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Aparecido Edilson Morcelli

Engenharia de Materiais

AprEsEntAo
com satisfao que a Unisa Digital oferece a voc, aluno(a), esta apostila de Engenharia de Materiais, parte integrante de um conjunto de materiais de pesquisa voltado ao aprendizado dinmico e autnomo que a educao a distncia exige. O principal objetivo desta apostila propiciar aos(s) alunos(as) uma apresentao do contedo bsico da disciplina. A Unisa Digital oferece outras formas de solidificar seu aprendizado, por meio de recursos multidisciplinares, como chats, fruns, aulas web, material de apoio e e-mail. Para enriquecer o seu aprendizado, voc ainda pode contar com a Biblioteca Virtual: www.unisa.br, a Biblioteca Central da Unisa, juntamente s bibliotecas setoriais, que fornecem acervo digital e impresso, bem como acesso a redes de informao e documentao. Nesse contexto, os recursos disponveis e necessrios para apoi-lo(a) no seu estudo so o suplemento que a Unisa Digital oferece, tornando seu aprendizado eficiente e prazeroso, concorrendo para uma formao completa, na qual o contedo aprendido influencia sua vida profissional e pessoal. A Unisa Digital assim para voc: Universidade a qualquer hora e em qualquer lugar! Unisa Digital

sUMrIo
IntroDUo................................................................................................................................................5 1 ConCEItos FUnDAMEntAIs ........................................................................................................7
1.1 Classificao dos Materiais........................................................................................................................................ 10 1.2 Ligao Inica e a ligao Secundria ou de Van der Waals ........................................................................ 11 1.3 A Estrutura Cristalina ................................................................................................................................................... 12 1.4 Exerccios Resolvidos................................................................................................................................................... 14 1.5 Resumo do Captulo .................................................................................................................................................... 16 1.6 Atividades Propostas................................................................................................................................................... 16

2 EstrUtUrAs MEtLICAs ............................................................................................................. 17


2.1 Estruturas Cermicas ................................................................................................................................................... 18 2.2 Estruturas Polimricas................................................................................................................................................. 19 2.3 Estruturas Semicondutoras ...................................................................................................................................... 20 2.4 Exerccios Resolvidos................................................................................................................................................... 22 2.5 Resumo do Captulo .................................................................................................................................................... 24 2.6 Atividades propostas .................................................................................................................................................. 24

3 EstUDo DA rEDE CrIstALInA ................................................................................................. 27


3.1 Direes e Planos Cristalogrficos ......................................................................................................................... 28 3.2 O ngulo entre as Direes e os ndices de Miller .......................................................................................... 30 3.3 Difrao de Raios X ...................................................................................................................................................... 32 3.4 Microscopia Eletrnica de Transmisso e Varredura ....................................................................................... 33 3.5 Defeitos Pontuais e Difuso no Estado Slido................................................................................................... 35 3.6 Diagramas de Fases e o Desenvolvimento de Microestruturas ................................................................. 36 3.7 Exerccios Resolvidos................................................................................................................................................... 37 3.8 Resumo do Captulo .................................................................................................................................................... 39 3.9 Atividades Propostas................................................................................................................................................... 40

4 ConsIDErAEs FInAIs ............................................................................................................... 41 rEspostAs CoMEntADAs DAs AtIVIDADEs propostAs ..................................... 43 rEFErnCIAs ............................................................................................................................................. 51

IntroDUo
Esta apostila destina-se a voc, estudante de graduao para os cursos de Engenharia Ambiental, Engenharia de Produo ou afins, para acompanhamento do contedo de Engenharia de Materiais, nos cursos a distncia. Com o intuito de simplificar a exposio dos tpicos abordados, procurou-se, atravs de uma linguagem simples, expor o contedo de forma sucinta e objetiva, com a deduo de parte das equaes expostas no texto. Neste curso, ser abordado o estudo dos materiais metlicos, polimricos e cermicos, bem como os materiais compsitos. Voc ter a oportunidade de aprimorar os seus conhecimentos no mundo dos materiais, que o cerca no dia a dia. Muitos dos materiais utilizados atualmente em veculos automotores, utenslios domsticos, fazem parte dessa gama enorme de novos materiais e suas aplicaes. Voc tambm vai reconhecer a importncia da nanotecnologia na produo de equipamentos em escalas cada vez menores, na ordem de 10-9 do metro, com a mesma eficincia, porm consumindo menor quantidade de matria-prima. Para complementar a teoria, so propostas atividades com grau de dificuldade gradativo. Alm desta apostila, voc ter como materiais de estudo as aulas web, material de apoio e aula ao vivo. Sero utilizadas para avaliao as atividades, podendo ser atribuda uma nota ou no, e a prova presencial. Esperamos que voc, aluno(a), tenha facilidade na compreenso do texto apresentado, bem como na realizao das atividades propostas. Aparecido Edilson Morcelli

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ConCEItos FUnDAMEntAIs

A grande variedade de materiais disponveis aos engenheiros pode ser dividida em cinco grandes categorias: metais, cermicas e vidros, polmeros, compsitos e semicondutores. As trs primeiras categorias podem ser associadas a tipos distintos de ligao atmica. Os compsitos envolvem combinaes de dois ou mais materiais, como, por exemplo, metais e cermicas. Voc pode observar que os metais, as cermicas e vidros, os polmeros e os compsitos compreendem os materiais estruturais. Os semicondutores compreendem uma categoria separada de materiais eletrnicos, distinta por sua exclusiva condutividade eltrica intermediria. Agora, vamos entender as vrias propriedades desses materiais. Nesse caso, preciso que voc e eu examinemos a estrutura desses materiais em escala microscpica ou atmica. Voc j deve ter ouvido falar em nanotecnologia, para a produo de dispositivos cada vez menores. Para eu e voc podermos enxergar o mundo microscpico, necessitamos de equipamentos de observao. O microscpio eletrnico um equipamento utilizado atualmente para enxergar os materiais e estudar o seu comportamento. Vamos fazer uma anlise compreendendo a ductilidade relativa de certas ligas metlicas. A ductilidade da liga metlica est associada arquitetura em escala atmica.
Dicionrio
Ductilidade: deformao permanente antecedendo a ruptura. Alguns materiais apresentam alta ductilidade.

Voc e eu, agora, temos a certeza de que, quando as propriedades dos materiais so compreendidas, o material apropriado para determinada aplicao pode ser processado e selecionado. A seleo de materiais feita em dois nveis: Primeiro nvel: existe a competio entre as diversas categorias de materiais; Segundo nvel: existe a competio dentro da categoria mais apropriada para o material especfico ideal. Para ilustrar a voc o que eu estou falando, vamos analisar a micrografia obtida da superfcie de fratura de um material metlico. Nesse caso, trata-se de um ferro fundido nodular. A micrografia foi obtida por Microscopia Eletrnica de Varredura, comumente conhecida como MEV. Veja a micrografia e seus detalhes da superfcie:

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Figura 1 Imagem obtida por MEV.

Voc notou pelo contraste que existem regies claras, com a existncia de alvolos, indicando que a fratura ocorreu por sobrecarga. As esferas em contraste escuro so de carbono ou grafita, indicando a forma de resfriamento do material. Ns vamos falar um pouco mais sobre a anlise de materiais nos prximos captulos.
Ateno
A imagem obtida por MEV atravs da interao do feixe de eltrons com o material. Nessa tcnica, importante perceber que os eltrons se comportam como onda. Voc viu, em Fsica I, a dualidade onda-partcula proposta por De Broglie.

mv =

A imagem obtida por MEV, atravs da imagem de eltrons secundrios. Calma! Eu vou falar mais sobre essa tcnica nos prximos captulos. Voc notou que o aumento obtido corresponde a 420x. Agora, veja essa mesma superfcie de fratura com um aumento de aproximadamente 1300x.

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Figura 2 Imagem obtida por MEV.

Agora, voc e eu podemos adentrar superfcie de fratura e observar com grande profundidade de foco e resoluo a superfcie de fratura e as esferas escuras dentro dos alvolos. Voc j tinha imaginado visualizar a superfcie de um metal e encontrar tantos detalhes? No! No nosso curso, vamos investigar os materiais atravs de tcnicas de observao e de realizao de ensaios e testes para observar o seu comportamento mecnico e termomecnico. Para voc e eu entendermos as propriedades ou caractersticas observveis dos materiais da engenharia, necessrio entender a sua estrutura em uma escala atmica e/ou microscpica. Qualquer

engenheiro responsvel por selecionar vrios metais para aplicaes de projeto precisa estar ciente de que algumas ligas so relativamente dcteis, enquanto outras so relativamente frgeis. Observamos que as ligas de alumnio so tipicamente dcteis, enquanto as de magnsio so normalmente frgeis. Essa diferena fundamental se relaciona diretamente com suas diversas estruturas cristalinas. Por enquanto, voc deve saber apenas que a estrutura do alumnio segue um arranjo cbico e a liga de magnsio segue um arranjo hexagonal. Vamos, agora, visualizar um corpo de prova metlico submetido ao ensaio de trao.

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Figura 3 Corpo de prova metlico.

Voc est observando que o material est rompido. Nas pontas prximas do rompimento, observamos uma reduo da rea. Esse fenmeno ocorre porque o material sofre inicialmente uma deformao elstica, posteriormente uma deformao plstica e, no estgio final, h a ruptura na regio em que houve a reduo da rea ou, simplesmente, a estrico.

Saiba mais
Elasticidade: tenso mxima que ainda provoca deformao elstica. Dureza: resistncia penetrao.

1.1 Classificao dos Materiais

Uma base para a classificao dos materiais da engenharia a ligao atmica. Embora a identidade qumica de cada tomo seja determinada pelo nmero de prtons e nutrons dentro de seu ncleo, a natureza da ligao atmica determinada pelo comportamento dos eltrons que orbitam o ncleo. Vamos classificar os materiais da engenharia que admitem um tipo de ligao em particular ou uma combinao de tipos para cada categoria. Os metais envolvem a ligao metlica. As cermicas e vidros envolvem a ligao inica, mas normalmente em conjunto com uma forte caracterstica covalente. Os polmeros normalmente envolvem

ligaes covalentes fortes ao longo de cadeias polimricas, mas possuem ligaes secundrias mais fracas entre cadeias adjacentes. A ligao secundria atua como um elo fraco na estrutura, gerando resistncias e pontos de fuso tipicamente baixos. Os semicondutores so predominantemente covalentes por natureza, com alguns compostos semicondutores tendo uma caracterstica inica significativa. Essas quatro categorias de materiais da engenharia so, portanto, os tipos fundamentais. Os compsitos so combinaes dos trs primeiros tipos fundamentais e possuem caractersticas de ligao apropriadas aos seus elementos constituintes.

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1.2 Ligao Inica e a ligao Secundria ou de Van der Waals


a a distncia de separao entre os centros dos ons; K dado por:

A ligao inica o resultado da atrao coulombiana entre espcies qumicas com cargas opostas. A fora de atrao coulombiana segue a seguinte relao:

K = k0 (Z1q )(Z 2 q ) .

Fc =
Sendo:

K a2

A energia de ligao E est relacionada fora de ligao, por meio da expresso diferencial:

Fc a fora de atrao coulombiana entre dois ons de cargas opostas;

Voc poder visualizar no grfico que a curva de ligao lquida a derivada da curva da energia de ligao.

Figura 4 Grfico da curva de ligao lquida.

Fonte: Shackelford (2011).

