMHWOMLYRVW MH NDUDNWHULVWLþQD ]D RGUH HQL PDWHULMDO .8.cezij relativna osjetljivost ljudsko oko 50 Cs 0 4000 modro 4460 5350 5500 vidljiva svjetlost 7600 crveno λ (A) Slika 2. )RWRHOHNWULþND VSHNWUDOQD RVMHWOMLYRVW QHNLK PHWDOD L OMXGVNRJ RND Iz slike je vidljivo da üH DNR åHOLPR SRVWLüL RVMHWOMLYRVW EOLVNX OMXGVNRP RNX QDMEROMH rezultate dati fotokatoda od cezijD ELMHOD VYMHWORVW. % 150 Li Na K 100 Cs .

 $NR åHOLPR YUOR VHOHNWLYQX RVMHWOMLYRVW SRJRGQL VX NDOLM .

 QDWULM 1D.

LOL OLWLM /L.

 1MLKRYH YDOQH GXOMLQH VH NUHüX RNR PRGUH QLMDQVH svjetlosti. .

1. 'D EL VH QDERML X SROXYRGLþLPD PRJOL NUHWDWL WUHEDMX LPDWL RGUH HQH HQHUJLMH 1DV QDMYLãH zanimaju germanij (Ge) i silicij (Si).93DSLü 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike  3ROXYRGLþL L HQHUJHWVNH YUSFH X SROXYRGLþLPD 39 Kada smo u poglavlju 2. Atom germanija ima 4 glavne ljuske: K L M N 2 8 18 4 . vršLOL SRGMHOX þYUVWLK WLMHOD V RE]LURP QD VSHFLILþQL RPVNL RWSRU QDYHOL VPR GD SROXYRGLþL LPDMX YULMHGQRVWL VSHFLILþQRJ RPVNRJ RWSRUD PDWHULMDOD L]PH X 10 −3 Ωcm i 10 6 Ωcm .DNR X YDQMVNRM YDOHQWQRM. Nadalje. prikazan je izgled energetskih vUSFL X YRGLþX JGMH je vidljivo da se valentna i vodljiva energetska zona dodiruju. Razlika u rasporedu HQHUJHWVNLK YUSFL YRGLþD L SROXYRGLþD MH NOMXþQD ]D UD]XPLMHYDQMH QMLKRYRJ UD]OLþLWRJ SRQDãDQMD SD üHPR VDGD GHWDOMQLMH REMDVQLWL HQHUJHWVNH YUSFH NULVtala.5. na slici 2.

9) 4-YDOHQWQL HOHPHQWL NULVWDOL]LUDMX QD QDþLQ YDOHQWQRJ YHzivanja DWRPL VH VSDMDMX WDNR GD VYDNL DWRP VYRP VXVMHGX ÝSRVXGLÝ  HOHNWURQ. Silicij ima 3 glavne ljuske: K L M 2 8 4 3D NDåHPR GD MH L VLOLFLM -valentni element. OMXVFL LPDPR  HOHNWURQD NDåHPR GD je germanij 4-valentni element. U takvom se stanju (Slika 2. Oba ova elementa se nalaze u kristalnom stanju.

Razlog zbog kojega se . Kako temperatura raste.9. Slika 2. dolazi do vibracije – HOHNWURQL YDQMVNH OMXVNH SRVWLåX YHüH HQHUJLMH L SRVWRML PRJXüQRVW GD VH RWNLQX RG svojih valentnih veza i postoje kao slobodni elektroni unutar kristala. Shematski prikaz modela kristalne rešetke za Ge ili Si 1D DSVROXWQRM QXOL QHPD QLNDNYRJ NUHWDQMD HOHNWURQD SD MH þLWDYD XQXWUDãQMRVW NULVWDOD (promatramo je kao mikrostrukturu) u stanju mirovanja.

93DSLü 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike 40 SROXYRGLþLPD GRGDMX UD]OLþLWH SULPMHVH RQHþLãüHQMD.

Da bi neki materijal postigao slobodne elektrone. Objasnimo sada energetske razine unutar pojedinih ljusaka atoma. Zbog valne prirode.11). Elektroni vanjske ljuske su najslabije vezani elektroni u atomu pa nas njihove energetske razine ponajviše zanimaju.energija EV je granica valentne vrpce. Energetske vrpce SROXYRGLþD . elektron u atomu ima diskretne vrijednRVWL HQHUJLMH 9Hü X GYRDWRPQRM PROHNXOL DWRPL PH XVREQR XWLþX MHGDQ QD GUXJRJ SD VH RYH GLVNUHWQH YULMHGQRVWL FLMHSDMX 8 NULVWDOQRM UHãHWFL postoji utjecaj i ostalih atoma na kretanje elektrona oko jezgre. Energetske razine za silicij i germanij Zapravo. pa se svaki diskretni energetski nivo cijepa u RQROLNR QLYRD NROLNR LPD DWRPD 0RåHPR ND]DWL GD HQHUJHWVNH UD]LQH elektrona po ljuskama postaju intervalne (Slika 2. zanima nas samo maksimalna energetska razina koju imaju elektroni vanjske ljuske . E EC EG EV za T=0 valentna vrpca  ovdje su elektroni vezani valentnim vezama vodljiva vrpca zabranjena vrpca Pri razini EC pocinje vodljiva vrpca (C-conductivity) Slika 2.10.11. nego postoji zabranjena vrpca (Slika 2. Ge Si E EG N EC E EC EV EG M L K M L K EV Slika 2. potrebno im je dodati energiju kojD üH LP RPRJXüLWL RWNLGDQMH RG YDOHQWQLK YH]D L GDWL VORERGX NUHWDQMD XQXWDU NULVWDOD 7R MH ELWQD UD]OLND RG PHWDOD (OHNWURQL NRG SROXYRGLþD QH SUHOD]H direktno u vodljivu vrpcu. MHVW X WRPH ãWR þLVWL SROXYRGLþL QH YRGH struju ni pri sobnoj temperaturi.10).

21 eV EG = 1.72 eV EG = 1.1 eV 41 (2.93DSLü 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike =D ãLULQX ]DEUDQMHQH YUSFH PRåHPR SLVDWL EG = EC − EV gdje EG SUHGVWDYOMD UDG RG VWDQMD YDOHQWQLK YH]D GR RVORER HQMD HOHNWURQD 1D VREQRM WHPSHUDWXUL QL MHGDQ HOHNWURQ QH PRåH SUHVNRþLWL ]DEUDQMHQX YUSFX Ge: Si: 300 K 290 K 300 K 290 K EG = 0.785 eV EG = 0.11) =D SROXYRGLþH ãLULQD ]DEUDQMHQH YUSFH QH SUHOD]L  H9 (QHUJLMD ET koju elektron dobije na temperaturi T iznosi za T = 300 K (sobna temperatura) ET = 0. Ali. u praksi se ipak GRELMH VWUXMD L QD VREQRM WHPSHUDWXUL ]ERJ VWDWLVWLþNH UDVSRGMHOH  3ULPMHVH X SROXYRGLþLPD 3ROXYRGLþL X NRMLPD QHPD QLNDNYLK SULPMHVD D NDNYH VPR RSLVLYDOL X SUHWKRGQRP SRJODYOMX su tzv. LQWULQVLþQL LOL þLVWL SROXYRGLþL ýLVWL SROXYRGLþL SROXYRGLþL X þLVWRP NULVWDOQRP VWDQMX.026 eV.

EV = EG +qe Slika 2. Kao posljedica otkidanja elektrona i njihovog prelaska u vodljivu vrpcu. Taj proces se potom nastavlja jer sada susjedni atom postaje pozitivno . ýLVWL SROXYRGLþ SUL VREQRM WHPSHUDWXUL 8 SULPMHUX SULND]DQRP QD VOLFL  HOHNWURQD LPD HQHUJLMX YHüX RG EC 7R ]QDþL GD VX se SUHNLQXOH NRYDOHQWQH YH]H PH X DWRPLPD NRMH VX LK GUåDOH SD MH VWRJD  DWRPD RVWDOR EH] valentnih elektrona. na sobnoj temperaturi imaju jedan mali broj slobodnih elektrona (Slika 2.12. DWRPL NRML VX LK VDGUåDYDOL VX VDGD SR]LWLYQR QDELMHQL 1HGRVWDMXüL HOektroni u valentnoj vrpci QDVWRMH VH SRSXQLWL SUHX]LPDQMHP HOHNWURQD L] VXVMHGQLK NRYDOHQWQLK YH]D þLPH VH QHXWUDOL]LUD pozitivan naboj.12). E n slobodnih elektrona -qe EC T>0 EV EC .

13.12. a za njihove koncentracije vrijedi: n = p = ni = p i gdje je n – koncentracija slobodnih elektrona u vodljivoj vrpci p – koncentracija šupljina u valentnoj vrpci ni.93DSLü 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike 42 nabijen i nastoji preuzeti neki elektron od susjednih atoma. Privid gibanja šupljina U primjeru prikazanom na slici 2. stanje prividni smjer gibanja supljina Slika 2. Prema tome. stanje 2. Iako prividno putuju ãXSOMLQH ]DSUDYR X VXSURWQRP VPMHUX SXWXMX HOHNWURQL SRSXQMDYDMXüL ãXSOMLQH smjer gibanja elektrona 1.13). a šupljina je nositelj pozitivnog naboja +qe 8 LQWULQVLþQLP SROXYRGLþLPD QRVLWHOML VH GDNOH VWYDUDMX UD]ELMDQMHP YDOHQWQLh veza pa se nosioci uvijek stvaraju u parovima. Dakle. u LQWULQVLþQRP SROXYRGLþX WUDQVSRUW QDERMD VH RGYLMD X GYLMH HQHUJHWVNH YUSFH LOL SRMDVD 8 vodljivoj vrpci gibaju se slobodni elektroni. stanje 4. stanje 3. stanje 5. uz gibanje elektrona u vodljivoj vrpci postoji i gibanje u nekompletno popunjenoj valentnoj vrpci. dok u valentnoj vrpci gibanje valentnih elektrona opisujemo gibanjem pozitivnog naboja tzv. šupljina (Slika 2. nastaje 5 šupljina u valentnoj vrpci. Elektron je nositelj negativnog naboja –qe. pi – LQWULQVLþQH NRQFentracije elektrona i šupljina 'RELYHQD VWUXMD MH SUHPDOD GD EL ]DGRYROMLOD QDãH ]DKWMHYH WRND VWUXMH X SROXYRGLþX NRML VH QDOD]L X HOHNWULþQRP SROMX =DWR SULOLNRP NULVWDOL]DFLMH NULVWDOX UDYQRPMHUQR GRGDMHPR SRJRGQH SULPMHVH 1D WDM QDþLQ GRELMH VH GDOHNR YHüL EURM VORERGQLK HOHNWURQD L ãXSOMLQD QD VREQRM WHPSHUDWXUL D WDNYH SROXYRGLþH X NRMLPD SULPMHVH LPDMX ELWDQ XWMHFDM QD HOHNWULþND svojstva nazivamo HNVWULQVLþQL SROXYRGLþL 2QHþLãüHQMD VH REDYOMDMX GRGDYDQMHP peterovalentnih i trovalentnih primjesa 3HWHURYDOHQWQH SULPMHVH üH SRVWLüL YHOLNR SRYHüDQMH VORERGQLK HOHNWURQD GRQRU.

.DGD VH SROXYRGLþ RQHþLVWL V SHWHURYDOHQWQLP QHþLVWRüDPD GRELMH VH SROXYRGLþ N-tipa ili donor (Slika 2.1D. D WURYDOHQWQH üH SRVWLüL YHOLNR SRYHüDQMH EURMD ãXSOMLQD (akceptor).

 D GRGDYDQMHP WURYDOHQWQLK SULPMHVD GRELYDPR SROXYRGLþ P-tipa ili akceptor 6OLND D.

 6LOLFLMX VH QDMþHãüH GRGDMH WURYDOHQWQL DOXPLQLM $O.

WH ERU %.

LOL peterovalentni fosfor (P). a germaniju trovalentni aluminij (Al) ili galij (Ga). odnosno (2.12) .

93DSLü 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike 43 peWHURYDOHQWQL DUVHQ $V.

LOL DQWLPRQ 6E.

N-WLS LPD YHOLNX NROLþLQX VORERGQLK HOHNWURQD D P-WLS YHOLNX NROLþLQX SR]LWLYQLK ãXSOMLQD . 2QHþLãüHQMD VH NUHüX RG 3 do 1:109 tj. na 103 (109) atoma kristala imamo 1 atom primjese. NRG YUOR QLVNLK WHPSHUDWXUa (-150 °C) se svi VORERGQL HOHNWURQL ãXSOMLQH.

QHþLVWRüD SRMDYH X YRGOMLYRP RGQRVQR YDOHQWQRP SRMDVX YUSFL.

14.b.14. Taj nivo se naziva donorski nivo (ED. a) Donorska primjesa ima 5 valentnih elektrona.). +4 +4 +4 E vodljiva vrpca +4 +5 +4 ED EG valentna vrpca +4 +4 a) +4 b) Slika 2. prisustvo donorskih QHþLVWRüD LPD ]D SRVOMHGLFX QDVWDMDQMH GRGDWQRJ HQHUJHWVNRJ QLYRD XQXWDU ]DEUDQMHQH YUSFH L to pri njegovom vrhu. Sa 4 je kovalentno vezana za susjedne DWRPH D SHWL HOHNWURQ YHåH VDPR &RXORPERYD sila b) Energetski nivo donora je blizu vodljive vrpce 8 GLMDJUDPX HQHUJHWVNLK YUSFL ]D SROXYRGLþ 1-tipa (Slika 2.

Kad je koncentracija donora (ND. Kod visokih koncentracija donora diskretni donorski nivo se širi u vrlo uzak pojas energija. 'RQRUVNL QLYR OHåL X] YUK zabranjene vrpce jer je za prebacivanje elektrona vezanih uz donorske atome u vodljivu vrpcu potreban vrlo mali iznos energije.

YHüD RG 5 ⋅ 1015 cm −3  HQHUJLMD LRQL]DFLMH GRQRUD LãþH]DYD D XVNL SRMDV HQHUJLMD GRQRUVNLK SULPMHVD XOD]L X YRGOMLYX YUSFX 7DNDY VH SROXYRGLþ NRML LPD HNVWUHPQR YLVRNX NRQFHQWUDFLMX SULPMHVD SRQDãD VOLþQR PHWDOX SD JD VH QD]LYD SVHXGRPHWDO LOL GHJHQHULUDQL SROXYRGLþ Akceptorske primjese uvode u dijagram energetskih vrpci (Slika 2.15.) dodatni akceptorski nivo (EA.b.

Akceptorski DWRP SULPDMXüL HOHNWURQ SRVWDMH QHJDWLYDQ LRQ D NDR SRVOMHGLFD WRJD MH VWYDUDQMH ãXSOMLQH X YDOHQWQRM YUSFL 'DNOH PRåH VH UHüL GD DWRP YH]XMH ãXSOMLQX D LRQL]DFLMRP MH GDMH X YDOHQWQX vrpcu. . NRML OHåL XQXWDU ]DEUDQMHQH YUSFH $NFHSWRUVNL nivo OHåL SUL GQX ]DEUDQMHQH YUSFH MHU VH DNFHSWRUVNH SULPMHVH ODNR LRQL]LUDMX SULPDMXüL HOHNWURQH L] YDOHQWQH vrpce.

Energetske vrpce poluvodiča N i P tipa pri temperaturi apsolutne nule i sobnoj temperaturi EG – energija barijere zabranjene vrpce. za T>0.16.16.: .V. a) Akceptorska primjesa ima tri valentna elektrona b) Energetski nivo akceptora je blizu valentne vrpce N-tip poluvodiča (donorski) EG ED 5 EG P-tip poluvodiča (akceptorski) - 5 - 5 - 5 T=0K EA 0 3 4 + 3 4 + 3 4 + 3 4 + 0 4 4 4 4 EG ED + - + + + T>0K EG - EA 0 + - - - 0 + + 4 4 4 ++ 4 + 4 + 4 + Slika 2.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 44 +4 +4 +4 E vodljiva vrpca +4 +3 +4 EG EA valentna vrpca +4 +4 a) +4 b) Slika 2. Silicij) samo jedan razbio kovalentnu vezu. a svi atomi primjesa daju slobodne nositelje. od četiri atoma čistog kristala (npr. EA – energija akceptora Pretpostavili smo da je. ED – energija donora.15. Objasnimo sada sliku 2.

Ako slovom g označimo generaciju (broj nositelja naboja /cm3s). možemo napisati gr (2. pri određenoj temperaturi je broj nositelja naboja konstantan.13) Dakle. Malim zagrijavanjem svi elektroni donora (4 atoma na slici) prebacuju se u vodljivi pojas. U P-tipu poluvodiča slobodne šupljine su većinski ili majoritetni.14) . može se reći da su akceptorski atomi predali šupljinu (manjak elektrona) viška atomima silicija. kao i pozitivnu ionizaciju atoma silicija. a slovom r – rekombinaciju (također broj nositelja naboja /cm3s). Već malim povećanjem temperature atomi trovalentnih primjesa privlače elektrone susjednih četverovalentnih atoma što izaziva negativnu ionizaciju akceptora i stvaranje šupljina ispod nulte razine. Generacija i rekombinacija nositelja naboja Nositelji naboja se tijekom vremena generiraju (stvaraju) i rekombiniraju (spajaju). Možemo uočiti da je broj slobodnih elektrona u vodljivoj vrpci (1 elektron na slici) manji od broja šupljina u valentnoj vrpci (5 šupljina na slici) pa kažemo da su u slučaju poluvodiča P – tipa većinski nositelji naboja šupljine. ima jednak broj slobodnih elektrona i šupljina te slobodne nositelje može pokrenuti električno polje. a manjinski šupljine.6. Također. pa možemo napisati: r  k n p  g (2. a u P-tipu struju slobodne šupljine pod djelovanjem vanjskog polja. U N-tipu poluvodiča slobodni elektroni su većinski ili majoritetni nositelji naboja. 2. P-tip: Ni u uvom slučaju nemamo slobodnih elektrona u vodljivoj vrpci niti šupljina u valentnoj vrpci pri temperaturi apsolutne nule. Ukupan broj rekombinacija je proporcionalan i koncentraciji elektrona. nastaje šupljina ispod nulte razine (valentna vrpca) i slobodan elektron u vodljivoj vrpci. a manjinski elektroni. Pri temperaturi većoj od 0 K (za naša razmatranja je najvažnija temperatura od 290 – 300 K). Njihovi matični atomi se pozitivno ioniziraju. Kristal je prema vani električki neutralan tj. neprestano se stvaraju novi nositelji naboja i isto tako neprestano nestaju postojeći nositelji naboja (vezuju se za čvrste strukture). u kristalu postoji stroga ravnoteža generacije i rekombinacije. Vijek trajanja (život) jednog nositelja se kreće od 10 3  10 9 s. Kao posljedica razbijanja te veze atom silicija se pozitivno ionizira (jer je izgubio elektron).Papić: Predavanja iz osnova elektronike 45 N-tip: Na temperaturi apsolutne nule nemamo slobodnih elektrona u vodljivoj vrpci. P-tip poluvodiča ima veliki broj slobodnih šupljina čije se energije nalaze u valentnoj vrpci. Možemo uočiti da je broj slobodnih elektrona u vodljivoj vrpci (5 elektrona na slici) veći od broja šupljina u valentnoj vrpci (1 šupljina na slici) pa kažemo da su u slučaju poluvodiča N – tipa većinski nositelji naboja elektroni. možemo uočiti da je vjerojatnost rekombinacije jednog elektrona sa šupljinom proporcionalna koncentraciji šupljina i jednaka k  p . šupljinu u valentnoj. i u ovom slučaju može doći do pucanja kovalentne veze između četverovalentnih atoma što za posljedicu opet ima slobodni elektron u vodljivoj vrpci.V. tj. Drugim riječima. U N-tipu struju čine gotovo isključivo slobodni elektroni pod djelovanjem vanjskog polja. a slobodni elektroni su manjinski ili minoritetni nositelji naboja. Znači. gdje je k faktor proporcionalnosti ovisan o temperaturi. može doći i do razbijanja kovalentne veze atoma silicija (potpuno isti mehanizam kao kod čistog poluvodiča). a slobodne šupljine su manjinski ili minoritetni nositelji naboja. Također. Ako pretpostavimo da se generacija i rekombinacija odigravaju direktno. Zaključak: N-tip poluvodiča posjeduje veliki broj slobodnih elektrona čije se energije nalaze u vodljivoj vrpci. kompletiranjem i razbijanjem valentnih veza.

Vrijedi jednakost: r = k ⋅ n1 ⋅ p1 = k ⋅ n 2 ⋅ p 2 = k ⋅ ni2 = g odnosno: n0 ⋅ p 0 = ni2 (2. p2:n2).93DSLü 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike 46 Generacija je neovisna o broju elektrona u vodljivoj vrpci i šupljina u valentnoj vrpci (osim za vrlo visoke koncentracije nositelja). jer je ona rezultat razbijanja valentnih veza.15) (2.16) =DNRQ R WHUPRGLQDPLþNRM UDYQRWHåL MHGQDGåED . Prema tome. X] NRQVWDQWDQ XPQRåDN NRQFHQWUDFLMH HOHNWURQD L ãXSOMLQD JHQHUDFLMD MH SURSRUFLRQDOQD QMLKRYRP XPQRãNX EH] RE]LUD QD QMLKRY PH XVREQL RPMHU p1:n1.

 Ý3URGXNW UDYQRWHåQLK NRQFHQWUDFLMD elektrona u vodljivoj vrpci n0 i šupljina u valentnoj vrpci p 0 X QHNRP SROXYRGLþX QD GDQRM temperaturi. Ni MHGDQ HOHNWURQ X SROXYRGLþX QH PRåH LPDWL HQHUJLMX YHüX RG EV.38 ⋅ 10 −23 JK −1 ) ET – NDUDNWHULVWLþQD WHPSHUDWXUQD HQHUJLMD HOHNWURQD NRMD VH UDþXQD L] ET = kT / q = T / 11605 (eV).Boltzmannova konstanta (1.] ]DNRQD R WHUPRGLQDPLþNRM UDYQRWHåL SURL]OD]L GD üH PLQRULWHWQLK QRVLtelja biti manje što je majoritetnih nositelja YLãH . konstantan je i MHGQDN NYDGUDWX LQWULQVLþQH NRQFHQWUDFLMHÝ .QWULQVLþQD NRQFHQWUDFLMD PRåH VH L]UDþXQDWL L] MHGQDGåEH n = C ⋅T ⋅ e 2 i 3 − EG ET (2.17) gdje je C – konstanta u maloj mjeri ovisna o materijalu EG – širina zabranjene vrpce u eV k . a manju od EC (zabranjena vrpca). Što je energija EG YHüD ]D RGUH HQX WHPSHUDWXUX üH ELWL PDQML EURM QRVLWHOMD QDERMD Što je ET YHüD LPDPR YLãH VORERGQLK QRVLWHOMD 1D RVQRYX MHGQDGåEH .

5 ⋅ 10 33 ⋅ T 3 ⋅ e ni = 2.1 ⋅ 10 32 ⋅ T 3 ⋅ e n0 p 0 = ni2 = 1. PRåHPR L]UDþXQDWL LQWULQVLþQH NRQFHQWUDFLMH ]D VLOLFLM L JHUPDQLM Ge: Si: Pri T = 300 K: Ge: Si: n0 p 0 = ni2 = 3.5 ⋅ 1013 cm −3 − 9100 T (2.5 ⋅ 1010 cm −3 Silicij je temperaturno otporniji od germanija i zato se više koristi u primjeni.18) (2.19) 14030 − T ni = 1. .

npr. Koncentracija nositelja naboja 47 6YDNL SROXYRGLþ NRML QLMH XNOMXþHQ X HOHNWULþQL NUXJ L QLMH SRG GMHORYDQMHP YDQMVNH UDGLMDFLMH SUHPD YDQL MH HOHNWULþNL QHXWUDODQ =ERJ WRJD EH] RE]LUD GD OL VH UDGL R þLVWRP LOL SULPMHVQRP SROXYRGLþX NRQDþQD VXPD QRVLWHOMD PRUD LPDWL MHGQDNX NROLþLQX SR]LWLYQRJ L QHJDWLYQRJ QDERMD 3R]LWLYQL QDERM þLQH ãXSOMLQH L SR]LWLYQL LRQL D QHJDWLYQL QDERM þLQH VORERGQL HOHNWURQL i negativni ioni. svi donori i akceptori su ionizirani tj.20) 3UHWSRVWDYOMD VH GD VX VYL GRQRUL L DNFHSWRUL LRQL]LUDQL GDNOH VYL HOHNWURQL NRML SRWMHþX RG GRQRUD VX X YRGOMLYRP SRMDVX D VYH ãXSOMLQH NRMH SRWMHþX RG DNFHSWRUD VX X YDOHQWQRM YUSFL =D SUHWSRVWDYOMHQL VOXþDM D NRML MH UHDODQ SUL VRbnoj temperaturi. Slobodni elektroni se slRERGQR NUHüX XQXWDU NULVWDOD âXSOMLQH VX VORERGQL SURVWRUL NRML PRJX SULPLWL VORERGQH HOHNWURQH 3R]LWLYQL L QHJDWLYQL LRQL VX DWRPL QHþLVWRüD NRML LPDMX YLãDN LOL PDQMDN HOHNWURQD X RGQRVX QD DWRPH þLVWRJ NULVWDOD 'DNOH PRåHPR SLVDWL N D + p 0 = N A + n0 (2.93DSLü 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike 2. bio je peterovalentan. a osnovno stanje je þHWYHURYDOHQWQR 7R QLMH ãXSOMLQD MHU QHPD WHQGHQFLMX SULYODþHQMD HOHNWURQD VWDELODQ MH VD þHWYHURYDOHQWQRP YH]RP L QH WUHED PX MRã MHGDQ HOHNWURQ. ND i NA R]QDþDYDMX NRQFHQWUDFLMH LRQD NRMH VX MHGQDNH NRQFHQWUDFLMDPD QMLKRYLK DWRPD 8 JRUQMRM MHGQDGåEL p0 i n0 SUHGVWDYOMDMX EURM VORERGQLK ãXSOMLQD SROXYRGLþD RGQRVQR broj slobodnih elektrona SROXYRGLþD 3R]LWLYQL LRQ MH SR]LWLYDQ MHU MH LPDR YLãDN HOHNWURQD koje je pustio u slobodni tok (vodljivu vrpcu).7.

QWULQVLþQH NRQFHQWUDFLMH ]D VLOLFLM L JHUPDQLM PRåHPR RGUHGLWL L] MHGQDGåEL . a) NRQFHQWUDFLMH LQWULQVLþQLK SROXYRGLþD =D LQWULQVLþQH SROXYRGLþH ]ERJ ]DQHPDULYH NRQFHQWUDFLMH QHþLVWRüD YULMHGL n 0 = p 0 = ni = p i (2.21) .

L .

 b) NRQFHQWUDFLMH HNVWULQVLþQLK YRGLþD 1-tipa =D SROXYRGLþH 1-WLSD SULQFLS R HOHNWULþNRM QHXWUDOQRVWL .

22) ýODQ V NRQFHQWUDFLMRP DNFHSWRUVNLK LRQD MH L]RVWDYOMHQ MHr je koncentracija akceptorskih iona NRG SROXYRGLþD RYRJ WLSD PQRJR PDQMD RG NRQFHQWUDFLMH GRQRUVNLK LRQD N D >> N A ′ N D = N D − N A ≈ N D ⇒ N D + p 0 ≈ n0 ⋅ n 0 .DNR X UDYQRWHåQRP VWDQMX YULMHGL ]DNRQ R WHUPRGLQDPLþNRM UDYQRWHåL MHGQDGåED . JODVL N D + p 0 = n0 (2.

PRåHPR SLVDWL .

23) Dakle. poznavanjem koncentracije donora (ND.93DSLü 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike 2 N D ⋅ n0 + p 0 ⋅ n0 ≈ n0 2 N D ⋅ n0 + ni2 ≈ n0 2 n0 − N D n0 − ni2 ≈ 0 48 5MHãHQMHP JRUQMH NYDGUDWQH MHGQDGåEH GRELMHPR ]D NRQFHQWUDFLMX PDMRULWHWQLK QRVLtelja n0 n0 = 2 N D + N D + 4ni2 2 (2.

PRJXüH MH QD VYDNRM WHPSHUDWXUL X] LVNOMXþHQMH YUOR QLVNLK WHPSHUDWXUD.

RGUHGLWL UDYQRWHåQX NRQFHQWUDFLMX VORERGQLK HOHNWURQD Koncentraciju minoritetnih šupljina p0 dobijemo iz izraza p0 = c) NRQFHQWUDFLMH HNVWULQVLþQLK YRGLþD 3-tipa $QDORJQR ]DNOMXþLYDQMX SURYHGHQRP ]D 1-WLS SROXYRGLþD PRåHPR ]DNOMXþLWL N A >> N D N ′ = N A − N D ≈ N A ⇒ p 0 ≈ N A + n0 A SD NRQFHQWUDFLMH L]UDþXQDPR L] ni2 n0 p0 ≈ 2 N A + N A + 4ni2 2 n0 = ni2 p0 (2.24) . poVWDMX ]DQHPDULYH 8 WRP VOXþDMX PRåHPR SLVDWL Za T>>: 2 4ni2 >> N D   ⇒ 2 2  4ni >> N A  n0 ≈ 1 (N D + 2ni ) 2 1 p 0 ≈ (N A + 2ni ) 2 P − tip N − tip i dalje .RG YHOLNLK WHPSHUDWXUD GROD]L GR EU]RJ SRUDVWD LQWULQVLþQLK NRQFHQWUDFLMD ni). Koncentracije donorskih (ND) i akceptorskih iona (NA) rastom ni.

E EG EF 0 a) EF=EG/2 EF 0 b) 0 E EG P . Fermijeva razina =D þLVWH SROXYRGLþH )HUPLMHYD UD]LQD VH QDOD]L X VUHGLQL ]DEUDQMHQH YUSFH .tip E EG EF N .17).RG SROXYRGLþD 3WLSD )HUPLMHYD UD]LQD MH EOLåD GRQMRM UD]LQL ]DEUDQMHQH YUSFH D ]D SROXYRGLþH 1-tipa gornjoj razini zabranjene vrpce (Slika 2.93DSLü 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike 49 n 0 ≈ ni ⇒ p 0 ≈ ni p 0 ≈ ni ⇒ n0 ≈ ni ãWR VX L]UD]L NRMH VPR YHü YLGMHOL NDGD VPR UD]PDWUDOL þLVWH SROXYRGLþH 0RåHPR ]DNOMXþLWL GD VH SULPMHVQL SROXYRGLþ NRG UHODWLYQR YLVRNLK WHPSHUDWXUD SRQDãD NDR þLVWL SROXYRGLþ 2.8. )HUPLMHYH UD]LQH ]D LQWULQVLþQH D.17.tip c) Slika 2.

L HNVWULQVLþQH SROXYRGLþH E F.

'HJHQHULUDQL SROXYRGLþ SVHXGRPHWDO.

LPD ]QDWQR YHüX NRQFHQWUDFLMX QHþLVWRüD RG XRELþDMHQH (1017/cm3 – LQDþH RNR 03-106.

 8 WRP VOXþDMX GROD]L GR SRUHPHüDMD )HUPLMHYH UD]LQH 6OLND .

tip E EF EG N .tip 0 EF 0 Slika 2.18.] MHGQDGåEH . Fermijeva razina za pseudometale . 2YL SROXYRGLþL LPDMX WROLNR VORERGQLK QRVLWHOMD GD GMHOXMX NDR YRGLþL E EG P .

VH PRåH SRND]DWL GD MH XNXSDQ EURM HOHNWUona (koncentracija) u vodljivoj vrpci jednak .

30) RGDNOH PRåHPR SLVDWL E F − EG = − E F ⇒ E F = EG / 2 /RJDULWPLUDQMHP MHGQDGåEL .26) HIHNWLYQD JXVWRüD NYDQWQLK VWDQMD X YRGOMLYRM YUSFL D mc efektivna masa elektrona.93DSLü 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike n0 = N C ⋅ e E F − EG kT 50 (2. 7DNR HU PRåH VH GRND]DWL GD MH UDYQRWHåQD NRncentracija šupljina u valentnoj vrpci p0 = N V ⋅ e − EF kT (2.82 ⋅ 1015 ⋅ T 3 / 2 (cm −3 ) (2.27) gdje je  2π ⋅ mv ⋅ kT  N V = 2  h2   3/ 2 (2. $NR ]DQHPDULPR UD]OLNX L]PH X HIHNWLYQLK PDVD HOHNWURQD L ãXSOMLQD L L]MHGQDþLPR LK V PDVRP VORERGQRJ HOHNWURQD PRåHPR SLVDWL N C = N V = 4.28) HIHNWLYQD JXVWRüD NYDQWQLK VWDQMD X YDOHQWQRP SRMDVX D mv efektivna masa šupljine.25) gdje je  2π ⋅ mc ⋅ kT  N C = 2  h2   3/ 2 (2.29) =D LQWULQVLþDQ SROXYRGLþ YULMHGL n0 = p 0 ⇒ N C ⋅ e E F − EG kT = NV ⋅ e − EF kT (2.

L .

PRåHPR SRND]DWL GD YULMHGH L RþHNLYDQH YULMHGQRVWL )HUPLMHYH UD]LQH ]D SROXYRGLþH 1-tipa i P-tipa prikazane na slici 2.17. Iz (2.25) za SROXYRGLþ 1-tipa slijedi

E F = EG − kT ln

NC n0

(2.31)

8YMHW HOHNWULþNH QHXWUDOQRVWL ]D SROXYRGLþ N-tipa glasi: N D + p 0 = n0  D ]D þLWDYR HNVWULQVLþQR SRGUXþMH YULMHGL N D ≈ n0 . Iz navedenog slijedi

E F = EG − kT ln

NC ND

(2.32)

93DSLü 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike ili u elektronvoltima (eV)
E F = EG − N kT N C T ln = EG − ln C q ND 11605 N D

51

(eV )

(2.33)

)HUPLMHY QLYR ELWL üH EOLåH YUKu zabranjenog pojasa što je koncentracija donora (ND) viša i što MH WHPSHUDWXUD QLåD ,] MHGQDGåEH 

]D SROXYRGLþ 3-tipa slijedi
E F = kT ln NV p

(2.34)

.DNR XYMHW HOHNWULþNH QHXWUDOQRVWL ]D RYDM WLS SROXYRGLþD JODVL N A + n0 = p 0  D ]D þLWDYR HNVWULQVLþQR SRGUXþMH MH p 0 ≈ N A , slijedi
E F = kT ln NV NA

(2.35)

ili u elektronvoltima (eV)
EF = N kT N V T ln = ln V q N A 11605 N A

(eV )

(2.36)

8 SROXYRGLþX 3-WLSD )HUPLMHY QLYR OHåL LVSRG VUHGLQH ]DEUDQMHQH YUSFH L WR EOLåH QMHQom dnu ãWR MH NRQFHQWUDFLMD DNFHSWRUD YLãD L WHPSHUDWXUD QLåD
E E E E n

EC EG EV

EC EF EV

EC EF EV

EC EF

EV
p

x a)

dN/dE b)

f(E,T)

1

dn/dE (dp/dE) d)

c)

Slika 2.19. ,OXVWUDFLMD RGUH LYDQMD UDVSRGMHOH JXVWRüH HOHNWURQD L ãXSOMLQD SR HQHUJLML ]D þLVWL SROXYRGLþ D

(QHUJHWVNL VSHNWDU þLVWRJ SROXYRGLþD E.

5DVSRGMHOD JXVWRüH HQHUJHWVNLK QLYRD c) )HUPLMHYD VWDWLVWLþND UDVSRGMHOD G.

5DVSRGMHOD JXVWRüH HOHNWURQD L ãXSOMLQD SR HQHUJLML .

93DSLü 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike 52 1D VOLFL  SULND]DQ MH QDþLQ RGUH LYDQMD UDVSRGMHOH JXVWRüH HOHNWURQD L ãXSOMLQD SR HQHUJLML ]D þLVWL SROXYRGLþ 5DVSRGMHOD JXVWRüH HOHNWURQD L ãXSOMLQD SR HQergiji (d) dobije se umnoškom UDVSRGMHOH JXVWRüH HQHUJHWVNLK QLYRD E.

L )HUPLMHYRP VWDWLVWLþNRP UDVSRGMHORP F.

 Dodatak: S obzirom na Paulijevo QDþHOR NRMH RJUDQLþDYD EURM PRJXüLK HOHNWURQD QD QHNRM energetskoj razini te SROD]HüL RG +HLVHQEHUJRYLK XYMHWD QHRGUH HQRVWL PRåH VH L]YHVWL ]DNRQ UDVSRGMHOH JXVWRüH HQHUJHWVNLK QLYRD SR HQHUJLML dN 4π 3/ 2 = 3 (2m ) E 1 / 2 dE h (QHUJLMD ( MH HQHUJLMD HOHNWURQD L]UDþXQDWD RG GQD SURPDWUDQH ]RQH *RUQMD MHGQDGåED vrijedi za metale i elektrone u vodljivoj vrpci poluvodiþD UDþXQDMXüL SUL WRPH HQHUJLMX RG GQD YRGOMLYH ]RQH 6WDYOMDMXüL ( – EC umjesto E.9. dobijemo: dN 4π (2m )3 / 2 ( E − EC )1 / 2 = dE h 3 1D LVWL QDþLQ VH GRELMH L UDVSRGMHOD HQHUJHWVNLK QLYRD ]D ãXSOMLQH dN 4π (2m )3 / 2 ( EV − E )1 / 2 = dE h 3 2. Pokretljivost nositelja naboja KadD QD þYUVWR WLMHOR QLMH SULNOMXþHQ QDSRQ QRVLWHOML HOHNWULFLWHWD VH JLEDMX NDRWLþQR (OHNWURQL VH PH XVREQR VXGDUDMX L SULOLNRP VXGDUD PLMHQMDMX VPMHU NUHWDQMD =D RYX YUVWX JLEDQMD MH NDUDNWHULVWLþQR GD VX VYL VPMHURYL JLEDQMD SRGMHGQDNR YMHURMDWQL SD PRåHPR UHüL GD MH XNXSQL ]EURM NUHWDQMD QRVLWHOMD MHGQDN QXOL WM NUR] SURPDWUDQR þYUVWR WLMHOR QH WHþH VWUXMD Uslijed djelovanja YDQMVNRJ HOHNWULþQRJ SROMD MHGDQ RG VPMHURYD JLEDQMD SRVWDMH IDYRUL]LUDQ tako da u cjelini dolazi do usmjerenog gibanja nabojD GDNOH HOHNWULþQH VWUXMH 6OLND .

20. E E=0 E <> 0 Slika 2. 6YDNL SXW L]PH X VXGDUD HOHNWURQ VH SRPLþH X SUDYFX HOHNWULþQRJ SROMD .

]QRV srednje brzine X SUDYFX SROMD PRåHPR L]UDþXQDWL L] v= gdje je qτ 1 aτ i = e i E = µ n E 2 2 me (2.37) .DNR VPR YHü QDYHOL VLOD MH VXSURWQRJ VPMHUD RG VPMHUD HOHNWULþQRJ SROMD MHU MH QDERM HOHNWURQD QHJDWLYDQ $NFHOHUDFLMD NRMX HOHNWURQ GRELMH ]ERJ GMHORYDQMD VLOH PRåH VH L]UD]LWL VOLMHGHüRP MHGQDGåERP & & qe ⋅ E a= me (2.40) D QD]LYD VH SRNUHWOMLYRVW HOHNWURQD 3RNUHWOMLYRVW RYLVL R WHPSHUDWXUL L VYRMVWYLPD SROXYRGLþD To je vidljivo i iz jednadåEH .38) Ubrzavanje se vrši od jednog do drugog sudara.39) µn = q eτ i 2me  m2    V ⋅ s  (2. Prilikom sudara elektron mijenja smjer NUHWDQMD SD PRåHPR VPDWUDWL GD MH QHVWDOR NRPSRQHQWH EU]LQH X VPMHUX SROMD 1DNRQ VXGDUD SRQRYR SRþLQMH XEU]DYDQMH SD EU]LQD X VPMHUX SROMD SRQRYR UDVWH RG QXOH %U]LQD HOHNWURQD X SUDYFX SROMD ]DYLVL R YUHPHQX L]PH X VXGDUD .93DSLü 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike 53 Sila koja djeluje na elektron jednaka je & & F = qe ⋅ E (2.

MHU YULMHPH L]PH X VXGDUD HOHNWURQD τi) ovisi o WHPSHUDWXUL L YUVWL SROXYRGLþD 1DLPH. Na 300 K: Ge: Si: µ n = 3800 µ n = 1300 µ p = 1800 µ p = 500 . ]DJULMDYDQMHP SROXYRGLþD HOHNWURQL GRELYDMX YHüH HQHUJLMH GROD]L GR VWYDUDQMD YHüHJ EURMD VORERGQLK HOHNWURQD NRML VH EUåH VH NUHüX SD MH L EURM sudara elekWURQD V GUXJLP HOHNWURQLPD L UHãHWNRP YHüL 3RVOMHGLFD YHüHJ EURMD VXGDUD MH PDQMH YULMHPH L]PH X VXGDUD HOHNWURQD Za šupljine vrijedi µp = GDNOH RSüHQLWR q eτ i 2m p  m2    V ⋅ s  (2.41) vd = µ ⋅ E (2.42) gdje je vd brzina drifta ili poPDND L NDåH QDP NRMRP üH VH EU]LQRP SRPLFDWL VORERGQL QRVLWHOM QDERMD DNR VH SROXYRGLþ QDOD]L X HOHNWULþQRP SROMX MDNRVWL E.

Po GRJRYRUX VPMHU VWUXMH MH VPMHU NUHWDQMD SR]LWLYQRJ QDERMD *XVWRüD VWUXMH MH NROLþLQD QDERMD NRMD SURWMHþH NUR] RGUH HQL SUHVMHN SROXYRGLþD X MHGQRM VHNXQGL y E IP IN + I = IN + IP Slika 2.93DSLü 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike  9RGOMLYRVW SROXYRGLþD 54 =ERJ SRVWRMDQMD HOHNWULþQRJ SROMD NUR] SUHVMHN SROXYRGLþD üH VH MDYLWL VWUXMD I (Slika 2. a pokretljivost WDNR HU RYLVL R WHPSHUDWXUL SDGD SRUDVWRP WHPSHUDWXUH.21. (OHNWULþQD VWUXMD X SROXYRGLþX Kako koncentracija nositelja ovisi o temperaturi (raste porastom temperature).21).

22. L YRGOMLYRVW RYLVL R WHPSHUDWXUL Ovisnost vodljivosti o temperaturi prikazana je na slici 2. =DYLVQRVW YRGOMLYRVWL RG UHFLSURþQH YULMHGQRVWL WHPSHUDWXUH *XVWRüD VWUXMH GULIWD SR]LWLYQLK L QHJDWLYQLK QRVLWHOMD QDERMD QDSLVDQD MH VOLMHGHüLP L]UD]RP s r 7 7 7 .22. 5$'12 32'58ý-( OR J σ v u t $ % & 7 UDVWH Slika 2.

a σ N vodljivost negativnog naboja. Na osnovu JRUQMH MHGQDGåEH PRåHPR QDSLVDWL RSüX UHODFLMX ]D JXVWRüX VWUXMH GULIWD Jd = σ ⋅ E SD ]DNOMXþXMHPR GD MH J d = J dP + J dN = (σ P + σ N )E = σ ⋅ E ⇒ σ = σ P + σ N = q e (p ⋅ µ P + n ⋅ µ N ) (2.93DSLü 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike J dP = q e ⋅ p ⋅ v dP = q e ⋅ p ⋅ µ P ⋅ E = σ P ⋅ E J dN = q e ⋅ n ⋅ v dN = q e ⋅ n ⋅ µ N ⋅ E = σ N ⋅ E 55 (2.45) (2.44) PUL QLVNLP WHPSHUDWXUDPD SRGUXþMH & QD VOLFL .43) gdje je σ P vodljivost pozitivnog naboja.

V SRUDVWRP WHPSHUDWXUH UDVWH YRGOMLYRVW zbog porasta koncentracije nositelja koji nastaje ionizacijom primjesa. Na temperaturi T1 su VYH SULPMHVH LRQL]LUDQH SD VH GDOMLP SRUDVWRP WHPSHUDWXUH SRGUXþMH %.

 vodljivost malo smanjuje zbog smanjenja pokretljivosti. Sve primjese su LRQL]LUDQH D WHPSHUDWXUD MH MRã XYLMHN SUHQLVND ]D LRQL]DFLMX DWRPD SROXYRGLþD 3RUDVWRP temperature iznad T2 SRGUXþMH $. a promjena koncentracije je mala.

 SROXYRGLþ VH SRþLQMH SRQDãDWL NDR þLVWL SROXYRGLþ (vodljivost uglavnom ovisi od stvorenih parova šupljina-HOHNWURQ.

 5DGQR SRGUXþMH MH SRGUXþMH % *XVWRüD MH GHILQLUDQD MDNRãüX SROMD L YRGOMLYRãüX NRMD MH NDUDNWHULVWLND EURMD MHGQLK L GUXJLK naboja i njihove pokretljivosti.48) .47) (2.RG RQHþLãüHQLK SROXYRGLþD Yodljivost. nego ni (n = p = ni): σ = q e ni (µ P + µ N ) Za N-WLS SROXYRGLþD YULMHGL (2. Ako sH UDGL R þLVWRP SROXYRGLþX QHPDPR NRQFHQWUDFLMH n i p.46) a za P-tip: n ≈ ND   ⇒ σ = qe N D µ N p << n  n << p   ⇒ σ = qe N A µ P p ≈ NA (2. Difuzija je kretanje nositelja naboja kroz neki SUHVMHN X SROXYRGLþX XVOLMHG UD]OLþLWH JXVWRüH QDERMD V MHGQH LOL GUXJH VWUDQH SUHVMHND NRML SURPDWUDPR 1DERML VH NUHüX V PMHVWD YHüH NRQFHQWUDFLMH QD PMHVWR PDQMH NRQFHQWUDFLMH X] WHQGHQFLMX L]MHGQDþDYDQMD NRQFHQWUDFLMD Ako pretpostavimo da se koncentracija mijenja samo u smjeru osi x JXVWRüD VWUXMH ]ERJ difuzije je proporcionalna gradijentu koncentracije šupljina u smjeru osi x 'LIX]LMVND VWUXMD üH .  'LIX]LMD X SROXYRGLþLPD 2VLP HOHNWULþQRJ SROMD SURWMHFDQMH HOHNWULþQH VWUXMH NUR] þYUVWD WLMHOD PRåH ELWL X]URNRYDQR L difuzijom. osim o konstanti qe RYLVL R NROLþLQL SULPMHVQLK naboja.

49) i analogno tome. Ako se radi o koncentraciji elektrona imamo ∂n  ∂n  J DN = −q e D N E = − q e D N (− grad n ) = −q e D N  −  = q e D N ∂x  ∂x  (2.] MHGQDGåEL . VPMHURP X NRMHP EL VH JLEDOL SR]LWLYQL QDERML . tj. konstanti difuzije D.50) 6WUXMD X JRUQMLP MHGQDGåEDPD MH NDNR MH WR XRELþDMHQR X]HWD V NRQYHQFLRQDlnim smjerom.93DSLü 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike 56 X VOXþDMX LVWLK JUDGLMHQDWD NRQFHQWUDFLMH ]D UD]OLþLWH þHVWLFH ELWL SURSRUFLRQDOQD VSRVREQRVWL þHVWLFH da difudira tj. za šupljine J DP = −q e DP E = − q e D P (grad p ) = −q e DP ∂p ∂x (2.

L .

54) =D SR]LWLYQH QDERMH VH JXVWRüH VWUXMH PH XVREQR RGELMDMX D ]D QHJDWLYQH QDERMH ]EUDMDMX (dogovor).52) (2. YULMHGL ]D QHGHJHQHULUDQH SROXYRGLþH L plinove. 9H]D L]PH X NRQVWDQWH GLIX]LMH L SRNUHWOMLYRVWL LVWRYUVQLK þHVWLFD PRåH VH L]UD]LWL VOLMHGHüRP MHGQDGåERP D kT = µ qe [V ] (2. PRåHPR GDOMH SLVDWL ∂n ∂p   J D = qe  DN − DP  ∂x ∂x   (2.energija nositelja nabRMD ]D RGUH HQX WHPSHUDWXUX [eV ] þHVWLFX V SURVMHþQRP WHUPLþNRP NLQHWLþNRP HQHUJLMRP . kT = ET q e U T = ET = [J ] kT qe .53) J P = σ P E − q e DP a za elektrone J N = σ N E + qe D N ∂p ∂p ∂p   = q e pµ P E − q e D P = q e  pµ P E − D P  ∂x ∂x ∂x   ∂n ∂n ∂n   = q e nµ N E + q e D N = q e  nµ N E + D N  ∂x ∂x ∂x   (2.55) Gornja relacija.51) 8NXSQD JXVWRüD VWUXMH ãXSOMLQD XVOLMHG VWUXMD GLIX]LMH L HOHNWULþQRJ SROMD MHGQDND MH QMLKRYRP zbroju J = Jd + JD (2. koju nazivamo i Einsteinova relacija.potencijalna energija (UT.

NRMD PRåH ]DXVWDYLWL QDHOHNWUL]LUDQX .

Nacrtaj i objasni grafove raspodjele energija slobodnih elektrona u metalu te zaposjednutosti energetskih razina u ovisnosti o temperaturi. 1DYHGLWH YUVWH NULVWDOD þYUVWLK WLMHOD V RE]LURP QD NDUDNWHU VLOD NRMH GUåH atome kristala na okupu. . . Zašto dolazi do pojave energetskih vrpci elektrona po ljuskama atoma.RML VX RVQRYQL QDþLQL GRELYDQMD HOHNWURQD L] PHWDOD" 3. NaYHGLWH UD]OLNH L]PH X DNFHSWRUVNLK L GRQRUVNLK SULPMHVD 15. âWR VH GRJD D ]DJULMDYDQMHP NULVWDOQH UHãHWNH" 10. Koja je maksimalna energija koju elektroni u metalu mogu imati na temperaturi od 0 K? 5.DNR JODVL ]DNRQ R WHUPRGLQDPLþNRM UDYQRWHåL" 16.ROLNR L]QRVH WLSLþQH YULMHGQRVWL L]OD]QRJ UDGD ]D PHWDOH" 6.DNR REMDãQMDYDWH SRMDYX GD LDNR SUL WHPSHUDWXUL RG  .93DSLü 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike Pitanja: 57 1. HQHUJLMD SRMHGLQDþQRJ elektrona u katodi od volframa iznosi 0. . . . ipak dolazi do pojave termionske emisije? 7. Zašto za neke vrste svjetlosti ne dolazi do emisije elektrona bez obzira na jakost radijacije? 9. Što je faktor sekundarne emisije? 8. =DãWR VH GRGDMX SULPMHVH X SROXYRGLþH" 14. âWR þLQL SR]LWLYDQ D ãWR QHJDWLYDQ QDERM SROXYRGLþD L X NDNYRP VX RQL RGQRVX" 17. 8 NRMLP HQHUJHWVNLP YUSFDPD GROD]L GR WUDQVSRUWD QDERMD L R NRMLP MH JLEDQMLPD ULMHþ" 13.22 eV. 4. a ne do diskretnih vrijednosti energija elektrona u atomu? 11. 2EMDVQLWH R þHPX RYLVL SRNUHWOMLYRVW QRVLWHOMD QDERMD 20. =ERJ þHJD ]DYLVQRVW YRGOMLYRVWL RG UHFLSURþQH YULMHGQRVWL WHPSHUDWXUH QLMH PRQRWRQD UDVWXüD LOL SDGDMXüD. 2.YDOLWDWLYQR RSLãLWH SRORåDM )HUPLMHYH HQHUJLMH V RE]LURP QD YUVWX L NROLþLQX SULPMHVD X SROXYRGLþLPD 19. Koja energetska vrpca nam je najzanimljivija i zašto? 12. =DãWR VH SULPMHVQL YRGLþ SUL YHOLNLP WHPSHUDWXUDPD SRQDãD NDR þLVWL SROXYRGLþ" 18.

RMD MH YH]D L]PH X NRQVWDQWH GLIX]LMH L SRNUHWOMLYRVWL LVWRYUVQLK þHVWLFD" . 1D RVQRYX NRMHJ L]UD]D L]UDþXQDYDPR YRGOMLYRVW" 22.DNR GROD]L GR GLIX]LMH X SROXYRGLþLPD" 23. . . IXQNFLMD" 21.

93DSLü 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike 58 .

kako je već opisano u prethodnim poglavlju. Energetski dijagram P-N spoja prije uspostavljanja ravnoteže * .pomoćne energetske osi prikazuju razdiobu naboja (p i n) u dva različita tipa poluvodiča. razlike u koncentracijama nositelja na P strani (p0P i n0P) i N strani (n0N i p0N) prouzrokovati će difuzijsko kretanje nositelja s mjesta više koncentracije prema mjestu niže koncentracije. Kao primjer velike neravnomjernosti koncentracija primjesa je spoj dva suprotna tipa poluvodiča. što izaziva gubitak šupljina uz odgovarajuće akceptore. ali bez uspostavljanja ravnoteže nositelja naboja. možemo zaključiti da kroz spoj ne može teći struja tj. Dakle. Zbog različitih koncentracija nositelja dolazi do struje difuzije. Odlaskom pokretnih nositelja s mjesta veće koncentracije poremetit će se električna ravnoteža između pokretnih nositelja i primjesnih iona. Poluvodički P-N spoj Poluvodič s neravnomjernom raspodjelom primjesa ima i neravnomjernu raspodjelu nositelja naboja. Na slici 3. Elektronički elementi 3. Uspostavljen je kontakt. uz konstantnu temperaturu i bez djelovanja dodatne radijacije.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 59 3.1.1 prikazan je dodir P i N tipa poluvodiča. Elektroni koji prijeđu u P-stranu rekombiniraju se sa šupljinama iz P-strane. E + EC Za čisti poluvodič vrijedi E FI = V . spoj se nalazi u ravnoteži. Posljedica električnog polja je struja drifta.V. a posljedica ovog poremećaja je stvaranje električnog polja koje će se suprotstavljati difuznom kretanju nositelja. Gornja energija valentne vrpce EV na slici je 2 označena s 0. elektroni prelaze na P-stranu. U ravnotežnom stanju su struje drifta i difuzije jednake po veličini a suprotnih smjerova. Očigledno. Područje P strane najbliže kontaktu prvo "izgubi" . Ako pretpostavimo da na P-N spoj nije priključen napon. a šupljine na N-stranu.1. P manjinski n-nositelji E * - * N vecinski n-nositelji EG EFN EFI EFP 0 + vecinski p-nositelji +I -I manjinski p-nositelji Slika 3.

Polje EK će postupno sprječavati difuziju pozitivnog naboja kao i negativnog naboja.3.V. a samo mali broj slobodnih negativnih majoritetnih nositelja naboja (E > EG).1) . Za stanje ravnoteže možemo dakle napisati sljedeće relacije: I DN + I SN = 0 . Ravnoteža nastupa kada se međusobno izjednače Fermijeve razine. I DP + I SP = 0 (3. Prostorni naboj koji se sve više gomila difuzijom oko kontaktne površine konačno potpuno zaustavi proces difuzije pa kažemo da je uspostavljeno ravnotežno stanje (Slika 3. što izaziva da sada u ovom području nema slobodnih nositelja naboja. Na isti način šupljine iz P-strane difundiraju u N-stranu. Napomenimo da je na slikama 3. dE K q = ε dx EK = 1 ε ∫ q( x)dx .1. a samo mali broj slobodnih majoritetnih nositelja naboja (ispod iscrtane linije tj. Nakon uspostavljanja barijere. ε − permitivno st Slika 3. E < EV –EB). posebno za elektrone i posebno za šupljine. Područje N-strane neposredno uz kontakt gubi slobodne elektrone. donorski ioni). sprječava dalji proces difuzije. To se postiže na taj način da visina barijere (EB) koja postoji samo za većinske nosioce naboja. već postepen. Unutrašnje polje ili polje kontakta je orijentirano prema negativnom naboju. te ostaju samo negativno nabijeni akceptorski ioni. Energetska razina N-strane se spustila za EB. te ostaju samo pozitivno nabijeni donorski ioni. energija EV označena s 0 jer ostale energije promatramo upravo u odnosu na gornju energiju valentnog pojasa. u N-tipu imamo slobodne sve minoritetne nositelje naboja. Područje oko kontakta u kojem nema slobodnih nositelja naboja naziva se područje osiromašenja ili područje prostornog naboja (s obzirom da ovdje postoje samo nepokretni naboji – akceptorski tj. ukupna struja elektrona i šupljina jednaka je nuli.3) tj. Prijelaz nije skokovit. gdje se rekombiniraju sa elektronima. u P-poluvodiču imamo slobodne sve minoritetne nositelje naboja (jer su svi u vodljivoj vrpci).2). Energetsku razliku nazivamo barijerom jer ta energetska razlika koja je nastala. i 3. Posljedica prostornog naboja je stvaranje unutrašnjeg električnog polja u zoni kontakta P i N strane (Slika 3. Širina barijere na P-strani (dBP) ne mora biti jednaka širini barijere na N-strani (dBN). Isto tako. Električno polje kontakta koje nastaje kao posljedica difuzije naboja.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 60 šupljine kroz rekombinaciju. dozvoljava difuziju samo u onoj maloj mjeri kolika je potrebna da bi se poništile struje manjinskih nositelja za koje barijera ne postoji. Neto struja kroz barijeru mora u ravnotežnim uvjetima biti jednaka nuli.2.

što je kristal više onečišćen.7 V).4 – 0.6 V (najčešće 0. a ISP i ISN struje manjinskih nositelja (šupljine i elektroni respektivno).2 – 0. debljina barijere je manja: d BN N = A d BP N D (3.3. Tipične vrijednosti kontaktnog potencijala za nedegenerirane germanijeve P-N spojeve kreće se u granicama od 0.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 61 gdje su IDN i IDP struje većinskih nositelja koji se injektiraju u svoja manjinska područja (elektroni i šupljine respektivno). a za silicijeve P-N spojeve ove vrijednosti se kreću od 0.3) . P E N EG EB (energija barijere) EFP 0 EFN dB + + + + dBP dBN Slika 3.2 V). što su koncentracije nečistoća s obje strane barijere veće.9 V (najčešće 0.V.. Energetski dijagram P-N spoja u ravnoteži.2) Kontaktni potencijal raste s porastom koncentracija većinskih nositelja u poluvodiču tj. Također. dB – širina barijere (obuhvaća prostorni naboj) Potencijalna razlika između P i N strane koja postoji pod ravnotežnim prilikama naziva se kontaktni potencijal UK i iznosi U K = − E K ( x)dx ∫ (3. to će i kontaktni potencijal biti veći.

vanjsko polje kontrolira prijelaz nositelja naboja s jedne na drugu stranu dodirne površine.1.5. P-N spoj pod djelovanjem napona Ako P-N spoj smjestimo u električno polje. .4. Slika 3. tako ga pojačati i na taj način stvoriti veću barijeru ili ga smanjiti i stvoriti manju barijeru. odnosno prelaziti dodirnu površinu.1. To znači da će vanjsko polje utjecati na polje stvoreno kontaktom P-N. kretati. Ispravljačko djelovanje P-N spoja sastoji se u tome što će struja uz isti napon kod promjene polariteta (smjera narinutog polja) biti različita. slobodni nositelji naboja će se moći.V. Energetski dijagram P-N spoja za propusnu i nepropusnu polarizaciju Djelovanje vanjskog električnog polja zapravo znači da smo na P-N spoj priključili neki naponski izvor.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 62 Kontaktni potencijal polagano opada s porastom temperature jer porastom temperature P i Nstrana teže intrinsičnom stanju (Fermijev nivo se približava sredini zabranjene vrpce). Za ekstrinsično temperaturno područje vrijedi izraz UK ≈ kT N A ⋅ N D ln q ni2 (3. Drugim riječima.4) 3. pod djelovanjem vanjskog polja. odgovaraju spajanju P-N spoja na naponski izvor kako je prikazano na slici 3. Energetski dijagrami prikazani na slici 3.4.

b. a ako se gibaju.IS + N Nepropusna polarizacija Propusna polarizacija Slika 3.V.IS : struja koja je rezultat kretanja manjinskih (minoritetnih) naboja ili struja saturacije tj. P-N spoj je propusno polariziran.IS + N P I = ID .Papić: Predavanja iz osnova elektronike 63 P I = .): I = −I S P IS ID N P IS N (3.5) Minoritetni naboji uglavnom miruju ( I D [mA] >> I S [μA] ). a ako spojimo negativni pol. U prvom slučaju difuzija većinskih nositelja se olakšava.5. postoji samo struja manjinskih nositelja koja je vrlo mala i ne ovisi o naponu. pa dolazi do pojačane injekcije elektrona na P-stranu i šupljina na N-stranu tj. zasićenja U propusnom slučaju ukupna struja je jednaka razlici struje difuzije i zasićenja (Slika 3.6.6. Dakle. s obzirom na postojanje majoritetnih i minoritetnih nositelja imamo dvije moguće struje: .): I = ID − IS (3.6. potencijalna barijera se smanjuje.6) - - a) b) Slika 3. potencijalna barijera se povećava. U nepropusnom slučaju ukupna struja jednaka je struji saturacije (Slika 3.ID : struja koja je rezultat kretanja većinskih (majoritetnih) naboja ili struja difuzije . Nepropusna i propusna polarizacija P-N spoja Ako na P-stranu P-N spoja spojimo pozitivni pol vanjskog napona. Za slučaj povećavanja potencijalne barijere (minus pol na P-stranu). Ovakva polarizacija se naziva reverzna ili nepropusna polarizacija. Struje difuzije i saturacije za a) propusnu i b) nepropusnu polarizaciju . onda je to u suprotnom smjeru od majoritetnih.a.

a negativan katoda.8. Slika 3. U drugom smjeru i pod velikim naponom struja je zanemariva. Poluvodičke diode 64 P-N spoj koji ima izvode na N-strani i P-strani može se uključiti u električni krug kao njegov element. u jednom smjeru propušta veliku struju.2.a). Pozitivan kraj pri proticanju struje zove se anoda. Osnovna osobina diode je nelinearnost karakteristike. poluvalno ispravljanje (Slika 3. tj. Slika 3. a pad napona na njoj je mali.7. ona će je ispravljati.V. Simbolički prikaz diode Ako na diodu spojimo izmjeničnu struju. To je tzv. Napon na otporniku R ako je napon izvora a) Izmjenični b) Istosmjerni (dioda propusno polarizirana) c) Istosmjerni (dioda nepropusno polarizirana) .Papić: Predavanja iz osnova elektronike 3.8. Taj element nazivamo poluvodička dioda ili kraće – dioda.

U propusnom području za struju kroz P-N diodu vrijedi jednadžba do koje je došao Shockley: ⎛ qU ⎞ I = I S ⎜ e kT − 1⎟ (3. Na slici 3. Strujno-naponska karakteristika P-N dioda Pomoću statičke karakteristike diode možemo zaključiti o stvarnim odnosima između struje koja protječe diodom i napona na koji je ona priključena. odnosno za P-tip poluvodiča energija rada izlaza metala treba biti veća od energije rada izlaza poluvodiča (EWM > EWP).7) ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ Na sobnoj temperaturi. Jedan dio se tehnološki obradi u P poluvodič i tako dobijemo diodu. potrebno ju je spojiti s ostalim elementima. Ako povećavamo nepropusni napon. Ali. 3. jer bi inače struja IS bila premala da bi je primijetili na grafu. treba sniziti temperaturu (supravodljivo stanje).10.1. uzima se blok kristala. poslije čega nastupa vrlo strm rast (kažemo da dioda "vodi").9.2 mm P N 1 mm metalni prikljucak Slika 3. u prikazanom primjeru N-tipa. U propusnom području struja vrlo lagano raste do tzv. Izgleda kao da se ništa ne događa.2. povećava se barijera. Taj spoj ima neki otpor koji je omski (neispravljački) ako je energija rada izlaza metala manja od energije rada izlaza N poluvodiča (EWM < EWN). T = 290 K (17°C) vrijedi kT q = 0. Ako želimo prenositi velike energije tankim žicama. spoj metalpoluvodič.V. Što je manji otpor. metalni prikljucak metalizirani film 0. nije tako: povećavanjem negativnog napona ubrzavaju se minoritetni nositelji koji postižu tolike brzine da dolazi do proboja granice i uništenja P-N spoja. napona koljena ( U γ ). dioda će se manje zagrijavati. Sastavni dijelovi P-N diode Da bi se izradila dioda. pozitivna i negativna strujna os nisu u istom mjerilu. Na mjestima gdje je metal nanesen na diodu imamo još jednu granicu tj. Taj napon zove se napon proboja (UPR).Papić: Predavanja iz osnova elektronike 65 Bitni sastavni dijelovi neke P-N diode dobivene postupkom difuzije nečistoća prikazani su na slici 3.025 ⇒ = 40 ⇒ I ≈ I S e 40U q kT . Na površini se nalaze metalni spojevi s izvodima.9. Da bi se dioda mogla koristiti.

Proboj nastupa zbog dva uzroka: a) tuneliranje (Zenerov proboj) b) lavinski proboj . Statička karakteristika diode Dakle. nazivaju se naponi proboja. izraz (3.V. ovisno o vrsti diode i tehnološkom postupku pri izradi.8) Može se pokazati da struja zasićenja ili reverzna struja IS ovisi o temperaturi i širini zabranjene vrpce I S = KT 3 e odakle možemo dobiti izraz za struju diode I = KT 3 e − − EG kT (3.10) Kako je već napisano. naponi kod kojih dolazi do naglog porasta struje variraju u širokim granicama i kreću se od nekoliko volti do nekoliko kilovolti. s obzirom na radne temperature i napone.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 66 Slika 3.10.9) EG − qU kT (3.7) u praksi možemo pojednostavniti i koristiti jednadžbu qU I ≈ I S e kT (3.

Ova pojava je mnogo češća i do nje dolazi kod širih barijera. razbijaju valentne veze unutar barijere. . Tunelski proboj.11.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 67 Kod tuneliranja dolazi do prelaza valentnih elektrona iz P-poluvodiča u vodljivu vrpcu Npoluvodiča. Iz fizike je poznato da elektroni uslijed svoje valne prirode mogu prolaziti kroz potencijalnu barijeru. zbog čega dolazi do stvaranja dodatnih parova elektron-šupljina pa naglo raste ukupna struja. ECP EB E0 dB dB EVP ECN EVN a) b) Slika 3. Vjerojatnoća prolaženja je to veća što je barijera uža. Lavinski proboj je uvjetovan manjinskim nositeljima koji slobodno prolaze barijeru. Općenito možemo pretpostavljati da za napon proboja UPR < 5 V dominira Zenerov efekt. Prolaženje elektrona kroz barijeru moguće je ako on može zadržati svoju energiju i na drugoj strani barijere.11). a također i što više ima elektrona s jedne strane barijere i više slobodnih mjesta (nepopunjenih energetskih nivoa) s druge strane (Slika 3.V. Ovakav proboj nastaje u slučaju vrlo uskih barijera. a) Elektron može proći kroz potencijalnu barijeru ako na suprotnoj strani postoji prazno mjesto (slobodan energetski nivo) i ako može zadržati svoju energiju b) U P-N spoju elektroni iz valentne vrpce poluvodiča P tipa mogu preći u vodljivu vrpcu poluvodiča N tipa ako je dno vodljive zone ECN ispod nivoa valentne vrpce EVP i ako je pri tome širina barijere dB mala. odnosno za velika onečišćenja primjesnog poluvodiča i objašnjava se valnom prirodom elektrona. a između tih vrijednosti imamo simultano djelovanje oba mehanizma. za UPR > 8 V dominira lavinski efekt.

Uul RE Uiz = Uz Slika 3.2. U Slika 3. Za dobivanje tunel diode koristi se poluvodički materijal velikog onečišćenja. 3. Najčešće su: Zener diode Tunel diode (Esaki diode) Diode s površinskom barijerom (Schottky dioda) Varikap (kapacitivne) diode LED diode Zener diode rade u zapornom (nepropusnom) području. Neke vrste P-N dioda 68 Osim već opisanih dioda čiji se rad temelji na nelinearnosti opisane statičke karakteristike. I g=0 g<0 g>0 g>0 g=0 1. Za stabilizaciju napona najčešće se primjenjuju diode s probojnim naponima do 30 V.2. Razlikuju se po koncentraciji primjesa u početnom poluvodiču. Po svojoj konstrukciji i vanjskom izgledu Zenerova dioda je ista kao i već opisane usmjerivačke (ispravljačke) diode. degenerirani poluvodič. postoje i druge vrste dioda koje imaju neke specifičnosti koje se u primjenama mogu iskoristiti. 2.13.13). tj. Strujno-naponska karakteristika tunel-diode . Tunel dioda ima karakteristiku koja je u velikoj mjeri različita od standardne karakteristike (Slika 3. a probojni napon (koji nije destruktivan) je gotovo neovisan o struji. Koristi se isključivo u propusnom području. Naime kod Zenerovih dioda se mora točno odrediti koncentracija primjesa u poluvodiču. kako bi se dobio željeni napon proboja. Jednostavni regulator napona Tunel (Esaki) diode.V.12. Dobra Zenerova dioda ima malu struju zasićenja sve do proboja. Struja u nepropusnom smjeru i u početnom dijelu propusnog smjera je rezultat tuneliranja elektrona kroz barijeru. Ove diode koriste probojno svojstvo diode za stabilizaciju napona.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 3.

Zato kažemo da tunel dioda ima negativnu dinamičku vodljivost između dva ekstrema. vodljivost normalno raste s povećanjem napona. Struja zbog tuneliranja kod propusne polarizacije tunel diode . ali za male promjene napona i struje.11) U0 Slika 3.12) gdje je r dinamički otpor. (U2>U1) Slika 3.14. u okolišu radne točke.14. a dinamička kutom tangente. tj. vodljivost opada (negativan otpor ili vodljivost). Kod tunel diode je u prvom području kut tangente pozitivan. a u području 2.13. a u drugom dijelu negativan. Sa slike 3. Grafičko određivanje statičke i dinamičke vodljivosti Dinamička vodljivost je omjer struje i napona u radnoj točki.15. i 3. na maksimumu je nula. P ECP EVP EF ECN EVN a) Nema vanjskog polja (U=0) P N EFN ECN N ECP EVP EFP P N malo tuneliranje EFN ECN EVN b) Mala propusna polarizacija (U1>0) P N malo tuneliranje EFN ECN EVN d) Još veća propusna polariz. U tom području statička vodljivost opada povećanjem napona. (U3>U2) ECP EVP ECP EVP EFP maksimalno tuneliranje EFP EVN c) Veća propusna polariz.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 69 U području 1.14) može se izraziti kao: I G0 = 0 = tgα 0 (3.V. Statička vodljivost je određena kutom sekante. prikazanim na slici 3. možemo očitati dinamičku vodljivost: g0 = dI ΔI 2ΔI = → g0 = = tgϕ 0 dU 2ΔU ΔU (g = 1 / r ) (3. Statička vodljivost (Slika 3.

što prikazuje slika 3. Schottky diode se formiraju na spoju između metala (npr. .a) prikazuje energetski dijagram u ravnotežnom stanju.V.15. kao što prikazuje slika 3.13. te oni tuneliraju iz vodljivog pojasa N strane u valentni pojas P strane. nije moguće jer na suprotnoj strani nema dostupnih slobodnih energetskih stanja u koja bi elektroni došli. Ova vrsta dioda također ima relativno mali pad napona (tj. sada u propusnoj polarizaciji počinje teći i struja uslijed tuneliranja. Kako se napon propusne polarizacije povećava. Slika 3. dolazi do smanjenja polja kontakta. difuzna struja se nastavlja monotono povećavati. Za razliku od konvencionalnih dioda s P-N spojem koje se formiraju na spoju dva različita tipa poluvodiča. Međutim. tj. Daljnje povećanje napona propusne polarizacije nastavlja smanjivati broj elektrona koji mogu tunelirati.15. no onda se mora voditi računa da podjela između praznih i popunjenih energetskih stanja nije "oštra" kao za T=0 K.d). odnosno smanjenja barijere. Drugim riječima. Ako se napon propusne polarizacije nastavi i dalje povećavati. odnosno P strani počinje se smanjivati. koja sa daljnjim povećanjem napona propusne polarizacije potpuno iščezava . tj. Ovo je na slici 3. Ovo je prikazano na slici 3. struja tuneliranja počinje naglo rasti (znatno brže nego difuzna struja. To tuneliranje još se zove i Esakijevo tuneliranje. broj elektrona koji tuneliraju je sve veći. Temeljni princip rada je naravno isti i za više temperature.13. ako se energetske razine na N strani nastave i dalje podizati. Al) i poluvodiča.15. dijagrami su prikazani za T=0 K. difuzna struja se toliko poveća da dominira u odnosu na struju tuneliranja.c). dakle sva stanja ispod EF su popunjena. ako se dioda propusno polarizira nekim malim naponom.b) prikazano kao malo osjenčano područje na energetskom dijagramu. unatoč vrlo uskoj barijeri. kako prikazuje slika 3. ovo "preklapanje" energetskih stanja u P i N strani je sve veće.15. odnosno struju tuneliranja. koja je još uvijek vrlo mala). struja tuneliranja je maksimalna. Energetski dijagrami za različite propusne polarizacije na slici 3. i 2.13. Ovi naponi propusne polarizacije odgovaraju području 2. uz vrlo malu difuznu struju većinskih nositelja (kao kod ispravljačke diode). Ova situacija odgovara granici između područja 1.15. a sva stanja iznad EF su prazna.tunel dioda ponaša se sada kao obična ispravljačka dioda.13. tj. Javlja se situacija da sa povećanjem napona struja pada. što odgovara negativnom dinamičkom otporu (vodljivosti).25 V pa se često koriste pri izradi brzih logičkih vrata. Kada napon propusne polarizacije poraste do razine da postoji maksimalno "preklapanje" između zauzetih energetskih stanja vodljivog pojasa na N strani i slobodnih energetskih stanja valentnog pojasa na P strani. U području 3.b) kao malo podizanje energija na N strani. Tuneliranje elektrona. Svi uvjeti za tuneliranje su za te elektrone ispunjeni. Ovo tuneliranje moguće je ako je vrh valentnog pojasa P-tipa (EVP) iznad dna vodljivog pojasa N-tipa (ECN) što je moguće samo kod degeneriranih poluvodiča. i upravo ovo područje je ono gdje se tunel dioda u pravilu koristi. Sada postoji mali broj elektrona u vodljivom pojasu na N strani za koje postoje odgovarajuća (na istim energijama) slobodna energetska stanja na P strani. kada nema nikakvog vanjskog polja. Upravo opisani proces porasta struje primarno uslijed tuneliranja odnosi se na područje 1. mali napon koljena) od oko 0.13.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 70 Ono što razlikuje tunel diode od dioda kod kojih postoji samo Zenerovo tuneliranje jest dodatno tuneliranje elektrona iz vodljivog pojasa N-tipa u valentni pojas P-tipa i u području propusne polarizacije. na slici 3. Ispravljački kontakt zavisi samo o većinskim nositeljima naboja i mnogo je brži od P-N spojeva čija je brzina rada ograničena relativno sporom rekombinacijom manjinskih nositelja naboja. na slici 3. Diode s površinskom barijerom (Schottky diode).15. "preklapanje" zauzetih i dostupnih slobodnih energetskih razina na N. objašnjavaju izgled UI karakteristike sa slike 3. Radi jednostavnosti. Istovremeno. na slici 3.15. na slici 3.

b) Statičko i dinamičko stanje + b) . U0) dovodimo pomoću istosmjernog napona U0.17. 3. Diodu u radnu točku (I0. Prema tome. Izmjenični napon u(t) diodu dovodi u dinamičko stanje. Tim naponima je često superponirana i istosmjerna komponenta napona. + u(t) + U0 - R Slika 3. Kod ovog režima rada mora se uzeti u obzir nelinearnost karakteristike.16. Prilikom rekombinacije elektrona sa šupljinom. Tipična varikap dioda ima kapacitet od 160 pF pri naponu od 1 V. dioda od galij-fosfida (GaP) daje zelenu ili crvenu boju. Npr. može se koristiti kao promjenljivi kondenzator kod kojeg se kapacitet mijenja inverzno naponu reverzne polarizacije. odnosno diodi. Varikap diode koriste kapacitet reverzno polariziranog P-N spoja. Dovođenje diode u radnu točku i nadomjesni sklop Na poluvodičke diode obično se priključuju izmjenični naponi.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 71 Varikap (Varaktor) diode. Razlika u odnosu na obične ispravljačke diode je što je proizvodnim procesom realiziran znatno veći kapacitet barijere. Dioda u radnoj točki I0 2* 1 I0 + i(t) 2 + 1* u(t) + + U0 - U0 - U 2 a) Slika 3.V. za razliku od kapaciteta od 9 pF pri naponu 10 V. Ova vrste diode radi na naponima od 1-4 V (napon koljena veći od 1V) i strujama od 2-40 mA. Dovođenje diode u radnu točku a) Statičko stanje. a dioda od galij-arsenidfosfora (GaAsP) daje crvenu ili žutu boju. potencijalna električna energija se pretvara u elektromagnetsku energiju. Svakom rekombinacijom kvant elektromagnetske energije se emitira u formi fotona s frekvencijom (bojom) ovisnom o vrsti poluvodičkog materijala. Ovisno o veličini amplitude izmjeničnog napona razlikujemo rad u režimu malih signala kod kojeg se ne mora uzeti u obzir nelinearnost strujno-naponske karakteristike diode te rad s velikim amplitudama izmjeničnog napona. točnije o energetskom razmaku između vodljive i valentne vrpce PN spoja. Ovaj kapacitet ovisi o reverznom naponu na P-N spoju. LED (Light Emitting Diode).3.

Sama dioda predstavlja neki otpor u strujnom krugu. Nadomjesni sklop (ekvivalentna shema) Nadomjesni sklop diode za istosmjerni napon prikazan je na slici 3. Drugi dio jednadžbe (3.11) u prethodnom poglavlju. Pretpostavka je da dioda neće djelovati kao kratki spoj.14) 3.1.b).V. Izmjenični napon (Slika 3.13) R je omski otpor diode ili statički otpor diode u radnoj točki.b) je znatno manji od U0. I0 1* R U 2* 1** i(t) r u(t) 2** + - a) b) Slika 3.a). a taj otpor možemo odrediti iz R= U0 1 = = ctgα I 0 tgα (3.17.a) . U ovom slučaju u električnom krugu imamo istosmjerni napon.a) i zapravo odgovara slici 3.18.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 72 Na slici 3. Izmjenični napon dovodi do promjene napona između točaka 1 i 2 pa imamo izraz za dinamički otpor r= 1 = ctgϕ tgϕ (3.3. a) Nadomjesni sklop diode za istosmjerni napon b) Nadomjesni sklop diode za izmjenični napon Za režim malih signala možemo pomoću Shockleyeve jednadžbe izraziti dinamičku vodljivost: ⎛ qU ⎞ I = I S ⎜ e kT − 1⎟ ⎜ ⎟ ⎝ ⎠ I S = KT e 3 − EG kT dI dU qU q ⎛ ⎜ I S e kT g= kT ⎜ ⎝ g= ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ (3.a prikazano je statičko stanje diode.13) odgovara već napisanom izrazu (3.15.18.18. dok je nadomjesni sklop za izmjenični napon (dinamičko stanje) prikazan na slici 3.17.17.

Također.20) .16) I ≈ ISe onda je dinamička vodljivost diode g≈ i dalje q q I= I S e kT kT kT qU (3.18) Za područje nepropusnih polariteta vrijedi I = − I S odakle uvrštavanjem u izraz (3. dQ . Omjer promjene ukupne vrijednosti injektiranog naboja šupljina i promjene napona narinutog na diodu daje nam veličinu difuzijskog kapaciteta: Cdif = dQ dU (3. zbog točnosti uzet ćemo u obzir i omski otpor dovodnih spojeva (rs). Potrebno je u ekvivalentnu shemu uvesti i kapacitivnosti do kojih dolazi zbog difuzije naboja (Cdif) te parazitne kapacitivnosti dovoda (Cpar).b) Za područje propusnih polariteta vrijedi I >> I S pa drugi član možemo zanemariti: g= Ako kažemo da je struja kroz diodu q I kT qU kT (3.15.V.19) Na višim frekvencijama ponuđeni nadomjesni sklop nije dovoljno točan.15.b) za vodljivost dobijemo g=0 (3.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 73 Dinamičku vodljivost možemo odrediti i na drugi način pomoću izraza I = ISe qU kT − IS ⇒ I + IS = ISe qU kT g= q (I + I S ) kT (3. Kapacitet difuzije može se objasniti pomoću poznate relacije za kapacitet C = dU Promjenom napona koji prolazi kroz diodu.17) g≈ q KT 3 e −( EG − qU ) / kT kT qK 2 −( EG − qU ) / kT g≈ T e k (3. promijenit će se i naboj (šupljine difudiraju od barijere) i struja nakon uspostavljanja novog stacionarnog stanja.

Nepropusna polarizacija diode a) Statično stanje . IS0 IS0 R >> + + U0 - IS a) b) U c) Slika 3.20). Na taj način smanjujemo i parazitni kapacitet (kapacitet dovoda).19.21. Na slici 3. Dioda zatvara prolaz struje. rs << g >> Cdif >> Cpar << Slika 3. Nadomjesni sklop dinamičkog stanja u uvjetima propusne polarizacije Za nepropusno polariziranu diodu imamo isključivo reverznu struju diode (Slika 3.19. c) Nadomjesna shema za statično stanje Otpor R je vrlo velik jer je struja ISO vrlo mala. b) Reverzna struja diode .Papić: Predavanja iz osnova elektronike 74 Nastojimo da otpor dovodnih spojeva bude što manji. ali se pretpostavlja da se dioda nalazi u nekoj unaprijed određenoj statičkoj radnoj točki. Dioda će biti idealnija što su joj vodljivost (g) i kapacitet difuzije veći. Ukoliko imamo izmjenični napon na diodi u nepropusnom području vrijedi slika 3. .21. Kod dinamičkih pojava se izostavljaju istosmjerni izvori.20. Nadomjesni sklop dinamičkog stanja diode u uvjetima propusne polarizacije prikazan je na slici 3.b) nije nacrtan istosmjerni izvor napona. To postižemo smanjivanjem dovoda (skraćivanjem žičica).V.

Za nepropusnu polarizaciju pri višim frekvencijama (dinamičko stanje) nadomjesni sklop prikazan na slici 3. U ovoj nadomjesnoj shemi.21.22. Izmjenična struja i(t) je toliko mala da se može zanemariti. za razliku od sheme propusne polarizacije. onda se električki može prikazati za dinamično stanje malih signala nadomjesnim sklopom na slici 3. Umjesto njega. To znači da je dinamički otpor diode r vrlo velik. da zaključimo: ako se dioda postavi pomoću istosmjernog izvora baterije u određenu statičnu radnu točku propusno polariziranog stanja. prisutan je kapacitet barijere (Cbar). Kapacitet barijere ovisi o promjeni naboja u barijeri (širina barijere se mijenja promjenom napona) dok kapacitet difuzije ovisi o promjeni naboja van barijere.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 75 IS0 r >> u(t) + u(t) U0 a) b) Slika 3. Pojednostavnjeni nadomjesni sklop diode u dinamičkom stanju u nepropusnom području Za promjenu napona nema promjene struje.V.21. rs << g << Cbar Cpar Slika 3. nije dovoljno točan. .22. Nadomjesni sklop dinamičkog stanja u uvjetima nepropusne polarizacije Dakle. a za nepropusnu polarizaciju nadomjesnim sklopom sa slike 3.19. nema difuzije (radi obrnute polarizacije) pa nemamo kapaciteta difuzije..

za Ge-diode ova maksimalna temperatura je (grubo) oko 100 ºC. Kona no. tj. ve i "priljev" toplinske energije). Drugim rije ima. tj. izjedna iti sa temperaturom okoliša). proporcionalna je snazi P koja se disipira uslijed protoka struje I: TS TA K P (3. uz pretpostavku da je pad napona na diodi U konstantan) može pove ati na dva na ina. ime se temperatura poluvodi a nastoji sniziti (tj.21). dolazi do uništenja poluvodi kog elementa (u ovom razmatranju. dok drugi zavisi o mehani koj izvedbi i okolišu. potrebno je napomenuti da se upravo izloženo razmatranje analogno može primijeniti i na ograni enja snage bilo kojeg drugog poluvodi kog elementa. koja se disipira kao posljedica protoka struje. Npr. struji kroz poluvodi i padu napona). Porast temperature u poluvodi u ovisi o dva temeljna mehanizma. dok je za Si-diode oko 200 ºC. a drugi (koji se u pravilu koristi) je da se snizi K. s druge strane. Toplina stoga prelazi prvo na ku ište u kojem je poluvodi smješten a onda sa ku išta na okoliš u kojem element radi (tipi no zrak). pa e i TS biti niža. Stoga je maksimalna dopuštena snaga P koja se smije disipirati na diodi Pmax TS max T A K (3.V. ili RTH .23) Vidimo da se maksimalna dopuštena snaga na diodi (i samim tim maksimalna struja I. S jedne strane.21) Ta se snaga (zbog omskog optere enja) o ituje kao toplina. kad je "priljev" topline uslijed disipirane snage P jednak "odljevu" topline prema to kama na nižoj temperaturi. "gomila" toplinu u materijalu i tako nastoji povisiti temperaturu poluvodi a. Ograni enje snage u poluvodi kim diodama 76 Protok struje I kroz poluvodi ki kristal uzrokuje pad napona U. bolje hla enje). Što je toplinski otpor K manji (uz konstantnu P i TA). Prvi je da se snizi temperatura okoliša TA .4. snaga. Radna temperatura poluvodi a TS dosegne se kada se ova dva mehanizma generiranja i odvo enja topline uravnoteže (tj.22) Konstanta proporcionalnosti K [ºC/W] se zove ukupni toplinski otpor kristal-okolina i esto se ozna ava sa RT. okolišu). pa je snaga koja se razvija: P U I (3. Prvi mehanizam o ito zavisi o elektri nim parametrima (tj. No. razlika temperatura izme u poluvodi a i okoliša. Stoga je o ito da je u radu diode (kao uostalom i bilo kojeg drugog poluvodi kog elementa) potrebno voditi ra una da snaga koja se razvija (disipira) na elementu ne izazove porast temperature iznad neke (od proizvo a a navedene) maksimalne vrijednosti TSmax.Papi : Predavanja iz osnova elektronike 3. Ako je sa TA zadana konstantna temperatura okoliša (ambijenta) onda e poluvodi biti na višoj temperaturi TS za ve u disipiranu snagu P (tj. diode). tipi no dodavanjem vanjskog hladila. odnosno kao porast temperature u poluvodi u u odnosu na temperaturu okoline. . toplina lakše odlazi sa kristala u okoliš (ve i "odljev". zadana relacijom (3. Ako temperatura poluvodi a TS prije e neku maksimalnu vrijednost TSmax. poluvodi je smješten u okoliš koji je u pravilu na nižoj temperaturi.

Zna i. sko it e iskra. Anoda vakuumske diode porastom napona privla i sve više elektrona.Papi : Predavanja iz osnova elektronike 3. Grije se žarnom niti koja se napaja iz baterije (Uff). IA Smjer kretanja elektrona (dogovorni smjer struje) A R Uizl(t) UIZL(t) = R * iIZL(t) iIZL K Uul(t) Uizl(t) t - + UFF - UA + t a) b) Slika 3. Vakuumska dioda djeluje kao ispravlja ka elektronska cijev.24. te e struja i dobivamo izlazni napon.5 kV/cm. odnosno dolazi do proboja. Struja e porasti jedino ako još više zagrijemo katodu.V.25. ali za odre enu vrijednost anodne struje dolazi do zasi enja polja. kad napon toliko poraste da prostor izme u anode i katode nije dovoljna izolacija. Usporedba karakteristike vakuumske i poluvodi ke diode . VAKUUMSKA DIODA Ia POLUVODICKA DIODA I povecanjem napona termicki sagori IS U Ua u negativnom podrucju se ne dogada nista napon proboja Slika 3.24). vakuumska dioda ne može pregoriti pove anjem napona. Usporedba poluvodi ke i vakuumske diode 77 Elektronska cijev je izašla iz upotrebe jer je za njenu upotrebu potrebna ve a energija. Vakuumska dioda je gra ena od staklenog balona koji sadrži katodu i anodu (Slika 3.25). a) Vakuumska dioda b) Poluvalno ispravljanje Dok je anodni napon pozitivan. Katoda je metalni cilindar gra en od metalnog oksida iji je izlazni rad elektrona dosta mali. Ta energija se odnosi na zagrijavanje katode zbog emisije elektrona (elektronski oblak). a za negativni anodni napon nema privla enja elektrona pa struja ne te e (poluvalno ispravljanje). Probojni napon za vakuum je 2.5. Karakteristika vakuumske diode razlikuje se od poluvodi ke (Slika 3. Ipak.

Bipolarni tranzistori 78 Bipolarni tranzistori (transfer resistor – otpornik prijenosa) su aktivni poluvodički elementi koji u pravilu imaju tri elektrode. kod bipolarnih tranzistora korisnu struju kroz tranzistor čine većinski i manjinski nositelji naboja. B – baza. Barden i Brattain. a) Legirani tranzistor b) Difuzno-planarni tranzistor .6.27. E E B P N P P B N P C a) C b) Slika 3. Bipolarne tranzistore možemo zamisliti kao spoj dva poluvodička spoja. pa mogu biti PNP i NPN tipa. 1949. Za razliku od unipolarnih tranzistora. Shockley) je bila pokušaj da se naponom i strujom (veliki napon i struja) u jednom električnom krugu upravlja pomoću struje (male) iz drugog kruga. E P N B P C E N P B N C E C E C B a) B b) Slika 3.26.V.kolektor (sakuplja nositelje naboja). C. Zbog toga se ovi tranzistori još nazivaju i spojni (junction).Papić: Predavanja iz osnova elektronike 3. Shematski i simbolički prikaz a) P-N-P i b) N-P-N tipa tranzistora Tri elektrode koje tranzistor ima su: E – emiter (emitira nositelje naboja). Osnovna razlika između ova dva tipa su obrnuti polariteti baterija. Osnovna ideja prilikom istraživanja koja su rezultirala prvim tranzistorom (1948. Koriste se kao pojačala i elektroničke sklopke.

Osnova rada tranzistora: Potrebno je omogućiti šupljinama. Za upoznavanje osnovnih svojstava i rada tranzistora spoj sa zajedničkom bazom je najprikladniji pa ćemo njega objasniti iako se spoj sa zajedničkim emiterom najčešće koristi.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 79 Baza je poluvodički dio kroz koji prolaze nositelji naboja na putu iz emitera prema kolektoru. kako je već spomenuto. za N-P-N tip tranzistora željene polarizacije spojeva emiter-baza i kolektor-baza postižu se suprotnim polaritetom napona napajanja. Općenito imamo dva kruga – ulazni i izlazni i dvije baterije koje osiguravaju potrebne napone tj. bez obzira na vrstu spoja.V. 3. P-N-P tranzistor u spoju sa zajedničkom bazom Kirchoffov zakon: IE + IB +IC = 0 (dogovor je da sve struje ulaze u tranzistor) Za razliku od prikazanih polarizacija P-N-P tranzistora.28. Nepoželjna rekombinacija šupljina s elektronima u bazi će. Kod uobičajenog rada tranzistora. Legirani tranzistori imaju homogenu bazu i prikladni su za rad na nižim frekvencijama. Ukoliko je korišten postupak legiranja (Slika 3. širina baze varira. Ovisno o vrstama spoja (zajedničkoj elektrodi) tranzistora možemo imati: spoj sa zajedničkom bazom (ZB) spoj sa zajedničkim emiterom (ZE) spoj sa zajedničkim kolektorom (ZC) Za tranzistor na slici ulazni krug je krug emiter-baza.a). Osnovni principi rada tranzistora Normalno polarizirani P-N-P tranzistor prikazan je na slici 3. Ovisno o primijenjenom tehnološkom postupku proizvodnje tranzistora.27. dioda emiter-baza polarizirana je propusno. E P IE + UEB IB B N C P IC + UCB IE + UEB E PNP C IB B IC + UCB Slika 3. a dioda kolektor-baza nepropusno. koje su iz emitera injektirane u bazu.6.1. a difuzno-planarni tranzistori imaju nehomogenu bazu i rade na višim frekvencijama. Baza je zajednička za ulazni i izlazni krug pa kažemo da se radi o spoju sa zajedničkom bazom.b) gdje je širina baze manja od 10-4 cm. ovisiti o širini baze. baza je fizički šira (do 10-3 cm) nego što je širina baze dobivena difuzno-planarnim postupkom (Slika 3.27. polarizacije. Moguća je i izvedba s jednom baterijom kojom se realiziraju dva napona. a krug kolektor-baza je izlazni. što potpuniji transport kroz bazu u kolektor. .28.

