4. 1 ¿Qué es un transistor bipolar (BJT)?

El transistor Bipolar se forma cuando se agrega una segunda región p o región n a un diodo común pn, por lo cual se puede configurar como NPN o PNP dependiendo del tipo de región que se agregó, consta de 3 Terminales: Colector, Base y Emisor, para el caso de este transistor las corrientes de base y de colector fluyen por 2 trayectorias paralelas resultando en una baja resistencia de Colector-Emisor en Saturación. 4.2 ¿Cuáles son los tipos de (BJT)? NPN (Transistor BJT con dos regiones N y una región P) PNP (Transistor BJT con dos regiones P y una región N) 4.3 ¿Cuáles son las diferencias entre los transistores NPN y PNP? La polaridad de la configuración del transistor, los Transistores NPN reciben un voltaje positivo en el colector al igual que en la base, mientras que los transistores PNP operan con voltaje negativo en el colector y en la base. 4.4 ¿Cuáles son las características de entrada de los transistores NPN? corriente de Base Ie = Ic + Ib dondeVce1 > Vce2, donde la corriente de base es la corriente de entrada. 4.5 ¿Cuáles son las características de salida de los transistores NPN? Para los transistores NPN las características de Salida para la curva Voltaje Colector- Emisor contra corriente de Colector son la región de saturación, la región activa y la región de corte Para los transistores NPN las características de Entrada para la curva Voltaje Base Emisor contra

delimitada por la curva característica de la corriente de base Ib, donde va desde Ib=0 hasta Ibn.
4.6 ¿Cuáles son las tres regiones de operación de los BJT? Región de Saturación, región activa y Región de corte. 4.7 ¿Qué es la Beta (B) de un BJT? Es la relación de la corriente de Colector Ic entre la corriente de base Ib, donde beta = Ic / Ib 4.8 ¿Cuál es la diferencia entre la Beta (B) y la beta Forzada (Bf) de los BJT? La diferencia es que la Beta Forzada se calcula en base a la corriente de Colector mientras permanece en saturación el transistor.

13 ¿Cuál es la causa del tiempo de Almacenamiento de los BJT? Es cuando el voltaje de entrada se invierte de B1 a B2 y la corriente de base también cambia a Ib2.14 ¿Cuál es la causa del tiempo de subida de los BJT? SE genera por la diferencia de tiempo existente entre el tiempo de encendido y el tiempo de activación del transistor.15 ¿Cuál es la causa del tiempo de caída en los BJT? Depende de la constante de tiempo que esta determinada por la capacitancia de la unión BEJ con polarización inversa.10 ¿Qué es el factor de sobre excitación de los BJT? 4. 4.19 ¿Qué es un FBSOA de los BJT? .9 ¿Qué es la transconductancia de los BJT? Se define como la relación entre el incremento de la corriente del colector a razón del voltaje Base-Emisor del transistor respectivamente bajo condiciones transitorias.16 ¿Cuál es el modo de saturación de los BJT? En el transistor la corriente de base es suficientemente alta como para que el voltaje Vce sea bajo y el transitorio actúe como un interruptor. 4.4. la corriente del colector no cambia durante un tiempo Ts llamado tiempo de almacenamiento.17 ¿Que es el tiempo de encendido de los BJT? Es la suma del tiempo de retardo mas el tiempo de subida 4.18 ¿Que es el tiempo de apagado de los BJT? Es l suma del tiempo de almacenamiento y el tiempo de caída 4. 4. 4. 4.12 ¿Cuál es la causa del tiempo de retardo de los BJT? Ocurre cuando el voltaje de entrada Vb aumenta de 0 a v1 y la corriente de base aumenta a Ib1 la corriente de colector no responde de inmediato generando un retardo Td. 4.11 ¿Cuál es el modelo de conmutación de los BJT? 4.