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A inclinao na curva de energia em um mnimo igual a zero, ou seja:

dentro de cada tomo ou unidade molecular que est sendo ligada. Essa assimetria de carga denominada dipolo. A ligao secundria ou de van der Waals pode ser de dois tipos, dependendo de os dipolos serem temporrios ou permanentes.
Saiba mais
Johannes Diderick van der Waals (1837-1923), fsico holands, melhorou as equaes de estado para os gases, levando em considerao o efeito das foras secundrias. Sua brilhante pesquisa foi publicada inicialmente como uma dissertao de tese, que surgiu de seus estudos de fsica em tempo parcial.

A ligao conhecida como secundria ou ligao de van der Waals ocorre com energias de ligao substancialmente menores, sem a transferncia ou o compartilhamento de eltrons. Voc pode observar que o mecanismo da ligao secundria ou de van der Waals semelhante ligao inica, ou seja, a atrao de cargas opostas. A principal diferena que nenhum eltron transferido. A atrao depende de distribuies assimtricas de cargas positivas e negativas

1.3 A Estrutura Cristalina

A estrutura cristalina tem como caracterstica central sua forma regular e repetitiva. Para quantificar essa repetio, temos de determinar qual unidade estrutural repetida. Vamos, agora, analisar a geometria de uma clula unitria. Figura 5 Geometria de clula unitria.

rede ou parmetros de rede. A principal caracterstica da clula unitria que ela contm uma descrio completa da estrutura como um todo, pois a estrutura completa pode ser gerada pelo empilhamento repetitivo de clulas unitrias adjacentes, face a face, por todo o espao tridimensional.
Dicionrio
Clula unitria: o menor volume que, por repetio no espao, reproduz o reticulado cristalino.

Fonte: Shackelford (2011).

Voc deve observar que o tamanho das arestas da clula unitria e os ngulos entre os eixos cristalogrficos so chamados constantes de

Voc vai perceber que a descrio das estruturas cristalinas por meio de clulas unitrias tem uma vantagem importante. Todas as estruturas possveis se reduzem a um pequeno nmero de geometrias bsicas de clula unitria. Existem somente sete formas exclusivas de clula unitria que podem ser empilhadas para preencher o espao tridimensional. Vamos, agora, analisar o sistema cbico:

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Figura 6 Sistema cbico.

Figura 7 Sistema cbico.

No sistema cbico, os comprimentos axiais so a=b=c e os ngulos correspondem a 90. A rede cbica simples se torna a estrutura cristalina cbica simples quando um tomo colocado em cada ponto da rede. Voc pode observar, a partir da figura a seguir, que os tomos esto colocados em cada vrtice do sistema cbico.

Fonte: Shackelford (2011).

A forma geral da curva da energia de ligao e a terminologia associada s ligaes covalentes e tambm inicas esto representadas na figura a seguir. Voc pode verificar a energia de ligao em relao ao comprimento de ligao. Essa uma forma comum para descrever a curva de energia de ligao.

Figura 8 Energia de ligao em funo do comprimento de ligao a.

Fonte: Shackelford (2011).

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1.4 Exerccios Resolvidos

1. Calcule a fora de atrao coulombiana entre Dados: Resoluo: A fora coulombiana dada por: e

no

Sendo

, temos:

2. Dado o potencial respectivamente, e sendo:

, onde

so constantes para atrao e repulso, e , calcu-

le a energia de ligao e o comprimento da ligao para o argnio.

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Resoluo:

O comprimento da ligao (em equilbrio) ocorre em Isolando-se

Agora, voc deve observar a energia de ligao dada por Para o potencial dado pela equao: , teremos:

Para um mol de argnio (Ar), teremos:

O valor obtido corresponde energia de ligao, que, em mdulo, ser dada por:

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1.5 Resumo do Captulo

Neste captulo, voc aprendeu a visualizar no microscpio a fratura de um material, sobre a influncia da estrutura cristalina do material e seu comportamento macroscpico, sobre a relao da fora coulombiana dada por na ligao inica e na ligao secundria ou de van der Waals e a repre-

sentar a energia de ligao E, que est relacionada fora de ligao, por meio da expresso diferencial: .

1.6 Atividades Propostas

Ateno
Ol, aluno(a)! Para a resoluo das atividades, no se esqueam de realizar uma reviso da teoria. Voc poder utilizar a sua calculadora cientfica para facilitar os clculos.

1. Calcule o nmero de tomos contidos em um cilindro de a) Magnsio. Dados: e Massa atmica

de profundidade e dimetro de:

2. Utilizando a densidade do MgO,

, calcule a massa de um tijolo de MgO

refratrio (resistente temperatura), com dimenses 50 mm x 100 mm x 200 mm. 3. Calcule as dimenses de um cubo que contm 1 mol de cobre. Dados: e .

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EstrUtUrAs MEtLICAs

Agora, voc vai analisar comigo uma estrutura cbica de corpo centrado (ccc). Nessa estrutura, existe um tomo no centro da clula unitria e um oitavo de tomo em cada um dos oito cantos da clula unitria. Voc pode verificar que cada tomo de canto compartilhado por oito clulas unitrias adjacentes. Assim, existem dois tomos em cada clula unitria ccc. Para voc entender melhor o que eu estou dizendo, utilizei bolas de isopor para representar a estrutura ccc. A quantidade de tomos por clula unitria ser dada por:

O Fator de Empacotamento Atmico (FEA) para essa estrutura 0,68 e representa a frao do volume da clula unitria ocupada pelos dois tomos. Os metais tpicos com essa estrutura incluem o Ferro alfa ( ), Vandio (V), Cromo (Cr), Molibdnio (Mo) e Tungstnio (W). Agora, veja uma estrutura cbica de face centrada (cfc). Nessa estrutura, existe meio tomo no centro de cada face da clula unitria e um oitavo de tomo em cada canto da clula unitria, com um total de quatro tomos em cada clula unitria cfc. A quantidade de tomos por clula unitria ser dada por:

Figura 9 Estrutura ccc. Figura 11 Estrutura cfc.


tomo que compartilha as outras clulas unitrias

tomo no centro

Figura 10 Estrutura ccc. Figura 12 Estrutura cfc.