V.Papić: Predavanja iz osnova elektronike

80

P E
E
IPE -INE

N B
-IR

P
E
IPC ICB0

C

IE + UEB

IB + UCB

IC

Slika 3.29. Unutrašnja kretanja nositelja naboja u normalno polariziranom P-N-P tranzistoru u spoju sa zajedničkom bazom (ZB) Objasnimo sada unutrašnja kretanja naboja u normalno polariziranom P-N-P tranzistoru u spoju sa zajedničkom bazom (Slika 3.29). U emiteru su majoritetni nositelji naboja šupljine, a minoritetni elektroni, a u bazi je obratno. Kod spoja emiter-baza, vanjsko polje je orijentirano tako da smanjuje barijeru tj. imamo propusnu polarizaciju spoja emiter-baza. Javlja se kretanje i majoritetnih i minoritetnih nositelja naboja. Ta dva kretanja predstavljaju struju unutar emitera IE, gdje je IPE struja pozitivnih nositelja, a INE struja negativnih nositelja u emiteru. Po dogovoru je kretanje pozitivnih nositelja smjer struje, a kretanje negativnih nositelja je u suprotnom smjeru, pa tu struju označavamo s –INE: I E = I PE + I NE (3.24)

Šupljine koje iz emitera stignu u bazu preko propusno polariziranog PN spoja emiter-baza sada u bazi predstavljaju manjinske nositelje, koji bi se, da je riječ o normalnoj diodi, rekombinirali sa većinskim nositeljima u bazi (elektronima). Međutim, rekombinacija se ne događa trenutno, već je potrebno neko konačno vrijeme dok šupljina ne "naiđe" na slobodni elektron. Zbog ovoga šupljine koje iz emitera dođu u bazu prođu neki konačan put (difuzijsku duljinu) prije nego iščeznu u procesu rekombinacije. Baza je fizički izvedena na način da je znatno uža od difuzijske duljine, pa se većina šupljina koji su došli iz emitera ne stigne rekombinirati u bazi prije nego dođu do spoja kolektor-baza. S obzirom da je ovaj spoj zaporno polariziran, el. polje duž PN spoja kolektor-baza zahvaća pristigle šupljine (koje su u bazi manjinski nositelji) i transportira ih u područje emitera. Ovo predstavlja struju šupljina u kolektoru, IPC. Dakle, možemo reći da emiter "emitira" šupljine, i, zahvaljujući vrlo uskom području baze, većinu ovih šupljina (tipično oko 99%) "pokupi" kolektor. Preostalih 1% šupljina u bazi se uspijeva rekombinirati sa elektronima iz baze formirajući struju IR. Struja kolektora IC sastoji se gotovo isključivo od ovih šupljina pristiglih preko baze iz emitera, IPC, a manjim dijelom i od struje zasićenja ICB0 koja predstavlja vrlo malu struju zaporno polariziranog spoja kolektor-baza: I C = − I PC + I CB 0 (3.25)

V.Papić: Predavanja iz osnova elektronike

81

Struja baze IB ima tri komponente – struja većinskih elektrona INE iz baze koji difuzno odlaze u emiter kroz propusno polariziran spoj, struja elektrona –IR koji se uspiju rekombinirati sa manjim djelom šupljina injektiranih iz emitera, te već spomenuta struja zasićenja ICB0: I B = − I NE − I R − I CB 0 (3.26)

S obzirom da se tek oko 1% šupljina koji iz emitera pristižu u bazu (IPE) rekombinira sa elektronima u bazi (formirajući IR), može se reći da na svaki elektron u bazi koji se rekombinira emiter mora poslati oko 100 šupljina, od kojih oko 99 "pokupi" kolektor. Drugim riječima, struja IPC je oko 100 puta veća od struje IR, što predstavlja osnovu pojačivačkog efekta tranzistora: mala promjena struje IB izaziva malu promjenu struje IR, ali to izaziva znatno veću promjenu IPE, samim tim i IPC, te konačno struje IC. Očito je da, ako se želi postići što veći efekt pojačanja, potrebno je ostale komponente struja (koje ne doprinose opisanom efektu) minimizirati. Struja zasićenja ICB0 je, kako je pokazano u razmatranju PN spoja, zanemarivo mala, pa je njen utjecaj malen. Međutim, struja INE se sastoji od većinskih nosilaca koji ne doprinose efektu pojačanja, pa se baza tipično vrlo slabo onečisti u odnosu na emiter. Na ovaj način postiže se da je difuzija elektrona iz slabo onečišćene baze znatno manja nego šupljina iz jako onečišćenog emitera, tj. |INE |<<| IPE|. Izraz za strujno pojačanje tranzistora u spoju sa zajedničkom bazom je

α=

I PC I = {I C = − I PC + I CB 0 , I CB 0 << I PC } ≈ − C IE IE

(3.27)

Iz opisanog principa rada tranzistora očito je uvijek IC < IE. U praksi je α ∈ [0.95,0.995] . Faktor pojačanja α je definiran pomoću istosmjernih struja pa ga, strogo uzevši, nazivamo istosmjernim faktorom strujnog pojačanja spoja zajedničke baze. Izmjenični faktor strujnog pojačanja računamo iz omjera promjene struje kolektora i promjene struje emitera uz konstantni napon UCB (struja ICB0 ostaje konstantna):

α ' = −(ΔiC / Δi E )U

CB

(3.28)

Statička i dinamička vrijednost strujnog pojačanja se može aproksimirati na istu vrijednost, ako promjene struje emitera i kolektora shvatimo kao amplitude izmjeničnih vrijednosti tih struja uz dovoljno malu frekvenciju signala na kojoj možemo zanemariti reaktivne učinke. Možemo zaključiti da tranzistor u spoju zajedničke baze ne pojačava struju, odnosno koristi se kao naponsko pojačalo jer je redovito U CB >> U EB . Naponsko pojačanje posljedica je razlike dinamičkih otpora ulaznog i izlaznog kruga. U ulaznom krugu propusno polarizirani spoj emiter-baza ima mali dinamički otpor, a u izlaznom krugu nepropusno polarizirani spoj kolektor-baza ima veliki dinamički otpor. Izlazna struja u dinamičkim uvjetima je praktično neovisna o otporu potrošača u izlaznom krugu jer je taj otpor redovito puno manji od otpora baza-kolektor. Uz približno jednake struje emitera (ulazna) i kolektora (izlazna) i vrlo veliku razliku u dinamičkim otporima ulaznog i izlaznog kruga, na potrošaču čiji je otpor veći od ulaznog dinamičkog otpora, dobit ćemo veći izmjenični napon od ulaznog. Spoj zajedničkog emitera (ZE) je najčešće korišten spoj tranzistora. Kod ovog spoja, baza je ulazna elektroda, a izlazna elektroda je kolektor (Slika 3.30). U normalnom radnom području spoj emiter baza je propusno polariziran, a spoj kolektor-baza nepropusno. Za P-N-P tranzistore vrijedi UCE = UBE + UCB, pa za nepropusnu polarizaciju spoja kolektor-baza mora također biti ispunjen uvjet U CE > U BE .

V.Papić: Predavanja iz osnova elektronike Faktor strujnog pojačanja spoja zajedničkog emitera definiran je sa :

82

β=

IC IB

(3.29)

Temeljem prvog Kirchhoffovog zakona IB + IC + IE = 0, te relacije (3.27) slijedi:

β=

− αI E αI E α = = − ( I E + I C ) I E − αI E 1 − α

(3.30)

β obično ima vrijednosti od 20 do 200. Dakle, tranzistor u spoju zajedničkog emitera ima
veliko strujno pojačanje pa se koristi kao strujno pojačalo.
PNP B C

IC
E

IB

IE + UBE UCE Slika 3.30. - P-N-P tranzistor u spoju zajedničkog emitera. U CE > U BE .
Spoj zajedničkog emitera zbog U CE > U BE raspolaže i s naponskim pojačanjem zbog čega imamo znatno pojačanje snage. Kao i kod spoja s zajedničkom bazom, moguće je faktor strujnog pojačanja β definirati omjerom promjene struje kolektora i baze:

β = (ΔiC / Δi B )U

CE

(3.31)

Spoj zajedničkog kolektora (ZC) je spoj kod kojeg je kolektor zajednički za ulazni i izlazni krug (Slika 3.31). Ovaj spoj nazivamo još i emitersko slijedilo. Naime, kod ovakvog spajanja elektroda tranzistora, svaka promjena napona na bazi izaziva praktički jednaku promjenu napona na emiteru pa možemo kazati da emiterski napon slijedi bazni. Naponskog pojačanja nema, ali ovaj spoj ima značajno strujno pojačanje.
PNP B E

IE
C

IB

IC UBC UEC Slika 3.31. - P-N-P tranzistor u spoju zajedničkog kolektora. U EC > U BC .

Više o korištenju tranzistora za pojačanje signala elektroničkim sklopovima.

biti će objašnjeno u poglavlju o

razlikujemo rad tranzistora u četiri područja: 1. Zaporno područje. Kod ovog načina rada uloge emitera i kolektora su izmijenjene pa je spoj kolektor-baza propusno polariziran (PNP: UCB > 0). Za konstantnu veličinu odabiremo onu veličinu koju je najlakše održavati konstantnom tijekom mjerenja. Oba spoja su propusno polarizirana (PNP: UEB > 0. Statičke karakteristike tranzistora Grafički prikazane zavisnosti između ulaznog napona. za spoj ZB: I E = f (U EB )U CB = konst . Npr. 4. napon je razlika potencijala između 2 točke. Kao rezultat polarizacije imamo veliki otpor spoja emiter-baza kao i spoja kolektorbaza te malu struju (minoritetnih nositelja). ) Izlazne karakteristike (npr. UBE = -1V znači da je potencijal baze 1 V niži od potencijala emitera. 3. Kako znamo. ulazne struje. Područje zasićenja. Normalno aktivno područje. Također je potrebno napomenuti konvenciju označavanja predznaka napona. za spoj ZB: I C = f (I E )U CB = konst . Obično se ove dvije točke označe u indeksu napona. Pretpostavlja se da je potencijal točke prvog indeksa u oznaci napona veći od potencijala. Inverzno aktivno područje. Spoj emiter-baza je polariziran propusno (PNP: UEB > 0). za spoj ZB: U EB = f (U CB )I E = konst . Zbog konstrukcije tranzistora. izlaznog napona i izlazne struje nazivaju se statičkim karakteristikama. ) Karakteristike povratne veze (npr. Možemo ih podijeliti u četiri grupe: Ulazne karakteristike (npr. izlaznih odnosno ulaznih. Rad tranzistora u području zasićenja može se prikazati kao superpozicija rada u normalnom i inverznom aktivnom području. (isto kao UBE = -1V). za spoj ZB: I C = f (U CB )I E = konst . Naponi propusnih polarizacija su mali što uzrokuje mali otpor između bilo kojih elektroda tranzistora. konstantna. Umjesto ovoga moglo se napisati i UEB = 1V. Npr. 3.7. a spoj emiter-baza nepropusno (PNP: UEB < 0).V. Oba spoja su nepropusno polarizirana (PNP: UEB < 0. ) Pri tome je jedna od veličina. Ako ovo nije točno. . faktor pojačanja je povoljniji ako se za emiter upotrebi elektroda predviđena od strane proizvođača iako nema bitnih razlika prema radu u normalnom aktivnom području. UCB predstavlja razliku potencijala između kolektora (C) i baze (B). Rad tranzistora u ovom području smo prethodno analizirali i ovo je uobičajeni način rada kad tranzistor koristimo kao pojačalo. Najčešće se daju ulazne i izlazne karakteristike i s njima su statička svojstva tranzistora na određenoj temperaturi određena u potpunosti. napon je negativan. UCB > 0). Prebacivanje tranzistora iz zapornog područja u područje zasićenja i obratno. koristi se u impulsnim elektroničkim sklopovima za rad tranzistora kao sklopke.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 83 Prema polarizaciji emiterskog i kolektorskog spoja. Ovisno o vrsti spoja i promatranim veličinama. 2. imamo dvanaest familija karakteristika. a kolektor-baza nepropusno (PNP: UCB < 0). UCB < 0). ) Prijenosne karakteristike (npr.

što je. Vrlo mali porast struje IC s porastom iznosa napona UCB je posljedica Earlyevog efekta (efekt promjene širine baze kod promjene napona reverzne polarizacije). a za UCB > 0 tranzistor je u području zasićenja. b) Izlazne karakteristike Iz ulaznih karakteristika prikazanih na slici 3. Napomena: primjeri su za P-N-P tranzistor.2. Ulazna karakteristika: I B = f (U BE )U CE = konst .Papić: Predavanja iz osnova elektronike 3.7. s obzirom na opisani princip rada bipolarnog tranzistora. Veća reverzna polarizacija spoja kolektor-baza uzrokuje nešto veću struju emitera.32. i očekivano. Za napon UCB < 0 tranzistor radi u normalnom aktivnom području. Slika 3. 3. Ulazne i izlazne karakteristike tranzistora za spoj zajedničkog emitera I UL = I B I IZ = I C U UL = U BE U IZ = U CE Izlazna karakteristika: I C = f (U CE )I B = konst .V.7.b). Često se ova ovisnost ulazne struje o izlaznom naponu zanemaruje i uzima kao jedna UI-karakteristika propusno polariziranog PN spoja emiter-baza.a) vidljivo je da porast napona propusne polarizacije UEB uzrokuje eksponencijalni porast struje emitera IE. bez obzira na iznos izlaznog napona UCB. Ulazne i izlazne karakteristike tranzistora za spoj zajedničke baze I UL = I E I IZ = I C U UL = U EB U IZ = U CB 84 Izlazna karakteristika: I C = f (U CB )I E = konst .32 PNP tranzistor u spoju zajedničke baze (ZB) a) Ulazne karakteristike.1. Mala ovisnost ulaznih karakteristika o izlaznom naponu UCB je također posljedica Earlyevog efekta. Izlazna karakteristika prikazana na slici 3. Ulazna karakteristika: I E = f (U EB )U CB = konst . Ulazne karakteristike imaju poznati oblik propusno polariziranog PN spoja. .32.

.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 85 IB [ A] -120 UCE =-2V IC [mA] -12 IB = -300 A IB = -250 A -100 -10 IB = -200 A -80 UCE =-8V -8 I = -150 A -60 UCE =0V -6 I = -100 A -40 -4 I = -50 A -20 -2 IC =ICE0 -0.33. ako ne teče ulazna struja (IB=0) ulazni spoj baza-emiter nije propusno polariziran (po apsolutnom iznosu je manji od napona koljena PN spoja baza-emiter). napon i snagu.32) Naponska ograničenja su povezana s dozvoljenim vrijednostima napona spojeva kod kojih dolazi do proboja. Ograničenja u radu tranzistora Ograničenja u radu tranzistora mogu se podijeliti u tri grupe: naponska ograničenja strujna ograničenja ograničenja snage Za svaki tranzistor bi trebalo biti zadano polje izlazne karakteristike područja unutar kojega je dozvoljeno da se nalazi radna točka tranzistora.a). Isto tako. ograničenja snage. b) Izlazne karakteristike Porastom napona UBE = -UEB struja IB raste eksponencijalno (Slika 3. Postoje još i frekvencijska ograničenja. što znači da je napon UCB>0 (propusna polarizacija). U ovom slučaju tranzistor je u području zapiranja.b) možemo primijetiti značajniji porast struje kolektora u ovisnosti o naponu UCE. To znači da moramo ograničiti struju.33. dakle Earlyev efekt je u značajnije izražen u izlaznim karakteristikama tranzistora u spoju ZE.V.6 -0. PC = I IZ ⋅ U IZ (3.8. Promatrajući izlaznu karakteristiku (Slika 3.33..9 IB = 0 A -4 -6 -8 -10 -12 -14 -16 UBE [V] 0 -2 UCE [V] Slika 3. Lijevo od koljena karakteristike tranzistor je u području zasićenja jer više nije U CE > U BE . a maksimalna dozvoljena snaga utiče i na ograničenje struje. 3.3 -0. ali ona su vezana uz dinamička svojstva tranzistora koja će biti izložena u narednim poglavljima. PNP tranzistor u spoju zajedničkog emitera (ZE) a) Ulazne karakteristike. Maksimalna dozvoljena toplina rada tranzistora izravno utiče na tzv.

35). itd.V. struja neće biti potpuno sinusoidalnog oblika. UCE. Osim ovih napona. Režim malih signala predstavlja linearnu aproksimaciju strujno-naponske ovisnosti. To je dinamičko stanje tranzistora. tj. djeluju i izmjenični (vremenski promjenjivi) naponi koji se superponiraju (zbrajaju) na istosmjerne pa kažemo da tranzistori rade pod dinamičkim uvjetima.9. Sad i struja postaje promjenljiva vremenska veličina. b) Izmjenična ulazna struja kao posljedica izmjeničnog napona na ulazu – Q je statička radna točka na ulazu Nelinearnost karakteristike uzrokovat će izobličenje u obliku izmjenične struje (u odnosu na ulazni napon). pravilu se analiza u izmjeničnim uvjetima sprovodi nad signalom sinusoidalnog oblika. zbog promjene napona. doći ako je karakteristika strmija.35. Ova aproksimacija vrijedi za + t ube(t) .Papić: Predavanja iz osnova elektronike PCMAX 86 IIZ IIZMAX Slika 3. Rad tranzistora pod dinamičkim uvjetima (PNP tranzistor u spoju zajedničkog emitera) a) Dovođenje tranzistora u radnu točku.34. Dinamička svojstva bipolarnih tranzistora Istosmjerni naponi UBE. (ovisno o vrsti spoja tranzistora) određuju statičku radnu točku tranzistora. Možemo primijetiti da će do većih promjena struje. Kao posljedica ove izmjenične komponente je pomicanje radne točke po karakteristici oko statičke radne točke Q (Slika 3. S obzirom da se bilo kakav izmjenični signal može prikazati kao suma signala sinusoida različitih amplituda i frekvencija. Ograničenja rada tranzistora – radna točka se nalazi unutar osjenčanog područja 3. UIZMAX UIZ + Slika 3.

36. u Y-tipu koeficijenti su vodljivosti (admitancija). Osnovni razlog prikazivanja tranzistora kao četveropola je što se tranzistor aproksimira samo linearnim elementima (otpornik.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 87 male ulazne izmjenične napone. tj. PNP C B E E B u1=UUL + i1=IUL + h11 + . te naponski i strujni izvori). H-tip četveropola ili hibridni tip se vrlo često koristi. Tranzistor kao četveropol Ako nam sva svojstva tranzistora i nisu u potpunosti poznata. možemo ga prikazati kao četveropol (Slika 3. što omogućava značajno jednostavniju analizu čitavog sklopa.10. kod kojih se može uzeti da je oblik struje isti kao oblik napona (jer se nelinearna krivulja na malom segmentu oko statičke radne točke tretira kao pravac. nego da se u obzir uzimaju sve nelinearnosti u ponašanju tranzistora. vodljivost i bezdimenzionalne veličine). potrebno je poznavati parametre četveropola. Općenito. kao da je linearna) 3. Napišimo izraz za toplinu: . a u H-tipu koeficijenti u sustavu jednadžbi su miješani (impedancija. za neki element kojeg prikazujemo kao četveropol nije nužno znati na kojem principu radi i od kojih se elemenata sastoji.36). pa ćemo njega i detaljnije objasniti.V. Ovisno o vrsti jednadžbi kojim opisujemo povezanost između ulaznih i izlaznih napona i struja. Dovoljno je znati zavisnost između napona na njegovim krajevima i struja koje protječu kroz te krajeve. Tranzistor kao četveropol U Z-tipu su koeficijenti u sistemu jednadžbi otpori (impedancije).h21i1 + 1/h22 i2=IIZ + C u2=UIZ h12u2 E - - E crna kutija (cetveropol) Slika 3. Y i H. njegovi parametri lako se određuju iz statičkih karakteristika tranzistora. Ukoliko su zavisnosti između struja i napona linearne. i (t ) = I max cos(ωt + β ) Efektivna vrijednost izmjenične struje jednaka je onoj vrijednosti konstantne istosmjerne struje Ief koja na otporu R za vrijeme T proizvede istu količinu topline kao i promatrana izmjenična struja i na istom otporu za isto vrijeme. postoji tri tipa četveropola: Z. Dodatak: pojam efektivne vrijednosti u (t ) = U max cos(ωt + α ) .

35) i1 = 0 Fizikalno značenje hibridnih parametara: .V. radi se o dinamičkim (izmjeničnim) veličinama. h12 = hr = 1 i1 u =0 u2 2 . to nije statička (istosmjerna) vrijednost. output) uz otvoren ulaz za izmjeničnu struju (1/Ω = S Siemens) Na desnoj strani slike 3.hi je ulazna (eng.Papić: Predavanja iz osnova elektronike T 88 2 Q = ∫ i (t ) 2 Rdt = I ef RT ⇒ I ef = 0 1 2 ∫ i(t ) dt T 0 T i dalje T T I2 1T I2 1 I2 1 2 1 2 ⎛I ⎞ i (t )dt = ∫ I max cos 2 (ωt + l)dt = max ⋅ ∫ [1 + cos(ωt + l)]dt = max ⋅ ⋅ T = max = ⎜ max ⎟ ∫ T 0 T 0 T 20 T 2 2 ⎝ 2 ⎠ 2 Napomena: Ako se sustavi jednadžbi pišu malim slovima.33) (3. Grafičko određivanje hibridnih parametara na temelju ulaznih i izlaznih statičkih karakteristika Parametre možemo izračunati iz statičkih karakteristika uzimajući umjesto izmjeničnih veličina priraštaje odgovarajućih istosmjernih veličina (Slika 3. a ako se pišu velikim slovima.10.ho je izlazna admitancija (eng. .1. reverse) veze uz otvoren ulaz za izmjeničnu struju (broj bez dimenzije) . i1 = 0 i h21 = h f = 2 i1 .36. u2 =0 i h22 = ho = 2 u2 (3. Prvo definirajmo parametre za tranzistor u spoju zajedničkog emitera (ZE).37).hr je faktor naponske povratne (eng.hf je faktor prijenosa struja sa ulaza na izlaz (eng. nego efektivna. Napišimo sada jednadžbe H-tipa četveropola: u1 = h11i1 + h12 u 2 i2 = h21i1 + h22 u 2 ili u matričnom obliku ⎡u1 ⎤ ⎡ h11 ⎢ i ⎥ = ⎢h ⎣ 2 ⎦ ⎣ 21 h12 ⎤ ⎡ i1 ⎤ h22 ⎥ ⎢u 2 ⎥ ⎦⎣ ⎦ (3.34) Hibridne parametre definiramo na slijedeći način: u u h11 = hi = 1 . forward) uz kratko spojen izlaz za izmjenični napon (broj bez dimenzije) . input) impedancija uz kratko spojeni izlaz za izmjenični napon (Ω) . 3. prikazan je nadomjesni sklop za dinamičko stanje bipolarnog tranzistora u spoju zajedničkog emitera.

39) I B = konst . UCE=UCE2-UCE1 UCE1 UCE2 IB ΔU BE hie = ΔI B UBE UBE U CE = konst . . h fe = ΔI C ΔI B UCE=konst. Prijenosni h-parametar za spoj zajedničkog emitera definiramo kao: h21 = h fe = ΔI C ΔI B (3.37. c) Prijenosni parametar.V. Izlazni h-parametar za spoj zajedničkog emitera definiramo kao: h22 = hoe = ΔI C ΔU CE (3.Papić: Predavanja iz osnova elektronike Ulazni h-parametar za spoj zajedničkog emitera možemo definirati na slijedeći način: h11 = hie = ΔU BE ΔI B 89 (3.38) U CE = konst . UCE hoe = c) ΔI C ΔU CE UCE I B = konst . Povratni h-parametar za spoj zajedničkog emitera definiramo kao: h12 = hre = ΔU BE ΔU CE (3. b) IC IC IC IB2 IB=IB2-IB1 B1 IC IB=konst. UCE d) Slika 3. a) ΔU BE hre = ΔU CE UBE UBE I B = konst . d) Izlazni parametar Parametri za tranzistor u spoju zajedničke baze (ZB) izračunavaju se na isti način.36) U CE = konst . Potrebno je samo uzeti odgovarajuće karakteristike. U CE = konst . Definiranje h parametara iz statičkih karakteristika. b) Povratni parametar.37) I B = konst . IB UCE=konst. IB IB=konst. a) Ulazni parametar.

Naponski izvor ima vrijednost μ ec ⋅ u cb . Za idealni tranzistor u spoju zajedničke baze. možemo izračunati hibridne parametre za bilo koju radnu točku.dinamički ulazni otpor idealnog tranzistora . Nadomjesni sklopovi bipolarnih tranzistora Nadomjesni sklopovi su sklopovi koji nam pokazuju zamišljenu unutrašnjost četveropola.faktor strujnog pojačanja idealnog tranzistora . onda realni hibridni parametri imaju nešto izmijenjene oblike: ′ h11b = h11b + rb 'b (1 − α ' ) ' ′ h12b = h12b + rb 'b ⋅ g c ′ h21b = h21b ′ h22b = h22b e e’ E C c’ c b’ b’ rb’b b b b’ b Slika 3. 3. Konačno.11. te na taj način omogućavaju proračun sklopova. ako su zadane statičke karakteristike.38. oni vrijede za određenu radnu točku. Obratno. treba napomenuti kako se često koristi pojednostavljeni model u kojem se povratni i izlazni parametar (hre i hoe) zanemaruju.izlazna vodljivost idealnog tranzistora Ako tranzistor nije idealan. kod kojeg nemamo dodatnih otpora. Ce – kondenzator na emiterskom otporu . označimo hibridne parametre na slijedeći način: ′ h11b = re′ ′ ′ h12b = μ ec ′ h21b = −α ′ ′ ′ h22b = g c .V. ′ Napon u cb je napon na idealnim stezaljkama. s obzirom na njihove vrlo male vrijednosti (jasno vidljivo iz slika 3.37 b) i d) ).faktor naponske povratne veze idealnog tranzistora . kapaciteta i induktiviteta. Idealni (iscrtano) i realni tranzistor (crta-točka) prikazan kao četveropol a) ZB (Earlyjev nadomjesni sklop) ′ ′ Sklop koristi jedan strujni i jedan naponski izvor.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 90 Ako su zadani hibridni parametri.

⎛ α'⎞ gm – strmina tranzistora ⎜ g m ≈ ⎟ ⎜ re′ ⎟ ⎝ ⎠ Cb’c b + ib rb’b b’ 1/gb’c ic + c gmub’e ube ub’e 1/gb’e 1/gce Cb’e uce e Slika 3.39. mogu zanemariti.40. tj.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 91 Cc – kondenzator na kolektorskoj vodljivosti. Earlyjev nadomjesni sklop b) ZE (Giacolettov nadomjesni sklop) Ovaj nadomjesni sklop sadrži samo jedan izvor (strujni). Hibridni π – nadomjesni sklop (shema ima oblik π) spoja zajedničkog emitera je općenito jedan od najčešće upotrebljavanih.40.39. Za niske frekvencije se kondenzatori na slici 3. za niske frekvencije kondenzatori na slici 3. Ovo su parazitski kapaciteti koji se javljaju pri visokim frekvencijama. mogu se zanemariti. Giacolettov nadomjesni sklop e .V. ic + + ie c e re’ Ce + - μec’ucb’ -α’ie Cc 1/gc’ ueb ucb ib b rb’b b Slika 3.

Drugim riječima. Anodni napon UAA može biti i oko 200-300 V.40) gdje je μ pojačanje diode.41. One su smještene u vakumiranoj posudi od stakla ili metala. djelovanje rešetke je jače jer je ona bliže katodi. Ipak. rešetke i anode. možemo primijetiti da negativniji napon rešetke UG ima za posljedicu manju anodnu struju. Strmina S je omjer vrlo male promjene anodne struje i vrlo male promjene napona rešetke pri konstantnom anodnom naponu. ∂u G (3. S strmina. a unutar cilindra se nalazi grijače tijelo koje se napaja istosmjernim izvorom (Slika 3. Katoda je građena kao i kod katodne cijevi: metalni cilindar je prekriven metalnim oksidom.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 3. a) Katoda b) Vakuumska trioda G – rešetka (mrežica) Emitirani elektroni bivaju privučeni pozitivnim naponom anode.12.b) je elektronska cijev koja se sastoji od tri elektrode: katode. Iz karakteristike triode prikazane na slici 3.42.41. Kad je mrežica na nultom naponu imamo maksimalnu anodnu struju i svi elektroni s katode dođu na anodu. kaže nam koliko je jak utjecaj negativnog napona rešetke na anodnu struju: ⎛ di ⎞ ∂i S =⎜ A ⎟ = A ⎜ du ⎟ ⎝ G ⎠U A = konst .a).41.V.41) . Ako želimo smanjiti anodnu struju. a ru unutrašnji otpor. dok je napon mrežice UGG oko 5-6 V. Vakuumska trioda 92 Trioda (Slika 3. IA A G Uff + K UG G a) + UAA b) + Slika 3. mrežica mora biti takvog naboja da koči elektrone i tako se regulira struja. Za vakuumsku triodu (kao i za sve druge elektronske cijevi) vrijedi Barkhausenova relacija: μ = S ⋅ ru (3.

V. Unipolarni tranzistori Ideja o upravljanju prolaza struje (i njenom pojačanju) kroz poluvodiče pomoću vanjskog električkog polja. Unipolarni tranzistor je. naponsko upravljani elektronički element.Papić: Predavanja iz osnova elektronike IA (mA) 93 UA1 UA2 UA3 -UG3 -UG2 -UG1 -UG (V) UA (V) − U G1 Slika 3. dok je bipolarni tranzistor strujno upravljani elektronički element. ∂i A (3. izlazna struja je struja većinskih nositelja koja nastaje uz zanemarivo malo djelovanje manjinskih nositelja. Može se kazati da se bipolarni tranzistori više koriste u analognim. Kod unipolarnih tranzistora. U A1 > U A3 Unutarnji otpor ru je omjer vrlo male promjene anodnog napona i odgovarajuće promjene anodne struje pri konstantnom naponu rešetke: ⎛ du ⎞ ∂u ru = ⎜ A ⎟ = A ⎜ di ⎟ ⎝ A ⎠U G = konst .42.42) Faktor pojačanja je omjer vrlo male promjene anodnog napona i odgovarajuće promjene napona rešetke pri konstantnoj anodnoj struji: μ = −⎜ A ⎟ ⎜ du ⎟ ⎝ G ⎠I ⎛ du ⎞ =− A = konst . > − U G 3 . zbog tehnoloških problema uspješno je realizirana tek 1953.43) 3. ali imaju i manje pojačanje. a unipolarni u digitalnim sklopovima. tako da ih se može usporediti s elektroničkim cijevima. ∂u A ∂u G (3.13. Oni se lakše proizvode od bipolarnih tranzistora i zauzimaju manje prostora pa se intenzivno koriste u proizvodnji integriranih krugova. Imaju vrlo veliku ulaznu impedanciju. kao i elektronska cijev. Općenito troše manje snage. iako starija od one koja je dovela do konstrukcije bipolarnih tranzistora. godine. .

