Лекция 1.

Фотовольтаическое
преобразование энергии
Лаборатория солнечной энергетики
Факультет энергетики, вычислительной и электротехники
Аризонский государственный универститет, США
Станислав Герасименко
Содержание
1. Место солнечного элемента в фотовольтаической системе
2. Принцип действия солнечного элемента
3. Параметры ВАХ солнечного элемента
4. Ключевые понятия, необходимые для работы
5. Материалы для фотовольтаики
6. Структура материалов
7. Дисперсия электронов
8. Дисперсия фононов
9. Зонная диаграмма, примесные полупроводники
10. Плотность состояний, вероятность заполнения и концентрация носителей
11. Рекомбинация и транспорт носителей
12. Генерация носителей
13. Интерфейс между металлом и полупроводником
14. Решение полной системы уравнений
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
Фотовольтаическая система
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
Для изображения использована идея Stephen Bremner, University of New South Wales
Принцип действия солнечного элемента
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
F(λ)
Вт/м
2
• Мощность солнечного излучения
n-тип
p-тип
J
V
--
+
J,
мА/см
2
V, В
Вт/см
2
• Мощность солнечного элемента
• Коэффициент полезного действия
max
мощность
Основные параметры ВАХ
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
• Напряжение
холостого хода
n-тип
p-тип
V
OC
--
+
J,
мА/см
2
V, В
V
OC
• Ток короткого
замыкания
n-тип
p-тип
--
+
J,
мА/см
2
V, В
J
SC
J
SC
• Коэффициент
заполнения
Основные этапы работы СЭ
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
• Генерация свободных носителей
• Спектральная плотность излучения
• Оптические свойства материала
• Транспорт носителей ко внешним
контактам
• Концентрация сгенерированных
носителей
• Электрические свойства материала
• Выходная мощность пропорциональна току носителей и
напряжению в цепи
• Ток определяется количеством носителей, прошедших через цепь
• Напряжение определяется энергией этих носителей
Ключевые понятия
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
• Генерация и транспорт носителей определяется свойствами
материалов и конструкцией солнечного элемента
• Ключевые понятия
• Коэффициет поглощения
• Зонная структура
• Дрейф и диффузия
• Рекомбинация
• Транспорт через интерфейс
• Сопротивление
• Оптическая концентрация
• Физика твердого тела + транспорт
Изображение является собственностью Christiana Honsberg и Stuart Bowden
Материалы для фотовольтаики
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
• Большинство СЭ состоят из твердых материалов
• Некоторые dye-sensitized имеют жидкие электролиты
• Большинство неорганические
• OPVC использует органические молекулы и полимеры
• Монокристаллические, поликристаллические и аморфные
• Полупроводники, металлы и диэлектрики
Структура материалов
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
• Кристаллическая структура
• Фононный спектр
• Взаимодействие с излучением
• Электронный спектр, зонная диаграмма
• Собственные и примесные полупроводники
• Виды дефектов и дефектные уровни в запрещенной зоне
• Виды рекомбинации
Кристаллическая структура
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
• Существует 14 видов примитивных ячеек (ячеек Браве)
• Используйте Crystal Viewer для визуализации решеток
https://nanohub.org/resources/crystal_viewer
• В кристаллических материалах атомы находятся на своих
местах в узлах кристаллической решекти.
• Примитивная ячейка – минимальный элемент решетки
повторением которого можно воссоздать всю решетку
• Для описания кристаллических плоскостей и направлений
используются индексы Миллера
• Важные типы решеток: алмазная (Si, Ge), цинковой обманки
(GaAs, CdTe)
• Положение атомов в решетке определяет физические
свойства материала
Моно и поликристаллические материалы
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
• В зависимости от размера зерна можно условно разделить на
нанокристаллический (< 100nm), микрокристаллический
(< 1000 um), мультикристаллический (> 1mm)
• Поликристаллические материалы состоят из
монокристаллов (зерен) разного размера и
произвольной ориентации
• Границы зерен оказывают воздействие
на физические свойства и транспорт:
• Болтающиеся связи
• Место концентрации примесей
• Скопление свободных зарядов, потенциальные барьеры
• Каналы для диффузии при легировании
Изображение является собственностью Christiana Honsberg и Stuart Bowden
Аморфные материалы
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
• Отсутствие дальнего порядка, но
наличие ближнего порядка
• Множество дефектов
Источник изображения: Michael Emokpae, http://phillpot.mse.ufl.edu/research_files/Silicon.html
TEM микрограмма: Ujjwal Das, University of Delaware, Institute of Energy Conversion
ITO
(i)a-Si:H
(p)a-Si:H
Si (111)
• Свойства и структура сильно зависят
от условий осаждения или синтеза
Электроны
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
• Валентные электроны находятся на внешней оболочке атома
Являются агентами химических связей между атомами
Учавствуют в проводимости
• Разрешенные значения волнового
вектора электрона, k , составляют
обратную решетку, минимальная
ячейка которой называется 1-ой
зоной Бриллюэна
• Энергия электронов в твердом теле квантуется вследствие
дифракции волновых функций
• Энергия электрона связана с волновым вектором, k, т.е. с модой