Fonte: Shackelford (2011).

Fonte: Shackelford (2011).

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O FEA para essa estrutura 0,74. Um FEA de 0,74 o valor mais alto possvel para preencher o espao empilhando as esferas rgidas de mesmo tamanho. Por esse motivo, a estrutura cfc, s vezes, denominada cbica compacta. Os metais tpicos com estrutura cfc incluem: Ferro gama ( ), Alumnio (Al), Nquel (Ni), Cobre (Cu), Prata (Ag), Platina (Pt) e Ouro (Au). Quanto estrutura hexagonal compacta (hc), voc vai poder observar que existem dois tomos associados a cada ponto da rede de Bravais, um tomo centralizado dentro da clula unitria e diversos tomos fracionados nos cantos da clula unitria. A quantidade de tomos por clula unitria ser dada por:

Figura 14 Estrutura hc.

Fonte: Shackelford (2011).

Os metais tpicos com a estrutura hc incluem o Berlio (Be), Magnsio (Mg), Titnio alfa ( ), Zinco (Zn) e Zircnio (Zr).

Figura 13 Estrutura hc.

2.1 Estruturas Cermicas

A grande variedade de composies qumicas das cermicas refletida em suas estruturas cristalinas. Muitas dessas estruturas cermicas tambm descrevem compostos intermetlicos. Vamos definir o Fator de Empacotamento Inico (FEI) para essas estruturas. O FEI a frao do volume de clula unitria ocupada pelos diversos

ctions e nions. Para as estruturas cermicas, vamos comear com as cermicas de frmula qumica mais simples: MX, onde M um elemento metlico e X no metlico. A estrutura do cloreto de csio (CsCl) semelhante a uma estrutura ccc, porm existem dois ons, um e um por clula unitria.

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Figura 15 Clula unitria do cloreto de csio, mostrando as posies dos ons e os dois ons por ponto de rede.

Fonte: Shackelford (2011).

2.2 Estruturas Polimricas


Figura 16 Clula unitria do poli-hexametileno adipamida ou nilon 66.

Voc vai notar agora que, diferentemente do empilhamento de tomos ou ons individuais nos metais e cermicas, os polmeros so definidos pela estrutura do tipo cadeia das molculas polimricas longas. O arranjo dessas molculas longas em um padro regular e repetitivo difcil. Como resultado, a maioria dos plsticos comerciais , em grande parte, no cristalina. Naquelas regies da microestrutura que so cristalinas, a estrutura tende a ser muito complexa. Vamos observar a clula unitria triclnica para o poli-hexametileno adipamida ou nilon 66.

Fonte: Shackelford (2011).

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2.3 Estruturas Semicondutoras

Os semicondutores elementares, tais como o Silcio (Si), Germnio (Ge) e Estanho (Sn) cinza, compartilham a estrutura cbica do diamante. Essa estrutura montada sobre uma rede de Bravais cfc, com dois tomos associados a cada ponto da rede e oito tomos por clula unitria. Uma caracterstica crucial dessa estrutura que ela acomoda a configurao de ligao tetradrica desses elementos, que esto dispostos na tabela peridica do grupo IV A.

Voc pode observar essa estrutura no esquema a seguir, que representa uma estrutura da clula unitria cbica do diamante. Voc pode notar as posies dos tomos. Observe que existem dois tomos por ponto da rede, sendo que cada tomo coordenado tetraedricamente.

Figura 17 Estrutura da clula unitria cbica do diamante.

Fonte: Shackelford (2011).

Saiba mais
Cbico tipo diamante: a estrutura cbica do diamante.

Agora, vamos analisar o empacotamento real dos tomos representados como esferas rgidas associadas clula unitria (SHACKELFORD, 2011). A quantidade de tomos por clula unitria ser dada por: tomo/clula unitria:

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Figura 18 Empacotamento real dos tomos.

Fonte: Shackelford (2011).

importante notarmos a relao entre o tamanho da clula unitria (tamanho da aresta) e o raio atmico para as estruturas metlicas comuns. Voc dever anotar essas relaes para podermos

realizar os exerccios que se seguem no texto. Para ajudar voc, coloquei esses dados na forma de tabela. Veja:

Estrutura cristalina

Relao entre o tamanho da aresta (a) e o raio atmico (r)

Cbica de corpo centrado (ccc)

Cbica de face centrada (cfc)

Hexagonal compacta (hc)

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2.4 Exerccios Resolvidos

1. Mostre que uma rede quadrada de base centrada pode ser transformada em uma rede quadrada simples. Esboce essa equivalncia. Resoluo:

2. Sabe-se que o cobre (Cu) um metal cfc. Dado o raio do tomo de cobre determine: a) O parmetro de rede a (aresta). b) A densidade da clula unitria, contendo quatro tomos. Resoluo: a) Clculo da aresta a. Antes de iniciarmos a resoluo, voc deve analisar que a estrutura que o cobre possui cfc e a equao dada por:

4r a= 2
Como o problema nos fornece o raio do tomo de cobre , temos:

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b) A densidade da clula unitria: A densidade dada pela relao:

3. Calcule o FEI do MgO. Dados:

rtomoMg = 0,078n m

rtomoO = 0,132n m

Lembre-se de que a estrutura similar do NaCl. A rede de Bravais cfc ser:

Fonte: Shackelford (2011).

Resoluo: Dado , temos:

Como existem quatro ons para o Mg e quatro ons para o O por clula unitria, o volume inico total ser:

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O FEI ser:

4. Calcule a densidade do MgO, sabendo que responde a . e

e o volume de clula unitria cor-

Dados: massa molecular atmica Resoluo:

A densidade dada por:

2.5 Resumo do Captulo

Neste captulo, foi visto o conceito estrutural da matria. Para voc entender melhor como a clula unitria formada, tentei expor atravs de figuras a posio dos tomos na clula unitria e a sua forma estrutural: a estrutura cbica de corpo centrado (ccc), a estrutura cbica de face centrada (cfc) e a estrutura hexagonal compacta (hc). Aprendemos a calcular o Fator de Empacotamento Atmico (FEA) para as estruturas dadas, bem como o Fator de Empacotamento Inico (FEI).