Dva jako dopirana P područja nalaze se sa strane glavne osi kanala i međusobno su povezana. kao i MOSFET tranzistori imaju tri elektrode: upravljačka elektroda ili vrata (G – gait) odvod ili ponor (D – drain) uvod ili izvor (S. Slabo dopirani N – tip poluvodiča koji ima oblik štapa predstavlja kanal s odvodom ili ponorom (D-drain) na jednom kraju i uvodom (S-source) na drugom. JFET Spojni tranzistori s efektom polja (JFET). uglavnom se koriste silicijevi kristali zbog boljih svojstava silicija pri visokim temperaturama. a vrata (G) upravljačka elektroda. Objasnimo sada rad JFET-a prikazanog na slici 3. a postoje dva osnovna konstrukcijska oblika: spojni tranzistori s efektom polja (Junction Field Effect Transistor – JFET) metal oksidni poluvodički tranzistor s efektom polja (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor – MOSFET) ili tranzistor s efektom polja s izoliranom upravljačkom elektrodom 3. Prikaz spojnog FET-a s izvorima napajanja (zajednički uvod ZS) a) N-kanalni JFET dobiven procesom legiranja .43. Ova dva jako dopirana područja (3-valentne nečistoće) i + . UGS ID D SiO2 + - S G P D metal G G P N + P - UDS N P osiromaseni sloj osiromaseni sloj (barijera) S + - metal UGS - UDS a) b) Slika 3.44.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 94 Unipolarni tranzistori se još nazivaju i tranzistori s efektom polja (Field Effect Transistor – FET). Simboli spojnog FET tranzistora prikazani su na slici 3.a).source) Odvod (D) i uvod (S) su osnovne elektrode.43. Ovi tranzistori se proizvode s kanalom N i P tipa. b) N-kanalni JFET dobiven procesom difuzije Iako su prvi tranzistori bili izrađeni od germanija. a tehnološki postupci koji se koriste pri proizvodnji su legiranje i difuzija (noviji).V.14.

D ID + UDS G UGS + S a) b) G + UGS - D ID UDS + S Slika 3.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 95 slabo dopirano N – područje (5-valentne nečistoće) zajedno tvore PN – spoj.43. Napon između elektrode D i G je pozitivan (UDG > 0 ). D D G G S a) b) S Slika 3.kanalni JFET). b) P – kanalni JFET Između elektroda D i S priključen je napon UDS (UDS > 0). Najširi dio barijere je u području priključka odvoda (D) jer su na tom području PN – spojevi najviše inverzno polarizirani (UDS > 0 za N . kako je i vidljivo sa slike 3. Ispravna polarizacija FET-a: a) N – kanalni. Simboli JFET-a a) N – kanalni JFET.44. barijera (osiromašeno područje) koje nastaje uslijed reverzne polarizacije PN – spoja. a između priključaka P područja označenih s G i elektrode S priključen je napon UGS. a cijelo to područje se naziva upravljačka elektroda ili vrata (G – gate). ali i o naponu UGS.45.V. Struja koja teče kroz preostali dio kanala ovisi o naponu UDS.a). b) P – kanalni S obzirom na mnogo veće onečišćenje P područja. Napon UGS osigurava reverznu polarizaciju PN – spoja (UGS = .USG < 0). . širi se gotovo isključivo na N stranu.

V. Zbog sve veće inverzne polarizacije PN – spoja povećavanjem napona UDS. Promotrimo sada ponašanje struje ID u ovisnosti o naponu UDS ako su upravljačka dioda (G) i uvod (S) kratko spojeni (UGS = 0).46. Osim prikazanog slučaja zajedničkog uvoda (ZS). Najveća inverzna polarizacija PN spoja je u području odvoda (D) pa je i osiromašeni sloj upravo tu najširi. Drugim riječima. Za slučaj N – kanalnog FET-a. UGS = 0 Razlikujemo tri područja rada: triodno područje (ili ohmsko područje). a kod P – kanalnog FET-a nosioci su šupljine. Kada napon toliko naraste da dolazi do prekida kanala. To dovodi do različitog širenja osiromašenog sloja duž kanala. struja će biti sve manja kako povećavamo napon reverzne polarizacije UGS. napon dodira. . proboja UP UPR UDS (V) Slika 3. uži je kanal (širi se barijera). Manjinski nosioci nemaju nikakvu ulogu u radu tranzistora. Za manje napone UDS porast struje ID je približno linearan. uz neki konstantni iznos napona UDS. ID (mA) IDSS triodno p. Za dovoljno veliku vrijednost inverznog napona UGS (tzv. Objasnimo ovu karakteristiku uz UGS = 0 (Slika 3.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 96 Naime.15. 3. stvara pad napona zbog otpora kanala. rad tranzistora ovisi samo o nosiocima jednog polariteta. Stoga se ova vrsta tranzistora naziva i unipolarni. Efekt polja se očituje u činjenici da su osiromašena područja u kanalu rezultat djelovanja električnog polja na inverzno polariziranim PN – spojevima (upravljačka elektroda – kanal). ID = f(UDS). nosioci naboja su elektroni (većinski nosioci u kanalu). UP) kanal cijelom širinom postaje nevodljiv i struja kroz njega pada na nulu. područje zasićenja i područje proboja.46). napon između upravljačke elektrode (G) i neke točke na kanalu nije konstantan. Kako otpor direktno ovisi o širini presjeka kanala. Statičke karakteristike N – kanalnog JFET-a Ponašanje JFET-a bitno je određeno osiromašenim PN – spojem. kanal se sužava i otpor raste. uži kanal ujedno znači i veći otpor. pod. kao i kod bipolarnih tranzistora možemo imati spojeve sa zajedničkom upravljačkom elektrodom (ZG) i zajedničkim odvodom (ZD). Uobičajeno je promatrati ponašanje struje ID u ovisnosti o naponu UDS za neku konstantnu vrijednost napona UGS (izlazna karakteristika JFET-a). Normalni rad JFET tranzistora je u području zasićenja. Što je napon reverzne polarizacije viši. Struja ID koja prolazi kanalom. Iz Ohmovog zakona znamo da uz konstantni napon i veći otpor dobijemo manju struju. Kao posljedica ovog pada napona. zasicenja pod.

Za napone veće od napona dodira (UDS > UP) daljnjim povećanjem napona UDS dolazi do neznatnog povećanja struje ID.5 V triodno p. 2 K= I DSS 2 UP (3.5 V UGS= -1. Posljedica ovog napona je uža početna širina kanala.47. Za vrijednost napona UDS = UPR dolazi do proboja i vjerojatnog uništenja tranzistora. Ovo područje naziva se područje zasićenja.46) I D = konst . ID (mA) 10 8 6 UGS= -2.5 V 2 0 5 10 15 UDS (V) Slika 3. U području zasićenja ovisnost ID o ulaznom naponu UGS može se približno izraziti pomoću jednostavne relacije: ⎛ U ⎞ I D (U GS ) = I DSS ⎜1 + GS ⎟ UP ⎠ ⎝ 2 (3. Faktor naponskog pojačanja tranzistora možemo izračunati iz: μ= ∂U DS ∂U GS (3.V. Područje napona do napona dodira naziva se triodno područje jer je karakteristika slična karakteristici triode. Za negativnije napone UGS dovoljni su niži naponi UDS kako bi ušli u područje zasićenja. pod. .47. još više se inverzno polarizira PN – spoj pa i pri UDS = 0 postoji osiromašeno područje u kanalu.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 97 dolazi do struje zasićenja IDSS. Prikaz ovisnosti struje ID o naponu UGS uz konstantan UDS. Ovaj napon (UP) naziva se napon prekida ili dodira (pinch off voltage).48). Spajanjem UGS < 0 (N – kanalni tranzistor). Izlazna karakteristika realnog N – kanalnog JFET-a. predstavlja prijenosnu karakteristiku (lijeva strana slike 3.45) gdje je K konstanta ovisna o fizičkim parametrima i geometriji tranzistora (za N – kanalni tranzistor napon UP > 0. dakle veći otpor pa stoga krivulja ID = f(UDS) ima manji nagib. Izlazna karakteristika N – kanalnog tranzistora prikazana je na slici 3. a UGS < 0).44) odnosno I D (U GS ) = K (U GS + U P ) . Ovo je maksimalna struja koja se može postići. zasicenja UDS= UGS+ UP UGS= 0 4 UGS= -3.

5 V UGS= -1. pod. 3. Nadomjesni sklop JFET-a.49. ID (mA) IDSS triodno p. zasicenja UGS= 0 10 8 6 UDS= 10 V UGS= -2. tj.5 0 5 10 15 UDS (V) UGS (V) Slika 3. govori koliko će promjena ulaznog napona promijeniti izlaznu struju tranzistora uz konstantan izlazni napon: gm = ∂I D ∂U GS (3.48.5 V 4 UGS= -3. Nadomjesni sklop JFET-a Na slici 3. Prijenosna karakteristika N – kanalnog JFET-a. Strmina.5 -1.5 V UGS= -UP 2 -3. parametar gm. prikazana je nadomjesna shema JFET-a. G Cgd D Ugs Cgs gmUgs rd Uds S S Slika 3.49.Papić: Predavanja iz osnova elektronike a dinamički otpor pomoću izraza rd = ∂U DS ∂I D 98 (3.V. UDS = konst.48) U DS = konst .47) U GS = konst .16. . ID = f(UGS). Na niskim frekvencijama mogu se zanemariti kapaciteti Cgd i Cgs.

50. Kod ove vrste tranzistora ne postoji vodljivi kontakt između upravljačke elektrode (G) i poluvodičkog materijala pa zbog toga ne može doći ni do struje u krugu upravljačke elektrode čak i u slučaju kad je napon UGS > 0 (propusna polarizacija PN – spoja). pa poteče izlazna struja ID. Ovi elektroni. Osnovna karakteristika MOSFET tranzistora je vrlo veliki ulazni otpor (~1015 Ω). u P-tipu poluvodiča će se inducirati negativni naboj.17. Pri ovome naponu između izlaznih elektroda uvoda i odvoda formira se kanal N-tipa. neće preći na nju. Povećanjem pozitivnog napona upravljačke elektrode (G) sve više elektrona je privučeno kanalu te se povećava . cijeli spoj se ponaša kao veliki otpor između uvoda i odvoda. Kako obje diode nisu propusno polarizirane. Jedno N područje predstavlja izvor ili uvod (S). napon između odvoda (D) i uvoda (S) priključen je tako da je UDS > 0 (Slika 3. Ako na upravljačkoj elektrodi nije priključen nikakav napon. Cijela površina je prekrivena tankim slojem silicijevog oksida koji služi kao dielektrik s otvorima za metalne priključke uvoda i odvoda na odgovarajuće N područje. U normalnom radu N-kanalnog MOSFET-a.tipa. Zbog ove slojevitosti metaloksid-poluvodič i nastao je naziv MOSFET. na podlozi od visokootpornog poluvodičkog materijala P-tipa (Si) difuzijom su oformljena dva područja jako dopiranog materijala N-tipa. podloga P-tipa i dva N područja predstavljaju dvije PN diode od kojih je jedna propusno. Također se mogu proizvesti kao osiromašeni i obogaćeni tip. eng. MOSFET 99 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ili tranzistor s efektom polja s izoliranom upravljačkom elektrodom se kao i JFET proizvodi u dva podtipa: N – kanalni na podlozi P–tipa (Slika 3.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 3. skupljajući se ispod ploče u području od uvoda do odvoda.50. N – kanalni MOSFET Za primjer MOSFET-a obogaćenog tipa sa slike 3. tj. koji za podlogu predstavljaju manjinske nosioce. Priključivanjem pozitivnog napona (s obzirom na uvod) na upravljačkoj elektrodi. a druga nepropusno polarizirana. S G metal SiO2 D N+ P (podloga) N+ Slika 3. P-kanalni MOSFET ponaša se na isti način. Ulazni napon UGS pri kojemu koncentracija elektrona postaje jednaka koncentraciji šupljina u podlozi P-tipa naziva se napon praga UP (ili UT. elektroni će biti privučeni u blizinu metalne ploče upravljačke elektrode. Upravljačka elektroda (G) nalazi se na površini između odvoda i uvoda. Sada razmotrimo ponašanje N-kanalnog MOSFET-a.V. Promjenom potencijala na upravljačkoj diodi mijenja se i "dubina" kanala ("dublji" kanal – manji otpor) pa se na taj način upravlja strujom odvoda. treshold).51). S obzirom da se u podlozi (poluvodiču P-tipa) formira kanal (poluvodič N-tipa) ovaj efekt naziva se inverzija kanala.50) i P – kanalni na podlozi N . a drugo odvod (D). ali zbog sloja SiO2. ali uz obrnute polarizacije napona.

odnosno smanjenje vodljivosti kanala tj. . Ispravna polarizacija napona N-kanalnog MOSFET-a Kada napon UDS poraste dovoljno da razlika potencijala između odvoda i upravljačke elektrode (UGS-UDS) dosegne napon praga. Manja razlika potencijala između odvoda i upravljačke diode u usporedbi s razlikom potencijala između upravljačke diode i uvoda kao posljedica ima mnogo "plići" kanal uz odvod (D). ali zbog postojanja napona. a "dublji" uz uvod (S). zbog čega je porast ID sve sporiji.. kod N-kanalnog MOSFET-a odvod (D) je pozitivniji od uvoda (S).51. smanjenjem UGS smanjuje se i ID. Kako smo već vidjeli. Za tranzistor u ovom stanju kažemo da je u zasićenju. kanal iščezava u području odvoda. još "plići" kanal u blizini odvoda zbog smanjenja razlike potencijala između upravljačke elektrode (G) i odvoda (D). Porast potencijala odvoda (kao posljedica porasta ID) uzrokuje smanjenje koncentracije elektrona u području oko odvoda. UGS + G D S N + kanal N-tipa N + ID P G2 UDS + Slika 3.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 100 koncentracija elektrona (kanal postaje "dublji"). Obrnuto. nema ravnomjernu koncentraciju elektrona) cijelom duljinom. Daljnje povećanje napona odvoda ima vrlo mali utjecaj na struju odvoda ID. Ovo je osnovni princip kontrole ID pomoću UGS. kada UDS=UGS-UP. Zbog toga je u blizini odvoda kanal znatno pozitivniji prema upravljačkoj diodi (G) nego što je to slučaj na drugom kraju. Kanal prikazan na slici 3. tj. odnosno uvodu (S). Ravnomjerna "dubina" kanala bila bi za napon UDS = 0. Ovaj efekt je sve izraženiji sa rastom UDS .veća. Slika 3. no struja se održava na konstantnoj razini zbog velikog električnog polja koje "prebacuje" elektrone preko osiromašenog područja.V. Simboli MOSFET-a .52. pa je i ID. to nije slučaj.51 zapravo nije ravnomjerno "dubok" (točnije.

Kao što se vidi. Slika 3.tako da UGS <0 i to sve dok UGS.V. 3. Kod ovog tipa. ima dva osnovna područja rada s prijelaznim područjem između njih. Također. za razliku od JFET-a. a tada je struja odvoda gotovo neovisna o naponu UDS. Više vrijednosti napona UDS dovode do zasićenja. moguće je i smanjivati UGS (i samim tim smanjivati ID) – "osiromašiti" kanal . kao i JFET. Za male napone UDS. struja odvoda određena je naponom upravljačke diode.= UP.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 101 Tvornički se može oformiti kanal s istim tipom primjesa kao uvod i odvod.53. kod MOSFET-a nema .54.53. U ovom drugom području rada. tranzistor je u triodnom području kod kojeg je struja odvoda približno proporcionalna naponu UDS.18.52. Statičke karakteristike MOSFET-a MOSFET. osiromašeni tip vodi struju ID i za negativne (do UP) i za pozitivne polarizacije napona UGS. Simboli za obogaćeni i osiromašeni tip MOSFET-a prikazani su slikom 3. Nakon ovoga kanal više ne postoji i struja ID =0. Prijenosne karakteristike N-kanalnog MOSFET-a.54. Izlazne karakteristike N-kanalnog MOSFET-a. Na ovaj način postiže se proticanje struje ID i kad je napon UGS = 0. ukoliko postoji napon između uvoda i odvoda. i 3. Slika 3. Tipične izlazne i prijenosne karakteristike prikazane su na slikama 3. a ovakav tip MOSFET-a naziva se osiromašeni tip.

50) Iz nagiba prijenosne karakteristike može se odrediti parametar gm (strmina) i rd (otpor odvoda). Nadomjesni sklop MOSFET-a Nadomjesni sklop MOSFET-a gotovo je u potpunosti jednak onom JFET-a.V. U području zasićenja veza između struje ID i napona UGS može se opisati jednostavnim izrazom I D = K (U GS − U P ) 2 (3. uz ograničenja snage koje navede proizvođač). a utjecaj izlaznog napona (na odvodu) nije velik. Na malim frekvencijama nema nikakve razlike dok kod viših frekvencija u razmatranje uvodimo osim parazitnih kapaciteta Cgd i Cgs i parazitni kapacitet Cds.19. U triodnom području može se koristiti kao naponski upravljan promjenjiv otpornik. rd = ∂U DS ∂I D (3. G Cgd D D Ugs Cgs gmUgs rd Cds Uds S Slika 3.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 102 maksimalne struje IDSS. Granica između triodnog područja i područja zasićenja ovisna je o naponu dodira UP prema izrazu U DS (dodira ) = U GS − U P (3. 3. U DS = konst . Struja ID može rasti sve dok se povećava UGS (naravno.55.51) U GS = konst . Vrijede isti izrazi kao i za JFET: gm = ∂I D ∂U GS . MOSFET. Nadomjesni sklop MOSFET-a S . uobičajeno radi u području zasićenja gdje je izlazna struja određena prvenstveno ulaznim naponom. (kao i JFET) kada radi kao pojačalo.49) gdje je K konstanta koja ovisi o fizikalnim parametrima i geometriji tranzistora. Ulazni otpor je praktično beskonačan (jer je upravljačka elektroda potpuno izolirana).

. i kod JFET-a i kod MOSFET-a dolazi do linearnog pada struje. nulta ulazna struja (upravljanje bez snage) opadanje struje povećanjem temperature jednostavnost izrade brzina dok bipolarni tranzistori imaju linearniju karakteristiku i veće pojačanje. što dovodi do većeg pada napona koji uzrokuje povećanje snage. Ovo svojstvo je prednost nad bipolarnim tranzistorima kod kojih porastom temperature dolazi do porasta struje. Kod unipolarnih tranzistora ne može doći do termičkog bijega.56. odnosno uvoda. Što je apsolutni napon upravljačke elektrode veći.. Povećanje snage uzrokuje povećanje temperature.56). Možemo kazati da su najveće prednosti unipolarnih tranzistora: vrlo veliki ulazni otpor tj.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 103 3.V.5 0 -50 -25 0 25 50 75 100 T(0C) JFE T MOSFET Slika 3. Proboj je lavinski i ovisi o otpornosti poluvodiča. probojni napon odvoda je manji. Već pri naponima od 40-50 V polje u dielektriku je toliko veliko da nastaje proboj dielektrika. nalazi se vrlo tanak dielektrik. Posljedica proboja je nagli porast struje ID.20. Ograničenja rada i prednosti unipolarnih tranzistora Ako iz nekog razloga raste temperatura u okolini tranzistora. sve do termičkog bijega (proboja).5 1 0.. Na odvodu zapravo dolazi do proboja PN-spoja odvoda. Češći je proboj upravljačke elektrode. Između nje i kanala. Kod MOSFET-a je pad manje izražen (Slika 3. Ovisnost struje ID o temperaturi Proboj kod JFET tranzistora je u osnovi proboj između kanala i upravljačke elektrode. ID(T) ID(T=250C) 2 1. Proboj MOSFET-a nastupa zbog povećanja napona odvoda i povećanja napona upravljačke elektrode.

31. Po čemu je specifična strujno-naponska karakteristika tunel-diode? 13. Koja je razlika između istosmjernog i izmjeničnog faktora strujnog pojačanja? 20. 9. Kako izračunavamo naponsko pojačanje vakuumske triode? 30. Koje su donje i gornje temperaturne granice silicijevih i germanijevih dioda? 16. Zbog čega kod unipolarnih tranzistora ne dolazi do termičkog bijega? . 35. 6. Objasnite unutrašnja kretanja naboja normalno polariziranog P-N-P tranzistora u spoju ZB. 3. Objasnite princip rada spojnih tranzistora s efektom polja. 37. Koja su ograničenja na koja moramo paziti prilikom izbora radne točke tranzistora? 26. 2. Kako možemo odrediti vrijednosti hibridnih parametara? 29. U čemu je razlika između nadomjesne sheme JFET-a i MOSFET-a? 38. 7. Nacrtajte i objasnite tipičnu izlaznu karakteristiku MOSFET-a. Koja područja rada JFET-a poznajete? 34. 14. Objasnite princip rada MOSFET-a. Objasnite pojam "režim malih signala". Navedite sastavne dijelove P-N diode. Koja je razlika U-I karakteristike vakuumske i poluvodičke diode? 17. Zbog čega dolazi do razlike u širini kanala uz uvod i odvod kod JFET-a? 33. Kako izračunavamo strujno pojačanje u spoju ZB. Navedite osnovne prednosti i nedostatke unipolarnih tranzistora u odnosu na bipolarne tranzistore. 27. Što je posljedica razlike koncentracija nositelja naboja na P i N strani P-N spoja? Kada nastupa ravnotežno stanje? Kako izgleda energetski dijagram P-N spoja u ravnoteži? O čemu ovisi kontaktni potencijal i koje su njegove tipične vrijednosti? Što se događa sa širinom barijere ako povećavamo koncentraciju primjesa? Objasnite razliku između energetskih dijagrama za propusnu i nepropusnu polarizaciju P-N spoja. 4. 19. 5. 15. Koja je razlika između Zenerovog i lavinskog proboja? 11.V. 23. Kakvu polarizaciju spojeva treba osigurati da bi tranzistor radio u normalnom aktivnom području? 18. 32. Izvedite izraz za dinamičku vodljivost diode. a kako u spoju ZE i o kolikim se iznosima tipično radi? 21.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 104 Pitanja: 1. Kakvo je fizikalno značenje pojedinog hibridnog parametra? 28. Koja je specifičnost spoja zajedničkog kolektora? 22. Nacrtajte ulazne i izlazne karakteristike P-N-P tranzistora za spoj ZE i ZB. Nacrtajte nadomjesni sklop dinamičkog stanja u uvjetima propusne polarizacije. U kojem području rada koristimo Zener diode i zašto? 12. U koje četiri grupe možemo podijeliti karakteristike tranzistora? 24. 25. Kojom jednadžbom možemo opisati struju kroz P-N diodu u propusnom području? 10. O kojim strujama ovisi ukupna struja u P-N spoju? 8. Navedite područja rada tranzistora prema polarizaciji emiterskog i kolektorskog spoja. Zbog čega dolazi do razlike u širini kanala uz uvod i odvod kod MOSFET-a? 36.

1). Električni signal koji se pojačava može biti strujni ili naponski. Princip rada: 1) uzeti aktivni elektronički element 2) aktivirati ga tj. zavojnice i kondenzatori pasivni elementi. Ukoliko promatramo odnose snaga. Pojačalu pomoću generatora dovodimo signal na ulaz.1. a tako i sve veličine koje ovise o njima. Pojačala Pojačala su linearni elektronički sklopovi (zapravo su linearni samo onda kada se promatraju pod djelovanjem malih signala) sastavljeni od aktivnih i pasivnih elektroničkih elemenata. a Uiz i Iiz su efektivne vrijednosti izlaznog napona i struje. b) Otpor potrošača na izlazu pojačala sa zajedničkim emiterom Rp – otpor potrošača. a) Pojačalo kao četveropol.2) . Iiz = Ip – struja potrošača. priključiti istosmjerni napon 3) dovesti signal na ulaz 4) na izlazu dobiti pojačani signal Pojačalo možemo prikazati kao četveropol (Slika 4. općenito vrijedi (Slika 4.1.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 105 4. Elektronički sklopovi 4. uz UG = 0 ili IG = 0 (ovisno o tome radi li se o naponskom ili strujnom generatoru). a izlazni signal (pojačani) također može biti strujni ili naponski. Da bi na izlazu dobili napon. Pod aktivnim elementima ubrajamo poluvodičke diode. Izlazni otpor pojačala Riz računa se uz isključeni generator G tj.V. bipolarne i unipolarne tranzistore dok su otpornici. Veličine Uul i Iul su efektivne vrijednosti ulaznog napona i ulazne struje. Iul Pojačalo Iiz Ic - G Uul Rul AiIul Riz RP RP + UP = IcRP + a) b) Slika 4.1) tj.2): Pul + Pnap = Piz + Ptop (4. suma snage ulaznog signala (snaga iz generatora G) i napajanja (izvor istosmjernog napona) jednake su sumi snage pojačanog signala i toplinskih gubitaka. Aktiviranje tranzistora znači njegovo dovođenje u neku statičku radnu točku. moramo staviti otpornik (Rp) koji zapravo predstavlja otpor nekog potrošača. Izlazna snaga pojačanog signala tada je Piz = Pul + Pnap − Ptop (4. O statičkoj radnoj točki ovise hibridni parametri tranzistora.

Elektronički element je u neku ruku pretvornik istosmjerne u izmjeničnu snagu ako se radi o pojačanju izmjeničnog signala.2.3) možemo zaključiti da se ulazni signal pojačava zbog pretvaranja dijela snage istosmjernog izvora u snagu izlaznog signala. a ne na Riz. pojačava istosmjerni signal na izlazu. Međutim. U tom slučaju elektronički element ne djeluje kao pretvornik.5) Ulazna struja i ulazni napon «doživljavaju» pojačalo kao izlazni otpor.V.4) Izlazna i ulazna snaga može se opisati pomoću odgovarajućih struja. napona i otpora 2 Piz = I iz ⋅ U iz = I iz ⋅ R p = 2 U iz Rp U2 2 Pul = I ul ⋅ U ul = I ul ⋅ Rul = ul Rul (4. nego jednostavno crpeći istosmjernu snagu iz napajanja. Piz = Pul + Pnap (4. Na izlazu se snaga razvija na otporu potrošača Rp. postoje i pojačala istosmjernog signala.Papić: Predavanja iz osnova elektronike pa uz 106 K= Ptop Pnap tj. Odnosi snaga Za idealno pojačalo vrijedio bi izraz Ptop = 0 ⇒ K = 0 .3) gdje je 0 < K < 1. Iz relacije (4. . Ptop = K ⋅ Pnap dobijemo izraz za ukupnu izmjeničnu snagu na izlazu koja se preda potrošaču Piz = Pul + (1 − K ) ⋅ Pnap (4. Ptop Pul ulazni signal toplinski gubici POJACALO Piz pojacani signal Pnap napajanje Slika 4.

7) možemo pisati G[dB ] = 20 log Rp Rp I iz + 10 log = AI [dB ] + 10 log Rul Rul I ul U R R G[dB ] = 20 log iz + 10 log ul = AV [dB ] + 10 log ul Rp Rp U ul (4. a zajedno s RG (npr. iz (4.1. Ukoliko je otpor potrošača jednak ulaznom otporu pojačala (Rp = Rul).8) gdje su AV i AI naponsko i strujno pojačanje (A – Amplification – pojačanje). Uobičajeno se ovaj dobitak izražava u decibelima: G[dB ] = 10 log G[dB ] = 10 log Piz Pul 2 I iz R p 2 I ul Rul = 10 log 2 U iz / R p 2 U ul / Rul (4. Krug sa strujom IG je idealni strujni izvor. Računanje u decibelima Dobitak snage (G – Gain – dobitak) možemo definirati kao omjer snage izmjeničnog signala predanog potrošaču i snage signala predanom ulaznom krugu pojačala G= Piz Pul (4. nego o dobitku.2. Strujni i naponski izvori Realni strujni izvor prikazan je na slici 4.3.1. Sa slike vidimo da je I G = I '+ I p I p = IG − I ' (4.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 107 4. dobitak snage je jednak naponskom ili strujnom pojačanju: R p = Rul ⇒ G[dB ] = AI [dB ] = AV [dB ] G[dB ] = 10 log I iz ⋅ U iz I U 1 = 10 log iz + 10 log iz = ( AI + AV ) I ul ⋅ U ul I ul U ul 2 4.10) .7) nadalje.1.V.6) Kod snage ne govorimo o pojačanju.9) Uz I'= Up RG (4. otpor elektrolita) to je realni strujni izvor.

Papić: Predavanja iz osnova elektronike 108 struja na potrošaču I p = IG − I p = IG − Up RG I p Rp RG (4.3. možemo je odrediti grafički. Za R p << RG ⇒ I p ≈ I G = konst. ne bi smjela ovisiti o Rp. Stoga Ip mora biti konstantna.5). tj. . Nagib radnog pravca ovisi o otporu potrošača. i to presjecištem karakteristike s radnim pravcem (Slika 4. vrijednosti otpora potrošača Rp i otpora generatora RG: Ip = RG ⋅ IG RG + R p (4.12) i dalje Rp ⎞ ⎛ I p ⎜1 + ⎟ ⎜ R ⎟ = IG G ⎠ ⎝ RG + R p Ip = IG RG (4. ne stavljanjem Rp = 0.14) IG I’ IG RG Ip Rp Up = Ip Rp realni strujni izvor Slika 4.4. nego RG → ∞ .13) odakle dobijemo ovisnost struje potrošača o generatoru IG. Rp – otpor potrošača Idealni strujni izvor je izvor koji bi na izlaznim stezaljkama imao uvijek istu veličinu izlazne struje. Idealni strujni izvor postiže se. Tada je Ip = IG.V. Idealni strujni izvor prikazan je na slici 4. RG – otpor generatora. Kada želimo odrediti statičku radnu točku. Realni strujni izvor: IG – struja generatora.11) (4.

kad struja izlazi na plusu.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 109 IG IG = Ip IG Rp Up = IG Rp idealni strujni izvor Slika 4.5. Za petlju kažemo da je suma napona petlje jednaka nuli. Idealni strujni izvor Strujni izvor je prikazan pomoću odsječka na ordinatnoj osi (IG) i odsječka na apsolutnoj osi ( I G ⋅ RG ). u jednoj rotaciji. Pretpostavimo da je. U njihovom sjecištu je statička radna točka. Izvori imaju napone. a pasivni elementi pad napona. Možemo pisati U G − U '−U p = 0 (4. Promatrajmo petlju sa slike 4. a treći je napon na potrošaču Up. Ip IG idealni strujni izvor r ad ka ra kte r ist ik p ni ac r av Ip1 α T1 ai zv ora Up1 IGRG β Up Slika 4. drugi je onaj zamišljeni U' (na RG). Struja izlazi iz pozitivnog pola izvora.4. najčešće u smjeru kazaljke na satu. → U p = I p ⋅ R p ).3. Za razliku od realnog strujnog izvora.6. Grafičko određivanje statičke radne točke strujnog izvora tgα = 1 / R p . Spajanjem ove dvije točke dobili smo pravac koji ovisi isključivo o izvoru (karakteristika izvora . ovdje umjesto grananja struja u čvoru imamo petlju. napon pozitivan.vidi jednadžbu 4.11) i pravac koji ovisi isključivo o potrošaču (radni pravac – vidi sliku 4.V.6. tgβ = −1 / RG Realni naponski izvor prikazan je na slici 4. Za čvor uvijek kažemo da je suma ulaznih i izlaznih struja jednaka nuli. a pozitivni pol pada napona na pasivnim elementima je mjesto ulaska struje. Čvor je mjesto grananja struja. Jedan napon je UG.15) .

Idealni naponski izvor .19) + + UG RG - Ip + Rp Up = Ip Rp U’=IpRG realni naponski izvor Slika 4.Papić: Predavanja iz osnova elektronike Karakteristika izvora je U G = I p RG + U p 110 (4.16) i dalje iz U G = I p RG + I p R p (4.6. Realni naponski izvor U idealnom slučaju napon potrošača jednak je naponu generatora.17) dobili smo izraz za struju na potrošaču Ip = 1 UG RG + R p (4.18) a također i za napon na potrošaču Up = Rp R p + RG UG (4.V. Ip + UG Rp idealni naponski izvor + Up = UG Slika 4.7.

