Ii. M.

ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
|cgiqucs a |ransis|crs MOS
|cgiqucs a |ransis|crs MOS
1- RappeIs lechnoIogiques, nodeIisalion
2- Inveiseuis MOS. Logique NMOS
3- LngIquc CMO5 : caractérIsatInn
4- Ionclions Iogiques CMOS
Circui|s in|cgrcs nuncriqucs
Circui|s in|cgrcs nuncriqucs

Druin Source
SriIIe
W
L
CunuI
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
Oojcc|ifs
Oojcc|ifs
Conpiendie el pievoii
Ie fonclionnenenl (Iogique, eIecliique)
Ies peifoinances (niveaux Iogique, eIecliique)
Les aichilecluies eIecliiques el lopoIogiques (« Iayoul »)
Mcqcns
Mcqcns
ModeIisalion du Tiansisloi MOS
UliIisalion d´un sinuIaleui eIecliique
IIol de synlhòse physique (Iayoul, sinuIalion
posl Iayoul, caiacleiisalion, .)
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
Rappc|s |ccnnc|cgiqucs
Rappc|s |ccnnc|cgiqucs
Diffcrcn|s |qpcs dc |ransis|cr MOS Diffcrcn|s |qpcs dc |ransis|cr MOS
NMOS
PMOS
Enrichissement
Depletion
Vt~0 Vt·0
Conducteur
si VGS÷0
Charge active
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
Rappc|s |ccnnc|cgiqucs
Rappc|s |ccnnc|cgiqucs
S|ruc|urc d´un |ransis|cr NMOS
S|ruc|urc d´un |ransis|cr NMOS
SiO
2

n¹ n¹

Grille
Source Drain
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
B
S D
isolant
isolant
G
VD
VG
S D
G
B
VGSn
|cnc|icnncncn| du Transis|cr NMOS
|cnc|icnncncn| du Transis|cr NMOS
Approximation mettant en evidence les parametres
Technplogiques et geometriques
Ids ÷ charge Q / temps de transit t
Q ÷ C
ox
WL(Jgs-Jt)
T ÷ L/v ÷ L/µE ÷ L
2
/µJds
Soit Ids ÷ µC
ox
W/L (Vgs-Vt)Vds
L
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
B
D S
isolant
isolant
G
|cnc|icnncncn| du Transis|cr PMOS
|cnc|icnncncn| du Transis|cr PMOS
VD
VG
D S
G
B
VGSp
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
Rappc|s |ccnnc|cgiqucs . Mcdcs dc fcnc|icnncncn|
Rappc|s |ccnnc|cgiqucs . Mcdcs dc fcnc|icnncncn|
· Region linéaire :
J J J
DS GS T
≤ −
ox
ox n
ox n n
t
C KP
ε µ
µ = =
( ) I KP
W
L
J J J
J
D n GS T DS
DS
= − −