2.6 Atividades propostas

1. Calcule a densidade do Dados: massa atmica de

, sabendo-se que um metal com estrutura ccc. e .

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2. Calcule o FEI do CaO. Dados: Lembre-se: 3. Calcule a densidade do CaO. Dados: e . .

a = 0,476n m

e Ca=40,08 u.m.a. O=16,00 u.m.a.

4. Quantas clulas unitrias esto contidas em 1 kg de polietileno comercial, 50% cristalino e o restante amorfo. Ele possui uma densidade global de 0,940 Mg/cm3. Lembre-se: voc deve observar que as clulas unitrias esto presentes somente na parte cristalina. 5. Calcule a densidade do germnio (Ge). Dados: e

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EstUDo DA rEDE CrIstALInA

Existem algumas regras bsicas para descrever a geometria ao redor de uma clula unitria. Essas regras e as notaes associadas so utilizadas uniformemente pelos cristalgrafos, gelogos, fsicos, qumicos, cientistas de materiais, engenheiros de materiais e outros que precisam lidar com materiais cristalinos. Voc, agora, vai entender o mundo dos cristais. Vamos descrever as posies na rede cristalina

expressas como fraes ou mltiplos de dimenses da clula unitria. Um aspecto da natureza da estrutura cristalina que uma dada posio da rede, em uma determinada clula unitria, estruturalmente equivalente mesma posio em qualquer outra clula unitria da mesma estrutura. Agora, voc pode observar na figura a notao utilizada para as posies na rede cristalina.

Figura 19 Posies na rede cristalina.

Fonte: Shackelford (2011).

As posies equivalentes so conectadas por translaes na rede cristalina, consistindo em mltiplos inteiros ao longo de direes paralelas

aos eixos cristalogrficos. Caro(a) aluno(a)! Veja com detalhes a figura a seguir:

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Figura 20 Posies equivalentes.

Para descrevermos as direes na rede cristalina, devemos estar atentos ao fato de que essas direes so expressas como conjuntos de inteiros, identificando-se as menores posies inteiras interceptadas pela linha que parte da origem dos eixos cristalogrficos. Na notao para distinguir uma direo daquela de uma posio, os inteiros de direo so delimitados por colchetes, sendo o seu uso muito importante para a designao padro para as direes especficas da rede.

Fonte: Shackelford (2011).

3.1 Direes e Planos Cristalogrficos

Na figura a seguir, voc pode observar a notao para a direo na rede. Note que as direes

[uvw] paralelas compartilham a mesma notao, pois somente a origem deslocada.

Figura 21 Notao para direo na rede.

Fonte: Shackelford (2011).

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O uso dos colchetes importante e a designao padro para as direes especficas na rede. Voc deve observar que a linha da origem dos eixos cristalogrficos, passando pela posio no centro do corpo , pode ser estendida

sa indicar esse movimento. Por exemplo, a barra acima do nmero inteiro final na direo designa que a linha da origem passou pela posio 1 1 -1. Voc deve observar que as direes e so estruturalmente muito semelhantes. Ambas so diagonais do corpo atravs de clulas unitrias idnticas. A direo se tornaria a direo se fizssemos uma escolha diferente de orientao de eixos cristalogrficos. Esse conjunto de direes, que so estruturalmente equivalentes, chamado famlia de direes e representado pelos sinais < >. Um exemplo das diagonais de corpo no sistema cbico :

para interceptar a posio 111 do canto da clula unitria. Note que a extenso adicional da linha leva interceptao de outros conjuntos de inteiros, como, por exemplo, 222 e 333, sendo o conjunto 111 o menor. Como resultado, essa direo referenciada como . Quando uma direo se move por um eixo negativo, a notao preci-

Vamos agora visualizar a famlia de direes , representando todas as diagonais do cor-

po para clulas unitrias adjacentes no sistema cbico.

Figura 22 Famlia de direes

111

Fonte: Shackelford (2011).

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3.2 O ngulo entre as Direes e os ndices de Miller

Os ngulos podem ser determinados pela visualizao cuidadosa e por clculos trigonomtricos. No sistema cbico, o ngulo pode ser determinado pelo clculo simples de um produto escalar de dois vetores. Vamos analisar as

direes:

e e

, com os vetores

. Podemos determinar o ngulo duas direes:

entre essas

ou

Lembre-se de que essa relao vlida somente para o sistema cbico. Os planos so expressos como um conjunto de nmeros inteiros, conhecidos como ndices de

Miller. A obteno desses nmeros inteiros um processo mais elaborado do que o que foi exigido para as direes. Os nmeros representam o inverso das interceptaes axiais.

Figura 23 ndices de Miller.

Fonte: Shackelford (2011).

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Voc deve observar que os parnteses servem como notao padro para representar os planos cristalogrficos. O plano (210) indicado na figura intercepta o eixo a em

1 a , o eixo b em b 2 e paralelo ao eixo c, interceptando-o em . Os


.

gonal pode ser representado por quatro eixos, um conjunto de quatro dgitos dos ndices de Miller-Bravais (hkil) pode ser definido. Pode-se mostrar que para qualquer plano no sistema hexagonal, o que tambm permite que qualquer plano do sistema hexagonal seja designado pelos ndices de Miller-Bravais (hkil) ou pelos ndices de Miller (hkl). Da mesma forma que as direes equivalentes, podemos agrupar planos estruturalmente equivalentes como uma famlia de planos com ndices de Miller ou Miller-Bravais entre chaves: ou . Vamos analisar as faces de uma clula unitria no sistema cbico, pertencente famlia , com:

inversos das interceptaes axiais so

Esses inversos das interceptaes geram os inteiros , levando notao do plano .