Nortonovu struju IN određujemo tako da izračunamo struju koja teče od a prema b kada su stezaljke a-b kratko spojene. Uab0 < 0 ⇒ ET ima plus prema «b». . tgβ = −1 / RG Svaki izvor koji daje na priključnim stezaljkama neki napon može se prikazati modelom strujnog i naponskog izvora. čiji unutarnji napon ET (Theveninov napon) i unutarnju impedanciju ZT (Theveninovu impedanciju) određujemo iz zadane mreže.16. i IP = Up/RP moguće je grafički odrediti radnu točku naponskog izvora (Slika 4. iz jednadžbi 4.7) vrijedi RG → 0 ⇒ U p = U G Slično kao kod strujnog izvora. Nortonov teorem: Bilo koji dio aktivne linearne mreže može se nadomjestiti s obzirom na dvije stezaljke (a i b) realnim strujnim izvorom čiju struju IN (Nortonovu struju) i unutarnju impedanciju ZN (Nortonovu impedanciju) određujemo iz zadane mreže. Theveninov teorem: Bilo koji dio aktivne linearne mreže može se nadomjestiti s obzirom na dvije stezaljke (a i b) realnim naponskim izvorom. Nortonovu impedanciju ZN odredimo tako da kratko spojimo sve naponske izvore i isključimo sve strujne izvore te onda izračunamo ukupnu impedanciju između a i b.8).Papić: Predavanja iz osnova elektronike Ako je otpor generatora mnogo manji od otpora potrošača onda vrijedi: 111 RG << R p ⇒ U p ≈ U G tj. (Nortonov i Theveninov teorem). za idealni naponski izvor (Slika 4.V. Ip idealni naponski izvor r av ip dn ac UG RG ra Ip1 α T1 ka r ak ter ist ika izv or a Up1 UG β Up Slika 4. Theveninovu impedanciju ZT odredimo tako da kratko spojimo sve naponske izvore i isključimo sve strujne izvore te onda izračunamo ili izmjerimo ukupnu impedanciju između točaka a i b.8. Grafičko određivanje radne točke naponskog izvora tgα = 1 / R p . Theveninov napon ET određujemo tako da izračunamo ili izmjerimo napon Uab0 na otvorenim stezaljkama a-b linearne mreže (Uab0 > 0 ⇒ ET ima plus prema «a».

često nije prikladno mjeriti struju kratkog spoja kratko povezujući stezaljke zbog mogućih oštećenja sklopa. Zamjena nepoznatog sklopa realnim naponskim ili strujnim izvorom Iako se napon otvorene petlje UOP uobičajeno mjeri voltmetrom koji ima veliki unutrašnji otpor. .Metoda II: Izmjerimo napon otvorene petlje UOP pomoću voltmetra s velikim unutrašnjim otporom. Nakon toga priključimo vanjski otpor r između stezaljki sklopa i mjerimo napon U . Postoji više metoda indirektnog mjerenja struje kratkog spoja.V. (IN = IKS =IG).10). Sklop ima dvije vanjske stezaljke. Nepoznati sklop sada možemo zamijeniti realnim naponskim ili strujnim izvorom (Slika 4. Slika 4. odnosno struji strujnog generatora. nepoznato Slika 4.Metoda I: Na izlazne stezaljke izvora spojimo varijabilni otpornik i mjerimo izlazni napon i struju za različite vrijednosti postavljenog otpora varijabilnog otpornika (potrošača). Cilj nam je odrediti ekvivalentni sklop za ovaj slučaj.9.11). Theveninov napon zapravo je jednak naponu otvorene petlje odnosno naponu generatora (ET = UOP = UG). Napomena: Nortonova struja zapravo je jednaka struji kratkog spoja.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 112 Pretpostavimo da u kućištu imamo nepoznati sklop (Slika 4.9) koji se može sastojati od većeg broja nezavisnih strujnih i naponskih izvora te otpornika. Nepoznati sklop (izvor) Ekvivalentni sklop određujemo u tri koraka: 1) Odredimo (izmjerimo) napon otvorene petlje UOP (ET) 2) Odredimo (izmjerimo) struju kratkog spoja IKS (IN)između stezaljki sklopa 3) Izračunamo unutrašnji otpor iz R = UOP/IKS (=RN = RT).10. . Nacrtamo graf ovisnosti napona o struji kako bi iz dobivenog pravca određivanjem presjecišta pravca s apscisom odredili struju kratkog spoja IKS (Slika 4.

Unutrašnji otpor R možemo izračunati iz relacije a zatim i struju kratkog spoja I KS = U OP . Izmjerimo napon otvorene petlje prije nego što smo spojili varijabilni otpornik između stezaljki sklopa. U tom trenutku je vanjski otpor jednak unutrašnjem 2 otporu R i struja kratkog spoja IKS se ponovo može izračunati iz omjera napona otvorene petlje i otpora R kako je pokazano ranije. Mjerenje struje kratkog spoja : Metoda II . R U r .12. Mjerenje struje kratkog spoja : Metoda I R UOP r U Slika 4.11.12). Mjerimo izlazni napon i podešavamo otpor dok napon na otporniku ne padne na polovicu vrijednosti 1 napona otvorene petlje U = U OP . = U OP r + R U UOP 0 0 IKS I Slika 4.V.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 113 na otporniku r (Slika 4. .Metoda III: Ova metoda je kombinacija prethodne dvije metode.

Zul Rul a) b) Slika 4. b) Pojednostavnjena nadomjesna shema ulaza Često se vrijednost ulaznog otpora sklopa može odrediti na osnovu poznavanja sklopa. a) Nadomjesna shema ulaza. a ne napon otvorene petlje UOP. Ukoliko naše poznavanje sklopa nije dovoljno. Unutrašnji otpor izvora RG ne utiče na ovu metodu jer je za mjerenje korišten izlazni napon izvora Ui. 1 3) Mijenjanjem vrijednosti varijabilnog otpornika R namjestimo da bude U ul = U i .13. poteći će električna struja.V. Ulazni otpor 114 Kad na ulazne stezaljke neke realne električne mreže priključimo napon. Jakost struje ovisit će o ulaznoj impedanciji Zul sklopa ili mreže (Slika 4.13. pa u tom slučaju govorimo o ulaznom otporu Rul sklopa ili mreže (Slika 4.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 4.1.14 Mjerenje ulaznog otpora sklopa Mjerenje ulaznog otpora nepoznatog sklopa: 1) Sklop koji ispitujemo spojimo u seriju s varijabilnim otpornikom i naponskim izvorom.13. U velikom broju slučajeva ulazni krug možemo prikazati samo kao otpor.3. ulazni otpor određujemo mjerenjem (Slika 4.a). 2 Sada je vanjski otpor R jednak ulaznom otporu Rul.b). 4) Izmjerimo R i odredili smo Rul (R = Rul). . 2) Mjerimo izlazni napon izvora Ui i napon na stezaljkama sklopa (Uul) kojeg ispitujemo. R RG UOP Ui Uul Rul Slika 4.14).

1. Promjene pojačanja u ovisnosti o frekvenciji nazivamo frekvencijskim odzivom pojačala. Početak i kraj područja normalnog rada pojačala određeni su donjom i gornjom graničnom frekvencijom. AV (dB) sirina frekvencijskog pojasa 3 dB fd fg f(Hz) Slika 4. Pri malim frekvencijama vrijedi 1 >> R pa u ukupnom otporu zanemarujemo kapacitet CP jer će sva struja j 2πfC P prolaziti preko otpornika R.6).Papić: Predavanja iz osnova elektronike 4.16) koji služi za propuštanje samo izmjeničnog dijela ulaznog signala i postizanje neovisnosti istosmjernih uvjeta mreže ispred i iza kondenzatora. Naponsko pojačanje i frekvencijski odziv 115 Kako je ranije definirano (4. Niti jedno pojačalo nema jednako pojačanje na svim frekvencijama ulaznog signala. Stoga za ukupnu impedanciju pri malim frekvencijama vrijedi: f << f g ⇒ . Na slici 4.V. Tipičan frekvencijski odziv pojačala Niskofrekvencijski odziv pojačanja najčešće je određen utjecajem veznog kondenzatora CV (Slika 4. Zbog širokog opsega frekvencija uobičajeno je crtanje frekvencija logaritamskom skalom. Ovaj iznos odgovara padu dobitka snage na polovicu od maksimalne snage (snage u središnjem pojasu). To su frekvencije na kojima pojačanje pada za 3 dB u odnosu na pojačanje u središnjem pojasu. Visokofrekvencijski odziv ovisi o neželjenoj pojavi kapaciteta CP (difuzijski i barijerni kapacitet).15 prikazan je tipični frekvencijski odziv pojačala. Otpor generatora RG zanemarujemo jer je RG << R pa vrijedi UG =Uul (idealni naponski generator).707 od maksimalne vrijednosti. Kako je snaga na izlazu proporcionalna kvadratu izlaznog napona (4. naponsko pojačanje pojačala je omjer izlaznog napona i ulaznog napona u pojačalo.4.5) proizlazi da na gornjoj i donjoj graničnoj frekvenciji naponsko pojačanje pada na 1 / 2 ili 0.15. Kapacitet veznog kondenzatora pri ovim frekvencijama ne možemo zanemariti jer je ovaj kapacitet vezan u seriji s otporom R. Uobičajeno se za iznos pojačanja zapravo daje pojačanje u sredini frekvencijskog opsega normalnog rada pojačala.

22) Ovo pojačanje ima iznos jednak 1 2 pri donjoj graničnoj frekvenciji koja iznosi (4.23) 1 1 1 = 1 ⇒ 2πf d = ⇒ fd = ω d CV R CV R 2πCV R RG UG Uul CV CP R U0 Slika 4.20) 1 1 1+ j 2πfCR 1 R+ j 2πfCV (4.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 116 1 j 2πfCV odakle možemo izraziti i naponsko pojačanje za male frekvencije: f << ⇒ Zd = R + AV = U0 = U ul R = (4.21) Amplituda naponskog pojačanja dobije se iz jednadžbe AV = 1 ⎛ 1 ⎞ 1+ ⎜ ⎜ ωC R ⎟ ⎟ ⎝ V ⎠ 2 (4.V.21) dobijemo AV = U0 = UG R RG + R + = R ⋅ R + RG 1 1+ 1 jωCV ( R + RG ) 1 j 2πfCV (4.25) . Kapaciteti koji utječu na rad pojačala na niskim i visokim frekvencijama Uključivanjem otpora RG u jednadžbu (4.24) ili na drugi način AV = A' ω 1+ d jω = A' f 1− j d f (4.16.

Vrijedi U iz = AV U ul = AV U G (4. dolazi do pada napona na otporu R jer dio napona «ostane» na otporu RG. R + RG 1 je gornja granična frekvencija 2πC P Reff Idealno strujno pojačalo ima ulazni otpor jednak nuli što uzrokuje da nema gubitaka struje dobivene iz strujnog generatora.28. R + RG RRG je efektivni otpor paralelnog spoja otpornika R i RG. R + RG 117 fd = ωd = 1 . u ovom slučaju za izračun gornje granične frekvencije uzimamo vrijednost ovog kondenzatora. Ukupna ulazna impedancija pojačala sada je: Pri visokim frekvencijama zanemarujemo kapacitet veznog kondenzatora jer Zg = 1 1 + jω C P R = R 1 + jωC P R (4.V. .26) Unutrašnji otpor generatora ne možemo zanemariti jer.Papić: Predavanja iz osnova elektronike gdje je A' = R . Zbog paralelnog spoja otpornika R i kondenzatora CP. Kod idealnog naponskog pojačala AV ne ovisi o otporu potrošača i frekvenciji pojačavanog naponskog signala.b) Napon na izlazu iz takvog pojačala ne ovisi o otporu potrošača priključenog na izlazne stezaljke pojačala.a) Struja na izlazu iz takvog pojačala ne ovisi o otporu potrošača priključenog na izlazne stezaljke pojačala. Uz konstantan napon generatora UG.27) gdje je pojačanje A' = otpor Reff = fg = R koje bi mreža imala bez kapaciteta CP. Možemo napisati izraz za naponsko pojačanje pri visokim frekvencijama: R R R + RG 1 + jωC P R = AV = R ⎛ RRG RG + 1 + jω C P ⎜ ⎜R+R 1 + jωC P R G ⎝ ⎞ ⎟ ⎟ ⎠ = A' = 1 + jωC P Reff A' f 1+ j fg (4. ulazna impedancija porastom frekvencije pada. U izlaznom strujnom krugu nalazi se idealni strujni izvor koji daje struju I iz = AI I ul = AI I G (4. Idealno naponsko pojačalo ima ulazni otpor beskonačno velik. kako smo vidjeli.28. CV ( R + RG ) ωd 2π 1 → 0 za jωCV R ω → ∞ .

s obzirom da je . Pojačalo u spoju ZE Pojačalo zamišljamo kao realni strujni izvor. bias).1. Nadalje. pa kako je β = h fe biramo tranzistor čiji je parametar h fe velik. Pojačala s bipolarnim tranzistorima 118 4. koji se praktično ne koristi često zbog termičke nestabilnosti.18. može se uzeti Rul ≈ hie ⇒ iul ≈ ib . predstavlja jedan od najjednostavnijih spojeva pojačala u spoju ZE. Potrošač (RP) spajamo na kolektor.17. ip RB B iul I0 RG ib RP C E UCC Slika 4. Pojačalo u spoju ZE AI i AV su pojačanja koja se postižu kad se tranzistor realizira u jednom od spojeva i ona ne zavise isključivo o svojstvima tranzistora već i o pasivnim elementima koji se nalaze u konkretnom sklopu. Pomoću otpora RB smo izbjegli još jednu bateriju i osigurali da postoji neka struja baze IB čak i ako je ulazna struja Iul nula (eng. U tom slučaju.17. a ovdje je obrađen prvenstveno radi jednostavnosti. Iul G Uul Iizl Uizl RP G RB hreuce hfeib hie iul ib ic 1 hoe iizl RP Rul Rizl Slika 4. Pojačalo kao četveropol Za sklop ZE bitno je strujno pojačanje β .V. tj RB >> hie.2. Bitno je napomenuti da spoj na slici 4. α i β su koeficijenti pojačanja koji se odnose isključivo na sami tranzistor.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 4. Tipično se otpornik RB bira na način da je znatno veći od ulaznog otpora tranzistora u spoju ZE.2.

Primjer vrijednosti h parametara tranzistora za strujno pojačalo: hie = 0. možemo primijetiti da je pojačanje AI manje nego što nam sam tranzistor to omogućuje ( β ). hoe Rul ≈ hie (4.33) Naponsko pojačanje izaziva obrtanje faze. h fe = − AI ≈ − = =− Rul Rul u ul Rul iul Rul (4.31.31) (4.V. može se odrediti tzv.5 kΩ. utjecaj izlaznog napona na ulaz četveropola može se zanemariti. hfe = 50-500. Iz slike 4.32) pa nam je u interesu da parametar hoe bude što manji tj. ako je R p >> Riz ⇒ AI ≈ Riz ⋅β Rp (4. izračunati iz strujnog na način: AV = a pojačanje snage: G = AI ⋅ AV = Rp Rul ⋅β2 (4. Iz slike četveropola prikazanog u spoju ZE (4.17.29) Za slučaj iz jednadžbe 4.5–1. slijedi jednostavan izraz za strujno pojačanje: AI = Ako je R p << Riz ⇒ AI ≈ β U drugom slučaju. Da bi se tranzistor doveo u odgovarajuću radnu točku Q (u aktivnom području) u kojoj postoji željeni iznos faktora strujnog pojačanja.30). Dakle. potrebno je osigurati istosmjerne napone i struje kolektora i baze u radnoj točki (Slika 4. Naponsko pojačanje se. Kod strujnog pojačala najčešći je slučaj R p << Riz . parametar tranzistora hie mora biti što manji.34) Rp Rp Rp u izl − R p iizl β. te otpornika u kolektoru RP): U CC − I C R p − U ce = 0 ⇒ I C = − U 1 U ce + CC Rp Rp (4. uz aproksimaciju (4. radni pravac (ovisan o naponu napajanja Ucc. hre = 10-4. Uvažavajući ove aproksimacije.19). Da bi dobili što veće naponsko pojačanje. izlazni otpor Riz što veći. tražimo tranzistor za kojeg će pojačalo imati dovoljno veliki izlazni otpor Riz (radi što većeg strujnog pojačanja) i dovoljno mali ulazni otpor Rul (radi što većeg naponskog pojačanja).30) Riz iiz iiz Riz β h fe = ≈ = Riz + R p iul ib Riz + R p (4.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 119 tipično hre << 1. hoe = 10-5–10-4 S.18) proizlazi Riz ≈ 1 .35) .

Kako smo već mogli vidjeti u poglavlju 3.19. Pojačalo s tranzistorom u spoju zajedničke baze .1.20. iC RG RB uG UEE UCC RP Slika 4. naponsko pojačanje posljedica je razlike dinamičkih otpora ulaznog i izlaznog kruga (ulazni krug propusno polariziran.2V) IB6 AK T IB5 IV N O PO ICQ Q DR UČ JE IB4=IBQ IB3 IB2 IB1 UCEQ PODRUČJE ZAPIRANJA (IB=0) UCC UCE Slika 4. Postavljanje tranzistora u radnu točku 4.20) ne koristimo za strujno pojačanje nego samo za naponsko pojačanje. možemo odrediti i struju baze koja presijeca radni pravac: I BQ = (U CC − 0. Naponsko pojačalo u spoju ZB Spoj bipolarnog tranzistora sa zajedničkom bazom (Slika 4.V. Ulazna struja (struja emitera) uvijek je za iznos struje baze veća od struje kolektora pa je faktor strujnog pojačanja uvijek malo manji od jedan.2.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 120 Napon između baze i emitera se tipično kreće oko 0. a izlazni nepropusno). uvažavajući ovu aproksimaciju.2.6..7 V. pa. IC UCC RP PODRUČJE ZASIĆENJA (UCE≈0. Izborom otpora potrošača Rp utječemo na veličinu naponskog pojačanja.7) / RB .

a naponsko vrlo blizu jedinici – izmjenični izlazni napon je praktično isti kao ulazni (slijedi ga). Pojačalo u spoju ZC – transformator impedancije (emitersko sljedilo) Tipično pojačalo s bipolarnim tranzistorom prikazano je na slici 4.39) AV ≈ 1 Ulazni otpor je vrlo velik. Razlog ovome leži u činjenici što propusno polarizirani ulazni PN spoj baza-emiter ima vrlo mali dinamički otpor.21.41) Riz << Ovaj sklop tipično se koristi za transformiranje velike na malu impedanciju (kada je RG>>RP). a kolektor je spojen direktno na bateriju (UCC).Papić: Predavanja iz osnova elektronike Za strujno pojačanje vrijedi 121 AI ≈ h fb ≈ α ≈ 1 (4. Naponsko djelilo sastavljeno od serijskog spoja R1 i R2 osigurava statičke uvjete (struju baze u statičkim uvjetima) iz baterije izlaznog kruga. AI ≈ β >> 1 (4. 4.21. Otpor RB sa slike 4.38) (4.V. . čime je izbjegnuto korištenje još jedne baterije (u ulaznom krugu). tako da se praktično kompletna promjena napona na ulazu "preslikava" na izlaznom otporniku Rp. Potrošač je spojen u krugu emitera.2. stoga i ime emitersko sljedilo.3.37) Veliko naponsko pojačanje posljedica je tipično znatno manjeg ulaznog otpora Rul (propusno polariziranog PN spoja) u odnosu na otpor potrošača Rp.36) dok je naponsko pojačanje AV ≈ α ⋅ Rp Rul >> 1 (4.20 je vrlo velik. On zanemarivo utječe na struju IE. ali je potreban za održavanje statičke radne točke ako se odspoji izvor izmjeničnog signala. R1 UCC RG R2 izlaz RP Slika 4.40) (4. Pojačalo s tranzistorom u spoju zajedničkog kolektora Strujno pojačanje je veliko. a izlazni mali Rul = β R p ⇒ Rul >> (4.

gotovo ne ovisi ni o otporu potrošača RP.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 4.42): . dok MOSFET obogaćenog tipa može raditi samo s jednim predznakom tog napona (samo u obogaćenom modu). no mogu raditi samo u osiromašenom modu. Pojačalo u spoju zajedničkog uvoda (ZS) MOSFET tranzistori ovisno o tipu (obogaćeni ili osiromašeni tip) mogu raditi s različitim naponima na upravljačkoj elektrodi (G). kao i pojednostavljenje relacije (4.22 radio u osiromašenom modu.V.1. Nadomjesni sklop za pojačalo u spoju zajedničkog uvoda prikazan je na slici 4. MOSFET osiromašenog tipa može raditi s oba predznaka napona na upravljačkoj elektrodi (u osiromašenom i obogaćenom modu).23. možemo zaključiti da u je području zasićenja struja odvoda (ID) konstantna uz konstantni napon između upravljačke elektrode i uvoda (UGS) pa se u tom području rada MOSFET ponaša kao strujni izvor. Polaritet UGG prikazan na slici "obogaćuje" kanal pa MOSFET radi u obogaćenom modu. Dakle.3.3. uz U DS ≥ U GS − U P (zasićenje). Slika 4. Pojačalo u spoju zajedničkog uvoda (ZS) – rad u obogaćenom modu Na osnovu već prikazanih statičkih karakteristika unipolarnih tranzistora. Pojačala s unipolarnim tranzistorima 122 4. Ovo implicira Riz ≈ RD. Izlazni otpor je također velik (Riz >>). a iz izraza za naponsko pojačanje primjećujemo da ovo pojačalo obrće fazu AV = uizl −id i RD rd R r ( RD rd ) = − d = = − gm D d uul u gs u gs RD + rd RD + rd (4. Kako struja ne ovisi o naponu UDS ona. JFET-ovi su uvijek osiromašenog tipa. pa se ovdje radi o strminskom pojačalu.42) Dinamički otpor rd je velik (u području zasićenja izlazna struja MOSFET-a je gotovo konstantna). a izlazna struja (upravljana ulaznim naponom). Izraz za strminu zadan je jednadžbom (3. ulazna veličina je napon. Iz sheme je vidljivo da Rul →∞. Kad bi sklop prikazan na slici 4. onda bi napon UGG imao obrnuti polaritet.22.51).. tako da se struja kroz rd može zanemariti u odnosu na struju kroz RD. najčešće znatno veći od RD.

struja protječe ne samo kroz RD. Korištenjem dva otpornika kao djelitelja napona (R1 i R2).V.43) U slučaju priključenja potrošača RP.2.24. Nadomjesni sklop pojačala u spoju zajedničkog uvoda (ZS) 4. Potrošač RP je spojen u krug uvoda (S). R1 D UDD G uG + RG R2 S RP Slika 4.Papić: Predavanja iz osnova elektronike AV = − g m RD rd RD = − gm = { RD << rd } ≈ − g m RD RD RD + rd +1 rd 123 (4. već i kroz RP. Pojačalo u spoju zajedničkog odvoda (ZD) Pojačalo u spoju zajedničkog odvoda prikazano je na slici 4. dovoljna nam je samo jedna baterija (UDD).24.23. a suvišna je posebna baterija za postavljanje napona upravljačke diode (UGG).a.44) G D RG uG + uGS·gm S rd RD uizl Slika 4.a Pojačalo u spoju zajedničkog odvoda (ZD) – rad u obogaćenom modu + . a odvod (D) je spojen na bateriju UDD što znači da je za izmjenični signal odvod (D) zapravo uzemljen. pa slijedi: AV ≈ − g m ( RD RP ) = − g m RD RP = {ako RP << RD } ≈ − g m RP RD + RP (4.3.

25. otpor).a. Pojačalo u spoju zajedničke upravljačke elektrode (ZG) Izvedba pojačala u spoju zajedničke upravljačke elektrode prikazana je na slici 4. Nadomjesni sklop pojačala u spoju zajedničkog uvoda (ZD) 4.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 124 I ovaj sklop prikazan na slici radi u obogaćenom modu jer je upravljačka elektroda (G) pozitivno polarizirana u odnosu na uvod (S) (R1 i R2 se biraju tako da je potencijal na G veći od potencijala na S). spajanje potrošača bi znatnije poremetilo stvarni iznos napona koji se želi dovesti na potrošač. bez obzira na veliki unutrašnji otpor RG.3. Koristi se kao jedna vrsta međusklopa tj. u AV = izl uul ⎛ r R ⎞ uizl = g m u gs ⎜ d P ⎟ = { RP << rd } ≈ g m RP u gs ⎝ rd + RP ⎠ uizl / u gs uizl g m RP = = = u gs + uizl 1 + uizl / u gs 1 + g m RP (4. a otpor potrošača RP malen. Sklop ima svojstva slična spoju zajedničkog kolektora (emitersko sljedilo). U slučaju da je unutrašnji otpor RG naponskog generatora (tj.45) a uz g m RP >> 1 dobijemo AV ≈ 1 . Ovim se osigurava da napon na potrošaču malog otpora RP stvarno slijedi UG. . Rul >> Riz << AV ≈ 1 AI > 0 Izraz za naponsko pojačanje možemo dobiti iz slike nadomjesnog sklopa u gs = uul − uizl . direktno spajanje potrošača na naponski generator bi izazvalo znatno narušavanje napona na potrošaču (bio bi znatno manji od UG). U ovakvim slučajevima se stoga potrošač spaja preko sklopa transformatora impedancije.3. Nema naponskog pojačanja.24. sklopa čiji se napon želi pojačati) velik. čime je osigurano da se praktično kompletan UG dovodi na ulaz sklopa. ne obrće fazu i prilagođava impedanciju sa velike ulazne na malu izlaznu impedanciju (tj. Ovakav sklop ima vrlo veliki ulazni otpor (tipično znatno veći od RG).V. Drugim riječima. Slika 4. Iz dosadašnjeg izlaganja može se zaključiti da spoj FET-a sa zajedničkim odvodom ima istu funkciju kao spoj bipolarnog tranzistora sa zajedničkim kolektorom (emitersko sljedilo). sklopa za sučeljavanje (transformatora impedancije).b.

jer struja kroz upravljačku elektrodu ne postoji. Otpor RS je dodan da bi – pol bio spojen na uvod (S) čak i ako odspojimo generator. a izlazni signal (pojačan) se predaje potrošaču u krugu odvoda (D). a porastom otpora potrošača raste i naponsko pojačanje.V. Nadomjesni sklop pojačala u spoju zajedničke upravljačke elektrode (ZG) Izlazni i ulazni napon su u fazi (AV > 0). Ulazna struja (u dovod) ista je kao izlazna struja (struja odvoda).a.25. Kaskadna pojačala Kaskadna pojačala predstavljaju niz od dva ili više pojačala međusobno spojenih tako da bi se postiglo veće pojačanje nego što ga možemo postići samo s jednim tranzistorom. Pojačalo u spoju zajedničke upravljačke elektrode (ZG) – rad u obogaćenom modu Ulazni signal se dovodi u krug uvoda (S). Naponsko djelilo realizirano preko R1. no za strujne generatore . Stupnjevi u kaskadi karakterizirani su odgovarajućim iznosima naponskog i strujnog pojačanja (AV1. Pojačalo u spoju zajedničke upravljačke diode ima mali ulazni i veliki izlazni otpor. AI1. Kondenzator C služi za uzemljenje izmjeničnog signala na upravljačkoj elektrodi (G) (kondenzator se aproksimira kao kratki spoj za izmjenični signal). R2 osigurava statičku radnu točku.b. + R2 R1 + RP . 4. Stoga se ovaj spoj može također koristiti kao transformator impedancije.Papić: Predavanja iz osnova elektronike S RG G + UG RS C D ID 125 + UDD Slika 4.kako bi "preslikao" ulaznu struju strujnog generatora sa malim unutrašnjim otporom na potrošač velikog otpora. Nadomjesni sklop prikazan je na slici 4.25.25.4.b. RG S gmUgs D rd UP ID` G Rul Rul` RP ID + UG Us RS Ugs Slika 4.

46) Općenito vrijedi AV = ∏ AVi i =1 n (4.26. predstavlja ulaz drugog stupnja itd.V.50) ili u decibelima AI [dB ] = ∑ AIi [dB ] i =1 n (4.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 126 AV2...47) ili ako pojačanje izrazimo u decibelima AV [dB ] = ∑ AVi [dB ] i =1 n (4. Izračunajmo ukupno pojačanje napona i struje u kaskadi prikazanoj na slici 4. a također i odgovarajućim iznosima ulaznih i izlaznih otpora.). a istosmjerna je blokirana (obično koristimo vezni kondenzator). Potrebno je napomenuti da je svaki stupanj u kaskadi priključen na istosmjerni izvor kako bi se osigurale potrebne radne točke tranzistora u kaskadi. Kod izmjenične veze s izlaza jednog stupnja na ulaz drugog stupnja se prenosi samo izmjenična komponenta signala. ..48) Za strujno pojačanje možemo napisati AI = I3 I3 I 2 = ⋅ = AI 2 ⋅ AI 1 I1 I 2 I1 (4.26: AV = U3 U3 U2 = ⋅ = AV 2 ⋅ AV 1 U1 U 2 U1 (4. AI2. Kaskadna pojačala Veza među stupnjevima može se izvesti kao izmjenična ili istosmjerna.49) i općenito AI = ∏ AIi i =1 n (4.51) I1 I2 I3 RG + UG U1 Av1 U2 AI1 Av2 U3 AI2 RP Slika 4. Izlaz prvog stupnja pojačala.

Izmjenična struja dovodi se na ulaz (bazu) prvog tranzistora. za sklop na slici 4.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 127 4..V.53) I c = I c1 + I c 2 ≈ h fe1 I b1 + h fe1 h fe 2 I b1 odakle je ukupni faktor strujnog pojačanja h fe = Ic = h fe1 (1 + h fe 2 ) ≈ h fe1 ⋅ h fe 2 I b1 (4.55) Tranzistori T1 i T2 na slici su tzv. Oni imaju potpuno iste karakteristike (svi parametri su im isti) T1 ≡ T2 .27. kako je opisano u poglavlju 4. ulazni otpor će biti velik.3. Struja baze drugog tranzistora ujedno je i struja emitera prvog. Darlingtonov spoj Često korišteni spoj kaskadnog pojačala s istosmjernom vezom je Darlingtonov spoj (Slika 4.40). možemo napisati .2.4. (4.52) I c 2 = h fe 2 I b 2 ≈ I b1 h fe1 h fe 2 pa je ukupna struja kolektora (4.27). S obzirom da su tranzistori spojeni u spoju zajedničkog kolektora. Strujno pojačanje prvog tranzistora pomnoženo je strujnim pojačanjem drugoga da bi postigli kombinaciju koja se ponaša kao jedan tranzistor s faktorom strujnog pojačanja h21 (hfe = ∆IC / ∆IB) jednakim umnošku pojačanja dva tranzistora.54) (4. Vodeći računa o relaciji (4. pa vrijedi I b 2 = I e1 = (1 + h fe1 )I b1 ≈ h fe1 I b1 nadalje. Darlingtonov spoj ic UCC ic2 T2 izlaz RP Darlingtonov par se često koristi zbog povećanja ulaznog otpora bipolarnih sklopova. upareni tranzistori.27.1. ib1 ulaz Rul T1 ib2 Rul2 Slika 4. U krugu kolektora prvog tranzistora teče struja hfe1Ib1 gdje je hfe1 faktor strujnog pojačanja u spoju zajedničkog emitera.

a izlazi su na kolektorima.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 128 Rul 2 ≈ h fe 2 RP Rul ≈ h fe1 Rul 2 h fe1 = h fe 2 = h fe ⇒ Rul ≈ h 2 RP fe (4. Emiteri su spojeni u zajedničku točku. Tranzistori T1 i T2 sa slike 4. Diferencijalno pojačalo Naziv ovog pojačala proizlazi iz činjenice da na izlaznim stezaljkama imamo napon koji ovisi o razlici U1 – U2. struja drugog emitera mora se smanjiti za isti iznos.V. Posljedica različitih emiterskih struja su i različite kolektorske struje.28 su identični: T1 ≡ T2 . Otpori RB služe za dovođenje istosmjerne struje u baze tranzistora čime osiguravamo rad tranzistora u normalnom aktivnom području. za Rp =1KΩ te hfe = 100 ulazni otpor Darlingtonovog para je 10MΩ. poremetit će se stanje ravnoteže pa će struja jednog emitera porasti. Dva ulaza su na bazama tranzistora. pa su i padovi napona na kolektorskim . UCC RB RC Uizl T1 T2 RC RB U1 IE U2 Slika 4. 4. struja IE se zbog istih tranzistora i simetričnosti sklopa.5. zbog strujnog izvora. suma emiterskih struja mora uvijek biti konstantna. Kada na ulazima pojačala nema signala. podjednako dijeli na oba tranzistora.56) Npr. Diferencijalno pojačalo T1 ≡ T2 Dovođenjem različitih signala na ulaze.28. no s obzirom da.

Strujno zrcalo Strujno zrcalo je jedan od načina realizacije konstantnog strujnog izvora. Struju koja prolazi kroz otpor R1 označimo s I0''.28. Osnovni princip rada strujnog zrcala Ovakav način preslikavanja željene struje može se koristiti i za realizaciju strujnog izvora kakvo je bilo potrebno za realizaciju diferencijalnog pojačala prikazanog na slici 4. (ovaj put radi se o NPN tranzistorima). ako se naponi na ulazima mijenjaju. što konačno izaziva odgovarajuće promjene potencijala na kolektorima oba tranzistora i samim tim izlaznog napona. tranzistor T4. Omjer diferencijalnog i zajedničkog pojačanja zove se faktor potiskivanja diferencijalnog pojačala. imaju povezane baze i emitere pa stoga imaju jednake napone između emitera i baze. Ukoliko su tranzistori T1 i T2 identični. gdje je proizvedena struja jednaka nekoj ulaznoj struji.V. ali možemo pokazati da je razlika vrlo mala. kolektorska struja će im također biti jednaka.30. Pojačanje ne ovisi o tome da li se signal dovodi simetrično (koristeći oba ulaza) ili asimetrično (samo na jedan ulaz). Pojačanje razlike signala na ulazu naziva se diferencijalno pojačanje. a kolektorsku struju tranzistora T3 označimo s I0'. Ova grana nema ništa zajedničkog sa sklopom diferencijalnog pojačala.29. no ostaje U1 = U2. . Idealno. izlazi (potencijali kolektora) se ne mijenjaju bez obzira na iznose U1. Pojačalo pojačava razliku napona na ulazima. U2. kod realnog diferencijalnog pojačala ipak dolazi do male promjene izlaza i u ovom slučaju (iako nema razlike napona između ulaza). napon –UEE.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 129 otpornicima RC različiti. ali ta grana omogućava da se preko tranzistora T3 preslika njena struja I0 u kolektor tranzistora T3.29. Dva tranzistora T1 i T2. UCC I0 R I0 RP T1 T2 Slika 4. Objasnimo sada rad sklopa prikazanog na slici 4. Pojačanje za simetrični diferencijalni izlaz (potrošač se spaja na oba kolektora) dvostruko je veće nego pojačanje za asimetrični izlaz (kada se potrošač spaja samo na jedan kolektor i uzemljenje). Ovaj parametar diferencijalnog pojačala tipično ima vrlo visoke iznose (diferencijalno pojačanje je znatno veće od zajedničkog).6. Željena struja I0 se generira u grani: masa. 4. biti će jednaka struji koja prolazi potrošačem RP spojenim na kolektoru tranzistora T2 (izlazni tranzistor). Ova promjena reflektira se kroz faktor zajedničkog pojačanja. Te dvije struje zapravo i nisu potpuno jednake. No. otpor R1. Ovaj princip ilustriran je slikom 4. Struja I0 koja preko otpornika R dolazi na tranzistor T1 (ulazni tranzistor). Struje baze su.

Strujno zrcalo kao strujni izvor diferencijalnog pojačala E T2 U2 2IB T3 . Iznos struje I0'' je određena iz pada napona na otporu R1 kao I0 ''= U EE − U BE R1 (4.57) β0 β0 I0 ' = ⇒ I0 '= ⋅ I0 '' β0 + 2 I0 '' β0 + 2 (4. RB T1 RB I0’ = β0IB U1 R1 I0’’ = β0IB + 2IB β0IB T4 IB IB .Papić: Predavanja iz osnova elektronike 130 zbog identičnih tranzistora T3 i T4 te zajedničkog emiterskog napona –UEE. a time i struju I0'.30. ali nije velika.60) što znači da promjenom otpora R1 podešavamo iznos struje I0''.58) (4.59) vidimo da razlika među zrcalnim strujama postoji. jednake. Tada je struja I0' jednaka I0 '= β0 ⋅ I B a struja kroz otpor R1 je jednaka I 0 ' ' = β 0 ⋅ I B + 2 ⋅ I B = (β + 2 ) ⋅ I B Odatle možemo dobiti i vezu između struja I0' i I0'' : (4.V.59) Iz jednadžbe (4.UEE Slika 4. jer se β0 kreće od 50 – 200.

. Tok signala u sklopu s povratnom vezom Objasnimo princip negativne povratne veze prikazan na slici 4. ali ćemo mi naše razmatranje suziti na elektroničke sklopove.povećanje širine pojasa pojačala Pozitivna povratna veza izaziva povećanje iznosa pojačanja. Povratna veza Sustavi s povratnom vezom na osnovu informacije o izlaznom signalu iz sustava modificiraju ulazni signal kako bi dobili željeni rezultat. kondenzator.7. Povratna veza koristi se u gotovo svim biološkim i umjetnim sustavima. zatim se prolazom kroz mrežu smanjuje x f < x p i tako smanjen se vraća na komparator.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 131 Tehnika strujnog zrcala često se koristi za dobivanje većeg broja istih struja u sklopu..31. ali se taj signal također dovodi i na B – mrežu koja je sastavljena isključivo od pasivnih elemenata (otpornik. Male udaljenosti između tranzistora u sklopu također osiguravaju i zanemarive razlike u temperaturi što je povoljno zbog varijacije strujno-naponskih karakteristika tranzistora kao funkcije temperature.stabiliziranje iznosa pojačanja s obzirom na promjene parametara aktivnih komponenata sklopa zbog promjene temperature. 4.31. napona napajanja. . zavojnica). To se postiže spajanjem većeg broja izlaznih tranzistora na jedan ulazni tranzistor.prilagođenje ulazne i izlazne impedancije sklopa na željeni iznos . Na izlazu dobivamo signal xf (f – feedback . signal prolazi kroz pojačalo.V.povratna veza). Navedimo osnovne: .pojačanje) koje na izlazu ima signal xp. Iz komparatora K izlazi signal xa koji ulazi u pojačalo A (A – Amplification . Postoje dvije vrste povratne veze: negativna i pozitivna povratna veza.. Ova vrsta povratne veze koristi se pri izradi oscilatora. ulaz G xul + K xf - xa A xp izlaz B xp Slika 4. Razlika ulaznog i povratnog signala djeluje kao ulazni signal xa u pojačalo A itd. Na izlaz dolazi signal xp. postoji više razloga njena korištenja. Iako zbog toga ova vrsta povratne veze na prvi pogled djeluje nepoželjno. Generator G nam daje signal xul koji se dovodi na komparator. Dakle. starenja komponenata itd. Negativna povratna veza izaziva smanjenje iznosa pojačanja signala.reduciranje nelinearnih izobličenja (linearizacija prijenosne funkcije) . Strujna zrcala široko se primjenjuju u integriranim sklopovima gdje je moguće postići gotovo identične tranzistore.

pojačanje s povratnom vezom je manje od pojačanja pojačala BA > 0 . Takav sklop nazivamo oscilator i on se koristi za generiranje izmjeničnih signala.7. uz xul = 0 dobivamo x p ≠ 0 . Za ovaj slučaj kažemo da se radi o pozitivnoj povratnoj vezi jer su A i B različitih predznaka pa se signal na komparatoru ne oduzima nego zbraja što uzrokuje povećanje signala. Općenito.66) . tj. pojačanje s povratnom vezom je veće od pojačanja pojačala BA < 0 . 4. F < 1 tj. U ovom slučaju pojačanje s povratnom vezom A f = ∞ tj. sam generira izmjenični signal xp na izlazu.1. kako je već navedeno.61) Pojačanje pojačala je jednako omjeru izlaznog i ulaznog signala pojačala A= dok je pojačanje. pretvarajući istosmjerni napon napajanja u izmjenični izlazni napon.V.64) +1 Ovisno o faktoru povratne veze imamo tri moguća slučaja: - F > 1 tj.65) odakle je Re(BA) = −1 Im(BA) = 0 (4. − BA = 1 . Sklop bez djelovanja vanjskog generatora na ulazu. B i A su kompleksni brojevi pa možemo pisati Re(BA) + i ⋅ Im(BA) = −1 (4. F = 0. biti zadovoljen Barkhausenov uvjet osciliranja: BA + 1 = 0 .63) odakle dobijemo izraz za pojačanje s povratnom vezom xp Af = xp xul = xa xf xa gdje je F faktor povratne veze (F = BA + 1) . odnosno smanjenje B – mreže xp xa (4. xp = xf ⋅ +1 x p xa xa xp = A A = BA + 1 F (4. Oscilatori Za oscilatore mora.Papić: Predavanja iz osnova elektronike xul − x f = x a xul = x a + x f 132 (4.62) B= xf xp (4. Za ovaj slučaj kažemo da se radi o negativnoj povratnoj vezi.

S treće RC ćelije vučemo napon i vraćamo ga na ulaz oscilatora. signal povratne veze mora biti istofazan s ulaznim signalom. Ovo je najjednostavniji tip oscilatora. Dakle. . Tako smo dobili oscilator s frekvencijom titranja f = 1 2πRC 6 + 4 RP R koja prvenstveno ovisi o vrijednosti RC.V. Ove tri RC ćelije moraju ponovo zakrenuti fazu za π .32. Primjer jednog RC oscilatora prikazan je na slici 4. Najčešće iz uvjeta Im(BA) = 0 dobijemo frekvenciju osciliranja. Kondenzatorima smo spriječili da istosmjerni napon UCC dođe na izlaz. a također moraju i zakrenuti fazu izlaznog signala za onoliko za koliko je pojačalo zakrenulo fazu u odnosu na ulazni signal. Naše pojačalo sačinjeno je od jednog tranzistora u spoju zajedničkog emitera pa ono zakreće fazu za π . to bi imalo smisla jedino u slučaju kad bi imali samo pojačalo. RC oscilator * R3 + h11e = R Odavde dobivamo uvjete koji nam kažu da li određeni sklop može oscilirati ili ne. Na ovo pojačalo su spojene tri RC ćelije (*). Ove ćelije moraju smanjiti amplitudu izlaznog signala na zahtijevanu veličinu radi održavanja titraja (oscilacija). Kad bi uklonili kondenzator CE. dobili bi laganu negativnu povratnu vezu na otporniku RE. a iz Re(BA) = -1 dobijemo međusobne odnose elemenata sklopa koji moraju biti zadovoljeni da bi sklop oscilirao. tj.32.UCC R1 RP C C C R R2 RE CE R R3 Slika 4. Ali. inače dolazi do gušenja. svaka ćelija je mora zakrenuti za π / 3 .Papić: Predavanja iz osnova elektronike 133 .

zavojnica. operacijska pojačala mogu izvesti različite operacije kao što su zbrajanje. To. B2 – neinvertirajući ulaz . S obzirom na jako veliko naponsko pojačanje. moglo bi se zaključiti da za npr. otpornika. sastoji od tri stupnja: I stupanj: diferencijalno pojačalo koje omogućava dva ulazna signala.. kondenzatora. nije tako: uobičajeno je maksimalni izlazni napon neznatno niži od napona istosmjernog napajanja. Ulazne struje su od 10-20 mA. moći će na izlazu proizvesti napon u naponskom opsegu od npr. ulazni napon od 1 V na izlazu tipičnog 741 pojačala dobijemo 300000 V. Idealno operacijsko pojačalo trebalo bi imati ove osobine: beskonačno veliko pojačanje ( AV = ∞ ) beskonačno velik ulazni otpor (Rul = ∞ ) izlazni otpor jednak nuli (Riz = 0 ) prijenos svih frekvencija Ovo su. za vrlo velike ulazne otpore koristimo operacijska pojačala bazirana na FET-ovima (1012 Ω). a postoje i posebno dizajnirani sklopovi koji rade s većim strujama. što se tiče ulaza i izlaza. Takva pojačala..33. Realni ulazni otpor varira u velikom rasponu (LM741 – 2 MΩ. može od 300 kΩ – 100 MΩ). izvedena u monolitnoj. deriviranje i pojačanje ulaznog signala. oduzimanje.8. Operacijsko pojačalo se. Operacijska pojačala 134 Najveći dio pojačala realizira se izradom svih potrebnih komponenti na jednom silicijskom čipu koji tako formiraju monolitni integrirani sklop koji se sastoji od više tranzistora. integriranje. karakteristike slične emiterskom sljedilu. osigurava veliki ulazni otpor i pojačanje signala II stupanj: vrlo veliko pojačanje III stupanj: osigurava mali izlazni otpor i veliki hod izlaznog signala Na primjer. naravno. Operacijsko pojačalo. dioda. Izlazni otpor je obično 75 Ω za operacijska pojačala bazirana na bipolarnim tranzistorima.V. ± 13 V. sastoji se od 20 tranzistora i zauzima površinu od 1 mm2. Slika 4. pojačalo LM741 koje je u najširoj primjeni. Općenito. Ukupno pojačanje iznosi oko 110 dB (300000 puta).Papić: Predavanja iz osnova elektronike 4. B1 – invertirajući ulaz. Pojačalo priključeno na pozitivni istosmjerni napon od + 15 V i negativni -15 V. u pravilu. tehnici nazivamo operacijska pojačala..

Nadomjesni sklop operacijskog pojačala (koji uzima u obzir Uoff) prikazan je na slici 4. Ovaj "virtualni" mali napon na ulazima operacijskog pojačala naziva se napon offseta (Uoff).34. Nadomjesni sklop operacijskog pojačala V- Slika 4. koji se onda pojača i izaziva postojanje nekog često nezanemarivog napona na izlazu. a B2 neinvertirajući ulaz.V. izlaz operacijskog pojačala biti će nula. tako da. tako da kratko spojimo ulaze).Papić: Predavanja iz osnova elektronike 135 Potrebno je napomenuti još jednu karakteristiku operacijskog pojačala. iako to očekujemo. Za operacijsko pojačalo prikazano na slici 4. na ulazima diferencijalnog pojačala postoji ovaj mali napon. Ovo odstupanje (pomak) izlaza od nule posljedica je nesavršenosti realnih tranzistora i ostalih komponenti i naziva se offset. kod realnih operacijskih pojačala nikad nije nula.35. Slika 4.34. a po iznosu jednak Uoff. Ovaj efekt se može shvatiti kao postojanje vrlo malog naponskog izvora unutar operacijskog pojačala koji se zbraja na ulazni napon. čak i kada je ulazni napon nula. Tipične izvedbe operacijskih pojačala . Razlika ova dva ulaza je ulazni napon (Uul =U1 – U2). pojačanje negativno (obrtanje faze). Ulaz B1 je invertirajući. možemo reći da je diferencijalnog tipa. izlazni napon. Ukoliko je ulazni napon u pojačalo nula (npr.33. Ako se na ulaze dovede napon koji je po predznaku suprotan. Izlazni napon Uiz se dobije kao umnožak naponskog pojačanja i ulaznog napona. pa je u ovom slučaju.

Oznaka NC uz pin označava da nema veze (no connection).70) Slika 4.je negativni napon napajanja. Oznaka orijentacije je zarez na jednom kraju kućišta ili kružić na pinu broj jedan. V+ pozitivni napon napajanja.U-) mora težiti nuli. U+ označava neinvertirajući.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 136 Najveći broj operacijskih pojačala pojavljuje se u obliku integriranih sklopova (IC) koji obično sadrže jedan.67) Uz vrlo veliki ulazni otpor (Rul → ∞ ) možemo zanemariti ulaznu struju u pojačalo.8.V.1. Slika 4. prikazuje primjere sklopova s pinovima (priključcima). Neinvertirajuće pojačalo Objasnimo neinvertirajuće pojačalo prikazano na slici 4. a s U.36. Stoga vrijedi U − = U iz R2 R1 + R2 (4. Neinvertirajuće pojačalo .35. Kako pojačanje A teži beskonačno velikoj vrijednosti.invertirajući ulaz operacijskog pojačala.69) odakle je ukupno pojačanje Af = U iz R1 + R2 = U ul R2 (4. za konačne vrijednosti izlaznog napona Uiz. 4. dva ili četiri pojačala. Stoga možemo napisati: U − = U + = U ul (4. V. ulazni napon operacijskog pojačala (Uul = U+ . Pinovi integriranih sklopova označeni su brojkama u smjeru obratnom od kazaljke na satu.36. Neki sklopovi imaju ulaz za nulti offset (offset null) koji se može koristiti za uklanjanje efekata napona offseta.68) U ul = U iz R2 R1 + R2 (4.

je stalno na 0 V.V. što je U. vrijedi U− = U+ = 0 (4.jednak naponu na neinvertirajućem ulazu U+. Invertirajuće pojačalo U ovom sklopu invertirajući ulaz (-) se nalazi na nultom potencijalu iako nije direktno uzemljen.8.74) (4. Invertirajuće pojačalo 137 Negativna povratna veza ovog sklopa (Slika 4. Za struju I1 možemo napisati I1 = U ul − U − U ul − 0 U ul = = R1 R1 R1 U iz − U − U iz − 0 U iz = = R2 R2 R2 I1 = − I 2 (4.37. struje I1 i I2 moraju biti jednake po iznosu i suprotnog smjera.37) nastoji održati napon na invertirajućem ulazu U. Za idealno pojačalo. Naime. izlaz postaje pozitivniji što za posljedicu ima povećanje pozitivnosti U-.negativniji. Slično. a čitav sklop pojačalo s virtualnim uzemljenjem. Zbog toga se ova točka često naziva virtualno uzemljenje. .U.72) a za struju I2 I2 = (4. stabilizacija je savršena i ulaz U. što Upostaje pozitivniji.73) (4.75) Iz relacije slijedi U ul U = − iz R1 R2 pa je ukupno pojačanje Af = U iz R =− 2 U ul R1 (4.postaje negativniji. pa preko otpornika R2 ulaz U. Stoga je ulazni napon operacijskog pojačala U+ .76) Slika 4. pojačanje je beskonačno.2. izlaz postaje negativniji.71) Kako je ulazna struja u operacijsko pojačalo zanemariva. koji je uzemljen (0 V).jednak nuli tj.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 4.

Možemo primijetiti da za jednake otpore R2 i R1.80) Izlazni napon je jednak razlici ulaznih napona pomnoženih s omjerom otpora R2 i R1.77) U − = U ul 2 + (U iz − U ul 2 ) (4. Slika 4.3. kao posljedica negativne povratne veze naponi U+ i Use nastoje izjednačiti pa je stoga U ul1 R2 R1 = U ul 2 + (U iz − U ul 2 ) R1 + R2 R1 + R2 (4. Diferencijalno pojačalo Za sklop sa slike 4. izlazni napon možemo izračunati iz U iz = (U ul1 − U ul 2 ) R2 R1 (4. vrijede slijedeće relacije U + = U ul1 R2 R1 + R2 R1 R1 + R2 138 (4. Diferencijalno pojačalo .38.78) Kao i u slučaju invertirajućeg pojačala.79) odakle dobijemo U ul1 R2 = U ul 2 R1 + U ul 2 R2 + U iz R1 − U ul 2 R1 U iz = U ul1 R2 − U ul 2 R2 R1 Dakle. izlazni napon je jednak Uul1 – Uul2 pa imamo jednostavno oduzimanje napona.V.38.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 4.8.

Stoga možemo reći da je na nultom potencijalu (0 V) i struje koje ulaze u točku se mogu izračunati: I1 = U ul1 . R1 I2 = U ul 2 .83) Odakle za izlazni napon dobijemo U iz = −(U ul1 + U ul 2 ) R2 R1 (4. izlazni napon bi bio jednak − (U ul1 + U ul 2 ) . R1 I3 = U iz R2 (4. I 3 = −( I 1 + I 2 ) ⎛U U iz U ⎞ = −⎜ ul1 + ul 2 ⎟ ⎜ R R2 R1 ⎟ ⎝ 1 ⎠ (4.82) (4.39 je točka virtualnog uzemljenja..Papić: Predavanja iz osnova elektronike 4. Sumator (zbrajalo) 139 Točka U.na slici 4.39.) R2 R1 (4.85) Slika 4.4. Negativni predznak pokazuje da sklop obrće fazu. Sumator .84) Izlazni napon je određen sumom ulaznih napona i omjerom otpornika R1 i R2. suma struja u invertirajući ulaz (U-) je nula..81) S obzirom na zanemarivo malu ulaznu struju operacijskog pojačala.V.8. Za jednake otpore R1 i R2. Neograničeni broj ulaznih otpornika mogu se paralelno spojiti. i ukoliko su svi s istom vrijednošću R1. izlazni napon će biti: U iz = −(U ul1 + U ul 2 + U ul 3 + . Ovaj sklop se može jednostavno modificirati dodavanjem više ulaznih signala.

Strujno-naponski pretvornik Zbroj struja koje ulaze u točku virtualne nule (U-) jednak je nuli (Slika 4.91) možemo zaključiti da je izlazni napon direktno proporcionalan ulaznoj struji.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 4. Naponsko sljedilo 140 Ovo pojačalo je zapravo specijalni slučaj neinverirajućeg pojačala kojemu je otpor R1 nula. a želimo povući veću struju nego izvor može proizvesti. I ul + I R = 0 (4.V.8.= 0.70) može se napisati i na sljedeći način Af = R1 +1 R2 (4. Negativni predznak znači da se faza signala okreće. struju IR možemo napisati kao IR = U iz R U iz R (4. a otpor R2 beskonačan. Kao i emiterska sljedila koja realiziramo s tranzistorima. .88) Kako je napon U.40.41). Slika 4. Naponsko sljedilo 4.8.89) odakle vrijedi I ul = − I R = − (4. i ovaj sklop se često koristi kad imamo izvor napona s velikom unutrašnjom impedancijom. Rješenje je u preslikavanju ulaznog napona Uul na izlaz operacijskog pojačala Uiz koje može proizvesti veću struju bez smanjenja izlaznog napona jer je unutrašnji otpor operacijskog pojačala manji od unutrašnjeg otpora originalnog izvora.5.86) Zamjenom odgovarajućih vrijednosti otpora dobijemo Af = 0 +1 = 1 ∞ (4.87) što je pojačalo s jediničnim pojačanjem.6.91) i nadalje U iz = − I ul R Iz jednadžbe (4.90) (4. Jednadžba (4.

41.42). Integrator Sklop koji se ponaša kao integrator dobit ćemo zamjenom otpornika R2 invertirajućeg pojačala s kondenzatorom C (Slika 4. Integrator Sa slike možemo zaključiti da vrijedi IC + I R = 0 I C = −I R = − U ul R (4. izlazni napon Uiz je jednak naponu na kondenzatoru .7.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 141 Slika 4.92) Kako je napon U.8.42.V.= 0. Strujno-naponski pretvornik 4. Slika 4.

U praksi se ovaj sklop rijetko koristi u ovom obliku jer značajno pojačava šum visokih frekvencija i neželjene šiljke signala pa je stoga nestabilan. 4.8.43).je virtualna točka uzemljenja i zbroj ulaznih struja u ovu točku mora biti jednak nuli.V.99) Dakle.97) Iz jednadžbe (4. a konstanta proporcionalnosti određena je vremenskom konstantom koja je jednaka umnošku RC.= 0. . C C0 t 142 (4. supstitucijom izraza (4.94) C0 R RC ∫ 0 Izlazni napon je proporcionalan integralu ulaznog napona.8.98) odakle smo dobili ovisnost izlaznog o ulaznom naponu U iz = − RC dU ul dt (4. napon na kondenzatoru jednak je ulaznom naponu Uul 1 U ul = ∫ I C dt + B1 C0 t (4.93) gdje je B1 konstanta jednaka početnom naboju na kondenzatoru u trenutku t = 0. U. U (4. izlazni napon proporcionalan je derivaciji ulaznog napona po vremenu. Kao i ranije.93) dobijemo t t 1 U 1 U iz = − ∫ ul dt = − U ul dt (4.Papić: Predavanja iz osnova elektronike q 1 U iz = = ∫ I C dt + B1 . Ako pretpostavimo da u početnom trenutku nije bilo naboja na kondenzatoru.95) I C + I R = 0 ⇒ I C = − I R = − iz R Kako je napon U. Obično se u seriju s kondenzatorom doda otpornik koji smanjuje neželjeno pojačanje šuma.95) nadalje slijedi dU ul U = − iz dt RC (4. Derivator Derivator možemo realizirati zamjenom pozicija otpornika i kondenzatora u integratoru (Slika 4.92) u (4.96) Deriviranjem lijeve i desne strane po t dobijemo dU ul I C = dt C (4.

umjesto pomoću tranzistora.44.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 143 Slika 4. realizirati operacijskim pojačalom. Derivator 4.32.43. Osnovno pojačanje (A) prikazanog operacijskog pojačala iznosi R2/R1. može se.V. RC oscilator realiziran pomoću operacijskog pojačala RC oscilator prikazan na slici 4.44. .9.8. RC oscilator (R1 R * = R ) . Ovakav sklop prikazan je na slici 4. R2 R1 UU+ + C C C R* R R B Slika 4.

Koja je razlika između realnog i idealnog strujnog odnosno naponskog izvora? 4. Koje su karakteristike rada pojačala u spoju zajedničkog odvoda? 13. Nacrtajte pojačalo u spoju ZC i navedite koje su njegove specifičnosti. Kada koristimo tehniku strujnog zrcala? 18. Koje metode indirektnog mjerenja struje kratkog spoja poznajete? 6. Koje bi trebale biti osobine idealnog operacijskog pojačala? 21. Čemu je jednako strujno pojačanje pojačala u spoju ZE? 9. Koji su koraci pri grafičkom određivanju statičke radne točke strujnog izvora? 5. Kako određujemo donju i gornju granicu frekvencijskog pojasa pojačala? 8. a koje izlazne vrste snaga koje se javljaju kad govorimo o pojačalima? 2. Koje su ulazne. Za koju vrstu pojačanja koristimo spoj tranzistora sa ZB i o čemu to pojačanje ovisi? 10. Koje su osnovne karakteristike kaskadnih pojačala? 15. 11. 23. Zašto u području zasićenja. Može se dokazati da je frekvencija titranja ovakvog oscilatora f 0 = 2π ⋅ 6 RC Pitanja: 1. Kako koristimo operacijsko pojačalo za zbrajanje više ulaznih napona? 25. Izvedite izraz za izlazni napon diferencijalnog operacijskog pojačala. Kakve su prednosti rada pojačala s unipolarnim tranzistorom u obogaćenom modu? 14. 24. Kako možemo realizirati RC oscilator? . Kako mjerimo ulazni otpor nepoznatog sklopa? 7. Koja je razlika između strujno-naponskog pretvornika i običnog inverirajućeg pojačala? 26.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 144 Princip rada je jednak kao i kod sklopa koji koristi tranzistor za pojačanje. Objasnite rad Darlingtonovog spoja. Nacrtajte derivator realiziran pomoću operacijskog pojačala. Koji su razlozi korištenja negativne povratne veze? 19. Što ograničava maksimalni izlazni napon operacijskog pojačala? 22. 28.V. Kada i zašto možemo kazati da je pojačalo pretvornik istosmjerne u izmjeničnu snagu? 3. Navedite osnovne stupnjeve operacijskog pojačala. 20. 16. kažemo da rade kao strminska pojačala? 12. Zašto koristimo uparene tranzistore u diferencijalnom pojačalu? 17. za tranzistore s efektom polja. Objasnite rad invertirajućeg pojačala. dakle B mreža se sastoji od tri RC sekcije su odgovorne za zakretanje faze povratnog signala za 180°. Na koji način koristimo operacijsko pojačalo za integriranje ulaznog signala? 27.

ILI logičke sklopove.1. Blok dijagram sklopa i pripadajuća tablica istine prikazani su na slici 5.2. .Papić: Predavanja iz osnova elektronike 145 5.3. mikroprocesori Kompletni sustavi (SCC. Elektroničke sklopove možemo klasificirati ovisno o broju standardnih logičkih vrata koja sadrže.1.1. Sklopovlje jednog mikroprocesora se bazira na manjim elementima koje nazivamo logički sklopovi ili logička vrata (eng. Primjer: zbrajanje dva binarna broja pomoću logičkih sklopova Pravila zbrajanja dva jednoznamenkasta binarna broja su sljedeća: 0+0=0 0+1=1 1+0=1 1 + 1 = 10 Sklop kojim realiziramo ovu logičku funkciju nazivamo polusumator. tj. male memorije Memorije i jednostavni mikroprocesori Velike memorije. I. a njihove nadomjesne sheme su prikazane na slici 5.V. U ovu skupinu logičkih sklopova ubrajamo NE. gate) koja su jednostavni sklopovi sastavljeni od manjeg broja tranzistora i pasivnih komponenti. prikazani su na slici 5. Logički sklopovi Napredak tehnologije omogućio je izradu mikroprocesora koji sadrži do nekoliko milijuna tranzistora ukomponiranih na silicijskoj pločici upakiranoj u plastično kućište. DSP) Mikroprocesorski sustavi Tablica 5. registri. Stupanj integracije Niski stupanj integracije (SSI) Srednji stupanj integracije (MSI) Visoki stupanj integracije (LSI) Vrlo visoki stupanj integracije (VLSI) Ultra visoki stupanj integracije (ULSI) Integracija na pločici – waferu (WSI) Broj logičkih vrata (red veličine) 100 101 103 104 105 107 Primjena Osnovna vrata i bistabili Brojači. vrlo često se koriste i nešto složeniji sklopovi (NI.1). NILI.1. Iako se kombiniranjem navedenih sklopova može realizirati bilo koja logička funkcija. isključivo ILI) koji su također prikazani na slici 5. Digitalna elektronika 5. Stupnjevi integracije digitalnih sklopova Osnovni logički sklopovi zajedno s njihovim tablicama istine. klasificiramo ih ovisno o njihovu stupnju integracije (Tablica 5.