2
2
avec
· Saturation :
J J J
DS GS T
≥ −
( ) ( ) I
KP W
L
J J J
D
n
GS T DS
= − +
2
1
2
λ
n¹ n¹
substrat p
S G
B
D
V
GS
-V
T
V
DS
V
GS
I
D
T GS
J J <
· Bloqué :
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
Rappc|s |ccnnc|cgiqucs .
Rappc|s |ccnnc|cgiqucs . Carac|cris|iqucs ccuran|/|cnsicn Carac|cris|iqucs ccuran|/|cnsicn
l=100 l=100µ µn, |=100 n, |=100µ µn n
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
0.0m
0.1m
0.2m
0.3m
0.4m
0.5m
I
D
V
DS
V
GS
÷ 5V
V
GS
÷ 4V
V
GS
÷ 3V
V
GS
÷ 2V
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
Rappc|s |ccnnc|cgiqucs .
Rappc|s |ccnnc|cgiqucs .
Capaci|cs dc gri||c
Capaci|cs dc gri||c
t
ox
L
eII
L
W
x
d
x
d
Source
n
¹
Drain
n
¹
recouvrement
grille-substrat
C
t
WL
grille
ox
ox
=
ε
n
¹
n
¹
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
|ntcrscur NMOS
|ntcrscur NMOS
V
DD
I
D
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
b
l
o
q
u
e
sature
lineaire
R
L
50kΩ
100kΩ
200kΩ
· V
IL
≈ 0.8V
· V
IH
≈ 1.72V
· V
OL
≈ 0.45V
· V
OH
≈ 4.96V
· NM
H
≈ 3.24V
· NM
L
≈ 1.27V
W÷ 8µ
L ÷ 4µ
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
|ntcrscur NMOS, cnargc ac|itc
|ntcrscur NMOS, cnargc ac|itc
V
DD
W
c
/L
c
W/L
V
DD
I
D
charge a depletion charge a depletion
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
|ntcrscur NMOS
|ntcrscur NMOS
ccnparaiscn dcs carac|cris|iqucs dc |ransfcr|
ccnparaiscn dcs carac|cris|iqucs dc |ransfcr|
0.0 1.0 2.0 3.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
PMOS
Resistance
NMOS lineaire
NMOS sature
NMOS depletion
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
|cgiquc NMOS . oi|an c| nis|criquc
|cgiquc NMOS . oi|an c| nis|criquc
Logique a iappoil : I´un des elals se liaduil pai
une consonnalion slalique
Dinensionnenenl des liansislois en fonclion de
Ia chaige a allaquei
Aucun avanlage iniliaI (annees 7O-8O) sui TTL poui SSI
Alandonne iapidenenl poui Ie CMOS (annees
8O)
|xcrcicc . rca|iscr un Nand2 c| un Ncr2 cn |ccnnc|cgic NMOS
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
Tccnnc|cgic CMOS .
Tccnnc|cgic CMOS .
His|criquc
His|criquc
annees 197O : CD4OOO / MM74C (giiIIe nelaI)
failIe vilesse (1OOns)
foile sensiliIile aux dechaiges eIeclioslaliques
> 1982 : seiies 74HC el 74AC (giiIIe poIy.)
veisions CMOS du « necano » TTL
>199O :
ciicuils slandaids
ciicuils piogiannalIes (IICA)
ciicuils specifiques (ASICs)
Aujouid´hui : lechnoIogie ieine
Denain : Liniles physiques ` Coûls ` Aulies
aIleinalives `
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
Tccnnc|cgic CMOS . principc
Tccnnc|cgic CMOS . principc
substrat p
puits (caisson) n

Aluminium
polysilicium

Autres technologies :
· Twin-well (double puits)
· SOI (Silicium sur Isolant)
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
Tccnnc|cgic CMOS
Tccnnc|cgic CMOS
Iiincipaux avanlages
consonnalion .. `
niveaux Iogiques definis pai Ies aIinenlalions
innunile au liuil ...`
Vilesse .. `
lenps de liansilion quasi syneliiques
sinpIicile des schenas, densile d´inlegialion,..
Inconvenienls
suscepliliIile au Ialch-up el aux dechaiges eIeclioslaliques
Adequalion avec I´evoIulion des syslònes nicio-nano eIeclioniques `
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
substrat
caisson
D S S D
isolant isolant isolant isolant
G G
VDD
D G B S D G B S
Tccnnc|cgic CMOS . ccnncxicns
Tccnnc|cgic CMOS . ccnncxicns
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
Ccnncxicns dcs |ransis|crs
Ccnncxicns dcs |ransis|crs
0V
G
VG
S
D
VDD
NMOS
0V
G
VG
D
S
VDD
B
B
PMOS
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
Mcdc|c cn « in|crrup|cur »
Mcdc|c cn « in|crrup|cur »
0V
G
V
G
S
D
G
D
S
Niveau logique sur la grille
PMOS
NMOS
0 1
0V
V
G
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
|ntcrscur
|ntcrscur
CMOS
CMOS
V
in
V
out
C
L
V
DD
In
Out
V
DD
GND
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
Out In
V
DD
PMOS
NMOS
Polysilicon
In
Out
V
DD
GND
PMOS
2λ λλ λ
Metal 1
NMOS
Contacts
N Well
|ntcrscur
|ntcrscur
CMOS
CMOS
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
|ntcrscur CMOS . fcnc|icnncncn|
|ntcrscur CMOS . fcnc|icnncncn|
Ana!ysc statIquc
AnaIyse dynanique
Iuissance dissipee
Out In
V
DD
PMOS
NMOS
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
CMOS |ntcr|cr . |irs|
CMOS |ntcr|cr . |irs|
-
-
Ordcr DC Ana|qsis
Ordcr DC Ana|qsis
V
OL
= 0
V
OH
= V
DD
V
DD
V
DD
V
out
V
out
R
n
R
p
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
Inveiseui CMOS Inveiseui CMOS
e ≡ ≡≡ ≡ "0" ID= 0 s = VDD ≡ ≡≡ ≡ "1"
e ≡ ≡≡ ≡ "1" ID = 0 s = 0 V ≡ ≡≡ ≡ "0"
VDD
e
s
ID
TN
TP
VDD
e
s
ID
TP
TN
VDD
e
s
ID
TP
TN
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
Rappc|s |ccnnc|cgiqucs . Mcdcs dc fcnc|icnncncn|
Rappc|s |ccnnc|cgiqucs . Mcdcs dc fcnc|icnncncn|
· Region linéaire :
T GS DS
J J J − ≤
· Saturation :
J J J
DS GS T
≥ −
n¹ n¹
substrat p
S G
B
D
V
GS
-V
T
V
DS
V
GS
I
D
T GS
J J <
· Bloqué :
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
|ntcrscur CMOS
|ntcrscur CMOS
V
DD
W/L
W/L
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
N
M
O
S

B
l
o
q
u
e
P
M
O
S

B
l
o
q
u
e
PMOS Sature
NMOS Lineaire
PMOS Lineaire
NMOS Sature
P
M
O
S

S
a
t
u
r
e
N
M
O
S

S
a
t
u
r
e
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
0.0u
20.0u
40.0u
60.0u
80.0u
100.0u
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
Carac|cris|iquc s|a|iquc
Carac|cris|iquc s|a|iquc
MARCLS DL ßRUIT :
NML = VIL
NMH = Vcc - VIH
Hypolhòse : K
N
.W
N
.L
I
/ K
I
.W
I
.L
N
= 1= o
ou µ
N
.W
N
. / µ
I
.W
I
= 1 (si L
N
= L
I
)
« conpensalion en noliIile de I´inveiseui »
|xcrcicc . Dc|crnincr V|| c| V|H.
RLSULTATS :
NML = VIL = 1/4 (3Vcc/2 + V
T
)
NMH = Vcc - VIH = Vcc - 1/4 (5Vcc/2 - V
T
)
LxenpIe: Vcc= 5V el VT = O,8 V : NMH = NML = 2,O7 V.
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
Deleininalion de VIL : NMOS saluie (Vgs=Ve) el IMOS Iineaiie
(Vds=Vcc-Vs el Vgs=Vcc-Ve)
IMOS Iineaiie Ip= (Vcc-Ve-Vl)(Vcc-Vs) - ½(Vcc-Vs)
2
NMOS saluie In = o/2 (Vc-V|)
2
In=Ip el dVs/dVe = -1 poui Ve=ViI
- (Vcc-Ve-Vl)(dVs) - (Vcc-Vs)dVe + (Vcc-Vs)dVs = o(Vc-V|)dVc
dVs/dVe = -1 = (Vcc-Vs+o(Vc-V|)) / (Vc-Vs+V|) sci|
Vs = Vc + 1/2Vcc a rcpcr|cr dans |´cqua|icn |n=|p
Rcsu||a| . NML = VIL = 1/4 (3Vcc/2 + V
T
)
· Rappel: linéaire :J J J
DS GS T
≤ −
ox
ox n
ox n n
t
C KP
ε µ
µ = = ( ) I K P
W
L
J J J
J
D n G S T D S
D S
= − −

2
2
· Saturation :
J J J
DS GS T
≥ − ( ) ( ) I
K P W
L
J J J
D
n
G S T D S
= − +
2
1
2
λ
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
|ntcrscur CMOS . fcnc|icnncncn|
|ntcrscur CMOS . fcnc|icnncncn|
AnaIyse slalique
AnaIyse dynanique
PuIssancc dIssIpéc
Out In
V
DD
PMOS
NMOS
Rappel: Energie emmagasinee dans un condensateur : E÷1/2CV
2
Pour un cycle : E÷CV
2
Puissance ÷ energie par unite de temps ... P÷CV
2
I (I÷ Irequence)
C
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
|cgiquc CMOS
|cgiquc CMOS
Puissancc ccnscnncc
Puissancc ccnscnncc
P
stat (« OFF/OFF »)
puissance consommée par une
porte CMOS au repos : fuites
dans les diodes et les transistors
(autonomie des systèmes
portables au repos…)
P
cc (« ON/ON »)
puissance de court circuit (entre
alimentations durant
commutation)
P dynamique
(« ON/OFF »)
lors de la commutation (charges
et décharges de capacités) :
dvn cc stat totale
P P P P + + =
f J C P
DD dvn
× × =
2
V
DD
W/L
W/L
TP
TN
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
Pcr|cs |cgiqucs
Pcr|cs |cgiqucs
b a
a
b
VDD
b a b a Fnor • = + = 2
nor2
F
nor2
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
Pcr|cs |cgiqucs
Pcr|cs |cgiqucs
Nand 2
b a b a Fnand + = • = 2
b
a
a
b
VDD
F
nand2
A
Out
V
DD
GND
B
NAND2
A
A
ß
ß
S
A
A
S

A
ß
S
A
ß

A
ß
S
A
ß
S
A
S
Portes Iogiques CMOS
H
D
Q!
Q
Point mémoire
Ii. M. ROßLRT Ciicuils inlegies nuneiiques
V
DD
E
V
SS
S
P
N
E
S
V
SS
V
DD
E S
(1)
(3)
(2)
Representation logique (1), electrique (2) et topologique (3) d`un inverseur CMOS
Inverseur CMOS : repésentutions Iogique¸ éIectrique et topoIogique

"
) ) $
* * " , + + *. /+

# 0 ( . . 1 2 . * . 3+

!

"

! # $ $ $ .

* - / &.. 0 !1 2 S B G isolant G D S B D ." VD VG VGSn # % ( & !) ! ! ! " ) ' * +.

" # $ VG G D B S VD D G isolant VGSp S B .

% 34 ! * $ 1 ( 5 ≤ − # = " ( =µ − = ) µε − $ 7 # 8 3 5 ≥ − = 3 5 < # ( − ) (6 + λ # ) .

4m 0.3m : 0.0m 0.5m % & 9 0.0 .0 5.2m .0 3.0 1.0 4.1m # 0.' () * + () * *µ *µ 0.0 2. 0.

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0 4.0 .0 0.0 ! 9= Ω 6 = Ω # = Ω 3 3 3 3 3 3 ≈ > ? A *@ ≈ 6># : / ≈ >9 >C @ ≈ :B > @ ≈ .0 7 ) 4/ 3. ? µ / : µ 0.#: #A / ≈ 6> */ * 2.0 1.0 2.0 .0 4..0 3.0 5.5.0 1.

- ! + 4 5$ * 45$ "# ! % & & $ ' ..

0 3.0 .0 0.0 4.0 1.0 ! 4 3..0 2.0 1.0 0.0 2.5.

$ #* #! # ! 0 ! 0 ! . ./ % % 6 6 " 71 ) * : <+ .! $ 8 9 9= <+ . .

% 1 : ' : '9 / * * + ? > 7 < " : '@ # . + . C D C9 .7 8'.# > . = .5 : .7 > ) = *( A9+ *9# + ! 9 B 8 1 7 7 $ " C . . )= " ) * .+ $ ? > .

# D % % 0 7 $ % ! 5 3 (E 1E 0 7 3 *0 * 2 $ 2 2 .

" 33 " E . = 33 C C ) 3 C . . 2 C .# . 1 3 ! 9 " = " 1" .

# B S G D D % G / S B VDD S substrat G isolant D D G isolant S caisson .

/ NMOS VDD G VG D S 0V B VG G PMOS VDD S D 0V B .

2 3 0 4 Niveau logique sur la grille 1 NMOS VG G 0V D S PMOS VG G S D 0V .

.V DD V DD V in V out CL Out In GND .

.V DD PMOS In Out N Well V DD PMOS 2λ λ In Out NMOS NMOS GND .

. In PMOS Out NMOS .- % VDD 9 ..

V DD % " V DD Rp 5 6 V out Rn V out VOL = 0 VOH = VDD ..

!" # TP e ID VDD TN s TP ID e TN s e ≡ "0" e ≡ "1" VDD e ID = 0 ID = 0 TP ID TN s VDD s = VDD ≡ "1" s = 0 V ≡ "0" .

% 34 ! * $ 1 ( 5 ≤ − $ 7 8 3 5 ≥ − < 3 5 .

0u 0.0u 60.0 45$ 3.5.0 8 ) / 0.0u 2.0 2.0 45$ 1.0 5.0u 80.0u 40.0 5.0 20..0 / 4.0 3.0 3.0 2.0 .0 4.0 1.0u 0.0 0.0 4.0 8 ) 100.0 1.

/ % * $% F $ + = 1 " 7.<E 7 % @ F % $F . 18 # 0$ 9 #7 % $ F E! F 5' *&E 5 I E + $ % @ FE E! F E @ 5' *J 5 E + E .9 A #8 0! 7 G 4 $% F F / % $ F E! $ % @ FE E! @ @. E : . 2 7 % 4% $ G H% 4% H 4 F . 7 FJ E E E F . 7.

) 07 & E I 9 57 : & 7 57 . % % $ F E! F 5' *&E 5 I E + $ 34 3 5 5 5 ≥ ≤ − − = ( = # − ) − # − # =µ = µε ( ) (6 + # λ ) . (.8 *E FE E E! 7 $ % # E FE E + *E FE + # % ! F! *E # # ! F *E E E +*E E + K L*E 0 ! F & 9 57 : 0 7 E 5 E F E FE E + E I *E E + E E +* E + *E E + E F 9 57 : 7 7 E 5 E F F *E 7 ( 7 .7 : 7 :9 .

% VDD PMOS In Out NMOS # 4 5 D ! 5 ! ! # 5 F> > #< 6. # 0 < ) < 2 .9 9 . .. .

$ Pstat (« OFF/OFF ») $! = $ + "" + ( Pcc (« ON/ON ») puissance consommée par une porte CMOS au repos : fuites dans les diodes et les transistors (autonomie des systèmes portables au repos…) 45$ ( 45$ ( P dynamique (« ON/OFF ») puissance de court circuit (entre alimentations durant commutation) lors de la commutation (charges et décharges de capacités) : ( = × # ×) .

$ nor2 VDD a b a Fnor2 b Fnor 2=a+b=a•b .

$ Nand 2 VDD Fnand 2=a•b=a+b V a b a DD b %9%8 Fnand2 Out A GND B .

.

0 62 E S E VDD VSS 0 #2 S VDD VSS E S 02 . " . P N 4 !) 0 G 62 ) 0 #2 !) 0 2 H .