A notao geral para os ndices de Miller (hkl), que pode ser usada para qualquer um dos sete sistemas cristalinos. Como o sistema hexa-

Figura 24 Faces de uma clula unitria no sistema cbico.

Fonte: Shackelford (2011).

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3.3 Difrao de Raios X

Voc sabe como a estrutura do material determinada? Atravs da utilizao da difrao de raios X, possvel medir a estrutura cristalina dos materiais de engenharia. Ela pode ser utilizada para determinar a estrutura de um novo material ou a estrutura conhecida de um material comum pode ser usada como fonte de identificao qumica. A difrao de raios X o resultado da radiao espalhada por um conjunto regular de centros de difuso, cujo espaamento da mesma ordem de grandeza do comprimento de onda da radiao. Observa-se que os tamanhos de tomos e ons so da ordem de 0,1 nm, de modo que podemos pensar nas estruturas cristalinas como redes de difrao em uma escala subnanomtrica. A parte do espectro eletromagntico com um comprimento de onda nesse intervalo a radiao X. Dadas essas caractersticas, a difrao de raios X capaz de caracterizar a estrutura cristalina.

Voc deve observar que, para os raios X, os tomos so centros de espalhamento, sendo que o mecanismo especfico de espalhamento a interao de um fton de radiao eletromagntica com um eltron orbital no tomo. Um cristal atua como uma grade de difrao tridimensional. Para que haja a difrao, os feixes de raios X espalhados por planos cristalinos adjacentes devem estar em fase. A diferena de caminho entre os feixes de raios X adjacentes algum nmero inteiro n, de comprimento de onda da radiao . A relao que demonstra essa condio a equao de Bragg:

n = 2dsen
Nessa equao, voc deve observar que o comprimento de onda dos raios X, d corresponde ao espaamento entre planos cristalinos adjacentes e o ngulo de espalhamento.

Figura 25 Equao de Bragg.

Fonte: Shackelford (2011).

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A magnitude do espaamento interplanar uma funo direta dos ndices de Miller para o plano. Para o sistema cbico, a relao muito simples. O espaamento entre planos hkl adjacentes dado pela equao:

Nessa equao, voc deve lembrar-se dos parmetros de rede a e c para o sistema hexagonal. Para ilustrar o texto, temos as imagens de um difratmetro de raios X e uma ampola de raios X. Figura 26 Difratmetro e ampola de raios X.

Voc deve lembrar que a o parmetro de rede, ou seja, o tamanho da aresta da clula unitria. Agora, veja como fica a frmula para um sistema hexagonal:

3.4 Microscopia Eletrnica de Transmisso e Varredura

Voc j deve ter tido a oportunidade de visualizar alguma estrutura utilizando uma lupa convencional. Voc deve ter notado que muitos dos detalhes que voc no conseguia enxergar sem a lupa so enxergados com certa nitidez e detalhes. Imagine o mesmo ocorrendo com o estudo dos materiais. Para esses estudos, utilizamos microscpios pticos e tambm eletrnicos. Os microscpios pticos e eletrnicos so ferramentas poderosas para observar a ordem e a desordem estrutural do material. O microscpio eletrnico de transmisso usa o contraste de difrao para obter imagens com alta ampliao, como,

por exemplo, 100.000 vezes de aumento, os defeitos como discordncias no material. O microscpio eletrnico de varredura produz imagens de aparncia tridimensional de caractersticas microestruturais, como as superfcies de fraturas. Analisando a emisso de raios X caracterstica, a composio qumica microestrutural pode ser estudada. Para ilustrar a utilizao da microscopia eletrnica no estudo da superfcie de fratura, observe as imagens relativas fratura de um parafuso e aos respectivos elementos qumicos presentes no material analisado.

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Figura 27 Fratura de um parafuso.

Figura 28 Elementos qumicos presentes no parafuso.

A imagem ilustra a superfcie de fratura de um material metlico. Analisando a superfcie, voc nota a presena de alvolos indicando que o material sofreu uma sobrecarga para romper-se. Com a anlise de raios X caractersticos, possvel saber os elementos qumicos presentes no material, atravs

da microanlise por energia dispersiva de raios X. Voc pode observar a presena dos seguintes elementos qumicos: Oxignio (O), Ferro (Fe), Zinco (Zn), Alumnio (Al), Silcio (Si), Cromo (Cr) e Mangans (Mn).

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3.5 Defeitos Pontuais e Difuso no Estado Slido

Voc j observou o que ocorre quando uma gota de tinta cai em um frasco contendo gua. A gota se espalha at que toda a gua fique colorida por igual. Essa uma demonstrao simples da difuso, ou seja, o movimento das molculas de uma regio de maior concentrao para uma de menor concentrao. Em temperaturas suficientes, tomos e molculas podem ser bastante mveis em lquidos e slidos. A difuso por um mecanismo de intersticialidade pode ser visto na figura seguinte, em que efetivamente a natureza de caminhos aleatrios da migrao atmica observada. Figura 29 Difuso por mecanismo de intersticialidade.

Saiba mais
Adolf Eugen Fick (1829-1901) foi um grande fisiologista alemo. Seu trabalho na escola mecanistica da fisiologia foi to excelente que serviu como guia para as cincias fsicas.

A varivel J x o fluxo ou taxa de fluxo das espcies em difuso na direo de x, devido a um gradiente de concentrao

c , e D o coe x

ficiente de proporcionalidade ou coeficiente de difuso, tambm conhecido como difusividade. Figura 30 Fluxo de tomos.

Fonte: Shackelford (2011). Fonte: Shackelford (2011).