Logički sklopovi – simboli i tablice istine A Z B A A Z Z B B a) b) c) Slika 5. Nadomjesne sheme a) NI.sklop Tablica istine A 1 0 1 0 Sklop Simbol A B Z 1 0 1 1 0 1 0 0 NILI . b) NILI.sklop 146 Tablica istine Sklop Simbol A B Z 1 1 1 0 1 0 1 0 0 0 0 0 Isključivi ILI – sklop A 1 0 1 0 B Z 1 1 1 1 0 1 0 0 NE . c) Isključivo ILI .2.Papić: Predavanja iz osnova elektronike Sklop Simbol I – sklop ILI .V.1.sklop Z=A B B B Tablica istine A 1 0 1 0 B 1 1 0 0 Z 0 0 0 1 A 1 0 1 0 B 1 1 0 0 Z 0 1 1 1 Slika 5.sklop A Z=A+ B A 1 0 Z 0 1 NI .

V.4. Slika 5. Da bi se prijenos obuhvatio pri zbrajanju bit-ova veće težine potrebna su tri ulaza. 5. Polusumator: a) Blok dijagram. b) Tablica istine Blok dijagram na slici 5.4 obavlja samo operaciju zbrajanja. Logičke familije integriranih sklopova mogu se podijeliti u dvije osnovne grupe: sklopove koji se temelje na radu bipolarnih tranzistora i one koji koriste MOSFET tranzistore. a jedan od mogućih načina prikazan je na slici 5.2) Polusumator možemo realizirati na različite načine.3. druge imaju mali utrošak snage a treće su vrlo otporne na šum.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 147 A 0 0 1 1 a) B 0 1 0 1 b) C 0 0 0 1 S 0 1 1 0 Slika 5. To znači da se potpuni sumator sastoji od dva polusumatora od kojih jedan vrši binarno zbrajanje. logičkih familija. Tehnike realizacije logičkih sklopova Postoji više tehnika realizacija logičkih sklopova tzv. Polusumator – realizacija jednim I i isključivo ILI logičkim sklopom Polusumator na slici 5.4. Na osnovu tablice istine možemo napisati dva Boolova izraza za izlaze polusumatora u ovisnosti o stanjima na ulazu: C = A⋅ B (5. a drugi pribraja prijenos koji dobiva od prethodnog sumatora.2.1) S = ( A + B ) ⋅ AB = A B + AB Izraz za izlaz S možemo napisati i na drugi način S = A⊕ B (5.3 sadrži dva ulaza (A i B) te dva izlaza (C – prijenos i S –suma). . Svaka od ovih tehnika ima prednosti i nedostatke tako da ne postoji idealna tehnika koja bi ispunila sve zahtjeve: neke rade na velikim brzinama.

Papić: Predavanja iz osnova elektronike 148 Navedimo tehnike koje su se tijekom godina pokazale najuspješnijima. Pozitivna logika je ona kod koje je nivo '1' pozitivniji od nivoa '0' tj. Pozitivna i negativna logika Svako realno linearno pojačalo ima ograničeni opseg izlaznih napona koji je odre en naponom napajanja. Slika 5. a negativna logika je ona kod koje je nivo '1' negativniji od nivoa '0' tj. Logički sklopovi mogu biti realizirani u pozitivnoj i negativnoj logici.V. upoznat ćemo se s radom bipolarnog i MOSFET tranzistora kao logičke sklopke. a tako er i s logičkim invertorom. negativna logika predstavlja inverziju pozitivne logike (Slika 5. Sklop možemo koristiti i kao logički sklop.5. dva preostala ulazna područja napona možemo predstaviti s '0' (područje nižih ulaznih napona) i '1' (područje viših ulaznih . moramo osigurati da ulazni napon bude unutar linearnog područja rada sklopa.6.5). Slika 5. Prije upoznavanja s ovim tehnikama.6. Karakteristika tipičnog invertirajućeg linearnog pojačala prikazana je na slici 5. Drugim riječima. diodna logika se ne koristi u integriranim sklopovima dok se RTL i DTL tehnike više ne primjenjuju. U(1) < U(0). Ako je ulazni signal uvijek izvan linearnog područja rada pojačala. Invertirajuće linearno pojačalo Ako takav sklop želimo koristiti kao linearno pojačalo. U(1) > U(0). a kojima ćemo nešto kasnije više biti napisano: • • • • • • • otpornik-tranzistor logika (RTL) diodna logika (DL) diodno-tranzistorska logika (DTL) tranzistor-tranzistor logika (TTL) logika zajedničkog emitera (ECL) MOSFET (MOS) komplementarni MOSFET (CMOS) Od navedenih tehnika.

Kako su ulazni i izlazni naponi kompatibilni.7 vidimo da za vrijednost na ulazu '0'. područje prelaza iz jednog stanja u drugo što više smanjiti odnosno postići što brži prelaz iz jednog stanja u drugo. Izlazni napon može imati samo dvije moguće vrijednosti – maksimalna izlazna vrijednost ('1') i minimalna izlazna vrijednost napona ('0').8. Sa slike 5. i obratno. Dakle sklop ima karakteristiku logičkog invertora ili NE sklopa. Prijenosna karakteristika logičkog invertora (pozitivna logika) Prilikom odabiranja komponenti i podešavanja njihovih parametara namještamo maksimalne i minimalne izlazne vrijednosti napona tako da njihove vrijednosti odgovaraju vrijednostima '0' i '1' ulaznog napona. izlaz iz ovakvog sklopa može se dovesti na ulaz nekog sličnog logičkog sklopa. Potrebno je napomenuti da se pri izradi logičkih invertora nastoji linearno područje tj.V. Prvo ćemo ukratko objasniti rad bipolarnog tranzistora kao logičke sklopke (Slika .7. na izlazu imamo '1'. Slika 5. Bipolarni tranzistor kao logička sklopka Logički inverter (NE sklop) možemo realizirati korištenjem bipolarnog i MOSFET tranzistora. Slika 5.7.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 149 napona) što je prikazano na slici 5.

Vrijeme isključenja je značajno dulje od vremena uključenja. Slika 5. Otpornik – tranzistor logika (RTL) Jednostavni invertor prikazan na slici 5. Na slici 5. što za posljedicu ima da je izlazni napon blizu 0 V (logička '0').Papić: Predavanja iz osnova elektronike 150 5. n-kanalni MOSFET je isključen jer je tranzistoru potreban pozitivan napon na upravljačkoj elektrodi za formiranje kanala izme u uvoda (S) i izvoda (D). Struja izvoda je stoga zanemariva pa na otporniku R nemamo gotovo nikakav pad napona. Osnovni razlog je u duljem vremenu potrebnom minoritetnim nositeljima da napuste bazu prilikom isključenja.9. prikazan je odnos izme u ulaznog signala invertora i odgovarajuće struje kolektora i izlaznog napona. Dodavanjem drugog tranzistora dobili smo NILI sklop s dva ulaza (Slika 5. koji općenito iznosi oko 0. Možemo primijetiti da postoji kašnjenje izme u promjene ulaznog napona i odziva na izlazu tranzistora. napon blizu UCC predstavlja logičku jedinicu. MOSFET je uključen i struja teče kroz otpornik R. Primjer MOS tranzistora kao logičke sklopke prikazan je na slici 5.9. Dakle.V. u digitalnim sustavima češće se koristi izraz MOS sklopovi koji opisuje način izrade umjesto načina rada. Izlazni napon Uiz je zbog toga po iznosu gotovo jednak naponu napajanja UCC (mali pad napona na otporniku RC). MOS tranzistor kao logička sklopka Kad je ulazni napon Uul (UGS) blizu 0 V. Dok za analogne primjene ove sklopove najčešće nazivamo FET-ovi. Izlazni napon je blizu napona napajanja UDD (logička '1'). Tako er je manja i potrošnja snage što uvelike umanjuje probleme zagrijavanja. tranzistor je «uključen» i izlazni napon je jednak naponu zasićenja sklopa. Dodavanjem više tranzistora možemo realizirati sklop s više ulaza. 5. Kad je veličina ulaznog napona blizu napona napajanja. MOS logički sklopovi zauzimaju manju površinu na siliciju pa time omogućavaju smještanje većeg broja elemenata na čipu. Nedostatak MOS tranzistora je sporiji rad. napon blizu 0 V logičku nulu. Kad je ulazni napon visok.2.1. može biti osnova za cijelu grupu logičkih sklopova. glavne prednosti MOS tranzistora u odnosu na bipolarne tranzistore su njihova jednostavnost i jeftinija izrada.8. MOSFET je dominantan oblik korištenja FET-ova za primjenu u digitalnoj tehnici. tranzistor je «isključen» i kroz kolektor protiče zanemariva struja. Kad je ulazni napon Uul blizu nule.8. sklop radi kao logički invertor.10).8). .1 V. Kako je već navedeno.b.

uobičajeno oko 0. Diodna logika je jednostavna.10. NILI sklop u RTL logici Prednosti RTL tehnike su jednostavnost i kompaktnost.7 V. ako je pozitivni impuls (logička '1') prisutan na oba ulaza.11).7 V.2. 5.a) napon koji odgovara logičkoj '0' na izlazu nije jednak ulazu jer je uvećan za napon na diodi. U mirnom stanju vode obe diode i na izlazu je napon 0.V.2. Zbog toga diodnu logiku koristimo samo za jednostavne logičke operacije.b. ona prestaje voditi. na izlazu ćemo dobiti napon UCC jer struja sada prolazi samo kroz otpornik R. ali je pasivna pa signal prolaskom kroz niz sklopova postupno erodira tj. dok je logička '1' smanjena za napon na diodi. izlazni napon koji odgovara logičkoj '0' jednak je ulazu. a napon koji predstavlja logičku '1' se smanjuje sve dok razlika ne postane nedovoljno velika da bi se mogla prepoznati. Ako pozitivni impuls dovedemo na obje diode.11. Na izlazu I sklopa pojavit će se pozitivan impuls samo onda.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 151 Slika 5. Nedostatci su u relativno niskom imunitetu na utjecaj šuma i maloj brzini rada. Diodna logika: a) I sklop i b) ILI sklop .11. Nai e li pozitivni impuls na diodu. napon koji predstavlja logičku '0' se povećava. Možemo primijetiti da za I sklop sa slike 5. Za ILI sklop na slici 5. Slika 5.11. Diodna logika (DL) I i ILI logički sklop možemo izraditi koristeći samo diode i otpornike (Slika 5.

sada imamo tranzistor pa kažemo da imamo sklop realiziran u tranzistor-tranzistor logici (TTL). S obzirom da je napon uključenja za diodu i tranzistor oko 0.V. Kako je dodano invertirajuće pojačalo.12. Diodno-tranzistorska logika (DTL) 152 Većina problema diodne logike može se riješiti dodavanjem pojačala na izlazu sklopa kako bi se korigirali logički nivoi.13. samo će mala struja prolaziti otpornikom RC. naročito za sklopove niskog i srednjeg stupnja integracije. Slika 5. predstavlja modificirani I sklop sa slike 5.13). TTL logika je jedna od najraširenijih tehnika realizacije logičkih sklopova. Umjesto dioda. Diodno-tranzistorska logika: NI sklop 5.a). napon u točki E pada na otprilike 0. tranzistor se isključuje i na izlazu dobijemo logičku '1'. Tranzistor-tranzistor logika: NI sklop .3.2. Kad na bilo koji ulaz dovedemo logičku '0'.5 V. Dodatna dioda D3 spojena je u seriju s tranzistorom kako bi snizili napon baze tranzistora s 0.7 V.12.1 V U1 = UCC UCC R RC Z A B 0 0 1 1 0 1 0 1 Z E A B D3 1 1 1 0 0V Slika 5. možemo primijetiti da svaki ulaz «vidi» kombinaciju dvije obrnuto orijentirane diode. Sklop na slici 5. Tranzistor-tranzistor logika (TTL) Promatrajući sklop sa slike 5. Zapravo se radi o NP – PN spoju kojeg možemo zamijeniti NPN tranzistorom (Slika 5. dobili smo NI sklop.4.2.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 5. Napon u točki E treba biti veći od zbroja napona uključenja tranzistora i diode D3. U0 = UCEZAS = 0.12. dokle god napon u točki E ne dosegne 1 V.11.7 V na 0 V u slučaju logičke '0' na jednom od ulaza.

Uz odabir odgovarajućih UBB. UCC RC Z’ Z A B 0 0 1 1 0 1 0 1 Z Z’ 0 1 1 1 1 0 0 0 RC A T1 B T2 T3 UBB UE RE Slika 5.7 V. Primjer logičkog sklopa koji radi s tranzistorima koji ne ulaze u područje zasićenja prikazan je na slici 5. u logičkoj '0'. oba napona su manja od napona UBB.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 5. Struja IE jednaka je IE = U E U BB − 0. napon UE se povisi na U1 – 0. a napon na emiterima tranzistora UE jednak je U E = U BB − U BE ≈ U BB − 0. Napon u točki Z je U Z = U CC − RC I E = U CC − RC (U BB − 0.NILI sklop Ako su ulazi A i B sa slike 5. RC i RE. napon izme u baze i emitera tranzistora T1 i T2 će biti niži od 0. Zbog toga se uključuje odgovarajući tranzistor i isključuje T3. Logički naponi U0 i U1 se odabiru tako da U0 bude malo manji od UBB.14. Logika zajedničkog emitera: I .14.7 V smanjujući napon baza-emiter tranzistora T3 ispod 0.V.14. može se podesiti da tranzistor T3 ostane u aktivnom području.7 V. Nedostatci su velika osjetljivost na šum i velika potrošnja snage zbog toga što su tranzistori stalno u aktivnom području.5. Ako se A ili B postavi u logičku '1'. U ovom slučaju je struja emitera . dakle tranzistori su isključeni.7 ≈ RE RE i ona protiče isključivo kroz T3 jer su T1 i T2 isključeni.2. Logika zajedničkog emitera (ECL) 153 Prednost ECL tehnike je vrlo velika brzina rada jer tranzistori u radu ne ulaze u područje zasićenja.7V Kako su naponi na A i B niži od UBB.7 ) RE a napon u točki Z' je približno jednak UCC. a U1 malo veći od UBB. Tranzistor T3 je uključen.

15. tranzistor neće biti u području zasićenja. Slika 5.7) RE dok je napon UZ približno jednak UCC. Tranzistori-sklopke ponašaju se kao gotovo savršene sklopke i sklopovi su otporni na šum. Uz odgovarajući odabir komponenti. MOSFET (MOS) Na početku ovog poglavlja već je prikazan primjer korištenja MOSFET-a kao logičkog invertora. Slični sklopovi se mogu realizirati i korištenjem p-kanalnih tranzistora (PMOS).2.6. Korištenje otpornika u integriranim sklopovima nije ekonomično pa se kao aktivna opterećenja koriste MOSFET tranzistori. 5. Prikaz realizacije invertora i NI sklopa korištenjem n-kanalnih MOSFET tranzistora (NMOS) dan je na slici 5. Jedna od velikih prednosti MOS tehnologije je njena jednostavnost. NMOS: a) NE sklop.15. b) NI sklop .Papić: Predavanja iz osnova elektronike U E U 1 − 0.7 = RE RE 154 IE = Ova struja će teći isključivo kroz odgovarajući tranzistor tako da je napon u točci Z' jednak U Z ' = U CC − RC I E = U CC − RC (U 1 − 0.V.

tranzistori se različito ponašaju s obzirom na napon na upravljačkoj elektrodi. najraširenija tehnologija koja se koristi pri izradi novih integriranih sklopova. izlaz je u bilo kojem trenutku odre en trenutnim ulazima i podacima pohranjenim u memorijskim elementima. Dok napon UDD na upravljačkoj elektrodi uključuje n-kanalni tranzistor.17 prikazan je općeniti sekvencijalni sustav koji se sastoji od kombinacijske logike. velika brzina.2. napon UDD predstavlja logičku '1'. Ovi sklopovi koriste po jedan n-kanalni i p-kanalni sklop.3. pa odatle i naziv komplementarni MOSFET. Drugim riječima. Informacija pohranjena u memoriji odre uje stanje sklopa u bilo kojem trenutku. . CMOS: a) NE sklop. b) NI sklop Iako je CMOS sklopove teže proizvesti nego NMOS ili PMOS sklopove jer je potrebno izraditi istovremeno oba tipa sklopova. Primjer realizacije NE i NI sklopa u CMOS tehnologiji prikazan je na slici 5.16. Na slici 5. memorije i povratne veze. Komplementarni MOSFET (CMOS) 155 Komplementarna MOSFET tehnika odlikuje se vrlo velikom brzinom rada i vrlo malom potrošnjom. dok je slijedeće stanje sustava odre eno trenutnim stanjem i ulazima.V. sklopovi koji koriste ovu logiku imaju svojstva memorije. Sekvencijalna logika Za razliku od kombinacijske logike predstavljene u prethodnim poglavljima kod koje su stanja na izlazu odre ena isključivo trenutnim ulaznim stanjima. Kao i kod NMOS sklopova. Kako su različito polarizirani.7. istovremeno isključuje p-kanalni. 5. Memorijski elementi su sklopovi koji mogu pohraniti binarnu informaciju tj. mala potrošnja i velika otpornost na šum imaju za posljedicu da je ova tehnologija. kod sekvencijalne logike izlazi nisu odre eni samo ulazima već i sekvencom ili slijedom ulaza koji su doveli do trenutnog stanja. Slika 5. Obratno vrijedi za nulti napon na upravljačkoj elektrodi.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 5. a 0 V predstavlja logičku '0'.16.

Monostabilni multivibrator: Jedno stanje je stabilno. Bistabil ima dva izlaza. a potom se automatski vraća u stabilno stanje. Iako se u literaturi može pronaći da se za sve bistabile koristi izraz flip-flopovi.17. monostabilni multivibrator. . izlazi i unutrašnja stanja su uzorkovana u odre enim vremenskim trenucima.pravokutni impuls.naponski skok. Razlikujemo tri osnovne grupe multivibratora: Bistabilni multivibrator: Oba izlazna stanja su stabilna-sklop ostaje u jednom od moguća dva stanja sve dok ulazni signal ne prouzrokuje promjenu. U takvom stanju ostaje odre eno vrijeme. pri čemu jedan uvijek pokazuje komplementarnu vrijednost od drugoga. Bistabil ima dva stabilna stanja i sve dok je priključen na izvor napajanja ne mijenja stanja na svojim izlazima. Multivibratori su općenito sklopovi koji imaju dva izlaza koji su me usobno komplementarni te nijedan. Tako er. Sklop ostaje u svakom od nih odre eni vremenski period. Kod sinkronih sustava ulazi. Zbog toga ćemo posebnu pažnju posvetiti bistabilima. Slika 5. Sklop ostaje u stabilnom stanju dok ulaznim signalom ne prouzrokujemo dovo enje sklopa u kvazistabilno stanje. Općeniti sekvencijalni sustav Iako je veliki broj elektroničkih sklopova sekvencijalan. jedan ili više ulaza. - Na osnovu navedenog. točnije ih je podijeliti u dvije skupine: Razinom okidani bistabil (latch): Bistabil koji daje odziv na svojim izlazima kod promjene ulazne razine.V. a vremenski slijed se upravlja signalom takta (clock). očito je da se multivibratori mogu koristiti za generiranje impulsnih signala (bistabilni multivibrator. a potom automatski prelazi u drugo kvazistabilno stanje. a drugo kvazistabilno. najčešće korišteni su različiti tipovi multivibratora. monostabili se mogu koristiti kao sklopovi za kašnjenje. Astabilni multivibrator: Oba stanja su kvazistabilna.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 156 Sekvencijalni sklopovi mogu se podijeliti na sinkrone i asinkrone. a bistabilni multivibratori ili bistabili se koriste i kao temeljni memorijski sklopovi korišteni u digitalnim sustavima. astabilni multivibrator-pravokutni val). Sklopovlje asinkronih sustava u bilo kojem trenutku može promijeniti stanje s obzirom na promjenu stanja na ulazima. Izlaze najčešće označavamo s Q i Q .

b) Tablica istine SR bistabila Primjer vremenskog dijagrama za razinom okidan SR bistabil prikazan je na slici 5. lako možemo zaključiti da će se za stanje na ulazima R = 0. sklop ne mijenja stanje na izlazima pa ovo stanje nazivamo i memorijskim modom sklopa.Papić: Predavanja iz osnova elektronike - 157 Bridom okidani bistabil (flip-flop): Ovaj bistabil daje odziv na ulazne promjene samo u vremenskim trenucima promjene ulaznog signala.3. i S = 0.19.V. 5. Razinom okidani bistabili U ovu grupu bistabila pripada SR bistabil (SET-RESET) prikazan na slici 5. a S = 1 postavlja izlaz Q u 1 (SET).1. izlaz Q postavlja se u 1. a izlaz Q u 0.19. Možemo primijetiti da uz stanja na ulazima S = 1 i R = 1. Stoga je ovakva kombinacija na ulazu zabranjena.20. . Ovu vrstu bistabila možemo smatrati za jednostavan oblik električne memorije jer sklop «pamti» koji je od dva ulaza posljednji postao aktivan (1). Blok shema i pripadna tablica istinitosti prikazani su na slici 5. Zbog simetričnosti sklopa. S S Q R Qn Qn 0 0 1 1 0 1 0 1 Qn-1 Qn-1 Nema promjene 0 1 0 1 0 0 b) RESET SET Neodredeno R Q a) Slika 5. izlaz Q postaviti u 1 bez obzira na njegovo prethodno stanje. a) Blok shema SR bistabila.18. signala takta. R Q S Q Slika 5. oba izlaza imaju vrijednost 0 i više ne vrijedi komplementarnost izlaza. izlaz Q postavlja se u 0 bez obzira na njegovo prethodno stanje. a izlazi s Q i Q . Tako er. Dva ulaza označena su s S i R. Dakle R = 1 postavlja izlaz Q u 0 (RESET). SR bistabil realiziran pomoću dva NILI sklopa Ako na ulazu imamo S = 0 i R = 0. i S = 1. Nadalje uz R = 1.18.

b) Simbol sklopa . a) SR bistabil s E ulazom. a) Jedna od mogućih izvedbi D bistabila. Vremenski dijagram SR bistabila Često je korisno omogućiti upravljanje radom bistabila na način da signal s ulaza bude omogućen u nekim trenucima.20. b) Simbol sklopa D S’ Q E D E Q Q R’ Q a) b) Slika 5.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 158 S R Q Q Slika 5.22.21. S S’ Q E S E R Q Q R R’ Q a) b) Slika 5.V. a onemogućen u drugim. Nešto složeniji sklop SR bistabila s tri ulaza omogućava takvo upravljanje (Slika 5.21).

24). Postavljanjem ulaza E u 0. bez obzira na stanja ulaza S i R. Ova tehnika se široko koristi u radu mikroračunala i drugim područjima digitalne elektronike. dakle onemogućena je promjena stanja na izlazu.V. D E Q Slika 5. Kad je ulaz E = 0. izlazi su zamrznuti u stanjima kakva su bila u trenutku kada je E postavljen u 0. Pohranjivanje 8-bitnog podatka pomoću 8 D bistabila . Kada je ulaz E = 1. dakle pohranjuje se neka odre ena vrijednost. D bistabil ima dva ulaza D i E. izlaz Q postaje jednak trenutnoj vrijednosti D. Q zadržava vrijednost koju je imao (Slika 5. Nepoželjno stanje SR bistabila (S = R = 1) izbjegava se zabranom istovremenog postavljanja ulaza u 1.23). X7 X6 X5 X4 X3 X2 X1 X0 Y7 Y6 Y5 8 D bistabila Y4 Y3 Y2 Y1 Y0 E Slika 5. Vremenski dijagram D bistabila Na ovaj način zapravo nam je omogućeno pohranjivanje jednog bita informacije pa se D bistabili uglavnom koriste u grupama kako bi se pohranile čitave riječi (Slika 5. Za E = 1. S ' i R ' su u 0. stanja se postavljaju ovisno o ulazima S i R na već opisani način za SR bistabil.23.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 159 Ulaz E (Enable) koristi se za omogućavanje ili zabranu djelovanja preostala dva ulaza na izlazna stanja. To se postiže D (Data) bistabilom koji je zapravo modificirani SR bistabil (Slika 5. Za primjer prikazan na slici izlazi Y0 – Y7 su identični ulazima X0 – X7 ukoliko je ulaz E = 1. Zbog toga je bistabil u memorijskom modu rada.22). a za E = 0.24.

S obzirom na takt.2.3.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 5. a) Signal takta. CK a) CK b) CK c) Slika 5. a upravljani su signalom takta kao ulaznim signalom.25. odnosno pozitivnom ili negativnom bridu takt impulsa. Takt. b) Tablica istine . a) Simbol SR bistabila okidanog pozitivnim bridom. Bridom okidani bistabili 160 Često puta se kod digitalnih sklopova pojavljuje potreba za sinkronizacijom rada većeg broja različitih sklopova i korisno je precizno upravljati trenucima kada sklop može mijenjati stanja. c) Negativni brid S CK R a) Q R b) Q S CK Q Q Slika 5.26.26. b) Simbol SR bistabila okidanog negativnim bridom Bridom okinuti bistabil uzima uzorke signala s ulaza samo na bridovima signala takta i izlazi se mijenjaju samo kao rezultat pojave brida signala takta. razlikujemo dvije vrste bridom okidanih bistabila: oni koji mijenjaju stanja izlaza na rastućem ili padajućem. Bridom okidani bistabili su sastavljeni od osnovnih razinom upravljanih bistabila.27.25. Primjer SR bistabila okidanog pozitivnim bridom (tzv.V. Primjer simbola SR bistabila okidanog pozitivnim i negativnim bridom dan je na slici 5. je signal pravokutnog valnog oblika prikazan na slici 5. master-slave konfiguracija) a) Sklop. CK. S S E Q S E Q Q S 0 0 1 1 R 0 1 0 1 CK Qn Qn Qn-1 Qn-1 0 1 0 b) 1 0 0 Nema promjene RESET SET Zabranjeno R R Q R Q Q CK a) Slika 5. b) Pozitivni brid.

Ako pogledamo tablicu istinitosti SR bistabila. D D CK CK Q Q D CK CK Qn Qn S CK Q 0 Q 0 1 c) 1 0 RESET SET R b) 1 a) Slika 5. i 5. Jedna od mogućih izvedbi ovog sklopa. Primjer vremenskog dijagrama sklopa prikazan je na slici 5.Nema promjene.27. R = 1 .28.28.31.30. ako su oba ulaza u 1. Dakle. Q = Qn-1 ako su oba ulaza jednaka 0 . c) Tablica istinitosti Već navedeni nedostatak SR bistabila zbog zabranjenog stanja koje nastupa kada su oba ulaza u 1 (S = 1.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 161 Bridom okidan SR bistabil razlikuje se od razinom okidanog SR bistabila po tome što ulazi djeluju na ovaj sklop samo za vrijeme pozitivnog.SET (postavi). onda izlaz mijenja stanje. R = 0 Neodre eno stanje JK bistabil nema. R = 1) osim korištenja D bistabila može se izbjeći i korištenjem JK bistabila.RESET (briši). Vremenski dijagram SR bistabila okidanog pozitivnim bridom Bridom okidani D bistabil prikazan je na slikama 5. . prikazana je na slici 5. već umjesto njega ima stanje prebacivanja (TOGGLE). možemo primijetiti da imamo tri definirana izlaza: . b) Nadomjesna shema. Ovaj sklop u osnovi koristi SR bistabil s dva I vrata u povratnoj vezi.29.V. D bistabil okidan pozitivnim bridom: a) Simbol. Q = 1 ako je S = 1. Simbol i tablica istinitosti JK bistabila prikazani su na slici 5.29. Q = 0 ako je S = 0. zajedno s tablicom istinitosti. S R CK Q S=1 R=0 SET S=0 R=1 RESET S=1 R=0 SET S=0 R=0 bez promjene S=0 R=1 RESET Slika 5. odnosno negativnog brida takta (ovisno o vrsti sklopa).

oba ulaza J i K su jednaka 1 i sklop mijenja stanje svakim taktom. J i K ulazi JK bistabila su spojeni kako bi dobili samo jedan ulaz kojeg označavamo s T (Toggle . Ako je ulaz T = 1.prebaci). Navedimo značajke T bistabila (Slika 5.32. Vremenski dijagram D bistabila okidanog pozitivnim bridom J J CK K Q Q K CK Qn Qn 0 0 1 1 0 1 0 1 Qn-1 Qn-1 Nema promjene 0 1 1 0 RESET SET Qn-1 Qn-1 Prebaci b) a) Slika 5.30.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 162 D CK Q D=1 Q=1 D=0 Q=0 D=0 Q=0 D=1 Q=1 D=1 Q=1 Slika 5. D i T bridom okidani bistabili. Ako je ulaz T u 0. b) Tablica istinitosti . sklop je u memorijskom modu i zadržava trenutno stanje.31. T 0 Q a) T CK J CK K Q CK Qn Qn Qn-1 Qn-1 Qn-1 Qn-1 1 b) Slika 5. JK bistabil okidan negativnim bridom: a) Simbol.V. b) Tablica istinitosti JK bistabil može se iskoristiti za realizaciju drugih bistabila kao što su SR. T bistabil okidan pozitivnim bridom: a) Izvedba pomoću JK bistabila.32).

Nacrtajte tablicu istinitosti JK bistabila. 8. 2. Koja je primjena D bistabila? 15. Koje su modifikacije potrebne da od SR bistabila s E ulazom dobijemo D bistabil? 14. Što je preduvjet za promjenu izlaza kod bistabila okidanih bridom? 16. Objasnite rad NE sklopa realiziranog CMOS tehnikom. 12. 4. Klasificirajte elektroničke sklopove s obzirom na stupanj integracije.V. Prikažite realizaciju NILI sklopa s tri ulaza u RTL tehnici. 10. Što su multivibratori i kako ih možemo podijeliti? 13. Prikažite realizaciju izvedenih logičkih sklopova pomoću osnovnih logičkih sklopova. 5. Objasnite rad tranzistora kao logičke sklopke. Nacrtajte jednu od mogućih realizacija polusumatora. 9. Koji su osnovni. Od kojih elemenata bi se trebao sastojati sumator? 6. 17. Koja je razlika izme u pozitivne i negativne logike kod realizacije logičkih sklopova? 7. Koje su značajke T bistabila? . a koji izvedeni logički sklopovi koje poznajete? 3. Koje su osnovne prednosti CMOS tehnologije u realizaciji logičkih sklopova? 11. Prikažite realizaciju NI sklopa s dvije različite tehnike.Papić: Predavanja iz osnova elektronike Pitanja: 163 1.

V.Papić: Predavanja iz osnova elektronike 164 .

PSXOVQD L GLJLWDOQD WHKQLND )(6% 6YHXþLOLãWH X 6SOLWX  Storey. 3. Prentice Hall. 6ODSQLþDU . -X]EDãLü (OHNWURQLþNL HOHPHQWL âNROVND NQMLJD =DJUHE  %LOMDQRYLü (OHNWURQLþNL VNORSRYL âNROVND NQMLJD =DJUHE  Peruško. 1996. 1998. Zagreb. 6. 6ODSQLþDU *RWRYDF (OHNWURQLþNL VNORSRYL 6YHXþLOLãWH X 6SOLWX  . Digitalna elektronika.Literatura: 1. 4. 2. Školska knjiga. 5. Electronics: A Systems Approach.

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->