колебаний волновой функции
FCC
Фононы
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
• Квант колебаний решетки называется фонон
• Свойства фононов важны, так как фононы учавствуют в
генерации, рекомбинации и рассеивании носителей
• Волновой вектор фонона также принимает только определенные
значения, которые исчерпываются 1-ой зоной Бриллюэна
• Атомы в решетке совершают тепловые колебания
Дисперсия фононов и электронов
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
• Адиабатическое приближение (Born-Oppenheimer):
движение ядер можно отделить от движения электронов
• Полный Гамильтониан системы
По всем электронам По всем ядрам Электрон-ядро
• Под ядром понимается сами ядра и электроны на нижних
электронных оболочках, а электроны – это валентные электроны
Фононный спектр
E
pn
(k)
Электронный спектр
E(k)
Дисперсия фононов и электронов
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
Фононный спектр
кремния
Электронный спектр
Полуэмпирические методы: EPM, TB, kp
Источник: Ioffe Institute http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/Si/
Энергетический спектр Si и GaAs
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
Г
GaAs
Источник: Ioffe Institute http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/Si/
• Электроны и дырки, n = p = n
i
• Прямозонны и непрямозонные полупроводники
L X
Г L X
Si
Зонная диаграмма
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
Si
Источник: Ioffe Institute http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/Si/
E
V
E
C
E
F
вакуум
Χ
E
g
φ
← расстояние →
Плотность состояний и вероятность заполнения
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
• Плотность состояний (DOE) различна для различных энергий
• Вблизи точки Г в 3D
в валентной зоне
в зоне проводимости
• Вероятность заполнения определяется распределением Ферми
E
V
E
C
E
F
• Уровень Ферми – уровень с вероятностью заполнения 0.5
• Показывает количество и среднюю энергию носителей
Концентрация носителей и легирование
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
E
V
E
C
E
F
• Концентрация носителей пропорциональная плотности состояний
и вероятности их заполнения
E
V
E
C
E
F
примесные
уровни
Примесь n-типа, донор
P, As для Si
Примесь p-типа, акцептор
B, Al для Si
• Примеси поставляют свободные носители (электроны в зону
проводимости и дырки в валентную зону)
• При этом уровень Ферми смещается
Концентрация носителей и легирование
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
Рекомбинация
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
• Через определенное время, время жизни, свободные электроны
возвращаются в валентную зону (рекомбинируют с дыркой)
• Энергия электрона сбрасывается тремя основными способами
• С излучением фотона (излучательная рекомбинация)
E
V
E
C
фотон
• Через уровни в запрещенной зоне (SRH рекомбинация)
E
V
E
C
фононы
• Путем передачи энергии другому носителю
(Оже рекомбинация)
E
V
E
C
Транспорт носителей
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
• Изменение положения и момента импульса частицы со временем описывается
кинетическим уравнением Больцмана, которое в RTA приближении записывается
• По определению плотность тока носителей
• В результате получается
• В связке с уравнениями неразрывности и уравнением Пуассона получается
полная система, описывающая транспорт свободных носителей
Генерация носителей
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
• Излучение с энергией превышающей ширину
запрещенной зоны поглощается
E
V
E
C
фотон
• Поток излучения при поглощении зависит от
длины волны и толщины материала
• Частота генерации - разность
потоков фотонов в малом
интервале
Si, AM1.5G
Изображение является собственностью Christiana Honsberg и Stuart Bowden
Интерфейс между металлом и полупроводником
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
Изображение является собственностью Clarence Tracy, Arizona State University
• Термионная эмиссия
• Туннелирование
Плотность тока = q(концентрация носитлей х вероятность
туннелирования х скорость носителей)
Вероятность туннелирования рассчитывается с помощью
Уравнения шредингера для треугольного потенциального барьера
Решение системы уравнений
Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии Станислав Герасименко
• Численные методы
• Собственный «решатель»
• Sentaurus, Silvaco
• PC1D, AMPS-1D, AFORS-HET
• Аналитические методы
• Использование приближений
• Ограниченная применимость
• Решения уравниней – распределение концентраций
носителей и потенциалов в устройстве при
неравновесных условиях => ВАХ и КПД

Содержание
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. 11. 12. 13. 14. Место солнечного элемента в фотовольтаической системе Принцип действия солнечного элемента Параметры ВАХ солнечного элемента Ключевые понятия, необходимые для работы Материалы для фотовольтаики Структура материалов Дисперсия электронов Дисперсия фононов Зонная диаграмма, примесные полупроводники Плотность состояний, вероятность заполнения и концентрация носителей Рекомбинация и транспорт носителей Генерация носителей Интерфейс между металлом и полупроводником Решение полной системы уравнений
Станислав Герасименко

Лекция 1. Фотоэлектрическое преобразование энергии

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful