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Tema 5.

Dispositivos de potencia

Fundamentos de Electrónica Grado en Ingeniería Mecánica

Raúl Rengel Estévez

raulr@usal.es

y que manejan valores de potencia a niveles mucho más elevados que los de los dispositivos usuales Electrónica de potencia Sistemas y control Control de interrupción Control de realimentación Operación de sistemas Electrónica y dispositivos Circuitos Semiconductores de potencia Magnetismo Potencia y energía Control de motores Fuentes de alimentación Redes de energía 2 . Dispositivos de potencia Introducción La electrónica de potencia involucra el estudio de circuitos electrónicos destinados a controlar el flujo de energía eléctrica.Tema 5.

DC/DC ⊳ Control de iluminación.Tema 5. AC/AC. 3 . Dispositivos de potencia Introducción Amplio desarrollo a partir de los años 80 y 90 del siglo XX Invención de dispositivos fundamentales como el SCR o el IGBT Múltiples aplicaciones ⊳ Control de la transmisión de corriente continua en alta tensión ⊳ Manejo de motores ⊳ Fuentes de alimentación de alto voltaje ⊳ Calentamiento por inducción ⊳ Electrónica para el automóvil ⊳ Electrónica para sistemas ferroviarios ⊳ Convertidores para energía solar fotovoltaica ⊳ Conversión AC/DC. etc. DC/AC.

mejor estabilidad. aunque la reducción de precios es una constante y por tanto es un inconveniente cada vez menor 4 . mejores características eléctricas ⊳ Ausencia de vibraciones ⊳ Menor mantenimiento ⊳ Mayor fiabilidad y vida ⊳ Ausencia de arcos eléctricos Desventajas de los equipos de potencia frente a sistemas electrotécnicos ⊳ Menor robustez eléctrica (menor capacidad para soportar sobretensiones y sobreintensidades) ⊳ Algunos montajes son más caros. Dispositivos de potencia Introducción Ventajas de los equipos de potencia frente a sistemas electrotécnicos ⊳ Respuesta rápida.Tema 5.

Dispositivos de potencia Dispositivos de potencia Principales dispositivos semiconductores de potencia Dispositivos de potencia De 2 terminales De 3 terminales Diodo de Silicio Diodo Schottky MOSFET de potencia JFET IGBT BJT de potencia Tiristores 5 .Tema 5.

para soportar corrientes más elevadas Encapsulados que permitan disipar el calor Sobrecargas transitorias Parámetros importantes Corriente en directa (IF) Tensión inversa repetitiva (VRRM) Tiempo de recuperación en inversa (tRR) 25 ns a 5000 ns (aplicaciones de potencia de 50 Hz a 300 KHz) 6 .Tema 5. Dispositivos de potencia Diodos de potencia Unión p-n en general de Silicio (tensión umbral ~0.7 V) Mayor área que un diodo normal.

conducción por mayoritarios Tiempo de recuperación inverso despreciable: alta velocidad de conmutación Frecuencias de trabajo incluso superiores a 300 MHz Silicio n Metal 7 .Tema 5. Dispositivos de potencia Diodos Schottky Unión metal-semiconductor: contacto de Au. Ag o Pt + Silicio tipo n A diferencia de un diodo normal.25 V). no almacena cargas en la unión Menor tensión umbral (~0.

Especificaciones 8 . Dispositivos de potencia Diodos Schottky.Tema 5.

Tema 5. Dispositivos de potencia Transistores de potencia: transistor bipolar BJT Gran tamaño y presencia de disipadores Configuraciones amplificadoras específicas para etapas de potencia Hojas de especificaciones: potencia máxima disipada PD(máx) a Tª ambiente Factor de ajuste: necesidad de reducir la potencia a nivel de diseño del circuito si se va a operar en otras condiciones TA = Temperatura ambiente TC = Temperatura del encapsulado Transistor D44H11 de On Semiconductor 9 .

el colector está conectado directamente al encapsulado para facilitar la disipación de calor (c) 10 . Dispositivos de potencia Transistores de potencia: transistor bipolar BJT Aumentar el área de la superficie de encapsulado mediante un disipador permite liberar más fácilmente el calor al aire circundante (a) Encapsulados con lengüeta de metal que puede acoplarse al chasis de los equipos para disipar calor más eficientemente (b) En equipos de gran potencia.Tema 5.

pero diseños recientes con SiC permiten tener potencias y voltajes elevados con una gran rapidez en conmutación Drenador Símbolos n Puerta VDS p p JFET canal n JFET canal p VGS n Fuente 11 .Tema 5. Dispositivos de potencia Transistores de potencia: JFET Históricamente. primer dispositivo basado en el efecto de campo Tradicionalmente no se ha empleado demasiado como dispositivo de potencia.

Dispositivos de potencia Transistores de potencia: power MOSFET Uso muy frecuente como elementos discretos en control de motores. etc. fuentes conmutadas. 12 . como interfaces para motores.. Geometría distinta a la de un MOSFET convencional para aumentar la corriente máxima  No sufre calentamiento descontrolado  Pueden usarse varios en paralelo  Conmutación muy rápida  Uso en S. lámparas. fuentes de alimentación.A.I. impresoras. etc.Tema 5. unidades de disco.

Tema 5. menores que un MOSFET  Tensión de disrupción colector emisor mejor que un BJT  Solución efectiva para aplicaciones de alta tensión y corriente a frecuencias moderadas 13 . Dispositivos de potencia Transistores de potencia: IGBT (Insulated gate bipolar transistor) Dispositivo híbrido: combina las bajas pérdidas en conducción de un BJT con la rapidez de conmutación propia de un MOSFET (sin llegar a ser tan alta) Funciona como un MOSFET acoplado con un BJT a la salida  Pérdidas en conducción reducidas.

Tema 5. Dispositivos de potencia Tiristores Relé: dispositivo electromecánico que funciona como un interruptor controlado por una señal eléctrica 14 .

Tema 5. Dispositivos de potencia Tiristores Tiristor: dispositivo electrónico de estado sólido que funciona como un interruptor de tipo cerrojo (latch) 15 .

Dispositivos de potencia Tiristores Dos estados: corte o conducción Se dice que un tiristor es un cerrojo (latch) abierto o cerrado Cuando está en uno de esos estados permanece en él indefinidamente salvo que cambien las condiciones de polarización (tensión.Tema 5. corriente) por encima o debajo de ciertos umbrales La realimentación positiva hace que ambos transistores tiendan a ir a corte (latch abierto) o a saturación (latch cerrado) 16 .

VGT. Dispositivos de potencia Tiristores: SCR (Silicon Controlled Rectifier) El cierre del latch se produce mediante la aplicación de un pulso en el terminal de control superior a un valor de tensión (tensión de disparo de puerta. no se usa en conmutación 17 .Tema 5. con corriente IGT) Para abrirlo hay que reducir la tensión entre ánodo y cátodo para hacer que la corriente entre ambos terminales sea inferior a cierto valor mínimo A diferencia de un transistor.

Tema 5. Dispositivos de potencia Tiristores: SCR (Silicon Controlled Rectifier) Una de las aplicaciones más comunes de los SCR (además de como rectificador) es su uso en sistemas de protección de circuitos delicados frente a sobretensiones Fuente de alimentación Carga protegida 18 .

puede conducir corrientes positivas y negativas Se usa en aplicaciones donde queremos controlar el paso / no paso de corriente alterna AC Se comporta como dos SCR conectados en paralelo e invertidos 19 . Dispositivos de potencia Tiristores: Triac Un triac es un tiristor bidireccional.Tema 5.

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