que produce puntos calientes localizados. altas disipaciones de conmutación. región de avalancha secundaria.21 ¿Por qué es necesario invertir la polarización de los BJT durante su apagado? 4. disipación de potencia en activación de base.25 ¿Cuáles son los tipos de MOSFET? Decremental e incremental. que es un fenómeno destructivo. FBSOA indica los límites de iC  vCE del transistor: para que la operación del transistor sea fiable. los límites de I C  VCE durante el apagado con polarización inversa. la avalancha secundaria es básicamente un fenómeno dependiente de la energía.Es el área de operación segura en polarización directa. o menos.23 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los BJT? Ventajas: Interruptor simple. 4. mayor capacidad de voltaje en estado apagado. en la mayor parte de los casos con polarización inversa de base a emisor. La SB se presenta con ciertas combinaciones de voltaje. a un valor especificado de corriente de colector. y sus parámetros son menos sensibles a la temperatura de la unión. Los fabricantes suelen proporcionar las curvas FBSOA bajo condiciones especificadas de prueba. Debido a que interviene el tiempo.20 ¿Qué es un RBSOA de los BJT? Es el área de operación segura en polarización inversa. 4. 4. corriente y tiempo. gran pérdida en conmutación. la temperatura promedio de la unión y la segunda avalancha limitan la capacidad de manejo de potencia en un transistor. Si la energía de esos puntos calientes es suficiente. como RBSOA.24 ¿Qué es un MOSFET? Son dispositivos controlados por voltaje. Durante las condiciones de activación y de estado activo. y no necesitan voltaje negativo de compuerta durante el apagado. El voltaje de colector a emisor debe mantenerse en un nivel seguro. dispositivo de voltaje unipolar. No tienen problema de segunda avalancha. el transistor debe sostener una gran corriente y un alto voltaje. Durante el tiempo de apagado. Los fabricantes proporcionan. . se debe al flujo de corriente por una pequeña porción de la base. Así. Desventajas: Dispositivo controlado por corriente y requiere mayor corriente de base para encender y sostener la corriente de estado activado. tiempo de recuperación de carga y menor velocidad de conmutación. requieren muy poca potencia de excitación de compuerta. el calentamiento localizado excesivo puede dañar el transistor. 4.22 ¿Qué es la segunda avalancha de los BJT? La segunda avalancha o avalancha secundaria (SB). no debe estar sujeta a mayor disipación de potencia que la que indique la curva FBSOA. baja caída de estado de encendido. 4. la avalancha secundaría se debe a una avalancha térmica localizado debido a altas concentraciones de corriente.

hasta de 10V. poca potencia de compuerta. gm ! (I D (VGS V DS !CONSTANTE 4. en general esté último se usa cómo dispositivo de conmutación en la electrónica de potencia. 4. el canal n se decrementa hasta desaparecer. mientras que un MOSFET de tipo incremental permanece apagado con cero voltaje en compuerta.36 ¿Cuál es el tiempo de encendido de los MOSFET? . cuando esto sucede adquiere este nombre. baja pérdida por conmutación. se agota . 4. menos capacidad de voltaje en estado de apagado. y no pasa corriente del drenaje a la fuente: I DS ! 0 . Desventajas: alta caída de voltaje.35 ¿Por qué es distinto el concepto de saturación en los BJT y en los MOSFET? 4. por completo y presenta un valor muy alto de R DS .4.27 ¿Qué es el voltaje de estrechamiento de los MOSFET? Es el voltaje de compuerta a fuente VGS cuando se hace suficientemente negativo.30 ¿Cuál es el modelo de conmutación de los MOSFET de canal n? PONER IMAGEN!!! 4.32 ¿Cuáles son las características de salida de los MOSFET? 4.26 ¿Cuáles son las diferencias entre los MOSFET tipo de incremental y los de tipo decremental? Un MOSFET de tipo decremental permanece activo con cero voltaje en la compuerta. define a las características de transferencia.33 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los MOSFET? Ventajas: mayor velocidad de conmutación. 4.29 ¿Qué es la transconductancia de los MOSFET? Es la relación de la corriente de drenaje al voltaje de compuerta. circuito simple de control de compuerta. dispositivo de voltaje unipolar.28 ¿Qué es el voltaje umbral de los MOSFET? Es el voltaje de entrada VT .34 ¿Por qué los MOSFET no requieren voltaje negativo de compuerta durante su apagado? 4.31 ¿Cuáles son las características de transferencia de los MOSFET? 4. 4.

44 ¿Cuáles son las ventajas y desventajas de los IGBT? 4.46 ¿Qué problemas de operación en paralelo tienen los BJT? 4.43 ¿Cuáles son las características de salida de los IGBT? 4.53 ¿Qué objeto tiene el amortiguador en serie con los transistores? .48 ¿Qué problemas de operación en paralelo tienen los IGBT? 4.52 ¿Qué objeto tiene el amortiguador en paralelo con los transistores? 4.45 ¿Cuáles son las diferencias principales entre los MOSFET y los BJT? 4.37 ¿Cuál es el tiempo de apagado de los MOSFET? 4. 4.41 ¿Qué es un IGBT? Son dispositivos controlados por voltaje. similar al de los BJT.50 ¿Qué problemas de operación en serie tienen los MOSFET? 4.47 ¿Qué problemas de operación en paralelo tienen los MOSFET? 4.42 ¿Cuáles son las características de transferencia de los IGBT? 4. y tienen un bajo voltaje de estado activo.49 ¿Qué problemas de operación en serie tienen los BJT? 4.51 ¿Qué problemas de operación en serie tienen los IGBT? 4.4.