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ESTUDO DAS CARACTERISTICAS ELÉTRICAS DE CNTFETs E COMPARAÇÃO CMOS PARA APLICAÇÃO CIRCUITOS ANALÓGICOS INTEGRADOS Buscando inovar os circuitos

integrados na busca pela nanotecnologia, vem crescendo cada vez mais, a implementação de transistores de carbono esta sendo muito utilizada por reduzir excessivamente o tamanho da área do CI, aumentar a velocidade e diminuir o consumo. O CNTFET (carbon nanotube transistor) possuem uma estrutura bem semelhante aos transistores CMOS. Os nanotubos de carbono são constituídos de um tubo de grafeno enrolado, formando tubos com raio de aproximadamente 0,5nm na seção transversal. A tecnologia CMOS permite ao projetista variar o tamanho do W(Largura do canal) dos transistores, já os CNTFETs tem uma largura fixa sendo necessária a associação em paralelo para se ter um maior canal.

A uma pesquisa sobre associações trapezoidais de transistores, o formato trapezoidal é obtido através de associações séries – paralelas de transistores. Para se obter uma associação trapezoidal tanque se garantir que o numero de transistores unitários em paralelo (ND) que formam o transistor composto MD composto pela associação serie próxima ao dreno seja sempre maior do que (NS) numero de transistores unitários que formam o transistor composto MS composto da associação série próxima ao terminal da fonte. Através de simulações com a tecnologia CMOS e a CNTFET podemos notar que a região de saturação do CNTFET foi de aproximadamente 10 vezes maior que a do CMOS. A condutância de saída e a transcondutância são maiores comparados as do CMOS. Em resumo um CNTFET apresenta melhores resultados comparados as tecnologias CMOS.

ANÁLISE DAS CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS DE TRANSISTORES COM NANOTUBOS DE CARBONO E COMPARAÇÃO COM A TECNOLOGIA CMOS 32NM .