Voc deve observar que essa aleatoriedade no impede o fluxo lquido de material quando existe uma variao geral na composio qumica. O tratamento matemtico formal desse fluxo difusional comea com uma expresso conhecida como primeira lei de Fick:

Agora, vamos analisar o gradiente de concentrao em um ponto especfico ao longo do caminho de difuso, que muda com o tempo t. Essa situao representada pela equao diferencial, conhecida como segunda lei de Fick:

cx cx = D t x x
Para facilitar, podemos admitir D independente de c, o que nos fornece uma equao simplificada da segunda lei de Fick:

J x = D

c x

cx 2 cx =D 2 t x
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3.6 Diagramas de Fases e o Desenvolvimento de Microestruturas

Uma fase uma poro qumica e estruturalmente homognea da microestrutura. Uma microestrutura monofsica pode ser policristalina, mas cada gro cristalino difere apenas na orientao cristalina e no na composio qumica. Veja, agora, a microestrutura monofsica do molibdnio comercialmente puro, observada por microscopia ptica, aps preparo da amostra da superfcie, com aumento de 200 vezes. Nota-se a presena de muitos gros nessa microestrutura e cada gro tem a mesma composio uniforme. Figura 31 Microestrutura monofsica do molibdnio comercialmente puro.

Qualquer aumento na temperatura mudar o estado da microestrutura. As variveis de estado importantes, sobre as quais o engenheiro de materiais tem controle no estabelecimento da microestrutura, so: temperatura, presso e composio. A relao geral entre a microestrutura e essas variveis de estado dada pela regra de fases de Gibbs:

Na qual F o nmero de graus de liberdade, C o nmero de componentes e P o nmero de fases. Um diagrama de fases qualquer representao grfica das variveis de estado associadas microestrutura por meio da regra de fases de Gibbs. Por uma questo prtica, os diagramas de fases mais usados pelos engenheiros de materiais so os diagramas binrios, que representam sistemas de dois componentes (C=2), e os diagramas ternrios, que representam sistemas de trs componentes, ou seja, C=3 na regra de fases de Gibbs.

Fonte: Metals Handbook (1972).

Figura 32 Diagrama de fases.

Fonte: Shackelford (2011).

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O esquema representa o diagrama de fases de um componente para o ferro puro. Voc pode analisar no diagrama uma projeo da informao do diagrama de fases em 1 atm, que gera uma escala de temperatura. Observe que, at 910 C, temos o ou ferrita; a partir de 910 C at 1394 C, temos a formao do ou austenita;

entre 1394 C e 1538 C, observamos a formao do ; e acima da temperatura de 1538 C, o ferro encontra-se na fase lquida. Voc poder encontrar diversos diagramas de fases para a maioria dos materiais conhecidos, atravs da consulta ao Metals Handbook que se encontra na referncia.

3.7 Exerccios Resolvidos

1. Os trs primeiros picos obtidos por difrao de raios X do alumnio em p so: (111), (200) e (220). Sabendo-se que o parmetro a=0,404nm, determine o valor de d para cada plano. Resoluo:

Inicialmente, vamos utilizar a equao cbica. Para o plano (111), temos:

d hkl =

a h2 + k 2 + l 2

, pois o alumnio de estrutura

d111 =

0, 404nm 12 +12 +12

d111 =

0, 404nm 12 +12 +12

0, 404 = 0, 234nm 3

Para o plano (200), temos:

d 200 =

0, 404nm 22 + 02 + 02
0, 404nm 22 + 02 + 02 = 0, 404 = 0, 202nm 2

d 200 =

Para o plano (220), temos:

d 220 =

0, 404nm 22 + 22 + 02
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d 220 =

0, 404nm 22 + 22 + 02

0, 404 = 0,143nm 8

2. Sabendo que a fonte de raios X do cobre possui

= 0,1542nm (radiao CuK ), utilizada para a difrao do alumnio, determine o ngulo para o plano d111 = 0, 234nm .
Resoluo: Voc vai utilizar a lei de Bragg

n = 2dsen . Lembre-se de que o problema fornece o

valor de lambda e de d. Vamos isolar o valor de :

sen =

2d

Para calcularmos o valor de , temos que usar a relao da trigonometria, ou seja:

= arsen

2d
0,1542nm 2 0, 234nm
0,1542nm = 19, 2 2 0, 234nm

= arsen

= arsen

Como o difratograma apresenta a relao entre a intensidade e o ngulo em

(2 ) , para o

2 111 ngulo =19, 2 , o valor de ( ) = 38, 5 .


3. Superfcies de ao podem ser endurecidas pela carbonetao. Durante um tratamento desse tipo a 1000 C, existe uma queda na concentrao de carbono de 5% para 4% at de carbono, entre 1 e 2 mm da superfcie de ao. Estime o fluxo de tomos de carbono no ao nessa regio prxima superfcie.

Dados: densidade do

Fe (1000 C ) = 7, 63

2 g -11 m e DCemFe = 2, 98 10 s cm3

Resoluo:

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g 6, 023 1023 tomos tomos = 7, 63 3 = 8, 23 1022 cm 55, 85 g cm3

Agora, vamos utilizar a equao de Fick dada por:

3.8 Resumo do Captulo

No presente captulo, voc aprendeu a descrever os planos cristalogrficos e como esto dispostos os parmetros de rede do material. Note que existe uma grande gama de materiais metlicos, cermicos e polimricos. Para o estudo da cristalografia do material, utiliza-se a difrao de raios X, utilizando-se a equao: n = 2dsen , sendo possvel determinar os planos de difrao do material a partir do difratograma dado. Tambm viu o tratamento matemtico formal do fluxo difusional utilizando a primeira lei de Fick:

J x = D

c x

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3.9 Atividades Propostas

1. Sabendo que fonte de raios X do cobre possui

= 0,1542nm (radiao CuK ), utilizada para a difrao do alumnio, determine o ngulo para o plano d 200 = 0, 202nm . = 0,1542nm (radiao CuK ), utilizada para a difrao do alumnio, determine o ngulo para o plano d 220 = 0,143nm .

2. Sabendo que fonte de raios X do cobre possui

3. Calcule os ngulos, no sistema cbico, entre as seguintes direes:

D D ' uu '+ vv '+ ww ' Use a equao: cos = = D D' u 2 + v 2 + w2 u '2 + v '2 + w '2
a) [ ] e [ ]. 100 110 b) [ ] e [ ]. 100 111 4. A superfcie de ao pode ser endurecida pela carbonetao. Durante um tratamento desse tipo a 1100 C, estime o fluxo de tomos de carbono no ao nessa regio prxima superfcie. Dados: DCnoFe = 7, 92 10
-11

m2 e s

5. A 200 C, uma liga de solda Pb-Sn 50:50 existe como duas fases: um slido rico em chumbo e um lquido rico em estanho. Calcule os graus de liberdade a uma presso constante de 1 atm para: a) Uma soluo slida de monofsico do Sn dissolvida no solvente Pb. b) Pb puro abaixo de seu ponto de fuso. c) Pb puro em seu ponto de fuso.

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ConsIDErAEs FInAIs

Espera-se que, com esta apostila, voc, aluno(a), se envolva na disciplina, entenda e consiga definir os conceitos bsicos da cincia dos materiais, sua classificao e estrutura, alm de definir e identificar os materiais metlicos, polimricos e cermicos, bem como a sua utilizao e comportamento mecnico e termomecnico. Voc ir desenvolver o raciocnio lgico e saber utilizar e aplicar as equaes pertinentes aos vrios assuntos abordados e estudados na presente apostila, no mbito profissional e, consequentemente, na sociedade em que se encontra inserido(a).

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rEspostAs CoMEntADAs DAs AtIVIDADEs propostAs

CAPTULO 1 1. Vamos calcular o nmero de tomos de magnsio. O volume ser dado por base x altura

tomos de Mg.

2. Para calcular a massa, voc deve lembrar a relao

m . V

O problema nos fornece a densidade MgO, ou seja:

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3. Voc possui os dados:

A dimenso ser dada por:

dim enso =

massa atmica densidade

CAPTULO 2 1. Para calcular a densidade do , sabendo-se que um metal com estrutura ccc:

Dados: massa atmica de

Para o

, temos:

, portanto:

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A densidade dada por:

2. Vamos calcular o FEI do CaO: Dados: Lembre-se: e

O volume unitrio da clula ser dado por:

O FEI ser dado por:

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3. Voc deve analisar os dados fornecidos no exerccio. Os dados fornecidos so: e Ca=40,08 u.m.a. O=16,00 u.m.a. O volume da clula unitria dada por: A densidade ser dada pela relao:

Portanto:

4. Para calcular quantas clulas unitrias esto contidas em 1 kg de polietileno comercial, 50% cristalino e o restante amorfo, sabendo que ele possui uma densidade global de 0,940 Mg/cm3, voc deve observar que as clulas unitrias esto presentes somente na parte cristalina.

O volume da fase cristalina ser dado por:

O nmero de clulas unitrias ser:

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5. Para voc calcular a densidade do germnio (Ge), vamos utilizar os dados:

Para o germnio, o valor de a ser dado por:

O volume calculado utilizando a relao:

A densidade ser:

CAPTULO 3 1. O problema nos fornece a fonte de raios X do cobre, que possui CuK ), e o plano . Vamos utilizar a equao de Bragg dada por: (radiao

n = 2dsen
Agora, voc vai isolar a varivel e a equao se torna equivalente:

sen =

2d

= arsen

2d

Vamos substituir o valor das variveis dadas no problema:

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Portanto: e o valor de 2. Voc deve seguir o mesmo procedimento do exerccio anterior. A fonte de raios X do cobre possui (radiao CuK ) e foi utilizada para a difrao do alumnio. . Vamos determinar o ngulo para o plano Vamos utilizar a equao de Bragg dada por:

n = 2dsen
Agora, voc vai isolar a varivel e a equao se torna equivalente:

sen =

2d

= arsen

2d

Portanto, temos: e

3. Para calcularmos o ngulo entre as direes no sistema cbico, vamos utilizar a relao:

a) Voc agora deve isolar o delta:

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b)

4. O problema nos fornece os seguintes dados:

Voc dever lembrar-se da relao de Fick dada por:

Vamos substituir os valores dados na equao; portanto, temos:

5. A relao geral entre a microestrutura e essas variveis de estado dada pela regra de fases de Gibbs, dada por:

F = C P + 1,
a) b) c)

F = C P +1 F = 2 1 F = 11+1 = 1 F =1 2 +1 = 0
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rEFErnCIAs

AMALDI, U. Imagens da fsica As idias e as experincias do pndulo aos quarks. So Paulo: Scipione, 1995. CALLISTER JR., W. D. Cincia e engenharia de materiais: uma introduo. 5. ed. Rio de Janeiro: LTC, 2000. CULLIT, B. D. Elements of x-ray diffraction. 2. ed. Massachusetts: Addison-Wesley, 1978. EISBERG, M. R. Fundamentos da fsica moderna. Rio de Janeiro: Guanabara Dois, 1979. GUY, A. G. Cincia dos materiais. Rio de Janeiro: LTC; So Paulo: EDUSP, 1980. HALLIDAY, D.; RESNIK, R.; KRANE, K. S. Fsica. 5. ed. Rio de Janeiro: LTC, 2008. 4 v. METALS HANDBOOK. Atlas de microestrutura. 8. ed. Ohio: American Society for Metals, 1972. v. 7. PADILHA, A. F. Materiais de engenharia: microestrutura e propriedades. Curitiba: Hemus, 2000. SHACKELFORD, J. F. Cincia dos materiais. Traduo de Daniel Vieira. 6. ed. So Paulo: Pearson, 2011. ZEMANSKY, M. W. Heat and thermodynamics. 4. ed. [S.l.]: McGraw-Hill, 1957.

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